WO2018083883A1 - 超音波検査装置及び超音波検査方法 - Google Patents

超音波検査装置及び超音波検査方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2018083883A1
WO2018083883A1 PCT/JP2017/032546 JP2017032546W WO2018083883A1 WO 2018083883 A1 WO2018083883 A1 WO 2018083883A1 JP 2017032546 W JP2017032546 W JP 2017032546W WO 2018083883 A1 WO2018083883 A1 WO 2018083883A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
semiconductor device
ultrasonic
ultrasonic transducer
stage
time waveform
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/032546
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
松本　徹
Original Assignee
浜松ホトニクス株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 浜松ホトニクス株式会社 filed Critical 浜松ホトニクス株式会社
Priority to US16/346,919 priority Critical patent/US11105777B2/en
Priority to CN201780066327.0A priority patent/CN109891231B/zh
Priority to SG11201903415VA priority patent/SG11201903415VA/en
Priority to KR1020197012766A priority patent/KR102279569B1/ko
Priority to DE112017005569.5T priority patent/DE112017005569T5/de
Publication of WO2018083883A1 publication Critical patent/WO2018083883A1/ja

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/302—Contactless testing
    • G01R31/303—Contactless testing of integrated circuits
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/22—Details, e.g. general constructional or apparatus details
    • G01N29/26—Arrangements for orientation or scanning by relative movement of the head and the sensor
    • G01N29/265—Arrangements for orientation or scanning by relative movement of the head and the sensor by moving the sensor relative to a stationary material
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/04—Analysing solids
    • G01N29/043—Analysing solids in the interior, e.g. by shear waves
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/22—Details, e.g. general constructional or apparatus details
    • G01N29/225—Supports, positioning or alignment in moving situation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/22—Details, e.g. general constructional or apparatus details
    • G01N29/26—Arrangements for orientation or scanning by relative movement of the head and the sensor
    • G01N29/27—Arrangements for orientation or scanning by relative movement of the head and the sensor by moving the material relative to a stationary sensor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/22—Details, e.g. general constructional or apparatus details
    • G01N29/28—Details, e.g. general constructional or apparatus details providing acoustic coupling, e.g. water
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/34—Generating the ultrasonic, sonic or infrasonic waves, e.g. electronic circuits specially adapted therefor
    • G01N29/341—Generating the ultrasonic, sonic or infrasonic waves, e.g. electronic circuits specially adapted therefor with time characteristics
    • G01N29/343—Generating the ultrasonic, sonic or infrasonic waves, e.g. electronic circuits specially adapted therefor with time characteristics pulse waves, e.g. particular sequence of pulses, bursts
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/44—Processing the detected response signal, e.g. electronic circuits specially adapted therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/44—Processing the detected response signal, e.g. electronic circuits specially adapted therefor
    • G01N29/4454—Signal recognition, e.g. specific values or portions, signal events, signatures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
    • G01N2291/04—Wave modes and trajectories
    • G01N2291/044—Internal reflections (echoes), e.g. on walls or defects
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
    • G01N2291/26—Scanned objects
    • G01N2291/269—Various geometry objects
    • G01N2291/2697—Wafer or (micro)electronic parts

Definitions

  • This embodiment relates to an ultrasonic inspection apparatus and an ultrasonic inspection method.
  • a conventional ultrasonic inspection apparatus for example, there is a semiconductor integrated circuit wiring system inspection apparatus using ultrasonic heating described in Patent Document 1.
  • this conventional ultrasonic inspection apparatus ultrasonic waves are applied to a semiconductor integrated circuit, which is an object to be inspected, while power is supplied from a constant voltage source.
  • a current image or a defect image of the semiconductor integrated circuit is generated by detecting a change in the current flowing through the ground wiring in response to the irradiation of the ultrasonic wave.
  • the semiconductor chip taken out from the package is the inspection target.
  • the semiconductor device is inspected in the packaged state. Is preferred.
  • a semiconductor chip as an observation point cannot be visually recognized from the outside, and thus a device for making it easy to focus ultrasonic waves on the semiconductor chip is required.
  • the present embodiment has been made to solve the above-described problem, and provides an ultrasonic inspection apparatus and an ultrasonic inspection method capable of easily focusing an ultrasonic wave at a desired position in a packaged semiconductor device.
  • the purpose is to provide.
  • An ultrasonic inspection apparatus is an ultrasonic inspection apparatus for inspecting a packaged semiconductor device, an ultrasonic transducer that outputs ultrasonic waves to the semiconductor device, and the semiconductor device
  • a reflection detector that detects the reflected wave of the ultrasonic wave reflected by the laser
  • a stage that moves the relative position of the semiconductor device and the ultrasonic transducer
  • a stage controller that controls the drive of the stage
  • an ultrasonic transducer An analysis unit that analyzes a reaction of the semiconductor device according to the input of the sound wave, and the stage control unit is configured to detect the semiconductor device and the ultrasonic wave based on a peak that appears in the time waveform of the reflected wave detected by the reflection detection unit. Controls the distance to the transducer.
  • the distance between the semiconductor device and the ultrasonic transducer is controlled based on the peak appearing in the time waveform of the reflected wave detected by the reflection detector.
  • the peak of the time waveform of the reflected wave appears corresponding to the reflection of the ultrasonic wave on the chip surface in the semiconductor device. Therefore, by controlling the distance between the semiconductor device and the ultrasonic transducer based on the peak, the ultrasonic wave can be easily focused on the position of the chip in the package.
  • the stage control unit may control the distance between the semiconductor device and the ultrasonic transducer so that the peak of the time waveform is maximized. Thereby, it is possible to accurately focus the ultrasonic wave on the position of the chip in the package.
  • the stage control unit may control the distance between the semiconductor device and the ultrasonic transducer based on any one of the second and subsequent peaks appearing in the time waveform.
  • the first peak appearing in the time waveform is considered to be due to the reflected wave from the package surface of the semiconductor device. Therefore, by focusing attention on the second and subsequent peaks appearing in the time waveform, when the chip is arranged in a single layer or a plurality of layers in the package, the ultrasonic wave is easily focused on the position of the chip in the package. be able to.
  • the stage control unit may detect a peak by setting a detection window for a time waveform based on package information in the semiconductor device. In this case, the peak of the time waveform can be accurately detected in a short time.
  • the ultrasonic inspection apparatus also includes a power supply device that applies a constant voltage or a constant current to a semiconductor device, and a reaction that detects the current or voltage of the semiconductor device according to the input of the ultrasonic wave in a constant voltage or constant current application state
  • a detection unit, and the analysis unit may generate an analysis image based on a detection signal from the reaction detection unit. In this case, it is possible to accurately inspect the packaged semiconductor device by measuring the resistance change of the semiconductor device due to the input of the ultrasonic wave.
  • the ultrasonic inspection apparatus further includes a signal generation unit that inputs a drive signal to the ultrasonic transducer and outputs a reference signal corresponding to the drive signal, and the analysis unit is based on the detection signal and the reference signal. An analysis image may be generated. Thereby, the inspection accuracy of the packaged semiconductor device can be further increased.
  • the analysis unit may generate a reflection image based on the detection signal from the reflection detection unit.
  • the chip shape inside the semiconductor device can be acquired based on the reflection image.
  • the analysis unit may generate a superimposed image in which the analysis image and the reflection image are superimposed.
  • the analysis result based on the analysis image and the chip shape inside the semiconductor device are superimposed, so that it is easy to specify the failure location.
  • An ultrasonic inspection method is an ultrasonic inspection method for inspecting a packaged semiconductor device, and a focal position of an ultrasonic wave output from an ultrasonic transducer with respect to the semiconductor device And an analysis step for analyzing the response of the semiconductor device in response to the input of the ultrasonic wave.
  • the adjustment step the reflected wave of the ultrasonic wave reflected by the semiconductor device is detected, and the time of the reflected wave is detected.
  • the distance between the semiconductor device and the ultrasonic transducer is adjusted based on the peak appearing in the waveform.
  • the distance between the semiconductor device and the ultrasonic transducer is adjusted based on the peak appearing in the time waveform of the reflected wave detected by the reflection detector.
  • the peak of the time waveform of the reflected wave appears corresponding to the reflection of the ultrasonic wave on the chip surface in the semiconductor device. Therefore, by controlling the distance between the semiconductor device and the ultrasonic transducer based on the peak, the ultrasonic wave can be easily focused on the position of the chip in the package.
  • the distance between the semiconductor device and the ultrasonic transducer may be adjusted so that the peak of the time waveform is maximized. Thereby, it is possible to accurately focus the ultrasonic wave on the position of the chip in the package.
  • the distance between the semiconductor device and the ultrasonic transducer may be adjusted based on any one of the second and subsequent peaks appearing in the time waveform. In this way, when the chip is arranged in a single layer or a plurality of layers in the package, it is possible to easily focus the ultrasonic wave on the position of the chip in the package.
  • a detection window for a time waveform may be set based on package information in the semiconductor device to detect a peak.
  • the peak of the time waveform can be accurately detected in a short time.
  • FIG. 4 is a diagram showing a step subsequent to FIG. 3. It is a figure which shows another example of adjustment of the focus position of an ultrasonic wave. It is a figure which shows an example of an analysis image. It is a figure which shows an example of a reflected image. It is a figure which shows an example of a superimposed image.
  • 3 is a flowchart illustrating an example of an operation in the ultrasonic inspection apparatus illustrated in FIG. 1.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of an ultrasonic inspection apparatus.
  • This ultrasonic inspection apparatus 1 is an apparatus that inspects a semiconductor device D to be inspected in a packaged state.
  • the ultrasonic inspection apparatus 1 is configured as an apparatus that performs the presence / absence of a failure of the packaged semiconductor device D and the location of the failure based on a method of measuring a resistance change of the semiconductor device D caused by the input of the ultrasonic wave W. Has been.
  • the one surface side of the semiconductor device D is an inspection surface Dt to which the ultrasonic wave W is input.
  • the semiconductor device D is held by a holding plate or the like with the inspection surface Dt facing downward.
  • the semiconductor device D is a logic LSI (transistor) including individual semiconductor elements (discrete) including diodes, power transistors, etc., optoelectronic elements, sensors / actuators, or MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) or bipolar transistors. Large-scale integration), memory elements, linear IC (integrated circuit), and hybrid devices thereof.
  • the semiconductor device D may be a package including a semiconductor device, a composite substrate, or the like.
  • an ultrasonic inspection apparatus 1 includes an ultrasonic transducer 2, a stage 3, a pulse generator (signal generation unit) 4, a reaction detection unit 5, and a lock-in amplifier (frequency analysis unit) 6. And a computer (analysis unit) 7 and a monitor 8.
  • the ultrasonic transducer 2 is a device that inputs an ultrasonic wave W toward the semiconductor device D. As shown in FIG. 2, the ultrasonic transducer 2 includes a pulsar 11 and a medium holding unit 12.
  • the ultrasonic transducer 2 has, for example, a cylindrical shape, more specifically, a cylindrical shape.
  • the distal end surface 2 a of the ultrasonic transducer 2 is a portion that outputs the ultrasonic wave W, and is disposed upward so as to face the inspection surface Dt of the semiconductor device D.
  • the tip surface 2a is actually concave, and the ultrasonic wave W generated at each position of the tip surface 2a has a focal point at a position away from the tip surface 2a by a certain distance.
  • the ultrasonic wave W output from the distal end surface 2a is an elastic vibration wave of about 20 kHz to 10 GHz, for example.
  • the pulser 11 is a part that drives the ultrasonic transducer 2 based on a drive signal output from the pulse generator 4.
  • the pulser 11 also has a function as a receiver (reflection detection unit) 13 that detects the ultrasonic wave W reflected by the inspection surface of the semiconductor device D.
  • the receiver 13 detects the reflected wave of the ultrasonic wave W and outputs a detection signal indicating the detection result to the computer 7.
  • the medium holding unit 12 is a part that holds the medium M between the ultrasonic transducer 2 and the semiconductor device D.
  • the medium M held by the medium holding unit 12 is water.
  • the medium M is not particularly limited as long as the impedance matches the material used for the package of the semiconductor device D, and other liquids such as glycerin, gel-like or jelly-like substances may be used.
  • the medium holding unit 12 includes a cylindrical member 14 formed of a material that has sufficient flexibility and wettability with respect to the medium M, such as silicone resin.
  • the tubular member 14 is detachably fitted to the end 2b of the ultrasonic transducer 2 on the distal end surface 2a side.
  • the tubular member 14 is slidably fitted to the end 2b so that a part of the tubular member 14 protrudes from the tip surface 2a, so that the inner peripheral surface 14a of the tubular member 14 and the ultrasonic transducer 2 A holding space S for holding the medium M is formed by the tip surface 2a.
  • the volume of the holding space S can be varied.
  • the range in which the focal position of the ultrasonic wave W output from the ultrasonic transducer 2 can be adjusted can be adjusted. Thereby, it is possible to provide an optimum volume of the holding space S in which the medium M does not spill even for the semiconductor devices D having different package resin thicknesses.
  • the cylindrical member 14 may be provided with a scale.
  • the position where the scale is provided is, for example, the inner peripheral surface 14a or the outer peripheral surface 14c of the cylindrical member 14.
  • the protruding amount of the cylindrical member 14 can be adjusted by manually sliding the position of the cylindrical member 14 with respect to the end 2b of the ultrasonic transducer 2 and changing the fitting amount of the cylindrical member 14. You may adjust the position of the cylindrical member 14 with respect to the edge part 2b of the ultrasonic transducer
  • a medium flow port 15 for adjusting the holding amount of the medium M held in the holding space S is provided in the peripheral wall portion of the cylindrical member 14.
  • a circulation pipe 16 connected to an external medium storage unit (not shown) is inserted into the medium circulation port 15, and the medium M flows into the holding space S and is discharged from the holding space S. It has become so.
  • the flow rate of the medium M is controlled by the computer 7, for example.
  • the medium flow port 15 is preferably provided at a constant interval from the tip surface 14 b of the cylindrical member 14. Thereby, even when foreign matter is mixed into the medium M flowing from the medium flow port 15, it is possible to suppress the foreign matter from being collected in the vicinity of the front end surface 14 b of the cylindrical member 14 in the holding space S.
  • the ultrasonic wave W is focused near the distal end surface 14 b of the cylindrical member 14. Thereby, it is suppressed that a foreign material gathers in the front end surface 14b vicinity of the cylindrical member 14, and the influence of the interference of the ultrasonic wave W to a foreign material can be suppressed.
  • a level sensor (holding amount detection unit) 17 that detects the holding amount of the medium M in the holding space S is above the medium flow port 15 (on the front end surface 14 b side). It is attached to the position.
  • the level sensor 17 outputs a detection signal indicating the detection result to the computer 7.
  • control of the amount of the medium M in the holding space S when the focal position of the ultrasonic wave W is adjusted is executed.
  • a distance sensor that detects a distance from the semiconductor device D may be attached to the tubular member 14. Thereby, when the stage 3 mentioned later is driven to a Z-axis direction, interference with the cylindrical member 14 and the semiconductor device D can be prevented.
  • the stage 3 is an apparatus that moves the relative position between the semiconductor device D and the ultrasonic transducer 2 as shown in FIG.
  • the stage 3 is configured as a three-axis stage that can be driven in the XYZ-axis directions, and the ultrasonic transducer 2 is fixed on the stage 3.
  • the driving of the stage 3 is controlled based on an instruction signal from the computer 7.
  • the stage 3 is driven in the in-plane direction (XY axis direction) of the inspection surface Dt of the semiconductor device D, the input position of the ultrasonic wave W on the inspection surface Dt of the semiconductor device D is scanned.
  • the stage 3 when the stage 3 is driven in the thickness direction (Z-axis direction) of the semiconductor device D, the focal position of the ultrasonic wave W is adjusted with a certain accuracy with respect to the thickness direction of the semiconductor device D.
  • the stage 3 may be fixed to the semiconductor device D instead of the ultrasonic transducer 2.
  • the medium M is supplied to the holding space S to the extent that it rises from the holding space S of the medium holding unit 12 due to surface tension.
  • the stage 3 when the stage 3 is driven in the thickness direction of the semiconductor device D, the raised portion Ma of the medium M is brought into contact with the inspection surface Dt of the semiconductor device D.
  • the path of the ultrasonic wave W from the distal end surface 2 a of the ultrasonic transducer 2 to the inspection surface Dt of the semiconductor device D is filled with the medium M. Then, as shown in FIG. 3, the stage 3 is further driven in the thickness direction of the semiconductor device D, and the focal position of the ultrasonic wave W is adjusted near the chip C in the semiconductor device D.
  • the pulse generator 4 is a device that inputs a drive signal to the ultrasonic transducer 2.
  • the frequency of the drive signal is set to a frequency equal to the frequency of the ultrasonic wave W generated by the ultrasonic transducer 2.
  • a lock-in frequency is set separately, and a burst signal obtained by synthesizing the frequency for generating the ultrasonic wave W and the lock-in frequency is used.
  • a reference signal corresponding to the lock-in frequency is output from the pulse generator 4 to the lock-in amplifier 6.
  • the frequency for generating ultrasonic waves is, for example, about 25 MHz to 300 MHz
  • the lock-in frequency is, for example, about 1 kHz to 5 kHz.
  • the reaction detection unit 5 is a device that detects the reaction of the semiconductor device D according to the input of the ultrasonic wave W by the ultrasonic vibrator 2.
  • the reaction detection unit 5 is constituted by, for example, a detection amplifier connected to the preceding stage of the lock-in amplifier 6.
  • the reaction detection unit 5 includes a power supply device 10 that applies a constant voltage or a constant current to the semiconductor device D.
  • the reaction detection unit 5 detects the current or voltage of the semiconductor device D according to the input of the ultrasonic wave W in a constant voltage or constant current application state, and outputs a detection signal indicating the detection result to the lock-in amplifier 6.
  • the reaction detection unit 5 may extract only an AC component and output a detection signal.
  • the lock-in amplifier 6 is a device that detects the lock-in of the detection signal output from the reaction detection unit 5.
  • the lock-in amplifier 6 performs lock-in detection on the detection signal output from the reaction detection unit 5 based on the reference signal output from the pulse generator 4. Then, the lock-in amplifier 6 outputs a detection signal indicating the detection result to the computer 7.
  • the computer 7 physically includes a memory such as a RAM and a ROM, a processor (arithmetic circuit) such as a CPU, a communication interface, a storage unit such as a hard disk, and a display unit such as a monitor 8.
  • Examples of the computer 7 include a personal computer, a cloud server, a smart device (smart phone, tablet terminal, etc.), a microcomputer, and an FPGA (field-programmable gate array).
  • the computer 7 functions as a stage control unit 21 that controls the operation of the stage 3 and an analysis unit 22 that analyzes a detection signal from the lock-in amplifier 6 by executing a program stored in the memory by a CPU of the computer system. To do.
  • the stage control unit 21 performs adjustment control of the focal position of the ultrasonic wave W with respect to the thickness direction of the semiconductor device D and scanning control of the ultrasonic wave W with respect to the inspection surface Dt of the semiconductor device D.
  • the stage control unit 21 performs control of the stage 3 in the Z direction based on the detection signal output from the receiver 13 of the ultrasonic transducer 2.
  • the stage control unit 21 controls the stage 3 in the X and Y directions so that the ultrasonic wave W moves along the inspection surface Dt of the semiconductor device D.
  • the stage control unit 21 sequentially outputs position information of the stage 3 at the time of scanning control to the analysis unit 22.
  • FIG. 4 is a diagram showing an example of focus position adjustment control.
  • the horizontal axis is time (the time from when the ultrasonic wave W is output until the reflected wave is detected)
  • the vertical axis is the amplitude
  • the time waveform K of the detection signal from the receiver 13 is It is plotted.
  • the time waveform K may be obtained by integrating the reflected wave detection signals when the ultrasonic wave W is output a plurality of times.
  • the stage control unit 21 controls the position of the stage 3 in the Z-axis direction so that the amplitude of the second peak P2 is maximized.
  • the focus position adjustment control there may be a case where the resin thickness of the package is known, or a case where the resin composition of the package is known and the sound velocity of the ultrasonic wave W in the package can be calculated.
  • the range of the appearance position (appearance time) of the second peak P2 may be calculated in advance based on these pieces of information, and the detection window A for detecting the second peak P2 may be set. By setting the detection window A, the detection accuracy of the appearance position of the second peak P2 can be improved and the detection time can be shortened. If it is known that a plurality of layers of chips C are built in the semiconductor device D, the position of the stage 3 in the Z-axis direction may be controlled based on the peaks after the second peak P2.
  • the position of the stage 3 in the Z-axis direction may be adjusted so as to correspond to the central position (central time) T of the range in which the amplitude of the second peak P2 is maximum.
  • the time waveform K may be differentiated, and the position of the stage 3 in the Z-axis direction may be adjusted so as to correspond to the center position of the peak value of the time waveform after the differentiation process.
  • the analysis unit 22 maps the detection signal output from the lock-in amplifier 6 during the inspection of the semiconductor device D based on the position information of the stage 3 output from the stage control unit 21, and performs analysis as shown in FIG. An image 31 is generated.
  • the analysis image the display luminance range, color, transmittance, and the like according to the reaction of the semiconductor device D (current or voltage change amount) can be arbitrarily set.
  • the analysis unit 22 maps the detection signal output from the receiver 13 during the inspection of the semiconductor device D based on the position information of the stage 3 output from the stage control unit 21, and reflects as shown in FIG. An image 32 is generated.
  • a reflection image 32 representing the shape of the chip C in the semiconductor device D can be obtained.
  • the analysis unit 22 may generate a superimposed image 33 in which the analysis image 31 and the reflection image 32 are superimposed as shown in FIG.
  • the analysis unit 22 outputs the generated superimposed image 33 to the monitor 8.
  • the reaction of the semiconductor device D indicated by the analysis image 31 is superimposed on the shape of the chip C in the semiconductor device D indicated by the reflection image 32, and the failure position of the chip C can be easily identified.
  • the reflected image 32 not only the shape of the chip C but also an abnormality such as circuit peeling may be confirmed. Therefore, in the superimposed image 33, when an abnormal position that can be confirmed from the analysis image 31 and an abnormal position that can be confirmed from the reflected image 32 overlap, the abnormal position may be highlighted.
  • FIG. 10 is a flowchart showing an example of the operation of the ultrasonic inspection apparatus 1.
  • the semiconductor device D is inspected using the ultrasonic inspection apparatus 1
  • the semiconductor device D is placed on a holding plate (not shown) or the like (step S01).
  • the medium M is caused to flow from the medium flow port 15 into the medium holding unit 12, and the medium M is held in the holding space S (step S02).
  • step S02 as described above, the raised portion Ma of the medium M due to the surface tension is formed.
  • the stage 3 is in the Z-axis direction so that the front end surface 14b of the cylindrical member 14 does not contact the inspection surface Dt of the semiconductor device D, and only the raised portion Ma of the medium M contacts the inspection surface Dt of the semiconductor device D. Driven (see FIG. 2).
  • the focal position of the ultrasonic wave W is adjusted (step S03).
  • the stage 3 is driven in the X-axis direction and the Y-axis direction so that the ultrasonic transducer 2 comes to a position facing the chip C.
  • the focal position of the ultrasonic wave W matches the surface of the chip C inside the semiconductor device D.
  • the stage controller 21 may automatically adjust the focal position of the ultrasonic wave W, and the user of the ultrasonic inspection apparatus 1 while visually confirming the appearance position of the second peak P2 of the time waveform K. May be performed by manually moving the position of the stage 3.
  • a step of adjusting the tilt of the semiconductor device D may be executed.
  • this step for example, the posture of the holding plate or the stage 3 is adjusted so that the time waveforms K of the reflected waves when the stage 3 is driven one by one in the X-axis direction and the Y-axis direction match each other.
  • This step may also be executed automatically by the stage controller 21 or manually by the user of the ultrasonic inspection apparatus 1 while visually checking the time waveform K.
  • step S04 a reflection image of the semiconductor device D is generated (step S04).
  • a drive signal is input from the pulse generator 4 to the ultrasonic transducer 2, and the ultrasonic wave W is irradiated from the ultrasonic transducer 2 to the semiconductor device D.
  • the reflected wave from the semiconductor device D is detected by the receiver 13, and mapping is performed based on the detection signal output from the receiver 13 and the position information of the stage 3 output from the stage control unit 21, A reflection image 32 is generated.
  • step S05 a constant voltage (or a constant current) is applied from the power supply device 10 to the semiconductor device D, a drive signal is input from the pulse generator 4 to the ultrasonic transducer 2, and the semiconductor device D is transmitted from the ultrasonic transducer 2.
  • the ultrasonic wave W is input to.
  • the stage 3 is driven in the XY axis directions, and a change in the current or voltage of the semiconductor device D according to the input of the ultrasonic wave W is detected at each position on the inspection surface Dt of the semiconductor device D.
  • a change in the current or voltage of the semiconductor device D is detected by the reaction detection unit 5, and a detection signal from which the AC component is extracted is output from the reaction detection unit 5 to the lock-in amplifier 6.
  • the lock-in amplifier 6 performs lock-in detection based on the detection signal output from the reaction detection unit 5 and the reference signal output from the pulse generator 4, and the detection signal is output to the analysis unit 22.
  • the analysis unit 22 generates an analysis image and a reflection image based on the detection signal of the lock-in detection. That is, the detection signal output from the lock-in amplifier 6 during the inspection of the semiconductor device D is mapped based on the position information of the stage 3 output from the stage control unit 21, and the analysis image 31 is generated. Then, the analysis unit 22 generates a superimposed image 33 in which the analysis image 31 and the reflected image 32 are superimposed, and the superimposed image 33 is displayed on the monitor 8 (step S06).
  • the ultrasonic inspection apparatus 1 controls the distance between the semiconductor device D and the ultrasonic transducer 2 based on the peak appearing in the time waveform K of the reflected wave detected by the receiver 13.
  • the peak of the time waveform K of the reflected wave appears corresponding to the reflection of the ultrasonic wave W on the surface of the chip C in the semiconductor device D. Therefore, by controlling the distance between the semiconductor device D and the ultrasonic transducer 2 based on the peak, the focal position of the ultrasonic wave W can be easily adjusted to the position of the chip in the package.
  • the stage controller 21 controls the distance between the semiconductor device D and the ultrasonic transducer 2 so that the peak of the time waveform K is maximized. Thereby, the focal position of the ultrasonic wave W can be accurately adjusted to the position of the chip C in the package.
  • the stage controller 21 controls the distance between the semiconductor device D and the ultrasonic transducer 2 based on any one of the second and subsequent peaks that appear in the time waveform K.
  • the first peak appearing in the time waveform K is considered to be due to a reflected wave from the package surface of the semiconductor device D. Therefore, by focusing on the second and subsequent peaks appearing in the time waveform K, when the chip C is arranged in a single layer or a plurality of layers in the package, the focal point of the ultrasonic wave W at the position of the chip C in the package. The position can be easily adjusted.
  • the stage control unit 21 sets a detection window A for the time waveform K based on package information (thickness, resin composition, etc.) in the semiconductor device D, and performs peak detection. .
  • package information thickness, resin composition, etc.
  • the power supply device 10 that applies a constant voltage or a constant current to the semiconductor device D, and the current of the semiconductor device D according to the input of the ultrasonic wave W in the application state of the constant voltage or the constant current
  • a reaction detection unit 5 that detects a voltage is further provided, and the analysis unit 22 generates an analysis image 31 based on a detection signal from the reaction detection unit 5.
  • the ultrasonic inspection apparatus 1 further includes a pulse generator 4 that inputs a drive signal to the ultrasonic transducer 2 and outputs a reference signal corresponding to the drive signal.
  • An analysis image 31 is generated based on the reference signal.
  • the analysis unit 22 generates the reflection image 32 based on the detection signal from the receiver 13. Based on the reflected image 32, the shape of the chip C in the semiconductor device D can be acquired. Further, it is possible to detect a physical abnormality such as circuit peeling.
  • the analysis unit 22 In the ultrasonic inspection apparatus 1, the analysis unit 22 generates a superimposed image 33 in which the analysis image 31 and the reflection image 32 are superimposed. In the superimposed image 33, the analysis result of the analysis image 31 and the shape of the chip C in the semiconductor device D are superimposed, so that it is easy to specify the failure position and the like.
  • the adjustment method of the focal position of the ultrasonic wave W based on the peak of the time waveform K is applied to the apparatus that analyzes the reaction of the semiconductor device D according to the input of the ultrasonic wave W.
  • the adjustment method may be applied to an apparatus that inputs a test pattern from a tester and analyzes a reaction of a semiconductor device.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

超音波検査装置１は、パッケージ化された半導体デバイスＤを検査対象とする装置であって、半導体デバイスＤに対して超音波Ｗを出力する超音波振動子２と、半導体デバイスＤで反射した超音波Ｗの反射波を検出するレシーバ（反射検出部）１３と、半導体デバイスＤと超音波振動子２との相対位置を移動させるステージ３と、ステージ３の駆動を制御するステージ制御部２１と、超音波振動子２による超音波Ｗの入力に応じた半導体デバイスＤの反応を解析する解析部２２と、を備え、ステージ制御部２１は、レシーバ１３で検出された反射波の時間波形Ｋに出現するピークに基づいて、半導体デバイスＤと超音波振動子２との距離を制御する。

Description

超音波検査装置及び超音波検査方法
　本形態は、超音波検査装置及び超音波検査方法に関する。
　従来の超音波検査装置として、例えば特許文献１に記載の超音波加熱を用いた半導体集積回路配線系の検査装置がある。この従来の超音波検査装置では、被検査体である半導体集積回路に対し、定電圧源から電力を供給しながら超音波を照射する。そして、超音波の照射に応じてグランド配線に流れる電流の変化を検出することにより、半導体集積回路の電流像或いは欠陥像を生成するようになっている。
特開平８－３２０３５９号公報
　上述した従来の超音波検査装置では、パッケージから取り出した半導体チップが検査対象となっている。しかしながら、半導体チップをパッケージから取り出す作業が必要なことや、半導体チップの取り出しの際に回路の特性が変化してしまう可能性などを考慮すると、パッケージ化された状態のままで半導体デバイスを検査することが好適である。一方、パッケージ化された半導体デバイスを検査する場合、観察点である半導体チップを外部から視認できないため、半導体チップに超音波の焦点を合わせ易くするための工夫が必要となる。
　本形態は、上記課題の解決のためになされたものであり、パッケージ化された半導体デバイス内の所望の位置に超音波の焦点を容易に合わせることができる超音波検査装置及び超音波検査方法を提供することを目的とする。
　本形態の一側面に係る超音波検査装置は、パッケージ化された半導体デバイスを検査対象とする超音波検査装置であって、半導体デバイスに対して超音波を出力する超音波振動子と、半導体デバイスで反射した超音波の反射波を検出する反射検出部と、半導体デバイスと超音波振動子との相対位置を移動させるステージと、ステージの駆動を制御するステージ制御部と、超音波振動子による超音波の入力に応じた半導体デバイスの反応を解析する解析部と、を備え、ステージ制御部は、反射検出部で検出された反射波の時間波形に出現するピークに基づいて、半導体デバイスと超音波振動子との距離を制御する。
　この超音波検査装置では、反射検出部で検出された反射波の時間波形に出現するピークに基づいて、半導体デバイスと超音波振動子との距離を制御する。反射波の時間波形のピークは、半導体デバイス内のチップ表面での超音波の反射に対応して出現する。したがって、当該ピークに基づいて半導体デバイスと超音波振動子との距離を制御することにより、パッケージ内のチップの位置に超音波の焦点を容易に合わせることができる。
　また、ステージ制御部は、時間波形のピークが最大となるように半導体デバイスと超音波振動子との距離を制御してもよい。これにより、パッケージ内のチップの位置に超音波の焦点を精度良く合わせることができる。
　また、ステージ制御部は、時間波形に出現する２番目以降のいずれか一のピークに基づいて、半導体デバイスと超音波振動子との距離を制御してもよい。時間波形に出現する１番目のピークは、半導体デバイスのパッケージ表面からの反射波によるものと考えられる。したがって、時間波形に出現する２番目以降のピークに着目することで、パッケージ内にチップが単層或いは複数層配置されている場合に、パッケージ内のチップの位置に超音波の焦点を容易に合わせることができる。
　また、ステージ制御部は、半導体デバイスにおけるパッケージの情報に基づいて時間波形に対する検出窓を設定し、ピークの検出を行ってもよい。この場合、時間波形のピークを短時間で精度良く検出することが可能となる。
　また、超音波検査装置は、半導体デバイスに定電圧又は定電流を印加する電源装置と、定電圧又は定電流の印加状態において、超音波の入力に応じた半導体デバイスの電流又は電圧を検出する反応検出部と、を更に備え、解析部は、反応検出部からの検出信号に基づいて解析画像を生成してもよい。この場合、超音波の入力に起因する半導体デバイスの抵抗変化を計測することで、パッケージ化された半導体デバイスの検査を精度良く実施できる。
　超音波検査装置は、超音波振動子に対して駆動信号を入力すると共に、駆動信号に応じた参照信号を出力する信号発生部を更に備え、解析部は、検出信号と参照信号とに基づいて解析画像を生成してもよい。これにより、パッケージ化された半導体デバイスの検査精度を一層高めることができる。
　また、解析部は、反射検出部からの検出信号に基づいて反射画像を生成してもよい。この場合、反射画像に基づいて半導体デバイス内部のチップ形状を取得できる。
　また、解析部は、解析画像と反射画像とを重畳した重畳画像を生成してもよい。この場合、解析画像による解析結果と半導体デバイス内部のチップ形状とが重畳されるので、故障位置などの特定が容易なものとなる。
　本形態の一側面に係る超音波検査方法は、パッケージ化された半導体デバイスを検査対象とする超音波検査方法であって、半導体デバイスに対し、超音波振動子から出力される超音波の焦点位置を調整する調整ステップと、超音波の入力に応じた半導体デバイスの反応を解析する解析ステップと、を含み、調整ステップにおいて、半導体デバイスで反射した超音波の反射波を検出し、反射波の時間波形に出現するピークに基づいて、半導体デバイスと超音波振動子との距離を調整する。
　この超音波検査方法では、反射検出部で検出された反射波の時間波形に出現するピークに基づいて、半導体デバイスと超音波振動子との距離を調整する。反射波の時間波形のピークは、半導体デバイス内のチップ表面での超音波の反射に対応して出現する。したがって、当該ピークに基づいて半導体デバイスと超音波振動子との距離を制御することにより、パッケージ内のチップの位置に超音波の焦点を容易に合わせることができる。
　また、調整ステップにおいて、時間波形のピークが最大となるように半導体デバイスと超音波振動子との距離を調整してもよい。これにより、パッケージ内のチップの位置に超音波の焦点を精度良く合わせることができる。
　また、調整ステップにおいて、時間波形に出現する２番目以降のいずれか一のピークに基づいて、半導体デバイスと超音波振動子との距離を調整してもよい。こうすると、パッケージ内にチップが単層或いは複数層配置されている場合に、パッケージ内のチップの位置に超音波の焦点を容易に合わせることができる。
　また、調整ステップにおいて、半導体デバイスにおけるパッケージの情報に基づいて時間波形に対する検出窓を設定し、ピークの検出を行ってもよい。この場合、時間波形のピークを短時間で精度良く検出することが可能となる。
　本形態によれば、パッケージ化された半導体デバイス内の所望の位置に超音波の焦点を容易に合わせることができる。
超音波検査装置の一実施形態を示す概略構成図である。 超音波振動子の構成を示す概略図である。 検査実行時の超音波の焦点位置を示す概略図である。 超音波の焦点位置の調整制御の一例を示す図である。 図３の後続の工程を示す図である。 超音波の焦点位置の調整の別例を示す図である。 解析画像の一例を示す図である。 反射画像の一例を示す図である。 重畳画像の一例を示す図である。 図１に示した超音波検査装置における動作の一例を示すフローチャートである。
　以下、図面を参照しながら、本形態の一側面に係る超音波検査装置及び超音波検査方法の好適な実施形態について詳細に説明する。
　図１は、超音波検査装置の一実施形態を示す概略構成図である。この超音波検査装置１は、検査対象である半導体デバイスＤをパッケージ化された状態のまま検査する装置である。超音波検査装置１は、超音波Ｗの入力に起因する半導体デバイスＤの抵抗変化を計測する手法に基づき、パッケージ化された半導体デバイスＤの故障の有無及び故障位置の特定などを行う装置として構成されている。
　半導体デバイスＤの一面側は、超音波Ｗが入力される検査面Ｄｔとなっている。半導体デバイスＤは、当該検査面Ｄｔを下方に向けた状態で保持板などによって保持される。半導体デバイスＤとしては、ダイオードやパワートランジスタ等を含む個別半導体素子（ディスクリート）、オプトエレクトロニクス素子、センサ／アクチュエータ、或いはＭＯＳ（Metal-Oxide-Semiconductor）構造やバイポーラ構造のトランジスタで構成されるロジックＬＳＩ（Large Scale Integration）、メモリ素子、リニアＩＣ（Integrated Circuit）、及びこれらの混成デバイス等が挙げられる。また、半導体デバイスＤは、半導体デバイスを含むパッケージ、複合基板等であってもよい。
　図１に示すように、超音波検査装置１は、超音波振動子２と、ステージ３と、パルスジェネレータ（信号発生部）４と、反応検出部５と、ロックインアンプ（周波数解析部）６と、コンピュータ（解析部）７と、モニタ８とを含んで構成されている。
　超音波振動子２は、半導体デバイスＤに向けて超音波Ｗを入力するデバイスである。超音波振動子２は、図２に示すように、パルサー１１と、媒質保持部１２とを有している。超音波振動子２は、例えば筒状をなし、より具体的には円筒状をなしている。超音波振動子２の先端面２ａは、超音波Ｗを出力する部分であり、半導体デバイスＤの検査面Ｄｔと対向するように上方向きに配置されている。先端面２ａは、実際には凹面状をなしており、先端面２ａのそれぞれの位置で発生した超音波Ｗは、先端面２ａから一定の距離だけ離れた位置に焦点を有する。先端面２ａから出力される超音波Ｗは、例えば２０ｋＨｚ～１０ＧＨｚ程度の弾性振動波である。
　パルサー１１は、パルスジェネレータ４から出力される駆動信号に基づいて超音波振動子２を駆動する部分である。本実施形態では、パルサー１１は、半導体デバイスＤの検査面で反射した超音波Ｗを検出するレシーバ（反射検出部）１３としての機能も有している。レシーバ１３は、超音波Ｗの反射波を検出し、検出結果を示す検出信号をコンピュータ７に出力する。
　媒質保持部１２は、超音波振動子２と半導体デバイスＤとの間で媒質Ｍを保持する部分である。媒質保持部１２によって保持される媒質Ｍは、本実施形態では水である。媒質Ｍは、半導体デバイスＤのパッケージに用いられている材質とインピーダンスが整合するものであれば特に制限はなく、グリセリン等の他の液体、或いはゲル状、ゼリー状の物質などを用いてもよい。本実施形態では、媒質保持部１２は、例えばシリコーン樹脂など、可撓性及び媒質Ｍに対する濡れ性を十分に有する材料によって形成された筒状部材１４を有している。筒状部材１４は、超音波振動子２の先端面２ａ側の端部２ｂに着脱自在に嵌合するようになっている。
　筒状部材１４の一部が先端面２ａから突出するように筒状部材１４を端部２ｂにスライド自在に嵌合することで、筒状部材１４の内周面１４ａと超音波振動子２の先端面２ａとによって媒質Ｍを保持する保持空間Ｓが形成される。超音波振動子２の先端面２ａからの筒状部材１４の突出量を調整することで、保持空間Ｓの容積が可変となる。この筒状部材１４の突出量の調整により、超音波振動子２から出力される超音波Ｗの焦点位置を調整可能な範囲を調整することができる。これにより、パッケージの樹脂厚の異なる半導体デバイスＤに対しても、媒質Ｍがこぼれることがない最適な保持空間Ｓの容積を設けることができる。
　筒状部材１４の突出量の把握を容易にするため、筒状部材１４には目盛りが設けられていてもよい。目盛りが設けられる位置は、例えば筒状部材１４の内周面１４ａ或いは外周面１４ｃである。筒状部材１４の突出量は、超音波振動子２の端部２ｂに対する筒状部材１４の位置を手動でスライドさせ、筒状部材１４の嵌合量を変えることによって調整できる。超音波振動子２の端部２ｂに対する筒状部材１４の位置は、スライド機構を用いて調整してもよい。また、筒状部材１４の嵌合量を一定とした上で、異なる長さの筒状部材１４に交換することによって筒状部材１４の突出量を調整してもよい。
　筒状部材１４の周壁部分には、保持空間Ｓに保持される媒質Ｍの保持量を調整する媒質流通口１５が設けられている。媒質流通口１５には、外部の媒質貯蔵部（不図示）に接続された流通管１６が挿入されており、保持空間Ｓへの媒質Ｍの流入及び保持空間Ｓからの媒質Ｍの排出がなされるようになっている。媒質Ｍの流通量は、例えばコンピュータ７によって制御される。
　なお、媒質流通口１５は、筒状部材１４の先端面１４ｂから一定の間隔をもって設けられることが好ましい。これにより、媒質流通口１５から流入する媒質Ｍに異物が混入した場合でも、保持空間Ｓにおいて異物が筒状部材１４の先端面１４ｂ付近に集まることを抑制できる。筒状部材１４の先端面１４ｂ付近には、超音波振動子２の先端面２ａ付近に比べて超音波Ｗが集束している。これにより、筒状部材１４の先端面１４ｂ付近に異物が集まることが抑制され、異物への超音波Ｗの干渉の影響を抑えられる。
　また、筒状部材１４の内周面１４ａには、保持空間Ｓにおける媒質Ｍの保持量を検出するレベルセンサ（保持量検出部）１７が、媒質流通口１５よりも上方（先端面１４ｂ側）の位置に取り付けられている。レベルセンサ１７は、検出結果を示す検出信号をコンピュータ７に出力する。レベルセンサ１７からの検出信号に基づいて、超音波Ｗの焦点位置を調整する際の保持空間Ｓの媒質Ｍの量の制御が実行される。筒状部材１４には、半導体デバイスＤとの距離を検出する距離センサが取り付けられていてもよい。これにより、後述するステージ３をＺ軸方向に駆動させた際に、筒状部材１４と半導体デバイスＤの干渉を防ぐことができる。
　ステージ３は、図１に示すように、半導体デバイスＤと超音波振動子２との相対位置を移動させる装置である。本実施形態では、ステージ３は、ＸＹＺ軸方向に駆動可能な３軸ステージとして構成され、ステージ３上に超音波振動子２が固定されている。ステージ３の駆動は、コンピュータ７からの指示信号に基づいて制御される。ステージ３が半導体デバイスＤの検査面Ｄｔの面内方向（ＸＹ軸方向）に駆動することにより、半導体デバイスＤの検査面Ｄｔにおける超音波Ｗの入力位置が走査される。
　また、ステージ３が半導体デバイスＤの厚さ方向（Ｚ軸方向）に駆動することにより、超音波Ｗの焦点位置が半導体デバイスＤの厚さ方向に対して一定の精度をもって調整される。なお、ステージ３は、超音波振動子２ではなく、半導体デバイスＤに固定されていてもよい。半導体デバイスＤの検査の開始時には、図２に示したように、表面張力によって媒質保持部１２の保持空間Ｓから盛り上がる程度に媒質Ｍが保持空間Ｓに供給される。そして、ステージ３が半導体デバイスＤの厚さ方向に駆動することにより、媒質Ｍの盛り上がり部分Ｍａが半導体デバイスＤの検査面Ｄｔに接触させられる。これにより、超音波振動子２の先端面２ａから半導体デバイスＤの検査面Ｄｔに至る超音波Ｗの経路が媒質Ｍで充填される。そして、図３に示すように、ステージ３が半導体デバイスＤの厚さ方向に更に駆動し、超音波Ｗの焦点位置が半導体デバイスＤ内のチップＣ付近で調整される。
　パルスジェネレータ４は、超音波振動子２に対して駆動信号を入力する装置である。駆動信号の周波数は、超音波振動子２で発生させる超音波Ｗの周波数と等しい周波数に設定される。本実施形態のように、ロックインアンプ６を用いたロックイン検出を行う場合には、ロックイン周波数を別途設定し、超音波Ｗを発生用の周波数とロックイン周波数とを合成したバースト信号を駆動信号として超音波振動子２に入力してもよい。この場合、ロックイン周波数に応じた参照信号をパルスジェネレータ４からロックインアンプ６に出力させる。超音波発生用の周波数は、例えば２５ＭＨｚ～３００ＭＨｚ程度であり、ロックイン周波数は、例えば１ｋＨｚ～５ｋＨｚ程度である。
　反応検出部５は、超音波振動子２による超音波Ｗの入力に応じた半導体デバイスＤの反応を検出する装置である。反応検出部５は、例えばロックインアンプ６の前段に接続された検出アンプによって構成されている。反応検出部５は、半導体デバイスＤに定電圧又は定電流を印加する電源装置１０を内蔵している。反応検出部５は、定電圧又は定電流の印加状態において、超音波Ｗの入力に応じた半導体デバイスＤの電流又は電圧を検出し、検出結果を示す検出信号をロックインアンプ６に出力する。反応検出部５は、交流成分のみを抽出して検出信号を出力するようにしてもよい。
　ロックインアンプ６は、反応検出部５から出力される検出信号をロックイン検出する装置である。ロックインアンプ６は、パルスジェネレータ４から出力される参照信号に基づいて、反応検出部５から出力される検出信号をロックイン検出する。そして、ロックインアンプ６は、検出結果を示す検出信号をコンピュータ７に出力する。
　コンピュータ７は、物理的には、ＲＡＭ、ＲＯＭ等のメモリ、ＣＰＵ等のプロセッサ（演算回路）、通信インターフェイス、ハードディスク等の格納部、モニタ８等の表示部を備えて構成されている。かかるコンピュータ７としては、例えばパーソナルコンピュータ、クラウドサーバ、スマートデバイス（スマートフォン、タブレット端末など）、マイクロコンピュータ、ＦＰＧＡ（field-programmable gate array）などが挙げられる。コンピュータ７は、メモリに格納されるプログラムをコンピュータシステムのＣＰＵで実行することにより、ステージ３の動作を制御するステージ制御部２１、及びロックインアンプ６からの検出信号を解析する解析部２２として機能する。
　ステージ制御部２１は、より具体的には、半導体デバイスＤの厚さ方向に対する超音波Ｗの焦点位置の調整制御と、半導体デバイスＤの検査面Ｄｔに対する超音波Ｗの走査制御とを実行する。焦点位置の調整制御では、ステージ制御部２１は、超音波振動子２のレシーバ１３から出力される当該検出信号に基づいてステージ３のＺ方向の制御を実行する。超音波Ｗの走査制御では、ステージ制御部２１は、超音波Ｗが半導体デバイスＤの検査面Ｄｔに沿って移動するように、ステージ３のＸＹ方向の制御を実行する。ステージ制御部２１は、走査制御時のステージ３の位置情報を解析部２２に順次出力する。
　図４は、焦点位置の調整制御の一例を示す図である。同図の例では、横軸が時間（超音波Ｗが出力されてから反射波が検出されるまでの時間）、縦軸が振幅となっており、レシーバ１３からの検出信号の時間波形Ｋがプロットされている。この時間波形Ｋは、超音波Ｗを複数回出力させた場合の反射波の検出信号を積算したものであってもよい。
　図４に示すように、超音波Ｗの焦点位置を半導体デバイスＤに向けて変位させていくと、ある位置において半導体デバイスＤのパッケージ表面での反射に対応する第１ピークＰ１が時間波形Ｋに出現する。第１ピークＰ１が出現した位置から更に超音波Ｗの焦点位置を半導体デバイスＤ側に変位させると、超音波Ｗの焦点位置が半導体デバイスＤのパッケージ内に移動し、図５に示すように、ある位置において半導体デバイスＤ内部のチップＣ表面での反射に対応する第２ピークＰ２が時間波形Ｋに出現する。したがって、ステージ制御部２１は、第２ピークＰ２の振幅が最大となるようにステージ３のＺ軸方向の位置を制御する。
　焦点位置の調整制御において、パッケージの樹脂厚が既知である場合、或いはパッケージの樹脂組成が既知であり、パッケージ内の超音波Ｗの音速が算出可能である場合が考えられる。この場合には、これらの情報に基づいて予め第２ピークＰ２の出現位置（出現時間）の範囲を算出し、第２ピークＰ２を検出する際の検出窓Ａを設定するようにしてもよい。検出窓Ａの設定により、第２ピークＰ２の出現位置の検出精度の向上及び検出時間の短縮化が図られる。半導体デバイスＤ内に複数層のチップＣが内蔵されていることが既知である場合には、第２ピークＰ２以降のピークに基づいてステージ３のＺ軸方向の位置を制御してもよい。
　また、超音波Ｗの焦点深度は比較的深いため、第２ピークＰ２の振幅が最大となる位置が判別しにくい場合も考えられる。この場合、例えば図６に示すように、第２ピークＰ２の振幅が最大となる範囲の中央位置（中央時刻）Ｔに対応するようにステージ３のＺ軸方向の位置を合わせるようにしてもよい。また、時間波形Ｋを微分処理し、微分処理した後の時間波形のピーク値の中央位置に対応するようにステージ３のＺ軸方向の位置を合わせるようにしてもよい。
　解析部２２は、半導体デバイスＤの検査中にロックインアンプ６から出力される検出信号をステージ制御部２１から出力されるステージ３の位置情報に基づいてマッピングし、図７に示すように、解析画像３１を生成する。解析画像において、半導体デバイスＤの反応（電流又は電圧の変化量）に応じた表示輝度の範囲、色、透過度などは、任意に設定可能である。
　また、解析部２２は、半導体デバイスＤの検査中にレシーバ１３から出力される検出信号をステージ制御部２１から出力されたステージ３の位置情報に基づいてマッピングし、図８に示すように、反射画像３２を生成する。反射画像３２の生成にあたっては、レシーバ１３からの検出信号のうち、半導体デバイスＤ内のチップＣ表面からの反射波に対応する時間の成分のみを抽出することが好適である。こうすると、半導体デバイスＤ内のチップＣの形状を表す反射画像３２を得ることができる。
　解析部２２は、図９に示すように、解析画像３１と反射画像３２とを重畳した重畳画像３３を生成してもよい。解析部２２は、生成した重畳画像３３をモニタ８に出力する。重畳画像３３では、反射画像３２が示す半導体デバイスＤ内のチップＣの形状に、解析画像３１が示す半導体デバイスＤの反応が重ね合され、チップＣの故障位置の特定が容易なものとなる。反射画像３２では、チップＣの形状だけでなく、回路の剥離といった異常が確認できる場合がある。したがって、重畳画像３３において、解析画像３１から確認できる異常位置と反射画像３２から確認できる異常位置とが重なった場合、当該異常位置を強調表示するようにしてもよい。
　次に、上述した超音波検査装置１の動作について説明する。
　図１０は、超音波検査装置１の動作の一例を示すフローチャートである。同図に示すように、超音波検査装置１を用いて半導体デバイスＤの検査を実施する場合、まず、半導体デバイスＤが不図示の保持板などに配置される（ステップＳ０１）。次に、媒質流通口１５から媒質保持部１２に媒質Ｍを流入させ、保持空間Ｓに媒質Ｍを保持する（ステップＳ０２）。ステップＳ０２では、上述したように、表面張力による媒質Ｍの盛り上がり部分Ｍａが形成される。そして、筒状部材１４の先端面１４ｂが半導体デバイスＤの検査面Ｄｔに接触せず、媒質Ｍの盛り上がり部分Ｍａのみが半導体デバイスＤの検査面Ｄｔに接触するようにステージ３がＺ軸方向に駆動される（図２参照）。
　媒質Ｍが保持された後、超音波Ｗの焦点位置が調整される（ステップＳ０３）。ここでは、まず、超音波振動子２がチップＣと対向する位置に来るように、ステージ３がＸ軸方向及びＹ軸方向に駆動される。次に、レシーバ１３から出力される超音波Ｗの反射波の時間波形Ｋにおける第２ピークＰ２の出現位置に基づいて、超音波Ｗの焦点位置が半導体デバイスＤ内部のチップＣ表面に一致するようにステージ３がＺ軸方向に駆動される（図３参照）。なお、超音波Ｗの焦点位置の調整は、ステージ制御部２１が自動で実行してもよく、時間波形Ｋの第２ピークＰ２の出現位置を目視で確認しながら、超音波検査装置１のユーザが手動でステージ３の位置を移動させることによって実行してもよい。
　超音波Ｗの焦点位置の調整後、半導体デバイスＤの傾きを調整するステップを実行してもよい。このステップでは、例えばステージ３をＸ軸方向及びＹ軸方向に一軸ずつ駆動させたときの反射波の時間波形Ｋが互いに一致するように、保持板或いはステージ３の姿勢が調整される。当該ステップについても、ステージ制御部２１が自動で実行してもよく、超音波検査装置１のユーザが時間波形Ｋを目視で確認しながら手動で行ってもよい。
　次に、半導体デバイスＤの反射画像が生成される（ステップＳ０４）。ステップＳ０４では、パルスジェネレータ４から超音波振動子２に駆動信号が入力され、超音波振動子２から半導体デバイスＤに超音波Ｗが照射される。そして、半導体デバイスＤからの反射波がレシーバ１３で検出され、レシーバ１３から出力された検出信号と、ステージ制御部２１から出力されるステージ３の位置情報とに基づいてマッピングがなされることで、反射画像３２が生成される。
　次に、反射画像３２に基づく解析位置の確認が行われ、半導体デバイスＤの解析が実行され、解析画像が生成される（ステップＳ０５）。ステップＳ０５では、電源装置１０から半導体デバイスＤに定電圧（又は定電流）が印加されると共に、パルスジェネレータ４から超音波振動子２に駆動信号が入力され、超音波振動子２から半導体デバイスＤに超音波Ｗが入力される。そして、ステージ３がＸＹ軸方向に駆動され、超音波Ｗの入力に応じた半導体デバイスＤの電流又は電圧の変化が半導体デバイスＤの検査面Ｄｔの各位置において検出される。半導体デバイスＤの電流又は電圧の変化は、反応検出部５によって検出され、ＡＣ成分が抽出された検出信号が反応検出部５からロックインアンプ６に出力される。ロックインアンプ６では、反応検出部５から出力された検出信号と、パルスジェネレータ４から出力された参照信号とに基づくロックイン検出がなされ、その検出信号が解析部２２に出力される。
　解析部２２では、ロックイン検出の検出信号に基づいて解析画像及び反射画像の生成がなされる。すなわち、半導体デバイスＤの検査中にロックインアンプ６から出力された検出信号がステージ制御部２１から出力されるステージ３の位置情報に基づいてマッピングされ、解析画像３１が生成される。そして、解析部２２により、解析画像３１と反射画像３２とを重畳した重畳画像３３が生成され、モニタ８に重畳画像３３が表示される（ステップＳ０６）。
　以上説明したように、超音波検査装置１では、レシーバ１３で検出された反射波の時間波形Ｋに出現するピークに基づいて、半導体デバイスＤと超音波振動子２との距離を制御する。反射波の時間波形Ｋのピークは、半導体デバイスＤ内のチップＣ表面での超音波Ｗの反射に対応して出現する。したがって、当該ピークに基づいて半導体デバイスＤと超音波振動子２との距離を制御することにより、パッケージ内のチップの位置に超音波Ｗの焦点位置を容易に合わせることができる。
　また、超音波検査装置１では、時間波形Ｋのピークが最大となるように、ステージ制御部２１が半導体デバイスＤと超音波振動子２との距離を制御する。これにより、パッケージ内のチップＣの位置に超音波Ｗの焦点位置を精度良く合わせることができる。
　また、超音波検査装置１では、時間波形Ｋに出現する２番目以降のいずれか一のピークに基づいて、ステージ制御部２１が半導体デバイスＤと超音波振動子２との距離を制御する。時間波形Ｋに出現する１番目のピークは、半導体デバイスＤのパッケージ表面からの反射波によるものと考えられる。したがって、時間波形Ｋに出現する２番目以降のピークに着目することで、パッケージ内にチップＣが単層或いは複数層配置されている場合に、パッケージ内のチップＣの位置に超音波Ｗの焦点位置を容易に合わせることができる。
　また、超音波検査装置１では、ステージ制御部２１が半導体デバイスＤにおけるパッケージの情報（厚さ、樹脂組成など）に基づいて時間波形Ｋに対する検出窓Ａを設定し、ピークの検出を行っている。検出窓Ａの設定によって検出範囲を予め絞ることにより、時間波形Ｋのピークを短時間で精度良く検出することが可能となる。
　また、超音波検査装置１では、半導体デバイスＤに定電圧又は定電流を印加する電源装置１０と、定電圧又は定電流の印加状態において、超音波Ｗの入力に応じた半導体デバイスＤの電流又は電圧を検出する反応検出部５とが更に設けられ、解析部２２は、反応検出部５からの検出信号に基づいて解析画像３１を生成する。このように、超音波Ｗの入力に起因する半導体デバイスＤの抵抗変化を計測することで、パッケージ化された半導体デバイスＤの検査を精度良く実施できる。
　また、超音波検査装置１では、超音波振動子２に対して駆動信号を入力すると共に、駆動信号に応じた参照信号を出力するパルスジェネレータ４が更に設けられ、解析部２２は、検出信号と参照信号とに基づいて解析画像３１を生成する。参照信号に基づくロックイン検出を行うことにより、パッケージ化された半導体デバイスＤの検査精度を一層高めることができる。
　また、超音波検査装置１では、解析部２２がレシーバ１３からの検出信号に基づいて反射画像３２を生成する。反射画像３２に基づいて半導体デバイスＤ内のチップＣの形状を取得できる。さらに、回路の剥離といった物理的な異常の検出も可能となる。
　また、超音波検査装置１では、解析部２２が解析画像３１と反射画像３２とを重畳した重畳画像３３を生成する。重畳画像３３では、解析画像３１による解析結果と半導体デバイスＤ内のチップＣの形状とが重畳されるので、故障位置などの特定が容易なものとなる。
　本形態は、上記実施形態に限られるものではない。上記実施形態では、超音波Ｗの入力に応じた半導体デバイスＤの反応を解析する装置において時間波形Ｋのピークに基づく超音波Ｗの焦点位置の調整手法を適用しているが、当該調整方法を他の手法で半導体デバイスの反応を解析する装置に適用してもよい。例えばテスタからのテストパターンを入力して半導体デバイスの反応を解析する装置に当該調整方法を適用してもよい。
　１…超音波検査装置、２…超音波振動子、３…ステージ、４…パルスジェネレータ（信号発生部）、５…反応検出部、１０…電源装置、１３…レシーバ（反射検出部）、２１…ステージ制御部、２２…解析部、３１…解析画像、３２…反射画像、３３…重畳画像、Ａ…検出窓、Ｃ…チップ、Ｄ…半導体デバイス、Ｋ…時間波形、Ｐ２…ピーク、Ｗ…超音波。

Claims (12)

  1. 　パッケージ化された半導体デバイスを検査対象とする超音波検査装置であって、
    　前記半導体デバイスに対して超音波を出力する超音波振動子と、
    　前記半導体デバイスで反射した前記超音波の反射波を検出する反射検出部と、
    　前記半導体デバイスと前記超音波振動子との相対位置を移動させるステージと、
    　前記ステージの駆動を制御するステージ制御部と、
    　前記超音波振動子による超音波の入力に応じた前記半導体デバイスの反応を解析する解析部と、を備え、
    　前記ステージ制御部は、前記反射検出部で検出された前記反射波の時間波形に出現するピークに基づいて、前記半導体デバイスと前記超音波振動子との距離を制御する、超音波検査装置。
  2. 　前記ステージ制御部は、前記時間波形の前記ピークが最大となるように前記半導体デバイスと前記超音波振動子との距離を制御する、請求項１記載の超音波検査装置。
  3. 　前記ステージ制御部は、前記時間波形に出現する２番目以降のいずれか一のピークに基づいて、前記半導体デバイスと前記超音波振動子との距離を制御する、請求項１又は２記載の超音波検査装置。
  4. 　前記ステージ制御部は、前記半導体デバイスにおけるパッケージの情報に基づいて前記時間波形に対する検出窓を設定し、前記ピークの検出を行う、請求項１～３のいずれか一項記載の超音波検査装置。
  5. 　前記半導体デバイスに定電圧又は定電流を印加する電源装置と、
    　前記定電圧又は前記定電流の印加状態において、前記超音波の入力に応じた前記半導体デバイスの電流又は電圧を検出する反応検出部と、を更に備え、
    　前記解析部は、前記反応検出部からの検出信号に基づいて解析画像を生成する、請求項１～４のいずれか一項記載の超音波検査装置。
  6. 　前記超音波振動子に対して駆動信号を入力すると共に、前記駆動信号に応じた参照信号を出力する信号発生部を更に備え、
    　前記解析部は、前記検出信号と前記参照信号とに基づいて前記解析画像を生成する、請求項５記載の超音波検査装置。
  7. 　前記解析部は、前記反射検出部からの検出信号に基づいて反射画像を生成する、請求項５又は６記載の超音波検査装置。
  8. 　前記解析部は、前記解析画像と前記反射画像とを重畳した重畳画像を生成する、請求項７記載の超音波検査装置。
  9. 　パッケージ化された半導体デバイスを検査対象とする超音波検査方法であって、
    　前記半導体デバイスに対し、超音波振動子から出力される超音波の焦点位置を調整する調整ステップと、
    　前記超音波の入力に応じた前記半導体デバイスの反応を解析する解析ステップと、を含み、
    　前記調整ステップにおいて、前記半導体デバイスで反射した前記超音波の反射波を検出し、前記反射波の時間波形に出現するピークに基づいて、前記半導体デバイスと前記超音波振動子との距離を調整する、超音波検査方法。
  10. 　前記調整ステップにおいて、前記時間波形の前記ピークが最大となるように前記半導体デバイスと前記超音波振動子との距離を調整する、請求項９記載の超音波検査方法。
  11. 　前記調整ステップにおいて、前記時間波形に出現する２番目以降のいずれか一のピークに基づいて、前記半導体デバイスと前記超音波振動子との距離を調整する、請求項９又は１０記載の超音波検査方法。
  12. 　前記調整ステップにおいて、前記半導体デバイスにおけるパッケージの情報に基づいて前記時間波形に対する検出窓を設定し、前記ピークの検出を行う、請求項９～１１のいずれか一項記載の超音波検査方法。
PCT/JP2017/032546 2016-11-04 2017-09-08 超音波検査装置及び超音波検査方法 WO2018083883A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/346,919 US11105777B2 (en) 2016-11-04 2017-09-08 Ultrasonic inspection device and ultrasonic inspection method
CN201780066327.0A CN109891231B (zh) 2016-11-04 2017-09-08 超声波检查装置及超声波检查方法
SG11201903415VA SG11201903415VA (en) 2016-11-04 2017-09-08 Ultrasonic inspection device and ultrasonic inspection method
KR1020197012766A KR102279569B1 (ko) 2016-11-04 2017-09-08 초음파 검사 장치 및 초음파 검사 방법
DE112017005569.5T DE112017005569T5 (de) 2016-11-04 2017-09-08 Ultraschallprüfvorrichtung und Ultraschallprüfverfahren

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016216028A JP6745197B2 (ja) 2016-11-04 2016-11-04 超音波検査装置及び超音波検査方法
JP2016-216028 2016-11-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018083883A1 true WO2018083883A1 (ja) 2018-05-11

Family

ID=62075932

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2017/032546 WO2018083883A1 (ja) 2016-11-04 2017-09-08 超音波検査装置及び超音波検査方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US11105777B2 (ja)
JP (1) JP6745197B2 (ja)
KR (1) KR102279569B1 (ja)
CN (1) CN109891231B (ja)
DE (1) DE112017005569T5 (ja)
SG (1) SG11201903415VA (ja)
TW (1) TWI725242B (ja)
WO (1) WO2018083883A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020174984A1 (ja) * 2019-02-26 2020-09-03 国立大学法人豊橋技術科学大学 超音波検査装置及び超音波検査方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6745196B2 (ja) * 2016-11-04 2020-08-26 浜松ホトニクス株式会社 超音波検査装置
EP3957987B1 (en) * 2019-04-15 2023-04-26 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Ultrasonic flaw detection device and method for controlling same
TWI750901B (zh) * 2020-11-18 2021-12-21 同致電子企業股份有限公司 超音波傳感器之表面異物偵測系統
US11933763B2 (en) 2021-06-29 2024-03-19 Verifi Technologies, Llc Cylindrical ultrasonic scanning apparatus

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58151555A (ja) * 1982-03-05 1983-09-08 Sumitomo Metal Ind Ltd 超音波探傷方法
JPH08320359A (ja) * 1995-05-26 1996-12-03 Nec Corp 超音波加熱を用いた半導体集積回路配線系の検査法および装置
US6430728B1 (en) * 1999-09-30 2002-08-06 Advanced Micro Devices, Inc. Acoustic 3D analysis of circuit structures
JP2008102071A (ja) * 2006-10-20 2008-05-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 超音波探傷方法および超音波映像装置
JP2011053126A (ja) * 2009-09-03 2011-03-17 Disco Abrasive Syst Ltd 超音波検査方法及び超音波検査装置
JP5997861B1 (ja) * 2016-04-18 2016-09-28 株式会社日立パワーソリューションズ 超音波映像装置および超音波映像装置の画像生成方法。

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6880387B2 (en) * 2001-08-22 2005-04-19 Sonoscan, Inc. Acoustic micro imaging method providing improved information derivation and visualization
US6439728B1 (en) * 2001-08-28 2002-08-27 Network Photonics, Inc. Multimirror stack for vertical integration of MEMS devices in two-position retroreflectors
JP2004077341A (ja) * 2002-08-20 2004-03-11 Hitachi Kenki Fine Tech Co Ltd 超音波映像検査方法および超音波映像検査装置
CN1707764A (zh) 2004-10-11 2005-12-14 资重兴 晶圆封装测试方法
JP2008003014A (ja) 2006-06-26 2008-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 超音波検査方法と超音波検査装置
DE102007020491A1 (de) 2007-04-27 2008-10-30 Hydrometer Gmbh Verfahren zur Bestimmung einer Eigenschaft eines strömenden Mediums sowie Ultraschallzähler
JP5221314B2 (ja) 2007-12-26 2013-06-26 パナソニック株式会社 超音波測定方法、及び、電子部品製造方法
JP2009276215A (ja) * 2008-05-15 2009-11-26 Tokyo Electron Ltd プローブ装置及びコンタクト位置の補正方法
US8286487B2 (en) * 2009-01-31 2012-10-16 The Boeing Company Ultrasonic aperture scanning system and method
WO2010096714A2 (en) * 2009-02-19 2010-08-26 Touchdown Technologies, Inc. Probe head for a microelectronic contactor assembly, the probe head having smt electronic components thereon
JP5363213B2 (ja) 2009-06-30 2013-12-11 東京エレクトロン株式会社 異常検出システム、異常検出方法、記憶媒体及び基板処理装置
US8661905B2 (en) * 2010-11-09 2014-03-04 Georgia Tech Research Corporation Non-contact microelectronic device inspection systems and methods
CN102621223B (zh) 2011-01-31 2013-10-16 中国科学院声学研究所 一种基于声波时间反转法的超声扫描与检测方法
US8649021B2 (en) * 2011-05-06 2014-02-11 Harris Corporation Interferometric sensing apparatus including adjustable coupling and associated methods
CN102830169A (zh) 2011-06-13 2012-12-19 北京理工大学 应用于超声显微检测的电子封装结构中超声传播模拟方法
TWI487886B (zh) * 2014-03-26 2015-06-11 Univ Nat Kaohsiung Applied Sci Integrated Sensing Device with Ultrasonic Transducer and Microphone and Its Method
CN105827937B (zh) 2015-08-28 2019-07-26 维沃移动通信有限公司 一种摄像装置及摄像方法
JP5963929B1 (ja) * 2015-09-04 2016-08-03 株式会社日立パワーソリューションズ 超音波検査装置、超音波検査システム、及び超音波検査方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58151555A (ja) * 1982-03-05 1983-09-08 Sumitomo Metal Ind Ltd 超音波探傷方法
JPH08320359A (ja) * 1995-05-26 1996-12-03 Nec Corp 超音波加熱を用いた半導体集積回路配線系の検査法および装置
US6430728B1 (en) * 1999-09-30 2002-08-06 Advanced Micro Devices, Inc. Acoustic 3D analysis of circuit structures
JP2008102071A (ja) * 2006-10-20 2008-05-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 超音波探傷方法および超音波映像装置
JP2011053126A (ja) * 2009-09-03 2011-03-17 Disco Abrasive Syst Ltd 超音波検査方法及び超音波検査装置
JP5997861B1 (ja) * 2016-04-18 2016-09-28 株式会社日立パワーソリューションズ 超音波映像装置および超音波映像装置の画像生成方法。

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020174984A1 (ja) * 2019-02-26 2020-09-03 国立大学法人豊橋技術科学大学 超音波検査装置及び超音波検査方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109891231B (zh) 2022-01-11
SG11201903415VA (en) 2019-05-30
CN109891231A (zh) 2019-06-14
JP6745197B2 (ja) 2020-08-26
TWI725242B (zh) 2021-04-21
US20200057032A1 (en) 2020-02-20
KR102279569B1 (ko) 2021-07-21
JP2018072285A (ja) 2018-05-10
TW201818087A (zh) 2018-05-16
US11105777B2 (en) 2021-08-31
KR20190079619A (ko) 2019-07-05
DE112017005569T5 (de) 2019-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2018083883A1 (ja) 超音波検査装置及び超音波検査方法
WO2018083882A1 (ja) 超音波検査装置
KR101819830B1 (ko) 초음파 검사 장치, 초음파 검사 시스템 및 초음파 검사 방법
US10955458B2 (en) Semiconductor device inspection apparatus and semiconductor device inspection method
WO2021039483A1 (ja) 超音波検査装置および超音波検査方法
JP2016057187A (ja) 解析装置
US10663433B2 (en) Ultrasound imaging device and method of generating image for ultrasound imaging device
JP7276744B2 (ja) 超音波検査装置及び超音波検査方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17866488

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20197012766

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 17866488

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1