WO2018062321A1

WO2018062321A1 - 高周波フロントエンド回路および通信装置

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Publication number: WO2018062321A1
Application number: PCT/JP2017/035065
Authority: WO
Inventors: 宮崎　大輔; 壮央竹内
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2016-09-30
Filing date: 2017-09-27
Publication date: 2018-04-05
Also published as: CN109792240A; CN109792240B; US10756768B2; US20190222236A1

Abstract

高周波フロントエンド回路（１）は、アンテナ共通端子（１００）と入出力端子（１１０）との間に接続され、第１周波数帯域を通過帯域とする第１フィルタ（１１Ａ）と、アンテナ共通端子（１００）と入出力端子（１３０）との間に接続され、第２周波数帯域を通過帯域とする第２フィルタ（１２Ａ）と、アンテナ共通端子（１００）と入出力端子（１２０）との間に接続され、第１周波数帯域を減衰帯域とする第１帯域除去フィルタ（１１Ｂ）と、アンテナ共通端子（１００）と入出力端子（１２０）との間であって第１帯域除去フィルタ（１１Ｂ）と直列に接続され、第２周波数帯域を減衰帯域とする第２帯域除去フィルタ（１２Ｂ）とを備える。

Description

高周波フロントエンド回路および通信装置

　本発明は、高周波フロントエンド回路および通信装置に関する。

　近年の携帯電話には、１つの端末で複数の周波数および無線方式に対応することが要求されている（マルチバンド化およびマルチモード化）。マルチバンド化およびマルチモード化に対応するフロントエンドモジュールには、複数の送受信信号を品質劣化させずに高速処理することが求められている。特に、複数のバンドの高周波信号を同時に送受信するキャリアアグリゲーションを行うことが求められている。

　図２１は、特許文献１に記載された電気回路の回路構成図である。同図に記載された電気回路は、アンテナに接続されるフロントエンドのフィルタ回路であり、抽出フィルタ回路５０１および５０２を備える。抽出フィルタ回路５０１は、バンドパスフィルタ５０１Ａおよびバンドストップフィルタ５０１Ｂを有し、抽出フィルタ回路５０２は、バンドパスフィルタ５０２Ａおよびバンドストップフィルタ５０２Ｂを有する。入力端子Ｉｎ、バンドパスフィルタ５０１Ａおよび出力端子Ｏｕｔ１を含む第１信号経路では、例えばＧＰＳ信号を通過させる。また、入力端子Ｉｎ、バンドストップフィルタ５０１Ｂ、バンドパスフィルタ５０２Ａ、および出力端子Ｏｕｔ２を含む第２信号経路では、例えばＷＬＡＮ信号を通過させる。また、入力端子Ｉｎ、バンドストップフィルタ５０１Ｂ、バンドストップフィルタ５０２Ｂおよび出力端子Ｏｕｔ３を含む第３信号経路では、ＧＰＳ信号およびＷＬＡＮ信号以外の信号を通過させる。つまり、抽出フィルタ回路５０１と抽出フィルタ回路５０２とが、カスケード接続されることにより、これら２回路の後段では、２つの周波数帯域（ＧＰＳおよびＷＬＡＮ）および当該２つの周波数帯域が除去された周波数帯域の３つの信号が分波されて出力される。

特表２００７－５１１１４５号公報

　上述したように、特許文献１に記載されたフィルタ回路では、２つの周波数帯域（例えばＧＰＳおよびＷＬＡＮ）および当該２つの周波数帯域が除去された周波数帯域を分波して出力することが可能である。しかしながら、バンドパスフィルタ５０１Ａとバンドストップフィルタ５０１Ｂとは、入力端子Ｉｎで共通接続されているため、バンドストップフィルタ５０１Ｂはバンドパスフィルタ５０１Ａの影響を受け、フィルタ特性が劣化してしまう。また、バンドパスフィルタ５０２Ａとバンドストップフィルタ５０２Ｂとは、バンドストップフィルタ５０１Ｂの出力端で共通接続されているため、バンドストップフィルタ５０２Ｂはバンドパスフィルタ５０２Ａの影響を受け、フィルタ特性が劣化してしまう。さらに、第２信号経路に着目した場合、入力端子Ｉｎから入力された高周波信号は、バンドパスフィルタ５０２Ａを通過する前段で、バンドストップフィルタ５０１Ｂも通過するため、単一のバンドパスフィルタを通過する場合と比較して、挿入損失が大きくなり伝搬特性が劣化してしまう。また、特許文献１に記載されたフィルタ回路を、さらにバンド数が増加したシステムに対応させる場合、バンドパスフィルタの前段に付加すべきバンドストップフィルタの数が多くなり、近年の高周波フロントエンドモジュールの小型化要求に対応することが困難となる。

　そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、低損失な信号伝搬特性を維持しつつ小型の高周波フロントエンド回路および通信装置を提供することを目的とする。

　上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る高周波フロントエンド回路は、アンテナ素子に接続されるアンテナ共通端子と、第１入出力端子、第２入出力端子および第３入出力端子と、前記アンテナ共通端子と前記第１入出力端子との間に接続され、第１周波数帯域を含む周波数帯域を通過帯域とする第１フィルタと、前記アンテナ共通端子と前記第２入出力端子との間に接続され、前記第１周波数帯域と異なる第２周波数帯域を含む周波数帯域を通過帯域とする第２フィルタと、前記アンテナ共通端子と前記第３入出力端子との間に接続され、前記第１周波数帯域を含み前記第１周波数帯域および前記第２周波数帯域と異なる第３周波数帯域を含まない周波数帯域を減衰帯域とする第１帯域除去フィルタと、前記アンテナ共通端子と前記第３入出力端子との間であって前記第１帯域除去フィルタと直列に接続され、前記第２周波数帯域を含み前記第３周波数帯域を含まない周波数帯域を減衰帯域とする第２帯域除去フィルタと、を備え、前記第１フィルタは、前記第１帯域除去フィルタおよび前記第２帯域除去フィルタを経由せずに前記アンテナ共通端子および前記第１入出力端子に接続され、前記第２フィルタは、前記第１帯域除去フィルタおよび前記第２帯域除去フィルタを経由せずに前記アンテナ共通端子および前記第２入出力端子に接続されている。

　上記構成によれば、第３周波数帯域を通過帯域とするフィルタは、２つの直列接続された帯域除去フィルタにより構成される。第２フィルタと第２帯域除去フィルタとは、アンテナ端子で共通接続されておらず電気的に独立しているため、第２帯域除去フィルタは第２フィルタの影響を受けない。これにより、第３周波数帯域の高周波信号を伝搬する信号経路では、第２フィルタと第２帯域除去フィルタとが電気的に独立していない場合（つまり共通接続されている場合）と比較して、通過帯域内の挿入損失を小さくできる。

　また、第１周波数帯域の高周波信号を伝搬する信号経路では、帯域除去フィルタを通過せず第１フィルタのみを経由する。また、第２周波数帯域の高周波信号を伝搬する信号経路では、帯域除去フィルタを通過せず第２フィルタのみを経由する。つまり、第２入出力端子を通過する信号は、第２帯域除去フィルタと電気的に独立している第２フィルタのみを通過するため、挿入損失を小さくできる。

　ここで、２つの帯域除去フィルタのうち第１帯域除去フィルタは、第１周波数帯域を減衰帯域とするフィルタである。このため、第１帯域除去フィルタを製造するにあたり、第１周波数帯域を通過帯域とする第１フィルタを構成する弾性波共振子の設計パラメータを適用でき、第１フィルタと同様の製造プロセスを適用できる。さらに、第１フィルタの弾性波共振子を流用することも可能である。また、２つの帯域除去フィルタのうち第２帯域除去フィルタは、第２周波数帯域を減衰帯域とするフィルタである。このため、第２帯域除去フィルタを製造するにあたり、第２周波数帯域を通過帯域とする第２フィルタを構成する弾性波共振子の設計パラメータを適用でき、第２フィルタと同様の製造プロセスを適用できる。さらに、第２フィルタの弾性波共振子を流用することも可能である。よって、マルチプレクサ回路を構成するにあたり、周波数帯域の数だけ帯域通過型フィルタを設ける必要がないので、製造工程の簡素化および小型化を達成できる。

　また、前記第１フィルタと前記第１帯域除去フィルタとは、同一チップに形成されており、前記第２フィルタと前記第２帯域除去フィルタとは、同一チップに形成されていてもよい。

　上述したように、第１帯域除去フィルタを製造するにあたり、第１周波数帯域を通過帯域とする第１フィルタを構成する弾性波共振子の設計パラメータを適用でき、第１フィルタと同様の製造プロセスを適用できる。さらに、第１フィルタの弾性波共振子を流用することも可能である。また、第２帯域除去フィルタを製造するにあたり、第２周波数帯域を通過帯域とする第２フィルタを構成する弾性波共振子の設計パラメータを適用でき、第２フィルタと同様の製造プロセスを適用できる。さらに、第２フィルタの弾性波共振子を流用することも可能である。よって、第１フィルタと第１帯域除去フィルタとを同一チップで形成し、第２フィルタと第２帯域除去フィルタとを同一チップで形成することが容易となる。これにより、製造工程のさらなる簡素化および小型化が可能となる。

　また、前記第１フィルタと前記第１帯域除去フィルタとは、第１チップに形成されており、前記第２フィルタと前記第２帯域除去フィルタとは、第２チップに形成されており、前記第１フィルタ、前記第１帯域除去フィルタ、前記第２フィルタ、および前記第２帯域除去フィルタは、それぞれ、１以上の弾性波共振子を含み、前記第１チップは、弾性表面波フィルタおよびＢＡＷ（Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）を用いた弾性波フィルタのうち、いずれかのみで構成されており、前記第２チップは、弾性表面波フィルタおよびＢＡＷを用いた弾性波フィルタのうち、いずれかのみで構成されていてもよい。

　これにより、反射係数を大きく確保することに有利なＢＡＷ型フィルタと、帯域幅の自由度が高いＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）型フィルタとを、チップ別に製造し分けることが可能となる。よって、第１周波数帯域および第２周波数帯域を通過する高周波信号の要求仕様に応じて、第１フィルタおよび第２フィルタを、ＳＡＷまたはＢＡＷで作り分けることが可能となり、設計の自由度が向上する。

　また、前記第１帯域除去フィルタおよび前記第２帯域除去フィルタは、前記アンテナ共通端子、前記第１帯域除去フィルタ、前記第２帯域除去フィルタ、および前記第３入出力端子の順に接続され、前記第１帯域除去フィルタを単体で前記アンテナ共通端子側から見た場合の前記第１周波数帯域における反射係数は、前記第２帯域除去フィルタを単体で前記アンテナ共通端子側から見た場合の前記第２周波数帯域における反射係数よりも大きくてもよい。

　分波／合波回路を構成する第１フィルタと、第２フィルタと、第１帯域除去フィルタ／第２帯域除去フィルタとが、アンテナ共通端子で共通に接続された構成の場合、第１フィルタの通過帯域における挿入損失は、第１フィルタ単体の挿入損失に加え、第１帯域除去フィルタのアンテナ共通端子側から見た反射特性の影響を受ける。また、第２フィルタの通過帯域における挿入損失は、第２フィルタ単体の挿入損失に加え、第２帯域除去フィルタのアンテナ共通端子側から見た反射特性の影響を受ける。より具体的には、第１フィルタの通過帯域における挿入損失は、第１帯域除去フィルタのアンテナ共通端子側から見た第１周波数帯域における反射係数が大きいほど減少し、第２フィルタの通過帯域における挿入損失は、第２帯域除去フィルタのアンテナ共通端子側から見た第２周波数帯域における反射係数が大きいほど減少する（以下、共通端子において阻止帯域が全反射しないことによる損失を束ねロスと呼ぶ）。

　ここで、第１帯域除去フィルタは、第２帯域除去フィルタよりもアンテナ共通端子側に接続されているため、第１帯域除去フィルタに起因する第１フィルタの束ねロスのほうが、第２帯域除去フィルタに起因する第２フィルタの束ねロスよりも大きくなる。このため、第１帯域除去フィルタの第１周波数帯域における反射係数を、第２帯域除去フィルタの第２周波数帯域における反射係数よりも大きくしている。

　よって、アンテナ素子と第１フィルタおよび第２フィルタとの間にスイッチを配置することなく、第１フィルタおよび第２フィルタの束ねロスを効果的に低減できるので、ＣＡ動作時であっても低損失な信号伝搬特性を維持できる小型の高周波フロントエンド回路を提供することが可能となる。

　また、周波数が低い順に、前記第３周波数帯域、前記第１周波数帯域、および前記第２周波数帯域が配置されており、前記第１帯域除去フィルタと前記第２帯域除去フィルタとは、前記第３周波数帯域を含む周波数帯域を通過帯域とする低域通過型フィルタを構成していてもよい。

　これにより、最も周波数の低い第３周波数帯域を、第１帯域除去フィルタおよび第２帯域除去フィルタで構成することが可能となる。さらに、第３周波数帯域が低域通過型フィルタにより形成されるので、第３周波数帯域を広帯域化できる。

　また、前記第３周波数帯域は、ミドルローバンド（ＭＬＢ：１４７５．９－２０２５ＭＨｚ）であり、前記第１周波数帯域は、ミドルバンド（ＭＢ：２１１０－２２００ＭＨｚ）であり、前記第２周波数帯域は、ハイバンド（ＨＢ：２４９６－２６９０ＭＨｚ）であり、前記第１フィルタは、ＬＴＥ（Ｌｏｎｇ　Ｔｅｒｍ　Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）のＢａｎｄ６６（受信帯域：２１１０－２２００ＭＨｚ）を通過帯域とするバンドパスフィルタであり、前記第２フィルタは、ＬＴＥのＢａｎｄ４１（受信帯域：２４９６－２６９０ＭＨｚ）を通過帯域とするバンドパスフィルタであり、前記第１帯域除去フィルタと前記第２帯域除去フィルタとは、Ｂａｎｄ３（受信帯域：１８０５－１８８０ＭＨｚ）を通過帯域とする低域通過型フィルタであってもよい。

　これにより、高周波フロントエンド回路を、例えば、ミドルローバンド、ミドルバンド、およびハイバンド対応の３分波回路に適用できる。よって、ミドルローバンド、ミドルバンド、およびハイバンド対応の３分波回路を含む構成において、低損失な信号伝搬特性を維持できる小型の高周波フロントエンド回路を実現できる。

　また、前記第３周波数帯域は前記第１周波数帯域および前記第２周波数帯域よりも低周波側に位置し、前記第１帯域除去フィルタおよび前記第２帯域除去フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、前記第１帯域除去フィルタでは、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する、（２）弾性波共振子がＳＭＲ（Ｓｏｌｉｄｌｙ　Ｍｏｕｎｔｅｄ　Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）で構成される、および（３）弾性波共振子がＦＢＡＲ（Ｆｉｌｍ　Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）で構成される、のいずれかであってもよい。

　弾性波共振子の共振点および反共振点よりも高周波域では、バルク波漏洩による不要波が発生し、当該不要波強度は、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する、弾性波共振子をＳＭＲで構成する、および弾性波共振子をＦＢＡＲで構成する、のいずれかの場合、最も小さくできる。

　よって、第１帯域除去フィルタと第２帯域除去フィルタとの直列接続回路が低周波側フィルタであり、第１フィルタおよび第２フィルタが高周波側フィルタである場合において、第１帯域除去フィルタに上記（１）（２）（３）のいずれかの弾性波を利用する場合のほうが、第１帯域除去フィルタに他の弾性波を利用する場合よりも、第１帯域除去フィルタの第２周波数帯域における反射係数を大きくすることが可能となる。これにより、第２フィルタの束ねロスを低減できる。

　また、前記第２帯域除去フィルタでは、（１）弾性波共振子が、ＩＤＴ電極が一方の主面上に形成された圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有する、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する、ならびに（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する、のいずれかであってもよい。

　これによれば、第１帯域除去フィルタの反射係数を増大させつつ、第２帯域除去フィルタを音速膜積層構造とした場合には、第２帯域除去フィルタの良好な温度特性を確保でき、また、第２帯域除去フィルタにおいてＬｉＮｂＯ_３によるラブ波を弾性表面波として利用した場合には、第２帯域除去フィルタの広い減衰帯域幅を確保できる。

　また、前記第３周波数帯域は前記第１周波数帯域および前記第２周波数帯域よりも低周波側に位置し、前記第１帯域除去フィルタおよび前記第２帯域除去フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、前記第１帯域除去フィルタおよび前記第２帯域除去フィルタを構成する弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたＩＤＴ電極とで構成された弾性表面波共振子であり、前記第１帯域除去フィルタでは、弾性波共振子が、前記ＩＤＴ電極が一方の主面上に形成された前記圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有し、前記第２帯域除去フィルタでは、（１）ＬｉＴａＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する、または（２）ＬｉＮｂＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用してもよい。

　弾性波共振子の共振点および反共振点よりも高周波域では、バルク波漏洩による不要波が発生し、当該不要波強度は、音速膜積層構造を採用した場合の方が、ＬｉＴａＯ_３のリーキー波を弾性表面波として利用する、またはＬｉＮｂＯ_３のラブ波を弾性表面波として利用する場合よりも小さくできる。

　よって、第１帯域除去フィルタと第２帯域除去フィルタとの直列接続回路が低周波側フィルタであり、第１フィルタおよび第２フィルタが高周波側フィルタである場合において、第１帯域除去フィルタに上記音速膜積層構造を利用する場合のほうが、第１帯域除去フィルタに他の構造を利用する場合よりも、第１帯域除去フィルタの第２周波数帯域における反射係数を大きくすることが可能となる。これにより、第２フィルタの束ねロスを低減できる。さらに、第２帯域除去フィルタにおいてＬｉＮｂＯ_３によるラブ波を弾性表面波として利用した場合には、広い減衰帯域幅を確保できる。

　また、前記第３周波数帯域は前記第１周波数帯域および前記第２周波数帯域よりも低周波側に位置し、前記第１帯域除去フィルタおよび前記第２帯域除去フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、前記第１帯域除去フィルタおよび前記第２帯域除去フィルタを構成する弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたＩＤＴ電極とで構成された弾性表面波共振子であり、前記第１帯域除去フィルタでは、ＬｉＴａＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用し、前記第２帯域除去フィルタでは、ＬｉＮｂＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用してもよい。

　弾性波共振子の共振点および反共振点よりも高周波域では、バルク波漏洩による不要波が発生し、当該不要波強度は、ＬｉＴａＯ_３のリーキー波を弾性表面波として利用する場合の方が、ＬｉＮｂＯ_３のラブ波を弾性表面波として利用する場合よりも小さくできる。

　よって、第１帯域除去フィルタと第２帯域除去フィルタとの直列接続回路が低周波側フィルタであり、第１フィルタおよび第２フィルタが高周波側フィルタである場合において、第１帯域除去フィルタにＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する場合のほうが、第１帯域除去フィルタにＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する場合よりも、第１帯域除去フィルタの第２周波数帯域における反射係数を大きくすることが可能となる。これにより、第２フィルタの束ねロスを低減できる。さらに、第２帯域除去フィルタにおいてＬｉＮｂＯ_３によるラブ波を弾性表面波として利用した場合には、広い減衰帯域幅を確保できる。

　また、前記第３周波数帯域は前記第１周波数帯域および前記第２周波数帯域よりも低周波側に位置し、前記第１帯域除去フィルタおよび前記第２帯域除去フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、前記第１帯域除去フィルタでは、（１）弾性波共振子が、ＩＤＴ電極が一方の主面上に形成された圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有する、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する、（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する、（４）弾性波共振子がＳＭＲで構成される、ならびに（５）弾性波共振子がＦＢＡＲで構成される、のいずれかであり、前記第２帯域除去フィルタでは、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用してもよい。

　ＬｉＮｂＯ_３のレイリー波を弾性波として利用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の１．２倍付近に高次モードが発生する。よって、第２帯域除去フィルタではＬｉＮｂＯ_３のレイリー波と弾性波として利用し、第１帯域除去フィルタではＬｉＮｂＯ_３のレイリー波を弾性波として利用しないことにより、第１帯域除去フィルタの第２周波数帯域における反射係数を、効果的に大きくできる。

　よって、第１帯域除去フィルタと第２帯域除去フィルタとの直列接続回路が低周波側フィルタであり、第１フィルタおよび第２フィルタが高周波側フィルタである場合において、第２フィルタの束ねロスを低減できる。

　また、前記第３周波数帯域は前記第１周波数帯域および前記第２周波数帯域よりも低周波側に位置し、前記第１帯域除去フィルタおよび前記第２帯域除去フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、前記第１帯域除去フィルタでは、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する、（２）弾性波共振子が、ＩＤＴ電極が一方の主面上に形成された圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有する、（３）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する、（４）弾性波共振子がＳＭＲで構成される、ならびに（５）弾性波共振子がＦＢＡＲで構成される、のいずれかであり、前記第２帯域除去フィルタでは、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用してもよい。

　ＬｉＮｂＯ_３のラブ波を弾性波として利用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の１．２倍付近に高次モードが発生する。よって、第２帯域除去フィルタではＬｉＮｂＯ_３のラブ波と弾性波として利用し、第１帯域除去フィルタではＬｉＮｂＯ_３のラブ波を弾性波として利用しないことにより、第１帯域除去フィルタの第２周波数帯域における反射係数を、効果的に大きくできる。

　また、周波数が低い順に、前記第１周波数帯域、前記第３周波数帯域、および前記第２周波数帯域が配置されており、前記第１帯域除去フィルタと前記第２帯域除去フィルタとは、前記第３周波数帯域を含む周波数帯域を通過帯域としてもよい。

　これにより、周波数が第１周波数帯域と第２周波数帯域との間に位置する第３周波数帯域を、第１帯域除去フィルタおよび第２帯域除去フィルタで構成することが可能となる。

　また、前記第１周波数帯域は、ミドルバンド（ＭＢ：２１１０－２２００ＭＨｚ）であり、前記第３周波数帯域は、ミドルハイバンド（ＭＨＢ：２３００－２４００ＭＨｚ）であり、前記第２周波数帯域は、ハイバンド（ＨＢ：２４９６－２６９０ＭＨｚ）であり、前記第１フィルタは、ＬＴＥのＢａｎｄ６６（受信帯域：２１１０－２２００ＭＨｚ）を通過帯域とするバンドパスフィルタであり、前記第２フィルタは、ＬＴＥのＢａｎｄ４１（受信帯域：２４９６－２６９０ＭＨｚ）を通過帯域とするバンドパスフィルタであり、前記第１帯域除去フィルタと前記第２帯域除去フィルタとは、Ｂａｎｄ４０（受信帯域：２３００－２４００ＭＨｚ）を通過帯域とするバンドパスフィルタであってもよい。

　これにより、高周波フロントエンド回路を、例えば、ミドルバンド、ミドルハイバンド、およびハイバンド対応の３分波回路に適用できる。よって、ミドルバンド、ミドルハイバンド、およびハイバンド対応の３分波回路を含む構成において、低損失な信号伝搬特性を維持できる小型の高周波フロントエンド回路を実現できる。

　また、周波数が低い順に、前記第１周波数帯域、前記第２周波数帯域、および前記第３周波数帯域が配置されており、前記第１帯域除去フィルタと前記第２帯域除去フィルタとは、前記第３周波数帯域を含む周波数帯域を通過帯域とする高域通過型フィルタであってもよい。

　これにより、最も周波数の高い第３周波数帯域を、第１帯域除去フィルタおよび第２帯域除去フィルタで構成することが可能となる。さらに、第３周波数帯域が高域通過型フィルタにより形成されるので、第３周波数帯域を広帯域化できる。

　また、前記第３周波数帯域は、ウルトラハイバンド（ＵＨＢ：３４００－３８００ＭＨｚ）であり、前記第１周波数帯域は、ミドルバンド（ＭＢ：２１１０－２２００ＭＨｚ）であり、前記第２周波数帯域は、ハイバンド（ＨＢ：２４９６－２６９０ＭＨｚ）であり、前記第１フィルタは、ＬＴＥのＢａｎｄ６６（受信帯域：２１１０－２２００ＭＨｚ）を通過帯域とするバンドパスフィルタであり、前記第２フィルタは、ＬＴＥのＢａｎｄ４１（受信帯域：２４９６－２６９０ＭＨｚ）を通過帯域とするバンドパスフィルタであり、前記第１帯域除去フィルタと前記第２帯域除去フィルタとは、Ｂａｎｄ４２（受信帯域：３４００－３６００ＭＨｚ）、Ｂａｎｄ４３（受信帯域：３６００－３８００ＭＨｚ)、またはその両方を通過帯域とする高域通過型フィルタであってもよい。

　これにより、高周波フロントエンド回路を、例えば、ミドルバンド、ハイバンド、およびウルトラハイバンド対応の３分波回路に適用できる。よって、ミドルバンド、ハイバンド、およびウルトラハイバンド対応の３分波回路を含む構成において、低損失な信号伝搬特性を維持できる小型の高周波フロントエンド回路を実現できる。

　また、前記第３周波数帯域は前記第１周波数帯域および前記第２周波数帯域よりも高周波側に位置し、前記第１帯域除去フィルタおよび前記第２帯域除去フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、前記第１帯域除去フィルタを構成する前記１以上の弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたＩＤＴ電極とで構成された弾性表面波共振子であり、前記第１帯域除去フィルタでは、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するレイリー波、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するリーキー波、および（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するラブ波、のいずれかを弾性表面波として利用してもよい。

　弾性波共振子の共振点および反共振点よりも低周波域における反射係数は、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波、ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波、およびＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波、のいずれかを弾性表面波として利用する場合、他の弾性波を利用する場合よりも大きい。

　よって、第１帯域除去フィルタと第２帯域除去フィルタとの直列接続回路が高周波側フィルタであり、第１フィルタおよび第２フィルタが低周波側フィルタである場合において、第１帯域除去フィルタに上記（１）（２）（３）のいずれかの弾性波を利用する場合のほうが、第１帯域除去フィルタに他の弾性波を利用する場合よりも、第１帯域除去フィルタの第２周波数帯域における反射係数を大きくすることが可能となる。これにより、第２フィルタの束ねロスを低減できる。

　また、前記第２帯域除去フィルタでは、弾性波共振子がＳＭＲまたはＦＢＡＲで構成されてもよい。

　これによれば、第１帯域除去フィルタの反射係数を増大させつつ、第２帯域除去フィルタの減衰帯域の急峻性を確保できる。

　また、前記第３周波数帯域は前記第１周波数帯域および前記第２周波数帯域よりも高周波側に位置し、前記第１帯域除去フィルタおよび前記第２帯域除去フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、前記第１帯域除去フィルタを構成する前記１以上の弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたＩＤＴ電極とで構成された弾性表面波共振子であり、前記第１帯域除去フィルタでは、弾性波共振子が、前記ＩＤＴ電極が一方の主面上に形成された前記圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有し、前記第２帯域除去フィルタでは、弾性波共振子がＳＭＲまたはＦＢＡＲで構成されてもよい。

　弾性波共振子の共振点および反共振点よりも低周波域における反射係数は、音速膜積層構造を有する場合のほうが、弾性波共振子をＳＭＲまたはＦＢＡＲで構成する場合よりも大きい。

　よって、第１帯域除去フィルタと第２帯域除去フィルタとの直列接続回路が高周波側フィルタであり、第１フィルタおよび第２フィルタが低周波側フィルタである場合において、第１帯域除去フィルタに上記音速膜積層構造を利用する場合のほうが、第１帯域除去フィルタをＳＭＲまたはＦＢＡＲで構成する場合よりも、第１帯域除去フィルタの第２周波数帯域における反射係数を大きくすることが可能となる。これにより、第２フィルタの束ねロスを低減できる。また、第１帯域除去フィルタの反射係数を増大させつつ、第２帯域除去フィルタの減衰帯域の急峻性を確保できる。

　また、前記第３周波数帯域は前記第１周波数帯域および前記第２周波数帯域よりも高周波側に位置し、前記第１帯域除去フィルタおよび前記第２帯域除去フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、前記第１帯域除去フィルタでは、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する、（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する、（４）弾性波共振子がＳＭＲで構成される、および（５）弾性波共振子がＦＢＡＲで構成される、のいずれかであり、前記第２帯域除去フィルタでは、弾性波共振子が、ＩＤＴ電極が一方の主面上に形成された圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有してもよい。

　弾性波共振子として音速膜積層構造を有する場合には、弾性波共振子の共振周波数の０．７６倍付近にレイリー波のスプリアスが発生する。よって、第２帯域除去フィルタを音速膜積層構造とし、第１帯域除去フィルタを音速膜積層構造としないことにより、第２帯域除去フィルタの良好な温度特性を確保しつつ第１帯域除去フィルタの第２周波数帯域における反射係数を大きくできる。

　よって、第１帯域除去フィルタと第２帯域除去フィルタとの直列接続回路が高周波側フィルタであり、第１フィルタおよび第２フィルタが低周波側フィルタである場合において、第２フィルタの束ねロスを低減できる。

　また、前記第３周波数帯域は前記第１周波数帯域および前記第２周波数帯域よりも高周波側に位置し、前記第１帯域除去フィルタおよび前記第２帯域除去フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、前記第１帯域除去フィルタでは、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する、（２）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する、（３）弾性波共振子が、ＩＤＴ電極が一方の主面上に形成された圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有する、（４）弾性波共振子がＳＭＲで構成される、ならびに（５）弾性波共振子がＦＢＡＲで構成される、のいずれかであり、前記第２帯域除去フィルタでは、ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用してもよい。

　ＬｉＴａＯ_３のリーキー波を弾性波として利用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の０．７６倍付近にレイリー波のスプリアスが発生する。よって、第２帯域除去フィルタではＬｉＴａＯ_３のリーキー波を弾性波として利用し、第１帯域除去フィルタではＬｉＴａＯ_３のリーキー波を弾性波として利用しないことにより、第１帯域除去フィルタの第２周波数帯域における反射係数を、効果的に大きくできる。

　また、前記第１入出力端子に接続された第１増幅回路と、前記第２入出力端子に接続された第２増幅回路と、前記第３入出力端子に接続された第３増幅回路と、をさらに備えてもよい。

　これにより、各周波数帯域の高周波信号を低損失で伝搬でき、製造工程の簡素化および小型化が実現された高周波フロントエンド回路を提供することが可能となる。

　また、本発明の一態様に係る通信装置は、前記アンテナ素子で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、前記アンテナ素子と前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝達する上記記載の高周波フロントエンド回路と、を備える。

　これにより、各周波数帯域の高周波信号を低損失で伝搬でき、製造工程の簡素化および小型化が実現された通信装置を提供することが可能となる。

　本発明によれば、低損失な信号伝搬特性を維持しつつ、小型化および製造工程が簡素化された高周波フロントエンド回路および通信装置を提供することが可能となる。

図１は、実施の形態１に係る高周波フロントエンド回路の回路構成図である。図２は、実施の形態１に係る高周波フロントエンド回路の具体的回路構成図である。図３は、実施の形態１に係る高周波フロントエンド回路の各フィルタの通過特性を表すグラフである。図４は、実施の形態１に係る高周波フロントエンド回路のチップレイアウトを示す図である。図５は、実施の形態１に係る高周波フロントエンド回路の束ねロスを低減した反射係数の関係を示す図である。図６は、実施の形態１の変形例に係る通信装置の回路構成図である。図７は、実施の形態２に係る高周波フロントエンド回路の具体的回路構成図である。図８は、実施の形態２に係る高周波フロントエンド回路の各フィルタの通過特性を表すグラフである。図９は、実施の形態３に係る高周波フロントエンド回路の具体的回路構成図である。図１０は、実施の形態３に係る高周波フロントエンド回路の各フィルタの通過特性を表すグラフである。図１１は、実施の形態４に係るフィルタ共振子を模式的に表す平面図および断面図の一例である。図１２Ａは、実施の形態４に係る帯域除去フィルタの低域１における反射特性を説明する図である。図１２Ｂは、実施の形態４に係る帯域除去フィルタの構成の組み合わせを表す図である。図１３Ａは、実施の形態４の変形例１に係る帯域除去フィルタの高域１におけるバルク波漏洩を説明する図である。図１３Ｂは、実施の形態４の変形例１に係る帯域除去フィルタの構成の組み合わせを表す図である。図１４Ａは、実施の形態４の変形例２に係る帯域除去フィルタの低域２におけるスプリアスの発生を説明する図である。図１４Ｂは、実施の形態４の変形例２に係る帯域除去フィルタの構成の組み合わせを表す図である。図１５Ａは、実施の形態４の変形例３に係る帯域除去フィルタの高域２における高次モードの発生を説明する図である。図１５Ｂは、実施の形態４の変形例３に係る帯域除去フィルタの構成の組み合わせを表す図である。図１６Ａは、実施の形態４の変形例４に係る帯域除去フィルタの低域３における反射特性および高域３におけるバルク波漏洩を説明する図である。図１６Ｂは、実施の形態４の変形例４に係る帯域除去フィルタの構成の組み合わせを表す図である。図１７Ａは、実施の形態４の変形例５に係る帯域除去フィルタの低域４におけるスプリアスの発生および高域４におけるバルク波漏洩を説明する図である。図１７Ｂは、実施の形態４の変形例５に係る帯域除去フィルタの構成の組み合わせを表す図である。図１８Ａは、実施の形態４の変形例６に係る帯域除去フィルタの低域５における反射特性および高域５における高次モードの発生を説明する図である。図１８Ｂは、実施の形態４の変形例６に係る帯域除去フィルタの構成の組み合わせを表す図である。図１９Ａは、実施の形態４に係る帯域除去フィルタの高次モードによる反射損失の劣化を表すグラフである。図１９Ｂは、実施の形態４の変形例７に係る帯域除去フィルタの構造を異ならせるパラメータを表す図である。図１９Ｃは、実施の形態４の変形例８に係る帯域除去フィルタの構造を異ならせるパラメータを表す図である。図２０は、実施の形態４の変形例９に係る帯域除去フィルタの構造を異ならせるパラメータを表す図である。図２１は、特許文献１に記載された電気回路の回路構成図である。

　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。

　（実施の形態１）
　［１．１　高周波フロントエンド回路の構成］
　図１は、実施の形態１に係る高周波フロントエンド回路１の回路構成図である。同図に示すように、高周波フロントエンド回路１は、第１フィルタ１１Ａと、第１帯域除去フィルタ１１Ｂと、第２フィルタ１２Ａと、第２帯域除去フィルタ１２Ｂと、アンテナ共通端子１００と、入出力端子１１０、１２０および１３０とを備える。高周波フロントエンド回路１は、アンテナ共通端子１００で束ねられた第１フィルタ１１Ａ、第２フィルタ１２Ａ、および第１帯域除去フィルタ１１Ｂ／第２帯域除去フィルタ１２Ｂを備える分波／合波回路である。

　アンテナ共通端子１００は、例えば、アンテナ素子に接続可能であり、入出力端子１１０、１２０および１３０は、増幅回路を介して高周波信号処理回路に接続可能である。

　第１フィルタ１１Ａは、アンテナ共通端子１００と入出力端子１１０との間に接続され、第１周波数帯域を含む周波数帯域を通過帯域とする帯域通過型（バンドパス）フィルタである。

　第２フィルタ１２Ａは、アンテナ共通端子１００と入出力端子１３０との間に接続され、第１周波数帯域と異なる第２周波数帯域を含む周波数帯域を通過帯域とする帯域通過型（バンドパス）フィルタである。

　第１帯域除去フィルタ１１Ｂは、アンテナ共通端子１００と入出力端子１２０との間に接続され、第１周波数帯域を含み、第１周波数帯域および第２周波数帯域と異なる第３周波数帯域を含まない周波数帯域を減衰帯域とする帯域除去（バンドエリミネーション）フィルタである。

　第２帯域除去フィルタ１２Ｂは、アンテナ共通端子１００と入出力端子１２０との間であって第１帯域除去フィルタ１１Ｂと直列に接続され、第２周波数帯域を含み第３周波数帯域を含まない周波数帯域を減衰帯域とする帯域除去（バンドエリミネーション）フィルタである。

　第１帯域除去フィルタ１１Ｂと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとの直列接続回路は、第３周波数帯域を含む周波数帯域を通過帯域とし、第１周波数帯域および第２周波数帯域を減衰帯域とするフィルタ回路を構成している。

　第１フィルタ１１Ａは、第１帯域除去フィルタ１１Ｂおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂを経由せずにアンテナ共通端子１００と接続されている。また、第２フィルタ１２Ａは、第１帯域除去フィルタ１１Ｂおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂを経由せずにアンテナ共通端子１００と接続されている。

　従来では、異なる３つの周波数帯域に対応したマルチプレクサ回路を構成する場合、各周波数帯域の高周波信号を通過させる各信号経路に、各周波数帯域を通過帯域とする帯域通過型フィルタが配置される。つまり３つの周波数帯域に対して、３つの帯域通過側フィルタが必要とされる。

　これに対して、本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路１によれば、第３周波数帯域を通過帯域とするフィルタは、第１帯域除去フィルタ１１Ｂと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとの直列接続回路により構成される。ここで、第１帯域除去フィルタ１１Ｂは、第１フィルタ１１Ａの通過帯域である第１周波数帯域を減衰帯域とするフィルタである。このため、例えば、弾性波共振子で構成された第１帯域除去フィルタ１１Ｂを設計および製造するにあたり、第１フィルタ１１Ａを構成する弾性波共振子の設計パラメータを適用でき、かつ、第１フィルタ１１Ａと同様の製造プロセスを適用できる。さらに、第１フィルタ１１Ａの弾性波共振子を、第１帯域除去フィルタ１１Ｂの弾性波共振子として兼用することも可能である。

　また、第２帯域除去フィルタ１２Ｂは、第２フィルタ１２Ａの通過帯域である第２周波数帯域を減衰帯域とするフィルタである。このため、例えば、弾性波共振子で構成された第２帯域除去フィルタ１２Ｂを設計および製造するにあたり、第２フィルタ１２Ａを構成する弾性波共振子の設計パラメータを適用でき、かつ、第２フィルタ１２Ａと同様の製造プロセスを適用できる。さらに、第２フィルタ１２Ａの弾性波共振子を、第２帯域除去フィルタ１２Ｂの弾性波共振子として兼用することも可能である。

　つまり、本実施の形態では、３つの周波数帯域に対応した分波／合波回路を設計および製造するにあたり、第１周波数帯域を通過帯域または減衰帯域とするフィルタ回路と、第２周波数帯域を通過帯域または減衰帯域とするフィルタ回路とを設計および製造すればよい。よって、分波／合波回路を構成するにあたり、周波数帯域の数だけ帯域通過型フィルタを設ける必要がないので、設計工数の削減、製造工程の簡素化および小型化を達成できる。

　また、上記構成によれば、第３周波数帯域を通過帯域とするフィルタは、２つの直列接続された第１帯域除去フィルタ１１Ｂおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂにより構成される。ここで、第２フィルタ１２Ａと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとは、アンテナ端子で共通接続されておらず電気的に独立しているため、第２帯域除去フィルタ１２Ｂは第２フィルタ１２Ａの影響を受けない。これにより、第３周波数帯域の高周波信号を伝搬する信号経路では、第２フィルタ１２Ａと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとが電気的に独立していない場合（つまり共通接続されている場合）と比較して、通過帯域内の挿入損失を小さくできる。

　また、第１周波数帯域の高周波信号を伝搬する信号経路では、帯域除去フィルタ１１Ｂおよび１２Ｂを通過せず第１フィルタ１１Ａのみを経由する。また、第２周波数帯域の高周波信号を伝搬する信号経路では、帯域除去フィルタ１１Ｂおよび１２Ｂを通過せず第２フィルタ１２Ａのみを経由する。つまり、入出力端子１３０を通過する信号は、第２帯域除去フィルタ１２Ｂと電気的に独立している第２フィルタ１２Ａのみを通過するため、挿入損失を小さくできる。第３周波数帯域の高周波信号を伝搬する信号経路では、帯域通過型フィルタを通過せず、２つの帯域除去フィルタ１１Ｂおよび１２Ｂのみを経由する。つまり、第３周波数帯域の高周波信号を伝搬する信号経路に２つの帯域除去フィルタ１１Ｂおよび１２Ｂのみを配置した場合であっても、第１および第２周波数帯域の高周波信号を伝搬する信号経路には、当該２つの帯域除去フィルタ１１Ｂおよび１２Ｂを経由させる必要がない。言い換えると、各周波数帯域に対応した信号経路において、帯域通過型フィルタおよび帯域除去フィルタの一方のみを経由させるので、各周波数帯域の高周波信号を低損失で伝搬できる。

　［１．２　高周波フロントエンド回路の適用例１］
　ここでは、本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路１を、ＬＴＥ（Ｌｏｎｇ　Ｔｅｒｍ　Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）のマルチバンドシステムに適用した例を示す。

　図２は、実施の形態１に係る高周波フロントエンド回路１Ａの具体的回路構成図である。同図に示された高周波フロントエンド回路１Ａは、高周波フロントエンド回路１をＬＴＥの受信分波回路に適用した例である。高周波フロントエンド回路１Ａでは、第３周波数帯域としてミドルローバンド（ＭＬＢ：１４７５．９－２０２５ＭＨｚ）が割り当てられ、第１周波数帯域としてミドルバンド（ＭＢ：２１１０－２２００ＭＨｚ）が割り当てられ、第２周波数帯域としてハイバンド（ＨＢ：２４９６－２６９０ＭＨｚ）が割り当てられている。つまり、周波数が低い順に、第３周波数帯域、第１周波数帯域、および第２周波数帯域が配置されている。

　また、図３は、実施の形態１に係る高周波フロントエンド回路１Ａの第１フィルタ１１Ａ、第１帯域除去フィルタ１１Ｂ、第２フィルタ１２Ａ、第２帯域除去フィルタ１２Ｂの通過特性を表すグラフである。

　第１フィルタ１１Ａは、図３の（ｂ）に示すように、Ｂａｎｄ６６（２１１０－２２００ＭＨｚ）を通過帯域とするフィルタ通過特性を有するバンドパスフィルタである。

　第２フィルタ１２Ａは、図３の（ｃ）に示すように、Ｂａｎｄ４１（２４９６－２６９０ＭＨｚ）を通過帯域とするフィルタ通過特性を有するバンドパスフィルタである。

　第１帯域除去フィルタ１１Ｂは、図３の（ａ１）に示すように、Ｂａｎｄ６６（２１１０－２２００ＭＨｚ）を減衰帯域とするフィルタ通過特性を有するバンドエリミネーションフィルタである。

　第２帯域除去フィルタ１２Ｂは、図３の（ａ２）に示すように、Ｂａｎｄ４１（（２４９６－２６９０ＭＨｚ）を減衰帯域とするフィルタ通過特性を有するバンドエリミネーションフィルタである。

　第１帯域除去フィルタ１１Ｂと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとの直列接続回路は、図３の（ａ）に示すように、Ｂａｎｄ３の受信帯域（１８０５－１８８０ＭＨｚ）を含むミドルローバンド（ＭＬＢ：１４７５．９－２０２５ＭＨｚ）を通過帯域とし、Ｂａｎｄ６６（２１１０－２２００ＭＨｚ）およびＢａｎｄ４１（２４９６－２６９０ＭＨｚ）を減衰帯域とするフィルタ通過特性を有する低域通過型フィルタ（ローパスフィルタ）を構成している。

　本適用例によれば、最も周波数の低い第３周波数帯域を、第１帯域除去フィルタ１１Ｂおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂで構成することが可能となる。

　なお、本適用例において、第１帯域除去フィルタ１１ＢがＢａｎｄ４１（２４９６－２６９０ＭＨｚ）を減衰帯域とするバンドエリミネーションフィルタであって、第２帯域除去フィルタ１２ＢがＢａｎｄ６６（２１１０－２２００ＭＨｚ）を減衰帯域とするバンドエリミネーションフィルタであってもよい。つまり、Ｂａｎｄ４１を減衰帯域とするバンドエリミネーションフィルタが、前段（アンテナ共通端子１００側）に接続され、Ｂａｎｄ６６を減衰帯域とするバンドエリミネーションフィルタが、後段（入出力端子１２０側）に接続されてもよい。

　［１．３　高周波フロントエンド回路のチップレイアウト］
　図４は、実施の形態１に係る高周波フロントエンド回路１Ａのチップレイアウトを示す図である。

　同図には、高周波フロントエンド回路１Ａの構成要素である第１フィルタ１１Ａ、第２フィルタ１２Ａ、第１帯域除去フィルタ１１Ｂ、および第２帯域除去フィルタ１２Ｂのチップレイアウト（実装構成）が示されている。同図に示すように、高周波フロントエンド回路１Ａは、第１チップ９および１第２チップ９２で構成されている。

　第１チップ９１には、第１フィルタ１１Ａと第１帯域除去フィルタ１１Ｂとが形成されている。第２チップ９２には、第２フィルタ１２Ａと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとが形成されている。

　第１フィルタ１１Ａは、第１チップ９１上に形成された接続電極９０ｂを経由してアンテナ共通端子１００に接続され、第１チップ９１上に形成された接続電極９０ｄを経由して入出力端子１１０に接続されている。第１帯域除去フィルタ１１Ｂは、第１チップ９１上に形成された接続電極９０ａを経由してアンテナ共通端子１００に接続され、第１チップ９１上に形成された接続電極９０ｃおよび第２チップ９２上に形成された接続電極８０ａを経由して第２帯域除去フィルタ１２Ｂに接続されている。

　第２フィルタ１２Ａは、第２チップ９２上に形成された接続電極８０ｂを経由してアンテナ共通端子１００に接続され、第２チップ９２上に形成された接続電極８０ｄを経由して入出力端子１３０に接続されている。第２帯域除去フィルタ１２Ｂは、第２チップ９２上に形成された接続電極８０ｃを経由して入出力端子１２０に接続されている。

　なお、第１チップ９１と第２チップ９２とは、第１チップ９１および第２チップ９２が実装される実装基板に形成された配線により電気接続されてもよいし、第１チップ９１と第２チップ９２とがボンディングワイヤにより直接電気接続されてもよい。

　高周波フロントエンド回路１Ａが有する各フィルタは、例えば、弾性表面波（Ｓｕｒｆａｃｅ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）共振子で構成されている。この場合、各フィルタは、例えば、直列腕共振子および並列腕共振子を有するラダー型のフィルタ構成をとり、直列腕共振子および並列腕共振子は、圧電基板上に形成されたＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極からなる。

　ここで、第１フィルタ１１Ａは、Ｂａｎｄ６６（２１１０－２２００ＭＨｚ）を通過帯域とするフィルタ通過特性を有し、第１帯域除去フィルタ１１Ｂは、同じＢａｎｄ６６を減衰帯域とするフィルタ通過特性を有する。ラダー型のフィルタ構成の場合、通過帯域および減衰帯域は、直列腕共振子および並列腕共振子の共振点および反共振点で規定される。このため、第１フィルタ１１Ａを構成する共振子と第１帯域除去フィルタ１１Ｂを構成する共振子とは、ほぼ同一の電極指ピッチを有するＩＤＴ電極で形成することが可能となる。これにより、第１フィルタ１１Ａと第１帯域除去フィルタ１１Ｂとは、同一の製造プロセスを用いて、１枚の圧電基板上に形成することが容易となる。

　また、第２フィルタ１２Ａは、Ｂａｎｄ４１（２４９６－２６９０ＭＨｚ）を通過帯域とするフィルタ通過特性を有し、第２帯域除去フィルタ１２Ｂは、同じＢａｎｄ４１を減衰帯域とするフィルタ通過特性を有する。ラダー型のフィルタ構成の場合、通過帯域および減衰帯域は、直列腕共振子および並列腕共振子の共振点および反共振点で規定される。このため、第２フィルタ１２Ａを構成する共振子と第２帯域除去フィルタ１２Ｂを構成する共振子とは、ほぼ同一の電極指ピッチを有するＩＤＴ電極で形成することが可能となる。これにより、第２フィルタ１２Ａと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとは、同一の製造プロセスを用いて、１枚の圧電基板上に形成することが容易となる。

　上記観点から、第１フィルタ１１Ａと第１帯域除去フィルタ１１Ｂとは、１つの第１チップ９１に形成され、第２フィルタ１２Ａと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとは、１つの第２チップ９２に形成される。

　上記構成によれば、第１帯域除去フィルタ１１Ｂを製造するにあたり、第１周波数帯域（Ｂａｎｄ６６）を通過帯域とする第１フィルタ１１Ａを構成する弾性波共振子の設計パラメータを適用でき、第１フィルタ１１Ａと同様の製造プロセスを適用できる。さらに、第１フィルタ１１Ａの弾性波共振子を流用することも可能である。また、第２帯域除去フィルタ１２Ｂを製造するにあたり、第２周波数帯域（Ｂａｎｄ４１）を通過帯域とする第２フィルタ１２Ａを構成する弾性波共振子の設計パラメータを適用でき、第２フィルタ１２Ａと同様の製造プロセスを適用できる。さらに、第２フィルタ１２Ａの弾性波共振子を流用することも可能である。よって、第１フィルタ１１Ａと第１帯域除去フィルタ１１Ｂとを同一の第１チップ９１で形成し、第２フィルタ１２Ａと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとを同一の第２チップ９２で形成することが容易となる。これにより、製造工程のさらなる簡素化および小型化が可能となる。

　なお、上述した高周波フロントエンド回路１Ａのチップレイアウトにおいて、各フィルタとしてラダー型のＳＡＷフィルタを例示したが、各フィルタはこれに限られない。各フィルタは、縦結合型フィルタ回路を含んでもよい。この場合であっても、第１フィルタ１１Ａと第１帯域除去フィルタ１１Ｂとは、縦結合型フィルタ回路のＩＤＴ電極の電極指ピッチを揃えることができ、第２フィルタ１２Ａと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとは、当該電極指ピッチを揃えることができる。また、各フィルタは、ＳＡＷフィルタだけでなくＢＡＷ（Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）フィルタであってもよい。この場合であっても、第１フィルタ１１Ａと第１帯域除去フィルタ１１Ｂとは、ＢＡＷフィルタを構成する共振子の構造パラメータを揃えることができ、第２フィルタ１２Ａと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとは、当該構造パラメータを揃えることができる。よって、第１フィルタ１１Ａと第１帯域除去フィルタ１１Ｂとを、１つの第１チップ９１に形成でき、また、第２フィルタ１２Ａと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとを、１つの第２チップ９２に形成することが可能となる。

　また、第１チップ９１に形成される第１フィルタ１１Ａおよび第１帯域除去フィルタ１１Ｂは、ＳＡＷを用いた弾性波共振子で構成され、第２チップ９２に形成される第２フィルタ１２Ａおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂは、ＢＡＷを用いた弾性波共振子で構成されていてもよい。これにより、第２フィルタ１２Ａおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂは、反射係数を大きく確保することが可能となり、第１フィルタ１１Ａおよび第１帯域除去フィルタ１１Ｂは、帯域幅の自由度を高くできる。

　また、第１フィルタ１１Ａおよび第１帯域除去フィルタ１１Ｂは、ＢＡＷを用いた弾性波共振子で構成され、第２フィルタ１２Ａおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂは、ＳＡＷを用いた弾性波共振子で構成されていてもよい。この場合には、第１フィルタ１１Ａおよび第１帯域除去フィルタ１１Ｂは、反射係数を大きく確保することが可能となり、第２フィルタ１２Ａおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂは、帯域幅の自由度を高くできる。

　あるいは、第１フィルタ１１Ａ、第１帯域除去フィルタ１１Ｂ、第２フィルタ１２Ａ、および第２帯域除去フィルタ１２Ｂの全てを、ＢＡＷを用いた弾性波共振子で構成してもよいし、ＳＡＷを用いた弾性波共振子で構成してもよい。つまり、第１周波数帯域および第２周波数帯域を通過する高周波信号の要求仕様に応じて、第１フィルタ１１Ａおよび第２フィルタ１２Ａを、ＳＡＷまたはＢＡＷで作り分けることが可能となり、設計の自由度が向上する。

　［１．４　高周波フロントエンド回路の束ねロス低減構成］
　図５は、実施の形態１に係る高周波フロントエンド回路１Ａの束ねロスを低減した反射係数の関係を示す図である。同図の下段には、アンテナ共通端子１００で束ねられた第１帯域除去フィルタ１１Ｂ（Ｂ６６ＢＥＦ）および第２帯域除去フィルタ１２Ｂ（Ｂ４１ＢＥＦ）の通過特性と、第１帯域除去フィルタ１１Ｂ（Ｂ６６ＢＥＦ）および第２帯域除去フィルタ１２Ｂ（Ｂ４１ＢＥＦ）の反射特性とが示されている。また、同図の上段に示すように、第１帯域除去フィルタ１１Ｂがアンテナ共通端子１００側に接続され、第２帯域除去フィルタ１２Ｂが入出力端子１２０側に接続されている。ここで、本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路１Ａにおいて、第１帯域除去フィルタ１１Ｂを単体でアンテナ共通端子１００側から見た場合の第１周波数帯域（Ｂａｎｄ６６通過帯域）における反射係数Γ_Ｂ６６は、第２帯域除去フィルタ１２Ｂを単体でアンテナ共通端子１００側から見た場合の第２周波数帯域（Ｂａｎｄ４１通過帯域）における反射係数Γ_Ｂ４１よりも大きいことが好ましい。

　本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路１Ａのように、受信分波回路を構成する第１フィルタ１１Ａと、第２フィルタ１２Ａと、第１帯域除去フィルタ１１Ｂ／第２帯域除去フィルタ１２Ｂとが、アンテナ共通端子１００で束ねられた構成の場合、第１フィルタ１１Ａの通過帯域（Ｂａｎｄ６６）における挿入損失は、第１フィルタ１１Ａ単体の挿入損失に加え、その他のフィルタのアンテナ共通端子１００側から見た反射特性の影響を受ける。また、第２フィルタ１２Ａの通過帯域（Ｂａｎｄ４１）における挿入損失は、第２フィルタ１２Ａ単体の挿入損失に加え、その他のフィルタのアンテナ共通端子１００側から見た反射特性の影響を受ける。この中で、第１フィルタ１１Ａの通過帯域における挿入損失は、第１帯域除去フィルタ１１Ｂのアンテナ共通端子１００側から見た第１周波数帯域における反射係数が大きいほど減少する。また、第２フィルタ１２Ａの通過帯域における挿入損失は、第２帯域除去フィルタ１２Ｂのアンテナ共通端子１００側から見た第２周波数帯域における反射係数が大きいほど減少する（第１帯域除去フィルタ１１Ｂの反射係数に起因した第１フィルタ１１Ａの挿入損失、および、第２帯域除去フィルタ１２Ｂの反射係数に起因した第２フィルタ１２Ａの挿入損失を束ねロスと呼ぶ）。

　ここで、第１帯域除去フィルタ１１Ｂは、第２帯域除去フィルタ１２Ｂよりもアンテナ共通端子１００側に接続されているため、第１帯域除去フィルタ１１Ｂに起因する第１フィルタ１１Ａの束ねロスのほうが、第２帯域除去フィルタ１２Ｂに起因する第２フィルタ１２Ａの束ねロスよりも大きくなる。このため、第１帯域除去フィルタ１１Ｂの第１周波数帯域における反射係数Γ_Ｂ６６を、第２帯域除去フィルタの第２周波数帯域における反射係数Γ_Ｂ４１よりも大きくすることで、高周波フロントエンド回路１Ａの束ねロスを効果的に低減することが可能となる。

　よって、アンテナ素子と第１フィルタ１１Ａおよび第２フィルタ１２Ａとの間にスイッチを配置することなく、第１フィルタ１１Ａおよび第２フィルタ１２Ａの束ねロスを効果的に低減できるので、例えばＣＡ（キャリアアグリゲーション）動作時であっても低損失な信号伝搬特性を維持できる小型の高周波フロントエンド回路を提供することが可能となる。

　なお、第２帯域除去フィルタ１２Ｂ（Ｂａｎｄ４１を減衰帯域とするバンドエリミネーションフィルタ）が、前段（アンテナ共通端子１００側）に接続され、第１帯域除去フィルタ１１Ｂ（Ｂａｎｄ６６を減衰帯域とするバンドエリミネーションフィルタ）が、後段（入出力端子１２０側）に接続されている場合には、第２帯域除去フィルタ１２Ｂを単体でアンテナ共通端子１００側から見た場合の第２周波数帯域（Ｂａｎｄ４１通過帯域）における反射係数Γ_Ｂ４１は、第１帯域除去フィルタ１１Ｂを単体でアンテナ共通端子１００側から見た場合の第１周波数帯域（Ｂａｎｄ６６通過帯域）における反射係数Γ_Ｂ６６よりも大きいことが好ましい。これにより、高周波フロントエンド回路１Ａの束ねロスを効果的に低減することが可能となる。

　［１．５　高周波フロントエンド回路を含む通信装置］
　図６は、実施の形態１の変形例に係る通信装置３の回路構成図である。同図には、本実施の形態に係る通信装置３が示されている。通信装置３は、本変形例に係る高周波フロントエンド回路２と、高周波信号処理回路（ＲＦＩＣ）４０とで構成されている。

　高周波フロントエンド回路２は、アンテナ共通端子１００と、分波回路１０および１４と、スイッチ２１および２２と、フィルタ回路１５と、増幅回路３０とを備える。

　分波回路１０は、アンテナ共通端子１００に接続され、ローパスフィルタ１０Ａ（通過帯域：６９９－９６０ＭＨｚ）およびハイパスフィルタ１０Ｂ（通過帯域：１４７５．９－２６９０ＭＨｚ）で構成されている。

　分波回路１４は、実施の形態１に係る高周波フロントエンド回路１が適用されたものであり、帯域通過型フィルタ１４Ａと、第１フィルタ１４Ｂと、第１帯域除去フィルタ１４Ｃ１と、第２帯域除去フィルタ１４Ｃ２と、第２フィルタ１４Ｄとを備える。

　帯域通過型フィルタ１４Ａは、ハイパスフィルタ１０Ｂの出力端子とスイッチ２１Ａとの間に接続され、ミドルハイバンド（ＭＨＢ：２３００－２４００ＭＨｚ）を含む周波数帯域を通過帯域とするバンドパスフィルタである。

　第１フィルタ１４Ｂは、ハイパスフィルタ１０Ｂの出力端子に接続され、第１周波数帯域であるミドルバンド（ＭＢ：２１１０－２２００ＭＨｚ）を含む周波数帯域を通過帯域とするバンドパスフィルタである。第１フィルタ１４Ｂは、実施の形態１にかかる高周波フロントエンド回路１の第１フィルタ１１Ａに相当する。

　第２フィルタ１４Ｄは、ハイパスフィルタ１０Ｂの出力端子とスイッチ２１Ｄとの間に接続され、第２周波数帯域であるハイバンド（ＨＢ：２４９６－２６９０ＭＨｚ）を含む周波数帯域を通過帯域とするバンドパスフィルタである。第２フィルタ１４Ｄは、実施の形態１に係る高周波フロントエンド回路１の第２フィルタ１２Ａに相当する。

　第１帯域除去フィルタ１４Ｃ１は、ハイパスフィルタ１０Ｂの出力端子とスイッチ２１Ｃとの間に接続され、第１周波数帯域であるミドルバンド（ＭＢ：２１１０－２２００ＭＨｚ）を減衰帯域とするバンドエリミネーションフィルタである。第１帯域除去フィルタ１４Ｃ１は、実施の形態１にかかる高周波フロントエンド回路１の第１帯域除去フィルタ１１Ｂに相当する。

　第２帯域除去フィルタ１４Ｃ２は、ハイパスフィルタ１０Ｂの出力端子とスイッチ２１Ｃとの間であって第１帯域除去フィルタ１４Ｃ１と直列に接続され、第２周波数帯域であるハイバンド（ＨＢ：２４９６－２６９０ＭＨｚ）を減衰帯域とするバンドエリミネーションフィルタである。第２帯域除去フィルタ１４Ｃ２は、実施の形態１に係る高周波フロントエンド回路１の第２帯域除去フィルタ１２Ｂに相当する。

　第１帯域除去フィルタ１４Ｃ１と第２帯域除去フィルタ１４Ｃ２との直列接続回路は、第３周波数帯域であるミドルローバンド（ＭＬＢ：１４７５．９－２０２５ＭＨｚ）を通過帯域とし、第１周波数帯域であるミドルバンド（ＭＢ：２１１０－２２００ＭＨｚ）および第２周波数帯域であるハイバンド（ＨＢ：２４９６－２６９０ＭＨｚ）を減衰帯域とするフィルタ回路を構成している。

　本適用例によれば、周波数が第１周波数帯域および第２周波数帯域よりも低周波側に位置する第３周波数帯域を、第１帯域除去フィルタ１４Ｃ１および第２帯域除去フィルタ１４Ｃ２で構成することが可能となる。これにより、４つの周波数帯域に対応した分波／合波回路を設計および製造するにあたり、ＭＨＢを通過帯域とするバンドパスフィルタ回路と、第１周波数帯域（ＭＢ）を通過帯域または減衰帯域とするフィルタ回路と、第２周波数帯域（ＨＢ）を通過帯域または減衰帯域とするフィルタ回路とを設計および製造すればよい。よって、分波／合波回路を構成するにあたり、周波数帯域の数だけ帯域通過型フィルタを設ける必要がないので、設計工数の削減、製造工程の簡素化および小型化を達成できる。

　スイッチ２１は、スイッチ２１Ａ、２１Ｃ、および２１Ｄで構成されている。スイッチ２２は、スイッチ２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、および２２Ｄで構成されている。

　フィルタ回路１５は、フィルタ１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆ、１３ｇ、１３ｈ、１３ｊ、および１３ｋで構成されている。

　増幅回路は、ＬＮＡ３１、３２、３３、３４、３５、および３６で構成されている。

　分波回路１４は、高周波信号の周波数帯域を、４つの周波数帯域群に分割する。より具体的には、帯域通過型フィルタ１４Ａは、ミドルハイバンド（ＭＨＢ：２３００－２４００ＭＨｚ）を通過帯域とし、Ｂａ（バンドａ）、Ｂｂ（バンドｂ）、Ｂｃ（バンドｃ）、Ｂｄ（バンドｄ）、およびＢｅ（バンドｅ）の信号を通過させる。第１フィルタ１４Ｂは、ミドルバンド（ＭＢ：２１１０－２２００ＭＨｚ）を通過帯域とし、Ｂｐ（バンドｐ）の信号を通過させる。第１帯域除去フィルタ１４Ｃ１および第２帯域除去フィルタ１４Ｃ２の直列接続で構成されたフィルタ回路は、ミドルローバンド（ＭＬＢ：１４７５．９－２０２５ＭＨｚ）を通過帯域とし、Ｂｆ（バンドｆ）およびＢｇ（バンドｇ）の信号を通過させる。第２フィルタ１４Ｄは、ハイバンド（ＨＢ：２４９６－２６９０ＭＨｚ）を通過帯域とし、Ｂｈ（バンドｈ）、Ｂｊ（バンドｊ）、およびＢｋ（バンドｋ）の信号を通過させる。

　スイッチ２１Ａは、共通端子が帯域通過型フィルタ１４Ａに接続され、各選択端子が、フィルタ１３ａ（Ｂａ）、１３ｂ（Ｂｂ）、１３ｃ（Ｂｃ）、１３ｄ／１３ｅ（Ｂｄ／Ｂｅ）に接続されている。

　スイッチ２１Ｃは、共通端子が第２帯域除去フィルタ１４Ｃ２に接続され、各選択端子が、フィルタ１３ｆ（Ｂｆ）および１３ｇ（Ｂｇ）に接続されている。

　スイッチ２１Ｄは、共通端子が第２フィルタ１４Ｄに接続され、各選択端子が、フィルタ１３ｈ（Ｂｈ）、１３ｊ（Ｂｊ）、および１３ｋ（Ｂｋ）に接続されている。

　スイッチ２２Ｂは、共通端子がＬＮＡ３１に接続され、各選択端子が第１フィルタ１４Ｂおよびフィルタ１３ｄに接続されている。

　スイッチ２２Ａは、共通端子がＬＮＡ３２に接続され、各選択端子がフィルタ１３ｃ、１３ｂ、および１３ｅに接続されている。

　スイッチ２２Ｄは、共通端子がＬＮＡ３３に接続され、各選択端子がフィルタ１３ｋ、１３ｈ、および１３ｊに接続されている。

　スイッチ２２Ｃは、共通端子がＬＮＡ３４に接続され、各選択端子がフィルタ１３ｆおよび１３ｇに接続されている。

　なお、帯域通過型フィルタ１４Ａの通過帯域（２３００－２４００ＭＨｚ）は、フィルタ１３ａ（Ｂａ）、１３ｂ（Ｂｂ）、１３ｃ（Ｂｃ）、１３ｄ／１３ｅ（Ｂｄ／Ｂｅ）の各通過帯域よりも広く、当該各通過帯域を包含している。第１フィルタ１４Ｂは（２１１０－２２００ＭＨｚ）は、Ｂｐの各通過帯域を包含している。第１帯域除去フィルタ１４Ｃ１および第２帯域除去フィルタ１４Ｃ２の直列接続で構成されたフィルタ回路の通過帯域（１４７５．９－２０２５ＭＨｚ）は、フィルタ１３ｆ（Ｂｆ）および１３ｇ（Ｂｇ）の各通過帯域よりも広く、当該各通過帯域を包含している。第２フィルタ１４Ｄの通過帯域（２４９６－２６９０ＭＨｚ）は、フィルタ１３ｈ（Ｂｈ）、１３ｊ（Ｂｊ）、および１３ｋ（Ｂｋ）の各通過帯域よりも広く、当該各通過帯域を包含している。

　高周波信号処理回路（ＲＦＩＣ）４０は、ＬＮＡ３１～３６の出力端子に接続され、アンテナ素子から各バンドの受信信号経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号を、後段のベースバンド信号処理回路へ出力する。高周波信号処理回路４０は、例えば、ＲＦＩＣである。また、高周波信号処理回路（ＲＦＩＣ）４０は、使用されるバンドに応じて、制御信号Ｓ１Ａ、Ｓ１Ｃ、Ｓ１Ｄ、Ｓ２Ａ、Ｓ２Ｂ、Ｓ２Ｃ、およびＳ２Ｄを、それぞれ、スイッチ２１Ａ、２１Ｃ、２１Ｄ、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、および２２Ｄに出力する。これにより、各スイッチは信号経路の接続を切り替える。

　上記構成を有する通信装置３において、例えば、スイッチ２１Ａ、２１Ｃおよび２１Ｄを切り替えることにより、ＭＬＢ（１４７５．９－２０２５ＭＨｚ）、ＭＢ（２１１０－２２００ＭＨｚ）、ＭＨＢ（２３００－２４００ＭＨｚ）、およびＨＢ（２４９６－２６９０ＭＨｚ）から、それぞれ１バンドを選択することにより、ＣＡ動作が可能である。

　以上の構成によれば、分波回路１４として実施の形態１に係る高周波フロントエンド回路１を適用することにより、ＣＡ動作させるバンドの数が多くなっても、低損失な信号伝搬特性を維持しつつ小型化および製造工程が簡素化された高周波フロントエンド回路および通信装置を提供することが可能となる。また、例えば、３ＧＰＰ規格に規定されている全てのＣＡ組み合わせに対応させることが可能となる。

　なお、本変形例では、アンテナ素子からの高周波信号を受信して高周波信号処理回路４０へ伝達する、受信用の高周波フロントエンド回路を例示したが、送信用または送受信用の高周波フロントエンド回路であってもよい。送信用の高周波フロントエンド回路の場合には、増幅回路３０はパワーアンプで構成される。また、送受信用の高周波フロントエンド回路の場合には、フィルタ回路１５は、各バンドに割り当てられたデュプレクサで構成される。

　（実施の形態２）
　本実施の形態では、実施の形態１に係る高周波フロントエンド回路１Ａと異なるＬＴＥのマルチバンドシステムに適用した高周波フロントエンド回路１Ｂ、および高周波フロントエンド回路１Ｂ搭載した通信装置を説明する。

　［２．１　高周波フロントエンド回路の適用例２］
　図７は、実施の形態２に係る高周波フロントエンド回路１Ｂの具体的回路構成図である。同図に示された高周波フロントエンド回路１Ｂは、第１フィルタ１１Ａと、第１帯域除去フィルタ１１Ｃと、第２フィルタ１２Ａと、第２帯域除去フィルタ１２Ｃと、アンテナ共通端子１００と、入出力端子１１０、１２０および１３０とを備える。高周波フロントエンド回路１Ｂは、アンテナ共通端子１００で束ねられた第１フィルタ１１Ａ、第２フィルタ１２Ａ、および第１帯域除去フィルタ１１Ｃ／第２帯域除去フィルタ１２Ｃを備える分波／合波回路である。高周波フロントエンド回路１Ｂは、高周波フロントエンド回路１をＬＴＥの受信分波回路に適用した例である。

　高周波フロントエンド回路１Ｂでは、第３周波数帯域としてミドルハイバンド（ＭＨＢ：２３００－２４００ＭＨｚ）が割り当てられ、第１周波数帯域としてミドルバンド（ＭＢ：２１１０－２２００ＭＨｚ）が割り当てられ、第２周波数帯域としてハイバンド（ＨＢ：２４９６－２６９０ＭＨｚ）が割り当てられている。つまり、周波数が低い順に、第１周波数帯域、第３周波数帯域、および第２周波数帯域が配置されている。

　本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路１Ｂは、実施の形態１に係る高周波フロントエンド回路１Ａと比較して、第１帯域除去フィルタおよび第２帯域除去フィルタのフィルタ通過特性が異なる。以下、高周波フロントエンド回路１Ｂについて、高周波フロントエンド回路１Ａと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

　図８は、実施の形態２に係る高周波フロントエンド回路１Ｂの第１フィルタ１１Ａ、第１帯域除去フィルタ１１Ｃ、第２フィルタ１２Ａ、第２帯域除去フィルタ１２Ｃの通過特性を表すグラフである。

　第１フィルタ１１Ａは、図８の（ａ）に示すように、Ｂａｎｄ６６（２１１０－２２００ＭＨｚ）を通過帯域とするフィルタ通過特性を有するバンドパスフィルタである。

　第２フィルタ１２Ａは、図８の（ｃ）に示すように、Ｂａｎｄ４１（２４９６－２６９０ＭＨｚ）を通過帯域とするフィルタ通過特性を有するバンドパスフィルタである。

　第１帯域除去フィルタ１１Ｃは、図８の（ｂ２）に示すように、Ｂａｎｄ６６（２１１０－２２００ＭＨｚ）を減衰帯域とするフィルタ通過特性を有するバンドエリミネーションフィルタである。

　第２帯域除去フィルタ１２Ｃは、図８の（ｂ１）に示すように、Ｂａｎｄ４１（２４９６－２６９０ＭＨｚ）を減衰帯域とするフィルタ通過特性を有するバンドエリミネーションフィルタである。

　第１帯域除去フィルタ１１Ｃと第２帯域除去フィルタ１２Ｃとの直列接続回路は、図８の（ｂ）に示すように、Ｂａｎｄ４０を含むミドルハイバンド（ＭＬＢ：２３００－２４００ＭＨｚ）を通過帯域とし、Ｂａｎｄ６６（２１１０－２２００ＭＨｚ）およびＢａｎｄ４１（２４９６－２６９０ＭＨｚ）を減衰帯域とするフィルタ通過特性を有する帯域通過型フィルタ（バンドパスフィルタ）を構成している。

　本適用例によれば、周波数が第１周波数帯域と第２周波数帯域との間に位置する第３周波数帯域を、第１帯域除去フィルタ１１Ｃおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｃで構成することが可能となる。

　なお、本適用例において、第１帯域除去フィルタ１１ＣがＢａｎｄ４１（２４９６－２６９０ＭＨｚ）を減衰帯域とするバンドエリミネーションフィルタであって、第２帯域除去フィルタ１２ＣがＢａｎｄ６６（２１１０－２２００ＭＨｚ）を減衰帯域とするバンドエリミネーションフィルタであってもよい。つまり、Ｂａｎｄ４１を減衰帯域とするバンドエリミネーションフィルタが、前段（アンテナ共通端子１００側）に接続され、Ｂａｎｄ６６を減衰帯域とするバンドエリミネーションフィルタが、後段（入出力端子１２０側）に接続されてもよい。

　ここで、本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路１Ｂにおいて、第１帯域除去フィルタ１１Ｃを単体でアンテナ共通端子１００側から見た場合の第１周波数帯域（Ｂａｎｄ６６通過帯域）における反射係数Γ_Ｂ６６は、第２帯域除去フィルタ１２Ｃを単体でアンテナ共通端子１００側から見た場合の第２周波数帯域（Ｂａｎｄ４１通過帯域）における反射係数Γ_Ｂ４１よりも大きいことが好ましい。第１帯域除去フィルタ１１Ｃは、第２帯域除去フィルタ１２Ｃよりもアンテナ共通端子１００側に接続されているため、第１帯域除去フィルタ１１Ｃに起因する第１フィルタ１１Ａの束ねロス（第１帯域除去フィルタ１１Ｃの反射係数に起因した第１フィルタ１１Ａの挿入損失）のほうが、第２帯域除去フィルタ１２Ｃに起因する第２フィルタ１２Ａの束ねロス（第２帯域除去フィルタ１２Ｃの反射係数に起因した第２フィルタ１２Ａの挿入損失）よりも大きくなる。このため、第１帯域除去フィルタ１１Ｃの第１周波数帯域における反射係数Γ_Ｂ６６を、第２帯域除去フィルタ１２Ｃの第２周波数帯域における反射係数Γ_Ｂ４１よりも大きくすることで、高周波フロントエンド回路１Ｂの束ねロスを効果的に低減することが可能となる。

　なお、第２帯域除去フィルタ１２Ｃ（Ｂａｎｄ４１を減衰帯域とするバンドエリミネーションフィルタ）が、前段（アンテナ共通端子１００側）に接続され、第１帯域除去フィルタ１１Ｃ（Ｂａｎｄ６６を減衰帯域とするバンドエリミネーションフィルタ）が、後段（入出力端子１２０側）に接続されている場合には、第２帯域除去フィルタ１２Ｃを単体でアンテナ共通端子１００側から見た場合の第２周波数帯域（Ｂａｎｄ４１通過帯域）における反射係数Γ_Ｂ４１は、第１帯域除去フィルタ１１Ｃを単体でアンテナ共通端子１００側から見た場合の第１周波数帯域（Ｂａｎｄ６６通過帯域）における反射係数Γ_Ｂ６６よりも大きいことが好ましい。これにより、高周波フロントエンド回路１Ｂの束ねロスを効果的に低減することが可能となる。

　（実施の形態３）
　本実施の形態では、実施の形態１および２に係る高周波フロントエンド回路１Ａおよび１Ｂと異なるＬＴＥのマルチバンドシステムに適用した高周波フロントエンド回路１Ｃを説明する。

　［３．１　高周波フロントエンド回路の適用例３］
　図９は、実施の形態３に係る高周波フロントエンド回路１Ｃの具体的回路構成図である。同図に示された高周波フロントエンド回路１Ｃは、第１フィルタ１１Ａと、第１帯域除去フィルタ１１Ｄと、第２フィルタ１２Ａと、第２帯域除去フィルタ１２Ｄと、アンテナ共通端子１００と、入出力端子１１０、１２０および１３０とを備える。高周波フロントエンド回路１Ｃは、アンテナ共通端子１００で束ねられた第１フィルタ１１Ａ、第２フィルタ１２Ａ、および第１帯域除去フィルタ１１Ｄ／第２帯域除去フィルタ１２Ｄを備える分波／合波回路である。高周波フロントエンド回路１Ｃは、高周波フロントエンド回路１をＬＴＥの受信分波回路に適用した例である。

　高周波フロントエンド回路１Ｃでは、第３周波数帯域としてミドルハイバンド（ＵＨＢ：３４００－３８００ＭＨｚ）が割り当てられ、第１周波数帯域としてミドルバンド（ＭＢ：２１１０－２２００ＭＨｚ）が割り当てられ、第２周波数帯域としてハイバンド（ＨＢ：２４９６－２６９０ＭＨｚ）が割り当てられている。つまり、周波数が低い順に、第１周波数帯域、第２周波数帯域、および第３周波数帯域が配置されている。

　本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路１Ｃは、実施の形態１に係る高周波フロントエンド回路１Ａと比較して、第１帯域除去フィルタおよび第２帯域除去フィルタのフィルタ通過特性が異なる。以下、高周波フロントエンド回路１Ｃについて、高周波フロントエンド回路１Ａと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

　図１０は、実施の形態３に係る高周波フロントエンド回路１Ｃの第１フィルタ１１Ａ、第１帯域除去フィルタ１１Ｄ、第２フィルタ１２Ａ、第２帯域除去フィルタ１２Ｄの通過特性を表すグラフである。

　第１フィルタ１１Ａは、図１０の（ｂ）に示すように、Ｂａｎｄ６６（２１１０－２２００ＭＨｚ）を通過帯域とするフィルタ通過特性を有するバンドパスフィルタである。

　第２フィルタ１２Ａは、図１０の（ｃ）に示すように、Ｂａｎｄ４１（２４９６－２６９０ＭＨｚ）を通過帯域とするフィルタ通過特性を有するバンドパスフィルタである。

　第１帯域除去フィルタ１１Ｄは、図１０の（ａ１）に示すように、Ｂａｎｄ６６（２１１０－２２００ＭＨｚ）を減衰帯域とするフィルタ通過特性を有するバンドエリミネーションフィルタである。

　第２帯域除去フィルタ１２Ｄは、図１０の（ａ２）に示すように、Ｂａｎｄ４１（２４９６－２６９０ＭＨｚ）を減衰帯域とするフィルタ通過特性を有するバンドエリミネーションフィルタである。

　第１帯域除去フィルタ１１Ｄと第２帯域除去フィルタ１２Ｄとの直列接続回路は、図１０の（ａ）に示すように、Ｂａｎｄ４２／Ｂａｎｄ４３を含むウルトラハイバンド（ＵＨＢ：３４００－３８００ＭＨｚ）を通過帯域とし、Ｂａｎｄ６６（２１１０－２２００ＭＨｚ）およびＢａｎｄ４１（２４９６－２６９０ＭＨｚ）を減衰帯域とするフィルタ通過特性を有する高域通過型フィルタ（ハイパスフィルタ）を構成している。

　本適用例によれば、周波数が第１周波数帯域および第２周波数帯域よりも高周波側に位置する第３周波数帯域を、第１帯域除去フィルタ１１Ｄおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｄで構成することが可能となる。

　なお、本適用例において、第１帯域除去フィルタ１１ＤがＢａｎｄ４１（２４９６－２６９０ＭＨｚ）を減衰帯域とするバンドエリミネーションフィルタであって、第２帯域除去フィルタ１２ＤがＢａｎｄ６６（２１１０－２２００ＭＨｚ）を減衰帯域とするバンドエリミネーションフィルタであってもよい。つまり、Ｂａｎｄ４１を減衰帯域とするバンドエリミネーションフィルタが、前段（アンテナ共通端子１００側）に接続され、Ｂａｎｄ６６を減衰帯域とするバンドエリミネーションフィルタが、後段（入出力端子１２０側）に接続されてもよい。

　また、第１帯域除去フィルタ１１Ｄと第２帯域除去フィルタ１２Ｄとの直列接続回路は、Ｂａｎｄ４２（３４００－３６００ＭＨｚ）およびＢａｎｄ４３（３６００－３８００ＭＨｚ）のいずれかのみ通過帯域とする高域通過型フィルタ（ハイパスフィルタ）を構成してもよい。

　ここで、本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路１Ｃにおいて、第１帯域除去フィルタ１１Ｄを単体でアンテナ共通端子１００側から見た場合の第１周波数帯域（Ｂａｎｄ６６通過帯域）における反射係数Γ_Ｂ６６は、第２帯域除去フィルタ１２Ｄを単体でアンテナ共通端子１００側から見た場合の第２周波数帯域（Ｂａｎｄ４１通過帯域）における反射係数Γ_Ｂ４１よりも大きいことが好ましい。第１帯域除去フィルタ１１Ｄは、第２帯域除去フィルタ１２Ｄよりもアンテナ共通端子１００側に接続されているため、第１帯域除去フィルタ１１Ｄに起因する第１フィルタ１１Ａの束ねロス（第１帯域除去フィルタ１１Ｄの反射係数に起因した第１フィルタ１１Ａの挿入損失）のほうが、第２帯域除去フィルタ１２Ｄに起因する第２フィルタ１２Ａの束ねロス（第２帯域除去フィルタ１２Ｄの反射係数に起因した第２フィルタ１２Ａの挿入損失）よりも大きくなる。このため、第１帯域除去フィルタ１１Ｄの第１周波数帯域における反射係数Γ_Ｂ６６を、第２帯域除去フィルタ１２Ｄの第２周波数帯域における反射係数Γ_Ｂ４１よりも大きくすることで、高周波フロントエンド回路１Ｃの束ねロスを効果的に低減することが可能となる。

　なお、第２帯域除去フィルタ１２Ｄ（Ｂａｎｄ４１を減衰帯域とするバンドエリミネーションフィルタ）が、前段（アンテナ共通端子１００側）に接続され、第１帯域除去フィルタ１１Ｄ（Ｂａｎｄ６６を減衰帯域とするバンドエリミネーションフィルタ）が、後段（入出力端子１２０側）に接続されている場合には、第２帯域除去フィルタ１２Ｄを単体でアンテナ共通端子１００側から見た場合の第２周波数帯域（Ｂａｎｄ４１通過帯域）における反射係数Γ_Ｂ４１は、第１帯域除去フィルタ１１Ｄを単体でアンテナ共通端子１００側から見た場合の第１周波数帯域（Ｂａｎｄ６６通過帯域）における反射係数Γ_Ｂ６６よりも大きいことが好ましい。これにより、高周波フロントエンド回路１Ｃの束ねロスを効果的に低減することが可能となる。

　（実施の形態４）
　実施の形態１～３では、第１フィルタ１１Ａと、第２フィルタ１２Ａと、第１帯域除去フィルタ１１Ｂ／第２帯域除去フィルタ１２Ｂとがアンテナ共通端子１００で束ねられ、第１帯域除去フィルタ１１Ｂと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとが直列接続される構成において、反射特性に影響の大きい第１帯域除去フィルタ１１Ｂでは反射係数を大きくすることを優先させることが好ましいことを説明した。また、反射特性に影響の小さい第２帯域除去フィルタ１２Ｂでは、通過特性、減衰特性、温度特性、および帯域幅などのフィルタ特性を確保する構成をとることが好ましい。本実施の形態では、上記観点から、第１帯域除去フィルタ１１Ｂおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂの構造の組み合わせについて例示する。

　本実施の形態において、第１帯域除去フィルタ１１Ｂおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂは、弾性波共振子で構成されており、ラダー型のフィルタ構造を有していてもよい。この場合、アンテナ共通端子１００側に配置された１以上の弾性波共振子は、直列腕共振子および並列腕共振子の少なくとも一方を含んでいる。これにより、第１帯域除去フィルタ１１Ｂおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂの低損失性を確保しつつ、高周波フロントエンド回路１の束ねロスを低減できる。

　また、第１帯域除去フィルタ１１Ｂおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂは、縦結合型のフィルタ構造を有していてもよい。これにより、第１帯域除去フィルタ１１Ｂおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂを、減衰強化等が要求されるフィルタ特性に適応させることが可能となる。

　また、弾性波共振子の構造としては、ＳＡＷ共振子、ＳＭＲ（Ｓｏｌｉｄｌｙ　Ｍｏｕｎｔｅｄ　Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）、およびＢＡＷを用いたＦＢＡＲ（Ｆｉｌｍ　Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）などが例示される。

　以下では、前段の第１帯域除去フィルタ１１Ｂで反射係数を増大させ、後段の第２帯域除去フィルタ１２Ｂで減衰特性、温度特性、および減衰帯域幅などのフィルタ特性を向上させる具体的構成の組み合わせを例示する。

　まず、弾性波共振子の構造の一例について説明する。

　［４．１　弾性波共振子構造］
　図１１は、実施の形態３に係るフィルタ共振子を模式的に表す平面図および断面図の一例である。図１１では、本実施の形態に係る弾性波共振子（直列腕共振子および並列腕共振子）が、例えば、ＳＡＷ共振子である場合を示している。なお、同図には、第１帯域除去フィルタ１１Ｂおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂを構成する複数の共振子のうち、１つの弾性波共振子の構造を表す平面摸式図および断面模式図が例示されている。なお、図１１に示された弾性波共振子は、上記複数の共振子の典型的な構造を説明するためのものであって、電極を構成する電極指の本数や長さなどは、これに限定されない。

　第１帯域除去フィルタ１１Ｂおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂの各共振子は、圧電体層８３を有する基板８０と、櫛形形状を有するＩＤＴ電極７１ａおよび７１ｂとで構成されている。

　図１１の平面図に示すように、圧電体層８３の上には、互いに対向する一対のＩＤＴ電極７１ａおよび７１ｂが形成されている。ＩＤＴ電極７１ａは、互いに平行な複数の電極指１７２ａと、複数の電極指１７２ａを接続するバスバー電極１７１ａとで構成されている。また、ＩＤＴ電極７１ｂは、互いに平行な複数の電極指１７２ｂと、複数の電極指１７２ｂを接続するバスバー電極１７１ｂとで構成されている。複数の電極指１７２ａおよび１７２ｂは、Ｘ軸方向と直交する方向に沿って形成されている。

　また、複数の電極指１７２ａおよび１７２ｂ、ならびに、バスバー電極１７１ａおよび１７１ｂで構成されるＩＤＴ電極７１は、図１１の断面図に示すように、密着層７２と主電極層７３との積層構造となっている。

　密着層７２は、圧電体層８３と主電極層７３との密着性を向上させるための層であり、材料として、例えば、Ｔｉが用いられる。密着層７２の膜厚は、例えば、１０ｎｍ程度である。

　主電極層７３は、材料として、例えば、Ｃｕを１％含有したＡｌが用いられる。主電極層７３の膜厚は、例えば１３０ｎｍ程度である。

　保護膜８４は、ＩＤＴ電極７１ａおよび７１ｂを覆うように形成されている。保護膜８４は、主電極層７３を外部環境から保護する、周波数温度特性を調整する、および、耐湿性を高めるなどを目的とする層であり、例えば、二酸化ケイ素を主成分とする膜である。保護膜８４の膜厚は、例えば３０ｎｍ程度である。

　なお、密着層７２、主電極層７３および保護膜８４を構成する材料は、上述した材料に限定されない。さらに、ＩＤＴ電極７１は、上記積層構造でなくてもよい。ＩＤＴ電極７１は、例えば、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄなどの金属または合金から構成されてもよく、また、上記の金属または合金から構成される複数の積層体から構成されてもよい。また、保護膜８４は、形成されていなくてもよい。

　つぎに、基板８０の積層構造について説明する。

　図１１の下段に示すように、基板８０は、高音速支持基板８１と、低音速膜８２と、圧電体層８３とを備え、高音速支持基板８１、低音速膜８２および圧電体層８３がこの順で積層された構造（音速膜積層構造）を有している。

　圧電体層８３は、例えば、４２°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３圧電単結晶または圧電セラミックス（Ｘ軸を中心軸としてＹ軸から４２°回転した軸を法線とする面で切断したタンタル酸リチウム単結晶またはセラミックスであって、Ｘ軸方向に弾性表面波が伝搬する単結晶またはセラミックス）からなる。この場合、弾性波共振子は、リーキー波を弾性波として利用する。

　また、圧電体層８３は、例えば、１２８°ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ_３圧電単結晶または圧電セラミックスからなる。この場合、弾性波共振子は、レイリー波を弾性波として利用する。

　また、圧電体層８３は、例えば、ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ_３圧電単結晶または圧電セラミックスからなる。この場合、弾性波共振子は、ラブ波を弾性波として利用する。

　なお、圧電体層８３の単結晶材料、カット角、積層構造は、フィルタの要求仕様（通過特性、減衰特性、温度特性、および帯域幅などのフィルタ特性）などに応じて、適宜、選択される。

　高音速支持基板８１は、低音速膜８２、圧電体層８３ならびにＩＤＴ電極７１を支持する基板である。高音速支持基板８１は、さらに、圧電体層８３を伝搬する表面波や境界波の弾性波よりも、高音速支持基板８１中のバルク波の音速が高速となる基板であり、弾性表面波を圧電体層８３および低音速膜８２が積層されている部分に閉じ込め、高音速支持基板８１より下方に漏れないように機能する。高音速支持基板８１は、例えば、シリコン基板であり、厚みは、例えば２００μｍである。なお、高音速支持基板８１は、（１）窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、または水晶等の圧電体、（２）アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、またはフォルステライト等の各種セラミック、（３）マグネシアダイヤモンド、（４）上記各材料を主成分とする材料、ならびに、（５）上記各材料の混合物を主成分とする材料、のいずれかで構成されていてもよい。

　低音速膜８２は、圧電体層８３を伝搬する弾性波の音速よりも、低音速膜８２中のバルク波の音速が低速となる膜であり、圧電体層８３と高音速支持基板８１との間に配置される。この構造と、弾性波が本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中するという性質とにより、弾性表面波エネルギーのＩＤＴ電極外への漏れが抑制される。低音速膜８２は、例えば、二酸化ケイ素を主成分とする膜である。低音速膜８２の厚みは、例えば５００ｎｍ程度である。

　基板８０の上記音速膜積層構造によれば、圧電基板を単層で使用している従来の構造と比較して、共振周波数および反共振周波数におけるＱ値を大幅に高めることが可能となる。すなわち、Ｑ値が高い弾性表面波共振子を構成し得るので、当該弾性表面波共振子を用いて、挿入損失が小さいフィルタを構成することが可能となる。

　なお、高音速支持基板８１は、支持基板と、圧電体層８３を伝搬する表面波や境界波の弾性波よりも、伝搬するバルク波の音速が高速となる高音速膜とが積層された構造を有していてもよい。この場合、支持基板は、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、ガラス等の誘電体またはシリコン、窒化ガリウム等の半導体及び樹脂基板等を用いることができる。また、高音速膜は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ膜またはダイヤモンド、上記材料を主成分とする媒質、上記材料の混合物を主成分とする媒質等、様々な高音速材料を用いることができる。

　なお、上記説明では、弾性波共振子を構成するＩＤＴ電極７１は、圧電体層８３を有する基板８０上に形成された例を示したが、ＩＤＴ電極７１が形成される基板は、圧電体層８３の単層からなる圧電基板であってもよい。この場合の圧電基板は、例えば、ＬｉＴａＯ_３の圧電単結晶、または、ＬｉＮｂＯ_３などの他の圧電単結晶で構成される。

　また、ＩＤＴ電極７１が形成される基板は、圧電体層８３を有する限り、全体が圧電体層からなるものの他、支持基板上に圧電体層が積層されている構造を用いてもよい。

　ここで、ＩＤＴ電極７１の設計パラメータについて説明する。弾性表面波共振子の波長とは、図１１の中段に示すＩＤＴ電極７１を構成する複数の電極指１７２ａまたは１７２ｂの繰り返し周期である波長λで規定される。また、電極ピッチは、波長λの１／２であり、ＩＤＴ電極７１ａおよび７１ｂを構成する電極指１７２ａおよび１７２ｂのライン幅をＷとし、隣り合う電極指１７２ａと電極指１７２ｂとの間のスペース幅をＳとした場合、（Ｗ＋Ｓ）で定義される。また、ＩＤＴ電極の交叉幅Ｌは、図１１の上段に示すように、ＩＤＴ電極７１ａの電極指１７２ａとＩＤＴ電極７１ｂの電極指１７２ｂとのＸ軸方向から見た場合の重複する電極指長さである。また、各共振子の電極デューティーは、複数の電極指１７２ａおよび１７２ｂのライン幅占有率であり、複数の電極指１７２ａおよび１７２ｂのライン幅とスペース幅との加算値に対する当該ライン幅の割合であり、Ｗ／（Ｗ＋Ｓ）で定義される。

　［４．２　弾性波共振子構造＿低域１における反射係数］
　以下、第１帯域除去フィルタ１１Ｂで反射係数を増大させ、第２帯域除去フィルタ１２Ｂで減衰特性、温度特性、および減衰帯域幅などのフィルタ特性を向上させる具体的構成の組み合わせを例示する。

　図１２Ａは、実施の形態４に係る帯域除去フィルタの低域１における反射特性を説明する図である。同図の下段に示すように、帯域除去フィルタを構成する弾性波共振子のインピーダンス特性において、インピーダンスが極小値となる共振点、および、インピーダンスが極大値となる反共振点が減衰帯域近傍に確認される。ここで、共振点よりも低周波側の領域（図１２Ａの低域１）では、弾性波共振子の構造に応じてインピーダンスが異なり、当該インピーダンスの大小に応じて反射特性の優劣が存在する。より具体的には、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波、および（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波、のいずれかを弾性表面波として利用する構造、ならびに（４）上記音速膜積層構造、の方が、ＳＭＲまたはＦＢＡＲよりも、低域１における反射係数が大きい。

　図１２Ｂは、実施の形態４に係る第１帯域除去フィルタ１１Ｂおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂの構成の組み合わせを表す図である。

　上記反射係数の関係より、第１帯域除去フィルタ１１Ｂと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとの直列接続回路の通過帯域である第３周波数帯域が、第１フィルタ１１Ａの通過帯域（第１周波数帯域）および第２フィルタ１２Ａの通過帯域（第２周波数帯域）よりも高周波側に位置する場合（例えば、実施の形態３に係る高周波フロントエンド回路１Ｃの場合）、図１２Ｂに示すように、本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路において、第１帯域除去フィルタ１１Ｂでは、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波、および（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波、のいずれかを弾性表面波として利用する構造としてもよい。

　これにより、第１帯域除去フィルタ１１Ｂと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとの直列接続回路が高周波側フィルタであり、第１フィルタ１１Ａおよび第２フィルタ１２Ａが低周波側フィルタである場合において、第１帯域除去フィルタ１１Ｂに上記（１）（２）（３）のいずれかの弾性波を利用する場合のほうが、第１帯域除去フィルタ１１Ｂに他の弾性波を利用する場合よりも、第１帯域除去フィルタ１１Ｂの第２周波数帯域における反射係数を大きくすることが可能となる。これにより、第２フィルタ１２Ａの束ねロスを低減できる。

　一方、第２帯域除去フィルタ１２Ｂでは、弾性波共振子がＳＭＲまたはＦＢＡＲで構成されてもよい。

　これにより、第１帯域除去フィルタ１１Ｂの第２周波数帯域における反射係数を増大させつつ、第２帯域除去フィルタ１２Ｂの上記構成により、第１帯域除去フィルタ１１Ｂおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂで構成されるフィルタ回路の減衰帯域の急峻性を確保できる。

　また、図１２Ｂに示すように、第１帯域除去フィルタ１１Ｂを構成する弾性波共振子のそれぞれは、上述した音速膜積層構造を有し、第２帯域除去フィルタ１２Ｂでは、弾性波共振子がＳＭＲまたはＦＢＡＲで構成されてもよい。

　これにより、高周波フロントエンド回路において、第１帯域除去フィルタ１１ＢにＳＭＲまたはＦＢＡＲを利用する場合と比較して、第１帯域除去フィルタ１１Ｂの第２周波数帯域における反射係数を大きくすることが可能となる。よって、第２フィルタ１２Ａの束ねロスを低減できる。また、第２帯域除去フィルタ１２Ｂの上記構成により、第１帯域除去フィルタ１１Ｂおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂで構成されるフィルタ回路の減衰帯域の急峻性を確保できる。

　なお、第２帯域除去フィルタ１２Ｂが前段（アンテナ共通端子１００側）に接続され、第１帯域除去フィルタ１１Ｂが後段（入出力端子１２０側）に接続されている場合には、第２帯域除去フィルタ１２Ｂにおいて、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波、および（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波、のいずれかを弾性表面波として利用する構造とすることが好ましい。

　これにより、第１帯域除去フィルタ１１Ｂと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとの直列接続回路が高周波側フィルタであり、第１フィルタ１１Ａおよび第２フィルタ１２Ａが低周波側フィルタである場合において、第２帯域除去フィルタ１２Ｂに上記（１）（２）（３）のいずれかの弾性波を利用する場合のほうが、第２帯域除去フィルタ１２Ｂに他の弾性波を利用する場合よりも、第２帯域除去フィルタ１２Ｂの第１周波数帯域における反射係数を大きくすることが可能となる。これにより、第１フィルタ１１Ａの束ねロスを低減できる。

　［４．３　弾性波共振子構造＿高域１におけるバルク波漏洩］
　図１３Ａは、実施の形態４の変形例１に係る帯域除去フィルタの高域１におけるバルク波漏洩を説明する図である。同図の下段に示すように、弾性波共振子の反共振点よりも高周波側の領域（図１３Ａの高域１）では、バルク波漏洩（不要波）によるインピーダンスの変化が発生し、当該インピーダンスの変化に応じて反射特性の優劣が存在する。より具体的には、高域１でのバルク波漏洩による反射係数は、大きい方から順に、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性波として利用する構造、ＳＭＲ、ＦＢＡＲ、（２）音速膜積層構造、（３）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性波として利用する構造、（４）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性波として利用する構造、となる。

　図１３Ｂは、実施の形態４の変形例１に係る第１帯域除去フィルタ１１Ｂおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂの構成の組み合わせを表す図である。

　上記反射係数の優劣順位により、第１帯域除去フィルタ１１Ｂと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとの直列接続回路の通過帯域である第３周波数帯域が、第１フィルタ１１Ａの通過帯域（第１周波数帯域）および第２フィルタ１２Ａの通過帯域（第２周波数帯域）よりも低周波側に位置する場合（例えば、実施の形態１に係る高周波フロントエンド回路１Ａの場合）、図１３Ｂに示すように、第１帯域除去フィルタ１１Ｂでは、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する構造、（２）弾性波共振子がＳＭＲで構成される、および（３）弾性波共振子がＦＢＡＲで構成される、のいずれかであってもよい。

　これにより、第１帯域除去フィルタ１１Ｂと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとの直列接続回路が低周波側フィルタであり、第１フィルタ１１Ａおよび第２フィルタ１２Ａが高周波側フィルタである場合において、第１帯域除去フィルタ１１Ｂに上記（１）（２）（３）のいずれかの弾性波を利用する場合のほうが、第１帯域除去フィルタ１１Ｂに他の弾性波を利用する場合よりも、第１帯域除去フィルタ１１Ｂの第２周波数帯域における反射係数を大きくすることが可能となる。これにより、第２フィルタ１２Ａの束ねロスを低減できる。

　一方、第２帯域除去フィルタ１２Ｂでは、（１）上記音速膜積層構造、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する構造、および（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造、のいずれかを有していてもよい。

　これにより、第１帯域除去フィルタ１１Ｂの第２周波数帯域における反射係数を増大させつつ、第２帯域除去フィルタ１２Ｂを音速膜積層構造とした場合には、第２帯域除去フィルタ１２Ｂの良好な温度特性を確保できる。また、第２帯域除去フィルタ１２ＢにおいてＬｉＮｂＯ_３によるラブ波を弾性表面波として利用した場合には、第２帯域除去フィルタ１２Ｂの広い減衰帯域幅を確保できる。

　また、図１３Ｂに示すように、第１帯域除去フィルタ１１Ｂを構成する弾性波共振子のそれぞれは、上記音速膜積層構造を有し、第２帯域除去フィルタ１２Ｂでは、（１）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する構造、または（２）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造を有していてもよい。

　これにより、高周波フロントエンド回路において、第１帯域除去フィルタ１１Ｂに上記（１）および（２）の弾性表面波を利用する場合と比較して、第１帯域除去フィルタ１１Ｂの第２周波数帯域における反射係数を大きくすることが可能となる。よって、第２フィルタ１２Ａの束ねロスを低減できる。さらに、第２帯域除去フィルタ１２ＢにおいてＬｉＮｂＯ_３によるラブ波を弾性表面波として利用した場合には、第１帯域除去フィルタ１１Ｂおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂで構成されるフィルタ回路の広い減衰帯域幅を確保できる。

　また、第１帯域除去フィルタ１１Ｂでは、ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する構造を有し、第２帯域除去フィルタ１２Ｂでは、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造を有していてもよい。

　これにより、高周波フロントエンド回路において、第１帯域除去フィルタ１１ＢにＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用しない場合と比較して、第１帯域除去フィルタ１１Ｂの第２周波数帯域における反射係数を大きくすることが可能となる。よって、第２フィルタ１２Ａの束ねロスを低減できる。さらに、第２帯域除去フィルタ１２ＢにおいてＬｉＮｂＯ_３によるラブ波を弾性表面波として利用した場合には、第１帯域除去フィルタ１１Ｂおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂで構成されるフィルタ回路の広い減衰帯域幅を確保できる。

　なお、第２帯域除去フィルタ１２Ｂが前段（アンテナ共通端子１００側）に接続され、第１帯域除去フィルタ１１Ｂが後段（入出力端子１２０側）に接続されている場合には、第２帯域除去フィルタ１２Ｂにおいて、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する構造、（２）弾性波共振子がＳＭＲで構成される、および（３）弾性波共振子がＦＢＡＲで構成される、のいずれかであることが好ましい。

　これにより、第１帯域除去フィルタ１１Ｂと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとの直列接続回路が低周波側フィルタであり、第１フィルタ１１Ａおよび第２フィルタ１２Ａが高周波側フィルタである場合において、第２帯域除去フィルタ１２Ｂに上記（１）（２）（３）のいずれかの弾性波を利用する場合のほうが、第２帯域除去フィルタ１２Ｂに他の弾性波を利用する場合よりも、第２帯域除去フィルタ１２Ｂの第１周波数帯域における反射係数を大きくすることが可能となる。これにより、第１フィルタ１１Ａの束ねロスを低減できる。

　［４．４　弾性波共振子構造＿低域２におけるスプリアス］
　図１４Ａは、実施の形態４の変形例２に係る帯域除去フィルタの低域２におけるスプリアスの発生を説明する図である。同図の下段に示すように、弾性波共振子の共振点よりも低周波側の領域（図１４Ａの低域２）では、特に、上記音速膜積層構造、または、ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性波として利用する構造において、共振周波数の０．７６倍付近にレイリー波のスプリアスが発生する。このスプリアス発生によりインピーダンスが変化し、当該インピーダンスの変化に応じて反射係数が小さくなる。

　図１４Ｂは、実施の形態４の変形例２に係る第１帯域除去フィルタ１１Ｂおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂの構成の組み合わせを表す図である。

　第１帯域除去フィルタ１１Ｂと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとの直列接続回路の通過帯域である第３周波数帯域が、第１フィルタ１１Ａの通過帯域（第１周波数帯域）および第２フィルタ１２Ａの通過帯域（第２周波数帯域）よりも高周波側に位置する場合（例えば、実施の形態３に係る高周波フロントエンド回路１Ｃの場合）、図１４Ｂに示すように、第１帯域除去フィルタ１１Ｂは、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する構造、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する構造、（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造、（４）弾性波共振子がＳＭＲで構成される、および（５）弾性波共振子がＦＢＡＲで構成される、のいずれかであり、第２帯域除去フィルタ１２Ｂは、弾性波共振子が、上記音速膜積層構造を有していてもよい。

　つまり、第２帯域除去フィルタ１２Ｂを音速膜積層構造とし、第１帯域除去フィルタ１１Ｂを音速膜積層構造としないことにより、第１帯域除去フィルタ１１Ｂの第２周波数帯域における反射係数を大きくできる。よって、高周波フロントエンド回路において、第２フィルタ１２Ａの束ねロスを低減できる。

　また、図１４Ｂに示すように、第１帯域除去フィルタ１１Ｂは、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する構造、（２）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造、（３）上記音速膜積層構造、（４）弾性波共振子がＳＭＲで構成される、および（５）弾性波共振子がＦＢＡＲで構成される、のいずれかであり、第２帯域除去フィルタ１２Ｂは、ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する構造を有していてもよい。

　つまり、第２帯域除去フィルタ１２ＢではＬｉＴａＯ_３のリーキー波を弾性波として利用し、第１帯域除去フィルタ１１ＢではＬｉＴａＯ_３のリーキー波を弾性波として利用しないことにより、第１帯域除去フィルタ１１Ｂの第２周波数帯域における反射係数を大きくできる。よって、高周波フロントエンド回路において、第２フィルタ１２Ａの束ねロスを低減できる。

　なお、第２帯域除去フィルタ１２Ｂが前段（アンテナ共通端子１００側）に接続され、第１帯域除去フィルタ１１Ｂが後段（入出力端子１２０側）に接続されている場合には、第２帯域除去フィルタ１２Ｂは、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する構造、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する構造、（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造、（４）弾性波共振子がＳＭＲで構成される、および（５）弾性波共振子がＦＢＡＲで構成される、のいずれかであり、第１帯域除去フィルタ１１Ｂは、弾性波共振子が、上記音速膜積層構造を有していることが好ましい。

　つまり、第１帯域除去フィルタ１１Ｂを音速膜積層構造とし、第２帯域除去フィルタ１２Ｂを音速膜積層構造としないことにより、第２帯域除去フィルタ１２Ｂの第１周波数帯域における反射係数を大きくできる。よって、高周波フロントエンド回路において、第１フィルタ１１Ａの束ねロスを低減できる。

　［４．５　弾性波共振子構造＿高域２における高次モード］
　図１５Ａは、実施の形態４の変形例３に係る帯域除去フィルタの高域２における高次モードの発生を説明する図である。同図の下段に示すように、弾性波共振子の共振点よりも高周波側の領域（図１５Ａの高域２）では、特に、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する構造、または、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造において、共振周波数の１．２倍付近に高次モードが発生する。この高次モード発生によりインピーダンスが変化し、当該インピーダンスの変化に応じて反射係数が小さくなる。

　図１５Ｂは、実施の形態４の変形例３に係る第１帯域除去フィルタ１１Ｂおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂの構成の組み合わせを表す図である。

　第１帯域除去フィルタ１１Ｂと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとの直列接続回路の通過帯域である第３周波数帯域が、第１フィルタ１１Ａの通過帯域（第１周波数帯域）および第２フィルタ１２Ａの通過帯域（第２周波数帯域）よりも低周波側に位置する場合（例えば、実施の形態１に係る高周波フロントエンド回路１Ａの場合）、図１５Ｂに示すように、第１帯域除去フィルタ１１Ｂは、（１）上記音速膜積層構造、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する構造、（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造、（４）ＳＭＲ、および（５）ＦＢＡＲ、のいずれかを有し、第２帯域除去フィルタ１２Ｂは、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する構造を有していてもよい。

　つまり、第２帯域除去フィルタ１２ＢではＬｉＮｂＯ_３のレイリー波と弾性波として利用し、第１帯域除去フィルタ１１ＢではＬｉＮｂＯ_３のレイリー波を弾性波として利用しないことにより第１帯域除去フィルタ１１Ｂの第２周波数帯域における反射係数を大きくできる。よって、高周波フロントエンド回路において、第２フィルタ１２Ａの束ねロスを低減できる。

　また、図１５Ｂに示すように、第１帯域除去フィルタ１１Ｂは、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する構造、（２）上記音速膜積層構造、（３）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する構造、（４）ＳＭＲ、および（５）ＦＢＡＲのいずれかを有しており、第２帯域除去フィルタ１２Ｂでは、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造を有していてもよい
　つまり、第２帯域除去フィルタ１２ＢではＬｉＮｂＯ_３のラブ波と弾性波として利用し、第１帯域除去フィルタ１１ＢではＬｉＮｂＯ_３のラブ波を弾性波として利用しないことにより、第１帯域除去フィルタ１１Ｂの第２周波数帯域における反射係数を大きくできる。よって、高周波フロントエンド回路において、第２フィルタ１２Ａの束ねロスを低減できる。

　なお、第２帯域除去フィルタ１２Ｂが前段（アンテナ共通端子１００側）に接続され、第１帯域除去フィルタ１１Ｂが後段（入出力端子１２０側）に接続されている場合には、第２帯域除去フィルタ１２Ｂは、（１）上記音速膜積層構造、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する構造、（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造、（４）ＳＭＲ、および（５）ＦＢＡＲ、のいずれかを有し、第１帯域除去フィルタ１１Ｂは、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する構造を有していてもよい。

　つまり、第１帯域除去フィルタ１１ＢではＬｉＮｂＯ_３のレイリー波と弾性波として利用し、第２帯域除去フィルタ１２ＢではＬｉＮｂＯ_３のレイリー波を弾性波として利用しないことにより第２帯域除去フィルタ１２Ｂの第１周波数帯域における反射係数を大きくできる。よって、高周波フロントエンド回路において、第１フィルタ１１Ａの束ねロスを低減できる。

　［４．６　弾性波共振子構造＿低域３＆高域３におけるバルク波漏洩］
　図１６Ａは、実施の形態４の変形例４に係る帯域除去フィルタの低域３における反射特性および高域３におけるバルク波漏洩を説明する図である。同図の下段に示すように、共振点よりも低周波側の領域（図１６Ａの低域３）では、弾性波共振子の構造に応じてインピーダンスが異なり、当該インピーダンスの大小に応じて反射特性の優劣が存在する。また、弾性波共振子の反共振点よりも高周波側の領域（図１６Ａの高域３）では、バルク波漏洩（不要波）によるインピーダンスの変化が発生し、当該インピーダンスの変化に応じて反射特性の優劣が存在する。

　より具体的には、低域３における反射係数は、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波、および（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波、のいずれかを弾性表面波として利用する構造、ならびに（４）上記音速膜積層構造、の方が、ＳＭＲまたはＦＢＡＲよりも大きい。

　また、高域３でのバルク波漏洩による反射係数は、大きい方から順に、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性波として利用する構造、ＳＭＲ、ＦＢＡＲ、（２）音速膜積層構造、（３）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性波として利用する構造、（４）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性波として利用する構造、となる。

　図１６Ｂは、実施の形態４の変形例４に係る第１帯域除去フィルタ１１Ｂおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂの構成の組み合わせを表す図である。

　上記反射係数の優劣順位により、第１帯域除去フィルタ１１Ｂと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとの直列接続回路の通過帯域である第３周波数帯域が、第１フィルタ１１Ａの通過帯域（第１周波数帯域）および第２フィルタ１２Ａの通過帯域（第２周波数帯域）の間に位置する場合（例えば、実施の形態２に係る高周波フロントエンド回路１Ｂの場合）、図１６Ｂに示すように、第１帯域除去フィルタ１１Ｂでは、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する構造であり、第２帯域除去フィルタ１２Ｂでは、（１）上記音速膜積層構造、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する構造、（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造、および（４）ＳＭＲまたはＦＢＡＲのいずれかであってもよい。これにより、第１フィルタ１１Ａまたは第２フィルタ１２Ａの束ねロスを低減できる。

　また、図１６Ｂに示すように、第１帯域除去フィルタ１１Ｂは、上記音速膜積層構造を有し、第２帯域除去フィルタ１２Ｂでは、（１）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する構造、（２）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造、および（３）ＳＭＲまたはＦＢＡＲのいずれかであってもよい。これにより、第１フィルタ１１Ａまたは第２フィルタ１２Ａの束ねロスを低減できる。

　なお、第２帯域除去フィルタ１２Ｂが前段（アンテナ共通端子１００側）に接続され、第１帯域除去フィルタ１１Ｂが後段（入出力端子１２０側）に接続されている場合には、第２帯域除去フィルタ１２Ｂでは、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する構造であり、第１帯域除去フィルタ１１Ｂでは、（１）上記音速膜積層構造、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する構造、（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造、および（４）ＳＭＲまたはＦＢＡＲのいずれかであってもよい。これにより、第１フィルタ１１Ａまたは第２フィルタ１２Ａの束ねロスを低減できる。

　［４．７　弾性波共振子構造＿低域４におけるスプリアス＆高域４におけるバルク波漏洩］
　図１７Ａは、実施の形態４の変形例５に係る帯域除去フィルタの低域４におけるスプリアスによる反射特性および高域４におけるバルク波漏洩を説明する図である。同図の下段に示すように、弾性波共振子の共振点よりも低周波側の領域（図１７Ａの低域４）では、特に、上記音速膜積層構造、または、ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性波として利用する構造において、共振周波数の０．７６倍付近にレイリー波のスプリアスが発生する。また、弾性波共振子の反共振点よりも高周波側の領域（図１７Ａの高域４）では、バルク波漏洩（不要波）によるインピーダンスの変化が発生し、当該インピーダンスの変化に応じて反射特性の優劣が存在する。

　図１７Ｂは、実施の形態４の変形例５に係る第１帯域除去フィルタ１１Ｂおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂの構成の組み合わせを表す図である。

　上記反射係数の優劣順位により、第１帯域除去フィルタ１１Ｂと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとの直列接続回路の通過帯域である第３周波数帯域が、第１フィルタ１１Ａの通過帯域（第１周波数帯域）および第２フィルタ１２Ａの通過帯域（第２周波数帯域）の間に位置する場合（例えば、実施の形態２に係る高周波フロントエンド回路１Ｂの場合）、図１７Ｂに示すように、第１帯域除去フィルタ１１Ｂでは、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する構造であり、第２帯域除去フィルタ１２Ｂは、上記音速膜積層構造を有してもよい。これにより、第１フィルタ１１Ａまたは第２フィルタ１２Ａの束ねロスを低減できる。

　また、図１７Ｂに示すように、第１帯域除去フィルタ１１Ｂは、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する構造、および（２）上記音速膜積層構造のいずれかを有し、第２帯域除去フィルタ１２Ｂは、ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する構造を有してもよい。これにより、第１フィルタ１１Ａまたは第２フィルタ１２Ａの束ねロスを低減できる。

　なお、第２帯域除去フィルタ１２Ｂが前段（アンテナ共通端子１００側）に接続され、第１帯域除去フィルタ１１Ｂが後段（入出力端子１２０側）に接続されている場合には、第２帯域除去フィルタ１２Ｂでは、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する構造であり、第１帯域除去フィルタ１１Ｂは、上記音速膜積層構造を有してもてもよい。これにより、第１フィルタ１１Ａまたは第２フィルタ１２Ａの束ねロスを低減できる。

　［４．８　弾性波共振子構造＿低域５＆高域５における高次モード］
　図１８Ａは、実施の形態４の変形例６に係る帯域除去フィルタの低域５における反射特性および高域５における高次モードを説明する図である。同図の下段に示すように、共振点よりも低周波側の領域（図１８Ａの低域５）では、弾性波共振子の構造に応じてインピーダンスが異なり、当該インピーダンスの大小に応じて反射特性の優劣が存在する。また、弾性波共振子の共振点よりも高周波側の領域（図１８Ａの高域５）では、特に、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する構造、または、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造において、共振周波数の１．２倍付近に高次モードが発生する。

　図１８Ｂは、実施の形態４の変形例６に係る第１帯域除去フィルタ１１Ｂおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂの構成の組み合わせを表す図である。

　上記反射係数の優劣順位により、第１帯域除去フィルタ１１Ｂと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとの直列接続回路の通過帯域である第３周波数帯域が、第１フィルタ１１Ａの通過帯域（第１周波数帯域）および第２フィルタ１２Ａの通過帯域（第２周波数帯域）の間に位置する場合（例えば、実施の形態２に係る高周波フロントエンド回路１Ｂの場合）、図１８Ｂに示すように、第１帯域除去フィルタ１１Ｂは、（１）上記音速膜積層構造、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する構造、および（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造のいずれかを有し、第２帯域除去フィルタ１２Ｂは、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する構造を有してもよい。これにより、第１フィルタ１１Ａまたは第２フィルタ１２Ａの束ねロスを低減できる。

　また、図１８Ｂに示すように、第１帯域除去フィルタ１１Ｂは、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する構造、（２）上記音速膜積層構造、および（３）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する構造のいずれかを有し、第２帯域除去フィルタ１２Ｂは、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造を有してもよい。これにより、第１フィルタ１１Ａまたは第２フィルタ１２Ａの束ねロスを低減できる。

　なお、第２帯域除去フィルタ１２Ｂが前段（アンテナ共通端子１００側）に接続され、第１帯域除去フィルタ１１Ｂが後段（入出力端子１２０側）に接続されている場合には、第２帯域除去フィルタ１２Ｂは、（１）上記音速膜積層構造、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する構造、および（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造のいずれかを有し、第１帯域除去フィルタ１１Ｂは、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する構造を有してもよい。これにより、第１フィルタ１１Ａまたは第２フィルタ１２Ａの束ねロスを低減できる。

　［４．９　弾性波共振子構造パラメータの調整］
　図１９Ａは、実施の形態４に係る帯域除去フィルタの高次モードによる反射損失の劣化を表すグラフである。同図に示すように、アンテナ共通端子１００から見た第１帯域除去フィルタ１１Ｂの反射損失は、共振点の高域側において、高次モードにより増大する（図１９Ａの破線領域）。ここで、高次モードにより反射損失が増大する周波数を、弾性波共振子の構造パラメータを変化させることにより、高周波側または低周波側へシフトさせることが可能である。または、弾性波共振子の構造パラメータを変化させることにより、高次モードによる反射損失の増大を抑制することが可能である。

　この観点から、発明者らは、反射特性に影響の大きい第１帯域除去フィルタ１１Ｂでは、構造パラメータを変化させることで高次モードやスプリアスなどの発生周波数を第２フィルタ１２Ａの通過帯域外へとシフトさせ、反射特性に影響の小さい第２帯域除去フィルタ１２Ｂでは、減衰特性、温度特性、および減衰帯域幅などのフィルタ特性を確保するために構造パラメータを最適化することを見出した。

　図１９Ｂは、実施の形態４の変形例７に係る第１帯域除去フィルタ１１Ｂおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂの構造を異ならせるパラメータを表す図である。

　第１帯域除去フィルタ１１Ｂを構成する弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層８３を有する基板８０と当該基板上に形成されたＩＤＴ電極７１とで構成された弾性表面波共振子である。第１帯域除去フィルタ１１Ｂおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂでは、図１９Ｂに示すように、ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用し、第１帯域除去フィルタ１１Ｂを構成するＩＤＴ電極７１と、第２帯域除去フィルタ１２Ｂを構成するＩＤＴ電極７１とでは、電極膜厚またはデューティーが異なる。

　ＬｉＴａＯ_３のリーキー波を弾性波として利用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の低周波側にレイリー波のスプリアスが発生する。これに対して、第１帯域除去フィルタ１１Ｂと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとで、ＩＤＴ電極７１の電極膜厚またはデューティーを異ならせることにより、第１帯域除去フィルタ１１Ｂにおけるレイリー波スプリアスの発生周波数を、第２周波数帯域（低周波側の第２フィルタ１２Ａの通過帯域）外へとシフトさせることが可能となる。これにより、第１帯域除去フィルタ１１Ｂの第２周波数帯域における反射係数を大きくでき、第２フィルタ１２Ａの束ねロスを低減できる。

　また、第１帯域除去フィルタ１１Ｂおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂでは、図１９Ｂに示すように、弾性波共振子が上記音速膜積層構造を有し、第１帯域除去フィルタ１１Ｂと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとでは、ＩＤＴ電極７１の電極膜厚、ＩＤＴ電極７１のデューティー、および低音速膜８２の膜厚、のいずれかが異なってもよい。

　音速膜積層構造を採用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の低周波側にレイリー波のスプリアスが発生する。これに対して、第１帯域除去フィルタ１１Ｂと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとで、ＩＤＴ電極７１の電極膜厚またはデューティーを異ならせることにより、第１帯域除去フィルタ１１Ｂにおけるレイリー波スプリアスの発生周波数を、第２周波数帯域（低周波側の第２フィルタ１２Ａの通過帯域）外へとシフトさせることが可能となる。これにより、第１帯域除去フィルタ１１Ｂの第２周波数帯域における反射係数を大きくでき、第２フィルタ１２Ａの束ねロスを低減できる。

　図１９Ｃは、実施の形態４の変形例８に係る第１帯域除去フィルタ１１Ｂおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂの構造を異ならせるパラメータを表す図である。

　第１帯域除去フィルタ１１Ｂおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂを構成する弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層８３を有する基板８０と当該基板上に形成されたＩＤＴ電極７１と当該ＩＤＴ電極７１上に形成された保護膜８４で構成された弾性表面波共振子である。第１帯域除去フィルタ１１Ｂおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂでは、図１９Ｃに示すように、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波、または、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用し、第１帯域除去フィルタ１１Ｂと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとでは、ＩＤＴ電極７１の電極膜厚、ＩＤＴ電極７１のデューティー、および保護膜８４の膜厚、のいずれかが異なる。

　ＬｉＮｂＯ_３のレイリー波、またはＬｉＮｂＯ_３のラブ波を弾性表面波として利用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の高周波側に高次モードが発生する。これに対して、第１帯域除去フィルタ１１Ｂと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとで、ＩＤＴ電極７１の電極膜厚、ＩＤＴ電極７１のデューティー、または低音速膜８２の膜厚を異ならせることにより、第１帯域除去フィルタ１１Ｂにおける高次モードの発生周波数を、第２周波数帯域（高周波側の第２フィルタ１２Ａの通過帯域）外へとシフトさせることが可能となる。これにより、第１帯域除去フィルタ１１Ｂの第２周波数帯域における反射係数を大きくでき、第２フィルタ１２Ａの束ねロスを低減できる。

　また、第１帯域除去フィルタ１１Ｂおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂでは、図１９Ｃに示すように、弾性波共振子が上記音速膜積層構造を有し、高音速支持基板８１はシリコン結晶で構成され、第１帯域除去フィルタ１１Ｂと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとでは、圧電体層８３の膜厚、低音速膜８２の膜厚、および高音速支持基板８１のシリコン結晶方位、のいずれかが異なってもよい。

　音速膜積層構造を採用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の高周波側に高次モードが発生する。これに対して、第１帯域除去フィルタ１１Ｂと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとで、圧電体層８３の膜厚、低音速膜８２の膜厚、または高音速支持基板８１のシリコン結晶方位を異ならせることにより、第１帯域除去フィルタ１１Ｂにおける高次モードの発生周波数を、第２周波数帯域（高周波側の第２フィルタ１２Ａの通過帯域）外へとシフトさせることが可能となる。これにより、第１帯域除去フィルタ１１Ｂの第２周波数帯域における反射係数を大きくでき、第２フィルタ１２Ａの束ねロスを低減できる。

　図２０は、実施の形態４の変形例９に係る第１帯域除去フィルタ１１Ｂおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂの構造を異ならせるパラメータを表す図である。

　第１帯域除去フィルタ１１Ｂおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂを構成する弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層８３を有する基板８０と当該基板上に形成されたＩＤＴ電極７１とで構成された弾性表面波共振子である。第１帯域除去フィルタ１１Ｂおよび第２帯域除去フィルタ１２Ｂでは、ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波、または、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用し、第１帯域除去フィルタ１１Ｂと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとでは、ＩＤＴ電極７１の電極膜厚が異なる。

　ＬｉＴａＯ_３のリーキー波またはＬｉＮｂＯ_３のラブ波を弾性表面波として利用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の高周波側にバルク波（不要波）が発生する。これに対して、第１帯域除去フィルタ１１Ｂと第２帯域除去フィルタ１２Ｂとで、ＩＤＴ電極７１の電極膜厚を異ならせることにより、第１帯域除去フィルタ１１Ｂにおけるバルク波の発生周波数を、第２周波数帯域（高周波側の第２フィルタ１２Ａの通過帯域）外へとシフトさせることが可能となる。これにより、第１帯域除去フィルタ１１Ｂの第２周波数帯域における反射係数を大きくでき、第２フィルタ１２Ａの束ねロスを低減できる。

　（その他の変形例など）
　以上、本発明の実施の形態に係る高周波フロントエンド回路および通信装置について、実施の形態およびその変形例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施の形態および変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る高周波フロントエンド回路および通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。

　例えば、高周波フロントエンド回路および通信装置において、さらに、入出力端子およびアンテナ共通端子などの各端子の間に、インダクタやキャパシタが接続されていてもよいし、抵抗素子などのインダクタおよびキャパシタ以外の回路素子が付加されていてもよい。

　本発明は、マルチバンド化およびマルチモード化された周波数規格に適用できる低損失、小型および低コストの高周波フロントエンド回路および通信装置として、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。

　１、１Ａ、１Ｂ、２　　高周波フロントエンド回路
　３　　通信装置
　１０、１４　　分波回路
　１０Ａ　　ローパスフィルタ
　１０Ｂ　　ハイパスフィルタ
　１１Ａ、１４Ｂ　　第１フィルタ
　１１Ｂ、１１Ｃ、１４Ｃ１、１１Ｄ　　第１帯域除去フィルタ
　１２Ａ、１４Ｄ　　第２フィルタ
　１２Ｂ、１２Ｃ、１４Ｃ２、１２Ｄ　　第２帯域除去フィルタ
　１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆ、１３ｇ、１３ｈ、１３ｊ、１３ｋ、１３ｐ　　フィルタ
　１４Ａ　　帯域通過型フィルタ
　１５　　フィルタ回路
　２１、２２、２１Ａ、２１Ｃ、２１Ｄ、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、２２Ｄ　　スイッチ
　３０　　増幅回路
　３１、３２、３３、３４、３５、３６　　ＬＮＡ
　４０　　高周波信号処理回路（ＲＦＩＣ）
　７１、７１ａ、７１ｂ　　ＩＤＴ電極
　７２　　密着層
　７３　　主電極層
　８０　　基板
　８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄ、９０ａ、９０ｂ、９０ｃ、９０ｄ　　接続電極
　８１　　高音速支持基板
　８２　　低音速膜
　８３　　圧電体層
　８４　　保護膜
　９１　　第１チップ
　９２　　第２チップ
　１００　　アンテナ共通端子
　１１０、１２０、１３０　　入出力端子
　１７１ａ、１７１ｂ　　バスバー電極
　１７２ａ、１７２ｂ　　電極指
　５００　　高周波分波回路

Claims

　アンテナ素子に接続されるアンテナ共通端子と、
　第１入出力端子、第２入出力端子および第３入出力端子と、
　前記アンテナ共通端子と前記第１入出力端子との間に接続され、第１周波数帯域を含む周波数帯域を通過帯域とする第１フィルタと、
　前記アンテナ共通端子と前記第２入出力端子との間に接続され、前記第１周波数帯域と異なる第２周波数帯域を含む周波数帯域を通過帯域とする第２フィルタと、
　前記アンテナ共通端子と前記第３入出力端子との間に接続され、前記第１周波数帯域を含み前記第１周波数帯域および前記第２周波数帯域と異なる第３周波数帯域を含まない周波数帯域を減衰帯域とする第１帯域除去フィルタと、
　前記アンテナ共通端子と前記第３入出力端子との間であって前記第１帯域除去フィルタと直列に接続され、前記第２周波数帯域を含み前記第３周波数帯域を含まない周波数帯域を減衰帯域とする第２帯域除去フィルタと、を備え、
　前記第１フィルタは、前記第１帯域除去フィルタおよび前記第２帯域除去フィルタを経由せずに前記アンテナ共通端子および前記第１入出力端子に接続され、
　前記第２フィルタは、前記第１帯域除去フィルタおよび前記第２帯域除去フィルタを経由せずに前記アンテナ共通端子および前記第２入出力端子に接続されている、
　高周波フロントエンド回路。
　前記第１フィルタと前記第１帯域除去フィルタとは、同一チップに形成されており、
　前記第２フィルタと前記第２帯域除去フィルタとは、同一チップに形成されている、
　請求項１に記載の高周波フロントエンド回路。
　前記第１フィルタと前記第１帯域除去フィルタとは、第１チップに形成されており、
　前記第２フィルタと前記第２帯域除去フィルタとは、第２チップに形成されており、
　前記第１フィルタ、前記第１帯域除去フィルタ、前記第２フィルタ、および前記第２帯域除去フィルタは、それぞれ、１以上の弾性波共振子を含み、
　前記第１チップは、弾性表面波フィルタおよびＢＡＷ（Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）を用いた弾性波フィルタのうち、いずれかのみで構成されており、
　前記第２チップは、弾性表面波フィルタおよびＢＡＷを用いた弾性波フィルタのうち、いずれかのみで構成されている、
　請求項２に記載の高周波フロントエンド回路。
　前記第１帯域除去フィルタおよび前記第２帯域除去フィルタは、
　前記アンテナ共通端子、前記第１帯域除去フィルタ、前記第２帯域除去フィルタ、および前記第３入出力端子の順に接続され、
　前記第１帯域除去フィルタを単体で前記アンテナ共通端子側から見た場合の前記第１周波数帯域における反射係数は、前記第２帯域除去フィルタを単体で前記アンテナ共通端子側から見た場合の前記第２周波数帯域における反射係数よりも大きい、
　請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
　周波数が低い順に、前記第３周波数帯域、前記第１周波数帯域、および前記第２周波数帯域が配置されており、
　前記第１帯域除去フィルタと前記第２帯域除去フィルタとは、前記第３周波数帯域を含む周波数帯域を通過帯域とする低域通過型フィルタを構成している、
　請求項１～４のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
　前記第３周波数帯域は、ミドルローバンド（ＭＬＢ：１４７５．９－２０２５ＭＨｚ）であり、
　前記第１周波数帯域は、ミドルバンド（ＭＢ：２１１０－２２００ＭＨｚ）であり、
　前記第２周波数帯域は、ハイバンド（ＨＢ：２４９６－２６９０ＭＨｚ）であり、
　前記第１フィルタは、ＬＴＥ（Ｌｏｎｇ　Ｔｅｒｍ　Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）のＢａｎｄ６６（受信帯域：２１１０－２２００ＭＨｚ）を通過帯域とするバンドパスフィルタであり、
　前記第２フィルタは、ＬＴＥのＢａｎｄ４１（受信帯域：２４９６－２６９０ＭＨｚ）を通過帯域とするバンドパスフィルタであり、
　前記第１帯域除去フィルタと前記第２帯域除去フィルタとは、Ｂａｎｄ３（受信帯域：１８０５－１８８０ＭＨｚ）を通過帯域とする低域通過型フィルタである、
　請求項５に記載の高周波フロントエンド回路。
　前記第３周波数帯域は前記第１周波数帯域および前記第２周波数帯域よりも低周波側に位置し、
　前記第１帯域除去フィルタおよび前記第２帯域除去フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、
　前記第１帯域除去フィルタでは、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する、（２）弾性波共振子がＳＭＲ（Ｓｏｌｉｄｌｙ　Ｍｏｕｎｔｅｄ　Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）で構成される、および（３）弾性波共振子がＦＢＡＲ（Ｆｉｌｍ　Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）で構成される、のいずれかである、
　請求項４～６のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
　前記第２帯域除去フィルタでは、（１）弾性波共振子が、ＩＤＴ電極が一方の主面上に形成された圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有する、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する、ならびに（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する、のいずれかである、
　請求項７に記載の高周波フロントエンド回路。
　前記第３周波数帯域は前記第１周波数帯域および前記第２周波数帯域よりも低周波側に位置し、
　前記第１帯域除去フィルタおよび前記第２帯域除去フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、
　前記第１帯域除去フィルタおよび前記第２帯域除去フィルタを構成する弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたＩＤＴ電極とで構成された弾性表面波共振子であり、
　前記第１帯域除去フィルタでは、弾性波共振子が、前記ＩＤＴ電極が一方の主面上に形成された前記圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有し、
　前記第２帯域除去フィルタでは、（１）ＬｉＴａＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する、または（２）ＬｉＮｂＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する、
　請求項４～６のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
　前記第３周波数帯域は前記第１周波数帯域および前記第２周波数帯域よりも低周波側に位置し、
　前記第１帯域除去フィルタおよび前記第２帯域除去フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、
　前記第１帯域除去フィルタおよび前記第２帯域除去フィルタを構成する弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたＩＤＴ電極とで構成された弾性表面波共振子であり、
　前記第１帯域除去フィルタでは、ＬｉＴａＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用し、
　前記第２帯域除去フィルタでは、ＬｉＮｂＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する、
　請求項４～６のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
　前記第３周波数帯域は前記第１周波数帯域および前記第２周波数帯域よりも低周波側に位置し、
　前記第１帯域除去フィルタおよび前記第２帯域除去フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、
　前記第１帯域除去フィルタでは、（１）弾性波共振子が、ＩＤＴ電極が一方の主面上に形成された圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有する、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する、（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する、（４）弾性波共振子がＳＭＲで構成される、ならびに（５）弾性波共振子がＦＢＡＲで構成される、のいずれかであり、
　前記第２帯域除去フィルタでは、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する、
　請求項４～６のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
　前記第３周波数帯域は前記第１周波数帯域および前記第２周波数帯域よりも低周波側に位置し、
　前記第１帯域除去フィルタおよび前記第２帯域除去フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、
　前記第１帯域除去フィルタでは、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する、（２）弾性波共振子が、ＩＤＴ電極が一方の主面上に形成された圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有する、（３）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する、（４）弾性波共振子がＳＭＲで構成される、ならびに（５）弾性波共振子がＦＢＡＲで構成される、のいずれかであり、
　前記第２帯域除去フィルタでは、ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する、
　請求項４～６のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
　周波数が低い順に、前記第１周波数帯域、前記第３周波数帯域、および前記第２周波数帯域が配置されており、
　前記第１帯域除去フィルタと前記第２帯域除去フィルタとは、前記第３周波数帯域を含む周波数帯域を通過帯域とする、
　請求項１～４のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
　前記第１周波数帯域は、ミドルバンド（ＭＢ：２１１０－２２００ＭＨｚ）であり、
　前記第３周波数帯域は、ミドルハイバンド（ＭＨＢ：２３００－２４００ＭＨｚ）であり、
　前記第２周波数帯域は、ハイバンド（ＨＢ：２４９６－２６９０ＭＨｚ）であり、
　前記第１フィルタは、ＬＴＥのＢａｎｄ６６（受信帯域：２１１０－２２００ＭＨｚ）を通過帯域とするバンドパスフィルタであり、
　前記第２フィルタは、ＬＴＥのＢａｎｄ４１（受信帯域：２４９６－２６９０ＭＨｚ）を通過帯域とするバンドパスフィルタであり、
　前記第１帯域除去フィルタと前記第２帯域除去フィルタとは、Ｂａｎｄ４０（受信帯域：２３００－２４００ＭＨｚ）を通過帯域とするバンドパスフィルタである、
　請求項１３に記載の高周波フロントエンド回路。
　周波数が低い順に、前記第１周波数帯域、前記第２周波数帯域、および前記第３周波数帯域が配置されており、
　前記第１帯域除去フィルタと前記第２帯域除去フィルタとは、前記第３周波数帯域を含む周波数帯域を通過帯域とする高域通過型フィルタである、
　請求項１～４のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
　前記第３周波数帯域は、ウルトラハイバンド（ＵＨＢ：３４００－３８００ＭＨｚ）であり、
　前記第１周波数帯域は、ミドルバンド（ＭＢ：２１１０－２２００ＭＨｚ）であり、
　前記第２周波数帯域は、ハイバンド（ＨＢ：２４９６－２６９０ＭＨｚ）であり、
　前記第１フィルタは、ＬＴＥのＢａｎｄ６６（受信帯域：２１１０－２２００ＭＨｚ）を通過帯域とするバンドパスフィルタであり、
　前記第２フィルタは、ＬＴＥのＢａｎｄ４１（受信帯域：２４９６－２６９０ＭＨｚ）を通過帯域とするバンドパスフィルタであり、
　前記第１帯域除去フィルタと前記第２帯域除去フィルタとは、Ｂａｎｄ４２（受信帯域：３４００－３６００ＭＨｚ）、Ｂａｎｄ４３（受信帯域：３６００－３８００ＭＨｚ)、またはその両方を通過帯域とする高域通過型フィルタである、
　請求項１５に記載の高周波フロントエンド回路。
　前記第３周波数帯域は前記第１周波数帯域および前記第２周波数帯域よりも高周波側に位置し、
　前記第１帯域除去フィルタおよび前記第２帯域除去フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、
　前記第１帯域除去フィルタを構成する前記１以上の弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたＩＤＴ電極とで構成された弾性表面波共振子であり、
　前記第１帯域除去フィルタでは、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するレイリー波、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するリーキー波、および（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる前記圧電体層を伝搬するラブ波、のいずれかを弾性表面波として利用する、
　請求項４、１５、および１６のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
　前記第２帯域除去フィルタでは、弾性波共振子がＳＭＲまたはＦＢＡＲで構成される、
　請求項１７に記載の高周波フロントエンド回路。
　前記第３周波数帯域は前記第１周波数帯域および前記第２周波数帯域よりも高周波側に位置し、
　前記第１帯域除去フィルタおよび前記第２帯域除去フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、
　前記第１帯域除去フィルタを構成する前記１以上の弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたＩＤＴ電極とで構成された弾性表面波共振子であり、
　前記第１帯域除去フィルタでは、弾性波共振子が、前記ＩＤＴ電極が一方の主面上に形成された前記圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有し、
　前記第２帯域除去フィルタでは、弾性波共振子がＳＭＲまたはＦＢＡＲで構成される、
　請求項４、１５、および１６のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
　前記第３周波数帯域は前記第１周波数帯域および前記第２周波数帯域よりも高周波側に位置し、
　前記第１帯域除去フィルタおよび前記第２帯域除去フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、
　前記第１帯域除去フィルタでは、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する、（２）ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する、（３）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する、（４）弾性波共振子がＳＭＲで構成される、および（５）弾性波共振子がＦＢＡＲで構成される、のいずれかであり、
　前記第２帯域除去フィルタでは、弾性波共振子が、ＩＤＴ電極が一方の主面上に形成された圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有する、
　請求項４、１５、および１６のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
　前記第３周波数帯域は前記第１周波数帯域および前記第２周波数帯域よりも高周波側に位置し、
　前記第１帯域除去フィルタおよび前記第２帯域除去フィルタのそれぞれは、１以上の弾性波共振子を含み、
　前記第１帯域除去フィルタでは、（１）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する、（２）ＬｉＮｂＯ_３からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する、（３）弾性波共振子が、ＩＤＴ電極が一方の主面上に形成された圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有する、（４）弾性波共振子がＳＭＲで構成される、ならびに（５）弾性波共振子がＦＢＡＲで構成される、のいずれかであり、
　前記第２帯域除去フィルタでは、ＬｉＴａＯ_３からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する、
　請求項４、１５、および１６のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
　前記第１入出力端子に接続された第１増幅回路と、
　前記第２入出力端子に接続された第２増幅回路と、
　前記第３入出力端子に接続された第３増幅回路と、をさらに備える、
　請求項１～２１のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路。
　前記アンテナ素子で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、
　前記アンテナ素子と前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝達する請求項１～２２のいずれか１項に記載の高周波フロントエンド回路と、を備える、
　通信装置。