WO2018020189A2 - Module électronique de puissance d'un aéronef et procédé de fabrication associé - Google Patents

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Rabih KHAZAKA
Stéphane AZZOPARDI
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Safran
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Definitions

  • the present invention relates to an electronic power module of an aircraft and a method of manufacturing such an electronic power module.
  • FIG. 1 shows an example of an electronic power module 1 known from the prior art.
  • the power electronic module 1 comprises a substrate 2 comprising an electrically insulating layer 2a made of ceramic material, arranged between two metal layers 2b, 2c.
  • the two metal layers are assembled to the electrically insulating layer 2a by various techniques, for example by brazing (or in the English terminology “Active Metal Brazing” or “AMB”), by direct copper connection (or in English terminology). saxon “Direct Bonded Copper” or “DSC”), or by direct bond of aluminum (or in English terminology “Direct Bonded Aluminum” or “DBA”).
  • the upper metal layer 2b of the substrate 2 forms a power circuit on which power semiconductor components 3 are assembled.
  • Figure 1 shows the electrical and / or mechanical interconnection joint 4 through which the power semiconductor components 3 are connected to the power circuit 2b.
  • FIG. 1 shows the electrical and mechanical interconnection joint 7 by through which the lower metal layer 2c of the substrate 2 is attached to the sole 5.
  • the sole 5 is itself attached to the heat sink 6 metal through a layer 8 of thermal interface material, such as as thermal grease, elastomeric film, or phase change materials.
  • the layer 8 of thermal interface material optimizes the thermal contact resistance between the sole 5 and the heat sink 6 to ensure better evacuation of the heat flow.
  • the heat sink 6, provided with fins 9 to further reduce the thermal resistance of the latter, is traversed by a cooling fluid, for example air.
  • the electrically insulating layer 2a of the substrate 2 as well as the layer 8 of thermal interface material are layers with high thermal resistance and therefore poor heat conduction. They thus limit the heat dissipation from the power semiconductor components 3 to the heat sink 6 and the cooling fluid. Furthermore, the layer 8 of thermal interface material induces a nonhomogeneous thermal resistance, which is a function of the positioning of power semiconductor components 3 on the power circuit, especially if the latter has a flatness defect.
  • the multiplicity of layers 2a, 2b, 2c, 4, 5, 7, 8 between the power semiconductor components 3 and the heat sink 6 also contributes to this high thermal resistance.
  • the cooling of the electronic power module 1 is therefore limited and the power electronic module 1 is not suitable for applications at high temperatures, that is to say at ambient temperatures greater than or equal to 150 ° C. Indeed, at these high temperatures, power semiconductor components 3, which are generally silicon, have a highly disturbed operation.
  • the maximum temperature allowed in the electronic power module 1 is limited on the one hand by the maximum operating temperature semiconductor power components and secondly by the maximum operating temperature of the layer 8 of thermal interface material, which is for example 150 ° C for thermal grease. Indeed, beyond this maximum operating temperature of the layer 8 of thermal interface material, said layer 8 will degrade and change physical and physicochemical properties, thereby causing a change in the properties of the electronic power module 1 and its initial electrical functionality. For example, the layer 8 will oxidize and become rigid. Once stiffened, the layer 8 can crack which induces an increase in the temperature of the semiconductor power components and therefore affects the electrical properties of the latter and more generally those of the electronic power module 1. Thus, for this reason also, the power electronic module 1 is not suitable for high temperature applications.
  • the etchings applied to the upper metal layer 2b of the substrate 2 create an asymmetry with the lower metal layer 2c with respect to the electrically insulating layer 2a.
  • This deformation is called arrow and corresponds to a curvature of the substrate 2.
  • FIG. 2 illustrates such an arrow of the substrate 2, during a cooling phase (a) and a heating phase (b).
  • Such an arrow of the substrate 2 will create a vacuum which can be compensated by the layer 8 of thermal interface material.
  • this layer 8 limits the heat dissipation between the power semiconductor components 3 and the heat sink 6 and induces a nonhomogeneous thermal resistance which is a function of the positioning of the power semiconductor components 3 on the power circuit. It is therefore not possible to compensate for the deflection of the substrate 2 by increasing the thickness of the layer 8 of thermal interface material without further deteriorating the heat dissipation within the power electronic module 1.
  • control circuit is for example directly made on the upper metal layer of the substrate in the same way as the power circuit.
  • the minimum distance between the tracks of the upper metal layer is greater than 300 ⁇ , while a distance of 150 ⁇ may be sufficient for some control components. If this does not pose a problem as such for the power circuit, this represents a significant oversizing for the control circuit.
  • WO 2013/171 136 discloses another example of an electronic power module in which the control circuit and the associated control components are integrated.
  • the control components are reported on the same substrate as that of the power semiconductor components via a second substrate. This requires, however, to perform the two circuits independently of one another and then report the control circuit on the power circuit. The manufacture of such an electronic power module therefore takes longer.
  • the present invention aims to overcome the disadvantages mentioned above.
  • the subject of the invention is an electronic power module of an aircraft comprising:
  • At least one substrate made of an electrically insulating material based on ceramic material
  • a power circuit comprising a first electrically conductive layer disposed against said layer made of an electrically insulating material
  • control circuit comprising a first electrically conductive layer arranged against the layer made of an electrically insulating material
  • At least one power semiconductor component and at least one control component respectively assembled to the power circuit and to the control circuit
  • the ceramic material substrate is a heat sink.
  • the ceramic material may have a thermal conductivity greater than 50 W / mk.
  • the ceramic material has a coefficient of thermal expansion of between 1 and 8 ppm / ° C.
  • the heat sink may have channels, fins or pins, a cooling fluid being circulated thereon to provide the dissipation function.
  • the use of such channels, fins or pins is original for electronic power modules and avoids the use of metal radiators on which the substrate would be reported.
  • the different layers between the substrate / heatsink and the component or components are metallic and formed from the same metal.
  • the first layer of the power circuit and / or the control circuit may comprise sintered metal particles.
  • the metal particles of the first layer of the power circuit and / or the control circuit comprise silver.
  • the power circuit and the control circuit further comprise a second electrically conductive layer, disposed against the first layer, on the opposite side to the heat sink, and by means of which the power semiconductor components and the power supply components. control are assembled to their respective power or control circuit.
  • the second layer of the power circuit and / or the control circuit comprises sintered metal particles.
  • the metal particles of the second layer of the power circuit and / or the control circuit are of the same material as the metal particles of the first layer of the power circuit and / or the control circuit.
  • the metal particles of the second layer of the power circuit and / or the control circuit comprise silver.
  • the power circuit comprises an electrically conductive intermediate layer disposed between said first and second layers.
  • the intermediate layer of the power circuit comprises sintered metal particles.
  • the metal particles of the intermediate layer of the power circuit are of the same material as the metal particles of the first and / or second layer of the power circuit.
  • the metal particles of the intermediate layer comprise silver.
  • the intermediate layers may consist of a porous metal, the assembly being produced without the application of external pressure (joints sintered without pressure at temperatures between 200 and 300 ° C.).
  • Such sintered seals have the advantage of being able to absorb significant mechanical stresses.
  • the electronic power module comprises two ceramic radiators extending on one side and the other of the power and control components.
  • the module may in particular comprise at least one height compensation element between at least one power and control component and at least one power and control circuit against a radiator made of ceramic material,
  • the present invention also relates to a method for manufacturing an electronic power module of an aircraft as previously described.
  • the method comprises the steps of:
  • the first layers of the power circuit and the control circuit are produced simultaneously.
  • the first layer of the power circuit and / or the control circuit is produced according to the steps of:
  • the deposition and sintering steps of the power circuit and the control circuit are performed simultaneously.
  • the sintering of the first layer or layers is carried out by annealing at a temperature of between 500 and 1000 ° C., more preferably at a temperature of between 650 and 800 ° C.
  • the method further comprises, prior to the assembly step, the steps of:
  • the intermediate layer comprising a paste loaded with metal particles or one or more dry films comprising metal particles, said paste or said film (s) (s) dry (s) being adapted (e) to adhere to the first layer after sintering of the intermediate layer,
  • the assembly of the power semiconductor component (s) and / or the control component (s) comprises the steps of:
  • the second layer comprising a paste loaded with metal particles or one or more dry films comprising metal particles, said paste or said dry film (s) being adapted to adhere to the first layer forming the power circuit and / or the intermediate layer of said second layer or layers,
  • the metal particles of the intermediate layer are of the same metallic material as the metal particles of the first layer forming the power circuit and / or the metal particles of the second layer or layers are of the same metallic material as the metal particles of the or first layers or the metal particles of the intermediate layer.
  • the sintering of the intermediate layer and / or of the second layer or layers is carried out by annealing at a temperature of between 200 and 350 ° C.
  • the assembly of the power semiconductor component (s) and / or the control component (s) comprises the steps of:
  • brazing the second metal layer or layers so as to form one or two second layers of solder
  • the invention proposes a method in which the steps of:
  • FIG. 1 (already described) is a schematic sectional view of an electronic power module of the prior art
  • FIG. 2 is a graph showing the arrow of a substrate of the electronic power module illustrated in FIG. 1, during a cooling phase (a) and a heating phase (b),
  • FIG. 3a is a schematic sectional view of an electronic power module according to a first embodiment of the invention
  • FIG. 3b is a schematic sectional view of an electronic power module according to a second embodiment of the invention.
  • FIG. 3c is a schematic sectional view of an electronic power module according to a third embodiment of the invention.
  • FIG. 4a is a flow chart of a method of manufacturing an electronic power module according to a first embodiment
  • FIG. 4b is a flow chart of a method for manufacturing an electronic power module according to a second embodiment
  • - Figure 4c is a flow chart of a method of manufacturing an electronic power module according to a third embodiment.
  • FIG. 3a shows an electronic power module 20a of an aircraft according to a first embodiment of the invention.
  • the electronic power module 20a is for example designed to integrate a power supply converter device through which the propulsive and non-propulsive systems of the aircraft, such as electromechanical actuators and electrohydraulic actuators, are connected to a main generator of said aircraft and are electrified.
  • the electronic power module 20a is particularly suitable for applications that do not require high power or high temperatures.
  • high powers means powers greater than 1 kW and "high temperatures” means ambient temperatures above 150 ° C.
  • the electronic power module 20a comprises:
  • a heat sink 21 a substrate made of a ceramic material
  • a power circuit 22 comprising a first electrically conductive layer 23 arranged against the heat sink 21,
  • the electronic power module 20a comprises a control circuit 25 provided with a first electrically conductive layer 26, arranged against the heat sink 21 and at least one control component 27 assembled to the control circuit 25.
  • the heat sink 21 acts as an electrically insulating layer supporting the power circuit 22 and the control circuit 25.
  • the heat sink 21 and the first layer 23, 26 thus replace the substrate electronic power modules of the prior art.
  • This is particularly advantageous since the number of layers between the power semiconductor component (s) 24 and the power semiconductor component (s) 27 and the heat sink 21 is drastically reduced, thereby limiting thermal resistance. of the electronic power module 20a and thus to substantially improve the heat dissipation in the electronic power module 20a.
  • This also makes it possible to reduce the volume and the mass of the electronic power module 20a, which is of particular interest in the field of aeronautics where it is essential to limit the volume and mass of the aircraft's on-board components.
  • the power electronic module 20a also overcomes the layer of thermal interface material that is known to deposit between the sole / substrate and the heat sink, and which induces maximum operating temperature limitations for the electronic power modules of the prior art.
  • the power circuit 22 and the control circuit 25 are both formed on the heat sink 21.
  • This has the advantage of bringing the power circuit 22 and the control circuit 25 closer together and thus limiting the parasitic inductance between the power semiconductor components 24 and the control components 27 and enabling the use of high frequencies, in particular frequencies above 100kHz.
  • This also makes it possible to reduce the volume and the mass of the electronic power module 20a, which is of particular interest in the field of aeronautics where it is essential to limit the volume and mass of the aircraft's on-board components.
  • the manufacture of the electronic power module 20a is also simplified because the power circuit 22 and the control circuit 25 are made on the same support, the heatsink 21, and not on a separate substrate later reported one on the other.
  • the power circuit 22 and the control circuit 25 can be realized simultaneously. All this saves time and money.
  • the first layer or layers 23, 26 are arranged directly against the heat sink 21.
  • the heat sink 21 comprises aluminum nitride (AlN).
  • Aluminum nitride (AIN) has the advantage of having good thermal properties, in particular a thermal conductivity of 180W / mK and a coefficient of thermal expansion of 5ppm / ° C.
  • the heat sink 21 may also be made of a composite ceramic material and comprise metal wires, metal strips, carbon particles or metals in another form, in order to improve the thermal conductivity of said heat sink 21.
  • the material chosen for the heat sink 21 must be electrically insulating and good thermal conductor. It must for example have a thermal conductivity greater than 50W / mK and a coefficient of thermal expansion of between 1 and 8 ppm / ° C, in particular a coefficient of thermal expansion close to that of the semiconductor components of power 3 which lies typically between 3 and 5 ppm / ° C.
  • the first layer 23, 26 of the power circuit 22 and / or the control circuit 25 comprises sintered metal particles.
  • the first layer 23, 26 of the power circuit 22 and / or the control circuit 25 is of a porous nature, which has the effect of absorbing the thermomechanical stresses generated by the difference in coefficients of thermal expansion between the heat sink 21 and the power semiconductor component (s) 24 and / or the control component (s) 27, and thus to limit the risk of cracks in the power circuit 22 and / or the control circuit 25.
  • the module Power electronics 20a is therefore more reliable.
  • the fact that the first layer 26 of the control circuit 25 comprises sintered metal particles makes it possible to produce a control circuit 25 whose tracks can be at a minimum distance of up to ⁇ ⁇ , which is impossible with the electronic power modules of the prior art whose control circuit is formed by etching on the metal layer of the power substrate and whose minimum distance between the tracks of the upper metal layer must be greater than 30 ⁇ .
  • it avoids oversizing the control circuit 25.
  • This also contributes to a gain in volume and mass, the area required to achieve the control circuit 25 is lower.
  • the sintered metal particles of the first layer 23, 26 of the power circuit 22 and / or the control circuit 25 are silver particles (Ag).
  • Silver has the advantage of being a good electrical conductor, a good thermal conductor, not to oxidize at room temperature, for example in comparison with copper (Cu), and to be inexpensive, for example in comparison gold (Au).
  • the first layer 23 of the power circuit 22 and / or the first layer 26 of the control circuit 25 are for example obtained by depositing a paste loaded with metal particles and then by sintering said paste, said paste being adapted to adhere to the material ceramic ceramic heatsink 21 after sintering the first layer or layers 23, 26.
  • the pulp comprises, in addition to metal particles, a dispersant for limiting the coagulation of metal particles before sintering and an organic binder for adjusting the viscosity dough.
  • adhesion promoters may be deposited on the surface of the heat sink 21 or in the dough to allow better adhesion between the ceramic and the metal particles of the dough.
  • An example of a suitable paste is for example the ESL 9913 paste marketed by ESL ELECTROSIENCE.
  • the first layer 23, 26 of the power circuit 22 and / or the control circuit 25 is a solder layer or a metal layer deposited by electroplating or in a chemical bath.
  • the first layer 23, 26 is a solder layer, it comprises for example lead (Pb), tin (Sn), indium (In), or an alloy of tin, silver and copper (SnAgCu) or gold and tin (AuSn).
  • the first layer 23 of the power circuit 22 and / or the first layer 26 of the control circuit 25 have for example a thickness of between 15 and 25 ⁇ .
  • the thickness of the said first layer or layers 23, 26 is for example between 30 and 50 ⁇ , when its deposit on the heat sink 21 and before sintering.
  • the power semiconductor component (s) 24 and / or the control components 27 comprise, for example, silicon (Si).
  • the power circuit 22 and / or the control circuit 25 may further comprise a second layer 28, 29 disposed against the first layer 23, 26, on the opposite side to the heat sink 21, and by means of which the semiconductor components power conductors 24 and / or control 27 are assembled to their respective circuit 22, 25.
  • the second layer 28, 29 comprises, for example, sintered metal particles.
  • the metal particles are preferably metal micro or nanoparticles.
  • the metal particles of the second layer 28, 29 are preferably of the same metallic material as the metal particles of the first layer 23, 26.
  • the metal particles of the second layer 28, 29 of the power circuit 22 and / or the control circuit 25 are silver particles (Ag).
  • Silver has the advantage of being a good electrical conductor, a good thermal conductor, not to oxidize at room temperature, for example in comparison with copper (Cu), and to be inexpensive, for example in comparison gold (Au).
  • the second layer 28 of the power circuit 22 and / or the second layer 29 of the control circuit 25 are for example obtained by depositing a paste loaded with metal particles and then by sintering said paste, said paste being adapted to adhere to the or the first layers 23, 26 after sintering of the second layer or layers 28, 29.
  • the dough comprises, in addition to metal particles, a dispersant making it possible to limit the coagulation of the metal particles before sintering and an organic binder making it possible to adjust the viscosity of the dough.
  • An example of a suitable paste is, for example, NanoTach®-LT paste marketed by NBE Tech or LOCTITE ABLESTIK SSP 2020 sold by HENKEL.
  • the second layer 28, 29 can also be obtained by depositing one or more dry films comprising metal particles, then by sintering said dry films, the dry film or films being adapted to adhere to the first layer or layers 23, 26 after sintering the second layer or layers 28, 29.
  • the dry films comprise, in addition to metal particles, a dispersant to limit the coagulation of metal particles before sintering, but unlike pasta loaded with metal particles, they do not include organic binder.
  • An example of suitable dry films is, for example, Argomax® 8010 Films marketed by the company Alpha.
  • the power semiconductor components 24 and / or the control components 27 are placed on the second layer 28, 29 before sintering, the sintering of the paste or the dry film or films allowing the adhesion of the power semiconductor components 24 and / or control components 27 at the second layer 28, 29.
  • the materials of the electrical connection pads (not shown) of the power semiconductor components 24 and / or the control components 27 at their respective circuit 23, 26 as well as the materials of the electrical connection pads between said components 24, 27 are chosen so as to be compatible in terms of adhesion with the dough or the dry film or films to be sintered. These materials are for example silver (Ag), gold (Au) or copper (Cu), when the paste or the dry film or films comprise silver particles (Ag).
  • the second layer 28, 29 is a solder layer.
  • the solder layer 28, 29 comprises, for example, lead (Pb), tin (Sn), indium (In), or an alloy of tin, silver and copper (SnAgCu) or gold and tin (AuSn).
  • the second layer 28 of the power circuit 22 and / or the second layer 29 of the control circuit 25 have for example a thickness of between 5 and 50 ⁇ .
  • the thickness of the second layer or layers 28, 29 is for example between 10 and ⁇ ⁇ , when deposited on the first layer 23, 26 and before sintering.
  • FIG. 3b shows an electronic power module 20b according to a second embodiment of the invention.
  • the electronic power module 20b is particularly suitable for applications requiring high power and high temperatures.
  • the identical elements between this electronic power module 20b and the electronic power module 20a according to the first embodiment of the invention retain the same references.
  • the substrate 21 may be in the same materials as those provided for the dissipator 21 of FIG. 3a.
  • the power circuit 22 of the power electronic module 20b further comprises the first layer 23 and the second layer 28 an intermediate layer 30 disposed between said first and second layers 23, 28.
  • the intermediate layer 30 makes it possible to increase the thickness of the power circuit 22 in order to enable it to transmit high powers.
  • Inlets and outlets of coolant channels (E and S) are provided on the heat sink 21.
  • Wire connectors 40, 40 ' are provided between the various components.
  • the intermediate layer 30 of the power circuit 22 comprises sintered metal particles.
  • the metal particles are preferably metal micro or nanoparticles.
  • the metal particles of the intermediate layer 30 are preferably of the same metallic material as the metal particles of the first layer 23 and / or the second layer 28, to ensure good adhesion between the intermediate layer 30 and the first and / or the second layer 23, 28 and better reliability at high temperatures.
  • the metal particles of the intermediate layer 30 of the power circuit 22 are silver particles (Ag).
  • Silver has the advantage of being a good electrical conductor, a good thermal conductor, not to oxidize, for example in comparison with copper (Cu), and to be inexpensive, for example in comparison with the gold (Au).
  • the intermediate layer 30 of the power circuit 22 is for example obtained by depositing a paste loaded with metal particles and then by sintering said paste, said paste being adapted to adhere to the first layer 23 after sintering of the intermediate layer 30.
  • pulp comprises, in addition to the metal particles, a dispersant for limiting the coagulation of the metal particles before sintering and an organic binder for adjusting the viscosity of the paste.
  • the same paste can be used for the intermediate layer 30 and the first or second layers 23, 28, however this is not mandatory.
  • the second layer 28 comprises the same paste as the intermediate layer 30.
  • An example of suitable paste is, for example, NanoTach®-LT paste marketed by NBE Tech or LOCTITE ABLESTIK SSP 2020 sold by HENKEL.
  • the intermediate layer 30 is obtained by depositing one or more dry films comprising metal particles, then by sintering said dry films, the dry film or films being adapted to adhere to the first layer 23 of the power circuit 22 after sintering of the intermediate layer 30.
  • the dry films comprise, in addition to metal particles, a dispersant making it possible to limit the coagulation of the metal particles before sintering, but unlike pasta loaded with metal particles, they do not include organic binder.
  • the same dry films can be used for the intermediate layer 30 and the first or second layers 23, 28, however this is not mandatory.
  • the second layer 28 comprises the same dry films as the intermediate layer 30.
  • An example of suitable dry films is for example the Argomax 8010 films marketed by the company Alpha.
  • the intermediate layer 30 of the power circuit 22 is a solder layer or a metal layer deposited by electrodeposition or in a chemical bath.
  • the intermediate layer 30 of the power circuit 22 comprises for example lead (Pb), tin (Sn), indium (In), or a tin alloy, d silver and copper (SnAgCu) or gold and tin (AuSn).
  • the intermediate layer 30 of the power circuit 22 has for example a thickness greater than or equal to 50 ⁇ .
  • the thickness of the intermediate layer 30 is for example greater than ⁇ ⁇ , during its deposition on the first layer 23 and before sintering.
  • the metal-particle-laden paste or dry films comprising metal particles from which the second layer 28 of the power circuit 22 is obtained are adapted to adhere to the intermediate layer 30 after sintering of said second layer 28.
  • FIG. 3c illustrates the case of a power module structure 20c which comprises two ceramic radiators 21, 21 '. In this way, the cooling is done on both sides, on two sides of the module, thus allowing a better heat dissipation.
  • Such a structure also allows a connection of the wireless wiring components, thus greatly reducing parasitic inductances. Thanks to the cooling on both sides, it is also particularly suitable for applications requiring high power and withstand high temperatures.
  • FIG. 3c the elements of this module which are found on the power electronic module 20b according to the second embodiment of the invention are taken to have the same reference numbering as in FIG. 3b.
  • the elements 40 and 40 'for interconnecting the different components of the module 20b are eliminated and replaced by the elements 26', 29 ', 28', 30 ', 23' making it possible to ensure the electrical connection and the transfer of the heat flux. to the element 21 'which is of the same nature as the element 21.
  • One or more elements 50 are provided on the power and control circuits to allow height compensation between the top circuits and the bottom circuits.
  • the element or elements 50 is / are constituted (s) of a solid metal preferably Silver or Copper.
  • FIG. 4a shows a method 100a for manufacturing an electronic power module 20a according to a first embodiment of the invention.
  • the method 20a is particularly suitable for manufacturing electronic power modules 20a for applications that do not require high power or high temperatures.
  • the method 100a comprises the following steps of:
  • the method 100a thus makes it possible to produce, on the same support, the heat sink 21, the power circuit 22 and the control circuit 25, instead of producing the power circuit and the control circuit on a separate support reported one on the other in a later step.
  • the method 100a thus simplifies the manufacture of the power module 20a.
  • the method 100a makes it possible to simultaneously perform the power circuit 22 and the control circuit 25, the first layers 23, 26 being deposited at the same time on the heat sink 21. All this saves time and money.
  • the production steps 101, 102 of the first layers 23, 26 and / or assembly 105 of the power circuit 22 and the control circuit 25 are performed simultaneously for the two circuits 22, 25.
  • the first layer 23, 26 of the power circuit 22 and / or the control circuit 25 is made as follows:
  • the power circuit 22 and / or the control circuit 25 are made by deposition 101 of a first layer 23, 26 of a paste loaded with metal particles and then by sintering 102 of said first layer 23, 26 is particularly advantageous.
  • the sintering 102 of such a paste provides a first layer 23, 26 and therefore a power circuit 22 and / or control 25 of porous nature, which absorbs the thermomechanical stresses. This limits the risk of cracks in the power circuit 22 and / or the control circuit 25.
  • the electronic power module 20a thus manufactured is therefore more reliable.
  • the sintering 102 makes it possible to ensure good adhesion between the ceramic material of the heat sink 21 and the metal particles of the first layer 23, 26.
  • the deposition 101 of a first layer 26 of a paste loaded with metal particles is particularly advantageous because it makes it possible to produce a control circuit 25 whose tracks can be at a minimum distance of 150 ⁇ , which is impossible with known manufacturing processes in which the control circuit is formed by etching on the upper metal layer of the power substrate which requires a minimum distance greater than 300 ⁇ between the tracks of the upper metal layer. In other words, this makes it possible to produce a control circuit 25, and thus to manufacture an electronic power module 20a, which are not oversized.
  • the deposition 101, sintering steps 102 for each of the first layers 23, 26 of the power circuit 22 and the control circuit 25 are performed simultaneously.
  • the method 100a may further comprise a step of connecting the power semiconductor components 24 to each other and, where appropriate, to the control components 27.
  • the first layer or layers 23, 26 are for example deposited by screen printing or by printing on the heatsink 21.
  • the first layer or layers 23, 26 are deposited 101 directly on the heat sink 21.
  • the first layer or layers 23, 26 are, for example, deposited 101 over a thickness of between 30 and 50 ⁇ m.
  • the sintering 102 of the first layer or layers 23, 26 is for example made by annealing.
  • the annealing 102 is carried out at high temperatures, in particular at a temperature of between 500 and 1000 ° C., more preferably at a temperature of between 650 and 800 ° C. Such temperatures make it possible to improve the adhesion between the first layers 23, 26 of the power circuits 22 and the control circuits 25 and the heat sink 21.
  • the assembly 105 of the power semiconductor components 24 and the control components 27 is for example made by means of a second electrically conductive layer 28, 29, arranged on the first layer 23 forming the power circuit 22 and on the first layer 26 forming the control circuit 25.
  • the assembly 105 of the power semiconductor 24 and / or control 27 components is made as follows:
  • the second layer 28, 29 comprising a paste loaded with metal particles or one or more dry films comprising metal particles, said paste or the said dry film (s) being adapted for adhering to the first layer (s) 23, 26 after sintering the second layer (s) 28, 29,
  • the deposit 105a and the sintering 105b of a paste loaded with metal particles or dry films comprising metal particles have the advantage of obtaining a second layer 28, 29 of porous nature which absorbs the thermomechanical stresses generated by the difference of coefficient of thermal expansion between the heat sink 21 and the power semiconductor components 24 and the control components 27. This limits the risk of cracks in the power circuit 22 and / or the control circuit 25.
  • the module Power electronics 20a thus manufactured is therefore more reliable.
  • Sintering 105c also makes it possible to ensure good adhesion between the first layer 23, 26 and the metal particles of the second layer 28, 29 and between the power-conducting 22 and control 27 and second-layer components 28, 29 .
  • the second layer or layers 28, 29 are for example deposited 104a by screen printing or by printing on the first layer (s) 23, 26.
  • the second layer or layers 28, 29 are for example deposited 104a locally on zones of the first layer or layers 23, 26 receiving the power semiconductor components 24 and, if appropriate, control
  • the dry films may also be deposited 105a in the form of one or more preforms comprising a metal sheet interposed between two dry films of metal particles.
  • the metal sheet preferably comprises the same metal as the metal particles.
  • An example of suitable preforms is the Argomax® 9000 Preforms preforms marketed by ALPHA.
  • the second layer or layers 28, 29 are for example deposited 105a to a thickness of 10 and ⁇ ⁇ .
  • the sintering 105c of the second layer or layers 28, 29 is for example made by annealing.
  • the annealing 105c is carried out at a temperature between 200 and 350 ° C.
  • the annealing 105c may furthermore be carried out with or without pressure applied to the second layer or layers 28, 29.
  • a pressure is applied to the paste or to the dry film (s) ( s) by pressing the power semiconductor components 24 and / or the control components 27.
  • the pressure to be applied during the annealing 105c is for example between 2 and 10MPa.
  • the assembly 105 of the power semiconductor components 24 and the control components 27 is for example made as follows:
  • the second metal layers 28, 29 are for example deposited 104d locally on zones of the first layer or layers 23, 26 receiving the power semiconductor components 24 and, if appropriate, the control components 27.
  • the second layer 28, 29 metal comprises for example lead (Pb), tin (Sn), indium (In), or an alloy of tin, silver and copper (SnAgCu) or gold and tin (AuSn).
  • the second layer or layers 28, 29 are for example deposited 105a, 105d on a thickness of 10 and 10 ⁇ .
  • FIG. 4b shows a method 100b for manufacturing an electronic power module 20b according to a second embodiment of the invention.
  • the method 20b is particularly suitable for manufacturing power electronic modules 20b for applications requiring high power and high temperatures.
  • the identical elements between this method 100b and the method 100a according to the first embodiment of the invention retain the same references.
  • the method 100b comprises, prior to the assembly step 105, an embodiment step 103, 104 of an electrically conductive intermediate layer 30 disposed on the first layer 23 forming the power circuit 22.
  • the embodiment 103, 104 of the intermediate layer 30 makes it possible to increase the thickness of the power circuit 22 in order to enable it to transmit high powers.
  • the intermediate layer 30 is made as follows:
  • the intermediate layer 30 comprising a paste loaded with metal particles or one or more dry films comprising metal particles, said paste or the (s) said dry film (s) being adapted to adhere to the first layer 23 after sintering of the intermediate layer 30,
  • Deposition 103 and sintering 104 of a paste loaded with metal particles or dry films comprising metal particles have the advantage of obtaining an intermediate layer 30 of porous nature which absorbs thermomechanical stresses well. This makes it possible to limit the risk of cracks in the power circuit 22. The electronic power module 20a thus manufactured is therefore more reliable.
  • the sintering 104 also makes it possible to ensure good adhesion between the first layer 23 and the metal particles of the intermediate layer 30.
  • the second layer 28 is deposited 105a, 105d on the intermediate layer 30 and not on the first layer 23.
  • the second layer 28 of the power circuit 22 is made by depositing 104a of a paste or of one or more dry films, said paste or said dry films are adapted to adhere to the intermediate layer 30 after sintering. said second layer 28.
  • the sintering 105b of the second layer 28 makes it possible to ensure good adhesion between the intermediate layer 30 and the metal particles of the second layer 28.
  • the intermediate layer 30 is for example deposited 104 by screen printing or by printing on the first layer 23 forming the power circuit 22.
  • the dry films may also be deposited 103 in the form of one or more preforms comprising a sheet of metal interposed between two dry films of metal particles.
  • the metal sheet preferably comprises the same metal as the metal particles.
  • suitable preforms is the Argomax® 9000 Preforms preforms marketed by ALPHA.
  • the intermediate layer 30 of the power circuit 22 has for example a thickness greater than or equal to 10 ⁇ .
  • the sintering 104 of the intermediate layer 30 is for example made by annealing.
  • the annealing 104 is carried out at a temperature between 200 and 350 ° C.
  • the annealing 104 may also be carried out with or without pressure applied to the intermediate layer 30.
  • a plate is applied against the paste or the film (s) of the intermediate layer 30, in order to apply pressure to the paste or film (s) during annealing 104.
  • the plate is then removed.
  • the pressure to be applied during annealing 104 is for example between 2 and 10 MPa.
  • the material of the plate is preferably chosen so as not to adhere to the paste or film (s) dry (s).
  • the plate is for example glass, aluminum, teflon or aluminum oxide (Al2O3).
  • the power electronic modules 20a, 20b described above have the advantage of being reliable at high temperatures, that is to say at temperatures above 150 ° C, and to have a very low thermal resistance compared to electronic power modules known from the prior art.
  • the materials of the electronic power modules 20a, 20b are all compatible with temperatures higher than 300 ° C, especially when metal powders of the same material are used for the first and second layers 23, 26, 28, 29 and for the intermediate layer 30.
  • These power electronic modules 20a, 20b therefore have the advantage of being able to be used in severe environments, for example at high storage temperatures, or in operating conditions with large temperature variations.
  • the electronic power modules 20a, 20b can be integrated with power supply converter devices which will be located in areas of the aircraft where the ambient temperature may exceed 150 ° C. This allows a gain in efficiency, space, weight and cost for the aircraft.
  • the power electronic modules 20a, 20b also make it possible to overcome the thermal limits of the layer of thermal interface material of the electronic power modules of the prior art, and those of the multiplicity of layers between the semi-integrated components. power drivers and the heat sink, including the plurality of solder layers between said power semiconductor components and the heat sink.
  • the power electronic modules 20a, 20b also make it possible to overcome the thermomechanical limits of the substrates having an electrically insulating ceramic layer of the electronic power modules of the prior art, in particular the problems related to the deflection of these substrates.
  • the power electronic modules 20a, 20b described above also make it possible to have on a same support, the heat sink 21, the power circuit 22 and the control circuit 23, said power circuits 22 and control 23 being then very close to each other which has the effect of minimizing parasitic inductances between said circuits 22, 23 and the costs.
  • the electronic power modules 20a, 20b also have the advantage of having a reduced mass and volume which is particularly interesting in the field of aeronautics where it is essential to limit the volume and mass of equipment onboard the aircraft.
  • the first layers 26, 26 ', and 23, 23' are deposited on the two heat sinks 21, 21 ', so as to form the control and power circuits (step 201).
  • These first layers are then (or as part of a same step as the deposit) the object of sintering (step 202).
  • Power and control components as well as height compensating elements 50 are then assembled on the power and control circuits of the sintered intermediate layers (step 205).
  • a second layer is deposited on the power and control circuits thus formed (step 206), then the various components or height compensation elements are placed thereon (step 207).
  • a layer similar to the second layer is then deposited on the intermediate layers forming the power and control circuit of the other dissipator 21 '(step 208).
  • the two dissipators 21 and 21 'and the various elements thus put in place on them are then reported on one another and sintered (step 209).

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Abstract

L'invention concerne un module électronique de puissance (20a) d'un aéronef comprenant : - un dissipateur thermique (21 ) en matériau céramique, - un circuit de puissance (22) comprenant une première couche (23) électriquement conductrice, disposée contre le dissipateur thermique (21 ), - un circuit de commande (25) comprenant une première couche (26) électriquement conductrice, disposée contre le dissipateur thermique (21 ), - au moins un composant à semi-conducteur de puissance (24) et au moins un composant de commande (27) respectivement assemblés au circuit de puissance (22) et au circuit de commande (25).

Description

MODULE ELECTRONIQUE DE PUISSANCE D'UN AERONEF ET PROCEDE
DE FABRICATION ASSOCIE
DOMAINE DE L'INVENTION
La présente invention a pour objet un module électronique de puissance d'un aéronef et un procédé de fabrication d'un tel module électronique de puissance.
ETAT DE L'ART
La figure 1 montre un exemple de module électronique de puissance 1 connu de l'art antérieur.
Le module électronique de puissance 1 comprend un substrat 2 comprenant une couche électriquement isolante 2a, en matériau céramique, agencée entre deux couches métalliques 2b, 2c. Les deux couches métalliques sont assemblées à la couche électriquement isolante 2a par différentes techniques comme par exemple par brasage (ou en terminologie anglo-saxonne « Active Métal Brazing » ou encore « AMB »), par liaison directe du cuivre (ou en terminologie anglo-saxonne « Direct Bonded Copper » ou encore « DSC »), ou encore par liaison directe d'aluminium (ou en terminologie anglo-saxonne « Direct Bonded Aluminium » ou encore « DBA »). La couche métallique 2b supérieure du substrat 2 forme un circuit de puissance sur lequel des composants à semiconducteurs de puissance 3 sont assemblés. La figure 1 montre le joint d'interconnexion électrique et ou mécanique 4 par l'intermédiaire duquel les composants à semi-conducteurs de puissance 3 sont assemblés au circuit de puissance 2b. Du fait de leurs imperfections, les composants à semi-conducteurs de puissance 3 sont le siège de pertes par effet Joule et donc représentent une source importante de chaleur. La couche métallique 2c inférieure du substrat 2 est rapportée sur une semelle 5 métallique qui a pour rôle d'étaler le flux thermique et d'assurer une connexion thermique avec un dissipateur thermique 6 métallique. La figure 1 montre le joint d'interconnexion électrique et ou mécanique 7 par l'intermédiaire duquel la couche métallique 2c inférieure du substrat 2 est rapportée sur la semelle 5. La semelle 5 est elle-même rapportée sur le dissipateur thermique 6 métallique par l'intermédiaire d'une couche 8 de matériau d'interface thermique, telle qu'une graisse thermique, un film élastomère, ou de matériaux à changement de phase. La couche 8 de matériau d'interface thermique permet d'optimiser la résistance thermique de contact entre la semelle 5 et le dissipateur thermique 6 pour assurer une meilleure évacuation du flux thermique. Le dissipateur thermique 6, muni d'ailettes 9 permettant de réduire d'autant plus la résistance thermique de ce dernier, est traversé par un fluide de refroidissement, par exemple de l'air.
Un tel module électronique de puissance 1 présente cependant plusieurs inconvénients.
La couche électriquement isolante 2a du substrat 2 ainsi que la couche 8 de matériau d'interface thermique sont des couches à forte résistance thermique et donc à mauvaise conduction thermique. Elles limitent ainsi la dissipation thermique depuis les composants à semi-conducteurs de puissance 3 vers le dissipateur thermique 6 et le fluide de refroidissement. Par ailleurs, la couche 8 de matériau d'interface thermique induit une résistance thermique non homogène, qui est fonction du positionnement des composants à semi-conducteurs de puissance 3 sur le circuit de puissance, notamment si ce dernier présente un défaut de planéité. La multiplicité des couches 2a, 2b, 2c, 4, 5, 7, 8 entre les composants à semi-conducteurs de puissance 3 et le dissipateur thermique 6 contribue également à cette forte résistance thermique. Le refroidissement du module électronique de puissance 1 est donc limité et le module électronique de puissance 1 n'est pas adapté pour des applications à hautes températures, c'est- à-dire à des températures ambiantes supérieures ou égales à 150°C. En effet, à ces hautes températures, les composants à semi-conducteurs de puissance 3, qui sont généralement en silicium, ont un fonctionnement fortement perturbé.
La température maximale autorisée dans le module électronique de puissance 1 est limitée d'une part par la température maximale de fonctionnement des composants à semi-conducteurs de puissance et d'autre part par la température maximale de fonctionnement de la couche 8 de matériau d'interface thermique, qui est par exemple de 150°C pour la graisse thermique. En effet, au- delà de cette température maximale de fonctionnement de la couche 8 de matériau d'interface thermique, ladite couche 8 va se dégrader et changer de propriétés physiques et physicochimiques, entraînant de ce fait un changement des propriétés du module électronique de puissance 1 et de sa fonctionnalité électrique initiale. A titre d'exemple, la couche 8 va s'oxyder et se rigidifier. Une fois rigidifiée, la couche 8 peut se fissurer ce qui induit une augmentation de la température des composants à semi-conducteurs de puissance et impacte de ce fait les propriétés électriques de ces derniers et plus généralement celles du module électronique de puissance 1 . Ainsi, pour cette raison également, le module électronique de puissance 1 n'est pas adapté pour des applications à hautes températures.
Cela est particulièrement contraignant car les zones de l'aéronef dans lesquelles le module électronique de puissance 1 peut être disposé s'en trouvent fortement limitées. Par ailleurs, cela va à encontre du but généralement recherché dans l'aéronautique, à savoir optimiser le volume intérieur de l'aéronef, notamment en limitant l'encombrement des équipements qui y sont embarqués.
Par ailleurs, les solutions d'assemblage de différentes couches 2a, 2b, 2c, 5 qui ont des coefficients de dilatation thermique différents entre elles rendent le module électronique de puissance 1 sensible au phénomène de fatigue thermique, limitant de ce fait la fiabilité du module électronique de puissance 1 . Ces solutions peuvent par exemple entraîner des fissures dans la couche électriquement isolante 2a du substrat 2 et/ou dans les joints d'interconnexion électriques 4, 7.
En outre, les gravures appliquées sur la couche métallique 2b supérieure du substrat 2 créent une asymétrie avec la couche métallique 2c inférieure par rapport à la couche électriquement isolante 2a. Cela a pour effet, lors d'une montée en température, par exemple lorsque les composants à semi-conducteurs de puissance 3 sont assemblés au substrat 2 ou lorsque le substrat 2 est assemblé à la semelle 5 ou lors d'une phase opérationnelle du module électronique de puissance 1 , d'induire des contraintes thermomécaniques dans le substrat 2 entraînant sa déformation. Cette déformation est appelée flèche et correspond à une courbure du substrat 2. La figure 2 illustre une telle flèche du substrat 2, lors d'une phase de refroidissement (a) et d'une phase de chauffage (b).
Une telle flèche du substrat 2 va créer un vide qui peut être compensé par la couche 8 de matériau d'interface thermique. Toutefois, comme précédemment expliqué, cette couche 8 limite la dissipation thermique entre les composants à semi-conducteurs de puissance 3 et le dissipateur thermique 6 et induit une résistance thermique non homogène qui est fonction du positionnement des composants à semi-conducteurs de puissance 3 sur le circuit de puissance. On ne peut donc pas compenser la flèche du substrat 2 en augmentant l'épaisseur de la couche 8 de matériau d'interface thermique sans détériorer davantage la dissipation thermique au sein du module électronique de puissance 1 .
D'autres modules électroniques de puissance ont été proposés dans la littérature. Dans ces modules électroniques de puissance, la semelle a été supprimée et le substrat est directement appliqué sur le dissipateur thermique par l'intermédiaire de la couche de matériau d'interface thermique. Dans ce cas, la flèche du substrat peut être particulièrement élevée et il est nécessaire d'appliquer une couche épaisse de matériau d'interface thermique pour combler la présence de vide entre la couche de métallisation inférieure du substrat et le dissipateur thermique. Comme expliqué précédemment, une telle augmentation de l'épaisseur de la couche de matériau d'interface thermique accentue les problèmes d'instabilité thermique et de limitation de la dissipation thermique entre les composants à semi-conducteurs de puissance et le dissipateur thermique.
Enfin, la plupart des modules électroniques de puissance connus, tel que le module électronique de puissance 1 représenté à la figure 1 , nécessitent que le circuit de commande comprenant les composants de commande au moyen desquels les composants à semi-conducteurs de puissance 3 sont contrôlés soit indépendant du module électronique de puissance 1 . Cela a pour inconvénient d'augmenter le volume et la masse nécessaires pour le module électronique de puissance 1 . Cela est particulièrement problématique pour des applications dans le domaine de l'aéronautique où il est primordial de limiter le volume et la masse des composants embarqués de l'aéronef. Par ailleurs, l'éloignement des composants à semi-conducteurs de puissance 3 et des composants de commande induit une inductance parasite et limite l'utilisation en hautes fréquences, notamment pour des fréquences supérieures à 100kHz.
Il existe des modules électroniques de puissance dans lesquels le circuit de commande et les composants de commande associés sont intégrés. Pour cela, le circuit de commande est par exemple directement réalisé sur la couche métallique supérieure du substrat de la même manière que le circuit de puissance. Or, avec les techniques de gravure actuelles, la distance minimale entre les pistes de la couche métallique supérieure est supérieure à 300μηη, alors qu'une distance de 150μηη pourrait être suffisante pour certains composants de commande. Si cela ne pose pas de problème en tant que tel pour le circuit de puissance, cela représente un surdimensionnement important pour le circuit de commande. Il en résulte qu'il est nécessaire de prévoir une surface surdimensionnée de couche métallique supérieure pour accueillir le circuit de commande et donc de substrat, augmentant ainsi le volume et la masse nécessaires pour le module électronique de puissance.
Le document WO 2013/171 136 décrit un autre exemple de module électronique de puissance dans lequel le circuit de commande et les composants de commande associés sont intégrés. Dans ce document, les composants de commande sont rapportés sur le même substrat que celui des composants à semi-conducteurs de puissance par l'intermédiaire d'un deuxième substrat. Cela nécessite toutefois de réaliser les deux circuits indépendamment l'un de l'autre puis de rapporter le circuit de commande sur le circuit de puissance. La fabrication d'un tel module électronique de puissance prend donc plus de temps. PRESENTATION DE L'INVENTION
La présente invention a pour but de pallier les inconvénients précédemment cités.
Plus précisément, l'invention a pour objet un module électronique de puissance d'un aéronef comprenant :
- au moins un substrat en un matériau électriquement isolant à base de matériau céramique,
- un circuit de puissance comprenant une première couche électriquement conductrice, disposée contre ladite couche en un matériau électriquement isolant,
- un circuit de commande comprenant une première couche électriquement conductrice, disposée contre la couche en un matériau électriquement isolant,
- au moins un composant à semi-conducteur de puissance et au moins un composant de commande respectivement assemblés au circuit de puissance et au circuit de commande,
caractérisé en ce que le substrat en matériau céramique est un dissipateur thermique.
Notamment, le matériau céramique peut présenter une conductivité thermique supérieure à 50W/mk.
Egalement, le matériau céramique présente un coefficient de dilatation thermique compris entre 1 et 8 ppm/°C.
En complément ou en variante, le dissipateur thermique peut présenter des canaux, ailettes ou picots, un fluide de refroidissement étant circulé sur ceux-ci pour assurer la fonction de dissipation.
L'utilisation de tels canaux, ailettes ou picots est originale pour les modules électroniques de puissance et permet d'éviter l'utilisation de radiateurs métalliques sur lesquels le substrat serait reporté. Avantageusement encore, les différentes couches entre le substrat / dissipateur thermique et le ou les composants sont métalliques et formées à base d'un même métal.
Notamment, la première couche du circuit de puissance et/ou du circuit de commande peut comprendre des particules métalliques frittées.
Avantageusement, les particules métalliques de la première couche du circuit de puissance et/ou du circuit de commande comprennent de l'argent.
Avantageusement, le circuit de puissance et le circuit de commande comprennent en outre une deuxième couche électriquement conductrice, disposée contre la première couche, du côté opposé au dissipateur thermique, et au moyen de laquelle les composants à semi-conducteurs de puissance et les composants de commande sont assemblés à leur circuit de puissance ou de commande respectif.
Avantageusement, la deuxième couche du circuit de puissance et/ou du circuit de commande comprend des particules métalliques frittées.
Avantageusement, les particules métalliques de la deuxième couche du circuit de puissance et/ou du circuit de commande sont du même matériau que les particules métalliques de la première couche du circuit de puissance et/ou du circuit de commande.
Avantageusement, les particules métalliques de la deuxième couche du circuit de puissance et/ou du circuit de commande comprennent de l'argent.
Avantageusement, le circuit de puissance comprend une couche intermédiaire électriquement conductrice disposée entre lesdites première et deuxième couches.
Avantageusement, la couche intermédiaire du circuit de puissance comprend des particules métalliques frittées.
Avantageusement, les particules métalliques de la couche intermédiaire du circuit de puissance sont du même matériau que les particules métalliques de la première et/ou de la deuxième couche du circuit de puissance. Avantageusement, les particules métalliques de la couche intermédiaire comprennent de l'argent.
On notera que les couches intermédiaires peuvent être constituées d'un métal poreux, l'ensemble étant réalisé sans application de pression externe (joints frittés sans pression à des températures entre 200 et 300 °C).
De tels joints frittés ont l'avantage de permettre d'absorber des contraintes mécaniques importantes.
En variante encore, le module électronique de puissance comporte deux radiateurs en céramique s'étendant d'un côté et de l'autre des composants de puissance et de commande.
Le module peut notamment comprendre au moins un élément de compensation de hauteur entre au moins un composant de puissance et de commande et au moins un circuit de puissance et de commande contre un radiateur en matériau céramique,
La présente invention a également pour objet un procédé pour fabriquer un module électronique de puissance d'un aéronef tel que précédemment décrit. Le procédé comprend les étapes de :
- réalisation d'une première couche électriquement conductrice sur un dissipateur thermique au moins en partie en matériau céramique, de sorte à former un circuit de puissance sur ledit dissipateur thermique,
- réalisation d'une première couche électriquement conductrice sur le dissipateur thermique, de sorte à former un circuit de commande sur ledit dissipateur thermique,
- assemblage d'au moins un composant à semi-conducteur de puissance avec le circuit de puissance et d'au moins un composant de commande avec le circuit de commande.
Avantageusement, les premières couches du circuit de puissance et du circuit de commande sont réalisées simultanément. Avantageusement, la première couche du circuit de puissance et/ou du circuit de commande est réalisée suivant les étapes de :
- dépôt d'une première couche d'une pâte chargée de particules métalliques sur le dissipateur thermique, de sorte à former le circuit de puissance et/ou le circuit de commande sur ledit dissipateur thermique, ladite pâte étant adaptée pour adhérer au matériau céramique du dissipateur thermique après frittage de ladite première couche,
- frittage de la première couche.
Avantageusement, les étapes de dépôt et de frittage du circuit de puissance et du circuit de commande sont réalisées simultanément.
Avantageusement, le frittage de la ou des premières couches est réalisé par recuit à une température comprise 500 et 1000°C, plus préférentiellement à une température comprise entre 650 et 800°C.
Avantageusement, le procédé comprend en outre, préalablement à l'étape d'assemblage, les étapes de :
- dépôt d'une couche intermédiaire sur la première couche formant le circuit de puissance, la couche intermédiaire comprenant une pâte chargée de particules métalliques ou un ou plusieurs films secs comprenant des particules métalliques, ladite pâte ou le(s)dit(s) film(s) sec(s) étant adapté(es) pour adhérer à la première couche après frittage de la couche intermédiaire,
- frittage de la couche intermédiaire.
Avantageusement, l'assemblage du ou des composants à semi-conducteur de puissance et/ou du ou des composants de commande comprend les étapes de :
- dépôt d'une deuxième couche sur la première couche formant le circuit de puissance et/ou sur la couche intermédiaire et/ou sur la première couche formant le circuit de commande, la deuxième couche comprenant une pâte chargée de particules métalliques ou un ou plusieurs films secs comprenant des particules métalliques, ladite pâte ou le(s)dit(s) film(s) sec(s) étant adapté(es) pour adhérer à la première couche formant le circuit de puissance et/ou sur la couche intermédiaire de ladite ou desdites deuxièmes couches,
- mise en place du ou des composants à semi-conducteur de puissance et/ou du ou des composants de commande sur leur deuxième couche respective, et
- frittage de la ou des deuxièmes couches.
Avantageusement, les particules métalliques de la couche intermédiaire sont du même matériau métallique que les particules métalliques de la première couche formant le circuit de puissance et/ou les particules métalliques de la ou des deuxièmes couches sont du même matériau métallique que les particules métalliques de la ou des premières couches ou que les particules métalliques de la couche intermédiaire.
Avantageusement, le frittage de la couche intermédiaire et/ou de la ou des deuxièmes couches est réalisé par recuit à une température comprise entre 200 et 350°C.
Alternativement, l'assemblage du ou des composants à semi-conducteur de puissance et/ou du ou des composants de commande comprend les étapes de :
- dépôt d'une deuxième couche métallique sur la première couche formant le circuit de puissance ou la couche intermédiaire et/ou sur la première couche formant le circuit de commande,
- mise en place du ou des composants à semi-conducteur de puissance et/ou du ou des composants de commande sur leur deuxième couche respective, et
- brasage de la ou des deuxièmes couches métallique, de sorte à former une ou des deuxièmes couches de brasure.
En variante encore, l'invention propose un procédé ans lequel on met en œuvre les étapes de :
- réalisation d'un circuit de puissance et d'un circuit de commande sur deux dissipateurs thermiques, - assemblage d'au moins un composant à semi-conducteur de puissance avec un circuit de puissance et d'au moins un composant de commande avec le circuit de commande,
- mise en place d'au moins un composant de compensation de hauteur, - mise en place et frittage des deux dissipateurs thermiques l'un sur l'autre.
PRESENTATION DES FIGURES
D'autres caractéristiques, buts et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui va suivre, et en regard des dessins annexés donnés à titre d'exemples non limitatif et sur lesquels :
- la figure 1 (déjà décrite) est une vue en coupe, schématique, d'un module électronique de puissance de l'art antérieur,
- la figure 2 est un graphique représentant la flèche d'un substrat du module électronique de puissance illustré à la figure 1 , lors d'une phase de refroidissement (a) et d'une phase de chauffage (b),
- la figure 3a est une vue en coupe, schématique, d'un module électronique de puissance selon un premier mode de réalisation de l'invention,
- la figure 3b est une vue en coupe, schématique, d'un module électronique de puissance selon un deuxième mode de réalisation de l'invention,
- la figure 3c est une vue en coupe, schématique, d'un module électronique de puissance selon un troisième mode de réalisation de l'invention,
- la figure 4a est un ordinogramme d'un procédé de fabrication d'un module électronique de puissance selon un premier mode de réalisation,
- la figure 4b est un ordinogramme d'un procédé de fabrication d'un module électronique de puissance selon un deuxième mode de réalisation, - la figure 4c est un ordinogramme d'un procédé de fabrication d'un module électronique de puissance selon un troisième mode de réalisation. DESCRIPTION DETAILLEE
La figure 3a montre un module électronique de puissance 20a d'un aéronef selon un premier mode de réalisation de l'invention. Le module électronique de puissance 20a est par exemple prévu pour intégrer un dispositif convertisseur d'alimentation électrique par l'intermédiaire duquel des systèmes propulsifs et non propulsifs de l'aéronef, comme par exemple des actionneurs électromécaniques et des actionneurs électrohydrauliques, sont raccordés à un générateur principal dudit aéronef et sont donc électrifiés.
Le module électronique de puissance 20a est particulièrement adapté pour des applications ne nécessitant pas de fortes puissances ni de hautes températures. On entend par « fortes puissances » des puissances supérieures à 1 kW et par « hautes températures » des températures ambiantes supérieures à 150°C.
Le module électronique de puissance 20a comprend :
- un dissipateur thermique 21 un substrat en un matériau céramique,
- un circuit de puissance 22 comprenant une première couche 23 électriquement conductrice, disposée contre le dissipateur thermique 21 ,
- au moins un composant à semi-conducteur de puissance 24, tel qu'une diode ou un transistor, assemblé au circuit de puissance 22.
Par ailleurs, le module électronique de puissance 20a comprend un circuit de commande 25 muni d'une première couche 26 électriquement conductrice, disposée contre le dissipateur thermique 21 et au moins un composant de commande 27 assemblé au circuit de commande 25.
Ainsi, le dissipateur thermique 21 fait office de couche électriquement isolante supportant le circuit de puissance 22 et le circuit de commande 25. Le dissipateur thermique 21 et la première couche 23, 26 remplacent donc le substrat des modules électroniques de puissance de l'art antérieur. Cela est particulièrement avantageux car le nombre de couches entre le ou les composants à semi-conducteurs de puissance 24 et le ou les composants à semi-conducteurs de puissance 27 et le dissipateur thermique 21 est drastiquement réduit, ce qui permet de limiter la résistance thermique du module électronique de puissance 20a et ainsi d'améliorer de manière substantielle la dissipation thermique dans le module électronique de puissance 20a. Cela permet également de réduire le volume et la masse du module électronique de puissance 20a, ce qui est particulièrement intéressant dans le domaine de l'aéronautique où il est primordial de limiter le volume et la masse des composants embarqués de l'aéronef.
Le module électronique de puissance 20a s'affranchit en outre de la couche de matériau d'interface thermique qu'il est connu de déposer entre la semelle/le substrat et le dissipateur thermique, et qui induit des limitations de température maximale de fonctionnement pour les modules électroniques de puissance de l'art antérieur.
Par ailleurs, le circuit de puissance 22 et le circuit de commande 25 sont tous deux formés sur le dissipateur thermique 21 . Cela a pour avantage de rapprocher le circuit de puissance 22 et celui de commande 25 et ainsi de limiter l'inductance parasite entre les composants à semi-conducteurs de puissance 24 et de commande 27 et de permettre l'utilisation de hautes fréquences, notamment de fréquences supérieures à 100kHz. Cela permet également de réduire le volume et la masse du module électronique de puissance 20a, ce qui est particulièrement intéressant dans le domaine de l'aéronautique où il est primordial de limiter le volume et la masse des composants embarqués de l'aéronef. La fabrication du module électronique de puissance 20a est également simplifiée car le circuit de puissance 22 et le circuit de commande 25 sont réalisés sur un même support, le dissipateur thermique 21 , et non pas sur un substrat séparé rapporté postérieurement l'un sur l'autre. Par ailleurs, le circuit de puissance 22 et le circuit de commande 25 peuvent être réalisé simultanément. Tout cela représente un gain de temps ainsi qu'un gain d'argent. La ou les premières couches 23, 26 sont disposées directement contre le dissipateur thermique 21 . De préférence, le dissipateur thermique 21 comprend du nitrure d'aluminium (AIN). Le nitrure d'aluminium (AIN) a pour avantage de présenter de bonnes propriétés thermiques, notamment une conductivité thermique de 180W/mK et un coefficient de dilatation thermique de 5ppm/°C.
Le dissipateur thermique 21 peut en outre être en matériau céramique composite et comprendre des fils métalliques, des feuillards métalliques, des particules de carbones ou des métaux sous une autre forme, afin d'améliorer la conductivité thermique dudit dissipateur thermique 21 .
Le matériau choisi pour le dissipateur thermique 21 doit être électriquement isolant et bon conducteur thermique. Il doit par exemple présenter une conductivité thermique supérieure à 50W/mK et un coefficient de dilatation thermique compris entre 1 et 8 ppm/°C, notamment un coefficient de dilatation thermique proche de celui des composants à semi-conducteurs de puissance 3 qui se situe généralement entre 3 et 5 ppm/°C. De préférence, la première couche 23, 26 du circuit de puissance 22 et/ou du circuit de commande 25 comprend des particules métalliques frittées.
De cette manière, la première couche 23, 26 du circuit de puissance 22 et/ou du circuit de commande 25 est de nature poreuse, ce qui a pour effet d'absorber les contraintes thermomécaniques engendrées par la différence de coefficients de dilatation thermique entre le dissipateur thermique 21 et le ou les composants à semi-conducteurs de puissance 24 et/ou le ou les composants de commande 27, et ainsi de limiter les risques de fissures du circuit de puissance 22 et/ou du circuit de commande 25. Le module électronique de puissance 20a est donc plus fiable. Par ailleurs, le fait que la première couche 26 du circuit de commande 25 comprenne des particules métalliques frittées permet de réaliser un circuit de commande 25 dont les pistes peuvent être à une distance minimale allant jusqu'à Ι ΟΌμηη, ce qui est impossible avec les modules électroniques de puissance de l'art antérieur dont le circuit de commande est réalisé par gravure sur la couche métallique du substrat de puissance et dont la distance minimale entre les pistes de la couche métallique supérieure doit être supérieure à 30Όμηη. Ainsi, cela évite de surdimensionner le circuit de commande 25. Cela participe également à un gain de volume et de masse, la surface nécessaire pour réaliser le circuit de commande 25 étant plus faible.
De préférence, les particules métalliques frittées de la première couche 23, 26 du circuit de puissance 22 et/ou du circuit de commande 25 sont des particules d'argent (Ag). L'argent a pour avantage d'être un bon conducteur électrique, un bon conducteur thermique, de ne pas s'oxyder à température ambiante, par exemple en comparaison du cuivre (Cu), et d'être peu coûteux, par exemple en comparaison de l'or (Au).
La première couche 23 du circuit de puissance 22 et/ou la première couche 26 du circuit de commande 25 sont par exemple obtenues par dépôt d'une pâte chargée de particules métalliques puis par frittage de ladite pâte, ladite pâte étant adaptée pour adhérer au matériau céramique du dissipateur thermique 21 après frittage de la ou des premières couches 23, 26. La pâte comprend, en plus des particules métalliques, un dispersant permettant de limiter la coagulation des particules métalliques avant le frittage et un liant organique permettant d'ajuster la viscosité de la pâte. En outre, des promoteurs d'adhérence peuvent être déposés à la surface du dissipateur thermique 21 ou dans la pâte pour permettre une meilleure adhérence entre la céramique et les particules métalliques de la pâte. Un exemple de pâte adaptée est par exemple la pâte ESL 9913 commercialisée par la société ESL ELECTROSIENCE. Alternativement, la première couche 23, 26 du circuit de puissance 22 et/ou du circuit de commande 25 est une couche de brasure ou une couche métallique déposée par électrodéposition ou dans un bain chimique. Lorsque la première couche 23, 26 est une couche de brasure, elle comprend par exemple du plomb (Pb), de l'étain (Sn), de l'indium (In), ou un alliage d'étain, d'argent et de cuivre (SnAgCu) ou d'or et d'étain (AuSn).
La première couche 23 du circuit de puissance 22 et/ou la première couche 26 du circuit de commande 25 présentent par exemple une épaisseur comprise entre 15 et 25μηη.
Lorsque la première couche 23 du circuit de puissance 22 et/ou la première couche 26 du circuit de commande 25 comprennent des particules métalliques frittées, l'épaisseur de la ou desdites premières couches 23, 26 est par exemple comprise entre 30 et 50μηη, lors de son dépôt sur le dissipateur thermique 21 et avant son frittage.
Le ou les composants à semi-conducteurs de puissance 24 et/ou les composants de commande 27 comportent par exemple du silicium (Si).
Le circuit de puissance 22 et/ou le circuit de commande 25 peuvent en outre comprendre une deuxième couche 28, 29 disposée contre la première couche 23, 26, du côté opposé au dissipateur thermique 21 , et au moyen de laquelle les composants à semi-conducteurs de puissance 24 et/ou de commande 27 sont assemblés à leur circuit 22, 25 respectif.
La deuxième couche 28, 29 comprend par exemple des particules métalliques frittées. Les particules métalliques sont de préférence des micro ou des nanoparticules métalliques. Les particules métalliques de la deuxième couche 28, 29 sont de préférence du même matériau métallique que les particules métalliques de la première couche 23, 26. En utilisant des particules métalliques du même métal pour la première couche 23, 26 et la deuxième couche 28, 29, on améliore l'adhésion des première et deuxième couches 23, 28 ; 26, 29. Les interconnexions métalliques entre les première et deuxième couches 23, 28 ; 26, 29 sont donc moins fragiles et la fiabilité du module électronique de puissance 20a à hautes températures est augmentée.
De préférence, les particules métalliques de la deuxième couche 28, 29 du circuit de puissance 22 et/ou du circuit de commande 25 sont des particules d'argent (Ag). L'argent a pour avantage d'être un bon conducteur électrique, un bon conducteur thermique, de ne pas s'oxyder à température ambiante, par exemple en comparaison du cuivre (Cu), et d'être peu coûteux, par exemple en comparaison de l'or (Au).
La deuxième couche 28 du circuit de puissance 22 et/ou la deuxième couche 29 du circuit de commande 25 sont par exemple obtenues par dépôt d'une pâte chargée de particules métalliques puis par frittage de ladite pâte, ladite pâte étant adaptée pour adhérer à la ou les premières couches 23, 26 après frittage de la ou des deuxièmes couches 28, 29. La pâte comprend, en plus des particules métalliques, un dispersant permettant de limiter la coagulation des particules métalliques avant le frittage et un liant organique permettant d'ajuster la viscosité de la pâte. Un exemple de pâte adaptée est par exemple la pâte NanoTach®-LT commercialisée par la société NBE Tech ou la pâte LOCTITE ABLESTIK SSP 2020 commercialisé par la société HENKEL.
La deuxième couche 28, 29 peut également être obtenue par dépôt d'un ou plusieurs films secs comprenant des particules métalliques, puis par frittage desdits films secs, le ou lesdits films secs étant adaptés pour adhérer à la ou les premières couches 23, 26 après frittage de la ou des deuxièmes couches 28, 29. Les films secs comprennent, en plus des particules métalliques, un dispersant permettant de limiter la coagulation des particules métalliques avant le frittage, mais contrairement aux pâtes chargées de particules métalliques, ils ne comprennent pas de liant organique. Un exemple de films secs adaptés est par exemple les films Argomax® 8010 Films commercialisés par la société Alpha.
Dans ces deux cas, les composants à semi-conducteurs de puissance 24 et/ou les composants de commande 27 sont placés sur la deuxième couche 28, 29 avant frittage, le frittage de la pâte ou du ou des films secs permettant l'adhérence des composants à semi-conducteurs de puissance 24 et/ou des composants de commande 27 à la deuxième couche 28, 29.
Les matériaux des plots de connexion électrique (non représentés) des composants à semi-conducteurs de puissance 24 et/ou des composants de commande 27 à leur circuit respectif 23, 26 ainsi que les matériaux des plots de connexion électrique entre lesdits composants 24, 27 sont choisis de manière à être compatibles en termes d'adhérence avec la pâte ou le ou les films secs à fritter. Ces matériaux sont par exemple l'argent (Ag), l'or (Au) ou le cuivre (Cu), lorsque que la pâte ou le ou les films secs comprennent des particules d'argent (Ag).
Alternativement, la deuxième couche 28, 29 est une couche de brasure. La couche de brasure 28, 29 comprend par exemple du plomb (Pb), de l'étain (Sn), de l'indium (In), ou un alliage d'étain, d'argent et de cuivre (SnAgCu) ou d'or et d'étain (AuSn).
La deuxième couche 28 du circuit de puissance 22 et/ou la deuxième couche 29 du circuit de commande 25 présentent par exemple une épaisseur comprise entre 5 et 50μηη.
Lorsque deuxième couche 28 du circuit de puissance 22 et/ou la deuxième couche 29 du circuit de commande 25 comprennent des particules métalliques frittées, l'épaisseur de la ou desdites deuxième couches 28, 29 est par exemple comprise entre 10 et Ι ΟΟμηη, lors de son dépôt sur la première couche 23, 26 et avant son frittage.
La figure 3b montre un module électronique de puissance 20b selon un deuxième mode de réalisation de l'invention. Le module électronique de puissance 20b est particulièrement adapté pour des applications nécessitant de fortes puissances et de hautes températures. Les éléments identiques entre ce module électronique de puissance 20b et le module électronique de puissance 20a selon le premier mode de réalisation de l'invention conservent les mêmes références.
Le substrat 21 peut être dans les mêmes matériaux que ceux prévus pour le dissipateur 21 de la figure 3a.
Le circuit de puissance 22 du module électronique de puissance 20b comprend en plus de la première couche 23 et de la deuxième couche 28 une couche intermédiaire 30 disposée entre lesdites première et deuxième couches 23, 28.
La couche intermédiaire 30 permet d'augmenter l'épaisseur du circuit de puissance 22 afin de lui permettre de transmettre de fortes puissances.
Des entrées et sorties de canaux de fluide de refroidissement (E et S) sont ménagées sur le dissipateur thermique 21 .
En variante ou en complément, il est également possible de prévoir sur le dissipateur 21 , voire à l'intérieure des canaux qui le traverse, des ailettes ou des picots sur lesquels circulent un fluide de refroidissement.
Des connectiques filaires 40, 40', sont prévus entre les différents composants.
De préférence, la couche intermédiaire 30 du circuit de puissance 22 comprend des particules métalliques frittées. Les particules métalliques sont de préférence des micro ou des nanoparticules métalliques. Les particules métalliques de la couche intermédiaire 30 sont de préférence du même matériau métallique que les particules métalliques de la première couche 23 et/ou de la deuxième couche 28, afin de s'assurer de la bonne adhérence entre la couche intermédiaire 30 et la première et/ou la deuxième couches 23, 28 et une meilleure fiabilité à hautes températures.
De préférence, les particules métalliques de la couche intermédiaire 30 du circuit de puissance 22 sont des particules d'argent (Ag). L'argent a pour avantage d'être un bon conducteur électrique, un bon conducteur thermique, de ne pas s'oxyder, par exemple en comparaison du cuivre (Cu), et d'être peu coûteux, par exemple en comparaison de l'or (Au).
La couche intermédiaire 30 du circuit de puissance 22 est par exemple obtenue par dépôt d'une pâte chargée de particules métalliques puis par frittage de ladite pâte, ladite pâte étant adaptée pour adhérer à la première couche 23 après frittage de la couche intermédiaire 30. La pâte comprend, en plus des particules métalliques, un dispersant permettant de limiter la coagulation des particules métalliques avant le frittage et un liant organique permettant d'ajuster la viscosité de la pâte. La même pâte peut être utilisée pour la couche intermédiaire 30 et la première ou la deuxième couches 23, 28, toutefois cela n'est pas obligatoire. Avantageusement, la deuxième couche 28 comprend la même pâte que la couche intermédiaire 30. Un exemple de pâte adaptée est par exemple la pâte NanoTach®-LT commercialisée par la société NBE Tech ou la pâte LOCTITE ABLESTIK SSP 2020 commercialisé par la société HENKEL.
Alternativement, la couche intermédiaire 30 est obtenue par dépôt d'un ou plusieurs films secs comprenant des particules métalliques, puis par frittage desdits films secs, le ou lesdits films secs étant adaptés pour adhérer à la première couche 23 du circuit de puissance 22 après frittage de la couche intermédiaire 30. Les films secs comprennent, en plus des particules métalliques, un dispersant permettant de limiter la coagulation des particules métalliques avant le frittage, mais contrairement aux pâtes chargées de particules métalliques, ils ne comprennent pas de liant organique. Les mêmes films secs peuvent être utilisés pour la couche intermédiaire 30 et la première ou la deuxième couches 23, 28, toutefois cela n'est pas obligatoire. Avantageusement, la deuxième couche 28 comprend les mêmes films secs que la couche intermédiaire 30. Un exemple de films secs adaptés est par exemple les films Argomax 8010 commercialisés par la société Alpha.
Alternativement, la couche intermédiaire 30 du circuit de puissance 22 est une couche de brasure ou une couche métallique déposée par électrodéposition ou dans un bain chimique. Lorsque la couche intermédiaire 30 du circuit de puissance 22 est une couche de brasure, elle comprend par exemple du plomb (Pb), de l'étain (Sn), de l'indium (In), ou un alliage d'étain, d'argent et de cuivre (SnAgCu) ou d'or et d'étain (AuSn).
La couche intermédiaire 30 du circuit de puissance 22 présente par exemple une épaisseur supérieure ou égale à 50 μιτι.
Lorsque la couche intermédiaire 30 du circuit de puissance 22 comprend des particules métalliques frittées, l'épaisseur de la couche intermédiaire 30 est par exemple supérieure à Ι ΟΟμηη, lors de son dépôt sur la première couche 23 et avant son frittage.
On comprendra que dans ce mode de réalisation, la pâte chargée de particules métalliques ou les films secs comprenant des particules métalliques à partir desquels la deuxième couche 28 du circuit de puissance 22 est obtenue sont adaptés pour adhérer à la couche intermédiaire 30 après frittage de ladite deuxième couche 28.
La figure 3c illustre quant à elle le cas d'une structure de module de puissance 20c qui comporte deux radiateurs en céramique 21 , 21 '. De cette façon, le refroidissement se fait des deux côtés, sur deux faces du module, permettant ainsi une meilleure dissipation thermique.
Une telle structure autorise en outre un raccordement des composants sans fil de câblage, réduisant ainsi fortement les inductances parasites. Grâce au refroidissement sur les deux faces, elle est en outre particulièrement adaptée pour des applications nécessitant de fortes puissances et une tenue aux hautes températures.
Sur la figure 3c, on a repris pour les éléments de ce module qui se retrouvent sur le module électronique de puissance 20b selon le deuxième mode de réalisation de l'invention la même numérotation de référence que sur la figure 3b.
Les éléments 40 et 40' permettant d'interconnecter les différents composants du module 20b sont éliminés et remplacés par les éléments 26', 29' ,28', 30', 23' permettant d'assurer la connexion électrique et le transfert du flux thermique vers l'élément 21 ' qui est de la même nature que l'élément 21 .
Un ou plusieurs éléments 50 sont prévus sur les circuits de puissance et de commande pour permettre une compensation de hauteur entre les circuits de haut et les circuits de bas.
Le ou les éléments 50 est/sont constitué(s) d'un métal massif de préférence en Argent ou Cuivre.
Les éléments 21 ',23', 26', 30', 28' et 29' sont quant à eux réalisés de la même façon que les éléments 21 ,23,26,30,28,29. La figure 4a montre un procédé 100a pour fabriquer un module électronique de puissance 20a selon un premier mode de réalisation de l'invention. Le procédé 20a est particulièrement adapté pour fabriquer des modules électroniques de puissance 20a pour des applications ne nécessitant pas de fortes puissances ni de hautes températures.
Le procédé 100a comprend les étapes suivantes de :
- réalisation 101 , 102 d'une première couche 23 électriquement conductrice sur un dissipateur thermique 21 au moins en partie en matériau céramique, de sorte à former un circuit de puissance 22 sur ledit dissipateur thermique 21 ,
- réalisation 101 , 102 d'une première couche 26 électriquement conductrice sur le dissipateur thermique 21 , de sorte à former un circuit de commande 25 sur ledit dissipateur thermique 21 ,
- assemblage 105 d'au moins un composant à semi-conducteur de puissance 24 avec le circuit de puissance 22 et d'au moins un composant de commande 27 avec le circuit de commande 25.
Le procédé 100a permet ainsi de réaliser sur un même support, le dissipateur thermique 21 , le circuit de puissance 22 et le circuit de commande 25, au lieu de réaliser le circuit de puissance et le circuit de commande sur un support séparé rapporté l'un sur l'autre dans une étape ultérieure. Le procédé 100a simplifie donc la fabrication du module de puissance 20a. Par ailleurs, le procédé 100a permet de réaliser simultanément le circuit de puissance 22 et le circuit de commande 25, les premières couches 23, 26 étant déposées en même temps sur le dissipateur thermique 21 . Tout cela représente un gain de temps ainsi qu'un gain d'argent.
Avantageusement, les étapes de réalisation 101 , 102 des premières couches 23, 26 et/ou d'assemblage 105 du circuit de puissance 22 et du circuit de commande 25 sont réalisées simultanément pour les deux circuits 22, 25.
De préférence, la première couche 23, 26 du circuit de puissance 22 et/ou du circuit de commande 25 est réalisée comme suit :
- dépôt 101 d'une première couche 23, 26 d'une pâte chargée de particules métalliques sur le dissipateur thermique 21 , de sorte à former le circuit de puissance 22 et/ou le circuit de commande 25 sur ledit dissipateur thermique 21 , ladite pâte étant adaptée pour adhérer au matériau céramique du dissipateur thermique 21 après frittage de ladite première couche 23, 26, - frittage 102 de la première couche 23, 26.
Le fait que le circuit de puissance 22 et/ou le circuit de commande 25 soient réalisés par dépôt 101 d'une première couche 23, 26 d'une pâte chargée de particules métalliques puis par frittage 102 de ladite première couche 23, 26 est particulièrement avantageux. En effet, le frittage 102 d'une telle pâte permet d'obtenir une première couche 23, 26 et donc un circuit de puissance 22 et/ou de commande 25 de nature poreuse, qui absorbe bien les contraintes thermomécaniques. Cela permet de limiter les risques de fissures du circuit de puissance 22 et/ou du circuit de commande 25. Le module électronique de puissance 20a ainsi fabriqué est donc plus fiable. Par ailleurs, le frittage 102 permet d'assurer une bonne adhérence entre le matériau céramique du dissipateur thermique 21 et les particules métalliques de la première couche 23, 26.
Par ailleurs, le dépôt 101 d'une première couche 26 d'une pâte chargée de particules métalliques est particulièrement avantageux car il permet de réaliser un circuit de commande 25 dont les pistes peuvent être à une distance minimale de 150μηη, ce qui est impossible avec les procédés de fabrication connus dans lesquels le circuit de commande est réalisé par gravure sur la couche métallique supérieure du substrat de puissance ce qui nécessite une distance minimale supérieure à 300μηη entre les pistes de la couche métallique supérieure. Autrement dit, cela permet de réaliser un circuit de commande 25, et donc de fabriquer un module électronique de puissance 20a, qui ne sont pas surdimensionnés. Avantageusement, les étapes de dépôt 101 , de frittage 102 pour chacune des premières couches 23, 26 du circuit de puissance 22 et du circuit de commande 25 sont réalisées simultanément. Le procédé 100a peut en outre comprendre une étape de connexion 106 des composants à semi-conducteurs de puissance 24 entre eux et le cas échéant avec les composants de commande 27. La ou les premières couches 23, 26 sont par exemple déposées par sérigraphie ou par impression sur le dissipateur thermique 21 .
De préférence, la ou les premières couches 23, 26 sont déposées 101 directement sur le dissipateur thermique 21 .
La ou les premières couches 23, 26 sont par exemple déposées 101 sur une épaisseur comprise entre 30 et 50μηη.
Le frittage 102 de la ou des premières couches 23, 26 est par exemple réalisé par recuit. Le recuit 102 est réalisé à hautes températures, notamment à une température comprise entre 500 et 1000°C, plus préférentiellement à une température comprise entre 650 et 800°C. De telles températures permettent d'améliorer l'adhérence entre les premières couches 23, 26 des circuits de puissance 22 et de commande 25 et le dissipateur thermique 21 .
L'assemblage 105 des composants à semi-conducteurs de puissance 24 et des composants de commande 27 est par exemple réalisé au moyen d'une deuxième couche 28, 29 électriquement conductrice, disposée sur la première couche 23 formant le circuit de puissance 22 et sur la première couche 26 formant le circuit de commande 25.
De préférence, l'assemblage 105 des composants à semi-conducteurs de puissance 24 et/ou de commande 27 est réalisé comme suit :
- dépôt 105a d'une deuxième couche 28, 29 sur la première couche 23 formant le circuit de puissance 22 et sur la première couche 26 formant le circuit de commande 25, la deuxième couche 28, 29 comprenant une pâte chargée particules métalliques ou un ou plusieurs films secs comprenant des particules métalliques, ladite pâte ou le(s)dit(s) film(s) sec(s) étant adaptés pour adhérer à la ou aux premières couches 23, 26 après frittage de la ou des deuxièmes couches 28, 29,
- mise en place 105b des composants à semi-conducteurs de puissance 24 et des composants de commande 27 sur la deuxième couche 28, 29 correspondant à leur circuit respectif 22, 25, et
- frittage 105c des deuxièmes couches 28, 29.
Le dépôt 105a et le frittage 105b d'une pâte chargée de particules métalliques ou de films secs comprenant des particules métalliques présentent l'avantage d'obtenir une deuxième couche 28, 29 de nature poreuse qui absorbe bien les contraintes thermomécaniques engendrées par la différence de coefficient de dilatation thermique entre le dissipateur thermique 21 et les composants à semi-conducteurs de puissance 24 et les composants de commande 27. Cela permet de limiter les risques de fissures du circuit de puissance 22 et/ou du circuit de commande 25. Le module électronique de puissance 20a ainsi fabriqué est donc plus fiable. Le frittage 105c permet en outre d'assurer une bonne adhérence entre la première couche 23, 26 et les particules métalliques de la deuxième couche 28, 29 et entre les composants à conducteurs de puissance 22 et de commande 27 et la deuxième couche 28, 29.
La ou les deuxièmes couches 28, 29 sont par exemple déposées 104a par sérigraphie ou par impression sur la ou les premières couches 23, 26.
La ou les deuxièmes couches 28, 29 sont par exemple déposées 104a localement sur des zones de la ou les premières couches 23, 26 recevant les composants à semi-conducteurs de puissance 24 et le cas échéant de commande Les films secs peuvent en outre être déposés 105a sous forme d'une ou plusieurs préformes comprenant une feuille de métal interposée entre deux films secs de particules métalliques. La feuille de métal comprend de préférence le même métal que les particules métalliques. Un exemple de préformes adaptées est les préformes Argomax® 9000 Preforms commercialisées par la société ALPHA.
La ou les deuxièmes couches 28, 29 sont par exemple déposées 105a sur une épaisseur comprise 10 et Ι ΟΟμιτι.
Le frittage 105c de la ou des deuxièmes couches 28, 29 est par exemple réalisé par recuit. Le recuit 105c est réalisé à une température comprise entre 200 et 350°C.
Le recuit 105c peut en outre être réalisé avec ou sans pression appliquée sur la ou les deuxièmes couches 28, 29. Lorsque le recuit 105c est réalisé avec pression, une pression est appliquée à la pâte ou au(x) film(s) sec(s) en appuyant sur les composants à semi-conducteurs de puissance 24 et/ou les composants de commande 27. La pression à appliquer lors du recuit 105c est par exemple comprise entre 2 et 10MPa.
Alternativement, l'assemblage 105 des composants à semi-conducteurs de puissance 24 et des composants de commande 27 est par exemple réalisé de la manière suivante :
- dépôt 105d d'une deuxième couche 28, 29 métallique sur la première couche 23 formant le circuit de puissance 22 et sur la première couche
26 formant le circuit de commande 25,
- mise en place 105e des composants à semi-conducteurs de puissance 24 et des composants de commande 27 sur la deuxième couche 28, 29 métallique correspondant à leur circuit respectif 22, 25, et - brasage 105f des deuxièmes couches 28, 29 métallique, de sorte à former des deuxièmes couches de brasure 28, 29.
Les deuxièmes couches 28, 29 métalliques sont par exemple déposées 104d localement sur des zones de la ou les premières couches 23, 26 recevant les composants à semi-conducteurs de puissance 24 et le cas échéant de commande 27.
La deuxième couche 28, 29 métallique comprend par exemple du plomb (Pb), de l'étain (Sn), de l'indium (In), ou un alliage d'étain, d'argent et de cuivre (SnAgCu) ou d'or et d'étain (AuSn).
La ou les deuxièmes couches 28, 29 sont par exemple déposées 105a, 105d sur une épaisseur comprise 10 et 10Ομιτι.
La figure 4b montre un procédé 100b pour fabriquer un module électronique de puissance 20b selon un deuxième mode de réalisation de l'invention. Le procédé 20b est particulièrement adapté pour fabriquer des modules électroniques de puissance 20b pour des applications nécessitant de fortes puissances et de hautes températures. Les éléments identiques entre ce procédé 100b et le procédé 100a selon le premier mode de réalisation de l'invention conservent les mêmes références.
Le procédé 100b comprend, préalablement à l'étape d'assemblage 105, une étape de réalisation 103, 104 d'une couche intermédiaire 30 électriquement conductrice, disposée sur la première couche 23 formant le circuit de puissance 22.
La réalisation 103, 104 de la couche intermédiaire 30 permet d'augmenter l'épaisseur du circuit de puissance 22 afin de lui permettre de transmettre de fortes puissances. De préférence, la couche intermédiaire 30 est réalisée comme suit :
- dépôt 103 d'une couche intermédiaire 30 sur la première couche 23 formant le circuit de puissance 22, la couche intermédiaire 30 comprenant une pâte chargée de particules métalliques ou un ou plusieurs films secs comprenant des particules métalliques, ladite pâte ou le(s)dit(s) film(s) sec(s) étant adaptés pour adhérer à la première couche 23 après frittage de la couche intermédiaire 30,
- frittage 104 de la couche intermédiaire 30.
Le dépôt 103 et le frittage 104 d'une pâte chargée de particules métalliques ou de films secs comprenant des particules métalliques présentent l'avantage d'obtenir une couche intermédiaire 30 de nature poreuse qui absorbe bien les contraintes thermomécaniques. Cela permet de limiter les risques de fissures du circuit de puissance 22. Le module électronique de puissance 20a ainsi fabriqué est donc plus fiable. Le frittage 104 permet en outre d'assurer une bonne adhérence entre la première couche 23 et les particules métalliques de la couche intermédiaire 30.
On comprendra que dans ce cas, lors de l'assemblage 105 des composants à semi-conducteurs de puissance 24 au circuit de puissance 22, la deuxième couche 28 est déposée 105a, 105d sur la couche intermédiaire 30 et non pas sur la première couche 23. En particulier, lorsque la deuxième couche 28 du circuit de puissance 22 est réalisée par dépôt 104a d'une pâte ou d'un ou plusieurs films secs, ladite pâte ou lesdits films secs sont adaptés pour adhérer à la couche intermédiaire 30 après frittage de ladite deuxième couche 28. Le cas échéant, le frittage 105b de la deuxième couche 28 permet d'assurer une bonne adhérence entre le la couche intermédiaire 30 et les particules métalliques de la deuxième couche 28.
La couche intermédiaire 30 est par exemple déposée 104 par sérigraphie ou par impression sur la première couche 23 formant le circuit de puissance 22. Les films secs peuvent en outre être déposés 103 sous forme d'une ou plusieurs préformes comprenant une feuille de métal interposée entre deux films secs de particules métalliques. La feuille de métal comprend de préférence le même métal que les particules métalliques. Un exemple de préformes adaptées est les préformes Argomax® 9000 Preforms commercialisées par la société ALPHA.
La couche intermédiaire 30 du circuit de puissance 22 présente par exemple une épaisseur supérieure ou égale à 10Ομιτι.
Le frittage 104 de la couche intermédiaire 30 est par exemple réalisé par recuit. Le recuit 104 est réalisé à une température comprise entre 200 et 350°C.
Le recuit 104 peut en outre être réalisé avec ou sans pression appliquée sur la couche intermédiaire 30. Lorsque le recuit 104 est réalisé avec pression, une plaque est appliqué contre la pâte ou le(s) film(s) de la couche intermédiaire 30, afin d'appliquer une pression à la pâte ou au(x) film(s) pendant le recuit 104. La plaque est ensuite retirée. La pression à appliquer lors du recuit 104 est par exemple comprise entre 2 et 10MPa.
Le matériau de la plaque est de préférence choisi de sorte à ne pas adhérer à la pâte ou au(x) film(s) sec(s). Lorsque la pâte ou le(s) film(s) comprennent de la poudre d'argent (Ag), la plaque est par exemple en verre, en aluminium, en téflon ou en oxyde d'aluminium (AI2O3). Les modules électroniques de puissance 20a, 20b décrits ci-dessus présentent l'avantage d'être fiables à hautes températures, c'est-à-dire à des températures supérieures à 150°C, et de présenter une très faible résistance thermique comparativement aux modules électroniques de puissance connus de l'art antérieur. En particulier, les matériaux des modules électroniques de puissance 20a, 20b sont tous compatibles avec des températures supérieures à 300°C, notamment lorsque des poudres métalliques de même matériau sont utilisées pour les première et deuxième couches 23, 26, 28, 29 et pour la couche intermédiaire 30. Ces modules électroniques de puissance 20a, 20b présentent donc l'avantage de pouvoir être utilisés dans des environnements sévères, par exemple à hautes températures de stockage, ou dans des conditions de fonctionnement avec de grandes variations de température. Autrement dit, les modules électroniques de puissance 20a, 20b peuvent être intégrés à des dispositifs convertisseurs d'alimentation électrique qui seront situés dans des zones de l'aéronef où la température ambiante peut dépasser 150 °C. Cela permet ainsi un gain de rendement, d'espace, de masse et de coût pour l'aéronef.
Les modules électroniques de puissance 20a, 20b permettent également de s'affranchir des limites thermiques de la couche de matériau d'interface thermique des modules électroniques de puissance de l'art antérieur, et de celles de la multiplicité des couches entre les composants à semi-conducteurs de puissance et le dissipateur thermique, notamment de la multiplicité des couches de brasures entre lesdits composants à semi-conducteurs de puissance et le dissipateur thermique. Les modules électroniques de puissance 20a, 20b permettent en outre de s'affranchir des limites thermomécaniques des substrats présentant une couche électriquement isolante en céramique des modules électroniques de puissance de l'art antérieur, notamment des problèmes liés à la flèche de ces substrats.
Les modules électroniques de puissance 20a, 20b précédemment décrits permettent en outre d'avoir sur un même support, le dissipateur thermique 21 , le circuit de puissance 22 et le circuit de commande 23, lesdits circuits de puissance 22 et de commande 23 étant alors très proches l'un de l'autre ce qui a pour effet de minimiser les inductances parasites entre lesdits circuits 22, 23 ainsi que les coûts.
Les modules électroniques de puissance 20a, 20b présentent également l'avantage d'avoir une masse et un volume réduits ce qui est particulièrement intéressant dans le domaine de l'aéronautique où il est primordial de limiter le volume et la masse des équipements embarqués de l'aéronef.
Dans le mode de mise en œuvre illustré sur la figure 4c (réalisation d'un module selon la figure 3c), on procède de la façon suivante.
Les premières couches 26, 26', et 23, 23', sont déposées sur les deux dissipateurs thermiques 21 , 21 ', de sorte à former les circuits de commande et de puissance (étape 201 ).
Ces premières couches font ensuite (ou dans le cadre d'une même étape que le dépôt) l'objet d'un frittage (étape 202).
Puis des couches intermédiaires 30, 30', sont déposées sur ces premières couches pour former les circuits de puissance et de commande (étape 203).
Ces couches intermédiaires font elles-mêmes l'objet d'un frittage (étape
204).
Des composants de puissance et de commande ainsi que des éléments de compensation de hauteur 50 sont ensuite assemblés sur les circuits de puissance et de commande que réalisent les couches intermédiaires frittées (étape 205).
A cet effet, une deuxième couche est déposée sur les circuits de puissance et de commande ainsi constitués (étape 206), puis les différents composants ou éléments de compensation de hauteur sont mis en place sur celle-ci (étape 207).
Une couche similaire à la deuxième couche est ensuite déposée sur les couches intermédiaires formant le circuit de puissance et de commande de l'autre dissipateur 21 ' (étape 208).
Les deux dissipateurs 21 et 21 ' et les différents éléments ainsi mis en place sur ceux-ci sont ensuite rapportés l'un sur l'autre et frittés (étape 209).

Claims

REVENDICATIONS
1 . Module électronique de puissance (20a, 20b, 20c) d'un aéronef comprenant :
- au moins un substrat (21 ) en un matériau électriquement isolant à base de matériau céramique,
- un circuit de puissance (22) comprenant une première couche (23) électriquement conductrice, disposée contre ladite couche (21 ) en un matériau électriquement isolant,
- un circuit de commande (25) comprenant une première couche (26) électriquement conductrice, disposée contre la couche (21 ) en un matériau électriquement isolant,
- au moins un composant à semi-conducteur de puissance (24) et au moins un composant de commande (27) respectivement assemblés au circuit de puissance (22) et au circuit de commande (25),
caractérisé en ce que le substrat en matériau céramique est un dissipateur thermique.
2. Module selon la revendication 1 , dans lequel le matériau céramique présente une conductivité thermique supérieure à 50W/mk.
3. Module électronique de puissance (20a, 20b, 20c) selon la revendication 1 ou selon la revendication 2, dans lequel le matériau céramique présente un coefficient de dilatation thermique compris entre 1 et 8 ppm/°C.
4. Module selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel le dissipateur thermique présente des canaux, ailettes ou picots et dans lequel un fluide de refroidissement est circulé sur ceux-ci.
5. Module électronique de puissance (20a, 20b, 20c) selon l'une des revendication 1 à 4, dans lequel le circuit de puissance (22) et le circuit de commande (25) comprennent en outre une deuxième couche (28, 29) électriquement conductrice, disposée contre la première couche (23, 26), du côté opposé au dissipateur thermique (21 ), et au moyen de laquelle les composants à semi-conducteurs de puissance (24) et les composants de commande (27) sont assemblés à leur circuit de puissance (22) ou de commande (25) respectif.
6. Module électronique de puissance (20b) selon la revendication 5, dans lequel le circuit de puissance (22) comprend une couche intermédiaire (30) électriquement conductrice, disposée entre lesdites première et deuxième couches (23, 28).
7. Module électronique de puissance (20a, 20b, 20c) selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel :
- la première couche (23, 26) du circuit de puissance (22) et/ou du circuit de commande (25) comprend des particules métalliques frittées, et/ou
- la deuxième couche (28, 29) du circuit de puissance (22) et/ou du circuit de commande (25) comprend des particules métalliques frittées, et/ou
- la couche intermédiaire (30) du circuit de puissance (22) comprend des particules métalliques frittées.
8. Module électronique de puissance (20a, 20b, 20c) selon la revendication 7, dans lequel :
- les particules métalliques de la deuxième couche (28, 29) du circuit de puissance (22) et/ou du circuit de commande (25) sont du même matériau que les particules métalliques de la première couche (23, 26) du circuit de puissance (22) et/ou du circuit de commande (25), et/ou
- les particules métalliques de la couche intermédiaire (30) du circuit de puissance (22) sont du même matériau que les particules métalliques de la première et/ou de la deuxième couche (23, 28) du circuit de puissance (22).
9. Module électronique de puissance (20a, 20b, 20c) selon la revendication 7 ou la revendication 8, dans lequel :
- les particules métalliques de la première couche (23, 26) du circuit de puissance (22) et/ou du circuit de commande (25) comprennent de l'argent, et/ou
- les particules métalliques de la deuxième couche (28, 29) du circuit de puissance (22) et/ou du circuit de commande (25) comprennent de l'argent, et/ou
- les particules métalliques de la couche intermédiaire (30) comprennent de l'argent.
10. Module électronique de puissance (20a, 20b, 20c) selon l'une des revendications précédentes, comportant deux radiateurs en céramique (21 , 21 ') s'étendant d'un côté et de l'autre des composants de puissance (24) et de commande (27).
1 1 . Module électronique selon la revendication 10, qui comprend au moins un élément de compensation de hauteur entre au moins un composant de puissance (24) et de commande (27) et au moins un circuit de puissance et de commande contre un radiateur (21 , 21 ') en matériau céramique,
12. Procédé (100a, 100b, 100c) pour fabriquer un module électronique de puissance (20a, 20b, 20c) d'un aéronef selon l'une des revendications 1 à 1 1 , comprenant les étapes de :
- réalisation (101 , 102) d'une première couche électriquement conductrice sur un dissipateur thermique (21 ) au moins en partie en matériau céramique, de sorte à former un circuit de puissance (22) sur ledit dissipateur thermique (21 ), - réalisation (101 , 102) d'une première couche électriquement conductrice sur le dissipateur thermique (21 ), de sorte à former un circuit de commande (25) sur ledit dissipateur thermique (21 ),
- assemblage (105) d'au moins un composant à semi-conducteur de puissance (24) avec le circuit de puissance (22) et d'au moins un composant de commande (27) avec le circuit de commande (25).
13. Procédé (100a, 100b) selon la revendication 12, dans lequel la première couche (23, 26) du circuit de puissance (22) et/ou du circuit de commande (25) est réalisée suivant les étapes de :
- dépôt (101 ) d'une première couche (23, 26) d'une pâte chargée de particules métalliques sur le dissipateur thermique (21 ), de sorte à former le circuit de puissance (22) et/ou le circuit de commande (25) sur ledit dissipateur thermique (21 ), ladite pâte étant adaptée pour adhérer au matériau céramique du dissipateur thermique (21 ) après frittage de ladite première couche (23, 26),
- frittage (102) de la première couche (23, 26).
14. Procédé (100b) selon la revendication 12 ou la revendication 13, comprenant en outre, préalablement à l'étape d'assemblage (105), les étapes de :
- dépôt (103) d'une couche intermédiaire (30) sur la première couche (23) formant le circuit de puissance (22), la couche intermédiaire (30) comprenant une pâte chargée de particules métalliques ou un ou plusieurs films secs comprenant des particules métalliques, ladite pâte ou le(s)dit(s) film(s) sec(s) étant adaptés pour adhérer à la première couche (23) après frittage de la couche intermédiaire (30),
- frittage (104) de la couche intermédiaire (30).
15. Procédé (100a, 100b) selon l'une des revendications 12 à 14, dans lequel l'assemblage (105) du ou des composants à semi-conducteur de puissance (24) et/ou du ou des composants de commande (27) comprend les étapes de :
- dépôt (105a) d'une deuxième couche (28, 29) sur la première couche (23) formant le circuit de puissance (22) et/ou sur la couche intermédiaire (30) et/ou sur la première couche (26) formant le circuit de commande (25), la deuxième couche (28, 29) comprenant une pâte chargée de particules métalliques ou un ou plusieurs films secs comprenant des particules métalliques, ladite pâte ou le(s)dit(s) film(s) sec(s) étant adaptés pour adhérer à la première couche (23) formant le circuit de puissance (22) et/ou sur la couche intermédiaire (30) et/ou sur la première couche (26) formant le circuit de commande (25) après frittage de ladite ou desdites deuxièmes couches (28, 29),
- mise en place (105b) du ou des composants à semi-conducteur de puissance 24 et/ou du ou des composants de commande (27) sur leur deuxième couche (28, 29) respective, et
- frittage (105c) de la ou des deuxièmes couches (28, 29).
16. Procédé (100a, 100b) selon l'une des revendications 12 à 14, dans lequel on met en œuvre les étapes de :
- réalisation (101 , 102) d'un circuit de puissance (22) et d'un circuit de commande sur deux dissipateurs thermiques (21 , 21 '),
- assemblage (105) d'au moins un composant à semi-conducteur de puissance (24) avec un circuit de puissance (22) et d'au moins un composant de commande (27) avec le circuit de commande (25),
- mise en place d'au moins un composant de compensation de hauteur (50),
- mise en place et frittage des deux dissipateurs thermiques l'un sur l'autre.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021047815A1 (fr) * 2019-09-12 2021-03-18 Tdk Electronics Ag Système de refroidissement

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013171136A1 (fr) 2012-05-16 2013-11-21 Sagem Defense Securite Agencement de module electronique de puissance

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61230346A (ja) * 1985-04-04 1986-10-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体素子冷却装置
KR100342589B1 (ko) * 1999-10-01 2002-07-04 김덕중 반도체 전력 모듈 및 그 제조 방법
DE102005036116B4 (de) * 2005-08-01 2012-03-22 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleitermodul
JP2008124430A (ja) * 2006-10-18 2008-05-29 Hitachi Ltd パワー半導体モジュール
EP2155628A2 (fr) * 2007-04-24 2010-02-24 CeramTec AG Composant présentant un corps céramique métallisé
US8207607B2 (en) * 2007-12-14 2012-06-26 Denso Corporation Semiconductor device with resin mold
KR101343233B1 (ko) * 2011-11-28 2013-12-18 삼성전기주식회사 전력 모듈 패키지
DE202015001441U1 (de) * 2015-02-24 2015-03-18 Vincotech Gmbh Leistungshalbleitermodul mit kombinierten Dickfilm- und Metallsinterschichten

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013171136A1 (fr) 2012-05-16 2013-11-21 Sagem Defense Securite Agencement de module electronique de puissance

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021047815A1 (fr) * 2019-09-12 2021-03-18 Tdk Electronics Ag Système de refroidissement
US20220293490A1 (en) * 2019-09-12 2022-09-15 Tdk Electronics Ag Cooling system

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