WO2017191786A1 - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents

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優人 塚本
精一 三ツ井
伸一 川戸
井上　智
勇毅 小林
越智　貴志
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シャープ株式会社
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    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole

Definitions

  • a display device provided with an EL element can emit light at a low voltage, has a wide viewing angle because of being self-luminous, has high visibility, and is a thin-film type completely solid element. It attracts attention from the viewpoint of portability.
  • the EL element has a configuration in which a light emitting layer containing a light emitting material is sandwiched between a cathode and an anode.
  • An EL element injects electrons and holes (holes) into a light emitting layer and recombines them to generate excitons, and emits light by utilizing light emission when the excitons are deactivated.
  • a vapor deposition method such as a vacuum vapor deposition method is mainly used. Formation of a full-color organic EL display device using such a vapor deposition method is roughly classified into a white CF (color filter) method and a coating method.
  • the white CF method has a problem that power consumption is large because there is energy loss due to the color filter and the drive voltage becomes high. Further, such a white light-emitting EL element has a demerit that the number of layers is large and a color filter is required, so that the manufacturing cost becomes very high.
  • Patent Document 1 for example, two subpixels are provided as a common layer in two subpixels provided with a common layer, for example, a G or R subpixel is provided with a yellow or orange light emitting layer as a common layer.
  • a common layer having an emission peak of an intermediate color of the spectrum is provided. For this reason, even if an attempt is made to enhance a desired color by the optical interference effect, color misregistration occurs or efficiency is lowered, and it is difficult to improve the color reproducibility of a single color.
  • the light-emitting device of Patent Document 1 has a problem in light distribution characteristics.
  • the present invention has been made in view of the above-described conventional problems, and the purpose thereof is to reduce the color mixing prevention margin by reducing the possibility of color mixing than a display device using a conventional coating method,
  • An object of the present invention is to provide a display device and a method for manufacturing the same that can achieve higher definition more easily and can achieve both high chromaticity and low power consumption.
  • a display device includes a plurality of pixels including a first subpixel, a second subpixel, a third subpixel, and a fourth subpixel.
  • the first light emitting layer containing the first fluorescent light emitting material is provided in common to the first subpixel and the second subpixel, and the second light emitting material containing the second fluorescent light emitting material is used.
  • a light emitting layer is provided in common to the second subpixel and the third subpixel, and a third light emitting layer including a third light emitting material includes the second subpixel and the fourth subpixel.
  • the energy level of the lowest excited singlet state of the second fluorescent luminescent material is higher than the energy level of the lowest excited singlet state of the first fluorescent luminescent material.
  • the distance between the opposing surfaces of the first light-emitting layer and the second light-emitting layer is equal to or less than the Forster radius, and the third light-emitting layer and the first light-emitting layer And the light emitting layer located on the third light emitting layer side of the second light emitting layer is laminated via a separate layer that inhibits Forster type energy transfer, and in the first subpixel, The first fluorescent light emitting material emits light, and the light emitted from the first fluorescent light emitting material is emitted to the outside. In the second subpixel and the third subpixel, the second fluorescent light emitting material emits light.
  • the light emitting material emits light, and the light emitted from the second fluorescent light emitting material is emitted to the outside.
  • the third light emitting material emits light, and light is emitted from the third light emitting material.
  • the emitted light is emitted to the outside, and the first fluorescent light-emitting material is
  • the second fluorescent light emitting material emits light having a second peak wavelength longer than the first peak wavelength, and the third light emitting material Light having a third peak wavelength longer than the second peak wavelength is emitted.
  • a method for manufacturing a display device includes a pixel including a first subpixel, a second subpixel, a third subpixel, and a fourth subpixel.
  • the first fluorescent light emitting material emits light
  • the light emitted from the first fluorescent light emitting material is emitted to the outside
  • the second subpixel and the first subpixel are emitted.
  • the third sub-pixel the second fluorescent light-emitting material emits light
  • the light emitted from the second fluorescent light-emitting material is emitted to the outside.
  • the third light-emitting material emits light.
  • the first light-emitting layer and the second light-emitting layer so that the distance between the opposing surfaces of the first light-emitting layer and the second light-emitting layer is equal to or less than the Forster radius.
  • the lowest excited singlet state energy level is lower than the lowest excited singlet state energy level of the first fluorescent light-emitting material, and A fluorescent material that is higher than the energy level of the lowest excited singlet state of the light-emitting material 3 is used.
  • the first light emitting layer is provided in common to the first subpixel and the second subpixel, and the second light emitting layer is provided with the second subpixel and the second subpixel. Since the third sub-pixel is provided in common and the third light-emitting layer is provided in common to the second sub-pixel and the fourth sub-pixel, the first light-emitting layer and the second sub-pixel are provided.
  • the light emitting layer and the third light emitting layer can be linearly deposited.
  • the first light emitting layer, the second light emitting layer, and the third light emitting layer are stacked.
  • Forster-type energy transfer from the light-emitting layer to the second light-emitting layer, while Förster-type energy transfer from the first light-emitting layer and the second light-emitting layer to the third light-emitting layer Therefore, only the second fluorescent light emitting material emits light.
  • the second fluorescent light-emitting material that is the light-emitting material of the second light-emitting layer has a lowest singlet excited state energy level than the first fluorescent light-emitting material that is the light-emitting material of the first light-emitting layer. Since the distance between the opposing surfaces of the first light-emitting layer and the second light-emitting layer is less than or equal to the Forster radius, holes and electrons on the first light-emitting layer Even if they are recombined, the second fluorescent light-emitting material emits almost 100% due to Forster-type energy transfer.
  • the first light-emitting layer, the second light-emitting layer, and the third light-emitting layer can be linearly deposited, and the second sub-pixel
  • the second sub-pixel since it is difficult for color mixing to occur despite the fact that a plurality of light-emitting layers are laminated, it is possible to reduce the evaporation margin for preventing color mixing compared to a display device using a conventional coating method. High definition can be realized more easily than a display device using a coating method.
  • the display device does not require a CF layer or an optical interference effect unlike the white CF method or Patent Document 1 in spite of having the light emitting layer laminated structure as described above. And deterioration of the light distribution characteristics can be avoided. For this reason, both high chromaticity and low power consumption can be achieved.
  • the possibility of color mixing is reduced as compared with a display device using a conventional coating method, thereby reducing the evaporation margin for preventing color mixing and realizing higher definition more easily.
  • a display device that can achieve both high chromaticity and low power consumption can be provided.
  • the possibility of color mixing is reduced as compared with a display device using a conventional coating method, thereby reducing the evaporation margin for preventing color mixing and realizing higher definition more easily.
  • a display device that can achieve both high chromaticity and low power consumption can be provided.
  • (A)-(c) is a top view which shows the manufacturing process of the light emitting layer unit in the organic electroluminescence display concerning Embodiment 3 of this invention in order of a process.
  • (A) is a figure explaining a Förster transition
  • (b) is a figure explaining a Dexter transition
  • (c) is a figure explaining a TADF material. It is a figure which shows typically the light emission principle in the 1st green subpixel of an organic EL display apparatus concerning Embodiment 6 of this invention, and a red subpixel.
  • (A) * (b) is a figure which shows typically the other example of the laminated structure of the light emitting layer unit concerning Embodiment 7 of this invention, respectively. It is a figure which shows typically the laminated structure in the light emitting layer unit of the organic electroluminescence display concerning Embodiment 8 of this invention. It is sectional drawing which shows an example of schematic structure of the organic electroluminescent display apparatus concerning Embodiment 8 of this invention. It is a flowchart which shows the flow of the manufacturing process of the principal part of the organic electroluminescence display concerning Embodiment 8 of this invention. It is a figure which shows typically the laminated structure in the light emitting layer unit of the organic electroluminescence display concerning Embodiment 9 of this invention.
  • Embodiment 1 An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing the light emission principle in the light emitting layer unit 33 of the organic EL display device 1 according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing a laminated structure in the light emitting layer unit 33 of the organic EL display device 1 according to the present embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram schematically illustrating a pixel arrangement of the organic EL display device 1 according to the present embodiment.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating an example of a schematic configuration of the organic EL display device 1 according to the present embodiment.
  • FIG. 4 shows an example of a schematic configuration of one pixel region shown in FIG. 3 surrounded by an alternate long and short dash line, corresponding to a cross section taken along line L1-L2 of the organic EL display device 1 shown in FIG.
  • the organic EL display device 1 has, for example, a configuration in which a TFT (Thin Film Transistor) thin film transistor (TFT) substrate 10 and a sealing substrate 40 are bonded together via a sealing material (not shown). .
  • TFT Thin Film Transistor
  • a plurality of organic EL elements 20 that emit light of each color are provided on the TFT substrate 10.
  • the organic EL element 20 is sealed between a pair of substrates including the TFT substrate 10 and the sealing substrate 40.
  • a filler layer (not shown) is provided between the TFT substrate 10 on which the organic EL element 20 is laminated and the sealing substrate 40.
  • the TFT substrate 10 is rectangular will be described as an example.
  • the organic EL display device 1 is a top emission type display device that extracts light from the sealing substrate 40 side. This will be described in more detail below.
  • the TFT substrate 10 is a circuit substrate on which a TFT circuit including the TFT 12 and the wiring 14 is formed.
  • the TFT substrate 10 includes an insulating substrate 11 (not shown) as a support substrate.
  • the insulating substrate 11 is not particularly limited as long as it has insulating properties.
  • various known insulating substrates such as an inorganic substrate such as a glass substrate or a quartz substrate, a plastic substrate made of polyethylene terephthalate or polyimide resin, and the like can be used.
  • the insulating substrate 11 is made of a semiconductor substrate such as a silicon wafer, aluminum (Al), iron (Fe), or the like.
  • Translucent such as a substrate in which an insulator made of silicon oxide or an organic insulating material is coated on the surface of a metal substrate, a substrate in which the surface of a metal substrate made of Al, etc. is insulated by a method such as anodization
  • a non-insulating substrate may be used.
  • the light emitting region 4 of the organic EL element 20 that emits red (R), green (G), and blue (B) light is provided in the region surrounded by the wiring 14.
  • a region surrounded by these wirings 14 is one sub-pixel 3 (dot), and R, G, and B light-emitting regions 4 are defined for each sub-pixel 3.
  • each pixel 2 (that is, one pixel) is composed of four sub-pixels 3B, 3G1, 3G2, and 3R. These sub-pixels 3B, 3G1, 3G2, and 3R are provided with organic EL elements 20B, 20G1, 20G2, and 20R of corresponding emission colors as the organic EL elements 20, respectively.
  • the sub-pixel 3B (first sub-pixel, blue sub-pixel) that displays blue as the first color is composed of the organic EL element 20B that emits blue light and transmits blue light.
  • the sub-pixel 3G1 (second sub-pixel, first green sub-pixel) that displays green as the second color is composed of the organic EL element 20G1 whose emission color is green, and transmits green light.
  • the sub-pixel 3G2 (third sub-pixel, second green sub-pixel) that displays green as the second color is composed of the organic EL element 20G2 that emits green light and transmits green light.
  • the sub-pixel 3R (fourth sub-pixel, red sub-pixel) that displays red as the third color is composed of the organic EL element 20R whose emission color is red and transmits red light.
  • the sub-pixels 3B, 3G1, 3G2, and 3R when it is not necessary to distinguish between the sub-pixels 3B, 3G1, 3G2, and 3R, the sub-pixels 3B, 3G1, 3G2, and 3R are collectively referred to simply as the sub-pixel 3.
  • these organic EL elements 20B, 20G1, 20G2, and 20R when it is not necessary to distinguish between the organic EL elements 20B, 20G1, 20G2, and 20R, these organic EL elements 20B, 20G1, 20G2, and 20R are simply referred to as the organic EL element 20 as a collective term. Called.
  • the light emitting regions 4B, 4G1, 4G2, and 4R when it is not necessary to distinguish the light emitting regions 4B, 4G1, 4G2, and 4R, the light emitting regions 4B, 4G1, 4G2, and 4R are collectively referred to simply as the light emitting region 4. Note that these generic member numbers are also written in parentheses in FIG. 4 and the like, for example
  • Each sub-pixel 3 is provided with a plurality of TFTs 12 including a TFT as a driving transistor for supplying a driving current to the organic EL element 20.
  • the emission intensity of each sub-pixel 3 is determined by scanning and selection by the wiring 14 and the TFT 12.
  • the organic EL display device 1 displays an image by selectively causing each organic EL element 20 to emit light with a desired luminance using the TFT 12.
  • each organic EL element 20 includes a first electrode 21, an organic EL layer 22, and a second electrode 23.
  • the organic EL layer 22 is sandwiched between the first electrode 21 and the second electrode 23.
  • the layers provided between the first electrode 21 and the second electrode 23 are collectively referred to as the organic EL layer 22.
  • the organic EL layer 22 is an organic layer composed of at least one functional layer, and includes a light emitting layer unit 33 including at least one light emitting layer 34.
  • the first electrode 21, the organic EL layer 22, and the second electrode 23 are stacked in this order from the TFT substrate 10 side.
  • the first electrode 21 is patterned in an island shape for each sub-pixel 3, and the end of the first electrode 21 is covered with a bank 15 (partition wall, edge cover).
  • the first electrodes 21 are connected to the TFTs 12 through contact holes 13 a provided in the interlayer insulating film 13.
  • the bank 15 is an insulating layer and is made of, for example, a photosensitive resin.
  • the bank 15 prevents the electrode concentration or the organic EL layer 22 from becoming thin at the end portion of the first electrode 21 and short-circuiting with the second electrode 23.
  • the bank 15 also functions as a pixel separation film so that current does not leak to adjacent subpixels 3.
  • an opening 15 a is provided for each subpixel 3. As shown in FIG. 4, the exposed portion of the first electrode 21 and the organic EL layer 22 through the opening 15a is the light emitting region 4 of each subpixel 3, and the other regions are non-light emitting regions.
  • the second electrode 23 is a common electrode provided in common to the sub-pixels 3.
  • the second electrode 23 is provided in common to the sub-pixels 3 in all the pixels 2.
  • the present embodiment is not limited to this, and the second electrode 23 may be provided for each subpixel 3.
  • a protective layer 24 is provided on the second electrode 23 so as to cover the second electrode 23.
  • the protective layer 24 protects the second electrode 23 that is the upper electrode, and prevents oxygen and moisture from entering the organic EL elements 20 from the outside.
  • the protective layer 24 is provided in common to all the organic EL elements 20 so as to cover the second electrodes 23 in all the organic EL elements 20.
  • the first electrode 21, the organic EL layer 22, the second electrode 23, and the protective layer 24 formed as needed are collectively referred to as the organic EL element 20. .
  • the first electrode 21 and the second electrode 23 are a pair of electrodes, one functioning as an anode and the other functioning as a cathode.
  • the anode may have a function as an electrode for injecting holes (h + ) into the light emitting layer unit 33.
  • the cathode may have a function as an electrode for injecting electrons (e ⁇ ) into the light emitting layer unit 33.
  • the shape, structure, size and the like of the anode and the cathode are not particularly limited, and can be appropriately selected according to the use and purpose of the organic EL element 20.
  • the present embodiment as shown in FIG. 4, a case where the first electrode 21 is an anode and the second electrode 23 is a cathode will be described as an example.
  • the present embodiment is not limited to this, and the first electrode 21 may be a cathode and the second electrode 23 may be an anode.
  • the stacking order of the layers or carrier transportability (hole transportability, electron transportability) is reversed.
  • the materials constituting the first electrode 21 and the second electrode 23 are also reversed.
  • the electrode material that can be used as the anode and the cathode is not particularly limited, and for example, a known electrode material can be used.
  • anode examples include metals such as gold (Au), platinum (Pt), and nickel (Ni), and indium tin oxide (ITO), tin oxide (SnO 2 ), indium zinc oxide (IZO), and gallium added.
  • Transparent electrode materials such as zinc oxide (GZO) can be used.
  • the cathode a material having a small work function is preferable for the purpose of injecting electrons into the light emitting layer 34.
  • the cathode include metals such as lithium (Li), calcium (Ca), cerium (Ce), barium (Ba), and aluminum (Al), or Ag (silver) -Mg (magnesium) containing these metals.
  • An alloy such as an alloy or an Al—Li alloy can be used.
  • the thicknesses of the anode and the cathode are not particularly limited, and can be set in the same manner as in the past.
  • the light generated in the light emitting layer unit 33 is extracted from one of the first electrode 21 and the second electrode 23.
  • Transparent or semi-transparent translucent electrode (transparent electrode, translucent electrode) using translucent electrode material is used for the light extraction side electrode, and reflection is applied to the electrode that does not extract light. It is preferable to use an electrode having a reflective layer as a reflective electrode using an electrode material or as a reflective electrode.
  • the first electrode 21 and the second electrode 23 may each be a single layer made of one electrode material, or may have a laminated structure made of a plurality of electrode materials.
  • the translucent electrode material for example, the above-described transparent electrode material or the like may be used, or a translucent electrode material such as Ag made into a thin film may be used.
  • each of the organic EL elements 20B, 20G2, and 20R is provided with only one light emitting layer 34, whereas the organic EL element 20G1 includes the organic EL elements 20B, 20G2, and 20R as the light emitting layer 34.
  • Each light emitting layer 34 (in other words, the light emitting layer 34 of each color of RGB) is provided.
  • each pixel 2 includes at least a blue fluorescent light emitting layer 34B, a green fluorescent light emitting layer 34G, and a red light emitting layer 34R between the first electrode 21 and the second electrode as shown in FIG.
  • a plurality of functional layers are formed.
  • Each subpixel 3 includes at least one function including at least one light emitting layer 34 among the blue fluorescent light emitting layer 34B, the green fluorescent light emitting layer 34G, and the red light emitting layer 34R among the plurality of functional layers. Layers are provided between the first electrode 21 and the second electrode, respectively.
  • the blue fluorescent light emitting layer 34B and the green fluorescent light emitting layer 34G are provided adjacent to each other, while the Forster type energy is provided between the green fluorescent light emitting layer 34G and the red light emitting layer 34R.
  • a separate layer 35 that inhibits movement (Förster transition) is provided.
  • the separate layer 35 does not contain a light emitting material, is composed of at least one functional layer other than the light emitting layer, and has a layer thickness exceeding the Forster radius.
  • the separate layer 35 preferably has a layer thickness of at least 15 nm.
  • the Förster radius means a distance between adjacent light emitting layers 34 at which Förster transition can occur (specifically, a distance between adjacent surfaces of adjacent light emitting layers 34 that are adjacent to each other). To do. If the degree of overlap between the PL (photoluminescence) emission spectrum of the light emitting material contained in one light emitting layer 34 adjacent to each other and the absorption spectrum of the light emitting material contained in the other light emitting layer 34 is large, the Förster radius increases. If the degree of overlap is small, the Forster radius is also small.
  • the Forster radius is about 1 to 10 nm. For this reason, if the distance between the mutually opposing surfaces in the light emitting layers 34 adjacent to each other is separated by more than 10 nm, the Forster transition does not occur.
  • the PL (photoluminescence) emission spectrum and the absorption spectrum of the light emitting material of the adjacent light emitting layers 34 completely overlap each other by separating the distance between the adjacent light emitting layers 34 by at least 15 nm. Forster transition does not occur between the light emitting layers 34.
  • the distance between the opposing surfaces of the green fluorescent light-emitting layer 34G and the red light-emitting layer 34R distance between the opposing surfaces D GR ), that is, the surface of the green fluorescent light-emitting layer 34G located closest to the red light-emitting layer 34R (this book In the embodiment, the distance between the lower surface of the green fluorescent light-emitting layer 34G) and the surface of the red light-emitting layer 34R closest to the green fluorescent light-emitting layer 34G (the upper surface of the red light-emitting layer 34R in this embodiment) is 15 nm or more. Preferably there is. For this reason, it is preferable that the separate layer 35 has a layer thickness of at least 15 nm.
  • the separate layer 35 is provided in common to the sub-pixel 3G1 and the sub-pixel 3R, like the red light emitting layer 34R.
  • the layer thickness of the separate layer 35 is not particularly limited as long as it is set to a thickness capable of inhibiting the Forster transition, and is not particularly limited as long as it has a layer thickness exceeding the Forster radius. If the layer thickness is increased, the thickness of the organic EL display device 1 is increased accordingly. Therefore, from the viewpoint of suppressing the enlargement of the organic EL display device 1 and lowering the voltage of the element, it is preferably 50 nm or less. More preferably, it is 30 nm or less.
  • a part of the separate layer 35 is sandwiched between the green fluorescent light-emitting layer 34G and the red light-emitting layer 34R in the sub-pixel 3G1, while the other part is separated in the red light-emitting layer in the sub-pixel 3R. It is laminated adjacent to 34R.
  • the light-emitting layer 34 and a laminate including the intermediate layer made of a functional layer other than the light-emitting layer 34, at least partially sandwiched between the plurality of light-emitting layers 34, are formed as a light-emitting layer. This is referred to as a unit 33.
  • the intermediate layer is a separate layer 35.
  • the light emitting layer 34 and the separate layer 35 constituting the light emitting layer unit 33 are formed of the first electrode as shown in FIGS. 1, 2, and 4. From the 21 side, a red light emitting layer 34R, a separate layer 35, a green fluorescent light emitting layer 34G, and a blue fluorescent light emitting layer 34B are laminated in this order.
  • the light emitting layer unit 33 is composed of a blue fluorescent light emitting layer 34B in the subpixel 3B, and in the subpixel 3G1, from the first electrode 21 side, a red light emitting layer 34R, a separate layer 35, a green fluorescent light emitting layer 34G, and a blue fluorescent light emitting layer 34B. However, it has the laminated structure laminated
  • the light emitting layer unit 33 includes a green fluorescent light emitting layer 34G in the subpixel 3G2, and the subpixel 3R has a stacked structure in which a red light emitting layer 34R and a separate layer 35 are stacked in this order from the first electrode 21 side. is doing.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating the relationship between the energy levels (hereinafter referred to as “S 1 level”) of the lowest excited singlet state of the blue fluorescent light-emitting material, the green fluorescent light-emitting material, and the red light-emitting material.
  • S 1 (1) indicates the S 1 level of the blue fluorescent light-emitting material that is the first fluorescent light-emitting material
  • S 1 (2) indicates the green fluorescent light-emitting material that is the second fluorescent light-emitting material.
  • S 1 indicates the level of
  • S 1 (3) shows the S 1 level of the red light-emitting material is a third luminescent material.
  • S 0 indicates a ground state.
  • FIG. 6 is a graph showing an example of the PL (photoluminescence) emission spectrum of the blue fluorescent material and the absorption spectrum of the green fluorescent material used in the present embodiment.
  • the PL emission spectrum of 2,5,8,11-tetra-tert-butylperylene (TBPe) used in Example 1 to be described later is shown as the PL emission spectrum of the blue fluorescent material, and the green color is shown in green.
  • TBPe 2,5,8,11-tetra-tert-butylperylene
  • the green color is shown in green.
  • an absorption spectrum of the fluorescent material an absorption spectrum of 2,3- (2-benzothiazolyl) -7- (diethylamino) coumarin (coumarin 6) used in Example 1 described later is shown.
  • the absorption spectrum of all the materials (that is, the material of the separate layer 35) included in the intermediate layer provided between the green fluorescent light-emitting layer 34G) and the red light-emitting layer 34R through the intermediate layer Is a light emitting layer provided on the opposite side, and among the blue fluorescent light emitting layer 34B and the green fluorescent light emitting layer 34G, at least a green fluorescent light emission that is a light emitting layer adjacent to the intermediate layer (that is, the separate layer 35) It is preferable that there is no overlap with the PL emission spectrum
  • the intermediate layer that is, the separate layer 35
  • the PL emission spectrum of the green fluorescent light-emitting material there is no overlap between the absorption spectrum of all the materials included in the intermediate layer (that is, the separate layer 35), the PL emission spectrum of the green fluorescent light-emitting material, and the PL emission spectrum of the blue fluorescent light-emitting material. It is more preferable.
  • the distance between the opposing surfaces of the blue fluorescent light-emitting layer 34B and the green fluorescent light-emitting layer 34G (between the opposing surfaces) The distance D BG ) is less than the Forster radius.
  • Förster transition in the sub-pixel 3G1 from S 1 level of the blue fluorescent material to S 1 level of the green fluorescent material occurs. That is, a Forster transition occurs from the blue fluorescent light emitting layer 34B to the green fluorescent light emitting layer 34G.
  • the distance between the opposing surfaces of the blue fluorescent light-emitting layer 34B and the green fluorescent light-emitting layer 34G is the most green fluorescent light-emitting layer 34G in the blue fluorescent light-emitting layer 34B.
  • a surface located on the side (lower surface of the blue fluorescent light emitting layer 34B in this embodiment) and a surface located on the most blue fluorescent light emitting layer 34B side in the green fluorescent light emitting layer 34G (upper surface of the green fluorescent light emitting layer 34G in this embodiment) Indicates the distance between.
  • the intermediate layer first intermediate layer, separate layer 35
  • the separate layer 35 out of the blue fluorescent light-emitting layer 34B and the green fluorescent light-emitting layer 34G. Since there is no overlap with the PL emission spectrum of the green fluorescent light-emitting material in the green fluorescent light-emitting layer 34G which is the adjacent light-emitting layer, the blue fluorescent light-emitting material and the green fluorescent light-emitting material are changed to the material included in the intermediate layer. Energy transfer is unlikely to occur.
  • the absorption spectrum of all the materials contained in the intermediate layer (first intermediate layer, separate layer 35), the PL emission spectrum of the green fluorescent light-emitting material, and the PL emission spectrum of the blue fluorescent light-emitting material Since there is no overlap, energy transfer from the green fluorescent light-emitting material and the blue fluorescent light-emitting material to the material included in the intermediate layer is less likely to occur.
  • the distance D GR between the opposing surfaces in the sub-pixel 3G1 is larger than the fesluter radius.
  • the separate layer 35 is provided between the green fluorescent light-emitting layer 34G and the red light-emitting layer 34R, and the green fluorescent light-emitting layer 34G and the red light-emitting layer 34R are not in contact with each other, the Dexter type energy is used. There is no movement.
  • the material having the largest content ratio among the materials (components) in the light emitting layer 34 may be a host material or a light emitting material.
  • the host material can inject holes and electrons, and has a function of emitting light by emitting light by transporting holes and electrons and recombining them in the molecule.
  • the light emitting material is uniformly dispersed in the host material.
  • the host material When a host material is used, the host material has at least one of an energy level of the S 1 level and the lowest excited triplet state (hereinafter referred to as “T 1 level”) higher than that of the light-emitting material. Organic compounds having a high value are used. Accordingly, the host material can confine the energy of the light emitting material in the light emitting material, and the light emission efficiency of the light emitting material can be improved.
  • T 1 level an energy level of the S 1 level and the lowest excited triplet state
  • the material having the highest content ratio among the materials in the green fluorescent light-emitting layer 34G and the blue fluorescent light-emitting layer 34B As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the movement of holes (h + ) and electrons (e ⁇ ) is indicated by arrows in at least one of the materials having the highest content ratio, preferably both materials. It is desirable to be a hole transporting material with extremely low electron mobility. In addition, it is desirable that the separate layer 35 exhibits a bipolar transport property having high hole transport property and high electron transport property as the entire separate layer 35.
  • the material contained in the separate layer 35 may be a material that exhibits a bipolar transport property alone, such as a bipolar transport material, and the hole mobility alone is higher than the electron mobility.
  • a material exhibiting electron transportability that has higher hole transportability or higher electron mobility than hole mobility may be used in combination of two or more so as to exhibit bipolar transportability as the separate layer 35.
  • the material having the highest mixing ratio in the red light emitting layer 34R is desirably a bipolar transport material as shown in FIGS. 1 and 2, but may be a hole transport material.
  • Examples of the hole transporting host material include 4,4′-bis [N-phenyl-N- (3 ′′ -methylphenyl) amino] biphenyl (TPD), 9,10-di (2-naphthyl) anthracene. And hole transport materials such as (ADN), 1,3-bis (carbazol-9-yl) benzene (mCP), and 3,3′-di (9H-carbazol-9-yl) biphenyl (mCBP).
  • BCP 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline
  • DPEPO bis [(2-diphenylphosphoryl) phenyl] ether
  • DPVBi 4,4 ′ -Bis (2,2-diphenylvinyl) -1,1'-biphenyl
  • BAlq 1,3,5-benztolyl
  • bipolar transporting host material examples include bipolar transport materials such as 4,4′-bis (9-carbazoyl) -biphenyl (CBP).
  • the light emitting materials in the blue fluorescent light emitting layer 34B and the green fluorescent light emitting layer 34G are both fluorescent light emitting materials.
  • blue fluorescent materials examples include 2,5,8,11-tetra-tert-butylperylene (TBPe), bis [4- (9,9-dimethyl-9,10-dihydroacridine) phenyl] sulfone (DMAC).
  • DMAC bis [4- (9,9-dimethyl-9,10-dihydroacridine) phenyl] sulfone
  • Fluorescent materials that emit blue light such as -DPS), perylene, and 4,5-bis (carbazol-9-yl) -1,2-dicyanobenzene (2CzPN) can be used.
  • green fluorescent materials examples include 3- (2-benzothiazolyl) -7- (diethylamino) coumarin (coumarin 6), 8-hydroxyquinoline aluminum (Alq3), 1,2,3,5-tetrakis (carbazole-9) -Yl) -4,6-dicyanobenzene (4CzIPN), 1,2,3,4-tetrakis (carbazol-9-yl) -5,6-dicyanobenzene (4CzPN),
  • the red luminescent material may be a phosphorescent luminescent material or a fluorescent luminescent material as long as the luminescent color is red.
  • a phosphorescent light emitting material or a TADF (Thermally Activated Delayed Fluorescence) material is desirable because of high light emission efficiency.
  • TADF material is a material capable of generating a lowest excited singlet state by reverse intersystem crossing from the lowest excited triplet state by thermal activation, very small delay energy difference Delta] E ST and S 1 level and T 1 level position It is a fluorescent material. Energy difference Delta] E ST and thus S 1 level and T 1 level position to the light-emitting material by using a very small delayed fluorescent material, reverse intersystem crossing from T 1 level position due to the thermal energy to the S 1 state Occurs. By utilizing delayed fluorescence by this TADF material, it is theoretically possible to increase the internal quantum efficiency to 100% even in fluorescent light emission. Delta] E ST is smaller, easier to cross between Gyakuko from the lowest excited triplet state to the lowest excited singlet state, the Delta] E ST is relatively easily cross between Gyakuko even at room temperature not more than 0.3eV Can do.
  • the thickness of the protective layer 24 may be appropriately set according to the material so that oxygen and moisture can be prevented from entering the organic EL element 20 from the outside, and is not particularly limited.
  • sealing substrate 40 for example, an insulating substrate such as a glass substrate or a plastic substrate is used.
  • an insulating substrate having translucency is used for the sealing substrate 40.
  • the insulating substrate 11 and the sealing substrate 40 may each be a flexible insulating film.
  • the organic EL display device 1 can be a flexible display or a bendable display.
  • a gap spacer (not shown) may be provided between the TFT substrate 10 and the sealing substrate 40 in order to prevent the sealing substrate 40 from colliding with the TFT substrate 10 and damaging the organic EL element 20. Good.
  • the organic EL display device 1 includes a plurality of subpixels 3 provided with the organic EL elements 20 each having the light emitting layer 34 of each color, and the TFT 12 is used to select the organic EL elements 20 in each subpixel 3. Therefore, color display is performed by emitting light with a desired luminance.
  • light emission in each sub-pixel 3 will be described.
  • the organic EL display device 1 is an active matrix organic EL display device, and a plurality of pixels 2 are arranged in a matrix in the display area.
  • Each pixel 2 has two types of green subpixels 3 (subpixels 3G) composed of the subpixel 3G1 and the subpixel 3G2 as described above, and the subpixel 3B, the subpixel 3G1, the subpixel 3G2, and the subpixel 3R.
  • the sub-pixel 3G1 is adjacent to the sub-pixel 3B in the row direction (first direction) and the sub-pixel 3R is in the column direction (that is, in the row direction).
  • the subpixel 3G2 is adjacent to the subpixel 3R in the row direction and is adjacent to the subpixel 3B in the column direction, and intersects the row direction and the column direction (specifically, in the direction perpendicular to the second direction).
  • the sub-pixel 3B and the sub-pixel 3G1 are adjacent to each other in the row direction
  • the sub-pixel 3G2 and the sub-pixel 3R are adjacent to each other
  • the sub-pixel 3B and the sub-pixel 3G2 are adjacent to each other in the column direction.
  • the sub-pixel 3G1 and the sub-pixel 3R are adjacent to each other.
  • the columns composed of the sub-pixels 3B and 3G1 and the columns composed of the sub-pixels 3G2 and the sub-pixels 3R, which are formed along the row direction, are alternately arranged in the column direction.
  • the subpixels 3B and the subpixels 3G1 are alternately arranged, and in the even rows, the subpixels 3G2 and the subpixels 3R are alternately arranged. Further, for example, in the odd columns, the sub-pixels 3B and the sub-pixels 3G2 are alternately arranged, and in the even-numbered columns, the sub-pixels 3G1 and the sub-pixels 3R are alternately arranged.
  • the apparent definition can be improved by adopting a pen tile pixel arrangement.
  • the subpixel 3G1 and the subpixel 3G2 have different stacked structures as shown in FIGS. ing.
  • S 1 level of the green fluorescent material is lower than S 1 level of the blue fluorescent material, the most common material and the green fluorescence of the content ratio of the material in the blue fluorescent layer 34B
  • a hole transport material is used for at least one of the materials having the highest content ratio among the materials in the light emitting layer 34G.
  • a bipolar transport material is used as the material having the largest content ratio among the materials in the red light emitting layer 34R and the separate layer 35.
  • S 1 level of the green fluorescent material is higher than the S 1 level of the red luminescent material, between the green phosphor emitting layer 34G and the red light emitting layer 34R, separate with a layer thickness exceeding the Förster radius Since the layer 35 is provided, no energy is transferred to the red light emitting layer 34R.
  • the blue fluorescent light emitting layer 34B when the blue fluorescent light emitting layer 34B is formed in common to the subpixel 3B and the subpixel 3G1 by linear vapor deposition as will be described later, the blue fluorescent light emitting layer 34B should be formed as a subpixel. Even if the blue fluorescent light-emitting layer 34B is formed on the green fluorescent light-emitting layer 34G by invading 3G2, the energy is transferred from the blue fluorescent light-emitting material to the green fluorescent light-emitting material as described above. Will not occur.
  • the red light emitting layer 34R when the red light emitting layer 34R is formed in common to the subpixel 3G1 and the subpixel 3R by linear vapor deposition as will be described later, the red light emitting layer 34R should be formed on the subpixel 3B. Even if the red light emitting layer 34R is formed under the blue fluorescent light emitting layer 34B (that is, on the first electrode 21 side), the material having the highest content ratio among the materials in the blue fluorescent light emitting layer 34B is the hole. In the case of a transport material, electrons do not reach the red light emitting layer 34R, so that no red color mixture occurs in the sub-pixel 3B.
  • the linear vapor deposition means that the vapor deposition is performed in a linear form, not in a dot form.
  • the red light emitting layer 34R when the red light emitting layer 34R is formed in common for the subpixel 3G1 and the subpixel 3R by linear vapor deposition as will be described later, the red light emitting layer 34R should enter the subpixel 3G2 and emit green fluorescent light. Even if the red light emitting layer 34R is formed under the layer 34G, if the material having the largest content ratio among the materials in the green fluorescent light emitting layer 34G is a hole transporting material, electrons can reach the red light emitting layer 34R. Therefore, no red color mixture occurs in the sub-pixel 3G2.
  • the material having the highest content ratio among the materials in the blue fluorescent light-emitting layer 34B and the material having the highest content ratio among the materials in the green fluorescent light-emitting layer 34G are both hole transporting materials.
  • the other subpixel 3 that is, at least one of the subpixel 3B and the subpixel 3G2
  • color mixing is performed. It can be set as the structure which does not occur easily.
  • the manufacturing process of the organic EL display device 1 includes a TFT substrate manufacturing process for manufacturing the TFT substrate 10 described above, an organic EL element manufacturing process for forming the organic EL element 20 on the TFT substrate 10, And a sealing step of sealing the organic EL element 20 manufactured in the organic EL element manufacturing step.
  • the organic EL element manufacturing process includes, for example, an anode forming process (S1), a hole injection layer forming process (S2), a hole transport layer forming process (S3), and a red light emitting layer forming process (S4). ), Separate layer forming step (S5), green fluorescent light emitting layer forming step (S6), blue fluorescent light emitting layer forming step (S7), electron transport layer forming step (S8), electron injection layer forming step (S9), cathode forming.
  • the process (S10) and the protective layer formation process (S11) are included.
  • the organic EL element manufacturing process is performed in this order as an example. Note that the step numbers are shown in parentheses.
  • a photosensitive resin is applied on the insulating substrate 11 on which the TFT 12 and the wiring 14 are formed by a known technique, and patterning is performed by a photolithography technique, whereby interlayer insulation is formed on the insulating substrate 11.
  • a film 13 is formed.
  • a contact hole 13 a for electrically connecting the first electrode 21 as an anode to the TFT 12 is formed in the interlayer insulating film 13. Thereby, the TFT substrate 10 is manufactured.
  • the organic EL element 20 is formed on the TFT substrate 10 thus formed (organic EL element manufacturing step).
  • the first electrode 21 is formed on the TFT substrate 10 as an anode (S1).
  • the anode forming step (S1) includes a reflective electrode forming step for forming the reflective electrode 21a on the TFT substrate 10, and a translucent electrode forming step for forming the translucent electrode 21b on the reflective electrode 21a. It is equipped with.
  • a reflective electrode material is formed in a predetermined thickness on the TFT substrate 10 as the reflective electrode 21a in the first electrode 21.
  • the reflective electrode 21a is formed, for example, by forming a resist pattern (not shown) by photolithography for each sub-pixel 3 after forming the reflective electrode material by sputtering or the like, and using the resist pattern as a mask, a layer made of the reflective electrode material is formed. After the etching, the resist pattern may be peeled and washed to be separated for each sub-pixel 3 or may be formed into a pattern by a printing method or a vapor deposition method using a vapor deposition mask.
  • a vacuum vapor deposition method, a CVD (chemical vapor deposition) method, a plasma CVD method, or the like can be used.
  • a translucent electrode material is patterned on the reflective electrode 21 a with a predetermined thickness.
  • the distance between the reflective electrode 21a and the second electrode 23 as the cathode is desirably set to a distance that enhances the intensity of the peak wavelength of the light in the wavelength region of each color emitted from each subpixel 3.
  • FIG. 8 is a graph showing an example of the PL emission spectrum of the blue fluorescent material, the PL emission spectrum of the green fluorescent material, and the PL emission spectrum of the red light emitting material.
  • the PL emission spectrum of TBPe used in Example 1 described later is shown as the PL emission spectrum of the blue fluorescent light-emitting material, and the PL emission spectrum of the green fluorescent material is used in Example 1 described later.
  • the PL emission spectrum of coumarin 6 is shown, and the PL emission spectrum of Ir (piq) 3 used in Example 1 described later is shown as the PL emission spectrum of the red light emitting material.
  • the blue fluorescent light-emitting material has a peak wavelength (first peak wavelength) of about 470 nm, and the green fluorescent light-emitting material has a peak wavelength (second peak wavelength) of about 520 nm.
  • the peak wavelength (third peak wavelength) of the light emitting material is approximately 590 nm.
  • the organic EL element 20 is a microcavity (microresonator) type organic EL element.
  • a microcavity type organic EL element emitted light is multiple-reflected between an anode and a cathode and resonates, whereby the emission spectrum becomes steep and the emission intensity at a specific wavelength is amplified.
  • the length between two resonant surfaces of the organic EL element is set for each emission color. How to change is known.
  • the cavity length is changed for each subpixel 3, and the chromaticity of light emission and the light emission efficiency are improved by the microcavity effect. ing.
  • a part of the light emitted from the light emitting material in each sub-pixel 3 is directly emitted to the outside, while the other part is multiple reflected and emitted to the outside. That is, the light emitted from each sub-pixel 3 to the outside is emitted from the light-emitting material, and then, as it is, a translucent electrode (this embodiment) provided on the opposite side of the reflective electrode with the organic EL layer 22 interposed therebetween.
  • the light emitted to the outside through the second electrode 23) and the light emitted from the light emitting material, and then between the anode and the cathode (more strictly, between the reflective electrode and the translucent electrode).
  • the first electrode 21 is subjected to multiple reflections between the reflective electrode 21a and the second electrode 23), and is a translucent electrode (in this embodiment, the first electrode 21) provided on the opposite side of the reflective electrode. And light emitted to the outside via the two electrodes 23).
  • the light emitted from the blue fluorescent light-emitting layer 34B is emitted to the outside.
  • the light emitted from the blue fluorescent light-emitting layer 34B (that is, the blue light-emitting layer 34B)
  • Light obtained by multiple reflection of light emitted from the fluorescent light-emitting material between the anode and the cathode in the sub-pixel 3B is included.
  • the light emitted from the green fluorescent light emitting layer 34G is emitted to the outside, but the light emitted from the subpixel 3G1 to the outside is emitted from the green fluorescent light emitting layer 34G.
  • Light that is obtained by multiple reflection of the light (that is, light emitted from the green fluorescent material) between the anode and the cathode in the sub-pixel 3G1, and the light emitted to the outside from the sub-pixel 3G2 Includes light obtained by multiple reflection of light emitted from the green fluorescent light emitting layer 34G between the anode and the cathode in the sub-pixel 3G2.
  • light emitted from the red light emitting layer 34R is emitted to the outside.
  • light emitted from the red light emitting layer 34R ie, a red light emitting material
  • the light obtained from the multiple reflection between the anode and the cathode in the sub-pixel 3R is included.
  • the distance between the reflective electrode 21a and the second electrode 23 is an optimum thickness for extracting (that is, emitting) light in the blue wavelength region to the outside (the peak wavelength of the blue fluorescent light-emitting material).
  • the thickness of the translucent electrode 21b is set so that the distance increases.
  • the distance between the reflective electrode 21a and the second electrode 23 is an optimum thickness for extracting light in the green wavelength region to the outside (the peak wavelength of the green fluorescent light-emitting material).
  • the method for changing the thickness of the translucent electrode 21b in each subpixel 3 is not particularly limited, and the translucent electrode is formed to a desired thickness for each subpixel 3 by vapor deposition or printing.
  • the material may be formed, and after the light-transmitting electrode material is formed by sputtering or the like, it is patterned by photolithography, and then the thickness of each layer made of the light-transmitting electrode material is set to a desired thickness by ashing or the like. You may adjust it.
  • the first electrode 21 having a different layer thickness for each subpixel 3 is formed in a matrix on the TFT substrate 10.
  • the bank 15 is patterned so as to cover the end portion of the first electrode 21.
  • the first electrode 21 separated by the bank 15 for each subpixel 3 is manufactured as an anode.
  • the TFT substrate 10 that has undergone the above-described steps is subjected to oxygen plasma treatment as a vacuum baking for dehydration and surface cleaning of the first electrode 21.
  • the material of the hole injection layer 31 and the material of the hole transport layer 32 are vapor-deposited in this order over the entire display region on the TFT substrate 10 on which the first electrode 21 is formed (S2). , S3).
  • the material of the red light emitting layer 34R is linearly vapor-deposited on the even-numbered subpixel column including the subpixel 3G1 and the subpixel 3R. Thereby, the red light emitting layer 34R was formed on the hole transport layer 32 in the form of intermittent stripes along the column direction (S4).
  • the material for the separate layer 35 is linearly vapor-deposited on the red light emitting layer 34R in the direction connecting the subpixel 3G1 and the subpixel 3R, using a vapor deposition mask 70R for forming a red light emitting layer.
  • a separate layer 35 having the same pattern as that of the red light emitting layer 34R in a plan view was laminated on the red light emitting layer 34R (S5).
  • the red light emitting layer 34R and the separate layer 35 have the same pattern in plan view, the red light emitting layer 34R and the separate layer 35 are continuously formed using the same vapor deposition mask 70R.
  • the red light-emitting layer 34R and the separate layer 35 may be patterned using a dedicated vapor deposition mask for each having the same opening pattern.
  • two pixels corresponding to the subpixel 3G1 and the subpixel 3G2 in each pixel 2 are formed so that the green fluorescent light emitting layer 34G is formed in the light emitting region 4G1 and the light emitting region 4G2 indicated by broken lines.
  • the material of the green fluorescent light-emitting layer 34G is made to be adjacent to each other in each pixel 2.
  • FIG. 9C two sub-pixels corresponding to the sub-pixel 3B and the sub-pixel 3G1 in each pixel 2 are formed so that the blue fluorescent light-emitting layer 34B is formed in the light-emitting region 4B and the light-emitting region 4G1 indicated by broken lines.
  • the blue fluorescent light emitting layer forming vapor deposition mask 70B in which a plurality of openings 71B for pixels are provided in the row direction and the column direction, the material of the blue fluorescent light emitting layer 34B is connected to the sub pixel 3B and the sub pixel 3G1. Linear vapor deposition in the direction.
  • the material of the blue fluorescent light-emitting layer 34B is linearly vapor-deposited on the odd-numbered subpixel columns including the subpixel 3B and the subpixel 3G1.
  • the sub-pixel 3G1 overlaps with the green fluorescent light-emitting layer 34G, and is disposed directly on the hole transport layer 32 in the sub-pixel 3B, and is intermittently striped along the row direction.
  • the blue fluorescent light emitting layer 34B was formed (S7).
  • a vapor deposition method such as a vacuum vapor deposition method, a CVD method or a plasma CVD method may be used, or a sputtering method or a printing method may be used.
  • the material of the protective layer 24 is deposited on the entire display area of the TFT substrate 10 so as to cover the second electrode 23 (S11). Thereby, the organic EL element 20 is formed on the TFT substrate 10.
  • Example 1 based on the flowchart shown in FIG. 10, the reflective electrode 21 a, the translucent electrode 21 b, the hole injection layer 31, the hole transport layer 32, and the red light emitting layer are formed on the TFT substrate 10.
  • 34R a separate layer 35, a green fluorescent light emitting layer 34G, a blue fluorescent light emitting layer 34B, an electron transport layer 36, an electron injection layer 37, a second electrode 23, and a protective layer 24 were laminated in this order from the TFT substrate 10 side.
  • each layer laminated on the TFT substrate 10 in Example 1 are as follows. However, the dimensions and materials described below are merely examples, and the present embodiment is not limited to these specific dimensions and materials.
  • the optical thickness of the translucent electrode 21b is optically optimized by optical simulation in order to align the emission color in the subpixel 3G1 and the emission color in the subpixel 3G2.
  • the blue fluorescent light-emitting layer 34B, the green fluorescent light-emitting layer 34G, and the red light-emitting layer 34R are stacked, but the blue fluorescent light-emitting layer 34B to the green fluorescent light-emitting layer are stacked. While the Forster energy transfer occurs in 34G, the Forster energy transfer from the blue fluorescent light emitting layer 34B and the green fluorescent light emitting layer 34G to the red light emitting layer 34R does not occur, so that only the green fluorescent light emitting material emits light. .
  • the green fluorescent light-emitting material that is the light-emitting material of the green fluorescent light-emitting layer 34G has an S 1 level lower than that of the blue fluorescent light-emitting material that is the light-emitting material of the blue fluorescent light-emitting layer 34B, and Since the distance D BG between the opposing surfaces of the fluorescent light emitting layer 34G is equal to or less than the Forster radius, even if holes and electrons are recombined on the blue fluorescent light emitting layer 34B, the green color is caused by the Forster transition.
  • the fluorescent material emits almost 100%.
  • linear vapor deposition can be performed only on a sub-pixel row composed of green sub-pixels.
  • Linear vapor deposition is possible not only in the direction connecting the sub-pixel 3G2, but also in the direction connecting the sub-pixel 3G1 and the sub-pixel 3R and in the direction connecting the sub-pixel 3B and the sub-pixel 3G1. Color mixing can be suppressed.
  • the light emitting layers 34 in all the RGB sub-pixels 3 and the separate layer which is the intermediate layer (first intermediate layer), which are arranged in a pen tile arrangement. 35 can be vapor-deposited with a vapor deposition mask having an opening pattern composed of openings for two sub-pixels. For this reason, the vapor deposition margin for preventing color mixing can be reduced, and the pitch between the sub-pixels 3 is narrowed to improve the definition, or the area of the sub-pixel 3 is expanded with the same definition to reduce the current stress. The life of each organic EL element 20 can be extended.
  • the blue fluorescent light emitting layer 34B, the green fluorescent light emitting layer 34G, and the red light emitting layer 34R can be linearly deposited, and as described above, in the subpixel 3G1, the light emitting layer 34 is provided.
  • the evaporation margin for preventing color mixing compared to the display device using the conventional coating method, and display using the conventional coating method High definition can be realized more easily than the apparatus.
  • the organic EL display device 1 does not require a CF layer or an optical interference effect as in the white CF method or Patent Document 1, although the organic EL display device 1 has a light emitting layer laminated structure as described above.
  • the organic EL display device 1 has a light emitting layer laminated structure as described above.
  • the display device according to the present embodiment is an organic EL display device
  • the display device according to the present embodiment may be a display device that emits PL light. Therefore, the display device according to the present embodiment is not limited to the above-described examples, and may be, for example, an inorganic EL display device or a display device other than an EL display device using PL light emission. Good. Further, an inorganic material may be used for each of the light emitting materials, and an inorganic layer may be formed instead of the organic layer.
  • the blue fluorescent light-emitting layer 34B is formed as the first light-emitting layer containing the first fluorescent light-emitting material
  • the green fluorescent light-emitting layer 34G is used as the second light-emitting layer containing the second fluorescent light-emitting material.
  • the red light emitting layer 34R is formed and formed as the third light emitting layer containing the third light emitting material, but the present embodiment is not limited to this.
  • the combination of the first fluorescent light-emitting material, the second fluorescent light-emitting material, and the third light-emitting material is not limited to a combination of a blue fluorescent light-emitting material, a green fluorescent light-emitting material, and a red light-emitting material.
  • the second fluorescent material emits light having a peak wavelength (second peak wavelength) longer than the peak wavelength (first peak wavelength) of the light emitted from the first fluorescent material.
  • the third light-emitting material emits light having a peak wavelength (third peak wavelength) longer than the second peak wavelength, and the S 1 level of the second fluorescent light-emitting material is Any combination that is lower than S 1 of the first fluorescent light-emitting material and higher than S 1 of the third light-emitting material may be used.
  • the layers excluding the green fluorescent light emitting layer 34G have an opening pattern in which openings for two subpixels are provided in the row direction or the column direction as described above.
  • Vapor deposition may be performed using a mask, and only the green fluorescent light emitting layer 34G may be deposited using the above-described normal vapor deposition mask.
  • linear vapor deposition of the blue fluorescent light-emitting layer 34B and linear vapor deposition of the red light-emitting layer 34R can be performed, which cannot be achieved by the organic EL display device having a pen tile arrangement that does not have the above-described stacked structure.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing an example of a schematic configuration of the organic EL display device 1 according to the present embodiment. Similar to the organic EL display device 1 according to the first embodiment, the organic EL display device 1 according to the present embodiment has the pen tile-type pixel array shown in FIG. For this reason, FIG. 11 shows an example of a schematic configuration of one pixel region shown in FIG. 3 surrounded by an alternate long and short dash line, and shows a schematic configuration corresponding to the cross section taken along line L1-L2 shown in FIG.
  • the organic EL display device 1 is a bottom emission type organic EL display device that extracts light emitted from the light emitting layer unit 33 from the first electrode 21 side, that is, the TFT substrate 10 side.
  • 21 is a translucent electrode
  • the second electrode 23 is a reflection having a larger layer thickness than the second electrode 23 (semi-transparent electrode) in the organic EL display device 1 according to the first embodiment.
  • the organic EL display device 1 is the same as the organic EL display device 1 according to the first embodiment except that an electrode is used.
  • the insulating substrate 11 is a transparent insulating substrate having a light transmitting property, such as a glass substrate or a plastic substrate, called a transparent substrate or a light transmitting substrate. Is used.
  • the organic EL display device 1 is a bottom emission type
  • the light emitted from the light emitting layer unit 33 is taken out from the translucent electrode side directly from the translucent electrode side or reflected by the reflective electrode.
  • the first electrode 21 on the TFT substrate 10 side is a translucent electrode
  • the second electrode 23 is a reflective electrode.
  • the translucent electrode materials and reflective electrode materials exemplified in Embodiment 1 can be used.
  • each layer laminated on the TFT substrate 10 are as follows. However, the dimensions and materials described below are merely examples, and the present embodiment is not limited to these specific dimensions and materials.
  • the optical thickness of the translucent electrode 21b was optically optimized by optical simulation in order to align the emission color of the subpixel 3G1 and the emission color of the subpixel 3G2.
  • First electrode 21 (anode, translucent electrode): ITO (50 nm) Hole injection layer 31: HAT-CN (10 nm) Hole transport layer 32: TCTA (20 nm) Red light emitting layer 34R: CBP (host material, 90%) / Ir (piq) 3 (red light emitting material, 10%) (10 nm) Separate layer 35: CBP (20 nm) Green fluorescent light emitting layer 34G: TPD (host material, 90%) / coumarin 6 (green fluorescent light emitting material, 10%) (10 nm) Blue fluorescent light emitting layer 34B: ADN (host material, 90%) / TBPe (blue fluorescent light emitting material, 10%) (10 nm) Electron transport layer 36: BCP (30 nm) Electron injection layer 37: LiF (1 nm) Second electrode 23 (cathode, reflective electrode): Al (100 nm) According to the present embodiment, it is possible to provide the bottom emission type organic EL display device 1 having the same effect as that
  • the second electrode 23 has a laminated structure of a reflective electrode and a translucent electrode as a layer thickness adjusting layer (optical path length adjusting layer) like the first electrode 21 according to the first embodiment.
  • the optical path length of the organic EL element 20 in each subpixel 3 is changed by changing the layer thickness of the conductive electrode, or the organic EL layer between the first electrode 21 and the second electrode 23 for each subpixel 3. Even if the layer thickness of 22 is not changed, the chromaticity and efficiency of the organic EL element 20 in each sub-pixel 3 hardly change.
  • FIG. 12 is a diagram schematically illustrating a pixel array of the organic EL display device 1 according to the present embodiment.
  • each row is composed of two colors of sub-pixel 3B and sub-pixel 3G1, or sub-pixel 3G2 and sub-pixel 3R, and each row is compared with the RGB array.
  • the sub-pixels of the missing color are simulated and reproduced in combination with the sub-pixels of adjacent rows.
  • the dot width of the sub-pixels 3 in each row can be increased by the amount of sub-pixels that are missing in the row direction, compared to the vertical stripe RGB array.
  • the high-definition organic EL display device 1 can be easily manufactured, and the apparent resolution can be kept high even with a small number of pixels.
  • each light emitting region 4 (subpixel 3) has a square shape.
  • the organic EL display device 1 includes the sub-pixel 3G1 and the sub-pixel 3G2 shown in FIG. 1, FIG. 2, FIG. 4, and FIG. As described above, they have different laminated structures.
  • FIGS. 13A to 13C are plan views showing the manufacturing process of the light emitting layer unit 33 in the organic EL display device 1 according to this embodiment in the order of steps.
  • the same hatching as in FIG. 12 is applied to each light emitting region 4 in order to identify the light emitting region 4B, the light emitting region 4G1, the light emitting region 4G2, and the light emitting region 4R.
  • Actual deposition is performed in the openings 71B, 71R, and 71G of the deposition masks 70B, 70R, and 70G.
  • the light emitting region 4B, the light emitting region 4G1, the light emitting region 4G2, and the light emitting region 4R are sequentially located in the sub pixel 3B, the sub pixel 3G1, the sub pixel 3G2, and the sub pixel 3R, respectively.
  • the red light emitting layer forming step (S4) to the blue fluorescent light emitting layer forming step (S7) shown in FIG. Vapor deposition is performed using the vapor deposition masks 70R, 70G, and 70B shown.
  • the red light emitting layer 34R and the light emitting region 4G1 and the light emitting region 4R indicated by broken lines A vapor deposition mask for forming a red light emitting layer in which a plurality of openings 71R for two subpixels are provided in the diagonal direction corresponding to the subpixel 3G1 and the subpixel 3R in each pixel 2 so that the separate layer 35 is formed.
  • the material of the red light emitting layer 34R and the material of the separate layer 35 are respectively connected in the direction connecting the subpixel 3G1 and the subpixel 3R (that is, in the direction connecting the directly adjacent subpixel 3G1 and the subpixel 3R).
  • Linear vapor deposition thereby, the red light emitting layer 34R is formed in an intermittent stripe shape along the oblique direction on the hole transport layer 32, and the red light emitting layer 34R and the red light emitting layer 34R in plan view are formed on the red light emitting layer 34R.
  • a separate layer 35 having the same pattern was laminated.
  • the material of the green fluorescent light-emitting layer 34G is linearly vapor-deposited on the even-numbered subpixel column composed of the subpixel 3G1 and the subpixel 3G2.
  • the sub-pixel 3G1 overlaps the separate layer 35, and is disposed directly on the hole transport layer 32 in the sub-pixel 3G2, and is intermittently striped green fluorescent light along the column direction.
  • a light emitting layer 34G was formed.
  • the material having the highest content ratio among the materials in the blue fluorescent light-emitting layer 34B and the material having the highest content ratio in the materials in the green fluorescent light-emitting layer 34G are both used as hole transporting materials.
  • the aperture ratio of each sub-pixel 3 can be increased as compared to the case where this is not the case.
  • the organic EL display device 1 according to the present embodiment is different from the organic EL display device 1 according to the first embodiment in that a TADF material is used as a blue fluorescent light emitting material.
  • Förster from the excited triplet state of one material (one of the two adjacent dye molecules) to the excited triplet state of another material (the other of the two adjacent dye molecules) Transition is forbidden and only Dexter transition occurs. Therefore, when excitons are generated at the T 1 level, energy is transferred only to molecules in direct contact.
  • the blue fluorescent light-emitting material used for the blue fluorescent light-emitting layer 34B is preferably a TADF material.
  • TADF material, Delta] E ST is extremely small, as shown in (c) of FIG. 14, reverse intersystem crossing to the S 1 level occurs from T 1 level position. For this reason, if a TADF material is used for the blue fluorescent material, the exciton of the T 1 level is up-converted to the S 1 level due to the inverse intersystem crossing.
  • a TADF material is used as the blue fluorescent light emitting material, even if excitons are generated in the blue fluorescent light emitting layer 34B in the subpixel 3G1, the inverse intersystem crossing from the T 1 level to the S 1 level Due to the Forster transition between the S 1 levels, energy transfer from the blue fluorescent material to the green fluorescent material occurs. Therefore, by using a TADF material for the blue fluorescent light emitting material, blue color mixture in the sub-pixel 3G1 can be suppressed, and chromaticity in the sub-pixel 3G1 can be improved.
  • the exciton of the T 1 level is up-converted to the S 1 level in the sub-pixel 3B, and the light emission efficiency in the sub-pixel 3B is improved.
  • the luminous efficiency of the organic EL display device 1 is improved.
  • a TADF material may be used as the green fluorescent material.
  • the T 1 level excitons are up-converted to the S 1 level in the sub-pixels 3G1 and 3G2, and the light emission efficiency in the sub-pixels 3G1 and 3G2 is improved, so that the organic EL display device 1 emits light. Efficiency is improved.
  • the TADF material may be used as the red light-emitting material as described above.
  • Examples of the TADF material that emits blue light include 2CzPN and DMAC-DPS described above.
  • Examples of the TADF material that emits green light include 4CzIPN, 4CzPN, and PXZ-DPS described above.
  • Example 1 the blue fluorescent light-emitting layer 34B is replaced with ADN (host material, 90%) / TBPe (blue fluorescent light-emitting material, 10%), and mCP (host material, 90%). ) / DMAC-DPS (blue fluorescent material, 10%), and the organic EL display device 1 was manufactured under the same conditions as in Example 1.
  • ADN host material, 90%
  • TBPe blue fluorescent light-emitting material, 10%
  • mCP host material, 90%
  • DMAC-DPS blue fluorescent material, 10%
  • the material and thickness of each layer laminated on the TFT substrate 10 are as follows. In this embodiment as well, as shown in FIG. 4, based on the flowchart shown in FIG. Furthermore, on the TFT substrate 10, the reflective electrode 21a, the translucent electrode 21b, the hole injection layer 31, the hole transport layer 32, the red light emitting layer 34R, the separate layer 35, the green fluorescent light emitting layer 34G, and the blue fluorescent light emitting layer 34B.
  • the electron transport layer 36, the electron injection layer 37, the second electrode 23, and the protective layer 24 were laminated in this order from the TFT substrate 10 side.
  • the dimensions and materials described below are merely examples, and the present embodiment is not limited to these specific dimensions and materials.
  • the optical thickness of the translucent electrode 21b was optically optimized by optical simulation in order to align the emission color of the subpixel 3G1 and the emission color of the subpixel 3G2.
  • Reflective electrode 21a (first electrode 21, anode): Ag (100 nm)
  • Translucent electrode 21b (first electrode 21, anode): ITO (subpixel 3B: 135 nm / subpixel 3G1: 135 nm / subpixel 3G2: 165 nm / subpixel 3R: 40 nm)
  • Hole injection layer 31 HAT-CN (10 nm)
  • Hole transport layer 32 TCTA (20 nm)
  • Red light emitting layer 34R CBP (host material, 90%) / Ir (piq) 3 (red light emitting material, 10%) (10 nm)
  • Separate layer 35 CBP (20 nm)
  • Green fluorescent light emitting layer 34G TPD (host material, 90%) / coumarin 6 (green fluorescent light emitting material, 10%) (10 nm)
  • Blue fluorescent light emitting layer 34B mCP (host material, 90%) / DMAC-DPS (blue fluorescent light emitting material, 10%) (10 nm
  • the organic EL display device 1 has the same stacked structure as the stacked structures shown in FIGS.
  • the green fluorescent light emitting layer 34G on the cathode side (that is, the second electrode 23) with respect to the separate layer 35 is positive. It is necessary to recombine holes and electrons to generate excitons and emit green light.
  • the sub-pixel 3R it is necessary to recombine holes and electrons in the red light emitting layer 34R on the anode side (that is, the first electrode 21) with respect to the separate layer 35 to generate excitons and to emit red light.
  • the separate layer 35 exhibits a bipolar transport property with high hole transport property and high electron transport property.
  • the carrier transportability is adjusted by forming the separate layer 35 with a plurality of materials.
  • the reflective electrode 21 a, the translucent electrode 21 b, the hole injection layer 31, the hole transport layer 32, and red are formed on the TFT substrate 10.
  • the light emitting layer 34R, the separate layer 35, the green fluorescent light emitting layer 34G, the blue fluorescent light emitting layer 34B, the electron transport layer 36, the electron injection layer 37, the second electrode 23, and the protective layer 24 were laminated in this order from the TFT substrate 10 side.
  • each layer laminated on the TFT substrate 10 are as follows. However, the dimensions and materials described below are merely examples, and the present embodiment is not limited to these specific dimensions and materials.
  • the optical thickness of the translucent electrode 21b was optically optimized by optical simulation in order to align the emission color of the subpixel 3G1 and the emission color of the subpixel 3G2.
  • Reflective electrode 21a (first electrode 21, anode): Ag (100 nm)
  • Translucent electrode 21b (first electrode 21, anode): ITO (subpixel 3B: 135 nm / subpixel 3G1: 135 nm / subpixel 3G2: 165 nm / subpixel 3R: 40 nm)
  • Hole injection layer 31 HAT-CN (10 nm)
  • Hole transport layer 32 TCTA (20 nm)
  • Red light emitting layer 34R CBP (host material, 90%) / Ir (piq) 3 (red light emitting material, 10%) (10 nm)
  • Separate layer 35 BCP (70%) / TPD (30%) (10 nm)
  • Green fluorescent light emitting layer 34G TPD (host material, 90%) / coumarin 6 (green fluorescent light emitting material, 10%) (10 nm)
  • Blue fluorescent light emitting layer 34B mCP (host material, 90%) / DMAC-DPS (blue fluorescent light emit
  • FIG. 6 The following will describe still another embodiment of the present invention mainly with reference to FIGS. 3, 10, 12, and 15 to 17.
  • FIG. differences from the first to fifth embodiments will be described, and components having the same functions as the components described in the first to fifth embodiments are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. To do. Needless to say, this embodiment can be modified in the same manner as in the first to fifth embodiments.
  • FIG. 15 is a diagram schematically showing a light emission principle in the sub-pixel 3G1 and the sub-pixel 3R among the sub-pixels 3 of the organic EL display device 1 according to the present embodiment.
  • FIG. 16 is a diagram schematically showing a laminated structure in the light emitting layer unit 33 of the organic EL display device 1 according to the present embodiment.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view showing an example of a schematic configuration of the organic EL display device 1 according to the present embodiment.
  • FIG. 17 shows an example of a schematic configuration of one pixel region corresponding to the cross section taken along line L1-L2 shown in FIG. 3 or FIG.
  • the separate layer 35 has a two-layer structure of a first separate layer 35a and a second separate layer 35b. As shown in FIGS. 15 and 16, the first separate layer 35a and the second separate layer 35b have different carrier transport properties. As described above, since the first separate layer 35a and the second separate layer 35b have different carrier transport properties, the emission color displayed in each sub-pixel 3 can be obtained with higher efficiency.
  • the layer of the separate layer 35 composed of the first separate layer 35a and the second separate layer 35b. If the thickness (that is, the total thickness of the first separate layer 35a and the second separate layer 35b) is larger than the Forster radius, as shown in FIG. 15, the blue fluorescent light emitting layer 34B and the green fluorescent light emitting layer in the sub-pixel 3G1 It is possible to inhibit the energy transfer between 34G and the red light emitting layer 34R and obtain the color mixing suppressing effect in the sub-pixel 3G1.
  • each layer laminated on the TFT substrate 10 are as follows. However, the dimensions and materials described below are merely examples, and the present embodiment is not limited to these specific dimensions and materials.
  • the optical thickness of the translucent electrode 21b was optically optimized by optical simulation in order to align the emission color of the subpixel 3G1 and the emission color of the subpixel 3G2.
  • the thickness of the separate layer 35 composed of the first separate layer 35a and the second separate layer 35b is preferably 50 nm or less, and more preferably 30 nm or less. For this reason, it is desirable that the layer thickness of the first separate layer 35a and the layer thickness of the second separate layer 35b are set so as to satisfy the above-described range.
  • the blue fluorescent light emitting layer 34B and the block layer 38 are laminated in this order from the first electrode 21 side.
  • the red light emitting layer 34R, the separate layer 35, the green fluorescent light emitting layer 34G, the block layer 38, and the blue fluorescent light emitting layer 34B are stacked in this order from the first electrode 21 side. It has a laminated structure.
  • the light emitting layer unit 33 includes the green fluorescent light emitting layer 34G in the subpixel 3G2, and the subpixel 3R includes the red light emitting layer 34R and the separate from the first electrode 21 side.
  • the layer 35 has a stacked structure in which the layers 35 are stacked in this order.
  • the block layer 38 desirably exhibits bipolar transportability as the entire block layer 38, for example.
  • a material that exhibits bipolar transportability alone such as a bipolar transportable material, or a material that exhibits bipolar transportability by combining two or more types is used.
  • the block layer 38 is provided as a common layer in the sub-pixel 3B and the sub-pixel 3G1, similarly to the blue fluorescent light-emitting layer 34B.
  • the block layer 38 and the blue fluorescent light-emitting layer 34 ⁇ / b> B can be continuously formed using the same vapor deposition mask 70 ⁇ / b> B.
  • the blue fluorescent light emitting layer forming step (S7) the blue fluorescent light emitting layer 34B having the same pattern as that of the block layer 38 in a plan view is laminated on the block layer 38.
  • the present embodiment is not limited to this, and the block layer 38 and the blue fluorescent light emitting layer 34B may be patterned by using dedicated vapor deposition masks having the same opening pattern.
  • the reflective electrode 21 a, the translucent electrode 21 b, the hole injection layer 31, the hole transport layer 32, the red light emitting layer 34 ⁇ / b> R, and the separate layer 35 are formed on the TFT substrate 10.
  • the green fluorescent light-emitting layer 34G, the block layer 38, the blue fluorescent light-emitting layer 34B, the electron transport layer 36, the electron injection layer 37, the second electrode 23, and the protective layer 24 were laminated in this order from the TFT substrate 10 side.
  • Reflective electrode 21a (first electrode 21, anode): Ag (100 nm)
  • Translucent electrode 21b (first electrode 21, anode): ITO (subpixel 3B: 130 nm / subpixel 3G1: 130 nm / subpixel 3G2: 165 nm / subpixel 3R: 40 nm)
  • Hole injection layer 31 HAT-CN (10 nm)
  • Hole transport layer 32 TCTA (20 nm)
  • Red light emitting layer 34R CBP (host material, 90%) / Ir (piq) 3 (red light emitting material, 10%) (10 nm)
  • Separate layer 35 CBP (20 nm)
  • Green fluorescent light emitting layer 34G TPD (host material, 90%) / coumarin 6 (green fluorescent light emitting material, 10%) (10 nm)
  • Block layer 38 mCP (5 nm) Blue fluorescent light emitting layer 34B: mCP (host material, 90%) / DMAC-DPS (blue fluorescent light
  • the block layer 38 may be provided as a common layer for the subpixels 3G1 and 3G2 as shown in FIG. 21A, and is provided as a common layer for all the subpixels 3 as shown in FIG. It may be.
  • the block layer 38 as a common layer in the sub-pixels 3G1 and 3G2, the Dexter transition from the blue fluorescent light-emitting material to the green fluorescent light-emitting material in the sub-pixel 3G1 can be inhibited.
  • the material of the block layer 38 can be linearly evaporated in the direction connecting the sub-pixel 3G1 and the sub-pixel 3G2.
  • the material and thickness of each layer stacked on the TFT substrate 10 when the block layer 38 is provided as a common layer in all the subpixels 3 are as follows.
  • the dimensions and materials described below are merely examples, and the present embodiment is not limited to these specific dimensions and materials.
  • the optical thickness of the translucent electrode 21b was optically optimized by optical simulation in order to align the emission color of the subpixel 3G1 and the emission color of the subpixel 3G2.
  • Reflective electrode 21a (first electrode 21, anode): Ag (100 nm)
  • Translucent electrode 21b (first electrode 21, anode): ITO (subpixel 3B: 130 nm / subpixel 3G1: 130 nm / subpixel 3G2: 160 nm / subpixel 3R: 40 nm)
  • Hole injection layer 31 HAT-CN (10 nm)
  • Hole transport layer 32 TCTA (20 nm)
  • Red light emitting layer 34R CBP (host material, 90%) / Ir (piq) 3 (red light emitting material, 10%) (10 nm)
  • Separate layer 35 CBP (20 nm)
  • Green fluorescent light emitting layer 34G TPD (host material, 90%) / coumarin 6 (green fluorescent light emitting material, 10%) (10 nm)
  • Block layer 38 mCP (5 nm) Blue fluorescent light emitting layer 34B: mCP (host material, 90%) / DMAC-DPS (blue fluorescent light emit
  • FIG. 22 is a diagram schematically showing a stacked structure in the light emitting layer unit 33 of the organic EL display device 1 according to the present embodiment.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view showing an example of a schematic configuration of the organic EL display device 1 according to the present embodiment.
  • FIG. 23 shows an example of a schematic configuration of one pixel region corresponding to the cross section taken along line L1-L2 shown in FIG. 3 or FIG.
  • the light emitting layer unit 33 is red between the first electrode 21 and the second electrode 23 from the first electrode 21 side.
  • the light emitting layer 34R, the separate layer 35, the blue fluorescent light emitting layer 34B, and the green fluorescent light emitting layer 34G are stacked in this order.
  • the subpixel 3G1 includes a separate layer 35 (first intermediate layer) and a block layer 38 (second intermediate layer) as intermediate layers. Also good.
  • the separate layer 35 may be a stacked body including the first separate layer 35a and the second separate layer 35b.
  • the blue fluorescent light-emitting layer 34B and the red light-emitting layer 34R are adjacent to each other in the stacking direction with the separate layer 35 interposed therebetween. For this reason, in the present embodiment, the distance between the opposing surfaces of the blue fluorescent light-emitting layer 34B and the red light-emitting layer 34R (distance between the opposing surfaces D BR ) equal to the thickness of the separate layer 35, that is, blue fluorescent light emission.
  • the surface of the layer 34B located closest to the red light emitting layer 34R (in this embodiment, the lower surface of the blue fluorescent light emitting layer 34B) and the surface of the red light emitting layer 34R located closest to the blue fluorescent light emitting layer 34B (in the present embodiment, red light emission).
  • the distance between the upper surface of the layer 34R and the Forster radius is set.
  • the counter surface distance D BR is similarly opposed surfaces distance DG R, 15 nm or more, preferably 50nm or less, 15 nm or more and more preferably 30nm or less.
  • excitons are generated in the blue fluorescent light-emitting layer 34B, in the sub-pixel 3G2, excitons are generated in the green fluorescent light-emitting layer 34G, and in the sub-pixel 3R, red light is emitted. Excitons are generated in the layer 34R. Even when the stacking order of the blue fluorescent light emitting layer 34B and the green fluorescent light emitting layer 34G in the subpixel 3G1 is reversed from that in the first to seventh embodiments as in the present embodiment, the blue fluorescent light emitting layer in the subpixel 3G1.
  • the green fluorescent light-emitting layer 34G is located on the cathode side (second electrode 23 side) with respect to the blue fluorescent light-emitting layer 34B. Therefore, for example, as shown in FIG. 22, both the material with the highest content ratio among the materials in the blue fluorescent light-emitting layer 34B and the material with the highest content ratio among the materials in the green fluorescent light-emitting layer 34G are both hole transportable. In the case of a material, excitons are generated in the green fluorescent light emitting layer 34G.
  • the luminous efficiency of the device 1 is improved. Further, by using a TADF material for the blue fluorescent light emitting material, even if excitons are generated in the blue fluorescent light emitting layer 34B, it is caused by the crossing of the inverse terms from the T 1 level to the S 1 level. The Forster transition between the S 1 levels causes energy transfer from the blue fluorescent material to the green fluorescent material. Therefore, by using a TADF material for the green fluorescent light emitting material and the blue fluorescent light emitting material, blue color mixture in the sub-pixel 3G1 can be suppressed, and chromaticity in the sub-pixel 3G1 can be improved.
  • the protective layer forming step (S11) is performed in this order. Thereby, the organic EL display device 1 having the laminated structure described above can be manufactured.
  • each layer laminated on the TFT substrate 10 are as follows. However, the dimensions and materials described below are merely examples, and the present embodiment is not limited to these specific dimensions and materials.
  • the optical thickness of the translucent electrode 21b was optically optimized by optical simulation in order to align the emission color of the subpixel 3G1 and the emission color of the subpixel 3G2.
  • a TADF material was used for each of the blue fluorescent material and the green fluorescent material.
  • the green fluorescent light emitting layer 34G is located closest to the cathode side (that is, the second electrode 23 side) in the light emitting layer unit 33. . Therefore, as described above, the material with the highest content ratio among the materials in the green fluorescent light emitting layer 34G (mCP which is the host material in Example 9) and the material with the highest content ratio among the materials in the blue fluorescent light emitting layer 34B. If the carrier mobility of at least one of the materials (mCP which is a host material in Example 9) is hole transportability, the probability that excitons are generated in the green fluorescent light-emitting layer 34G is increased, and the luminous efficiency is increased. improves.
  • the blue fluorescent light emitting layer 34B when the blue fluorescent light emitting layer 34B is formed in common for the subpixel 3B and the subpixel 3G1 by linear vapor deposition, the blue fluorescent light emitting layer 34B should enter the subpixel 3G2 in the unlikely event. Even if the blue fluorescent light-emitting layer 34B is formed under the green fluorescent light-emitting layer 34G (that is, the first electrode 21 side), energy is transferred from the blue fluorescent light-emitting material to the green fluorescent light-emitting material. Blue color mixing does not occur.
  • the red light emitting layer 34R is located closest to the anode side (that is, the first electrode 21 side) in the light emitting layer unit 33, and the blue fluorescent light emitting layer forming step (S7). ) And the green fluorescent light emitting layer forming step (S6), the red light emitting layer forming step (S4) is performed.
  • the red light emitting layer 34R when the red light emitting layer 34R is formed in common to the subpixel 3G1 and the subpixel 3R, the red light emitting layer 34R should enter the subpixel 3G2 and emit red light under the green fluorescent light emitting layer 34G. Even if the layer 34R is formed, if the material having the largest content ratio among the materials in the green fluorescent light emitting layer 34G is a hole transporting material, electrons do not reach the red light emitting layer 34R. There is no red color mixture.
  • PL emission spectrum of the fluorescent light-emitting material in the light-emitting layer adjacent to 35 (green fluorescent light-emitting layer 34G in the present embodiment), more preferably the PL emission spectrum of the green fluorescent light-emitting material and the PL light emission of the blue fluorescent light-emitting material. More preferably, there is no overlap with the spectrum.
  • At least one of the blue fluorescent light-emitting material and the green fluorescent light-emitting material is a TADF material.
  • the stacking order of the light emitting layer units 33 is stacked in the reverse order of the first to seventh embodiments. Therefore, for example, as shown in FIG. 25, the material having the highest content ratio among the materials in the green fluorescent light-emitting layer 34G and the material having the highest content ratio among the materials in the blue fluorescent light-emitting layer 34B are both electron transporting materials. In some cases, excitons are generated in the blue fluorescent light-emitting layer 34B. Therefore, in this case, it is desirable to use a TADF material for at least the blue fluorescent material for the same reason as described in the fourth embodiment.
  • each layer laminated on the TFT substrate 10 are as follows. However, the dimensions and materials described below are merely examples, and the present embodiment is not limited to these specific dimensions and materials.
  • the optical thickness of the translucent electrode 21b was optically optimized by optical simulation in order to align the emission color of the subpixel 3G1 and the emission color of the subpixel 3G2.
  • both materials are less likely to cause color mixing. Luminous efficiency can be improved.
  • the organic EL display device 1 having higher characteristics can be provided by setting the stacking order of the light emitting layer unit 33 to the stacking order described above.
  • the organic EL display device 1 according to the present embodiment can be expected to have a lower voltage than the organic EL display device 1 according to the first to eighth embodiments.
  • the red light emitting layer 34R when the red light emitting layer 34R is formed in common to the subpixel 3G1 and the subpixel 3R, the red light emitting layer 34R should enter the subpixel 3G2 and emit red light on the green fluorescent light emitting layer 34G. Even if the layer 34R is formed, if the material having the highest content ratio among the materials in the green fluorescent light emitting layer 34G is an electron transporting material, holes do not reach the red light emitting layer 34R. There is no red color mixture.
  • the material with the highest content ratio among the materials in the blue fluorescent light-emitting layer 34B and the material with the highest content ratio among the materials in the green fluorescent light-emitting layer 34G are both electron transporting materials.
  • the red light emitting layer 34R is vapor-deposited, even if a small amount of red light emitting material enters another subpixel 3 (that is, at least one subpixel 3 of the subpixel 3B and the subpixel 3G2), color mixing is caused. A configuration that is unlikely to occur can be achieved.
  • the PL emission spectrum of the fluorescent light-emitting material in the light-emitting layer adjacent to 35 (however, in this embodiment, the blue fluorescent light-emitting layer 34B), more preferably, the PL emission spectrum of the green fluorescent light-emitting material and the blue fluorescent light-emitting material More preferably, there is no overlap with the PL emission spectrum.
  • a TADF material may be sufficient as at least one among a blue fluorescent light-emitting material and a green fluorescent light-emitting material.
  • FIG. 30 is a flowchart showing the flow of the manufacturing process of the main part of the organic EL display device 1 according to the present embodiment.
  • the protective layer forming step (S11) is performed in this order. Thereby, the organic EL display device 1 having the laminated structure described above can be manufactured.
  • the reflective electrode 21a, the translucent electrode 21b, the hole injection layer 31, the hole transport layer 32, the green fluorescent light emitting layer 34G, the blue fluorescent light are formed on the TFT substrate 10.
  • the light emitting layer 34B, the separate layer 35, the red light emitting layer 34R, the electron transport layer 36, the electron injection layer 37, the second electrode 23, and the protective layer 24 were laminated in this order from the TFT substrate 10 side.
  • each layer laminated on the TFT substrate 10 are as follows. However, the dimensions and materials described below are merely examples, and the present embodiment is not limited to these specific dimensions and materials.
  • the optical thickness of the translucent electrode 21b was optically optimized by optical simulation in order to align the emission color of the subpixel 3G1 and the emission color of the subpixel 3G2.
  • a TADF material was used for each of the blue fluorescent material and the green fluorescent material.
  • Reflective electrode 21a (first electrode 21, anode): Ag (100 nm)
  • Translucent electrode 21b (first electrode 21, anode): ITO (subpixel 3B: 135 nm / subpixel 3G1: 135 nm / subpixel 3G2: 165 nm / subpixel 3R: 40 nm)
  • Hole injection layer 31 HAT-CN (10 nm)
  • Hole transport layer 32 TCTA (20 nm)
  • Green fluorescent light emitting layer 34G BCP (host material, 90%) / 4CzIPN (green fluorescent light emitting material, 10%) (10 nm)
  • Blue fluorescent light emitting layer 34B DPEPO (host material, 90%) / DMAC-DPS (blue fluorescent light emitting material, 10%) (10 nm)
  • the green fluorescent light-emitting layer 34G is located closest to the anode side (that is, the first electrode 21 side) in the light-emitting layer unit 33. .
  • the material having the highest content ratio among the materials in the green fluorescent light emitting layer 34G DPEPO which is the host material in Example 11
  • the material having the highest content ratio among the materials in the blue fluorescent light emitting layer 34B If the carrier mobility of at least one of the materials (BCP which is the host material in Example 11) is electron transporting, the probability that excitons are generated in the green fluorescent light-emitting layer 34G is increased, and the luminous efficiency is improved. To do.
  • the green fluorescent light emission from the exciton generating position can be achieved by setting the thickness of the blue fluorescent light emitting layer 34B to 10 nm or less as described above. Since the distance to the layer 34G is reduced, the probability that a Förster transition occurs is improved, and chromaticity and light emission efficiency can be expected.
  • the blue fluorescent light emitting layer 34B when the blue fluorescent light emitting layer 34B is formed in common for the subpixel 3B and the subpixel 3G1 by linear vapor deposition, the blue fluorescent light emitting layer 34B should enter the subpixel 3G2 in the unlikely event. Even if the blue fluorescent light emitting layer 34B is formed on the green fluorescent light emitting layer 34G (that is, on the second electrode 23 side), energy is transferred from the blue fluorescent light emitting material to the green fluorescent light emitting material. Blue color mixing does not occur.
  • the red light emitting layer 34R is located closest to the cathode side (that is, the second electrode 23 side) in the light emitting layer unit 33. Then, the red light emitting layer forming step (S4) is performed after the green fluorescent light emitting layer forming step (S6) and the blue fluorescent light emitting layer forming step (S7).
  • the red light emitting layer 34R when the red light emitting layer 34R is formed in common for the subpixel 3G1 and the subpixel 3R by linear vapor deposition, the red light emitting layer 34R should enter the subpixel 3B by any chance. Even if the red light emitting layer 34R is formed on the blue fluorescent light emitting layer 34B (that is, the second electrode 23 side), the material having the highest content ratio among the materials in the blue fluorescent light emitting layer 34B may be an electron transporting material. For example, since the holes do not reach the red light emitting layer 34R, the red color mixture does not occur in the sub-pixel 3B.
  • the red light emitting layer 34R when the red light emitting layer 34R is formed in common to the subpixel 3G1 and the subpixel 3R, the red light emitting layer 34R should enter the subpixel 3G2 and emit red light on the green fluorescent light emitting layer 34G. Even if the layer 34R is formed, if the material having the highest content ratio among the materials in the green fluorescent light emitting layer 34G is an electron transporting material, holes do not reach the red light emitting layer 34R. There is no red color mixture.
  • the material having the highest content ratio among the materials in the blue fluorescent light-emitting layer 34B and the material having the highest content ratio in the materials in the green fluorescent light-emitting layer 34G are both transported with electrons.
  • the red light emitting material may enter the other subpixel 3 (that is, at least one of the subpixel 3B and the subpixel 3G2) during the deposition of the red light emitting layer 34R.
  • a host material having a high compatibility with the dopant material and a host having a high S 1 level or T 1 level capable of suppressing a decrease in efficiency due to energy transfer to the host material can be provided by setting the stacking order of the light emitting layer unit 33 to the stacking order described above.
  • the organic EL display device 1 according to the present embodiment can be expected to have a lower voltage than the organic EL display device 1 according to the first to eighth embodiments, like the organic EL display device 1 according to the ninth embodiment.
  • FIG. 31 is a diagram schematically showing a stacked structure in the light emitting layer unit 33 of the organic EL display device 1 according to the present embodiment.
  • FIG. 32 is a cross-sectional view showing an example of a schematic configuration of the organic EL display device 1 according to the present embodiment.
  • FIG. 32 shows an example of a schematic configuration of one pixel region corresponding to the cross section taken along line L1-L2 shown in FIG. 3 or FIG.
  • the red light emitting layer 34R is formed using the vapor deposition mask 70R shown in FIG. 9A or 13A in the red light emitting layer forming step (S4).
  • the separation layer forming step (S5) the separation layer 35 is formed by using a dedicated vapor deposition mask having an opening corresponding only to the sub-pixel 3G1. This is the same as the manufacturing method of the organic EL display device 1 shown in Mode 3.
  • the total thickness of the functional layer (organic layer) in the sub-pixel 3R is changed from that in the first and third embodiments by stacking the separate layer 35 only on the sub-pixel 3G2. For this reason, optical optimization was performed, and the layer thickness of the translucent electrode 21b in the sub-pixel 3R was changed from that in the first and third embodiments.
  • the reflective electrode 21 a, the translucent electrode 21 b, the hole injection layer 31, the hole transport layer 32, the red light emitting layer 34 ⁇ / b> R, and the separate layer 35 are formed on the TFT substrate 10.
  • the green fluorescent light emitting layer 34G, the blue fluorescent light emitting layer 34B, the electron transport layer 36, the electron injection layer 37, the second electrode 23, and the protective layer 24 were laminated in this order from the TFT substrate 10 side.
  • Reflective electrode 21a (first electrode 21, anode): Ag (100 nm)
  • Translucent electrode 21b (first electrode 21, anode): ITO (subpixel 3B: 135 nm / subpixel 3G1: 135 nm / subpixel 3G2: 165 nm / subpixel 3R: 60 nm)
  • Hole injection layer 31 HAT-CN (10 nm)
  • Hole transport layer 32 TCTA (20 nm)
  • Red light emitting layer 34R CBP (host material, 90%) / Ir (piq) 3 (red light emitting material, 10%) (10 nm)
  • Separate layer 35 CBP (20 nm)
  • Green fluorescent light emitting layer 34G TPD (host material, 90%) / coumarin 6 (green fluorescent light emitting material, 10%) (10 nm)
  • Blue fluorescent light emitting layer 34B ADN (host material, 90%) / TBPe (blue fluorescent light emitting material, 10%) (10 nm) Electron
  • a display device for example, organic EL display device 1 according to aspect 1 of the present invention includes a first subpixel (for example, subpixel 3B), a second subpixel (for example, subpixel 3G1), and a third subpixel (for example, subpixel 3B1).
  • a first subpixel for example, subpixel 3B
  • a second subpixel for example, subpixel 3G1
  • a third subpixel for example, subpixel 3B1.
  • the third light-emitting layer and the light-emitting layer located on the side of the third light-emitting layer among the first light-emitting layer and the second light-emitting layer are Förster-type energy transfer
  • the first fluorescent light-emitting material emits light
  • the light emitted from the first fluorescent light-emitting material is emitted from the first sub-pixel.
  • the second sub-pixel and above In the third sub-pixel, the second fluorescent light-emitting material emits light, and the light emitted from the second fluorescent light-emitting material is emitted to the outside.
  • the third light-emitting material is emitted.
  • the light emitted from the third light emitting material is emitted to the outside, the first fluorescent light emitting material emits light having a first peak wavelength, and the second fluorescent light emitting material is , And emits light having a second peak wavelength longer than the first peak wavelength, and the third light emitting material has a third peak wavelength longer than the second peak wavelength. Emits light.
  • a display device includes the anode (for example, the first electrode 21) and the cathode (for example, the second electrode 23) in the aspect 1, and one of the anode and the cathode is a reflective electrode (for example, The other includes a translucent electrode, and the pixel includes the first light emitting layer, the second light emitting layer, and the third light emitting layer between the anode and the cathode.
  • the reflective electrode and the translucent electrode in the second subpixel Multiple reflections are made between the reflective electrode and the translucent electrode in the second subpixel, and the light is emitted to the outside through the translucent electrode.
  • the second subpixel The light emitted from the fluorescent light emitting material is emitted as it is or after being multiple-reflected between the reflective electrode and the translucent electrode in the third sub-pixel, and is emitted to the outside through the translucent electrode.
  • the light emitted from the third light-emitting material is reflected as it is or between the reflective electrode and the translucent electrode in the fourth sub-pixel, The light may be emitted to the outside through the translucent electrode.
  • the display device is the display apparatus according to aspect 2, wherein the light emitting layer and the separate layer are the first light emitting layer, the second light emitting layer, and the separate from the anode side in the pixel.
  • the layers are stacked in the order of the third light emitting layer, and the material having the highest mixing ratio contained in the first light emitting layer and the highest mixing ratio contained in the second light emitting layer. At least one of the materials may be an electron transport material.
  • the display device is the display apparatus according to aspect 2, wherein the light emitting layer and the separate layer are arranged in the pixel from the anode side from the second light emitting layer, the first light emitting layer, and the separate.
  • the layers are stacked in the order of the third light emitting layer, and the material having the highest mixing ratio contained in the first light emitting layer and the highest mixing ratio contained in the second light emitting layer. At least one of the materials may be an electron transport material.
  • the display device according to aspect 7 of the present invention is the display device according to any one of the aspects 1 to 6, wherein the third light emitting layer and the third light emitting layer in the second subpixel are adjacent to each other in the stacking direction.
  • the distance between the layers may be greater than the Forster radius.
  • the separate layer may be a layer having a layer thickness exceeding the Forster radius.
  • the layer thickness of the first light emitting layer may be 10 nm or less.
  • the green fluorescent light emitting layer 34G A second light-emitting layer forming step formed in common to the sub-pixel and the third sub-pixel, and a third light-emitting layer (for example, a red light-emitting layer 34R) containing the third light-emitting material.
  • the second light emitting layer positioned on the third light emitting layer side is stacked via a separate layer (separate layer 35) that inhibits Forster energy transfer.
  • the functional layer forming step is performed after the anode forming step and before the cathode forming step, and in the functional layer forming step, The first light emitting layer forming step, the second light emitting layer forming step, the separate layer forming step, and the third light emitting layer forming step are performed in this order and are included in the first light emitting layer.
  • a method using an electron transporting material for at least one of the material having the highest mixing ratio and the material having the highest mixing ratio contained in the second light emitting layer may be used.
  • the separation layer in any one of Aspects 30 to 35, in the separation layer forming step, is formed so that the separation layer has a layer thickness exceeding the Forster radius. It may be formed.

Abstract

青色蛍光発光層（３４Ｂ）が第１および第２の副画素に共通に設けられ、緑色蛍光発光層（３４Ｇ）が第２および第３の副画素に共通に設けられ、赤色発光層（３４Ｒ）が第２および第４の副画素に共通に設けられており、第２の副画素（３Ｇ１）では、対向面間距離（ＤＢＧ）がフェルスター半径以下であり、赤色発光層と青色蛍光発光層および緑色蛍光発光層のうち一方とがセパレート層（３５）を介して積層されている。

Description

表示装置およびその製造方法
　本発明は、表示装置およびその製造方法に関する。
　近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、例えば、エレクトロルミネッセンス（以下、「ＥＬ」と記す）現象を利用した発光素子（ＥＬ素子）を用いた自発光型の表示装置が開発されている。
　ＥＬ素子を備えた表示装置は、低電圧で発光が可能であり、自己発光型であるために視野角が広く、視認性が高く、また、薄膜型の完全固体素子であるために省スペースや携帯性等の観点から注目を集めている。
　ＥＬ素子は、発光材料を含む発光層を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有している。ＥＬ素子は、発光層に電子および正孔（ホール）を注入して、再結合させることにより励起子を生成させ、この励起子が失活する際の光の放出を利用して発光する。
　ＥＬ素子における発光層の形成には、主に、真空蒸着法等の蒸着方式が用いられる。このような蒸着方式を用いたフルカラーの有機ＥＬ表示装置の形成には、大別して、白色ＣＦ（カラーフィルタ）方式と塗分方式とがある。
　白色ＣＦ方式は、白色発光のＥＬ素子とＣＦ層とを組み合わせて各副画素における発光色を選択する方式である。
　塗分方式は、蒸着マスクを用いて発光色毎に塗り分け蒸着を行う方式であり、一般的に、基板上に配列した、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色のＥＬ素子からなる副画素を、ＴＦＴを用いて、選択的に所望の輝度で発光させることにより画像表示が行われる。各ＥＬ素子間には、各副画素における発光領域を画定するバンク（隔壁）が設けられており、各ＥＬ素子の発光層は、蒸着マスクを用いて、上記バンクの開口部に形成される。
日本国公開特許公報「特開２０１５－２１６１１３号公報（２０１５年１２月３日公開）」
　白色ＣＦ方式は、高精細な蒸着マスクを必要とすることなく高精細な表示装置を実現することができるというメリットがある。
　しかしながら、白色ＣＦ方式は、カラーフィルタによるエネルギー損失があり、駆動電圧が高くなることから、消費電力が大きいという問題がある。また、このような白色発光のＥＬ素子は、レイヤー数が多く、また、カラーフィルタを必要とすることから、製造コストが非常に高くなってしまうというデメリットがある。
　一方、塗分方式は、発光効率や低電圧駆動等の特性は良いが、高精度なパターニングを行うのが難しい。例えば、蒸着マスクの開口精度、並びに、蒸着源と被成膜基板との距離関係によっては、隣接画素への混色が発生してしまうという問題がある。また、蒸着マスクの厚みや蒸着角度によっては、目的とする蒸着膜厚よりも薄い膜厚となる蒸着ボケ（シャドー）が発生する場合がある。このように、塗分方式を用いた表示装置では、隣接画素方向からの蒸着物侵入による混色やシャドーに由来する、表示品位の低下が問題となる。特に、隣接画素に他色ドーパントが付着した場合、他色ドーパントの付着量が極めて少量であっても、デバイス構造によっては、ＥＬ発光スペクトルへの寄与がかなり大きくなり、色度が変化してしまうことがある。
　このため、塗分方式により高精細な表示装置を実現するには、蒸着角度が鋭角になるように蒸着源を被成膜基板から離間させる必要があり、それらを収容する真空チャンバの高さを高くする必要がある。
　しかしながら、このような高さのある真空チャンバを製造するには多大なコストがかかる上、材料利用効率も悪くなり、材料コストも嵩むことになる。
　近年は、見た目の精細度を向上させるため、Ｓストライプ配列やペンタイル配列といった、ＲＧＢストライプ配列以外の画素配列も実用化されている。
　しかしながら、従来は、何れの画素配列の場合にも、副画素間のバンク幅を少なくとも十数μｍ程度確保する必要があり、塗分方式を用いた従来の表示装置の解像度は、実質５００ｐｐｉほどで頭打ちとなっている。
　なお、特許文献１には、生産性が高く、消費電力が低減された発光装置を提供するために、赤色の光を呈する発光素子と、赤色の光を透過する光学素子とを有するＲ副画素と、緑色の光を呈する発光素子と、緑色の光を透過する光学素子とを有するＧ副画素と、青色の光を呈する発光素子と、青色の光を透過する光学素子とを有するＢ副画素とを少なくとも有する発光装置において、各発光素子に、５４０ｎｍ～５８０ｎｍの波長範囲にスペクトルピークを有する第１の発光材料を有する第１の発光層、または、４２０ｎｍ～４８０ｎｍの波長範囲に発光ピークを有する第２の発光材料を有する第２の発光層を、共通して用いることが開示されている。
　なお、上記発光装置は、黄色（Ｙ）の光を呈する発光素子と、黄色の光を透過する光学素子とを有するＹ副画素をさらに有していてもよく、第１の発光層は、黄緑色、黄色、または橙色の発光を呈する発光材料からなる発光層であり、第２の発光材料は、紫色、青色、または青緑色の発光を呈する発光材料からなる発光層である。
　特許文献１では、発光素子と、カラーフィルタ、バンドパスフィルタ、多層膜フィルタ等の光学素子とを併用し、光学干渉効果と、光学素子による混色光のカットとによって色純度を高めている。
　しかしながら、特許文献１では、例えばＧ副画素とＲ副画素とに発光色が黄色または橙色の発光層を共通層として設ける等、共通層を設ける２つの副画素に、共通層として、両副画素のスペクトルの中間色の発光ピークを有する共通層を設けている。このため、光学干渉効果で所望の色を強めようとしても、色ズレが発生したり、効率低下を招いたりしてしまい、単色の色再現性を高めることが難しい。
　また、特許文献１では、貼り合わせ基板（封止基板）上に設けられた光学素子によって色度を向上させると考えられるが、色度と発光効率とがトレードオフになり、白色ＣＦ方式同様、高色純度と低消費電力とを両立することができないという問題がある。
　また、発光素子と光学素子との間にはギャップがあるため、斜め方向への射出光において混色が起こる可能性がある。このため、特許文献１の発光装置は、配光特性にも問題がある。
　本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、従来の塗分方式を用いた表示装置よりも混色可能性を低減することで混色防止の蒸着マージンを低減させ、より容易に高精細化を実現することができるとともに、高色度と低消費電力とを両立することができる表示装置およびその製造方法を提供することにある。
　上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる表示装置は、第１の副画素、第２の副画素、第３の副画素、および第４の副画素を含む画素を複数有し、第１の蛍光発光材料を含む第１の発光層が、上記第１の副画素および上記第２の副画素に共通して設けられており、第２の蛍光発光材料を含む第２の発光層が、上記第２の副画素および上記第３の副画素に共通して設けられており、第３の発光材料を含む第３の発光層が、上記第２の副画素および上記第４の副画素に共通して設けられており、上記第２の蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位は、上記第１の蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも低く、かつ、上記第３の発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも高く、上記第２の副画素では、上記第１の発光層と上記第２の発光層とにおける互いの対向面間の距離がフェルスター半径以下であり、かつ、上記第３の発光層と、上記第１の発光層および上記第２の発光層のうち上記第３の発光層側に位置する発光層とが、フェルスター型のエネルギー移動を阻害するセパレート層を介して積層されており、上記第１の副画素では、上記第１の蛍光発光材料が発光し、該第１の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第２の副画素および上記第３の副画素では、上記第２の蛍光発光材料が発光し、該第２の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第４の副画素では、上記第３の発光材料が発光し、該第３の発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第１の蛍光発光材料は、第１のピーク波長を有する光を発光し、上記第２の蛍光発光材料は、上記第１のピーク波長よりも長波長の第２のピーク波長を有する光を発光し、上記第３の発光材料は、上記第２のピーク波長よりも長波長の第３のピーク波長を有する光を発光する。
　上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる表示装置の製造方法は、第１の副画素、第２の副画素、第３の副画素、および第４の副画素を含む画素を複数有し、上記第１の副画素では、第１の蛍光発光材料が発光し、該第１の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第２の副画素および上記第３の副画素では、第２の蛍光発光材料が発光し、該第２の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第４の副画素では、第３の発光材料が発光し、該第３の発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第１の蛍光発光材料は、第１のピーク波長を有する光を発光し、上記第２の蛍光発光材料は、上記第１のピーク波長よりも長波長の第２のピーク波長を有する光を発光し、上記第３の発光材料は、上記第２のピーク波長よりも長波長の第３のピーク波長を有する光を発光する表示装置の製造方法であって、上記画素に複数の機能層を形成する機能層形成工程を含み、上記機能層形成工程は、上記第１の蛍光発光材料を含む第１の発光層を、上記第１の副画素および上記第２の副画素に共通して形成する第１の発光層形成工程と、上記第２の蛍光発光材料を含む第２の発光層を、上記第２の副画素および上記第３の副画素に共通して形成する第２の発光層形成工程と、上記第３の発光材料を含む第３の発光層を、上記第２の副画素および上記第４の副画素に共通して形成する第３の発光層形成工程と、上記第２の副画素で、上記第３の発光層と、上記第１の発光層および上記第２の発光層のうち上記第３の発光層側に位置する発光層とが、フェルスター型のエネルギー移動を阻害するセパレート層を介して積層されるように、上記第２の副画素に上記セパレート層を形成するセパレート層形成工程と、を含み、上記機能層形成工程では、上記第２の副画素で、上記第１の発光層と上記第２の発光層とにおける互いの対向面間の距離がフェルスター半径以下となるように上記第１の発光層および上記第２の発光層を形成するとともに、上記第２の蛍光発光材料に、最低励起一重項状態のエネルギー準位が、上記第１の蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも低く、かつ、上記第３の発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも高い蛍光発光材料を使用する。
　本発明の上記一態様によれば、上記第１の発光層が上記第１の副画素および上記第２の副画素に共通に設けられ、上記第２の発光層が上記第２の副画素および上記第３の副画素に共通に設けられ、上記第３の発光層が上記第２の副画素および上記第４の副画素に共通に設けられることで、上記第１の発光層、上記第２の発光層、上記第３の発光層を、それぞれ線形蒸着することができる。
　そして、本発明の上記一態様によれば、上記第２の副画素では、上記第１の発光層と上記第２の発光層と上記第３の発光層とが積層されるが、上記第１の発光層から上記第２の発光層にフェルスター型のエネルギー移動を生じる一方で、上記第１の発光層および上記第２の発光層から上記第３の発光層へのフェルスター型のエネルギー移動は生じないため、上記第２の蛍光発光材料のみが発光する。
　つまり、上記第２の発光層の発光材料である第２の蛍光発光材料は、上記第１の発光層の発光材料である第１の蛍光発光材料よりも最低一重項励起状態のエネルギー準位が低く、かつ、上記第１の発光層と上記第２の発光層とにおける互いの対向面間の距離がフェルスター半径以下であることから、たとえ上記第１の発光層上で正孔と電子とが再結合したとしても、フェルスター型のエネルギー移動により、上記第２の蛍光発光材料がほぼ１００％発光する。また、上記第３の発光層と、上記第１の発光層および上記第２の発光層のうち上記第３の発光層側に位置する発光層との間には上記セパレート層が設けられていることから、上記第１の発光層および上記第２の発光層から上記第３の発光層へのエネルギー移動が阻害される。このため、上記第２の副画素に、上記第１の発光層と上記第２の発光層と上記第３の発光層とが積層されていたとしても、混色を抑制することができる。
　また、本発明の上記一態様によれば、上記第１の発光層、上記第２の発光層、上記第３の発光層を、それぞれ線形蒸着することができるとともに、上記第２の副画素では、上述したように発光層が複数積層されているにも拘らず混色が生じ難いことから、従来の塗分方式を用いた表示装置よりも混色防止の蒸着マージンを低減させることができ、従来の塗分方式を用いた表示装置よりも容易に高精細化を実現することができる。
　また、上記表示装置は、上述したように発光層の積層構造を有しているにも拘らず、白色ＣＦ方式や特許文献１のようにＣＦ層や光学干渉効果を必須としないため、消費電力の増大や配光特性の悪化を回避することができる。このため、高色度と低消費電力とを両立することができる。
　したがって、本発明の上記一態様によれば、従来の塗分方式を用いた表示装置よりも混色可能性を低減することで混色防止の蒸着マージンを低減させ、より容易に高精細化を実現することができるとともに、高色度と低消費電力とを両立することができる表示装置を提供することができる。
　したがって、本発明の上記一態様によれば、従来の塗分方式を用いた表示装置よりも混色可能性を低減することで混色防止の蒸着マージンを低減させ、より容易に高精細化を実現することができるとともに、高色度と低消費電力とを両立することができる表示装置を提供することができる。
本発明の実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の発光層ユニットにおける発光原理を模式的に示す図である。 本発明の実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の発光層ユニットにおける積層構造を模式的に示す図である。 本発明の実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の画素配列を模式的に示す図である。 本発明の実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成の一例を示す断面図である。 青色蛍光発光材料、緑色蛍光発光材料、および赤色発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位の関係を示す図である。 本発明の実施形態１で用いられる、青色蛍光発光材料のフォトルミネセンス発光スペクトルおよび緑色蛍光発光材料の吸収スペクトルの一例を示すグラフである。 本発明の実施形態１で用いられるセパレート層の材料の吸収スペクトルおよび緑色蛍光発光材料のフォトルミネセンス発光スペクトル並びに青色蛍光発光材料のフォトルミネセンス発光スペクトルの一例を示すグラフである。 青色蛍光発光材料のフォトルミネセンス発光スペクトル、緑色蛍光発光材料のフォトルミネセンス発光スペクトル、および赤色発光材料のフォトルミネセンス発光スペクトルの一例を示すグラフである。 （ａ）～（ｃ）は、本発明の実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置における発光層ユニットの製造工程を工程順に示す平面図である。 本発明の実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の要部の製造工程の流れを示すフローチャートである。 本発明の実施形態２にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成の一例を示す断面図である。 本発明の実施形態３にかかる有機ＥＬ表示装置の画素配列を模式的に示す図である。 （ａ）～（ｃ）は、本発明の実施形態３にかかる有機ＥＬ表示装置における発光層ユニットの製造工程を工程順に示す平面図である。 （ａ）はフェルスター遷移について説明する図であり、（ｂ）はデクスター遷移について説明する図であり、（ｃ）はＴＡＤＦ材料について説明する図である。 本発明の実施形態６にかかる有機ＥＬ表示装置の第１の緑色の副画素および赤色の副画素における発光原理を模式的に示す図である。 本発明の実施形態６にかかる有機ＥＬ表示装置の発光層ユニットにおける積層構造を模式的に示す図である。 本発明の実施形態６にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成の一例を示す断面図である。 本発明の実施形態７にかかる有機ＥＬ表示装置の発光層ユニットにおける積層構造を模式的に示す図である。 本発明の実施形態７にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成の一例を示す断面図である。 本発明の実施形態７にかかる有機ＥＬ表示装置の要部の製造工程の流れを示すフローチャートである。 （ａ）・（ｂ）は、それぞれ、本発明の実施形態７にかかる発光層ユニットの積層構造の他の例を模式的に示す図である。 本発明の実施形態８にかかる有機ＥＬ表示装置の発光層ユニットにおける積層構造を模式的に示す図である。 本発明の実施形態８にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成の一例を示す断面図である。 本発明の実施形態８にかかる有機ＥＬ表示装置の要部の製造工程の流れを示すフローチャートである。 本発明の実施形態９にかかる有機ＥＬ表示装置の発光層ユニットにおける積層構造を模式的に示す図である。 本発明の実施形態９にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成の一例を示す断面図である。 本発明の実施形態９にかかる有機ＥＬ表示装置の要部の製造工程の流れを示すフローチャートである。 本発明の実施形態１０にかかる有機ＥＬ表示装置の発光層ユニットにおける積層構造を模式的に示す図である。 本発明の実施形態１０にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成の一例を示す断面図である。 本発明の実施形態１０にかかる有機ＥＬ表示装置の要部の製造工程の流れを示すフローチャートである。 本発明の実施形態１１にかかる有機ＥＬ表示装置の発光層ユニットにおける積層構造を模式的に示す図である。 本発明の実施形態１１にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成の一例を示す断面図である。
　以下、本発明の実施形態について、詳細に説明する。
　〔実施形態１〕
　本発明の実施の一形態について、図１～図１０に基づいて説明すれば、以下の通りである。
　以下では、本実施形態にかかる表示装置として、有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。
　＜有機ＥＬ表示装置の概略構成＞
　図１は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の発光層ユニット３３における発光原理を模式的に示す図である。また、図２は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の発光層ユニット３３における積層構造を模式的に示す図である。図３は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の画素配列を模式的に示す図である。図４は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の概略構成の一例を示す断面図である。なお、図４は、図３に示す有機ＥＬ表示装置１のＬ１－Ｌ２線断面に相当する、図３に一点鎖線で枠囲みして示す１画素領域の概略構成の一例を示している。
　図４に示すように、上記有機ＥＬ表示装置１は、例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）基板１０と封止基板４０とが図示しないシール材を介して貼り合わされた構成を有している。ＴＦＴ基板１０上には、各色に発光する複数の有機ＥＬ素子２０が設けられている。このため、有機ＥＬ素子２０は、ＴＦＴ基板１０および封止基板４０からなる一対の基板間に封入されている。有機ＥＬ素子２０が積層されたＴＦＴ基板１０と封止基板４０との間には、例えば、図示しない充填剤層が設けられている。以下では、ＴＦＴ基板１０が矩形状である場合を例に挙げて説明する。
　本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、封止基板４０側から光を取り出すトップエミッション型の表示装置である。以下に、より詳細に説明する。
　＜ＴＦＴ基板１０の構成＞
　ＴＦＴ基板１０は、ＴＦＴ１２や配線１４を含むＴＦＴ回路が形成された回路基板である。ＴＦＴ基板１０は、支持基板として、図示しない絶縁基板１１を備えている。
　絶縁基板１１は、絶縁性を有していれば特に限定されるものではない。絶縁基板１１には、例えば、ガラス基板や石英基板等の無機基板、ポリエチレンテレフタレートまたはポリイミド樹脂等からなるプラスチック基板等、公知の各種絶縁基板を用いることができる。
　なお、本実施形態では、後述するように、絶縁基板１１として、透光性を有するガラス基板（透光性基板）を用いる場合を例に挙げて説明する。しかしながら、トップエミッション型の有機ＥＬ素子２０においては、絶縁基板１１に透光性を必要としない。このため、本実施形態のように有機ＥＬ表示装置１がトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置である場合、絶縁基板１１として、シリコンウェハ等の半導体基板、アルミニウム（Ａｌ）または鉄（Ｆｅ）等からなる金属基板の表面に酸化シリコンまたは有機絶縁材料等からなる絶縁物をコーティングした基板、Ａｌ等からなる金属基板の表面を陽極酸化等の方法によって絶縁化処理した基板等、透光性を有さない絶縁基板（非透光性基板）を使用してもよい。
　絶縁基板１１上には、水平方向に敷設された複数のゲート線と、垂直方向に敷設され、ゲート線と交差する複数の信号線とからなる、複数の配線１４が設けられている。これら配線１４およびＴＦＴ１２は、層間絶縁膜１３によって覆われている。また、ゲート線には、ゲート線を駆動する図示しないゲート線駆動回路が接続され、信号線には、信号線を駆動する図示しない信号線駆動回路が接続されている。
　ＴＦＴ基板１０上には、上記配線１４で囲まれた領域に、それぞれ、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に発光する有機ＥＬ素子２０の発光領域４が設けられている。
　すなわち、これら配線１４で囲まれた領域が１つの副画素３（ドット）であり、副画素３毎に、Ｒ、Ｇ、Ｂの各発光領域４が画成されている。
　図３および図４に示すように、各画素２（すなわち、１画素）は、４つの副画素３Ｂ・３Ｇ１・３Ｇ２・３Ｒによって構成されている。これら副画素３Ｂ・３Ｇ１・３Ｇ２・３Ｒには、有機ＥＬ素子２０として、対応する発光色の有機ＥＬ素子２０Ｂ・２０Ｇ１・２０Ｇ２・２０Ｒがそれぞれ設けられている。
　第１の色として青色を表示する副画素３Ｂ（第１の副画素、青色の副画素）は、発光色が青色の有機ＥＬ素子２０Ｂからなり、青色の光を透過する。第２の色として緑色を表示する副画素３Ｇ１（第２の副画素、第１の緑色の副画素）は、発光色が緑色の有機ＥＬ素子２０Ｇ１からなり、緑色の光を透過する。同様に、第２の色として緑色を表示する副画素３Ｇ２（第３の副画素、第２の緑色の副画素）は、発光色が緑色の有機ＥＬ素子２０Ｇ２からなり、緑色の光を透過する。第３の色として赤色を表示する副画素３Ｒ（第４の副画素、赤色の副画素）は、発光色が赤色の有機ＥＬ素子２０Ｒからなり、赤色の光を透過する。
　なお、本実施形態では、各副画素３Ｂ・３Ｇ１・３Ｇ２・３Ｒを区別する必要がない場合には、これら副画素３Ｂ・３Ｇ１・３Ｇ２・３Ｒを総称して単に副画素３と称する。同様に、本実施形態では、各有機ＥＬ素子２０Ｂ・２０Ｇ１・２０Ｇ２・２０Ｒを区別する必要がない場合には、これら有機ＥＬ素子２０Ｂ・２０Ｇ１・２０Ｇ２・２０Ｒを総称して単に有機ＥＬ素子２０と称する。また、各発光領域４Ｂ・４Ｇ１・４Ｇ２・４Ｒを区別する必要がない場合には、これら発光領域４Ｂ・４Ｇ１・４Ｇ２・４Ｒを総称して単に発光領域４と称する。なお、これら総称の部材番号については、図４等に、例えば３Ｂ（３）のように括弧書きで併記する。
　各副画素３には、それぞれ、有機ＥＬ素子２０に駆動電流を供給する駆動用トランジスタとしてのＴＦＴを含む複数のＴＦＴ１２が設けられている。各副画素３の発光強度は、配線１４およびＴＦＴ１２による走査および選択により決定される。このように、有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ１２を用いて、各有機ＥＬ素子２０を選択的に所望の輝度で発光させることにより画像を表示する。
　＜有機ＥＬ素子２０の構成＞
　図４に示すように、各有機ＥＬ素子２０は、第１電極２１、有機ＥＬ層２２、第２電極２３を備えている。有機ＥＬ層２２は、第１電極２１と第２電極２３とで挟持されている。本実施形態では、第１電極２１と第２電極２３との間に設けられた層を総称して有機ＥＬ層２２と称する。有機ＥＬ層２２は、少なくとも１層の機能層からなる有機層であり、少なくとも１層の発光層３４を含む発光層ユニット３３を含んでいる。
　これら第１電極２１、有機ＥＬ層２２、第２電極２３は、ＴＦＴ基板１０側からこの順に積層されている。
　第１電極２１は、副画素３毎に島状にパターン形成されており、第１電極２１の端部は、バンク１５（隔壁、エッジカバー）で覆われている。第１電極２１は、層間絶縁膜１３に設けられたコンタクトホール１３ａを介してそれぞれＴＦＴ１２と接続されている。
　バンク１５は絶縁層であり、例えば感光性樹脂で構成されている。バンク１５は、第１電極２１の端部で、電極集中や有機ＥＬ層２２が薄くなって第２電極２３と短絡することを防止する。また、バンク１５は、隣り合う副画素３に電流が漏れないように、画素分離膜としても機能している。
　バンク１５には、副画素３毎に開口部１５ａが設けられている。図４に示すように、この開口部１５ａによる第１電極２１および有機ＥＬ層２２の露出部が、各副画素３の発光領域４であり、それ以外の領域は非発光領域である。
　一方、第２電極２３は、各副画素３に共通に設けられた共通電極である。第２電極２３は、全ての画素２における副画素３に共通して設けられている。但し、本実施形態は、これに限定されるものではなく、副画素３毎に第２電極２３が設けられていてもよい。
　第２電極２３上には、該第２電極２３を覆うように保護層２４が設けられている。保護層２４は、上側電極である第２電極２３を保護し、酸素や水分が外部から各有機ＥＬ素子２０内に浸入することを阻止する。なお、保護層２４は、全ての有機ＥＬ素子２０における第２電極２３を覆うように、全ての有機ＥＬ素子２０に共通して設けられている。本実施形態では、各副画素３に形成された、第１電極２１、有機ＥＬ層２２、第２電極２３、および、必要に応じて形成される保護層２４をまとめて有機ＥＬ素子２０と称する。
　（第１電極２１および第２電極２３）
　第１電極２１および第２電極２３は、対の電極であり、一方が陽極として機能し、他方が陰極として機能する。
　陽極は、発光層ユニット３３に正孔（ｈ＋）を注入する電極としての機能を有していればよい。また、陰極は、発光層ユニット３３に電子（ｅ－）を注入する電極としての機能を有していればよい。
　陽極および陰極の形状、構造、大きさ等は、特に制限はなく、有機ＥＬ素子２０の用途、目的に応じて、適宜選択することができる。
　本実施形態では、図４に示すように、第１電極２１が陽極であり、第２電極２３が陰極である場合を例に挙げて説明する。しかしながら、本実施形態はこれに限定されるものではなく、第１電極２１が陰極であり、第２電極２３が陽極であってもよい。第１電極２１が陽極であり、第２電極２３が陰極である場合と、第１電極２１が陰極であり、第２電極２３が陽極である場合とでは、発光層ユニット３３を構成する各機能層の積層順あるいはキャリア輸送性（正孔輸送性、電子輸送性）が反転する。同様に、第１電極２１および第２電極２３を構成する材料も反転する。
　陽極および陰極として用いることができる電極材料としては、特に限定されるものではなく、例えば公知の電極材料を用いることができる。
　陽極としては、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、およびニッケル（Ｎｉ）等の金属、並びに、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）等の透明電極材料等が利用できる。
　一方、陰極としては、発光層３４に電子を注入する目的で、仕事関数の小さい材料が好ましい。陰極としては、例えば、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、セリウム（Ｃｅ）、バリウム（Ｂａ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属、またはこれらの金属を含有するＡｇ（銀）－Ｍｇ（マグネシウム）合金、Ａｌ－Ｌｉ合金等の合金等が利用できる。
　なお、陽極および陰極の厚みは、特に限定されるものではなく、従来と同様に設定することができる。
　発光層ユニット３３で発生させた光は、第１電極２１および第２電極２３のうち何れか一方の電極側から光が取り出される。光を取り出す側の電極には、透光性電極材料を使用した、透明もしくは半透明の透光性電極（透明電極、半透明電極）を使用し、光を取り出さない側の電極には、反射電極材料を使用した反射電極、もしくは、反射電極として、反射層を有する電極を使用することが好ましい。
　すなわち、第１電極２１および第２電極２３としては、様々な導電性材料を用いることができるが、上述したように有機ＥＬ表示装置１がトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置である場合、有機ＥＬ素子２０を支持する支持体であるＴＦＴ基板１０側の第１電極２１を反射電極材料で形成し、有機ＥＬ素子２０を挟んで第１電極２１とは反対側に位置する第２電極２３を、透明のまたは半透明の透光性電極材料で形成することが好ましい。
　第１電極２１および第２電極２３は、それぞれ、１つの電極材料からなる単層であってもよいし、複数の電極材料からなる積層構造を有していてもよい。
　したがって、上述したように有機ＥＬ素子２０がトップエミッション型の有機ＥＬ素子である場合、図２に示すように、第１電極２１を、反射電極２１ａ（反射層）と、透光性電極２１ｂとの積層構造としてもよい。本実施形態では、第１電極２１は、ＴＦＴ基板１０側から、反射電極２１ａ、透光性電極２１ｂが、この順に積層された構成を有している。
　反射電極材料としては、例えば、タンタル（Ｔａ）または炭素（Ｃ）等の黒色電極材料、Ａｌ、Ａｇ、金（Ａｕ）、Ａｌ－Ｌｉ合金、Ａｌ－ネオジウム（Ｎｄ）合金、またはＡｌ－シリコン（Ｓｉ）合金等の反射性金属電極材料等が挙げられる。
　また、透光性電極材料としては、例えば、上述した透明電極材料等を用いてもよいし、薄膜にしたＡｇ等の半透明の電極材料を用いてもよい。
　（有機ＥＬ層２２）
　本実施形態にかかる有機ＥＬ層２２は、図４に示すように、機能層として、第１電極２１側から、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、発光層３４を含む発光層ユニット３３、電子輸送層３６、電子注入層３７が、この順に積層された構成を有している。正孔注入層３１、正孔輸送層３２、電子輸送層３６、電子注入層３７は、全ての画素２における副画素３に共通して設けられている。
　但し、発光層ユニット３３以外の機能層は、有機ＥＬ層２２として必須の層ではなく、要求される有機ＥＬ素子２０の特性に応じて適宜形成すればよい。以下に、上記各機能層について説明する。
　（発光層ユニット３３）
　前述したように、各有機ＥＬ素子２０における有機ＥＬ層２２は、少なくとも１層の機能層からなる有機層であり、図１、図２および図４に示すように、各有機ＥＬ素子２０における発光層ユニット３３は、少なくとも１層の発光層３４を含んでいる。
　各有機ＥＬ素子２０のうち、有機ＥＬ素子２０Ｂは、発光層３４として、青色の光を発光する青色蛍光発光材料を含む青色蛍光発光層３４Ｂを含んでいる。有機ＥＬ素子２０Ｒは、発光層３４として、赤色の光を発光する赤光発光材料を含む赤色発光層３４Ｒを含んでいる。有機ＥＬ素子２０Ｇ２は、発光層３４として、緑色の光を発光する緑色蛍光発光材料を含む緑色蛍光発光層３４Ｇを含んでいる。有機ＥＬ素子２０Ｇ２は、発光層３４として、赤色発光層３４Ｒ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、および青色蛍光発光層３４Ｂを含んでいる。すなわち、有機ＥＬ素子２０Ｂ・２０Ｇ２・２０Ｒには、それぞれ、発光層３４が１層のみ設けられているのに対し、有機ＥＬ素子２０Ｇ１には、発光層３４として、有機ＥＬ素子２０Ｂ・２０Ｇ２・２０Ｒに設けられた各発光層３４（言い換えれば、ＲＧＢの各色の発光層３４）がそれぞれ設けられている。
　青色蛍光発光層３４Ｂは、副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ１に共通して設けられている。緑色蛍光発光層３４Ｇは、副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２に共通して設けられている。赤色発光層３４Ｒは、副画素３Ｇ１および副画素３Ｒに共通して設けられている。
　このため、各画素２には、図４に示すように、第１電極２１と第２電極との間に、少なくとも、青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、および赤色発光層３４Ｒを含む複数の機能層が形成されている。そして、各副画素３には、上記複数の機能層のうち、青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、および赤色発光層３４Ｒのうち少なくとも１層の発光層３４を含む少なくとも１層の機能層が、それぞれ第１電極２１と第２電極との間に設けられている。
　副画素３Ｇ１において、青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとは、互いに隣接して設けられている一方、緑色蛍光発光層３４Ｇと赤色発光層３４Ｒとの間には、フェルスター型のエネルギー移動（フェルスター遷移）を阻害するセパレート層３５が設けられている。
　セパレート層３５は、発光材料を含まず、発光層以外の少なくとも１層の機能層からなり、フェルスター半径を越える層厚を有している。セパレート層３５は、少なくとも１５ｎｍの層厚を有していることが好ましい。
　フェルスター半径とは、フェルスター遷移が起こり得る、互いに隣り合う発光層３４間の距離（具体的には、互いに隣り合う発光層３４における互いに最隣接する、互いの対向面間の距離）を意味する。互いに隣り合う一方の発光層３４に含まれる発光材料のＰＬ（フォトルミネセンス）発光スペクトルと他方の発光層３４に含まれる発光材料の吸収スペクトルとの重なり程度が大きければ、フェルスター半径は大きくなり、重なり程度が小さければ、フェルスター半径も小さくなる。
　一般的に、フェルスター半径は１～１０ｎｍ程度と言われている。このため、互いに隣り合う発光層３４における互いの対向面間の距離を１０ｎｍよりも大きく離間させれば、フェルスター遷移は起こらない。
　しかしながら、互いに隣り合う発光層３４間の距離を少なくとも１５ｎｍ離間させることで、互いに隣り合う発光層３４の発光材料のＰＬ（フォトルミネセンス）発光スペクトルと吸収スペクトルとが完全に重なる場合でも、隣り合う発光層３４間においてフェルスター遷移が起こらない。したがって、緑色蛍光発光層３４Ｇと赤色発光層３４Ｒとにおける互いの対向面間の距離（対向面間距離ＤＧＲ）、つまり、緑色蛍光発光層３４Ｇにおける最も赤色発光層３４Ｒ側に位置する面（本実施形態では緑色蛍光発光層３４Ｇの下面）と赤色発光層３４Ｒにおける最も緑色蛍光発光層３４Ｇ側に位置する面（本実施形態では赤色発光層３４Ｒの上面）との間の距離は、１５ｎｍ以上であることが好ましい。このため、上記セパレート層３５は、少なくとも１５ｎｍの層厚を有していることが好ましい。
　セパレート層３５は、赤色発光層３４Ｒと同じく、副画素３Ｇ１および副画素３Ｒに共通して設けられている。なお、セパレート層３５の層厚は、フェルスター遷移を阻害することができる厚みに設定されていればよく、フェルスター半径を越える層厚を有していれば特に限定されないが、セパレート層３５の層厚が大きくなれば、その分、有機ＥＬ表示装置１の厚みが増大するため、有機ＥＬ表示装置１の大型化の抑制や素子の低電圧化の観点から、５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３０ｎｍ以下とすることが、より好ましい。
　このため、セパレート層３５は、その一部が、副画素３Ｇ１において、緑色蛍光発光層３４Ｇと赤色発光層３４Ｒとで挟持されている一方、他の一部が、副画素３Ｒにおいて、赤色発光層３４Ｒに隣接して積層されている。
　各実施形態では、このように発光層３４と、複数の発光層３４で少なくとも一部が挟持された、発光層３４以外の機能層からなる中間層と、で構成される積層体を、発光層ユニット３３と称する。なお、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１では、上記中間層は、セパレート層３５である。
　本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１では、画素２において、発光層ユニット３３を構成するこれら発光層３４およびセパレート層３５は、図１、図２、および図４に示すように、第１電極２１側から、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、緑色蛍光発光層３４Ｇ、青色蛍光発光層３４Ｂの順に積層されている。
　発光層ユニット３３は、副画素３Ｂでは青色蛍光発光層３４Ｂからなり、副画素３Ｇ１では、第１電極２１側から、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、緑色蛍光発光層３４Ｇ、青色蛍光発光層３４Ｂが、この順に積層された積層構造を有している。また、発光層ユニット３３は、副画素３Ｇ２では緑色蛍光発光層３４Ｇからなり、副画素３Ｒでは、第１電極２１側から、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５がこの順に積層された積層構造を有している。
　図５は、青色蛍光発光材料、緑色蛍光発光材料、および赤色発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位（以下、「Ｓ１準位」と記す）の関係を示す図である。図５中、Ｓ１（１）は、第１の蛍光発光材料である青色蛍光発光材料のＳ１準位を示し、Ｓ１（２）は、第２の蛍光発光材料である緑色蛍光発光材料のＳ１準位を示し、Ｓ１（３）は、第３の発光材料である赤色発光材料のＳ１準位を示す。なお、図５中、Ｓ０は、基底状態を示す。
　図５に示すように、緑色蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位（Ｓ１（２））は、上記青色蛍光発光材料のＳ１準位（Ｓ１（１））よりも低く、かつ、赤色発光材料のＳ１準位（Ｓ１（３））よりも高い。
　また、図６は、本実施形態で用いられる、青色蛍光発光材料のＰＬ（フォトルミネセンス）発光スペクトルおよび緑色蛍光発光材料の吸収スペクトルの一例を示すグラフである。
　なお、図６では、青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルとして、後述する実施例１で用いた２，５，８，１１－テトラ－ｔｅｒｔ－ブチルペリレン（ＴＢＰｅ）のＰＬ発光スペクトルを示すとともに、緑色蛍光発光材料の吸収スペクトルとして、後述する実施例１で用いた２，３－（２－ベンゾチアゾリル）－７－（ジエチルアミノ）クマリン（クマリン６）の吸収スペクトルを示している。
　また、図７は、本実施形態で用いられる、セパレート層３５の材料の吸収スペクトルおよび緑色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトル並びに青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルの一例を示すグラフである。
　なお、図７では、セパレート層３５の材料の吸収スペクトルとして、後述する実施例１で用いた４，４’－ビス（９－カルバゾイル）－ビフェニル（ＣＢＰ）の吸収スペクトルを示している。また、図７では、緑色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルとして、上述したように、後述する実施例１で用いたクマリン６のＰＬ発光スペクトルを示し、青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルとして、図６に示した、後述する実施例１で用いたＴＢＰｅのＰＬ発光スペクトルを示している。
　図６に示すように、上記青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルの一部と上記緑色蛍光発光材料の吸収スペクトルの一部とは重なっていることが好ましい。また、図７に示すように、赤色発光層３４Ｒに隣接する中間層（第１の中間層）、言い換えれば、赤色発光層３４Ｒと、該赤色発光層３４Ｒに積層方向に隣り合う発光層（本実施形態では緑色蛍光発光層３４Ｇ）との間に設けられた中間層に含まれる全ての材料（すなわち、セパレート層３５の材料）の吸収スペクトルと、上記中間層を介して上記赤色発光層３４Ｒとは反対側に設けられた発光層である、上記青色蛍光発光層３４Ｂおよび上記緑色蛍光発光層３４Ｇのうち、少なくとも、上記中間層（すなわち、セパレート層３５）に隣接する発光層である緑色蛍光発光層３４Ｇ中の緑色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルとには、重なりが存在しないことが好ましい。また、上記中間層（すなわち、セパレート層３５）に含まれる全ての材料の吸収スペクトルと、上記緑色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルおよび上記青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルとには、重なりが存在しないことがより好ましい。
　このように上記青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルの一部と上記緑色蛍光発光材料の吸収スペクトルの一部とが重なっていることで、上記青色蛍光発光材料から上記緑色蛍光発光材料へのエネルギー移動が起き易い。
　副画素３Ｇ１における青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとは直接接触していることから、これら青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとにおける互いの対向面間の距離（対向面間距離ＤＢＧ）はフェルスター半径以下である。
　このため、副画素３Ｇ１では上記青色蛍光発光材料のＳ１準位から上記緑色蛍光発光材料のＳ１準位へのフェルスター遷移が起こる。すなわち、青色蛍光発光層３４Ｂから緑色蛍光発光層３４Ｇにフェルスター遷移が起こる。
　なお、本実施形態において、青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとにおける互いの対向面間の距離（対向面間距離ＤＢＧ）とは、青色蛍光発光層３４Ｂにおける最も緑色蛍光発光層３４Ｇ側に位置する面（本実施形態では青色蛍光発光層３４Ｂの下面）と緑色蛍光発光層３４Ｇにおける最も青色蛍光発光層３４Ｂ側に位置する面（本実施形態では緑色蛍光発光層３４Ｇの上面）との間の距離を示す。
　一方、上記中間層（第１の中間層、セパレート層３５）に含まれる全ての材料の吸収スペクトルと、上記青色蛍光発光層３４Ｂおよび上記緑色蛍光発光層３４Ｇのうち、少なくとも、上記セパレート層３５に隣接する発光層である緑色蛍光発光層３４Ｇ中の緑色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルとに重なりが存在しないことで、上記青色蛍光発光材料および上記緑色蛍光発光材料から上記中間層に含まれる材料へのエネルギー移動が起こり難い。なお、このとき、上記中間層（第１の中間層、セパレート層３５）に含まれる全ての材料の吸収スペクトルと、上記緑色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルおよび上記青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルとに重なりが存在しないことで、上記緑色蛍光発光材料および上記青色蛍光発光材料から上記中間層に含まれる材料へのエネルギー移動が、より起こり難い。
　セパレート層３５は、フェスルター半径を越える層厚を有していることから、副画素３Ｇ１における対向面間距離ＤＧＲは、フェスルター半径よりも大きい。
　このため、副画素３Ｇ１で、上記セパレート層３５を介して緑色蛍光発光層３４Ｇから赤色発光層３４Ｒへのフェルスター型のエネルギー移動は起こらない。勿論、緑色蛍光発光層３４Ｇと赤色発光層３４Ｒとの間に上記セパレート層３５が設けられており、緑色蛍光発光層３４Ｇと赤色発光層３４Ｒとが互いに接触していないことから、デクスター型のエネルギー移動も起こらない。
　各発光層３４は、正孔および電子の輸送を担うホスト材料と、発光材料として発光を担う発光ドーパント（ゲスト）材料との２成分系で形成されていてもよく、発光材料単独で形成されていてもよい。
　発光層３４中の材料（成分）のうち含有比率の最も多い材料は、ホスト材料であってもよく、発光材料であってもよい。
　ホスト材料は、正孔および電子の注入が可能であり、正孔と電子とが輸送され、その分子内で再結合することで発光材料を発光させる機能を有している。ホスト材料を使用する場合、発光材料は、ホスト材料に均一に分散される。
　ホスト材料を使用する場合、ホスト材料には、Ｓ１準位および最低励起三重項状態のエネルギー準位（以下、「Ｔ１準位」と記す）のうち少なくとも一方が、発光材料のそれよりも高い値を有する有機化合物が用いられる。これにより、ホスト材料は、発光材料のエネルギーを、該発光材料中に閉じ込めることができ、発光材料による発光効率を向上させることができる。
　本実施形態にかかる積層構造を有する各副画素３で表示すべき発光色を効率良く得るためには、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料のうち少なくとも一方の材料、望ましくは両方の材料は、図１および図２に正孔（ｈ＋）および電子（ｅ－）の移動を矢印で示すように、電子移動度の極めて低い、正孔輸送性材料であることが望ましい。また、セパレート層３５は、セパレート層３５全体として、正孔輸送性および電子輸送性がともに高いバイポーラ輸送性を示すことが望ましい。このため、セパレート層３５中に含まれる材料は、バイポーラ輸送性材料のように単独でバイポ－ラ輸送性を示す材料であってもよく、単独では、正孔移動度が電子移動度よりも高い、正孔輸送性、または、電子移動度が正孔移動度よりも高い、電子輸送性を示す材料を、セパレート層３５としてバイポーラ輸送性を示すように、二種類以上組み合わせて用いても構わない。また、赤色発光層３４Ｒ中の混合比率の最も高い材料は、図１および図２に示すようにバイポーラ輸送性材料であることが望ましいが、正孔輸送性材料であっても構わない。
　正孔輸送性のホスト材料としては、例えば、４，４’－ビス［Ｎ－フェニル－Ｎ－（３”－メチルフェニル）アミノ］ビフェニル（ＴＰＤ）、９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）、１，３－ビス（カルバゾール－９－イル）ベンゼン（ｍＣＰ）、３，３’－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル（ｍＣＢＰ）等の正孔輸送性材料が挙げられる。電子輸送性のホスト材料としては、２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（ＢＣＰ）、ビス［（２－ジフェニルホスホリル）フェニル］エーテル（ＤＰＥＰＯ）、４，４’－ビス（２，２－ジフェニルビニル）－１，１’－ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）、２，２’，２’’－（１，３，５－ベンジントリル）－トリス（１－フェニル－１－Ｈ－ベンズイミダゾリル）（ＴＰＢｉ）、ビス（２－メチル－８－キノリノレート）－４－（フェニルフェノレート）アルミニウム（ＢＡｌｑ）等の電子輸送性材料が挙げられる。バイポーラ輸送性のホスト材料としては、例えば、４，４’－ビス（９－カルバゾイル）－ビフェニル（ＣＢＰ）等のバイポーラ輸送性材料が挙げられる。
　青色蛍光発光層３４Ｂおよび緑色蛍光発光層３４Ｇ中の発光材料は、ともに蛍光発光材料である。
　青色蛍光発光材料としては、例えば、２，５，８，１１－テトラ－ｔｅｒｔ－ブチルペリレン（ＴＢＰｅ）、ビス［４－（９，９－ジメチル－９，１０－ジヒドロアクリジン）フェニル］サルホン（ＤＭＡＣ－ＤＰＳ）、ペリレン、４，５－ビス（カルバゾール－９－イル）－１，２－ジシアノベンゼン（２ＣｚＰＮ）等、青色発光する蛍光発光材料を用いることができる。
　緑色蛍光発光材料としては、例えば、３－（２－ベンゾチアゾリル）－７－（ジエチルアミノ）クマリン（クマリン６）、８－ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）、１，２，３，５－テトラキス（カルバゾール－９－イル）－４，６－ジシアノベンゼン（４ＣｚＩＰＮ）、１，２，３，４－テトラキス（カルバゾール－９－イル）－５，６－ジシアノベンゼン（４ＣｚＰＮ）、次式
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
で示されるＰＸＺ－ＤＰＳ等が挙げられる。
　赤色発光材料は、発光色が赤色であれば、燐光発光材料であってもよく、蛍光発光材料であってもよい。但し、赤色発光層３４Ｒではエネルギー移動を用いないことから、燐光発光材料、またはＴＡＤＦ（Thermally Activated Delayed Fluorescence：熱活性化遅延蛍光）材料であることが、発光効率が高くなることから望ましい。
　ＴＡＤＦ材料は、熱活性化により最低励起三重項状態から逆項間交差により最低励起一重項状態を生成できる材料であり、Ｓ１準位とＴ１準位とのエネルギー差ΔＥＳＴが極めて小さい遅延蛍光材料である。発光材料にこのようにＳ１準位とＴ１準位とのエネルギー差ΔＥＳＴが極めて小さい遅延蛍光材料を用いることで、熱エネルギーによるＴ１準位からＳ１準位への逆項間交差が生じる。このＴＡＤＦ材料による遅延蛍光を利用すると、蛍光型発光においても、理論上、内部量子効率を１００％にまで高めることができる。ΔＥＳＴは、小さければ小さいほど、最低励起三重項状態から最低励起一重項状態に逆項間交差し易く、ΔＥＳＴが０．３ｅＶ以下であれば室温でも比較的容易に逆項間交差することができる。
　赤色蛍光発光材料としては、例えば、テトラフェニルジベンゾペリフランテン（ＤＢＰ）、（Ｅ）－２－｛２－［４－（ジメチルアミノ）スチリル］－６－メチル－４Ｈ－ピラン－４－イリデン｝マロノニトリル（ＤＣＭ）等が挙げられる。また、赤色燐光発光材料としては、例えば、トリス（１－フェニルイソキノリン）イリジウム（III）（Ｉｒ（ｐｉｑ）３）、ビス（２－ベンゾ［ｂ］チオフェン－２－イル－ピリジン）（アセチルアセトネート）イリジウム（III）（Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））等が挙げられる。また、赤色発光するＴＡＤＦ材料としては、例えば、次式
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
で示されるＰＰＺ－ＤＰＯ、次式
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
で示されるＰＰＺ－ＤＰＳ、次式
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
で示される４ＣｚＴＰＮ－Ｐｈ等が挙げられる。
　また、セパレート層３５としては、例えば、上述したようにバイポーラ輸送性材料である４，４’－ビス（９－カルバゾイル）－ビフェニル（ＣＢＰ）等が挙げられる。
　上記発光層ユニット３３における各機能層の層厚は、対向面間距離ＤＧＲおよび対向面間距離ＤＢＧが上述した条件を満足するように形成されていれば、特に限定されるものではない。
　しかしながら、上記発光層ユニット３３のうち、青色蛍光発光層３４Ｂの層厚は、１０ｎｍ以下に設定されていることが好ましい。青色蛍光発光層３４Ｂの層厚を１０ｎｍ以下に設定することで、副画素３Ｇ１において、青色蛍光発光層３４Ｂ中で最も緑色蛍光発光層３４Ｇから遠い青色蛍光発光材料の分子（すなわち、青色蛍光発光層３４Ｂにおける、緑色蛍光発光層３４Ｇとは反対側の表面、本実施形態では、青色蛍光発光層３４Ｂの上面に位置する青色蛍光発光材料の分子）から緑色蛍光発光層３４Ｇにおける緑色蛍光発光材料までの距離が１０ｎｍ以下となる。言い換えれば、青色蛍光発光層３４Ｂの任意の位置から緑色蛍光発光層３４Ｇまでの最短距離が何れも１０ｎｍ以下となる。このため、副画素３Ｇ１における任意の位置の青色蛍光発光材料の分子から緑色蛍光発光材料へのフェルスター遷移が可能であり、たとえ青色蛍光発光層３４Ｂにおける緑色蛍光発光層３４Ｇとは反対側の表面に位置する青色蛍光発光材料の分子であっても、フェルスター遷移が可能となる。
　（正孔注入層３１および正孔輸送層３２）
　正孔注入層３１は、正孔注入性材料を含み、発光層３４への正孔注入効率を高める機能を有する層である。正孔注入層３１と正孔輸送層３２とは、互いに独立した層として形成されていてもよく、正孔注入層兼正孔輸送層として一体化されていてもよい。また、正孔注入層３１と正孔輸送層３２とが両方設けられている必要はなく、一方のみ（例えば正孔輸送層３２のみ）が設けられていてもよい。
　正孔注入層３１、正孔輸送層３２、あるいは正孔注入層兼正孔輸送層の材料、すなわち、正孔注入性材料あるいは正孔輸送性材料には、既知の材料を用いることができる。
　これらの材料としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、アザトリフェニレン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、オキザゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、およびこれらの誘導体、チオフェン系化合物、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、アニリン系化合物等の鎖状式あるいは複素環式共役系のモノマー、オリゴマー、またはポリマー等が挙げられる。より具体的には、例えば、Ｎ，Ｎ’－ジ（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ベンジジン（α－ＮＰＤ）、２，３，６，７，１０，１１－ヘキサシアノ－１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ－ＣＮ）、１，３－ビス（カルバゾール－９－イル）ベンゼン（ｍＣＰ）、ジ－［４－（Ｎ，Ｎ－ジトリル－アミノ）－フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、９，１０－ジフェニルアントラセン－２－スルフォネート（ＤＰＡＳ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－（４－（ジ（３－トリル）アミノ）フェニル）－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン（ＤＮＴＰＤ）、イリジウム（III）トリス［Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンズイミダゾル－２－イリデン－Ｃ２，Ｃ２’］（Ｉｒ（ｄｐｂｉｃ）３）、４，４’，４”－トリス－（Ｎ－カルバゾリル）－トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、２，２－ビス（ｐ－トリメリットオキシフェニル）プロパン酸無水物（ＢＴＰＤ）、ビス［４－（ｐ，ｐ－ジトリルアミノ）フェニル］ジフェニルシラン（ＤＴＡＳｉ）等が用いられる。
　なお、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、正孔注入層兼正孔輸送層は、不純物がドープされていない真性正孔注入性材料あるいは真性正孔輸送性材料であってもよいし、導電性を高める等の理由で不純物がドープされていても構わない。
　また、高効率の発光を得るためには、励起エネルギーを、発光層ユニット３３内、特に、発光層ユニット３３における発光層３４内に閉じ込めることが望ましい。このため、上記正孔注入性材料および正孔輸送性材料としては、発光層３４中の発光材料のＳ１準位およびＴ１準位よりも励起準位の高いＳ１準位およびＴ１準位を有する材料を使用することが望ましい。このため、上記正孔注入性材料および正孔輸送性材料としては、励起準位が高く、かつ、高い正孔移動度を有する材料を選択することがより好ましい。
　（電子輸送層３６および電子注入層３７）
　電子注入層３７は、電子注入性材料を含み、発光層３４への電子注入効率を高める機能を有する層である。
　また、電子輸送層３６は、電子輸送性材料を含み、発光層３４への電子輸送効率を高める機能を有する層である。
　なお、電子注入層３７と電子輸送層３６とは、互いに独立した層として形成されていてもよく、電子注入層兼電子輸送層として一体化されていてもよい。また、電子注入層３７と電子輸送層３６とが両方設けられている必要もなく、一方のみ、例えば電子輸送層３６のみが設けられていてもよい。勿論、両方とも設けられていなくても構わない。
　電子注入層３７、電子輸送層３６、あるいは電子注入層兼電子輸送層の材料、すなわち、電子注入性材料あるいは電子輸送性材料として用いられる材料としては、既知の材料を用いることができる。
　これらの材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、およびこれらの誘導体や金属錯体、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。
　より具体的には、例えば、ビス［（２－ジフェニルホスホリル）フェニル］エーテル（ＤＰＥＰＯ）、４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）、３，３’－ビス（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル（ｍＣＢＰ）、２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（ＢＣＰ）、１，３，５－トリス（Ｎ－フェニルベンズイミダゾル－２－イル）ベンゼン（ＴＰＢＩ）、３－フェニル－４（１’－ナフチル）－５－フェニル－１，２，４－トリアゾール（ＴＡＺ）、１，１０－フェナントロリン、Ａｌｑ（トリス（８－ヒドロキシキノリン）アルミニウム）、ＬｉＦ等が挙げられる。
　（保護層２４）
　保護層２４は、透光性を有する、絶縁性材料や導電性材料で形成される。保護層２４の材料としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）等の無機絶縁材料や、ＩＴＯ等の導電性材料が挙げられる。なお、保護層２４は、無機絶縁層と有機絶縁層との積層構造を有していてもよい。上記有機絶縁層に用いられる有機絶縁材料としては、例えば、ポリシロキサン、酸化炭化シリコン（ＳｉＯＣ）、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等が挙げられる。
　保護層２４の厚みは、酸素や水分が外部から有機ＥＬ素子２０内に浸入することを阻止することができるように、材料に応じて適宜設定すればよく、特に限定されない。
　（封止基板４０）
　封止基板４０としては、例えば、ガラス基板あるいはプラスチック基板等の絶縁基板が用いられる。本実施形態のように有機ＥＬ表示装置１がトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置である場合、封止基板４０には、透光性を有する絶縁基板が用いられる。
　なお、絶縁基板１１および封止基板４０は、それぞれ、フレキシブル性を有する絶縁フィルムであってもよく、これら絶縁基板１１および封止基板４０に、それぞれ、屈曲性を有する基板を用いることで、上記有機ＥＬ表示装置１を、フレキシブルディスプレイ、あるいは、ベンダブルディスプレイとすることもできる。
　なお、ＴＦＴ基板１０と封止基板４０との間には、封止基板４０がＴＦＴ基板１０に衝突し、有機ＥＬ素子２０が損傷するのを防ぐために、図示しないギャップスペーサが設けられていてもよい。
　＜有機ＥＬ表示装置１の表示方法＞
　次に、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の表示方法について説明する。
　前述したように、有機ＥＬ表示装置１は、各色の発光層３４を備えた有機ＥＬ素子２０が設けられた副画素３を複数備え、ＴＦＴ１２を用いて各副画素３における有機ＥＬ素子２０を選択的に所望の輝度で発光することによりカラー表示を行う。以下では、各副画素３における発光について説明する。
　本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置であり、表示領域には、複数の画素２が、マトリクス状に配置されている。
　各画素２は、上述したように副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２からなる２種類の緑色の副画素３（副画素３Ｇ）を有し、副画素３Ｂ、副画素３Ｇ１、副画素３Ｇ２、副画素３Ｒの４つの副画素３で構成されている。
　表示領域において、これら画素２は、図３に示すように、副画素３Ｇ１が副画素３Ｂに対し行方向（第１の方向）に隣り合うとともに副画素３Ｒに対し列方向（すなわち、行方向に直交する方向、第２の方向）に隣り合い、副画素３Ｇ２が副画素３Ｒに対し行方向に隣り合うとともに副画素３Ｂに対し列方向に隣り合い、行方向および列方向に交差（具体的には、それぞれに対し斜め４５度の角度で交差）する斜め方向（第３の方向）に、副画素３Ｂと副画素３Ｒとが隣り合うとともに副画素３Ｇ１と副画素３Ｇ２とが隣り合うペンタイル型の画素配列（ペンタイル配列）を有している。これにより、表示領域において、画素２は、行方向に、副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とが隣り合うとともに副画素３Ｇ２と副画素３Ｒとが隣り合い、列方向に、副画素３Ｂと副画素３Ｇ２とが隣り合うとともに副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとが隣り合う構成を有する。それぞれ行方向に沿って形成された、副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とからなる列と、副画素３Ｇ２と副画素３Ｒとからなる列とは、列方向に交互に配置されている。例えば奇数行では、副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とが交互に配置され、偶数行では、副画素３Ｇ２と副画素３Ｒとが交互に配置されている。また、例えば奇数列では副画素３Ｂと副画素３Ｇ２とが交互に配置され、偶数列では、副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとが交互に配置されている。
　本実施形態によれば、ペンタイル型の画素配列とすることで、見かけの精細度を向上させることができる。
　本実施形態では、従来のペンタイル型の画素配列を有する有機ＥＬ表示装置と異なり、副画素３Ｇ１と副画素３Ｇ２とが、図１、図２および図４に示すように、異なる積層構造を有している。
　本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１において、図４に示すように、第１電極２１および第２電極２３のそれぞれから有機ＥＬ層２２に注入された正孔（ｈ＋）および電子（ｅ－）は、図１に示すように、副画素３Ｂでは、青色蛍光発光層３４Ｂで再結合して励起子が生成し、副画素３Ｇ２では、緑色蛍光発光層３４Ｇで再結合して励起子が生成する。生成された励起子は、失活して基底状態（以下、「Ｓ０」と記す）に戻る際に光を放出する。これにより、副画素３Ｂでは青色発光し、副画素３Ｇ２では緑色発光する。
　また、前述したように、赤色発光層３４Ｒおよびセパレート層３５中の材料のうち含有比率の最も多い材料には例えばバイポーラ輸送性材料が用いられることから、副画素３Ｒでは、第１電極２１および第２電極２３のそれぞれから有機ＥＬ層２２に注入された正孔および電子は、図１に示すように、赤色発光層３４Ｒで再結合して励起子が生成する。
　また、前述したように、緑色蛍光発光材料のＳ１準位は、青色蛍光発光材料のＳ１準位よりも低く、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料のうち少なくとも一方の材料には正孔輸送性材料が用いられる。そして、赤色発光層３４Ｒおよびセパレート層３５中の材料のうち含有比率の最も多い材料には例えばバイポーラ輸送性材料が用いられる。緑色蛍光発光材料のＳ１準位は、赤色発光材料のＳ１準位よりも高いが、緑色蛍光発光層３４Ｇと赤色発光層３４Ｒとの間には、フェルスター半径を越える層厚を有するセパレート層３５が設けられていることから、赤色発光層３４Ｒにはエネルギーが移動しない。
　このため、副画素３Ｇ１では、第１電極２１および第２電極２３のそれぞれから有機ＥＬ層２２に注入された正孔および電子は、青色蛍光発光層３４Ｂまたは緑色蛍光発光層３４Ｇで再結合して励起子が生成する。
　上述したように、本実施形態では、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料のうち少なくとも一方の材料に、正孔輸送性材料が用いられる。青色蛍光発光層３４Ｂで励起子が生成されるか、緑色蛍光発光層３４Ｇで励起子が生成されるかは、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料のキャリア移動度と、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料におけるキャリア移動度との関係、並びに、青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとの積層順によって決定される。
　図１では、一例として、青色蛍光発光層３４Ｂが緑色蛍光発光層３４Ｇよりも陰極側（第２電極２３側）に位置し、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料がともに正孔輸送性材料であり、青色蛍光発光層３４Ｂで励起子が生成される場合を例に挙げて示している。
　青色蛍光発光層３４ＢのＳ１準位は緑色蛍光発光層３４ＧのＳ１準位よりも高く、青色蛍光発光層３４Ｂで励起子が生成された場合、該青色蛍光発光層３４Ｂで生成された励起子は、Ｓ１準位間のフェルスター遷移により青色蛍光発光層３４Ｂから緑色蛍光発光層３４Ｇにエネルギーが移動する。一方、上述したように、青色蛍光発光層３４Ｂおよび緑色蛍光発光層３４Ｇから赤色発光層３４Ｒへのエネルギー移動は、セパレート層３５により阻害される。このため、副画素３Ｇ１では、緑色蛍光発光層３４Ｇがほぼ１００％発光（緑色発光）する。したがって、本実施形態では、副画素３Ｇ１では発光層３４が複数積層されているにも拘らず、混色が抑制される。
　また、本実施形態によれば、後述するように線形蒸着により青色蛍光発光層３４Ｂを副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とに共通して形成する際に、万一、青色蛍光発光層３４Ｂが副画素３Ｇ２に侵入し、緑色蛍光発光層３４Ｇ上に青色蛍光発光層３４Ｂが形成されたとしても、上述したように青色蛍光発光材料から緑色蛍光発光材料にエネルギーが移動するため、副画素３Ｇ２で青色混色が発生することはない。
　また、本実施形態によれば、後述するように線形蒸着により赤色発光層３４Ｒを副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとに共通して形成する際に、万一、赤色発光層３４Ｒが副画素３Ｂに侵入し、青色蛍光発光層３４Ｂの下（つまり、第１電極２１側）に赤色発光層３４Ｒが形成されたとしても、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料が正孔輸送性材料であれば、赤色発光層３４Ｒまで電子が届かないため、副画素３Ｂで赤色混色が発生することはない。なお、ここで、線形蒸着とは、ドット状ではなく、直線状に蒸着を行うことを示す。
　同様に、後述するように線形蒸着により赤色発光層３４Ｒを副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとに共通して形成する際に、万一、赤色発光層３４Ｒが副画素３Ｇ２に侵入し、緑色蛍光発光層３４Ｇの下に赤色発光層３４Ｒが形成されたとしても、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料が正孔輸送性材料であれば、赤色発光層３４Ｒまで電子が届かないため、副画素３Ｇ２で赤色混色が発生することはない。
　したがって、本実施形態によれば、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料を、ともに正孔輸送性材料とすることで、赤色発光層３４Ｒの蒸着時に、赤色発光材料が微量だけ他の副画素３（すなわち、副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ２のうち少なくとも一方の副画素３）に侵入しても、混色が起こり難い構成とすることができる。
　このように、本実施形態によれば、発光層３４の移動度の制御、並びに、フェルスター遷移の効果により、混色が発生する条件数を低減することができる。
　＜有機ＥＬ表示装置１の製造方法＞
　次に、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法について、図８～図１０を参照して以下に説明する。
　図９の（ａ）～（ｃ）は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１における発光層ユニット３３の製造工程を工程順に示す平面図である。また、図１０は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の要部の製造工程の流れを示すフローチャートである。
　なお、図９の（ａ）～（ｃ）では、発光領域４Ｂ、発光領域４Ｇ１、発光領域４Ｇ２、発光領域４Ｒの識別のために、各発光領域４に、図３と同じハッチングを行っており、実際の蒸着は、各蒸着マスク７０Ｂ・７０Ｒ・７０Ｇの各開口部７１Ｂ・７１Ｒ・７１Ｇ内において行われる。発光領域４Ｂ、発光領域４Ｇ１、発光領域４Ｇ２、発光領域４Ｒは、それぞれ、順に、副画素３Ｂ、副画素３Ｇ１、副画素３Ｇ２、副画素３Ｒ内に位置する。
　本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造工程は、上述したＴＦＴ基板１０を作製するＴＦＴ基板作製工程と、該ＴＦＴ基板１０上に有機ＥＬ素子２０を形成する有機ＥＬ素子作製工程と、該有機ＥＬ素子作製工程で作製した有機ＥＬ素子２０を封止する封止工程と、を備えている。
　有機ＥＬ素子作製工程は、図１０に示すように、例えば、陽極形成工程（Ｓ１）、正孔注入層形成工程（Ｓ２）、正孔輸送層形成工程（Ｓ３）、赤色発光層形成工程（Ｓ４）、セパレート層形成工程（Ｓ５）、緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ６）、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）、電子輸送層形成工程（Ｓ８）、電子注入層形成工程（Ｓ９）、陰極形成工程（Ｓ１０）、保護層形成工程（Ｓ１１）を含んでいる。本実施形態では、有機ＥＬ素子作製工程は、一例として、この順に行われる。なお、上記括弧内は、ステップ番号を示している。
　以下に、上記した各工程について説明する。
　まず、ＴＦＴ基板作製工程で、公知の技術でＴＦＴ１２並びに配線１４等が形成された絶縁基板１１上に感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングを行うことで、絶縁基板１１上に層間絶縁膜１３を形成する。
　層間絶縁膜１３としては、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等を用いることができる。層間絶縁膜１３の膜厚としては、ＴＦＴ１２による段差を補償することができればよく、特に限定されるものではない。
　次に、層間絶縁膜１３に、陽極としての第１電極２１をＴＦＴ１２に電気的に接続するためのコンタクトホール１３ａを形成する。これによりＴＦＴ基板１０が作製される。
　次いで、このようにして形成されたＴＦＴ基板１０上に、有機ＥＬ素子２０を形成する（有機ＥＬ素子作製工程）。
　有機ＥＬ素子作製工程では、まず、上記ＴＦＴ基板１０上に、陽極として、第１電極２１を形成する（Ｓ１）。
　本実施形態にかかる陽極形成工程（Ｓ１）は、ＴＦＴ基板１０上に反射電極２１ａを形成する反射電極形成工程と、反射電極２１ａ上に透光性電極２１ｂを形成する透光性電極形成工程と、を備えている。
　したがって、上記陽極形成工程（Ｓ１）では、まず、ＴＦＴ基板１０上に、第１電極２１における反射電極２１ａとして、反射電極材料を所定の厚みでパターン形成する。
　反射電極２１ａは、例えば、スパッタリング法等により反射電極材料を成膜後に、副画素３毎に、フォトリソグラフィにより図示しないレジストパターンを形成し、これらレジストパターンをマスクとして上記反射電極材料からなる層をエッチングした後、レジストパターンを剥離洗浄することで副画素３毎に分離するようにパターニングしてもよいし、印刷法あるいは蒸着マスクを用いた蒸着法等により、パターン成膜してもよい。上記蒸着法としては、例えば、真空蒸着法、ＣＶＤ（chemical vapor deposition、化学蒸着）法、プラズマＣＶＤ法等を用いることができる。
　次に、第１電極２１における透光性電極２１ｂとして、反射電極２１ａ上に、透光性電極材料を、所定の厚みでパターン形成する。
　反射電極２１ａと陰極としての第２電極２３との間の距離は、各副画素３から発光される各色の波長領域の光のピーク波長の強度を増強させる距離に設定することが望ましい。
　図８は、青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトル、緑色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトル、および赤色発光材料のＰＬ発光スペクトルの一例を示すグラフである。
　なお、図８では、青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルとして、後述する実施例１で用いたＴＢＰｅのＰＬ発光スペクトルを示し、緑色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルとして、後述する実施例１で用いたクマリン６のＰＬ発光スペクトルを示し、赤色発光材料のＰＬ発光スペクトルとして、後述する実施例１で用いたＩｒ（ｐｉｑ）３のＰＬ発光スペクトルを示している。
　図８に示すように、上記青色蛍光発光材料のピーク波長（第１のピーク波長）は略４７０ｎｍであり、緑色蛍光発光材料のピーク波長（第２のピーク波長）は略５２０ｎｍであり、上記赤色発光材料のピーク波長（第３のピーク波長）は略５９０ｎｍである。
　本実施形態にかかる有機ＥＬ素子２０は、マイクロキャビティ（微小共振器）方式の有機ＥＬ素子である。マイクロキャビティ方式の有機ＥＬ素子においては、発光した光が陽極と陰極との間で多重反射し、共振することで発光スペクトルが急峻になり、特定波長の発光強度が増幅される。
　有機ＥＬ素子に、このような共振構造（マイクロキャビティ構造）を導入する方法としては、例えば、発光色毎に有機ＥＬ素子の２つの共振面間の長さ（キャビティ長）、すなわち、光路長を変える方法が知られている。
　本実施形態では、副画素３毎に透光性電極２１ｂの厚みを設定することで、副画素３毎にキャビティ長を変更し、マイクロキャビティ効果により、発光の色度や発光効率の向上を図っている。
　このため、本実施形態において各副画素３における発光材料から発光される光は、一部は直接外部に出射されるが、他の一部は多重反射されて外部に出射される。すなわち、各副画素３から外部に出射される光には、発光材料から発光された後、そのまま、有機ＥＬ層２２を挟んで反射電極とは反対側に設けられた透光性電極（本実施形態では第２電極２３）を介して外部に出射される光と、発光材料から発光された後、陽極と陰極との間（より厳密には、上記反射電極と透光性電極との間であり、本実施形態では第１電極２１における反射電極２１ａと第２電極２３との間）で多重反射されて、上記反射電極とは反対側に設けられた透光性電極（本実施形態では第２電極２３）を介して外部に出射される光とが含まれる。
　したがって、副画素３Ｂでは、青色蛍光発光層３４Ｂから発光された光が外部に出射されるが、このとき外部に出射される光には、青色蛍光発光層３４Ｂで発光された光（すなわち、青色蛍光発光材料から発光された光）を、副画素３Ｂにおける陽極と陰極との間で多重反射させて得られる光が含まれる。また、副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２では、緑色蛍光発光層３４Ｇから発光された光が外部に出射されるが、副画素３Ｇ１から外部に出射される光には、緑色蛍光発光層３４Ｇで発光された光（すなわち、緑色蛍光発光材料から発光された光）を、副画素３Ｇ１における陽極と陰極との間で多重反射させて得られる光が含まれ、副画素３Ｇ２から外部に出射される光には、上記緑色蛍光発光層３４Ｇで発光された光を、副画素３Ｇ２における陽極と陰極との間で多重反射させて得られる光が含まれる。また、副画素３Ｒでは、赤色発光層３４Ｒから発光された光が外部に出射されるが、このとき外部に出射される光には、赤色発光層３４Ｒで発光された光（すなわち、赤色発光材料から発光された光）を、副画素３Ｒにおける陽極と陰極との間で多重反射させて得られる光が含まれる。
　副画素３Ｂでは、反射電極２１ａと第２電極２３との間の距離が、青色の波長領域の光を外部に取り出す（すなわち、出射させる）のに最適な厚み（青色蛍光発光材料のピーク波長の強度を増強させる距離）となるように透光性電極２１ｂの厚みが設定される。同様に、副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２では、反射電極２１ａと第２電極２３との間の距離が、緑色の波長領域の光を外部に取り出すのに最適な厚み（緑色蛍光発光材料のピーク波長の強度を増強させる距離）となるように透光性電極２１ｂの厚みが設定され、副画素３Ｒでは、反射電極２１ａと第２電極２３との間の距離が、赤色の波長領域の光を外部に取り出すのに最適な厚み（赤色発光材料のピーク波長の強度を増強させる距離）となるように透光性電極２１ｂの厚みが設定される。
　なお、各副画素３における透光性電極２１ｂの厚みを変更する方法としては、特に限定されるものではなく、蒸着法あるいは印刷法等により、副画素３毎に所望の厚みに透光性電極材料を成膜してもよく、スパッタリング法等により透光性電極材料を成膜後に、フォトリソグラフィによりパターン化し、その後、上記透光性電極材料からなる各層の厚みを、アッシング等により所望の厚みに調整してもよい。
　これにより、ＴＦＴ基板１０上に、副画素３毎に異なる層厚を有する第１電極２１を、マトリクス状に形成する。
　次に、層間絶縁膜１３と同様にして、第１電極２１の端部を覆うようにバンク１５をパターン形成する。以上の工程により、陽極として、副画素３毎にバンク１５で分離された第１電極２１が作製される。
　次に、上記のような工程を経たＴＦＴ基板１０に対し、脱水のための減圧ベークおよび第１電極２１の表面洗浄として酸素プラズマ処理を施す。
　次いで、従来と同様にして、正孔注入層３１の材料、正孔輸送層３２の材料を、上記第１電極２１が形成されたＴＦＴ基板１０上における表示領域全面に、この順に蒸着する（Ｓ２、Ｓ３）。
　その後、図９の（ａ）中、破線で示す発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｒに赤色発光層３４Ｒが形成されるように、各画素２における副画素３Ｇ１および副画素３Ｒに対応して二副画素分の開口部７１Ｒが行方向および列方向に複数設けられた赤色発光層形成用の蒸着マスク７０Ｒを用いて、赤色発光層３４Ｒの材料を、副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとを結ぶ方向に線形蒸着する。本実施形態では、副画素３Ｇ１および副画素３Ｒからなる偶数列目の副画素列に赤色発光層３４Ｒの材料を線形蒸着した。これにより、上記正孔輸送層３２上に、赤色発光層３４Ｒを、列方向に沿った断続的なストライプ状に形成した（Ｓ４）。
　続いて、上記赤色発光層３４Ｒ上に、赤色発光層形成用の蒸着マスク７０Ｒを用いて、上記セパレート層３５の材料を、副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとを結ぶ方向に線形蒸着する。これにより、上記赤色発光層３４Ｒ上に、平面視で、上記赤色発光層３４Ｒと同じパターンを有するセパレート層３５を積層した（Ｓ５）。
　なお、本実施形態では、赤色発光層３４Ｒとセパレート層３５とが、平面視で同じパターンを有することから、赤色発光層３４Ｒとセパレート層３５とを、同じ蒸着マスク７０Ｒを用いて連続して形成する場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、赤色発光層３４Ｒとセパレート層３５とを、同じ開口パターンを有する、それぞれに専用の蒸着マスクを用いてパターン形成しても構わない。
　次に、図９の（ｂ）中、破線で示す発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｇ２に緑色蛍光発光層３４Ｇが形成されるように、各画素２における副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２に対応して二副画素分の開口部７１Ｇが、行方向および列方向に交差（直交）する斜め方向に複数設けられた蒸着マスク７０Ｇを用いて、緑色蛍光発光層３４Ｇの材料を、各画素２において隣り合う副画素３Ｇ１と副画素３Ｇ２とを結ぶ方向（すなわち、直接隣り合う副画素３Ｇ１と副画素３Ｇ２とを結ぶ方向）に線形蒸着する。これにより、正孔輸送層３２上に、副画素３Ｇ１においてセパレート層３５に重なり、副画素３Ｇ２において正孔輸送層３２上に直接配置された、上記斜め方向に沿った断続的なストライプ状の緑色蛍光発光層３４Ｇを形成した（Ｓ６）。
　次いで、図９の（ｃ）中、破線で示す発光領域４Ｂおよび発光領域４Ｇ１に青色蛍光発光層３４Ｂが形成されるように、各画素２における副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ１に対応して二副画素分の開口部７１Ｂが行方向および列方向に複数設けられた青色蛍光発光層形成用の蒸着マスク７０Ｂを用いて、青色蛍光発光層３４Ｂの材料を、副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とを結ぶ方向に線形蒸着する。本実施形態では、副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ１からなる奇数行目の副画素列に青色蛍光発光層３４Ｂの材料を線形蒸着した。これにより、上記正孔輸送層３２上に、副画素３Ｇ１において緑色蛍光発光層３４Ｇに重なり、副画素３Ｂにおいて正孔輸送層３２上に直接配置された、行方向に沿った断続的なストライプ状の青色蛍光発光層３４Ｂを形成した（Ｓ７）。
　なお、蒸着マスク７０Ｂ・７０Ｒ・７０Ｇとしては、例えば、金属製のメタルマスクを用いることができる。
　その後、従来と同様にして、電子輸送層３６の材料、電子注入層３７の材料を、上記各色の発光層３４が形成されたＴＦＴ基板１０上における表示領域全面に、この順に蒸着する（Ｓ８、Ｓ９）。
　次に、陰極として、第２電極２３を、上記電子注入層３７を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に形成する（Ｓ１０）。
　第２電極２３の形成には、真空蒸着法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の蒸着法を用いてもよく、スパッタリング法、あるいは印刷法等を用いてもよい。
　その後、保護層２４の材料を、上記第２電極２３を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ１１）。これにより、上記ＴＦＴ基板１０上に、有機ＥＬ素子２０が形成される。
　その後、封止工程を行うことで、図４に示すように、上記有機ＥＬ素子２０が形成されたＴＦＴ基板１０と、封止基板４０とを、図示しない充填剤層およびシール材を介して貼り合わせる。これにより、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１が得られる。
　但し、有機ＥＬ素子２０の封止方法としては、上記した方法に限定されず、公知の各種封止方法を採用することができる。
　本実施形態では、実施例１として、図１０に示すフローチャートに基づいて、ＴＦＴ基板１０上に、反射電極２１ａ、透光性電極２１ｂ、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、緑色蛍光発光層３４Ｇ、青色蛍光発光層３４Ｂ、電子輸送層３６、電子注入層３７、第２電極２３、保護層２４を、ＴＦＴ基板１０側からこの順に積層した。
　実施例１で上記ＴＦＴ基板１０上に積層した各層の材料並びに厚みは以下の通りである。但し、以下に記載の寸法および材料は、あくまでも一例であり、本実施形態は、これらの具体的な寸法および材料にのみ限定されるものではない。なお、以下では、副画素３Ｇ１における発光色と副画素３Ｇ２における発光色を揃えるため、光学シミュレーションにより、透光性電極２１ｂの層厚の光学最適化を行った。
　（実施例１）
　反射電極２１ａ（第１電極２１、陽極）：Ａｇ（１００ｎｍ）
　透光性電極２１ｂ（第１電極２１、陽極）：ＩＴＯ（副画素３Ｂ：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ１：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ２：１６５ｎｍ／副画素３Ｒ：４０ｎｍ）
　正孔注入層３１：ＨＡＴ－ＣＮ（１０ｎｍ）
　正孔輸送層３２：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）
　赤色発光層３４Ｒ：ＣＢＰ（ホスト材料、９０％）／Ｉｒ（ｐｉｑ）３（赤色発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　セパレート層３５：ＣＢＰ（２０ｎｍ）
　緑色蛍光発光層３４Ｇ：ＴＰＤ（ホスト材料、９０％）／クマリン６（緑色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　青色蛍光発光層３４Ｂ：ＡＤＮ（ホスト材料、９０％）／ＴＢＰｅ（青色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　電子輸送層３６：ＢＣＰ（３０ｎｍ）
　電子注入層３７：ＬｉＦ（１ｎｍ）
　第２電極２３（陰極、半透明電極）：Ａｇ－Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９／０．１）（２０ｎｍ）
　保護層２４：ＩＴＯ（８０ｎｍ）
　上述したように、本実施形態では、青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、および赤色発光層３４Ｒを、各画素２内で、それぞれ２つの副画素３に共通な共通発光層とし、該共通発光層の活用で生産性を高めながら、蛍光発光材料のフェルスター型のエネルギー移動と、その遷移可能距離とを利用して発光を行う。
　上述したように、本実施形態によれば、副画素３Ｇ１では、青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇと赤色発光層３４Ｒとが積層されるが、青色蛍光発光層３４Ｂから緑色蛍光発光層３４Ｇにフェルスター型のエネルギー移動を生じる一方で、青色蛍光発光層３４Ｂおよび緑色蛍光発光層３４Ｇから赤色発光層３４Ｒへのフェルスター型のエネルギー移動は生じないため、緑色蛍光発光材料のみが発光する。
　つまり、緑色蛍光発光層３４Ｇの発光材料である緑色蛍光発光材料は、青色蛍光発光層３４Ｂの発光材料である青色蛍光発光材料よりもＳ１準位が低く、かつ、青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとにおける互いの対向面間距離ＤＢＧがフェルスター半径以下であることから、たとえ青色蛍光発光層３４Ｂ上で正孔と電子とが再結合したとしても、フェルスター遷移により、緑色蛍光発光材料がほぼ１００％発光する。また、赤色発光層３４Ｒと、青色蛍光発光層３４Ｂおよび緑色蛍光発光層３４Ｇのうち赤色発光層３４Ｒ側に位置する緑色蛍光発光層３４Ｇとの間にはセパレート層３５が設けられていることから、青色蛍光発光層３４Ｂおよび緑色蛍光発光層３４Ｇから赤色発光層３４Ｒへのエネルギー移動が阻害される。このため、上述したように、副画素３Ｇ１に、ＲＧＢの各色の発光層３４が積層されていたとしても、混色を抑制することができる。
　上述した積層構造を有さないペンタイル配列を有する有機ＥＬ表示装置では、緑色の副画素からなる副画素列に対してしか線形蒸着を行うことはできない。
　しかしながら、本実施形態によれば、上述した積層構造とすることで、赤色発光層３４Ｒ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、青色蛍光発光層３４Ｂの蒸着時に、それぞれ、副画素３Ｇ１を含む、隣り合う２つの副画素３を１単位（すなわち、１つの蒸着領域）とした成膜を行うことが可能となる。すなわち、副画素３Ｇ１が、副画素３Ｂ、副画素３Ｇ１、副画素３Ｒにそれぞれ設けられた各色の発光層３４を全て含む積層構造を有していることで、上述したように、副画素３Ｇ１と副画素３Ｇ２とを結ぶ方向だけでなく、副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとを結ぶ方向、および、副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とを結ぶ方向にも線形蒸着が可能であり、これらの方向への混色を抑制することができる。
　また、本実施形態によれば、上述したように、ペンタイル配列となるように配列された、ＲＧＢの全ての副画素３における発光層３４、および中間層（第１の中間層）であるセパレート層３５を、二副画素分の開口部からなる開口パターンを有する蒸着マスクで蒸着することができる。このため、混色防止の蒸着マージンを低減させることができ、副画素３間のピッチを狭めて精細度を向上させたり、同一精細度で副画素３の面積を広げて電流ストレスを低下させることで、各有機ＥＬ素子２０を長寿命化させたりすることができる。
　このように、本実施形態によれば、青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、赤色発光層３４Ｒを、それぞれ線形蒸着することができるとともに、上述したように副画素３Ｇ１では、発光層３４が複数積層されているにも拘らず混色が生じ難いことから、従来の塗分方式を用いた表示装置よりも混色防止の蒸着マージンを低減させることができ、従来の塗分方式を用いた表示装置よりも容易に高精細化を実現することができる。
　また、上記有機ＥＬ表示装置１は、上述したように発光層の積層構造を有しているにも拘らず、白色ＣＦ方式や特許文献１のようにＣＦ層や光学干渉効果を必須としないため、消費電力の増大や配光特性の悪化を回避することができる。このため、高色度と低消費電力とを両立することができる。
　したがって、本実施形態によれば、従来の塗分方式を用いた表示装置よりも混色可能性を低減することで混色防止の蒸着マージンを低減させ、より容易に高精細化を実現することができるとともに、高色度と低消費電力とを両立することができる表示装置を提供することができる。また、本実施形態では、発光領域４Ｇ１・４Ｇ２（副画素３Ｇ１・３Ｇ２）を、図３および図９の（ｂ）に示すように、発光領域４Ｂ・４Ｒ（副画素３Ｂ・３Ｒ）に対し、４５度回転させた菱形形状とした。本実施形態では、図９の（ｂ）に示すように、緑色蛍光発光層３４Ｇを、表示領域１ａに対し、斜め方向に線形蒸着する。このため、図９の（ｂ）に示すように、蒸着マスク７０Ｇの開口部７１Ｇの各辺と、これらの辺に対向する、発光領域４Ｇ１・４Ｇ２の各辺とが平行になるように線形蒸着を行うことで、各発光領域４間の隙間を最大限利用することができ、副画素３の配設密度を高めることができる。
　＜変形例＞
　なお、本実施形態では、本実施形態にかかる表示装置が有機ＥＬ表示装置である場合を例に挙げて説明した。しかしながら本実施形態にかかる表示装置は、ＰＬ発光する表示装置であればよい。したがって、本実施形態にかかる表示装置は、上述した例示に限定されるものではなく、例えば無機ＥＬ表示装置であってもよく、ＰＬ発光を利用した、ＥＬ表示装置以外の表示装置であってもよい。また、前記各発光材料に無機材料を使用し、有機層に代えて無機層を形成してもよい。
　また、本実施形態では、第１の蛍光発光材料を含む第１の発光層として青色蛍光発光層３４Ｂを形成し、第２の蛍光発光材料を含む第２の発光層として緑色蛍光発光層３４Ｇを形成し、第３の発光材料を含む第３の発光層として赤色発光層３４Ｒを形成したが、本実施形態は、これに限定されるものではない。上記第１の蛍光発光材料と第２の蛍光発光材料と第３の発光材料との組み合わせは、青色蛍光発光材料と緑色蛍光発光材料と赤色発光材料との組み合わせに限定されるものではなく、上記第２の蛍光発光材料が、上記第１の蛍光発光材料から発光される光のピーク波長（第１のピーク波長）よりも長波長のピーク波長（第２のピーク波長）を有する光を発光し、上記第３の発光材料が上記第２のピーク波長よりも長波長のピーク波長（第３のピーク波長）を有する光を発光し、上記第２の蛍光発光材料のＳ１準位が、上記第１の蛍光発光材料のＳ１よりも低く、かつ、上記第３の発光材料のＳ１よりも高い組み合わせであればよい。
　また、本実施形態では、ＲＧＢの全ての副画素３における発光層３４を、二副画素分の開口部からなる開口パターンを有する蒸着マスクで蒸着する場合を例に挙げて説明したが、本実施形態は、これに限定されるものではない。ＲＧＢの発光層３４のうち何れかの発光層３４の形成、例えば、緑色蛍光発光層３４Ｇの形成には、蒸着マスク７０Ｇとして、副画素３毎に別個の開口部７１Ｇが設けられた開口パターンを有する通常の蒸着マスクを用いてもよい。すなわち、発光層ユニット３３を構成する各機能層のうち緑色蛍光発光層３４Ｇを除く層を、前述したように行方向または列方向に二副画素分の開口部が設けられた開口パターンを有する蒸着マスクで蒸着し、緑色蛍光発光層３４Ｇのみ、上述した通常の蒸着マスクで蒸着してもよい。この場合でも、上述した積層構造を有さないペンタイル配列を有する有機ＥＬ表示装置ではなし得ない、青色蛍光発光層３４Ｂの線形蒸着、赤色発光層３４Ｒの線形蒸着を、行うことができる。
　〔実施形態２〕
　本発明の実施の他の形態について、主に図３、図１０、および図１１に基づいて説明すれば、以下の通りである。
　本実施形態では、実施形態１との相違点について説明するものとし、実施形態１で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。なお、本実施形態でも、実施形態１と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
　図１１は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の概略構成の一例を示す断面図である。本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置１と同じく、図３に示すペンタイル型の画素配列を有している。このため、図１１は、図３に一点鎖線で枠囲みして示す１画素領域の概略構成の一例を示し、図３に示すＬ１－Ｌ２線断面に相当する断面の概略構成を示している。
　本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、発光層ユニット３３から発せられた光を、第１電極２１側、すなわちＴＦＴ基板１０側から取り出すボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置であり、第１電極２１が透光性電極であり、保護層２４を設ける代わりに、第２電極２３に、実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置１における第２電極２３（半透明電極）よりも層厚が厚い反射電極を用いた点を除けば、実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置１と同じである。
　有機ＥＬ表示装置１の光取り出し方向は、第１電極２１側および第２電極２３側の何れであるかを問わない。このため、有機ＥＬ表示装置１は、本実施形態のようなボトムエミッション型の構造であってもよい。
　なお、このように有機ＥＬ表示装置１がボトムエミッション型である場合、絶縁基板１１には、透明基板あるいは透光性基板と称される、ガラス基板、プラスチック基板等の透光性を有する絶縁基板が用いられる。
　また、有機ＥＬ表示装置１がボトムエミッション型である場合、発光層ユニット３３から発せられた光は、透光性電極側から直接、もしくは反射電極で反射させて、透光性電極側から取り出される。このため、本実施形態では、上述したようにＴＦＴ基板１０側の第１電極２１を透光性電極とし、第２電極２３を反射電極とする。これら透光性電極および反射電極の材料としては、例えば、実施形態１に例示の透光性電極材料、反射電極材料等を使用することができる。
　本実施形態では、図１０に示したフローチャートに基づいて、ＴＦＴ基板１０上に、透光性電極からなる第１電極２１、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、緑色蛍光発光層３４Ｇ、青色蛍光発光層３４Ｂ、電子輸送層３６、電子注入層３７、反射電極からなる第２電極２３を、ＴＦＴ基板１０側からこの順に積層した。
　上記ＴＦＴ基板１０上に積層した各層の材料並びに厚みは以下の通りである。但し、以下に記載の寸法および材料は、あくまでも一例であり、本実施形態は、これらの具体的な寸法および材料にのみ限定されるものではない。なお、以下の実施例でも、副画素３Ｇ１における発光色と副画素３Ｇ２における発光色を揃えるため、光学シミュレーションにより、透光性電極２１ｂの層厚の光学最適化を行った。
　（実施例２）
　第１電極２１（陽極、透光性電極）：ＩＴＯ（５０ｎｍ）
　正孔注入層３１：ＨＡＴ－ＣＮ（１０ｎｍ）
　正孔輸送層３２：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）
　赤色発光層３４Ｒ：ＣＢＰ（ホスト材料、９０％）／Ｉｒ（ｐｉｑ）３（赤色発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　セパレート層３５：ＣＢＰ（２０ｎｍ）
　緑色蛍光発光層３４Ｇ：ＴＰＤ（ホスト材料、９０％）／クマリン６（緑色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　青色蛍光発光層３４Ｂ：ＡＤＮ（ホスト材料、９０％）／ＴＢＰｅ（青色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　電子輸送層３６：ＢＣＰ（３０ｎｍ）
　電子注入層３７：ＬｉＦ（１ｎｍ）
　第２電極２３（陰極、反射電極）：Ａｌ（１００ｎｍ）
　本実施形態によれば、実施形態１と同様の効果を有する、ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置１を提供することができる。
　また、上述したように有機ＥＬ表示装置１をボトムエミッション構造とした場合、マイクロキャビティ効果が弱く、各副画素３における有機ＥＬ素子２０の光路長（キャビティ長）を変化させても、各副画素３における有機ＥＬ素子２０の色度や発光効率が変化し難い。このため、第２電極２３を、実施形態１にかかる第１電極２１のように反射電極と、層厚調整層（光路長調整層）としての透光性電極との積層構造とし、該透光性電極の層厚を変更する等して各副画素３における有機ＥＬ素子２０の光路長を変更したり、副画素３毎に、第１電極２１と第２電極２３との間の有機ＥＬ層２２の層厚を変更したりしなくても、各副画素３における有機ＥＬ素子２０の色度や効率が変化し難い。
　このため、本実施形態によれば、上述したように、有機ＥＬ表示装置１における各層を一様な層厚としても特に問題がなく、有機ＥＬ表示装置１をトップエミッション構造とする場合よりも製造プロセスを簡便化することができる。
　〔実施形態３〕
　本発明の実施のさらに他の形態について、主に図１～図４、図１０～図１３に基づいて説明すれば、以下の通りである。
　本実施形態では、実施形態１、２との相違点について説明するものとし、実施形態１、２で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。なお、本実施形態でも、実施形態１、２と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
　＜有機ＥＬ表示装置１の概略構成＞
　図１２は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の画素配列を模式的に示す図である。
　実施形態１、２では、有機ＥＬ表示装置１が、ペンタイル配列を有している場合を例に挙げて説明した。しかしながら、有機ＥＬ表示装置１は、図１２に示すように、行方向に、副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とが隣り合うとともに副画素３Ｒと副画素３Ｇ２とが隣り合い、行方向に直交する列方向に、副画素３Ｂと副画素３Ｒとが隣り合うとともに副画素３Ｇ１と副画素３Ｇ２とが隣り合うＳストライプ型の画素配列（Ｓストライプ配列）を有していてもよい。Ｓストライプ配列でも、それぞれ行方向に沿って形成された、副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とからなる列と、副画素３Ｇ２と副画素３Ｒとからなる列とは、列方向に交互に配置されており、表示領域における行方向の各色の副画素３の繰り返しとしては、ペンタイル配列同様、例えば奇数行では、副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とが交互に配置され、偶数行では、副画素３Ｒと副画素３Ｇ２とが交互に配置されている。なお、これらの配列は、人間の色覚がＲおよびＢに鈍感でＧに敏感であることを利用したものである。これらの配列では、図３および図１２に示すように、各行を、副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ１、あるいは副画素３Ｇ２および副画素３Ｒの２色ずつで構成し、各行において、ＲＧＢ配列と比較して欠落する色の副画素を、隣接する行の副画素との組み合わせで擬似的に再現する。このため、これらの配列では、縦ストライプ型のＲＧＢ配列と比較して、行方向において欠落する色の副画素の分、各行の副画素３のドット幅を大きくすることができる。このため、高精細な有機ＥＬ表示装置１の製造が容易になるとともに、少ない画素数でも見かけの解像度を高く維持することができる。なお、本実施形態では、図１２および図１３の（ａ）～（ｃ）に示すように、各発光領域４（副画素３）を、何れも正方形状とした。
　本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、従来のＳストライプ配列を有する有機ＥＬ表示装置と異なり、副画素３Ｇ１と副画素３Ｇ２とが、図１、図２、図４、および図１１に示したように、異なる積層構造を有している。
　＜有機ＥＬ表示装置１の製造方法＞
　図１３の（ａ）～（ｃ）は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１における発光層ユニット３３の製造工程を工程順に示す平面図である。なお、図１３の（ａ）～（ｃ）では、発光領域４Ｂ、発光領域４Ｇ１、発光領域４Ｇ２、発光領域４Ｒの識別のために、各発光領域４に、図１２と同じハッチングを行っており、実際の蒸着は、各蒸着マスク７０Ｂ・７０Ｒ・７０Ｇの各開口部７１Ｂ・７１Ｒ・７１Ｇ内において行われる。前述したように、発光領域４Ｂ、発光領域４Ｇ１、発光領域４Ｇ２、発光領域４Ｒは、それぞれ、順に、副画素３Ｂ、副画素３Ｇ１、副画素３Ｇ２、副画素３Ｒ内に位置する。
　本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法では、図１０に示す赤色発光層形成工程（Ｓ４）～青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）において、図１３の（ａ）～（ｃ）に示す蒸着マスク７０Ｒ・７０Ｇ・７０Ｂを用いて蒸着を行う。
　本実施形態では、赤色発光層形成工程（Ｓ４）およびセパレート層形成工程（Ｓ５）において、図１３の（ａ）に示すように、破線で示す発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｒに赤色発光層３４Ｒおよびセパレート層３５が形成されるように、各画素２における副画素３Ｇ１および副画素３Ｒに対応して二副画素分の開口部７１Ｒが上記斜め方向に複数設けられた赤色発光層形成用の蒸着マスク７０Ｒを用いて、赤色発光層３４Ｒの材料およびセパレート層３５の材料を、それぞれ、副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとを結ぶ方向（すなわち、直接隣り合う副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとを結ぶ方向）に線形蒸着する。これにより、正孔輸送層３２上に、赤色発光層３４Ｒを、上記斜め方向に沿った断続的なストライプ状に形成し、上記赤色発光層３４Ｒ上に、平面視で、上記赤色発光層３４Ｒと同じパターンを有するセパレート層３５を積層した。
　なお、勿論、本実施形態でも、実施形態１同様、赤色発光層３４Ｒとセパレート層３５とを、同じ開口パターンを有する、それぞれに専用の蒸着マスクを用いてパターン形成しても構わない。
　緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ６）では、図１３の（ｂ）に示すように、蒸着マスク７０Ｇとして、破線で示す発光領域４Ｇ１および発光領域４Ｇ２に緑色蛍光発光層３４Ｇが形成されるように、各画素２における副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２に対応して二副画素分の開口部７１Ｇが行方向および列方向に複数設けられた、緑色蛍光発光層形成用の蒸着マスク７０Ｇを用いて、緑色蛍光発光層３４Ｇの材料を、副画素３Ｇ１と副画素３Ｇ２とを結ぶ方向に線形蒸着する。本実施形態では、副画素３Ｇ１および副画素３Ｇ２からなる偶数列目の副画素列に緑色蛍光発光層３４Ｇの材料を線形蒸着した。これにより、正孔輸送層３２上に、副画素３Ｇ１においてセパレート層３５に重なり、副画素３Ｇ２において正孔輸送層３２上に直接配置された、列方向に沿った断続的なストライプ状の緑色蛍光発光層３４Ｇを形成した。
　また、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）では、図１３の（ｃ）に示すように、蒸着マスク７０Ｂとして、破線で示す発光領域４Ｂおよび発光領域４Ｇ１に青色蛍光発光層３４Ｂが形成されるように、各画素２における副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ１に対応して二副画素分の開口部７１Ｂが行方向および列方向に複数設けられた、図９の（ｃ）に示した蒸着マスク７０Ｂと同様の青色蛍光発光層形成用の蒸着マスク７０Ｂを用いて、青色蛍光発光層３４Ｂの材料を、副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とを結ぶ方向に線形蒸着する。本実施形態では、副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ１からなる奇数行目の副画素列に青色蛍光発光層３４Ｂの材料を線形蒸着した。これにより、上記正孔輸送層３２上に、副画素３Ｇ１において緑色蛍光発光層３４Ｇに重なり、副画素３Ｂにおいて正孔輸送層３２上に直接配置された、行方向に沿った断続的なストライプ状の青色蛍光発光層３４Ｂを形成した。
　本実施形態によれば、上述したようにＳストライプ型の画素配列とすることで、見かけの精細度を向上させることができる。
　通常、Ｓストライプ配列を有する有機ＥＬ表示装置では、緑色の副画素からなる副画素列に対してしか線形蒸着を行うことはできない。しかしながら、本実施形態によれば、上述したように、発光層ユニット３３を構成する全ての層を線形蒸着することができる。
　また、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の発光層ユニット３３は、上述したように、図１、図２、図４、および図１１に示す積層構造と同様の積層構造を有している。このため、赤色発光層３４Ｒを副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとに共通して形成する際に、万一、赤色発光層３４Ｒが副画素３Ｂに侵入し、青色蛍光発光層３４Ｂの下に赤色発光層３４Ｒが形成されたとしても、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料が正孔輸送性材料であれば、赤色発光層３４Ｒまで電子が届かないため、副画素３Ｂで赤色混色が発生することはない。また、赤色発光層３４Ｒを副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとに共通して形成する際に、万一、赤色発光層３４Ｒが副画素３Ｇ２に侵入し、緑色蛍光発光層３４Ｇの下に赤色発光層３４Ｒが形成されたとしても、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料が正孔輸送性材料であれば、赤色発光層３４Ｒまで電子が届かないため、副画素３Ｇ２で赤色混色が発生することはない。したがって、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料を、ともに正孔輸送性材料とすることで、赤色発光層３４Ｒの蒸着時に、赤色発光材料が微量だけ他の副画素３（すなわち、副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ２のうち少なくとも一方の副画素３）に侵入しても、混色が起こり難い構成とすることができる。
　また、本実施形態では、赤色発光層３４Ｒを蒸着する場合、図１３の（ａ）に示すように、蒸着マスク７０Ｒのマスク面に垂直な方向から見たとき（つまり、平面視で）、蒸着マスク７０Ｒの開口部７１Ｒの各辺（各開口端）と、該開口部７１Ｒ内に位置する副画素３の発光領域４の各辺（言い換えれば、上記開口部７１Ｒ内に位置する副画素３におけるバンク１５の各開口部１５ａの各開口端）とが非平行の関係となる。このため、赤色発光層３４Ｒが蒸着される副画素３Ｒ・３Ｇ１では、それぞれの発光領域４Ｒ・４Ｇ１を、これら発光領域４Ｒ・４Ｇ１に隣り合う他の副画素３Ｂ・３Ｇ２における発光領域４Ｂ・４Ｇ２よりも小さく形成し、それに合わせて蒸着マスク７０Ｒの開口部７１Ｒの大きさを小さくしなければ、これら副画素３Ｂ・３Ｇ２への赤色発光層３４Ｒの材料の侵入が起こり易くなってしまう。
　つまり、図１３の（ａ）に示すように、赤色発光層３４Ｒが形成される発光領域４Ｒ・４Ｇ１を、発光領域４Ｂ・４Ｇ２と同じ大きさとした場合、蒸着マスク７０Ｒに、二副画素分の発光領域４Ｒ・４Ｇ１全体が含まれる大きさの開口部７１Ｒを形成すると、図１３の（ａ）に示すよりも混色防止の蒸着マージンを増加させて非発光領域を大きく形成しなければ、蒸着マスク７０Ｒの開口部７１Ｒが、他の発光領域４Ｂ・４Ｇ２の角部に、部分的に重なってしまう。
　しかしながら、本実施形態によれば、上述したように、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料を、ともに正孔輸送性材料とすることで、赤色発光材料が他の副画素３に侵入しても混色が起こり難いことから、図１２および図１３の（ａ）～（ｃ）に示すように発光領域４Ｒ・４Ｇ１を、発光領域４Ｂ・４Ｇ２よりも小さく形成する必要がなくなる。言い換えれば、上述したように青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料を、ともに正孔輸送性材料とすることで、そうでない場合よりも、各副画素３の開口率を大きくすることができる。
　〔実施形態４〕
　本発明の実施のさらに他の形態について、主に図１、図１４の（ａ）～（ｃ）に基づいて説明すれば、以下の通りである。
　本実施形態では、実施形態１～３との相違点について説明するものとし、実施形態１～３で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。なお、本実施形態でも、実施形態１～３と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
　本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、青色蛍光発光材料にＴＡＤＦ材料を用いた点で、実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置１と異なっている。
　図１４の（ａ）はフェルスター遷移について説明する図であり、図１４の（ｂ）はデクスター遷移（デクスター型のエネルギー移動）について説明する図であり、図１４の（ｃ）はＴＡＤＦ材料について説明する図である。
　図１４の（ａ）に示すように、フェルスター機構（双極子－双極子相互作用）を用いたフェルスター遷移では、ＨＯＭＯ（最高被占軌道）準位のアクセプターの電子が、ＬＵＭＯ（最低空軌道）準位に励起されたドナーの電子の双極子振動に共鳴してＬＵＭＯ準位の波動運動に変化することで、基底状態（一重項基底状態）から励起一重項状態に励起される。このように、励起一重項状態のドナーで吸収された光のエネルギーによってアクセプターにエネルギーが移動し、アクセプターが蛍光分子の場合、アクセプターから蛍光が放射される。なお、図１４の（ａ）において、１Ｄ＊はドナーの励起一重項状態を示し、１Ａは、アクセプターの基底状態（一重項基底状態）を示す。
　フェルスター遷移では、近接した２つの色素分子間で、電子の共鳴により励起エネルギーが直接移動することから、エネルギー移動に色素分子間の直接的接触を必要としない。フェルスター遷移は、ドナーとアクセプターとの間の距離が有効半径（フェルスター半径）内であれば起こり得る。
　図１４の（ｂ）に示すように、デクスター機構（電子交換相互作用）を用いたデクスター遷移では、色素分子の衝突による色素分子間での軌道の重なりにより、励起三重項状態にあるドナーの電子と三重項基底状態のアクセプターの電子とを交換し合うことで、エネルギー移動が起こる。なお、図１４の（ｂ）において、３Ｄ＊はドナーの励起三重項状態を示し、３Ａは、アクセプターの基底状態（三重項基底状態）を示す。
　デクスター遷移では、色素分子間の衝突を必要とするため、色素分子同士が接触している必要がある。
　通常、有機ＥＬ素子では、発光層に電子および正孔を注入して再結合させることにより励起子を生成させ、この励起子が失活する際の光の放出を利用するが、この励起子が励起一重項状態として生成される確率は２５％であり、励起三重項状態として生成される確率は７５％である。
　しかしながら、図１４の（ａ）に示すように、励起一重項状態（Ｓ１準位）から基底状態（Ｓ０準位）への遷移は、スピン多重度が同じ状態間の許容遷移であるのに対し、図１４の（ｂ）に示すように、励起三重項状態（Ｔ１準位）から基底状態（Ｓ０準位）への遷移は、スピン多重度が異なる状態間での禁制遷移である。このため、Ｔ１準位で生成された三重項励起子は、発光せずに、熱エネルギー等に変化して熱として失活し、発光に寄与しない。このため、通常の蛍光発光材料は、Ｔ１準位で励起子が生成されると、発光効率が低下してしまうという課題がある。
　また、ある材料（近接した２つの色素分子のうち一方の色素分子）の励起三重項状態から別の材料（近接した２つの色素分子のうち他方の色素分子）の励起三重項状態へのフェルスター遷移は禁制であり、デクスター遷移しか起こらない。そのため、Ｔ１準位で励起子が生成した場合、直接接触する分子にしかエネルギーが移動しない。
　したがって、例えば図１で示したように副画素３Ｇ１において、青色蛍光発光層３４Ｂで励起子が生成した場合、Ｔ１準位の青色蛍光発光材料から緑色蛍光発光材料へはエネルギーが移動せず、Ｓ１準位の青色蛍光発光材料からＳ１準位の緑色蛍光発光材料にしかエネルギーが移動しないので、副画素３Ｇ１において、混色や発光効率の低下が起こる可能性がないとは言えない。
　このため、青色蛍光発光層３４Ｂに用いられる青色蛍光発光材料は、ＴＡＤＦ材料であることが好ましい。
　実施形態１で説明したように、ＴＡＤＦ材料は、ΔＥＳＴが極めて小さく、図１４の（ｃ）に示すように、Ｔ１準位からＳ１準位への逆項間交差が生じる。このため、青色蛍光発光材料にＴＡＤＦ材料を使用すれば、逆項間交差により、Ｔ１準位の励起子がＳ１準位にアップコンバージョンされる。
　このため、青色蛍光発光材料にＴＡＤＦ材料を使用すれば、たとえ副画素３Ｇ１において青色蛍光発光層３４Ｂで励起子が生成されたとしても、Ｔ１準位からＳ１準位への逆項間交差によるＳ１準位間のフェルスター遷移により、青色蛍光発光材料から緑色蛍光発光材料へのエネルギー移動が起こる。したがって、青色蛍光発光材料にＴＡＤＦ材料を使用することで、副画素３Ｇ１での青色混色を抑制することができ、副画素３Ｇ１での色度を改善することができる。
　また、青色蛍光発光材料にＴＡＤＦ材料を使用することで、副画素３Ｂにおいて、Ｔ１準位の励起子がＳ１準位にアップコンバージョンされ、副画素３Ｂでの発光効率が改善されるので、有機ＥＬ表示装置１の発光効率が改善される。なお、同様の理由から、緑色蛍光発光材料にＴＡＤＦ材料を使用してもよい。この場合、副画素３Ｇ１・３Ｇ２において、Ｔ１準位の励起子がＳ１準位にアップコンバージョンされ、副画素３Ｇ１・３Ｇ２での発光効率が改善されることで、有機ＥＬ表示装置１の発光効率が改善される。勿論、副画素３Ｒでの発光効率の改善のために、前述したように赤色発光材料にＴＡＤＦ材料を使用してもよい。
　青色発光するＴＡＤＦ材料としては、例えば、前述した２ＣｚＰＮ、ＤＭＡＣ－ＤＰＳ等が挙げられる。また、緑色発光するＴＡＤＦ材料としては、例えば、前述した４ＣｚＩＰＮ、４ＣｚＰＮ、ＰＸＺ－ＤＰＳ等が挙げられる。
　本実施形態では、一例として、実施例１において、青色蛍光発光層３４Ｂを、ＡＤＮ（ホスト材料、９０％）／ＴＢＰｅ（青色蛍光発光材料、１０％）に代えて、ｍＣＰ（ホスト材料、９０％）／ＤＭＡＣ－ＤＰＳ（青色蛍光発光材料、１０％）で形成した以外は、実施例１と同じ条件で有機ＥＬ表示装置１を製造した。
　すなわち、本実施形態において、ＴＦＴ基板１０上に積層した各層の材料並びに厚みは以下の通りであり、本実施形態でも、実施形態１同様、図１０に示すフローチャートに基づいて、図４に示すように、ＴＦＴ基板１０上に、反射電極２１ａ、透光性電極２１ｂ、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、緑色蛍光発光層３４Ｇ、青色蛍光発光層３４Ｂ、電子輸送層３６、電子注入層３７、第２電極２３、保護層２４を、ＴＦＴ基板１０側からこの順に積層した。但し、以下に記載の寸法および材料は、あくまでも一例であり、本実施形態は、これらの具体的な寸法および材料にのみ限定されるものではない。なお、以下の実施例でも、副画素３Ｇ１における発光色と副画素３Ｇ２における発光色を揃えるため、光学シミュレーションにより、透光性電極２１ｂの層厚の光学最適化を行った。
　（実施例３）
　反射電極２１ａ（第１電極２１、陽極）：Ａｇ（１００ｎｍ）
　透光性電極２１ｂ（第１電極２１、陽極）：ＩＴＯ（副画素３Ｂ：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ１：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ２：１６５ｎｍ／副画素３Ｒ：４０ｎｍ）
　正孔注入層３１：ＨＡＴ－ＣＮ（１０ｎｍ）
　正孔輸送層３２：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）
　赤色発光層３４Ｒ：ＣＢＰ（ホスト材料、９０％）／Ｉｒ（ｐｉｑ）３（赤色発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　セパレート層３５：ＣＢＰ（２０ｎｍ）
　緑色蛍光発光層３４Ｇ：ＴＰＤ（ホスト材料、９０％）／クマリン６（緑色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　青色蛍光発光層３４Ｂ：ｍＣＰ（ホスト材料、９０％）／ＤＭＡＣ－ＤＰＳ（青色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　電子輸送層３６：ＢＣＰ（３０ｎｍ）
　電子注入層３７：ＬｉＦ（１ｎｍ）
　第２電極２３（陰極、半透明電極）：Ａｇ－Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９／０．１）（２０ｎｍ）
　保護層２４：ＩＴＯ（８０ｎｍ）
　〔実施形態５〕
　本発明の実施のさらに他の形態について、主に図１、図２、図４、図１０を参照して以下に説明する。本実施形態では、実施形態１～４との相違点について説明するものとし、実施形態１～４で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。なお、本実施形態でも、実施形態１～４と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
　本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、図１、図２、図４に示す積層構造と同じ積層構造を有している。このような積層構造を有する有機ＥＬ表示装置１では、図１に示したように、副画素３Ｇ１では、セパレート層３５よりも陰極側（すなわち、第２電極２３）の緑色蛍光発光層３４Ｇで正孔と電子とを再結合させて励起子生成し、緑色発光させる必要がある。また、副画素３Ｒでは、セパレート層３５よりも陽極側（すなわち、第１電極２１）の赤色発光層３４Ｒで正孔と電子とを再結合させて励起子生成し、赤色発光させる必要がある。
　このため、実施形態１で説明したように、セパレート層３５は、正孔輸送性および電子輸送性がともに高いバイポーラ輸送性を示すことが望ましい。
　そこで、本実施形態では、セパレート層３５を、複数の材料で形成することで、キャリア輸送性を調整する。
　特に、図１、図２、図４に示したように副画素３Ｒで赤色発光層３４Ｒ上にセパレート層３５が設けられている場合、赤色発光層３４Ｒからセパレート層３５に正孔が流れすぎることによる発光効率の低下が懸念される。そこで、セパレート層３５に含まれる電子輸送性材料の混合比率を、正孔輸送性材料の混合比率よりも高くすることが望ましい。
　このように、セパレート層３５を、バイポーラ輸送性を有する１種類の材料で構成するよりも、キャリア輸送性が異なる複数の材料で形成した方が、キャリア輸送性を制御し易く、各色の発光効率をより容易に改善することができる。
　本実施形態では、図１０に示すフローチャートに基づいて、図４に示すように、ＴＦＴ基板１０上に、反射電極２１ａ、透光性電極２１ｂ、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、緑色蛍光発光層３４Ｇ、青色蛍光発光層３４Ｂ、電子輸送層３６、電子注入層３７、第２電極２３、保護層２４を、ＴＦＴ基板１０側からこの順に積層した。
　上記ＴＦＴ基板１０上に積層した各層の材料並びに厚みは以下の通りである。但し、以下に記載の寸法および材料は、あくまでも一例であり、本実施形態は、これらの具体的な寸法および材料にのみ限定されるものではない。なお、以下の実施例でも、副画素３Ｇ１における発光色と副画素３Ｇ２における発光色を揃えるため、光学シミュレーションにより、透光性電極２１ｂの層厚の光学最適化を行った。
　（実施例４）
　反射電極２１ａ（第１電極２１、陽極）：Ａｇ（１００ｎｍ）
　透光性電極２１ｂ（第１電極２１、陽極）：ＩＴＯ（副画素３Ｂ：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ１：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ２：１６５ｎｍ／副画素３Ｒ：４０ｎｍ）
　正孔注入層３１：ＨＡＴ－ＣＮ（１０ｎｍ）
　正孔輸送層３２：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）
　赤色発光層３４Ｒ：ＣＢＰ（ホスト材料、９０％）／Ｉｒ（ｐｉｑ）３（赤色発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　セパレート層３５：ＢＣＰ（７０％）／ＴＰＤ（３０％）（１０ｎｍ）
　緑色蛍光発光層３４Ｇ：ＴＰＤ（ホスト材料、９０％）／クマリン６（緑色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　青色蛍光発光層３４Ｂ：ｍＣＰ（ホスト材料、９０％）／ＤＭＡＣ－ＤＰＳ（青色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　電子輸送層３６：ＢＣＰ（３０ｎｍ）
　電子注入層３７：ＬｉＦ（１ｎｍ）
　第２電極２３（陰極、半透明電極）：Ａｇ－Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９／０．１）（２０ｎｍ）
　保護層２４：ＩＴＯ（８０ｎｍ）
　以上のように、本実施形態では、セパレート層３５を、電子輸送性材料であるＢＣＰと、正孔輸送性材料であるＴＰＤとの混合層とし、ＢＣＰをＴＰＤよりも多く混合した。
　〔実施形態６〕
　本発明の実施のさらに他の形態について、主に図３、図１０、図１２、および図１５～図１７に基づいて説明すれば、以下の通りである。本実施形態では、実施形態１～５との相違点について説明するものとし、実施形態１～５で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。なお、本実施形態でも、実施形態１～５と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
　＜有機ＥＬ表示装置１の概略構成＞
　図１５は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の副画素３のうち副画素３Ｇ１および副画素３Ｒにおける発光原理を模式的に示す図である。また、図１６は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の発光層ユニット３３における積層構造を模式的に示す図である。図１７は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の概略構成の一例を示す断面図である。なお、図１７は、図３または図１２に示すＬ１－Ｌ２線断面に相当する、１画素領域の概略構成の一例を示している。
　本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、セパレート層３５が、複数の層からなる積層体である点を除けば、実施形態１～５にかかる有機ＥＬ表示装置１と同じ構成を有している。
　図１５～図１７に示すように、本実施形態にかかるセパレート層３５は、第１セパレート層３５ａおよび第２セパレート層３５ｂの２層構造を有している。図１５および図１６に示すように、第１セパレート層３５ａおよび第２セパレート層３５ｂは、互いに異なるキャリア輸送性を有している。このように第１セパレート層３５ａおよび第２セパレート層３５ｂが互いに異なるキャリア輸送性を有していることで、各副画素３で表示される発光色を、より高効率に得ることができる。
　例えば、陽極である第１電極２１側に位置する第１セパレート層３５ａでは正孔輸送性材料の混合比率よりも電子輸送性材料の混合比率を高くすることで、第１セパレート層３５ａに隣接する赤色発光層３４Ｒからの正孔漏れを抑制することができる。一方、陰極である第２電極２３側に位置する第２セパレート層３５ｂでは、電子輸送性材料の混合比率よりも正孔輸送性材料の混合比率を高くすることで、第２セパレート層３５ｂに隣接する緑色蛍光発光層３４Ｇからの電子漏れを抑制することができる。これにより、副画素３Ｒでは、赤色発光層３４Ｒからの正孔漏れによる赤色発光材料の発光効率の低下を抑制することができるとともに、副画素３Ｇ１では、緑色蛍光発光層３４Ｇからの電子漏れによる緑色蛍光発光材料の発光効率の低下を抑制することができる。なお、セパレート層３５が設けられていない副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ２については、実施形態１～５と同様である。
　前述したように、副画素３Ｇ１における対向面間距離ＤＧＲがフェスルター半径よりも大きければ、副画素３Ｇ２における緑色蛍光発光層３４Ｇから赤色発光層３４Ｒへのエネルギー移動（フェルスター遷移並びにデクスター遷移）は起こらない。
　したがって、上述したようにセパレート層３５が複数の層からなる積層体である場合、該積層体の層厚（すなわち、セパレート層３５を構成する各層の合計の層厚）がフェルスター半径よりも大きければ、セパレート層３５を構成する各層の層厚は、フェルスター半径以下であっても構わない。
　例えば、上記第１セパレート層３５ａの層厚および第２セパレート層３５ｂの層厚がともにフェルスター半径以下であったとしても、第１セパレート層３５ａおよび第２セパレート層３５ｂからなるセパレート層３５の層厚（つまり、第１セパレート層３５ａおよび第２セパレート層３５ｂの合計の層厚）がフェルスター半径よりも大きければ、図１５に示すように副画素３Ｇ１における青色蛍光発光層３４Ｂおよび緑色蛍光発光層３４Ｇと赤色発光層３４Ｒとの間のエネルギー移動を阻害し、副画素３Ｇ１における混色抑制効果を得ることができる。
　＜有機ＥＬ表示装置１の製造方法＞
　本実施形態では、上述したようにセパレート層３５が第１セパレート層３５ａおよび第２セパレート層３５ｂからなることで、図１０に示すセパレート層形成工程（Ｓ５）は、第１セパレート層形成工程と第２セパレート層形成工程とを含んでいる。
　第１セパレート層３５ａおよび第２セパレート層３５ｂは、何れも、平面視で、赤色発光層３４Ｒと同じパターンを有している。
　このため、第１セパレート層形成工程および第２セパレート層形成工程では、それぞれ、赤色発光層形成用の蒸着マスク７０Ｒを用いて、第１セパレート層３５ａの材料、第２セパレート層３５ｂの材料を、副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとを結ぶ方向に線形蒸着することができる。これにより、上記赤色発光層３４Ｒ上に、平面視で、上記赤色発光層３４Ｒと同じパターンを有する第１セパレート層３５ａおよび第２セパレート層３５ｂを積層することができる。
　なお、本実施形態では、赤色発光層３４Ｒ、第１セパレート層３５ａ、および第２セパレート層３５ｂが、平面視で同じパターンを有することから、これら赤色発光層３４Ｒ、第１セパレート層３５ａ、および第２セパレート層３５ｂを、同じ蒸着マスク７０Ｒを用いて連続して形成する場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、これら赤色発光層３４Ｒ、第１セパレート層３５ａ、および第２セパレート層３５ｂを、同じ開口パターンを有する、それぞれに専用の蒸着マスクを用いてパターン形成しても構わない。
　本実施形態では、図１０に示すフローチャートに基づいて、ＴＦＴ基板１０上に、反射電極２１ａ、透光性電極２１ｂ、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、赤色発光層３４Ｒ、第１セパレート層３５ａ、第２セパレート層３５ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、青色蛍光発光層３４Ｂ、電子輸送層３６、電子注入層３７、第２電極２３、保護層２４を、ＴＦＴ基板１０側からこの順に積層した。
　上記ＴＦＴ基板１０上に積層した各層の材料並びに厚みは以下の通りである。但し、以下に記載の寸法および材料は、あくまでも一例であり、本実施形態は、これらの具体的な寸法および材料にのみ限定されるものではない。なお、以下の実施例でも、副画素３Ｇ１における発光色と副画素３Ｇ２における発光色を揃えるため、光学シミュレーションにより、透光性電極２１ｂの層厚の光学最適化を行った。
　（実施例５）
　反射電極２１ａ（第１電極２１、陽極）：Ａｇ（１００ｎｍ）
　透光性電極２１ｂ（第１電極２１、陽極）：ＩＴＯ（副画素３Ｂ：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ１：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ２：１６５ｎｍ／副画素３Ｒ：４０ｎｍ）
　正孔注入層３１：ＨＡＴ－ＣＮ（１０ｎｍ）
　正孔輸送層３２：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）
　赤色発光層３４Ｒ：ＣＢＰ（ホスト材料、９０％）／Ｉｒ（ｐｉｑ）３（赤色発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　第１セパレート層３５ａ：ＢＣＰ（８０％）／ＴＰＤ（２０％）（１０ｎｍ）
　第２セパレート層３５ｂ：ＢＣＰ（３０％）／ＴＰＤ（７０％）（１０ｎｍ）
　セパレート層３５：ＢＣＰ（７０％）／ＴＰＤ（３０％）（１０ｎｍ）
　緑色蛍光発光層３４Ｇ：ＴＰＤ（ホスト材料、９０％）／クマリン６（緑色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　青色蛍光発光層３４Ｂ：ｍＣＰ（ホスト材料、９０％）／ＤＭＡＣ－ＤＰＳ（青色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　電子輸送層３６：ＢＣＰ（３０ｎｍ）
　電子注入層３７：ＬｉＦ（１ｎｍ）
　第２電極２３（陰極、半透明電極）：Ａｇ－Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９／０．１）（２０ｎｍ）
　保護層２４：ＩＴＯ（８０ｎｍ）
　以上のように、本実施形態では、セパレート層３５を第１セパレート層３５ａおよび第２セパレート層３５ｂの２層構造とし、該セパレート層３５の層厚は、１５ｎｍ以上とした。なお、本実施形態でも、これら第１セパレート層３５ａおよび第２セパレート層３５ｂからなるセパレート層３５の層厚は、５０ｎｍ以下であることが好ましく、３０ｎｍ以下であることがより好ましい。このため、上述した範囲を満足するように第１セパレート層３５ａの層厚および第２セパレート層３５ｂの層厚が設定されることが望ましい。
　〔実施形態７〕
　本発明の実施のさらに他の形態について、主に図３、図１０、図１２、図１８～図２１の（ａ）・（ｂ）に基づいて説明すれば、以下の通りである。本実施形態では、実施形態１～６との相違点について説明するものとし、実施形態１～６で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。なお、本実施形態でも、実施形態１～６と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
　＜有機ＥＬ表示装置１の概略構成＞
　図１８は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の発光層ユニット３３における積層構造を模式的に示す図である。図１９は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の概略構成の一例を示す断面図である。なお、図１９は、図３または図１２に示すＬ１－Ｌ２線断面に相当する、１画素領域の概略構成の一例を示している。
　副画素３Ｇ１において、青色蛍光発光層３４Ｂ中の青色蛍光発光材料から、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の緑色蛍光発光材料にエネルギーが移動する際に、青色蛍光発光材料の分子と緑色蛍光発光材料の分子とが直接接触してしまうと、Ｔ１準位間のデクスター遷移が起こり、発光せずに熱として失活してしまう可能性がある。
　そこで、副画素３Ｇ１における青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとの間には、第２の中間層として、発光材料を含まず、青色蛍光発光層３４Ｂ中の青色蛍光発光材料から、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の緑色蛍光発光材料へのデクスター遷移を阻害する、フェルスター半径以下の層厚を有する薄いブロック層３８が設けられていることが望ましい。
　ブロック層３８の層厚はフェルスター半径以下であることから、副画素３Ｇ１における、上記青色蛍光発光材料から緑色蛍光発光材料へのフェルスター遷移は阻害されないが、デクスター遷移は阻害される。このため、副画素３Ｇ１における青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとの間に、任意の材料からなる薄いブロック層３８を設けることで、副画素３Ｇ１での緑色蛍光発光材料の発光効率を改善することができる。
　ブロック層３８の層厚は、対向面間距離ＤＢＧに等しいことから、フェルスター半径以下に設定する必要がある。ブロック層３８の層厚は、確実にフェルスター遷移させるために、できるだけ薄く形成されていることが好ましく、１０ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ以下であることがより好ましい。
　図１８および図１９は、ブロック層３８を、副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ１に、共通層として設けた場合を例に挙げて示している。
　このため、図１８および図１９に示す有機ＥＬ表示装置１では、発光層ユニット３３は、副画素３Ｂでは、第１電極２１側から、青色蛍光発光層３４Ｂ、ブロック層３８が、この順に積層された積層構造を有し、副画素３Ｇ１では、第１電極２１側から、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、緑色蛍光発光層３４Ｇ、ブロック層３８、青色蛍光発光層３４Ｂが、この順に積層された積層構造を有している。なお、実施形態１～６同様、本実施形態でも、発光層ユニット３３は、副画素３Ｇ２では緑色蛍光発光層３４Ｇからなり、副画素３Ｒでは、第１電極２１側から、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５がこの順に積層された積層構造を有している。
　ブロック層３８は、例えば、ブロック層３８全体としてバイポーラ輸送性を示すことが望ましい。このため、ブロック層３８の材料には、バイポーラ輸送性材料のように単独でバイポーラ輸送性を示す材料、あるいは、二種類以上組み合わせることでバイポーラ輸送性を示す材料が使用される。
　ブロック層３８は、副画素３Ｇ１における青色蛍光発光材料から緑色蛍光発光材料へのデクスター遷移を阻害するためのものであり、副画素３Ｇ１における緑色蛍光発光層３４Ｇと青色蛍光発光層３４Ｂとの間に配置されていれば、他の副画素３への配置は必ずしも必要ではない。但し、上述したようにブロック層３８を例えば副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ１に共通して設けることで、ブロック層３８の材料を、副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とを結ぶ方向に線形蒸着することができる。
　＜有機ＥＬ表示装置１の製造方法＞
　図２０は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の要部の製造工程の流れを示すフローチャートである。
　本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、図２０に示すように、図１０に示す有機ＥＬ素子作製工程において、緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ６）と青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）との間に、ブロック層形成工程（Ｓ２１）を含む点を除けば、実施形態１～６にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法と同じである。
　上述したように、図１８および図１９に示す例では、ブロック層３８を、青色蛍光発光層３４Ｂ同様、副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ１に、共通層として設けている。このため、図１８および図１９に示す有機ＥＬ表示装置１の製造方法では、ブロック層３８と、青色蛍光発光層３４Ｂとを、同じ蒸着マスク７０Ｂを用いて連続して形成することができる。これにより、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）では、ブロック層３８上に、平面視で、ブロック層３８と同じパターンを有する青色蛍光発光層３４Ｂが積層される。但し、本実施形態は、これに限定されるものではなく、同じ開口パターンを有する、それぞれに専用の蒸着マスクを用いてブロック層３８と青色蛍光発光層３４Ｂとをパターン形成しても構わない。
　本実施形態では、図２０に示すフローチャートに基づいて、ＴＦＴ基板１０上に、反射電極２１ａ、透光性電極２１ｂ、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、緑色蛍光発光層３４Ｇ、ブロック層３８、青色蛍光発光層３４Ｂ、電子輸送層３６、電子注入層３７、第２電極２３、保護層２４を、ＴＦＴ基板１０側からこの順に積層した。
　上記ＴＦＴ基板１０上に積層した各層の材料並びに厚みは以下の通りである。但し、以下に記載の寸法および材料は、あくまでも一例であり、本実施形態は、これらの具体的な寸法および材料にのみ限定されるものではない。なお、以下の実施例でも、副画素３Ｇ１における発光色と副画素３Ｇ２における発光色を揃えるため、光学シミュレーションにより、透光性電極２１ｂの層厚の光学最適化を行った。
　（実施例６）
　反射電極２１ａ（第１電極２１、陽極）：Ａｇ（１００ｎｍ）
　透光性電極２１ｂ（第１電極２１、陽極）：ＩＴＯ（副画素３Ｂ：１３０ｎｍ／副画素３Ｇ１：１３０ｎｍ／副画素３Ｇ２：１６５ｎｍ／副画素３Ｒ：４０ｎｍ）
　正孔注入層３１：ＨＡＴ－ＣＮ（１０ｎｍ）
　正孔輸送層３２：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）
　赤色発光層３４Ｒ：ＣＢＰ（ホスト材料、９０％）／Ｉｒ（ｐｉｑ）３（赤色発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　セパレート層３５：ＣＢＰ（２０ｎｍ）
　緑色蛍光発光層３４Ｇ：ＴＰＤ（ホスト材料、９０％）／クマリン６（緑色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　ブロック層３８：ｍＣＰ（５ｎｍ）
　青色蛍光発光層３４Ｂ：ｍＣＰ（ホスト材料、９０％）／ＤＭＡＣ－ＤＰＳ（青色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　電子輸送層３６：ＢＣＰ（３０ｎｍ）
　電子注入層３７：ＬｉＦ（１ｎｍ）
　第２電極２３（陰極、半透明電極）：Ａｇ－Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９／０．１）（２０ｎｍ）
　保護層２４：ＩＴＯ（８０ｎｍ）
　＜変形例＞
　図１８および図１９では、ブロック層３８を、副画素３Ｂ・３Ｇ１に共通に設ける場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態はこれに限定されるものではない。
　図２１の（ａ）・（ｂ）は、それぞれ、本実施形態にかかる発光層ユニット３３の積層構造の他の例を模式的に示す図である。
　上述したように、ブロック層３８は、副画素３Ｇ１における緑色蛍光発光層３４Ｇと青色蛍光発光層３４Ｂとの間に配置されていればよい。
　ブロック層３８は、図２１の（ａ）に示すように副画素３Ｇ１・３Ｇ２に共通層として設けられていてもよく、図２１の（ｂ）に示すように全副画素３に共通層として設けられていてもよい。
　なお、何れの場合にも、ブロック層３８の材料には、図２１の（ａ）・（ｂ）に示すようにバイポーラ輸送性材料を用いることが望ましい。
　図２１の（ａ）に示すようにブロック層３８を副画素３Ｇ１・３Ｇ２に共通層として設けることで、副画素３Ｇ１における青色蛍光発光材料から緑色蛍光発光材料へのデクスター遷移を阻害することができるとともに、ブロック層３８の材料を、副画素３Ｇ１と副画素３Ｇ２とを結ぶ方向に線形蒸着することができる。
　この場合、緑色蛍光発光層３４Ｇとブロック層３８とを、同じ蒸着マスク７０Ｇを用いて連続して形成することができる。すなわち、緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ６）後、ブロック層形成工程（Ｓ２１）では、緑色蛍光発光層３４Ｇ上に、平面視で、緑色蛍光発光層３４Ｇと同じパターンを有するブロック層３８が積層される。但し、本実施形態は、これに限定されるものではなく、同じ開口パターンを有する、それぞれに専用の蒸着マスクを用いて緑色蛍光発光層３４Ｇとブロック層３８とをパターン形成しても構わない。
　図２１の（ａ）に示すようにブロック層３８を副画素３Ｇ１・３Ｇ２に共通層として設ける場合にＴＦＴ基板１０上に積層される各層の材料並びに厚みは以下の通りである。但し、以下に記載の寸法および材料も、あくまでも一例であり、本実施形態は、これらの具体的な寸法および材料にのみ限定されるものではない。また、以下の実施例でも、副画素３Ｇ１における発光色と副画素３Ｇ２における発光色を揃えるため、光学シミュレーションにより、透光性電極２１ｂの層厚の光学最適化を行った。
　（実施例７）
　反射電極２１ａ（第１電極２１、陽極）：Ａｇ（１００ｎｍ）
　透光性電極２１ｂ（第１電極２１、陽極）：ＩＴＯ（副画素３Ｂ：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ１：１３０ｎｍ／副画素３Ｇ２：１６０ｎｍ／副画素３Ｒ：４０ｎｍ）
　正孔注入層３１：ＨＡＴ－ＣＮ（１０ｎｍ）
　正孔輸送層３２：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）
　赤色発光層３４Ｒ：ＣＢＰ（ホスト材料、９０％）／Ｉｒ（ｐｉｑ）３（赤色発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　セパレート層３５：ＣＢＰ（２０ｎｍ）
　緑色蛍光発光層３４Ｇ：ＴＰＤ（ホスト材料、９０％）／クマリン６（緑色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　ブロック層３８：ｍＣＰ（５ｎｍ）
　青色蛍光発光層３４Ｂ：ｍＣＰ（ホスト材料、９０％）／ＤＭＡＣ－ＤＰＳ（青色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　電子輸送層３６：ＢＣＰ（３０ｎｍ）
　電子注入層３７：ＬｉＦ（１ｎｍ）
　第２電極２３（陰極、半透明電極）：Ａｇ－Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９／０．１）（２０ｎｍ）
　保護層２４：ＩＴＯ（８０ｎｍ）
　また、図２１の（ｂ）に示すようにブロック層３８を全副画素３に共通層として設ける場合、副画素３Ｇ１における青色蛍光発光材料から緑色蛍光発光材料へのデクスター遷移を阻害することができるとともに、表示領域全体が開口されたオープンマスクを用いてブロック層３８を蒸着することができる。
　図２１の（ｂ）に示すようにブロック層３８を全副画素３に共通層として設ける場合にＴＦＴ基板１０上に積層される各層の材料並びに厚みは以下の通りである。但し、以下に記載の寸法および材料も、あくまでも一例であり、本実施形態は、これらの具体的な寸法および材料にのみ限定されるものではない。また、以下の実施例でも、副画素３Ｇ１における発光色と副画素３Ｇ２における発光色を揃えるため、光学シミュレーションにより、透光性電極２１ｂの層厚の光学最適化を行った。
　（実施例８）
　反射電極２１ａ（第１電極２１、陽極）：Ａｇ（１００ｎｍ）
　透光性電極２１ｂ（第１電極２１、陽極）：ＩＴＯ（副画素３Ｂ：１３０ｎｍ／副画素３Ｇ１：１３０ｎｍ／副画素３Ｇ２：１６０ｎｍ／副画素３Ｒ：４０ｎｍ）
　正孔注入層３１：ＨＡＴ－ＣＮ（１０ｎｍ）
　正孔輸送層３２：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）
　赤色発光層３４Ｒ：ＣＢＰ（ホスト材料、９０％）／Ｉｒ（ｐｉｑ）３（赤色発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　セパレート層３５：ＣＢＰ（２０ｎｍ）
　緑色蛍光発光層３４Ｇ：ＴＰＤ（ホスト材料、９０％）／クマリン６（緑色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　ブロック層３８：ｍＣＰ（５ｎｍ）
　青色蛍光発光層３４Ｂ：ｍＣＰ（ホスト材料、９０％）／ＤＭＡＣ－ＤＰＳ（青色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　電子輸送層３６：ＢＣＰ（３０ｎｍ）
　電子注入層３７：ＬｉＦ（１ｎｍ）
　第２電極２３（陰極、半透明電極）：Ａｇ－Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９／０．１）（２０ｎｍ）
　保護層２４：ＩＴＯ（８０ｎｍ）
　〔実施形態８〕
　本発明の実施のさらに他の形態について、主に図３、図１２、図２２～図２４を参照して以下に説明する。本実施形態では、実施形態１～７との相違点について説明するものとし、実施形態１～７で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。なお、本実施形態でも、実施形態１～７と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
　＜有機ＥＬ表示装置１の概略構成＞
　図２２は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の発光層ユニット３３における積層構造を模式的に示す図である。図２３は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の概略構成の一例を示す断面図である。なお、図２３は、図３または図１２に示すＬ１－Ｌ２線断面に相当する、１画素領域の概略構成の一例を示している。
　本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、図２２および図２３に示すように、発光層ユニット３３が、第１電極２１と第２電極２３との間に、第１電極２１側から、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇの順に積層された構成を有している。
　より具体的には、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１における発光層ユニット３３は、実施形態１～７にかかる有機ＥＬ表示装置１とは、副画素３Ｇ１において、青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとの積層順が入れ替わっており、緑色蛍光発光層３４Ｇが青色蛍光発光層３４Ｂよりも陰極側である第２電極２３側に位置している点を除けば、実施形態１～７にかかる有機ＥＬ表示装置１における発光層ユニット３３と同様の構成を有している。例えば、図２３に示す有機ＥＬ表示装置１は、上記相異点を除けば、一例として、例えば実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置１と同様の構成を有している。
　なお、図２２および図２３では、説明および図示の便宜上、副画素３Ｇ１に、中間層として、第１の中間層であるセパレート層３５のみが設けられている場合を例に挙げて図示している。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、副画素３Ｇ１は、中間層として、セパレート層３５（第１の中間層）およびブロック層３８（第２の中間層）を含んでいてもよい。また、前述したように、セパレート層３５は、第１セパレート層３５ａおよび第２セパレート層３５ｂを含む積層体であってもよい。
　本実施形態では、図２２および図２３に示すようにセパレート層３５を挟んで青色蛍光発光層３４Ｂと赤色発光層３４Ｒとが積層方向に隣り合う。このため、本実施形態では、セパレート層３５の層厚に等しい、青色蛍光発光層３４Ｂと赤色発光層３４Ｒとにおける互いの対向面間の距離（対向面間距離ＤＢＲ）、つまり、青色蛍光発光層３４Ｂにおける最も赤色発光層３４Ｒ側に位置する面（本実施形態では青色蛍光発光層３４Ｂの下面）と赤色発光層３４Ｒにおける最も青色蛍光発光層３４Ｂ側に位置する面（本実施形態では赤色発光層３４Ｒの上面）との間の距離が、フェルスター半径を越える距離に設定される。なお、対向面間距離ＤＢＲは、対向面間距離ＤＧＲ同様、１５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下であることが好ましく、１５ｎｍ以上、３０ｎｍ以下であることがより好ましい。
　また、実施形態１～７同様、本実施形態でも、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料のうち少なくとも一方の材料、望ましくは両方の材料は、正孔輸送性材料であることが好ましい。なお、本実施形態でも、赤色発光層３４Ｒには、実施形態１～７同様、バイポーラ輸送性材料または正孔輸送性材料が使用され、セパレート層３５等の中間層には、全体としてバイポーラ輸送性を有するような材料が使用される。
　また、本実施形態でも、青色蛍光発光層３４Ｂの層厚は、実施形態１で説明した理由と同様の理由から、１０ｎｍ以下に設定されていることが好ましい。
　また、本実施形態でも、実施形態１で説明した理由と同様の理由から、上記青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルの一部と上記緑色蛍光発光材料の吸収スペクトルの一部とは重なっていることが好ましく、セパレート層３５の材料の吸収スペクトルと、セパレート層３５を介して赤色発光層３４Ｒとは反対側に設けられた青色蛍光発光層３４Ｂおよび上記緑色蛍光発光層３４Ｇのうち、少なくとも、セパレート層３５に隣接する発光層（但し、本実施形態では青色蛍光発光層３４Ｂ）中の蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトル、より好適には、上記緑色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルおよび上記青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルとには、重なりが存在しないことがより好ましい。
　また、本実施形態でも、実施形態４で説明した理由と同様の理由から、青色蛍光発光材料および緑色蛍光発光材料のうち少なくとも一方、望ましくは、その両方が、ＴＡＤＦ材料であることが好ましい。
　実施形態１～７同様、本実施形態でも、副画素３Ｂでは青色蛍光発光層３４Ｂで励起子が生成し、副画素３Ｇ２では緑色蛍光発光層３４Ｇで励起子が生成し、副画素３Ｒでは赤色発光層３４Ｒで励起子が生成する。また、本実施形態のように副画素３Ｇ１における青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとの積層順を実施形態１～７とは逆転させた場合でも、副画素３Ｇ１で、青色蛍光発光層３４Ｂで励起子が生成されるか、緑色蛍光発光層３４Ｇで励起子が生成されるかは、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料のキャリア移動度と、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料におけるキャリア移動度との関係によって変わる。
　本実施形態では、上述したように、緑色蛍光発光層３４Ｇが青色蛍光発光層３４Ｂよりも陰極側（第２電極２３側）に位置する。このため、例えば図２２に示すように、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料がともに正孔輸送性材料である場合、緑色蛍光発光層３４Ｇで励起子が生成される。
　この場合、青色蛍光発光材料および緑色蛍光発光材料の両方にＴＡＤＦ材料を用いることが望ましい。緑色蛍光発光層３４Ｇで励起子が生成される場合、緑色蛍光発光層３４Ｇで励起子が励起一重項状態として生成される確率は２５％であり、励起三重項状態として生成される確率は７５％である。このため、緑色蛍光発光材料にＴＡＤＦ材料を使用しない場合、７５％の励起子は、非発光で熱失活してしまうことになる。緑色蛍光材料にＴＡＤＦ材料を使用することで、副画素３Ｇ１において、Ｔ１準位の励起子がＳ１準位にアップコンバージョンされ、副画素３Ｇ１での発光効率が改善されるので、有機ＥＬ表示装置１の発光効率が改善される。また、青色蛍光発光材料にＴＡＤＦ材料を使用することで、たとえ青色蛍光発光層３４Ｂで励起子が生成された場合であっても、Ｔ１準位からＳ１準位への逆項間交差によるＳ１準位間のフェルスター遷移により、青色蛍光発光材料から緑色蛍光発光材料へのエネルギー移動が起こる。したがって、緑色蛍光発光材料および青色蛍光発光材料にＴＡＤＦ材料を使用することで、副画素３Ｇ１での青色混色を抑制することができ、副画素３Ｇ１での色度を改善することができる。
　＜有機ＥＬ表示装置１の製造方法＞
　図２４は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の要部の製造工程の流れを示すフローチャートである。
　本実施形態では、図２４に示すように、陽極形成工程（Ｓ１）、正孔注入層形成工程（Ｓ２）、正孔輸送層形成工程（Ｓ３）、赤色発光層形成工程（Ｓ４）、セパレート層形成工程（Ｓ５）、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）、緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ６）、電子輸送層形成工程（Ｓ８）、電子注入層形成工程（Ｓ９）、陰極形成工程（Ｓ１０）、保護層形成工程（Ｓ１１）を、この順に行う。これにより、上述した積層構造を有する有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。
　本実施形態では、図２４に示すフローチャートに基づいて、ＴＦＴ基板１０上に、反射電極２１ａ、透光性電極２１ｂ、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、電子輸送層３６、電子注入層３７、第２電極２３、保護層２４を、ＴＦＴ基板１０側からこの順に積層した。
　上記ＴＦＴ基板１０上に積層した各層の材料並びに厚みは以下の通りである。但し、以下に記載の寸法および材料は、あくまでも一例であり、本実施形態は、これらの具体的な寸法および材料にのみ限定されるものではない。なお、以下の実施例でも、副画素３Ｇ１における発光色と副画素３Ｇ２における発光色を揃えるため、光学シミュレーションにより、透光性電極２１ｂの層厚の光学最適化を行った。また、以下の実施例では、青色蛍光発光材料および緑色蛍光発光材料に、それぞれＴＡＤＦ材料を使用した。
　（実施例９）
　反射電極２１ａ（第１電極２１、陽極）：Ａｇ（１００ｎｍ）
　透光性電極２１ｂ（第１電極２１、陽極）：ＩＴＯ（副画素３Ｂ：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ１：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ２：１６５ｎｍ／副画素３Ｒ：４０ｎｍ）
　正孔注入層３１：ＨＡＴ－ＣＮ（１０ｎｍ）
　正孔輸送層３２：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）
　赤色発光層３４Ｒ：ＣＢＰ（ホスト材料、９０％）／Ｉｒ（ｐｉｑ）３（赤色発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　セパレート層３５：ＣＢＰ（２０ｎｍ）
　青色蛍光発光層３４Ｂ：ｍＣＰ（ホスト材料、９０％）／ＤＭＡＣ－ＤＰＳ（青色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　緑色蛍光発光層３４Ｇ：ｍＣＰ（ホスト材料、９０％）／４ＣｚＩＰＮ（緑色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　電子輸送層３６：ＢＣＰ（３０ｎｍ）
　電子注入層３７：ＬｉＦ（１ｎｍ）
　第２電極２３（陰極、半透明電極）：Ａｇ－Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９／０．１）（２０ｎｍ）
　保護層２４：ＩＴＯ（８０ｎｍ）
　＜効果＞
　本実施形態によれば、図２２および図２３に示すように、副画素３Ｇ１において、緑色蛍光発光層３４Ｇが、発光層ユニット３３内で、最も陰極側（すなわち第２電極２３側）に位置する。このため、上述したように緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料（実施例９ではホスト材料であるｍＣＰ）および青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料（実施例９ではホスト材料であるｍＣＰ）のうち少なくとも一方の材料のキャリア移動度が正孔輸送性であれば、励起子が緑色蛍光発光層３４Ｇで生成される確率が高まり、発光効率が向上する。
　また、仮に、青色蛍光発光層３４Ｂで励起子が生成した場合でも、上述したように青色蛍光発光層３４Ｂの層厚が、１０ｎｍ以下に設定されていることで、励起子生成位置から緑色蛍光発光層３４Ｇまでの距離が近くなるため、フェルスター遷移が起こる確率が向上し、色度向上、発光効率の改善が見込める。
　また、本実施形態によれば、線形蒸着により青色蛍光発光層３４Ｂを副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とに共通して形成する際に、万一、青色蛍光発光層３４Ｂが副画素３Ｇ２に侵入し、緑色蛍光発光層３４Ｇの下（つまり、第１電極２１側）に青色蛍光発光層３４Ｂが形成されたとしても、青色蛍光発光材料から緑色蛍光発光材料にエネルギーが移動するため、副画素３Ｇ２で青色混色が発生することはない。
　また、本実施形態でも、実施形態１～７同様、赤色発光層３４Ｒは、発光層ユニット３３内で、最も陽極側（すなわち第１電極２１側）に位置し、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）および緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ６）の前に赤色発光層形成工程（Ｓ４）が行われる。
　このため、本実施形態でも、線形蒸着により赤色発光層３４Ｒを副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとに共通して形成する際に、万一、赤色発光層３４Ｒが副画素３Ｂに侵入し、青色蛍光発光層３４Ｂの下に赤色発光層３４Ｒが形成されたとしても、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料が正孔輸送性材料であれば、赤色発光層３４Ｒまで電子が届かないため、副画素３Ｂで赤色混色が発生することはない。
　同様に、赤色発光層３４Ｒを副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとに共通して形成する際に、万一、赤色発光層３４Ｒが副画素３Ｇ２に侵入し、緑色蛍光発光層３４Ｇの下に赤色発光層３４Ｒが形成されたとしても、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料が正孔輸送性材料であれば、赤色発光層３４Ｒまで電子が届かないため、副画素３Ｇ２で赤色混色が発生することはない。
　したがって、本実施形態によれば、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料を、ともに正孔輸送性材料とすることで、赤色発光層３４Ｒの蒸着時に、赤色発光材料が微量だけ他の副画素３（すなわち、副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ２のうち少なくとも一方の副画素３）に侵入しても、混色が起こり難い構成とすることができる。
　〔実施形態９〕
　本発明の実施のさらに他の形態について、主に図３、図１２、図２５～図２７を参照して以下に説明する。本実施形態では、実施形態１～８との相違点について説明するものとし、実施形態１～８で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。なお、本実施形態でも、実施形態１～８と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
　＜有機ＥＬ表示装置１の概略構成＞
　図２５は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の発光層ユニット３３における積層構造を模式的に示す図である。図２６は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の概略構成の一例を示す断面図である。なお、図２６は、図３または図１２に示すＬ１－Ｌ２線断面に相当する、１画素領域の概略構成の一例を示している。
　本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、図２５および図２６に示すように、発光層ユニット３３が、第１電極２１と第２電極２３との間に、第１電極２１側から、青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、セパレート層３５（第１の中間層）、赤色発光層３４Ｒ、の順に積層された構成を有している。
　すなわち、本実施形態では、発光層ユニット３３の積層順が、実施形態１～７とは逆順である。このため、本実施形態では、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料のうち少なくとも一方の材料、望ましくは両方の材料に、電子輸送性材料が使用される。本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、上述した点を除けば、実施形態１～７にかかる有機ＥＬ表示装置１と同様の構成を有している。例えば、図２６に示す有機ＥＬ表示装置１は、上記相異点を除けば、一例として、例えば実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置１と同様の構成を有している。
　なお、図２５および図２６では、説明および図示の便宜上、副画素３Ｇ１に、中間層として、第１の中間層であるセパレート層３５のみが設けられている場合を例に挙げて図示している。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、副画素３Ｇ１は、中間層として、セパレート層３５（第１の中間層）およびブロック層３８（第２の中間層）を含んでいてもよい。また、前述したように、セパレート層３５は、第１セパレート層３５ａおよび第２セパレート層３５ｂを含む積層体であってもよい。
　但し、本実施形態では、赤色発光層３４Ｒには、バイポーラ輸送性材料または電子輸送性材料が使用される。一方、セパレート層３５等の中間層には、実施形態１～８同様、全体としてバイポーラ輸送性を有するような材料が使用される。
　また、本実施形態でも、青色蛍光発光層３４Ｂの層厚は、実施形態１で説明した理由と同様の理由から、１０ｎｍ以下に設定されていることが好ましい。
　また、本実施形態でも、実施形態１で説明した理由と同様の理由から、上記青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルの一部と上記緑色蛍光発光材料の吸収スペクトルの一部とは重なっていることが好ましく、セパレート層３５の材料の吸収スペクトルと、セパレート層３５を介して赤色発光層３４Ｒとは反対側に設けられた青色蛍光発光層３４Ｂおよび上記緑色蛍光発光層３４Ｇのうち、少なくとも、セパレート層３５に隣接する発光層（本実施形態では緑色蛍光発光層３４Ｇ）中の蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトル、より好適には、上記緑色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルおよび上記青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルとには、重なりが存在しないことがより好ましい。
　また、本実施形態でも、実施形態４で説明した理由と同じ理由から、青色蛍光発光材料および緑色蛍光発光材料のうち少なくとも一方、望ましくは、その両方が、ＴＡＤＦ材料であることが好ましい。
　実施形態１～７同様、本実施形態でも、副画素３Ｂでは青色蛍光発光層３４Ｂで励起子が生成し、副画素３Ｇ２では緑色蛍光発光層３４Ｇで励起子が生成し、副画素３Ｒでは赤色発光層３４Ｒで励起子が生成する。また、副画素３Ｇ１で、青色蛍光発光層３４Ｂで励起子が生成されるか、緑色蛍光発光層３４Ｇで励起子が生成されるかは、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料のキャリア移動度と、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料におけるキャリア移動度との関係によって変わる。
　本実施形態では、上述したように、発光層ユニット３３の積層順が、実施形態１～７とは逆順に積層されている。このため、例えば図２５に示すように緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料がともに電子輸送性材料である場合、青色蛍光発光層３４Ｂで励起子が生成される。したがって、この場合、実施形態４で説明した理由と同様の理由から、少なくとも青色蛍光発光材料にＴＡＤＦ材料を用いることが望ましい。
　＜有機ＥＬ表示装置１の製造方法＞
　図２７は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の要部の製造工程の流れを示すフローチャートである。
　本実施形態では、図２７に示すように、陽極形成工程（Ｓ１）、正孔注入層形成工程（Ｓ２）、正孔輸送層形成工程（Ｓ３）、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）、緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ６）、セパレート層形成工程（Ｓ５）、赤色発光層形成工程（Ｓ４）、電子輸送層形成工程（Ｓ８）、電子注入層形成工程（Ｓ９）、陰極形成工程（Ｓ１０）、保護層形成工程（Ｓ１１）を、この順に行う。これにより、上述した積層構造を有する有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。
　本実施形態では、図２７に示すフローチャートに基づいて、ＴＦＴ基板１０上に、反射電極２１ａ、透光性電極２１ｂ、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、セパレート層３５、赤色発光層３４Ｒ、電子輸送層３６、電子注入層３７、第２電極２３、保護層２４を、ＴＦＴ基板１０側からこの順に積層した。
　上記ＴＦＴ基板１０上に積層した各層の材料並びに厚みは以下の通りである。但し、以下に記載の寸法および材料は、あくまでも一例であり、本実施形態は、これらの具体的な寸法および材料にのみ限定されるものではない。なお、以下の実施例でも、副画素３Ｇ１における発光色と副画素３Ｇ２における発光色を揃えるため、光学シミュレーションにより、透光性電極２１ｂの層厚の光学最適化を行った。
　（実施例１０）
　反射電極２１ａ（第１電極２１、陽極）：Ａｇ（１００ｎｍ）
　透光性電極２１ｂ（第１電極２１、陽極）：ＩＴＯ（副画素３Ｂ：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ１：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ２：１６５ｎｍ／副画素３Ｒ：４０ｎｍ）
　正孔注入層３１：ＨＡＴ－ＣＮ（１０ｎｍ）
　正孔輸送層３２：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）
　青色蛍光発光層３４Ｂ：ＤＰＥＰＯ（ホスト材料、９０％）／ＤＭＡＣ－ＤＰＳ（青色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　緑色蛍光発光層３４Ｇ：ＢＣＰ（ホスト材料、９０％）／クマリン６（緑色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　セパレート層３５：ＣＢＰ（２０ｎｍ）
　赤色発光層３４Ｒ：ＣＢＰ（ホスト材料、９０％）／Ｉｒ（ｐｉｑ）３（赤色発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　電子輸送層３６：ＢＣＰ（３０ｎｍ）
　電子注入層３７：ＬｉＦ（１ｎｍ）
　第２電極２３（陰極、半透明電極）：Ａｇ－Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９／０．１）（２０ｎｍ）
　保護層２４：ＩＴＯ（８０ｎｍ）
　＜効果＞
　本実施形態では、上述したように発光層ユニット３３の積層順が、実施形態１～７とは逆順に積層されていることから、上述したように緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料のうち少なくとも一方の材料、望ましくは両方の材料に電子輸送性材料を使用することで、混色が起こり難くなり、発光効率を改善することができる。
　このため、ドーパント材料の発光効率を向上することができる、ドーパント材料と相性の良いホスト材料や、ホスト材料へのエネルギー移動による効率低下を抑制することができる、Ｓ１準位やＴ１準位の高いホスト材料が、電子輸送性材料である場合、発光層ユニット３３の積層順を上述した積層順とすることで、より高特性の有機ＥＬ表示装置１を提供することができる。
　また、昨今の有機ＥＬ表示装置業界の開発状況を踏まえると、正孔輸送性のホスト材料よりも電子輸送性のホスト材料の方が、合成が容易であり、かつ、種類が豊富で、開発も非常に進んでいる。このため、ホスト材料として電子輸送性のホスト材料を選択する方が、正孔輸送性のホスト材料よりも特性の良い材料が入手し易い。
　実際、正孔移動度が非常に高い正孔輸送性材料よりも、電子移動度が非常に高い電子輸送性材料の方がよく知られており、例えば、現在市場に見られる正孔輸送性のホスト材料よりも、電子輸送性のホスト材料の方が、低電圧化し易い傾向にある。このため、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１によれば、実施形態１～８にかかる有機ＥＬ表示装置１よりも低電圧化が期待できる。
　また、本実施形態によれば、線形蒸着により青色蛍光発光層３４Ｂを副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とに共通して形成する際に、万一、青色蛍光発光層３４Ｂが副画素３Ｇ２に侵入し、緑色蛍光発光層３４Ｇの下（つまり、第１電極２１側）に青色蛍光発光層３４Ｂが形成されたとしても、青色蛍光発光材料から緑色蛍光発光材料にエネルギーが移動するため、副画素３Ｇ２で青色混色が発生することはない。
　また、本実施形態では、赤色発光層３４Ｒが、発光層ユニット３３内で、最も陰極側（すなわち第２電極２３側）に位置し、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）および緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ６）の後で赤色発光層形成工程（Ｓ４）が行われる。
　このため、本実施形態によれば、線形蒸着により赤色発光層３４Ｒを副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとに共通して形成する際に、万一、赤色発光層３４Ｒが副画素３Ｂに侵入し、青色蛍光発光層３４Ｂの上（すなわち第２電極２３側）に赤色発光層３４Ｒが形成されたとしても、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料が電子輸送性材料であれば、赤色発光層３４Ｒまで正孔が届かないため、副画素３Ｂで赤色混色が発生することはない。
　同様に、赤色発光層３４Ｒを副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとに共通して形成する際に、万一、赤色発光層３４Ｒが副画素３Ｇ２に侵入し、緑色蛍光発光層３４Ｇの上に赤色発光層３４Ｒが形成されたとしても、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料が電子輸送性材料であれば、赤色発光層３４Ｒまで正孔が届かないため、副画素３Ｇ２で赤色混色が発生することはない。
　したがって、本実施形態によれば、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料を、ともに電子輸送性材料とすることで、赤色発光層３４Ｒの蒸着時に、赤色発光材料が微量だけ他の副画素３（すなわち、副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ２のうち少なくとも一方の副画素３）に侵入しても、混色が起こり難い構成とすることができる。
　〔実施形態１０〕
　本発明の実施のさらに他の形態について、主に図３、図１２、図２８～図３０を参照して以下に説明する。本実施形態では、実施形態１～９との相違点について説明するものとし、実施形態１～９で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。なお、本実施形態でも、実施形態１～９と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
　＜有機ＥＬ表示装置１の概略構成＞
　図２８は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の発光層ユニット３３における積層構造を模式的に示す図である。図２９は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の概略構成の一例を示す断面図である。なお、図２９は、図３または図１２に示すＬ１－Ｌ２線断面に相当する、１画素領域の概略構成の一例を示している。
　本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、図２８および図２９に示すように、発光層ユニット３３が、第１電極２１と第２電極２３との間に、第１電極２１側から、緑色蛍光発光層３４Ｇ、青色蛍光発光層３４Ｂ、セパレート層３５（第１の中間層）、赤色発光層３４Ｒ、の順に積層された構成を有している。
　より具体的には、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１における発光層ユニット３３は、実施形態９にかかる有機ＥＬ表示装置１とは、副画素３Ｇ１において、青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとの積層順が入れ替わっており、緑色蛍光発光層３４Ｇが青色蛍光発光層３４Ｂよりも陰極側である第２電極２３側に位置している点を除けば、実施形態９にかかる有機ＥＬ表示装置１における発光層ユニット３３と同様の構成を有している。
　なお、本実施形態でも、図２８および図２９では、説明および図示の便宜上、副画素３Ｇ１に、中間層として、第１の中間層であるセパレート層３５のみが設けられている場合を例に挙げて図示している。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、副画素３Ｇ１は、中間層として、セパレート層３５（第１の中間層）およびブロック層３８（第２の中間層）を含んでいてもよい。また、前述したように、セパレート層３５は、第１セパレート層３５ａおよび第２セパレート層３５ｂを含む積層体であってもよい。
　本実施形態では、図２８および図２９に示すように、セパレート層３５を挟んで青色蛍光発光層３４Ｂと赤色発光層３４Ｒとが積層方向に隣り合う。このため、本実施形態では、実施形態８同様、セパレート層３５の層厚に等しい、青色蛍光発光層３４Ｂと赤色発光層３４Ｒとにおける互いの対向面間の距離（対向面間距離ＤＢＲ）、つまり、青色蛍光発光層３４Ｂにおける最も赤色発光層３４Ｒ側に位置する面（本実施形態では青色蛍光発光層３４Ｂの上面）と赤色発光層３４Ｒにおける最も青色蛍光発光層３４Ｂ側に位置する面（本実施形態では赤色発光層３４Ｒの下面）との間の距離が、フェルスター半径を越える距離に設定される。なお、本実施形態でも、対向面間距離ＤＢＲは、対向面間距離ＤＧＲ同様、１５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下であることが好ましく、１５ｎｍ以上、３０ｎｍ以下であることがより好ましい。
　また、実施形態９同様、本実施形態でも、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料のうち少なくとも一方の材料、望ましくは両方の材料は、電子輸送性材料であることが好ましい。なお、本実施形態でも、赤色発光層３４Ｒには、実施形態９同様、バイポーラ輸送性材料または正孔輸送性材料が使用され、セパレート層３５等の中間層には、全体としてバイポーラ輸送性を有するような材料が使用される。
　また、本実施形態でも、青色蛍光発光層３４Ｂの層厚は、実施形態１で説明した理由と同様の理由から、１０ｎｍ以下に設定されていることが好ましい。
　また、本実施形態でも、実施形態１で説明した理由と同様の理由から、上記青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルの一部と上記緑色蛍光発光材料の吸収スペクトルの一部とは重なっていることが好ましく、セパレート層３５の材料の吸収スペクトルと、セパレート層３５を介して赤色発光層３４Ｒとは反対側に設けられた青色蛍光発光層３４Ｂおよび上記緑色蛍光発光層３４Ｇのうち、少なくとも、セパレート層３５に隣接する発光層（但し、本実施形態では青色蛍光発光層３４Ｂ）中の蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトル、より好適には、上記緑色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルおよび上記青色蛍光発光材料のＰＬ発光スペクトルとには、重なりが存在しないことがより好ましい。
　また、本実施形態でも、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、上述したように、実施形態９にかかる有機ＥＬ表示装置１において、副画素３Ｇ１の青色蛍光発光層３４Ｂと緑色蛍光発光層３４Ｇとの積層順が入れ替わった構成を有している。一方で、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、実施形態８にかかる有機ＥＬ表示装置１において、発光層ユニット３３の積層順が、実施形態８にかかる有機ＥＬ表示装置１とは逆順に積層されているとともに、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料のうち少なくとも一方の材料、望ましくは両方の材料に、電子輸送性材料を使用し、赤色発光層３４Ｒに、バイポーラ輸送性材料または正孔輸送性材料を使用した以外は、実施形態８にかかる有機ＥＬ表示装置１と同じ構成を有していると言える。
　本実施形態では、緑色蛍光発光層３４Ｇが、実施形態８・９とは逆に、青色蛍光発光層３４Ｂよりも陽極側（第１第２電極２３側）に位置する。このため、例えば図２８に示すように、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料がともに電子輸送性材料である場合、実施形態８において図２２に示す有機ＥＬ表示装置１と同じく、緑色蛍光発光層３４Ｇで励起子が生成される。
　このため、図２８に示す有機ＥＬ表示装置１では、実施形態８で説明した理由と同様の理由から、青色蛍光発光材料および緑色蛍光発光材料の両方にＴＡＤＦ材料を用いることが望ましい。
　勿論、本実施形態でも、副画素３Ｇ１で、青色蛍光発光層３４Ｂで励起子が生成されるか、緑色蛍光発光層３４Ｇで励起子が生成されるかは、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料のキャリア移動度と、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料におけるキャリア移動度との関係によって変わる。このため、本実施形態は、上記構成に限定されず、青色蛍光発光材料および緑色蛍光発光材料のうち少なくとも一方が、ＴＡＤＦ材料であってもよい。
　＜有機ＥＬ表示装置１の製造方法＞
　図３０は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の要部の製造工程の流れを示すフローチャートである。
　本実施形態では、図３０に示すように、陽極形成工程（Ｓ１）、正孔注入層形成工程（Ｓ２）、正孔輸送層形成工程（Ｓ３）、緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ６）、青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）、セパレート層形成工程（Ｓ５）、赤色発光層形成工程（Ｓ４）、電子輸送層形成工程（Ｓ８）、電子注入層形成工程（Ｓ９）、陰極形成工程（Ｓ１０）、保護層形成工程（Ｓ１１）を、この順に行う。これにより、上述した積層構造を有する有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。
　本実施形態では、図３０に示すフローチャートに基づいて、ＴＦＴ基板１０上に、反射電極２１ａ、透光性電極２１ｂ、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、緑色蛍光発光層３４Ｇ、青色蛍光発光層３４Ｂ、セパレート層３５、赤色発光層３４Ｒ、電子輸送層３６、電子注入層３７、第２電極２３、保護層２４を、ＴＦＴ基板１０側からこの順に積層した。
　上記ＴＦＴ基板１０上に積層した各層の材料並びに厚みは以下の通りである。但し、以下に記載の寸法および材料は、あくまでも一例であり、本実施形態は、これらの具体的な寸法および材料にのみ限定されるものではない。なお、以下の実施例でも、副画素３Ｇ１における発光色と副画素３Ｇ２における発光色を揃えるため、光学シミュレーションにより、透光性電極２１ｂの層厚の光学最適化を行った。また、以下の実施例では、青色蛍光発光材料および緑色蛍光発光材料に、それぞれＴＡＤＦ材料を使用した。
　（実施例１１）
　反射電極２１ａ（第１電極２１、陽極）：Ａｇ（１００ｎｍ）
　透光性電極２１ｂ（第１電極２１、陽極）：ＩＴＯ（副画素３Ｂ：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ１：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ２：１６５ｎｍ／副画素３Ｒ：４０ｎｍ）
　正孔注入層３１：ＨＡＴ－ＣＮ（１０ｎｍ）
　正孔輸送層３２：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）
　緑色蛍光発光層３４Ｇ：ＢＣＰ（ホスト材料、９０％）／４ＣｚＩＰＮ（緑色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　青色蛍光発光層３４Ｂ：ＤＰＥＰＯ（ホスト材料、９０％）／ＤＭＡＣ－ＤＰＳ（青色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　セパレート層３５：ＣＢＰ（２０ｎｍ）
　赤色発光層３４Ｒ：ＣＢＰ（ホスト材料、９０％）／Ｉｒ（ｐｉｑ）３（赤色発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　電子輸送層３６：ＢＣＰ（３０ｎｍ）
　電子注入層３７：ＬｉＦ（１ｎｍ）
　第２電極２３（陰極、半透明電極）：Ａｇ－Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９／０．１）（２０ｎｍ）
　保護層２４：ＩＴＯ（８０ｎｍ）
　＜効果＞
　本実施形態によれば、図２８および図２９に示すように、副画素３Ｇ１において、緑色蛍光発光層３４Ｇが、発光層ユニット３３内で、最も陽極側（すなわち第１電極２１側）に位置する。このため、上述したように緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料（実施例１１ではホスト材料であるＤＰＥＰＯ）および青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料（実施例１１ではホスト材料であるＢＣＰ）のうち少なくとも一方の材料のキャリア移動度が電子輸送性であれば、励起子が緑色蛍光発光層３４Ｇで生成される確率が高まり、発光効率が向上する。
　また、仮に、青色蛍光発光層３４Ｂで励起子が生成した場合でも、上述したように青色蛍光発光層３４Ｂの層厚が、１０ｎｍ以下に設定されていることで、励起子生成位置から緑色蛍光発光層３４Ｇまでの距離が近くなるため、フェルスター遷移が起こる確率が向上し、色度向上、発光効率の改善が見込める。
　また、本実施形態によれば、線形蒸着により青色蛍光発光層３４Ｂを副画素３Ｂと副画素３Ｇ１とに共通して形成する際に、万一、青色蛍光発光層３４Ｂが副画素３Ｇ２に侵入し、緑色蛍光発光層３４Ｇの上（つまり、第２電極２３側）に青色蛍光発光層３４Ｂが形成されたとしても、青色蛍光発光材料から緑色蛍光発光材料にエネルギーが移動するため、副画素３Ｇ２で青色混色が発生することはない。
　また、本実施形態でも、実施形態９同様、赤色発光層３４Ｒが、発光層ユニット３３内で、最も陰極側（すなわち第２電極２３側）に位置する。そして、緑色蛍光発光層形成工程（Ｓ６）および青色蛍光発光層形成工程（Ｓ７）の後で赤色発光層形成工程（Ｓ４）が行われる。
　このため、本実施形態によれば、線形蒸着により赤色発光層３４Ｒを副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとに共通して形成する際に、万一、赤色発光層３４Ｒが副画素３Ｂに侵入し、青色蛍光発光層３４Ｂの上（すなわち第２電極２３側）に赤色発光層３４Ｒが形成されたとしても、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料が電子輸送性材料であれば、赤色発光層３４Ｒまで正孔が届かないため、副画素３Ｂで赤色混色が発生することはない。
　同様に、赤色発光層３４Ｒを副画素３Ｇ１と副画素３Ｒとに共通して形成する際に、万一、赤色発光層３４Ｒが副画素３Ｇ２に侵入し、緑色蛍光発光層３４Ｇの上に赤色発光層３４Ｒが形成されたとしても、緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料が電子輸送性材料であれば、赤色発光層３４Ｒまで正孔が届かないため、副画素３Ｇ２で赤色混色が発生することはない。
　したがって、本実施形態でも、実施形態９同様、青色蛍光発光層３４Ｂ中の材料のうち含有比率の最も多い材料および緑色蛍光発光層３４Ｇ中の材料のうち含有比率の最も多い材料を、ともに電子輸送性材料とすることで、赤色発光層３４Ｒの蒸着時に、赤色発光材料が微量だけ他の副画素３（すなわち、副画素３Ｂおよび副画素３Ｇ２のうち少なくとも一方の副画素３）に侵入しても、混色が起こり難い構成とすることができる。
　また、本実施形態でも、実施形態９同様、ドーパント材料と相性の良いホスト材料や、ホスト材料へのエネルギー移動による効率低下を抑制することができる、Ｓ１準位やＴ１準位の高いホスト材料が、電子輸送性材料である場合、発光層ユニット３３の積層順を上述した積層順とすることで、より高特性の有機ＥＬ表示装置１を提供することができる。
　さらに、実施形態９で説明したように、ホスト材料として電子輸送性のホスト材料を選択する方が、正孔輸送性のホスト材料よりも特性の良い材料が入手し易く、また、現在市場に見られる正孔輸送性のホスト材料よりも、電子輸送性のホスト材料の方が、低電圧化し易い傾向にある。このため、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１によれば、実施形態９にかかる有機ＥＬ表示装置１同様、実施形態１～８にかかる有機ＥＬ表示装置１よりも低電圧化が期待できる。
　〔実施形態１１〕
　本発明の実施のさらに他の形態について、主に図３、図９の（ａ）、図１０、図１２、図１３の（ａ）、図３１、図３２を参照して以下に説明する。本実施形態では、実施形態１～１０との相違点について説明するものとし、実施形態１～１０で説明した構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。なお、本実施形態でも、実施形態１～１０と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
　＜有機ＥＬ表示装置１の概略構成＞
　図３１は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の発光層ユニット３３における積層構造を模式的に示す図である。図３２は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の概略構成の一例を示す断面図である。なお、図３２は、図３または図１２に示すＬ１－Ｌ２線断面に相当する、１画素領域の概略構成の一例を示している。
　図３１および図３２に示すように、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１は、セパレート層３５が副画素３Ｇ１に選択的に形成されている（すなわち、副画素３Ｇ１における赤色発光層３４Ｒと緑色蛍光発光層３４Ｇとの間にのみセパレート層３５が設けられている）点を除けば、実施形態１～９に示す有機ＥＬ表示装置１と同様の構成を有している。なお、図３１および図３２では、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の一例として、副画素３Ｇ１における赤色発光層３４Ｒと緑色蛍光発光層３４Ｇとの間にのみセパレート層３５が設けられている点を除けば、実施形態１または実施形態３に示す有機ＥＬ表示装置１と同様の構成を有している場合を例に挙げて図示している。
　＜有機ＥＬ表示装置１の製造方法＞
　本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、赤色発光層形成工程（Ｓ４）で、図９の（ａ）または図１３の（ａ）に示す蒸着マスク７０Ｒを用いて赤色発光層３４Ｒを線形蒸着した後、セパレート層形成工程（Ｓ５）において、副画素３Ｇ１にのみ対応した開口部を有する専用の蒸着マスクを用いてセパレート層３５を形成することを除けば、例えば実施形態１または実施形態３に示す有機ＥＬ表示装置１の製造方法と同じである。
　但し、本実施形態では、このように副画素３Ｇ２にのみセパレート層３５を積層することで、実施形態１、３とは、副画素３Ｒにおける機能層（有機層）の全層厚が変わる。このため、光学最適化を行い、実施形態１、３とは、副画素３Ｒにおける透光性電極２１ｂの層厚を変更した。
　本実施形態では、図１０に示すフローチャートに基づいて、ＴＦＴ基板１０上に、反射電極２１ａ、透光性電極２１ｂ、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、緑色蛍光発光層３４Ｇ、青色蛍光発光層３４Ｂ、電子輸送層３６、電子注入層３７、第２電極２３、保護層２４を、ＴＦＴ基板１０側からこの順に積層した。
　上記ＴＦＴ基板１０上に積層した各層の材料並びに厚みは以下の通りである。但し、以下に記載の寸法および材料は、あくまでも一例であり、本実施形態は、これらの具体的な寸法および材料にのみ限定されるものではない。なお、上述したように、以下の実施例でも、副画素３Ｇ１における発光色と副画素３Ｇ２における発光色を揃えるため、光学シミュレーションにより、透光性電極２１ｂの層厚の光学最適化を行った。
　（実施例１２）
　反射電極２１ａ（第１電極２１、陽極）：Ａｇ（１００ｎｍ）
　透光性電極２１ｂ（第１電極２１、陽極）：ＩＴＯ（副画素３Ｂ：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ１：１３５ｎｍ／副画素３Ｇ２：１６５ｎｍ／副画素３Ｒ：６０ｎｍ）
　正孔注入層３１：ＨＡＴ－ＣＮ（１０ｎｍ）
　正孔輸送層３２：ＴＣＴＡ（２０ｎｍ）
　赤色発光層３４Ｒ：ＣＢＰ（ホスト材料、９０％）／Ｉｒ（ｐｉｑ）３（赤色発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　セパレート層３５：ＣＢＰ（２０ｎｍ）
　緑色蛍光発光層３４Ｇ：ＴＰＤ（ホスト材料、９０％）／クマリン６（緑色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　青色蛍光発光層３４Ｂ：ＡＤＮ（ホスト材料、９０％）／ＴＢＰｅ（青色蛍光発光材料、１０％）（１０ｎｍ）
　電子輸送層３６：ＢＣＰ（３０ｎｍ）
　電子注入層３７：ＬｉＦ（１ｎｍ）
　第２電極２３（陰極、半透明電極）：Ａｇ－Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９／０．１）（２０ｎｍ）
　保護層２４：ＩＴＯ（８０ｎｍ）
　＜効果＞
　本実施形態によれば、セパレート層３５を副画素３Ｇ１にのみパターン形成する（言い換えれば、副画素３Ｒにセパレート層３５を設けない）ことで、赤色発光層３４Ｒでキャリアの再結合が起こり易くなり、発光効率を向上することができる。
　また、本実施形態によれば、塗分蒸着回数が、実施形態１よりも１回増加してしまうものの、セパレート層３５自体は、蒸着ボケ等で他の副画素３に微量混入したとしても、該セパレート層３５の層厚が薄ければエネルギー移動を阻害しないため、パターン開口精度は要求されない。
　＜変形例＞
　なお、本実施形態では、実施形態１・３にかかる有機ＥＬ表示装置１においてセパレート層３５が副画素３Ｇ１のみに形成されている場合を例に挙げて図示並びに説明したが、実施形態２・４～１０にかかる有機ＥＬ表示装置１においてセパレート層３５が副画素３Ｇ１のみに形成されている構成としてもよいことは、言うまでもない。これにより、各実施形態において、各実施形態に記載の効果と併せて上述した効果を得ることができる。
　〔まとめ〕
　本発明の態様１にかかる表示装置（例えば有機ＥＬ表示装置１）は、第１の副画素（例えば副画素３Ｂ）、第２の副画素（例えば副画素３Ｇ１）、第３の副画素（例えば副画素３Ｇ２）、および第４の副画素（例えば副画素３Ｒ）を含む画素（画素２）を複数有し、第１の蛍光発光材料を含む第１の発光層（例えば青色蛍光発光層３４Ｂ）が、上記第１の副画素および上記第２の副画素に共通して設けられており、第２の蛍光発光材料を含む第２の発光層（例えば緑色蛍光発光層３４Ｇ）が、上記第２の副画素および上記第３の副画素に共通して設けられており、第３の発光材料を含む第３の発光層（例えば赤色発光層３４Ｒ）が、上記第２の副画素および上記第４の副画素に共通して設けられており、上記第２の蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位（Ｓ１準位）は、上記第１の蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも低く、かつ、上記第３の発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも高く、上記第２の副画素では、上記第１の発光層と上記第２の発光層とにおける互いの対向面間の距離（例えば対向面間距離ＤＢＧ）がフェルスター半径以下であり、かつ、上記第３の発光層と、上記第１の発光層および上記第２の発光層のうち上記第３の発光層側に位置する発光層とが、フェルスター型のエネルギー移動を阻害するセパレート層（セパレート層３５）を介して積層されており、上記第１の副画素では、上記第１の蛍光発光材料が発光し、該第１の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第２の副画素および上記第３の副画素では、上記第２の蛍光発光材料が発光し、該第２の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第４の副画素では、上記第３の発光材料が発光し、該第３の発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第１の蛍光発光材料は、第１のピーク波長を有する光を発光し、上記第２の蛍光発光材料は、上記第１のピーク波長よりも長波長の第２のピーク波長を有する光を発光し、上記第３の発光材料は、上記第２のピーク波長よりも長波長の第３のピーク波長を有する光を発光する。
　本発明の態様２にかかる表示装置は、上記態様１において、陽極（例えば第１電極２１）および陰極（例えば第２電極２３）を有し、上記陽極および上記陰極のうち一方は反射電極（例えば反射電極２１ａ）を含み、他方は透光性電極であり、上記画素には、上記陽極と上記陰極との間に、上記第１の発光層、上記第２の発光層、上記第３の発光層、および上記セパレート層を含む複数の機能層（例えば正孔注入層３１、正孔輸送層３２、青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、ブロック層３８、電子輸送層３６、電子注入層３７）が設けられており、上記第１の副画素では、上記第１の蛍光発光材料から発光された光が、そのまま、もしくは上記第１の副画素における上記反射電極と上記透光性電極との間で多重反射されて、上記透光性電極を介して外部に出射され、上記第２の副画素では、上記第２の蛍光発光材料から発光された光が、そのまま、もしくは上記第２の副画素における上記反射電極と上記透光性電極との間で多重反射されて、上記透光性電極を介して外部に出射され、上記第３の副画素では、上記第２の蛍光発光材料から発光された光が、そのまま、もしくは上記第３の副画素における上記反射電極と上記透光性電極との間で多重反射されて、上記透光性電極を介して外部に出射され、上記第４の副画素では、上記第３の発光材料から発光された光が、そのまま、もしくは上記第４の副画素における上記反射電極と上記透光性電極との間で多重反射されて、上記透光性電極を介して外部に出射されてもよい。
　本発明の態様３にかかる表示装置は、上記態様２において、上記発光層および上記セパレート層は、上記画素において、上記陽極側から、上記第３の発光層、上記セパレート層、上記第２の発光層、上記第１の発光層の順に積層されており、上記第１の発光層中に含まれる、混合比率の最も多い材料と、上記第２の発光層中に含まれる、混合比率の最も多い材料とのうち、少なくとも一方の材料は正孔輸送性材料であってもよい。
　本発明の態様４にかかる表示装置は、上記態様２において、上記発光層および上記セパレート層は、上記画素において、上記陽極側から、上記第３の発光層、上記セパレート層、上記第１の発光層、上記第２の発光層の順に積層されており、上記第１の発光層中に含まれる、混合比率の最も多い材料と、上記第２の発光層中に含まれる、混合比率の最も多い材料とのうち、少なくとも一方の材料は正孔輸送性材料であってもよい。
　本発明の態様５にかかる表示装置は、上記態様２において、上記発光層および上記セパレート層は、上記画素において、上記陽極側から、上記第１の発光層、上記第２の発光層、上記セパレート層、上記第３の発光層の順に積層されており、上記第１の発光層中に含まれる、混合比率の最も多い材料と、上記第２の発光層中に含まれる、混合比率の最も多い材料とのうち、少なくとも一方の材料は電子輸送性材料であってもよい。
　本発明の態様６にかかる表示装置は、上記態様２において、上記発光層および上記セパレート層は、上記画素において、上記陽極側から、上記第２の発光層、上記第１の発光層、上記セパレート層、上記第３の発光層の順に積層されており、上記第１の発光層中に含まれる、混合比率の最も多い材料と、上記第２の発光層中に含まれる、混合比率の最も多い材料とのうち、少なくとも一方の材料は電子輸送性材料であってもよい。
　本発明の態様７にかかる表示装置は、上記態様１～６の何れかにおいて、上記第２の副画素における、上記第３の発光層と、上記第３の発光層に積層方向に隣り合う発光層との間の距離が、フェルスター半径よりも大きくてもよい。
　本発明の態様８にかかる表示装置は、上記態様７において、上記第２の副画素における、上記第３の発光層と、上記第３の発光層に積層方向に隣り合う発光層との間の距離が、少なくとも１５ｎｍであってもよい。
　本発明の態様９にかかる表示装置は、上記態様１～８の何れかにおいて、上記セパレート層は、フェルスター半径を越える層厚を有する層であってもよい。
　本発明の態様１０にかかる表示装置は、上記態様１～９の何れかにおいて、上記セパレート層は、上記第２の副画素および上記第４の副画素に共通に設けられていてもよい。
　本発明の態様１１にかかる表示装置は、上記態様１０において、上記セパレート層は、キャリア輸送性が異なる複数の材料を含んでいてもよい。
　本発明の態様１２にかかる表示装置は、上記態様１０において、上記セパレート層は、第１セパレート層（第１セパレート層３５ａ）と第２セパレート層（第２セパレート層３５ｂ）との積層体であり、上記第１セパレート層および上記第２セパレート層は、それぞれ、正孔輸送性材料および電子輸送性材料を互いに異なる混合比率で含むバイポーラ輸送性材料であり、上記第１セパレート層と上記第２セパレート層との合計の層厚が、フェルスター半径よりも大きくてもよい。
　本発明の態様１３にかかる表示装置は、上記態様１～９の何れかにおいて、上記セパレート層は、上記第２の副画素にのみ設けられていてもよい。
　本発明の態様１４にかかる表示装置は、上記態様１～１３の何れかにおいて、上記第１の蛍光発光材料の発光スペクトルの一部と、上記第２の蛍光発光材料の吸収スペクトルの一部とが重なっていてもよい。
　本発明の態様１５にかかる表示装置は、上記態様１～１４の何れかにおいて、上記セパレート層中に含まれる全ての材料の吸収スペクトルと、上記第１の発光層および上記第２の発光層のうち、少なくとも、上記セパレート層に隣接する発光層中の蛍光発光材料の発光スペクトルとに重なりが存在しない構成であってもよい。
　本発明の態様１６にかかる表示装置は、上記態様１～１５の何れかにおいて、上記第１の発光層の層厚が１０ｎｍ以下であってもよい。
　本発明の態様１７にかかる表示装置は、上記態様１～１６の何れかにおいて、上記第１の蛍光発光材料は、最低励起一重項状態と最低励起三重項状態とのエネルギー差が０．３ｅＶ以下の熱活性化遅延蛍光材料であってもよい。
　本発明の態様１８にかかる表示装置は、上記態様１～１７の何れかにおいて、上記第２の蛍光発光材料は、最低励起一重項状態と最低励起三重項状態とのエネルギー差が０．３ｅＶ以下の熱活性化遅延蛍光材料であってもよい。
　本発明の態様１９にかかる表示装置は、上記態様１～１８の何れかにおいて、上記第１の副画素は青色の副画素（副画素３Ｂ）であり、上記第２の副画素は第１の緑色の副画素（副画素３Ｇ１）であり、上記第３の副画素は第２の緑色の副画素（副画素３Ｇ２）であり、上記第４の副画素は赤色の副画素（副画素３Ｒ）であってもよい。
　本発明の態様２０にかかる表示装置は、上記態様１９において、上記第１の緑色の副画素が上記青色の副画素に対し行方向に隣り合うとともに上記赤色の副画素に対し列方向に隣り合い、上記第２の緑色の副画素が上記赤色の副画素に対し上記行方向に隣り合うとともに上記青色の副画素に対し上記行方向に直交する列方向に隣り合い、上記行方向および上記列方向に交差する斜め方向に、上記青色の副画素と上記赤色の副画素とが隣り合うとともに上記第１の緑色の副画素と上記第２の緑色の副画素とが隣り合うペンタイル型の画素配列を有していてもよい。
　本発明の態様２１にかかる表示装置は、上記態様１９において、行方向に、上記青色の副画素と上記第１の緑色の副画素とが隣り合うとともに上記赤色の副画素と上記第２の緑色の副画素とが隣り合い、上記行方向に直交する列方向に、上記青色の副画素と上記赤色の副画素とが隣り合うとともに上記第１の緑色の副画素と上記第２の緑色の副画素とが隣り合うＳストライプ型の画素配列を有していてもよい。
　本発明の態様２２にかかる表示装置は、上記態様１～２１の何れかにおいて、上記第２の副画素は、発光材料を含まず、フェルスター半径以下の層厚を有するブロック層（ブロック層３８）を含み、上記第２の副画素では、上記ブロック層を介して上記第１の発光層と上記第２の発光層とが積層されていてもよい。
　本発明の態様２３にかかる表示装置は、上記態様２２において、上記ブロック層の層厚が１０ｎｍ以下であってもよい。
　本発明の態様２４にかかる表示装置は、上記態様２１または２２において、上記ブロック層は、少なくとも上記第１の副画素および上記第２の副画素に共通に設けられていてもよい。
　本発明の態様２５にかかる表示装置は、上記態様２１または２２において、上記ブロック層は、少なくとも上記第２の副画素および上記第３の副画素に共通に設けられていてもよい。
　本発明の態様２６にかかる表示装置は、上記態様２１または２２において、上記ブロック層は、全ての副画素に共通に設けられていてもよい。
　本発明の態様２７にかかる表示装置は、上記態様１～２６の何れかにおいて、トップエミッション型のＥＬ表示装置であってもよい。
　本発明の態様２８にかかる表示装置は、上記態様１～２６の何れかにおいて、ボトムエミッション型のＥＬ表示装置であってもよい。
　本発明の態様２９にかかる表示装置は、上記態様１～２８の何れかにおいて、有機ＥＬ表示装置であってもよい。
　本発明の態様３０にかかる表示装置（例えば有機ＥＬ表示装置１）の製造方法は、第１の副画素（例えば副画素３Ｂ）、第２の副画素（例えば副画素３Ｇ１）、第３の副画素（例えば副画素３Ｇ２）、および第４の副画素（例えば副画素３Ｒ）を含む画素（画素２）を複数有し、上記第１の副画素では、第１の蛍光発光材料が発光し、該第１の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第２の副画素および上記第３の副画素では、第２の蛍光発光材料が発光し、該第２の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第４の副画素では、第３の発光材料が発光し、該第３の発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第１の蛍光発光材料は、第１のピーク波長を有する光を発光し、上記第２の蛍光発光材料は、上記第１のピーク波長よりも長波長の第２のピーク波長を有する光を発光し、上記第３の発光材料は、上記第２のピーク波長よりも長波長の第３のピーク波長を有する光を発光する表示装置の製造方法であって、上記画素に複数の機能層を（例えば正孔注入層３１、正孔輸送層３２、青色蛍光発光層３４Ｂ、緑色蛍光発光層３４Ｇ、赤色発光層３４Ｒ、セパレート層３５、ブロック層３８、電子輸送層３６、電子注入層３７）形成する機能層形成工程を含み、上記機能層形成工程は、上記第１の蛍光発光材料を含む第１の発光層（例えば青色蛍光発光層３４Ｂ）を、上記第１の副画素および上記第２の副画素に共通して形成する第１の発光層形成工程と、上記第２の蛍光発光材料を含む第２の発光層（例えば緑色蛍光発光層３４Ｇ）を、上記第２の副画素および上記第３の副画素に共通して形成する第２の発光層形成工程と、上記第３の発光材料を含む第３の発光層（例えば赤色発光層３４Ｒ）を、上記第２の副画素および上記第４の副画素に共通して形成する第３の発光層形成工程と、上記第２の副画素で、上記第３の発光層と、上記第１の発光層および上記第２の発光層のうち上記第３の発光層側に位置する発光層とが、フェルスター型のエネルギー移動を阻害するセパレート層（セパレート層３５）を介して積層されるように、上記第２の副画素に上記セパレート層を形成するセパレート層形成工程と、を含み、上記機能層形成工程では、上記第２の副画素で、上記第１の発光層と上記第２の発光層とにおける互いの対向面間の距離（例えば対向面間距離ＤＢＧ）がフェルスター半径以下となるように上記第１の発光層および上記第２の発光層を形成するとともに、上記第２の蛍光発光材料に、最低励起一重項状態のエネルギー準位が、上記第１の蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも低く、かつ、上記第３の発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも高い蛍光発光材料を使用する。
　本発明の態様３１にかかる表示装置の製造方法は、上記態様３０において、陽極（例えば第１電極２１）を形成する陽極形成工程と、陰極（例えば第２電極２３）を形成する陰極形成工程とをさらに備え、上記陽極および上記陰極のうち一方は反射電極（例えば反射電極２１ａ）を含み、他方は透光性電極であってもよい。
　本発明の態様３２にかかる表示装置の製造方法は、上記態様３１において、上記機能層形成工程は、上記陽極形成工程後、上記陰極形成工程の前に行われるとともに、上記機能層形成工程において、上記第３の発光層形成工程、上記セパレート層形成工程、上記第２の発光層形成工程、上記第１の発光層形成工程は、この順に行われ、かつ、上記第１の発光層中に含まれる、混合比率の最も多い材料と、上記第２の発光層中に含まれる、混合比率の最も多い材料とのうち、少なくとも一方の材料に正孔輸送性材料を使用する方法であってもよい。
　本発明の態様３３にかかる表示装置の製造方法は、上記態様３１において、上記機能層形成工程は、上記陽極形成工程後、上記陰極形成工程の前に行われるとともに、上記機能層形成工程において、上記第３の発光層形成工程、上記セパレート層形成工程、上記第１の発光層形成工程、上記第２の発光層形成工程は、この順に行われ、かつ、上記第１の発光層中に含まれる、混合比率の最も多い材料と、上記第２の発光層中に含まれる、混合比率の最も多い材料とのうち、少なくとも一方の材料に正孔輸送性材料を使用する方法であってもよい。
　本発明の態様３４にかかる表示装置の製造方法は、上記態様３１において、上記機能層形成工程は、上記陽極形成工程後、上記陰極形成工程の前に行われるとともに、上記機能層形成工程において、上記第１の発光層形成工程、上記第２の発光層形成工程、上記セパレート層形成工程、上記第３の発光層形成工程は、この順に行われ、かつ、上記第１の発光層中に含まれる、混合比率の最も多い材料と、上記第２の発光層中に含まれる、混合比率の最も多い材料とのうち、少なくとも一方の材料に電子輸送性材料を使用する方法であってもよい。
　本発明の態様３５にかかる表示装置の製造方法は、上記態様３１において、上記機能層形成工程は、上記陽極形成工程後、上記陰極形成工程の前に行われるとともに、上記機能層形成工程において、上記第２の発光層形成工程、上記第１の発光層形成工程、上記セパレート層形成工程、上記第３の発光層形成工程は、この順に行われ、かつ、上記第１の発光層中に含まれる、混合比率の最も多い材料と、上記第２の発光層中に含まれる、混合比率の最も多い材料とのうち、少なくとも一方の材料に電子輸送性材料を使用する方法であってもよい。
　本発明の態様３６にかかる表示装置の製造方法は、上記態様３０～３５の何れかにおいて、上記セパレート層形成工程では、上記セパレート層がフェルスター半径を越える層厚を有するように上記セパレート層を形成してもよい。
　本発明の態様３７にかかる表示装置の製造方法は、上記態様３０～３６の何れかにおいて、上記セパレート層形成工程では、上記セパレート層を、上記第２の副画素および上記第４の副画素に共通して形成してもよい。
　本発明の態様３８にかかる表示装置の製造方法は、上記態様３７において、上記セパレート層形成工程では、上記セパレート層を、キャリア輸送性が異なる複数の材料で形成してもよい。
　本発明の態様３９にかかる表示装置の製造方法は、上記態様３７において、上記セパレート層は、第１セパレート層（第１セパレート層３５ａ）と第２セパレート層（第２セパレート層３５ｂ）との積層体であり、上記セパレート層形成工程は、上記第１セパレート層を形成する第１セパレート層形成工程と、上記第２セパレート層を形成する第２セパレート層形成工程と、を含み、上記第１セパレート層形成工程および上記第２セパレート層形成工程では、上記第１セパレート層および上記第２セパレート層を、それぞれ、正孔輸送性材料および電子輸送性材料を互いに異なる混合比率で含むバイポーラ輸送性材料を使用し、かつ、上記第１セパレート層と上記第２セパレート層との合計の層厚が、フェルスター半径よりも大きくなるように形成してもよい。
　本発明の態様４０にかかる表示装置の製造方法は、上記態様３０～３６の何れかにおいて、上記中間層形成工程は、上記機能層として、フェルスター半径を越える厚みを有するセパレート層を形成するセパレート層形成工程を含み、上記セパレート層形成工程では、上記セパレート層を、上記第３の副画素に選択的に形成してもよい。
　本発明の態様４１にかかる表示装置の製造方法は、上記態様３０～４０の何れかにおいて、上記第１の発光層形成工程では、上記第１の発光層の層厚が１０ｎｍ以下となるように上記第１の発光層を形成してもよい。
　本発明の態様４２にかかる表示装置の製造方法は、上記態様３０～４１の何れかにおいて、上記第１の発光層形成工程では、上記第１の蛍光発光材料に、最低励起一重項状態と最低励起三重項状態とのエネルギー差が０．３ｅＶ以下の熱活性化遅延蛍光材料を使用してもよい。
　本発明の態様４３にかかる表示装置の製造方法は、上記態様３０～４２の何れかにおいて、上記第２の発光層形成工程では、上記第２の蛍光発光材料に、最低励起一重項状態と最低励起三重項状態とのエネルギー差が０．３ｅＶ以下の熱活性化遅延蛍光材料を使用してもよい。
　本発明の態様４４にかかる表示装置の製造方法は、上記態様３０～４３の何れかにおいて、上記機能層形成工程は、上記機能層として、発光材料を含まず、フェルスター半径以下の層厚を有するブロック層（ブロック層３８）を形成するブロック層形成工程を含み、上記ブロック層形成工程では、上記ブロック層を、上記第２の副画素で、上記ブロック層を介して上記第１の発光層と上記第２の発光層とが積層されるように形成してもよい。
　本発明の態様４５にかかる表示装置は、上記態様４４において、上記ブロック層形成工程では、上記ブロック層の層厚が１０ｎｍ以下となるように上記ブロック層を形成してもよい。
　本発明の態様４６にかかる表示装置は、上記態様４４または４５において、上記ブロック層形成工程では、上記ブロック層を、少なくとも上記第１の副画素および上記第２の副画素に共通して形成してもよい。
　本発明の態様４７にかかる表示装置は、上記態様４４または４５において、上記ブック層形成工程では、上記ブロック層を、少なくとも上記第２の副画素および上記第３の副画素に共通して形成してもよい。
　本発明の態様４８にかかる表示装置の製造方法は、上記態様４４または４５において、上記ブロック層形成工程では、上記ブロック層を、全ての副画素に共通して形成してもよい。
　本発明の態様４９にかかる表示装置の製造方法は、上記態様３０～４８の何れかにおいて、上記第１の副画素は青色の副画素であり、上記第２の副画素は第１の緑色の副画素であり、上記第３の副画素は第２の緑色の副画素であり、上記第４の副画素は赤色の副画素であり、上記第１の蛍光発光材料に、青色の光を発光する蛍光発光材料を使用し、上記第２の蛍光発光材料に、緑色の光を発光する蛍光発光材料を使用し、上記第３の発光材料に、赤色の光を発光する発光材料を使用してもよい。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　　１　　有機ＥＬ表示装置（表示装置）
　　２　　画素
　　３、３Ｂ、３Ｇ１、３Ｇ２、３Ｒ　副画素
　　４、４Ｂ、４Ｇ１、４Ｇ２、４Ｒ　発光領域
　１０　　ＴＦＴ基板
　１１　　絶縁基板
　１２　　ＴＦＴ
　１３　　層間絶縁膜
　１３ａ　コンタクトホール
　１４　　配線
　１５　　バンク
　１５ａ　開口部
　２０、２０Ｂ、２０Ｇ１、２０Ｇ２、２０Ｒ　有機ＥＬ素子
　２１　　第１電極（陽極）
　２１ａ　反射電極
　２１ｂ　透光性電極
　２２　　有機ＥＬ層
　２３　　第２電極（陰極）
　２４　　保護層
　３１　　正孔注入層（機能層）
　３２　　正孔輸送層（機能層）
　３３　　発光層ユニット
　３４　　発光層（機能層）
　３４Ｂ　青色蛍光発光層（機能層）
　３４Ｇ　緑色蛍光発光層（機能層）
　３４Ｒ　赤色発光層（機能層）
　３５　　セパレート層（機能層）
　３５ａ　第１セパレート層（機能層）
　３５ｂ　第２セパレート層（機能層）
　３６　　電子輸送層（機能層）
　３７　　電子注入層（機能層）
　３８　　ブロック層（機能層）
　４０　　封止基板
　７０Ｂ、７０Ｒ、７０Ｇ　蒸着マスク
　７１Ｂ、７１Ｒ、７１Ｇ　開口部
　ＤＢＧ、ＤＧＲ、ＤＢＲ　対向面間距離

Claims (20)

  1. 　第１の副画素、第２の副画素、第３の副画素、および第４の副画素を含む画素を複数有し、
    　第１の蛍光発光材料を含む第１の発光層が、上記第１の副画素および上記第２の副画素に共通して設けられており、第２の蛍光発光材料を含む第２の発光層が、上記第２の副画素および上記第３の副画素に共通して設けられており、第３の発光材料を含む第３の発光層が、上記第２の副画素および上記第４の副画素に共通して設けられており、
    　上記第２の蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位は、上記第１の蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも低く、かつ、上記第３の発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも高く、
    　上記第２の副画素では、上記第１の発光層と上記第２の発光層とにおける互いの対向面間の距離がフェルスター半径以下であり、かつ、上記第３の発光層と、上記第１の発光層および上記第２の発光層のうち上記第３の発光層側に位置する発光層とが、フェルスター型のエネルギー移動を阻害するセパレート層を介して積層されており、
    　上記第１の副画素では、上記第１の蛍光発光材料が発光し、該第１の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第２の副画素および上記第３の副画素では、上記第２の蛍光発光材料が発光し、該第２の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第４の副画素では、上記第３の発光材料が発光し、該第３の発光材料から発光された光が外部に出射され、
    　上記第１の蛍光発光材料は、第１のピーク波長を有する光を発光し、上記第２の蛍光発光材料は、上記第１のピーク波長よりも長波長の第２のピーク波長を有する光を発光し、上記第３の発光材料は、上記第２のピーク波長よりも長波長の第３のピーク波長を有する光を発光することを特徴とする表示装置。
  2. 　陽極および陰極を有し、
    　上記陽極および上記陰極のうち一方は反射電極を含み、他方は透光性電極であり、
    　上記画素には、上記陽極と上記陰極との間に、上記第１の発光層、上記第２の発光層、上記第３の発光層、および上記セパレート層を含む複数の機能層が設けられており、
    　上記第１の副画素では、上記第１の蛍光発光材料から発光された光が、そのまま、もしくは上記第１の副画素における上記反射電極と上記透光性電極との間で多重反射されて、上記透光性電極を介して外部に出射され、
    　上記第２の副画素では、上記第２の蛍光発光材料から発光された光が、そのまま、もしくは上記第２の副画素における上記反射電極と上記透光性電極との間で多重反射されて、上記透光性電極を介して外部に出射され、
    　上記第３の副画素では、上記第２の蛍光発光材料から発光された光が、そのまま、もしくは上記第３の副画素における上記反射電極と上記透光性電極との間で多重反射されて、上記透光性電極を介して外部に出射され、
    　上記第４の副画素では、上記第３の発光材料から発光された光が、そのまま、もしくは上記第４の副画素における上記反射電極と上記透光性電極との間で多重反射されて、上記透光性電極を介して外部に出射されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  3. 　上記第２の副画素における、上記第３の発光層と、上記第３の発光層に積層方向に隣り合う発光層との間の距離が、フェルスター半径よりも大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
  4. 　上記セパレート層は、上記第２の副画素および上記第４の副画素に共通に設けられていることを特徴とする請求項１～３の何れか１項に記載の表示装置。
  5. 　上記セパレート層は、キャリア輸送性が異なる複数の材料を含むことを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
  6. 　上記セパレート層は、第１セパレート層と第２セパレート層との積層体であり、
    　上記第１セパレート層および上記第２セパレート層は、それぞれ、正孔輸送性材料および電子輸送性材料を互いに異なる混合比率で含むバイポーラ輸送性材料であり、
    　上記第１セパレート層と上記第２セパレート層との合計の層厚が、フェルスター半径よりも大きいことを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
  7. 　上記セパレート層は、上記第２の副画素にのみ設けられていることを特徴とする請求項１～３の何れか１項に記載の表示装置。
  8. 　上記第１の蛍光発光材料の発光スペクトルの一部と、上記第２の蛍光発光材料の吸収スペクトルの一部とが重なっていることを特徴とする請求項１～７の何れか１項に記載の表示装置。
  9. 　上記セパレート層中に含まれる全ての材料の吸収スペクトルと、上記第１の発光層および上記第２の発光層のうち、少なくとも、上記セパレート層に隣接する発光層中の蛍光発光材料の発光スペクトルとに重なりが存在しないことを特徴とする請求項１～８の何れか１項に記載の表示装置。
  10. 　上記第１の蛍光発光材料は、最低励起一重項状態と最低励起三重項状態とのエネルギー差が０．３ｅＶ以下の熱活性化遅延蛍光材料であることを特徴とする請求項１～９の何れか１項に記載の表示装置。
  11. 　上記第２の蛍光発光材料は、最低励起一重項状態と最低励起三重項状態とのエネルギー差が０．３ｅＶ以下の熱活性化遅延蛍光材料であることを特徴とする請求項１～１０の何れか１項に記載の表示装置。
  12. 　上記第１の副画素は青色の副画素であり、上記第２の副画素は第１の緑色の副画素であり、上記第３の副画素は第２の緑色の副画素であり、上記第４の副画素は赤色の副画素であることを特徴とする請求項１～１１の何れか１項に記載の表示装置。
  13. 　行方向に、上記青色の副画素と上記第１の緑色の副画素とが隣り合うとともに上記赤色の副画素と上記第２の緑色の副画素とが隣り合い、上記行方向に直交する列方向に、上記青色の副画素と上記赤色の副画素とが隣り合うとともに上記第１の緑色の副画素と上記第２の緑色の副画素とが隣り合うＳストライプ型の画素配列を有していることを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
  14. 　上記第１の緑色の副画素が上記青色の副画素に対し行方向に隣り合うとともに上記赤色の副画素に対し列方向に隣り合い、上記第２の緑色の副画素が上記赤色の副画素に対し上記行方向に隣り合うとともに上記青色の副画素に対し上記行方向に直交する上記列方向に隣り合い、上記行方向および上記列方向に交差する斜め方向に、上記青色の副画素と上記赤色の副画素とが隣り合うとともに上記第１の緑色の副画素と上記第２の緑色の副画素とが隣り合うペンタイル型の画素配列を有していることを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
  15. 　上記第２の副画素は、発光材料を含まず、フェルスター半径以下の層厚を有するブロック層を含み、
    　上記第２の副画素では、上記ブロック層を介して上記第１の発光層と上記第２の発光層とが積層されていることを特徴とする請求項１～１４の何れか１項に記載の表示装置。
  16. 　第１の副画素、第２の副画素、第３の副画素、および第４の副画素を含む画素を複数有し、上記第１の副画素では、第１の蛍光発光材料が発光し、該第１の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第２の副画素および上記第３の副画素では、第２の蛍光発光材料が発光し、該第２の蛍光発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第４の副画素では、第３の発光材料が発光し、該第３の発光材料から発光された光が外部に出射され、上記第１の蛍光発光材料は、第１のピーク波長を有する光を発光し、上記第２の蛍光発光材料は、上記第１のピーク波長よりも長波長の第２のピーク波長を有する光を発光し、上記第３の発光材料は、上記第２のピーク波長よりも長波長の第３のピーク波長を有する光を発光する表示装置の製造方法であって、
    　上記画素に複数の機能層を形成する機能層形成工程を含み、
    　上記機能層形成工程は、
    　上記第１の蛍光発光材料を含む第１の発光層を、上記第１の副画素および上記第２の副画素に共通して形成する第１の発光層形成工程と、
    　上記第２の蛍光発光材料を含む第２の発光層を、上記第２の副画素および上記第３の副画素に共通して形成する第２の発光層形成工程と、
    　上記第３の発光材料を含む第３の発光層を、上記第２の副画素および上記第４の副画素に共通して形成する第３の発光層形成工程と、
    　上記第２の副画素で、上記第３の発光層と、上記第１の発光層および上記第２の発光層のうち上記第３の発光層側に位置する発光層とが、フェルスター型のエネルギー移動を阻害するセパレート層を介して積層されるように、上記第２の副画素に上記セパレート層を形成するセパレート層形成工程と、を含み、
    　上記機能層形成工程では、
    　上記第２の副画素で、上記第１の発光層と上記第２の発光層とにおける互いの対向面間の距離がフェルスター半径以下となるように上記第１の発光層および上記第２の発光層を形成するとともに、
    　上記第２の蛍光発光材料に、最低励起一重項状態のエネルギー準位が、上記第１の蛍光発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも低く、かつ、上記第３の発光材料の最低励起一重項状態のエネルギー準位よりも高い蛍光発光材料を使用することを特徴とする表示装置の製造方法。
  17. 　陽極を形成する陽極形成工程と、陰極を形成する陰極形成工程とをさらに備え、
    　上記陽極および上記陰極のうち一方は反射電極を含み、他方は透光性電極であることを特徴とする請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
  18. 　上記セパレート層形成工程では、上記セパレート層を、上記第２の副画素および上記第４の副画素に共通して形成することを特徴とする請求項１６または１７に記載の表示装置の製造方法。
  19. 　上記機能層形成工程は、上記機能層として、発光材料を含まず、フェルスター半径以下の層厚を有するブロック層を形成するブロック層形成工程を含み、
    　上記ブロック層形成工程では、上記ブロック層を、上記第２の副画素で、上記ブロック層を介して上記第１の発光層と上記第２の発光層とが積層されるように形成することを特徴とする請求項１６～１８の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
  20. 　上記第１の副画素は青色の副画素であり、上記第２の副画素は第１の緑色の副画素であり、上記第３の副画素は第２の緑色の副画素であり、上記第４の副画素は赤色の副画素であり、
    　上記第１の蛍光発光材料に、青色の光を発光する蛍光発光材料を使用し、
    　上記第２の蛍光発光材料に、緑色の光を発光する蛍光発光材料を使用し、
    　上記第３の発光材料に、赤色の光を発光する発光材料を使用することを特徴とする請求項１６～１９の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
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