WO2017130371A1 - 撮像装置および内視鏡 - Google Patents

撮像装置および内視鏡 Download PDF

Info

Publication number
WO2017130371A1
WO2017130371A1 PCT/JP2016/052619 JP2016052619W WO2017130371A1 WO 2017130371 A1 WO2017130371 A1 WO 2017130371A1 JP 2016052619 W JP2016052619 W JP 2016052619W WO 2017130371 A1 WO2017130371 A1 WO 2017130371A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
chip
imaging device
thin film
film capacitor
driving circuit
Prior art date
Application number
PCT/JP2016/052619
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
誠一郎 岡村
Original Assignee
オリンパス株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by オリンパス株式会社 filed Critical オリンパス株式会社
Priority to JP2017563489A priority Critical patent/JP6655634B2/ja
Priority to PCT/JP2016/052619 priority patent/WO2017130371A1/ja
Publication of WO2017130371A1 publication Critical patent/WO2017130371A1/ja
Priority to US16/043,344 priority patent/US20180325364A1/en

Links

Images

Classifications

    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B1/00—Instruments for performing medical examinations of the interior of cavities or tubes of the body by visual or photographical inspection, e.g. endoscopes; Illuminating arrangements therefor
    • A61B1/04—Instruments for performing medical examinations of the interior of cavities or tubes of the body by visual or photographical inspection, e.g. endoscopes; Illuminating arrangements therefor combined with photographic or television appliances
    • A61B1/05—Instruments for performing medical examinations of the interior of cavities or tubes of the body by visual or photographical inspection, e.g. endoscopes; Illuminating arrangements therefor combined with photographic or television appliances characterised by the image sensor, e.g. camera, being in the distal end portion
    • A61B1/051—Details of CCD assembly
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B1/00—Instruments for performing medical examinations of the interior of cavities or tubes of the body by visual or photographical inspection, e.g. endoscopes; Illuminating arrangements therefor
    • A61B1/12—Instruments for performing medical examinations of the interior of cavities or tubes of the body by visual or photographical inspection, e.g. endoscopes; Illuminating arrangements therefor with cooling or rinsing arrangements
    • A61B1/128—Instruments for performing medical examinations of the interior of cavities or tubes of the body by visual or photographical inspection, e.g. endoscopes; Illuminating arrangements therefor with cooling or rinsing arrangements provided with means for regulating temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636—Interconnect structures
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50—Constructional details
    • H04N23/555—Constructional details for picking-up images in sites, inaccessible due to their dimensions or hazardous conditions, e.g. endoscopes or borescopes
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/481—Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/5222—Capacitive arrangements or effects of, or between wiring layers
    • H01L23/5223—Capacitor integral with wiring layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H01L28/60—Electrodes

Definitions

  • the present invention relates to an imaging device, and more particularly, to an imaging device incorporated in a distal end portion of an endoscope and an endoscope provided with the imaging device.
  • Electrons that can be introduced from the outside of a living body or structure to the inside of the living body or structure, and have an imaging unit or the like for capturing an optical image, in order to observe a portion such as the inside of a living body or the inside of a structure.
  • Endoscopes are used, for example, in the medical sector or in the industrial sector.
  • the imaging unit of the electronic endoscope includes an objective lens for imaging a subject image, and an image sensor disposed on the imaging surface of the objective lens.
  • an imaging device as disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-188375 is incorporated at the distal end portion of the insertion portion.
  • JP-A-2011-188375 discloses a technique for increasing the reliability of connection between a wiring board and a signal cable.
  • the imaging device includes an imaging element chip having an external connection terminal connected to the imaging element through the through wiring on the back surface, and a wiring board having a multilayer wiring layer having an electrode portion connected to the external connection terminal is provided. ing.
  • the tip end portion to be the hard portion of the insertion portion to be inserted into the subject to be the subject.
  • the insertability of the insertion portion into the subject can be improved.
  • miniaturization is also required for the imaging device incorporated in the tip portion, and in particular, depending on the thickness of the substrate and the cable land structure, the thickness direction orthogonal to the light receiving surface of the image sensor becomes long. There is a problem that there is a limit to miniaturizing the tip portion, in particular, shortening the hard length of the insertion portion.
  • an object of the present invention is to provide an imaging device in which the thickness direction orthogonal to the light receiving surface of the image sensor is miniaturized and the imaging device An endoscope provided with the
  • An imaging device includes an image sensor chip including a light receiving unit that receives an object image, a driving circuit chip stacked on the image sensor chip, and a thin film capacitor stacked on the driving circuit chip. And a camera assembly in which the image sensor chip, the driving circuit chip, and the thin film capacitor chip are stacked and joined.
  • An endoscope includes an image sensor chip including a light receiving unit that receives an object image, a driving circuit chip stacked on the image sensor chip, and a thin film stacked on the driving circuit chip.
  • An imaging device comprising: a capacitor chip; and a camera assembly in which the image sensor chip, the driving circuit chip, and the thin film capacitor chip are stacked and joined together, and a tip portion built in the imaging device. And an insertion unit to be inserted into the sample.
  • the imaging device is further miniaturized in the thickness direction orthogonal to the light receiving surface of the image sensor, and miniaturization of the tip portion of the endoscope can be realized.
  • the perspective view showing the composition of the endoscope system concerning one mode of the present invention The same, the perspective view which shows the structure of an imaging unit Similarly, a side view showing the configuration of the imaging unit Similarly, a sectional view showing the configuration of an imaging unit Similarly, a cross-sectional view showing the configuration of a laminated thin film capacitor chip The same, sectional drawing which shows the structure of the imaging unit to which the wiring was connected Also, a cross-sectional view showing the configuration of the imaging unit of the first modified example Sectional view showing the configuration of the imaging unit of the second modified example Sectional drawing which shows the structure of the imaging unit of a 3rd modification similarly. Sectional view showing the configuration of the imaging unit of the fourth modified example
  • FIG. 1 is a view showing the configuration of the endoscope
  • FIG. 2 is a perspective view showing the configuration of the imaging unit
  • FIG. 3 is a side view showing the configuration of the imaging unit
  • FIG. 4 is a sectional view showing the configuration of the imaging unit
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing the configuration of a laminated thin film capacitor chip
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing the configuration of an imaging unit to which a wire is connected.
  • the endoscope 101 of the present embodiment is configured to be capable of being introduced into a subject such as a human body and to optically image a predetermined observation site in the subject.
  • the subject into which the endoscope 101 is introduced is not limited to the human body, and may be another living body, or an artificial object such as a machine or a construction.
  • the endoscope 101 includes an insertion portion 102 introduced into the inside of the subject, an operation portion 103 positioned at a proximal end of the insertion portion 102, and a universal cord 104 extending from the side portion of the operation portion 103. Mainly composed.
  • the insertion portion 102 includes a distal end portion 110 disposed at the distal end, a bendable curved portion 109 disposed at the proximal end side of the distal end portion 110, and an operation portion 103 disposed at the proximal end side of the curved portion 109.
  • a flexible tube portion 108 having flexibility is connected to the tip end side of the lens.
  • the endoscope 101 may have a form called a so-called rigid endoscope, which does not have a flexible portion in the insertion portion 102.
  • the tip end portion 110 is provided with the imaging device 1.
  • the operation portion 103 is provided with an angle operation knob 106 for operating the bending of the bending portion 109.
  • an endoscope connector 105 connected to the external device 120 is provided.
  • the external device 120 to which the endoscope connector 105 is connected is connected to an image display unit 121 such as a monitor via a cable.
  • the endoscope 101 also includes a universal cable 104, a composite cable 115 inserted into the operation unit 103 and the insertion unit 102, and an optical fiber bundle (not shown) for transmitting illumination light from a light source unit provided in the external device 120. )have.
  • the composite cable 115 is configured to electrically connect the endoscope connector 105 and the imaging device 1.
  • the imaging device 1 is electrically connected to the external device 120 via the composite cable 115.
  • Supply of power from the external device 120 to the imaging device 1 and communication between the external device 120 and the imaging device 1 are performed via the composite cable 115.
  • the external device 120 is provided with an image processing unit.
  • the image processing unit generates a video signal based on the imaging element output signal output from the imaging device 1, and outputs the video signal to the image display unit 121. That is, in the present embodiment, an optical image (an endoscopic view image) captured by the imaging device 1 is displayed on the image display unit 121 as a video.
  • the endoscope 101 is not limited to the configuration connected to the external device 120 or the image display unit 121, and may have, for example, a part or all of an image processing unit or a monitor.
  • the optical fiber bundle is configured to transmit the light emitted from the light source unit of the external device 120 to the illumination window as the illumination light emitting unit of the distal end unit 110.
  • the light source unit may be disposed on the operation unit 103 or the distal end portion 110 of the endoscope 101.
  • the configuration of the imaging device 1 provided at the distal end portion 110 will be described.
  • the direction on the object side from the imaging device 1 toward the subject may be referred to as the tip or the front, and the opposite direction to the image may be referred to as the base or the back. .
  • the cover glass 11 is provided on the front side, and the image sensor chip 12, the driving circuit chip 13 and the laminated thin film capacitor chip 14 are stacked.
  • the camera assembly 10 of the CSP (Chip Scale Packege) size is provided, and the rear surface of the proximal end side of the camera assembly 10 opposite to the junction surface with the driving circuit chip 13 of the multilayer thin film capacitor chip 14
  • the reinforcing resin portion 15 is formed of an adhesive or the like so as to cover the plurality of wires 16 of the composite cable 115 which is connected to the back surface of the laminated thin film capacitor chip 14 and extends rearward. .
  • the image sensor chip 12 has a light receiving portion 21 for receiving light of an object image having a photographing optical axis O on the front surface, and as shown in FIG. 4, a plurality of through wires 22 are provided.
  • the image sensor chip 12 is an imaging element chip having a thickness dimension of, for example, 50 ⁇ m to 100 ⁇ m, such as a CCD or CMOS.
  • the driving circuit chip 13 is electrically connected to the plurality of through wirings 22 of the image sensor chip 12 and includes the plurality of through wirings 22 connected to an electric element (not shown) provided inside.
  • the driving circuit chip 13 is, for example, a driving circuit chip having a thickness dimension of, for example, 50 ⁇ m to 100 ⁇ m for driving and controlling the image sensor chip 12 by generating a clock signal for synchronizing each electrical element.
  • the laminated thin film capacitor chip 14 has, for example, a backup circuit for stabilizing the power supply, a coupling element for removing noise of the imaging signal photoelectrically converted by the image sensor chip 12, a thickness dimension including a filter, etc. Is, for example, a 50 ⁇ m to 100 ⁇ m capacitor element chip.
  • the image sensor chip 12, the driving circuit chip 13 and the multilayer thin film capacitor chip 14 are each formed into a camera assembly 10 of CSP (Chip Scale Package) size, which is stacked and bonded simultaneously or individually.
  • CSP Chip Scale Package
  • the wafer on which the image sensor chip 12, the driving circuit chip 13, and the multilayer thin film capacitor chip 14 are formed may be stacked and joined, and then the camera assembly 10 may be cut out by dicing.
  • the multilayer thin film capacitor chip 14 will be described in more detail.
  • the capacitor layer 41 in which the conductive layers 31 and 32 and the dielectric layer 33 are alternately stacked is formed on the silicon layer 42 via the insulating layer 36.
  • Conductive layers 31 and 32 of capacitor layer 41 are electrically connected to through wiring 24 through conductive wirings 34 and 35, respectively.
  • a plurality of wiring bonding hole portions 25 in which the external connection terminals 26 are disposed are formed. Further, the external connection terminal 26 is electrically connected to the through wiring 24.
  • the wire bonding hole portion 25 has a hole diameter of 1.5 to 2.0 times the outer diameter of the core wire 17 of the wire 16, and along with the external connection terminal 26, a through-silicon via (TSV) Formed by
  • the wiring bonding hole 25 is formed to have a depth of about 50 ⁇ m to 100 ⁇ m although the depth dimension is influenced by the thickness of the multilayer thin film capacitor chip 14.
  • the camera assembly 10 in which the wiring 16 is connected to the multilayer thin film capacitor chip 14 and the cover glass 11 is bonded to the front surface of the image sensor chip 12 covers the core 17 of the wiring 16 on the rear surface of the multilayer thin film capacitor chip 14.
  • the reinforcing resin portion 15 is formed to have such a thickness.
  • the imaging device 1 of the present embodiment configured as described above is a camera of CSP (Chip Scale Package) size in which the image sensor chip 12, the driving circuit chip 13 and the multilayer thin film capacitor chip 14 are stacked and joined.
  • CSP Chip Scale Package
  • the camera assembly 10 including the laminated thin film capacitor chip 14 having the capacitor layer 41 formed on the silicon layer 42 has a CSP (Chip Scale Package) size, and a conventionally provided capacitor is mounted. Therefore, the substrate can be made much smaller than the conventional one, and in particular, the thickness in the direction of the photographing optical axis O (X axis in FIG. 6) in FIGS. 2 and 3 can be reduced.
  • CSP Chip Scale Package
  • a wiring bonding hole 25 using through-silicon via (TSV) technology is formed on the back surface of the laminated thin film capacitor chip 14 of the CSP (Chip Scale Package) sized camera assembly 10. Since the core 17 of the wiring 16 is bonded to the wiring bonding hole 25, bumps and the like required for wiring bonding as in the prior art are not provided.
  • TSV through-silicon via
  • the imaging device 1 can remove the structure that affects the thickness in the direction of the shooting optical axis O (X axis in FIG. 6) in FIGS. 2 and 3, and the shooting optical axis in FIGS. 2 and 3
  • the thickness in the O (X axis in FIG. 6) direction can be reduced.
  • the imaging device 1 can easily grasp the bonding position of the wiring 16 and can connect the wiring 16 with high accuracy. Since the core wire 17 of the wiring 16 is inserted and fitted into the wiring bonding hole 25, the bonding strength of the wiring 16 is also improved.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing the configuration of the imaging unit of the first modified example.
  • the hole axis H of the wire bonding hole portion 25 which is a disposition connection portion is predetermined outward with respect to the X axis along the photographing optical axis O
  • the through-silicon via (TSV) is formed on the back surface of the laminated thin film capacitor chip 14 of the camera assembly 10 of CSP (Chip Scale Package) size so as to have an angle ⁇ .
  • the imaging device 1 obliquely connects the wiring 16 to the multilayer thin film capacitor chip 14 of the camera assembly 10 so as to have a predetermined angle ⁇ , and thereby the anchor effect allows the multilayer thin film capacitor chip 14 to be The connection strength of the wiring 16 can be improved.
  • the wiring bonding hole 25 is formed on the back surface of the multilayer thin film capacitor chip 14 so as to have a predetermined angle ⁇ on the outer side with respect to the X axis along the photographing optical axis O.
  • the hole axis H of the wiring bonding hole 25 may be formed on the back surface of the multilayer thin film capacitor chip 14 so as to have a predetermined angle ⁇ on the inner side with respect to the X axis.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing the configuration of the imaging unit of the second modified example.
  • the imaging device 1 of this modification is for wiring connection formed by TSV (Through-Silicon Via) on the back surface of the laminated thin film capacitor chip 14 of the CSP (Chip Scale Package) sized camera assembly 10.
  • the hole 25 is formed in a tapered shape so that the back surface side of the multilayer thin film capacitor chip 14 becomes thinner.
  • the wiring bonding hole 25 is tapered, so that the multilayer thin film capacitor is formed by the anchor effect.
  • the connection strength of the wiring 16 to the chip 14 can be improved.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing the configuration of the imaging unit of the third modified example.
  • the core wire 17 of the wires 16 and 18 connected to the camera assembly 10 of CSP (Chip Scale Package) size is used as the image sensor chip 12, the driving circuit chip 13 or a stack. Are connected close to the chip circuits of the thin film capacitor chip 14.
  • through-hole electrodes 27 and 28 are formed by TSV (Through-Silicon Via) from the image sensor chip 12 or the driving circuit chip 13 to the laminated thin film capacitor chip 14, and these through holes are formed
  • the core wires 17 of the wires 16 and 18 are inserted into and connected to the hole electrodes 27 and 28.
  • the wire 18 is a GND (ground) wire and has a core wire 17 as a ground core wire having a diameter larger than that of the other wires 16.
  • the imaging device 1 electrically connects the wirings 16 and 18 for transmitting and receiving unnecessary signals through the multilayer thin film capacitor chip 14 at a position close to the image sensor chip 12 or the driving circuit chip 13.
  • the connection can improve noise reduction, signal stabilization, and the like.
  • the connection area between the core wire 17 of the wires 16 and 18 and the through hole electrodes 27 and 28 is increased, and the possibility of occurrence of electrical connection failure can be reduced.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing the configuration of the imaging unit of the fourth modified example.
  • a circuit with a large amount of heat generation particularly the core wire 17 of the wiring 19 among the wirings 16 and 19 connected to the CSP (Chip Scale Package) sized camera assembly 10.
  • the core wire 17 of the wiring 19 can be used instead of the heat sink to improve the efficiency of the heat radiation.
  • the through hole electrode 29 is formed by TSV (Through-Silicon Via) from the driving circuit chip 13 to the multilayer thin film capacitor chip 14, and the core wire 17 of the wiring 19 is formed on the through hole electrode 29. It is inserted and connected.
  • the wire 19 have a core wire 17 with a diameter larger than that of the other wires 16 so that heat dissipation can be expected more.
  • GND ground
  • the imaging device 1 can improve the heat radiation effect from the heating element in the camera assembly 10.
  • the various configurations described in the embodiment and the first to fourth modified examples described above may be the imaging device 1 and the endoscope 101 having components obtained by combining them.
  • the configuration requirements can be eliminated if the problems described can be solved and the described advantages can be obtained.
  • the configuration can be extracted as the invention.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Surgery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Radiology & Medical Imaging (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Heart & Thoracic Surgery (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Endoscopes (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

撮像装置１は、被写体像を受光する受光部を備えたイメージセンサチップ１２と、イメージセンサチップ１２に積層された駆動用回路チップ１３と、駆動用回路チップ１３に積層された薄膜コンデンサチップ１４と、を備え、イメージセンサチップ１２、駆動用回路チップ１３および薄膜コンデンサチップ１４を積層して接合したカメラアッセンブリ１０と、を具備する。

Description

撮像装置および内視鏡
　本発明は、撮像装置、特に内視鏡の先端部内に内蔵する撮像装置と、この撮像装置を備えた内視鏡に関する。
　生体の体内や構造物の内部などの観察が困難な箇所を観察するために、生体や構造物の外部から内部に導入可能であって、光学像を撮像するための撮像ユニットなどを具備した電子内視鏡が、例えば医療分野または工業分野において利用されている。
　電子内視鏡の撮像ユニットは、被写体像を結像する対物レンズと、対物レンズの結像面に配設されたイメージセンサを具備している。
　このような電子内視鏡は、挿入部の先端部に、例えば、特開２０１１－１８８３７５号公報に開示されるような撮像装置が内蔵される。
　特開２０１１－１８８３７５号公報の撮像装置は、配線板と信号ケーブルとの接続の信頼性を高くする技術が開示されている。
　この撮像装置は、貫通配線を介して撮像素子と接続された外部接続端子を裏面に有する撮像素子チップを備え、外部接続端子と接続される電極部のある多層配線層を有する配線板が設けられている。
　ところで、内視鏡は、被写体となる被検体に挿入される挿入部の硬質部となる先端部を極力小型化することが望まれている。特に、挿入部の長手軸に沿った先端部の硬質長を短くすることで、挿入部の被検体への挿入性を向上させることができる。
　そのため、先端部に内蔵される撮像装置も、小型化が要求されており、特に、基板の厚み、およびケーブルランド構造によってはイメージセンサの受光面に対して直交する厚さ方向が長くなってしまい、先端部の小型化、特に、挿入部の硬質長を短尺化するのに限界があるという課題がある。
　そこで、本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、イメージセンサの受光面に対して直交する厚さ方向をより小型化した撮像装置およびこの撮像装置を備えた内視鏡を提供することである。
　本発明の一態様の撮像装置は、被写体像を受光する受光部を備えたイメージセンサチップと、前記イメージセンサチップに積層された駆動用回路チップと、前記駆動用回路チップに積層された薄膜コンデンサチップと、を備え、前記イメージセンサチップ、前記駆動用回路チップおよび前記薄膜コンデンサチップを積層して接合したカメラアッセンブリと、を具備する。
　本発明の一態様の内視鏡は、被写体像を受光する受光部を備えたイメージセンサチップと、前記イメージセンサチップに積層された駆動用回路チップと、前記駆動用回路チップに積層された薄膜コンデンサチップと、を備え、前記イメージセンサチップ、前記駆動用回路チップおよび前記薄膜コンデンサチップを積層して接合したカメラアッセンブリと、を備えた撮像装置と、前記撮像装置が内蔵する先端部を有する被検体内に挿入される挿入部と、を具備する。
　以上に記載の本発明によれば、イメージセンサの受光面に対して直交する厚さ方向をより小型化した撮像装置となり、内視鏡の先端部の小型化を実現可能である。
本発明の一態様に係る内視鏡システムの構成を示す斜視図 同、撮像ユニットの構成を示す斜視図 同、撮像ユニットの構成を示す側面図 同、撮像ユニットの構成を示す断面図 同、積層型薄膜コンデンサチップの構成を示す断面図 同、配線が接続された撮像ユニットの構成を示す断面図 同、第１の変形例の撮像ユニットの構成を示す断面図 同、第２の変形例の撮像ユニットの構成を示す断面図 同、第３の変形例の撮像ユニットの構成を示す断面図 同、第４の変形例の撮像ユニットの構成を示す断面図
　以下に、本発明の好ましい形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図においては、各構成要素を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、構成要素毎に縮尺を異ならせてあるものであり、本発明は、これらの図に記載された構成要素の数量、構成要素の形状、構成要素の大きさの比率、および各構成要素の相対的な位置関係のみに限定されるものではない。また、以下の説明においては、図の紙面に向かって見た上下方向を構成要素の上部および下部として説明している場合がある。
　先ず、本発明の一態様の撮像ユニットおよび電子内視鏡について、図面に基づいて、以下に説明する。なお、図１は、内視鏡の構成を示す図、図２は撮像ユニットの構成を示す斜視図、図３は撮像ユニットの構成を示す側面図、図４は撮像ユニットの構成を示す断面図、図５は積層型薄膜コンデンサチップの構成を示す断面図、図６は配線が接続された撮像ユニットの構成を示す断面図である。
　先ず、図１を参照して、本発明に係る撮像装置１を具備する内視鏡１０１の構成の一例を説明する。
　本実施形態の内視鏡１０１は、人体などの被検体内に導入可能であって被検体内の所定の観察部位を光学的に撮像する構成を有している。
　なお、内視鏡１０１が導入される被検体は、人体に限らず、他の生体であっても良いし、機械、建造物などの人工物であっても良い。
　内視鏡１０１は、被検体の内部に導入される挿入部１０２と、この挿入部１０２の基端に位置する操作部１０３と、この操作部１０３の側部から延出するユニバーサルコード１０４とで主に構成されている。
　挿入部１０２は、先端に配設される先端部１１０、この先端部１１０の基端側に配設される湾曲自在な湾曲部１０９およびこの湾曲部１０９の基端側に配設され操作部１０３の先端側に接続される可撓性を有する可撓管部１０８が連設されて構成されている。
　なお、内視鏡１０１は、挿入部１０２に可撓性を有する部位を具備しない、所謂硬性鏡と称される形態のものであってもよい。
　詳しくは後述するが、先端部１１０には、撮像装置１が設けられている。また、操作部１０３には、湾曲部１０９の湾曲を操作するためのアングル操作ノブ１０６が設けられている。
　ユニバーサルコード１０４の基端部には、外部装置１２０に接続される内視鏡コネクタ１０５が設けられている。内視鏡コネクタ１０５が接続される外部装置１２０は、モニタなどの画像表示部１２１にケーブルを介して接続されている。
　また、内視鏡１０１は、ユニバーサルコード１０４、操作部１０３および挿入部１０２内に挿通された複合ケーブル１１５および外部装置１２０に設けられた光源部からの照明光を伝送する光ファイバ束（不図示）を有している。
　複合ケーブル１１５は、内視鏡コネクタ１０５と撮像装置１とを電気的に接続するように構成されている。内視鏡コネクタ１０５が外部装置１２０に接続されることによって、撮像装置１は、複合ケーブル１１５を介して外部装置１２０に電気的に接続される。
　この複合ケーブル１１５を介して、外部装置１２０から撮像装置１への電力の供給および外部装置１２０と撮像装置１との間の通信が行われる。
　外部装置１２０には、画像処理部が設けられている。この画像処理部は、撮像装置１から出力された撮像素子出力信号に基づいて映像信号を生成し、画像表示部１２１に出力する。即ち、本実施形態では、撮像装置１により撮像された光学像（内視鏡像）が、映像として画像表示部１２１に表示される。
　なお、内視鏡１０１は、外部装置１２０または画像表示部１２１に接続する構成に限定されず、例えば、画像処理部またはモニタの一部または全部を有する構成であっても良い。
　また、光ファイバ束は、外部装置１２０の光源部から発せられた光を、先端部１１０の照明光出射部としての照明窓まで伝送するように構成されている。さらに、光源部は、内視鏡１０１の操作部１０３または先端部１１０に配設される構成であってもよい。
　次に、先端部１１０に設けられる撮像装置１の構成を説明する。なお、以下の説明においては、撮像装置１から被写体へ向かう物体側の方向（各図において左方）を先端または前方と称し、その反対の像側の方向を基端または後方と称する場合がある。
　図２および図３に示すように、本実施の形態の撮像装置１は、前方側にカバーガラス１１が設けられ、イメージセンサチップ１２、駆動用回路チップ１３および積層型薄膜コンデンサチップ１４が積層されたＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋｅｇｅ）サイズのカメラアッセンブリ１０を備え、このカメラアッセンブリ１０の基端側の積層型薄膜コンデンサチップ１４の駆動用回路チップ１３との接合面とは反対側の背面（以下、単に積層型薄膜コンデンサチップ１４の背面という。）に接続されて、後方に延出する複合ケーブル１１５の複数の配線１６を覆うように接着剤などによって形成された補強用樹脂部１５を有している。
　イメージセンサチップ１２は、前面に撮影光軸Ｏを有する被写体像の光を受光する受光部２１を備え、図４に示すように、複数の貫通配線２２が設けられている。このイメージセンサチップ１２は、ＣＣＤ、ＣＭＯＳなどの厚さ寸法が例えば、５０μｍ～１００μｍの撮像素子チップである。
　駆動用回路チップ１３は、イメージセンサチップ１２の複数の貫通配線２２と電気的に接続され、内部に設けられる図示しない電気的素子に接続される複数の貫通配線２２を備えている。この駆動用回路チップ１３は、例えば、各電気的素子を同期させるクロック信号を発生させて、イメージセンサチップ１２を駆動制御する厚さ寸法が例えば、５０μｍ～１００μｍの駆動回路チップである。
　積層型薄膜コンデンサチップ１４は、図５に示すように導電層３１，３２と誘電層３３が交互に積層され、駆動用回路チップ１３の複数の貫通配線２２と電気的に接続される複数の貫通配線２４を備えている。
　この積層型薄膜コンデンサチップ１４は、例えば、電源の安定化などをするバックアップ回路、イメージセンサチップ１２で光電変換された撮像信号のノイズを除去するカップリング素子、フィルターなどが含まれた厚さ寸法が例えば、５０μｍ～１００μｍのコンデンサ素子チップである。
　これらイメージセンサチップ１２、駆動用回路チップ１３および積層型薄膜コンデンサチップ１４は、それぞれが積層されて同時または個々に接合されたＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋｅｇｅ）サイズのカメラアッセンブリ１０となっている。
　なお、イメージセンサチップ１２、駆動用回路チップ１３および積層型薄膜コンデンサチップ１４が形成されたウエハを積層して接合した後、ダイシングによってカメラアッセンブリ１０を切り出す構成としてもよい。
　ここで積層型薄膜コンデンサチップ１４について、さらに詳しく説明する。　
　図５に示したように、積層型薄膜コンデンサチップ１４は、導電層３１，３２と誘電層３３が交互に積層されたコンデンサ層４１が絶縁層３６を介してシリコン層４２上に形成されている。コンデンサ層４１の導電層３１，３２は、それぞれ、導電配線３４，３５を介して貫通配線２４と電気的に接続される。
　シリコン層４２の背面部には、外部接続端子２６が配設された複数の配線接合用穴部２５が形成されている。また、外部接続端子２６は、貫通配線２４と電気的に接続されている。
　なお、配線接合用穴部２５は、配線１６の芯線１７の外径に対して、１．５～２．０倍の孔径を備え、外部接続端子２６と共にＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ－Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ／シリコン貫通電極）によって形成される。
　また、配線接合用穴部２５は、深さ寸法が積層型薄膜コンデンサチップ１４の厚さに影響されるが５０μｍ～１００μｍ程度に形成される。
　これら配線接合用穴部２５には、被覆が例えば、０．２ｍｍ程度剥がされた配線１６の芯線１７が挿入され、半田などのろう接によって接続される。
　そして、積層型薄膜コンデンサチップ１４に配線１６が接続され、イメージセンサチップ１２の前面にカバーガラス１１が接合されたカメラアッセンブリ１０は、積層型薄膜コンデンサチップ１４の背面に配線１６の芯線１７を覆うような厚さを有して補強用樹脂部１５が形成される。
　以上のように構成された本実施の形態の撮像装置１は、イメージセンサチップ１２、駆動用回路チップ１３および積層型薄膜コンデンサチップ１４が積層されて接合されたＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋｅｇｅ）サイズのカメラアッセンブリ１０を備えることで、撮影光軸Ｏに平行であって、イメージセンサチップ１２の受光部２１の受光面に対して直交する軸Ｘ方向を短尺化することができる。
　特に、撮像装置１は、シリコン層４２上に形成されたコンデンサ層４１を有する積層型薄膜コンデンサチップ１４を含むカメラアッセンブリ１０がＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋｅｇｅ）サイズとなり、従来に設けられたコンデンサが実装される基板などが不必要となり、従来よりも非常に小型化でき、特に図２および図３の撮影光軸Ｏ（図６におけるＸ軸）方向の厚さを薄くすることができる。
　さらに、撮像装置１は、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）サイズのカメラアッセンブリ１０の積層型薄膜コンデンサチップ１４の背面にＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ－Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ）技術を使った配線接合用穴部２５が形成されており、配線接合用穴部２５へ配線１６の芯線１７を接合する構成であるため、従来のように配線接合するために必要だったバンプなどが設けられていない構成となっている。
　これにより、撮像装置１は、図２および図３の撮影光軸Ｏ（図６におけるＸ軸）方向の厚さに影響する構造を取り除く事が可能になり、図２および図３の撮影光軸Ｏ（図６におけるＸ軸）方向の厚さを薄くすることができる。
　これにより、本実施の形態の撮像装置１を内蔵する内視鏡１０１の先端部１１０の小型化、特に、挿入部１０２の硬質となる先端部１１０の短尺化を実現することができる。
　また、撮像装置１は、カメラアッセンブリ１０の積層型薄膜コンデンサチップ１４の背面に配線接合用穴部２５を設けることで、配線１６の接合位置を容易に把握でき高精度に配線１６を接続できると共に、配線接合用穴部２５に配線１６の芯線１７を挿入して嵌め込む構造であるため配線１６の接合強度も向上する。
（第１の変形例）
　次に、本発明の内視鏡１０１に搭載される撮像装置１の第１の変形例について説明する。なお、図７は、第１の変形例の撮像ユニットの構成を示す断面図である。　
　図７に示すように、本変形例の撮像装置１は、配設接続部である配線接合用穴部２５の孔軸Ｈが撮影光軸Ｏに沿ったＸ軸に対して、外方に所定の角度θを有するようにＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）サイズのカメラアッセンブリ１０の積層型薄膜コンデンサチップ１４の背面にＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ－Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ）によって形成されている。
　このように、撮像装置１は、配線１６をカメラアッセンブリ１０の積層型薄膜コンデンサチップ１４に所定の角度θを有するように斜めに接続することで、アンカ効果により、積層型薄膜コンデンサチップ１４への配線１６の接続強度を向上させることができる。
　なお、本変形例では、撮影光軸Ｏに沿ったＸ軸に対して、外方側に所定の角度θを有するように積層型薄膜コンデンサチップ１４の背面に配線接合用穴部２５を形成しているが、勿論、Ｘ軸に対して、内方側に所定の角度θを有するように積層型薄膜コンデンサチップ１４の背面に配線接合用穴部２５の孔軸Ｈを形成してもよい。
（第２の変形例）
　次に、本発明の内視鏡１０１に搭載される撮像装置１の第２の変形例について説明する。なお、図８は、第２の変形例の撮像ユニットの構成を示す断面図である。　
　図８に示すように、本変形例の撮像装置１は、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）サイズのカメラアッセンブリ１０の積層型薄膜コンデンサチップ１４の背面にＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ－Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ）によって形成する配線接合用穴部２５を積層型薄膜コンデンサチップ１４の背面側が細くなるようなテーパ状に形成されている。
　このように、撮像装置１は、配線１６をカメラアッセンブリ１０の積層型薄膜コンデンサチップ１４への接続時において、配線接合用穴部２５をテーパ状とすることで、アンカ効果により、積層型薄膜コンデンサチップ１４への配線１６の接続強度を向上させることができる。
（第３の変形例）
　次に、本発明の内視鏡１０１に搭載される撮像装置１の第３の変形例について説明する。なお、図９は、第３の変形例の撮像ユニットの構成を示す断面図である。　
　図９に示すように、本変形例の撮像装置１は、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）サイズのカメラアッセンブリ１０に接続する配線１６，１８の芯線１７をイメージセンサチップ１２、駆動用回路チップ１３または積層型薄膜コンデンサチップ１４の各チップ回路に近接した位置で接続されている。
　ここでのカメラアッセンブリ１０は、イメージセンサチップ１２または駆動用回路チップ１３から積層型薄膜コンデンサチップ１４に亘ってＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ－Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ）によってスルーホール電極２７，２８が形成されており、これらスルーホール電極２７，２８に配線１６，１８の芯線１７が挿入されて接続されている。また、配線１８は、ＧＮＤ（グランド）線であって、他の配線１６よりも太径のグランド用芯線としての芯線１７を有している。
　このように、撮像装置１は、積層型薄膜コンデンサチップ１４を介す必要のない信号を授受するための配線１６，１８をイメージセンサチップ１２または駆動用回路チップ１３に近接する位置で電気的に接続することで、ノイズ低減、信号安定化などを向上させることができる。さらに、配線１６，１８の芯線１７とスルーホール電極２７，２８との接続面積が大きくなり、電気的な接続の不具合が生じる可能性を低減することができる。
（第４の変形例）
　次に、本発明の内視鏡１０１に搭載される撮像装置１の第４の変形例について説明する。なお、図１０は、第４の変形例の撮像ユニットの構成を示す断面図である。　
　図１０に示すように、本変形例の撮像装置１は、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）サイズのカメラアッセンブリ１０に接続する配線１６，１９のうち、配線１９の芯線１７を発熱量の多い回路、特に駆動用アンプなどの近傍または直接的に接続することで、配線１９の芯線１７がヒートシンクの代わりとなり放熱を効率化することができる。
　なお、ここでは、駆動用回路チップ１３から積層型薄膜コンデンサチップ１４に亘ってＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ－Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ）によってスルーホール電極２９が形成されており、このスルーホール電極２９に配線１９の芯線１７が挿入されて接続されている。
　また、配線１９は、放熱がより期待できるように、他の配線１６よりも太径の芯線１７を有していることが好ましい。特に、放熱の大きいところに、放熱効果が高い太径のＧＮＤ（グランド）用のケーブルを接続して放熱することが好ましい。
　このように、撮像装置１は、カメラアッセンブリ１０における発熱体からの放熱効果を向上させることができる。
　なお、以上に記載した実施の形態および第１～第４の変形例で述べた各種構成に関しては、それぞれを組み合わせた構成要素を有する撮像装置１および内視鏡１０１としてもよい。
　以上に記載した実施の形態および各変形例は、それぞれの構成を組み合わせてもよい。即ち、上述の実施の形態に記載した発明は、その実施の形態および変形例に限ることなく、その他、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実施し得ることが可能である。さらに、上記実施の形態には、種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組合せにより種々の発明が抽出され得るものである。
　例えば、実施の形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、述べられている課題が解決でき、述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得るものである。

Claims (8)

  1. 　被写体像を受光する受光部を備えたイメージセンサチップと、
    　前記イメージセンサチップに積層された駆動用回路チップと、
    　前記駆動用回路チップに積層された薄膜コンデンサチップと、
    　を備え、
    　前記イメージセンサチップ、前記駆動用回路チップおよび前記薄膜コンデンサチップを積層して接合したカメラアッセンブリと、
    　を具備することを特徴とする撮像装置。
  2. 　前記薄膜コンデンサチップの前記駆動用回路チップとの接合面と反対側となる背面にケーブルの配線の芯線が挿入して接続されるシリコン貫通電極によって穴部状に形成された複数の配線接続部を備えていることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
  3. 　前記配線接続部は、前記受光部の受光面に対して直交する軸に対して所定の角度を有する孔軸を有していることを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
  4. 　前記配線接続部は、前記薄膜コンデンサチップの前記背面側が細くなるようなテーパ状に形成されていることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の撮像装置。
  5. 　前記イメージセンサチップまたは前記駆動用回路チップから前記薄膜コンデンサチップまでシリコン貫通電極によって形成されたスルーホール電極を備えていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の撮像装置。
  6. 　前記スルーホール電極は、前記カメラアッセンブリにおける発熱量の多い回路の近傍に形成されることを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
  7. 　前記スルーホール電極には、グランド用配線のグランド芯線が挿入して接続されることを特徴とする請求項６に記載の撮像装置。
  8. 　請求項１から請求項７のいずれか１項に記載された撮像装置と、
    　前記撮像装置が内蔵する先端部を有する被検体内に挿入される挿入部と、
    　を具備することを特徴とする内視鏡。
PCT/JP2016/052619 2016-01-29 2016-01-29 撮像装置および内視鏡 WO2017130371A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017563489A JP6655634B2 (ja) 2016-01-29 2016-01-29 撮像装置および内視鏡
PCT/JP2016/052619 WO2017130371A1 (ja) 2016-01-29 2016-01-29 撮像装置および内視鏡
US16/043,344 US20180325364A1 (en) 2016-01-29 2018-07-24 Image pickup apparatus and endoscope

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2016/052619 WO2017130371A1 (ja) 2016-01-29 2016-01-29 撮像装置および内視鏡

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US16/043,344 Continuation US20180325364A1 (en) 2016-01-29 2018-07-24 Image pickup apparatus and endoscope

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2017130371A1 true WO2017130371A1 (ja) 2017-08-03

Family

ID=59397869

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2016/052619 WO2017130371A1 (ja) 2016-01-29 2016-01-29 撮像装置および内視鏡

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20180325364A1 (ja)
JP (1) JP6655634B2 (ja)
WO (1) WO2017130371A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022501813A (ja) * 2018-11-27 2022-01-06 レイセオン カンパニー 一体化されたキャパシタを備える積層型センサ

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWM576855U (zh) * 2018-12-12 2019-04-21 榮晶生物科技股份有限公司 Endoscope device and its cable assembly
TWI733074B (zh) * 2019-01-09 2021-07-11 榮晶生物科技股份有限公司 微型電子裝置及其電路基板
WO2021152658A1 (ja) * 2020-01-27 2021-08-05 オリンパス株式会社 撮像装置、および、内視鏡

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0946566A (ja) * 1995-08-01 1997-02-14 Olympus Optical Co Ltd 電子内視鏡用固体撮像装置
JPH0964330A (ja) * 1995-08-29 1997-03-07 Olympus Optical Co Ltd 電子内視鏡用固体撮像装置
JPH11271646A (ja) * 1998-03-23 1999-10-08 Olympus Optical Co Ltd 電子内視鏡用固体撮像装置
JP2010263020A (ja) * 2009-04-30 2010-11-18 Panasonic Corp 光学デバイスモジュール
JP2011188375A (ja) * 2010-03-10 2011-09-22 Olympus Corp 撮像装置
JP2013090127A (ja) * 2011-10-18 2013-05-13 Olympus Corp 固体撮像装置および撮像装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4197767B2 (ja) * 1998-07-13 2008-12-17 オリンパス株式会社 固体撮像装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0946566A (ja) * 1995-08-01 1997-02-14 Olympus Optical Co Ltd 電子内視鏡用固体撮像装置
JPH0964330A (ja) * 1995-08-29 1997-03-07 Olympus Optical Co Ltd 電子内視鏡用固体撮像装置
JPH11271646A (ja) * 1998-03-23 1999-10-08 Olympus Optical Co Ltd 電子内視鏡用固体撮像装置
JP2010263020A (ja) * 2009-04-30 2010-11-18 Panasonic Corp 光学デバイスモジュール
JP2011188375A (ja) * 2010-03-10 2011-09-22 Olympus Corp 撮像装置
JP2013090127A (ja) * 2011-10-18 2013-05-13 Olympus Corp 固体撮像装置および撮像装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022501813A (ja) * 2018-11-27 2022-01-06 レイセオン カンパニー 一体化されたキャパシタを備える積層型センサ
JP7224444B2 (ja) 2018-11-27 2023-02-17 レイセオン カンパニー 一体化されたキャパシタを備える積層型センサ

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2017130371A1 (ja) 2018-11-22
US20180325364A1 (en) 2018-11-15
JP6655634B2 (ja) 2020-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5945653B1 (ja) 固体撮像装置およびこの固体撮像装置を備えた電子内視鏡
US9462933B2 (en) Image pickup unit for endoscope
WO2016042804A1 (ja) 撮像ユニットおよびこの撮像ユニットを備えた電子内視鏡
JP2011192808A (ja) 撮像モジュール及びその製造方法並びに内視鏡装置
WO2014171482A1 (ja) 撮像装置および電子内視鏡
CN109788892B (zh) 电子电路单元、摄像单元和内窥镜
JP2009082503A (ja) 撮像装置及びその撮像装置を備えた内視鏡
US20180325364A1 (en) Image pickup apparatus and endoscope
WO2019138462A1 (ja) 撮像装置、内視鏡、および、撮像装置の製造方法
US11330972B2 (en) Oblique-viewing endoscope
WO2015019669A1 (ja) 内視鏡用撮像ユニット
WO2019044609A1 (ja) 内視鏡
CN112135557A (zh) 摄像单元和斜视型内窥镜
US9629524B2 (en) Image pickup unit for endoscope having first and second leads with differing distances to image pickup device
JP6630639B2 (ja) 内視鏡
WO2017179104A1 (ja) 半導体素子接合構造、撮像モジュールおよび内視鏡装置
WO2017072862A1 (ja) 撮像ユニットおよび内視鏡
JP6321917B2 (ja) 撮像装置および電子内視鏡
US20210096354A1 (en) Image pickup apparatus, endoscope apparatus, and method of electrical connection to image pickup module in image pickup apparatus
WO2022254573A1 (ja) 撮像ユニット及び内視鏡
JP7029296B2 (ja) 内視鏡の基板ユニット
JP2022179301A (ja) 内視鏡撮像装置及び内視鏡
US11876107B2 (en) Image pickup apparatus for endoscope and endoscope
JP2014210040A (ja) 撮像装置および電子内視鏡
WO2023233524A1 (ja) 撮像ユニット，内視鏡

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 16887958

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2017563489

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 16887958

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1