WO2017094407A1 - 非可逆回路素子、モジュール回路及び通信装置 - Google Patents

Abstract

非可逆回路素子において、磁気回転子の入出力電極の短絡を防止すること。　フェライト（２０）に複数の中心導体が配置されており、かつ、実装面側に複数の接続用電極を有する磁気回転子（１０）と、磁気回転子（１０）に直流磁界を印加する永久磁石（３１）～（３４）と、磁気回転子（１０）の天面側及び実装面側にそれぞれ配置されたヨーク（５１），（５２）と、を備えた非可逆回路素子。磁気回転子（１０）の実装面側に配置されたヨーク（５２）は、スリット（５４）によって少なくとも三つのセグメントに分割されており、磁気回転子（１０）側の面の少なくとも一部とスリットとには感光性のレジスト材（５５）が設けられている。

Description

非可逆回路素子、モジュール回路及び通信装置

　本発明は、非可逆回路素子、特に、マイクロ波帯で使用されるサーキュレータやアイソレータなどの非可逆回路素子に関し、さらに該素子を備えたモジュール回路及び通信装置に関する。

　サーキュレータやアイソレータなどの非可逆回路素子は、予め定められた特定方向にのみ信号を伝送し、逆方向には伝送しない特性を有している。この特性を利用して、例えば、サーキュレータは、携帯電話などの移動体通信機器のフロントエンド回路に使用されている。

　特許文献１には、中心導体を設けたフェライトと永久磁石を含む組立体を実装基板上に搭載した２ポート型アイソレータが記載されている。このアイソレータでは、実装基板の表面に、送信側又は受信側の入出力端子電極とアンテナ端子電極とグランド端子電極とを導体パターンとして形成していた。しかし、これでは、導体パターン間の距離が短く、アイソレータを実装する際のはんだによって端子電極間が短絡してしまうおそれがあった。

特開２００６－２３８２８６号公報

　本発明の目的は、磁気回転子の入出力電極の短絡を防止できる非可逆回路素子、モジュール回路及び通信装置を提供することにある。

　本発明の第１の形態である非可逆回路素子は、
　フェライトに複数の中心導体が配置されており、かつ、実装面側に複数の接続用電極を有する磁気回転子と、
　前記磁気回転子に直流磁界を印加する永久磁石と、
　前記磁気回転子の天面側及び実装面側にそれぞれ配置されたヨークと、
　を備えた非可逆回路素子において、
　前記磁気回転子の実装面側に配置されたヨークは、スリットによって少なくとも三つのセグメントに分割されており、
　前記実装面側に配置されたヨークにおいて、前記磁気回転子側の面の少なくとも一部に前記スリットとには感光性のレジスト材が設けられていること、
　を特徴とする。

　本発明の第２の形態であるモジュール回路は、前記非可逆回路素子が、ランドパターンが設けられた実装基板上に搭載されていること、を特徴とする。

　本発明の第３の形態であるモジュール回路は、
　実装基板上に設けられた複数のランドパターンに非可逆回路素子を搭載したモジュール回路であって、
　前記非可逆回路素子は、
　　フェライトに複数の中心導体が配置されており、かつ、実装面側に複数の接続用電極を有する磁気回転子と、
　　前記磁気回転子に直流磁界を印加する永久磁石と、
　　前記磁気回転子の天面側及び実装面側にそれぞれ配置されたヨークと、
　を備え、
　　前記磁気回転子の前記実装面側に配置されたヨークは、スリットによって少なくとも三つのセグメントに分割されており、
　　前記実装面側に配置されたヨークにおいて、前記磁気回転子側の面の少なくとも一部と前記スリットとには感光性のレジスト材が設けられており、
　　前記各接続用電極と、前記実装面側に配置されたヨークとの間には、第１の開口部が設けられており、
　　前記各セグメントと前記各ランドパターンとの間には、第２の開口部が設けられており、
　　前記磁気回転子に設けた前記各接続用電極と前記各セグメントとは前記第１の開口部を介してはんだで接続されており、
　さらに、前記各セグメントと前記各ランドパターンとは前記第２の開口部を介してはんだで接続されていること、
　を特徴とする。

　本発明の第４の形態であるモジュール回路は、前記非可逆回路素子とパワーアンプとを備えたことを特徴とする。

　本発明の第５の形態である通信装置は、ＲＦＩＣをさらに備えた第４の形態であるモジュール回路とＢＢＩＣを備えたことを特徴とする。

　前記非可逆回路素子にあっては、実装面側に配置されかつスリットで少なくとも三つに分割されたヨークの各セグメントに、磁気回転子の接続用電極（例えば、入出力端子電極、アンテナ端子電極及びグランド端子電極）がそれぞれはんだにて接続される。各セグメントはスリットで分割され、かつ、レジスト材が設けられているため、短絡することが未然に防止されている。また、非可逆回路素子の製造時において、各セグメントはスリットに設けたレジスト材で連結されており、バラけることなく取扱いが容易である。

　本発明によれば、磁気回転子の入出力電極などの短絡が防止される。

一実施例である非可逆回路素子（３ポート型サーキュレータ）を示す等価回路図である。 図１に示したサーキュレータを構成する磁気回転子を示す分解斜視図である。 図１に示したサーキュレータを示し、（Ａ）は立面図、（Ｂ）は天面から見た図、（Ｃ）は実装面から見た図である。 ヨークでのレジスト材の配置の一例を示し、（Ａ）は磁気回転子側を示し、（Ｂ）は実装基板側を示す、さらに（Ｃ）は実装基板を示す斜視図である。 図１に示したサーキュレータの断面図であり、（Ａ）は実装基板に搭載する前の状態を示し、（Ｂ）は実装基板に搭載した状態（モジュール）を示す。 図１に示したサーキュレータにおける非可逆回路素子を集合基板から切り出す製造例の説明図である。 図１に示したサーキュレータのヨークに設けたレジスト材の膜厚とフェライトを通過する磁束密度との関係を示すグラフである。 図７に示したグラフを数値化したテーブル図である。 図１に示したサーキュレータのヨークに形成したスリットの幅寸法とフェライトを通過する磁束密度との関係を示すグラフである。 図９に示したグラフを数値化したテーブル図である。 図１に示したサーキュレータを組み込んだフロントエンド回路及び通信装置を示すブロック図である。 ヨークでのレジスト材の配置の他の例を示す説明図であり、（Ａ）は磁気回転子側を示し、（Ｂ）は実装基板側を示す。

　以下に、非可逆回路素子、モジュール回路及び通信装置の実施例について添付図面を参照して説明する。なお、各図において同じ部材には共通する符号を付し、重複する説明は省略する。

　一実施例である非可逆回路素子１は、図１に示す等価回路を有する集中定数型の３ポート型サーキュレータである。即ち、永久磁石により矢印Ａ方向に直流磁界が印加されるフェライト２０に第１中心導体２１（Ｌ１）、第２中心導体２２（Ｌ２）及び第３中心導体２３（Ｌ３）をそれぞれ絶縁状態で所定の角度で交差させて配置している。第１中心導体２１の一端を第１ポートＰ１、第２中心導体２２の一端を第２ポートＰ２、第３中心導体２３の一端を第３ポートＰ３としている。各中心導体２１，２２，２３のそれぞれの他端はグランドに接続されている。さらに、各中心導体２１，２２，２３に対して容量素子Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３がそれぞれ並列に接続されている。

　ここで、第１中心導体２１の一端を外部接続用電極４１、他端を外部接続用電極４２とし、第２中心導体２２の一端を外部接続用電極４３、他端を外部接続用電極４４とし、第３中心導体２３の一端を外部接続用電極４５、他端を外部接続用電極４６とする。また、この非可逆回路素子１が携帯電話などの送受信回路部に組み込まれる場合、第１ポートＰ１は送信側（ＴＸ）に接続され、第２ポートＰ２は受信側（ＲＸ）に接続され、第３ポートＰ３はアンテナ側（ＡＮＴ）に接続される。

　フロントエンド回路（送受信回路部）における非可逆回路素子１（３ポート型サーキュレータ）の動作は以下のとおりである。即ち、第１ポートＰ１（送信回路ＴＸ）から入力された高周波信号は、第３ポートＰ３（アンテナＡＮＴ）から出力され、第３ポートＰ３（アンテナＡＮＴ）から入力された高周波信号は第２ポートＰ２（受信回路ＲＸ）に入力される。第２ポートＰ２の高周波信号はフロントエンド回路（送受信回路部）で減衰されて第１ポートＰ１に伝達されることはない。

　非可逆回路素子１は、具体的には、図２に示す磁気回転子１０を備えている。この磁気回転子１０は、矩形状のマイクロ波フェライト２０の天面側及び実装面側にガラスを主成分とする絶縁体層１１，１２，１３，１４や各種導体、各種電極を積層したもので、フェライト２０にも天面側及び実装面側に設けた各種導体をコイル状に接続するための複数のスルーホール導体や複数の電極が形成されている。

　詳しくは、第１中心導体２１（Ｌ１）を形成する導体２１ａ，２１ｂ，２１ｃは絶縁体層１２上に形成され、導体２１ｄ，２１ｅは絶縁体層１３とフェライト２０の間に形成されている。導体２１ａの端部は外部引出し部４１ａとされ、導体２１ｃの端部は外部引出し部４２ａとされている。導体２１ａの他端は導体２１ｆを介して導体２１ｄの一端に接続され、該導体２１ｄの他端は導体２１ｇを介して導体２１ｂの一端に接続されている。該導体２１ｂの他端は導体２１ｈを介して導体２１ｅの一端に接続され、該導体２１ｅの他端は導体２１ｉを介して導体２１ｃの一端に接続されている。

　第２中心導体２２（Ｌ２）を形成する導体２２ａ，２２ｂ，２２ｃは絶縁体層１１とフェライト２０の間に形成され、導体２２ｄ，２２ｅは絶縁体層１４の下面に形成されている。導体２２ａの端部は外部引出し部４３ａとされ、導体２２ｃの端部は外部引出し部４４ａとされている。導体２２ａの他端は導体２２ｆを介して導体２２ｄの一端に接続され、該導体２２ｄの他端は導体２２ｇを介して導体２２ｂの一端に接続されている。該導体２２ｂの他端は導体２２ｈを介して導体２２ｅの一端に接続され、該導体２２ｅの他端は導体２２ｉを介して導体２２ｃの一端に接続されている。

　第３中心導体２３（Ｌ３）を形成する導体２３ａ，２３ｂ，２３ｃは絶縁体層１１，１２の間に形成され、導体２３ｄ，２３ｅは絶縁体層１３，１４の間に形成されている。導体２３ａの端部は外部引出し部４６ａとされ、導体２３ｃの端部は外部引出し部４５ａとされている。導体２３ａの他端は導体２３ｆを介して導体２３ｄの一端に接続され、該導体２３ｄの他端は導体２３ｇを介して導体２３ｂの一端に接続されている。該導体２３ｂの他端は導体２３ｈを介して導体２３ｅの一端に接続され、該導体２３ｅの他端は導体２３ｉを介して導体２３ｃの一端に接続されている。

　外部接続用電極４１は導体２１ａの端部である外部引出し部４１ａとそれに接続されている電極によって形成されている。外部接続用電極４２は導体２１ｃの端部である外部引出し部４２ａとそれに接続されている電極によって形成されている。外部接続用電極４３は導体２２ａの端部である外部引出し部４３ａとそれに接続されている電極によって形成されている。外部接続用電極４４は導体２２ｃの端部である外部引出し部４４ａとそれに接続されている電極によって形成されている。外部接続用電極４５は導体２３ｃの端部である外部引出し部４５ａとそれに接続されている電極によって形成されている。外部接続用電極４６は導体２３ａの端部である外部引出し部４６ａとそれに接続されている電極によって形成されている。

　中心導体２１，２２，２３は、Ａｇ、Ｃｕなどの薄膜導体、厚膜導体又は導体箔として形成することができ、感光性の金属ペーストを使用することが好ましい。絶縁体層１１～１４は感光性ガラス、ポリイミドなど絶縁抵抗の高い材料を使用することが好ましい。導体層や絶縁層はフォトリソグラフィやエッチング、印刷などで形成できる。外部接続用電極４１～４６やスルーホール用導体は、好ましくは、Ａｇ，Ｃｕを主成分とする導電性の電極材料（ペースト）を塗布して焼き付け、その表面にＮｉのめっき層を形成し、さらに、Ａｕ，Ｓｎ，Ａｇ，Ｃｕなどのめっき層を形成する。めっきに限定するものではなく、スパッタ処理などであってもよい。一方、容量素子Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３はチップ部品を使用する。

　以上の構成からなる磁気回転子１０は、図３に示すように、四つの側面側に永久磁石３１～３４が配置され、天面側にヨーク５１が配置されるとともに実装面側にヨーク５２が配置されることで非可逆回路素子１とされる。ヨーク５１，５２は、冷間圧延鋼板などの磁性体を素材とすることが望ましく、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの単体金属あるいはこれらを主成分とする合金であってもよい。ヨーク５１，５２の表面には高周波損を低減するためにＡｇやＡｕのめっき層を形成してもよい。磁気回転子１０や永久磁石３１～３４はヨーク５１，５２に挟まれた状態で樹脂６０（図５参照）を接着剤として一体化される。つまり、図３（Ａ）に示されている空隙部分は樹脂６０にて充填される。このように、磁気回転子１０の側面側に永久磁石３１～３４を配置し、上下面をヨーク５１，５２で挟み込んだ構造体を、本明細書においてはフェライト・磁石組立体と称する。

　ところで、実装面側のヨーク５２は、図３（Ｃ）に示すように、スリット５４によって複数のセグメント５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄに分割されており、電極４１（第１ポートＰ１、ＴＸ）はセグメント５２ａに接続され、電極４３（第２ポートＰ２、ＲＸ）はセグメント５２ｂに接続され、電極４５（第３ポートＰ３、ＡＮＴ）はセグメント５２ｃに接続される。また、電極４２，４４，４６（ＧＮＤ）はセグメント５２ｄに接続される。即ち、磁気回転子１０の電極４１～４６は、それぞれ電気的に絶縁状態で分割されたセグメント５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄを介して送信回路、受信回路、アンテナなどに接続される。この意味で、ヨーク５２は磁気回転子１０の接続用端子としても機能する。

　より詳しくは、図３及び図５（Ａ）に示すように、スリット５４によって分割されているヨーク５２には実装面側とその反対側の面（磁気回転子１０側の面）に感光性のソルダーレジスト材５５ａ，５５ｂが設けられ、スリット５４にも感光性のソルダーレジスト材５５ｃが充填されている。レジスト材５５（５５ａ，５５ｂ，５５ｃ）としては、透磁率が約１．０の感光性エポキシ樹脂を好適に用いることができる。図４（Ａ），（Ｂ）において、レジスト材５５には斜線を付して示し、表面のレジスト材５５ｂには磁気回転子１０の実装面側に露出した電極４１～４６（図２参照）とはんだ６１にて接続するための開口部５６が形成されている。裏面のレジスト材５５ａには、図４（Ｃ）に示す実装基板６５のランドパターン６６とはんだ６２にて接続するための開口部５７が形成されている。

　即ち、磁気回転子１０に設けた各接続用電極４１～４６と実装面側に配置されたヨーク５２との間には、開口部５６が設けられている。また、ヨーク５２の各セグメントと実装基板６５上の各ランドパターン６６との間には、開口部５７が設けられている。そして、各接続用電極４１～４６と各セグメントとは開口部５６を介してはんだ６１で接続されている。また、各セグメントと各ランドパターン６６とは開口部５７を介してはんだ６２で接続されている。

　実装面側に配置されたヨーク５２において、磁気回転子１０側の面上に配置されたレジスト材５５ｂが感光性であると、光を照射して開口部５６を設けることができる。はんだ６１はメタルマスクを用いて印刷すればよい。

　開口部５６が設けられていると、開口部５６ではんだ６１の流れが止まるので、溶融したはんだ６１にて接続用電極４１～４６どうしが接続されることがなくなり、電極４１～４６間の短絡を防止することができる。なお、開口部５６を形成するにあたり、少なくとも開口部５６の周囲にはレジスト材が残されている。

　以下に図７を用いて説明するように、レジスト材５５ｂの膜厚が３０μｍを超えると磁束密度が急激に低下する。それゆえ、レジスト材５５ｂの膜厚は３０μｍ以下であることが好ましく、フェライト２０内での磁束密度の急激な低下を抑制し、小型の非可逆回路素子を得ることができる。

　また、前記同様に、実装面側に配置されたヨーク５２において、実装面側の面上に配置されたレジスト材５５ａが感光性であると、光を照射して開口部５７を設けることができる。はんだ６２はメタルマスクを用いて印刷すればよい。

　開口部５７が設けられていると、開口部５７ではんだ６２の流れが止まるので、溶融したはんだ６２にてヨーク５２の各セグメントどうしが接続されることがなくなり、ひいては電極４１～４６間の短絡を防止することができる。なお、開口部５７を形成するにあたり、少なくとも開口部５７の周囲にはレジスト材が残されている。

　ところで、従来の構成のままであると、磁気回転子１０と実装基板６５とを電気的に接続する電極間の距離が短い場合には、実装基板６５上にレジスト材５５がないと、磁気回転子１０を実装基板６５に実装した時点で、電極間が短絡してしまうおそれがある。本実施例では磁気回転子１０と実装基板６５との間にレジスト材５５を介在させることで、電極４１～４６間の短絡を防止できる。

　また、以下に図９を用いて説明するように、スリット５４の幅が０．２０ｍｍを超えると磁束密度が急激に低下する。それゆえ、スリット幅は０．２０ｍｍ以下であることが好ましく、フェライト２０内での磁束密度の急激な低下を抑制し、小型の非可逆回路素子を得ることができる。

　非可逆回路素子１の製造において、フェライト・磁石組立体は、ヨーク５１となる広い面積の集合基板、及び、ヨーク５２となる図６に示す広い面積の集合基板５２Ａの間に、磁気回転子１０と永久磁石３１～３４をマトリクス状に配置し、一点鎖線Ｘ，Ｙに沿って１単位の非可逆回路素子１となるように切り出す。磁気回転子１０の周囲の空間部には樹脂材６０（図５Ａ参照）が充填される。樹脂材６０としては、例えば透磁率が約１．０の熱硬化性エポキシ樹脂が用いられる。樹脂材６０を充填することにより、フェライト・磁石組立体が一体化されるとともに、樹脂材６０が永久磁石３１～３４の角部にも行きわたり永久磁石３１～３４の欠けや割れが未然に防止される。

　前記非可逆回路素子１は、図５（Ｂ）に示すように、実装基板６５上に搭載され、さらに、樹脂材６７で被覆され、モジュール回路２として完成される。この樹脂材６７として例えば熱硬化性エポキシ樹脂を用いることができる。ヨーク５２の実装面側に設けたレジスト材５５ａには実装基板６５上に設けたランドパターン６６とはんだ６２にて接続するための開口部５７が形成されている。

　製造方法を詳述する。まず、冷間圧延鋼板からなるヨーク５２（集合基板５２Ａ）にエッチングでスリット５４を形成し、レジスト材５５を設ける。表面のレジスト材５５ｂには開口部５６を、裏面のレジスト材５５ａには開口部５７をフォトリソ法（露光現像）にて開口する。開口部５６，５７にはＡｕめっきを施す。ヨーク５２の表面にはレジスト材５５ｂが設けられているので、小型の磁気回転子１０であっても電極４１～４６間の絶縁性を確保して実装が可能である。

　次に、開口部５６にはんだ６１を印刷し、永久磁石３１～３４及び磁気回転子１０をヨーク５２（集合基板５２Ａ）上に搭載してはんだ６１を溶融、固化させる。この上に、ヨーク５１となる集合基板を被せ、樹脂材６０を充填し、真空プレス機で封止する。その後、前述のように、一点鎖線Ｘ，Ｙでダイシングし、素子１に個片化する。

　モジュール回路２とするには、さらに、実装基板６５となる集合基板上に素子１と容量素子Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３を搭載し、樹脂材６７でモールドし、再度ダイシングしてモジュール回路２に個片化する。

　以下に、ヨーク５２に設けたレジスト材５５ｂの膜厚、及び、スリット５４の幅寸法について具体的な数値を挙げて説明する。

　まず、ヨーク５２の表面に設けたレジスト材５５ｂの膜厚とフェライト２０内での磁束密度との関係を図７及び図８に示す。図７から明らかなように、膜厚が３０μｍを超えると磁束密度が急激に低下する。それゆえ、レジスト材５５ｂの膜厚は３０μｍ以下であることが好ましく、フェライト２０内での磁束密度の急激な低下を抑制し、小型の非可逆回路素子を得ることができる。

　ヨーク５２を分割するスリット５４の幅とフェライト２０内での磁束密度との関係を図９及び図１０に示す。図９から明らかなように、スリット幅が０．２０ｍｍを超えると磁束密度が急激に低下する。それゆえ、スリット幅は０．２０ｍｍ以下であることが好ましく、フェライト２０内での磁束密度の急激な低下を抑制し、小型の非可逆回路素子を得ることができる。

　次に、通信装置について説明する。図１１に前記非可逆回路素子１を含むフロントエンド回路７０及び該フロントエンド回路７０を含む通信装置（携帯電話）８０を示す。フロントエンド回路７０はアンテナＡＮＴのチューナ７１とＴＸフィルタ回路７２とＲＸフィルタ回路７３との間に前記非可逆回路素子１を挿入したもので、フィルタ回路７２，７３はそれぞれパワーアンプ７４、ローノイズアンプ７５を介してＲＦＩＣ８１に接続されている。なお、フロントエンド回路としてはアンテナＡＮＴ及びチューナ７１を含む場合もあり得る。

　通信装置８０は前記フロントエンド回路７０に対して、ＲＦＩＣ８１、ＢＢＩＣ８２を備え、ＢＢＩＣ８２にはメモリ８３、Ｉ／Ｏ８４、ＣＰＵ８５が接続され、Ｉ／Ｏ８４にはディスプレイ８６などが接続されている。

　次に、前記ヨーク５２に設けられるレジスト材のいま一つの配置例を示す。図１２（Ａ），（Ｂ）に示すように、ヨーク５２には各セグメント５２ａ～５２ｄを分離するスリット５４にレジスト材５５ｃが充填されているとともに、表面側には開口部５６の周囲のみを囲うようにレジスト材５５ｂが配置され、裏面側には開口部５７の周囲のみを囲うようにレジスト材５５ａが配置されている。即ち、レジスト材５５ａ，５５ｂはヨーク５２の磁気回転子１０側の面の少なくとも一部に、及び、実装面側の面の少なくとも一部に、それぞれ設けられていればよい。

　（他の実施例）
　なお、本発明に係る非可逆回路素子、モジュール回路及び通信装置は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。

　例えば、磁気回転子における中心導体の構成や形状、本数などは任意である。特に、実装面側のヨークは少なくとも三つのセグメントに分割されたものであればよい。三つに分割されているとは、例えば、入出力端子電極のいずれかと、アンテナ電極と、グランド電極に分割されることを意味する。また、前記実施例において、磁気回転子は平面視で四角形状のものを示したが、多角形状や円形状などであってもよい。永久磁石の分割形態や配置も任意であり、枠状の１個の磁石であってもよい。容量素子は、チップタイプとして実装基板上に搭載する以外に、実装基板に内蔵した導体で構成してもよい。また、フェライト２０への磁界の印加方向を逆にすると、高周波信号の伝達経路が入れ替わる。

　以上のように、本発明は、非可逆回路素子に有用であり、特に、入出力電極の短絡を防止できる点で優れている。

　　１…非可逆回路素子
　　２…モジュール回路
　　１０…磁気回転子
　　２０…フェライト
　　２１，２２，２３…中心導体
　　３１～３４…永久磁石
　　４１～４６…外部接続電極
　　５１…天面側ヨーク
　　５２…実装面側ヨーク
　　５５…レジスト材
　　５６，５７…開口部
　　６１，６２…はんだ
　　６５…実装基板
　　６６…ランドパターン

Claims (11)

1. 　フェライトに複数の中心導体が配置されており、かつ、実装面側に複数の接続用電極を有する磁気回転子と、
   　前記磁気回転子に直流磁界を印加する永久磁石と、
   　前記磁気回転子の天面側及び実装面側にそれぞれ配置されたヨークと、
   　を備えた非可逆回路素子において、
   　前記磁気回転子の前記実装面側に配置されたヨークは、スリットによって少なくとも三つのセグメントに分割されており、
   　前記実装面側に配置されたヨークにおいて、前記磁気回転子側の面の少なくとも一部と前記スリットとには感光性のレジスト材が設けられていること、
   　を特徴とする非可逆回路素子。
2. 　前記各接続用電極と、前記実装面側に配置されたヨークとの間には、開口部が設けられており、
   　前記磁気回転子に設けた前記各接続用電極と前記各セグメントとは前記開口部を介してはんだで接続されていること、
   　を特徴とする請求項１に記載の非可逆回路素子。
3. 　前記実装面側に配置されたヨークにおける前記磁気回転子側の面には、感光性のレジスト材が設けられていること、を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の非可逆回路素子。
4. 　前記レジスト材はエポキシ系樹脂材であること、を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の非可逆回路素子。
5. 　前記レジスト材の膜厚は３０μｍ以下であること、を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の非可逆回路素子。
6. 　前記スリットの幅は０．２０ｍｍ以下であること、を特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の非可逆回路素子。
7. 　請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の非可逆回路素子が、ランドパターンが設けられた実装基板上に搭載されていること、を特徴とするモジュール回路。
8. 　実装基板上に設けられた複数のランドパターンに非可逆回路素子を搭載したモジュール回路であって、
   　前記非可逆回路素子は、
   　　フェライトに複数の中心導体が配置されており、かつ、実装面側に複数の接続用電極を有する磁気回転子と、
   　　前記磁気回転子に直流磁界を印加する永久磁石と、
   　　前記磁気回転子の天面側及び実装面側にそれぞれ配置されたヨークと、
   　を備え、
   　　前記磁気回転子の前記実装面側に配置されたヨークは、スリットによって少なくとも三つのセグメントに分割されており、
   　　前記実装面側に配置されたヨークにおいて、前記磁気回転子側の面の少なくとも一部と前記スリットとには感光性のレジスト材が設けられており、
   　　前記各接続用電極と、前記実装面側に配置されたヨークとの間には、第１の開口部が設けられており、
   　　前記各セグメントと前記各ランドパターンとの間には、第２の開口部が設けられており、
   　　前記磁気回転子に設けた前記各接続用電極と前記各セグメントとは前記第１の開口部を介してはんだで接続されており、
   　さらに、前記各セグメントと前記各ランドパターンとは前記第２の開口部を介してはんだで接続されていること、
   　を特徴とするモジュール回路。
9. 　請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の非可逆回路素子とパワーアンプとを備えたこと、を特徴とするモジュール回路。
10. 　さらに、ＲＦＩＣを備えたこと、を特徴とする請求項９に記載のモジュール回路。
11. 　請求項１０に記載のモジュール回路とＢＢＩＣとを備えたこと、を特徴とする通信装置。

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