WO2017056691A1 - 炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法、炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素エピタキシャル基板の製造装置 - Google Patents

炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法、炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素エピタキシャル基板の製造装置 Download PDF

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土井　秀之
洋典 伊東
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Definitions

  • the present disclosure relates to a method for manufacturing a silicon carbide epitaxial substrate, a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device, and a device for manufacturing a silicon carbide epitaxial substrate.
  • Patent Document 1 discloses a method of epitaxially growing a silicon carbide layer on a silicon carbide single crystal substrate.
  • the method for manufacturing a silicon carbide epitaxial substrate according to the present disclosure includes the following steps.
  • a silicon carbide single crystal substrate is disposed in the reaction chamber.
  • a silicon carbide layer is formed on the silicon carbide single crystal substrate by supplying a mixed gas containing silane, ammonia, and hydrogen to the reaction chamber.
  • the maximum diameter of the silicon carbide single crystal substrate is 100 mm or more.
  • the first value obtained by dividing the flow rate of silane by the flow rate of hydrogen is expressed as a percentage on the X axis, and the second value expressed in sccm as a second flow rate is used as the Y axis.
  • the first value and the second value belong to a rectangular area surrounded by the first coordinate, the second coordinate, the third coordinate, and the fourth coordinate in the XY plane coordinates.
  • the first coordinate is (0.05, 6.5 ⁇ 10 ⁇ 4 ).
  • the second coordinate is (0.05, 4.5 ⁇ 10 ⁇ 3 ).
  • the third coordinate is (0.22, 1.2 ⁇ 10 ⁇ 2 ).
  • the fourth coordinate is (0.22, 1.3 ⁇ 10 ⁇ 1 ).
  • the average value of the carrier concentration of silicon carbide layer 20 is not less than 1 ⁇ 10 15 cm ⁇ 3 and not more than 2 ⁇ 10 16 cm ⁇ 3 .
  • the silicon carbide epitaxial substrate manufacturing apparatus includes a reaction chamber, a gas supply unit, and a control unit.
  • the reaction chamber is configured to heat the silicon carbide single crystal substrate.
  • the gas supply unit is configured to be able to supply a mixed gas containing silane, ammonia, and hydrogen to the reaction chamber.
  • the control unit is configured to be able to control the flow rate of the mixed gas supplied from the gas supply unit to the reaction chamber.
  • the first coordinate is (0.05, 6.5 ⁇ 10 ⁇ 4 ).
  • the second coordinate is (0.05, 4.5 ⁇ 10 ⁇ 3 ).
  • the third coordinate is (0.22, 1.2 ⁇ 10 ⁇ 2 ).
  • the fourth coordinate is (0.22, 1.3 ⁇ 10 ⁇ 1 ).
  • FIG. 1 is a partial schematic cross-sectional view showing a configuration of a silicon carbide epitaxial substrate manufacturing apparatus according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the SiH 4 flow rate / H 2 flow rate (%) and the NH 3 flow rate (sccm) in the method for manufacturing a silicon carbide epitaxial substrate according to the present embodiment.
  • FIG. 3 is a flowchart schematically showing a method for manufacturing the silicon carbide epitaxial substrate according to the present embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a first step of the method for manufacturing a silicon carbide epitaxial substrate according to this embodiment.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a second step of the method for manufacturing the silicon carbide epitaxial substrate according to the present embodiment.
  • FIG. 6 is a flowchart schematically showing a method for manufacturing the silicon carbide semiconductor device according to the present embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a first step of the method for manufacturing the silicon carbide semiconductor device according to the present embodiment.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a second step of the method for manufacturing the silicon carbide semiconductor device according to this embodiment.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing a third step of the method for manufacturing the silicon carbide semiconductor device according to this embodiment.
  • FIG. 10 is a diagram showing the relationship between the SiH 4 flow rate / H 2 flow rate (%) and the NH 3 flow rate (sccm) in the method for manufacturing a silicon carbide epitaxial substrate according to the evaluation sample.
  • the method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate 100 includes the following steps. Silicon carbide single crystal substrate 10 is arranged in reaction chamber 201. By supplying a mixed gas containing silane, ammonia, and hydrogen to reaction chamber 201, silicon carbide layer 20 is formed on silicon carbide single crystal substrate 10. The maximum diameter of silicon carbide single crystal substrate 10 is 100 mm or more. In the step of forming the silicon carbide layer, the first value obtained by dividing the flow rate of silane by the flow rate of hydrogen is expressed as a percentage on the X axis, and the second value expressed in sccm as a second flow rate is used as the Y axis.
  • the first value and the second value belong to a rectangular area surrounded by the first coordinate, the second coordinate, the third coordinate, and the fourth coordinate in the XY plane coordinates.
  • the first coordinate is (0.05, 6.5 ⁇ 10 ⁇ 4 ).
  • the second coordinate is (0.05, 4.5 ⁇ 10 ⁇ 3 ).
  • the third coordinate is (0.22, 1.2 ⁇ 10 ⁇ 2 ).
  • the fourth coordinate is (0.22, 1.3 ⁇ 10 ⁇ 1 ).
  • the average value of the carrier concentration of silicon carbide layer 20 is not less than 1 ⁇ 10 15 cm ⁇ 3 and not more than 2 ⁇ 10 16 cm ⁇ 3 .
  • the unit of flow rate “sccm (standard cc / minute)” indicates the flow rate “cc / min” in the standard state (0 ° C., 101.3 kPa).
  • a silicon carbide epitaxial substrate used for manufacturing a silicon carbide semiconductor device has an in-plane uniformity of good carrier concentration and a silicon carbide layer while maintaining an average carrier concentration within a certain range required for a silicon carbide semiconductor device. It is required to realize good flatness of the surface. In recent years, in addition to the realization of the above characteristics, it is required to increase the growth rate of the silicon carbide layer.
  • concentration of a silicon carbide layer may be unable to satisfy
  • silane is used as the source gas
  • hydrogen is used as the carrier gas
  • ammonia is used as the dopant gas
  • the silane flow rate / hydrogen flow rate and the ammonia flow rate are controlled within a certain range.
  • the flow rate of silane, the flow rate of hydrogen, so that the value and the second value belong to a rectangular region surrounded by the first coordinate, the second coordinate, the third coordinate, and the fourth coordinate in the XY plane coordinates The flow rate of ammonia is controlled.
  • reaction chamber 201 is positioned on first heating region 213 on silicon carbide single crystal substrate 10 and upstream of first heating region 213.
  • the second heating region 214 may be included.
  • the temperature of second heating region 214 may be equal to or higher than the decomposition temperature of ammonia.
  • the length of the second heating region 214 is 60 mm or more in the flow direction of the mixed gas.
  • the method for manufacturing the silicon carbide semiconductor device 300 according to the present disclosure includes the following steps.
  • a silicon carbide epitaxial substrate manufactured by the method described in any one of (1) to (3) above is prepared.
  • a silicon carbide epitaxial substrate is processed.
  • Silicon carbide epitaxial substrate 100 manufacturing apparatus 200 includes reaction chamber 201, gas supply unit 235, and control unit 245.
  • Reaction chamber 201 is configured to heat silicon carbide single crystal substrate 10.
  • the gas supply unit 235 is configured to be able to supply a mixed gas containing silane, ammonia, and hydrogen to the reaction chamber 201.
  • the control unit 245 is configured to be able to control the flow rate of the mixed gas supplied from the gas supply unit 235 to the reaction chamber 201.
  • the silane flow rate, the ammonia flow rate, and the hydrogen flow rate are such that the value and the second value belong to a rectangular area surrounded by the first coordinate, the second coordinate, the third coordinate, and the fourth coordinate in the XY plane coordinates.
  • the flow rate can be controlled.
  • the first coordinate is (0.05, 6.5 ⁇ 10 ⁇ 4 ).
  • the second coordinate is (0.05, 4.5 ⁇ 10 ⁇ 3 ).
  • the third coordinate is (0.22, 1.2 ⁇ 10 ⁇ 2 ).
  • the fourth coordinate is (0.22, 1.3 ⁇ 10 ⁇ 1 ).
  • reaction chamber 201 includes first heating region 213 and first heating region 213 on the region where silicon carbide single crystal substrate 10 is disposed.
  • region 214 located in an upstream rather than may be included.
  • region 214 may be comprised so that heating to the temperature more than the decomposition temperature of ammonia is possible.
  • the length of the second heating region 214 in the mixed gas flow direction may be 60 mm or more.
  • Silicon carbide epitaxial substrate manufacturing equipment The configuration of manufacturing apparatus 200 for silicon carbide epitaxial substrate 100 according to the present embodiment will be described.
  • the manufacturing apparatus 200 is, for example, a hot wall type horizontal CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus.
  • the manufacturing apparatus 200 mainly includes a reaction chamber 201, a gas supply unit 235, a control unit 245, a heating element 203, a quartz tube 204, a heat insulating material 205, and an induction heating coil 206.
  • the heating element 203 has a cylindrical shape, for example, and forms a reaction chamber 201 inside.
  • the heating element 203 is made of, for example, graphite.
  • the heat insulating material 205 surrounds the outer periphery of the heating element 203.
  • the heat insulating material 205 is provided inside the quartz tube 204 so as to contact the inner peripheral surface of the quartz tube 204.
  • the induction heating coil 206 is wound, for example, along the outer peripheral surface of the quartz tube 204.
  • the induction heating coil 206 is configured to be able to supply an alternating current by an external power source (not shown). Thereby, the heating element 203 is induction-heated. As a result, the reaction chamber 201 is heated by the heating element 203.
  • the reaction chamber 201 is a space formed by being surrounded by the heating element 203. Silicon carbide single crystal substrate 10 is arranged in reaction chamber 201. Reaction chamber 201 is configured to heat silicon carbide single crystal substrate 10. The maximum diameter of the silicon carbide single crystal substrate is 100 mm or more. Reaction chamber 201 is provided with a susceptor plate 210 that holds silicon carbide single crystal substrate 10. The susceptor plate 210 is configured to be able to rotate around the rotation shaft 212.
  • the manufacturing apparatus 200 further includes a gas introduction port 207 and a gas exhaust port 208.
  • the gas exhaust port 208 is connected to an exhaust pump (not shown).
  • the arrows in FIG. 1 indicate the gas flow.
  • the gas is introduced into the reaction chamber 201 from the gas introduction port 207 and exhausted from the gas exhaust port 208.
  • the pressure in the reaction chamber 201 is adjusted by the balance between the gas supply amount and the gas exhaust amount.
  • the manufacturing apparatus 200 may further include a heating unit 211 located between the gas inlet 207 and the heating element 203.
  • the heating unit 211 is located upstream of the heating element 203.
  • the heating element 203 may be configured to be heated to about 1100 ° C. to 1350 ° C., for example.
  • the gas supply unit 235 is configured to be able to supply the reaction chamber 201 with a mixed gas containing silane, ammonia, and a gas containing hydrogen and carbon atoms.
  • the gas supply unit 235 may include a first gas supply unit 231, a second gas supply unit 232, a third gas supply unit 233, and a carrier gas supply unit 234.
  • the first gas supply unit 231 is configured to be able to supply a first gas containing carbon atoms.
  • the first gas supply unit 231 is, for example, a gas cylinder filled with the first gas.
  • the first gas is, for example, propane (C 3 H 8 ) gas.
  • the first gas may be, for example, methane (CH 4 ) gas, ethane (C 2 H 6 ) gas, acetylene (C 2 H 2 ) gas, or the like.
  • the second gas supply unit 232 is configured to be able to supply a second gas containing a silane gas.
  • the second gas supply unit 232 is, for example, a gas cylinder filled with the second gas.
  • the second gas is, for example, silane (SiH 4) gas.
  • the second gas may be a mixed gas of silane gas and a gas other than silane.
  • the third gas supply unit 233 is configured to be able to supply a third gas containing ammonia gas.
  • the third gas supply unit 233 is, for example, a gas cylinder filled with a third gas.
  • the third gas is a doping gas containing N (nitrogen atoms). Ammonia gas is more easily pyrolyzed than nitrogen gas having a triple bond. By using ammonia gas, improvement in the in-plane uniformity of the carrier concentration can be expected.
  • the carrier gas supply unit 234 is configured to be able to supply a carrier gas such as hydrogen.
  • the carrier gas supply unit 234 is a gas cylinder filled with hydrogen, for example.
  • the control unit 245 is configured to be able to control the flow rate of the mixed gas supplied from the gas supply unit 235 to the reaction chamber 201.
  • the controller 245 may include a first gas flow controller 241, a second gas flow controller 242, a third gas flow controller 243, and a carrier gas flow controller 244. .
  • Each control unit may be, for example, an MFC (Mass Flow Controller).
  • the control unit 245 is disposed between the gas supply unit 235 and the gas inlet 207. In other words, the control unit 245 is disposed in a flow path that connects the gas supply unit 235 and the gas introduction port 207.
  • reaction chamber 201 includes a first heating region 213 on a region where silicon carbide single crystal substrate 10 is disposed, and a second heating region 214 located upstream from first heating region 213. It is out.
  • the second heating region 214 has an upstream silicon carbide from the upstream boundary between the heat insulating material 205 and the heating element 203 in the mixed gas flow direction (the axial direction of the reaction chamber 201). This is the region up to the end of the region where the single crystal substrate 10 is disposed.
  • the boundary between the second heating region 214 and the first heating region 213 may be the side surface on the upstream side of the recess provided in the susceptor plate 210.
  • the downstream end of the first heating region 213 may be a downstream boundary between the heat insulating material 205 and the heating element 203.
  • the winding density of the induction heating coil 206 may be changed.
  • the winding density [times / m] is the number of coil turns per unit length in the axial direction of the apparatus.
  • the winding density of the upstream induction heating coil 206 may be higher than the winding density of the downstream induction heating coil 206. Good.
  • the second heating region 214 may be configured to be able to be heated to a temperature equal to or higher than the decomposition temperature of ammonia.
  • the decomposition temperature of ammonia is, for example, 500 ° C.
  • region 214 is measurable with a radiation thermometer, for example.
  • the temperature of the portion of the heating element 203 constituting the second heating region 214 is, for example, 1580 ° C.
  • the length 222 of the second heating region 214 may be 60 mm or more, 70 mm or more, 80 mm or more, and preferably 100 mm or less.
  • the length 221 of the first heating region 213 may be larger than the length 222 of the second heating region 214.
  • the value obtained by dividing the flow rate of silane by the flow rate of hydrogen as a percentage is the X axis, and the flow rate of ammonia is expressed in sccm (second value). Is the Y axis.
  • the control unit 245 has a quadrangular region in which the first value (%) and the second value (sccm) are surrounded by the first coordinate, the second coordinate, the third coordinate, and the fourth coordinate in the XY plane coordinates (FIG. 2).
  • the flow rate of silane, the flow rate of ammonia, and the flow rate of hydrogen are configured to be controllable so as to belong to the region indicated by hatching in FIG.
  • the first coordinates (X1, Y1) are (0.05, 6.5 ⁇ 10 ⁇ 4 ).
  • the second coordinate (X2, Y2) is (0.05, 4.5 ⁇ 10 ⁇ 3 ).
  • the third coordinate (X3, Y3) is (0.22, 1.2 ⁇ 10 ⁇ 2 ).
  • the fourth coordinate (X4, Y4) is (0.22, 1.3 ⁇ 10 ⁇ 1 ).
  • the control unit 245 can control, for example, the carrier gas flow rate control unit 244 configured to be controllable so that the flow rate of the carrier gas (hydrogen) becomes 100 slm, and the flow rate of the second gas (silane gas) to 150 sccm. And a third gas flow rate controller 243 configured to be controllable so that the flow rate of the third gas (ammonia gas) is 1.1 ⁇ 10 ⁇ 2 sccm. Including. In this case, the value obtained by dividing the flow rate of silane by the flow rate of hydrogen as a percentage is 0.15%.
  • the value obtained by dividing the flow rate of silane by the flow rate of hydrogen (first value) and the value (second value) in which the flow rate of ammonia is expressed in sccm (second value) are indicated by hatching in FIG. Belongs to the area.
  • a step of placing a silicon carbide single crystal substrate in the reaction chamber is performed.
  • a silicon carbide single crystal of polytype 6H is manufactured by a sublimation method.
  • silicon carbide single crystal substrate 10 is prepared by slicing the silicon carbide single crystal with, for example, a wire saw (see FIG. 4).
  • Silicon carbide single crystal substrate 10 has a first main surface 41 and a second main surface 42 opposite to the first main surface 41.
  • the polytype of the silicon carbide single crystal is, for example, 4H—SiC. 4H—SiC is superior to other polytypes in terms of electron mobility, dielectric breakdown field strength, and the like.
  • Silicon carbide single crystal substrate 10 contains an n-type impurity such as nitrogen, for example.
  • Silicon carbide single crystal substrate 10 has an n-type conductivity, for example.
  • the first main surface 41 is, for example, a surface inclined by an angle of 8 ° or less from the ⁇ 0001 ⁇ plane or the ⁇ 0001 ⁇ plane.
  • the first principal surface 41 may be a (0001) plane or a plane inclined by an angle of 8 ° or less from the (0001) plane, or a (000-1) plane or (000-1).
  • the surface may be inclined by an angle of 8 ° or less from the surface.
  • the inclination direction of the normal line of the first main surface 41 is, for example, the ⁇ 11-20> direction.
  • the inclination angle (off angle) from the ⁇ 0001 ⁇ plane may be 1 ° or more, or 2 ° or more.
  • the off-angle may be 7 ° or less, 6 ° or less, or 4 ° or less.
  • the maximum diameter (diameter) of first main surface 41 of silicon carbide single crystal substrate 10 is 100 mm or more.
  • the diameter may be 150 mm or more, 200 mm or more, or 250 mm or more.
  • the upper limit of the diameter is not particularly limited, but the upper limit of the diameter may be 300 mm, for example.
  • silicon carbide layer 20 is formed by epitaxial growth on silicon carbide single crystal substrate 10 using manufacturing apparatus 200 described above.
  • the pressure in the reaction chamber 201 is reduced from atmospheric pressure to about 1 ⁇ 10 ⁇ 6 Pa
  • the temperature rise of the silicon carbide single crystal substrate 10 is started.
  • hydrogen (H 2 ) gas which is a carrier gas
  • the flow rate of hydrogen gas is adjusted by the carrier gas flow rate control unit 244.
  • a source gas, a dopant gas, and a carrier gas are supplied to the reaction chamber 201.
  • a source gas, a dopant gas, and a carrier gas are supplied to the reaction chamber 201.
  • a mixed gas containing silane, ammonia, hydrogen, and propane are supplied to reaction chamber 201.
  • each gas is thermally decomposed to form silicon carbide layer 20 on silicon carbide single crystal substrate 10. Is done.
  • the C / Si ratio of the mixed gas may be 1.0, for example.
  • the value obtained by dividing the flow rate of silane by the flow rate of hydrogen as a percentage is the X axis, and the flow rate of ammonia is expressed in sccm (second value). Is the Y axis.
  • the first value and the second value are rectangular regions surrounded by the first coordinate, the second coordinate, the third coordinate, and the fourth coordinate in the XY plane coordinates (hatching in FIG. 2).
  • the first coordinates (X1, Y1) are (0.05, 6.5 ⁇ 10 ⁇ 4 ).
  • the second coordinate (X2, Y2) is (0.05, 4.5 ⁇ 10 ⁇ 3 ).
  • the third coordinate (X3, Y3) is (0.22, 1.2 ⁇ 10 ⁇ 2 ).
  • the fourth coordinate (X4, Y4) is (0.22, 1.3 ⁇ 10 ⁇ 1 ).
  • the carrier gas flow rate controller 244 is used to adjust the flow rate of the carrier gas (hydrogen) supplied to the reaction chamber 201 to 100 slm.
  • the flow rate of the second gas (silane gas) supplied to the reaction chamber 201 is adjusted to 150 sccm.
  • the third gas flow rate control unit 243 is used to adjust the flow rate of the third gas (ammonia gas) to 1.1 ⁇ 10 ⁇ 2 sccm. In this case, the value obtained by dividing the flow rate of silane by the flow rate of hydrogen as a percentage is 0.15%.
  • the value obtained by dividing the flow rate of silane by the flow rate of hydrogen (first value) and the value (second value) in which the flow rate of ammonia is expressed in sccm (second value) are indicated by hatching in FIG. Belongs to the area.
  • the flow rate (sccm) of ammonia may be 6.5 ⁇ 10 ⁇ 4 or more, 4.5 ⁇ 10 ⁇ 3 or more, or 1.1 ⁇ 10 ⁇ 2 or more. It may be 1.2 ⁇ 10 ⁇ 2 or more.
  • the flow rate (sccm) of ammonia may be, for example, 1.3 ⁇ 10 ⁇ 1 or less.
  • a value (%) obtained by dividing the silane flow rate by the hydrogen flow rate as a percentage (%) may be 0.05 or more, or 0.15 or more.
  • a value (%) expressed as a percentage obtained by dividing the flow rate of silane by the flow rate of hydrogen may be 0.22 or less, for example.
  • the flow rate of silane may be, for example, 30 sccm or more and 200 sccm or less.
  • the flow rate of hydrogen may be, for example, 80 slm or more and 140 slm or less.
  • the growth rate of silicon carbide layer 20 may be 8 ⁇ m / h or more, 15 ⁇ m / h or more, 25 ⁇ m / h or more, or 33 ⁇ m / h or more. Good.
  • the growth rate of silicon carbide layer 20 may be 50 ⁇ m / h or less.
  • the growth rate of the silicon carbide layer 20 can be determined by the flow rate of hydrogen relative to the flow rate of silane. Since silane is a source gas, the growth rate of the silicon carbide layer increases as the flow rate of silane increases. On the other hand, since hydrogen has a property of etching silicon carbide, the growth rate of the silicon carbide layer decreases as the flow rate of hydrogen increases.
  • the reaction chamber 201 may include the first heating region 213 on the silicon carbide single crystal substrate 10 and the second heating region 214 located on the upstream side of the first heating region 213.
  • the temperature of second heating region 214 may be equal to or higher than the decomposition temperature of ammonia.
  • the length of the second heating region 214 may be 60 mm or more.
  • silicon carbide layer 20 is formed on silicon carbide single crystal substrate 10 by supplying a mixed gas of silane, propane, ammonia and hydrogen to reaction chamber 201.
  • methane (CH 4 ), ethane (C 2 H 6 ), acetylene (C 2 H 2 ), or the like may be used instead of propane.
  • the silicon carbide single crystal substrate 10 may rotate around the rotation shaft 212.
  • silicon carbide epitaxial substrate 100 see FIG. 5) including silicon carbide single crystal substrate 10 and silicon carbide layer 20 is manufactured.
  • Silicon carbide layer 20 has a fourth main surface 44 in contact with silicon carbide single crystal substrate 10 and a third main surface 43 opposite to fourth main surface 44.
  • silicon carbide epitaxial substrate 100 manufactured by the above method in-plane uniformity of the carrier concentration in silicon carbide layer 20 is improved while maintaining the average value of the carrier concentration of silicon carbide layer 20 within a certain concentration range. And the root mean square deviation (Sq) of the surface of the silicon carbide layer 20 can be reduced.
  • the average value of the carrier concentration of silicon carbide layer 20 is not less than 1 ⁇ 10 15 cm ⁇ 3 and not more than 2 ⁇ 10 16 cm ⁇ 3 .
  • the in-plane uniformity of the carrier concentration is, for example, 6% or less.
  • the in-plane uniformity of the carrier concentration is a percentage notation of a value obtained by dividing the standard deviation of the carrier concentration by the average value of the carrier concentration.
  • the carrier concentration can be measured by, for example, a mercury probe type CV measuring device. Specifically, one probe is arranged on third main surface 43 of silicon carbide layer 20, and the other probe is arranged on second main surface 42 of silicon carbide single crystal substrate 10. The area of one probe is, for example, 0.01 cm 2 .
  • a voltage is applied between one probe and the other probe, and the capacitance between one probe and the other probe is measured.
  • the vertical axis is 1 / C 2 (reciprocal of the square of capacitance), the horizontal axis is V (voltage), and the carrier concentration is determined from the slope of the straight line of the measurement data.
  • the measurement depth of the carrier concentration is adjusted by the applied voltage.
  • the carrier concentration in the region of silicon carbide layer 20 that is within about 10 ⁇ m from third main surface 43 toward second main surface 42 is measured.
  • the root mean square deviation (Sq) of the third main surface 43 is, for example, 0.4 nm or less.
  • the root mean square deviation (Sq) is a parameter obtained by extending the root mean square roughness (Rq) to three dimensions.
  • the root mean square deviation (Sq) can be measured, for example, with a white interference microscope.
  • the measurement area of the root mean square deviation (Sq) can be a square area with a side of 250 ⁇ m.
  • the method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device mainly includes an epitaxial substrate preparation step (S10: FIG. 6) and a substrate processing step (S20: FIG. 6).
  • an epitaxial substrate preparation step (S10: FIG. 6) is performed. Specifically, silicon carbide epitaxial substrate 100 is prepared by the above-described method for manufacturing a silicon carbide epitaxial substrate (see FIG. 5).
  • a substrate processing step (S20: FIG. 6) is performed.
  • a silicon carbide semiconductor device is manufactured by processing a silicon carbide epitaxial substrate.
  • “Processing” includes, for example, various processes such as ion implantation, heat treatment, etching, oxide film formation, electrode formation, and dicing. That is, the substrate processing step may include at least one of ion implantation, heat treatment, etching, oxide film formation, electrode formation, and dicing.
  • the substrate processing step (S20: FIG. 6) includes an ion implantation step (S21: FIG. 6), an oxide film formation step (S22: FIG. 6), an electrode formation step (S23: FIG. 6), and a dicing step (S24: FIG. 6). including.
  • an ion implantation step (S21: FIG. 6) is performed.
  • a p-type impurity such as aluminum (Al) is implanted into the third main surface 43 on which a mask (not shown) having an opening is formed.
  • body region 132 having p-type conductivity is formed.
  • an n-type impurity such as phosphorus (P) is implanted into a predetermined position in body region 132.
  • a source region 133 having n-type conductivity is formed.
  • a p-type impurity such as aluminum is implanted into a predetermined position in the source region 133.
  • a contact region 134 having a p-type conductivity is formed (see FIG. 7).
  • Source region 133 is separated from drift region 131 by body region 132.
  • Ion implantation may be performed by heating silicon carbide epitaxial substrate 100 to about 300 ° C. or more and 600 ° C. or less. After the ion implantation, activation annealing is performed on silicon carbide epitaxial substrate 100. By the activation annealing, the impurities injected into the silicon carbide layer 20 are activated, and carriers are generated in each region.
  • the atmosphere of activation annealing may be, for example, an argon (Ar) atmosphere.
  • the activation annealing temperature may be about 1800 ° C., for example.
  • the activation annealing time may be about 30 minutes, for example.
  • oxide film forming step (S22: FIG. 6) is performed.
  • silicon carbide epitaxial substrate 100 is heated in an atmosphere containing oxygen, whereby oxide film 136 is formed on third main surface 43 (see FIG. 8).
  • Oxide film 136 is made of, for example, silicon dioxide (SiO 2 ).
  • the oxide film 136 functions as a gate insulating film.
  • the temperature of the thermal oxidation treatment may be about 1300 ° C., for example.
  • the thermal oxidation treatment time may be about 30 minutes, for example.
  • heat treatment may be performed in a nitrogen atmosphere.
  • the heat treatment may be performed at about 1100 ° C. for about 1 hour in an atmosphere such as nitric oxide (NO) or nitrous oxide (N 2 O).
  • heat treatment may be performed in an argon atmosphere.
  • the heat treatment may be performed in an argon atmosphere at about 1100 to 1500 ° C. for about 1 hour.
  • the first electrode 141 is formed on the oxide film 136.
  • the first electrode 141 functions as a gate electrode.
  • the first electrode 141 is formed by, for example, a CVD method.
  • the first electrode 141 is made of, for example, polysilicon containing impurities and having conductivity.
  • the first electrode 141 is formed at a position facing the source region 133 and the body region 132.
  • Interlayer insulating film 137 covering the first electrode 141 is formed.
  • Interlayer insulating film 137 is formed by, for example, a CVD method.
  • Interlayer insulating film 137 is made of, for example, silicon dioxide.
  • the interlayer insulating film 137 is formed so as to be in contact with the first electrode 141 and the oxide film 136.
  • the oxide film 136 and the interlayer insulating film 137 at predetermined positions are removed by etching. As a result, the source region 133 and the contact region 134 are exposed from the oxide film 136.
  • the second electrode 142 is formed on the exposed portion by sputtering.
  • the second electrode 142 functions as a source electrode.
  • Second electrode 142 is made of, for example, titanium, aluminum, silicon, or the like.
  • second electrode 142 and silicon carbide epitaxial substrate 100 are heated at a temperature of about 900 to 1100 ° C., for example. Thereby, second electrode 142 and silicon carbide epitaxial substrate 100 come into ohmic contact.
  • the wiring layer 138 is formed so as to be in contact with the second electrode 142.
  • the wiring layer 138 is made of a material containing aluminum, for example.
  • the third electrode 143 is formed on the second main surface 42.
  • the third electrode 143 functions as a drain electrode.
  • Third electrode 143 is made of, for example, an alloy containing nickel and silicon (eg, NiSi).
  • a dicing step (S24: FIG. 6) is performed.
  • silicon carbide epitaxial substrate 100 is diced along a dicing line, whereby silicon carbide epitaxial substrate 100 is divided into a plurality of semiconductor chips.
  • silicon carbide semiconductor device 300 is manufactured (see FIG. 9).
  • the method for manufacturing the silicon carbide semiconductor device according to the present disclosure has been described by exemplifying the MOSFET, but the manufacturing method according to the present disclosure is not limited to this.
  • the manufacturing method according to the present disclosure is applicable to various silicon carbide semiconductor devices such as IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), SBD (Schottky Barrier Diode), thyristor, GTO (Gate Turn Off thyristor), and PiN diode.
  • IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor
  • SBD Schottky Barrier Diode
  • thyristor thyristor
  • GTO Gate Turn Off thyristor
  • PiN diode PiN diode
  • the growth rate of the silicon layer is 8 ⁇ m / h.
  • the SiH 4 flow rate / H 2 flow rate is 0.22%, and the NH 3 flow rate is 1.2 ⁇ 10 ⁇ 2 ⁇ 20% (sccm).
  • the growth rate of the silicon layer is 50 ⁇ m / h.
  • the SiH 4 flow rate / H 2 flow rate is 0.22% and the NH 3 flow rate is 1.3 ⁇ 10 ⁇ 1 ⁇ 20% (sccm) in the manufacturing process of the silicon carbide epitaxial substrate according to Sample 4, and the carbonization is performed.
  • the growth rate of the silicon layer is 50 ⁇ m / h.
  • the SiH 4 flow rate / H 2 flow rate is 0.15%, and the NH 3 flow rate is 1.1 ⁇ 10 ⁇ 2 ⁇ 20% (sccm).
  • the growth rate of the silicon layer is 33 ⁇ m / h.
  • the SiH 4 flow rate / H 2 flow rate is 0.03%, the NH 3 flow rate is 8 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ 20% (sccm), and the silicon carbide layer The growth rate is about 2 ⁇ m / h.
  • the SiH 4 flow rate / H 2 flow rate is 0.37%, the NH 3 flow rate is 7 ⁇ 10 ⁇ 2 ⁇ 20% (sccm), and the silicon carbide layer The growth rate is 90 ⁇ m / h.
  • the SiH 4 flow rate / H 2 flow rate is 0.12%
  • the NH 3 flow rate is 9 ⁇ 10 ⁇ 2 ⁇ 20% (sccm)
  • the silicon carbide layer The growth rate is 25 ⁇ m / h.
  • the SiH 4 flow rate / H 2 flow rate is 0.12%
  • the NH 3 flow rate is 1 ⁇ 10 ⁇ 3 ⁇ 20% (sccm)
  • the silicon carbide layer The growth rate is 25 ⁇ m / h.
  • the H 2 flow rate was 120 slm
  • the SiH 4 flow rate was changed to change the SiH 4 flow rate / H 2 flow rate.
  • the carrier concentration of silicon carbide layer 20 of silicon carbide epitaxial substrate 100 according to samples 1 to 9 was measured by a mercury probe type CV measuring apparatus.
  • the carrier concentration was measured in a region within a radius of 60 mm from the center of the third main surface 43.
  • the measurement points of the carrier concentration are a plurality of positions arranged at almost equal intervals on a straight line passing through the center of the third main surface 43 and parallel to the radial direction and a straight line perpendicular to the straight line.
  • the measurement position of the carrier concentration is the center of the third main surface 43 and a position away from the center by 10 mm, 20 mm, 30 mm, 40 mm, 50 mm and 60 mm in the radial direction.
  • the in-plane uniformity of the carrier concentration was calculated by dividing the standard deviation of the carrier concentration by the average value of the carrier concentration.
  • the area of the mercury probe is, for example, 0.01 cm 2 .
  • the root mean square deviation (Sq) in the central region of the third main surface 43 was measured.
  • the measurement area of the root mean square deviation is a square area with a side of 250 ⁇ m.
  • the measurement position of the root mean square deviation is the center of the third main surface 43 and a position 50 mm away from the center in the radial direction.
  • Table 1 the range of Sq is shown.
  • FIG. 10 is a diagram plotted in XY plane coordinates with SiH 4 / H 2 as the X axis and NH 3 as the Y axis in the manufacturing steps of the silicon carbide epitaxial substrates according to Samples 1 to 9. Coordinates 101 to 109 correspond to the method for manufacturing a silicon carbide epitaxial substrate according to samples 1 to 9, respectively.
  • the in-plane uniformity of the carrier concentration in the silicon carbide layers of the silicon carbide epitaxial substrates according to Samples 1 to 9 is less than 6%, less than 6%, less than 3%, and less than 3%, respectively. Less than 2%, about 7%, less than 3%, less than 2% and less than 6%.
  • the root mean square deviations (Sq) of the third surfaces of the silicon carbide layers of the silicon carbide epitaxial substrates according to Samples 1 to 9 are 0.1 to 0.4 nm, 0.1 to 0.4 nm, and 0.1 to 0.4, respectively.
  • the average carrier concentration in the silicon carbide layer of the silicon carbide epitaxial substrate according to Samples 1 to 9 is 1 ⁇ 10 15 cm ⁇ 3 , 2 ⁇ 10 16 cm ⁇ 3 , 1 ⁇ 10 15 cm ⁇ 3 , 2 ⁇ 10 16 cm. ⁇ 3 , 3 ⁇ 10 15 cm ⁇ 3 , 3 ⁇ 10 15 cm ⁇ 3 , 3 ⁇ 10 15 cm ⁇ 3 , more than 3 ⁇ 10 16 cm ⁇ 3 and less than 1 ⁇ 10 15 cm ⁇ 3 .
  • the silicon carbide epitaxial substrates according to Samples 1 to 5 have an average carrier concentration of 1 ⁇ 10 15 cm ⁇ 3 or more and 2 ⁇ 10 16 cm ⁇ 3 or less, and the carrier concentration uniformity value is It was 6% or less, the growth rate was 8 ⁇ m / h or more, and the root mean square deviation (Sq) was 0.4 nm or less. Under the manufacturing conditions of the silicon carbide epitaxial substrate according to Sample 6, the growth rate was 2 ⁇ m / h, and high-speed growth could not be realized. In addition, the silicon carbide epitaxial substrate according to Sample 6 had an in-plane uniformity value of carrier concentration of about 7%, and the carrier concentration was not sufficiently uniform in the plane.
  • the silicon carbide epitaxial substrate according to Sample 7 had a root mean square deviation (Sq) larger than 0.8 nm, and the flatness was not sufficiently high.
  • the average carrier concentration was larger than 2 ⁇ 10 16 cm ⁇ 3 , and the range of the average carrier concentration required for the power device could not be realized.
  • the average carrier concentration was smaller than 1 ⁇ 10 15 cm ⁇ 3 , and the range of average carrier concentration required for the power device could not be realized.
  • the silicon carbide epitaxial substrates according to Samples 1 to 5 have good carrier concentration while maintaining the average carrier concentration of 1 ⁇ 10 15 cm ⁇ 3 or more and 2 ⁇ 10 16 cm ⁇ 3 or less. In-plane uniformity, high growth rate, and good flatness were achieved.
  • the value obtained by dividing the flow rate of silane by the flow rate of hydrogen (percentage value) and the value (second value) where the flow rate of ammonia is expressed in sccm. The flow rate of silane, hydrogen, and the like so as to belong to a rectangular area (hatched area in FIG.
  • silicon carbide single crystal substrate 20 silicon carbide layer, 41 first main surface, 42 second main surface, 43 third main surface, 44 fourth main surface, 100 silicon carbide epitaxial substrate, 131 drift region, 132 body region, 133 source region, 134 contact region, 136 oxide film, 137 interlayer insulating film, 138 wiring layer, 141 first electrode, 142 second electrode, 143 third electrode, 200 manufacturing equipment, 201 reaction chamber, 203 heating element, 204 quartz Pipe, 205 heat insulating material, 206 induction heating coil, 207 gas introduction port, 208 gas exhaust port, 210 susceptor plate, 211 heating unit, 212 rotating shaft, 213 first heating region, 214 second heating region, 221, 222 length 231 1st gas supply part, 232 2nd gas supply part, 233 1st Gas supply unit, 234 carrier gas supply unit, 235 gas supply unit, 241 first gas flow rate control unit, 242 second gas flow rate control unit, 243 third gas flow rate control unit, 244 carrier gas flow rate control unit, 245 control

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Abstract

炭化珪素層を形成する工程において、シランの流量を水素の流量で除した値を百分率表記した第１値をＸ軸とし、アンモニアの流量をｓｃｃｍを単位として表記した第２値をＹ軸としたとき、第１値および第２値は、ＸＹ平面座標における、第１座標、第２座標、第３座標および第４座標に囲まれた四角形の領域内に属する。第１座標は、（０．０５，６．５×１０-4）である。第２座標は、（０．０５，４．５×１０-3）である。第３座標は、（０．２２，１．２×１０-2）である。第４座標は、（０．２２，１．３×１０-1）である。炭化珪素層を形成する工程後において、炭化珪素層のキャリア濃度の平均値は、１×１０15ｃｍ-3以上２×１０16ｃｍ-3以下である。

Description

炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法、炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素エピタキシャル基板の製造装置
　本開示は、炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法、炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素エピタキシャル基板の製造装置に関する。本出願は、２０１５年９月２９日に出願した日本特許出願である特願２０１５－１９１４８９号に基づく優先権を主張し、当該日本特許出願に記載された全ての記載内容を援用するものである。
　特開２０１４－１７０８９１号公報（特許文献１）には、炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素層をエピタキシャル成長させる方法が開示されている。
特開２０１４－１７０８９１号公報
　本開示に係る炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法は以下の工程を備えている。炭化珪素単結晶基板が反応室内に配置される。反応室に、シランとアンモニアと水素とを含む混合ガスを供給することにより、炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素層が形成される。炭化珪素単結晶基板の最大径は、１００ｍｍ以上である。炭化珪素層を形成する工程において、シランの流量を水素の流量で除した値を百分率表記した第１値をＸ軸とし、アンモニアの流量をｓｃｃｍを単位として表記した第２値をＹ軸としたとき、第１値および第２値は、ＸＹ平面座標における、第１座標、第２座標、第３座標および第４座標に囲まれた四角形の領域内に属する。第１座標は、（０．０５，６．５×１０-4）である。第２座標は、（０．０５，４．５×１０-3）である。第３座標は、（０．２２，１．２×１０-2）である。第４座標は、（０．２２，１．３×１０-1）である。炭化珪素層２０を形成する工程後において、炭化珪素層２０のキャリア濃度の平均値は、１×１０15ｃｍ-3以上２×１０16ｃｍ-3以下である。
　本開示に係る炭化珪素エピタキシャル基板の製造装置は、反応室と、ガス供給部と、制御部とを備えている。反応室は、炭化珪素単結晶基板を加熱可能に構成されている。ガス供給部は、反応室に、シランとアンモニアと水素とを含む混合ガスを供給可能に構成されている。制御部は、ガス供給部から反応室に供給される混合ガスの流量を制御可能に構成されている。制御部は、シランの流量を水素の流量で除した値を百分率表記した第１値をＸ軸とし、アンモニアの流量をｓｃｃｍを単位として表記した第２値をＹ軸としたとき、第１値および第２値が、ＸＹ平面座標における、第１座標、第２座標、第３座標および第４座標に囲まれた四角形の領域内に属するように、シランの流量、アンモニアの流量および水素の流量を制御可能に構成されている。第１座標は、（０．０５，６．５×１０-4）である。第２座標は、（０．０５，４．５×１０-3）である。第３座標は、（０．２２，１．２×１０-2）である。第４座標は、（０．２２，１．３×１０-1）である。
図１は、本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板の製造装置の構成を示す一部断面模式図である。 図２は、本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法における、ＳｉＨ４流量／Ｈ２流量（％）と、ＮＨ３流量（ｓｃｃｍ）との関係を示す図である。 図３は、本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法を概略的に示すフローチャートである。 図４は、本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法の第１工程を示す断面模式図である。 図５は、本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法の第２工程を示す断面模式図である。 図６は、本実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を概略的に示すフローチャートである。 図７は、本実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第１工程を示す断面模式図である。 図８は、本実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第２工程を示す断面模式図である。 図９は、本実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法の第３工程を示す断面模式図である。 図１０は、評価サンプルに係る炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法における、ＳｉＨ４流量／Ｈ２流量（％）と、ＮＨ３流量（ｓｃｃｍ）との関係を示す図である。
　［本開示の実施形態の概要］
　まず本開示の実施形態について説明する。以下の説明では、同一または対応する要素には同一の符号を付し、それらについて同じ説明は繰り返さない。本明細書の結晶学的記載においては、個別方位を［］、集合方位を＜＞、個別面を（）、集合面を｛｝でそれぞれ示す。結晶学上の指数が負であることは、通常、数字の上に”－”（バー）を付すことによって表現されるが、本明細書では数字の前に負の符号を付すことによって結晶学上の負の指数を表現する。
　（１）本開示に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００の製造方法は以下の工程を備えている。炭化珪素単結晶基板１０が反応室２０１内に配置される。反応室２０１に、シランとアンモニアと水素とを含む混合ガスを供給することにより、炭化珪素単結晶基板１０上に炭化珪素層２０が形成される。炭化珪素単結晶基板１０の最大径は、１００ｍｍ以上である。炭化珪素層を形成する工程において、シランの流量を水素の流量で除した値を百分率表記した第１値をＸ軸とし、アンモニアの流量をｓｃｃｍを単位として表記した第２値をＹ軸としたとき、第１値および第２値は、ＸＹ平面座標における、第１座標、第２座標、第３座標および第４座標に囲まれた四角形の領域内に属する。第１座標は、（０．０５，６．５×１０-4）である。第２座標は、（０．０５，４．５×１０-3）である。第３座標は、（０．２２，１．２×１０-2）である。第４座標は、（０．２２，１．３×１０-1）である。炭化珪素層２０を形成する工程後において、炭化珪素層２０のキャリア濃度の平均値は、１×１０15ｃｍ-3以上２×１０16ｃｍ-3以下である。なお、流量の単位「ｓｃｃｍ（ｓｔａｎｄａｒｄ　ｃｃ／ｍｉｎｕｔｅ）」は、標準状態（０℃、１０１．３ｋＰａ）における流量「ｃｃ／分」を示す。
　炭化珪素半導体装置の製造に用いられる炭化珪素エピタキシャル基板には、平均キャリア濃度を炭化珪素半導体装置として必要とされる一定の範囲に維持しつつ、キャリア濃度の良好な面内均一性および炭化珪素層の表面の良好な平坦性を実現することが求められている。近年では、上記特性の実現に加え、炭化珪素層の成長速度の高速化が求められている。
　しかしながら、炭化珪素層の成長速度を単に増加させると、炭化珪素層の表面の平坦性が悪化する場合がある。また炭化珪素層の表面の平坦性を良好に維持しようとすると、炭化珪素層の平均キャリア濃度が、パワーデバイスとして必要とされる範囲を満たすことができない場合がある。つまり、炭化珪素層の平均キャリア濃度を炭化珪素半導体装置として必要とされる一定の範囲に維持しつつ、炭化珪素層の高速成長と、炭化珪素層の表面の良好な平坦性と、キャリア濃度の良好な面内均一性とを実現することは非常に困難であった。発明者らは、上記の要求を満たす炭化珪素エピタキシャル基板を製造する方策について鋭意研究の結果、以下の知見を得て本開示の一態様を見出した。
　具体的には、原料ガスとしてシランを使用し、キャリアガスとして水素を使用し、ドーパントガスとしてアンモニアを使用した上で、シラン流量／水素流量と、アンモニア流量とを一定の範囲内に制御することにより、上記の要求を満たす炭化珪素エピタキシャル基板を実現可能であることを見出した。具体的には、シランの流量を水素の流量で除した値を百分率表記した第１値をＸ軸とし、アンモニアの流量をｓｃｃｍを単位として表記した第２値をＹ軸としたとき、第１値および第２値が、ＸＹ平面座標における、第１座標、第２座標、第３座標および第４座標に囲まれた四角形の領域内に属するように、シランの流量と、水素の流量と、アンモニアの流量とが制御される。これにより、炭化珪素層の表面の平坦性およびキャリア濃度の面内均一性を向上しつつ、炭化珪素層の高速成長を実現可能である。
　（２）上記（１）に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００の製造方法において、反応室２０１は、炭化珪素単結晶基板１０上の第１加熱領域２１３と、第１加熱領域２１３よりも上流側に位置する第２加熱領域２１４とを含んでいてもよい。炭化珪素層２０を形成する工程において、第２加熱領域２１４の温度は、アンモニアの分解温度以上であってもよい。これにより、炭化珪素単結晶基板の上流側でアンモニアを熱分解することができるので、キャリア濃度の面内均一性を向上することができる。
　（３）上記（２）に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００の製造方法において、混合ガスの流れ方向において、第２加熱領域２１４の長さは、６０ｍｍ以上である。これにより、広い領域でアンモニアを熱分解することができるので、キャリア濃度の面内均一性を向上することができる。
　（４）本開示に係る炭化珪素半導体装置３００の製造方法は以下の工程を備えている。上記（１）～上記（３）のいずれかに記載の方法で製造された炭化珪素エピタキシャル基板が準備される。炭化珪素エピタキシャル基板が加工される。
　（５）本開示に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００の製造装置２００は、反応室２０１と、ガス供給部２３５と、制御部２４５とを備えている。反応室２０１は、炭化珪素単結晶基板１０を加熱可能に構成されている。ガス供給部２３５は、反応室２０１に、シランとアンモニアと水素とを含む混合ガスを供給可能に構成されている。制御部２４５は、ガス供給部２３５から反応室２０１に供給される混合ガスの流量を制御可能に構成されている。制御部２４５は、シランの流量を水素の流量で除した値を百分率表記した第１値をＸ軸とし、アンモニアの流量をｓｃｃｍを単位として表記した第２値をＹ軸としたとき、第１値および第２値が、ＸＹ平面座標における、第１座標、第２座標、第３座標および第４座標に囲まれた四角形の領域内に属するように、シランの流量、アンモニアの流量および水素の流量を制御可能に構成されている。第１座標は、（０．０５，６．５×１０-4）である。第２座標は、（０．０５，４．５×１０-3）である。第３座標は、（０．２２，１．２×１０-2）である。第４座標は、（０．２２，１．３×１０-1）である。これにより、炭化珪素層の平均キャリア濃度を１×１０15ｃｍ-3以上２×１０16ｃｍ-3以下に維持しつつ、炭化珪素層の高速成長と、炭化珪素層の表面の良好な平坦性と、キャリア濃度の良好な面内均一性とを実現することができる。
　（６）上記（５）に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００の製造装置２００において、反応室２０１は、炭化珪素単結晶基板１０が配置される領域上の第１加熱領域２１３と、第１加熱領域２１３よりも上流側に位置する第２加熱領域２１４とを含んでいてもよい。第２加熱領域２１４は、アンモニアの分解温度以上の温度に加熱可能に構成されていてもよい。これにより、炭化珪素単結晶基板の上流側でアンモニアを熱分解することができるので、キャリア濃度の面内均一性を向上することができる。
　（７）上記（６）に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００の製造装置２００において、混合ガスの流れ方向において、第２加熱領域２１４の長さは、６０ｍｍ以上であってもよい。これにより、広い領域でアンモニアを熱分解することができるので、キャリア濃度の面内均一性を向上することができる。
　［本開示の実施形態の詳細］
　以下、本開示の一実施形態（以下「本実施形態」とも記す）について説明する。ただし本実施形態はこれらに限定されるものではない。
　（炭化珪素エピタキシャル基板の製造装置）
　本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００の製造装置２００の構成について説明する。
　図１に示されるように、製造装置２００は、たとえばホットウォール方式の横型ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置である。製造装置２００は、反応室２０１と、ガス供給部２３５と、制御部２４５と、発熱体２０３、石英管２０４、断熱材２０５、誘導加熱コイル２０６とを主に有している。
　発熱体２０３は、たとえば筒状の形状を有しており、内部に反応室２０１を形成している。発熱体２０３は、たとえば黒鉛製である。断熱材２０５は、発熱体２０３の外周を取り囲んでいる。断熱材２０５は、石英管２０４の内周面に接するように石英管２０４の内部に設けられている。誘導加熱コイル２０６は、たとえば石英管２０４の外周面に沿って巻回されている。誘導加熱コイル２０６は、外部電源（図示せず）により、交流電流が供給可能に構成されている。これにより、発熱体２０３が誘導加熱される。結果として、反応室２０１が発熱体２０３により加熱される。
　反応室２０１は、発熱体２０３に取り囲まれて形成された空間である。反応室２０１内には、炭化珪素単結晶基板１０が配置される。反応室２０１は、炭化珪素単結晶基板１０を加熱可能に構成されている。炭化珪素単結晶基板の最大径は１００ｍｍ以上である。反応室２０１には、炭化珪素単結晶基板１０を保持するサセプタプレート２１０が設けられている。サセプタプレート２１０は、回転軸２１２の周りを自転可能に構成されている。
　製造装置２００は、ガス導入口２０７およびガス排気口２０８をさらに有している。ガス排気口２０８は、図示しない排気ポンプに接続されている。図１中の矢印は、ガスの流れを示している。ガスは、ガス導入口２０７から反応室２０１に導入され、ガス排気口２０８から排気される。反応室２０１内の圧力は、ガスの供給量と、ガスの排気量とのバランスによって調整される。
　製造装置２００は、ガス導入口２０７および発熱体２０３の間に位置する加熱部２１１をさらに有していてもよい。加熱部２１１は、発熱体２０３よりも上流側に位置している。発熱体２０３は、たとえば１１００℃から１３５０℃程度に加熱されるように構成されていてもよい。
　ガス供給部２３５は、反応室２０１に、シランとアンモニアと水素および炭素原子を含むガスとを含む混合ガスを供給可能に構成されている。具体的には、ガス供給部２３５は、第１ガス供給部２３１と、第２ガス供給部２３２と、第３ガス供給部２３３と、キャリアガス供給部２３４とを含んでもよい。
　第１ガス供給部２３１は、炭素原子を含む第１ガスを供給可能に構成されている。第１ガス供給部２３１は、たとえば第１ガスが充填されたガスボンベである。第１ガスは、たとえばプロパン（Ｃ3Ｈ8）ガスである。第１ガスは、たとえばメタン（ＣＨ4）ガス、エタン（Ｃ2Ｈ6）ガス、アセチレン（Ｃ2Ｈ2）ガス等であってもよい。
　第２ガス供給部２３２は、シランガスを含む第２ガスを供給可能に構成されている。第２ガス供給部２３２は、たとえば第２ガスが充填されたガスボンベである。第２ガスは、たとえばシラン（ＳｉＨ4）ガスである。第２ガスは、シランガスと、シラン以外の他のガスとの混合ガスでもよい。
　第３ガス供給部２３３は、アンモニアガスを含む第３ガスを供給可能に構成されている。第３ガス供給部２３３は、たとえば第３ガスが充填されたガスボンベである。第３ガスは、Ｎ（窒素原子）を含むドーピングガスである。アンモニアガスは、三重結合を有する窒素ガスに比べて熱分解されやすい。アンモニアガスを用いることにより、キャリア濃度の面内均一性の向上が期待できる。
　キャリアガス供給部２３４は、たとえば水素などのキャリアガスを供給可能に構成されている。キャリアガス供給部２３４は、たとえば水素が充填されたガスボンベである。
　制御部２４５は、ガス供給部２３５から反応室２０１に供給される混合ガスの流量を制御可能に構成されている。具体的には、制御部２４５は、第１ガス流量制御部２４１と、第２ガス流量制御部２４２と、第３ガス流量制御部２４３と、キャリアガス流量制御部２４４とを含んでいてもよい。各制御部は、たとえばＭＦＣ(Ｍａｓｓ　Ｆｌｏｗ　Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ)であってもよい。制御部２４５は、ガス供給部２３５とガス導入口２０７との間に配置されている。言い換えれば、制御部２４５は、ガス供給部２３５とガス導入口２０７とを繋ぐ流路に配置されている。
　製造装置２００において、反応室２０１は、炭化珪素単結晶基板１０が配置される領域上の第１加熱領域２１３と、第１加熱領域２１３よりも上流側に位置する第２加熱領域２１４とを含んでいる。図１に示されるように、第２加熱領域２１４は、混合ガスの流れ方向（反応室２０１の軸方向）において、断熱材２０５と発熱体２０３との上流側の境界から、上流側の炭化珪素単結晶基板１０が配置される領域の端部までの領域である。第２加熱領域２１４と第１加熱領域２１３との境界部は、サセプタプレート２１０に設けられた凹部の上流側の側面であってもよい。第１加熱領域２１３の下流側の端部は、断熱材２０５と発熱体２０３との下流側の境界であってもよい。
　反応室２０１の軸方向において、誘導加熱コイル２０６の巻き密度を変化させてもよい。巻き密度［回／ｍ］とは、装置の軸方向の単位長さあたりのコイルの周回数である。たとえば、上流側でアンモニアを効果的に熱分解させるために、第２加熱領域２１４において、上流側の誘導加熱コイル２０６の巻き密度は、下流側の誘導加熱コイル２０６の巻き密度よりも高くてもよい。
　第２加熱領域２１４は、アンモニアの分解温度以上の温度に加熱可能に構成されていてもよい。アンモニアの分解温度は、たとえば５００℃である。第２加熱領域２１４の温度は、たとえば放射温度計により測定可能である。第２加熱領域２１４を構成する発熱体２０３の部分の温度は、たとえば１５８０℃である。混合ガスの流れ方向において、第２加熱領域２１４の長さ２２２は、６０ｍｍ以上であってもよいし、７０ｍｍ以上であってもよいし、８０ｍｍ以上であってもよく、１００ｍｍ以下が好ましい。１００ｍｍを超えるとアンモニアの分解が進み過ぎ、キャリア濃度の面内均一性が悪化する可能性がある。混合ガスの流れ方向において、第１加熱領域２１３の長さ２２１は、第２加熱領域２１４の長さ２２２よりも大きくてもよい。
　図２に示されるように、シランの流量を水素の流量で除した値を百分率表記した値（第１値）をＸ軸とし、アンモニアの流量をｓｃｃｍを単位として表記した値（第２値）をＹ軸とする。制御部２４５は、第１値（％）および第２値（ｓｃｃｍ）が、ＸＹ平面座標における、第１座標、第２座標、第３座標および第４座標に囲まれた四角形の領域（図２においてハッチングで示した領域）内に属するように、シランの流量、アンモニアの流量および水素の流量を制御可能に構成されている。第１座標（Ｘ１，Ｙ１）は、（０．０５，６．５×１０-4）である。第２座標（Ｘ２，Ｙ２）は、（０．０５，４．５×１０-3）である。第３座標（Ｘ３，Ｙ３）は、（０．２２，１．２×１０-2）である。第４座標（Ｘ４，Ｙ４）は、（０．２２，１．３×１０-1）である。
　制御部２４５は、たとえば、キャリアガス（水素）の流量が１００ｓｌｍとなるように制御可能に構成されたキャリアガス流量制御部２４４と、第２ガス（シランガス）の流量が１５０ｓｃｃｍとなるように制御可能に構成された第２ガス流量制御部２４２と、第３ガス（アンモニアガス）の流量が１．１×１０-2ｓｃｃｍとなるように制御可能に構成された第３ガス流量制御部２４３とを含む。この場合、シランの流量を水素の流量で除した値を百分率表記した値は、０．１５％である。そのため、シランの流量を水素の流量で除した値を百分率表記した値（第１値）と、アンモニアの流量をｓｃｃｍを単位として表記した値（第２値）とは、図２においてハッチングで示した領域内に属する。
　（炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法）
　次に、本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法について説明する。
　まず、炭化珪素単結晶基板を反応室内に配置する工程（Ｓ１：図３）が実施される。たとえば昇華法により、ポリタイプ６Ｈの炭化珪素単結晶が製造される。次に、たとえばワイヤーソーによって、炭化珪素単結晶をスライスすることにより、炭化珪素単結晶基板１０が準備される（図４参照）。炭化珪素単結晶基板１０は、第１主面４１と、第１主面４１と反対側の第２主面４２とを有する。当該炭化珪素単結晶のポリタイプは、たとえば４Ｈ－ＳｉＣである。４Ｈ－ＳｉＣは、電子移動度、絶縁破壊電界強度等において他のポリタイプより優れている。炭化珪素単結晶基板１０は、たとえば窒素などのｎ型不純物を含んでいる。炭化珪素単結晶基板１０の導電型は、たとえばｎ型である。
　第１主面４１は、たとえば｛０００１｝面もしくは｛０００１｝面から８°以下の角度だけ傾斜した面である。具体的には、第１主面４１は、（０００１）面もしくは（０００１）面から８°以下の角度だけ傾斜した面であってもよいし、（０００－１）面もしくは（０００－１）面から８°以下の角度だけ傾斜した面であってもよい。第１主面４１が｛０００１｝面から傾斜している場合、第１主面４１の法線の傾斜方向は、たとえば＜１１－２０＞方向である。｛０００１｝面からの傾斜角（オフ角）は、１°以上であってもよいし、２°以上であってもよい。オフ角は、７°以下であってもよいし、６°以下であってもよいし、４°以下であってもよい。
　炭化珪素単結晶基板１０の第１主面４１の最大径（直径）は、１００ｍｍ以上である。直径は１５０ｍｍ以上でもよいし、２００ｍｍ以上でもよいし、２５０ｍｍ以上でもよい。直径の上限は特に限定されないが、直径の上限はたとえば３００ｍｍであってもよい。次に、炭化珪素単結晶基板１０が反応室２０１内に配置される。図１に示されるように、炭化珪素単結晶基板１０は、サセプタプレート２１０の凹部内に配置される。
　次に、炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素層を形成する工程（Ｓ２：図３）が実施される。具体的には、上述した製造装置２００を用いて、炭化珪素単結晶基板１０上に炭化珪素層２０がエピタキシャル成長によって形成される。たとえば反応室２０１の圧力が大気圧から１×１０-6Ｐａ程度に低減された後、炭化珪素単結晶基板１０の昇温が開始される。昇温の途中において、キャリアガス供給部２３４からキャリアガスである水素（Ｈ2）ガスは反応室２０１に導入される。水素ガスの流量は、キャリアガス流量制御部２４４により調整される。
　炭化珪素単結晶基板１０の温度がたとえば１６００℃程度になった後、反応室２０１に、原料ガス、ドーパントガスおよびキャリアガスが供給される。具体的には、反応室２０１に、シランとアンモニアと水素とプロパンとを含む混合ガスを供給することにより、それぞれのガスが熱分解され、炭化珪素単結晶基板１０上に炭化珪素層２０が形成される。混合ガスのＣ／Ｓｉ比は、たとえば１．０であってもよい。
　図２に示されるように、シランの流量を水素の流量で除した値を百分率表記した値（第１値）をＸ軸とし、アンモニアの流量をｓｃｃｍを単位として表記した値（第２値）をＹ軸とする。炭化珪素層を形成する工程において、第１値および第２値は、ＸＹ平面座標における、第１座標、第２座標、第３座標および第４座標に囲まれた四角形の領域（図２においてハッチングで示した領域）内に属する。第１座標（Ｘ１，Ｙ１）は、（０．０５，６．５×１０-4）である。第２座標（Ｘ２，Ｙ２）は、（０．０５，４．５×１０-3）である。第３座標（Ｘ３，Ｙ３）は、（０．２２，１．２×１０-2）である。第４座標（Ｘ４，Ｙ４）は、（０．２２，１．３×１０-1）である。
　たとえば、キャリアガス流量制御部２４４を用いて、反応室２０１に供給されるキャリアガス（水素）の流量が１００ｓｌｍとなるように調整される。第２ガス流量制御部２４２を用いて、反応室２０１に供給される第２ガス（シランガス）の流量が１５０ｓｃｃｍとなるように調整される。第３ガス流量制御部２４３を用いて、第３ガス（アンモニアガス）の流量が１．１×１０-2ｓｃｃｍとなるよう調整される。この場合、シランの流量を水素の流量で除した値を百分率表記した値は、０．１５％である。そのため、シランの流量を水素の流量で除した値を百分率表記した値（第１値）と、アンモニアの流量をｓｃｃｍを単位として表記した値（第２値）とは、図２においてハッチングで示した領域内に属する。
　アンモニアの流量（ｓｃｃｍ）は、６．５×１０-4以上であってもよいし、４．５×１０-3以上であってもよいし、１．１×１０-2以上であってもよいし、１．２×１０-2以上であってもよい。アンモニアの流量（ｓｃｃｍ）は、たとえば１．３×１０-1以下であってもよい。シランの流量を水素の流量で除した値を百分率表記した値（％）は、０．０５以上であってもよいし、０．１５以上であってもよい。シランの流量を水素の流量で除した値を百分率表記した値（％）は、たとえば０．２２以下であってもよい。シランの流量は、たとえば３０ｓｃｃｍ以上２００ｓｃｃｍ以下であってもよい。水素の流量は、たとえば８０ｓｌｍ以上１４０ｓｌｍ以下であってもよい。
　炭化珪素層２０の成長速度は、８μｍ／ｈ以上であってもよいし、１５μｍ／ｈ以上であってもよいし、２５μｍ／ｈ以上であってもよいし、３３μｍ／ｈ以上であってもよい。炭化珪素層２０の成長速度は、５０μｍ／ｈ以下であってもよい。炭化珪素層２０の成長速度は、シランの流量に対する水素の流量により決定され得る。シランは原料ガスであるため、シランの流量が多い程、炭化珪素層の成長速度は高くなる。一方、水素は、炭化珪素をエッチングする性質を有するため、水素の流量が多い程、炭化珪素層の成長速度が低くなる。
　上述のように、反応室２０１は、炭化珪素単結晶基板１０上の第１加熱領域２１３と、第１加熱領域２１３よりも上流側に位置する第２加熱領域２１４とを含んでいてもよい。炭化珪素層２０を形成する工程において、第２加熱領域２１４の温度は、アンモニアの分解温度以上であってもよい。混合ガスの流れ方向において、第２加熱領域２１４の長さは、６０ｍｍ以上であってもよい。
　上述のように、シラン、プロパン、アンモニアおよび水素の混合ガスが反応室２０１に供給されることで、炭化珪素単結晶基板１０上に炭化珪素層２０が形成される。なお、プロパンの代わりに、メタン（ＣＨ4）、エタン（Ｃ2Ｈ6）、アセチレン（Ｃ2Ｈ2）等が用いられてもよい。混合ガスが反応室２０１に供給されている間、炭化珪素単結晶基板１０は、回転軸２１２の周りを回転していてもよい。以上により、炭化珪素単結晶基板１０と、炭化珪素層２０とを含む炭化珪素エピタキシャル基板１００（図５参照）が製造される。炭化珪素層２０は、炭化珪素単結晶基板１０に接する第４主面４４と、第４主面４４と反対側の第３主面４３とを有する。
　上記方法で製造された炭化珪素エピタキシャル基板１００によれば、炭化珪素層２０のキャリア濃度の平均値をある濃度範囲に維持しながら、炭化珪素層２０中のキャリア濃度の面内均一性を向上し、かつ炭化珪素層２０の表面の二乗平均平方根偏差（Ｓｑ）を低減することができる。
　具体的には、炭化珪素層２０を形成する工程後において、炭化珪素層２０のキャリア濃度の平均値は、１×１０15ｃｍ-3以上２×１０16ｃｍ-3以下である。キャリア濃度の面内均一性は、たとえば６％以下である。キャリア濃度の面内均一性は、キャリア濃度の標準偏差をキャリア濃度の平均値で除した値の百分率表記である。キャリア濃度は、たとえば水銀プローブ方式のＣ－Ｖ測定装置により測定され得る。具体的には、炭化珪素層２０の第３主面４３に一方のプローブが配置され、炭化珪素単結晶基板１０の第２主面４２に他方のプローブが配置される。一方のプローブの面積は、たとえば０．０１ｃｍ2である。一方のプローブと他方のプローブとの間に電圧が印加され、一方のプローブと他方のプローブとの間のキャパシタンスが測定される。縦軸を１／Ｃ２（キャパシタンスの二乗の逆数）とし、横軸をＶ（電圧）とし、測定データの直線の傾きから、キャリア濃度が求められる。キャリア濃度の測定深さは、印加電圧によって調整される。本実施形態においては、第３主面４３から第２主面４２に向かって１０μｍ程度以内である炭化珪素層２０の領域におけるキャリア濃度が測定される。
　第３主面４３の二乗平均平方根偏差（Ｓｑ）は、たとえば０．４ｎｍ以下である。二乗平均平方根偏差（Ｓｑ）は、二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）を３次元に拡張したパラメータである。二乗平均平方根偏差（Ｓｑ）は、たとえば白色干渉顕微鏡により測定可能である。二乗平均平方根偏差（Ｓｑ）の測定領域は、一辺が２５０μｍの正方形領域とすることができる。
　（炭化珪素半導体装置の製造方法）
　次に、本実施形態に係る炭化珪素半導体装置３００の製造方法について説明する。
　本実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、エピタキシャル基板準備工程（Ｓ１０：図６）と、基板加工工程（Ｓ２０：図６）とを主に有する。
　まず、エピタキシャル基板準備工程（Ｓ１０：図６）が実施される。具体的には、前述した炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法によって、炭化珪素エピタキシャル基板１００が準備される（図５参照）。
　次に、基板加工工程（Ｓ２０：図６）が実施される。具体的には、炭化珪素エピタキシャル基板を加工することにより、炭化珪素半導体装置が製造される。「加工」には、たとえば、イオン注入、熱処理、エッチング、酸化膜形成、電極形成、ダイシング等の各種加工が含まれる。すなわち基板加工ステップは、イオン注入、熱処理、エッチング、酸化膜形成、電極形成およびダイシングのうち、少なくともいずれかの加工を含むものであってもよい。
　以下では、炭化珪素半導体装置の一例としてのＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ　Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｆｉｅｌｄ　Ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）の製造方法を説明する。基板加工工程（Ｓ２０：図６）は、イオン注入工程（Ｓ２１：図６）、酸化膜形成工程（Ｓ２２：図６）、電極形成工程（Ｓ２３：図６）およびダイシング工程（Ｓ２４：図６）を含む。
　まず、イオン注入工程（Ｓ２１：図６）が実施される。開口部を有するマスク（図示せず）が形成された第３主面４３に対して、たとえばアルミニウム（Ａｌ）等のｐ型不純物が注入される。これにより、ｐ型の導電型を有するボディ領域１３２が形成される。次に、ボディ領域１３２内の所定位置に、たとえばリン（Ｐ）等のｎ型不純物が注入される。これにより、ｎ型の導電型を有するソース領域１３３が形成される。次に、アルミニウム等のｐ型不純物がソース領域１３３内の所定位置に注入される。これにより、ｐ型の導電型を有するコンタクト領域１３４が形成される（図７参照）。
　炭化珪素層２０において、ボディ領域１３２、ソース領域１３３およびコンタクト領域１３４以外の部分は、ドリフト領域１３１となる。ソース領域１３３は、ボディ領域１３２によってドリフト領域１３１から隔てられている。イオン注入は、炭化珪素エピタキシャル基板１００を３００℃以上６００℃以下程度に加熱して行われてもよい。イオン注入の後、炭化珪素エピタキシャル基板１００に対して活性化アニールが行われる。活性化アニールにより、炭化珪素層２０に注入された不純物が活性化し、各領域においてキャリアが生成される。活性化アニールの雰囲気は、たとえばアルゴン（Ａｒ）雰囲気でもよい。活性化アニールの温度は、たとえば１８００℃程度でもよい。活性化アニールの時間は、たとえば３０分程度でもよい。
　次に、酸化膜形成工程（Ｓ２２：図６）が実施される。たとえば炭化珪素エピタキシャル基板１００が酸素を含む雰囲気中において加熱されることにより、第３主面４３上に酸化膜１３６が形成される（図８参照）。酸化膜１３６は、たとえば二酸化珪素（ＳｉＯ2）等から構成される。酸化膜１３６は、ゲート絶縁膜として機能する。熱酸化処理の温度は、たとえば１３００℃程度でもよい。熱酸化処理の時間は、たとえば３０分程度でもよい。
　酸化膜１３６が形成された後、さらに窒素雰囲気中で熱処理が行なわれてもよい。たとえば、一酸化窒素（ＮＯ）、亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）等の雰囲気中、１１００℃程度で１時間程度、熱処理が実施されてもよい。さらにその後、アルゴン雰囲気中で熱処理が行なわれてもよい。たとえば、アルゴン雰囲気中、１１００～１５００℃程度で、１時間程度、熱処理が行われてもよい。
　次に、電極形成工程（Ｓ２３：図６）が実施される。第１電極１４１は、酸化膜１３６上に形成される。第１電極１４１は、ゲート電極として機能する。第１電極１４１は、たとえばＣＶＤ法により形成される。第１電極１４１は、たとえば不純物を含有し導電性を有するポリシリコン等から構成される。第１電極１４１は、ソース領域１３３およびボディ領域１３２に対面する位置に形成される。
　次に、第１電極１４１を覆う層間絶縁膜１３７が形成される。層間絶縁膜１３７は、たとえばＣＶＤ法により形成される。層間絶縁膜１３７は、たとえば二酸化珪素等から構成される。層間絶縁膜１３７は、第１電極１４１と酸化膜１３６とに接するように形成される。次に、所定位置の酸化膜１３６および層間絶縁膜１３７がエッチングによって除去される。これにより、ソース領域１３３およびコンタクト領域１３４が、酸化膜１３６から露出する。
　たとえばスパッタリング法により当該露出部に第２電極１４２が形成される。第２電極１４２はソース電極として機能する。第２電極１４２は、たとえばチタン、アルミニウムおよびシリコン等から構成される。第２電極１４２が形成された後、第２電極１４２と炭化珪素エピタキシャル基板１００が、たとえば９００～１１００℃程度の温度で加熱される。これにより、第２電極１４２と炭化珪素エピタキシャル基板１００とがオーミック接触するようになる。次に、第２電極１４２に接するように、配線層１３８が形成される。配線層１３８は、たとえばアルミニウムを含む材料から構成される。
　次に、第２主面４２に第３電極１４３が形成される。第３電極１４３は、ドレイン電極として機能する。第３電極１４３は、たとえばニッケルおよびシリコンを含む合金（たとえばＮｉＳｉ等）から構成される。
　次に、ダイシング工程（Ｓ２４：図６）が実施される。たとえば炭化珪素エピタキシャル基板１００がダイシングラインに沿ってダイシングされることにより、炭化珪素エピタキシャル基板１００が複数の半導体チップに分割される。以上より、炭化珪素半導体装置３００が製造される（図９参照）。
　上記において、ＭＯＳＦＥＴを例示して、本開示に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を説明したが、本開示に係る製造方法はこれに限定されない。本開示に係る製造方法は、たとえばＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ　Ｇａｔｅ　Ｂｉｐｏｌａｒ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＳＢＤ（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ　Ｂａｒｒｉｅｒ　Ｄｉｏｄｅ）、サイリスタ、ＧＴＯ（Ｇａｔｅ　Ｔｕｒｎ　Ｏｆｆ　ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ）、ＰｉＮダイオード等の各種炭化珪素半導体装置に適用可能である。
　（評価）
　（サンプル準備）
　上述した炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法を用いて、サンプル１～９に係る炭化珪素エピタキシャル基板が製造された。サンプル１に係る炭化珪素エピタキシャル基板の製造工程のおける、ＳｉＨ４流量／Ｈ２流量は０．０５％であり、ＮＨ３流量は６．５×１０-４±２０％（ｓｃｃｍ）であり、炭化珪素層の成長速度は８μｍ／ｈである。サンプル２に係る炭化珪素エピタキシャル基板の製造工程のおける、ＳｉＨ４流量／Ｈ２流量は０．０５％であり、ＮＨ３流量は４．５×１０-３±２０％（ｓｃｃｍ）であり、炭化珪素層の成長速度は８μｍ／ｈである。サンプル３に係る炭化珪素エピタキシャル基板の製造工程のおける、ＳｉＨ４流量／Ｈ２流量は０．２２％であり、ＮＨ３流量は１．２×１０-２±２０％（ｓｃｃｍ）であり、炭化珪素層の成長速度は５０μｍ／ｈである。サンプル４に係る炭化珪素エピタキシャル基板の製造工程のおける、ＳｉＨ４流量／Ｈ２流量は０．２２％であり、ＮＨ３流量は１．３×１０-１±２０％（ｓｃｃｍ）であり、炭化珪素層の成長速度は５０μｍ／ｈである。サンプル５に係る炭化珪素エピタキシャル基板の製造工程のおける、ＳｉＨ４流量／Ｈ２流量は０．１５％であり、ＮＨ３流量は１．１×１０-２±２０％（ｓｃｃｍ）であり、炭化珪素層の成長速度は３３μｍ／ｈである。
　サンプル６に係る炭化珪素エピタキシャル基板の製造工程のおける、ＳｉＨ４流量／Ｈ２流量は０．０３％であり、ＮＨ３流量は８×１０-４±２０％（ｓｃｃｍ）であり、炭化珪素層の成長速度は２μｍ／ｈ程度である。サンプル７に係る炭化珪素エピタキシャル基板の製造工程のおける、ＳｉＨ４流量／Ｈ２流量は０．３７％であり、ＮＨ３流量は７×１０-２±２０％（ｓｃｃｍ）であり、炭化珪素層の成長速度は９０μｍ／ｈである。サンプル８に係る炭化珪素エピタキシャル基板の製造工程のおける、ＳｉＨ４流量／Ｈ２流量は０．１２％であり、ＮＨ３流量は９×１０-２±２０％（ｓｃｃｍ）であり、炭化珪素層の成長速度は２５μｍ／ｈである。サンプル９に係る炭化珪素エピタキシャル基板の製造工程における、ＳｉＨ４流量／Ｈ２流量は０．１２％であり、ＮＨ３流量は１×１０-３±２０％（ｓｃｃｍ）であり、炭化珪素層の成長速度は２５μｍ／ｈである。サンプル１～９に係る炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法において、Ｈ２流量は１２０ｓｌｍとし、ＳｉＨ４流量を変化させることで、ＳｉＨ４流量／Ｈ２流量を変化させた。
　（測定）
　サンプル１～９に係る炭化珪素エピタキシャル基板１００の炭化珪素層２０のキャリア濃度が水銀プローブ方式のＣ－Ｖ測定装置により測定された。第３主面４３の中心から半径６０ｍｍ以内の領域において、キャリア濃度が測定された。キャリア濃度の測定箇所は、第３主面４３の中心を通り径方向に平行な直線と、当該直線に対して垂直な直線上において、ほぼ等間隔に配置された複数の位置である。具体的には、キャリア濃度の測定位置は、第３主面４３の中心と、当該中心から径方向に１０ｍｍ、２０ｍｍ、３０ｍｍ、４０ｍｍ、５０ｍｍおよび６０ｍｍ離れた位置である。キャリア濃度の測定箇所は、計２５箇所である。キャリア濃度の面内均一性は、キャリア濃度の標準偏差をキャリア濃度の平均値で除することにより計算された。なお水銀側のプローブの面積は、たとえば０．０１ｃｍ２である。
　白色干渉顕微鏡を用いて、第３主面４３の中央領域における二乗平均平方根偏差（Ｓｑ）が測定された。二乗平均平方根偏差の測定領域は、一辺が２５０μｍの正方形領域である。二乗平均平方根偏差の測定位置は、第３主面４３の中心と、当該中心から径方向に５０ｍｍ離れた位置である。二乗平均平方根偏差の測定箇所は、計２箇所である。表１においては、Ｓｑの範囲が示されている。
　（結果）
　図１０は、サンプル１～９に係る炭化珪素エピタキシャル基板の製造工程におけるＳｉＨ４／Ｈ２をＸ軸とし、ＮＨ３をＹ軸として、ＸＹ平面座標にプロットした図である。座標１０１～１０９は、それぞれサンプル１～９に係る炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法に対応している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示されるように、サンプル１～９に係る炭化珪素エピタキシャル基板の炭化珪素層中のキャリア濃度の面内均一性は、それぞれ、６％未満、６％未満、３％未満、３％未満、２％未満、７％程度、３％未満、２％未満および６％未満であった。サンプル１～９に係る炭化珪素エピタキシャル基板の炭化珪素層の第３表面の二乗平均平方根偏差（Ｓｑ）は、それぞれ、０．１～０．４ｎｍ、０．１～０．４ｎｍ、０．１～０．４ｎｍ、０．１～０．４ｎｍ、０．１～０．４ｎｍ、０．１～０．４ｎｍ、０．８ｎｍ超、０．１～０．４ｎｍおよび０．１～０．４ｎｍであった。サンプル１～９に係る炭化珪素エピタキシャル基板の炭化珪素層中の平均キャリア濃度は、１×１０15ｃｍ-3、２×１０16ｃｍ-3、１×１０15ｃｍ-3、２×１０16ｃｍ-3、３×１０15ｃｍ-3、３×１０15ｃｍ-3、３×１０15ｃｍ-3、３×１０16ｃｍ-3超および１×１０15ｃｍ-3未満であった。
　表１に示されるように、サンプル１～５に係る炭化珪素エピタキシャル基板は、平均キャリア濃度が１×１０１５ｃｍ－３以上２×１０１６ｃｍ－３以下であり、キャリア濃度均一性の値が６％以下であり、成長速度は８μｍ／ｈ以上であり、かつ二乗平均平方根偏差（Ｓｑ）が０．４ｎｍ以下であった。サンプル６に係る炭化珪素エピタキシャル基板の製造条件では、成長速度が２μｍ／ｈであり、高速成長を実現することができなかった。またサンプル６に係る炭化珪素エピタキシャル基板は、キャリア濃度の面内均一性の値が７％程度であり、キャリア濃度は面内において十分に均一ではなかった。サンプル７に係る炭化珪素エピタキシャル基板は、二乗平均平方根偏差（Ｓｑ）が０．８ｎｍよりも大きく、平坦性が十分高くなかった。サンプル８に係る炭化珪素エピタキシャル基板においては、平均キャリア濃度が２×１０１６ｃｍ－３より大きくなり、パワーデバイスで要求される平均キャリア濃度の範囲を実現することができなかった。サンプル９に係る炭化珪素エピタキシャル基板においては、平均キャリア濃度が１×１０１５ｃｍ－３より小さくなり、パワーデバイスで要求される平均キャリア濃度の範囲を実現することができなかった。
　以上の結果より、サンプル１～５に係る炭化珪素エピタキシャル基板は、平均キャリア濃度が１×１０１５ｃｍ－３以上２×１０１６ｃｍ－３以下であることを維持しつつ、良好なキャリア濃度の面内均一性と、高い成長速度と、良好な平坦性とを実現することができた。言い換えれば、炭化珪素エピタキシャル基板の製造工程において、シランの流量を水素の流量で除した値を百分率表記した値（第１値）およびアンモニアの流量をｓｃｃｍを単位として表記した値（第２値）が、ＸＹ平面座標における、第１座標、第２座標、第３座標および第４座標に囲まれた四角形の領域（図２においてハッチングで示した領域）内に属するように、シランの流量、水素の流量およびアンモニアの流量を制御することにより、良好なキャリア濃度の面内均一性と、高い成長速度と、良好な平坦性とを有する炭化珪素エピタキシャル基板が製造可能であることが実証された。
　今回開示された実施形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施形態ではなく請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　１０　炭化珪素単結晶基板、２０　炭化珪素層、４１　第１主面、４２　第２主面、４３　第３主面、４４　第４主面、１００　炭化珪素エピタキシャル基板、１３１　ドリフト領域、１３２　ボディ領域、１３３　ソース領域、１３４　コンタクト領域、１３６　酸化膜、１３７　層間絶縁膜、１３８　配線層、１４１　第１電極、１４２　第２電極、１４３　第３電極、２００　製造装置、２０１　反応室、２０３　発熱体、２０４　石英管、２０５　断熱材、２０６　誘導加熱コイル、２０７　ガス導入口、２０８　ガス排気口、２１０　サセプタプレート、２１１　加熱部、２１２　回転軸、２１３　第１加熱領域、２１４　第２加熱領域、２２１，２２２　長さ、２３１　第１ガス供給部、２３２　第２ガス供給部、２３３　第３ガス供給部、２３４　キャリアガス供給部、２３５　ガス供給部、２４１　第１ガス流量制御部、２４２　第２ガス流量制御部、２４３　第３ガス流量制御部、２４４　キャリアガス流量制御部、２４５　制御部、３００　炭化珪素半導体装置。

Claims (7)

  1. 　炭化珪素単結晶基板を反応室内に配置する工程と、
    　前記反応室に、シランとアンモニアと水素とを含む混合ガスを供給することにより、前記炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素層を形成する工程とを備え、
    　前記炭化珪素単結晶基板の最大径は、１００ｍｍ以上であり、
    　前記炭化珪素層を形成する工程において、前記シランの流量を前記水素の流量で除した値を百分率表記した第１値をＸ軸とし、前記アンモニアの流量をｓｃｃｍを単位として表記した第２値をＹ軸としたとき、前記第１値および前記第２値は、ＸＹ平面座標における、第１座標、第２座標、第３座標および第４座標に囲まれた四角形の領域内に属し、
    　前記第１座標は、（０．０５，６．５×１０-4）であり、
    　前記第２座標は、（０．０５，４．５×１０-3）であり、
    　前記第３座標は、（０．２２，１．２×１０-2）であり、
    　前記第４座標は、（０．２２，１．３×１０-1）であり、
    　前記炭化珪素層を形成する工程後において、前記炭化珪素層のキャリア濃度の平均値は、１×１０15ｃｍ-3以上２×１０16ｃｍ-3以下である、炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法。
  2. 　前記反応室は、前記炭化珪素単結晶基板上の第１加熱領域と、前記第１加熱領域よりも上流側に位置する第２加熱領域とを含み、
    　前記炭化珪素層を形成する工程において、前記第２加熱領域の温度は、アンモニアの分解温度以上である、請求項１に記載の炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法。
  3. 　前記混合ガスの流れ方向において、前記第２加熱領域の長さは、６０ｍｍ以上である、請求項２に記載の炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法。
  4. 　請求項１～請求項３のいずれか１項に記載の方法で製造された炭化珪素エピタキシャル基板を準備する工程と、
    　前記炭化珪素エピタキシャル基板を加工する工程とを備える、炭化珪素半導体装置の製造方法。
  5. 　炭化珪素単結晶基板を加熱可能に構成された反応室と、
    　前記反応室に、シランとアンモニアと水素とを含む混合ガスを供給可能に構成されたガス供給部と、
    　前記ガス供給部から前記反応室に供給される前記混合ガスの流量を制御可能に構成された制御部とを備え、
    　前記制御部は、前記シランの流量を前記水素の流量で除した値を百分率表記した第１値をＸ軸とし、前記アンモニアの流量をｓｃｃｍを単位として表記した第２値をＹ軸としたとき、前記第１値および前記第２値が、ＸＹ平面座標における、第１座標、第２座標、第３座標および第４座標に囲まれた四角形の領域内に属するように、前記シランの流量、前記アンモニアの流量および前記水素の流量を制御可能に構成されており、
    　前記第１座標は、（０．０５，６．５×１０-4）であり、
    　前記第２座標は、（０．０５，４．５×１０-3）であり、
    　前記第３座標は、（０．２２，１．２×１０-2）であり、
    　前記第４座標は、（０．２２，１．３×１０-1）である、炭化珪素エピタキシャル基板の製造装置。
  6. 　前記反応室は、前記炭化珪素単結晶基板が配置される領域上の第１加熱領域と、前記第１加熱領域よりも上流側に位置する第２加熱領域とを含み、
    　前記第２加熱領域は、アンモニアの分解温度以上の温度に加熱可能に構成されている、請求項５に記載の炭化珪素エピタキシャル基板の製造装置。
  7. 　前記混合ガスの流れ方向において、前記第２加熱領域の長さは、６０ｍｍ以上である、請求項６に記載の炭化珪素エピタキシャル基板の製造装置。
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