WO2017033829A1

WO2017033829A1 - 液晶表示素子

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Publication number: WO2017033829A1
Application number: PCT/JP2016/074096
Authority: WO
Inventors: 小川　真治; 芳典岩下; 長谷部　浩史; 士朗谷口
Original assignee: Dic株式会社
Priority date: 2015-08-21
Filing date: 2016-08-18
Publication date: 2017-03-02
Also published as: JPWO2017033829A1; TW201723538A

Abstract

「課題」本発明が解決しようとする課題は、光配向膜を備え、かつ誘電率異方性、粘度、ネマチック相上限温度、低温でのネマチック相安定性、γ_１等の液晶表示素子としての諸特性及び表示素子の焼き付き特性を悪化させること無い液晶表示素子を提供することにある。「解決手段」本発明は、一般式（ｉ）で表される化合物と、一般式（Ｊ）で表される化合物とを含有する液晶組成物および光配向膜を用いることで、当該液晶組成物の高速応答性を維持しつつ、低温安定性に優れた光配向膜を有する液晶表示素子を提供する。

Description

液晶表示素子

　本発明は液晶表示材料として有用な誘電率異方性（Δε）が正の値を示すネマチック液晶組成物を用いた液晶表示素子に関する。

　現在スマートフォン用の液晶ディスプレイとしては、高品位であり、視覚特性に優れるＩＰＳモードの液晶表示素子やＦＦＳモードの液晶表示素子（Ｆｒｉｎｇｅ　Ｆｉｅｌｄ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ　ｍｏｄｅ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｄｉｓｐｌａｙ；ＦＦＳモード液晶表示素子）が広く用いられている（特許文献１、特許文献２参照）。ＦＦＳモードは、ＩＰＳモードの低い開口率及び透過率を改善するため導入された方式であり、用いられている液晶組成物としては、低電圧化がし易いことから誘電率異方性が正のｐ型液晶組成物を用いた材料が広く用いられている。また、ＦＦＳモードの用途の大部分が携帯端末であるため、さらなる省電力化の要求は強く液晶素子メーカはＩＧＺＯを用いたアレイの採用等盛んな開発が続いている。

　また、液晶分子の配向方法としては、ラビング法と呼ばれる方法が多く用いられている。この方法は、ポリイミド等の配向膜材料を塗布、焼成した薄膜に対して、ナイロンなどの布を巻いたローラーを一定圧力で押し込みながら回転させることによって、配向膜表面を一定方向に擦る（ラビングする）ことにより液晶分子に配向規制力を付与するものである。この方法の厳密な配向機構は現在でも明確では無く、配向膜の表面を擦ることにより、筋状の表示ムラが発生する点、配向膜材料の一部が脱落して液晶層に混入する点およびアレイ基板においては発生した静電気によりＴＦＴが破壊する点等の課題があり、ラビングによらない配向付与方法が検討されてきた。特に、直線偏光の紫外線を用いて配向膜に異方性を持たせる光配向膜は、非接触で配向を付与できることから前述のラビング法の問題を解決する方法として開発が進められており、横電界型の表示素子においても光配向膜の使用が模索されてきた（特許文献３参照）。

特開平１１－２０２３５６号公報特開２００３－２３３０８３号公報特開２０１３－１０９３６６号公報

　しかしながら、近年の液晶表示素子の用途や市場の拡大により、その使用方法、製造方法にも大きな変化が見られ、液晶表示素子の駆動方式（例えば、ＴＮ型、ＳＴＮ型、ＶＡ型、ＩＰＳ型、ＦＦＳ型等）だけでなく、その大きさも５０型以上の超大型サイズの表示素子が実用化されるに伴い、液晶組成物の基板への注入方法も従来の真空注入法から液晶組成物の液滴を一方の基板面に滴下し、他方の基板と貼りあわせるという滴下注入法（ＯＤＦ：Ｏｎｅ　Ｄｒｏｐ　Ｆｉｌｌ）が注入方法の主流となっている。また、ＶＡモード（例えば、ＶＡ－ＩＰＳ）などの垂直電界型と、ＩＰＳモードやＦＦＳモードなどの水平電界型とを比較すると、液晶分子の配向変化や必要とされる光学特性などが大きく異なる。

　そのため、上記特許文献１～３に記載するように、ＩＰＳモードやＦＦＳモードの電極は、片側の基板表面に形成された複数の短冊状の電極が平行に配列し、かつ前記基板表面の全面に配向膜が被覆した構造を備えていることから、当該片側の基板表面には無数の凹凸が存在する構造のため、液晶組成物を基板表面に滴下した際に基板上に滴下痕が形成し、この滴下痕が表示品位の低下を招く問題が表面化するに至った。

　さらに、垂直電界型だけでなくＩＰＳモードやＦＦＳモードなどの水平電界型の液晶表示素子の製造工程は、ＯＤＦ法により液晶表示素子のサイズに応じて最適な液晶注入量を滴下する必要がある。そのため、注入量のずれが最適値から大きくなると、あらかじめ設計された液晶表示素子の屈折率や駆動電界のバランスが崩れ、斑発生やコントラスト不良などの表示不良が生じる。特に、最近流行しているスマートフォンに多用される小型液晶表示素子は、最適な液晶注入量が少ないために最適値からのずれを一定範囲内に制御すること自体が難しい。従って、液晶表示素子の歩留まり高く保持するために、例えば、液晶滴下時に生じる滴下装置内の急激な圧力変化や衝撃に対する影響が少なく、長時間にわたって安定的に液晶を滴下し続けることが可能な性能も必要である。このような問題に加えて、さらに液晶組成物と直接接触する配向膜との適合性も問題になる。

　このように、ＴＦＴ素子等で駆動するアクティブマトリックス駆動液晶表示素子に使用される液晶組成物おいては、高速応答性能等の液晶表示素子として求められている特性や性能を維持しつつ、従来から重視されてきた高い比抵抗値あるいは高い電圧保持率を有することや光や熱等の外部刺激に対して安定であるという特性に加えて、液晶表示素子の製造方法を考慮した開発が求められてきている。また、ＶＡ－ＩＰＳモードのように垂直配向型の場合は、視野角依存の問題が起こるが、従来のようなラビング方法は、ローラーに巻きつけた布で基板全体を擦るというプロセスのため、配向分割の実現が困難になるという問題がある。また、光配向膜にはバックライトが常に当たっているため劣化などにより経時的にコントラストが低減するという問題がある。

　そこで本発明の課題は、上記問題点を解決し、誘電率異方性（Δε）、粘度（η）、ネマチック相－等方性液体の転移温度（Ｔｎｉ）、低温でのネマチック相安定性、回転粘度（γ１）等の液晶表示素子としての諸特性に優れ、光配向膜を備えた液晶表示素子に用いることにより優れた表示特性（コントラストなど）実現可能なｐ型液晶組成物を用いた垂直配向型の液晶表示素子を提供することにある。

　本願発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討し、液晶表示素子の構成およびそれに最適な種々の液晶組成物や光配向膜の構成を検討した結果、本願発明の完成に至った。

　本発明に係る液晶表示素子は、比抵抗や電圧保持率が熱や光によって受ける変化が極めて小さいため、製品の実用性が高く、高速応答を達成できる。本発明に係る液晶表示素子は、信頼性および高速応答性に優れている。

　本発明に係る液晶組成物は用いた液晶表示素子の製造工程では、安定的に性能を発揮できるため、工程起因の表示不良が抑制されて歩留まり高く製造できるので、非常に有用である。

　本発明に係る液晶表示素子は、低温安定性および高速応答性に優れた液晶組成物を使用することができる。

　本発明は、液晶分子の配向規制力が向上した光配向膜を備えた液晶表示素子を提供することができる。

　本発明に係る液晶表示素子は、配向規制力に非常に優れた高コントラスを実現することができる。

　本発明に係る液晶表示素子は、長期間高コントラストを維持することができる。

　本発明に係る液晶表示素子は、重合性モノマーを含む液晶組成物を使用するため非常に優れた高コントラスを実現することができる。

本発明の液晶表示素子の構成の一例を模式的に示す図である。図１における基板２上に形成された電極層３のＩＩ線で囲まれた領域を拡大した平面図である。図２におけるＩＩＩ－ＩＩＩ線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した断面図である。図２の変形例であり、図１における基板２上に形成された電極層３のＩＩ線で囲まれた領域を拡大した平面図である。図４におけるＩＩＩ－ＩＩＩ線方向に図１の液晶表示素子を切断した断面図である。本発明の液晶表示素子について重合前後の様子を模式的に示す断面図である。本発明の液晶表示素子の光配向膜と液晶層との界面近傍を模式的に示す断面図である。

　本発明の第一は、対向に配置された第一の基板および第二の基板と、
　前記第一の基板と前記第二の基板との間に充填された液晶組成物を含有する液晶層と、
　前記第一の基板上に、マトリクス状に配置される複数個のゲートバスライン及びデータバスライン、前記ゲートバスラインとデータバスラインとの交差部に設けられる薄膜トランジスタならびに前記薄膜トランジスタにより駆動される画素電極を画素毎に有する電極層と、
　前記第一の基板または前記第二の基板上に形成された共通電極と、
　前記液晶層と前記第一の基板および前記液晶層と前記第二の基板との間に、少なくとも一方の基板に形成された光配向層と、を有し、
　前記液晶組成物が、正の誘電率異方性を有し、ネマチック相－等方性液体の転移温度が６０℃以上であり、一般式（ｉ）

（上記一般式（ｉ）中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２はそれぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基または炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基またはアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基またはアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されていてもよく、カルボニル基が連続して結合しない限りカルボニル基で置換されていてもよく、
Ａ^ｉ１は、
（ａ）　１，４－シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の－ＣＨ_２－又は隣接していない２個以上の－ＣＨ_２－は－Ｏ－に置き換えられてもよい。）
（ｂ）　１，４－フェニレン基（この基中に存在する１個の－ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の－ＣＨ＝は－Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）　（ｃ）ナフタレン－２，６－ジイル基、１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン－２，６－ジイル基又はデカヒドロナフタレン－２，６－ジイル基（ナフタレン－２，６－ジイル基又は１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン－２，６－ジイル基中に存在する１個の－ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の－ＣＨ＝は－Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基で置換されていても良く、Ｚ^ｉ１は、単結合、－ＯＣＨ_２－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－またはＣＦ_２Ｏ－を表し、
ｎ^ｉ１は、１、２、３または４を表し、ｎ^ｉ１が２、３または４であってＡ^i１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎ^ｉ１が２、３または４であってＺ^ｉ１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。）で表される化合物群から選ばれる１種または２種以上の化合物、及び、下記の一般式（Ｊ）

（式中、Ｒ^Ｊ１は炭素原子数１～８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の－ＣＨ_２－はそれぞれ独立して－ＣＨ＝ＣＨ－、－Ｃ≡Ｃ－、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－又は－ＯＣＯ－によって置換されていてもよく、
　ｎ^Ｊ１は、０、１、２、３又は４を表し、
　Ａ^Ｊ１、Ａ^Ｊ２及びＡ^Ｊ３はそれぞれ独立して、
（ａ）　１，４－シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の－ＣＨ_２－又は隣接していない２個以上の－ＣＨ_２－は－Ｏ－に置き換えられてもよい。）
（ｂ）　１，４－フェニレン基（この基中に存在する１個の－ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の－ＣＨ＝は－Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）　（ｃ）ナフタレン－２，６－ジイル基、１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン－２，６－ジイル基又はデカヒドロナフタレン－２，６－ジイル基（ナフタレン－２，６－ジイル基又は１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン－２，６－ジイル基中に存在する１個の－ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の－ＣＨ＝は－Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基で置換されていても良く、
　Ｚ^Ｊ１及びＺ^Ｊ２はそれぞれ独立して単結合、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－（ＣＨ_２）_４－、－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－又は－Ｃ≡Ｃ－を表し、
　ｎ^Ｊ１が２、３又は４であってＡ^Ｊ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎ^Ｊ１が２、３又は４であってＺ^Ｊ１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、
　Ｘ^Ｊ１は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は２，２，２－トリフルオロエチル基を表す。）で表される化合物の中から１種または２種以上含有することを特徴とする垂直配向型の液晶表示素子である。

　本発明に係る液晶表示素子の構造について図１～５を用いて、液晶表示素子の構成要素である、基板および電極層について併せて説明する。次いで、液晶表示素子の構成要素について液晶層および光配向膜層について詳説する。

　以下、図面に基づいて、本発明に係る液晶表示素子の一実施形態を説明する。

　図１は、液晶表示素子の構成を模式的に示す図である。図１では、説明のために便宜上各構成要素を離間して記載している。本発明に係る液晶表示素子１０の構成は、図１に記載するように、対向に配置された第一の（透明絶縁）基板２と、第二の（透明絶縁）基板７との間に挟持された液晶組成物（または液晶層５）を有するＶＡ－ＩＰＳおよび／またはＶＡ－ＦＦＳモードの液晶表示素子であって、該液晶組成物として前記本発明の液晶組成物を用いたことに特徴を有するものである。第一の透明絶縁基板２は、液晶層５側の面に電極層３が形成されている。また、液晶層５と、第一の透明絶縁基板２及び第二の透明絶縁基板７のそれぞれの間に、液晶層５を構成する液晶組成物と直接当接して垂直配向を誘起する一対の光配向膜（または光配向層とも）４を有し、該液晶組成物中の液晶分子は、電圧無印加時に前記基板２，７に対して略平行になるように配向されている。図１および図３に示すように、前記第二の基板７および前記第一の基板２は、一対の偏光板１，８により挟持されてもよい。さらに、図１、３では、前記第二の基板７と配向膜４との間にカラーフィルタ６が設けられている。なお、本発明に係る液晶表示素子の形態としては、いわゆるカラーフィルタオンアレイ（ＣＯＡ）であってもよく、薄膜トランジスタを含む電極層と液晶層との間にカラーフィルタを設けても、または当該薄膜トランジスタを含む電極層と第二の基板との間にカラーフィルタを設けてもよい。

　また、図１～５では説明上、本発明の液晶表示素子の好適な実施形態として、液晶層５と第一の基板２との間および液晶層５と前記第二の基板７との間にそれぞれの第一の基板および第二の基板上に光配向膜４が形成された例を記載しているが、本発明の液晶表示素子は、第一の基板２または第二の基板７上の少なくとも一方に光配向膜４が形成されていればよい。

　例えば、液晶層５と第一の基板２との間に光配向膜４が前記第一の基板２上に液晶層５と当接するように形成されている場合、他方の液晶層５と第二の基板７との間には、配向膜を設けない、光配向膜またはラビング配向膜を形成することが好ましく、光配向膜を形成することがより好ましい。

　すなわち、本発明に係る液晶表示素子１０は、第一の偏光板１と、第一の基板２と、薄膜トランジスタを含む電極層３と、配向膜４と、液晶組成物を含む液晶層５と、配向膜４と、カラーフィルタ６と、第二の基板７と、第二の偏光板８と、が順次積層された構成であることが好ましい。電極層３を画素電極とする場合、前記電極層３と基板２との間に別途新たな電極層を設けて当該新たな電極を共通電極にしてもよく、または電極層３が、画素電極と共通電極の両者を示してもよい。前者の代表的な例は、図２～図５に示している。後者の例としては、例えば、一対の櫛形電極を互いに離間して嵌合するように配置し、一方を画素電極、他方を共通電極にして、断面が画素電極と共通電極とが交互になるように構成してもよい。

　第一の基板２と第二の基板７はガラスまたはプラスチックの如き柔軟性をもつ透明な材料を用いることができ、一方はシリコン等の不透明な材料でも良い。２枚の基板２、７は、周辺領域に配置されたエポキシ系熱硬化性組成物等のシール材及び封止材によって貼り合わされていて、その間には基板間距離を保持するために、例えば、ガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子等の粒状スペーサーまたはフォトリソグラフィ法により形成された樹脂からなるスペーサー柱が配置されていてもよい。本発明に係る基板は、透明導電性材料を含むことが好ましい。

　図２は、図１における基板２上に形成された電極層３のＩＩ線で囲まれた領域を拡大した平面図である。図３は、図２におけるＩＩＩ－ＩＩＩ線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した断面図である。図２に示すように、第一の基板２の表面に形成されている薄膜トランジスタを含む電極層３は、走査信号を供給するための複数のゲートバスライン２６と表示信号を供給するための複数のデータバスライン２５とが、互いに交差してマトリクス状に配置されている。なお、図２には、一対のゲートバスライン２６及び一対のデータバスライン２５のみが示されている。

　複数のゲートバスライン２６と複数のデータバスライン２５とにより囲まれた領域により、液晶表示装置の単位画素が形成され、該単位画素内には、画素電極２１及び共通電極２２が形成されている。ゲートバスライン２６とデータバスライン２５が互いに交差している交差部近傍には、ソース電極２７、ドレイン電極２４およびゲート電極２８を含む薄膜トランジスタが設けられている。この薄膜トランジスタは、画素電極２１に表示信号を供給するスイッチ素子として、画素電極２１と連結している。また、ゲートバスライン２６と並行して、共通ライン２９が設けられる。この共通ライン２９は、共通電極２２に共通信号を供給するために、共通電極２２と連結している。

　薄膜トランジスタの構造の好適な一態様は、例えば、図３で示すように、基板２表面に形成されたゲート電極１１と、当該ゲート電極１１を覆い、且つ前記基板２の略全面を覆うように設けられたゲート絶縁層１２と、前記ゲート電極１１と対向するよう前記ゲート絶縁層１２の表面に形成された半導体層１３と、記半導体層１３の表面の一部を覆うように設けられた保護層１４と、前記保護層１４および前記半導体層１３の一方の側端部を覆い、かつ前記基板２表面に形成された前記ゲート絶縁層１２と接触するように設けられたドレイン電極１６と、前記保護層１４および前記半導体層１３の他方の側端部を覆い、かつ前記基板２表面に形成された前記ゲート絶縁層１２と接触するように設けられたソース電極１７と、前記ドレイン電極１６および前記ソース電極１７を覆うように設けられた絶縁保護層１８と、を有している。ゲート電極１１の表面にゲート電極との段差を無くす等の理由により陽極酸化被膜（図示せず）を形成してもよい。

　前記半導体層１３には、アモルファスシリコン、多結晶ポリシリコンなどを用いることができるが、ＺｎＯ、ＩＧＺＯ（Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ）、ＩＴＯ等の透明半導体膜を用いると、光吸収に起因する光キャリアの弊害を抑制でき、素子の開口率を増大する観点からも好ましい。

　さらに、ショットキー障壁の幅や高さを低減する目的で半導体層１３とドレイン電極１６またはソース電極１７との間にそれぞれオーミック接触層１５を設けても良い。オーミック接触層には、ｎ型アモルファスシリコンやｎ型多結晶ポリシリコン等のリン等の不純物を高濃度に添加した材料を用いることができる。

　ゲートバスライン２６やデータバスライン２５、共通ライン２９は金属膜であることが好ましく、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉまたはその合金がより好ましく、Ａｌまたはその合金の配線を用いる場合が特に好ましい。また、絶縁保護層１８は、絶縁機能を有する層であり、窒化ケイ素、二酸化ケイ素、ケイ素酸窒化膜等で形成される。

　図２および図３に示す実施の形態では、共通電極２２はゲート絶縁層１２上のほぼ全面に形成された平板状の電極であり、一方、画素電極２１は共通電極２２を覆う絶縁保護層１８上に形成された櫛形の電極である。すなわち、共通電極２２は画素電極２１よりも第一の基板２に近い位置に配置され、これらの電極は絶縁保護層１８を介して互いに重なりあって配置される。画素電極２１と共通電極２２は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電性材料により形成される。画素電極２１と共通電極２２が透明導電性材料により形成されるため、単位画素面積で開口される面積が大きくなり、開口率及び透過率が増加する。

　また、図３では、画素電極２１と共通電極２２とは、これらの電極間にフリンジ電界を形成するために、画素電極２１と共通電極２２との間の電極間距離（最小離間距離とも称する）：Ｒが、第一の基板２と第二の基板７との距離：Ｇより短くなるように形成される。ここで、電極間距離：Ｒは各電極間の基板に水平方向の距離を表す。さらに図３では、平板状の共通電極２２と櫛形の画素電極２１とが重なり合っているため、電極間距離：Ｒ＝０となる例が示されており、最小離間距離：Ｒが第一の基板２と第二の基板７との距離（すなわち、セルギャップ）：Ｇよりも小さくなるため、フリンジの電界Ｅが形成される。したがって、液晶表示素子は、画素電極２１の櫛形を形成するラインに対して垂直な方向に形成される水平方向の電界と、放物線状の電界を利用することができる。画素電極２１の櫛状部分の電極幅：ｌ、及び、画素電極２１の櫛状部分の間隙の幅：ｍは、発生する電界により液晶層５内の液晶分子が全て駆動され得る程度の幅に形成することが好ましい。

　本発明に係る液晶表示素子は、ＶＡ－ＩＰＳ方式の液晶表示組成であることが好ましく、共通電極２２と画素電極２１との隣接する最短離間距離Ｒが、配向層４同士（基板間距離）の最短離間距離Ｇより短いと、共通電極と画素電極との間にフリンジ電界が形成され、液晶分子の水平方向および垂直方向の配向を効率的に利用することができる。本発明の好ましい形態であるＶＡ－ＩＰＳ（またはＶＡ－ＦＦＳ）方式の液晶表示素子は、外部電界が無い状態では、液晶分子の長軸方向が基板に対して（略）垂直な方向になるように配向されている。この液晶分子に対して、電圧を印加すると、画素電極２１と共通電極２２との間に放物線形の電界の等電位線が画素電極２１と共通電極２２の上部にまで形成され、液晶層５内の液晶分子の長軸が形成された電界に沿って配列する。特に、本発明に係る液晶組成物は正の誘電率異方性を有する液晶分子を用いるため、液晶分子の長軸方向が、発生した電界方向に沿って配列する。このようなＶＡ－ＩＰＳ（またはＶＡ－ＦＦＳ）方式の場合、電圧無印加では液晶分子の長軸方向が基板に対して垂直方向に配列し、電圧を印加すると液晶分子が基板に対して略平行方向に配列するため、通常のＩＰＳ方式のように基板に対して平行状態を維持したまま配列しない。そのため、ＶＡ－ＩＰＳ（またはＶＡ－ＦＦＳ）方式の場合、電圧を無印加状態にすると、液晶分子が基板に対して略平行状態から基板に対して略垂直状態へ戻らなくなるという問題が起こりやすい。しかし、このような問題も、後述の液晶組成物に重合性化合物を含み、かつ当該重合性化合物をポリマー化した液晶層を備えている場合（図７、図８）は、配向膜の液晶分子垂直誘起成分を固定化しやすくなるため、基板に対する垂直方向の規制力が大きくなる。その結果、液晶分子が元の状態に戻らなくなるという問題は改善される。

　カラーフィルタ６は、光の漏れを防止する観点で、薄膜トランジスタおよびストレイジキャパシタ２３に対応する部分にブラックマトリックス（図示せず）を形成することが好ましい。

　電極層３、及び、カラーフィルタ６上には、液晶層５を構成する液晶組成物と直接当接して垂直配向を誘起する一対の光配向膜４が設けられている。

　配向膜を光配向膜にすることにより、ラビングムラによる液晶分子に対する配向規制力の低下を軽減でき、かつ優れた透過率特性のＶＡ－ＩＰＳ方式の液晶表示素子を提供することができる。

　また、偏光板１及び偏光板８は、各偏光板の偏光軸を調整して視野角やコントラストが良好になるように調整することができ、それらの透過軸がノーマリブラックモードで作動するように、互いに直行する透過軸を有することが好ましい。特に、偏光板１及び偏光板８のうちいずれかは、液晶分子の配向方向と平行な透過軸を有するように配置することが好ましい。また、コントラストが最大になるように液晶の屈折率異方性Δｎとセル厚ｄとの積を調整することが好ましい。更に、視野角を広げるための位相差フィルムも使用することもできる。

　また、本発明に係る液晶表示素子は、共通電極が第一の基板のほぼ全面に形成され、かつ画素電極より第一の基板側に配置されていることも好ましい。すなわち、本発明に係る液晶表示素子の好適な実施形態は、対向に配置された第一の基板および第二の基板と、前記第一の基板と前記第二の基板との間に充填された液晶組成物を含有する液晶層と、前記第一の基板上に、透明導電性材料を含む共通電極、マトリクス状に配置される複数個のゲートバスライン及びデータバスライン、前記ゲートバスラインとデータバスラインとの交差部に設けられる薄膜トランジスタおよび透明導電性材料を含み、かつ前記薄膜トランジスタにより駆動され前記共通電極との間でフリンジ電界を形成する画素電極と、を画素毎に有する電極層と、前記液晶層と前記第一の基板および前記第二の基板との間にそれぞれ形成された垂直配向を誘起する光配向層と、を有し、前記画素電極と共通電極との間の電極間距離Ｒが、前記第一の基板と第二の基板との距離Ｇより小さく、前記共通電極が前記第一の基板のほぼ全面に形成され、かつ画素電極より第一の基板側に配置されている。なお、本発明の一形態である図１～３では、共通電極が第一の基板のほぼ全面に形成され、かつ画素電極より第一の基板側に配置されている形態を示している。

　図１～図３を用いて説明したＶＡ－ＩＰＳ型の液晶表示素子は一例であって、本発明の技術的思想から逸脱しない限りにおいて、他の様々な形態で実施することが可能である。

　本発明に係る液晶表示素子の他の実施形態を図４および図５を用いて以下説明する。例えば、図４は、図１における基板２上に形成された電極層３のＩＩ線で囲まれた領域を拡大した平面図であり、他の液晶表示素子の実施形態である。図４に示すように、画素電極２１がスリットを有する構成としてもよい。また、スリットのパターンを、ゲートバスライン２６またはデータバスライン２５に対して傾斜角を持つようにして形成してもよい。

　当該図４に示す画素電極２１は、略長方形の平板体の電極を略矩形枠状の切欠き部でくり抜かれた形状である。また、当該画素電極２１の背面には絶縁層１８（図示せず）を介して櫛歯状の共通電極２２が一面に形成されている。そして、隣接する共通電極と画素電極との最短離間距離Ｒは配向層同士の最短離間距離Ｇより長い（図４では都合上、ＧよりＲが短く見えるが実際はＲがＧよりも長い例である。）。また、前記画素電極の表面には保護絶縁膜及び配向膜層によって被覆されていることが好ましい。なお、前記複数のゲートバスライン２５と複数のデータバスライン２６とに囲まれた領域にはデータバスライン２６を介して供給される表示信号を保存するストレイジキャパシタ（図示せず）を設けてもよい。なお、切欠き部の形状は特に制限されるものではなく、図４で示す略矩形だけでなく、楕円、円形、長方形状、菱形、三角形、または平行四辺形など公知の形状の切欠き部を使用できる。

　図５は、図３の変形例であり、図４において図２と同様の位置であるＩＩＩ－ＩＩＩ線方向に液晶表示素子を切断した断面図である。配向層４および薄膜トランジスタ２０を含む電極層３が表面に形成された第一の基板２と、配向層４が表面に形成された第二の基板８とが所定の間隔Ｇで配向層同士向かい合うよう離間しており、この空間に液晶組成物を含む液晶層５が充填されている。第一の基板２の表面の一部にゲート絶縁膜１２、共通電極２２、絶縁膜１８、画素電極２１および配向層４の順で積層されている。また、図４にも示すように、画素電極２１は、平板体の中央部および両端部が三角形状の切欠き部でくり抜かれ、さらに残る領域を長方形状の切欠き部でくり抜かれた形状であり、かつ共通電極２２は前記画素電極２１の略矩形状の切欠き部と略平行に櫛歯状の共通電極が前記画素電極より第一の基板側に配置されてなる構造である。

　さらに、図４、５においては、櫛形あるいはスリットを有する共通電極２２を用いており、画素電極２１と共通電極２２との電極間距離は電極間距離Ｒが０でない条件となる。さらに、図３では共通電極２２がゲート絶縁膜１２上に形成されている例を示していたが、図５に示されるように、共通電極２２を第一の基板２上に形成して、ゲート絶縁膜１２を介して画素電極２１を設けるようにしてもよい。画素電極２１の電極幅：ｌ、共通電極２２の電極幅：ｎ、及び、電極間距離：Ｒは、発生する電界により液晶層５内の液晶分子が全て駆動され得る程度の幅に適宜調整することが好ましい。

　また、図５では、画素電極２１が共通電極２２より液晶層側に設けているが、画素電極２１と共通電極２２とを同一の厚み方向の高さの構成でもよく、または共通電極２２が画素電極２１より液晶層側に設ける構造であってもよい。画素電極２１と共通電極２２とを同一の厚み方向の高さに設けた実施形態としては上述したように、後述の図６のごとく断面が画素電極と共通電極とが交互になるように構成してもよい。画素電極と共通電極とを同一基板上に遊嵌して設ける構造が挙げられる。

　例えば、図１、４および５に示すように共通電極および画素電極が第一の基板上に形成されていることが好ましい。同一基板に共通電極および画素電極が形成されていると、両者の電極間に基板に対して略平行な電界が生じる。

　このようなフリンジ電界を利用しないＶＡ－ＩＰＳ方式の場合、図７（Ｃ）のように、配向膜表面近傍の液晶分子は電圧を印加した状態であっても液晶分子の配向変化が少ないが、通常のＩＰＳ方式のように基板に対して平行状態を維持したまま配向変化しないため、電圧を無印加状態にした場合、液晶分子が基板に対して平行状態から基板に対して垂直方向へ戻らなくなるという問題が起こりやすい。このような問題点は液晶組成物に重合性モノマーを添加して、当該重合性モノマーを図６～７の説明のようにポリマー化することで軽減される。

　また、ＶＡ－ＩＰＳモードなどの垂直配向型の液晶表示素子は、第一の基板２と第二の基板７との間に液晶層５を注入する際、例えば、真空注入法または滴下注入（ＯＤＦ：Ｏｎｅ　Ｄｒｏｐ　Ｆｉｌｌ）法等の方法が行われるが、本願発明においては、ＯＤＦ法において、液晶組成物を基板に滴下した際の滴下痕の発生を抑えることができる。なお、滴下痕とは、液晶組成物を滴下した痕が白く浮かび上がる現象と定義する。

　滴下痕の発生は、注入される液晶材料に大きな影響を受けるものであるが、さらに、表示素子の構成によってもその影響は避けられない。液晶表示素子においては、表示素子中に形成される薄膜トランジスタ、及び、櫛形やスリットを有する画素電極２１等は、薄い配向膜４、あるいは薄い配向膜４と薄い絶縁保護層１８等しか液晶組成物を隔てる部材が無いことから、イオン性物質を遮断しきれない可能性が高く、電極を構成する金属材料と液晶組成物の相互作用による滴下痕の発生を避けることができなかったが、横電界型の液晶表示素子において本願発明の液晶組成物および光配向膜を組み合わせて用いることにより、効果的に滴下痕の発生が抑えられる。

　また、ＯＤＦ法による液晶表示素子の製造工程においては、液晶表示素子のサイズに応じて最適な液晶注入量を滴下する必要があるが、本願発明の液晶組成物は、例えば、液晶滴下時に生じる滴下装置内の急激な圧力変化や衝撃に対する影響が少なく、長時間にわたって安定的に液晶を滴下し続けることが可能であるため、液晶表示素子の歩留まりを高く保持することもできる。特に、最近流行しているスマートフォンに多用される小型液晶表示素子は、最適な液晶注入量が少ないために最適値からのずれを一定範囲内に制御すること自体が難しいが、本願発明の液晶組成物を用いることにより、小型液晶表示素子においても安定した液晶材料の吐出量を実現できる。

　本発明に係る液晶表示素子の他の構成要素である液晶層および光配向膜層について以下詳説する。

　（液晶層）
　本発明における液晶組成物の実施の態様について以下説明する。本発明の液晶組成物は、垂直配向モード（例えば、ＶＡ－ＩＰＳ）の液晶表示素子に適用されることが好ましい。また、本発明に係る液晶層は、液晶組成物を含む層である。本発明に係る液晶組成物には重合性化合物を添加してもよい。そのため、本発明に係る液晶層は、液晶組成物中に含まれる重合性化合物がポリマー化した状態であることが好ましい。後述するが、これにより配向規制力を高めることができる。

　本発明における液晶組成物は、第一成分として一般式（ｉ）で表される化合物を１種以上および第二成分として一般式（Ｊ）で表される化合物を１種以上の群の中から選択される少なくとも１種以上の化合物を含有する誘電率異方性の値が正の液晶組成物であり、一般式（ｉ）で表される化合物を１種以上と第二成分として一般式（Ｊ）で表される化合物を１種以上とを含むことが好ましい。

　本発明の組成物の総量に対しての一般式（ｉ）で表される化合物および一般式（Ｊ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１０％であり、１５％であり、２０％であり、２５％であり、３０％であり、３５％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、９７％であり、９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、３０％であり、２５％であり、２０％である。

　本発明に係る液晶組成物の好ましい物性値は、Δεは１．５～１２、Δｎは０．０８～０．２０であることが好ましい。

　以下本発明に係る液晶組成物に含まれる成分（第一成分、第二成分、その他任意成分）毎について説明する。

　上記一般式（ｉ）において、ｎ^ｉ１が、２～４の整数の場合、環Ａ^ｉ１はそれぞれ同一であっても異なってもよい。また、環Ａ^ｉ１はΔｎを大きくすることが求められる場合には芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましく、環Ａ^ｉ１はそれぞれ独立して、トランス－１，４－シクロへキシレン基、１，３－ジオキサン－２，５－ジイル基、テトラヒドロピラン－２，５－ジイル基、１，４－フェニレン基、２－フルオロ－１，４－フェニレン基、３－フルオロ－１，４－フェニレン基、３，５－ジフルオロ－１，４－フェニレン基、１，４－シクロヘキセニレン基、１，４－ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン－１，４－ジイル基、ナフタレン－２，６－ジイル基、デカヒドロナフタレン－２，６－ジイル基または１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン－２，６－ジイル基を表すことが好ましく、下記の構造を表すことがより好ましく、

トランス－１，４－シクロへキシレン基または１，４－フェニレン基を表すことがさらに好ましい、
　上記一般式（ｉ）において、Ｚ^ｉ１は単結合がより好ましい。また、ｎ^ｉ１は、２、３または４であることが好ましい。ｎ^ｉ１が２、３または４の整数の場合は、Ｚ^ｉ１が複数存在するため、それらは同一であっても異なっていても良い。

　信頼性を重視する場合にはＲ^ｉ１及びＲ^ｉ２はともにアルキル基であることが好ましく、化合物の揮発性を低減させることを重視する場合には少なくとも一方はアルコキシ基であることが好ましく、粘性の低下を重視する場合には少なくとも一方はアルケニル基であることが好ましい。

　Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、それが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１～５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１～４のアルコキシ基または炭素原子数４～５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１～５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１～４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２～５のアルケニル基が好ましい。ネマチック相を安定化させるためには炭素原子及び存在する場合酸素原子の合計が５以下であることが好ましく、直鎖状であることが好ましい。

　また、本発明に係るアルキル基、アルケニル基およびアルコキシ基はいずれも直鎖状または分岐状が好ましく、直鎖状のアルキル基、アルケニル基またはアルコキシ基がより好ましい。なお、本明細書中において、アルキル基の例は共通であり、各々のアルキル基の炭素原子数の数によって適宜上記例示から選択される。

　また、本発明に係るより好ましいアルケニル基としては、式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。（各式中の黒点は環構造中の炭素原子を表す。）

　本発明の液晶組成物において、一般式（ｉ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、屈折率異方性、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

　本発明の組成物の総量に対しての式（ｉ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、１０％であり、１５％であり、２０％であり、２５％であり、３０％であり、３５％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、３０％であり、２５％である。

　本発明の組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。さらに、本発明の組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を低く上限値が低いことが好ましい。

　本発明に係る液晶組成物は、一般式（ｉ）で表される化合物を１種類または２種類以上含有する。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、粘性、転移温度、電気的な信頼性、屈折率異方性などの所望の性能に応じて適宜組み合わせて使用する。ただし、当該一般式（ｉ）で表される化合物は減粘作用を奏する化合物を含むことが好ましい。また、第一成分である一般式（ｉ）で表される化合物として使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類である。あるいは本発明の別の実施形態では２種類である。また、本発明の別の実施形態では３種類である。さらに、本発明の別の実施形態では４種類である。さらに、本発明の別の実施形態では５種類である。さらに、本発明の別の実施形態では６種類である。さらに、本発明の別の実施形態では７種類である。さらに、本発明の別の実施形態では８種類である。さらに、本発明の別の実施形態では９種類である。さらに、本発明の別の実施形態では１０種類以上である。

　本発明に係る一般式（ｉ）で表される化合物は、液晶組成物の化学的な安定性が求められる場合には塩素原子をその分子内に有さないことが好ましい。

　一般式（ｉ）で表される化合物は一般式（ｉ－１）～（ｉ－７）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

　一般式（ｉ－１）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^ｉ１１及びＲ^ｉ１２はそれぞれ独立して、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１及びＲ^ｉ２と同じ意味を表す。）
　Ｒ^ｉ１１及びＲ^ｉ１２は、直鎖状の炭素原子数１～５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１～４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２～５のアルケニル基が好ましい。

　一般式（ｉ－１）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、屈折率異方性などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

　好ましい含有量の下限値は、本発明の組成物の総量に対して、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１５％であり、２０％であり、２５％であり、３０％であり、３５％であり、４０％であり、４５％であり、５０％であり、５５％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、９５％であり、９３％であり、９０％であり、８７％であり、８５％であり、８２％であり、８０％であり、７７％であり、７５％であり、７３％であり、７０％であり、６７％であり、６５％であり、６３％であり、６０％であり、５７％であり、５５％であり、５２％であり、５０％であり、４７％であり、４５％であり、４３％であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２５％である。

　本発明の組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。さらに、本発明の組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い組成物が必要な場合は上記の下限値が中庸で上限値が中庸であることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値が低く上限値が低いことが好ましい。

　一般式（ｉ－１）で表される化合物は一般式（ｉ－１－１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中Ｒ^ｉ１２は一般式（ｉ－１）における意味と同じ意味を表す。）
　一般式（ｉ－１－１）で表される化合物は、式（ｉ－１－１．１）から式（ｉ－１－１．３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（ｉ－１－１．２）または式（ｉ－１－１．３）で表される化合物であることが好ましく、特に、式（ｉ－１－１．３）で表される化合物であることが好ましい。

　本発明の組成物の総量に対しての式（ｉ－１－１．３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％であり、３％である。

　一般式（ｉ－１）で表される化合物は一般式（ｉ－１－２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中Ｒ^ｉ１２は一般式（ｉ－１）における意味と同じ意味を表す。）
　本発明の組成物の総量に対しての式（ｉ－１－２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、５％であり、１０％であり、１５％であり、１７％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３５％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、６０％であり、５５％であり、５０％であり、４５％であり、４２％であり、４０％であり、３８％であり、３５％であり、３３％であり、３０％である。

　さらに、一般式（ｉ－１－２）で表される化合物は、式（ｉ－１－２．１）から式（ｉ－１－２．４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（ｉ－１－２．２）から式（ｉ－１－２．４）で表される化合物であることが好ましい。特に、式（ｉ－１－２．２）で表される化合物は本発明の組成物の応答速度を特に改善するため好ましい。また、応答速度よりも高いＴｎｉを求めるときは、式（ｉ－１－２．３）または式（ｉ－１－２．４）で表される化合物を用いることが好ましい。式（ｉ－１－２．３）及び式（ｉ－１－２．４）で表される化合物の含有量は、低温での溶解度を良くするために３０％以上にすることは好ましくない。

　本発明の組成物の総量に対しての式（ｉ－１－２．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１０％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３３％であり、３５％であり、３８％であり、４０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、６０％であり、５５％であり、５０％であり、４５％であり、４３％であり、４０％であり、３８％であり、３５％であり、３２％であり、３０％であり、２７％であり、２５％であり、２２％である。

　本発明の組成物の総量に対しての式（ｉ－１－１．３）で表される化合物及び式（ｉ－１－２．２）で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、１０％であり、１５％であり、２０％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３５％であり、４０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、６０％であり、５５％であり、５０％であり、４５％であり、４３％であり、４０％であり、３８％であり、３５％であり、３２％であり、３０％であり、２７％であり、２５％であり、２２％である。

　一般式（ｉ－１）で表される化合物は一般式（ｉ－１－３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中Ｒ^ｉ１３及びＲ^ｉ１４はそれぞれ独立して炭素原子数１～８のアルキル基または炭素原子数１～８のアルコキシ基を表す。）
　Ｒ^ｉ１３及びＲ^ｉ１４は、直鎖状の炭素原子数１～５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１～４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２～５のアルケニル基が好ましい。

　本発明の組成物の総量に対しての式（ｉ－１－３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、６０％であり、５５％であり、５０％であり、４５％であり、４０％であり、３７％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２７％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１７％であり、１５％であり、１３％であり、１０％である。
さらに、一般式（ｉ－１－３）で表される化合物は、式（ｉ－１－３．１）から式（ｉ－１－３．１２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（ｉ－１－３．１）、式（ｉ－１－３．３）または式（ｉ－１－３．４）で表される化合物であることが好ましい。特に、式（ｉ－１－３．１）で表される化合物は本発明の組成物の応答速度を特に改善するため好ましい。また、応答速度よりも高いＴｎｉを求めるときは、式（ｉ－１－３．３）、式（ｉ－１－３．４）、式（ｉ－１－３．１１）及び式（ｉ－１－３．１２）で表される化合物を用いることが好ましい。式（ｉ－１－３．３）、式（ｉ－１－３．４）、式（ｉ－１－３．１１）及び式（ｉ－１－３．１２）で表される化合物の合計の含有量は、低温での溶解度を良くするために２０％以上にすることは好ましくない。

　本発明の組成物の総量に対しての式（ｉ－１－３．１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、２０％であり、１７％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％である。

　一般式（ｉ－１）で表される化合物は一般式（ｉ－１－４）及び／または（ｉ－１－５）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中Ｒ^ｉ１５及びＲ^ｉ１６はそれぞれ独立して炭素原子数１～８のアルキル基または炭素原子数１～８のアルコキシ基を表す。）
　Ｒ^ｉ１５及びＲ^ｉ１６は、直鎖状の炭素原子数１～５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１～４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２～５のアルケニル基が好ましい。

　本発明の組成物の総量に対しての式（ｉ－１－４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１７％であり、１５％であり、１３％であり、１０％である。

　本発明の組成物の総量に対しての式（ｉ－１－５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１７％であり、１５％であり、１３％であり、１０％である。

　さらに、一般式（ｉ－１－４）及び（ｉ－１－５）で表される化合物は、式（ｉ－１－４．１）から式（ｉ－１－５．３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（ｉ－１－４．２）または式（ｉ－１－５．２）で表される化合物であることが好ましい。

　本発明の組成物の総量に対しての式（ｉ－１－４．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、２０％であり、１７％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％である。

　式（ｉ－１－１．３）、式（ｉ－１－２．２）、式（ｉ－１－３．１）、式（ｉ－１－３．３）、式（ｉ－１－３．４）、式（ｉ－１－３．１１）及び式（ｉ－１－３．１２）で表される化合物から選ばれる２種以上の化合物を組み合わせることが好ましく、式（ｉ－１－１．３）、式（ｉ－１－２．２）、式（ｉ－１－３．１）、式（ｉ－１－３．３）、式（ｉ－１－３．４）及び式（ｉ－１－４．２）で表される化合物から選ばれる２種以上の化合物を組み合わせることが好ましく、これら化合物の合計の含有量の好ましい含有量の下限値は、本発明の組成物の総量に対して、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３３％であり、３５％であり、上限値は、本発明の組成物の総量に対して、８０％であり、７０％であり、６０％であり、５０％であり、４５％であり、４０％であり、３７％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％である。組成物の信頼性を重視する場合には、式（ｉ－１－３．１）、式（ｉ－１－３．３）及び式（ｉ－１－３．４））で表される化合物から選ばれる２種以上の化合物を組み合わせることが好ましく、組成物の応答速度を重視する場合には、式（ｉ－１－１．３）、式（ｉ－１－２．２）で表される化合物から選ばれる２種以上の化合物を組み合わせることが好ましい。

　一般式（ｉ－２）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^ｉ２１及びＲ^ｉ２２はそれぞれ独立して、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１及びＲ^ｉ２と同じ意味を表す。）
　Ｒ^ｉ２１は炭素原子数１～５のアルキル基または炭素原子数２～５のアルケニル基が好ましく、Ｒ^ｉ２２は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数４～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基が好ましい。

　低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、反対に、応答速度を重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

　本発明の組成物の総量に対しての式（ｉ－２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％であり、３％である。

　さらに、一般式（ｉ－２）で表される化合物は、式（ｉ－２．１）から式（ｉ－２．６）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（ｉ－２．１）、式（ｉ－２．３）、式（ｉ－２．４）及び式（ｉ－２．６）で表される化合物であることが好ましい。

　一般式（ｉ－３）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^ｉ３１及びＲ^ｉ３２はそれぞれ独立して、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１及びＲ^ｉ２と同じ意味を表す。）
　Ｒ^ｉ３１及びＲ^ｉ３２はそれぞれ独立して炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数４～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基が好ましい。

　一般式（ｉ－３）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、屈折率異方性などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

　本発明の組成物の総量に対しての式（ｉ－３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％であり、３％である。

　高い屈折率異方性を得る場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、反対に、高いＴｎｉを重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

　さらに、一般式（ｉ－３）で表される化合物は、式（ｉ－３．１）から式（ｉ－３．４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（ｉ－３．２）から式（ｉ－３．７）で表される化合物であることが好ましい。

　一般式（ｉ－４）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^ｉ４１及びＲ^ｉ４２はそれぞれ独立して、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１及びＲ^ｉ２と同じ意味を表す。）
　Ｒ^ｉ４１は炭素原子数１～５のアルキル基または炭素原子数２～５のアルケニル基が好ましく、Ｒ^ｉ４２は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数４～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基が好ましい。）
　一般式（ｉ－４）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、屈折率異方性などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

　本発明の組成物において、一般式（ｉ－４）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、屈折率異方性、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

　本発明の組成物の総量に対しての式（ｉ－４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１４％であり、１６％であり、２０％であり、２３％であり、２６％であり、３０％であり、３５％であり、４０％である。本発明の組成物の総量に対しての式（ｉ－４）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、５０％であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２０％であり、１５％であり、１０％であり、５％である。

　一般式（ｉ－４）で表される化合物は、例えば式（ｉ－４．１）から式（ｉ－４．３）で表される化合物であることが好ましい。

　低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、屈折率異方性などの求められる性能に応じて、式（ｉ－４．１）で表される化合物を含有していても、式（ｉ－４．２）で表される化合物を含有していても、式（ｉ－４．１）で表される化合物と式（ｉ－４．２）で表される化合物との両方を含有していても良いし、式（ｉ－４．１）から式（ｉ－４．３）で表される化合物を全て含んでいても良い。本発明の組成物の総量に対しての式（ｉ－４．１）または式（ｉ－４．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、３％であり、５％であり、７％であり、９％であり、１１％であり、１２％であり、１３％であり、１８％であり、２１％であり、好ましい上限値は、４５であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％である。

　式（ｉ－４．１）で表される化合物と式（ｉ－４．２）で表される化合物との両方を含有する場合は、本発明の組成物の総量に対しての両化合物の好ましい含有量の下限値は、１５％であり、１９％であり、２４％であり、３０％であり、好ましい上限値は、４５であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。

　一般式（ｉ－４）で表される化合物は、例えば式（ｉ－４．４）から式（ｉ－４．６）で表される化合物であることが好ましく、式（ｉ－４．４）で表される化合物であることが好ましい。

　低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、屈折率異方性などの求められる性能に応じて、式（ｉ－４．４）で表される化合物を含有していても、式（ｉ－４．５）で表される化合物を含有していても、式（ｉ－４．４）で表される化合物と式（ｉ－４．５）で表される化合物との両方を含有していても良い。

　本発明の組成物の総量に対しての式（ｉ－４．４）または式（ｉ－４．５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、３％であり、５％であり、７％であり、９％であり、１１％であり、１２％であり、１３％であり、１８％であり、２１％である。好ましい上限値は、４５であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％である。

　式（ｉ－４．４）で表される化合物と式（ｉ－４．５）で表される化合物との両方を含有する場合は、本発明の組成物の総量に対しての両化合物の好ましい含有量の下限値は、１５％であり、１９％であり、２４％であり、３０％であり、好ましい上限値は、４５であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。

　一般式（ｉ－４）で表される化合物は、式（ｉ－４．７）から式（ｉ－４．１０）で表される化合物であることが好ましく、特に、式（ｉ－４．９）で表される化合物が好ましい。

　一般式（ｉ－５）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^ｉ５１及びＲ^ｉ５２はそれぞれ独立して、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１及びＲ^ｉ２と同じ意味を表す。）
　Ｒ^ｉ５１は炭素原子数１～５のアルキル基または炭素原子数２～５のアルケニル基が好ましく、Ｒ^ｉ５２は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数４～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基が好ましい。

　一般式（ｉ－５）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、屈折率異方性などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

　本発明の組成物において、一般式（ｉ－５）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、屈折率異方性、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

　本発明の組成物の総量に対しての式（ｉ－５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１４％であり、１６％であり、２０％であり、２３％であり、２６％であり、３０％であり、３５％であり、４０％である。本発明の組成物の総量に対しての式（ｉ－５）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、５０％であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２０％であり、１５％であり、１０％であり、５％である
　一般式（ｉ－５）で表される化合物は、式（ｉ－５．１）または式（ｉ－５．２）で表される化合物であることが好ましく、特に、式（ｉ－５．１）で表される化合物であることが好ましい。

　本発明の組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％である。これら化合物の好ましい含有量の上限値は、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、９％である。

　一般式（ｉ－５）で表される化合物は、式（ｉ－５．３）または式（ｉ－５．４）で表される化合物であることが好ましい。

　一般式（ｉ－５）で表される化合物は、式（ｉ－５．５）から式（ｉ－５．７）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、特に式（ｉ－５．７）で表される化合物であることが好ましい。

　一般式（ｉ－６）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^ｉ６１及びＲ^ｉ６２はそれぞれ独立して、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１及びＲ^ｉ２と同じ意味を表し、Ｘ^ｉ６１及びＸ^ｉ６２はそれぞれ独立して水素原子またはフッ素原子を表す。）
　Ｒ^ｉ６１及びＲ^ｉ６２はそれぞれ独立して炭素原子数１～５のアルキル基または炭素原子数２～５のアルケニル基が好ましく、Ｘ^ｉ６１及びＸ^ｉ６２のうち一方がフッ素原子他方が水素原子であることが好ましい。

　一般式（ｉ－６）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、屈折率異方性などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

　本発明の組成物の総量に対しての式（ｉ－６）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１４％であり、１６％であり、２０％であり、２３％であり、２６％であり、３０％であり、３５％であり、４０％である。本発明の組成物の総量に対しての式（ｉ－６）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、５０％であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２０％であり、１５％であり、１０％であり、５％である。Δｎを大きくすることに重点を置く場合には含有量を多くした方が好ましく、低温での析出に重点を置いた場合には含有量は少ない方が好ましい。

　一般式（ｉ－６）で表される化合物は、式（ｉ－６．１）から式（ｉ－６．９）で表される化合物であることが好ましい。

　組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、これらの化合物の中から１種～３種類含有することが好ましく、１種～４種類含有することがさらに好ましい。また、選ぶ化合物の分子量分布が広いことも溶解性に有効であるため、例えば、式（ｉ－６．１）または（ｉ－６．２）で表される化合物から１種類、式（ｉ－６．４）または（ｉ－６．５）で表される化合物から１種類、式（ｉ－６．６）または式（ｉ－６．７）で表される化合物から１種類、式（ｉ－６．８）または（ｉ－６．９）で表される化合物から１種類の化合物を選び、これらを適宜組み合わせることが好ましい。その中でも、式（ｉ－６．１）、式（ｉ－６．３）式（ｉ－６．４）、式（ｉ－６．６）及び式（ｉ－６．９）で表される化合物を含むことが好ましい。

　さらに、一般式（ｉ－６）で表される化合物は、例えば式（ｉ－６．１０）から式（ｉ－６．１７）で表される化合物であることが好ましく、その中でも、式（ｉ－６．１１）で表される化合物であることが好ましい。

　一般式（ｉ－７）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^ｉ７１及びＲ^ｉ７２はそれぞれ独立して一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１及びＲ^ｉ２と同じ意味を表し、Ａ^ｉ７１及びＡ^ｉ７２はそれぞれ独立して一般式（ｉ）におけるＡ^ｉ２及びＡ^ｉ３と同じ意味を表すが、Ａ^ｉ７１及びＡ^ｉ７２上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子によって置換されていてもよく、Ｚ^ｉ７１は一般式（ｉ）におけるＺ^ｉ２と同じ意味を表し、Ｘ^ｉ７１及びＸ^ｉ７２はそれぞれ独立してフッ素原子または水素原子を表す。）
　式中、Ｒ^ｉ７１及びＲ^ｉ７２はそれぞれ独立して炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基が好ましく、Ａ^ｉ７１及びＡ^ｉ７２はそれぞれ独立して１,４-シクロヘキシレン基または１,４-フェニレン基が好ましく、Ａ^ｉ７１及びＡ^ｉ７２上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子によって置換されていてもよく、Ｑ^ｉ７１は単結合またはＣＯＯ－が好ましく、単結合が好ましく、Ｘ^ｉ７１及びＸ^ｉ７２は水素原子が好ましい。

　組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、屈折率異方性などの求められる性能に応じて組み合わせる。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類である。

　本発明の組成物において、一般式（ｉ－７）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、屈折率異方性、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

　本発明の組成物の総量に対しての式（ｉ－７）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１４％であり、１６％であり、２０％である。本発明の組成物の総量に対しての式（ｉ－７）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１０％であり、５％である。

　本発明の組成物が高いＴｎｉの実施形態が望まれる場合は式（ｉ－７）で表される化合物の含有量を多めにすることが好ましく、低粘度の実施形態が望まれる場合は含有量を少なめにすることが好ましい。

　さらに、一般式（ｉ－７）で表される化合物は、式（ｉ－７．１）から式（ｉ－７．４）で表される化合物であることが好ましく、式（ｉ－７．２）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（ｉ－７）で表される化合物は、式（ｉ－７．１１）から式（ｉ－７．１３）で表される化合物であることが好ましく、式（ｉ－７．１１）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（ｉ－７）で表される化合物は、式（ｉ－７．２１）から式（ｉ－７．２３）で表される化合物である。式（ｉ－７．２１）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（ｉ－７）で表される化合物は、式（ｉ－７．３１）から式（ｉ－７．３４）で表される化合物であることが好ましく、式（ｉ－７．３１）または／及び式（ｉ－７．３２）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（ｉ－７）で表される化合物は、式（ｉ－７．４１）から式（ｉ－７．４４）で表される化合物であることが好ましく、式（ｉ－７．４１）または／及び式（ｉ－７．４２）で表される化合物であることが好ましい。

　一般式（ｉ）で表される化合物は、下記の一般式（ｉ－８）で表される群より選ばれることが好ましい。

（式中、Ｒ^ｉ８１およびＲ^ｉ８２は、それぞれ独立して、炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　本発明の液晶組成物の総量に対しての一般式（ｉ－８）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、７％であり、９％であり、１０％であり、１２％であり、１５％であり、１７％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　末端にアリルエーテル基を有する液晶化合物は、液晶組成物の構成成分として良好な特性を有するが、信頼性に問題があった。しかしながら、一般式（ｉ－８）で表される化合物は、アリルエーテル基を有するベンゼン環の特定の位置をジフッ素化することにより、骨格本来の優れた特性を損なわずに、信頼性を著しく向上させ、さらに相溶性を改善し、粘性を低下させる。さらに、誘電率異方性としては、側鎖の基の種類により、若干の正の誘電率異方性（５以下）を帯びる場合があるが、本明細書では中性の液晶化合物の構成成分として分類している。

　また、一般式（ｉ－８）中のＲ^ｉ８２においてフッ素原子に置換したアルキル基やアルケニル基（例えばビニル基）を選択する場合等は、正の誘電率異方性を付与することが可能である。例えば一般式（ｉ－８）で表される化合物は、単独で４０～１１０℃の範囲で液晶相を示し、Δｎが０．２６程度であり、フロー粘度が２５ｍＰａ・ｓ程度と低く、誘電率異方性が＋４～５程度であり、さらに液晶組成物の成分として用いた場合に極めて良好な相溶性を有する。

　さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（ｉ－８）で表される化合物は、具体的には式（ｉ－８．１）から式（ｉ－８．２４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（ｉ－８．５）、式（ｉ－８．６）、式（ｉ－８．１３）及び式（ｉ－８．１４）で表される化合物を含有することが好ましい。

　本発明の液晶組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、６％であり、７％であり、８％であり、９％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　また、当該第一成分としての一般式（ｉ－９）で表される化合物は、以下の一般式（ｉ－９．１）で表される化合物を少なくとも１種類または２種以上含むことが好ましい。

（上記一般式（ｉ－９）中、Ｒ^Ｌ７２はそれぞれ独立して、炭素原子数１～１０個のアルキル基、炭素原子数２～１０個のアルケニル基および炭素原子数１～１０個のアルコキシ基からなる群から選択される一つの基である。）
　液晶組成物の耐光性、耐熱性または焼き付きといった信頼性の向上の観点から一般式（ｉ－９）で表される化合物を含むことが好ましい。

　さらに、前記一般式（ｉ－９）で表される化合物は、式（ｉ－９．１）～式（ｉ－９．５）で表される化合物であることが特に好ましい。

　本発明に係る液晶組成物は、第二成分として一般式（Ｊ）で表される化合物を１種または２種以上含むことが好ましい（これら化合物は誘電的に正の化合物（Δεが２より大きい。）に該当する。）当該第二成分としての一般式（Ｊ）は、以下の化学構造で表される。

（式中、Ｒ^Ｊ１は炭素原子数１～８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の－ＣＨ_２－はそれぞれ独立して－ＣＨ＝ＣＨ－、－Ｃ≡Ｃ－、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－又は－ＯＣＯ－によって置換されていてもよく、
　ｎ^Ｊ１は、０、１、２、３又は４を表し、
　Ａ^Ｊ１、Ａ^Ｊ２及びＡ^Ｊ３はそれぞれ独立して、
（ａ）　１，４－シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の－ＣＨ_２－又は隣接していない２個以上の－ＣＨ_２－は－Ｏ－に置き換えられてもよい。）
（ｂ）　１，４－フェニレン基（この基中に存在する１個の－ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の－ＣＨ＝は－Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）　（ｃ）ナフタレン－２，６－ジイル基、１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン－２，６－ジイル基又はデカヒドロナフタレン－２，６－ジイル基（ナフタレン－２，６－ジイル基又は１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン－２，６－ジイル基中に存在する１個の－ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の－ＣＨ＝は－Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基で置換されていても良く、
　Ｚ^Ｊ１及びＺ^Ｊ２はそれぞれ独立して単結合、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－（ＣＨ_２）_４－、－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－又は－Ｃ≡Ｃ－を表し、
　ｎ^Ｊ１が２、３又は４であってＡ^Ｊ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎ^Ｊ１が２、３又は４であってＺ^Ｊ１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、
　Ｘ^Ｊ１は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は２，２，２－トリフルオロエチル基を表す。）
　一般式（Ｊ）中、Ｒ^Ｊ１は、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基、炭素原子数２～８のアルケニル基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数１～５のアルコキシ基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数２～５のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数２～５のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数２～５のアルキル基又は炭素原子数２～３のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数３のアルケニル基（プロペニル基）が特に好ましい。

　信頼性を重視する場合にはＲ^Ｊ１はアルキル基であることが好ましく、粘性の低下を重視する場合にはアルケニル基であることが好ましい。

　また、それが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１～５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１～４のアルコキシ基及び炭素原子数４～５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピラン及びジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１～５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１～４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２～５のアルケニル基が好ましい。ネマチック相を安定化させるためには炭素原子及び存在する場合酸素原子の合計が５以下であることが好ましく、直鎖状であることが好ましい。

　アルケニル基としては、式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。（各式中の黒点はアルケニル基が結合している環構造中の炭素原子を表す。）

　Ａ^Ｊ１、Ａ^Ｊ２及びＡ^Ｊ３はそれぞれ独立してΔｎを大きくすることが求められる場合には芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましく、トランス－１，４－シクロへキシレン基、１，４－フェニレン基、１，４－シクロヘキセニレン基、１，４－ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン－１，４－ジイル基、ナフタレン－２，６－ジイル基、デカヒドロナフタレン－２，６－ジイル基又は１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン－２，６－ジイル基を表すことが好ましく、それらはフッ素原子により置換されていてもよく、下記の構造を表すことがより好ましく、

下記の構造を表すことがより好ましい。

　Ｚ^Ｊ１及びＺ^Ｊ２はそれぞれ独立して－ＣＨ_２Ｏ－、－ＯＣＨ_２－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＦ_２ＣＦ_２－又は単結合を表すことが好ましく、－ＯＣＨ_２－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＣＨ_２ＣＨ_２－又は単結合が更に好ましく、－ＯＣＨ_２－、－ＣＦ_２Ｏ－又は単結合が特に好ましい。

　Ｘ^Ｊ１はフッ素原子又はトリフルオロメトキシ基が好ましく、フッ素原子が好ましい。

　ｎ^Ｊ１は、０、１、２又は３が好ましく、０、１又は２が好ましく、Δεの改善に重点を置く場合には０又は１が好ましく、Ｔｎｉを重視する場合には１又は２が好ましい。

　組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、屈折率異方性などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類である。またさらに、本発明の別の実施形態では４種類であり、５種類であり、６種類であり、７種類以上である。

　本発明の組成物において、一般式（Ｊ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、屈折率異方性、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

　本発明の組成物の総量に対しての一般式（Ｊ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、１０％であり、２０％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの形態では９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、２５％である。

　本発明の組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。さらに、本発明の組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高めに、上限値を高めにすることが好ましい。

　一般式（Ｊ）で表される化合物は、一般式（Ｍ）で表される化合物及び一般式（Ｋ）で表される化合物からなる群から選択される１種または２種以上が好ましい。

　本発明に係る一般式（Ｍ）は、

（上記一般式（Ｍ）中、Ｒ^Ｍ１は炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基または炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基またはアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基またはアルケニルオキシ基中の１個または非隣接の２個以上の－ＣＨ_２－はそれぞれ独立して－ＣＨ＝ＣＨ－、－Ｃ≡Ｃ－、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－またはＯＣＯ－によって置換されていてもよく、
　ＰＭは、０、１、２、３または４を表し、
　Ｃ^Ｍ１及びＣ^Ｍ２はそれぞれ独立して、
（ｄ）　１，４－シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の－ＣＨ_２－または隣接していない２個以上の－ＣＨ_２－は－Ｏ－またはＳ－に置き換えられてもよい。）及び
（ｅ）　１，４－フェニレン基（この基中に存在する１個の－ＣＨ＝または隣接していない２個以上の－ＣＨ＝は－Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ｄ）、基（ｅ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子または塩素原子で置換されていても良く、
　Ｋ^Ｍ１及びＫ^Ｍ２はそれぞれ独立して単結合、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－（ＣＨ_２）_４－、－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－またはＣ≡Ｃ－を表し、
　ＰＭが２、３または４であってＫ^Ｍ１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ＰＭが２、３または４であってＣ^Ｍ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、
　Ｘ^Ｍ１及びＸ^Ｍ３はそれぞれ独立して水素原子、塩素原子またはフッ素原子を表し、
　Ｘ^Ｍ２は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基または２，２，２－トリフルオロエチル基を表す。ただし、一般式（ｉ）で表される化合物を除く。）である。

　上記一般式（Ｍ）において、Ａ^Ｍ１及びＡ^Ｍ２はそれぞれ独立してΔｎを大きくすることが求められる場合には芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましく、トランス－１，４－シクロへキシレン基、１，４－フェニレン基、２－フルオロ－１，４－フェニレン基、３－フルオロ－１，４－フェニレン基、３，５－ジフルオロ－１，４－フェニレン基、２，３－ジフルオロ－１，４－フェニレン基、１，４－シクロヘキセニレン基、１，４－ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン－１，４－ジイル基、ナフタレン－２，６－ジイル基、デカヒドロナフタレン－２，６－ジイル基または１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン－２，６－ジイル基を表すことが好ましく、下記の構造を表すことがより好ましく、

下記の構造を表すことがより好ましい。

　Ｋ^Ｍ１及びＫ^Ｍ２はそれぞれ独立して－ＣＨ_２Ｏ－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＦ_２ＣＦ_２－または単結合を表すことが好ましく、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＣＨ_２ＣＨ_２－または単結合が更に好ましく、－ＣＦ_２Ｏ－または単結合が特に好ましい。

　Ｘ^Ｍ１及びＸ^Ｍ３はそれぞれ独立して水素原子またはフッ素原子であることが好ましく、Ｘ^Ｍ２はフッ素原子、トリフルオロメチル基またはトリフルオロメトキシ基であることが好ましい。

　一般式（Ｍ）中、Ｒ^Ｍ１は、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基、炭素原子数２～８のアルケニル基または炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数１～５のアルコキシ基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数２～５のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１～５のアルキル基または炭素原子数２～５のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数２～５のアルキル基または炭素原子数２～３のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数３のアルケニル基（プロペニル基）が特に好ましい。

　信頼性を重視する場合にはＲ^Ｍ１はアルキル基であることが好ましく、粘性の低下を重視する場合にはアルケニル基であることが好ましい。

　アルケニル基としては、式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。（各式中の黒点は環構造中の炭素原子を表す。）

　本発明の液晶組成物において、一般式（Ｍ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、屈折率異方性、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

　本発明の組成物の総量に対しての式（Ｍ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、１０％であり、１５％であり、２０％であり、２５％であり、３０％であり、３５％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの形態では９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、３０％であり、２５％である。

　本発明の液晶組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い液晶組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。さらに、本発明の液晶組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い液晶組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高めに、上限値を高めにすることが好ましい。

　本発明に係る一般式（Ｍ）で表される化合物は、液晶組成物の化学的な安定性が求められる場合には塩素原子をその分子内に有さないことが好ましい。更に液晶組成物内に塩素原子を有する化合物が５％以下であることが好ましく、３％以下であることが好ましく、１％以下であることが好ましく、０．５％以下であることが好ましく、実質的に含有しないことが好ましい。実質的に含有しないとは、化合物製造時の不純物として生成した化合物等が意図せず塩素原子を含む化合物のみが液晶組成物に混入することを意味する。

　本発明に係る一般式（Ｍ）で表される化合物は、例えば一般式（Ｍ－１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｍ１１は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｍ１１からＸ^Ｍ１５はそれぞれ独立して水素原子またはフッ素原子を表し、Ｙ^Ｍ１１はフッ素原子またはＯＣＦ_３を表す。）
　組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、屈折率異方性などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類以上である。

　本発明の組成物の総量に対しての式（Ｍ－１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２２％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　さらに、一般式（Ｍ－１）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ－１．１）から式（Ｍ－１．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ－１．１）または式（Ｍ－１．２）で表される化合物が好ましく、式（Ｍ－１．２）で表される化合物がさらに好ましい。また、式（Ｍ－１．１）または式（Ｍ－１．２）で表される化合物を同時に使用することも好ましい。

　本発明の組成物の総量に対しての式（Ｍ－１．１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、６％である。好ましい含有量の上限値は、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　本発明の組成物の総量に対しての式（Ｍ－１．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、６％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％である。

　本発明の組成物の総量に対しての式（Ｍ－１．１）及び式（Ｍ－１．２）で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、６％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％である。

　さらに、一般式（Ｍ）で表される化合物は、例えば一般式（Ｍ－２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｍ２１は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｍ２１及びＸ^Ｍ２２はそれぞれ独立して水素原子またはフッ素原子を表し、Ｙ^Ｍ２１はフッ素原子、塩素原子またはＯＣＦ_３を表す。）
　本発明の組成物の総量に対しての式（Ｍ－１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２２％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　本発明の組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。さらに、本発明の組成物のＴｎｉを高く保ち、焼きつきの発生しにくい組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高めに、上限値を高めにすることが好ましい。

　さらに、一般式（Ｍ－２）で表される化合物は、式（Ｍ－２．１）から式（Ｍ－２．５）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ－２．３）または／及び式（Ｍ－２．５）で表される化合物であることが好ましい。

　本発明の組成物の総量に対しての式（Ｍ－２．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、６％である。好ましい含有量の上限値は、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　本発明の組成物の総量に対しての式（Ｍ－２．３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、６％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％である。

　本発明の組成物の総量に対しての式（Ｍ－２．５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、６％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％である。

　本発明の組成物の総量に対しての式（Ｍ－２．２）、（Ｍ－２．３）及び式（Ｍ－２．５）で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、６％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％である。

　含有量は、本発明の組成物の総量に対して１％以上であることが好ましく、５％以上がより好ましく、８％以上がさらに好ましく、１０％以上がさらに好ましく、１４％以上がさらに好ましく、１６％以上が特に好ましい。また、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性などを考慮して、最大比率を３０％以下にとどめることが好ましく、２５％以下がさらに好ましく、２２％以下がより好ましく、２０％未満が特に好ましい。

　本発明の組成物に使用される一般式（Ｍ）で表される化合物は、一般式（Ｍ－３）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｍ３１は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｍ３１からＸ^Ｍ３６はそれぞれ独立して水素原子またはフッ素原子を表し、Ｙ^Ｍ３１はフッ素原子、塩素原子またはＯＣＦ_３を表す。）
　組み合わせることのできる化合物に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、屈折率異方性などを考慮して１種から２種類以上組み合わせることが好ましい。

　一般式（Ｍ－３）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、屈折率異方性などの特性を考慮して実施形態ごとに上限値と下限値がある。

　本発明の組成物の総量に対しての式（Ｍ－３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　さらに、本発明の組成物に使用される一般式（Ｍ－３）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ－３．１）から式（Ｍ－３．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ－３．１）及び／または式（Ｍ－３．２）で表される化合物を含有することが好ましい。

　本発明の組成物の総量に対しての式（Ｍ－３．１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　本発明の組成物の総量に対しての式（Ｍ－３．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　本発明の組成物の総量に対しての式（Ｍ－３．１）及び式（Ｍ－３．２）で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　さらに、一般式（Ｍ）で表される化合物は、一般式（Ｍ－４）で表される群より選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｍ４１は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｍ４１からＸ^Ｍ４８はそれぞれ独立してフッ素原子または水素原子を表し、Ｙ^Ｍ４１はフッ素原子、塩素原子またはＯＣＦ_３を表す。）
　組み合わせることのできる化合物に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、屈折率異方性などを考慮して１種、２種または３種類以上組み合わせることが好ましい。

　一般式（Ｍ－４）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、屈折率異方性などの特性を考慮して実施形態ごとに上限値と下限値がある。

　本発明の組成物の総量に対しての式（Ｍ－４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　本発明の組成物が、セルギャップの小さい液晶表示素子用に用いられる場合は、一般式（Ｍ－４）で表される化合物の含有量を多めにすることが適している。駆動電圧の小さい液晶表示素子用に用いられる場合は、一般式（Ｍ－４）で表される化合物の含有量を多めにすることが適している。また、低温の環境で用いられる液晶表示素子用に用いられる場合は一般式（Ｍ－４）で表される化合物の含有量を少なめにすることが適している。応答速度の速い液晶表示素子に用いられる組成物である場合は、一般式（Ｍ－４）で表される化合物の含有量を少なめにすることが適している。

　さらに、本発明の組成物に使用される一般式（Ｍ－４）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ－４．１）から式（Ｍ－４．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ－４．２）から式（Ｍ－４．４）で表される化合物を含有することが好ましく、式（Ｍ－４．２）で表される化合物を含有することがより好ましい。

　さらに、一般式（Ｍ）で表される化合物は、一般式（Ｍ－５）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｍ５１は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｍ５１及びＸ^Ｍ５２はそれぞれ独立して水素原子またはフッ素原子を表し、Ｙ^Ｍ５１はフッ素原子、塩素原子またはＯＣＦ_３を表す。）
　組み合わせることのできる化合物の種類に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、屈折率異方性などを考慮して、実施形態ごとに適宜組み合わせて使用する。例えば、本発明の一つの実施形態では１種類、別の実施形態では２種類、さらに別の実施形態では３種類、またさらに別の実施形態では４種類、またさらに別の実施形態では５種類、またさらに別の実施形態では６種類以上組み合わせる。

　本発明の組成物の総量に対しての式（Ｍ－５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２２％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、５０％であり、４５％であり、４０％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　さらに、一般式（Ｍ－５）で表される化合物は、式（Ｍ－５．１）から式（Ｍ－５．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ－５．１）から式（Ｍ－５．４）で表される化合物であることが好ましい。

　本発明の組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　さらに、一般式（Ｍ－５）で表される化合物は、式（Ｍ－５．１１）から式（Ｍ－５．１７）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ－５．１１）、式（Ｍ－５．１３）及び式（Ｍ－５．１７）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（Ｍ－５）で表される化合物は、式（Ｍ－５．２１）から式（Ｍ－５．２８）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ－５．２１）、式（Ｍ－５．２２）、式（Ｍ－５．２３）及び式（Ｍ－５．２５）で表される化合物であることが好ましい。

　本発明の組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２２％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、４０％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　さらに、一般式（Ｍ）で表される化合物は、一般式（Ｍ－６）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｍ６１は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｍ６１からＸ^Ｍ６４はそれぞれ独立してフッ素原子または水素原子を表し、Ｙ^Ｍ６１はフッ素原子、塩素原子またはＯＣＦ_３を表す。）
　組み合わせることのできる化合物の種類に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、屈折率異方性などを考慮して実施形態ごとに適宜組み合わせる。

　本発明の組成物の総量に対しての式（Ｍ－６）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　本発明の組成物が、駆動電圧の小さい液晶表示素子用に用いられる場合は、一般式（Ｍ－６）で表される化合物の含有量を多めにすることが適している。また応答速度の速い液晶表示素子に用いられる組成物である場合は、一般式（Ｍ－６）で表される化合物の含有量を少なめにすることが適している。

　さらに、一般式（Ｍ－６）で表される化合物は具体的には式（Ｍ－６．１）から式（Ｍ－６．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ－６．２）及び式（Ｍ－６．４）で表される化合物を含有することが好ましい。

　本発明の組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　さらに、一般式（Ｍ－６）で表される化合物は具体的には式（Ｍ－６．１１）から式（Ｍ－６．１４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ－６．１２）及び式（Ｍ－６．１４）で表される化合物を含有することが好ましい。

　さらに、一般式（Ｍ－６）で表される化合物は具体的には式（Ｍ－６．２１）から式（Ｍ－６．２４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ－６．２１）、式（Ｍ－６．２２）及び式（Ｍ－６．２４）で表される化合物を含有することが好ましい。

　さらに、一般式（Ｍ－６）で表される化合物は具体的には式（Ｍ－６．３１）から式（Ｍ－６．３４）で表される化合物が好ましい。中でも式（Ｍ－６．３１）及び式（Ｍ－６．３２）で表される化合物を含有することが好ましい。

　さらに、一般式（Ｍ－６）で表される化合物は具体的には式（Ｍ－６．４１）から式（Ｍ－６．４４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ－６．４２）で表される化合物を含有することが好ましい。

　更に、一般式（Ｍ）で表される化合物は、一般式（Ｍ－７）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｘ^Ｍ７１からＸ^Ｍ７６はそれぞれ独立してフッ素原子または水素原子を表し、Ｒ^Ｍ７１は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ｙ^Ｍ７１はフッ素原子またはＯＣＦ_３を表す。）
　組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、これらの化合物の中から１種～２種類含有することが好ましく、１種～３種類含有することがより好ましく、１種～４種類含有することが更に好ましい。

　一般式（Ｍ－７）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、屈折率異方性などの特性を考慮して実施形態ごとに上限値と下限値がある。

　本発明の組成物の総量に対しての式（Ｍ－７）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　本発明の組成物が、セルギャップの小さい液晶表示素子用に用いられる場合は、一般式（Ｍ－７）で表される化合物の含有量を多めにすることが適している。駆動電圧の小さい液晶表示素子用に用いられる場合は、一般式（Ｍ－７）で表される化合物の含有量を多めにすることが適している。また、低温の環境で用いられる液晶表示素子用に用いられる場合は一般式（Ｍ－７）で表される化合物の含有量を少なめにすることが適している。応答速度の速い液晶表示素子に用いられる組成物である場合は、一般式（Ｍ－７）で表される化合物の含有量を少なめにすることが適している。

　さらに、一般式（Ｍ－７）で表される化合物は、式（Ｍ－７．１）から式（Ｍ－７．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ－７．２）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（Ｍ－７）で表される化合物は、式（Ｍ－７．１１）から式（Ｍ－７．１４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ－７．１１）及び式（Ｍ－７．１２）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（Ｍ－７）で表される化合物は、式（Ｍ－７．２１）から式（Ｍ－７．２４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ－７．２１）及び式（Ｍ－７．２２）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（Ｍ）で表される化合物は、一般式（Ｍ－８）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｘ^Ｍ８１からＸ^Ｍ８４はそれぞれ独立してフッ素原子または水素原子を表し、Ｙ^Ｍ８１はフッ素原子、塩素原子またはＯＣＦ_３を表し、Ｒ^Ｍ８１は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ａ^Ｍ８１及びＡ^Ｍ８２はそれぞれ独立して、１，４－シクロヘキシレン基、１,４-フェニレン基または

を表すが、１,４-フェニレン基上の水素原子はフッ素原子によって置換されていてもよい。）
　本発明の組成物の総量に対しての一般式（Ｍ－８）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　本発明の組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。さらに、焼き付きの発生しにくい組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高めに、上限値を高めにすることが好ましい。

　さらに、本発明の組成物に使用される一般式（Ｍ－８）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ－８．１）から式（Ｍ－８．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ－８．１）及び式（Ｍ－８．２）で表される化合物を含有することが好ましい。

　さらに、本発明の組成物に使用される一般式（Ｍ－８）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ－８．１１）から式（Ｍ－８．１４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ－８．１２）で表される化合物を含有することが好ましい。

　さらに、本発明の組成物に使用される一般式（Ｍ－８）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ－８．２１）から式（Ｍ－８．２４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ－８．２２）で表される化合物を含有することが好ましい。

　さらに、本発明の組成物に使用される一般式（Ｍ－８）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ－８．３１）から式（Ｍ－８．３４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ－８．３２）で表される化合物を含有することが好ましい。

　さらに、本発明の組成物に使用される一般式（Ｍ－８）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ－８．４１）から式（Ｍ－８．４４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ－８．４２）で表される化合物を含有することが好ましい。

　さらに、本発明の組成物に使用される一般式（Ｍ－８）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ－８．５１）から式（Ｍ－８．５４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ－８．５２）で表される化合物を含有することが好ましい。

　さらに、一般式（Ｍ）で表される化合物は、その構造中に下記の部分構造を有していてもよい。

（式中の黒点は上記部分構造が結合している環構造中の炭素原子を表す。）
　上記部分構造を有する化合物として、一般式（Ｍ－１０）～（Ｍ－１８）で表される化合物であることが好ましい。

　一般式（Ｍ－１０）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^Ｍ１０１及びＸ^Ｍ１０２はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｙ^Ｍ１０１はフッ素原子、塩素原子又は－ＯＣＦ_３を表し、Ｒ^Ｍ１０１は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ｗ^Ｍ１０１及びＷ^Ｍ１０２はそれぞれ独立して、－ＣＨ_２－又は－Ｏ－を表す。）
　本発明の組成物の総量に対しての一般式（Ｍ－１０）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　さらに、本発明の組成物に使用される一般式（Ｍ－１０）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ－１０．１）から式（Ｍ－１０．１２）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ－１０．５）から式（Ｍ－１０．１２）で表される化合物を含有することが好ましい。

　一般式（Ｍ－１１）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^Ｍ１１１～Ｘ^Ｍ１１４はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｙ^Ｍ１１１はフッ素原子、塩素原子又は－ＯＣＦ_３を表し、Ｒ^Ｍ１１１は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　本発明の組成物の総量に対しての一般式（Ｍ－１１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　さらに、本発明の組成物に使用される一般式（Ｍ－１１）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ－１１．１）から式（Ｍ－１１．８）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ－１１．１）から式（Ｍ－１１．４）で表される化合物を含有することが好ましい。

　一般式（Ｍ－１２）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^Ｍ１２１及びＸ^Ｍ１２２はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｙ^Ｍ１２１はフッ素原子、塩素原子又は－ＯＣＦ_３を表し、Ｒ^Ｍ１２１は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ｗ^Ｍ１２１及びＷ^Ｍ１２２はそれぞれ独立して、－ＣＨ_２－又は－Ｏ－を表す。）
　本発明の組成物の総量に対しての一般式（Ｍ－１２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　さらに、本発明の組成物に使用される一般式（Ｍ－１２）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ－１２．１）から式（Ｍ－１２．１２）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ－１２．５）から式（Ｍ－１２．８）で表される化合物を含有することが好ましい。

　一般式（Ｍ－１３）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^Ｍ１３１～Ｘ^Ｍ１３４はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｙ^Ｍ１３１はフッ素原子、塩素原子又は－ＯＣＦ_３を表し、Ｒ^Ｍ１３１は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ｗ^Ｍ１３１及びＷ^Ｍ１３２はそれぞれ独立して、－ＣＨ_２－又は－Ｏ－を表す。）
　本発明の組成物の総量に対しての一般式（Ｍ－１３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　さらに、本発明の組成物に使用される一般式（Ｍ－１３）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ－１３．１）から式（Ｍ－１３．２８）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ－１３．１）から（Ｍ－１３．４）、（Ｍ－１３．１１）から（Ｍ－１３．１４）、（Ｍ－１３．２５）から（Ｍ－１３．２８）で表される化合物を含有することが好ましい。

　一般式（Ｍ－１４）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^Ｍ１４１～Ｘ^Ｍ１４４はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｙ^Ｍ１４１はフッ素原子、塩素原子又は－ＯＣＦ_３を表し、Ｒ^Ｍ１４１は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ｗ^Ｍ１４１及びＷ^Ｍ１４２はそれぞれ独立して、－ＣＨ_２－又は－Ｏ－を表す。）
　本発明の組成物の総量に対しての一般式（Ｍ－１４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　さらに、本発明の組成物に使用される一般式（Ｍ－１４）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ－１４．１）から式（Ｍ－１４．８）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ－１４．５）及び式（Ｍ－１４．８）で表される化合物を含有することが好ましい。

　一般式（Ｍ－１５）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^Ｍ１５１及びＸ^Ｍ１５２はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｙ^Ｍ１５１はフッ素原子、塩素原子又は－ＯＣＦ_３を表し、Ｒ^Ｍ１５１は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ｗ^Ｍ１５１及びＷ^Ｍ１５２はそれぞれ独立して、－ＣＨ_２－又は－Ｏ－を表す。）
　本発明の組成物の総量に対しての一般式（Ｍ－１５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　さらに、本発明の組成物に使用される一般式（Ｍ－１５）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ－１５．１）から式（Ｍ－１５．１４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ－１５．５）から式（Ｍ－１５．８）、式（Ｍ－１５．１１）から式（Ｍ－１５．１４）で表される化合物を含有することが好ましい。

　一般式（Ｍ－１６）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^Ｍ１６１～Ｘ^Ｍ１６４はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｙ^Ｍ１６１はフッ素原子、塩素原子又は－ＯＣＦ_３を表し、Ｒ^Ｍ１６１は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　本発明の組成物の総量に対しての一般式（Ｍ－１６）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　さらに、本発明の組成物に使用される一般式（Ｍ－１６）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ－１６．１）から式（Ｍ－１６．８）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ－１６．１）から式（Ｍ－１６．４）で表される化合物を含有することが好ましい。

　一般式（Ｍ－１７）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^Ｍ１７１～Ｘ^Ｍ１７４はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｙ^Ｍ１７１はフッ素原子、塩素原子又は－ＯＣＦ_３を表し、Ｒ^Ｍ１７１は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ｗ^Ｍ１７１及びＷ^Ｍ１７２はそれぞれ独立して、－ＣＨ_２－又は－Ｏ－を表す。）
　本発明の組成物の総量に対しての一般式（Ｍ－１７）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　さらに、本発明の組成物に使用される一般式（Ｍ－１７）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ－１７．１）から式（Ｍ－１７．５２）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ－１７．９）から式（Ｍ－１７．１２）、式（Ｍ－１７．２１）から式（Ｍ－１７．２８）、式（Ｍ－１７．４５）から式（Ｍ－１７．４８）で表される化合物を含有することが好ましい。

　一般式（Ｍ－１８）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^Ｍ１８１～Ｘ^Ｍ１８６はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｙ^Ｍ１８１はフッ素原子、塩素原子又は－ＯＣＦ_３を表し、Ｒ^Ｍ１８１は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　本発明の組成物の総量に対しての一般式（Ｍ－１８）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　さらに、本発明の組成物に使用される一般式（Ｍ－１８）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ－１８．１）から式（Ｍ－１８．１２）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ－１８．５）から式（Ｍ－１８．８）で表される化合物を含有することが好ましい。

　本発明の組成物は、一般式（Ｋ）で表される化合物を１種類又は２種類以上含有することが好ましい。これら化合物は誘電的に正の化合物（Δεが２より大きい。）に該当する。

（式中、Ｒ^Ｋ１は炭素原子数１～８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の－ＣＨ_２－はそれぞれ独立して－ＣＨ＝ＣＨ－、－Ｃ≡Ｃ－、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－又は－ＯＣＯ－によって置換されていてもよく、
　ｎ^Ｋ１は、０、１、２、３又は４を表し、
　Ａ^Ｋ１及びＡ^Ｋ２はそれぞれ独立して、
（ａ）　１，４－シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の－ＣＨ_２－又は隣接していない２個以上の－ＣＨ_２－は－Ｏ－又は－Ｓ－に置き換えられてもよい。）及び
（ｂ）　１，４－フェニレン基（この基中に存在する１個の－ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の－ＣＨ＝は－Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）及び基（ｂ）上の水素原子はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
　Ｚ^Ｋ１及びＺ^Ｋ２はそれぞれ独立して単結合、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－（ＣＨ_２）_４－、－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－又は－Ｃ≡Ｃ－を表し、
　ｎ^Ｋ１が２、３又は４であってＡ^Ｋ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎ^Ｋ１が２、３又は４であってＺ^Ｋ１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、
　Ｘ^Ｋ１及びＸ^Ｋ３はそれぞれ独立して水素原子、塩素原子又はフッ素原子を表し、
　Ｘ^Ｋ２は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は２，２，２－トリフルオロエチル基を表す。）
　一般式（Ｋ）中、Ｒ^Ｋ１は、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基、炭素原子数２～８のアルケニル基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数１～５のアルコキシ基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数２～５のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数２～５のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数２～５のアルキル基又は炭素原子数２～３のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数３のアルケニル基（プロペニル基）が特に好ましい。

　信頼性を重視する場合にはＲ^Ｋ１はアルキル基であることが好ましく、粘性の低下を重視する場合にはアルケニル基であることが好ましい。

　Ａ^Ｋ１及びＡ^Ｋ２はそれぞれ独立してΔｎを大きくすることが求められる場合には芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましく、トランス－１，４－シクロへキシレン基、１，４－フェニレン基、２－フルオロ－１，４－フェニレン基、３－フルオロ－１，４－フェニレン基、３，５－ジフルオロ－１，４－フェニレン基、２，３－ジフルオロ－１，４－フェニレン基、１，４－シクロヘキセニレン基、１，４－ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン－１，４－ジイル基、ナフタレン－２，６－ジイル基、デカヒドロナフタレン－２，６－ジイル基又は１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン－２，６－ジイル基を表すことが好ましく、下記の構造を表すことがより好ましく、

下記の構造を表すことがより好ましい。

　Ｚ^Ｋ１及びＺ^Ｋ２はそれぞれ独立して－ＣＨ_２Ｏ－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＦ_２ＣＦ_２－又は単結合を表すことが好ましく、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＣＨ_２ＣＨ_２－又は単結合が更に好ましく、－ＣＦ_２Ｏ－又は単結合が特に好ましい。

　ｎ^Ｋ１は、０、１、２又は３が好ましく、０、１又は２が好ましく、Δεの改善に重点を置く場合には０又は１が好ましく、Ｔｎｉを重視する場合には1又は２が好ましい。

　本発明の組成物において、一般式（Ｋ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、屈折率異方性、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

　本発明の組成物の総量に対しての式（Ｋ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、１０％であり、２０％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、例えば本発明の一つの形態では９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、２５％である。

　一般式（Ｋ）で表される化合物は、例えば一般式（Ｋ－１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｋ１１は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｋ１１～Ｘ^Ｋ１４はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^Ｋ１１はフッ素原子又はＯＣＦ_３を表す。）
　組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、屈折率異方性などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類以上である。

　本発明の組成物の総量に対しての式（Ｋ－１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２２％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　さらに、一般式（Ｋ－１）で表される化合物は、具体的には式（Ｋ－１．１）から式（Ｋ－１．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｋ－１．１）又は式（Ｋ－１．２）で表される化合物が好ましく、式（Ｋ－１．２）で表される化合物がさらに好ましい。また、式（Ｋ－１．１）又は式（Ｋ－１．２）で表される化合物を同時に使用することも好ましい。

　一般式（Ｋ）で表される化合物は、例えば一般式（Ｋ－２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｋ２１は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｋ２１～Ｘ^Ｋ２４はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^Ｋ２１はフッ素原子又はＯＣＦ_３を表す。）
　組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、屈折率異方性などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類以上である。

　本発明の組成物の総量に対しての式（Ｋ－２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２２％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　さらに、一般式（Ｋ－２）で表される化合物は、具体的には式（Ｋ－２．１）から式（Ｋ－２．６）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｋ－２．５）又は式（Ｋ－２．６）で表される化合物が好ましく、式（Ｋ－２．６）で表される化合物がさらに好ましい。また、式（Ｋ－２．５）又は式（Ｋ－２．６）で表される化合物を同時に使用することも好ましい。

　一般式（Ｋ）で表される化合物は、例えば一般式（Ｋ－３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｋ３１は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｋ３１～Ｘ^Ｋ３６はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^Ｋ３１はフッ素原子又はＯＣＦ_３を表す。）
　組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、屈折率異方性などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類以上である。

　本発明の組成物の総量に対しての式（Ｋ－３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２２％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　さらに、一般式（Ｋ－３）で表される化合物は、具体的には式（Ｋ－３．１）から式（Ｋ－３．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｋ－３．１）又は式（Ｋ－３．２）で表される化合物であることがより好ましい。また、式（Ｋ－３．１）および式（Ｋ－３．２）で表される化合物を同時に使用することも好ましい。

　一般式（Ｋ）で表される化合物は、例えば一般式（Ｋ－４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｋ４１は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｋ４１～Ｘ^Ｋ４６はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^Ｋ４１はフッ素原子又はＯＣＦ_３を表し、Ｚ^Ｋ４１は－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＯＣＦ_２－又は－ＣＦ_２Ｏ－を表す。）
　組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、屈折率異方性などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類以上である。

　本発明の組成物の総量に対しての式（Ｋ－４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２２％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　さらに、一般式（Ｋ－４）で表される化合物は、具体的には式（Ｋ－４．１）から式（Ｋ－４．１８）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｋ－４．１）、式（Ｋ－４．２）、式（Ｋ－４．１１）、（Ｋ－４．１２）で表される化合物がより好ましい。また、式（Ｋ－４．１）、式（Ｋ－４．２）、式（Ｋ－４．１１）、（Ｋ－４．１２）で表される化合物を同時に使用することも好ましい。

　一般式（Ｋ）で表される化合物は、例えば一般式（Ｋ－５）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｋ５１は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｋ５１～Ｘ^Ｋ５６はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^Ｋ５１はフッ素原子又はＯＣＦ_３を表し、Ｚ^Ｋ５１は－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＯＣＦ_２－又は－ＣＦ_２Ｏ－を表す。）
　組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、屈折率異方性などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類以上である。

　本発明の組成物の総量に対しての式（Ｋ－５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２２％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　さらに、一般式（Ｋ－５）で表される化合物は、具体的には式（Ｋ－５．１）から式（Ｋ－５．１８）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｋ－５．１１）から式（Ｋ－５．１４）で表される化合物が好ましく、式（Ｋ－５．１２）で表される化合物がさらに好ましい。

　一般式（Ｋ）で表される化合物は、例えば一般式（Ｋ－６）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｋ６１は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｋ６１～Ｘ^Ｋ６８はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^Ｋ６１はフッ素原子又はＯＣＦ_３を表し、Ｚ^Ｋ６１は－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＯＣＦ_２－又は－ＣＦ_２Ｏ－を表す。）
　組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、屈折率異方性などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類以上である。

　本発明の組成物の総量に対しての式（Ｋ－６）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２２％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

　さらに、一般式（Ｋ－６）で表される化合物は、具体的には式（Ｋ－６．１）から式（Ｋ－６．１８）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｋ－６．１５）から式（Ｋ－６．１８）で表される化合物が好ましく、式（Ｋ－６．１６）及び式（Ｋ－６．１７）で表される化合物がさらに好ましい。また、式（Ｋ－６．１６）と式（Ｋ－６．１７）で表される化合物を同時に使用することも好ましい。

　本発明に係る液晶組成物の好ましい実施形態は、第一成分としては、下記の一般式（Ｉ－ａ）及び一般式（Ｉ－ｂ）：

（上記一般式（Ｉ－ａ）および（Ｉ－ｂ）中、Ｒ^１ａ及びＲ^２ａはそれぞれ一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表し、Ｒ^１ｂ及びＲ^２ｂはそれぞれ一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ２と同じ意味を表し、ｎ^１ｂは１または２を表し、Ａ^１ｂはそれぞれ独立して、トランス－１，４－シクロへキシレン基、１，３－ジオキサン－２，５－ジイル基、テトラヒドロピラン－２，５－ジイル基、１，４－フェニレン基、１，４－シクロヘキセニレン基またはナフタレン－２，６－ジイル基を表し、該基中の１つの水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。）で表される化合物群の中から少なくとも１種または２種類が選択されることが好ましく、より好ましくは３種類選択されることが好ましい。

　また、一般式（Ｉ－ａ）及び一般式（Ｉ－ｂ）で表される化合物群の中から少なくとも１種または２種類以上を選択する場合は、液晶組成物全体のうち１５～８０質量％含有していることが好ましく、２０～７０質量％含有していることがより好ましく、２５～６０質量％含有していることがさらに好ましく、３０～５５質量％含有していることがよりさらに好ましい。

　当該一般式（Ｉ－ａ）及び一般式（Ｉ－ｂ）との組み合わせが液晶組成物全体の２０～７０％占めていると高速応答性の効果を奏し、さらに後述の第二成分の組み合わせと併用すると化学構造上または特異性の観点で相溶性が向上し、保存安定性が向上するため液晶化合物の析出の問題を抑制・防止することができる。

　本発明に係る液晶組成物のより好ましい実施形態は、第二成分としての一般式（ＩＩ－ａ）及び一般式（ＩＩ－ｂ）

（上記一般式（ＩＩ－ａ）および（ＩＩ－ｂ）中、Ｒ^３ａ及びＲ^３ｂはそれぞれ一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表し、Ｘ^１ａ及びＸ^１ｂは、フッ素原子、－ＯＣＦ_３または－ＣＦ_３を表し、Ａ^２ａおよびＡ^２ｂはそれぞれ独立して、トランス－１，４－シクロへキシレン基、１，３－ジオキサン－２，５－ジイル基、テトラヒドロピラン－２，５－ジイル基、１，４－フェニレン基、１，４－シクロヘキセニレン基またはナフタレン－２，６－ジイル基を表し、該基中の１つの水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。Ｚ^２ａおよびＺ^２ｂはそれぞれ独立して、単結合、－ＣＦ_２Ｏ－、ＯＣＦ_２－、ＣＨ_２Ｏ－または－ＯＣＨ_２－を表し、ｍ^２ａおよびｍ^２ｂは１または２を表す。また、ｍ^２ａおよびｍ^２ｂが２のときは、Ａ^２ａおよびＡ^２ｂはそれぞれ同一であっても異なっても良く、Ｚ^２ａおよびＺ^２ｂはそれぞれ同一であっても異なっても良い。）で表される化合物群の中から少なくとも１種または２種類の化合物が選択されることが好ましい。

　当該一般式（ＩＩ－ａ）と一般式（ＩＩ－ｂ）との組み合わせが液晶組成物全体の５～３５％占めていると、Δｎの向上と駆動可能なΔεとを確保する効果を奏し、さらに第一成分の好適な組み合わせと併用させ、当該第一成分の総量が第二成分の量より多く含まれると高速応答性を維持できる。さらに一般式（ＩＩ－ａ）または一般式（ＩＩ－ｂ）と、一般式（Ｉ－ａ）または一般式（Ｉ－ｂ）との組み合わせが特異的に液晶組成物の成分の化合物同士の相溶性を向上させるため、液晶組成物の保存安定性が向上することにより液晶化合物の析出の問題を抑制・防止することができる。

　すなわち、本発明に係る液晶組成物において、第一成分として一般式（Ｉ－ａ）及び一般式（Ｉ－ａ）で表される化合物群の中から少なくとも１種または２種類以上の化合物を選択し、かつ第二成分として、一般式（ＩＩａ）及び一般式（ＩＩｂ）で表される化合物群の中から少なくとも２種類選択すると、液晶化合物が析出するという低温安定性に関する問題だけでなく、滴下痕の問題点、高速応答性を維持するという効果を全て達成することができる。

　本発明の組成物の総量に対しての一般式（ｉ）および一般式（Ｊ）で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、８０％であり、８５％であり、８８％であり、９０％であり、９２％であり、９３％であり、９４％であり、９５％であり、９６％であり、９７％であり、９８％であり、９９％であり、１００％である。好ましい含有量の上限値は、１００％であり、９９％であり、９８％であり、９５％である。

　本発明の組成物の総量に対しての一般式（ｉ）、一般式（Ｍ）及び（Ｋ）で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、８０％であり、８５％であり、８８％であり、９０％であり、９２％であり、９３％であり、９４％であり、９５％であり、９６％であり、９７％であり、９８％であり、９９％であり、１００％である。好ましい含有量の上限値は、１００％であり、９９％であり、９８％であり、９５％である。

　本発明の組成物の総量に対しての一般式（ｉ）、一般式（Ｍ－１）から一般式（Ｍ－１８）及び一般式（Ｋ－１）から一般式（Ｋ－６）で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、８０％であり、８５％であり、８８％であり、９０％であり、９２％であり、９３％であり、９４％であり、９５％であり、９６％であり、９７％であり、９８％であり、９９％であり、１００％である。好ましい含有量の上限値は、１００％であり、９９％であり、９８％であり、９５％である。

　本願発明の組成物は、分子内に過酸（－ＣＯ－ＯＯ－）構造等の酸素原子同士が結合した構造を持つ化合物を含有しないことが好ましい。

　組成物の信頼性及び長期安定性を重視する場合にはカルボニル基を有する化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して５％以下とすることが好ましく、３％以下とすることがより好ましく、１％以下とすることが更に好ましく、実質的に含有しないことが最も好ましい。

　ＵＶ照射による安定性を重視する場合、塩素原子が置換している化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１５％以下とすることが好ましく、１０％以下とすることが好ましく、８％以下とすることが好ましく、５％以下とすることがより好ましく、３％以下とすることが好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

　分子内の環構造がすべて６員環である化合物の含有量を多くすることが好ましく、分子内の環構造がすべて６員環である化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して８０％以上とすることが好ましく、９０％以上とすることがより好ましく、９５％以上とすることが更に好ましく、実質的に分子内の環構造がすべて６員環である化合物のみで組成物を構成することが最も好ましい。

　組成物の酸化による劣化を抑えるためには、環構造としてシクロヘキセニレン基を有する化合物の含有量を少なくすることが好ましく、シクロヘキセニレン基を有する化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１０％以下とすることが好ましく、８％以下とすることが好ましく、５％以下とすることがより好ましく、３％以下とすることが好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

　粘度の改善及びＴｎｉの改善を重視する場合には、水素原子がハロゲンに置換されていてもよい２－メチルベンゼン－１，４－ジイル基を分子内に持つ化合物の含有量を少なくすることが好ましく、前記２－メチルベンゼン－１，４－ジイル基を分子内に持つ化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１０％以下とすることが好ましく、８％以下とすることが好ましく、５％以下とすることがより好ましく、３％以下とすることが好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

　本願において実質的に含有しないとは、意図せずに含有する物を除いて含有しないという意味である。

　本発明の第一実施形態の組成物に含有される化合物が、側鎖としてアルケニル基を有する場合、前記アルケニル基がシクロヘキサンに結合している場合には当該アルケニル基の炭素原子数は２～５であることが好ましく、前記アルケニル基がベンゼンに結合している場合には当該アルケニル基の炭素原子数は４～５であることが好ましく、前記アルケニル基の不飽和結合とベンゼンは直接結合していないことが好ましい。

　本発明に係る液晶層および／または液晶組成物には、重合性モノマーおよび／または当該重合性モノマーの硬化物（すなわち、当該重合性モノマー由来のポリマー）を含有してもよく、当該重合性モノマーは液晶性を示すことが好ましい。すなわち、本発明に係る液晶層は、液晶組成物に含まれる重合性モノマーをポリマー化していることが好ましい。本発明に係る重合性モノマー含有液晶組成物中の重合性モノマーの具体的な含有量としては、５％以下が好ましく、２％以下がより好ましく、１．５％以下が更に好ましく、１％以下が特に好ましく、０．５％以下が最も好ましい。５％以下であると、滴下痕の発生を低減することができる。また、液晶組成物における重合性モノマーの含有量の下限値は１０００ｐｐｍであることが好ましく、３０００ｐｐｍであることが好ましく、５０００ｐｐｍであることがより好ましい。

　本発明に係る重合性モノマーは、一般式（Ｐ－１）および一般式（Ｐ－２）：

　（上記一般式（Ｐ－１）～一般式（Ｐ－２）中、Ｒ^ｐ１１、Ｒ^ｐ１２、Ｒ^ｐ２１およびＲ^ｐ２２はそれぞれ独立して、以下の式（Ｒ－Ｉ）から式（Ｒ－ＩＸ）：

のいずれかを表し、前記式（Ｒ－Ｉ）～（Ｒ－ＩＸ）中、Ｒ^２～Ｒ^６はお互いに独立して、水素原子、炭素原子数１～５個のアルキル基または炭素原子数１～５個のハロゲン化アルキル基であり、Ｗは単結合、－Ｏ－またはメチレン基であり、Ｔは単結合または－ＣＯＯ－であり、ｐ、ｔおよびｑはそれぞれ独立して、０、１または２を表し、
　Ａ^ｐ１１、Ａ^ｐ１２、およびＡ^ｐ２２はそれぞれ独立して、１，４－フェニレン基、１，４－シクロヘキシレン基、アントラセン－２，６－ジイル基、フェナントレン－２，７－ジイル基、ピリジン－２，５－ジイル基、ピリミジン－２，５－ジイル基、ナフタレン－２，６－ジイル基、インダン－２，５－ジイル基、１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン－２，６－ジイル基または１，３－ジオキサン－２，５－ジイル基を表すが、無置換であるかまたはハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、Ｒ^ｐ１１、炭素素原子数１～１２のアルキル基（前記アルキル基中の１個または非隣接の２個以上の－ＣＨ_２－はそれぞれ独立して、－Ｃ≡Ｃ－、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－または－ＯＣＯ－によって置換されていても良く、基中の１個または非隣接の２個以上の水素原子はそれぞれ独立して、フッ素原子で置換されていても良い）を表し、
　Ａ^ｐ２１およびＡ^ｐ２３はそれぞれ独立して、２価～４価の芳香族基または２価～４価の脂環式基を表し、
　Ｌ^ｐ１１、Ｌ^ｐ１２、Ｌ^ｐ２１およびＬ^ｐ２２はそれぞれ独立して、単結合、－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＣＯ－、－Ｃ_２Ｈ_４－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＯＯＣ_２Ｈ_４－、－ＯＣＯＣ_２Ｈ_４－、－Ｃ_２Ｈ_４ＯＣＯ－、－Ｃ_２Ｈ_４ＣＯＯ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＦ_２－、－ＣＦ_２Ｏ－、－（ＣＨ_２）_ｚ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－（ＣＨ_２）_ｚ－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－、－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－（ＣＨ_２）_ｚ－、－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｚ－、－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｚ－Ｏ－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ－、－ＣＨ＝ＣＨＯＣＯ－、－ＣＯＯＣＨ＝ＣＨ－、－ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ－またはＣ≡Ｃ－を表し、前記式中のｚは、１～４の整数を表し、
　ｍ^ｐ１１、ｍ^ｐ１２およびｍ^ｐ２２はそれぞれ独立して、０から３の整数を表し、かつｍ^ｐ１１＋ｍ^ｐ１２が２以上の整数を表し、
　ｍ^ｐ２１およびｍ^ｐ２３はそれぞれ独立して、１から４の整数を表し、かつｍ^ｐ２１＋ｍ^ｐ２３≧３を表し、
　ｍ^ｐ１１が２以上の場合、複数存在するＡ^ｐ１１およびＬ^ｐ１１は、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、ｍ^ｐ１２が２以上の場合、複数存在するＡ^ｐ１２およびＬ^ｐ１２は、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、
　ｍ^ｐ２２が２以上の場合、複数存在するＡ^ｐ２２およびＬ^ｐ２１は、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、
　ｍ^ｐ２１が２以上の場合、複数存在するＲ^ｐ２１およびＳｐ^ｐ２１は、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、ｍ^ｐ２３が２以上の場合、複数存在するＲ^ｐ２２およびＳｐ^ｐ２２は、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。）で表される化合物からなる群から選択される１種または２種以上であることが好ましい。

　一般式（Ｐ－１）および一般式（Ｐ－２）において、Ｓｐ^ｐ１１、Ｓｐ^ｐ１２、Ｓｐ^ｐ２１およびＳｐ^ｐ２２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１～８のアルキレン基または－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｓ－（式中、ｓは２から７の整数を表し、酸素原子は芳香環に結合するものとする。）が好ましい。

　一般式（Ｐ－１）および一般式（Ｐ－２）において、Ａ^ｐ１１、Ａ^ｐ１２、およびＡ^ｐ２２はそれぞれ独立して、１，４－フェニレン基、アントラセン－２，６－ジイル基、フェナントレン－２，７－ジイル基またはナフタレン－２，６－ジイル基を表すことがより好ましく、当該基は、無置換であるかまたは炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数１～５のハロゲン化アルキル基、炭素原子数１～５のアルコキシ基、炭素原子数１～５のアルキルエステル基、炭素原子数１～５のハロゲン化アルコキシ基、フッ素、シアノ基で置換されていてもよい。

　一般式（Ｐ－１）および一般式（Ｐ－２）において、Ｌ^ｐ１１、Ｌ^ｐ１２、Ｌ^ｐ２１およびＬ^ｐ２２はそれぞれ独立して、単結合、－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－Ｃ_２Ｈ_４－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＯＯＣ_２Ｈ_４－、－ＯＣＯＣ_２Ｈ_４－、－Ｃ_２Ｈ_４ＯＣＯ－、－Ｃ_２Ｈ_４ＣＯＯ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＦ_２Ｏ－、－（ＣＨ_２）_ｚ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－（ＣＨ_２）_ｚ－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－、－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－（ＣＨ_２）_ｚ－、－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｚ－、－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｚ－Ｏ－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ－、－ＣＨ＝ＣＨＯＣＯ－、－ＣＯＯＣＨ＝ＣＨ－、－ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ－または－Ｃ≡Ｃ－であることが好ましく、前記式中のｚは４を表すことが好ましい。連結基が上記の基であると、重合性モノマーが直線性の構造を取ることができる。

　一般式（Ｐ－１）で表される化合物において、ｍ^ｐ１１およびｍ^ｐ１２は、それぞれ独立して、０、１または２を表すことがより好ましい。また、ｍ^ｐ１１＋ｍ^ｐ１２が２～５であることがより好ましく、ｍ^ｐ１１＋ｍ^ｐ１２が２～４であることがさらに好ましい。

　一般式（Ｐ－２）で表される化合物において、ｍ^ｐ２１及びｍ^ｐ２３はそれぞれ独立して、１、２または３を表し、ｍ^ｐ２２は、１または２を表すことが好ましい。また、ｍ^ｐ２１＋ｍ^ｐ２３＝３～６であることがより好ましい。

　一般式（Ｐ－２）において、２～４価の芳香族基とは、芳香環を含む２～４価の有機基であり、２～４個の結合部位はいずれも芳香環からでているものであることが好ましく、具体的にフェニル骨格、テトラヒドロナフタレン骨格、フェナントレン骨格、アントラセン骨格及びナフタレン骨格などが挙げられる。

　一般式（Ｐ－２）において、２～４価の脂環式基としては、脂環式構造を含む２～４価の有機基であり、２～４個の結合部位はいずれも環からでているものであることが好ましく、具体的にシクロヘキシレン骨格、シクロヘキセニレン骨格などが挙げられる。

　一般式（Ｐ－２）において、２価の芳香族基としては、１，４－フェニレン基、アントラセン－２，６－ジイル基、フェナントレン－２，７－ジイル基、ピリジン－２，５－ジイル基、ピリミジン－２，５－ジイル基、ナフタレン－２，６－ジイル基、インダン－２，５－ジイル基、１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン－２，６－ジイル基または１，３－ジオキサン－２，５－ジイル基を表すが、無置換であるかまたは炭素原子数１～１２のアルキル基、炭素原子数１～１２のハロゲン化アルキル基、炭素原子数１～１２のアルコキシ基、炭素原子数１～１２のハロゲン化アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基またはＲ^ｐ１１で置換されていていることが好ましい。

　一般式（Ｐ－２）において、２～４価の芳香族基としては、以下の式（ｂ－ｉ）～（ｂ－ｉｘ）のいずれかであり、当該芳香族基は、無置換または炭素原子数１～１２のアルキル基、炭素原子数１～１２のハロゲン化アルキル基、炭素原子数１～１２のアルコキシ基、炭素原子数１～１２のハロゲン化アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基またはＲ^ｐ１１で置換されていてもよい。

（式中、＊でＳｐ^ｐ２１またはＳｐ^ｐ２２結合し、＊＊でＬ^ｐ２１若しくはＬ^ｐ２２と結合する。）
　また、上記一般式（Ｐ－１）または（Ｐ－２）で表される重合性モノマーの液晶組成物全体における具体的な含有量としては、５％以下が好ましく、３％以下がより好ましく、２％以下が更に好ましく、１％以下が特に好ましく、０．８％以下が最も好ましい。また、液晶組成物における当該重合性モノマーの含有量の下限値は１０００ｐｐｍであることが好ましく、３０００ｐｐｍであることが好ましく、５０００ｐｐｍであることがより好ましい。

　以下に本発明に係る一般式（Ｐ－１）～一般式（Ｐ－２）で表される化合物の好ましい構造を例示する。

　上記一般式（Ｐ－１）で表される化合物において、４≧ｍ^ｐ１１＋ｍ^ｐ１２≧２であり、Ｌ^ｐ１１またはＬ^ｐ１２が、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＯＯＣ_２Ｈ_４－、－ＯＣＯＣ_２Ｈ_４－、－Ｃ_２Ｈ_４ＯＣＯ－、－Ｃ_２Ｈ_４ＣＯＯ－、－ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ－、－ＣＨ＝ＣＨＯＣＯ－、－ＣＯＯＣＨ＝ＣＨ－および－ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ－からなる群から選択される１つを表す重合性モノマーが好ましい。かかる構造の重合性モノマーは、液晶分子と同様の直線性を備え、かつある程度の自由度を有しているため、液晶化合物との相溶性が優れている。

　本発明に係る一般式（Ｐ－１）で表される化合物の好ましい例として、下記式（Ｐ－ａ－１）～式（Ｐ－ａ－３３）で表される重合性化合物が挙げられる。

　上記一般式（Ｐ－１）で表される化合物において、ｍ^ｐ１１＋ｍ^ｐ１２＝２、Ａ^ｐ１１およびＡ^ｐ１２が１，４－フェニレン基であり、Ｌ^ｐ１１およびＬ^ｐ１２が単結合である重合性モノマーが好ましい。かかる構造の重合性モノマーは、ビフェニル構造を備えており、これらの骨格を含む重合性化合物は重合後の配向規制力がＰＳＡ型液晶表示素子に最適であり、良好な配向状態が得られることから、表示ムラが抑制されるか、または、全く発生しない。

　本発明に係る一般式（Ｐ－１）で表される化合物の好ましい例として、下記式（Ｐ－ｂ－１）～式（Ｐ－ｂ－３４）で表される重合性化合物が挙げられる。

　上記一般式（Ｐ－１）で表される化合物において、ｍ^ｐ１１＋ｍ^ｐ１２＝１であり、Ａ^ｐ１１またはＡ^ｐ１２がフェナントレン－２，７－ジイル基である重合性モノマーが好ましい。かかる構造の重合性モノマーは、組成物全体の感光作用が大きいと考えられる。
本発明に係る一般式（Ｐ－１）で表される化合物の好ましい例として、下記式（Ｐ－ｃ－１）～式（Ｐ－ｃ－５２）で表される重合性化合物が挙げられる。

　一般式（Ｐ－２）において、ｍ^ｐ２２が１以上３以下の整数を表し、Ｌ^ｐ２１またはＬ^ｐ２２の少なくとも一つが単結合であり、Ａ^ｐ２１およびＡ^ｐ２３はそれぞれ独立して、無置換または炭素原子数１～５のアルキル基（前記アルキル基中の１個または非隣接の２個以上の－ＣＨ_２－はそれぞれ独立して、－Ｃ≡Ｃ－、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－または－ＯＣＯ－によって置換されていても良く、前記アルキル基中の１個または非隣接の２個以上の水素原子はそれぞれ独立して、フッ素原子で置換されていても良い）、フッ素原子、シアノ基、ニトロ基で置換されている以下の式（ｂ－ｉ）～（ｂ－ｉｘ）を表すことが好ましい。

（式中、＊でＳｐ^ｐ２１またはＳｐ^ｐ２２結合し、＊＊でＬ^ｐ２１若しくはＬ^ｐ２２と結合する。）
　本発明に係る一般式（Ｐ－２）で表される化合物の好ましい例として、下記式（Ｐ－ｄ－１）～式（Ｐ－ｄ－５７）で表される重合性化合物が挙げられる。

　本発明に係る液晶表示素子における液晶層は、液晶組成物に重合性化合物を含有し、当該重合性化合物をポリマー化していることが好ましい。これにより、光配向膜の液晶分子の配向規制力が向上する。より詳細には図６～７を用いて説明する。図６は液晶表示素子における光配向膜と液晶層との断面模式図である。図６の（Ａ）は、液晶分子１ａと、重合性モノマー１ｂとを含んでいる液晶組成物が、光配向膜上において特定の方向（光配向膜の配向方向に沿って）に配列している状態を示している。また、図６の（Ａ）では垂直配向型の光配向膜を用いているため、基板に対して液晶分子が略垂直方向に配列している。したがって、重合性モノマー１ｂは液晶性を示すことが好ましい。また、図６の（Ｂ）は、図６の（Ａ）の状態、すなわち、液晶分子１ａおよび重合性モノマー１ｂが光配向膜上において基板に対して略垂直方向に配列している状態において、重合性モノマーをポリマー化した状態である。重合性モノマーをポリマー化した重合体は、図６の（Ｂ）では図示していないが、光配向膜と液晶層との界面に多く存在していると現在では考えられている。図６の（Ｂ）においてＩＶ領域の拡大図が図７（Ｄ）である。当該図７は、液晶層と光配向層との界面近傍の拡大模式図であり、重合体と液晶分子との相互作用や垂直配向誘起成分と重合体のとの相互作用により、配向規制力が向上すると考えられる。

　図７は、液晶表示素子の断面模式図であり、液晶表示素子における光配向膜と液晶層との断面模式図である。より詳細には、図７は重合性モノマーを重合した後、電圧の有無により液晶分子のスイッチング変化を示す図である。図７の（Ｂ）は、前記図６の（Ｂ）の状態と同じく、電圧を無印加の状態を示す。また、図６および７において、視野角依存などの課題を解決するために、配向分割およびプレチルト角を設けている。電圧を印加すると電界方向に沿って液晶分子１ａは配向し（図７（Ｃ））、電圧をＯＦＦにすると液晶分子１ａは所定のプレチルト角を有する垂直配向に戻る（図７（Ｂ））。上記のように、電圧無印加で重合性モノマーをポリマー化させている形態であると、重合性モノマー同士が連結したポリマー１ｃと、液晶分子１ａとの間に相互作用（ファンデルワールス力等）が働くため、プレチルト角が安定化すると考えられる。また、図７（Ｃ）で示すように、重合性モノマーをポリマー化した重合体と垂直配向誘起成分との相互作用により、液晶分子の略垂直方向への配向規制力が向上するとも考えられる。

　そのため、液晶表示素子において、液晶組成物に重合性化合物および液晶化合物を含み、かつ当該重合性モノマーをポリマー化した液晶層を備えていると、電圧ＯＮ－ＯＦＦ状態を繰り返しても、重合性モノマー同士が連結したポリマー１ｃと液晶分子１ａとの間に相互作用が働くことから、従来から問題であった経時的に低下するプレチルト角を改善することができると考えられる。これにより、光配向膜に施した特定の配向方向を液晶分子が維持することができるため、実質的な配向規制力が向上すると考えられる。

　本発明に係る液晶組成物に重合性化合物を添加する場合において、重合を促進するために重合開始剤を含有する場合は、ベンゾインエーテル類、ベンゾフェノン類、アセトフェノン類、ベンジルケタール類、アシルフォスフィンオキサイド類等が挙げられる。しかし、重合開始剤は使用しない方が好ましい。

　本発明に係る液晶組成物は、更に、一般式（Ｑ）で表される化合物を酸化防止剤として含有することができる。

　前記一般式（Ｑ）中、Ｒ^Ｑは炭素原子数１～２２のアルキル基またはアルコキシ基を表し、該アルキル基中の１つ以上のＣＨ_２基は、酸素原子が直接隣接しないように、－Ｏ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＯＯ－、－Ｃ≡Ｃ－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＯＣＦ_２－で置換されてよく、Ｍ^Ｑはトランス－１，４－シクロへキシレン基、１，４－フェニレン基、または、単結合を表す。

　前記一般式（Ｑ）中において、Ｒ^Ｑは炭素原子数１～２２のアルキル基またはアルコキシ基であることが好ましく、当該アルキル基（前記アルコキシ基におけるアルキル基を含む）は、直鎖状または分岐鎖状であってもよい。また、前記Ｒ^Ｑは炭素原子数１～２２の直鎖もしくは分岐鎖アルキル基または直鎖もしくは分岐鎖アルコキシ基を表し、該アルキル基（前記アルコキシ基におけるアルキル基を含む）中の１つ以上のＣＨ_２基は、酸素原子が直接隣接しないように、－Ｏ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＯＯ－、－Ｃ≡Ｃ－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＯＣＦ_２－で置換されてもよい。前記一般式（Ｑ）中においてＲ^Ｑは、炭素原子数１～２０個であって、直鎖アルキル基、直鎖アルコキシ基、１つのＣＨ_２基が－ＯＣＯ－またはＣＯＯ－に置換された直鎖アルキル基、分岐鎖アルキル基、分岐アルコキシ基および１つのＣＨ_２基が－ＯＣＯ－またはＣＯＯ－に置換された分岐鎖アルキル基からなる群から選択される少なくとも１つであることが好ましく、炭素原子数１～１０の直鎖アルキル基、１つのＣＨ_２基が－ＯＣＯ－またはＣＯＯ－に置換された直鎖アルキル基、分岐鎖アルキル基、分岐アルコキシ基および１つのＣＨ_２基が－ＯＣＯ－またはＣＯＯ－に置換された分岐鎖アルキル基からなる群から選択される少なくとも１つが更に好ましい。

　Ｍ^Ｑはトランス－１，４－シクロへキシレン基、１，４－フェニレン基または単結合を表すが、トランス－１，４－シクロへキシレン基または１，４－フェニレン基が好ましい。

　前記一般式（Ｑ）で表される化合物は、下記の一般式（Ｑ－ａ）～一般式（Ｑ－ｄ）で表される化合物群から選択される少なくとも１種の化合物であることが好ましく、一般式（Ｑ－ａ）及び／または（Ｑ－ｃ）で表される化合物であることがより好ましい。

　前記一般式（Ｑ－ａ）～式（Ｑ－ｄ）中、Ｒ^Ｑ１は炭素原子数１～１０の直鎖アルキル基または分岐鎖アルキル基が好ましく、Ｒ^Ｑ２は炭素原子数１～２０の直鎖アルキル基または分岐鎖アルキル基が好ましく、Ｒ^Ｑ３は炭素原子数１～８の直鎖アルキル基、分岐鎖アルキル基、直鎖アルコキシ基または分岐鎖アルコキシ基が好ましく、Ｌ^Ｑは炭素原子数１～８の直鎖アルキレン基または分岐鎖アルキレン基が好ましい。これらの中でも、一般式（Ｑ）で表される化合物は、下記式（Ｑ－ａ－１）及び／または（Ｑ－ｃ－１）で表される化合物であることがさらに好ましい。

　本願発明の液晶組成物において、前記一般式（Ｑ）で表される化合物を１種または２種を含有することが好ましく、１種～５種を含有することが更に好ましく、その含有量は、本発明の液晶組成物の総質量に対して、０．００１～１質量％であることが好ましく、０．００１～０．１質量％であることが好ましく、０．００１～０．０５質量％であることが好ましい。

　（配向層）
　本発明に係る光配向層は、第一の基板および第二の基板の少なくとも一方に設けられるものであり、好ましくは第一の基板および第二の基板の両側に設けられる。

　本発明に係る配向層は、光に応答してその化学構造が変化する光応答性高分子を含む光配向膜（または光配向層とも称する。）であることが好ましい。また、本発明に係る光配向層は、垂直配向型の配向層であることが好ましい。当該垂直配向型とは、正の誘電異方性を湯数る液晶分子の長軸方向が基板に対して略垂直に配向していることが好ましい。

　これにより、ｐ型材料を用いた液晶表示素子では、（共通または画素）電極構造などにより表面の凹凸に起因するラビングムラや液晶組成物の滴下痕を低減することができる。

　一般に光配向膜には種々の方式があり、例えば、アゾ基（例えば、アゾベンゼン化合物）、シッフ塩基、及び炭素－炭素２重結合などの不飽和結合部位を有する化合物等の光照射により光異性化を利用するもの、桂皮酸誘導体等の光二量化を利用するもの、クマリン、カルコン、またはポリマー自体のσ結合の光開裂（光分解）を利用する（例えば、光分解性ポリイミド等）もの等が挙げられる。

　より詳細には、当該光応答性高分子は、光応答性分解型高分子、光応答性二量化型高分子および光応答性異性化型高分子からなる群から選択される少なくとも一つであることが好ましく、光応答性分解型高分子であることが特に好ましい。

　また、本発明に係る光配向膜には、液晶分子を垂直配向させる垂直配向誘起成分を含んでいることが好ましい。この場合、垂直配向誘起成分は、光応答性高分子において共重合の繰り返し単位として含んでいてもよく、また光応答性高分子の側鎖または主鎖の置換基として有していてもよく、さらには光応答性高分子とは別に混合物として光配向膜に含んでも良い。

　本発明に係る光応答性分解型高分子としては、ポリマー自体のσ結合の光開裂（光分解）を利用するもの等が好ましい。より詳細には、いずれにしても、主鎖としてポリシロキサン、ポリイミド、及びポリアミック酸誘導体構造を有するものが好ましく、ポリイミド、ポリアミック酸誘導体構造がより好ましい。ポリアミック酸誘導体としては、炭素原子数１から５のアルキルエステルや、炭素原子数１から１８のアルキルアンモニウム塩とするのが好ましい。

　本発明に係る光応答性分解型高分子は、テトラカルボン酸二無水物と、ジアミン化合物とを反応させて得られるポリアミック酸及びポリイミドよりなる群から選択される少なくとも一種の重合体を含有することが好ましい。

　ポリイミド、ポリアミック酸誘導体の原料となる前記テトラカルボン酸二無水物としては、以下のものが挙げられる。

（上記式中、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４はそれぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１～５のアルキル基、塩素原子、フッ素原子、－ＮＲ_２、－ＳＲ、－ＯＨ、－ＣＨ_２ＣＯＯＲ、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯＲ、－ＣＯＲ、－ＮＯ_２、－ＣＮを表すが、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４のうち少なくとも一つは、水素原子もしくはメチル基でなく、Ｒは炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｔは単結合、－ＣＨ_２－、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－、－Ｃ（ＣＦ_３）_２－、－ＣＯ－、－ＳＯ－を表す）

（上記式中Ｔは単結合、－ＣＨ_２－、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－、－Ｃ（ＣＦ_３）_２－、－ＣＯ－、－ＳＯ－を表す）
　以上のような化合物の中でも、式（ＴＣＡ－１）、式（ＴＣＡ－２）、式（ＴＣＡ－３）、式（ＴＣＡ－４）、式（ＴＣＡ－５）、式（ＴＣＡ－８）および式（ＴＣＡ－１０）が好ましく、式（ＴＣＡ－１）、式（ＴＣＡ－８）が特に好ましい。

　ポリイミド、ポリアミック酸誘導体の原料となる前記ジアミン化合物としては、以下のものが挙げられる。

このような化合物の中でも、式（ＤＡ－１）、式（ＤＡ－２５）、式（ＤＡ－３１）、式（ＤＡ－３２）、式（ＤＡ－４９）が好ましく、式（ＤＡ－１）、式（ＤＡ－２５）、式（ＤＡ－４９）が特に好ましい。

　また、本発明に係る光配向膜において光異性化を利用するタイプを採用する場合、テトラカルボン酸無水物またはジアミン化合物の少なくとも一方に、以下の式（ＴＣＡ－３８）および式（ＤＡ－５０）～式（ＤＡ－５６）からなる群から選択される少なくとも一つを含むことが好ましい。

　例えば、前記テトラカルボン酸無水物としての例示である前記式（ＴＣＡ－１）～前記式（ＴＣＡ－３７）の化合物に加えて（もしくは代えて）、以下の式（ＴＣＡ－３８）：

で表される化合物を用いることが好ましい。または、式（ＤＡ－１）～式（ＤＡ－４９）の化合物に加えて（もしくは代えて）ジアミン化合物としては、以下の式（ＤＡ－５０）～式（ＤＡ－５６）：

で表される化合物を用いることが好ましい。

　また、本発明に係る光配向膜において、光二量化を利用するタイプを採用する場合、前記式（ＤＡ－１）～（ＤＡ－４９）で表されるジアミン化合物中の水素原子の少なくとも一つに、以下の式（Ｖ）を有することが好ましく、式（ＤＡ－５０）～式（ＤＡ－５３）からなる群から選択される少なくとも一つを含むことがより好ましい。

　すなわち、前記式（ＤＡ－１）～（ＤＡ－４９）の化合物に加えて（もしくは代えて）ジアミン化合物として、（ＤＡ－１）～（ＤＡ－４９）の化合物中の水素原子を、一般式（Ｖ）：

（式中、破線は（ＤＡ－１）～（ＤＡ－４９）の水素原子が結合していた原子への結合を表し、Ｇ^１、Ｇ^２、Ｇ^３、Ｇ^４、Ｇ^５はそれぞれ独立的に、単結合、炭素原子数２～１２のアルキレン基（１つの－ＣＨ_２－基または２つ以上の非隣接の－ＣＨ２－基は-Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＮＲ－、－ＮＲＣＯ－、－ＣＯＮＲ－、－ＮＲＣＯＯ－、－ＯＣＯＮＲ－、－ＮＲＣＯＮＲ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＣ－、-ＯＣＯＯ－で置換されていても良い。Ｒは水素原子または炭素原子数１～２０のアルキル基を表す）、－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＦ＝ＣＦ－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＣ－、－ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ－、－ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ－を表す。ただし、Ｇ^１、Ｇ^２、Ｇ^３、Ｇ^４、Ｇ^５のいずれか一つ以上は－ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ－、－ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ－を表す。
ｎ^５、ｎ^６、ｎ^７、ｎ^８は０または１を表し、Ｅ^１、Ｅ^２、Ｅ^３、Ｅ^４、Ｅ^５はそれぞれ独立してトランス－１，４－シクロヘキシレン、トランス－１，４－ジオキサン－２，５－ジイル、１，４－ナフチレン、２，６－ナフチレン、ピリジン－２，５－ジイル基、ピリミジン－２，５－ジイル基、２，５－チオフェニレン基、２，５－フラニレン基または１，４－フェニレン基を表し、これらは無置換であるかまたは一個以上の水素原子がフッ素原子、塩素原子、メチル基またはメトキシ基によって置換されていても良く、Ｚは水素原子、フッ素原子、炭素原子数１～１２のアルキル基（１つの－ＣＨ_２－基または２つ以上の非隣接の－ＣＨ_２－基は－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＮＲ－、－ＮＲＣＯ－、－ＣＯＮＲ－、－ＮＲＣＯＯ－、－ＯＣＯＮＲ－、－ＮＲＣＯＮＲ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＣ－または－ＯＣＯＯ－で置換されていても良い。Ｒは水素原子または炭素原子数１～２０のアルキル基）、シアノ基、ニトロ基、水酸基またはカルボキシル基を表す）で置換されているものを使用することが好ましい。

　このようなジアミン化合物の具体例としては、例えば以下の式（ＤＡ－５７）～（ＤＡ－６０）が挙げられる。

　本発明に係る光分解型の光配向膜としては、良好な液晶配向性を発現できる観点から、テトラカルボン酸無水物は、式（ＴＣＡ－１）、式（ＴＣＡ－２）、式（ＴＣＡ－３）、式（ＴＣＡ－４）、式（ＴＣＡ－５）、式（ＴＣＡ－３３）（前記式（ＴＣＡ－３３）中、Ｔは－ＣＯ－が特に好ましい）およびＴＣＡ－３４（前記式（ＴＣＡ－３４）中、Ｔは－ＣＯ－が好ましい）がより好ましく、式（ＴＣＡ－１）、式（ＴＣＡ－２）、式（ＴＣＡ－３）、式（ＴＣＡ－４）および式（ＴＣＡ－５）が特に好ましい。また、本発明に係る光分解型の光配向膜としては、良好な液晶配向性を発現できる観点から、ジアミン化合物は、式（ＤＡ－１）、式（ＤＡ－２５）、式（ＤＡ－４９）が特に好ましい。

　以上列挙したテトラカルボン酸無水物やジアミン化合物は、求められる特性に応じて、それぞれ１種単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。

　本発明に係る光応答性分解型高分子の好ましいポリアミック酸において、上述したテトラカルボン酸二無水物と上述したジアミン化合物との混合割合は、ジアミンのアミノ基１当量に対して、テトラカルボン酸二無水物の酸無水物基が０．２～２当量となる割合が好ましく、０．３～１．２当量となる割合がより好ましい。

　また、本発明に係る光配向膜において、テトラカルボン酸無水物とジアミン化合物の縮合によるポリアミック酸の合成反応は、有機溶媒中において行われることが好ましい。当該反応温度は－２０℃～１５０℃が好ましく、０～１００℃がより好ましい。また、当該反応時間は、０．１～２４時間が好ましく、０．５～１２時間がより好ましい。

　前記有機溶媒としては、例えば、アルコール、ケトン、エステル、エーテル、非プロトン性極性溶媒、フェノールおよびその誘導体系溶媒、ハロゲン化炭化水素系溶媒、炭化水素系溶媒などを挙げることができる。

　前記アルコールとしては、例えばメチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、シクロヘキサノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，４－ブタンジオール、トリエチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテルなどが好ましい。

　前記ケトンとして、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどが好ましい。

　前記エステルとして、例えば乳酸エチル、乳酸ブチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルメトキシプロピオネ－ト、エチルエトキシプロピオネ－ト、シュウ酸ジエチル、マロン酸ジエチルなどが挙げられる。

　前記エーテルとして、例えばジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコール－ｎ－プロピルエーテル、エチレングリコール－ｉ－プロピルエーテル、エチレングリコール－ｎ－ブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、テトラヒドロフランなどが挙げられる。

　前記非プロトン性極性溶媒の具体例としては、例えばＮ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、γ－ブチロラクトン、テトラメチル尿素およびヘキサメチルホスホルトリアミドなどが好ましい。

　前記フェノールおよびその誘導体としては、例えばｍ－クレゾール、キシレノール、ハロゲン化フェノールなどが好ましい。

　前記ハロゲン化炭化水素系溶媒として、例えばジクロロメタン、１，２－ジクロロエタン、１，４－ジクロロブタン、トリクロロエタン、クロルベンゼン、ｏ－ジクロルベンゼンなどが挙げられる。

　前記炭化水素系溶媒として、例えばヘキサン、ヘプタン、オクタン、ベンゼン、トルエン、キシレン、イソアミルプロピオネート、イソアミルイソブチレート、ジイソペンチルエーテルなどが挙げられる。

　テトラカルボン酸二無水物及びジアミン化合物の有機溶媒に対する合計量は、反応溶液の全量に対して０．１～５０重量％になることが好ましい。

　上記の条件でテトラカルボン酸二無水物及びジアミン化合物を反応すると、ポリアミック酸を含む反応溶液が得られる。当該得られた反応溶液はそのまま配向膜の調製に供しても、または当該反応溶液中に含まれるポリアミック酸を単離したうえで配向膜の調製に供してもよく、さらには単離したポリアミック酸を精製したうえで配向膜の調製に供してもよい。

　また、前記得られたポリアミック酸を脱水閉環してポリイミドとする場合には、上記反応溶液をそのまま脱水閉環反応に供してもよく、反応溶液中に含まれるポリアミック酸を単離したうえで脱水閉環反応に供してもよく、または単離したポリアミック酸を精製したうえで脱水閉環反応に供してもよい。ポリアミック酸の単離及び精製は公知の方法に従って行うことができる。

　前記反応により得られたポリアミック酸をイミド化させてポリイミドとする方法としては、ポリアミック酸を脱水閉環してイミド化することにより得ることができる。具体的には、ポリアミック酸を加熱する方法またはポリアミック酸を有機溶媒に溶解し、当該溶液中に脱水剤及び脱水閉環触媒を添加し必要に応じて加熱する方法により行われる。

　脱水閉環反応に用いられる有機溶媒としては、ポリアミック酸の合成に用いられるものとして例示した有機溶媒を挙げることができるためここでは省略する。

　本発明に係る配向膜としてのポリイミドは、その前駆体であるポリアミック酸が有していたアミック酸構造のすべてを脱水閉環した完全イミド化物であってもよく、アミック酸構造の一部のみを脱水閉環し、アミック酸構造とイミド環構造が併存する部分イミド化物であってもよい。本発明に係るポリイミドは、そのイミド化率が３０％以上であることが好ましく、４０～９９％であることがより好ましく、４５～９８％であることが更に好ましい。当該イミド化率は、ポリイミドのアミック酸構造の数とイミド環構造の数との合計に対するイミド環構造の数の占める割合を百分率で表したものである。ここで、イミド環の一部がイソイミド環であってもよい。

　なお、本発明において、ポリイミドのイミド化率の測定方法は、イミド化前後で変化しない構造に由来するプロトンを基準プロトンとして決め、このプロトンのピーク積算値と、９．５～１０．０ｐｐｍ付近に現れるアミック酸のＮＨ基に由来するプロトンピーク積算値とを用いて計算している。

　本発明においてポリアミック酸を溶液中で熱イミド化させる場合の温度は、１００℃～４００℃であることが好ましく、１２０℃～２５０℃であることがより好ましい。この場合、イミド化反応により生成する水を系外に除きながら行う方法が好ましい。

　本発明においてポリアミック酸を触媒によりイミド化する場合は、上記で得られたポリアミック酸の溶液に、塩基性触媒と酸無水物とを添加し、好ましくは－２０～２５０℃、より好ましくは０～１８０℃で攪拌することにより得られる。また、この場合、塩基性触媒の量はアミド酸基の０．５～３０モル倍、好ましくは２～２０モル倍であり、酸無水物の量はアミド酸基の１～５０モル倍、好ましくは３～３０モル倍である。

　前記塩基性触媒としては、ピリジン、コリジン、ルチジン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリブチルアミンおよびトリオクチルアミンなどを挙げることができる。また、前記酸無水物としては、無水酢酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸などを挙げることができる。

　なお、触媒イミド化によるイミド化率は、触媒量と反応温度、反応時間を調節することにより制御することができる。

　本発明において、ポリアミック酸またはポリイミドの反応溶液から、生成したポリアミック酸またはポリイミドを回収する場合には、反応溶液を貧溶媒に投入して沈殿させればよい。沈殿に用いる貧溶媒としてはメタノール、アセトン、ヘキサン、ブチルセルソルブ、ヘプタン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、エタノール、トルエン、ベンゼン、水などを挙げることができる。貧溶媒に投入して沈殿させたポリマーは濾過して回収した後、常圧あるいは減圧下で、常温あるいは加熱して乾燥することができる。

　本発明に係るポリアミック酸及びポリイミドの濃度を１０重量％の溶液としたときに、１０～８００ｍＰａ・ｓの溶液粘度を持つものであることが好ましく、１５～５００ｍＰａ・ｓの溶液粘度を持つものであることがより好ましい。なお、これらの重合体の溶液粘度（ｍＰａ・ｓ）は、当該重合体の良溶媒（例えばγ－ブチロラクトン、Ｎ－メチル－２－ピロリドンなど）を用いて調製した濃度１０重量％の重合体溶液につき、Ｅ型回転粘度計を用いて２５℃において測定した値である。

　本発明に係る光応答性高分子としては、上記以外に下記の一般式（１Ａ）または一般式（１Ｂ）：

（上記一般式（１）中、Ｓｐは、単結合、－（ＣＨ_２）_ｕ－（式中、ｕは１～２０を表す。）、－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、―ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＦ＝ＣＦ－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＦ_２－および－Ｃ≡Ｃ－からなる群から選択される少なくとも１種の二価の連結基であり、これらの置換基において非隣接のＣＨ_２基の一つ以上は独立して、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯ－Ｏ－、－Ｏ－ＣＯ－、－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２－Ｏ－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２―、－ＮＲ－、－ＮＲ－ＣＯ－、－ＣＯ－ＮＲ－、－ＮＲ－ＣＯ－Ｏ－、－Ｏ－ＣＯ－ＮＲ－、－ＮＲ－ＣＯ－ＮＲ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－Ｃ≡Ｃ－またはＯ－ＣＯ－Ｏ－（式中、Ｒは独立して水素または炭素原子数１から５のアルキル基を表す。）で置換することができ、
　Ａ^１、Ａ^２はそれぞれ独立して、
（ａ）　トランス－１，４－シクロへキシレン基（この基中に存在する１個のメチレン基または隣接していない２個以上のメチレン基は－Ｏ－、－ＮＨ－またはＳ－に置き換えられてもよい）、
（ｂ）　１，４－フェニレン基（この基中に存在する１個または２個以上の－ＣＨ＝は－Ｎ＝に置き換えられてもよい）、及び
（ｃ）　１，４－シクロヘキセニレン基、２，５－チオフェニレン基、２，５－フラニレン基、１，４－ビシクロ（２．２．２）オクチレン基、ナフタレン－１，４－ジイル基、ナフタレン－２，６－ジイル基、デカヒドロナフタレン－２，６－ジイル基及び１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン－２，６－ジイル基
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）または基（ｃ）はそれぞれ無置換であるかまたは一個以上の水素原子がフッ素原子、塩素原子、シアノ基、メチル基またはメトキシ基によって置換されていても良く、
　Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３は、それぞれ独立して、単結合、－（ＣＨ_２）_ｕ－（式中、ｕは１～２０を表す。）、－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、―ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＦ＝ＣＦ－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＦ_２－またはＣ≡Ｃ－を表すが、これらの置換基において非隣接のＣＨ_２基の一つ以上は独立して、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯ－Ｏ－、－Ｏ－ＣＯ－、－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２－Ｏ－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２―、－ＮＲ－、－ＮＲ－ＣＯ－、－ＣＯ－ＮＲ－、－ＮＲ－ＣＯ－Ｏ－、－Ｏ－ＣＯ－ＮＲ－、－ＮＲ－ＣＯ－ＮＲ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－Ｃ≡Ｃ－またはＯ－ＣＯ－Ｏ－（式中、Ｒは独立して水素または炭素原子数１から５のアルキル基を表す。）で置換することができ、
　Ｘは、－Ｏ－、単結合、－ＮＲ－またはフェニレン基であり、
　Ｒ^ｂは、重合性基、アルコキシ基、シアノ基または炭素原子数１～１２個のフッ化アルキル基であり、
　ｍは、０、１、または２であり、
　Ｍ_ｂ及びＭ_ｄはそれぞれ独立して同一であっても異なっていても良く、以下の一般式（Ｕ－１）～（Ｕ－１３）のいずれか１種のモノマー単位を表し、

（上記一般式（Ｕ－１）～（Ｕ－１０）中、破線はＳｐへの結合を表し、Ｒ^ａは独立して水素原子、炭素原子数１から５のアルキル基、フェニル基、ハロゲン原子を表し、それぞれの構造中の任意の水素原子はフッ素原子、塩素原子、メチル基、フェニル基、メトキシ基によって置換されていてもよく、
　上記一般式（Ｕ－１１）～（Ｕ－１３）中、破線はＳｐへの結合を表し、Ｒ^１は４価の環構造、Ｒ^２は３価の有機基、Ｒ^３は水素原子、水酸基、炭素原子数１～１５個のアルキル基、炭素原子数１～１５個のアルコキシ基を表す。）
　ｙ及びｗは、コポリマーのモル分率を表し、０＜ｙ≦１かつ、０≦ｗ＜１であり、ｎは４～１００，０００を表し、Ｍ_ｂ及びＭ_ｄのモノマー単位は各々独立して１種類でも２種類以上の異なる単位からなっていても良い。）
で表される光応答性二量化型高分子、その加水分解物または加水分解物の縮合物であることが好ましい。

　また、上記本発明に係る一般式（１）で表される光応答性高分子の好ましい形態として、Ｚ^２が単結合である光応答性二量化型高分子が好ましい。

　他の本発明に係る光応答性二量化型高分子は、下記の一般式（２）：

（上記一般式（２）中、Ｍ^１およびＭ^２はそれぞれ互いに独立して、アクリレート、メタクリレート、２－クロロアクリレート、２－フェニルアクリレート、低級アルキル基でＮ－置換されていてもよいアクリルアミド、メタクリルアミド、２－クロロアクリルアミド、２－フェニルアクリルアミド、ビニルエーテル、ビニルエステル、スチレン誘導体およびシロキサン類からなる群から選択される少なくとも１種の繰り返し単位であり、
　Ｍ^３は、アクリレート、メタクリレート、２－クロロアクリレート、２－フェニルアクリレート、低級アルキルでＮ－置換されていてもよいアクリルアミド、メタクリルアミド、２－クロロアクリルアミド、２－フェニルアクリルアミド、ビニルエーテル、ビニルエステル、アクリル酸またはメタクリル酸の直鎖状－もしくは分岐状アルキルエステル、アクリル酸もしくはメタクリル酸のアリルエステル、アルキルビニルエーテルもしくは－エステル、フェノキシニアルキルアクリレートもしくはフェノキシアルキルメタクリレートもしくはヒドロキシアルキルアクリレートもしくはヒドロキシアルキルメタクリレート、フェニルアルキルアクリレートもしくはフェニルアルキルメタクリレート、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、スチレン、４－メチルスチレンおよびシロキサン類からなる群から選択される少なくとも１種の繰り返し単位であり、
　Ａ^１、Ｂ^１、Ｃ^１、Ａ^２、Ｂ^２およびＣ^２はそれぞれ互いに独立して、
（ａ）　トランス－１，４－シクロへキシレン基（この基中に存在する１個のメチレン基または隣接していない２個以上のメチレン基は－Ｏ－、－ＮＨ－またはＳ－に置き換えられてもよい）、
（ｂ）　１，４－フェニレン基（この基中に存在する１個または２個以上の－ＣＨ＝は－Ｎ＝に置き換えられてもよい）、及び
（ｃ）　１，４－シクロヘキセニレン基、２，５－チオフェニレン基、２，５－フラニレン基、１，４－ビシクロ（２．２．２）オクチレン基、ナフタレン－１，４－ジイル基、ナフタレン－２，６－ジイル基、デカヒドロナフタレン－２，６－ジイル基及び１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン－２，６－ジイル基
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）または基（ｃ）はそれぞれ無置換であるかまたは一個以上の水素原子がフッ素原子、塩素原子、シアノ基、メチル基またはメトキシ基によって置換されていても良く、
　Ｓ^１およびＳ^２はそれぞれ互いに独立して、フッ素原子、塩素原子もしくはシアノ基で１以上置換された直鎖状もしくは分岐状アルキレン基（－（ＣＨ_２）_ｒ－）または－（ＣＨ_２）_ｒ－Ｌ－（ＣＨ_２）_ｓ－（式中、Ｌは、単結合または－Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＯＣ－、－ＮＲ^１－、－ＮＲ^１－ＣＯ－、－ＣＯ－ＮＲ^１－、－ＮＲ^１－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－ＮＲ^１－、－ＮＲ^１－ＣＯ－ＮＲ^１－、－ＣＨ＝ＣＨ－または－Ｃ≡Ｃ－を意味し、その際にＲ^１は水素原子または低級アルキル基を意味し、ｒおよびｓは、ｒ＋ｓ≦２４という条件のもとで１～２０の整数であり、）であり、
　Ｄ^１、Ｄ^２はそれぞれ互いに独立して、－Ｏ－、－ＮＲ^２－、または下記の式（ｄ）～（ｆ）：
（ｄ）　トランス－１，４－シクロへキシレン基（この基中に存在する１個のメチレン基または隣接していない２個以上のメチレン基は－Ｏ－、－ＮＨ－またはＳ－に置き換えられてもよい）、
（ｅ）　１，４－フェニレン基（この基中に存在する１個または２個以上の－ＣＨ＝は－Ｎ＝に置き換えられてもよい）、及び
（ｆ）　１，４－シクロヘキセニレン基、２，５－チオフェニレン基、２，５－フラニレン基、１，４－ビシクロ（２．２．２）オクチレン基、ナフタレン－１，４－ジイル基、ナフタレン－２，６－ジイル基、デカヒドロナフタレン－２，６－ジイル基及び１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン－２，６－ジイル基
からなる群より選ばれる基を含み、上記の基（ｄ）、基（ｅ）または基（ｆ）はそれぞれ無置換であるかまたは一個以上の水素原子がフッ素原子、塩素原子、シアノ基、メチル基またはメトキシ基によって置換されていても良い、を意味し、その際にＲ^２は水素原子または低級アルキル基であり、
　Ｘ^１、Ｘ^２、Ｙ^１およびＹ^２はそれぞれ互いに独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、場合によってはフッ素原子で置換されそしてＣＨ_２基または複数の非隣接ＣＨ_２基が場合によっては－Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＯＣ－および／または－ＣＨ＝ＣＨ－で交換されていてもよい炭素原子数１～１２のアルキル基を意味し、
　Ｚ^１ａ、Ｚ^１ｂ、Ｚ^２ａおよびＺ^２ｂはそれぞれ互いに独立して、単結合、－（ＣＨ_２）ｔ－、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯ－Ｏ－、－Ｏ－ＯＣ－、－ＮＲ^４－、－ＣＯ－ＮＲ^４－、－ＮＲ^４－ＣＯ－、－（ＣＨ_２）_ｕ－Ｏ－、－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｕ－、－（ＣＨ_２）_ｕ－ＮＲ^４－または－ＮＲ^４－（ＣＨ_２）_ｕ－であり、その際にＲ^４は水素原子または低級アルキル基を意味し；ｔは１～４の整数を意味し；ｕは１～３の整数であり、
　ｐ^１、ｐ^２、ｑ^１およびｑ^２はそれぞれ互いに独立して、０または１であり、
　Ｒ^１ａおよびＲ^２ａはそれぞれ互いに独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、ニトロ基、または炭素原子数１～２０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、アルコキシ基、アルキル－ＣＯＯ－、アルキル－ＣＯ－ＮＲ^３またはアルキル－ＯＣＯ基を意味し、その際にＲ^３は水素原子または低級アルキル基を意味し、前記アルキル基または前記アルコキシ基の１以上の水素原子は、フッ素原子、塩素原子、シアノ基またはニトロ基で置換されてもよく、前記アルキル基または前記アルコキシ基のＣＨ_２基または複数の非隣接ＣＨ_２基が－Ｏ－、－ＣＨ＝ＣＨ－または－Ｃ≡Ｃ－に置換されてもよく、
　ｎ^１、ｎ^２およびｎ^３は０＜ｎ^１≦１、０≦ｎ^２＜１および０≦ｎ^３≦０．５のコモノマーのモル分率である）
で表される光応答性二量化型高分子であることが好ましい。

　本発明に係る垂直配向誘起成分は、光応答性高分子の繰り返し単位として含んでいてもよく、また光応答性高分子の側鎖および／または主鎖の置換基として有していてもよく、さらには光応答性高分子とは別に混合物として光配向膜に含んでも良い。

　本発明に係る垂直配向誘起成分は、炭素原子数３以上３０以下のアルキル基、炭素原子数３以上３０以下のアルコキシ基、以下の一般式（Ｈ）、以下の一般式（Ｊ－１）および以下の一般式（Ｊ－２）を含むことが好ましい。

　前記一般式（Ｈ）は、

（上記化学式（Ｈ）中、破線は、炭素原子または窒素原子への結合を意味し、Ｒ^１ＨおよびＲ^２Ｈはそれぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１～５のアルキル基またはフェニル基を表し、Ｌ^１Ｈは、－Ｏ－、－ＯＣＯ－または－ＣＯＯ－を表し、ｒは１以上１０以下の整数を表す。）で表されることが好ましい。

　前記アルキル基としては、炭素原子数５以上以下２５のアルキル基であることがより好ましく、炭素原子数８以上２０以下のアルキル基であることがさらに好ましく、炭素原子数１０以上以下２５のアルキル基であることがより好ましく、炭素原子数８以上２０以下のアルキル基であることがさらに好ましく。また、この垂直配向誘起成分におけるアルキル基の１以上のＣＨ_２は酸素原子に置き換えてもよい。さらに、前記アルキル基は、直鎖状、分岐状または環状が含まれるが、直鎖状または分岐状がより好ましい。

　本発明に係る垂直配向誘起成分が、光応答性高分子において共重合の繰り返し単位として含む場合、式（Ｒ－Ｉ）から式（Ｒ－ＩＸ）：

（上記式（Ｒ－Ｉ）～（Ｒ－ＩＸ）中、Ｒ^２１、Ｒ^３１、Ｒ^４１、Ｒ^５１およびＲ^６１はお互いに独立して、水素原子、炭素原子数１～５個のアルキル基、フェニル基または炭素原子数１～５個のハロゲン化アルキル基であり、
Ｖは垂直配向誘起成分として、炭素原子数３以上２０以下のアルキル基、炭素原子数３以上２０以下のアルコキシ基または一般式（Ｈ）：

（上記化学式（Ｈ）中、破線は、炭素原子または窒素原子への結合を意味し、Ｒ^１ＨおよびＲ^２Ｈはそれぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１～５のアルキル基またはフェニル基を表し、Ｌ^１Ｈは、－Ｏ－、－ＯＣＯ－または－ＣＯＯ－を表し、ｒは１以上１０以下の整数を表す。）で表され、
Ｗは単結合、－Ｏ－またはメチレン基であり、Ｔは単結合または－ＣＯＯ－であり、ｐ、ｔおよびｑはそれぞれ独立して、０、１または２である。）の何れかで表される重合性化合物由来の繰り返し単位と、上記一般式（１Ａ）、一般式（１Ｂ）および一般式（２）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種の化合物由来の繰り返し単位とを含む重合体であることが好ましい。

　本発明に係る垂直配向誘起成分が、光応答性高分子とは別に混合物として光配向膜に含まれる場合、上記式（Ｒ－Ｉ）から式（Ｒ－ＩＸ）を含む重合性化合物を重合してなるポリマーと、上記光応答性高分子とを混合することが好ましい。

　本発明に係る垂直配向誘起成分が、光応答性高分子の側鎖および／または主鎖の置換基として有している場合は、上記ジアミン化合物（式（ＤＡ１）～（ＤＡ６０））、テトラカルボン酸二無水物（式（ＴＣＡ１）～式（ＴＣＡ３８））、一般式（１Ａ）、一般式（１Ｂ）および一般式（２）で表される化合物の水素原子を上記垂直配向誘起成分（例えば、上記式（Ｒ－Ｉ）から式（Ｒ－ＩＸ）におけるＶ）に置換してもよい。

　前記一般式（Ｊ－１）は：

（上記一般式（Ｊ－１）中、Ｘｃ１～Ｘｃ３はそれぞれ独立して、水素原子または炭素原子数１～５個のアルキル基であることが好ましい。）で表されることが好ましい。

　　前記一般式（Ｊ－２）は：

（上記一般式（Ｊ－２）中、Ｘｃ１～Ｘｃ３はそれぞれ独立して、水素原子または炭素原子数１～５個のアルキル基であることが好ましい。）で表されることが好ましい。

　本発明に係る光応答性高分子の好適な例としては、ポリイミド、ポリアミック酸誘導体であることが好ましく、テトラカルボン酸二無水物（式（ＴＣＡ１）～式（ＴＣＡ３８））と、以下のジアミン化合物（一般式（Ｋ））とを重合した繰り返し単位を有するポリマーであることがより好ましい。

（上記一般式（Ｋ）中、Ｓｐｍは、－Ｏ－または－ＣＯＯ－を表し、Ｒｍは、一般式（Ｈ）、一般式（Ｊ－１）および一般式（Ｊ－２）からなる群から選択される少なくとも１種の配向誘起成分である。）
　以下に、本発明の液晶表示素子の製造方法を説明する。本発明の液晶表示素子は、例えば以下の工程により製造することが好ましい。

　本発明に係る液晶表示素子の製造方法は、基板上に本発明に係る光配向膜前駆体溶液を塗布した後、当該塗布面を加熱することにより基板上に塗膜を形成することが好ましい。より詳細には、例えば櫛歯型にパターニングされた透明導電膜が設けられている基板の導電膜形成面と、導電膜が設けられていない対向基板の一面とに、本発明の光配向膜前駆体溶液をそれぞれ塗布し、次いで各塗布面を加熱することにより塗膜を形成する。

　本発明の光配向膜前駆体溶液を、好ましくはオフセット印刷法、スピンコート法、ロールコーター法またはインクジェット印刷法によりそれぞれ塗布する。ここに、基板としては、例えばフロートガラス、ソーダガラスなどのガラス；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリ（脂環式オレフィン）などのプラスチックからなる透明基板を用いることができる。（第一の）基板の一面に設けられる透明導電膜としては、酸化スズ（ＳｎＯ_２）からなるＮＥＳＡ膜、酸化インジウム－酸化スズ（Ｉｎ_２Ｏ_３－ＳｎＯ_２）からなるＩＴＯ膜などを用いてもよい。さらに、パターニングされた透明導電膜を得るには、例えばパターンなし透明導電膜を形成した後フォト・エッチングによりパターンを形成する方法や、透明導電膜を形成する際に所望のパターンを有するマスクを用いる方法などに採用することができる。前記光配向膜前駆体溶液の塗布に際しては、基板表面及び透明導電膜と塗膜との接着性をさらに良好にするために、基板表面を官能性シラン化合物、官能性チタン化合物などの公知の方法で予め表面処理をしてもよい。

　前記光配向膜前駆体溶液を塗布した後、必要によりプレベークを行ってもよく、その場合のプレベーク温度は、好ましくは３０～２００℃である。また、当該プレベーク時間は、好ましくは０．２５～１０分である。その後、溶剤を完全に除去し、必要に応じて重合体に存在するアミック酸構造を熱イミド化することを目的として焼成工程を行うことが好ましい。このときの焼成温度は、好ましくは８０～３００℃である。焼成時間は、好ましくは５～２００分である。このようにして、形成される膜の膜厚は、好ましくは０．００１～１μｍである。
当該塗膜に対して照射する光としては、１５０～８００ｎｍの波長の光を含む紫外線または可視光線を用いることができ、３００～４００ｎｍの波長の光を含む紫外線が好ましい。

　前記照射光の光源としては、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、重水素ランプ、メタルハライドランプ、アルゴン共鳴ランプ、キセノンランプ、エキシマーレーザーなどを使用することができる。なお、上記好ましい波長領域の紫外線は、光源を、例えばフィルター、回折格子などと併用する手段などにより得ることができる。光の照射量としては、好ましくは１，０００Ｊ／ｍ^２以上１００，０００Ｊ／ｍ^２以下である。

　本発明に係る液晶表示素子の製造方法は、光配向膜または塗膜が形成された一対の基板を間隙（セルギャップ）を介して対向配置し、かつ当該間隙に本発明に係る液晶組成物を充填することが好ましい。

　前記液晶組成物を充填する方法としては、（１）真空注入法（光配向膜または塗膜が形成された一対の基板につき、二枚の基板の当該膜の配向方向が直交となるように間隙（セルギャップ）を介して対向配置し、二枚の基板の周辺部をシール剤を用いて貼り合わせ、基板表面及びシール剤により区画されたセルギャップ内に液晶を注入充填し、注入孔を封止して液晶セルを構成する方法）または（２）ＯＤＦ法が挙げられる。真空注入法による液晶組成物を導入する方法では滴下痕は発生しないものの基板サイズの大型化に伴い、製造時間やコストなどに問題がある。しかし、本願発明においては、光配向膜と液晶組成物との組み合わせからＯＤＦ法を用いて製造する表示素子により好適に使用することができる。

　また、本願発明の好ましい形態であるＶＡ－ＩＰＳ方式の液晶表示素子では同一基板（図３では第一の基板）の表面にＴＦＴなど電極層３（光配向膜が被覆している面）が形成されているため、当該表面には多数の凹凸が存在し、滴下痕の発生を促進しやすい環境になっているが、光配向膜と液晶組成物との組み合わせによりこの問題点が軽減されていると考えられる。

　また、本発明に係る重合性化合物を含有した液晶組成物は、これに含まれる重合性化合物が紫外線照射により重合することで液晶配向能が付与され、液晶組成物の複屈折を利用して光の透過光量を制御する液晶表示素子に使用されることが好ましい。液晶表示素子として、ＥＣＢ－ＬＣＤ、ＶＡ－ＬＣＤ、ＶＡ－ＩＰＳ－ＬＣＤ、ＦＦＳ－ＬＣＤ、ＡＭ－ＬＣＤ（アクティブマトリックス液晶表示素子）、ＴＮ（ネマチック液晶表示素子）、ＳＴＮ－ＬＣＤ（超ねじれネマチック液晶表示素子）、ＯＣＢ－ＬＣＤ及びＩＰＳ－ＬＣＤ（インプレーンスイッチング液晶表示素子）に有用であるが、ＡＭ－ＬＣＤに特に有用であり、透過型あるいは反射型の液晶表示素子に用いることができる。

　前記液晶表示素子に使用される液晶セルの２枚の基板はガラスまたはプラスチックの如き柔軟性をもつ透明な材料を用いることができ、一方はシリコン等の不透明な材料でも良い。透明電極層を有する透明基板は、例えば、ガラス板等の透明基板上にインジウムスズオキシド（ＩＴＯ）をスパッタリングすることにより得ることができる。

　前記カラーフィルタは、例えば、顔料分散法、印刷法、電着法または、染色法等によって作製することができる。顔料分散法によるカラーフィルタの作成方法を一例に説明すると、カラーフィルタ用の硬化性着色組成物を、該透明基板上に塗布し、パターニング処理を施し、そして加熱または光照射により硬化させる。この工程を、赤、緑、青の３色についてそれぞれ行うことで、カラーフィルタ用の画素部を作製することができる。その他、該基板上に、ＴＦＴ、薄膜ダイオード等の能動素子を設けた画素電極を設置してもよい。

　前記基板を、透明電極層が内側となるように対向させる。その際、スペーサーを介して、基板の間隔を調整してもよい。このときは、得られる調光層（液晶層）の厚さが１～１００μｍとなるように調整するのが好ましい。１．５から１０μｍが更に好ましく、偏光板を使用する場合は、コントラストが最大になるように液晶の屈折率異方性Δｎとセル厚Ｇとの積を調整することが好ましい。又、二枚の偏光板がある場合は、各偏光板の偏光軸を調整して視野角やコントラトが良好になるように調整することもできる。更に、視野角を広げるための位相差フィルムも使用することもできる。スペーサーとしては、例えば、ガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子、フォトレジスト材料などからなる柱状スペーサー等が挙げられる。その後、エポキシ系熱硬化性組成物等のシール剤を、液晶注入口を設けた形で該基板にスクリーン印刷し、該基板同士を貼り合わせ、加熱しシール剤を熱硬化させる。

　２枚の基板間に液晶組成物（必要により重合性化合物を含有する）を狭持させる方法は、通常の真空注入法またはＯＤＦ法などを用いることができる。しかし真空注入法においては滴下痕が発生しない代わりに、注入の跡が残るという課題がある。本願発明においては、ＯＤＦ法を用いて製造する表示素子に、より好適に使用することができる。ＯＤＦ法の液晶表示素子製造工程においては、バックプレーンまたはフロントプレーンのどちらか一方の基板にエポキシ系光熱併用硬化性などのシール剤を、ディスペンサーを用いて閉ループ土手状に描画し、その中に脱気下で所定量の液晶組成物を滴下後、フロントプレーンとバックプレーンを接合することによって液晶表示素子を製造することができる。本発明の液晶組成物は、ＯＤＦ工程における液晶組成物の滴下が安定的に行えるため、好適に使用することができる。

　重合性化合物を重合させる方法としては、液晶の良好な配向性能を得るためには、適度な重合速度が望ましいので、紫外線または電子線等の活性エネルギー線を単一または併用または順番に照射することによって重合させる方法が好ましい。紫外線を使用する場合、偏光光源を用いても良いし、非偏光光源を用いても良い。また、重合性化合物含有液晶組成物を２枚の基板間に挟持させて状態で重合を行う場合には、少なくとも照射面側の基板は活性エネルギー線に対して適当な透明性が与えられていなければならない。また、光照射時にマスクを用いて特定の部分のみを重合させた後、電場や磁場または温度等の条件を変化させることにより、未重合部分の配向状態を変化させて、更に活性エネルギー線を照射して重合させるという手段を用いても良い。特に紫外線露光する際には、重合性モノマー含有液晶組成物に電圧を無印加の状態で紫外線露光することが好ましい、垂直配向型ＶＡモードの液晶表示素子においては、配向安定性及びコントラストの観点からプレチルト角を８５度から８９．９度に制御することが好ましい。

　照射時の温度は、本発明の液晶組成物の液晶状態が保持される温度範囲内であることが好ましい。室温に近い温度、即ち、典型的には１５～３５℃での温度で重合させることが好ましい。紫外線を発生させるランプとしては、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ等を用いることができる。また、照射する紫外線の波長としては、液晶組成物の吸収波長域でない波長領域の紫外線を照射することが好ましく、必要に応じて、紫外線をカットして使用することが好ましい。照射する紫外線の強度は、０．１ｍＷ／ｃｍ^２～１００Ｗ／ｃｍ^２が好ましく、２ｍＷ／ｃｍ^２～５０Ｗ／ｃｍ^２がより好ましい。照射する紫外線のエネルギー量は、適宜調整することができるが、１０ｍＪ／ｃｍ^２から５００Ｊ／ｃｍ^２が好ましく、１００ｍＪ／ｃｍ^２から２００Ｊ／ｃｍ^２がより好ましい。紫外線を照射する際に、強度を変化させても良い。紫外線を照射する時間は照射する紫外線強度により適宜選択されるが、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプまたは超高圧水銀ランプを用いる場合は１０秒から３６００秒が好ましく、１０秒から６００秒がより好ましく、蛍光ランプを用いる場合は６０秒から１８０００秒が好ましく、６００秒から１０８００秒が好ましい。

　前記第１基板または前記第２基板は、実質的に透明であれば材質に特に限定はなく、ガラス、セラミックス、プラスチック等を使用することができる。プラスチック基板としてはセルロ－ス、トリアセチルセルロ－ス、ジアセチルセルロ－ス等のセルロ－ス誘導体、ポリシクロオレフィン誘導体、ポリエチレンテレフタレ－ト、ポリエチレンナフタレ－ト等のポリエステル、ポリプロピレン、ポリエチレン等のポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリビニルアルコ－ル、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアミド、ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリスチレン、ポリアクリレート、ポリメチルメタクリレ－ト、ポリエーテルサルホン、ポリアリレート、さらにガラス繊維－エポキシ樹脂、ガラス繊維－アクリル樹脂などの無機－有機複合材料などを用いることができる。

　なおプラスチック基板を使用する際には、バリア膜を設けることが好ましい。バリア膜の機能は、プラスチック基板が有する透湿性を低下させ、液晶表示素子の電気特性の信頼性を向上することにある。バリア膜としては、それぞれ、透明性が高く水蒸気透過性が小さいものであれば特に限定されず、一般的には酸化ケイ素などの無機材料を用いて蒸着やスパッタリング、ケミカルベーパーデポジション法（ＣＶＤ法）によって形成した薄膜を使用する。

　本発明においては、前記第１基板または前記第２基板として同素材を使用しても異素材を使用してもよく、特に限定はない。ガラス基板を用いれば耐熱性や寸法安定性の優れた液晶表示素子を作製することができるので好ましい。またプラスチック基板であれば、ロールツウロール法による製造方法に適し且つ軽量化あるいはフレキシブル化に適しており好ましい。また、平坦性及び耐熱性付与を目的とするならば、プラスチック基板とガラス基板とを組み合わせると良い結果を得ることができる。

　以下に実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物における「％」は「質量％」を意味する。

　実施例中、測定した特性は以下の通りである。

　Ｔｎｉ　：ネマチック相－等方性液体相転移温度（℃）
　Δｎ　：２９５Ｋにおける屈折率異方性（別名：複屈折）
　Δε　：２９５Ｋおける誘電率異方性
　η　　：２９５Ｋにおける粘度（ｍＰａ・ｓ）
　γ１　：２９５Ｋにおける回転粘性（ｍＰａ・ｓ）
　ＶＨＲ：周波数６０Ｈｚ，印加電圧５Ｖの条件下で３１３Ｋにおける電圧保持率（％）
　焼き付き：
　液晶表示素子の焼き付き評価は、表示エリア内に所定の固定パターンを１４４０時間表示させた後に、全画面均一な表示を行ったときの固定パターンの残像のレベルを目視にて以下の４段階評価で行った。

　◎残像無し
　○残像ごく僅かに有るも許容できるレベル
　△残像有り許容できないレベル
　×残像有りかなり劣悪
　揮発性／製造装置汚染性：
　液晶材料の揮発性評価は、真空攪拌脱泡ミキサーの運転状態をストロボスコープで照らしながら観察し、液晶材料の発泡を目視により観察することによって行った。具体的には、容量２．０Ｌの真空攪拌脱泡ミキサーの専用容器に液晶組成物を０．８ｋｇ入れ、４ｋＰａの脱気下、公転速度１５Ｓ^－１、自転速度７．５Ｓ^－１で真空攪拌脱泡ミキサーを運転し、発泡が始まるまでの時間によって、以下の４段階評価で行った。

　◎発泡まで３分以上。揮発による装置汚染の可能性が低い。

　○発泡まで１分以上かつ３分未満。揮発による軽微な装置汚染の懸念あり。

　△発泡まで３０秒以上かつ１分未満。揮発による装置汚染が起きる。

　×発泡まで３０秒以内。揮発による重大な装置汚染の懸念がある。

　プロセス適合性　：
　プロセス適合性は、ＯＤＦプロセスにおいて、定積計量ポンプを用いて１回に４０ｐＬずつ液晶を滴下することを１０００００回行い、次の「０～２００回、２０１～４００回、４０１～６００回、・・・・９９８０１～１０００００回」の各２００回ずつ滴下された液晶量の変化を以下の４段階で評価した。

　◎変化が極めて小さい（安定的に液晶表示素子を製造できる）
　○変化が僅かに有るも許容できるレベル
　△変化が有り許容できないレベル（斑発生により歩留まりが悪化）
　×変化が有りかなり劣悪（液晶漏れや真空気泡が発生）
　低温での溶解性：
　低温での溶解性評価は、液晶組成物を調製後、１ｍＬのサンプル瓶に液晶組成物を０．５ｇ秤量し、これに温度制御式試験槽の中で、次を１サイクル「－２０℃（１時間保持）→昇温（０．２℃／毎分）→０℃（１時間保持）→昇温（０．２℃／毎分）→２０℃（１時間保持）→降温（－０．２℃／毎分）→０℃（１時間保持）→降温（－０．２℃／毎分）→－２０℃」として温度変化を与え続け、目視にて液晶組成物からの析出物の発生を観察し、以下の４段階評価を行った。

　◎６００時間以上析出物が観察されなかった。

　○３００時間以上析出物が観察されなかった。

　△１５０時間以内に析出物が観察された。

　×７５時間以内に析出物が観察された。

　実施例において化合物の記載について以下の略号を用いる。
（側鎖）
　－Ｆ　　　　－Ｆ　　　フッ素原子
　Ｆ－　　　　－Ｆ　　　フッ素原子
　－ｎ　　　　－Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１　炭素原子数ｎの直鎖状のアルキル基
　ｎ－　　　　Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１－　炭素原子数ｎの直鎖状のアルキル基
　－Ｏｎ　　　－ＯＣ_ｎＨ_２ｎ＋１　炭素原子数ｎの直鎖状のアルコキシル基
　ｎＯ－　　　Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１Ｏ－　炭素原子数ｎの直鎖状のアルコキシル基
　－Ｖ　　　－ＣＨ＝ＣＨ_２
　Ｖ－　　　ＣＨ_２＝ＣＨ－
　－Ｖ１　　　－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ_３
　１Ｖ－　　　ＣＨ_３－ＣＨ＝ＣＨ－
　－２Ｖ　　　－ＣＨ_２－ＣＨ_２－ＣＨ＝ＣＨ_３
　Ｖ２－　　　ＣＨ_３＝ＣＨ－ＣＨ_２－ＣＨ_２－
　－２Ｖ１　　－ＣＨ_２－ＣＨ_２－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ_３
　１Ｖ２－　　ＣＨ_３－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ_２－ＣＨ_２
　－ＯＣＦ３　　－Ｏ－ＣＦ_３
（連結基）
　－ＣＦ２Ｏ－（または－ＣＦＦＯ－）　　　　－ＣＦ_２－Ｏ－
　－ＯＣＦ２－（または－ＯＣＦＦ－）　　　　－Ｏ－ＣＦ_２－
　－１Ｏ－　　　　　－ＣＨ_２－Ｏ－
　－Ｏ１－　　　　　－Ｏ－ＣＨ_２－
　－ＣＯＯ－　　　　－ＣＯＯ－
（環構造）
　（環構造）

　（調製例１～１６（液晶組成物１～１６））
　次に示す組成を有する液晶組成物（調製例１～１６）をそれぞれ調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表１および表２に示す。

　また、調製例１、２、６、１４に示すネマチック液晶組成物９９．７質量部に対して、式（Ｐ．１）：

で表される重合性モノマーをそれぞれ０．３質量部添加し均一に溶解することにより重合性モノマー含有液晶組成物１、重合性モノマー含有液晶組成物２、重合性モノマー含有液晶組成物１、２、６、１４を調製した。

　当該重合性モノマー含有液晶組成物１、２、６、１４の物性は調整例１、２、６、１４に示すそれぞれのネマチック液晶組成物の物性とほとんど違いはなかった。

　また、調製例９、１２、１６に示すネマチック液晶組成物９９．７質量部に対して、式（Ｐ．２）：

で表される重合性モノマーをそれぞれ０．３質量部添加し均一に溶解することにより重合性モノマー含有液晶組成物９、１２、１６を調製した。当該重合性モノマー含有液晶組成物９、１２の物性も調整例９、１２、１６に示すそれぞれのネマチック液晶組成物の物性とほとんど違いはなかった。

　本発明の液晶組成物および重合性モノマー含有液晶組成物を用いて、ＴＶ用として一般的であるセル厚３．０μｍのＶＡ－ＩＰＳ（ＦＦＳモードを含む）モードの液晶表示素子を作製し、配向膜については、以下のような方法で作製した。

　＜光分解型光配向膜＞
　「光配向膜１」
　下記式（Ｊ．１）のジアミン化合物１．０モル％

を、Ｎ－メチル－２－ピロリドン中に溶解させた後、これにシクロブタンテトラカルボン酸二無水物１モル％を加えて２０℃で１２時間反応させ、標準ポリスチレン換算重量平均分子量が約１００，０００、重量平均分子量／数平均分子量（Ｍｖ／Ｍｎ）が約１．６のポリアミック酸ワニスを得た。次に、このポリアミック酸ワニスを６％濃度に希釈してγ－アミノプロピルトリエトキシシランを固形分で０．３重量％添加した後、第１の薄膜積層体上および第２の薄膜積層体の上に印刷し、２１０℃で３０分加熱して以下の光分解型の絶縁膜（ポリイミド膜）を形成した。

　その後、当該光分解型のポリイミド膜に、波長２５４ｎｍの偏光ＵＶ光を１０００ｍＪ／ｃｍ^２照射することにより配向処理を施した。

　「光配向膜２」
　下記式（Ｊ．２）のジアミン化合物０．１モル％と、

上記式（Ｊ．１）のジアミン化合物０．０５モル％と、ｐ－フェニレンジアミン０．８５モル％を、Ｎ－メチル－２－ピロリドン中に溶解させた後、これにシクロブタンテトラカルボン酸二無水物１モル％を加えて６０℃で５時間反応させてポリアミック酸溶液を調製した。その後、Ｎ－メチル－２－ピロリドンを加え、全量を５００ｇに調製し、ピリジンおよび無水酢酸を添加して１１５℃で４．５時間脱水開環を行い、Ｎ－メチル－２－ピロリドンで溶媒置換してピリジンおよび無水酢酸を留去した。イミド化率約５３％のポリイミド溶液（固形分２０質量％）にブチルセロソルブを添加し、固形分６％濃度に希釈した後、第１の薄膜積層体上および第２の薄膜積層体の上に印刷し、２１０℃で３０分加熱して以下の光分解型の絶縁膜（ポリイミド膜）を形成した。

　「光配向膜３」
　（光配向膜用溶液の調製）
　１，４－フェニレンジアミン３．２４ｇにＮ－メチル－２－ピロリドン　３２．４０ｇ　を加え、窒素を送りながら撹拌して溶解させた。このジアミン溶液を撹拌しながら、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物７．８１ｇを添加し、さらにＮ－メチル－２－ピロリドン　７８．０３ｇ　を加え、窒素雰囲気下、３０℃で１８時間撹拌して反応させた。さらに常温で、Ｎ－メチル－２－ピロリドンと２－ブトキシエタノールの質量比が１：１の混合溶媒６２．６８ｇを添加して希釈攪拌し、光配向膜用溶液を得た。

　（液晶配向膜の形成）
　（光分解型樹脂膜の形成）
　第１基板に形成された櫛形透明電極の上に、前記光配向膜溶液をスピンコート法により形成し、乾燥厚さ０．１μｍの樹脂膜を形成した。第２基板にも同様にして配向膜を形成した。樹脂膜を形成した基板を、２３０℃で３０分加熱して反応させることにより、光分解型の樹脂膜（ポリイミド膜）を形成した。

　（配向処理）
　高圧水銀ランプからバンドパスフィルターを用いて２５６ｎｍの紫外線を取り出し、ワイヤーグリッド偏光子を用いて消光比約１００：１の直線偏光とし、当該光分解型の樹脂膜に、１．０Ｊ／ｃｍ^２の照射エネルギーで照射して光配向処理を行った。その後、分解生成した不純物を除去するため、２３０℃で３０分焼成した後、ポリイミド膜を純水で洗浄して乾燥させることにより、光分解型の配向膜が形成されたガラス基板を得た。

　＜光二量化型光配向膜＞
　「光配向膜４」

　（垂直配向誘起成分）

アクリル酸ステアリル（Ｖ－２）（東京化成工業製）を購入し用いた。

　（ポリマー（ＰＡＶ－１）の合成）
　モノマー（Ｉ－１－１）１０部と、モノマー（Ｖ－１）０．５部とをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）４５部に溶解し、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）０．０３部を加えた溶液を、窒素雰囲気下８時間加熱還流して反応させた。次に、反応後の溶液をメタノール６００部に滴下攪拌し、析出物を回収してＴＨＦ５０部に溶解した後、氷冷したヘキサン１２００部に滴下攪拌し、析出した固体を回収した。得られた固体をＴＨＦ５０部に溶解させ、氷冷したメタノール１２００部に滴下攪拌し、析出した固体を回収し、ＴＨＦに溶解させた後、真空乾燥することで、ポリマー（ＰＡＶ－１）を得た。

　なお、ポリマーの分子量の調整は、上記窒素雰囲気下の加熱還流時間を調節し、重量平均分子量（Ｍｗ）を測定することにより行った。

　（分子量の測定）
　Ｍｗ及びＭｎは以下測定条件のもと、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー、Ｇｅｌ　Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ　Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）により測定した。

　測定装置には、東ソー社製ＧＰＣ装置ＨＬＣ－８２２０ＧＰＣを用い、分析カラムにはＴＳＫｇｅｌＧＭＨＸＬ×２本、ＴＳＫｇｅｌ　Ｇ２０００ＸＬ×１本、ＴＳＫｇｅｌ　Ｇ１０００ＸＬ×１本の計４本直列、検出器には示差屈折率（ＲＩ）検出器、較正曲線作成のための標準試料には、昭和電工製ポリスチレン標準試料ＳＴＡＮＤＡＲＤＳＭ－１０５（分子量範囲１，３００～３，８００，０００）を用いた。得られたポリマーをＴＨＦに１μｇ／ｍＬの濃度となるよう溶解し、移動相をＴＨＦ、送液速度を１ｍＬ／分、カラム温度を４０℃、試料注入量を３００μＬとして測定した。

　（液晶配向膜の形成）
　（光二量化型樹脂膜の作製）
　ポリマー（ＰＡＶ－１）５部と、Ｎ－メチルピロリドン４７．５部と、２－ブトキシエタノール４７．５部との混合物を室温で１０分間攪拌して、均一に溶解させた。次に、該溶液を、スピンコーターを用いてガラス基板上に塗布し、１００℃で３分間乾燥することで、上記ガラス基板上に膜を形成した。形成された膜を目視で観察したところ、平滑な膜が形成されていることが確認された。

　（光配向処理）
　次に、超高圧水銀ランプ、波長カットフィルター、バンドパスフィルター及び偏光フィルターを備えた偏光照射装置を用いて、紫外光（波長３１３ｎｍ）の直線偏光（照度：１０ｍＷ／ｃｍ^２）を、形成された膜に対して、鉛直方向から１０秒照射（照射光量１００ｍJ／ｃｍ^２）することにより、光配向膜を得た。また、樹脂膜の乾燥厚さは、０．１μｍであった。

　＜ラビング型配向膜＞
　（ラビング型配向膜）
　（ラビング型ポリイミド液晶配向膜の形成）
　（配向膜溶液の調製）
　４，４’－ジアミノジフェニルアミン５．９８ｇに　Ｎ－メチル－２－ピロリドン　５９．７２ｇを加え、窒素を送りながら撹拌して溶解させた。このジアミン溶液を撹拌しながら、ピロメリット酸二無水物　６．５４ｇ添加し、さらに　Ｎ－メチル－２－ピロリドン　６５．３０ｇ　を加え、窒素雰囲気下、３０℃で１８時間撹拌して反応させた。さらに常温で、Ｎ－メチル－２－ピロリドンと２－ブトキシエタノールの質量比が１：１の混合溶媒７１．０６ｇを添加して希釈攪拌し、ポリアミック酸溶液を得た。

　（液晶配向膜の形成）
　（樹脂膜の作製）
　配向膜溶液をスピンコーターで第１の基板および第２の基板の上に塗布し、２３０℃で３０分加熱して反応させポリイミドの絶縁膜を形成した。

　（配向処理）
　バフ布を巻いたローラーを基板搬送方向とは反対方向に回転させ、基板上に形成された配向膜表面を一方向に擦ることにより、配向処理を行った。ローラーの回転数は６００ｒｐｍ，基板の搬送速度は５ｍｍ／秒，バフ布の基板表面に対する押し込み深さは０．３ｍｍであった。その後、ラビングで削れた配向膜の屑やバフ布の繊維片を除去するためポリイミド膜を純水で洗浄して乾燥させて、ラビング型ポリイミド配向膜が形成されたガラス基板を得た。

　（表示品位の評価）
　配向膜を光配向膜にすることにより、ラビングムラによる液晶分子に対する配向性の低下を軽減でき、かつ優れた透過率特性のＶＡ－ＩＰＳ（またはＶＡ－ＦＦＳ）方式の液晶表示素子を提供することができる。上記で作成した種々の（光）配向膜による液晶配向性の評価を行ったので、その評価方法を以下に説明する。

　第１の基板上には薄膜トランジスタと透明電極層が形成され、その上に配向膜が形成される。接触方式であるラビング法を用いて配向処理を行うと、ラビングによって配向膜表面にランダムな擦り傷が形成される。特に薄膜トランジスタや透明電極層パターンが形成された第１基板においては、薄膜トランジスタや透明電極層パターンによる段差と、ラビングローラーのバフ布の繊維の直径（数十μｍ）とに起因した、より深い擦り傷が、段差に沿って形成されやすい。この擦り傷が形成された箇所には、電界オフ時に液晶分子が一定方向に並ぶことができないために、黒表示時に液晶パネルに光ヌケが生じる。その結果、一定の値以上のコントラストが得られ難くなる。また、ラビング配向膜は配向分割を行うことが困難である。

　さらに、近年実用化された４Ｋと呼ばれる解像度モードでは、４０インチパネルにおける計算例で、１ピクセル寸法が　０．２３ｍｍとなる。また、追って実用化される８Ｋと呼ばれる解像度モードでは、４０インチパネルにおける計算例で、１ピクセル寸法が　０．１１ｍｍにも微細になる。すなわち、１ピクセル寸法が、ラビングローラーのバフ布の繊維の直径に近づくことから、ラビング法によって配向処理された時に形成される擦り傷により、ピクセル単位、または断続的なピクセル列単位で、電界オフ時に液晶分子が一定方向に並ぶことができない箇所が発生し、黒表示時の多量の光ヌケによる大幅なコントラストの低下や、多数の表示欠損を引き起こすおそれがある。

　そこで光配向法によって非接触で配向処理を行うことにより、配向膜表面に擦り傷が発生しないことから、光ヌケのない、高いコントラストと、くっきりとした黒表示を実現することができる。

　第１基板に形成された櫛形透明電極の上に、配向膜溶液をスピンコート法により形成し、乾燥厚さ０．１μｍの配向膜を形成した。第２基板にも同様にして配向膜を形成した。

　（液晶セルの作製）
　上記種々の液晶配向膜を備えたガラス基板を用いて、液晶セルを作製した。より具体的には、配向膜がそれぞれ形成された第１基板と第２基板を、それぞれの液晶配向膜が対向し、かつ直線偏光を照射した、またはラビングした方向がアンチパラレル方向（１８０°）となるように配置し、２枚の基板間に一定の間隙（４μｍ）を保った状態で、周辺部をシール剤により張り合わせた。次に、液晶配向膜表面及びシール剤により区画されたセルギャップ内に、上記表の液晶組成物（調製例１～１６）および重合性モノマー含有液晶組成物１、２、６、９、１２、１４および１６を、滴下法により、透明点＋１５℃の温度で充填し、その後、室温まで冷却することでそれぞれ液晶セルを作製した。

　重合性モノマー含有液晶組成物１、２、６、９、１２、１４および１６の場合は、上記と同様に液晶セルを作製した後、この液晶セルのプレチルト角（クリスタルローテーション法）を測定した後、周波数１ｋＨｚで１．８Ｖの矩形波を印加しながら、３２０ｎｍ以下の紫外線をカットするフィルターを介して、高圧水銀灯（東芝ライテック社製ＦＬ１５ＵＶ３４Ａ（ＮＰ８０５））により液晶セルに紫外線を照射した。セル表面の照射強度が１０ｍＷ／ｃｍ^２となるように調整して７００秒間照射して、重合性モノマー含有液晶組成物中の重合性モノマーを重合させた水平配向性液晶表示素子を得た。

　以下の表３～９に、作製した液晶セル（液晶表示素子）で用いた配向膜と、用いた液晶組成物または重合性モノマー含有液晶組成物との組み合わせ例（実施例１～２４および比較例１～２）と、作成した液晶セルの静的コントラスト（ＣＲＳ）の評価結果を記載する。また当該静的コントラスト（ＣＲＳ）は次の方法で測定した。

　白色光源、分光器、偏光子（入射側偏光板）、検光子（出射側偏光板）、検出器を備えた光学測定装置（ＲＥＴＳ－１００、大塚電子株式会社製）の、偏光子－検光子間に、測定対象である前記光学フィルムを配置した。ここで、偏光子と検光子との回転角が０度（偏光子と検光子の偏光方向が平行位置［パラレルニコル］）である状態において、光学フィルムを回転させながら、検出器にて透過光の光量を検出し、検出した光量が最も大きくなる、光学フィルムの回転位置（偏光子の偏光方向と重合性液晶の分子長軸方向が平行）における、透過光の光量（オン時光量）をＹｏｎとした。また、偏光子と光学フィルムの位置を固定したまま、偏光子に対する検光子の回転角を９０度（偏光子と検光子の偏光方向が直交位置［クロスニコル］）としたときにおける、透過光の光量（オフ時光量）をＹｏｆｆとした。コントラストＣＲＳは、次式（式１）により求めた。

　　　ＣＲＳ　＝Ｙｏｎ／Ｙｏｆｆ　・・・・・・・・・　（式１）
（式１）の静的コントラストＣＲＳの数値が大きいほど、オフ時光量Ｙｏｆｆが小さいこと、すなわち、光ヌケが少ないため、優れた黒表示であることを示す。

　その結果、光配向膜を形成して作製されたＶＡ－ＩＰＳ、ＶＡ－ＦＦＳモードの表示素子（実施例１～２４）は、ラビング配向膜を形成して作製されたＶＡ－ＩＰＳモードの表示素子（比較例１、２）と比べて、コントラストにおいて優れた特性を示した。
特に光配向膜を使用した液晶表示素子（実施例１～２４）ではオフ時光量Ｙｏｆｆ（黒輝度）が小さいため、コントラストが高くなる傾向であった。そのため、光配向膜を使用した実施例は比較例より深みのある黒を表現できる表示素子であると考えられる。

　また、重合性モノマー添加すると、５Ｖ　６０Ｈｚの短形波を６０℃で１０時間印加する工程（エージング）を行ってもコントラストが低減しにくいことが確認される（実施例１７～実施例２４）。そのため、重合性モノマー由来のポリマーが液晶分子の配向を規制する配向膜の役割を補助していることから配向乱れが起きにくいものと考えられる。

　さらに、実施例１～２４の液晶表示素子は、以下の配向規制力（アンカリング）測定をおこなった。

　上記液晶表示素子を用いて、液晶配向膜表面と液晶層との間の界面におけるアンカリングエネルギーを、以下の強電場法（日本液晶学会討論会講演予稿集（１９９８年）の４０２～４０３頁に報告された方法）により測定した。

　その結果、実施例１～２４の液晶表示素子は、実用に足りうる程度の配向規制力が生じていることが確認できた。なかでも、実施例１７～実施例２４の液晶表示素子における配向規制力が、実施例１～１６と比べて向上していることから、重合性モノマーが重合することにより光配向膜の液晶化合物に対する配向規制力が生じていることが確認できた。水平配向性液晶表示素子は優れた光学特性及び高速応答性を有していることを確認した。

　１００　　第１基板
　１０２　　ＴＦＴ層
　１０３　　画素電極
　１０４　　パッシベーション膜
　１０５　　第１配向膜
　２００　　第２基板
　２０１　　平坦化膜（オーバーコート層）
　２０２　　ブラックマトリックス
　２０３　　カラーフィルタ
　２０４　　透明電極
　２０５　　第２配向膜
　３０１　　シール材
　３０２　　突起（柱状スペーサー）
　３０３　　液晶層
　３０４　　突起（柱状スペーサー）
　４０１　　マスクパターン
　４０２　　レジン層
　Ｌ　　　光
　１，８　　偏光板
　２　　第一の基板
　３　　電極層
　４　　配向膜
　５　　液晶層
　６　　カラーフィルタ
　６Ｇ　　カラーフィルタ緑
　６Ｒ　　カラーフィルタ赤
　７　　第二の基板
　１１　　ゲート電極
　１２　　ゲート絶縁膜
　１３　　半導体層
　１４　　絶縁層
　１５　　オーミック接触層
　１６　　ドレイン電極
　１７　　ソース電極
　１８　　絶縁保護層
　２１　　画素電極
　２２　　共通電極
　２３　　ストレイジキャパシタ
　２４　　ドレイン電極
　２５　　データ配線
　２７　　ソース配線
　２９　　共通ライン
　３０　　バッファー層

Claims

　対向に配置された第一の基板および第二の基板と、
　前記第一の基板と前記第二の基板との間に充填された液晶組成物を含有する液晶層と、
　前記第一の基板上に、マトリクス状に配置される複数個のゲートバスライン及びデータバスライン、前記ゲートバスラインとデータバスラインとの交差部に設けられる薄膜トランジスタならびに前記薄膜トランジスタにより駆動される画素電極を画素毎に有する電極層と、
　前記第一の基板または前記第二の基板上に形成された共通電極と、
　前記液晶層と前記第一の基板および前記液晶層と前記第二の基板との間に、少なくとも一方の基板に形成された光配向層と、を有し、
　前記液晶組成物が、正の誘電率異方性を有し、ネマチック相－等方性液体の転移温度が６０℃以上であり、一般式（ｉ）

（上記一般式（ｉ）中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２はそれぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基または炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基またはアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基またはアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されていてもよく、カルボニル基が連続して結合しない限りカルボニル基で置換されていてもよく、
Ａ^ｉ１は、
（ａ）　１，４－シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の－ＣＨ_２－又は隣接していない２個以上の－ＣＨ_２－は－Ｏ－に置き換えられてもよい。）
（ｂ）　１，４－フェニレン基（この基中に存在する１個の－ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の－ＣＨ＝は－Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）　（ｃ）ナフタレン－２，６－ジイル基、１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン－２，６－ジイル基又はデカヒドロナフタレン－２，６－ジイル基（ナフタレン－２，６－ジイル基又は１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン－２，６－ジイル基中に存在する１個の－ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の－ＣＨ＝は－Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基で置換されていても良く、
Ｚ^ｉ１は、単結合、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＯＣＨ_２－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－またはＣＦ_２Ｏ－を表し、
ｎ^ｉ１は、１、２、３または４を表し、ｎ^ｉ１が２、３または４であってＡ^i１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎ^ｉ１が２、３または４であってＺ^ｉ１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。）で表される化合物から選ばれる１種または２種以上の化合物、及び、下記の一般式（Ｊ）

（式中、Ｒ^Ｊ１は炭素原子数１～８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の－ＣＨ_２－はそれぞれ独立して－ＣＨ＝ＣＨ－、－Ｃ≡Ｃ－、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－又は－ＯＣＯ－によって置換されていてもよく、
　ｎ^Ｊ１は、０、１、２、３又は４を表し、
　Ａ^Ｊ１、Ａ^Ｊ２及びＡ^Ｊ３はそれぞれ独立して、
（ａ）　１，４－シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の－ＣＨ_２－又は隣接していない２個以上の－ＣＨ_２－は－Ｏ－に置き換えられてもよい。）
（ｂ）　１，４－フェニレン基（この基中に存在する１個の－ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の－ＣＨ＝は－Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ）　（ｃ）ナフタレン－２，６－ジイル基、１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン－２，６－ジイル基又はデカヒドロナフタレン－２，６－ジイル基（ナフタレン－２，６－ジイル基又は１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン－２，６－ジイル基中に存在する１個の－ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の－ＣＨ＝は－Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子、塩素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基で置換されていても良く、
　Ｚ^Ｊ１及びＺ^Ｊ２はそれぞれ独立して単結合、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－（ＣＨ_２）_４－、－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－又は－Ｃ≡Ｃ－を表し、
　ｎ^Ｊ１が２、３又は４であってＡ^Ｊ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎ^Ｊ１が２、３又は４であってＺ^Ｊ１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、
　Ｘ^Ｊ１は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は２，２，２－トリフルオロエチル基を表す。）で表される化合物の中から１種または２種以上含有することを特徴とする垂直配向型の液晶表示素子。
前記画素電極が櫛形であるかまたは、スリットを有する請求項１記載の液晶表示素子。
　前記透明導電性材料を含む共通電極は、第一基板上に設けられ、基板間の距離Ｇより電極間距離Ｒが短い、請求項１または２項に記載の液晶表示素子。
　前記透明導電性材料を含む共通電極は、第一基板上に設けられ、基板間の距離Ｇより電極間距離Ｒが長い、請求項１または２項に記載の液晶表示素子。
　前記光配向層は、液晶分子を垂直配向させる垂直配向誘起成分を有し、光応答性高分子を含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
　前記光応答性高分子は、光応答性分解型高分子、当該光応答性二量化型高分子および光応答性異性化型高分子からなる群から選択される少なくとも一つである請求項５のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
　前記液晶層は前記液晶組成物に重合性化合物の硬化物を含有する、請求項１～６のいずれか１項に記載の液晶表示素子。