WO2017030424A1 - 신규한 화합물 및 이를 포함하는 발광소자 - Google Patents

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최정옥
정준호
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Definitions

  • the present invention relates to a novel compound and a light emitting device comprising the same.
  • Organic Light-Emitting Diode is basically a structure in which an organic thin film including an organic light emitting layer is sandwiched between two electrodes, at least one of the two electrodes being transparent, and a suitable voltage between the two electrodes.
  • the organic light emitting diode is a kind of organic electronic device utilizing light emitted from the visible light region from the organic light emitting layer.
  • Such a light emitting device is basically a very thin device having a thickness of several micrometers or less, and is a self-light emitting device that emits light directly from the device itself. Therefore, the response speed is high and the viewing angle is wide as a display device.
  • the manufacturing process is simple, the flexible device using the organic thin film can be realized, and in addition to the vacuum process, in some cases, the device can be realized through the printing process from the solution state. Is getting.
  • the light emitting device has been applied as a component to be applied to a low current / low output mobile products, but in recent years, its application range has been gradually extended to the high current / high output field, high brightness / high reliability is required accordingly.
  • various methods for improving the luminous efficiency of light emitting devices have been studied.
  • European Patent No. 0,686,662 relates to a light emitting device comprising PEDOT / PSS as a hole transporting material, wherein the composition comprising PEDOT / PSS has a medium ionization potential slightly higher than 4.8 eV (the ionization potential of the anode and the ionization of the light emitter). Median between potentials). This occurs as the composition induces holes injected from the anode to reach the HOMO level of the organic light emitting material or hole transport material.
  • US Pat. No. 6,605,823 relates to a composition comprising PEDOT / PSS.
  • the composition has an advantage that a solution process, such as inkjet printing, is possible, thereby making the device easier to manufacture.
  • the composition uses an excessive amount of PSS (i.e., an amount exceeding the amount required to stabilize the charge on the PEDOT), which not only prolongs the life of the light emitting device but also prevents the precipitation of the PSS from the PEDOT solution. have.
  • the light emitting device according to the European Patent No. 0,686,662 has a low LUMO energy level of PEDOT / PSS compared to the LUMO energy level of the organic material used as the light emitting layer material, which makes it difficult to manufacture a light emitting device having high efficiency and long life.
  • the composition used in the light emitting device has a strong acidity by including an excess of PSS, the strong acid is etched indium tin oxide (ITO) to indium, tin and oxygen It may cause problems such as releasing the component into the PEDOT, deteriorating the light emitting polymer.
  • An object of the present invention is to provide a compound capable of improving the lifetime of light emission by increasing the luminous efficiency of the light emitting device and lowering the driving voltage.
  • Another object of the present invention is to provide a light emitting device including the compound, the light emission efficiency is increased, the light emission life is improved.
  • Still another object of the present invention is to provide an electronic device including the light emitting device.
  • Ar 1 is a fluorenyl group, a dibenzosilolyl group, or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, Si (R 1 ) 3 , a cyano group, a halogen group, a haloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, alkoxy having 1 to 6 carbon atoms
  • the fluorenyl group or dibenzosilolyl group is independently substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and an aryl group having 6 to 10 carbon atoms,
  • R 1 is independently of each other hydrogen or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms
  • L 1 is a single bond or an arylene group having 6 to 20 carbon atoms
  • L 2 and L 3 are each independently an arylene group having 6 to 20 carbon atoms unsubstituted or substituted with a single bond or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms;
  • Ar 2 and Ar 3 are independently an aryl group having 6 to 30 carbon atoms substituted or unsubstituted with an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, and having 6 to 30 carbon atoms as substituents of the aryl group having 6 to 30 carbon atoms.
  • the aryl group is substituted or unsubstituted with an aryl group having 6 to 20 carbon atoms;
  • Y is an aryl group having 6 to 30 carbon atoms unsubstituted or substituted with hydrogen or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms.
  • An emission layer provided on the organic layer
  • An electron transport layer provided on the light emitting layer
  • a second electrode provided on the electron transport layer
  • the organic layer is a light emitting device comprising a compound represented by the following formula (1):
  • Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 , L 1 , L 2 , L 3 and Y are as defined above.
  • the present invention provides an electronic device including the light emitting device in one embodiment.
  • the light emitting device has an excellent luminous efficiency and light emitting life by forming an organic layer including the compound represented by Formula 1 between the first electrode and the light emitting layer, so that the electronic device such as a display device and a lighting device using the light emitting device It can be used easily in the device.
  • 1 is an image showing the structure of a light emitting device manufactured in one embodiment according to the present invention.
  • FIG. 2 is an image showing the structure of a light emitting device manufactured in another embodiment according to the present invention.
  • FIG. 3 is an image showing the structure of a light emitting device manufactured in another embodiment according to the present invention.
  • the terms "comprises” or “having” are intended to indicate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, components, or a combination thereof.
  • alkyl group means a functional group derived from a saturated hydrocarbon in a linear or branched form.
  • alkyl group for example, methyl group (ethyl group), ethyl group (ethyl group), n-propyl group (n-propyl group), isopropyl group (iso-propyl group), n-butyl group (n -butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, 1,1-dimethylpropyl group (1,1- dimethylpropyl group), 1,2-dimethylpropyl group (1,2-dimethylpropyl group), 2,2-dimethylpropyl group (2,2-dimethylpropyl group), 1-ethylpropyl group (1-ethylpropyl group), 2- 2-ethylpropyl group, n-hexyl group, 1-methyl-2-ethylpropyl group, 1-ethyl-2-methylpropyl group (1-ethyl-2-methylpropyl group (1-ethyl
  • alkyl group may have 1 to 20 carbon atoms, for example, 1 to 12 carbon atoms, 1 to 6 carbon atoms, or 1 to 4 carbon atoms.
  • aryl group means a monovalent substituent derived from an aromatic hydrocarbon.
  • the "aryl group” for example, a phenyl group (phenyl group), naphthyl group (naphthyl group), anthracenyl group (anthracenyl group), phenanthryl group naphthacenyl group (naphthacenyl group), pyrenyl group (pyrenyl group), tolyl group (tolyl group), biphenyl group (biphenyl group), terphenyl group (terphenyl group), chrycenyl group (chrycenyl group), spirobifluorenyl group (spirobifluorenyl group), fluoranthenyl group ( fluoranthenyl group, fluorenyl group, fluorenyl group, perylenyl group, indenyl group, azulenyl group, heptarenyl group, heptalenyl group, phenalenyl group And phenanthrenyl
  • the "aryl group” may have 6 to 30 carbon atoms, for example, 6 to 10 carbon atoms, 6 to 14 carbon atoms, 6 to 18 carbon atoms, or 6 to 12 carbon atoms.
  • heteroaryl group means “aromatic heterocycle” or “heterocyclic” derived from a monocyclic or condensed ring.
  • the “heteroaryl group” is a hetero atom, at least one of nitrogen (N), sulfur (S), oxygen (O), phosphorus (P), selenium (Se) and silicon (Si), for example, one, two Dogs, three or four.
  • the "heteroaryl group” for example, pyrrolyl group (pyrrolyl group), pyridyl group (pyridyl group), pyridazinyl group (pyridazinyl group), pyrimidinyl group, pyrazinyl group (pyrazinyl group) ), Triazolyl group, tetrazolyl group, benzotriazolyl group, benzotriazolyl group, pyrazolyl group, imidazolyl group, benzimidazolyl group ( benzimidazolyl group, indolyl group, isoindolyl group, indodolyl group, indolinzinyl group, purinyl group, purinyl group, indazolyl group, quinolyl group ), Isoquinolinyl group (isoquinolinyl group), quinolizinyl group (quinolizinyl group), phthalazinyl group (phthalazine)
  • thiazolyl group (thiazolyl group), isothiazolyl group (isothiazolyl group), benzothiazolyl group (benzothiazolyl group), benzothiadiazolyl group (benzothiadiazolyl group), phenothia Phenothiazinyl group, isoxazolyl group, furazanyl group, furazanyl group, phenoxazinyl group, oxazolyl group, oxazolyl group, benzoxazolyl group, Oxadiazolyl group, pyrazoloxazolyl group, imidazothiazolyl group, thienofuranyl group, furopyrrolyl group, pyridoxazinyl group and compounds containing at least two or more heteroatoms such as (pyridoxazinyl group).
  • heteroaryl group may have 2 to 20 carbon atoms, for example, 3 to 19 carbon atoms, 4 to 15 carbon atoms, or 5 to 11 carbon atoms.
  • the heteroaryl group may have a ring member of 5 to 21.
  • arylene group may mean a divalent substituent derived from the aryl group described above.
  • heteroarylene group may refer to a divalent substituent derived from the heteroaryl group described above.
  • a heteroaryl group in which two rings are fused indicates a position of a carbon atom which may be substituted or substituted as follows based on the hetero atom, and hereinafter, it will be described based on this.
  • the present invention provides a compound and a light emitting device including the same, which can increase the light emitting efficiency of the light emitting device, and improve the light emitting life by lowering the driving voltage.
  • the light emitting devices developed to date have short light emitting lifetimes and low power efficiency.
  • various compounds have been developed as materials of the light emitting device, but there are limitations in manufacturing a light emitting device that satisfies both light emitting life and power efficiency.
  • the present invention provides a light emitting device in which a compound represented by Formula 1 according to the present invention and an organic layer including a compound represented by Formula 1 according to the present invention between the first electrode and the light emitting layer.
  • a compound represented by Formula 1 according to the present invention by forming an organic layer including the compound represented by Formula 1 between the first electrode and the light emitting layer, not only the luminous efficiency of the light emitting device is improved, but also the low driving voltage, the light emitting life can be improved. have. Therefore, the light emitting device according to the present invention can be usefully used for electronic devices such as display devices and lighting devices using the light emitting device.
  • the present invention provides a compound represented by Formula 1:
  • Ar 1 is a fluorenyl group, a dibenzosilolyl group or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, Si (R 1 ) 3 , a cyano group, a halogen group, a haloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms , An aryl group having 6 to 30 carbon atoms or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms, unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of an aryl group having 6 to 30 carbon atoms and a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms ego,
  • the fluorenyl group or dibenzosilolyl group is independently unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and an aryl group having 6 to 10 carbon atoms,
  • R 1 is independently of each other hydrogen or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms
  • L 1 is a single bond or an arylene group having 6 to 20 carbon atoms
  • L 2 and L 3 are each independently an arylene group having 6 to 20 carbon atoms unsubstituted or substituted with a single bond or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms;
  • Ar 2 and Ar 3 are independently an aryl group having 6 to 30 carbon atoms substituted or unsubstituted with an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, and having 6 to 30 carbon atoms as substituents of the aryl group having 6 to 30 carbon atoms.
  • the aryl group is substituted or unsubstituted with an aryl group having 6 to 20 carbon atoms;
  • Y is an aryl group having 6 to 30 carbon atoms unsubstituted or substituted with hydrogen or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms.
  • L 1 is a phenylene group or a naphthylene group
  • L 2 and L 3 are each independently a single bond or a phenylene group unsubstituted or substituted with a phenyl group
  • Ar 2 and Ar 3 are independently of each other a phenyl group, naphthyl group or phenanthryl group, wherein the phenyl group is unsubstituted or substituted with a phenyl group, biphenyl group, naphthyl group, or phenanthryl group,
  • Y may be hydrogen, a phenyl group or a biphenyl group.
  • Ar 1 may be a phenyl group, a naphthyl group or a phenanthryl group.
  • the compound represented by Formula 1 may have a chemical formula of a-1 to a-66.
  • Ar 1 may be a dibenzofuranyl group or a dibenzothiophenyl group.
  • the compound represented by Chemical Formula 1 may have a chemical formula represented by b-1 to b-48.
  • Ar 1 is trimethylsilyl group; Cyano group; Trifluoromethyl group; Fluoro groups; Or a phenyl group substituted with a methoxy group.
  • the compound represented by Formula 1 may have a formula structure of the following c-1 to c-20.
  • Ar 1 is a structure of Formula 2,
  • L 1 is a single bond or a phenylene group
  • L 2 and L 3 are each independently a single bond; Or a phenylene group unsubstituted or substituted with a phenyl group,
  • Ar 2 and Ar 3 are independently of each other a phenyl group, naphthyl group or phenanthryl group, wherein the phenyl group is unsubstituted or substituted with a phenyl group, biphenyl group, naphthyl group, or phenanthryl group,
  • Y may be hydrogen, a phenyl group or a biphenyl group.
  • Ar 4 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, Si (R 2 ) 3 , a cyano group, a halogen group, a haloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and an aryl group having 6 to 20 carbon atoms.
  • R 2 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • Ar 4 may be a phenyl group, biphenyl group, naphthyl group or phenanthryl group unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of trimethylsilyl group, cyano group, trifluoromethyl group, fluoro group and methoxy group. .
  • the compound represented by Formula 1 may have a chemical formula of d-1 to d-37.
  • Ar 4 may be a dibenzofuranyl group or a dibenzothiophenyl group.
  • the compound represented by Formula 1 may have a chemical formula of the following e-1 to e-16.
  • Ar 1 is a structure of Formula 3,
  • L 1 is a single bond
  • L 2 and L 3 are each independently a phenylene group unsubstituted or substituted with a single bond or a phenyl group,
  • Ar 2 and Ar 3 are independently of each other a phenyl group, naphthyl group or phenanthryl group, wherein the phenyl group is unsubstituted or substituted with a phenyl group, biphenyl group, naphthyl group or phenanthryl group,
  • Y may be hydrogen, a phenyl group or a biphenyl group:
  • R 3 is a carbon atom or a silicon atom
  • R 4 is hydrogen, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms;
  • Ar 5 is hydrogen or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms.
  • R 3 is a carbon atom
  • Ar 5 may be hydrogen or a phenyl group.
  • the compound represented by Formula 1 may have a chemical formula of f-1 to f-31.
  • R 3 is a silicon atom
  • Ar 5 may be hydrogen, a phenyl group or a biphenyl group.
  • the compound represented by Formula 1 may have a chemical formula of g-1 to g-31:
  • An emission layer provided on the organic layer
  • An electron transport layer provided on the light emitting layer
  • a second electrode provided on the electron transport layer
  • the organic layer provides a light emitting device including the compound represented by Formula 1 below:
  • Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 , L 1 , L 2 , L 3 and Y are as defined above.
  • the light emitting device As the application range of the light emitting device is expanded to the high current / high power field, it is required to increase the light emitting efficiency and the light emitting lifetime of the light emitting device. In this case, the light emission efficiency and light emission life can be improved only when the hole and the electron in the light emitting layer are smoothly combined.
  • electrons injected from the second electrode may overflow the light emitting layer to the hole transport layer, thereby reducing the coupling efficiency of holes and electrons in the light emitting layer. Therefore, in order to efficiently combine holes and electrons in the light emitting layer, the electrons injected from the second electrode must be prevented from leaving the light emitting layer, and the excitons formed in the light emitting layer must be prevented from being diffused or separated. .
  • the light emitting device may have a structure including an organic layer including a compound represented by Formula 1 between the first electrode and the light emitting layer.
  • the organic layer according to the present invention may prevent electrons injected from the second electrode into the hole transport layer through the light emitting layer, or excitons formed in the light emitting layer diffuse in the direction of the first electrode to prevent the non-light emission.
  • the excitons formed in the light emitting layer can be prevented from disappearing non-light emission through an "exciton dissociation" process at the interface between the light emitting layer and the hole transport layer. That is, the organic layer blocks electrons and excitons from leaving the light emitting layer, thereby maximizing charge balance in the light emitting layer, thereby maximizing the generation efficiency and excitation of the excitons in the light emitting layer, thereby increasing the light emitting efficiency of the light emitting device. As a result, the driving voltage is lowered, thereby improving light emission life.
  • 1 to 3 are images showing a schematic structural cross-sectional view of a light emitting device according to the present invention.
  • the first electrode 105, the organic layer 104, the light emitting layer 103, the electron transport layer 102, and the second electrode 101 are formed on the base substrate 106. It may have a stacked structure sequentially.
  • the first electrode 105 is a conductive material and is formed on the base substrate 106 to serve as an anode of the light emitting devices 100 to 100B. Perform.
  • the first electrode 105 may be a transparent electrode or an opaque (reflective) electrode.
  • the first electrode 105 may include indium tin oxide (ITO), tin oxide (SnO 2 ), or the like.
  • the first electrode 105 may include an ITO / silver (Ag) / ITO structure.
  • the organic layer 104 may be positioned between the first electrode 105 and the light emitting layer 103, and may have a single layer or a multilayer structure of two or more layers.
  • the organic layer 104 has a single layer structure, as shown in FIG. 1, or as shown in FIGS. 2 and 3, the first organic layer 107 and the second organic layer 108. And a multi-layered structure having two or more layers including the third organic layer 109 and the like.
  • an organic layer formed at a position in contact with the light emitting layer 103 that is, an organic layer 104 having a single layer structure shown in FIG. 1 or a multilayer layer organic layer 104 shown in FIGS. 2 and 3.
  • the organic layer 107 includes the compound represented by Chemical Formula 1 according to the present invention and is formed at a position in contact with the light emitting layer 103 to thereby form an electron blocking layer (EBL), an exciton blocking layer, or an exciton isolation blocking layer (exciton). dissociation blocking layer (EDBL).
  • an extra organic layer such as the second organic layer 108 and the third organic layer 109 excluding the first organic layer 107
  • the “extra organic layer” may be positioned between the first organic layer 107 and the first electrode 105 and may serve as a hole transport layer and / or a hole injection layer.
  • the second organic layer 108 that is not in contact with the light emitting layer 103 may serve as a hole transport layer.
  • the second organic layer 108 is, for example, 4,4-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl-amine] biphenyl ( ⁇ -NPD), N, N-diphenyl- N, N-bis (3-methylphenyl) -1,1-biphenyl-4,4-diamine (TPD), poly- (N-vinylcarbazole) (PVCz) and the like may be included alone or in combination of two or more thereof. Can be.
  • the third organic layer 109 not in contact with the light emitting layer 103 may serve as a hole injection layer.
  • the first electrode 105 and the second organic layer 108 may be stacked between each other, and may include, for example, copper phthalocyanine (CuPc), but is not limited thereto.
  • the redundant organic layer may include a compound represented by the following formula (6) as a hole transport compound. More specifically, for example, in the case of the light emitting device 100B in which the third organic layer 109, the second organic layer 108, and the first organic layer 107 are sequentially stacked on the first electrode 105, the light emitting layer ( The first organic layer 107 in contact with 103 includes the compound represented by Formula 1 as described above, and at least one of the second organic layer 108 and the third organic layer 109 not in contact with the light emitting layer 103 may be It may include a compound represented by the formula (6).
  • R 5 and R 7 are each independently an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms,
  • R 6 is an aryl group having 6 to 30 carbon atoms or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms
  • R 6 is the aryl group having 6 to 30 carbon atoms or the heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms
  • the aryl group and the heteroaryl group may be independently an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms. Substituted or unsubstituted.
  • R 5 is a phenyl group unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms; Biphenyl group; Naphthyl group; Or phenanthryl group,
  • R 7 may be a methyl group, an ethyl group or a phenyl group.
  • the compound represented by Formula 6 may be a compound having a structure of Formula 6a:
  • any one of the redundant organic layers not in contact with the light emitting layer 103 may further include one or more P-type dopants.
  • the third organic layer 109, the second organic layer 108 and the first organic layer 107 comprises a multi-layered organic layer 104 is sequentially stacked on the first electrode 105
  • the first organic layer 107 in contact with the light emitting layer 103 includes the compound of Formula 1 as described above, and the second organic layer 108 and the third not in contact with the light emitting layer 103.
  • At least one of the organic layers 109 includes a compound represented by Formula 3, and any one of the second organic layer 108 and the third organic layer 109 may further include at least one P-type dopant.
  • the P-type dopant may include one or more P-type organic dopants or P-type inorganic dopants, and may simultaneously include one or more P-type organic dopants and one or more P-type inorganic dopants.
  • P-type organic dopant examples include hexadecafluorophthalocyanine (F16CuPc), 11,11,12,12-tetracyanonaphtho-2,6-quinomethane (11,11,12,12).
  • R 8 is a cyano group, a sulfone group, a sulfoxide group, a sulfonamide group, a sulfonate group, a nitro group or a trifluoromethyl group,
  • s and t are independently of each other an integer from 1 to 5;
  • X 1 and X 2 are each independently an aryl group having 6 to 30 carbon atoms or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms,
  • the aryl group and heteroaryl group are independently substituted with one or more substituents selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, a haloalkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, a hydroxy group and a halogen group Or unsubstituted.
  • the compound represented by Formula 1 may be a compound represented by Formula 11a or 11b:
  • a metal oxide, a metal halide, etc. are mentioned, for example.
  • the content of the P-type dopant may be about 0.5 parts by weight to 20 parts by weight or about 0.5 parts by weight to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the hole transport compound. Or about 1 part by weight to 10 parts by weight, about 1 part by weight to 5 parts by weight, about 1.5 parts by weight to 6 parts by weight, or about 2 parts by weight to 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of the hole transporting compound.
  • the P-type dopant may prevent the occurrence of excessive leakage current without reducing the physical properties of the hole-transporting compound.
  • the energy barrier at the interface with each of the upper and lower layers in contact with the third organic layer 109 may be reduced by the P-type dopant.
  • the organic layer 104 can increase the luminous efficiency by adjusting the thickness according to the resonance length of the light emitting device (100 to 100B), excitons light emitting layer 103
  • the thickness of the light emitting layer 103 may be adjusted so that the light emitting layer 103 may be formed at the center portion of the light emitting layer 103 instead of the interface between the layers and the other layers.
  • the structure of the organic layer 104 when the structure of the organic layer 104 is a single layer, it may have an average thickness in the range of 5 kPa to 2,000 kPa, and in the case of a multilayer structure of two or more layers, each individual layer has an average thickness in the range of 5 kPa to 1,000 kPa. It can have
  • the light emitting layer 103 is positioned between the organic layer 104 and the second electrode 101, and the wavelength of light emitted from the light emitting layer 103 is It may differ depending on the kind of the compound forming the light emitting layer 103.
  • the compound forming the light emitting layer 103 is not particularly limited as long as it is generally used in the art, and may be obtained commercially or manufactured and used.
  • the electron transport layer 102 is positioned between the light emitting layer 103 and the second electrode 101, and has an electron transporting layer (ETL) and And / or an electron injecting layer (EIL) (not shown).
  • the electron transport layer may include a compound represented by the following formula (5).
  • Z 1 to Z 3 are independently of each other hydrogen, a halogen group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms, having 1 to 20 carbon atoms An alkoxy group or a diarylphosphine oxide group having 6 to 20 carbon atoms,
  • the Z 1 to Z 3 are independently an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms, or a diaryl phosphine oxide group having 6 to 20 carbon atoms, the aryl group, heteroaryl group, and The diaryl phosphine oxide group is unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and a diaryl phosphine oxide group having 6 to 20 carbon atoms,
  • p and q are each independently an integer of 1 to 3.
  • the compound represented by Formula 5 may be a compound represented by Formula 5a:
  • Ar 6 is hydrogen, unsubstituted phenyl group, biphenyl group, naphthyl group, phenanthryl group, pyrenyl group, pyridyl group, imidazolyl group, benzothienyl group, benzoxazolyl group or diarylphosphine oxide group,
  • Z 2 and Z 3 are each independently hydrogen, a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group or a phenanthryl group,
  • the compound represented by Formula 5a may be selected from the structures of Formulas 5a-1 to 5a-7:
  • the light emitting devices 100 to 100B according to the present invention may further include an organic layer (not shown) positioned between the light emitting layer 103 and the second electrode 101.
  • the organic layer is positioned between the light emitting layer 103 and the second electrode 101, specifically, the light emitting layer 103 and the electron transporting layer 102, and holes pass through the light emitting layer 103 from the first electrode 105.
  • a hole blocking layer HBL may be formed to prevent the electron transport layer 102 from being introduced into the electron transport layer 102.
  • the organic layer may serve as an exciton blocking layer that prevents excitons formed in the light emitting layer 103 to diffuse in the direction of the second electrode 101 to prevent the excitons from extinction. have.
  • the organic layer may increase the luminous efficiency by adjusting the thickness according to the resonance length of the light emitting device (100 to 100B), the excitons are not the interface between the light emitting layer 103 and the other layer, the light emitting layer 103 It can be formed in the center of the.
  • the second electrode 101 is a conductive material and is positioned on the light emitting layer 103 to serve as a cathode of the light emitting devices 100 to 100B. Do this.
  • the second electrode 101 may include a metal such as nickel, magnesium, calcium, silver, aluminum, indium, or an alloy including two or more metals thereof, and more specifically, may include aluminum.
  • the second electrode 101 may include a single layer structure or a multilayer structure of two or more layers.
  • the second electrode 101 may be a transparent or translucent electrode, and in this case, the second electrode 101 may use an alloy including magnesium and silver. , 100 ⁇ s to 150 ⁇ m in thickness.
  • the first electrode 105, the organic layer 104, the light emitting layer 103, the electron transport layer 102, the second electrode 101, and the like described above are typically used. Although it may be prepared using a phosphorus deposition method, any method that is commonly used in the art other than the deposition method may be applied without limitation.
  • the present invention provides an electronic device including the light emitting device described above.
  • the electronic device according to the present invention may be a display device or a lighting device, but is not limited thereto.
  • the electronic device includes a light emitting device having an improved light emission efficiency and an improved light emission lifetime by introducing an organic layer including a compound represented by Formula 1 between the first electrode and the light emitting layer, thereby requiring high brightness and high reliability. It can also be used in high current / high power applications.
  • ITO indium tin oxide
  • a compound represented by the following formula (12) as a host material was deposited at a rate of 1 ⁇ / sec and simultaneously a P-type dopant represented by the following formula (HAT-CN) ) was co-evaporated at a ratio of 3 parts by weight to 100 parts by weight of the host material to form a third organic layer having a thickness of 100 mm 3.
  • the compound represented by Chemical Formula 12 was deposited on the third organic layer to a thickness of 300 GPa to form a second organic layer.
  • the compounds prepared in Examples 1 to 15 were respectively deposited to a thickness of 100 GPa to form a first organic layer.
  • a compound represented by the following Chemical Formula 13 and a compound represented by Chemical Formula 14 were co-deposited on the first organic layer at a weight ratio of 100: 5 to form a light emitting layer having a thickness of 200 kHz.
  • the compound represented by the following Formula 15 and the compound represented by the following Formula 16 were co-deposited in a 50:50 weight ratio on the emission layer to form an electron transport layer having a thickness of 360 kHz. Subsequently, an electron injection layer having a thickness of 5 kHz was formed on the electron transport layer by using the compound represented by the following Chemical Formula 17.
  • a second electrode was formed of an aluminum thin film having a thickness of 1,000 ⁇ on the electron injection layer to manufacture a light emitting device.
  • Example 16 Compound of Formula 1A prepared in Example 1
  • Example 17 Compound of Formula 1B prepared in Example 2
  • Example 18 Compound of Formula 1C Prepared in Example 3
  • Example 19 Compounds of Formula 1D, prepared in Example 4
  • Example 21 Compounds of Formula 1F, prepared in Example 6
  • Example 22 Compound of Formula 1G prepared in Example 7
  • Example 23 Compound of Formula 1H prepared in Example 8
  • Example 24 Compounds of Formula 1I prepared in Example 9
  • Example 25 Compound of Formula 1J prepared in Example 10
  • Example 26 Compound of Formula 1K prepared in Example 11
  • Example 27 Compound of Formula 1L prepared in Example 12
  • Example 28 Compound of Formula 1M prepared in Example 13
  • Example 29 Compound of Formula 1N prepared in Example 14
  • Example 30 Compound of Formula 10 prepared in Example 15
  • Example 16 except that the light emitting layer was formed without forming the first organic layer on the second organic layer, the light emitting device including the first organic layer was manufactured in the same manner as in Example 16.
  • Example 16 except using the compound prepared in Example 1 (Formula 1A) to form a first organic layer using a compound represented by the following formula (18) instead of forming a first organic layer
  • the light emitting device including the first organic layer was manufactured in the same manner as in 16.
  • Example 16 except using the compound prepared in Example 1 (Formula 1A) to form a first organic layer using a compound represented by the following formula (19) instead of forming a first organic layer
  • the light emitting device including the first organic layer was manufactured in the same manner as in 16.
  • Example 16 except using the compound prepared in Example 1 (Formula 1A) to form a first organic layer using a compound represented by Formula 20 instead of forming a first organic layer, The light emitting device including the first organic layer was manufactured in the same manner as in 16.
  • the following experiment was performed to evaluate the luminous efficiency and the luminous lifetime of the light emitting device including the compound represented by Chemical Formula 1 in the first organic layer.
  • the cover glass was bonded. Thereafter, the bonded light emitting device was irradiated with UV light and cured, and the luminous efficiency of the cured light emitting device was measured. In this case, the luminous efficiency was measured based on the value when the luminance is 1,000 cd / m 2 , and the unit of the measured value is lm / W.
  • T 50 means a time taken until the luminance of the light emitting device becomes 50% of the initial luminance.
  • the value for lifetime can be converted to the expected lifetime when measured under different measurement conditions on the basis of conversion equations known to those skilled in the art. The measured results are shown in Table 2 below.
  • Example 16 9.6 389
  • Example 26 8.7 372
  • Example 17 8.4 331
  • Example 27 7.4 289
  • Example 18 8.5 345
  • Example 28 7.6 305
  • Example 19 7.2 276
  • Example 29 6.9 311
  • Example 20 9.3 376
  • Example 30 7.3 352
  • Example 21 7.7 299 Comparative Example 1 4.2 135
  • Example 22 6.5 269 Comparative Example 2 6.5 251
  • Example 24 8.9 358 Comparative Example 4 4.7 183
  • Example 25 9.4 380
  • the light emitting device according to the present invention has excellent luminous efficiency and light emitting life.
  • the light emitting device including the compound represented by Chemical Formula 1 according to the present invention in the first organic layer has a light emission efficiency of 6.5 to 9.6 lm / W, and a light emission lifetime of 269 to 389 hours.
  • the light emitting efficiency is 4.2 lm / W
  • the light emitting lifetime is 135 hours
  • the light emitting efficiency and life is remarkably compared with the light emitting device according to the present invention. It was found to be low.
  • the luminous efficiency and the light emitting lifetime were 6.5 lm / W and 251 hours, respectively. It can be seen that low.
  • a light emitting device including a compound having a structure in which an aryl group such as a phenyl group is not substituted at the 3-position of indole or an amine group such as a triarylamine group is introduced at the 5-position even if substituted in the first organic layer (Comparative Example 3 and In case of 4), although the compound having a structure similar to that of Chemical Formula 1 is included in the first organic layer, the luminous efficiency is 6.4 and 4.7 lm / W, respectively, and the luminous lifetime is 245 and 183 hours, indicating that the luminous efficiency and the luminous lifetime are low. appear.
  • the light emitting device having the compound represented by Chemical Formula 1 according to the present invention in the first organic layer has a light emission efficiency of about 1.55 to 2.29 times that of the light emitting device that does not include the first organic layer (Comparative Example 1), and emits light. It can be seen that the lifespan is improved by about 1.99-2.88 times.
  • the light emitting device has a light emitting efficiency of up to about 1.48 times as compared with the light emitting device (Comparative Example 2) including a compound having a structure different from that of Chemical Formula 1 according to the present invention, even if the light emitting device has a first organic layer, It can be seen that about 1.07 to 1.55 times improved.
  • the light emitting device includes a compound of Formula 19 or a compound of Formula 20 having a similar structure in the case of a light emitting device (Example 16) including the compound of Formula 1 prepared in Example 1 in a first organic layer
  • a light emitting device Example 16
  • the luminous efficiency was improved by 1.50 and 2.04 times, respectively.
  • the light emission life was increased by 1.59 and 2.13 times, respectively.
  • the light emitting device introduces an aryl group at positions 1, 2, 3, and 5 of the indolyl group and simultaneously introduces an aryl group or heteroaryl group to the nitrogen atom of the indolyl group through a linker.
  • a first organic layer positioned between the first electrode and the light emitting layer with the compound represented by Formula 1, the luminous efficiency and light emitting lifetime are compared with those of the light emitting device which does not contain the first organic layer or does not contain the compound of Formula 1 It can be seen that there is an effect of remarkably improving.
  • the light emitting device according to the present invention is excellent in improving the luminous efficiency and lifespan of the light emitting device, and thus may be usefully used in electronic devices in the high current / high power field where high brightness / high reliability is required.

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Abstract

본 발명에 따른 발광소자는 제1 전극; 상기 제1전극 상에 마련된 유기층; 상기 유기층 상에 마련된 발광층; 상기 발광층 상에 마련된 전자수송성층; 및 상기 전자수송성층 상에 마련된 제2전극을 포함하고, 상기 유기층은 하기 화학식 1로 나타내는 화합물을 포함한다: <화학식 1> 상기 화학식 1에 있어서, Ar1, Ar2, Ar3, L1, L2, L3 및 Y는 본 명세서에서 정의한 바와 같다.

Description

신규한 화합물 및 이를 포함하는 발광소자
본 발명은 신규한 화합물 및 이를 포함하는 발광소자에 관한 것이다.
발광소자(Organic Light-Emitting Diode; OLED)는 기본적으로 두 개의 전극 사이에 유기 발광층을 포함하는 유기 박막이 샌드위치 되어 있는 구조로서, 두 전극 중 최소 하나의 전극은 투명하고, 두 전극 사이에 적당한 전압, 일반적으로 직류 5 내지 10V 사이의 전압이 인가되면 유기 발광층에서 가시광선 영역의 빛이 나오는 것을 활용한 일종의 유기 전자 소자이다.
이와 같은 발광소자는 기본적으로 전극을 포함한 실제 소자의 두께가 수 마이크로미터 이하로 매우 얇고, 소자 자체에서 직접 빛이 나오는 자발광 소자이므로, 이에 따른 응답 속도가 빠르며, 표시 소자로서 시야각이 넓다. 또한, 제조 공정이 간단하고, 유기 박막을 이용한 유연한 소자의 구현이 가능하며, 진공 공정뿐만 아니라 경우에 따라서는 용액 상태로부터 인쇄 공정을 통한 소자의 구현이 가능하므로 차세대 표시소자 및 조명 측면에서 많은 주목을 받고 있다.
종래, 발광소자는 저전류/저출력의 모바일 제품에 적용되는 부품으로 적용되었으나, 최근 들어 점차 그 활용범위가 고전류/고출력 분야로 확대되고 있으며, 이에 따른 고휘도/고신뢰성이 요구되고 있다. 이러한 추세에 따라 발광소자의 발광효율을 향상시키기 위한 다양한 방법이 연구되고 있다.
현재까지 진행된 연구결과들을 살펴보면, 다음과 같다:
먼저, 유럽특허 제0,686,662호는 PEDOT/PSS를 정공 수송 물질로서 포함하는 발광소자에 관한 것으로, 상기 PEDOT/PSS를 포함하는 조성물은 4.8eV보다 약간 높은 중간 이온화 전위(애노드의 이온화 전위와 발광체의 이온화 전위 사이의 중간값)를 제공한다. 이는 상기 조성물이 애노드로부터 주입된 정공을 유기발광물질 또는 정공 수송물질의 HOMO 준위에 도달하도록 유도함에 따라 발생된다.
다음으로, 미국특허 제6,605,823호는 PEDOT/PSS를 포함하는 조성물에 관한 것으로, 상기 조성물은 잉크젯 프린팅 등의 용액공정이 가능하여 디바이스를 보다 쉽게 제조할 수 있는 이점이 있다. 더불어, 상기 조성물은 과량의 PSS(즉, PEDOT 상의 전하를 안정화하는데 요구되는 양보다 과도한 양)를 사용하므로, 발광소자의 수명을 연장시킬 수 있을 뿐만 아니라 PEDOT 용액으로부터 PSS가 석출되는 것을 방지할 수 있다.
그러나, 상기 유럽특허 제0,686,662호에 따른 발광소자의 경우, 발광층 물질로 사용되는 유기물의 LUMO 에너지 준위에 비하여 PEDOT/PSS의 LUMO 에너지 준위가 낮기 때문에 고효율 장수명의 발광소자 제조에 어려움이 있다. 또한, 상기 미국특허 제6,605,823호의 경우, 발광소자에 사용되는 조성물은 과량의 PSS를 포함함으로써 강한 산성을 띄게 되는데, 이러한 강산은 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide, ITO)를 식각시켜 인듐, 주석 및 산소 성분을 PEDOT 내로 방출시키거나, 발광 중합체를 열화시키는 등의 문제를 야기할 수 있다.
상술한 바와 같이, 종래 발광소자의 발광효율 및 발광수명을 개선하기 위한 연구는 지속적으로 이루어져 왔다. 그러나, 현재까지 개발된 발광소자 및 발광소자에 사용되는 화합물은 고전류/고출력 분야에서 사용하기에는 그 효과가 미미하므로, 이를 해결할 수 있는 대안이 절실히 요구되고 있다.
본 발명의 목적은 발광소자의 발광효율 증대 및 구동전압 저하를 통하여 발광수명의 개선이 가능한 화합물을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기 화합물을 포함하여 발광 효율이 증대되고, 발광 수명이 개선된 발광소자를 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 발광소자를 포함하는 전자 장치를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여,
본 발명은 하나의 실시예에서,
하기 화학식 1로 나타내는 화합물을 제공한다:
<화학식 1>
Figure PCTKR2016009216-appb-I000001
상기 화학식 1에 있어서,
Ar1은 플루오레닐기, 디벤조실롤일기, 또는 탄소수 1 내지 4를 갖는 알킬기, Si(R1)3, 시아노기, 할로겐기, 탄소수 1 내지 6을 갖는 할로알킬기, 탄소수 1 내지 6을 갖는 알콕시기, 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기 및 탄소수 2 내지 20을 갖는 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 치환되거나 비치환된 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기 또는 탄소수 2 내지 20을 갖는 헤테로아릴기이고,
상기 플루오레닐기 또는 디벤조실롤일기는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 4를 갖는 알킬기, 및 탄소수 6 내지 10을 갖는 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되며,
R1은 서로 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 4를 갖는 알킬기이고;
L1은 단일결합 또는 탄소수 6 내지 20을 갖는 아릴렌기이며;
L2 및 L3은 서로 독립적으로 단일결합 또는 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기로 치환되거나 비치환된 탄소수 6 내지 20을 갖는 아릴렌기이고;
Ar2 및 Ar3은 서로 독립적으로 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기로 치환되거나 비치환된 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기이며, 상기 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기의 치환기인 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기는 탄소수 6 내지 20을 갖는 아릴기로 치환되거나 또는 비치환되고;
Y는 수소 또는 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기로 치환되거나 비치환된 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기이다.
또한, 본 발명은 하나의 실시예에서,
제1 전극;
상기 제1전극 상에 마련된 유기층;
상기 유기층 상에 마련된 발광층;
상기 발광층 상에 마련된 전자수송성층; 및
상기 전자수송성층 상에 마련된 제2전극을 포함하고,
상기 유기층은 하기 화학식 1로 나타내는 화합물을 포함하는 발광 소자:
<화학식 1>
Figure PCTKR2016009216-appb-I000002
상기 화학식 1에 있어서, Ar1, Ar2, Ar3, L1, L2, L3 및 Y는 상기에서 정의한 바와 같다.
나아가, 본 발명은 하나의 실시예에서 상기 발광소자를 포함하는 전자 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 발광소자는 제1 전극과 발광층 사이에 화학식 1로 나타내는 화합물을 포함하는 유기층을 형성함으로써, 우수한 발광효율 및 발광수명을 가지므로, 발광소자를 사용하는 디스플레이 장치, 조명 장치 등의 전자 장치에 용이하게 사용할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 하나의 실시예에서 제조되는 발광소자의 구조를 도시한 이미지이다.
도 2는 본 발명에 따른 다른 하나의 실시예에서 제조되는 발광소자의 구조를 도시한 이미지이다.
도 3은 본 발명에 따른 또 다른 실시예에서 제조되는 발광소자의 구조를 도시한 이미지이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다.
그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
또한, 본 발명에서 첨부된 도면은 설명의 편의를 위하여 확대 또는 축소하여 도시된 것으로 이해되어야 한다.
이하, 본 발명에 대하여 도면을 참고하여 상세하게 설명하고, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명에서, "알킬기"란 직쇄(linear) 또는 분지(branched) 형태의 포화 탄화수소로부터 유도된 작용기를 의미한다.
이때, 상기 "알킬기"로는 예를 들면, 메틸기(methyl group), 에틸기(ethyl group), n-프로필기(n-propyl group), 이소프로필기(iso-propyl group), n-부틸기(n-butyl group), sec-부틸기(sec-butyl group), t-부틸기(tert-butyl group), n-펜틸기(n-pentyl group), 1,1-디메틸프로필기(1,1-dimethylpropyl group), 1,2-디메틸프로필기(1,2-dimethylpropyl group), 2,2-디메틸프로필기(2,2-dimethylpropyl group), 1-에틸프로필기(1-ethylpropyl group), 2-에틸프로필기(2-ethylpropyl group), n-헥실기(n-hexyl group), 1-메틸-2-에틸프로필기(1-methyl-2-ethylpropyl group), 1-에틸-2-메틸프로필기(1-ethyl-2-methylpropyl group), 1,1,2-트라이메틸프로필기(1,1,2-trimethylpropyl group), 1-프로필프로필기(1-propylpropyl group), 1-메틸부틸기(1-methylbutyl group), 2-메틸부틸기(2-methylbutyl group), 1,1-디메틸부틸기(1,1-dimethylbutyl group), 1,2-디메틸부틸기(1,2-dimethylbutyl group), 2,2-디메틸부틸기(2,2-dimethylbutyl group), 1,3-디메틸부틸기(1,3-dimethylbutyl group), 2,3-디메틸부틸기(2,3-dimethylbutyl group), 2-에틸부틸기(2-ethylbutyl group), 2-메틸펜틸기(2-methylpentyl group), 3-메틸펜틸기(3-methylpentyl group) 등을 들 수 있다.
또한, 상기 "알킬기"는 1 내지 20의 탄소수, 예를 들어 1 내지 12의 탄소수, 1 내지 6의 탄소수, 또는 1 내지 4의 탄소수를 가질 수 있다.
본 발명에서, "아릴기"란 방향족 탄화수소로부터 유도된 1가의 치환기를 의미한다.
이때, 상기 "아릴기"로는 예를 들면, 페닐기(phenyl group), 나프틸기(naphthyl group), 안트라세닐기(anthracenyl group), 페난트릴기(phenanthryl group) 나프타세닐기(naphthacenyl group), 피레닐기(pyrenyl group), 톨릴기(tolyl group), 바이페닐기(biphenyl group), 터페닐기(terphenyl group), 크리세닐기(chrycenyl group), 스파이로바이플루오레닐기(spirobifluorenyl group), 플루오란테닐기(fluoranthenyl group), 플루오레닐기(fluorenyl group), 페릴레닐기(perylenyl group), 인데닐기(indenyl group), 아줄레닐기(azulenyl group), 헵타레닐기(heptalenyl group), 페날레닐기(phenalenyl group), 페난트레닐기(phenanthrenyl group) 등을 들 수 있다.
또한, 상기 "아릴기"는 6 내지 30의 탄소수, 예를 들어, 6 내지 10의 탄소수, 6 내지 14의 탄소수, 6 내지 18의 탄소수, 또는 6 내지 12의 탄소수를 가질 수 있다.
본 발명에서, "헤테로아릴기"란 단환 또는 축합환으로부터 유도된 "방향족 복소환" 또는 "헤테로사이클릭"을 의미한다. 상기 "헤테로아릴기"는 헤테로원자로서 질소(N), 황(S), 산소(O), 인(P), 셀레늄(Se) 및 규소(Si) 중에서 적어도 하나, 예를 들어 1개, 2개, 3개 또는 4개를 포함할 수 있다.
이때, 상기 "헤테로아릴기"로는 예를 들면, 피롤릴기(pyrrolyl group), 피리딜기(pyridyl group), 피리다지닐기(pyridazinyl group), 피리미디닐기(pyrimidinyl group), 피라지닐기(pyrazinyl group), 트리아졸릴기(triazolyl group), 테트라졸릴기(tetrazolyl group), 벤조트리아졸릴기(benzotriazolyl group), 피라졸릴기(pyrazolyl group), 이미다졸릴기(imidazolyl group), 벤즈이미다졸릴기(benzimidazolyl group), 인돌릴기(indolyl group), 이소인돌릴기(isoindolyl group), 인돌리지닐기(indolizinyl group), 푸리닐기(purinyl group), 인다졸릴기(indazolyl group), 퀴놀릴기(quinolyl group), 이소퀴놀리닐기(isoquinolinyl group), 퀴놀리지닐기(quinolizinyl group), 프탈라지닐기(phthalazinyl group), 나프틸리디닐기(naphthylidinyl group), 퀴녹살리닐기(quinoxalinyl group), 퀴나졸리닐기(quinazolinyl group), 신놀리닐기(cinnolinyl group), 프테리디닐기(pteridinyl group), 이미다조트리아지닐기(imidazotriazinyl group), 아크리디닐기(acridinyl group), 페난트리디닐기(phenanthridinyl group), 카바졸릴기(carbazolyl group), 카바졸리닐기(carbazolinyl group), 피리미디닐기(pyrimidinyl group), 페난트롤리닐기(phenanthrolinyl group), 페나지닐기(phenazinyl group), 이미다조피리디닐기(imidazopyridinyl group), 이미다조피리미디닐기(imidazopyrimidinyl group), 피라졸로피리디닐기(pyrazolopyridinyl group) 등을 포함하는 함질소 헤테로아릴기; 티에닐기(thienyl group), 벤조티에닐기(benzothienyl group), 디벤조티에닐기(dibenzothienyl group) 등을 포함하는 황 함유 헤테로아릴기; 퓨릴기(furyl group), 피라닐기(pyranyl group), 사이클로펜타피라닐기(cyclopentapyranyl group), 벤조퓨라닐기(benzofuranyl group), 이소벤조퓨라닐기(isobenzofuranyl group), 디벤조퓨라닐기(dibenzofuranyl group) 등을 포함하는 함산소 헤테로아릴기 등을 들 수 있다.
또한, 상기 "헤테로아릴기"의 구체적인 예로서는, 티아졸릴기(thiazolyl group), 이소티아졸릴기(isothiazolyl group), 벤조티아졸릴기(benzothiazolyl group), 벤조티아디아졸릴기(benzothiadiazolyl group), 페노티아지닐기(phenothiazinyl group), 이소옥사졸릴기(isoxazolyl group), 퓨라자닐기(furazanyl group), 페녹사지닐기(phenoxazinyl group), 옥사졸릴기(oxazolyl group), 벤조옥사졸릴기(benzoxazolyl group), 옥사다이아졸릴기(oxadiazolyl group), 피라졸로옥사졸릴기(pyrazoloxazolyl group), 이미다조티아졸릴기(imidazothiazolyl group), 티에노퓨라닐기(thienofuranyl group), 퓨로피롤릴기(furopyrrolyl group), 피리독사지닐기(pyridoxazinyl group) 등의 적어도 2개 이상의 헤테로원자를 포함하는 화합물들을 들 수 있다.
나아가, 상기 "헤테로아릴기"는 2 내지 20의 탄소수, 예를 들어 3 내지 19의 탄소수, 4 내지 15의 탄소수 또는 5 내지 11의 탄소수를 가질 수 있다. 예를 들어, 헤테로원자를 포함하면, 헤테로아릴기는 5 내지 21의 환원(ring member)을 가질 수 있다.
본 발명에서, "아릴렌기"란 상기에서 설명한 아릴기로부터 유도된 2가의 치환기를 의미할 수 있다.
또한, 본 발명에서, "헤테로아릴렌기"란 상기에서 설명한 헤테로아릴기로부터 유도된 2가의 치환기를 의미할 수 있다.
나아가, 본 발명에서, 2개의 고리가 융합된 헤테로아릴기는 치환하거나 치환될 수 있는 탄소원자의 위치를 헤테로원자를 기준으로 하기와 같이 표시하고, 이하에서, 이를 바탕으로 설명한다.
Figure PCTKR2016009216-appb-I000003
본 발명은 발광소자의 발광효율을 증대시키고, 구동전압 저하를 통하여 발광수명의 개선이 가능한 화합물 및 이를 포함하는 발광소자를 제공한다.
현재까지 개발된 발광소자는 발광수명이 짧고 전력 효율이 낮은 문제점이 있다. 이와 같은 문제점들을 해결하기 위해서, 발광소자의 재료로서 다양한 화합물들이 개발되고 있지만 발광수명 및 전력 효율을 모두 만족시키는 발광소자를 제조하는데 한계가 있다.
이러한 문제를 해결하기 위하여, 본 발명은 본 발명에 따른 화학식 1로 나타내는 화합물 및 제1 전극과 발광층 사이에 본 발명에 따른 화학식 1로 나타내는 화합물을 포함하는 유기층이 형성된 발광소자를 제시한다. 본 발명에 따른 발광소자는 제1 전극과 발광층 사이에 화학식 1로 나타내는 화합물을 포함하는 유기층을 형성함으로써, 발광소자의 발광효율이 향상될 뿐만 아니라, 낮은 구동전압을 가지므로 발광수명이 개선될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 발광소자는 발광소자가 사용되는 디스플레이 장치, 조명 장치 등의 전자장치에 유용하게 사용할 수 있다.
이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
본 발명은 하나의 실시예에서, 하기 화학식 1로 나타내는 화합물을 제공한다:
Figure PCTKR2016009216-appb-C000001
상기 화학식 1에 있어서,
Ar1은 플루오레닐기, 디벤조실롤일기 또는 탄소수 1 내지 4를 갖는 알킬기, Si(R1)3, 시아노기, 할로겐기, 탄소수 1 내지 6을 갖는 할로알킬기, 탄소수 1 내지 6을 갖는 알콕시기, 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기 및 탄소수 2 내지 20을 갖는 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 치환되거나 비치환된 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기 또는 탄소수 2 내지 20을 갖는 헤테로아릴기이고,
상기 플루오레닐기 또는 디벤조실롤일기는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 4를 갖는 알킬기 및 탄소수 6 내지 10을 갖는 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되며,
R1은 서로 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 4를 갖는 알킬기이고;
L1은 단일결합 또는 탄소수 6 내지 20을 갖는 아릴렌기이며;
L2 및 L3은 서로 독립적으로 단일결합 또는 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기로 치환되거나 비치환된 탄소수 6 내지 20을 갖는 아릴렌기이고;
Ar2 및 Ar3은 서로 독립적으로 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기로 치환되거나 비치환된 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기이며, 상기 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기의 치환기인 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기는 탄소수 6 내지 20을 갖는 아릴기로 치환되거나 또는 비치환되고;
Y는 수소 또는 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기로 치환되거나 비치환된 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기이다.
하나의 예로서, 본 발명에 따른 화학식 1에서,
L1은 페닐렌기 또는 나프틸렌기이고,
L2 및 L3은 서로 독립적으로 단일결합, 또는 페닐기로 치환되거나 비치환된 페닐렌기이며,
Ar2 및 Ar3은 서로 독립적으로 페닐기, 나프틸기 또는 페난트릴기이고, 여기서, 페닐기는 페닐기, 바이페닐기, 나프틸기, 또는 페난트릴기로 치환되거나 비치환되며,
Y는 수소, 페닐기 또는 바이페닐기일 수 있다.
이때, 상기 화학식 1에서,
Ar1은 페닐기, 나프틸기 또는 페난트릴기일 수 있다.
구체적으로, 상기 화학식 1로 나타내는 화합물은 하기 a-1 내지 a-66의 화학식 구조를 가질 수 있다.
Figure PCTKR2016009216-appb-I000004
Figure PCTKR2016009216-appb-I000005
Figure PCTKR2016009216-appb-I000006
Figure PCTKR2016009216-appb-I000007
Figure PCTKR2016009216-appb-I000008
Figure PCTKR2016009216-appb-I000009
Figure PCTKR2016009216-appb-I000010
Figure PCTKR2016009216-appb-I000011
Figure PCTKR2016009216-appb-I000012
Figure PCTKR2016009216-appb-I000013
Figure PCTKR2016009216-appb-I000014
Figure PCTKR2016009216-appb-I000015
Figure PCTKR2016009216-appb-I000016
Figure PCTKR2016009216-appb-I000017
Figure PCTKR2016009216-appb-I000018
Figure PCTKR2016009216-appb-I000019
Figure PCTKR2016009216-appb-I000020
Figure PCTKR2016009216-appb-I000021
Figure PCTKR2016009216-appb-I000022
Figure PCTKR2016009216-appb-I000024
Figure PCTKR2016009216-appb-I000025
Figure PCTKR2016009216-appb-I000026
Figure PCTKR2016009216-appb-I000027
Figure PCTKR2016009216-appb-I000028
Figure PCTKR2016009216-appb-I000029
Figure PCTKR2016009216-appb-I000030
Figure PCTKR2016009216-appb-I000031
Figure PCTKR2016009216-appb-I000032
Figure PCTKR2016009216-appb-I000033
Figure PCTKR2016009216-appb-I000034
Figure PCTKR2016009216-appb-I000035
Figure PCTKR2016009216-appb-I000036
또한, 본 발명에 따른 상기 화학식 1에서,
Ar1은 디벤조퓨라닐기 또는 디벤조티오페닐기일 수 있다.
구체적으로, 상기 화학식 1로 나타내는 화합물은 하기 b-1 내지 b-48의 화학식 구조를 가질 수 있다.
Figure PCTKR2016009216-appb-I000037
Figure PCTKR2016009216-appb-I000038
Figure PCTKR2016009216-appb-I000039
Figure PCTKR2016009216-appb-I000040
Figure PCTKR2016009216-appb-I000041
Figure PCTKR2016009216-appb-I000042
Figure PCTKR2016009216-appb-I000043
Figure PCTKR2016009216-appb-I000044
Figure PCTKR2016009216-appb-I000045
Figure PCTKR2016009216-appb-I000046
Figure PCTKR2016009216-appb-I000047
Figure PCTKR2016009216-appb-I000048
Figure PCTKR2016009216-appb-I000049
Figure PCTKR2016009216-appb-I000050
Figure PCTKR2016009216-appb-I000051
Figure PCTKR2016009216-appb-I000052
Figure PCTKR2016009216-appb-I000053
Figure PCTKR2016009216-appb-I000054
Figure PCTKR2016009216-appb-I000055
Figure PCTKR2016009216-appb-I000056
Figure PCTKR2016009216-appb-I000057
Figure PCTKR2016009216-appb-I000058
Figure PCTKR2016009216-appb-I000059
Figure PCTKR2016009216-appb-I000060
나아가, 본 발명에 따른 상기 화학식 1에서,
Ar1은 트리메틸실릴기; 시아노기; 트리플루오로메틸기; 플루오로기; 또는 메톡시기로 치환된 페닐기일 수 있다.
구체적으로, 상기 화학식 1로 나타내는 화합물은 하기 c-1 내지 c-20의 화학식 구조를 가질 수 있다.
Figure PCTKR2016009216-appb-I000061
Figure PCTKR2016009216-appb-I000062
Figure PCTKR2016009216-appb-I000063
Figure PCTKR2016009216-appb-I000064
Figure PCTKR2016009216-appb-I000065
Figure PCTKR2016009216-appb-I000066
Figure PCTKR2016009216-appb-I000067
Figure PCTKR2016009216-appb-I000068
Figure PCTKR2016009216-appb-I000069
Figure PCTKR2016009216-appb-I000070
다른 하나의 예로서, 본 발명에 따른 상기 화학식 1에서,
Ar1은 하기 화학식 2의 구조이고,
L1은 단일결합 또는 페닐렌기이며,
L2 및 L3은 서로 독립적으로 단일결합; 또는 페닐기로 치환되거나 비치환된 페닐렌기이고,
Ar2 및 Ar3은 서로 독립적으로 페닐기, 나프틸기 또는 페난트릴기이며, 여기서, 페닐기는 페닐기, 바이페닐기, 나프틸기, 또는 페난트릴기로 치환되거나 비치환되고,
Y는 수소, 페닐기 또는 바이페닐기일 수 있다.
Figure PCTKR2016009216-appb-C000002
상기 화학식 2에서,
Ar4는 탄소수 1 내지 4를 갖는 알킬기, Si(R2)3, 시아노기, 할로겐기, 탄소수 1 내지 6을 갖는 할로알킬기, 탄소수 1 내지 6을 갖는 알콕시기 및 탄소수 6 내지 20을 갖는 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 치환되거나 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기 또는 탄소수 2 내지 20을 갖는 헤테로아릴기이고,
여기서 R2는 탄소수 1 내지 4를 갖는 알킬기이다.
이때, 본 발명에 따른 상기 화학식 1에서,
Ar4는 트리메틸실릴기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 플루오로기 및 메톡시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환된 페닐기, 바이페닐기, 나프틸기 또는 페난트릴기일 수 있다.
구체적으로, 상기 화학식 1로 나타내는 화합물은 하기 d-1 내지 d-37의 화학식 구조를 가질 수 있다.
Figure PCTKR2016009216-appb-I000071
Figure PCTKR2016009216-appb-I000072
Figure PCTKR2016009216-appb-I000073
Figure PCTKR2016009216-appb-I000074
Figure PCTKR2016009216-appb-I000075
Figure PCTKR2016009216-appb-I000076
Figure PCTKR2016009216-appb-I000077
Figure PCTKR2016009216-appb-I000078
Figure PCTKR2016009216-appb-I000079
Figure PCTKR2016009216-appb-I000080
Figure PCTKR2016009216-appb-I000081
Figure PCTKR2016009216-appb-I000082
Figure PCTKR2016009216-appb-I000083
Figure PCTKR2016009216-appb-I000084
Figure PCTKR2016009216-appb-I000085
Figure PCTKR2016009216-appb-I000086
Figure PCTKR2016009216-appb-I000087
Figure PCTKR2016009216-appb-I000088
Figure PCTKR2016009216-appb-I000089
또한, 본 발명에 따른 상기 화학식 1에서,
Ar4는 디벤조퓨라닐기 또는 디벤조티오페닐기일 수 있다.
구체적으로, 상기 화학식 1로 나타내는 화합물은 하기 e-1 내지 e-16의 화학식 구조를 가질 수 있다.
Figure PCTKR2016009216-appb-I000090
Figure PCTKR2016009216-appb-I000091
Figure PCTKR2016009216-appb-I000092
Figure PCTKR2016009216-appb-I000093
Figure PCTKR2016009216-appb-I000094
Figure PCTKR2016009216-appb-I000095
Figure PCTKR2016009216-appb-I000096
Figure PCTKR2016009216-appb-I000097
또 다른 하나의 예로서, 본 발명에 따른 상기 화학식 1에서,
Ar1은 하기 화학식 3의 구조이고,
L1은 단일결합이며,
L2 및 L3은 서로 독립적으로 단일결합 또는 페닐기로 치환되거나 비치환된 페닐렌기이며,
Ar2 및 Ar3은 서로 독립적으로 페닐기, 나프틸기 또는 페난트릴기이고, 여기서 페닐기는 페닐기, 바이페닐기, 나프틸기 또는 페난트릴기로 치환되거나 비치환되고,
Y는 수소, 페닐기 또는 바이페닐기일 수 있다:
Figure PCTKR2016009216-appb-C000003
상기 화학식 3에서,
R3은 탄소원자 또는 규소원자이며;
R4는 수소, 탄소수 1 내지 4를 갖는 알킬기 또는 탄소수 6 내지 10을 갖는 아릴기이고;
Ar5는 수소 또는 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기이다.
이때, 본 발명에 따른 화학식 1에서,
R3은 탄소원자이고,
Ar5는 수소 또는 페닐기일 수 있다.
구체적으로, 상기 화학식 1로 나타내는 화합물은 하기 f-1 내지 f-31의 화학식 구조를 가질 수 있다.
Figure PCTKR2016009216-appb-I000098
Figure PCTKR2016009216-appb-I000099
Figure PCTKR2016009216-appb-I000100
Figure PCTKR2016009216-appb-I000101
Figure PCTKR2016009216-appb-I000102
Figure PCTKR2016009216-appb-I000103
Figure PCTKR2016009216-appb-I000104
Figure PCTKR2016009216-appb-I000105
Figure PCTKR2016009216-appb-I000106
Figure PCTKR2016009216-appb-I000107
Figure PCTKR2016009216-appb-I000108
Figure PCTKR2016009216-appb-I000109
Figure PCTKR2016009216-appb-I000110
Figure PCTKR2016009216-appb-I000111
Figure PCTKR2016009216-appb-I000112
Figure PCTKR2016009216-appb-I000113
또한, 본 발명에 따른 화학식 1에서,
R3은 규소원자이고,
Ar5는 수소, 페닐기 또는 바이페닐기일 수 있다.
구체적으로, 상기 화학식 1로 나타내는 화합물은 하기 g-1 내지 g-31의 화학식 구조를 가질 수 있다:
Figure PCTKR2016009216-appb-I000114
Figure PCTKR2016009216-appb-I000115
Figure PCTKR2016009216-appb-I000116
Figure PCTKR2016009216-appb-I000117
Figure PCTKR2016009216-appb-I000118
Figure PCTKR2016009216-appb-I000119
Figure PCTKR2016009216-appb-I000120
Figure PCTKR2016009216-appb-I000121
Figure PCTKR2016009216-appb-I000122
Figure PCTKR2016009216-appb-I000123
Figure PCTKR2016009216-appb-I000124
Figure PCTKR2016009216-appb-I000125
Figure PCTKR2016009216-appb-I000126
Figure PCTKR2016009216-appb-I000127
Figure PCTKR2016009216-appb-I000128
Figure PCTKR2016009216-appb-I000129
또한, 본 발명은 하나의 실시예에서,
제1 전극;
상기 제1전극 상에 마련된 유기층;
상기 유기층 상에 마련된 발광층;
상기 발광층 상에 마련된 전자수송성층; 및
상기 전자수송성층 상에 마련된 제2전극을 포함하고,
상기 유기층은 하기 화학식 1로 나타내는 화합물을 포함하는 발광소자를 제공한다:
<화학식 1>
Figure PCTKR2016009216-appb-I000130
상기 화학식 1에 있어서, Ar1, Ar2, Ar3, L1, L2, L3 및 Y는 상기에서 정의한 바와 같다.
최근 발광소자의 적용 범위가 고전류/고출력 분야로 확대되면서, 발광소자에 대한 발광효율의 증대 및 발광수명의 개선이 요구되고 있다. 이때, 상기 발광효율 및 발광수명은 발광층 내에서의 정공과 전자의 결합이 원활히 이루어져야 개선될 수 있다. 그러나 제2 전극으로부터 주입되는 전자가 발광층을 지나 정공수송성층으로 오버플로우(overflow) 될 수 있으며, 이로 인하여 발광층에서의 정공 및 전자의 결합 효율이 감소될 수 있다. 따라서, 발광층 내의 정공과 전자의 결합이 효율적으로 이루어지기 위해서는, 제2 전극에서 주입된 전자가 발광층을 벗어나지 못하도록 차단하는 한편, 발광층에서 형성된 여기자(exciton)가 확산되거나 분리되는 것을 방지할 수 있어야 한다.
이러한 문제를 극복하기 위하여, 본 발명에 따른 상기 발광소자는 제1 전극과 발광층 사이에 화학식 1로 나타내는 화합물을 포함하는 유기층을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 본 발명에 따른 상기 유기층은 제2 전극에서 주입된 전자가 발광층을 경유하여 정공수송성층으로 유입하거나, 발광층에서 형성된 여기자가 제1 전극의 방향으로 확산되어 비발광 소멸하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 발광층에서 형성된 여기자가 발광층과 정공수송성층 사이의 계면에서 "여기자 분리(exciton dissociation)" 과정을 거쳐 비발광 소멸하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 상기 유기층은 전자 및 여기자가 발광층을 벗어나지 못하도록 차단함으로써, 발광층 내의 전하 균형을 맞춤으로써 발광층에서의 여기자의 생성효율 및 발광소멸을 극대화할 수 있으며, 이에 따라, 발광소자의 발광효율이 증대되고, 구동전압이 저하되어 발광수명이 향상될 수 있다.
도 1 내지 도 3은 본 발명에 따른 발광소자의 개략적인 구조 단면도를 도시한 이미지이다.
본 발명에 따른 발광소자(100 내지 100B)는 베이스 기판(106) 상에 제1 전극(105), 유기층(104), 발광층(103), 전자수송성층(102) 및 제2 전극(101)이 순차적으로 적층된 구조를 가질 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 발광소자의 각 구성요소를 도 1 내지 도 3을 참조하여 상세히 설명한다.
먼저, 본 발명에 따른 발광소자(100 내지 100B)에 있어서, 제1 전극(105)은 도전성 물질로서, 베이스 기판(106) 상에 형성되어 발광소자(100 내지 100B)의 양극(anode) 역할을 수행한다.
이때, 상기 제1 전극(105)은 투명 전극 또는 불투명(반사) 전극일 수 있다. 상기 제1 전극(105)이 투명 전극인 경우, 제1 전극(105)은 인듐 틴 옥사이드 (indium tin oxide, ITO), 산화주석(SnO2) 등을 포함할 수 있다. 또한, 불투명(반사) 전극인 경우, 제1 전극(105)은 ITO/은(Ag)/ITO 구조를 포함할 수 있다.
다음으로, 본 발명에 따른 발광소자(100 내지 100B)에 있어서, 유기층(104)은 제1 전극(105)과 발광층(103) 사이에 위치하며, 단층 또는 2층 이상의 다층 구조를 가질 수 있다.
구체적으로, 본 발명에 따른 상기 유기층(104)은 도 1에 나타낸 바와 같이, 단층 구조를 가지거나, 또는 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 제1 유기층(107), 제2 유기층(108), 제3 유기층(109) 등을 포함하는 2층 이상의 다층 구조를 가질 수 있다.
상기 유기층(104)에 있어서, 발광층(103)과 접하는 위치에 형성된 유기층, 즉 도 1에 나타낸 단층 구조의 유기층(104) 또는 도 2 및 도 3에 나타낸 다층 구조의 유기층(104)에 포함된 제1 유기층(107)은 본 발명에 따른 화학식 1로 나타내는 화합물을 포함하고 발광층(103)과 접하는 위치에 형성됨으로써, 전자 차단층(electron blocking layer, EBL), 여기자 차단층 또는 여기자 분리 차단층(exciton dissociation blocking layer, EDBL)의 역할을 수행할 수 있다.
또한, 발광층(103)과 접하지 않는 유기층, 즉 다층 구조의 유기층(104)에 있어서 제1 유기층(107)을 제외한 제2 유기층(108), 제3 유기층(109) 등의 여분 유기층(이하, "여분 유기층"이라 함)은 제1 유기층(107)과 제1 전극(105) 사이에 위치하면서, 정공수송층 및/또는 정공주입층의 역할을 수행할 수 있다.
도 3을 참조하면, 발광층(103)과 접하지 않는 제2 유기층(108)은 정공수송층의 역할을 수행할 수 있다. 이때, 상기 제2 유기층(108)은 예를 들면, 4,4-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐-아민]바이페닐(α-NPD), N,N-디페닐-N,N-비스(3-메틸페닐)-1,1-바이페닐-4,4-디아민(TPD), 폴리-(N-비닐카바졸)(PVCz) 등을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 포함할 수 있다.
또한, 발광층(103)과 접하지 않는 제3 유기층(109)은 정공주입층의 역할을 수행할 수 있다. 이때, 제1 전극(105)과 제2 유기층(108)의 사이에 적층되며, 예를 들면, 구리 프탈로시아닌(copper phthalocyanine, CuPc) 등을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
이와 더불어, 상기 여분 유기층은 하기 화학식 6으로 나타내는 화합물을 정공수송성 화합물로서 포함할 수 있다. 보다 구체적으로 예를 들면, 제1 전극(105) 상에 제3 유기층(109), 제2 유기층(108) 및 제1 유기층(107)이 순차적으로 적층된 발광소자(100B)의 경우, 발광층(103)과 접하는 제1 유기층(107)은 상술한 바와 같이 화학식 1로 나타내는 화합물을 포함하고, 발광층(103)과 접하지 않는 제2 유기층(108) 및 제3 유기층(109) 중 어느 하나 이상은 화학식 6으로 나타내는 화합물을 포함할 수 있다.
Figure PCTKR2016009216-appb-C000004
상기 화학식 6에 있어서,
R5 및 R7은 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 4를 갖는 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기이고,
R6은 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기 또는 탄소수 2 내지 20을 갖는 헤테로아릴기이며,
상기 R6이 상기 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기 또는 탄소수 2 내지 20을 갖는 헤테로아릴기인 경우 상기 아릴기 및 헤테로아릴기는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 6을 갖는 알킬기 또는 탄소수 6 내지 20을 갖는 아릴기로 치환 또는 비치환된다.
구체적으로, 본 발명에 따른 상기 화학식 6에서,
상기 R5는 탄소수 1 내지 6을 갖는 알킬기 또는 탄소수 6 내지 20을 갖는 아릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 바이페닐기; 나프틸기; 또는 페난트릴기이고,
R7은 메틸기, 에틸기 또는 페닐기일 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 화학식 6으로 나타내는 화합물은 하기 화학식 6a의 구조를 갖는 화합물일 수 있다:
<화학식 6a>
Figure PCTKR2016009216-appb-I000131
나아가, 본 발명에 따른 상기 유기층(104)에 있어서, 발광층(103)과 접하지 않는 여분 유기층 중 어느 하나는 1종 이상의 P형 도판트를 더 포함할 수 있다.
보다 구체적으로 예를 들면, 제1 전극(105) 상에 제3 유기층(109), 제2 유기층(108) 및 제1 유기층(107)이 순차적으로 적층된 다층 구조의 유기층(104)을 포함하는 발광소자(100B)에 있어서, 발광층(103)과 접하는 제1 유기층(107)은 상술한 바와 같이 화학식 1의 화합물을 포함하고, 발광층(103)과 접하지 않는 제2 유기층(108) 및 제3 유기층(109) 중 어느 하나 이상은 화학식 3으로 나타내는 화합물을 포함하며, 제2 유기층(108) 및 제3 유기층(109) 중 어느 하나는 1종 이상의 P형 도판트를 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 P형 도펀트는 하나 이상의 P형 유기물 도펀트 또는 P형 무기물 도펀트를 포함할 수 있고, 하나 이상의 P형 유기물 도펀트 및 하나 이상의 P형 무기물 도펀트를 동시에 포함할 수도 있다.
상기 P형 유기물 도펀트로는 예를 들면, 헥사데카플루오로프탈로시아닌 (Hexadecafluorophthalocyanine, F16CuPc), 11,11,12,12-테트라시아노나프토-2,6-퀴노디메탄 (11,11,12,12-tetracyanonaphtho-2,6-quinodimethane, TNAP), 3,6-디플루오로-2,5,7,7,8,8-헥사시아노-퀴노디메탄 (3,6-difluoro-2,5,7,7,8,8-hexacyano-quinodimethane, F2-HCNQ), 테트라시아노퀴노디메탄(Tetracyanoquinodimethane, TCNQ) 등을 포함할 수 있으며, 하기 화학식 7 내지 화학식 11로 나타내는 화합물 중 어느 하나 이상을 포함할 수도 있다:
Figure PCTKR2016009216-appb-C000005
Figure PCTKR2016009216-appb-C000006
Figure PCTKR2016009216-appb-C000007
Figure PCTKR2016009216-appb-C000008
Figure PCTKR2016009216-appb-C000009
상기 화학식 10 및 화학식 11에 있어서,
R8은 시아노기, 설폰기, 설폭사이드기, 설폰아미드기, 설포네이트기, 니트로기 또는 트리플루오로메틸기이고,
s 및 t는 서로 독립적으로 1 내지 5의 정수이며;
X1 및 X2는 서로 독립적으로 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기 또는 탄소수 2 내지 20을 갖는 헤테로아릴기이고,
상기 아릴기 및 헤테로아릴기는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 5를 갖는 알킬기, 탄소수 1 내지 5를 갖는 알콕시기, 탄소수 1 내지 5를 갖는 할로알콕시기, 히드록시기 및 할로겐기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 치환되거나 비치환된다.
보다 구체적으로, 상기 화학식1로 나타내는 화합물은 하기 화학식 11a 또는 화학식 11b로 나타내는 화합물일 수 있다:
<화학식 11a>
Figure PCTKR2016009216-appb-I000132
<화학식 11b>
Figure PCTKR2016009216-appb-I000133
또한, 상기 P형 무기물 도펀트로는 예를 들면, 금속 산화물, 금속 할라이드 등을 들 수 있다. 구체적으로는, MoO3, V2O5, WO3, SnO2, ZnO, MnO2, CoO2, ReO3, TiO2, FeCl3, SbCl5, MgF2 등을 포함할 수 있으며, 이들은 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합되어 사용될 수 있다.
나아가, 상기 P형 도펀트의 함량은 정공수송성 화합물 100 중량부에 대하여 약 0.5 중량부 내지 20 중량부이거나, 약 0.5 중량부 내지 5 중량부일 수 있다. 또는 정공수송성 화합물 100 중량부에 대하여 약 1 중량부 내지 10 중량부, 약 1 중량부 내지 5 중량부, 약 1.5 중량부 내지 6 중량부 또는 약 2 중량부 내지 5 중량부일 수 있다.
상기 P형 도펀트의 함량이 정공수송성 화합물 100 중량부에 대하여 약 0.5 중량부 내지 20 중량부인 경우, 상기 P형 도펀트가 정공수송성 화합물의 물성을 저하시키지 않으면서도 과도한 누설 전류의 발생을 방지할 수 있다. 또한, 상기 P형 도펀트에 의해서 상기 제3 유기층(109)과 접촉하는 상, 하부층들 각각과의 계면에서의 에너지 장벽을 감소시킬 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 발광소자(100 내지 100B)에 있어서, 유기층(104)은 발광소자(100 내지100B)의 공진 길이에 따라 두께를 조절함으로써 발광효율을 증가시킬 수 있고, 여기자가 발광층(103)과 다른 층 사이의 계면이 아닌, 상기 발광층(103)의 중앙부에서 형성될 수 있도록 조절 가능하므로, 그 두께가 특별히 제한되지는 않는다.
구체적으로, 상기 유기층(104)의 구조가 단층인 경우, 5 Å 내지 2,000 Å 범위의 평균 두께를 가질 수 있으며, 2층 이상의 다층 구조인 경우에는 각 개별층이 5 Å 내지 1,000 Å 범위의 평균 두께를 가질 수 있다.
다음으로, 본 발명에 따른 발광소자(100, 내지 100B)에 있어서, 발광층(103)은 유기층(104)과 제2 전극(101) 사이에 위치하며, 상기 발광층(103)이 방출하는 광의 파장은 발광층(103)을 형성하는 화합물의 종류에 따라 상이할 수 있다. 이때, 상기 발광층(103)을 형성하는 화합물로는 당업계에서 일반적으로 사용되는 것이라면 특별히 제한되지 않으며, 이를 상업적으로 입수하거나 또는 제조하여 사용할 수 있다.
다음으로, 본 발명에 따른 발광소자(100 내지100B)에 있어서, 전자수송성층(102)은 발광층(103)과 제2 전극(101) 사이에 위치하며, 전자수송층(electron transporting layer, ETL) 및/또는 전자주입층(electron injecting layer, EIL)(미도시)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 전자수송성층은 하기 화학식 5로 나타내는 화합물을 포함할 수 있다.
Figure PCTKR2016009216-appb-C000010
상기 화학식 5에 있어서,
Z1 내지 Z3은 서로 독립적으로 수소, 할로겐기, 시아노기, 탄소수 1 내지 20을 갖는 알킬기, 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기, 탄소수 2 내지 20을 갖는 헤테로아릴기, 탄소수 1 내지 20을 갖는 알콕시기 또는 탄소수 6 내지 20을 갖는 디아릴포스핀옥사이드기이고,
상기 Z1 내지 Z3이 서로 독립적으로 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기, 탄소수 2 내지 20을 갖는 헤테로아릴기 또는 탄소수 6 내지 20을 갖는 디아릴포스핀옥사이드기인 경우 상기 아릴기, 헤테로아릴기 및 디아릴포스핀옥사이드기는 탄소수 1 내지 6을 갖는 알킬기, 탄소수 6 내지 20을 갖는 아릴기 및 탄소수 6 내지 20을 갖는 디아릴포스핀옥사이드기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되며,
p 및 q는 서로 독립적으로 1 내지 3의 정수이다.
구체적으로, 상기 화학식 5로 나타내는 화합물은, 하기 화학식 5a로 나타내는 화합물일 수 있다:
<화학식 5a>
Figure PCTKR2016009216-appb-I000134
상기 화학식 5a에서,
Ar6은 수소, 비치환된 페닐기, 바이페닐기, 나프틸기, 페난트릴기, 피레닐기, 피리딜기, 이미다졸릴기, 벤조티에닐기, 벤조옥사졸릴기 또는 디아릴포스핀옥사이드기이고,
Z2 및 Z3은 서로 독립적으로 수소, 페닐기, 바이페닐기, 나프틸기 또는 페난트릴기이며,
p 및 q는 서로 독립적으로 1 내지 3이다.
보다 더 구체적으로, 상기 화학식 5a로 나타내는 화합물은 하기 화학식 5a-1 내지 화학식 5a-7의 구조로부터 선택될 수 있다:
<화학식 5a-1>
Figure PCTKR2016009216-appb-I000135
<화학식 5a-2>
Figure PCTKR2016009216-appb-I000136
<화학식 5a-3>
Figure PCTKR2016009216-appb-I000137
<화학식 5a-4>
Figure PCTKR2016009216-appb-I000138
<화학식 5a-5>
Figure PCTKR2016009216-appb-I000139
<화학식 5a-6>
Figure PCTKR2016009216-appb-I000140
<화학식 5a-7>
Figure PCTKR2016009216-appb-I000141
또한, 본 발명에 따른 발광소자(100 내지 100B)는 발광층(103)과 제2 전극(101) 사이에 위치하는 유기성층(미도시)을 더 포함할 수 있다.
상기 유기성층은 발광층(103)과 제2 전극(101), 구체적으로는 발광층(103)과 전자수송성층(102) 사이에 위치하여, 정공이 제1 전극(105)에서부터 발광층(103)을 경유하여 전자수송성층(102)으로 유입되는 것을 방지하는 정공차단층(hole blocking layer, HBL)의 역할을 수행할 수 있다.
또한, 상기 유기성층은 상기 발광층(103)에서 형성된 여기자가 제2 전극(101)의 방향으로 확산되어 상기 여기자가 비발광 소멸하는 것을 방지하는 여기자 차단층(exciton blocking layer)의 역할을 수행할 수 있다.
이때, 상기 유기성층은 발광소자(100 내지 100B)의 공진 길이에 따라 두께를 조절함으로써 발광효율을 증가시킬 수 있고, 여기자가 발광층(103)과 다른 층 사이의 계면이 아닌, 상기 발광층(103)의 중앙부에서 형성되도록 할 수 있다.
다음으로, 본 발명에 따른 발광소자(100 내지 100B)에 있어서, 제2 전극(101)은 전도성 물질로서, 상기 발광층(103) 상에 위치하여 발광소자(100 내지 100B)의 음극(cathode) 역할을 수행한다.
이때, 상기 제2 전극(101)은 니켈, 마그네슘, 칼슘, 은, 알루미늄, 인듐 등의 금속 또는 이들 중 2 이상의 금속을 포함하는 합금을 포함할 수 있으며, 보다 구체적으로는 알루미늄을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 전극(101)은 상기 금속이 단층 구조 또는 2층 이상의 다층 구조를 포함할 수 있다.
아울러, 상기 제1 전극(105)이 불투명 전극인 경우, 제2 전극(101)은 투명 또는 반투명 전극일 수 있으며, 이때, 제2 전극(101)은 마그네슘 및 은을 포함하는 합금을 사용할 수 있으며, 100Å 내지 150Å의 두께를 가질 수 있다.
아울러, 본 발명에 따른 발광소자(100 내지 100B)에서는 상기에서 설명한 제1 전극(105), 유기층(104), 발광층(103), 전자수송성층(102), 제2 전극(101) 등을 통상적인 증착 방법을 이용하여 제조할 수 있으나, 증착 방법 외에 당업계에서 통상적으로 사용하는 방법이라면 제한되지 않고 적용할 수 있다.
나아가, 본 발명은 하나의 실시예에서, 상기에서 설명된 발광소자를 포함하는 전자장치를 제공한다. 이때, 본 발명에 따른 상기 전자장치는 디스플레이 장치 또는 조명 장치일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 전자장치는 제1 전극과 발광층 사이에 화학식 1로 나타내는 화합물을 포함하는 유기층을 도입함으로써, 발광효율이 증대되고, 발광수명이 향상된 발광소자를 포함하므로, 고휘도/고신뢰성이 요구되는 고전류/고출력 분야에서도 사용할 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예 및 실험예에 의해 보다 상세히 설명한다.
단, 하기 실시예 및 실험예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예 및 실험예에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1.
Figure PCTKR2016009216-appb-I000142
500 mL의 3구 둥근 바닥 플라스크에 질소 가스를 충전한 후 o-자일렌 (o-xylene, 280 mL)을 주입하고 화합물 A (20.0 g, 85.8 mmol), 화합물 B (47.0 g, 94.4 mmol), 팔라듐 아세테이트 (Pd(OAc)2, 385 mg, 1.72 mmol), 소듐 tert-부톡시드 (NaO t-Bu, 9.9 g, 103.0 mmol) 및 트리 tert-부틸포스핀 (P(t-Bu)3, 1.7 ml)을 넣은 다음, 130℃에서 10시간 동안 교반하였다. 그 후, 반응물을 상온으로 냉각시켜 메탄올 (2,800 mL)에 투입한 다음 30분 동안 교반하고 여과하여 흰색의 목적 화합물(화학식 1A, 39.0 g, 70%)을 얻었다.
MALDI-TOF : m/z = 649.2813 (C50H35N=649.28).
실시예 2.
Figure PCTKR2016009216-appb-I000143
500 mL의 3구 둥근 바닥 플라스크에 질소 가스를 충전한 후 o-자일렌 (o-xylene, 180 mL)을 주입하고 화합물 A (15.0 g, 64.4 mmol), 화합물 C (29.8 g, 70.8 mmol), 팔라듐 아세테이트 (Pd(OAc)2, 289 mg, 1.29 mmol), 소듐 tert-부톡시드 (NaO t-Bu, 5.6 g, 58.2 mmol) 및 트리 tert-부틸포스핀 (P(t-Bu)3, 1.7 ml)을 넣은 다음, 130℃에서 9시간 동안 교반하였다. 그 후, 반응물을 상온으로 냉각시켜 메탄올 (1,800 mL)에 투입한 다음 20분 동안 교반하고 여과하여 회색의 목적 화합물(화학식 1B, 20.9 g, 75%)을 얻었다.
MALDI-TOF : m/z = 573.2457 (C44H31N=573.25).
실시예 3.
Figure PCTKR2016009216-appb-I000144
500 mL의 3구 둥근 바닥 플라스크에 질소 가스를 충전한 후 o-자일렌 (o-xylene, 120 mL)을 주입하고 화합물 D (10.0 g, 29.5 mmol), 화합물 E (18.6 g, 32.4 mmol), 팔라듐 아세테이트 (Pd(OAc)2, 132 mg, 0.59 mmol), 소듐 tert-부톡시드 (NaO t-Bu, 3.4 g, 35.4 mmol) 및 트리 tert-부틸포스핀 (P(t-Bu)3, 1.7 ml)을 넣은 다음, 130℃에서 11시간 동안 교반하였다. 그 후, 반응물을 상온으로 냉각시켜 메탄올 (1,200 mL)에 투입한 다음 20분 동안 교반하고 여과하여 흰색의 목적 화합물(화학식 1C, 21.5 g, 80%)을 얻었다.
MALDI-TOF : m/z = 831.3060 (C62H41NS=831.30).
실시예 4.
Figure PCTKR2016009216-appb-I000145
500 mL의 3구 둥근 바닥 플라스크에 질소 가스를 충전한 후 o-자일렌 (o-xylene, 120 mL)을 주입하고 화합물 F (15.0 g, 28.8 mmol), 화합물 C (13.3 g, 31.6 mmol), 팔라듐 아세테이트 (Pd(OAc)2, 129 mg, 0.58 mmol), 소듐 tert-부톡시드 (NaO t-Bu, 3.3 g, 34.5 mmol) 및 트리 tert-부틸포스핀 (P(t-Bu)3, 1.7 ml)을 넣은 다음, 130℃에서 10시간 동안 교반하였다. 그 후, 반응물을 상온으로 냉각시켜 메탄올 (1,200 mL)에 투입한 다음 30분 동안 교반하고 여과하여 흰색의 목적 화합물(화학식 1D, 27.9 g, 83%)을 얻었다.
MALDI-TOF : m/z = 861.2524 (C62H39NS2=861.25).
실시예 5.
Figure PCTKR2016009216-appb-I000146
500 mL의 3구 둥근 바닥 플라스크에 질소 가스를 충전한 후 o-자일렌 (o-xylene, 280 mL)을 주입하고 화합물 G (20.0 g, 69.1 mmol), 화합물 H (47.3 g, 76.1 mmol), 팔라듐 아세테이트 (Pd(OAc)2, 310 mg, 1.38 mmol), 소듐 tert-부톡시드 (NaO t-Bu, 8.0 g, 83.0 mmol) 및 트리 tert-부틸포스핀 (P(t-Bu)3, 1.7 ml)을 넣은 다음, 130℃에서 9시간 동안 교반하였다. 그 후, 반응물을 상온으로 냉각시켜 메탄올 (2,800 mL)에 투입한 다음 30분 동안 교반하고 여과하여 연회색의 목적 화합물(화학식 1E, 37.6 g, 70%)을 얻었다.
MALDI-TOF : m/z = 829.3165 (C62H43NSi=830.10).
실시예 6.
Figure PCTKR2016009216-appb-I000147
500 mL의 3구 둥근 바닥 플라스크에 질소 가스를 충전한 후 o-자일렌 (o-xylene, 100 mL)을 주입하고 화합물 H (15.0 g, 32.5 mmol), 화합물 I (9.6 g, 35.8 mmol), 팔라듐 아세테이트 (Pd(OAc)2, 146 mg, 0.65 mmol), 소듐 tert-부톡시드 (NaO t-Bu, 3.7 g, 39.0 mmol) 및 트리 tert-부틸포스핀 (P(t-Bu)3, 1.7 ml)을 넣은 다음, 130℃에서 10시간 동안 교반하였다. 그 후, 반응물을 상온으로 냉각시켜 메탄올 (1,000 mL)에 투입한 다음 30분 동안 교반하고 여과하여 연회색의 목적 화합물(화학식 1E, 27.1 g, 86%)을 얻었다.
MALDI-TOF : m/z = 649.2770 (C50H35N=649.28).
실시예 7.
Figure PCTKR2016009216-appb-I000148
500 mL의 3구 둥근 바닥 플라스크에 질소 가스를 충전한 후 o-자일렌 (o-xylene, 12 mL)을 주입하고 화합물 K (10.0 g, 35.3 mmol), 화합물 L (20.3 g, 38.8 mmol), 팔라듐 아세테이트 (Pd(OAc)2, 159 mg, 0.71 mmol), 소듐 tert-부톡시드 (NaO t-Bu, 4.1 g, 42.4 mmol) 및 트리 tert-부틸포스핀 (P(t-Bu)3, 1.7 ml)을 넣은 다음, 130℃에서 11시간 동안 교반하였다. 그 후, 반응물을 상온으로 냉각시켜 메탄올 (1,200 mL)에 투입한 다음 20분 동안 교반하고 여과하여 회색의 목적 화합물(화학식 1G, 14.1 g, 75%)을 얻었다.
MALDI-TOF : m/z = 723.2926 (C56H37N=723.29).
실시예 8.
Figure PCTKR2016009216-appb-I000149
500 mL의 3구 둥근 바닥 플라스크에 질소 가스를 충전한 후 o-자일렌 (o-xylene, 200 mL)을 주입하고 화합물 M (15.0 g, 54.9 mmol), 화합물 H (37.6 g, 60.4 mmol), 팔라듐 아세테이트 (Pd(OAc)2, 247 mg, 1.10 mmol), 소듐 tert-부톡시드 (NaO t-Bu, 6.3 g, 65.9 mmol) 및 트리 tert-부틸포스핀 (P(t-Bu)3, 1.7 ml)을 넣은 다음, 130℃에서 10시간 동안 교반하였다. 그 후, 반응물을 상온으로 냉각시켜 메탄올 (2,000 mL)에 투입한 다음 40분 동안 교반하고 여과하여 회색의 목적 화합물(화학식 1H, 24.7 g, 78%)을 얻었다.
MALDI-TOF : m/z = 813.3396 (C63H43N=813.34).
실시예 9.
Figure PCTKR2016009216-appb-I000150
500 mL의 3구 둥근 바닥 플라스크에 질소 가스를 충전한 후 o-자일렌 (o-xylene, 200 mL)을 주입하고 화합물 N (20.0 g, 50.3 mmol), 화합물 H (34.4 g, 55.4 mmol), 팔라듐 아세테이트 (Pd(OAc)2, 226 mg, 1.0 mmol), 소듐 tert-부톡시드 (NaO t-Bu, 5.8 g, 60.4 mmol) 및 트리 tert-부틸포스핀 (P(t-Bu)3, 1.7 ml)을 넣은 다음, 130℃에서 9시간 동안 교반하였다. 그 후, 반응물을 상온으로 냉각시켜 메탄올 (2,000 mL)에 투입한 다음 30분 동안 교반하고 여과하여 흰색의 목적 화합물(화학식 1I, 36.5 g, 75%)을 얻었다.
MALDI-TOF : m/z = 937.3709 (C73H47N=937.37).
실시예 10.
Figure PCTKR2016009216-appb-I000151
500 mL의 3구 둥근 바닥 플라스크에 질소 가스를 충전한 후 o-자일렌 (o-xylene, 200 mL)을 주입하고 화합물 O (15.0 g, 48.5 mmol), 화합물 P (33.4 g, 49.5 mmol), 팔라듐 아세테이트 (Pd(OAc)2, 202 mg, 0.90 mmol), 소듐 tert-부톡시드 (NaO t-Bu, 5.19 g, 54.0 mmol) 및 트리 tert-부틸포스핀 (P(t-Bu)3, 1.7 ml)을 넣은 다음, 130℃에서 12시간 동안 교반하였다. 그 후, 반응물을 상온으로 냉각시켜 메탄올 (2,000 mL)에 투입한 다음 40분 동안 교반하고 여과하여 연회색의 목적 화합물(화학식 1J, 34.1 g, 76%)을 얻었다.
MALDI-TOF : m/z = 925.3709 (C72H47N=925.37).
실시예 11.
Figure PCTKR2016009216-appb-I000152
500 mL의 3구 둥근 바닥 플라스크에 질소 가스를 충전한 후 o-자일렌 (o-xylene, 200 mL)을 주입하고 화합물 Q (32.6 g, 81.7 mmol), 화합물 J (20.0 g, 74.3 mmol), 팔라듐 아세테이트 (Pd(OAc)2, 333 mg, 1.49 mmol), 소듐 tert-부톡시드 (NaO t-Bu, 8.6 g, 89.1 mmol) 및 트리 tert-부틸포스핀 (P(t-Bu)3, 1.7 ml)을 넣은 다음, 130?에서 6시간 동안 교반하였다. 그 후, 반응물을 상온으로 냉각시켜 메탄올 (2000 mL)에 투입한 다음 30분 동안 교반하고 여과하여 연회색의 목적 화합물(화학식 1K, 38.5 g, 70%)을 얻었다.
MALDI-TOF : m/z = 587.2275 (C44H29NO=587.22).
실시예 12.
Figure PCTKR2016009216-appb-I000153
500 mL의 3구 둥근 바닥 플라스크에 질소 가스를 충전한 후 o-자일렌 (o-xylene, 200 mL)을 주입하고 화합물 R (8.6 g, 24.5 mmol), 화합물 P (15.0 g, 22.3 mmol), 팔라듐 아세테이트 (Pd(OAc)2, 100 mg, 0.45 mmol), 소듐 tert-부톡시드 (NaO t-Bu, 2.6 g, 26.7 mmol) 및 트리 tert-부틸포스핀 (P(t-Bu)3, 1.7 ml)을 넣은 다음, 130?에서 11시간 동안 교반하였다. 그 후, 반응물을 상온으로 냉각시켜 메탄올 (2000 mL)에 투입한 다음 20분 동안 교반하고 여과하여 회색의 목적 화합물(화학식 1L, 15.7 g, 75%)을 얻었다.
MALDI-TOF : m/z = 941.4022 (C73H51N=941.40).
실시예 13.
Figure PCTKR2016009216-appb-I000154
500 mL의 3구 둥근 바닥 플라스크에 질소 가스를 충전한 후 o-자일렌 (o-xylene, 200 mL)을 주입하고 화합물 S (13.6 g, 27.7 mmol), 화합물 T (10.0 g, 25.2 mmol), 팔라듐 아세테이트 (Pd(OAc)2, 113 mg, 0.50 mmol), 소듐 tert-부톡시드 (NaO t-Bu, 2.9 g, 30.3 mmol) 및 트리 tert-부틸포스핀 (P(t-Bu)3, 1.7 ml)을 넣은 다음, 130?에서 7시간 동안 교반하였다. 그 후, 반응물을 상온으로 냉각시켜 메탄올 (2000 mL)에 투입한 다음 20분 동안 교반하고 여과하여 흰색의 목적 화합물(화학식 1M, 15.7 g, 80%)을 얻었다.
MALDI-TOF : m/z = 777.2892 (C58H39NSi=777.29).
실시예 14.
Figure PCTKR2016009216-appb-I000155
500 mL의 3구 둥근 바닥 플라스크에 질소 가스를 충전한 후 o-자일렌 (o-xylene, 200 mL)을 주입하고 화합물 U (11.8 g, 28.8 mmol), 화합물 V (15 g, 26.1 mmol), 팔라듐 아세테이트 (Pd(OAc)2, 117 mg, 0.52 mmol), 소듐 tert-부톡시드 (NaO t-Bu, 3.0 g, 31.4 mmol) 및 트리 tert-부틸포스핀 (P(t-Bu)3, 1.7 ml)을 넣은 다음, 130?에서 12시간 동안 교반하였다. 그 후, 반응물을 상온으로 냉각시켜 메탄올 (2000 mL)에 투입한 다음 30분 동안 교반하고 여과하여 흰색의 목적 화합물(화학식 1N, 17.2 g, 73%)을 얻었다.
MALDI-TOF : m/z = 901.3709 (C70H47N=901.37).
실시예 15.
Figure PCTKR2016009216-appb-I000156
500 mL의 3구 둥근 바닥 플라스크에 질소 가스를 충전한 후 o-자일렌 (o-xylene, 200 mL)을 주입하고 화합물 W (6.0 g, 38.3 mmol), 화합물 X (20.0 g, 34.9 mmol), 팔라듐 아세테이트 (Pd(OAc)2, 157 mg, 0.70 mmol), 소듐 tert-부톡시드 (NaO t-Bu, 4.0 g, 41.8 mmol) 및 트리 tert-부틸포스핀 (P(t-Bu)3, 1.7 ml)을 넣은 다음, 130?에서 6시간 동안 교반하였다. 그 후, 반응물을 상온으로 냉각시켜 메탄올 (2000 mL)에 투입한 다음 30분 동안 교반하고 여과하여 연회색의 목적 화합물(화학식 1O, 17.0 g, 75%)을 얻었다.
MALDI-TOF : m/z = 649.8311 (C50H35N=649.82).
실시예 16 - 25. 발광소자의 제조
인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide, ITO)로 형성된 제1 전극 상에, 호스트 물질로서 하기 화학식 12로 나타내는 화합물을 1 Å/sec의 속도로 증착하고 동시에 하기 화학식 13으로 나타내는 P형 도펀트(HAT-CN)를 상기 호스트 물질 100 중량부에 대해 3 중량부의 비율로 공증착(Co-evaporation)하여 100 Å 두께의 제3 유기층을 형성하였다. 상기 제3 유기층 상에 화학식 12로 나타내는 화합물을 300 Å의 두께로 증착하여 제2 유기층을 형성하였다.
상기 제2 유기층 상에 하기 표 1에 나타낸 바와 같이, 실시예 1 - 15에서 제조된 화합물을 100 Å의 두께로 각각 증착하여 제1 유기층을 형성하였다.
상기 제1 유기층 상에 하기 화학식 13으로 나타내는 화합물과 화학식 14로 나타내는 화합물을 100:5 중량비로 공증착하여 200 Å 두께의 발광층을 형성하였다.
그런 다음, 상기 발광층 상에 하기 화학식 15로 나타내는 화합물과 하기 화학식 16으로 나타내는 화합물을 50:50 중량비로 공증착하여 360 Å 두께의 전자 수송층을 형성하였다. 이어서, 상기 전자 수송층 상에 하기 화학식 17로 나타내는 화합물을 이용하여 5 Å 두께의 전자 주입층을 형성하였다.
마지막으로, 상기 전자 주입층 상에 1,000 Å 두께의 알루미늄 박막으로 제2 전극을 형성하여 발광소자를 제조하였다.
제1 유기층
실시예 16 실시예 1에서 제조된 화학식 1A의 화합물
실시예 17 실시예 2에서 제조된 화학식 1B의 화합물
실시예 18 실시예 3에서 제조된 화학식 1C의 화합물
실시예 19 실시예 4에서 제조된 화학식 1D의 화합물
실시예 20 실시예 5에서 제조된 화학식 1E의 화합물
실시예 21 실시예 6에서 제조된 화학식 1F의 화합물
실시예 22 실시예 7에서 제조된 화학식 1G의 화합물
실시예 23 실시예 8에서 제조된 화학식 1H의 화합물
실시예 24 실시예 9에서 제조된 화학식 1I의 화합물
실시예 25 실시예 10에서 제조된 화학식 1J의 화합물
실시예 26 실시예 11에서 제조된 화학식 1K의 화합물
실시예 27 실시예 12에서 제조된 화학식 1L의 화합물
실시예 28 실시예 13에서 제조된 화학식 1M의 화합물
실시예 29 실시예 14에서 제조된 화학식 1N의 화합물
실시예 30 실시예 15에서 제조된 화학식 1O의 화합물
Figure PCTKR2016009216-appb-C000011
Figure PCTKR2016009216-appb-C000012
Figure PCTKR2016009216-appb-C000013
Figure PCTKR2016009216-appb-C000014
Figure PCTKR2016009216-appb-C000015
Figure PCTKR2016009216-appb-C000016
비교예 1.
상기 실시예 16에서, 제2 유기층 상에 제1 유기층을 형성하지 않고, 발광층을 형성하는 것을 제외하고는 상기 실시예 16과 동일한 방법으로 수행하여 제1 유기층을 포함하지 않는 발광소자를 제조하였다.
비교예 2.
상기 실시예 16에서, 실시예 1에서 제조된 화합물(화학식 1A)을 사용하여 제1 유기층을 형성하는 대신에 하기 화학식 18로 나타내는 화합물을 사용하여 제1 유기층을 형성하는 것을 제외하고는 상기 실시예 16과 동일한 방법으로 수행하여 제1 유기층을 포함하는 발광소자를 제조하였다.
Figure PCTKR2016009216-appb-C000017
비교예 3.
상기 실시예 16에서, 실시예 1에서 제조된 화합물(화학식 1A)을 사용하여 제1 유기층을 형성하는 대신에 하기 화학식 19로 나타내는 화합물을 사용하여 제1 유기층을 형성하는 것을 제외하고는 상기 실시예 16과 동일한 방법으로 수행하여 제1 유기층을 포함하는 발광소자를 제조하였다.
Figure PCTKR2016009216-appb-C000018
비교예 4.
상기 실시예 16에서, 실시예 1에서 제조된 화합물(화학식 1A)을 사용하여 제1 유기층을 형성하는 대신에 상기 화학식 20으로 나타내는 화합물을 사용하여 제1 유기층을 형성하는 것을 제외하고는 상기 실시예 16과 동일한 방법으로 수행하여 제1 유기층을 포함하는 발광소자를 제조하였다.
Figure PCTKR2016009216-appb-C000019
실험예 1. 발광소자의 발광효율 및 발광수명 평가
본 발명에 따라 화학식 1로 나타내는 화합물을 제1 유기층에 포함하는 발광소자의 발광효율 및 발광수명을 평가하기 위하여 하기와 같은 실험을 수행하였다.
먼저, 질소 분위기의 글로브 박스 안에서 흡습제(Getter)가 부착된 커버 글래스의 가장자리에 UV 경화용 실런트를 디스펜싱한 후, 상기 실시예 16 - 30, 및 비교예 1 내지 4에서 제조된 발광소자 각각과 커버 글래스를 합착하였다. 그 후, 합착된 발광소자에 UV 광을 조사하여 경화시키고, 경화된 발광소자의 발광효율을 측정하였다. 이때, 발광효율은 휘도가 1,000 cd/m2일 때의 값을 기준으로 하여 측정하였으며, 측정값의 단위는 lm/W이다.
다음으로, 25℃의 온도로 일정하게 유지되고 있는 측정용 오븐 내에 설치된 수명 측정기를 이용하여 상기 실시예 16 - 30, 및 비교예 1 내지 4에서 제조된 발광소자의 각 발광수명을 측정하였다. 이때, T50은 발광소자의 초기 휘도가 5,000 cd/m2인 경우, 발광소자의 휘도가 초기 휘도 대비 50%가 되기까지 걸린 시간을 의미한다. 수명에 대한 값은 당업자에게 공지된 전환식을 기초로 하여 다른 측정 조건에서 측정한 경우에 예상되는 수명으로 전환될 수 있다. 측정된 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
발광효율[lm/W] 발광수명(T50[hr]) 발광효율[lm/W] 발광수명(T50[hr])
실시예 16 9.6 389 실시예 26 8.7 372
실시예 17 8.4 331 실시예 27 7.4 289
실시예 18 8.5 345 실시예 28 7.6 305
실시예 19 7.2 276 실시예 29 6.9 311
실시예 20 9.3 376 실시예 30 7.3 352
실시예 21 7.7 299 비교예 1 4.2 135
실시예 22 6.5 269 비교예 2 6.5 251
실시예 23 7.5 288 비교예 3 6.4 245
실시예 24 8.9 358 비교예 4 4.7 183
실시예 25 9.4 380
상기 표 2에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 발광소자는 발광효율 및 발광수명이 우수한 것을 알 수 있다.
보다 구체적으로, 표 2를 참조하여 본 발명에 따른 화학식 1로 나타내는 화합물을 제1 유기층에 포함하는 발광소자는 발광효율이 6.5 내지 9.6 lm/W이고, 발광수명은 269 내지 389시간인 것으로 나타났다.
반면, 제1 유기층을 포함하지 않는 발광소자(비교예 1)의 경우, 발광효율은 4.2 lm/W이고, 발광수명은 135시간으로, 본 발명에 따른 발광소자와 대비하여 발광효율 및 수명이 현저히 낮은 것으로 확인되었다. 또한, 제1 유기층을 포함하더라도 화학식 1로 나타내는 화합물을 포함하지 않는 발광소자(비교예 2)의 경우에도, 발광효율 및 발광수명은 각각 6.5 lm/W, 251시간으로, 발광효율 및 발광수명이 낮은 것을 알 수 있다.
특히, 인돌의 3번 위치에 페닐기와 같은 아릴기가 치환되지 않거나, 치환되더라도 5번 위치에 트리아릴아민기와 같은 아민기가 도입되는 구조를 갖는 화합물을 제1 유기층에 포함하는 발광소자(비교예 3 및 4)의 경우, 화학식 1과 유사한 구조의 화합물을 제1 유기층에 포함함에도 불구하고, 발광효율은 각각 6.4 및 4.7 lm/W이고, 발광수명 또한 245 및 183시간으로 발광효율 및 발광수명이 낮은 것으로 나타났다.
즉, 본 발명에 따른 화학식 1로 나타내는 화합물을 제1 유기층에 구비한 발광소자는 제1 유기층을 포함하지 않은 발광소자(비교예 1)와 대비하여 발광효율이 약 1.55 내지 2.29배 증대되고, 발광수명이 약 1.99 내지 2.88배 향상된 것을 알 수 있다. 또한, 상기 발광소자는 제1 유기층을 구비하더라도 본 발명에 따른 화학식 1과 다른 구조의 화합물을 포함하는 발광소자(비교예 2)와 대비하여 발광효율이 최대 약 1.48배까지 증대되고, 발광수명이 약 1.07 내지 1.55배 향상되는 것을 알 수 있다.
나아가, 상기 발광소자는 실시예 1에서 제조된 화학식 1의 화합물을 제1 유기층에 포함하는 발광소자(실시예 16)의 경우, 이와 유사한 구조를 갖는 화학식 19의 화합물 또는 화학식 20의 화합물을 제1 유기층에 포함하는 발광소자(비교예 3 및 비교예 4)의 소자와 대비하여 발광효율은 각각 1.50배 및 2.04배 향상되었다. 이와 더불어, 발광수명은 각각 1.59배 및 2.13배 증가하였다.
이러한 결과로부터, 본 발명에 따른 발광소자는 인돌릴기의 1번, 2번, 3번, 및 5번 위치에 아릴기를 도입함과 동시에 링커를 통하여 인돌릴기의 질소원자에 아릴기 또는 헤테로아릴기를 도입한 화학식 1로 나타내는 화합물로 제1 전극과 발광층 사이에 위치하는 제1 유기층을 형성함으로써 제1 유기층을 포함하지 않거나, 포함하더라도 화학식 1의 화합물을 포함하지 않는 발광소자와 대비하여 발광효율 및 발광수명을 현저히 향상시키는 효과가 있는 것을 알 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 발광소자는 발광소자의 발광효율 및 수명을 향상시키는 효과가 우수하므로, 고휘도/고신뢰성이 요구되는 고전류/고출력 분야의 전자장치에 유용하게 사용될 수 있다.

Claims (32)

  1. 하기 화학식 1로 나타내는 화합물:
    <화학식 1>
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000157
    상기 화학식 1에 있어서,
    Ar1은 플루오레닐기, 디벤조실롤일기 또는 탄소수 1 내지 4를 갖는 알킬기, Si(R1)3, 시아노기, 할로겐기, 탄소수 1 내지 6을 갖는 할로알킬기, 탄소수 1 내지 6을 갖는 알콕시기, 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기 및 탄소수 2 내지 20을 갖는 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 치환되거나 비치환된 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기 또는 탄소수 2 내지 20을 갖는 헤테로아릴기이고,
    상기 플루오레닐기 또는 디벤조실롤일기는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 4를 갖는 알킬기, 및 탄소수 6 내지 10을 갖는 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되며,
    R1은 서로 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 4를 갖는 알킬기이고;
    L1은 단일결합 또는 탄소수 6 내지 20을 갖는 아릴렌기이며;
    L2 및 L3은 서로 독립적으로 단일결합, 또는 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기로 치환되거나 비치환된 탄소수 6 내지 20을 갖는 아릴렌기이고;
    Ar2 및 Ar3은 서로 독립적으로 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기로 치환되거나 비치환된 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기이며, 상기 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기의 치환기인 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기는 탄소수 6 내지 20을 갖는 아릴기로 치환되거나 또는 비치환되고;
    Y는 수소 또는 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기로 치환되거나 비치환된 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기이다.
  2. 제1항에 있어서,
    L1은 페닐렌기 또는 나프틸렌기이고,
    L2 및 L3은 서로 독립적으로 단일결합, 또는 페닐기로 치환되거나 비치환된 페닐렌기이며,
    Ar2 및 Ar3은 서로 독립적으로 페닐기, 나프틸기 또는 페난트릴기이고, 여기서, 페닐기는 페닐기, 바이페닐기, 나프틸기, 또는 페난트릴기로 치환되거나 비치환되며,
    Y는 수소, 페닐기 또는 바이페닐기인 화합물.
  3. 제2항에 있어서,
    Ar1은 페닐기, 나프틸기 또는 페난트릴기인 화합물.
  4. 제3항에 있어서,
    하기 a-1 내지 a-66의 화학식 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 화합물:
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000158
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000159
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000160
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000161
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000162
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000163
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000164
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000165
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000166
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000167
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000168
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000169
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000170
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000171
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000172
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000173
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000174
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000175
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000176
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000177
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000178
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000179
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000180
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000181
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000182
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000183
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000184
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000185
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000186
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000187
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000188
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000189
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000190
    .
  5. 제2항에 있어서,
    Ar1은 디벤조퓨라닐기 또는 디벤조티오페닐기인 화합물.
  6. 제5항에 있어서,
    하기 b-1 내지 b-48의 화학식 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 화합물:
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000191
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000192
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000193
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000194
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000195
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000196
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000197
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000198
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000199
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000200
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000201
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000202
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000203
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000204
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000205
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000206
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000207
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000208
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000209
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000210
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000211
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000212
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000213
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000214
    .
  7. 제2항에 있어서,
    Ar1은 트리메틸실릴기; 시아노기; 트리플루오로메틸기; 플루오로기; 또는 메톡시기로 치환된 페닐기인 화합물.
  8. 제7항에 있어서,
    하기 c-1 내지 c-20의 화학식 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 화합물:
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000215
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000216
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000217
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000218
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000219
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000220
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000221
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000222
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000223
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000224
    .
  9. 제1항에 있어서,
    Ar1은 하기 화학식 2의 구조이고,
    L1은 단일결합 또는 페닐렌기이며,
    L2 및 L3은 서로 독립적으로 단일결합; 또는 페닐기로 치환되거나 비치환된 페닐렌기이고,
    Ar2 및 Ar3은 서로 독립적으로 페닐기, 나프틸기 또는 페난트릴기이며, 여기서, 페닐기는 페닐기, 바이페닐기, 나프틸기, 또는 페난트릴기로 치환되거나 비치환되고,
    Y는 수소, 페닐기 또는 바이페닐기인 화합물:
    <화학식 2>
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000225
    상기 화학식 2에서,
    Ar4는 탄소수 1 내지 4를 갖는 알킬기, Si(R2)3, 시아노기, 할로겐기, 탄소수 1 내지 6을 갖는 할로알킬기, 탄소수 1 내지 6을 갖는 알콕시기 및 탄소수 6 내지 20을 갖는 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 치환되거나 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기 또는 탄소수 2 내지 20을 갖는 헤테로아릴기이고,
    여기서, R2는 탄소수 1 내지 4를 갖는 알킬기이다.
  10. 제9항에 있어서,
    Ar4는 트리메틸실릴기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 플루오로기 및 메톡시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환된 페닐기, 바이페닐기, 나프틸기 또는 페난트릴기인 화합물.
  11. 제10항에 있어서,
    하기 d-1 내지 d-37의 화학식 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 화합물:
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000226
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000227
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000228
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000229
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000230
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000231
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000232
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000233
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000234
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000235
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000236
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000237
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000238
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000239
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000240
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000241
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000242
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000243
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000244
    .
  12. 제9항에 있어서,
    Ar4는 디벤조퓨라닐기 또는 디벤조티오페닐기인 화합물.
  13. 제12항에 있어서,
    하기 e-1 내지 e-16의 화학식 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 화합물:
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000245
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000246
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000247
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000248
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000249
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000250
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000251
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000252
    .
  14. 제1항에 있어서,
    Ar1은 하기 화학식 3의 구조이고,
    L1은 단일결합이며,
    L2 및 L3은 서로 독립적으로 단일결합, 또는 페닐기로 치환되거나 비치환된 페닐렌기이며,
    Ar2 및 Ar3은 서로 독립적으로 페닐기, 나프틸기 또는 페난트릴기이고, 여기서 페닐기는 페닐기, 바이페닐기, 나프틸기, 또는 페난트릴기로 치환되거나 비치환되고,
    Y는 수소, 페닐기 또는 바이페닐기인 화합물:
    <화학식 3>
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000253
    상기 화학식 3에서,
    R3은 탄소원자 또는 규소원자이며;
    R4는 수소, 탄소수 1 내지 4를 갖는 알킬기 또는 탄소수 6 내지 10을 갖는 아릴기이고;
    Ar5는 수소 또는 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기이다.
  15. 제14항에 있어서,
    R3은 탄소원자이고,
    Ar5는 수소 또는 페닐기인 화합물.
  16. 제15항에 있어서,
    하기 f-1 내지 f-31의 화학식 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 화합물:
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000254
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000255
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000256
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000257
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000258
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000259
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000260
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000261
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000262
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000263
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000264
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000265
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000266
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000267
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000268
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000269
    .
  17. 제14항에 있어서,
    R3은 규소원자이고,
    Ar5는 수소, 페닐기 또는 바이페닐기인 화합물.
  18. 제17항에 있어서,
    하기 g-1 내지 g-31의 화학식 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 화합물:
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000270
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000271
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000272
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000273
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000274
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000276
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000277
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000278
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000279
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000280
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000281
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000282
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000283
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000284
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000285
    .
  19. 제1 전극;
    상기 제1전극 상에 마련된 유기층;
    상기 유기층 상에 마련된 발광층;
    상기 발광층 상에 마련된 전자수송성층; 및
    상기 전자수송성층 상에 마련된 제2전극을 포함하고,
    상기 유기층은 하기 화학식 1로 나타내는 화합물을 포함하는 발광 소자:
    <화학식 1>
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000286
    상기 화학식 1에 있어서, Ar1, Ar2, Ar3, L1, L2, L3 및 Y는 제1항에서 정의한 바와 같다.
  20. 제19항에 있어서,
    전자수송성층은 하기 화학식 5로 나타내는 화합물을 포함하는 발광소자:
    <화학식 5>
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000287
    상기 화학식 5에 있어서,
    Z1 내지 Z3은 서로 독립적으로 수소, 할로겐기, 시아노기, 탄소수 1 내지 20을 갖는 알킬기, 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기, 탄소수 2 내지 20을 갖는 헤테로아릴기, 탄소수 1 내지 20을 갖는 알콕시기 또는 탄소수 6 내지 20을 갖는 디아릴포스핀옥사이드기이고,
    상기 Z1 내지 Z3이 서로 독립적으로 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기, 탄소수 2 내지 20을 갖는 헤테로아릴기, 또는 탄소수 6 내지 20을 갖는 디아릴포스핀옥사이드기인 경우 상기 아릴기, 헤테로아릴기 및 디아릴포스핀옥사이드기는 탄소수 1 내지 6을 갖는 알킬기, 탄소수 6 내지 20을 갖는 아릴기 및 탄소수 6 내지 20을 갖는 디아릴포스핀옥사이드기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고,
    p 및 q는 서로 독립적으로 1 내지 3의 정수이다.
  21. 제20항에 있어서,
    화학식 5로 나타내는 화합물은, 하기 화학식 5a로 나타내는 화합물인 것을 특징으로 하는 발광소자:
    <화학식 5a>
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000288
    상기 화학식 5a에서,
    Ar6은 수소, 비치환된 페닐기, 바이페닐기, 나프틸기, 페난트릴기, 피레닐기, 피리딜기, 이미다졸릴기, 벤조티에닐기, 벤조옥사졸릴기 또는 디아릴포스핀옥사이드기이고,
    Z2 및 Z3은 서로 독립적으로 수소, 페닐기, 바이페닐기, 나프틸기 또는 페난트릴기이며,
    p 및 q는 서로 독립적으로 1 내지 3이다.
  22. 제21항에 있어서,
    화학식 5a로 나타내는 화합물은 하기 화학식 5a-1 내지 화학식 5a-7의 구조로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 발광소자:
    <화학식 5a-1>
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000289
    <화학식 5a-2>
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000290
    <화학식 5a-3>
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000291
    <화학식 5a-4>
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000292
    <화학식 5a-5>
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000293
    <화학식 5a-6>
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000294
    <화학식 5a-7>
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000295
    .
  23. 제19항에 있어서,
    유기층은,
    제1 전극과 발광층 사이에 형성되는 제2 유기층; 및
    제2 유기층과 발광층 사이에 형성되는 제1 유기층을 포함하고,
    제1 유기층이 화학식 1로 나타내는 화합물을 포함하는 발광소자.
  24. 제19항에 있어서,
    유기층은,
    제1 전극과 발광층 사이에 형성되는 제3 유기층;
    제3 유기층과 발광층 사이에 형성되는 제2 유기층; 및
    제2 유기층과 발광층 사이에 형성되는 제1 유기층을 포함하고,
    제1 유기층은 화학식 1로 나타내는 화합물을 포함하고,
    제2 유기층 및 제3 유기층 중 어느 하나 이상은 하기 화학식 6으로 나타내는 화합물을 포함하는 발광소자:
    <화학식 6>
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000296
    상기 화학식 6에 있어서,
    R5 및 R7은 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 4를 갖는 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기이고,
    R6은 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기 또는 탄소수 2 내지 20을 갖는 헤테로아릴기이며,
    상기 R6이 상기 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기 또는 탄소수 2 내지 20을 갖는 헤테로아릴기인 경우 상기 아릴기 및 헤테로아릴기는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 6을 갖는 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 20을 갖는 아릴기로 치환 또는 비치환된다.
  25. 제24항에 있어서,
    R5는 탄소수 1 내지 6을 갖는 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 20을 갖는 아릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 바이페닐기; 나프틸기; 또는 페난트릴기이고,
    R7은 메틸기, 에틸기 또는 페닐기인 것을 특징으로 하는 발광소자.
  26. 제24항에 있어서,
    화학식 6으로 나타내는 화합물은 하기 화학식 6a로 나타내는 화합물인 것을 특징으로 하는 발광소자:
    <화학식 6a>
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000297
    .
  27. 제23항에 있어서,
    유기층은, 제1 유기층을 제외한 나머지 유기층 중 어느 한 층이 하기 화학식 7 내지 화학식 11로 나타내는 화합물 중 어느 하나 이상을 더 포함하는 발광소자:
    <화학식 7>
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000298
    <화학식 8>
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000299
    <화학식 9>
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000300
    <화학식 10>
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000301
    <화학식 11>
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000302
    상기 화학식 10 및 화학식 11에 있어서,
    R8은 시아노기, 설폰기, 설폭사이드기, 설폰아미드기, 설포네이트기, 니트로기 또는 트리플루오로메틸기이고,
    s 및 t는 서로 독립적으로 1 내지 5의 정수이며;
    X1 및 X2는 서로 독립적으로 탄소수 6 내지 30을 갖는 아릴기 또는 탄소수 2 내지 20을 갖는 헤테로아릴기이고,
    상기 아릴기 및 헤테로아릴기는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 5를 갖는 알킬기, 탄소수 1 내지 5를 갖는 알콕시기, 탄소수 1 내지 5를 갖는 할로알콕시기, 히드록시기 및 할로겐기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 치환되거나 비치환된다.
  28. 제27항에 있어서,
    화학식 11로 나타내는 화합물은 하기 화학식 11a 또는 화학식 11b로 나타내는 화합물인 것을 특징으로 하는 발광소자:
    <화학식 11a>
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000303
    <화학식 11b>
    Figure PCTKR2016009216-appb-I000304
    .
  29. 제19항에 있어서,
    유기층의 평균 두께는, 5 Å 내지 2,000 Å인 발광소자.
  30. 제23항에 있어서,
    제1 유기층, 제2 유기층 및 제3 유기층은 서로 독립적으로 5 Å 내지 1,000 Å의 평균 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  31. 제19항에 따른 발광소자를 포함하는 전자장치.
  32. 제31항에 있어서,
    전자장치는 디스플레이 장치 또는 조명 장치인 것을 특징으로 하는 전자장치.
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