WO2017029197A1 - Trägersubstrat für ein optoelektronisches halbleiterbauteil - Google Patents

Trägersubstrat für ein optoelektronisches halbleiterbauteil Download PDF

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WO2017029197A1
WO2017029197A1 PCT/EP2016/069171 EP2016069171W WO2017029197A1 WO 2017029197 A1 WO2017029197 A1 WO 2017029197A1 EP 2016069171 W EP2016069171 W EP 2016069171W WO 2017029197 A1 WO2017029197 A1 WO 2017029197A1
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injection
housing
injection molding
lead frame
frame
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PCT/EP2016/069171
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Stephan EICHER
Martin Brandl
Markus Boss
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
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    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
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Definitions

  • the invention relates to a method for producing a
  • Carrier substrate for an optoelectronic semiconductor device The invention further relates to a carrier substrate for an optoelectronic semiconductor component.
  • the invention meets ⁇ be further optoelectronic lighting device.
  • the object underlying the invention is to provide is to se ⁇ hen an efficient concept for efficiently producing a carrier substrate for an optoelectronic semiconductor component.
  • the object underlying the invention can also be seen to provide an improved carrier substrate for a optoelekt ⁇ ronisches semiconductor device and an improved optoelekt ⁇ tronic lighting device.
  • a method for producing a carrier substrate for an optoelectronic semiconductor device comprising the following steps:
  • a carrier substrate for an opto ⁇ electronic semiconductor device comprising:
  • a lead frame having a first electrically conductive contact portion and a second electrically conductive contact portion
  • a housing comprising a housing frame in which the leadframe is embedded
  • the housing is formed as a injection molded from an injection molded material housing, wherein the injection molding material is free of epoxy.
  • Lighting device comprising:
  • an optoelectronic semiconductor component which is arranged on the one of the first and the second electrical contact section, wherein an electrical connection between the optoelectronic semiconductor terbauteil and the other of the first and second electrical contact portion is formed.
  • the invention thus includes, in particular and among other things, the idea of injection-molding a housing for a leadframe, wherein an injection-molded material used for injection molding is free of an epoxide.
  • This technical advantage is achieved in particular that the lead frame for must be freed In ⁇ play after injection molding no longer consuming residues of epoxy, so that the injection molded Gezza ⁇ se can not leak. Negative influences so it be avoided ⁇ ground of Epoxidrestealisms vide to the tightness of the housing. Because usually an epoxy ⁇ clean-up process can cause a gemoldetes housing is leaking.
  • an injection molding process does not require an expensive mold film, as described above in the introduction to the description in connection with the "Foil Assisted Molding". As a result, in particular costs can be saved.
  • injection molding materials that are significantly cheaper than epoxy can be used for injection molding.
  • costs can be saved compared to Foil Assisted Molding.
  • an injection molding process can be carried out in comparison to "Foil Assisted Molding" with significantly lower production tolerances.
  • tolerance zones To compensate for manufacturing tolerances usually so-called tolerance zones must be provided as part of the "Foil Assisted Molding".
  • These additional tolerance zones result in a larger component, ie a larger enclosure, so that a ratio between a semiconductor device surface, and a total ⁇ surface of the carrier substrate (housing surface and conductor ⁇ frame surface) is unfavorable. That is, with respect to the semiconductor device surface, a relatively large Carrier substrate surface is formed.
  • erfindungsge ⁇ Switzerlandss such tolerance zones are not necessary in an injection molding process, the ratio described above can be improved.
  • si ⁇ be cherhog means of the injection molding process that a possible initial reflectivity metal refining of the lead frame is maintained.
  • Rz Ra, average roughness of the surface
  • the lead frame has one or more injection openings in which is inserted ⁇ injected during the injection molding material.
  • an injection mold can ef ⁇ efficiently filled with injection molding material.
  • An injection breakthrough refers to a recess which runs from an upper side of the leadframe to an underside of the leadframe which is opposite to the upper side.
  • the leadframe is subdivided into a plurality of subconductor frames each having a first electrically conductive contact section and a second electrically conductive contact section, so that the housing frame is formed by means of injection molding with a plurality of subframe frames each embedding the plurality of subframe frames.
  • the technical advantage in particular, is achieved that a plurality of optoelectronic components can be electrically contacted electrically on the leadframe. Because due to the provision of the sub-frame each having a first and a second electrically conductive contact portion, optoelectronic semiconductor devices can be arranged in each case on one of the two contact portions of a respective sub-frame.
  • a leadframe structure comprising a plurality of subconductor frames
  • a number of injection breakthroughs can be efficiently increased.
  • a length of flow ⁇ can be efficiently reduced because of the injection molding material.
  • complete filling of an injection mold tool can be carried out efficiently.
  • the housing frame is gebil ⁇ det with a cavity by means of injection molding, wherein in a bottom region of the cavity of the first and the second contact portion are arranged.
  • an injection of the injection-molding material comprises a vacuum injection.
  • an injection mold can be filled efficiently completely efficiently. This in particular even if no or only relatively few injection openings in the lead frame vorgese ⁇ hen are.
  • the injection-molded material is injected for a maximum of 1 s.
  • the technical advantage is achieved that an injection mold can be filled efficiently completely efficiently. This is especially true if no or only relatively few injection openings in the lead frame are provided.
  • the injection-molded material is injected for a maximum of 0.5 s, preferably for a maximum of 0.1 s.
  • a closing force of an injection molding tool, in which the lead frame is arranged is increased during injection of the injection-molding material.
  • Injection molding material comprises a thermoplastic and / or a silicone.
  • Thermoplastics are inexpensive to manufacture and herebygüns ⁇ tig to process. Thus, the advantage can be brought that costs can be saved. In particular, due to the use of a thermoplastic, the injection molding process can be carried out efficiently.
  • the injection molding material comprises a silicone
  • the technical advantage is caused that the housing is particularly resistant to aging.
  • the silicone may be, for example, a liquid silicone.
  • thermoplastic may be, for example, polyethylene terephthalate (PET).
  • PET polyethylene terephthalate
  • PCT polycyclohexylenedimethylene terephthalate
  • thermoplastic may include both PET and PCT.
  • Embodiments of the carrier substrate are analogous to corresponding embodiments of the method and vice versa. This means that technical functionalities for the carrier substrate result from corresponding technical functionalities for the method and vice versa.
  • the carrier substrate for an optoelectronic semiconductor device is manufactured with ⁇ means of the method for producing a carrier substrate for an optoelectronic semiconductor device res ⁇ pektive is.
  • the optoelectronic semiconducting ⁇ terbauteil is a semiconductor chip.
  • the optoelectronic semiconducting ⁇ terbauteil is an LED (light emitting diode: LED), also called light emitting diode.
  • the light-emitting diode ⁇ is an organic or an inorganic light emitting diode.
  • the light-emitting diode is designed, for example, as a light-emitting diode chip.
  • the lead frame has one or more injection openings, which are filled by means of injection molding material.
  • the leadframe is subdivided into a plurality of subconductor frames each having a first electrically conductive contact section and a second electrically conductive contact section, wherein the housing frame comprises a plurality of subframe frames each embedding the plurality of subframe frames.
  • the housing frame comprises a cavity, wherein in a bottom region of the cavity, the first and the second contact portion are arranged ⁇ .
  • the injection-molding material comprises a thermoplastic and / or a silicone.
  • An injection includes, for example, one or more of the following steps of: opening an injection mold, a ⁇ bring the lead frame in the open Spritzgusstechnik- stuff, closing the injection mold, introduction or a ⁇ splash of injection molded material, lapse of a predetermined period of time until the molding material sufficiently he ⁇ stares or is cured to remove the lead frame comprising the injection-molded housing again from the injection mold, opening the injection mold, Ent ⁇ take the lead frame comprising the injection-molded hous ⁇ se.
  • the leadframe may be referred to as a leadframe.
  • the first electrically conductive contact portion may be referred to as a lead frame portion.
  • the second electrically conductive contact portion may be referred to, for example, as a second lead frame portion.
  • the lead frame includes, for example, copper or is formed of copper.
  • the first and the second contact portion are electrically insulated from each other or are. This pour in particular after an injection ⁇ .
  • first and the second contact portion are physically separated from each other or be. This pour in particular after an injection ⁇ .
  • FIG. 1 shows a flowchart of a method for producing a carrier substrate for an optoelectronic semiconductor component
  • 3 to 6 each show a step in a method for producing a carrier substrate for an optoelectronic semiconductor component
  • FIG. 7 shows a lead frame
  • 8 shows a further lead frame
  • FIG. 9 shows a carrier substrate
  • FIG. 10 shows a sectional view of the carrier substrate of FIG. 11, an optoelectronic lighting device, and FIG. 12 shows a further optoelectronic lighting device.
  • FIG. 1 shows a flow chart of a method for the manufacture of a carrier substrate for an optoelectronic semiconductor component.
  • the method comprises the following steps:
  • Injection molding 103 of a casing frame embedding the lead frame by means of an injection-molded material free of epoxy so that the lead frame embedded in the housing frame of the injection-molded housing forms a support substrate for an optoelectronic semiconductor device.
  • Fig. 2 shows a support substrate 201 in an oblique top view ⁇ from above.
  • the carrier substrate 201 includes a lead frame 203.
  • the lead frame 203 may be referred to as a leadframe.
  • the lead frame 203 includes, for example, copper.
  • the lead frame 203 includes a plurality of sub-lead frames 205 each formed identically.
  • Subconductor frames 205 each include a first electrically conductive contact portion 207 and a second electrically conductive contact portion 209.
  • the lead frame 203 includes a central beam portion 211 that extends along an axis of symmetry of the lead frame 203. Left and right of the beam portion 211 relative to its longitudinal axis go from two transverse struts 213. Due to the central beam portion 211 and the four transverse struts 213, the lead frame 203 is geometrically subdivided into six regions, which are formed here by means of the subguide frames 205. This means that the first and two ⁇ th electrically conductive contact portions 207, 209 of the sub-frame 205 are connected to the beam portion 211 and with the transverse struts 213. For this connection, the contact portions 207, 209 comprise connection portions 215.
  • the contact portions 207, 209, the Bal ⁇ kenabites 211 and the cross braces 213 are integrally formed as a ge ⁇ common component.
  • the individual contact portions 207, 209 are still electrically connected to each other, so are short-circuited. Therefore, in another embodiment, not shown, it is provided that the connecting portions 215 are removed so that the first electrically conductive contact portions 207 and the second electrically conductive contact portions 209 are electrically insulated from each other and physically separated from each other.
  • connection portions 215 may be etched away.
  • the beam section 211 has three injection openings 217. Injection apertures 217 injected injection molding material during an injection molding process. As a result, in particular, the technical advantage can be achieved that an efficient filling of an injection mold can be ⁇ acts. In an embodiment not shown, more or less than three injection openings 217 may be provided.
  • the carrier substrate 201 comprises an injection-molded housing
  • the housing 219 includes a housing frame 221 that embeds the lead frame 203.
  • the housing frame 221 includes a plurality of housing sub-frames 223 each embedding one of the sub-guide frames 205.
  • the housing 219 is thus formed by means of an injection molding process.
  • an injection molding of the Lei ⁇ terrahmen 203 is inserted into an injection mold and closing ⁇ an injection molding material is injected.
  • the injection-molded material is free of an epoxide.
  • Injection molding thus forms the housing 219 with a Ge ⁇ housing frame 221, which includes a plurality of housing sub-frame 223.
  • the first and second contact portions 207, 209 further comprise anchoring portions 225, which are used to anchor the
  • FIG. 3 shows a step component in a method for producing a carrier substrate for an optoelectronic semiconductor ⁇ .
  • the injection molding ⁇ imaging 301 includes a lower platen 303 and an upper mold 305.
  • the lower mold portion 303 includes an upwardly open Ka This cavity 307 is closed in the closed state of the injection mold 301 by means of the upper mold part 305.
  • the lead frame 203 is inserted into the cavity 307.
  • the lower mold part 303 and the upper mold part 305 each include ⁇ wells one or more heaters 309.
  • the heating elements 309 can in an advantageous manner, the bottom mold part 303 res- pektive the upper mold 305 to warm.
  • the heating elements 309 may include ceramic heating elements.
  • the heating elements may be designed as inductive 309 Bankele ⁇ ments. This means that the heating elements 309 can be activated by means of an inductive excitation.
  • the heating elements 309 may comprise one or more coils. By inducing a voltage in these coils then flows an electric current in the coil, so that then heating of the coil due to ohmic losses of the current flowing in the coils electric current can be effected.
  • the heating elements are already 309 fourth acti ⁇ when the injection mold 301 is in state of ⁇ fenen.
  • the heating elements 309 already in the open state heat the mold bottom 303 and the mold top 305.
  • the lower mold part 303 and the upper mold part 305 each include ⁇ wells plurality of cooling passages 311.
  • the cooling passages 311 are exclusively formed such that a coolant or refrigerant can flow through them. This means that a refrigerant or refrigerant fluid can flow through the cooling channels 311.
  • a refrigerant is, for example, a refrigerant.
  • adeflüs ⁇ stechnik or a cooling gas can be passed through the cooling channels 311th
  • Shaped bottom parts 303 and 305 of the upper mold are effected.
  • activating the cooling channels 311 means that coolant flows through the channels 311.
  • the cooling channels 311 are thus activated, so cool.
  • deactivating the cooling channels 311 means that a flow of refrigerant or coolant is stopped or that the refrigerant is removed from the cooling channels 311 again.
  • a cooling function of the cooling channels is fourth deakti ⁇ .
  • the cooling channels 311 are thus deactivated, so no longer cool.
  • the bottom mold part 303 and the shape ⁇ shell are heated by the heating elements 305, 309 to a temperature that is greater than a temperature of the still injected molding material.
  • the heating elements 305, 309 are provided by an off ⁇ guide shape that the bottom mold part 303 and the upper mold be heated 305 by means of the heating elements 309 to a Tempe ⁇ temperature greater than a glass transition temperature of the injected molding material, which is for example a thermoplastic.
  • FIG. 4 shows a further step in a method for producing a carrier substrate for an optoelectronic semiconductor component.
  • This step according to FIG. 4 lies temporally after the step according to FIG. 3.
  • the injection mold 301 has now been closed.
  • the heating elements 309 remain activated.
  • the cooling channels 311 remain deactivated. It then takes place injection of an injection molding material, which is not shown here for clarity.
  • the injection-molded material is free of an epoxide.
  • ⁇ In may, acting at the injection molding material to a Ther ⁇ Moplast or a silicone, in particular a liquid silicone.
  • the thermoplastic may be PET, PET / PCT or PCT.
  • the injection of the injection molding material takes for example about 0.1 s, a maximum of 0.5 s.
  • Injection includes, for example, vacuum injection.
  • a closing force of the injection mold 301 has a predetermined value at a beginning of the injection to ⁇ , wherein the clamping force is increased ⁇ out from the predetermined value during injection.
  • FIG. 5 shows a further step in a method for producing a carrier substrate for an optoelectronic semiconductor component.
  • the step according to FIG. 5 lies temporally after the step according to FIG. 4.
  • the cooling channels 311 are acti ⁇ fourth.
  • water or a supercritical gas, for example CO 2 is passed as a refrigerant through the cooling passages 311.
  • the cooling channels 311 may act as an expansion volume for the refrigerant.
  • FIG. 6 shows a further step in a method for producing a carrier substrate for an optoelectronic semiconductor component.
  • the step according to FIG. 6 lies temporally after the step according to FIG. 5.
  • the cooling channels 311 are deactivated and the heating elements 309 are activated.
  • the injection molding tool 301 is opened so that the lead frame 203 including the injection molded housing 219 can then be removed from the injection molding tool 301.
  • leadframe 201 can be inserted into the cavity 207 and injection molding starts again from the front.
  • Fig. 7 shows a ladder frame 601 in a schematic view from above.
  • the lead frame 601 has a width 603 and a length 605.
  • the width 603 may be 100 mm.
  • the length 605 may be 300 mm.
  • the lead frame 601 thus has a certain area or size.
  • the lead frame 601 includes a first electrically conductive contact portion and a second electrically conductive contact portion, which are not here Darge ⁇ represents the sake of clarity.
  • the diagram shown in Fig. 7 is intended to be a schematic representation of single ⁇ Lich.
  • the lead frame 601 may be formed like a sub lead frame 205 shown in FIG. 2, for example.
  • a leadframe 701 according to FIG. 8 is used instead of the leadframe 601.
  • the leadframe 701 of FIG. 8 comprises four sub-lead frames 703, the four sub-lead frames 703 being analogous to one another via a beam portion 211 and two transverse struts 213 the lead frame 203 of FIG. 2 are interconnected.
  • the subconductor frames 703 may, for example, be formed analogously to the subconductor frames 205 according to FIG. 2. Again, the contact sections for clarity are not shown.
  • the lead frame 701 is dimensioned such that it has a same size or same area as the conductor ⁇ frame 601 of FIG. 7. As is in the lead frame 701 of FIG. 8 is provided that it is formed of four sub leadframe 703rd This an injected molding material can be shortened, so that ⁇ an injection molding process can be carried out efficiently in an advantageous way flow paths.
  • the lead frame 701 comprises analog to the lead frame 203 of FIG.
  • the lead frame 701 can be inserted, for example in the injection molding tool 301 then to a housing umfas ⁇ send a housing frame having a plurality of housing subframe injection mold.
  • FIG. 9 shows a carrier substrate 801.
  • the support substrate 801 includes the lead frame 701 of FIG. 8.
  • the support substrate 801 further includes an injection-molded housing 219.
  • the housing 219 includes a housing frame 221 that embeds the lead frame 701.
  • the housing frame 221 includes four housing subframes 223 each embedding the subconductor frames 703.
  • FIG. 10 shows a lateral sectional view of the Trä ⁇ gersubstrats 801 of FIG. 9 taken along the dashed line AA.
  • the housing subframe 223 comprises a housing frame section 903, which projects beyond an upper side 905 of a subconductor frame 703.
  • a cavity 901 is formed in whose bottom area the first and the second electrically conductive sections are located.
  • This housing frame section 903 acts as a dam, in particular as an adhesive insulation. That is to say that if an optoelectronic semiconductor ⁇ component is adhered to the top surface 905, an applied adhesive on the top 905 can not flow down from the top of the 905th As a result, an efficient adhesive process can be advantageously carried out.
  • FIG 11 shows an optoelectronic lighting device 1001.
  • the optoelectronic light-emitting device 1001 comprises the carrier ⁇ substrate 201.
  • the optoelectronic light emitting device 1001 comprises an optoelectronic semiconductor device 1003, which is formed as a semiconductor chip.
  • the semiconductor chip 1003 is designed such that an electrical PLEASE CONTACT ⁇ tion must be effected by means of its top 1007th
  • the semiconductor chip 1003 is arranged with its lower side 1009, which is opposite to the upper side 1007, on the upper side 1011 of the electrical contact sections 209, 207. For electrical contacting of the contact portions 207, 209 with the top 1007 of the semiconductor chip 1003 bonding wires 1005 are provided.
  • the underside of the electrically conductive contact portions 207, 209 is provided with the reference numeral 1013.
  • This underside 1013 is the upper side 1011 opposite arranged ⁇ .
  • the optoelectronic light-emitting device 1001 has the same ratio of lead frame relative to injection-molded material on the upper side 1011 and on the lower side 1013.
  • Fig. 12 shows a further optoelectronic Leuchtvorrich ⁇ tung 1,101th
  • the optoelectronic light-emitting device 1101 comprises the carrier substrate 201 and an optoelectronic semiconductor component 1103, which is formed as a semiconductor chip.
  • Semi ⁇ conductor component 1103 is soldbil ⁇ det as a so-called flip chip. This means that an electrical contact must be made from the underside 1009 of the semiconductor device 1103.
  • the flip chip 1103 is thus arranged with its lower side 1009 on the upper side 1011 of the electrically conductive contact sections 207, 209.
  • an equal ratio of leadframe to injection-molded material is provided both on the upper side 1011 and on the underside 1013.
  • the invention therefore includes, in particular and among other things, the idea of generating so-called QFN maps based on an injection molding process.
  • QFN stands for "quad flat no leads”.
  • a component height of these QFN maps (“maps” can be translated into German, for example, with "Flächenverguss.”
  • a QFN map is thus a ceremoninvergossener leadframe or mecanicnvergossener leadframe.)
  • Such a package may also be referred to as a flatmold package. It is inventively provided to use age-resistant ther ⁇ moplastics such as PET, PET / PCT or PCT.
  • aging-resistant liquid silicone is used in a so-called LSR process.
  • LSR stands for "liquid silicone rubber” and refers to liquid silicones. These liquid silicones can be processed with special attachments in an injection molding process, where - for highly filled silicones, extrusions are normally processed.
  • Thermoplastics such as PET or PCT are currently at a price level that is about 90% to 80% cheaper than that of white epoxy-based compound, ie an epoxy material.
  • the housing can be manufactured inexpensively.
  • Remote can be a minimal footprint by avoiding
  • Flash tolerance zones are generated, which are necessary in the so-called Foil Assist Molding, but not in the injection molding.
  • the footprint is the outside dimension of the LED on the solder side.
  • Deflashing processes be ⁇ characterized in foiled Assisted Molding cleaning of epoxide from the surface of the package, so the injection molded housing comprising a lead frame.
  • an output reflectivity of a metal finishing of the leadframe can be advantageously obtained.
  • a good tightness of the package can be obtained against ⁇ over potting, molding, and / or soldering materials are obtained.
  • the use of an injection molding process thus advantageously results in the possibility of minimizing the footprint of the package, in particular of the LED package, or the possibility of using a larger semiconductor component while maintaining a predetermined footprint.
  • thermoplastic flexible tool concept can be provided using a vacuum injection method and / or dynamic tool clamping force control.
  • the injection molding tool in one embodiment, includes separate, active heating or cooling circuits which allow very rapid heating (via Tg of the polymer) or cooling of the tool. This advantageously serves to maintain the necessary viscosity during the injection process or for fast and reliable demolding of the workpiece.
  • the shortest possible injection time is provided (-0.1 s). This will play as achieved for example by a vacuum process and / or by a dynamic ⁇ mold clamping force Rege ⁇ lung. Both processes ensure a stable injection molding process with a relatively high injection pressure (avoiding overspraying).
  • CTE 2coefficient of thermal expansion2 is the specific istdehnungsko ⁇ efficiently for a material
  • Another advantage is that the use of a coating metal can be minimized at the points that would be coated on a larger panel, but would have to be used in their function as relaxation structures, and thus would not be part of a package.
  • the design approach presented here particularly includes a balanced ratio of plastic / metal on the top and bottom of the embedded leadframe.
  • the designs shown also optimize the size ratio between the chip and the leadframe.

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Trägersubstrats für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil, umfassend die folgenden Schritte: - Bereitstellen (101) eines Leiterrahmens, der einen ersten elektrisch leitenden Kontaktabschnitt und einen zweiten elektrisch leitenden Kontaktabschnitt aufweist, und - Spritzgießen (103) eines einen den Leiterrahmen einbettenden Gehäuserahmen aufweisendes Gehäuses mittels eines Spritzgusswerkstoffs, der frei von Epoxid ist, so dass der in dem Gehäuserahmen des spritzgegossenen Gehäuses eingebettete Leiterrahmen ein Trägersubstrat für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil bildet. Die Erfindung betrifft ferner ein Trägersubstrat für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil. Die Erfindung betrifft ferner eine optoelektronische Leuchtvorrichtung.

Description

TRÄGERSUBSTRAT FÜR EIN OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL BESCHREIBUNG Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines
Trägersubstrats für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein Trägersubstrat für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil. Die Erfindung be¬ trifft des Weiteren eine optoelektronische Leuchtvorrichtung.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2015 113 438.1, deren Offenbarungsge¬ halt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Üblicherweise werden optoelektronische Halbleiterbauteile auf einen Leiterrahmen zwecks elektrischer Kontaktierung angeordnet. Der Leiterrahmen kann zum Beispiel mit einem Epoxid vergossen sein. Dieses Vergießen kann zum Beispiel ein Fließpressen umfassen.
Diese Art des Vergießens ist unter der Formulierung "Foil As¬ sist Molding" bekannt. Diese Formulierung kann ins Deutsche zum Beispiel mit "folienassistiertes Vergießen" übersetzt werden .
Solche Vergießprozesse benötigen also eine sogenannte "Mold- folie", eine sogenannte "Vergussfolie". Solche Folien sind teuer . Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe ist darin zu se¬ hen, ein effizientes Konzept zum effizienten Herstellen eines Trägersubstrats für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil bereitzustellen. Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe ist ferner darin zu sehen, ein verbessertes Trägersubstrat für ein optoelekt¬ ronisches Halbleiterbauteil sowie eine verbesserte optoelekt¬ ronische Leuchtvorrichtung bereitzustellen. Diese Aufgaben werden mittels des jeweiligen Gegenstands der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand von jeweils abhängigen Unteran- Sprüchen.
Nach einem Aspekt wird ein Verfahren zum Herstellen eines Trägersubstrats für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil bereitgestellt, umfassend die folgenden Schritte:
- Bereitstellen eines Leiterrahmens, der einen ersten
elektrisch leitenden Kontaktabschnitt und einen zweiten elektrisch leitenden Kontaktabschnitt aufweist, und
- Spritzgießen eines einen den Leiterrahmen einbettenden Gehäuserahmen aufweisendes Gehäuses mittels eines
Spritzgusswerkstoffs, der frei von Epoxid ist, so dass der in dem Gehäuserahmen des spritzgegossenen Gehäuses eingebettete Leiterrahmen ein Trägersubstrat für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil bildet. Nach noch einem Aspekt wird ein Trägersubstrat für ein opto¬ elektronisches Halbleiterbauteil bereitgestellt, umfassend:
- einen Leiterrahmen, der einen ersten elektrisch leitenden Kontaktabschnitt und einen zweiten elektrisch leitenden Kontaktabschnitt aufweist,
- ein Gehäuse umfassend einen Gehäuserahmen, in welchem der Leiterrahmen eingebettet ist,
- wobei das Gehäuse als ein aus einem Spritzgusswerkstoff spritzgegossenes Gehäuse ausgebildet ist, wobei der Spritzgusswerkstoff frei von Epoxid ist.
Gemäß einem weiteren Aspekt wird eine optoelektronische
Leuchtvorrichtung bereitgestellt, umfassend:
- das Trägersubstrat und
- ein optoelektronisches Halbleiterbauteil, das auf dem einen des ersten und des zweiten elektrischen Kontaktabschnitts angeordnet ist, wobei eine elektrische Verbindung zwischen dem optoelektronischen Halblei- terbauteil und dem anderen des ersten und des zweiten elektrischen Kontaktabschnitts gebildet ist.
Die Erfindung umfasst also insbesondere und unter anderem den Gedanken, ein Gehäuse für einen Leiterrahmen spritzzugießen, wobei ein für den Spritzguss verwendeter Spritzgusswerkstoff frei von einem Epoxid ist. Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass der Leiterrahmen zum Bei¬ spiel nach dem Spritzgießen nicht mehr aufwändig von Epoxid- resten befreit werden muss, sodass das spritzgegossene Gehäu¬ se dicht bleiben kann. Es werden also negative Einflüsse auf¬ grund von Epoxidrestereinigungsverfahren auf die Dichtigkeit des Gehäuses vermieden. Denn üblicherweise kann ein Epoxid¬ restereinigungsverfahren dazu führen, dass ein gemoldetes Ge- häuse undicht wird.
Darüber hinaus benötigt ein Spritzgussprozess keine teure Moldfolie, wie sie vorstehend in der Beschreibungseinleitung im Zusammenhang mit dem "Foil Assisted Molding" beschrieben wurde. Dadurch können also insbesondere Kosten eingespart werden .
Darüber hinaus können für das Spritzgießen Spritzgusswerkstoffe verwendet werden, die deutlich günstiger sind als Epo- xid. Somit können im Vergleich zum "Foil Assisted Molding" Kosten eingespart werden.
Darüber hinaus kann ein Spritzgussprozess im Vergleich zum "Foil Assisted Molding" mit deutlich geringeren Fertigungsto- leranzen durchgeführt werden. Zum Kompensieren von Fertigungstoleranzen müssen in der Regel sogenannte Toleranzzonen im Rahmen des "Foil Assisted Molding" vorgesehen werden. Diese zusätzlichen Toleranzzonen führen zu einem größeren Bauteil, also zu einem größeren Gehäuse, sodass ein Verhältnis zwischen einer Halbleiterbauteiloberfläche und einer Gesamt¬ oberfläche des Trägersubstrats (Gehäuseoberfläche und Leiter¬ rahmenoberfläche) ungünstig wird. Das heißt, dass bezogen auf die Halbleiterbauteiloberfläche eine verhältnismäßig große Trägersubstratoberfläche gebildet ist. Da aber erfindungsge¬ mäß solche Toleranzzonen in einem Spritzgussprozess nicht notwendig sind, kann das vorstehend beschriebene Verhältnis verbessert werden.
Darüber hinaus kann mittels des Spritzgussprozesses auch si¬ chergestellt werden, dass eine Ausgangsreflektivität einer eventuellen Metallveredelung des Leiterrahmens erhalten bleibt. In einem "Foil Assisted Molding"-Prozess kann es häu- fig zu einer Erhöhung des Rz (= Ra; gemittelte Rauheit der Oberfläche) einer Metalloberfläche des Leiterrahmens kommen.
Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Leiterrahmen einen oder mehrere Einspritzdurchbrüche aufweist, in denen während des Spritzgießens Spritzgusswerkstoff einge¬ spritzt wird.
Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass der Spritzgusswerkstoff effizient eingespritzt werden kann. Somit kann zum Beispiel ein Spritzgussformwerkzeug ef¬ fizient mit Spritzgusswerkstoff gefüllt werden.
Ein Einspritzdurchbruch bezeichnet eine Aussparung, die von einer Oberseite des Leiterrahmens zu einer der Oberseite ge- genüberliegenden Unterseite des Leiterrahmens verläuft.
Nach einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Leiterrahmen in mehrere Unterleiterrahmen unterteilt ist, die jeweils einen ersten elektrischen leitenden Kontaktabschnitt und einen zweiten elektrisch leitenden Kontaktabschnitt aufweisen, so dass mittels des Spritzgießens der Gehäuserahmen mit mehreren jeweils die mehreren Unterleiterrahmen einbettende Untergehäuserahmen gebildet wird. Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass mehrere optoelektronische Bauteile an dem Leiterrahmen effizient elektrisch kontaktiert werden können. Denn aufgrund des Vorsehens der Unterleiterrahmen jeweils aufweisend einen ersten und einen zweiten elektrisch leitenden Kontaktabschnitt können optoelektronische Halbleiterbauteile jeweils auf einen der beiden Kontaktabschnitte eines jeweiligen Unterleiterrahmens angeordnet werden. Weiterhin kann durch das Vorsehen einer solchen Leiterrahmenstruktur umfassend mehrere Unterleiterrahmen eine Anzahl an Einspritzdurchbrüchen effizient erhöht werden. Insbesondere kann eine Länge von Flie߬ wegen des Spritzgusswerkstoffs effizient verringert werden. Dadurch kann ein vollständiges Befüllen eines Spritzgussform- Werkzeuges effizient durchgeführt werden.
In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass mittels des Spritzgießens der Gehäuserahmen mit einer Kavität gebil¬ det wird, wobei in einem Bodenbereich der Kavität der erste und der zweite Kontaktabschnitt angeordnet sind.
Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass der Abschnitt des Gehäuserahmens, der den ersten und den zweiten Kontaktabschnitt überragt, als ein Vergussdamm für ein Vergussmaterial wirken kann, das verwendet wird, um das optoelektronische Halbleiterbauteil zu konservieren. Ein sol¬ cher Vergussdamm verhindert in vorteilhafter Weise ein Wegfließen von Vergussmaterial im Rahmen des Vergussprozesses. In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass ein Einspritzen des Spritzgusswerkstoffs ein Vakuumeinspritzen umfasst .
Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass ein Spritzgussformwerkzeug effizient vollständig befüllt werden kann. Dies insbesondere auch dann, wenn keine oder nur relativ wenige Einspritzdurchbrüche im Leiterrahmen vorgese¬ hen sind. In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Spritzgusswerkstoff für maximal 1 s eingespritzt wird. Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass ein Spritzgussformwerkzeug effizient vollständig befüllt werden kann. Dies insbesondere auch dann, wenn keine oder nur relativ wenige Einspritzdurchbrüche im Leiterrahmen vorgese- hen sind.
Nach einer Ausführungsform wird der Spritzgusswerkstoff für maximal 0,5 s, vorzugsweise für maximal 0,1 s, eingespritzt. In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass vor einem Einspritzen des Spritzgusswerkstoffs der Leiterrahmen und/oder ein Spritzgussformwerkzeug, in welchem der Leiterrahmen angeordnet ist, auf eine Temperatur erwärmt wird res¬ pektive werden, die größer ist als eine Temperatur des einge- spritzten Spritzgusswerkstoffs.
Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass der eingespritzte Spritzgusswerkstoff nicht sofort bei Kontakt mit dem Spritzgussformwerkzeug respektive dem Leiter- rahmen erstarrt und nicht mehr weiterfließt. Dadurch kann in vorteilhafter Weise eine effiziente Befüllung oder ein effizientes Einspritzen gewährleistet werden.
In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass eine Schließkraft eines Spritzgussformwerkzeugs, in welchem der Leiterrahmen angeordnet ist, während eines Einspritzens des Spritzgusswerkstoffs erhöht wird.
Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass sich ein eingespritzter Spritzgusswerkstoff effizient im Spritzgussformwerkzeug verteilt. Insbesondere wird dadurch der technische Vorteil bewirkt, dass dadurch ein stabiler Spritzgussprozess realisiert werden kann. In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass der
Spritzgusswerkstoff ein Thermoplast und/oder ein Silikon um- fasst . ^
Thermoplasten sind kostengünstig herzustellen und kostengüns¬ tig zu verarbeiten. Dadurch kann also der Vorteil bewirkt werden, dass Kosten eingespart werden können. Insbesondere kann aufgrund der Verwendung eines Thermoplasts der Spritz- gussprozess effizient durchgeführt werden.
Insbesondere wenn der Spritzgusswerkstoff ein Silikon um- fasst, wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass das Gehäuse besonders alterungsbeständig ist. Das Silikon kann zum Beispiel ein Flüssigsilikon sein.
Ein Thermoplast kann zum Beispiel Polyethylenterephthalat (PET) sein. Ein Thermoplast kann zum Beispiel Polycyclohexylendimethylen- terephthalat (PCT) sein.
Ein Thermoplast kann zum Beispiel sowohl PET als auch PCT umfassen .
Ausführungsformen des Trägersubstrats ergeben sich analog aus entsprechenden Ausführungsformen des Verfahrens und umgekehrt. Das heißt also, dass sich technische Funktionalitäten für das Trägersubstrat aus entsprechenden technischen Funktionalitäten für das Verfahren und umgekehrt ergeben.
Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass das Trägersubstrat für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil mit¬ tels des Verfahrens zum Herstellen eines Trägersubstrats für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil hergestellt ist res¬ pektive wird.
Nach einer Ausführungsform ist das optoelektronische Halblei¬ terbauteil ein Halbleiterchip.
Nach einer Ausführungsform ist das optoelektronische Halblei¬ terbauteil eine Leuchtdiode (light emitting diode: LED), auch lichtemittierende Diode genannt. Insbesondere ist die Leucht¬ diode eine organische oder eine anorganische Leuchtdiode.
Die Leuchtdiode ist zum Beispiel als ein Leuchtdiodenchip ausgebildet.
Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Leiterrahmen einen oder mehrere Einspritzdurchbrüche aufweist, die mittels Spritzgusswerkstoffs aufgefüllt sind.
Nach noch einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Leiterrahmen in mehrere Unterleiterrahmen unterteilt ist, die jeweils einen ersten elektrischen leitenden Kontaktabschnitt und einen zweiten elektrisch leitenden Kontaktabschnitt auf- weisen, wobei der Gehäuserahmen mehrere jeweils die mehreren Unterleiterrahmen einbettende Untergehäuserahmen umfasst.
In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Gehäuserahmen eine Kavität umfasst, wobei in einem Bodenbereich der Kavität der erste und der zweite Kontaktabschnitt ange¬ ordnet sind.
In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Spritzgusswerkstoff ein Thermoplast und/oder ein Silikon um- fasst.
Ein Spritzgießen umfasst zum Beispiel einen oder mehrere der folgenden Schritte: Öffnen eines Spritzgusswerkzeugs, Ein¬ bringen des Leiterrahmens in das geöffnete Spritzgusswerk- zeug, Schließen des Spritzgusswerkzeugs, Einbringen oder Ein¬ spritzen von Spritzgusswerkstoff, Vergehen einer vorbestimmten Zeitdauer, bis der Spritzgusswerkstoff ausreichend er¬ starrt oder ausgehärtet ist, um den Leiterrahmen umfassend das spritzgegossene Gehäuse wieder aus dem Spritzgussform- Werkzeug zu entnehmen, Öffnen des Spritzgusswerkzeugs, Ent¬ nehmen des Leiterrahmens umfassend das spritzgegossene Gehäu¬ se . Der Leiterrahmen kann zum Beispiel als ein Leadframe bezeichnet werden. Der erste elektrisch leitende Kontaktabschnitt kann zum Beispiel als ein Leiterrahmenabschnitt bezeichnet werden. Der zweite elektrisch leitende Kontaktabschnitt kann zum Beispiel als ein zweiter Leiterrahmenabschnitt bezeichnet werden .
Der Leiterrahmen umfasst zum Beispiel Kupfer oder ist aus Kupfer gebildet.
Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der erste und der zweite Kontaktabschnitt elektrisch voneinander isoliert werden respektive sind. Dies insbesondere nach einem Spritz¬ gießen .
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der erste und der zweite Kontaktabschnitt körperlich von einander getrennt sind respektive werden. Dies insbesondere nach einem Spritz¬ gießen .
Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbei- spiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden, wobei
Fig. 1 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen eines Trägersubstrats für ein optoelektronisches Halbleiter- bauteil,
Fig. 2 ein Trägersubstrat,
Fig. 3 bis 6 jeweils einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen eines Trägersubstrats für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil ,
Fig. 7 einen Leiterrahmen, Fig. 8 einen weiteren Leiterrahmen, Fig. 9 ein Trägersubstrat,
Fig. 10 eine Schnittansicht des Trägersubstrats der Fig. Fig. 11 eine optoelektronische Leuchtvorrichtung und Fig. 12 eine weitere optoelektronische Leuchtvorrichtung zeigen .
Im Folgenden können für gleiche Merkmale gleiche Bezugszei¬ chen verwendet werden.
Fig. 1 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstel len eines Trägersubstrats für ein optoelektronisches Halblei terbauteil .
Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte:
- Bereitstellen 101 eines Leiterrahmens, der einen ersten elektrisch leitenden Kontaktabschnitt und einen zweiten elektrisch leitenden Kontaktabschnitt aufweist, und
- Spritzgießen 103 eines einen den Leiterrahmen einbettenden Gehäuserahmen aufweisendes Gehäuses mittels eines Spritzgusswerkstoffs, der frei von Epoxid ist, so dass der in dem Gehäuserahmen des spritzgegossenen Gehäuses eingebettete Leiterrahmen ein Trägersubstrat für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil bildet.
Fig. 2 zeigt ein Trägersubstrat 201 in einer schrägen Drauf¬ sicht von oben.
Das Trägersubstrat 201 umfasst einen Leiterrahmen 203. Der Leiterrahmen 203 kann als ein Leadframe bezeichnet werden. Der Leiterrahmen 203 umfasst zum Beispiel Kupfer. Der Leiterrahmen 203 umfasst mehrere Unterleiterrahmen 205, die jeweils identisch ausgebildet sind. Die Unterleiterrahmen 205 umfassen jeweils einen ersten elektrisch leitenden Kon- taktabschnitt 207 und einen zweiten elektrisch leitenden Kontaktabschnitt 209.
Der Leiterrahmen 203 umfasst einen zentralen Balkenabschnitt 211, der entlang einer Symmetrieachse des Leiterrahmens 203 verläuft. Links und rechts vom Balkenabschnitt 211 bezogen auf seine Längsachse gehen jeweils zwei Querstreben 213 ab. Aufgrund des zentralen Balkenabschnitts 211 und den vier Querstreben 213 ist der Leiterrahmen 203 geometrisch in sechs Bereiche unterteilt, die hier mittels der Unterleiterrahmen 205 gebildet sind. Das heißt also, dass die ersten und zwei¬ ten elektrisch leitenden Kontaktabschnitte 207, 209 der Unterleiterrahmen 205 mit dem Balkenabschnitt 211 respektive mit den Querstreben 213 verbunden sind. Für diese Verbindung umfassen die Kontaktabschnitte 207, 209 Verbindungsabschnitte 215.
Das heißt also, dass die Kontaktabschnitte 207, 209, der Bal¬ kenabschnitt 211 und die Querstreben 213 integral als ein ge¬ meinsames Bauteil ausgebildet sind. Somit sind also die ein- zelnen Kontaktabschnitte 207, 209 noch miteinander elektrisch verbunden, also kurzgeschlossen sind. Daher ist in einer weiteren nicht gezeigten Ausführungsform vorgesehen, dass die Verbindungsabschnitte 215 entfernt werden, sodass die ersten elektrisch leitenden Kontaktabschnitte 207 und die zweiten elektrisch leitenden Kontaktabschnitte 209 voneinander elektrisch isoliert werden und dass sie so auch körperlich voneinander getrennt werden.
Wie solche Verbindungsabschnitte 215 entfernt werden, ist dem Fachmann an sich bekannt. Zum Beispiel können solche Verbindungsabschnitte 215 weggeätzt werden. Der Balkenabschnitt 211 weist drei Einspritzdurchbrüche 217 auf. In die Einspritzdurchbrüche 217 wurde während eines Spritzgussprozesses Spritzgusswerkstoff eingespritzt. Dadurch kann insbesondere der technische Vorteil bewirkt werden, dass ein effizientes Auffüllen eines Spritzgussformwerkzeugs be¬ wirkt werden kann. In einer nicht gezeigten Ausführungsform können auch mehr oder weniger als drei Einspritzdurchbrüche 217 vorgesehen sein. Das Trägersubstrat 201 umfasst ein spritzgegossenes Gehäuse
219. Das Gehäuse 219 umfasst einen Gehäuserahmen 221, der den Leiterrahmen 203 einbettet. Der Gehäuserahmen 221 umfasst mehrere Gehäuseunterrahmen 223, die jeweils einen der Unterleiterrahmen 205 einbetten.
Das Gehäuse 219 ist also mittels eines Spritzgussprozesses gebildet. Im Rahmen eines solchen Spritzgießens wird der Lei¬ terrahmen 203 in ein Spritzgussformwerkzeug eingelegt und an¬ schließend wird ein Spritzgusswerkstoff eingespritzt. Der Spritzgusswerkstoff ist frei von einem Epoxid. Durch das
Spritzgießen bildet sich also das Gehäuse 219 mit einem Ge¬ häuserahmen 221, der mehrere Gehäuseunterrahmen 223 umfasst.
Die ersten und zweiten Kontaktabschnitte 207, 209 umfassen ferner Verankerungsabschnitte 225, die zur Verankerung der
Kontaktabschnitte 207, 209 im spritzgegossenen Gehäuserahmen 221 dienen. Dadurch wird in vorteilhafter Weise eine effiziente mechanische Stabilität des Trägersubstrats 201 erzielt. Fig. 3 zeigt einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen eines Trägersubstrats für ein optoelektronisches Halbleiter¬ bauteil .
Es ist vorgesehen, dass der Leiterrahmen 203, also noch ohne das spritzgegossene Gehäuse 219, in ein geöffnetes Spritz¬ gussformwerkzeug 301 eingelegt wird. Das Spritzgussformwerk¬ zeug 301 umfasst ein Formunterteil 303 und ein Formoberteil 305. Das Formunterteil 303 umfasst eine nach oben offene Ka- vität 307. Diese Kavität 307 wird im geschlossenen Zustand des Spritzgussformwerkzeugs 301 mittels des Formoberteils 305 verschlossen . Der Leiterrahmen 203 wird in die Kavität 307 eingelegt.
Das Formunterteil 303 und das Formoberteil 305 umfassen je¬ weils ein oder mehrere Heizelemente 309. Diese Heizelemente 309 können in vorteilhafter Weise das Formunterteil 303 res- pektive das Formoberteil 305 erwärmen. Zum Beispiel können die Heizelemente 309 keramische Heizelemente umfassen. Zum Beispiel können die Heizelemente 309 als induktive Heizele¬ mente ausgebildet sein. Das heißt also, dass mittels einer induktiven Erregung die Heizelemente 309 aktiviert werden können. Zum Beispiel können die Heizelemente 309 eine oder mehrere Spulen umfassen. Mittels Induzieren einer Spannung in diese Spulen fließt dann ein elektrischer Strom in den Spulen, so dass dann eine Erwärmung der Spulen aufgrund ohmscher Verluste des in den Spulen fließenden elektrischen Stroms be- wirkt werden kann.
Es ist vorgesehen, dass die Heizelemente 309 bereits akti¬ viert werden, wenn sich das Spritzgussformwerkzeug 301 im of¬ fenen Zustand befindet. Somit erwärmen die Heizelemente 309 bereits im offenen Zustand das Formunterteil 303 und das Formoberteil 305.
Das Formunterteil 303 und das Formoberteil 305 umfassen je¬ weils mehrere Kühlkanäle 311. Diese Kühlkanäle 311 sind aus- gebildet, dass ein Kühl- oder Kältemittel durch sie fließen kann. Das heißt also, dass ein Kältemittel oder Kältefluid durch die Kühlkanäle 311 fließen kann. Ein Kältemittel ist zum Beispiel ein Kältefluid. Zum Beispiel kann eine Kühlflüs¬ sigkeit oder ein Kühlgas durch die Kühlkanäle 311 geleitet werden. Somit kann in vorteilhafter Weise eine Kühlung des
Formunterteils 303 und des Formoberteils 305 bewirkt werden. Im Sinne dieser Beschreibung bezeichnet ein Aktivieren der Kühlkanäle 311, dass Kühlmittel durch die Kanäle 311 fließt. Die Kühlkanäle 311 sind somit aktiviert, kühlen also. Umgekehrt bedeutet ein Deaktivieren der Kühlkanäle 311, dass ein Kälte- oder Kühlmittelfluss gestoppt wird respektive dass das Kältemittel wieder aus den Kühlkanälen 311 entnommen wird. Somit wird eine Kühlfunktion der Kühlkanäle deakti¬ viert. Die Kühlkanäle 311 sind somit deaktiviert, kühlen also nicht mehr.
Es ist vorgesehen, dass im offenen Zustand des Spritzguss¬ formwerkzeugs 301, wenn der Leiterrahmen 203 in die Kavität 207 eingelegt wird und während die Heizelemente 309 aktiviert sind, die Kühlkanäle 311 deaktiviert sind. Das heißt also, dass keine Kühlung stattfindet.
Es ist vorgesehen, dass das Formunterteil 303 und das Form¬ oberteil 305 mittels der Heizelemente 309 auf eine Temperatur erwärmt werden, die größer ist als eine Temperatur des noch einzuspritzenden Spritzgusswerkstoffs. Es ist nach einer Aus¬ führungsform vorgesehen, dass das Formunterteil 303 und das Formoberteil 305 mittels der Heizelemente 309 auf eine Tempe¬ ratur erwärmt werden, die größer ist als eine Glasübergangs- temperatur des einzuspritzenden Spritzgusswerkstoffs, der zum Beispiel ein Thermoplast ist.
Dadurch, dass vorgesehen ist, das Formunterteil 303 und das Formoberteil 305 mittels der Heizelemente 309 zu erwärmen, wird auch der eingelegte Leiterrahmen 203 erwärmt.
Fig. 4 zeigt einen weiteren Schritt in einem Verfahren zum Herstellen eines Trägersubstrats für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil. Dieser Schritt gemäß Fig. 4 liegt zeitlich nach dem Schritt gemäß Fig. 3. Das Spritzgussformwerkzeug 301 ist nun geschlossen worden. Die Heizelemente 309 bleiben weiter aktiviert. Die Kühlkanäle 311 bleiben weiter deaktiviert. Es findet dann ein Einspritzen eines Spritzgusswerkstoffs statt, was hier der Übersicht halber nicht dargestellt ist. Der Spritzgusswerkstoff ist frei von einem Epoxid. Zum Bei¬ spiel kann es sich bei dem Spritzgusswerkstoff um einen Ther¬ moplast oder ein Silikon, insbesondere ein Flüssigsilikon, handeln. Zum Beispiel kann der Thermoplast PET, PET/PCT oder PCT sein.
Das Einspritzen des Spritzgusswerkstoffs dauert zum Beispiel etwa 0,1 s, maximal 0,5 s. Das Einspritzen umfasst zum Bei- spiel ein Vakuumeinspritzen. Insbesondere ist vorgesehen, dass bei einem Beginn des Einspritzens eine Schließkraft des Spritzgussformwerkzeugs 301 einen vorbestimmten Wert auf¬ weist, wobei die Schließkraft während des Einspritzens ausge¬ hend von dem vorbestimmten Wert erhöht wird.
Fig. 5 zeigt einen weiteren Schritt in einem Verfahren zum Herstellen eines Trägersubstrats für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil. Der Schritt gemäß Fig. 5 liegt zeitlich nach dem Schritt gemäß Fig. 4.
Nach einem Einspritzen des Spritzgusswerkstoffs werden die Heizelemente 309 deaktiviert. Die Kühlkanäle 311 werden akti¬ viert. Zum Beispiel wird Wasser oder ein superkritisches Gas, zum Beispiel CO2, als Kältemittel durch die Kühlkanäle 311 geleitet. Die Kühlkanäle 311 können als ein Expansionsvolumen für das Kältemittel wirken.
Es wird nun eine zeitliche Dauer abgewartet, die ausreichend ist, dass der eingespritzte Spritzgusswerkstoff ausreichend ausgehärtet ist, um den Leiterrahmen 203 umfassend das spritzgegossene Gehäuse aus der Kavität 307 zu entnehmen. , ,
16
Fig. 6 zeigt einen weiteren Schritt in einem Verfahren zum Herstellen eines Trägersubstrats für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil. Der Schritt gemäß Fig. 6 liegt zeitlich nach dem Schritt gemäß Fig. 5.
Es ist vorgesehen, dass nach einem ausreichenden Aushärten des eingespritzten Spritzgusswerkstoffs die Kühlkanäle 311 deaktiviert und die Heizelemente 309 aktiviert werden. Das Spritzgussformwerkzeug 301 wird geöffnet, sodass dann der Leiterrahmen 203 umfassend das spritzgegossene Gehäuse 219 aus dem Spritzgussformwerkzeug 301 entnommen werden kann.
Anschließend kann ein weiterer Leiterrahmen 201 in die Kavi- tät 207 eingelegt werden und das Spritzgießen beginnt wieder von vorne.
Fig. 7 zeigt einen Leiterrahmen 601 in einer schematischen Ansicht von oben. Der Leiterrahmen 601 weist eine Breite 603 und eine Länge 605 auf. Zum Beispiel kann die Breite 603 100 mm betragen. Zum Beispiel kann die Länge 605 300 mm betragen. Der Leiterrahmen 601 weist somit eine bestimmte Fläche respektive Größe auf.
Der Leiterrahmen 601 umfasst einen ersten elektrisch leitenden Kontaktabschnitt und einen zweiten elektrisch leitenden Kontaktabschnitt, die der Übersicht halber hier nicht darge¬ stellt sind. Die in Fig. 7 gezeigte Darstellung soll ledig¬ lich eine schematische Darstellung sein. Der Leiterrahmen 601 kann zum Beispiel wie ein Unterleiterrahmen 205 gemäß Fig. 2 ausgebildet sein.
Um einen Spritzgussprozess oder ein Spritzgießen effizienter durchführen zu können, ist vorgesehen, dass anstelle des Lei- terrahmens 601 ein Leiterrahmen 701 gemäß Fig. 8 verwendet wird. Der Leiterrahmen 701 der Fig. 8 umfasst vier Unterleiterrahmen 703, wobei die vier Unterleiterrahmen 703 über einen Balkenabschnitt 211 und zwei Querstreben 213 analog zu dem Leiterrahmen 203 der Fig. 2 miteinander verbunden sind. Die Unterleiterrahmen 703 können zum Beispiel analog zu den Unterleiterrahmen 205 gemäß Fig. 2 ausgebildet sein. Auch hier sind die Kontaktabschnitte der Übersicht halber nicht gezeigt.
Der Leiterrahmen 701 ist derart bemessen, dass er eine gleiche Größe oder eine gleiche Fläche aufweist wie der Leiter¬ rahmen 601 der Fig. 7. Nur ist im Leiterrahmen 701 der Fig. 8 vorgesehen, dass dieser aus vier Unterleiterrahmen 703 gebildet ist. Dadurch können in vorteilhafter Weise Fließwege eines eingespritzten Spritzgusswerkstoffs verkürzt werden, so¬ dass ein Spritzgussprozess effizient durchgeführt werden kann .
Der Leiterrahmen 701 umfasst analog zum Leiterrahmen 203 der Fig. 2 mehrere Einspritzdurchbrüche 217, die im Balkenab¬ schnitt 211 und in den Querstreben 213 gebildet sind. Der Leiterrahmen 701 kann dann zum Beispiel in das Spritzgussformwerkzeug 301 eingelegt werden, um ein Gehäuse umfas¬ send einen Gehäuserahmen, das mehrere Gehäuseunterrahmen aufweist, spritzzugießen. Fig. 9 zeigt ein Trägersubstrat 801.
Das Trägersubstrat 801 umfasst den Leiterrahmen 701 der Fig. 8. Das Trägersubstrat 801 umfasst ferner ein spritzgegossenes Gehäuse 219. Das Gehäuse 219 umfasst einen Gehäuserahmen 221, der den Leiterrahmen 701 einbettet. Der Gehäuserahmen 221 umfasst vier Gehäuseunterrahmen 223, die jeweils die Unterleiterrahmen 703 einbetten.
Während des Spritzgießens wurde ein Klebstoffdämm mittels des eingespritzten Spritzgusswerkstoffs gebildet. Dies zeigt an¬ schaulich Fig. 10, die eine seitliche Schnittansicht des Trä¬ gersubstrats 801 der Fig. 9 entlang der gestrichelten Linie A-A zeigt. Der Gehäuseunterrahmen 223 umfasst einen Gehäuserahmenab¬ schnitt 903, der eine Oberseite 905 eines Unterleiterrahmens 703 überragt. Es ist somit eine Kavität 901 gebildet, in de- ren Bodenbereich sich die ersten und die zweiten elektrisch leitenden Abschnitte befinden. Dieser Gehäuserahmenabschnitt 903 wirkt als ein Damm, insbesondere als ein Klebstoffdämm. Das heißt also, dass, wenn ein optoelektronisches Halbleiter¬ bauteil auf die Oberseite 905 geklebt wird, ein auf die Ober- seite 905 aufgebrachter Klebstoff nicht von der Oberseite 905 runterfließen kann. Dadurch kann in vorteilhafter Weise ein effizienter Klebeprozess durchgeführt werden.
Fig. 11 zeigt eine optoelektronische Leuchtvorrichtung 1001.
Die optoelektronische Leuchtvorrichtung 1001 umfasst das Trä¬ gersubstrat 201. Die optoelektronische Leuchtvorrichtung 1001 umfasst ein optoelektronisches Halbleiterbauteil 1003, das als ein Halbleiterchip ausgebildet ist. Der Halbleiterchip 1003 ist derart ausgebildet, dass eine elektrische Kontaktie¬ rung mittels seiner Oberseite 1007 bewirkt werden muss. Der Halbleiterchip 1003 ist mit seiner Unterseite 1009, die der Oberseite 1007 gegenüberliegt, auf die Oberseite 1011 der elektrischen Kontaktabschnitte 209, 207 angeordnet. Zur elektrischen Kontaktierung der Kontaktabschnitte 207, 209 mit der Oberseite 1007 des Halbleiterchips 1003 sind Bonddrähte 1005 vorgesehen.
Die Unterseite der elektrisch leitenden Kontaktabschnitte 207, 209 ist mit dem Bezugszeichen 1013 versehen. Diese Unterseite 1013 ist der Oberseite 1011 gegenüberliegend ange¬ ordnet .
Die optoelektronische Leuchtvorrichtung 1001 weist ein glei- ches Verhältnis von Leiterrahmen relativ zu Spritzgusswerkstoff auf der Oberseite 1011 und auf der Unterseite 1013 auf. Fig. 12 zeigt eine weitere optoelektronische Leuchtvorrich¬ tung 1101.
Die optoelektronische Leuchtvorrichtung 1101 umfasst das Trä- gersubstrat 201 und ein optoelektronisches Halbleiterbauteil 1103, das als ein Halbleiterchip ausgebildet ist. Das Halb¬ leiterbauteil 1103 ist als ein sogenannter Flipchip ausgebil¬ det. Das heißt also, dass eine elektrische Kontaktierung von der Unterseite 1009 des Halbleiterbauteils 1103 erfolgen muss. Der Flipchip 1103 ist also mit seiner Unterseite 1009 auf der Oberseite 1011 der elektrischen leitenden Kontaktabschnitte 207, 209 angeordnet.
Auch bei der optoelektronischen Leuchtvorrichtung 1101 ist ein gleiches Verhältnis von Leiterrahmen zu Spritzgusswerkstoff sowohl auf der Oberseite 1011 als auch auf der Unter¬ seite 1013 vorgesehen.
Die Erfindung umfasst also insbesondere und unter anderem den Gedanken, basierend auf einem Spritzgussprozess sogenannte QFN Maps zu erzeugen. Hierbei steht QFN für "quad flat no leads". Eine Bauteilhöhe dieser QFN Maps („Maps" kann ins Deutsche zum Beispiel mit „Flächenverguss" übersetzt werden. Ein QFN Map ist somit ein flächenvergossener Leadframe oder flächenvergossener Leiterrahmen.) entspricht nach einer Ausführungsform einer Höhe des eingesetzten Metallsubstrats (der Leadframe) . Ein solches Package kann auch als ein Flatmold- Package bezeichnet werden. Es ist erfindungsgemäß vorgesehen, alterungsbeständige Ther¬ moplasten wie PET, PET/PCT oder PCT einzusetzen. Erfindungsgemäß kann auch vorgesehen sein, dass in einem sogenannten LSR-Prozess alterungsbeständiges Flüssigsilikon eingesetzt wird. LSR steht für „Liquid Silicone Rubber" und bezeichnet Flüssigsilikone. Diese Flüssigsilikone können mit speziellen Aufsätzen in einem Spritzgussprozess verarbeitet werden, wo¬ bei hochgefüllte Silikone normalerweise über Fließpressen verarbeitet werden. Thermoplaste wie PET oder PCT bewegen sich zurzeit auf einem Preisniveau, das etwa 90% bis 80% günstiger ist als das von weißem Epoxidmoldcompound, also einem Epoxidwerkstoff . Somit kann das Gehäuse kostengünstig hergestellt werden.
Ferne kann ein minimaler Footprint durch Vermeidung von
Flashtoleranzzonen erzeugt werden, die beim sogenannten Foil Assist Molding notwendig sind, beim Spritzgießen jedoch nicht. Der Footprint ist die Außenabmessung der LED auf der Lötseite .
Es können also in vorteilhafter Weise Flatmold-Packages er¬ zeugt werden, ohne dass aufwändige sogenannte Deflashing- Prozesse durchgeführt werden müssen. Deflashing-Prozesse be¬ zeichnen im Foiled Assisted Molding ein Reinigen von Epoxid von der Oberfläche des Packages, also des spritzgegossenen Gehäuses umfassend einen Leiterrahmen. Dadurch kann also in vorteilhafter Weise eine Ausgangsreflektivität einer Metall- Veredelung des Leiterrahmens erhalten werden. Insbesondere kann eine gute Dichtheit des Packages erhalten werden gegen¬ über Verguss-, Mold-, und/oder Lötmaterialien erhalten werden . Durch die Verwendung eines Spritzgussprozesses ergibt sich somit in vorteilhafter Weise die Möglichkeit zur Minimierung des Footprints des Packages, insbesondere des LED-Packages , oder die Möglichkeit zum Einsatz eines größeren Halbleiterbauteils unter Einhaltung eines vorgegebenen Footprints.
Es ergibt sich somit in vorteilhafter Weise eine Kostensenkung für das verwendete Trägersubstrat, die insbesondere für sogenannte "Lowcost "-Anwendungen (Niedrigkostenanwendungen) , bei denen Materialkosten einen erhöhten Anteil an den Gesamt- kosten aufweisen, signifikant sein kann.
Es ergibt sich in vorteilhafter Weise ferner eine Qualitäts¬ verbesserung der Substratoberfläche, die einer höheren Alte- rungsbeständigkeit und/oder einer stärkeren Lichtausbeute münden kann.
Es ergibt sich ferner in vorteilhafter Weise ein vereinfach- ter Herstellungsprozessablauf mit minimierten Risiken für auftretende, herstellungstechnische Qualitätsprobleme. Dies alles durch die Verwendung eines Spritzgussprozesses, um das Gehäuse für den Leiterrahmen herzustellen oder zu bilden. Für das Spritzgussformwerkzeug kann nach einer Ausführungs¬ form ein thermovariables Werkzeugkonzept unter Nutzung von Vakuumeinspritzverfahren und/oder dynamischer Werkzeugschließkraftregelung vorgesehen sein. Das Spritzgussformwerkzeug umfasst in einer Ausführungsform- über getrennte, aktive Heiz- bzw. Kühlkreisläufe, welche ein sehr schnelles Aufheizen (über Tg des Polymers) bzw. Abkühlen des Werkzeugs ermöglichen. Dies dient in vorteilhafter Weise zur Erhaltung der nötigen Viskosität während des Einspritz- prozesses beziehungsweise zur schnellen und sicheren Entform- barkeit des Werkeugs .
Um die Kavitätenstrukturen über relativ wenige Anspritzpunkte (Einspritzdurchbrüche) vollständig füllen zu können ist auch eine möglichst kurze Einspritzzeit vorgesehen (-0,1 s) . Dies wird beispielsweise durch einen Vakuumprozess und/oder bei¬ spielsweise durch eine dynamische Werkzeugschließkraftrege¬ lung erreicht. Beide Verfahren sorgen für einen stabilen Spritzgussprozess bei relativ hohem Einspritzdruck (Vermeiden von Überspritzungen) .
Dadurch können also in vorteilhafter Weise folgende technische Wirkungen und Vorteile erzielt werden: - Vollständiges Füllen von feinsten Mikrostrukturen durch relativ wenige Anspritzpunkte bei sehr geringer Gating- höhe (Eine geringe Gatinghöhe bedeutet, dass man, be¬ dingt durch eine geringe Bauteilhöhe, nur einen niedri- gen Einspritzkanal am Bauteil zur Verfügung hat, durch den das Thermoplast in die Bauteilform eingebracht wer¬ den kann . )
Vermeiden von Polymerdegeneration
- Sicheres Entformen
Realisierung von kurzen Prozesszeiten
Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass vier Einzelpaneele (Unterleiterrahmen) zu einem großen Paneel (Leiter- rahmen) über den Spritzgussprozess verbunden werden.
Vier Einzelpaneele werden in das Werkzeug eingelegt und durch den Spritzgussprozess , über den Spritzgusswerkstoff zu einem Panel verbunden. Dies ermöglicht die Zahl der Einspritzpunkte zu erhöhen und die Länge der Fließwege deutlich zu verrin¬ gern, was ein vollständiges Befüllen der Kavitäten deutlich erleichtert .
Ebenfalls kann der Warpage (Paneelverkrümmung, also Verkrüm- mung des Leiterrahmens) reduziert werden, weil die auftreten¬ den Spannungen durch unterschiedlichen CTE (CTE= 2coefficient of thermal expansion2 ist der spezifische Wärmeausdehnungsko¬ effizient für einen Werkstoff) von Polymer und Metall bei Un¬ terbrechung der Metallstruktur verringert werden.
Durch dieses Verfahren kann auch ein von der Leadframeebene erhöhter Polymerring um das Paneel gezogen werden, der einen einfacheren, nachfolgenden Castingprozess (Klebstoffprozess ) ermöglicht .
Ein weiterer Vorteil ist, dass der Beschichtungsmetalleinsatz minimiert werden kann, und zwar an den Stellen, die bei einem größeren Panel beschichtet wären, aber in ihrer Funktion als Entspannungsstrukturen genutzt werden müssten, und somit nicht Teil eines Packages wären.
Dadurch können insbesondere folgende technische Vorteile und Wirkungen erzielt werden: Vollständiges Füllen von feinsten Mikrostrukturen durch relativ wenige Anspritzpunkte bei sehr geringer Gating- höhe
- Vermeiden von Paneelverkrümmung (Warpage)
Realisierung eines möglichst kleinen Package Designs Erzeugen von möglichst hoher Package Stabilität
Erzeugen eines Casting Rahmens (Klebstoffdämm) Der hier vorgestellte Designansatz beinhaltet insbesondere ein ausgeglichenes Verhältnis von Kunststoff/Metall auf der Ober- und Unterseite des eingebetteten Leadframes.
Dies führt zu einem ausgeglichenen Ausdehnungsverhalten zwi- sehen Leadframe Ober-und Unterseite und somit zu einer Ver¬ ringerung des Warpage.
Durch die gezeigten Designs wird ebenso eine Optimierung des Größenverhältnisses zwischen Chip und Leadframe erreicht.
Der Chip sitzt nämlich beispielsweise kavitätenmittig und es werden keine Toleranzmaße für eventuell auftretende Über- spritzungen benötigt (bei EMC (Epoxid-Mold-Compound : Epoxid- Gusswerkstoff) bis dato 30 ym umlaufend bei Fließpressen => vorteilhafte Erweiterung der Funktionsfläche beim Bonden um 30 ym umlaufend kann erzielt werden aufgrund des Spritzgie¬ ßens) .
Obwohl die Erfindung im Detail durch das bevorzugte Ausfüh- rungsbeispiel näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele einge¬ schränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen . BEZUGSZEICHENLISTE
101 Bereitstellen
103 Spritzgießen
201 Trägersubstrat
203 Leiterrahmen
205 Unterleiterrahmen
207 erster elektrisch leitender Kontaktabschnitt
209 zweiter elektrisch leitender Kontaktabschnitt
211 Balkenabschnitt
213 Querstrebe
215 Verbindungsabschnitt
217 Einspritzdurchbruch
219 Gehäuse
221 Gehäuserahmen
223 Gehäuseunterrahmen
225 Verankerungsabschnitt
301 Spritzgussformwerkzeug
303 Formunterteil
305 Formoberteil
307 Kavität
309 Heizelement
311 Kühlkanal
601 Leiterrahmen
603 Breite
605 Länge
701 Leiterrahmen
703 Unterleiterrahmen
801 Trägersubstrat
901 Kavität
903 Gehäuserahmenabschnitt
905 Oberseite eines Unterleiterrahmens 1001 optoelektronische Leuchtvorrichtung
1003 optoelektronisches Halbleiterbauteil
1005 Bonddraht
1007 Oberseite des Halbleiterbauteils 1009 Unterseite des Halbleiterbauteils
1011 Oberseite der elektrischen Kontaktab¬ schnitte
1013 Unterseite der elektrischen Kontaktab- schnitte
1101 optoelektronische Leuchtvorrichtung
1103 optoelektronisches Halbleiterbauteil

Claims

PATENTA S PRUCHE
Verfahren zum Herstellen eines Trägersubstrats (201, 801) für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (1003, 1103), umfassend die folgenden Schritte:
- Bereitstellen (101) eines Leiterrahmens (203, 601, 701), der einen ersten elektrisch leitenden Kontaktabschnitt (207) und einen zweiten elektrisch leitenden Kontaktabschnitt (209) aufweist, und
- Spritzgießen (103) eines einen den Leiterrahmen (203, 601, 701) einbettenden Gehäuserahmen (221) aufweisendes Gehäuses (219) mittels eines Spritzgusswerkstoffs, der frei von Epoxid ist, so dass der in dem Gehäuserahmen (221) des spritzgegossenen Gehäuses (219) eingebettete Leiterrahmen (203, 601, 701) ein Trägersubstrat (201) für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (1003, 1103) bildet.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Leiterrahmen (203, 601, 701) einen oder mehrere Einspritzdurchbrüche (217) aufweist, in denen während des Spritzgießens Spritzguss¬ werkstoff eingespritzt wird.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Leiterrahmen (203, 601, 701) in mehrere Unterleiterrahmen (205, 703) unterteilt ist, die jeweils einen ersten elektrischen lei¬ tenden Kontaktabschnitt (207) und einen zweiten elektrisch leitenden Kontaktabschnitt (209) aufweisen, so dass mit¬ tels des Spritzgießens der Gehäuserahmen (221) mit mehre¬ ren jeweils die mehreren Unterleiterrahmen (205, 703) einbettende Untergehäuserahmen (223) gebildet wird.
Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei mittels des Spritzgießens der Gehäuserahmen (221) mit einer Kavität (901) gebildet wird, wobei in einem Bodenbereich der Kavität (901) der erste (207) und der zweite Kontakt¬ abschnitt (209) angeordnet sind.
5. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei ein Einspritzen des Spritzgusswerkstoffs ein Vakuumeinspritzen umfasst . 6. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei der Spritzgusswerkstoff für maximal 1 s eingespritzt wird.
7. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei vor einem Einspritzen des Spritzgusswerkstoffs der Leiterrah- men (203, 601, 701) und/oder ein Spritzgussformwerkzeug
(301), in welchem der Leiterrahmen (203, 601, 701) ange¬ ordnet ist, auf eine Temperatur erwärmt wird respektive werden, die größer ist als eine Temperatur des eingespritzten Spritzgusswerkstoffs.
8. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei eine Schließkraft eines Spritzgussformwerkzeugs (301), in wel¬ chem der Leiterrahmen (203, 601, 701) angeordnet ist, wäh¬ rend eines Einspritzens des Spritzgusswerkstoffs erhöht wird.
9. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei der Spritzgusswerkstoff ein Thermoplast und/oder ein Silikon umfasst .
10. Trägersubstrat (201, 801) für ein optoelektronisches
Halbleiterbauteil (1003, 1103), umfassend:
- einen Leiterrahmen (203, 601, 701), der einen ersten
elektrisch leitenden Kontaktabschnitt (207) und einen zweiten elektrisch leitenden Kontaktabschnitt (209) auf¬ weist,
- ein Gehäuse (219) umfassend einen Gehäuserahmen (221), in welchem der Leiterrahmen (203, 601, 701) eingebettet ist,
- wobei das Gehäuse (219) als ein aus einem Spritzguss¬ werkstoff spritzgegossenes Gehäuse (219) ausgebildet ist, wobei der Spritzgusswerkstoff frei von Epoxid ist.
11. Trägersubstrat (201, 801) nach Anspruch 10, wobei der Leiterrahmen (203, 601, 701) einen oder mehrere Einspritzdurchbrüche (217) aufweist, die mittels Spritzgusswerk¬ stoffs aufgefüllt sind.
12. Trägersubstrat (201, 801) nach Anspruch 10 oder 11, wo¬ bei der Leiterrahmen (203, 601, 701) in mehrere Unter¬ leiterrahmen (205, 703) unterteilt ist, die jeweils einen ersten elektrischen leitenden Kontaktabschnitt (207) und einen zweiten elektrisch leitenden Kontaktabschnitt (209) aufweisen, wobei der Gehäuserahmen (221) mehrere jeweils die mehreren Unterleiterrahmen (205, 703) einbettende Untergehäuserahmen (223) umfasst.
13. Trägersubstrat (201, 801) nach einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei der Gehäuserahmen (221) eine Kavität (901) umfasst, wobei in einem Bodenbereich der Kavität (307, 901) der erste (207) und der zweite Kontaktabschnitt (209) angeordnet sind.
14. Trägersubstrat (201, 801) nach einem der Ansprüche 10 bis 13, wobei der Spritzgusswerkstoff ein Thermoplast und/oder ein Silikon umfasst.
15. Optoelektronische Leuchtvorrichtung (1001, 1101), umfas¬ send :
- ein Trägersubstrat (201, 801) nach einem der Ansprü¬ che 10 bis 14 und
- ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (1003,
1103), das auf dem einen des ersten (207) und des zweiten elektrischen Kontaktabschnitts (209) angeord¬ net ist, wobei eine elektrische Verbindung zwischen dem optoelektronischen Halbleiterbauteil (1003, 1103) und dem anderen des ersten (207) und des zweite elektrischen Kontaktabschnitts (209) gebildet ist.
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