WO2017014092A1 - 原子層堆積巻き取り成膜装置、原子層堆積方法 - Google Patents
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
Definitions
- Patent Documents 1 and 2 disclose techniques for continuously forming a thin film by an atomic layer deposition method.
- the first precursor is adsorbed on the surface of the substrate, the excess first precursor is purged, and the first precursor is exposed to the second precursor.
- the cycle of the atomic layer deposition step including the step of reacting the body with the second precursor and the step of purging excess second precursor is repeated a plurality of times. Thereby, a thin film with a desired film thickness can be obtained.
- the material of a nonpatent literature 1 can be used, for example.
- a layer having a thickness of about 0.01 nm to 0.2 nm, and on average, about 0.1 nm is formed.
- the desired film thickness varies depending on the application. It is generally known that aluminum oxide requires 10 nm or more in order to obtain a water vapor permeable high barrier film of 10 ⁇ 6 [g / (m 2 ⁇ day)] or less. Therefore, in order to obtain an aluminum oxide layer having a thickness of 10 nm, it is necessary to perform 100 general atomic layer deposition cycles.
- Patent Document 3 discloses a take-up atomic layer deposition apparatus using a rotating drum. In this apparatus, an atomic layer is deposited on a substrate while the substrate is positioned on a rotating drum.
- Patent Document 4 discloses a take-up atomic layer deposition apparatus using a spray manifold. In this apparatus, an atomic layer is deposited on a substrate as the substrate passes in the vicinity of the spray manifold.
- Patent Document 5 Furthermore, an apparatus described in Patent Document 5 has been proposed. In this apparatus, the portions other than the holding portions at both ends of the base material are not in contact with the base material, and a stable atomic layer volume film can be continuously processed on the rollable base material.
- the apparatus disclosed by patent document 5 is not contacting with respect to a base material except the holding part of both ends of a base material, and performs the continuous process of the stable atomic layer volume film
- this apparatus when the conveyance base material tension is increased in order to perform stable running of the base material, a wrinkle is formed in the central portion of the base material (a non-contact portion with a roller or the like) in the folded portion (end holding portion) of the base material. Buckling occurs. These generated tensions depend on the thickness of the substrate or the length in the width direction. That is, it is likely to occur on the low tension side when the substrate is thin or the width dimension is long. Due to the occurrence of buckling such as wrinkles and breakage, the gas barrier property of the substrate may be lowered.
- the said winding apparatus may be comprised so that the said base material may be wound up after peeling the said conveyance auxiliary material from the said film-forming member.
- the conveyance auxiliary material that is peelably laminated on the base material may have an adhesive force in a range of 0.001 N / 25 mm to 5 N / 25 mm on the surface laminated with the base material. Good.
- the take-up device peels off the conveyance auxiliary material, and the unwinding device again laminates the peeled conveyance auxiliary material on one surface of the base material before film formation. It may be reused as a conveyance auxiliary material.
- the winding device may be configured to wind up the film forming member.
- the guide roller and the nip roller may be independently arranged in any one of the first vacuum chamber, the second vacuum chamber, and the third vacuum chamber.
- the atomic layer deposition method according to the second aspect of the present invention is an atomic layer deposition method in which an elongated base material is conveyed and an atomic layer deposition film is continuously formed on the base material.
- the conveyance auxiliary material that is detachably laminated on the base material may have an adhesive force in the range of 0.001 N / 25 mm to 5 N / 25 mm on the surface laminated with the base material. Good.
- an atomic layer deposition film may be formed on the base material that is thinner than the transport auxiliary material before lamination.
- This transport mechanism is specifically a transport mechanism that can pinch or support both ends in the width direction of the rollable substrate.
- the surface of the rollable substrate that is coated in the film formation process can pass through each of the vacuum chambers in sequence without touching the mechanical parts arranged in the apparatus. it can. Therefore, it is possible to form a film in a stable state in which no buckling such as wrinkles or bending occurs on the base material during transportation, and an atomic layer deposition film without mechanical damage is formed.
- the winding apparatus is configured to wind up the film forming member. Thereby, an atomic layer deposition film can be stably formed on a substrate.
- an atomic layer deposition film is formed on the base material that is thinner than the transport auxiliary material before lamination.
- FIG. 1 is a perspective view showing an atomic layer deposition winding film forming apparatus according to this embodiment.
- reference numeral 100 denotes an atomic layer deposition winding film forming apparatus.
- the embodiments of the present invention are not limited to the embodiments described below, and modifications such as design changes can be added based on the knowledge of those skilled in the art. The described embodiments are also included in the scope of the embodiments of the present invention.
- the atomic layer deposition winding film forming apparatus 100 includes an unwinding roller 101, a winding roller 102, and guide rollers (holding units) 401a, 401b, 401c.
- the unwinding roller 101 unwinds a long (web) -shaped base material 105 that is installed in the unwinding chamber 103.
- the take-up roller 102 takes up the take-up base material 105 installed in the take-up chamber 104.
- the guide rollers (holding units) 401 a, 401 b, and 401 c convey the laminated and rollable base material (laminate base material) 115 between the unwinding roller 101 and the winding roller 102.
- the unwinding chamber 103 is provided with a laminate base roller 111 and a laminate roller 503.
- the laminating substrate roller 111 unwinds a carrier laminating substrate (conveying auxiliary material) 113 to be bonded to the rewoundable substrate 105 unwound from the unwinding roller 101 in the conveying direction of the substrate 105.
- the laminating roller 503 bonds the rollable base material 105 and the carrier laminating base material (conveying auxiliary material) 113 to form a laminated rollable base material (film forming member) 115.
- the guide rollers (holding portions) 401a, 401b, 401c are provided with nip rollers (holding portions) 502a, 502b, 502c that nip the base material 105 together with the guide rollers 401a, 401b, 401c. Note that the nip rollers 502a, 502b, and 502c can be appropriately removed depending on the state of conveyance of the laminated and rollable substrate 115.
- the atomic layer deposition winding film forming apparatus 100 uses a nip roller type nipping / conveying mechanism (conveying mechanism) 401a, 401b, 401c, 502a, 502b, 502c to apply a third substrate 115 that can be rolled up to a third state.
- the zone 203, the first zone 201, the third zone 203, the second zone 022 and the third zone 203 are passed in this order. Thereby, one atomic layer is deposited on the substrate.
- the nip roller type nipping / conveying mechanisms (conveying mechanisms) 401a and 502a are disposed only in the first zone.
- the rollable base material 105 used in the present embodiment is selected from flexible materials such as a plastic film, a plastic sheet, a metal foil, a metal sheet, paper, and a nonwoven fabric.
- flexible materials such as a plastic film, a plastic sheet, a metal foil, a metal sheet, paper, and a nonwoven fabric.
- the thickness of the base material 105 which can be wound up is not specifically limited, the base material which has a thickness of 10 micrometers or more and 1000 micrometers or less can be used.
- the transport auxiliary material 113 used in the present embodiment is not particularly limited as long as it is a flexible base material such as a plastic film or a plastic sheet and can be bonded to the base material 105.
- the flexible base material is formed on the one surface (the surface to be bonded to the base material 105) and has an adhesive having an adhesive force that can be bonded to the base material 105. What has an adhesion layer is used.
- the conveyance assisting material 113 for example, a base material having flexibility and an adhesive force that can be bonded to the base material 105 is used.
- the adhesive force of the conveyance auxiliary material 113 to the base material 105 is preferably 0.001 N / 25 mm to 5 N / 25 mm, and 0.05 N / More preferably, it is 25 mm to 0.50 N / 25 mm.
- the adhesive strength of the conveyance auxiliary material 113 to the base material 105 is preferably 0.001 N / 25 mm to 5 N / 25 mm. More preferably, it is 005 N / 25 mm to 3 N / 25 mm.
- the rollable base material 105 unwound from the unwinding roller 101 and the carrier laminating base material (conveying auxiliary material) 113 unwound from the laminating substrate roller 111 are laminated in the unwinding chamber 103. 503 is bonded together. Thereafter, the laminated rollable substrate 115 is conveyed to the third zone 203.
- a partition plate 103 a is installed between the unwind chamber 103 where the laminating roller 503 is installed and the third zone 203.
- the partition plate 103a is provided with an opening 106 necessary for the laminated rollable substrate 115 to pass therethrough.
- the laminated base material 115 that can be wound up is conveyed from the unwind chamber 103 to the third zone 203 through the opening 106.
- the transport mechanisms 401 a, 401 b, 401 c, 502 a, 502 b, and 502 c have a predetermined tension applied to the laminated roll-up base material 115 so that the laminated roll-up base material 115 does not contact the opening 106. (Tension) is set to convey.
- an inert gas is introduced as a purge gas (see reference numeral 303, purge gas flow).
- a gas appropriately selected from nitrogen, helium, argon and the like is used.
- the laminated rollable substrate 115 is sandwiched (nip) and guided by the guide roller 401 c and the nip roller 502 c in order to hold only both ends in the width direction. Even in 203, stable conveyance is maintained.
- FIGS. 2 to 5 show configuration examples of the nip roller type nipping and conveying mechanism 501 in the atomic layer deposition winding film forming apparatus 100 of the present embodiment.
- FIG. 2 is a perspective view of the nip roller type nipping / conveying mechanism 501.
- 3 and 4 are cross-sectional views of the nip roller type nipping and conveying mechanism.
- FIG. 5 is a plan view of the nip roller type nipping and conveying mechanism 501.
- the nip roller type nipping and conveying mechanism 501 applies tension to the laminated base material 115 that can be wound. That is, the laminate base material 115 is pulled along the transport direction. Thereby, the slack of the laminate base material 115 is corrected, or the meandering is corrected.
- a greater effect can be obtained.
- the material of the guide roller 401 and the nip roller 502 is a material that can hold both ends in the width direction of the laminate base material 115 and can be conveyed while maintaining an appropriate frictional force necessary for the conveyance with the laminate base material 115. If it is, it will not be specifically limited.
- the conveyance speed of the laminate base material 115 in the first zone 201 is calculated from the saturation adsorption time and the passage distance so that the time for the laminate base material 115 to pass through the first zone 201 is longer than the saturation adsorption time.
- the saturated adsorption time is a time until the amount of the first precursor adsorbed on the film forming surface of the laminate base 115 is saturated.
- the tension during the conveyance of the laminate base material 115 is appropriately set so that the laminate base material 115 does not come into contact with the openings 106, 107a, and 107b.
- the material constituting the second precursor is appropriately selected according to the target deposition material.
- the target deposition material is aluminum oxide, water, ozone, and atomic oxygen are used.
- the material shown by the nonpatent literature 1 can be used, for example.
- the rotation axis of the nip roller 502 is varied so that the rotation axis direction of the nip roller 502 is inclined with respect to the rotation axis direction of the guide roller 401.
- the rotation axis of the guide roller 401 is varied so that the rotation axis direction of the nip roller 502 is inclined with respect to the rotation axis direction of the guide roller 401.
- the rotation axis direction of one of the nip rollers 502 arranged to face each other is inclined with respect to the rotation axis direction of the other roller.
- the rotation axis directions of both the nip rollers 502 arranged so as to face each other are inclined with respect to the rotation axis direction of the guide roller 401.
- FIG. 6 and 7 are diagrams showing the configuration of the guide rail when the atomic layer deposition winding film forming apparatus 100 is used.
- FIG. 6 is a perspective view showing a position close to the opening when a guide rail is used.
- FIG. 7 is a sectional view of the guide rail.
- the carrier laminate substrate 113 on the back side is peeled off. Therefore, it is possible to manufacture a base material in which atomic layer deposition is performed only on one side and no atomic layer is deposited on the back side.
- Example 1 A polyester film having a thickness of 25 ⁇ m was used as the substrate 105 that can be wound using the atomic layer deposition winding film forming apparatus 100 shown in FIG. In addition, a polyester film having a thickness of 75 ⁇ m was used as the carrier laminate substrate 113.
- the laminated rollable base material 115 was conveyed to the third zone 203 and conveyed to the first zone 201 via the guide roller 401c and the nip roller 502c of the third zone 203.
- the conveyance was performed in a state in which the conveyance tension of the laminated and rollable base material 115 when entering the first zone 201 was set to 50 N / width.
- the polyester film saturated with trimethylaluminum on both sides was conveyed again to the third zone 203.
- Nitrogen gas was introduced into the third zone 203 as an inert gas.
- the gas flow rate 303 was adjusted so that the pressure in the third zone 203 was approximately 50.5 Pa. While traveling through the third zone 203, excess trimethylaluminum was purged. After sufficient purging, the sheet was conveyed to the second zone 202 by the guide roller 401c and the nip roller 502c in the third zone 203.
- Nitrogen gas used as the carrier gas and ion-exchanged water used as the second precursor were introduced into the second zone 202.
- the flow rate 302 of the gas supplied to the second zone 202 and the exhaust (decompression) amount 304b by the dry pump were adjusted so that the pressure in the second zone 22 was approximately 50 Pa. While moving in the second zone 202 by the guide roller 401b and the nip roller 502b, trimethylaluminum on both sides of the polyester film reacted with ion-exchanged water, and one atomic layer was deposited on the substrate.
- the conveyance speed of the polyester film was determined by the required purge time in the third zone 203.
- the temperatures of the first zone 201, the second zone 202, and the third zone 203 were all maintained at 90 ° C.
- the atomic layer deposition winding film forming apparatus 100 shown in FIG. 1 there is shown an apparatus in which three cycles of atomic layer deposition are performed by one transport.
- an apparatus capable of 100 cycles was prepared, and 100 cycles of atomic layer deposition were performed.
- the thickness of the aluminum oxide film formed on the polyester film was 10 nm. Neither buckling nor rubbing with the opening 107 was confirmed on the laminated and rollable substrate 115 being conveyed. Moreover, as a result of observing the damage of the surface using an electron microscope, the damage of the surface of the aluminum oxide film was not recognized. Further, the water vapor permeability of the aluminum oxide film was measured.
- the polyester film as the rollable substrate 105 was attached to the position of the unwinding roller 101. Then, it was transported to the third zone 203 and transported to the first zone 201 through the guide roller 401c and the nip roller 502c of the third zone 203. The conveyance was performed in a state where the conveyance tension of the rollable base material 105 was set to 50 N / width.
- first zone 201 nitrogen gas used as a carrier gas and trimethylaluminum used as a first precursor were introduced.
- the flow rate 301 of the gas supplied to the first zone 201 and the exhaust (decompression) amount 304a by the dry pump were adjusted so that the pressure in the first zone 201 was approximately 50 Pa.
- saturated adsorption of trimethylaluminum was performed on both surfaces of the polyester film.
- the polyester film saturated with trimethylaluminum on both sides was conveyed again to the third zone 203.
- Nitrogen gas was introduced into the third zone 203 as an inert gas.
- the gas flow rate 303 was adjusted so that the pressure in the third zone 203 was approximately 50.5 Pa. While traveling through the third zone 203, excess trimethylaluminum was purged. After sufficient purging, the sheet was conveyed to the second zone 202 by the guide roller 401c and the nip roller 502c in the third zone 203.
- the atomic layer deposition winding film forming apparatus 100 shown in FIG. 1 there is shown an apparatus in which three cycles of atomic layer deposition are performed by one transport.
- an apparatus capable of 100 cycles was prepared, and 100 cycles of atomic layer deposition were performed.
- the polyester film as the rollable substrate 105 was attached to the position of the unwinding roller 101. Then, it was transported to the third zone 203 and transported to the first zone 201 through the guide roller 401c and the nip roller 502c of the third zone 203. The conveyance was performed in a state where the conveyance tension of the rollable base material 105 was set to 10 N / width.
- the conveyance speed of the polyester film was determined by the required purge time in the third zone 203.
- the temperatures of the first zone 201, the second zone 202, and the third zone 203 were all maintained at 90 ° C.
- the atomic layer deposition winding film forming apparatus 100 shown in FIG. 1 there is shown an apparatus in which three cycles of atomic layer deposition are performed by one transport.
- an apparatus capable of 100 cycles was prepared, and 100 cycles of atomic layer deposition were performed.
- Example 1 The water vapor permeability measurement of the aluminum oxide films in Example 1 and Comparative Examples 1 and 2 was performed by the following method.
- the water vapor permeability was measured by the MOCON method (same pressure method).
- the measuring instrument used was measured at 40 ° C. and 90% Rh by MOCON AQUATRAN model 1 (an ultra-sensitive water vapor permeability measuring device AQUATRAN manufactured by MOCON).
- Table 1 shows the water vapor permeability of the aluminum oxide films in Example 1, Comparative Example 1, and Comparative Example 2, and the occurrence of scratches.
- Example 1 where the bonding was performed, there was no scratch and the water vapor permeability was low.
- Example 2 A polyester film having a thickness of 25 ⁇ m was used as the substrate 105 by using the atomic layer deposition winding film forming apparatus 100 shown in FIG. Further, as the conveyance auxiliary material 113, a polyester film with an adhesive having a thickness of 50 ⁇ m and an adhesive force of 0.2 N / 25 mm with respect to polyethylene terephthalate (PET) was used. In addition, the conveyance auxiliary material 113 is a conveyance auxiliary material that has already been peeled off and wound after being bonded to another base material twice.
- PET polyethylene terephthalate
- first zone 201 nitrogen gas used as a carrier gas and trimethylaluminum used as a first precursor were introduced.
- the displacement of the first zone 201 and the flow rate of the first precursor were adjusted so that the pressure in the first zone 201 was approximately 50 Pa.
- Saturated adsorption of trimethylaluminum was performed on both sides of the polyester film while moving in the first zone 201 by the guide roller 401a and the nip roller 502a.
- the polyester film saturated with trimethylaluminum on both sides was conveyed again to the third zone 203.
- Nitrogen gas was introduced into the third zone 203 as an inert gas.
- the flow rate of the inert gas in the third zone 203 was adjusted so that the pressure in the third zone 203 was approximately 50.5 Pa. While traveling through the third zone 203, excess trimethylaluminum was purged. After sufficient purging, the polyester film was conveyed to the second zone 202 by the guide roller 401 c and the nip roller 502 c in the third zone 203.
- the thickness of the aluminum oxide film formed on the polyester film was 10 nm. Neither buckling nor rubbing with the opening 107 was confirmed on the laminated and rollable substrate 115 being conveyed. Further, the water vapor permeability of the formed aluminum oxide film was measured.
- a polyester film having a thickness of 25 ⁇ m was used as the substrate 105 by using the atomic layer deposition winding film forming apparatus 100 shown in FIG. Further, as the conveyance auxiliary material 113, a polyester film with an adhesive having a thickness of 38 ⁇ m and an adhesive force of 0.5 N / 25 mm with respect to polyethylene terephthalate (PET) was used. In addition, the conveyance auxiliary material 113 is a conveyance auxiliary material that has already been peeled off and wound after being bonded to another base material twice.
- PET polyethylene terephthalate
- first zone 201 nitrogen gas used as a carrier gas and trimethylaluminum used as a first precursor were introduced.
- the displacement of the first zone 201 and the flow rate of the first precursor were adjusted so that the pressure in the first zone 201 was approximately 50 Pa.
- Saturated adsorption of trimethylaluminum was performed on both sides of the polyester film while moving in the first zone 201 by the guide roller 401a and the nip roller 502a.
- the conveyance speed of the polyester film was determined by the required purge time in the third zone 203.
- the temperatures of the first zone 201, the second zone 202, and the third zone 203 were all maintained at 90 ° C.
- the polyester film as the base material 105 attached to the position of the unwinding roll 101 was conveyed to the third zone 203 and conveyed to the first zone 201 through the guide roller 401c and the nip roller 502c of the third zone 203. It conveyed in the state which set the conveyance tension of the base material 105 at the time of approaching to the 1st zone 201 as 50 N / width.
- the polyester film saturated with trimethylaluminum on both sides was conveyed again to the third zone 203.
- Nitrogen gas was introduced into the third zone 203 as an inert gas.
- the gas flow rate in the third zone 203 was adjusted so that the pressure in the third zone 203 was approximately 50.5 Pa. While traveling through the third zone 203, excess trimethylaluminum was purged. After sufficient purging, the polyester film was conveyed to the second zone 202 by the guide roller 401 c and the nip roller 502 c in the third zone 203.
- the polyester film saturated with trimethylaluminum on both sides was conveyed again to the third zone 203.
- Nitrogen gas was introduced into the third zone 203 as an inert gas.
- the gas flow rate in the third zone 203 was adjusted so that the pressure in the third zone 203 was approximately 50.5 Pa. While traveling through the third zone 203, excess trimethylaluminum was purged. After sufficient purging, the polyester film was conveyed to the second zone 202 by the guide roller 401 c and the nip roller 502 c in the third zone 203.
- the thickness of the aluminum oxide film formed on the polyester film was 10 nm. Although buckling was confirmed in the base material 105 during conveyance, rubbing with the opening 107 was not confirmed. Further, the water vapor permeability of the aluminum oxide film was measured.
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Abstract
原子層堆積巻き取り成膜装置は、基材と搬送補助材とをそれぞれ巻き出し、前記基材の一方の面に前記搬送補助材が剥離可能に積層された被成膜部材を形成し、前記被成膜部材を送り出すように構成される巻き出し装置と、第一前駆体ガスが導入される第一真空気室と、第二前駆体ガスが導入される第二真空気室と、前記第一真空気室と前記第二真空気室との間に設けられ、パージガスが導入される第三真空気室と、前記被成膜部材の幅方向両端部を保持する保持部を有し、前記被成膜部材を、前記第一真空気室,前記第二真空気室,および前記第三真空気室に搬送する搬送機構と、前記搬送機構から送り出された前記被成膜部材の前記基材を巻き取る巻き取り装置と、を備え、前記搬送機構により、前記被成膜部材を前記第一真空気室および前記第二真空気室を交互に複数回通過させて、前記被成膜部材における前記基材の他方の面に原子層を堆積させて原子層堆積膜を形成する。
Description
本発明は、巻き取り可能な可撓性基材の表面に、連続的に原子層を堆積させて成膜を行う原子層堆積法を用いた原子層堆積巻き取り成膜装置、原子層堆積方法に関する。
本願は、2015年7月17日に日本に出願された特願2015-143154号及び2015年12月24日に日本に出願された特願2015-252575号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
本願は、2015年7月17日に日本に出願された特願2015-143154号及び2015年12月24日に日本に出願された特願2015-252575号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
紙又はプラスチックフィルム等の長尺の巻き取り可能な基材を真空中で巻き戻し、蒸着又はスパッタ等の成膜方法により金属又は金属酸化物等を連続的に成膜する技術がある。この技術は、金銀糸に用いられる金属光沢フィルム、食品包装のガスバリアフィルム、フィルムコンデンサーの電極、反射防止等の光学フィルムの製造方法として利用されている。近年、有機半導体を利用した、可撓性基材の有機ELディスプレイ、有機EL照明、有機太陽電池の開発のために、水蒸気透過率が10-6[g/(m2・day)]というガスバリア性を有し、厚みは基板フィルムを含めて10μm程度の透明ガスバリアフィルムの商品化の要望が高まっている。
この要望に応えるべく、原子層堆積法を利用した巻き取り装置の検討がなされている。
原子層堆積法は、緻密な薄膜を形成する方法として知られている。原子層堆積法の特徴の優位性の観点から、原子層堆積法は、DRAMまたはTFTにおける絶縁膜を形成する際に使用されている。
従来、薄膜の堆積工程は、バッチ処理によって行われている。生産性を向上させるために、Siウェーハを複数枚同時処理するために開発された装置・技術が用いられている。しかしながら、その生産性には限界がある。また、これらのバッチ処理装置においては、巻き取り可能な基材に連続的に成膜をおこなうことはできない。
この問題を解決するために、特許文献1、2に示される装置が提案されている。
原子層堆積法は、緻密な薄膜を形成する方法として知られている。原子層堆積法の特徴の優位性の観点から、原子層堆積法は、DRAMまたはTFTにおける絶縁膜を形成する際に使用されている。
従来、薄膜の堆積工程は、バッチ処理によって行われている。生産性を向上させるために、Siウェーハを複数枚同時処理するために開発された装置・技術が用いられている。しかしながら、その生産性には限界がある。また、これらのバッチ処理装置においては、巻き取り可能な基材に連続的に成膜をおこなうことはできない。
この問題を解決するために、特許文献1、2に示される装置が提案されている。
特許文献1、2には、連続的に原子層堆積法で薄膜を形成する技術が示されている。
原子層を堆積する工程においては、第一前駆体を基材表面に吸着させる工程、余剰の第一前駆体をパージする工程、第一前駆体を第二前駆体に暴露させることによって第一前駆体と第二前駆体とを反応させる工程、及び余剰の第二前駆体をパージする工程を有する原子層堆積工程のサイクルが複数回繰り返される。これにより、所望の膜厚の薄膜を得ることができる。
なお、前駆体としては、例えば、非特許文献1に記載の材料が使用できる。
原子層を堆積する工程においては、第一前駆体を基材表面に吸着させる工程、余剰の第一前駆体をパージする工程、第一前駆体を第二前駆体に暴露させることによって第一前駆体と第二前駆体とを反応させる工程、及び余剰の第二前駆体をパージする工程を有する原子層堆積工程のサイクルが複数回繰り返される。これにより、所望の膜厚の薄膜を得ることができる。
なお、前駆体としては、例えば、非特許文献1に記載の材料が使用できる。
一般的に、原子層堆積の1サイクルでは、0.01nm以上0.2nm以下程度、平均的には、0.1nm程度の層が形成される。
所望の膜厚は、用途によって変わる。10-6[g/(m2・day)]以下の水蒸気透過性の高バリア性の膜を得るには、酸化アルミニウムの場合、10nm以上必要であることが一般的に知られている。
従って、膜厚が10nmの酸化アルミニウム層を得るには、一般的な原子層堆積サイクルを100サイクル行う必要がある。
所望の膜厚は、用途によって変わる。10-6[g/(m2・day)]以下の水蒸気透過性の高バリア性の膜を得るには、酸化アルミニウムの場合、10nm以上必要であることが一般的に知られている。
従って、膜厚が10nmの酸化アルミニウム層を得るには、一般的な原子層堆積サイクルを100サイクル行う必要がある。
一方、特許文献3では、回転ドラムを用いた巻き取り式原子層堆積装置が開示されている。この装置では、基材が回転ドラム上に位置する間に、原子層が基材上に堆積される。
また、特許文献4では、散布マニホールドを用いた巻き取り式原子層堆積装置が開示されている。この装置では、基材が散布マニホールドの近傍を通過する過程で原子層が基材上に堆積される。
また、特許文献4では、散布マニホールドを用いた巻き取り式原子層堆積装置が開示されている。この装置では、基材が散布マニホールドの近傍を通過する過程で原子層が基材上に堆積される。
さらに、特許文献5に記載の装置が提案されている。この装置では、基材両端部の保持部以外は基材と接触しておらず、巻き取り可能な基材への安定した原子層体積膜の連続処理が可能である。
また、特許文献6に記載されるように、基材の座屈を低減させる対応を図った装置が知られている。
エム・リタラ(M.Ritala他1名、「アトミック・レイヤー・デポジション(AtomicLayerDeposition)」、ハンドブック・オブ・ティン・フィルム・マテリアルズ(HandbookofThinFilmMaterials)、アメリカ合衆国、アカデミックプレス(AcademicPress)、2002年、第1巻、第2章、P.103-159
しかしながら、特許文献1、2に記載の装置では、10nmの膜厚の原子層堆積膜を得るために、基材は、100セットのガイドローラを通過しなければならない。すなわち、原子層堆積膜は、100回ガイドローラに接触する。原子層堆積膜とガイドローラとの接触に伴う擦れまたはスリップにより、原子層堆積膜の損傷またはパーティクルの発生の恐れがある。
また、損傷又はパーティクルが原子層堆積膜に付着することにより、原子層堆積膜の性能が低下する恐れがある。
また、損傷又はパーティクルが原子層堆積膜に付着することにより、原子層堆積膜の性能が低下する恐れがある。
従来の食品包装用ガスバリアフィルムに要求される性能は、水蒸気透過率で10-1[g/(m2・day)]程度であり、小さな欠陥(擦り傷、ピンホール、パーティクル付着等)は問題とはならない。
しかしながら、有機ELディスプレイやポリマー太陽電池の用途として、また、有機半導体の用途として、高い性能、例えば、水蒸気透過率が10-6[g/(m2・day)]以下という性能が要求されている。そのため、小さな欠陥が上記デバイスに生じている場合であっても許容できない性能の低下を起こす恐れがある。
しかしながら、有機ELディスプレイやポリマー太陽電池の用途として、また、有機半導体の用途として、高い性能、例えば、水蒸気透過率が10-6[g/(m2・day)]以下という性能が要求されている。そのため、小さな欠陥が上記デバイスに生じている場合であっても許容できない性能の低下を起こす恐れがある。
特許文献1の段落0007には、搬送機構の記述がある。しかしながら、ローラを利用し、少なくとも基材の搬送方向の転換(ターン)の際に、基材を支持できるガイドが望ましいとの開示にとどまっている。
また、段落0030にも搬送機構の開示があるが、搬送機構としては、ローラの利用が開示されているにとどまっている。
また、段落0030にも搬送機構の開示があるが、搬送機構としては、ローラの利用が開示されているにとどまっている。
一方、特許文献2では、搬送方法に関して、「なお、ローラ22と基材20との間の接触を最小限に維持すべきである。このことは、スプール形状の・・・・ローラ22の大きい直径部分に乗せることによって、達成できる。」(段落0013)と開示されている。
しかしながら、基材の厚みが薄く剛性が低い場合、基材は、直径の大きい箇所だけでなく、スプール形状の全体に接触するおそれがある。
原子層堆積膜がガイドローラに触れると、原子層堆積膜に微小なピンホール等の欠陥が発生して目的とする性能を得ることができない。
特に、薄いプラスチックフィルム基材や布等の剛性の低い基材を用いる場合では、ローラと基材との接触を防ぐことはできない。
しかしながら、基材の厚みが薄く剛性が低い場合、基材は、直径の大きい箇所だけでなく、スプール形状の全体に接触するおそれがある。
原子層堆積膜がガイドローラに触れると、原子層堆積膜に微小なピンホール等の欠陥が発生して目的とする性能を得ることができない。
特に、薄いプラスチックフィルム基材や布等の剛性の低い基材を用いる場合では、ローラと基材との接触を防ぐことはできない。
また、特許文献2には、上記開示の他に、「或いはまた、基材20が各ローラ22のまわりに巻き付くにつれて基材20を保持する把持具をローラ22の縁部に設けることもできる。」(段落0013)との開示もある。しかしながら、把持具及びローラ縁部への取り付け方法、搬送機構に関しての詳細な開示はない。
また、特許文献3に開示される装置では、回転ドラムに接している基材表面に原子層は堆積されない。また、特許文献4に開示される装置では、散布マニホールドに露出されない基材表面に原子層は堆積されない。このため、特許文献3及び4には、特許文献1、2に記載の装置を用いることにより生じる、処理過程でのガイドローラと基材との接触による原子層堆積膜の損傷及びその損傷によるガスバリア性能の低下といった課題についての示唆はない。
そして、特許文献5に開示される装置は、基材両端部の保持部以外は基材に対して接触しておらず、巻き取り可能な基材への安定した原子層体積膜の連続処理を可能である。この装置では、基材の安定走行をおこなうために搬送基材テンションを高くした場合、基材の折り返し部(端部保持部)において、基材中央部分(ローラ等との非接触部)にシワや折れという座屈が発生する。これらの発生するテンションは、基材の厚みまたは幅方向長さ寸法に依存している。つまり、基材が薄い場合、あるいは、幅寸法が長い場合に低テンション側で発生しやすくなる。このシワや折れという座屈の発生により、基材のガスバリア性が低下してしまうおそれがある。
さらに、特許文献6には、基材の座屈を低減させる対応が図ることが開示されている。しかしながら、基板が薄い場合、具体的には、プラスチックフィルムの厚みが50μm未満程度の場合には、対応が不十分であり、座屈が発生する可能性がある。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、ガイドローラと基材とが接触することがなく、巻き取り可能な基材上に原子層堆積膜を連続的に形成する処理を行うことが可能な原子層堆積巻き取り成膜装置を提供することを目的とする。
本発明は、保持される部位である基材両端部を除いて、ガイドローラと基材とが接触することがなく、かつ、サクション式搬送機構により、基材両端部における基材スリップを防止する。これにより、巻き取り可能な基材上に安定して原子層堆積膜を連続的に形成する処理を行うことが可能な原子層堆積巻き取り成膜装置を提供することを目的とする。
上記記載のサクション式とは、ローラ表面に複数の穴が開いており、その穴を通じて基材を吸引することによってフィルム基材等をローラ表面に吸着させる方式を言う。
本発明は、保持される部位である基材両端部を除いて、ガイドローラと基材とが接触することがなく、かつ、サクション式搬送機構により、基材両端部における基材スリップを防止する。これにより、巻き取り可能な基材上に安定して原子層堆積膜を連続的に形成する処理を行うことが可能な原子層堆積巻き取り成膜装置を提供することを目的とする。
上記記載のサクション式とは、ローラ表面に複数の穴が開いており、その穴を通じて基材を吸引することによってフィルム基材等をローラ表面に吸着させる方式を言う。
また、本発明は、基材の幅方向の両端部の保持部以外は、ガイドローラと接触することがなく、基材上に原子層堆積膜を連続的に形成する処理を行うことが可能であるとともに、その原子層堆積膜が損傷するのを防止することが可能な原子層堆積法巻取り成膜装置および原子層堆積法巻取り成膜方法を提供することを目的とする。 また、本発明は、薄い基材や幅の広い基材で顕著に発生する、ガイドローラの基材中央側でのシワや折れといった座屈を抑制することが可能な原子層堆積膜積層体成膜装置および原子層堆積膜積層体成膜方法を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するために、本発明では、緻密な原子層堆積膜が基材の搬送によって損傷することがないように、ガイドローラに成膜面が接触しない状態で、かつ、搬送補助材と貼り合わせて基材を搬送することで、従来に比べて、搬送時において基材にシワや折れといった座屈が発生しない安定した状態で成膜する。
また、上記の課題を解決するために、本発明では、緻密な原子層堆積膜が基材の搬送によって損傷することがないように、基材の幅方向の両端部の保持部以外は、ガイドローラに成膜面が接触しない状態で、かつ搬送補助材と貼り合わせて基材を搬送することで、これまでより、搬送時の基材のシワや折れといった座屈が発生しない安定した搬送をする。さらには、本発明では、基材と搬送補助材との貼り合せに、搬送補助材に微粘着フィルムを用いることで、基材から搬送補助材の剥離が容易に行えることと、搬送補助材の再利用を可能とする。
本発明の第一態様に係る原子層堆積巻き取り成膜装置は、基材と搬送補助材とをそれぞれ巻き出し、前記基材の一方の面に前記搬送補助材が剥離可能に積層された被成膜部材を形成し、前記被成膜部材を送り出すように構成される巻き出し装置と、第一前駆体ガスが導入される第一真空気室と、第二前駆体ガスが導入される第二真空気室と、前記第一真空気室と前記第二真空気室との間に設けられ、パージガスが導入される第三真空気室と、前記被成膜部材の幅方向両端部を保持する保持部を有し、前記被成膜部材を、前記第一真空気室,前記第二真空気室,および前記第三真空気室に搬送する搬送機構と、前記搬送機構から送り出された前記被成膜部材の前記基材を巻き取る巻き取り装置と、を備え、前記搬送機構により、前記被成膜部材を前記第一真空気室および前記第二真空気室を交互に複数回通過させて、前記被成膜部材における前記基材の他方の面に原子層を堆積させて原子層堆積膜を形成する。
上記第一態様において、前記保持部は、前記被成膜部材の表面と裏面とから前記被成膜部材の幅方向の両端部を互いに挟持するローラを有し、前記ローラが、ガイドローラと、前記被成膜部材を前記ガイドローラとの間に挟持してニップするニップローラとを有していてもよい。
上記第一態様において、前記巻き取り装置は、前記被成膜部材から前記搬送補助材を剥離した後、前記基材を巻き取るように構成されていてもよい。
上記第一態様において、前記基材に剥離可能に積層する前記搬送補助材は、前記基材と積層する面に、0.001N/25mm~5N/25mmの範囲の粘着力を有していてもよい。
上記第一態様において、前記巻き取り装置が、前記搬送補助材を剥離し、前記剥離された搬送補助材を、再び、前記巻き出し装置が、成膜前の前記基材の一方の面に積層する搬送補助材として再利用してもよい。
上記第一態様において、前記巻き取り装置は、前記被成膜部材を巻き取るように構成されていてもよい。
上記第一態様において、前記ガイドローラ及び前記ニップローラが、前記第一真空気室,前記第二真空気室,および前記第三真空気室のいずれかの室内に独立して配置されていてもよい。
本発明の第二態様に係る原子層堆積方法は、長尺状の基材を搬送し、連続して前記基材上に原子層堆積膜を成膜する原子層堆積方法であって、前記基材の搬送方向に対し搬送補助材を前記基材の一方の面に剥離可能に積層して被成膜部材を形成し、前記被成膜部材を搬送するとともに、前記基材の他方の面に原子層を堆積させて原子層堆積膜を形成し、原子層体積膜の成膜後の前記被成膜部材から前記搬送補助材を剥離し、原子層堆積膜積層体を取り出す。
上記第二態様において、剥離した前記搬送補助材を前記基材の一方の面に積層する前記被成膜部材の形成に再利用してもよい。
上記第二態様において、前記基材に剥離可能に積層する前記搬送補助材は、前記基材と積層する面に、0.001N/25mm~5N/25mmの範囲の粘着力を有していてもよい。
上記第二態様において、積層前の前記搬送補助材よりも厚みが薄い前記基材に原子層堆積膜を形成してもよい。
上記第一態様において、前記保持部は、前記被成膜部材の表面と裏面とから前記被成膜部材の幅方向の両端部を互いに挟持するローラを有し、前記ローラが、ガイドローラと、前記被成膜部材を前記ガイドローラとの間に挟持してニップするニップローラとを有していてもよい。
上記第一態様において、前記巻き取り装置は、前記被成膜部材から前記搬送補助材を剥離した後、前記基材を巻き取るように構成されていてもよい。
上記第一態様において、前記基材に剥離可能に積層する前記搬送補助材は、前記基材と積層する面に、0.001N/25mm~5N/25mmの範囲の粘着力を有していてもよい。
上記第一態様において、前記巻き取り装置が、前記搬送補助材を剥離し、前記剥離された搬送補助材を、再び、前記巻き出し装置が、成膜前の前記基材の一方の面に積層する搬送補助材として再利用してもよい。
上記第一態様において、前記巻き取り装置は、前記被成膜部材を巻き取るように構成されていてもよい。
上記第一態様において、前記ガイドローラ及び前記ニップローラが、前記第一真空気室,前記第二真空気室,および前記第三真空気室のいずれかの室内に独立して配置されていてもよい。
本発明の第二態様に係る原子層堆積方法は、長尺状の基材を搬送し、連続して前記基材上に原子層堆積膜を成膜する原子層堆積方法であって、前記基材の搬送方向に対し搬送補助材を前記基材の一方の面に剥離可能に積層して被成膜部材を形成し、前記被成膜部材を搬送するとともに、前記基材の他方の面に原子層を堆積させて原子層堆積膜を形成し、原子層体積膜の成膜後の前記被成膜部材から前記搬送補助材を剥離し、原子層堆積膜積層体を取り出す。
上記第二態様において、剥離した前記搬送補助材を前記基材の一方の面に積層する前記被成膜部材の形成に再利用してもよい。
上記第二態様において、前記基材に剥離可能に積層する前記搬送補助材は、前記基材と積層する面に、0.001N/25mm~5N/25mmの範囲の粘着力を有していてもよい。
上記第二態様において、積層前の前記搬送補助材よりも厚みが薄い前記基材に原子層堆積膜を形成してもよい。
本発明の上記態様に係る原子層堆積巻き取り成膜装置は、基材両端部の保持部以外は基材とガイドローラとの接触がない。そのため、基材表面に形成された原子層堆積膜におけるガイドローラとの接触による損傷の恐れがない。また、保持される部位である基材両端部を除いて、ガイドローラと基材とが接触しない。そのため、基材表面に形成された原子層堆積膜の損傷の恐れがない。
そのため、本発明の上記態様に係る巻き取り成膜装置を用いることで、機械的損傷の無い原子層堆積膜を連続的に形成することができる。
そのため、本発明の上記態様に係る巻き取り成膜装置を用いることで、機械的損傷の無い原子層堆積膜を連続的に形成することができる。
また、搬送補助材と貼り合わせて基材を搬送することで、ガイドローラにおける被成膜部材の幅方向中央位置でのシワや折れを抑制することが可能となる。
そのため、本発明の上記態様に係る原子層堆積巻き取り成膜装置を用いることで、機械的損傷のない、かつ、安定したクリーンな搬送による、原子層堆積膜を連続的に形成することができる。
そのため、本発明の上記態様に係る原子層堆積巻き取り成膜装置を用いることで、機械的損傷のない、かつ、安定したクリーンな搬送による、原子層堆積膜を連続的に形成することができる。
また、本発明の上記態様によれば、基材の幅方向の両端部の保持部以外は、ガイドローラと接触しないため、基材表面に形成された原子層堆積膜の損傷の恐れがない。また、本発明の上記態様によれば、特に薄い基材や幅の広い基材で顕著に発生する、ガイドローラの基材中央側(ローラ非接触部)でのシワや折れといった座屈を抑制するために、基材と搬送補助材とを貼り合せて搬送させる際に、機械的損傷のない安定した搬送により、原子層堆積膜を連続的に形成することができる。
本発明の実施形態に係る原子層堆積巻き取り成膜装置は、基材と搬送補助材(シート)とをそれぞれ巻き出し、前記基材の一方の面に前記搬送補助材が剥離可能に積層された被成膜部材を形成し、前記被成膜部材を送り出すように構成される巻き出し装置と、第一前駆体ガスが導入される第一真空気室と、第二前駆体ガスが導入される第二真空気室と、前記第一真空気室と前記第二真空気室との間に設けられ、パージガスが導入される第三真空気室と、前記被成膜部材の幅方向両端部を保持する保持部を有し、前記被成膜部材を、前記第一真空気室,前記第二真空気室,および前記第三真空気室に搬送する搬送機構と、前記搬送機構から送り出された前記被成膜部材の前記基材を巻き取る巻き取り装置と、を備え、前記搬送機構により、前記被成膜部材を前記第一真空気室および前記第二真空気室を交互に複数回通過させて、前記被成膜部材における前記基材の他方の面に原子層を堆積させて原子層堆積膜を形成する。これにより、搬送補助材を貼り着けることで、被成膜面である基材表面にシワや折れといった座屈を発生しないように安定して搬送することが可能となる。さらに、均一にかつ必要な特性の原子層堆積膜を形成することができ、ピンホール等のない、必要なバリア特性を有する原子層堆積膜を安定して基材に形成することができる。
本実施形態に係る原子層堆積巻き取り成膜装置は、少なくとも第一前駆体が導入される第一真空気室と、第二前駆体が導入される第二真空気室と、余剰の第一前駆体および第二前駆体を排出するために用いられるパージガスが導入される第三真空気室と、基材をそれぞれの真空気室を搬送する搬送機構と、を備える。この搬送機構は、具体的には、長尺(ウェブ)状の基材を巻き出す機構と、その巻き出した基材とそのキャリアとなる搬送補助材とを貼り合せる機構と、基材を巻き取る機構と、その巻き取る機構の直前に搬送補助材を剥離する機構と、を有する。このように、基材に搬送補助材を貼り合せることにより、被成膜面である基材表面にシワや折れといった座屈を発生しないように安定して搬送することが可能となる。これにより、均一かつ必要な特性を有する原子層堆積膜を形成することができ、ピンホール等のない、必要なバリア特性を有する原子層堆積膜を安定して基材に形成することができる。
この搬送機構は、具体的には、巻き取り可能な基材の幅方向の両端部を挟持又は支持できる搬送機構である。この搬送機構を用いることにより、成膜の過程で被膜される巻き取り可能な基材の表面が装置内に配置された機械部品に触れることなく、上記の各真空気室を順次通過することができる。そのため、搬送時において基材にシワや折れといった座屈が発生しない安定した状態で成膜することができ、機械的損傷の無い原子層堆積膜が形成される。
この搬送機構を用いることにより、基材は、成膜の過程で被膜される基材が座屈することでシワや折れが発生することを防止できる。また、基材の表面が装置内に配置された機械部品に触れることなく、上記の各真空気室を順次通過することができ、機械的損傷を防止し、不安定搬送を防止することで、良質な原子層堆積膜が形成される。
本発明の実施形態に係る原子層堆積巻き取り成膜装置において、前記保持部は、前記被成膜部材の表面と裏面とから前記被成膜部材の幅方向の両端部を互いに挟持するローラを有し、前記ローラが、ガイドローラと、前記被成膜部材を前記ガイドローラとの間に挟持してニップするニップローラとを有する。これにより、基材の幅方向の両端部を挟持するとともに、幅方向外側に引張して搬送することが可能となる。これにより、基材にシワや折れといった座屈が発生しない安定した状態で搬送することが可能となる。これにより、安定した成膜をおこなうことが可能となる。
本発明の実施形態に係る原子層堆積巻き取り成膜装置において、前記巻き取り装置は、前記被成膜部材から前記搬送補助材を剥離した後、前記基材を巻き取るように構成される。これにより、搬送補助材がないと基材にシワや折れといった座屈が発生するような基材に関しても、基材にシワや折れといった座屈が発生しない安定した状態で搬送することが可能となる。これにより、安定した成膜をおこなうことが可能となる。
本発明の実施形態に係る原子層堆積巻き取り成膜装置において、前記巻き取り装置は、前記被成膜部材を巻き取るように構成される。これにより、原子層堆積膜を安定して基材に形成することができる。
本発明の実施形態に係る原子層堆積方法は、本発明の一実施形態に係る原子層堆積巻き取り成膜装置を用いて、前記基材に原子層堆積膜を形成する。
本発明の実施形態に係る原子層堆積方法は、積層前の前記搬送補助材よりも厚みが薄い前記基材に原子層堆積膜を形成する。これにより、薄い基材であっても、シワや折れといった座屈が発生しない安定した状態で必要な特性の原子層堆積膜を安定して成膜することが可能となる。
以下、本発明の第1実施形態に係る原子層堆積巻き取り成膜装置を、図面に基づいて説明する。
図1は、本実施形態における原子層堆積巻き取り成膜装置を示す斜視図であり、図において、符号100は、原子層堆積巻き取り成膜装置である。
なお、本発明の実施形態は、以下に記載する実施形態に限定されるものではなく、当業者の知識に基づいて設計の変更等の変形を加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施形態も本発明の実施形態の範囲に含まれるものである。
図1は、本実施形態における原子層堆積巻き取り成膜装置を示す斜視図であり、図において、符号100は、原子層堆積巻き取り成膜装置である。
なお、本発明の実施形態は、以下に記載する実施形態に限定されるものではなく、当業者の知識に基づいて設計の変更等の変形を加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施形態も本発明の実施形態の範囲に含まれるものである。
本実施形態に係る原子層堆積巻き取り成膜装置100は、図1に示すように、第一ゾーン201と、第二ゾーン202と、第三ゾーン203と、巻き出し室(巻き出し装置)103と、巻き取り室(巻き取り装置)104とを備える。第一ゾーン201は、第一前駆体ガスが導入される第一真空気室である。第二ゾーン202は、第二前駆体ガスが導入される第二真空気室である。第三ゾーン203は、パージガスが導入される第三真空気室である。
原子層堆積巻き取り成膜装置100は、巻き出しローラ101と、巻き取りローラ102と、ガイドローラ(保持部)401a,401b,401cとを備える。巻き出しローラ101は、巻き出し室103に設置された長尺(ウェブ)状の巻き取り可能な基材105を巻き出す。巻き取りローラ102は、巻き取り室104に設置された巻き取り可能な基材105を巻き取る。ガイドローラ(保持部)401a,401b,401cは、巻き出しローラ101から巻き取りローラ102までの間で、ラミネートされた巻き取り可能な基材(ラミネート基材)115を搬送する。
さらに、巻き出し室103には、ラミネート基材ローラ111、および、ラミネートローラ503が設けられる。ラミネート基材ローラ111は、巻き出しローラ101から巻き出された巻き取り可能な基材105にキャリア用として貼り合わせるキャリア用ラミネート基材(搬送補助材)113を基材105の搬送方向に巻き出す。ラミネートローラ503は、巻き取り可能な基材105とキャリア用ラミネート基材(搬送補助材)113とを貼り合わせて、ラミネートされた巻き取り可能な基材(被成膜部材)115を形成する。
また、巻き取り室104には、デラミネートローラ504と、デラミネート基材ローラ112とが設けられる。デラミネートローラ504は、巻き取りローラ102の直前で、ラミネートされた巻き取り可能な基材115からキャリア用ラミネート基材113を剥離する。デラミネート基材ローラ112は、ラミネートされた巻き取り可能な基材115から剥離されたキャリア用ラミネート基材(搬送補助材)113を巻き取る。
ガイドローラ(保持部)401a,401b,401cには、このガイドローラ401a,401b,401cとともに基材105をニップするニップローラ(保持部)502a,502b,502cが設けられる。
なお、ニップローラ502a,502b,502cは、ラミネートされた巻き取り可能な基材115の搬送状態によって適宜取り外すことできる。
なお、ニップローラ502a,502b,502cは、ラミネートされた巻き取り可能な基材115の搬送状態によって適宜取り外すことできる。
本実施形態におけるニップローラ502a,502b,502cは、ガイドローラ401a,401b,401cとともに、ラミネートされた巻き取り可能な基材115の幅方向の両端部をニップしながら搬送するように構成されたニップローラ式挟持搬送機構である。
本実施形態における原子層堆積巻き取り成膜装置100は、ニップローラ式挟持搬送機構(搬送機構)401a,401b,401c,502a,502b,502cにより、ラミネートされた巻き取り可能な基材115を第三ゾーン203,第一ゾーン201,第三ゾーン203,第二ゾーン022,及び第三ゾーン203の順に通過させる。これにより、1つの原子層が基材上に堆積される。ニップローラ式挟持搬送機構(搬送機構)401a及び502aは、第一ゾーンのみに配置される。ニップローラ式挟持搬送機構(搬送機構)401b及び502bは、第二ゾーンのみに配置されている。ニップローラ式挟持搬送機構(搬送機構)401c及び502cは、第三ゾーンのみに配置されている。
原子層堆積巻き取り成膜装置100は、ラミネートされた巻き取り可能な基材115の表面に連続的に原子層を堆積させる。このため、所望の膜厚を得るために必要なサイクル数で原子層をラミネートされた基材115の表面に堆積することができるように、搬送機構401a,401b,401c,502a,502b,502cが基材を上述したゾーンを通過させる回数が所定回数となるように、成膜装置が設計されている。
原子層堆積巻き取り成膜装置100は、ラミネートされた巻き取り可能な基材115の表面に連続的に原子層を堆積させる。このため、所望の膜厚を得るために必要なサイクル数で原子層をラミネートされた基材115の表面に堆積することができるように、搬送機構401a,401b,401c,502a,502b,502cが基材を上述したゾーンを通過させる回数が所定回数となるように、成膜装置が設計されている。
本実施形態で使用される巻き取り可能な基材105は、プラスチックフィルム、プラスチックシート、金属箔、金属シート、紙、不織布等の可撓性の材料から選択される。巻き取り可能な基材105の厚みは、特に限定されないが、10μm以上1000μm以下の厚みを有する基材が使用できる。
プラスチックフィルムやプラスチックシートの材質としては、特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)などが挙げられる。
本実施形態で使用されるキャリア用ラミネート基材(搬送補助材)113は、プラスチックフィルム、プラスチックシート等の可撓性の材料から形成され、かつ、巻き取り可能な基材105と貼り合わせ可能な材質であれば特に限定されない。
キャリア用ラミネート基材(搬送補助材)113の厚みも、特に限定されないが、10μm以上1000μm以下の厚みを有する基材が使用できる。
また、巻き取り可能な基材105の厚みが、キャリア用ラミネート基材113の厚みよりも小さくてもよい。
キャリア用ラミネート基材(搬送補助材)113の厚みも、特に限定されないが、10μm以上1000μm以下の厚みを有する基材が使用できる。
また、巻き取り可能な基材105の厚みが、キャリア用ラミネート基材113の厚みよりも小さくてもよい。
本実施形態で使用される搬送補助材113は、プラスチックフィルム、プラスチックシートなどの可撓性の基材であり、かつ、基材105と貼り合わせ可能な材質であれば特に限定されない。搬送補助材113としては、例えば、前記の可撓性の基材と、その一面(基材105と貼り合わせる面)に形成され、基材105と貼り合わせ可能な粘着力を有する粘着剤からなる粘着層と、を有するものが用いられる。あるいは、搬送補助材113としては、例えば、可撓性を有するとともに、基材105と貼り合わせ可能な粘着力を有する基材が用いられる。
基材105に対する搬送補助材113の粘着力、すなわち、搬送補助材113の基材105と積層する面における粘着力は、0.001N/25mm~5N/25mmであることが好ましく、0.05N/25mm~0.50N/25mmであることがより好ましい。例えば、基材105がポリエチレンテレフタレート(PET)からなる基材である場合、その基材105に対する搬送補助材113の粘着力は、0.001N/25mm~5N/25mmであることが好ましく、0.005N/25mm~3N/25mmであることがより好ましい。
巻き出しローラ101から巻き出された巻き取り可能な基材105と、ラミネート基材ローラ111から巻き出されたキャリア用ラミネート基材(搬送補助材)113とは、巻き出し室103内においてラミネートローラ503によって貼り合わせられる。その後、ラミネートされた巻き取り可能な基材115が、第三ゾーン203へ搬送される。
ラミネートローラ503が設置されている巻き出し室103と第三ゾーン203との間には、仕切り板103aが設置されている。仕切り板103aには、ラミネートされた巻き取り可能な基材115が通過するに必要な開口部106が設けられている。
ラミネートされた巻き取り可能な基材115は、この開口部106を介して、巻き出し室103から第三ゾーン203へ搬送される。
ラミネートローラ503が設置されている巻き出し室103と第三ゾーン203との間には、仕切り板103aが設置されている。仕切り板103aには、ラミネートされた巻き取り可能な基材115が通過するに必要な開口部106が設けられている。
ラミネートされた巻き取り可能な基材115は、この開口部106を介して、巻き出し室103から第三ゾーン203へ搬送される。
搬送機構401a,401b,401c,502a,502b,502cは、ラミネートされた巻き取り可能な基材115が開口部106と接触しないように、ラミネートされた巻き取り可能な基材115に、所定のテンション(張力)を与えて搬送するよう設定される。
第三ゾーン203には、パージガスとして不活性ガスが導入されている(符号303参照、パージガスの流れ)。不活性ガスとしては、窒素、ヘリウム、アルゴン等から適宜選択されたガスが用いられる。
第三ゾーン203において、ラミネートされた巻き取り可能な基材115は、幅方向の両端のみを保持するために、ガイドローラ401cとニップローラ502cとで挟持(ニップ)されるとともにガイドされ、第三ゾーン203でも安定した搬送が維持される。
ここで、本実施形態におけるニップローラ式挟持搬送機構に関して説明する。
図2~図5は、本実施形態の原子層堆積巻き取り成膜装置100におけるニップローラ式挟持搬送機構501の構成例を示す。図2はニップローラ式挟持搬送機構501の斜視図である。図3,図4はニップローラ式挟持搬送機構の断面図である。図5はニップローラ式挟持搬送機構501の平面図である。
本実施形態に係るニップローラ式挟持搬送機構501は、ラミネートされた巻き取り可能な基材115にテンションをかける。即ち、搬送方向に沿ってラミネート基材115を引っ張る。これにより、ラミネート基材115の弛みを矯正したり、又は蛇行を修正したりする。図2~図4に示すようなニップローラ式挟持搬送機構501を用いることで、より大きな効果を得ることができる。
本実施形態に係るニップローラ式挟持搬送機構501は、ラミネートされた巻き取り可能な基材115にテンションをかける。即ち、搬送方向に沿ってラミネート基材115を引っ張る。これにより、ラミネート基材115の弛みを矯正したり、又は蛇行を修正したりする。図2~図4に示すようなニップローラ式挟持搬送機構501を用いることで、より大きな効果を得ることができる。
ニップローラ式挟持搬送機構501は、図4に示すように、ラミネート基材115の幅方向の両端部の表面と裏面とを挟持する二つのローラ401,502を備える。
ニップローラ式挟持搬送機構501においては、ラミネート基材115の幅方向の両端部の表面及び裏面が、異なった二つのローラで挟持され、一方又は両方のローラを駆動することによってラミネート基材115を保持し、ラミネート基材115が搬送される。
ニップローラ式挟持搬送機構501においては、ラミネート基材115の幅方向の両端部の表面及び裏面が、異なった二つのローラで挟持され、一方又は両方のローラを駆動することによってラミネート基材115を保持し、ラミネート基材115が搬送される。
ラミネート基材(基材被成膜部材)115は、ガイドローラ401とニップローラ502でニップされることにより保持される。保持されたラミネート基材115は、ガイドローラ401またはニップローラ502の回転軸を可変することで適度なテンションで幅方向に張られ、搬送中、弛まず、実質的に平面状に保持される。
ニップローラ式挟持搬送機構501は、ガイドローラ401にニップを目的としたニップローラ502が設けられた構造を有する。このニップローラ式挟持搬送機構501を用いて、ラミネート基材115の幅方向の両端部の表面と裏面を挟持し、同時に、ラミネート基材115に動力を伝える。
即ち、ニップローラ式挟持搬送機構501は、基材の表面及び裏面に設置された複数のローラで基材を挟持し、表面及び裏面に設置されたローラのうち少なくとも一つ(例えば、ガイドローラ401)が駆動機構を有するように構成されている。
具体的には、ガイドローラ401(第2ローラ)の回転軸方向に対してニップローラ502(第1ローラ)の回転軸方向が傾斜するように配置されている。
このようなニップローラ式挟持搬送機構501において、図4のように、ニップローラ502の径をガイドローラ402の径よりも小さいことが好ましい。
具体的には、ガイドローラ401(第2ローラ)の回転軸方向に対してニップローラ502(第1ローラ)の回転軸方向が傾斜するように配置されている。
このようなニップローラ式挟持搬送機構501において、図4のように、ニップローラ502の径をガイドローラ402の径よりも小さいことが好ましい。
ラミネート基材115の弛みの矯正又は蛇行の修正は、ニップローラ502がガイドローラ401を押圧する圧力、ニップローラ502の方向、及びガイドローラ402の方向を調整することにより制御される。これによって、ラミネート基材115における安定した走行(基材の搬送)を実現することができる。
ガイドローラ401およびニップローラ502の材質は、ラミネート基材115の幅方向の両端部を保持でき、搬送に必要である適度な摩擦力をラミネート基材115との間で維持しながら搬送可能とする材質であれば、特に限定されない。
ガイドローラ401およびニップローラ502により保持されたラミネート巻き取り基材115は、第三ゾーン203と第一ゾーン201との間の仕切隔壁に設けた開口部107aを介して、第一ゾーン201に搬送される。
第一ゾーン201には、第一前駆体が導入されているので(符号301参照)、ラミネート基材115が第一ゾーン201を通過する際に、第一前駆体がラミネート基材115の両面に吸着する。
この間、ラミネート基材115の幅方向の両端部のみがガイドローラ401aおよびニップローラ502aにより保持されている。そのため、第一前駆体が吸着したラミネート基材115の両面(成膜面)は、装置内に配置された機械部品に触れることはない。
この間、ラミネート基材115の幅方向の両端部のみがガイドローラ401aおよびニップローラ502aにより保持されている。そのため、第一前駆体が吸着したラミネート基材115の両面(成膜面)は、装置内に配置された機械部品に触れることはない。
第一前駆体を構成する材料は、目的の堆積材料にあわせて適宜選択される。
例えば、基材105に堆積される材料(目的の堆積材料)が酸化アルミニウムの場合は、トリメチルアルミニウムが使用される。
なお、使用される第一前駆体の材料としては、例えば、非特許文献1に示されている材料が使用できる。
例えば、基材105に堆積される材料(目的の堆積材料)が酸化アルミニウムの場合は、トリメチルアルミニウムが使用される。
なお、使用される第一前駆体の材料としては、例えば、非特許文献1に示されている材料が使用できる。
第一ゾーン201におけるラミネート基材115の搬送速度は、第一ゾーン201をラミネート基材115が通過する時間が飽和吸着時間より長くなるように、飽和吸着時間と通過距離とから算出される。なお、飽和吸着時間とは、ラミネート基材115の成膜面に吸着する第一前駆体の量が飽和するまでの時間である。
また、ラミネート基材115搬送時のテンションは、ラミネート基材115が各開口部106,107a,107bと接触しないように適宜設定する。
また、ラミネート基材115搬送時のテンションは、ラミネート基材115が各開口部106,107a,107bと接触しないように適宜設定する。
第一ゾーン201で第一前駆体が飽和吸着したラミネート基材115は、第一ゾーン201と第三ゾーン203との間に配置された仕切りの隔壁に設けた別の開口部107aを介して、再度、第三ゾーン203に搬送される。
第一ゾーン201内のガスは、第一ゾーンに接続された排気機構(符号304a)によって排気されている。この排気機構を使用することによって、第一ゾーン201内の圧力が保たれている。また、第三ゾーン203内の圧力は、第一ゾーン201内の圧力より高く保たれている。
従って、第一ゾーン201に導入される第一前駆体は、第三ゾーン203に拡散しにくい条件下に維持されている。
このときの第一ゾーン201と第三ゾーン203との間の圧力差は、0.01Pa以上1Pa以下程度であることが好ましい。なお、図1において、符号301は、第三ゾーン203への第一前駆体の流れを示している。
第一ゾーン201内のガスは、第一ゾーンに接続された排気機構(符号304a)によって排気されている。この排気機構を使用することによって、第一ゾーン201内の圧力が保たれている。また、第三ゾーン203内の圧力は、第一ゾーン201内の圧力より高く保たれている。
従って、第一ゾーン201に導入される第一前駆体は、第三ゾーン203に拡散しにくい条件下に維持されている。
このときの第一ゾーン201と第三ゾーン203との間の圧力差は、0.01Pa以上1Pa以下程度であることが好ましい。なお、図1において、符号301は、第三ゾーン203への第一前駆体の流れを示している。
次に、ラミネート基材115は、第三ゾーン203と第二ゾーン202との間に配置された仕切りの隔壁に設けた開口部107bを介して、第二ゾーン202に搬送される。
ラミネート基材115が第三ゾーン203を通過する間に、ラミネート基材115に吸着した余剰の第一前駆体は気化し、パージされる。このとき、ラミネート基材115の搬送状態を安定させるため、第三ゾーン203内に、ラミネート基材115の幅方向の両端部のガイドローラとして、ガイドローラ401cおよびニップローラ502cを設置することも可能である。
ラミネート基材115が第三ゾーン203を通過する間に、ラミネート基材115に吸着した余剰の第一前駆体は気化し、パージされる。このとき、ラミネート基材115の搬送状態を安定させるため、第三ゾーン203内に、ラミネート基材115の幅方向の両端部のガイドローラとして、ガイドローラ401cおよびニップローラ502cを設置することも可能である。
第三ゾーン203におけるラミネート基材115の搬送速度は、十分なパージ時間が得られるように、通過距離から算出される。
第二ゾーン202には、第二前駆体が導入されている(符号302参照)。ラミネート基材115が第二ゾーン202を通過する間に、ラミネート基材115の両面に吸着した第一前駆体吸着物は、第二前駆体と反応し、目的の材料が生成される。
この間、ラミネート基材115の幅方向の両端部のみがガイドローラ401bおよびニップローラ502bにより保持されている。そのため、第一前駆体吸着物と第二前駆体とが反応する際、ラミネート基材115の両面は、装置内に配置された機械部品に触れることはない。なお、図1において、符号302は、第二ゾーン202への第二前駆体の流れを示している。
この間、ラミネート基材115の幅方向の両端部のみがガイドローラ401bおよびニップローラ502bにより保持されている。そのため、第一前駆体吸着物と第二前駆体とが反応する際、ラミネート基材115の両面は、装置内に配置された機械部品に触れることはない。なお、図1において、符号302は、第二ゾーン202への第二前駆体の流れを示している。
第二前駆体を構成する材料は、目的の堆積材料にあわせて適宜選択される。
例えば、目的の堆積材料が酸化アルミニウムの場合は、水、オゾン、原子状酸素が使用される。
なお、使用される第二前駆体の材料としては、例えば、非特許文献1に示されている材料が使用できる。
例えば、目的の堆積材料が酸化アルミニウムの場合は、水、オゾン、原子状酸素が使用される。
なお、使用される第二前駆体の材料としては、例えば、非特許文献1に示されている材料が使用できる。
第二ゾーン202におけるラミネート基材115の搬送速度は、第二ゾーン202を基材105が通過する時間が反応時間より長くなるように、反応時間と通過距離とから算出される。
このとき、ラミネート基材115の搬送テンションについては、ラミネート基材115が開口部107bと接触しないように適宜設定することができる。
第二ゾーン202で第一前駆体吸着物と第二前駆体とが反応した後、ラミネート基材115は、第二ゾーン202と第三ゾーン203との間に配置された仕切りの隔壁に設けた別の開口部107bを介して、再度、第三ゾーン203に搬送される。
第二ゾーン202内のガスは、第二ゾーンに接続された真空ポンプ等の排気機構(符号304b)によって排気されている。この排気機構を使用することによって第三ゾーン203内の圧力は、第二ゾーン202内の圧力より高く保たれている。従って、第二ゾーン202に導入される第二前駆体は、第三ゾーン203に拡散しにくい条件下に維持されている。
このときの第二ゾーン202と第三ゾーン203との間の圧力差は、0.01Pa以上1Pa以下程度であることが好ましい。なお、図1において、符号304bは、第二ゾーン内排気機構による第二ゾーン202からの排気の流れを示している。
第二ゾーン202内のガスは、第二ゾーンに接続された真空ポンプ等の排気機構(符号304b)によって排気されている。この排気機構を使用することによって第三ゾーン203内の圧力は、第二ゾーン202内の圧力より高く保たれている。従って、第二ゾーン202に導入される第二前駆体は、第三ゾーン203に拡散しにくい条件下に維持されている。
このときの第二ゾーン202と第三ゾーン203との間の圧力差は、0.01Pa以上1Pa以下程度であることが好ましい。なお、図1において、符号304bは、第二ゾーン内排気機構による第二ゾーン202からの排気の流れを示している。
以上の工程が、原子層堆積の1サイクルであり、この工程によって、1つの原子層の堆積がおこなわれる。この1サイクルを複数回繰り返すことにより、ラミネート基材115の表面に所望の膜厚の原子層堆積膜を形成することができる。
上記1サイクルを複数回繰り返す際、ラミネート基材115の搬送速度は、前述の第一ゾーン201,第二ゾーン202,及び第三ゾーン203に基材105を曝すために必要な時間と、ラミネート基材115がゾーン201,202,203を通過する通過距離とから算出した搬送速度の中から一番低い速度に設定される。
上記1サイクルを複数回繰り返す際、ラミネート基材115の搬送速度は、前述の第一ゾーン201,第二ゾーン202,及び第三ゾーン203に基材105を曝すために必要な時間と、ラミネート基材115がゾーン201,202,203を通過する通過距離とから算出した搬送速度の中から一番低い速度に設定される。
上記1サイクルを複数回繰り返し、ラミネートされた基材115の表面に所望の膜厚の原子層堆積膜が形成された後、ラミネートされた基材115は、巻き取り室において巻き取られる。
第三ゾーン203及び巻き取りローラ102が設置されている巻き取り室104との間には、仕切り板104aが設置されている。仕切り板104aには、ラミネート基材115が通過するのに必要な開口部106が設けられている。
ラミネート基材115は、この開口部106を介して、成膜後、第三ゾーン203から巻き取り室104へ搬送される。
ラミネート基材115は、この開口部106を介して、成膜後、第三ゾーン203から巻き取り室104へ搬送される。
このとき、ラミネート基材115の搬送テンションについては、ラミネート基材115が開口部106と接触しないように適宜設定することができる。
巻き取り室104においてラミネート基材115からは、巻き取りローラ102の直前で、デラミネートローラ504を介してキャリア用ラミネート基材113が剥離される。剥離されたキャリア用ラミネート基材113は、デラミネート基材ローラ112により巻き取られる。
また、巻き取りローラ102の直前で、デラミネートローラ504を介してキャリア用ラミネート基材113が剥離された巻き取り可能な基材105は、巻き取りローラ102により巻き取られる。つまり、原子層が堆積された基材(原子層堆積膜積層体)105が、巻き取りローラ102により巻き取られる。
また、巻き取りローラ102の直前で、デラミネートローラ504を介してキャリア用ラミネート基材113が剥離された巻き取り可能な基材105は、巻き取りローラ102により巻き取られる。つまり、原子層が堆積された基材(原子層堆積膜積層体)105が、巻き取りローラ102により巻き取られる。
このとき、原子層堆積膜が形成されたラミネート基材115からキャリア用ラミネート基材113を剥離せずに、原子層堆積膜が形成されたラミネート基材115を巻き取りロール102にて巻き取ってもよい。
キャリア用ラミネート基材(搬送補助材)113は、デラミネートロール112から取り外し、再び、ラミネートロール111に設置することで、搬送補助材として繰り返し利用することが可能である。
[変形例]
上記の実施形態には、以下のような変形が加えられていてもよい。
上記の実施形態には、以下のような変形が加えられていてもよい。
(ニップローラ回転軸可変について)
原子層堆積巻き取り成膜装置100におけるニップローラ式挟持搬送機構501の構成例を図2から図4に示す。なお、図3及び4は、ニップローラ式挟持搬送機構501の概略断面図である。
原子層堆積巻き取り成膜装置100におけるニップローラ式挟持搬送機構501の構成例を図2から図4に示す。なお、図3及び4は、ニップローラ式挟持搬送機構501の概略断面図である。
ニップローラ式挟持搬送機構501は、図4に示すように、ラミネート基材115の幅方向の両端部の表面と裏面とを挟持するとともに動力を伝える二つのローラ401,502を備える。さらに、ニップローラ502(第1ローラ)およびガイドローラ401(第2ローラ)の少なくともいずれか一方が、回転軸を可変できる機構を有する。
即ち、表面及び裏面に設置されたローラのうちいずれか(例えば、ニップローラ502)が回転軸を変更する機構を備える。
即ち、表面及び裏面に設置されたローラのうちいずれか(例えば、ニップローラ502)が回転軸を変更する機構を備える。
ラミネート基材115の進行方向に対して広がる方向に回転軸を可変させることにより、ラミネート基材115の弛みを調整することが可能である。
このような回転軸の可変機構をニップローラ式挟持搬送機構501のニップローラ502のみに設ける場合には、図5に示すように、回転軸が可変であるニップローラ502の径を他方のガイドローラ401の径よりも小さくすることが好ましい。しかし、ガイドローラ401の回転軸を可変させるか、互いに対向するように配置されたガイドローラ401とニップローラ502の両方のローラの回転軸を可変とする場合にはこの限りではない。
具体的には、ガイドローラ401(第2ローラ)の回転軸方向に対してニップローラ502(第1ローラ)の回転軸方向が傾斜するように、ニップローラ式挟持搬送機構501はニップローラ502の回転軸を可変することができる。
また、ガイドローラ401は、ニップローラ502と同様に、回転軸を可変できる機構を有していてもよい。
ニップローラ式挟持搬送機構501は、ラミネート基材115の進行方向においてラミネート基材115の幅が広がるようにニップローラ502およびガイドローラ401の少なくとも一方の回転軸を可変させる。
また、ガイドローラ401は、ニップローラ502と同様に、回転軸を可変できる機構を有していてもよい。
ニップローラ式挟持搬送機構501は、ラミネート基材115の進行方向においてラミネート基材115の幅が広がるようにニップローラ502およびガイドローラ401の少なくとも一方の回転軸を可変させる。
例えば、ガイドローラ401の回転軸方向に対してニップローラ502の回転軸方向が傾斜するようにニップローラ502の回転軸を可変させる。ガイドローラ401の回転軸方向に対してニップローラ502の回転軸方向が傾斜するようにガイドローラ401の回転軸を可変させる。あるいは、互いに対向するように配置されたニップローラ502のうち一方のローラの回転軸方向を他方のローラの回転軸方向に対して傾斜させる。互いに対向するように配置されたニップローラ502の両方のローラの回転軸方向をガイドローラ401の回転軸方向に対して傾斜させる。これらによって、ラミネート基材115の弛みを調整することが可能である。
ラミネート基材115の弛みの矯正又は蛇行の修正は、ニップローラ502がガイドローラ401を押圧する圧力、ニップローラ502の方向、及びガイドローラ402の方向を調整することにより制御される。これによって、ラミネート基材115における安定した走行(基材の搬送)を実現することができる。
(ガイドレールについて)
図6及び図7は、原子層堆積巻き取り成膜装置100を用いた場合におけるガイドレールの構成を示す図である。図6は、ガイドレールを用いた場合の開口部に近い位置を示す斜視図である。図7はガイドレールの断面図である。
図6及び図7は、原子層堆積巻き取り成膜装置100を用いた場合におけるガイドレールの構成を示す図である。図6は、ガイドレールを用いた場合の開口部に近い位置を示す斜視図である。図7はガイドレールの断面図である。
図6に示すように、原子層堆積巻き取り成膜装置100は、第一ゾーン201と第三ゾーン203との間に配置された仕切りの隔壁に設けた開口部107に近い位置に、ラミネート基材115が通過する際に用いるガイドレール601を備えてもよい。また、第三ゾーン203と第二ゾーン202との間に配置された仕切りの隔壁に設けた開口部107に近い位置に、ラミネート基材115が通過する際に用いるガイドレール601を備えてもよい。
ガイドレール601は、ゾーンの間に配置された仕切りの隔壁108の開口部107を通過するラミネート基材115の位置の精度を高めるために用いられる補助具である。
ガイドレール601を用いることにより、ラミネート基材115を精度よく開口部107へ搬送することができる。そのため、開口部107の幅(X)をより小さく設計することができる。また、第三ゾーン203内に配置されるガイドローラ401およびニップローラ502を省略することができる。そのため、第一ゾーン201または第三ゾーン203における前駆体と第三ゾーン203のパージガスとによって生成されるコンタミネーションを低く抑えることができる。
ガイドレール601を用いることにより、ラミネート基材115を精度よく開口部107へ搬送することができる。そのため、開口部107の幅(X)をより小さく設計することができる。また、第三ゾーン203内に配置されるガイドローラ401およびニップローラ502を省略することができる。そのため、第一ゾーン201または第三ゾーン203における前駆体と第三ゾーン203のパージガスとによって生成されるコンタミネーションを低く抑えることができる。
例えば、ガイドレール601がある場合、開口部の幅(X)を1mm程度に設定することが可能となる。
一方、ガイドレール601が設けられていない場合は、搬送中のラミネート基材115の位置の安定性を鑑み、開口部の幅(X)を5mm程度に設定する必要がある。
ガイドレール601は、開口部107に近い位置に、図6で示すように、ラミネート基材115の両端部を挟み込むように設置することが好ましい。
ガイドレール601が設置される位置は、ラミネート基材115の厚み、ラミネート基材115の搬送速度等によって適宜決定される。
一方、ガイドレール601が設けられていない場合は、搬送中のラミネート基材115の位置の安定性を鑑み、開口部の幅(X)を5mm程度に設定する必要がある。
ガイドレール601は、開口部107に近い位置に、図6で示すように、ラミネート基材115の両端部を挟み込むように設置することが好ましい。
ガイドレール601が設置される位置は、ラミネート基材115の厚み、ラミネート基材115の搬送速度等によって適宜決定される。
ラミネート基材115の搬送テンションが低い場合、ラミネート基材115が著しく不安定に走行することが懸念される。この場合、ガイドレール601との接触によりパーティクルが発生することが懸念される。そのため、できる限り搬送テンションを高くするように設定する必要がある。搬送テンションを上げた場合、シワや折れなどの座屈が発生する可能性が高くなる。一方で、本実施形態では、成膜をおこなう巻き取り可能な基材105をキャリア用ラミネート基材113と貼り合わせたラミネート基材115を搬送している。そのため、搬送テンションを上げた場合でも、座屈の発生を防止することができる。
なお、本実施形態では、ラミネート基材115の幅方向の両端部を保持する保持部が、一対のガイドローラ401とニップローラ502とから構成される場合を例示したが、本発明はこれに限定されない。本発明では、保持部が、ガイドローラ401と、ガイドローラ401とともにラミネート基材115の幅方向の両端部を挟持する少なくとも1つのニップローラ502とから構成されていてもよい。すなわち、全てのガイドローラ401に対向するようにニップローラ502が設けられていなくてもよい。
本実施形態における原子層堆積巻き取り成膜装置100では、原子層堆積成膜後に、裏面側のキャリア用ラミネート基材113を剥離する。そのため、片面だけに原子層堆積がおこなわれて、裏面側に原子層が堆積されていない基材を製造することができる。
本実施形態の原子層堆積巻き取り成膜装置100において、ALD(Atomic Layer Deposition:原子層堆積)膜が成膜される巻き取り可能な基材105には、巻き取り張力がかかり、キャリア用ラミネート基材113にも同様に巻き取り張力が掛かる。巻き取り可能な基材105とキャリア用ラミネート基材113とは、互いに密着している間は、搬送途中で剥離しないために同速度で移動し、同速度で剥離される。その粘着強度(剥離強度)は、ALD膜への影響もある。そのため、ほぼ同速度とすることで搬送時であってもそれほど強くならないように粘着強度を設定することができる。
本実施形態の原子層堆積巻き取り成膜装置100において、搬送距離の長さを増大することと、搬送速度を上げることとは、巻き取り可能な基材105に掛かる張力を大きくしてしまう点で、ほぼ同様の作用を及ぼす。張力が大きくなると基材105上のALD膜に対して搬送方向に張力が掛かる。しかしながら、キャリア用ラミネート基材115を貼り合わせて処理することにより、上記張力の影響を緩和することができる。
また、キャリア用ラミネート基材113の剥離時に、ALD膜へ応力(剥離)が強く掛かるとバリア性が劣化することがある。そのため、上記の粘着強度(剥離強度)を必要以上に大きくしないことが好ましい。つまり、キャリア用ラミネート基材113と基材105とは、全面で接触が維持される(くっつく)程度の状態として、剥離時に基材105が変形するほど強くは粘着しない状態とすることが好ましい。
以下、本発明の第2実施形態に係る原子層堆積巻き取り成膜装置100を、図面に基づいて説明する。
図8は、本実施形態における原子層堆積巻き取り成膜装置100を示す概略図である。
本実施形態において上述した第1実施形態と異なるのは、巻き取り室104における剥離をおこなわない点である。これ以外の対応する構成要素に関しては、同一の符号を付してその説明を省略する。
図8は、本実施形態における原子層堆積巻き取り成膜装置100を示す概略図である。
本実施形態において上述した第1実施形態と異なるのは、巻き取り室104における剥離をおこなわない点である。これ以外の対応する構成要素に関しては、同一の符号を付してその説明を省略する。
本実施形態においては、成膜後、巻き取り室104においてラミネートされた基材115からは、キャリア用ラミネート基材113が剥離されずに、ラミネート基材115がそのまま巻き取りローラ102により巻き取られる。
これにより、キャリア用ラミネート基材113と張り合わされた状態の基材10を製造することができる。
これにより、キャリア用ラミネート基材113と張り合わされた状態の基材10を製造することができる。
以下、本発明にかかる実施例を説明する。
<実施例1>
図1に示した原子層堆積巻き取り成膜装置100を用い、巻き取り可能な基材105として、厚みが25μmのポリエステルフィルムを使用した。また、キャリア用ラミネート基材113として、厚みが75μmのポリエステルフィルムを使用した。
図1に示した原子層堆積巻き取り成膜装置100を用い、巻き取り可能な基材105として、厚みが25μmのポリエステルフィルムを使用した。また、キャリア用ラミネート基材113として、厚みが75μmのポリエステルフィルムを使用した。
巻き取り可能な基材105としてのポリエステルフィルムは、巻き出しローラ101の位置に取り付けられた。キャリア用ラミネート基材(搬送補助材)113としてのポリエステルフィルムは、ラミネート基材ローラ111から引き出された。それから、これらが貼り合わされ、ラミネートされた巻き取り可能な基材115として搬送された。
ラミネートされた巻き取り可能な基材115は、第三ゾーン203に搬送され、第三ゾーン203のガイドローラ401cおよびニップローラ502cを経て、第一ゾーン201に搬送された。
第一ゾーン201に進入した際のラミネートされた巻き取り可能な基材115の搬送テンションを50N/幅に設定した状態で搬送をおこなった。
第一ゾーン201に進入した際のラミネートされた巻き取り可能な基材115の搬送テンションを50N/幅に設定した状態で搬送をおこなった。
第一ゾーン201には、キャリアガスとして用いられた窒素ガスと、第一前駆体として用いられたトリメチルアルミニウムとを導入した。
第一ゾーン201の圧力が、おおよそ50Paになるように、第一ゾーン201に対して供給するガスの流量301およびドライポンプによる排気(減圧)量304aを調整した。
ガイドローラ401aおよびニップローラ502aによって第一ゾーン201内を移動しながら、ポリエステルフィルムの両面にトリメチルアルミニウムの飽和吸着がおこなわれた。
第一ゾーン201の圧力が、おおよそ50Paになるように、第一ゾーン201に対して供給するガスの流量301およびドライポンプによる排気(減圧)量304aを調整した。
ガイドローラ401aおよびニップローラ502aによって第一ゾーン201内を移動しながら、ポリエステルフィルムの両面にトリメチルアルミニウムの飽和吸着がおこなわれた。
両面にトリメチルアルミニウムが飽和吸着したポリエステルフィルムは、再び第三ゾーン203に搬送された。第三ゾーン203には不活性ガスとして窒素ガスを導入した。第三ゾーン203の圧力がおおよそ50.5Paになるように、ガスの流量303を調整した。第三ゾーン203内を移動する間に、余剰のトリメチルアルミニウムはパージされた。十分なパージの後、第三ゾーン203のガイドローラ401cおよびニップローラ502cによって、第二ゾーン202に搬送された。
第二ゾーン202には、キャリアガスとして用いられた窒素ガスと、第二前駆体として用いられたイオン交換水とを導入した。第二ゾーン22の圧力が、おおよそ50Paになるように、第二ゾーン202に対して供給するガスの流量302およびドライポンプによる排気(減圧)量304bを調整した。
ガイドローラ401bおよびニップローラ502bによって第二ゾーン202内を移動しながら、ポリエステルフィルムの両面のトリメチルアルミニウムがイオン交換水と反応し、1つの原子層が基材上に堆積された。
ガイドローラ401bおよびニップローラ502bによって第二ゾーン202内を移動しながら、ポリエステルフィルムの両面のトリメチルアルミニウムがイオン交換水と反応し、1つの原子層が基材上に堆積された。
なお、ポリエステルフィルムの搬送速度は、第三ゾーン203における必要なパージ時間によって決められた。
また、第一ゾーン201,第二ゾーン202,及び第三ゾーン203の温度は、すべて90℃に保たれた。
また、第一ゾーン201,第二ゾーン202,及び第三ゾーン203の温度は、すべて90℃に保たれた。
また、図1に示す原子層堆積巻き取り成膜装置100として、1回の搬送で3サイクルの原子層堆積が行われる装置が示されている。しかしながら、実際には、100サイクルが可能な装置が用意され、100サイクルの原子層堆積が行われた。
この結果、ポリエステルフィルムに形成された酸化アルミニウム膜の厚みは10nmであった。
搬送中のラミネートされた巻き取り可能な基材115に座屈および開口部107との擦れは確認されなかった。
また、電子顕微鏡を使用して表面の損傷を観察した結果、酸化アルミニウム膜の表面の損傷は認められなかった。
また、酸化アルミニウム膜の水蒸気透過度を測定した。
搬送中のラミネートされた巻き取り可能な基材115に座屈および開口部107との擦れは確認されなかった。
また、電子顕微鏡を使用して表面の損傷を観察した結果、酸化アルミニウム膜の表面の損傷は認められなかった。
また、酸化アルミニウム膜の水蒸気透過度を測定した。
<比較例1>
図1に示した原子層堆積巻き取り成膜装置100を用い、巻き取り可能な基材105として、厚みが50μmのポリエステルフィルムを使用した。
図1に示した原子層堆積巻き取り成膜装置100を用い、巻き取り可能な基材105として、厚みが50μmのポリエステルフィルムを使用した。
巻き取り可能な基材105としてのポリエステルフィルムは、巻き出しローラ101の位置に取り付けられた。それから、第三ゾーン203に搬送され、第三ゾーン203のガイドローラ401cおよびニップローラ502cを経て、第一ゾーン201に搬送された。
巻き取り可能な基材105の搬送テンションを50N/幅として設定した状態で搬送をおこなった。
巻き取り可能な基材105の搬送テンションを50N/幅として設定した状態で搬送をおこなった。
第一ゾーン201には、キャリアガスとして用いられた窒素ガスと、第一前駆体として用いられたトリメチルアルミニウムとを導入した。
第一ゾーン201の圧力が、おおよそ50Paになるように、第一ゾーン201に対して供給するガスの流量301およびドライポンプによる排気(減圧)量304aを調整した。
ガイドローラ401aおよびニップローラ502aによって第一ゾーン201内を移動しながら、ポリエステルフィルムの両面にトリメチルアルミニウムの飽和吸着がおこなわれた。
第一ゾーン201の圧力が、おおよそ50Paになるように、第一ゾーン201に対して供給するガスの流量301およびドライポンプによる排気(減圧)量304aを調整した。
ガイドローラ401aおよびニップローラ502aによって第一ゾーン201内を移動しながら、ポリエステルフィルムの両面にトリメチルアルミニウムの飽和吸着がおこなわれた。
両面にトリメチルアルミニウムが飽和吸着したポリエステルフィルムは、再び第三ゾーン203に搬送された。第三ゾーン203には不活性ガスとして窒素ガスを導入した。第三ゾーン203の圧力がおおよそ50.5Paになるように、ガスの流量303を調整した。第三ゾーン203内を移動する間に、余剰のトリメチルアルミニウムはパージされた。十分なパージの後、第三ゾーン203のガイドローラ401cおよびニップローラ502cによって、第二ゾーン202に搬送された。
第二ゾーン202には、キャリアガスとして用いられた窒素ガスと、第二前駆体として用いられたイオン交換水とを導入した。第二ゾーン22の圧力が、おおよそ50Paになるように、第二ゾーン202に対して供給するガスの流量302およびドライポンプによる排気(減圧)量304bを調整した。
ガイドローラ401bおよびニップローラ502bによって第二ゾーン202内を移動しながら、ポリエステルフィルムの両面のトリメチルアルミニウムがイオン交換水と反応し、1つの原子層が基材上に堆積された。
ガイドローラ401bおよびニップローラ502bによって第二ゾーン202内を移動しながら、ポリエステルフィルムの両面のトリメチルアルミニウムがイオン交換水と反応し、1つの原子層が基材上に堆積された。
なお、ポリエステルフィルムの搬送速度は、第三ゾーン203における必要なパージ時間によって決められた。
また、第一ゾーン201,第二ゾーン202,及び第三ゾーン203の温度は、すべて90℃に保たれた。
また、第一ゾーン201,第二ゾーン202,及び第三ゾーン203の温度は、すべて90℃に保たれた。
また、図1に示す原子層堆積巻き取り成膜装置100として、1回の搬送で3サイクルの原子層堆積が行われる装置が示されている。しかしながら、実際には、100サイクルが可能な装置が用意され、100サイクルの原子層堆積が行われた。
この結果、ポリエステルフィルムに形成された酸化アルミニウム膜の厚みは10nmであった。
搬送中の巻き取り可能な基材105に座屈が確認されたが、開口部107との擦れは確認されなかった。
また、酸化アルミニウム膜の水蒸気透過度を測定した。
搬送中の巻き取り可能な基材105に座屈が確認されたが、開口部107との擦れは確認されなかった。
また、酸化アルミニウム膜の水蒸気透過度を測定した。
<比較例2>
図1に示した原子層堆積巻き取り成膜装置100を用い、巻き取り可能な基材105として、厚みが25μmのポリエステルフィルムを使用した。
図1に示した原子層堆積巻き取り成膜装置100を用い、巻き取り可能な基材105として、厚みが25μmのポリエステルフィルムを使用した。
巻き取り可能な基材105としてのポリエステルフィルムは、巻き出しローラ101の位置に取り付けられた。それから、第三ゾーン203に搬送され、第三ゾーン203のガイドローラ401cおよびニップローラ502cを経て、第一ゾーン201に搬送された。
巻き取り可能な基材105の搬送テンションを10N/幅として設定した状態で搬送をおこなった。
巻き取り可能な基材105の搬送テンションを10N/幅として設定した状態で搬送をおこなった。
第一ゾーン201には、キャリアガスとして用いられた窒素ガスと、第一前駆体として用いられたトリメチルアルミニウムとを導入した。
第一ゾーン201の圧力が、おおよそ50Paになるように、第一ゾーン201に対して供給するガスの流量301およびドライポンプによる排気(減圧)量304aを調整した。
ガイドローラ401aおよびニップローラ502aによって第一ゾーン201内を移動しながら、ポリエステルフィルムの両面にトリメチルアルミニウムの飽和吸着がおこなわれた。
第一ゾーン201の圧力が、おおよそ50Paになるように、第一ゾーン201に対して供給するガスの流量301およびドライポンプによる排気(減圧)量304aを調整した。
ガイドローラ401aおよびニップローラ502aによって第一ゾーン201内を移動しながら、ポリエステルフィルムの両面にトリメチルアルミニウムの飽和吸着がおこなわれた。
両面にトリメチルアルミニウムが飽和吸着したポリエステルフィルムは、再び第三ゾーン203に搬送された。第三ゾーン203には不活性ガスとして窒素ガスを導入した。第三ゾーン203の圧力がおおよそ50.5Paになるように、ガスの流量303を調整した。第三ゾーン203内を移動する間に、余剰のトリメチルアルミニウムはパージされた。十分なパージの後、第三ゾーン203のガイドローラ401cおよびニップローラ502cによって、第二ゾーン202に搬送された。
第二ゾーン202には、キャリアガスとして用いられた窒素ガスと、第二前駆体として用いられたイオン交換水とを導入した。第二ゾーン22の圧力が、おおよそ50Paになるように、第二ゾーン202に対して供給するガスの流量302およびドライポンプによる排気(減圧)量304bを調整した。
ガイドローラ401bおよびニップローラ502bによって第二ゾーン202内を移動しながら、ポリエステルフィルムの両面のトリメチルアルミニウムがイオン交換水と反応し、1つの原子層が基材上に堆積された。
ガイドローラ401bおよびニップローラ502bによって第二ゾーン202内を移動しながら、ポリエステルフィルムの両面のトリメチルアルミニウムがイオン交換水と反応し、1つの原子層が基材上に堆積された。
なお、ポリエステルフィルムの搬送速度は、第三ゾーン203における必要なパージ時間によって決められた。
また、第一ゾーン201,第二ゾーン202,及び第三ゾーン203の温度は、すべて90℃に保たれた。
また、第一ゾーン201,第二ゾーン202,及び第三ゾーン203の温度は、すべて90℃に保たれた。
また、図1に示す原子層堆積巻き取り成膜装置100として、1回の搬送で3サイクルの原子層堆積が行われる装置が示されている。しかしながら、実際には、100サイクルが可能な装置が用意され、100サイクルの原子層堆積が行われた。
この結果、ポリエステルフィルムに形成された酸化アルミニウム膜の厚みは10nmであった。
搬送中のラミネート付き巻き取り可能な基材115に座屈および開口部107との擦れが確認された。
また、酸化アルミニウム膜の水蒸気透過度を測定した。
搬送中のラミネート付き巻き取り可能な基材115に座屈および開口部107との擦れが確認された。
また、酸化アルミニウム膜の水蒸気透過度を測定した。
上記の実施例1および比較例1、比較例2における酸化アルミニウム膜の水蒸気透過度測定は、以下の方法でおこなった。
<評価方法>
水蒸気透過度をMOCON法(同圧法)により測定した。用いた測定器は、MOCON AQUATRAN model1(MOCON社の超高感度水蒸気透過度測定装置AQUATRAN)により、40℃、90%Rhにて測定した。
表1に、実施例1および比較例1、比較例2における酸化アルミニウム膜の水蒸気透過度および、傷の発生状況を示す。
水蒸気透過度をMOCON法(同圧法)により測定した。用いた測定器は、MOCON AQUATRAN model1(MOCON社の超高感度水蒸気透過度測定装置AQUATRAN)により、40℃、90%Rhにて測定した。
表1に、実施例1および比較例1、比較例2における酸化アルミニウム膜の水蒸気透過度および、傷の発生状況を示す。
これにより、貼り合わせをおこなった実施例1では、傷が無く、水蒸気透過度が低いことがわかる。
<実施例2>
図1に示した原子層堆積巻き取り成膜装置100を用い、基材105として、厚みが25μmのポリエステルフィルムを使用した。また、搬送補助材113として、厚みが50μm、ポリエチレンテレフタレート(PET)に対して0.2N/25mmの粘着力を有する粘着剤付きポリエステルフィルムを使用した。
また、この搬送補助材113は、既に2回、他の基材と貼り合せた後に剥離されて巻き取られた搬送補助材である。
図1に示した原子層堆積巻き取り成膜装置100を用い、基材105として、厚みが25μmのポリエステルフィルムを使用した。また、搬送補助材113として、厚みが50μm、ポリエチレンテレフタレート(PET)に対して0.2N/25mmの粘着力を有する粘着剤付きポリエステルフィルムを使用した。
また、この搬送補助材113は、既に2回、他の基材と貼り合せた後に剥離されて巻き取られた搬送補助材である。
巻き出しロール101の位置に取り付けられた基材105としてのポリエステルフィルムは、ラミネートロール111から引き出された搬送補助材113としてのポリエステルフィルムと貼り合わされ、ラミネートされた巻き取り可能な基材115として搬送された。
そして、ラミネートされた巻き取り可能な基材115は、第三ゾーン203に搬送され、第三ゾーン203のガイドローラ401cおよびニップローラ502cを経て、第一ゾーン201に搬送された。
第一ゾーン201に進入した際のラミネートされた巻き取り可能な基材115の搬送テンションを50N/幅として設定した状態で搬送した。
第一ゾーン201に進入した際のラミネートされた巻き取り可能な基材115の搬送テンションを50N/幅として設定した状態で搬送した。
第一ゾーン201には、キャリアガスとして用いられた窒素ガスと、第一前駆体として用いられたトリメチルアルミニウムとを導入した。
第一ゾーン201の圧力が、おおよそ50Paになるように、 第一ゾーン201内の排気量および第一前駆体の流量を調整した。
ガイドローラ401aおよびニップローラ502aにより、第一ゾーン201内を移動しながら、ポリエステルフィルムの両面にトリメチルアルミニウムの飽和吸着が行われた。
第一ゾーン201の圧力が、おおよそ50Paになるように、 第一ゾーン201内の排気量および第一前駆体の流量を調整した。
ガイドローラ401aおよびニップローラ502aにより、第一ゾーン201内を移動しながら、ポリエステルフィルムの両面にトリメチルアルミニウムの飽和吸着が行われた。
両面にトリメチルアルミニウムが飽和吸着したポリエステルフィルムは、再び、第三ゾーン203に搬送された。第三ゾーン203には、不活性ガスとして窒素ガスを導入した。第三ゾーン203の圧力は、おおよそ50.5Paになるように、第三ゾーン203の不活性ガスの流量を調整した。第三ゾーン203内を移動する間に、余剰のトリメチルアルミニウムはパージされた。十分なパージの後、第三ゾーン203のガイドローラ401cおよびニップローラ502cによって、ポリエステルフィルムは、第二ゾーン202に搬送された。
第二ゾーン202には、キャリアガスとして用いられた窒素ガスと、第二前駆体として用いられたイオン交換水とを導入した。第二ゾーン202の圧力が、おおよそ50Paになるように、第二ゾーン202に対して供給するガスの流量およびドライポンプによる第二ゾーン202内の排気(減圧)量を調整した。
ガイドローラ401bおよびニップローラ502bによって第二ゾーン202内を移動しながら、ポリエステルフィルムの両面のトリメチルアルミニウムがイオン交換水と反応し、ポリエステルフィルム上に1つの原子層が堆積された。
ガイドローラ401bおよびニップローラ502bによって第二ゾーン202内を移動しながら、ポリエステルフィルムの両面のトリメチルアルミニウムがイオン交換水と反応し、ポリエステルフィルム上に1つの原子層が堆積された。
ポリエステルフィルムの搬送速度は、第三ゾーン203における必要なパージ時間によって決められた。
また、第一ゾーン201、第二ゾーン202および第三ゾーン203の温度は、全て90℃に保たれた。
また、第一ゾーン201、第二ゾーン202および第三ゾーン203の温度は、全て90℃に保たれた。
また、図1に示す原子層堆積巻き取り成膜装置100として、1回の搬送で3サイクルの原子層堆積が行われる装置が示されているが、実際には、100サイクルが可能な装置が用意され、100サイクルの原子層堆積が行われた。
この結果、ポリエステルフィルムに形成された酸化アルミニウム膜の厚みは10nmであった。
搬送中のラミネートされた巻き取り可能な基材115に座屈および開口部107との擦れは確認されなかった。
また、形成された酸化アルミニウム膜の水蒸気透過度を測定した。
搬送中のラミネートされた巻き取り可能な基材115に座屈および開口部107との擦れは確認されなかった。
また、形成された酸化アルミニウム膜の水蒸気透過度を測定した。
<比較例3>
図1に示した原子層堆積巻き取り成膜装置100を用い、基材105として、厚みが25μmのポリエステルフィルムを使用した。また、搬送補助材113として、厚みが38μm、ポリエチレンテレフタレート(PET)に対して0.5N/25mmの粘着力を有する粘着剤付きポリエステルフィルムを使用した。
また、この搬送補助材113は、既に2回、他の基材と貼り合せた後に剥離されて巻き取られた搬送補助材である。
図1に示した原子層堆積巻き取り成膜装置100を用い、基材105として、厚みが25μmのポリエステルフィルムを使用した。また、搬送補助材113として、厚みが38μm、ポリエチレンテレフタレート(PET)に対して0.5N/25mmの粘着力を有する粘着剤付きポリエステルフィルムを使用した。
また、この搬送補助材113は、既に2回、他の基材と貼り合せた後に剥離されて巻き取られた搬送補助材である。
巻き出しロール101の位置に取り付けられた基材105としてのポリエステルフィルムは、ラミネートロール111から引き出された搬送補助材113としてのポリエステルフィルムと貼り合わされ、ラミネートされた巻き取り可能な基材115として搬送される。
そして、ラミネートされた巻き取り可能な基材115は、第三ゾーン203に搬送され、第三ゾーン203のガイドローラ401cおよびニップローラ502cを経て、第一ゾーン201に搬送された。
第一ゾーン201に進入した際のラミネートされた巻き取り可能な基材115の搬送テンションを20N/幅として設定した状態で搬送した。
第一ゾーン201に進入した際のラミネートされた巻き取り可能な基材115の搬送テンションを20N/幅として設定した状態で搬送した。
第一ゾーン201には、キャリアガスとして用いられた窒素ガスと、第一前駆体として用いられたトリメチルアルミニウムとを導入した。
第一ゾーン201の圧力が、おおよそ50Paになるように、 第一ゾーン201内の排気量および第一前駆体の流量を調整した。
ガイドローラ401aおよびニップローラ502aにより、第一ゾーン201内を移動しながら、ポリエステルフィルムの両面にトリメチルアルミニウムの飽和吸着が行われた。
第一ゾーン201の圧力が、おおよそ50Paになるように、 第一ゾーン201内の排気量および第一前駆体の流量を調整した。
ガイドローラ401aおよびニップローラ502aにより、第一ゾーン201内を移動しながら、ポリエステルフィルムの両面にトリメチルアルミニウムの飽和吸着が行われた。
両面にトリメチルアルミニウムが飽和吸着したポリエステルフィルムは、再び、第三ゾー ン203に搬送された。第三ゾーン203には、不活性ガスとして窒素ガスを導入した。第三ゾーン203の圧力は、おおよそ50.5Paになるように、第三ゾーン203の不活性ガスの流量を調整した。第三ゾーン203内を移動する間に、余剰のトリメチルアルミニウムはパージされた。十分なパージの後、第三ゾーン203のガイドローラ401cおよびニップローラ502cによって、ポリエステルフィルムは、第二ゾーン202に搬送された。
第二ゾーン202には、キャリアガスとして用いられた窒素ガスと、第二前駆体として用いられたイオン交換水とを導入した。第二ゾーン202の圧力が、おおよそ50Paになるように、第二ゾーン202に対して供給するガスの流量およびドライポンプによる第二ゾーン202内の排気(減圧)量を調整した。
ガイドローラ401bおよびニップローラ502bによって第二ゾーン202内を移動しながら、ポリエステルフィルムの両面のトリメチルアルミニウムがイオン交換水と反応し、ポリエステルフィルム上に1つの原子層が堆積された。
ガイドローラ401bおよびニップローラ502bによって第二ゾーン202内を移動しながら、ポリエステルフィルムの両面のトリメチルアルミニウムがイオン交換水と反応し、ポリエステルフィルム上に1つの原子層が堆積された。
なお、ポリエステルフィルムの搬送速度は、第三ゾーン203における必要なパージ時間によって決められた。
また、第一ゾーン201、第二ゾーン202および第三ゾーン203の温度は、全て90℃に保たれた。
また、第一ゾーン201、第二ゾーン202および第三ゾーン203の温度は、全て90℃に保たれた。
また、図1に示す原子層堆積巻き取り成膜装置100として、1回の搬送で3サイクルの原子層堆積が行われる装置が示されているが、実際には、100サイクルが可能な装置が用意され、100サイクルの原子層堆積が行われた。
この結果、ポリエステルフィルムに形成された酸化アルミニウム膜の厚みは10nmであった。
搬送中のラミネートされた巻き取り可能な基材115に座屈および開口部107との擦れは確認されなかった。
また、形成された酸化アルミニウム膜の水蒸気透過度を測定した。
搬送中のラミネートされた巻き取り可能な基材115に座屈および開口部107との擦れは確認されなかった。
また、形成された酸化アルミニウム膜の水蒸気透過度を測定した。
<比較例4>
図1に示した原子層堆積巻き取り成膜装置100を用い、基材105として、厚みが50μmのポリエステルフィルムを使用した。
図1に示した原子層堆積巻き取り成膜装置100を用い、基材105として、厚みが50μmのポリエステルフィルムを使用した。
巻き出しロール101の位置に取り付けられた基材105としてのポリエステルフィルムは、第三ゾーン203に搬送され、第三ゾーン203のガイドローラ401cおよびニップローラ502cを経て、第一ゾーン201に搬送された。
第一ゾーン201に進入した際の基材105の搬送テンションを50N/幅として設定した状態で搬送した。
第一ゾーン201に進入した際の基材105の搬送テンションを50N/幅として設定した状態で搬送した。
第一ゾーン201には、キャリアガスとして用いられた窒素ガスと、第一前駆体として用いられたトリメチルアルミニウムとを導入した。
第一ゾーン201の圧力が、おおよそ50Paになるように、 第一ゾーン201内の排気量および第一前駆体の流量を調整した。
ガイドローラ401aおよびニップローラ502aにより、第一ゾーン201内を移動しながら、ポリエステルフィルムの両面にトリメチルアルミニウムの飽和吸着が行われた。
第一ゾーン201の圧力が、おおよそ50Paになるように、 第一ゾーン201内の排気量および第一前駆体の流量を調整した。
ガイドローラ401aおよびニップローラ502aにより、第一ゾーン201内を移動しながら、ポリエステルフィルムの両面にトリメチルアルミニウムの飽和吸着が行われた。
両面にトリメチルアルミニウムが飽和吸着したポリエステルフィルムは、再び、第三ゾー ン203に搬送された。第三ゾーン203には、不活性ガスとして窒素ガスを導入した。第三ゾーン203の圧力は、おおよそ50.5Paになるように、第三ゾーン203のガスの流量を調整した。第三ゾーン203内を移動する間に、余剰のトリメチルアルミニウムはパージされた。十分なパージの後、第三ゾーン203のガイドローラ401cおよびニップローラ502cによって、ポリエステルフィルムは、第二ゾーン202に搬送された。
第二ゾーン202には、キャリアガスとして用いられた窒素ガスと、第二前駆体として用いられたイオン交換水とを導入した。第二ゾーン202の圧力が、おおよそ50Paになるように、第二ゾーン202に対して供給するガスの流量およびドライポンプによる第二ゾーン202内の排気(減圧)量を調整した。
ガイドローラ401bおよびニップローラ502bによって第二ゾーン202内を移動しながら、ポリエステルフィルムの両面のトリメチルアルミニウムがイオン交換水と反応し、ポリエステルフィルム上に1つの原子層が堆積された。
ガイドローラ401bおよびニップローラ502bによって第二ゾーン202内を移動しながら、ポリエステルフィルムの両面のトリメチルアルミニウムがイオン交換水と反応し、ポリエステルフィルム上に1つの原子層が堆積された。
なお、ポリエステルフィルムの搬送速度は、第三ゾーン203における必要なパージ時間によって決められた。
また、第一ゾーン201、第二ゾーン202および第三ゾーン203の温度は、全て90℃に保たれた。
また、第一ゾーン201、第二ゾーン202および第三ゾーン203の温度は、全て90℃に保たれた。
また、図1に示す原子層堆積法巻取り成膜装置100として、1回の搬送で3サイクルの原子層堆積が行われる装置が示されているが、実際には、100サイクルが可能な装置が用意され、100サイクルの原子層堆積が行われた。
この結果、ポリエステルフィルムに形成された酸化アルミニウム膜の厚みは10nmであった。
搬送中の基材105に座屈が確認されたが、開口部107との擦れは確認されなかった。
また、その酸化アルミニウム膜の水蒸気透過度を測定した。
搬送中の基材105に座屈が確認されたが、開口部107との擦れは確認されなかった。
また、その酸化アルミニウム膜の水蒸気透過度を測定した。
<比較例5>
図1に示した原子層堆積法巻取り成膜装置100を用い、基材105として、厚みが25μmのポリエステルフィルムを使用した。
図1に示した原子層堆積法巻取り成膜装置100を用い、基材105として、厚みが25μmのポリエステルフィルムを使用した。
巻き出しロール101の位置に取り付けられた基材105としてのポリエステルフィルムは、第三ゾーン203に搬送され、第三ゾーン203のガイドローラ401cおよびニップローラ502cを経て、第一ゾーン201に搬送された。
第一ゾーン201に進入した際の基材105の搬送テンションを10N/幅として設定した状態で搬送した。
第一ゾーン201に進入した際の基材105の搬送テンションを10N/幅として設定した状態で搬送した。
第一ゾーン201には、キャリアガスとして用いられた窒素ガスと、第一前駆体として用いられたトリメチルアルミニウムとを導入した。
第一ゾーン201の圧力が、おおよそ50Paになるように、 第一ゾーン201内の排気量および第一前駆体の流量を調整した。
ガイドローラ401aおよびニップローラ502aにより、第一ゾーン201内を移動しながら、ポリエステルフィルムの両面にトリメチルアルミニウムの飽和吸着が行われた。
第一ゾーン201の圧力が、おおよそ50Paになるように、 第一ゾーン201内の排気量および第一前駆体の流量を調整した。
ガイドローラ401aおよびニップローラ502aにより、第一ゾーン201内を移動しながら、ポリエステルフィルムの両面にトリメチルアルミニウムの飽和吸着が行われた。
両面にトリメチルアルミニウムが飽和吸着したポリエステルフィルムは、再び、第三ゾーン203に搬送された。第三ゾーン203には、不活性ガスとして窒素ガスを導入した。第三ゾーン203の圧力は、おおよそ50.5Paになるように、第三ゾーン203のガスの流量を調整した。第三ゾーン203内を移動する間に、余剰のトリメチルアルミニウムはパージされた。十分なパージの後、第三ゾーン203のガイドローラ401cおよびニップローラ502cによって、ポリエステルフィルムは、第二ゾーン202に搬送された。
第二ゾーン202には、キャリアガスとして用いられた窒素ガスと、第二前駆体として用いられたイオン交換水とを導入した。第二ゾーン202の圧力が、おおよそ50Paになるように、第二ゾーン202に対して供給するガスの流量およびドライポンプによる第二ゾーン202内の排気(減圧)量を調整した。
ガイドローラ401bおよびニップローラ502bによって第二ゾーン202内を移動しながら、ポリエステルフィルムの両面のトリメチルアルミニウムがイオン交換水と反応し、ポリエステルフィルム上に1つの原子層が堆積された。
ガイドローラ401bおよびニップローラ502bによって第二ゾーン202内を移動しながら、ポリエステルフィルムの両面のトリメチルアルミニウムがイオン交換水と反応し、ポリエステルフィルム上に1つの原子層が堆積された。
なお、ポリエステルフィルムの搬送速度は、第三ゾーン203における必要なパージ時間によって決められた。
また、第一ゾーン201、第二ゾーン202および第三ゾーン203の温度は、全て90℃に保たれた。
また、第一ゾーン201、第二ゾーン202および第三ゾーン203の温度は、全て90℃に保たれた。
また、図1に示す原子層堆積巻き取り成膜装置100として、1回の搬送で3サイクルの原子層堆積が行われる装置が示されているが、実際には、100サイクルが可能な装置が用意され、100サイクルの原子層堆積が行われた。
この結果、ポリエステルフィルムに形成された酸化アルミニウム膜の厚みは10nmであった。
搬送中の基材105に座屈が確認されたが、開口部107との擦れは確認されなかった。
また、その酸化アルミニウム膜の水蒸気透過度を測定した。
搬送中の基材105に座屈が確認されたが、開口部107との擦れは確認されなかった。
また、その酸化アルミニウム膜の水蒸気透過度を測定した。
上記の実施例2、並びに、比較例3、比較例4および比較例5にて形成した酸化アルミニウム膜の水蒸気透過度測定を、以下の方法で行った。
(評価方法)
「水蒸気透過度測定」
水蒸気透過度をMOCON法(同圧法)により測定した。測定器としては、MOCON
AQUATRAN model1(MOCON社の超高感度水蒸気透過度測定装置AQUATRAN)を用い、40℃、90%Rhにて測定した。
表2に、実施例2、並びに、比較例3、比較例4および比較例5にて形成した酸化アルミニウム膜の水蒸気透過度を示す。
「水蒸気透過度測定」
水蒸気透過度をMOCON法(同圧法)により測定した。測定器としては、MOCON
AQUATRAN model1(MOCON社の超高感度水蒸気透過度測定装置AQUATRAN)を用い、40℃、90%Rhにて測定した。
表2に、実施例2、並びに、比較例3、比較例4および比較例5にて形成した酸化アルミニウム膜の水蒸気透過度を示す。
「傷の発生状況」
実施例2、並びに、比較例3、比較例4および比較例5にて形成した酸化アルミニウム膜について、目視により傷の発生状況を確認した。
表1に、実施例2、並びに、比較例3、比較例4および比較例5にて形成した酸化アルミニウム膜の傷の発生状況を示す。
実施例2、並びに、比較例3、比較例4および比較例5にて形成した酸化アルミニウム膜について、目視により傷の発生状況を確認した。
表1に、実施例2、並びに、比較例3、比較例4および比較例5にて形成した酸化アルミニウム膜の傷の発生状況を示す。
表2の結果から、実施例にて形成した酸化アルミニウム膜は、水蒸気透過度および傷の発生状況において、比較例3~5にて形成した酸化アルミニウム膜よりも優れていることが分かる。
本発明の原子層堆積法の巻き取り成膜装置により、薄い巻き取り状の基材にも、連続的に成膜をおこない、緻密な箔膜を形成することができる。活用例として、金銀糸に用いられる金属光沢フィルム、食品包装のガスバリアフィルム、フィルムコンデンサーの電極、反射防止膜などの光学フィルムの製造に用いることができる。
100…原子層堆積巻き取り成膜装置
101…巻き出しローラ
102…巻き取りローラ
103…巻き出し室(巻き出し装置)
103a,104a…仕切り板
104…巻き取り室(巻き取り装置)
105…巻き取り可能な基材
106,107,107a,107b…開口部
108…隔壁
111…ラミネート基材ローラ
112…デラミネート基材ローラ
113…キャリア用ラミネート基材(搬送補助材)
115…ラミネートされた巻き取り可能な基材(被成膜部材)
401,401a,401b,401c…ガイドローラ(保持部)
502,502a,502b,502c…ニップローラ(保持部)
201…第一ゾーン(第一真空気室)
202…第二ゾーン(第二真空気室)
203…第三ゾーン(第三真空気室)
501…ニップローラ式挟持搬送機構
503…ラミネートローラ
504…デラミネートローラ
601…ガイドレール
101…巻き出しローラ
102…巻き取りローラ
103…巻き出し室(巻き出し装置)
103a,104a…仕切り板
104…巻き取り室(巻き取り装置)
105…巻き取り可能な基材
106,107,107a,107b…開口部
108…隔壁
111…ラミネート基材ローラ
112…デラミネート基材ローラ
113…キャリア用ラミネート基材(搬送補助材)
115…ラミネートされた巻き取り可能な基材(被成膜部材)
401,401a,401b,401c…ガイドローラ(保持部)
502,502a,502b,502c…ニップローラ(保持部)
201…第一ゾーン(第一真空気室)
202…第二ゾーン(第二真空気室)
203…第三ゾーン(第三真空気室)
501…ニップローラ式挟持搬送機構
503…ラミネートローラ
504…デラミネートローラ
601…ガイドレール
Claims (11)
- 原子層堆積巻き取り成膜装置であって、
基材と搬送補助材とをそれぞれ巻き出し、前記基材の一方の面に前記搬送補助材が剥離可能に積層された被成膜部材を形成し、前記被成膜部材を送り出すように構成される巻き出し装置と、
第一前駆体ガスが導入される第一真空気室と、
第二前駆体ガスが導入される第二真空気室と、
前記第一真空気室と前記第二真空気室との間に設けられ、パージガスが導入される第三真空気室と、
前記被成膜部材の幅方向両端部を保持する保持部を有し、前記被成膜部材を、前記第一真空気室,前記第二真空気室,および前記第三真空気室に搬送する搬送機構と、
前記搬送機構から送り出された前記被成膜部材の前記基材を巻き取る巻き取り装置と、
を備え、
前記搬送機構により、前記被成膜部材を前記第一真空気室および前記第二真空気室を交互に複数回通過させて、前記被成膜部材における前記基材の他方の面に原子層を堆積させて原子層堆積膜を形成する
原子層堆積巻き取り成膜装置。 - 前記保持部は、前記被成膜部材の表面と裏面とから前記被成膜部材の幅方向の両端部を互いに挟持するローラを有し、前記ローラが、ガイドローラと、前記被成膜部材を前記ガイドローラとの間に挟持してニップするニップローラとを有する請求項1に記載の原子層堆積巻き取り成膜装置。
- 前記巻き取り装置は、前記被成膜部材から前記搬送補助材を剥離した後、前記基材を巻き取るように構成される請求項1または2に記載の原子層堆積巻き取り成膜装置。
- 前記基材に剥離可能に積層する前記搬送補助材は、前記基材と積層する面に、0.001N/25mm~5N/25mmの範囲の粘着力を有する請求項1または2に記載の原子層堆積巻き取り成膜装置。
- 前記巻き取り装置が、前記搬送補助材を剥離し、前記剥離された搬送補助材を、再び、前記巻き出し装置が、成膜前の前記基材の一方の面に積層する搬送補助材として再利用する請求項1から4のいずれか一項に記載の原子層堆積巻き取り成膜装置。
- 前記巻き取り装置は、前記被成膜部材を巻き取るように構成される請求項1または2に記載の原子層堆積巻き取り成膜装置。
- 前記ガイドローラ及び前記ニップローラが、前記第一真空気室,前記第二真空気室,および前記第三真空気室のいずれかの室内に独立して配置される請求項2に記載の原子層堆積巻き取り成膜装置。
- 長尺状の基材を搬送し、連続して前記基材上に原子層堆積膜を成膜する原子層堆積方法であって、
前記基材の搬送方向に対し搬送補助材を前記基材の一方の面に剥離可能に積層して被成膜部材を形成し、
前記被成膜部材を搬送するとともに、前記基材の他方の面に原子層を堆積させて原子層堆積膜を形成し、
原子層体積膜の成膜後の前記被成膜部材から前記搬送補助材を剥離し、原子層堆積膜積層体を取り出す原子層堆積方法。 - 剥離した前記搬送補助材を前記基材の一方の面に積層する前記被成膜部材の形成に再利用する請求項8に記載の原子層堆積方法。
- 前記基材に剥離可能に積層する前記搬送補助材は、前記基材と積層する面に、0.001N/25mm~5N/25mmの範囲の粘着力を有する請求項8又は9に記載の原子層堆積方法。
- 積層前の前記搬送補助材よりも厚みが薄い前記基材に原子層堆積膜を形成する請求項8から10のいずれか一項に記載の原子層堆積方法。
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