WO2017006801A1 - キャリア基板、積層体、電子デバイスの製造方法 - Google Patents

キャリア基板、積層体、電子デバイスの製造方法 Download PDF

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和孝 小野
隆俊 八百板
玲大 臼井
研一 江畑
順 秋山
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    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
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    • G02F2202/104—Materials and properties semiconductor poly-Si
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10D86/01—Manufacture or treatment
    • H10D86/021—Manufacture or treatment of multiple TFTs
    • H10D86/0221—Manufacture or treatment of multiple TFTs comprising manufacture, treatment or patterning of TFT semiconductor bodies
    • H10D86/0223—Manufacture or treatment of multiple TFTs comprising manufacture, treatment or patterning of TFT semiconductor bodies comprising crystallisation of amorphous, microcrystalline or polycrystalline semiconductor materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/7426—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during build up manufacturing of active devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/744—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or a wafer
    • H10P72/7442—Separation by peeling

Definitions

  • the present invention relates to a carrier substrate, and more particularly to a carrier substrate including a glass substrate exhibiting a predetermined compaction.
  • the present invention also relates to a laminate including the carrier substrate and a method for manufacturing an electronic device.
  • devices such as solar cells (PV), liquid crystal panels (LCD), and organic EL panels (OLED) have been made thinner and lighter, and the glass substrates used in these devices have been made thinner. Progressing. If the strength of the glass substrate is insufficient due to the thinning, the handling property of the glass substrate is lowered in the device manufacturing process.
  • PV solar cells
  • LCD liquid crystal panels
  • OLED organic EL panels
  • a glass laminate in which a glass substrate and a carrier substrate are laminated is prepared. After forming a member for an electronic device such as a display device on the glass substrate of the laminate, the glass substrate is used.
  • a method for separating the carrier substrate has been proposed (for example, Patent Document 1). Then, it has been studied to reuse the separated carrier substrate as a carrier substrate for manufacturing a display device.
  • the inventors of the present invention studied the manufacture of an electronic device by repeatedly using the carrier substrate described in Patent Document 1 for the manufacture of an electronic device accompanied by a high-temperature treatment. Specifically, after applying the laminate including the carrier substrate described in Patent Document 1 to the manufacture of an electronic device that involves high-temperature processing, the carrier substrate is peeled off, and the carrier substrate is used again to manufacture an electronic device. Assuming that the processing to be performed is performed, the repeated high temperature processing of the glass substrate was simulated by computer simulation.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a carrier substrate that is excellent in manufacturing yield of electronic devices even when the electronic devices are manufactured by reusing a plurality of times. To do.
  • Another object of the present invention is to provide a laminate including the carrier substrate and an electronic device manufacturing method using the laminate.
  • a first aspect of the present invention is a carrier substrate that is used by being bonded to a substrate when manufacturing an electronic device member on the surface of the substrate, and the carrier substrate includes at least a first glass substrate.
  • the first glass substrate is a carrier substrate having the following compaction of 80 ppm or less. Compaction: Shrinkage ratio when the first glass substrate is heated from room temperature at 100 ° C / hour, heated at 600 ° C for 80 minutes, and then cooled to room temperature at 100 ° C / hour
  • the compaction is preferably 70 ppm or less.
  • the strain point of the first glass substrate is preferably 700 ° C. or higher.
  • the first glass substrate is made of glass containing the following in terms of oxide-based mass percentage.
  • SiO 2 50 to 73% Al 2 O 3 : 10.5-24%
  • B 2 O 3 0 to 5%
  • an adhesion layer disposed on the first glass substrate is further included.
  • the second aspect of the present invention is a laminate having the carrier substrate of the first aspect and a substrate disposed on the carrier substrate.
  • the substrate is preferably a second glass substrate.
  • a third aspect of the present invention is a member forming step of forming a member for an electronic device on the surface of the substrate of the laminate of the second aspect, and obtaining a laminate with the member for an electronic device;
  • the electronic device member includes low-temperature polysilicon (LTPS). Further, in the third aspect, it is preferable to include a step in which the process temperature is 450 ° C. or higher when forming the electronic device member.
  • LTPS low-temperature polysilicon
  • the carrier substrate which is excellent in the manufacture yield of an electronic device can be provided.
  • the manufacturing method of the electronic device using the laminated body containing the said carrier substrate and this laminated body can also be provided.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of one embodiment of a carrier substrate according to the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of one embodiment of the laminate according to the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of another embodiment of the laminate according to the present invention.
  • 4 (A) and 4 (B) are schematic cross-sectional views showing an embodiment of a method for manufacturing a substrate with a member according to the present invention in the order of steps.
  • 4A is a schematic cross-sectional view of the laminated body 22 with the electronic device member obtained in the member forming step
  • FIG. 4B is a schematic view of the substrate 24 with the member obtained in the separation step and the carrier substrate 10.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of one embodiment of a carrier substrate according to the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of one embodiment of the laminate according to the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of another embodiment of
  • the carrier substrate of the present invention includes a glass substrate exhibiting a predetermined compaction.
  • the present inventors have examined the reason why the yield of electronic devices is reduced when the carrier substrate is reused multiple times, and found that the thermal contraction (compaction) of the carrier substrate has an effect. is doing.
  • the shape of the mask (the size of the opening) is manufactured in consideration of thermal contraction of an object to be processed during heat treatment. Therefore, when an electronic device is manufactured using a stacked body including a carrier substrate, the shape of the mask is designed based on the size of the thermally contracted stacked body when the electronic device is manufactured for the first time.
  • the present inventors manufactured an electronic device using a carrier substrate including a glass substrate (AN100 manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) which is a support plate described in Patent Document 1, and then manufactured the electronic device again using the carrier substrate.
  • a carrier substrate including a glass substrate (AN100 manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) which is a support plate described in Patent Document 1, and then manufactured the electronic device again using the carrier substrate.
  • the carrier substrate is further thermally contracted, it has been found that pattern deviation is likely to occur when an electronic device is manufactured using a mask once manufactured. That is, it is known that the substrate disposed thereon is also contracted due to the thermal contraction of the carrier substrate, resulting in a displacement of the pattern to be formed, resulting in a decrease in the manufacturing yield of the electronic device.
  • the present inventors have found the above cause and examined the solution. As a result, if a glass substrate having a predetermined compaction when processed under a predetermined heating condition is used, the electronic device is manufactured for the second time. Thereafter, it was found that the thermal contraction of the glass substrate (in other words, the carrier substrate) can be suppressed, and as a result, the production yield of the electronic device is excellent.
  • the carrier substrate of the present invention only needs to have at least a first glass substrate having predetermined characteristics, and a carrier substrate shown in FIG.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a first embodiment of a carrier substrate according to the present invention.
  • the carrier substrate 10 is a laminated body having a first glass substrate 12 and an adhesion layer 14 disposed on the first glass substrate 12.
  • the adhesion layer 14 has a surface 14b in contact with the first main surface of the first glass substrate 12, and no other material is in contact with the surface 14a.
  • the carrier substrate 10 is usually laminated so that the surface 14 a of the adhesion layer 14 and the substrate 16 are in contact with each other, thereby forming a member for manufacturing an electronic device member such as a liquid crystal panel on the substrate 16. Used in the process.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of one embodiment of the laminate according to the present invention.
  • the laminated body 100 is a laminated body in which the first glass substrate 12 layer, the substrate 16 layer, and the adhesion layer 14 exist between them.
  • the adhesion layer 14 has one surface in contact with the first glass substrate layer and the other surface in contact with the first main surface 16 a of the substrate 16.
  • substrate 16 is laminated
  • the carrier substrate 10 including the first glass substrate 12 and the adhesion layer 14 functions as a reinforcing plate that reinforces the substrate 16 in a member forming process for manufacturing a member for an electronic device such as a liquid crystal panel.
  • the laminated body 100 is used until a member forming process described later. That is, the laminate 100 is used until a member for an electronic device such as a liquid crystal display device is formed on the surface of the second main surface 16b of the substrate 16. Thereafter, the laminate on which the electronic device member is formed is separated into a carrier substrate 10 and a substrate with a member, and the carrier substrate 10 does not become a part constituting the electronic device. A new substrate 16 is laminated on the carrier substrate 10 and can be reused as a new laminate 100.
  • the adhesion layer 14 is fixed on the first glass substrate 12, and the substrate 16 is detachably laminated (adhered) on the adhesion layer 14 of the carrier substrate 10.
  • the fixation and peelable lamination has a difference in peel strength (that is, stress required for peeling), and fixation means that the peel strength is greater than the adhesion. That is, the peel strength at the interface between the adhesion layer 14 and the first glass substrate 12 is greater than the peel strength at the interface between the adhesion layer 14 and the substrate 16.
  • the peelable lamination means that the peelable layer can be peeled at the same time without causing peeling of the fixed surface.
  • the interface between the first glass substrate 12 and the adhesion layer 14 has a peeling strength (x), and the interface between the first glass substrate 12 and the adhesion layer 14 has a peeling direction exceeding the peeling strength (x).
  • x peeling strength
  • x peeling direction exceeding the peeling strength
  • y peeling strength
  • the peel strength (x) is higher than the peel strength (y). Therefore, when a stress in the direction of peeling the first glass substrate 12 and the substrate 16 is applied to the laminate 100, the laminate 100 is peeled off at the interface between the adhesion layer 14 and the substrate 16, and the substrate 16 and the carrier substrate 10 are separated. To separate.
  • the peel strength (x) is preferably sufficiently higher than the peel strength (y). Increasing the peel strength (x) means that the adhesion of the adhesion layer 14 to the first glass substrate 12 can be increased and a relatively higher adhesion to the substrate 16 can be maintained after the heat treatment.
  • the method for increasing the adhesion of the adhesion layer 14 to the first glass substrate 12 is not particularly limited.
  • a curable resin is cured on the first glass substrate 12 to form the predetermined adhesion layer 14.
  • the method of doing is mentioned.
  • the adhesion layer 14 bonded to the first glass substrate 12 with a high bonding force can be formed by the adhesive force at the time of curing.
  • the bonding force of the adhesion layer 14 to the substrate 16 is generally lower than the bonding force generated during the curing.
  • the layer of the curable resin is subjected to a curing process (heat treatment) on the first glass substrate 12 to form the adhesion layer 14, and then the substrate 16 is laminated on the surface of the adhesion layer 14 to obtain a desired peeling relationship.
  • the laminated body 100 which satisfy
  • the carrier substrate having the first glass substrate and the adhesion layer has been described in detail.
  • the present invention is not limited to this embodiment, and the adhesion layer may be omitted as long as the substrate can be detachably laminated. . That is, it may be a carrier substrate made of the first glass substrate.
  • the substrate 116 is disposed on the first glass substrate 112 to form the stacked body 110.
  • the surface roughness (Ra) of the surface of the first glass substrate 112 in contact with the substrate 116 is preferably 2.0 nm or less, and 1.0 nm.
  • the following is more preferable.
  • the lower limit is not particularly limited, but 0 is most preferable. If it is the said range, adhesiveness with the board
  • the surface roughness (Ra) is measured according to JIS B 0601 (revised in 2001).
  • each layer (the 1st glass substrate 12, the board
  • substrate 116 in the laminated body 110 are the structures similar to the said 1st glass substrate 12 and the board
  • the first glass substrate 12 supports and reinforces the substrate 16, and the substrate 16 is deformed, scratched, or damaged during the manufacture of the electronic device member in the member forming step (step of manufacturing the electronic device member) described later. Prevent such as.
  • the first glass substrate 12 is a glass substrate having a compaction (compaction value) of 80 ppm or less during heat treatment at 600 ° C. for 80 minutes.
  • the compaction is preferably 70 ppm or less, more preferably 60 ppm or less, and even more preferably 50 ppm or less in that the production yield of the electronic device is more excellent (hereinafter simply referred to as “the point where the effect of the present invention is more excellent”).
  • the point where the effect of the present invention is more excellent Although a minimum in particular is not restrict
  • the above compaction is a glass heat shrinkage rate generated by relaxation of the glass structure during the heat treatment.
  • the compaction means that two indentations are made on the surface of the glass substrate at a predetermined interval, and then the glass substrate is heated from room temperature to 600 ° C. at 100 ° C./hour, heated to 600 ° C. for 80 minutes. After holding, it means the shrinkage rate (ppm) of the distance between indentations when cooled to room temperature at 100 ° C./hour.
  • the compaction in the present invention can be measured by the following method.
  • the surface of the glass substrate is polished to obtain a 100 mm ⁇ 20 mm sample.
  • the distance between the indentations is measured again, and the distance is B.
  • the compaction is calculated from A and B thus obtained using the following formula.
  • the range of the strain point of the first glass substrate 12 is not particularly limited, but is preferably 700 ° C. or higher and more preferably 710 ° C. or higher in terms of more excellent effects of the present invention. However, if the strain point is too high, a problem arises in terms of glass forming. 760 ° C. or lower is more preferable, and 750 ° C. or lower is further preferable.
  • the strain point is a temperature at which viscous flow of glass cannot practically occur, corresponds to a lower limit temperature in a slow cooling region, and refers to a temperature corresponding to a viscosity of 10 14.5 dPa ⁇ s ⁇ poise ⁇ .
  • the strain point is measured using a fiber elongation method defined in JIS-R3103 (2001) and ASTM-C336 (1971).
  • the composition of the first glass substrate 12 is not particularly limited, but is preferably in the following range as the glass mother composition in terms of oxide-based mass percentage because the effects of the present invention are more excellent.
  • SiO 2 50 to 73% Al 2 O 3 : 10.5-24%
  • B 2 O 3 0 to 5%
  • the composition range of each component will be described. If SiO 2 is less than 50% (expressed in terms of mass percentage based on oxide, the same applies unless otherwise specified), the strain point does not increase sufficiently, the thermal expansion coefficient increases, and the density increases. preferable. 53% or more is more preferable, 55% or more is more preferable, and 57% or more is particularly preferable. If it exceeds 73%, the solubility is lowered and the defoaming property is lowered, so 73% or less is preferable. 70% or less is more preferable, 67% or less is more preferable, and 65% or less is particularly preferable.
  • Al 2 O 3 suppresses the phase separation of the glass, lowers the thermal expansion coefficient, and raises the strain point. However, if it is less than 10.5%, this effect does not appear, and other components that increase the expansion increase. As a result, thermal expansion increases. 10.5% or more is preferable, 15% or more is more preferable, and 17% or more is more preferable. If it exceeds 24%, the solubility of the glass may be deteriorated or the devitrification temperature may be increased, so 24% or less is preferable, and 22% or less is more preferable.
  • B 2 O 3 can be added in an amount of 0% to 5% in order to improve the melting reactivity of the glass and to lower the devitrification temperature. In order to acquire said effect, 0.1% or more is preferable. However, if it is too much, the strain point is lowered. Therefore, 5% or less is preferable and 3% or less is more preferable.
  • MgO has the characteristics that it does not increase the expansion in alkaline earth and does not excessively lower the strain point, and also improves the solubility.
  • the MgO content is preferably 0% or more and 10% or less, but more preferably 1% or more. If it exceeds 10%, the devitrification temperature may increase, so it is preferably 10% or less, more preferably 7% or less, and even more preferably 6% or less.
  • CaO has the characteristics that it does not increase the expansion in alkaline earth after MgO, and does not excessively lower the strain point, and also improves the solubility.
  • the CaO content is preferably 0% or more and 14.5% or less, more preferably 1% or more, and further preferably 3% or more. If it exceeds 14.5%, the devitrification temperature may increase. 10% or less is more preferable, and 7% or less is more preferable.
  • SrO is an optional component that improves the solubility without increasing the devitrification temperature of the glass.
  • the SrO content is preferably 0% or more and 24% or less, but more preferably 1% or more. If it exceeds 24%, the expansion coefficient may increase. 12% or less is more preferable, and 9% or less is more preferable.
  • BaO is not essential, but can be contained for improving solubility and resistance to devitrification. However, too much increases the expansion and density of the glass excessively, so 13.5% or less is preferable, 12% or less is more preferable, and 10% or less is more preferable.
  • the content of BaO should be small, preferably 5% or less, preferably 1% or less, more preferably 0.5% or less, and substantially no content. Particularly preferred. “Substantially not contained” means not containing any inevitable impurities. On the other hand, when importance is attached to devitrification resistance, it is preferably 1% or more, more preferably 3% or more, and further preferably 5% or more.
  • MgO, CaO, SrO, and BaO are less than 8% in total, solubility is poor. 8% or more is preferable and 10% or more is more preferable. 12% or more is more preferable, and 14% or more is particularly preferable. If it exceeds 29.5%, there is a possibility that the thermal expansion coefficient cannot be reduced, so 29.5% or less is preferable, 25% or less is more preferable, 23% or less is more preferable, and 21% or less is preferable. Particularly preferred.
  • a component for adjusting physical properties and a clarifying agent can be added within the range not impairing the features of the present invention.
  • components for adjusting the physical properties Fe 2 O 3 , ZnO, ZrO 2 , TiO 2 , Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , Y 2 O 3 , La 2 O 3 , Gd 2 O 3 , P 2
  • O 5 and a clarifying agent include SnO 2 , SO 3 , Cl, and F. Any of them can be contained in a range of less than 1%.
  • Alkali metal oxides such as Li 2 O, Na 2 O, and K 2 O may be mixed as an inevitable impurity of the raw material or added to promote melting. These cause contamination by alkali ions in the TFT manufacturing process, and as a result, there is a possibility of deteriorating TFT characteristics. Therefore, it is preferable not to contain as much as possible. Specifically, 0.1% or less is preferable. 0.08% or less is more preferable, 0.05% or less is more preferable, and 0.03% or less is particularly preferable.
  • the glass used for the first glass substrate 12 or the first glass substrate 112 has a high Young's modulus in order to reduce bending during transport of the laminated substrate. 77 GPa or more is preferable, 80 GPa or more is more preferable, and 82 GPa or more is particularly preferable.
  • the glass used for the first glass substrate 12 or the first glass substrate 112 is scratched, it is possible to reduce the strength during recycling or to cause non-uniformity during ultraviolet light irradiation described later. There is sex. Therefore, it is preferable that the glass of the first glass substrate 12 or the first glass substrate 112 has a higher Vickers hardness. 580 or more is preferable, 590 or more is more preferable, and 600 or more is more preferable.
  • the liquid crystal is irradiated by, for example, ultraviolet light through the first glass substrate 12.
  • the ultraviolet transmittance of the glass is high.
  • the external transmittance of 300 nm is preferably 40% or more in terms of 0.5 mm thickness. More preferably, it is 50% or more, more preferably 60% or more, and particularly preferably 70% or more.
  • the thickness of the first glass substrate 12 may be thicker or thinner than the substrate 16, but is usually thinner than the substrate 16.
  • the thickness of the first glass substrate 12 is selected based on the thickness of the substrate 16, the thickness of the adhesion layer 14, and the thickness of the stacked body 100.
  • the first The thickness of the glass substrate 12 is 0.4 mm.
  • the thickness of the first glass substrate 12 is preferably 0.2 to 0.5 mm, and is preferably thicker than the substrate 16.
  • the manufacturing method of the first glass substrate 12 is not particularly limited as long as the glass substrate showing the above-described compaction can be obtained. Among these, it is easy to adjust the compaction by melting a glass raw material to obtain a molten glass, a molding process for molding the molten glass obtained by the melting process into a plate-like glass ribbon, and a molding process. And a slow cooling step of slowly cooling the formed glass ribbon.
  • molten glass is obtained by melting glass raw materials.
  • a glass raw material is prepared so as to have the composition of the obtained glass plate, the glass raw material is continuously charged into a melting furnace, and heated to about 1450 to 1650 ° C. to obtain a molten glass.
  • the molten glass obtained in the melting step is formed into a plate-like glass ribbon (ribbon-like glass plate). More specifically, it is formed into a glass ribbon having a predetermined plate thickness by a float method or a fusion method.
  • the plate-shaped glass ribbon obtained in the molding step is slowly cooled.
  • a method of controlling the cooling rate in the slow cooling step is preferable.
  • the average cooling rate can be adjusted, for example, in the range of 15 to 600 ° C./min.
  • the temperature is preferably 20 to 400 ° C./min, more preferably 30 to 300 ° C./min, and further preferably 30 to 100 ° C./min.
  • a specific cooling means is not specifically limited, A conventionally well-known cooling method may be used. For example, a method using a heating furnace having a temperature gradient can be mentioned.
  • the substrate 16 has a first main surface 16a in contact with the adhesion layer 14, and an electronic device member is provided on the second main surface 16b opposite to the adhesion layer 14 side. That is, the substrate 16 is a substrate used for forming an electronic device described later.
  • substrate 16 is not restrict
  • the type of the second glass substrate may be a common one, for example, a glass substrate for a display device such as an LCD or an OLED. Can be mentioned.
  • the second glass substrate is excellent in chemical resistance and moisture permeability and has a low heat shrinkage rate.
  • As an index of the heat shrinkage rate a linear expansion coefficient defined in JIS R 3102 (revised in 1995) is used.
  • the second glass substrate is obtained by melting a glass raw material and molding the molten glass into a plate shape.
  • a molding method may be a general one, and for example, a float method, a fusion method, a slot down draw method, or the like is used.
  • the second glass substrate having a particularly small thickness can also be obtained by heating the glass once formed into a plate shape to a moldable temperature and stretching it by means of stretching or the like to make it thin (redraw method). .
  • the thickness of the substrate 116 is preferably 0.1 mm or less, and more preferably 0.05 mm or less.
  • it is preferably 0.001 mm or more, more preferably 0.005 mm or more, and further preferably 0.01 mm or more.
  • the glass of the first glass substrate 112 when a device is manufactured in such a process is required to have a high ultraviolet transmittance. This is because when the substrate 116 directly formed on the first glass substrate 112 is peeled off, ultraviolet rays are irradiated from the first glass substrate 112 side. Therefore, the ultraviolet transmittance of the glass of the first glass substrate 112 is preferably 40% or more, more preferably 50% or more, and further preferably 60% or more, as the external transmittance at a wavelength of 300 nm, regardless of the plate thickness. % Or more is particularly preferable.
  • the plate thickness of the first glass substrate 112 is not particularly limited, but if the plate thickness is too thin, the deflection becomes large and a problem occurs during transportation. Therefore, the thickness is preferably 0.4 mm or more, and more preferably 0.5 mm or more. On the other hand, if it is too thick, the weight of the substrate becomes too large and the load on the transport device becomes large.
  • the adhesion layer 14 prevents the displacement of the substrate 16 until the operation for separating the substrate 16 and the first glass substrate 12 is performed, and prevents the substrate 16 and the like from being damaged by the separation operation.
  • the surface 14a of the adhesion layer 14 that contacts the substrate 16 is detachably laminated (adhered) to the first main surface 16a of the substrate 16.
  • the adhesion layer 14 is bonded to the first main surface 16 a of the substrate 16 with a weak bonding force, and the peel strength (y) at the interface is between the adhesion layer 14 and the first glass substrate 12. Lower than the peel strength (x) at the interface.
  • the adhesion layer 14 is in close contact with the first main surface 16a of the substrate 16, but has a surface characteristic that allows the substrate 16 to be easily peeled off. That is, the adhesion layer 14 is bonded to the first main surface 16a of the substrate 16 with a certain amount of bonding force to prevent the displacement of the substrate 16, and at the same time, when the substrate 16 is peeled off, The 16 is bonded with a bonding force that can be easily peeled without breaking.
  • the type of the adhesion layer 14 is not particularly limited, and may be an organic layer made of a resin or the like, or an inorganic layer. Hereinafter, each case will be described in detail.
  • the organic layer is preferably a resin layer containing a predetermined resin.
  • the kind of resin forming the resin layer is not particularly limited, and examples thereof include silicone resin, polyimide resin, acrylic resin, polyolefin resin, polyurethane resin, and fluorine resin. Several types of resins can be mixed and used. Of these, silicone resins, polyimide resins, and fluorine resins are preferable.
  • addition reaction type silicone a curable composition which contains a main agent and a crosslinking agent and cures in the presence of a catalyst such as a platinum-based catalyst can be suitably used. Curing of the addition reaction type silicone is accelerated by heat treatment.
  • the main component in the addition-reactive silicone is preferably an organopolysiloxane having an alkenyl group (such as a vinyl group) bonded to a silicon atom (that is, an organoalkenylpolysiloxane, preferably a straight chain). These are the cross-linking points.
  • the cross-linking agent in the addition reaction type silicone is preferably an organopolysiloxane having a hydrogen atom (hydrosilyl group) bonded to a silicon atom (that is, an organohydrogenpolysiloxane, preferably linear). Hydrosilyl groups and the like serve as crosslinking points.
  • the addition reaction type silicone is cured by the addition reaction between the crosslinking points of the main agent and the crosslinking agent.
  • the molar ratio of the hydrogen atom bonded to the silicon atom of the organohydrogenpolysiloxane to the alkenyl group of the organoalkenylpolysiloxane is 0.5 to 2 in that the heat resistance derived from the crosslinked structure is more excellent. preferable.
  • the condensation reaction type silicone includes a hydrolyzable organosilane compound as a monomer or a mixture thereof (monomer mixture), or a partial hydrolysis condensate obtained by subjecting a monomer or monomer mixture to a partial hydrolysis condensation reaction (organopolysiloxane). Can be suitably used.
  • a silicone resin can be formed by proceeding a hydrolysis / condensation reaction (sol-gel reaction) using this condensation reaction type silicone.
  • A represents a diamine residue obtained by removing an amino group from diamines, and preferably comprises at least one group selected from the group consisting of groups represented by the following formulas (A1) to (A8).
  • the polyimide described above can be used not only as an organic layer but also as a second substrate (substrate 116).
  • the thickness of the organic layer is not particularly limited, but is preferably 1 to 100 ⁇ m, more preferably 5 to 30 ⁇ m, and even more preferably 7 to 20 ⁇ m. This is because when the thickness of the organic layer is within such a range, the adhesion between the organic layer and the first glass substrate or the substrate is sufficient.
  • the material constituting the inorganic layer is not particularly limited, but preferably includes at least one selected from the group consisting of oxides, nitrides, oxynitrides, carbides, carbonitrides, silicides, and fluorides. Especially, it is preferable that an oxide is included at the point which the peelability of the board
  • silicon nitride oxide SiN x O y
  • titanium oxide TiO 2
  • indium oxide In 2 O 3
  • indium cerium oxide ICO
  • tin oxide SnO 2
  • zinc oxide ZnO
  • Gallium oxide Ga 2 O 3
  • indium tin oxide ITO
  • indium zinc oxide IZO
  • zinc oxide tin ZTO
  • gallium-doped zinc oxide GZO
  • silicides include silicides of one or more elements selected from Mo, W, and Cr.
  • fluorides include fluorides of one or more elements selected from Mg, Y, La, and Ba.
  • magnesium fluoride MgF 2
  • MgF 2 magnesium fluoride
  • the manufacturing method of the laminate 100 according to the first embodiment of the present invention is not particularly limited, and a known method can be adopted.
  • the adhesion layer forming step corresponds to a carrier substrate manufacturing step.
  • the adhesion layer forming step and the laminating step will be described in detail.
  • the adhesion layer 14 is an organic layer
  • a curable resin composition containing a curable resin is applied on the first glass substrate 12, and the curable resin composition is applied. Is cured to form the adhesion layer 14 fixed on the first glass substrate 12 (application method), or the film-like adhesion layer 14 is fixed to the surface of the first glass substrate 12 (pasting method). Etc.
  • coating method is preferable at the point which the adhesive strength with respect to the 1st glass substrate 12 of the contact
  • examples of the method of forming the curable resin composition layer on the surface of the first glass substrate 12 include a method of coating the curable resin composition on the glass substrate.
  • examples of the coating method include spray coating, die coating, spin coating, dip coating, roll coating, bar coating, screen printing, and gravure coating.
  • the curing method is not particularly limited, and optimum curing conditions are selected depending on the resin used. Usually, heat treatment is adopted as a curing method.
  • a resin composition containing a resin component such as a phenol resin is applied on the first glass substrate 12 and subjected to a sintering treatment to perform carbonization.
  • the method of making it also includes.
  • manufacturing conditions optimum conditions are appropriately selected according to the materials used.
  • the substrate 16 is laminated on the surface of the adhesion layer 14 obtained in the adhesion layer forming step, and the laminate 100 including the first glass substrate 12, the adhesion layer 14, and the substrate 16 in this order is obtained. It is a process.
  • the method for laminating the substrate 16 on the adhesion layer 14 is not particularly limited, and a known method can be adopted. For example, a method of stacking the substrate 16 on the surface of the adhesion layer 14 under a normal pressure environment can be mentioned. If necessary, after the substrate 16 is overlaid on the surface of the adhesion layer 14, the substrate 16 may be bonded to the adhesion layer 14 using a roll or a press. Air bubbles mixed between the adhesive layer 14 and the substrate 16 are relatively easily removed by pressure bonding using a roll or a press, which is preferable.
  • an electronic device including a substrate and an electronic device member (hereinafter, also referred to as “membered substrate” as appropriate) is manufactured using the above-described laminate.
  • membered substrate an electronic device member
  • the manufacturing method of the electronic device using the laminated body which has the adhesion layer mentioned above is explained in full detail.
  • a member for electronic device is formed on a substrate in the above-described laminate to manufacture a laminate with a member for electronic device.
  • a method of separating the electronic device member-attached laminate into an electronic device (substrate with a member) and a carrier substrate using the substrate-side interface of the adhesion layer as a release surface is preferable.
  • the step of forming the electronic device member on the substrate in the laminate to produce the laminate with the electronic device member is a member forming step, and the substrate side interface of the adhesion layer is peeled from the laminate with the electronic device member
  • the step of separating the substrate with the member and the carrier substrate as a surface is called a separation step.
  • a member formation process is a process of forming the member for electronic devices on the board
  • the electronic device member 20 is a member that is formed on the substrate 16 in the laminate 100 and constitutes at least a part of the electronic device. More specifically, as the electronic device member 20, a member used for an electronic component such as a display panel, a solar cell, a thin film secondary battery, or a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface (for example, Display member, solar cell member, thin film secondary battery member, electronic component circuit).
  • a silicon type includes a transparent electrode such as tin oxide of a positive electrode, a silicon layer represented by p layer / i layer / n layer, a metal of a negative electrode, and the like. And various members corresponding to the dye-sensitized type, the quantum dot type, and the like.
  • a transparent electrode such as a metal or a metal oxide of a positive electrode and a negative electrode, a lithium compound of an electrolyte layer, a metal of a current collecting layer, a resin as a sealing layer, etc.
  • various members corresponding to nickel hydrogen type, polymer type, ceramic electrolyte type and the like can be mentioned.
  • a circuit for an electronic component in a CCD or CMOS, a metal of a conductive part, a silicon oxide or a silicon nitride of an insulating part, and the like, various sensors such as a pressure sensor and an acceleration sensor, a rigid printed board, a flexible printed board And various members corresponding to a rigid flexible printed circuit board.
  • the electronic device member 20 preferably includes low-temperature polysilicon (LTPS: Low-temperature poly silicon). That is, the member forming step preferably includes a step of manufacturing low-temperature polysilicon. Especially, it is more preferable that this member forming step includes a step of manufacturing a thin film transistor containing low-temperature polysilicon.
  • LTPS Low-temperature polysilicon
  • Low temperature polysilicon is polysilicon obtained by crystallizing silicon by using amorphous silicon as a precursor and applying crystallization energy by laser annealing, furnace annealing, or the like.
  • amorphous silicon is often heated to 450 ° C. or higher, in other words, the process temperature is often 450 ° C. or higher.
  • the electronic device member 20 is not all of the members finally formed on the second main surface 16b of the substrate 16 (hereinafter referred to as “all members”), but a part of all members (hereinafter referred to as “partial members”). ").
  • the substrate with partial members peeled off from the adhesion layer 14 can be used as a substrate with all members (corresponding to an electronic device described later) in the subsequent steps.
  • an electronic device may be formed on the peeling surface (first main surface 16a) of the substrate with all members peeled from the adhesion layer 14.
  • an electronic device can also be manufactured by assembling a laminate with all members and then peeling the carrier substrate 10 from the laminate with all members. Furthermore, it is also possible to assemble using two laminates with all members, and then peel off the two carrier substrates 10 from the laminate with all members to produce a member-equipped substrate having two glass substrates.
  • an organic EL structure is formed on the surface of the laminate 100 opposite to the adhesion layer 14 side of the substrate 16 (corresponding to the second main surface 16b of the substrate 16).
  • a transparent electrode further deposit a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, etc. on the surface on which the transparent electrode is formed, use a sealing plate to form a back electrode
  • Various layer formation and processing such as sealing are performed. Specific examples of the layer formation and processing include film formation processing, vapor deposition processing, sealing plate adhesion processing, and the like.
  • a TFT-LCD when manufacturing a TFT-LCD, it is formed on the second main surface 16b of the substrate 16 of the multilayer body 100 using a resist solution by a general film forming method such as a CVD method or a sputtering method.
  • TFT thin film transistor
  • There are various processes such as a CF forming process for forming a color filter (CF), a laminating process for laminating a laminated body with TFT obtained in the TFT forming process and a laminated body with CF obtained in the CF forming process.
  • the thin film transistor forming surface of the laminated body with TFT and the color filter forming surface of the laminated body with CF are opposed to each other, and are bonded using a sealant (for example, an ultraviolet curable sealant for cell formation).
  • a sealant for example, an ultraviolet curable sealant for cell formation.
  • a liquid crystal material is injected into a cell formed by the laminate with TFT and the laminate with CF.
  • the method for injecting the liquid crystal material include a reduced pressure injection method and a drop injection method.
  • the separation step As shown in FIG. 4B, from the laminate 22 with the electronic device member obtained in the member forming step, the interface between the adhesion layer 14 and the substrate 16 is used as the release surface, and the electronic device member.
  • This is a step of separating the substrate 20 (substrate with member) 20 and the carrier substrate 10 to obtain a member-attached substrate (electronic device) 24 including the electronic device member 20 and the substrate 16.
  • the electronic device member 20 on the substrate 16 at the time of peeling is a part of the formation of all necessary constituent members, the remaining constituent members can be formed on the substrate 16 after separation.
  • the method for peeling the substrate 16 and the carrier substrate 10 is not particularly limited. Specifically, for example, a sharp blade-like object is inserted into the interface between the substrate 16 and the adhesion layer 14 to give a trigger for peeling, and then peeled off by spraying a mixed fluid of water and compressed air. be able to.
  • the electronic device member-attached laminate 22 is placed on a surface plate so that the carrier substrate 10 is on the upper side and the electronic device member 20 side is on the lower side, and the electronic device member 20 side is vacuum-adsorbed on the surface plate. (In the case where carrier substrates are laminated on both surfaces, the steps are sequentially performed).
  • the blade is first inserted into the interface between the substrate 16 and the adhesion layer 14. Thereafter, the carrier substrate 10 side is sucked by a plurality of vacuum suction pads, and the vacuum suction pads are raised in order from the vicinity of the place where the blade is inserted.
  • the fragments of the adhesion layer 14 are electrostatically adsorbed to the substrate with member 24 by controlling spraying and humidity with an ionizer. It can be suppressed more.
  • a panel for a display device having a glass substrate and a member for a display device As the substrate 24 with a member manufactured by the above method, a panel for a display device having a glass substrate and a member for a display device, a solar cell having a glass substrate and a member for a solar cell, and a member for a glass substrate and a thin film secondary battery.
  • Examples include a thin film secondary battery, an electronic component having a glass substrate and an electronic device member.
  • the display device panel include a liquid crystal panel, an organic EL panel, a plasma display panel, a field emission panel, and the like.
  • Table 1 is a table showing compaction and the like of glass substrates having 12 kinds of compositions.
  • the raw materials of each component were prepared so as to have the target composition shown below, and melted at a temperature of 1500 to 1600 ° C. using a platinum crucible to obtain a molten glass. In melting, the mixture was stirred using a platinum stirrer to homogenize the glass. Next, molten glass was poured out, formed into a plate having a thickness of 0.3 mm, and then slowly cooled to produce a first glass substrate. In addition, as slow cooling conditions, it cooled by the average cooling rate (degreeC / min) of Table 1.
  • the Young's modulus was measured by an ultrasonic pulse method for glass having a thickness of 0.5 to 10 mm according to a method defined in JIS Z 2280 (1993).
  • the ultraviolet transmittance was measured at a wavelength of 300 nm using a UV-visible near-infrared spectrophotometer U4100 manufactured by Hitachi High-Tech Science Co., Ltd. with respect to glass having a thickness of 0.5 mm whose surfaces were optically polished.
  • the strain point was measured by the method described above.
  • surface represents the compaction (shrinkage
  • V 0 is the molar volume of the glass at the processing time
  • V ⁇ is the equilibrium molar volume at the processing temperature
  • V ( ⁇ ) is the molar volume of the glass at the conversion time ⁇
  • C is the compaction (unit: ppm)
  • ⁇ L is the amount of change of the glass length before and after treatment
  • ⁇ is the relaxation time constant
  • ⁇ is a parameter indicating the spread of the relaxation time constant.
  • Table 2 is a table showing the result of measuring the compaction by subjecting the glass substrate of Table 1 to heat treatment multiple times (three times). Using the first glass substrates 1 to 12, the compaction of the glass substrate after each heat treatment when the heat treatment under the following heating conditions was performed a plurality of times was calculated.
  • the first column represents the compaction (ppm) of the glass substrate after performing the following heat treatment once.
  • the second column shows the compaction after the second heat treatment is performed after the glass substrate subjected to the first heat treatment is cooled to room temperature.
  • the third column shows the compaction after performing the third heat treatment after cooling the glass substrate subjected to the second heat treatment to room temperature.
  • the glass substrate is heated from room temperature to 450 ° C. over 5 minutes, then held at 450 ° C. for 20 minutes, then cooled to room temperature for 5 minutes, and further the glass substrate is raised from room temperature to 600 ° C. over 5 minutes. Then, the mixture was kept at 600 ° C. for 5 minutes, and then cooled in 5 minutes until reaching room temperature.
  • Alkenyl group-containing organopolysiloxane (number average molecular weight: 2000, number of alkenyl groups: 2 or more) (100 parts by mass) and hydrogen polysiloxane (number average molecular weight: 2000, number of hydrosilyl groups: 2 or more) (6.7 parts by mass).
  • the mixing molar ratio of the alkenyl group in the alkenyl group-containing organopolysiloxane and the hydrosilyl group in the hydrogen polysiloxane (number of moles of hydrosilyl group / number of moles of alkenyl group) was 0.4 / 1. It was.
  • the second glass substrate a glass plate made of non-alkali borosilicate glass (length 200 mm, width 200 mm, plate thickness 0.2 mm, linear expansion coefficient 38 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C., trade name “AN100” manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) )It was used.
  • the first glass substrate and the second glass substrate were in close contact with the silicone resin layer without generating bubbles, and there was no distortion defect.
  • the peel strength at the interface between the silicone resin layer and the first glass substrate layer was greater than the peel strength at the interface between the second glass substrate layer and the silicone resin layer.
  • an electronic device was manufactured on the second glass substrate of the glass laminate A according to the following method.
  • an LTPS process using an excimer laser annealing method was used.
  • an amorphous silicon film was formed.
  • a thin film transistor circuit was formed by performing a dehydrogenation process, a laser irradiation, and an activation process, and forming and patterning various wirings such as a gate electrode, a source, and a drain electrode, and forming an interlayer insulating film and the like.
  • the process whose manufacturing process temperature is 500 degreeC or more was included.
  • the vacuum suction pad was pulled up while spraying a static eliminating fluid continuously from the ionizer toward the formed gap.
  • the silicone resin layer is separated from the second glass substrate together with the first glass substrate.
  • the peel strength (x) at the interface between the layer of the first glass substrate and the silicone resin layer is determined as follows. It was confirmed that the peel strength (y) at the interface of the substrate was higher.
  • a glass laminate A was manufactured according to the same procedure as described above, and an electronic device was manufactured according to the same procedure as described above. This process was repeated twice to produce an electronic device. In addition, the several glass laminated body A was prepared and the said process was implemented, respectively.

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Abstract

本発明は、複数回再利用して電子デバイスの製造を行った際にも、電子デバイスの製造歩留まりが優れる、キャリア基板を提供する。本発明は、基板の表面に電子デバイス用部材を製造する際に、この基板に貼り合せられて用いられるキャリア基板であって、キャリア基板は、少なくとも第１ガラス基板を含み、この第１ガラス基板は、下記コンパクションが８０ｐｐｍ以下である、キャリア基板に関する。コンパクション：第１ガラス基板を室温より１００℃／時間で昇温し６００℃で８０分間の加熱処理をしてから、１００℃／時間で室温まで冷却した場合の収縮率。

Description

キャリア基板、積層体、電子デバイスの製造方法
　本発明は、キャリア基板に係り、特に、所定のコンパクションを示すガラス基板を含むキャリア基板に関する。
　また、本発明は、上記キャリア基板を含む積層体、および、電子デバイスの製造方法に関する。
　近年、太陽電池（ＰＶ）、液晶パネル（ＬＣＤ）、有機ＥＬパネル（ＯＬＥＤ）などのデバイス（電子機器）の薄型化、軽量化が進行しており、これらのデバイスに用いるガラス基板の薄板化が進行している。薄板化によりガラス基板の強度が不足すると、デバイスの製造工程において、ガラス基板のハンドリング性が低下する。
　最近では、上記の課題に対応するため、ガラス基板とキャリア基板とを積層したガラス積層体を用意し、積層体のガラス基板上に表示装置などの電子デバイス用部材を形成した後、ガラス基板からキャリア基板を分離する方法が提案されている（例えば、特許文献１）。そして、分離したキャリア基板を、表示装置の製造にキャリア基板として再利用することも検討されている。
国際公開第２００７／０１８０２８号
　一方、近年、電子デバイスの高性能化の要求に伴い、電子デバイスの製造の際により高温条件下（例えば、５００℃以上）での処理の実施が望まれている。また、上述したように、キャリア基板は複数回再利用されることが望ましい。
　本発明者らは、特許文献１に記載のキャリア基板を、高温処理を伴う電子デバイスの製造に繰り返し用いて、電子デバイスの製造を検討した。具体的には、特許文献１に記載のキャリア基板を含む積層体を、高温処理を伴う電子デバイスの製造に適用した後、キャリア基板を剥離し、このキャリア基板を再度利用して電子デバイスを製造する処理を実施することを想定し、ガラス基板の繰り返し高温処理をコンピュータ・シミュレーションにより模擬した。
　その結果、キャリア基板を再利用して電子デバイスの製造を行った場合、電子デバイスにおいてパターンのズレなどが起こりやすく、電子デバイスの歩留まりが低下するおそれがあることが知見された。
　本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、複数回再利用して電子デバイスの製造を行った際にも、電子デバイスの製造歩留まりが優れる、キャリア基板を提供することを目的とする。
　また、本発明は、上記キャリア基板を含む積層体、および、該積層体を用いた電子デバイスの製造方法を提供することも目的とする。
　本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、所定のコンパクションを示すガラス基板を含むキャリア基板を使用することにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
　すなわち、本発明の第１の態様は、基板の表面に電子デバイス用部材を製造する際に、基板に貼り合せられて用いられるキャリア基板であって、このキャリア基板は、少なくとも第１ガラス基板を含み、この第１ガラス基板は、下記コンパクションが８０ｐｐｍ以下ある、キャリア基板である。
　コンパクション：第１ガラス基板を室温より１００℃／時間で昇温し６００℃で８０分間の加熱処理をしてから、１００℃／時間で室温まで冷却した場合の収縮率
　また、第１の態様において、コンパクションが７０ｐｐｍ以下であることが好ましい。
　また、第１の態様において、第１ガラス基板の歪点が７００℃以上であることが好ましい。
　また、第１の態様において、第１ガラス基板が、酸化物基準の質量百分率表示において、下記を含有するガラスからなることが好ましい。
ＳｉＯ２：５０～７３％
Ａｌ２Ｏ３：１０．５～２４％
Ｂ２Ｏ３：０～５％
ＭｇＯ：０～１０％
ＣａＯ：０～１４．５％
ＳｒＯ：０～２４％
ＢａＯ：０～１３．５％
ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ：８～２９．５％
　また、第１の態様において、さらに、第１ガラス基板上に配置された密着層を含むことが好ましい。
　本発明の第２の態様は、第１の態様のキャリア基板と、このキャリア基板上に配置された基板とを有する、積層体である。
　また、第２の態様において、基板が第２ガラス基板であることが好ましい。
　本発明の第３の態様は、第２の態様の積層体の基板の表面上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、
　電子デバイス用部材付き積層体からキャリア基板を除去し、基板と電子デバイス用部材とを有する電子デバイスを得る分離工程と、を備える電子デバイスの製造方法である。
　また、第３の態様において、電子デバイス用部材が低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）を含むことが好ましい。
　また、第３の態様において、電子デバイス用部材を形成する際にプロセス温度が４５０℃以上である工程を含むことが好ましい。
　本発明によれば、複数回再利用して電子デバイスの製造を行った際にも、電子デバイスの製造歩留まりが優れる、キャリア基板を提供することができる。
　また、本発明によれば、上記キャリア基板を含む積層体、および、該積層体を用いた電子デバイスの製造方法を提供することもできる。
図１は、本発明に係るキャリア基板の一実施態様の模式的断面図である。 図２は、本発明に係る積層体の一実施態様の模式的断面図である。 図３は、本発明に係る積層体の他の実施態様の模式的断面図である。 図４（Ａ）、図４（Ｂ）は、本発明に係る部材付き基板の製造方法の一実施形態を工程順に示す模式的断面図である。図４（Ａ）は部材形成工程で得られる電子デバイス用部材付き積層体２２の模式的断面図であり、図４（Ｂ）は分離工程で得られる部材付き基板２４と、キャリア基板１０の模式的断面図である。
　以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、本発明は、以下の実施態様に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、以下の実施態様に種々の変形および置換を加えることができる。
　本発明のキャリア基板の特徴点の一つは、所定のコンパクションを示すガラス基板を含む点が挙げられる。
　本発明者らは、キャリア基板を複数回再利用した際に、電子デバイスの歩留まりが低下していく理由について検討を行ったところ、キャリア基板の熱収縮（コンパクション）が影響していることを知見している。
　まず、電子デバイスを製造する際には、通常、マスクを使用して微細パターンを作製するプロセスが含まれる。マスクの形状（開口部の大きさ）は、加熱処理の際に、被処理物が熱収縮することを考慮して作製される場合が多い。そのため、キャリア基板を含む積層体を用いて電子デバイスを製造する際、マスクの形状は１回目の電子デバイスの製造の際の熱収縮した積層体の大きさに基づいて設計される。
　本発明者らは、特許文献１に記載の支持板であるガラス基板（旭硝子株式会社製　ＡＮ１００）を含むキャリア基板を用いて電子デバイスを製造した後、再度キャリア基板を使用して電子デバイスを製造する際に、キャリア基板がさらに熱収縮するため、一旦作製されたマスクを用いて電子デバイスを作製すると、パターンのずれが生じやすいことを知見している。つまり、キャリア基板の熱収縮によってその上に配置される基板も収縮し、結果として、形成されるパターンの位置ずれが生じ、電子デバイスの製造歩留まりが低下することを知見している。
　本発明者らは、上記原因を見出し、その解決方法を検討したところ、所定の加熱条件下にて処理された際のコンパクションが所定値であるガラス基板を用いれば、電子デバイスの製造の２回目以降においても、ガラス基板（言い換えれば、キャリア基板）の熱収縮を抑制することができ、結果として電子デバイスの製造歩留まりが優れることを見出した。
　本発明のキャリア基板は、少なくとも所定の特性を有する第１ガラス基板を有していればよいが、図１に示すキャリア基板が好適に挙げられる。図１は、本発明に係るキャリア基板の第１実施態様の模式的断面図である。
　図１に示すように、キャリア基板１０は、第１ガラス基板１２と、第１ガラス基板１２上に配置された密着層１４とを有する積層体である。密着層１４は、表面１４ｂが第１ガラス基板１２の第１主面に接し、表面１４ａには他の材料は接していない。
　このキャリア基板１０は、通常、図２に示すように、密着層１４の表面１４ａと基板１６が接するように積層することにより、基板１６上に液晶パネルなどの電子デバイス用部材を製造する部材形成工程に用いられる。
　図２は、本発明に係る積層体の一実施態様の模式的断面図である。
　図２に示すように、積層体１００は、第１ガラス基板１２の層と基板１６の層とそれらの間に密着層１４が存在する積層体である。密着層１４は、その一方の面が第１ガラス基板の層に接すると共に、その他方の面が基板１６の第１主面１６ａに接している。なお、基板１６は、剥離可能に密着層１４上に積層されている。
　第１ガラス基板１２および密着層１４からなるキャリア基板１０は、液晶パネルなどの電子デバイス用部材を製造する部材形成工程において、基板１６を補強する補強板として機能する。
　この積層体１００は、後述する部材形成工程まで使用される。即ち、この積層体１００は、その基板１６の第２主面１６ｂ表面上に液晶表示装置などの電子デバイス用部材が形成されるまで使用される。その後、電子デバイス用部材が形成された積層体は、キャリア基板１０と部材付き基板に分離され、キャリア基板１０は電子デバイスを構成する部分とはならない。キャリア基板１０には新たな基板１６が積層され、新たな積層体１００として再利用することができる。
　なお、密着層１４は第１ガラス基板１２上に固定されており、基板１６はキャリア基板１０の密着層１４上に剥離可能に積層（密着）する。本発明において、該固定と剥離可能な積層（密着）は剥離強度（すなわち、剥離に要する応力）に違いがあり、固定は密着に対し剥離強度が大きいことを意味する。つまり、密着層１４と第１ガラス基板１２との界面の剥離強度が、密着層１４と基板１６との界面の剥離強度よりも大きくなる。言い換えると、剥離可能な積層（密着）とは、剥離可能であると同時に、固定されている面の剥離を生じさせることなく剥離可能であることも意味する。
　より具体的には、第１ガラス基板１２と密着層１４の界面は剥離強度（ｘ）を有し、第１ガラス基板１２と密着層１４の界面に剥離強度（ｘ）を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、第１ガラス基板１２と密着層１４の界面が剥離する。密着層１４と基板１６の界面は剥離強度（ｙ）を有し、密着層１４と基板１６の界面に剥離強度（ｙ）を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、密着層１４と基板１６の界面が剥離する。
　積層体１００（後述の電子デバイス用部材付き積層体も意味する）においては、上記剥離強度（ｘ）は上記剥離強度（ｙ）よりも高い。したがって、積層体１００に第１ガラス基板１２と基板１６とを引き剥がす方向の応力が加えられると、積層体１００は、密着層１４と基板１６の界面で剥離して基板１６とキャリア基板１０に分離する。
　剥離強度（ｘ）は、剥離強度（ｙ）と比較して、充分高いことが好ましい。剥離強度（ｘ）を高めることは、第１ガラス基板１２に対する密着層１４の付着力を高め、かつ加熱処理後において基板１６に対してよりも相対的に高い付着力を維持できることを意味する。
　第１ガラス基板１２に対する密着層１４の付着力を高める方法は特に制限されず、例えば、後述するように、硬化性樹脂を第１ガラス基板１２上で硬化させて、所定の密着層１４を形成する方法が挙げられる。硬化の際の接着力で、第１ガラス基板１２に対して高い結合力で結合した密着層１４を形成することができる。一方、密着層１４の基板１６に対する結合力は、上記硬化時に生じる結合力よりも低いのが通例である。したがって、第１ガラス基板１２上で硬化性樹脂の層に硬化処理（加熱処理）を施して密着層１４を形成し、その後密着層１４の面に基板１６を積層することにより、所望の剥離関係を満たす積層体１００を製造することができる。
　なお、図１においては、第１ガラス基板と密着層とを有するキャリア基板について詳述したが、この態様には限定されず、基板を剥離可能に積層可能であれば密着層は無くてもよい。つまり、第１ガラス基板からなるキャリア基板であってもよい。
　この実施態様の場合、図３に示すように、第１ガラス基板１１２上に基板１１６が配置されて、積層体１１０が形成される。
　なお、本実施態様においては、第１ガラス基板１１２の基板１１６と接する側の表面（図３中、表面１１２ａ）の表面粗さ（Ｒａ）は２．０ｎｍ以下であることが好ましく、１．０ｎｍ以下であることがより好ましい。下限値は特に制限されないが、０が最も好ましい。上記範囲であれば、基板１１６との密着性がより良好となり、基板１１６の位置ずれなどをより抑制することができると共に、基板１１６の剥離性にも優れる。
　表面粗さ（Ｒａ）はＪＩＳ　Ｂ　０６０１（２００１年改正）に従って測定される。
　以下では、キャリア基板１０および積層体１００を構成する各層（第１ガラス基板１２、基板１６、密着層１４）について詳述し、その後、キャリア基板、積層体および部材付き基板の製造方法について詳述する。
　なお、積層体１１０中の第１ガラス基板１１２および基板１１６は、上記第１ガラス基板１２および基板１６と同様の構成であるため、説明を省略する。
＜第１ガラス基板１２＞
　第１ガラス基板１２は、基板１６を支持して補強し、後述する部材形成工程（電子デバイス用部材を製造する工程）において電子デバイス用部材の製造の際に基板１６の変形、傷付き、破損などを防止する。
　第１ガラス基板１２は、６００℃で８０分間の加熱処理の際のコンパクション（コンパクション値）が８０ｐｐｍ以下であるガラス基板である。なかでも、電子デバイスの製造歩留まりがより優れる点（以後、単に「本発明の効果がより優れる点」とも称する）で、コンパクションは７０ｐｐｍ以下が好ましく、６０ｐｐｍ以下がより好ましく、５０ｐｐｍ以下がさらに好ましい。下限は特に制限されないが、ガラスの特性上、２０ｐｐｍ以上の場合が多い。
　コンパクションが８０ｐｐｍ超の場合、電子デバイスの製造歩留まりが劣る。
　上記コンパクションとは、加熱処理の際にガラス構造の緩和によって発生するガラス熱収縮率である。本発明において、コンパクションとは、ガラス基板の表面に所定の間隔で圧痕を２箇所打ち、その後、ガラス基板を室温から１００℃／時間で６００℃まで加熱、昇温し、６００℃にて８０分間保持した後、１００℃／時間で室温まで冷却した場合の、圧痕間隔距離の収縮率（ｐｐｍ）を意味するものとする。
　本発明におけるコンパクションは、下記方法で測定することができる。
　ガラス基板の表面を研磨加工して１００ｍｍ×２０ｍｍの試料を得る。該試料の表面に点状の圧痕を長辺方向に２箇所、間隔Ａ（Ａ＝９５ｍｍ）で打つ。
　次に該試料を室温から６００℃まで昇温速度１００℃／時（＝１．６℃／分）で加熱し、６００℃で８０分間保持した後、降温速度１００℃／時で室温まで冷却する。そして、再度、圧痕間距離を測定し、その距離をＢとする。このようにして得たＡ、Ｂから下記式を用いてコンパクションを算出する。なお、Ａ、Ｂは光学顕微鏡を用いて測定する。
　コンパクション[ｐｐｍ]＝（Ａ－Ｂ）／Ａ×１０６
　第１ガラス基板１２の歪点の範囲は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、７００℃以上が好ましく、７１０℃以上がより好ましい。ただし、歪点が高すぎると、ガラス成形上問題が生じるため、７７０℃以下が好ましい。７６０℃以下がより好ましく、７５０℃以下がさらに好ましい。
　歪点とは、ガラスの粘性流動が事実上起り得ない温度で、徐冷域における下限温度に相当し、粘度が１０１４．５ｄＰａ・ｓ｛ｐｏｉｓｅ｝に相当する温度をいう。歪点は、ＪＩＳ－Ｒ３１０３（２００１年）およびＡＳＴＭ－Ｃ３３６（１９７１年）に規定されているファイバーエロンゲーション法を用いて測定する。
　第１ガラス基板１２の組成は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、酸化物基準の質量百分率表示で、ガラス母組成として、以下の範囲であることが好ましい。
ＳｉＯ２：５０～７３％
Ａｌ２Ｏ３：１０．５～２４％
Ｂ２Ｏ３：０～５％
ＭｇＯ：０～１０％
ＣａＯ：０～１４．５％
ＳｒＯ：０～２４％
ＢａＯ：０～１３．５％
ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ：８～２９．５％
　次に各成分の組成範囲について説明する。
　ＳｉＯ２は５０％（酸化物基準の質量百分率表示、特記しないかぎり以下同じ）未満では、歪点が充分に上がらず、かつ、熱膨張係数が増大し、密度が上昇するので、５０％以上が好ましい。５３％以上がより好ましく、５５％以上がさらに好ましく、５７％以上が特に好ましい。７３％超では、溶解性が低下し、脱泡性が低下するため、７３％以下が好ましい。７０％以下がより好ましく、６７％以下がさらに好ましく、６５％以下が特に好ましい。
　Ａｌ２Ｏ３はガラスの分相性を抑制し、熱膨脹係数を下げ、歪点を上げるが、１０．５％未満ではこの効果があらわれず、また、ほかの膨張を上げる成分を増加させることになるため、結果的に熱膨張が大きくなる。１０．５％以上が好ましく、１５％以上がより好ましく、１７％以上がさらに好ましい。２４％超ではガラスの溶解性が悪くなったり、失透温度を上昇させるおそれがあるので、２４％以下が好ましく、２２％以下がより好ましい。
　Ｂ２Ｏ３は、ガラスの溶解反応性をよくし、また、失透温度を低下させるため０％以上５％以下添加できる。上記の効果を得るためには、０．１％以上が好ましい。しかし、多すぎると歪点が低くなる。したがって５％以下が好ましく、３％以下がより好ましい。
　ＭｇＯは、アルカリ土類の中では膨張を高くせず、かつ歪点を過大には低下させないという特徴を有し、溶解性も向上させる。
　ここで、ＭｇＯ含有量は０％以上１０％以下であることが好ましいが、１％以上がより好ましい。１０％を超えると、失透温度が上昇するおそれがあるので、１０％以下が好ましく、７％以下がより好ましく、６％以下がさらに好ましい。
　ＣａＯは、ＭｇＯに次いでアルカリ土類中では膨張を高くせず、かつ歪点を過大には低下させないという特徴を有し、溶解性も向上させる。
　ここで、ＣａＯの含有量は０％以上１４．５％以下であることが好ましいが、１％以上であることがより好ましく、３％以上がさらに好ましい。１４．５％を超えると、失透温度が上昇するおそれがある。１０％以下がより好ましく、７％以下がさらに好ましい。
　ＳｒＯは、ガラスの失透温度を上昇させず溶解性を向上させる任意成分である。
　ここで、ＳｒＯ含有量は０％以上２４％以下であることが好ましいが、１％以上がより好ましい。２４％を超えると膨脹係数が増大するおそれがある。１２％以下がより好ましく、９％以下がさらに好ましい。
　ＢａＯは必須ではないが溶解性向上や、耐失透性の向上のために含有できる。しかし、多すぎるとガラスの膨張と密度を過大に増加させるので、１３．５％以下が好ましく、１２％以下がより好ましく、１０％以下がさらに好ましい。
　なお、特に密度が問題となる場合には、ＢａＯの含有量は少ない方がよく、５％以下が好ましく、１％以下が好ましく、０．５％以下がさらに好ましく、実質的に含有しないことが特に好ましい。実質的に含有しないとは、不可避的不純物を除き含有しない意味である。
　一方、耐失透性を重視する場合には、１％以上が好ましく、３％以上がより好ましく、５％以上がさらに好ましい。
　ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯは合計量で８％よりも少ないと、溶解性に乏しい。８％以上が好ましく、１０％以上がより好ましい。１２％以上がさらに好ましく、１４％以上が特に好ましい。２９．５％よりも多いと、熱膨張係数を小さくできないという難点が生じるおそれがあるので、２９．５％以下が好ましく、２５％以下がより好ましく、２３％以下がさらに好ましく、２１％以下が特に好ましい。
　その他の成分として、本発明の特長を損なわない範囲で、物性を調整するための成分や、清澄剤を添加することが出来る。物性を調整するための成分としては、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５、清澄剤としては、ＳｎＯ２、ＳＯ３、Ｃｌ、Ｆなどが挙げられる。いずれも１％未満の範囲で含有することが出来る。
　Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏなどのアルカリ金属酸化物は、原料の不可避的不純物として混入したり、溶融促進のために添加ことがある。これらは、ＴＦＴ製造工程内でのアルカリイオンによる汚染の原因となり、その結果ＴＦＴ特性を劣化させる可能性がある。そのため、できるだけ含有しないことが好ましい。具体的には０．１％以下が好ましい。０．０８％以下がより好ましく、０．０５％以下がさらに好ましく、０．０３％以下が特に好ましい。
　Ａｓ２Ｏ３、ＰｂＯ、ＣｄＯは、環境に悪影響を及ぼすため、これらの成分は、実質的に含有しない。
　第１ガラス基板１２または第１ガラス基板１１２に用いられるガラスは、積層基板の搬送時の撓みを低減するため、ヤング率が高いことが好ましい。７７ＧＰａ以上が好ましく、８０ＧＰａ以上がさらに好ましく、８２ＧＰａ以上が特に好ましい。
　また、第１ガラス基板１２または第１ガラス基板１１２に用いられるガラスに傷がつくと、リサイクルを行う際に、強度低下をもたらしたり、後述の紫外光照射の際の不均一をもたらしたりする可能性がある。そのため、第１ガラス基板１２または第１ガラス基板１１２のガラスのビッカース硬度は高い方が好ましい。５８０以上が好ましく、５９０以上がより好ましく、６００以上がさらに好ましい。
　第１ガラス基板１２または第１ガラス基板１１２に用いられるガラスを用いて液晶ディスプレイやＯＬＥＤディスプレイ等の電子デバイスを製造する工程において、第１ガラス基板１２を通して、例えば紫外光を照射することにより、液晶配向膜の硬化や、樹脂－ガラス界面における結合を破壊し、剥離を容易にする工程が含まれることがある。そのため、ガラスの紫外線透過率が高いことが好ましい。３００ｎｍの外部透過率（表裏面の反射を含んだ透過率）は、０．５ｍｍ厚み換算で、４０％以上であることが好ましい。５０％以上であることがより好ましく、６０％以上であることがさらに好ましく、７０％以上であることが特に好ましい。
　第１ガラス基板１２の厚さは、基板１６よりも厚くてもよいし、薄くてもよいが、通常、基板１６よりも薄い場合が多い。好ましくは、基板１６の厚さ、密着層１４の厚さ、および積層体１００の厚さに基づいて、第１ガラス基板１２の厚さが選択される。例えば、現行の部材形成工程が厚さ０．５ｍｍの基板を処理するように設計されたものであって、基板１６の厚さと密着層１４の厚さとの和が０．１ｍｍの場合、第１ガラス基板１２の厚さを０．４ｍｍとする。第１ガラス基板１２の厚さは、通常の場合、０．２～０．５ｍｍであることが好ましく、基板１６よりも厚いことが好ましい。
　第１ガラス基板１２の製造方法は特に制限されず、上述したコンパクションを示すガラス基板が得られればよい。なかでも、コンパクションの調整がしやすい点で、ガラス原料を溶解して溶融ガラスを得る溶解工程と、溶解工程により得られた溶融ガラスを板状のガラスリボンに成形する成形工程と、成形工程により成形されたガラスリボンを徐冷する徐冷工程と、を有する製造方法であることが好ましい。
　溶解工程では、ガラス原料を溶解して溶融ガラスを得る。例えば、得られるガラス板の組成となるようにガラス原料を調製し、ガラス原料を溶解炉に連続的に投入し、１４５０～１６５０℃程度に加熱して溶融ガラスを得る。
　成形工程では、溶解工程により得られた溶融ガラスを板状のガラスリボン（リボン状ガラス板）に成形する。より具体的には、フロート法またはフュージョン法により、所定の板厚のガラスリボンに成形する。
　徐冷工程では、成形工程により得られた板状のガラスリボンを徐冷する。上述した所定の範囲のコンパクションに調整するには、この徐冷工程での冷却速度を制御する方法が好ましい。平均冷却速度としては、例えば、１５～６００℃／分の範囲で調整することができる。本発明の効果がより優れる点で、２０～４００℃／分であることが好ましく、３０～３００℃／分であることがより好ましく、３０～１００℃／分であることがさらに好ましい。
　なお、平均冷却速度とは、リボン状ガラス板の表面温度をＴＨ（℃）、室温をＴＬ（℃）とし、さらにリボン状ガラス板の表面温度がＴＨからＴＬに冷却されるまでの時間をｔ（分）とした場合に、（ＴＨ－ＴＬ）／ｔで示される速度である。
　また、具体的な冷却手段は特に限定されず、従来公知の冷却方法であってよい。例えば温度勾配を持った加熱炉を用いる方法が挙げられる。
＜基板＞
　基板１６は、第１主面１６ａが密着層１４と接し、密着層１４側とは反対側の第２主面１６ｂに電子デバイス用部材が設けられる。つまり、基板１６は、後述する電子デバイスの形成するために使用される基板である。
　基板１６の種類は特に制限されず、ガラス基板、樹脂基板、金属基板などが挙げられる。
　基板１６としてガラス基板（以後、第２ガラス基板とも称する）を用いる場合、第２ガラス基板の種類は、一般的なものであってよく、例えば、ＬＣＤ、ＯＬＥＤといった表示装置用のガラス基板などが挙げられる。第２ガラス基板は耐薬品性、耐透湿性に優れ、且つ、熱収縮率が低い。熱収縮率の指標としては、ＪＩＳ　Ｒ　３１０２（１９９５年改正）に規定されている線膨張係数が用いられる。
　第２ガラス基板は、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形して得られる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法、などが用いられる。また、特に厚さが薄い第２ガラス基板は、いったん板状に成形したガラスを成形可能温度に加熱し、延伸などの手段で引き伸ばして薄くする方法（リドロー法）で成形して得ることもできる。
　第２ガラス基板のガラスの種類は特に限定されないが、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が４０～９０質量％のガラスが好ましい。
　第２ガラス基板のガラスとしては、電子デバイス用部材の種類やその製造工程に適したガラスが採用される。例えば、液晶パネル用のガラス基板は、アルカリ金属成分の溶出が液晶に影響を与えやすいことから、アルカリ金属成分を実質的に含まないガラス（無アルカリガラス）からなる（ただし、通常アルカリ土類金属成分は含まれる）。このように、第２ガラス基板のガラスは、適用されるデバイスの種類およびその製造工程に基づいて適宜選択される。ここで、アルカリ金属成分を実質的に含まないとは、アルカリ金属成分の含有量が０．１質量％以下であることを示す。
　基板１６または基板１１６として樹脂基板を用いる場合、樹脂基板を構成する樹脂の種類は特に制限されないが、耐熱性の観点から、ポリイミド樹脂が好適である。
　基板１６の厚さは、基板１６の薄型化および／または軽量化の観点から、０．３ｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．１５ｍｍ以下であり、さらに好ましくは０．１０ｍｍ以下である。０．３ｍｍ以下の場合、基板１６に良好なフレキシブル性を与えることが可能である。０．１５ｍｍ以下の場合、基板１６をロール状に巻き取ることが可能である。
　また、基板１６の厚さは、基板１６の製造が容易であること、基板１６の取り扱いが容易であることなどの理由から、０．０３ｍｍ以上であることが好ましい。
　ポリイミドなどの樹脂基板を用いる場合には、第１ガラス基板１１２の上に直接ポリイミドの前駆体を塗布し、４００℃～５００℃の高温で熱処理することによって、硬化させる方法がある。この場合、基板１１６の厚みは、０．１ｍｍ以下であることが好ましく０．０５ｍｍ以下であることがより好ましい。一方、デバイスとして剥離したときの強度を保つため、０．００１ｍｍ以上であることが好ましく０．００５ｍｍ以上であることがより好ましく、０．０１ｍｍ以上であることがさらに好ましい。
　さらに、このような工程でデバイスを製造する場合の第１ガラス基板１１２のガラスは、高い紫外線透過率が求められる。これは、第１ガラス基板１１２上に直接形成した基板１１６を剥離する際に、第１ガラス基板１１２側から紫外線を照射するためである。そのため、第１ガラス基板１１２のガラスの紫外線透過率は、波長３００ｎｍにおける外部透過率として、板厚に関わらず、４０％以上が好ましく、５０％以上がより好ましく、６０％以上がさらに好ましく、７０％以上が特に好ましい。
　第１ガラス基板１１２の板厚は特に限定されないが、板厚が薄くなりすぎると、たわみが大きくなり、搬送時に問題が生じるため、０．４ｍｍ以上が好ましく０．５ｍｍ以上がより好ましい。一方、厚すぎると基板重量が大きくなりすぎ、搬送機器の負荷が大きくなるため、１．０ｍｍ以下が好ましく、０．７ｍｍ以下がより好ましい。
＜密着層＞
　密着層１４は、基板１６と第１ガラス基板１２とを分離する操作が行われるまで基板１６の位置ずれを防止すると共に、基板１６などが分離操作によって破損するのを防止する。密着層１４の基板１６と接する表面１４ａは、基板１６の第１主面１６ａに剥離可能に積層（密着）する。上述したように、密着層１４は基板１６の第１主面１６ａに弱い結合力で結合しており、その界面の剥離強度（ｙ）は、密着層１４と第１ガラス基板１２との間の界面の剥離強度（ｘ）よりも低い。
　すなわち、基板１６と第１ガラス基板１２とを分離する際には、基板１６の第１主面１６ａと密着層１４との界面で剥離し、第１ガラス基板１２と密着層１４との界面では剥離し難い。このため、密着層１４は基板１６の第１主面１６ａと密着するが、基板１６を容易に剥離することができる表面特性を有する。すなわち、密着層１４は、基板１６の第１主面１６ａに対してある程度の結合力で結合して基板１６の位置ずれなどを防止していると同時に、基板１６を剥離する際には、基板１６を破壊することなく、容易に剥離できる程度の結合力で結合している。本発明では、この密着層１４表面の容易に剥離できる性質を剥離性という。一方、第１ガラス基板１２の第１主面と密着層１４とは相対的に剥離しがたい結合力で結合している。
　密着層１４の種類は特に制限されず、樹脂などで構成される有機層でも、無機層でもよい。以下、それぞれの場合について詳述する。
（有機層）
　有機層としては、所定の樹脂を含む樹脂層であることが好ましい。樹脂層を形成する樹脂の種類は特に限定されず、例えば、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリウレタン樹脂、またはフッ素系樹脂等が挙げられる。いくつかの種類の樹脂を混合して用いることもできる。中でもシリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素系樹脂が好ましい。
　シリコーン樹脂とは、所定のオルガノシロキシ単位を含む樹脂であり、通常、硬化性シリコーンを硬化させて得られる。硬化性シリコーンは、その硬化機構により付加反応型シリコーン、縮合反応型シリコーン、紫外線硬化型シリコーンおよび電子線硬化型シリコーンに分類されるが、いずれも使用することができる。これらの中でも付加反応型シリコーンまたは縮合反応型シリコーンが好ましい。
　付加反応型シリコーンとしては、主剤および架橋剤を含み、白金系触媒などの触媒の存在下で硬化する硬化性の組成物が好適に使用できる。付加反応型シリコーンの硬化は、加熱処理により促進される。付加反応型シリコーン中の主剤は、ケイ素原子に結合したアルケニル基（ビニル基など）を有するオルガノポリシロキサン（すなわち、オルガノアルケニルポリシロキサン。なお、直鎖状が好ましい）であることが好ましく、アルケニル基などが架橋点となる。付加反応型シリコーン中の架橋剤は、ケイ素原子に結合した水素原子（ハイドロシリル基）を有するオルガノポリシロキサン（すなわち、オルガノハイドロジェンポリシロキサン。なお、直鎖状が好ましい）であることが好ましく、ハイドロシリル基などが架橋点となる。
　付加反応型シリコーンは、主剤と架橋剤の架橋点が付加反応をすることにより硬化する。なお、架橋構造に由来する耐熱性がより優れる点で、オルガノアルケニルポリシロキサンのアルケニル基に対する、オルガノハイドロジェンポリシロキサンのケイ素原子に結合した水素原子のモル比が０．５～２であることが好ましい。
　付加反応型シリコーンを用いる場合、必要に応じて、触媒（特に、白金族金属系触媒）をさらに用いてもよい。
　白金族金属系触媒（ヒドロシリル化用白金族金属触媒）は、上記オルガノアルケニルポリシロキサン中のアルケニル基と、上記オルガノハイドロジェンポリシロキサン中の水素原子とのヒドロシリル化反応を、進行・促進させるための触媒である。白金族金属系触媒としては、白金系、パラジウム系、ロジウム系などの触媒が挙げられ、特に白金系触媒として用いることが経済性、反応性の点から好ましい。
　縮合反応型シリコーンとしては、モノマーである加水分解性オルガノシラン化合物若しくはその混合物（モノマー混合物）、または、モノマー若しくはモノマー混合物を部分加水分解縮合反応させて得られる部分加水分解縮合物（オルガノポリシロキサン）を好適に用いることができる。
　この縮合反応型シリコーンを用いて、加水分解・縮合反応（ゾルゲル反応）を進行させることにより、シリコーン樹脂を形成することができる。
　ポリイミド樹脂とは、イミド構造を有する樹脂であり、テトラカルボン酸類とジアミン類とを反応させて得られる樹脂である。
　ポリイミド樹脂の構造は特に制限されないが、下記式（１）で表される、テトラカルボン酸類の残基（Ｘ）とジアミン類の残基（Ａ）とを有する繰り返し単位からなることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
　式（１）中、Ｘはテトラカルボン酸類からカルボキシ基を除いたテトラカルボン酸残基を、Ａはジアミン類からアミノ基を除いたジアミン残基を表す。
　式（１）中、Ｘは、以下の式（Ｘ１）～（Ｘ４）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基からなることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　なかでも、ポリイミド樹脂の耐熱性が優れる点で、Ｘの総数の５０モル％以上（好ましくは、８０～１００モル％）が以下の式（Ｘ１）～（Ｘ４）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基からなることがより好ましい。Ｘの総数の実質的に全数（１００モル％）が以下の式（Ｘ１）～（Ｘ４）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基からなることがさらに好ましい。
　また、Ａはジアミン類からアミノ基を除いたジアミン残基を表し、以下の式（Ａ１）～（Ａ８）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基からなることが好ましい。
　なかでも、ポリイミド樹脂の耐熱性が優れる点で、Ａの総数の５０モル％以上（好ましくは、８０～１００モル％）が以下の式（Ａ１）～（Ａ８）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基からなることがより好ましい。Ａの総数の実質的に全数（１００モル％）が以下の式（Ａ１）～（Ａ８）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基からなることがさらに好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
　以上に示したポリイミドは有機層のみならず、第二の基板（基板１１６）として用いることもできる。
　有機層の厚さは特に限定されないが、１～１００μｍであることが好ましく、５～３０μｍであることがより好ましく、７～２０μｍであることがさらに好ましい。有機層の厚さがこのような範囲であると、有機層と第１ガラス基板または基板との密着が十分になるからである。
（無機層）
　無機層を構成する材料は特に制限されないが、例えば、酸化物、窒化物、酸窒化物、炭化物、炭窒化物、珪化物および弗化物からなる群から選ばれる少なくとも１つを含むことが好ましい。なかでも、基板１６の剥離性がより優れる点で、酸化物を含むことが好ましい。
　酸化物（好ましくは、金属酸化物）、窒化物（好ましくは、金属窒化物）、酸窒化物（好ましくは、金属酸窒化物）としては、例えば、Ｓｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｙ、Ｎｂ、Ｎａ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｍｇ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｓｒ、Ｓｎ、ＩｎおよびＢａから選ばれる１種類以上の元素の酸化物、窒化物、酸窒化物が挙げられる。
　より具体的には、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、インジウムセリウムオキサイド（ＩＣＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛スズ（ＺＴＯ）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）などが挙げられる。
　炭化物（好ましくは、金属炭化物）、炭窒化物（好ましくは、金属炭窒化物）としては、例えば、Ｔｉ、Ｗ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｎｂから選ばれる１種以上の元素の炭化物、炭窒化物、炭酸化物が挙げられる。例えば、炭化酸化珪素（ＳｉＣＯ）などが挙げられる。
　なお、炭化物としては、いわゆるカーボン材料であってもよく、例えば、フェノール樹脂などの樹脂成分を焼結して得られる炭化物であってもよい。
　珪化物（好ましくは、金属珪化物）としては、例えば、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒから選ばれる１種以上の元素の珪化物が挙げられる。
　弗化物（好ましくは、金属弗化物）としては、例えば、Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｂａから選ばれる１種以上の元素の弗化物が挙げられる。例えば、弗化マグネシウム（ＭｇＦ２）などが挙げられる。
　無機層の厚みは特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点では、５～５０００ｎｍが好ましく、１０～５００ｎｍがより好ましい。
　無機層の基板１６に接する面の表面粗さ（Ｒａ）は２．０ｎｍ以下であることが好ましく、１．０ｎｍ以下であることがより好ましい。下限値は特に制限されないが、０が最も好ましい。上記範囲であれば、基板１６との密着性がより良好となり、基板１６の位置ずれなどをより抑制することができると共に、基板１６の剥離性にも優れる。
　ＲａはＪＩＳ　Ｂ　０６０１（２００１年改正）に従って測定される。
＜キャリア基板および積層体の製造方法＞
　本発明の第１実施態様の積層体１００の製造方法は特に制限されず、公知の方法を採用できるが、通常、第１ガラス基板１２上に密着層１４を形成する密着層形成工程と、密着層１４上に基板１６を積層して積層体１００とする積層工程とを有する。なお、上記密着層形成工程は、キャリア基板の製造工程に該当する。
　以下、密着層形成工程、および、積層工程について詳述する。
（密着層形成工程）
　密着層形成工程は、第１ガラス基板１２上に密着層１４を形成する工程である。密着層１４を形成する方法は特に制限されず、公知の方法を採用でき、密着層１４を構成する材料の種類によって異なる。
　例えば、密着層１４が有機層である場合、有機層を作製する方法としては、例えば、硬化性樹脂を含む硬化性樹脂組成物を第１ガラス基板１２上に塗布して、硬化性樹脂組成物を硬化して第１ガラス基板１２上に固定された密着層１４を形成する方法（塗布方法）や、フィルム状の密着層１４を第１ガラス基板１２の表面に固定する方法（貼り付け方法）などが挙げられる。なかでも、密着層１４の第１ガラス基板１２に対する接着強度がより優れる点で、塗布方法が好ましい。
　塗布方法において、第１ガラス基板１２表面上に硬化性樹脂組成物層を形成する方法としては、例えば、硬化性樹脂組成物をガラス基板上にコートする方法が挙げられる。コートする方法としては、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法などが挙げられる。
　硬化方法は特に制限されず、使用される樹脂によって最適な硬化条件が選択される。通常、硬化方法としては、加熱処理が採用される。
　なお、上記以外にも、公知方法にて有機層を作製してもよい。
　例えば、フッ素系樹脂を含む密着層を作製する方法は特に制限されず、フッ素系樹脂を含む組成物を用いて密着層を作製する方法や、フッ素系のガスを用いてプラズマを照射することで対象物表面に密着層を作製する方法が挙げられる。
　また、密着層１４が無機層である場合、無機層の製造方法としては、公知の方法を採用することができる。例えば、蒸着法、スパッタリング法、または、ＣＶＤ法により、第１ガラス基板１２上に所定の成分からなる無機層を設ける方法が挙げられる。上記方法によって得られた無機層は第１ガラス基板１２上に固定されると共に、その無機層の露出表面は基板１６に対して剥離可能に密着できる。
　なお、炭化物（カーボン材料）からなる無機層を作製する方法としては、例えば、フェノール樹脂などの樹脂成分を含む樹脂組成物を第１ガラス基板１２上に塗布して、焼結処理を施して炭化させる方法も挙げられる。
　製造条件は、使用される材料に応じて、適宜最適な条件が選択される。
（積層工程）
　積層工程は、上記の密着層形成工程で得られた密着層１４の面上に基板１６を積層し、第１ガラス基板１２と密着層１４と基板１６とをこの順で備える積層体１００を得る工程である。
　基板１６を密着層１４上に積層する方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができる。
　例えば、常圧環境下で密着層１４の表面上に基板１６を重ねる方法が挙げられる。なお、必要に応じて、密着層１４の表面上に基板１６を重ねた後、ロールやプレスを用いて密着層１４に基板１６を圧着させてもよい。ロールまたはプレスによる圧着により、密着層１４と基板１６の層との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。
　真空ラミネート法や真空プレス法により圧着すると、気泡の混入の抑制や良好な密着の確保が行われるのでより好ましい。真空下で圧着することにより、微小な気泡が残存した場合でも、加熱により気泡が成長することがなく、基板１６のゆがみ欠陥につながりにくいという利点もある。
　基板１６を積層する際には、密着層１４に接触する基板１６の表面を十分に洗浄し、クリーン度の高い環境で積層することが好ましい。クリーン度が高いほど、基板１６の平坦性は良好となるので好ましい。
　なお、基板１６を積層した後、必要に応じて、プレアニール処理（加熱処理）を行ってもよい。該プレアニール処理を行うことにより、積層された基板１６の密着層１４に対する密着性が向上し、適切な剥離強度（ｙ）とすることができ、後述する部材形成工程の際に電子デバイス用部材の位置ずれなどが生じにくくなり、電子デバイスの生産性が向上する。
（積層体）
　本発明の積層体（上述した第１実施態様の積層体１００および第２実施態様の積層体１１０）は、種々の用途に使用することができ、例えば、後述する表示装置用パネル、ＰＶ、薄膜２次電池、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品を製造する用途などが挙げられる。なお、該用途では、積層体１００が高温条件（例えば、５００℃以上）で曝される（例えば、２０分以上）場合が多い。つまり、電子デバイスを形成する際にプロセス温度が５００℃以上である工程が含まれる場合が多い。
　ここで、表示装置用パネルとは、ＬＣＤ、ＯＬＥＤ、電子ペーパー、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル、量子ドットＬＥＤパネル、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ　Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｓｙｓｔｅｍｓ）シャッターパネル等が含まれる。
＜電子デバイスおよびその製造方法＞
　本発明においては、上述した積層体を用いて、基板と電子デバイス用部材とを含む電子デバイス（以後、適宜「部材付き基板」とも称する）が製造される。
　以下では、上述した密着層を有する積層体を用いた電子デバイスの製造方法について詳述する。
　電子デバイスの製造方法は特に限定されないが、電子デバイスの生産性に優れる点から、上記積層体中の基板上に電子デバイス用部材を形成して電子デバイス用部材付き積層体を製造し、得られた電子デバイス用部材付き積層体から密着層の基板側界面を剥離面として電子デバイス（部材付き基板）とキャリア基板とに分離する方法が好ましい。
　以下、上記積層体中の基板上に電子デバイス用部材を形成して電子デバイス用部材付き積層体を製造する工程を部材形成工程、電子デバイス用部材付き積層体から密着層の基板側界面を剥離面として部材付き基板とキャリア基板とに分離する工程を分離工程という。
　以下に、各工程で使用される材料および手順について詳述する。
（部材形成工程）
　部材形成工程は、上記積層工程において得られた積層体１００中の基板１６上に電子デバイス用部材を形成する工程である。より具体的には、図４（Ａ）に示すように、基板１６の第２主面１６ｂ（露出表面）上に電子デバイス用部材２０を形成し、電子デバイス用部材付き積層体２２を得る。
　まず、本工程で使用される電子デバイス用部材２０について詳述し、その後工程の手順について詳述する。
（電子デバイス用部材（機能性素子））
　電子デバイス用部材２０は、積層体１００中の基板１６上に形成され電子デバイスの少なくとも一部を構成する部材である。より具体的には、電子デバイス用部材２０としては、表示装置用パネル、太陽電池、薄膜２次電池、または、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品などに用いられる部材（例えば、表示装置用部材、太陽電池用部材、薄膜２次電池用部材、電子部品用回路）が挙げられる。
　例えば、太陽電池用部材としては、シリコン型では、正極の酸化スズなど透明電極、ｐ層／ｉ層／ｎ層で表されるシリコン層、および負極の金属等が挙げられ、その他に、化合物型、色素増感型、量子ドット型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
　また、薄膜２次電池用部材としては、リチウムイオン型では、正極および負極の金属または金属酸化物等の透明電極、電解質層のリチウム化合物、集電層の金属、封止層としての樹脂等が挙げられ、その他に、ニッケル水素型、ポリマー型、セラミックス電解質型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
　また、電子部品用回路としては、ＣＣＤやＣＭＯＳでは、導電部の金属、絶縁部の酸化ケイ素や窒化珪素等が挙げられ、その他に圧力センサ・加速度センサなど各種センサやリジッドプリント基板、フレキシブルプリント基板、リジッドフレキシブルプリント基板などに対応する各種部材等を挙げることができる。
　なお、電子デバイス用部材２０には、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ：Ｌｏｗ－ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｐｏｌｙ　Ｓｉｌｉｃｏｎ）が含まれることが好ましい。つまり、本部材形成工程においては、低温ポリシリコンを製造する工程が含まれることが好ましい。なかでも、本部材形成工程においては、低温ポリシリコンを含む薄膜トランジスタを製造する工程が含まれることがより好ましい。
　低温ポリシリコンとは、アモルファスシリコンを前駆体として、レーザーアニール、炉アニール等によって結晶化エネルギーを与え、シリコンの結晶化を行って得られるポリシリコンである。このような低温ポリシリコンを製造するプロセスにおいては、アモルファスシリコンが４５０℃以上に加熱される場合が多く、言い換えれば、プロセス温度が４５０℃以上となる場合が多い。
　また、電子デバイスが電子ディスプレイである場合、ディスプレイの解像度としては、３００ｐｐｉ（ｐｉｘｅｌ　ｐｅｒ　ｉｎｃｈ）以上であることが、本発明のキャリアガラスを用いるうえで好ましい。４００ｐｐｉ以上がより好ましく、５００ｐｐｉ以上がさらに好ましい。
（工程の手順）
　上述した電子デバイス用部材付き積層体２２の製造方法は特に限定されず、電子デバイス用部材の構成部材の種類に応じて従来公知の方法にて、積層体１００の基板１６の第２主面１６ｂ上に、電子デバイス用部材２０を形成する。
　なお、電子デバイス用部材２０は、基板１６の第２主面１６ｂに最終的に形成される部材の全部（以下、「全部材」という）ではなく、全部材の一部（以下、「部分部材」という）であってもよい。密着層１４から剥離された部分部材付き基板を、その後の工程で全部材付き基板（後述する電子デバイスに相当）とすることもできる。
　また、密着層１４から剥離された、全部材付き基板には、その剥離面（第１主面１６ａ）に他の電子デバイス用部材が形成されてもよい。また、全部材付き積層体を組み立て、その後、全部材付き積層体からキャリア基板１０を剥離して、電子デバイスを製造することもできる。さらに、全部材付き積層体を２枚用いて組み立て、その後、全部材付き積層体から２枚のキャリア基板１０を剥離して、２枚のガラス基板を有する部材付き基板を製造することもできる。
　例えば、ＯＬＥＤを製造する場合を例にとると、積層体１００の基板１６の密着層１４側とは反対側の表面上（基板１６の第２主面１６ｂに該当）に有機ＥＬ構造体を形成するために、透明電極を形成する、さらに透明電極を形成した面上にホール注入層・ホール輸送層・発光層・電子輸送層等を蒸着する、裏面電極を形成する、封止板を用いて封止する、等の各種の層形成や処理が行われる。これらの層形成や処理として、具体的には、例えば、成膜処理、蒸着処理、封止板の接着処理等が挙げられる。
　また、例えば、ＴＦＴ－ＬＣＤを製造する場合は、積層体１００の基板１６の第２主面１６ｂ上に、レジスト液を用いて、ＣＶＤ法およびスパッター法など、一般的な成膜法により形成される金属膜および金属酸化膜等にパターン形成して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成するＴＦＴ形成工程と、別の積層体１００の基板１６の第２主面１６ｂ上に、レジスト液をパターン形成に用いてカラーフィルタ（ＣＦ）を形成するＣＦ形成工程と、ＴＦＴ形成工程で得られたＴＦＴ付き積層体とＣＦ形成工程で得られたＣＦ付き積層体とを積層する貼合わせ工程等の各種工程を有する。
　ＴＦＴ形成工程やＣＦ形成工程では、周知のフォトリソグラフィ技術やエッチング技術等を用いて、基板１６の第２主面１６ｂにＴＦＴやＣＦを形成する。この際、パターン形成用のコーティング液としてレジスト液が用いられる。
　なお、ＴＦＴやＣＦを形成する前に、必要に応じて、基板１６の第２主面１６ｂを洗浄してもよい。洗浄方法としては、周知のドライ洗浄やウェット洗浄を用いることができる。
　貼合わせ工程では、ＴＦＴ付き積層体の薄膜トランジスタ形成面と、ＣＦ付き積層体のカラーフィルタ形成面とを対向させて、シール剤（例えば、セル形成用紫外線硬化型シール剤）を用いて貼り合わせる。その後、ＴＦＴ付き積層体とＣＦ付き積層体とで形成されたセル内に、液晶材を注入する。液晶材を注入する方法としては、例えば、減圧注入法、滴下注入法がある。
（分離工程）
　分離工程は、図４（Ｂ）に示すように、上記部材形成工程で得られた電子デバイス用部材付き積層体２２から、密着層１４と基板１６との界面を剥離面として、電子デバイス用部材２０が積層した基板１６（部材付き基板）と、キャリア基板１０とに分離して、電子デバイス用部材２０および基板１６を含む部材付き基板（電子デバイス）２４を得る工程である。
　剥離時の基板１６上の電子デバイス用部材２０が必要な全構成部材の形成の一部である場合には、分離後、残りの構成部材を基板１６上に形成することもできる。
　基板１６とキャリア基板１０とを剥離する方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、基板１６と密着層１４との界面に鋭利な刃物状のものを差し込み、剥離のきっかけを与えた上で、水と圧縮空気との混合流体を吹き付けたりして剥離することができる。
　好ましくは、電子デバイス用部材付き積層体２２のキャリア基板１０が上側、電子デバイス用部材２０側が下側となるように定盤上に設置し、電子デバイス用部材２０側を定盤上に真空吸着し（両面にキャリア基板が積層されている場合は順次行う）、この状態でまず刃物を基板１６－密着層１４界面に刃物を侵入させる。そして、その後にキャリア基板１０側を複数の真空吸着パッドで吸着し、刃物を差し込んだ箇所付近から順に真空吸着パッドを上昇させる。そうすると密着層１４と基板１６との界面や密着層１４の凝集破壊面へ空気層が形成され、その空気層が界面や凝集破壊面の全面に広がり、キャリア基板１０を容易に剥離することができる。
　また、キャリア基板１０は、新たなガラス基板と積層して、本発明の積層体１００を製造することができる。
　なお、電子デバイス用部材付き積層体２２から部材付き基板２４を分離する際においては、イオナイザによる吹き付けや湿度を制御することにより、密着層１４の欠片が部材付き基板２４に静電吸着することをより抑制することができる。
　上述した部材付き基板２４の製造方法は、携帯電話やＰＤＡのようなモバイル端末に使用される小型の表示装置の製造に好適である。表示装置は主としてＬＣＤまたはＯＬＥＤであり、ＬＣＤとしては、ＴＮ型、ＳＴＮ型、ＦＥ型、ＴＦＴ型、ＭＩＭ型、ＩＰＳ型、ＶＡ型等を含む。基本的にパッシブ駆動型、アクティブ駆動型のいずれの表示装置の場合でも適用することができる。
　上記方法で製造された部材付き基板２４としては、ガラス基板と表示装置用部材を有する表示装置用パネル、ガラス基板と太陽電池用部材を有する太陽電池、ガラス基板と薄膜２次電池用部材を有する薄膜２次電池、ガラス基板と電子デバイス用部材を有する電子部品などが挙げられる。表示装置用パネルとしては、液晶パネル、有機ＥＬパネル、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネルなどを含む。
　以下に、実施例等により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。
　以下の実施例および比較例では、以下の手順に従って製造した第１ガラス基板１～１２を用いた。第１ガラス基板５，６、９は実施例、第１ガラス基板１～４および７、８、１０～１２は比較例である。
（第１ガラス基板の製造）
　表１は、１２種類の組成のガラス基板のコンパクション等を示した表である。各成分の原料を以下に示す目標組成になるように調合し、白金坩堝を用いて１５００～１６００℃の温度で溶解して溶融ガラスを得た。溶解にあたっては、白金スターラを用い撹拌しガラスの均質化を行った。次いで溶融ガラスを流し出し、板厚０．３ｍｍの板状に成形後徐冷し、第１ガラス基板を製造した。なお、徐冷条件としては、表１に記載の平均冷却速度（℃／ｍｉｎ）にて冷却を行った。
　ヤング率は、ＪＩＳ　Ｚ　２２８０（１９９３年）に規定されている方法に従い、厚さ０．５～１０ｍｍのガラスについて、超音波パルス法により測定した。
　ビッカース硬度はＪＩＳ－Ｚ２２４４；２００９に従い、アカシ製ＭＶＫ－Ｈ１００を用い、試験力を０．９８０７Ｎ、押し込み時間１５秒としてとして測定した。
　紫外線透過率は、両面を光学研磨した０．５ｍｍ厚みのガラスに対して、日立ハイテクサイエンス社製紫外可視近赤外分光光度計Ｕ４１００を用いて、３００ｎｍの波長における透過率を測定した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　上記歪点の測定は、上述した方法にて実施した。
　また、上記表中のコンパクションは１００℃／時間で室温より昇温し、６００℃で８０分間の加熱処理を施し、１００℃／時間で室温まで冷却した際のコンパクション（収縮率）を表す。これは、以下で述べる方法にて得られた計算値を示すが、上述した方法にて測定される実測値も上記表中の計算値とほぼ同じであった。
（コンパクションの計算方法）
　コンパクションＣの計算は、ガラスの構造緩和を定式化した、以下の式を利用し、微小温度変化を与え、逐次計算することにより求めた。なお、各種パラメータ（β、τ）については、当該組成のガラスを用いて実測して得られたものを使用した。
　（Ｖ（ξ）－Ｖ０）／（Ｖ∞―Ｖ０）＝ｅｘｐ［－（ξ／τ）β］
　Ｃ＝１０６×ΔＬ／Ｌ＝１０６×［１－（Ｖ（ξ）／Ｖ０）１／３］
　ここで、Ｖ０は、処理時間０におけるガラスのモル体積、Ｖ∞は処理温度における平衡モル体積、Ｖ（ξ）は換算時間ξにおけるガラスのモル体積、Ｃはコンパクション（単位：ｐｐｍ）、Ｌはガラスの長さ、ΔＬはガラス長の処理前後における変化量、τは緩和時定数、βは緩和時定数の広がりを示すパラメータを示す。
（複数回の加熱処理の際のガラス基板のコンパクションの測定）
　表２は、表１のガラス基板に対して複数回（３回）の加熱処理を施してコンパクションを測定した結果を示す表である。第１ガラス基板１～１２を用いて、以下の加熱条件による加熱処理を複数回実施した際の各加熱処理後におけるガラス基板のコンパクションを計算した。１回目欄は、以下の加熱処理を１回実施した後のガラス基板のコンパクション（ｐｐｍ）を表す。２回目欄は、１回目の加熱処理をしたガラス基板を室温まで冷却してから、２回目の加熱処理を実施後のコンパクションを示す。３回目欄は、２回目の加熱処理をしたガラス基板を室温まで冷却してから、３回目の加熱処理を実施後のコンパクションを示す。
（加熱処理）
　ガラス基板を室温から４５０℃まで５分間で昇温し、その後、４５０℃で２０分間保持した後、室温となるまで５分間で冷却し、さらに、ガラス基板を室温から６００℃まで５分間で昇温し、その後、６００℃で５分間保持した後、室温となるまで５分間で冷却した。
　表２に示すように、第１ガラス基板が１～４の場合、表１における「６００℃、８０分間でのコンパクション（ｐｐｍ）」が１５０ｐｐｍ以上と大きすぎるため、いずれも電子デバイス形成工程におけるコンパクション値が１０ｐｐｍ以上となっており、かつ、初回熱処理時のコンパクション値と、２回目熱処理時のコンパクション値との差ΔＣ２－１がいずれも１０ｐｐｍ以上と変化が大きく、基板として好適ではない。また、表１において「６００℃、８０分間でのコンパクション（ｐｐｍ）」が８０ｐｐｍ以下の場合（第１ガラス基板５、６、９）、初回熱処理時のコンパクション値と、２回目熱処理時のコンパクション値との差ΔＣ２－１ならびに２回目熱処理時と３回目熱処理時のコンパクションとの差ΔＣ３－２がいずれも６ｐｐｍ以内と小さくなることが確認された。
（電子デバイスの製造）
　アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（数平均分子量：２０００、アルケニル基の数：２個以上）（１００質量部）と、ハイドロジェンポリシロキサン（数平均分子量：２０００、ハイドロシリル基の数：２個以上）（６．７質量部）と配合した。なお、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン中のアルケニル基と、ハイドロジェンポリシロキサン中のハイドロシリル基との混合モル比（ハイドロシリル基のモル数／アルケニル基のモル数）は０．４／１であった。さらに、触媒（白金触媒）を、アルケニル基含有オルガノポリシロキサンおよびハイドロジェンポリシロキサンの合計質量（１００質量部）に対し、３００ｐｐｍ添加した。この液を、硬化性樹脂組成物Ｘとする。この硬化性樹脂組成物Ｘを、ダイコーターを用いて第１ガラス基板１の第１主面上に塗布して、未硬化のアルケニル基含有オルガノポリシロキサンおよびハイドロジェンポリシロキサンを含む層を第１ガラス基板１上に設けた。
　次に、１４０℃に３分間大気中で加熱した後、２３０℃に２０分間大気中で加熱硬化して、第１ガラス基板１の第１主面に厚さ１０μｍのシリコーン樹脂層を形成した。なお、シリコーン樹脂層の平坦性は良好であった。
　その後、第２ガラス基板と、シリコーン樹脂層面とを、室温下で真空プレスにより貼り合わせ、ガラス積層体Ａを得た。
　この際、第２ガラス基板として、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（縦２００ｍｍ、横２００ｍｍ、板厚０．２ｍｍ、線膨張係数３８×１０―７／℃、旭硝子社製商品名「ＡＮ１００」）を使用した。
　得られたガラス積層体Ａにおいては、第１ガラス基板と第２ガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなかった。また、ガラス積層体Ａにおいて、シリコーン樹脂層と第１ガラス基板の層との界面の剥離強度は、第２ガラス基板の層とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度よりも大きかった。
　次に、ガラス積層体Ａの第２ガラス基板上に以下の方法に従って、電子デバイスを製造した。
　電子デバイスの製造方法としては、エキシマレーザアニール法を使用した、ＬＴＰＳプロセスを使用した。まず、第２ガラス基板上に保護層を形成したのち、アモルファスシリコンを成膜した。脱水素工程、レーザー照射、活性化工程を行い、かつゲート電極、ソース、ドレイン電極等の各種配線を成膜、パターニングし、層間絶縁膜等の成膜を行い、薄膜トランジスタ回路を形成した。
　なお、上記電子デバイスの製造工程において、製造プロセス温度が５００℃以上の工程が含まれていた。
　そして、電子デバイスが製造されたガラス積層体Ａの４箇所のうち１箇所のコーナー部における第２ガラス基板とシリコーン樹脂層の界面に厚さ０．１ｍｍのステンレス製刃物を挿入させて剥離の切欠部を形成しながら、第１ガラス基板の剥離面でない面に真空吸着パッドを吸着させ、互いにキャリア基板と電子デバイス（電子デバイス用部材付き第２ガラス）が分離する方向に外力を加えて、キャリア基板と電子デバイスを破損すること無く分離した。ここで刃物の差し込みは、イオナイザ（キーエンス社製）から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行った。具体的には、形成した空隙へ向けてイオナイザからは引き続き除電性流体を吹き付けながら真空吸着パッドを引き上げた。
　なお、シリコーン樹脂層は第１ガラス基板と共に第２ガラス基板から分離され、該結果より、第１ガラス基板の層とシリコーン樹脂層の界面の剥離強度（ｘ）が、シリコーン樹脂層と第２ガラス基板の界面の剥離強度（ｙ）よりも高いことが確認された。
　次に、回収されたキャリア基板を用いて、上記と同様の手順に従って、ガラス積層体Ａを製造して、上記と同様の手順に従って電子デバイスを製造した。
　この処理を２回繰り返して、電子デバイスの製造を行った。
　なお、複数枚のガラス積層体Ａを用意して、上記処理をそれぞれ実施した。
（評価（生産性））
　キャリア基板の２回目および３回目の使用時の電子デバイスの製造歩留まりが１回目と同等程度の場合は「Ａ」、製造歩留まりが低下するが実用上許容範囲内である場合は「Ｂ」、製造歩留まりが大きく低下して実用上許容できない場合を「Ｃ」とした。
　第１ガラス基板１の代わりに、第１ガラス基板２～１２をそれぞれ用いて上記手順に従って、上記（評価（生産性））を実施した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　上記表２に示すように、コンパクション（ｐｐｍ）が８０ｐｐｍ以下である第１ガラス基板５、６および９を使用した場合は、優れた効果が得られることが確認された。特に、コンパクションが７０ｐｐｍ以下の場合、より効果が優れることが確認された。
　本発明を特定の態様を用いて詳細に説明したが、本発明の意図と範囲を離れることなく様々な変更および変形が可能であることは、当業者にとって明らかである。なお本出願は、２０１５年７月３日付で出願された日本特許出願（特願２０１５－１３４６９７）に基づいており、その全体が引用により援用される。
１０　　キャリア基板
１２，１１２　　第１ガラス基板
１４　　密着層
１６，１１６　　基板
２０　　電子デバイス用部材
２２　　電子デバイス用部材付き積層体
２４　　部材付き基板（電子デバイス）
１００，１１０　　積層体

Claims (10)

  1. 　基板の表面に電子デバイス用部材を製造する際に、前記基板に貼り合せられて用いられるキャリア基板であって、
    　前記キャリア基板は、少なくとも第１ガラス基板を含み、
    　前記第１ガラス基板は、下記コンパクションが８０ｐｐｍ以下である、キャリア基板。
    　コンパクション：前記第１ガラス基板を室温より１００℃／時間で昇温し６００℃で８０分間の加熱処理をしてから、１００℃／時間で室温まで冷却した場合の収縮率
  2. 　前記コンパクションが７０ｐｐｍ以下である、請求項１に記載のキャリア基板。
  3. 　前記第１ガラス基板の歪点が７００℃以上である、請求項１または２に記載のキャリア基板。
  4. 　前記第１ガラス基板が、酸化物基準の質量百分率表示において、下記を含有するガラスからなる、請求項１～３のいずれか１項に記載のキャリア基板。
    ＳｉＯ２：５０～７３％
    Ａｌ２Ｏ３：１０．５～２４％
    Ｂ２Ｏ３：０～５％
    ＭｇＯ：０～１０％
    ＣａＯ：０～１４．５％
    ＳｒＯ：０～２４％
    ＢａＯ：０～１３．５％
    ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ：８～２９．５％
  5. 　さらに、前記第１ガラス基板上に配置された密着層を含む、請求項１～４のいずれか１項に記載のキャリア基板。
  6. 　請求項１～５のいずれか１項に記載のキャリア基板と、前記キャリア基板上に配置された基板とを有する、積層体。
  7. 　前記基板が第２ガラス基板である、請求項６に記載の積層体。
  8. 　請求項６または７に記載の積層体の前記基板の表面上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、
    　前記電子デバイス用部材付き積層体から前記キャリア基板を除去し、前記基板と前記電子デバイス用部材とを有する電子デバイスを得る分離工程と、を備える電子デバイスの製造方法。
  9. 　前記電子デバイス用部材が低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）を含む、請求項８に記載の電子デバイスの製造方法。
  10. 　前記電子デバイス用部材を形成する際にプロセス温度が４５０℃以上である工程を含む、請求項９に記載の電子デバイスの製造方法。
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