WO2017002684A1 - 近赤外線カットフィルタ、および光半導体装置 - Google Patents

近赤外線カットフィルタ、および光半導体装置 Download PDF

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WO2017002684A1
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refractive index
group
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film
light
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PCT/JP2016/068539
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征一朗 伊藤
啓介 戸田
雄一郎 石▲崎▼
東條　哲也
Original Assignee
京セラ株式会社
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    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/22—Absorbing filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/28—Interference filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof

Definitions

  • the present invention relates to a near-infrared cut filter that suppresses transmission of light in a predetermined wavelength region, specifically, near-infrared rays, and an optical semiconductor device using the near-infrared cut filter.
  • an optical semiconductor device using an optical semiconductor element such as an image sensor or a light receiving element has an optical lens that collects light, and suppresses transmission of near infrared light as light in a predetermined wavelength range, and other wavelength ranges.
  • Various types such as short-path type near-infrared cut filters that transmit light, or short-pass type and long-pass type near-infrared cut filters that suppress the transmission of light in a predetermined wavelength range and transmit light in other wavelength ranges
  • An optical member is used.
  • the near-infrared wavelength region is limited for the purpose of limiting the wavelength region of light incident on the image sensor to a wavelength region (visible light region) that can be perceived by the human eye.
  • a near-infrared cut filter or a near-infrared cut filter that suppresses transmission of light in the infrared region is disposed between the optical lens and the image sensor.
  • the near-infrared cut filter or the near-infrared cut filter is configured to suppress transmission of near-infrared light that is light having a wavelength longer than the wavelength range of visible light.
  • JP 2012-137649 A proposes a near-infrared cut filter in which an absorption film that absorbs light in the near-infrared wavelength region is laminated on a transparent substrate.
  • Japanese Patent Laid-Open No. 2013-54368 proposes a near-infrared cut filter composed of a multilayer film in which a plurality of types of thin films are laminated on a semiconductor substrate to reflect infrared light, which is light in a specific wavelength range. ing.
  • the near-infrared cut filter disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-137649 is obtained by sequentially laminating a reflective film that reflects near-infrared, an absorption film that absorbs near-infrared, and a protective film on a transparent substrate.
  • This absorption film contains an organic dye that absorbs near infrared rays.
  • an acrylic film containing a styrene structure is used for the absorption film.
  • the resin that forms the absorption film can have a portion where there is a lot of organic dye and a portion where there is little organic dye. In some cases, it was difficult to uniformly absorb near infrared rays. Further, if a plurality of layers are stacked in order to eliminate a portion having a small amount of organic dye, there is a possibility that a portion having too much organic dye may be formed, and the light transmission property may be deteriorated as a whole.
  • a near-infrared cut filter includes an absorption film that absorbs near-infrared light among incident light, and near-infrared light that is transmitted through the absorption film, the absorption film being disposed on an upper surface.
  • the absorbent film includes a repeating unit having a hydrophobic group and It consists of a polymer composed of a repeating unit having a hydroxyl group and an organic dye dispersed in the polymer and having a hydroxyl group and absorbing near infrared rays, and the repeating unit having a hydroxyl group in the polymer is vinyl alcohol.
  • An optical semiconductor device includes a lens fixing portion where light enters, a filter fixing portion where light passing through the lens fixing portion passes, and an optical semiconductor where light passing through the filter fixing portion enters
  • An optical semiconductor element housing package having an element mounting portion; a lens fixed to the lens fixing portion; and a book fixed to the filter fixing portion so that light transmitted through the lens enters from the absorption film side.
  • a near-infrared cut filter according to an embodiment of the invention, and an optical semiconductor element mounted on the optical semiconductor element mounting portion so that light transmitted through the near-infrared cut filter enters.
  • (A) is sectional drawing which shows the near-infrared cut off filter concerning one Embodiment of this invention
  • (b) is an expanded sectional view of the absorption film of (a). It is sectional drawing which shows the near-infrared cut off filter concerning other embodiment of this invention. It is sectional drawing which shows the near-infrared cut off filter concerning other embodiment of this invention. It is sectional drawing which shows the near-infrared cut off filter concerning other embodiment of this invention. It is sectional drawing which shows the near-infrared cut off filter concerning other embodiment of this invention. It is sectional drawing which shows a reflecting film and a transparent substrate among the near-infrared cut fills concerning one Embodiment of this invention.
  • FIG. 6 is a graph showing light transmittance in the configuration shown in FIG. 5. It is sectional drawing which showed the reflecting film in detail among the near-infrared cut off filters concerning other embodiment of this invention shown in FIG. It is a graph which shows the transmittance
  • FIG. 1 is a top view showing an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view of the optical semiconductor device shown in FIG. 15 along the line AA.
  • FIG. 1A is a cross-sectional view of a near-infrared cut filter 1 according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is an enlarged cross-sectional view of a part of an absorption film 2.
  • the near-infrared cut filter 1 includes an absorption film 2, a reflection film 3, and a transparent substrate 4.
  • a reflective film 3 is provided on the upper surface of the transparent substrate 4, and an absorbing film 2 that absorbs near infrared rays is provided on the upper surface of the reflective film 3.
  • the absorption film 2 includes a polymer 20 composed of a repeating unit having a hydrophobic group and a repeating unit having a hydroxyl group (—OH group), and an organic dye 21 having a hydroxyl group and absorbing near infrared rays dispersed in the polymer 20.
  • near-infrared light refers to light having a wavelength range of 700 to 1500 nm.
  • the absorption film 2 has a square shape with a side of 7 ⁇ 7 mm, for example, in plan view, and a thickness of 0.5 to 10 ⁇ m.
  • the repeating unit having a hydrophobic group in the polymer 20 has a molecular structure constituting the polymer 20 having an atomic group that is not easily compatible with water molecules.
  • Repeating units having a hydrophobic group of the polymer 20 for example a butyral group: vinyl butyral having a (C 8 H 15 O 2 rational formula omitted) (C 8 H 15 O 2: rational formula is omitted) and acetyl Vinyl acetate having a vinyl group (C 4 H 6 O: CH 2 ⁇ CHOCOCH 3 ) having a group (C 2 H 3 O: CH 3 CO—) and a formal group (C 5 H 8 O 2 : not shown in the formula) (C 5 H 8 O 2 : The formula is omitted) and vinyl acetate having an acetyl group, a hydrocarbon monomer composed of carbon and hydrogen having an alkyl group (C m H 2m ), etc., acrylic acid having an acrylic group ( C 3 H 4 : CH 2 ⁇ CHCOOH) monomer
  • the hydrocarbon monomer having an alkyl group is, for example, ethylene (C 2 H 4 : CH 2 ⁇ CH 2 ).
  • the hydrophobic group has a hydrocarbon group (C m H n ) monomer having a phenyl group (C 6 H 5 —) (n and m are natural numbers, and a double bond is formed in the monomer).
  • styrene C 8 H 8 : C 6 H 5 —CH ⁇ CH 2
  • the absorption film 2 can maintain the absorption characteristics of the organic dye 21.
  • the polymer 20 is a polyvinyl acetal polymer.
  • the polyvinyl acetal contains an acetal group, the toughness of the absorption film 2 is improved. For this reason, even when glass etc. are used for the transparent substrate 4, it can suppress that a crack, a crack, etc. arise.
  • polyvinyl acetal has an acetyl group, the absorption film 2 itself is hardly soluble in water.
  • the polymer 20 is composed of a repeating unit that does not react with the organic dye 21 as described above, the function of the organic dye 21 can be maintained because the organic dye 21 is not likely to dissolve in the polymer 20.
  • vinyl alcohol which is a repeating unit having a hydroxyl group in the polymer 20 is a vinyl alcohol monomer in terms of the formula, but no vinyl alcohol monomer is present in the state of the near-infrared cut filter 1 of the actual product. This is because vinyl alcohol (CH 2 ⁇ CHOH) is unstable and soon becomes more stable acetaldehyde (CH 3 CHO).
  • the polyvinyl acetal polymer is obtained by a condensation reaction between polyvinyl alcohol and an aldehyde (formaldehyde (CH 2 O: HCHO) or butyraldehyde (C 4 H 8 O: C 3 H 7 CHO)).
  • an inorganic acid such as hydrochloric acid or sulfuric acid is used as a catalyst for the condensation reaction.
  • water or methanol is used as the solvent.
  • polyvinyl alcohol cannot be completely acetalized in the acetalization reaction. For this reason, a hydroxyl group is left, and a small amount of acetyl group remains in the saponification.
  • a polymer comprising a repeating unit having an acetal group as a hydrophobic group, a repeating unit having an acetyl group, and a vinyl alcohol having a hydroxyl group can be obtained.
  • the polymer 20 comprising a hydrocarbon monomer or an acrylic acid monomer and vinyl alcohol can be obtained by saponifying a hydrocarbon-vinyl acetate copolymer or an acrylic acid-vinyl acetate copolymer in methanol.
  • the vinyl alcohol monomer cannot exist stably, but for convenience, the vinyl alcohol portion is hereinafter referred to as a vinyl alcohol monomer.
  • Vinyl alcohol monomer has low gas permeability such as oxygen, and has excellent gas barrier properties. This is due to the following reasons. That is, if the charge is biased due to the polarity of the hydroxyl group contained in the vinyl alcohol monomer, the force acting between the molecules becomes stronger by attracting between plus and minus. When the force acting between molecules becomes strong in this way, a large amount of energy is required for the dispersed oxygen molecules to separate this intermolecular force. At this time, since oxygen molecules permeate the polymer chain, it is difficult to spread the polymer chain so as to weaken the intermolecular force acting on the polymer chain. This means that oxygen is difficult to permeate from the surface of the absorption film 2 to the inside, so that the oxygen permeability is reduced and the gas barrier property is excellent.
  • the polyvinyl acetal polymer suitable for the absorption film 2 is a polyvinyl butyral polymer.
  • a polyvinyl butyral polymer having a butyral group molar ratio of 60 to 80 mol% and an acetyl group molar ratio of 2 to 6 mol%.
  • Polyvinyl butyral polymer has a relatively low oxygen permeability in the resin. Moreover, since the water vapor transmission rate is also low, the polymer 20 can be prevented from being dissolved in water. And since the polymer 20 has toughness, another film
  • the absorption film 2 is a hydrocarbon-vinyl alcohol copolymer
  • an ethylene-vinyl alcohol copolymer is used.
  • the ethylene-vinyl alcohol copolymer not only has a low oxygen permeability, but can also prevent the copolymer itself from being dissolved in water by polymerizing lipophilic ethylene.
  • the organic dye 21 can be prevented from being dissolved in water.
  • the absorption film 2 made of an ethylene-vinyl alcohol copolymer having an ethylene monomer molar ratio of 25 to 35 mol% is hardly soluble in water and has excellent gas barrier properties.
  • the polymer 20 is a vinyl acrylate alcohol copolymer or vinyl methyl methacrylate
  • the extensibility of the absorption film 2 is high. For this reason, the stress which arises by the thermal history at the time of forming the absorption film 2 can be reduced.
  • the polyvinyl acetal polymer and the hydrocarbon-vinyl alcohol copolymer it has a low oxygen permeability and is hardly soluble in water.
  • the polymer 20 shown above is hardly soluble in water and has excellent gas barrier properties. As a result, the oxidative decomposition of the organic dye 21 and the dissolution in water can be suppressed, and the function of the organic dye 21 can be maintained.
  • the absorption film 2 is composed of a polymer 20 and an organic dye 21 dispersed in the polymer 20.
  • This organic dye 21 has a hydroxyl group.
  • the material of the organic dye 21 is, for example, a phthalocyanine compound or a cyanine compound having a hydroxyl group as a substituent.
  • a squalium compound, a diimmonium compound, an azo compound, or the like can be used as long as it has a hydroxyl group as a substituent.
  • Such organic dyes 21 can be dispersed in the polymer 20 by combining some of them in accordance with the wavelength range to be absorbed. These organic dyes 21 can strongly absorb light of 700 to 1500 nm in the wavelength range as compared with light of other wavelengths.
  • both the vinyl alcohol monomer and the organic dye 21 in the absorption film 2 have a hydroxyl group
  • the hydroxyl group of the vinyl alcohol monomer and the hydroxyl group of the organic dye 21 are hydrogen-bonded.
  • the hydrogen has a positive charge.
  • oxygen that has attracted electrons has a negative charge.
  • An electrostatic attraction acts between such a slightly positively charged hydrogen atom and a negatively charged oxygen atom of another molecule to form a hydrogen bond. That is, an electrical attractive force acts between hydrogen of the vinyl alcohol monomer and oxygen of the organic dye 21 or between oxygen of the vinyl alcohol monomer and hydrogen of the organic dye 21.
  • dye 21 disperse
  • the organic dye 21 is dispersed by bonding the hydroxyl group of the organic dye 21 corresponding to the hydroxyl group of the vinyl alcohol monomer having a continuous structure. Can be dispersed without bias.
  • the polymer 20 and the organic dye 21 are strongly bonded by the hydrogen bond, it is possible to suppress the organic dye 21 from reacting with oxygen in the atmosphere and being oxidatively decomposed.
  • oxygen tries to oxidatively decompose the organic dye 21
  • energy is required to first break the hydrogen bond between the hydroxyl groups.
  • dye 21 can be cut
  • the polymer 20 has excellent gas barrier properties, the oxygen permeability is low, and the oxidative decomposition of the organic dye 21 can be suppressed. Further, the organic dye 21 can be dispersed in the polymer 20 without any deviation. For this reason, generation
  • the reflection film 3 reflects near infrared rays of the light transmitted through the absorption film 2.
  • near-infrared light is light having a wavelength of 700 to 1500 nm in the wavelength region.
  • the material of the reflective film 3 is, for example, silicon oxide (silica) as a low refractive index material and titanium oxide (titania) as a high refractive index material.
  • zirconia, tantalum oxide, or the like may be used as long as it reflects near infrared rays.
  • the reflection film 3 has the same size as that of the absorption film 2 in a plan view and a thickness of 0.01 to 10 ⁇ m.
  • the transparent substrate 4 having the reflection film 3 and the absorption film 2 disposed on the upper surface transmits incident light and makes it incident on an optical semiconductor element such as an imaging element as visible light.
  • the transparent substrate 4 is a substrate having optical transparency to visible light.
  • the wavelength range of visible light at this time is 400 to 600 nm.
  • the transparency at this time means what transmits 80% or more of visible rays of incident visible rays.
  • glass can be used as the material of the transparent substrate 4.
  • the glass include soda lime glass, quartz glass, and borosilicate glass.
  • it may be made of an inorganic material such as a metal oxide or a resin material such as PET (polyethylene terephthalate), polyimide, polycarbonate, or acrylic.
  • the transparent substrate 4 has the same size as that of the absorption film 2 and the reflection film 3 in a plan view, and a thickness of 50 to 300 ⁇ m.
  • the light incident on the near-infrared cut filter 1 includes not only visible rays and near-infrared rays but also ultraviolet rays.
  • Ultraviolet light is light having a wavelength of 200 to 380 nm.
  • Ultraviolet rays have a low transmittance in the air or in lenses or the like compared to near infrared rays. For this reason, even if an absorber such as the organic dye 21 is not dispersed and absorbed in the absorption film 2 as in the case of near infrared rays, the reflection film 3 and the transparent substrate 4 can sufficiently suppress the transmission.
  • the near-infrared cut filter 1 As described above, light transmitted through an optical lens or the like (light incident from the absorption film 2 side) first enters the absorption film 2 and sequentially transmits through the reflection film 3 and the transparent substrate 4. To do. At this time, the absorption film 2 absorbs near infrared rays, so that the amount of near infrared rays reflected by the reflection film 3 can be reduced as compared with the case where the reflection film 3 reflects only near infrared rays. Furthermore, the near-infrared cut filter 1 is provided with both the absorption film 2 and the reflection film 3, whereby the near-infrared light can be cut in two stages.
  • near-infrared light is absorbed by the organic dye 21 of the absorption film 2 from the light incident from the surface of the absorption film 2. Further, near infrared light that has not been absorbed by the absorption film 2 and has been transmitted to the reflection film 3 is reflected by the reflection film 3. Thereby, 99% or more of near infrared rays can be cut.
  • the hydroxyl group of the polymer 20 and the hydroxyl group of the organic dye 21 may be hydrogen-bonded. It is possible. By this hydrogen bond, the oxidative decomposition of the organic dye 21 can be suppressed, and the organic dye 21 can be uniformly distributed in the polymer 20. Thereby, the function of the organic pigment
  • the near-infrared cut filter 1 includes an absorption film 2, a reflection film 3, and a transparent substrate 4 as in the embodiment of the present invention.
  • the near-infrared cut filter 1 has a protective film 5 on the upper surface of the absorption film 2 for transmitting the incident light and protecting the absorption film 2.
  • the example shown in FIG. 2 differs from the above-described embodiment of the present invention in that the protective film 5 is provided.
  • the near-infrared cut filter 1 of the example shown in FIG. 2 is incident with light in all wavelength regions such as ultraviolet rays, visible light, and near-infrared rays that have passed through an optical lens or the like.
  • Fluorine resin can be used as the material of the protective film 5. Since the fluororesin is excellent in friction resistance, chemical resistance and hardness, it is possible to protect the absorption film 2 from being damaged. In particular, by selecting a material in which the fluororesin exhibits a polymerization reaction by heat, when the surface of the absorption film 2 is coated, the resin undergoes a polymerization reaction by the heat of drying the fluororesin, and bonds between the molecules of the fluororesin are caused. Since it becomes large, a harder film can be obtained. The reason for this is that thermosetting resins that exhibit a polymerization reaction by heat create molecules with a three-dimensional network structure by cross-linking of polymers, and are complicated and sterically intertwined. It is.
  • thermosetting resin which is a polymer having a three-dimensional network structure, is not only excellent in friction resistance, chemical resistance and hardness, but also has high heat resistance because it does not easily undergo molecular motion even at high temperatures.
  • the fluororesin can also serve as an antireflection film that transmits incident light without reflecting on the surface. That is, the protective film 5 made of a fluororesin has a great effect of preventing scratches on the surface of the near-infrared cut filter 1 and can transmit light without reflecting it.
  • the protective film 5 has the same size as the transparent substrate 4, the reflective film 3, and the absorption film 2 in a plan view, and has a thickness of 0.05 to 5 ⁇ m.
  • the presence of the protective film 5 can suppress transmission of oxygen, water vapor, and the like as compared with the case where the upper surface of the absorption film 2 is exposed to the outside. Further, the upper surface of the absorption film 2 can be protected from friction and the like so as not to be damaged.
  • the near-infrared cut filter 1 is formed of the transparent substrate 4 in one embodiment of the present invention described in FIG. 1 or another embodiment of the present invention described in FIG.
  • the reflective film 3 and the absorbing film 2 are sequentially provided so as to be symmetrical with respect to the upper surface side with the transparent substrate 4 interposed therebetween.
  • the reflective film 3, the absorption film 2, and the protective film 5 may be provided in order.
  • the transparent substrate 4 is distorted. This is because even when heat is applied during the production and use of the near-infrared cut filter 1, the film having the same configuration similarly expands and contracts on the upper surface side and the lower surface side of the transparent substrate 4. It is. In particular, when a plurality of near-infrared cut filters 1 are obtained by finally dicing from a large-sized large-sized mother substrate, the force for cutting the large-sized mother substrate with a dicing saw or the like is evenly distributed. Can be added.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing the reflective film 3 and the transparent substrate 4 in the near-infrared cut filter 1 according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a multilayer structure of the first group 31 constituting the reflective film 3.
  • FIG. FIG. 7 shows a graph of transmittance in the configuration shown in FIG. 5, where the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents transmittance (%).
  • the reflective film 3 has a plurality of groups formed by laminating a low refractive index layer 11 and a high refractive index layer 12 that have different refractive indexes and transmit visible light and near infrared light, respectively. As shown in FIG.
  • the reflective film 3 includes the first group 31, the second group 32, the third group 33, the fourth group 34, the first group in order from the light incident side (upper part of the drawing in FIG. 5).
  • a fifth group 35, a sixth group 36, and a seventh group 37 are provided.
  • the near-infrared cut filter 1 functions to transmit more visible light than near-infrared light by transmitting light incident on the reflective film 3.
  • the configuration shown below is a configuration obtained based on design conditions with a center wavelength of 500 nm in order to effectively transmit visible light whose reflection is to be suppressed.
  • a quarter of the optical film thickness of the low refractive index layer 11 is set as L
  • a quarter of the optical film thickness of the high refractive index layer 12 is set as H.
  • the low refractive index layer 11 is silicon dioxide (SiO 2 ) and the refractive index is 1.47
  • the high refractive index layer 12 is titanium dioxide (TiO 2 ) and the refractive index is 2. 43. What is necessary is just to set suitably the magnitude
  • the first group 31 includes a low refractive index layer 11, a high refractive index layer 12, and a low refractive index layer 11 in order from the light incident side.
  • the apparent optical film thickness of the first group 31 is approximately a quarter of the wavelength of visible light (here, 500 nm).
  • the upper and lower low refractive index layers 11 have the same thickness, and are provided symmetrically with the high refractive index layer 12 as the center.
  • the reflected wave by the first group 31 is a combination of the reflected waves by the three layers, but in reality, it is the same as the reflected wave when the first group 31 is regarded as a single layer. It can be handled as a single layer having an apparent refractive index of n1.
  • the first group 31 is, for example, a combination in which the low refractive index layer 11 is made of SiO 2 , the high refractive index layer 12 is made of TiO 2, and the low refractive index layer 11 is made of SiO 2 . 3L, 0.29H and 0.3L. These 0.3 and 0.29 are the first coefficients as optical film thickness adjustment coefficients for adjusting the optical film thickness of each layer.
  • the apparent refractive index n1 of the first group 31 is 1.85.
  • the apparent optical film thickness is approximately one quarter of the wavelength of visible light.
  • the wavelength of visible light is set to 500 nm, so a quarter of the wavelength is 125 nm.
  • this 500 nm is the central wavelength at the time of design, and in the actual design, the optical film thicknesses in the first group 31 and the following several groups are not strictly unambiguously determined, and are near the central wavelength. As long as it is a quarter of the wavelength of the light. That is, the optical film thickness of the first group 31 may be approximately one quarter of the wavelength of visible light.
  • the optical film thickness of the first group 31 is 111.25 nm as described above, and is around 125 nm, which is a quarter of the central wavelength of 500 nm, and is 4 of visible light in the wavelength range to be transmitted. It is a fraction. Therefore, it is possible to effectively transmit the first group 31 by suppressing the reflection of visible light near the center wavelength of 500 nm.
  • the first group 31 is disposed on the upper surface, and a low refractive index layer, a high refractive index layer, and a low refractive index layer are laminated in this order from the upper surface side.
  • the thicknesses of the low refractive index layers are the same.
  • a combination of a low refractive index layer made of SiO 2 and a high refractive index layer made of TiO 2 each having an optical film thickness of 0.3 L for the low refractive index layer, 0.45 H for the high refractive index layer, and The low refractive index layer is 0.3L.
  • These 0.3 and 0.45 are the first coefficients of the respective layers as in the first group 31.
  • the size of the second group 32 when viewed in plan is the same as that of the first group 31.
  • the apparent refractive index of the second group 32 is 2.06.
  • the optical thickness of the second group 32 does not have to be particularly a quarter of the wavelength of visible light, but is close to 125 nm, which is a quarter of the central wavelength of 500 nm. Therefore, it is easy to transmit visible light.
  • the optical thicknesses of the low refractive index layer, the high refractive index layer, and the low refractive index layer for the second group 32 are 0.3L, 0.45H, and 0.3L.
  • the phase condition will be described.
  • a plurality of groups having different refractive indexes are stacked, in order to increase the light transmittance, it is necessary to suppress reflection occurring at the interface of each group.
  • light is reflected at the interface between the air and the first group 31 and at the interface between the first group 31 and the second group 32.
  • the optical thickness of the first group 31 is set to approximately one-fourth of the wavelength of visible light, the reflected waves of light generated at the upper and lower interfaces of the first group 31 are in opposite phases and cancel each other. The reflection of visible light by the first group 31 can be suppressed and the transmittance can be improved.
  • the first group 31 is set so that the reflectance of visible light becomes small, in the first group 31, the reflectance of near infrared rays that are not visible light is higher than the reflectance of visible light.
  • the optical film thickness is approximately one half of the wavelength. The reflected waves are in phase. For this reason, since the reflected waves of near infrared rays strengthen each other, the transmission of near infrared rays in the first group 31 is suppressed.
  • the light amplitude condition is a condition for suppressing the reflection on the surface of the optical thin film in cooperation with the above-described phase condition.
  • the near-infrared reflectance at the upper and lower interfaces of the first group 31 may be made equal when viewed from the light incident side. By making these reflectances equal, the amplitudes of the near-infrared reflected waves at the upper and lower interfaces of the first group 31 are aligned, so that the effect of the above-described phase condition can be further enhanced.
  • n1 2 n0 ⁇ n2.
  • the reflectance at the interface between the air and the upper surface of the first group 31 can be approximated by (n1 ⁇ n0) 2 / (n1 + n0) 2 , and at the boundary between the lower surface of the first group 31 and the upper surface of the second group 2.
  • the relationship between the refractive indexes n0, n1 and n2 is such that the relationship n0 ⁇ n1 ⁇ n2 or n0> n1> n2 holds, that is, n1 is the air provided on the upper surface and the lower surface of the first group 31, respectively.
  • n1 2 n0 ⁇ n2
  • n1> n2 holds for n2 when n0> n1 holds
  • ⁇ N2 holds.
  • the refractive index of each group so that the difference n0 ⁇ n2-n1 2 is 0.5 or less in absolute value. If the difference between n0 ⁇ n2-n1 2 is 0.5 or less in absolute value, air, 1.5% reflectance of visible light having a central wavelength of 500nm between the first group 31 and second group 32 or less Can be suppressed.
  • the third group 33 has the second group 32 disposed on the top surface and is composed of a low refractive index layer.
  • This low refractive index layer is made of, for example, SiO 2 and has an optical film thickness L.
  • the refractive index n3 of the third group 33 is 1.47.
  • the size of the third group 33 in plan view is the same as that of the first group 31 and the second group 32.
  • the optical film thickness is approximately one quarter of the wavelength of visible light. Similar to the first group 31, if the optical thickness of the third group 33 is around 125 nm, reflection of visible light around the center wavelength of 500 nm can be suppressed and transmitted effectively.
  • the third group 33 is disposed on the upper surface, and the low refractive index layer, the high refractive index layer, and the low refractive index layer are described in this order from the upper surface side.
  • the thicknesses of the low refractive index layers are the same.
  • a combination of a low refractive index layer made of SiO 2 and a high refractive index layer made of TiO 2 each having an optical film thickness of L for the low refractive index layer and 2H for the high refractive index layer.
  • Is L. 2 of 2H is the first coefficient of the high refractive index layer as in the first group 31 and the second group 32.
  • the size of the fourth group 34 in plan view is the same as that of the first group 31, the second group 32, and the third group 33.
  • the apparent optical film thickness of the fourth group 34 is 1000 (nm) in total.
  • the fourth group 34 uses the second coefficient applied to the entire optical film thickness of the combination of the three layers, so that the apparent optical film thickness is 0.8 to 1.2. It may have up to 20 combinations of three layers (low refractive index layer, high refractive index layer and low refractive index layer) having double optical film thickness.
  • the physical film thickness of each layer in each combination is equal to the optical film thickness of each layer divided by the refractive index.
  • 1.2 ⁇ 125 ⁇ 1.47 68.03 to 102.04 (nm)
  • the low refractive index layer is 68.03 to 102.04 (nm).
  • the apparent refractive index n4 of the fourth group 34 is 1.1 for each combination and for the entire combination.
  • This fourth group 34 can suppress transmission of near infrared rays.
  • the transmission of near-infrared rays can be suppressed as the number of combinations of three layers constituting the fourth group 34 increases, and the closer the number of second coefficients in each set is within the above range, the closer the wavelength range becomes.
  • Infrared transmission can be suppressed.
  • the second coefficient is 0.8 for one set of the optical thicknesses L, 2H, and L of the fourth group 34
  • This reflection mechanism is a combination of optical film thicknesses L, 2H and L.
  • the optical film thickness of the one set is the same as the center wavelength as a whole.
  • This value can be regarded as a half of the wavelength twice the center wavelength, and the reflected wave of the light having the wavelength twice the center wavelength generated on the upper surface and the lower surface of the pair has the same phase.
  • the reflection of light having a wavelength twice the center wavelength is enhanced. For this reason, in the combination of these three layers, transmission of near infrared light corresponding to light having a wavelength of center wavelength 500 (nm) ⁇ twice the second coefficient can be suppressed.
  • the fourth group 34 is disposed on the upper surface, and the low refractive index layer, the high refractive index layer, and the low refractive index layer are laminated in this order from the upper surface side. Similar to the first group 31, the second group 32, the fourth group 34, and the fifth group 35, the thicknesses of the low refractive index layers are the same. For example, a combination of a low refractive index layer made of SiO 2 and a high refractive index layer made of TiO 2 , each having an optical film thickness of 0.3 L for the low refractive index layer, 0.3 H for the high refractive index layer, and The low refractive index layer is 0.3L.
  • 0.3 is the first coefficient of each layer, as in the first group 31, the second group 32, and the fourth group 34.
  • the size of the fifth group 35 when viewed in plan is the same as that of the first group 31, the second group 32, the third group 33, and the fourth group 34.
  • the optical thickness of each layer of the fifth group 35 is 37.5 (nm), and the apparent optical thickness of the fifth group 35 is 112.5 (nm).
  • the apparent refractive index n5 of the fifth group 35 is 1.86.
  • the apparent optical film thickness is approximately a quarter of the wavelength of visible light.
  • the wavelength of visible light is set to 500 nm, so that, as in the first group 31 and the third group 33, if the optical thickness of the fifth group 35 is around 125 nm, the center wavelength is Reflection of visible light near 500 nm can be suppressed, and the fifth group 35 can be effectively transmitted.
  • the fifth group 35 is disposed on the upper surface, and the high refractive index layer, the low refractive index layer, and the high refractive index layer are laminated in this order from the upper surface side.
  • the thicknesses of the high refractive index layers are the same.
  • a combination of a high refractive index layer made of TiO 2 and a low refractive index layer made of SiO 2 and the optical film thickness of each of the high refractive index layers is 0.85 to 1.0 ⁇ 1.5H, which is low.
  • the refractive index layer is 0.85 to 1.0 ⁇ 0.2 L and the high refractive index layer is 0.85 to 1.0 ⁇ 1.5H.
  • 1.5 and 0.2 are the first coefficients of the respective layers as in the first group 31, the second group 32, the fourth group 34, and the fifth group 35.
  • the apparent optical film thickness is 400 nm. Since the reflected waves generated on the upper and lower surfaces of the set have the same phase, transmission of near infrared rays corresponding to the wavelength is suppressed. Therefore, when the second coefficient (0.85 to 1.0) is multiplied, transmission of near infrared rays corresponding to light having a wavelength of 400 (nm) ⁇ twice the second coefficient can be suppressed.
  • the size of the sixth group 36 in plan view is the same as that of the first group 31, the second group 32, the third group 33, the fourth group 34, and the fifth group 35.
  • the apparent optical film thickness of 36 is 360 (nm).
  • the physical film thickness of each layer when the second coefficient is 0.85 to 1.0 is equal to the optical film thickness of each layer divided by the refractive index, respectively, and 159.38.
  • the apparent refractive index of the sixth group 36 is 2.82 for each combination and for the entire combination. Further, similarly to the fourth group 34, up to five combinations of 0.85 to 1.0 ⁇ (1.5H, 0.2L, 1.5H) may be provided.
  • the sixth group 6 is disposed on the upper surface, and the low refractive index layer, the high refractive index layer, and the low refractive index layer are laminated in this order from the upper surface side.
  • the thicknesses of the low refractive index layers are the same.
  • a combination of a low refractive index layer made of SiO 2 and a high refractive index layer of TiO 2 , and the respective optical film thicknesses are 0.3 L for the low refractive index layer and 0.45 H for the high refractive index layer.
  • the refractive index layer is 0.3L.
  • 0.3 and 0.45 are the first coefficients of the respective layers as in the first group 31, the second group 32, the fourth group 34, the fifth group 35, and the sixth group 36.
  • the size of the seventh group 37 in plan view is the same as that of the first group 31, the second group 32, the third group 33, the fourth group 34, the fifth group 35, and the sixth group 36.
  • the optical thickness of each layer of the seventh group 37 is the same as that of the second group 32, and the apparent optical thickness of the seventh group 37 is 112.5 (nm).
  • the apparent refractive index of the seventh group 37 is 2.06.
  • the apparent optical film thickness of the seventh group 37 is approximately one quarter of the wavelength of visible light.
  • the wavelength of visible light is set to 500 nm, so that the optical thickness of the seventh group 37 is around 125 nm as in the first group 31, the third group 33, and the fifth group 35. If it exists, the reflection of visible light near the center wavelength of 500 nm can be suppressed and the seventh group 37 can be effectively transmitted.
  • the above-mentioned transparent substrate 4 has the seventh group 37 disposed on the upper surface, and easily transmits light in a wide wavelength range. At this time, the transparent substrate 4 transmits visible light in which near infrared rays are suppressed among the light transmitted through the seventh group 37.
  • the refractive index n8 of the transparent substrate 4 is 1.3 to 1.8 when the temperature is 20 ° C.
  • the refractive index n8 is 1.52.
  • Table 1 shows a table summarizing specific materials and the like for the configuration of each group of the embodiment described above.
  • Table 1 shows the three layers combining the low refractive index layer and the high refractive index layer of each group as a first layer, a second layer, and a third layer in order from the upper surface side.
  • the number of upper and lower refractive index layers which are the number of low refractive index layers and high refractive index layers when manufactured as a product, the material of the layers constituting each group, the refractive index for this material, the apparent refractive index of each group,
  • the coefficient for adjusting the optical film thickness over the entire combination of the three layers constituting the group is the second coefficient, the first coefficient of each layer constituting each group (each layer), and each layer constituting each group when the center wavelength is 500 nm.
  • Optical film thickness (nm) of a single layer, physical film thickness (nm) with respect to the optical film thickness of a single layer having a central wavelength of 500 nm, physical film thickness corresponding to a low refractive index layer and a high refractive index layer which are one layer in production A plurality of film thicknesses (nm) and an optical film thickness (nm) including an apparent optical film thickness are shown in order.
  • the number of layers in production indicates the number of layers in the case where the same material can be used for successive layers because the layers can be formed as one layer. Thus, when providing as one layer, it will be in the state by which the low-refractive-index layer and the high-refractive-index layer were provided alternately.
  • the relationship among the refractive indexes n0, n1, n2, n3, n4, n5, n6, n7, and n8 in this example is n0 ⁇ n1 ⁇ n2, n2> n3> n4, n4 ⁇ n5 ⁇ n6. N6> n7> n8.
  • the near-infrared cut filter 1 having a visible light transmittance of at least 80% or more is obtained. Further, the transmittance is 90% or more near the center wavelength of 500 nm.
  • the light transmitted through the lens or the like first enters the first group 31, and the second group 32, the third group 33, the fourth group 34, the fifth group 35, The sixth group 36, the seventh group 37, and the transparent substrate 4 are sequentially transmitted.
  • the near-infrared cut filter 1 has an optical film thickness of the first group 31, the third group 33, the fifth group 35, and the seventh group 37 that is approximately a quarter of the wavelength of visible light, and has a refractive index of When the relationship is n0 ⁇ n1 ⁇ n2, n2> n3> n4, n4 ⁇ n5 ⁇ n6 and n6> n7> n8, the visible light transmittance can be improved.
  • FIG. 8 shows a transmittance graph of the near-infrared cut filter 1 shown in FIG. 8.
  • the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents transmittance (%).
  • the reflective film 3 includes a first group 31, a second group 32, a third group 33, a fourth group 34, a fifth group 35, a sixth group 36, a seventh group 37, and the transparent substrate 4. Yes.
  • a protective film 5 that transmits incident light and protects the absorption film 2 is disposed on the upper surface of the absorption film 2.
  • the absorption film 2 has a refractive index na of 1.45 to 1.55 when the temperature is 20 ° C.
  • the refractive index is 1.47 to 1.55 at 500 nm.
  • the protective film 5 has a refractive index np of 1.35 to 1.45 when the temperature is 20 ° C.
  • the refractive index is 1.37 to 1.41 at 500 nm.
  • the refractive indices of the second group 32, the first group 31, the absorption film 2, the protective film 5 and the air are n2, n1, na, np and n0, respectively, n2> n1> na and na> np> n0.
  • a relationship is established. These values are for a temperature of 20 ° C. If this relationship holds for the refractive index of each film and each group, more visible light can be transmitted. The transmittance at this time is shown in the graph of FIG.
  • the evaluation of the refractive index can be performed from transmittance measurement or material analysis.
  • materials may be appropriately selected and combined.
  • a fluororesin having a refractive index of about 1.35 can be selected as the protective film 5
  • a polyvinyl butyral polymer or ethylene-vinyl alcohol copolymer having a refractive index of about 1.5 can be selected as the absorbing film 2.
  • fine adjustment of the refractive index can be performed by adjusting the amount of holes in the material.
  • the near-infrared cut filter 1 has the configuration of the reflective film 3 and the transparent substrate 4 shown in FIG. 5, with the upper surface and the transparent substrate 4 sandwiched between the lower surface of the transparent substrate 4.
  • the seventh group 37, the sixth group 36, the fifth group 35, the fourth group 34, the third group 33, the second group 32, and the first group 31 are provided so as to be symmetrically arranged.
  • the near-infrared cut filter 1 is shown in detail in the reflective film 3 in one Embodiment of this invention described in FIG.
  • the seventh group 37, the sixth group 36, the fifth group 35, the fourth group 34, the third group 33, the second group 32, the first group 31, the absorbing film 2 and the protective film are also formed on the lower surface of the transparent substrate 4.
  • a film 5 is provided sequentially.
  • FIG. 12 shows a cross-sectional view of another configuration provided on the opposite side of the transparent substrate 4 in one embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 shows a graph of transmittance when the configuration of FIG. 12 is further provided on the transparent substrate 4, where the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents transmittance (%).
  • the near-infrared cut filter 1 has a configuration as shown in FIG. 12 on the opposite side of the transparent substrate 4 in the embodiment of the present invention described in FIG. May be.
  • the first group 01, the second group 02, the third group 03, the fourth group 04, and the fifth group 05 are configured.
  • the absorption film 2 and the protective film 5 may be provided on the upper surface of the first group 01 like the other surfaces of the transparent substrate 4. This is specifically shown below.
  • the first group 01 is composed of a low refractive index layer.
  • This low refractive index layer is made of, for example, SiO 2 and has an optical film thickness of 0.84 L. When the center wavelength is 500 nm, the optical film thickness is 105 (nm). The refractive index at this time is 1.47.
  • This 0.84 is a first coefficient for adjusting the optical film thickness of the low refractive index layer, as in each group shown in the embodiment of the present invention.
  • the first group 01 is disposed on the upper surface, and a low refractive index layer, a high refractive index layer, and a low refractive index layer are laminated in this order from the upper surface side.
  • the low refractive index layer is made of, for example, SiO 2
  • the high refractive index layer is made of TiO 2
  • the optical film thickness of each layer is 0.22L, 0.33H, and 0.22L.
  • 0.22 and 0.33 are the first coefficients of the respective layers as in the first group 01.
  • the optical thickness of the second group 02 is 288.25 (nm), and the apparent refractive index is 1.95.
  • the second group 02 is disposed on the upper surface, and is composed of a high refractive index layer.
  • This high refractive index layer is made of, for example, TiO 2 and has an optical film thickness of 1.87H.
  • This 1.87 is the first coefficient of the high refractive index layer as in the first group 01 and the second group 02.
  • the optical film thickness is 233.50 (nm), and the refractive index at this time is 2.43.
  • the third group 03 is arranged on the upper surface, and similarly to the second group 02, the low refractive index layer, the high refractive index layer, and the low refractive index layer are laminated in this order from the upper surface side.
  • the low refractive index layer is made of, for example, SiO 2
  • the high refractive index layer is made of TiO 2
  • the optical film thickness of each layer is 0.22L, 0.33H, and 0.22L.
  • 0.22 and 0.33 are the first coefficients of the respective layers, as in the first group 01, the second group 02, and the third group 03.
  • the optical thickness of the fourth group 04 is 288.25 (nm), and the apparent refractive index is 1.95.
  • the fourth group 04 is disposed on the upper surface, and, like the first group 01, is composed of a low refractive index layer.
  • This low refractive index layer is made of, for example, SiO 2 and has an optical film thickness of 0.84 L. This 0.84 is the same as the first group 01, the second group 02, the third group 03, and the fourth group 04. , The first coefficient of the low refractive index layer.
  • the optical film thickness is 105 (nm).
  • the refractive index at this time is 1.47.
  • the apparent refractive index as a whole can be 1.5. Further, it may have up to 10 combinations of the first group 01 to the fifth group 05. At this time, the apparent refractive index is 1.5 for each combination and for the entire combination. Further, when the center wavelength is 500 nm, the total optical film thickness of the first group 01 to the fifth group 05 is 636 (nm), so that the double wavelength generated at the interface with air and the interface with the transparent substrate 4 Since the reflected waves of near infrared rays are in phase, transmission of near infrared rays can be suppressed.
  • Table 2 shows a table summarizing specific materials and the like regarding the configuration of each group on one side of the other embodiments described above.
  • Table 2 similarly to Table 1, the three layers combining the low refractive index layer and the high refractive index layer corresponding to each group are shown as the first layer, the second layer, and the third layer in order from the upper surface side. Yes.
  • the number of upper and lower refractive index layers which are the number of low refractive index layers and high refractive index layers when manufactured as a product, the material of the layers constituting each group, the refractive index for this material, the apparent refractive index of each group,
  • Optical film thickness of each group including film thickness (nm), multiple film thicknesses (nm) which are physical film thickness corresponding to low refractive index layer and high refractive index layer which is one layer in production, and apparent optical film thickness (Nm) are shown in order.
  • FIGS. 13 and 14 show the transmittance when only the reflective film 3 and the transparent substrate 4 are used
  • FIG. 14 shows the case where the absorption film 2 is provided on the upper surfaces of the first group 31 and the first group 01. .
  • a circular glass plate having a thickness of 0.2 mm and a diameter of 30 to 90 mm is prepared as the transparent substrate 4.
  • the surface of the glass plate is cleaned using, for example, an ultrasonic cleaning method or a chemical cleaning method.
  • the glass plate here is used as a mother substrate for taking a large number of pieces, and thus may have a rectangular shape with one side of 30 to 90 mm.
  • a reflective film 3 made of silica or titania is provided on the surface of the glass plate after washing.
  • the reflective film 3 can be formed by film formation using a vapor deposition method, an ion plating method, a CVD method, a sputtering method, or the like.
  • the thickness is 0.05 ⁇ m.
  • the surface of the reflective film 3 is cleaned using an ultrasonic cleaning method or a chemical cleaning method. Note that the reflective film 3 may be similarly provided on the opposite surface of the transparent substrate 4.
  • the reflective film 3 is formed by alternately laminating a low refractive index layer made of SiO 2 and a high refractive index layer made of TiO 2 to form a seventh group 37, a sixth group 36, a fifth group 35, a fourth group 34,
  • the third group 33, the second group 32, and the first group 31 are sequentially provided.
  • Each layer provided alternately in each group can be formed by a film forming method using an evaporation method, an ion plating method, a CVD method, a sputtering method, or the like.
  • the thickness of each group is 74.17 (nm), 728.20 (nm), 66.45 (nm), 4.4 ( ⁇ m), 85.
  • each group is cleaned using an ultrasonic cleaning method or a chemical cleaning method.
  • the seventh group 37, the sixth group 36, the fifth group 35, the fourth group 34, the third group 33, the second group 32, and the first group 31 are also provided on the opposite surface of the transparent substrate 4. You may provide sequentially. The same method can be used when the layers of each group are different on the upper and lower surfaces of the transparent substrate 4.
  • the absorption film 2 is provided on the surface of the reflection film 3.
  • the absorption film 2 is formed by applying a coating solution obtained by dissolving the polymer 20 and the organic dye 21 in a mixed solution of an organic solvent such as methyl ethyl ketone and toluene so that the concentration becomes about 5 to 20% by mass, by spin coating or dipping.
  • a coating solution obtained by dissolving the polymer 20 and the organic dye 21 in a mixed solution of an organic solvent such as methyl ethyl ketone and toluene so that the concentration becomes about 5 to 20% by mass, by spin coating or dipping.
  • the surface of the reflective film 3 is coated to a thickness of 10 to 100 ⁇ m.
  • the absorption film 2 having a thickness of 3 ⁇ m is obtained by drying in a heating furnace and evaporating the organic solvent.
  • dye 21 is attracted to the hydroxyl group of the polymer 20.
  • FIG. While maintaining this state, the organic solvent is vaporized and cured while the thickness of the absorption film 2 is reduced, so that the organic dye 21 is uniformly dispersed in the absorption film 2.
  • a protective film 5 is provided on the surface of the absorption film 2.
  • a coating solution in which a fluorine resin is used and dissolved in a mixed solution of a fluorine-based organic solvent so as to have a concentration of about 5 to 20% by mass is prepared by spin coating, dipping, spraying, Using a gravure method or a bar coater method, coating is performed to a thickness of 10 to 100 ⁇ m. Then, the protective film 5 having a thickness of 3 ⁇ m is obtained by drying in a heating furnace to vaporize and polymerize the organic solvent.
  • the near-infrared cut filter 1 according to the embodiment of the present invention can be manufactured.
  • an optical semiconductor device 100 includes a near-infrared cut filter 1 according to an embodiment of the present invention (hereinafter sometimes simply referred to as “filter 1”), an optical semiconductor element storage package 101, and an optical semiconductor.
  • An element 105 and a lens 106 are provided.
  • the light incident from the upper surface of the lens 106 is incident on the inside of the optical semiconductor element housing package 101 at a location where the lens 106 shown in FIG. 15 is provided.
  • the incident light passes through the filter 1 and is applied to the optical semiconductor element 105 in a state where transmission of near infrared rays is suppressed.
  • the optical semiconductor element housing package 101 has a lens fixing portion 104 through which light enters, a filter fixing portion 103 through which light passes through the lens fixing portion 104, and light through the filter fixing portion 103.
  • An optical semiconductor element mounting portion 102 is provided.
  • the optical semiconductor element housing package 101 is formed of a ceramic material or a metal material.
  • An optical semiconductor element 105 such as an imaging element or a light receiving element is mounted on the optical semiconductor element mounting portion 102 in the optical semiconductor element storage package 101. At this time, the optical semiconductor element 105 is electrically connected to the wiring or the like of the optical semiconductor element housing package 101 by a connecting member such as a bonding wire.
  • the optical semiconductor element 105 is an imaging element or a light receiving element
  • the optical semiconductor element 105 has a photoelectric conversion function for generating a charge corresponding to the intensity of light incident on the surface of the optical semiconductor element 105.
  • the lens 106 is fixed to the lens fixing portion 104. This lens 106 allows light from the outside to pass through while being refracted and enter the filter 1.
  • the lens 106 is made of a material such as glass or transparent resin.
  • a lens having various shapes such as a convex lens, a concave lens, or a Fresnel lens is used according to the purpose of use.
  • the lens fixing portion 104 has, for example, a cubic shape or a rectangular parallelepiped shape, and through holes are provided on the upper and lower surfaces, and the lens 106 is fixed so as to fit into the through holes.
  • the filter 1 is fixed to the filter fixing portion 103.
  • the filter 1 is fixed to the filter fixing unit 103 so as to be positioned between the lens 106 and the optical semiconductor element 105.
  • the shape of the filter fixing portion 103 is not particularly limited, and is, for example, a quadrangular shape, a hexagonal shape, an octagonal shape, or a circular shape in plan view.
  • the optical semiconductor device 100 including the near-infrared cut filter 1 has the absorption film 2 of the near-infrared cut filter 1 dispersed with an organic dye 21 that absorbs near-infrared rays, so that the light incident from the lens 106 is near. Near infrared rays can be effectively absorbed when passing through the infrared cut filter 1. Further, the near-infrared cut filter 1 is provided with a reflection film 3 that reflects near-infrared light on the lower surface of the absorption film 2, so that the near-infrared light reflected by the absorption film 2 is reflected by the reflection film 3. Can do. For this reason, it is possible to transmit light with suppressed transmission of near infrared light and to enter the optical semiconductor element 105.
  • the optical film thickness or apparent optical film thickness of the first group 31, the third group 33, the fifth group 35, and the seventh group 37 in the reflective film 3 is approximately one fourth of visible light. As well as the refractive index relationship. Thereby, when light incident from the lens 106 passes through the near-infrared cut filter 1, transmission of near-infrared light and reflection of visible light can be effectively suppressed. Furthermore, when the upper surface of the first group 31 includes the absorption film 2 containing the organic dye 21, the absorption film 2 absorbs near infrared rays and transmits the near infrared rays transmitted through the absorption film 2 to the first group 31 to the first group 31. Since the light is reflected by the seventh group 37, near infrared rays can be more effectively suppressed.
  • the optical semiconductor device 100 since external light passes through the filter 1 and enters the optical semiconductor element 105, more of the light close to visible light that can be perceived by the human eye is transmitted to the optical semiconductor element. 105 can be made incident. Thus, by providing the filter 1 with which desired optical characteristics can be obtained, the optical semiconductor device 100 having excellent optical characteristics can be realized.

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Abstract

入射する光のうち近赤外線を吸収する吸収膜と、上面に吸収膜が配置された、吸収膜を透過した光のうち近赤外線を反射する反射膜と、上面に反射膜および吸収膜が配置された、反射膜を透過した光を透過させる透明基板とを備えており、吸収膜は、疎水基を有する繰返し単位および水酸基を有する繰返し単位から成るポリマーと、ポリマーに分散した、水酸基を有するとともに近赤外線を吸収する有機色素とから成っており、ポリマーにおける水酸基を有する繰返し単位がビニルアルコールである近赤外線カットフィルタである。

Description

近赤外線カットフィルタ、および光半導体装置
　本発明は、所定の波長域の光、具体的には近赤外線の透過を抑制する近赤外線カットフィルタ、および近赤外線カットフィルタを用いた光半導体装置に関するものである。
　近年、撮像素子または受光素子等の光半導体素子を用いた光半導体装置には、光を集光する光学レンズ、および所定の波長域の光として近赤外線の透過を抑制し、その他の波長域の光を透過させるショートパス型の近赤外線カットフィルタ、または所定の波長域の光の透過を抑制し、その他の波長域の光を透過させるショートパス型およびロングパス型の近赤外線カットフィルタ等の各種の光学部材が使用される。例えば、撮像素子を用いる場合には、撮像素子に入射する光の波長域を人間の眼が知覚することができる波長域（可視光線域）に限定する目的で、近赤外の波長域（近赤外線域）の光の透過を抑制する近赤外線カットフィルタまたは近赤外線カットフィルタが光学レンズと撮像素子との間に配置される。この近赤外線カットフィルタまたは近赤外線カットフィルタは、可視光線の波長域よりも長い波長の光である近赤外線の透過を抑制するように構成される。
　例えば特開２０１２－１３７６４９号公報には、透明基板の上に近赤外線の波長域の光を吸収する吸収膜を積層した近赤外線カットフィルタが提案されている。また、例えば特開２０１３－５４３６８号公報には、半導体基板の上に、特定の波長域の光である赤外線を反射する、複数種類の薄膜を積層した多層膜から成る近赤外線カットフィルタが提案されている。
　特開２０１２－１３７６４９号公報に開示された近赤外線カットフィルタは、透明基板上に、近赤外線を反射する反射膜、近赤外線を吸収する吸収膜および保護膜を順次積層して得られる。この吸収膜には、近赤外線を吸収する有機色素が含まれる。また、吸収膜にはスチレン構造を含有するアクリル系のものが用いられる。
　しかしながら、この構成の近赤外線カットフィルタでは、近赤外線を吸収する吸収膜において、吸収膜を形成する樹脂中に有機色素が多い箇所と少ない箇所とができるので、吸収膜の全ての箇所において有機色素に近赤外線の吸収を均一に行なわせることが難しい場合があった。また、有機色素が少ない箇所をなくすために複数の層を重ねると、有機色素が多過ぎる箇所ができるおそれがあり、また全体に光の透過性が悪くなる場合があった。
　本発明の一実施形態にかかる近赤外線カットフィルタは、入射する光のうち近赤外線を吸収する吸収膜と、上面に前記吸収膜が配置された、前記吸収膜を透過した光のうち近赤外線を反射する反射膜と、上面に前記反射膜および前記吸収膜が配置された、前記反射膜を透過した光を透過させる透明基板とを備えており、前記吸収膜は、疎水基を有する繰返し単位および水酸基を有する繰返し単位から成るポリマーと、前記ポリマーに分散した、水酸基を有するとともに近赤外線を吸収する有機色素とから成っており、前記ポリマーにおける水酸基を有する繰返し単位がビニルアルコールである。
　また、本発明の一実施形態にかかる光半導体装置は、光が入射するレンズ固定部、前記レンズ固定部を通った光が通るフィルタ固定部および前記フィルタ固定部を通った光が入射する光半導体素子実装部を有する光半導体素子収納用パッケージと、前記レンズ固定部に固定されたレンズと、前記レンズを透過した光が前記吸収膜側から入射するように前記フィルタ固定部に固定された、本発明の一実施形態の近赤外線カットフィルタと、前記近赤外線カットフィルタを透過した光が入射するように前記光半導体素子実装部に実装された光半導体素子とを備えている。
（ａ）は本発明の一実施形態にかかる近赤外線カットフィルタを示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）の吸収膜の拡大断面図である。 本発明の他の実施形態にかかる近赤外線カットフィルタを示す断面図である。 本発明の他の実施形態にかかる近赤外線カットフィルタを示す断面図である。 本発明の他の実施形態にかかる近赤外線カットフィルタを示す断面図である。 本発明の一実施形態にかかる近赤外線カットフィルのうち反射膜および透明基板を示す断面図である。 本発明の一実施形態にかかる近赤外線カットフィルタの反射膜のうち第１群の多層構造を示す拡大図である。 図５に示した構成における光の透過率を示すグラフである。 図２に示した本発明の他の実施形態にかかる近赤外線カットフィルタのうち反射膜を詳細に示した断面図である。 図８に示した構成における光の透過率を示すグラフである。 本発明の他の実施形態にかかる近赤外線カットフィルタのうち反射膜および透明基板を示す断面図である。 図４に示した本発明の一実施形態にかかる近赤外線カットフィルタのうち反射膜を詳細に示した断面図である。 本発明の他の実施形態にかかる近赤外線カットフィルタの片面のうち反射膜のみを示した断面図である。 図１２に示した本発明の他の実施形態にかかる近赤外線カットフィルタの片面に透明基板を設けた場合の光の透過率を示すグラフである。 図１２に示した本発明の他の実施形態にかかる近赤外線カットフィルタの透過率を示すグラフである。 本発明の実施形態にかかる光半導体装置を示す上面視図である。 図１５に示す光半導体装置のＡ－Ａ線に沿った断面図である。
　以下、本発明の実施形態にかかる近赤外線カットフィルタについて、図面を参照しながら説明する。
　　＜近赤外線カットフィルタの構成＞
　図１（ａ）は本発明の一実施形態にかかる近赤外線カットフィルタ１の断面図を、図１（ｂ）は吸収膜２の一部を拡大した断面図をそれぞれ示している。これらの図において、近赤外線カットフィルタ１は、吸収膜２、反射膜３および透明基板４を備えている。
　図１（ａ）に示すように、透明基板４の上面には反射膜３が設けられており、反射膜３の上面には、近赤外線を吸収する吸収膜２が設けられている。この吸収膜２は、疎水基を有する繰返し単位および水酸基（－ＯＨ基）を有する繰返し単位から成るポリマー２０と、このポリマー２０に分散した、水酸基を有するとともに近赤外線を吸収する有機色素２１とから成る。ここで近赤外線とは、波長域で７００～１５００ｎｍの光のことである。この吸収膜２は、平面視した場合の大きさが例えば一辺が７×７ｍｍの四角形状で、厚みが０．５～１０μｍである。
　このポリマー２０のうち疎水基を有する繰返し単位は、水分子となじみにくい原子団を有するポリマー２０を構成する分子構造である。このポリマー２０のうち疎水基を有する繰返し単位は、例えばブチラール基（Ｃ８Ｈ１５Ｏ２：示性式は省略）を有するビニルブチラール（Ｃ８Ｈ１５Ｏ２：示性式は省略）およびアセチル基（Ｃ２Ｈ３Ｏ：ＣＨ３ＣＯ－）を有する酢酸ビニル（Ｃ４Ｈ６Ｏ：ＣＨ２＝ＣＨＯＣＯＣＨ３）、ホルマール基（Ｃ５Ｈ８Ｏ２：示性式は省略）を有するビニロン（Ｃ５Ｈ８Ｏ２：示性式は省略）およびアセチル基を有する酢酸ビニル、アルキル基（ＣｍＨ２ｍ）等を有する炭素と水素から成る炭化水素系モノマー、アクリル基を有するアクリル酸（Ｃ３Ｈ４：ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＨ）モノマーあるいはメタクリル酸メチル（Ｃ５Ｈ５Ｏ２：ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）ＣＯＯＣＨ３）モノマーである。
　アルキル基を有する炭化水素系モノマーは、例えばエチレン（Ｃ２Ｈ４：ＣＨ２＝ＣＨ２）である。他にも、プロピレン（Ｃ３Ｈ６：ＣＨ３ＣＨ＝ＣＨ２）あるいはブタジエン（Ｃ４Ｈ６：ＣＨ２＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ２）等であってもよい。また、疎水基がアルキル基の他にも、フェニル基（Ｃ６Ｈ５－）を有する炭化水素系（ＣｍＨｎ）モノマー（ｎとｍとは自然数であり、モノマー中に二重結合を持つような組合せである。）であってもよく、例えばスチレン（Ｃ８Ｈ８：Ｃ６Ｈ５－ＣＨ＝ＣＨ２）あるいはα－メチルスチレン（Ｃ９Ｈ１０：Ｃ６Ｈ５Ｃ（＝ＣＨ２）ＣＨ３）等であってもよい。
　これらの繰返し単位から成るポリマー２０であれば、ポリマー２０と有機色素２１との反応を抑制することができる。このため、吸収膜２は有機色素２１の持つ吸収特性を維持することができる。
　ポリマー２０において疎水基を有する繰返し単位が例えばビニルアセタールおよび酢酸ビニルの場合には、ポリマー２０はポリビニルアセタールポリマーである。このポリビニルアセタールがアセタール基を含むことで、吸収膜２の靱性が向上する。このため、透明基板４にガラス等を用いた場合でも、割れおよびクラック等が生じるのを抑制することができる。また、ポリビニルアセタールがアセチル基を有するので、吸収膜２自体が水に溶けにくいものとなる。このようにポリマー２０が有機色素２１と反応しない繰返し単位から成る場合には、有機色素２１がポリマー２０中に溶解するおそれがないので、有機色素２１の機能を維持することができる。
　また、ポリマー２０のうち水酸基を有する繰返し単位であるビニルアルコールは、示性式上ではビニルアルコールモノマーであるが、実製品の近赤外線カットフィルタ１の状態においてはビニルアルコールモノマーは存在しない。これは、ビニルアルコール（ＣＨ２＝ＣＨＯＨ）は不安定であり、すぐにより安定なアセトアルデヒド（ＣＨ３ＣＨＯ）になってしまうためである。
　また、ポリビニルアセタールポリマーは、ポリビニルアルコールとアルデヒド（ホルムアルデヒド（ＣＨ２Ｏ：ＨＣＨＯ）あるいはブチルアルデヒド（Ｃ４Ｈ８Ｏ：Ｃ３Ｈ７ＣＨＯ））との縮合反応によって得られる。この際に、縮合反応の触媒として、塩酸または硫酸等の無機酸を用いる。そして、溶媒としては水またはメタノール等を用いる。この場合に、アセタール化反応において、ポリビニルアルコールを完全にアセタール化することができない。このため水酸基が残され、さらに鹸化において少量のアセチル基が残る。このことによって、疎水基としてアセタール基を有する繰返し単位およびアセチル基を有する繰返し単位ならびに水酸基を有するビニルアルコールから成るポリマーを得ることができる。また、炭化水素系モノマーあるいはアクリル酸系モノマーとビニルアルコールとから成るポリマー２０は、炭化水素－酢酸ビニルコポリマーあるいはアクリル酸系－酢酸ビニルコポリマーをメタノール中で鹸化することによって得られる。
　以上のように、ビニルアルコールモノマーは安定して存在することができないが、便宜上、ビニルアルコールの部分については、以下、ビニルアルコールモノマーという。
　ビニルアルコールモノマーは、酸素等のガスの透過率が低く、ガスバリア性に優れている。これは、以下のような理由による。すなわち、ビニルアルコールモノマーに含まれる水酸基の極性によって電荷に偏りが生じると、プラス－マイナス間で引き合って分子間に働く力が強くなる。このように分子間に働く力が強くなると、分散した酸素分子がこの分子間力を引き離すのに大きなエネルギーが必要になる。このとき、酸素分子が高分子鎖を透過するために、高分子鎖に働く分子間力を弱めるように高分子鎖を押し広げて通り道を作ることは困難である。これはつまり、酸素が吸収膜２の表面から内部へ透過しにくくなるということなので、酸素透過率が小さくなり、ガスバリア性に優れるものとなる。
　吸収膜２に好適なポリビニルアセタールポリマーは、ポリビニルブチラールポリマーである。この場合には、ポリビニルブチラールポリマーにおいて、ブチラール基のモル比率が６０～８０モル％、アセチル基のモル比率が２～６モル％のものを用いるとよい。ポリビニルブチラールポリマーは、樹脂の中では比較的酸素の透過率が小さい。また、水蒸気透過率も低いので、ポリマー２０が水に溶けることを抑制できる。そして、ポリマー２０に靱性があるので、他の膜を保護することもできる。
　また、吸収膜２が炭化水素－ビニルアルコールコポリマーの場合には、例えばエチレン－ビニルアルコールコポリマーを用いる。この場合には、エチレン－ビニルアルコールコポリマーにおいて、エチレンモノマーのモル比率が２０～６０モル％のものを用いるとよい。エチレン－ビニルアルコールコポリマーは、酸素の透過率が小さいだけではなく、親油性のエチレンが重合されることで、コポリマー自体が水に溶けることを抑制できる。さらに、水蒸気の透過率も低いので、有機色素２１が水に溶けることを抑制することができる。また、特にエチレンモノマーのモル比率が２５～３５モル％のエチレン－ビニルアルコールコポリマーから成る吸収膜２は、水に溶けにくく、ガスバリア性に優れている。
　また、ポリマー２０がアクリル酸ビニルアルコールコポリマーあるいはビニルメタクリル酸メチルであれば、吸収膜２の伸展性が高い。このため、吸収膜２を形成する際の熱履歴によって生じる応力を低減することができる。また、ポリビニルアセタールポリマーおよび炭化水素－ビニルアルコールコポリマーと同様に、酸素の透過率が小さく、水にも溶けにくい。
　以上に示したポリマー２０は、水に溶けにくく、ガスバリア性に優れている。このことによって、有機色素２１の酸化分解および水への溶解を抑制することができ、有機色素２１の機能を維持することができる。
　吸収膜２は、図１（ｂ）に示すように、ポリマー２０と、このポリマー２０に分散した有機色素２１とから成る。この有機色素２１は、水酸基を有している。有機色素２１の材料は、例えば置換基に水酸基を有する、フタロシアニン系化合物またはシアニン系化合物である。他にも、置換基に水酸基を有するものであれば、スクアリウム系化合物、ジインモニウム化合物、アゾ化合物等を用いることができる。このような有機色素２１は、吸収したい波長域に合わせていくつかを組み合わせてポリマー２０に分散することができる。これらの有機色素２１は、波長域で７００～１５００ｎｍの光を他の波長の光と比較して強く吸収することができる。
　このように、吸収膜２中のビニルアルコールモノマーおよび有機色素２１の双方が水酸基を有していることによって、ビニルアルコールモノマーの水酸基と有機色素２１の水酸基とが水素結合する。水酸基同士の水素結合においては、電気陰性度の値が水素より大きい酸素と水素とが結合すると、その水素はプラスの電荷を帯びる。一方、電子を引き付けた酸素は、逆にマイナスの電荷を帯びる。このような少しプラスの電荷を帯びた水素原子と、別の分子のマイナスの電荷を帯びた酸素との間に静電的引力が作用して水素結合ができる。つまり、ビニルアルコールモノマーの水素と有機色素２１の酸素との間に、またはビニルアルコールモノマーの酸素と有機色素２１の水素との間に電気的な引力が働く。このため、水酸基同士が結合するようになって有機色素２１が分散する。この場合には、ポリマー２０において、連続した構造を持つビニルアルコールモノマーの水酸基に対応して有機色素２１の水酸基が結合するようになって有機色素２１が分散するので、有機色素２１をポリマー２０内に偏りなく分散させることができる。
　さらに、この水素結合によって、ポリマー２０と有機色素２１とが強く結合されるので、有機色素２１が雰囲気中の酸素と反応して酸化分解することを抑制することができる。まず、酸素が有機色素２１を酸化分解しようとする際には、最初に水酸基同士の水素結合を切断するためにエネルギーが必要となる。このため、有機色素２１をポリマー２０との結合から切断することができたとしても、酸化分解するほどのエネルギーが残されていない可能性がある。あるいは酸化分解をしたとしても一部のみになるため、吸収膜２における有機色素２１の酸化分解を抑制することができる。
　また、ポリマー２０がガスバリア性に優れているため、酸素の透過率が低く、有機色素２１の酸化分解を抑制することができる。また、有機色素２１をポリマー２０内に偏りなく分散させることができる。このため、樹脂中に有機色素２１を単純に混ぜる場合に生じるような有機色素２１が固まって存在する箇所およびほとんど存在しない箇所等の発生を抑えることができる。ひいては、ポリマー２０中の有機色素２１の濃度が不均一になるおそれを抑制することができる。
　次に、反射膜３について説明する。この反射膜３は、吸収膜２を透過した光のうち近赤外線を反射する。ここで、近赤外線とは、波長領域で７００～１５００ｎｍの光である。反射膜３の材料は、例えば低屈折率材料の酸化ケイ素（シリカ）、高屈折率材料の酸化チタン（チタニア）である。他にも、近赤外線を反射するものであれば、ジルコニア、酸化タンタル等であってもよい。この反射膜３は、平面視した場合の大きさが例えば吸収膜２と同じ大きさであって、厚みが０．０１～１０μｍである。この反射膜３が設けられていることによって、吸収膜２で吸収しきれなかった近赤外線を反射するので、近赤外線が透明基板４から光半導体素子へ透過することを抑制することができる。
　そして、上面に反射膜３および吸収膜２が配置された透明基板４は、入射した光を透過させて撮像素子等の光半導体素子に可視光線として入射させる。この透明基板４は、可視光線に対する光透過性を有する基板である。このときの可視光線の波長域は、４００～６００ｎｍの光である。なお、このときの透明とは、入射した可視光線の８０％以上の可視光線を通すものをいう。
　透明基板４の材料としては、例えばガラスを用いることができる。ガラスの種類としてはソーダ石灰ガラス、石英ガラスあるいはホウケイ酸ガラスを挙げることができる。他にも、光透過性を有する基板であれば、金属酸化物等の無機材料またはＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ポリイミド、ポリカーボネートもしくはアクリル等の樹脂材料から成るものであってもよい。この透明基板４は、平面視した場合の大きさが例えば吸収膜２および反射膜３と同じ大きさであって、厚みが５０～３００μｍである。
　なお、近赤外線カットフィルタ１に入射する光には、可視光線および近赤外線のみでなく、紫外線も含まれている。紫外線とは、波長域で２００～３８０ｎｍの光線である。紫外線は、近赤外線と比較すると空気中またはレンズ等の透過率が低い。このため、近赤外線のように吸収膜２に有機色素２１のような吸収剤を分散させて吸収しなくても、反射膜３および透明基板４で十分透過を抑制することができる。
　以上に示すような近赤外線カットフィルタ１は、光学レンズ等を透過した光（吸収膜２側から入射した光）が、まず吸収膜２に入射して、反射膜３、透明基板４を順次透過する。このとき、吸収膜２において、近赤外線を吸収することによって、反射膜３のみで近赤外線を反射する場合と比較して、反射膜３で反射する近赤外線の量を低減することができる。さらに、近赤外線カットフィルタ１には、吸収膜２および反射膜３の両方が設けられていることによって、２段階で近赤外線をカットすることができる。つまり、吸収膜２の表面から入射した光は、吸収膜２の有機色素２１において近赤外線が吸収される。さらに、吸収膜２で吸収されずに反射膜３まで透過した近赤外線が、反射膜３で反射される。これにより、９９％以上の近赤外線をカットすることができる。
　また、以上に示すような近赤外線カットフィルタ１は、吸収膜２がポリマー２０と水酸基を有する有機色素２１とから成ることによって、ポリマー２０の水酸基と有機色素２１の水酸基とが水素結合することができるものになっている。この水素結合によって、有機色素２１の酸化分解を抑制することができるとともに、ポリマー２０内に有機色素２１を偏りなく分散させることができる。これにより、有機色素２１の機能を維持することができ、吸収膜２側から入射した近赤外線の透過を抑制した可視光線を通す近赤外線カットフィルタ１を実現することができる。
　次に、本発明の他の実施形態にかかる近赤外線カットフィルタ１について、図面を参照しながら説明する。図２～図４には、それぞれ本発明の他の実施形態にかかる近赤外線カットフィルタ１の断面図を示している。これらの図において、近赤外線カットフィルタ１は、本発明の一実施形態と同様に、吸収膜２、反射膜３および透明基板４を備えている。
　図２に示すように、近赤外線カットフィルタ１は、吸収膜２の上面に、入射した光を透過させる、吸収膜２を保護する保護膜５が配置されている。図２に示す例においては、保護膜５を備えている点が上述した本発明の実施形態と異なる。この図２に示した例の近赤外線カットフィルタ１には、光学レンズ等を透過した、紫外線、可視光および近赤外線等の全ての波長域の光が入射する。
　保護膜５の材料には、フッ素樹脂を用いることができる。フッ素樹脂は、耐摩擦性、耐薬品性および硬さに優れているので、吸収膜２を傷付けないように保護することができる。特に、フッ素樹脂が熱によって重合反応を示す材料を選択することで、吸収膜２の表面にコーティングする際に、フッ素樹脂を乾燥する熱で樹脂が重合反応してフッ素樹脂の分子間の結合が大きくなるため、より硬い膜を得ることができる。この理由としては、熱によって重合反応を示すような熱硬化性樹脂は、高分子同士が架橋することによって３次元的な網目構造の分子を作り、複雑、かつ立体的に密に絡み合っているためである。この架橋反応は不可逆的なものであり、重合後の熱硬化性樹脂は、元の原料状態に戻すことも、再び溶融して再成形することもできない。このような３次元網目構造の高分子である熱硬化性樹脂は、耐摩擦性、耐薬品性および硬さに優れているだけでなく、高温にしても分子運動しにくいため耐熱性も高い。
　また、フッ素樹脂は光の屈折率が空気に近いので、入射した光を表面で反射することなく透過させる反射防止膜としての役割も持たせることができる。つまり、フッ素樹脂から成る保護膜５は、近赤外線カットフィルタ１の表面の傷を防ぐ効果が大きく、光を反射することなく透過させることができる。この保護膜５は、平面視した場合の大きさが例えば透明基板４、反射膜３および吸収膜２と同じ大きさであって、厚みが０．０５～５μｍである。
　この保護膜５があることによって、吸収膜２の上面が外部に露出している場合と比較して、酸素および水蒸気等の透過を抑制することができる。また、吸収膜２の上面を摩擦等から保護して、傷が付かないようにすることができる。
　次に、図３あるいは図４に示す例においては、近赤外線カットフィルタ１は、図１に記載した本発明の一実施形態あるいは図２に記載した本発明の他の実施形態における透明基板４の下面にも、上面側とは透明基板４を挟んで対称になるように、反射膜３および吸収膜２が順次設けられている。あるいは反射膜３、吸収膜２および保護膜５が順次設けられていてもよい。このように透明基板４の上面側および下面側の膜構成が透明基板４を挟んで対称であることによって、それぞれの膜の材料および厚みが異なることによって生じる膜間の応力が透明基板４の上下で同じように生じる。このため、透明基板４が歪むのを低減することができる。これは、近赤外線カットフィルタ１の作製および使用の際に熱が加わることがあっても、透明基板４の上面側および下面側において同様の構成の膜が同じように熱膨張および熱収縮するためである。特に、大きなサイズの多数個取り用の母基板から、最終的にダイシングして複数の近赤外線カットフィルタ１を得る際に、多数個取り用の母基板をダイシングソー等で切断する力を均等に加えることができる。
　図５は本発明の一実施形態にかかる近赤外線カットフィルタ１のうち反射膜３および透明基板４を示した断面図であり、図６はその反射膜３を構成する第１群３１の多層構造を示す拡大断面図である。また、図７は図５に示した構成における透過率のグラフを示しており、横軸は波長（ｎｍ）を、縦軸は透過率（％）を表わしている。反射膜３は、屈折率が異なりそれぞれ可視光線および近赤外線を透過させる低屈折率層１１および高屈折率層１２を積層して構成された複数の群を有している。図５に示すように、反射膜３は、光が入射する方（図５においては図の上方）から順に、第１群３１、第２群３２、第３群３３、第４群３４、第５群３５、第６群３６および第７群３７を備えている。この近赤外線カットフィルタ１は、反射膜３に入射した光を透過させることによって、可視光線を近赤外線よりも多く透過させるものとして機能する。
　以下に示す構成は、反射を抑制したい可視光線を効果的に透過させるために、中心波長を５００ｎｍとした設計条件に基づいて求めた構成である。また、以下では便宜上、低屈折率層１１の光学膜厚の４分の１をＬとし、高屈折率層１２の光学膜厚の４分の１をＨとして説明する。また、以下に示す実施例においては、低屈折率層１１は二酸化珪素（ＳｉＯ２）で屈折率が１．４７であり、高屈折率層１２は二酸化チタン（ＴｉＯ２）で屈折率が２．４３であるとしている。この第１群３１を平面視したときの大きさは、目的とする近赤外線カットフィルタの仕様に合わせて適宜設定すればよく、例えば７×７ｍｍである。
　図６に示すように、第１群３１は、光が入射する側から順に低屈折率層１１、高屈折率層１２および低屈折率層１１から成る。このとき、第１群３１の見かけの光学膜厚は可視光線の波長（ここでは５００ｎｍ）の略４分の１である。上下の低屈折率層１１の厚みは同じであり、高屈折率層１２を中心に対称に設けられている。この第１群３１による反射波は、３層による反射波を合成したものであるが、実際には第１群３１を単層とみなした場合の反射波と同じになり、第１群３１は見かけの屈折率がｎ１である単層として扱うことができる。
　ここで、第１群３１は例えば低屈折率層１１がＳｉＯ２、高屈折率層１２がＴｉＯ２および低屈折率層１１がＳｉＯ２から成る組合せであって、各層の光学膜厚が０．３Ｌ、０．２９Ｈおよび０．３Ｌである。この０．３および０．２９は各層の光学膜厚を調整する光学膜厚調整係数としての第１係数である。このとき、各層の光学膜厚は０．３×（５００／４）＝３７．５（ｎｍ）、０．２９×（５００／４）＝３６．２５（ｎｍ）および０．３×（５００／４）＝３７．５（ｎｍ）となり、第１群３１の見かけの光学膜厚はそれらの合計の１１１．２５（ｎｍ）である。また、各層の物理膜厚は各層の光学膜厚をそれぞれ屈折率で除したものに等しくなり、それぞれ３７．５÷１．４７＝２５．５１（ｎｍ）、３６．２５÷２．４３＝１４．９２（ｎｍ）および３７．５÷１．４７＝２５．５１（ｎｍ）である。このとき、この第１群３１の見かけの屈折率ｎ１は１．８５である。
　第１群３１は見かけの光学膜厚が可視光線の波長の略４分の１である。本発明の一実施形態は可視光線の波長を５００ｎｍとして設定しているので、その波長の４分の１は１２５ｎｍになる。しかしながら、この５００ｎｍは設計時の中心波長であり、実際の設計においては、この第１群３１および以下のいくつかの群における光学膜厚は厳密に一義的に定められるものではなく、中心波長付近の光の波長の４分の１の大きさであればよい。すなわち、第１群３１の光学膜厚は、可視光線の波長の略４分の１であればよい。ここでの第１群３１の光学膜厚は上記のように１１１．２５ｎｍであり、中心波長である５００ｎｍの４分の１である１２５ｎｍ付近であって、透過させたい波長域の可視光線の４分の１になっている。したがって、中心波長である５００ｎｍ付近の可視光線についてその反射を抑制して、第１群３１を効果的に透過させることができる。
　第２群３２は、上面に第１群３１が配置されており、上面側から低屈折率層、高屈折率層および低屈折率層がこの順に積層されている。このとき、第１群３１と同様に低屈折率層同士の厚みは同じである。例えば、ＳｉＯ２から成る低屈折率層およびＴｉＯ２から成る高屈折率層の組合せであって、それぞれの光学膜厚は、低屈折率層が０．３Ｌ、高屈折率層が０．４５Ｈおよび低屈折率層が０．３Ｌである。この０．３および０．４５は、第１群３１と同様に、各層の第１係数である。第２群３２を平面視したときの大きさは第１群３１と同じである。
　このとき、第２群３２の各層の光学膜厚は、低屈折率層が０．３×（５００／４）＝３７．５（ｎｍ）、高屈折率層が０．４５×（５００／４）＝５６．２５（ｎｍ）および低屈折率層が０．３×（５００／４）＝３７．５（ｎｍ）となり、第２群３２の見かけの光学膜厚はそれらの合計の１３１．２５（ｎｍ）である。また、各層の物理膜厚は各層の光学膜厚をそれぞれ屈折率で除したものに等しくなり、それぞれ３７．５÷１．４７＝２５．５１（ｎｍ）、５６．２５÷２．４３＝２３．１４８（ｎｍ）および３７．５÷１．４７＝２５．５１（ｎｍ）である。このとき、この第２群３２の見かけの屈折率は２．０６である。ここで、第２群３２の光学膜厚は特に可視光線の波長の略４分の１である必要はないが、中心波長である５００ｎｍの４分の１である１２５ｎｍに近い値になっているため、可視光線を透過させやすくなっている。
　ここで、空気の屈折率をｎ０とした場合に、ｎ０＝１なので、第１群３１との間では屈折率の関係としてｎ０＜ｎ１が成り立つ。このとき、光の反射を抑制するためには、第２群３２の見かけの屈折率ｎ２についてｎ１＜ｎ２の関係である必要がある。このため、本発明の一実施形態のような組合せとして、第２群３２について低屈折率層、高屈折率層および低屈折率層の光学膜厚が０．３Ｌ、０．４５Ｈおよび０．３Ｌであり、見かけの屈折率ｎ２が２．０６であると、上記の関係を成り立たせることができる。
　このような第１群３１および第２群３２において、可視光線の透過率を大きくするための２つの条件（位相条件および振幅条件）について説明する。
　まず、位相条件について説明する。異なる屈折率を有する群を複数積層する場合に、光の透過率を大きくするためには、それぞれの群の界面で起こる反射を抑制する必要がある。本発明の一実施形態においては、空気と第１群３１との界面および第１群３１と第２群３２との界面で光の反射が起こっている。このとき、第１群３１の光学膜厚を可視光線の波長の略４分の１とすることにより、第１群３１の上下の界面で生じる光の反射波が逆位相になり互いに打ち消し合うので、第１群３１による可視光線の反射を抑え、透過率を向上させることができる。なお、第１群３１は可視光線の反射率が小さくなるように設定されているため、第１群３１では、可視光線ではない近赤外線の反射率は可視光線の反射率よりも高くなる。特に、可視光線について設定した中心波長（５００ｎｍ）の２倍の波長（１０００ｎｍ付近）においては、光学膜厚が波長の略２分の１であるので、第１群３１の上下の界面による近赤外線の反射波は同位相になる。このため、近赤外線の反射波は強め合うことになるので、第１群３１における近赤外線の透過は抑制されることになる。
　次に、振幅条件について説明する。光の振幅条件とは、上述した位相条件に対して、協同して光学薄膜の表面での反射を抑制するための条件である。空気、第１群３１および第２群３２において、振幅条件の実現のためには、光の入射側から見て、第１群３１の上下の界面における近赤外線の反射率を等しくすればよい。これら反射率を等しくすることにより、第１群３１の上下の界面における近赤外線の反射波の振幅が揃うので、上述した位相条件の効果をさらに高めることができる。
　ここで振幅条件が成立するためには、空気、第１群３１および第２群３２の屈折率ｎ０、ｎ１およびｎ２の関係が、ｎ１２＝ｎ０×ｎ２となるようにすればよい。これは空気と第１群３１の上面との界面での反射率は（ｎ１－ｎ０）２／（ｎ１＋ｎ０）２で近似でき、第１群３１の下面と第２群２の上面との境界での反射率は（ｎ２－ｎ１）２／（ｎ２＋ｎ１）２で近似できる。これらの近似値が等しいことから、（ｎ１－ｎ０）２／（ｎ１＋ｎ０）２＝（ｎ２－ｎ１）２／（ｎ２＋ｎ１）２となり、これを解いて、ｎ１２＝ｎ０×ｎ２の関係を導き出すことができる。
　なお、位相条件により、第１群３１の上下の界面での反射波が互いに逆位相となっているので、厳密に振幅条件が成立していなくても反射波を抑える効果を得ることができる。さらに、屈折率ｎ０、ｎ１およびｎ２の関係が、ｎ０＜ｎ１＜ｎ２またはｎ０＞ｎ１＞ｎ２の関係が成り立つように、つまりｎ１がそれぞれ第１群３１の上面および下面に設けられた空気および第２群３２の屈折率の間の値をとるように選ぶことで、それぞれの屈折率が振幅条件に反しない範囲で選ばれるので、反射波を抑える効果が高くなる。
　具体的には、ｎ１２＝ｎ０×ｎ２の関係から、屈折率ｎ０、ｎ１およびｎ２の大小関係について、ｎ０＞ｎ１が成り立つときにはｎ２についてｎ１＞ｎ２が成り立ち、ｎ０＜ｎ１が成り立つときにはｎ２についてｎ１＜ｎ２が成り立つ。なお、反射波を抑える効果をより高めるためには、ｎ０×ｎ２－ｎ１２の差が絶対値で０．５以下となるように各群の屈折率を選ぶのがよい。ｎ０×ｎ２－ｎ１２の差が絶対値で０．５以下の場合には、空気、第１群３１および第２群３２の間における中心波長５００ｎｍの可視光線の反射率を１．５％以下に抑えることができる。
　以下、第３群３３～透明基板４についても同様に説明する。第３群３３は、上面に第２群３２が配置されており、低屈折率層から成る。この低屈折率層は例えばＳｉＯ２から成り、光学膜厚がＬである。第３群３３の屈折率ｎ３は１．４７である。第３群３３を平面視したときの大きさは、第１群３１および第２群３２と同じである。
　この第３群３３の光学膜厚は可視光線の波長の略４分の１であり、中心波長が５００ｎｍの場合には５００／４＝１２５（ｎｍ）である。また、第３群３３の物理膜厚は光学膜厚を屈折率ｎ３で除したものに等しくなり、１２５÷１．４７＝８５．０３（ｎｍ）である。このとき屈折率ｎ３は１．４７である。第３群３３は光学膜厚が可視光線の波長の略４分の１である。第１群３１と同様に、第３群３３の光学膜厚が１２５ｎｍ付近であれば、中心波長５００ｎｍ付近の可視光線の反射を抑制して、効果的に透過させることができる。
　第４群３４は、上面に第３群３３が配置されており、上面側から低屈折率層、高屈折率層および低屈折率層がこの順に説明されて成る。このとき、第１群３１および第２群３２と同様に低屈折率層同士の厚みは同じである。例えば、ＳｉＯ２から成る低屈折率層およびＴｉＯ２から成る高屈折率層の組合せであって、それぞれの光学膜厚は、低屈折率層がＬ、高屈折率層が２Ｈおよび低屈折率層がＬである。この２Ｈの２は、第１群３１および第２群３２と同様に、高屈折率層の第１係数である。第４群３４を平面視したときの大きさは、第１群３１、第２群３２および第３群３３と同じである。
　このとき、第４群３４の各層の光学膜厚は、低屈折率層が５００／４＝１２５（ｎｍ）、高屈折率層が２×（５００／４）＝５００（ｎｍ）および低屈折率層が５００／４＝１２５（ｎｍ）となり、第４群３４の見かけの光学膜厚はそれらの合計の１０００（ｎｍ）である。この第４群３４は、この見かけの光学膜厚を調整するために、３層の組合せの光学膜厚全体にかかる第２係数を用いて、見かけの光学膜厚の０．８～１．２倍の光学膜厚を有する３層（低屈折率層、高屈折率層および低屈折率層）の組合せを２０組まで有するものであってもよい。この３層の組合せを２０組有している場合の各組合せにおける各層の物理膜厚は、各層の光学膜厚をそれぞれ屈折率で除したものに等しくなり、低屈折率層が０．８～１．２×１２５÷１．４７＝６８．０３～１０２．０４（ｎｍ）、高屈折率層が０．８～１．２×５００÷２．４３＝８６．４２～２４６．９１（ｎｍ）および低屈折率層が６８．０３～１０２．０４（ｎｍ）である。このとき第４群３４の見かけの屈折率ｎ４は、各組合せおよび組合せ全体で共に１．１である。
　この第４群３４は、近赤外線の透過を抑制することができる。特に、この第４群３４を構成する３層の組合せを多く有するほど近赤外線の透過を抑制することができ、各組の第２係数の個数が上記範囲内において多いほど、広い波長範囲の近赤外線の透過を抑制することができる。例えば、第４群３４の光学膜厚Ｌ、２ＨおよびＬの組合せ１組に対して第２係数が０．８である場合には、０．８×５００＝４００（ｎｍ）の可視光線の反射を抑制し、その２倍の波長の８００ｎｍの近赤外線の透過を抑制することができる。
　この反射の仕組みは、光学膜厚Ｌ、２ＨおよびＬの組合せにある。この光学膜厚Ｌ、２ＨおよびＬの条件で３層の組合せ１組について考えてみると、この１組の光学膜厚は全体として中心波長と同じになる。この値は中心波長の２倍の波長に対して２分の１とみなすことができ、この１組の上面および下面で生じる中心波長の２倍の波長の光の反射波が同位相になるため、中心波長の２倍の波長の光についての反射が強められる。このため、この３層の組合せにおいて中心波長５００（ｎｍ）×第２係数の２倍の波長の光に相当する近赤外線の光の透過を抑制することができる。
　第５群３５は、上面に第４群３４が配置されており、上面側から低屈折率層、高屈折率層および低屈折率層がこの順に積層されている。第１群３１、第２群３２、第４群３４および第５群３５と同様に、低屈折率層同士の厚みは同じである。例えば、ＳｉＯ２から成る低屈折率層およびＴｉＯ２から成る高屈折率層の組合せであって、それぞれの光学膜厚は、低屈折率層が０．３Ｌ、高屈折率層が０．３Ｈおよび低屈折率層が０．３Ｌである。この０．３は、第１群３１、第２群３２および第４群３４と同様に、各層の第１係数である。第５群３５を平面視したときの大きさは、第１群３１、第２群３２、第３群３３、第４群３４と同じである。
　このとき、第５群３５の各層のそれぞれの光学膜厚は３７．５（ｎｍ）であり、第５群３５の見かけの光学膜厚は１１２．５（ｎｍ）である。また、各層の物理膜厚は各層の光学膜厚をそれぞれ屈折率で除したものに等しくなり、それぞれ３７．５÷１．４７＝２５．５１（ｎｍ）、３７．５÷２．４３＝１５．４３（ｎｍ）および３７．５÷１．４７＝２５．５１（ｎｍ）である。このとき、この第５群３５の見かけの屈折率ｎ５は１．８６である。
　第５群３５は見かけの光学膜厚が可視光線の波長の略４分の１である。本発明の一実施形態は可視光線の波長を５００ｎｍとして設定しているので、第１群３１および第３群３３と同様に、第５群３５の光学膜厚が１２５ｎｍ付近であれば、中心波長５００ｎｍ付近の可視光線についてその反射を抑制して、第５群３５を効果的に透過させることができる。
　第６群３６は、上面に第５群３５が配置されており、上面側から高屈折率層、低屈折率層および高屈折率層がこの順番に積層されている。このとき、高屈折率層同士の厚みは同じである。例えば、ＴｉＯ２から成る高屈折率層およびＳｉＯ２から成る低屈折率層の組合せであって、それぞれの光学膜厚は、高屈折率層が０．８５～１．０×１．５Ｈ、低屈折率層が０．８５～１．０×０．２Ｌおよび高屈折率層が０．８５～１．０×１．５Ｈである。この１．５および０．２は、第１群３１、第２群３２、第４群３４および第５群３５と同様に、各層の第１係数である。
　この光学膜厚１．５Ｈ、０．２Ｌおよび１．５Ｈの組合せであれば、見かけの光学膜厚が４００ｎｍであるので、第４群３４と同様に４００ｎｍの２倍の波長の光についてこの１組の上面および下面で生じる反射波が同位相になるので、その波長に相当する近赤外線の透過が抑制される。このため、上記の第２係数（０．８５～１．０）を掛けると、４００（ｎｍ）×第２係数の２倍の波長の光に相当する近赤外線の透過を抑制することができる。第６群３６を平面視したときの大きさは、第１群３１、第２群３２、第３群３３、第４群３４および第５群３５と同じである。
　このとき、第６群３６の各層の光学膜厚は、高屈折率層が０．８５～１．０×１．５×（５００／４）＝１５９．３８～１８７．５（ｎｍ）、低屈折率層が０．８５～１．０×０．２×（５００／４）＝２１．２５～２５（ｎｍ）および高屈折率層が１５０～１８７．５（ｎｍ）となり、この第６群３６の見かけの光学膜厚は３６０（ｎｍ）である。また、第４群３４と同様に第２係数が０．８５～１．０の場合の各層の物理膜厚は各層の光学膜厚をそれぞれ屈折率で除したものに等しくなり、それぞれ１５９．３８～１８７．５÷２．４３＝６５．５９～７７．１６（ｎｍ）、２１．２５～２５÷１．４７＝１４．４６～１７．０１（ｎｍ）および６５．５９～７７．１６（ｎｍ）である。このとき、この第６群３６の見かけの屈折率は、各組合せおよび組合せ全体で共に２．８２である。また、第４群３４と同様に、０．８５～１．０×（１．５Ｈ、０．２Ｌ、１．５Ｈ）の組合せを５組まで有していてもよい。
　第７群３７は、上面に第６群６が配置されており、上面側から低屈折率層、高屈折率層および低屈折率層がこの順に積層されている。このとき、第１群３１、第２群３２、第４群３４および第５群３５と同様に、低屈折率層同士の厚みは同じである。例えば、ＳｉＯ２から成る低屈折率層およびＴｉＯ２高屈折率層から成る組合せであって、それぞれの光学膜厚は、低屈折率層が０．３Ｌ、高屈折率層が０．４５Ｈおよび低屈折率層が０．３Ｌである。この０．３および０．４５は、第１群３１、第２群３２、第４群３４、第５群３５および第６群３６と同様に、各層の第１係数である。第７群３７を平面視したときの大きさは、第１群３１、第２群３２、第３群３３、第４群３４、第５群３５および第６群３６と同じである。
　このとき、第７群３７の各層の光学膜厚は第２群３２と同じであり、第７群３７の見かけの光学膜厚は１１２．５（ｎｍ）である。また、各層の物理膜厚は各層の光学膜厚をそれぞれ屈折率で除したものに等しくなり、それぞれ３７．５÷１．４７＝２５．５１（ｎｍ）、５６．２５÷２．４３＝２３．１５（ｎｍ）および３７．５÷１．４７＝２５．５１（ｎｍ）である。このとき、この第７群３７の見かけの屈折率は、２．０６である。
　この第７群３７の見かけの光学膜厚は、可視光線の波長の略４分の１である。本発明の一実施形態は可視光線の波長を５００ｎｍとして設定しているので、第１群３１、第３群３３および第５群３５と同様に、第７群３７の光学膜厚が１２５ｎｍ付近であれば中心波長５００ｎｍ付近の可視光線についてその反射を抑制して、第７群３７を効果的に透過させることができる。
　上述した透明基板４は、上面に第７群３７が配置されており、広い波長域の光を透過させやすいものである。このとき、透明基板４は、第７群３７を透過した光のうち、近赤外線が抑制された可視光線を透過させる。
　透明基板４の屈折率ｎ８は、温度２０℃の場合に、１．３～１．８である。例えば透明基板４がホウケイ酸ガラスの場合には、屈折率ｎ８は１．５２である。
　以上に示した一実施形態の各群の構成について、具体的な材料等を示してまとめた表を表１に示す。表１には、各群の低屈折率層および高屈折率層を組み合せた３層を、上面側から順に第１層、第２層および第３層と示している。また、製品として製造する際の低屈折率層および高屈折率層の層数である製造上層数、各群を構成する層の材料、この材料に対する屈折率、各群の見かけの屈折率、各群を構成する３層の組合せ全体にかかる光学膜厚を調整する係数を第２係数、各群を構成する層の第１係数（各層）、中心波長５００ｎｍの場合の各群を構成する各層の単層の光学膜厚（ｎｍ）、中心波長５００ｎｍの単層の光学膜厚に対する物理膜厚（ｎｍ）、製造上の１層である低屈折率層および高屈折率層に対応した物理膜厚である複数膜厚（ｎｍ）ならびに見かけの光学膜厚を含む光学膜厚（ｎｍ）を順に示している。ここで、製造上層数は、連続する層において同じ材料を用いる場合には１つの層として成膜することができるので、その場合の層数を示している。このように１つの層として設ける場合には、低屈折率層および高屈折率層が交互に設けられている状態になる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示すように、この例における屈折率ｎ０、ｎ１、ｎ２、ｎ３、ｎ４、ｎ５、ｎ６、ｎ７およびｎ８の関係は、ｎ０＜ｎ１＜ｎ２、ｎ２＞ｎ３＞ｎ４、ｎ４＜ｎ５＜ｎ６かつｎ６＞ｎ７＞ｎ８である。反射膜３においてこの関係が成り立つことによって、図７に示すように、可視光線の透過率が少なくとも８０％以上の近赤外線カットフィルタ１となる。さらに、中心波長５００ｎｍ付近では透過率が９０％以上である。
　以上に示すような近赤外線カットフィルタ１は、レンズ等を透過した光が、まず第１群３１に入射して、第２群３２、第３群３３、第４群３４、第５群３５、第６群３６、第７群３７および透明基板４を順次透過する。また、近赤外線カットフィルタ１は、第１群３１、第３群３３、第５群３５および第７群３７の光学膜厚が可視光線の波長の略４分の１であるとともに、屈折率の関係がｎ０＜ｎ１＜ｎ２、ｎ２＞ｎ３＞ｎ４、ｎ４＜ｎ５＜ｎ６かつｎ６＞ｎ７＞ｎ８であることによって、可視光線の透過率を向上させることができる。また、第４群３４において、光学膜厚の比が低屈折率層：高屈折率層：低屈折率層＝１：２：１であることによって、近赤外線の透過を抑制することができる。
　次に、本発明の他の実施形態にかかる近赤外線カットフィルタ１について、図面を参照しながら説明する。図８、図１０および図１１には、それぞれ本発明の他の実施形態にかかる近赤外線カットフィルタ１の断面図を示す。図９には、図８に示した近赤外線カットフィルタ１による透過率のグラフを示しており、横軸は波長（ｎｍ）を、縦軸は透過率（％）を表わしている。図８において、反射膜３は、第１群３１、第２群３２、第３群３３、第４群３４、第５群３５、第６群３６、第７群３７および透明基板４を備えている。この図８に示す例においては、吸収膜２の上面に、入射した光を透過させる、吸収膜２を保護する保護膜５が配置されている。
　この吸収膜２は、温度が２０℃の場合に、屈折率ｎａは１．４５～１．５５である。例えば吸収膜２がポリビニルブチラールから成るときには、屈折率は５００ｎｍで１．４７～１．５５である。
　保護膜５は、温度が２０℃の場合に、屈折率ｎｐは１．３５～１．４５である。例えば、保護膜５がハイドロフルオロエーテルから成るときには、屈折率は５００ｎｍで１．３７～１．４１である。
　また、第２群３２、第１群３１、吸収膜２、保護膜５および空気の屈折率をそれぞれｎ２、ｎ１、ｎａ、ｎｐおよびｎ０とすると、ｎ２＞ｎ１＞ｎａかつｎａ＞ｎｐ＞ｎ０の関係が成り立っている。これらの値は、温度が２０℃の場合である。各膜および各群の屈折率についてこの関係が成り立っている場合には、より多くの可視光線を透過させることができる。このときの透過率を図９のグラフに示している。
　この屈折率の評価は、透過率の測定または材料解析等から行なうことができる。このような屈折率の関係を成り立たせるには、材料を適切に選択して組み合わせればよい。例えば、保護膜５として屈折率が１．３５程度のフッ素樹脂を、吸収膜２として屈折率が１．５程度のポリビニルブチラールポリマーあるいはエチレン－ビニルアルコールコポリマーを選択することができる。なお、これらの材料において、屈折率の微調整は材料中の空孔量を調整することで行なうことができる。
　次に、図１０に示す例においては、近赤外線カットフィルタ１は、図５に示した反射膜３と透明基板４の構成において、透明基板４の下面にも、上面と透明基板４を挟んで対称な配置になるように、第７群３７、第６群３６、第５群３５、第４群３４、第３群３３、第２群３２および第１群３１が設けられている。また、図１１に示す例においては、近赤外線カットフィルタ１は、図４に記載した本発明の一実施形態における反射膜３詳細に示したものである。つまり、透明基板４の下面にも、第７群３７、第６群３６、第５群３５、第４群３４、第３群３３、第２群３２、第１群３１、吸収膜２および保護膜５が順次設けられている。このように透明基板４の上面側および下面側の構成が透明基板４を挟んで対称な配置であることによって、それぞれの膜および群の材料および厚みが異なることによって生じる応力が透明基板４の上下で同じように生じる。このため、透明基板４が応力で歪むのを低減することができる。
　次に、図１２には、本発明の一実施形態における透明基板４の反対側に設けた他の構成の断面図を示している。図１３には、図１２の構成を透明基板４にさらに設けた場合における透過率のグラフを示しており、横軸は波長（ｎｍ）を、縦軸は透過率（％）を表わしている。図１０および図１１の場合と同様に、近赤外線カットフィルタ１は、図５に記載した本発明の一実施形態における透明基板４の反対側にも、図１２に示すような構成を有していてもよい。このとき、図１２に示した上面側から光が入射するとした場合には、第１群０１、第２群０２、第３群０３、第４群０４および第５群０５で構成されている。この第１群０１の上面に、透明基板４の他の面同様に吸収膜２および保護膜５が設けられてもよい。以下に具体的に示す。
　第１群０１は、低屈折率層から成る。この低屈折率層は、例えばＳｉＯ２から成り、光学膜厚が０．８４Ｌであり、中心波長が５００ｎｍの場合には光学膜厚は１０５（ｎｍ）である。このときの屈折率は１．４７である。この０．８４は、本発明の一実施形態に示した各群と同様に、低屈折率層の光学膜厚を調整する第１係数である。
　第２群０２は、上面に第１群０１が配置されており、上面側から低屈折率層、高屈折率層および低屈折率層がこの順に積層されている。この低屈折率層は例えばＳｉＯ２から成り、高屈折率層はＴｉＯ２からなり、各層の光学膜厚は０．２２Ｌ、０．３３Ｈおよび０．２２Ｌである。この０．２２および０．３３は、第１群０１と同様に、各層の第１係数である。このときの中心波長が５００ｎｍの場合には、第２群０２の光学膜厚は２８８．２５（ｎｍ）であり、見かけの屈折率は１．９５である。
　第３群０３は、上面に第２群０２が配置されており、高屈折率層から成る、この高屈折率層は例えばＴｉＯ２からなり、光学膜厚は１．８７Ｈである。この１．８７は、第１群０１および第２群０２と同様に、高屈折率層の第１係数である。中心波長が５００ｎｍの場合には、光学膜厚は２３３．５０（ｎｍ）であり、このときの屈折率は２．４３である。
　第４群０４は、上面に第３群０３が配置されており、第２群０２と同様に、上面側から低屈折率層、高屈折率層および低屈折率層がこの順に積層されている。この低屈折率層は例えばＳｉＯ２から成り、高屈折率層はＴｉＯ２からなり、各層の光学膜厚は０．２２Ｌ、０．３３Ｈおよび０．２２Ｌである。この０．２２および０．３３は、第１群０１、第２群０２および第３群０３と同様に、各層の第１係数である。このときの中心波長が５００ｎｍの場合には、第４群０４の光学膜厚は２８８．２５（ｎｍ）であり、見かけの屈折率は１．９５である。
　第５群０５は、上面に第４群０４が配置されており、第１群０１と同様に、低屈折率層から成る。この低屈折率層は例えばＳｉＯ２から成り、光学膜厚が０．８４Ｌであり、この０．８４は、第１群０１、第２群０２、第３群０３および第４群０４と同様に、低屈折率層の第１係数である。中心波長が５００ｎｍの場合には光学膜厚は１０５（ｎｍ）である。このときの屈折率は１．４７である。
　このとき、第１群０１～第５群０５が第３群０３を中心として対称な配置の場合には、全体として見かけの屈折率を１．５とすることができる。また、第１群０１～第５群０５の組合せを１０組まで有していてもよい。このとき、各組合せおよび組合せ全体で共に見かけの屈折率は１．５である。また、中心波長が５００ｎｍの場合に、第１群０１～第５群０５の全体の光学膜厚は６３６（ｎｍ）であるので、空気との界面および透明基板４との界面で生じる２倍波長の近赤外線の反射波が同位相になるため、近赤外線の透過を抑制することができる。
　以上の他の実施形態の片面における各群の構成について、具体的な材料等を示してまとめた表を表２に示す。表２には、表１と同様に、各群に対応した低屈折率層および高屈折率層を組み合せた３層を、上面側から順に第１層、第２層および第３層と示している。また、製品として製造する際の低屈折率層および高屈折率層の層数である製造上層数、各群を構成する層の材料、この材料に対する屈折率、各群の見かけの屈折率、各群を構成する各層の第１係数（各層）、中心波長が５００ｎｍの場合の各群を構成する各層の単層の光学膜厚（ｎｍ）、中心波長が５００ｎｍの単層の光学膜厚に対する物理膜厚（ｎｍ）、製造上の１層である低屈折率層および高屈折率層に対応した物理膜厚である複数膜厚（ｎｍ）ならびに見かけの光学膜厚を含む各群の光学膜厚（ｎｍ）を順に示している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　上述した構成を透明基板４の本発明の一実施形態の反対側の面に設けた場合には、図１３および図１４に示すような透過率を示すグラフを得ることができる。このとき、図１３は反射膜３および透明基板４のみの場合の透過率であり、図１４は第１群３１および第１群０１の上面に吸収膜２が設けられている場合を示している。
　　＜近赤外線カットフィルタの製造方法＞
　次に、以上の実施形態にかかる近赤外線カットフィルタ１の製造方法の一例について説明する。
　まず、透明基板４として、０．２ｍｍの厚みを有する、直径が３０～９０ｍｍの円形状のガラス板を準備する。このガラス板の表面を、例えば超音波洗浄法あるいは化学洗浄法等を用いて洗浄する。なお、ここでのガラス板は、多数個取り用の母基板として用いるものなので、一辺が３０～９０ｍｍの四角形状であってもよい。
　次に、洗浄後のガラス板の表面に、シリカまたはチタニアから成る反射膜３を設ける。この反射膜３は、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法あるいはスパッタリング法等を用いた成膜によって形成することができる。厚さは０．０５μｍである。その後、反射膜３の表面を超音波洗浄法あるいは化学洗浄法等を用いて洗浄する。なお、透明基板４の反対側の表面にも同様に反射膜３を設けてもよい。
　反射膜３は、ＳｉＯ２から成る低屈折率層およびＴｉＯ２から成る高屈折率層を交互に積層して、第７群３７、第６群３６、第５群３５、第４群３４、第３群３３、第２群３２および第１群３１を順次設ける。これらの各群に交互に設ける各層は、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法あるいはスパッタリング法等を用いた成膜法によって形成することができる。各群の厚さは、第７群３７から第１群３１まで順番に、７４．１７（ｎｍ）、７２８．２０（ｎｍ）、６６．４５（ｎｍ）、４．４（μｍ）、８５．０３（ｎｍ）、７４．１７（ｎｍ）および６５．９４（ｎｍ）である。その後、各群の表面を超音波洗浄法あるいは化学洗浄法等を用いて洗浄する。なお、透明基板４の反対側の表面にも同様に、第７群３７、第６群３６、第５群３５、第４群３４、第３群３３、第２群３２、第１群３１を順次設けてもよい。なお、透明基板４の上下の面で各群の層が異なる構成の場合にも、同様の方法で設けることができる。
　次に、反射膜３の表面に吸収膜２を設ける。この吸収膜２は、ポリマー２０および有機色素２１を、メチルエチルケトンおよびトルエン等の有機溶媒の混合液に濃度が５～２０質量％程度になるように溶解させた塗布液を、スピンコート法、ディッピング法、スプレー法、グラビア法あるいはバーコーター法等を用いて、反射膜３の表面に１０～１００μｍの厚さになるようにコーティングする。その後、加熱炉で乾燥させて、有機溶媒を気化させることにより、厚さ３μｍの吸収膜２を得る。なお、ポリマー２０と有機色素２１とを混ぜた液中では、水酸基同士が互いに水素結合をするため、有機色素２１がポリマー２０の水酸基に引き寄せられる。その状態を保ったまま、有機溶媒が気化して吸収膜２の厚みが薄くなりつつ硬化するので、吸収膜２中に有機色素２１が均一に分散する。
　次に、吸収膜２の表面に保護膜５を設ける。この保護膜５としては、フッ素樹脂を用いて、フッ素系有機溶媒の混合液に濃度が５～２０質量％程度になるように溶解させた塗布液を、スピンコート法、ディッピング法、スプレー法、グラビア法あるいはバーコーター法等を用いて、１０～１００μｍの厚さになるようにコーティングする。その後、加熱炉で乾燥させて、有機溶媒を気化させるとともに重合させることにより、厚さ３μｍの保護膜５を得る。
　最後に、所定の大きさ、例えば７×７ｍｍにダイシングして、洗浄する。このとき、透明基板４の両面に対称に吸収膜２，反射膜３および保護膜５が設けられていると、ダイシングの際に透明基板４の上下に均一に応力が生じるので、透明基板４が歪みにくくなり、透明基板４が割れたり反ったりすることを抑制することができる。
　以上のようにして、本発明の実施形態にかかる近赤外線カットフィルタ１を製造することができる。
　＜光半導体装置の構成＞
　次に、本発明の一実施形態にかかる光半導体装置１００について、図面を参照しながら説明する。図１５および図１６は、本発明の一実施形態にかかる光半導体装置１００の上面視図および断面図をそれぞれ示している。これらの図において、光半導体装置１００は、本発明の実施形態にかかる近赤外線カットフィルタ１（以下、単に「フィルタ１」と総称する場合がある。）、光半導体素子収納用パッケージ１０１、光半導体素子１０５およびレンズ１０６を備えている。
　図１５に示すレンズ１０６が設けられている箇所において、このレンズ１０６の上面から入射する光を光半導体素子収納用パッケージ１０１の内部に入射させる。入射した光は、フィルタ１を透過して、近赤外線の透過が抑制された状態で、光半導体素子１０５に照射される。
　図１６に示すように、光半導体素子収納用パッケージ１０１は、光が入射するレンズ固定部１０４、レンズ固定部１０４を通った光が通るフィルタ固定部１０３およびフィルタ固定部１０３を通った光が入射する光半導体素子実装部１０２を有している。光半導体素子収納用パッケージ１０１は、セラミック材料あるいは金属材料で形成されている。この光半導体素子収納用パッケージ１０１における光半導体素子実装部１０２に、撮像素子または受光素子等の光半導体素子１０５が実装される。このとき、光半導体素子１０５は、ボンディングワイヤ等の接続部材によって、光半導体素子収納用パッケージ１０１の配線等に電気的に接続される。光半導体素子１０５が撮像素子または受光素子の場合には、光半導体素子１０５が、光半導体素子１０５の表面に入射する光の強さに応じた電荷を生じさせる光電変換の機能を備える。
　また、レンズ固定部１０４には、レンズ１０６が固定されている。このレンズ１０６は、外部からの光を屈折させつつ透過させて、フィルタ１に入射させる。レンズ１０６はガラスあるいは透明な樹脂等の材料から成る。レンズ１０６としては、凸レンズ、凹レンズまたはフレネルレンズ等の各種形状のレンズを使用目的に合わせて用いる。
　図１５および図１６に示すように、レンズ固定部１０４は、例えば立方体形状または直方体形状を有し、上下面に貫通孔が設けられていて、この貫通孔に嵌めるようにしてレンズ１０６が固定される。
　また、フィルタ固定部１０３には、フィルタ１が固定されている。このフィルタ１は、レンズ１０６と光半導体素子１０５との間に位置するように、フィルタ固定部１０３に固定される。フィルタ固定部１０３の形状は特に限定されるものではなく、例えば平面視において四角形状、六角形状、八角形状または円形状等である。
　近赤外線カットフィルタ１を備える光半導体装置１００は、近赤外線カットフィルタ１の吸収膜２が近赤外線を吸収する有機色素２１を分散させて有していることによって、レンズ１０６から入射した光が近赤外線カットフィルタ１を透過する際に、近赤外線を効果的に吸収することができる。さらに、近赤外線カットフィルタ１は、吸収膜２の下面に近赤外線を反射する反射膜３が設けられていることによって、吸収膜２を透過した光のうち近赤外線を反射膜３で反射することができる。このため、近赤外線の透過を抑制した光を透過させて光半導体素子１０５に入射させることができる。
　また、光半導体装置１００は、反射膜３において第１群３１、第３群３３、第５群３５および第７群３７の光学膜厚あるいは見かけの光学膜厚が可視光線の略４分の１であること、ならびに屈折率の関係が成り立つ。このことによって、レンズ１０６から入射した光が近赤外線カットフィルタ１を透過する際に、近赤外線の透過および可視光線の反射を効果的に抑制することができる。さらに、第１群３１の上面に有機色素２１を含む吸収膜２を備えている場合には、吸収膜２で近赤外線を吸収し、吸収膜２を透過した近赤外線を第１群３１～第７群３７で反射するので、近赤外線をより効果的に抑制することができる。
　以上のような光半導体装置１００は、外部の光がフィルタ１を透過して光半導体素子１０５に入射するので、人間の眼が知覚することができる可視光線に近い光のより多くを光半導体素子１０５に入射させることができる。このように所望の光学特性が得られるフィルタ１を備えていることによって、光学特性に優れた光半導体装置１００を実現することができる。
　また、本実施形態における特徴部の種々の組み合わせは上述の実施形態の例に限定されるものではない。
１　近赤外線カットフィルタ
２　吸収膜
２０　ポリマー
２１　有機色素
３　反射膜
４　透明基板
５　保護膜
１１　低屈折率層
１２　高屈折率層
３１　第１群
３２　第２群
３３　第３群
３４　第４群
３５　第５群
３６　第６群
３７　第７群
０１　他面側における第１群
０２　他面側における第２群
０３　他面側における第３群
０４　他面側における第４群
０５　他面側における第５群
１００　光半導体装置
１０１　光半導体素子収納用パッケージ
１０２　光半導体素子実装部
１０３　フィルタ固定部
１０４　レンズ固定部
１０５　光半導体素子
１０６　レンズ

Claims (9)

  1. 　入射する光のうち近赤外線を吸収する吸収膜と、
    　上面に前記吸収膜が配置された、前記吸収膜を透過した光のうち近赤外線を反射する反射膜と、
    　上面に前記反射膜および前記吸収膜が配置された、前記反射膜を透過した光を透過させる透明基板とを備えており、
    　前記吸収膜は、疎水基を有する繰返し単位および水酸基を有する繰返し単位から成るポリマーと、前記ポリマーに分散した、水酸基を有するとともに近赤外線を吸収する有機色素とから成っており、前記ポリマーにおける水酸基を有する繰返し単位がビニルアルコールであることを特徴とする近赤外線カットフィルタ。
  2. 　前記吸収膜の前記ポリマーが、ポリビニルブチラールポリマーであることを特徴とする請求項１に記載の近赤外線カットフィルタ。
  3. 　前記吸収膜の上面に、フッ素樹脂から成る保護膜をさらに備えていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の近赤外線カットフィルタ。
  4. 　前記反射膜は、屈折率が異なりそれぞれ可視光線および近赤外線を透過させる低屈折率層および高屈折率層を積層して構成された複数の群を有しており、
    　上面側から前記低屈折率層、前記高屈折率層および前記低屈折率層がこの順に積層され、見かけの屈折率がｎ１であるとともに見かけの光学膜厚が可視光線の波長の略４分の１である第１群と、
    　上面に前記第１群が配置された、上面側から前記低屈折率層、前記高屈折率層および前記低屈折率層がこの順に積層され、見かけの屈折率がｎ２である第２群と、
    　上面に前記第２群が配置された、前記低屈折率層から成り、屈折率がｎ３であるとともに光学膜厚が可視光線の波長の略４分の１である第３群と、
    　上面に前記第３群が配置された、上面側から前記低屈折率層、前記高屈折率層および前記低屈折率層がこの順に積層され、光学膜厚の比が低屈折率層：高屈折率層：低屈折率層＝１：２：１であるとともに見かけの屈折率がｎ４である第４群と、
    　上面に前記第４群が配置された、上面側から前記低屈折率層、前記高屈折率層および前記低屈折率層がこの順に積層され、見かけの屈折率がｎ５であるとともに見かけの光学膜厚が可視光線の波長の略４分の１である第５群と、
    　上面に前記第５群が配置された、上面側から前記高屈折率層、前記低屈折率層および前記高屈折率層がこの順に積層され、見かけの屈折率がｎ６である第６群と、
    　上面に前記第６群が配置された、上面側から前記低屈折率層、前記高屈折率層および前記低屈折率層がこの順に積層され、見かけの屈折率がｎ７であるとともに見かけの光学膜厚が可視光線の波長の略４分の１である第７群とを有しており、
    　上面に前記第７群が配置された前記透明基板の屈折率をｎ８、空気の屈折率をｎ０としたとき、屈折率ｎ０、ｎ１、ｎ２、ｎ３、ｎ４、ｎ５、ｎ６、ｎ７およびｎ８の関係が、ｎ０＜ｎ１＜ｎ２、ｎ２＞ｎ３＞ｎ４、ｎ４＜ｎ５＜ｎ６かつｎ６＞ｎ７＞ｎ８であることを特徴とする請求項１～３のいずれか１つに記載した近赤外線カットフィルタ。
  5. 　前記第４群は、前記低屈折率層、前記高屈折率層および前記低屈折率層の組合せを２０組有することを特徴とする請求項４に記載の近赤外線カットフィルタ。
  6. 　前記第６群は、前記高屈折率層、前記低屈折率層および前記高屈折率層の組合せを５組有することを特徴とする請求項４または請求項５に記載の近赤外線カットフィルタ。
  7. 　前記第１群の上面に設けられた前記吸収膜の屈折率がｎａであるとともに、
    　前記保護膜の屈折率がｎｐであり、
    　屈折率ｎ０、ｎｐ、ｎａ、ｎ１およびｎ２の関係が、ｎ０＜ｎｐ＜ｎａかつｎａ＜ｎ１＜ｎ２であることを特徴とする請求項４～６のいずれか１つに記載の近赤外線カットフィルタ。
  8. 　前記低屈折率層が二酸化珪素から成り、前記高屈折率層が二酸化チタンから成ることを特徴とする請求項６に記載の近赤外線カットフィルタ。
  9. 　光が入射するレンズ固定部、前記レンズ固定部を通った光が通るフィルタ固定部および前記フィルタ固定部を通った光が入射する光半導体素子実装部を有する光半導体素子収納用パッケージと、
    　前記レンズ固定部に固定されたレンズと、
    　前記レンズを透過した光が前記吸収膜側から入射するように前記フィルタ固定部に固定された請求項１～８のいずれか１つに記載の近赤外線カットフィルタと、
    　前記近赤外線カットフィルタを透過した光が入射するように前記光半導体素子実装部に実装された光半導体素子とを備えていることを特徴とする光半導体装置。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08132729A (ja) * 1994-11-07 1996-05-28 Canon Inc インクジェット記録方法
JP2002228827A (ja) * 2001-01-30 2002-08-14 Fuji Photo Film Co Ltd 光学フィルターおよびプラズマディスプレイパネル

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4926712B2 (ja) * 2004-09-29 2012-05-09 株式会社クレハ 近赤外光吸収材料及び積層体
EP1666927A1 (de) * 2004-12-03 2006-06-07 Nanogate Advanced Materials GmbH Sonnenschutzfolie
EP2226657B1 (de) * 2009-03-04 2012-11-21 Ems-Patent Ag Optischer Filter mit Polyamid-Schutzschicht
JP6317875B2 (ja) * 2012-09-06 2018-04-25 日本板硝子株式会社 赤外線カットフィルタ、撮像装置および赤外線カットフィルタの製造方法
CN105324689B (zh) * 2013-05-16 2018-10-30 日本化药株式会社 红外线屏蔽片及其制造方法以及其用途

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08132729A (ja) * 1994-11-07 1996-05-28 Canon Inc インクジェット記録方法
JP2002228827A (ja) * 2001-01-30 2002-08-14 Fuji Photo Film Co Ltd 光学フィルターおよびプラズマディスプレイパネル

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