WO2016185604A1 - プリント配線板の製造方法及びエッチングレジストのパターン形成方法 - Google Patents

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WO2016185604A1
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etching
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less
printed wiring
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泰子 高橋
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株式会社メイコー
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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process

Definitions

  • a subtractive method or an additive method is used to form a pattern of a conductor layer constituting a printed wiring board.
  • Subtractive method means that the etching resist is applied on the copper foil of the surface of the copper clad laminate as the meaning of the subtraction method, it is exposed and baked through a mask pattern and developed, and the etching is patterned by the development. It is a method of removing exposed copper by etching using a resist.
  • the etching resist liquid type photoresist or film type dry film resist is used.
  • the additive method is a method of forming a conductor pattern mainly on electroless copper plating on an insulating substrate not provided with a copper foil. Furthermore, the additive method is divided into a full additive method and a semi-additive method.
  • Patent Document 1 discloses that a component built-in substrate is manufactured using a subtractive method and an additive method.
  • a subtractive method or an additive method is used in the component-embedded substrate in order to pattern the radiation fin into a desired shape.
  • This invention is made in view of such a subject,
  • the place made as the objective is the manufacturing method of the printed wiring board which can form a fine wire pattern easily and with high precision, and the fine wire pattern is easy.
  • Another object of the present invention is to provide a method for forming an etching resist pattern which is used to form with high accuracy.
  • a method of manufacturing a printed wiring board according to the present invention comprises: preparing a laminate having a substrate material layer and a laminate structure in which a conductor layer is laminated on the surface of the substrate material layer; The photoresist film is coated with a liquid negative resist material on the surface of the layer to form a photoresist film having a thickness of 15 ⁇ m or less, and the photoresist film is irradiated with a laser beam using a direct writing apparatus.
  • the negative resist material contains a developing resin, a photosensitive resin, an organic solvent, a leuco dye, and a photopolymerization initiator whose sensitivity in the wavelength region of the laser light is higher than in other wavelength regions. It is.
  • the present invention provides a method of manufacturing a printed wiring board capable of forming fine fine line patterns easily and with high precision, and a pattern forming method of etching resist used for forming fine fine line patterns easily and with high precision. be able to.
  • the laminate 1 which is a component of the printed wiring board according to the present embodiment is prepared (preparation step).
  • a base material having a structure in which the substrate material layer 2 and the conductor layer 3 formed on the surface of the substrate material layer 2 are stacked is assumed as the laminate 1.
  • the conductor layer 3 is to be etched.
  • the substrate material layer 2 may be an insulating layer formed only of an insulating material, or a plurality of insulating layers and a plurality of conductor layers to be an inner layer wiring are stacked to form a via hole, a through hole, etc.
  • a liquid negative resist material is applied on the surface of the conductor layer 3 to form a photoresist film 4 to be an etching resist (photoresist film forming step).
  • the negative resist material is a negative photoresist which can be exposed by a direct writing apparatus and has high resolution.
  • the negative resist material contains a developable resin, a photosensitive resin, an organic solvent, a leuco dye which is a colorant, and a photopolymerization initiator.
  • the adhesion between the conductor layer 3 and the photoresist film 4 can be made relatively high. Peeling between the layer 3 and the photoresist film 4 can be prevented.
  • a carboxylic resin was used as the developing resin, and an acrylate compound was used as the photosensitive resin.
  • organic solvent alcohol solvents, ketone solvents, amide solvents, ether solvents, ester solvents, mixed solvents thereof or the like can be used, and in this example, poly of ether solvents can be used.
  • Methyl acetate (PMA) was used as the main solvent.
  • leuco dye tris (4-dimethylamino-2-methylphenyl) methane [leuco crystal violet: 4,4 ′, 4 ′ ′-methylidine tris (N, N-dimethylaniline)], tris (4 -Dimethylamino-2-methylphenyl) methane [leucomalachite green] or fluoran dyes
  • leuco crystal violet is preferably used, and the contrast immediately after the exposure step described later can be made good. That is, it is possible to easily distinguish between the laser beam irradiated area and the non-irradiated area to be described later.
  • the inhibition of exposure described later can be reduced as compared to conventional colorants.
  • photopolymerization initiator for example, 2-ethylanthraquinone, octaethylanthraquinone, 1,2-benzanthraquinone, 2,3-benzanthraquinone, 2-phenylanthraquinone, 2,3-diphenylanthraquinone, 1-chloroanthraquinone , 2-chloroanthraquinone, 2-methylanthraquinone, 1,4-naphthoquinone, 9,10-phenanthraquinone, 2-methyl-1,4-naphthoquinone, 9,10-phenanthraquinone, 2-methyl-1 Quinones such as 2,4-naphthoquinone, 2,3-dimethylanthraquinone, 3-chloro-2-methylanthraquinone, benzophenone, Michler's ketone [4,4'-bis (dimethylamino
  • a material having an oxime ester having a particularly high sensitivity to laser light (line I) of 355 nm or more and 365 nm or less in its structure ie, oxime ester ethanone, 1- [9-ethyl-6- 1 (2-Methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl]-, 1- (0-acetyloxime) was used.
  • the photoresist film 4 has high sensitivity in the wavelength range of laser light used in the direct writing apparatus described later, and the exposure used in the direct writing apparatus can be easily performed.
  • the photopolymerization initiator has higher sensitivity in the wavelength region of the laser light than in other wavelength regions.
  • the photopolymerization initiator preferably exhibits an absorption maximum in a wavelength range of 355 nm to 405 nm of laser light used in the direct writing apparatus, and further, particularly, an absorption maximum appears in a wavelength range of 355 nm to 365 nm preferable.
  • the film thickness of the photoresist film 4 is set to 15 micrometers ( ⁇ m) or less. This is to improve the resolution of the photoresist film 4.
  • the photoresist film 4 is used as an etching mask in the etching step described later, it is more preferable to set the film thickness of the photoresist film 4 to 5 to 15 ⁇ m in consideration of the durability as the etching mask. .
  • the photoresist film 4 is irradiated with laser light of 355 nm to 365 nm using a direct writing apparatus (exposure step).
  • the exposure amount in the exposure step is set to 10 millijoules (mJ) or more and 35 millijoules or less.
  • mJ millijoules
  • Such a relatively low exposure amount reduces the exposure time, and can improve the productivity of the printed wiring board. That is, in this embodiment, processing with a low exposure amount, which is difficult to realize with the conventional liquid type negative resist material, can be performed.
  • the reason why processing with a low exposure amount is possible is, as described above, due to the photopolymerization initiator and the leuco dye.
  • the laser beam is irradiated only to the portion from which the photoresist film 4 is removed, the portion irradiated with the laser beam is discolored, and the laser beam of the desired shape is formed on the photoresist film 4.
  • the irradiation area 5 is formed.
  • the area where the laser light is not irradiated is shown as a laser light non-irradiation area (non-irradiation area of laser light) 6 in FIG.
  • the width A of the laser beam irradiation area 5 and the width B of the laser beam non-irradiation area 6 are adjusted to 20 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less according to L / S (conductor width / conductor gap) required for the conductor layer 3 Be done.
  • the wavelength of the laser beam is not limited to 355 nm to 365 nm, and can be appropriately changed in consideration of the productivity of the printed wiring board.
  • L / S which is a relationship between the width C of the photoresist film 4 and the width D of the opening 7 is 20 ⁇ m / 20 ⁇ m to 50 ⁇ m / 50 ⁇ m, which is realized by the conventional liquid type photoresist. It has become possible to make fine processing that was difficult.
  • the etching resist pattern forming method according to the present embodiment is completed through the above-described photoresist film forming step, exposure step, and developing step.
  • the conductor layer 3 is etched using the patterned photoresist film 4 as an etching mask (etching step).
  • etching step an opening 8 corresponding to the shape (that is, the opening pattern) of the opening 7 of the photoresist film 4 is formed in the conductor layer 3.
  • the shape of the side portion of the conductor layer 3 in which the opening 8 is formed is basically orthogonal to the surface of the substrate material layer 2, but the layer thickness and material of the conductor layer 3 and the etching solution
  • the side surface of the conductor layer 3 may be slightly curved inward. That is, although the side surface portion of the conductor layer 3 is partially removed inward, its curvature is very small as compared to the dry film type photoresist, like the conductor layer formed by plating. It will have the shape of
  • the photoresist film 4 is removed by general ashing (removal process). Thereby, the patterned conductor layer 3 is exposed, and the manufacture of the printed wiring board 10 is completed.
  • the width L of the conductor layer 3 is slightly smaller than the width C of the photoresist film 4, and conversely, the width S of the opening 8 of the conductor layer 3 (that is, the conductor gap) is the width of the opening 7 Slightly larger than D. Therefore, in order to finish the finish of the pattern to the design target value, the width C of the photoresist film 4 and the width D of the opening 7 may be corrected for exposure data of about several ⁇ m.
  • the width of the conductor layer 3 and the width of the opening 8 of the conductor layer 3 are attributed to the layer thickness and material of the conductor layer 3 and the etching liquid and correction of exposure data.
  • the L / S which is the relationship with the above, is at least 30 ⁇ m / 30 ⁇ m, and it is possible to form a fine line pattern which is difficult to realize in the conventional liquid type photoresist.
  • the maximum of the above L / S is 50 ⁇ m / 50 ⁇ m.
  • the colorant and the photopolymerization initiator of the negative resist material are selected as described above, and the film thickness of the photoresist film 4 is adjusted to allow exposure by the direct writing apparatus.
  • the photoresist film 4 can be finely processed easily and with high precision by processing and development processing.
  • the etching process can be performed with a thin and fine mask, and a fine line pattern can be easily and accurately formed. That is, in the present embodiment, a conductor pattern having side surfaces orthogonal to the substrate material layer 2 and having a narrow line width can be formed, and the shape of the conductor pattern is a shape formed by plating of the additive method. It becomes comparable.
  • the conductor layer 3 is used because a liquid type negative resist material is used without using a dry film as in the prior art.
  • the adhesion with the photoresist film 4 can be enhanced, and the peeling in the etching process can be prevented. Furthermore, if such adhesion can be enhanced, it is not necessary to perform concavo-convex processing on the surface of the conductor layer 3, and the photoresist film formation step and the subsequent steps are performed while the surface of the conductor layer 3 remains flat. be able to.
  • a method of manufacturing a printed wiring board according to a first embodiment of the present invention comprises: preparing a laminate having a substrate material layer and a laminate structure in which a conductor layer is laminated on the surface of the substrate material layer; Applying a liquid negative resist material on the surface of the substrate to form a photoresist film having a thickness of 15 ⁇ m or less, and irradiating the photoresist film with a laser beam using a direct writing apparatus; An exposing step of forming a laser beam irradiated region of a desired shape; a developing step of removing an unirradiated region of the laser beam to form an opening and patterning the photoresist film; and the patterned photoresist film Etching the conductor layer using the etching mask as a mask, and removing the patterned photoresist film.
  • Serial negative resist composition is to include developable resin, photosensitive resin, an organic solvent, a leuco dye, and a high photopolymerization
  • the characteristics of the colorant of the negative resist material and the photopolymerization initiator, and the film thickness adjustment of the photoresist film make the photoresist film easy and accurate by the exposure processing and the development processing by the direct writing apparatus. Can be finely processed. Thus, the etching process can be performed with a thin and fine mask, and a fine line pattern can be easily and accurately formed.
  • the liquid type negative resist material is used without using a conventional dry film, the adhesion between the conductor layer and the photoresist film can be enhanced, and the etching process Can be prevented.
  • the method for producing a printed wiring board according to the second embodiment of the present invention is that, in the first embodiment described above, the photopolymerization initiator shows the maximum of absorption in a wavelength range of 355 nm or more and 405 nm or less. According to this, the photoresist film can be finely processed more easily and with high precision.
  • the method for manufacturing a printed wiring board according to the third aspect of the present invention is the width of the laser beam irradiation area and the width of the non-irradiation area of the laser light in the exposure step in the first or second aspect described above. Is 50 ⁇ m or less. According to this, the photoresist film can be more easily and precisely processed with fine processing.
  • the width of the patterned photoresist film and the width of the opening in the developing step. Is 50 ⁇ m or less. According to this, the conductor layer can be subjected to fine processing more easily and with high precision.
  • the exposure amount is 10 mj or more and 35 mj or less in the exposure step. According to this, the exposure time can be reduced, and the productivity of the printed wiring board can be improved.
  • the thickness of the photoresist film is 5 ⁇ m to 15 ⁇ m. I assume. According to this, the photoresist film can be more easily and precisely processed with fine processing.
  • the surface of the conductor layer to which the negative resist material is applied is a flat surface. According to this, in order to improve the adhesion between the conductor layer and the photoresist film, the surface of the conductor layer does not have to be subjected to asperity processing, and the productivity of the printed wiring board can be improved.
  • the developing step of patterning the photoresist film wherein the negative resist material has a developing resin, a photosensitive resin, an organic solvent, a leuco dye, and a sensitivity in the wavelength region of the laser light It is to include a photopolymerization initiator higher than the sensitivity in the wavelength range.
  • the characteristics of the colorant of the negative resist material and the photopolymerization initiator, and the film thickness adjustment of the photoresist film make the photoresist film easy and accurate by the exposure processing and development processing by the direct writing apparatus. Can be finely processed.
  • the liquid type negative resist material is used without using a conventional dry film, the adhesion between the conductor layer and the photoresist film can be enhanced, and the etching process can be performed. Can be prevented.
  • the method for forming a pattern of an etching resist according to a ninth embodiment of the present invention is that, in the eighth embodiment described above, the photopolymerization initiator shows the absorption maximum in a wavelength range of 355 nm or more and 405 nm or less. According to this, the photoresist film can be finely processed more easily and with high precision.
  • the width of the laser beam irradiation area and the width of the non-irradiation area of the laser light in the exposure step. Is 50 ⁇ m or less. According to this, the photoresist film can be more easily and precisely processed with fine processing.
  • the thickness of the photoresist film is 5 ⁇ m to 15 ⁇ m. I assume. According to this, a photoresist film having a finer shape can be obtained.

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Abstract

基板材料層（２）及び導体層（３）を含む積層体（１）を準備する準備工程と、前記導体層の表面に液状のネガ型レジスト材料を塗布し、膜厚が１５μｍ以下のフォトレジスト膜（４）を形成するフォトレジスト膜形成工程と、直接描画装置を使用して前記フォトレジスト膜にレーザ光を照射し、所望の形状のレーザ光照射領域（５）を形成する露光工程と、前記レーザ光の非照射領域を除去して開口を形成し、前記フォトレジスト膜にパターニングを施す現像工程と、パターニングされた前記フォトレジスト膜をエッチングマスクとして前記導体層にエッチングを施すエッチング工程と、パターニングされた前記フォトレジスト膜を除去する除去工程と、を有し、前記ネガ型レジスト材料は、現像性樹脂、感光性樹脂、有機溶剤、ロイコ染料、及び前記レーザ光の波長領域における感度が他の波長領域における感度よりも高い光重合開始剤を含むこと。

Description

プリント配線板の製造方法及びエッチングレジストのパターン形成方法
　本発明は、サブトラクティブ法を用いたプリント配線板の製造方法、及びサブトラクティブ法に用いるエッチングレジストのパターン形成方法に関する。
　プリント配線板を構成する導体層のパターン形成には、従来からサブトラクティブ法又はアディティブ法が用いられている。サブトラクティブ法とは、減算法という意味として、銅張積層板の表面の銅箔上に、エッチングレジストを塗布し、これにマスクパターンを通して露光焼付けを行って現像し、当該現像によってパターニングされたエッチングレジストを用いて、露出した銅をエッチングで除去する方法である。また、エッチングレジストとしては、液状タイプのフォトレジスト又はフィルムタイプのドライフィルムレジストが使用されている。
　一方、アディティブ法とは、銅箔を備えない絶縁基板上に無電解銅めっきを主体として、導体パターンを形成する方法である。更にアディティブ法は、フルアディティブ法とセミアディティブ法とに分かれている。
　例えば、特許文献１には、サブトラクティブ法及びアディティブ法を用いて部品内蔵基板を製造することが開示されている。特に、特許文献１では、部品内蔵基板において、放熱フィンを所望の形状にパターニングするために、サブトラクティブ法又はアディティブ法が用いられている。
　以前から、プリント配線板を搭載する電気・電子機器の小型化及び高機能化が進み、プリント配線板自体の小型化及び高機能化が強く求められている。このような要求に対応するため、プリント配線板における隣接する導体層同士の間隔（すなわち、導体間隙）を小さくすることが重要となる。このような導体間隙を小さくする方法として、安価で生産性の高いサブトラクティブ法が用いられている。
特開２０１３－１１５３２７号公報
　しかしながら、近年における電気・電子機器の更なる小型化及び高機能化にともない、プリント配線板の導体層も更なる微細化が要求されているが、従来の液状タイプのフォトレジスト又はドライフィルムレジストを用いたとしても、導体幅と導体間隙とを示すＬ／Ｓを５０μｍ／５０μｍ以下にしつつ、高品質のプリント配線板を低コストで製造することは困難である。これは、液状タイプのフォトレジストは解像性が悪いため、Ｌ／Ｓを５０μｍ／５０μｍ以下にすることが困難であり、更には比較的に高い露光量が必要となり生産性が下がるためである。また、ドライフィルムレジストは液状タイプのフォトレジストと比較すると銅表面との密着性が弱いため、エッチングムラが生じやすく、導体層の形状が安定せずに歩留まりの低下につながるからである。
　本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、微細細線パターンを容易且つ高精度で形成することができるプリント配線板の製造方法、及び微細細線パターンを容易且つ高精度で形成するために用いられるエッチングレジストのパターン形成方法を提供することにある。
　上記目的を達成するため、本発明のプリント配線板の製造方法は、基板材料層及び前記基板材料層の表面に導体層が積層された積層構造を備える積層体を準備する準備工程と、前記導体層の表面に液状のネガ型レジスト材料を塗布し、膜厚が１５μｍ以下のフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成工程と、直接描画装置を使用して前記フォトレジスト膜にレーザ光を照射し、所望の形状のレーザ光照射領域を形成する露光工程と、前記レーザ光の非照射領域を除去して開口を形成し、前記フォトレジスト膜にパターニングを施す現像工程と、パターニングされた前記フォトレジスト膜をエッチングマスクとして前記導体層にエッチングを施すエッチング工程と、パターニングされた前記フォトレジスト膜を除去する除去工程と、を有し、前記ネガ型レジスト材料は、現像性樹脂、感光性樹脂、有機溶剤、ロイコ染料、及び前記レーザ光の波長領域における感度が他の波長領域における感度よりも高い光重合開始剤を含むことである。
　上記目的を達成するため、本発明のエッチングレジストのパターン形成方法は、エッチング対象物の表面に液状のネガ型レジスト材料を塗布し、膜厚が１５μｍ以下のフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成工程と、直接描画装置を使用して前記フォトレジスト膜にレーザ光を照射し、所望の形状のレーザ光照射領域を形成する露光工程と、前記レーザ光の非照射領域を除去して開口を形成し、前記フォトレジスト膜にパターニングを施す現像工程と、を有し、前記ネガ型レジスト材料は、現像性樹脂、感光性樹脂、有機溶剤、ロイコ染料、及び前記レーザ光の波長領域における感度が他の波長領域における感度よりも高い光重合開始剤を含むことである。
　本発明により、微細細線パターンを容易且つ高精度で形成することができるプリント配線板の製造方法、及び微細細線パターンを容易且つ高精度で形成するために用いられるエッチングレジストのパターン形成方法を提供することができる。
本発明の実施例に係るプリント配線板の製造工程における断面図である。 本発明の実施例に係るプリント配線板の製造工程における断面図である。 本発明の実施例に係るプリント配線板の製造工程における断面図である。 本発明の実施例に係るプリント配線板の製造工程における断面図である。 本発明の実施例に係るプリント配線板の製造工程における断面図である。 本発明の実施例に係るプリント配線板の製造工程における断面図である。
　以下、図面を参照し、本発明の実施の形態について、実施例に基づき詳細に説明する。なお、本発明は以下に説明する内容に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において任意に変更して実施することが可能である。また、実施例の説明に用いる図面は、いずれも本発明によるプリント配線板及びその構成部材を模式的に示すものであって、理解を深めるべく部分的な強調、拡大、縮小、または省略などを行っており、プリント配線板及びその構成部材の縮尺や形状等を正確に表すものとはなっていない場合がある。更に、実施例で用いる様々な数値は、一例を示す場合もあり、必要に応じて様々に変更することが可能である。
＜実施例＞
　以下において、本発明の実施例に係るプリント配線板の製造工程及びこれに用いられるエッチングレジストのパターン形成方法について、図１乃至図６を参照しつつ詳細に説明する。ここで、図１乃至図６は、本発明の実施例に係るプリント配線板の製造工程における断面図である。
　先ず、図１に示すように、本実施例に係るプリント配線板の構成部材である積層体１を準備する（準備工程）。本実施例においては、積層体１として、基板材料層２、及び基板材料層２の表面上に形成された導体層３が積層された構造を備える基材を想定した。そして、本実施例においては、導体層３がエッチング対象物となる。ここで、基板材料層２は、絶縁材料のみから構成される絶縁層であってもよく、或いは複数の絶縁層及び内層配線となる複数の導体層を積層し、ビアホール及びスルーホール等が形成されている基材であってもよい。また、本実施例において、導体層３の構成材料は銅を用いているが、金、銀等の他の金属材料を用いてもよい。なお、本実施例においては、基板材料層２の一方の面のみに導体層３が形成されている積層体１が用いられているが、導体層が基板材料層の両面に形成された両面構造の積層体を用いてもよい。このような場合には、両面に形成された導体層に後述するパターニングが施されてもよい。
　次に、図２に示すように、導体層３の表面上に液状のネガ型レジスト材料を塗布し、エッチングレジストとなるフォトレジスト膜４を形成する（フォトレジスト膜形成工程）。当該ネガ型レジスト材料は、直接描画装置によって露光をすることができ、高い解像度を有するネガ型フォトレジストである。ネガ型レジスト材料の具体的な構成として、当該ネガ型レジスト材料は、現像性樹脂、感光性樹脂、有機溶剤、着色剤であるロイコ染料、及び光重合開始剤を含んでいる。本実施例においては、ドライフィルムレジストを使用することなく、液状タイプのネガ型レジスト材料を使用するため、導体層３とフォトレジスト膜４との密着性を比較的に高くすることができ、導体層３とフォトレジスト膜４との剥離等を防止することができる。
　本実施例においては、現像性樹脂としてカルボン酸樹脂、感光性樹脂としてアクリレート化合物を用いた。また、有機溶剤としては、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、又はこれらの混合溶媒等を用いることができ、本実施例においては、エーテル系溶剤のポリメチルアセテート（ＰＭＡ）を主溶剤として使用した。
　更に、ロイコ染料としては、トリス（４－ジメチルアミノ－２－メチルフェニル）メタン［ロイコクリスタルバイオレット：４,４',４''－メチリジントリス（Ｎ,Ｎ－ジメチルアニリン）］、トリス（４－ジメチルアミノ－２－メチルフェニル）メタン［ロイコマラカイトグリーン］、又はフルオラン染料を用いることができる。これらの中で、特に、ロイコクリスタルバイオレットを用いることが好ましく、後述する露光工程を経た直後のコントラストを良好にすることができる。すなわち、後述するレーザ光照射領域と非照射領域との識別が容易に行えることになる。また、このようなロイコ染料を使用することで、従来の着色剤と比較して後述する露光の阻害を低減することができる。
　そして、光重合開始剤としては、例えば、２－エチルアントラキノン、オクタエチルアントラキノン、１，２－ベンズアントラキノン、２，３－ベンズアントラキノン、２－フェニルアントラキノン、２，３－ジフェニルアントラキノン、１－クロロアントラキノン、２－クロロアントラキノン、２－メチルアントラキノン、１，４－ナフトキノン、９，１０－フェナントラキノン、２－メチル－１，４－ナフトキノン、９，１０－フェナントラキノン、２－メチル－１，４－ナフトキノン、２，３－ジメチルアントラキノン、３－クロロ－２－メチルアントラキノンなどのキノン類、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン［４，４´－ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン］、４，４´－ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンなどの芳香族ケトン類、ベンゾイン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル、メチルベンゾイン、エチルベンゾインなどのベンゾインエーテル類、ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタールなどのジアルキルケタール類、９－フェニルアクリジン等のアクリジン類、ジエチルチオキサントン、クロルチオキサントン等のチオキサントン類、ジメチルアミノ安息香酸エチル等のジアルキルアミノ安息香酸エステル類、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－ｏ－ベンゾイルオキシム、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（ｏ－エトキシカルボニル）オキシム等のオキシムエステル類、ロフィン二量体等を用いることができる。
　本実施例においては、３５５ｎｍ以上３６５ｎｍ以下のレーザ光（Ｉ線）において特に高い感度を有するオキシム・エステルをその構造に備える材料（すなわち、オキシムエステル類のエタノン,１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－,１－（０－アセチルオキシム））を使用した。これにより、フォトレジスト膜４は、後述する直接描画装置で用いられるレーザ光の波長域に高い感度を有することになり、当該直接描画装置で用いた露光を容易に行うことができる。換言すると、光重合開始剤は、レーザ光の波長領域における感度が他の波長領域における感度よりも高くなっている。ここで、光重合開始剤は、直接描画装置で使用するレーザ光の３５５ｎｍ～４０５ｎｍの波長領域において吸収の極大があらわれることが好ましく、更に３５５ｎｍ～３６５ｎｍの波長領域に吸収の極大があらわれることが特に好ましい。なお、直接描画装置で使用するレーザ光の波長に合わせ、光重合開始剤の材料を適宜変更してもよい。
　本実施例においては、フォトレジスト膜４の膜厚を１５マイクロメートル（μｍ）以下とする。これは、フォトレジスト膜４の解像性を向上するためである。なお、後述するエッチング工程において、フォトレジスト膜４をエッチングマスクとして使用することになるため、エッチングマスクとしての耐久性を考慮し、フォトレジスト膜４の膜厚を５～１５μｍとすることがより好ましい。
　次に、図３に示すように、直接描画装置を使用して、フォトレジスト膜４に３５５ｎｍ～３６５ｎｍのレーザ光を照射する（露光工程）。本実施例においては、当該露光工程における露光量を、１０ミリジュール（ｍＪ）以上３５ミリジュール以下に設定する。このような比較的に低い露光量とすることは、露光時間の低減となり、プリント配線板の生産性を向上することができる。すなわち、本実施例においては、従来の液状タイプのネガ型レジスト材料では実現が困難であった低露光量による処理が可能となる。なお、低露光量での処理が可能となる理由としては、上述したように、光重合開始剤及びロイコ染料によるものとなる。
　また、本実施例において、当該レーザ光はフォトレジスト膜４を除去する部分のみに照射されることになり、レーザ光が照射された部分は変色しフォトレジスト膜４には所望の形状のレーザ光照射領域５が形成される。ここで、レーザ光が照射されない領域は、図３において、レーザ光非照射領域（レーザ光の非照射領域）６として示される。そして、レーザ光照射領域５の幅Ａ、及びレーザ光非照射領域６の幅Ｂは、導体層３に要求されるＬ／Ｓ（導体幅／導体間隙）に応じて、２０μｍ以上５０μｍ以下で調整される。なお、レーザ光の波長は、３５５ｎｍ～３６５ｎｍに限定されることなく、プリント配線板の生産性を考慮して適宜変更することができる。
　次に、図４に示すように、一般的な現像処理を行い、レーザ光非照射領域６を除去する（現像工程）。これにより、フォトレジスト膜４には開口７が形成される。すなわち、フォトレジスト膜４に、パターニングが施されることになる。ここで、フォトレジスト膜４の幅Ｃ、及び開口７の幅Ｄは、上述したレーザ光照射領域５の幅Ａ及びレーザ光非照射領域６の幅Ｂと同一になり、２０μｍ以上５０μｍ以下となる。換言すると、本実施例においては、フォトレジスト膜４の幅Ｃ、及び開口７の幅Ｄとの関係であるＬ／Ｓが２０μｍ／２０μｍ～５０μｍ／５０μｍとなり、従来の液状タイプのフォトレジストでは実現が困難であった微細な加工が可能になっている。
　なお、上述したフォトレジスト膜形成工程、露光工程、現像工程を経ることにより、本実施例に係るエッチングレジストのパターン形成方法が終了することになる。
　次に、図５に示すように、パターニングが施されたフォトレジスト膜４をエッチングマスクとして、導体層３にエッチングを施す（エッチング工程）。これにより、導体層３には、フォトレジスト膜４の開口７の形状（すなわち、開口パターン）に対応した開口８が形成される。ここで、開口８が形成された導体層３の側面部分の形状は、基板材料層２の表面に対して基本的に直交するようになるが、導体層３の層厚及び材料、並びにエッチング液等に起因するエッチングレートに応じて、導体層３の側面が内側に若干湾曲することもある。すなわち、導体層３の側面部分が内側に向かって部分的に除去されることになるが、ドライフィルムタイプのフォトレジストと比較すると、その曲率は非常に小さく、めっきによって形成された導体層と同様の形状を有することになる。
　次に、図６に示すように、一般的なアッシングによってフォトレジスト膜４を除去する（除去工程）。これにより、パターニングされた導体層３が露出し、プリント配線板１０の製造が完了する。本実施例においては、導体層３の幅Ｌはフォトレジスト膜４の幅Ｃよりも若干小さくなり、その逆に導体層３の開口８の幅Ｓ（すなわち、導体間隙）は、開口７の幅Ｄよりも若干大きくなる。そのため、パターンの仕上がりが設計の狙い値に仕上がるようにするためには、フォトレジスト膜４の幅Ｃ、及び開口７の幅Ｄは、数μｍ程度の露光データの補正を行う場合がある。導体層３の層厚及び材料、ならびにエッチング液、露光データの補正等に起因するが、例えば導体層３の層厚が１８μｍの場合、導体層３の幅と、導体層３の開口８の幅との関係であるＬ／Ｓが最小３０μｍ／３０μｍとなり、従来の液状タイプのフォトレジストでは実現が困難であった微細細線パターンの形成が可能になっている。なお、従来において実現が困難であった微細細線を鑑みると、上記Ｌ／Ｓの最大は５０μｍ／５０μｍとなる。
　以上のように、本実施例においては、ネガ型レジスト材料の着色剤及び光重合開始剤を上述のように選択し、且つフォトレジスト膜４の膜厚を調整することにより、直接描画装置による露光処理及び現像処理によって容易且つ高精度でフォトレジスト膜４に微細加工を施すことができる。これにより、薄く且つ微細なマスクによってエッチング処理を行うことができ、微細細線パターンを容易且つ高精度で形成することができる。すなわち、本実施例においては、基板材料層２に対して直交した側面を有し且つ線幅が細い導体パターンを形成することができ、当該導体パターンの形状はアディティブ法のめっきによって形成された形状と同程度になる。
　また、本実施例に係るプリント配線板の製造方法及びエッチングレジストのパターン形成方法においては、従来のようなドライフィルムを使用することなく、液状タイプのネガ型レジスト材料を使用するため、導体層３とフォトレジスト膜４との密着性を高めることができ、エッチング工程における剥離の防止を図ることができる。更に、このような密着性を高めることができれば、導体層３の表面に凹凸加工を施す必要がなくなり、導体層３の表面が平坦面のままで、フォトレジスト膜形成工程及びその後の工程を行うことができる。なお、本実施例に係るプリント配線板の製造方法及びエッチングレジストのパターン形成方法によれば、導体層３の表面に凹凸加工を施こさなくとも優れた密着性を得ることができるが、導体層３の表面に凹凸加工をあえて加えることで、より優れた密着性を得るようにしてもよい。
＜本発明の実施態様＞
　本発明の第１実施態様に係るプリント配線板の製造方法は、基板材料層及び前記基板材料層の表面に導体層が積層された積層構造を備える積層体を準備する準備工程と、前記導体層の表面に液状のネガ型レジスト材料を塗布し、膜厚が１５μｍ以下のフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成工程と、直接描画装置を使用して前記フォトレジスト膜にレーザ光を照射し、所望の形状のレーザ光照射領域を形成する露光工程と、前記レーザ光の非照射領域を除去して開口を形成し、前記フォトレジスト膜にパターニングを施す現像工程と、パターニングされた前記フォトレジスト膜をエッチングマスクとして前記導体層にエッチングを施すエッチング工程と、パターニングされた前記フォトレジスト膜を除去する除去工程と、を有し、前記ネガ型レジスト材料は、現像性樹脂、感光性樹脂、有機溶剤、ロイコ染料、及び前記レーザ光の波長領域における感度が他の波長領域における感度よりも高い光重合開始剤を含むことである。
　第１実施態様においては、ネガ型レジスト材料の着色剤及び光重合開始剤の特性、及びフォトレジスト膜の膜厚調整により、直接描画装置による露光処理及び現像処理によって容易且つ高精度でフォトレジスト膜に微細加工を施すことができる。これにより、薄く且つ微細なマスクによってエッチング処理を行うことができ、微細細線パターンを容易且つ高精度で形成することができる。
　また、第１実施態様においては、従来のようなドライフィルムを使用することなく、液状タイプのネガ型レジスト材料を使用するため、導体層とフォトレジスト膜の密着性を高めることができ、エッチング工程における剥離の防止を図ることができる。
　本発明の第２実施態様に係るプリント配線板の製造方法は、上述した第１実施態様において、前記光重合開始剤には３５５ｎｍ以上４０５ｎｍ以下の波長領域において吸収の極大があらわれることである。これによれば、より容易且つ高精度でフォトレジスト膜に微細加工を施すことができる。
　本発明の第３実施態様に係るプリント配線板の製造方法は、上述した第１又は第２実施態様において、前記露光工程での前記レーザ光照射領域の幅及び前記レーザ光の非照射領域の幅は、５０μｍ以下である。これによれば、より一層容易且つ高精度でフォトレジスト膜に微細加工を施すことができる。
　本発明の第４実施態様に係るプリント配線板の製造方法は、上述した第１乃至第３実施態様のいずれかにおいて、前記現像工程では、パターニングされた前記フォトレジスト膜の幅及び前記開口の幅が５０μｍ以下である。これによれば、より一層容易且つ高精度で導体層に微細加工を施すことができる。
　本発明の第５実施態様に係るプリント配線板の製造方法は、上述した第１乃至第４実施態様のいずれかにおいて、前記露光工程では、露光量を１０ｍｊ以上３５ｍｊ以下とする。これによれば、露光時間を低減することができ、プリント配線板の生産性を向上することができる。
　本発明の第６実施態様に係るプリント配線板の製造方法は、上述した第１乃至第５実施態様のいずれかにおいて、前記フォトレジスト膜形成工程では前記フォトレジスト膜の膜厚を５μｍ以上１５μｍ以下とする。これによれば、より一層容易且つ高精度でフォトレジスト膜に微細加工を施すことができる。
　本発明の第７実施態様に係るプリント配線板の製造方法は、上述した第１乃至第６実施態様のいずれかにおいて、前記ネガ型レジスト材料が塗布される前記導体層の表面は平坦面である。これによれば、導体層とフォトレジスト膜との密着性を向上させるために導体層の表面に凹凸加工を施す必要がなくなり、プリント配線板の生産性を向上することができる。
　本発明の第８実施態様に係るエッチングレジストのパターン形成方法は、エッチング対象物の表面に液状のネガ型レジスト材料を塗布し、膜厚が１５μｍ以下のフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成工程と、直接描画装置を使用して前記フォトレジスト膜にレーザ光を照射し、所望の形状のレーザ光照射領域を形成する露光工程と、前記レーザ光の非照射領域を除去して開口を形成し、前記フォトレジスト膜にパターニングを施す現像工程と、を有し、前記ネガ型レジスト材料は、現像性樹脂、感光性樹脂、有機溶剤、ロイコ染料、及び前記レーザ光の波長領域における感度が他の波長領域における感度よりも高い光重合開始剤を含むことである。
　第８実施態様においては、ネガ型レジスト材料の着色剤及び光重合開始剤の特性、及びフォトレジスト膜の膜厚調整により、直接描画装置による露光処理及び現像処理によって容易且つ高精度でフォトレジスト膜に微細加工を施すことができる。
　また、第８実施態様においては、従来のようなドライフィルムを使用することなく、液状タイプのネガ型レジスト材料を使用するため、導体層とフォトレジスト膜の密着性を高めることができ、エッチング工程における剥離の防止を図ることができる。
　本発明の第９実施態様に係るエッチングレジストのパターン形成方法は、上述した第８実施態様において、前記光重合開始剤には３５５ｎｍ以上４０５ｎｍ以下の波長領域において吸収の極大があらわれることである。これによれば、より容易且つ高精度でフォトレジスト膜に微細加工を施すことができる。
　本発明の第１０実施態様に係るエッチングレジストのパターン形成方法は、上述した第８又は第９実施態様において、前記露光工程での前記レーザ光照射領域の幅及び前記レーザ光の非照射領域の幅は、５０μｍ以下である。これによれば、より一層容易且つ高精度でフォトレジスト膜に微細加工を施すことができる。
　本発明の第１１実施態様に係るエッチングレジストのパターン形成方法は、上述した第８乃至第１０実施態様のいずれかにおいて、前記現像工程では、パターニングされた前記フォトレジスト膜の幅及び前記開口の幅が５０μｍ以下である。これによれば、より微細な形状のフォトレジスト膜が得られることになる。
　本発明の第１２実施態様に係るエッチングレジストのパターン形成方法は、上述した第８乃至第１１実施態様のいずれかにおいて、前記露光工程では、露光量を１０ｍｊ以上３５ｍｊ以下とする。これによれば、露光時間を低減することができ、フォトレジスト膜の加工に関する加工時間及び加工コストを低減することができる。
　本発明の第１３実施態様に係るエッチングレジストのパターン形成方法は、上述した第８乃至第１２実施態様のいずれかにおいて、前記フォトレジスト膜形成工程では前記フォトレジスト膜の膜厚を５μｍ以上１５μｍ以下とする。これによれば、より微細な形状のフォトレジスト膜が得られることになる。
　本発明の第１４実施態様に係るエッチングレジストのパターン形成方法は、上述した第８乃至第１３実施態様のいずれかにおいて、前記ネガ型レジスト材料が塗布される前記導体層の表面は平坦面である。これによれば、導体層とフォトレジスト膜との密着性を向上させるために導体層の表面に凹凸加工を施す必要がなくなり、フォトレジスト膜の加工に関する加工時間及び加工コストを低減することができる。
　１　　積層体
　２　　基板材料層
　３　　導体層
　４　　フォトレジスト膜（エッチングレジスト）
　５　　レーザ光照射領域
　６　　レーザ光非照射領域
　７　　開口
　８　　開口
　１０　　プリント配線板

Claims (14)

  1. 　基板材料層及び前記基板材料層の表面に導体層が積層された積層構造を備える積層体を準備する準備工程と、
    　前記導体層の表面に液状のネガ型レジスト材料を塗布し、膜厚が１５μｍ以下のフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成工程と、
    　直接描画装置を使用して前記フォトレジスト膜にレーザ光を照射し、所望の形状のレーザ光照射領域を形成する露光工程と、
    　前記レーザ光の非照射領域を除去して開口を形成し、前記フォトレジスト膜にパターニングを施す現像工程と、
    　パターニングされた前記フォトレジスト膜をエッチングマスクとして前記導体層にエッチングを施すエッチング工程と、
    　パターニングされた前記フォトレジスト膜を除去する除去工程と、を有し、
    　前記ネガ型レジスト材料は、現像性樹脂、感光性樹脂、有機溶剤、ロイコ染料、及び前記レーザ光の波長領域における感度が他の波長領域における感度よりも高い光重合開始剤を含むプリント配線板の製造方法。
  2. 　前記光重合開始剤は、３５５ｎｍ以上４０５ｎｍ以下の波長領域において吸収の極大があらわれる請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
  3. 　前記露光工程において、前記レーザ光照射領域の幅及び前記レーザ光の非照射領域の幅は、５０μｍ以下である請求項１又は２に記載のプリント配線板の製造方法。
  4. 　前記現像工程において、パターニングされた前記フォトレジスト膜の幅及び前記開口の幅は、５０μｍ以下である請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプリント配線板の製造方法。
  5. 　前記露光工程において、露光量を１０ｍｊ以上３５ｍｊ以下とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のプリント配線板の製造方法。
  6. 　前記フォトレジスト膜形成工程において、前記フォトレジスト膜の膜厚を５μｍ以上１５μｍ以下とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のプリント配線板の製造方法。
  7. 　前記ネガ型レジスト材料が塗布される前記導体層の表面は、平坦面である請求項１乃至６のいずれいか１項に記載のプリント配線板の製造方法。
  8. 　エッチング対象物の表面に液状のネガ型レジスト材料を塗布し、膜厚が１５μｍ以下のフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成工程と、
    　直接描画装置を使用して前記フォトレジスト膜にレーザ光を照射し、所望の形状のレーザ光照射領域を形成する露光工程と、
    　前記レーザ光の非照射領域を除去して開口を形成し、前記フォトレジスト膜にパターニングを施す現像工程と、を有し、
    　前記ネガ型レジスト材料は、現像性樹脂、感光性樹脂、有機溶剤、ロイコ染料、及び前記レーザ光の波長領域における感度が他の波長領域における感度よりも高い光重合開始剤を含むエッチングレジストのパターン形成方法。
  9. 　前記光重合開始剤は、３５５ｎｍ以上４０５ｎｍ以下の波長領域において吸収の極大があらわれる請求項８に記載のエッチングレジストのパターン形成方法。
  10. 　前記露光工程において、前記レーザ光照射領域の幅及び前記レーザ光の非照射領域の幅は、５０μｍ以下である請求項８又は９に記載のエッチングレジストのパターン形成方法。
  11. 　前記現像工程において、パターニングされた前記フォトレジスト膜の幅及び前記開口の幅は、５０μｍ以下である請求項８乃至１０のいずれか１項に記載のエッチングレジストのパターン形成方法。
  12. 　前記露光工程において、露光量を１０ｍｊ以上３５ｍｊ以下とする請求項８乃至１１のいずれか１項に記載のエッチングレジストのパターン形成方法。
  13. 　前記フォトレジスト膜形成工程において、前記フォトレジスト膜の膜厚を５μｍ以上１５μｍ以下とする請求項８乃至１２のいずれか１項に記載のエッチングレジストのパターン形成方法。
  14. 　前記エッチング対象物の表面は、平坦面である請求項８乃至１３のいずれか１項に記載のエッチングレジストのパターン形成方法。
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