WO2016167006A1 - 超音波プローブ - Google Patents

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WO2016167006A1
WO2016167006A1 PCT/JP2016/052670 JP2016052670W WO2016167006A1 WO 2016167006 A1 WO2016167006 A1 WO 2016167006A1 JP 2016052670 W JP2016052670 W JP 2016052670W WO 2016167006 A1 WO2016167006 A1 WO 2016167006A1
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circuit
substrate
transducer
ultrasonic probe
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PCT/JP2016/052670
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Inventor
吉岡 正人
和幸 金指
Original Assignee
株式会社ソシオネクスト
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    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
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    • H01L2224/16235Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a via metallisation of the item
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    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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    • H05K2201/10507Involving several components
    • H05K2201/10545Related components mounted on both sides of the PCB

Definitions

  • the present invention relates to an ultrasonic probe.
  • FIG. 11 is a block diagram of the ultrasonic diagnostic imaging apparatus 90.
  • the ultrasonic diagnostic imaging apparatus 90 includes a transducer 91, IC (Integrated Circuit) chips 92 to 94, and a monitor 95.
  • IC Integrated Circuit
  • the transducer 91 transmits ultrasonic waves and receives ultrasonic waves (echoes) reflected by the subject.
  • the IC chip 92 transmits a high-voltage pulse to the transducer 91 and receives a voltage signal (hereinafter, echo signal) corresponding to the echo from the transducer 91.
  • the IC chip 92 transmits an echo signal to the IC chip 93.
  • the IC chip 93 receives the echo signal, amplifies the echo signal with an amplifier, and converts it to a digital value.
  • the IC chip 93 transmits the echo signal converted into the digital value to the IC chip 94.
  • the IC chip 94 receives the echo signal converted into the digital value, performs image processing based on the echo signal converted into the digital value, generates an image, and displays the image on the monitor 95.
  • An analog cable is used for connection between the transducer 91 and the IC chip 92.
  • This analog cable is a bundle of N-ch coaxial cables.
  • the analog cable transmits a high-voltage signal (for example, a voltage of 100 V or more), but has a high cost because it transmits a weak signal from the transducer 91 with low noise.
  • the transducer 91 is provided in the probe, and the IC chips 92 to 94 and the monitor 95 are provided in the apparatus main body. Since the ultrasonic diagnosis is performed by applying the probe to the diagnosis location, the diagnosis location may be limited depending on the length of the cable. Moreover, it is necessary to consider the sanitary aspect due to the contact between the cable and the human body. For this reason, a technique is known in which the transducer 91 and the IC chips 92 to 94 are accommodated in the probe and the probe and the monitor 95 are wirelessly connected so that the probe and the monitor 95 are cable-free.
  • a power source for supplying power to the transducer 91 and the IC chips 92 to 94 is accommodated in the probe. Therefore, a reduction in power consumption of the probe is required.
  • the voltage of the pulse significantly (for example, changing the voltage from 100V to 25V)
  • the power can be reduced.
  • the pulse voltage is lowered, the transmission / reception power of the ultrasonic wave is also attenuated. Therefore, when noise is mixed in the echo signal, an image generated based on the echo signal may be deteriorated.
  • an object is to suppress noise mixing in a signal.
  • An ultrasonic probe includes a transducer that transmits and receives an ultrasonic wave and converts an ultrasonic signal and a voltage signal to each other, a pulse voltage signal to the transducer, and the transducer from the transducer
  • a first circuit that receives a voltage signal
  • a second circuit that converts the voltage signal received from the first circuit from an analog value to a digital value
  • a battery unit that supplies power to the first circuit and the second circuit
  • mixing of noise into a signal can be suppressed.
  • FIG. 1 is a block diagram illustrating an example of the configuration of an ultrasonic diagnostic imaging apparatus.
  • FIG. 2 is a block diagram illustrating an example of the configuration of the ultrasonic probe.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating an example of the configuration of an IC chip (first IC).
  • FIG. 4 is a diagram illustrating an example of the configuration of an IC chip (second IC).
  • FIG. 5A is a partial cross-sectional view of an ultrasonic probe.
  • FIG. 5B is a partial cross-sectional view of the ultrasonic probe.
  • FIG. 5C is a partial cross-sectional view of the ultrasonic probe.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating an example of an arrangement of IC chips (first IC and second IC).
  • FIG. 7 is a diagram illustrating an example of the arrangement of battery units.
  • FIG. 8 is a diagram illustrating an example of the arrangement of battery units.
  • FIG. 9 is a partial cross-sectional view of the ultrasonic probe.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating an example of the arrangement of IC chips (first IC and second IC).
  • FIG. 11 is a block diagram of the ultrasonic diagnostic imaging apparatus.
  • the ultrasonic probe according to the embodiment will be described with reference to the drawings.
  • the configuration of the ultrasonic probe shown below is an example, and the configuration of the ultrasonic probe according to the embodiment is not limited to the configuration shown below.
  • FIG. 1 is a block diagram showing an example of the configuration of the ultrasonic diagnostic imaging apparatus 1.
  • the ultrasonic diagnostic imaging apparatus 1 includes an ultrasonic probe 2, an image processing unit 3, and a monitor 4.
  • the ultrasonic probe 2 and the image processing unit 3 can communicate with each other wirelessly. That is, there is no cable between the ultrasonic probe 2 and the image processing unit 3.
  • the image processing unit 3 and the monitor 4 are wired via a cable. However, the image processing unit 3 and the monitor 4 may be wirelessly connected.
  • FIG. 2 is a block diagram showing an example of the configuration of the ultrasonic probe 2.
  • the ultrasonic probe 2 includes a transducer 10, an IC chip (first IC) 11, an IC chip (second IC) 12, an IC chip (third IC) 13, a wireless module 14, an antenna 15, and power ICs 16 and 17. And a battery unit 18.
  • a transducer 10, IC chips 11 to 13, a wireless module 14, an antenna 15, power supply ICs 16 and 17 and a battery unit 18 are accommodated.
  • the IC chip 11 is an example of a first circuit.
  • the IC chip 12 is an example of a second circuit.
  • the IC chip 13 is an example of a third circuit.
  • the transducer 10 transmits ultrasonic waves and receives ultrasonic waves (echoes) reflected by the subject. Moreover, the transducer 10 mutually converts an ultrasonic signal and a voltage signal.
  • the transducer 10 has a plurality of transducers arranged in a strip shape.
  • the vibrator has a piezoelectric body such as a piezoelectric element and electrodes formed on both sides of the piezoelectric body. A voltage is applied to the electrodes and the piezoelectric body expands and contracts to generate ultrasonic waves from each vibrator.
  • each transducer receives an ultrasonic wave to expand and contract to generate an electrical signal.
  • the transducer 10 transmits a voltage signal corresponding to the echo (hereinafter referred to as an echo signal) to the IC chip 11 based on the electrical signal generated by each transducer.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating an example of the configuration of the IC chip 11.
  • the IC chip 11 has a plurality of connection terminals 111 and a plurality of transmission / reception circuits 112.
  • the connection terminal 111 is used for connection with the transducer 10.
  • the transmission / reception circuit 112 transmits a pulse voltage signal to the transducer 10 via the connection terminal 111 and receives an echo signal from the transducer 10.
  • a plurality of connection terminals 111 are arranged on the IC chip 11 along one side or a plurality of sides of the IC chip 11. In the example shown in FIG. 3, a plurality of connection terminals 111 are arranged on the IC chip 11 along the three sides of the IC chip 11.
  • the IC chip 11 includes a control circuit 113, an output selector circuit 114, a plurality of control terminals 115, and a plurality of output terminals 116.
  • the control circuit 113 receives a control signal from the IC chip 13 via the control terminal 115 and controls the operation of the IC chip 11 based on the control signal.
  • An arbitrary channel (transmission path including the connection terminal 111 and the transmission / reception circuit 112) is selected based on a control signal input to the control circuit 113, and a pulse voltage signal is transmitted from the IC chip 11 to the transducer 10.
  • the output selector circuit 114 selects an echo signal input to the output selector circuit 114 based on the control signal input to the control circuit 113, and the selected echo signal is sent to the IC chip 12 via the plurality of output terminals 116. Output to. Therefore, an arbitrary channel (transmission path including the connection terminal 111 and the transmission / reception circuit 112) is selected based on the control signal input to the control circuit 113, and an echo signal is transmitted from the IC chip 11 to the IC chip 12.
  • the output terminal 116 is used for connection with the IC chip 12. In the example shown in FIG. 3, a plurality of output terminals 116 are arranged on the IC chip 11 along one side of the IC chip 11.
  • the output terminal 116 is disposed on a side different from the side where the connection terminal 111 of the IC chip 11 is disposed.
  • echo signals for a maximum of 8 channels are transmitted to the IC chip 12 via a plurality of output terminals 116 (a1 to a8).
  • the IC chip 12 receives the echo signal from the IC chip 11, amplifies the echo signal with an amplifier, and converts the amplified echo signal from an analog value to a digital value.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating an example of the configuration of the IC chip 12.
  • the IC chip 12 includes a plurality of connection terminals 121, a plurality of signal adjustment circuits 122, a control circuit 123, a plurality of control terminals 124, an output buffer 125, and a plurality of output terminals 126.
  • the plurality of connection terminals 121 are used for connection to the IC chip 11.
  • the plurality of output terminals 126 are used for connection with the IC chip 13.
  • the IC chip 12 may receive an echo signal from the IC chip 11 and convert the echo signal from an analog value to a digital value. That is, the IC chip 12 may convert the echo signal from an analog value to a digital value without amplifying the echo signal.
  • the signal adjustment circuit 122 is, for example, an AFE (Analog Front End).
  • the signal adjustment circuit 122 includes an amplifier 127 and an ADC (Analog-to-Digital Converter) 128.
  • the amplifier 127 amplifies the input echo signal.
  • the ADC 128 converts the input echo signal from an analog value to a digital value and outputs the converted value. That is, the ADC 128 converts an analog echo signal into a digital echo signal.
  • the echo signal output from the ADC 128 is transmitted to the IC chip 13 via the output buffer 125 and the output terminal 126.
  • the amplifier 127 may be omitted.
  • the control circuit 123 receives a control signal from the IC chip 13 via the control terminal 124, and controls the operation of the IC chip 12 based on the control signal.
  • the control signal input via the control terminal 124 includes a signal that controls the gain of the amplifier 127.
  • a signal adjustment circuit 122 is arranged for each channel, and echo signals for a maximum of 8 channels are amplified and A / D converted.
  • four connection terminals 121 are arranged along two opposing sides of the IC chip 12. Accordingly, echo signals for four channels are input to each of two opposing sides of the IC chip 12.
  • the control terminal 124 is arranged along one side different from the side where the connection terminal of the IC chip 12 is arranged, and faces the side where the control terminal 124 of the IC chip 12 is arranged.
  • An output terminal 126 is arranged along the side.
  • a portion where an analog echo signal is input and a portion where a digital echo signal is output are separated.
  • a portion to which an analog echo signal is input and a portion to which a control signal is input are separated.
  • the IC chip 13 transmits a control signal to the IC chips 11 and 12.
  • the IC chip 13 receives a digital echo signal from the IC chip 12.
  • the IC chip 13 performs image processing based on the echo signal and generates an image signal.
  • the IC chip 13 transmits an image signal to the wireless module 14.
  • the wireless module 14 receives an image signal from the IC chip 13.
  • the wireless module 14 wirelessly transmits an image signal to the wireless module included in the image processing unit 3 via the antenna 15.
  • the image processing unit 3 displays an image on the monitor 4 based on the image signal.
  • the image processing unit 3 is a computer that includes a processor such as a CPU (Central Processing Unit) and a memory (storage device) such as a ROM (Read Only Memory) and a RAM (Random Access Memory).
  • the monitor 4 is a display device such as a CRT (Cathode Ray Tube), a liquid crystal display, a plasma display, and an organic EL (electroluminescence) display.
  • the IC chip 13 may transmit an echo signal to the wireless module 14, and the wireless module 14 may receive the echo signal from the IC chip 13.
  • the wireless module 14 wirelessly transmits an echo signal to the wireless module included in the image processing unit 3 via the antenna 15.
  • the image processing unit 3 performs image processing based on the echo signal, generates an image signal, and displays an image on the monitor 4 based on the image signal.
  • connection wiring (signal line) for connecting the transducer 10 and the IC chip 11 and the connection wiring for connecting the IC chip 11 and the IC chip 12 are wirings for transmitting and receiving a weak echo signal. Therefore, sufficient noise countermeasures are required for the connection wiring connecting the transducer 10 and the IC chip 11 and the connection wiring connecting the IC chip 11 and the IC chip 12. A noise countermeasure in the connection wiring that connects the transducer 10 and the IC chip 11 and the connection wiring that connects the IC chip 11 and the IC chip 12 will be described.
  • the connection wiring that connects the transducer 10 and the IC chip 11 is an example of a first connection wiring.
  • the connection wiring that connects the IC chip 11 and the IC chip 12 is an example of a second connection wiring.
  • Measures against noise include avoiding crossing with signal wiring that can be a noise source and shielding the substrate provided in the ultrasonic probe 2.
  • the noise source is, for example, switching noise or external radiation noise.
  • FIGS. 5A to 5C are partial cross-sectional views of the ultrasonic probe 2.
  • the wiring board 20 is provided with a transducer 10 and IC chips 11 to 13, and the transducer 10 and the IC chips 11 to 13 use inner layer wiring and through holes of the wiring board (substrate) 20.
  • the inner layer wiring is a metal wiring formed of, for example, copper (Cu).
  • the through hole has a hole provided in the wiring board 20 and a copper plating formed on the side wall of the hole. The through hole is also called a via.
  • the transducer 10 is attached to the side surface of the wiring board 20.
  • the wiring board 20 is, for example, a PCB (Printed Circuit Board).
  • the wiring board 20 is an example of a substrate.
  • the wiring board 20 As a multilayer wiring having two or more layers, it is possible to suppress the occurrence of crosstalk in the upper, lower, left and right layers inside the wiring board 20. Further, by ground shielding around the inner layer wiring of the wiring board 20, it is possible to suppress noise from the outside of the ultrasonic probe 2.
  • FIG. 5A shows connection wiring for connecting the transducer 10 and the IC chip 11.
  • the IC chip 11 is disposed on the upper surface (first surface) of the wiring board 20.
  • a connector 21 and a pad (electrode) 22 are formed on the upper surface of the wiring board 20.
  • Through holes 23 and 24 and inner layer wiring 25 are formed inside the wiring board 20.
  • the connector 21 and the through hole 23 are electrically connected, and the pad 22 and the through hole 24 are electrically connected.
  • the inner layer wiring 25 is electrically connected to each of the through holes 23 and 24.
  • the connection terminal 111 of the IC chip 11 and the pad 22 are electrically connected.
  • connection terminal 101 of the transducer 10 contacts the connector 21 and the connection terminal 101 of the transducer 10 and the connector 21 are electrically connected, the transducer 10 and the IC chip 11 are electrically connected.
  • a ground line connected to the ground is formed around the through holes 23 and 24 and the inner layer wiring 25, and the surroundings of the through holes 23 and 24 and the inner layer wiring 25 are ground shielded. Therefore, noise mixture with respect to the echo signal propagating (passing) through the connection wiring (the wiring including the through holes 23 and 24 and the inner layer wiring 25 in the example shown in FIG. 5A) for connecting the transducer 10 and the IC chip 11 is suppressed. .
  • FIG. 5B shows connection wiring for connecting the IC chip 11 and the IC chip 12.
  • the IC chip 11 is disposed on the upper surface of the wiring board 20, and the IC chip 12 is disposed on the lower surface (second surface) of the wiring board 20.
  • the lower surface of the wiring board 20 is a surface opposite to the upper surface of the wiring board 20.
  • Pads (electrodes) 26 are formed on the upper surface of the wiring board 20.
  • Pads (electrodes) 27 are formed on the lower surface of the wiring board 20.
  • Through holes 28 and 29 and an inner layer wiring 30 are formed inside the wiring board 20.
  • the pad 26 and the through hole 28 are electrically connected, and the pad 27 and the through hole 29 are electrically connected.
  • the inner layer wiring 30 is electrically connected to each of the through holes 28 and 29.
  • the output terminal 116 of the IC chip 11 and the pad 26 are electrically connected.
  • the connection terminal 121 of the IC chip 12 and the pad 27 are electrically connected. With these electrical connections, the IC chip 11 and the IC chip 12 are electrically connected.
  • the IC chip 11 is arranged on the upper surface of the wiring board 20, and the IC chip 12 is arranged on the lower surface of the wiring board 20. That is, the IC chip 11 and the IC chip 12 are disposed on the upper and lower surfaces (front and back surfaces) of the wiring board 20. Therefore, the connection wiring (the wiring including the through holes 28 and 29 and the inner layer wiring 30 in the example shown in FIG. 5B) for connecting the IC chip 11 and the IC chip 12 can be shortened. Compared with the case where both of the IC chips 11 and 12 are arranged on the same surface of the wiring board 20, the connection wiring for connecting the IC chip 11 and the IC chip 12 can be shortened.
  • connection wiring that connects the IC chip 11 and the IC chip 12 By shortening the connection wiring that connects the IC chip 11 and the IC chip 12, mixing of noise into the echo signal that propagates through the connection wiring that connects the IC chip 11 and the IC chip 12 is suppressed. Further, as compared with the case where both of the IC chips 11 and 12 are arranged on the same surface of the wiring board 20, the area of the connection wiring that connects the IC chip 11 and the IC chip 12 can be reduced.
  • a ground line connected to the ground is formed around the through holes 28 and 29 and the inner layer wiring 30, and the surroundings of the through holes 28 and 29 and the inner layer wiring 30 are ground shielded. Therefore, mixing of noise in the echo signal propagating through the connection wiring connecting the IC chip 11 and the IC chip 12 is suppressed.
  • FIG. 5C shows connection wiring for connecting the IC chip 11 and the IC chip 13 and connection wiring for connecting the IC chip 12 and the IC chip 13.
  • the IC chip 11 is disposed on the upper surface of the wiring board 20, and the IC chips 12 and 13 are disposed on the lower surface of the wiring board 20.
  • the IC chip 13 is disposed on the lower surface of the wiring board 20, but the IC chip 13 may be disposed on the upper surface of the wiring board 20.
  • Pads (electrodes) 31 are formed on the upper surface of the wiring board 20.
  • Pads (electrodes) 32 and 33 are formed on the lower surface of the wiring board 20. Through holes 34, 35, 36 and inner layer wiring 37 are formed inside the wiring board 20.
  • the pad 31 and the through hole 34 are electrically connected, the pad 32 and the through hole 35 are electrically connected, and the pad 33 and the through hole 36 are electrically connected.
  • the inner layer wiring 37 is electrically connected to each of the through holes 34, 35, 36.
  • the control terminal 115 of the IC chip 11 and the pad 31 are electrically connected.
  • the IC chip 12 has a plurality of external terminals 129.
  • the external terminal 129 is the control terminal 124 or the output terminal 126.
  • the external terminal 129 of the IC chip 12 and the pad 32 are electrically connected.
  • the IC chip 13 has a plurality of external terminals 131.
  • the external terminal 131 is a control terminal or a signal terminal.
  • the external terminal 131 of the IC chip 13 and the pad 33 are electrically connected.
  • the IC chip 11 and the IC chip 13 are electrically connected, and the IC chip 12 and the IC chip 13 are electrically connected. With these electrical connections, the IC chip 11 and the IC chip 13 are electrically connected, and the IC chip 12 and the IC chip 13 are electrically connected.
  • a ground line connected to the ground is formed around the through holes 34, 35, and 36 and the inner layer wiring 37, and the periphery of the through holes 34, 35, and 36 and the inner layer wiring 37 is ground shielded. Therefore, mixing of noise into the control signal propagating through the connection wiring connecting the IC chip 11 and the IC chip 13 (in the example shown in FIG. 5C, the wiring including the through holes 34 and 36 and the inner layer wiring 37) is suppressed. In addition, the mixing of noise into the control signal or echo signal propagating through the connection wiring (the wiring including the through holes 34 and 35 and the inner layer wiring 37 in the example shown in FIG. 5C) connecting the IC chip 12 and the IC chip 13 is suppressed.
  • FIG. 6 is a diagram showing an example of the arrangement of the IC chips 11 and 12.
  • the arrangement position of the IC chip 11 on the wiring board 20 and the arrangement position of the IC chip 12 on the wiring board 20 are shown transparently in a plan view.
  • a plurality of wirings connecting the output terminal 116 of the IC chip 11 and the connection terminal 121 of the IC chip 12 are illustrated.
  • a wiring that connects the output terminal 116 of the IC chip 11 and the connection terminal 121 of the IC chip 12 is a connection wiring that connects the IC chip 11 and the IC chip 12.
  • Each of the plurality of connection wirings connecting the IC chip 11 and the IC chip 12 is formed in the wiring board 20 so as not to cross each other in plan view.
  • connection terminal 111 of the IC chip 11 is formed so as to surround the connection terminal 121 of the IC chip 12 in a plan view. In this way, by preventing the connection terminals of the IC chip 11 and the IC chip 12 from crossing, occurrence of crosstalk at the connection terminal portion is suppressed.
  • the wiring board 20 is configured such that the plurality of connection wirings connecting the IC chip 11 and the IC chip 12 do not intersect with the plurality of wirings connected to the output terminal 126 of the IC chip 12 in plan view. Is formed inside.
  • the wiring connected to the output terminal 126 of the IC chip 12 is a connection wiring that connects the IC chip 12 and the IC chip 13, and is a wiring through which a digital signal transmitted from the IC chip 12 to the IC chip 13 propagates. .
  • the connection wiring that connects the IC chip 12 and the IC chip 13 is an example of a second connection wiring.
  • the echo signal transmitted from the IC chip 11 to the IC chip 12 propagates through the connection wiring that connects the IC chip 11 and the IC chip 12.
  • An echo signal transmitted from the IC chip 12 to the IC chip 13 propagates through the connection wiring connected to the output terminal 126 of the IC chip 12.
  • the echo signal transmitted from the IC chip 11 to the IC chip 12 is a weak analog signal.
  • the echo signal transmitted from the IC chip 12 to the IC chip 13 is a high-speed digital signal, and it is necessary to consider the influence of switching noise. Therefore, the connection wiring through which the echo signal transmitted from the IC chip 11 to the IC chip 12 propagates does not intersect the connection wiring through which the echo signal transmitted from the IC chip 12 to the IC chip 13 propagates in plan view. Are formed in the wiring board 20. Thereby, mixing of noise into the echo signal transmitted from the IC chip 11 to the IC chip 12 is suppressed. Therefore, noise countermeasures can be taken for wiring with high noise sensitivity.
  • connection wiring for connecting the IC chip 11 and the IC chip 12 and the wiring connected to the control terminal 124 of the IC chip 12 are arranged in different layers of the wiring board 20. Therefore, as shown in FIG. 6, the connection wiring for connecting the IC chip 11 and the IC chip 12 and the wiring connected to the control terminal 124 of the IC chip 12 partially intersect in plan view.
  • a control signal transmitted from the IC chip 13 to the IC chip 12 propagates through the wiring connected to the control terminal 124 of the IC chip 12. Since the control signal transmitted from the IC chip 13 to the IC chip 12 is a low-speed digital signal, the influence of noise on the echo signal transmitted from the IC chip 11 to the IC chip 12 is small.
  • the power supply IC 16 controls the power supplied to the IC chips 11 and 12. That is, the power supply IC 16 boosts or lowers the voltage of the power input from the battery unit 18 and supplies power to the IC chips 11 and 12.
  • the power supply IC 17 controls the power supplied to the IC chip 13. That is, the power supply IC 17 boosts or lowers the voltage of the power input from the battery unit 18 and supplies power to the IC chip 13.
  • the battery unit 18 is connected to an external power source, receives electric power from the external power source, and accumulates electric power.
  • the battery unit 18 supplies power to the IC chips 11 and 12 through the power supply IC 16 and supplies power to the IC chip 13 through the power supply IC 17.
  • power is supplied from the power supply unit 18 to the IC chips 11 and 12 via the power supply IC 16, and power is supplied to the IC chip 13 from the power supply unit 18 via the power supply IC 17.
  • a digital echo signal is input to the IC chip 13
  • power is supplied from the battery unit 18 to the IC chip 13 via a power supply IC 17 different from the power supply IC 16.
  • the IC chips 11 and 12 are driven by the same power supply IC (power supply IC 16 in FIG. 2), and the IC chip 13 is driven by another power supply IC (power supply IC 17 in FIG. 2).
  • it can suppress that the power supply noise of IC chip 13 is transmitted to IC chips 11 and 12 via power supply IC. Therefore, noise mixture with respect to the echo signals input to the IC chips 11 and 12 is suppressed.
  • the power supply ICs 16 and 17 are, for example, DC-DC converters or LDOs (Low Drop Out).
  • the DC-DC converter is also called a switching regulator, and the LDO is also called a linear regulator or a series regulator. Since a DC-DC converter performs power conversion (voltage or current conversion) by high-speed switching using a semiconductor element, switching noise occurs.
  • Each transducer of the transducer 10 resonates at a unique frequency (for example, 6.5 MHz).
  • the operating frequency (switching frequency) of the switching operation of the power supply IC 16 is shifted from the resonance frequency of each transducer of the transducer 10.
  • a predetermined frequency band (a width of a predetermined frequency) including the resonance frequency of each vibrator of the transducer 10 is different from an operating frequency of the switching operation of the power supply IC 16.
  • the predetermined frequency band including the resonance frequency of each transducer of the transducer 10 may be 6.5 MHz to 9.5 MHz, and the operating frequency of the switching operation of the power supply IC 16 may be 10 MHz.
  • the power supply IC 17 is a DC-DC converter, the operating frequency of the switching operation of the power supply IC 17 may be shifted from the resonance frequency of each vibrator of the transducer 10.
  • FIG. 7 is a diagram showing an example of the arrangement of the battery units 18.
  • the ultrasonic probe 2 is disposed between the wiring board 20, the wiring board (substrate) 40 disposed to face the wiring board 20, and the wiring board 20 and the wiring board 40. And a connector 41.
  • the wiring board 40 is an example of a second substrate.
  • Power supply ICs 16 and 17 and a battery unit 18 are provided on the wiring board 40.
  • a support (not shown) is provided on the upper surface (main surface) of the wiring board 20, and the wiring board 40 is fixed to the support of the wiring board 20.
  • Power supply ICs 16 and 17 and a battery unit 18 are arranged on the upper surface of the wiring board 40. In FIG. 7, the power supply IC 17 is not shown.
  • the upper surface of the wiring board 40 is a surface facing the upper surface of the wiring board 20.
  • Pads (electrodes) 42 and 43 are formed on the upper surface of the wiring board 40.
  • the power supply ICs 16 and 17 are electrically connected to the pad 42, and the battery unit 18 is electrically connected to the pad 43.
  • the power supply ICs 16 and 17 and the battery unit 18 are connected to the wiring board 20 via the connector 41. That is, power is supplied from the power supply unit 18 to the IC chips 11 and 12 through the power supply IC 16 and the connector 41, and power is supplied from the power supply unit 18 to the IC chip 13 through the power supply IC 17 and the connector 41. Is done.
  • the battery unit 18 is disposed so as to face the IC chip 11, and a space is provided between the IC chip 11 and the battery unit 18. That is, in the ultrasonic probe 2 shown in FIG. 7, the IC chip 11 and the battery unit 18 are three-dimensionally mounted so that the IC chip 11 and the battery unit 18 face each other.
  • the battery unit 18 has a feature that noise is small and it is difficult to become a noise source. Therefore, by arranging the battery unit 18 so as to face the IC chip 11, the battery unit 18 functions as a shield, and radiation noise from the outside of the ultrasonic probe 2 to the IC chip 11 can be reduced.
  • FIG. 7 is not limited to the arrangement example of the battery unit 18 shown in FIG. 7, and the battery unit 18 may be arranged to face the IC chip 12 as shown in FIG. 8.
  • FIG. 8 is a diagram illustrating an example of the arrangement of the battery units 18.
  • a support (not shown) is provided on the lower surface of the wiring board 20, and the wiring board 40 is fixed to the support of the wiring board 20.
  • the power supply ICs 16 and 17 and the battery unit 18 are disposed on the upper surface (main surface) of the wiring board 40. In FIG. 8, the power supply IC 17 is not shown.
  • the upper surface of the wiring board 40 is a surface facing the lower surface of the wiring board 20.
  • the battery unit 18 is disposed so as to face the IC chip 12, and a space is provided between the IC chip 12 and the battery unit 18. That is, in the ultrasonic probe 2 shown in FIG. 8, the IC chip 12 and the battery unit 18 are three-dimensionally mounted so that the IC chip 12 and the battery unit 18 face each other. By disposing the battery unit 18 so as to face the IC chip 12, the battery unit 18 functions as a shield, and radiation noise from the outside of the ultrasonic probe 2 to the IC chip 12 can be reduced.
  • FIG. 9 is a partial cross-sectional view of the ultrasonic probe 2. As shown in FIG. 9, by providing solder balls 50 between the IC chips 11 to 13 and the wiring board 20, the IC chips 11 to 13 are electrically connected to each other.
  • FIG. 4 shows an example in which four connection terminals 121 are arranged along each of two opposing sides of the IC chip 12. Not limited to the example shown in FIG. 4, eight connection terminals 121 may be arranged along one side of the IC chip 12.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating an example of the arrangement of the IC chips 11 and 12 when eight connection terminals 121 are arranged along one side of the IC chip 12. In FIG. 10, the arrangement position of the IC chip 11 on the wiring board 20 and the arrangement position of the IC chip 12 on the wiring board 20 are shown transparently in a plan view.
  • Each of the plurality of connection wirings connecting the IC chip 11 and the IC chip 12 is formed in the wiring board 20 so as not to cross each other in a plan view. Therefore, occurrence of crosstalk in a plurality of connection wirings connecting the IC chip 11 and the IC chip 12 is suppressed.
  • the wiring board 20 is configured such that a plurality of connection wirings connecting the IC chip 11 and the IC chip 12 do not intersect with wirings connected to the control terminals 124 of the IC chip 12 in plan view. Is placed inside. Therefore, occurrence of crosstalk in the connection wiring connecting the IC chip 11 and the IC chip 12 and the wiring connected to the control terminal 124 of the IC chip 12 is suppressed.
  • the wiring connected to the control terminal 124 of the IC chip 12 is a connection wiring that connects the IC chip 12 and the IC chip 13, and is a wiring through which a control signal transmitted from the IC chip 13 to the IC chip 12 propagates. .
  • the ultrasonic probe 2 it is possible to suppress noise from being mixed into an echo signal propagating through a connection wiring that connects the transducer 10 and the IC chip 11, and connection wiring that connects the IC chip 11 and the IC chip 12. Can be prevented from being mixed into the echo signal propagating through the. Therefore, even if the voltage of the pulse transmitted to the transducer 10 is lowered and the transmission / reception power of the ultrasonic wave is attenuated, it is possible to suppress noise from being mixed into the echo signal. Therefore, the voltage of the pulse transmitted to the transducer 10 can be lowered, and the power consumption of the ultrasonic probe 2 is improved. According to the ultrasonic probe 2, since the area of the connection wiring connecting the IC chip 11 and the IC chip 12 can be reduced, the mounting area of the wiring board 20 is reduced and the miniaturization of the ultrasonic probe 2 is improved. To do.

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Abstract

 信号に対する雑音混入を抑制する。超音波プローブは、超音波を送受信し、かつ、超音波信号と電圧信号とを相互に変換するトランスデューサと、前記トランスデューサにパルス電圧信号を送信し、かつ、前記トランスデューサから前記電圧信号を受信する第1回路と、前記第1回路から受信した前記電圧信号をアナログ値からデジタル値に変換する第2回路と、前記第1回路及び前記第2回路に電力を供給する電池ユニットと、前記トランスデューサ、前記第1回路及び前記第2回路が設けられた基板と、を備え、前記第1回路は、前記基板の第1面に配置され、前記第2回路は、前記基板の前記第1面の反対側の第2面に配置されている。

Description

超音波プローブ
 本発明は、超音波プローブに関する。
 被検体、例えば、人体内の超音波画像を取得して、診断に供する超音波画像診断装置が用いられている。図11は、超音波画像診断装置90のブロック図である。超音波画像診断装置90は、トランスデューサ91、IC(Integrated Circuit)チップ92~94及びモニタ95を備える。
 トランスデューサ91は、超音波を送信し、被検体によって反射された超音波(エコー)を受信する。ICチップ92は、高電圧のパルスをトランスデューサ91に送信し、トランスデューサ91からエコーに応じた電圧信号(以下、エコー信号)を受信する。ICチップ92は、エコー信号をICチップ93に送信する。ICチップ93は、エコー信号を受信し、エコー信号をアンプで増幅した後、デジタル値に変換する。ICチップ93は、デジタル値に変換されたエコー信号をICチップ94に送信する。ICチップ94は、デジタル値に変換されたエコー信号を受信し、デジタル値に変換されたエコー信号に基づいて画像処理を行って画像を生成し、モニタ95に画像を表示する。
 トランスデューサ91とICチップ92との接続はアナログケーブルが用いられている。このアナログケーブルは、N-chの同軸ケーブルの束である。アナログケーブルは、高電圧(例えば、100V以上の電圧)の信号を伝達する一方で、トランスデューサ91からの微弱な信号を低雑音で伝搬させるためコストが高い。トランスデューサ91はプローブ内に設けられ、ICチップ92~94及びモニタ95は装置本体に設けられる。プローブを診断箇所に当てて超音波診断が行われるため、ケーブルの長さによって診断箇所が制限される場合がある。また、ケーブルと人体とが接触することによる衛生面を考慮する必要がある。そのため、トランスデューサ91及びICチップ92~94をプローブ内に収容し、プローブとモニタ95とを無線接続することにより、プローブとモニタ95との間をケーブルレスとする技術が知られている。
特表2002-530142号公報 特表2010-528696号公報 特表2003-506172号公報 特開2007-244580号公報
 プローブとモニタ95との間をケーブルレスとする場合、トランスデューサ91及びICチップ92~94に電力を供給する電源をプローブ内に収容することになる。したがって、プローブの低電力化が要求されている。パルスの電圧を大幅に下げる(例えば、電圧を100Vから25Vに変更する)ことにより、低電力化が図られる。しかし、パルスの電圧を下げると、超音波の送受信パワーも減衰するため、エコー信号に雑音が混入すると、エコー信号に基づいて生成される画像が劣化するおそれがある。
 本願の一つの側面では、信号に対する雑音混入を抑制することを目的とする。
 本願の一つの側面による超音波プローブは、超音波を送受信し、かつ、超音波信号と電圧信号とを相互に変換するトランスデューサと、前記トランスデューサにパルス電圧信号を送信し、かつ、前記トランスデューサから前記電圧信号を受信する第1回路と、前記第1回路から受信した前記電圧信号をアナログ値からデジタル値に変換する第2回路と、前記第1回路及び前記第2回路に電力を供給する電池ユニットと、前記トランスデューサ、前記第1回路及び前記第2回路が設けられた基板と、を備え、前記第1回路は、前記基板の第1面に配置され、前記第2回路は、前記基板の前記第1面の反対側の第2面に配置されている。
 本願の一つの側面によれば、信号に対する雑音混入を抑制することができる。
図1は、超音波画像診断装置の構成の一例を示すブロック図である。 図2は、超音波プローブの構成の一例を示すブロック図である。 図3は、ICチップ(第1のIC)の構成の一例を示す図である。 図4は、ICチップ(第2のIC)の構成の一例を示す図である。 図5Aは、超音波プローブの部分断面図である。 図5Bは、超音波プローブの部分断面図である。 図5Cは、超音波プローブの部分断面図である。 図6は、ICチップ(第1のIC、第2のIC)の配置の一例を示す図である。 図7は、電池ユニットの配置の一例を示す図である。 図8は、電池ユニットの配置の一例を示す図である。 図9は、超音波プローブの部分断面図である。 図10は、ICチップ(第1のIC、第2のIC)の配置の一例を示す図である。 図11は、超音波画像診断装置のブロック図である。
 以下、図面を参照して実施形態に係る超音波プローブについて説明する。以下に示す超音波プローブの構成は例示であり、実施形態に係る超音波プローブの構成は、以下に示す構成に限定されない。
 図1は、超音波画像診断装置1の構成の一例を示すブロック図である。超音波画像診断装置1は、超音波プローブ2、画像処理部3及びモニタ4を備える。超音波プローブ2と画像処理部3とは無線により相互に通信が可能である。すなわち、超音波プローブ2と画像処理部3との間はケーブルレスとなっている。画像処理部3とモニタ4との間はケーブルを介して有線接続されている。ただし、画像処理部3とモニタ4との間を無線接続してもよい。
 図2は、超音波プローブ2の構成の一例を示すブロック図である。超音波プローブ2は、トランスデューサ10、ICチップ(第1のIC)11、ICチップ(第2のIC)12、ICチップ(第3のIC)13、無線モジュール14、アンテナ15、電源IC16、17及び電池ユニット18を備える。超音波プローブ2内に、トランスデューサ10、ICチップ11~13、無線モジュール14、アンテナ15、電源IC16、17及び電池ユニット18が収容されている。ICチップ11は、第1回路の一例である。ICチップ12は、第2回路の一例である。ICチップ13は、第3回路の一例である。
 トランスデューサ10は、超音波を送信し、被検体によって反射された超音波(エコー)を受信する。また、トランスデューサ10は、超音波信号と電圧信号とを相互に変換する。トランスデューサ10は、短冊状に配列された複数の振動子を有している。振動子は、圧電素子等の圧電体と、圧電体の両側に形成された電極とを有している。電極に電圧が印加され、圧電体が伸縮することにより各振動子から超音波が発生する。また、各振動子が超音波を受信することにより伸縮して電気信号を発生する。トランスデューサ10は、各振動子が発生した電気信号に基づいて、エコーに応じた電圧信号(以下、エコー信号)をICチップ11に送信する。
 ICチップ11は、高電圧のパルス(パルス電圧信号)をトランスデューサ10に送信し、トランスデューサ10からエコー信号を受信する。ICチップ11は、エコー信号をICチップ12に送信する。図3は、ICチップ11の構成の一例を示す図である。ICチップ11は複数の接続端子111及び複数の送受信回路112を有する。接続端子111は、トランスデューサ10との接続に用いられる。送受信回路112は、接続端子111を介して、トランスデューサ10へパルス電圧信号を送信し、トランスデューサ10からのエコー信号を受信する。ICチップ11の1辺又は複数辺に沿って、複数の接続端子111がICチップ11に配置されている。図3に示す例では、ICチップ11の3辺に沿って、複数の接続端子111がICチップ11に配置されている。
 また、ICチップ11は、制御回路113、出力セレクタ回路114、複数の制御端子115及び複数の出力端子116を有する。制御回路113は、制御端子115を介してICチップ13からの制御信号を受信し、制御信号に基づいて、ICチップ11の動作を制御する。制御回路113に入力される制御信号に基づいて、任意のチャネル(接続端子111及び送受信回路112を含む送信経路)が選択され、ICチップ11からトランスデューサ10にパルス電圧信号が送信される。
 出力セレクタ回路114は、制御回路113に入力される制御信号に基づいて、出力セレクタ回路114に入力されるエコー信号を選択し、選択されたエコー信号を複数の出力端子116を介してICチップ12に出力する。したがって、制御回路113に入力される制御信号に基づいて、任意のチャネル(接続端子111及び送受信回路112を含む送信経路)が選択され、ICチップ11からICチップ12にエコー信号が送信される。出力端子116は、ICチップ12との接続に用いられる。図3に示す例では、ICチップ11の1辺に沿って、複数の出力端子116がICチップ11に配置されている。出力端子116は、ICチップ11の接続端子111が配置されている辺とは異なる辺に配置されている。図3に示す例では、最大8チャネル分のエコー信号が、複数の出力端子116(a1~a8)を介してICチップ12に送信される。
 ICチップ12は、ICチップ11からエコー信号を受信し、エコー信号をアンプで増幅し、増幅されたエコー信号をアナログ値からデジタル値に変換する。図4は、ICチップ12の構成の一例を示す図である。ICチップ12は、複数の接続端子121、複数の信号調整回路122、制御回路123、複数の制御端子124、出力バッファ125及び複数の出力端子126を備える。複数の接続端子121は、ICチップ11との接続に用いられる。複数の出力端子126は、ICチップ13との接続に用いられる。また、ICチップ12は、ICチップ11からエコー信号を受信し、エコー信号をアナログ値からデジタル値に変換してもよい。すなわち、ICチップ12は、エコー信号を増幅させずに、エコー信号をアナログ値からデジタル値に変換してもよい。
 信号調整回路122は、例えば、AFE(Analog Front End)である。信号調整回路122は、アンプ127及びADC(Analog to Digital Converter)128を有する。アンプ127は、入力されるエコー信号を増幅する。ADC128は、入力されるエコー信号をアナログ値からデジタル値に変換して出力する。すなわち、ADC128は、アナログのエコー信号をデジタルのエコー信号に変換する。ADC128から出力されるエコー信号は、出力バッファ125及び出力端子126を介してICチップ13に送信される。ICチップ12が、エコー信号を増幅させずに、エコー信号をアナログ値からデジタル値に変換する場合、アンプ127を省略してもよい。
 制御回路123は、制御端子124を介してICチップ13からの制御信号を受信し、制御信号に基づいて、ICチップ12の動作を制御する。制御端子124を介して入力される制御信号は、アンプ127のゲインを制御する信号を含む。
 図4に示す例では、信号調整回路122が各チャネルに対して配置されており、最大8チャネル分のエコー信号が増幅及びA/D変換される。図4に示す例では、ICチップ12の対向する2辺の其々に沿って4つの接続端子121が配置されている。したがって、ICチップ12の対向する2辺の其々に対して4チャネル分のエコー信号が入力される。図4に示す例では、ICチップ12の接続端子が配置されている辺とは異なる1辺に沿って制御端子124が配置され、ICチップ12の制御端子124が配置されている辺と対向する辺に沿って出力端子126が配置されている。したがって、ICチップ12は、アナログのエコー信号が入力される部分と、デジタルのエコー信号が出力される部分とが分離されている。また、ICチップ12は、アナログのエコー信号が入力される部分と、制御信号が入力される部分とが分離されている。
 ICチップ13は、ICチップ11、12に制御信号を送信する。ICチップ13は、ICチップ12からデジタルのエコー信号を受信する。ICチップ13は、エコー信号に基づいて画像処理を行い、画像信号を生成する。ICチップ13は、画像信号を無線モジュール14に送信する。無線モジュール14は、ICチップ13から画像信号を受信する。無線モジュール14は、アンテナ15を介して画像処理部3が有する無線モジュールに、画像信号を無線送信する。画像処理部3は、画像信号に基づいて画像をモニタ4に表示する。画像処理部3は、CPU(Central Processing Unit)等のプロセッサと、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)等のメモリ(記憶装置)とを備えるコンピュータである。モニタ4は、例えば、CRT(Cathode Ray Tube)、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ及び有機EL(electroluminescence)ディスプレイ等の表示装置である。
 ICチップ13が、エコー信号を無線モジュール14に送信し、無線モジュール14は、ICチップ13からエコー信号を受信してもよい。この場合、無線モジュール14は、アンテナ15を介して画像処理部3が有する無線モジュールに、エコー信号を無線送信する。画像処理部3は、エコー信号に基づいて画像処理を行い、画像信号を生成し、画像信号に基づいて画像をモニタ4に表示する。
 トランスデューサ10とICチップ11とを接続する接続配線(信号線)、及びICチップ11とICチップ12とを接続する接続配線は、微弱なエコー信号が送受信される配線である。そのため、トランスデューサ10とICチップ11とを接続する接続配線、及びICチップ11とICチップ12とを接続する接続配線は、十分な雑音対策が要求されている。トランスデューサ10とICチップ11とを接続する接続配線、及びICチップ11とICチップ12とを接続する接続配線における雑音対策について説明する。トランスデューサ10とICチップ11とを接続する接続配線は、第1接続配線の一例である。ICチップ11とICチップ12とを接続する接続配線は、第2接続配線の一例である。
 雑音対策として、超音波プローブ2が備える基板において、雑音源となり得る信号配線との交差を避けたり、シールドを行ったりすることが挙げられる。雑音源は、例えば、スイッチング雑音や外部からの輻射雑音である。
 図5A~図5Cは、超音波プローブ2の部分断面図である。図5A~図5Cに示すように、配線板20にトランスデューサ10及びICチップ11~13が設けられ、トランスデューサ10及びICチップ11~13は、配線板(基板)20の内層配線及びスルーホールを用いて接続されている。内層配線は、例えば、銅(Cu)等で形成された金属配線である。スルーホールは、配線板20に設けられた孔と、孔の側壁に形成された銅めっきとを有する。スルーホールは、ビアとも呼ばれる。トランスデューサ10は、配線板20の側面に取り付けられている。配線板20は、例えば、PCB(Printed Circuit Board)である。配線板20は、基板の一例である。配線板20を2層以上の多層配線とすることで、配線板20の内部における上下左右の層でのクロストークの発生を抑制することができる。また、配線板20の内層配線の周囲をグランドシールドすることにより、超音波プローブ2の外部からの雑音混入を抑制することができる。
 図5Aは、トランスデューサ10とICチップ11とを接続する接続配線を示している。配線板20の上面(第1面)にICチップ11が配置されている。配線板20の上面にコネクタ21及びパッド(電極)22が形成されている。配線板20の内部にスルーホール23、24及び内層配線25が形成されている。コネクタ21とスルーホール23とが電気的に接続され、パッド22とスルーホール24とが電気的に接続されている。内層配線25は、スルーホール23、24の其々と電気的に接続されている。ICチップ11の接続端子111とパッド22とが電気的に接続されている。
 トランスデューサ10の接続端子101がコネクタ21に接触し、トランスデューサ10の接続端子101とコネクタ21とが電気的に接続することにより、トランスデューサ10とICチップ11とが電気的に接続される。スルーホール23、24及び内層配線25の周囲には、グランドに接続されたグランド線が形成され、スルーホール23、24及び内層配線25の周囲がグランドシールドされている。したがって、トランスデューサ10とICチップ11とを接続する接続配線(図5Aに示す例では、スルーホール23、24及び内層配線25を含む配線)を伝播する(通る)エコー信号に対する雑音混入が抑制される。
 図5Bは、ICチップ11とICチップ12とを接続する接続配線を示している。配線板20の上面にICチップ11が配置され、配線板20の下面(第2面)にICチップ12が配置されている。配線板20の下面は、配線板20の上面の反対側の面である。配線板20の上面にパッド(電極)26が形成されている。配線板20の下面にパッド(電極)27が形成されている。配線板20の内部にスルーホール28、29及び内層配線30が形成されている。
 パッド26とスルーホール28とが電気的に接続され、パッド27とスルーホール29とが電気的に接続されている。内層配線30は、スルーホール28、29の其々と電気的に接続されている。ICチップ11の出力端子116とパッド26とが電気的に接続されている。ICチップ12の接続端子121とパッド27とが電気的に接続されている。これらの電気的な接続により、ICチップ11とICチップ12とが電気的に接続される。
 図5Bに示すように、配線板20の上面にICチップ11が配置され、配線板20の下面にICチップ12が配置されている。すなわち、ICチップ11とICチップ12とが、配線板20の上下面(表裏面)に配置されている。そのため、ICチップ11とICチップ12とを接続する接続配線(図5Bに示す例では、スルーホール28、29及び内層配線30を含む配線)を短くすることができる。ICチップ11、12の両方を配線板20の同一面に配置する場合と比較して、ICチップ11とICチップ12とを接続する接続配線を短くすることができる。ICチップ11とICチップ12とを接続する接続配線を短くすることにより、ICチップ11とICチップ12を接続する接続配線を伝播するエコー信号に対する雑音混入が抑制される。また、ICチップ11、12の両方を配線板20の同一面に配置する場合と比較して、ICチップ11とICチップ12とを接続する接続配線の領域を小さくすることができる。
 スルーホール28、29及び内層配線30の周囲には、グランドに接続されたグランド線が形成され、スルーホール28、29及び内層配線30の周囲がグランドシールドされている。したがって、ICチップ11とICチップ12とを接続する接続配線を伝播するエコー信号に対する雑音混入が抑制される。
 図5Cは、ICチップ11とICチップ13とを接続する接続配線及びICチップ12とICチップ13とを接続する接続配線を示している。配線板20の上面にICチップ11が配置され、配線板20の下面にICチップ12、13が配置されている。図5Cに示す例では、配線板20の下面にICチップ13を配置しているが、配線板20の上面にICチップ13を配置してもよい。配線板20の上面にパッド(電極)31が形成されている。配線板20の下面にパッド(電極)32、33が形成されている。配線板20の内部にスルーホール34、35、36及び内層配線37が形成されている。
 パッド31とスルーホール34とが電気的に接続され、パッド32とスルーホール35とが電気的に接続され、パッド33とスルーホール36とが電気的に接続されている。内層配線37は、スルーホール34、35、36の其々と電気的に接続されている。ICチップ11の制御端子115とパッド31とが電気的に接続されている。ICチップ12は、複数の外部端子129を有する。外部端子129は、制御端子124又は出力端子126である。ICチップ12の外部端子129とパッド32とが電気的に接続されている。ICチップ13は、複数の外部端子131を有する。外部端子131は、制御端子又は信号端子である。ICチップ13の外部端子131とパッド33とが電気的に接続されている。ICチップ11とICチップ13とが電気的に接続され、ICチップ12とICチップ13とが電気的に接続されている。これらの電気的な接続により、ICチップ11とICチップ13とが電気的に接続され、ICチップ12とICチップ13とが電気的に接続される。
 スルーホール34、35、36及び内層配線37の周囲には、グランドに接続されたグランド線が形成され、スルーホール34、35、36及び内層配線37の周囲がグランドシールドされている。したがって、ICチップ11とICチップ13とを接続する接続配線(図5Cに示す例では、スルーホール34、36及び内層配線37を含む配線)を伝播する制御信号に対する雑音混入が抑制される。また、ICチップ12とICチップ13とを接続する接続配線(図5Cに示す例では、スルーホール34、35及び内層配線37を含む配線)を伝播する制御信号又はエコー信号に対する雑音混入が抑制される。
 図6は、ICチップ11、12の配置の一例を示す図である。図6では、配線板20におけるICチップ11の配置位置と、配線板20におけるICチップ12の配置位置とを平面視で透視的に示している。図6に示すように、ICチップ11の出力端子116及びICチップ12の接続端子121を繋ぐ複数の配線が図示されている。ICチップ11の出力端子116及びICチップ12の接続端子121を繋ぐ配線が、ICチップ11とICチップ12とを接続する接続配線である。ICチップ11とICチップ12とを接続する複数の接続配線の其々が、平面視で互いに交差しないようにして配線板20内に形成されている。したがって、ICチップ11とICチップ12とを接続する複数の接続配線におけるクロストークの発生が抑制される。また、ICチップ11の接続端子111はICチップ12の接続端子121を平面視で囲むように形成されている。このようにICチップ11とICチップ12の接続端子を交差させないことにより接続端子部分でのクロストークの発生が抑制される。
 図6に示すように、ICチップ11とICチップ12とを接続する複数の接続配線が、ICチップ12の出力端子126に繋がっている複数の配線と平面視で交差しないようにして配線板20内に形成されている。ICチップ12の出力端子126に繋がっている配線は、ICチップ12とICチップ13とを接続する接続配線であって、ICチップ12からICチップ13に送信されるデジタル信号が伝播する配線である。ICチップ12とICチップ13とを接続する接続配線は、第2接続配線の一例である。
 ICチップ11とICチップ12とを接続する接続配線は、ICチップ11からICチップ12に送信されるエコー信号が伝播する。ICチップ12の出力端子126に繋がっている接続配線は、ICチップ12からICチップ13に送信されるエコー信号が伝播する。ICチップ11からICチップ12に送信されるエコー信号は、微弱なアナログ信号である。一方、ICチップ12からICチップ13に送信されるエコー信号は、高速なデジタル信号であり、スイッチングノイズの影響を考慮する必要がある。そのため、ICチップ11からICチップ12に送信されるエコー信号が伝播する接続配線と、ICチップ12からICチップ13に送信されるエコー信号が伝播する接続配線とが、平面視で交差しないようにして配線板20内に形成されている。これにより、ICチップ11からICチップ12に送信されるエコー信号に対する雑音混入が抑制される。したがって、雑音感度の高い配線に対する雑音対策を施すことができる。
 ICチップ11とICチップ12とを接続する接続配線と、ICチップ12の制御端子124に繋がっている配線とが配線板20の異なる層に配置されている。そのため、図6に示すように、ICチップ11とICチップ12とを接続する接続配線と、ICチップ12の制御端子124に繋がっている配線とが、平面視で部分的に交差している。ICチップ12の制御端子124に繋がっている配線は、ICチップ13からICチップ12に送信される制御信号が伝播する。ICチップ13からICチップ12に送信される制御信号は、低速なデジタル信号であるため、ICチップ11からICチップ12に送信されるエコー信号に対する雑音混入の影響が小さい。
 図2に戻り、電源IC16、17及び電池ユニット18について説明する。電源IC16は、ICチップ11、12に供給される電力を制御する。すなわち、電源IC16は、電池ユニット18から入力される電力の電圧を昇圧又は降圧して、ICチップ11、12に電力を供給する。電源IC17は、ICチップ13に供給される電力を制御する。すなわち、電源IC17は、電池ユニット18から入力される電力の電圧を昇圧又は降圧して、ICチップ13に電力を供給する。電池ユニット18は、外部電源に接続され、外部電源からの電力供給を受けて、電力を蓄積する。電池ユニット18は、電源IC16を介して、ICチップ11、12に電力を供給し、電源IC17を介して、ICチップ13に電力を供給する。
 図2に示すように、ICチップ11、12には、電源IC16を介して、電源ユニット18から電力が供給され、ICチップ13には、電源IC17を介して、電源ユニット18から電力が供給される。ICチップ11、12には、アナログのエコー信号が入力されるため、電源IC16を介して、電池ユニット18からICチップ11、12に電力が供給されている。一方、ICチップ13には、デジタルのエコー信号が入力されるため、電源IC16とは異なる電源IC17を介して、電池ユニット18からICチップ13に電力が供給されている。ICチップ11、12を同じ電源IC(図2では電源IC16)で駆動し、ICチップ13を別の電源IC(図2では電源IC17)で駆動する。これにより、ICチップ13の電源ノイズが、電源ICを介してICチップ11、12に伝達されることを抑制できる。したがって、ICチップ11、12に入力されるエコー信号に対する雑音混入が抑制される。
 電源IC16、17は、例えば、DC-DCコンバータ又はLDO(Low Drop Out)である。DC-DCコンバータは、スイッチングレギュレータとも呼ばれ、LDOは、リニアレギュレータ又はシリーズレギュレータとも呼ばれる。DC-DCコンバータは、半導体素子による高速スイッチングで電力変換(電圧や電流の変換)を行うため、スイッチングノイズが発生する。トランスデューサ10の各振動子は、固有の周波数(例えば、6.5MHz)で共振する。
 電源IC16が、DC-DCコンバータである場合、電源IC16のスイッチング動作の動作周波数(スイッチング周波数)を、トランスデューサ10の各振動子の共振周波数からずらす。例えば、トランスデューサ10の各振動子の共振周波数を含む所定周波数帯域(所定周波数の幅)と、電源IC16のスイッチング動作の動作周波数とを異ならせる。これにより、トランスデューサ10からICチップ11に送信されるエコー信号及びICチップ11からICチップ12に送信されるエコー信号に対する雑音混入を抑制することができる。例えば、トランスデューサ10の各振動子の共振周波数を含む所定周波数帯域を6.5MHz以上9.5MHz以下とし、電源IC16のスイッチング動作の動作周波数を10MHzとしてもよい。なお、電源IC17が、DC-DCコンバータである場合、電源IC17のスイッチング動作の動作周波数を、トランスデューサ10の各振動子の共振周波数からずらしてもよい。
 図7は、電池ユニット18の配置の一例を示す図である。図7に示すように、超音波プローブ2は、配線板20と、配線板20と対向して配置された配線板(基板)40と、配線板20と配線板40との間に配置されたコネクタ41とを備える。配線板40は、第2基板の一例である。配線板40に電源IC16、17及び電池ユニット18が設けられている。配線板20の上面(主面)に支柱(図示せず)が設けられており、配線板20の支柱に配線板40が固定されている。配線板40の上面に電源IC16、17及び電池ユニット18が配置されている。なお、図7では、電源IC17の図示が省略されている。配線板40の上面は、配線板20の上面と対向する側の面である。配線板40の上面にパッド(電極)42、43が形成されている。
 電源IC16、17は、パッド42と電気的に接続され、電池ユニット18は、パッド43と電気的に接続されている。電源IC16、17及び電池ユニット18は、コネクタ41を介して配線板20と接続されている。すなわち、ICチップ11、12には、電源IC16及びコネクタ41を介して、電源ユニット18から電力が供給され、ICチップ13には、電源IC17及びコネクタ41を介して、電源ユニット18から電力が供給される。
 図7に示すように、電池ユニット18が、ICチップ11と向かい合うようにして配置され、ICチップ11と電池ユニット18との間には空間が設けられている。すなわち、図7に示す超音波プローブ2では、ICチップ11と電池ユニット18とが向かい合わせになるように、ICチップ11及び電池ユニット18が3次元的に実装されている。電池ユニット18は、雑音が小さく雑音源となり難い特徴を有する。そのため、電池ユニット18を、ICチップ11と向かい合うようにして配置することにより、電池ユニット18がシールドとして機能し、ICチップ11に対する超音波プローブ2の外部からの輻射雑音を低減できる。
 図7に示す電池ユニット18の配置例に限らず、図8に示すように、電池ユニット18を、ICチップ12と向かい合うようにして配置してもよい。図8は、電池ユニット18の配置の一例を示す図である。配線板20の下面に支柱(図示せず)が設けられており、配線板20の支柱に配線板40が固定されている。配線板40の上面(主面)に電源IC16、17及び電池ユニット18が配置されている。なお、図8では、電源IC17の図示が省略されている。配線板40の上面は、配線板20の下面と対向する側の面である。
 図8に示すように、電池ユニット18が、ICチップ12と向かい合うようにして配置され、ICチップ12と電池ユニット18との間には空間が設けられている。すなわち、図8に示す超音波プローブ2では、ICチップ12と電池ユニット18とが向かい合わせになるように、ICチップ12及び電池ユニット18が3次元的に実装されている。電池ユニット18を、ICチップ12と向かい合うようにして配置することにより、電池ユニット18がシールドとして機能し、ICチップ12に対する超音波プローブ2の外部からの輻射雑音を低減できる。
 トランスデューサ10によって超音波が送受信されている間、トランスデューサ10からICチップ11にエコー信号を送信する間、及びICチップ11からICチップ12にエコー信号を送信する間、電池ユニット18への充電を停止する。電池ユニット18の充電中は、充電用IC(図示せず)が動作するため、充電用ICによるスイッチングノイズがエコー信号に影響を与える可能性がある。したがって、上記の期間、電池ユニット18への充電を停止することにより、充電用ICが発生するスイッチングノイズがエコー信号に混入することを抑止することができる。
 上記では、ICチップ11~13の端子を用いて、ICチップ11~13の相互間の電気的な接続を行う例を示している。この例に限らず、図9に示すように、BGA(Ball Grid Array)の半田ボールを用いて、ICチップ11~13の相互間の電気的な接続を行ってもよい。図9は、超音波プローブ2の部分断面図である。図9に示すように、ICチップ11~13と配線板20との間に半田ボール50を設けることにより、ICチップ11~13の相互間の電気的な接続が行われている。
 図4は、ICチップ12の対向する2辺の其々に沿って4つの接続端子121を配置する例を示している。図4に示す例に限らず、ICチップ12の1辺に沿って8つの接続端子121を配置してもよい。図10は、ICチップ12の1辺に沿って8つの接続端子121を配置した場合におけるICチップ11、12の配置の一例を示す図である。図10では、配線板20におけるICチップ11の配置位置と、配線板20におけるICチップ12の配置位置とを平面視で透視的に示している。
 ICチップ11とICチップ12とを接続する複数の接続配線の其々が、平面視で互いに交差しないようにして配線板20内に形成されている。したがって、ICチップ11とICチップ12とを接続する複数の接続配線におけるクロストークの発生が抑制される。また、図10に示すように、ICチップ11とICチップ12とを接続する複数の接続配線が、ICチップ12の制御端子124に繋がっている配線と平面視で交差しないようにして配線板20内に配置されている。したがって、ICチップ11とICチップ12とを接続する接続配線及びICチップ12の制御端子124に繋がっている配線におけるクロストークの発生が抑制される。ICチップ12の制御端子124に繋がっている配線は、ICチップ12とICチップ13とを接続する接続配線であって、ICチップ13からICチップ12に送信される制御信号が伝播する配線である。
 超音波プローブ2によれば、トランスデューサ10とICチップ11とを接続する接続配線を伝播するエコー信号に対する雑音混入を抑制することができ、また、ICチップ11とICチップ12とを接続する接続配線を伝播するエコー信号に対する雑音混入を抑制することができる。そのため、トランスデューサ10に送信されるパルスの電圧を下げ、超音波の送受信パワーが減衰しても、エコー信号に対する雑音混入を抑制することができる。したがって、トランスデューサ10に送信されるパルスの電圧を下げることが可能となり、超音波プローブ2の低電力化が向上する。超音波プローブ2によれば、ICチップ11とICチップ12とを接続する接続配線の領域を小さくすることができるため、配線板20の実装面積が小さくなり、超音波プローブ2の小型化が向上する。
1  超音波画像診断装置
2  超音波プローブ
3  画像処理部
4  モニタ
10  トランスデューサ
11~13  ICチップ
14  無線モジュール
15  アンテナ
16、17  電源IC
18  電池ユニット
20、40  配線板

Claims (8)

  1.  超音波を送受信し、かつ、超音波信号と電圧信号とを相互に変換するトランスデューサと、
     前記トランスデューサにパルス電圧信号を送信し、かつ、前記トランスデューサから前記電圧信号を受信する第1回路と、
     前記第1回路から受信した前記電圧信号をアナログ値からデジタル値に変換する第2回路と、
     前記第1回路及び前記第2回路に電力を供給する電池ユニットと、
     前記トランスデューサ、前記第1回路及び前記第2回路が設けられた基板と、
     を備え、
     前記第1回路は、前記基板の第1面に配置され、
     前記第2回路は、前記基板の前記第1面の反対側の第2面に配置されていることを特徴とする超音波プローブ。
  2.  前記第1回路と前記第2回路とを接続する複数の第1接続配線を更に備え、
     前記複数の第1接続配線の其々が、平面視で互いに交差しないようにして前記基板内に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の超音波プローブ。
  3.  デジタル値に変換された前記電圧信号を前記第2回路から受信する第3回路と、
     前記第2回路と前記第3回路とを接続する第2接続配線と、
     を更に備え、
     前記第3回路は、前記基板の前記第1面又は前記第2面に配置され、
     前記複数の第1接続配線と前記第2接続配線とが、平面視で互いに交差しないようにして前記基板内に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の超音波プローブ。
  4.  前記第1回路及び前記第2回路に供給される電力を制御する第1電源回路と、
     前記第3回路に供給される電力を制御する第2電源回路と、
     を更に備える請求項3に記載の超音波プローブ。
  5.  前記第1電源回路は、DC-DCコンバータであり、
     前記トランスデューサは、振動子を有し、
     前記振動子の共振周波数を含む所定周波数と、前記DC-DCコンバータの動作周波数とを異ならせることを特徴とする請求項4に記載の超音波プローブ。
  6.  前記基板と対向して配置され、前記電池ユニットが設けられた第2基板を更に備え、
     前記電池ユニットは、前記第1回路と向かい合うようにして前記第2基板に配置されていることを特徴とする請求項1から5の何れか一項に記載の超音波プローブ。
  7.  前記基板と対向して配置され、前記電池ユニットが設けられた第2基板を更に備え、
     前記電池ユニットは、前記第2回路と向かい合うようにして前記第2基板に配置されていることを特徴とする請求項1から5の何れか一項に記載の超音波プローブ。
  8.  前記基板の前記第1面に配置された前記第1回路との複数の接続端子は、前記基板の前記第2面に配置された前記第2回路との複数の接続端子を平面視で囲むように形成されていることを特徴とする請求項1から7の何れか一項に記載の超音波プローブ。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110133664A (zh) * 2019-04-28 2019-08-16 武汉华星光电技术有限公司 测距模组及显示面板

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6780485B2 (ja) * 2016-12-13 2020-11-04 コニカミノルタ株式会社 超音波探触子ユニットおよび超音波診断装置
KR102444289B1 (ko) * 2017-07-18 2022-09-16 삼성전자주식회사 인터포저, 이를 채용한 초음파 프로브, 및 인터포저를 제조하는 방법
EP3697314B1 (en) * 2017-10-19 2021-04-21 Koninklijke Philips N.V. Wireless digital patient interface module using wireless charging
JP2022025390A (ja) * 2020-07-29 2022-02-10 キヤノンメディカルシステムズ株式会社 超音波プローブ

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11177015A (ja) * 1997-12-11 1999-07-02 Canon Inc 半導体パッケージおよび半導体パッケージ実装用中間基板
JPH11274672A (ja) * 1998-03-19 1999-10-08 Denso Corp 制御回路基板及び車両用電子制御装置
JP2002530175A (ja) * 1998-11-20 2002-09-17 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ コードレス走査ヘッドの充電器を備える超音波診断イメージングシステム
JP2002289991A (ja) * 2001-03-28 2002-10-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 低emi回路基板
JP2010528698A (ja) * 2007-06-01 2010-08-26 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 無線超音波プローブケーブル
JP2010220791A (ja) * 2009-03-24 2010-10-07 Fujifilm Corp 超音波プローブ及び超音波診断装置
JP2015500117A (ja) * 2011-12-12 2015-01-05 スーパー・ソニック・イマジン 超音波撮像システム、および前記超音波撮像システムの内部で使用する処理装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3727216A (en) * 1971-01-28 1973-04-10 Mosler Safe Co Electromagnetic and ultrasonic doppler correlation intrusion alarm system
US6530887B1 (en) 1996-12-24 2003-03-11 Teratech Corporation Ultrasound probe with integrated electronics
US6512680B2 (en) 1997-09-19 2003-01-28 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor package
US6142946A (en) 1998-11-20 2000-11-07 Atl Ultrasound, Inc. Ultrasonic diagnostic imaging system with cordless scanheads
JP4785572B2 (ja) 2006-03-15 2011-10-05 日立アロカメディカル株式会社 ワイヤレス超音波診断装置
RU2502470C2 (ru) 2007-06-01 2013-12-27 Конинклейке Филипс Электроникс, Н.В. Облегченный беспроводной ультразвуковой датчик
US9107690B2 (en) * 2007-12-03 2015-08-18 Covidien Ag Battery-powered hand-held ultrasonic surgical cautery cutting device
US8439840B1 (en) * 2010-05-04 2013-05-14 Sonosite, Inc. Ultrasound imaging system and method with automatic adjustment and/or multiple sample volumes

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11177015A (ja) * 1997-12-11 1999-07-02 Canon Inc 半導体パッケージおよび半導体パッケージ実装用中間基板
JPH11274672A (ja) * 1998-03-19 1999-10-08 Denso Corp 制御回路基板及び車両用電子制御装置
JP2002530175A (ja) * 1998-11-20 2002-09-17 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ コードレス走査ヘッドの充電器を備える超音波診断イメージングシステム
JP2002289991A (ja) * 2001-03-28 2002-10-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 低emi回路基板
JP2010528698A (ja) * 2007-06-01 2010-08-26 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 無線超音波プローブケーブル
JP2010220791A (ja) * 2009-03-24 2010-10-07 Fujifilm Corp 超音波プローブ及び超音波診断装置
JP2015500117A (ja) * 2011-12-12 2015-01-05 スーパー・ソニック・イマジン 超音波撮像システム、および前記超音波撮像システムの内部で使用する処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110133664A (zh) * 2019-04-28 2019-08-16 武汉华星光电技术有限公司 测距模组及显示面板

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