WO2016166235A1 - Anordnung zur aufnahme von markermaterial - Google Patents

Anordnung zur aufnahme von markermaterial Download PDF

Info

Publication number
WO2016166235A1
WO2016166235A1 PCT/EP2016/058255 EP2016058255W WO2016166235A1 WO 2016166235 A1 WO2016166235 A1 WO 2016166235A1 EP 2016058255 W EP2016058255 W EP 2016058255W WO 2016166235 A1 WO2016166235 A1 WO 2016166235A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
boundary
arrangement
range
μιη
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2016/058255
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Christian Kurz
Sven GERHARD
Andreas Loeffler
Jens Mueller
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to US15/566,423 priority Critical patent/US10242949B2/en
Publication of WO2016166235A1 publication Critical patent/WO2016166235A1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W46/00—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H01S5/02375—Positioning of the laser chips
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/831—Electrodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W46/00—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification
    • H10W46/101—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification characterised by the type of information, e.g. logos or symbols
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W46/00—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification
    • H10W46/201—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification located on the periphery of wafers, e.g. orientation notches or lot numbers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W46/00—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification
    • H10W46/301—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification for alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W46/00—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification
    • H10W46/401—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification for identification or tracking
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W46/00—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification
    • H10W46/601—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification for use after dicing
    • H10W46/603—Formed on wafers or substrates before dicing and remaining on chips after dicing

Definitions

  • the invention relates to an arrangement according to claim 1.
  • marker material is applied in an ink process to that arrangement which is defective and has to be sorted out further.
  • the marker material serves to enable the arrangement to be automatically recognized by means of an optical image capture device and to be sorted out automatically.
  • Boundary layer a metallization layer and a
  • the semiconductor device has.
  • the metallization layer is disposed on the semiconductor device and the confinement layer is disposed on the metallization layer.
  • Boundary layer serves to create a reservoir for a
  • Marker material spatially at least partially defined
  • Metallization have an identical material.
  • the defined definition of the reservoir can also define a spatial extent of the marker material
  • the boundary layer and the metallization layer are set so that a particularly high recognition of the arrangement is ensured by the image capture device in the ink process. This can be a manual rework and / or a cross-contamination of running on the arrangements marker material can be avoided. Furthermore, the boundary layer and the metallization layer
  • Perimeter layer laterally a side surface and top side on top.
  • the side surface and the surface form a boundary edge.
  • the boundary edge limits the reservoir at least partially.
  • the boundary layer can be made particularly flat.
  • the side surface has an extent transverse to the surface with a value which is in a range of 0.1 ⁇ m to 4 ⁇ m, in particular in a range of 0.3 ⁇ m to 4 ⁇ m, in particular in a range of 0, 5 ym to 2 ym, more preferably in a range of 0.5 ym to 1.5 ym.
  • Boundary edge is held and also a projection of a bulge of the marker material over the boundary edge not in contact with the underlying
  • Outer contour has a projection with respect to the boundary edge, wherein the supernatant has a width with a value in a range of 1 ym to 5 ym,
  • Marker material would run over the boundary edge, on the metallization layer comes to rest. Although this leads to a reduced visibility by means of the optical image capture device, but it is ensured that further arrangements arranged on the wafer are not contaminated by the marker material.
  • Boundary layer on a boundary web is Boundary layer on a boundary web.
  • Boundary bridge extends into one of
  • the boundary web at least partially limits the reservoir.
  • the boundary web ensures, in particular in the case of strong vibrations introduced into the arrangement, that the marker material can not flow out of the reservoir, so that the
  • Limiting web has a distance to the outer contour with a value, wherein the value in a range of 0 ym to 20 ym, advantageously in a range of 5 ym to
  • the boundary web has a width with a value that lies in a range from 0.1 .mu.m to 0.8 .mu.m. As a result, an unintentional deformation of the boundary web is avoided.
  • the boundary web has a height with a value which is in a range of 0.1 .mu.m to 2 .mu.m, in particular in a range of 0.2 .mu.m to 1 .mu.m, particularly advantageously in a range of 0.1 .mu.m to 0.5 ym, lies. This will provide sufficient coverage on the surface of the metallization layer through the
  • the boundary web laterally has a boundary surface, wherein the
  • Limiting surface to the metallization includes an angle, wherein the angle has a value in a range of 40 ° to 90 °, in particular in a range of 60 ° to 90 °, particularly advantageously in one
  • Semiconductor device and includes, for example, a
  • the arrangement has a
  • the marker material is disposed in the reservoir of the assembly.
  • the marker material comprises e.g. one of the following materials: ink, epoxy resin, glue, water, plastic.
  • the marker material has a viscosity with a value which lies in a range from 300 mPa * s to 500 mPa * s.
  • Figure 1 is a plan view of a wafer with several
  • Figure 2 is a plan view of an arrangement according to a
  • FIG. 3 shows a sectional view through that shown in FIG
  • Cutting plane AA is a detail of a sectional view of a
  • Figure 5 is a detail of a sectional view of a
  • Figure 6 is a sectional view through another
  • Figure 7 is a sectional view through an arrangement according to
  • Figure 8 is a plan view of an arrangement according to a
  • third embodiment represents.
  • the wafer 1 shows a plan view of a wafer 1.
  • the wafer 1 comprises a plurality of arrangements 10. Arrangements 10 are arranged at regular intervals from one another.
  • FIG. 2 shows a plan view of an arrangement 10.
  • the arrangement 10 has a semiconductor component 20.
  • the semiconductor device 20 is an optoelectronic semiconductor device 20 in the embodiment
  • Semiconductor device 20 includes, for example, at least one laser diode for emitting electromagnetic
  • Radiation for example, a laser light.
  • Semiconductor component 20 has a first outer contour 21.
  • the first outer contour 21 is rectangular.
  • the arrangement comprises a metallization layer 25, a boundary layer 35 and marker material 15.
  • the metallization layer 25 is arranged on an upper side 55 of the semiconductor component 20.
  • Metallization layer 25 serves to the
  • Metallization layer 25 is electrically conductive and has, for example, at least one metal.
  • Metallization layer 25 has a second outer contour 30.
  • the second outer contour 30 is exemplary
  • the second outer contour 30 may have any other shape.
  • Boundary layer 35 is arranged.
  • the boundary layer 35 and the metallization layer 25 have, for example, the same material.
  • the boundary layer 35 can, for example, by means of a deposition on the
  • Semiconductor device 15 are applied.
  • the delimiting layer 35 has an exemplary rectangular shape and has laterally a first side surface 40, a second side surface 45, a third side surface 46 and a fourth side surface 47.
  • the first side surface 40 is disposed opposite and parallel to the second side surface 45.
  • the third side surface 46 is disposed at right angles to the first and second side surfaces 40, 45.
  • the fourth side surface 47 is disposed opposite and parallel to the third side surface 46.
  • the side surfaces 40, 45, 46, 47 may also have a different orientation to each other.
  • the boundary layer 35 has a surface 50.
  • the surface 50 is planar and, for example, arranged parallel to the upper side 55 of the semiconductor component 20.
  • FIG. 3 shows a sectional view through the arrangement 10 shown in FIG. 2 along a sectional plane AA shown in FIG.
  • the semiconductor device 20 and the metallization layer 25 has, for example, a rectangular cross-section.
  • a thickness of the metallization layer 35 is greater than the boundary layer 24.
  • the side surface 40, 45, 46, 47 is arranged inclined to the surface 50.
  • the side surface 40, 45, 46, 47 includes an angle ⁇ to the surface 50, wherein the angle ⁇ has a value which is in a range of 40 ° to 90 °,
  • the side surface 40, 45, 46, 47 is oriented perpendicular to the surface 50 in the embodiment.
  • the side surface 40, 45, 46, 47 and the surface 50 abut each other and form a boundary edge 60.
  • Limiting edge 60 may be formed as a structural edge, for example, as a ridge edge of a semiconductor laser. Also, the boundary edge 60 may be as a material transition between the boundary layer 24 and a laterally abutting the side surface 40, 45, 46, 47 further component.
  • Bounding edge 60 bounds a reservoir 70 for the
  • Boundary layer 35 bounds the reservoir 70 on the underside.
  • the reservoir 70 is open at the top.
  • Viscosity of the marker material 15 assists in the formation of the reservoir 70.
  • the second outer contour 30 of the metallization layer 25 has a projection 65 opposite the boundary edge 60.
  • the supernatant 65 has, for example, a width bi of a value ranging from 1 ym to 15 ym, in particular in a range from 2 ym to 8 ym, particularly advantageously in a range from 2 ym to 4 ym.
  • the side surface 40, 45, 46, 47 has an extension e perpendicular to the surface 50 of the delimiting layer 35 having a value in a range of 0.1 ym to 4 ym, in particular in a range of 0.3 ym to 4 ym .
  • Marker material 15 selected such that a maximum volume of the reservoir 70 is not exceeded.
  • the marker material 15 may be e.g. one of the following
  • Materials include: ink, epoxy resin, glue, water, plastic.
  • the marker material 15 has a viscosity with a value which lies in a range from 300 mPa * s to 500 mPa * s.
  • Image capture device (not shown) detects the devices 10 on the wafer 1. It can the
  • Image capture device the arrangements 10 with
  • Marker material 15 in the reservoir 70 of the arrangements 10 without marker material 15 in the reservoir 70 differ.
  • the individual assemblies 10 After detecting the assemblies 10 on the wafer 1, the individual assemblies 10 are separated from each other by sawing the wafer 1. By distinguishing the tagged assemblies 10 from unlabeled assemblies 10, the defective and tagged assemblies 10 can be sorted out.
  • the boundary layer 35 can be designed freely, so that the image capture device can detect those arrangements 10 improved, in which marker material 15 is applied to the assembly 10.
  • a sawing device can be precisely controlled.
  • the delimiting layer 35 By providing the delimiting layer 35, a free configuration of the delimiting layer 35 with respect to the metallization layer 25 is ensured. As a result, the reservoir 70 for the marker material 15 can be adapted such that the image capture device can detect the arrangements 10 marked with marker material 15 particularly well.
  • Buckling 75 of the marker material 15 occur at the boundary edge 60, but due to the boundary edge 60 in connection with the surface tension and the extent of the side surface 40, 45, 46, 47 transverse to the surface 50 a Overflow of the boundary edge 60 avoided by the marker material 15.
  • FIG. 4 shows a detail of a sectional view of a further development of the arrangement 10 shown in FIGS. 2 and 3.
  • the arrangement 10 is essentially identical to the arrangement 10 shown in FIGS. 2 and 3.
  • the boundary layer 35 has its boundary edge 60
  • the radius r may have a value of 0.01 ym to 0.05 ym.
  • FIG. 5 shows a detail of a sectional view of a further development of the arrangement 10 shown in FIGS. 2 and 3.
  • the arrangement 10 is essentially identical to the arrangement 10 shown in FIGS. 2 and 3.
  • Limiting edge 60 at least partially a chamfer 80 on.
  • the chamfer 80 can have an angle ⁇ of 0 ° to 45 ° to the surface 50 of the delimiting layer 35.
  • FIG. 6 shows a sectional view through another one
  • the arrangement 10 differs from the arrangement 10 shown in Figures 2 and 3, that the
  • a first metallization layer 100 which is arranged on the upper side 55 of the semiconductor device 20, and a second metallization layer 105 includes.
  • the second metallization layer 105 is arranged on the upper side of the first metallization layer 100.
  • Metallization layer 105 is the upper side of the
  • Boundary layer 35 is arranged.
  • the first and second metallization layers 100, 105 have an exemplary rectangular cross-section.
  • the first metallization layer 100 has a second one
  • Outer contour 110 and the second metallization on a third outer contour 115 The second outer contour 110 is chosen such that the second outer contour 110 extends within the first outer contour 21.
  • the third outer contour 115 is selected such that it is within the second
  • Metallization layer 105 in a direction of extension parallel to the top 55 of the semiconductor device 20 has a smaller extent than the first
  • Metallization layer 100 In the embodiment, the first metallization layer 100, the second metallization layer 105, and the
  • Perimeter layer 35 exemplarily different thickness in a direction perpendicular to the surface 50 of
  • Semiconductor device 20 is formed.
  • the boundary layer 35 has the projection 65 to the third outer contour 115 of the second metallization 105.
  • the arrangement 10 has a cascaded stepped configuration of the semiconductor component 20 at the top.
  • Metallization layer 100, 105 optimally configured to their electrical properties, while the boundary layer 35 can be optimally adapted with respect to their geometry and / or their structure for the ink process. Furthermore, the cascaded stepped configuration of the arrangement 10 additionally avoids that, if the
  • Marker material 15 would run from the boundary layer 35 to the second metallization 105, the second metallization 105 serves as a further boundary layer and prevents adjacent to the arrangement 10 on the wafer 1 further arranged arrangements 10 to which no marker material 15 is to be applied by expiring marker material 15 are contaminated.
  • FIG. 7 shows a sectional view through an arrangement 10 according to a second embodiment.
  • the arrangement 10 is formed similar to the arrangement 10 shown in Figures 2 to 5.
  • the boundary layer 35 has a first boundary web 200 and a second boundary web
  • Boundary web 205 on.
  • the limiting web 200, 205 is arranged on the upper side on the metallization layer 25.
  • the boundary web 200, 205 extends into one of
  • Barrier 200, 205 has a rectangular
  • the first boundary web 200 has a laterally arranged first boundary surface 210 and the second boundary web 205 has a laterally arranged second boundary surface 215.
  • the first boundary surface 210 is included
  • Top 220 of the metallization layer 25 thereby limit the reservoir 70.
  • the reservoir 70 is open at the top.
  • the first boundary web 200 and the second boundary web 205 are identically formed in the embodiment and arranged completely circumferentially around the reservoir 70. Also, the first boundary web 200 and the second
  • Limiting web 205 deviating from each other are formed. Furthermore, a further section 225 of the delimiting layer 35 can be provided (shown in dashed lines in FIG. 7), which connects the first delimiting web 200 to the second delimiting web 205 and is arranged on the upper side of the metallization layer 25.
  • the boundary web 200, 205 has a lateral distance a to the second outer contour 30 of the metallization layer 25 with a value, wherein the value is in a range of 0 ym to 20 ym, advantageously in a range of 5 ym to 15 ym, particularly advantageously in a range of 5 ym to 10 ym.
  • the distance a of the limiting web 200, 205 to the second outer contour 30 ensures that, even with an unintentional leakage of marker material 15 over the boundary web 200, 205 away, the Metallization layer 25 is particularly effective as a drain brake.
  • the boundary web 200, 205 has a width b2 parallel toward the top side 55 of the semiconductor device 20 with a value that lies in a range of 0.1 .mu.m to 0.8 .mu.m
  • the delimiting layer 35, and here in particular the delimiting web 200, 205 has a height h perpendicular to the upper side 55 with a value which lies in a range of 0.1 ⁇ m to 2 ⁇ m, in particular in a range of 0.2 ⁇ m to 1 ym, particularly advantageously in a range of 0.1 ym to 0.5 ym.
  • the marker material 15 can have a different shape depending on the filling quantity.
  • the filling amount of the marker material 15 is selected such that the marker material 15 on the upper side has a dome-shaped upper surface 230 which extends between the boundary webs 200, 205. Due to the
  • Figure 8 shows a plan view of an arrangement according to a third embodiment.
  • the assembly 10 is similar to the arrangements 10 shown in FIGS. 2-7. In the arrangement shown in FIG. 8, the arrangements 10 shown in FIGS. 2 to 7 are combined with one another. Furthermore, both the metallization layer 25 and the
  • Perimeter layer 35 has another exemplary geometric configuration.
  • the limiting layer 35 is arranged on the metallization layer 25 and delimits a longitudinally formed
  • the boundary layer 35 has the
  • Limiting web 205 are running in a common plane, the side of the second outer contour 30 of the
  • the first boundary web 200 is arranged at a distance from the second boundary web 205 in the plane. Between the two boundary webs 200, 205, a first portion 415 of the boundary edge 60 is arranged. The first section 415 laterally closes the reservoir 70 between the first boundary web 200 and the second boundary web 205. The first section 415 is rectilinear.
  • Limiting webs may be provided 200,205, which limit at least one side of the reservoir 70.
  • at least one interruption of a boundary web can be provided or multiple interruptions of a boundary web can be provided
  • the reservoir 70 is delimited by a second section 420 of the boundary edge 60.
  • the second section 420 is arranged in sections at right angles to the first boundary web 200 by way of example and runs in steps. Opposite to the first section 415 and the two boundary webs 200, 205, an exemplary stepwise extending third section 425 of the boundary edge 60 is provided. The second section 420 adjoins the third section 425.
  • the fourth section 430 is graduated and adjacent to the second
  • a smaller filling quantity of the marker material 15 is introduced into the reservoir 70 than can be introduced maximally into the reservoir 70.
  • the liquid marker material 15 is distributed in the reservoir 70 as a function of its viscosity. Due to the selected filling quantity of the marker material 15, the marker material 15 extends only partially over the surface 50 of the delimiting layer 35 in the reservoir 70, so that the boundary edge 60 and the delimiting webs 200, 205 extend laterally out of the reservoir material 70 For example, an edge 435 of the marker material 15 is spaced from the fourth section 430 of the boundary edge 60 and the
  • Section 420 is limited.
  • Boundary layer 35 can thus a defined geometric configuration of the marker material 15 on the
  • Metallization layer 25 can be achieved, so that the optical image capture device can reliably detect the marked with marker material assembly 10. Furthermore, the
  • Metallization layer 25 are designed geometrically independent of the geometric configuration of the reservoir 70. As a result, a free designability and an optimal adaptation of the metallization layer 25 to the electrical properties to be fulfilled are made possible. In particular, a high aspect ratio of the reservoir 70 can be achieved so that the image capture device can recognize the marker material-containing arrangement 10 in an improved manner. This is particularly advantageous in the case of laser diodes which emit electromagnetic radiation in the region of a region which is visible to the human eye.
  • the embodiment of the arrangement 10 described in FIGS. 1 to 8 ensures that a Quercontamination of adjacent assemblies 10 on the wafer 1 by the marker material 15 is prevented, for example, if erroneously a too large amount of
  • Marker material 15 is introduced into the reservoir 70 and / or provided with marker material 15 arrangement 10 has eruptions.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Anordnung mit einer Begrenzungsschicht, einer Metallisierungsschicht und einem Halbleiterbauelement, wobei die Metallisierungsschicht auf dem Halbleiterbauelement und die Begrenzungsschicht auf der Metallisierungsschicht angeordnet ist, wobei die Begrenzungsschicht dazu dient, ein Reservoir für ein Markermaterial räumlich zumindest teilweise definiert festzulegen, wobei die Begrenzungsschicht und die Metallisierungsschicht einen identischen Werkstoff aufweisen.

Description

ANORDNUNG ZUR AUFNAHME VON MARKERMATERIAL
BESCHREIBUNG Die Erfindung betrifft eine Anordnung gemäß Patentanspruch 1.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2015 105 752.2, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Um auf Wafern angeordnete Anordnungen zu markieren, wird in einem Ink-Prozess Markermaterial auf diejenige Anordnung aufgebracht, die defekt ist und im Weiteren auszusortieren ist. Das Markermaterial dient dazu, dass die Anordnung mittels einer optischen Bilderfassungseinrichtung automatisch erkannt werden kann und automatisch aussortiert werden kann.
Es ist Aufgabe der Erfindung, eine verbesserte Anordnung bereitzustellen.
Diese Aufgabe wird mittels einer Anordnung gemäß
Patentanspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben. Es wurde erkannt, dass eine verbesserte Anordnung dadurch bereitgestellt werden kann, dass die Anordnung eine
Begrenzungsschicht, eine Metallisierungsschicht und ein
Halbleiterbauelement aufweist. Die Metallisierungsschicht ist auf dem Halbleiterbauelement und die Begrenzungsschicht ist auf der Metallisierungsschicht angeordnet. Die
Begrenzungsschicht dient dazu, ein Reservoir für ein
Markermaterial räumlich zumindest teilweise definiert
festzulegen, wobei die Begrenzungsschicht und die
Metallisierungsschicht einen identischen Werkstoff aufweisen.
Durch die definierte Festlegung des Reservoirs kann auch eine räumliche Erstreckung des Markermaterials definiert
festgelegt werden, sodass eine besonders hohe Erkennung der Anordnung durch die Bilderfassungseinrichtung im Ink-Prozess sichergestellt ist. Dadurch kann ein manuelles Nacharbeiten und/oder eine Querkontamination von auf den Anordnungen verlaufendem Markermaterial vermieden werden. Ferner kann die Begrenzungsschicht und die Metallisierungsschicht
kostengünstig, insbesondere mittels eines Ätzverfahrens oder eines Abscheideverfahrens, hergestellt werden.
In einer weiteren Ausführungsform weist die
Begrenzungsschicht seitlich eine Seitenfläche und oberseitig eine Oberseite auf. Die Seitenfläche und die Oberfläche bilden eine Begrenzungskante aus. Die Begrenzungskante begrenzt das Reservoir zumindest teilweise. Dadurch kann die Begrenzungsschicht besonders flach ausgebildet werden.
In einer weiteren Ausführungsform weist die Seitenfläche eine Erstreckung quer zur Oberfläche mit einem Wert auf, der in einem Bereich von 0,1 ym bis 4 ym, insbesondere in einem Bereich von 0,3 ym bis 4 ym, insbesondere in einem Bereich von 0,5 ym bis 2 ym, besonders vorteilhafterweise in einem Bereich von 0,5 ym bis 1,5 ym liegt. Dadurch wird
sichergestellt, dass das Markermaterial auch im flüssigen Zustand mittels seiner Oberflächenspannung an der
Begrenzungskante gehalten wird und auch ein Überstand einer Ausbeulung des Markermaterials über die Begrenzungskante nicht in Kontakt mit der darunter liegenden
Metallisierungsschicht tritt.
In einer weiteren Ausführungsform weist die
Metallisierungsschicht eine Außenkontur auf, wobei die
Außenkontur einen Überstand gegenüber der Begrenzungskante aufweist, wobei der Überstand eine Breite mit einem Wert aufweist, der in einem Bereich von 1 ym bis 5 ym,
insbesondere in einem Bereich von 2 ym bis 8 ym, besonders vorteilhafterweise in einem Bereich von 2 ym bis 4 ym, liegt. Dadurch wird sichergestellt, dass, selbst wenn das
Markermaterial über die Begrenzungskante laufen würde, auf der Metallisierungsschicht zu liegen kommt. Dies führt zwar zu einer reduzierten Erkennbarkeit mittels der optischen Bilderfassungseinrichtung, jedoch wird sichergestellt, dass weitere auf dem Wafer angeordnete Anordnungen nicht durch das Markermaterial verunreinigt werden.
In einer weiteren Ausführungsform weist die
Begrenzungsschicht einen Begrenzungssteg auf. Der
Begrenzungssteg erstreckt sich in eine vom
Halbleiterbauelement abgewandten Richtung. Der
Begrenzungssteg begrenzt zumindest teilweise das Reservoir. Der Begrenzungssteg sichert insbesondere bei starken, in die Anordnung eingeleiteten Schwingungen, dass das Markermaterial nicht aus dem Reservoir ausfließen kann, so dass die
Anordnung mit flüssigem Markermaterial bereits transportfähig ist . In einer weiteren Ausführungsform weist die
Metallisierungsschicht eine Außenkontur auf, wobei der
Begrenzungssteg einen Abstand zu der Außenkontur mit einem Wert aufweist, wobei der Wert in einem Bereich von 0 ym bis 20 ym, vorteilhafterweise in einem Bereich von 5 ym bis
15 ym, besonders vorteilhafterweise in einem Bereich von 5 ym bis 10 ym, liegt.
In einer weiteren Ausführungsform weist der Begrenzungssteg eine Breite mit einem Wert auf, der in einem Bereich von 0,1 ym bis 0,8 ym liegt. Dadurch wird eine unbeabsichtigte Verformung des Begrenzungsstegs vermieden.
In einer weiteren Ausführungsform weist der Begrenzungssteg eine Höhe mit einem Wert auf, der in einem Bereich von 0,1 ym bis 2 ym, insbesondere in einem Bereich von 0,2 ym bis 1 ym, besonders vorteilhafterweise in einem Bereich von 0,1 ym bis 0,5 ym, liegt. Dadurch wird eine hinreichende Abdeckung an der Oberfläche der Metallisierungsschicht durch das
Markermaterial sichergestellt.
In einer weiteren Ausführungsform weist der Begrenzungssteg seitlich eine Begrenzungsfläche auf, wobei die
Begrenzungsfläche zu der Metallisierungsschicht einen Winkel einschließt, wobei der Winkel einen Wert aufweist, der in einem Bereich von 40° bis 90°, insbesondere in einem Bereich von 60° bis 90°, besonders vorteilhafterweise in einem
Bereich von 70° bis 90°, liegt. In einer weiteren Ausführungsform ist das
Halbleiterbauelement ein optoelektronisches
Halbleiterbauelement und umfasst beispielsweise eine
Laserdiode . In einer weiteren Ausführungsform weist die Anordnung ein
Markermaterial auf. Das Markermaterial ist in dem Reservoir der Anordnung angeordnet.
In einer weiteren Ausführungsform weist das Markermaterial z.B. einen der folgenden Werkstoffe auf: Tusche, Epoxidharz, Klebstoff, Wasser, Kunststoff.
In einer weiteren Ausführungsform weist das Markermaterial eine Viskosität mit einem Wert auf, der in einem Bereich von 300 mPa*s bis 500 mPa*s liegt.
Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im
Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der
Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden, wobei
Figur 1 eine Draufsicht auf einen Wafer mit mehreren
Anordnungen;
Figur 2 eine Draufsicht auf eine Anordnung gemäß einer
ersten Ausführungsform; Figur 3 eine Schnittansicht durch die in Figur 2 gezeigte
Anordnung entlang einer in Figur 2 gezeigten
Schnittebene A-A; Figur 4 einen Ausschnitt einer Schnittansicht einer
Weiterbildung der in den Figuren 2 und 3 gezeigten Anordnung;
Figur 5 einen Ausschnitt einer Schnittansicht einer
weiteren Weiterbildung der in den Figuren 2 und 3 gezeigten Anordnung;
Figur 6 eine Schnittansicht durch eine weitere
Weiterbildung der in den Figuren 2 und 3 gezeigten Anordnung;
Figur 7 eine Schnittansicht durch eine Anordnung gemäß
einer zweiten Ausführungsform;
Figur 8 eine Draufsicht auf eine Anordnung gemäß einer
dritten Ausführungsform; darstellt .
Figur 1 zeigt eine Draufsicht auf einen Wafer 1. Der Wafer 1 umfasst mehrere Anordnungen 10. Anordnungen 10 sind in regelmäßigem Abstand zueinander angeordnet.
Figur 2 zeigt eine Draufsicht auf eine Anordnung 10.
Die Anordnung 10 weist ein Halbleiterbauelement 20 auf. Das Halbleiterbauelement 20 ist in der Ausführungsform ein optoelektronisches Halbleiterbauelement 20. Das
Halbleiterbauelement 20 umfasst beispielsweise wenigstens eine Laserdiode zur Emittierung elektromagnetischer
Strahlung, beispielsweise eines Laserlichts. Das
Halbleiterbauelement 20 weist eine erste Außenkontur 21 auf. Die erste Außenkontur 21 ist rechteckförmig .
Die Anordnung umfasst eine Metallisierungsschicht 25, eine Begrenzungsschicht 35 und Markermaterial 15. Die Metallisierungsschicht 25 ist auf einer Oberseite 55 des Halbleiterbauelements 20 angeordnet. Die
Metallisierungsschicht 25 dient dazu, das
Halbleiterbauelement 20 zu kontaktieren. Dazu ist die
Metallisierungsschicht 25 elektrisch leitend ausgebildet und weist beispielsweise wenigstens ein Metall auf. Die
Metallisierungsschicht 25 weist eine zweite Außenkontur 30 auf. Die zweite Außenkontur 30 ist beispielhaft
rechteckförmig . Auch kann die zweite Außenkontur 30
entsprechend zu der Ausgestaltung des Halbleiterbauelements 20 angepasst sein. Dabei kann die zweite Außenkontur 30 jegliche andere Form aufweisen.
Oberseitig auf der Metallisierungsschicht 25 ist die
Begrenzungsschicht 35 angeordnet. Die Begrenzungsschicht 35 und die Metallisierungsschicht 25 weisen beispielsweise den gleichen Werkstoff auf. Die Metallisierungsschicht 25
und/oder die Begrenzungsschicht 35 kann dabei beispielsweise mittels eines Abscheideverfahrens auf das
Halbleiterbauelement 15 aufgebracht werden.
Die Begrenzungsschicht 35 ist beispielhaft rechteckförmig ausgebildet und weist seitlich eine erste Seitenfläche 40, eine zweite Seitenfläche 45, eine dritte Seitenfläche 46 und eine vierte Seitenfläche 47 auf. Die erste Seitenfläche 40 ist gegenüberliegend und parallel zu der zweiten Seitenfläche 45 angeordnet. Die dritte Seitenfläche 46 ist rechtwinklig zu der ersten und zweiten Seitenfläche 40, 45 angeordnet. Die vierte Seitenfläche 47 ist gegenüberliegend und parallel zu der dritten Seitenfläche 46 angeordnet. Die Seitenflächen 40, 45, 46, 47 können auch eine andere Ausrichtung zueinander aufweisen .
Oberseitig weist die Begrenzungsschicht 35 eine Oberfläche 50 auf. Die Oberfläche 50 ist plan ausgebildet und beispielhaft parallel zu der Oberseite 55 des Halbleiterbauelements 20 angeordnet . Figur 3 zeigt eine Schnittansicht durch die in Figur 2 gezeigte Anordnung 10 entlang einer in Figur 2 gezeigten Schnittebene A-A. Das Halbleiterbauelement 20 und die Metallisierungsschicht 25 weist beispielhaft einen rechteckförmigen Querschnitt auf. Dabei ist beispielhaft eine Dicke der Metallisierungsschicht 35 größer als der Begrenzungsschicht 24. Die Seitenfläche 40, 45, 46, 47 ist geneigt zu der Oberfläche 50 angeordnet. Die Seitenfläche 40, 45, 46, 47 schließt einen Winkel α zu der Oberfläche 50 ein, wobei der Winkel α einen Wert aufweist, der in einem Bereich von 40° bis 90°,
insbesondere in einem Bereich von 60° bis 90°, besonders vorteilhafterweise in einem Bereich von 70° bis 90° liegt. Die Seitenfläche 40, 45, 46, 47 ist in der Ausführungsform senkrecht zu der Oberfläche 50 ausgerichtet.
Die Seitenfläche 40, 45, 46, 47 und die Oberfläche 50 stoßen aneinander und bilden eine Begrenzungskante 60 aus. Die
Begrenzungskante 60 kann als Strukturkante beispielsweise als Ridgekante eines Halbleiterlasers ausgebildet sein. Auch kann die Begrenzungskante 60 als Materialübergang zwischen der Begrenzungsschicht 24 und einem seitlich an die Seitenfläche 40, 45, 46, 47 stoßenden weiteren Bauteils sein. Die
Begrenzungskante 60 begrenzt ein Reservoir 70 für das
Markermaterial 15 seitlich. Die Oberfläche 50 der
Begrenzungsschicht 35 begrenzt das Reservoir 70 unterseitig. Das Reservoir 70 ist nach oben hin offen. Die
Oberflächenspannung des Markermaterials 15 und/oder einer
Viskosität des Markermaterials 15 unterstützt die Ausbildung des Reservoirs 70.
Die zweite Außenkontur 30 der Metallisierungsschicht 25 weist einen Überstand 65 gegenüber der Begrenzungskante 60 auf.
Durch den Überstand 65 ist die Begrenzungskante 60 gegenüber der Außenkontur 30 nach innen hin versetzt angeordnet. Der Überstand 65 weist beispielsweise eine Breite bi mit einem Wert auf, der in einem Bereich von 1 ym bis 15 ym, insbesondere in einem Bereich von 2 ym bis 8 ym, besonders vorteilhafterweise in einem Bereich von 2 ym bis 4 ym liegt.
Die Seitenfläche 40, 45, 46, 47 weist eine Erstreckung e senkrecht zur Oberfläche 50 der Begrenzungsschicht 35 mit einem Wert auf, der in einem Bereich von 0,1 ym bis 4 ym, insbesondere in einem Bereich von 0,3 ym bis 4 ym,
insbesondere in einem Bereich von 0,5 ym bis 2 ym, besonders vorteilhafterweise in einem Bereich von 0,5 ym bis 1,5 ym liegt. Dadurch wird sichergestellt, dass das Markermaterial 15 auch im flüssigen Zustand mittels seiner
Oberflächenspannung an der Begrenzungskante 60 im Reservoir 70 gehalten wird und auch bei Auftreten eine Ausbeulung 75 des Markermaterials 15 über die Begrenzungskante 60 das Markermaterial 15 nicht in Kontakt mit der darunter liegenden Metallisierungsschicht 35 tritt.
Bei der Herstellung der Anordnung 10 werden mehrere
Anordnungen 10 zusammen auf dem Wafer 1 hergestellt. Nach der Herstellung werden die Anordnungen 10 auf Funktionsfähigkeit auf dem Wafer 1 überprüft. Um die funktionsfähigen
Anordnungen 10 von defekten Anordnungen 10 zu unterscheiden, wird in einem sogenannten „Ink-Prozess" in das Reservoir 70 der Anordnung 10 Markermaterial 15 eingebracht, die defekt ist, um so die defekte Anordnung 10 zu markieren.
Selbstverständlich wäre auch denkbar, Markermaterial 15 in das Reservoir 70 derjenigen Anordnung 10 einzubringen, die funktionsfähig ist. Dabei ist eine Füllmenge des
Markermaterials 15 derart gewählt, dass ein maximales Volumen des Reservoirs 70 nicht überschritten wird.
Das Markermaterial 15 kann z.B. einen der folgenden
Werkstoffe aufweisen: Tusche, Epoxidharz, Klebstoff, Wasser, Kunststoff. Hierbei ist von besonderem Vorteil, wenn das Markermaterial 15 eine Viskosität mit einem Wert aufweist, der in einem Bereich von 300 mPa*s bis 500 mPa*s liegt.
Dadurch wird verhindert, dass das Markermaterial 15 seitlich über die Begrenzungskante 60 hinwegströmt und ausschließlich oberseitig an der Oberfläche 50 der Begrenzungsschicht 35 angeordnet ist.
Im Anschluss daran werden mittels einer optischen
Bilderfassungseinrichtung (nicht dargestellt) die Anordnungen 10 auf dem Wafer 1 erfasst. Dabei kann die
Bilderfassungseinrichtung die Anordnungen 10 mit
Markermaterial 15 im Reservoir 70 von dem Anordnungen 10 ohne Markermaterial 15 im Reservoir 70 unterscheiden.
Nach Erfassen der Anordnungen 10 auf dem Wafer 1 werden die einzelnen Anordnungen 10 voneinander durch ein Zersägen des Wafers 1 getrennt. Durch die Unterscheidung der markierten Anordnungen 10 von unmarkierten Anordnungen 10 können die defekten und markierten Anordnungen 10 aussortiert werden.
Durch das Vorsehen der Begrenzungsschicht 35 auf der
Metallisierungsschicht 25 kann die Begrenzungsschicht 35 frei gestaltet werden, sodass die Bilderfassungseinrichtung diejenigen Anordnungen 10 verbessert erfassen kann, in denen Markermaterial 15 auf die Anordnung 10 aufgebracht ist.
Ferner kann beim Zersägen des Wafers 1 durch die verbesserte Erkennung der markierten Anordnung 10 eine Sägevorrichtung präzise gesteuert werden.
Ferner wird durch das Vorsehen der Begrenzungsschicht 35 eine freie Ausgestaltung der Begrenzungsschicht 35 gegenüber der Metallisierungsschicht 25 gewährleistet. Dadurch kann das Reservoir 70 für das Markermaterial 15 dahingehend angepasst werden, dass die Bilderfassungseinrichtung besonders gut die mit Markermaterial 15 markierten Anordnungen 10 erfassen kann .
Zwar kann beim Füllen des Reservoirs 70 die seitliche
Ausbeulung 75 des Markermaterials 15 an der Begrenzungskante 60 auftreten, jedoch wird aufgrund der Begrenzungskante 60 in Verbindung mit der Oberflächenspannung und der Erstreckung der Seitenfläche 40, 45, 46, 47 quer zur Oberfläche 50 ein Überfließen der Begrenzungskante 60 durch das Markermaterial 15 vermieden.
Figur 4 zeigt einen Ausschnitt einer Schnittansicht einer Weiterbildung der in den Figuren 2 und 3 gezeigten Anordnung 10. Die Anordnung 10 ist im Wesentlichen identisch zu der in den Figuren 2 und 3 gezeigten Anordnung 10. Zusätzlich weist die Begrenzungsschicht 35 an der Begrenzungskante 60
zumindest abschnittsweise einen Radius r auf. Der Radius r kann dabei einen Wert von 0,01 ym bis 0,05 ym aufweisen.
Figur 5 zeigt einen Ausschnitt einer Schnittansicht einer weiteren Weiterbildung der in den Figuren 2 und 3 gezeigten Anordnung 10. Die Anordnung 10 ist im Wesentlichen identisch zu der in den Figuren 2 und 3 gezeigten Anordnung 10.
Zusätzlich weist die Begrenzungsschicht 35 an der
Begrenzungskante 60 zumindest abschnittsweise eine Fase 80 auf. Die Fase 80 kann dabei einen Winkel ß von 0° bis 45° zu der Oberfläche 50 der Begrenzungsschicht 35 aufweisen.
Figur 6 zeigt eine Schnittansicht durch eine weitere
Weiterbildung der in den Figuren 2 und 3 gezeigten Anordnung 10. Die Anordnung 10 unterscheidet sich dahingehend von der in den Figuren 2 und 3 gezeigten Anordnung 10, dass die
Anordnung 10 eine erste Metallisierungsschicht 100, die an der Oberseite 55 des Halbleiterbauelements 20 angeordnet ist, und eine zweite Metallisierungsschicht 105 umfasst. Die zweite Metallisierungsschicht 105 ist oberseitig der ersten Metallisierungsschicht 100 angeordnet. Auf der zweiten
Metallisierungsschicht 105 ist oberseitig die
Begrenzungsschicht 35 angeordnet. Die erste und die zweite Metallisierungsschicht 100, 105 weisen bespielhaft einen rechteckförmigen Querschnitt auf. Die erste Metallisierungsschicht 100 weist eine zweite
Außenkontur 110 und die zweite Metallisierungsschicht eine dritte Außenkontur 115 auf. Die zweite Außenkontur 110 ist derart gewählt, dass die zweite Außenkontur 110 innerhalb der ersten Außenkontur 21 verläuft. Die dritte Außenkontur 115 ist derart gewählt, dass sie innerhalb der zweiten
Außenkontur 110 liegt, so dass die zweite
Metallisierungsschicht 105 in einer Erstreckungsrichtung parallel zur Oberseite 55 des Halbleiterbauelements 20 eine geringere Erstreckung aufweist als die erste
Metallisierungsschicht 100. In der Ausführungsform sind die erste Metallisierungsschicht 100, die zweite Metallisierungsschicht 105 und die
Begrenzungsschicht 35 beispielhaft unterschiedlich dick in einer senkrechten Richtung zu der Oberfläche 50 des
Halbleiterbauelements 20 ausgebildet.
Die Begrenzungsschicht 35 weist den Überstand 65 zu der dritten Außenkontur 115 der zweiten Metallisierungsschicht 105 auf. Dadurch weist die Anordnung 10 eine kaskadiert gestufte Ausgestaltung vom Halbleiterbauelement 20 nach oben hin auf.
Durch das Vorsehen mehrerer Metallisierungsschichten 100, 105 und der Begrenzungsschicht 35 kann jeweils die
Metallisierungsschicht 100, 105 optimal auf ihre elektrischen Eigenschaften hin ausgestaltet werden, während hingegen die Begrenzungsschicht 35 optimal bezüglich ihrer Geometrie und/oder ihres Aufbaus für den Ink-Prozess angepasst werden kann. Ferner wird durch die kaskadiert gestufte Ausgestaltung der Anordnung 10 zusätzlich vermieden, dass, falls das
Markermaterial 15 von der Begrenzungsschicht 35 auf die zweite Metallisierungsschicht 105 ablaufen würde, die zweite Metallisierungsschicht 105 als weitere Begrenzungsschicht dient und verhindert, dass angrenzend an die Anordnung 10 auf dem Wafer 1 weitere angeordnete Anordnungen 10, auf die kein Markermaterial 15 aufgebracht werden soll, durch ablaufendes Markermaterial 15 verunreinigt werden.
Figur 7 zeigt eine Schnittansicht durch eine Anordnung 10 gemäß einer zweiten Ausführungsform. Die Anordnung 10 ist ähnlich zu der in den Figuren 2 bis 5 gezeigten Anordnung 10 ausgebildet. Abweichend dazu weist die Begrenzungsschicht 35 einen ersten Begrenzungssteg 200 und einen zweiten
Begrenzungssteg 205 auf. Der Begrenzungssteg 200, 205 ist oberseitig auf der Metallisierungsschicht 25 angeordnet. Der Begrenzungssteg 200, 205 erstreckt sich in eine vom
Halbleiterbauelement 20 abgewandte Richtung. Jeder
Begrenzungssteg 200, 205 weist einen rechteckförmigen
Querschnitt auf.
Der erste Begrenzungssteg 200 weist eine seitlich angeordnete erste Begrenzungsfläche 210 und der zweite Begrenzungssteg 205 eine seitlich angeordnete zweite Begrenzungsfläche 215 auf. Die erste Begrenzungsfläche 210 ist dabei
gegenüberliegend zur zweiten Begrenzungsfläche 215
angeordnet. Die Begrenzungsflächen 210, 215 sowie eine
Oberseite 220 der Metallisierungsschicht 25 begrenzen dabei das Reservoir 70. Das Reservoir 70 ist nach oben hin offen. Der erste Begrenzungssteg 200 und der zweite Begrenzungssteg 205 sind in der Ausführungsform identisch ausgebildet und vollständig umlaufend um das Reservoir 70 angeordnet. Auch können der erste Begrenzungssteg 200 und der zweite
Begrenzungssteg 205 abweichend zueinander ausgebildet sind. Ferner kann ein weiterer Abschnitt 225 der Begrenzungsschicht 35 vorgesehen sein (strichliert in Figur 7 gezeigt) , der den ersten Begrenzungssteg 200 mit dem zweiten Begrenzungssteg 205 verbindet und oberseitig der Metallisierungsschicht 25 angeordnet ist.
Der Begrenzungssteg 200, 205 weist einen seitlichen Abstand a zu der zweiten Außenkontur 30 der Metallisierungsschicht 25 mit einem Wert auf, wobei der Wert in einem Bereich von 0 ym bis 20 ym, vorteilhafterweise in einem Bereich von 5 ym bis 15 ym, besonders vorteilhafterweise in einem Bereich von 5 ym bis 10 ym liegt. Der Abstand a des Begrenzungsstegs 200, 205 zu der zweiten Außenkontur 30 gewährleistet, dass auch bei einem unbeabsichtigten Auslaufen von Markermaterial 15 über den Begrenzungssteg 200, 205 hinweg, die Metallisierungsschicht 25 besonders gut als Ablaufbremse wirkt .
Um ein Verbiegen des Begrenzungsstegs 200, 205 zu vermeiden, weist der Begrenzungssteg 200, 205 eine Breite b2 parallel in Richtung zu der Oberseite 55 des Halbleiterbauelements 20 mit einem Wert auf, der in einem Bereich von 0,1 ym bis 0,8 ym liegt. Die Begrenzungsschicht 35, und hierbei insbesondere der Begrenzungssteg 200, 205, weist eine Höhe h senkrecht zu der Oberseite 55 mit einem Wert auf, der in einem Bereich von 0,1 ym bis 2 ym, insbesondere in einem Bereich von 0,2 ym bis 1 ym, besonders vorteilhafterweise in einem Bereich von 0,1 ym bis 0,5 ym liegt. Dadurch kann das Volumen des Reservoirs 70 gering gehalten werden und gleichzeitig die optische
Erkennbarkeit des Markermaterials 15 im Ink-Prozess
sichergestellt werden.
Wird das Markermaterial 15 im Rahmen des Ink-Prozesses in das Reservoir 70 eingebracht, kann das Markermaterial 15 je nach Füllmenge eine unterschiedliche Form aufweisen. In der
Ausführungsform ist die Füllmenge des Markermaterials 15 derart gewählt, dass das Markermaterial 15 oberseitig eine kuppeiförmige Oberseite 230 aufweist, die sich zwischen den Begrenzungsstegen 200, 205 erstreckt. Aufgrund der
Oberflächenspannung des Markermaterials 15 läuft das flüssige Markermaterial 15 nicht vor dem Aushärten aus dem Reservoir 70 aus.
Figur 8 zeigt eine Draufsicht auf eine Anordnung gemäß einer dritten Ausführungsform.
Die Anordnung 10 ist ähnlich zu der in den Figuren 2 bis 7 gezeigten Anordnungen 10 ausgebildet. Dabei sind bei der in Figur 8 gezeigten Anordnung, die in den Figuren 2 bis 7 gezeigten Anordnungen 10, miteinander kombiniert. Ferner weist sowohl die Metallisierungsschicht 25 als auch die
Begrenzungsschicht 35 eine andere beispielhafte geometrische Ausgestaltung auf. Die Begrenzungsschicht 35 ist auf der Metallisierungsschicht 25 angeordnet und begrenzt ein länglich ausgebildetes
Reservoir 70 für das Markermaterial 15. Zur Begrenzung des Reservoirs 70 weist die Begrenzungsschicht 35 die
Begrenzungsstege 200, 205 und mehrere Abschnitte 415, 420, 425, 430 der Begrenzungskante 60 auf.
Der erster Begrenzungssteg 200 und der zweiter
Begrenzungssteg 205 sind dabei in einer gemeinsamen Ebene verlaufend, seitlich der zweiten Außenkontur 30 der
Metallisierungsschicht 25 beabstandet angeordnet. Ferner ist in der Ebene der erste Begrenzungssteg 200 beabstandet zum zweiten Begrenzungssteg 205 angeordnet. Zwischen den beiden Begrenzungsstegen 200, 205 ist ein erster Abschnitt 415 der Begrenzungskante 60 angeordnet. Der erste Abschnitt 415 schließt seitlich das Reservoir 70 zwischen dem ersten Begrenzungssteg 200 und dem zweiten Begrenzungssteg 205. Der erste Abschnitt 415 ist geradlinig ausgebildet.
Abhängig von der gewählten Ausführung können mehrere, voneinander über erste Abschnitte 415 getrennte,
Begrenzungsstege 200,205 vorgesehen sein, die wenigstens eine Seite des Reservoirs 70 begrenzen. Somit kann wenigstens eine Unterbrechung eines Begrenzungssteges vorgesehen sein oder es können Mehrfachunterbrechungen eines Begrenzungssteges
220,205 vorgesehen sein.
Linksseitig in Figur 8 wird beispielhaft das Reservoir 70 durch einen zweiten Abschnitt 420 der Begrenzungskante 60 begrenzt. Der zweite Abschnitt 420 ist abschnittsweise rechtwinklig zu dem ersten Begrenzungssteg 200 beispielhaft angeordnet und verläuft stufenartig. Gegenüberliegend zum ersten Abschnitt 415 und den beiden Begrenzungsstegen 200, 205 ist ein beispielhaft stufenartig verlaufender dritter Abschnitt 425 der Begrenzungskante 60 vorgesehen. Der zweite Abschnitt 420 grenzt an den dritten Abschnitt 425 an.
Rechtsseitig gegenüberliegend zum zweiten Abschnitt 420 ist ein vierter Abschnitt 430 der Begrenzungskante 60 zur
Begrenzung des Reservoirs 70 vorgesehen. Der vierte Abschnitt 430 ist gestuft ausgebildet und grenzt an den zweiten
Begrenzungssteg 205 und an den dritten Abschnitt 425 an.
In der Ausführungsform ist in das Reservoir 70 eine geringere Füllmenge des Markermaterials 15 eingebracht, als maximal in das Reservoir 70 einbringbar ist. Nach dem Einbringen des Markermaterials 15 in das Reservoir 70 verteilt sich das flüssige Markermaterial 15 im Reservoir 70 in Abhängigkeit seiner Viskosität. Dabei verhindert die Begrenzungskante 60 und die Begrenzungsstege 200, 205 ein seitliches Auslaufen des Markermaterials 15 aus dem Reservoir 70. Auf Grund der gewählten Füllmenge des Markermaterials 15 erstreckt sich das Markermaterial 15 nur teilweise über die Oberfläche 50 der Begrenzungsschicht 35 im Reservoir 70, so dass beispielsweise eine Kante 435 des Markermaterials 15 zum vierten Abschnitt 430 der Begrenzungskante 60 beabstandet ist und das
Markermaterial 15 nur abschnittsweise durch den zweiten
Abschnitt 420 begrenzt wird. Durch die auf der Metallisierungsschicht 25 vorgesehene
Begrenzungsschicht 35 kann somit eine definierte geometrische Ausgestaltung des Markermaterials 15 auf der
Metallisierungsschicht 25 erzielt werden, sodass die optische Bilderfassungseinrichtung zuverlässig die mit Markermaterial markierte Anordnung 10 erfassen kann. Ferner kann die
Metallisierungsschicht 25 geometrisch unabhängig zu der geometrischen Ausgestaltung des Reservoirs 70 gestaltet werden. Dadurch kann eine freie Ausgestaltbarkeit und eine optimale Anpassung der Metallisierungsschicht 25 an die zu erfüllenden elektrischen Eigenschaften ermöglicht werden. So kann insbesondere ein hohes Aspektverhältnis des Reservoirs 70 erzielt werden, so dass die Bilderfassungseinrichtung die Markermaterial aufweisende Anordnung 10 verbessert erkennen kann. Die ist insbesondere bei Laserdioden von Vorteil, die eine elektromagnetische Strahlung im Bereich eines für das menschliche Auge sichtbaren Bereichs emittieren.
Durch die in den Figuren 1 bis 8 beschriebene Ausgestaltung der Anordnung 10 wird gewährleistet, dass im Ink-Prozess eine Querkontaminierung benachbarter Anordnungen 10 auf dem Wafer 1 durch das Markermaterial 15 verhindert wird, beispielsweise wenn irrtümlicher Weise eine zu große Füllmenge von
Markermaterial 15 in das Reservoir 70 eingebracht wird und/oder das mit Markermaterial 15 zu versehene Anordnung 10 Ausbrüche aufweist.
Durch die verbesserte Erkennbarkeit mittels
Bilderfassungseinrichtungen von Anordnungen 10, in denen im Reservoir 70 das Markermaterial 15 eingebracht ist, kann eine manuelle Nachkontrolle, insbesondere von querkontaminierten Anordnungen 10, reduziert werden. Ferner wird neben der manuellen Nachkontrolle auch ein Ausschuss reduziert. Obwohl die Erfindung im Detail durch das bevorzugte
Ausführungsbeispiel näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele eingeschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der
Erfindung zu verlassen.
BEZUGSZEICHENLISTE
1 Wafer
10 Anordnung
15 Markermaterial
20 Halbleiterbauelement
21 erste Außenkontur
25 Metallisierungsschicht
30 zweite Außenkontur
35 Begrenzungsschicht
40 erste Seitenfläche
45 zweite Seitenfläche
50 Oberfläche der Begrenzungsschicht
55 Oberseite des Halbleiterbauelements 60 Begrenzungskante
65 Überstand
70 Reservoir
75 Ausbeulung
80 Fase
100 erste Metallisierungsschicht
105 zweite Metallisierungsschicht
110 zweite Außenkontur
115 dritte Außenkontur
200 erster Begrenzungssteg
205 zweiter Begrenzungssteg
210 erste Begrenzungsfläche
215 zweite Begrenzungsfläche
220 Oberseite der Metallisierungsschicht
225 Abschnitt h Höhe
b Breite
a Abstand
α Winkel
ß Winkel
200 erster Begrenzungssteg 205 zweiter Begrenzungssteg
415 erster Abschnitt der Begrenzungskante
420 zweiter Abschnitt der Begrenzungskante 425 dritter Abschnitt der Begrenzungskante
430 vierter Abschnitt der Begrenzungskante
435 Kante

Claims

PATENTA S PRÜCHE
Anordnung (10)
mit einer Begrenzungsschicht (35) , einer
Metallisierungsschicht (25) und einem
Halbleiterbauelement (20),
wobei die Metallisierungsschicht (25) auf dem
Halbleiterbauelement (20) und die Begrenzungsschicht (35) auf der Metallisierungsschicht (25) angeordnet ist, wobei die Begrenzungsschicht (35) dazu dient, ein
Reservoir (70) für ein Markermaterial (15) räumlich zumindest teilweise definiert festzulegen
wobei die Begrenzungsschicht (35) und die
Metallisierungsschicht (25) einen identischen Werkstoff aufweisen .
Anordnung (10) nach Anspruch 1,
wobei die Begrenzungsschicht (35) seitlich eine
Seitenfläche (40, 45) und oberseitig (50) eine
Oberfläche aufweist,
wobei die Seitenfläche (40, 45) und die Oberfläche (50) eine Begrenzungskante (60) ausbilden,
wobei die Begrenzungskante (60) das Reservoir (70) zumindest teilweise begrenzt.
Anordnung (10) nach Anspruch 2, wobei die Seitenfläche (40, 45) eine Erstreckung senkrecht zur Oberfläche (50) mit einem Wert aufweist, der in einem Bereich von 0,1 μιη bis 4 μιτι, insbesondere in einem Bereich von 0,3 μιη bis 4 μιη, insbesondere in einem Bereich von 0,5 μιη bis 2 μιτι, besonders vorteilhafterweise in einem Bereich von 0,5 μιη bis 1,5 μιη, liegt .
Anordnung (10) nach Anspruch 2 oder 3
wobei die Metallisierungsschicht (25) eine Außenkontur (30, 115) aufweist,
wobei die Außenkontur (30, 115) einen Überstand (65) gegenüber der Begrenzungskante (60) aufweist, wobei beispielsweise der Überstand (65) eine Breite (bi) mit einem Wert aufweist, der in einem Bereich von 1 μιη bis 15 μιη, insbesondere in einem Bereich von 2 μιη bis 8 μιη, besonders vorteilhafterweise in einem Bereich von 2 μιη bis 4 μιτι, liegt.
Anordnung (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
wobei die Begrenzungsschicht (35) einen Begrenzungssteg (200, 205) umfasst,
wobei der Begrenzungssteg (200, 205) sich in eine vom Halbleiterbauelement (20) abgewandte Richtung erstreckt, wobei der Begrenzungssteg (200, 205) das Reservoir (70) zumindest teilweise begrenzt.
Anordnung (10) nach Anspruch 5,
wobei die Metallisierungsschicht (25) eine Außenkontur (30, 115) aufweist,
wobei der Begrenzungssteg (200, 205) einen Abstand (a) zu der Außenkontur (30, 115) mit einem Wert aufweist, wobei der Wert in einem Bereich von 0 μιη bis 20 μιτι, vorteilhafterweise in einem Bereich von 5 μιη bis 15 μιτι, besonders vorteilhafterweise in einem Bereich von 5 μιη bis 10 μιη, liegt.
Anordnung (10) nach Anspruch 5 oder 6, wobei der
Begrenzungssteg (200, 205) eine Breite (b) mit einem Wert aufweist, der in einem Bereich von 0,1 μιη bis 0,8 μιη, liegt.
Anordnung (10) nach einem der Ansprüche 5 bis 7, wobei der Begrenzungssteg (200, 205) eine Höhe (h) mit einem Wert aufweist, der in einem Bereich von 0,1 μιη bis 2 μιτι, insbesondere in einem Bereich von 0,2 μιη bis 1 μιτι, besonders vorteilhafterweise in einem Bereich von 0,1 μιη bis 0,5 μιη, liegt .
Anordnung (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 8,
wobei der Begrenzungssteg (200, 205) seitlich eine
Begrenzungsfläche (210, 215) aufweist, wobei die Begrenzungsfläche (210, 215) zu einer
Oberseite (220) der Metallisierungsschicht (25) einen Winkel ( ) einschließt,
wobei der Winkel ( ) einen Wert aufweist, der in einem Bereich von 40° bis 90°, insbesondere in einem Bereich von 60° bis 90°, besonders vorteilhafterweise in einem Bereich von 70° bis 90°, liegt.
Anordnung nach einem der Ansprüche 5 bis 9, wobei ein Begrenzungssteg (200, 205) wenigstens eine Unterbrechung (415) aufweist.
Anordnung (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei das Halbleiterbauelement ein optoelektronisches
Halbleiterbauelement (20) ist und beispielsweise
wenigstens eine Laserdiode umfasst.
Anordnung (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei das Markermaterial (15) in dem Reservoir (70) der
Anordnung (10) angeordnet ist.
Anordnung (10) nach Anspruch 12, wobei das
Markermaterial (15) wenigstens einen der folgenden
Werkstoffe aufweist: Tusche, Epoxidharz, Klebstoff, Wasser, Kunststoff.
Anordnung (10) nach Anspruch 12 oder 13, wobei das
Markermaterial (15) eine Viskosität mit einem Wert aufweist, der in einem Bereich von 300 mPa*s bis 500 mPa*s liegt.
PCT/EP2016/058255 2015-04-15 2016-04-14 Anordnung zur aufnahme von markermaterial Ceased WO2016166235A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/566,423 US10242949B2 (en) 2015-04-15 2016-04-14 Arrangement for spatially limiting a reservoir for a marker material

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015105752.2A DE102015105752B4 (de) 2015-04-15 2015-04-15 Halbleiteranordnung mit Reservoir für Markermaterial
DE102015105752.2 2015-04-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016166235A1 true WO2016166235A1 (de) 2016-10-20

Family

ID=55802353

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2016/058255 Ceased WO2016166235A1 (de) 2015-04-15 2016-04-14 Anordnung zur aufnahme von markermaterial

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10242949B2 (de)
DE (1) DE102015105752B4 (de)
WO (1) WO2016166235A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110176430A (zh) * 2018-02-20 2019-08-27 英飞凌科技奥地利有限公司 用于管芯分离的光学可检测的参考特征
US10505337B2 (en) 2017-10-12 2019-12-10 Osram Opto Semiconductor Gmbh Method for producing a laser diode bar and laser diode bar

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1796091A1 (de) * 1967-08-31 1972-02-24 Western Electric Co Verfahren und Einrichtung zum Abmessen und selektiven Aufbringen einer hochviskosen Fluessigkeit auf eine Werkstueckoberflaeche
DE1794374A1 (de) * 1967-08-31 1974-03-21 Western Electric Co Verfahren zum markieren und aussondern elektrisch schadhafter halbleiterbauelemente auf einer halbleiterscheibe
DE10321403A1 (de) * 2002-05-15 2003-12-04 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Markierung von Schlechtteilen
US20090034225A1 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 Seiko Epson Corporation Substrate and manufacturing method of the same, and semiconductor device and manufacturing method of the same
US20120164797A1 (en) * 2007-05-31 2012-06-28 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Method of Manufacturing a Light Emitting, Power Generating or Other Electronic Apparatus

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3720309A (en) * 1971-12-07 1973-03-13 Teledyne Inc Method and apparatus for sorting semiconductor dice
US6186609B1 (en) * 1997-10-27 2001-02-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Apparatus and method for dispensing ink on an object
JP3644859B2 (ja) * 1999-12-02 2005-05-11 沖電気工業株式会社 半導体装置
US10388626B2 (en) * 2000-03-10 2019-08-20 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of forming flipchip interconnect structure
US20060159838A1 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation Controlling ink migration during the formation of printable electronic features
US7767437B2 (en) * 2001-11-02 2010-08-03 Genefluidics, Inc. System for detection of a component in a liquid
US6702489B2 (en) * 2002-07-03 2004-03-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Inking apparatus with multi-positioning capability
US8350384B2 (en) * 2009-11-24 2013-01-08 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming electrical interconnect with stress relief void
US8026128B2 (en) * 2004-11-10 2011-09-27 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of self-confinement of conductive bump material during reflow without solder mask
JP2006128459A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
US8841779B2 (en) * 2005-03-25 2014-09-23 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming high routing density BOL BONL and BONP interconnect sites on substrate
US9258904B2 (en) * 2005-05-16 2016-02-09 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming narrow interconnect sites on substrate with elongated mask openings
US7265567B2 (en) * 2005-05-31 2007-09-04 Delphi Technologies, Inc. First die indicator for integrated circuit wafer
TWI300677B (en) * 2006-05-09 2008-09-01 Unimicron Technology Corp Manufacturing and apparatus for printing mark on detective board
JP2009141147A (ja) 2007-12-06 2009-06-25 Nec Electronics Corp 半導体装置の製造方法
US8349721B2 (en) * 2008-03-19 2013-01-08 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming insulating layer on conductive traces for electrical isolation in fine pitch bonding
US9345148B2 (en) * 2008-03-25 2016-05-17 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming flipchip interconnection structure with bump on partial pad
US8198186B2 (en) * 2008-12-31 2012-06-12 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of confining conductive bump material during reflow with solder mask patch
US8659172B2 (en) * 2008-12-31 2014-02-25 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of confining conductive bump material with solder mask patch
US8288202B2 (en) * 2010-11-22 2012-10-16 STATS ChiPAC, Ltd. Method of forming partially-etched conductive layer recessed within substrate for bonding to semiconductor die
JP5927756B2 (ja) * 2010-12-17 2016-06-01 ソニー株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US9142520B2 (en) * 2011-08-30 2015-09-22 Ati Technologies Ulc Methods of fabricating semiconductor chip solder structures

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1796091A1 (de) * 1967-08-31 1972-02-24 Western Electric Co Verfahren und Einrichtung zum Abmessen und selektiven Aufbringen einer hochviskosen Fluessigkeit auf eine Werkstueckoberflaeche
DE1794374A1 (de) * 1967-08-31 1974-03-21 Western Electric Co Verfahren zum markieren und aussondern elektrisch schadhafter halbleiterbauelemente auf einer halbleiterscheibe
DE10321403A1 (de) * 2002-05-15 2003-12-04 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Markierung von Schlechtteilen
US20120164797A1 (en) * 2007-05-31 2012-06-28 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Method of Manufacturing a Light Emitting, Power Generating or Other Electronic Apparatus
US20090034225A1 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 Seiko Epson Corporation Substrate and manufacturing method of the same, and semiconductor device and manufacturing method of the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10505337B2 (en) 2017-10-12 2019-12-10 Osram Opto Semiconductor Gmbh Method for producing a laser diode bar and laser diode bar
CN110176430A (zh) * 2018-02-20 2019-08-27 英飞凌科技奥地利有限公司 用于管芯分离的光学可检测的参考特征

Also Published As

Publication number Publication date
DE102015105752B4 (de) 2021-08-05
US20180102323A1 (en) 2018-04-12
US10242949B2 (en) 2019-03-26
DE102015105752A1 (de) 2016-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO1997035273A2 (de) Chipkarte
DE102009022096A1 (de) Chip-Widerstand und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102016113865B4 (de) Dichtungssystem zum Abdichten eines Spalts
DE112016006376T5 (de) Halbleitervorrichtung
WO2016166235A1 (de) Anordnung zur aufnahme von markermaterial
DE102005058451A1 (de) Beschleunigungssensor
DE102013200944B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung und Halbleitervorrichtung
DE112021008319T5 (de) Wedge-Werkzeug und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE102015116092B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE102018004036A1 (de) Sensorabdeckung mit einer kapillaren Oberflächenstruktur
WO2015014906A1 (de) Optoelektronisches bauelement
WO2017144691A1 (de) Optoelektronisches bauteil mit einem leiterrahmenabschnitt
DE102017117165A1 (de) Elektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils
EP4320549B1 (de) Kartenkörper für eine chipkarte, chipkarte und verfahren zur herstellung eines kartenkörpers
DE212019000225U1 (de) Drucksensor
DE19601899C1 (de) Fördergurt mit eingebetteten Leiterschleifen
DE102023122973A1 (de) Befestigungselemente für elektrische verbinder eines fahrzeugs
WO2007093279A2 (de) Verfahren zur herstellung von elektronischen bauelementen und drucksensor
DE102013111120A1 (de) Halbleiterchip und Verfahren zum Vereinzeln eines Verbundes in Halbleiterchips
DE102020007784A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Kartenkörpers, Kartenkörper für eine Chipkarte und Chipkarte
DE102014118628A1 (de) Bondingschlip, Träger und Verfahren zum Herstellen eines Bondingclips
DE102015226143A1 (de) Vielschichtaktor
DE102018219524A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines mikroelektromechanischen Sensors und mikroelektromechanischer Sensor
DE112017001517T5 (de) Sensor
DE102016208498A1 (de) Elektronische Baugruppe mit zwischen zwei Schaltungsträgern befindlichen Bauelement und Verfahren zu deren Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 16717605

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15566423

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 16717605

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1