WO2016162431A1 - Konverterbauteil für eine optoelektronische leuchtvorrichtung - Google Patents

Konverterbauteil für eine optoelektronische leuchtvorrichtung Download PDF

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Markus Richter
Martin Brandl
Markus Burger
Günter Spath
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Definitions

  • the invention relates to a converter component for an opto ⁇ electronic lighting device.
  • the invention further relates to a method for the manufacture or for the production of a converter device for an opto-electronic Leuchtvorrich ⁇ processing.
  • the invention further relates to an optoelectronic lighting device.
  • LED light emitting diode
  • More and more LED (light emitting diode) devices require coverage of a light emitting chip with a strictly defined conversion layer.
  • spat ⁇ len next to the exact color location new properties, such as layer thickness, contour accuracy, the dimensional accuracy or appearance when turned off a very important role.
  • a very important requirement are also conversion elements with a defined outer contour which serve as a stop edge for casting ⁇ material in a molding process of the component to the convergence ⁇ sion element surface.
  • Such a stop edge can furthermore also be necessary, for example, in other processes, for example in a so-called “film-assisted molding", a film-assisted injection molding.
  • no conversion elements with sharp outer edges can be produced by means of these technologies, which can serve as a stop edge for, for example, the casting process or the film-assisted injection molding.
  • the object underlying the invention can therefore be seen as ⁇ rin to provide a concept that a reproducible and homogenous appearance of a convergence ⁇ terbauteils and efficient suitability of Konverterbau ⁇ partly for processing processes, in particular a casting ⁇ process and / or a film-assisted Injection molding, made ⁇ light.
  • a converter part for an opto-electronic ⁇ lighting device comprising:
  • Is ge comprising forming a stack of layers, a base layer and a converter layer on a surface of the submount ⁇ -.
  • a method for producing a converter component for an optoelectronic lighting device comprising the following steps:
  • an opto-electronic light ⁇ device comprising a light-emitting semiconductor device and the converter component-removed subcarrier.
  • the invention includes in particular and inter alia, to form a stack of layers comprising a base layer and a converter layer on a surface of an auxiliary carrier ⁇ the idea.
  • an efficient component-specific packaging is effected on account of the inventive stack ⁇ stack. Because due to the use of at least two layers for the layer stack layer thicknesses can be adjusted according to the component requirements, the converters used and the color locations to be achieved in an advantageous manner.
  • layer stacks may have the same thickness at different color locations, which as a rule are achieved by means of different layer thicknesses of the converter layer.
  • the common thickness of the layer ⁇ stack can then be achieved for example by means of appropriate Anpas ⁇ solution of the layer thickness of the base layer.
  • a layer stack ver ⁇ be einzelt efficiently to form isolated layers stack on a ge ⁇ common subcarrier, so that can be achieved, for example, a very good contour accuracy for the separated layer stack.
  • stop edges for subsequent potting processes can be produced efficiently.
  • a rapid adjustment to desired di ⁇ mensions can be made.
  • the auxiliary carrier is a film, for example a polyimide film, a polytetrafluoroethylene film, a UV film, a sawing film, a so-called “thermally release film” (an adhesive film which can be heated by means of heating from the object (in this case the layer stack) can be solved, also to which the adhesive film is glued).
  • a film for example a polyimide film, a polytetrafluoroethylene film, a UV film, a sawing film, a so-called “thermally release film” (an adhesive film which can be heated by means of heating from the object (in this case the layer stack) can be solved, also to which the adhesive film is glued).
  • a thickness of the subcarrier is for example between 50ym to 500ym.
  • the subcarrier is in particular a temporary carrier and is removed, for example, in a later method step.
  • the stack of layers in particular ⁇ sondere the separated layer stack from the auxiliary support and disposed on another subcarrier.
  • Arranging the other auxiliary carrier includes, for examples game sticking of the layer stack, in particular the ver ⁇ einzelten layer stack, on the other subcarrier.
  • the base layer is a silicone layer. If in the following one embodiment includes a silicone layer, so should always the more general term "Ba ⁇ sistik" be read.
  • a silicone layer has to ⁇ special technical advantage that it can be manufactured efficiently.
  • the base layer comprises at least one of the following materials or is formed from at least one of the following materials: silicone, glass, hybrid materials (for example glass-silicone)
  • a layer stack in the sense of the present invention therefore comprises in particular a plurality of layers, in particular the base layer, preferably the silicone layer, and the converter layer, which are stacked on top of each other that is, that the individual layers of the layer stack are stacked ge ⁇ .
  • a converter layer according to the present invention is particularly adapted first having to convert electromagnetic radiation ⁇ facing a first wavelength or a Wellenlän ⁇ gene region into electromagnetic radiation, a second wavelength or a second Wellendorfnbe ⁇ rich, wherein the second wavelength different that of the first wavelength is, respectively, the second Wel, is different ⁇ wavelength region at least partially, in particular completeness, ⁇ dig from the first wavelength range.
  • a converter layer in the sense of the present invention thus has a converter function or a conversion function, ie it converts electromagnetic radiation.
  • the electromagnetic radiation to be converted may be referred to, for example, as a primary light or as a primary radiation.
  • the converted by the converter layer elekt ⁇ romagnetician radiation can, for example, light as a secondary or are referred to as a secondary radiation.
  • a converter layer can be referred to as a conversion layer.
  • the primary radiation is, for example, in the range of 430 nm to 480 nm.
  • the secondary radiation is, for example, in the range from 450 nm to 800 nm.
  • the base layer for example the silicone layer
  • the base layer is free of a diffuser. That means in particular that is in the Ba ⁇ sistik no diffuser.
  • the technical advantage in particular that an electromagnetic radiation which radiates through the base layer is hardly, if at all, scattered in the base layer is caused.
  • the base layer is transparent.
  • Transparent in the sense of the present invention can also be described as clear. the. So that means that the base layer that is free of egg ⁇ nem diffuser is a clear base layer.
  • Transparent in the context of the present invention means in particular that the base layer has a transmission of 90%, in particular 95%, preferably 99%, of the primary radiation and / or the secondary radiation.
  • the base layer comprises a diffuser.
  • the technical advantage is insbesonde- re causes an electromagnetic ⁇ specific radiation which radiates through the base layer, can be diffused in the base layer.
  • the diffuser may be formed, for example, according to an embodiment so as a certain color, for ⁇ In gaming, white generated.
  • the conver ⁇ ter be covered by this.
  • the layer stack comprises a diffuser layer comprising a diffuser.
  • the Schich- comprising a Dif ⁇ fusor tenstapel is free of a diffuser layer. This means that the layer stack does not have a diffuser layer comprising a diffuser.
  • the diffuser comprises a diffuser or more particles, in particular ⁇ sondere: Si02 particles, A1203 particles Ti02 particles Sili ⁇ konpumble, glass particles.
  • a diffuser particle may have a mean grain size of 100 nm to 10 ym. That is to say into ⁇ particular, that may be a diameter of the diffuser particles is between 100 nm and 10 ym.
  • the aforementioned materials for diffuser particles and in particular the different particle sizes advantageously have different properties that can be used according to the requirements.
  • A1203 contributes better to the homogenization of light or, in general, of electromagnetic radiation.
  • Ti02 contributes to the better whiteness impression when switched off.
  • the converter layer comprises silicone and a converter.
  • a converter in the sense of the present invention is in particular a material or a material composition (that is to say generally a material), which causes a conversion of electromagnetic radiation.
  • a converter is for example a phosphor.
  • a converter is, for example, an organic or an inorganic dye.
  • Converters are, in particular, powders (comprising, for example, phosphorus and / or an inorganic and / or an organic phosphor), which are fixed in a radiation-stable matrix. Silicone is particularly suitable in the abovementioned exemplary range of primary radiation as matrix material.
  • the converter for example a powder
  • the silicone thus forms in particular a matrix in which the powder or generally the converter is preferably embedded.
  • at least one of the layers of the layer stack is sprayed on.
  • all layers of the layer stack are sprayed on.
  • the base layer, in particular the silicone layer is sprayed on, respectively.
  • the spraying has the technical advantage that a layer thickness of the corresponding layer can be set efficiently.
  • the converter ⁇ layer when the converter ⁇ layer is sprayed, can advantageously be set a color bort efficient. This in particular over ei ⁇ ne predetermined layer thickness.
  • At least one of the layers of the layer stack is sprayed on.
  • all the layers of the layer stack be ⁇ sprayed.
  • the material to be sprayed on comprises a suspension which is sprayed on, for example by means of a spray nozzle, as will be explained below.
  • Respective Ma ⁇ TERIAL the purpose of forming the one or more layers of the layer stack used by spraying, respectively, each suspension used, comprising the sprayed material, in particular has a Vis ⁇ viscosity of from, for example, maximum 50 mPa * s at 20 ° C, at ⁇ play of not more than 40 mPa * s at 20 ° C, for example a maximum of 30 mPa * s at 20 ° C, for example a maximum of 20 mPa * s at 20 ° C, for example a maximum of 15 mPa * s at 20 ° C, for example maximum 10 mPa * s at 20 ° C, for example ⁇ of a maximum of 5 mPa * s at 20 ° C, in particular of at most 3 mPa * s at 20 ° C, in particular of a maximum of 2 mPa * s at 20 ° C, for example of maximum 1.5 mPa * s, on.
  • the respective material used for spraying is a sprayable material or that the suspension is a sprayable suspension.
  • a pasty material which is brush-resistant and which therefore can be used, for example, for a screen printing process.
  • a screen printing process therefore, is not spraying in the sense of this invention.
  • Spraying as understood in the sense of this invention, is referred to in English as a "spray coating".
  • a spray gun is used for spraying the at least one layer, in particular of all layers, of the layer stack.
  • a spray gun comprises a spray nozzle.
  • the spray nozzle By means of the spray nozzle, the material or the suspension is sprayed on.
  • the spray nozzle for example, at a distance of one or more centimeters to the surface of the element on which (the surface) is sprayed, so for example to Oberflä ⁇ surface of the auxiliary carrier or to the surface of an already formed layer. This means that when spraying the Mate ⁇ rial or the suspension contactless (the spray nozzle does not touch the surface) is transmitted. The spraying is thus based on a contactless material transfer.
  • the spray gun comprises a storage container in which the material to be sprayed on and / or a suspension comprising the material to be sprayed are stored.
  • the spray gun thus has a Materi ⁇ albevorratungsfunktion.
  • the spray gun comprises a homogenizer for homogenizing the stored material and / or for homogenizing the suspension comprising the material to be sprayed on.
  • the spray gun thus has a Homo ⁇ genticiansfunktion.
  • the spray gun includes a För comprising ⁇ der adopted for conveying the sprayed material and / or the suspension, the sprayed material from the reservoir to the spray nozzle. The spray gun thus has a delivery function.
  • the spray gun includes a valve connected between the spray nozzle and the reservoir.
  • the valve can thus open or close a path of ceremoniessprü ⁇ rising material or the réellesprühenden suspension.
  • the spray nozzle dictates by its design a spray weight and / or a spray cone shape.
  • spraying in the sense of this invention is based on contactless material transfer.
  • the spray gun moves in particular one or more centimeters above the surface to which is to be sprayed or is.
  • a spray gun, which is used for spraying is, respectively is defi ned ⁇ particular by three features: a material hopper, a valve and a Sprühdü ⁇ se.
  • the material storage also includes, for example, a homogenizing function and, for example, also a delivery of the material or of the suspension.
  • the valve opens, respectively closes a path of Mate ⁇ rials respectively of the suspension to the spray nozzle.
  • the base layer is formed as a base film.
  • the technical advantage is in particular causes a effi cient ⁇ handling of the base layer can be effected.
  • a base layer is formed as a base film, produced efficiently. This in ⁇ example, by means of per se known technologies for the production of films. Such technologies include, for example, printing, film drawing (extrusion process), rolling and molding.
  • a base film also has the technical advantage that it is flexible and can therefore be easily applied to the auxiliary carrier.
  • the silicone layer is formed as a silicone film.
  • the corresponding advantages are analogous to the base film.
  • the base layer (for example the silicone layer), in particular the base film (for example the silicone film), has a layer thickness between 10 ⁇ m and 500 ⁇ m.
  • the converter layer has a layer thickness between 10 ym and 200 ym.
  • the diffuser layer has a layer thickness between 0.5 ym and 100 ym.
  • the diffuser layer is formed as a diffuser film.
  • the converter layer is formed as a converter film.
  • the diffuser film and the converter film are analogous to the base film or silicone film.
  • Embodiments relating to the converter component result analogously from corresponding embodiments of the method and vice versa. This means that technical functionalities for the converter component result from corresponding technical functionalities of the method and vice versa.
  • the convergence is terbauteil prepared by the method of manufacturing a Kon ⁇ verterbauteils.
  • the subcarrier is removed from the layer stack or vice versa. That means that after this step of unloading ⁇ fernens the stack of layers is free from the auxiliary carrier.
  • the stack of layers, insbeson ⁇ particular the separated layer stack is arranged on a further sub-carrier before the auxiliary support is removed.
  • This arrangement on the other subcarrier includes, for example, a lamination and / or a pasting.
  • an isolated layer stack (or a plurality of individual layered stacks ) is removed from the auxiliary carrier or from the further auxiliary carrier becomes.
  • the layer stacks can thus be removed, for example, individually from the auxiliary carrier or from the further auxiliary carrier.
  • the removal of the singulated layer stacks may also be referred to as picking or picking.
  • the light-emitting semiconductor component is a light-emitting diode, that is to say a light-emitting diode.
  • a light-emitting diode is referred to in English as “light-emitting diode (LED)”.
  • the light-emitting semiconducting ⁇ terbauteil is a laser diode.
  • a plurality of light-emitting semiconductor components are provided which, for example, may be identical or preferably formed differently.
  • the converter component-removed sub-carriers is arranged in a radiation area of the or of the semiconductor light-emitting components to the electromagnetic radiation emitted by the or the light ⁇ emitting semiconductor components to Conver ⁇ animals.
  • a plurality of converter components are provided.
  • the converter component of the lighting device according to the invention is produced for example by means of the method according to the invention.
  • a layer (for example, converter layer, diffuser layer, base layer, for example, silicone layer) of the Schichtensta ⁇ pels comprising a top and a bottom opposite the top countertransference.
  • Layer stacks with one another the underside of the one layer is arranged on top of another layer.
  • a position of a layer in the stack of layers may be defined relative to the case ⁇ play on the subcarrier.
  • Silicones are poly (organo) siloxanes and a designation for a group of synthetic polymers in which silicon atoms are linked via oxygen atoms.
  • a separation of the layer stack is provided.
  • the layer stack is therefore in particular singulated. That means for example that in the stack recesses are formed which ver pass through the stack of layers up to the surface of the submount ⁇ . Thus, therefore, separate layer stacks are formed, which are arranged on the common subcarrier. These isolated layer stack thus form simplistic ⁇ isolated converter components. For example, the recesses can lead into the subcarrier without completely separating it.
  • the singulation can be Runaway ⁇ results, for example by means of a saw, a laser, a water jet and / or a punch.
  • FIGS. 1-4 each show a manufacturing step in one
  • FIGS. 5-8 each show a production step in a method for producing a second converter component
  • Fig. 9-13 each have a manufacturing step in one
  • FIGS. 14-18 each show a manufacturing step in one
  • a method for producing a fourth converter component, Fig. 19-22 each show a manufacturing step in one
  • FIGS. 23-25 each show a production step in one
  • 26 shows a production step in a method for producing a seventh converter component
  • FIGS. 27 and 28 each show a manufacturing step in a method of manufacturing an eighth converter device
  • Fig. 29 is a flowchart of a method of manufacturing a converter device, and Fig. 30 shows an optoelectronic lighting device.
  • Fig. 1 shows a subcarrier provided 101 having a surface 103.
  • a Si ⁇ likon Anlagen 105 applied as a base layer.
  • the silicon kon für 105 is, for example, as a silicone film gebil ⁇ det.
  • the silicone layer 105 is free of a diffuser or free of diffuser particles and is thus clear.
  • the silicone layer 105 has an underside 107.
  • the Si ⁇ likon Anlagen 105 has a top surface 109, the 107 is formed opposite to the sub ⁇ page.
  • the silicone layer 105 is applied to the surface 103 such that the bottom 107 faces the surface 103.
  • the Obersei ⁇ te 109 of the silicon layer 105 is the surface 103 to ⁇ Wandt.
  • the silicone layer 105 may be sprayed onto the surface 103, for example.
  • the silicone layer 105 when formed as a silicone film, may be applied to the surface 103.
  • a preferred thickness of the silicone layer 105 is, for example, in the range between 10 .mu.m and 500 .mu.m.
  • Fig. 2 shows that on the silicone layer 105, a converter ⁇ layer 201 is applied.
  • the converter layer 201 has an underside 203 and a bottom 203 waivelie ⁇ constricting top 205.
  • the converter layer 201 is applied to the silicon layer 105 in such a way that the underside 203 of the upper side 109 faces the silicone layer 105.
  • the upper side 205 of the converter layer 201 faces away from the upper side 109 of the silicone layer 105. This means that the underside 203 of the converter layer 201 is arranged on the upper side 109 of the silicone layer 105.
  • the converter layer 201 which may also generally be referred to as a conversion layer, may for example be sprayed onto the silicone layer 105.
  • a layer stack 209 is formed on the surface 103.
  • This layer stack 209 comprises the silicon layer 105 and the converter layer 201.
  • a converter component 207 is produced which comprises the auxiliary carrier 101 and the layer stack 209.
  • Based on the auxiliary ⁇ carrier 101 is a sequence of layers of layers- Stack 209 as follows: first, the silicone layer 105 and only then the conversion layer 201.
  • FIG. 3 shows the converter component 207 after a separating step.
  • the layer stack 209 is singulated. That is to say, the layer stack 209 is provided with recesses 301 which extend through the layer stack 209 as far as the surface 103 of the auxiliary carrier 101.
  • recesses 301 which extend through the layer stack 209 as far as the surface 103 of the auxiliary carrier 101.
  • Subcarrier 101 are arranged. These isolated layer stacks thus form isolated converter components 303.
  • This characterization includes, for example, illuminating the individual converter components 303 by means of light.
  • a light source 401 is provided.
  • the light source 401 emits a light beam 405 towards a top surface 205 of a converter layer 201 of an isolated converter 303.
  • ⁇ component light which is reflectors ⁇ advantage of this top 205, is distinguished symbolically marked with the reference numeral 407th This reflected light is detected by an optical detector 403.
  • FIGS. 5 to 8 each show a production step in a method for producing a second converter component.
  • Fig. 5 shows a provided auxiliary carrier 101, wherein a silicone ⁇ layer 501 is arranged as a base layer or applied to the surface 103 of the subcarrier 101.
  • the silicone layer 501 has diffuser particles 507. This means that diffuser particles are embedded in the silicone layer 501.
  • These dif- fusorpumble 507 cause scattering of electromagnetic radiation ⁇ shear.
  • the silicone layer 501 has a bottom 503 and ei ⁇ ne the bottom 503 opposite top 505.
  • the underside 503 of the silicone layer 501 faces the surface 103.
  • the upper side 505 of the silicone layer 501 faces away from the surface 103 of the auxiliary carrier 101. This means that the silicone layer 501 is applied to the surface 103 as the first layer.
  • the silicone layer 501 may be formed, for example, as a silicone film.
  • FIG. 6 shows a converter layer 201 applied on the upper side 505 of the silicone layer 501, analogously to FIG. 2.
  • the lower side 203 of the converter layer 201 faces the upper side 505 of the silicone layer 501.
  • the upper side 205 of the converter layer 201 faces away from the upper side 505 of the silicone layer 501. This means that the converter layer 201 is applied after the silicone layer 501.
  • Layer stack 601 formed, which includes the silicone layer 501 and the converter layer 201. This layer stack 601 is thus gebil ⁇ det on the surface 103 of the subcarrier one hundred and first
  • a converter component 603 is produced comprising the subcarrier 101 and the layer stack 601. Relative to the subcarrier 101, an order of the layers of the layer stack 601 is as follows: first, the silicone layer 501 and only then the conversion layer 201.
  • a separating step is provided in order to recesses 301 in the layer stack 601 form.
  • a saw 701 is provided for this separating step.
  • the recesses 301 can be sawed, for example, by means of the saw 701.
  • individual converter components 801 are thus formed analogously to FIG. 3, as shown in FIG. 8.
  • the isolated converter components 801 are characterized electro-optically. This, for example, by means of the light source 401 and the optical detector ⁇ rule 403rd
  • FIGS. 9 to 13 each show a manufacturing step in egg ⁇ nem process for producing a third Konverterbau- part.
  • FIG. 9 shows analogously to FIG. 1 a provided auxiliary carrier 101, wherein a clear silicone layer 105 is already applied to the surface 103 of the auxiliary carrier 101.
  • FIG. 10 shows that a diffuser layer 1001 is applied to the upper side 109 of the silicone layer 105.
  • the diffuser layer 1001 has a bottom surface 1003 and one of the sub ⁇ side opposite top surface 1005.
  • the diffuser layer 1001 is positioned in such a way ⁇ introduced, on the silicon layer 105 that the underside 1003 of the diffuser layer 1001 of the upper surface 109 of the silicon layer facing 105th
  • the upper ⁇ page 1005 of the diffuser layer 1001 is opposite to the upper surface 109 of the silicon layer 105th That is to say that as the first layer, the silicon layer 105 positioned on the surface 103 ⁇ is introduced. This is followed by the diffuser layer 1001.
  • the diffuser layer 1001 may comprise, for example, a plurality of diffuser particles.
  • the diffuser layer 1001 may, for example, be sprayed on.
  • FIG. 11 shows that a converter layer 201 has been applied to the diffuser layer 1001, for example sprayed on. That means that the bottom 203 of the converter ⁇ layer 201 of the upper surface 1005 of the diffuser layer 1001 is disposed conces- Wandt.
  • the upper side 205 of the converter layer 201 is the upper side 1005 of the diffuser layer 1001 to give ⁇ wall.
  • a converter component 1130 is prepared comprising the auxiliary carrier 101 as well as the layer stack 1101. Based on the subcarrier 101 is a sequence of layers of the layer stack 1101 as follows: first the silicone layer 105, the diffuser layer 1001 and only then the convergence ⁇ ter Mrs 201. Analog to Fig. 3, Fig. 12 shows an already performed
  • FIGS. 14 to 18 each show a manufacturing step in a method of manufacturing a fourth converter component.
  • Fig. 14 shows a subcarrier provided 101.
  • a diffuser layer 1001 for example, sprayed ⁇ , and then the silicon layer 105 is formed. That is to say, the underside 1003 of the diffuser layer 1001 faces the surface 103.
  • the top 1005 of the Diffuser layer 1001 faces away from the surface 103.
  • the bottom 107 of the silicone layer 105 faces the top 1005 of the diffuser layer 1001.
  • the top surface 109 of the Si ⁇ likontik 105 facing away from the upper surface 1005 of the diffuser layer 1,001th
  • Fig. 16 shows that a converter layer or conversion layer ⁇ is deposited on the silicon layer 105 201, sprayed for example.
  • the underside 203 of the converter layer 201 of the upper side 109 faces the silicone layer 105.
  • the upper side 205 of the converter layer 201 faces away from the upper side 109 of the silicone layer 105. That is, al ⁇ so that the converter layer 201 is applied to the top 109 of the silicone layer 105.
  • a layer stack 1601 is formed comprising the diffuser layer 1001, the silicon layer 105 and the conver ⁇ ter layer 201. This layer stack 1601 is thus formed on the surface 103 of the subcarrier 101.
  • a converter component 1603 is made comprising the auxiliary carrier 101 as well as the layer stack 1601. Based on the subcarrier is an order of the layers in the multilayer stack 1601 as follows: First, the diffuser layer 1001, then the silicon layer 105 and then the converter ⁇ layer or conversion layer two hundred and first
  • FIG. 17 shows, analogously to FIG. 7, a singulation of the layer stack 1601 by means of a saw 701.
  • FIGS. 19 to 22 each show a manufacturing step in a method of manufacturing or manufacturing a fifth converter device.
  • FIG. 19 shows a provided auxiliary carrier 101, wherein on the surface 103 a converter layer 201 is applied, for example sprayed on.
  • the bottom 203 of the surface 103 faces.
  • the upper side 205 of the converging layer 201 faces away from the surface 103.
  • FIG. 20 shows that a silicone layer 105 is applied to the upper side 205 of the converter layer 201.
  • the silicone ⁇ layer 105 is free of a diffuser.
  • the upper side 109 of the silicone layer 105 faces away from the upper side 205 of the converter layer 201.
  • a layer stack 2001 is formed, comprising the converter layer 201 and the silicone layer 105
  • Layer stack 2001 is formed on the surface 103 of the Hilfsträ ⁇ gers one hundred and first
  • a converter component is formed 2003 or prepared comprising the auxiliary carrier 101 as well as the layer stack 2001.
  • Figure 21 shows analog to Fig. 3 isolated converter components 2101, as they are formed after a separation of the layer stack 2001 shown in FIG.
  • FIGS. 23 to 25 each show a manufacturing step in a method of manufacturing or manufacturing a sixth converter component.
  • FIG. 23 starts from a provided auxiliary carrier comprising a converter layer 201 analogous to FIG. 19.
  • the silicone layer 501 is diffuse, so not clear, so has a diffuser.
  • a silicone layer 501 comprising diffuser particles 507 is on the
  • a layer stack 2301 is formed comprising the converter layer 201 and the silicone layer 501.
  • Layer stack 2301 is formed on the surface 103 of the auxiliary carrier 101.
  • a converter component 2303 is produced, comprising the auxiliary carrier 101 and the layer stack 2301. Relative to the auxiliary carrier 101, an order of the layers in the layer stack 2301 is as follows: first, the converter layer 201 and only then the silicone layer 501.
  • Fig. 24 is a separation means ei ⁇ ner saw 701 of the layer stack 2,301th
  • FIG. 25 shows the isolated converter components 2501 analogous to FIG. 8.
  • an electro-optical characterization of the individual converter components 2501 may be provided.
  • Fig. 26 shows a manufacturing step in a method of manufacturing a seventh converter device.
  • FIG. 26 is based on the converter component 2003 according to FIG. 20. As a difference, on the top 109 of the
  • Silicone layer 105 Silicone layer 105, a diffuser layer 1001 applied.
  • ⁇ with the bottom 1003 of the diffuser layer 1001 of the upper surface 109 of the silicon layer 105 facing.
  • the top 1005 of the diffuser layer 1001 is opposite to the upper surface 109 of the Sili ⁇ kon Anlagen 105th
  • a layer stack 2601 is formed comprising the converter layer 201, the silicon layer 105 and the diffuser layer 1001. This layer stack 2601 is formed on the surface 103 of the auxiliary carrier 101.
  • a converter component 2603 is manufactured comprising the subcarrier 101 and the layer stack 2601. With respect to the subcarrier, an order of the layers of the
  • Layer stack 2601 as follows: First, the converter layer 201, then the silicon layer 105 and finally the diffuser layer 1001.
  • FIG. 27 starts from an auxiliary carrier 101 comprising a converter layer 201 analogous to FIG.
  • the lower side 1003 of the diffuser layer 1001 faces the upper side 205 of the converter layer 201.
  • the upper side 1005 of the diffuser layer 1001 faces away from the upper side 205 of the converter layer 201.
  • a silicone layer 105 is applied, which is free of a diffuser.
  • the upper side 109 of the silicone layer 105 faces away from the upper side 1005 of the diffuser layer 1001. It is thus a layered stack 2801 is formed comprising the converter layer 201, the diffuser layer 1001 and the Si ⁇ likon Anlagen 105.
  • This layer stack 2801 is formed on the surface 103 of the submount one hundred and first
  • a converter component 2803 is made comprising the auxiliary carrier 101 as well as the layer stack 2801.
  • Based on the subcarrier 101 is a sequence of layers in the multilayer stack 2801 as follows: First, the converter layer 201, then the diffuser film 1001 and finally the silicone ⁇ layer 105th
  • a separation is also provided in the converter component 2803.
  • the isolated converter components are characterized in particular electro-optically.
  • the separation and builds character ⁇ ization will not be shown again to avoid repetitions.
  • FIG. 29 shows a flowchart of a method for producing or producing a converter component for an optoelectronic lighting device. The method comprises the following steps:
  • FIG. 30 shows an optoelectronic lighting device 3001.
  • the optoelectronic light-emitting device 3001 comprises a light-emitting semiconductor component 3003, for example a light-emitting diode, in particular a laser diode.
  • the light-emitting diode is, for example, an inorganic or an organic
  • the optoelectronic lighting apparatus 3001 further comprises a converter component 3005 with a removed auxiliary carrier. That is to say, the converter component 3005 merely comprises only one layer stack. This layer stack can be formed in accordance with one of the layer stacks described above.
  • the light-emitting semiconductor device 3003 emits primary light 3007.
  • This primary light 3007 is converted into secondary light 3009 by means of the converter component 3005.
  • the invention therefore includes in particular and among other things the idea of using a plurality of technologies for producing films and / or continuous layers for the production of a converter component.
  • vorgese ⁇ hen to produce as a starting layer on an auxiliary carrier in particular can be formed as a smooth auxiliary support, a silicone film, generally a silicone layer with a defi ned ⁇ layer thickness.
  • This foil can be filled, for example, with a clear silicone or with a diffuser, for example with diffuser particles.
  • particles having an average particle size of from 100 nm to 10 ⁇ m are particularly suitable as diffuser particles.
  • Suitable material for diffuser particles are, for example, SiO 2 particles, Al 2 O 3 particles, TiO 2 particles, silicone particles, glass particles.
  • the diffuser or clear silicone film may preferably be made by known technologies such as printing, film drawing, rolling or die casting.
  • a decisive criterion is the dimensional accuracy of the layer thickness, which, however, can be adjusted well and reproducibly with the abovementioned technologies.
  • the diffuser or clear silicone film can be sprayed on.
  • a second step it is provided that a mixture of silicone and a converter is applied to the thus prepared silicone layer, in particular silicone film.
  • the mixture is sprayed on, for example by means of a spray coating (The English term "spray coating” known to those skilled in the art can for example be translated into German by "spraying").
  • spraying in particular by means of spray coatings is provided a technology on which both a layer thickness and a color locus a ⁇ can be made based good and reproducible. This applied mixture thus forms a converter layer.
  • the diffuser thus the diffuser particles not embedded in the Silikonfo ⁇ lie, but rather to spray in a separate step to the clear silicone film.
  • a the reverse process is provided in which the converter layer applied first to the surface of the submount, sprayed into ⁇ particular, is.
  • the clear or filled with silicone diffuser particles can be applied in layers, for example by means of the above-mentioned Technolo ⁇ technologies.
  • a clear silicone layer may be provided according to a further alternative embodiment repeal this diffuser layer directly on the convergence ⁇ ter Mrs or directly on the clear layer of silicone ⁇ spray.
  • the film stack produced in this way in English for Schichtsta ⁇ pel, according to one embodiment by means of known separation technologies, for example, punching, sawing or laser or water jet cutting, isolated.
  • the individual converter components are characterized, for example by means of an electro-optical measurement.
  • further processing steps can be provided.
  • layer thicknesses can be adjusted according to the component requirements, the converters used and the color locations to be achieved.
  • the separation of the layers produced in addition to the very good contour accuracy also has the advantage of being able to make adjustments to the dimensions relatively quickly. Due to the good contour fidelity (sharp outer edges) are Ver ⁇ casting processes of the semiconductor device possible to ⁇ conversion layer top edge.
  • the silicone surface of the converter components also called conversion elements, which are located on the (for example, smooth)
  • Subcarrier is formed, guarantees a very reproduzierba ⁇ res and homogeneous appearance.
  • the spraying of the conversion layer allows a conversion layer with a very tight particle packing which thus advantageous effect on heat dissipation and positive effect on the life ⁇ life of the components.

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Konverterbauteil (207) für eine optoelektronische Leuchtvorrichtung (3001), umfassend: - einen Hilfsträger (101), wobei - ein Schichtenstapel (209) umfassend eine Basisschicht (105) und eine Konverterschicht (201) auf einer Oberfläche (103) des Hilfsträgers (101) gebildet ist. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen eines Konverterbauteils (207) sowie eine optoelektronische Leuchtvorrichtung (3001).

Description

KONVERTERBAUTEIL FÜR EINE OPTOELEKTRONISCHE LEUCHTVORRICHTUNG BESCHREIBUNG
Die Erfindung betrifft ein Konverterbauteil für eine opto¬ elektronische Leuchtvorrichtung. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen oder zur Herstellung eines Konverterbauteils für eine optoelektronische Leuchtvorrich¬ tung. Die Erfindung betrifft des Weiteren eine optoelektronische Leuchtvorrichtung.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2015 105 474.4, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Immer mehr LED (Light emitting Diode, Leuchtdiode) -Bauteile verlangen nach einer Abdeckung eines lichtemittierenden Chips mit einer streng definierten Konversionsschicht. Dabei spie¬ len neben dem exakten Farbort auch neue Eigenschaften, wie die Schichtdicke, die Konturtreue, die Maßgenauigkeit oder das Erscheinungsbild im ausgeschalteten Zustand eine sehr wichtige Rolle.
Eine sehr wichtige Anforderung sind zudem Konversionselemente mit definierter Außenkontur, die als Stoppkante für Verguss¬ material in einem Vergussprozess des Bauteils bis zur Konver¬ sionselementoberfläche dienen. Eine solche Stoppkante kann weiterhin auch zum Beispiel in anderen Prozessen notwendig sein, wie zum Beispiel in einem sogenannten „Film-Assisted- Molding", einem folienunterstützten Spritzgießen.
Mit Hilfe von Technologien, wie zum Beispiel Sieb- oder
Schablonendruck, Sprühen, Spritzgießen, Düsenstrahlverfahren, ist es nur möglich, einen Teil der benötigten Anforderungen zu erfüllen, was immer zu Kompromisslösungen führt. Beispielsweise lassen sich mit dem Sieb- und Schablonendruck recht einfach formtreue Konversionselemente mit einer gut de¬ finierten Schichtdicke herstellen. Die Beschaffenheit der Oberfläche und der Flanken des Elements sind jedoch für die neuen Anforderungen nicht geeignet.
Insbesondere können über diese Technologien keine Konversi- onselemente mit scharfen Außenkanten hergestellt werden, die als Stoppkante für zum Beispiel den Vergussprozess oder das folienunterstützte Spritzgießen dienen können.
Es ist zwar möglich, Konversionsschichten unter Verwendung von keramischen Konverterplättchen herzustellen. Diese sind jedoch teuer und können nicht alle Farborte abdecken.
Die in der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe kann daher da¬ rin gesehen werden, ein Konzept bereitzustellen, welches ein reproduzierbares und homogenes Erscheinungsbild eines Konver¬ terbauteils sowie eine effiziente Eignung des Konverterbau¬ teils für Verarbeitungsprozesse, insbesondere einen Verguss¬ prozess und/oder ein folienunterstütztes Spritzgießen, ermög¬ licht .
Diese Aufgabe wird mittels des jeweiligen Gegenstands der un¬ abhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand von jeweils abhängigen Unteransprü¬ chen .
Nach einem Aspekt wird ein Konverterbauteil für eine opto¬ elektronische Leuchtvorrichtung bereitgestellt, umfassend:
- einen Hilfsträger, wobei
- ein Schichtenstapel umfassend eine Basisschicht und eine Konverterschicht auf einer Oberfläche des Hilfsträgers ge¬ bildet ist.
Gemäß einem weiteren Aspekt wird ein Verfahren zum Herstellen eines Konverterbauteils für eine optoelektronische Leuchtvor- richtung bereitgestellt, umfassend die folgenden Schritte:
- Bereitstellen eines Hilfsträgers, - Bilden eines Schichtenstapels umfassend eine Basisschicht und eine Konverterschicht auf einer Oberfläche des Hilfs¬ trägers . Nach einem anderen Aspekt wird eine optoelektronische Leucht¬ vorrichtung bereitgestellt, umfassend ein lichtemittierendes Halbleiterbauteil und das Konverterbauteil mit entferntem Hilfsträger . Die Erfindung umfasst also insbesondere und unter anderem den Gedanken, einen Schichtenstapel umfassend eine Basisschicht und eine Konverterschicht auf einer Oberfläche eines Hilfs¬ trägers zu bilden. Insbesondere wird aufgrund des erfindungsgemäßen Schichten¬ stapels eine effiziente bauteilspezifische Konfektionierung bewirkt. Denn aufgrund der Verwendung von mindestens zwei Schichten für den Schichtenstapel können in vorteilhafter Weise Schichtdicken entsprechend den Bauteilanforderungen, den verwendeten Konvertern und der zu erzielenden Farborte entsprechend angepasst werden. Es besteht also eine hohe Fle¬ xibilität hinsichtlich einer Schichtdicke für den Schichtenstapel. So können zum Beispiel Schichtenstapel eine gleiche Dicke aufweisen bei unterschiedlichen Farborten, die in der Regel mittels unterschiedlicher Schichtdicken der Konverterschicht erzielt werden. Die gemeinsame Dicke der Schichten¬ stapel kann dann zum Beispiel mittels entsprechender Anpas¬ sung der Schichtdicke der Basisschicht erzielt werden. Des Weiteren kann ein solcher Schichtenstapel effizient ver¬ einzelt werden, um vereinzelte Schichtenstapel auf einem ge¬ meinsamen Hilfsträger zu bilden, sodass zum Beispiel eine sehr gute Konturtreue für die vereinzelten Schichtenstapel erzielt werden kann. Insbesondere können Stoppkanten für nachfolgende Vergussprozesse effizient hergestellt werden. Insbesondere kann eine schnelle Anpassung an gewünschte Di¬ mensionen vorgenommen werden. Nach einer Ausführungsform ist der Hilfsträger eine Folie, zum Beispiel eine Polyimid-Folie, eine Polytetrafluorethylen- Folie, eine UV-Folie, eine Sägefolie, eine sogenannte „Ther- mal-release-Folie" (eine Klebefolie, die sich mittels Erwär- men von dem Objekt (hier der Schichtenstapel) lösen lässt, auch welchem die Klebefolie aufgeklebt ist) .
Eine Dicke des Hilfsträgers beträgt zum Beispiel zwischen 50ym bis 500ym.
Der Hilfsträger ist insbesondere ein temporärer Träger und wird zum Beispiel in einem späteren Verfahrensschritt wieder entfernt . Nach einer Ausführungsform wird der Schichtenstapel, insbe¬ sondere die vereinzelten Schichtenstapel, vom Hilfsträger entfernt und auf einen weiteren Hilfsträger angeordnet.
Das Anordnen auf den weiteren Hilfsträger umfasst zum Bei- spiel ein Kleben des Schichtenstapels, insbesondere der ver¬ einzelten Schichtenstapel, auf den weiteren Hilfsträger.
In einer Ausführungsform ist die Basisschicht eine Silikonschicht. Wenn im Folgenden eine Ausführungsform eine Silikon- schicht umfasst, so soll stets der allgemeinere Begriff „Ba¬ sisschicht" mitgelesen werden. Eine Silikonschicht weist ins¬ besondere den technischen Vorteil auf, dass diese effizient hergestellt werden kann. In einer Ausführungsform umfasst die Basisschicht zumindest eines der folgenden Materialien oder ist aus zumindest einem der folgenden Materialien gebildet: Silikon, Glas, Hybridmaterialien (zum Beispiel Glas-Silikon). Ein Schichtenstapel im Sinne der vorliegenden Erfindung umfasst also insbesondere mehrere Schichten, hier insbesondere die Basisschicht, vorzugsweise die Silikonschicht, und die Konverterschicht, die übereinander gestapelt sind. Das heißt also, dass die einzelnen Schichten des Schichtenstapels ge¬ stapelt sind.
Eine Konverterschicht im Sinne der vorliegenden Erfindung ist insbesondere ausgebildet, elektromagnetische Strahlung auf¬ weisend eine erste Wellenlänge oder einen ersten Wellenlän¬ genbereich in eine elektromagnetische Strahlung aufweisend eine zweite Wellenlänge oder einen zweiten Wellenlängenbe¬ reich zu konvertieren, wobei die zweite Wellenlänge verschie- den von der ersten Wellenlänge ist respektive der zweite Wel¬ lenlängenbereich zumindest teilweise, insbesondere vollstän¬ dig, verschieden von dem ersten Wellenlängenbereich ist. Eine Konverterschicht im Sinne der vorliegenden Erfindung weist also eine Konverterfunktion oder eine Konversionsfunktion auf, konvertiert also elektromagnetische Strahlung. Die zu konvertierende elektromagnetische Strahlung kann zum Beispiel als ein Primärlicht oder als eine Primärstrahlung bezeichnet werden. Die mittels der Konverterschicht konvertierte elekt¬ romagnetische Strahlung kann zum Beispiel als ein Sekundär- licht oder als eine Sekundärstrahlung bezeichnet werden. Auf¬ grund der Konversionsfunktion kann eine Konverterschicht auch als eine Konversionsschicht bezeichnet werden.
Die Primärstrahlung liegt zum Beispiel im Bereich von 430 nm bis 480 nm.
Die Sekundärstrahlung liegt zum Beispiel im Bereich von 450 nm bis 800 nm. Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Basisschicht, zum Beispiel die Silikonschicht, frei von einem Dif- fusor ist. Das heißt also insbesondere, dass sich in der Ba¬ sisschicht kein Diffusor befindet. Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass eine elektromagnetische Strahlung, welche durch die Basisschicht strahlt, kaum bis gar nicht in der Basisschicht gestreut wird. Das heißt also, dass die Basisschicht transparent ist. Transparent im Sinne der vorliegenden Erfindung kann auch als klar bezeichnet wer- den. Das heißt also, dass die Basisschicht, die frei von ei¬ nem Diffusor ist, eine klare Basisschicht ist. Transparent im Sinne der vorliegenden Erfindung bedeutet insbesondere, dass die Basisschicht eine Transmission von 90 %, insbesondere 95 %, vorzugsweise 99 %, der Primärstrahlung und/oder der Sekundärstrahlung aufweist.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Basisschicht einen Diffusor umfasst. Dadurch wird insbesonde- re der technische Vorteil bewirkt, dass eine elektromagneti¬ sche Strahlung, die durch die Basisschicht strahlt, in der Basisschicht gestreut werden kann. Dadurch kann zum Beispiel ein homogenes optisches Erscheinungsbild bewirkt werden. Der Diffusor kann zum Beispiel nach einer Ausführungsform derart gebildet sein, dass er eine bestimmte Farbe, zum Bei¬ spiel weiß, erzeugt. So kann zum Beispiel dadurch die Konver¬ terschicht verdeckt werden. Insbesondere kann dadurch die optoelektronische Leuchtvorrichtung im ausgeschalteten Zu- stand einen bestimmten Farbeindruck aufweisen.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Schichtenstapel eine Diffusorschicht umfassend einen Diffusor umfasst. Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil be- wirkt, dass eine elektromagnetische Strahlung, die durch den Schichtenstapel strahlt, gestreut werden kann. Dadurch kann zum Beispiel ein homogener optischer Eindruck erzielt werden.
Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Schich- tenstapel frei von einer Diffusorschicht umfassend einen Dif¬ fusor ist. Das heißt also, dass der Schichtenstapel keine Diffusorschicht umfassend einen Diffusor aufweist.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Diffusor einen oder mehrere Diffusorpartikel umfasst, insbe¬ sondere: Si02-Partikel, A1203-Partikel , Ti02-Partikel, Sili¬ konpartikel, Glaspartikel. Durch das Vorsehen von einem oder mehreren Diffusorpartikeln wird insbesondere der technische Vorteil erzielt, dass eine effiziente Streuung von elektro¬ magnetischer Strahlung bewirkt ist. Insbesondere kann durch Vorsehen von unterschiedlichen Partikelgrößen ein unterschiedlicher Streuungsgrad oder Streuquerschnitt eingestellt werden. Zum Beispiel kann ein Diffusorpartikel eine mittlere Korngröße von 100 nm bis 10 ym umfassen. Das heißt also ins¬ besondere, dass ein Durchmesser der Diffusorpartikel zwischen 100 nm und 10 ym betragen kann. Die vorstehend genannten Materialien für Diffusorpartikel und insbesondere die verschiedenen Partikelgrößen weisen in vorteilhafter Weise unterschiedliche Eigenschaften auf, die den Anforderungen entsprechend eingesetzt werden können. So trägt zum Beispiel A1203 besser zur Homogenisierung des Lichts oder allgemein der elektromagnetischen Strahlung bei. Ti02 trägt dafür zum besseren Weißeindruck im ausgeschaltetem Zustand bei .
In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Konverterschicht Silikon und einen Konverter umfasst.
Ein Konverter im Sinne der vorliegenden Erfindung ist insbesondere ein Material oder eine Materialzusammensetzung (also allgemein ein Werkstoff) , die eine Konversion von elektromag- netischer Strahlung bewirkt. Ein Konverter ist zum Beispiel ein Phosphor. Ein Konverter ist zum Beispiel ein organischer oder ein anorganischer Farbstoff. Konverter sind insbesondere Pulver (umfassend zum Beispiel Phosphor und/oder einen anorganischen und/oder einen organischen Leuchtstoff), die in ei- ner strahlungsstabilen Matrix fixiert sind. Silikon eignet sich besonders in dem vorstehend angegebenen beispielhaften Bereich der Primärstrahlung als Matrixmaterial.
Das heißt insbesondere, dass der Konverter, zum Beispiel ein Pulver, in Silikon eingebettet ist. Das Silikon bildet also insbesondere eine Matrix, in welcher das Pulver oder allgemein der Konverter vorzugsweise eingebettet ist. Nach einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass zumindest eine der Schichten des Schichtenstapels aufgesprüht ist. Beispielsweise sind alle Schichten des Schichtenstapels aufgesprüht. Zum Beispiel wird respektive ist die Basis- schicht, insbesondere die Silikonschicht, aufgesprüht. Das Aufsprühen weist insbesondere den technischen Vorteil auf, dass eine Schichtdicke der entsprechenden Schicht effizient eingestellt werden kann. Insbesondere wenn die Konverter¬ schicht aufgesprüht ist, kann in vorteilhafter Weise ein Far- bort effizient eingestellt werden. Dies insbesondere über ei¬ ne vorbestimmte Schichtdicke.
Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass zumindest eine der Schichten des Schichtenstapels aufgesprüht wird. Ins- besondere werden alle Schichten des Schichtenstapels aufge¬ sprüht .
In einer Ausführungsform ist das aufzusprühende Material von einer Suspension umfasst, die aufgesprüht wird, zum Beispiel mittels einer Sprühdüse, wie nachstehend noch erläutert wird.
Das zwecks Bilden der einen oder der mehreren Schichten des Schichtenstapels mittels Aufsprühen verwendete jeweilige Ma¬ terial respektive verwendete jeweilige Suspension, die das aufzusprühende Material umfasst, weist insbesondere eine Vis¬ kosität von beispielsweise maximal 50 mPa*s bei 20 °C, bei¬ spielsweise von maximal 40 mPa*s bei 20 °C, beispielsweise von maximal 30 mPa*s bei 20 °C, beispielsweise von maximal 20 mPa*s bei 20 °C, beispielsweise von maximal 15 mPa*s bei 20 °C, beispielsweise von maximal 10 mPa*s bei 20 °C, beispiels¬ weise von maximal 5 mPa*s bei 20 °C, insbesondere von maximal 3 mPa*s bei 20 °C, insbesondere von maximal 2 mPa*s bei 20 °C, beispielsweise von maximal 1,5 mPa*s, auf. Das heißt insbesondere, dass das zum Aufsprühen verwendete jeweilige Material ein sprühfähiges Material ist respektive dass die Suspension eine sprühfähige Suspension ist. Dies im Gegensatz zu einem pastösen Material, welches streichfest ist und welches daher zum Beispiel für ein Siebdruckverfahren verwendet werden kann. Ein Siebdruckverfahren, ist daher kein Aufsprühen im Sinne dieser Erfindung. Ein Aufsprühen, so wie es im Sinne dieser Erfindung verstanden wird, wird im Engli- sehen als ein „Spraycoating" bezeichnet.
In einer Ausführungsform wird zum Aufsprühen der zumindest einen Schicht, insbesondere aller Schichten, des Schichtenstapels eine Sprühpistole verwendet.
Eine Sprühpistole umfasst nach einer Ausführungsform eine Sprühdüse. Mittels der Sprühdüse wird das Material respektive die Suspension aufgesprüht. Während des Aufsprühens weist die Sprühdüse zum Beispiel einen Abstand von einen oder mehreren Zentimetern zur Oberfläche des Elements auf, auf welche (die Oberfläche) aufgesprüht wird, also zum Beispiel zur Oberflä¬ che des Hilfsträgers respektive zur Oberfläche einer bereits gebildeten Schicht. Das heißt, dass beim Aufsprühen das Mate¬ rial respektive die Suspension kontaktlos (die Sprühdüse be- rührt nicht die Oberfläche) übertragen wird. Das Aufsprühen basiert also auf einer kontaktlosen Materialübertragung.
Die Sprühpistole umfasst nach einer Ausführungsform einen Vorratsbehälter, in welchem das aufzusprühende Material und/oder eine Suspension umfassend das aufzusprühende Materi¬ al bevorratet ist. Die Sprühpistole weist somit eine Materi¬ albevorratungsfunktion auf.
Die Sprühpistole umfasst in einer Ausführungsform einen Homo- genisierer zum Homogenisieren des bevorrateten Materials und/oder zum Homogenisieren der Suspension umfassend das aufzusprühende Material. Die Sprühpistole weist somit eine Homo¬ genisierungsfunktion auf. Die Sprühpistole umfasst in einer Ausführungsform eine För¬ dereinrichtung zum Fördern des aufzusprühenden Materials und/oder der Suspension umfassend das aufzusprühende Material vom Vorratsbehälter zur Sprühdüse auf. Die Sprühpistole weist somit eine Förderfunktion auf.
In einer Ausführungsform umfasst die Sprühpistole ein Ventil, welches zwischen der Sprühdüse und dem Vorratsbehälter geschaltet ist. Das Ventil kann somit einen Weg des aufzusprü¬ henden Materials respektive der aufzusprühenden Suspension öffnen oder verschließen. Die Sprühdüse gibt mittels ihres Designs ein Sprühgewicht und/oder eine Form eines Sprühkegels vor.
Aufgrund der vorstehend gemachten Erläuterungen sollte somit noch klarer herausgestellt sein, dass sich ein Aufsprühen im Sinne der Erfindung in vielen Aspekten von der Drucktechnik unterscheidet. In der Drucktechnik ist das aufzubringende Ma¬ terial pastös, also streichfest, aber nicht fließfähig. Für das Aufsprühen hingegen wird zum Beispiel eine Suspension umfassend das Material verwendet, wobei die Suspension eine Viskosität aufweist, die zum Beispiel vergleichbar mit der von Wasser ist. Beispielhafte Viskositätswerte sind vorste¬ hend aufgeführt.
Anders als in der Drucktechnik basiert das Aufsprühen im Sin- ne dieser Erfindung auf eine kontaktlose Materialübertragung. Die Sprühpistole bewegt sich insbesondere ein oder mehrere Zentimeter über der Oberfläche, auf welche aufgesprüht werden soll respektive wird. Eine Sprühpistole, die für ein Aufsprühen verwendet wird, wird respektive ist insbesondere durch drei Merkmale defi¬ niert: eine Materialbevorratung, ein Ventil und eine Sprühdü¬ se . Die Materialbevorratung umfasst neben der im Namen enthaltenden Funktion eines Vorratsbehälters zum Beispiel auch eine Homogenisierungsfunktion und zum Beispiel auch eine Förderung des Materials respektive der Suspension. Das Ventil öffnet respektive verschließt einen Weg des Mate¬ rials respektive der Suspension zur Sprühdüse. In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Basisschicht als eine Basisfolie gebildet ist. Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass eine effi¬ ziente Handhabung der Basisschicht bewirkt werden kann. Ins¬ besondere kann eine solche Basisschicht, die als eine Basis- folie gebildet ist, effizient hergestellt werden. Dies bei¬ spielsweise mittels an sich bekannter Technologien zur Herstellung von Folien. Solche Technologien umfassen zum Beispiel ein Drucken, ein Folienziehen (Extrusionsprozess ) , ein Walzen und ein Formgussverfahren. Eine Basisfolie weist fer- ner den technischen Vorteil auf, dass diese flexibel ist und dadurch einfach auf den Hilfsträger aufgebracht werden kann.
In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Silikonschicht als eine Silikonfolie gebildet ist. Die entspre- chenden Vorteile ergeben sich analog zu der Basisfolie.
Nach einer Ausführungsform weist die Basisschicht (zum Beispiel die Silikonschicht), insbesondere die Basisfolie (zum Beispiel die Silikonfolie) , eine Schichtdicke zwischen 10 ym und 500 ym auf.
In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Konverterschicht eine Schichtdicke zwischen 10 ym und 200 ym aufweist .
In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Diffusorschicht eine Schichtdicke zwischen 0,5 ym und 100 ym aufweist .
Die vorstehend genannten Schichtdicken hängen insbesondere von einem gewünschten Farbort und/oder insbesondere von einer gewünschten Gesamtschichtdicke (Dicke des Schichtenstapels) ab . Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Diffusor- schicht als Diffusorfolie gebildet ist. Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Konverterschicht als eine Konverterfolie gebildet ist.
Vorteile und technische Funktionalitäten betreffend die Dif- fusorfolie und die Konverterfolie ergeben sich analog zur Ba- sisfolie oder Silikonfolie.
Ausführungsformen betreffend das Konverterbauteil ergeben sich analog aus entsprechenden Ausführungsformen des Verfahrens und umgekehrt. Das heißt also, dass sich technische Funktionalitäten für das Konverterbauteil aus entsprechenden technischen Funktionalitäten des Verfahrens ergeben und umgekehrt .
Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass das Konver- terbauteil mittels des Verfahrens zum Herstellen eines Kon¬ verterbauteils hergestellt ist.
Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass nach dem Bilden des Schichtenstapels auf der Oberfläche des Hilfsträgers der Hilfsträger von dem Schichtenstapel entfernt wird oder umgekehrt. Das heißt also, dass nach diesem Schritt des Ent¬ fernens der Schichtenstapel frei von dem Hilfsträger ist. Vor dem Entfernen kann zum Beispiel vorgesehen sein, dass nach dem Bilden des Schichtenstapels, insbesondere nach dem Ver- einzeln des Schichtenstapels, der Schichtenstapel, insbeson¬ dere die vereinzelten Schichtenstapel, auf einen weiteren Hilfsträger angeordnet wird, bevor der Hilfsträger entfernt wird. Diese Anordnen auf den weiteren Hilfsträger umfasst zum Beispiel ein Umlaminieren und/oder ein Umkleben.
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass ein vereinzelter Schichtenstapel (oder mehrere vereinzelte Schichtensta¬ pel) vom Hilfsträger oder vom weiteren Hilfsträger entfernt wird. Die Schichtenstapel können also zum Beispiel einzeln von dem Hilfsträger oder von dem weiteren Hilfsträger entfernt werden. Das Entfernen der vereinzelten Schichtenstapel kann auch als ein Entnehmen oder als ein Abpicken bezeichnet werden.
Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass das lichtemittierende Halbleiterbauteil eine lichtemittierende Diode, also eine Leuchtdiode, ist. Eine solche Leuchtdiode wird im Englischen als „light-emitting diode (LED)" bezeichnet.
Nach einer Ausführungsform ist das lichtemittierende Halblei¬ terbauteil eine Laserdiode. Insbesondere sind mehrere licht¬ emittierende Halbleiterbauteile vorgesehen, die beispielswei- se gleich oder vorzugsweise unterschiedlich gebildet sein können .
Das heißt also insbesondere, dass das Konverterbauteil mit entferntem Hilfsträger in einem Abstrahlbereich des oder der lichtemittierenden Halbleiterbauteile angeordnet ist, um die elektromagnetische Strahlung, die mittels des oder der licht¬ emittierenden Halbleiterbauteile emittiert wird, zu konver¬ tieren . Nach einer Ausführungsform sind mehrere Konverterbauteile vorgesehen .
Das Konverterbauteil der erfindungsgemäßen Leuchtvorrichtung ist zum Beispiel mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellt.
Eine Schicht (zum Beispiel Konverterschicht, Diffusorschicht , Basisschicht, zum Beispiel Silikonschicht) des Schichtensta¬ pels umfasst eine Oberseite und eine der Oberseite gegenüber- liegende Unterseite. Je nach Anordnung der Schichten im
Schichtenstapel untereinander ist die Unterseite der einen Schicht auf der Oberseite einer anderen Schicht angeordnet. Eine Position einer Schicht im Schichtenstapel kann zum Bei¬ spiel bezogen auf den Hilfsträger definiert werden.
Silikone sind Poly (organo) siloxane und eine Bezeichnung für eine Gruppe synthetischer Polymere, bei denen Siliciumatome über Sauerstoffatome verknüpft sind.
Nach einer Ausführungsform ist eine Vereinzelung des Schichtenstapels vorgesehen. Der Schichtenstapel wird also insbe- sondere vereinzelt. Das heißt also zum Beispiel, dass in dem Schichtenstapel Aussparungen gebildet werden, die durch den Schichtenstapel bis hin zur Oberfläche des Hilfsträgers ver¬ laufen. Somit sind also voneinander getrennte Schichtenstapel gebildet, die auf dem gemeinsamen Hilfsträger angeordnet sind. Diese vereinzelten Schichtenstapel bilden somit verein¬ zelte Konverterbauteile. Die Aussparungen können zum Beispiel bis in den Hilfsträger hineinführen, ohne diesen dabei vollständig zu trennen. Das Vereinzeln kann zum Beispiel mittels einer Säge, eines Lasers, eines Wasserstrahls und/oder einer Stanze durchge¬ führt werden.
Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden, wobei
Fig. 1-4 jeweils einen Herstellungsschritt in einem
Verfahren zur Herstellung eines ersten Konverterbauteils,
Fig. 5-8 jeweils einen Herstellungsschritt in einem Verfahren zur Herstellung eines zweiten Konverterbauteils,
Fig. 9-13 jeweils einen Herstellungsschritt in einem
Verfahren zur Herstellung eines dritten Konverterbauteils, Fig. 14-18 jeweils einen Herstellungsschritt in einem
Verfahren zur Herstellung eines vierten Konverterbauteils, Fig. 19-22 jeweils einen Herstellungsschritt in einem
Verfahren zur Herstellung eines fünften Konverterbauteils,
Fig. 23-25 jeweils einen Herstellungsschritt in einem
Verfahren zur Herstellung eines sechsten Konverterbauteils,
Fig. 26 einen Herstellungsschritt in einem Verfahren zur Herstellung eines siebten Konverterbauteils,
Fig. 27 und 28 jeweils einen Herstellungsschritt in einem Verfahren zur Herstellung eines achten Konverterbauteils,
Fig. 29 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung eines Konverterbauteils, und Fig. 30 eine optoelektronische Leuchtvorrichtung zeigen .
Im Folgenden können für gleiche Merkmale gleiche Bezugszei- chen verwendet werden.
Die Ausführungsbeispiele werden im Zusammenhang mit einer Si¬ likonschicht beschrieben. Es wird darauf hingewiesen, dass anstelle der Silikonschicht der allgemeinere Begriff „Basis- schicht" stets mitgelesen werden soll.
Fig. 1 zeigt einen bereitgestellten Hilfsträger 101 aufweisend eine Oberfläche 103. Auf der Oberfläche 103 ist eine Si¬ likonschicht 105 als eine Basisschicht aufgebracht. Die Sili- konschicht 105 ist zum Beispiel als eine Silikonfolie gebil¬ det. Die Silikonschicht 105 ist frei von einem Diffusor oder frei von Diffusorpartikeln und ist somit klar. Die Silikonschicht 105 weist eine Unterseite 107 auf. Die Si¬ likonschicht 105 weist eine Oberseite 109 auf, die der Unter¬ seite 107 gegenüberliegend gebildet ist. Die Silikonschicht 105 ist derart auf der Oberfläche 103 aufgebracht, dass die Unterseite 107 der Oberfläche 103 zugewandt ist. Die Obersei¬ te 109 der Silikonschicht 105 ist der Oberfläche 103 abge¬ wandt. Das heißt also, dass die Unterseite 107 auf der Ober¬ fläche 103 aufgebracht ist. Die Silikonschicht 105 kann zum Beispiel auf die Oberfläche 103 aufgesprüht werden. Insbesondere kann die Silikonschicht 105, wenn diese als eine Silikonfolie gebildet ist, auf die Oberfläche 103 aufgebracht werden. Eine bevorzugte Dicke der Silikonschicht 105 liegt zum Bei¬ spiel im Bereich zwischen 10 ym und 500 ym.
Fig. 2 zeigt, dass auf der Silikonschicht 105 eine Konverter¬ schicht 201 aufgebracht ist. Die Konverterschicht 201 weist eine Unterseite 203 und eine der Unterseite 203 gegenüberlie¬ gende Oberseite 205 auf. Die Konverterschicht 201 ist derart auf der Silikonschicht 105 aufgebracht, dass die Unterseite 203 der Oberseite 109 der Silikonschicht 105 gegenüberliegt. Die Oberseite 205 der Konverterschicht 201 ist der Oberseite 109 der Silikonschicht 105 abgewandt. Das heißt also, dass die Unterseite 203 der Konverterschicht 201 auf der Oberseite 109 der Silikonschicht 105 angeordnet ist.
Die Konverterschicht 201, die allgemein auch als eine Konver- sionsschicht bezeichnet werden kann, kann zum Beispiel auf die Silikonschicht 105 aufgesprüht werden.
Es ist somit ein Schichtenstapel 209 auf der Oberfläche 103 gebildet. Dieser Schichtenstapel 209 umfasst die Silikon- schicht 105 sowie die Konverterschicht 201. Es ist somit ein Konverterbauteil 207 hergestellt, welches den Hilfsträger 101 sowie den Schichtenstapel 209 umfasst. Bezogen auf den Hilfs¬ träger 101 ist eine Reihenfolge der Schichten des Schichten- Stapels 209 wie folgt: zuerst die Silikonschicht 105 und erst dann die Konversionsschicht 201.
Fig. 3 zeigt das Konverterbauteil 207 nach einem Vereinze- lungsschritt . In einem solchen Vereinzelungsschritt wird der Schichtenstapel 209 vereinzelt. Das heißt also, dass der Schichtenstapel 209 mit Aussparungen 301 versehen wird, die durch den Schichtenstapel 209 bis hin zur Oberfläche 103 des Hilfsträgers 101 verlaufen. Somit sind also voneinander ge- trennte Schichtenstapel gebildet, die auf dem gemeinsamen
Hilfsträger 101 angeordnet sind. Diese vereinzelten Schichtenstapel bilden somit vereinzelte Konverterbauteile 303.
Nach diesem Vereinzelungsschritt gemäß Fig. 3 ist gemäß Fig. 4 eine elektro-optische Charakterisierung der vereinzelten Konverterbauteile 303 vorgesehen.
Diese Charakterisierung umfasst zum Beispiel das Beleuchten der vereinzelten Konverterbauteile 303 mittels Licht. Hierfür ist eine Lichtquelle 401 vorgesehen. Die Lichtquelle 401 emittiert einen Lichtkegel 405 in Richtung einer Oberseite 205 einer Konverterschicht 201 eines vereinzelten Konverter¬ bauteils 303. Licht, welches von dieser Oberseite 205 reflek¬ tiert wird, ist symbolisch mit dem Bezugszeichen 407 gekenn- zeichnet. Dieses reflektierte Licht wird von einem optischen Detektor 403 erfasst.
In einer nicht gezeigten Ausführungsform ist vorgesehen, dass die vereinzelten Konverterbauteile 303 von dem Hilfsträger 101 entfernt oder abgelöst werden. In einer nicht gezeigten Ausführungsform ist vorgesehen, dass die so entfernten vereinzelten Konverterbauteile 303 in eine optoelektronische Leuchtvorrichtung eingesetzt oder angeordnet werden. Fig. 5 bis Fig. 8 zeigen jeweils einen Herstellungsschritt in einem Verfahren zur Herstellung eines zweiten Konverterbauteils. Fig. 5 zeigt einen bereitgestellten Hilfsträger 101, wobei auf der Oberfläche 103 des Hilfsträgers 101 eine Silikon¬ schicht 501 als eine Basisschicht angeordnet oder aufgebracht ist. Im Unterschied zu Fig. 1 weist die Silikonschicht 501 Diffusorpartikel 507 auf. Das heißt also, dass Diffusorparti- kel in der Silikonschicht 501 eingebettet sind. Diese Dif- fusorpartikel 507 bewirken eine Streuung von elektromagneti¬ scher Strahlung. Auch die Silikonschicht 501 weist eine Unterseite 503 und ei¬ ne der Unterseite 503 gegenüberliegende Oberseite 505 auf. Die Unterseite 503 der Silikonschicht 501 ist der Oberfläche 103 zugewandt. Die Oberseite 505 der Silikonschicht 501 ist der Oberfläche 103 des Hilfsträgers 101 abgewandt. Das heißt also, dass als erste Schicht die Silikonschicht 501 auf die Oberfläche 103 aufgebracht wird. Die Silikonschicht 501 kann zum Beispiel als eine Silikonfolie ausgebildet sein.
Fig. 6 zeigt eine auf der Oberseite 505 der Silikonschicht 501 aufgebrachte Konverterschicht 201 analog zu Fig. 2. Somit ist die Unterseite 203 der Konverterschicht 201 der Oberseite 505 der Silikonschicht 501 zugewandt. Die Oberseite 205 der Konverterschicht 201 ist der Oberseite 505 der Silikonschicht 501 abgewandt. Das heißt also, dass die Konverterschicht 201 nach der Silikonschicht 501 aufgebracht ist. Somit ist ein
Schichtenstapel 601 gebildet, der die Silikonschicht 501 und die Konverterschicht 201 umfasst. Dieser Schichtenstapel 601 ist also auf der Oberfläche 103 des Hilfsträgers 101 gebil¬ det .
Somit ist ein Konverterbauteil 603 hergestellt umfassend den Hilfsträger 101 sowie den Schichtenstapel 601. Bezogen auf den Hilfsträger 101 ist eine Reihenfolge der Schichten des Schichtenstapels 601 wie folgt: zuerst die Silikonschicht 501 und erst dann die Konversionsschicht 201.
Analog zu Fig. 3 ist gemäß Fig. 7 ein Vereinzelungsschritt vorgesehen, um Aussparungen 301 in dem Schichtenstapel 601 zu bilden. Für diesen Vereinzelungsschritt ist zum Beispiel eine Säge 701 vorgesehen. Das heißt also, dass die Aussparungen 301 zum Beispiel mittels der Säge 701 gesägt werden können. Nach diesem Vereinzelungsschritt sind somit analog zu Fig. 3 vereinzelte Konverterbauteile 801 gebildet, wie dies in Fig. 8 gezeigt ist. Es ist nach einer nicht gezeigten Ausführungs¬ form vorgesehen, dass analog zu Fig. 4 die vereinzelten Konverterbauteile 801 elektro-optisch charakterisiert werden. Dies zum Beispiel mittels der Lichtquelle 401 und des opti¬ schen Detektors 403.
Fig. 9 bis 13 zeigen jeweils einen Herstellungsschritt in ei¬ nem Verfahren zur Herstellung eines dritten Konverterbau- teils.
Fig. 9 zeigt analog zu Fig. 1 einen bereitgestellten Hilfsträger 101, wobei auf der Oberfläche 103 des Hilfsträgers 101 bereits eine klare Silikonschicht 105 aufgebracht ist.
Fig. 10 zeigt, dass auf die Oberseite 109 der Silikonschicht 105 eine Diffusorschicht 1001 aufgebracht ist. Die Diffusor- schicht 1001 weist eine Unterseite 1003 und eine der Unter¬ seite gegenüberliegende Oberseite 1005 auf. Die Diffusor- schicht 1001 ist derart auf der Silikonschicht 105 aufge¬ bracht, dass die Unterseite 1003 der Diffusorschicht 1001 der Oberseite 109 der Silikonschicht 105 zugewandt ist. Die Ober¬ seite 1005 der Diffusorschicht 1001 ist der Oberseite 109 der Silikonschicht 105 abgewandt. Das heißt also, dass als erste Schicht die Silikonschicht 105 auf der Oberfläche 103 aufge¬ bracht ist. Es folgt dann die Diffusorschicht 1001.
Die Diffusorschicht 1001 kann zum Beispiel mehrere Diffusor- partikel umfassen.
Die Diffusorschicht 1001 kann zum Beispiel aufgesprüht sein. Fig. 11 zeigt, dass eine Konverterschicht 201 auf der Dif- fusorschicht 1001 aufgebracht ist, zum Beispiel aufgesprüht ist. Das heißt also, dass die Unterseite 203 der Konverter¬ schicht 201 der Oberseite 1005 der Diffusorschicht 1001 zuge- wandt angeordnet ist. Die Oberseite 205 der Konverterschicht 201 ist der Oberseite 1005 der Diffusorschicht 1001 abge¬ wandt .
Somit ist ein Schichtenstapel 1101 gebildet, der die Silikon- schicht 105, die Diffusorschicht 1001 sowie die Konverter¬ schicht 201 umfasst.
Somit ist ein Konverterbauteil 1130 hergestellt umfassend den Hilfsträger 101 sowie den Schichtenstapel 1101. Bezogen auf den Hilfsträger 101 ist eine Reihenfolge der Schichten des Schichtenstapels 1101 wie folgt: zuerst die Silikonschicht 105, dann die Diffusorschicht 1001 und dann erst die Konver¬ terschicht 201. Analog zu Fig. 3 zeigt Fig. 12 eine bereits durchgeführte
Vereinzelung des Schichtenstapels 1101. Die vereinzelten Konverterbauteile sind mit dem Bezugszeichen 1201 versehen.
Analog zu Fig. 4 ist auch bei den vereinzelten Konverterbau- teilen 1201 eine elektro-optische Charakterisierung vorgese¬ hen. Dies zum Beispiel mittels der Lichtquelle 401 und mit¬ tels des optischen Detektors 403.
Fig. 14 bis 18 zeigen jeweils einen Herstellungsschritt in einem Verfahren zur Herstellung eines vierten Konverterbauteils.
Fig. 14 zeigt einen bereitgestellten Hilfsträger 101. Auf die Oberfläche 103 des Hilfsträgers 101 wird gemäß Fig. 15 zuerst eine Diffusorschicht 1001 aufgebracht, zum Beispiel aufge¬ sprüht, und erst dann wird die Silikonschicht 105 gebildet. Das heißt also, dass die Unterseite 1003 der Diffusorschicht 1001 der Oberfläche 103 zugewandt ist. Die Oberseite 1005 der Diffusorschicht 1001 ist der Oberfläche 103 abgewandt. Die Unterseite 107 der Silikonschicht 105 ist der Oberseite 1005 der Diffusorschicht 1001 zugewandt. Die Oberseite 109 der Si¬ likonschicht 105 ist der Oberseite 1005 der Diffusorschicht 1001 abgewandt.
Fig. 16 zeigt, dass eine Konverterschicht oder Konversions¬ schicht 201 auf der Silikonschicht 105 aufgebracht ist, zum Beispiel aufgesprüht. Hierbei ist die Unterseite 203 der Kon- verterschicht 201 der Oberseite 109 der Silikonschicht 105 zugewandt. Die Oberseite 205 der Konverterschicht 201 ist der Oberseite 109 der Silikonschicht 105 abgewandt. Das heißt al¬ so, dass die Konverterschicht 201 auf der Oberseite 109 der Silikonschicht 105 aufgebracht ist.
Somit ist ein Schichtenstapel 1601 gebildet umfassend die Diffusorschicht 1001, die Silikonschicht 105 und die Konver¬ terschicht 201. Dieser Schichtenstapel 1601 ist also auf der Oberfläche 103 des Hilfsträgers 101 gebildet.
Somit ist ein Konverterbauteil 1603 hergestellt umfassend den Hilfsträger 101 sowie den Schichtenstapel 1601. Bezogen auf den Hilfsträger ist eine Reihenfolge der Schichten im Schichtenstapel 1601 wie folgt: zuerst die Diffusorschicht 1001, dann die Silikonschicht 105 und erst dann die Konverter¬ schicht oder Konversionsschicht 201.
Fig. 17 zeigt analog zu Fig. 7 ein Vereinzeln des Schichtenstapels 1601 mittels einer Säge 701.
Somit sind gemäß Fig. 18 vereinzelte Konverterbauteile 1801 gebildet. Analog zu Fig. 8 kann dann auch hier eine elektro- optische Charakterisierung vorgesehen sein. Fig. 19 bis 22 zeigen jeweils einen Herstellungsschritt in einem Verfahren zur Herstellung oder zum Herstellen eines fünften Konverterbauteils. Fig. 19 zeigt einen bereitgestellten Hilfsträger 101, wobei auf der Oberfläche 103 eine Konverterschicht 201 aufgebracht, zum Beispiel aufgesprüht, ist. Hierbei ist die Unterseite 203 der Oberfläche 103 zugewandt. Die Oberseite 205 der Konver- terschicht 201 ist der Oberfläche 103 abgewandt.
Fig. 20 zeigt, dass eine Silikonschicht 105 auf der Oberseite 205 der Konverterschicht 201 aufgebracht ist. Die Silikon¬ schicht 105 ist frei von einem Diffusor. Die Unterseite 107 der Silikonschicht 105 ist der Oberseite 205 der Konverter¬ schicht 201 zugewandt. Die Oberseite 109 der Silikonschicht 105 ist der Oberseite 205 der Konverterschicht 201 abgewandt.
Es ist somit ein Schichtenstapel 2001 gebildet, umfassend die Konverterschicht 201 sowie die Silikonschicht 105. Der
Schichtenstapel 2001 ist auf der Oberfläche 103 des Hilfsträ¬ gers 101 gebildet.
Somit ist ein Konverterbauteil 2003 gebildet oder hergestellt umfassend den Hilfsträger 101 sowie den Schichtenstapel 2001. Bezogen auf den Hilfsträger ist eine Reihenfolge der Schichten des Schichtenstapels 2001 wie folgt: Zuerst die Konver¬ terschicht 201 und erst dann die Silikonschicht 105. Fig. 21 zeigt analog zu Fig. 3 vereinzelte Konverterbauteile 2101, wie sie nach einer Vereinzelung des Schichtenstapels 2001 gemäß Fig. 20 gebildet sind.
In Fig. 22 ist analog zu Fig. 4 eine elektro-optische Charak- terisierung der vereinzelten Konverterbauteile 2101 vorgese¬ hen .
Fig. 23 bis 25 zeigen jeweils einen Herstellungsschritt in einem Verfahren zur Herstellung oder zum Herstellen eines sechsten Konverterbauteils.
Fig. 23 geht hierbei von einem bereitgestellten Hilfsträger umfassend eine Konverterschicht 201 analog zu Fig. 19 aus. Auf der Oberseite 205 der Konverterschicht 201 ist eine Sili¬ konschicht 501 aufgebracht. Hierbei ist die Silikonschicht 501 diffus, also nicht klar, weist also einen Diffusor auf. Dies sind hier Diffusorpartikel 507. Somit ist also eine Si- likonschicht 501 aufweisend Diffusorpartikel 507 auf der
Oberseite 205 der Konverterschicht 201 aufgebracht. Die Un¬ terseite 503 der Silikonschicht 501 ist der Oberseite 205 der Konverterschicht 201 zugewandt. Die Oberseite 505 der Sili¬ konschicht 501 ist der Oberseite 205 der Konverterschicht 201 abgewandt.
Es ist somit ein Schichtenstapel 2301 gebildet umfassend die Konverterschicht 201 sowie die Silikonschicht 501. Der
Schichtenstapel 2301 ist auf der Oberfläche 103 des Hilfsträ- gers 101 gebildet.
Somit ist ein Konverterbauteil 2303 hergestellt umfassend den Hilfsträger 101 und den Schichtenstapel 2301. Bezogen auf den Hilfsträger 101 ist eine Reihenfolge der Schichten im Schich- tenstapel 2301 wie folgt: Zuerst die Konverterschicht 201 und erst dann die Silikonschicht 501.
Analog zu Fig. 7 zeigt Fig. 24 eine Vereinzelung mittels ei¬ ner Säge 701 des Schichtenstapels 2301.
Fig. 25 zeigt die vereinzelten Konverterbauteile 2501 analog zu Fig. 8. Auch hier kann eine elektro-optische Charakterisierung der vereinzelten Konverterbauteile 2501 vorgesehen sein .
Fig. 26 zeigt einen Herstellungsschritt in einem Verfahren zur Herstellung eines siebten Konverterbauteils.
Fig. 26 geht hierbei von dem Konverterbauteil 2003 gemäß Fig. 20 aus. Als ein Unterschied wird auf die Oberseite 109 der
Silikonschicht 105 eine Diffusorschicht 1001 aufgebracht. So¬ mit ist die Unterseite 1003 der Diffusorschicht 1001 der Oberseite 109 der Silikonschicht 105 zugewandt. Die Oberseite 1005 der Diffusorschicht 1001 ist der Oberseite 109 der Sili¬ konschicht 105 abgewandt.
Somit ist ein Schichtenstapel 2601 gebildet umfassend die Konverterschicht 201, die Silikonschicht 105 sowie die Dif- fusorschicht 1001. Dieser Schichtenstapel 2601 ist auf der Oberfläche 103 des Hilfsträgers 101 gebildet.
Somit ist ein Konverterbauteil 2603 hergestellt umfassend den Hilfsträger 101 sowie den Schichtenstapel 2601. Bezogen auf den Hilfsträger ist eine Reihenfolge der Schichten des
Schichtenstapels 2601 wie folgt: Zuerst die Konverterschicht 201, dann die Silikonschicht 105 und zuletzt die Diffusor- schicht 1001.
Analog zu den vorstehend gemachten Ausführungen sind auch hier eine Vereinzelung und eine elektro-optische Charakteri¬ sierung vorgesehen, was zwecks Vermeidung von Wiederholungen nicht noch einmal gezeigt ist.
Fig. 27 und 28 zeigen jeweils einen Herstellungsschritt in einem Verfahren zur Herstellung eines achten Konverterbauteils. Fig. 27 geht von einem Hilfsträger 101 umfassend eine Konverterschicht 201 analog zu Fig. 19 aus. Auf die Oberseite 205 der Konverterschicht 201 ist eine Diffusorschicht 1001 aufge¬ bracht. Hierbei ist die Unterseite 1003 der Diffusorschicht 1001 der Oberseite 205 der Konverterschicht 201 zugewandt. Die Oberseite 1005 der Diffusorschicht 1001 ist der Oberseite 205 der Konverterschicht 201 abgewandt.
Auf die Oberseite 1005 der Diffusorschicht 1001 wird gemäß Fig. 28 eine Silikonschicht 105 aufgebracht, die frei von ei- nem Diffusor ist. Somit ist also die Unterseite 107 der Sili¬ konschicht 105 der Oberseite 1005 der Diffusorschicht 1001 zugewandt. Die Oberseite 109 der Silikonschicht 105 ist der Oberseite 1005 der Diffusorschicht 1001 abgewandt. Es ist somit ein Schichtenstapel 2801 gebildet umfassend die Konverterschicht 201, die Diffusorschicht 1001 sowie die Si¬ likonschicht 105. Dieser Schichtenstapel 2801 ist auf der Oberfläche 103 des Hilfsträgers 101 gebildet.
Somit ist ein Konverterbauteil 2803 hergestellt umfassend den Hilfsträger 101 sowie den Schichtenstapel 2801. Bezogen auf den Hilfsträger 101 ist eine Reihenfolge der Schichten im Schichtenstapel 2801 wie folgt: Zuerst die Konverterschicht 201, dann die Diffusorschicht 1001 und zuletzt die Silikon¬ schicht 105.
Analog zu den vorstehend gemachten Ausführungen ist auch bei dem Konverterbauteil 2803 eine Vereinzelung vorgesehen. Die vereinzelten Konverterbauteile werden insbesondere elektro- optisch charakterisiert. Die Vereinzelung sowie die Charakte¬ risierung werden zwecks Vermeidung von Wiederholungen nicht noch einmal gezeigt.
Fig. 29 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung oder zum Herstellen eines Konverterbauteils für eine optoelektronische LeuchtVorrichtung . Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte:
- Bereitstellen (2901) eines Hilfsträgers,
- Bilden (2903) eines Schichtenstapels umfassend eine Sili¬ konschicht als Basisschicht und eine Konverterschicht auf einer Oberfläche des Hilfsträgers.
Fig. 30 zeigt eine optoelektronische Leuchtvorrichtung 3001.
Die optoelektronische Leuchtvorrichtung 3001 umfasst ein lichtemittierendes Halbleiterbauteil 3003, zum Beispiel eine Leuchtdiode, insbesondere eine Laserdiode. Die Leuchtdiode ist zum Beispiel eine anorganische oder eine organische
Leuchtdiode . Die optoelektronische Leuchtvorrichtung 3001 umfasst ferner ein Konverterbauteil 3005 mit entferntem Hilfsträger. Das heißt also, dass das Konverterbauteil 3005 lediglich nur noch einen Schichtenstapel umfasst. Dieser Schichtenstapel kann gemäß einem der vorstehend beschriebenen Schichtenstapel ge¬ bildet sein.
In einem Betrieb der optoelektronischen Leuchtvorrichtung 3001 emittiert das lichtemittierende Halbleiterbauteil 3003 Primärlicht 3007. Dieses Primärlicht 3007 wird mittels des Konverterbauteils 3005 in Sekundärlicht 3009 konvertiert.
Die Erfindung umfasst also insbesondere und unter anderem den Gedanken, mehrere Technologien zur Herstellung von Folien und/oder durchgehender Schichten für die Herstellung eines Konverterbauteils zu verwenden. So ist insbesondere vorgese¬ hen, als Ausgangsschicht auf einem Hilfsträger, der insbesondere als ein glatter Hilfsträger ausgebildet sein kann, eine Silikonfolie, allgemein eine Silikonschicht, mit einer defi¬ nierten Schichtdicke herzustellen. Diese Folie kann zum Beispiel aus einem klaren Silikon oder mit einem Diffusor, zum Beispiel mit Diffusorpartikel , gefüllt sein. Als Diffusorpar- tikel eignen sich zum Beispiel besonders Partikel mit einer mittleren Korngröße von 100 nm bis 10 ym. Als Material für Diffusorpartikel eigenen sich zum Beispiel Si02-Partikel, A1203-Partikel , Ti02-Partikel, Silikonpartikel, Glaspartikel.
Die Diffusor- oder klare Silikonfolie kann vorzugsweise mit- tels bekannten Technologien, zum Beispiel Drucken, Folienziehen, Walzen oder Formgussverfahren, hergestellt werden oder sein. Für diese Folie ist ein entscheidendes Kriterium die Maßhaltigkeit der Schichtdicke, die aber mit den vorstehend genannten Technologien gut und reproduzierbar einzustellen ist. Die Diffusor- oder klare Silikonfolie kann zum Beispiel aufgesprüht werden. In einem zweiten Schritt ist nach einer Ausführungsform vorgesehen, dass ein Gemisch aus Silikon und einem Konverter auf die so vorbereite Silikonschicht, insbesondere Silikonfolie, aufgebracht wird. Vorzugsweise wird das Gemisch aufgesprüht, zum Beispiel mittels eines Spraycoatings (Der dem Fachmann bekannte englische Begriff „Spraycoating" kann zum Beispiel mit „Spritzen" ins Deutsche übersetzt werden.). Mittels des Aufsprühens, insbesondere mittels des Spraycoatings, ist eine Technologie bereitgestellt, basierend auf welcher sowohl eine Schichtdicke als auch ein Farbort gut und reproduzierbar ein¬ gestellt werden können. Dieses aufgebrachte Gemisch bildet somit eine Konverterschicht.
In einer alternativen Ausführungsform ist vorgesehen, den Diffusor, also die Diffusorpartikel , nicht in die Silikonfo¬ lie einzubetten, sondern in einem gesonderten Schritt auf die klare Silikonfolie aufzusprühen.
In einer weiteren alternativen Ausführungsform ist ein umge- kehrter Prozess vorgesehen, in dem die Konverterschicht als Erstes auf die Oberfläche des Hilfsträgers aufgebracht, ins¬ besondere aufgesprüht, wird. In einem nachfolgenden Schritt kann zum Beispiel mittels der vorstehend genannten Technolo¬ gien die klare oder mit Diffusorpartikeln gefüllte Silikon- schicht aufgebracht werden. Im Fall einer klaren Silikonschicht kann nach einer weiteren alternativen Ausführungsform vorgesehen sein, die Diffusorschicht direkt auf die Konver¬ terschicht oder direkt auf die klare Silikonschicht aufzu¬ sprühen .
Der so hergestellte Folienstack, englisch für Schichtensta¬ pel, wird nach einer Ausführungsform mittels an sich bekannter Trenntechnologien, zum Beispiel Stanzen, Sägen oder Lasern oder Wasserstrahlschneiden, vereinzelt.
Nach einer Ausführungsform ist anschließend vorgesehen, dass die vereinzelten Konverterbauteile charakterisiert werden, zum Beispiel mittels einer elektro-optischen Messung. Insbe- sondere können noch weitere Verarbeitungsschritte vorgesehen sein .
Durch eine beispielhafte Verwendung von zwei (oder drei) Fo- lien, die mit oder ohne Füller (Diffusor, Konverter) hergestellt sind, ergeben sich in vorteilhafter Weise neue Möglichkeiten zur Bauteil-spezifischen Konfektionierung.
Somit können Schichtdicken entsprechend den Bauteilanforde- rungen, den verwendeten Konvertern und der zu erzielenden Farborte angepasst werden.
Es besteht die einfache und effiziente Möglichkeit, bereits am Markt kommerziell verfügbare Silikonfolien einzukaufen.
Auch das Vereinzeln der hergestellten Schichten bringt neben der sehr guten Konturtreue auch den Vorteil mit sich, relativ schnell Anpassungen der Dimensionen vornehmen zu können. Durch die gute Konturtreue (scharfe Außenkanten) sind Ver¬ gussprozesse des Halbleiterbauteils bis zur Konversions¬ schichtoberkante möglich.
Die Silikon-Oberfläche der Konverterbauteile (auch Konversi- onselemente genannt), die auf dem (zum Beispiel glatten)
Hilfsträger gebildet wird, garantiert ein sehr reproduzierba¬ res und homogenes Erscheinungsbild.
Das Aufsprühen der Konversionsschicht erlaubt eine Konversi- onsschicht mit einer sehr dichten Partikelpackung was sich vorteilhaft auf Entwärmung und somit positiv auf die Lebens¬ dauer der Bauteile auswirkt.
Obwohl die Erfindung im Detail durch das bevorzugte Ausführungsbeispiel näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele einge¬ schränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen .
BEZUGSZEICHENLISTE
101 Hilfsträger
103 Oberfläche des Hilfsträgers
105 Silikonschicht
107 Unterseite der Silikonschicht
109 Oberseite der Silikonschicht
201 Konverterschicht
203 Unterseite der Konverterschicht
205 Oberseite der Konverterschicht
207 Konverterbauteil
209 Schichtenstapel
301 Aussparung
303 vereinzeltes Konverterbauteil
401 Lichtquelle
403 optischer Detektor
405 emittierter Lichtkegel der Lichtquelle
407 reflektiertes Licht
501 Silikonschicht
503 Unterseite der Silikonschicht
505 Oberseite der Silikonschicht
507 Diffusorpartikel
601 Schichtenstapel
603 Konverterbauteil
701 Säge
801 vereinzeltes Konverterbauteil
1001 Diffusorschicht
1003 Unterseite der Diffusorschicht
1005 Oberseite der Diffusorschicht
1101 Schichtenstapel
1103 Konverterbauteil
1201 vereinzeltes Konverterbauteil
1601 Schichtenstapel
1603 Konverterbauteil
1801 vereinzeltes Konverterbauteil
2001 Schichtenstapel
2003 Konverterbauteil
2101 vereinzeltes Konverterbauteil 2301 SchichtenStapel
2303 Konverterbauteil
2501 vereinzeltes Konverterbauteil
2601 SchichtenStapel
2603 Konverterbauteil
2801 SchichtenStapel
2803 Konverterbauteil
2901 Bereitstellen
2903 Bilden
3001 optoelektronische LeuchtVorrichtung
3003 Iichtemittierendes Halbleiterbauteil
3005 Konverterbauteil mit entferntem Hilfsträ- ger
3007 PrimärStrahlung
3009 SekundärStrahlung

Claims

PATENTA S PRÜCHE
Konverterbauteil (207) für eine optoelektronische Leucht Vorrichtung (3001), umfassend:
- einen Hilfsträger (101), wobei
- ein Schichtenstapel (209) umfassend eine Basisschicht (105, 501) und eine Konverterschicht (201) auf einer Oberfläche (103) des Hilfsträgers (101) gebildet ist.
Konverterbauteil (207) nach Anspruch 1, wobei die Basis¬ schicht (105) frei von einem Diffusor ist.
Konverterbauteil (207) nach Anspruch 1, wobei die Basis¬ schicht (501) einen Diffusor umfasst.
Konverterbauteil (207) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei der Schichtenstapel (209) eine Diffusorschicht (1001) umfassend einen Diffusor umfasst.
Konverterbauteil (207) nach einem der Ansprüche 2 bis 4, wobei der Diffusor einen oder mehrere Diffusorpartikel (507) umfasst, insbesondere: Si02-Partikel , Al203-Partikel , Ti02-Partikel , Silikonpartikel, Glaspartikel.
Konverterbauteil (207) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Konverterschicht (201) Silikon und einen Konverter umfasst.
Konverterbauteil (207) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei zumindest eine der Schichten (201, 501, 1001) des Schichtenstapels (209) aufgesprüht ist.
Konverterbauteil (207) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Basisschicht (105, 501) als eine Basisfolie gebildet ist. 9. Konverterbauteil (207) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Basisschicht (105, 501) als eine Silikon¬ schicht (105, 501) gebildet ist. 10. Verfahren zum Herstellen eines Konverterbauteils (207) für eine optoelektronische Leuchtvorrichtung (3001), um¬ fassend die folgenden Schritte:
- Bereitstellen (2901) eines Hilfsträgers (101) und
- Bilden (2903) eines Schichtenstapels (209) umfassend ei- ne Basisschicht (105, 501) und eine Konverterschicht
(201) auf einer Oberfläche (103) des Hilfsträgers (101).
11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei die Basisschicht (105) frei von einem Diffusor ist.
12. Verfahren nach Anspruch 10, wobei die Basisschicht (501) einen Diffusor umfasst.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei der Schichtenstapel (209) eine Diffusorschicht (1001) umfas¬ send einen Diffusor umfasst.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei der Diffusor einen oder mehrere Diffusorpartikel (507) um- fasst, insbesondere: Si02-Partikel , Al203-Partikel , T1O2-
Partikel, Silikonpartikel, Glaspartikel.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 14, wobei die Konverterschicht (201) Silikon und einen Konverter um- fasst.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 15, wobei zu¬ mindest eine der Schichten (201, 501, 1001) des Schichten¬ stapels (209) aufgesprüht wird.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 16, wobei die Basisschicht (105, 501) als eine Basisfolie gebildet ist. 18. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 17, wobei die Basisschicht (105, 501) als eine Silikonschicht (105, 501) gebildet ist 19. Optoelektronische Leuchtvorrichtung (3001), umfassend ein lichtemittierendes Halbleiterbauteil (3003) und das Konverterbauteil (207, 3005) nach einem der Ansprüche 1 bis 9 mit entferntem Hilfsträger (101) .
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017116904B4 (de) 2017-07-26 2026-02-26 Pictiva Displays International Limited Verfahren zum Herstellen eines flexiblen, organischen, lichtemittierenden Bauelements

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010034923A1 (de) * 2010-08-20 2012-02-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Schichtverbunds aus einer Lumineszenzkonversionsschicht und einer Streuschicht
EP2571067A2 (de) * 2011-09-14 2013-03-20 Nitto Denko Corporation Verkapselungsfolie, Herstellungsverfahren davon, LED-Vorrichtung und Herstellungsverfahren davon
WO2014195819A1 (en) * 2013-06-06 2014-12-11 Koninklijke Philips N.V. Light emitting diode laminated with a phosphor sheet and manufacturing method thereof

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090194774A1 (en) * 2008-02-04 2009-08-06 Kismart Corporation Light source module with wavelength converting structure and the method of forming the same
DE102009005907A1 (de) * 2009-01-23 2010-07-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
TWI435120B (zh) * 2010-07-09 2014-04-21 Eternal Chemical Co Ltd 複合光學膜
DE102011010118A1 (de) * 2011-02-02 2012-08-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Keramisches Konversionselement, Halbleiterchip mit einem keramischen Konversionselement und Verfahren zur Herstellung eines keramischen Konversionselements
DE102011006643A1 (de) * 2011-04-01 2012-10-04 Osram Ag Optisches Element und Leuchtvorrichtung
CN103153611B (zh) * 2011-06-07 2015-01-07 东丽株式会社 树脂片材层合体、其制造方法及使用其的带有含荧光体树脂片材的led芯片的制造方法
DE102012101663B4 (de) * 2012-02-29 2019-12-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konversionselement, Leuchtmittel und Verfahren zur Herstellung eines Konversionselements
JP6062922B2 (ja) * 2012-03-30 2017-01-18 株式会社きもと エッジライト型バックライト装置及び光拡散性部材
DE102012107290A1 (de) * 2012-08-08 2014-02-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil, Konversionsmittelplättchen und Verfahren zur Herstellung eines Konversionsmittelplättchens
DE102012216738A1 (de) * 2012-09-19 2014-03-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement
CN104781931A (zh) * 2012-11-07 2015-07-15 皇家飞利浦有限公司 波长转换的发光设备
DE102014102828A1 (de) * 2014-03-04 2015-09-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung mit einer lichtemittierenden Diode

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010034923A1 (de) * 2010-08-20 2012-02-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Schichtverbunds aus einer Lumineszenzkonversionsschicht und einer Streuschicht
EP2571067A2 (de) * 2011-09-14 2013-03-20 Nitto Denko Corporation Verkapselungsfolie, Herstellungsverfahren davon, LED-Vorrichtung und Herstellungsverfahren davon
WO2014195819A1 (en) * 2013-06-06 2014-12-11 Koninklijke Philips N.V. Light emitting diode laminated with a phosphor sheet and manufacturing method thereof

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