WO2016144026A1 - 발광 소자 및 이를 포함하는 조명 장치 - Google Patents

발광 소자 및 이를 포함하는 조명 장치 Download PDF

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김성균
나민규
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Definitions

  • Embodiments relate to a light emitting device and a lighting device including the same.
  • GaN gallium nitride
  • LEDs red, green and blue light emitting diodes
  • LEDs do not contain environmentally harmful substances such as mercury (Hg) used in existing lighting equipment such as incandescent lamps and fluorescent lamps, so they have excellent eco-friendliness and have advantages such as long life and low power consumption. It is replacing.
  • Hg mercury
  • a key competitive factor in these LED devices is their high brightness and high brightness by high efficiency chip and packaging technology.
  • the embodiment provides a light emitting device having improved reliability and a lighting device including the same.
  • the light emitting device includes a substrate; First and second electrode pads; First to Mth light emitting cells disposed on the substrate and arranged in a straight line in a first direction between the first and second electrode pads, wherein M is a positive integer of 2 or more; And first through Nth interconnections electrically connecting the first through Mth light emitting cells, wherein N is a positive integer, wherein 1 ⁇ N ⁇ M ⁇ 1.
  • Each cell includes a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer sequentially disposed on the substrate, and the first electrode pad is connected to the second conductive semiconductor layer of the first light emitting cell.
  • the second electrode pad is connected to the first conductivity type semiconductor layer of the Mth light emitting cell, and n (where n is a positive integer, 1 ⁇ n ⁇ N) connection wiring is adjacent to each other.
  • the first conductive semiconductor layer of the n-light emitting cell and the second conductive semiconductor layer of the n + 1th light emitting cell may be electrically connected to each other.
  • the nth connection line may include a plurality of connection metal layers electrically spaced apart from each other in a second direction different from the first direction.
  • the light emitting device may further include an intermediate pad connected to the first or second conductivity type semiconductor layer of any light emitting cell disposed between the first light emitting cell and the Mth light emitting cell.
  • the plurality of connection metal layers included in any one of the first to Nth connection wires and the plurality of connection metal layers included in another one of the first to Nth connection wires are mutually disposed in the first direction. It may be displaced.
  • kth (where k is a positive integer, 1 ⁇ k ⁇ N ⁇ 1) and the plurality of connection metal layers included in the connection wiring and the plurality of connection metal layers included in the k + 1th connection wiring are It may be arranged to be shifted from each other in the first direction.
  • the separation distance between the plurality of connection metal layers in each of the first to Nth connection lines may decrease toward the edge of the light emitting device.
  • the separation distance between the plurality of connection metal layers in each of the first to Nth connection lines may increase as the center line intersects between the first light emitting cell and the Mth light emitting cell.
  • the length of the first to Mth light emitting cells in the first direction may decrease as the center line intersects between the first light emitting cell and the Mth light emitting cell, and may increase as the distance from the first to Mth light emitting cells increases.
  • the number of the plurality of connection metal layers included in the first to Nth connection lines may increase as the center line intersects between the first light emitting cell and the Mth light emitting cell.
  • the variation in the plane width of the active area between the first to Mth light emitting cells may be within 20%.
  • planar shape of the active regions of the first to Mth light emitting cells may be symmetrical with respect to a center line crossing between the first and Mth light emitting cells.
  • a light emitting device in another embodiment, includes a substrate; First and second electrode pads; First to Mth light emitting cells disposed on the substrate and arranged in a straight line in a first direction between the first and second electrode pads, wherein M is a positive integer of 2 or more; And a first to Nth (N, where N is a positive integer, 1 ⁇ N ⁇ M ⁇ 1) connection wiring electrically connecting the first to Mth light emitting cells, and formed on the substrate. Adjacent light emitting cells of the first to Mth light emitting cells are spaced apart from each other by a region, and surfaces of the first to Mth light emitting cells facing each other may have a planar shape having a curved surface.
  • connection line may include a plurality of connection metal layers electrically spaced apart from each other in a second direction different from the first direction.
  • planar shapes of the active regions of the first to Mth light emitting cells may be asymmetric with respect to the center line crossing between the first light emitting cell and the Mth light emitting cell.
  • the number of the plurality of connection metal layers included in the first to Nth connection lines may be symmetrical based on a center line crossing between the first light emitting cell and the Mth light emitting cell.
  • the substrate may have a polygonal plane shape, and the first direction may be a diagonal direction of the polygon.
  • the number of the plurality of connection metal layers included in at least two of the first to Nth connection wires may be the same as or different from each other.
  • Lighting device includes a light source module including the above-described light emitting element; A radiator for dissipating heat of the light source module; And it may include a power supply for supplying power to the light source module.
  • the light emitting device has a uniform light emission distribution as a whole, can solve the problem of excessive current flow, and has an improved light emission efficiency by having an increased active area as a whole, can maximize the light extraction efficiency, Having a larger number of light emitting cells in a planar region of a given substrate may be suitable for high voltage applications, and even if one of the plurality of connecting metal layers is disconnected, the carrier may move between the light emitting cells through the remaining connecting metal layers. Can have reliability.
  • FIG. 1 is a plan view of a light emitting device according to one embodiment
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the light emitting device of FIG. 1 taken along line II ′.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the light emitting device of FIG. 1 taken along line II ′.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the light emitting device illustrated in FIG. 1 taken along the line II-II ′.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the light emitting device illustrated in FIG. 1 taken along the line III-III ′.
  • FIG. 5 is a circuit diagram of the light emitting device shown in FIG. 1.
  • FIG. 6 is a plan view showing a light emitting device according to another embodiment.
  • FIG. 7 is a plan view of a light emitting device according to still another embodiment.
  • FIG. 8 is a plan view of a light emitting device according to still another embodiment
  • the upper (up) or the lower (down) (on or under) when described as being formed on the “on” or “on” (under) of each element, the upper (up) or the lower (down) (on or under) includes both the two elements are in direct contact with each other (directly) or one or more other elements are formed indirectly between the two elements (indirectly).
  • the upper (up) or the lower (down) (on or under) when expressed as “up” or "on (under)", it may include the meaning of the downward direction as well as the upward direction based on one element.
  • relational terms such as “first” and “second,” “upper / upper / up” and “lower / lower / lower”, etc., as used below, may be used to refer to any physical or logical relationship between such entities or elements, or It may be used only to distinguish one entity or element from another entity or element without necessarily requiring or implying an order.
  • FIG. 1 is a plan view of a light emitting device 100A according to an embodiment
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II ′ of the light emitting device 100A shown in FIG. 1
  • FIG. 3 is FIG. 1.
  • 4 illustrates a cross-sectional view of the light emitting device 100A taken along the line II-II '
  • FIG. 4 illustrates a cross-sectional view of the light emitting device 100A shown in FIG. 1 taken along the line III-III'.
  • the light emitting device 100A includes a substrate 110, a buffer layer 112, a plurality of light emitting cells P1 to PM, first and second electrodes 132 and 134, and an insulating layer ( 140, the first and second electrode pads 152 and 154, the intermediate pad 156, and the first to Nth connection wires CE1 to CEN.
  • M and N may each be a positive integer of 2 or more, and N may be 1 ⁇ N ⁇ M ⁇ 1.
  • the buffer layer 112 may be disposed on the substrate 110.
  • the substrate 110 may be formed of a material suitable for growth of a semiconductor material, a carrier wafer.
  • the substrate 110 may be formed of a material having excellent thermal conductivity, and may be a conductive substrate or an insulating substrate.
  • the substrate 110 may be made of a light transmitting material, and the scribing process and the breaking process may be performed without bringing warpage of the entire nitride light emitting structure 120 of the light emitting device 100A. It can have a degree of mechanical strength to separate well into separate chips.
  • the substrate 110 may be a material including at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, Ga 2 O 3 , GaAs, and Ge.
  • the upper surface of the substrate 110 may have a concave-convex pattern shape.
  • the substrate 110 may be a patterned sapphire substrate (PSS).
  • the buffer layer 112 may be disposed between the substrate 110 and the light emitting structure 120, and may be formed using a compound semiconductor of a group III-V element.
  • the buffer layer 112 serves to reduce the difference in lattice constant between the substrate 110 and the light emitting structure 120.
  • the buffer layer 112 may include AlN or undoped nitride, but is not limited thereto.
  • the buffer layer 112 may be omitted depending on the type of the substrate 110 and the type of the light emitting structure 120.
  • the buffer layer 112 may be omitted.
  • the buffer layer 112 is described as being omitted, the following description may be applied even when the buffer layer 112 is not omitted.
  • a plurality of light emitting cells P1 to PM may be disposed on the substrate 110.
  • the plurality of light emitting cells P1 to PM are called first light emitting cells P1 to Mth light emitting cells PM in order.
  • the light emitting structure 120 constituting one light emitting cell may be distinguished from the light emitting structure 120 of another light emitting cell by the boundary area S.
  • FIG. The boundary area S may be an area positioned around each of the first to Mth light emitting cells P1 to PM, and may be the substrate 110.
  • the first and sixth light emitting cells P1 to P6 may be arranged in a straight line in a first direction (eg, z-axis direction) between the first electrode pad 152 and the second electrode pad 154. .
  • the first to Mth light emitting cells P1 to PM may be spaced apart from each other, but embodiments are not limited thereto.
  • Each of the first to sixth light emitting cells P1 to P6 may include a first conductive semiconductor layer 122, an active layer 124, and a second conductive semiconductor layer 126 sequentially disposed on the substrate 110.
  • the light emitting structure 120 disposed on the substrate 110 may be divided into M light emitting cells.
  • the light emitting structure 120 may include a first conductive semiconductor layer 122, an active layer 124, and a second conductive semiconductor layer 126.
  • the first conductive semiconductor layer 122 may be disposed between the substrate 110 and the active layer 124 and may include a semiconductor compound.
  • the first conductive semiconductor layer 122 may be formed of a compound semiconductor such as a group III-V group or a group II-VI group.
  • the one conductivity type dopant may be doped.
  • the first conductivity type semiconductor layer 122 has a composition formula of Al x In y Ga (1-xy) N (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1, 0 ⁇ x + y ⁇ 1).
  • the semiconductor material may include at least one of InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP.
  • the first conductivity type dopant may include an n type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, Te, or the like.
  • the first conductivity type semiconductor layer 122 may have a single layer or a multilayer structure, but is not limited thereto.
  • the active layer 124 is disposed between the first conductive semiconductor layer 122 and the second conductive semiconductor layer 126, and has a single well structure, a multi well structure, a single quantum well structure, and a multi quantum well (MQW).
  • Well structure, may include any one of the quantum dot structure or quantum line structure.
  • the active layer 124 is formed of a well layer and a barrier layer, for example, InGaN / GaN, InGaN / InGaN, GaN / AlGaN, InAlGaN / GaN, GaAs (InGaAs) / AlGaAs, GaP, using a compound semiconductor material of group III-V elements.
  • One or more of (InGaP) / AlGaP may have a pair structure, but is not limited thereto.
  • the well layer may be made of a material having an energy band gap smaller than the energy band gap of the barrier layer.
  • the second conductivity-type semiconductor layer 126 is disposed on the active layer 124 and may include a semiconductor compound.
  • the second conductivity-type semiconductor layer 126 may be formed of a compound semiconductor such as a group III-V group or a group II-VI.
  • a compound semiconductor such as a group III-V group or a group II-VI.
  • In x Al y Ga 1- x- y N (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1, 0 x + y ⁇ 1) or one or more of AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP.
  • the second conductive dopant may be a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba.
  • the second conductivity-type semiconductor layer 126 may have a single layer or a multilayer structure, but is not limited thereto.
  • the first conductive semiconductor layer 122 is an n-type semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer 126 is a p-type semiconductor layer, or the first conductive semiconductor layer 122 is a p-type semiconductor layer and the second The conductive semiconductor layer 126 may be implemented as an n-type semiconductor layer. Accordingly, the light emitting structure 120 may include at least one of an n-p junction, a p-n junction, an n-p-n junction, and a p-n-p junction structure.
  • the side surface of the light emitting structure 120 may be inclined with respect to the substrate 110. As such, the reason why the side surface of the light emitting structure 120 is formed to be inclined is to prevent breakage of the connection wiring electrically connecting the neighboring light emitting cells.
  • the first electrode 132 may be disposed on the first conductive semiconductor layer 122.
  • m is a positive integer, and may be 1 ⁇ m ⁇ M.
  • the first electrode 132 is disposed on the first conductive semiconductor layer 122.
  • the second to fourth light emitting cells P2, P3, and P4 in each of the second to fourth light emitting cells P2, P3, and P4, the first electrode 132 is disposed on the first conductive semiconductor layer 122.
  • a portion of the first conductive semiconductor layer 122 of the light emitting structure 120 may be exposed.
  • a portion of the second conductive semiconductor layer 126, the active layer 124, and the first conductive semiconductor layer 122 are etched by mesa etching to form a part of the first conductive semiconductor layer 122. Can be exposed. In this case, an exposed surface of the first conductive semiconductor layer 122 may be lower than a lower surface of the active layer 124.
  • the first electrode 132 instead of the first electrode 132 separately disposed on the first conductivity type semiconductor layer 122 in the nth light emitting cell, the first electrode 132 may be integrally formed with the nth connection line CEn. have.
  • n is a positive integer and may be 1 ⁇ n ⁇ N.
  • the second electrode 134 may be disposed on the second conductivity type semiconductor layer 126 and electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 126.
  • the second electrode 134 in each of the first and second light emitting cells P1 and P2, the second electrode 134 is disposed on the second conductive semiconductor layer 126.
  • the second electrode 134 in each of the third to fifth light emitting cells P3, P4, and P5, the second electrode 134 is disposed on the second conductive semiconductor layer 126.
  • the n + 1th light emitting cell P (n + 1) instead of the second electrode 134 being separately provided on the second conductivity-type semiconductor layer 126, the n + 1th light emitting cell P ( n + 1)] may be integrally formed with the nth connection line CEn.
  • the second electrode 134 of the second light emitting cell P2 is connected to the first connection line CE1 (eg, the first-second connection metal layer CE12). It can be made integrally.
  • each of the first and second electrodes 132 and 134 of each of the light emitting cells Pm may include an adhesive layer (not shown), a barrier layer (not shown), a reflective layer (not shown), and a bonding layer (not shown). It may have a stacked structure.
  • the adhesive layer of the first electrode 132 may include a material in ohmic contact with the first conductive semiconductor layer 122, and the adhesive layer of the second electrode 134 may be in ohmic contact with the second conductive semiconductor layer 126. It may include.
  • the adhesive layer may be formed of at least one material of Cr, Rd, and Ti, and may be formed in a single layer or a multilayer structure.
  • the barrier layer is disposed on the adhesive layer, and may be formed of a material including at least one of Ni, Cr, Ti, and Pt, in a single layer or a multilayer.
  • the barrier layer may be made of an alloy of Cr and Pt.
  • a reflective layer made of Ag or the like may be interposed between the barrier layer and the adhesive layer, it may be omitted.
  • the bonding layer may be disposed on the reflective layer and include Au.
  • the length of the first to Mth light emitting cells P1 to PM in the first direction crosses between the first light emitting cell P1 and the Mth light emitting cell PM. It may decrease as it approaches the center line CL and increase as it moves away.
  • the lengths L1, L2, and L3 of the first to third light emitting cells P1 to P3 in the first direction may decrease as they approach the center line CL.
  • each of the lengths L4, L5, and L6 in the first direction of the fourth to sixth light emitting cells P4 to P6 may increase as the distance from the center line CL increases.
  • the width of the first to sixth light emitting cells P1 to P6 in the second direction increases toward the center line CL. Therefore, when the lengths L1 to L6 of the first to sixth light emitting cells P1 to P6 in the first direction are decreased closer to the center line CL and increased as they move away from the first to sixth light emitting cells,
  • the planar area (eg, the area on the y-axis and the z-axis) of the active region (P1 to P6) can be made uniform.
  • the active region may refer to a region excluding the boundary region S and the first conductive semiconductor layer 122 exposed by mesa etching.
  • the active region may mean a width AA of the active layer 124.
  • planar area of each of the active areas of each of the first to sixth light emitting cells P1 to P6 is within 20% of the average area, for example, an error of about 2% to 3% (that is, the 'variation in the area of the active area').
  • the planar widths of the first to sixth light emitting cells P1 to P6 may be uniform, but embodiments are not limited thereto.
  • the 'average width' may mean a value obtained by dividing the result of summing all the active regions of the first to sixth light emitting cells P1 to P6 by the number of light emitting cells.
  • the lengths L1 to L6 in the z-axis direction may be determined while considering the width of the light emitting device 100A in the y-axis direction.
  • the carrier may be spread evenly as a whole, and the current density is uniform, thereby reducing the possibility of element breakdown, thereby improving reliability. And the light extraction efficiency can be improved.
  • At least one of a planar size or a planar shape of the active regions of the first to Mth light emitting cells P1 to P6 may be symmetric with respect to the center line CL.
  • at least one of a plane size or a planar shape of the first light emitting cell P1 and the sixth light emitting cell P6 may be symmetric with respect to the center line CL.
  • At least one of a plane size or a planar shape of the second light emitting cell P2 and the fifth light emitting cell P5 may be symmetric with respect to the center line CL.
  • At least one of a plane size or a planar shape of the third light emitting cell P3 and the fourth light emitting cell P4 may be symmetric with respect to the center line CL.
  • the light emission distribution of the entire light emitting device 100A is Can be uniform.
  • the first to Nth connection wires CE1 to CEN electrically connect the first to Mth light emitting cells P1 to PM. That is, the first to Nth connection wires refer to the first light emitting cell P1 in which the first electrode pad 152 is located, and the Mth light emitting cell PM in which the second electrode pad 154 is located. As the end point, the first to Mth light emitting cells P1 to PM may be connected in series.
  • the n-th connection wire CEn which is each of the first to Nth connection wires CE1 to CEN, includes the nth light emitting cell Pn, the n + 1th light emitting cell [P (n + 1)], and [Pn, P (n + 1)] on the boundary region S and adjacent to each other, the first conductivity-type semiconductor layer 122 and the n + 1th light emitting cell Pn + 1 of the nth light emitting cell Pn.
  • the second conductive semiconductor layer 126 may be electrically connected to each other.
  • the first connection line CE1 electrically connects the first conductive semiconductor layer 122 of the first light emitting cell P1 and the second conductive semiconductor layer 126 of the second light emitting cell P2.
  • Can connect The second connection wire CE2 may electrically connect the first conductive semiconductor layer 122 of the second light emitting cell P2 and the second conductive semiconductor layer 126 of the third light emitting cell P3.
  • the third connection wire CE3 may electrically connect the first conductive semiconductor layer 122 of the third light emitting cell P3 and the second conductive semiconductor layer 126 of the fourth light emitting cell P4.
  • the fourth connection wire CE4 may electrically connect the first conductive semiconductor layer 122 of the fourth light emitting cell P1 and the second conductive semiconductor layer 126 of the fifth light emitting cell P5.
  • the fifth connection wire CE5 may electrically connect the first conductive semiconductor layer 122 of the fifth light emitting cell P5 and the second conductive semiconductor layer 126 of the sixth light emitting cell P6.
  • the nth connection line CEn may include a plurality of connection metal layers EC1 to ECQ.
  • the plurality of n1 to nQ connection metal layers ECn1 to ECnQ may be electrically spaced apart from each other in a second direction (eg, y-axis direction) that is different from the first direction (eg, z-axis direction).
  • Q may be a positive integer of 2 or more.
  • the first connection wire CE1 includes the first-first to third connection metal layers CE11 to CE13, and the second connection wire CE2 connects the second-1 to second-4.
  • the metal layers CE21 to CE24 are included
  • the third connection wire CE3 includes the 3-1 to 3-5 connection metal layers CE31 to CE35
  • the fourth connection wire CE4 is the 4-1.
  • the fourth to fourth connection metal layers CE41 to CE44 may be included
  • the fifth connection wire CE5 may include the fifth to fifth connection metal layers CE51 to CE53.
  • Each of the plurality of connection metal layers ECn1 to ECnQ included in each of the first to Nth connection lines CE1 to CEN CEn described above is the same as or different from each of the first and second electrodes 132 and 134. It may be made of. If each of the plurality of connection metal layers ECn1 to ECnQ is made of the same material as the first and second electrodes 132 and 134, as described above, the plurality of connection metal layers ECn1 to ECnQ may be the first or second electrode. It may be formed integrally with at least one of the (132, 134). Each of the plurality of connection metal layers ECn1 to ECnQ may include, but is not limited to, at least one of Cr, Rd, Au, Ni, Ti, or Pt.
  • each of the n1 to nQ connection metal layers CEn1 to CEnQ included in each connection line ECn is illustrated as having a rectangular planar shape. It is not limited. That is, the n1 to nth connection metal layers CEn1 to CEnQ may have various planar shapes.
  • the plurality of connection metal layers included in any one of the first to Nth connection wires CE1 to CEN and the plurality of connection metal layers included in the other one of the first to Nth connection wires CE1 to CEN may include: It may be arrange
  • the plurality of connection metal layers CEk1 to CEkQ included in the kth connection wire CEk and the plurality of connection metal layers CE (k + 1) included in the k + 1th connection wire CE (k + 1). 1) 1 to CE (k + 1) Q] may be disposed to be offset from each other in the first direction.
  • connection metal layers CE21 to CE24 may be disposed to be shifted from each other in the first direction.
  • To CE35) may be disposed to be offset from each other in the first direction.
  • To CE44) may be disposed to be offset from each other in the first direction.
  • To CE53) may be disposed to be offset from each other in the first direction.
  • connection metal layers are arranged to be offset from each other in the first direction, the carriers are uniformly spread in the first direction so that the current flowing in the first direction CP indicated by the arrow is crowded. The problem can be solved.
  • the number of the plurality of connection metal layers included in at least two of the first to Nth connection lines CE1 to CEN may be the same as or different from each other. That is, the Qs of the first to Nth connection lines CE1 to CEN may be the same as or different from each other.
  • the number Q of the plurality of connection metal layers included in at least two of the first, second, third, fourth, or fifth connection wires CE1, CE2, CE3, CE4, or CE5 may be the same as each other, or may be the same. It may be different.
  • the number of connection metal layers included in each of the first, second, and third connection wires CE1, CE2, and CE3 may be different from each other.
  • the number of the plurality of connection metal layers included in the first to Nth connection lines CE1 to CEN is closer to the center line CL crossing between the first light emitting cell P1 and the Mth light emitting cell PM.
  • the number of the plurality of connection metal layers included in the first and fifth connection wires CE1 and CE5 disposed farthest from the center line CL may be the smallest as three.
  • the number of the plurality of connection metal layers included in the second and fourth connection wires CE2 and CE4 that are closer to the center line CL than the first and fifth connection wires CE1 and CE5 is four, rather than three. Can increase one.
  • the number of the plurality of connection metal layers included in the third connection wire CE3 closer to the center line CL than the second and fourth connection wires CE2 and CE4 may increase by one, rather than four. Can be.
  • the number of the plurality of connection metal layers included in the first to third connection wires CE1, CE2, and CE3 increases as the center line CL approaches, and the fifth, fourth, and third connection wires CE5, The number of the plurality of connecting metal layers included in CE4 and CE3 may increase as the center line CL approaches.
  • the number of the plurality of connection metal layers included in the first to Nth connection lines CE1 to CEN may be symmetric with respect to the center line CL.
  • the number of CE53) may be symmetric with each other as three.
  • the number of CE44) may be symmetric with each other as four.
  • the distribution of light emitted from the active layer 124 may be uniform.
  • the separation distance between the plurality of connection metal layers in each of the first to Nth connection lines CE1 to CEN may decrease toward the edge in the second direction (eg, the y-axis direction) of the light emitting device 100. have.
  • the second-first and second-second connecting metal layers CE21 and CE22 may be closer to each other in the second direction of the light emitting device 100A than the second-second and second-third connecting metal layers CE22 and CE23. It is placed closer to the seat.
  • the first separation distance d1 between the second and second connecting metal layers CE21 and CE22 is the second separation distance between the second and second connecting metal layers CE22 and CE23. may be less than d2).
  • the 4-1 and 4-2 connection metal layers CE41 and CE42 are closer to the edges in the second direction of the light emitting device 100A than the 4-2 and 4-3 connection metal layers CE42 and CE43. Is placed.
  • the third separation distance d3 between the 4-1 and 4-2 connection metal layers CE41 and CE42 is the fourth separation distance between the 4-2 and 4-3 connection metal layers CE42 and CE43. may be smaller than d4).
  • the 3-1 and 3-2 connection metal layers CE31 and CE32 are closer to the edge in the second direction of the light emitting device 100A than the 3-2 and 3-3 connection metal layers CE32 and CE33. Is placed.
  • the fifth separation distance d5 between the 3-1 and 3-2 connection metal layers CE31 and CE32 is the sixth separation distance between the 3-2 and 3-3 connection metal layers CE32 and CE33. may be smaller than d6).
  • the distance between the plurality of connection metal layers in each of the first to Nth connection lines CE1 to CEN may increase as the center line CL approaches.
  • the third connection line CE3 is closer to the center line CL than the second connection line CE2. Therefore, the fifth separation distance d5 between the 3-1 and 3-2 connection metal layers CE31 and CE32 included in the third connection wire CE3 is set as the second 2-wire included in the second connection wire CE2. It may be greater than the first separation distance d1 between the first and second connection metal layers CE21 and CE22.
  • the third connection wire CE3 is closer to the center line CL than the fourth connection wire CE4. Therefore, the fifth separation distance d5 between the 3-1 and 3-2 connection metal layers CE31 and CE32 included in the third connection wire CE3 is included in the fourth connection wire CE4. It may be greater than the third separation distance d3 between the first and fourth-2 connection metal layers CE41 and CE42.
  • the carrier may be overcrowded in the middle of the edge of the light emitting device 100A in the first direction (eg, in the z-axis direction) or in the center rather than at the edge in the second direction (eg, in the y-axis direction). Can be.
  • the carrier that is overcrowded to the center of the second direction is the most.
  • the carriers can be spread evenly, allowing the carrier to be spread evenly.
  • the carrier that is overcrowded in the center of the first direction may be dispersed to the edge of the first direction. Can be spread uniformly. As a result, when the carrier is uniformly spread, the phenomenon in which the current is concentrated in the center of the light emitting device 100A may be improved.
  • the first electrode pad 152 is electrically connected to the second conductive semiconductor layer 126 of the first light emitting cell M1, and the second electrode pad 154 is formed of the sixth light emitting cell M6. 1 may be connected to the conductive semiconductor layer 122.
  • first electrode pad 152 and the second electrode pad 154 may be disposed to face each other in the first direction.
  • each of the first and second electrode pads 152 and 154 may be disposed at an edge of the light emitting device 100A. Therefore, the area occupied by the first and second electrode pads 152 and 154 in the total area of the light emitting device 100A can be reduced more than before, and the light emitting efficiency is improved by increasing the active area of the light emitting device 100A as a whole. Can be.
  • the first electrode pad 152 may be bonded with a wire (not shown) for providing a first power source. Referring to FIG. 2, the first electrode pad 152 is disposed on the second conductivity-type semiconductor layer 126 of any one of the first to Mth light emitting cells P1 to PM. The second conductive semiconductor layer 126 may be electrically connected to the second conductive semiconductor layer 126.
  • the second electrode pad 154 may be bonded with a wire (not shown) for providing a second power source.
  • the first conductive semiconductor layer 122 may be electrically contacted with the first conductive semiconductor layer 122.
  • a conductive layer (not shown) may be further disposed between the second electrode 134 and the second conductivity-type semiconductor layer 126.
  • the conductive layer not only reduces total reflection but also has good light transmittance, thereby increasing the extraction efficiency of light emitted from the active layer 124 and passing through the second conductive semiconductor layer 126.
  • the conductive layer is a transparent oxide material having high transmittance with respect to the emission wavelength, for example, indium tin oxide (ITO), tin oxide (TO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), and indium aluminum zinc (AZO) Oxide), Indium Gallium Zinc Oxide (IGZO), Indium Gallium Tin Oxide (IGTO), Aluminum Zinc Oxide (AZO), Aluminum Tin Oxide (ATO), Gallium Zinc Oxide (GZO), IrOx, RuOx, RuOx / ITO, Ni, At least one or more of Ag, Ni / IrOx / Au, or Ni / IrOx / Au / ITO may be used to implement a single layer or multiple layers. In some cases, as illustrated in FIGS. 2 to 4, the conductive layer may be omitted. An area of the conductive layer disposed on the second conductive semiconductor layer 126 may be equal to or less than an upper area of the second conductive semiconductor layer 126.
  • the light emitting device 100A may further include at least one intermediate pad.
  • the intermediate pad may include the first conductive semiconductor layer 122 or the second conductive semiconductor layer 126 of any of the light emitting cells disposed between the first light emitting cell P1 and the Mth light emitting cell PM. Can be electrically connected.
  • the intermediate pad may include any of the light emitting cells (for example, P2 to P5) except for the light emitting cells (for example, P1 and P9) in which the first electrode pad 152 and the second electrode pad 154 are located.
  • it may be disposed on the insulating layer 140 of P2 to P9.
  • the intermediate pad 156 is disposed on the second electrode 134 of the fourth light emitting cell P4, and the second conductive semiconductor layer 126 may be disposed on the second electrode 134. Can be electrically connected. If the intermediate pad 156 is connected to the second conductive semiconductor layer 126 as shown in FIG. 1, the intermediate pad 156 may be a region in which a wire (not shown) is bonded to supply the first power. Alternatively, when the intermediate pad 156 is connected to the first conductivity type semiconductor layer 122 unlike the illustrated in FIG. 1, the intermediate pad 156 may be a region in which wires (not shown) are bonded to supply a second power source.
  • the second electrode layer 134 is positioned between the intermediate pad 156 and the second conductivity-type semiconductor layer 126, and the intermediate pad 156 is any of the connection metal layers positioned in the same light emitting cell. It can be electrically connected with one.
  • the intermediate pad 156 positioned on the second electrode 134 of the fourth light emitting cell P4 may be any one of the 3-1 to 3-5 connection metal layers CE31 to CE35. It may be electrically connected to one end of the connection metal layer CE31.
  • the intermediate pad 156 may not be electrically connected to each other directly with the connection metal layer positioned in the same light emitting cell. That is, unlike shown in FIG. 4, the intermediate pad 156 may be disposed separately from the 3-1st connection metal layer CE31 without being directly connected.
  • the substrate 110 may have various polygonal plane shapes.
  • the substrate 110 may have a rectangular planar shape as shown in FIG. 1 or may have various polygonal planar shapes, such as pentagonal, hexagonal, octagonal, rhombic, and trapezoidal, although not shown.
  • the first direction may be a diagonal direction of the polygon.
  • the insulating layer 140 may be disposed between the first to Nth connection wires and adjacent light emitting cells connected by the respective connection wires to electrically insulate the connection wires and the light emitting cells. That is, the insulating layer 140 is formed of the n-th to n-th Q-connecting metal layers CEn1 to CEnQ of the n-th interconnection line CEn and neighboring nth and n + 1th light emitting cells connected by the connection metal layer.
  • the insulating layer 140 is disposed between the first-second connecting metal layer CE12 of the first connecting line CE1 and the neighboring first and second light emitting cells P1 and P2.
  • the second connection metal layer CE12 and the first and second light emitting cells P1 and P2 of the first connection line CE1 are electrically insulated from each other.
  • the embodiment is not limited thereto. That is, according to another embodiment, the insulating layer 140 may be further disposed on the plurality of light emitting cells and the boundary region (S). That is, the insulating layer 140 may cover the top and side surfaces of the plurality of light emitting cells, and may cover the boundary area S. FIG. For example, referring to FIG. 2, the insulating layer 140 may cover the top and side surfaces of each of the first and second light emitting cells P1 and P2, and may cover the boundary area S.
  • the insulating layer 140 may be formed of a transmissive insulating material such as SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , or Al 2 O 3 to be formed
  • a transmissive insulating material such as SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , or Al 2 O 3 to be formed
  • the embodiment is not limited to the material of the insulating layer 140.
  • FIG. 5 is a circuit diagram of the light emitting device 100A shown in FIG. 1.
  • the light emitting device 100A has two (+) terminals, for example, one first electrode pad 152 and an intermediate pad 156, and one common ( ⁇ ) terminal, for example, one. May have a second electrode pad 154.
  • the first electrode pad 152 is electrically connected to the second conductive semiconductor layer 126 of the first light emitting cell P1
  • the second electrode pad 154 is an Mth light emitting cell (eg, FIG. 1).
  • the semiconductor substrate may be electrically connected to the first conductivity-type semiconductor layer 122 of the ninth light emitting cell P9.
  • the light emitting device 100A includes a plurality of first electrode pads 152 and intermediate pads 156 that are positive terminals, so that various driving voltages can be used, and light emission of various brightnesses. Can be adjusted to implement
  • the embodiment may be designed to drive some or all of the light emitting cells by supplying a first power source to any one of the intermediate pad 156 and the first electrode pad 152 according to the applied driving voltage.
  • FIG. 6 is a plan view of a light emitting device 100B according to another embodiment.
  • a surface of the first to Mth light emitting cells P1 to PM that the adjacent light emitting cells face each other may have a flat planar shape.
  • surfaces S1 and S2 in which the first and second light emitting cells P1 and P2 adjacent to each other face each other have a flat planar shape.
  • the surfaces of the first to Mth light emitting cells P1 to PM that the adjacent light emitting cells face each other may have a planar shape having a curved surface.
  • surfaces S1 and S2 in which the first and second light emitting cells P1 and P2 adjacent to each other face each other have a planar shape that is curved.
  • At least one of the planar shape or planar size of the active area of the light emitting device 100A shown in FIG. 1 is symmetrical with respect to the center line CL, while the planar shape of the active area of the light emitting device 100B is illustrated in FIG. 6.
  • the plane size may be asymmetrical with respect to the center line CL.
  • the light emitting device 100B shown in FIG. 6 is the same as the light emitting device 100A shown in FIG.
  • FIG. 7 is a plan view of a light emitting device 100C according to still another embodiment.
  • the opposing faces of the light emitting cells adjacent to each other have a flat planar shape.
  • the light emitting device 100B shown in FIG. It has a flat shape that is curved.
  • surfaces facing each other of adjacent light emitting cells may have a flat planar shape and a curved planar shape.
  • the surfaces of the first and second light emitting cells P1 and P2 that are adjacent to each other and the surfaces of the fifth and sixth light emitting cells P5 and P6 that face each other may be It has a flat shape that is curved.
  • the surfaces of the second and third light emitting cells P2 and P3 that are adjacent to each other, and the surfaces of the third and fourth light emitting cells P3 and P4 that face each other, and the fourth and fifth light emitting cells may have a flat planar shape.
  • the light emitting device 100C shown in FIG. 7 is the same as the light emitting device 100A shown in FIG.
  • FIG 8 is a plan view of a light emitting device 100D according to still another embodiment.
  • the first to Mth light emitting cells P1 to PM are arranged in a straight line between the first electrode pad 152 and the second electrode pad 154, the first to second More light emitting cells P1 to PM in the planar region of a given substrate 110 than when the M light emitting cells P1 to PM are arranged in a zigzag between the first and second electrode pads 152 and 154.
  • This can be arranged. Therefore, the light emitting device 100D according to the embodiment may be used for high voltage.
  • the light emitting cells adjacent to each other in the light emitting devices 100A to 100D according to the embodiment are connected by a plurality of connecting metal layers. Therefore, even if one of the plurality of connection metal layers is disconnected, since the carrier can move between the light emitting cells through the remaining connection metal layer, the reliability of the light emitting devices 100A to 100D can be improved.
  • a plurality of light emitting device packages including the light emitting device according to the embodiment may be arranged on a substrate, and a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, or the like, which is an optical member, may be disposed on an optical path of the light emitting device package.
  • the light emitting device package, the substrate, and the optical member may function as a backlight unit.
  • the display device may include a display device, an indicator device, and a lighting device including a light emitting device package according to an exemplary embodiment.
  • the display device may include a bottom cover, a reflector disposed on the bottom cover, a light emitting module for emitting light, a light guide plate disposed in front of the reflector, and guiding light emitted from the light emitting module to the front, and in front of the light guide plate.
  • An optical sheet including prism sheets disposed, a display panel disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit connected to the display panel and supplying an image signal to the display panel, and a color filter disposed in front of the display panel. It may include.
  • the bottom cover, the reflector, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit.
  • the lighting apparatus includes a light source module including a substrate and a light emitting device package according to an embodiment, a heat sink for dissipating heat from the light source module, and a power supply unit for processing or converting an electrical signal provided from the outside and providing the light source module to the light source module.
  • a light source module including a substrate and a light emitting device package according to an embodiment, a heat sink for dissipating heat from the light source module, and a power supply unit for processing or converting an electrical signal provided from the outside and providing the light source module to the light source module.
  • the lighting device may include a lamp, a head lamp, or a street lamp.
  • the head lamp includes a light emitting module including a plurality of light emitting device packages disposed on a substrate, a reflector for reflecting light emitted from the light emitting module in a predetermined direction, for example, and a front refracting light reflected by the reflector. And a shade for blocking or reflecting a portion of the light reflected by the reflector and directed toward the lens, to achieve a light distribution pattern desired by the designer.
  • the light emitting device can maximize light extraction efficiency and can be used as a high voltage light emitting device by having a larger number of light emitting cells in a planar region of a given substrate.

Landscapes

  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

실시 예의 발광 소자는 기판과, 제1 및 제2 전극 패드와, 기판 위에 배치되며, 제1 및 제2 전극 패드 사이에서 제1 방향으로 일직선 상에 배열된 복수의 발광 셀 및 복수의 발광 셀을 전기적으로 연결하는 적어도 하나의 연결 배선을 포함하고, 복수의 발광 셀 각각은 기판 위에 순차적으로 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 제1 전극 패드는 첫 번째 발광 셀의 제2 도전형 반도체층과 연결되고, 제2 전극 패드는 마지막 발광 셀의 제1 도전형 반도체층과 연결되고, 연결 배선은 서로 인접하는 발광 셀 중 하나의 제1 도전형 반도체층과 다른 하나의 제2 도전형 반도체층을 전기적으로 연결한다.

Description

발광 소자 및 이를 포함하는 조명 장치
실시 예는 발광 소자 및 이를 포함하는 조명 장치에 관한 것이다.
질화갈륨(GaN)의 금속 유기화학기상 증착법 및 분자선 성장법 등의 발달을 바탕으로 고휘도 및 백색광 구현이 가능한 적색, 녹색 및 청색 발광 다이오드(LED:Light Emitting Diode)가 개발되었다.
이러한 LED는 백열등과 형광등 등의 기존 조명기구에 사용되는 수은(Hg)과 같은 환경 유해물질이 포함되어 있지 않아 우수한 친환경성을 가지며, 긴 수명, 저전력 소비특성 등과 같은 장점이 있기 때문에 기존의 광원들을 대체하고 있다. 이러한 LED 소자의 핵심 경쟁 요소는 고효율 및 고출력 칩 및 패키징 기술에 의한 고휘도의 구현이다.
고휘도를 구현하기 위해서 광 추출 효율을 높이는 것이 중요하다. 광 추출 효율을 높이기 위하여 플립 칩(flip-chip) 구조, 표면 요철 형성(surface texturing), 요철이 형성된 사파이어 기판(PSS:Patterned Sapphire Substrate), 광 결정(photonic crystal) 기술, 및 반사 방지막(anti-reflection layer) 구조 등을 이용한 다양한 방법들이 연구되고 있다.
기존의 발광 소자 중 하나가 미국 특허 번호 US7,646,031에 개시되어 있다. 개시된 기존의 발광 소자는 전극 패드(32) 사이에서 LED(1)가 지그재그(zigzag) 형태로 배열되며 일직선상에 배열되지 않는다. 이로 인해, 설계의 자유도가 제한되고, 발광 소자의 중앙에서 전류가 국부적으로 과밀(crowding)되는 문제가 발생할 수 있다. 게다가, 이웃하는 LED(1)는 하나의 에어 브릿지 라인(air bridge line)(28)에 의해 연결되므로, 하나의 라인(28)이 단선될 경우 발광 소자 전체가 동작하지 못하여 신뢰성이 저하될 수 있다.
기존의 발광 소자의 일 예가 미국 특허 번호 US7,646,031(2010.01.12, 발명의 명칭: LIGHT EMITTING DEVICE HAVING LIGHT EMITTING ELEMENTS)에 개시되어 있다.
실시 예는 신뢰성이 개선된 발광 소자 및 이를 포함하는 조명 장치를 제공한다.
실시 예에 의한 발광 소자는, 기판; 제1 및 제2 전극 패드; 상기 기판 위에 배치되며, 상기 제1 및 제2 전극 패드 사이에서 제1 방향으로 일직선 상에 배열된 제1 내지 제M(여기서, M은 2 이상의 양의 정수) 발광 셀; 및 상기 제1 내지 제M 발광 셀을 전기적으로 연결하는 제1 내지 제N(여기서, N은 양의 정수로서, 1 ≤ N ≤ M-1) 연결 배선을 포함하고, 상기 제1 내지 제M 발광 셀 각각은 상기 기판 위에 순차적으로 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 상기 제1 전극 패드는 상기 제1 발광 셀의 상기 제2 도전형 반도체층과 연결되고, 상기 제2 전극 패드는 상기 제M 발광 셀의 상기 제1 도전형 반도체층과 연결되고, 제n (여기서, n은 양의 정수로서, 1 ≤ n ≤ N) 연결 배선은 서로 인접하는 제n 발광 셀의 상기 제1 도전형 반도체층과 제n+1 발광 셀의 상기 제2 도전형 반도체층을 전기적으로 연결할 수 있다.
예를 들어, 상기 제n 연결 배선은 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 전기적으로 서로 이격된 복수의 연결 금속층을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 발광 소자는, 상기 제1 발광 셀과 상기 제M 발광 셀의 사이에 배치된 임의의 발광 셀의 상기 제1 또는 제2 도전형 반도체층과 연결된 중간 패드를 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 내지 제N 연결 배선 중 어느 하나에 포함된 상기 복수의 연결 금속층과 상기 제1 내지 제N 연결 배선 중 다른 하나에 포함된 상기 복수의 연결 금속층은 상기 제1 방향으로 서로 어긋나서 배치될 수 있다.
예를 들어, 제k (여기서, k는 양의 정수로서, 1 ≤ k ≤ N-1) 연결 배선에 포함된 상기 복수의 연결 금속층과 제k+1 연결 배선에 포함된 상기 복수의 연결 금속층은 상기 제1 방향으로 서로 어긋나서 배치될 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 내지 제N 연결 배선 각각에서 상기 복수의 연결 금속층 간의 이격 거리는 상기 발광 소자의 가장 자리로 갈수록 감소할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 내지 제N 연결 배선 각각에서 상기 복수의 연결 금속층 간의 이격 거리는 상기 제1 발광 셀과 상기 제M 발광 셀 사이를 가로지르는 중심선에 근접할수록 증가할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 내지 제M 발광 셀의 상기 제1 방향으로의 길이는 상기 제1 발광 셀과 상기 제M 발광 셀 사이를 가로지르는 중심선에 가까울수록 감소하고 멀어질수록 증가할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 내지 제N 연결 배선에 포함된 상기 복수의 연결 금속층의 개수는 상기 제1 발광 셀과 상기 제M 발광 셀 사이를 가로지르는 중심선에 근접할수록 증가할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 내지 제M 발광 셀 간의 활성 영역의 평면 넓이 편차는 20% 이내일 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 발광 셀과 상기 제M 발광 셀 사이를 가로지르는 중심선을 기준으로 상기 제1 내지 제M 발광 셀의 활성 영역의 평면 모양은 대칭일 수 있다.
다른 실시 예에 의한 발광 소자는 기판; 제1 및 제2 전극 패드; 상기 기판 위에 배치되며, 상기 제1 및 제2 전극 패드 사이에서 제1 방향으로 일직선 상에 배열된 제1 내지 제M(여기서, M은 2 이상의 양의 정수) 발광 셀; 및 상기 제1 내지 제M 발광 셀을 전기적으로 연결하는 제1 내지 제N(여기서, N은 양의 정수로서, 1 ≤ N ≤ M-1) 연결 배선을 포함하고, 상기 기판 상에 형성되는 경계 영역에 의해 상기 제1 내지 제M 발광 셀 중 인접하는 발광 셀이 이격되어 배치되며, 상기 제1 내지 제M 발광 셀 중 인접하는 발광 셀이 서로 대향하는 면은 곡면인 평면 형상을 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 연결 배선은 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 전기적으로 서로 이격된 복수의 연결 금속층을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 발광 셀과 상기 제M 발광 셀 사이를 가로지르는 중심선을 기준으로 상기 제1 내지 제M 발광 셀의 활성 영역의 평면 모양이 서로 비대칭일 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 발광 셀과 상기 제M 발광 셀 사이를 가로지르는 중심선을 기준으로 상기 제1 내지 제N 연결 배선에 포함된 상기 복수의 연결 금속층의 개수는 대칭일 수 있다.
예를 들어, 상기 기판은 다각형 평면 형상을 갖고, 상기 제1 방향은 상기 다각형의 대각선 방향일 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 내지 제N 연결 배선 중 적어도 2개에 포함된 상기 복수의 연결 금속층의 개수는 서로 동일할 수도 있고, 서로 다를 수도 있다.
또 다른 실시 예에 따른 조명 장치는 상술한 발광 소자를 포함하는 광원 모듈; 상기 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열체; 및 상기 광원 모듈에 전원을 공급하는 전원 제공부를 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광 소자는 전체적으로 균일한 발광 분포를 갖고, 전류가 과밀하게 흐르는 문제를 해결할 수 있고, 전체적으로 증가된 활성 영역을 가짐으로써 개선된 발광 효율을 갖고, 광 추출 효율을 극대화시킬 수 있고, 주어진 기판의 평면 영역에서 보다 많은 개수의 발광 셀을 가짐으로써 고전압용에 적합할 수 있고, 복수 개의 연결 금속층 중 하나가 단선되더라도, 나머지 연결 금속층을 통해 캐리어가 발광 셀 사이를 이동할 수 있으므로, 개선된 신뢰성을 가질 수 있다.
도 1은 일 실시 예에 의한 발광 소자의 평면도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자를 I-I'선을 따라 절취한 단면도를 나타낸다.
도 3은 도 1에 도시된 발광 소자를 Ⅱ-Ⅱ' 선을 따라 절취한 단면도를 나타낸다.
도 4는 도 1에 도시된 발광 소자를 Ⅲ-Ⅲ' 선을 따라 절취한 단면도를 나타낸다.
도 5는 도 1에 도시된 발광 소자의 회로도를 나타낸다.
도 6은 다른 실시 예에 의한 발광 소자의 평면도를 나타낸다.
도 7은 또 다른 실시 예에 의한 발광 소자의 평면도를 나타낸다.
도 8은 또 다른 실시 예에 의한 발광 소자의 평면도를 나타낸다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시 예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시 예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시 예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly) 접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)”로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
또한, 이하에서 이용되는 "제1" 및 "제2," "상/상부/위" 및 "하/하부/아래" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.
도 1은 일 실시 예에 의한 발광 소자(100A)의 평면도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 발광 소자(100A)를 I-I'선을 따라 절취한 단면도를 나타내고, 도 3은 도 1에 도시된 발광 소자(100A)를 Ⅱ-Ⅱ' 선을 따라 절취한 단면도를 나타내고, 도 4는 도 1에 도시된 발광 소자(100A)를 Ⅲ-Ⅲ' 선을 따라 절취한 단면도를 나타낸다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 발광 소자(100A)는 기판(110), 버퍼층(112), 복수의 발광 셀(P1 내지 PM), 제1 및 제2 전극(132, 134), 절연층(140), 제1 및 제2 전극 패드(152, 154), 중간 패드(156) 및 제1 내지 제N 연결 배선(CE1 내지 CEN)을 포함할 수 있다. 여기서, M과 N 각각은 2 이상의 양의 정수일 수 있으며, N은 1 ≤ N ≤ M-1일 수 있다.
기판(110) 위에 버퍼층(112)이 배치될 수 있다. 기판(110)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질, 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있다. 또한 기판(110)은 열 전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판일 수 있다. 또한, 기판(110)은 투광성을 갖는 물질로 이루어질 수도 있으며, 발광 소자(100A)의 전체 질화물 발광 구조물(120)의 휨을 가져오지 않으면서, 스크라이빙(scribing) 공정 및 브레이킹(breaking) 공정을 통해 별개의 칩으로 잘 분리시키기 위한 정도의 기계적 강도를 가질 수 있다. 예를 들어 기판(110)은 사파이어(Al203), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, Ga203, GaAs, Ge 중 적어도 하나를 포함하는 물질일 수 있다. 이러한 기판(110)의 상면에는 요철 패턴 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 비록 도시되지는 않았지만 기판(110)은 PSS(Patterned Sapphire Substrate)일 수 있다.
버퍼층(112)은 기판(110)과 발광 구조물(120) 사이에 배치되며, Ⅲ-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체를 이용하여 형성될 수 있다. 버퍼층(112)은 기판(110)과 발광 구조물(120) 사이의 격자 상수의 차이를 줄여주는 역할을 한다. 예를 들어, 버퍼층(112)은 AlN을 포함하거나 언 도프드(undoped) 질화물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 버퍼층(112)은 기판(110)의 종류와 발광 구조물(120)의 종류에 따라 생략될 수도 있다.
경우에 따라, 버퍼층(112)은 생략될 수 있다. 이하, 버퍼층(112)이 생략된 것으로 설명하지만, 버퍼층(112)이 생략되지 않은 경우에도 하기의 설명은 적용될 수 있다.
기판(110) 위에 복수의 발광 셀(P1 내지 PM)이 배치될 수 있다. 복수의 발광 셀(P1 내지 PM)을 순서대로 제1 발광 셀(P1) 내지 제M 발광 셀(PM)이라 한다. 하나의 발광 셀을 이루는 발광 구조물(120)은 경계 영역(S)에 의하여 다른 발광 셀의 발광 구조물(120)과 구분될 수 있다. 경계 영역(S)은 제1 내지 제M 발광 셀(P1 내지 PM) 각각의 둘레에 위치하는 영역일 수 있으며, 기판(110)일 수 있다.
이하, M=6이고 N=5인 것으로 설명하지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, M이 6보다 작거나 큰 경우 및 N이 5보다 작거나 큰 경우에도 하기의 설명은 적용될 수 있다.
제1 및 제6 발광 셀(P1 내지 P6)은 제1 전극 패드(152)와 제2 전극 패드(154) 사이에서 제1 방향(예를 들어, z축 방향)으로 일직선 상에 배열될 수 있다. 이때, 제1 내지 제M 발광 셀(P1 내지 PM)은 서로 이격되어 배치될 수 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.
제1 내지 제6 발광 셀(P1 내지 P6) 각각은 기판(110) 위에 순차적으로 배치된 제1 도전형 반도체층(122), 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(126)을 포함할 수 있다. 즉, 기판(110) 위에 배치된 발광 구조물(120)은 M개의 발광 셀로 나뉘어질 수 있다. 발광 구조물(120)은 제1 도전형 반도체층(122), 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(126)을 포함할 수 있다.
제1 도전형 반도체층(122)은 기판(110)과 활성층(124) 사이에 배치되고, 반도체 화합물을 포함할 수 있으며, Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현되고, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예를 들어, 제1 도전형 반도체층(122)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(122)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(122)은 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
활성층(124)은 제1 도전형 반도체층(122)과 제2 도전형 반도체층(126) 사이에 배치되며, 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(MQW:Multi Quantum Well) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 활성층(124)은 Ⅲ-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조를 가질 수 있으나 이에 한정되지는 않는다. 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 이루어질 수 있다.
제2 도전형 반도체층(126)은 활성층(124)의 상부에 배치되며, 반도체 화합물을 포함할 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 예를 들어 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질 또는 AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
제2 도전형 반도체층(126)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트일 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)은 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
제1 도전형 반도체층(122)은 n형 반도체층이고 제2 도전형 반도체층(126)은 p형 반도체층으로 구현되거나, 제1 도전형 반도체층(122)은 p형 반도체층이고 제2 도전형 반도체층(126)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 이에 따라 발광 구조물(120)은 n-p 접합, p-n 접합, n-p-n 접합, 및 p-n-p 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 도 1에 도시된 바와 달리, 발광 구조물(120)의 측면은 기판(110)에 대해 경사질 수 있다. 이와 같이, 발광 구조물(120)의 측면을 경사지게 형성하는 이유는, 이웃하는 발광 셀을 전기적으로 연결하는 연결 배선의 끊김을 방지하기 위해서이다.
또한, 각 발광 셀(Pm)에서 제1 전극(132)은 제1 도전형 반도체층(122) 위에 배치될 수 있다. 여기서, m은 양의 정수로서, 1 ≤ m ≤ M일 수 있다. 예를 들어, 도 2를 참조하면 제1 및 제2 발광 셀(P1, P2) 각각에서 제1 전극(132)은 제1 도전형 반도체층(122) 위에 배치된다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 제2 내지 제4 발광 셀(P2, P3, P4) 각각에서 제1 전극(132)은 제1 도전형 반도체층(122) 위에 배치된다. 제1 전극(132)을 제1 도전형 반도체층(122) 위에 배치하기 위해, 발광 구조물(120)의 제1 도전형 반도체층(122) 일부가 노출될 수 있다. 즉, 제2 도전형 반도체층(126), 활성층(124) 및 제1 도전형 반도체층(122)의 일부가 메사 식각(mesa etching)에 의하여 식각되어 제1 도전형 반도체층(122)의 일부를 노출할 수 있다. 이때, 제1 도전형 반도체층(122)의 노출면은 활성층(124)의 하면보다 낮게 위치할 수 있다. 또한, 제n 발광 셀에서 제1 전극(132)이 제1 도전형 반도체층(122) 위에 별개로 마련되는 대신에, 제1 전극(132)은 제n 연결 배선(CEn)과 일체로 이루어질 수도 있다. 여기서, n은 양의 정수로서 1 ≤ n ≤ N 일 수 있다.
각 발광 셀(Pm)에서, 제2 전극(134)은 제2 도전형 반도체층(126) 위에 배치되어, 제2 도전형 반도체층(126)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 도 2를 참조하면, 제1 및 제2 발광 셀(P1, P2) 각각에서 제2 전극(134)은 제2 도전형 반도체층(126) 위에 배치되어 있다. 또한, 도 3 및 도 4를 참조하면, 제3 내지 제5 발광 셀(P3, P4, P5) 각각에서 제2 전극(134)은 제2 도전형 반도체층(126) 위에 배치되어 있다. 또는, 제n+1 발광 셀[P(n+1)]에서 제2 전극(134)이 제2 도전형 반도체층(126) 위에 별개로 마련되는 대신에, 제n+1 발광 셀[P(n+1)]의 제2 전극(134)은 제n 연결 배선(CEn)과 일체로 이루어질 수도 있다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 달리, 제2 발광 셀(P2)의 제2 전극(134)은 제1 연결 배선(CE1)(예를 들어, 제1-2 연결 금속층(CE12))과 일체로 이루어질 수 있다.
또한, 각 발광 셀(Pm)의 제1 및 제2 전극(132, 134) 각각은 접착층(미도시), 배리어층(미도시), 반사층(미도시) 및 본딩층(미도시)이 순차적으로 적층된 구조를 가질 수 있다.
제1 전극(132)의 접착층은 제1 도전형 반도체층(122)과 오믹 접촉하는 물질을 포함하고, 제2 전극(134)의 접착층은 제2 도전형 반도체층(126)과 오믹 접촉하는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 접착층은 Cr, Rd 및 Ti 중 적어도 하나의 재료로, 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
배리어층은 접착층 위에 배치되며, Ni, Cr, Ti 및 Pt 중 적어도 하나를 포함하는 재료로, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 배리어층은 Cr과 Pt의 합금으로 이루어질 수 있다.
또한, 배리어층과 접착층 사이에 Ag 등으로 이루어진 반사층이 개재될 수도 있지만 생략될 수도 있다.
또한, 본딩층은 반사층의 위에 배치되며, Au을 포함할 수 있다.
또한, 제1 내지 제M 발광 셀(P1 내지 PM)의 제1 방향(예를 들어, z축 방향)으로의 길이는 제1 발광 셀(P1)과 제M 발광 셀(PM) 사이를 가로지르는 중심선(CL)에 가까울수록 감소하고 멀어질수록 증가할 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 발광 셀(P1 내지 P3)의 제1 방향으로의 각 길이(L1, L2, L3)는 중심선(CL)에 가까울수록 감소할 수 있다. 또한, 제4 내지 제6 발광 셀(P4 내지 P6)의 제1 방향으로의 각 길이(L4, L5, L6)는 중심선(CL)으로부터 멀어질수록 증가할 수 있다.
제1 내지 제6 발광 셀(P1 내지 P6)의 제2 방향으로의 폭은 중심선(CL)으로 갈수록 증가한다. 따라서, 제1 내지 제6 발광 셀(P1 내지 P6)의 제1 방향으로의 길이(L1 내지 L6)를 중심선(CL)에 가까울수록 감소시키고 멀어질수록 증가시킬 경우, 제1 내지 제6 발광 셀(P1 내지 P6)의 활성 영역의 평면 넓이(예를 들어, y축과 z축 상에서의 넓이)는 균일해질 수 있다. 여기서, 활성 영역이란 도 1을 참조하면 경계 영역(S)과 메사 식각에 의해 노출된 제1 도전형 반도체층(122)을 제외한 영역을 의미할 수 있다. 도 2를 참조하면, 활성 영역이란, 활성층(124)의 폭(AA)을 의미할 수 있다.
또한, 제1 내지 제6 발광 셀(P1 내지 P6) 각각의 활성 영역의 평면 넓이가 평균 넓이를 기준으로 20% 이내 예를 들어 2% 내지 3% 정도의 오차(즉, '활성 영역의 넓이 편차') 범위 내에 있을 때, 제1 내지 제6 발광 셀(P1 내지 P6)의 평면 넓이는 균일하다고 할 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 여기서, '평균 넓이'란, 제1 내지 제6 발광 셀(P1 내지 P6)의 활성 영역을 모두 합산한 결과를 발광 셀의 개수로 나눈 값을 의미할 수 있다. 이를 위해, y축 방향으로 발광 소자(100A)의 폭을 고려하면서 z축 방향으로의 길이(L1 내지 L6)가 결정될 수 있다.
이와 같이, 제1 내지 제6 발광 셀(P1 내지 P6)의 활성 영역의 평면 넓이가 서로 동일하지 않더라도, 활성 영역의 넓이 편차가 20% 이내 예를 들면 2% 내지 3% 범위 내에 있을 때, 제1 내지 제6 발광 셀(P1 내지 P6) 중 어느 한 쪽으로 캐리어의 스프레딩이 치우치지 않아 전체적으로 캐리어가 고르게 스프레딩될 수 있고, 전류 밀도가 균일해져서 소자가 파괴될 가능성이 줄어들어 신뢰성이 개선될 수 있으며, 광 추출 효율이 개선될 수 있게 된다.
또한, 중심선(CL)을 기준으로 제1 내지 제M 발광 셀(P1 내지 P6)의 활성 영역의 평면 크기 또는 평면 모양 중 적어도 하나는 대칭일 수 있다. 예를 들어, 중심선(CL)을 기준으로 제1 발광 셀(P1)과 제6 발광 셀(P6)의 평면 크기 또는 평면 모양 중 적어도 하나는 대칭일 수 있다. 중심선(CL)을 기준으로 제2 발광 셀(P2)과 제5 발광 셀(P5)의 평면 크기 또는 평면 모양 중 적어도 하나는 대칭일 수 있다. 중심선(CL)을 기준으로 제3 발광 셀(P3)과 제4 발광 셀(P4)의 평면 크기 또는 평면 모양 중 적어도 하나는 대칭일 수 있다.
이와 같이, 중심선(CL)을 기준으로 제1 내지 제M 발광 셀(P1 내지 PM)의 활성 영역의 평면 크기 또는 평면 모양 중 적어도 하나가 대칭일 경우, 발광 소자(100A)의 전체의 발광 분포가 균일해질 수 있다.
한편, 제1 내지 제N 연결 배선(CE1 내지 CEN)은 제1 내지 제M 발광 셀(P1 내지 PM)을 전기적으로 연결하는 역할을 한다. 즉, 제1 내지 제N 연결 배선은 제1 전극 패드(152)가 위치하는 제1 발광 셀(P1)을 시점으로 하고, 제2 전극 패드(154)가 위치하는 제M 발광 셀(PM)을 종점으로 하여 제1 내지 제M 발광 셀(P1 내지 PM)을 직렬 연결할 수 있다.
제1 내지 제N 연결 배선(CE1 내지 CEN) 각각인 제n 연결 배선(CEn)은 제n 발광 셀(Pn), 제n+1 발광 셀[P(n+1)] 및 그[Pn, P(n+1)] 사이의 경계 영역(S) 상에 위치하여, 서로 인접하는 제n 발광 셀(Pn)의 제1 도전형 반도체층(122)과 제n+1 발광 셀(Pn+1)의 제2 도전형 반도체층(126)을 전기적으로 연결할 수 있다.
예를 들어, 제1 연결 배선(CE1)은 제1 발광 셀(P1)의 제1 도전형 반도체층(122)과 제2 발광 셀(P2)의 제2 도전형 반도체층(126)을 전기적으로 연결할 수 있다. 제2 연결 배선(CE2)은 제2 발광 셀(P2)의 제1 도전형 반도체층(122)과 제3 발광 셀(P3)의 제2 도전형 반도체층(126)을 전기적으로 연결할 수 있다. 제3 연결 배선(CE3)은 제3 발광 셀(P3)의 제1 도전형 반도체층(122)과 제4 발광 셀(P4)의 제2 도전형 반도체층(126)을 전기적으로 연결할 수 있다. 제4 연결 배선(CE4)은 제4 발광 셀(P1)의 제1 도전형 반도체층(122)과 제5 발광 셀(P5)의 제2 도전형 반도체층(126)을 전기적으로 연결할 수 있다. 제5 연결 배선(CE5)은 제5 발광 셀(P5)의 제1 도전형 반도체층(122)과 제6 발광 셀(P6)의 제2 도전형 반도체층(126)을 전기적으로 연결할 수 있다.
또한, 제n 연결 배선(CEn)은 복수의 연결 금속층(EC1 내지 ECQ)을 포함할 수 있다. 복수의 제n1 내지 제nQ 연결 금속층(ECn1 내지 ECnQ)은 제1 방향(예를 들어, z축 방향)과 다른 제2 방향(예를 들어, y축 방향)으로 전기적으로 서로 이격되어 배치될 수 있다. 여기서, Q는 2 이상의 양의 정수일 수 있다.
예를 들어, 제1 연결 배선(CE1)은 제1-1 내지 제1-3 연결 금속층(CE11 내지 CE13)을 포함하고, 제2 연결 배선(CE2)은 제2-1 내지 제2-4 연결 금속층(CE21 내지 CE24)을 포함하고, 제3 연결 배선(CE3)은 제3-1 내지 제3-5 연결 금속층(CE31 내지 CE35)을 포함하고, 제4 연결 배선(CE4)은 제4-1 내지 제4-4 연결 금속층(CE41 내지 CE44)을 포함하고, 제5 연결 배선(CE5)은 제5-1 내지 제5-3 연결 금속층(CE51 내지 CE53)을 포함할 수 있다.
전술한 제1 내지 제N 연결 배선(CE1 내지 CEN) 각각(CEn)에 포함된 복수의 연결 금속층(ECn1 내지 ECnQ) 각각은 제1 및 제2 전극(132, 134) 각각과 동일하거나 서로 다른 물질로 이루어질 수 있다. 만일, 복수의 연결 금속층(ECn1 내지 ECnQ) 각각이 제1 및 제2 전극(132, 134)과 동일한 물질로 이루어질 경우 전술한 바와 같이 복수의 연결 금속층(ECn1 내지 ECnQ)은 제1 또는 제2 전극(132, 134) 중 적어도 하나와 일체형으로 이루어질 수도 있다. 복수의 연결 금속층(ECn1 내지 ECnQ) 각각은 Cr, Rd, Au, Ni, Ti 또는 Pt 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나 이에 국한되지 않는다.
또한, 도 1에 도시된 발광 소자(100A)에서 각 연결 배선(ECn)에 포함된 제n1 내지 제nQ 연결 금속층(CEn1 내지 CEnQ) 각각은 사각형 평면 형상을 갖는 것으로 도시되어 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 제n1 내지 제nQ 연결 금속층(CEn1 내지 CEnQ)은 다양한 평면 형상을 가질 수 있다.
또한, 제1 내지 제N 연결 배선(CE1 내지 CEN) 중 어느 하나에 포함된 복수의 연결 금속층과 제1 내지 제N 연결 배선(CE1 내지 CEN) 중 다른 하나에 포함된 복수의 연결 금속층은 제1 방향(예를 들어, z축 방향)으로 서로 어긋나서 배치될 수 있다.
예를 들어, 제k 연결 배선(CEk)에 포함된 복수의 연결 금속층(CEk1 내지 CEkQ)과 제k+1 연결 배선(CE(k+1))에 포함된 복수의 연결 금속층[CE(k+1)1 내지 CE(k+1)Q]은 제1 방향으로 서로 어긋나서 배치될 수 있다. 여기서, 1 ≤ k ≤ N-1일 수 있다.
N=5일 경우, 제1 연결 배선(CE1)에 포함된 제1-1 내지 제1-3 연결 금속층(CE11 내지 CE13)과 제2 연결 배선(CE2)에 포함된 제2-1 내지 제2-4 연결 금속층(CE21 내지 CE24)은 제1 방향으로 서로 어긋나서 배치될 수 있다. 제2 연결 배선(CE2)에 포함된 제2-1 내지 제2-4 연결 금속층(CE21 내지 CE24)과 제3 연결 배선(CE3)에 포함된 제3-1 내지 제3-5 연결 금속층(CE31 내지 CE35)은 제1 방향으로 서로 어긋나서 배치될 수 있다. 제3 연결 배선(CE3)에 포함된 제3-1 내지 제3-5 연결 금속층(CE31 내지 CE35)과 제4 연결 배선(CE4)에 포함된 제4-1 내지 제4-4 연결 금속층(CE41 내지 CE44)은 제1 방향으로 서로 어긋나서 배치될 수 있다. 제4 연결 배선(CE4)에 포함된 제4-1 내지 제4-4 연결 금속층(CE41 내지 CE44)과 제5 연결 배선(CE5)에 포함된 제5-1 내지 제5-3 연결 금속층(CE51 내지 CE53)은 제1 방향으로 서로 어긋나서 배치될 수 있다.
전술한 바와 같이 서로 인접한 연결 금속층이 제1 방향으로 서로 어긋나게 배치될 경우, 제1 방향으로 캐리어가 균일하게 스프레딩되어 화살표로 표시한 제1 방향(CP)으로 흐르는 전류가 과밀(crowding)하게 되는 문제가 해결될 수 있다.
또한, 제1 내지 제N 연결 배선(CE1 내지 CEN) 중 적어도 2개에 포함된 복수의 연결 금속층의 개수는 서로 동일할 수도 있고, 서로 다를 수도 있다. 즉, 제1 내지 제N 연결 배선(CE1 내지 CEN)의 Q는 서로 동일할 수도 있고 서로 다를 수도 있다. 제1, 제2, 제3, 제4 또는 제5 연결 배선(CE1, CE2, CE3, CE4 또는 CE5) 중 적어도 2개에 포함된 복수의 연결 금속층의 개수(Q)는 서로 동일할 수도 있고 서로 다를 수도 있다.
예를 들어, 도 1에 예시된 바와 같이, 제1 및 제5 연결 배선(CE1, CE5) 각각에 포함된 연결 금속층의 개수는 3개(Q=3)로서 서로 동일할 수 있다. 제2 및 제4 연결 배선(CE2, CE4) 각각에 포함된 연결 금속층의 개수는 4개(Q=4)로서 서로 동일할 수 있다. 제3 연결 배선(CE3)에 포함된 연결 금속층의 개수는 5개(Q=4)일 수 있다. 제1, 제2 및 제3 연결 배선(CE1, CE2, CE3) 각각에 포함된 연결 금속층의 개수는 서로 다를 수 있다.
또한, 제1 내지 제N 연결 배선(CE1 내지 CEN)에 포함된 복수의 연결 금속층의 개수는 제1 발광 셀(P1)과 제M 발광 셀(PM) 사이를 가로지르는 중심선(CL)에 근접할수록 증가할 수 있다. 예를 들어, 중심선(CL)으로부터 가장 멀리 배치된 제1 및 제5 연결 배선(CE1, CE5)에 포함된 복수의 연결 금속층의 개수는 3개로서 가장 작을 수 있다. 또한, 제1 및 제5 연결 배선(CE1, CE5)보다 중심선(CL)에 가깝게 근접한 제2 및 제4 연결 배선(CE2, CE4)에 포함된 복수의 연결 금속층의 개수는 4개로서 3개보다 1개 증가할 수 있다. 또한, 제2 및 제4 연결 배선(CE2, CE4)보다 중심선(CL)에 보다 가깝게 근접한 제3 연결 배선(CE3)에 포함된 복수의 연결 금속층의 개수는 5개로서 4개보다 1개 증가할 수 있다. 이와 같이, 제1 내지 제3 연결 배선(CE1, CE2, CE3)에 포함된 복수의 연결 금속층의 개수는 중심선(CL)에 근접할수록 증가하고, 제5, 제4 및 제3 연결 배선(CE5, CE4, CE3)에 포함된 복수의 연결 금속층의 개수는 중심선(CL)에 근접할수록 증가할 수 있다.
도 1에 예시된 바와 같이 중심선(CL)에 근접할수록 발광 셀의 폭은 증가하며, 큰 폭을 갖는 발광 셀일수록 캐리어가 균일하게 스프레딩할 필요가 있다. 따라서, 전술한 바와 같이 중심선(CL)에 근접할수록 연결 금속층의 개수가 증가할 경우, 큰 폭을 갖는 발광 셀에서 캐리어가 균일하게 스프레딩될 수 있다.
또한, 중심선(CL)을 기준으로 제1 내지 제N 연결 배선(CE1 내지 CEN)에 포함된 복수의 연결 금속층의 개수는 대칭일 수 있다. 예를 들어, 중심선(CL)을 기준으로 제1 연결 배선(CE1)에 포함된 연결 금속층(CE11, CE12, CE13)의 개수와 제5 연결 배선(CE5)에 포함된 연결 금속층(CE51, CE52, CE53)의 개수는 3개로서 서로 대칭일 수 있다. 중심선(CL)을 기준으로 제2 연결 배선(CE2)에 포함된 연결 금속층(CE21, CE22, CE23, CE24)의 개수와 제4 연결 배선(CE4)에 포함된 연결 금속층(CE41, CE42, CE43, CE44)의 개수는 4개로서 서로 대칭일 수 있다.
전술한 바와 같이 연결 금속층의 개수가 중심선(CL)을 기준으로 대칭일 경우, 활성층(124)에서 방출되는 광의 분포가 균일해질 수 있다.
또한, 제1 내지 제N 연결 배선(CE1 내지 CEN) 각각에서 복수의 연결 금속층 간의 이격 거리는 발광 소자(100)의 제2 방향(예를 들어, y축 방향)에서의 가장 자리로 갈수록 감소할 수 있다.
예를 들어, 제2-1 및 제2-2 연결 금속층(CE21, CE22)은 제2-2 및 제2-3 연결 금속층(CE22, CE23)보다 발광 소자(100A)의 제2 방향에서의 가장 자리에 더 가깝게 배치된다. 이 경우, 제2-1 및 제2-2 연결 금속층(CE21, CE22) 간의 제1 이격 거리(d1)는 제2-2 및 제2-3 연결 금속층(CE22, CE23) 간의 제2 이격 거리(d2)보다 더 작을 수 있다.
제4-1 및 제4-2 연결 금속층(CE41, CE42)은 제4-2 및 제4-3 연결 금속층(CE42, CE43)보다 발광 소자(100A)의 제2 방향에서의 가장 자리에 더 가깝게 배치된다. 이 경우, 제4-1 및 제4-2 연결 금속층(CE41, CE42) 간의 제3 이격 거리(d3)는 제4-2 및 제4-3 연결 금속층(CE42, CE43) 간의 제4 이격 거리(d4)보다 더 작을 수 있다.
제3-1 및 제3-2 연결 금속층(CE31, CE32)은 제3-2 및 제3-3 연결 금속층(CE32, CE33)보다 발광 소자(100A)의 제2 방향에서의 가장 자리에 더 가깝게 배치된다. 이 경우, 제3-1 및 제3-2 연결 금속층(CE31, CE32) 간의 제5 이격 거리(d5)는 제3-2 및 제3-3 연결 금속층(CE32, CE33) 간의 제6 이격 거리(d6)보다 더 작을 수 있다.
또한, 제1 내지 제N 연결 배선(CE1 내지 CEN) 각각에서 복수의 연결 금속층 간의 이격 거리는 중심선(CL)에 근접할수록 증가할 수 있다.
예를 들어, 제3 연결 배선(CE3)이 제2 연결 배선(CE2)보다 중심선(CL)에 더 근접해 있다. 따라서, 제3 연결 배선(CE3)에 포함된 제3-1 및 제3-2 연결 금속층(CE31, CE32) 간의 제5 이격 거리(d5)는 제2 연결 배선(CE2)에 포함된 제2-1 및 제2-2 연결 금속층(CE21, CE22) 간의 제1 이격 거리(d1)보다 더 클 수 있다.
또한, 제3 연결 배선(CE3)이 제4 연결 배선(CE4)보다 중심선(CL)에 더 근접해 있다. 따라서, 제3 연결 배선(CE3)에 포함된 제3-1 및 제3-2 연결 금속층(CE31, CE32) 간의 제5 이격 거리(d5)는 제4 연결 배선(CE4)에 포함된 제4-1 및 제4-2 연결 금속층(CE41, CE42) 간의 제3 이격 거리(d3)보다 더 클 수 있다.
일반적으로 캐리어는 발광 소자(100A)의 제1 방향(예를 들어, z축 방향)에서의 가장자리보다 가운데에서 또는 제2 방향(예를 들어, y축 방향)에서의 가장 자리보다는 가운데에서 과밀될 수 있다.
이를 고려하여, 전술한 바와 같이, 실시 예에 의한 발광 소자(100A)의 제2 방향의 가운데로 갈수록 연결 금속층 간의 이격 거리가 증가할 경우 제2 방향의 가운데로 과밀되는 캐리어가 제2 방향의 가장 자리로 분산될 수 있어, 캐리어가 균일하게 스프레딩될 수 있다. 또한, 발광 소자(100A)의 제1 방향의 가장 자리로부터 가운데로 갈수록 연결 금속층 간의 이격 거리가 증가할 경우 제1 방향의 가운데로 과밀되는 캐리어가 제1 방향의 가장 자리로 분산될 수 있어, 캐리어가 균일하게 스프레딩될 수 있다. 결국, 캐리어가 균일하게 스프레딩될 경우, 발광 소자(100A)의 가운데로 전류가 과밀되는 현상이 개선될 수 있다.
한편, 제1 전극 패드(152)는 제1 발광 셀(M1)의 제2 도전형 반도체층(126)과 전기적으로 연결되고, 제2 전극 패드(154)는 제6 발광 셀(M6)의 제1 도전형 반도체층(122)과 연결될 수 있다.
또한, 제1 전극 패드(152)와 제2 전극 패드(154)는 제1 방향으로 서로 대향하여 배치될 수 있다.
또한, 제1 및 제2 전극 패드(152, 154) 각각은 발광 소자(100A)의 모서리에 배치될 수 있다. 따라서, 발광 소자(100A)의 전체 면적에서 제1 및 제2 전극 패드(152, 154)가 차지하는 영역이 기존보다 더 줄어들 수 있어, 전체적으로 발광 소자(100A)의 활성 영역이 증가함으로써 발광 효율이 개선될 수 있다.
제1 전극 패드(152)는 제1 전원을 제공하기 위한 와이어(미도시)가 본딩될 수 있다. 도 2를 참조하면 제1 전극 패드(152)는 제1 내지 제M 발광 셀(P1 내지 PM) 중 어느 하나의 발광 셀(예컨대, P1)의 제2 도전형 반도체층(126) 위에 배치되어, 제2 도전형 반도체층(126)과 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 제2 전극 패드(154)는 제2 전원을 제공하기 위한 와이어(미도시)가 본딩될 수 있다. 도 1을 참조하면 제2 전극 패드(154)는 제1 내지 제M 발광 셀(P1 내지 PM) 중 다른 하나의 발광 셀(예컨대, P=9)의 제1 도전형 반도체층(122) 위에 배치되어, 제1 도전형 반도체층(122)과 전기적으로 접촉할 수 있다.
또한, 제2 전극(134)과 제2 도전형 반도체층(126) 사이에 전도층(미도시)이 더 배치될 수도 있다. 전도층은 전반사를 감소시킬 뿐만 아니라 투광성이 좋기 때문에 활성층(124)으로부터 방출되어 제2 도전형 반도체층(126)을 거친 빛의 추출 효율을 증가시킬 수 있다. 전도층은 발광 파장에 대해 투과율이 높은 투명한 산화물계 물질, 예컨대, ITO(Indium Tin Oxide), TO(Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), AZO(Aluminium Zinc Oxide), ATO(Aluminium Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au 또는 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나 이상을 이용하여 단층 또는 다층으로 구현될 수 있다. 경우에 따라서, 도 2 내지 도 4에 예시된 바와 같이, 전도층은 생략될 수도 있다. 제2 도전형 반도체층(126) 위에 배치된 전도층의 면적은 제2 도전형 반도체층(126)의 상부 면적 이하일 수 있다.
또한, 발광 소자(100A)는 적어도 하나의 중간 패드를 더 포함할 수 있다. 여기서, 중간 패드는 제1 발광 셀(P1)과 제M 발광 셀(PM)의 사이에 배치된 임의의 발광 셀의 제1 도전형 반도체층(122) 또는 제2 도전형 반도체층(126)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 중간 패드는 제1 전극 패드(152) 및 제2 전극 패드(154)가 위치하는 발광 셀(예컨대, P1 및 P9)을 제외한 나머지 발광 셀(예컨대, P2 내지 P5) 중 임의의 발광 셀(예컨대, P2 내지 P9)의 절연층(140) 상에 배치될 수 있다.
예를 들어, 도 1 및 도 4에 예시된 바와 같이, 중간 패드(156)는 제4 발광 셀(P4)의 제2 전극(134) 상에 배치되어, 제2 도전형 반도체층(126)과 전기적으로 연결될 수 있다. 만일, 중간 패드(156)가 도 1에 도시된 바와 같이 제2 도전형 반도체층(126)과 연결될 경우 제1 전원을 공급하기 위하여 와이어(미도시)가 본딩되는 영역일 수 있다. 또는, 중간 패드(156)가 도 1에 도시된 바와 달리 제1 도전형 반도체층(122)과 연결될 경우 제2 전원을 공급하기 위하여 와이어(미도시)가 본딩되는 영역일 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 중간 패드(156)와 제2 도전형 반도체층(126) 사이에 제2 전극층(134)이 위치하고, 중간 패드(156)는 동일 발광 셀 내에 위치하는 연결 금속층 중 어느 하나와 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 제4 발광 셀(P4)의 제2 전극(134) 상에 위치하는 중간 패드(156)는 제3-1 내지 제3-5 연결 금속층(CE31 내지 CE35) 중에서 어느 하나인 제3-1 연결 금속층(CE31)의 일단과 전기적으로 연결될 수 있다.
그러나 다른 실시 예에서는 중간 패드(156)는 동일 발광 셀 내에 위치하는 연결 금속층과 서로 전기적으로 직접 연결되지 않을 수도 있다. 즉, 도 4에 도시된 바와 달리, 중간 패드(156)는 제3-1 연결 금속층(CE31)과 직접 연결되지 않고 분리되어 배치될 수도 있다.
또한, 기판(110)은 다양한 다각형 평면 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 도 1에 도시된 바와 같이 사각형 평면 형상을 가질 수도 있고 비록 도시되지는 않았지만 오각형, 육각형, 팔각형, 마름모꼴형, 사다리꼴 등 다양한 다각형 평면 형상을 가질 수 있다. 이와 같이, 기판(110)이 다각형 평면 형상을 가질 경우 제1 방향은 다각형의 대각선 방향일 수 있다.
한편, 절연층(140)은 제1 내지 제N 연결 배선과 각 연결 배선에 의해 연결되는 이웃하는 발광 셀 사이에 배치되어, 연결 배선과 발광 셀을 전기적으로 절연시킬 수 있다. 즉, 절연층(140)은 제n 연결 배선(CEn)의 제n-1 내지 제n-Q 연결 금속층(CEn1 내지 CEnQ)과 그 연결 금속층에 의해 연결되는 이웃하는 제n 및 제n+1 발광 셀[Pn, P(n+1)] 사이에 배치되어, 제n 연결 배선(CEn)의 제n-1 내지 제n-Q 연결 금속층(CEn1 내지 CEnQ)과 제n 발광 셀(Pn)을 전기적으로 절연시키고, 제n 연결 배선(CEn)의 제n-1 내지 제n-Q 연결 금속층(CEn1 내지 CEnQ)과 제n+1 발광 셀[P(n+1)]을 전기적으로 절연시킬 수 있다. 예를 들어, 도 2를 참조하면, 절연층(140)은 제1 연결 배선(CE1)의 제1-2 연결 금속층(CE12)과 이웃하는 제1 및 제2 발광 셀(P1, P2) 사이에 배치되어, 제1 연결 배선(CE1)의 제1-2 연결 금속층(CE12)과 제1 및 제2 발광 셀(P1, P2) 각각을 전기적으로 절연시킨다. 그러나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 다른 실시 예에 의하면, 절연층(140)은 복수의 발광 셀 및 경계 영역(S) 상에 더 배치될 수도 있다. 즉, 절연층(140)은 복수의 발광 셀의 상면과 측면을 덮고, 경계 영역(S)을 덮을 수도 있다. 예를 들어, 도 2를 참조하면, 절연층(140)은 제1 및 제2 발광 셀(P1, P2) 각각의 상면과 측면을 덮고, 경계 영역(S)을 덮을 수 있다. 절연층(140)은 투광성 절연 물질, 예컨대, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, 또는 Al2O3 로 형성될 수 있으나, 실시 예는 절연층(140)의 물질에 국한되지 않는다.
도 5는 도 1에 도시된 발광 소자(100A)의 회로도를 나타낸다.
도 5를 참조하면, 발광 소자(100A)는 2개의 (+) 단자, 예컨대, 하나의 제1 전극 패드(152)와 중간 패드(156)를 가지며, 공통된 하나의 (-) 단자, 예컨대, 하나의 제2 전극 패드(154)를 가질 수 있다. 제1 전극 패드(152)는 제1 발광 셀(P1)의 제2 도전형 반도체층(126)과 전기적으로 연결되고, 제2 전극 패드(154)는 제M 발광 셀(예를 들어, 도 1의 경우 제9 발광 셀(P9))의 제1 도전형 반도체층(122)과 전기적으로 연결될 수 있다.
전술한 바와 같이, 실시 예에 의한 발광 소자(100A)는 복수의 (+) 단자인 제1 전극 패드(152)와 중간 패드(156)를 구비함으로써 다양한 구동 전압을 사용할 수 있고, 다양한 밝기의 발광을 구현하도록 조절할 수 있다.
이와 같이 실시 예는 인가되는 구동 전압에 따라, 중간 패드(156)와 제1 전극 패드(152) 중 어느 하나에 제1 전원을 공급하여, 발광 셀 중 일부 또는 전부를 구동하도록 설계될 수 있다.
도 6은 다른 실시 예에 의한 발광 소자(100B)의 평면도를 나타낸다.
일 실시 예에 의하면, 도 1에 도시된 발광 소자(100A)의 경우, 제1 내지 제M 발광 셀(P1 내지 PM) 중 인접하는 발광 셀이 서로 대향하는 면은 평평한 평면 형상일 수 있다. 예를 들어, 도 1을 참조하면, 서로 인접하는 제1 및 제2 발광 셀(P1, P2)이 서로 대향하는 면(S1, S2)은 평평한 평면 형상을 갖는다.
다른 실시 예에 의하면, 제1 내지 제M 발광 셀(P1 내지 PM) 중 인접하는 발광 셀이 서로 대향하는 면은 곡면인 평면 형상일 수 있다. 예를 들어, 도 6을 참조하면, 서로 인접하는 제1 및 제2 발광 셀(P1, P2)이 서로 대향하는 면(S1, S2)은 곡면인 평면 형상을 갖는다.
또한, 도 1에 도시된 발광 소자(100A)의 활성 영역의 평면 모양 또는 평면 크기 중 적어도 하나는 중심선(CL)을 기준으로 대칭인 반면, 도 6에 발광 소자(100B)의 활성 영역의 평면 모양과 평면 크기는 중심선(CL)을 기준으로 비대칭일 수 있다.
전술한 차이점을 제외하면, 도 6에 도시된 발광 소자(100B)는 도 1에 도시된 발광 소자(100A)와 동일하므로 중복되는 설명을 생략한다.
도 7은 또 다른 실시 예에 의한 발광 소자(100C)의 평면도를 나타낸다.
도 1에 도시된 발광 소자(100A)의 경우 서로 인접하는 발광 셀의 대향하는 면은 평평한 평면 형상을 갖고, 도 6에 도시된 발광 소자(100B)의 경우 서로 인접하는 발광 셀의 대향하는 면은 곡면인 평면 형상을 갖는다. 이와 달리, 도 7에 도시된 발광 소자(100C)의 경우, 서로 인접하는 발광 셀의 서로 대향하는 면은 평평한 평면 형상과 곡면인 평면 형상을 모두 가질 수 있다.
예를 들어, 도 7을 참조하면, 서로 인접하는 제1 및 제2 발광 셀(P1, P2)의 서로 대향하는 면과 제5 및 제6 발광 셀(P5, P6)의 서로 대향하는 면 각각은 곡면인 평면 형상을 갖는다. 반면에, 서로 인접하는 제2 및 제3 발광 셀(P2, P3)의 서로 대향하는 면과 제3 및 제4 발광 셀(P3, P4)의 서로 대향하는 면과 제4 및 제5 발광 셀(P4, P5)의 서로 대향하는 면과 제5 및 제6 발광 셀(P5, P6)의 서로 대향하는 면은 평평한 평면 형상을 가질 수 있다.
전술한 차이점을 제외하면, 도 7에 도시된 발광 소자(100C)는 도 1에 도시된 발광 소자(100A)와 동일하므로 중복되는 설명을 생략한다.
전술한 바와 같이, 이웃하는 발광 셀의 서로 대향하는 면이 곡면인 평면 형상을 가질 경우, 광 추출 효율이 최대화될 수 있다.
도 8은 또 다른 실시 예에 의한 발광 소자(100D)의 평면도를 나타낸다.
전술한 바와 같이, 제1 전극 패드(152)와 제2 전극 패드(154) 사이에서 제1 방향으로 제1 내지 제M 발광 셀(P1 내지 PM)이 일직선 상에 배열될 경우, 제1 내지 제M 발광 셀(P1 내지 PM)이 제1 및 제2 전극 패드(152, 154) 사이에서 지그재그로 배열된 경우보다, 주어진 기판(110)의 평면 영역에서 보다 많은 개수의 발광 셀(P1 내지 PM)이 배치될 수 있다. 따라서, 실시 예에 의한 발광 소자(100D)는 고전압용으로 이용될 수 있다.
도 8의 경우, 발광 소자(100D)는 20개(M=20)의 발광 셀(P1 내지 P20)을 포함하는 것으로 예시되어 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 발광 소자(100D)는 20개보다 더 많은 개수의 발광 셀을 포함할 수도 있다. 도 1의 경우 M=6인 반면에 도 8의 경우 M=20인 것을 제외하면, 도 8에 도시된 발광 소자(100D)는 도 1에 도시된 발광 소자(100A)와 동일하므로 중복되는 설명을 생략한다.
전술한 바와 같이, 실시 예에 의한 발광 소자(100A 내지 100D)에서 서로 인접하는 발광 셀이 복수 개의 연결 금속층에 의해 연결된다. 따라서, 복수 개의 연결 금속층 중 하나가 단선되더라도, 나머지 연결 금속층을 통해 캐리어가 발광 셀 사이를 이동할 수 있으므로, 발광 소자(100A 내지 100D)의 신뢰성이 개선될 수 있다.
실시 예에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이될 수 있고, 발광 소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 장치로 구현될 수 있다.
여기서, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 상에 배치되는 반사판과, 광을 방출하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.
또한, 조명 장치는 기판과 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열체, 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 조명 장치는, 램프, 해드 램프, 또는 가로등을 포함할 수 있다.
해드 램프는 기판 상에 배치되는 복수의 발광 소자 패키지를 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.
이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
발명의 실시를 위한 형태는 전술한 "발명의 실시를 위한 최선의 형태"에서 충분히 설명되었다.
실시 예에 따른 발광 소자는 광 추출 효율을 극대화시킬 수 있고, 주어진 기판의 평면 영역에서 보다 많은 개수의 발광 셀을 가짐으로써 고전압용 발광 소자로 이용될 수 있다.

Claims (20)

  1. 기판;
    제1 및 제2 전극 패드;
    상기 기판 위에 배치되며, 상기 제1 및 제2 전극 패드 사이에서 제1 방향으로 일직선 상에 배열된 제1 내지 제M(여기서, M은 2 이상의 양의 정수) 발광 셀; 및
    상기 제1 내지 제M 발광 셀을 전기적으로 연결하는 제1 내지 제N(여기서, N은 양의 정수로서, 1 ≤ N ≤ M-1) 연결 배선을 포함하고,
    상기 제1 내지 제M 발광 셀 각각은 상기 기판 위에 순차적으로 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하고,
    상기 제1 전극 패드는 상기 제1 발광 셀의 상기 제2 도전형 반도체층과 연결되고, 상기 제2 전극 패드는 상기 제M 발광 셀의 상기 제1 도전형 반도체층과 연결되고,
    제n (여기서, n은 양의 정수로서, 1 ≤ n ≤ N) 연결 배선은 서로 인접하는 제n 발광 셀의 상기 제1 도전형 반도체층과 제n+1 발광 셀의 상기 제2 도전형 반도체층을 전기적으로 연결하는 발광 소자.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 제n 연결 배선은 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 전기적으로 서로 이격된 복수의 연결 금속층을 포함하는 발광 소자.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 제1 발광 셀과 상기 제M 발광 셀의 사이에 배치된 임의의 발광 셀의 상기 제1 또는 제2 도전형 반도체층과 연결된 중간 패드를 더 포함하는 발광 소자.
  4. 제2 항에 있어서, 상기 제1 내지 제N 연결 배선 중 어느 하나에 포함된 상기 복수의 연결 금속층과 상기 제1 내지 제N 연결 배선 중 다른 하나에 포함된 상기 복수의 연결 금속층은 상기 제1 방향으로 서로 어긋나서 배치된 발광 소자.
  5. 제4 항에 있어서, 제k (여기서, k는 양의 정수로서, 1 ≤ k ≤ N-1) 연결 배선에 포함된 상기 복수의 연결 금속층과 제k+1 연결 배선에 포함된 상기 복수의 연결 금속층은 상기 제1 방향으로 서로 어긋나서 배치된 발광 소자.
  6. 제2 항에 있어서, 상기 제1 내지 제N 연결 배선 각각에서 상기 복수의 연결 금속층 간의 이격 거리는 상기 발광 소자의 가장 자리로 갈수록 감소하는 발광 소자.
  7. 제2 항에 있어서, 상기 제1 내지 제N 연결 배선 각각에서 상기 복수의 연결 금속층 간의 이격 거리는 상기 제1 발광 셀과 상기 제M 발광 셀 사이를 가로지르는 중심선에 근접할수록 증가하는 발광 소자.
  8. 제1 항에 있어서, 상기 제1 내지 제M 발광 셀의 상기 제1 방향으로의 길이는 상기 제1 발광 셀과 상기 제M 발광 셀 사이를 가로지르는 중심선에 가까울수록 감소하고 멀어질수록 증가하는 발광 소자.
  9. 제2 항에 있어서, 상기 제1 내지 제N 연결 배선에 포함된 상기 복수의 연결 금속층의 개수는 상기 제1 발광 셀과 상기 제M 발광 셀 사이를 가로지르는 중심선에 근접할수록 증가하는 발광 소자.
  10. 제1 항에 있어서, 상기 제1 내지 제M 발광 셀 간의 활성 영역의 평면 넓이 편차는 20% 이내인 발광 소자.
  11. 제1 항에 있어서, 상기 제1 발광 셀과 상기 제M 발광 셀 사이를 가로지르는 중심선을 기준으로 상기 제1 내지 제M 발광 셀의 활성 영역의 평면 모양은 대칭인 발광 소자.
  12. 기판;
    제1 및 제2 전극 패드;
    상기 기판 위에 배치되며, 상기 제1 및 제2 전극 패드 사이에서 제1 방향으로 일직선 상에 배열된 제1 내지 제M(여기서, M은 2 이상의 양의 정수) 발광 셀; 및
    상기 제1 내지 제M 발광 셀을 전기적으로 연결하는 제1 내지 제N(여기서, N은 양의 정수로서, 1 ≤ N ≤ M-1) 연결 배선을 포함하고,
    상기 기판 상에 형성되는 경계 영역에 의해 상기 제1 내지 제M 발광 셀 중 인접하는 발광 셀이 이격되어 배치되며,
    상기 제1 내지 제M 발광 셀 중 인접하는 발광 셀이 서로 대향하는 면은 곡면인 평면 형상을 갖는 발광 소자.
  13. 제12 항에 있어서, 상기 연결 배선은 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 전기적으로 서로 이격된 복수의 연결 금속층을 포함하는 발광 소자.
  14. 제12 항에 있어서, 상기 제1 발광 셀과 상기 제M 발광 셀 사이를 가로지르는 중심선을 기준으로 상기 제1 내지 제M 발광 셀의 활성 영역의 평면 모양이 서로 비대칭인 발광 소자.
  15. 제13 항에 있어서, 상기 제1 발광 셀과 상기 제M 발광 셀 사이를 가로지르는 중심선을 기준으로 상기 제1 내지 제N 연결 배선에 포함된 상기 복수의 연결 금속층의 개수는 대칭인 발광 소자.
  16. 제12 항에 있어서, 상기 제1 전극 패드와 상기 제2 전극 패드는 상기 제1 방향으로 서로 대향하여 배치된 발광 소자.
  17. 제12 항에 있어서, 상기 기판은 다각형 평면 형상을 갖고, 상기 제1 방향은 상기 다각형의 대각선 방향인 발광 소자.
  18. 제13 항에 있어서, 상기 제1 내지 제N 연결 배선 중 적어도 2개에 포함된 상기 복수의 연결 금속층의 개수는 서로 동일한 발광 소자.
  19. 제13 항에 있어서, 상기 제1 내지 제N 연결 배선 중 적어도 2개에 포함된 상기 복수의 연결 금속층의 개수는 서로 다른 발광 소자.
  20. 제1 항 내지 제19 항 중 어느 한 항의 발광 소자를 포함하는 광원 모듈;
    상기 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열체; 및
    상기 광원 모듈에 전원을 공급하는 전원 제공부를 포함하는 조명 장치.
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