WO2016076365A1 - 高周波制御ユニット及び高周波処置システム - Google Patents

高周波制御ユニット及び高周波処置システム Download PDF

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禎嘉 高見
林田 剛史
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オリンパス株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a high-frequency control unit that controls the output of high-frequency power supplied to a treatment section, and a high-frequency treatment system including the high-frequency control unit.
  • Patent Literature 1 high frequency power is supplied to two electrode portions provided in a treatment portion, and a high frequency current is passed through a treatment target such as a living tissue sandwiched between the electrode portions, thereby treating the treatment target.
  • a radio frequency treatment system is disclosed.
  • a high-frequency energy generation unit (high-frequency power generation unit) that generates high-frequency power supplied to the treatment unit is provided.
  • generation part is detected with time by the electric energy detection part.
  • the control unit calculates an integrated value (actually integrated value) from the start of output of the output high-frequency power over time based on the detection result of the electric energy detection unit. When the calculated integrated value exceeds the threshold value, the control unit stops the output of the high-frequency power from the high-frequency energy generation unit.
  • Patent Document 1 only the output of the high frequency power is stopped in response to the integrated value of the high frequency power exceeding the threshold value, and until the integrated value of the high frequency power exceeds the threshold value, the integrated value of the high frequency power is stopped.
  • the output state of the high-frequency power based on is not adjusted. For this reason, it may take a long time from the start of output until the integrated value of high-frequency power reaches the threshold value, or the integrated value of high-frequency power may reach the threshold value in a short time from the start of output.
  • the integrated value until the output stop of the high-frequency power output that is, supplied to the treatment section
  • the treatment performance in the treatment section by the high-frequency power corresponds to the time during which the high-frequency power is supplied. It will change.
  • the treatment performance changes corresponding to the output state such as the output level of the high frequency power to be output. Therefore, even when the output of high-frequency power is stopped based on the amount (integrated value) of high-frequency power from the start of output to the stop of output, depending on the time during which high-frequency power is supplied and the output state of high-frequency power There is a possibility that treatment is not performed properly.
  • the present invention has been made paying attention to the above-mentioned problem, and its object is to provide a high frequency control in which the output state of the high frequency power is appropriately controlled based on the integrated amount of the high frequency power even before the output is stopped. To provide a unit. Moreover, it is providing the high frequency treatment system provided with the high frequency control unit.
  • an aspect of the present invention is a high-frequency control unit used in a high-frequency treatment system, the high-frequency power generation unit that generates high-frequency power supplied to a treatment unit, and the high-frequency power generation unit
  • a power detection unit that detects the high-frequency power that is output over time, and an actual integration that is an actual measurement value of the output value of the output high-frequency power from the start of output based on the detection result of the power detection unit
  • An integrated value calculation unit that calculates a value over time, and a target locus setting that sets a target locus that indicates a target integrated value that is a target value of the integrated value from the output start time of the output high-frequency power over time And the measured integrated value calculated by the integrated value calculating unit over time with the target locus set by the target locus setting unit, and based on the comparison result, the high-frequency power And a control unit with time control the output state of the high-frequency power from the generating section, the.
  • the present invention it is possible to provide a high frequency control unit in which the output state of the high frequency power is appropriately controlled based on the integrated amount of the high frequency power even before the output is stopped. Moreover, a high frequency treatment system provided with the high frequency control unit can be provided.
  • FIG. 1 is a diagram showing a high-frequency treatment system 1 of the present embodiment.
  • the high-frequency treatment system 1 includes a high-frequency treatment instrument 2 and a high-frequency control unit 3 such as a high-frequency energy source device.
  • the high-frequency treatment instrument 2 and the high-frequency control unit 3 are connected via a cable 5.
  • the high-frequency treatment instrument 2 includes a treatment unit (end effector) 6 that is supplied with high-frequency power (high-frequency electrical energy) P and treats a treatment target H such as a living tissue using the supplied high-frequency power P.
  • the treatment portion 6 is provided with a first electrode portion 7A and a second electrode portion 7B.
  • the high-frequency treatment instrument 2 is provided with an energy operation input unit 8 such as an energy operation button to which an energy operation for supplying the high-frequency power P to the treatment unit 6 is input.
  • an energy operation input unit 8 such as an energy operation button to which an energy operation for supplying the high-frequency power P to the treatment unit 6 is input.
  • a foot switch or the like may be provided as the energy operation input unit (8) separately from the high-frequency treatment instrument 2.
  • the high frequency control unit 3 includes a control unit 11, a high frequency power generation unit 12, an output measurement unit 13, and an A / D conversion unit 15.
  • the control unit 11 is formed of a processor including a CPU (Central Processing Unit) or an ASIC (application specific integrated circuit) and a storage unit such as a memory, and controls the entire high frequency control unit 3.
  • the high frequency power generation unit 12 includes a variable DC power supply 16, a waveform generation unit 17 such as a waveform generation circuit, and an output circuit 18 including an amplifier circuit.
  • the control unit 11 includes an operation input detection unit 21 that detects an input of an energy operation.
  • the operation input detection unit 21 is formed of, for example, an electronic circuit (detection circuit) provided in the CPU or ASIC.
  • the high-frequency treatment instrument 2 is provided with a switch (not shown) whose open / close state changes when an energy operation is input through the energy operation input unit 8, for example.
  • An operation signal is transmitted to the operation input detection unit 21 in response to a change in the open / close state of the switch, whereby an energy operation input is detected.
  • the control unit 11 controls the variable DC power supply 16 and the waveform generation unit 17 based on the input of energy operation and the set conditions.
  • DC power from the variable DC power supply 16 is output by the control of the control unit 11, and a waveform (for example, a rectangular wave) is output from the waveform generation unit 17.
  • a waveform for example, a rectangular wave
  • the direct current power and the waveform are transmitted to the output circuit 18 so that the output circuit 18 is driven and high frequency power (high frequency electrical energy) P is generated.
  • the output circuit 18 is electrically connected to the first electrode portion 7A via the first electric path 22A, and is electrically connected to the second electrode portion 7B via the second electric path 22B.
  • the first electric path 22 ⁇ / b> A and the second electric path 22 ⁇ / b> B are extended from the high frequency control unit 3 through the inside of the cable 5 and the high frequency treatment tool 2.
  • the generated high frequency power P is output from the output circuit 18 and supplied to the first electrode portion 7A and the second electrode portion 7B of the treatment section 6 through the first electric path 22A and the second electric path 22B. .
  • the first electrode portion 7A and the second electrode portion 7B By supplying the high-frequency power P, the first electrode portion 7A and the second electrode portion 7B have different potentials with respect to each other, and between the first electrode portion 7A and the second electrode portion 7B. A high frequency voltage V is applied. Thereby, the high frequency current I flows through the treatment target H by sandwiching the treatment target H between the first electrode portion 7A and the second electrode portion 7B. As a result, the treatment unit 6 performs a treatment using the high-frequency power P.
  • the output measurement unit 13 includes a current detection unit 25 that is a detection circuit or an ammeter, and a voltage detection unit 26 that is a detection circuit or a voltmeter.
  • the current detector 25 detects the current value of the high-frequency current I flowing through the circuit including the first electrical path 22A, the treatment target H, and the second electrical path 22B with the output of the high-frequency power P over time.
  • the voltage detection unit 26 applies a high-frequency voltage V (that is, the first electric path 22A and the second electric voltage) applied between the first electrode unit 7A and the second electrode unit 7B by the output of the high-frequency power P.
  • V that is, the first electric path 22A and the second electric voltage
  • the detection signal indicating the detection result of the current detection unit 25 and the detection result of the voltage detection unit 26 is converted from an analog signal to a digital signal by an A / D conversion unit 15 formed from an analog / digital conversion circuit or the like. Is transmitted to the control unit 11 through the interface.
  • the control unit 11 includes an impedance detection unit 31, a power detection unit 32, an integrated value calculation unit 33, and a target locus setting unit 35.
  • the impedance detection unit 31, the power detection unit 32, the integrated value calculation unit 33, and the target trajectory setting unit (reference trajectory setting unit) 35 are formed from electronic circuits (detection circuit, arithmetic circuit, etc.) that form a CPU or ASIC. .
  • the power detection unit (power acquisition unit) 32 detects the high-frequency power P output from the high-frequency power generation unit 12 (output circuit 18) over time based on the results of the current detection unit 25 and the voltage detection unit 26. (get).
  • the high frequency power P is the product of the high frequency current I and the high frequency voltage V.
  • the integrated value calculation unit 33 calculates an actual measurement integrated value Wreal that is an actual measurement value of the integrated value W from the output start time of the output high-frequency power P over time.
  • the integrated value W of the high frequency power P is a value obtained by integrating the high frequency power P over time.
  • the impedance detection unit (impedance acquisition unit) 31 detects (acquires) the impedance (high-frequency impedance) Z of the circuit through which the high-frequency current I flows based on the detection results of the current detection unit 25 and the voltage detection unit 26 over time. ).
  • the impedance Z is a value obtained by dividing the high-frequency voltage V by the high-frequency current I.
  • trajectory setting part 35 is the target integrated value (reference integrated value) which is the target value (reference value) of the integrated value W from the output start time of the high frequency electric power P.
  • a target locus (reference locus) indicating Wref over time is set.
  • the control unit 11 compares the measured integrated value Wreal calculated by the integrated value calculating unit 33 with the set target locus over time. Then, the control unit 11 controls the variable DC power supply 16 and the waveform generation unit 17 through an interface such as a bus based on the comparison result, and changes the output state of the high frequency power P from the high frequency power generation unit 12 over time. Control.
  • the treatment portion 6 is inserted into the body, and the treatment target H such as a blood vessel is sandwiched between the first electrode portion 7A and the second electrode portion 7B.
  • the surgeon inputs an energy operation with the energy operation input unit 8.
  • FIG. 2 is a flowchart showing processing in the high-frequency control unit 3 in treatment.
  • the control unit 11 includes the variable DC power supply 16 and the waveform generation unit of the high frequency power generation unit 12. 17, the high-frequency power generation unit 12 (output circuit 18) starts outputting high-frequency power (high-frequency electrical energy) P (step S ⁇ b> 102).
  • the high frequency power P is transmitted to the first electrode portion 7A and the second electrode portion 7B, and the treatment target H is solidified (sealed) using the high frequency power P.
  • the current detection unit 25 detects the high-frequency current I over time
  • the voltage detection unit 26 detects the high-frequency voltage V over time.
  • the impedance detection unit 31 starts to detect over time the impedance Z of the circuit through which the high-frequency current I flows (that is, the impedance of the treatment target H) based on the detection results of the current detection unit 25 and the voltage detection unit 26.
  • the target locus setting unit 35 is based on the detection result of the impedance detection unit 31, and is a target integrated value (reference integrated value) that is a target value (reference value) of the integrated value W from the output start time Ts of the high-frequency power P.
  • a target trajectory (reference trajectory) indicating Wref over time is set (step S104).
  • the control unit 11 performs a process of adjusting the high-frequency voltage V based on the target locus (step S105).
  • FIG. 3 is a flowchart showing the process for adjusting the high-frequency voltage V (high-frequency power P) performed by the control unit 11 (step S105 in FIG. 2).
  • FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a change with time of the impedance Z in the treatment using the high frequency control unit 3, and FIG. It is a figure which shows an example of a time-dependent change of Wreal and the high frequency voltage V (output level).
  • the horizontal axis represents time T
  • the vertical axis represents impedance Z.
  • the horizontal axis indicates time T
  • the vertical axis indicates the integrated value W and the high frequency voltage V of the high frequency power P. Further, in FIG.
  • a change with time of the actually measured integrated value Wreal is indicated by a solid line
  • a change with time of the target integrated value Wref is indicated by a broken line
  • a change with time of the high-frequency voltage V is indicated by a one-dot chain line.
  • the adhering matter has adhered to the outer surface of treatment object H, such as a blood vessel. For this reason, the adhering matter to the treatment target H is removed until a certain amount of time has elapsed from the output start time Ts at which the output of the high-frequency power P is started, and the treatment portion 6 (the first electrode portion 7A and the second electrode portion 7A). A certain amount of time is required from the output start time Ts until the electrode part 7B comes into contact with the outer surface of the treatment target H. As shown in FIG. 4, until the treatment unit 6 contacts the outer surface of the treatment target H (that is, while removing the deposit on the treatment target H), the impedance (high-frequency impedance) Z is time-dependent. To decrease.
  • the impedance Z increases with time. For this reason, the impedance Z becomes the minimum value (minimum value) Zmin at the time when the treatment section 6 is in contact with the outer surface of the treatment target H or in the vicinity of the time of contact.
  • the impedance Z becomes the minimum value Zmin at time Tmin, and time ⁇ Tmin is required from the output start time Ts to the impedance minimum time Tmin. The time point when the impedance Z changes from gradual decrease to gradual increase is detected as the minimum impedance time Tmin at which the impedance Z is minimized.
  • the target locus setting unit 35 starts from the target stop integrated value (reference stop integrated value) We, which is the target integrated value Wref at the time when the output of the high-frequency power P is stopped, and the output start time Ts.
  • a target stop time (reference stop time) ⁇ Te until the target integrated value Wref becomes the target stop integrated value We (that is, a target time from the output start time Ts to the output stop) is set.
  • the target locus setting unit 35 sets a target locus that indicates the target integrated value Wref of the high-frequency power P over time based on the set target stop integrated value We and the target stop time ⁇ Te.
  • the target stop integrated value We and the target stop time ⁇ Te are set based on the detection result in the impedance detection unit 31.
  • the target locus setting unit 35 determines the value Zs of the impedance Z at the output start time Ts of the high-frequency power P, and the slope (decrease rate) of the change in the impedance Z from the output start time Ts to the minimum value Zmin.
  • the target stop integrated value We and the target stop time ⁇ Te are set based on at least one of ⁇ and the time ⁇ Tmin from the output start time Ts to the impedance Z reaching the minimum value Zmin.
  • a storage unit (not shown) provided in the control unit 11 stores a plurality of target trajectories having different temporal changes in the target integrated value Wref with respect to each other, and corresponds to the detection result of the impedance Z.
  • a target locus of one pattern is selected from a plurality of change patterns.
  • the slope ⁇ of the change in the impedance Z from the output start time Ts to the impedance minimum time Tmin is calculated using the equation (1).
  • the power detection unit 32 when the process of adjusting the high frequency voltage V (step S105) is started, the power detection unit 32 generates high frequency power based on the detection results of the current detection unit 25 and the voltage detection unit 26.
  • the high frequency power P output from the unit 12 is detected over time (step S111).
  • the integrated value calculation unit 33 calculates an actual measurement integrated value Wreal that is an actual measurement value of the integrated value W from the output start time Ts of the output high-frequency power P over time. Calculate (step S112).
  • control part 11 compares the measurement integration value Wreal calculated with respect to the target locus
  • the state is controlled over time.
  • the control unit 11 controls the output state of the high-frequency power P by controlling the high-frequency voltage V.
  • control unit 11 determines whether or not the absolute value of the difference between the actual measurement integration value Wreal and the target integration value Wref is equal to or less than a predetermined threshold value ⁇ th (step). S113). That is, it is determined whether or not Expression (2) is established.
  • step S113 the control unit 11
  • the magnitude of the high frequency voltage V applied by the output of the high frequency power P is maintained (step S114).
  • the impedance Z does not change, the magnitude of the high-frequency current I is also maintained, and the magnitude (output level) of the high-frequency power P output from the high-frequency power generator 12 is also maintained.
  • Step S113-No if the absolute value of the difference between the measured integrated value Wreal and the target integrated value Wref is greater than the predetermined threshold value ⁇ th (step S113-No), it is determined whether the measured integrated value Wreal is greater than the target integrated value Wref. (Step S115). That is, it is determined whether or not Expression (3) is established.
  • the control unit 11 controls the variable DC power supply 16 and the waveform generation unit 17 to thereby apply the high frequency applied by the output of the high frequency power P.
  • the voltage V is decreased (step S116).
  • the control unit 11 is applied by the output of the high frequency power P by controlling the variable DC power supply 16 and the waveform generating unit 17.
  • the high frequency voltage V to be increased is increased (step S117).
  • Step S105 the process of adjusting the high-frequency voltage V (Step S105) is repeatedly performed over time. Therefore, in FIG. 5, between time T1 and time T2, the absolute value of the difference between the measured integrated value Wreal and the target integrated value Wref is greater than the predetermined threshold value ⁇ th, and the measured integrated value Wreal is the target integrated value Wref.
  • the control unit 11 increases the high-frequency voltage V from the voltage value V1 to the voltage value V2. Thereby, the high frequency electric power P increases.
  • the control unit 11 converts the high frequency voltage V to the voltage value V2 And maintain over time. Thereby, the magnitude
  • the control unit 11 Increases the high-frequency voltage V from the voltage value V2 to the voltage value V3. Thereby, the high frequency electric power P increases.
  • the control unit 11 controls the variable DC power supply 16 and the waveform generation unit 17.
  • the output of the high frequency power P from the high frequency power generation unit 12 is stopped (step S107).
  • the treatment is completed. That is, the output of the high-frequency power P is stopped when Expression (4) is established.
  • the output stop Te of the high-frequency power P is a time near the time when the target stop time ⁇ Te has elapsed from the output start time Ts or the time when the target stop time ⁇ Te has elapsed from the output start time Ts. Therefore, it does not always coincide with the time when the target stop time ⁇ Te has elapsed from the output start time Ts.
  • a target locus indicating a change with time of the target integrated value Wref which is the target value of the integrated value W of the high-frequency power P
  • the target locus shows a change with time of the ideal integrated value W in the treatment.
  • the high-frequency voltage V is adjusted based on the comparison of the measured integrated value Wreal with respect to the target trajectory so that the deviation from the target trajectory of the temporal change in the measured integrated value Wreal is reduced. Is controlling the output state. For this reason, in this embodiment, the time ( ⁇ Te) during which the high-frequency power P is output and the output level of the high-frequency power P (high-frequency voltage V) at each time point when the high-frequency power P is output.
  • the state is adjusted to a state where appropriate treatment is performed in the treatment unit 6. That is, in the present embodiment, the high-frequency power P is output from the high-frequency power generator 12 for an appropriate output time from the output start time Ts, and the output state such as the output level of the high-frequency power P remains before the output stop time Te. It is adjusted to the optimum state in the treatment. Therefore, in the present embodiment, it is possible to provide the high frequency control unit 3 in which the output state of the high frequency power P is appropriately controlled based on the integrated value W of the high frequency power P even before the output stop time Te, and the high frequency power P is used. Can be treated appropriately.
  • the target stop integrated value We and the target stop time ⁇ Te are set based on the impedance Z. For this reason, the target stop integrated value We and the target stop time ⁇ Te are appropriately set based on the state of the treatment target H such as the wetness of the treatment target H. Then, the target locus is set based on the target stop integrated value We and the target stop time ⁇ Te set appropriately. For this reason, regardless of the condition of the treatment target H, such as the condition of wetness, the target locus indicating the change over time of the target integrated value Wref of the high-frequency power P is the time-dependent change of the integrated value W of the ideal high-frequency power P in the treatment. It becomes a trajectory showing a significant change. Therefore, by controlling the output state of the high-frequency power P based on the comparison of the measured integrated value Wreal with respect to the set target locus, the output state of the high-frequency power P is appropriately controlled in accordance with the state of the treatment target H. Can do.
  • the output state of the high-frequency power P is controlled based on the comparison result of the actual integration value Wreal with respect to the target locus, the actual integration of the high-frequency power P when the target stop time ⁇ Te has elapsed from the output start time Ts of the high-frequency power P.
  • the output state of the high frequency power P is adjusted so that the value Wreal is substantially the same as the target stop integrated value We.
  • the measured integrated value Wreal is the target stop in the vicinity of the time when the target stop time ⁇ Te has elapsed from the output start time Ts set by the target trajectory setting unit 35 or the time when the target stop time ⁇ Te has elapsed from the output start time Ts.
  • the integrated value We is reached and the output of the high-frequency power P is stopped. Therefore, the time during which the high-frequency power P is supplied from the output start time Ts to the output stop time Te and the integrated value W of the high-frequency power P from the output start time Ts to the output stop time Te are brought into a state appropriate for treatment. Can be adjusted.
  • the high-frequency voltage V is adjusted based on the integrated value W of the high-frequency power P, and the output control of the high-frequency power P is performed, so that the output is stopped (when supply is started) and the output is stopped (when supply is stopped). )
  • the high-frequency power P is constantly supplied to the treatment unit 6 until Te. For this reason, the treatment target H can be appropriately solidified and sealed.
  • the mode of the process (the process shown in FIG. 3) for adjusting the high-frequency voltage V and controlling the output of the high-frequency power P based on the comparison result of the actually measured integrated value Wreal with respect to the target locus is not limited to the first embodiment. Absent.
  • the measured integrated value Wreal is smaller than the target integrated value (reference integrated value) Wref, and the target integrated value Wref on the target trajectory over time.
  • FIG. 6 shows an example of changes over time of the target integrated value Wref of the high-frequency power P, the measured integrated value Wreal of the high-frequency power P, and the high-frequency voltage V (output level) in the treatment.
  • the horizontal axis represents time T
  • the vertical axis represents the integrated value W and the high-frequency voltage V of the high-frequency power P.
  • the change with time of the actually measured integrated value Wreal is indicated by a solid line
  • the change with time of the target integrated value Wref is indicated by a broken line
  • the change with time of the high-frequency voltage V is indicated by a dashed line.
  • the control unit 11 Determines whether the impedance Z is greater than a predetermined threshold Zth.
  • the impedance Z becomes larger than the predetermined threshold value Zth, the high-frequency current I that flows due to the output of the high-frequency power P decreases even if the high-frequency voltage V is increased. Therefore, even if the high-frequency voltage V (output level) is increased, the high-frequency power P output per unit time is reduced, and the actual increase rate ⁇ real of the actual measurement integrated value Wreal of the high-frequency power P is also reduced.
  • the control unit 11 when the impedance Z becomes larger than the predetermined threshold value Zth, the control unit 11 temporarily reduces the high-frequency voltage V (output level). Then, after the high frequency voltage V is lowered and held for a predetermined reference decrease time ⁇ Tl, before the impedance Z exceeds a predetermined threshold Zth (before the actually measured increase rate ⁇ real becomes smaller than the target increase rate ⁇ ref). Until then, the magnitude (output level) of the high-frequency voltage V is restored.
  • the high frequency voltage V is decreased from the voltage value V4 to the voltage value V5 at time T4. And between the time T4 and the time T5, the high frequency voltage V is maintained by the voltage value V5. At time T5, the high-frequency voltage V is increased to the voltage value V6, and the high-frequency voltage V returns to the original magnitude (output level).
  • the impedance Z of the circuit through which the high frequency current I flows is reduced.
  • the impedance Z becomes equal to or less than a predetermined threshold value Zth.
  • the high frequency current I increases and the high frequency power P also increases. That is, by temporarily reducing the high-frequency voltage V (the output level of the high-frequency power P), the impedance Z is reduced and the supply of the high-frequency power P is promoted.
  • the measured increase rate ⁇ real of the measured integrated value Wreal also increases.
  • the impedance Z is lowered by controlling the output of the high frequency power P as described above. Can be made. Thereby, the actual increase rate ⁇ real of the actual measurement integrated value Wreal is increased, and the deviation of the actual measurement integration value Wreal of the high-frequency power P from the target locus is suppressed to be small. For this reason, also in this modification, the high frequency power P is always stably supplied from the output start time Ts to the output stop time Te, and the treatment target H can be appropriately solidified and sealed.
  • the output of the high-frequency power P is stopped.
  • the output of the high-frequency power P is stopped slightly after the time point (Ts + ⁇ Te) when the target stop time ⁇ Te has elapsed from the output start time Ts.
  • the actually measured integrated value Wreal is smaller than the target integrated value Wref, and the increase rate ⁇ with time of the target integrated value Wref in the target locus.
  • the control unit 11 determines whether the impedance Z is greater than a predetermined threshold value Zth. Determine whether.
  • FIG. 7 shows an example of changes over time of the target integrated value Wref of the high-frequency power P, the measured integrated value Wreal of the high-frequency power P, and the high-frequency voltage V (output level) in the treatment.
  • the horizontal axis indicates time T
  • the vertical axis indicates the integrated value W and the high-frequency voltage V of the high-frequency power P.
  • the change with time of the actually measured integrated value Wreal is indicated by a solid line
  • the change with time of the target integrated value Wref is indicated by a broken line
  • the change with time of the high-frequency voltage V is indicated by a dashed line.
  • the control unit 11 when the impedance Z becomes greater than the predetermined threshold Zth, the control unit 11 performs the measurement before the impedance Z exceeds the predetermined threshold Zth (actual increase rate).
  • the high-frequency power P is output in a state where the high-frequency voltage V (output level) is oscillated up and down as compared with (before ⁇ real becomes smaller than the target increase rate ⁇ ref).
  • the control unit 11 oscillates the high frequency voltage V
  • the voltage value of the high frequency voltage V oscillates up and down.
  • the high-frequency voltage V (output level) is switched to a state where it oscillates up and down.
  • the state which oscillates the high frequency voltage V is maintained from the time T6 to the output stop time Te of the high frequency power P.
  • the impedance Z is reduced by controlling the output of the high frequency power P as described above. be able to.
  • the actual increase rate ⁇ real of the actual measurement integrated value Wreal is increased, and the deviation of the actual measurement integration value Wreal of the high-frequency power P from the target locus is suppressed to be small.
  • the high frequency power P is always stably supplied from the output start time Ts to the output stop time Te, and the treatment target H can be appropriately solidified and sealed.
  • the output of the high-frequency power P is stopped.
  • the output of the high-frequency power P is stopped slightly after the time point (Ts + ⁇ Te) when the target stop time ⁇ Te has elapsed from the output start time Ts.
  • step S113 in FIG. 3 the determination based on the absolute value of the difference between the measured integrated value Wreal and the target integrated value Wref is not performed, but instead the measured integrated value Wreal is The control unit 11 determines whether or not the target integrated value Wref matches. In this case, when the actually measured integrated value Wreal matches the target integrated value Wref, the high frequency voltage V (the output level of the high frequency power P) is maintained. On the other hand, if the measured integrated value Wreal does not coincide with the target integrated value Wref, the determination in step S115 is performed.
  • the target trajectory setting unit (35) is the target stop integrated value (We) that is the target integrated value (Wref) at the time when the output of the high frequency power (P) is stopped. And a target stop time ( ⁇ Te) from the output start time (Ts) until the target integrated value (Wref) becomes the target stop integrated value (We), and the target stop integrated value (We) and the target stop time ( A target trajectory is set based on ⁇ Te).
  • the control unit (11) is calculated by the integrated value calculation unit (33) for the target locus set by the target locus setting unit (35) from the output start time (Ts) to the output stop time (Te).
  • the measured integrated value (Wreal) is compared with time, and the output state of the high-frequency power (P) from the high-frequency power generation unit (12) is controlled with time based on the comparison result.
  • the high frequency control unit 3 includes a control unit 11, a high frequency power generation unit 12, an output measurement unit 13, and the like.
  • the high frequency power generation unit 12 can output the high frequency power P in the second output mode in which the control method by the control unit 11 is different from the first output mode and the first output mode. In the first mode and the second mode, since the control method by the control unit 11 is different, the output state of the high-frequency power P is different, and the high-frequency power P output per unit time is different.
  • the actual increase rate ⁇ real which is the increase rate with time of the actual measurement integrated value Wreal of the high frequency power P, is different from each other. Different.
  • the output of the high-frequency power P is controlled so that the actual increase rate ⁇ real of the actual measurement integrated value Wreal is smaller in the first output mode than in the second output mode.
  • FIG. 8 is a flowchart showing processing in the high-frequency control unit 3 in treatment.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating an example of changes over time of the target integrated value (reference integrated value) Wref of the high-frequency power P, the measured integrated value Wreal of the high-frequency power P, and the high-frequency voltage V (output level) in the treatment.
  • the horizontal axis indicates time T
  • the vertical axis indicates the integrated value W and the high frequency voltage V of the high frequency power P.
  • a change with time of the actually measured integrated value Wreal is indicated by a solid line
  • a change with time of the target integrated value Wref is indicated by a broken line
  • a change with time of the high-frequency voltage V is indicated by a one-dot chain line.
  • the high frequency power generation unit is controlled by the control unit 11 12 (output circuit) 18 starts to output the high-frequency power P in the second output mode (step S122).
  • the high-frequency power P is mainly the second during the period when the deposits on the treatment target H are removed (that is, from when the output starts Ts until the treatment unit 6 contacts the outer surface of the treatment target H). Output in output mode.
  • the impedance detection unit 31 of the circuit through which the high frequency current I flows is based on the detection results of the current detection unit 25 and the voltage detection unit 26 as in the first embodiment. Detection of the impedance Z over time is started (step S123). Based on the detection result of the impedance detection unit 31, the target locus setting unit 35 indicates a target locus that shows a target integrated value Wref that is a target value of the integrated value W from the output start time Ts of the high-frequency power P over time. Is set (step S124).
  • the target trajectory setting unit (reference trajectory setting unit) 35 uses the first target integrated value (target stop integrated value) We and the first target integrated value We as the target integrated value Wref of the high-frequency power P. A smaller second target integrated value (target switching integrated value) Wc is set. Further, the target trajectory setting unit 35 performs a first target time (target stop time) ⁇ Te from the output start time Ts until reaching the first target integrated value We, and a second target integration from the output start time Ts. A second target time (target switching time) ⁇ Tc until the value Wc is reached is set.
  • the target locus setting unit 35 sets the first target integrated value (first reference integrated value) We, the second target integrated value (second reference integrated value) Wc, and the first target time ( Based on the first reference time) ⁇ Te and the second target time (second reference time) ⁇ Tc, a target locus that indicates the target integrated value Wref of the high-frequency power P over time is set.
  • the first target integrated value We, the second target integrated value Wc, the first target time ⁇ Te, and the second target time ⁇ Tc are set based on the detection result in the impedance detection unit 31.
  • the target locus setting unit 35 determines the value Zs of the impedance Z at the output start time Ts of the high-frequency power P, and the slope (decrease rate) of the change in the impedance Z from the output start time Ts to the minimum value Zmin. Based on at least one of ⁇ and the time ⁇ Tmin from the output start time Ts until the impedance Z reaches the minimum value Zmin, the first target integrated value We, the second target integrated value Wc, and the first target time ⁇ Te and the second target time ⁇ Tc are set.
  • the target locus setting unit 35 is a state in which the target integrated value Wref increases from the second target integrated value Wc to the first target integrated value We over time at a first target increase rate (first reference increase rate) ⁇ ref1.
  • first target increase rate first reference increase rate
  • second target second target increase rate
  • the target trajectory is set so as to increase over time at a reference increase rate of ⁇ ref2.
  • the first target increase rate ⁇ ref1 is smaller than the second target increase rate ⁇ ref2.
  • the second target integrated value Wc to the first target integrated value We are compared with those between the output start time Ts and the second target integrated value Wc. In between, the inclination of the trajectory becomes small.
  • the control unit 11 performs a process of adjusting the high-frequency voltage V based on the target locus (step S125).
  • the process of adjusting the high-frequency voltage V is performed in the same manner as in the first embodiment (that is, as shown in the flowchart of FIG. 3).
  • the high frequency power P is output in the second output mode in which the actual increase rate ⁇ real of the actual measurement integrated value Wreal is high.
  • the measured increase rate ⁇ real (the high-frequency power P output per unit time) of the measured integrated value Wreal of the high-frequency power P is increased, so that the deposits are removed quickly.
  • the measured integrated value Wreal of the high-frequency power P increases from the output start time Ts to the second target integrated value (second reference integrated value) Wc with time based on the comparison result with the target locus.
  • the control unit 11 outputs the high frequency power P from the high frequency power generation unit 12 in the second output mode.
  • the high-frequency voltage V may be adjusted.
  • step S126-No the second target integrated value (target switching integrated value) Wc set by the target locus setting unit 35
  • step S126-No the second target integrated value (target switching integrated value) Wc set by the target locus setting unit 35
  • the high frequency power P is output in the second output mode, and the process of adjusting the high frequency voltage V (step S125) is repeatedly performed with time. Therefore, in FIG. 9, between time T7 and time T8, the absolute value of the difference between the measured integrated value Wreal and the target integrated value Wref is greater than the predetermined threshold value ⁇ th, and the measured integrated value Wreal is the target integrated value Wref.
  • the control unit 11 increases the high-frequency voltage V from the voltage value V7 to the voltage value V8. Thereby, the high frequency electric power P increases.
  • the control unit 11 V is maintained at the voltage value V8 over time. Thereby, the magnitude
  • the control unit 11 switches the variable DC power supply 16 and the waveform generating unit 17 on.
  • the output of the high frequency power P from the high frequency power generation unit 12 is switched from the second output mode to the first output mode (step S127). That is, when the formula (5) is established, the output of the high-frequency power P is switched to the first output mode.
  • the mode switching time Tc of the high-frequency power P is the time when the second target time (target switching time) ⁇ Tc has elapsed from the output start time Ts, or the time when the second target time ⁇ Tc has elapsed from the output start time Ts. However, the time does not necessarily coincide with the time when the second target time ⁇ Tc has elapsed from the output start time Ts.
  • the high frequency power P is output in the first output mode.
  • the actually measured increase rate ⁇ real (the high frequency power P output per unit time) of the measured integrated value Wreal of the high frequency power P is smaller than that in the second output mode, and the high frequency is appropriately applied to the treatment target H.
  • Electric power P (high frequency current I) is supplied.
  • the mode is switched from the second output mode to the first output mode at the time of mode switching Tc, and the control unit 11 decreases the high frequency voltage V (output level) from the voltage value V8 to the voltage value V9. ing.
  • the high frequency power P output per unit time is smaller than in the second output mode, and the measured increase rate ⁇ real of the measured integrated value Wreal of the high frequency power P is decreased.
  • the control unit 11 compares the measured integrated value Wreal with the portion where the target integrated value Wref is increasing at the second target increase rate ⁇ ref2 of the target trajectory.
  • the measured integrated value Wreal is compared with the portion where the target integrated value Wref is increasing at the first target increase rate ⁇ ref1 of the target locus.
  • the control unit 11 performs a process of adjusting the high-frequency voltage V based on the target locus (step S128). Also in this case, processing is performed in the same manner as in the first embodiment (that is, as shown in the flowchart of FIG. 3). Therefore, in the present embodiment, the measured integrated value Wreal of the high-frequency power P increases from the second target integrated value Wc to the first target integrated value We over time based on the comparison result with the target locus.
  • the control unit 11 outputs the high frequency power P from the high frequency power generation unit 12 in the first output mode. Note that, as described above in the modification of the first embodiment, the high-frequency voltage V may be adjusted.
  • the control unit 11 reduces the high-frequency voltage V from the voltage value V9 to the voltage value V10. Thereby, the high frequency power P decreases.
  • the control unit 11 V is maintained at the voltage value V10 over time. Thereby, the magnitude
  • the control unit 11 turns the variable DC power supply 16 and the waveform generation unit 17 on.
  • the output of the high frequency power P from the high frequency power generation unit 12 is stopped (step S130). That is, the output of the high-frequency power P is stopped when the above-described equation (4) is established.
  • the output stop time Te of the high-frequency power P is the time when the first target time (target stop time) ⁇ Te has elapsed from the output start time Ts, or the time when the first target time ⁇ Te has elapsed from the output start time Ts. However, it does not always coincide with the time when the first target time ⁇ Te has elapsed from the output start time Ts.
  • a target locus indicating a change with time of the target integrated value Wref which is the target value of the integrated value W of the high-frequency power P
  • the high-frequency voltage V is adjusted based on the comparison of the measured integrated value Wreal with respect to the target trajectory so that the deviation from the target trajectory of the temporal change in the measured integrated value Wreal is reduced. Is controlling the output state. For this reason, in this embodiment, the time ( ⁇ Te) during which the high-frequency power P is output and the output level of the high-frequency power P (high-frequency voltage V) at each time point when the high-frequency power P is output. The state is adjusted to a state where appropriate treatment is performed in the treatment unit 6.
  • the high frequency control unit 3 in which the output state of the high frequency power P is appropriately controlled based on the integrated value W of the high frequency power P even before the output stop time Te, and the high frequency power P is used. Can be treated appropriately.
  • the target locus setting unit 35 sets the first target integrated value We and the second target integrated value Wc smaller than the first target integrated value We as the target integrated value of the high-frequency power P. Yes. Then, the target integrated value Wref increases over time from the second target integrated value Wc to the first target integrated value We at the first target increase rate ⁇ ref1, and the second target integrated value from the output start time Ts.
  • the target locus is set so that the target integrated value Wref increases with time at a second target increase rate ⁇ ref2 that is different from the first target increase rate ⁇ ref1 up to Wc.
  • the target locus is set as described above, even if it is necessary to switch the output mode of the high-frequency power P from the output start time Ts to the output stop time Te, the target locus is set according to the target locus.
  • the target locus is set according to the target locus. Therefore, it is possible to show the change with time of the ideal integrated value W. Therefore, by controlling the output state of the high-frequency power P based on the comparison result of the measured integrated value Wreal of the high-frequency power P with respect to the target trajectory set as described above, from the output start time Ts to the output stop time Te.
  • the output state such as the output level of the high-frequency power P is adjusted to the optimum state in the treatment, and the high-frequency power P is used to appropriately perform the treatment. it can.
  • the first target integrated value (target stop integrated value) We, the second target integrated value (target switching integrated value) Wc, the first target time (target stop time). ) ⁇ Te and the second target time (target switching time) ⁇ Tc are set. Therefore, the first target integrated value We, the second target integrated value Wc, the first target time ⁇ Te, and the second target time ⁇ Tc are appropriately determined based on the state of the treatment target H such as the wetness of the treatment target H. Is set. Then, a target locus is set based on the first target integrated value We, the second target integrated value Wc, the first target time ⁇ Te, and the second target time ⁇ Tc that are appropriately set.
  • the target locus indicating the change over time of the target integrated value Wref of the high-frequency power P is the time-dependent change of the integrated value W of the ideal high-frequency power P in the treatment. It becomes a trajectory showing a significant change. Therefore, by controlling the output state of the high-frequency power P based on the comparison of the measured integrated value Wreal with respect to the set target locus, the output state of the high-frequency power P is appropriately controlled in accordance with the state of the treatment target H. Can do.
  • the second target time (target switching time) ⁇ Tc has elapsed from the output start time Ts of the high-frequency power P.
  • the output state of the high-frequency power P is adjusted so that the measured integrated value Wreal of the high-frequency power P becomes substantially the same as the second target integrated value (target switching integrated value) Wc.
  • the measured integrated value is close to the time point that has elapsed from the output start time Ts for the second target time ⁇ Tc set by the target locus setting unit 35 or the time point that has passed from the output start time Ts for the second target time ⁇ Tc.
  • Wreal reaches the second target integrated value Wc, and the output of the high-frequency power P is switched from the second output mode to the first output mode. Therefore, the time during which the high frequency power P is supplied in the second output mode from the output start time Ts to the mode switching time Tc, and the high frequency power in the second output mode from the output start time Ts to the mode switching time Tc.
  • the integrated value (integrated amount) W of P can be adjusted to a state appropriate for treatment.
  • the first target time (target stop time) ⁇ Te has elapsed from the output start time Ts of the high-frequency power P.
  • the output state of the high-frequency power P is adjusted so that the measured integrated value Wreal of the high-frequency power P is substantially the same as the first target integrated value (target stop integrated value) We at that time. For this reason, the measured integrated value in the vicinity of the time point that has elapsed from the output start time Ts for the first target time ⁇ Te set by the target locus setting unit 35 or the time point that has passed from the output start time Ts for the first target time ⁇ Te.
  • the high frequency voltage V is adjusted based on the integrated value W of the high frequency power P, and the output control of the high frequency power P is performed. From Ts to the output stop time Te, the high-frequency power P is constantly supplied to the treatment unit 6 stably. For this reason, the treatment target H can be appropriately solidified and sealed.
  • the output of the high-frequency power P is switched to the first output mode based on the fact that the measured integrated value Wreal has reached the second target integrated value Wc.
  • the present invention is not limited to this.
  • the control unit 11 determines the high frequency power P from the high frequency power generation unit 12 based on the detection result of the impedance Z by the impedance detection unit 31.
  • the output state is switched from the second output mode to the first output mode.
  • FIG. 10 is a flowchart showing processing in the high-frequency control unit 3 in treatment.
  • the high frequency power generation unit 12 controls the high frequency power in the second output mode by the control of the control unit 11.
  • the output of P is started (step S132), and the impedance detector 31 starts detecting the impedance Z (step S133).
  • the control unit 11 detects the minimum impedance time Tmin (see FIG. 4) at which the impedance Z becomes the minimum value Zmin after the output start time Ts (step S134-Yes), the control unit 11 The output of the high frequency power P from the high frequency power generation unit 12 is switched from the second output mode to the first output mode (step S135). That is, the output state of the high-frequency power P is switched to the first output mode based on the impedance Z becoming the minimum value Zmin.
  • the impedance Z becomes the minimum value (minimum value) Zmin when the treatment unit 6 comes into contact with the outer surface of the treatment target H or in the vicinity of the contact point. Therefore, the output state of the high-frequency power P is switched to the first output mode at an appropriate timing when the removal of the deposit on the treatment target H is completed and the treatment unit 6 starts to contact the outer surface of the treatment target H. It is done.
  • the target locus setting unit 35 When switched to the first output mode, the target locus setting unit 35 is based on the detection result of the impedance detection unit 31 and is a target integrated value that is a target value of the integrated value W from the output start time Ts of the high-frequency power P. A target locus indicating Wref with time is set (step S136).
  • the target locus setting unit 35 similarly to the second embodiment, includes a first target integrated value (target stop integrated value) We, a second target integrated value (target switching integrated value) Wc, and an output start.
  • the first target time (target stop time) ⁇ Te until reaching the first target integrated value We from time Ts, and the second target until reaching the second target integrated value Wc from the output start time Ts Time (target switching time) ⁇ Tc is set. Then, the target locus setting unit 35 sets the target of the high frequency power P based on the set first target integrated value We, second target integrated value Wc, first target time ⁇ Te, and second target time ⁇ Tc. A target locus indicating the integrated value Wref over time is set.
  • the target locus setting unit 35 includes a target stop integrated value We that is a first target integrated value for stopping the output of the high-frequency power P, and a target stop integrated value We from the output start time Ts.
  • a target stop time ⁇ Te which is a first target time until reaching, is set.
  • the control unit 11 When the target locus is set, similarly to the second embodiment, the control unit 11 performs a process of adjusting the high-frequency voltage V based on the target locus (step S137). At this time, processing is performed in the same manner as in the first and second embodiments (that is, as shown in the flowchart of FIG. 3). At this time, the high frequency power P is output in the first output mode. Therefore, in this modification, the measured integrated value Wreal of the high-frequency power P is compared with the target locus from the second target integrated value (switched integrated value) Wc to the first target integrated value (target stop integrated value) We. The control unit 11 outputs the high-frequency power P from the high-frequency power generation unit 12 in the first output mode.
  • control unit 11 controls the output state of the high-frequency power P based on the comparison result of the measured integrated value Wreal with respect to the target locus. Note that, as described above in the modification of the first embodiment, the high-frequency voltage V may be adjusted.
  • the control unit 11 is variable as in the second embodiment.
  • the output of the high frequency power P from the high frequency power generation unit 12 is stopped (step S139).
  • the high-frequency power generation unit (12) is different from the first output mode and the first output mode in the second output mode in which the control method by the control unit (11) is different.
  • the high-frequency power (P) can be output, and the high-frequency power generation unit (12) outputs the high-frequency power (P) in the second output mode after the output start time (Ts).
  • the high frequency power (P) is output in the output mode.
  • a control part (11) controls the output state of high frequency electric power (P) based on the comparison result of the measurement integration value (Wreal) with respect to a target locus at least in the 1st output mode.
  • the high-frequency control unit (3) generates a high-frequency power generation unit (P) that generates high-frequency power (P) supplied to the treatment unit (6). 12), a power detection unit (32) for detecting the high frequency power (P) output from the high frequency power generation unit (12) over time, and a detection result of the power detection unit (32).
  • An integrated value calculation unit (33) that calculates an actual measurement integrated value (Wreal) that is an actual measurement value of the integrated value from the output start time (Ts) of the high-frequency power (P).
  • the high frequency control unit (3) sets a target locus that indicates a target integrated value (Wref) that is a target value of the integrated value from the output start time (Ts) of the output high frequency power (P) over time.
  • the target trajectory setting unit (35) and the target trajectory set by the target trajectory setting unit (35) are compared with the measured integrated value (Wreal) calculated by the integrated value calculating unit (33) over time.

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Abstract

 高周波制御ユニットは、出力された高周波電力の出力開始時からの積算値の実測値である実測積算値を経時的に算出する積算値算出部を備える。前記高周波制御ユニットは、出力された前記高周波電力の前記出力開始時からの前記積算値の目標値である目標積算値を経時的に示す目標軌跡を設定する目標軌跡設定部と、前記目標軌跡に対して前記実測積算値を経時的に比較し、比較結果に基づいて、前記高周波電力の出力状態を経時的に制御する制御部と、を備える。

Description

高周波制御ユニット及び高周波処置システム
 本発明は、処置部に供給される高周波電力の出力を制御する高周波制御ユニット、及び、その高周波制御ユニットを備える高周波処置システムに関する。
 特許文献1には、処置部に設けられる2つの電極部に高周波電力を供給し、電極部同士の間に挟まれた生体組織等の処置対象に高周波電流を流すことにより、処置対象を処置する高周波処置システムが開示されている。この高周波処置システムでは、処置部に供給される高周波電力を生成する高周波エネルギー生成部(高周波電力生成部)が設けられている。そして、電力量検出部によって、高周波エネルギー生成部から出力される高周波電力が経時的に検出される。制御部は、電力量検出部での検出結果に基づいて、出力された高周波電力の出力開始時からの積算値(実測積算値)を経時的に算出する。算出された積算値が、閾値を超えた時点で、制御部によって高周波エネルギー生成部からの高周波電力の出力が停止される。
特開2008-114042号公報
 前記特許文献1では、高周波電力の積算値が閾値を超えたことに対応して高周波電力の出力が停止されるだけであり、高周波電力の積算値が閾値を超えるまでは、高周波電力の積算値に基づく高周波電力の出力状態の調整は行われない。このため、高周波電力の積算値が閾値に到達するまで出力開始時から長い時間を要することもあれば、出力開始時から短い時間で高周波電力の積算値が閾値に到達することもある。出力される(すなわち処置部に供給される)高周波電力の出力停止時までの積算値が同一の場合でも、高周波電力が供給されている時間に対応して高周波電力による処置部での処置性能が変化してしまう。また、高周波電力が処置部に供給されている状態でも、出力される高周波電力の出力レベル等の出力状態に対応して処置性能が変化してしまう。したがって、出力開始時から出力停止時までの高周波電力の積算量(積算値)に基づいて高周波電力の出力が停止される場合でも、高周波電力が供給されている時間、高周波電力の出力状態によっては、適切に処置が行われない可能性がある。
 本発明は前記課題に着目してなされたものであり、その目的とするところは、出力停止時より前においても高周波電力の積算量に基づいて高周波電力の出力状態が適切に制御される高周波制御ユニットを提供することにある。また、その高周波制御ユニットを備える高周波処置システムを提供することにある。
 前記目的を達成するため、本発明のある態様は、高周波処置システムに用いられる高周波制御ユニットであって、処置部に供給される高周波電力を生成する高周波電力生成部と、前記高周波電力生成部から出力される前記高周波電力を経時的に検出する電力検出部と、前記電力検出部での検出結果に基づいて、出力された前記高周波電力の出力開始時からの積算値の実測値である実測積算値を経時的に算出する積算値算出部と、出力された前記高周波電力の前記出力開始時からの前記積算値の目標値である目標積算値を経時的に示す目標軌跡を設定する目標軌跡設定部と、前記目標軌跡設定部によって設定された前記目標軌跡に対して前記積算値算出部で算出される前記実測積算値を経時的に比較し、比較結果に基づいて、前記高周波電力生成部からの前記高周波電力の出力状態を経時的に制御する制御部と、を備える。
 本発明によれば、出力停止時より前においても高周波電力の積算量に基づいて高周波電力の出力状態が適切に制御される高周波制御ユニットを提供することができる。また、その高周波制御ユニットを備える高周波処置システムを提供することができる。
第1の実施形態に係る高周波処置システムを示す概略図である。 第1の実施形態に係る高周波制御ユニットでの処置における処理を示すフローチャートである。 第1の実施形態に係る制御部によって行われる高周波電圧を調整する処理を示すフローチャートである。 第1の実施形態に係る高周波制御ユニットを用いた処置におけるインピーダンスの経時的な変化の一例を示す概略図である。 第1の実施形態に係る高周波制御ユニットを用いた処置における高周波電力の目標積算値、高周波電力の実測積算値及び高周波電圧の経時的な変化の一例を示す概略図である。 第1の実施形態の第1の変形例に係る高周波制御ユニットを用いた処置における高周波電力の目標積算値、高周波電力の実測積算値及び高周波電圧の経時的な変化の一例を示す概略図である。 第1の実施形態の第2の変形例に係る高周波制御ユニットを用いた処置における高周波電力の目標積算値、高周波電力の実測積算値及び高周波電圧の経時的な変化の一例を示す概略図である。 第2の実施形態に係る高周波制御ユニットでの処置における処理を示すフローチャートである。 第2の実施形態に係る高周波制御ユニットを用いた処置における高周波電力の目標積算値、高周波電力の実測積算値及び高周波電圧の経時的な変化の一例を示す概略図である。 第2の実施形態の第1の変形例に係る高周波制御ユニットでの処置における処理を示すフローチャートである。
 (第1の実施形態) 
 本発明の第1の実施形態について、図1乃至図5を参照して説明する。図1は、本実施形態の高周波処置システム1を示す図である。図1に示すように、高周波処置システム1は、高周波処置具2と、高周波エネルギー源装置等の高周波制御ユニット3と、を備える。高周波処置具2と高周波制御ユニット3との間は、ケーブル5を介して接続されている。高周波処置具2は、高周波電力(高周波電気エネルギー)Pが供給され、供給された高周波電力Pを用いて生体組織等の処置対象Hを処置する処置部(エンドエフェクタ)6を備える。処置部6には、第1の電極部7A及び第2の電極部7Bが設けられている。また、高周波処置具2には、高周波電力Pを処置部6に供給させるためのエネルギー操作が入力されるエネルギー操作ボタン等のエネルギー操作入力部8が設けられている。なお、高周波処置具2とは別体でフットスイッチ等がエネルギー操作入力部(8)として設けられてもよい。
 高周波制御ユニット3は、制御部11と、高周波電力生成部12と、出力測定部13と、A/D変換部15と、を備える。制御部11は、CPU(Central Processing Unit)又はASIC(application specific integrated circuit)を備えるプロセッサ、及び、メモリ等の記憶部から形成され、高周波制御ユニット3全体を制御する。高周波電力生成部12は、可変直流電源16と、波形生成回路等の波形生成部17と、アンプ回路を含む出力回路18と、を備える。また、制御部11は、エネルギー操作の入力を検出する操作入力検出部21を備える。操作入力検出部21は、例えばCPU又はASICに設けられる電子回路(検出回路)から形成されている。高周波処置具2には、例えば、エネルギー操作入力部8でのエネルギー操作が入力されることより開閉状態が変化するスイッチ(図示しない)が設けられている。スイッチの開閉状態の変化に対応して操作信号が操作入力検出部21に伝達されることにより、エネルギー操作の入力が検出される。
 制御部11は、エネルギー操作の入力及び設定された条件に基づいて、可変直流電源16及び波形生成部17を制御している。エネルギー操作が入力されることにより、制御部11での制御によって、可変直流電源16からの直流電力が出力され、波形生成部17から波形(例えば矩形波)が出力される。そして、直流電力及び波形が出力回路18に伝達されることにより、出力回路18が駆動され、高周波電力(高周波電気エネルギー)Pが生成される。
 出力回路18は、第1の電気経路22Aを介して第1の電極部7Aに電気的に接続され、第2の電気経路22Bを介して第2の電極部7Bに電気的に接続されている。第1の電気経路22A及び第2の電気経路22Bは、高周波制御ユニット3からケーブル5の内部及び高周波処置具2を通って延設されている。生成された高周波電力Pは、出力回路18から出力され、第1の電気経路22A及び第2の電気経路22Bを通して処置部6の第1の電極部7A及び第2の電極部7Bに供給される。高周波電力Pが供給されることにより、第1の電極部7A及び第2の電極部7Bは互いに対して異なる電位を有し、第1の電極部7Aと第2の電極部7Bとの間に高周波電圧Vが印加される。これにより、第1の電極部7Aと第2の電極部7Bとの間で処置対象Hを挟むことにより、処置対象Hに高周波電流Iが流れる。これにより、処置部6で高周波電力Pを用いた処置が行われる。
 また、出力測定部13は、検出回路又は電流計である電流検出部25と、検出回路又は電圧計である電圧検出部26と、を備える。電流検出部25は、高周波電力Pの出力によって第1の電気経路22A、処置対象H及び第2の電気経路22Bを含む回路を通して流れる高周波電流Iの電流値を経時的に検出する。また、電圧検出部26は、高周波電力Pの出力によって第1の電極部7Aと第2の電極部7Bとの間に印加される高周波電圧V(すなわち、第1の電気経路22Aと第2の電気経路22Bとの間に発生する電位差)の電圧値を経時的に検出する。電流検出部25での検出結果及び電圧検出部26の検出結果を示す検出信号は、アナログ/デジタル変換回路等から形成されるA/D変換部15でアナログ信号からデジタル信号に変換され、バス等のインターフェースを介して制御部11に伝達される。
 制御部11は、インピーダンス検出部31と、電力検出部32と、積算値算出部33と、目標軌跡設定部35と、を備える。インピーダンス検出部31、電力検出部32、積算値算出部33及び目標軌跡設定部(基準軌跡設定部)35は、CPU又はASICを形成する電子回路(検出回路、演算回路等)から形成されている。電力検出部(電力取得部)32は、電流検出部25及び電圧検出部26での結果に基づいて、高周波電力生成部12(出力回路18)から出力される高周波電力Pを経時的に検出する(取得する)。高周波電力Pは、高周波電流Iと高周波電圧Vとの積である。積算値算出部33は、電力検出部32での検出結果に基づいて、出力された高周波電力Pの出力開始時からの積算値Wの実測値である実測積算値Wrealを経時的に算出する。なお、高周波電力Pの積算値Wとは、高周波電力Pを時間積分した値となる。
 インピーダンス検出部(インピーダンス取得部)31は、電流検出部25及び電圧検出部26での検出結果に基づいて、高周波電流Iが流れる回路のインピーダンス(高周波インピーダンス)Zを経時的に検出する(取得する)。インピーダンスZは、高周波電圧Vを高周波電流Iで除算した値になる。そして、インピーダンス検出部31での検出結果に基づいて、目標軌跡設定部35は、高周波電力Pの出力開始時からの積算値Wの目標値(基準値)である目標積算値(基準積算値)Wrefを経時的に示す目標軌跡(基準軌跡)を設定する。制御部11は、設定された目標軌跡に対して積算値算出部33で算出される実測積算値Wrealを経時的に比較する。そして、制御部11は、比較結果に基づいて、バス等のインターフェースを介して可変直流電源16及び波形生成部17を制御し、高周波電力生成部12からの高周波電力Pの出力状態を経時的に制御する。
 次に、高周波制御ユニット3及び高周波処置システム1の作用及び効果について説明する。処置においては、処置部6を体内に挿入し、第1の電極部7Aと第2の電極部7Bとの間で血管等の処置対象Hを挟む。この状態で、術者はエネルギー操作入力部8でエネルギー操作を入力する。
 図2は、処置における高周波制御ユニット3での処理を示すフローチャートである。処置においては、操作入力検出部21がエネルギー操作入力部8でのエネルギー操作の入力を検出すると(ステップS101-Yes)、制御部11は、高周波電力生成部12の可変直流電源16及び波形生成部17を制御し、高周波電力生成部12(出力回路18)は、高周波電力(高周波電気エネルギー)Pの出力を開始する(ステップS102)。これにより、第1の電極部7A及び第2の電極部7Bに高周波電力Pが伝達され、高周波電力Pを用いて処置対象Hを凝固する(封止する)処置が行われる。
 高周波電力Pが出力されると、電流検出部25は、高周波電流Iを経時的に検出し、電圧検出部26は、高周波電圧Vを経時的に検出する。そして、インピーダンス検出部31は、電流検出部25及び電圧検出部26での検出結果に基づいて、高周波電流Iが流れる回路のインピーダンスZ(すなわち、処置対象Hのインピーダンス)の経時的な検出を開始する(ステップS103)。そして、目標軌跡設定部35は、インピーダンス検出部31での検出結果に基づいて、高周波電力Pの出力開始時Tsからの積算値Wの目標値(基準値)である目標積算値(基準積算値)Wrefを経時的に示す目標軌跡(基準軌跡)を設定する(ステップS104)。目標軌跡が設定されると、制御部11は、目標軌跡に基づいて高周波電圧Vを調整する処理を行う(ステップS105)。
 図3は、制御部11によって行われる高周波電圧V(高周波電力P)を調整する処理(図2のステップS105)を示すフローチャートである。図4は、高周波制御ユニット3を用いた処置におけるインピーダンスZの経時的な変化の一例を示す図であり、図5は、処置における高周波電力Pの目標積算値Wref、高周波電力Pの実測積算値Wreal及び高周波電圧V(出力レベル)の経時的な変化の一例を示す図である。図4では、横軸に時間Tを示し、縦軸にインピーダンスZを示している。また、図5では、横軸に時間Tを示し、縦軸に高周波電力Pの積算値W及び高周波電圧Vを示している。また、図5では、実測積算値Wrealの経時的な変化を実線で、目標積算値Wrefの経時的な変化を破線で、高周波電圧Vの経時的な変化を一点鎖線で示している。
 血管等の処置対象Hの外表面には付着物が付着している。このため、高周波電力Pの出力が開始される出力開始時Tsからある程度の時間が経過するまでは処置対象Hへの付着物が除去され、処置部6(第1の電極部7A及び第2の電極部7B)が処置対象Hの外表面に接触するまで出力開始時Tsからある程度の時間を要する。図4に示すように、処置部6が処置対象Hの外表面に接触するまでは(すなわち、処置対象Hへの付着物を除去している間は)、インピーダンス(高周波インピーダンス)Zは経時的に減少する。そして、処置部6が処置対象Hの外表面に接触した後は(すなわち、処置対象Hの凝固及び封止を行っている間は)、インピーダンスZは増加する経時的に増加する。このため、処置部6が処置対象Hの外表面へ接触した時点、又は、接触した時点の近傍で、インピーダンスZは、最小値(極小値)Zminとなる。図4では、時間TminでインピーダンスZが最小値Zminとなり、出力開始時Tsからインピーダンス最小時Tminまで、時間ΔTminを要する。なお、インピーダンスZが漸減から漸増に転じる時点が、インピーダンスZが最小になるインピーダンス最小時Tminとして検出される。
 図2のステップS104では、目標軌跡設定部35は、高周波電力Pの出力を停止する時点での目標積算値Wrefである目標停止積算値(基準停止積算値)We、及び、出力開始時Tsから目標積算値Wrefが目標停止積算値Weになるまでの目標停止時間(基準停止時間)ΔTe(すなわち、出力開始時Tsから出力を停止するまでの目標時間)を設定する。そして、目標軌跡設定部35は、設定された目標停止積算値We及び目標停止時間ΔTeに基づいて、高周波電力Pの目標積算値Wrefを経時的に示す目標軌跡を設定する。目標停止積算値We及び目標停止時間ΔTeは、インピーダンス検出部31での検出結果に基づいて設定される。例えば、目標軌跡設定部35は、高周波電力Pの出力開始時TsでのインピーダンスZの値Zs、出力開始時TsからインピーダンスZが最小値ZminになるまでのインピーダンスZの変化の傾き(減少率)σ、及び、出力開始時TsからインピーダンスZが最小値Zminになるまでの時間ΔTminの少なくとも1つに基づいて、目標停止積算値We及び目標停止時間ΔTeを設定する。なお、制御部11に設けられる記憶部(図示しない)には、互いに対して目標積算値Wrefの経時的な変化のパターンが異なる複数の目標軌跡が記憶されており、インピーダンスZの検出結果に対応させて、複数の変化のパターンの中から1つのパターンの目標軌跡が選択される。また、出力開始時Tsからインピーダンス最小時TminまでのインピーダンスZの変化の傾きσは、式(1)を用いて算出される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
 図3に示すように、高周波電圧Vを調整する処理(ステップS105)が開始されると、電力検出部32は、電流検出部25及び電圧検出部26での検出結果に基づいて、高周波電力生成部12から出力される高周波電力Pを経時的に検出する(ステップS111)。そして、積算値算出部33は、電力検出部32での検出結果に基づいて、出力された高周波電力Pの出力開始時Tsからの積算値Wの実測値である実測積算値Wrealを経時的に算出する(ステップS112)。そして、制御部11は、目標軌跡(目標積算値Wref)に対して算出された実測積算値Wrealを経時的に比較し、比較結果に基づいて、高周波電力生成部12からの高周波電力Pの出力状態を経時的に制御している。本実施形態では、制御部11は、高周波電圧Vを制御することにより、高周波電力Pの出力状態を制御している。
 実測積算値Wrealの目標軌跡に対する経時的な比較において、制御部11は、実測積算値Wrealと目標積算値Wrefとの差の絶対値が所定の閾値εth以下であるか否かを判断する(ステップS113)。すなわち、式(2)が成立するか否かが判断される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
 これにより、目標軌跡からの実測積算値Wrealの逸脱の程度が判断される。実測積算値Wrealと目標積算値Wrefとの差の絶対値が所定の閾値εth以下である場合(すなわち、式(2)が成立する場合)には(ステップS113-Yes)、制御部11は、可変直流電源16及び波形生成部17を制御することにより、高周波電力Pの出力により印加される高周波電圧Vの大きさを維持する(ステップS114)。これにより、インピーダンスZが変化しない場合は、高周波電流Iの大きさも維持され、高周波電力生成部12から出力される高周波電力Pの大きさ(出力レベル)も維持される。一方、実測積算値Wrealと目標積算値Wrefとの差の絶対値が所定の閾値εthより大きい場合には(ステップS113-No)、実測積算値Wrealが目標積算値Wrefより大きいか否かが判断される(ステップS115)。すなわち、式(3)が成立するか否かが判断される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000003
 実測積算値Wrealが目標積算値Wrefより大きい場合は(ステップS115-Yes)、制御部11は、可変直流電源16及び波形生成部17を制御することにより、高周波電力Pの出力によって印加される高周波電圧Vを減少させる(ステップS116)。これにより、インピーダンスZが変化しない場合は、高周波電流Iも減少し、高周波電力生成部12から出力される高周波電力Pも減少する。一方、実測積算値Wrealが目標積算値Wrefより小さい場合は(ステップS115-No)、制御部11は、可変直流電源16及び波形生成部17を制御することにより、高周波電力Pの出力によって印加される高周波電圧Vを増加させる(ステップS117)。これにより、インピーダンスZが変化しない場合は、高周波電流Iも増加し、高周波電力生成部12から出力される高周波電力Pも増加する。
 図2に示すように、目標軌跡設定部35によって設定される目標停止積算値Weに高周波電力Pの実測積算値Wrealが到達する前においては(ステップS106-No)、高周波電圧Vを調整する処理(ステップS105)は、経時的に繰返し行われる。したがって、図5では、時間T1と時間T2との間において、実測積算値Wrealと目標積算値Wrefとの差の絶対値が所定の閾値εthより大きく、かつ、実測積算値Wrealが目標積算値Wrefより小さくなるため、制御部11は、高周波電圧Vを電圧値V1から電圧値V2へ増加させている。これにより、高周波電力Pが増加する。また、時間T2と時間T3との間においては、実測積算値Wrealと目標積算値Wrefとの差の絶対値が所定の閾値εth以下となるため、制御部11は、高周波電圧Vを電圧値V2で経時的に維持している。これにより、高周波電力Pの大きさが経時的に維持される。そして、時間T3以後においては、実測積算値Wrealと目標積算値Wrefとの差の絶対値が所定の閾値εthより大きく、かつ、実測積算値Wrealが目標積算値Wrefより小さくなるため、制御部11は、高周波電圧Vを電圧値V2から電圧値V3へ増加させている。これにより、高周波電力Pが増加する。
 目標軌跡設定部35によって設定される目標停止積算値Weに高周波電力Pの実測積算値Wrealが到達すると(ステップS106-Yes)、制御部11は、可変直流電源16及び波形生成部17を制御することにより、高周波電力生成部12からの高周波電力Pの出力を停止する(ステップS107)。これにより、処置が終了する。すなわち、式(4)が成立した時点で、高周波電力Pの出力が停止される。なお、高周波電力Pの出力停止時Teは、出力開始時Tsから目標停止時間ΔTeだけ経過した時点、又は、出力開始時Tsから目標停止時間ΔTeだけ経過した時点の近傍の時間であるが、制御による微差等もあるため、必ずしも出力開始時Tsから目標停止時間ΔTeだけ経過した時点と一致するわけではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000004
 本実施形態では、前述のように、高周波電力Pの積算値Wの目標値である目標積算値Wrefの経時的な変化を示す目標軌跡が設定される。目標軌跡は、処置において理想的な積算値Wの経時的な変化を示している。そして、本実施形態では、目標軌跡に対する実測積算値Wrealの比較に基づいて、実測積算値Wrealの経時的変化の目標軌跡からの逸脱が小さくなる状態に、高周波電圧Vを調整し、高周波電力Pの出力状態を制御している。このため、本実施形態では、高周波電力Pが出力されている時間(ΔTe)、及び、高周波電力Pが出力されているそれぞれの時点での高周波電力P(高周波電圧V)の出力レベル等の出力状態が、処置部6で適切な処置が行われる状態に、調整される。すなわち、本実施形態では、出力開始時Tsから適切な出力時間だけ高周波電力Pが高周波電力生成部12から出力され、出力停止時Teより前においても、高周波電力Pの出力レベル等の出力状態が処置において最適になる状態に調整される。したがって、本実施形態では、出力停止時Teより前においても高周波電力Pの積算値Wに基づいて高周波電力Pの出力状態が適切に制御される高周波制御ユニット3を提供でき、高周波電力Pを用いて適切に処置を行うことができる。
 また、本実施形態では、インピーダンスZに基づいて、目標停止積算値We及び目標停止時間ΔTeが設定される。このため、処置対象Hの濡れ具合等の処置対象Hの状態に基づいて適切に目標停止積算値We及び目標停止時間ΔTeが設定される。そして、適切に設定した目標停止積算値We及び目標停止時間ΔTeに基づいて、目標軌跡が設定される。このため、処置対象Hの濡れ具合等の状態に関係なく、高周波電力Pの目標積算値Wrefの経時的な変化を示す目標軌跡は、処置において理想的な高周波電力Pの積算値Wの経時的な変化を示す軌跡となる。したがって、設定された目標軌跡に対する実測積算値Wrealの比較に基づいて高周波電力Pの出力状態を制御することにより、処置対象Hの状態に対応させて高周波電力Pの出力状態を適切に制御することができる。
 また、目標軌跡に対する実測積算値Wrealの比較結果に基づいて高周波電力Pの出力状態が制御されるため、高周波電力Pの出力開始時Tsから目標停止時間ΔTe経過した時点で高周波電力Pの実測積算値Wrealが目標停止積算値Weと略同一になる状態に、高周波電力Pの出力状態が調整される。このため、目標軌跡設定部35によって設定された目標停止時間ΔTeだけ出力開始時Tsから経過した時点又は目標停止時間ΔTeだけ出力開始時Tsから経過した時点の近傍で、実測積算値Wrealが目標停止積算値Weに到達し、高周波電力Pの出力が停止される。したがって、出力開始時Tsから出力停止時Teまで高周波電力Pが供給されている時間、及び、出力開始時Tsから出力停止時Teまでの高周波電力Pの積算値Wを、処置に適切な状態に、調整することができる。
 前述のように高周波電力Pの積算値Wに基づいて高周波電圧Vが調整され、高周波電力Pの出力制御が行われることにより、出力開始時(供給開始時)Tsから出力停止時(供給停止時)Teまで、常時安定して高周波電力Pが処置部6に供給される。このため、適切に処置対象Hを凝固及び封止することができる。
 (第1の実施形態の変形例) 
 目標軌跡に対する実測積算値Wrealの比較結果に基づいて、高周波電圧Vを調整し、高周波電力Pの出力を制御する処理(図3に示す処理)の態様は、第1の実施形態に限るものではない。例えば、図6に示す第1の実施形態の第1の変形例では、実測積算値Wrealが目標積算値(基準積算値)Wrefより小さくなり、かつ、目標軌跡での目標積算値Wrefの経時的な増加率γである目標増加率(基準増加率)γrefに対して高周波電力Pの実測積算値Wrealの経時的な増加率である実測増加率γrealが小さくなった場合、制御部11はインピーダンスZの検出結果に基づいて、高周波電力Pの出力を制御する。なお、図6は、処置における高周波電力Pの目標積算値Wref、高周波電力Pの実測積算値Wreal及び高周波電圧V(出力レベル)の経時的な変化の一例を示している。また、図6では、横軸に時間Tを示し、縦軸に高周波電力Pの積算値W及び高周波電圧Vを示している。そして、図6では、実測積算値Wrealの経時的な変化を実線で、目標積算値Wrefの経時的な変化を破線で、高周波電圧Vの経時的な変化を一点鎖線で示している。
 本変形例では、実測積算値Wrealが目標積算値Wrefより小さく、かつ、目標積算値Wrefの目標増加率γrefに対して実測積算値Wrealの実測増加率γrealが小さくなった場合に、制御部11は、インピーダンスZが所定の閾値Zthより大きいか否かを判断する。インピーダンスZが所定の閾値Zthより大きくなると、高周波電圧Vを大きくしても、高周波電力Pの出力によって流れる高周波電流Iが小さくなる。このため、高周波電圧V(出力レベル)を大きくしても、単位時間あたりに出力される高周波電力Pは小さくなり、高周波電力Pの実測積算値Wrealの実測増加率γrealも小さくなる。すなわち、インピーダンスZが大きくなると、大きい高周波電力Pを処置対象Hに供給不可能となり、実測積算値Wrealの実測増加率γrealを大きくすることが不可能となる。したがって、本変形例では、高周波電圧Vを大きくしても供給される高周波電力Pを大きくすることが不可能な程度にインピーダンスZが大きいか否かが、判断される。
 そこで、本変形例では、インピーダンスZが所定の閾値Zthより大きくなると、制御部11は、高周波電圧V(出力レベル)を一時的に低下させる。そして、高周波電圧Vを低下した状態で所定の基準低下時間ΔTlだけ保持した後に、インピーダンスZが所定の閾値Zthを超える前(実測増加率γrealが目標増加率γrefに対して小さくなる前)の大きさまで、高周波電圧Vの大きさ(出力レベル)を元に戻す。図6では、時間T4において高周波電圧Vを電圧値V4から電圧値V5まで低下させている。そして、時間T4と時間T5との間では、高周波電圧Vは電圧値V5で維持される。そして、時間T5において、高周波電圧Vを電圧値V6まで増加させ、元の大きさ(出力レベル)に高周波電圧Vが戻る。
 高周波電圧Vを一時的に低下させることにより、高周波電流Iが流れる回路のインピーダンスZが小さくなる。インピーダンスZが小さくなることにより、インピーダンスZが所定の閾値Zth以下になる。これにより、高周波電流Iが増加し、高周波電力Pも増加する。すなわち、高周波電圧V(高周波電力Pの出力レベル)を一時的に低下させることにより、インピーダンスZが低下し、高周波電力Pの供給が促進される。高周波電力Pが大きくなることにより、実測積算値Wrealの実測増加率γrealも大きくなる。したがって、本変形例では、インピーダンスZの増加によって高周波電力Pの出力を大きくすることが不可能になった場合でも、前述のようにして高周波電力Pの出力を制御することにより、インピーダンスZを低下させることができる。これにより、実測積算値Wrealの実測増加率γrealを大きくなり、高周波電力Pの実測積算値Wrealの目標軌跡からの逸脱が小さく抑えられる。このため、本変形例でも、出力開始時Tsから出力停止時Teまで常時安定して高周波電力Pが処置部6に供給され、適切に処置対象Hを凝固及び封止することができる。
 また、本変形例でも第1の実施形態と同様に、実測積算値Wrealが目標停止積算値Weに到達すると(すなわち、式(4)が成立すると)、高周波電力Pの出力が停止される。図6の一例では、出力開始時Tsから目標停止時間ΔTe経過した時点(Ts+ΔTe)より少し後に、高周波電力Pの出力が停止される。
 また、図7に示す第1の実施形態の第2の変形例でも、実測積算値Wrealが目標積算値Wrefより小さく、かつ、目標軌跡での目標積算値Wrefの経時的な増加率γである目標増加率γrefに対して高周波電力Pの実測積算値Wrealの経時的な増加率である実測増加率γrealが小さくなった場合に、制御部11は、インピーダンスZが所定の閾値Zthより大きいか否かを判断する。なお、図7は、処置における高周波電力Pの目標積算値Wref、高周波電力Pの実測積算値Wreal及び高周波電圧V(出力レベル)の経時的な変化の一例を示している。また、図7では、横軸に時間Tを示し、縦軸に高周波電力Pの積算値W及び高周波電圧Vを示している。そして、図7では、実測積算値Wrealの経時的な変化を実線で、目標積算値Wrefの経時的な変化を破線で、高周波電圧Vの経時的な変化を一点鎖線で示している。
 本変形例では、第1の実施形態の第1の変形例とは異なり、インピーダンスZが所定の閾値Zthより大きくなると、制御部11は、インピーダンスZが所定の閾値Zthを超える前(実測増加率γrealが目標増加率γrefに対して小さくなる前)と比較して高周波電圧V(出力レベル)を上下に発振させる状態で高周波電力Pが出力される。制御部11によって高周波電圧Vを発振させる状態では、高周波電圧Vの電圧値が上下振動する。図7では、時間T6において高周波電圧V(出力レベル)が上下に発振される状態に、切替えられる。そして、時間T6から高周波電力Pの出力停止時Teまで、高周波電圧Vを発振させる状態が維持される。
 高周波電圧Vを上下に発振させることにより、高周波電流Iが流れる回路のインピーダンスZが小さくなる。インピーダンスZが小さくなることにより、インピーダンスZが所定の閾値Zth以下になる。これにより、高周波電流Iが増加し、高周波電力Pも増加する。すなわち、高周波電圧V(高周波電力Pの出力レベル)を上下に発振させることにより、インピーダンスZが低下し、高周波電力Pの供給が促進される。高周波電力Pが大きくなることにより、本変形例でも、実測積算値Wrealの実測増加率γrealも大きくなる。したがって、本変形例でもインピーダンスZの増加によって高周波電力Pの出力を大きくすることが不可能になった場合でも、前述のようにして高周波電力Pの出力を制御することにより、インピーダンスZを低下させることができる。これにより、実測積算値Wrealの実測増加率γrealを大きくなり、高周波電力Pの実測積算値Wrealの目標軌跡からの逸脱が小さく抑えられる。このため、本変形例でも、出力開始時Tsから出力停止時Teまで常時安定して高周波電力Pが処置部6に供給され、適切に処置対象Hを凝固及び封止することができる。
 また、本変形例でも第1の実施形態と同様に、実測積算値Wrealが目標停止積算値Weに到達すると(すなわち、前述の式(4)が成立すると)、高周波電力Pの出力が停止される。図7の一例では、出力開始時Tsから目標停止時間ΔTe経過した時点(Ts+ΔTe)より少し後に、高周波電力Pの出力が停止される。
 また、第1の実施形態のある変形例では、図3のステップS113において、実測積算値Wrealと目標積算値Wrefとの差の絶対値に基づく判断は行われず、代わりに、実測積算値Wrealが目標積算値Wrefと一致するか否かを、制御部11が判断する。この場合、実測積算値Wrealが目標積算値Wrefと一致する場合は、高周波電圧V(高周波電力Pの出力レベル)が維持される。一方、実測積算値Wrealが目標積算値Wrefと一致しない場合は、スッテプS115の判断が行われる。
 前述の第1の実施形態及びその変形例では、目標軌跡設定部(35)は、高周波電力(P)の出力を停止する時点での目標積算値(Wref)である目標停止積算値(We)、及び、出力開始時(Ts)から目標積算値(Wref)が目標停止積算値(We)になるまでの目標停止時間(ΔTe)を設定し、目標停止積算値(We)及び目標停止時間(ΔTe)に基づいて、目標軌跡を設定する。そして、制御部(11)は、出力開始時(Ts)から出力停止時(Te)まで、目標軌跡設定部(35)によって設定された目標軌跡に対して積算値算出部(33)で算出される実測積算値(Wreal)を経時的に比較し、比較結果に基づいて、高周波電力生成部(12)からの高周波電力(P)の出力状態を経時的に制御する。
 (第2の実施形態) 
 次に、本発明の第2の実施形態について、図8及び図9を参照して説明する。なお、第2の実施形態は、第1の実施形態の構成を次の通り変形したものである。なお、第1の実施形態と同一の部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。
 本実施形態でも第1の実施形態と同様に、高周波制御ユニット3は、制御部11、高周波電力生成部12、出力測定部13等を備える。ただし、本実施形態では、高周波電力生成部12は、第1の出力モード及び第1の出力モードとは制御部11による制御方法が異なる第2の出力モードで高周波電力Pを出力可能である。第1のモード及び第2のモードでは、制御部11による制御方法が異なるため、高周波電力Pの出力状態が異なり、単位時間あたりに出力される高周波電力Pが異なる。単位時間あたりに出力される高周波電力Pが異なるため、第1の出力モード及び第2の出力モードでは、高周波電力Pの実測積算値Wrealの経時的な増加率である実測増加率γrealが互いに対して異なる。本実施形態では、第2の出力モードに比べ第1の出力モードで、実測積算値Wrealの実測増加率γrealが小さくなる状態に、高周波電力Pの出力が制御される。
 図8は、処置における高周波制御ユニット3での処理を示すフローチャートである。図9は、処置における高周波電力Pの目標積算値(基準積算値)Wref、高周波電力Pの実測積算値Wreal及び高周波電圧V(出力レベル)の経時的な変化の一例を示す図である。図9では、横軸に時間Tを示し、縦軸に高周波電力Pの積算値W及び高周波電圧Vを示している。また、図9では、実測積算値Wrealの経時的な変化を実線で、目標積算値Wrefの経時的な変化を破線で、高周波電圧Vの経時的な変化を一点鎖線で示している。
 図8に示すように、本実施形態では、操作入力検出部21がエネルギー操作入力部8でのエネルギー操作の入力を検出すると(ステップS121-Yes)、制御部11による制御によって、高周波電力生成部12(出力回路)18は、第2の出力モードで高周波電力Pの出力を開始する(ステップS122)。高周波電力Pは、主に処置対象Hへの付着物を除去している間(すなわち、出力開始時Tsから処置部6が処置対象Hの外表面に接触するまでの間)は、第2の出力モードで出力される。
 高周波電力Pの出力が開始されると、第1の実施形態と同様に、インピーダンス検出部31は、電流検出部25及び電圧検出部26での検出結果に基づいて、高周波電流Iが流れる回路のインピーダンスZの経時的な検出を開始する(ステップS123)。そして、目標軌跡設定部35は、インピーダンス検出部31での検出結果に基づいて、高周波電力Pの出力開始時Tsからの積算値Wの目標値である目標積算値Wrefを経時的に示す目標軌跡を設定する(ステップS124)。
 ただし、本実施形態では、目標軌跡設定部(基準軌跡設定部)35は、高周波電力Pの目標積算値Wrefとして第1の目標積算値(目標停止積算値)We及び第1の目標積算値Weより小さい第2の目標積算値(目標切替え積算値)Wcを設定する。また、目標軌跡設定部35は、出力開始時Tsから第1の目標積算値Weに到達するまでの第1の目標時間(目標停止時間)ΔTe、及び、出力開始時Tsから第2の目標積算値Wcに到達するまでの第2の目標時間(目標切替え時間)ΔTcを設定する。そして、目標軌跡設定部35は、設定された第1の目標積算値(第1の基準積算値)We、第2の目標積算値(第2の基準積算値)Wc、第1の目標時間(第1の基準時間)ΔTe及び第2の目標時間(第2の基準時間)ΔTcに基づいて、高周波電力Pの目標積算値Wrefを経時的に示す目標軌跡を設定する。第1の目標積算値We、第2の目標積算値Wc、第1の目標時間ΔTe及び第2の目標時間ΔTcは、インピーダンス検出部31での検出結果に基づいて設定される。例えば、目標軌跡設定部35は、高周波電力Pの出力開始時TsでのインピーダンスZの値Zs、出力開始時TsからインピーダンスZが最小値ZminになるまでのインピーダンスZの変化の傾き(減少率)σ、及び、出力開始時TsからインピーダンスZが最小値Zminになるまでの時間ΔTminの少なくとも1つに基づいて、第1の目標積算値We、第2の目標積算値Wc、第1の目標時間ΔTe及び第2の目標時間ΔTcを設定する。
 目標軌跡設定部35は、第2の目標積算値Wcから第1の目標積算値Weまで目標積算値Wrefが第1の目標増加率(第1の基準増加率)γref1で経時的に増加する状態に目標軌跡を設定する。そして、目標軌跡設定部35は、高周波電力Pの出力開始時Tsから第2の目標積算値Wcまで目標積算値Wrefが第1の目標増加率γref1とは異なる第2の目標増加率(第2の基準増加率)γref2で経時的に増加する状態に目標軌跡を設定する。本実施形態では、第1の目標増加率γref1は、第2の目標増加率γref2に比べて小さくなる。このため、図9に示す目標積算値Wrefの目標軌跡では、出力開始時Tsから第2の目標積算値Wcまでの間に比べて、第2の目標積算値Wcから第1の目標積算値Weまでの間で、軌跡の傾きが小さくなる。
 目標軌跡が設定されると、制御部11は、目標軌跡に基づいて高周波電圧Vを調整する処理を行う(ステップS125)。高周波電圧Vを調整する処理は、第1の実施形態と同様にして(すなわち、図3のフローチャートで示すように)、行われる。この際、高周波電力Pは、実測積算値Wrealの実測増加率γrealが高い第2の出力モードで出力されている。第2の出力モードでは、高周波電力Pの実測積算値Wrealの実測増加率γreal(単位時間あたりに出力される高周波電力P)が大きくなるため、付着物の除去が迅速に行われる。前述のように、高周波電力Pの実測積算値Wrealが出力開始時Tsから第2の目標積算値(第2の基準積算値)Wcへ目標軌跡との比較結果に基づいて経時的に増加している状態では、制御部11は、第2の出力モードで高周波電力生成部12から高周波電力Pを出力させている。なお、第1の実施形態の変形例で前述したように、高周波電圧Vが調整されてもよい。
 図8に示すように、目標軌跡設定部35によって設定される第2の目標積算値(目標切替え積算値)Wcに高周波電力Pの実測積算値Wrealが到達する前においては(ステップS126-No)、第2の出力モードで高周波電力Pが出力されるとともに、高周波電圧Vを調整する処理(ステップS125)は、経時的に繰返し行われる。したがって、図9では、時間T7と時間T8との間において、実測積算値Wrealと目標積算値Wrefとの差の絶対値が所定の閾値εthより大きく、かつ、実測積算値Wrealが目標積算値Wrefより小さくなるため、制御部11は、高周波電圧Vを電圧値V7から電圧値V8へ増加させている。これにより、高周波電力Pが増加する。また、時間T8と時間(モード切替え時)Tcとの間においては、実測積算値Wrealと目標積算値Wrefとの差の絶対値が所定の閾値εth以下となるため、制御部11は、高周波電圧Vを電圧値V8で経時的に維持している。これにより、高周波電力Pの大きさが経時的に維持される。
 目標軌跡設定部35によって設定される第2の目標積算値Wcに高周波電力Pの実測積算値Wrealが到達すると(ステップS126-Yes)、制御部11は、可変直流電源16及び波形生成部17を制御することにより、高周波電力生成部12からの高周波電力Pの出力を第2の出力モードから第1の出力モードに切替える(ステップS127)。すなわち、式(5)が成立した時点で、高周波電力Pの出力が第1の出力モードに切替わる。なお、高周波電力Pのモード切替え時Tcは、出力開始時Tsから第2の目標時間(目標切替え時間)ΔTcだけ経過した時点、又は、出力開始時Tsから第2の目標時間ΔTcだけ経過した時点の近傍の時間であるが、制御による微差等もあるため、必ずしも出力開始時Tsから第2の目標時間ΔTcだけ経過した時点と一致するわけではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000005
 処置部6が処置対象Hの外表面に接触した後においては、第1の出力モードで高周波電力Pが出力される。第1の出力モードでは、高周波電力Pの実測積算値Wrealの実測増加率γreal(単位時間あたりに出力される高周波電力P)が第2の出力モードに比べ小さくなり、処置対象Hに適切に高周波電力P(高周波電流I)が供給される。図9に示す一例では、モード切替え時Tcに第2の出力モードから第1の出力モードに切替えられ、制御部11は、高周波電圧V(出力レベル)を電圧値V8から電圧値V9に減少させている。これにより、第1の出力モードでは、第2の出力モードに比べて、単位時間あたりに出力される高周波電力Pが小さくなり、高周波電力Pの実測積算値Wrealの実測増加率γrealが小さくなる。
 前述のように、本実施形態では、出力開始時Tsの以後において、第2の出力モードで高周波電力Pを出力した後に、第1の出力モードで高周波電力Pを出力する。そして、第1の出力モード及び第2の出力モードでも、目標軌跡に対する実測積算値Wrealの比較結果に基づいて高周波電力Pの出力状態が制御される。ただし、制御部11は、第2の出力モードでは、目標軌跡の第2の目標増加率γref2で目標積算値Wrefが増加している部分と実測積算値Wrealを比較しているのに対し、第1の出力モードでは、目標軌跡の第1の目標増加率γref1で目標積算値Wrefが増加している部分と実測積算値Wrealを比較している。このため、第1の出力モード及び第2の出力モードでは、制御部11による制御方法が異なり、高周波電力Pの出力状態が互いに対して異なる。
 第1の出力モードに高周波電力Pの出力状態が切替えられた後も、制御部11は、目標軌跡に基づいて高周波電圧Vを調整する処理を行う(ステップS128)。この際も、第1の実施形態と同様にして(すなわち、図3のフローチャートで示すように)、処理が行われる。したがって、本実施形態では、高周波電力Pの実測積算値Wrealが第2の目標積算値Wcから第1の目標積算値Weへ目標軌跡との比較結果に基づいて経時的に増加している状態において、制御部11は、第1の出力モードで高周波電力生成部12から高周波電力Pを出力させている。なお、第1の実施形態の変形例で前述したように、高周波電圧Vが調整されてもよい。
 図8に示すように、目標軌跡設定部35によって設定される第1の目標積算値(目標停止積算値)Weに高周波電力Pの実測積算値Wrealが到達する前においては(ステップS129-No)、第1の出力モードで高周波電力Pが出力されるとともに、高周波電圧Vを調整する処理(ステップS128)は、経時的に繰返し行われる。したがって、図9では、時間T9と時間T10との間において、実測積算値Wrealと目標積算値Wrefとの差の絶対値が所定の閾値εthより大きく、かつ、実測積算値Wrealが目標積算値Wrefより大きくなるため、制御部11は、高周波電圧Vを電圧値V9から電圧値V10へ減少させている。これにより、高周波電力Pが減少する。また、時間T10と時間(出力停止時)Teとの間においては、実測積算値Wrealと目標積算値Wrefとの差の絶対値が所定の閾値εth以下となるため、制御部11は、高周波電圧Vを電圧値V10で経時的に維持している。これにより、高周波電力Pの大きさが経時的に維持される。
 目標軌跡設定部35によって設定される第1の目標積算値Weに高周波電力Pの実測積算値Wrealが到達すると(ステップS129-Yes)、制御部11は、可変直流電源16及び波形生成部17を制御することにより、高周波電力生成部12からの高周波電力Pの出力を停止する(ステップS130)。すなわち、前述した式(4)が成立した時点で、高周波電力Pの出力が停止される。なお、高周波電力Pの出力停止時Teは、出力開始時Tsから第1の目標時間(目標停止時間)ΔTeだけ経過した時点、又は、出力開始時Tsから第1の目標時間ΔTeだけ経過した時点の近傍の時間であるが、制御による微差等もあるため、必ずしも出力開始時Tsから第1の目標時間ΔTeだけ経過した時点と一致するわけではない。
 本実施形態でも第1の実施形態と同様に、高周波電力Pの積算値Wの目標値である目標積算値Wrefの経時的な変化を示す目標軌跡が設定される。そして、本実施形態では、目標軌跡に対する実測積算値Wrealの比較に基づいて、実測積算値Wrealの経時的変化の目標軌跡からの逸脱が小さくなる状態に、高周波電圧Vを調整し、高周波電力Pの出力状態を制御している。このため、本実施形態では、高周波電力Pが出力されている時間(ΔTe)、及び、高周波電力Pが出力されているそれぞれの時点での高周波電力P(高周波電圧V)の出力レベル等の出力状態が、処置部6で適切な処置が行われる状態に、調整される。したがって、本実施形態でも、出力停止時Teより前においても高周波電力Pの積算値Wに基づいて高周波電力Pの出力状態が適切に制御される高周波制御ユニット3を提供でき、高周波電力Pを用いて適切に処置を行うことができる。
 また、本実施形態では、目標軌跡設定部35は、高周波電力Pの目標積算値として第1の目標積算値We及び第1の目標積算値Weより小さい第2の目標積算値Wcを設定している。そして、第2の目標積算値Wcから第1の目標積算値Weまで目標積算値Wrefが第1の目標増加率γref1で経時的に増加し、かつ、出力開始時Tsから第2の目標積算値Wcまで第1の目標増加率γref1とは異なる第2の目標増加率γref2で目標積算値Wrefが経時的に増加する状態に、目標軌跡が設定される。例えば、処置対象Hへ付着物が付着している場合は、出力開始時Tsから出力停止時Teまでの間に高周波電力Pの出力モードを切替えることが必要となる。本実施形態では、前述のように目標軌跡が設定されるため、出力開始時Tsから出力停止時Teまでの間に高周波電力Pの出力モードの切替えが必要な場合でも、目標軌跡によって、処置おいて理想的な積算値Wの経時的な変化を示すことが可能となる。したがって、前述のようにして設定された目標軌跡に対する高周波電力Pの実測積算値Wrealの比較結果に基づいて高周波電力Pの出力状態を制御することにより、出力開始時Tsから出力停止時Teまでの間に高周波電力Pの出力モードの切替えが必要な場合でも、高周波電力Pの出力レベル等の出力状態が処置において最適になる状態に調整され、高周波電力Pを用いて適切に処置を行うことができる。
 また、本実施形態では、インピーダンスZに基づいて、第1の目標積算値(目標停止積算値)We、第2の目標積算値(目標切替え積算値)Wc、第1の目標時間(目標停止時間)ΔTe及び第2の目標時間(目標切替え時間)ΔTcが設定される。このため、処置対象Hの濡れ具合等の処置対象Hの状態に基づいて適切に第1の目標積算値We、第2の目標積算値Wc、第1の目標時間ΔTe及び第2の目標時間ΔTcが設定される。そして、適切に設定した第1の目標積算値We、第2の目標積算値Wc、第1の目標時間ΔTe及び第2の目標時間ΔTcに基づいて、目標軌跡が設定される。このため、処置対象Hの濡れ具合等の状態に関係なく、高周波電力Pの目標積算値Wrefの経時的な変化を示す目標軌跡は、処置において理想的な高周波電力Pの積算値Wの経時的な変化を示す軌跡となる。したがって、設定された目標軌跡に対する実測積算値Wrealの比較に基づいて高周波電力Pの出力状態を制御することにより、処置対象Hの状態に対応させて高周波電力Pの出力状態を適切に制御することができる。
 また、目標軌跡に対する実測積算値Wrealの比較結果に基づいて高周波電力Pの出力状態が制御されるため、高周波電力Pの出力開始時Tsから第2の目標時間(目標切替え時間)ΔTc経過した時点で高周波電力Pの実測積算値Wrealが第2の目標積算値(目標切替え積算値)Wcと略同一になる状態に、高周波電力Pの出力状態が調整される。このため、目標軌跡設定部35によって設定された第2の目標時間ΔTcだけ出力開始時Tsから経過した時点又は第2の目標時間ΔTcだけ出力開始時Tsから経過した時点の近傍で、実測積算値Wrealが第2の目標積算値Wcに到達し、高周波電力Pの出力が第2の出力モードから第1の出力モードに切替えられる。したがって、出力開始時Tsからモード切替え時Tcまで第2の出力モードで高周波電力Pが供給されている時間、及び、出力開始時Tsからモード切替え時Tcまでの第2の出力モードでの高周波電力Pの積算値(積算量)Wを、処置に適切な状態に、調整することができる。
 同様に、目標軌跡に対する実測積算値Wrealの比較結果に基づいて高周波電力Pの出力状態が制御されるため、高周波電力Pの出力開始時Tsから第1の目標時間(目標停止時間)ΔTe経過した時点で高周波電力Pの実測積算値Wrealが第1の目標積算値(目標停止積算値)Weと略同一になる状態に、高周波電力Pの出力状態が調整される。このため、目標軌跡設定部35によって設定された第1の目標時間ΔTeだけ出力開始時Tsから経過した時点又は第1の目標時間ΔTeだけ出力開始時Tsから経過した時点の近傍で、実測積算値Wrealが第1の目標積算値Weに到達し、高周波電力Pの出力が停止される。したがって、出力開始時Tsから出力停止時Teまで高周波電力Pが供給されている時間、及び、出力開始時Tsから出力停止時Teまでの高周波電力Pの積算値Wを、処置に適切な状態に、調整することができる。
 前述のように、本実施形態でも第1の実施形態と同様に、高周波電力Pの積算値Wに基づいて高周波電圧Vが調整され、高周波電力Pの出力制御が行われることにより、出力開始時Tsから出力停止時Teまで、常時安定して高周波電力Pが処置部6に供給される。このため、適切に処置対象Hを凝固及び封止することができる。
 (第2の実施形態の変形例) 
 なお、第2の実施形態では、実測積算値Wrealが第2の目標積算値Wcに到達したことに基づいて第1の出力モードに高周波電力Pの出力が切替えられるが、これに限るものではない。例えば、図10に示す第2の実施形態の第1の変形例では、インピーダンス検出部31でのインピーダンスZの検出結果に基づいて、制御部11は、高周波電力生成部12からの高周波電力Pの出力状態を第2の出力モードから第1の出力モードに切替える。
 図10は、処置における高周波制御ユニット3での処理を示すフローチャートである。図10に示すように、本変形例でも、エネルギー操作の入力が検出されると(ステップS131-Yes)、制御部11での制御によって、高周波電力生成部12は第2の出力モードで高周波電力Pの出力を開始し(ステップS132)、インピーダンス検出部31は、インピーダンスZの検出を開始する(ステップS133)。
 本変形例では、出力開始時Tsより後において、インピーダンスZが最小値Zminになるインピーダンス最小時Tmin(図4を参照)を制御部11が検出すると(ステップS134-Yes)、制御部11は、高周波電力生成部12からの高周波電力Pの出力を第2の出力モードから第1の出力モードに切替える(ステップS135)。すなわち、インピーダンスZが最小値Zminになったことに基づいて、高周波電力Pの出力状態が第1の出力モードに切替えられる。第1の実施形態で前述したように、処置部6が処置対象Hの外表面へ接触した時点、又は、接触した時点の近傍で、インピーダンスZは、最小値(極小値)Zminとなる。このため、処置対象Hへの付着物の除去が完了し、処置部6が処置対象Hの外表面へ接触し始めた適切なタイミングで、高周波電力Pの出力状態が第1の出力モードに切替えられる。
 第1の出力モードに切替えられると、目標軌跡設定部35は、インピーダンス検出部31での検出結果に基づいて、高周波電力Pの出力開始時Tsからの積算値Wの目標値である目標積算値Wrefを経時的に示す目標軌跡を設定する(ステップS136)。ある実施例では第2の実施形態と同様に、目標軌跡設定部35は、第1の目標積算値(目標停止積算値)We、第2の目標積算値(目標切替え積算値)Wc、出力開始時Tsから第1の目標積算値Weに到達するまでの第1の目標時間(目標停止時間)ΔTe、及び、出力開始時Tsから第2の目標積算値Wcに到達するまでの第2の目標時間(目標切替え時間)ΔTcを設定する。そして、目標軌跡設定部35は、設定された第1の目標積算値We、第2の目標積算値Wc、第1の目標時間ΔTe及び第2の目標時間ΔTcに基づいて、高周波電力Pの目標積算値Wrefを経時的に示す目標軌跡を設定する。この際、出力開始時Tsから目標積算値Wrefが第1の目標積算値Weに到達するまで目標軌跡を設定する必要はなく、少なくとも第2の目標積算値Wcと第1の目標積算値Weとの間において目標軌跡が設定されていればよい。
 また、別のある実施例では、目標軌跡設定部35は、高周波電力Pの出力を停止する第1の目標積算値である目標停止積算値We、及び、出力開始時Tsから目標停止積算値Weに到達するまでの第1の目標時間である目標停止時間ΔTeを設定する。また、積算値算出部33から、第1の出力モードに切替えられた時点Tc(インピーダンスZが最小値Zminになった時点)での高周波電力Pの実測積算値Wrealを、切替え時積算値(第2の目標積算値)Wcとして取得する。そして、切替え時積算値Wcから目標停止積算値Weまで経時的に増加する目標軌跡を設定する。
 目標軌跡が設定されると、第2の実施形態と同様に、制御部11は、目標軌跡に基づいて高周波電圧Vを調整する処理を行う(ステップS137)。この際、第1の実施形態及び第2の実施形態と同様にして(すなわち、図3のフローチャートで示すように)、処理が行われる。この際、高周波電力Pは第1の出力モードで出力されている。したがって、本変形例では、高周波電力Pの実測積算値Wrealが第2の目標積算値(切替え時積算値)Wcから第1の目標積算値(目標停止積算値)Weへ目標軌跡との比較結果に基づいて経時的に増加している状態において、制御部11は、第1の出力モードで高周波電力生成部12から高周波電力Pを出力させている。すなわち、第1の出力モードにおいて、制御部11は、目標軌跡に対する実測積算値Wrealの比較結果に基づいて、高周波電力Pの出力状態を制御する。なお、第1の実施形態の変形例で前述したように、高周波電圧Vが調整されてもよい。
 目標軌跡設定部35によって設定される第1の目標積算値Weに高周波電力Pの実測積算値Wrealが到達すると(ステップS138-Yes)、第2の実施形態と同様に、制御部11は、可変直流電源16及び波形生成部17を制御することにより、高周波電力生成部12からの高周波電力Pの出力を停止する(ステップS139)。
 前述の第2の実施形態及びその変形例では、高周波電力生成部(12)は、第1の出力モード及び第1の出力モードとは制御部(11)による制御方法が異なる第2の出力モードで、高周波電力(P)を出力可能であり、高周波電力生成部(12)は、出力開始時(Ts)の以後において、第2の出力モードで高周波電力(P)を出力した後に、第1の出力モードで高周波電力(P)を出力する。そして、制御部(11)は、少なくとも第1の出力モードにおいて、目標軌跡に対する実測積算値(Wreal)の比較結果に基づいて、高周波電力(P)の出力状態を制御する。
 (その他の変形例) 
 なお、前述の実施形態では、高周波電力Pのみが処置部6に供給されるが、高周波電力Pに加えて超音波振動子、熱等の他の処置エネルギーが処置部6に供給されてもよい。
 第1の実施形態及び第2の実施形態を含む前述の実施形態等では、高周波制御ユニット(3)は、処置部(6)に供給される高周波電力(P)を生成する高周波電力生成部(12)と、高周波電力生成部(12)から出力される高周波電力(P)を経時的に検出する電力検出部(32)と、電力検出部(32)での検出結果に基づいて、出力された高周波電力(P)の出力開始時(Ts)からの積算値の実測値である実測積算値(Wreal)を経時的に算出する積算値算出部(33)と、を備える。そして、高周波制御ユニット(3)は、出力された高周波電力(P)の出力開始時(Ts)からの積算値の目標値である目標積算値(Wref)を経時的に示す目標軌跡を設定する目標軌跡設定部(35)と、目標軌跡設定部(35)によって設定された目標軌跡に対して積算値算出部(33)で算出される実測積算値(Wreal)を経時的に比較し、比較結果に基づいて、高周波電力生成部(12)からの高周波電力(P)の出力状態を経時的に制御する制御部(11)と、を備える。
 以上、本発明の実施形態等について説明したが、本発明は前述の実施形態等に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形ができることは勿論である。

Claims (15)

  1.  高周波処置システムに用いられる高周波制御ユニットであって、
     処置部に供給される高周波電力を生成する高周波電力生成部と、
     前記高周波電力生成部から出力される前記高周波電力を経時的に検出する電力検出部と、
     前記電力検出部での検出結果に基づいて、出力された前記高周波電力の出力開始時からの積算値の実測値である実測積算値を経時的に算出する積算値算出部と、
     出力された前記高周波電力の前記出力開始時からの前記積算値の目標値である目標積算値を経時的に示す目標軌跡を設定する目標軌跡設定部と、
     前記目標軌跡設定部によって設定された前記目標軌跡に対して前記積算値算出部で算出される前記実測積算値を経時的に比較し、比較結果に基づいて、前記高周波電力生成部からの前記高周波電力の出力状態を経時的に制御する制御部と、
     を具備する高周波制御ユニット。
  2.  前記高周波電力生成部は、第1の出力モード及び前記第1の出力モードとは前記制御部による制御方法が異なる第2の出力モードで前記高周波電力を出力可能であるとともに、前記出力開始時の以後において、前記第2の出力モードで前記高周波電力を出力した後に、前記第1の出力モードで前記高周波電力を出力し、
     前記制御部は、少なくとも前記第1の出力モードにおいて、前記目標軌跡に対する前記実測積算値の比較結果に基づいて、前記高周波電力の前記出力状態を制御する、
     請求項1の高周波制御ユニット。
  3.  前記目標軌跡設定部は、前記高周波電力の前記目標積算値として第1の目標積算値及び前記第1の目標積算値より小さい第2の目標積算値を設定し、前記第2の目標積算値から前記第1の目標積算値まで前記目標積算値が第1の目標増加率で経時的に増加する状態に前記目標軌跡を設定し、
     前記制御部は、前記高周波電力の前記実測積算値が前記第2の目標積算値から前記第1の目標積算値へ前記目標軌跡との前記比較結果に基づいて経時的に増加している状態において、前記第1の出力モードで前記高周波電力生成部から前記高周波電力を出力させ、前記高周波電力の前記実測積算値が前記第1の目標積算値に到達することにより、前記高周波電力生成部からの前記高周波電力の出力を停止する、
     請求項2の高周波制御ユニット。
  4.  前記目標軌跡設定部は、前記高周波電力の前記出力開始時から前記第2の目標積算値まで前記目標積算値が前記第1の目標増加率とは異なる第2の目標増加率で経時的に増加する状態に前記目標軌跡を設定し、
     前記制御部は、前記第1の出力モードに加えて前記第2の出力モードにおいて、前記目標軌跡に対する前記実測積算値の前記比較結果に基づいて、前記高周波電力の前記出力状態を制御するとともに、前記高周波電力の前記実測積算値が前記出力開始時から前記第2の目標積算値へ前記目標軌跡との前記比較結果に基づいて経時的に増加している状態において、前記第2の出力モードで前記高周波電力生成部から前記高周波電力を出力させ、前記高周波電力の前記実測積算値が前記第2の目標積算値に到達することにより、前記高周波電力生成部からの前記高周波電力の前記出力状態を前記第2の出力モードから前記第1の出力モードに切替える、
     請求項3の高周波制御ユニット。
  5.  前記高周波電力の出力によって高周波電流が流れる回路のインピーダンスを経時的に検出するインピーダンス検出部をさらに具備し、
     前記目標軌跡設定部は、前記インピーダンス検出部での検出結果に基づいて前記第1の目標積算値、前記第2の目標積算値、前記出力開始時から前記第1の目標積算値に到達するまでの第1の目標時間、及び、前記出力開始時から前記第2の目標積算値に到達するまでの第2の目標時間を設定する、
     請求項4の高周波制御ユニット。
  6.  前記目標軌跡設定部は、前記高周波電力の前記出力開始時での前記インピーダンスの値、前記出力開始時から前記インピーダンスが最小値になるまでの前記インピーダンスの変化の傾き、及び、前記出力開始時から前記インピーダンスが前記最小値になるまでの時間の少なくとも1つに基づいて、前記第1の目標積算値、前記第2の目標積算値、前記第1の目標時間、及び、前記第2の目標時間を設定する、請求項5の高周波制御ユニット。
  7.  前記高周波電力の出力によって高周波電流が流れる回路のインピーダンスを経時的に検出するインピーダンス検出部をさらに具備し、
     前記制御部は、前記出力開始時において前記第2の出力モードで前記高周波電力生成部から前記高周波電力を出力させ、前記出力開始時より後において、前記インピーダンス検出部での検出結果に基づいて、前記高周波電力生成部からの前記高周波電力の前記出力状態を前記第2の出力モードから前記第1の出力モードに切替える、
     請求項2の高周波制御ユニット。
  8.  前記制御部は、前記出力開始時より後において前記インピーダンスが最小値になったことに基づいて、前記高周波電力生成部からの前記高周波電力の前記出力状態を前記第2の出力モードから前記第1の出力モードに切替える、請求項7の高周波制御ユニット。
  9.  前記目標軌跡設定部は、前記高周波電力の出力を停止する時点での前記目標積算値である目標停止積算値、及び、前記出力開始時から前記目標積算値が前記目標停止積算値になるまでの目標停止時間を設定し、前記目標停止積算値及び前記目標停止時間に基づいて、前記目標軌跡を設定する、請求項1の高周波制御ユニット。
  10.  前記高周波電力の出力によって高周波電流が流れる回路のインピーダンスを経時的に検出するインピーダンス検出部をさらに具備し、
     前記目標軌跡設定部は、前記インピーダンス検出部での検出結果に基づいて前記目標停止積算値及び前記目標停止時間を設定する、
     請求項9の高周波制御ユニット。
  11.  前記目標軌跡設定部は、前記高周波電力の前記出力開始時での前記インピーダンスの値、前記出力開始時から前記インピーダンスが最小値になるまでの前記インピーダンスの変化の傾き、及び、前記出力開始時から前記インピーダンスが前記最小値になるまでの時間の少なくとも1つに基づいて、前記目標停止積算値及び前記目標停止時間を設定する、請求項10の高周波制御ユニット。
  12.  前記高周波電力の出力によって高周波電流が流れる回路のインピーダンスを経時的に検出するインピーダンス検出部をさらに具備し、
     前記制御部は、前記インピーダンスが所定の閾値より大きくなった場合に、前記高周波電力の出力レベルを一時的に低下させた後に、前記高周波電力の前記出力レベルを元に戻す、請求項1の高周波制御ユニット。
  13.  前記高周波電力の出力によって高周波電流が流れる回路のインピーダンスを経時的に検出するインピーダンス検出部をさらに具備し、
     前記制御部は、前記インピーダンスが所定の閾値より大きくなった場合に、出力レベルを上下に発振させる状態で前記高周波電力を出力させる、請求項1の高周波制御ユニット。
  14.  前記制御部は、前記高周波電力の出力によって印加される高周波電圧を調整することにより、前記高周波電力の出力状態を制御する、請求項1の高周波制御ユニット。
  15.  請求項1の高周波制御ユニットと、
     前記高周波制御ユニットの前記高周波電力生成部から前記高周波電力が供給され、供給された前記高周波電力を用いて処置を行う処置部と、
     を具備する高周波処置システム。
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