JP5966117B1 - 高周波制御ユニット及び高周波処置システム - Google Patents

Abstract

高周波制御ユニットは、出力された高周波電力の出力開始時からの積算値の実測値である実測積算値を経時的に算出する積算値算出部を備える。前記高周波制御ユニットは、出力された前記高周波電力の前記出力開始時からの前記積算値の目標値である目標積算値を経時的に示す目標軌跡を設定する目標軌跡設定部と、前記目標軌跡に対して前記実測積算値を経時的に比較し、比較結果に基づいて、前記高周波電力の出力状態を経時的に制御する制御部と、を備える。

Description

本発明は、処置部に供給される高周波電力の出力を制御する高周波制御ユニット、及び、その高周波制御ユニットを備える高周波処置システムに関する。

特許文献１には、処置部に設けられる２つの電極部に高周波電力を供給し、電極部同士の間に挟まれた生体組織等の処置対象に高周波電流を流すことにより、処置対象を処置する高周波処置システムが開示されている。この高周波処置システムでは、処置部に供給される高周波電力を生成する高周波エネルギー生成部（高周波電力生成部）が設けられている。そして、電力量検出部によって、高周波エネルギー生成部から出力される高周波電力が経時的に検出される。制御部は、電力量検出部での検出結果に基づいて、出力された高周波電力の出力開始時からの積算値（実測積算値）を経時的に算出する。算出された積算値が、閾値を超えた時点で、制御部によって高周波エネルギー生成部からの高周波電力の出力が停止される。

特開２００８−１１４０４２号公報

前記特許文献１では、高周波電力の積算値が閾値を超えたことに対応して高周波電力の出力が停止されるだけであり、高周波電力の積算値が閾値を超えるまでは、高周波電力の積算値に基づく高周波電力の出力状態の調整は行われない。このため、高周波電力の積算値が閾値に到達するまで出力開始時から長い時間を要することもあれば、出力開始時から短い時間で高周波電力の積算値が閾値に到達することもある。出力される（すなわち処置部に供給される）高周波電力の出力停止時までの積算値が同一の場合でも、高周波電力が供給されている時間に対応して高周波電力による処置部での処置性能が変化してしまう。また、高周波電力が処置部に供給されている状態でも、出力される高周波電力の出力レベル等の出力状態に対応して処置性能が変化してしまう。したがって、出力開始時から出力停止時までの高周波電力の積算量（積算値）に基づいて高周波電力の出力が停止される場合でも、高周波電力が供給されている時間、高周波電力の出力状態によっては、適切に処置が行われない可能性がある。

本発明は前記課題に着目してなされたものであり、その目的とするところは、出力停止時より前においても高周波電力の積算量に基づいて高周波電力の出力状態が適切に制御される高周波制御ユニットを提供することにある。また、その高周波制御ユニットを備える高周波処置システムを提供することにある。

前記目的を達成するため、本発明のある態様は、高周波処置システムに用いられる高周波制御ユニットであって、処置部に供給される高周波電力を生成する高周波電力生成部と、前記高周波電力生成部から出力される前記高周波電力を経時的に検出する電力検出部と、前記電力検出部での検出結果に基づいて、出力された前記高周波電力の出力開始時からの積算値の実測値である実測積算値を経時的に算出する積算値算出部と、出力された前記高周波電力の前記出力開始時からの前記積算値の目標値である目標積算値を経時的に示す目標軌跡を設定する目標軌跡設定部と、前記目標軌跡設定部によって設定された前記目標軌跡に対して前記積算値算出部で算出される前記実測積算値を経時的に比較し、比較結果に基づいて、前記高周波電力生成部からの前記高周波電力の出力状態を経時的に制御する制御部と、を備える。

本発明によれば、出力停止時より前においても高周波電力の積算量に基づいて高周波電力の出力状態が適切に制御される高周波制御ユニットを提供することができる。また、その高周波制御ユニットを備える高周波処置システムを提供することができる。

第１の実施形態に係る高周波処置システムを示す概略図である。 第１の実施形態に係る高周波制御ユニットでの処置における処理を示すフローチャートである。 第１の実施形態に係る制御部によって行われる高周波電圧を調整する処理を示すフローチャートである。 第１の実施形態に係る高周波制御ユニットを用いた処置におけるインピーダンスの経時的な変化の一例を示す概略図である。 第１の実施形態に係る高周波制御ユニットを用いた処置における高周波電力の目標積算値、高周波電力の実測積算値及び高周波電圧の経時的な変化の一例を示す概略図である。 第１の実施形態の第１の変形例に係る高周波制御ユニットを用いた処置における高周波電力の目標積算値、高周波電力の実測積算値及び高周波電圧の経時的な変化の一例を示す概略図である。 第１の実施形態の第２の変形例に係る高周波制御ユニットを用いた処置における高周波電力の目標積算値、高周波電力の実測積算値及び高周波電圧の経時的な変化の一例を示す概略図である。 第２の実施形態に係る高周波制御ユニットでの処置における処理を示すフローチャートである。 第２の実施形態に係る高周波制御ユニットを用いた処置における高周波電力の目標積算値、高周波電力の実測積算値及び高周波電圧の経時的な変化の一例を示す概略図である。 第２の実施形態の第１の変形例に係る高周波制御ユニットでの処置における処理を示すフローチャートである。

（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態について、図１乃至図５を参照して説明する。図１は、本実施形態の高周波処置システム１を示す図である。図１に示すように、高周波処置システム１は、高周波処置具２と、高周波エネルギー源装置等の高周波制御ユニット３と、を備える。高周波処置具２と高周波制御ユニット３との間は、ケーブル５を介して接続されている。高周波処置具２は、高周波電力（高周波電気エネルギー）Ｐが供給され、供給された高周波電力Ｐを用いて生体組織等の処置対象Ｈを処置する処置部（エンドエフェクタ）６を備える。処置部６には、第１の電極部７Ａ及び第２の電極部７Ｂが設けられている。また、高周波処置具２には、高周波電力Ｐを処置部６に供給させるためのエネルギー操作が入力されるエネルギー操作ボタン等のエネルギー操作入力部８が設けられている。なお、高周波処置具２とは別体でフットスイッチ等がエネルギー操作入力部（８）として設けられてもよい。

高周波制御ユニット３は、制御部１１と、高周波電力生成部１２と、出力測定部１３と、Ａ／Ｄ変換部１５と、を備える。制御部１１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）又はＡＳＩＣ（application specific integrated circuit）を備えるプロセッサ、及び、メモリ等の記憶部から形成され、高周波制御ユニット３全体を制御する。高周波電力生成部１２は、可変直流電源１６と、波形生成回路等の波形生成部１７と、アンプ回路を含む出力回路１８と、を備える。また、制御部１１は、エネルギー操作の入力を検出する操作入力検出部２１を備える。操作入力検出部２１は、例えばＣＰＵ又はＡＳＩＣに設けられる電子回路（検出回路）から形成されている。高周波処置具２には、例えば、エネルギー操作入力部８でのエネルギー操作が入力されることより開閉状態が変化するスイッチ（図示しない）が設けられている。スイッチの開閉状態の変化に対応して操作信号が操作入力検出部２１に伝達されることにより、エネルギー操作の入力が検出される。

制御部１１は、エネルギー操作の入力及び設定された条件に基づいて、可変直流電源１６及び波形生成部１７を制御している。エネルギー操作が入力されることにより、制御部１１での制御によって、可変直流電源１６からの直流電力が出力され、波形生成部１７から波形（例えば矩形波）が出力される。そして、直流電力及び波形が出力回路１８に伝達されることにより、出力回路１８が駆動され、高周波電力（高周波電気エネルギー）Ｐが生成される。

出力回路１８は、第１の電気経路２２Ａを介して第１の電極部７Ａに電気的に接続され、第２の電気経路２２Ｂを介して第２の電極部７Ｂに電気的に接続されている。第１の電気経路２２Ａ及び第２の電気経路２２Ｂは、高周波制御ユニット３からケーブル５の内部及び高周波処置具２を通って延設されている。生成された高周波電力Ｐは、出力回路１８から出力され、第１の電気経路２２Ａ及び第２の電気経路２２Ｂを通して処置部６の第１の電極部７Ａ及び第２の電極部７Ｂに供給される。高周波電力Ｐが供給されることにより、第１の電極部７Ａ及び第２の電極部７Ｂは互いに対して異なる電位を有し、第１の電極部７Ａと第２の電極部７Ｂとの間に高周波電圧Ｖが印加される。これにより、第１の電極部７Ａと第２の電極部７Ｂとの間で処置対象Ｈを挟むことにより、処置対象Ｈに高周波電流Ｉが流れる。これにより、処置部６で高周波電力Ｐを用いた処置が行われる。

また、出力測定部１３は、検出回路又は電流計である電流検出部２５と、検出回路又は電圧計である電圧検出部２６と、を備える。電流検出部２５は、高周波電力Ｐの出力によって第１の電気経路２２Ａ、処置対象Ｈ及び第２の電気経路２２Ｂを含む回路を通して流れる高周波電流Ｉの電流値を経時的に検出する。また、電圧検出部２６は、高周波電力Ｐの出力によって第１の電極部７Ａと第２の電極部７Ｂとの間に印加される高周波電圧Ｖ（すなわち、第１の電気経路２２Ａと第２の電気経路２２Ｂとの間に発生する電位差）の電圧値を経時的に検出する。電流検出部２５での検出結果及び電圧検出部２６の検出結果を示す検出信号は、アナログ／デジタル変換回路等から形成されるＡ／Ｄ変換部１５でアナログ信号からデジタル信号に変換され、バス等のインターフェースを介して制御部１１に伝達される。

制御部１１は、インピーダンス検出部３１と、電力検出部３２と、積算値算出部３３と、目標軌跡設定部３５と、を備える。インピーダンス検出部３１、電力検出部３２、積算値算出部３３及び目標軌跡設定部（基準軌跡設定部）３５は、ＣＰＵ又はＡＳＩＣを形成する電子回路（検出回路、演算回路等）から形成されている。電力検出部（電力取得部）３２は、電流検出部２５及び電圧検出部２６での結果に基づいて、高周波電力生成部１２（出力回路１８）から出力される高周波電力Ｐを経時的に検出する（取得する）。高周波電力Ｐは、高周波電流Ｉと高周波電圧Ｖとの積である。積算値算出部３３は、電力検出部３２での検出結果に基づいて、出力された高周波電力Ｐの出力開始時からの積算値Ｗの実測値である実測積算値Ｗｒｅａｌを経時的に算出する。なお、高周波電力Ｐの積算値Ｗとは、高周波電力Ｐを時間積分した値となる。

インピーダンス検出部（インピーダンス取得部）３１は、電流検出部２５及び電圧検出部２６での検出結果に基づいて、高周波電流Ｉが流れる回路のインピーダンス（高周波インピーダンス）Ｚを経時的に検出する（取得する）。インピーダンスＺは、高周波電圧Ｖを高周波電流Ｉで除算した値になる。そして、インピーダンス検出部３１での検出結果に基づいて、目標軌跡設定部３５は、高周波電力Ｐの出力開始時からの積算値Ｗの目標値（基準値）である目標積算値（基準積算値）Ｗｒｅｆを経時的に示す目標軌跡（基準軌跡）を設定する。制御部１１は、設定された目標軌跡に対して積算値算出部３３で算出される実測積算値Ｗｒｅａｌを経時的に比較する。そして、制御部１１は、比較結果に基づいて、バス等のインターフェースを介して可変直流電源１６及び波形生成部１７を制御し、高周波電力生成部１２からの高周波電力Ｐの出力状態を経時的に制御する。

次に、高周波制御ユニット３及び高周波処置システム１の作用及び効果について説明する。処置においては、処置部６を体内に挿入し、第１の電極部７Ａと第２の電極部７Ｂとの間で血管等の処置対象Ｈを挟む。この状態で、術者はエネルギー操作入力部８でエネルギー操作を入力する。

図２は、処置における高周波制御ユニット３での処理を示すフローチャートである。処置においては、操作入力検出部２１がエネルギー操作入力部８でのエネルギー操作の入力を検出すると（ステップＳ１０１−Ｙｅｓ）、制御部１１は、高周波電力生成部１２の可変直流電源１６及び波形生成部１７を制御し、高周波電力生成部１２（出力回路１８）は、高周波電力（高周波電気エネルギー）Ｐの出力を開始する（ステップＳ１０２）。これにより、第１の電極部７Ａ及び第２の電極部７Ｂに高周波電力Ｐが伝達され、高周波電力Ｐを用いて処置対象Ｈを凝固する（封止する）処置が行われる。

高周波電力Ｐが出力されると、電流検出部２５は、高周波電流Ｉを経時的に検出し、電圧検出部２６は、高周波電圧Ｖを経時的に検出する。そして、インピーダンス検出部３１は、電流検出部２５及び電圧検出部２６での検出結果に基づいて、高周波電流Ｉが流れる回路のインピーダンスＺ（すなわち、処置対象Ｈのインピーダンス）の経時的な検出を開始する（ステップＳ１０３）。そして、目標軌跡設定部３５は、インピーダンス検出部３１での検出結果に基づいて、高周波電力Ｐの出力開始時Ｔｓからの積算値Ｗの目標値（基準値）である目標積算値（基準積算値）Ｗｒｅｆを経時的に示す目標軌跡（基準軌跡）を設定する（ステップＳ１０４）。目標軌跡が設定されると、制御部１１は、目標軌跡に基づいて高周波電圧Ｖを調整する処理を行う（ステップＳ１０５）。

図３は、制御部１１によって行われる高周波電圧Ｖ（高周波電力Ｐ）を調整する処理（図２のステップＳ１０５）を示すフローチャートである。図４は、高周波制御ユニット３を用いた処置におけるインピーダンスＺの経時的な変化の一例を示す図であり、図５は、処置における高周波電力Ｐの目標積算値Ｗｒｅｆ、高周波電力Ｐの実測積算値Ｗｒｅａｌ及び高周波電圧Ｖ（出力レベル）の経時的な変化の一例を示す図である。図４では、横軸に時間Ｔを示し、縦軸にインピーダンスＺを示している。また、図５では、横軸に時間Ｔを示し、縦軸に高周波電力Ｐの積算値Ｗ及び高周波電圧Ｖを示している。また、図５では、実測積算値Ｗｒｅａｌの経時的な変化を実線で、目標積算値Ｗｒｅｆの経時的な変化を破線で、高周波電圧Ｖの経時的な変化を一点鎖線で示している。

血管等の処置対象Ｈの外表面には付着物が付着している。このため、高周波電力Ｐの出力が開始される出力開始時Ｔｓからある程度の時間が経過するまでは処置対象Ｈへの付着物が除去され、処置部６（第１の電極部７Ａ及び第２の電極部７Ｂ）が処置対象Ｈの外表面に接触するまで出力開始時Ｔｓからある程度の時間を要する。図４に示すように、処置部６が処置対象Ｈの外表面に接触するまでは（すなわち、処置対象Ｈへの付着物を除去している間は）、インピーダンス（高周波インピーダンス）Ｚは経時的に減少する。そして、処置部６が処置対象Ｈの外表面に接触した後は（すなわち、処置対象Ｈの凝固及び封止を行っている間は）、インピーダンスＺは増加する経時的に増加する。このため、処置部６が処置対象Ｈの外表面へ接触した時点、又は、接触した時点の近傍で、インピーダンスＺは、最小値（極小値）Ｚｍｉｎとなる。図４では、時間ＴｍｉｎでインピーダンスＺが最小値Ｚｍｉｎとなり、出力開始時Ｔｓからインピーダンス最小時Ｔｍｉｎまで、時間ΔＴｍｉｎを要する。なお、インピーダンスＺが漸減から漸増に転じる時点が、インピーダンスＺが最小になるインピーダンス最小時Ｔｍｉｎとして検出される。

図２のステップＳ１０４では、目標軌跡設定部３５は、高周波電力Ｐの出力を停止する時点での目標積算値Ｗｒｅｆである目標停止積算値（基準停止積算値）Ｗｅ、及び、出力開始時Ｔｓから目標積算値Ｗｒｅｆが目標停止積算値Ｗｅになるまでの目標停止時間（基準停止時間）ΔＴｅ（すなわち、出力開始時Ｔｓから出力を停止するまでの目標時間）を設定する。そして、目標軌跡設定部３５は、設定された目標停止積算値Ｗｅ及び目標停止時間ΔＴｅに基づいて、高周波電力Ｐの目標積算値Ｗｒｅｆを経時的に示す目標軌跡を設定する。目標停止積算値Ｗｅ及び目標停止時間ΔＴｅは、インピーダンス検出部３１での検出結果に基づいて設定される。例えば、目標軌跡設定部３５は、高周波電力Ｐの出力開始時ＴｓでのインピーダンスＺの値Ｚｓ、出力開始時ＴｓからインピーダンスＺが最小値ＺｍｉｎになるまでのインピーダンスＺの変化の傾き（減少率）σ、及び、出力開始時ＴｓからインピーダンスＺが最小値Ｚｍｉｎになるまでの時間ΔＴｍｉｎの少なくとも１つに基づいて、目標停止積算値Ｗｅ及び目標停止時間ΔＴｅを設定する。なお、制御部１１に設けられる記憶部（図示しない）には、互いに対して目標積算値Ｗｒｅｆの経時的な変化のパターンが異なる複数の目標軌跡が記憶されており、インピーダンスＺの検出結果に対応させて、複数の変化のパターンの中から１つのパターンの目標軌跡が選択される。また、出力開始時Ｔｓからインピーダンス最小時ＴｍｉｎまでのインピーダンスＺの変化の傾きσは、式（１）を用いて算出される。

図３に示すように、高周波電圧Ｖを調整する処理（ステップＳ１０５）が開始されると、電力検出部３２は、電流検出部２５及び電圧検出部２６での検出結果に基づいて、高周波電力生成部１２から出力される高周波電力Ｐを経時的に検出する（ステップＳ１１１）。そして、積算値算出部３３は、電力検出部３２での検出結果に基づいて、出力された高周波電力Ｐの出力開始時Ｔｓからの積算値Ｗの実測値である実測積算値Ｗｒｅａｌを経時的に算出する（ステップＳ１１２）。そして、制御部１１は、目標軌跡（目標積算値Ｗｒｅｆ）に対して算出された実測積算値Ｗｒｅａｌを経時的に比較し、比較結果に基づいて、高周波電力生成部１２からの高周波電力Ｐの出力状態を経時的に制御している。本実施形態では、制御部１１は、高周波電圧Ｖを制御することにより、高周波電力Ｐの出力状態を制御している。

実測積算値Ｗｒｅａｌの目標軌跡に対する経時的な比較において、制御部１１は、実測積算値Ｗｒｅａｌと目標積算値Ｗｒｅｆとの差の絶対値が所定の閾値εｔｈ以下であるか否かを判断する（ステップＳ１１３）。すなわち、式（２）が成立するか否かが判断される。

これにより、目標軌跡からの実測積算値Ｗｒｅａｌの逸脱の程度が判断される。実測積算値Ｗｒｅａｌと目標積算値Ｗｒｅｆとの差の絶対値が所定の閾値εｔｈ以下である場合（すなわち、式（２）が成立する場合）には（ステップＳ１１３−Ｙｅｓ）、制御部１１は、可変直流電源１６及び波形生成部１７を制御することにより、高周波電力Ｐの出力により印加される高周波電圧Ｖの大きさを維持する（ステップＳ１１４）。これにより、インピーダンスＺが変化しない場合は、高周波電流Ｉの大きさも維持され、高周波電力生成部１２から出力される高周波電力Ｐの大きさ（出力レベル）も維持される。一方、実測積算値Ｗｒｅａｌと目標積算値Ｗｒｅｆとの差の絶対値が所定の閾値εｔｈより大きい場合には（ステップＳ１１３−Ｎｏ）、実測積算値Ｗｒｅａｌが目標積算値Ｗｒｅｆより大きいか否かが判断される（ステップＳ１１５）。すなわち、式（３）が成立するか否かが判断される。

実測積算値Ｗｒｅａｌが目標積算値Ｗｒｅｆより大きい場合は（ステップＳ１１５−Ｙｅｓ）、制御部１１は、可変直流電源１６及び波形生成部１７を制御することにより、高周波電力Ｐの出力によって印加される高周波電圧Ｖを減少させる（ステップＳ１１６）。これにより、インピーダンスＺが変化しない場合は、高周波電流Ｉも減少し、高周波電力生成部１２から出力される高周波電力Ｐも減少する。一方、実測積算値Ｗｒｅａｌが目標積算値Ｗｒｅｆより小さい場合は（ステップＳ１１５−Ｎｏ）、制御部１１は、可変直流電源１６及び波形生成部１７を制御することにより、高周波電力Ｐの出力によって印加される高周波電圧Ｖを増加させる（ステップＳ１１７）。これにより、インピーダンスＺが変化しない場合は、高周波電流Ｉも増加し、高周波電力生成部１２から出力される高周波電力Ｐも増加する。

図２に示すように、目標軌跡設定部３５によって設定される目標停止積算値Ｗｅに高周波電力Ｐの実測積算値Ｗｒｅａｌが到達する前においては（ステップＳ１０６−Ｎｏ）、高周波電圧Ｖを調整する処理（ステップＳ１０５）は、経時的に繰返し行われる。したがって、図５では、時間Ｔ１と時間Ｔ２との間において、実測積算値Ｗｒｅａｌと目標積算値Ｗｒｅｆとの差の絶対値が所定の閾値εｔｈより大きく、かつ、実測積算値Ｗｒｅａｌが目標積算値Ｗｒｅｆより小さくなるため、制御部１１は、高周波電圧Ｖを電圧値Ｖ１から電圧値Ｖ２へ増加させている。これにより、高周波電力Ｐが増加する。また、時間Ｔ２と時間Ｔ３との間においては、実測積算値Ｗｒｅａｌと目標積算値Ｗｒｅｆとの差の絶対値が所定の閾値εｔｈ以下となるため、制御部１１は、高周波電圧Ｖを電圧値Ｖ２で経時的に維持している。これにより、高周波電力Ｐの大きさが経時的に維持される。そして、時間Ｔ３以後においては、実測積算値Ｗｒｅａｌと目標積算値Ｗｒｅｆとの差の絶対値が所定の閾値εｔｈより大きく、かつ、実測積算値Ｗｒｅａｌが目標積算値Ｗｒｅｆより小さくなるため、制御部１１は、高周波電圧Ｖを電圧値Ｖ２から電圧値Ｖ３へ増加させている。これにより、高周波電力Ｐが増加する。

目標軌跡設定部３５によって設定される目標停止積算値Ｗｅに高周波電力Ｐの実測積算値Ｗｒｅａｌが到達すると（ステップＳ１０６−Ｙｅｓ）、制御部１１は、可変直流電源１６及び波形生成部１７を制御することにより、高周波電力生成部１２からの高周波電力Ｐの出力を停止する（ステップＳ１０７）。これにより、処置が終了する。すなわち、式（４）が成立した時点で、高周波電力Ｐの出力が停止される。なお、高周波電力Ｐの出力停止時Ｔｅは、出力開始時Ｔｓから目標停止時間ΔＴｅだけ経過した時点、又は、出力開始時Ｔｓから目標停止時間ΔＴｅだけ経過した時点の近傍の時間であるが、制御による微差等もあるため、必ずしも出力開始時Ｔｓから目標停止時間ΔＴｅだけ経過した時点と一致するわけではない。

本実施形態では、前述のように、高周波電力Ｐの積算値Ｗの目標値である目標積算値Ｗｒｅｆの経時的な変化を示す目標軌跡が設定される。目標軌跡は、処置において理想的な積算値Ｗの経時的な変化を示している。そして、本実施形態では、目標軌跡に対する実測積算値Ｗｒｅａｌの比較に基づいて、実測積算値Ｗｒｅａｌの経時的変化の目標軌跡からの逸脱が小さくなる状態に、高周波電圧Ｖを調整し、高周波電力Ｐの出力状態を制御している。このため、本実施形態では、高周波電力Ｐが出力されている時間（ΔＴｅ）、及び、高周波電力Ｐが出力されているそれぞれの時点での高周波電力Ｐ（高周波電圧Ｖ）の出力レベル等の出力状態が、処置部６で適切な処置が行われる状態に、調整される。すなわち、本実施形態では、出力開始時Ｔｓから適切な出力時間だけ高周波電力Ｐが高周波電力生成部１２から出力され、出力停止時Ｔｅより前においても、高周波電力Ｐの出力レベル等の出力状態が処置において最適になる状態に調整される。したがって、本実施形態では、出力停止時Ｔｅより前においても高周波電力Ｐの積算値Ｗに基づいて高周波電力Ｐの出力状態が適切に制御される高周波制御ユニット３を提供でき、高周波電力Ｐを用いて適切に処置を行うことができる。

また、本実施形態では、インピーダンスＺに基づいて、目標停止積算値Ｗｅ及び目標停止時間ΔＴｅが設定される。このため、処置対象Ｈの濡れ具合等の処置対象Ｈの状態に基づいて適切に目標停止積算値Ｗｅ及び目標停止時間ΔＴｅが設定される。そして、適切に設定した目標停止積算値Ｗｅ及び目標停止時間ΔＴｅに基づいて、目標軌跡が設定される。このため、処置対象Ｈの濡れ具合等の状態に関係なく、高周波電力Ｐの目標積算値Ｗｒｅｆの経時的な変化を示す目標軌跡は、処置において理想的な高周波電力Ｐの積算値Ｗの経時的な変化を示す軌跡となる。したがって、設定された目標軌跡に対する実測積算値Ｗｒｅａｌの比較に基づいて高周波電力Ｐの出力状態を制御することにより、処置対象Ｈの状態に対応させて高周波電力Ｐの出力状態を適切に制御することができる。

また、目標軌跡に対する実測積算値Ｗｒｅａｌの比較結果に基づいて高周波電力Ｐの出力状態が制御されるため、高周波電力Ｐの出力開始時Ｔｓから目標停止時間ΔＴｅ経過した時点で高周波電力Ｐの実測積算値Ｗｒｅａｌが目標停止積算値Ｗｅと略同一になる状態に、高周波電力Ｐの出力状態が調整される。このため、目標軌跡設定部３５によって設定された目標停止時間ΔＴｅだけ出力開始時Ｔｓから経過した時点又は目標停止時間ΔＴｅだけ出力開始時Ｔｓから経過した時点の近傍で、実測積算値Ｗｒｅａｌが目標停止積算値Ｗｅに到達し、高周波電力Ｐの出力が停止される。したがって、出力開始時Ｔｓから出力停止時Ｔｅまで高周波電力Ｐが供給されている時間、及び、出力開始時Ｔｓから出力停止時Ｔｅまでの高周波電力Ｐの積算値Ｗを、処置に適切な状態に、調整することができる。

前述のように高周波電力Ｐの積算値Ｗに基づいて高周波電圧Ｖが調整され、高周波電力Ｐの出力制御が行われることにより、出力開始時（供給開始時）Ｔｓから出力停止時（供給停止時）Ｔｅまで、常時安定して高周波電力Ｐが処置部６に供給される。このため、適切に処置対象Ｈを凝固及び封止することができる。

（第１の実施形態の変形例）
目標軌跡に対する実測積算値Ｗｒｅａｌの比較結果に基づいて、高周波電圧Ｖを調整し、高周波電力Ｐの出力を制御する処理（図３に示す処理）の態様は、第１の実施形態に限るものではない。例えば、図６に示す第１の実施形態の第１の変形例では、実測積算値Ｗｒｅａｌが目標積算値（基準積算値）Ｗｒｅｆより小さくなり、かつ、目標軌跡での目標積算値Ｗｒｅｆの経時的な増加率γである目標増加率（基準増加率）γｒｅｆに対して高周波電力Ｐの実測積算値Ｗｒｅａｌの経時的な増加率である実測増加率γｒｅａｌが小さくなった場合、制御部１１はインピーダンスＺの検出結果に基づいて、高周波電力Ｐの出力を制御する。なお、図６は、処置における高周波電力Ｐの目標積算値Ｗｒｅｆ、高周波電力Ｐの実測積算値Ｗｒｅａｌ及び高周波電圧Ｖ（出力レベル）の経時的な変化の一例を示している。また、図６では、横軸に時間Ｔを示し、縦軸に高周波電力Ｐの積算値Ｗ及び高周波電圧Ｖを示している。そして、図６では、実測積算値Ｗｒｅａｌの経時的な変化を実線で、目標積算値Ｗｒｅｆの経時的な変化を破線で、高周波電圧Ｖの経時的な変化を一点鎖線で示している。

本変形例では、実測積算値Ｗｒｅａｌが目標積算値Ｗｒｅｆより小さく、かつ、目標積算値Ｗｒｅｆの目標増加率γｒｅｆに対して実測積算値Ｗｒｅａｌの実測増加率γｒｅａｌが小さくなった場合に、制御部１１は、インピーダンスＺが所定の閾値Ｚｔｈより大きいか否かを判断する。インピーダンスＺが所定の閾値Ｚｔｈより大きくなると、高周波電圧Ｖを大きくしても、高周波電力Ｐの出力によって流れる高周波電流Ｉが小さくなる。このため、高周波電圧Ｖ（出力レベル）を大きくしても、単位時間あたりに出力される高周波電力Ｐは小さくなり、高周波電力Ｐの実測積算値Ｗｒｅａｌの実測増加率γｒｅａｌも小さくなる。すなわち、インピーダンスＺが大きくなると、大きい高周波電力Ｐを処置対象Ｈに供給不可能となり、実測積算値Ｗｒｅａｌの実測増加率γｒｅａｌを大きくすることが不可能となる。したがって、本変形例では、高周波電圧Ｖを大きくしても供給される高周波電力Ｐを大きくすることが不可能な程度にインピーダンスＺが大きいか否かが、判断される。

そこで、本変形例では、インピーダンスＺが所定の閾値Ｚｔｈより大きくなると、制御部１１は、高周波電圧Ｖ（出力レベル）を一時的に低下させる。そして、高周波電圧Ｖを低下した状態で所定の基準低下時間ΔＴｌだけ保持した後に、インピーダンスＺが所定の閾値Ｚｔｈを超える前（実測増加率γｒｅａｌが目標増加率γｒｅｆに対して小さくなる前）の大きさまで、高周波電圧Ｖの大きさ（出力レベル）を元に戻す。図６では、時間Ｔ４において高周波電圧Ｖを電圧値Ｖ４から電圧値Ｖ５まで低下させている。そして、時間Ｔ４と時間Ｔ５との間では、高周波電圧Ｖは電圧値Ｖ５で維持される。そして、時間Ｔ５において、高周波電圧Ｖを電圧値Ｖ６まで増加させ、元の大きさ（出力レベル）に高周波電圧Ｖが戻る。

高周波電圧Ｖを一時的に低下させることにより、高周波電流Ｉが流れる回路のインピーダンスＺが小さくなる。インピーダンスＺが小さくなることにより、インピーダンスＺが所定の閾値Ｚｔｈ以下になる。これにより、高周波電流Ｉが増加し、高周波電力Ｐも増加する。すなわち、高周波電圧Ｖ（高周波電力Ｐの出力レベル）を一時的に低下させることにより、インピーダンスＺが低下し、高周波電力Ｐの供給が促進される。高周波電力Ｐが大きくなることにより、実測積算値Ｗｒｅａｌの実測増加率γｒｅａｌも大きくなる。したがって、本変形例では、インピーダンスＺの増加によって高周波電力Ｐの出力を大きくすることが不可能になった場合でも、前述のようにして高周波電力Ｐの出力を制御することにより、インピーダンスＺを低下させることができる。これにより、実測積算値Ｗｒｅａｌの実測増加率γｒｅａｌを大きくなり、高周波電力Ｐの実測積算値Ｗｒｅａｌの目標軌跡からの逸脱が小さく抑えられる。このため、本変形例でも、出力開始時Ｔｓから出力停止時Ｔｅまで常時安定して高周波電力Ｐが処置部６に供給され、適切に処置対象Ｈを凝固及び封止することができる。

また、本変形例でも第１の実施形態と同様に、実測積算値Ｗｒｅａｌが目標停止積算値Ｗｅに到達すると（すなわち、式（４）が成立すると）、高周波電力Ｐの出力が停止される。図６の一例では、出力開始時Ｔｓから目標停止時間ΔＴｅ経過した時点（Ｔｓ＋ΔＴｅ）より少し後に、高周波電力Ｐの出力が停止される。

また、図７に示す第１の実施形態の第２の変形例でも、実測積算値Ｗｒｅａｌが目標積算値Ｗｒｅｆより小さく、かつ、目標軌跡での目標積算値Ｗｒｅｆの経時的な増加率γである目標増加率γｒｅｆに対して高周波電力Ｐの実測積算値Ｗｒｅａｌの経時的な増加率である実測増加率γｒｅａｌが小さくなった場合に、制御部１１は、インピーダンスＺが所定の閾値Ｚｔｈより大きいか否かを判断する。なお、図７は、処置における高周波電力Ｐの目標積算値Ｗｒｅｆ、高周波電力Ｐの実測積算値Ｗｒｅａｌ及び高周波電圧Ｖ（出力レベル）の経時的な変化の一例を示している。また、図７では、横軸に時間Ｔを示し、縦軸に高周波電力Ｐの積算値Ｗ及び高周波電圧Ｖを示している。そして、図７では、実測積算値Ｗｒｅａｌの経時的な変化を実線で、目標積算値Ｗｒｅｆの経時的な変化を破線で、高周波電圧Ｖの経時的な変化を一点鎖線で示している。

本変形例では、第１の実施形態の第１の変形例とは異なり、インピーダンスＺが所定の閾値Ｚｔｈより大きくなると、制御部１１は、インピーダンスＺが所定の閾値Ｚｔｈを超える前（実測増加率γｒｅａｌが目標増加率γｒｅｆに対して小さくなる前）と比較して高周波電圧Ｖ（出力レベル）を上下に発振させる状態で高周波電力Ｐが出力される。制御部１１によって高周波電圧Ｖを発振させる状態では、高周波電圧Ｖの電圧値が上下振動する。図７では、時間Ｔ６において高周波電圧Ｖ（出力レベル）が上下に発振される状態に、切替えられる。そして、時間Ｔ６から高周波電力Ｐの出力停止時Ｔｅまで、高周波電圧Ｖを発振させる状態が維持される。

高周波電圧Ｖを上下に発振させることにより、高周波電流Ｉが流れる回路のインピーダンスＺが小さくなる。インピーダンスＺが小さくなることにより、インピーダンスＺが所定の閾値Ｚｔｈ以下になる。これにより、高周波電流Ｉが増加し、高周波電力Ｐも増加する。すなわち、高周波電圧Ｖ（高周波電力Ｐの出力レベル）を上下に発振させることにより、インピーダンスＺが低下し、高周波電力Ｐの供給が促進される。高周波電力Ｐが大きくなることにより、本変形例でも、実測積算値Ｗｒｅａｌの実測増加率γｒｅａｌも大きくなる。したがって、本変形例でもインピーダンスＺの増加によって高周波電力Ｐの出力を大きくすることが不可能になった場合でも、前述のようにして高周波電力Ｐの出力を制御することにより、インピーダンスＺを低下させることができる。これにより、実測積算値Ｗｒｅａｌの実測増加率γｒｅａｌを大きくなり、高周波電力Ｐの実測積算値Ｗｒｅａｌの目標軌跡からの逸脱が小さく抑えられる。このため、本変形例でも、出力開始時Ｔｓから出力停止時Ｔｅまで常時安定して高周波電力Ｐが処置部６に供給され、適切に処置対象Ｈを凝固及び封止することができる。

また、本変形例でも第１の実施形態と同様に、実測積算値Ｗｒｅａｌが目標停止積算値Ｗｅに到達すると（すなわち、前述の式（４）が成立すると）、高周波電力Ｐの出力が停止される。図７の一例では、出力開始時Ｔｓから目標停止時間ΔＴｅ経過した時点（Ｔｓ＋ΔＴｅ）より少し後に、高周波電力Ｐの出力が停止される。

また、第１の実施形態のある変形例では、図３のステップＳ１１３において、実測積算値Ｗｒｅａｌと目標積算値Ｗｒｅｆとの差の絶対値に基づく判断は行われず、代わりに、実測積算値Ｗｒｅａｌが目標積算値Ｗｒｅｆと一致するか否かを、制御部１１が判断する。この場合、実測積算値Ｗｒｅａｌが目標積算値Ｗｒｅｆと一致する場合は、高周波電圧Ｖ（高周波電力Ｐの出力レベル）が維持される。一方、実測積算値Ｗｒｅａｌが目標積算値Ｗｒｅｆと一致しない場合は、スッテプＳ１１５の判断が行われる。

前述の第１の実施形態及びその変形例では、目標軌跡設定部（３５）は、高周波電力（Ｐ）の出力を停止する時点での目標積算値（Ｗｒｅｆ）である目標停止積算値（Ｗｅ）、及び、出力開始時（Ｔｓ）から目標積算値（Ｗｒｅｆ）が目標停止積算値（Ｗｅ）になるまでの目標停止時間（ΔＴｅ）を設定し、目標停止積算値（Ｗｅ）及び目標停止時間（ΔＴｅ）に基づいて、目標軌跡を設定する。そして、制御部（１１）は、出力開始時（Ｔｓ）から出力停止時（Ｔｅ）まで、目標軌跡設定部（３５）によって設定された目標軌跡に対して積算値算出部（３３）で算出される実測積算値（Ｗｒｅａｌ）を経時的に比較し、比較結果に基づいて、高周波電力生成部（１２）からの高周波電力（Ｐ）の出力状態を経時的に制御する。

（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について、図８及び図９を参照して説明する。なお、第２の実施形態は、第１の実施形態の構成を次の通り変形したものである。なお、第１の実施形態と同一の部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。

本実施形態でも第１の実施形態と同様に、高周波制御ユニット３は、制御部１１、高周波電力生成部１２、出力測定部１３等を備える。ただし、本実施形態では、高周波電力生成部１２は、第１の出力モード及び第１の出力モードとは制御部１１による制御方法が異なる第２の出力モードで高周波電力Ｐを出力可能である。第１のモード及び第２のモードでは、制御部１１による制御方法が異なるため、高周波電力Ｐの出力状態が異なり、単位時間あたりに出力される高周波電力Ｐが異なる。単位時間あたりに出力される高周波電力Ｐが異なるため、第１の出力モード及び第２の出力モードでは、高周波電力Ｐの実測積算値Ｗｒｅａｌの経時的な増加率である実測増加率γｒｅａｌが互いに対して異なる。本実施形態では、第２の出力モードに比べ第１の出力モードで、実測積算値Ｗｒｅａｌの実測増加率γｒｅａｌが小さくなる状態に、高周波電力Ｐの出力が制御される。

図８は、処置における高周波制御ユニット３での処理を示すフローチャートである。図９は、処置における高周波電力Ｐの目標積算値（基準積算値）Ｗｒｅｆ、高周波電力Ｐの実測積算値Ｗｒｅａｌ及び高周波電圧Ｖ（出力レベル）の経時的な変化の一例を示す図である。図９では、横軸に時間Ｔを示し、縦軸に高周波電力Ｐの積算値Ｗ及び高周波電圧Ｖを示している。また、図９では、実測積算値Ｗｒｅａｌの経時的な変化を実線で、目標積算値Ｗｒｅｆの経時的な変化を破線で、高周波電圧Ｖの経時的な変化を一点鎖線で示している。

図８に示すように、本実施形態では、操作入力検出部２１がエネルギー操作入力部８でのエネルギー操作の入力を検出すると（ステップＳ１２１−Ｙｅｓ）、制御部１１による制御によって、高周波電力生成部１２（出力回路）１８は、第２の出力モードで高周波電力Ｐの出力を開始する（ステップＳ１２２）。高周波電力Ｐは、主に処置対象Ｈへの付着物を除去している間（すなわち、出力開始時Ｔｓから処置部６が処置対象Ｈの外表面に接触するまでの間）は、第２の出力モードで出力される。

高周波電力Ｐの出力が開始されると、第１の実施形態と同様に、インピーダンス検出部３１は、電流検出部２５及び電圧検出部２６での検出結果に基づいて、高周波電流Ｉが流れる回路のインピーダンスＺの経時的な検出を開始する（ステップＳ１２３）。そして、目標軌跡設定部３５は、インピーダンス検出部３１での検出結果に基づいて、高周波電力Ｐの出力開始時Ｔｓからの積算値Ｗの目標値である目標積算値Ｗｒｅｆを経時的に示す目標軌跡を設定する（ステップＳ１２４）。

ただし、本実施形態では、目標軌跡設定部（基準軌跡設定部）３５は、高周波電力Ｐの目標積算値Ｗｒｅｆとして第１の目標積算値（目標停止積算値）Ｗｅ及び第１の目標積算値Ｗｅより小さい第２の目標積算値（目標切替え積算値）Ｗｃを設定する。また、目標軌跡設定部３５は、出力開始時Ｔｓから第１の目標積算値Ｗｅに到達するまでの第１の目標時間（目標停止時間）ΔＴｅ、及び、出力開始時Ｔｓから第２の目標積算値Ｗｃに到達するまでの第２の目標時間（目標切替え時間）ΔＴｃを設定する。そして、目標軌跡設定部３５は、設定された第１の目標積算値（第１の基準積算値）Ｗｅ、第２の目標積算値（第２の基準積算値）Ｗｃ、第１の目標時間（第１の基準時間）ΔＴｅ及び第２の目標時間（第２の基準時間）ΔＴｃに基づいて、高周波電力Ｐの目標積算値Ｗｒｅｆを経時的に示す目標軌跡を設定する。第１の目標積算値Ｗｅ、第２の目標積算値Ｗｃ、第１の目標時間ΔＴｅ及び第２の目標時間ΔＴｃは、インピーダンス検出部３１での検出結果に基づいて設定される。例えば、目標軌跡設定部３５は、高周波電力Ｐの出力開始時ＴｓでのインピーダンスＺの値Ｚｓ、出力開始時ＴｓからインピーダンスＺが最小値ＺｍｉｎになるまでのインピーダンスＺの変化の傾き（減少率）σ、及び、出力開始時ＴｓからインピーダンスＺが最小値Ｚｍｉｎになるまでの時間ΔＴｍｉｎの少なくとも１つに基づいて、第１の目標積算値Ｗｅ、第２の目標積算値Ｗｃ、第１の目標時間ΔＴｅ及び第２の目標時間ΔＴｃを設定する。

目標軌跡設定部３５は、第２の目標積算値Ｗｃから第１の目標積算値Ｗｅまで目標積算値Ｗｒｅｆが第１の目標増加率（第１の基準増加率）γｒｅｆ１で経時的に増加する状態に目標軌跡を設定する。そして、目標軌跡設定部３５は、高周波電力Ｐの出力開始時Ｔｓから第２の目標積算値Ｗｃまで目標積算値Ｗｒｅｆが第１の目標増加率γｒｅｆ１とは異なる第２の目標増加率（第２の基準増加率）γｒｅｆ２で経時的に増加する状態に目標軌跡を設定する。本実施形態では、第１の目標増加率γｒｅｆ１は、第２の目標増加率γｒｅｆ２に比べて小さくなる。このため、図９に示す目標積算値Ｗｒｅｆの目標軌跡では、出力開始時Ｔｓから第２の目標積算値Ｗｃまでの間に比べて、第２の目標積算値Ｗｃから第１の目標積算値Ｗｅまでの間で、軌跡の傾きが小さくなる。

目標軌跡が設定されると、制御部１１は、目標軌跡に基づいて高周波電圧Ｖを調整する処理を行う（ステップＳ１２５）。高周波電圧Ｖを調整する処理は、第１の実施形態と同様にして（すなわち、図３のフローチャートで示すように）、行われる。この際、高周波電力Ｐは、実測積算値Ｗｒｅａｌの実測増加率γｒｅａｌが高い第２の出力モードで出力されている。第２の出力モードでは、高周波電力Ｐの実測積算値Ｗｒｅａｌの実測増加率γｒｅａｌ（単位時間あたりに出力される高周波電力Ｐ）が大きくなるため、付着物の除去が迅速に行われる。前述のように、高周波電力Ｐの実測積算値Ｗｒｅａｌが出力開始時Ｔｓから第２の目標積算値（第２の基準積算値）Ｗｃへ目標軌跡との比較結果に基づいて経時的に増加している状態では、制御部１１は、第２の出力モードで高周波電力生成部１２から高周波電力Ｐを出力させている。なお、第１の実施形態の変形例で前述したように、高周波電圧Ｖが調整されてもよい。

図８に示すように、目標軌跡設定部３５によって設定される第２の目標積算値（目標切替え積算値）Ｗｃに高周波電力Ｐの実測積算値Ｗｒｅａｌが到達する前においては（ステップＳ１２６−Ｎｏ）、第２の出力モードで高周波電力Ｐが出力されるとともに、高周波電圧Ｖを調整する処理（ステップＳ１２５）は、経時的に繰返し行われる。したがって、図９では、時間Ｔ７と時間Ｔ８との間において、実測積算値Ｗｒｅａｌと目標積算値Ｗｒｅｆとの差の絶対値が所定の閾値εｔｈより大きく、かつ、実測積算値Ｗｒｅａｌが目標積算値Ｗｒｅｆより小さくなるため、制御部１１は、高周波電圧Ｖを電圧値Ｖ７から電圧値Ｖ８へ増加させている。これにより、高周波電力Ｐが増加する。また、時間Ｔ８と時間（モード切替え時）Ｔｃとの間においては、実測積算値Ｗｒｅａｌと目標積算値Ｗｒｅｆとの差の絶対値が所定の閾値εｔｈ以下となるため、制御部１１は、高周波電圧Ｖを電圧値Ｖ８で経時的に維持している。これにより、高周波電力Ｐの大きさが経時的に維持される。

目標軌跡設定部３５によって設定される第２の目標積算値Ｗｃに高周波電力Ｐの実測積算値Ｗｒｅａｌが到達すると（ステップＳ１２６−Ｙｅｓ）、制御部１１は、可変直流電源１６及び波形生成部１７を制御することにより、高周波電力生成部１２からの高周波電力Ｐの出力を第２の出力モードから第１の出力モードに切替える（ステップＳ１２７）。すなわち、式（５）が成立した時点で、高周波電力Ｐの出力が第１の出力モードに切替わる。なお、高周波電力Ｐのモード切替え時Ｔｃは、出力開始時Ｔｓから第２の目標時間（目標切替え時間）ΔＴｃだけ経過した時点、又は、出力開始時Ｔｓから第２の目標時間ΔＴｃだけ経過した時点の近傍の時間であるが、制御による微差等もあるため、必ずしも出力開始時Ｔｓから第２の目標時間ΔＴｃだけ経過した時点と一致するわけではない。

処置部６が処置対象Ｈの外表面に接触した後においては、第１の出力モードで高周波電力Ｐが出力される。第１の出力モードでは、高周波電力Ｐの実測積算値Ｗｒｅａｌの実測増加率γｒｅａｌ（単位時間あたりに出力される高周波電力Ｐ）が第２の出力モードに比べ小さくなり、処置対象Ｈに適切に高周波電力Ｐ（高周波電流Ｉ）が供給される。図９に示す一例では、モード切替え時Ｔｃに第２の出力モードから第１の出力モードに切替えられ、制御部１１は、高周波電圧Ｖ（出力レベル）を電圧値Ｖ８から電圧値Ｖ９に減少させている。これにより、第１の出力モードでは、第２の出力モードに比べて、単位時間あたりに出力される高周波電力Ｐが小さくなり、高周波電力Ｐの実測積算値Ｗｒｅａｌの実測増加率γｒｅａｌが小さくなる。

前述のように、本実施形態では、出力開始時Ｔｓの以後において、第２の出力モードで高周波電力Ｐを出力した後に、第１の出力モードで高周波電力Ｐを出力する。そして、第１の出力モード及び第２の出力モードでも、目標軌跡に対する実測積算値Ｗｒｅａｌの比較結果に基づいて高周波電力Ｐの出力状態が制御される。ただし、制御部１１は、第２の出力モードでは、目標軌跡の第２の目標増加率γｒｅｆ２で目標積算値Ｗｒｅｆが増加している部分と実測積算値Ｗｒｅａｌを比較しているのに対し、第１の出力モードでは、目標軌跡の第１の目標増加率γｒｅｆ１で目標積算値Ｗｒｅｆが増加している部分と実測積算値Ｗｒｅａｌを比較している。このため、第１の出力モード及び第２の出力モードでは、制御部１１による制御方法が異なり、高周波電力Ｐの出力状態が互いに対して異なる。

第１の出力モードに高周波電力Ｐの出力状態が切替えられた後も、制御部１１は、目標軌跡に基づいて高周波電圧Ｖを調整する処理を行う（ステップＳ１２８）。この際も、第１の実施形態と同様にして（すなわち、図３のフローチャートで示すように）、処理が行われる。したがって、本実施形態では、高周波電力Ｐの実測積算値Ｗｒｅａｌが第２の目標積算値Ｗｃから第１の目標積算値Ｗｅへ目標軌跡との比較結果に基づいて経時的に増加している状態において、制御部１１は、第１の出力モードで高周波電力生成部１２から高周波電力Ｐを出力させている。なお、第１の実施形態の変形例で前述したように、高周波電圧Ｖが調整されてもよい。

図８に示すように、目標軌跡設定部３５によって設定される第１の目標積算値（目標停止積算値）Ｗｅに高周波電力Ｐの実測積算値Ｗｒｅａｌが到達する前においては（ステップＳ１２９−Ｎｏ）、第１の出力モードで高周波電力Ｐが出力されるとともに、高周波電圧Ｖを調整する処理（ステップＳ１２８）は、経時的に繰返し行われる。したがって、図９では、時間Ｔ９と時間Ｔ１０との間において、実測積算値Ｗｒｅａｌと目標積算値Ｗｒｅｆとの差の絶対値が所定の閾値εｔｈより大きく、かつ、実測積算値Ｗｒｅａｌが目標積算値Ｗｒｅｆより大きくなるため、制御部１１は、高周波電圧Ｖを電圧値Ｖ９から電圧値Ｖ１０へ減少させている。これにより、高周波電力Ｐが減少する。また、時間Ｔ１０と時間（出力停止時）Ｔｅとの間においては、実測積算値Ｗｒｅａｌと目標積算値Ｗｒｅｆとの差の絶対値が所定の閾値εｔｈ以下となるため、制御部１１は、高周波電圧Ｖを電圧値Ｖ１０で経時的に維持している。これにより、高周波電力Ｐの大きさが経時的に維持される。

目標軌跡設定部３５によって設定される第１の目標積算値Ｗｅに高周波電力Ｐの実測積算値Ｗｒｅａｌが到達すると（ステップＳ１２９−Ｙｅｓ）、制御部１１は、可変直流電源１６及び波形生成部１７を制御することにより、高周波電力生成部１２からの高周波電力Ｐの出力を停止する（ステップＳ１３０）。すなわち、前述した式（４）が成立した時点で、高周波電力Ｐの出力が停止される。なお、高周波電力Ｐの出力停止時Ｔｅは、出力開始時Ｔｓから第１の目標時間（目標停止時間）ΔＴｅだけ経過した時点、又は、出力開始時Ｔｓから第１の目標時間ΔＴｅだけ経過した時点の近傍の時間であるが、制御による微差等もあるため、必ずしも出力開始時Ｔｓから第１の目標時間ΔＴｅだけ経過した時点と一致するわけではない。

本実施形態でも第１の実施形態と同様に、高周波電力Ｐの積算値Ｗの目標値である目標積算値Ｗｒｅｆの経時的な変化を示す目標軌跡が設定される。そして、本実施形態では、目標軌跡に対する実測積算値Ｗｒｅａｌの比較に基づいて、実測積算値Ｗｒｅａｌの経時的変化の目標軌跡からの逸脱が小さくなる状態に、高周波電圧Ｖを調整し、高周波電力Ｐの出力状態を制御している。このため、本実施形態では、高周波電力Ｐが出力されている時間（ΔＴｅ）、及び、高周波電力Ｐが出力されているそれぞれの時点での高周波電力Ｐ（高周波電圧Ｖ）の出力レベル等の出力状態が、処置部６で適切な処置が行われる状態に、調整される。したがって、本実施形態でも、出力停止時Ｔｅより前においても高周波電力Ｐの積算値Ｗに基づいて高周波電力Ｐの出力状態が適切に制御される高周波制御ユニット３を提供でき、高周波電力Ｐを用いて適切に処置を行うことができる。

また、本実施形態では、目標軌跡設定部３５は、高周波電力Ｐの目標積算値として第１の目標積算値Ｗｅ及び第１の目標積算値Ｗｅより小さい第２の目標積算値Ｗｃを設定している。そして、第２の目標積算値Ｗｃから第１の目標積算値Ｗｅまで目標積算値Ｗｒｅｆが第１の目標増加率γｒｅｆ１で経時的に増加し、かつ、出力開始時Ｔｓから第２の目標積算値Ｗｃまで第１の目標増加率γｒｅｆ１とは異なる第２の目標増加率γｒｅｆ２で目標積算値Ｗｒｅｆが経時的に増加する状態に、目標軌跡が設定される。例えば、処置対象Ｈへ付着物が付着している場合は、出力開始時Ｔｓから出力停止時Ｔｅまでの間に高周波電力Ｐの出力モードを切替えることが必要となる。本実施形態では、前述のように目標軌跡が設定されるため、出力開始時Ｔｓから出力停止時Ｔｅまでの間に高周波電力Ｐの出力モードの切替えが必要な場合でも、目標軌跡によって、処置おいて理想的な積算値Ｗの経時的な変化を示すことが可能となる。したがって、前述のようにして設定された目標軌跡に対する高周波電力Ｐの実測積算値Ｗｒｅａｌの比較結果に基づいて高周波電力Ｐの出力状態を制御することにより、出力開始時Ｔｓから出力停止時Ｔｅまでの間に高周波電力Ｐの出力モードの切替えが必要な場合でも、高周波電力Ｐの出力レベル等の出力状態が処置において最適になる状態に調整され、高周波電力Ｐを用いて適切に処置を行うことができる。

また、本実施形態では、インピーダンスＺに基づいて、第１の目標積算値（目標停止積算値）Ｗｅ、第２の目標積算値（目標切替え積算値）Ｗｃ、第１の目標時間（目標停止時間）ΔＴｅ及び第２の目標時間（目標切替え時間）ΔＴｃが設定される。このため、処置対象Ｈの濡れ具合等の処置対象Ｈの状態に基づいて適切に第１の目標積算値Ｗｅ、第２の目標積算値Ｗｃ、第１の目標時間ΔＴｅ及び第２の目標時間ΔＴｃが設定される。そして、適切に設定した第１の目標積算値Ｗｅ、第２の目標積算値Ｗｃ、第１の目標時間ΔＴｅ及び第２の目標時間ΔＴｃに基づいて、目標軌跡が設定される。このため、処置対象Ｈの濡れ具合等の状態に関係なく、高周波電力Ｐの目標積算値Ｗｒｅｆの経時的な変化を示す目標軌跡は、処置において理想的な高周波電力Ｐの積算値Ｗの経時的な変化を示す軌跡となる。したがって、設定された目標軌跡に対する実測積算値Ｗｒｅａｌの比較に基づいて高周波電力Ｐの出力状態を制御することにより、処置対象Ｈの状態に対応させて高周波電力Ｐの出力状態を適切に制御することができる。

また、目標軌跡に対する実測積算値Ｗｒｅａｌの比較結果に基づいて高周波電力Ｐの出力状態が制御されるため、高周波電力Ｐの出力開始時Ｔｓから第２の目標時間（目標切替え時間）ΔＴｃ経過した時点で高周波電力Ｐの実測積算値Ｗｒｅａｌが第２の目標積算値（目標切替え積算値）Ｗｃと略同一になる状態に、高周波電力Ｐの出力状態が調整される。このため、目標軌跡設定部３５によって設定された第２の目標時間ΔＴｃだけ出力開始時Ｔｓから経過した時点又は第２の目標時間ΔＴｃだけ出力開始時Ｔｓから経過した時点の近傍で、実測積算値Ｗｒｅａｌが第２の目標積算値Ｗｃに到達し、高周波電力Ｐの出力が第２の出力モードから第１の出力モードに切替えられる。したがって、出力開始時Ｔｓからモード切替え時Ｔｃまで第２の出力モードで高周波電力Ｐが供給されている時間、及び、出力開始時Ｔｓからモード切替え時Ｔｃまでの第２の出力モードでの高周波電力Ｐの積算値（積算量）Ｗを、処置に適切な状態に、調整することができる。

同様に、目標軌跡に対する実測積算値Ｗｒｅａｌの比較結果に基づいて高周波電力Ｐの出力状態が制御されるため、高周波電力Ｐの出力開始時Ｔｓから第１の目標時間（目標停止時間）ΔＴｅ経過した時点で高周波電力Ｐの実測積算値Ｗｒｅａｌが第１の目標積算値（目標停止積算値）Ｗｅと略同一になる状態に、高周波電力Ｐの出力状態が調整される。このため、目標軌跡設定部３５によって設定された第１の目標時間ΔＴｅだけ出力開始時Ｔｓから経過した時点又は第１の目標時間ΔＴｅだけ出力開始時Ｔｓから経過した時点の近傍で、実測積算値Ｗｒｅａｌが第１の目標積算値Ｗｅに到達し、高周波電力Ｐの出力が停止される。したがって、出力開始時Ｔｓから出力停止時Ｔｅまで高周波電力Ｐが供給されている時間、及び、出力開始時Ｔｓから出力停止時Ｔｅまでの高周波電力Ｐの積算値Ｗを、処置に適切な状態に、調整することができる。

前述のように、本実施形態でも第１の実施形態と同様に、高周波電力Ｐの積算値Ｗに基づいて高周波電圧Ｖが調整され、高周波電力Ｐの出力制御が行われることにより、出力開始時Ｔｓから出力停止時Ｔｅまで、常時安定して高周波電力Ｐが処置部６に供給される。このため、適切に処置対象Ｈを凝固及び封止することができる。

（第２の実施形態の変形例）
なお、第２の実施形態では、実測積算値Ｗｒｅａｌが第２の目標積算値Ｗｃに到達したことに基づいて第１の出力モードに高周波電力Ｐの出力が切替えられるが、これに限るものではない。例えば、図１０に示す第２の実施形態の第１の変形例では、インピーダンス検出部３１でのインピーダンスＺの検出結果に基づいて、制御部１１は、高周波電力生成部１２からの高周波電力Ｐの出力状態を第２の出力モードから第１の出力モードに切替える。

図１０は、処置における高周波制御ユニット３での処理を示すフローチャートである。図１０に示すように、本変形例でも、エネルギー操作の入力が検出されると（ステップＳ１３１−Ｙｅｓ）、制御部１１での制御によって、高周波電力生成部１２は第２の出力モードで高周波電力Ｐの出力を開始し（ステップＳ１３２）、インピーダンス検出部３１は、インピーダンスＺの検出を開始する（ステップＳ１３３）。

本変形例では、出力開始時Ｔｓより後において、インピーダンスＺが最小値Ｚｍｉｎになるインピーダンス最小時Ｔｍｉｎ（図４を参照）を制御部１１が検出すると（ステップＳ１３４−Ｙｅｓ）、制御部１１は、高周波電力生成部１２からの高周波電力Ｐの出力を第２の出力モードから第１の出力モードに切替える（ステップＳ１３５）。すなわち、インピーダンスＺが最小値Ｚｍｉｎになったことに基づいて、高周波電力Ｐの出力状態が第１の出力モードに切替えられる。第１の実施形態で前述したように、処置部６が処置対象Ｈの外表面へ接触した時点、又は、接触した時点の近傍で、インピーダンスＺは、最小値（極小値）Ｚｍｉｎとなる。このため、処置対象Ｈへの付着物の除去が完了し、処置部６が処置対象Ｈの外表面へ接触し始めた適切なタイミングで、高周波電力Ｐの出力状態が第１の出力モードに切替えられる。

第１の出力モードに切替えられると、目標軌跡設定部３５は、インピーダンス検出部３１での検出結果に基づいて、高周波電力Ｐの出力開始時Ｔｓからの積算値Ｗの目標値である目標積算値Ｗｒｅｆを経時的に示す目標軌跡を設定する（ステップＳ１３６）。ある実施例では第２の実施形態と同様に、目標軌跡設定部３５は、第１の目標積算値（目標停止積算値）Ｗｅ、第２の目標積算値（目標切替え積算値）Ｗｃ、出力開始時Ｔｓから第１の目標積算値Ｗｅに到達するまでの第１の目標時間（目標停止時間）ΔＴｅ、及び、出力開始時Ｔｓから第２の目標積算値Ｗｃに到達するまでの第２の目標時間（目標切替え時間）ΔＴｃを設定する。そして、目標軌跡設定部３５は、設定された第１の目標積算値Ｗｅ、第２の目標積算値Ｗｃ、第１の目標時間ΔＴｅ及び第２の目標時間ΔＴｃに基づいて、高周波電力Ｐの目標積算値Ｗｒｅｆを経時的に示す目標軌跡を設定する。この際、出力開始時Ｔｓから目標積算値Ｗｒｅｆが第１の目標積算値Ｗｅに到達するまで目標軌跡を設定する必要はなく、少なくとも第２の目標積算値Ｗｃと第１の目標積算値Ｗｅとの間において目標軌跡が設定されていればよい。

また、別のある実施例では、目標軌跡設定部３５は、高周波電力Ｐの出力を停止する第１の目標積算値である目標停止積算値Ｗｅ、及び、出力開始時Ｔｓから目標停止積算値Ｗｅに到達するまでの第１の目標時間である目標停止時間ΔＴｅを設定する。また、積算値算出部３３から、第１の出力モードに切替えられた時点Ｔｃ（インピーダンスＺが最小値Ｚｍｉｎになった時点）での高周波電力Ｐの実測積算値Ｗｒｅａｌを、切替え時積算値（第２の目標積算値）Ｗｃとして取得する。そして、切替え時積算値Ｗｃから目標停止積算値Ｗｅまで経時的に増加する目標軌跡を設定する。

目標軌跡が設定されると、第２の実施形態と同様に、制御部１１は、目標軌跡に基づいて高周波電圧Ｖを調整する処理を行う（ステップＳ１３７）。この際、第１の実施形態及び第２の実施形態と同様にして（すなわち、図３のフローチャートで示すように）、処理が行われる。この際、高周波電力Ｐは第１の出力モードで出力されている。したがって、本変形例では、高周波電力Ｐの実測積算値Ｗｒｅａｌが第２の目標積算値（切替え時積算値）Ｗｃから第１の目標積算値（目標停止積算値）Ｗｅへ目標軌跡との比較結果に基づいて経時的に増加している状態において、制御部１１は、第１の出力モードで高周波電力生成部１２から高周波電力Ｐを出力させている。すなわち、第１の出力モードにおいて、制御部１１は、目標軌跡に対する実測積算値Ｗｒｅａｌの比較結果に基づいて、高周波電力Ｐの出力状態を制御する。なお、第１の実施形態の変形例で前述したように、高周波電圧Ｖが調整されてもよい。

目標軌跡設定部３５によって設定される第１の目標積算値Ｗｅに高周波電力Ｐの実測積算値Ｗｒｅａｌが到達すると（ステップＳ１３８−Ｙｅｓ）、第２の実施形態と同様に、制御部１１は、可変直流電源１６及び波形生成部１７を制御することにより、高周波電力生成部１２からの高周波電力Ｐの出力を停止する（ステップＳ１３９）。

前述の第２の実施形態及びその変形例では、高周波電力生成部（１２）は、第１の出力モード及び第１の出力モードとは制御部（１１）による制御方法が異なる第２の出力モードで、高周波電力（Ｐ）を出力可能であり、高周波電力生成部（１２）は、出力開始時（Ｔｓ）の以後において、第２の出力モードで高周波電力（Ｐ）を出力した後に、第１の出力モードで高周波電力（Ｐ）を出力する。そして、制御部（１１）は、少なくとも第１の出力モードにおいて、目標軌跡に対する実測積算値（Ｗｒｅａｌ）の比較結果に基づいて、高周波電力（Ｐ）の出力状態を制御する。

（その他の変形例）
なお、前述の実施形態では、高周波電力Ｐのみが処置部６に供給されるが、高周波電力Ｐに加えて超音波振動子、熱等の他の処置エネルギーが処置部６に供給されてもよい。

第１の実施形態及び第２の実施形態を含む前述の実施形態等では、高周波制御ユニット（３）は、処置部（６）に供給される高周波電力（Ｐ）を生成する高周波電力生成部（１２）と、高周波電力生成部（１２）から出力される高周波電力（Ｐ）を経時的に検出する電力検出部（３２）と、電力検出部（３２）での検出結果に基づいて、出力された高周波電力（Ｐ）の出力開始時（Ｔｓ）からの積算値の実測値である実測積算値（Ｗｒｅａｌ）を経時的に算出する積算値算出部（３３）と、を備える。そして、高周波制御ユニット（３）は、出力された高周波電力（Ｐ）の出力開始時（Ｔｓ）からの積算値の目標値である目標積算値（Ｗｒｅｆ）を経時的に示す目標軌跡を設定する目標軌跡設定部（３５）と、目標軌跡設定部（３５）によって設定された目標軌跡に対して積算値算出部（３３）で算出される実測積算値（Ｗｒｅａｌ）を経時的に比較し、比較結果に基づいて、高周波電力生成部（１２）からの高周波電力（Ｐ）の出力状態を経時的に制御する制御部（１１）と、を備える。

以上、本発明の実施形態等について説明したが、本発明は前述の実施形態等に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形ができることは勿論である。

Claims (15)

1. 高周波処置システムに用いられる高周波制御ユニットであって、
   処置部に供給される高周波電力を生成する高周波電力生成部と、
   前記高周波電力生成部から出力される前記高周波電力を経時的に検出する電力検出部と、
   前記電力検出部での検出結果に基づいて、出力された前記高周波電力の出力開始時からの積算値の実測値である実測積算値を経時的に算出する積算値算出部と、
   出力された前記高周波電力の前記出力開始時からの前記積算値の目標値である目標積算値を経時的に示す目標軌跡を設定する目標軌跡設定部と、
   前記目標軌跡設定部によって設定された前記目標軌跡に対して前記積算値算出部で算出される前記実測積算値を経時的に比較し、比較結果に基づいて、前記高周波電力生成部からの前記高周波電力の出力状態を経時的に制御する制御部と、
   を具備する高周波制御ユニット。
2. 前記高周波電力生成部は、第１の出力モード及び前記第１の出力モードとは前記制御部による制御方法が異なる第２の出力モードで前記高周波電力を出力可能であるとともに、前記出力開始時の以後において、前記第２の出力モードで前記高周波電力を出力した後に、前記第１の出力モードで前記高周波電力を出力し、
   前記制御部は、少なくとも前記第１の出力モードにおいて、前記目標軌跡に対する前記実測積算値の比較結果に基づいて、前記高周波電力の前記出力状態を制御する、
   請求項１の高周波制御ユニット。
3. 前記目標軌跡設定部は、前記高周波電力の前記目標積算値として第１の目標積算値及び前記第１の目標積算値より小さい第２の目標積算値を設定し、前記第２の目標積算値から前記第１の目標積算値まで前記目標積算値が第１の目標増加率で経時的に増加する状態に前記目標軌跡を設定し、
   前記制御部は、前記高周波電力の前記実測積算値が前記第２の目標積算値から前記第１の目標積算値へ前記目標軌跡との前記比較結果に基づいて経時的に増加している状態において、前記第１の出力モードで前記高周波電力生成部から前記高周波電力を出力させ、前記高周波電力の前記実測積算値が前記第１の目標積算値に到達することにより、前記高周波電力生成部からの前記高周波電力の出力を停止する、
   請求項２の高周波制御ユニット。
4. 前記目標軌跡設定部は、前記高周波電力の前記出力開始時から前記第２の目標積算値まで前記目標積算値が前記第１の目標増加率とは異なる第２の目標増加率で経時的に増加する状態に前記目標軌跡を設定し、
   前記制御部は、前記第１の出力モードに加えて前記第２の出力モードにおいて、前記目標軌跡に対する前記実測積算値の前記比較結果に基づいて、前記高周波電力の前記出力状態を制御するとともに、前記高周波電力の前記実測積算値が前記出力開始時から前記第２の目標積算値へ前記目標軌跡との前記比較結果に基づいて経時的に増加している状態において、前記第２の出力モードで前記高周波電力生成部から前記高周波電力を出力させ、前記高周波電力の前記実測積算値が前記第２の目標積算値に到達することにより、前記高周波電力生成部からの前記高周波電力の前記出力状態を前記第２の出力モードから前記第１の出力モードに切替える、
   請求項３の高周波制御ユニット。
5. 前記高周波電力の出力によって高周波電流が流れる回路のインピーダンスを経時的に検出するインピーダンス検出部をさらに具備し、
   前記目標軌跡設定部は、前記インピーダンス検出部での検出結果に基づいて前記第１の目標積算値、前記第２の目標積算値、前記出力開始時から前記第１の目標積算値に到達するまでの第１の目標時間、及び、前記出力開始時から前記第２の目標積算値に到達するまでの第２の目標時間を設定する、
   請求項４の高周波制御ユニット。
6. 前記目標軌跡設定部は、前記高周波電力の前記出力開始時での前記インピーダンスの値、前記出力開始時から前記インピーダンスが最小値になるまでの前記インピーダンスの変化の傾き、及び、前記出力開始時から前記インピーダンスが前記最小値になるまでの時間の少なくとも１つに基づいて、前記第１の目標積算値、前記第２の目標積算値、前記第１の目標時間、及び、前記第２の目標時間を設定する、請求項５の高周波制御ユニット。
7. 前記高周波電力の出力によって高周波電流が流れる回路のインピーダンスを経時的に検出するインピーダンス検出部をさらに具備し、
   前記制御部は、前記出力開始時において前記第２の出力モードで前記高周波電力生成部から前記高周波電力を出力させ、前記出力開始時より後において、前記インピーダンス検出部での検出結果に基づいて、前記高周波電力生成部からの前記高周波電力の前記出力状態を前記第２の出力モードから前記第１の出力モードに切替える、
   請求項２の高周波制御ユニット。
8. 前記制御部は、前記出力開始時より後において前記インピーダンスが最小値になったことに基づいて、前記高周波電力生成部からの前記高周波電力の前記出力状態を前記第２の出力モードから前記第１の出力モードに切替える、請求項７の高周波制御ユニット。
9. 前記目標軌跡設定部は、前記高周波電力の出力を停止する時点での前記目標積算値である目標停止積算値、及び、前記出力開始時から前記目標積算値が前記目標停止積算値になるまでの目標停止時間を設定し、前記目標停止積算値及び前記目標停止時間に基づいて、前記目標軌跡を設定する、請求項１の高周波制御ユニット。
10. 前記高周波電力の出力によって高周波電流が流れる回路のインピーダンスを経時的に検出するインピーダンス検出部をさらに具備し、
    前記目標軌跡設定部は、前記インピーダンス検出部での検出結果に基づいて前記目標停止積算値及び前記目標停止時間を設定する、
    請求項９の高周波制御ユニット。
11. 前記目標軌跡設定部は、前記高周波電力の前記出力開始時での前記インピーダンスの値、前記出力開始時から前記インピーダンスが最小値になるまでの前記インピーダンスの変化の傾き、及び、前記出力開始時から前記インピーダンスが前記最小値になるまでの時間の少なくとも１つに基づいて、前記目標停止積算値及び前記目標停止時間を設定する、請求項１０の高周波制御ユニット。
12. 前記高周波電力の出力によって高周波電流が流れる回路のインピーダンスを経時的に検出するインピーダンス検出部をさらに具備し、
    前記制御部は、前記インピーダンスが所定の閾値より大きくなった場合に、前記高周波電力の出力レベルを一時的に低下させた後に、前記高周波電力の前記出力レベルを元に戻す、請求項１の高周波制御ユニット。
13. 前記高周波電力の出力によって高周波電流が流れる回路のインピーダンスを経時的に検出するインピーダンス検出部をさらに具備し、
    前記制御部は、前記インピーダンスが所定の閾値より大きくなった場合に、出力レベルを上下に発振させる状態で前記高周波電力を出力させる、請求項１の高周波制御ユニット。
14. 前記制御部は、前記高周波電力の出力によって印加される高周波電圧を調整することにより、前記高周波電力の出力状態を制御する、請求項１の高周波制御ユニット。
15. 請求項１の高周波制御ユニットと、
    前記高周波制御ユニットの前記高周波電力生成部から前記高周波電力が供給され、供給された前記高周波電力を用いて処置を行う処置部と、
    を具備する高周波処置システム。

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