WO2016056518A1

WO2016056518A1 - 緩衝器

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Publication number: WO2016056518A1
Application number: PCT/JP2015/078241
Authority: WO
Inventors: 栗田　典彦
Original assignee: Ｋｙｂ株式会社
Priority date: 2014-10-06
Filing date: 2015-10-05
Publication date: 2016-04-14
Also published as: JP2016075332A; EP3109505A4; EP3109505A1; JP6339919B2; CN106133382A; US20170356522A1; US10138977B2

Abstract

　緩衝器（Ａ１）のコントローラ（Ｃ）は、目標圧力（Ｐｒｅｆ）と検知圧力（Ｐｒ）との偏差（ｅ）或いは検知圧力（Ｐｒ）に基づいて微分補償して負のゲインを乗じて出力する微分パス（３３）を有し、圧力制御電磁弁（２３）に与える電流指令（Ｉ）を求める。

Description

緩衝器

　本発明は、緩衝器に関する。

　車両用の緩衝器には減衰力を可変にしたものがあり、例えば、シリンダと、シリンダ内にピストンで区画されたロッド側室及びピストン側室と、リザーバと、ロッド側室をリザーバへ連通する主通路及びリリーフ通路と、リザーバをピストン側室へ連通する伸側通路と、ピストン側室をロッド側室へ連通する圧側通路と、リリーフ通路の途中に設けられた背圧室と、リリーフ通路の途中に設けられて背圧室の圧力を制御する圧力制御電磁弁と、リリーフ通路の途中であって圧力制御電磁弁の下流側に設けられたリリーフオリフィスと、主通路の途中に設けられてパイロット圧としての背圧室の圧力で閉弁方向に附勢されるとともに上流側の圧力で開弁方向に附勢される減衰力調整弁と、を備える（ＪＰ２００９－２５０３９６参照）。

　また、上記の緩衝器は、リザーバ、ピストン側室、ロッド側室、リザーバの順に一方通行で作動油が還流するように、伸側通路及び圧側通路が逆止弁を備えている。

　よって、緩衝器が伸縮するとロッド側室から作動油が押し出されて主通路に設けられた減衰力調整弁を介してリザーバへ排出されるようになっている。

　そして、減衰力調整弁を閉弁方向に附勢するパイロット圧を圧力制御電磁弁により制御すると、減衰力調整弁の開弁圧が調整され、その結果、緩衝器が発生する減衰力が制御される。

　また、上記の緩衝器では、圧力制御電磁弁の下流側にリリーフオリフィスを設けて、リリーフ通路を通過する作動油の流量変化を抑制している。よって、圧力制御電磁弁の上流側の圧力が開弁圧近傍で振動的に推移した際に圧力制御電磁弁が開閉を繰り返して振動してしまうような事態の発生を抑制できる。これにより、緩衝器が発揮する減衰力が振動的にならずに安定する。

　しかしながら、上記の緩衝器では、リリーフオリフィスを用いていることから、圧力制御電磁弁の振動を抑制するためには、製品ごとのチューニングが必要となる。このため、圧力制御電磁弁の振動周期によっては、振動を十分に低減できず、緩衝器が発生する減衰力を安定させられない可能性がある。

　本発明は、減衰力調整を可能としつつ、安定した減衰力を発揮可能な緩衝器を提供することを目的とする。

　本発明のある態様によれば、緩衝器であって、シリンダとリザーバと前記シリンダ内から排出される液体を前記リザーバへ排出する減衰通路と前記減衰通路に設けられた圧力制御電磁弁とを有する緩衝器本体と、前記圧力制御電磁弁の上流の圧力を検知する圧力センサと、前記圧力センサが検知する検知圧力をフィードバックして前記圧力制御電磁弁を制御するコントローラと、を備え、前記コントローラは、目標圧力と前記検知圧力との偏差或いは前記検知圧力に基づいて微分補償して負のゲインを乗じて出力する微分パスを有し、前記圧力制御電磁弁に与える電流指令を求める緩衝器が提供される。

　また、本発明の別の態様によれば、緩衝器であって、シリンダとリザーバと前記シリンダ内から排出される液体を前記リザーバへ排出する減衰通路と前記シリンダと前記リザーバとの間に前記減衰通路と並列に設けられるパイロット通路と前記パイロット通路の途中に設けられた圧力制御電磁弁と前記パイロット通路の途中であって前記圧力制御電磁弁より上流に設けられたパイロット圧力室と前記減衰通路の途中に設けられて前記パイロット圧力室の圧力で閉弁方向に附勢されるとともに前記減衰通路の上流側の圧力で開弁方向に附勢される減衰弁とを有する緩衝器本体と、前記圧力制御電磁弁の上流の圧力を検知する圧力センサと、前記圧力センサが検知する検知圧力をフィードバックして前記圧力制御電磁弁を制御するコントローラと、を備え、前記コントローラは、目標圧力と前記検知圧力との偏差或いは前記検知圧力に基づいて微分補償して負のゲインを乗じて出力する微分パスを有し、前記圧力制御電磁弁に与える電流指令を求める緩衝器が提供される。

図１は、本発明の第１実施形態に係る緩衝器の構成図である。図２は、本発明の第１実施形態に係る緩衝器のコントローラ及び圧力制御電磁弁を示すブロック線図である。図３は、コントローラ及び圧力制御電磁弁の変形例を示すブロック線図である。図４は、コントローラ及び圧力制御電磁弁の他の変形例を示すブロック線図である。図５は、本発明の第２実施形態に係る緩衝器の構成図である。

　＜第１実施形態＞
　以下、添付図面を参照しながら本発明の第１実施形態に係る緩衝器Ａ１について説明する。

　緩衝器Ａ１は、図１に示すように、車両におけるばね上部材（図示せず）とばね下部材（図示せず）との間に介装される緩衝器本体Ｓ１と、圧力センサＰＳと、コントローラＣと、を備える。

　以下、各部について説明する。緩衝器本体Ｓ１は、例えば、図１に示すように、シリンダ１１と、シリンダ１１内に摺動自在に挿入されるピストン１２と、シリンダ１１内に移動自在に挿入されてピストン１２に連結されるピストンロッド１３と、シリンダ１１内にピストン１２で区画されて流体が充填される伸側室Ｒ１及び圧側室Ｒ２と、リザーバＲと、伸側室Ｒ１と圧側室Ｒ２とを連通する通路１４、１５と、伸側室Ｒ１とリザーバＲとを連通する減衰通路１６と、圧側室Ｒ２とリザーバＲとを連通する通路１７、１８と、通路１４に設けられて伸側室Ｒ１から圧側室Ｒ２へ向かう流体の流れに抵抗を与える伸側減衰弁１９と、通路１５に設けられて圧側室Ｒ２から伸側室Ｒ１へ向かう流体の流れのみを許容する圧側チェック弁２０と、通路１７の途中に設けられて圧側室Ｒ２からリザーバＲへ向かう流体の流れに抵抗を与える圧側減衰弁２１と、通路１８に設けられてリザーバＲから圧側室Ｒ２へ向かう流体の流れのみを許容する伸側チェック弁２２と、減衰通路１６に設けられた圧力制御電磁弁２３と、を備える。なお、流体には、作動油のほか、水、水溶液、気体を利用できる。

　圧力制御電磁弁２３は、減衰通路１６を開閉する弁体２３ａと、供給される電流量に応じて弁体２３ａを閉弁方向に推す推力が変化するソレノイド２３ｂと、を備えている。

　弁体２３ａは、上流側の圧力により開弁方向に附勢されるようになっており、ソレノイド２３ｂが弁体２３ａを閉弁方向に推す推力に対して上流側の圧力による開弁方向の力が打ち勝つと、開弁して減衰通路１６を開放する。

　よって、圧力制御電磁弁２３の開弁圧は、ソレノイド２３ｂに供給する電流量によって決定される。本実施形態では、電流量が増加すると、開弁圧もそれに応じて大きくなる。

　圧力制御電磁弁２３は、伸側室Ｒ１をリザーバＲへ連通する減衰通路１６に設けられており、上流の圧力を開弁圧に制御する。よって、伸側室Ｒ１内の圧力を開弁圧に制御できる。

　緩衝器本体Ｓ１の伸長行程時には、ピストン１２によって圧縮される伸側室Ｒ１の圧力が上昇し、流体が、伸側室Ｒ１から圧側室Ｒ２へ伸側減衰弁１９を通って移動する。また、減衰通路１６を通ってリザーバＲへ排出される。

　ピストン１２の移動によって容積が拡大する圧側室Ｒ２内には、伸側室Ｒ１から流体が流入するとともに、伸側チェック弁２２が開いてリザーバＲから不足分の流体が供給される。

　よって、圧側室Ｒ２内の圧力はリザーバ圧となり、緩衝器本体Ｓ１は、伸側室Ｒ１と圧側室Ｒ２との差圧に応じた伸側減衰力を発揮し、自身の伸長を抑制する。

　そして、減衰通路１６の途中に設けられた圧力制御電磁弁２３の開弁圧を調節すると伸側室Ｒ１内の圧力を調節できるので、緩衝器本体Ｓ１の伸側減衰力を制御できる。

　また、緩衝器本体Ｓ１の収縮行程時には、ピストン１２によって圧縮される圧側室Ｒ２の圧力が上昇し、流体が、圧側室Ｒ２からリザーバＲへ圧側減衰弁２１を通って移動する。また、圧側チェック弁２０を通って伸側室Ｒ１へも移動する。また、ピストンロッド１３がシリンダ１１内に侵入するとともに、流体が、伸側室Ｒ１からリザーバＲへ減衰通路１６を通って排出される。

　圧側室Ｒ２は、ピストン１２の移動によって容積が減少して昇圧される。ここで、流体が、圧側室Ｒ２から伸側室Ｒ１を経由して圧力制御電磁弁２３を通ってリザーバＲへ排出されるので、圧力制御電磁弁２３の開弁圧を調節することで伸側室Ｒ１内及び圧側室Ｒ２内の圧力を調節できる。よって、圧力制御電磁弁２３の開弁圧を調節することで緩衝器本体Ｓ１の圧側減衰力を制御できる。

　なお、上述した緩衝器本体Ｓ１の回路構成は一例であって、これに限定されるものではない。

　本実施形態では、圧力制御電磁弁２３によって伸側室Ｒ１の圧力を制御することで伸圧両側の減衰力を制御するようになっているが、他の回路構成を採用可能である。

　例えば、圧力制御電磁弁２３によって圧側室Ｒ２の圧力のみを制御するようにしてもよいし、伸側室Ｒ１の圧力を制御する圧力制御電磁弁と圧側室Ｒ２の圧力を制御する圧力制御電磁弁とを別個に設けてもよい。

　さらに、緩衝器本体Ｓ１を伸縮すると全流量の流体がシリンダ１１内からリザーバＲへ排出されるユニフロー構造にして、シリンダ１１内から排出される全流量の流体が通過する減衰通路１６の途中に圧力制御電磁弁２３を設けるようにしてもよい。

　この場合は、圧力センサＰＳは、減衰通路１６の途中であって圧力制御電磁弁２３の上流の圧力を検知するように設けられ、検知圧力をコントローラＣへ入力する。なお、圧力センサＰＳの設置箇所はこれに限られるものでなく、シリンダ１１に取り付けて伸側室Ｒ１内の圧力を直接検知するようにしてもよい。

　コントローラＣは、図２に示すように、圧力制御電磁弁２３の開弁圧の目標圧力Ｐｒｅｆと、圧力センサＰＳが出力する検知圧力Ｐｒの入力を受けて目標圧力Ｐｒｅｆと検知圧力Ｐｒとの偏差ｅを演算する偏差演算部３１と、偏差ｅに基づいて積分補償する積分パス３２と、検知圧力Ｐｒに基づいて微分補償して負のゲインＫｄを乗じて出力する微分パス３３と、フィードフォワードパス３４と、各パスが出力する値を加算する加算部３５と、を備える。目標圧力Ｐｒｅｆは、車両の姿勢制御を司る上位の制御装置（図示せず）から入力される。なお、図２では、ソレノイド２３ｂと弁体２３ａとをブロック線図で示している。

　偏差演算部３１は、目標圧力Ｐｒｅｆから検知圧力Ｐｒを差し引きして偏差ｅを求める。

　積分パス３２は、偏差ｅを積分する積分部３２ａと、積分部３２ａが出力する値に積分ゲインＫｉを乗じるゲイン乗算部３２ｂと、を備える。積分パス３２は、ゲイン乗算部３２ｂが求めた値を積分補償による操作量として出力する。

　なお、積分部３２ａは、偏差ｅが求められると、過去に得られた偏差ｅの総和に新たに求められた偏差ｅを加算して出力する。積分部３２ａは、ローパスフィルタとしてもよく、フィルタ処理を行って偏差ｅの積分値を求めてもよい。

　微分パス３３は、検知圧力Ｐｒを微分する微分部３３ａと、微分部３３ａが出力する値にマイナスの値の微分ゲインＫｄを乗じるゲイン乗算部３３ｂと、を備える。微分パス３３は、ゲイン乗算部３３ｂが求めた値を微分補償による操作量として出力する。

　なお、微分部３３ａは、検知圧力Ｐｒが入力されると、今回入力された検知圧力Ｐｒと前回入力された過去の検知圧力Ｐｒとの偏差を求めて出力する。微分部３３ａは、ハイパスフィルタとしてもよく、フィルタ処理を行って検知圧力Ｐｒの微分値を求めてもよい。

　フィードフォワードパス３４は、目標圧力ＰｒｅｆにフィードフォワードゲインＫｆを乗じて出力する。コントローラＣがフィードフォワードパス３４を備えることで目標圧力Ｐｒｅｆに追従性の良い制御を行うことができるという利点があるが、省略してもよい。

　加算部３５は、積分パス３２が出力する値と、微分パス３３が出力する値と、フィードフォワードパス３４が出力する値とを加算し、圧力制御電磁弁２３のソレノイド２３ｂへ与える電流量を指示するための電流指令Ｉを生成する。

　微分パス３３は、微分部３３ａが出力する値にゲイン乗算部３３ｂが負の値を持つゲインＫｄを乗じて加算部３５で加算される値を出力するようになっている。しかしながら、ゲインＫｄを負の値に設定することは、ゲインＫｄを正の値に設定して加算部３５で符号を反転して加算するのと等価である。よって、このような設計変更は、負の値を持つゲインＫｄを乗じて出力することの範疇に含まれる。

　加算部３５が生成した電流指令Ｉは、ソレノイド２３ｂを駆動するドライバ（図示せず）へ入力される。ドライバは、電流指令Ｉが指示する電流量の電流をソレノイド２３ｂへ供給する。

　ソレノイド２３ｂは、図２に示すように、電流指令Ｉによって供給される電流ｉに比例ソレノイド特性Ｋｖを乗じた推力を発揮する。

　弁体２３ａは、圧力制御電磁弁２３の上流の圧力Ｐｒ（検知圧力Ｐｒに等しい）と弁体２３ａの受圧面積Ａｖとを乗じた力と、ソレノイド２３ｂが発揮する推力と、がバランスする位置に位置決めされて、減衰通路１６を開閉する。

　これによって、圧力制御電磁弁２３は、上流側の伸側室Ｒ１の圧力を制御する。圧力制御電磁弁２３によって制御された伸側室Ｒ１の圧力は、圧力センサＰＳによって検知されて検知圧力Ｐｒとしてフィードバックループに入力される。なお、目標圧力Ｐｒｅｆは、コントローラＣで生成するようにしてもよい。

　コントローラＣは、上述したように、検知圧力Ｐｒと目標圧力Ｐｒｅｆとから電流指令Ｉを求め、ソレノイド２３ｂを駆動するドライバへ電流指令Ｉを出力するようになっている。

　コントローラＣは、例えば、圧力センサＰＳが出力する信号を取り込むためのＡ／Ｄ変換器と、制御に必要な処理に使用されるプログラムが格納されるＲＯＭ（Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）等の記憶装置と、プログラムに基づいた処理を実行するＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）等の演算装置と、ＣＰＵに記憶領域を提供するＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）等の記憶装置と、を備える。そして、ＣＰＵがプログラムを実行することで、コントローラＣによる各種制御が実現される。

　第１実施形態に係る緩衝器Ａ１は、以上のように構成されている。コントローラＣが電流指令Ｉを得る過程では、微分パス３３が、圧力センサＰＳで検知した検知圧力Ｐｒを微分して負の値を持つゲインＫｄを乗じて出力するようになっている。

　ここで、圧力制御電磁弁２３が開弁すると、流体の圧縮性に起因して開弁と同時に圧力が低下し、圧力の低下によって今度は圧力制御電磁弁２３が閉弁して圧力が上昇し、圧力の上昇によって再度圧力制御電磁弁２３が開弁するといった動作を繰り返そうとする。このため、圧力制御電磁弁２３の開弁時に圧力が振動的に変動する。

　このため、目標圧力Ｐｒｅｆと検知圧力Ｐｒとの偏差ｅも振動的に変化するが、微分パス３３は、圧力の急激な変化を打ち消すように操作量を出力する。つまり、微分パス３３は、圧力制御電磁弁２３の振動を打ち消すように操作量を出力する。よって、圧力制御電磁弁２３の上流における圧力が急峻に変動しても電流指令Ｉの変化は緩慢となるので、圧力制御電磁弁２３が開閉を繰り返して振動してしまうような事態の発生を抑制できる。

　また、本実施形態に係る緩衝器Ａ１では、リリーフオリフィスを用いていないので、圧力制御電磁弁２３の振動を抑制するための製品ごとのオリフィスのチューニングが必要となることはない。また、振動周期によらず圧力制御電磁弁２３の振動を十分に低減でき、緩衝器Ａ１が発生する減衰力も安定させられる。よって、本実施形態によれば、減衰力調整を可能としつつ、安定した減衰力の発揮が可能である。

　なお、圧力制御電磁弁２３の上流側における圧力が開弁圧近傍以外で急変しても、電流指令Ｉの変化は緩慢となるので、圧力制御電磁弁２３の開度変化が緩慢となる。よって、緩衝器Ａ１の発生減衰力の急変も緩和されて、車両における乗り心地が向上する。また、圧力制御電磁弁２３の開度変化が緩慢となることで、圧力制御電磁弁２３の上流における圧力変動も抑制されることになり、緩衝器Ａ１の発生減衰力が安定する。

　さらに、本実施形態によれば、圧力制御電磁弁２３の下流にリリーフオリフィスを設ける必要がないので、圧力制御電磁弁２３が減衰通路１６を最大開放した場合に、伸側室Ｒ１の圧力に、リリーフオリフィスの流量圧力特性による圧力オーバーライドが重畳されない。よって、緩衝器Ａ１の減衰力調整幅を大きくできる。

　なお、圧力制御電磁弁２３は、弁体２３ａが上流側の圧力を受けて開弁するようになっているので、ソレノイド２３ｂに供給される電流ｉと、弁体２３ａに作用している圧力Ｐｒ（検知圧力Ｐｒに等しい）とは、比例関係にある。

　したがって、圧力制御電磁弁２３を使用することは、圧力をフィードバックして比例補償を行う制御を行っているのと等価である。そして、圧力制御電磁弁２３を微分積分制御することは、比例微分積分制御を実施しているのと等価となる。

　上流側の圧力に無関係に開弁度合を変更するスプールなどを使用した絞り弁を用いる場合は、比例補償を行うためには、比例パスを設ける必要がある。しかしながら、緩衝器Ａ１にあっては、比例パスを設ける必要がないので、圧力制御電磁弁２３が圧力Ｐｒに対して高速に応答可能となる。

　なお、図３に示す変形例のように、偏差ｅに比例ゲインＫｐを乗じるゲイン乗算部で構成された比例パス３６を設けてもよい。この場合、比例パス３６の出力値は、加算部３５で、積分パス３２の出力値、微分パス３３の出力値、及びフィードフォワードパス３４の出力値を加算した値から減算される。

　比例ゲインＫｐの設定について、比例パス３６の操作量をΔｉとすると、Ｐｒ・Ａｖ＝Δｉ・Ｋｖを考慮して、Ｋｐ＝Ａｖ／Ｋｖと設定した場合には、弁体２３ａに働く流体力の影響を完全に相殺できる。

　このとき、フィードフォワードパス３４におけるフィードフォワードゲインについては、フィードフォワードパス３４の操作量を比例ゲインＫｐ分だけ差し引きするため、Ｋｆ＋Ｋｐとする必要がある。

　この場合でも、圧力制御電磁弁２３の上流における圧力変動が急峻に変動しても、電流指令Ｉによって、弁体２３ａへ作用する圧力の打ち消しが可能となる。よって、圧力制御電磁弁２３が開閉を繰り返して振動してしまうような事態の発生を抑制できる。また、比例ゲインＫｐの設定は、圧力制御電磁弁２３の構造を基にして行うことができるので容易である。

　また、本実施形態では、積分パス３２を設けて偏差ｅに基づく積分補償を行っている。よって、目標圧力Ｐｒｅｆと検知圧力Ｐｒとの定常偏差を除去できる。これによれば、目標圧力Ｐｒｅｆへ追従性の良い制御が可能となり、緩衝器Ａ１の減衰力を精度よく制御できる。

　なお、積分パス３２を省略して微分パス３３のみを設けても本発明の効果は失われない。また、比例パス３６と微分パス３３とを採用して積分パス３２を省略することも可能である。

　さらに、本実施形態の緩衝器Ａ１では、微分パス３３が検知圧力Ｐｒの微分補償を行うようになっている。このため、目標圧力Ｐｒｅｆの急激な変化については、微分補償を行わないことで目標値への応答性がよく、逆に、圧力制御電磁弁２３の動作安定性は高い。

　これに対して、図４に示す他の変形例のように、微分パス３３が、検知圧力Ｐｒではなく、目標圧力Ｐｒｅｆと検知圧力Ｐｒとの偏差ｅの微分補償を行うようにしてもよい。

　この場合でも、圧力制御電磁弁２３の上流における圧力変動が急峻に変動しても、電流指令Ｉの変化は緩慢となる。よって、圧力制御電磁弁２３が開閉を繰り返して振動してしまうような事態の発生を抑制できる。

　＜第２実施形態＞
　続いて、第２実施形態に係る緩衝器Ａ２について説明する。なお、緩衝器Ａ１と共通する部材については同じ符号を付し、説明を省略する。

　緩衝器Ａ２は、図５に示すように、車両におけるばね上部材（図示せず）とばね下部材（図示せず）との間に介装される緩衝器本体Ｓ２と、圧力センサＰＳと、コントローラＣと、を備える。

　第２実施形態に係る緩衝器Ａ２は、第１実施形態に係る緩衝器Ａ１に対して緩衝器本体Ｓ２の構成が異なっており、他の構成については同じ構成である。

　以下、衝器Ａ１と異なる点である緩衝器本体Ｓ２について詳細に説明する。

　緩衝器本体Ｓ２は、図５に示すように、シリンダ１１と、シリンダ１１内に摺動自在に挿入されるピストン１２と、シリンダ１１内に移動自在に挿入されてピストン１２に連結されるピストンロッド１３と、シリンダ１１内にピストン１２で区画されて流体が充填される伸側室Ｒ１及び圧側室Ｒ２と、リザーバＲと、伸側室Ｒ１と圧側室Ｒ２とを連通する通路１４、１５と、伸側室Ｒ１とリザーバＲとを連通する減衰通路１６と、減衰通路１６と並列に設けられて伸側室Ｒ１とリザーバＲとを連通するパイロット通路４０と、圧側室Ｒ２とリザーバＲとを連通する通路１７、１８と、通路１４に設けられて伸側室Ｒ１から圧側室Ｒ２へ向かう流体の流れに抵抗を与える伸側減衰弁１９と、通路１５に設けられて圧側室Ｒ２から伸側室Ｒ１へ向かう流体の流れのみを許容する圧側チェック弁２０と、通路１７の途中に設けられて圧側室Ｒ２からリザーバＲへ向かう流体の流れに抵抗を与える圧側減衰弁２１と、通路１８に設けられてリザーバＲから圧側室Ｒ２へ向かう流体の流れのみを許容する伸側チェック弁２２と、パイロット通路４０に設けられた圧力制御電磁弁２３と、パイロット通路４０の途中であって圧力制御電磁弁２３より上流に設けられたパイロット圧力室４１と、減衰通路１６の途中に設けられてパイロット圧力室４１の圧力で閉弁方向に附勢されるとともに減衰通路１６の上流側の圧力で開弁方向に附勢される減衰弁４２と、を備える。なお、流体には、作動油のほか、水、水溶液、気体を利用できる。

　パイロット通路４０の途中であって圧力制御電磁弁２３の上流には、パイロット圧力室４１が設けられる。また、パイロット通路４０の途中であってパイロット圧力室４１の上流には、オリフィス４３が設けられる。

　よって、圧力制御電磁弁２３の開弁圧を調整することで、圧力制御電磁弁２３の上流側に配置されているパイロット圧力室４１内の圧力を調節できる。また、オリフィス４３が設けられているので、パイロット圧力室４１内の圧力は、オリフィス４３の圧力損失分だけ伸側室Ｒ１よりも低い圧力となる。

　減衰弁４２は圧力制御弁であって、減衰通路１６を開閉する弁体４２ａと、弁体４２ａを閉弁方向へ附勢するばね４２ｂと、閉弁方向へ推すように弁体４２ａにパイロット圧力室４１の圧力を作用させるパイロット圧導入路４２ｃと、を備える。

　よって、減衰弁４２の弁体４２ａには、上流の伸側室Ｒ１の圧力が開弁方向に作用し、伸側室Ｒ１よりも減圧されているパイロット圧力室４１の圧力とばね４２ｂの附勢力とが閉弁方向に作用している。そして、弁体４２ａを開弁方向へ推す力が閉弁方向へ推す力を上回ると、減衰弁４２が開弁して減衰通路１６を開放する。一方で、パイロット圧力室４１内の圧力は圧力制御電磁弁２３によって制御されるので、減衰弁４２の開弁圧も同様に制御される。

　圧力センサＰＳは、圧力制御電磁弁２３の上流側の圧力を検知するようになっており、検知した検知圧力ＰｒをコントローラＣへ入力する。圧力センサＰＳは、本実施形態では、パイロット圧力室４１の圧力を検知するようになっている。しかしながら、圧力制御電磁弁２３の振動を抑制する制御を行うには、上流の圧力変動を検知できればよい。したがって、圧力制御電磁弁２３の上流であれば、圧力センサＰＳの設置個所はどこでもよい。よって、伸側室Ｒ１の圧力を検知してもよい。

　コントローラＣは、緩衝器Ａ２においても、緩衝器Ａ１と同様の構成とされている。したがって、緩衝器Ａ２においても、コントローラＣが電流指令Ｉを得る過程で、微分パス３３が、圧力センサＰＳで検知した検知圧力Ｐｒに基づいて微分補償して負の値を持つゲインＫｄを乗じて出力する。

　よって、圧力制御電磁弁２３の上流における圧力が開弁圧近傍で変動し、目標圧力Ｐｒｅｆと検知圧力Ｐｒとの偏差ｅも振動的に変化する場合には、微分パス３３は、急激な圧力変化を打ち消すように操作量を出力する。つまり、微分パス３３が圧力制御電磁弁の振動を打ち消すように操作量を出力する。よって、圧力制御電磁弁２３の上流における圧力変動が急峻に変動しても電流指令Ｉの変化は緩慢となるので、圧力制御電磁弁２３が開閉を繰り返して振動してしまうような事態の発生を抑制できる。

　また、緩衝器Ａ２では、圧力制御電磁弁２３の下流にリリーフオリフィスを用いていないので、圧力制御電磁弁２３の振動を抑制するための製品ごとのリリーフオリフィスのチューニングが必要となることはない。また、振動周期によらず圧力制御電磁弁２３の振動を十分に低減でき、緩衝器Ａ２が発生する減衰力も安定させられる。よって、本実施形態によれば、減衰力調整を可能としつつ、安定した減衰力の発揮が可能である。

　なお、圧力制御電磁弁２３の上流における圧力が開弁圧近傍以外で急変しても、電流指令Ｉの変化は緩慢となるので、圧力制御電磁弁２３の開度変化が緩慢となる。よって、緩衝器Ａ２の発生減衰力の急変も緩和されて、車両における乗り心地が向上する。また、圧力制御電磁弁２３の開度変化が緩慢となることで、圧力制御電磁弁２３の上流における圧力変動も抑制されることになり、緩衝器Ａ２の発生減衰力が安定する。

　また、本実施形態によれば、圧力制御電磁弁２３の下流にリリーフオリフィスを設ける必要がないので、圧力制御電磁弁２３がパイロット通路４０を最大開放した場合に、パイロット圧力室４１の圧力に、リリーフオリフィスの流量圧力特性による圧力オーバーライドが重畳されない。よって、緩衝器Ａ２の減衰力調整幅を大きくできる。

　さらに、緩衝器Ａ２にあっても、緩衝器Ａ１と同様に、コントローラＣに比例パス３６を設けてもよい。また、積分パス３２については省略することも可能である。また、微分パス３３が、検知圧力Ｐｒではなく、目標圧力Ｐｒｅｆと検知圧力Ｐｒとの偏差ｅの微分補償を行うようにしてもよい。

　以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態は本発明の適用例の一部を示したものに過ぎず、本発明の技術的範囲を上記実施形態の具体的構成に限定する趣旨ではない。

　本願は２０１４年１０月６日に日本国特許庁に出願された特願２０１４－２０５４５６に基づく優先権を主張し、この出願の全ての内容は参照により本明細書に組み込まれる。

Claims

　緩衝器であって、
　シリンダとリザーバと前記シリンダ内から排出される液体を前記リザーバへ排出する減衰通路と前記減衰通路に設けられた圧力制御電磁弁とを有する緩衝器本体と、
　前記圧力制御電磁弁の上流の圧力を検知する圧力センサと、
　前記圧力センサが検知する検知圧力をフィードバックして前記圧力制御電磁弁を制御するコントローラと、
を備え、
　前記コントローラは、目標圧力と前記検知圧力との偏差或いは前記検知圧力に基づいて微分補償して負のゲインを乗じて出力する微分パスを有し、前記圧力制御電磁弁に与える電流指令を求める、
緩衝器。
　緩衝器であって、
　シリンダとリザーバと前記シリンダ内から排出される液体を前記リザーバへ排出する減衰通路と前記シリンダと前記リザーバとの間に前記減衰通路と並列に設けられるパイロット通路と前記パイロット通路の途中に設けられた圧力制御電磁弁と前記パイロット通路の途中であって前記圧力制御電磁弁より上流に設けられたパイロット圧力室と前記減衰通路の途中に設けられて前記パイロット圧力室の圧力で閉弁方向に附勢されるとともに前記減衰通路の上流側の圧力で開弁方向に附勢される減衰弁とを有する緩衝器本体と、
　前記圧力制御電磁弁の上流の圧力を検知する圧力センサと、
　前記圧力センサが検知する検知圧力をフィードバックして前記圧力制御電磁弁を制御するコントローラと、
を備え、
　前記コントローラは、目標圧力と前記検知圧力との偏差或いは前記検知圧力に基づいて微分補償して負のゲインを乗じて出力する微分パスを有し、前記圧力制御電磁弁に与える電流指令を求める、
緩衝器。
　請求項１又は２に記載の緩衝器であって、
　前記コントローラは、前記目標圧力と前記検知圧力との偏差に基づいて積分補償する積分パスを有し、前記積分パスの値と前記微分パスの値とを加算して前記電流指令を求める、
緩衝器。
　請求項１又は２に記載の緩衝器であって、
　前記圧力制御電磁弁は、
　上流側の圧力で開弁方向へ附勢される弁体と、
　前記弁体を閉弁方向へ推す推力を発揮するソレノイドと、
を備える、
緩衝器。
　請求項１又は２に記載の緩衝器であって、
　前記圧力センサは、前記シリンダ内の圧力を検知する、
緩衝器。