WO2016024485A1 - 有機半導体膜形成用の組成物、有機半導体膜、及びその製造方法 - Google Patents
有機半導体膜形成用の組成物、有機半導体膜、及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2016024485A1 WO2016024485A1 PCT/JP2015/071801 JP2015071801W WO2016024485A1 WO 2016024485 A1 WO2016024485 A1 WO 2016024485A1 JP 2015071801 W JP2015071801 W JP 2015071801W WO 2016024485 A1 WO2016024485 A1 WO 2016024485A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- organic semiconductor
- general formula
- rings
- ring
- semiconductor film
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 344
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 83
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 159
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 153
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 139
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims abstract description 127
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 73
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 70
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 53
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 33
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 28
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 46
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 27
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 26
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 24
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 claims description 18
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 claims description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 15
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 15
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 14
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims description 14
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 12
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical group C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 claims description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 2
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000006574 non-aromatic ring group Chemical group 0.000 claims 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract description 22
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical group 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 246
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 84
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 62
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 53
- -1 and specifically Chemical group 0.000 description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 description 44
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 34
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 30
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 24
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 14
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 12
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 12
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 11
- GVOISEJVFFIGQE-YCZSINBZSA-N n-[(1r,2s,5r)-5-[methyl(propan-2-yl)amino]-2-[(3s)-2-oxo-3-[[6-(trifluoromethyl)quinazolin-4-yl]amino]pyrrolidin-1-yl]cyclohexyl]acetamide Chemical compound CC(=O)N[C@@H]1C[C@H](N(C)C(C)C)CC[C@@H]1N1C(=O)[C@@H](NC=2C3=CC(=CC=C3N=CN=2)C(F)(F)F)CC1 GVOISEJVFFIGQE-YCZSINBZSA-N 0.000 description 11
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 10
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 description 8
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 8
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 8
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 7
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OSVHLUXLWQLPIY-KBAYOESNSA-N butyl 2-[(6aR,9R,10aR)-1-hydroxy-9-(hydroxymethyl)-6,6-dimethyl-6a,7,8,9,10,10a-hexahydrobenzo[c]chromen-3-yl]-2-methylpropanoate Chemical compound C(CCC)OC(C(C)(C)C1=CC(=C2[C@H]3[C@H](C(OC2=C1)(C)C)CC[C@H](C3)CO)O)=O OSVHLUXLWQLPIY-KBAYOESNSA-N 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- SZUVGFMDDVSKSI-WIFOCOSTSA-N (1s,2s,3s,5r)-1-(carboxymethyl)-3,5-bis[(4-phenoxyphenyl)methyl-propylcarbamoyl]cyclopentane-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound O=C([C@@H]1[C@@H]([C@](CC(O)=O)([C@H](C(=O)N(CCC)CC=2C=CC(OC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C1)C(O)=O)C(O)=O)N(CCC)CC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=CC=C1 SZUVGFMDDVSKSI-WIFOCOSTSA-N 0.000 description 5
- GHYOCDFICYLMRF-UTIIJYGPSA-N (2S,3R)-N-[(2S)-3-(cyclopenten-1-yl)-1-[(2R)-2-methyloxiran-2-yl]-1-oxopropan-2-yl]-3-hydroxy-3-(4-methoxyphenyl)-2-[[(2S)-2-[(2-morpholin-4-ylacetyl)amino]propanoyl]amino]propanamide Chemical compound C1(=CCCC1)C[C@@H](C(=O)[C@@]1(OC1)C)NC([C@H]([C@@H](C1=CC=C(C=C1)OC)O)NC([C@H](C)NC(CN1CCOCC1)=O)=O)=O GHYOCDFICYLMRF-UTIIJYGPSA-N 0.000 description 5
- UNILWMWFPHPYOR-KXEYIPSPSA-M 1-[6-[2-[3-[3-[3-[2-[2-[3-[[2-[2-[[(2r)-1-[[2-[[(2r)-1-[3-[2-[2-[3-[[2-(2-amino-2-oxoethoxy)acetyl]amino]propoxy]ethoxy]ethoxy]propylamino]-3-hydroxy-1-oxopropan-2-yl]amino]-2-oxoethyl]amino]-3-[(2r)-2,3-di(hexadecanoyloxy)propyl]sulfanyl-1-oxopropan-2-yl Chemical compound O=C1C(SCCC(=O)NCCCOCCOCCOCCCNC(=O)COCC(=O)N[C@@H](CSC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCCCCCCCCC)OC(=O)CCCCCCCCCCCCCCC)C(=O)NCC(=O)N[C@H](CO)C(=O)NCCCOCCOCCOCCCNC(=O)COCC(N)=O)CC(=O)N1CCNC(=O)CCCCCN\1C2=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C2CC/1=C/C=C/C=C/C1=[N+](CC)C2=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C2C1 UNILWMWFPHPYOR-KXEYIPSPSA-M 0.000 description 5
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 5
- 229940125797 compound 12 Drugs 0.000 description 5
- 229940126543 compound 14 Drugs 0.000 description 5
- 229940125898 compound 5 Drugs 0.000 description 5
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical class O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- QFLWZFQWSBQYPS-AWRAUJHKSA-N (3S)-3-[[(2S)-2-[[(2S)-2-[5-[(3aS,6aR)-2-oxo-1,3,3a,4,6,6a-hexahydrothieno[3,4-d]imidazol-4-yl]pentanoylamino]-3-methylbutanoyl]amino]-3-(4-hydroxyphenyl)propanoyl]amino]-4-[1-bis(4-chlorophenoxy)phosphorylbutylamino]-4-oxobutanoic acid Chemical compound CCCC(NC(=O)[C@H](CC(O)=O)NC(=O)[C@H](Cc1ccc(O)cc1)NC(=O)[C@@H](NC(=O)CCCCC1SC[C@@H]2NC(=O)N[C@H]12)C(C)C)P(=O)(Oc1ccc(Cl)cc1)Oc1ccc(Cl)cc1 QFLWZFQWSBQYPS-AWRAUJHKSA-N 0.000 description 4
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 4
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 4
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QUMCIHKVKQYNPA-RUZDIDTESA-N C1(CCCCC1)CN1[C@@H](C=2N(C=3C=NC(=NC1=3)NC1=C(C=C(C(=O)NC3CCN(CC3)C)C=C1)OC)C(=NN=2)C)CC Chemical compound C1(CCCCC1)CN1[C@@H](C=2N(C=3C=NC(=NC1=3)NC1=C(C=C(C(=O)NC3CCN(CC3)C)C=C1)OC)C(=NN=2)C)CC QUMCIHKVKQYNPA-RUZDIDTESA-N 0.000 description 3
- QGJOPFRUJISHPQ-UHFFFAOYSA-N Carbon disulfide Chemical compound S=C=S QGJOPFRUJISHPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 150000003855 acyl compounds Chemical class 0.000 description 3
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminum chloride Substances Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 125000004001 thioalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- JQSHBVHOMNKWFT-DTORHVGOSA-N varenicline Chemical compound C12=CC3=NC=CN=C3C=C2[C@H]2C[C@@H]1CNC2 JQSHBVHOMNKWFT-DTORHVGOSA-N 0.000 description 3
- FANCTJAFZSYTIS-IQUVVAJASA-N (1r,3s,5z)-5-[(2e)-2-[(1r,3as,7ar)-7a-methyl-1-[(2r)-4-(phenylsulfonimidoyl)butan-2-yl]-2,3,3a,5,6,7-hexahydro-1h-inden-4-ylidene]ethylidene]-4-methylidenecyclohexane-1,3-diol Chemical compound C([C@@H](C)[C@@H]1[C@]2(CCCC(/[C@@H]2CC1)=C\C=C\1C([C@@H](O)C[C@H](O)C/1)=C)C)CS(=N)(=O)C1=CC=CC=C1 FANCTJAFZSYTIS-IQUVVAJASA-N 0.000 description 2
- SHAHPWSYJFYMRX-GDLCADMTSA-N (2S)-2-(4-{[(1R,2S)-2-hydroxycyclopentyl]methyl}phenyl)propanoic acid Chemical compound C1=CC([C@@H](C(O)=O)C)=CC=C1C[C@@H]1[C@@H](O)CCC1 SHAHPWSYJFYMRX-GDLCADMTSA-N 0.000 description 2
- UVNPEUJXKZFWSJ-LMTQTHQJSA-N (R)-N-[(4S)-8-[6-amino-5-[(3,3-difluoro-2-oxo-1H-pyrrolo[2,3-b]pyridin-4-yl)sulfanyl]pyrazin-2-yl]-2-oxa-8-azaspiro[4.5]decan-4-yl]-2-methylpropane-2-sulfinamide Chemical compound CC(C)(C)[S@@](=O)N[C@@H]1COCC11CCN(CC1)c1cnc(Sc2ccnc3NC(=O)C(F)(F)c23)c(N)n1 UVNPEUJXKZFWSJ-LMTQTHQJSA-N 0.000 description 2
- QPFMBZIOSGYJDE-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrachloroethane Chemical compound ClC(Cl)C(Cl)Cl QPFMBZIOSGYJDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPUYECUOLPXSFR-UHFFFAOYSA-N 1-methylnaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(C)=CC=CC2=C1 QPUYECUOLPXSFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RKMGAJGJIURJSJ-UHFFFAOYSA-N 2,2,6,6-tetramethylpiperidine Chemical compound CC1(C)CCCC(C)(C)N1 RKMGAJGJIURJSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGMOBVGABMBZSB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropanoyl chloride Chemical compound CC(C)C(Cl)=O DGMOBVGABMBZSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFZAGIJXANFPFN-UHFFFAOYSA-N N-[3-[4-(3-methyl-5-propan-2-yl-1,2,4-triazol-4-yl)piperidin-1-yl]-1-thiophen-2-ylpropyl]acetamide Chemical compound C(C)(C)C1=NN=C(N1C1CCN(CC1)CCC(C=1SC=CC=1)NC(C)=O)C LFZAGIJXANFPFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical group [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- WETWJCDKMRHUPV-UHFFFAOYSA-N acetyl chloride Chemical compound CC(Cl)=O WETWJCDKMRHUPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004397 aminosulfonyl group Chemical group NS(=O)(=O)* 0.000 description 2
- 125000002785 azepinyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001164 benzothiazolyl group Chemical group S1C(=NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N bromobenzene Chemical compound BrC1=CC=CC=C1 QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DVECBJCOGJRVPX-UHFFFAOYSA-N butyryl chloride Chemical compound CCCC(Cl)=O DVECBJCOGJRVPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003917 carbamoyl group Chemical group [H]N([H])C(*)=O 0.000 description 2
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229940125773 compound 10 Drugs 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 description 2
- LEQAOMBKQFMDFZ-UHFFFAOYSA-N glyoxal Chemical group O=CC=O LEQAOMBKQFMDFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 125000001786 isothiazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000842 isoxazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- ZLVXBBHTMQJRSX-VMGNSXQWSA-N jdtic Chemical compound C1([C@]2(C)CCN(C[C@@H]2C)C[C@H](C(C)C)NC(=O)[C@@H]2NCC3=CC(O)=CC=C3C2)=CC=CC(O)=C1 ZLVXBBHTMQJRSX-VMGNSXQWSA-N 0.000 description 2
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012280 lithium aluminium hydride Substances 0.000 description 2
- DLEDOFVPSDKWEF-UHFFFAOYSA-N lithium butane Chemical compound [Li+].CCC[CH2-] DLEDOFVPSDKWEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002382 photo conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 125000005936 piperidyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M potassium acetate Chemical compound [K+].CC([O-])=O SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003226 pyrazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002098 pyridazinyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005493 quinolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012488 sample solution Substances 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 2
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 2
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical group [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000335 thiazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 2
- 125000001425 triazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJUKOGPNGRUXMG-UHFFFAOYSA-N 1,2-dibromo-1,1,2,2-tetrachloroethane Chemical compound ClC(Cl)(Br)C(Cl)(Cl)Br WJUKOGPNGRUXMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTPZTKBRUCILQD-UHFFFAOYSA-N 1-methylimidazolidin-2-one Chemical compound CN1CCNC1=O JTPZTKBRUCILQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFRBXZCBOYNMJP-UHFFFAOYSA-N 2,2,6-trimethyl-1,3-dioxin-4-one Chemical compound CC1=CC(=O)OC(C)(C)O1 XFRBXZCBOYNMJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YQTCQNIPQMJNTI-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylpropan-1-one Chemical group CC(C)(C)[C]=O YQTCQNIPQMJNTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-hydroxy-7-methoxychromen-4-one Chemical compound C=1C(OC)=CC(O)=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004974 2-butenyl group Chemical group C(C=CC)* 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEAQRZUHTPSBBM-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-3,3-dimethyl-7-nitro-4h-isoquinolin-1-one Chemical compound C1=C([N+]([O-])=O)C=C2C(=O)N(O)C(C)(C)CC2=C1 NEAQRZUHTPSBBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- WDBQJSCPCGTAFG-QHCPKHFHSA-N 4,4-difluoro-N-[(1S)-3-[4-(3-methyl-5-propan-2-yl-1,2,4-triazol-4-yl)piperidin-1-yl]-1-pyridin-3-ylpropyl]cyclohexane-1-carboxamide Chemical compound FC1(CCC(CC1)C(=O)N[C@@H](CCN1CCC(CC1)N1C(=NN=C1C)C(C)C)C=1C=NC=CC=1)F WDBQJSCPCGTAFG-QHCPKHFHSA-N 0.000 description 1
- BWGRDBSNKQABCB-UHFFFAOYSA-N 4,4-difluoro-N-[3-[3-(3-methyl-5-propan-2-yl-1,2,4-triazol-4-yl)-8-azabicyclo[3.2.1]octan-8-yl]-1-thiophen-2-ylpropyl]cyclohexane-1-carboxamide Chemical compound CC(C)C1=NN=C(C)N1C1CC2CCC(C1)N2CCC(NC(=O)C1CCC(F)(F)CC1)C1=CC=CS1 BWGRDBSNKQABCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N Amitrole Chemical group NC1=NC=NN1 KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NUGPIZCTELGDOS-QHCPKHFHSA-N N-[(1S)-3-[4-(3-methyl-5-propan-2-yl-1,2,4-triazol-4-yl)piperidin-1-yl]-1-pyridin-3-ylpropyl]cyclopentanecarboxamide Chemical compound C(C)(C)C1=NN=C(N1C1CCN(CC1)CC[C@@H](C=1C=NC=CC=1)NC(=O)C1CCCC1)C NUGPIZCTELGDOS-QHCPKHFHSA-N 0.000 description 1
- 150000007945 N-acyl ureas Chemical class 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002319 Poly(methyl acrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000738 acetamido group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)N([H])[*] 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 125000003668 acetyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)O[*] 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004442 acylamino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004466 alkoxycarbonylamino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005037 alkyl phenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 229940072049 amyl acetate Drugs 0.000 description 1
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N anhydrous amyl acetate Natural products CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHDLAWFYLQAULB-UHFFFAOYSA-N anilinophosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)NC1=CC=CC=C1 MHDLAWFYLQAULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LKHSIZLOJMSSBE-UHFFFAOYSA-N anisole;n,n-dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O.COC1=CC=CC=C1 LKHSIZLOJMSSBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005427 anthranyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005162 aryl oxy carbonyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005161 aryl oxy carbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 125000000043 benzamido group Chemical group [H]N([*])C(=O)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003236 benzoyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C(*)=O 0.000 description 1
- 125000001231 benzoyloxy group Chemical group C(C1=CC=CC=C1)(=O)O* 0.000 description 1
- KCXMKQUNVWSEMD-UHFFFAOYSA-N benzyl chloride Chemical compound ClCC1=CC=CC=C1 KCXMKQUNVWSEMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IPWKHHSGDUIRAH-UHFFFAOYSA-N bis(pinacolato)diboron Chemical compound O1C(C)(C)C(C)(C)OB1B1OC(C)(C)C(C)(C)O1 IPWKHHSGDUIRAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001951 carbamoylamino group Chemical group C(N)(=O)N* 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIBXZUCTOCYHOZ-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone;dichloromethane Chemical compound ClCCl.O=C1CCCCC1 RIBXZUCTOCYHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- NXQGGXCHGDYOHB-UHFFFAOYSA-L cyclopenta-1,4-dien-1-yl(diphenyl)phosphane;dichloropalladium;iron(2+) Chemical compound [Fe+2].Cl[Pd]Cl.[CH-]1C=CC(P(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1.[CH-]1C=CC(P(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 NXQGGXCHGDYOHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004431 deuterium atom Chemical group 0.000 description 1
- NBAUUSKPFGFBQZ-UHFFFAOYSA-N diethylaminophosphonic acid Chemical compound CCN(CC)P(O)(O)=O NBAUUSKPFGFBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004705 ethylthio group Chemical group C(C)S* 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 125000002485 formyl group Chemical group [H]C(*)=O 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M heptanoate Chemical compound CCCCCCC([O-])=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000002390 heteroarenes Chemical class 0.000 description 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004128 high performance liquid chromatography Methods 0.000 description 1
- 125000000717 hydrazino group Chemical group [H]N([*])N([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N iodomethane Chemical compound IC INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- SCEZYJKGDJPHQO-UHFFFAOYSA-M magnesium;methanidylbenzene;chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[CH2-]C1=CC=CC=C1 SCEZYJKGDJPHQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 125000001160 methoxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC(*)=O 0.000 description 1
- 125000006626 methoxycarbonylamino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000002816 methylsulfanyl group Chemical group [H]C([H])([H])S[*] 0.000 description 1
- 125000004170 methylsulfonyl group Chemical group [H]C([H])([H])S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- PSHKMPUSSFXUIA-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylpyridin-2-amine Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=N1 PSHKMPUSSFXUIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960003753 nitric oxide Drugs 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 238000000655 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 125000003356 phenylsulfanyl group Chemical group [*]SC1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 235000011056 potassium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 125000005554 pyridyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005030 pyridylthio group Chemical group N1=C(C=CC=C1)S* 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007363 ring formation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 1
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 125000000213 sulfino group Chemical group [H]OS(*)=O 0.000 description 1
- 125000006296 sulfonyl amino group Chemical group [H]N(*)S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004149 thio group Chemical group *S* 0.000 description 1
- 125000005309 thioalkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002088 tosyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1C([H])([H])[H])S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N vertaline Natural products C1C2C=3C=C(OC)C(OC)=CC=3OC(C=C3)=CC=C3CCC(=O)OC1CC1N2CCCC1 PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
Definitions
- the present invention relates to a composition for forming an organic semiconductor film, a method for producing an organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device, an organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device, a method for producing an organic film transistor, and an organic film transistor. More specifically, the present invention relates to a composition for forming an organic semiconductor film having a small drop in carrier mobility before and after a heating annealing step at high temperature when an organic semiconductor film is formed, an organic semiconductor for a non-luminescent organic semiconductor device The present invention relates to a method for producing a film, an organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device, a method for producing an organic film transistor, and an organic film transistor.
- a photoelectric conversion element such as an organic film solar cell or a solid-state imaging element using an organic semiconductor material as a photoelectric conversion material, or a non-luminescent property (in the present specification, “The luminous efficiency of 1 lm / W or less is obtained when current is applied to the device at room temperature and a current density of 0.1 mW / cm 2 in the atmosphere.
- organic Means an organic semiconductor device excluding organic semiconductor devices such as electroluminescent elements).
- a device using an organic semiconductor material may be able to produce a large-area element at low temperature and at low cost, as compared to a device using an inorganic semiconductor material. Furthermore, since it is possible to easily change the material properties by changing the molecular structure, the variation of the material is abundant, and functions and elements which can not be achieved with the inorganic semiconductor material can be realized.
- Organic film transistors (sometimes referred to as organic thin film transistors and organic transistors) are expected as future semiconductor technologies because they can form a semiconductor active layer which is an organic film by a simple apparatus such as a coating system under the atmosphere.
- a semiconductor active layer for example, fused aromatic compounds as described in Patent Documents 1 to 5 are used.
- Patent Document 1 discloses a compound represented by the following general formula.
- X and Y each represent a hydrogen atom, a halogen atom, a linear or branched aliphatic alkyl group which may have a halogen atom, and an alicyclic alkyl group, a straight chain It is selected from any of a chain or branched aliphatic alkenyl group and an alicyclic alkenyl group, or a functional group having any of a carboxyl group and a thiol group as a partial structure.
- Patent Document 2 discloses a compound represented by the following general formula (I), which is converted into compounds represented by the following general formulas (Ia) and (II) by energy application.
- X and Y each represent a hydrogen atom or a leaving substituent, and one of X and Y is a leaving substituent. And the other is a hydrogen atom.
- Q2 to Q5 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom or a monovalent organic group, and Q1 and Q6 are a hydrogen atom or a monovalent organic group other than a leaving substituent, and Q1 to Q6 And may be bonded to each other by adjacent groups to form a ring.
- Patent Document 3 discloses a method of producing an organic film having a step of being converted into a ⁇ electron conjugated compound and a releasable compound XY by irradiation of active energy rays. Patent Document 3 exemplifies the following compounds as ⁇ electron conjugated compounds.
- an organic semiconductor material precursor composed of a dithienobenzodithiophene derivative represented by the following general formula has solubility capable of forming a film by a simple process such as printing, and after film formation While being insolubilized by a simple treatment and capable of reducing damage in the subsequent steps, it is described as exhibiting good semiconductor characteristics after the insolubilization treatment.
- X and Y each represent a group that X and Y are bonded by an external stimulus to leave the compound of the above general formula as XY
- R 1 and R 2 are groups Each independently represents a substituted or unsubstituted alkyl group or a substituted or unsubstituted aryl group
- R 3 to R 10 each independently represent hydrogen, a substituted or unsubstituted alkyl group, or a substituted or unsubstituted alkoxy group Or a substituted or unsubstituted alkylthio group or a substituted or unsubstituted aryl group.
- Patent Document 5 describes a method of manufacturing an organic electronic device including a step of forming a film containing a precursor as a component on a supporting substrate, and a step of post-treatment of the film, wherein the precursor is Organic electronic device using a precursor having a leaving group according to the method for producing an organic electronic device, which is a compound having an organic group, wherein post treatment of the film in the post treatment step is carried out in the presence of acid or base
- the precursor film can be converted into an organic film having various functions, and an organic electronic device with good characteristics can be obtained, and heating in the post-treatment step It is described that it carries out under conditions.
- n is an integer of 0 or more
- Ar is a divalent aromatic ring or heterocyclic group which may have a substituent
- Ar is an integer of 2 or more. In the case, they may be the same or different.
- Z is an oxygen atom or a sulfur atom
- R 1 to R 3 are a hydrogen atom, a linear or branched aliphatic alkyl group which may have a halogen atom, and an alicyclic alkyl group
- R 4 is a hydrogen atom
- R 5 is a group selected from a thioalkoxyl group, and R 5 is a linear or branched alkoxyl group having 1 or more carbon atoms.
- the inventors of the present invention formed a semiconductor active layer and then subjected to a heat treatment in the heat annealing step, the drop rate of the carrier mobility before and after the heat annealing step.
- the investigation was advanced for the purpose of obtaining a composition for forming an organic semiconductor film having a small value of.
- the problem to be solved by the present invention is to provide a composition for forming an organic semiconductor film, in which the rate of decrease in carrier mobility is small before and after the heat annealing step at high temperature when the organic semiconductor film is formed.
- a composition for forming an organic semiconductor film which comprises a compound represented by the following general formula 1;
- T represents a fused ring structure in which four or more aromatic rings or heteroaromatic rings are fused, and the aromatic ring or the heteroaromatic ring may have a substituent, and the aromatic ring constituting the fused ring structure Or when the total number of heteroaromatic rings is 4 or 5, two adjacent rings are not thiophene rings;
- k represents an integer of 0 to 5
- n represents an integer of 1 or more, and when k or n is 2 or more, plural L 1 s may be the same or different, and n is 2 or more ,
- B may be the same or different;
- L 1 represents a divalent aromatic group or a divalent heteroaromatic group;
- B represents a substituent represented by the following general formula 2;
- * represents a binding site to L 1 ;
- R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or a substituent;
- B in the general formula 1 represents a substituent represented by the following general formula 3;
- R 1 , R 2 , R 3 and R 12 each independently represent a hydrogen atom or a substituent, Z 1 represents an oxygen atom or a sulfur atom.
- the compound represented by the above-mentioned general formula 1 is preferably a compound represented by the following general formula 4;
- T represents a fused ring structure in which four or more aromatic rings or heteroaromatic rings are fused, and the aromatic ring or the heteroaromatic ring may have a substituent, and the aromatic ring constituting the fused ring structure Or when the total number of heteroaromatic rings is 4 or 5, two adjacent rings are not thiophene rings;
- n represents an integer of 1 or more, and when n is 2 or more, the plurality of R 1 , the plurality of R 2 , the plurality of R 3 , the plurality of R 12 and the plurality of Z 1 are identical to or different from each other Also good;
- R 1 , R 2 , R 3 and R 12 each independently represent a hydrogen atom or a substituent, Z 1 represents an oxygen atom or a sulfur atom.
- composition for forming an organic semiconductor film according to any one of [1] to [3], wherein T in the above general formula 1 has 5 to 7 aromatic rings or heteroaromatic rings fused thereto
- the fused ring structure may have a substituent, and in the case where the total number of aromatic rings or heteroaromatic rings constituting the fused ring structure is 5, two adjacent rings are thiophenes. Preferably it is not a ring.
- the composition for forming an organic semiconductor film according to any one of [1] to [4] has an aromatic ring or a heteroaromatic ring constituting the condensed ring structure in T in the general formula 1 It is preferable that they are each independently one of a benzene ring, a pyridine ring, a furan ring, a pyrrole ring and a thiophene ring.
- the composition for forming an organic semiconductor film according to any one of [1] to [5] has an aromatic ring or a heteroaromatic ring constituting the condensed ring structure in T in the general formula 1 And each independently preferably is any one of a benzene ring and a thiophene ring.
- composition for forming an organic semiconductor film according to any one of [1] to [6] is a condensed ring in which the condensed ring structure in T in the general formula 1 has a thiophene ring at both ends Preferably it is a structure.
- composition for forming an organic semiconductor film according to any one of [1] to [6] is a condensed ring in which the condensed ring structure in T in the general formula 1 has a benzene ring at both ends. Preferably it is a structure.
- Fused ring group T-1 [10]
- the organic solvent is preferably an aromatic hydrocarbon solvent, a halogenated hydrocarbon solvent, a ketone solvent or an ether solvent .
- composition for forming an organic semiconductor film according to any one of [1] to [11] preferably further contains a polymer binder.
- a method of producing an organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device comprising the step of forming an active layer;
- T represents a fused ring structure in which four or more aromatic rings or heteroaromatic rings are fused, and the aromatic ring or the heteroaromatic ring may have a substituent, and the aromatic ring constituting the fused ring structure Or when the total number of heteroaromatic rings is 4 or 5, two adjacent rings are not thiophene rings;
- k represents an integer of 0 to 5
- n represents an integer of
- the external stimulus is preferably heating at 100 ° C. or higher.
- the compound represented by the above general formula 5 is a compound represented by the following general formula 7 Is preferred;
- T represents a fused ring structure in which four or more aromatic rings or heteroaromatic rings are fused, and the aromatic ring or the heteroaromatic ring may have a substituent, and the aromatic ring constituting the fused ring structure Or when the total number of heteroaromatic rings is 4 or 5, two adjacent rings are not thiophene rings;
- k represents an integer of 0 to 5
- n represents an integer of 1 or more, and when k or n is 2 or more, plural L 1 s may be the same or different, and n is 2 or more , R 3 s may be the same or different;
- the method for producing an organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device according to any one of [13] to [16], the aromatic ring constituting the condensed ring structure in T in the general formula 5
- the heteroaromatic ring is each independently any one of a benzene ring, a pyridine ring, a furan ring, a pyrrole ring and a thiophene ring.
- T-1 An organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device manufactured by the method for manufacturing an organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device according to any one of [13] to [21].
- An organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device comprising a compound represented by the following general formula 5;
- T represents a fused ring structure in which four or more aromatic rings or heteroaromatic rings are fused, and the aromatic ring or the heteroaromatic ring may have a substituent, and the aromatic ring constituting the fused ring structure Or when the total number of heteroaromatic rings is 4 or 5, two adjacent rings are not thiophene rings;
- k represents an integer of 0 to 5
- n represents an integer of 1 or more, and when k or n is 2 or more, plural L 1 s may be the same or different, and n is 2 or more , D may be the same or different;
- L 1 represents a divalent aromatic group or a divalent
- the compound represented by the above general formula 5 is preferably a compound represented by the following general formula 7;
- T represents a fused ring structure in which four or more aromatic rings or heteroaromatic rings are fused, and the aromatic ring or the heteroaromatic ring may have a substituent, and the aromatic ring constituting the fused ring structure Or when the total number of heteroaromatic rings is 4 or 5, two adjacent rings are not thiophene rings;
- k represents an integer of 0 to 5
- n represents an integer of 1 or more, and when k or n is 2 or more, plural L 1 s may be the same or different, and n is 2 or more , R 3 s may be the same or different;
- L 1 represents a divalent aromatic group or a divalent heteroaromatic group;
- R 3 represents a hydrogen atom or a substituent.
- the organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device preferably further contains a compound represented by the following general formula 1;
- T represents a fused ring structure in which four or more aromatic rings or heteroaromatic rings are fused, and the aromatic ring or the heteroaromatic ring may have a substituent, and the aromatic ring constituting the fused ring structure Or when the total number of heteroaromatic rings is 4 or 5, two adjacent rings are not thiophene rings;
- k represents an integer of 0 to 5, n represents an integer of 1 or more, and when k or n is 2 or more, plural L 1 s may be the same or different, and n is 2 or more ,
- B may be the same or different;
- L 1 represents a divalent aromatic group or a divalent heteroaromatic group;
- B represents a substituent represented by the following general formula 2;
- * represents a binding site to L 1 ;
- B in the general formula 1 represents a substituent represented by the following general formula 3;
- R 1 , R 2 , R 3 and R 12 each independently represent a hydrogen atom or a substituent, Z 1 represents an oxygen atom or a sulfur atom.
- the compound represented by the above general formula 1 is preferably a compound represented by the following general formula 4 ;
- T represents a fused ring structure in which four or more aromatic rings or heteroaromatic rings are fused, and the aromatic ring or the heteroaromatic ring may have a substituent, and the aromatic ring constituting the fused ring structure Or when the total number of heteroaromatic rings is 4 or 5, two adjacent rings are not thiophene rings;
- n represents an integer of 1 or more, and when n is 2 or more, the plurality of R 1 , the plurality of R 2 , the plurality of R 3 , the plurality of R 12 and the plurality of Z 1 are identical to or different from each other Also good;
- R 1 , R 2 , R 3 and R 12 each independently represent a hydrogen atom or a substituent, Z 1 represents an oxygen atom or a sulfur atom.
- the content of the compound represented by the above general formula 1 is represented by the above general formula 5
- the content is preferably 0.01 to 50% by mass with respect to the content of the compound to be [29]
- T is a condensed ring in which 5 to 7 aromatic rings or heteroaromatic rings are condensed.
- the condensed ring structure may have a substituent, and in the case where the total number of aromatic rings or heteroaromatic rings constituting the condensed ring structure is 5, two adjacent rings are thiophene rings. Preferably not.
- the organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device according to any one of [23] to [29], wherein the aromatic ring or the heteroaromatic ring constituting the condensed ring structure in the T is respectively Preferably, it is independently any one of a benzene ring, a pyridine ring, a furan ring, a pyrrole ring and a thiophene ring.
- the organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device according to any one of [23] to [30], wherein the aromatic ring or the heteroaromatic ring constituting the condensed ring structure in the T is respectively Independently, it is preferable that it is any one of a benzene ring and a thiophene ring.
- the organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device according to any one of [23] to [31], wherein the condensed ring structure in T has a condensed ring structure having thiophene rings at both ends. Is preferred.
- the condensed ring structure in T is a condensed ring structure having a benzene ring at both ends. Is preferred.
- the condensed ring structure in T is a condensed ring structure group T-1 below. It is preferable that it is any one of the condensed ring structure contained.
- Fused ring group T-1 [35] A method of manufacturing an organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device according to any one of [13] to [21], A method of manufacturing an organic film transistor, wherein the organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device is used as a semiconductor active layer of the organic film transistor. [36] An organic film transistor manufactured by the method of manufacturing an organic film transistor according to [35]. [37] An organic film transistor comprising the organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device according to any one of [23] to [34] as a semiconductor active layer of an organic film transistor.
- the present invention it is possible to provide a composition for forming an organic semiconductor film in which the rate of decrease in carrier mobility is small before and after the heat annealing step at high temperature when the organic semiconductor film is formed.
- FIG. 1 is a schematic view showing the cross section of the structure of an example of the organic film transistor of the present invention.
- FIG. 2 is a schematic view showing a cross section of the structure of the organic film transistor manufactured as a substrate for FET characteristic measurement in the example of the present invention.
- a numerical range represented using “to” means a range including the numerical values described before and after “to” as the lower limit and the upper limit.
- a hydrogen atom in the case where it is used without being particularly distinguished in the description of each general formula means that it also includes isotopes (deuterium atom etc.).
- atoms constituting a substituent are also meant to include its isotope.
- composition for forming an organic semiconductor film of the present invention contains a compound represented by the following general formula 1.
- T represents a fused ring structure in which four or more aromatic rings or heteroaromatic rings are fused, and the aromatic ring or the heteroaromatic ring may have a substituent, and the aromatic ring constituting the fused ring structure Or when the total number of heteroaromatic rings is 4 or 5, two adjacent rings are not thiophene rings; k represents an integer of 0 to 5, n represents an integer of 1 or more, and when k or n is 2 or more, plural L 1 s may be the same or different, and n is 2 or more , And B may be the same or different; L 1 represents a divalent aromatic group or a divalent heteroaromatic group; B represents a substituent represented by the following general formula 2; In the general formula 2, * Represents a binding site to L 1 ; R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or a substituent; R 4 represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a
- the composition for forming an organic semiconductor film of the present invention has a low rate of decrease in carrier mobility before and after the heat annealing step at high temperature.
- the reason for this is not clearly understood, but is considered to be because the contact resistance with the electrode does not change significantly before and after the heat annealing at a high temperature.
- the present inventors speculate that the contact resistance does not change significantly due to the crystallinity of the compound represented by the general formula 5.
- the present inventors also believe that the large drop in carrier mobility after the heat annealing step is one of the causes of the generation of cracks in the semiconductor film.
- the compound having high amorphousness is mixed to increase the flexibility of the film, and the flexibility of the semiconductor film is improved to suppress generation of a crack, and it is considered that the decrease rate of mobility decreases.
- the composition for forming an organic semiconductor film of the present invention when an organic semiconductor film is formed, it is preferable that generation of a crack can be suppressed by heat treatment.
- the reason for this is considered to be that the compound represented by the general formula 1 is high in amorphousness and hard to form grain boundaries.
- the present inventors estimate that the crack is generated from the grain boundary or the interface with the electrode, and the compound having high amorphous property is mixed to increase the flexibility of the film and to suppress the generation of the crack.
- the compound represented by the above general formula 1 (hereinafter also referred to as a precursor) has high solubility in an organic solvent. Since the composition for forming an organic semiconductor film of the present invention contains a compound represented by the general formula having a substituent represented by (-(L 1 ) k -B) n , the organic semiconductor film is processed by a solution process. Easy to form.
- the leaving group is eliminated from the compound represented by the above general formula 1, and at least a part of the compound represented by the above general formula 1 Since the compound can be converted to the compound represented by the formula 5 (hereinafter, also referred to as a leaving body), the compound represented by the above general formula 1 can be obtained by using the composition for forming an organic semiconductor film of the present invention.
- the compound represented by the following general formula 5 which is also poorly soluble in organic solvents can be substantially formed in a solution process.
- the decrease rate of the carrier mobility before and after the heat annealing step at a high temperature becomes small.
- the organic semiconductor film containing both the compound represented by the general formula 5 described later and the compound represented by the general formula 1 has a drop rate of carrier mobility before and after the heat annealing step at high temperature when the organic semiconductor film is formed. Can be smaller, and generation of cracks by heat treatment can be further suppressed. It is considered that the flexibility of the organic semiconductor film is increased by mixing the precursor which is more amorphous than the release body.
- T represents a fused ring structure in which four or more aromatic rings or heteroaromatic rings are fused, and the aromatic ring or the heteroaromatic ring may have a substituent, and the aromatic ring constituting the fused ring structure Or when the total number of heteroaromatic rings is 4 or 5, two adjacent rings are not thiophene rings; k represents an integer of 0 to 5, n represents an integer of 1 or more, and when k or n is 2 or more, plural L 1 s may be the same or different, and n is 2 or more , And B may be the same or different; L 1 represents a divalent aromatic group or a divalent heteroaromatic group; B represents a substituent represented by the following general formula 2; In the general formula 2, * Represents a binding site to L 1 ; R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or a substituent; R 4 represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a
- T represents a fused ring structure in which four or more aromatic rings or heteroaromatic rings are fused, and the above aromatic ring or the above heteroaromatic ring may have a substituent, and the above fused ring structure In the case where the total number of aromatic rings or heteroaromatic rings constituting 4 or 5 is two, two adjacent rings are not thiophene rings.
- T is preferably a condensed ring structure in which 4 to 8 aromatic rings or heteroaromatic rings are condensed, and more preferably a condensed ring structure in which 4 to 7 aromatic rings or heteroaromatic rings are condensed, It is particularly preferable that the aromatic ring or heteroaromatic ring is a condensed ring structure in which 5 to 7 rings are condensed, and it is particularly preferable that the condensed ring structure is a ring in which 5 or 6 rings are condensed.
- the aromatic ring or heteroaromatic ring constituting the above-described condensed ring structure in T is preferably each independently a benzene ring, a pyridine ring, a furan ring, a pyrrole ring or a thiophene ring. More preferably, it is any one of a benzene ring and a thiophene ring.
- the condensed ring structure in T in the general formula 1 is a condensed ring structure having a thiophene ring at both ends.
- the condensed ring structure in T in the above general formula 1 is a condensed ring structure having a benzene ring at both ends from the viewpoint of atmospheric stability. .
- the aromatic ring or heteroaromatic ring constituting the above-described fused ring structure may have a further optional substituent in addition to the substituent represented by (-(L 1 ) k -B) n , and this optional As a substituent of, a halogen atom can be mentioned, A fluorine atom is preferable.
- T does not have any further optional substituent other than the substituent represented by (-(L 1 ) k -B) n .
- the condensed ring structure in T is preferably any one of condensed ring structures contained in the following condensed ring structure group T-1.
- Fused ring group T-1 any one of condensed ring structures contained in the following condensed ring structure group T-2 is more preferable.
- k represents an integer of 0 to 5, preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1, and particularly preferably 1.
- k represents 0,-(L 1 ) k- represents a single bond.
- n represents an integer of 1 or more, preferably 1 to 3, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.
- L 1 represents a divalent aromatic group or a divalent heteroaromatic group, and is a divalent aromatic group having 6 to 10 carbon atoms or a divalent heteroaromatic compound having 4 to 8 carbon atoms It is more preferably a group, particularly preferably a divalent aromatic group having 6 to 8 carbon atoms or a divalent heteroaromatic group having 4 to 5 carbon atoms.
- the hetero atom of the divalent heteroaromatic group represented by L 1 is, for example, a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, a phosphorus atom, a silicon atom, a selenium atom or a tellurium atom, and specifically, pyridyl, pyrazinyl, pyrimidyl , Pyridazinyl, pyrrolyl, pyrazolyl, triazolyl, imidazolyl, oxazolyl, thiazolyl, isoxazolyl, isothiazolyl, quinolyl, furyl, thienyl, selenophenyl, tellurophenyl, piperidyl, piperidino, morpholino, pyrrolidino, pyrrolidino, benzooxazolyl, benzoimidazolyl, benzothiazolyl, A carbazolyl group, an azepinyl group, a siloly
- the divalent aromatic group or divalent heteroaromatic group represented by L 1 is a divalent aromatic group or divalent hetero ring in which two hydrogen atoms are removed from a benzene ring, an azole ring, a furan ring or a thiophene ring More preferably, they are aromatic groups.
- the divalent aromatic group or divalent heteroaromatic group represented by L 1 may further have a substituent if possible. Substitutable substituents are listed below as Substituent Group A Any substituent can be applied.
- alkyl group (preferably having a carbon number of 1 to 30, more preferably a carbon number of 1 to 20, particularly preferably a carbon number of 1 to 10, for example, methyl, ethyl, isopropyl, tert-butyl, n-octyl, n-decyl, n-hexadecyl, cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl and the like), alkenyl groups (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 2 to 10 carbon atoms; , Allyl, 2-butenyl, 3-pentenyl and the like), an alkynyl group (preferably having a carbon number of 2 to 30, more preferably a carbon number of 2 to 20, particularly preferably a carbon number of 2 to 10); , 3-pentynyl and the like), aryl groups (preferably having a carbon number of 6 to 30,
- a carbon number of 0 to 10 examples thereof include amino, methylamino, dimethylamino, diethylamino, dibenzylamino, diphenylamino, ditolylamino and the like, an alkoxy group (preferably having a carbon number of 1 to 30).
- a heterocyclic oxy group preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 12 carbon atoms.
- pyridyloxy, pyrazyloxy, pyrimidyloxy, quinolyloxy etc. an acyl group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 2 to 12 carbon atoms, eg acetyl And benzoyl, formyl, pivaloyl and the like), an alkoxycarbonyl group (preferably having a carbon number of 2 to 30, more preferably a carbon number of 2 to 20, particularly preferably a carbon number of 2 to 12, for example methoxycarbonyl, ethoxy And the like), aryloxycarbonyl group (preferably) Is 7 to 30 carbon atoms, more preferably 7 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 7 to 12 carbon atoms, and examples thereof include phenyloxycarbonyl and the like.
- an alkoxycarbonyl group preferably having a carbon number of 2 to 30, more preferably a carbon number of 2 to 20, particularly preferably a carbon number of
- An acyloxy group (preferably having a carbon number of 2 to 30, more preferably a carbon number of 2 to 20, particularly preferably a carbon number of 2 to 10, such as acetoxy and benzoyloxy), an acylamino group (preferably having a The carbon number is preferably 2 to 30, more preferably 2 to 20, particularly preferably 2 to 10, and examples thereof include acetylamino and benzoylamino), and an alkoxycarbonylamino group (preferably, 2 to carbon atoms).
- aryloxycarbonylamino group preferably 7 to 30 carbon atoms, more preferably It has 7 to 20 carbon atoms, particularly preferably 7 to 12 carbon atoms, and, for example, phenyloxycarbonyl And sulfonylamino group (preferably having a carbon number of 1 to 30, more preferably a carbon number of 1 to 20, particularly preferably a carbon number of 1 to 12, and examples thereof include methanesulfonylamino, benzenesulfonylamino and the like).
- Sulfamoyl group (preferably having a carbon number of 0 to 30, more preferably a carbon number of 0 to 20, particularly preferably a carbon number of 0 to 12, and examples thereof include sulfamoyl, methylsulfamoyl, dimethylsulfamoyl and phenyl).
- a carbamoyl group (preferably having a carbon number of 1 to 30, more preferably a carbon number of 1 to 20, particularly preferably a carbon number of 1 to 12, and examples thereof include carbamoyl, methylcarbamoyl, diethylcarbamoyl, Phenylcarbamoyl and the like), alkylthio group ( The number of carbon atoms is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, and particularly preferably 1 to 12, and examples thereof include methylthio and ethylthio), and arylthio groups (preferably 6 to 30 carbon atoms).
- 6 to 20 carbon atoms particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, and examples include phenylthio and the like, heterocyclic thio groups (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms). 20, particularly preferably having 1 to 12 carbon atoms, and examples thereof include pyridylthio, 2-benzimidazolylthio, 2-benzoxazolylthio, 2-benzthiazolylthio and the like), sulfonyl group (preferably carbon number).
- Ruffinyl group preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, and examples thereof include methanesulfinyl and benzenesulfinyl.
- a ureido group preferably having a carbon number of 1 to 30, more preferably a carbon number of 1 to 20, particularly preferably a carbon number of 1 to 12, and examples thereof include ureide, methyl ureido and phenyl ureido), and phosphoric acid.
- Amide group (preferably having a carbon number of 1 to 30, more preferably a carbon number of 1 to 20, particularly preferably a carbon number of 1 to 12, and examples thereof include diethyl phosphoric acid amide and phenyl phosphoric acid amide), and a hydroxy group , Mercapto group, halogen atom (eg, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), cyano group, sulfo group, sulfo group, carboxyl group, nitro group, hydroxamic acid group, sulfino group, hydrazino group, imino group, heterocyclic group ( It also includes an aromatic heterocyclic group and preferably has 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 12 carbon atoms, and has a hetero atom Is, for example, a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, a phosphorus atom, a silicon atom, a selenium atom or a tell
- B represents a substituent represented by the following General Formula 2;
- * represents a binding site to L 1 ;
- R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or a substituent;
- R 5 to R 9 each independently represent a hydrogen atom or a substituent.
- each R 1 is preferably independently a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, more preferably a hydrogen atom or an alkyl group, and particularly preferably a hydrogen atom.
- each R 2 is preferably independently a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, more preferably a hydrogen atom or an alkyl group, and particularly preferably a hydrogen atom.
- each R 3 independently is preferably a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or an alkylphenyl group, more preferably an alkyl group or an aryl group, particularly preferably an alkyl group.
- the alkyl group represented by R 3 is more preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, and particularly preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms preferable.
- the aryl group represented by R 3 is more preferably an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, and particularly preferably a phenyl group.
- R 5 to R 9 each independently represent a hydrogen atom or a substituent, and examples of the substituent that can be taken by R 5 to R 9 include groups selected from the above-mentioned Substituent Group A, and these substituents The group may be further substituted, and examples of the further substituent include groups selected from the substituent group A described above.
- R 5 to R 9 are preferably each independently an alkyl group or a thioalkyl group, more preferably an alkyl group having 1 to 15 carbon atoms or a thioalkyl group having 1 to 15 carbon atoms, and having 2 to 10 carbon atoms. Particularly preferred is an alkyl group or a thioalkyl group having 2 to 10 carbon atoms.
- B in the general formula 1 represents a substituent represented by the following general formula 3;
- R 1 , R 2 , R 3 and R 12 each independently represent a hydrogen atom or a substituent, Z 1 represents an oxygen atom or a sulfur atom.
- R 1 represents an oxygen atom or a sulfur atom, preferably an oxygen atom.
- the compound represented by the above general formula 1 is preferably a compound represented by the following general formula 4;
- T represents a fused ring structure in which four or more aromatic rings or heteroaromatic rings are fused, and the aromatic ring or the heteroaromatic ring may have a substituent, and the aromatic ring constituting the fused ring structure Or when the total number of heteroaromatic rings is 4 or 5, two adjacent rings are not thiophene rings;
- n represents an integer of 1 or more, and when n is 2 or more, the plurality of R 1 , the plurality of R 2 , the plurality of R 3 , the plurality of R 12 and the plurality of Z 1 are identical to or different from each other Also good;
- R 1 , R 2 , R 3 and R 12 each independently represent a hydrogen atom or a substituent, Z 1 represents an oxygen atom or a sulfur atom.
- the definition and the preferable range of T and n are the same as the definition and the preferable range of T and n in General Formula 1, respectively.
- defined as the preferred ranges of R 1, R 2 and R 3 are the same as defined preferred range of R 1, R 2 and R 3 respectively in general formula 2.
- defined as the preferred ranges of R 12 and Z 1 are the same as defined preferred range of R 12 and Z 1, respectively, in general formula 3.
- the compound represented by the general formula 1 preferably has a molecular weight of 3,000 or less, more preferably 2,000 or less, still more preferably 1,000 or less, and particularly preferably 850 or less. By setting the molecular weight to the upper limit value or less, the solubility in a solvent can be enhanced, which is preferable. On the other hand, the molecular weight is preferably 400 or more, more preferably 450 or more, and still more preferably 500 or more, from the viewpoint of the film quality stability of the film.
- composition method The compound represented by the above general formula 1 is a mother nucleus represented by T in Organic Letters, 2007, 4449, RSC Advances, 2013, 19341, Journal of the American Chemical Society, 1998, 664, Journal of the Chemical Society, Perkin Transactions 1 1973, 1099 can be synthesized by reference. Thereafter, from the mother nucleus represented by T, the compound represented by the above-mentioned general formula 1 can be synthesized with reference to the method described in the examples described later and the Journal of the American Chemical Society, 2007, 2224. In the synthesis of the compound represented by the above general formula 1, any reaction condition may be used. As a reaction solvent, any solvent may be used.
- composition for forming an organic semiconductor film of the present invention may contain other components.
- Other components may include polymer binders and organic solvents.
- the composition for organic semiconductor film formation of this invention contains the compound represented by the said General formula 1, and the aspect which does not contain a polymer binder is also preferable.
- the composition for forming an organic semiconductor film of the present invention may further contain a compound represented by the above general formula 1 and a polymer binder.
- a material for forming a layer such as a compound represented by the above general formula 1 and a polymer binder are dissolved or dispersed in the aforementioned suitable organic solvent to form a coating solution, and a film is formed by various coating methods. can do.
- the composition for forming an organic semiconductor film of the present invention preferably further contains a polymer binder.
- examples thereof include coalescent, photoconductive polymers such as polyvinylcarbazole and polysilane, conductive polymers such as polythiophene, polypyrrole, polyaniline and polyparaphenylene vinylene, and semiconductive polymers.
- the polymer binders may be used alone or in combination of two or more.
- the organic semiconductor such as the compound represented by the above general formula 1 and the polymer binder may be uniformly mixed, or a part or all of them may be phase separated, but in terms of charge mobility
- the structure in which the organic semiconductor and the binder are phase-separated in the film thickness direction in the film is most preferable without the binder interfering with the charge transfer of the organic semiconductor.
- a polymer binder having a high glass transition temperature is preferred in consideration of the mechanical strength of the film, and a polymer binder, a photoconductive polymer and a conductive polymer having a structure free of polar groups are preferred in consideration of charge mobility.
- the amount of the polymer binder used is not particularly limited, but it is preferably used in the range of 0 to 95% by mass, more preferably in the range of 10 to 90% by mass in the composition for forming an organic semiconductor film of the present invention. It is preferably used in the range of 20 to 80% by mass, particularly preferably in the range of 30 to 70% by mass.
- the composition for forming an organic semiconductor film of the present invention may be in the form of powder, in the form of solution, or in the form of dispersion, but the composition for forming an organic semiconductor film of the present invention is It is preferred to include an organic solvent.
- the material forming the layer is an aliphatic carbon such as hexane, octane, decane, decalin, etc.
- Hydrogen solvents aromatic hydrocarbon solvents such as toluene, xylene, mesitylene, ethylbenzene and 1-methylnaphthalene; ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone and cyclohexanone; dichloromethane, chloroform, tetrachloro Halogenated hydrocarbon solvents such as methane, dichloroethane, trichloroethane, tetrachloroethane, chlorobenzene, dichlorobenzene and chlorotoluene; ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate and amyl acetate; eg methanol, propanol Alcohol solvents such as butanol, pentanol, hexanol, cyclohexanol, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, ethylene
- the solvents may be used alone or in combination of two or more.
- aromatic hydrocarbon solvents, halogenated hydrocarbon solvents, ketone solvents or ether solvents are preferable, toluene, xylene, mesitylene, tetralin, dichlorobenzene or anisole are more preferable, toluene, xylene, tetralin, Anisole is particularly preferred.
- the concentration of the compound represented by the general formula 1 is preferably 0.1 to 80% by mass, more preferably 0.1 to 10% by mass, particularly preferably It is 0.5 to 10% by mass, and within these ranges, a film of any thickness can be formed.
- the method for producing an organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device of the present invention comprises the steps of: depositing a composition for forming an organic semiconductor film of the present invention; A semiconductor in which an external stimulus is given to the composition for forming the organic semiconductor film to convert at least a part of the compound represented by the general formula 1 as a precursor to the compound represented by the following general formula Forming an active layer.
- T represents a fused ring structure in which four or more aromatic rings or heteroaromatic rings are fused, and the aromatic ring or the heteroaromatic ring may have a substituent, and the aromatic ring constituting the fused ring structure
- k represents an integer of 0 to 5
- n represents an integer of 1 or more, and when k or n is 2 or more, plural L 1 s may be the same or different, and n is 2 or more , D may be the same or different
- L 1 represents a divalent aromatic group or a divalent heteroaromatic group
- D represents a substituent represented by the following general formula 6
- R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or a substituent.
- the method for producing an organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device of the present invention includes the step of forming a composition for forming an organic semiconductor film of the present invention. Any method may be used for forming the composition for forming an organic semiconductor film of the present invention.
- the substrate may be heated or cooled, and by changing the temperature of the substrate, it is possible to control the film quality or the packing of molecules in the film.
- the temperature of the substrate is not particularly limited, but is preferably between 0 ° C. and 200 ° C., more preferably between 15 ° C. and 100 ° C., particularly preferably between 20 ° C. and 95 ° C. preferable.
- a condensed aromatic compound such as a compound represented by the above general formula 5 on a substrate, it is possible to form a film by a vacuum process or a solution process.
- film formation by vacuum process include physical vapor deposition such as vacuum evaporation, sputtering, ion plating, molecular beam epitaxy (MBE), or chemical vapor deposition (CVD) such as plasma polymerization. Method is preferred, and vacuum deposition is particularly preferred.
- film formation by solution process refers to a method of dissolving in a solvent in which an organic compound can be dissolved and forming a film using the solution.
- coating methods such as casting method, dip coating method, die coater method, roll coater method, bar coater method, spin coating method, ink jet method, screen printing method, gravure printing method, flexographic printing method, offset printing Methods, various printing methods such as micro contact printing method, and ordinary methods such as Langmuir-Blodgett (LB) method can be used, and casting method, spin coating method, ink jet method, gravure printing method, flexographic printing method, offset It is particularly preferable to use a printing method or a microcontact printing method.
- LB Langmuir-Blodgett
- the organic-semiconductor film for nonluminous organic-semiconductor devices of this invention was produced by the solution apply
- the organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device of the present invention contains a polymer binder, the material forming the layer and the polymer binder are dissolved or dispersed in an appropriate solvent to form a coating solution, Preferably, it is formed by a coating method.
- the compound represented by the general formula 1 has a substituent represented by (-(L 1 ) k -B) n , and is thus excellent in that such crystallization (aggregation) hardly occurs.
- the compound represented by the above general formula 1 After forming a film using the compound represented by the above general formula 1, the compound represented by the above general formula 1 At least a portion is converted to a compound represented by the general formula 5 described later.
- Step of Forming Semiconductor Active Layer In the method for producing an organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device according to the present invention, an external stimulus is given to the composition for forming the organic semiconductor film to obtain a precursor represented by the compound
- the process includes the step of forming a semiconductor active layer at least a portion of which is converted into a compound represented by the following general formula 5.
- External stimulation There is no restriction
- Such external stimulation converts at least a part of the compound represented by the above general formula 1 which is a precursor into the compound represented by the above general formula 5. At least a part of the compound represented by the general formula 1 may be converted to the compound represented by the general formula 5 and all of the compounds represented by the general formula 1 are represented by the general formula 5 It does not have to be converted to a compound.
- the rate of conversion of the compound represented by the general formula 1 to the compound represented by the general formula 5 can be controlled by various methods such as temperature control, an organic solvent used, and the like.
- T represents a fused ring structure in which four or more aromatic rings or heteroaromatic rings are fused, and the aromatic ring or the heteroaromatic ring may have a substituent, and the aromatic ring constituting the fused ring structure
- k represents an integer of 0 to 5
- n represents an integer of 1 or more, and when k or n is 2 or more, plural L 1 s may be the same or different, and n is 2 or more , D may be the same or different
- L 1 represents a divalent aromatic group or a divalent heteroaromatic group
- D represents a substituent represented by the following general formula 6
- R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or a substituent.
- T the preferable range of L 1, k and n are the same as the preferred ranges of T, L 1, k and n in the general formula 1.
- D represents a substituent represented by the following General Formula 6;
- R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or a substituent.
- the preferred range of R 1, R 2 and R 3 are the same as the preferred ranges of R 1, R 2 and R 3 in the general formula 2.
- the compound represented by the above general formula 5 is preferably a compound represented by the following general formula 7;
- T represents a fused ring structure in which four or more aromatic rings or heteroaromatic rings are fused, and the aromatic ring or the heteroaromatic ring may have a substituent, and the aromatic ring constituting the fused ring structure Or when the total number of heteroaromatic rings is 4 or 5, two adjacent rings are not thiophene rings;
- k represents an integer of 0 to 5
- n represents an integer of 1 or more, and when k or n is 2 or more, plural L 1 s may be the same or different, and n is 2 or more , R 3 s may be the same or different;
- L 1 represents a divalent aromatic group or a divalent heteroaromatic group;
- R 3 represents a hydrogen atom or a substituent.
- T the preferable range of L 1, k and n are the same as the preferred ranges of T, L 1, k and n in the general formula 1.
- the preferred range of R 3 in the general formula 7 is the same as the preferred range of R 3 in the general formula 2.
- the first aspect of the organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device of the present invention is the organic semiconductor for a non-luminescent organic semiconductor device produced by the method for producing an organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device of the present invention It is a membrane.
- a second aspect of the organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device of the present invention is an organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device, which comprises a compound represented by the following general formula 5.
- the preferable range of General formula 5 is as having mentioned above in description of the manufacturing method of the organic-semiconductor film for nonluminous organic-semiconductor devices of this invention.
- T represents a fused ring structure in which four or more aromatic rings or heteroaromatic rings are fused, and the aromatic ring or the heteroaromatic ring may have a substituent, and the aromatic ring constituting the fused ring structure
- k represents an integer of 0 to 5
- n represents an integer of 1 or more, and when k or n is 2 or more, plural L 1 s may be the same or different, and n is 2 or more , D may be the same or different
- L 1 represents a divalent aromatic group or a divalent heteroaromatic group
- D represents a substituent represented by the following general formula 6
- R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or a substituent.
- the organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device of the present invention preferably further contains a compound represented by the following general formula 1.
- the preferable range of General formula 1 is as having mentioned above in description of the composition for organic-semiconductor film formation of this invention.
- T represents a fused ring structure in which four or more aromatic rings or heteroaromatic rings are fused, and the aromatic ring or the heteroaromatic ring may have a substituent, and the aromatic ring constituting the fused ring structure Or when the total number of heteroaromatic rings is 4 or 5, two adjacent rings are not thiophene rings; k represents an integer of 0 to 5, n represents an integer of 1 or more, and when k or n is 2 or more, plural L 1 s may be the same or different, and n is 2 or more , And B may be the same or different; L 1 represents a divalent aromatic group or a divalent heteroaromatic group; B represents a substituent represented by the following general formula 2; In the general formula 2, * Represents a binding site to L 1 ; R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or a substituent; R 4 represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a
- the content of the compound represented by the general formula 1 in the organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device of the present invention is 0.01 to 50 with respect to the content of the compound represented by the general formula 5
- the content is preferably in the range of 0.01 to 40% by mass, particularly preferably in the range of 0.01 to 25% by mass, and particularly preferably in the range of 0.05 to 20% by mass. It is even more particularly preferred that it is 0.1 to 10% by weight.
- the precursor is preferably 0.01 to 50% by mass with respect to the compound after conversion (eliminated body), and preferably 0.01 to 50% by mass. It is more preferably 40% by mass, particularly preferably 0.01 to 25% by mass, still more preferably 0.05 to 20% by mass, and still more preferably 0.1 to 10% by mass. Even more particularly preferred.
- the organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device of the present invention can be used for the production of a non-luminescent organic semiconductor device, and among the non-luminescent organic semiconductor devices, it can be preferably used for the production of an organic film transistor.
- An organic Electro Luminescence (EL) element is known as a "luminescent" organic semiconductor device. Those useful as organic EL element materials can not immediately be said to be useful as semiconductor materials for organic film transistors. This is because the characteristics required of the organic compound are different between the organic EL element and the organic film transistor.
- organic EL elements In organic EL elements, it is usually necessary to transport charges in the film thickness direction (usually several nm to several hundreds of nm), whereas in organic film transistors, the length between electrodes (usually several ⁇ m to several hundred ⁇ m) in the film surface direction It is necessary to transport distances (carriers). For this reason, the required carrier mobility is extremely high. Therefore, as a semiconductor material for an organic film transistor, an organic compound having high molecular order and high crystallinity is required. Also, for high carrier mobility expression, it is preferable that the ⁇ conjugate plane is upright with respect to the substrate. On the other hand, in the organic EL element, in order to enhance the luminous efficiency, an element having high luminous efficiency and uniform in-plane luminescence is required.
- organic compounds having high crystallinity cause generation of light emission defects such as in-plane electric field intensity unevenness, light emission unevenness, light emission quenching, etc. Therefore, the material for organic EL devices has low crystallinity and is amorphous High material is desirable. Therefore, even if the organic compound constituting the organic EL element material is diverted as it is to the organic semiconductor material, it is not always possible to obtain good transistor characteristics immediately. Similarly, those useful as organic photoelectric conversion elements can not immediately be said to be useful as semiconductor materials for organic film transistors whose required carrier mobility is extremely high.
- the organic-semiconductor film for nonluminous organic-semiconductor devices of this invention was produced by the solution apply
- the method for manufacturing an organic film transistor according to the present invention includes the method for manufacturing an organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device according to the present invention, and the organic semiconductor film for the non-luminescent organic semiconductor device as a semiconductor active layer of the organic film transistor Use It is preferable that the process of forming a semiconductor active layer is the manufacturing method of the said organic-semiconductor film for nonluminous organic semiconductor devices.
- a first aspect of the organic film transistor of the present invention is an organic film transistor manufactured by the method of manufacturing an organic film transistor of the present invention.
- a first aspect of the organic film transistor of the present invention is an organic film transistor having the organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device of the present invention as a semiconductor active layer of the organic film transistor.
- the organic film transistor of the present invention has an insulator layer on a substrate, has a source electrode and a drain electrode separated from each other on one side of the insulator layer, and has a gate electrode on the other side of the insulator layer,
- An organic film transistor having a semiconductor active layer in contact with a source electrode, a drain electrode and an insulator layer, wherein the substrate, the gate electrode, the insulator layer and the semiconductor active layer are stacked, wherein the semiconductor active layer It is preferable that it is an organic-semiconductor film for nonluminous organic-semiconductor devices.
- the semiconductor active layer described later includes the organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device of the present invention.
- organic semiconductor material refers to an organic material that exhibits the characteristics of a semiconductor. Similar to semiconductors made of inorganic materials, there are p-type (hole transporting) organic semiconductor materials conducting holes as carriers and n-type (electron transporting) organic semiconductor materials conducting electrons as carriers.
- the compound represented by the above-mentioned general formula 1, the compound represented by the above-mentioned general formula 5, and the composition containing these may be used as either p-type organic semiconductor material or n-type organic semiconductor material It is more preferred to use as a mold.
- the flowability of carriers in the organic semiconductor is represented by carrier mobility ⁇ .
- the carrier mobility ⁇ is preferably high, and is preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 4 cm 2 / Vs or more, more preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 2 cm 2 / Vs or more, and 5 ⁇ 10 ⁇ 2 cm 2 It is particularly preferable to be / Vs or more, more preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 1 cm 2 / Vs or more, and even more preferably 2 ⁇ 10 ⁇ 1 cm 2 / Vs or more.
- the carrier mobility ⁇ can be determined by characteristics when a field effect transistor (FET) element is manufactured or a time of flight measurement (TOF) method.
- FET field effect transistor
- TOF time of flight measurement
- the structure of the organic film transistor of the present invention has an insulator layer on a substrate, has a source electrode and a drain electrode separated from each other on one side of the insulator layer, and has a gate electrode on the other side It is an organic film transistor having a semiconductor active layer in contact with the source electrode, the drain electrode and the insulator layer, and the substrate, the gate electrode, the insulator layer and the semiconductor active layer being stacked.
- the organic film transistor of the present invention is preferably used as an organic field effect transistor (FET), and more preferably used as an insulated gate FET in which the gate and the channel are insulated.
- FET organic field effect transistor
- laminated structure There is no restriction
- a structure in which an electrode, an insulator layer, a semiconductor active layer (organic semiconductor layer), and two electrodes are arranged in order on the upper surface of the lowermost substrate (bottom gate and top contact Type) can be mentioned.
- the electrode on the upper surface of the lowermost substrate is provided on a part of the substrate, and the insulator layer is arranged to be in contact with the substrate at a portion other than the electrode.
- the two electrodes provided on the upper surface of the semiconductor active layer are arranged separately from each other.
- FIG. 1 is a schematic view showing the cross section of the structure of an example of the organic film transistor of the present invention.
- the substrate 11 is disposed in the lowermost layer, the electrode 12 is provided on a part of the upper surface, and the electrode 12 is covered, and the insulator is in contact with the substrate 11 in parts other than the electrode 12 A layer 13 is provided.
- a semiconductor active layer 14 is provided on the upper surface of the insulator layer 13, and the two electrodes 15a and 15b are arranged separately on a part of the upper surface.
- the electrode 12 is a gate, and the electrode 15a and the electrode 15b are a drain or a source, respectively.
- the organic film transistor shown in FIG. 1 is an insulated gate FET in which the channel, which is a current path between the drain and the source, and the gate are insulated.
- FIG. 2 is a schematic view showing a cross section of the structure of the organic film transistor manufactured as a substrate for measuring FET characteristics in the embodiment of the present invention.
- the substrate 31 is disposed in the lowermost layer
- the electrode 32 is provided on a part of the upper surface
- the electrode 32 is covered, and the insulator is in contact with the substrate 31 in portions other than the electrode 32.
- a layer 33 is provided.
- a semiconductor active layer 35 is provided on the upper surface of the insulator layer 33, and the electrodes 34a and 34b are under the semiconductor active layer 35.
- the electrode 32 is a gate
- the electrode 34a and the electrode 34b are a drain or a source, respectively.
- the organic film transistor shown in FIG. 2 is an insulated gate FET in which the channel, which is a current path between the drain and the source, and the gate are insulated.
- an insulator As the structure of the organic film transistor of the present invention, in addition, an insulator, a top gate / top contact type device having a gate electrode on the upper part of the semiconductor active layer, or a top gate / bottom contact type device can be preferably used.
- the total thickness of the transistor is preferably 0.1 to 0.5 ⁇ m.
- the entire organic film transistor element is a metal sealing can, glass, an inorganic material such as silicon nitride, or a polymer such as parylene. It may be sealed with a material or a low molecular weight material.
- a metal sealing can glass, an inorganic material such as silicon nitride, or a polymer such as parylene. It may be sealed with a material or a low molecular weight material.
- the organic film transistor of the present invention includes a substrate.
- the material of the substrate is not particularly limited, and known materials can be used, for example, polyester films such as polyethylene naphthalate (PEN) and polyethylene terephthalate (PET), cycloolefin polymer films, polycarbonate films, triacetyl cellulose ( And TAC) films, polyimide films, films obtained by bonding these polymer films to ultrathin glass, ceramics, silicon, quartz, glass, etc., and silicon is preferable.
- the organic film transistor of the present invention includes electrodes such as a source electrode, a drain electrode, and a gate electrode.
- electrodes such as a source electrode, a drain electrode, and a gate electrode.
- a metal material such as Cr, Al, Ta, Mo, Nb, Cu, Ag, Au, Pt, Pd, In, Ni or Nd, an alloy material of these, or a carbon material, conductive Any known conductive material such as a polymer can be used without particular limitation.
- the thickness of the electrode is not particularly limited but is preferably 10 to 50 nm.
- the gate width (or channel width) W and the gate length (or channel length) L are not particularly limited, but the ratio W / L thereof is preferably 10 or more, and more preferably 20 or more.
- the material constituting the insulator layer is not particularly limited as long as the necessary insulation effect can be obtained.
- the upper surface of the insulator layer may be surface-treated.
- an insulator layer obtained by surface-treating a silicon dioxide surface by applying hexamethyldisilazane (HMDS) or octadecyltrichlorosilane (OTS) can be preferably used.
- the thickness of the insulator layer is not particularly limited, but when thin film formation is required, the thickness is preferably 10 to 400 nm, more preferably 20 to 200 nm, and particularly preferably 50 to 200 nm. preferable.
- the semiconductor active layer is the organic semiconductor film for non-luminescent organic semiconductor device of the present invention.
- the semiconductor active layer may be a layer further including the above-mentioned polymer binder.
- the residual solvent at the time of film formation may be included.
- the content of the polymer binder in the semiconductor active layer is not particularly limited, but is preferably in the range of 0 to 95% by mass, more preferably in the range of 10 to 90% by mass, and still more preferably It is used in the range of 20 to 80% by mass, particularly preferably in the range of 30 to 70% by mass.
- the thickness of the semiconductor active layer is not particularly limited, but when thin film formation is required, the thickness is preferably 10 to 400 nm, more preferably 10 to 200 nm, and particularly preferably 10 to 100 nm. preferable.
- the fused aromatic compound such as the compound represented by the general formula 1 or the compound represented by the general formula 5 has the above-described structure
- an organic semiconductor film with good film quality can be obtained.
- the fused aromatic compound has good crystallinity, so that a sufficient film thickness can be obtained, and the obtained organic semiconductor film for a non-light emitting organic semiconductor device becomes a good quality.
- composition method Any method may be used to form a semiconductor active layer containing a compound represented by the above general formula 5 or the like on a substrate.
- the composition for forming the organic semiconductor film containing the compound represented by the general formula 1 is formed (for example, coated on a substrate), and then the composition for forming the organic semiconductor film is formed.
- An external stimulus is applied to convert at least a part of the compound represented by the above general formula 1 as a precursor into a compound represented by the following general formula 5.
- 1,1'-Bis (diphenylphosphino) ferrocene-palladium (II) dichloride (2.2 g), potassium acetate (23 g), bis (pinacolato) diboron (22.8 g) are mixed under nitrogen and dimethyl Sulfoxide (450 ml) and ester (27 g) were added and stirred at 80 ° C. for 2 hours.
- the resulting compound was extracted with toluene and dried over anhydrous magnesium sulfate.
- the obtained solution was concentrated under reduced pressure, and then purified by silica gel column chromatography to obtain side chain part A (20 g).
- a side chain portion A (4.7 g) and compound 5a (2 g) were dissolved in a mixed solvent of toluene (130 ml) and methanol (30 ml), 2 M aqueous sodium carbonate solution (11 ml) was added, and tetrakis Triphenylphosphine) palladium (0.78 g) was added, and the mixture was heated and stirred at 80 ° C. for 2 hours.
- the reaction solution was returned to room temperature, dried over anhydrous sodium sulfate.
- the obtained solution was concentrated under reduced pressure, and the residue was purified by silica gel column chromatography to obtain compound 6 (2.4 g).
- the obtained solution was concentrated under reduced pressure, and then purified by silica gel column chromatography to obtain a diformyl form (3.0 g).
- a solution of diformyl (1.7 g) in THF (100 ml) was placed under a nitrogen atmosphere and cooled to 0 ° C.
- a 2 M THF solution (10 ml) of benzylmagnesium chloride was added dropwise thereto, and the mixture was allowed to warm to room temperature and stirred for 3 hours.
- the reaction was terminated by the addition of a saturated aqueous sodium chloride solution, the organic layer was extracted with methylene chloride, the obtained solution was concentrated under reduced pressure, and the residue was used as it is in the next reaction.
- Example 1 ⁇ Device production and evaluation> All materials used for element fabrication were subjected to sublimation purification, and high-performance liquid chromatography (Tosoh TSKgel ODS-100Z) confirmed that the purity (area ratio of absorption intensity at 254 nm) was 99.5% or more.
- the compound 2 is converted to a compound 2D of the following structure by leaving the leaving group from a part of the compound 2 used as a precursor by applying an external stimulus), and for the non-luminescent organic semiconductor device of Example 1
- An organic semiconductor film in other words, an organic film transistor element of Example 1 for measuring FET characteristics was obtained.
- a silicon substrate having a contact structure (a schematic view of the structure is shown in FIG. 2) was used.
- the content of the compound 2 in the semiconductor active layer of the organic film transistor of Example 1 was determined using a nuclear magnetic resonance spectrum (manufactured by Bruker) to be 8% by mass with respect to the content of the following compound 2D. In addition, it could be confirmed by the methods described in [0101] and [0103] of JP2011-071501A that the following compound 2D was generated.
- the FET characteristics of the organic film transistor element of Example 1 are as follows under a normal pressure and nitrogen atmosphere using a semiconductor parameter analyzer (Agilent 4156C) connected with a semi-auto prober (Vector Semicon, AX-2000) It evaluated by.
- a semiconductor parameter analyzer Alignment 4156C
- a semi-auto prober Vector Semicon, AX-2000
- Formula representing d I d (w / 2 L) ⁇ C i (V g -V th ) 2 (where, L is a gate length, W is a gate width, C i is a capacity per unit area of an insulator layer, V
- the carrier mobility ⁇ was calculated using “ g” as the gate voltage and “V th” as the threshold voltage.
- Examples 2 to 8, Comparative Examples 1 and 2 Organic film transistor elements of Examples and Comparative Examples were produced in the same manner as in Example 1 except that the compound 2 used as the precursor in Example 1 was changed to the compounds described in Table 1 below.
- the organic film transistor elements obtained in Examples 2 to 8 and Comparative Examples 1 and 2 were also evaluated in the same manner as in Example 1. The obtained results are shown in Table 1 below.
- Example 2 the leaving groups were eliminated from a part of the compounds 4, 6, 8, 10, 12 to 14 used as precursors, respectively, and the compounds 4D, 6D, 8D, It was confirmed in the same manner as Example 1 that it was converted to 10D, 12D, 13D and 14D. Details are described below.
- the content of the compound 4 was 3% by mass with respect to the content of the following compound 4D.
- the content of the compound 6 was 4% by mass with respect to the content of the following compound 6D.
- the content of the compound 8 was 5% by mass with respect to the content of the following compound 8D.
- the content of the compound 10 was 2% by mass with respect to the content of the following compound 10D.
- the content of the compound 12 was 0.5% by mass with respect to the content of the following compound 12D.
- the content of the compound 13 was 5% by mass with respect to the content of the following compound 13D.
- the content of the compound 14 was 10% by mass with respect to the content of the following compound 14D.
- substrate 12 gate electrode 13 insulator layer 14 semiconductor active layer (organic layer, organic semiconductor layer) 15a, 15b Source electrode and drain electrode 31
- Substrate 32 Gate electrode 33 Insulator layer 34a, 34b Source electrode and drain electrode 35
- Semiconductor active layer (organic layer, organic semiconductor layer)
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
一般式1で表される化合物を含む有機半導体膜形成用の組成物(Tは芳香環又は複素芳香環4個以上の縮環構造;環の総数が4又は5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;kは0~5;nは1以上;L1は二価の芳香族基又は複素芳香族基;Bは一般式2で表される置換基;R1、R2及びR3は水素又は置換基;R4は水素、アルキル基、アシル基、-C(=S)-R5等;R5は水素又は置換基)は、有機半導体膜を形成した場合に高温での加熱アニール工程前後のキャリア移動度の下落率が小さい;非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法;非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜;有機膜トランジスタの製造方法;有機膜トランジスタ。
Description
本発明は、有機半導体膜形成用の組成物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜、有機膜トランジスタの製造方法および有機膜トランジスタに関する。より詳しくは、本発明は、有機半導体膜を形成した場合に高温での加熱アニール工程前後のキャリア移動度の下落率が小さい有機半導体膜形成用の組成物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜、有機膜トランジスタの製造方法および有機膜トランジスタに関する。
有機半導体材料を用いたデバイスは、従来のシリコンなどの無機半導体材料を用いたデバイスと比較して、様々な優位性が見込まれているため、高い関心を集めている。有機半導体材料を用いたデバイスの例としては、有機半導体材料を光電変換材料として用いた有機膜太陽電池や固体撮像素子などの光電変換素子や、非発光性(本明細書中、「非発光性」とは、室温、大気下0.1mW/cm2の電流密度でデバイスに電流を流した場合に、1lm/W以下の発光効率のことを言う。非発光性有機半導体デバイスと言えば、有機電界発光素子などの発光性有機半導体デバイスを除く有機半導体デバイスを意味する)の有機トランジスタが挙げられる。有機半導体材料を用いたデバイスは、無機半導体材料を用いたデバイスと比べて低温、低コストで大面積の素子を作製できる可能性がある。さらに分子構造を変化させることで容易に材料特性を変化させることが可能であるため材料のバリエーションが豊富であり、無機半導体材料ではなし得なかったような機能や素子を実現することができる。
有機膜トランジスタ(有機薄膜トランジスタ、有機トランジスタと言われることもある)は大気下塗布系のような簡便な装置で有機膜である半導体活性層が形成できることから将来の半導体技術として期待されている。半導体活性層の形成には、例えば特許文献1~5に記載されたような縮環芳香族化合物が用いられている。具体的には、特許文献1には、下記一般式で表される化合物が開示されている。
ここで、特許文献1の上記一般式1中、X、Yは水素原子、ハロゲン原子、ハロゲン原子を有していてもよい直鎖または分岐の脂肪族アルキル基及び脂環式のアルキル基、直鎖または分岐の脂肪族アルケニル基および脂環式のアルケニル基、カルボキシル基、チオール基のいずれかを部分構造として有する官能基のいずれかから選択される。
また、特許文献2には、下記一般式(I)で表される化合物であって、エネルギー付与により下記一般式(Ia)と(II)で表される化合物に変換される化合物が開示されている。
ここで、特許文献2の上記一般式(I)、(Ia)、(II)中、XおよびYは水素原子もしくは脱離性置換基を表し、XおよびYのうち一方は脱離性置換基であり、他方は水素原子である。Q2乃至Q5はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子または、1価の有機基であり、Q1およびQ6は、水素原子または、脱離性置換基を除く一価の有機基であり、Q1乃至Q6は隣り合った基同士でそれぞれ結合して環を形成していてもよい。
さらに、特許文献3には、活性エネルギー線の照射により、π電子共役系化合物と脱離性化合物X-Yに変換される工程を有する有機膜の製造方法が開示されている。なお、特許文献3には、π電子共役系化合物として以下の化合物が例示されている。
さらに、特許文献4には、下記一般式で表されるジチエノベンゾジチオフェン誘導体からなる有機半導体材料前駆体は、印刷等の簡便なプロセスで成膜できる溶解性を有し、成膜後は簡単な処理により不溶化し、後工程でのダメージを軽減できると共に、不溶化処理後は良好な半導体特性を示すと記載されている。
ここで、特許文献4の上記一般式中、X及びYは、外部刺激によりXとYが結合してX-Yとして上記一般式の化合物から脱離する基を表し、R1及びR2はそれぞれ独立に、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表し、R3~R10はそれぞれ独立に、水素、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換若しくは無置換のアルキルチオ基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。
さらに、特許文献5には、支持基板上に前駆体を成分として含む膜を形成する工程と、膜の後処理工程を含む有機電子デバイスの製造方法であって、前駆体が、下式等の基を有している化合物であり、後処理工程における膜の後処理を、酸または塩基の存在下で行なう有機電子デバイスの製造方法により、脱離性基を有する前駆体を用いた有機電子デバイスにおいて、用いられる支持基板の耐熱温度が低い場合においても、前駆体膜を種々の機能を有する有機膜へと変換でき、良好な特性の有機電子デバイスが得られること、また後処理工程において、加熱条件下で行なうことが記載されている。
ここで、特許文献5の上記式中、nは0以上の整数であり、Arは置換基を有していてもよい二価の芳香環または複素環基であり、Arはnが2以上の場合、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。Zは酸素原子または硫黄原子であり、R1乃至R3は水素原子、ハロゲン原子を有していてもよい直鎖または分岐の脂肪族アルキル基および脂環式のアルキル基、R4は水素原子、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数1以上の脂肪族アルキル基および脂環式のアルキル基、炭素数1以上の直鎖または分岐のアルコキシル基、炭素数1以上の直鎖または分岐のチオアルコキシル基から選択される基であり、R5は炭素数1以上の直鎖または分岐のアルコキシル基である。
有機膜トランジスタ素子の製造工程では電極を製造した後の加熱アニール工程などをはじめとして100~200℃程度の熱がかかることが多い。このような状況のもと、本発明者らが特許文献1~5に記載されている化合物を半導体活性層に用い有機膜トランジスタを形成したところ、半導体活性層を製膜した後に加熱アニール工程後にキャリア移動度が大きく下落してしまう問題があることが明らかとなった。
そこで本発明者らは、このような従来技術の課題を解決するために、半導体活性層を製膜した後に加熱アニール工程で熱処理を施した場合に、加熱アニール工程前後のキャリア移動度の下落率が小さい有機半導体膜形成用の組成物を得ることを目的として検討を進めた。本発明が解決しようとする課題は、有機半導体膜を形成した場合に高温での加熱アニール工程前後のキャリア移動度の下落率が小さい有機半導体膜形成用の組成物を提供することである。
上記の課題を解決するために鋭意検討を行った結果、特定の構造を有する縮環芳香族化合物を含む組成物を成膜後に加熱した場合に、特定の構造を有する縮環芳香族化合物の少なくとも一部を別の構造の縮環芳香族化合物に変換させた半導体活性層を用いることで、有機半導体膜を形成した場合に高温での加熱アニール工程前後のキャリア移動度の下落率が小さくなることを見出した。
上記課題を解決するための具体的な手段である本発明は、以下の構成を有する。
上記課題を解決するための具体的な手段である本発明は、以下の構成を有する。
[1] 下記一般式1で表される化合物を含む、有機半導体膜形成用の組成物;
一般式1中、
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、上記芳香環または上記複素芳香環は置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
kは0~5の整数を表し、nは1以上の整数を表し、kまたはnが2以上の場合、複数のL1は同一であっても異なっていてもよく、nが2以上の場合、複数のBは同一であっても異なっていてもよい;
L1は二価の芳香族基または二価の複素芳香族基を表す;
Bは、下記一般式2で表される置換基を表す;
一般式2中、
*はL1との結合部位を表す;
R1、R2およびR3は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す;
R4は、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のアルキニル基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロアリール基、アシル基、-C(=S)-R5、-S(=O)2-R6、-S(=O)-R7、-PO(OR8)2または-Si-(R9)3を表し、R5~R9はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
[2] [1]に記載の有機半導体膜形成用の組成物は、上記一般式1中のBが、下記一般式3で表される置換基を表すことが好ましい;
一般式3中、
R1、R2、R3およびR12は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Z1は酸素原子または硫黄原子を表す。
[3] [1]または[2]に記載の有機半導体膜形成用の組成物は、上記一般式1で表される化合物が、下記一般式4で表される化合物であることが好ましい;
一般式4中、
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、上記芳香環または上記複素芳香環は置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
nは1以上の整数を表し、nが2以上の場合、複数のR1、複数のR2、複数のR3、複数のR12および複数のZ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい;
R1、R2、R3およびR12は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Z1は酸素原子または硫黄原子を表す。
[4] [1]~[3]のいずれか1つに記載の有機半導体膜形成用の組成物は、上記一般式1におけるTは、芳香環または複素芳香環が5~7個縮環した縮環構造を表し、上記縮環構造は、置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではないことが好ましい。
[5] [1]~[4]のいずれか1つに記載の有機半導体膜形成用の組成物は、上記一般式1におけるT中の上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環が、それぞれ独立にベンゼン環、ピリジン環、フラン環、ピロール環およびチオフェン環のいずれか1つであることが好ましい。
[6] [1]~[5]のいずれか1つに記載の有機半導体膜形成用の組成物は、上記一般式1におけるT中の上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環が、それぞれ独立に、ベンゼン環およびチオフェン環のいずれか1つであることが好ましい。
[7] [1]~[6]のいずれか1つに記載の有機半導体膜形成用の組成物は、上記一般式1におけるT中の上記縮環構造が、両端にチオフェン環を有する縮環構造であることが好ましい。
[8] [1]~[6]のいずれか1つに記載の有機半導体膜形成用の組成物は、上記一般式1におけるT中の上記縮環構造が、両端にベンゼン環を有する縮環構造であることが好ましい。
[9] [1]~[8]のいずれか1つに記載の有機半導体膜形成用の組成物は、上記T中の上記縮環構造が、下記の縮環構造群T-1に含まれる縮環構造のいずれか1つであることが好ましい。
縮環構造群T-1
[10] [1]~[9]のいずれか1つに記載の有機半導体膜形成用の組成物は、さらに有機溶媒を含有することが好ましい。
[11] [10]に記載の有機半導体膜形成用の組成物は、上記有機溶媒が、芳香族炭化水素系溶媒、ハロゲン化炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒またはエーテル系溶媒であることが好ましい。
[12] [1]~[11]のいずれか1つに記載の有機半導体膜形成用の組成物は、さらにポリマーバインダーを含有することが好ましい。
[13] [1]~[12]のいずれか1つに記載の有機半導体膜形成用の組成物を成膜する工程と、
上記有機半導体膜形成用の組成物に対して外部刺激を与えて、前駆体である上記一般式1で表される化合物の少なくとも一部が下記一般式5で表される化合物に変換された半導体活性層を形成する工程とを含む、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法;
一般式5中、
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、上記芳香環または上記複素芳香環は置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
kは0~5の整数を表し、nは1以上の整数を表し、kまたはnが2以上の場合、複数のL1は同一であっても異なっていてもよく、nが2以上の場合、複数のDは同一であっても異なっていてもよい;
L1は二価の芳香族基または二価の複素芳香族基を表す;
Dは、下記一般式6で表される置換基を表す;
一般式6中、R1、R2およびR3は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
[14] [13]に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、上記外部刺激が、100℃以上での加熱であることが好ましい。
[15] [13]または[14]に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、上記一般式5で表される化合物が、下記一般式7で表される化合物であることが好ましい;
一般式7中、
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、上記芳香環または上記複素芳香環は置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
kは0~5の整数を表し、nは1以上の整数を表し、kまたはnが2以上の場合、複数のL1は同一であっても異なっていてもよく、nが2以上の場合、複数のR3は同一であっても異なっていてもよい;
L1は二価の芳香族基または二価の複素芳香族基を表す;
R3は水素原子または置換基を表す。
[16] [13]~[15]のいずれか1つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、上記一般式5におけるTは、芳香環または複素芳香環が5~7個縮環した縮環構造を表し、上記縮環構造は、置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではないことが好ましい。
[17] [13]~[16]のいずれか1つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、上記一般式5におけるT中の上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環が、それぞれ独立にベンゼン環、ピリジン環、フラン環、ピロール環およびチオフェン環のいずれか1つであることが好ましい。
[18] [13]~[17]のいずれか1つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、上記一般式5におけるT中の上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環が、それぞれ独立に、ベンゼン環およびチオフェン環のいずれか1つであることが好ましい。
[19] [13]~[18]のいずれか1つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、上記一般式5におけるT中の上記縮環構造が、両端にチオフェン環を有する縮環構造であることが好ましい。
[20] [13]~[18]のいずれか1つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、上記一般式5におけるT中の上記縮環構造が、両端にベンゼン環を有する縮環構造であることが好ましい。
[21] [13]~[20]のいずれか1つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、上記一般式5におけるT中の上記縮環構造が、下記の縮環構造群T-1に含まれる縮環構造のいずれか1つであることが好ましい。
縮環構造群T-1
[22] [13]~[21]のいずれか1つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法で製造された、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜。
[23] 下記一般式5で表される化合物を含む非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜;
一般式5中、
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、上記芳香環または上記複素芳香環は置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
kは0~5の整数を表し、nは1以上の整数を表し、kまたはnが2以上の場合、複数のL1は同一であっても異なっていてもよく、nが2以上の場合、複数のDは同一であっても異なっていてもよい;
L1は二価の芳香族基または二価の複素芳香族基を表す;
Dは、下記一般式6で表される置換基を表す;
一般式6中、R1、R2およびR3は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
[24] [23]に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は、上記一般式5で表される化合物が、下記一般式7で表される化合物であることが好ましい;
一般式7中、
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、上記芳香環または上記複素芳香環は置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
kは0~5の整数を表し、nは1以上の整数を表し、kまたはnが2以上の場合、複数のL1は同一であっても異なっていてもよく、nが2以上の場合、複数のR3は同一であっても異なっていてもよい;
L1は二価の芳香族基または二価の複素芳香族基を表す;
R3は水素原子または置換基を表す。
[25] [23]または[24]に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は、下記一般式1で表される化合物をさらに含むことが好ましい;
一般式1中、
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、上記芳香環または上記複素芳香環は置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
kは0~5の整数を表し、nは1以上の整数を表し、kまたはnが2以上の場合、複数のL1は同一であっても異なっていてもよく、nが2以上の場合、複数のBは同一であっても異なっていてもよい;
L1は二価の芳香族基または二価の複素芳香族基を表す;
Bは、下記一般式2で表される置換基を表す;
一般式2中、
*はL1との結合部位を表す;
R1、R2およびR3は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す;
R4は、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のアルキニル基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロアリール基、アシル基、-C(=S)-R5、-S(=O)2-R6、-S(=O)-R7、-PO(OR8)2または-Si-(R9)3を表し、R5~R9はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
[26] [25]に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は、上記一般式1中のBが、下記一般式3で表される置換基を表すことが好ましい;
一般式3中、
R1、R2、R3およびR12は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Z1は酸素原子または硫黄原子を表す。
[27] [25]または[26]に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は、上記一般式1で表される化合物が、下記一般式4で表される化合物であることが好ましい;
一般式4中、
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、上記芳香環または上記複素芳香環は置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
nは1以上の整数を表し、nが2以上の場合、複数のR1、複数のR2、複数のR3、複数のR12および複数のZ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい;
R1、R2、R3およびR12は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Z1は酸素原子または硫黄原子を表す。
[28] [25]~[27]のいずれか1つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は、上記一般式1で表される化合物の含有量が、上記一般式5で表される化合物の含有量に対して、0.01~50質量%であることが好ましい。
[29] [23]~[28]のいずれか1つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は、上記Tは、芳香環または複素芳香環が5~7個縮環した縮環構造を表し、上記縮環構造は、置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではないことが好ましい。
[30] [23]~[29]のいずれか1つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は、上記T中の上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環が、それぞれ独立にベンゼン環、ピリジン環、フラン環、ピロール環およびチオフェン環のいずれか1つであることが好ましい。
[31] [23]~[30]のいずれか1つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は、上記T中の上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環が、それぞれ独立に、ベンゼン環およびチオフェン環のいずれか1つであることが好ましい。
[32] [23]~[31]のいずれか1つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は、上記T中の上記縮環構造が、両端にチオフェン環を有する縮環構造であることが好ましい。
[33] [23]~[31]のいずれか1つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は、上記T中の上記縮環構造が、両端にベンゼン環を有する縮環構造であることが好ましい。
[34] [23]~[33]のいずれか1つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は、上記T中の上記縮環構造が、下記の縮環構造群T-1に含まれる縮環構造のいずれか1つであることが好ましい。
縮環構造群T-1
[35] [13]~[21]のいずれか1つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法を含み、
有機膜トランジスタの半導体活性層として、上記非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜を用いる、有機膜トランジスタの製造方法。
[36] [35]に記載の有機膜トランジスタの製造方法で製造された、有機膜トランジスタ。
[37] 有機膜トランジスタの半導体活性層として[23]~[34]のいずれか1つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜を有する、有機膜トランジスタ。
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、上記芳香環または上記複素芳香環は置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
kは0~5の整数を表し、nは1以上の整数を表し、kまたはnが2以上の場合、複数のL1は同一であっても異なっていてもよく、nが2以上の場合、複数のBは同一であっても異なっていてもよい;
L1は二価の芳香族基または二価の複素芳香族基を表す;
Bは、下記一般式2で表される置換基を表す;
*はL1との結合部位を表す;
R1、R2およびR3は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す;
R4は、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のアルキニル基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロアリール基、アシル基、-C(=S)-R5、-S(=O)2-R6、-S(=O)-R7、-PO(OR8)2または-Si-(R9)3を表し、R5~R9はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
[2] [1]に記載の有機半導体膜形成用の組成物は、上記一般式1中のBが、下記一般式3で表される置換基を表すことが好ましい;
R1、R2、R3およびR12は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Z1は酸素原子または硫黄原子を表す。
[3] [1]または[2]に記載の有機半導体膜形成用の組成物は、上記一般式1で表される化合物が、下記一般式4で表される化合物であることが好ましい;
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、上記芳香環または上記複素芳香環は置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
nは1以上の整数を表し、nが2以上の場合、複数のR1、複数のR2、複数のR3、複数のR12および複数のZ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい;
R1、R2、R3およびR12は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Z1は酸素原子または硫黄原子を表す。
[4] [1]~[3]のいずれか1つに記載の有機半導体膜形成用の組成物は、上記一般式1におけるTは、芳香環または複素芳香環が5~7個縮環した縮環構造を表し、上記縮環構造は、置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではないことが好ましい。
[5] [1]~[4]のいずれか1つに記載の有機半導体膜形成用の組成物は、上記一般式1におけるT中の上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環が、それぞれ独立にベンゼン環、ピリジン環、フラン環、ピロール環およびチオフェン環のいずれか1つであることが好ましい。
[6] [1]~[5]のいずれか1つに記載の有機半導体膜形成用の組成物は、上記一般式1におけるT中の上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環が、それぞれ独立に、ベンゼン環およびチオフェン環のいずれか1つであることが好ましい。
[7] [1]~[6]のいずれか1つに記載の有機半導体膜形成用の組成物は、上記一般式1におけるT中の上記縮環構造が、両端にチオフェン環を有する縮環構造であることが好ましい。
[8] [1]~[6]のいずれか1つに記載の有機半導体膜形成用の組成物は、上記一般式1におけるT中の上記縮環構造が、両端にベンゼン環を有する縮環構造であることが好ましい。
[9] [1]~[8]のいずれか1つに記載の有機半導体膜形成用の組成物は、上記T中の上記縮環構造が、下記の縮環構造群T-1に含まれる縮環構造のいずれか1つであることが好ましい。
縮環構造群T-1
[11] [10]に記載の有機半導体膜形成用の組成物は、上記有機溶媒が、芳香族炭化水素系溶媒、ハロゲン化炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒またはエーテル系溶媒であることが好ましい。
[12] [1]~[11]のいずれか1つに記載の有機半導体膜形成用の組成物は、さらにポリマーバインダーを含有することが好ましい。
[13] [1]~[12]のいずれか1つに記載の有機半導体膜形成用の組成物を成膜する工程と、
上記有機半導体膜形成用の組成物に対して外部刺激を与えて、前駆体である上記一般式1で表される化合物の少なくとも一部が下記一般式5で表される化合物に変換された半導体活性層を形成する工程とを含む、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法;
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、上記芳香環または上記複素芳香環は置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
kは0~5の整数を表し、nは1以上の整数を表し、kまたはnが2以上の場合、複数のL1は同一であっても異なっていてもよく、nが2以上の場合、複数のDは同一であっても異なっていてもよい;
L1は二価の芳香族基または二価の複素芳香族基を表す;
Dは、下記一般式6で表される置換基を表す;
[14] [13]に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、上記外部刺激が、100℃以上での加熱であることが好ましい。
[15] [13]または[14]に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、上記一般式5で表される化合物が、下記一般式7で表される化合物であることが好ましい;
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、上記芳香環または上記複素芳香環は置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
kは0~5の整数を表し、nは1以上の整数を表し、kまたはnが2以上の場合、複数のL1は同一であっても異なっていてもよく、nが2以上の場合、複数のR3は同一であっても異なっていてもよい;
L1は二価の芳香族基または二価の複素芳香族基を表す;
R3は水素原子または置換基を表す。
[16] [13]~[15]のいずれか1つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、上記一般式5におけるTは、芳香環または複素芳香環が5~7個縮環した縮環構造を表し、上記縮環構造は、置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではないことが好ましい。
[17] [13]~[16]のいずれか1つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、上記一般式5におけるT中の上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環が、それぞれ独立にベンゼン環、ピリジン環、フラン環、ピロール環およびチオフェン環のいずれか1つであることが好ましい。
[18] [13]~[17]のいずれか1つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、上記一般式5におけるT中の上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環が、それぞれ独立に、ベンゼン環およびチオフェン環のいずれか1つであることが好ましい。
[19] [13]~[18]のいずれか1つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、上記一般式5におけるT中の上記縮環構造が、両端にチオフェン環を有する縮環構造であることが好ましい。
[20] [13]~[18]のいずれか1つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、上記一般式5におけるT中の上記縮環構造が、両端にベンゼン環を有する縮環構造であることが好ましい。
[21] [13]~[20]のいずれか1つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、上記一般式5におけるT中の上記縮環構造が、下記の縮環構造群T-1に含まれる縮環構造のいずれか1つであることが好ましい。
縮環構造群T-1
[23] 下記一般式5で表される化合物を含む非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜;
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、上記芳香環または上記複素芳香環は置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
kは0~5の整数を表し、nは1以上の整数を表し、kまたはnが2以上の場合、複数のL1は同一であっても異なっていてもよく、nが2以上の場合、複数のDは同一であっても異なっていてもよい;
L1は二価の芳香族基または二価の複素芳香族基を表す;
Dは、下記一般式6で表される置換基を表す;
[24] [23]に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は、上記一般式5で表される化合物が、下記一般式7で表される化合物であることが好ましい;
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、上記芳香環または上記複素芳香環は置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
kは0~5の整数を表し、nは1以上の整数を表し、kまたはnが2以上の場合、複数のL1は同一であっても異なっていてもよく、nが2以上の場合、複数のR3は同一であっても異なっていてもよい;
L1は二価の芳香族基または二価の複素芳香族基を表す;
R3は水素原子または置換基を表す。
[25] [23]または[24]に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は、下記一般式1で表される化合物をさらに含むことが好ましい;
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、上記芳香環または上記複素芳香環は置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
kは0~5の整数を表し、nは1以上の整数を表し、kまたはnが2以上の場合、複数のL1は同一であっても異なっていてもよく、nが2以上の場合、複数のBは同一であっても異なっていてもよい;
L1は二価の芳香族基または二価の複素芳香族基を表す;
Bは、下記一般式2で表される置換基を表す;
*はL1との結合部位を表す;
R1、R2およびR3は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す;
R4は、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のアルキニル基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロアリール基、アシル基、-C(=S)-R5、-S(=O)2-R6、-S(=O)-R7、-PO(OR8)2または-Si-(R9)3を表し、R5~R9はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
[26] [25]に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は、上記一般式1中のBが、下記一般式3で表される置換基を表すことが好ましい;
R1、R2、R3およびR12は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Z1は酸素原子または硫黄原子を表す。
[27] [25]または[26]に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は、上記一般式1で表される化合物が、下記一般式4で表される化合物であることが好ましい;
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、上記芳香環または上記複素芳香環は置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
nは1以上の整数を表し、nが2以上の場合、複数のR1、複数のR2、複数のR3、複数のR12および複数のZ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい;
R1、R2、R3およびR12は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Z1は酸素原子または硫黄原子を表す。
[28] [25]~[27]のいずれか1つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は、上記一般式1で表される化合物の含有量が、上記一般式5で表される化合物の含有量に対して、0.01~50質量%であることが好ましい。
[29] [23]~[28]のいずれか1つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は、上記Tは、芳香環または複素芳香環が5~7個縮環した縮環構造を表し、上記縮環構造は、置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではないことが好ましい。
[30] [23]~[29]のいずれか1つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は、上記T中の上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環が、それぞれ独立にベンゼン環、ピリジン環、フラン環、ピロール環およびチオフェン環のいずれか1つであることが好ましい。
[31] [23]~[30]のいずれか1つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は、上記T中の上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環が、それぞれ独立に、ベンゼン環およびチオフェン環のいずれか1つであることが好ましい。
[32] [23]~[31]のいずれか1つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は、上記T中の上記縮環構造が、両端にチオフェン環を有する縮環構造であることが好ましい。
[33] [23]~[31]のいずれか1つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は、上記T中の上記縮環構造が、両端にベンゼン環を有する縮環構造であることが好ましい。
[34] [23]~[33]のいずれか1つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は、上記T中の上記縮環構造が、下記の縮環構造群T-1に含まれる縮環構造のいずれか1つであることが好ましい。
縮環構造群T-1
有機膜トランジスタの半導体活性層として、上記非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜を用いる、有機膜トランジスタの製造方法。
[36] [35]に記載の有機膜トランジスタの製造方法で製造された、有機膜トランジスタ。
[37] 有機膜トランジスタの半導体活性層として[23]~[34]のいずれか1つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜を有する、有機膜トランジスタ。
本発明によれば、有機半導体膜を形成した場合に高温での加熱アニール工程前後のキャリア移動度の下落率が小さい有機半導体膜形成用の組成物を提供することができる。
以下において、本発明について詳細に説明する。以下に記載する構成要件の説明は、代表的な実施形態や具体例に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施形態に限定されるものではない。なお、本明細書において「~」を用いて表される数値範囲は「~」前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
本発明において、各一般式の説明において特に区別されずに用いられている場合における水素原子は同位体(重水素原子等)も含んでいることを表す。さらに、置換基を構成する原子は、その同位体も含んでいることを表す。
本発明において、各一般式の説明において特に区別されずに用いられている場合における水素原子は同位体(重水素原子等)も含んでいることを表す。さらに、置換基を構成する原子は、その同位体も含んでいることを表す。
[有機半導体膜形成用の組成物]
本発明の有機半導体膜形成用の組成物は、下記一般式1で表される化合物を含む。
本発明の有機半導体膜形成用の組成物は、下記一般式1で表される化合物を含む。
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、上記芳香環または上記複素芳香環は置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
kは0~5の整数を表し、nは1以上の整数を表し、kまたはnが2以上の場合、複数のL1は同一であっても異なっていてもよく、nが2以上の場合、複数のBは同一であっても異なっていてもよい;
L1は二価の芳香族基または二価の複素芳香族基を表す;
Bは、下記一般式2で表される置換基を表す;
*はL1との結合部位を表す;
R1、R2およびR3は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す;
R4は、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のアルキニル基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロアリール基、アシル基、-C(=S)-R5、-S(=O)2-R6、-S(=O)-R7、-PO(OR8)2または-Si-(R9)3を表し、R5~R9はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
このような構成により、本発明の有機半導体膜形成用の組成物は、有機半導体膜を形成した場合に高温での加熱アニール工程前後のキャリア移動度の下落率が小さい。この理由ははっきりとは分からないが、高温での加熱アニール前後で電極とのコンタクト抵抗が大きく変化しないためであると考えられる。本発明者らは、コンタクト抵抗が大きく変化しないのは、一般式5で表される化合物の結晶性に起因していると推測している。また、本発明者らは、加熱アニール工程後にキャリア移動度が大きく下落するのは、半導体膜にクラックが発生することも原因の一つであると考えている。本発明ではアモルファス性が高い化合物が混ざることで膜の柔軟性が上がり、半導体膜の柔軟性があがったことで、クラックの発生を抑制でき、移動度の下落率が小さくなったと考えられる。
本発明の有機半導体膜形成用の組成物は、有機半導体膜を形成した場合に、加熱処理によってクラックが発生することを抑制することができることが好ましい。この理由は一般式1で表される化合物はアモルファス性が高く、結晶粒界ができにくいためと考えられる。クラックは結晶粒界や電極との界面からひびが入って発生すると本発明者らは推測しており、アモルファス性が高い化合物が混ざることで膜の柔軟性が上がり、クラック発生を抑制できると考えられる。
(-(L1)k-B)nで表される置換基を有するため、上記一般式1で表される化合物(以下、前駆体とも言う)は有機溶媒への溶解性が高い。本発明の有機半導体膜形成用の組成物は、(-(L1)k-B)nで表される置換基を有する一般式で表される化合物を含むため、有機半導体膜を溶液プロセスで形成しやすい。また、有機半導体膜を溶液プロセスで形成した後は、上記一般式1で表される化合物から脱離基を脱離させて、上記一般式1で表される化合物の少なくとも一部を後述の一般式5で表される化合物(以下、脱離体とも言う)に変換することができるため、本発明の有機半導体膜形成用の組成物を用いることで、上記一般式1で表される化合物よりも有機溶媒への溶解性が劣る後述の一般式5で表される化合物を実質的に溶液プロセスで形成することができる。なお、後述の一般式5で表される化合物は、有機半導体膜を形成した場合に高温での加熱アニール工程前後のキャリア移動度の下落率が小さくなる。
後述の一般式5で表される化合物と上記一般式1で表される化合物をともに含む有機半導体膜は、有機半導体膜を形成した場合に高温での加熱アニール工程前後のキャリア移動度の下落率がより小さくなり、加熱処理によってクラックが発生することをより抑制することができる。脱離体よりもアモルファス性の高い前駆体が混ざることで、有機半導体膜の柔軟性が上がったことが要因と考えられる。
本発明の有機半導体膜形成用の組成物は、有機半導体膜を形成した場合に、加熱処理によってクラックが発生することを抑制することができることが好ましい。この理由は一般式1で表される化合物はアモルファス性が高く、結晶粒界ができにくいためと考えられる。クラックは結晶粒界や電極との界面からひびが入って発生すると本発明者らは推測しており、アモルファス性が高い化合物が混ざることで膜の柔軟性が上がり、クラック発生を抑制できると考えられる。
(-(L1)k-B)nで表される置換基を有するため、上記一般式1で表される化合物(以下、前駆体とも言う)は有機溶媒への溶解性が高い。本発明の有機半導体膜形成用の組成物は、(-(L1)k-B)nで表される置換基を有する一般式で表される化合物を含むため、有機半導体膜を溶液プロセスで形成しやすい。また、有機半導体膜を溶液プロセスで形成した後は、上記一般式1で表される化合物から脱離基を脱離させて、上記一般式1で表される化合物の少なくとも一部を後述の一般式5で表される化合物(以下、脱離体とも言う)に変換することができるため、本発明の有機半導体膜形成用の組成物を用いることで、上記一般式1で表される化合物よりも有機溶媒への溶解性が劣る後述の一般式5で表される化合物を実質的に溶液プロセスで形成することができる。なお、後述の一般式5で表される化合物は、有機半導体膜を形成した場合に高温での加熱アニール工程前後のキャリア移動度の下落率が小さくなる。
後述の一般式5で表される化合物と上記一般式1で表される化合物をともに含む有機半導体膜は、有機半導体膜を形成した場合に高温での加熱アニール工程前後のキャリア移動度の下落率がより小さくなり、加熱処理によってクラックが発生することをより抑制することができる。脱離体よりもアモルファス性の高い前駆体が混ざることで、有機半導体膜の柔軟性が上がったことが要因と考えられる。
<一般式1で表される化合物>
以下、本発明の有機半導体膜形成用の組成物に用いられる化合物の好ましい態様を説明する。まず、本発明の有機半導体膜形成用の組成物に用いられる、一般式1で表される化合物について説明する。
以下、本発明の有機半導体膜形成用の組成物に用いられる化合物の好ましい態様を説明する。まず、本発明の有機半導体膜形成用の組成物に用いられる、一般式1で表される化合物について説明する。
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、上記芳香環または上記複素芳香環は置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
kは0~5の整数を表し、nは1以上の整数を表し、kまたはnが2以上の場合、複数のL1は同一であっても異なっていてもよく、nが2以上の場合、複数のBは同一であっても異なっていてもよい;
L1は二価の芳香族基または二価の複素芳香族基を表す;
Bは、下記一般式2で表される置換基を表す;
*はL1との結合部位を表す;
R1、R2およびR3は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す;
R4は、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のアルキニル基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロアリール基、アシル基、-C(=S)-R5、-S(=O)2-R6、-S(=O)-R7、-PO(OR8)2または-Si-(R9)3を表し、R5~R9はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
一般式1中、Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、上記芳香環または上記複素芳香環は置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない。
Tは、芳香環または複素芳香環が4~8個縮環した縮環構造であることが好ましく、芳香環または複素芳香環が4~7個縮環した縮環構造であることがより好ましく、芳香環または複素芳香環が5~7個縮環した縮環構造であることが特に好ましく、5または6個縮環した縮環構造であることがより特に好ましい。
本発明では、T中の上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環が、それぞれ独立にベンゼン環、ピリジン環、フラン環、ピロール環およびチオフェン環のいずれか1つであることが好ましく、ベンゼン環およびチオフェン環のいずれか1つであることがより好ましい。T中の上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環として、少なくとも一つのチオフェン環を含むことが、加熱アニール前のキャリア移動度を高め、かつ、加熱アニール後のキャリア移動度低下を少なくする観点から特に好ましい。
本発明の好ましい態様の一つでは、上記一般式1におけるT中の上記縮環構造が、両端にチオフェン環を有する縮環構造であることが、溶解性の観点からは好ましい。一方、本発明の別の好ましい態様の一つでは、上記一般式1におけるT中の上記縮環構造が、両端にベンゼン環を有する縮環構造であることが、大気安定性の観点からは好ましい。
Tは、芳香環または複素芳香環が4~8個縮環した縮環構造であることが好ましく、芳香環または複素芳香環が4~7個縮環した縮環構造であることがより好ましく、芳香環または複素芳香環が5~7個縮環した縮環構造であることが特に好ましく、5または6個縮環した縮環構造であることがより特に好ましい。
本発明では、T中の上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環が、それぞれ独立にベンゼン環、ピリジン環、フラン環、ピロール環およびチオフェン環のいずれか1つであることが好ましく、ベンゼン環およびチオフェン環のいずれか1つであることがより好ましい。T中の上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環として、少なくとも一つのチオフェン環を含むことが、加熱アニール前のキャリア移動度を高め、かつ、加熱アニール後のキャリア移動度低下を少なくする観点から特に好ましい。
本発明の好ましい態様の一つでは、上記一般式1におけるT中の上記縮環構造が、両端にチオフェン環を有する縮環構造であることが、溶解性の観点からは好ましい。一方、本発明の別の好ましい態様の一つでは、上記一般式1におけるT中の上記縮環構造が、両端にベンゼン環を有する縮環構造であることが、大気安定性の観点からは好ましい。
上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環は、(-(L1)k-B)nで表される置換基の他にさらなる任意の置換基を有していてもよく、この任意の置換基としてはハロゲン原子を挙げることができ、フッ素原子が好ましい。一般式1中、Tは(-(L1)k-B)nで表される置換基の他にさらなる任意の置換基を有さないことが好ましい。
T中の上記縮環構造の例を以下に示す。T中の上記縮環構造は、これらの具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
本発明では、上記T中の上記縮環構造が、下記の縮環構造群T-1に含まれる縮環構造のいずれか1つであることが好ましい。
縮環構造群T-1
これらの中でも、下記の縮環構造群T-2に含まれる縮環構造のいずれか1つであることがより好ましい。
縮環構造群T-2
縮環構造群T-1
縮環構造群T-2
一般式1中、kは0~5の整数を表し、0~2であることが好ましく、0または1であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。
なお、kが0を表す場合、-(L1)k-は単結合を表す。
なお、kが0を表す場合、-(L1)k-は単結合を表す。
一般式1中、nは1以上の整数を表し、1~3であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。
一般式1中、L1は二価の芳香族基または二価の複素芳香族基を表し、炭素数6~10の二価の芳香族基または炭素数4~8の二価の複素芳香族基であることがより好ましく、炭素数6~8の二価の芳香族基または炭素数4~5の二価の複素芳香族基であることが特に好ましい。
L1が表す二価の複素芳香族基のヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子、ケイ素原子、セレン原子、テルル原子であり、具体的にはピリジル、ピラジニル、ピリミジル、ピリダジニル、ピロリル、ピラゾリル、トリアゾリル、イミダゾリル、オキサゾリル、チアゾリル、イソキサゾリル、イソチアゾリル、キノリル、フリル、チエニル、セレノフェニル、テルロフェニル、ピペリジル、ピペリジノ、モルホリノ、ピロリジル、ピロリジノ、ベンゾオキサゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基、シロリル基などが挙げられる。
L1が表す二価の芳香族基または二価の複素芳香族基は、ベンゼン環、アゾール環、フラン環またはチオフェン環から2つの水素原子を取り除いた二価の芳香族基または二価の複素芳香族基であることがより特に好ましい。
L1が表す二価の芳香族基または二価の複素芳香族基は可能であればさらに置換基を有していてもよく、導入可能な置換基としては、以下に置換基群Aとして挙げた置換基が適用できる。
L1が表す二価の複素芳香族基のヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子、ケイ素原子、セレン原子、テルル原子であり、具体的にはピリジル、ピラジニル、ピリミジル、ピリダジニル、ピロリル、ピラゾリル、トリアゾリル、イミダゾリル、オキサゾリル、チアゾリル、イソキサゾリル、イソチアゾリル、キノリル、フリル、チエニル、セレノフェニル、テルロフェニル、ピペリジル、ピペリジノ、モルホリノ、ピロリジル、ピロリジノ、ベンゾオキサゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基、シロリル基などが挙げられる。
L1が表す二価の芳香族基または二価の複素芳香族基は、ベンゼン環、アゾール環、フラン環またはチオフェン環から2つの水素原子を取り除いた二価の芳香族基または二価の複素芳香族基であることがより特に好ましい。
L1が表す二価の芳香族基または二価の複素芳香族基は可能であればさらに置換基を有していてもよく、導入可能な置換基としては、以下に置換基群Aとして挙げた置換基が適用できる。
(置換基群A)
アルキル基(好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~10であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、tert-ブチル、n-オクチル、n-デシル、n-ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。)、アルケニル基(好ましくは炭素数2~30、より好ましくは炭素数2~20、特に好ましくは炭素数2~10であり、例えばビニル、アリル、2-ブテニル、3-ペンテニルなどが挙げられる。)、アルキニル基(好ましくは炭素数2~30、より好ましくは炭素数2~20、特に好ましくは炭素数2~10であり、例えばプロパルギル、3-ペンチニルなどが挙げられる。)、アリール基(好ましくは炭素数6~30、より好ましくは炭素数6~20、特に好ましくは炭素数6~12であり、例えばフェニル、パラ-メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。)、アミノ基(好ましくは炭素数0~30、より好ましくは炭素数0~20、特に好ましくは炭素数0~10であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~10であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、2-エチルヘキシロキシなどが挙げられる。)、アリールオキシ基(好ましくは炭素数6~30、より好ましくは炭素数6~20、特に好ましくは炭素数6~12であり、例えばフェニルオキシ、1-ナフチルオキシ、2-ナフチルオキシなどが挙げられる。)、ヘテロ環オキシ基(好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。)、アシル基(好ましくは炭素数2~30、より好ましくは炭素数2~20、特に好ましくは炭素数2~12であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2~30、より好ましくは炭素数2~20、特に好ましくは炭素数2~12であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。)、アリールオキシカルボニル基(好ましくは炭素数7~30、より好ましくは炭素数7~20、特に好ましくは炭素数7~12であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。)、アシルオキシ基(好ましくは炭素数2~30、より好ましくは炭素数2~20、特に好ましくは炭素数2~10であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。)、アシルアミノ基(好ましくは炭素数2~30、より好ましくは炭素数2~20、特に好ましくは炭素数2~10であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。)、アルコキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数2~30、より好ましくは炭素数2~20、特に好ましくは炭素数2~12であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。)、アリールオキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数7~30、より好ましくは炭素数7~20、特に好ましくは炭素数7~12であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。)、スルホニルアミノ基(好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。)、スルファモイル基(好ましくは炭素数0~30、より好ましくは炭素数0~20、特に好ましくは炭素数0~12であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。)、カルバモイル基(好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。)、アルキルチオ基(好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。)、アリールチオ基(好ましくは炭素数6~30、より好ましくは炭素数6~20、特に好ましくは炭素数6~12であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。)、ヘテロ環チオ基(好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばピリジルチオ、2-ベンズイミゾリルチオ、2-ベンズオキサゾリルチオ、2-ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。)、スルホニル基(好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。)、スルフィニル基(好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。)、ウレイド基(好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。)、リン酸アミド基(好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。)、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基(芳香族ヘテロ環基も包含し、好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~12であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子、ケイ素原子、セレン原子、テルル原子であり、具体的にはピリジル、ピラジニル、ピリミジル、ピリダジニル、ピロリル、ピラゾリル、トリアゾリル、イミダゾリル、オキサゾリル、チアゾリル、イソキサゾリル、イソチアゾリル、キノリル、フリル、チエニル、セレノフェニル、テルロフェニル、ピペリジル、ピペリジノ、モルホリノ、ピロリジル、ピロリジノ、ベンゾオキサゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基、シロリル基などが挙げられる。)、シリル基(好ましくは炭素数3~40、より好ましくは炭素数3~30、特に好ましくは炭素数3~24であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。)、シリルオキシ基(好ましくは炭素数3~40、より好ましくは炭素数3~30、特に好ましくは炭素数3~24であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。)、ホスホリル基(例えばジフェニルホスホリル基、ジメチルホスホリル基などが挙げられる。)が挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよく、更なる置換基としては、以上に説明した置換基群Aから選択される基を挙げることができる。
アルキル基(好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~10であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、tert-ブチル、n-オクチル、n-デシル、n-ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。)、アルケニル基(好ましくは炭素数2~30、より好ましくは炭素数2~20、特に好ましくは炭素数2~10であり、例えばビニル、アリル、2-ブテニル、3-ペンテニルなどが挙げられる。)、アルキニル基(好ましくは炭素数2~30、より好ましくは炭素数2~20、特に好ましくは炭素数2~10であり、例えばプロパルギル、3-ペンチニルなどが挙げられる。)、アリール基(好ましくは炭素数6~30、より好ましくは炭素数6~20、特に好ましくは炭素数6~12であり、例えばフェニル、パラ-メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。)、アミノ基(好ましくは炭素数0~30、より好ましくは炭素数0~20、特に好ましくは炭素数0~10であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~10であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、2-エチルヘキシロキシなどが挙げられる。)、アリールオキシ基(好ましくは炭素数6~30、より好ましくは炭素数6~20、特に好ましくは炭素数6~12であり、例えばフェニルオキシ、1-ナフチルオキシ、2-ナフチルオキシなどが挙げられる。)、ヘテロ環オキシ基(好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。)、アシル基(好ましくは炭素数2~30、より好ましくは炭素数2~20、特に好ましくは炭素数2~12であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2~30、より好ましくは炭素数2~20、特に好ましくは炭素数2~12であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。)、アリールオキシカルボニル基(好ましくは炭素数7~30、より好ましくは炭素数7~20、特に好ましくは炭素数7~12であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。)、アシルオキシ基(好ましくは炭素数2~30、より好ましくは炭素数2~20、特に好ましくは炭素数2~10であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。)、アシルアミノ基(好ましくは炭素数2~30、より好ましくは炭素数2~20、特に好ましくは炭素数2~10であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。)、アルコキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数2~30、より好ましくは炭素数2~20、特に好ましくは炭素数2~12であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。)、アリールオキシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数7~30、より好ましくは炭素数7~20、特に好ましくは炭素数7~12であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。)、スルホニルアミノ基(好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。)、スルファモイル基(好ましくは炭素数0~30、より好ましくは炭素数0~20、特に好ましくは炭素数0~12であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。)、カルバモイル基(好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。)、アルキルチオ基(好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。)、アリールチオ基(好ましくは炭素数6~30、より好ましくは炭素数6~20、特に好ましくは炭素数6~12であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。)、ヘテロ環チオ基(好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばピリジルチオ、2-ベンズイミゾリルチオ、2-ベンズオキサゾリルチオ、2-ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。)、スルホニル基(好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。)、スルフィニル基(好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。)、ウレイド基(好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。)、リン酸アミド基(好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。)、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基(芳香族ヘテロ環基も包含し、好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~12であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子、ケイ素原子、セレン原子、テルル原子であり、具体的にはピリジル、ピラジニル、ピリミジル、ピリダジニル、ピロリル、ピラゾリル、トリアゾリル、イミダゾリル、オキサゾリル、チアゾリル、イソキサゾリル、イソチアゾリル、キノリル、フリル、チエニル、セレノフェニル、テルロフェニル、ピペリジル、ピペリジノ、モルホリノ、ピロリジル、ピロリジノ、ベンゾオキサゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基、シロリル基などが挙げられる。)、シリル基(好ましくは炭素数3~40、より好ましくは炭素数3~30、特に好ましくは炭素数3~24であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。)、シリルオキシ基(好ましくは炭素数3~40、より好ましくは炭素数3~30、特に好ましくは炭素数3~24であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。)、ホスホリル基(例えばジフェニルホスホリル基、ジメチルホスホリル基などが挙げられる。)が挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよく、更なる置換基としては、以上に説明した置換基群Aから選択される基を挙げることができる。
一般式1中、Bは、下記一般式2で表される置換基を表す;
一般式2中、
*はL1との結合部位を表す;
R1、R2およびR3は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す;
R4は、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のアルキニル基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロアリール基、アシル基、-C(=S)-R5、-S(=O)2-R6、-S(=O)-R7、-PO(OR8)2または-Si-(R9)3を表し、R5~R9はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
*はL1との結合部位を表す;
R1、R2およびR3は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す;
R4は、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のアルキニル基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロアリール基、アシル基、-C(=S)-R5、-S(=O)2-R6、-S(=O)-R7、-PO(OR8)2または-Si-(R9)3を表し、R5~R9はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
一般式2中、R1、R2およびR3が取り得る置換基としては、上述の置換基群Aから選択される基を挙げることができ、これらの置換基は更に置換されてもよく、更なる置換基としても以上に説明した置換基群Aから選択される基を挙げることができる。
一般式2中、R1は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基またはアリール基であることが好ましく、水素原子またはアルキル基であることがより好ましく、水素原子であることが特に好ましい。
一般式2中、R2は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基またはアリール基であることが好ましく、水素原子またはアルキル基であることがより好ましく、水素原子であることが特に好ましい。
一般式2中、R3は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルフェニル基であることが好ましく、アルキル基またはアリール基であることがより好ましく、アルキル基であることが特に好ましい。R3が表すアルキル基としては、炭素数1~12の直鎖または分枝のアルキル基であることがより好ましく、炭素数1~8の直鎖または分枝のアルキル基であることがより特に好ましい。R3が表すアリール基としては、炭素数6~10のアリール基であることがより好ましく、フェニル基であることが特に好ましい。
一般式2中、R1は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基またはアリール基であることが好ましく、水素原子またはアルキル基であることがより好ましく、水素原子であることが特に好ましい。
一般式2中、R2は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基またはアリール基であることが好ましく、水素原子またはアルキル基であることがより好ましく、水素原子であることが特に好ましい。
一般式2中、R3は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルフェニル基であることが好ましく、アルキル基またはアリール基であることがより好ましく、アルキル基であることが特に好ましい。R3が表すアルキル基としては、炭素数1~12の直鎖または分枝のアルキル基であることがより好ましく、炭素数1~8の直鎖または分枝のアルキル基であることがより特に好ましい。R3が表すアリール基としては、炭素数6~10のアリール基であることがより好ましく、フェニル基であることが特に好ましい。
一般式2中、R4は、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のアルキニル基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロアリール基、アシル基、-C(=S)-R5、-S(=O)2-R6、-S(=O)-R7、-PO(OR8)2または-Si-(R9)3を表し、水素原子、アルキル基(好ましくは炭素数1~3)、アシル基または-C(=S)-R5であることが好ましく、水素原子、アシル基または-C(=S)-R5であることがより好ましく、アシル基または-C(=S)-R5であることが特に好ましい。
R5~R9はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、R5~R9がとり得る置換基としては、上述の置換基群Aから選択される基を挙げることができ、これらの置換基は更に置換されてもよく、更なる置換基としても以上に説明した置換基群Aから選択される基を挙げることができる。R5~R9はそれぞれ独立にアルキル基またはチオアルキル基であることが好ましく、炭素数1~15のアルキル基または炭素数1~15のチオアルキル基であることがより好ましく、炭素数2~10のアルキル基または炭素数2~10のチオアルキル基であることが特に好ましい。
R5~R9はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、R5~R9がとり得る置換基としては、上述の置換基群Aから選択される基を挙げることができ、これらの置換基は更に置換されてもよく、更なる置換基としても以上に説明した置換基群Aから選択される基を挙げることができる。R5~R9はそれぞれ独立にアルキル基またはチオアルキル基であることが好ましく、炭素数1~15のアルキル基または炭素数1~15のチオアルキル基であることがより好ましく、炭素数2~10のアルキル基または炭素数2~10のチオアルキル基であることが特に好ましい。
本発明の有機半導体膜形成用の組成物は、上記一般式1中のBが、下記一般式3で表される置換基を表すことが好ましい;
一般式3中、
R1、R2、R3およびR12は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Z1は酸素原子または硫黄原子を表す。
R1、R2、R3およびR12は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Z1は酸素原子または硫黄原子を表す。
一般式3中、R1、R2およびR3の定義と好ましい範囲は、それぞれ一般式2におけるR1、R2およびR3の定義と好ましい範囲と同様である。
一般式3中、R12は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表し、一般式3中のR12の好ましい範囲は、一般式2中のR5の好ましい範囲と同様である。
一般式3中、Z1は酸素原子または硫黄原子を表し、酸素原子であることが好ましい。
一般式3中、R12は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表し、一般式3中のR12の好ましい範囲は、一般式2中のR5の好ましい範囲と同様である。
一般式3中、Z1は酸素原子または硫黄原子を表し、酸素原子であることが好ましい。
本発明の有機半導体膜形成用の組成物は、上記一般式1で表される化合物が、下記一般式4で表される化合物であることが好ましい;
一般式4中、
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、上記芳香環または上記複素芳香環は置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
nは1以上の整数を表し、nが2以上の場合、複数のR1、複数のR2、複数のR3、複数のR12および複数のZ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい;
R1、R2、R3およびR12は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Z1は酸素原子または硫黄原子を表す。
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、上記芳香環または上記複素芳香環は置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
nは1以上の整数を表し、nが2以上の場合、複数のR1、複数のR2、複数のR3、複数のR12および複数のZ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい;
R1、R2、R3およびR12は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Z1は酸素原子または硫黄原子を表す。
一般式4中、Tおよびnの定義と好ましい範囲は、それぞれ一般式1におけるTおよびnの定義と好ましい範囲と同様である。
一般式4中、R1、R2およびR3の定義と好ましい範囲は、それぞれ一般式2におけるR1、R2およびR3の定義と好ましい範囲と同様である。
一般式4中、R12およびZ1の定義と好ましい範囲は、それぞれ一般式3におけるR12およびZ1の定義と好ましい範囲と同様である。
一般式4中、R1、R2およびR3の定義と好ましい範囲は、それぞれ一般式2におけるR1、R2およびR3の定義と好ましい範囲と同様である。
一般式4中、R12およびZ1の定義と好ましい範囲は、それぞれ一般式3におけるR12およびZ1の定義と好ましい範囲と同様である。
(一般式1で表される化合物の具体的化合物例)
一般式1で表される化合物の具体的化合物例を以下に示す。
一般式1で表される化合物の具体的化合物例を以下に示す。
(分子量)
上記一般式1で表される化合物は、分子量が3000以下であることが好ましく、2000以下であることがより好ましく、1000以下であることがさらに好ましく、850以下であることが特に好ましい。分子量を上記上限値以下とすることにより、溶媒への溶解性を高めることができるため好ましい。
一方で、膜の膜質安定性の観点からは、分子量は400以上であることが好ましく、450以上であることがより好ましく、500以上であることがさらに好ましい。
上記一般式1で表される化合物は、分子量が3000以下であることが好ましく、2000以下であることがより好ましく、1000以下であることがさらに好ましく、850以下であることが特に好ましい。分子量を上記上限値以下とすることにより、溶媒への溶解性を高めることができるため好ましい。
一方で、膜の膜質安定性の観点からは、分子量は400以上であることが好ましく、450以上であることがより好ましく、500以上であることがさらに好ましい。
(合成方法)
上記一般式1で表される化合物は、Tで表される母核をOrganic Letters, 2007, 4449や、RSC Advances, 2013,19341や、Journal of the American Chemical Society, 1998, 664や、Journal of the Chemical Society, Perkin Transactions 1 1973,1099を参考に合成することができる。その後、Tで表される母核から、上記一般式1で表される化合物を、後述の実施例に記載の方法やJournal of the American Chemical Society, 2007, 2224を参考に合成することができる。
上記一般式1で表される化合物の合成において、いかなる反応条件を用いてもよい。反応溶媒としては、いかなる溶媒を用いてもよい。また、環形成反応促進のために、酸または塩基を用いることが好ましく、特に塩基を用いることが好ましい。最適な反応条件は、目的とする化合物の構造により異なるが、上記の文献に記載された具体的な反応条件を参考に設定することができる。
上記一般式1で表される化合物は、Tで表される母核をOrganic Letters, 2007, 4449や、RSC Advances, 2013,19341や、Journal of the American Chemical Society, 1998, 664や、Journal of the Chemical Society, Perkin Transactions 1 1973,1099を参考に合成することができる。その後、Tで表される母核から、上記一般式1で表される化合物を、後述の実施例に記載の方法やJournal of the American Chemical Society, 2007, 2224を参考に合成することができる。
上記一般式1で表される化合物の合成において、いかなる反応条件を用いてもよい。反応溶媒としては、いかなる溶媒を用いてもよい。また、環形成反応促進のために、酸または塩基を用いることが好ましく、特に塩基を用いることが好ましい。最適な反応条件は、目的とする化合物の構造により異なるが、上記の文献に記載された具体的な反応条件を参考に設定することができる。
<その他の成分>
本発明の有機半導体膜形成用の組成物は、その他の成分を含んでいてもよい。その他の成分としては、ポリマーバインダーや有機溶媒を挙げることができる。
本発明の有機半導体膜形成用の組成物は、その他の成分を含んでいてもよい。その他の成分としては、ポリマーバインダーや有機溶媒を挙げることができる。
(ポリマーバインダー)
本発明の有機半導体膜形成用の組成物は、上記一般式1で表される化合物を含み、ポリマーバインダーを含有しない態様も好ましい。
また、本発明の有機半導体膜形成用の組成物は、上記一般式1で表される化合物と、さらにポリマーバインダーを含有してもよい。この場合、上記一般式1で表される化合物などの層を形成する材料とポリマーバインダーとを前述の適当な有機溶媒に溶解させ、または分散させて塗布液とし、各種の塗布法により膜を形成することができる。
本発明の有機半導体膜形成用の組成物は、さらにポリマーバインダーを含むことが好ましい。
ポリマーバインダーとしては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリウレタン、ポリシロキサン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース、ポリエチレン、ポリプロピレンなどの絶縁性ポリマー、およびこれらの共重合体、ポリビニルカルバゾール、ポリシランなどの光伝導性ポリマー、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリパラフェニレンビニレンなどの導電性ポリマー、半導体ポリマーを挙げることができる。
ポリマーバインダーは、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
また、上記一般式1で表される化合物などの有機半導体と、ポリマーバインダーとは均一に混合していてもよく、一部または全部が相分離していてもよいが、電荷移動度の観点では、膜中で膜厚方向に有機半導体とバインダーが相分離した構造が、バインダーが有機半導体の電荷移動を妨げず最も好ましい。
膜の機械的強度を考慮するとガラス転移温度の高いポリマーバインダーが好ましく、電荷移動度を考慮すると極性基を含まない構造のポリマーバインダーや光伝導性ポリマー、導電性ポリマーが好ましい。
ポリマーバインダーの使用量は、特に制限はないが、本発明の有機半導体膜形成用の組成物中、好ましくは0~95質量%の範囲内で用いられ、より好ましくは10~90質量%の範囲内で用いられ、さらに好ましくは20~80質量%の範囲内で用いられ、特に好ましくは30~70質量%の範囲内で用いられる。
本発明の有機半導体膜形成用の組成物は、上記一般式1で表される化合物を含み、ポリマーバインダーを含有しない態様も好ましい。
また、本発明の有機半導体膜形成用の組成物は、上記一般式1で表される化合物と、さらにポリマーバインダーを含有してもよい。この場合、上記一般式1で表される化合物などの層を形成する材料とポリマーバインダーとを前述の適当な有機溶媒に溶解させ、または分散させて塗布液とし、各種の塗布法により膜を形成することができる。
本発明の有機半導体膜形成用の組成物は、さらにポリマーバインダーを含むことが好ましい。
ポリマーバインダーとしては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリウレタン、ポリシロキサン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース、ポリエチレン、ポリプロピレンなどの絶縁性ポリマー、およびこれらの共重合体、ポリビニルカルバゾール、ポリシランなどの光伝導性ポリマー、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリパラフェニレンビニレンなどの導電性ポリマー、半導体ポリマーを挙げることができる。
ポリマーバインダーは、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
また、上記一般式1で表される化合物などの有機半導体と、ポリマーバインダーとは均一に混合していてもよく、一部または全部が相分離していてもよいが、電荷移動度の観点では、膜中で膜厚方向に有機半導体とバインダーが相分離した構造が、バインダーが有機半導体の電荷移動を妨げず最も好ましい。
膜の機械的強度を考慮するとガラス転移温度の高いポリマーバインダーが好ましく、電荷移動度を考慮すると極性基を含まない構造のポリマーバインダーや光伝導性ポリマー、導電性ポリマーが好ましい。
ポリマーバインダーの使用量は、特に制限はないが、本発明の有機半導体膜形成用の組成物中、好ましくは0~95質量%の範囲内で用いられ、より好ましくは10~90質量%の範囲内で用いられ、さらに好ましくは20~80質量%の範囲内で用いられ、特に好ましくは30~70質量%の範囲内で用いられる。
(有機溶媒)
本発明の有機半導体膜形成用の組成物は、粉状であっても、溶液状態であっても、分散液状態であってもよいが、本発明の有機半導体膜形成用の組成物はさらに有機溶媒を含むことが好ましい。
本発明の有機半導体膜形成用の組成物を用いて溶液プロセスを用いて成膜する場合、層を形成する材料を適当な有機溶媒(例えば、ヘキサン、オクタン、デカン、デカリン、などの脂肪族炭化水素系溶媒;トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、1-メチルナフタレンなどの芳香族炭化水素系溶媒;例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒;例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒;例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミルなどのエステル系溶媒;例えば、メタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコールなどのアルコール系溶媒;例えば、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソールなどのエーテル系溶媒;例えば、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、1-メチルー2-ピロリドン、1-メチルー2-イミダゾリジノン等のアミド・イミド系溶媒;ジメチルスルフォキサイドなどのスルホキシド系溶媒;アセトニトリルなどのニトリル系溶媒)および/または水に溶解、または分散させて塗布液とし、各種の塗布法により膜を形成することができる。溶媒は単独で用いてもよく、複数組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、芳香族炭化水素系溶媒、ハロゲン化炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒またはエーテル系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、ジクロロベンゼンまたはアニソールがより好ましく、トルエン、キシレン、テトラリン、アニソールが特に好ましい。本発明の有機半導体膜形成用の組成物中、一般式1で表される化合物の濃度は、好ましくは、0.1~80質量%、より好ましくは0.1~10質量%、特に好ましくは0.5~10質量%であり、これらの範囲であれば、任意の厚さの膜を形成できる。
本発明の有機半導体膜形成用の組成物は、粉状であっても、溶液状態であっても、分散液状態であってもよいが、本発明の有機半導体膜形成用の組成物はさらに有機溶媒を含むことが好ましい。
本発明の有機半導体膜形成用の組成物を用いて溶液プロセスを用いて成膜する場合、層を形成する材料を適当な有機溶媒(例えば、ヘキサン、オクタン、デカン、デカリン、などの脂肪族炭化水素系溶媒;トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、1-メチルナフタレンなどの芳香族炭化水素系溶媒;例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒;例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒;例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミルなどのエステル系溶媒;例えば、メタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコールなどのアルコール系溶媒;例えば、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソールなどのエーテル系溶媒;例えば、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、1-メチルー2-ピロリドン、1-メチルー2-イミダゾリジノン等のアミド・イミド系溶媒;ジメチルスルフォキサイドなどのスルホキシド系溶媒;アセトニトリルなどのニトリル系溶媒)および/または水に溶解、または分散させて塗布液とし、各種の塗布法により膜を形成することができる。溶媒は単独で用いてもよく、複数組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、芳香族炭化水素系溶媒、ハロゲン化炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒またはエーテル系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、ジクロロベンゼンまたはアニソールがより好ましく、トルエン、キシレン、テトラリン、アニソールが特に好ましい。本発明の有機半導体膜形成用の組成物中、一般式1で表される化合物の濃度は、好ましくは、0.1~80質量%、より好ましくは0.1~10質量%、特に好ましくは0.5~10質量%であり、これらの範囲であれば、任意の厚さの膜を形成できる。
[非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法]
本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、本発明の有機半導体膜形成用の組成物を成膜する工程と、
上記有機半導体膜形成用の組成物に対して外部刺激を与えて、前駆体である上記一般式1で表される化合物の少なくとも一部が下記一般式5で表される化合物に変換された半導体活性層を形成する工程とを含む。
一般式5中、
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、上記芳香環または上記複素芳香環は置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
kは0~5の整数を表し、nは1以上の整数を表し、kまたはnが2以上の場合、複数のL1は同一であっても異なっていてもよく、nが2以上の場合、複数のDは同一であっても異なっていてもよい;
L1は二価の芳香族基または二価の複素芳香族基を表す;
Dは、下記一般式6で表される置換基を表す;
一般式6中、R1、R2およびR3は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、本発明の有機半導体膜形成用の組成物を成膜する工程と、
上記有機半導体膜形成用の組成物に対して外部刺激を与えて、前駆体である上記一般式1で表される化合物の少なくとも一部が下記一般式5で表される化合物に変換された半導体活性層を形成する工程とを含む。
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、上記芳香環または上記複素芳香環は置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
kは0~5の整数を表し、nは1以上の整数を表し、kまたはnが2以上の場合、複数のL1は同一であっても異なっていてもよく、nが2以上の場合、複数のDは同一であっても異なっていてもよい;
L1は二価の芳香族基または二価の複素芳香族基を表す;
Dは、下記一般式6で表される置換基を表す;
<成膜工程>
本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、本発明の有機半導体膜形成用の組成物を成膜する工程を含む。
本発明の有機半導体膜形成用の組成物を成膜する工程はいかなる方法でもよい。
成膜の際、基板を加熱または冷却してもよく、基板の温度を変化させることで膜質や膜中での分子のパッキングを制御することが可能である。基板の温度としては特に制限はないが、0℃から200℃の間であることが好ましく、15℃~100℃の間であることがより好ましく、20℃~95℃の間であることが特に好ましい。
上記一般式5で表される化合物などの縮環芳香族化合物を基板上に成膜するとき、真空プロセスあるいは溶液プロセスにより成膜することが可能である。
本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、本発明の有機半導体膜形成用の組成物を成膜する工程を含む。
本発明の有機半導体膜形成用の組成物を成膜する工程はいかなる方法でもよい。
成膜の際、基板を加熱または冷却してもよく、基板の温度を変化させることで膜質や膜中での分子のパッキングを制御することが可能である。基板の温度としては特に制限はないが、0℃から200℃の間であることが好ましく、15℃~100℃の間であることがより好ましく、20℃~95℃の間であることが特に好ましい。
上記一般式5で表される化合物などの縮環芳香族化合物を基板上に成膜するとき、真空プロセスあるいは溶液プロセスにより成膜することが可能である。
真空プロセスによる成膜の具体的な例としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、分子ビームエピタキシー(MBE)法などの物理気相成長法あるいはプラズマ重合などの化学気相蒸着(CVD)法が挙げられ、真空蒸着法を用いることが特に好ましい。
溶液プロセスによる成膜とは、ここでは有機化合物を溶解させることができる溶媒中に溶解させ、その溶液を用いて成膜する方法をさす。具体的には、キャスト法、ディップコート法、ダイコーター法、ロールコーター法、バーコーター法、スピンコート法などの塗布法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソグラフィー印刷法、オフセット印刷法、マイクロコンタクト印刷法などの各種印刷法、Langmuir-Blodgett(LB)法などの通常の方法を用いることができ、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、グラビア印刷法、フレキソグラフィー印刷法、オフセット印刷法、マイクロコンタクト印刷法を用いることが特に好ましい。
本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は、溶液塗布法により作製されたことが好ましい。また、本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜がポリマーバインダーを含有する場合、層を形成する材料とポリマーバインダーとを適当な溶媒に溶解させ、または分散させて塗布液とし、各種の塗布法により形成されることが好ましい。
本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は、溶液塗布法により作製されたことが好ましい。また、本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜がポリマーバインダーを含有する場合、層を形成する材料とポリマーバインダーとを適当な溶媒に溶解させ、または分散させて塗布液とし、各種の塗布法により形成されることが好ましい。
溶液プロセスで成膜するためには、上記で挙げた溶媒などに材料が溶解することが必要であるが、単に溶解するだけでは不十分である。通常、真空プロセスで成膜する材料でも、溶媒にある程度溶解させることができる。しかし、溶液プロセスでは、材料を溶媒に溶解させて塗布した後で、溶媒が蒸発して膜が形成する過程があり、溶液プロセス成膜に適さない材料は結晶性が高いものが多いため、この過程で不適切に結晶化(凝集)してしまい良好な膜を形成させることが困難である。上記一般式1で表される化合物は、(-(L1)k-B)nで表される置換基を有するため、このような結晶化(凝集)が起こりにくい点でも優れている。なお、本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、このような上記一般式1で表される化合物を用いて成膜した後、上記一般式1で表される化合物の少なくとも一部を後述の一般式5で表される化合物に変換する。
<半導体活性層を形成する工程>
本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、上記有機半導体膜形成用の組成物に対して外部刺激を与えて、前駆体である上記一般式1で表される化合物の少なくとも一部が下記一般式5で表される化合物に変換された半導体活性層を形成する工程を含む。
本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、上記有機半導体膜形成用の組成物に対して外部刺激を与えて、前駆体である上記一般式1で表される化合物の少なくとも一部が下記一般式5で表される化合物に変換された半導体活性層を形成する工程を含む。
(外部刺激)
上記外部刺激としては特に制限は無く、加熱、活性エネルギー線照射を挙げることができ、その中でも外部刺激が加熱であることが好ましく、外部刺激が100℃以上での加熱であることがより好ましい。
外部刺激は100~400℃での加熱であることが特に好ましく、100~300℃での加熱であることがより特に好ましい。
このような外部刺激により、前駆体である上記一般式1で表される化合物の少なくとも一部が上記一般式5で表される化合物に変換される。
上記一般式1で表される化合物の少なくとも一部が上記一般式5で表される化合物に変換されればよく、上記一般式1で表される化合物の全部が上記一般式5で表される化合物に変換される必要はない。上記一般式1で表される化合物から上記一般式5で表される化合物への変換の割合は、温度制御、使用する有機溶媒などの様々な方法により制御することができる。
上記外部刺激としては特に制限は無く、加熱、活性エネルギー線照射を挙げることができ、その中でも外部刺激が加熱であることが好ましく、外部刺激が100℃以上での加熱であることがより好ましい。
外部刺激は100~400℃での加熱であることが特に好ましく、100~300℃での加熱であることがより特に好ましい。
このような外部刺激により、前駆体である上記一般式1で表される化合物の少なくとも一部が上記一般式5で表される化合物に変換される。
上記一般式1で表される化合物の少なくとも一部が上記一般式5で表される化合物に変換されればよく、上記一般式1で表される化合物の全部が上記一般式5で表される化合物に変換される必要はない。上記一般式1で表される化合物から上記一般式5で表される化合物への変換の割合は、温度制御、使用する有機溶媒などの様々な方法により制御することができる。
(一般式5で表される化合物)
上記外部刺激により、前駆体である上記一般式1で表される化合物の少なくとも一部が変換された、下記一般式5で表される化合物について説明する。
上記外部刺激により、前駆体である上記一般式1で表される化合物の少なくとも一部が変換された、下記一般式5で表される化合物について説明する。
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、上記芳香環または上記複素芳香環は置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
kは0~5の整数を表し、nは1以上の整数を表し、kまたはnが2以上の場合、複数のL1は同一であっても異なっていてもよく、nが2以上の場合、複数のDは同一であっても異なっていてもよい;
L1は二価の芳香族基または二価の複素芳香族基を表す;
Dは、下記一般式6で表される置換基を表す;
一般式5中、T、L1、kおよびnの好ましい範囲は、一般式1におけるT、L1、kおよびnの好ましい範囲と同様である。
一般式5中、Dは、下記一般式6で表される置換基を表す;
一般式6中、R1、R2およびR3は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
一般式6中、R1、R2およびR3の好ましい範囲は、一般式2におけるR1、R2およびR3の好ましい範囲と同様である。
一般式6中、R1、R2およびR3の好ましい範囲は、一般式2におけるR1、R2およびR3の好ましい範囲と同様である。
本発明では、上記一般式5で表される化合物が、下記一般式7で表される化合物であることが好ましい;
一般式7中、
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、上記芳香環または上記複素芳香環は置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
kは0~5の整数を表し、nは1以上の整数を表し、kまたはnが2以上の場合、複数のL1は同一であっても異なっていてもよく、nが2以上の場合、複数のR3は同一であっても異なっていてもよい;
L1は二価の芳香族基または二価の複素芳香族基を表す;
R3は水素原子または置換基を表す。
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、上記芳香環または上記複素芳香環は置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
kは0~5の整数を表し、nは1以上の整数を表し、kまたはnが2以上の場合、複数のL1は同一であっても異なっていてもよく、nが2以上の場合、複数のR3は同一であっても異なっていてもよい;
L1は二価の芳香族基または二価の複素芳香族基を表す;
R3は水素原子または置換基を表す。
一般式7中、T、L1、kおよびnの好ましい範囲は、一般式1におけるT、L1、kおよびnの好ましい範囲と同様である。
一般式7中、R3の好ましい範囲は、一般式2におけるR3の好ましい範囲と同様である。
一般式7中、R3の好ましい範囲は、一般式2におけるR3の好ましい範囲と同様である。
-一般式5で表される化合物の具体的化合物例-
一般式5で表される化合物の具体的化合物例を以下に示す。
一般式5で表される化合物の具体的化合物例を以下に示す。
[非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜]
本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の第一の態様は、本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法で製造された、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜である。
本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の第二の態様は、下記一般式5で表される化合物を含む非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜である。なお、一般式5の好ましい範囲は、本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法の説明において上述したとおりである。
一般式5中、
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、上記芳香環または上記複素芳香環は置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
kは0~5の整数を表し、nは1以上の整数を表し、kまたはnが2以上の場合、複数のL1は同一であっても異なっていてもよく、nが2以上の場合、複数のDは同一であっても異なっていてもよい;
L1は二価の芳香族基または二価の複素芳香族基を表す;
Dは、下記一般式6で表される置換基を表す;
一般式6中、R1、R2およびR3は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の第一の態様は、本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法で製造された、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜である。
本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の第二の態様は、下記一般式5で表される化合物を含む非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜である。なお、一般式5の好ましい範囲は、本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法の説明において上述したとおりである。
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、上記芳香環または上記複素芳香環は置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
kは0~5の整数を表し、nは1以上の整数を表し、kまたはnが2以上の場合、複数のL1は同一であっても異なっていてもよく、nが2以上の場合、複数のDは同一であっても異なっていてもよい;
L1は二価の芳香族基または二価の複素芳香族基を表す;
Dは、下記一般式6で表される置換基を表す;
本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は下記一般式1で表される化合物をさらに含むことが好ましい。なお、一般式1の好ましい範囲は、本発明の有機半導体膜形成用の組成物の説明において上述したとおりである。
一般式1中、
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、上記芳香環または上記複素芳香環は置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
kは0~5の整数を表し、nは1以上の整数を表し、kまたはnが2以上の場合、複数のL1は同一であっても異なっていてもよく、nが2以上の場合、複数のBは同一であっても異なっていてもよい;
L1は二価の芳香族基または二価の複素芳香族基を表す;
Bは、下記一般式2で表される置換基を表す;
一般式2中、
*はL1との結合部位を表す;
R1、R2およびR3は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す;
R4は、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のアルキニル基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロアリール基、アシル基、-C(=S)-R5、-S(=O)2-R6、-S(=O)-R7、-PO(OR8)2または-Si-(R9)3を表し、R5~R9はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、上記芳香環または上記複素芳香環は置換基を有していてもよく、上記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
kは0~5の整数を表し、nは1以上の整数を表し、kまたはnが2以上の場合、複数のL1は同一であっても異なっていてもよく、nが2以上の場合、複数のBは同一であっても異なっていてもよい;
L1は二価の芳香族基または二価の複素芳香族基を表す;
Bは、下記一般式2で表される置換基を表す;
*はL1との結合部位を表す;
R1、R2およびR3は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す;
R4は、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のアルキニル基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロアリール基、アシル基、-C(=S)-R5、-S(=O)2-R6、-S(=O)-R7、-PO(OR8)2または-Si-(R9)3を表し、R5~R9はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
<組成比>
本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は、上記一般式1で表される化合物の含有量が、上記一般式5で表される化合物の含有量に対して、0.01~50質量%であることが好ましく、0.01~40質量%であることがより好ましく、0.01~25質量%であることが特に好ましく、0.05~20質量%であることがより特に好ましく、0.1~10質量%であることがさらにより特に好ましい。すなわち、本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜中、前駆体は、変換後の化合物(脱離体)に対して0.01~50質量%であることが好ましく、0.01~40質量%であることがより好ましく、0.01~25質量%であることが特に好ましく、0.05~20質量%であることがより特に好ましく、0.1~10質量%であることがさらにより特に好ましい。
本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は、上記一般式1で表される化合物の含有量が、上記一般式5で表される化合物の含有量に対して、0.01~50質量%であることが好ましく、0.01~40質量%であることがより好ましく、0.01~25質量%であることが特に好ましく、0.05~20質量%であることがより特に好ましく、0.1~10質量%であることがさらにより特に好ましい。すなわち、本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜中、前駆体は、変換後の化合物(脱離体)に対して0.01~50質量%であることが好ましく、0.01~40質量%であることがより好ましく、0.01~25質量%であることが特に好ましく、0.05~20質量%であることがより特に好ましく、0.1~10質量%であることがさらにより特に好ましい。
<用途>
本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜を、非発光性有機半導体デバイスの製造に用いることができ、非発光性有機半導体デバイスの中でも有機膜トランジスタの製造に好ましく用いることができる。
なお、「発光性」有機半導体デバイスとして、有機Electro Luminescence(EL)素子が知られている。有機EL素子材料として有用なものが、ただちに有機膜トランジスタ用半導体材料として有用であると言うことはできない。これは、有機EL素子と有機膜トランジスタでは、有機化合物に求められる特性が異なるためである。有機EL素子では通常膜の膜厚方向(通常数nm~数100nm)に電荷を輸送する必要があるのに対し、有機膜トランジスタでは膜面方向の電極間(通常数μm~数100μm)の長距離を電荷(キャリア)輸送する必要がある。このため、求められるキャリア移動度が格段に高い。そのため、有機膜トランジスタ用半導体材料としては、分子の配列秩序が高い、結晶性が高い有機化合物が求められている。また、高いキャリア移動度発現のため、π共役平面は基板に対して直立していることが好ましい。一方、有機EL素子では、発光効率を高めるため、発光効率が高く、面内での発光が均一な素子が求められている。通常、結晶性の高い有機化合物は、面内の電界強度不均一、発光不均一、発光クエンチ等、発光欠陥を生じさせる原因となるため、有機EL素子用材料は結晶性を低くし、アモルファス性の高い材料が望まれる。このため、有機EL素子材料を構成する有機化合物を有機半導体材料にそのまま転用しても、ただちに良好なトランジスタ特性を得ることができる訳ではない。
また、同様に有機光電変換素子として有用なものも、ただちには、求められるキャリア移動度が格段に高い有機膜トランジスタ用半導体材料として有用であると言うことはできない。
本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜を、非発光性有機半導体デバイスの製造に用いることができ、非発光性有機半導体デバイスの中でも有機膜トランジスタの製造に好ましく用いることができる。
なお、「発光性」有機半導体デバイスとして、有機Electro Luminescence(EL)素子が知られている。有機EL素子材料として有用なものが、ただちに有機膜トランジスタ用半導体材料として有用であると言うことはできない。これは、有機EL素子と有機膜トランジスタでは、有機化合物に求められる特性が異なるためである。有機EL素子では通常膜の膜厚方向(通常数nm~数100nm)に電荷を輸送する必要があるのに対し、有機膜トランジスタでは膜面方向の電極間(通常数μm~数100μm)の長距離を電荷(キャリア)輸送する必要がある。このため、求められるキャリア移動度が格段に高い。そのため、有機膜トランジスタ用半導体材料としては、分子の配列秩序が高い、結晶性が高い有機化合物が求められている。また、高いキャリア移動度発現のため、π共役平面は基板に対して直立していることが好ましい。一方、有機EL素子では、発光効率を高めるため、発光効率が高く、面内での発光が均一な素子が求められている。通常、結晶性の高い有機化合物は、面内の電界強度不均一、発光不均一、発光クエンチ等、発光欠陥を生じさせる原因となるため、有機EL素子用材料は結晶性を低くし、アモルファス性の高い材料が望まれる。このため、有機EL素子材料を構成する有機化合物を有機半導体材料にそのまま転用しても、ただちに良好なトランジスタ特性を得ることができる訳ではない。
また、同様に有機光電変換素子として有用なものも、ただちには、求められるキャリア移動度が格段に高い有機膜トランジスタ用半導体材料として有用であると言うことはできない。
本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は、溶液塗布法により作製されたことが好ましい。
[有機膜トランジスタの製造方法]
本発明の有機膜トランジスタの製造方法は、本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法を含み、有機膜トランジスタの半導体活性層として、上記非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜を用いる。
半導体活性層を形成する工程が、上記非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法であることが好ましい。
本発明の有機膜トランジスタの製造方法は、本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法を含み、有機膜トランジスタの半導体活性層として、上記非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜を用いる。
半導体活性層を形成する工程が、上記非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法であることが好ましい。
[有機膜トランジスタ]
本発明の有機膜トランジスタの第一の態様は、本発明の有機膜トランジスタの製造方法で製造された、有機膜トランジスタである。
本発明の有機膜トランジスタの第一の態様は、有機膜トランジスタの半導体活性層として本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜を有する、有機膜トランジスタである。
本発明の有機膜トランジスタは、基板上に絶縁体層を有し、絶縁体層の片側にお互いに離間したソース電極およびドレイン電極を有し、絶縁体層のもう片側にゲート電極を有し、ソース電極、ドレイン電極および絶縁体層に接した半導体活性層を有し、基板、ゲート電極、絶縁体層および半導体活性層が積層した構造の有機膜トランジスタであり、半導体活性層が、本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜であることが好ましい。
本発明の有機膜トランジスタの第一の態様は、本発明の有機膜トランジスタの製造方法で製造された、有機膜トランジスタである。
本発明の有機膜トランジスタの第一の態様は、有機膜トランジスタの半導体活性層として本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜を有する、有機膜トランジスタである。
本発明の有機膜トランジスタは、基板上に絶縁体層を有し、絶縁体層の片側にお互いに離間したソース電極およびドレイン電極を有し、絶縁体層のもう片側にゲート電極を有し、ソース電極、ドレイン電極および絶縁体層に接した半導体活性層を有し、基板、ゲート電極、絶縁体層および半導体活性層が積層した構造の有機膜トランジスタであり、半導体活性層が、本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜であることが好ましい。
<縮環芳香族化合物である有機半導体材料>
本発明の有機膜トランジスタは、後述の半導体活性層が本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜を含む。
本発明の有機膜トランジスタは、後述の半導体活性層が本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜を含む。
本明細書において、「有機半導体材料」とは、半導体の特性を示す有機材料のことである。無機材料からなる半導体と同様に、正孔をキャリアとして伝導するp型(ホール輸送性)有機半導体材料と、電子をキャリアとして伝導するn型(電子輸送性)有機半導体材料がある。
前述の一般式1で表される化合物、前述の一般式5で表される化合物およびこれらを含む組成物はp型有機半導体材料、n型の有機半導体材料のどちらとして用いてもよいが、p型として用いることがより好ましい。有機半導体中のキャリアの流れやすさはキャリア移動度μで表される。キャリア移動度μは高い方がよく、1×10-4cm2/Vs以上であることが好ましく、1×10-2cm2/Vs以上であることがより好ましく、5×10-2cm2/Vs以上であることが特に好ましく、1×10-1cm2/Vs以上であることがより特に好ましく、2×10-1cm2/Vs以上であることがよりさらに特に好ましい。キャリア移動度μは電界効果トランジスタ(FET)素子を作製したときの特性や飛行時間計測(TOF)法により求めることができる。
前述の一般式1で表される化合物、前述の一般式5で表される化合物およびこれらを含む組成物はp型有機半導体材料、n型の有機半導体材料のどちらとして用いてもよいが、p型として用いることがより好ましい。有機半導体中のキャリアの流れやすさはキャリア移動度μで表される。キャリア移動度μは高い方がよく、1×10-4cm2/Vs以上であることが好ましく、1×10-2cm2/Vs以上であることがより好ましく、5×10-2cm2/Vs以上であることが特に好ましく、1×10-1cm2/Vs以上であることがより特に好ましく、2×10-1cm2/Vs以上であることがよりさらに特に好ましい。キャリア移動度μは電界効果トランジスタ(FET)素子を作製したときの特性や飛行時間計測(TOF)法により求めることができる。
<有機膜トランジスタの構造>
本発明の有機膜トランジスタの構造は、基板上に絶縁体層を有し、絶縁体層の片側にお互いに離間したソース電極およびドレイン電極を有し、絶縁体層のもう片側にゲート電極を有し、ソース電極、ドレイン電極および絶縁体層に接した半導体活性層を有し、基板、ゲート電極、絶縁体層および半導体活性層は積層した構造の有機膜トランジスタである。
本発明の有機膜トランジスタは、有機電界効果トランジスタ(Field Effect Transistor、FET)として用いられることが好ましく、ゲート-チャンネル間が絶縁されている絶縁ゲート型FETとして用いられることがより好ましい。
以下、本発明の有機膜トランジスタの好ましい構造の態様について、図面を用いて詳しく説明するが、本発明はこれらの態様に限定されるものではない。
本発明の有機膜トランジスタの構造は、基板上に絶縁体層を有し、絶縁体層の片側にお互いに離間したソース電極およびドレイン電極を有し、絶縁体層のもう片側にゲート電極を有し、ソース電極、ドレイン電極および絶縁体層に接した半導体活性層を有し、基板、ゲート電極、絶縁体層および半導体活性層は積層した構造の有機膜トランジスタである。
本発明の有機膜トランジスタは、有機電界効果トランジスタ(Field Effect Transistor、FET)として用いられることが好ましく、ゲート-チャンネル間が絶縁されている絶縁ゲート型FETとして用いられることがより好ましい。
以下、本発明の有機膜トランジスタの好ましい構造の態様について、図面を用いて詳しく説明するが、本発明はこれらの態様に限定されるものではない。
(積層構造)
有機電界効果トランジスタの積層構造としては特に制限はなく、公知の様々な構造のものとすることができる。
本発明の有機膜トランジスタの構造の一例としては、最下層の基板の上面に、電極、絶縁体層、半導体活性層(有機半導体層)、2つの電極を順に配置した構造(ボトムゲート・トップコンタクト型)を挙げることができる。この構造では、最下層の基板の上面の電極は基板の一部に設けられ、絶縁体層は、電極以外の部分で基板と接するように配置される。また、半導体活性層の上面に設けられる2つの電極は、互いに隔離して配置される。
ボトムゲート・トップコンタクト型素子の構成を図1に示す。図1は、本発明の有機膜トランジスタの一例の構造の断面を示す概略図である。図1の有機膜トランジスタは、最下層に基板11を配置し、その上面の一部に電極12を設け、さらにこの電極12を覆い、かつ電極12以外の部分で基板11と接するように絶縁体層13を設けている。さらに絶縁体層13の上面に半導体活性層14を設け、その上面の一部に2つの電極15aと15bとを隔離して配置している。
図1に示した有機膜トランジスタは、電極12がゲートであり、電極15aと電極15bはそれぞれドレインまたはソースである。また、図1に示した有機膜トランジスタは、ドレイン-ソース間の電流通路であるチャンネルと、ゲートとの間が絶縁されている絶縁ゲート型FETである。
有機電界効果トランジスタの積層構造としては特に制限はなく、公知の様々な構造のものとすることができる。
本発明の有機膜トランジスタの構造の一例としては、最下層の基板の上面に、電極、絶縁体層、半導体活性層(有機半導体層)、2つの電極を順に配置した構造(ボトムゲート・トップコンタクト型)を挙げることができる。この構造では、最下層の基板の上面の電極は基板の一部に設けられ、絶縁体層は、電極以外の部分で基板と接するように配置される。また、半導体活性層の上面に設けられる2つの電極は、互いに隔離して配置される。
ボトムゲート・トップコンタクト型素子の構成を図1に示す。図1は、本発明の有機膜トランジスタの一例の構造の断面を示す概略図である。図1の有機膜トランジスタは、最下層に基板11を配置し、その上面の一部に電極12を設け、さらにこの電極12を覆い、かつ電極12以外の部分で基板11と接するように絶縁体層13を設けている。さらに絶縁体層13の上面に半導体活性層14を設け、その上面の一部に2つの電極15aと15bとを隔離して配置している。
図1に示した有機膜トランジスタは、電極12がゲートであり、電極15aと電極15bはそれぞれドレインまたはソースである。また、図1に示した有機膜トランジスタは、ドレイン-ソース間の電流通路であるチャンネルと、ゲートとの間が絶縁されている絶縁ゲート型FETである。
本発明の有機膜トランジスタの構造の一例としては、ボトムゲート・ボトムコンタクト型素子を挙げることができる。
ボトムゲート・ボトムコンタクト型素子の構成を図2に示す。図2は本発明の実施例でFET特性測定用基板として製造した有機膜トランジスタの構造の断面を示す概略図である。図2の有機膜トランジスタは、最下層に基板31を配置し、その上面の一部に電極32を設け、さらにこの電極32を覆い、かつ電極32以外の部分で基板31と接するように絶縁体層33を設けている。さらに絶縁体層33の上面に半導体活性層35を設け、電極34aと34bが半導体活性層35の下部にある。
図2に示した有機膜トランジスタは、電極32がゲートであり、電極34aと電極34bはそれぞれドレインまたはソースである。また、図2に示した有機膜トランジスタは、ドレイン-ソース間の電流通路であるチャンネルと、ゲートとの間が絶縁されている絶縁ゲート型FETである。
ボトムゲート・ボトムコンタクト型素子の構成を図2に示す。図2は本発明の実施例でFET特性測定用基板として製造した有機膜トランジスタの構造の断面を示す概略図である。図2の有機膜トランジスタは、最下層に基板31を配置し、その上面の一部に電極32を設け、さらにこの電極32を覆い、かつ電極32以外の部分で基板31と接するように絶縁体層33を設けている。さらに絶縁体層33の上面に半導体活性層35を設け、電極34aと34bが半導体活性層35の下部にある。
図2に示した有機膜トランジスタは、電極32がゲートであり、電極34aと電極34bはそれぞれドレインまたはソースである。また、図2に示した有機膜トランジスタは、ドレイン-ソース間の電流通路であるチャンネルと、ゲートとの間が絶縁されている絶縁ゲート型FETである。
本発明の有機膜トランジスタの構造としては、その他、絶縁体、ゲート電極が半導体活性層の上部にあるトップゲート・トップコンタクト型素子や、トップゲート・ボトムコンタクト型素子も好ましく用いることができる。
(厚さ)
本発明の有機膜トランジスタは、より薄いトランジスタとする必要がある場合には、例えばトランジスタ全体の厚さを0.1~0.5μmとすることが好ましい。
本発明の有機膜トランジスタは、より薄いトランジスタとする必要がある場合には、例えばトランジスタ全体の厚さを0.1~0.5μmとすることが好ましい。
(封止)
有機膜トランジスタ素子を大気や水分から遮断し、有機膜トランジスタ素子の保存性を高めるために、有機膜トランジスタ素子全体を金属の封止缶やガラス、窒化ケイ素などの無機材料、パリレンなどの高分子材料や、低分子材料などで封止してもよい。
以下、本発明の有機膜トランジスタの各層の好ましい態様について説明するが、本発明はこれらの態様に限定されるものではない。
有機膜トランジスタ素子を大気や水分から遮断し、有機膜トランジスタ素子の保存性を高めるために、有機膜トランジスタ素子全体を金属の封止缶やガラス、窒化ケイ素などの無機材料、パリレンなどの高分子材料や、低分子材料などで封止してもよい。
以下、本発明の有機膜トランジスタの各層の好ましい態様について説明するが、本発明はこれらの態様に限定されるものではない。
<基板>
(材料)
本発明の有機膜トランジスタは、基板を含む。
基板の材料としては特に制限はなく、公知の材料を用いることができ、例えば、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエチレンテレフタレート(PET)などのポリエステルフィルム、シクロオレフィンポリマーフィルム、ポリカーボネートフィルム、トリアセチルセルロース(TAC)フィルム、ポリイミドフィルム、およびこれらポリマーフィルムを極薄ガラスに貼り合わせたもの、セラミック、シリコン、石英、ガラス、などを挙げることができ、シリコンが好ましい。
(材料)
本発明の有機膜トランジスタは、基板を含む。
基板の材料としては特に制限はなく、公知の材料を用いることができ、例えば、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエチレンテレフタレート(PET)などのポリエステルフィルム、シクロオレフィンポリマーフィルム、ポリカーボネートフィルム、トリアセチルセルロース(TAC)フィルム、ポリイミドフィルム、およびこれらポリマーフィルムを極薄ガラスに貼り合わせたもの、セラミック、シリコン、石英、ガラス、などを挙げることができ、シリコンが好ましい。
<電極>
(材料)
本発明の有機膜トランジスタは、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極などの電極を含む。
電極の構成材料としては、例えば、Cr、Al、Ta、Mo、Nb、Cu、Ag、Au、Pt、Pd、In、NiあるいはNdなどの金属材料やこれらの合金材料、あるいはカーボン材料、導電性高分子などの既知の導電性材料であれば特に制限することなく使用できる。
(材料)
本発明の有機膜トランジスタは、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極などの電極を含む。
電極の構成材料としては、例えば、Cr、Al、Ta、Mo、Nb、Cu、Ag、Au、Pt、Pd、In、NiあるいはNdなどの金属材料やこれらの合金材料、あるいはカーボン材料、導電性高分子などの既知の導電性材料であれば特に制限することなく使用できる。
(厚さ)
電極の厚さは特に制限はないが、10~50nmとすることが好ましい。
ゲート幅(またはチャンネル幅)Wとゲート長(またはチャンネル長)Lに特に制限はないが、これらの比W/Lが10以上であることが好ましく、20以上であることがより好ましい。
電極の厚さは特に制限はないが、10~50nmとすることが好ましい。
ゲート幅(またはチャンネル幅)Wとゲート長(またはチャンネル長)Lに特に制限はないが、これらの比W/Lが10以上であることが好ましく、20以上であることがより好ましい。
<絶縁体層>
(材料)
絶縁体層を構成する材料は必要な絶縁効果が得られれば特に制限はないが、例えば、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、PTFE、CYTOP等のフッ素ポリマー系絶縁材料、ポリエステル絶縁材料、ポリカーボネート絶縁材料、アクリルポリマー系絶縁材料、エポキシ樹脂系絶縁材料、ポリイミド絶縁材料、ポリビニルフェノール樹脂系絶縁材料、ポリパラキシリレン樹脂系絶縁材料などが挙げられる。
絶縁体層の上面は表面処理がなされていてもよく、例えば、二酸化ケイ素表面をヘキサメチルジシラザン(HMDS)やオクタデシルトリクロロシラン(OTS)の塗布により表面処理した絶縁体層を好ましく用いることができる。
(材料)
絶縁体層を構成する材料は必要な絶縁効果が得られれば特に制限はないが、例えば、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、PTFE、CYTOP等のフッ素ポリマー系絶縁材料、ポリエステル絶縁材料、ポリカーボネート絶縁材料、アクリルポリマー系絶縁材料、エポキシ樹脂系絶縁材料、ポリイミド絶縁材料、ポリビニルフェノール樹脂系絶縁材料、ポリパラキシリレン樹脂系絶縁材料などが挙げられる。
絶縁体層の上面は表面処理がなされていてもよく、例えば、二酸化ケイ素表面をヘキサメチルジシラザン(HMDS)やオクタデシルトリクロロシラン(OTS)の塗布により表面処理した絶縁体層を好ましく用いることができる。
(厚さ)
絶縁体層の厚さに特に制限はないが、薄膜化が求められる場合は厚さを10~400nmとすることが好ましく、20~200nmとすることがより好ましく、50~200nmとすることが特に好ましい。
絶縁体層の厚さに特に制限はないが、薄膜化が求められる場合は厚さを10~400nmとすることが好ましく、20~200nmとすることがより好ましく、50~200nmとすることが特に好ましい。
<半導体活性層>
(材料)
本発明の有機膜トランジスタは、半導体活性層が本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜である。
半導体活性層は、前述のポリマーバインダーがさらに含まれた層であってもよい。また、成膜時の残留溶媒が含まれていてもよい。
半導体活性層中におけるポリマーバインダーの含有量は、特に制限はないが、好ましくは0~95質量%の範囲内で用いられ、より好ましくは10~90質量%の範囲内で用いられ、さらに好ましくは20~80質量%の範囲内で用いられ、特に好ましくは30~70質量%の範囲内で用いられる。
(材料)
本発明の有機膜トランジスタは、半導体活性層が本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜である。
半導体活性層は、前述のポリマーバインダーがさらに含まれた層であってもよい。また、成膜時の残留溶媒が含まれていてもよい。
半導体活性層中におけるポリマーバインダーの含有量は、特に制限はないが、好ましくは0~95質量%の範囲内で用いられ、より好ましくは10~90質量%の範囲内で用いられ、さらに好ましくは20~80質量%の範囲内で用いられ、特に好ましくは30~70質量%の範囲内で用いられる。
(厚さ)
半導体活性層の厚さに特に制限はないが、薄膜化が求められる場合は厚さを10~400nmとすることが好ましく、10~200nmとすることがより好ましく、10~100nmとすることが特に好ましい。
半導体活性層の厚さに特に制限はないが、薄膜化が求められる場合は厚さを10~400nmとすることが好ましく、10~200nmとすることがより好ましく、10~100nmとすることが特に好ましい。
さらに、上記一般式1で表される化合物や上記一般式5で表される化合物などの縮環芳香族化合物が上述した構造をとることにより、膜質の良い有機半導体膜を得ることができる。具体的には、縮環芳香族化合物は、結晶性が良いため、十分な膜厚を得ることができ、得られた非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は良質なものとなる。
(成膜方法)
上記一般式5で表される化合物などを含む半導体活性層を基板上に成膜する方法はいかなる方法でもよい。ただし、本発明では、上記一般式1で表される化合物を含む上記有機半導体膜形成用の組成物を成膜(例えば基板上に塗布)してから、上記有機半導体膜形成用の組成物に対して外部刺激を与えて、前駆体である上記一般式1で表される化合物の少なくとも一部が下記一般式5で表される化合物に変換する。
上記一般式5で表される化合物などを含む半導体活性層を基板上に成膜する方法はいかなる方法でもよい。ただし、本発明では、上記一般式1で表される化合物を含む上記有機半導体膜形成用の組成物を成膜(例えば基板上に塗布)してから、上記有機半導体膜形成用の組成物に対して外部刺激を与えて、前駆体である上記一般式1で表される化合物の少なくとも一部が下記一般式5で表される化合物に変換する。
以下に実施例と比較例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
-化合物1a(アシル体)の合成-
化合物1(15g)の塩化メチレン溶液(500ml)に、氷冷下において、塩化アルミニウム(22g)を加え、-78℃で撹拌している中にブタン酸クロリド(16g)を滴下し、室温で2時間撹拌した。水に反応液を注加し、飽和食塩水で洗浄し、水層を塩化メチレンで抽出した。セライト濾過後、濾液を減圧にて濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマト精製することにより、化合物1a(12g)を得た。
化合物1(15g)の塩化メチレン溶液(500ml)に、氷冷下において、塩化アルミニウム(22g)を加え、-78℃で撹拌している中にブタン酸クロリド(16g)を滴下し、室温で2時間撹拌した。水に反応液を注加し、飽和食塩水で洗浄し、水層を塩化メチレンで抽出した。セライト濾過後、濾液を減圧にて濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマト精製することにより、化合物1a(12g)を得た。
-化合物2(アルコール体)の合成-
化合物1a(5g)に、リチウムアルミニウムハイドライドの1mol/L THF溶液(44ml)を氷冷下で加え、窒素下室温にて1時間撹拌した。エタノールを少しずつ加え、1mol/L塩酸、飽和食塩水の順で洗浄し、水層をトルエンで抽出した。反応液を減圧にて濃縮し、濃縮残さをメタノールで洗浄することにより、化合物2(4g)を得た。
化合物1a(5g)に、リチウムアルミニウムハイドライドの1mol/L THF溶液(44ml)を氷冷下で加え、窒素下室温にて1時間撹拌した。エタノールを少しずつ加え、1mol/L塩酸、飽和食塩水の順で洗浄し、水層をトルエンで抽出した。反応液を減圧にて濃縮し、濃縮残さをメタノールで洗浄することにより、化合物2(4g)を得た。
-化合物3a(アシル体)、化合物3b(アルコール体)の合成-
化合物1からアシル体の化合物1aへの合成ルートと、アシル体の化合物1aからアルコール体の化合物2のへの合成ルートを参考にして、化合物3からアシル体の化合物3a(上記合成手順では省略)、アルコール体の化合物3bを合成した。
化合物1からアシル体の化合物1aへの合成ルートと、アシル体の化合物1aからアルコール体の化合物2のへの合成ルートを参考にして、化合物3からアシル体の化合物3a(上記合成手順では省略)、アルコール体の化合物3bを合成した。
-化合物4(エステル体)の合成-
化合物3b(2.9g)の塩化メチレン溶液(100ml)に、氷冷下において、ピリジン(3.2g)、イソブチリルクロリド(3.4g)を加え、室温まで上げながら撹拌した。反応液を減圧にて濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマト精製することにより、化合物4(2.3g)を得た。
化合物3b(2.9g)の塩化メチレン溶液(100ml)に、氷冷下において、ピリジン(3.2g)、イソブチリルクロリド(3.4g)を加え、室温まで上げながら撹拌した。反応液を減圧にて濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマト精製することにより、化合物4(2.3g)を得た。
(化合物6の合成)
化合物6は以下に示した合成手順に従って、化合物5から合成した。
ブロモベンゼン(15.7g)の塩化メチレン溶液(200ml)に、氷冷下において、塩化アルミニウム(29g)を加え、-78℃で撹拌している中にブタン酸クロリド(21g)を滴下し、室温で2時間撹拌した。水に反応液を注加し、飽和食塩水で洗浄し、水層を塩化メチレンで抽出した。セライト濾過後、濾液を減圧にて濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマト精製することにより、アシル体(22g)を得た。
アシル体(22g)に、リチウムアルミニウムハイドライドの1mol/L THF溶液(970ml)を氷冷下で加え、窒素下室温にて1時間撹拌した。エタノールを少しずつ加え、1mol/L塩酸、飽和食塩水の順で洗浄し、水層をトルエンで抽出した。反応液を減圧にて濃縮し、濃縮残さをメタノールで洗浄することにより、アルコール体(22g)を得た。
アルコール体(22g)の塩化メチレン溶液(500ml)に、氷冷下において、ピリジン(9g)、イソブチリルクロリド(11g)を加え、室温まで上げながら撹拌した。反応液を減圧にて濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマト精製することにより、エステル体(27g)を得た。
1,1’-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン-パラジウム(II)ジクロリド(2.2g)、酢酸カリウム(23g)、ビス(ピナコラート)ジボロン(22.8g)を窒素下で混合し、そこにジメチルスルホキシド(450ml)、エステル体(27g)を加え、80℃で2時間撹拌した。得られた化合物をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた液を減圧にて濃縮後、シリカゲルカラムクロマト精製することにより、側鎖部分A(20g)を得た。
2,2,6,6-テトラメチルピペリジン(10.5ml)のTHF溶液(59.4ml)に、-78℃で撹拌している中でノルマルブチルリチウムのノルマルヘキサン溶液(22.4ml)を滴下し、リチウム試薬を調製した。化合物5(4g)のTHF溶液(138ml)に、-78℃で撹拌しながら上記リチウム試薬(46.2ml)を滴下し、1時間撹拌した。その後-100℃に温度を下げ、1,2-ジブロモ-1,1,2,2-テトラクロロエタン(13.2g)のTHF溶液(66ml)を滴下し、撹拌しながら温度を徐々に室温まで上げた。得られた固体をろ過して回収し、メタノールで洗浄することで、化合物5a(5.2g)を得た。
側鎖部分A(4.7g)と化合物5a(2g)をトルエン(130ml)とメタノール(30ml)の混合溶媒に溶かし、2Mの炭酸ナトリウム水溶液(11ml)を加え、窒素下で撹拌しながらテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0.78g)を加え、80℃で2時間加熱撹拌した。反応溶液を室温に戻し、無水硫酸ナトリウムを加えて脱水した。得られた液を減圧にて濃縮後、シリカゲルカラムクロマト精製することにより、化合物6(2.4g)を得た。
化合物6は以下に示した合成手順に従って、化合物5から合成した。
ブロモベンゼン(15.7g)の塩化メチレン溶液(200ml)に、氷冷下において、塩化アルミニウム(29g)を加え、-78℃で撹拌している中にブタン酸クロリド(21g)を滴下し、室温で2時間撹拌した。水に反応液を注加し、飽和食塩水で洗浄し、水層を塩化メチレンで抽出した。セライト濾過後、濾液を減圧にて濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマト精製することにより、アシル体(22g)を得た。
アシル体(22g)に、リチウムアルミニウムハイドライドの1mol/L THF溶液(970ml)を氷冷下で加え、窒素下室温にて1時間撹拌した。エタノールを少しずつ加え、1mol/L塩酸、飽和食塩水の順で洗浄し、水層をトルエンで抽出した。反応液を減圧にて濃縮し、濃縮残さをメタノールで洗浄することにより、アルコール体(22g)を得た。
アルコール体(22g)の塩化メチレン溶液(500ml)に、氷冷下において、ピリジン(9g)、イソブチリルクロリド(11g)を加え、室温まで上げながら撹拌した。反応液を減圧にて濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマト精製することにより、エステル体(27g)を得た。
1,1’-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン-パラジウム(II)ジクロリド(2.2g)、酢酸カリウム(23g)、ビス(ピナコラート)ジボロン(22.8g)を窒素下で混合し、そこにジメチルスルホキシド(450ml)、エステル体(27g)を加え、80℃で2時間撹拌した。得られた化合物をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた液を減圧にて濃縮後、シリカゲルカラムクロマト精製することにより、側鎖部分A(20g)を得た。
2,2,6,6-テトラメチルピペリジン(10.5ml)のTHF溶液(59.4ml)に、-78℃で撹拌している中でノルマルブチルリチウムのノルマルヘキサン溶液(22.4ml)を滴下し、リチウム試薬を調製した。化合物5(4g)のTHF溶液(138ml)に、-78℃で撹拌しながら上記リチウム試薬(46.2ml)を滴下し、1時間撹拌した。その後-100℃に温度を下げ、1,2-ジブロモ-1,1,2,2-テトラクロロエタン(13.2g)のTHF溶液(66ml)を滴下し、撹拌しながら温度を徐々に室温まで上げた。得られた固体をろ過して回収し、メタノールで洗浄することで、化合物5a(5.2g)を得た。
側鎖部分A(4.7g)と化合物5a(2g)をトルエン(130ml)とメタノール(30ml)の混合溶媒に溶かし、2Mの炭酸ナトリウム水溶液(11ml)を加え、窒素下で撹拌しながらテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0.78g)を加え、80℃で2時間加熱撹拌した。反応溶液を室温に戻し、無水硫酸ナトリウムを加えて脱水した。得られた液を減圧にて濃縮後、シリカゲルカラムクロマト精製することにより、化合物6(2.4g)を得た。
[合成例4]
<実施例4で用いる化合物8の合成>
(化合物7の合成)
下記構造の化合物7はJournal of the American Chemical Society, 1998, 664に記載されている合成法に従って合成した。
<実施例4で用いる化合物8の合成>
(化合物7の合成)
下記構造の化合物7はJournal of the American Chemical Society, 1998, 664に記載されている合成法に従って合成した。
出発原料に上記のbenzo[b]thiopene-6-carbaldehydeを用い、Journal of the American Chemical Society, 2007, 2224を参考に合成した。
-化合物9a(アシル体)、9b(アルコール体)の合成-
化合物1からアシル体の化合物1aへの合成ルートと、アシル体の化合物1aからアルコール体の化合物2のへの合成ルートを参考にして、化合物9からアシル体の化合物9a(上記合成手順では省略)、アルコール体の化合物9b(上記合成手順では省略)を合成した。
化合物1からアシル体の化合物1aへの合成ルートと、アシル体の化合物1aからアルコール体の化合物2のへの合成ルートを参考にして、化合物9からアシル体の化合物9a(上記合成手順では省略)、アルコール体の化合物9b(上記合成手順では省略)を合成した。
-化合物10(エステル体)の合成-
アルコール体の化合物3bからエステル体の化合物4への合成スキームを参考にし、酢酸クロリドを用いることでアルコール体の化合物9bからエステル体の化合物10を得た。
アルコール体の化合物3bからエステル体の化合物4への合成スキームを参考にし、酢酸クロリドを用いることでアルコール体の化合物9bからエステル体の化合物10を得た。
[合成例6]
<実施例6で用いる化合物12の合成>
(化合物11の合成)
下記構造の化合物11はJournal of the Chemical Society, Perkin Transactions 1 1973,1099に記載されている合成法に従って合成した。
<実施例6で用いる化合物12の合成>
(化合物11の合成)
下記構造の化合物11はJournal of the Chemical Society, Perkin Transactions 1 1973,1099に記載されている合成法に従って合成した。
(化合物12の合成)
化合物12は以下に示した合成手順に従って、化合物11から合成した。
化合物11(2.9g)のTHF溶液(200ml)に、-78℃でノルマルブチルリチウムのノルマルヘキサン溶液(11.5ml)を滴下した。-78℃で30分間撹拌後、ジメチルホルムアミド(2.3ml)を滴下し、-78℃で30分撹拌し、徐々に室温まで上げた。塩化アンモニウム水溶液100mlを加えて反応を終了させ、有機層を塩化メチレンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた液を減圧にて濃縮後、シリカゲルカラムクロマト精製することにより、ジホルミル体(3.0g)を得た。
ジホルミル体(1.7g)のTHF溶液(100ml)を窒素雰囲気下にし、0℃に冷却した。そこにベンジルマグネシウムクロライドの2M THF溶液(10ml)を滴下後、室温に戻して3時間撹拌した。飽和塩化ナトリウム水溶液を加えて反応を終了させ、有機層を塩化メチレンで抽出し、得られた液を減圧にて濃縮後、残渣をそのまま次の反応に用いた。
上記残渣にN,N-ジメチルアミノピリジン(0.6g)を入れ、窒素雰囲気下とし、ピリジン(100ml)、酢酸クロリド(1.4ml)を加え、室温で3時間撹拌した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、有機層を塩化メチレンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた液を減圧にて濃縮後、シリカゲルカラムクロマト精製することにより、化合物12(1.7g)を得た。
化合物12は以下に示した合成手順に従って、化合物11から合成した。
化合物11(2.9g)のTHF溶液(200ml)に、-78℃でノルマルブチルリチウムのノルマルヘキサン溶液(11.5ml)を滴下した。-78℃で30分間撹拌後、ジメチルホルムアミド(2.3ml)を滴下し、-78℃で30分撹拌し、徐々に室温まで上げた。塩化アンモニウム水溶液100mlを加えて反応を終了させ、有機層を塩化メチレンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた液を減圧にて濃縮後、シリカゲルカラムクロマト精製することにより、ジホルミル体(3.0g)を得た。
ジホルミル体(1.7g)のTHF溶液(100ml)を窒素雰囲気下にし、0℃に冷却した。そこにベンジルマグネシウムクロライドの2M THF溶液(10ml)を滴下後、室温に戻して3時間撹拌した。飽和塩化ナトリウム水溶液を加えて反応を終了させ、有機層を塩化メチレンで抽出し、得られた液を減圧にて濃縮後、残渣をそのまま次の反応に用いた。
上記残渣にN,N-ジメチルアミノピリジン(0.6g)を入れ、窒素雰囲気下とし、ピリジン(100ml)、酢酸クロリド(1.4ml)を加え、室温で3時間撹拌した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、有機層を塩化メチレンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた液を減圧にて濃縮後、シリカゲルカラムクロマト精製することにより、化合物12(1.7g)を得た。
[合成例7]
<実施例7で用いる化合物13の合成>
(化合物13の合成)
化合物13は以下に示した合成手順に従って、前述の化合物5から合成した。
化合物1からアシル体の化合物1aへの合成ルートと、アシル体の化合物1aからアルコール体の化合物2のへの合成ルートを参考にして、化合物5からアシル体を経て、アルコール体の化合物を合成した。
アルコール体(1g)のTHF溶液(10ml)にヘキサメチルリン酸トリアミド(0.5ml)、二硫化炭素(0.37ml)を窒素雰囲気下で加えた。室温で1時間撹拌し、ヨウ化メチル(0.46ml)を加え、さらに室温で1時間撹拌した。反応液を水に添加し、有機層を飽和食塩水で洗浄し、有機層を酢酸エチルで抽出した。得られた液を減圧にて濃縮後、シリカゲルカラムクロマト精製することにより、化合物13(1.1g)を得た。
<実施例7で用いる化合物13の合成>
(化合物13の合成)
化合物13は以下に示した合成手順に従って、前述の化合物5から合成した。
化合物1からアシル体の化合物1aへの合成ルートと、アシル体の化合物1aからアルコール体の化合物2のへの合成ルートを参考にして、化合物5からアシル体を経て、アルコール体の化合物を合成した。
アルコール体(1g)のTHF溶液(10ml)にヘキサメチルリン酸トリアミド(0.5ml)、二硫化炭素(0.37ml)を窒素雰囲気下で加えた。室温で1時間撹拌し、ヨウ化メチル(0.46ml)を加え、さらに室温で1時間撹拌した。反応液を水に添加し、有機層を飽和食塩水で洗浄し、有機層を酢酸エチルで抽出した。得られた液を減圧にて濃縮後、シリカゲルカラムクロマト精製することにより、化合物13(1.1g)を得た。
[合成例8]
<実施例8で用いる化合物14の合成>
(化合物14の合成)
化合物14は以下に示した合成手順に従って、前述の化合物3から合成した。
化合物1からアシル体の化合物1aへの合成ルートと、アシル体の化合物1aからアルコール体の化合物2のへの合成ルートを参考にして、化合物3からアシル体を経て、アルコール体(化合物3b)の化合物を合成した。
化合物3b(1.1g)のキシレン溶液(50ml)に窒素雰囲気下で2,2,6-トリメチル-1,3-ジオキシン-4-オン(1ml)を滴下し、室温で2時間撹拌した。反応液を減圧にて濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマト精製することにより、化合物14(0.9g)を得た。
<実施例8で用いる化合物14の合成>
(化合物14の合成)
化合物14は以下に示した合成手順に従って、前述の化合物3から合成した。
化合物1からアシル体の化合物1aへの合成ルートと、アシル体の化合物1aからアルコール体の化合物2のへの合成ルートを参考にして、化合物3からアシル体を経て、アルコール体(化合物3b)の化合物を合成した。
化合物3b(1.1g)のキシレン溶液(50ml)に窒素雰囲気下で2,2,6-トリメチル-1,3-ジオキシン-4-オン(1ml)を滴下し、室温で2時間撹拌した。反応液を減圧にて濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマト精製することにより、化合物14(0.9g)を得た。
[合成例10]
<比較例2で用いる比較化合物2の合成>
また、特開2011-71501号公報の[0031]のPrecursor2および[0089]のPrecursor1を参考にし、以下の比較化合物2を合成した。
<比較例2で用いる比較化合物2の合成>
また、特開2011-71501号公報の[0031]のPrecursor2および[0089]のPrecursor1を参考にし、以下の比較化合物2を合成した。
[実施例1]
<素子作製・評価>
素子作製に用いた材料は全て昇華精製を行い、高速液体クロマトグラフィー(東ソーTSKgel ODS-100Z)により純度(254nmの吸収強度面積比)が99.5%以上であることを確認した。
<素子作製・評価>
素子作製に用いた材料は全て昇華精製を行い、高速液体クロマトグラフィー(東ソーTSKgel ODS-100Z)により純度(254nmの吸収強度面積比)が99.5%以上であることを確認した。
(化合物単独で半導体活性層(有機半導体層)を形成)
一般式1を満たす化合物2(1mg)とトルエン(1mL)を混合し、100℃に加熱したものを、実施例1の有機半導体膜形成用の組成物(塗布溶液)とした。
この塗布溶液を窒素雰囲気下、90℃に加熱したFET特性測定用基板上にキャストすることで、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜を成膜し、その後有機半導体膜を220℃で加熱(外部刺激を付与)することで前駆体として用いた化合物2の一部から脱離基を脱離させて化合物2を下記構造の化合物2Dに変換し、実施例1の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜、換言するとFET特性測定用の実施例1の有機膜トランジスタ素子を得た。
FET特性測定用基板としては、ソースおよびドレイン電極としてくし型に配置されたクロム/金(ゲート幅W=100mm、ゲート長L=100μm)、絶縁膜としてSiO2(膜厚200nm)を備えたボトムコンタクト構造のシリコン基板(図2に構造の概略図を示した)を用いた。
実施例1の有機膜トランジスタの半導体活性層中、化合物2の含有量は、下記化合物2Dの含有量に対して8質量%であることを核磁気共鳴スペクトル(ブルカー製)を用いて求めた。
なお、下記化合物2Dが生成していることを、特開2011-071501号公報の[0101]および[0103]に記載の方法でも確認できた。
一般式1を満たす化合物2(1mg)とトルエン(1mL)を混合し、100℃に加熱したものを、実施例1の有機半導体膜形成用の組成物(塗布溶液)とした。
この塗布溶液を窒素雰囲気下、90℃に加熱したFET特性測定用基板上にキャストすることで、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜を成膜し、その後有機半導体膜を220℃で加熱(外部刺激を付与)することで前駆体として用いた化合物2の一部から脱離基を脱離させて化合物2を下記構造の化合物2Dに変換し、実施例1の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜、換言するとFET特性測定用の実施例1の有機膜トランジスタ素子を得た。
FET特性測定用基板としては、ソースおよびドレイン電極としてくし型に配置されたクロム/金(ゲート幅W=100mm、ゲート長L=100μm)、絶縁膜としてSiO2(膜厚200nm)を備えたボトムコンタクト構造のシリコン基板(図2に構造の概略図を示した)を用いた。
実施例1の有機膜トランジスタの半導体活性層中、化合物2の含有量は、下記化合物2Dの含有量に対して8質量%であることを核磁気共鳴スペクトル(ブルカー製)を用いて求めた。
なお、下記化合物2Dが生成していることを、特開2011-071501号公報の[0101]および[0103]に記載の方法でも確認できた。
<評価>
(a)溶解性
合成した各前駆体を、溶媒として用いるクロロホルムおよびトルエンにそれぞれ1.0質量%、3.0質量%の濃度になるように溶解させ、フィルターに通し、溶解性の評価のためのサンプル溶液を調製した。
各サンプル溶液を室温で一晩放置したとき、
前駆体の濃度に関わらず溶質(前駆体)の析出が見られなかったものをA、
前駆体の濃度が1.0質量%で析出が見られず、3.0質量%で溶質の析出が見られたものをB、
前駆体の濃度が1.0質量%で溶質の析出が見られたものをCとして、溶解性を評価した。
なお、溶媒の種類による溶解性の評価の違いはなかった。
(a)溶解性
合成した各前駆体を、溶媒として用いるクロロホルムおよびトルエンにそれぞれ1.0質量%、3.0質量%の濃度になるように溶解させ、フィルターに通し、溶解性の評価のためのサンプル溶液を調製した。
各サンプル溶液を室温で一晩放置したとき、
前駆体の濃度に関わらず溶質(前駆体)の析出が見られなかったものをA、
前駆体の濃度が1.0質量%で析出が見られず、3.0質量%で溶質の析出が見られたものをB、
前駆体の濃度が1.0質量%で溶質の析出が見られたものをCとして、溶解性を評価した。
なお、溶媒の種類による溶解性の評価の違いはなかった。
実施例1の有機膜トランジスタ素子のFET特性は、セミオートプローバー(ベクターセミコン製、AX-2000)を接続した半導体パラメーターアナライザー(Agilent製、4156C)を用いて常圧・窒素雰囲気下で、以下の観点で評価した。
(b)キャリア移動度
実施例1の有機膜トランジスタ素子(FET素子)のソース電極-ドレイン電極間に-80Vの電圧を印加し、ゲート電圧を20V~-100Vの範囲で変化させ、ドレイン電流Idを表わす式Id=(w/2L)μCi(Vg-Vth)2(式中、Lはゲート長、Wはゲート幅、Ciは絶縁体層の単位面積当たりの容量、Vgはゲート電圧、Vthは閾値電圧)を用いてキャリア移動度μを算出した。
実施例1の有機膜トランジスタ素子(FET素子)のソース電極-ドレイン電極間に-80Vの電圧を印加し、ゲート電圧を20V~-100Vの範囲で変化させ、ドレイン電流Idを表わす式Id=(w/2L)μCi(Vg-Vth)2(式中、Lはゲート長、Wはゲート幅、Ciは絶縁体層の単位面積当たりの容量、Vgはゲート電圧、Vthは閾値電圧)を用いてキャリア移動度μを算出した。
(c)高温でのアニール前後のキャリア移動度の下落率
実施例1の有機膜トランジスタ素子を150℃で1時間加熱処理を行い、加熱前と同様にキャリア移動度を算出した。加熱アニール工程前後のキャリア移動度の下落率が50%未満のものをA、加熱アニール工程前後のキャリア移動度の下落率が50%以上のものをBとした。
実用上、A評価であることが必要である。
実施例1の有機膜トランジスタ素子を150℃で1時間加熱処理を行い、加熱前と同様にキャリア移動度を算出した。加熱アニール工程前後のキャリア移動度の下落率が50%未満のものをA、加熱アニール工程前後のキャリア移動度の下落率が50%以上のものをBとした。
実用上、A評価であることが必要である。
[実施例2~8、比較例1及び2]
実施例1において、前駆体として用いた化合物2を下記表1に記載した化合物に変更した以外は、実施例1と同様にして、各実施例および比較例の有機膜トランジスタ素子を作製した。実施例2~8、比較例1及び2で得られた有機膜トランジスタ素子についても実施例1と同様に評価を行った。
得られた結果を下記表1に示す。
実施例1において、前駆体として用いた化合物2を下記表1に記載した化合物に変更した以外は、実施例1と同様にして、各実施例および比較例の有機膜トランジスタ素子を作製した。実施例2~8、比較例1及び2で得られた有機膜トランジスタ素子についても実施例1と同様に評価を行った。
得られた結果を下記表1に示す。
また、実施例2~8では、それぞれ前駆体として用いた化合物4、6、8、10、12~14の一部から脱離基が脱離して、それぞれ下記構造の化合物4D、6D、8D、10D、12D、13Dおよび14Dに変換されていたことを、実施例1と同様にして確認した。詳細を以下に記載する。
実施例2の有機膜トランジスタの半導体活性層中、化合物4の含有量は、下記化合物4Dの含有量に対して3質量%であった。
実施例2の有機膜トランジスタの半導体活性層中、化合物4の含有量は、下記化合物4Dの含有量に対して3質量%であった。
上記表1より、上述の一般式1を満たす化合物を用いた有機半導体膜形成用の組成物を塗布後に220℃で加熱し、上述の一般式1を満たす化合物の少なくとも一部が上述の一般式5を満たす化合物に変換された半導体活性層を有する各実施例の有機膜トランジスタ素子は、高温(150℃)での加熱アニール工程前後のキャリア移動度の下落率が小さいことがわかった。そのため、上述の一般式1を満たす化合物は有機半導体膜形成用の組成物として好ましく用いられることがわかった。
一方、特開2012-23334号公報に記載の比較化合物1を用いた比較例1の有機膜トランジスタ素子と、特開2011-071501号公報に記載の比較化合物2を用いた比較例2の有機膜トランジスタ素子は、いずれも加熱アニール工程後にキャリア移動度が大きく下落した。
一方、特開2012-23334号公報に記載の比較化合物1を用いた比較例1の有機膜トランジスタ素子と、特開2011-071501号公報に記載の比較化合物2を用いた比較例2の有機膜トランジスタ素子は、いずれも加熱アニール工程後にキャリア移動度が大きく下落した。
なお、目視にて観察したところ、各実施例の有機膜トランジスタは、加熱アニール工程後の半導体活性層にクラック(ひび)は生じていなかった。
また、上述の一般式5を満たす化合物と比較して、上述の一般式1を満たす化合物はいずれも有機溶媒に対する溶解性が良好であることを確認した。上述の一般式1を満たす化合物は有機溶媒に易溶であり、有機溶媒に対する溶解性も良好であるため、溶液プロセスでの有機半導体膜の製造に適することがわかった。
また、上述の一般式5を満たす化合物と比較して、上述の一般式1を満たす化合物はいずれも有機溶媒に対する溶解性が良好であることを確認した。上述の一般式1を満たす化合物は有機溶媒に易溶であり、有機溶媒に対する溶解性も良好であるため、溶液プロセスでの有機半導体膜の製造に適することがわかった。
11 基板
12 ゲート電極
13 絶縁体層
14 半導体活性層(有機物層、有機半導体層)
15a、15b ソース電極およびドレイン電極
31 基板
32 ゲート電極
33 絶縁体層
34a、34b ソース電極およびドレイン電極
35 半導体活性層(有機物層、有機半導体層)
12 ゲート電極
13 絶縁体層
14 半導体活性層(有機物層、有機半導体層)
15a、15b ソース電極およびドレイン電極
31 基板
32 ゲート電極
33 絶縁体層
34a、34b ソース電極およびドレイン電極
35 半導体活性層(有機物層、有機半導体層)
Claims (37)
- 下記一般式1で表される化合物を含む、有機半導体膜形成用の組成物;
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、前記芳香環または前記複素芳香環は置換基を有していてもよく、前記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
kは0~5の整数を表し、nは1以上の整数を表し、kまたはnが2以上の場合、複数のL1は同一であっても異なっていてもよく、nが2以上の場合、複数のBは同一であっても異なっていてもよい;
L1は二価の芳香族基または二価の複素芳香族基を表す;
Bは、下記一般式2で表される置換基を表す;
*はL1との結合部位を表す;
R1、R2およびR3は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す;
R4は、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のアルキニル基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロアリール基、アシル基、-C(=S)-R5、-S(=O)2-R6、-S(=O)-R7、-PO(OR8)2または-Si-(R9)3を表し、R5~R9はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。 - 前記一般式1で表される化合物が、下記一般式4で表される化合物である、請求項1または2に記載の有機半導体膜形成用の組成物;
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、前記芳香環または前記複素芳香環は置換基を有していてもよく、前記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
nは1以上の整数を表し、nが2以上の場合、複数のR1、複数のR2、複数のR3、複数のR12および複数のZ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい;
R1、R2、R3およびR12は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Z1は酸素原子または硫黄原子を表す。 - 前記一般式1におけるTは、芳香環または複素芳香環が5~7個縮環した縮環構造を表し、前記縮環構造は、置換基を有していてもよく、前記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない、請求項1~3のいずれか1項に記載の有機半導体膜形成用の組成物。
- 前記一般式1におけるT中の前記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環が、それぞれ独立にベンゼン環、ピリジン環、フラン環、ピロール環およびチオフェン環のいずれか1つである、請求項1~4のいずれか1項に記載の有機半導体膜形成用の組成物。
- 前記一般式1におけるT中の前記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環が、それぞれ独立に、ベンゼン環およびチオフェン環のいずれか1つである、請求項1~5のいずれか1項に記載の有機半導体膜形成用の組成物。
- 前記一般式1におけるT中の前記縮環構造が、両端にチオフェン環を有する縮環構造である、請求項1~6のいずれか1項に記載の有機半導体膜形成用の組成物。
- 前記一般式1におけるT中の前記縮環構造が、両端にベンゼン環を有する縮環構造である、請求項1~6のいずれか1項に記載の有機半導体膜形成用の組成物。
- さらに有機溶媒を含有する、請求項1~9のいずれか1項に記載の有機半導体膜形成用の組成物。
- 前記有機溶媒が、芳香族炭化水素系溶媒、ハロゲン化炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒またはエーテル系溶媒である、請求項10に記載の有機半導体膜形成用の組成物。
- さらにポリマーバインダーを含有する、請求項1~11のいずれか1項に記載の有機半導体膜形成用の組成物。
- 請求項1~12のいずれか1項に記載の有機半導体膜形成用の組成物を成膜する工程と、
前記有機半導体膜形成用の組成物に対して外部刺激を与えて、前駆体である前記一般式1で表される化合物の少なくとも一部が下記一般式5で表される化合物に変換された半導体活性層を形成する工程とを含む、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法;
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、前記芳香環または前記複素芳香環は置換基を有していてもよく、前記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
kは0~5の整数を表し、nは1以上の整数を表し、kまたはnが2以上の場合、複数のL1は同一であっても異なっていてもよく、nが2以上の場合、複数のDは同一であっても異なっていてもよい;
L1は二価の芳香族基または二価の複素芳香族基を表す;
Dは、下記一般式6で表される置換基を表す;
- 前記外部刺激が、100℃以上での加熱である、請求項13に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法。
- 前記一般式5で表される化合物が、下記一般式7で表される化合物である、請求項13または14に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法;
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、前記芳香環または前記複素芳香環は置換基を有していてもよく、前記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
kは0~5の整数を表し、nは1以上の整数を表し、kまたはnが2以上の場合、複数のL1は同一であっても異なっていてもよく、nが2以上の場合、複数のR3は同一であっても異なっていてもよい;
L1は二価の芳香族基または二価の複素芳香族基を表す;
R3は水素原子または置換基を表す。 - 前記一般式5におけるTは、芳香環または複素芳香環が5~7個縮環した縮環構造を表し、前記縮環構造は、置換基を有していてもよく、前記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない、請求項13~15のいずれか1項に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法。
- 前記一般式5におけるT中の前記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環が、それぞれ独立にベンゼン環、ピリジン環、フラン環、ピロール環およびチオフェン環のいずれか1つである、請求項13~16のいずれか1項に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法。
- 前記一般式5におけるT中の前記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環が、それぞれ独立に、ベンゼン環およびチオフェン環のいずれか1つである、請求項13~17のいずれか1項に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法。
- 前記一般式5におけるT中の前記縮環構造が、両端にチオフェン環を有する縮環構造である、請求項13~18のいずれか1項に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法。
- 前記一般式5におけるT中の前記縮環構造が、両端にベンゼン環を有する縮環構造である、請求項13~18のいずれか1項に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法。
- 請求項13~21のいずれか1項に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法で製造された、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜。
- 下記一般式5で表される化合物を含む非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜;
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、前記芳香環または前記複素芳香環は置換基を有していてもよく、前記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
kは0~5の整数を表し、nは1以上の整数を表し、kまたはnが2以上の場合、複数のL1は同一であっても異なっていてもよく、nが2以上の場合、複数のDは同一であっても異なっていてもよい;
L1は二価の芳香族基または二価の複素芳香族基を表す;
Dは、下記一般式6で表される置換基を表す;
- 前記一般式5で表される化合物が、下記一般式7で表される化合物である、請求項23に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜;
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、前記芳香環または前記複素芳香環は置換基を有していてもよく、前記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
kは0~5の整数を表し、nは1以上の整数を表し、kまたはnが2以上の場合、複数のL1は同一であっても異なっていてもよく、nが2以上の場合、複数のR3は同一であっても異なっていてもよい;
L1は二価の芳香族基または二価の複素芳香族基を表す;
R3は水素原子または置換基を表す。 - 下記一般式1で表される化合物をさらに含む、請求項23または24に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜;
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、前記芳香環または前記複素芳香環は置換基を有していてもよく、前記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
kは0~5の整数を表し、nは1以上の整数を表し、kまたはnが2以上の場合、複数のL1は同一であっても異なっていてもよく、nが2以上の場合、複数のBは同一であっても異なっていてもよい;
L1は二価の芳香族基または二価の複素芳香族基を表す;
Bは、下記一般式2で表される置換基を表す;
*はL1との結合部位を表す;
R1、R2およびR3は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す;
R4は、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のアルキニル基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロアリール基、アシル基、-C(=S)-R5、-S(=O)2-R6、-S(=O)-R7、-PO(OR8)2または-Si-(R9)3を表し、R5~R9はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。 - 前記一般式1で表される化合物が、下記一般式4で表される化合物である、請求項25または26に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜;
Tは、芳香環または複素芳香環が4個以上縮環した縮環構造を表し、前記芳香環または前記複素芳香環は置換基を有していてもよく、前記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が4個または5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない;
nは1以上の整数を表し、nが2以上の場合、複数のR1、複数のR2、複数のR3、複数のR12および複数のZ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい;
R1、R2、R3およびR12は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Z1は酸素原子または硫黄原子を表す。 - 前記一般式1で表される化合物の含有量が、前記一般式5で表される化合物の含有量に対して、0.01~50質量%である、請求項25~27のいずれか1項に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜。
- 前記Tは、芳香環または複素芳香環が5~7個縮環した縮環構造を表し、前記縮環構造は、置換基を有していてもよく、前記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環の総数が5個の場合に隣り合う2つの環がチオフェン環ではない、請求項23~28のいずれか1項に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜。
- 前記T中の前記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環が、それぞれ独立にベンゼン環、ピリジン環、フラン環、ピロール環およびチオフェン環のいずれか1つである、請求項23~29のいずれか1項に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜。
- 前記T中の前記縮環構造を構成する芳香環または複素芳香環が、それぞれ独立に、ベンゼン環およびチオフェン環のいずれか1つである、請求項23~30のいずれか1項に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜。
- 前記T中の前記縮環構造が、両端にチオフェン環を有する縮環構造である、請求項23~31のいずれか1項に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜。
- 前記T中の前記縮環構造が、両端にベンゼン環を有する縮環構造である、請求項23~31のいずれか1項に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜。
- 請求項13~21のいずれか1項に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法を含み、
有機膜トランジスタの半導体活性層として、前記非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜を用いる、有機膜トランジスタの製造方法。 - 請求項35に記載の有機膜トランジスタの製造方法で製造された、有機膜トランジスタ。
- 有機膜トランジスタの半導体活性層として、請求項23~34のいずれか1項に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜を有する、有機膜トランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016542534A JPWO2016024485A1 (ja) | 2014-08-13 | 2015-07-31 | 有機半導体膜形成用の組成物、有機半導体膜、及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014-165007 | 2014-08-13 | ||
JP2014165007 | 2014-08-13 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2016024485A1 true WO2016024485A1 (ja) | 2016-02-18 |
Family
ID=55304114
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2015/071801 WO2016024485A1 (ja) | 2014-08-13 | 2015-07-31 | 有機半導体膜形成用の組成物、有機半導体膜、及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2016024485A1 (ja) |
WO (1) | WO2016024485A1 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013026591A (ja) * | 2011-07-26 | 2013-02-04 | Ricoh Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びそれを用いた電子デバイス |
JP2014110347A (ja) * | 2012-12-03 | 2014-06-12 | Tosoh Corp | 有機半導体層形成用材料 |
JP2014139143A (ja) * | 2013-01-21 | 2014-07-31 | Idemitsu Kosan Co Ltd | ジチエノフェナントレン化合物、当該化合物を含む有機薄膜トランジスタ用組成物、及び有機薄膜トランジスタ |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5936259A (en) * | 1997-10-16 | 1999-08-10 | Lucent Technologies Inc. | Thin film transistor and organic semiconductor material thereof |
JP5160078B2 (ja) * | 2006-12-06 | 2013-03-13 | 国立大学法人広島大学 | 電界効果トランジスタ |
JP2010177637A (ja) * | 2009-02-02 | 2010-08-12 | Mitsui Chemicals Inc | 有機トランジスタ |
JP2010177643A (ja) * | 2009-02-02 | 2010-08-12 | Mitsui Chemicals Inc | 有機トランジスタ |
-
2015
- 2015-07-31 JP JP2016542534A patent/JPWO2016024485A1/ja active Pending
- 2015-07-31 WO PCT/JP2015/071801 patent/WO2016024485A1/ja active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013026591A (ja) * | 2011-07-26 | 2013-02-04 | Ricoh Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びそれを用いた電子デバイス |
JP2014110347A (ja) * | 2012-12-03 | 2014-06-12 | Tosoh Corp | 有機半導体層形成用材料 |
JP2014139143A (ja) * | 2013-01-21 | 2014-07-31 | Idemitsu Kosan Co Ltd | ジチエノフェナントレン化合物、当該化合物を含む有機薄膜トランジスタ用組成物、及び有機薄膜トランジスタ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2016024485A1 (ja) | 2017-06-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI573797B (zh) | 有機薄膜電晶體、有機半導體薄膜、有機半導體材料、有機薄膜電晶體用材料、非發光性有機半導體元件用塗佈溶液及化合物 | |
JP5975834B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料 | |
TWI606053B (zh) | 有機薄膜電晶體、化合物、有機半導體薄膜、有機半導體材料、有機薄膜電晶體用材料及有機半導體元件用塗佈溶液 | |
JP5897050B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料 | |
TW201437214A (zh) | 有機薄膜電晶體、有機半導體薄膜、化合物、非發光性有機半導體元件用有機半導體材料、有機薄膜電晶體用材料、非發光性有機半導體元件用塗佈溶液及非發光性有機半導體元件用有機半導體薄膜 | |
JP6306460B2 (ja) | 有機半導体膜形成用の組成物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、有機膜トランジスタ用材料、非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液、非発光性有機半導体デバイス用インク、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜、有機膜トランジスタおよびオリゴマー | |
JPWO2012115218A1 (ja) | ジアントラ[2,3−b:2’,3’−f]チエノ[3,2−b]チオフェンの製造方法並びにその用途 | |
TWI606052B (zh) | 有機薄膜電晶體、化合物及其應用 | |
JP6231448B2 (ja) | 有機半導体膜形成用の組成物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜、有機膜トランジスタの製造方法および有機膜トランジスタ。 | |
WO2015105060A1 (ja) | 有機トランジスタ、化合物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、有機トランジスタ用材料、非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜および非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法 | |
JPWO2012165612A1 (ja) | 有機半導体材料及び有機エレクトロニクスデバイス | |
WO2015111604A1 (ja) | 有機トランジスタ、化合物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、有機トランジスタ用材料、非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜 | |
TWI643368B (zh) | 有機電晶體、化合物、非發光性有機半導體元件用有機半導體材料、有機電晶體用材料、非發光性有機半導體元件用塗佈溶液以及非發光性有機半導體元件用有機半導體膜 | |
TWI788544B (zh) | 有機半導體元件、組成物、純化化合物之方法及該等的應用 | |
WO2016024485A1 (ja) | 有機半導体膜形成用の組成物、有機半導体膜、及びその製造方法 | |
JP6033802B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料 | |
WO2015105059A1 (ja) | 有機トランジスタ、化合物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、有機トランジスタ用材料、非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液および非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜 | |
JP6179837B2 (ja) | 組成物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、有機トランジスタ用材料、非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体、有機トランジスタ、多環縮合芳香族化合物 | |
WO2015111605A1 (ja) | 有機トランジスタ、化合物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、有機トランジスタ用材料、非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜 | |
JP6295335B2 (ja) | 有機半導体膜形成用の組成物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、有機トランジスタ用材料、非発光性有機半導体デバイス用塗布溶液、非発光性有機半導体デバイス用インク、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜および有機トランジスタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 15831857 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 2016542534 Country of ref document: JP Kind code of ref document: A |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 15831857 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |