WO2016017510A1 - 基板処理装置 - Google Patents

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path structure
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敦仁 井堀
松本　昌弘
谷　典明
治憲 岩井
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Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus for processing both surfaces of a substrate.
  • a thin substrate such as a film-like substrate has lower heat resistance than a glass substrate or the like that has been widely used conventionally.
  • the temperature of the substrate surface rises when high-energy sputtered particles reach the surface of the substrate. If the substrate surface temperature exceeds the allowable temperature of the substrate material, the substrate may be deformed. Therefore, when forming a film on a thin substrate, the film is formed within a temperature range that does not exceed the allowable temperature of the substrate material. There is a need.
  • double-sided film formation may be performed in which film formation is performed on both surfaces of a substrate. At this time, if both sides of the substrate are simultaneously formed, the substrate temperature is likely to rise as compared to single-sided film formation. Therefore, it is necessary to form the film on each side in two steps.
  • An example of an apparatus that forms a film on each side of a substrate is a device that changes the direction of the substrate by a transfer robot. For example, when film formation on one film formation surface of a substrate is completed, the transfer robot rotates the substrate and carries it into a film formation apparatus that forms a film on the other film formation surface of the substrate.
  • a substrate processing apparatus provided with a transfer robot is described in Patent Document 1, for example.
  • a rotation mechanism for rotating a substrate such as a transfer robot
  • the rotation mechanism is responsible for rotation of the substrate and transfer to a plurality of substrate processing chambers.
  • the operation time of the rotating mechanism becomes a bottleneck that limits the production amount. Therefore, there is a demand for a substrate processing apparatus that can form a thin film on both sides of a substrate, which can further increase production efficiency.
  • Such a problem is not limited to an apparatus that uses a thin substrate as a substrate processing target, but is generally common to substrate processing apparatuses that require cooling of the substrate.
  • An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of increasing the production efficiency in double-sided film formation.
  • One embodiment of the present invention is a substrate processing apparatus.
  • the substrate processing apparatus is provided along a sputtering chamber, two targets for forming a thin film by sputtering on two film formation surfaces of the substrate, and a transport path provided in the sputtering chamber.
  • a transport mechanism for transporting the substrate wherein one of the two targets is disposed in the front stage of the substrate transport direction so as to face one of the two film formation surfaces of the substrate.
  • the other side of the two targets is disposed on one side of the substrate, and the other side of the transport path is opposite to the other of the two film formation surfaces of the substrate in the subsequent stage in the transport direction of the substrate. Placed in the direction.
  • a thin film is formed on one film formation surface of the substrate facing the target by one target arranged in the previous stage in the substrate transport direction. Furthermore, a thin film is formed on the other film-forming surface of the substrate facing the target by the other target disposed in the subsequent stage in the substrate transport direction. For this reason, since it can form into a film one side at a time, without rotating a board
  • the sputter chamber is one of a first sputter chamber and a second sputter chamber provided side by side in a front stage and a rear stage in the transport direction, and the two sputter chambers provided in the first sputter chamber.
  • the target and the two targets provided in the second sputtering chamber are disposed at different positions in the transport direction, and are alternately disposed on one side and the other side of the transport path. Is preferred.
  • the four targets including the two targets of the first sputtering chamber at the front stage and the two targets of the second sputtering chamber at the rear stage are alternately arranged on one side and the other side of the transport path. . For this reason, even when film formation is performed twice on both surfaces of the substrate, film formation can be performed on each side without rotating the substrate, so that the production efficiency in the double-side film formation can be increased.
  • the substrate processing apparatus is provided in a reverse sputtering chamber for cleaning two film formation surfaces of the substrate by transferring the substrate prior to transfer to the sputtering chamber, and in the reverse sputtering chamber.
  • Two bias electrodes to which a bias voltage is applied, and the two bias electrodes are arranged separately in a front stage and a rear stage in the transport direction, and are divided into one side and the other side of the transport path. are preferably arranged.
  • the substrate processing apparatus includes a return path structure including the sputter chamber, a substrate mounting portion that is disposed on a carry-out side of the return path structure, and that mounts the substrate on a substrate holding portion, and is mounted on the substrate holding portion.
  • An outward path structure that transports the substrate from the exit side of the return path structure to the entrance side of the return path structure, and the outbound path structure heats the substrate at a preset upper limit temperature or less. It is preferable that the heating part to be included.
  • the substrate can be heated by the heating unit provided in the forward path structure while the substrate mounted on the substrate holding part is transported from the carry-out side of the return path structure to the carry-in side.
  • the heating unit heats the substrate at a temperature not higher than a preset upper limit temperature, the substrate can be degassed while preventing deformation of the substrate or the like depending on the setting of the upper limit temperature.
  • the transport mechanism includes a control device that controls transport of the substrate to the forward path structure and transport of the substrate from the forward path structure to the return path structure. It is preferable to carry in the substrate before film formation from the forward path structure to the return path structure in accordance with the unloading of the substrate from the return path structure.
  • the board in accordance with the carry-out of the substrate from the return path structure, the board is loaded into the return path structure. For this reason, since the board
  • the side view which shows schematic structure of one Embodiment of a substrate processing apparatus.
  • the schematic diagram of the conveyance mechanism in the substrate processing apparatus of FIG. The top view which shows schematic structure of the substrate processing apparatus of FIG.
  • the schematic diagram which shows the structure of the reverse sputtering apparatus in the substrate processing apparatus of FIG. Sectional drawing which shows typically the electrostatic chuck provided in the reverse sputtering apparatus of FIG.
  • the front view which shows the board
  • the substrate processing apparatus is exemplified as an apparatus that forms, on both sides of a substrate on which an electronic component is mounted, an adhesion layer as a base of wiring and a seed layer for forming wiring by plating by sputtering.
  • substrate used as film-forming object is a film-like board
  • the film substrate is mainly composed of resin.
  • resin for example, acrylic resin, polyamide resin, melamine resin, polyimide resin, polyester resin, cellulose, and copolymer resins thereof are used.
  • organic natural compounds such as gelatin and casein are used as the film substrate material.
  • the material for forming the film substrate includes polyester, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polymethylene methacrylate, acrylic, polycarbonate, polystyrene, triacetate, polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyethylene, and ethylene-vinyl acetate.
  • Copolymers, polyvinyl butyral, metal ion cross-linked ethylene-methacrylic acid copolymers, polyurethane, cellophane and the like are used.
  • it is preferable that any of polyethylene terephthalate, polycarbonate, polymethylene methacrylate, and triacetate is used as a film substrate forming material.
  • a film substrate having a thickness of 1 mm or less is preferably used, and a film substrate having a thickness of 100 ⁇ m or less is more preferably used. Further, for example, the film substrate has a side length (width and height in plan view) of 500 mm to 600 mm.
  • the substrate processing apparatus 10 includes a substrate mounting unit 11 and a first substrate lifting unit 13.
  • the substrate mounting unit 11 is a device that mounts the film substrate 15 before film formation on the substrate holding unit 14 and removes the film substrate 15 after film formation from the substrate holding unit 14.
  • the substrate mounting unit 11 and the first substrate lifting unit 13 are controlled by the control device 12.
  • the substrate holding part 14 includes a frame 16 and a substrate fixture 17 provided on the inner peripheral surface of the frame 16.
  • the substrate fixture 17 is made of a magnet, and a plurality of substrate fixtures 17 are provided on the four sides of the frame body 16.
  • the frame 16 is composed of a first frame 16a and a second frame 16b.
  • first frame body 16a and the second frame body 16b On the inner peripheral surface side of the first frame body 16a and the second frame body 16b, groove-shaped fitted portions 16c and 16d are formed.
  • the first frame body 16a and the second frame body 16b are fixed to each other by a fixture or the like (not shown).
  • the magnet 16e is embed
  • the substrate fixture 17 includes a pair of fixing pieces 17a and 17b.
  • substrate fixture 17 is equipped with the groove part 17c in the end. The edge of the film substrate 15 is inserted into the groove portion 17c.
  • the groove portion 17c can be omitted depending on the thickness of the film substrate 15.
  • the film substrate 15 is mounted on the substrate holding portion 14, for example, the film substrate 15 is attached to the second frame in a state in which the fixing piece 17b of the substrate fixture 17 is disposed on the fitted portion 16d of the second frame body 16b. It arrange
  • the fixed piece 17a is arrange
  • the fixed piece 17a is attracted toward the first frame 16a by the magnetic force of the magnet 16e.
  • positioned the fixed piece 17a is piled up on the 2nd frame 16b which mounted the film board
  • the film substrate 15 is fixed to the frame 16 via the substrate fixture 17.
  • the film substrate 15 mounted on the substrate holding unit 14 by the substrate mounting unit 11 is lifted by the first substrate lifting unit 13 and is provided in the forward structure provided vertically above the substrate mounting unit 11. It is conveyed into the body 21.
  • the forward path structure 21 includes a long casing 21a and an outbound path 23 provided in the casing 21a.
  • the forward transfer path 23 transfers the film substrate 15 mounted on the substrate holding unit 14 from the first substrate lifting unit 13 toward the second substrate lifting unit 30 provided on the side opposite to the first substrate lifting unit 13. To do.
  • the forward conveyance path 23 includes a conveyance rail 24 and a plurality of conveyance rollers 25.
  • the transport roller 25 is provided in a state where it can rotate with respect to the transport rail 24.
  • the transport roller 25 is driven by a drive source such as a transport motor 26.
  • the transport motor 26 is controlled by the control device 12.
  • the transport rail 24, the transport roller 25, the transport motor 26, and the control device 12 constitute a transport mechanism that transports the film substrate 15.
  • a plurality of heaters 31 are provided in a part of the casing 21a in the longitudinal direction.
  • the heaters 31 are provided on both sides of the outbound path 23 and heat the film substrate 15 transported along the outbound path 23 from both sides.
  • the plurality of heaters 31 are arranged along the longitudinal direction of the housing 21a. Since the film substrate 15 is hygroscopic in terms of material properties, the film substrate 15 is degassed by being continuously heated by the plurality of heaters 31.
  • the heater 31 is composed of, for example, a sheathed heater in which a heating wire is housed in a metal pipe via an insulator, and the temperature is adjusted by the control device 12 to an upper limit temperature Tmax or less that can prevent deformation of the film substrate 15.
  • This upper limit temperature Tmax is set according to the material of the film substrate 15.
  • the number of heaters 31 is adjusted so that the heating time in the forward path structure 21 is equal to or longer than the time required for degassing the film substrate 15.
  • the degassed film substrate 15 is sequentially lowered by the second substrate elevating unit 30 controlled by the control device 12 and conveyed to the return path structure 22 provided below the forward path structure 21 in the vertical direction.
  • the return path structure 22 includes a reverse sputtering device 50, a first sputtering device 70, and a second sputtering device 90.
  • the reverse sputtering apparatus 50 is an apparatus that performs reverse sputtering for cleaning both surfaces of the film substrate 15.
  • the first sputtering apparatus 70 is an apparatus that forms an adhesion layer on the film substrate 15, and the second sputtering apparatus 90 is an apparatus that forms a seed layer on the adhesion layer.
  • a carry-in chamber 35 having a carry-in port 35a (see FIG. 5) and a first preliminary chamber 36 are provided.
  • a second preliminary chamber 37 and a carry-out chamber 38 having a carry-out port 38a are provided between the second sputtering apparatus 90 and the substrate mounting portion 11.
  • a return conveyance path 32 is provided in the carry-in chamber 35, the first preliminary chamber 36, the reverse sputtering device 50, the first sputtering device 70, the second sputtering device 90, the second preliminary chamber 37, and the carry-out chamber 38.
  • the return path 32 is provided with a transport rail 24 and a transport roller 25 in the same manner as the forward path 23.
  • the transport roller 25 is connected to the transport motor 26.
  • the transport motor 26 of the return path 32 is also controlled by the control device 12.
  • the film substrate 15 is conveyed linearly along the return path transport path 32 in the return path structure 22 from the second substrate elevating unit 30 toward the substrate mounting unit 11.
  • Gate valves 41 to 43 are provided at the carry-in port 35 a of the carry-in chamber 35, between the carry-in chamber 35 and the first spare chamber 36, and at the outlet of the first spare chamber 36.
  • the carry-in chamber 35 and the first preliminary chamber 36 are adjusted to a predetermined pressure range by an exhaust unit (not shown).
  • Gate valves 46 to 48 are provided between the second sputtering apparatus 90 and the second preliminary chamber 37, between the second preliminary chamber 37 and the carry-out chamber 38, and at the outlet of the carry-out chamber 38.
  • the second preliminary chamber 37 and the carry-out chamber 38 are adjusted to a predetermined pressure range by an exhaust unit (not shown).
  • the heaters 40 are provided on both sides facing each other across the return path 32 (see FIG. 5).
  • the heater 40 is composed of a sheathed heater, for example, and the temperature is adjusted by the control device 12 to be equal to or lower than the upper limit temperature described above.
  • the final degassing process before film formation is performed by heating both surfaces of the film substrate 15.
  • the heating temperature set for the heater 40 of the first preliminary chamber 36 and the heating temperature set for the heater 31 of the forward path structure 21 may be the same or different from each other.
  • the heating temperature set for the heater 40 of the first preliminary chamber 36 is higher than the heating temperature set for the heater 31 of the forward path structure 21, the temperature of the film substrate 15 rises to just before film formation. In order to continue, the adsorption
  • the reverse sputtering apparatus 50 includes two electrostatic chucks 53.
  • the electrostatic chuck 53 has a bias electrode to which high frequency power is supplied.
  • the reverse sputtering apparatus 50 generates plasma including positive ions of electrons and sputtering gas in the internal space of the reverse sputtering chamber 51 (see FIG. 6), and applies a bias voltage to the electrostatic chuck 53 to thereby generate plasma in the plasma.
  • the positive ions are drawn into the surface of the film substrate 15 to remove the deposits and the like on the film substrate 15.
  • One electrostatic chuck 53 is provided in the front stage in the substrate transport direction, which is the transport direction of the film substrate 15, and the other electrostatic chuck 53 is provided in the rear stage in the substrate transport direction.
  • the front-stage electrostatic chuck 53 is provided on the left side as viewed from the inlet side of the reverse sputtering apparatus 50, and the rear-stage electrostatic chuck 53 is provided on the right side as viewed from the inlet side.
  • the first sputtering apparatus 70 includes two pairs of a first cathode unit 72 having a target and an electrostatic chuck 73.
  • the target has, for example, titanium as a main component.
  • One pair of the first cathode unit 72 and the electrostatic chuck 73 is provided at the front stage in the substrate transport direction, and the other pair of the first cathode unit 72 and the electrostatic chuck 73 is provided at the rear stage in the substrate transport direction. Yes.
  • the two pairs of the first cathode unit 72 and the electrostatic chuck 73 are provided at positions that do not overlap in the substrate transport direction.
  • the first cathode unit 72 at the front stage and the first cathode unit 72 at the rear stage are provided on different sides with respect to the return path 32. That is, the two first cathode units 72 are provided at different positions in the transport direction of the film substrate 15 and different positions in a direction orthogonal to the transport direction.
  • the second sputtering apparatus 90 includes gate valves 45 and 46 between the first sputtering apparatus 70 and the second preliminary chamber 37.
  • the second sputtering apparatus 90 includes two pairs of a second cathode unit 92 and an electrostatic chuck 93 having a target.
  • the target has, for example, copper as a main component.
  • One pair of the second cathode unit 92 and the electrostatic chuck 93 is provided in the front stage in the substrate transport direction, and the other pair of the second cathode unit 92 and the electrostatic chuck 93 is provided in the rear stage in the substrate transport direction. Yes.
  • the two pairs of second cathode units 92 and electrostatic chucks 93 are provided at positions that do not overlap in the substrate transport direction.
  • the front-stage second cathode unit 92 and the rear-stage second cathode unit 92 are provided on different sides of the return path transport path 32. That is, the two second cathode units 92 are provided at different positions in the transport direction of the film substrate 15 and different positions in the direction orthogonal to the transport direction.
  • the two first cathode units 72 of the first sputtering apparatus 70 and the two second cathode units 92 of the second sputtering apparatus 90 are alternately arranged on one side and the other side in the transport direction of the film substrate 15. Has been placed.
  • the electrostatic chucks 53 are alternately arranged on the sides in the transport direction.
  • the film substrate 15 passes through the reverse sputtering apparatus 50, the first sputtering apparatus 70, and the second sputtering apparatus 90 in a state where the film substrate 15 stands vertically on the conveyance rail 24 by the control of the conveyance motor 26 by the control apparatus 12.
  • the film substrate 15 is reverse-sputtered in the order of the right side surface 15 a that is one film formation surface and the left side surface 15 b that is the other film formation surface when viewed from the inlet side of the reverse sputtering apparatus 50.
  • the first sputtering apparatus 70 thin films are formed in order of the right side surface 15a and the left side surface 15b.
  • the second sputtering apparatus 90 thin films are formed in order of the right side surface 15a and the left side surface 15b.
  • the film substrate 15 transported through the reverse sputtering apparatus 50, the first sputtering apparatus 70, and the second sputtering apparatus 90 is subjected to substrate processing alternately in the order of the right side surface 15a and the left side surface 15b. For this reason, after processing one film-forming surface, while processing the other film-forming surface continuously, one film-forming surface on the opposite side is cooled.
  • the return conveyance path 32 extends linearly between the gate valve 43 provided on the inlet side and the gate valve 44 provided on the outlet side. ing.
  • the reverse sputtering chamber 51 is connected to an exhaust unit 56 that exhausts the internal space and a sputtering gas supply unit 57 that supplies a sputtering gas containing argon to the internal space.
  • a sputtering gas any of nitrogen gas, oxygen gas, and hydrogen gas may be used in addition to argon, or a gas in which at least two of these four kinds of gases including argon are mixed may be used.
  • the exhaust unit 56 and the sputtering gas supply unit 57 are controlled by the control device 12.
  • the reverse sputtering apparatus 50 includes a reverse sputtering unit 50A at the front stage and a reverse sputtering part 50B at the rear stage. Since the upstream reverse sputtering unit 50A and the downstream reverse sputtering unit 50B have the same configuration, only the configuration of the upstream reverse sputtering unit 50A will be described.
  • the reverse sputtering unit 50 ⁇ / b> A has one electrostatic chuck 53.
  • the front stage electrostatic chuck 53 is provided on the left side when viewed from the entrance side, on both sides of the return path 32. Further, the latter stage electrostatic chuck 53 is provided on the right side when viewed from the entrance side of the return path conveyance path 32.
  • the electrostatic chuck 53 attracts the film substrate 15 by a force generated between the electrostatic chuck 53 and the film substrate 15. Further, the film substrate 15 is cooled by absorbing the heat of the film substrate 15 whose temperature has been increased by reverse sputtering.
  • the electrostatic chuck 53 is connected to the electrostatic chuck displacing portion 54, and the electrostatic chuck 53 is in contact with the film substrate 15 on the return path 32 and in contact with the film substrate 15 on the return path 32. Displace between non-contact positions.
  • the electrostatic chuck 53 has a laminated body in which an insulating plate 60, a copper plate 61, and a bias electrode 62 are laminated.
  • the insulating plate 60 provided in the uppermost layer includes a base material such as ceramics such as aluminum oxide or a resin such as polyimide, and is formed in a rectangular shape and a plate shape.
  • a plurality of positive electrodes 63 and a plurality of negative electrodes 64 are embedded in the insulating plate 60.
  • the positive electrode 63 and the negative electrode 64 are formed in an elongated shape, and are alternately arranged with a space therebetween.
  • a positive electrode power supply 65 is electrically connected to the positive electrode 63, and a negative electrode power supply 66 is electrically connected to the negative electrode 64.
  • the positive electrode power supply 65 applies a relatively positive voltage to the positive electrode 63.
  • the negative electrode power supply 66 applies a relatively negative voltage to the negative electrode 64.
  • the bias electrode 62 is connected to a high frequency power source 67 for bias.
  • High frequency power is supplied to the bias electrode 62 by a high frequency power supply 67 for bias.
  • the high-frequency power preferably has a frequency of 1 MHz to 6 MHz, for example.
  • the high frequency power source 67 for bias may be configured to supply a high frequency power having a relatively high frequency and a high frequency power having a relatively low frequency. In this case, it is preferable to supply high frequency power of 13 MHz to 28 MHz and high frequency power of 100 kHz to 1 MHz.
  • the bias electrode 62 is formed with a refrigerant passage 68 through which the refrigerant passes.
  • the refrigerant passage 68 has, for example, a bent shape in which the inside of the plate-like bias electrode 62 is bent a plurality of times.
  • a refrigerant circulation portion 69 is connected to the refrigerant passage 68, and the refrigerant circulation portion 69 circulates the refrigerant in the refrigerant passage 68.
  • a cooling liquid such as cooling water, a fluorine-based solution, and an ethylene glycol solution, or a cooling gas such as helium gas or argon gas is used.
  • the transfer motor 26 is driven to place the film substrate 15 at a predetermined position. Further, the electrostatic chuck displacement portion 54 is driven, and the electrostatic chuck 53 is displaced to the contact position. Further, power is supplied from the positive electrode power supply 65 and the negative electrode power supply 66 to the positive electrode 63 and the negative electrode 64, and the film substrate 15 is attracted to the insulating plate 60.
  • the exhaust unit 56 is driven and the sputtering gas is supplied to the plasma generation space S, whereby the inside of the reverse sputtering chamber 51 is adjusted to a predetermined pressure.
  • high frequency power is supplied to the bias electrode 62 from the bias high frequency power supply 67 in a state where the inside of the reverse sputtering chamber 51 is adjusted to a predetermined pressure
  • positive ions and electrons of the sputtering gas are supplied to the plasma generation space S.
  • a plasma containing is formed. Positive ions in the plasma are attracted to the surface of the film substrate 15 in a negative potential state. Thereby, the deposits and the like on the film forming surface opposite to the surface in contact with the electrostatic chuck 53 are removed and cleaned.
  • the film substrate 15 is arranged at a predetermined position in the reverse sputtering unit 50B at the subsequent stage. Thereafter, in the reverse sputtering unit 50B at the rear stage, reverse sputtering is performed on the other film formation surface (the left side surface 15b) similarly to the reverse sputtering unit 50A at the previous stage. During this time, one of the film formation surfaces (right side surface 15 a) reversely sputtered by the reverse sputtering unit 50 ⁇ / b> A in the previous stage is cooled by contacting the electrostatic chuck 53.
  • first sputtering device 70 and the second sputtering device 90 differ only in the target material and the other configurations are the same, only the configuration of the first sputtering device 70 will be described, and the configuration of the second sputtering device 90 will be described. Description is omitted.
  • a return conveyance path 32 extending linearly from a gate valve 44 provided on the inlet side toward a gate valve 45 provided on the outlet side.
  • the return path transport path 32 is arranged on the same straight line as the return path transport path 32 of the reverse sputtering apparatus 50 and the return path transport path 32 of the second sputtering apparatus 90.
  • the sputter chamber 71 is connected to an exhaust part 78 for exhausting the internal space and a sputter gas supply part 79 for supplying a sputter gas to the internal space.
  • the same sputtering gas as that of the reverse sputtering apparatus 50 can be used.
  • the first sputtering apparatus 70 includes a front stage sputtering unit 70A and a rear stage sputtering unit 70B.
  • the front-stage sputter unit 70A and the rear-stage sputter unit 70B are arranged on different sides with respect to the return path conveyance path 32. Since the upstream sputtering unit 70A and the downstream sputtering unit 70B have the same configuration, only the configuration of the upstream sputtering unit 70A will be described.
  • the front sputtering unit 70A includes a pair of first cathode unit 72 and electrostatic chuck 73.
  • the electrostatic chuck 73 faces the first cathode unit 72 with the plasma generation space S therebetween.
  • the first cathode unit 72 includes a backing plate 74 and a target 75 whose main component is titanium.
  • the target 75 is provided on the surface of the backing plate 74 closer to the electrostatic chuck 73.
  • the target 75 of the second sputtering apparatus 90 is mainly composed of copper.
  • a target power source 76 is electrically connected to the backing plate 74.
  • a magnetic circuit 77 that forms a magnetic field in the plasma generation space S is provided on the back side of the backing plate 74.
  • the electrostatic chuck 73 attracts the film substrate 15 by a force generated between the electrostatic chuck 73 and the film substrate 15. Further, the film substrate 15 is cooled by absorbing the heat of the film substrate 15 whose temperature has been increased by sputtering.
  • the electrostatic chuck 73 is connected to the electrostatic chuck 73 so that the electrostatic chuck 73 comes into contact with the film substrate 15 on the return path 32 and the film substrate 15 on the return path 32. Displace between non-contact positions.
  • the electrostatic chuck 73 of the first sputtering apparatus 70 has substantially the same configuration as the electrostatic chuck 53 of the reverse sputtering apparatus 50, but the bias sputtering apparatus does not include the bias electrode 62. Different from the electrostatic chuck 53.
  • the electrostatic chuck 73 of the first sputtering apparatus 70 includes an insulating plate 81 in which a positive electrode 84 and a negative electrode 85 are embedded, and a cooling plate 82 in which a refrigerant passage 88 is formed.
  • a positive electrode power source 86 is electrically connected to the positive electrode 84
  • a negative electrode power source 87 is electrically connected to the negative electrode 85.
  • a refrigerant circulation portion 89 is connected to the refrigerant passage 88.
  • the transfer motor 26 is driven so that the film substrate 15 faces the first cathode unit 72 in the previous stage. It is arrange
  • the exhaust unit 78 is driven and the sputtering gas is supplied to the plasma generation space S, whereby the inside of the sputtering chamber 71 is adjusted to a predetermined pressure. Further, when high frequency power is supplied to the target power source 76, plasma containing positive ions and electrons of the sputtering gas is formed in the plasma generation space S. Positive ions in the plasma are attracted to the surface of the target 75 in a negative potential state. Thereby, the surface of the target 75 is sputtered by positive ions, and the titanium particles reach one film formation surface (right side surface 15a) of the film substrate 15 to form a Ti layer which is a thin film mainly composed of titanium.
  • the film substrate 15 is disposed at a position facing the first cathode unit 72 of the subsequent sputtering unit 70B. Thereafter, in the latter stage sputtering unit 70B, similarly to the former stage sputtering unit 70A, sputtering is performed on the other film formation surface (left side surface 15b). During this time, one film formation surface (right side surface 15 a) on which the Ti layer is formed in the previous sputtering unit 70 ⁇ / b> A is cooled by being in contact with the electrostatic chuck 73.
  • the control device 12 drives the first substrate lifting unit 13 and the transport motor 26 to carry the film substrate 15 mounted on the substrate holding unit 14 by the substrate mounting unit 11 into the forward path structure 21.
  • the control device 12 drives the heater 31 of the forward path structure 21 and controls the transport motor 26 of the forward path structure 21 to transport the film substrate 15 mounted on the substrate holder 14 while heating. Accordingly, the film substrate 15 is degassed by being heated in advance during conveyance in the forward path structure 21 before being carried into the backward path structure 22.
  • the forward path structure 21 transports only the substrate holding part 14 and the film substrate 15 is mounted on the substrate holding part 14 on the inlet side of the return path structure 22, only the heater 40 of the first preliminary chamber 36 is used. Heat treatment will be performed.
  • the film substrate 15 is heated while being attached to the substrate holder 14 during the forward transfer before the film substrate 15 is carried into the first sputtering apparatus 70.
  • the heating time at this time is longer than the heating time in the first preliminary chamber 36. For this reason, sufficient time for degassing treatment can be secured.
  • control device 12 drives the transport roller 25 or the like to carry out one film substrate 15 from the return path structure 22
  • control apparatus 12 drives the second substrate lifting unit 30 to reach the end position of the forward path structure 21.
  • the film substrate 15 thus transferred is conveyed to the return path structure 22. That is, the number of film substrates 15 present in the return path structure 22 is controlled by the control device 12 so as to be substantially constant.
  • the control device 12 drives the transport motor 26 to transport the film substrate 15 in front of the entrance of the carry-in chamber 35 to the first preliminary chamber 36 via the carry-in chamber 35. Further, the control device 12 drives the heater 40 of the first preliminary chamber 36 while adjusting the temperature so as to be equal to or lower than the above-described upper limit temperature. Thereby, a final degassing step before film formation is performed.
  • the control device 12 drives the transport motor 26 to transport the film substrate 15 heated in the first preliminary chamber 36 for a predetermined time into the reverse sputtering device 50, and the film substrate 15 is moved to the previous stage in the substrate transport direction. Transport to a predetermined position. Then, the control device 12 controls the reverse sputtering device 50 to reverse-sputter the right side surface 15a of the film substrate 15.
  • the control device 12 drives the transport motor 26 to transport the film substrate 15 to a predetermined position in the subsequent stage. And the control apparatus 12 controls the reverse sputtering apparatus 50, and reverse-sputters the left side surface 15b of the film substrate 15.
  • the control device 12 drives the transport motor 26 to transport the film substrate 15 into the first sputtering device 70 and disposes it at a position facing the first cathode unit 72 in the previous stage. Then, the control device 12 controls the first sputtering device 70 to form a Ti layer on the right side surface 15 a facing the first cathode unit 72.
  • the controller 12 continues the sputtering on the right side surface 15a for a predetermined time, drives the transport motor 26 of the return path structure 22 and arranges it at a position facing the first cathode unit 72 in the subsequent stage. Then, the control device 12 controls the first sputtering device 70 to form a Ti layer on the left side surface 15 b facing the first cathode unit 72.
  • the control device 12 drives the transport motor 26 of the return path structure 22 to transport the film substrate 15 into the second sputtering device 90, and the second stage in the previous stage. It is arranged at a position facing the cathode unit 92. And the control apparatus 12 forms Cu layer in order of the right side surface 15a and the left side surface 15b similarly to the film-forming process of Ti layer by the 1st sputtering device 70.
  • the control device 12 drives the transport motor 26 to transport the film substrate 15 into the second preliminary chamber 37. Further, the control device 12 drives the transport motor 26 to transport the film substrate 15 in the second preliminary chamber 37 into the substrate mounting portion 11 via the carry-out chamber 38. In the substrate mounting unit 11, the film substrate 15 is removed from the substrate holding unit 14.
  • the plurality of film substrates 15 are conveyed linearly through the forward path structure 21 and the return path structure 22.
  • the reverse sputtering process, the Ti layer film forming process, and the Cu layer film forming process for the plurality of film substrates 15 are performed in parallel.
  • the film substrate 15 is alternately formed on both sides by the first sputtering device 70 and the second sputtering device 90 of the return structure 22, it is necessary to rotate the film substrate 15 to reverse the film formation surface. There is no.
  • the temperature increase of the film substrate 15 can be suppressed without increasing the transport distance between the cathode units or the like, or decreasing the output of the sputtering apparatus.
  • the time from when the film substrate 15 is carried into the return path structure 22 to when the film substrate 15 is carried out from the return path structure 22 is shortened, and the production efficiency of the substrate processing apparatus 10 can be increased in the case where both sides are formed on each side. Can be increased.
  • the film substrate 15 is heated in the forward path structure 21 until the substrate holding part 14 is conveyed to the entrance of the return path structure 22.
  • the reverse sputtering apparatus 50 and the sputtering apparatus can be integrated by providing a bias electrode on the electrostatic chuck of the sputtering apparatus.
  • the reverse sputtering apparatus 50 and the sputtering apparatus are integrated, it is necessary to rotate the film substrate 15 in the apparatus or to transport the film substrate 15 in the direction opposite to the above-described substrate transport direction.
  • the film substrate 15 may be rotated or conveyed in the direction opposite to the substrate conveyance direction. It becomes unnecessary.
  • the following effects can be obtained.
  • the four film forming units including the two first cathode units 72 of the first sputtering apparatus 70 and the two second cathode units 92 of the second sputtering apparatus 90 are arranged on one side and the other side of the return path 32. Are alternately arranged. For this reason, even when film formation is performed twice on both surfaces of the film substrate 15, film formation can be performed on each side without rotating the film substrate 15. it can.
  • the film substrate 15 is moved by the heater 31 provided in the forward path structure 21 that transports the film substrate 15 mounted on the substrate holding unit 14 from the carry-out side of the return path structure 22 to the carry-in side of the return path structure 22. Can be heated. Moreover, since the heater 31 heats the film substrate 15 below the upper limit temperature at which the film substrate 15 is prevented from being deformed, the film substrate 15 can be degassed while preventing the film substrate 15 from being deformed. .
  • the control device 12 carries the film substrate 15 into the return path structure 22 in accordance with the carry-out of the film substrate 15 from the return path structure 22. For this reason, since the preheated film substrate 15 can be sequentially sent out at the timing when the processing in the return path structure 22 becomes possible, the production efficiency in the double-sided film formation can be increased.
  • maintenance part may be structures other than the said embodiment.
  • the substrate holding unit 14 may include a frame body 16 and a square frame-shaped substrate fixture 95 provided along the inner peripheral surface of the frame body 16. Since the board
  • the substrate to be formed is a substrate constituting a printed circuit board, for example, a paper phenol substrate, a glass epoxy substrate, a Teflon substrate (Teflon is a registered trademark), a ceramic substrate such as alumina, a low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate, etc. It may be a rigid substrate. Or the printed board by which the wiring layer comprised with the metal was formed in these board
  • the target 75 of the first sputtering apparatus 70 is mainly composed of titanium
  • the target 75 of the second sputtering apparatus 90 is principally composed of copper. It may be.
  • one of the target 75 of the first sputtering apparatus 70 and the target 75 of the second sputtering apparatus 90 may be mainly composed of chromium, and at least two of titanium, copper, and chromium are mainly used. It may be a component.
  • the heating unit of the forward path structure 21 is configured by the plurality of heaters 31 arranged in the substrate transport direction, but may be configured by a heater extending in the longitudinal direction of the forward path structure 21.
  • the heater 31 of the forward path structure 21 may be omitted.
  • the first sputtering device 70 and the second sputtering device 90 may have a configuration other than the above configuration.
  • the electrostatic chuck 73 of the first sputtering device 70 and the electrostatic chuck 93 of the second sputtering device 90 may include a bias electrode.
  • the first sputtering device 70 and the second sputtering device 90 may have a configuration in which the magnetic circuit 77 is omitted.
  • maintenance part 14 was set as the structure provided with the frame 16 and the board
  • the substrate holding unit may be a configuration in which the edge of the film substrate 15 is sandwiched between a pair of frames, or a tray having an opening that exposes the film formation surface.
  • the substrate processing apparatus 10 includes the reverse sputtering apparatus 50.
  • the reverse sputtering apparatus 50 is used. It may be omitted.
  • two sputtering apparatuses are connected, but the number of sputtering apparatuses can be changed as appropriate according to the structure of the thin film to be formed.
  • one sputtering apparatus may be used.
  • Three or more sputtering apparatuses may be connected.
  • the substrate processing apparatus 10 may process a substrate other than a thin substrate such as the film substrate 15. If the substrate to be processed is a substrate that is preferably formed at a relatively low temperature, the same effects as in the present embodiment can be obtained.

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Abstract

基板処理装置（10）は、スパッタ装置（70）を備える。スパッタ装置は、スパッタチャンバと、スパッタチャンバ内に設けられ、基板（15）の２つの成膜面（15a,15b）にスパッタにより薄膜を形成するための２つのターゲット（72）と、スパッタチャンバ内に設けられた搬送路（32）に沿って基板を搬送する搬送機構とを備える。２つのターゲットのうちの一方は、搬送方向の前段において、基板の２つの成膜面のうちの一方に対向するように搬送路の一側方に配置されている。２つのターゲットのうちの他方は、搬送方向の後段において、基板の２つの成膜面のうちの他方に対向するように搬送路の他側方に配置されている。

Description

基板処理装置
　本発明は、基板の両面を処理する基板処理装置に関する。
　近年、電子機器の軽量化や薄型化等を図るために、電子部品が実装される実装基板等に、例えばフィルム状の基板が採用されつつある。
　フィルム状の基板のような薄型の基板は、従来多用されていたガラス基板等に比べると、耐熱性が低い。例えば、薄型の基板にスパッタ法により成膜を行う場合、高いエネルギーのスパッタ粒子が基板の表面に到達することによって、基板表面の温度が上昇する。基板表面の温度が基板材料の許容温度を超えると、基板の変形等を招くことがあるため、薄型の基板に成膜する場合には、基板材料の許容温度を超えない温度範囲で成膜する必要がある。
　一方、回路パターンの高密度化等を図るために、基板の両面に成膜を行う両面成膜が行われることがある。この際、基板の両面を同時に成膜すると、片面成膜と比べて基板温度が上昇しやすいため、２回にわけて片面ずつ成膜を行う必要がある。
　基板の両面に片面ずつ成膜を行う装置の一例として、搬送ロボットによって基板の向きを変える装置がある。例えば、搬送ロボットは、基板の一方の成膜面への成膜が完了すると、基板を回転させ、その基板の他方の成膜面に成膜を行う成膜装置に搬入する。搬送ロボットを備えた基板処理装置は、例えば特許文献１に記載されている。
特開２０１３－５８５６５号公報
　搬送ロボット等の基板を回転させる回転機構を基板処理装置に設ける場合、回転機構が基板の回転、及び複数の基板処理室への搬送を担うことになる。これにより、回転機構の動作時間が生産量を制限するボトルネックとなる。このため、基板の両面に片面ずつ薄膜を形成する基板処理装置において、生産効率をさらに高めることができるものが要請されている。尚、こうした課題は、薄型の基板を基板処理対象とする装置に限らず、基板の冷却が必要となる基板処理装置においては、概ね共通したものである。
　本発明の目的は、両面成膜における生産効率を高めることができる基板処理装置を提供することにある。
　本発明の一態様は、基板処理装置である。基板処理装置は、スパッタチャンバと、前記スパッタチャンバ内に設けられ、基板の２つの成膜面にスパッタにより薄膜を形成するための２つのターゲットと、前記スパッタチャンバ内に設けられた搬送路に沿って基板を搬送する搬送機構とを備え、前記２つのターゲットのうちの一方は、前記基板の搬送方向の前段において、前記基板の２つの成膜面のうちの一方に対向するように前記搬送路の一側方に配置され、前記２つのターゲットのうちの他方は、前記基板の搬送方向の後段において、前記基板の２つの成膜面のうちの他方に対向するように前記搬送路の他側方に配置される。
　上記構成によれば、スパッタチャンバでは、まず基板搬送方向の前段に配置された一方のターゲットによって、このターゲットと対向する基板の一方の成膜面に薄膜が形成される。さらに、基板搬送方向の後段に配置された他方のターゲットによって、このターゲットと対向する基板の他方の成膜面に薄膜が形成される。このため、基板を回転させることなく片面ずつ成膜することができるので、両面成膜における生産効率を高めることができる。
　上記基板処理装置において、前記スパッタチャンバは、前記搬送方向の前段及び後段に並べて設けられる第１及び第２スパッタチャンバのうちの一つであり、前記第１スパッタチャンバ内に設けられた前記２つのターゲット、及び前記第２スパッタチャンバ内に設けられた前記２つのターゲットは、前記搬送方向において互いに異なる位置に配置されるとともに、前記搬送路の一側方及び他側方に交互に配置されることが好ましい。
　上記構成によれば、前段の第１スパッタチャンバの２つのターゲット及び後段の第２スパッタチャンバの２つのターゲットからなる４つのターゲットが、搬送路の一側方及び他側方に交互に配置される。このため、基板の両面に対し成膜が２回ずつ行われる際も、基板を回転させることなく片面ずつ成膜することができるので、両面成膜における生産効率を高めることができる。
　上記基板処理装置は、前記スパッタチャンバへの搬送に先立って前記基板が搬送されることで前記基板の２つの成膜面を清浄化するための逆スパッタチャンバと、前記逆スパッタチャンバ内に設けられ、バイアス電圧が印加される２つのバイアス電極とを備え、前記２つのバイアス電極は、前記搬送方向の前段及び後段に分かれて配置されるとともに、前記搬送路の一側方及び他側方に分かれて配置されることが好ましい。
　上記構成によれば、逆スパッタチャンバでは、搬送路の前段に配置されたバイアス電極によって、このバイアス電極とは反対側の成膜面に正イオンが引き込まれ、その成膜面が逆スパッタされる。さらに、後段に配置されたバイアス電極によって、バイアス電極と反対側の成膜面が逆スパッタされる。このため、基板を回転させることなく片方ずつ逆スパッタすることができるので、両面成膜における生産効率を高めることができる。
　上記基板処理装置は、前記スパッタチャンバを含む復路構造体と、前記復路構造体の搬出口側に配置され、前記基板を基板保持部に装着する基板装着部と、前記基板保持部に装着された前記基板を、前記復路構造体の搬出口側から前記復路構造体の搬入口側に搬送する往路構造体と、を備え、前記往路構造体は、前記基板を予め設定された上限温度以下で加熱する加熱部を含むことが好ましい。
　上記構成によれば、基板保持部に装着された基板を、復路構造体の搬出側から搬入口側に搬送する間、往路構造体に設けられた加熱部により基板を加熱することができる。また、加熱部は、予め設定された上限温度以下で基板を加熱するため、上限温度の設定次第で基板の変形等を防止しつつ、基板の脱ガス処理を行うことができる。
　上記基板処理装置において、前記搬送機構は、前記往路構造体への前記基板の搬送と、前記往路構造体から前記復路構造体への前記基板の搬送とを制御する制御装置を備え、前記制御装置は、前記復路構造体からの前記基板の搬出に合わせて、前記往路構造体から前記復路構造体への成膜前の前記基板の搬入を行うことが好ましい。
　上記構成によれば、復路構造体からの基板の搬出に合わせて、復路構造体への基板の搬入が行われる。このため、往路構造体で予め加熱した基板を、復路構造体での処理が可能となったタイミングで順次送り出すことができるため、両面成膜における生産効率を高めることができる。
基板処理装置の一実施形態の概略構成を示す側面図。 図１の基板処理装置におけるフィルム基板を装着した基板保持部の斜視図。 図２の基板保持部の一部を示す断面図。 図１の基板処理装置における搬送機構の模式図。 図１の基板処理装置の概略構成を示す平面図。 図１の基板処理装置における逆スパッタ装置の構成を示す模式図。 図６の逆スパッタ装置に設けられた静電チャックを模式的に示す断面図。 図１の基板処理装置におけるスパッタ装置の構成を示す模式図。 図８のスパッタ装置に設けられた静電チャックを模式的に示す断面図。 変形例の基板保持部を示す正面図。
　以下、本発明を具体化した基板処理装置の一実施形態を説明する。本実施形態では、基板処理装置を、電子部品を実装する基板の両面に、配線の下地となる密着層と、配線をめっきによって形成するためのシード層とをスパッタ法により形成する装置に例示して説明する。また、成膜対象となる基板は、フィルム状の基板（以下、フィルム基板）である。
　フィルム基板は、樹脂を主成分とする。フィルム基板の材料には、例えば、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂、メラミン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、セルロース、および、これらの共重合樹脂等が用いられる。又はフィルム基板の材料には、ゼラチン、及びカゼイン等の有機天然化合物が用いられる。
　より詳しくは、フィルム基板の形成材料には、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリメチレンメタクリレート、アクリル、ポリカーボネート、ポリスチレン、トリアセテート、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、エチレン‐酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチラール、金属イオン架橋エチレン‐メタクリル酸共重合体、ポリウレタン、セロファン等が用いられる。このうち、フィルム基板の形成材料には、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメチレンメタクリレート、及び、トリアセテートのいずれかが用いられることが好ましい。
　なお、本実施形態による効果を高めるうえでは、厚さが１ｍｍ以下のフィルム基板が用いられることが好ましく、厚さが１００μｍ以下のフィルム基板が用いられることが更に好ましい。また、例えば、フィルム基板は、一辺の長さ（平面視での幅及び高さ）が５００ｍｍ～６００ｍｍの大きさを有する。
　図１～図５を参照して、基板処理装置１０の概略構成について説明する。
　基板処理装置１０は、基板装着部１１、及び第１基板昇降部１３を備える。基板装着部１１は、成膜前のフィルム基板１５を基板保持部１４に装着するとともに、成膜後のフィルム基板１５を基板保持部１４から取り外す装置である。基板装着部１１及び第１基板昇降部１３は、制御装置１２によって制御される。
　図２に示すように、基板保持部１４は、枠体１６と、枠体１６の内周面に設けられた基板固定具１７を備えている。基板固定具１７は、磁石からなり、枠体１６の４辺に複数設けられる。
　図３に示すように、枠体１６は、第１枠体１６ａ及び第２枠体１６ｂから構成されている。第１枠体１６ａ及び第２枠体１６ｂの内周面側には、溝状の被嵌合部１６ｃ，１６ｄが形成されている。第１枠体１６ａ及び第２枠体１６ｂは、図示しない固定具等により互いに固定される。また、第１枠体１６ａのうち基板固定具１７が配置される位置、又は第１枠体１６ａの全域には、磁石１６ｅが埋設されている。基板固定具１７は、一対の固定片１７ａ，１７ｂからなる。また、基板固定具１７は、その一端に溝部１７ｃを備えている。溝部１７ｃには、フィルム基板１５の縁が差し込まれる。なお、フィルム基板１５の厚さに応じて溝部１７ｃは省略できる。
　基板保持部１４にフィルム基板１５が装着される際には、例えば第２枠体１６ｂの被嵌合部１６ｄに基板固定具１７の固定片１７ｂを配置した状態で、フィルム基板１５を第２枠体１６ｂに対する所定の位置に配置する。また、第１枠体１６ａの被嵌合部１６ｃに固定片１７ａを配置する。この固定片１７ａは磁石１６ｅの磁力により第１枠体１６ａに向かって吸引される。そして、固定片１７ｂ上にフィルム基板１５を載置した第２枠体１６ｂに、固定片１７ａを配置した第１枠体１６ａを重ねる。これにより枠体１６に基板固定具１７を介してフィルム基板１５が固定される。
　図１に示すように、基板装着部１１で基板保持部１４に装着されたフィルム基板１５は、第１基板昇降部１３によって上昇し、基板装着部１１よりも鉛直方向上方に設けられた往路構造体２１内に搬送される。
　往路構造体２１は、長尺状の筐体２１ａと、筐体２１ａ内に設けられた往路搬送路２３とを備えている。往路搬送路２３は、基板保持部１４に装着されたフィルム基板１５を、第１基板昇降部１３から、第１基板昇降部１３と反対側に設けられた第２基板昇降部３０に向かって搬送する。
　図４に示すように、往路搬送路２３は、搬送レール２４と、複数の搬送ローラ２５とを備えている。搬送ローラ２５は、搬送レール２４に対し回転ができる状態で設けられている。搬送ローラ２５は、搬送モータ２６等の駆動源によって駆動される。搬送モータ２６は、制御装置１２によって制御される。搬送レール２４、搬送ローラ２５、搬送モータ２６及び制御装置１２は、フィルム基板１５を搬送する搬送機構を構成する。
　図１に示すように、筐体２１ａの長手方向における一部には、複数のヒータ３１が設けられている。ヒータ３１は、往路搬送路２３を挟んだ両側方に設けられ、往路搬送路２３に沿って搬送されるフィルム基板１５を両側から加熱する。また複数のヒータ３１は、筐体２１ａの長手方向に沿って並べられている。フィルム基板１５は、材料の特性上、吸湿性であるため、複数のヒータ３１によって連続的に加熱されることによって脱ガスされる。
　このヒータ３１は、例えば、発熱線を、絶縁体を介して金属パイプに収容したシーズヒータ等からなり、制御装置１２によって、フィルム基板１５の変形を防止できる上限温度Ｔｍａｘ以下に温度調整される。この上限温度Ｔｍａｘは、フィルム基板１５の材料に応じて設定される。
　また、ヒータ３１の個数は、往路構造体２１における加熱時間が、フィルム基板１５の脱ガスに必要な時間以上、またはその時間とほぼ同じとなるように調整されている。
　脱ガス処理されたフィルム基板１５は、制御装置１２によって制御される第２基板昇降部３０によって順次下降して、往路構造体２１の鉛直方向下方に設けられた復路構造体２２に搬送される。
　復路構造体２２は、逆スパッタ装置５０、第１スパッタ装置７０、及び第２スパッタ装置９０を備える。逆スパッタ装置５０は、フィルム基板１５の両面を清浄化する逆スパッタを行う装置である。第１スパッタ装置７０は、フィルム基板１５に密着層を形成する装置であり、第２スパッタ装置９０は、密着層の上にシード層を形成する装置である。
　第２基板昇降部３０と逆スパッタ装置５０との間には、搬入口３５ａ（図５参照）を有する搬入室３５、及び第１予備室３６が設けられている。第２スパッタ装置９０と基板装着部１１との間には、第２予備室３７、及び搬出口３８ａ（図５参照）を有する搬出室３８が設けられている。
　搬入室３５、第１予備室３６、逆スパッタ装置５０、第１スパッタ装置７０、第２スパッタ装置９０、第２予備室３７、及び搬出室３８には、復路搬送路３２が設けられている。復路搬送路３２は、往路搬送路２３と同様に、搬送レール２４、搬送ローラ２５を備えている。搬送ローラ２５は、搬送モータ２６に接続されている。復路搬送路３２の搬送モータ２６もまた、制御装置１２によって制御される。フィルム基板１５は、この復路搬送路３２に沿って、復路構造体２２内を第２基板昇降部３０から基板装着部１１に向かって直線状に搬送される。
　搬入室３５の搬入口３５ａ、及び搬入室３５と第１予備室３６との間、及び第１予備室３６の出口にはゲートバルブ４１～４３が設けられている。搬入室３５及び第１予備室３６は、図示しない排気部によって所定の圧力範囲に調整される。また、第２スパッタ装置９０及び第２予備室３７の間、第２予備室３７及び搬出室３８の間、搬出室３８の出口には、ゲートバルブ４６～４８が設けられている。第２予備室３７及び搬出室３８は、図示しない排気部によって所定の圧力範囲に調整される。
　第１予備室３６内であって、復路搬送路３２を挟んで対向する両側方にはヒータ４０が設けられている（図５参照）。ヒータ４０は、例えばシーズヒータ等からなり、制御装置１２によって、上述した上限温度以下に温度調整される。第１予備室３６では、フィルム基板１５の両面を加熱することによって、成膜前における最終的な脱ガス処理を行う。
　第１予備室３６のヒータ４０に設定される加熱温度と、往路構造体２１のヒータ３１に設定される加熱温度とは、互いに同じであってもよいし、互いに異なる温度であってもよい。なお、第１予備室３６のヒータ４０に設定される加熱温度が、往路構造体２１のヒータ３１に設定される加熱温度よりも高い場合には、フィルム基板１５の温度が成膜の直前まで上がり続けるため、フィルム基板１５の温度が下がることによるガスの吸着も抑えられる。
　図５に示すように、逆スパッタ装置５０は、静電チャック５３を２つ備えている。静電チャック５３は、高周波電力が供給されるバイアス電極を有している。逆スパッタ装置５０は、逆スパッタチャンバ５１（図６参照）の内部空間に、電子及びスパッタガスの正イオンを含むプラズマを生成するとともに、静電チャック５３にバイアス電圧を印加することで、プラズマ中の正イオンをフィルム基板１５の表面に引き込んで、フィルム基板１５の付着物等を除去する。
　一方の静電チャック５３は、フィルム基板１５の搬送方向である基板搬送方向の前段に設けられ、他方の静電チャック５３は、基板搬送方向の後段に設けられている。前段の静電チャック５３は、逆スパッタ装置５０の入口側からみて左側に設けられ、後段の静電チャック５３は、入口側から見て右側に設けられている。
　第１スパッタ装置７０は、ターゲットを有する第１カソードユニット７２及び静電チャック７３を２対備えている。ターゲットは、例えばチタンを主成分とする。一方の対の第１カソードユニット７２及び静電チャック７３は、基板搬送方向の前段に設けられ、他方の対の第１カソードユニット７２及び静電チャック７３は、基板搬送方向の後段に設けられている。２対の第１カソードユニット７２及び静電チャック７３は、基板搬送方向において重複しない位置に設けられている。前段の第１カソードユニット７２及び後段の第１カソードユニット７２は、復路搬送路３２に対して互いに異なる側方に設けられている。即ち、２つの第１カソードユニット７２は、フィルム基板１５の搬送方向において相違する位置、及び搬送方向と直交する方向において相違する位置に設けられている。
　第２スパッタ装置９０は、第１スパッタ装置７０との間、第２予備室３７との間にゲートバルブ４５，４６を備えている。また、第２スパッタ装置９０は、ターゲットを有する第２カソードユニット９２及び静電チャック９３を２対備えている。ターゲットは、例えば銅を主成分とする。
　一方の対の第２カソードユニット９２及び静電チャック９３は、基板搬送方向の前段に設けられ、他方の対の第２カソードユニット９２及び静電チャック９３は、基板搬送方向の後段に設けられている。２対の第２カソードユニット９２及び静電チャック９３は、基板搬送方向において重複しない位置に設けられている。前段の第２カソードユニット９２及び後段の第２カソードユニット９２は、復路搬送路３２に対して互いに異なる側方に設けられている。即ち、２つの第２カソードユニット９２は、フィルム基板１５の搬送方向において相違する位置、及び搬送方向と直交する方向において相違する位置に設けられている。
　このように、第１スパッタ装置７０の２つの第１カソードユニット７２、第２スパッタ装置９０の２つの第２カソードユニット９２は、フィルム基板１５の搬送方向の一側方及び他側方に交互に配置されている。また、逆スパッタ装置５０も、静電チャック５３が搬送方向の側方に交互に配置されている。
　制御装置１２による搬送モータ２６の制御によって、フィルム基板１５は、搬送レール２４上に垂直に立てられた状態で、逆スパッタ装置５０、第１スパッタ装置７０、及び第２スパッタ装置９０を通過する。逆スパッタ装置５０では、フィルム基板１５は、逆スパッタ装置５０の入口側からみて、一方の成膜面である右側面１５ａ、他方の成膜面である左側面１５ｂの順に逆スパッタされる。
　第１スパッタ装置７０では、右側面１５ａ、左側面１５ｂの順に薄膜が形成される。続いて第２スパッタ装置９０では、右側面１５ａ、左側面１５ｂの順に薄膜が形成される。このように、逆スパッタ装置５０、第１スパッタ装置７０、及び第２スパッタ装置９０を搬送されるフィルム基板１５は、右側面１５ａ、左側面１５ｂの順に交互に基板処理される。このため、一方の成膜面が処理された後、続けて他方の成膜面を処理する間は、その反対側となる一方の成膜面は冷却される。
　［逆スパッタ装置の構成］
　次に図６及び図７を参照して、逆スパッタ装置５０の構成及び動作について説明する。
　図６に示すように、逆スパッタチャンバ５１内であって、入口側に設けられたゲートバルブ４３と出口側に設けられたゲートバルブ４４との間には、復路搬送路３２が直線状に延びている。
　また、逆スパッタチャンバ５１には、その内部空間を排気する排気部５６と、内部空間にアルゴンを含むスパッタガスを供給するスパッタガス供給部５７が接続されている。スパッタガスとしては、アルゴンの他に、窒素ガス、酸素ガス、及び水素ガスのいずれかを用いてもよく、アルゴンを含むこれら４種のガスの少なくとも２つが混合されたガスでもよい。排気部５６、及びスパッタガス供給部５７は、制御装置１２により制御される。
　また、逆スパッタ装置５０は、前段の逆スパッタ部５０Ａ及び後段の逆スパッタ部５０Ｂを有する。前段の逆スパッタ部５０Ａ及び後段の逆スパッタ部５０Ｂは同様の構成であるため、前段の逆スパッタ部５０Ａの構成のみについて説明する。
　逆スパッタ部５０Ａは、１つの静電チャック５３を有する。なお、前段の静電チャック５３は、復路搬送路３２の両側方のうち、入口側からみて左側に設けられている。また後段の静電チャック５３は、復路搬送路３２の入口側からみて右側に設けられている。
　静電チャック５３は、フィルム基板１５との間に発生する力によってフィルム基板１５を吸着する。また、逆スパッタにより温度が上昇したフィルム基板１５の熱を吸収することによってフィルム基板１５を冷却する。静電チャック５３には、静電チャック変位部５４が連結され、静電チャック５３を、復路搬送路３２上のフィルム基板１５と接触する接触位置、及び復路搬送路３２上のフィルム基板１５と接触しない非接触位置との間で変位させる。
　図７に示すように、静電チャック５３は、絶縁プレート６０、銅プレート６１、及びバイアス電極６２が積層された積層体を有する。最上層に設けられた絶縁プレート６０は、酸化アルミニウム等のセラミックスや、ポリイミド等の樹脂等の基材を有し、矩形状且つ板状に形成されている。
　絶縁プレート６０には、複数の正電極６３と複数の負電極６４とが埋設されている。正電極６３及び負電極６４は、細長状に形成されおり、互いに間隔を設けて交互に配置されている。正電極６３には正電極電源６５が電気的に接続され、負電極６４には負電極電源６６が電気的に接続されている。正電極電源６５は、相対的に正の電圧を正電極６３に印加する。負電極電源６６は、相対的に負の電圧を負電極６４に印加する。正電極６３及び負電極６４に電圧が印加されると、フィルム基板１５が絶縁プレート６０に吸着される。
　バイアス電極６２には、バイアス用高周波電源６７が接続されている。バイアス電極６２には、バイアス用高周波電源６７によって高周波電力が供給される。高周波電力としては、例えば１ＭＨｚ以上６ＭＨｚ以下の周波数を有することが好ましい。あるいは、バイアス用高周波電源６７は、相対的に高い周波数の高周波電力と、相対的に低い周波数の高周波電力とを供給する構成でもよい。この場合には、１３ＭＨｚ以上２８ＭＨｚ以下の高周波電力と、１００ｋＨｚ以上１ＭＨｚ以下の高周波電力とを供給することが好ましい。
　また、バイアス電極６２には、冷媒が通過する冷媒通路６８が形成されている。冷媒通路６８は、例えば、板状のバイアス電極６２内を複数回屈曲する屈曲形状を有している。冷媒通路６８には冷媒循環部６９が接続され、冷媒循環部６９は冷媒通路６８内において冷媒を循環させる。冷媒は、冷却水、フッ素系溶液、及びエチレングリコール溶液等の冷却液や、ヘリウムガスやアルゴンガス等の冷却ガスが用いられる。
　ゲートバルブ４３から基板保持部１４に装着されたフィルム基板１５が逆スパッタチャンバ５１内に搬送されると、搬送モータ２６が駆動されることにより、フィルム基板１５が、所定の位置に配置される。また、静電チャック変位部５４が駆動され、静電チャック５３が接触位置まで変位する。さらに、正電極電源６５及び負電極電源６６から正電極６３及び負電極６４に電力が供給され、フィルム基板１５が絶縁プレート６０に吸着される。
　また、排気部５６が駆動され、プラズマ生成空間Ｓにスパッタガスが供給されることにより逆スパッタチャンバ５１内が所定の圧力に調整される。また、逆スパッタチャンバ５１内が所定の圧力に調整された状態で、バイアス用高周波電源６７によりバイアス電極６２に高周波電力が供給されると、プラズマ生成空間Ｓにはスパッタガスの正イオン及び電子を含むプラズマが形成される。プラズマ中の正イオンは、負電位の状態のフィルム基板１５の表面に引き込まれる。これにより、静電チャック５３に接触する面とは反対側の成膜面の付着物等が取り除かれて、清浄化される。
　こうして前段の逆スパッタ部５０Ａによって、フィルム基板１５の一方の成膜面（右側面１５ａ）に対し逆スパッタが所定時間継続されると、静電チャック変位部５４が駆動され、接触位置から非接触位置に変位する。
　さらに搬送モータ２６が駆動されることにより、フィルム基板１５は、後段の逆スパッタ部５０Ｂにおける所定の位置に配置される。以降、後段の逆スパッタ部５０Ｂでも、前段の逆スパッタ部５０Ａと同様に、他方の成膜面（左側面１５ｂ）に対し逆スパッタが行われる。この間、前段の逆スパッタ部５０Ａで逆スパッタされた一方の成膜面（右側面１５ａ）は、静電チャック５３に接触することにより冷却される。
　［スパッタ装置の構成］
　次に図８及び図９を参照して、第１スパッタ装置７０及び第２スパッタ装置９０の構成及びその動作について説明する。第１スパッタ装置７０及び第２スパッタ装置９０は、ターゲットの材料のみが相違し、その他の構成は同様であるため、第１スパッタ装置７０の構成のみを説明し、第２スパッタ装置９０の構成の説明は省略する。
　第１スパッタ装置７０内には、入口側に設けられたゲートバルブ４４から出口側に設けられたゲートバルブ４５に向かって直線状に延びる復路搬送路３２が設けられている。この復路搬送路３２は、逆スパッタ装置５０の復路搬送路３２及び第２スパッタ装置９０の復路搬送路３２と同一直線上に配置されている。
　また、スパッタチャンバ７１には、その内部空間を排気する排気部７８と、内部空間にスパッタガスを供給するスパッタガス供給部７９が接続されている。スパッタガスは、逆スパッタ装置５０と同じものを用いることができる。
　また、第１スパッタ装置７０は、前段のスパッタ部７０Ａ及び後段のスパッタ部７０Ｂを有する。前段のスパッタ部７０Ａ及び後段のスパッタ部７０Ｂは、復路搬送路３２に対して互いに異なる側方に配置される。前段のスパッタ部７０Ａ及び後段のスパッタ部７０Ｂは同様の構成であるため、前段のスパッタ部７０Ａの構成のみについて説明する。
　前段のスパッタ部７０Ａは、第１カソードユニット７２及び静電チャック７３を１対備えている。第１カソードユニット７２には、プラズマ生成空間Ｓを介して、静電チャック７３が対向している。
　第１カソードユニット７２は、バッキングプレート７４、及びチタンを主成分とするターゲット７５を備えている。ターゲット７５は、バッキングプレート７４のうち静電チャック７３に近い側の面に設けられている。なお、第２スパッタ装置９０のターゲット７５は、銅を主成分とする。
　バッキングプレート７４には、ターゲット電源７６が電気的に接続されている。また、バッキングプレート７４の裏面側には、プラズマ生成空間Ｓに磁場を形成する磁気回路７７が設けられている。
　静電チャック７３は、フィルム基板１５との間に発生する力によってフィルム基板１５を吸着する。また、スパッタにより温度が上昇したフィルム基板１５の熱を吸収することによってフィルム基板１５を冷却する。静電チャック７３には、静電チャック変位部８０が連結され、静電チャック７３を、復路搬送路３２上のフィルム基板１５と接触する接触位置、及び復路搬送路３２上のフィルム基板１５と接触しない非接触位置との間で変位させる。
　図９に示すように、第１スパッタ装置７０の静電チャック７３は、逆スパッタ装置５０の静電チャック５３とほぼ同じ構成であるが、バイアス電極６２を備えていない点で逆スパッタ装置５０の静電チャック５３と異なる。
　即ち、第１スパッタ装置７０の静電チャック７３は、正電極８４及び負電極８５が埋設された絶縁プレート８１、冷媒通路８８が形成された冷却プレート８２を備える。正電極８４には、正電極電源８６が電気的に接続され、負電極８５には負電極電源８７が電気的に接続されている。また、冷媒通路８８には、冷媒循環部８９が接続されている。
　ゲートバルブ４４から基板保持部１４に装着されたフィルム基板１５がスパッタチャンバ７１内に搬送されると、搬送モータ２６が駆動されることにより、フィルム基板１５が、前段の第１カソードユニット７２に対向する位置である対向位置に配置される。また、静電チャック変位部８０が駆動され、静電チャック７３が接触位置まで変位する。さらに、正電極電源８６及び負電極電源８７から正電極８４及び負電極８５に電力が供給され、フィルム基板１５が絶縁プレート８１に吸着される。
　また、排気部７８が駆動され、プラズマ生成空間Ｓにスパッタガスが供給されることによりスパッタチャンバ７１内が所定の圧力に調整される。また、ターゲット電源７６に高周波電力が供給されると、プラズマ生成空間Ｓにはスパッタガスの正イオン及び電子を含むプラズマが形成される。プラズマ中の正イオンは、負電位の状態のターゲット７５の表面に引き込まれる。これにより、ターゲット７５の表面が正イオンによってスパッタされ、チタン粒子がフィルム基板１５の一方の成膜面（右側面１５ａ）に到達してチタンを主成分とする薄膜であるＴｉ層を形成する。
　さらに搬送モータ２６が駆動されることにより、フィルム基板１５は、後段のスパッタ部７０Ｂの第１カソードユニット７２に対向する位置に配置される。以降、後段のスパッタ部７０Ｂでも、前段のスパッタ部７０Ａと同様に、他方の成膜面（左側面１５ｂ）に対しスパッタが行われる。この間、前段のスパッタ部７０ＡでＴｉ層が形成された一方の成膜面（右側面１５ａ）は、静電チャック７３に接触することにより冷却される。
　［基板処理装置全体の動作］
　次に、図５を参照して、復路構造体２２を中心に基板処理装置１０の動作について説明する。
　制御装置１２は、第１基板昇降部１３及び搬送モータ２６を駆動させて、基板装着部１１で基板保持部１４に装着されたフィルム基板１５を、往路構造体２１に搬入する。
　制御装置１２は、往路構造体２１のヒータ３１を駆動するとともに往路構造体２１の搬送モータ２６を制御して、基板保持部１４に装着されたフィルム基板１５を加熱しながら搬送する。従って、フィルム基板１５は、復路構造体２２に搬入される前に往路構造体２１内での搬送中に予め加熱されることによって脱ガスされる。
　ここで、往路構造体２１が基板保持部１４のみを搬送し、復路構造体２２の入口側で基板保持部１４にフィルム基板１５を装着する場合には、第１予備室３６のヒータ４０のみによって加熱処理が行われることとなる。しかし、本実施形態では、第１スパッタ装置７０にフィルム基板１５が搬入される前の往路搬送の間、基板保持部１４に装着された状態でフィルム基板１５が加熱される。このときの加熱時間は、第１予備室３６における加熱時間よりも長い。このため、脱ガス処理の時間が十分確保できる。
　また、制御装置１２は、搬送ローラ２５等を駆動して、復路構造体２２から１つのフィルム基板１５を搬出すると、第２基板昇降部３０を駆動させて、往路構造体２１の終端位置に到達したフィルム基板１５を復路構造体２２に搬送する。即ち、復路構造体２２内に存在するフィルム基板１５の数は、ほぼ一定となるように制御装置１２によって制御されている。
　制御装置１２は、搬送モータ２６を駆動させることによって、搬入室３５の入口手前にあるフィルム基板１５を、搬入室３５を介して、第１予備室３６に搬送する。また、制御装置１２は、第１予備室３６のヒータ４０を、上述した上限温度以下となるように温度調整しながら駆動する。これにより、成膜前の最終的な脱ガス工程が行われる。
　制御装置１２は、搬送モータ２６を駆動させることによって、第１予備室３６で所定時間加熱されたフィルム基板１５を、逆スパッタ装置５０内に搬送し、フィルム基板１５を、基板搬送方向における前段の所定の位置に搬送する。そして、制御装置１２は、逆スパッタ装置５０を制御して、フィルム基板１５の右側面１５ａを逆スパッタする。
　制御装置１２は、右側面１５ａに対する逆スパッタを所定時間継続すると、搬送モータ２６を駆動させることによって、フィルム基板１５を、後段の所定の位置に搬送する。そして、制御装置１２は、逆スパッタ装置５０を制御して、フィルム基板１５の左側面１５ｂを逆スパッタする。
　逆スパッタ工程が終了すると、制御装置１２は、搬送モータ２６を駆動して、フィルム基板１５を第１スパッタ装置７０内に搬送し、前段の第１カソードユニット７２に対向する対向位置に配置する。そして、制御装置１２は、第１スパッタ装置７０を制御して、第１カソードユニット７２に対向する右側面１５ａにＴｉ層を形成する。
　制御装置１２は、右側面１５ａに対するスパッタを所定時間継続すると、復路構造体２２の搬送モータ２６を駆動して、後段の第１カソードユニット７２に対向する位置に配置する。そして、制御装置１２は、第１スパッタ装置７０を制御して、第１カソードユニット７２に対向する左側面１５ｂにＴｉ層を形成する。
　左側面１５ｂに対するＴｉ層の成膜工程が終了すると、制御装置１２は、復路構造体２２の搬送モータ２６を駆動して、フィルム基板１５を第２スパッタ装置９０内に搬送し、前段の第２カソードユニット９２に対向する対向位置に配置する。そして、制御装置１２は、第１スパッタ装置７０によるＴｉ層の成膜工程と同様に、右側面１５ａ及び左側面１５ｂの順にＣｕ層を形成する。
　Ｃｕ層の成膜が終了すると、制御装置１２は、搬送モータ２６を駆動して、フィルム基板１５を、第２予備室３７内に搬送する。さらに、制御装置１２は、搬送モータ２６を駆動して、第２予備室３７のフィルム基板１５を、搬出室３８を介して、基板装着部１１内に搬送する。基板装着部１１では、基板保持部１４からフィルム基板１５が取り外される。
　このように、複数のフィルム基板１５は、往路構造体２１及び復路構造体２２を直線的に搬送される。復路構造体２２では、複数のフィルム基板１５に対する逆スパッタ処理、Ｔｉ層の成膜処理、Ｃｕ層の成膜処理が平行して行われる。また、フィルム基板１５は、復路構造体２２の第１スパッタ装置７０及び第２スパッタ装置９０によって、片面ずつ交互に両面成膜されるため、フィルム基板１５を回転させて成膜面を反転させる必要がない。また、基板処理による温度上昇を抑えるために、カソードユニット等の間の搬送距離の拡大、スパッタ装置の出力の低下等を行わなくても、フィルム基板１５の温度上昇を抑制することができる。従って、復路構造体２２にフィルム基板１５を搬入してから、復路構造体２２からフィルム基板１５を搬出するまでの時間を短縮化し、片面ずつ両面成膜する場合において基板処理装置１０の生産効率を高めることができる。
　また、基板保持部１４を復路構造体２２の入口に搬送するまでの間、往路構造体２１においてフィルム基板１５が加熱される。フィルム基板１５に吸収された水分等を上限温度以下で加熱しながら除去するには所定の時間以上の加熱する必要があるが、往路構造体２１でフィルム基板１５が加熱されることによって、加熱室として第１予備室３６のみを設ける場合と比較して、第１予備室３６での加熱時間を短縮化することができる。
　さらに、スパッタ装置の静電チャックにバイアス電極を設けることにより、逆スパッタ装置５０及びスパッタ装置を一体化させることは可能である。しかし、逆スパッタ装置５０及びスパッタ装置を一体化させた場合、装置内でフィルム基板１５を回転させるか、フィルム基板１５を上記した基板搬送方向と逆方向に搬送させる必要がある。しかし、逆スパッタ装置５０、第１スパッタ装置７０及び第２スパッタ装置９０を別の基板処理装置とすることで、フィルム基板１５の回転や、基板搬送方向とは逆方向に搬送させたりすることも不要となる。
　上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
　（１）第１スパッタ装置７０では、復路搬送路３２の前段に配置された第１カソードユニット７２によって、この第１カソードユニット７２と対向するフィルム基板１５の一方の成膜面（右側面１５ａ）に薄膜が形成される。さらに、フィルム基板１５は、後段に配置された第１カソードユニット７２によって、この第１カソードユニット７２と対向するフィルム基板１５の他方の成膜面（左側面１５ｂ）に薄膜が形成される。また、第２スパッタ装置９０でも、第１スパッタ装置７０と同様に、片面ずつ薄膜が形成される。このため、フィルム基板１５を回転させることなく、２つの成膜面に対し片方ずつ成膜することができるので、両面成膜における生産効率を高めることができる。
　（２）第１スパッタ装置７０の２つの第１カソードユニット７２及び第２スパッタ装置９０の２つの第２カソードユニット９２からなる４つの成膜部が、復路搬送路３２の一側方及び他側方に交互に配置される。このため、フィルム基板１５の両面に対し成膜が２回ずつ行われる際も、フィルム基板１５を回転させることなく、片面ずつ成膜することができるので、両面成膜における生産効率を高めることができる。
　（３）逆スパッタ装置５０では、復路搬送路３２の前段に配置されたバイアス電極６２によって、このバイアス電極６２とは反対側の成膜面に正イオンが引き込まれ、その成膜面が逆スパッタされる。さらに、後段のバイアス電極６２によって、このバイアス電極６２とは反対側の成膜面が逆スパッタされる。このため、基板を回転させることなく、片方ずつ逆スパッタすることができるので、両面成膜における生産効率を高めることができる。
　（４）基板保持部１４に装着されたフィルム基板１５を復路構造体２２の搬出口側から復路構造体２２の搬入口側に搬送する往路構造体２１に設けられたヒータ３１によりフィルム基板１５を加熱することができる。また、ヒータ３１は、フィルム基板１５の変形が防止される上限温度以下でフィルム基板１５を加熱するため、フィルム基板１５の変形等を防止しつつ、フィルム基板１５の脱ガス処理を行うことができる。
　（５）制御装置１２によって、復路構造体２２からのフィルム基板１５の搬出に合わせて、復路構造体２２へのフィルム基板１５の搬入が行われる。このため、予め加熱したフィルム基板１５を、復路構造体２２での処理が可能となったタイミングで順次送り出すことができるため、両面成膜における生産効率を高めることができる。
　尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
　・基板保持部は、上記実施形態以外の構成であってもよい。
　例えば図１０に示すように、基板保持部１４は、枠体１６と、枠体１６の内周面に沿って設けられる四角枠状の基板固定具９５とを備えていてもよい。基板固定具９５は、フィルム基板１５の縁を全周に亘って固定するため、フィルム基板１５を強固に固定できる。
　・成膜対象の基板を、樹脂からなるフィルム基板１５としたが、樹脂以外の材料から形成されていてもよい。また、成膜対象の基板は、プリント基板を構成する基板、例えば、紙フェノール基板、ガラスエポキシ基板、テフロン基板（テフロンは登録商標）、アルミナ等のセラミックス基板、低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）基板等のリジッド基板であってもよい。あるいは、これらの基板に金属で構成された配線層が形成されたプリント基板であってもよい。また、成膜対象の基板は、電子部品を実装するための基板としたが、薄膜二次電池のセルを構成する基板等、これ以外の基板であってもよい。
　・上記実施形態では、第１スパッタ装置７０のターゲット７５を、チタンを主成分とするものとし、第２スパッタ装置９０のターゲット７５を、銅を主成分とするものとしたが、これ以外のものであってもよい。例えば、第１スパッタ装置７０のターゲット７５及び第２スパッタ装置９０のターゲット７５のいずれか一方を、クロムを主成分とするものとしてもよいし、チタン、銅、及びクロムのうち少なくとも２つを主成分とするものとしてもよい。
　・上記実施形態では、往路構造体２１の加熱部を基板搬送方向に並べられた複数のヒータ３１から構成したが、往路構造体２１の長手方向に延びるヒータから構成してもよい。
　・フィルム基板１５が吸湿性の低い材料からなる場合等には、往路構造体２１のヒータ３１を省略してもよい。
　・第１スパッタ装置７０及び第２スパッタ装置９０は、上記した構成以外の構成を有していてもよい。例えば、第１スパッタ装置７０の静電チャック７３、及び第２スパッタ装置９０の静電チャック９３は、バイアス電極を備える構成であってもよい。また第１スパッタ装置７０及び第２スパッタ装置９０は、磁気回路７７を省略した構成であってもよい。
　・基板保持部１４は、枠体１６及び基板固定具１７を備える構成としたが、両方の成膜面に成膜を行うことができる構成であればよい。例えば、基板保持部は、一対の枠体にフィルム基板１５の縁部を挟む構成や、成膜面を露出する開口を有するトレイであってもよい。
　・上記実施形態では、基板処理装置１０は、逆スパッタ装置５０を備える構成としたが、フィルム基板１５の成膜面の清浄化のための前処理が行われる場合には、逆スパッタ装置５０を省略してもよい。
　・上記実施形態では、スパッタ装置を２つ連結したが、成膜する薄膜の構造に応じてスパッタ装置の数は適宜変更可能である。例えば、スパッタ装置は１つでもよい。また、３つ以上のスパッタ装置を連結してもよい。
　・基板処理装置１０は、フィルム基板１５等の薄型基板以外の基板を処理するものであってもよい。処理対象となる基板は、比較的低い温度での成膜が好ましい基板であれば、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
　１０…基板処理装置、１１…基板装着部、１２…制御装置、１３…第１基板昇降部、１４…基板保持部、１５…フィルム基板、１６…枠体、１７…基板固定具、２１…往路構造体、２２…復路構造体、２３…往路搬送路、２４…搬送機構の一部である搬送レール、２５…搬送機構の一部である搬送ローラ、２６…搬送機構の一部である搬送モータ、３０…第２基板昇降部、３１…ヒータ、３２…復路搬送路、３５…搬入室、３５a…搬入口、３
６…第１予備室、３７…第２予備室、３８…搬出室、３８a…搬出口、４０…ヒータ、５
０…逆スパッタ装置、５３…静電チャック、６２…バイアス電極、６７…バイアス用高周波電源、６８…冷媒通路、６９…冷媒循環部、７０…第１スパッタ装置、７２…第１カソードユニット、７３…静電チャック、７４…バッキングプレート、７５…ターゲット、７６…ターゲット電源、８８…冷媒通路、８９…冷媒循環部、９０…第２スパッタ装置、９２…第２カソードユニット、９３…静電チャック、Ｓ…プラズマ生成空間。

Claims (5)

  1. 　基板処理装置であって、
    　スパッタチャンバと、
    　前記スパッタチャンバ内に設けられ、基板の２つの成膜面にスパッタにより薄膜を形成するための２つのターゲットと、
    　前記スパッタチャンバ内に設けられた搬送路に沿って前記基板を搬送する搬送機構と、を備え、
    　前記２つのターゲットのうちの一方は、前記基板の搬送方向の前段において、前記基板の２つの成膜面のうちの一方に対向するように前記搬送路の一側方に配置され、
    　前記２つのターゲットのうちの他方は、前記基板の搬送方向の後段において、前記基板の２つの成膜面のうちの他方に対向するように前記搬送路の他側方に配置される、
    　基板処理装置。
  2. 　前記スパッタチャンバは、前記搬送方向の前段及び後段に並べて設けられる第１及び第２スパッタチャンバのうちの一つであり、
    　前記第１スパッタチャンバ内に設けられた前記２つのターゲット、及び前記第２スパッタチャンバ内に設けられた前記２つのターゲットは、前記搬送方向において互いに異なる位置に配置されるとともに、前記搬送路の一側方及び他側方に交互に配置される、
    　請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 　前記スパッタチャンバへの搬送に先立って前記基板が搬送されることで前記基板の２つの成膜面を清浄化するための逆スパッタチャンバと、
    　前記逆スパッタチャンバ内に設けられ、バイアス電圧が印加される２つのバイアス電極と、を備え、
    　前記２つのバイアス電極は、前記搬送方向の前段及び後段に分かれて配置されるとともに、前記搬送路の一側方及び他側方に分かれて配置される
    　請求項１又は２に記載の基板処理装置。
  4. 　前記スパッタチャンバを含む復路構造体と、
    　前記復路構造体の搬出口側に配置され、前記基板を基板保持部に装着する基板装着部と、
    　前記基板保持部に装着された前記基板を前記復路構造体の搬出口側から前記復路構造体の搬入口側に搬送する往路構造体と、を備え、
    　前記往路構造体は、前記基板を予め設定された上限温度以下で加熱する加熱部を含む、
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  5. 　前記搬送機構は、前記往路構造体への前記基板の搬送と、前記往路構造体から前記復路構造体への前記基板の搬送とを制御する制御装置を備え、
    　前記制御装置は、前記復路構造体からの前記基板の搬出に合わせて、前記往路構造体から前記復路構造体への成膜前の前記基板の搬入を行う、
    　請求項４に記載の基板処理装置。
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