WO2016015352A1 - 液晶显示器及液晶显示器的制造方法 - Google Patents

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WO2016015352A1
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Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
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    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors

Definitions

  • Liquid crystal display and method of manufacturing liquid crystal display are Liquid crystal display and method of manufacturing liquid crystal display
  • the present invention relates to the field of liquid crystal display, and more particularly to a method of manufacturing a liquid crystal display and a liquid crystal display. Background technique
  • a liquid crystal display generally includes two substrates, an upper substrate and a lower substrate. Liquid crystal molecules are disposed between the upper substrate and the lower substrate to form the liquid crystal display.
  • a black matrix (BM) is usually disposed on the upper substrate.
  • the material of the black matrix layer in the prior art is usually chromium (Cr) or an organic material, and chromium is a heavy metal, which causes pollution to the environment.
  • Cr chromium
  • the formed black matrix layer has a relatively thick thickness (usually one micron). The thicker black matrix layer is detrimental to the flow of liquid crystal molecules, resulting in poor quality of the liquid crystal display.
  • the present invention provides a liquid crystal display in which the quality of the liquid crystal display is improved.
  • a liquid crystal display comprising:
  • the first substrate includes a first surface and a second surface opposite to the first surface, and the first surface of the first substrate is provided with a thin film transistor array and a color filter layer, and the color filter
  • the optical layer includes a plurality of color filter units distributed in a matrix, and a gap is disposed between adjacent color filter units;
  • the second substrate includes a third surface and a fourth surface opposite to the third surface, the third surface is disposed opposite to the first surface, and a black matrix layer is disposed on the three surfaces,
  • the black matrix layer includes a plurality of black matrices respectively corresponding to the plurality of color filter units - a gap arrangement, the black matrix layer is coated with a transparent conductive film, wherein the material of the black matrix layer is molybdenum.
  • the black matrix has a thickness of from 100 angstroms to 1000 angstroms.
  • the liquid crystal display further includes a spacer, the spacer is disposed on the transparent conductive film, and the spacer corresponds to the third surface of the second substrate The edge is disposed, and the spacer is configured to support the first substrate and the second substrate.
  • the second substrate further includes a protective layer, and the protective layer covers the transparent conductive film.
  • the liquid crystal display further includes a spacer, the spacer is disposed on the protective layer, and the spacer corresponds to the first The edge of the third surface of the two substrates is disposed, and the spacer is used to support the first substrate and the second substrate.
  • the protective layer is a nitrogen silicon compound.
  • the protective layer has a thickness of 300 angstroms.
  • the transparent conductive film is made of indium tin oxide, and the indium tin oxide has a thickness of 300 ⁇ to 600 ⁇ .
  • a method of fabricating a liquid crystal display wherein the quality of the liquid crystal display manufactured by the manufacturing method is improved.
  • a manufacturing method of a liquid crystal display comprising: providing a first substrate, the first substrate comprising a first surface and a second surface opposite to the first surface;
  • the color filter layer includes a plurality of color filter units arranged in a matrix, and a gap is disposed between adjacent color filter units; a substrate, the second substrate includes a third surface and a fourth surface opposite to the third surface, the third surface being disposed opposite to the first surface;
  • a black matrix layer is disposed on the third surface, the black matrix layer includes a plurality of black matrices, the black matrices respectively corresponding to gaps between the filter units, wherein the material of the black matrix layer is molybdenum; - coating a transparent conductive film on the black matrix layer.
  • the step of “setting a black matrix layer on the third surface, the black matrix layer includes a plurality of black matrices, and the black matrices respectively correspond to the plurality of filter units a gap between the materials, wherein the material of the black matrix layer molybdenum comprises:
  • the molybdenum metal layer is patterned to form a plurality of black matrices respectively corresponding to gaps of the plurality of color filter units, and all black matrices define the black matrix layer.
  • the black matrix has a thickness of from 100 angstroms to 1000 angstroms.
  • the method for manufacturing the liquid crystal display further includes: providing a spacer on the transparent conductive film, the spacer being disposed corresponding to an edge of the third surface of the second substrate The spacer is configured to support the first substrate and the second substrate.
  • the step of "providing a spacer on the transparent conductive film, the spacer corresponding to the edge of the third surface of the second substrate The spacer is configured to support the first substrate and the second substrate
  • a spacer layer is formed on the transparent conductive film, and the spacer layer is patterned to form the spacer in the transparent conductive film, and the spacer is disposed at an edge of the third surface of the second substrate.
  • the method for manufacturing the liquid crystal display further includes: covering the transparent conductive film with a protective layer;
  • a spacer is disposed on the protective layer, the spacer is disposed corresponding to an edge of the third surface of the second substrate, and the spacer is configured to support the first substrate and the second substrate.
  • the step of “providing a spacer on the protective layer, the spacer is disposed corresponding to an edge of the third surface of the second substrate
  • the spacer for supporting the first substrate and the second substrate “includes:
  • a spacer layer is disposed on the protective layer, and the spacer layer is patterned to form the spacer on the protective layer, and the spacer is disposed corresponding to an edge of the third surface of the second substrate.
  • the protective layer is a nitrogen silicon compound.
  • the protective layer has a thickness of 300 angstroms.
  • the black matrix has a thickness of 100 angstroms to 1000 angstroms.
  • the transparent conductive film is made of indium tin oxide, and the indium tin oxide has a thickness of 300 angstroms to 600 angstroms.
  • the liquid crystal display provided by the present invention is more environmentally friendly.
  • the thickness of the black matrix can be 100 angstroms to 1000 angstroms. While the thickness of the prior art black matrix is usually 1 micrometer, the thickness of the black matrix in the present invention is smaller than that of the prior art black matrix as compared with the prior art. Thereby, diffusion of liquid crystal molecules disposed between the first substrate and the second substrate is facilitated, and diffusion of the alignment liquid is also facilitated, and the quality of the liquid crystal display manufactured is improved.
  • FIG. 1 is a schematic structural view of a liquid crystal display according to a preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a flow chart showing a method of fabricating a liquid crystal display according to a preferred embodiment of the present invention.
  • 3 to 8 are cross-sectional views showing a second substrate in each step of the manufacturing process of the second substrate of the liquid crystal display of the present invention.
  • Fig. 9 is a sub-flowchart in step S200 in the method of manufacturing the first substrate of the present invention.
  • 10 to 27 are cross-sectional views showing the first substrate in each step in the manufacturing process of the first substrate of the liquid crystal display of the present invention. detailed description
  • FIG. 1 is a schematic structural diagram of a liquid crystal display according to a preferred embodiment of the present invention.
  • Place The liquid crystal display 1 includes a first substrate 100 and a second substrate 300.
  • the first substrate 100 includes a first surface 101 and a second surface 102 opposite the first surface 101.
  • a thin film transistor array (TFT array) 103 and a color filter layer 104 are disposed on the first surface 101 of the first substrate 101.
  • the thin film transistor array 103 and the color filter layer 104 are sequentially stacked on the first surface 101, and the thin film transistor array 103 is adjacent to the first surface 101 compared to the color filter layer 104. .
  • the color filter layer 104 includes a plurality of color filter units 1041 distributed in a matrix, and a gap 1042 is disposed between the color filter units.
  • the second substrate 300 includes a third surface 301 and a fourth surface 302 opposite to the third surface 301.
  • the third surface 301 is disposed opposite to the first surface 101.
  • the third surface 301 is provided with a black matrix layer 303.
  • the black matrix layer 303 includes a plurality of black matrices 3031, and the black matrix 3031 corresponds to the A gap 1042 between the plurality of color filter units 1041 is provided.
  • a transparent conductive film 304 is coated on the black matrix layer 303.
  • the material of the black matrix layer 303 is molybdenum (Mo).
  • the thin film transistor array 103 includes a plurality of thin film transistors (TFTs), and the thin film transistors and the transparent conductive film 304 are respectively loaded with voltages to control the first substrate 100 and the second substrate. Steering of liquid crystal molecules 500 between 300.
  • TFTs thin film transistors
  • the liquid crystal display 1 provided by the present invention since the material of the black matrix layer 303 is molybdenum and molybdenum does not pollute the environment, the liquid crystal display 1 provided by the present invention is more environmentally friendly.
  • the black matrix 3031 has a thickness of 100 angstroms to 1000 angstroms.
  • the thickness of the black matrix 3031 can be 100 angstroms to 1000 angstroms. While the thickness of the prior art black matrix is usually 1 ⁇ m, the thickness of the black matrix 3031 in the present invention is smaller than that of the prior art black matrix as compared with the prior art. Thereby, the diffusion of the liquid crystal molecules 500 disposed between the first substrate 100 and the second substrate 300 is facilitated, and the diffusion of the alignment liquid is also facilitated, and the quality of the liquid crystal display 1 is improved.
  • the black matrix layer 303 may be formed by: forming a layer of molybdenum metal on the third surface 301 of the second substrate 300 by sputtering, and then The molybdenum metal layer is patterned to form the black matrix layer 303. Patterning the molybdenum metal layer may employ processes such as exposure, development, and etching.
  • the transparent conductive film 304 may be formed by forming a transparent conductive material on the surface of the black matrix layer 303 by sputtering to form the transparent conductive film 304. Said The material of the transparent conductive film 304 may be Indium Tin Oxide (ITO). When the material of the transparent conductive film 304 is indium tin oxide, the transparent conductive film 304 has a thickness of 300 angstroms to 600 angstroms. .
  • ITO Indium Tin Oxide
  • the second substrate 300 further includes a protective layer 305 overlying the transparent conductive film 304 for protecting the transparent conductive film 304.
  • the liquid crystal display 1 further includes a photo spacer 400, the spacer 400 is disposed on the protective layer 305, and the spacer 400 is disposed corresponding to an edge of the third surface 301 of the second substrate 300. .
  • the spacer 400 is used to support the first substrate 100 and the second substrate 300.
  • a receiving space 600 is formed between the spacer 400 and the first substrate 100 and the second substrate 300. The receiving space 600 is used for receiving liquid crystal molecules 500.
  • the protective layer 305 can be formed in the following manner: A protective layer 305 covering the transparent conductive film 304 is formed on the transparent conductive film 304 by chemical vapor deposition (CVD). .
  • the material of the protective layer 305 may be a nitrogen-silicon compound (for example, SiNx).
  • the protective layer 305 may have a thickness of 300 angstroms or about 300 angstroms.
  • the spacer 400 may be formed by forming a spacer layer on the protective layer 305, and patterning the spacer layer to form the spacer 400 on the protective layer, the interval
  • the member 400 is disposed corresponding to the third surface 301 of the second substrate 300.
  • the second substrate 300 may not include the protective layer 305, the spacer 400 is directly disposed on the transparent conductive film 304, and the spacer 400 corresponds to the second The edge of the third surface 301 of the substrate 300 is disposed.
  • the spacer 400 is used to support the first substrate 100 and the second substrate 300.
  • a receiving space 600 is formed between the spacer 400 and the first substrate 100 and the second substrate 300.
  • the receiving space 600 is for receiving liquid crystal molecules 500.
  • the spacer 400 may be formed by: forming a spacer layer on the transparent conductive film 304, and patterning the spacer layer to form a spacer 400 on the transparent conductive film 304.
  • the spacer is disposed corresponding to the third surface 301 of the second substrate 300.
  • step S100 a first substrate 100 is provided.
  • the first substrate 100 includes a first surface 101 and a second surface 102 opposite to the first surface 101.
  • the first substrate 100 is a glass substrate. It can be understood that, in other embodiments, the first substrate 100 is not limited to a glass substrate.
  • Step S200 forming a thin film transistor array 103 and a color filter layer 104 on the first surface, the color filter layer 104 includes a plurality of color filter units 1041 in a matrix, and adjacent color filter units 1041 A gap 1042 is provided between them.
  • a second substrate 300 is provided.
  • the second substrate 300 includes a third surface 301 and a fourth surface 302 opposite to the third surface 301.
  • the third surface 301 is opposite to the first surface 101. Settings.
  • the second substrate 300 is a glass substrate. It is to be understood that, in other embodiments, the second substrate 300 is not limited to a glass substrate.
  • a black matrix layer 303 is disposed on the third surface 301, and the black matrix layer 303 includes a plurality of black matrices 3031, wherein the black matrices 3031 are respectively disposed corresponding to the gaps 1042 between the filter units 1041, where The material of the black matrix layer 303 is molybdenum.
  • the black matrix 3031 has a thickness of 100 angstroms to 1000 angstroms.
  • a layer of molybdenum metal is formed on the third surface 301 of the second substrate 300 by sputtering.
  • the molybdenum metal layer is patterned to form the black matrix layer 303. Patterning the molybdenum metal layer may employ processes such as exposure, development, and etching.
  • Step S500 forming a transparent conductive film 304 on the black matrix layer 303.
  • the transparent conductive film 304 can be formed in the following manner: a transparent conductive material is formed on the surface of the black matrix layer 303 by sputtering to form the transparent Conductive film 304.
  • the material of the transparent conductive film 304 may be Indium Tin Oxide (ITO).
  • ITO Indium Tin Oxide
  • the transparent conductive film 304 has a thickness of 300 angstroms to 600 angstroms.
  • a protective layer 305 is formed on the transparent conductive film 304.
  • the protective layer 305 is used to protect the transparent conductive film 304.
  • the protective layer 305 can be formed by: forming a protective layer covering the transparent conductive film 304 on the transparent conductive film 304 by means of chemical vapor deposition (CVD).
  • CVD chemical vapor deposition
  • the material of the protective layer 305 may be a nitrogen-silicon compound (such as SiNx).
  • the protective layer 305 may have a thickness of 300 angstroms or about 300 angstroms.
  • a spacer 400 is formed on the protective layer 305.
  • the spacer 400 is disposed corresponding to an edge of the third surface 301 of the second substrate 300.
  • the spacer 400 is used to support the first substrate 100.
  • the second substrate 300 Referring to FIG. 8 together, the spacer 400 may be formed by: forming a spacer layer on the protective layer 305, and patterning the spacer layer to form the layer on the protective layer.
  • the spacer 400 is disposed corresponding to the third surface 301 of the second substrate 300.
  • this step is to form a spacer 400 on the conductive film 304, and the spacer 400 corresponds to the third surface of the second substrate 300.
  • the spacer 401 is configured to support the first substrate 100 and the second substrate 300.
  • Step S800 injecting liquid crystal molecules 500 into the receiving space 600 formed between the spacer 400 and the first substrate 100 and the second substrate 300.
  • Steps S100 to S200 are manufacturing steps of the first substrate 100.
  • Steps S300-S700 are manufacturing steps of the second substrate 300.
  • step S200 in the manufacturing process of the first substrate 100 will be described in detail below with reference to Figs. 1 and 2.
  • Fig. 9 it is a sub-flowchart in step S200 in the method of manufacturing the first substrate of the present invention.
  • the step S200 includes the following steps. Since the thin film transistor array 103 includes a plurality of thin film transistors, for the sake of description, only one thin film transistor is illustrated in the thin film transistor array 103 in each of the following figures.
  • Step S201 forming a first metal layer 120 on the first surface 101 of the first substrate 100, and patterning the first metal layer 120 to form a gate of the thin film transistor.
  • the material of the material 120 of the first metal layer is selected from one of copper, tungsten, chromium, aluminum, and combinations thereof.
  • the step S200 further includes the following steps: forming a buffer layer (not shown) on the first substrate 100.
  • the buffer layer is used to buffer stress applied by the substrate 100 during the fabrication of the thin film transistor array 103 to avoid the - - Damage or breakage of the first substrate 100.
  • the material of the buffer layer is selected from one of a silicon oxide layer, a silicon nitride layer, a silicon oxynitride layer, and a combination thereof.
  • the step S201 "forms a first metal layer 120 on the first surface 101 of the first substrate 100, and the first metal layer 120 is patterned to form a gate of the thin film transistor".
  • the first metal layer 120 is disposed on the first surface 101 of the first substrate 100 through the buffer layer, and the first metal layer 120 is patterned to form a gate of the thin film transistor. pole.
  • the buffer layer is disposed on the first surface 101 of the first substrate 100
  • the first metal layer 120 is disposed on the buffer layer
  • the first metal layer, the The buffer layer and the first substrate 100 are stacked.
  • the first metal layer is patterned to form a gate of the thin film transistor.
  • Step S202 forming a first surface of the first substrate 100 of the first metal layer 120
  • a gate insulating layer 130, a semiconductor layer 140, and a second metal layer 150 are formed on the first metal layer 120, and the gate insulating layer 130, the semiconductor layer 140, and the second metal layer 150 are sequentially stacked. Settings.
  • the gate insulating layer 130 is disposed adjacent to the first surface 101 and the first metal layer 120 of the first metal layer 120 adjacent to the semiconductor layer 140 and the second metal layer 150.
  • the first metal layer 120 is disposed on the first surface 101 of the first substrate 100 , and the first surface 101 does not cover the first metal layer 120 .
  • the gate insulating layer 130 is formed on the surface and the first metal layer 120.
  • the material of the gate insulating layer 130 is selected from one of silicon oxide, silicon nitride layer, silicon oxynitride layer and combinations thereof.
  • the semiconductor layer 140 is formed on the gate insulating layer 130, and the semiconductor layer 140 is stacked on the gate insulating layer 130.
  • the second metal layer 150 is formed on the semiconductor layer 140.
  • the second metal layer 150 and the semiconductor layer 140 and the gate insulating layer 130 are sequentially stacked.
  • the material of the second metal layer 150 is selected from one of copper, tungsten, chromium, aluminum, and combinations thereof.
  • the semiconductor layer 140 includes a channel layer (not shown) and an ohmic contact layer (not shown). Then, the channel layer covers the gate insulating layer 130, the ohmic contact layer covers the channel layer, and the second metal layer covers the ohmic contact layer.
  • Step S203 forming a photoresist layer 160 on the second metal layer 150.
  • the upper surface of the photoresist layer 160 may be a horizontal plane.
  • Step S204 patterning the photoresist layer 160 to leak out an edge portion of the second metal layer 150.
  • the patterned photoresist layer 160 includes a first portion 163 and a second portion 164, the first portion 163 is stacked with the first metal layer 120 through the semiconductor layer 140 and the gate insulating layer 130, and the height of the first portion 163 is smaller than the height of the second portion 164, and the second portion 164 surrounds the The first part 163 is set.
  • a photomask 200 and a light source (not shown) disposed on a side of the photomask 200 away from the photoresist layer 160 are provided.
  • the light source is for generating light that is incident from a surface of the reticle 200 remote from the photoresist layer 160.
  • the reticle 200 is disposed above the photoresist layer 160.
  • the reticle 200 includes two light transmitting portions 210 and three light blocking portions 220.
  • the light-shielding portion 220 is disposed at the two ends of the reticle 200, and the light-transmitting portion 210 is disposed between the two adjacent light-shielding portions 220 such that the light-transmitting portion 210 and the light-shielding portion 220 are sequentially Interval setting.
  • the size of the light shielding portion 220 located in the middle of the reticle 200 is slightly smaller in the lateral direction than the size of the gate electrode 120 in the same direction.
  • the light transmitting portion 210 When light is incident on the light transmitting portion 210, the light can be irradiated onto the photoresist layer 160 through the light transmitting portion 210, and when light is irradiated onto the light blocking portion 220, the Light cannot be irradiated onto the photoresist layer 160 through the light shielding portion 220.
  • the photoresist material of the photoresist layer 160 is a negative photoresist, that is, the photoresist layer 160 irradiated with the light is not dissolved, and the photoresist layer 160 not irradiated with the light is dissolved. Therefore, when the photomask 200 is placed over the photoresist layer 160, the photoresist layer 160 under the light transmissive portion 210 of the photomask 200 is insoluble; and is located under the light shielding portion 220 of the photomask 200. The photoresist layer 160 dissolves. After passing through the reticle 200, the reticle layer 160 is patterned into a pattern as shown in FIG.
  • the corresponding photoresist layer 160 under the light shielding portion 220 at both ends of the mask 200 is completely dissolved, and the edge portion of the second metal layer 150 is leaked, and the light shielding portion 220 in the middle of the mask 200 corresponds to the lower portion.
  • the photoresist layer 160 is partially dissolved to form the first portion 163 of the photoresist layer 160.
  • the corresponding photoresist layer under the transparent portion 220 of the mask 200 is insoluble, thus forming the photoresist layer 160.
  • the second part 164 is forming the photoresist layer 160.
  • Step S205 patterning the second metal layer 150 and the semiconductor layer 140 to define a source and a drain of the thin film transistor. Specifically, the step S205 includes the following steps.
  • the second metal layer 150 not covering the photoresist layer 160 is removed. - Referring to FIG. 17, together, the semiconductor layer 140 not covering the second metal layer 150 is removed. Referring to FIG. 18, the first portion 163 of the photoresist layer 160 is removed. Referring to FIG. 19 together, the second metal covered by the first portion 163 of the photoresist layer 160 is removed. The layer 150; referring to FIG. 20, removes a portion of the semiconductor layer 140 covered by the first portion 163 of the photoresist layer 160.
  • the second portion 164 of the photoresist layer 160 is removed.
  • the source electrode 151 and the drain electrode 152 of the thin film transistor are formed.
  • the thin film transistor is formed.
  • Step S206 forming a first passivation layer 170.
  • a first passivation layer 170 is formed on the exposed surface of the source 151, the drain 152, and the gate insulating layer 130.
  • the material of the first passivation layer 170 may be a nitrogen silicon compound such as SiNx.
  • Step S207 forming a color filter layer 180, and patterning the color filter layer 180 to form a patterned color filter layer 180, the patterned color filter layer 180 including a plurality of matrix distributions
  • a color filter unit 181 forms a gap 182 between the color filter units 181.
  • the color filter layer 180 is formed on the first passivation layer 170.
  • the color filter layer 180 is patterned to form a plurality of color filter units 181 in a matrix, and a gap 182 is formed between the color filter units 181.
  • the color filter unit 181 can be a red (Red, R), green (Green, G), blue (Blue, B) filter unit.
  • Step S208 forming a second passivation layer 190.
  • the second blunt is formed on the surface of the patterned color filter layer 180 and the second passivation layer 170 not covering the color filter unit 181.
  • Layer 190 is formed on the surface of the patterned color filter layer 180 and the second passivation layer 170 not covering the color filter unit 181.
  • Step S209 a first through hole 171 and a second through hole 172 are respectively defined in the first passivation layer 170 corresponding to the source electrode 151 and the drain 152, and corresponding to the second passivation layer 190.
  • the source 151 and the drain 152 respectively define a third through hole 191 and a fourth through hole 192, wherein the third through hole 191 is in communication with the first through hole 171, and the fourth through hole 192 is in communication with the second through hole 172.
  • Figure 26 Please refer to Figure 26 together.
  • Step S210 forming a first electrode 193 and a second electrode 194, wherein the first electrode 193 is electrically connected to the source 193 through the first through hole 171 and the third through hole 191, and the second electrode 194
  • the drain 152 is electrically connected through the second through hole 172 and the fourth through hole 192.
  • the first electrode 193 and the second electrode 194 may serve as pixel electrodes, and the first electrode 193 is electrically connected to the source 151 and the second electrode 194 and the drain 152 is electrically connected, and the thin film transistor can control the pixel.
  • the material of the first electrode 193 and the second electrode 194 is ITO.
  • the first electrode 193 and the second electrode 194 have a thickness of 1000 ⁇ to 1500 ⁇ .
  • the liquid crystal display 1 provided by the present invention is more environmentally friendly.
  • the thickness of the black matrix 3031 can be 100 angstroms to 1000 angstroms. While the thickness of the prior art black matrix is usually 1 ⁇ m, the thickness of the black matrix 3031 in the present invention is smaller than that of the prior art black matrix as compared with the prior art. Thereby, the diffusion of the liquid crystal molecules 500 disposed between the first substrate 100 and the second substrate 300 is facilitated, and the diffusion of the alignment liquid is also facilitated, and the quality of the manufactured liquid crystal display 1 is improved.

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Abstract

一种液晶显示器。所述液晶显示器(1)包括：第一基板(100)，所述第一基板(100)包括第一表面(101)及与所述第一表面(101)相对的第二表面(102)，所述第一基板(100)的第一表面(101)上设置薄膜晶体管阵列(103)及彩色滤光层(104)，所述彩色滤光层(104)包括多个呈矩阵分布的彩色滤光单元(1041)，相邻的彩色滤光单元(1041)之间设置间隙(1042)；第二基板(300)，所述第二基板(300)包括第三表面(301)及与所述第三表面(301)相对的第四表面(302)，所述第三表面(301)与所述第一表面(101)相对设置，所述第三表面(301)上设置黑矩阵层(303)，所述黑矩阵层(303)包括多个黑矩阵(3031)，所述黑矩阵(3031)分别对应所述多个彩色滤光单元(1041)之间的间隙(1042)设置，所述黑矩阵层(303)上涂布一层透明导电膜(304)，其中，所述黑矩阵层(303)的材料为钼。还提供了一种液晶显示器的制造方法。该液晶显示器具有较高的质量。

Description

一 一
液晶显示器及液晶显示器的制造方法
本发明要求 2014 年 7 月 31 日递交的发明名称为 "液晶显示器及液晶 显示器的制造方法" 的申请号 201410374562.2的在先申请优先权， 上述在先 申请的内容以引入的方式并入本文本中。 技术领域
本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种液晶显示器及液晶显示器的制造 方法。 背景技术
液晶显示器作为一种常用的电子设备在人们的日常生活中得到了广泛的 应用。 液晶显示器通常包括上基板及下基板两块基板。上基板及下基板之间设 置液晶分子以形成了所述液晶显示器。 上基板上通常设置有黑矩阵层 （black matrix, BM )。 现有技术中黑矩阵层的材料通常为铬（ Cr )或者有机材料， 而 铬是一种重金属，对环境会造成污染。 当所述黑矩阵层的材料为铬及有机材料 时， 形成的黑矩阵层的厚度较厚（通常为一微米）。 较厚的黑矩阵层不利于液 晶分子的流动， 从而使得所述液晶显示器的质量较差。 发明内容
本发明提供一种液晶显示器， 所述液晶显示器的质量得到了提高。
第一方面， 提供了一种液晶显示器， 所述液晶显示器包括：
第一基板， 所述第一基板包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表 面， 所述第一基板的第一表面上设置薄膜晶体管阵列及彩色滤光层， 所述彩色 滤光层包括多个呈矩阵分布的彩色滤光单元 ,相邻的彩色滤光单元之间设置间 隙；
第二基板， 所述第二基板包括第三表面及与所述第三表面相对的第四表 面， 所述第三表面与所述第一表面相对设置， 所述三表面上设置黑矩阵层， 所 述黑矩阵层包括多个黑矩阵，所述黑矩阵分别对应所述多个彩色滤光单元之间 - - 的间隙设置， 所述黑矩阵层上涂布一层透明导电膜， 其中， 所述黑矩阵层的材 料为钼。
在第一方面的第一种实施方式中， 所述黑矩阵的厚度为 100埃〜 1000埃。 在第一面的第二种实施方式中， 所述液晶显示器还包括间隔件， 所述间隔 件设置于所述透明导电薄膜上，且所述间隔件对应所述第二基板的第三表面的 边缘设置， 所述间隔件用于支撑所述第一基板及所述第二基板。
在第一面的第三种实施方式中， 所述第二基板还包括保护层， 所述保护层 覆盖在所述透明导电膜上。
结合第一方面的第三种实施方式中，在第四种实施方式中， 所述液晶显示 器还包括间隔件， 所述间隔件设置于所述保护层上，且所述间隔件对应所述第 二基板的第三表面的边缘设置，所述间隔件用于支撑所述第一基板及所述第二 基板。
结合第一方面的第三种实施方式中，在第五种实施方式中， 所述保护层的 为氮硅化合物。
结合第一方面的第五种实施方式中，在第六种实施方式中， 所述保护层的 厚度为 300埃。
在第七种实施方式中， 所述透明导电膜的材料为氧化铟锡， 所述氧化铟锡 的厚度为 300埃〜 600埃。
第二方面，提供了一种液晶显示器的制造方法， 用所述制造方法制造出来 的液晶显示器的质量得到了提高。
一种液晶显示器的制造方法， 所述液晶显示器的制造方法包括： 提供第一基板，所述第一基板包括第一表面及与所述第一表面相对的第二 表面；
在所述第一表面上形成薄膜晶体管阵列及彩色滤光层，所述彩色滤光层包 括多个呈矩阵分布的彩色滤光单元， 相邻的彩色滤光单元之间设置间隙； 提供第二基板，所述第二基板包括第三表面及与所述第三表面相对的第四 表面， 所述第三表面与所述第一表面相对设置；
在所述第三表面上设置黑矩阵层， 所述黑矩阵层包括多个黑矩阵， 所述黑 矩阵分别对应滤光单元之间的间隙设置， 其中， 所述黑矩阵层的材料钼； - - 在所述黑矩阵层上涂布一层透明导电膜。
在第二方面的第一种实施方式中， 所述步骤 "在所述第三表面上设置黑矩 阵层， 所述黑矩阵层包括多个黑矩阵， 所述黑矩阵分别对应多个滤光单元之间 的间隙设置， 其中， 所述黑矩阵层的材料钼" 包括：
在所述第三表面上溅射钼金属层；
对所述钼金属层进行图案化以形成多个黑矩阵，所述黑矩阵分别对应所述 多个彩色滤光单元的间隙设置， 所有黑矩阵定义所述黑矩阵层。
在第二方面的第二种实施方式中， 所述黑矩阵的厚度为 100埃〜 1000埃。 在第二方面的第三种实施方式中， 所述液晶显示器的制造方法还包括： 在所述透明导电膜上设置间隔件，所述间隔件对应所述第二基板的第三表 面的边缘设置， 所述间隔件用于支撑所述第一基板及所述第二基板。
结合第二方面的第三种实施方式， 在第四种实施方式中， 所述步骤 "在所 述透明导电膜上设置间隔件，所述间隔件对应所述第二基板的第三表面的边缘 设置， 所述间隔件用于支撑所述第一基板及所述第二基板" 包括：
在所述透明导电膜上形成间隔层， 图案化所述间隔层， 以在所述透明导电 膜的形成所述间隔件， 所述间隔件对应所述第二基板的第三表面的边缘设置。
在第二方面的第五种实施方式中， 所述液晶显示器的制造方法还包括： 在所述透明导电膜上覆盖保护层；
在所述保护层上设置间隔件，所述间隔件对应所述第二基板的第三表面的 边缘设置， 所述间隔件用于支撑所述第一基板及所述第二基板。
结合第二方面的第五种实施方式， 在第六种实施方式中， 所述步骤 "在所 述保护层上设置间隔件， 所述间隔件对应所述第二基板的第三表面的边缘设 置， 所述间隔件用于支撑所述第一基板及所述第二基板" 包括：
在所述保护层上设置间隔层， 图案化所述间隔层， 以在所述保护层上形成 所述间隔件， 所述间隔件对应所述第二基板的第三表面的边缘设置。
结合第二方面的第五种实施方式，在第六种实施方式中， 所述保护层为氮 硅化合物。
结合第二方面的第六种实施方式中， 所述保护层的厚度为 300埃。
在第二方面的第七种实施方式中， 所述黑矩阵的厚度为 100埃〜 1000埃。 一 一 在第二方面的第八种实施方式中， 所述透明导电膜的材料为氧化铟锡， 所 述氧化铟锡的厚度为 300埃〜 600埃。
相较于现有技术， 本发明提供的液晶显示器的制造方法中， 由于所述黑矩 阵层的材料为钼，钼对环境没有污染， 因此，本发明提供的液晶显示器更环保。 进一步地， 由于所述黑矩阵的材料为钼， 因此， 所述黑矩阵的厚度可做到 100 埃〜 1000埃。 而现有技术中的黑矩阵的厚度通常为 1微米， 因此， 相较于现有 技术， 本发明中黑矩阵的厚度比现有技术中的黑矩阵的厚度要小。从而有利于 设置在所述第一基板及所述第二基板之间的液晶分子的扩散，也有利于配向液 的扩散， 提高了所制造出来的所述液晶显示器的质量。 附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施 例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地， 下面描述 中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付 出创造性劳动的前提下， 还可以根据这些附图获得其他的附图。
图 1为本发明一较佳实施例的液晶显示器的结构示意图。
图 2本发明一较佳实施例的液晶显示器的制造方法的流程图。
图 3〜图 8为本发明液晶显示器的第二基板的制造过程中各个步骤中第二 基板的剖面图。
图 9为本发明第一基板的制造方法中步骤 S200中的子流程图。
图 10〜图 27为本发明液晶显示器的第一基板的制造过程中各个步骤中第 一基板的剖面图。 具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图 ,对本发明实施例中的技术方案进行清 楚、 完整地描述， 显然， 所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例， 而不是 全部的实施例。基于本发明中的实施例， 本领域普通技术人员在没有做出创造 性劳动前提下所获得的所有其他实施例， 都属于本发明保护的范围。
请参阅图 1 , 图 1为本发明一较佳实施例的液晶显示器的结构示意图。 所 述液晶显示器 1包括第一基板 100及第二基板 300。 所述第一基板 100包括第 一表面 101及与所述第一表面 101相对的第二表面 102。 所述第一基板 101的 所述第一表面 101上设置薄膜晶体管阵列（ thin film transistor array, TFT array ) 103及彩色滤光层 104。 所述薄膜晶体管阵列 103与所述彩色滤光层 104依次 层叠设置在所述第一表面 101上，且所述薄膜晶体管阵列 103相较于所述彩色 滤光层 104邻近所述第一表面 101。 所述彩色滤光层 104包括多个呈矩阵分布 的彩色滤光单元 1041 , 所述彩色滤光单元之间设置间隙 1042。 所述第二基板 300包括第三表面 301及与所述第三表面 301相对的第四表面 302。 所述第三 表面 301与所述第一表面 101相对设置， 所述第三表面 301上设置黑矩阵层 303 , 所述黑矩阵层 303包括多个黑矩阵 3031 , 所述黑矩阵 3031对应所述多 个彩色滤光单元 1041之间的间隙 1042设置。所述黑矩阵层 303上涂布一层透 明导电膜 304。 其中所述黑矩阵层 303的材料为鉬 （Mo )。 所述薄膜晶体管阵 列 103包括多个薄膜晶体管（thin film transistor, TFT ), 所述薄膜晶体管及所 述透明导电膜 304分别加载电压，以控制设置于所述第一基板 100及所述第二 基板 300之间的液晶分子 500的转向。
在本发明提供的液晶显示器 1中， 由于所述黑矩阵层 303的材料为钼，钼 对环境没有污染， 因此， 本发明提供的液晶显示器 1更环保。
所述黑矩阵 3031的厚度为 100埃〜 1000埃。
由于所述黑矩阵 3031的材料为钼， 因此， 所述黑矩阵 3031的厚度可做到 100埃〜 1000埃。 而现有技术中的黑矩阵的厚度通常为 1微米， 因此， 相较于 现有技术， 本发明中黑矩阵 3031的厚度比现有技术中的黑矩阵的厚度要小。 从而有利于设置在所述第一基板 100及所述第二基板 300之间的液晶分子 500 的扩散， 也有利于配向液的扩散， 提高了所述液晶显示器 1的质量。
所述黑矩阵层 303的形成可以釆用如下方式： 釆用溅射（sputter ) 的方式 在所述第二基板 300的所述第三表面 301上形成一层钼金属层，然后再将所述 钼金属层图案化以形成所述黑矩阵层 303。 对所述钼金属层进行图案化可以釆 用曝光、 显影以及蚀刻等工艺。
所述透明导电膜 304的形成可以釆用如下方式：釆用溅射的方式在所述黑 矩阵层 303的表面形成一层透明导电材料， 以形成所述透明导电膜 304。 所述 一 一 透明导电膜 304的材料可以为氧化铟锡（ Indium Tin Oxide, ITO ), 当所述透明 导电膜 304的材料为氧化铟锡时， 所述透明导电膜 304的厚度为 300埃〜 600 埃。
优选地， 所述第二基板 300还包括保护层 305 , 所述保护层覆盖在所述透 明导电膜 304上， 用于保护所述透明导电膜 304。 所述液晶显示器 1还包括间 隔件（photo spacer ) 400, 所述间隔件 400设置于所述保护层 305上， 且所述 间隔件 400对应所述第二基板 300的第三表面 301 的边缘设置。 所述间隔件 400用于支撑所述第一基板 100及所述第二基板 300。 所述间隔件 400和所述 第一基板 100及所述第二基板 300之间形成一收容空间 600 ,所述收容空间 600 用于收容液晶分子 500。
所述保护层 305的形成可以釆用如下方式： 釆用化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition, CVD ) 的方式在所述透明导电膜 304的上形成一层覆盖所 述透明导电膜 304的保护层 305。所述保护层 305的材料可以为氮硅化合物（比 如 SiNx ), 当所述保护层 305的材料为氮硅化合物时， 所述保护层 305的厚度 为 300埃， 也可以为 300埃左右。
所述间隔件 400的形成可以釆用如下方式：在所述保护层 305上形成一层 间隔层， 图案化所述间隔层， 以在所述保护层上形成所述间隔件 400, 所述间 隔件 400对应所述第二基板 300的第三表面 301设置。
在其他实施方式中， 所述第二基板 300也可以不包括所述保护层 305 , 则 所述间隔件 400直接设置在所述透明导电膜 304上，且所述间隔件 400对应所 述第二基板 300的第三表面 301的边缘设置。所述间隔件 400用于支撑所述第 一基板 100及所述第二基板 300。 所述间隔件 400和所述第一基板 100及所述 第二基板 300之间形成一收容空间 600, 所述收容空间 600用于收容液晶分子 500。此时， 所述间隔件 400的形成可以釆用如下方式： 在所述透明导电膜 304 上形成一层间隔层， 图案化所述间隔层， 以在所述透明导电膜 304上形成间隔 件 400 , 所述间隔件对应所述第二基板 300的第三表面 301设置。
下面结合图 1对本发明液晶显示器的制造方法进行介绍。请一并参阅图 2 , 图 2本发明一较佳实施例的液晶显示器的制造方法的流程图。所述液晶显示器 1的制造方法包括以下步骤。 步骤 S100, 提供一第一基板 100, 所述第一基板 100 包括第一表面 101 及与所述第一表面 101相对的第二表面 102。 在本实施方式中， 所述第一基板 100为一玻璃基板。 可以理解地， 在其他实施方式中， 所述第一基板 100并不 仅限于为玻璃基板。
步骤 S200,在所述第一表面上形成薄膜晶体管阵列 103及彩色滤光层 104, 所述彩色滤光层 104 包括多个成矩阵分别的彩色滤光单元 1041 , 相邻的彩色 滤光单元 1041之间设置间隙 1042。
步骤 S300, 提供一第二基板 300, 所述第二基板 300 包括第三表面 301 及与所述第三表面 301相对的第四表面 302, 所述第三表面 301与所述第一表 面 101相对设置。 请一并参阅图 3 , 在本实施方式中， 所述第二基板 300为一 玻璃基板。 可以理解地， 在其他实施方式中， 所述第二基板 300并不仅局限于 为玻璃基板。
步骤 S400, 在所述第三表面 301上设置黑矩阵层 303 , 所述黑矩阵层 303 包括多个黑矩阵 3031 , 所述黑矩阵 3031分别对应滤光单元 1041之间的间隙 1042设置， 其中， 所述黑矩阵层 303的材料为钼。 所述黑矩阵 3031的厚度为 100埃〜 1000埃。 请一并参阅图 4, 在此步骤中， 釆用溅射的方式在所述第二 基板 300的所述第三表面 301上形成一层钼金属层。 请一并参阅图 5, 图案化 所述钼金属层， 以形成所述黑矩阵层 303。 对所述钼金属层进行图案化可以釆 用曝光、 显影以及蚀刻等工艺。
步骤 S500,在所述黑矩阵层 303上形成一层透明导电膜 304。请一并参阅 图 6, 具体地， 所述透明导电膜 304的形成可以采用如下方式： 釆用溅射的方 式在所述黑矩阵层 303的表面形成一层透明导电材料，以形成所述透明导电膜 304。 所述透明导电膜 304的材料可以为氧化铟锡（ Indium Tin Oxide, ITO ), 当所述透明导电膜 304的材料为氧化铟锡时， 所述透明导电膜 304的厚度为 300埃〜 600埃
步骤 S600,在所述透明导电膜 304上形成一层保护层 305。请一并参阅图 7, 所述保护层 305用于保护所述透明导电膜 304。 所述保护层 305的形成可 以釆用如下方式： 釆用化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition, CVD ) 的 方式在所述透明导电膜 304的上形成一层覆盖所述透明导电膜 304的保护层 一 一
305。 所述保护层 305的材料可以为氮硅化合物（比如 SiNx ), 当所述保护层 305的材料为氮硅化合物时， 所述保护层 305的厚度为 300埃， 也可以为 300 埃左右。
步骤 S700,在所述保护层 305上形成间隔件 400 ,所述间隔件 400对应所 述第二基板 300的第三表面 301的边缘设置，所述间隔件 400用于支撑所述第 一基板 100及所述第二基板 300。 请一并参阅图 8, 所述间隔件 400的形成可 以釆用如下方式： 在所述保护层 305上形成一层间隔层， 图案化所述间隔层， 以在所述保护层上形成所述间隔件 400,所述间隔件 400对应所述第二基板 300 的第三表面 301设置。
可以理解地， 当所述液晶显示器 1不包括所述保护层 305时， 此步骤为在 所述导电膜 304上形成间隔件 400, 所述间隔件 400对应所述第二基板 300的 第三表面 301设置，所述间隔件 400用于支撑所述第一基板 100及所述第二基 板 300。
步骤 S800, 向所述间隔件 400与所述第一基板 100及所述第二基板 300 之间形成的收容空间 600内注入液晶分子 500。
其中， 步骤 S100〜步骤 S200 为所述第一基板 100 的制造步骤； 步骤 S300-S700为所述第二基板 300的制造步骤。
下面结合图 1及图 2对所述第一基板 100的制造步骤中的步骤 S200的制 造方法详细介绍如下。 请一并参阅图 9, 其为本发明第一基板的制造方法中步 骤 S200中的子流程图。所述步骤 S200包括以下步骤。 由于所述薄膜晶体管阵 列 103包括多个薄膜晶体管， 为了方面描述，在以下各个图中以薄膜晶体管阵 列 103中仅仅示意出一个薄膜晶体管。
步骤 S201 , 在所述第一基板 100的第一表面 101上形成第一金属层 120 , 对所述第一金属层 120进行图案化， 以形成薄膜晶体管的栅极 (gate)。 具体地， 请一并参阅图 10。 所述第一金属层的材质 120的材质选自铜、 钨、 铬、 铝及 其组合的其中之一。
在另一实施方式中，在所述步骤 S201之间，所述步骤 S200还包括以下步 骤： 在所述第一基板 100上形成一緩冲层 （图未示）。 所述緩冲层用于緩冲所 述基板 100在制造所述薄膜晶体管阵列 103的过程中受到的应力，以避免所述 - - 第一基板 100的损坏或者破裂。 所述緩冲层的材质选自氧化硅层， 氮化硅层， 氮氧化硅层及其组合的其中之一。 在此方式中， 所述步骤 S201 "在所述第一 基板 100的第一表面 101上形成第一金属层 120, 对所述第一金属层 120进行 图案化， 以形成薄膜晶体管的栅极"具体为： 所述第一金属层 120通过所述緩 冲层设置于所述第一基板 100的所述第一表面 101 , 对所述第一金属层 120进 行图案化， 以形成薄膜晶体管的栅极。 换句话说， 所述緩冲层设置于所述第一 基板 100的所述第一表面 101 , 所述第一金属层 120设置在所述緩冲层上， 所 述第一金属层、所述緩冲层及所述第一基板 100层叠设置。对所述第一金属层 进行图案化， 以形成所述薄膜晶体管的栅极。
步骤 S202, 在形成所述第一金属层 120的所述第一基板 100的第一表面
101及所述第一金属层 120上形成栅极绝缘层 130、 半导体层 140及第二金属 层 150, 所述栅极绝缘层 130、 所述半导体层 140及所述第二金属层 150依次 层叠设置。 所述栅极绝缘层 130相较于所述半导体层 140及所述第二金属层 150邻近设置所述第一金属层 120的所述第一表面 101及所述第一金属层 120 设置。
具体地， 请一并参阅图 11 , 由于所述第一金属层 120设置在所述第一基 板 100的第一表面 101上， 在所述第一表面 101 未覆盖所述第一金属层 120 的表面及所述第一金属层 120上形成所述栅极绝缘层 130。所述栅极绝缘层 130 的材质选择氧化硅、 氮化硅层， 氮氧化硅层及其组合的其中之一。 请一并参阅 图 12, 在所述栅极绝缘层 130上形成所述半导体层 140, 所述半导体层 140 与所述栅极绝缘层 130层叠设置。 请一并参阅图 13 , 在所述半导体层 140上 形成所述第二金属层 150, 所述第二金属层 150与所述半导体层 140及所述栅 极绝缘层 130依次层叠设置。 所述第二金属层 150的材质选自铜、 钨、 铬、 铝 及其组合的其中之一。
在另一实施方式中， 所述半导体层 140包括沟道层（图未示 )及欧姆接触 层 （图未示）。 则所述沟道层覆盖在所述栅极绝缘层 130上， 所述欧姆接触层 覆盖于所述沟道层上， 所述第二金属层覆盖于所述欧姆接触层上。
步骤 S203 , 在所述第二金属层 150上形成光阻层 160。 请一并参阅图 14, 所述光阻层 160的上表面可以为水平的平面。 - - 步骤 S204, 图案化所述光阻层 160, 以漏出所述第二金属层 150的边缘部 分， 图案化的所述光阻层 160包括第一部分 163及第二部分 164, 所述第一部 分 163通过半导体层 140及所述栅极绝缘层 130与所述第一金属层 120层叠设 置，且所述第一部分 163的高度小于所述第二部分 164的高度， 所述第二部分 164围绕所述第一部分 163设置。
具体地， 在本实施方式中， 请一并参阅图 15 , 提供一光罩 200及设置在 所述光罩 200远离所述光阻层 160—侧的光源 （图未示）。 所述光源用于产生 光线， 所述光线自所述光罩 200远离所述光阻层 160的表面入射。 所述光罩 200设置于所述光阻层 160的上方， 所述光罩 200包括两个透光部 210及三个 遮光部 220。 所述光罩 200的两端及中间均为遮光部 220 , 所述透光部 210设 置在相邻的两个遮光部 220的中间， 以使得所述透光部 210及所述遮光部 220 依次间隔设置。位于所述光罩 200的中间的遮光部 220在横向的尺寸略小于所 述栅极 120在同方向上的尺寸。 当有光线照射到所述透光部 210上时， 所述光 线能够通过所述透光部 210照射到所述光阻层 160上，当有光线照射到所述遮 光部 220上时， 所述光线不能通过所述遮光部 220照射至所述光阻层 160上。
在本实施方式中， 所述光阻层 160的光阻材料为负光阻， 即被光线照射到 的光阻层 160不溶解， 没有被光线照射到的光阻层 160溶解。 因此， 所述光罩 200放置于所述光阻层 160的上方时， 位于所述光罩 200的透光部 210下方的 光阻层 160不溶解； 位于所述光罩 200的遮光部 220下方的光阻层 160溶解。 经过所述光罩 200后， 所述光罩层 160被图案化成如图 9所示的图案。 即， 所 述光罩 200的两端的遮光部 220下方对应的光阻层 160完全溶解，漏出所述第 二金属层 150的边缘部分，且所述光罩 200的中间的遮光部 220下方对应的光 阻层 160部分溶解以形成所述光阻层 160的所述第一部分 163 , 所述光罩 200 的透光部 220下方对应的光阻层不溶解，因此形成了所述光阻层 160的第二部 分 164。
步骤 S205 , 图案化所述第二金属层 150及所述半导体层 140以定义薄膜 晶体管的源极（source )和漏极（drain )。 具体地， 所述步骤 S205包括以下步 骤。
请一并参阅图 16, 移除未覆盖所述光阻层 160的所述第二金属层 150。 - - 请一并参阅图 17 , 移除未覆盖所述第二金属层 150的所述半导体层 140。 请一并参阅图 18,移除所述光阻层 160的所述第一部分 163; 请一并参阅 图 19 ,移除原来所述光阻层 160的所述第一部分 163所覆盖的第二金属层 150; 请参阅图 20 , 移除原来所述光阻层 160的所述第一部分 163覆盖的部分半导 体层 140。
请参阅图 21 , 移除所述光阻层 160的所述第二部分 164。 经过上述图 16 至图 21的各个步骤， 形成了所述薄膜晶体管的源极 151及漏极 152。 经过上 述各个步骤， 形成了所述薄膜晶体管。
步骤 S206 , 形成第一钝化层 170。 具体地， 请一并参阅图 22, 在所述源 极 151、 所述漏极 152及所述栅极绝缘层 130棵露的表面上形成第一钝化层 170。 所述第一钝化层 170的材料可以为氮硅化合物， 比如 SiNx。
步骤 S207 , 形成彩色滤光层 180 , 并对所述彩色滤光层 180进行图案化， 以形成图案化的彩色滤光层 180, 所述图案化的彩色滤光层 180包括呈矩阵分 布的多个彩色滤光单元 181 , 所述彩色滤光单元 181之间形成间隙 182。 请一 并参阅图 23 ,在所述第一钝化层 170上形成所述彩色滤光层 180。请一并参阅 图 24 , 对所述彩色滤光层 180进行图案化， 以形成呈矩阵分别的多个彩色滤 光单元 181 ,所述彩色滤光单元 181之间形成间隙 182。所述彩色滤光单元 181 可为红色 (Red, R)、 绿色 (Green, G)、 蓝色 (Blue, B)滤光单元。
步骤 S208 , 形成第二钝化层 190。 具体地， 请一并参阅图 25 , 在所述图 案化的所述彩色滤光层 180及未覆盖所述彩色滤光单元 181的所述第二钝化层 170的表面形成所述第二钝化层 190。
步骤 S209, 在所述第一钝化层 170上对应所述源极 151及所述漏极 152 分别开设第一贯孔 171及第二贯孔 172, 在所述第二钝化层 190上对应所述源 极 151及所述漏极 152分别开设第三贯孔 191及第四贯孔 192, 其中， 所述第 三贯孔 191与所述第一贯孔 171连通， 所述第四贯孔 192与所述第二贯孔 172 连通。 请一并参阅图 26。
步骤 S210,形成第一电极 193及第二电极 194, 所述第一电极 193通过所 述第一贯孔 171及所述第三贯孔 191电连接所述源极 193 , 所述第二电极 194 通过所述第二贯孔 172及所述第四贯孔 192电连接所述漏极 152。 请一并参阅 - - 图 27 , 所述第一电极 193及所述第二电极 194可以作为像素电极， 且所述第 一电极 193与所述源极 151电连接以及所述第二电极 194与所述漏极 152电连 接， 所述薄膜晶体管可以控制所述像素。 在本实施方式中， 所述第一电极 193 及所述第二电极 194的材料为 ITO, 此时， 所述第一电极 193及所述第二电极 194的厚度为 1000埃〜 1500埃。
在本发明提供的液晶显示器的制造方法中，由于所述黑矩阵层 303的材料 为钼， 钼对环境没有污染， 因此， 本发明提供的液晶显示器 1更环保。
由于所述黑矩阵 3031的材料为钼， 因此， 所述黑矩阵 3031的厚度可做到 100埃〜 1000埃。 而现有技术中的黑矩阵的厚度通常为 1微米， 因此， 相较于 现有技术， 本发明中黑矩阵 3031的厚度比现有技术中的黑矩阵的厚度要小。 从而有利于设置在所述第一基板 100及所述第二基板 300之间的液晶分子 500 的扩散，也有利于配向液的扩散，提高了所制造出来的所述液晶显示器 1的质 量。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发 明之权利范围 ,本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流 程， 并依本发明权利要求所作的等同变化， 仍属于发明所涵盖的范围。

Claims

权 利 要 求
1.一种液晶显示器， 其特征在于， 所述液晶显示器包括：
第一基板， 所述第一基板包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表 面， 所述第一基板的第一表面上设置薄膜晶体管阵列及彩色滤光层， 所述彩色 滤光层包括多个呈矩阵分布的彩色滤光单元，相邻的彩色滤光单元之间设置间 隙；
第二基板， 所述第二基板包括第三表面及与所述第三表面相对的第四表 面， 所述第三表面与所述第一表面相对设置， 所述三表面上设置黑矩阵层， 所 述黑矩阵层包括多个黑矩阵，所述黑矩阵分别对应所述多个彩色滤光单元之间 的间隙设置， 所述黑矩阵层上涂布一层透明导电膜， 其中， 所述黑矩阵层的材 料为钼。
2.如权利要求 1所述的液晶显示器，其特征在于，所述黑矩阵的厚度为 100 埃〜 1000埃。
3.如权利要求 1所述的液晶显示器， 其特征在于， 所述液晶显示器还包括 间隔件， 所述间隔件设置于所述透明导电薄膜上，且所述间隔件对应所述第二 基板的第三表面的边缘设置，所述间隔件用于支撑所述第一基板及所述第二基 板。
4.如权利要求 1所述的液晶显示器， 其特征在于， 所述第二基板还包括保 护层， 所述保护层覆盖在所述透明导电膜上。
5.如权利要求 4所述的液晶显示器， 其特征在于， 所述液晶显示器还包括 间隔件， 所述间隔件设置于所述保护层上，且所述间隔件对应所述第二基板的 第三表面的边缘设置， 所述间隔件用于支撑所述第一基板及所述第二基板。
6.如权利要求 4所述的液晶显示器， 其特征在于， 所述保护层的为氮硅化 合物。
7.如权利要求 6所述的液晶显示器，其特征在于，所述保护层的厚度为 300 埃。
8.如权利要求 1所述的液晶显示器， 其特征在于， 所述透明导电膜的材料 为氧化铟锡， 所述氧化铟锡的厚度为 300埃〜 600埃。
9.一种液晶显示器的制造方法， 其特征在于， 所述液晶显示器的制造方法 包括：
提供第一基板，所述第一基板包括第一表面及与所述第一表面相对的第二 表面；
在所述第一表面上形成薄膜晶体管阵列及彩色滤光层，所述彩色滤光层包 括多个呈矩阵分布的彩色滤光单元， 相邻的彩色滤光单元之间设置间隙； 提供第二基板，所述第二基板包括第三表面及与所述第三表面相对的第四 表面， 所述第三表面与所述第一表面相对设置；
在所述第三表面上设置黑矩阵层， 所述黑矩阵层包括多个黑矩阵， 所述黑 矩阵分别对应滤光单元之间的间隙设置， 其中， 所述黑矩阵层的材料钼； 在所述黑矩阵层上涂布一层透明导电膜。
10.如权利要求 9所述的液晶显示器的制造方法， 其特征在于， 所述步骤 "在所述第三表面上设置黑矩阵层， 所述黑矩阵层包括多个黑矩阵， 所述黑矩 阵分别对应多个滤光单元之间的间隙设置， 其中， 所述黑矩阵层的材料钼" 包 括：
在所述第三表面上溅射钼金属层；
对所述钼金属层进行图案化以形成多个黑矩阵，所述黑矩阵分别对应所述 多个彩色滤光单元的间隙设置， 所有黑矩阵定义所述黑矩阵层。
11.如权利要求 9所述的液晶显示器的制造方法， 其特征在于， 所述黑矩 阵的厚度为 100埃〜 1000埃。
12.如权利要求 9所述的液晶显示器的制造方法， 其特征在于， 所述液晶 显示器的制造方法还包括：
在所述透明导电膜上设置间隔件，所述间隔件对应所述第二基板的第三表 面的边缘设置， 所述间隔件用于支撑所述第一基板及所述第二基板。
13.如权利要求 12所述的液晶显示器的制造方法， 其特征在于， 所述步骤 "在所述透明导电膜上设置间隔件，所述间隔件对应所述第二基板的第三表面 的边缘设置， 所述间隔件用于支撑所述第一基板及所述第二基板" 包括： 在所述透明导电膜上形成间隔层， 图案化所述间隔层， 以在所述透明导电 膜的形成所述间隔件， 所述间隔件对应所述第二基板的第三表面的边缘设置。
14.如权利要求 9所述的液晶显示器的制造方法， 其特征在于， 所述液晶 显示器的制造方法还包括：
在所述透明导电膜上覆盖保护层；
在所述保护层上设置间隔件，所述间隔件对应所述第二基板的第三表面的 边缘设置， 所述间隔件用于支撑所述第一基板及所述第二基板。
15.如权利要求 14所述的液晶显示器的制造方法， 其特征在于， 所述步骤
"在所述保护层上设置间隔件，所述间隔件对应所述第二基板的第三表面的边 缘设置， 所述间隔件用于支撑所述第一基板及所述第二基板" 包括：
在所述保护层上设置间隔层， 图案化所述间隔层， 以在所述保护层上形成 所述间隔件， 所述间隔件对应所述第二基板的第三表面的边缘设置。
16.如权利要求 14所述的液晶显示器的制造方法， 其特征在于， 所述保护 层为氮硅化合物。
17.如权利要求 16所述的液晶显示器的制造方法， 其特征在于， 所述保护 层的厚度为 300埃。
18.如权利要求 9所述的液晶显示器的制造方法， 其特征在于， 所述黑矩 阵的厚度为 100埃〜 1000埃。
19.如权利要求 9所述的液晶显示器的制造方法， 其特征在于， 所述透明 导电膜的材料为氧化铟锡， 所述氧化铟锡的厚度为 300埃〜 600埃。
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