CN105549233A - 精密测长机的校准片构造及其制作方法 - Google Patents

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    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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Abstract

本发明公开一种精密测长机的校准片构造及其制作方法。所述精密测长机的校准片构造包含一透明基板、一黑色矩阵层及一透明保护层。所述黑色矩阵层设于所述透明基板上，并暴露部分的所述透明基板；所述透明保护层完整覆盖所述透明基板及所述黑色矩阵层，以形成保护作用。相较于现有的校准片，本发明的精密测长机的校准片构造可不受外界环境影响，稳定性高，同时可长时间保存。

Description

精密测长机的校准片构造及其制作方法
【技术领域】
本发明涉及一种精密测长机的校准片构造及其制造方法，特别是涉及一种具有透明保护层的精密测长机的校准片构造及其制作方法。
【背景技术】
精密测长机是薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD,ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay)的制程中重要的光学量测机台,其主要用于测量制作玻璃基板第一层像素图案时曝光机曝光精度的长寸(TotalPitch)量测，其量测结果直接决定了后续图像制程的曝光对位，以及最终对组贴合的精度。同时，该设备亦常用于线宽量测。精密测长机又称为TTP(TotalPitch)测长机。
随着中小尺寸高阶产品日益增多且分辨率(PPI)随之增加,，TFT-LCD制程中对阵列(Array)基板和彩色滤光片(CF)基板贴合的要求也却来越高，其中所述CF基板的TTP(TotalPitch)精度要求也由之前的5微米(um)以上，变为现在的3微米(um)，因此对于TTP测长机的稳定性的要求也随之增加。
TTP测长机在正常量产中，需定期使用校准片进行校准，以确认测长机本身量测的准确性。然而，现有的TTP测长机所使用的校准片通常是从产线量产产品中抽取来使用的，然而其产品本身的遮光材料外露容易受到空气中湿度及温度的影响，会发生热胀冷缩，因此其量测结果也不准确，使得所述校准片的作用也就大打折扣，同时也无法长期保存。
因此，有必要提供一种测长机的校准片构造及其制作方法，以解决现有技术所存在的问题。
【发明内容】
本发明的主要目的是提供一种精密测长机的校准片构造及其制作方法，通过在其上表面设置一透明保护层，使所述精密测长机的校准片构造不受外界环境影响，稳定性高，同时可长时间保存。
为达上述目的，本发明提供一种精密测长机的校准片构造，其包含：
一透明基板；
一黑色矩阵层，呈一网格状，设于所述透明基板上，并暴露部分的所述透明基板；及
一透明保护层，设于所述透明基板及所述黑色矩阵层上。
在本发明的一实施例中，所述透明基板是一玻璃基板。
在本发明的一实施例中，所述透明基板是一符合彩色滤光片基板等级的玻璃基板。
在本发明的一实施例中，所述透明保护层是一透明导电金属层。
在本发明的一实施例中，所述透明保护层是一n型半导体材料层。
为达上述目的，本发明另提供一种精密测长机的校准片构造的制作方法，其包含以下步骤：
(a)提供一透明基板；
(b)形成一网格状的黑色矩阵层于所述透明基板上，并暴露部分的所述透明基板；及
(c)形成一透明保护层于所述透明基板及所述黑色矩阵层上。
在本发明的一实施例中，所述形成一透明保护层于所述透明基板及所述黑色矩阵层上的步骤是以一物理气相沉积的工艺进行。
在本发明的一实施例中，所述透明基板是一玻璃基板。
在本发明的一实施例中，所述透明保护层是一透明导电金属层。
在本发明的一实施例中，所述透明保护层是一n型半导体材料层。
【附图说明】
图1：本发明较佳实施例的一种精密测长机的校准片构造的侧视示意图。
图2：本发明较佳实施例的一种精密测长机的校准片构造的上视示意图。
图3A-3C：本发明较佳实施例的一种精密测长机的校准片构造的制作方法示意图。
【具体实施方式】
为让本发明上述目的、特征及优点更明显易懂，下文特举本发明较佳实施例，幷配合附图，作详细说明。为让本发明上述目的、特征及优点更明显易懂，下文特举本发明较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。再者，本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参照附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
请参照图1及图2所示，图1是本发明较佳实施例的一种精密测长机的校准片构造的侧视示意图；及图2是本发明较佳实施例的一种精密测长机的校准片构造的上视示意图。本发明的一种精密测长机的校准片构造100主要用于一薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD,ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay)的光学量测的校准作业，例如用于一精密测长机(TTP测长机)中对彩色滤光片(CF)基板的TTP(TotalPitch，长寸)精度测量的进行校准。
如图1及图2所示，所述精密测长机的校准片构造100包含一透明基板10、一黑色矩阵(BM，BlackMatrix)层20及一透明保护层30。所述黑色矩阵层20设于所述透明基板10上，由于所述黑色矩阵层成一网格状，因此所述黑色矩阵层20的中空部分暴露部分的所述透明基板10。另外，所述透明保护层30设于所述透明基板10的暴露部分及所述黑色矩阵层20上，也就是完整覆盖所述透明基板10及所述黑色矩阵层20，以形成保护作用。
随着中小尺寸高阶产品日益增多且分辨率(PPI)随之增加,，TFT-LCD制程中对阵列(Array)基板和彩色滤光片(CF)基板贴合的要求也却来越高，其中所述CF基板的TTP(TotalPitch)精度要求也由之前的5微米(um)以上，变为现在的3微米(um)，因此对于TTP测长机的稳定性的要求也随之增加。
优选地，所述透明基板10是一玻璃基板。
更优选地，所述透明基板10是一用于制作彩色滤光片(CF)基板的玻璃基板，也就是一符合彩色滤光片(CF)基板等级的玻璃基板，如此可以完整符合对于所述CF基板的TTP精度的校准作业。
在本发明中，所述透明保护层30可以使用任何对空气中湿度及温度的能够起到隔离保护作用的透明材质，本发明并不加以限制。优选地，所述透明保护层30是一n型半导体材料层。
更优选地，所述透明保护层30是一透明导电金属层(例如ITO薄膜)，ITO薄膜是n型半导体材料中的一种，其具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性，几乎不受环境影响，可长期保存。因此，经过对一TTP测长机进行多次重复性量测，可得到所述精密测长机的校准片构造100的一标准值，然后所述TTP测长机可定期量测所述精密测长机的校准片构造100(对比所述标准值)，即可确认所述TTP测长机的稳定性。
图3A-3C是本发明较佳实施例的一种精密测长机的校准片构造的制作方法示意图。本发明的精密测长机的校准片构造100的制作方法包含以下步骤：
(a)参照图3A，提供一透明基板10。在本步骤中，所述透明基板10是一玻璃基板，更具体的所述透明基板10是一彩色滤光片(CF)基板的玻璃基板。
(b)参照图3B，形成一网格状的黑色矩阵层20于所述透明基板10上，并暴露部分的所述透明基板10。在本步骤中，所述黑色矩阵20是采用一般的彩色滤光片(CF)基板的黑色矩阵(BM)的工艺来进行。
(c)参照图3C，形成一透明保护层30于所述透明基板10及所述黑色矩阵层20上。在本步骤中，所述透明保护层30是采用一物理气相沉积(PVD,Physicalvapordeposition)的工艺来进行。PVD是一种工业制造上的工艺，是主要利用物理过程来沉积薄膜的技术，即真空镀膜(蒸镀)，多用在钣金件、蚀刻件、挤压件、金属射出成型(MIM)、粉末射出成型(PIM)、机加件和焊接件等零件的工艺上。和化学气相沉积相比，物理气相沉积适用范围广泛，几乎所有材料的薄膜都可以用物理气相沉积来制备。因此，通过PVD工艺，可使所述透明保护层30完整覆盖所述透明基板10及所述黑色矩阵层20，以形成保护作用。然而，本发明并不限在此步骤中形成所述透明保护层30的方法，使用者可依实际需要采用其他形成所述透明保护层30的方法。
在本发明中，通过上述(a)-(c)步骤可以形成本发明的精密测长机的校准片构造100。由于TTP测长机在正常量产中，需定期用校准片进行校准，以确认测长机本身量测的准确性。然而，现有的TTP测长机所使用的校准片通常是产线量产产品中抽取的，其产品本身的遮光材料外露容易受空气中湿度及温度的影响，会发生热胀冷缩，因此其量测结果也不准确，使得所述校准片的作用也就大打折扣，同时也无法长期保存。
综上所述，在本发明的精密测长机的校准片构造100中，通过使其上表面覆盖有一透明保护层30，由于所述透明保护层30具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性，几乎不受环境影响，可长期保存。因此，一TTP测长机经过多次重复性量测，可得到所述精密测长机的校准片构造100的一标准值，然后所述TTP测长机可定期(或不定期)的与所述精密测长机的校准片构造100的所述标准值作对比，即可确认所述TTP测长机的稳定性。
再者，本发明的精密测长机的校准片构造100可以进一步符合CF基板的TTP(TotalPitch)精度要求，到达3微米(um)的水平，由此使所述TTP测长机的稳定性也随之提升。相较于现有的校准片，本发明的精密测长机的校准片构造100最大的优点就是可不受外界环境影响，稳定性高，同时可长时间保存。
本发明已由上述相关实施例加以描述，然而上述实施例仅为实施本发明的范例。必需指出的是，已公开的实施例并未限制本发明的范围。相反地，包含于权利要求书的精神及范围的修改及均等设置均包括于本发明的范围内。

Claims (10)

1.一种精密测长机的校准片构造，其特征在于，其包含：
一透明基板；
一黑色矩阵层，呈一网格状，设于所述透明基板上，并暴露部分的所述透明基板；及
一透明保护层，设于所述透明基板及所述黑色矩阵层上。
2.如权利要求1所述的精密测长机的校准片构造，其特征在于：所述透明基板是一玻璃基板。
3.如权利要求1所述的精密测长机的校准片构造，其特征在于：所述透明基板是一符合彩色滤光片基板等级的玻璃基板。
4.如权利要求1所述的精密测长机的校准片构造，其特征在于：所述透明保护层是一透明导电金属层。
5.如权利要求1所述的精密测长机的校准片构造，其特征在于：所述透明保护层是一n型半导体材料层。
6.一种精密测长机的校准片构造的制作方法，其特征在于：其包含以下步骤：
(a)提供一透明基板；
(b)形成一网格状的黑色矩阵层于所述透明基板上，并暴露部分的所述透明基板；及
(c)形成一透明保护层于所述透明基板及所述黑色矩阵层上。
7.如权利要求6所述的精密测长机的校准片构造的制作方法，其特征在于：所述形成一透明保护层于所述透明基板及所述黑色矩阵层上的步骤是以一物理气相沉积的工艺进行。
8.如权利要求6所述的精密测长机的校准片构造的制作方法，其特征在于：所述透明基板是一玻璃基板。
9.如权利要求6所述的精密测长机的校准片构造的制作方法，其特征在于：所述透明保护层是一透明导电金属层。
10.如权利要求6所述的精密测长机的校准片构造的制作方法，其特征在于：所述透明保护层是一n型半导体材料层。
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