CN105091843A - 一种测量膜缩的方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种测量膜缩的方法，该方法包括：在制造指定基板的过程中，在第一制程结束后，在所得到的面板中形成测量点；围绕测量点形成测量点轮廓，测量点轮廓在制造指定基板的过程中固定不变；在第二制程结束后，测量测量点的各条边与测量点轮廓的对应边的距离；根据所得到的距离数据，确定测量点的膜缩率，进而得到指定基板的膜缩率。该方法可以直观地观察到测量点的膜缩量的大小，进而得到整个基板的膜缩量的大小。同时，利用该方法还能够直接量测出测量点的膜缩量，从而使得膜缩率的计算过程更加简便，有助于缩短膜缩的测量时间。

Description

一种测量膜缩的方法

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，具体地说，涉及一种测量膜缩的方法。

背景技术

液晶显示器具有低辐射、体积小以及低能耗等优点，其已经逐渐取代传统的阴极射线管显示器而广泛地应用在平板电视、个人电脑以及移动显示面板等产品上。

在液晶显示面板的制作过程中，液晶盒的对准精度十分重要。而为了确保液晶盒的对组稳定，就需要阵列基板和彩色滤光板的尺寸遵循同一规格。然而，由于形成阵列基板以及彩色滤光板的材料不同，因此阵列基板与彩色滤光板也就具有不同的膜缩率。而为了确保液晶盒的对组稳定，就需要先得到阵列基板以及彩色滤光板的膜缩量，并根据该膜缩量来对阵列基板和彩色滤光板的尺寸进行相应地修正，从而使得阵列基板与彩色滤光板达到相同的规格。

现有的测量膜缩的方法存在量测复杂的问题，该方法在计算膜缩时需要同片分别在第一层测量一次以及在最后一层测量一次，以此来计算出基板的膜缩。同时，现有的测量膜缩的方法也无法直观地将膜缩体现出来。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是为了克服现有的膜缩测量方法所存在的量测复杂、无法将膜缩直观呈现的问题。为解决上述问题，本发明的一个实施例首先提供了一种测量膜缩的方法，所述方法包括：

在制造指定基板的过程中，在第一制程结束后，在所得到的面板中形成测量点；

围绕所述测量点形成测量点轮廓，所述测量点轮廓在制造所述指定基板的过程中固定不变；

在第二制程结束后，测量所述测量点的各条边与测量点轮廓的对应边的距离；

根据所得到的距离数据，确定所述测量点的膜缩率，进而得到所述指定基板的膜缩率。

根据本发明的一个实施例，所述指定基板为阵列基板，所述第一制程为第一金属层形成制程，所述第二制程为像素电极层形成制程。

根据本发明的一个实施例，所述指定基板为彩色滤光片，所述第一制程为黑矩阵形成制程，所述第二制程为导电层形成制程。

根据本发明的一个实施例，所述测量点的形状为矩形。

根据本发明的一个实施例，所述距离数据包括第一距离数据、第二距离数据、第三距离数据和第四距离数据，其中，

根据所述第一距离数据和第二距离数据，确定所述测量点在第一方向上的膜缩；

根据所述第三距离数据和第四距离数据，确定所述测量点在第二方向上的膜缩。

根据本发明的一个实施例，根据如下表达式确定所述测量点的膜缩率：

$d_x=\frac{X_1+X_2}{X_0}\×1.0E+05$

$d_y=\frac{Y+Y_2}{Y_0}\×1.0E+05$

其中，d_x和d_y分别表示测量点在第一方向和第二方向上的膜缩率，X₁和X₂分别表示第一距离数据和第二距离数据，Y₁和Y₂分别表示第三距离数据和第四距离数据，X₀和Y₀分别表示测量点在第一方向和第二方向上的标准边长。

根据本发明的一个实施例，利用探针式膜厚测量装置测量所述测量点的各条边与测量点轮廓的对应边的距离。

根据本发明的一个实施例，利用激光形成所述测量点轮廓。

根据本发明的一个实施例，在所述方法中，在所得到的面板中的不同位置形成多个测量点，并根据所述多个测量点分别确定出各个测量点的膜缩率。

根据本发明的一个实施例，根据多个测量点的膜缩率的平均值，确定出所述指定基板的膜缩率。

本发明所提供的测量膜缩的方法通过标记膜缩前测量点的位置，可以直观地观察到测量点的膜缩量的大小，进而推断出整个基板的膜缩量的大小。同时，利用该方法还能够直接的量测出测量点的膜缩量，从而使得膜缩率的计算过程更加简便，有助于缩短膜缩的测量时间。

同时，本发明所提高到方法在测量膜缩时并不需要使用精密测长机，而是改用针探式膜厚测量机来得到测量点的膜缩值。这样不仅有助于降低测量成本，同时还能够保证测量结果的准确性和稳定性。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要的附图做简单的介绍：

图1是现有的基板中测量点的分布示意图；

图2是基板在发生膜缩前和膜缩后的对比图；

图3是根据本发明一个实施例的测量基板膜缩的流程图；

图4是根据本发明一个实施例的测量点及测量点轮廓的结构示意图；

图5是根据本发明一个实施例的膜缩后测量点及测量点轮廓的结构示意图。

具体实施方式

以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。

同时，在以下说明中，出于解释的目的而阐述了许多具体细节，以提供对本发明实施例的彻底理解。然而，对本领域的技术人员来说显而易见的是，本发明可以不用这里的具体细节或者所描述的特定方式来实施。

现有的测量膜缩的方法是在制造阵列基板的过程中，在完成形成第一金属层制程完成后，在基板的四角处形成一些如图1所示的测量点。如图2所示，利用精密测长装置能测量得到这些测量点在大板上的坐标，根据这些坐标，能够得到完成该制程后大板的各个边长以及对角线长，即TTP1₁～TTP4₁。

在完成像素电极层形成制程后，再次利用精密测长装置来确定出此时各个测量点在大板上的坐标，根据这些左边，能够得到完成该制程后大板的各个边长以及对角线长，即TTP1₂～TTP4₂，而这些边长以及对角线长也就是基板膜缩后各条边以及对角线的长度。

最后，阵列基板的膜缩率便可以根据如下表达式计算得到：

$D_x=\frac{average\left(\right(TTP{1}_1-TTP{1}_2),(TTP{2}_1-TTP{2}_2)}{TTP{1}_0}\×1.00E+05---\left(1\right)$

$D_y=\frac{average\left(\right(TTP{3}_1-TTP{3}_2),(TTP{4}_1-TTP{4}_2)}{TTP{3}_0}\×1.00E+05---\left(2\right)$

其中，D_x和D_y分别表示阵列基板在x轴方向和y轴方向上的膜缩率，TTP1₀表示阵列基板的第一边和第二边的标准长度，TTP3₀表示阵列基板的第三边和第四边的标准长度。其中，在本发明的一些实施例中，标准长度TTP1₀等于TTP1₁与TTP2₁的平均值，标准长度TTP3₀等于TTP3₁与TTP4₁的平均值。

从上述描述中可以看出，现有的测量膜缩的方法由于采用精密测长装置来测量各个测量点的坐标，而精密测长装置的价格高昂，这也就导致了该方法的成本较高。同时，精密测长装置的测量准确性以及稳定性均比较差。此外，测量点坐标的测量过程对于环境的要求十分苛刻，基板的温度以及外界温度对测量结果均有着较大的影响。

在现有的测量膜缩的方法中，在测量各个测量点的坐标时，通常需要将基板在精密测长装置的机台上静置20分钟后再进行测量。同时，在此过程中，还需要通过机台的水循环系统来空保持机台内的温度恒定。然而，由于机台与车间是相通的，因此机台也就不是密闭环境，这也就导致放置在机台上的基板的温度容易受到车间温度的影响，从而影响最终结果的准确性。

针对现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种新的测量膜缩的方法。图3示出了本实施例中测量膜缩的流程图。

如图3所示，在制造指定基板的过程中，本实施例所提供的方法在第一制程结束后，首先在步骤S301中在所得到的面板中的预设位置形成测量点。具体地，本实施例中，指定基板为阵列基板，其第一制程为第一金属层形成制程。其中，所形成的测量点的形状的矩形。

形成测量点后，在步骤S302中围绕测量点形成测量点轮廓。在制造阵列基板的过程中，该测量点轮廓是固定不变的，即测量点轮廓的参数并不会由于阵列基板在制造的过程中发生膜缩而发生改变。图4示出了本实施例中所形成的一个测量点以及轮廓的示意图。在基板以及测量点产生膜缩的过程中，该测量点轮廓并不会产生改变。这样，便可以以该测量点轮廓为基准，来得到测量点所产生的膜缩率，进而确定出阵列基板的膜缩率。

具体地，本实施例中，采用镭射激光来形成测量点轮廓。需要说明的是，在本发明的其他实施例中，测量点的形状还可以为其他合理形状(例如六边形等多边形或圆形等)，此外还可以采用其他合理方式来形成测量点轮廓，本发明不限于此。

再次如图3所示，在完成第二制程后，本实施例所提供的方法会在步骤S303中测量得到测量点的各条边与测量点轮廓的对应边的距离，从而得到相应的距离数据。本实施例中，由于指定基板为阵列基板，因此第二制程对应地为像素电极层形成制程。

图5示出了本实施例中膜缩后测量点及测量点轮廓的结构示意图。

如图5所示，在步骤S303中所得到的距离数据中，第一距离数据X₁表示测量点的第一边与测量点轮廓的第一边的距离，第二距离数据X₂表示测量点的第二边与测量点轮廓的第二边的距离，第三距离数据Y₁表示测量点的第三边与测量点轮廓的第三边的距离，第四距离数据Y₂表示测量点的第四边与测量点轮廓的第四边的距离。

本实施例中，采用探针式膜厚测量装置来测量得到上述距离数据。当然，在本发明的其他实施例中，还可以采用其他合理方式来测量各个距离数据，本发明不限于此。

再次如图3所示，在得到各个距离数据后，本实施例所供的方法在步骤S304中根据上述距离数据来确定测量点的膜缩率。具体地，本实施例中，测量点的膜缩率可以根据如下表达式计算得到：

$d_x=\frac{X_1+X_2}{X_0}\×1.0E+05---\left(3\right)$

$d_y=\frac{Y_1+Y_2}{Y_0}\×1.0E+05---\left(4\right)$

其中，d_x和d_y分别表示测量点在第一方向(即x轴方向)和第二方向(即y轴方向)上的膜缩率，X₀和Y₀分别表示测量点在第一方向和第二方向上的标准边长。

在步骤S305中，根据测量点的膜缩率便可以确定出该指定基板的膜缩率。由于测量点的材料与阵列基板的材料相同，在基板的制造过程中，测量点与基板处于相同的环境中。因此，阵列基板的膜缩率也就等于该测量点的膜缩率。

需要说明的是，在本发明的其他实施例中，为了使得最终得到的阵列基板的膜缩率更加准确，还可以利用多个(例如3个以上)测量点来分别确定出多个对应于不同测量点的测量点膜缩率，然后根据这些测量膜缩率的平均值来确定出阵列基板的膜缩率。

需要说明的是，在本发明的其他实施例中，上述指定基板还可以为其他合理的基板，本发明不限于此。例如在本发明的一个实施例中，指定基板还可以为彩色滤光板。其中，在制造彩色滤光板的过程中，上述第一制程为黑矩阵形成制程，第二制程为导电层形成制程(即ITO形成制程)。

从上述描述中可以看出，本实施例所提供的测量膜缩的方法通过标记膜缩前测量点的位置，可以直观地观察到测量点的膜缩量的大小，进而推断出整个基板的膜缩量的大小。同时，利用该方法还能够直接的量测出测量点的膜缩值，从而使得膜缩率的计算过程更加简便，有助于缩短膜缩的测量时间。

同时，本实施例所提高到方法在测量膜缩时并不需要使用精密测长机，而是改用针探式膜厚测量机来量测测量点的膜缩值。这样不仅有助于降低测量成本，同时还能够保证测量结果的准确性和稳定性。

应该理解的是，本发明所公开的实施例不限于这里所公开的特定结构材料处理步骤，而应当延伸到相关领域的普通技术人员所理解的这些特征的等同替代。还应当理解的是，在此使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而并不意味着限制。

说明书中提到的“一个实施例”或“实施例”意指结合实施例描述的特定特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施例中。因此，说明书通篇各个地方出现的短语“一个实施例”或“实施例”并不一定均指同一个实施例。

为了方便，在此使用的多个项目、结构单元和/或组成单元可出现在共同列表中。然而，这些列表应解释为该列表中的每个元素分别识别为单独唯一的成员。因此，在没有反面说明的情况下，该列表中没有一个成员可仅基于它们出现在共同列表中便被解释为相同列表的任何其它成员的实际等同物。另外，在此还可以连同针对各元件的替代一起来参照本发明的各种实施例和示例。应当理解的是，这些实施例、示例和替代并不解释为彼此的等同物，而被认为是本发明的单独自主的代表。

此外，所描述的特征、结构或特性可以任何其他合适的方式结合到一个或多个实施例中。在上面的描述中，提供一些具体的细节，例如形状、数量等，以提供对本发明的实施例的全面理解。然而，相关领域的技术人员将明白，本发明无需上述一个或多个具体的细节便可实现，或者也可采用其它方法、组件、材料等实现。在其它示例中，周知的结构、材料或操作并未详细示出或描述以免模糊本发明的各个方面。

虽然上述示例用于说明本发明在一个或多个应用中的原理，但对于本领域的技术人员来说，在不背离本发明的原理和思想的情况下，明显可以在形式上、用法及实施的细节上作各种修改而不用付出创造性劳动。因此，本发明由所附的权利要求书来限定。

Claims (10)

1.一种测量膜缩的方法，其特征在于，所述方法包括：

在制造指定基板的过程中，在第一制程结束后，在所得到的面板中形成测量点；

围绕所述测量点形成测量点轮廓，所述测量点轮廓在制造所述指定基板的过程中固定不变；

在第二制程结束后，测量所述测量点的各条边与测量点轮廓的对应边的距离；

根据所得到的距离数据，确定所述测量点的膜缩率，进而得到所述指定基板的膜缩率。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述指定基板为阵列基板，所述第一制程为第一金属层形成制程，所述第二制程为像素电极层形成制程。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述指定基板为彩色滤光片，所述第一制程为黑矩阵形成制程，所述第二制程为导电层形成制程。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测量点的形状为矩形。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述距离数据包括第一距离数据、第二距离数据、第三距离数据和第四距离数据，其中，

根据所述第一距离数据和第二距离数据，确定所述测量点在第一方向上的膜缩；

根据所述第三距离数据和第四距离数据，确定所述测量点在第二方向上的膜缩。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，根据如下表达式确定所述测量点的膜缩率：

$d_x=\frac{X_1+X_2}{X_0}\×1.0E+05$

$d_y=\frac{Y_1+Y_2}{Y_0}\×1.0E+05$

其中，d_x和d_y分别表示测量点在第一方向和第二方向上的膜缩率，X₁和X₂分别表示第一距离数据和第二距离数据，Y₁和Y₂分别表示第三距离数据和第四距离数据，X₀和Y₀分别表示测量点在第一方向和第二方向上的标准边长。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，利用探针式膜厚测量装置测量所述测量点的各条边与测量点轮廓的对应边的距离。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，利用激光形成所述测量点轮廓。

9.如权利要求1～8中任一项所述的方法，其特征在于，在所述方法中，在所得到的面板中的不同位置形成多个测量点，并根据所述多个测量点分别确定出各个测量点的膜缩率。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，根据多个测量点的膜缩率的平均值，确定出所述指定基板的膜缩率。