WO2016002576A1 - 固体撮像素子、および電子装置 - Google Patents

固体撮像素子、および電子装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2016002576A1
WO2016002576A1 PCT/JP2015/067981 JP2015067981W WO2016002576A1 WO 2016002576 A1 WO2016002576 A1 WO 2016002576A1 JP 2015067981 W JP2015067981 W JP 2015067981W WO 2016002576 A1 WO2016002576 A1 WO 2016002576A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
photoelectric conversion
solid
imaging device
state imaging
incident light
Prior art date
Application number
PCT/JP2015/067981
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
良輔 松本
定榮　正大
Original Assignee
ソニー株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ソニー株式会社 filed Critical ソニー株式会社
Priority to JP2016531283A priority Critical patent/JP6546590B2/ja
Priority to US15/319,903 priority patent/US10211250B2/en
Publication of WO2016002576A1 publication Critical patent/WO2016002576A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14645—Colour imagers
    • H01L27/14647—Multicolour imagers having a stacked pixel-element structure, e.g. npn, npnpn or MQW elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14623—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14629—Reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636—Interconnect structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1464—Back illuminated imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Definitions

  • the present disclosure relates to a solid-state imaging device and an electronic device, and in particular, an R component signal, a G component signal, and a B component signal corresponding to each wavelength of the three primary colors R, G, and B can be obtained in one pixel.
  • the present invention relates to a solid-state imaging device and an electronic apparatus.
  • solid-state imaging devices typified by CMOS image sensors have a tendency to reduce the size of each pixel for the purpose of increasing the number of pixels. In this case, the number of photons incident on each pixel decreases, so the sensitivity The lowering of S and N is a problem.
  • each pixel is covered with an R, G, or B color filter.
  • a pixel covered with an R color filter hereinafter referred to as an R pixel.
  • R pixel a pixel covered with an R color filter
  • G pixel and B pixel only the R component of the incident light is used for photoelectric conversion, and the G component and B component of the incident light are not used for photoelectric conversion. There was a loss.
  • the R pixel can generate an R component signal, but cannot generate a G component signal and a B component signal. Therefore, these are interpolated using outputs of neighboring G pixels or B pixels. A color could occur.
  • the present disclosure has been made in view of such a situation, and prevents entry of incident light from adjacent pixels, and can suppress color mixing, a decrease in resolution, and a decrease in sensitivity.
  • the solid-state imaging device is a solid-state imaging device in which a plurality of pixels are arranged vertically and horizontally, and each pixel is photoelectrically activated according to incident light having a first wavelength of the three primary colors of light.
  • a first photoelectric conversion unit that performs conversion a second photoelectric conversion unit that performs photoelectric conversion in response to incident light having a second wavelength of the three primary colors of light, and a third of the three primary colors of light.
  • a third photoelectric conversion unit that performs photoelectric conversion according to incident light of a wavelength, and at the boundary between adjacent pixels, at least one of the first to third photoelectric conversion units in the adjacent pixels
  • An electrode wiring is provided for connecting the two electrodes in the horizontal direction and for connecting in the vertical direction with at least one of the first to third photoelectric conversion units in each pixel.
  • At least one of the first to third photoelectric conversion units may be configured by a photoelectric conversion film and a lower electrode and an upper electrode sandwiching the photoelectric conversion film, and the electrode wiring may be formed in the adjacent pixel. At least one of the upper electrodes of the first to third photoelectric conversion units can be connected in the lateral direction.
  • the electrode wiring can horizontally connect the upper electrodes of the first to third photoelectric conversion units in adjacent pixels.
  • the electrode wiring can connect the upper electrodes of the first to third photoelectric conversion units in each pixel in the vertical direction.
  • At least one of the first to third photoelectric conversion units can be a photoelectric conversion layer formed in the Si layer.
  • the solid-state imaging device may further include a reflective film layer that reflects incident light on a lower layer side of the first to third photoelectric conversion units.
  • the electrode wiring can shield the optical black area.
  • the electrode wiring can be made of a metal material.
  • the solid-state image sensor can be a back-illuminated type.
  • the solid-state image sensor can be a surface irradiation type.
  • the solid-state image sensor can be a multi-pixel shared type.
  • the solid-state imaging device can be a stacked type.
  • the electronic device is an electronic device including a solid-state imaging device in which a plurality of pixels are arranged vertically and horizontally, and each pixel of the solid-state imaging device is one of the three primary colors of light.
  • a first photoelectric conversion unit that performs photoelectric conversion according to incident light having a first wavelength
  • a second photoelectric conversion unit that performs photoelectric conversion according to incident light having a second wavelength among the three primary colors of light
  • a third photoelectric conversion unit that performs photoelectric conversion according to incident light having a third wavelength among the three primary colors of light, and the first to the first pixels in adjacent pixels are arranged at the boundary between adjacent pixels.
  • An electrode wiring for connecting at least one electrode of the third photoelectric conversion units in the horizontal direction and for connecting with at least one electrode of the first to third photoelectric conversion units in each pixel in the vertical direction. Is provided.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view illustrating Modification 1-2 of the solid-state imaging device to which the present disclosure is applied.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view illustrating Modification 1-3 of the solid-state imaging device to which the present disclosure is applied.
  • FIG. 1 shows a cross-sectional view of two pixels of a solid-state imaging device according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 shows a top view of four pixels of the solid-state imaging device.
  • the solid-state imaging device 10 includes a wiring layer 11, a Si layer 12, a photoelectric conversion film 15 ⁇ / b> R, a photoelectric conversion film 15 ⁇ / b> G, a photoelectric conversion film 15 ⁇ / b> B on a Si substrate (not shown) from the lower layer side. And the on-chip lens 19 is laminated
  • a power supply unit 13 an FD, and the like are formed.
  • An insulating film made of SiN or the like is formed between the photoelectric conversion film 15R, the photoelectric conversion film 15G, and the photoelectric conversion film 15B.
  • the photoelectric conversion film 15R generates an R component signal by photoelectric conversion in accordance with the R component of incident light.
  • the lower electrode 14R is formed on the lower layer surface, and the upper electrode 16R is formed on the upper layer surface. .
  • the lower electrode 14R is connected to the power supply unit 13 via the lower electrode wiring 17R.
  • the upper electrode 16R is connected to the Si layer 12 via the upper electrode wiring 18.
  • the photoelectric conversion film 15G generates a G component signal by photoelectric conversion in accordance with the G component of the incident light.
  • the lower electrode 14G is formed on the lower layer surface, and the upper electrode 16G is formed on the upper layer surface. Has been.
  • the lower electrode 14G is connected to the power supply unit 13 via the lower electrode wiring 17G.
  • the upper electrode 16G is connected to the Si layer 12 via the upper electrode wiring 18.
  • the photoelectric conversion film 15B generates a B component signal by photoelectric conversion in accordance with the B component of incident light.
  • the lower electrode 14B is formed on the lower layer surface, and the upper electrode 16B is formed on the upper layer surface. .
  • the lower electrode 14B is connected to the power supply unit 13 via the lower electrode wiring 17B.
  • the upper electrode 16B is connected to the Si layer 12 via the upper electrode wiring 18.
  • the upper electrode wiring 18 is made of a metal material, and is provided at the boundary between adjacent pixels as shown in FIGS. As described above, the upper electrode wiring 18 connects the upper electrodes 16R, 16G, and 16B and the Si layer 12, and also connects the upper electrodes 16R of the adjacent pixels, the upper electrodes 16G, and the upper electrodes 16B. .
  • the upper electrode wiring 18 formed in this way acts as a light shielding wall around each pixel, condenses incident light on each pixel on the pixel, and leaks incident light on each pixel to an adjacent pixel. Is suppressed. Also, it acts as a light shielding layer between the photoelectric conversion films 15R, 15B, 15B. Therefore, in the solid-state imaging device 10, it is possible to suppress color mixing, a reduction in resolution, and a reduction in sensitivity due to the entrance of incident light from adjacent pixels.
  • FIG. 3 and FIG. 4 show processes for one layer (lower electrode 14R, photoelectric conversion film 15R, and upper electrode 16R) corresponding to the R component of incident light in the manufacturing process of the solid-state imaging device 10. It is sectional drawing. By repeating this process for three layers, the solid-state imaging device 10 is manufactured.
  • a wiring layer 11 is formed on the Si substrate, and an upper layer is formed thereon.
  • An SO 2 film is formed as an insulating film.
  • the insulating film is patterned by lithography, and the wiring layer 11 is processed by dry etching or the like to embed a metal such as Ti, TiN, W, or Cu to be the lower electrode wiring 17R.
  • an organic film to be the photoelectric conversion film 15R, an upper electrode 16R made of ITO, and an insulating film such as SiN are formed.
  • a portion to be the upper electrode wiring 18 is patterned by lithography and then processed by dry etching or the like, and a metal such as Cu is embedded as the upper electrode wiring 18. .
  • the solid-state imaging device 10 in which the photoelectric conversion layers are stacked in three layers can be manufactured by repeating the process described above twice more.
  • FIG. 5 illustrates another configuration example (modification example 1) of the solid-state imaging device 10 according to the embodiment of the present disclosure.
  • the upper electrode wiring 18 connected to the upper electrodes 16R, 16G, and 16B in the pixels located in the optical black region provided at the end of the solid-state imaging device 10 is extended in the horizontal direction.
  • the photoelectric conversion regions 15R, 15G, and 15B of the pixels are formed so as to be shielded from light. This can prevent light from entering the photoelectric conversion regions 15R, 15G, and 15B of the pixel. That is, the upper electrode wiring 18 can also serve as a light shield for the Optical / Black region.
  • FIG. 6 shows a configuration example (Modification 1-2) obtained by further modifying Modification 1 shown in FIG.
  • the upper electrode wiring 18 connected to the upper electrode 16B is extended in the horizontal direction in the pixel located in the optical black region provided at the end of the solid-state imaging device 10, and the pixel of the pixel It is formed so as to cover the entire photoelectric conversion region 15R. This can prevent light from entering not only the photoelectric conversion region 15R but also the photoelectric conversion regions 15G and 15B of the pixel, so that the upper electrode wiring 18 connected to the upper electrodes 16R and 16G extends in the horizontal direction. Not.
  • FIG. 7 shows a configuration example (modified example 1-3) in which the modified example 1 shown in FIG. 5 is further modified.
  • the upper electrode wiring 18 connected to the upper electrode 16B in the pixel located in the optical black region provided at the end of the solid-state imaging device 10 is extended in the horizontal direction to detect the photoelectric of the pixel.
  • the upper electrode wiring 18 formed so as to cover the entire conversion region 15R and connected to the upper electrodes 16G and 16R is formed so as to partially cover the photoelectric conversion regions 15G and 15R of the pixel. Thereby, it is possible to prevent light from entering the photoelectric conversion region 15R of the pixel. Further, the dark current in the Optical-Black region can be adjusted by appropriately adjusting the area covering the photoelectric conversion regions 15G and 15R by the upper electrode wiring 18.
  • FIG. 8 shows still another configuration example (modification example 2) of the solid-state imaging device 10 according to the embodiment of the present disclosure.
  • Modification 2 is obtained by additionally forming a highly reflective film layer 21 between the Si layer 12 and the lower electrode 14R as compared with the configuration example of FIG.
  • the high reflection film layer 21 may also serve as the lower electrode wirings 17R, 17G, and 17B. Since the high reflection film layer 21 is added, incident light can be reflected upward, so that sensitivity can be further increased.
  • FIG. 9 shows still another configuration example (modification example 3) of the solid-state imaging device 10 according to the embodiment of the present disclosure.
  • a photoelectric conversion layer 31R that generates an R component signal in accordance with the R component of incident light is provided inside the Si layer 12.
  • a photoelectric conversion layer that generates a G component signal according to the R component of incident light is provided inside the Si layer 12, or a Si layer is used instead of the photoelectric conversion film 15B. 12 may be provided with a photoelectric conversion layer that generates a B component signal in accordance with the B component of incident light.
  • FIG. 10 shows still another configuration example (modification example 4) of the solid-state imaging device 10 according to the embodiment of the present disclosure.
  • Modification 4 instead of the photoelectric conversion film 15R and the photoelectric conversion film 15B in the configuration example of FIG. 1, a photoelectric conversion layer 41R that generates an R component signal in accordance with the R component of incident light in the Si layer 12 A photoelectric conversion layer 41B that generates a B component signal according to the B component of incident light is provided.
  • the lower electrode 14 and the upper electrode 16 provided on the upper layer side are provided on the lower layer side of the photoelectric conversion film 15 instead. Can be omitted.
  • the solid-state imaging device 10 according to the present embodiment is a backside illumination type
  • the present disclosure can be applied to a front-side illumination type solid-state imaging device.
  • the present disclosure can be applied to either a 3-transistor type or a 4-transistor type solid-state imaging device.
  • the present disclosure can also be applied to a solid-state imaging device that shares an FD or the like with a plurality of pixels, such as a 4-pixel shared CMOS image sensor 50 shown in FIG.
  • the present disclosure relates to a stacked CMOS image sensor 60 in which a substrate 61 on which a sensor circuit 62 is formed and a substrate 64 on which a logic circuit 63 is formed, as shown in FIG. Even applicable.
  • the solid-state image sensor 10 which is this Embodiment is applicable not only to an imaging device but to all kinds of electronic devices having an imaging function.
  • this indication can also take the following structures.
  • a solid-state imaging device in which a plurality of pixels are arranged vertically and horizontally, Each pixel is A first photoelectric conversion unit that performs photoelectric conversion according to incident light having a first wavelength of the three primary colors of light; A second photoelectric conversion unit that performs photoelectric conversion according to incident light having a second wavelength among the three primary colors of light; A third photoelectric conversion unit that performs photoelectric conversion according to incident light of a third wavelength of the three primary colors of light; At the boundary between adjacent pixels, at least one electrode of the first to third photoelectric conversion units in the adjacent pixels is connected in the lateral direction, and the first to third photoelectric conversion units in each pixel are connected.
  • a solid-state imaging device comprising electrode wiring connected in the vertical direction to at least one electrode of the conversion unit.
  • At least one of the first to third photoelectric conversion units includes a photoelectric conversion film and a lower electrode and an upper electrode that sandwich the photoelectric conversion film,
  • At least one of the first to third photoelectric conversion units is a photoelectric conversion layer formed in a Si layer.
  • the solid-state imaging device is a multi-pixel sharing type.
  • Each pixel of the solid-state image sensor is A first photoelectric conversion unit that performs photoelectric conversion according to incident light having a first wavelength of the three primary colors of light; A second photoelectric conversion unit that performs photoelectric conversion according to incident light having a second wavelength among the three primary colors of light; A third photoelectric conversion unit that performs photoelectric conversion according to incident light of a third wavelength of the three primary colors of light; At the boundary between adjacent pixels, at least one electrode of the first to third photoelectric conversion units in the adjacent pixels is connected in the lateral direction, and the first to third photoelectric conversion units in each pixel are connected.
  • An electronic device comprising electrode wiring connected in the vertical direction to at least one electrode of the conversion unit.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

　本開示は、隣接画素からの入射光の入り込みを防ぎ、混色、解像度の低下、感度の低下を抑止することができるようにする固体撮像素子、および電子装置に関する。　本開示の一側面である固体撮像素子は、各画素が、光の３原色のうちの第１の波長の入射光に応じて光電変換を行う第１の光電変換部と、光の３原色のうちの第２の波長の入射光に応じて光電変換を行う第２の光電変換部と、光の３原色のうちの第３の波長の入射光に応じて光電変換を行う第３の光電変換部とを有し、隣接する画素間の境界には、隣接する画素における前記第１乃至第３の光電変換部のうちの少なくとも一つの電極どうしを横方向に接続するとともに、各画素における前記第１乃至第３の光電変換部のうちの少なくとも一つの電極と縦方向に接続する電極配線を備える。本開示は、撮像機能を有するあらゆる電子装置に適用できる。

Description

固体撮像素子、および電子装置
　本開示は、固体撮像素子、および電子装置に関し、特に、１画素にて、３原色R,G,Bの各波長にそれぞれ応じたＲ成分信号、Ｇ成分信号、およびＢ成分信号を得られるようにした固体撮像素子、および電子装置に関する。
　従来、CMOSイメージセンサに代表される固体撮像素子は、画素数を増加させる目的などにより各画素のサイズが縮小される傾向にあり、この場合、各画素に入射するフォトン数が減少するので、感度の低下と、S／Nの低下が問題となっている。
　また、固体撮像素子の多くは、各画素がR,G,Bのいずれかのカラーフィルタで上面が覆われた状態であり、例えば、Ｒのカラーフィルタで覆われた画素（以下、Ｒ画素と称する。Ｇ画素、Ｂ画素も同様である）では、入射光のうちのＲ成分のみが光電変換に用いられ、入射光のＧ成分およびＢ成分は光電変換に用いられないので、その分だけ感度に損失が生じていた。さらに、例えば、Ｒ画素はＲ成分信号を生成できるが、Ｇ成分信号とＢ成分信号を生成できないので、これらは近傍のＧ画素またはＢ画素の出力を用いて補間しており、この補間により偽色が生じ得た。
　そこで、これらの問題を解決する方法として、１画素にR,G,Bの各波長にそれぞれ対応する光電変換層を縦方向に３層積層し、１画素にてＲ成分信号、Ｇ成分信号、およびＢ成分信号を生成できる固体撮像素子が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００３－３３２５５１号公報 特開２００５－３４０５７１号公報
　上述した、１画素にR,G,Bの各波長にそれぞれ対応する光電変換層を縦方向に３層積層する構成では、隣接する画素間と分離が考慮されていないので、斜めからの入射光が隣の画素に入り込んでしまい、混色、解像度の低下、感度の低下が起こり得る。
　本開示はこのような状況に鑑みてなされたものであり、隣接画素からの入射光の入り込みを防ぎ、混色、解像度の低下、感度の低下を抑止できるようにするものである。
　本開示の第１の側面である固体撮像素子は、複数の画素が縦横に配置された固体撮像素子において、各画素が、光の３原色のうちの第１の波長の入射光に応じて光電変換を行う第１の光電変換部と、光の３原色のうちの第２の波長の入射光に応じて光電変換を行う第２の光電変換部と、光の３原色のうちの第３の波長の入射光に応じて光電変換を行う第３の光電変換部とを有し、隣接する画素間の境界には、隣接する画素における前記第１乃至第３の光電変換部のうちの少なくとも一つの電極どうしを横方向に接続するとともに、各画素における前記第１乃至第３の光電変換部のうちの少なくとも一つの電極と縦方向に接続する電極配線を備える。
　前記第１乃至第３の光電変換部のうちの少なくとも一つは、光電変換膜と前記光電変換膜を挟む下部電極および上部電極から構成することができ、前記電極配線は、隣接する画素における前記第１乃至第３の光電変換部のうちの少なくとも一つの前記上部電極どうしを横方向に接続することができる。
　前記電極配線は、隣接する画素における前記第１乃至第３の光電変換部のそれぞれの前記上部電極どうしを横方向に接続することができる。
　前記電極配線は、各画素における前記第１乃至第３の光電変換部のそれぞれの前記上部電極を縦方向に接続することができる。
　前記第１乃至第３の光電変換部のうちの少なくとも一つは、Si層の中に形成された光電変換層とすることができる。
　本開示の第１の側面である固体撮像素子は、前記第１乃至第３の光電変換部の下層側に入射光を反射する反射膜層をさらに備えることができる。
　前記電極配線は、Optical Black領域を遮光することができる。
　前記電極配線は、金属材料から成るようにできる。
　前記固体撮像素子は、裏面照射型とすることができる。
　前記固体撮像素子は、表面照射型とすることができる。
　前記固体撮像素子は、複数画素共有型とすることができる。
　前記固体撮像素子は、積層型とすることができる。
　本開示の第２の側面である電子装置は、複数の画素が縦横に配置されている固体撮像素子が搭載された電子装置において、前記固体撮像素子の各画素が、光の３原色のうちの第１の波長の入射光に応じて光電変換を行う第１の光電変換部と、光の３原色のうちの第２の波長の入射光に応じて光電変換を行う第２の光電変換部と、光の３原色のうちの第３の波長の入射光に応じて光電変換を行う第３の光電変換部とを有し、隣接する画素間の境界には、隣接する画素における前記第１乃至第３の光電変換部のうちの少なくとも一つの電極どうしを横方向に接続するとともに、各画素における前記第１乃至第３の光電変換部のうちの少なくとも一つの電極と縦方向に接続する電極配線を備える。
　本開示の第１および第２の側面によれば、隣接画素からの入射光の入り込みを防ぐことができる。
本開示を適用した固体撮像素子の断面図である。 本開示を適用した固体撮像素子の上面図である。 本開示を適用した固体撮像素子の製造工程を説明する図である。 本開示を適用した固体撮像素子の製造工程を説明する図である。 本開示を適用した固体撮像素子の変形例１を示す断面図である。 本開示を適用した固体撮像素子の変形例１－２を示す断面図である。 本開示を適用した固体撮像素子の変形例１－３を示す断面図である。 本開示を適用した固体撮像素子の変形例２を示す断面図である。 本開示を適用した固体撮像素子の変形例３を示す断面図である。 本開示を適用した固体撮像素子の変形例４を示す断面図である。 ４画素共有型CMOSイメージセンサの構成例を示す回路図である。 積層型CMOSイメージセンサの構成例を示すブロック図である。
　以下、本開示を実施するための最良の形態（以下、実施の形態と称する）について、図面を参照しながら詳細に説明する。
　＜本実施の形態である固体撮像素子の構成例＞
　図１は、本開示の実施の形態である固体撮像素子の２画素分の断面図を示している。図２は、該固体撮像素子の４画素分の上面図を示している。
　図１に示されるように、該固体撮像素子１０は、図示せぬSi基板上に、下層側から、配線層１１、Si層１２、光電変換膜１５Ｒ、光電変換膜１５Ｇ、光電変換膜１５Ｂ、およびオンチップレンズ１９が積層されている。Si層１２に中には電源供給部１３、FDなどが形成される。光電変換膜１５Ｒ、光電変換膜１５Ｇ、および光電変換膜１５Ｂの間には、SiNなどからなる絶縁膜が形成されている。
　光電変換膜１５Ｒは、入射光のＲ成分に応じて光電変換によりＲ成分信号を発生するものであり、その下層面には下部電極１４Ｒが、上層面には上部電極１６Ｒが成膜されている。下部電極１４Ｒは、下部電極配線１７Ｒを介して、電源供給部１３に接続されている。上部電極１６Ｒは、上部電極配線１８を介してSi層１２に接続されている。
　同様に、光電変換膜１５Ｇは、入射光のＧ成分に応じて光電変換によりＧ成分信号を発生するものであり、その下層面には下部電極１４Ｇが、上層面には上部電極１６Ｇが成膜されている。下部電極１４Ｇは、下部電極配線１７Ｇを介して、電源供給部１３に接続されている。上部電極１６Ｇは、上部電極配線１８を介してSi層１２に接続されている。
　光電変換膜１５Ｂは、入射光のＢ成分に応じて光電変換によりＢ成分信号を発生するものであり、その下層面には下部電極１４Ｂが、上層面には上部電極１６Ｂが成膜されている。下部電極１４Ｂは、下部電極配線１７Ｂを介して、電源供給部１３に接続されている。上部電極１６Ｂは、上部電極配線１８を介してSi層１２に接続されている。
　上部電極配線１８は、金属材料から形成されて、図１および図２に示されるように、隣接する画素どうしの境界に設けられている。上部電極配線１８は、上述したように、上部電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６ＢとSi層１２を接続させる他、隣接する画素それぞれの上部電極１６Ｒどうし、上部電極１６Ｇどうし、および上部電極１６Ｂどうしを接続する。
　このように形成されている上部電極配線１８は、各画素周囲の遮光壁として作用し、各画素に対する入射光を当該画素に集光するとともに、各画素に対する入射光が隣接する画素に漏れ出すことを抑止する。また、光電変換膜１５Ｒ，１５Ｂ、１５Ｂの間の遮光層としても作用する。したがって、該固体撮像素子１０では、隣接画素からの入射光の入り込みに起因する混色、解像度の低下、感度の低下を抑止できる。
　＜固体撮像素子１０の製造方法＞
　次に、図３および図４は、固体撮像素子１０の製造工程のうち、入射光のＲ成分に対応する１層分（下部電極１４Ｒ、光電変換膜１５Ｒ、および上部電極１６Ｒ）の工程を示す断面図である。この工程を３層分繰り返すことにより、固体撮像素子１０が製造される。
　まず、図３のＡ乃至図３のＣに示されるように、ベースとなるSi基板（不図示）に必要な構造を作り込んだ後、Si基板上に配線層１１を形成し、その上層に絶縁膜としてのSO2を製膜する。次に、その絶縁膜に対してリソグラフィによりパターニングを行い、ドライエッチングなどによって配線層１１を加工して、下部電極配線１７ＲとなるTi，TiN，Ｗ，Cu等の金属を埋め込む。
　次に、図３のＤ乃至図３のＧに示されるように、下部電極１４Ｒとして、例えばITOを成膜し、レジストを形成してから、リソグラフィによりパターニングを行い、ドライエッチングなどで加工した後、絶縁膜を成膜した上で、CMP等の手法で平坦化する。
　続いて、図３のＨに示されるように、光電変換膜１５Ｒとなる有機膜、ITOなどからなる上部電極１６Ｒ、SiNなどの絶縁膜を成膜する。
　さらに、図４のＩ乃至図４のＫに示されるように、絶縁膜上にレジストを形成してから、リソグラフィによりパターニングを行い、ドライエッチングで加工し、SiNなどの絶縁膜を成膜する。またさらに、図４のＬおよび図４のＭに示されるように、上部電極配線１８となる箇所をリソグラフィでパターニングした後、ドライエッチング等で加工し、Cu等の金属を上部電極配線１８として埋め込む。
　以上に説明した工程をあと２回繰り返す事で、光電変換層を３層に積層した固体撮像素子１０を製造することができる。
　＜本実施の形態である固体撮像素子の他の構成例＞
　図５は、本開示の実施の形態である固体撮像素子１０の他の構成例（変形例１）を示している。
　変形例１は、固体撮像素子１０の端部に設けられているOptical Black領域に位置する画素における、上部電極１６Ｒ，１６Ｇ、および１６Ｂと接続される上部電極配線１８を水平方向に延長して当該画素の光電変換領域１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂを遮光するように形成したものである。これにより、当該画素の光電変換領域１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂに対する光の入射を防ぐことができる。すなわち、上部電極配線１８にOptical Black領域に対する遮光を兼ねさせることができる。
　図６は、図５に示された変形例１をさらに変形した構成例（変形例１－２）を示している。
　変形例１－２は、固体撮像素子１０の端部に設けられているOptical Black領域に位置する画素における、上部電極１６Ｂと接続される上部電極配線１８のみを水平方向に延長して当該画素の光電変換領域１５Ｒの全体を覆うように形成したものである。これにより、当該画素の光電変換領域１５Ｒのみならず、光電変換領域１５Ｇ，１５Ｂに対する光の入射も防ぐことができるので、上部電極１６Ｒおよび１６Ｇと接続される上部電極配線１８は水平方向に延長していない。
　図７は、図５に示された変形例１をまたさらに変形した構成例（変形例１－３）を示している。
　変形例１－２は、固体撮像素子１０の端部に設けられているOptical Black領域に位置する画素における、上部電極１６Ｂと接続される上部電極配線１８を水平方向に延長して当該画素の光電変換領域１５Ｒの全体を覆うように形成し、上部電極１６Ｇおよび１６Ｒと接続される上部電極配線１８は当該画素の光電変換領域１５Ｇ，１５Ｒを部分的に覆うように形成したものである。これにより、当該画素の光電変換領域１５Ｒに対する光の入射を防ぐことができる。また、上部電極配線１８によって光電変換領域１５Ｇ，１５Ｒを覆う面積を適宜調整することにより、Optical Black領域における暗電流を調整することができる。
　図８は、本開示の実施の形態である固体撮像素子１０のさらに他の構成例（変形例２）を示している。
　変形例２は、図１の構成例に比較して、Si層１２と下部電極１４Ｒの間に、高反射膜層２１を追加形成したものである。なお、高反射膜層２１は、下部電極配線１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂを兼ねてもよい。高反射膜層２１を追加したことにより、入射光を上方向に反射することができるので、感度をより上げることができる。
　図９は、本開示の実施の形態である固体撮像素子１０のさらに他の構成例（変形例３）を示している。
　変形例３は、図１の構成例における光電変換膜１５Ｒの代わりに、Si層１２の内部に、入射光のＲ成分に応じてＲ成分信号を生成する光電変換層３１Ｒを設けたものである。なお、光電変換膜１５Ｇの代わりに、Si層１２の内部に、入射光のＲ成分に応じてＧ成分信号を生成する光電変換層を設けたり、または、光電変換膜１５Ｂの代わりに、Si層１２の内部に、入射光のＢ成分に応じてＢ成分信号を生成する光電変換層を設けたりしてもよい。
　図１０は、本開示の実施の形態である固体撮像素子１０のさらに他の構成例（変形例４）を示している。
　変形例４は、図１の構成例における光電変換膜１５Ｒと光電変換膜１５Ｂの代わりに、Si層１２の内部に、入射光のＲ成分に応じてＲ成分信号を生成する光電変換層４１Ｒと入射光のＢ成分に応じてＢ成分信号を生成する光電変換層４１Ｂを設けたものである。
　変形例３および４のように、Si層１２の内部に光電変換層を設けることにより、それに代わられた、光電変換膜１５の下層側に下部電極１４と上層側に設けられていた上部電極１６を省略することができる。
　＜本実施の形態である固体撮像素子１０の適用例＞
　本実施の形態である固体撮像素子１０は裏面照射型であるが、本開示は、表面照射型の固体撮像素子に対しても適用できる。
　また、本開示は、３トランジスタ型または４トランジスタ型のどちらの固体撮像素子に対しても適用できる。
　さらに、本開示は、例えば、図１１に示される４画素共有型CMOSイメージセンサ５０のように、複数の画素でFDなどを共有するような固体撮像素子に対しても適用できる。
　またさらに、本開示は、例えば、図１２に示されような、センサ回路６２が形成された基板６１と、論理回路６３が形成された基板６４が積層されている積層型CMOSイメージセンサ６０に対しても適用できる。
　なお、本実施の形態である固体撮像素子１０は、撮像装置だけでなく、撮像機能を有するあらゆる種類の電子装置に適用できる。
　本開示の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
　なお、本開示は以下のような構成も取ることができる。
（１）
　複数の画素が縦横に配置された固体撮像素子において、
　各画素が、
　　光の３原色のうちの第１の波長の入射光に応じて光電変換を行う第１の光電変換部と、
　　光の３原色のうちの第２の波長の入射光に応じて光電変換を行う第２の光電変換部と、
　　光の３原色のうちの第３の波長の入射光に応じて光電変換を行う第３の光電変換部と
　を有し、
　隣接する画素間の境界には、隣接する画素における前記第１乃至第３の光電変換部のうちの少なくとも一つの電極どうしを横方向に接続するとともに、各画素における前記第１乃至第３の光電変換部のうちの少なくとも一つの電極と縦方向に接続する電極配線を備える
　固体撮像素子。
（２）
　前記第１乃至第３の光電変換部のうちの少なくとも一つは、光電変換膜と前記光電変換膜を挟む下部電極および上部電極から構成され、
　前記電極配線は、隣接する画素における前記第１乃至第３の光電変換部のうちの少なくとも一つの前記上部電極どうしを横方向に接続する
　前記（１）に記載の固体撮像素子。
（３）
　前記電極配線は、隣接する画素における前記第１乃至第３の光電変換部のそれぞれの前記上部電極どうしを横方向に接続する
　前記（２）に記載の固体撮像素子。
（４）
　前記電極配線は、各画素における前記第１乃至第３の光電変換部のそれぞれの前記上部電極を縦方向に接続する
　前記（２）または（３）に記載の固体撮像素子。
（５）
　前記第１乃至第３の光電変換部のうちの少なくとも一つは、Si層の中に形成された光電変換層である
　前記（１）から（４）のいずれかに記載の固体撮像素子。
（６）
　前記第１乃至第３の光電変換部の下層側に入射光を反射する反射膜層を
　さらに備える前記（１）から（５）のいずれかに記載の固体撮像素子。
（７）
　前記電極配線は、Optical Black領域を遮光する
　前記（１）から（６）のいずれかに記載の固体撮像素子。
（８）
　前記電極配線は、金属材料から成る
　前記（１）から（７）のいずれかに記載の固体撮像素子。
（９）
　前記固体撮像素子は、裏面照射型である
　前記（１）から（８）のいずれかに記載の固体撮像素子。
（１０）
　前記固体撮像素子は、表面照射型である
　前記（１）から（８）のいずれかに記載の固体撮像素子。
（１１）
　前記固体撮像素子は、複数画素共有型である
　前記（１）から（１０）のいずれかに記載の固体撮像素子。
（１２）
　前記固体撮像素子は、積層型である
　前記（１）から（１１）のいずれかに記載の固体撮像素子。
（１３）
　複数の画素が縦横に配置されている固体撮像素子が搭載された電子装置において、
　前記固体撮像素子の各画素が、
　　光の３原色のうちの第１の波長の入射光に応じて光電変換を行う第１の光電変換部と、
　　光の３原色のうちの第２の波長の入射光に応じて光電変換を行う第２の光電変換部と、
　　光の３原色のうちの第３の波長の入射光に応じて光電変換を行う第３の光電変換部と
　を有し、
　隣接する画素間の境界には、隣接する画素における前記第１乃至第３の光電変換部のうちの少なくとも一つの電極どうしを横方向に接続するとともに、各画素における前記第１乃至第３の光電変換部のうちの少なくとも一つの電極と縦方向に接続する電極配線を備える
　電子装置。
　１０　固体撮像素子，　１１　配線層，　１２　Si層，　１３　電源供給部，　１４　下部電極，　１５　光電変換層，　１６　上部電極，　１７　下部電極配線，　１８　上部電極配線，　１９　オンチップレンズ，　２１　高反射膜層，　３１，４１　光電変換層

Claims (13)

  1. 　複数の画素が縦横に配置された固体撮像素子において、
    　各画素が、
    　　光の３原色のうちの第１の波長の入射光に応じて光電変換を行う第１の光電変換部と、
    　　光の３原色のうちの第２の波長の入射光に応じて光電変換を行う第２の光電変換部と、
    　　光の３原色のうちの第３の波長の入射光に応じて光電変換を行う第３の光電変換部と
    　を有し、
    　隣接する画素間の境界には、隣接する画素における前記第１乃至第３の光電変換部のうちの少なくとも一つの電極どうしを横方向に接続するとともに、各画素における前記第１乃至第３の光電変換部のうちの少なくとも一つの電極と縦方向に接続する電極配線を備える
    　固体撮像素子。
  2. 　前記第１乃至第３の光電変換部のうちの少なくとも一つは、光電変換膜と前記光電変換膜を挟む下部電極および上部電極から構成され、
    　前記電極配線は、隣接する画素における前記第１乃至第３の光電変換部のうちの少なくとも一つの前記上部電極どうしを横方向に接続する
    　請求項１に記載の固体撮像素子。
  3. 　前記電極配線は、隣接する画素における前記第１乃至第３の光電変換部のそれぞれの前記上部電極どうしを横方向に接続する
    　請求項２に記載の固体撮像素子。
  4. 　前記電極配線は、各画素における前記第１乃至第３の光電変換部のそれぞれの前記上部電極を縦方向に接続する
    　請求項２に記載の固体撮像素子。
  5. 　前記第１乃至第３の光電変換部のうちの少なくとも一つは、Si層の中に形成された光電変換層である
    　請求項２に記載の固体撮像素子。
  6. 　前記第１乃至第３の光電変換部の下層側に入射光を反射する反射膜層を
    　さらに備える請求項２に記載の固体撮像素子。
  7. 　前記電極配線は、Optical Black領域を遮光する
    　請求項２に記載の固体撮像素子。
  8. 　前記電極配線は、金属材料から成る
    　請求項２に記載の固体撮像素子。
  9. 　前記固体撮像素子は、裏面照射型である
    　請求項２に記載の固体撮像素子。
  10. 　前記固体撮像素子は、表面照射型である
    　請求項２に記載の固体撮像素子。
  11. 　前記固体撮像素子は、複数画素共有型である
    　請求項２に記載の固体撮像素子。
  12. 　前記固体撮像素子は、積層型である
    　請求項２に記載の固体撮像素子。
  13. 　複数の画素が縦横に配置されている固体撮像素子が搭載された電子装置において、
    　前記固体撮像素子の各画素が、
    　　光の３原色のうちの第１の波長の入射光に応じて光電変換を行う第１の光電変換部と、
    　　光の３原色のうちの第２の波長の入射光に応じて光電変換を行う第２の光電変換部と、
    　　光の３原色のうちの第３の波長の入射光に応じて光電変換を行う第３の光電変換部と
    　を有し、
    　隣接する画素間の境界には、隣接する画素における前記第１乃至第３の光電変換部のうちの少なくとも一つの電極どうしを横方向に接続するとともに、各画素における前記第１乃至第３の光電変換部のうちの少なくとも一つの電極と縦方向に接続する電極配線を備える
    　電子装置。
PCT/JP2015/067981 2014-07-03 2015-06-23 固体撮像素子、および電子装置 WO2016002576A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016531283A JP6546590B2 (ja) 2014-07-03 2015-06-23 固体撮像素子、および電子装置
US15/319,903 US10211250B2 (en) 2014-07-03 2015-06-23 Solid-state image sensor electronic device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-137438 2014-07-03
JP2014137438 2014-07-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016002576A1 true WO2016002576A1 (ja) 2016-01-07

Family

ID=55019120

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2015/067981 WO2016002576A1 (ja) 2014-07-03 2015-06-23 固体撮像素子、および電子装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10211250B2 (ja)
JP (1) JP6546590B2 (ja)
WO (1) WO2016002576A1 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017174903A (ja) * 2016-03-22 2017-09-28 キヤノン株式会社 光電変換装置、及び撮像システム
EP3270419A3 (en) * 2016-07-11 2018-03-21 Samsung Electronics Co., Ltd Image sensor and electronic device including the same
WO2020022462A1 (ja) 2018-07-26 2020-01-30 ソニー株式会社 固体撮像素子、固体撮像装置、及び、固体撮像素子の読み出し方法
JP2021007132A (ja) * 2019-06-28 2021-01-21 日本放送協会 撮像素子およびその製造方法
WO2021084994A1 (ja) * 2019-10-30 2021-05-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 撮像素子
US11990497B2 (en) 2020-01-29 2024-05-21 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging element and electronic device
JP7503375B2 (ja) 2019-01-07 2024-06-20 三星電子株式会社 イメージセンサー及びその製造方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102619669B1 (ko) * 2016-12-30 2023-12-29 삼성전자주식회사 이미지 센서
US12009379B2 (en) * 2017-05-01 2024-06-11 Visera Technologies Company Limited Image sensor
CN109273467A (zh) * 2018-09-04 2019-01-25 德淮半导体有限公司 背照式图像传感器及其制造方法
FR3093376B1 (fr) 2019-03-01 2022-09-02 Isorg Capteur d'images couleur et infrarouge
FR3093377B1 (fr) * 2019-03-01 2021-02-26 Isorg Capteur d'images couleur et infrarouge
WO2020218046A1 (ja) * 2019-04-26 2020-10-29 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 撮像素子
CN112331684B (zh) * 2020-11-20 2024-02-09 联合微电子中心有限责任公司 图像传感器及其形成方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005353626A (ja) * 2004-06-08 2005-12-22 Fuji Photo Film Co Ltd 光電変換膜積層型固体撮像素子及びその製造方法
JP2006245284A (ja) * 2005-03-03 2006-09-14 Fuji Photo Film Co Ltd 光電変換膜積層型固体撮像素子及びその製造方法
JP2009065160A (ja) * 2007-09-06 2009-03-26 Dongbu Hitek Co Ltd イメージセンサ及びその製造方法
JP2012533168A (ja) * 2009-07-07 2012-12-20 コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ 光検出デバイスおよび光検出デバイスの製造方法
JP2013135122A (ja) * 2011-12-27 2013-07-08 Sony Corp 半導体素子、半導体素子の製造方法、固体撮像装置および電子機器
WO2014103240A1 (en) * 2012-12-26 2014-07-03 Sony Corporation Solid-state image sensing device and solid-state image pickup unit including same

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2669954B2 (ja) * 1991-05-08 1997-10-29 シャープ株式会社 アクティブマトリクス表示装置
JP4011734B2 (ja) * 1998-06-02 2007-11-21 キヤノン株式会社 ２次元光センサ、それを用いた放射線検出装置及び放射線診断システム
JP4714428B2 (ja) * 2004-05-28 2011-06-29 富士フイルム株式会社 光電変換膜積層型固体撮像装置及びその製造方法
JP2006228938A (ja) * 2005-02-17 2006-08-31 Fuji Photo Film Co Ltd 光電変換膜積層型固体撮像素子
JP2009123780A (ja) * 2007-11-12 2009-06-04 Fujifilm Corp 光電変換膜積層型撮像素子及びその製造方法
US8471939B2 (en) * 2008-08-01 2013-06-25 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor having multiple sensing layers
JP2013084785A (ja) * 2011-10-11 2013-05-09 Sony Corp 固体撮像装置、撮像装置
WO2014002826A1 (ja) * 2012-06-29 2014-01-03 ソニー株式会社 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、及び、電子機器
WO2015191594A1 (en) * 2014-06-10 2015-12-17 Hui Tian Layout and operation of pixels for image sensors

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005353626A (ja) * 2004-06-08 2005-12-22 Fuji Photo Film Co Ltd 光電変換膜積層型固体撮像素子及びその製造方法
JP2006245284A (ja) * 2005-03-03 2006-09-14 Fuji Photo Film Co Ltd 光電変換膜積層型固体撮像素子及びその製造方法
JP2009065160A (ja) * 2007-09-06 2009-03-26 Dongbu Hitek Co Ltd イメージセンサ及びその製造方法
JP2012533168A (ja) * 2009-07-07 2012-12-20 コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ 光検出デバイスおよび光検出デバイスの製造方法
JP2013135122A (ja) * 2011-12-27 2013-07-08 Sony Corp 半導体素子、半導体素子の製造方法、固体撮像装置および電子機器
WO2014103240A1 (en) * 2012-12-26 2014-07-03 Sony Corporation Solid-state image sensing device and solid-state image pickup unit including same

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017174903A (ja) * 2016-03-22 2017-09-28 キヤノン株式会社 光電変換装置、及び撮像システム
EP3270419A3 (en) * 2016-07-11 2018-03-21 Samsung Electronics Co., Ltd Image sensor and electronic device including the same
US10212367B2 (en) 2016-07-11 2019-02-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensor and electronic device including the same
WO2020022462A1 (ja) 2018-07-26 2020-01-30 ソニー株式会社 固体撮像素子、固体撮像装置、及び、固体撮像素子の読み出し方法
JPWO2020022462A1 (ja) * 2018-07-26 2021-08-05 ソニーグループ株式会社 固体撮像素子、固体撮像装置、及び、固体撮像素子の読み出し方法
JP7359766B2 (ja) 2018-07-26 2023-10-11 ソニーグループ株式会社 固体撮像素子、固体撮像装置、及び、固体撮像素子の読み出し方法
US11888012B2 (en) 2018-07-26 2024-01-30 Sony Corporation Solid-state image capturing element, solid-state image capturing device, and solid-state image capturing element reading method
JP7503375B2 (ja) 2019-01-07 2024-06-20 三星電子株式会社 イメージセンサー及びその製造方法
JP2021007132A (ja) * 2019-06-28 2021-01-21 日本放送協会 撮像素子およびその製造方法
WO2021084994A1 (ja) * 2019-10-30 2021-05-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 撮像素子
US11990497B2 (en) 2020-01-29 2024-05-21 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging element and electronic device

Also Published As

Publication number Publication date
US10211250B2 (en) 2019-02-19
US20170148841A1 (en) 2017-05-25
JPWO2016002576A1 (ja) 2017-04-27
JP6546590B2 (ja) 2019-07-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2016002576A1 (ja) 固体撮像素子、および電子装置
US8736731B2 (en) Solid-state imaging device and electronic apparatus having biasedly located inter-pixel light shielding units to minimize color mixing
US10032810B2 (en) Image sensor with dual layer photodiode structure
TWI537666B (zh) 固態成像裝置
JP6105538B2 (ja) ソリッドステート撮像装置とその製造方法
TWI532157B (zh) 固態成像器件及電子裝置
JP5076679B2 (ja) 固体撮像装置及びカメラモジュール
JP5438374B2 (ja) 固体撮像装置
JP2011216865A5 (ja)
JP2012019359A5 (ja)
JP2013243324A5 (ja)
JP2013179575A (ja) 撮像装置および撮像システム
WO2017145815A1 (ja) 撮像装置
JP5131309B2 (ja) 固体撮像装置、その製造方法および撮像装置
US20130001728A1 (en) Backside illuminated image sensors with vertical light shields
US20170287960A1 (en) Solid-state imaging device and electronic apparatus
JP2019129322A (ja) 撮像装置
US20220028918A1 (en) Imaging device
US20140191349A1 (en) Solid-state imaging apparatus and method of manufacturing the same
JP5263219B2 (ja) 固体撮像装置、その製造方法および撮像装置
JP6296788B2 (ja) 撮像装置および撮像システム
JP5704811B2 (ja) 固体撮像装置の製造方法
US20160301885A1 (en) Solid-state imaging device and method for producing the same, and electronic apparatus
US20080157087A1 (en) Image sensor and method for manufacturing the same
JP2014187067A5 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15814390

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2016531283

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15319903

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15814390

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1