JP7359766B2 - 固体撮像素子、固体撮像装置、及び、固体撮像素子の読み出し方法 - Google Patents
固体撮像素子、固体撮像装置、及び、固体撮像素子の読み出し方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7359766B2 JP7359766B2 JP2020532486A JP2020532486A JP7359766B2 JP 7359766 B2 JP7359766 B2 JP 7359766B2 JP 2020532486 A JP2020532486 A JP 2020532486A JP 2020532486 A JP2020532486 A JP 2020532486A JP 7359766 B2 JP7359766 B2 JP 7359766B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- electrode
- solid
- image sensor
- state image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 101
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 370
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 181
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 175
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 131
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 111
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 37
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 95
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 87
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 87
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 64
- 239000000463 material Substances 0.000 description 53
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 45
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 37
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 33
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 33
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 26
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 18
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 17
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 16
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 15
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 15
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 15
- 230000006870 function Effects 0.000 description 15
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 15
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 13
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 13
- 238000002674 endoscopic surgery Methods 0.000 description 12
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 11
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 9
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 8
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 8
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 8
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 101100041125 Arabidopsis thaliana RST1 gene Proteins 0.000 description 7
- 101100443250 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) DIG1 gene Proteins 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 6
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- -1 polyphenylene vinylene Polymers 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000001356 surgical procedure Methods 0.000 description 5
- 101100270982 Arabidopsis thaliana ASE2 gene Proteins 0.000 description 4
- 101100191136 Arabidopsis thaliana PCMP-A2 gene Proteins 0.000 description 4
- 102100027479 DNA-directed RNA polymerase I subunit RPA34 Human genes 0.000 description 4
- 101001068636 Homo sapiens Protein regulator of cytokinesis 1 Proteins 0.000 description 4
- 101100048260 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) UBX2 gene Proteins 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 4
- PMJMHCXAGMRGBZ-UHFFFAOYSA-N subphthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(=N3)N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C3=N1 PMJMHCXAGMRGBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical class C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 208000005646 Pneumoperitoneum Diseases 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010336 energy treatment Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012327 Ruthenium complex Substances 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RWBMMASKJODNSV-UHFFFAOYSA-N [1]benzothiolo[2,3-g][1]benzothiole Chemical compound C1=CC=C2C3=C(SC=C4)C4=CC=C3SC2=C1 RWBMMASKJODNSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 2
- CUFNKYGDVFVPHO-UHFFFAOYSA-N azulene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC2=C1 CUFNKYGDVFVPHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000004204 blood vessel Anatomy 0.000 description 2
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 150000001893 coumarin derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- MOFVSTNWEDAEEK-UHFFFAOYSA-M indocyanine green Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)CCCCN1C2=CC=C3C=CC=CC3=C2C(C)(C)C1=CC=CC=CC=CC1=[N+](CCCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=C(C=CC=C3)C3=C2C1(C)C MOFVSTNWEDAEEK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229960004657 indocyanine green Drugs 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000000434 metal complex dye Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N phenoxazin-1-one Chemical class C1=CC=C2N=C3C(=O)C=CC=C3OC2=C1 FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001007 phthalocyanine dye Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 125000004309 pyranyl group Chemical class O1C(C=CC=C1)* 0.000 description 2
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CRUIOQJBPNKOJG-UHFFFAOYSA-N thieno[3,2-e][1]benzothiole Chemical compound C1=C2SC=CC2=C2C=CSC2=C1 CRUIOQJBPNKOJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- OVTCUIZCVUGJHS-VQHVLOKHSA-N trans-dipyrrin Chemical class C=1C=CNC=1/C=C1\C=CC=N1 OVTCUIZCVUGJHS-VQHVLOKHSA-N 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical class C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC=N1 BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100443251 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) DIG2 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100422768 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) SUL2 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100041128 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) rst2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010038 TiAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003087 TiOx Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003363 ZnMgO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007717 ZnSnO Inorganic materials 0.000 description 1
- LWTKFNNHDCQWQB-UHFFFAOYSA-N [B].[P].[Co] Chemical compound [B].[P].[Co] LWTKFNNHDCQWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPJYFACXEHYLFS-UHFFFAOYSA-N [B].[W].[Co] Chemical compound [B].[W].[Co] CPJYFACXEHYLFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N [F].[Sn]=O Chemical compound [F].[Sn]=O NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001251 acridines Chemical class 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004442 acylamino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004390 alkyl sulfonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000001000 anthraquinone dye Substances 0.000 description 1
- 229940058303 antinematodal benzimidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 229940027998 antiseptic and disinfectant acridine derivative Drugs 0.000 description 1
- 229940027991 antiseptic and disinfectant quinoline derivative Drugs 0.000 description 1
- 125000001769 aryl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005104 aryl silyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005163 aryl sulfanyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004391 aryl sulfonyl group Chemical group 0.000 description 1
- IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N azanylidynetungsten Chemical compound [W]#N IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical class N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diyne Chemical group C#CC#C LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000005392 carboxamide group Chemical group NC(=O)* 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 150000001846 chrysenes Chemical class 0.000 description 1
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 150000001907 coumarones Chemical class 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 150000004826 dibenzofurans Chemical class 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 150000004662 dithiols Chemical class 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 150000002219 fluoranthenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000002073 fluorescence micrograph Methods 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 150000002537 isoquinolines Chemical class 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 150000002964 pentacenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000002988 phenazines Chemical class 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N phosphine group Chemical group P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003039 picenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 150000003216 pyrazines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003217 pyrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 229940083082 pyrimidine derivative acting on arteriolar smooth muscle Drugs 0.000 description 1
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005353 silylalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001909 styrene-acrylic polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000007979 thiazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- VJYJJHQEVLEOFL-UHFFFAOYSA-N thieno[3,2-b]thiophene Chemical class S1C=CC2=C1C=CS2 VJYJJHQEVLEOFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N tioxidazole Chemical compound CCCOC1=CC=C2N=C(NC(=O)OC)SC2=C1 HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- VPYJNCGUESNPMV-UHFFFAOYSA-N triallylamine Chemical class C=CCN(CC=C)CC=C VPYJNCGUESNPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000001018 xanthene dye Substances 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14638—Structures specially adapted for transferring the charges across the imager perpendicular to the imaging plane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14641—Electronic components shared by two or more pixel-elements, e.g. one amplifier shared by two pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
- H10K39/30—Devices controlled by radiation
- H10K39/32—Organic image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
1. 本発明者らが本開示の実施形態を創作するに至った背景
2. 第1の実施形態
2.1 固体撮像装置1の概略構成について
2.2 固体撮像素子100の積層構造について
2.3 固体撮像素子100のレイアウト構成について
2.4 固体撮像素子100の等価回路について
2.5 固体撮像素子100の読み出し方法について
3. 第2の実施形態
4. 第3の実施形態
5. 第4の実施形態
6. 第5の実施形態
7. 第6の実施形態
8. 第7の実施形態
9. 内視鏡手術システムへの応用例
10. 移動体への応用例
11. まとめ
12. 補足
まずは、本開示の各実施形態の詳細を説明する前に、本発明者らが本開示の実施形態を創作するに至った背景について、図13を参照して説明する。図13は、比較例に係る画素アレイ部80の断面図である。ここで、比較例とは、本発明者らが本開示の実施形態をなす前に、検討を重ねていた固体撮像装置(イメージセンサ)のことを意味するものとする。
<2.1 固体撮像装置1の概略構成について>
まずは、図1を参照して、本開示の第1の実施形態に係る固体撮像装置1の概略構成について説明する。図1は、本実施形態に係る固体撮像装置1の平面構成例を示す説明図である。図1に示すように、本実施形態に係る固体撮像装置1は、例えばシリコンからなる半導体基板300上に設けられた、画素アレイ部10、垂直駆動回路部32、カラム信号処理回路部34、水平駆動回路部36、出力回路部38、制御回路部40等を含む。以下に、本実施形態に係る固体撮像装置1の各ブロックの詳細について説明する。
画素アレイ部10は、半導体基板300上にマトリックス状に2次元配置された複数の固体撮像素子(画素)100を有する。なお、ここで固体撮像素子100とは、各色の光を検出し、検出結果を出力する際に、色ごとに1つの結果を出力する1つのユニットとしてとらえることができる固体撮像素子(単位画素)のことを意味する。各固体撮像素子100は、複数の光電変換素子(PD)(図示省略)と、複数の画素トランジスタ(例えばMOS(Metal-Oxide-Semiconductor)トランジスタ)(図示省略)とを有している。さらに詳細には、当該画素トランジスタは、例えば、転送トランジスタ、選択トランジスタ、リセットトランジスタ、及び、増幅トランジスタ等を含むことができる。なお、これら画素トランジスタによる回路(接続構成)の詳細については、後述する。
垂直駆動回路部32は、例えばシフトレジスタによって形成され、画素駆動配線42を選択し、選択された画素駆動配線42に固体撮像素子100を駆動するためのパルスを供給し、行単位で固体撮像素子100を駆動する。すなわち、垂直駆動回路部32は、画素アレイ部10の各固体撮像素子100を行単位で順次垂直方向(図1中の上下方向)に選択走査し、各固体撮像素子100のPDの受光量に応じて生成された電荷に基づく画素信号を、垂直信号線44を通して後述するカラム信号処理回路部34に供給する。
カラム信号処理回路部34は、固体撮像素子100の列ごとに配置されており、1行分の固体撮像素子100から出力される画素信号に対して画素列ごとにノイズ除去等の信号処理を行う。例えば、カラム信号処理回路部34は、画素固有の固定パターンノイズを除去するためにCDS(Correlated Double Sampling:相関2重サンプリング)及びAD(Analog-Degital)変換等の信号処理を行う。
水平駆動回路部36は、例えばシフトレジスタによって形成され、水平走査パルスを順次出力することによって、上述したカラム信号処理回路部34の各々を順番に選択し、カラム信号処理回路部34の各々から画素信号を水平信号線46に出力させることができる。
出力回路部38は、上述したカラム信号処理回路部34の各々から水平信号線46を通して順次に供給される画素信号に対し、信号処理を行い出力することができる。出力回路部38は、例えば、バッファリング(buffering)を行う機能部として機能してもよく、もしくは、黒レベル調整、列ばらつき補正、各種デジタル信号処理等の処理を行ってもよい。なお、バッファリングとは、画素信号のやり取りの際に、処理速度や転送速度の差を補うために、一時的に画素信号を保存することをいう。また、入出力端子48は、外部装置との間で信号のやり取りを行うための端子である。
制御回路部40は、入力クロックと、動作モードなどを指令するデータを受け取り、また固体撮像素子100の内部情報等のデータを出力することができる。すなわち、制御回路部40は、垂直同期信号、水平同期信号及びマスタクロックに基づいて、垂直駆動回路部32、カラム信号処理回路部34及び水平駆動回路部36等の動作の基準となるクロック信号や制御信号を生成する。そして、制御回路部40は、生成したクロック信号や制御信号を、垂直駆動回路部32、カラム信号処理回路部34及び水平駆動回路部36等に出力する。
以上、本実施形態に係る固体撮像装置1の概略構成について説明した。つぎに、図2を参照して、本実施形態に係る固体撮像素子100の積層構造について説明する。図2は、本実施形態に係る画素アレイ部10の断面図である。図2においては、固体撮像素子100に対して光が入射する入射面が上となるように固体撮像素子100が図示されている。以下の説明においては、固体撮像素子100の下側に位置する半導体基板300から、半導体基板300の上方に設けられたPD500(第1の光電変換部)、PD500の上方に設けられたPD600(第2の光電変換部)に向かう順に従って、固体撮像素子100における積層構造を説明する。
以上、本実施形態に係る固体撮像素子100の積層構造について説明した。次に、図3から図5を参照して、本実施形態に係る固体撮像素子100のレイアウト構成について説明する。図3は、本実施形態に係る固体撮像素子100の断面図の一部を示す説明図であり、詳細には、PD500及びPD600が主に図示されている。図4は、図3のA-A´線に沿って固体撮像素子100を切断した際の断面図である。さらに、図5は、図3のB-B´線に沿って固体撮像素子100を切断した際の断面図である。
以上、本実施形態に係る固体撮像素子100のレイアウト構成について説明した。次に、本実施形態に係る固体撮像素子100の等価回路、詳細には、PD500、600の等価回路について、図6を参照して説明する。図6は、本実施形態に係る固体撮像素子100のPD500、600の等価回路図である。
以上、本実施形態に係る固体撮像素子100の等価回路について説明した。次に、本実施形態に係る固体撮像素子100の読み出し方法について、図8を参照して説明する。図8は、本実施形態に係る固体撮像素子100の読み出し方法を説明するための説明図である。
上述の第1の実施形態においては、固体撮像素子100は、青色光については半導体基板300の上方に形成された光電変換膜604で光電変換し、緑色光については、PD600の下方に設けられた光電変換膜504で光電変換し、赤色光については半導体基板300内に設けられたPD400で光電変換する固体撮像素子であった。しかしながら、本開示の実施形態においては、このような構成に限定されるものではなく、青色光、緑色光、及び赤色光を半導体基板300上に積層された3つの光電変換膜で光電変換する固体撮像素子100aであってもよい。そこで、図9を参照して、本開示の第2の実施形態として、半導体基板300上に積層された3つの光電変換膜504、604、704を有する固体撮像素子100aの積層構造を説明する。図9は、本実施形態に係る画素アレイ部10aの断面図であり、詳細には、当該画素アレイ部10aには、半導体基板300上に積層された3つの光電変換膜504、604、704を有する固体撮像素子100aがマトリックス状に配列される。
さらに、本開示の実施形態においては、PD500、600は、転送電極512、612及びシールド電極514、614を有していてもよい。そこで、図10を参照して、本開示の第3の実施形態として、転送電極512、612及びシールド電極514、614を持つPD500、600を有する固体撮像素子100bの積層構造を説明する。図10は、本実施形態に係る画素アレイ部10bの断面図であり、詳細には、当該画素アレイ部10bには、転送電極512、612及びシールド電極514、614を持つPD500、600を含む固体撮像素子100bがマトリックス状に配列されている。
上述の第1の実施形態においては、固体撮像素子100は、配線630からPD500の読み出し電極508まで、配線層620の一部及びPD500を貫通するように設けられている貫通電極560を有していた。そして、第1の実施形態においては、当該貫通電極560により、PD600の読み出し電極608は、PD500の読み出し電極508に電気的に接続されていた。しかしながら、本開示の実施形態においては、読み出し電極608を読み出し電極508に電気的に接続する貫通電極は、PD500を貫通するように設けられている貫通電極に限定されるものではない。例えば、読み出し電極608を読み出し電極508に電気的に接続する貫通電極は、画素アレイ部10の外周に位置する外周部50に設けられた貫通電極760であってもよい。そこで、図11を参照して、本開示の第4の実施形態として、外周部50に設けられた貫通電極(第3の貫通電極)760を説明する。図11は、本実施形態に係る画素アレイ部10c及び外周部50の断面図であり、詳細には、外周部50は、複数の固体撮像素子100cが配列された上記画素アレイ部(画素領域)10cを取り囲む外周に位置している。
上述した本開示の実施形態に係る固体撮像装置1は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に固体撮像素子を用いる複写機等、画像取込部に撮像装置を用いる電子機器全般に対して適用可能である。さらに、本開示の実施形態は、上述の固体撮像装置1を含むロボット、ドローン、自動車、医療機器(内視鏡)等にも適用可能である。なお、本実施形態に係る固体撮像装置1は、ワンチップとして形成された形態であってもよく、撮像部と信号処理部又は光学系とが1つにパッケージングされた撮像機能を有するモジュールの形態であってもよい。以下に、上述した固体撮像装置1を有する撮像装置902を含む電子機器900の一例を、本開示の第5の実施形態として、図12を参照して説明する。図12は、本実施形態に係る電子機器900の一例を示す説明図である。
ところで、上述した本開示の実施形態においては、複数の光電変換素子400、500、600を積層することにより、固体撮像装置1を小型化していた(例えば、図2 参照)。しかしながら、このような構造においては、複数の光電変換素子400、500、600を積層していることから、固体撮像装置1が積層方向に沿って高くなる(厚みが増す)こととなる。その結果、このような構造においては、上方に位置する光電変換素子600を透過した光を、下方に位置する光電変換素子500、400において十分に取り込むことが難しい場合がある。また、このような構造においては、積層方向に沿って高くなることに起因して、斜入射光による隣接する固体撮像素子(画素)100へのクロストークが発生しやすくなる場合もある。
ところで、上述した本開示の実施形態においては、複数の光電変換素子500、600を積層し、これらの光電変換素子500、600を電気的に接続する貫通電極560が設けられている。そして、上述した本開示の実施形態においては、例えば1つの貫通電極560が、これら光電変換素子500、600の間で共有されることにより、加工面積の縮小や、画素トランジスタの面積の拡大を図ることができる。しかしながら、上述した本開示の実施形態においては、図2からわかるように、光電変換素子600に接続する貫通電極560と、光電変換素子500(具体的には、開口から露出する光電変換膜504)との電気的接続を確保するために、読み出し電極508のサイズが大きくなってしまうことを避けることが難しい。その結果、上述した本開示の実施形態においては、読み出し電極508のサイズが大きくなることに起因して、光電変換素子500、400に光が入射するための入射面のサイズが縮小してしまうことを避けることが難しい場合がある。
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
以上説明したように、本開示の各実施形態によれば、製造コストの増加を避けつつ、特性の劣化を避けることができる、固体撮像素子100、固体撮像装置1、及び、固体撮像素子100の読み出し方法を提供することができる。
以上、添付図面を参照しながら本開示の好適な実施形態について詳細に説明したが、本開示の技術的範囲はかかる例に限定されない。本開示の技術分野における通常の知識を有する者であれば、請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本開示の技術的範囲に属するものと了解される。
(1)
半導体基板と、
前記半導体基板の上方に設けられ、光を電荷に変換する第1の光電変換部と、
前記第1の光電変換部の上方に設けられ、光を電荷に変換する第2の光電変換部と、
を備え、
前記第1及び第2の光電変換部のそれぞれは、
上部電極と、
下部電極と、
前記上部電極及び前記下部電極に挟まれた光電変換膜と、
前記上部電極と、前記光電変換膜及び絶縁膜を介して対向する蓄積電極と、
を含む積層構造を有し、
前記第1及び第2の光電変換部の前記下部電極のそれぞれは、
前記第1及び第2の光電変換部に共通して設けられた、前記半導体基板を貫く共通貫通電極を介して、前記半導体基板内に前記第1及び第2の光電変換部に共通して設けられた共通電荷蓄積部に電気的に接続されている、
固体撮像素子。
(2)
前記第1及び第2の光電変換部の前記下部電極のそれぞれは、前記半導体基板内に前記第1及び第2の光電変換部に共通して設けられた共通画素トランジスタに、前記共通貫通電極を介して電気的に接続されている、上記(1)に記載の固体撮像素子。
(3)
前記半導体基板と前記第1の光電変換部とに挟まれた第1の配線層をさらに備え、
前記第1及び第2の光電変換部の前記下部電極のそれぞれは、前記第1の配線層が含む第1の配線を介して、前記共通貫通電極に電気的に接続される、上記(1)又は(2)に記載の固体撮像素子。
(4)
前記第2の光電変換部の前記下部電極は、前記第1の光電変換部を貫く第1の貫通電極を介して、前記第1の光電変換部の前記下部電極に電気的に接続されている、
上記(1)~(3)のいずれか1つに記載の固体撮像素子。
(5)
前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部とに挟まれた第2の配線層をさらに備え、
前記第2の光電変換部の前記下部電極は、前記第2の配線層が含む第2の配線を介して、前記第1の貫通電極に電気的に接続される、上記(4)に記載の固体撮像素子。
(6)
前記第1の貫通電極は、前記第2の配線から、前記第1の光電変換部の前記下部電極まで、前記第2の配線層及び前記第1の光電変換部を貫通する、
上記(5)に記載の固体撮像素子。
(7)
前記第2の光電変換部の上方に設けられ、光を電荷に変換する第3の光電変換部をさらに備え、
前記第3の光電変換部は前記積層構造を有し、
前記第3の光電変換部の前記下部電極は、前記共通貫通電極を介して前記共通電荷蓄積部に電気的に接続されている、
上記(2)に記載の固体撮像素子。
(8)
前記第3の光電変換部の前記下部電極は、前記共通貫通電極を介して前記共通画素トランジスタに電気的に接続されている、上記(7)に記載の固体撮像素子。
(9)
前記第3の光電変換部の前記下部電極は、前記第2の光電変換部を貫く第2の貫通電極を介して、前記第2の光電変換部の前記下部電極に電気的に接続されている、
上記(7)又は(8)に記載の固体撮像素子。
(10)
前記第2の光電変換部と前記第3の光電変換部とに挟まれた第3の配線層をさらに備え、
前記第3の光電変換部の前記下部電極は、前記第3の配線層が含む第3の配線を介して、前記第2の貫通電極に電気的に接続される、上記(9)に記載の固体撮像素子。
(11)
前記第2の貫通電極は、前記第3の配線から、前記第2の光電変換部の前記下部電極まで、前記第3の配線層及び前記第2の光電変換部を貫通する、
上記(10)に記載の固体撮像素子。
(12)
前記積層構造は、前記下部電極と前記蓄積電極との間に設けられ、前記上部電極と、前記光電変換膜及び前記絶縁膜を介して対向する転送電極をさらに有する、
上記(1)~(11)のいずれか1つに記載の固体撮像素子。
(13)
前記光電変換膜は、有機系材料からなる、上記(1)~(12)のいずれか1つに記載の固体撮像素子。
(14)
前記半導体基板内に設けられた、光を電荷に変換する第4の光電変換部をさらに備える、上記(1)~(13)のいずれか1つに記載の固体撮像素子。
(15)
前記固体撮像素子の上方から見た場合、
前記第1の光電変換部の前記下部電極の一部には、前記第1の光電変換部の前記絶縁膜に設けられた開口から露出して、前記第1の光電変換部の前記光電変換膜と接する第1の露出領域が設けられ、
前記第1の光電変換部の前記下部電極の残りの部分には、前記第1の貫通電極と接する第1のコンタクト領域が設けられている、
上記(4)~(6)のいずれか1つに記載の固体撮像素子。
(16)
前記固体撮像素子の上方から見た場合、
前記第2の光電変換部の前記下部電極には、前記第2の光電変換部の前記絶縁膜に設けられた開口から露出して、前記第2の光電変換部の前記光電変換膜と接する第2の露出領域が設けられ、
前記第2の露出領域の一部には、前記第1の貫通電極と電気的に接続される第2のコンタクト領域が設けられている、
上記(15)に記載の固体撮像素子。
(17)
マトリックス状に配置された複数の固体撮像素子を備える固体撮像装置であって、
前記各固体撮像素子は、
半導体基板と、
前記半導体基板の上方に設けられ、光を電荷に変換する第1の光電変換部と、
前記第1の光電変換部の上方に設けられ、光を電荷に変換する第2の光電変換部と、
を有し、
前記第1及び第2の光電変換部のそれぞれは、
上部電極と、
下部電極と、
前記上部電極及び前記下部電極に挟まれた光電変換膜と、
前記上部電極と、前記光電変換膜及び絶縁膜を介して対向する蓄積電極と、
を含む積層構造を有し、
前記第1及び第2の光電変換部の前記下部電極のそれぞれは、
前記第1及び第2の光電変換部に共通して設けられた、前記半導体基板を貫く共通貫通電極を介して、前記半導体基板内に前記第1及び第2の光電変換部に共通して設けられた共通電荷蓄積部に電気的に接続されている、
固体撮像装置。
(18)
複数の固体撮像素子が配置された画素領域を取り囲む外周部に設けられた第3の貫通電極をさらに備え、
前記第2の光電変換部の前記下部電極は、第3の貫通電極を介して前記共通貫通電極に電気的に接続されている、
上記(17)に記載の固体撮像装置。
(19)
前記各固体撮像素子は、前記固体撮像装置を上方から見た場合、互いに隣り合う前記固体撮像素子の間に設けられたシールド電極をさらに有する、
上記(17)又は(18)に記載の固体撮像装置。
(20)
固体撮像素子の読み出し方法であって、
前記固体撮像素子は、
半導体基板と、
前記半導体基板の上方に設けられ、光を電荷に変換する第1の光電変換部と、
前記第1の光電変換部の上方に設けられ、光を電荷に変換する第2の光電変換部と、
を備え、
前記第1及び第2の光電変換部のそれぞれは、
上部電極と、
下部電極と、
前記上部電極及び前記下部電極に挟まれた光電変換膜と、
前記上部電極と、前記光電変換膜及び絶縁膜を介して対向する蓄積電極と、
を含む積層構造を有し、
前記第1及び第2の光電変換部の前記下部電極のそれぞれは、
前記第1及び第2の光電変換部に共通して設けられた、前記半導体基板を貫く共通貫通電極を介して、前記半導体基板内に前記第1及び第2の光電変換部に共通して設けられた共通電荷蓄積部に電気的に接続されており、
前記第1及び第2の光電変換部の前記蓄積電極をそれぞれ制御して、前記第1及び第2の光電変換部の前記光電変換膜のそれぞれに蓄積した電荷を、前記第1及び第2の光電変換部の前記下部電極のそれぞれへ時間差を持って順次転送し、
前記第1及び前記第2の光電変換部の前記下部電極のそれぞれへ順次転送された前記電荷を、前記共通電荷蓄積部に順次蓄積し、順次読み出す、
ことを含む、
固体撮像素子の読み出し方法。
10、10a、10b、10c、10d、10e、10f、10g、80 画素アレイ部
32 垂直駆動回路部
34 カラム信号処理回路部
36 水平駆動回路部
38 出力回路部
40 制御回路部
42 画素駆動配線
44 垂直信号線
46 水平信号線
48 入出力端子
50 外周部
100、100a、100b、100c、800 固体撮像素子
150、350 有機膜
200、520、620、720 配線層
230、530、570、572、630、630a、670、672、730、770、772 配線
232、530a 電極
240 層間絶縁膜
250、252、254、256、258、260、262 金属膜
300 半導体基板
310、312、410 半導体領域
314、814 フローティングディフュージョン部
342 分離絶縁膜
352 フォトレジスト
400、500、600、700、802、804、806 光電変換素子
402 反射防止膜
404a、404b 導波路
406a、406b インナーレンズ
408a、408b 隔壁
480、580 透明導電層
450、462、506、540、562、606、640、662、706、740、762、780 絶縁膜
460、460a、560、560a、660、760、860 貫通電極
502、602、702 共通電極
504、604、704 光電変換膜
506a、606a 開口
508、518、608、708 読み出し電極
508a、608a 露出領域
508b、608b コンタクト領域
512、612 転送電極
514、614 シールド電極
510、610、710 蓄積電極
590、690 シールドパターン
790 オンチップレンズ
900 電子機器
902 撮像装置
910 光学レンズ
912 シャッタ機構
914 駆動回路ユニット
916 信号処理回路ユニット
Claims (17)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の上方に設けられ、光を電荷に変換する第1の光電変換部と、
前記第1の光電変換部の上方に設けられ、光を電荷に変換する第2の光電変換部と、
を備え、
前記第1及び第2の光電変換部のそれぞれは、
上部電極と、
下部電極と、
前記上部電極及び前記下部電極に挟まれた光電変換膜と、
前記上部電極と、前記光電変換膜及び絶縁膜を介して対向する蓄積電極と、
を含む積層構造を有し、
前記第1及び第2の光電変換部の前記下部電極のそれぞれは、
前記第1及び第2の光電変換部に共通して設けられた、前記半導体基板を貫く共通貫通電極を介して、前記半導体基板内に前記第1及び第2の光電変換部に共通して設けられた共通電荷蓄積部に電気的に接続されており、
前記第2の光電変換部の前記下部電極は、前記第1の光電変換部を貫く第1の貫通電極を介して、前記第1の光電変換部の前記下部電極に電気的に接続されており、
上方から見た場合、
前記第1の光電変換部の前記下部電極の一部には、前記第1の光電変換部の前記絶縁膜に設けられた開口から露出して、前記第1の光電変換部の前記光電変換膜と接する第1の露出領域が設けられ、
前記第1の光電変換部の前記下部電極の残りの部分には、前記第1の貫通電極と接する第1のコンタクト領域が設けられている、
固体撮像素子。 - 前記第1及び第2の光電変換部の前記下部電極のそれぞれは、前記半導体基板内に前記第1及び第2の光電変換部に共通して設けられた共通画素トランジスタに、前記共通貫通電極を介して電気的に接続されている、請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記半導体基板と前記第1の光電変換部とに挟まれた第1の配線層をさらに備え、
前記第1及び第2の光電変換部の前記下部電極のそれぞれは、前記第1の配線層が含む第1の配線を介して、前記共通貫通電極に電気的に接続される、請求項1又は2に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部とに挟まれた第2の配線層をさらに備え、
前記第2の光電変換部の前記下部電極は、前記第2の配線層が含む第2の配線を介して、前記第1の貫通電極に電気的に接続される、請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の貫通電極は、前記第2の配線から、前記第1の光電変換部の前記下部電極まで、前記第2の配線層及び前記第1の光電変換部を貫通する、
請求項4に記載の固体撮像素子。 - 前記第2の光電変換部の上方に設けられ、光を電荷に変換する第3の光電変換部をさらに備え、
前記第3の光電変換部は前記積層構造を有し、
前記第3の光電変換部の前記下部電極は、前記共通貫通電極を介して前記共通電荷蓄積部に電気的に接続されている、
請求項2に記載の固体撮像素子。 - 前記第3の光電変換部の前記下部電極は、前記共通貫通電極を介して前記共通画素トランジスタに電気的に接続されている、請求項6に記載の固体撮像素子。
- 前記第3の光電変換部の前記下部電極は、前記第2の光電変換部を貫く第2の貫通電極を介して、前記第2の光電変換部の前記下部電極に電気的に接続されている、
請求項6又は7に記載の固体撮像素子。 - 前記第2の光電変換部と前記第3の光電変換部とに挟まれた第3の配線層をさらに備え、
前記第3の光電変換部の前記下部電極は、前記第3の配線層が含む第3の配線を介して、前記第2の貫通電極に電気的に接続される、請求項8に記載の固体撮像素子。 - 前記第2の貫通電極は、前記第3の配線から、前記第2の光電変換部の前記下部電極まで、前記第3の配線層及び前記第2の光電変換部を貫通する、
請求項9に記載の固体撮像素子。 - 前記積層構造は、前記下部電極と前記蓄積電極との間に設けられ、前記上部電極と、前記光電変換膜及び前記絶縁膜を介して対向する転送電極をさらに有する、
請求項1~10のいずれか1項に記載の固体撮像素子。 - 前記光電変換膜は、有機系材料からなる、請求項1~11のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
- 前記半導体基板内に設けられた、光を電荷に変換する第4の光電変換部をさらに備える、請求項1~12のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
- 前記固体撮像素子の上方から見た場合、
前記第2の光電変換部の前記下部電極には、前記第2の光電変換部の前記絶縁膜に設けられた開口から露出して、前記第2の光電変換部の前記光電変換膜と接する第2の露出領域が設けられ、
前記第2の露出領域の一部には、前記第1の貫通電極と電気的に接続される第2のコンタクト領域が設けられている、
請求項1に記載の固体撮像素子。 - マトリックス状に配置された複数の固体撮像素子を備える固体撮像装置であって、
前記各固体撮像素子は、
半導体基板と、
前記半導体基板の上方に設けられ、光を電荷に変換する第1の光電変換部と、
前記第1の光電変換部の上方に設けられ、光を電荷に変換する第2の光電変換部と、
を有し、
前記第1及び第2の光電変換部のそれぞれは、
上部電極と、
下部電極と、
前記上部電極及び前記下部電極に挟まれた光電変換膜と、
前記上部電極と、前記光電変換膜及び絶縁膜を介して対向する蓄積電極と、
を含む積層構造を有し、
前記第1及び第2の光電変換部の前記下部電極のそれぞれは、
前記第1及び第2の光電変換部に共通して設けられた、前記半導体基板を貫く共通貫通電極を介して、前記半導体基板内に前記第1及び第2の光電変換部に共通して設けられた共通電荷蓄積部に電気的に接続されており、
複数の固体撮像素子が配置された画素領域を取り囲む外周部に設けられた第3の貫通電極をさらに備え、
前記第2の光電変換部の前記下部電極は、第3の貫通電極を介して前記共通貫通電極に電気的に接続されている、
固体撮像装置。 - 前記各固体撮像素子は、前記固体撮像装置を上方から見た場合、互いに隣り合う前記固体撮像素子の間に設けられたシールド電極をさらに有する、
請求項15に記載の固体撮像装置。 - 固体撮像素子の読み出し方法であって、
前記固体撮像素子は、
半導体基板と、
前記半導体基板の上方に設けられ、光を電荷に変換する第1の光電変換部と、
前記第1の光電変換部の上方に設けられ、光を電荷に変換する第2の光電変換部と、
を備え、
前記第1及び第2の光電変換部のそれぞれは、
上部電極と、
下部電極と、
前記上部電極及び前記下部電極に挟まれた光電変換膜と、
前記上部電極と、前記光電変換膜及び絶縁膜を介して対向する蓄積電極と、
を含む積層構造を有し、
前記第1及び第2の光電変換部の前記下部電極のそれぞれは、
前記第1及び第2の光電変換部に共通して設けられた、前記半導体基板を貫く共通貫通電極を介して、前記半導体基板内に前記第1及び第2の光電変換部に共通して設けられた共通電荷蓄積部に電気的に接続されており、
前記第2の光電変換部の前記下部電極は、前記第1の光電変換部を貫く第1の貫通電極を介して、前記第1の光電変換部の前記下部電極に電気的に接続されており、
前記固体撮像素子の上方から見た場合、
前記第1の光電変換部の前記下部電極の一部には、前記第1の光電変換部の前記絶縁膜に設けられた開口から露出して、前記第1の光電変換部の前記光電変換膜と接する第1の露出領域が設けられ、
前記第1の光電変換部の前記下部電極の残りの部分には、前記第1の貫通電極と接する第1のコンタクト領域が設けられており、
前記第1及び第2の光電変換部の前記蓄積電極をそれぞれ制御して、前記第1及び第2の光電変換部の前記光電変換膜のそれぞれに蓄積した電荷を、前記第1及び第2の光電変換部の前記下部電極のそれぞれへ時間差を持って順次転送し、
前記第1及び前記第2の光電変換部の前記下部電極のそれぞれへ順次転送された前記電荷を、前記共通電荷蓄積部に順次蓄積し、順次読み出す、
ことを含む、
固体撮像素子の読み出し方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023166638A JP2023178313A (ja) | 2018-07-26 | 2023-09-28 | 固体撮像素子、固体撮像装置、及び、固体撮像素子の読み出し方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018140152 | 2018-07-26 | ||
JP2018140152 | 2018-07-26 | ||
PCT/JP2019/029324 WO2020022462A1 (ja) | 2018-07-26 | 2019-07-25 | 固体撮像素子、固体撮像装置、及び、固体撮像素子の読み出し方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023166638A Division JP2023178313A (ja) | 2018-07-26 | 2023-09-28 | 固体撮像素子、固体撮像装置、及び、固体撮像素子の読み出し方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020022462A1 JPWO2020022462A1 (ja) | 2021-08-05 |
JP7359766B2 true JP7359766B2 (ja) | 2023-10-11 |
Family
ID=69181649
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020532486A Active JP7359766B2 (ja) | 2018-07-26 | 2019-07-25 | 固体撮像素子、固体撮像装置、及び、固体撮像素子の読み出し方法 |
JP2023166638A Pending JP2023178313A (ja) | 2018-07-26 | 2023-09-28 | 固体撮像素子、固体撮像装置、及び、固体撮像素子の読み出し方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023166638A Pending JP2023178313A (ja) | 2018-07-26 | 2023-09-28 | 固体撮像素子、固体撮像装置、及び、固体撮像素子の読み出し方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11888012B2 (ja) |
EP (1) | EP3828934A4 (ja) |
JP (2) | JP7359766B2 (ja) |
CN (1) | CN112424939A (ja) |
WO (1) | WO2020022462A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020022462A1 (ja) * | 2018-07-26 | 2020-01-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像装置、及び、固体撮像素子の読み出し方法 |
KR20210046929A (ko) * | 2019-10-21 | 2021-04-29 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
JP7465120B2 (ja) * | 2020-03-10 | 2024-04-10 | キヤノン株式会社 | 半導体装置、その製造方法及び機器 |
WO2022059635A1 (ja) * | 2020-09-17 | 2022-03-24 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016002576A1 (ja) | 2014-07-03 | 2016-01-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、および電子装置 |
WO2016039152A1 (ja) | 2014-09-10 | 2016-03-17 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法、並びに電子機器 |
JP2016062996A (ja) | 2014-09-16 | 2016-04-25 | 株式会社東芝 | 光検出器 |
JP2016152417A (ja) | 2015-02-16 | 2016-08-22 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | イメージセンサ、及びイメージセンサを含む撮像装置 |
WO2017026109A1 (en) | 2015-08-10 | 2017-02-16 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device |
WO2018066256A1 (ja) | 2016-10-05 | 2018-04-12 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および固体撮像装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4817584B2 (ja) | 2002-05-08 | 2011-11-16 | キヤノン株式会社 | カラー撮像素子 |
JP2005051115A (ja) | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、光機能素子および光機能素子の製造方法 |
JP4714428B2 (ja) | 2004-05-28 | 2011-06-29 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換膜積層型固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2007067194A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Fujifilm Corp | 有機光電変換素子、および積層型光電変換素子 |
JP5101925B2 (ja) * | 2007-05-18 | 2012-12-19 | オリンパス株式会社 | 光電変換膜積層型固体撮像素子 |
JP5564847B2 (ja) | 2009-07-23 | 2014-08-06 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP6135109B2 (ja) * | 2012-12-07 | 2017-05-31 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法ならびに電子機器 |
US9184198B1 (en) * | 2013-02-20 | 2015-11-10 | Google Inc. | Stacked image sensor with cascaded optical edge pass filters |
JP6234173B2 (ja) | 2013-11-07 | 2017-11-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
JP2017098513A (ja) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | 株式会社ニコン | 撮像素子、撮像装置および焦点調節装置 |
JP6780421B2 (ja) | 2016-03-01 | 2020-11-04 | ソニー株式会社 | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置、並びに、固体撮像装置の駆動方法 |
JP6740666B2 (ja) * | 2016-03-30 | 2020-08-19 | リコーイメージング株式会社 | 撮像素子、焦点検出装置および撮像装置 |
JP6926450B2 (ja) * | 2016-11-22 | 2021-08-25 | ソニーグループ株式会社 | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置 |
WO2020022462A1 (ja) * | 2018-07-26 | 2020-01-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像装置、及び、固体撮像素子の読み出し方法 |
-
2019
- 2019-07-25 WO PCT/JP2019/029324 patent/WO2020022462A1/ja active Application Filing
- 2019-07-25 US US17/261,221 patent/US11888012B2/en active Active
- 2019-07-25 CN CN201980047479.5A patent/CN112424939A/zh active Pending
- 2019-07-25 EP EP19840408.9A patent/EP3828934A4/en active Pending
- 2019-07-25 JP JP2020532486A patent/JP7359766B2/ja active Active
-
2023
- 2023-09-28 JP JP2023166638A patent/JP2023178313A/ja active Pending
- 2023-12-19 US US18/545,270 patent/US20240145517A1/en active Pending
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016002576A1 (ja) | 2014-07-03 | 2016-01-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、および電子装置 |
WO2016039152A1 (ja) | 2014-09-10 | 2016-03-17 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法、並びに電子機器 |
JP2016058559A (ja) | 2014-09-10 | 2016-04-21 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法、並びに電子機器 |
US20170257587A1 (en) | 2014-09-10 | 2017-09-07 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device, method for driving the same, and electronic device |
JP2016062996A (ja) | 2014-09-16 | 2016-04-25 | 株式会社東芝 | 光検出器 |
JP2016152417A (ja) | 2015-02-16 | 2016-08-22 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | イメージセンサ、及びイメージセンサを含む撮像装置 |
WO2017026109A1 (en) | 2015-08-10 | 2017-02-16 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device |
JP2017037952A (ja) | 2015-08-10 | 2017-02-16 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子 |
US20180219046A1 (en) | 2015-08-10 | 2018-08-02 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device |
WO2018066256A1 (ja) | 2016-10-05 | 2018-04-12 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および固体撮像装置 |
JP2018060910A (ja) | 2016-10-05 | 2018-04-12 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および固体撮像装置 |
US20190259815A1 (en) | 2016-10-05 | 2019-08-22 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging element and solid-state imaging apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11888012B2 (en) | 2024-01-30 |
EP3828934A1 (en) | 2021-06-02 |
JP2023178313A (ja) | 2023-12-14 |
US20240145517A1 (en) | 2024-05-02 |
US20210313381A1 (en) | 2021-10-07 |
TW202008572A (zh) | 2020-02-16 |
CN112424939A (zh) | 2021-02-26 |
WO2020022462A1 (ja) | 2020-01-30 |
EP3828934A4 (en) | 2021-08-18 |
JPWO2020022462A1 (ja) | 2021-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7359766B2 (ja) | 固体撮像素子、固体撮像装置、及び、固体撮像素子の読み出し方法 | |
US20230363189A1 (en) | Imaging element, stacked-type imaging element, and solid-state imaging apparatus | |
JP7423527B2 (ja) | 固体撮像素子、固体撮像装置及び固体撮像素子の製造方法 | |
TW201946262A (zh) | 攝像元件、積層型攝像元件及固體攝像裝置 | |
CN113302761A (zh) | 摄像元件和摄像装置 | |
JP7235739B2 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
JP2024045201A (ja) | 固体撮像素子 | |
US20210265402A1 (en) | Solid-state image sensor | |
US11990497B2 (en) | Solid-state imaging element and electronic device | |
TWI840387B (zh) | 固態攝像元件、固態攝像裝置及固態攝像元件之讀出方法 | |
JP7441785B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
KR20210144675A (ko) | 고체 촬상 장치 및 전자 기기 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220615 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230418 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230614 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230829 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230928 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7359766 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |