WO2015176528A1 - 承载装置、反应腔室及半导体加工设备 - Google Patents

承载装置、反应腔室及半导体加工设备 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种承载装置、反应腔室及半导体加工设备。该承载装置中的压片部的下表面具有均呈环形的第一贴合区和第一悬空区，第一悬空区环绕在压环的环孔的外围，第一贴合区环绕在第一悬空区的外围；托盘上表面的边缘区域具有均呈环形的第二贴合区和第二悬空区，第二贴合区处于托盘上表面的边缘区域中的外围，第二悬空区环绕在第二贴合区的内侧；并且在工艺位置时，第一贴合区与第二贴合区贴合，第一悬空区和第二悬空区在竖直方向上存在竖直间距。本发明提供的承载装置、反应腔室及半导体加工设备，不仅可以避免在压环与托盘相互脱离时形成污染颗粒，而且还可以防止压环损坏托盘，从而提高产品质量及良率，而且还可以降低设备的使用成本。

Description

承载装置、反应腔室及半导体加工设备 技术领域
本发明涉及微电子加工技术领域，具体地，涉及一种承载装置、反应腔室及半导体加工设备。
背景技术
在集成电路的制造过程中，通常采用物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，以下简称PVD)技术进行在晶片上沉积金属层等材料的沉积工艺。如，用于在LED芯片上制备ITO(Indium Tin Oxides，纳米铟锡金属氧化物)薄膜。在实施工艺时，由于LED芯片的尺寸较小(通常为2英寸或4英寸等)，这就需要承载装置具有可同时承载多个LED芯片的托盘，以及将托盘固定在工艺腔室内的基座上的压环，以实现同时在多个LED芯片上制备ITO薄膜。
图1为现有的PVD设备的剖视图。如图1所示，PVD设备包括反应腔室10，在反应腔室10内的顶部设置有靶材14；在反应腔室10内，且位于靶材14的下方设置有承载装置，该承载装置包括托盘12、基座11和压环13，其中，托盘12用于承载多个晶片，如图2所示；基座11用于承载托盘12，并且基座11可上下移动，以带动托盘12及其所承载的晶片能够上升至工艺位置或下降至装卸位置；当基座11下降，以使晶片离开工艺位置时，压环13由固定在反应腔室10的侧壁上的内衬15支撑，而当基座11上升，以使晶片位于工艺位置时，此时托盘12将压环13顶起，压环13借助自身重力压住托盘12上表面的边缘区域，以将托盘12固定在基座11上。
上述压环13的具体结构如图3所示，在工艺位置时，压环13在径向方向上延伸至托盘12上表面的边缘区域并贴合在该边缘区域处，由 于二者的贴合面完全贴合，因而在实际应用中会产生这样的问题，即：在完成薄膜沉积工艺之后，沉积在托盘12上表面的薄膜与沉积在压环13上表面的薄膜会在压环13与托盘12上表面的边缘区域的接合处连在一起，这样，当基座11下降，压环13与托盘12二者的贴合面相互脱离时，位于托盘12上表面与压环13上表面的接合处的薄膜会被撕裂并脱落下来形成污染颗粒。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种承载装置、反应腔室及半导体加工设备，其不仅可以避免在压环与托盘相互脱离时形成污染颗粒，而且还可以防止压环损坏托盘。
为实现本发明的目的而提供一种承载装置，其包括托盘、基座和压环，其中，所述托盘用于承载被加工工件；所述基座用于承载托盘；所述压环包括压片部，用于在工艺位置时压住所述托盘上表面的边缘区域，以将所述托盘固定在所述基座上；并且所述压环的压片部的下表面具有均呈环形的第一贴合区和第一悬空区，所述第一悬空区环绕在所述压环的环孔的外围，所述第一贴合区环绕在所述第一悬空区的外围；所述托盘上表面的边缘区域具有均呈环形的第二贴合区和第二悬空区，所述第二贴合区处于所述托盘上表面的边缘区域中的外围，所述第二悬空区环绕在所述第二贴合区的内侧；并且在工艺位置时，所述第一贴合区与所述第二贴合区彼此贴合，所述第一悬空区和所述第二悬空区在竖直方向上存在竖直间距；并且所述第一贴合区的内侧边沿与所述托盘的中心轴线之间的距离同所述第二贴合区的内侧边沿与所述托盘的中心轴线之间的距离相等，所述第一悬空区的内侧边沿与所述托盘的中心轴线之间的距离不大于所述第二悬空区的内侧边沿与所述托盘的中心轴线之间的距离。
其中，所述第二悬空区被设置为自所述第二贴合区所在平面朝向所述托盘的下表面凹进的凹部。
其中，所述第一悬空区和所述第一贴合区处于同一水平面，并且在工艺位置时，所述第一悬空区的内侧边沿与所述托盘的中心轴线之间的距离小于所述第二悬空区的内侧边沿与所述托盘的中线轴线之间的距离。
其中，所述第一悬空区被设置成自所述第一贴合区所在平面朝向所述压片部的上表面凹进的凹部，且所述第一悬空区和所述第一贴合区之间光滑过渡。
其中，所述凹部表现为凹槽或者斜面的形式。
其中，所述第一悬空区的宽度大于第一竖直间距。其中，所述第一悬空区的宽度为在工艺位置时所述第一悬空区在所述第二贴合区所在平面的正投影的宽度；所述第一竖直间距为所述第一悬空区的内侧边沿到所述第一贴合区所在平面之间的垂直距离和与工艺位置时所述第二悬空区中的与所述第一悬空区的内侧边沿相对应的位置到所述第二贴合区所在平面之间的垂直距离二者之和。
其中，所述第一竖直间距的取值范围在0.5～1mm。
其中，所述第一悬空区的宽度与所述第一竖直间距之间的比值为5～6。
其中，所述压环采用不锈钢材料制作。
其中，所述托盘采用铝或铝合金材料制作。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种反应腔室，其包括承载装置，并且所述承载装置可以采用上述任意方案提供的承载装置。
其中，本发明提供的反应腔室还包括基座升降机构，所述基座升降机构用于驱动所述基座作升降运动，以使置于其上的所述托盘上的被加工工件上升至工艺位置或下降至装卸位置，并且在所述反应腔室的腔室 侧壁内侧设置有环形内衬，所述环形内衬的下端向内弯曲，并延伸至所述压环的底部；当所述基座升降机构驱动所述基座下降，以使被加工工件离开所述工艺位置时，所述压环由所述环形内衬的下端支撑；当所述基座升降机构驱动所述基座上升，以使被加工工件位于所述工艺位置时，所述压环脱离所述环形内衬的下端，并借助自身重力压住所述托盘上表面的边缘区域。
作为再一个技术方案，本发明还提供一种半导体加工设备，其包括反应腔室，并且该反应腔室可以采用本发明上述任意方案提供的反应腔室。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的承载装置，其压环的压片部的下表面具有均呈环形的第一贴合区和第一悬空区，对应地，托盘上表面的边缘区域具有均呈环形的第二贴合区和第二悬空区，并且当托盘和压环处于工艺位置时，第一贴合区与第二贴合区彼此贴合，第一悬空区和第二悬空区在竖直方向上存在竖直间距。这样，在薄膜沉积工艺过程中，沉积在托盘上表面的薄膜和沉积在压片部上表面的薄膜在竖直方向上也存在竖直间距，因而二者不会连接在一起，从而可以避免出现背景技术中所述的因托盘上表面的薄膜和压环上表面的薄膜彼此连接在一起而在压环与托盘相互脱离时使薄膜撕裂并造成污染颗粒的问题，进而提高产品质量及良率。
本发明提供的反应腔室，其通过采用本发明提供的上述承载装置，不仅可以提高产品质量及良率，而且还可以降低设备的使用成本。
本发明提供的半导体加工设备，其通过采用本发明提供的上述反应腔室，不仅可以提高产品质量及良率，而且还可以降低设备的使用成本。
附图说明
图1为现有的PVD设备的剖视图；
图2为托盘的示意图；
图3为沉积在托盘上表面与压环上表面的接合处的薄膜的分布图；
图4A为本发明第一实施例提供的承载装置的局部示意图；
图4B为图4A中I区域的局部放大图；
图4C为图4A中承载装置的托盘的俯视图；
图4D为使用本发明实施例提供的承载装置时沉积在托盘上表面与压环上表面的接合处的薄膜的分布图；
图5为本发明第二实施例提供的承载装置的局部放大示意图；
图6为本发明第三实施例提供的承载装置的局部放大示意图；
图7为被加工工件位于工艺位置时本发明实施例提供的反应腔室的剖视图；以及
图8为被加工工件位于装卸位置时本发明实施例提供的反应腔室的剖视图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，在此对本发明的实质进行阐述。本发明的实质是，提供一种承载装置，其包括托盘、基座和压环，其中，托盘用于承载被加工工件；基座用于承载托盘；压环包括压片部，用于在工艺位置时压住托盘上表面的边缘区域，以将托盘固定在基座上；并且，该压环的压片部的下表面具有均呈环形的第一贴合区和第一悬空区，第一悬空区环绕在压片部的环孔的外围，第一贴合区环绕在第一悬空区的外围；托盘上表面的边缘区域具有均呈环形的第二贴合区和第二悬空区，第二贴合区处于托盘上表面的边缘区域中的外围，第二悬空区环绕在第二贴合区的内侧；并且在工艺位置时，第一 贴合区与第二贴合区彼此贴合，第一悬空区和第二悬空区在竖直方向上存在竖直间距；第一贴合区的内侧边沿与托盘的中心轴线之间的距离同第二贴合区的内侧边沿与托盘的中心轴线之间的距离相等，第一悬空区的内侧边沿与托盘的中心轴线之间的距离不大于第二悬空区的内侧边沿与托盘的中心轴线之间的距离。
下面结合附图来对本发明提供的承载装置、反应腔室及半导体加工设备进行详细描述。所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的组件或具有相同或类似功能的组件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。并且在本发明的描述中，术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
图4A为本发明第一实施例提供的承载装置的局部示意图。图4B为图4A中I区域的局部放大图。图4C为图4A中承载装置的托盘的俯视图。请一并参阅图4A、图4B和图4C，承载装置包括托盘22、基座21和压环23。其中，托盘22用于承载被加工工件；基座21用于承载托盘22；压环23具有压片部231，用于在工艺位置时压住托盘22的上表面的边缘区域，以将该托盘22固定在基座21上。
其中，压片部231类似于一个环形箍，其中心为中空的环孔，其下表面呈环形且具有第一悬空区2311和第一贴合区2312。并且，该第一悬空区2311和第一贴合区2312均呈环形且彼此嵌套，即，第一悬空区2311环绕在压环23的压片部231的环孔232的外围，第一贴合区2312环绕在第一悬空区2311的外围。第一悬空区2311和第一贴合区2312处于同一水平面，即压片部231的下表面为一个平面。
该托盘22的上表面的边缘区域也呈环形，且具有第二悬空区2211和第二贴合区2212。并且，该第二悬空区2211和第二贴合区2212均呈环形且彼此嵌套，即，第二贴合区2212处于托盘22的上表面的边缘区域中的最外围，第二悬空区2211环绕在第二贴合区2212的内侧。该第二悬空区2211被设置为自该第二贴合区2212所在平面朝向托盘22的下表面凹进的凹部，具体地，该第二悬空区2211被设置为凹槽结构(例如图4B和图4C中的凹槽221)，即，该托盘22的上表面的边缘区域为台阶状。
在工艺过程中，当托盘22和压环23处于工艺位置时，压环23的压片部231的下表面压住托盘22的上表面的边缘区域，具体地，压片部231的下表面的第一贴合区2312与托盘22的上表面的第二贴合区2212彼此贴合，第一悬空区2311和第二悬空区2211不相接触且在竖直方向上存在竖直间距(即凹槽的深度)。此时，第一贴合区2312的内侧边沿与托盘22的中心轴线之间的距离同第二贴合区2212的内侧边沿与托盘22的中心轴线之间的距离相等；且第一悬空区2311的内侧边沿与托盘22的中心轴线之间的距离小于第二悬空区2211的内侧边沿与托盘22的中心轴线之间的距离，即，第一悬空区2311的宽度小于第二悬空区2211的宽度。其中，第一悬空区2311的宽度为在工艺位置时该第一悬空区2311在第二贴合区2212所在平面的正投影的宽度；并且第二悬空区2211的宽度为在工艺位置时该第二悬空区2211在第二贴合区2212所在平面的正投影的宽度。
由于第一悬空区2311和第二悬空区2211在竖直方向上存在竖直间距，因此在薄膜沉积工艺过程中，沉积在托盘22的上表面的薄膜和沉积在压片部23的上表面的薄膜在竖直方向上也存在竖直间距，因而这两个薄膜是断开的，根本不会连接在一起(如图4D所示)。因此，采用本实施例提供的承载装置进行工艺，不会出现背景技术中所述的因托 盘上表面的薄膜和压环上表面的薄膜彼此连接在一起而在压环与托盘相互脱离时使薄膜撕裂并造成污染颗粒的问题，因而能够提高产品质量及良率。
此外，压片部231的下表面为一个平面，可以避免该环形平面与托盘22上表面的边缘区域相贴合的区域存在台阶或尖角等易损坏托盘22的结构，在这种情况下，即使压环23采用不锈钢材料制作，且托盘22采用铝或铝合金制作，该环形平面也可以防止不锈钢压环23的压片部231压坏铝托盘22，或者压片部231和铝托盘22因热膨胀变形程度的差异而卡在一起。
另外，第一悬空区2311的宽度L大于第二悬空区2211所对应的凹槽的深度H，以进一步防止托盘22被压片部231损坏。其中，第一悬空区2311的宽度L为该第一悬空区2311在第二贴合区2212所在平面的正投影的宽度，即该第一悬空区2311所表示的圆环的宽度；在实际应用中，上述宽度L、深度H以及二者的比值应综合考虑托盘22和压片部231在高温环境下的热膨胀变形程度，以及托盘22与压片部231之间的相对位置误差等因素而设定。优选的，本实施例中的第二悬空区2211所对应的凹槽的深度H的取值范围在0.5～1mm；并且宽度L与深度H的比值为5～6。通常，第二悬空区2211的宽度的取值范围可以在6～8mm。
优选的，压环23采用不锈钢材料制作，以保证能够具有足够的硬度压住托盘22。
优选的，托盘22采用诸如铝或铝合金材料等的重量轻、导热性能较好的材料制作。
优选的，第二贴合区2212和第二悬空区2211的接合处为光滑过渡，即，将第二贴合区2212和第二悬空区2211之间的拐角设置为圆角，以便进一步防止托盘22被压片部231损坏，和/或进一步防止压片部231 和铝托盘22因热膨胀变形程度的差异而卡在一起。
请参阅图5，其中示出本发明第二实施例提供的承载装置的局部放大示意图。本实施例中，托盘22的上表面的边缘区域所包含的第二悬空区2211和第二贴合区2212二者在径向上的位置及嵌套关系，以及压片部231下表面所包含的第一悬空区2311和第一贴合区2312二者在径向上的位置及嵌套关系，均类似于前述第一实施例，在此不再赘述。下面仅就与第一实施例的差别进行说明。
在第二实施例中，压片部231下表面被设置为台阶状，具体地，第一悬空区2311被设置为自第一贴合区2312所在平面朝向压片部231的上表面凹进的凹部，更具体地，相对于第一贴合区2312所在平面，该第一悬空区2311被设置为凹槽状，且第一贴合区2312和第一悬空区2311的接合处为光滑过渡，即，将第一贴合区2312和第一悬空区2311之间的拐角设置为圆角。并且，托盘22的上表面的边缘区域中的第二悬空区2211和第二贴合区2212处于同一水平面，即该托盘22的上表面的边缘区域为一个平面，而非前述第一实施例中的台阶状。
在工艺过程中，当压片部231的下表面的第一贴合区2312与托盘22的上表面的第二贴合区2212彼此贴合时，因第一悬空区2311为凹槽结构，故而第一悬空区2311和第二悬空区2211不相接触且在竖直方向上存在竖直间距(即凹槽的深度)。此时，第一贴合区2312的内侧边沿与托盘22的中心轴线之间的距离同第二贴合区2212的内侧边沿与托盘22的中心轴线之间的距离相等；且第一悬空区2311的内侧边沿与托盘22的中心轴线之间的距离等于第二悬空区2211的内侧边沿与托盘22的中心轴线之间的距离，即，第一悬空区2311的宽度等于第二悬空区2211的宽度。
本实施例中，由于第一悬空区2311和第二悬空区2211在竖直方向上存在竖直间距，因此在薄膜沉积工艺过程中，沉积在托盘22的上表 面的薄膜和沉积在压片部23的上表面的薄膜在竖直方向上也存在竖直间距，因而这两个薄膜是断开的，根本不会连接在一起。因此，采用本实施例提供的承载装置进行工艺，不会出现背景技术中所述的因托盘上表面的薄膜和压环上表面的薄膜彼此连接在一起而在压环与托盘相互脱离时使薄膜撕裂并造成污染颗粒的问题，因而能够提高产品质量及良率。并且，第一贴合区2312和第一悬空区2311的接合处为光滑过渡，可以防止托盘22被压片部231损坏，和/或防止压片部231和铝托盘22因热膨胀变形程度的差异而卡在一起。
请参阅图6，其中示出本发明第三实施例提供的承载装置的局部放大示意图。本实施例与前述第二实施例的结构差别在于：本实施例中的压片部231下表面的第一悬空区2311被设置为自第一贴合区2312所在平面朝向压环23环孔和压片部231的上表面倾斜的斜面，且第一贴合区2312和第一悬空区2311的接合处为光滑过渡，即，将第一悬空区2311和第一贴合区2312之间的拐角设置为圆角。
在工艺过程中，当压片部231的下表面的第一贴合区2312与托盘22的上表面的第二贴合区2212彼此贴合时，因第一悬空区2311为凹槽结构，故而第一悬空区2311和第二悬空区2211不相接触且在竖直方向上存在竖直间距，并且第一悬空区2311中的最靠近压环23的环孔的位置与第二悬空区2211之间的竖直间距应大于沉积工艺结束时托盘上表面所沉积的薄膜的厚度。这样，在薄膜沉积工艺结束时，沉积在托盘22的上表面的薄膜和沉积在压片部231的上表面的薄膜在竖直方向上也存在一定间距，因而这两个薄膜是断开的，根本不会连接在一起。因此，采用本实施例提供的承载装置进行工艺，不会出现背景技术中所述的因托盘22上表面的薄膜和压环23上表面的薄膜彼此连接在一起而在压环23与托盘22相互脱离时使薄膜撕裂并造成污染颗粒的问题。并且，第一贴合区2312和第一悬空区2311的接合处为光滑过渡，可以防止托 盘22被压片部231损坏，和/或防止压片部231和铝托盘22因热膨胀变形程度的差异而卡在一起。
需要指出的是，本发明提供的承载装置并不仅限于前述三个实施例所述的结构，例如，还可以将第二悬空区2211设置成斜面的形式；或者还可以将第一悬空区2311和第二悬空区2211均设置成凹槽的形式；或者还可以将第一悬空区2311和第二悬空区2211均设置成斜面的形式，等等。事实上，可以将第一悬空区2311和第二悬空区2211二者之中的至少一个设置成凹部。进一步地，本发明提供的承载装置，只要能够满足下述两个条件的任何结构就都可以采用：条件一，在薄膜沉积工艺结束时，沉积在托盘22的上表面的薄膜和沉积在压片部231的上表面的薄膜在竖直方向上也存在一定间距，即这两个薄膜并非连接在一起而是断开的；条件二，在托盘22和压片部231二者中，至少是在硬度较高的那一个上的悬空区和贴合区的接合处实现光滑过渡。其中，所谓光滑过渡包括悬空区和贴合区处于同一水平面(即接合处的角度为180度)的情况，也包括二者不处于同一水平面且拐角为圆角的情况。
进一步需要指出的是，为防止托盘22被压片部231损坏，可以使第一悬空区2311的宽度大于第一竖直间距，其中，第一悬空区2311的宽度指的是在工艺位置时该第一悬空区2311在第二贴合区2212所在平面的正投影的宽度；并且第一竖直间距指的是下述两个距离之和，即，第一悬空区2311的内侧边沿到第一贴合区2312所在平面之间的垂直距离和与工艺位置时第二悬空区2211中的与第一悬空区2311的内侧边沿相对应的位置到第二贴合区2212所在平面之间的垂直距离二者之和。
作为另一种技术方案，本发明实施例还提供一种反应腔室，图7为被加工工件位于工艺位置时本发明实施例提供的反应腔室的剖视图。图8为被加工工件位于装卸位置时本发明实施例提供的反应腔室的剖视图。请一并参阅图7和图8，在反应腔室30内的顶部设置有靶材31； 在反应腔室30内，且位于靶材31的下方设置有承载装置，该承载装置采用了本发明实施例提供的上述承载装置。
在本实施例中，反应腔室30还包括基座升降机构33，基座升降机构33用于驱动基座21作升降运动，以使置于其上的托盘22上的被加工工件上升至工艺位置(例如图7中托盘22上表面所在位置)或下降至装卸位置(例如图8中托盘22上表面所在位置)。而且，在反应腔室30的腔室侧壁内侧设置有环形内衬32，环形内衬32的下端向内弯曲，并延伸至压环23的底部，用以在基座升降机构33驱动基座21下降而使被加工工件离开工艺位置时支撑压环23。
在装载承载有被加工工件的托盘22时，基座升降机构33驱动基座21下降，以使被加工工件离开工艺位置，如图8所示，压环23由环形内衬32的下端支撑，此时机械手等传输装置可将托盘22传输至基座21的上表面上，从而完成托盘22的装载。
在完成托盘22的装载之后，基座升降机构33驱动基座21上升，以使被加工工件位于工艺位置时，如图7所示，压环23被托盘22上表面托起，并脱离环形内衬的下端，此时压环23借助自身重力压住托盘22上表面的边缘区域，从而实现将托盘22固定在基座21上。
本发明实施例提供的反应腔室，其通过采用本发明实施例提供的上述承载装置，不仅可以提高产品质量及良率，而且还可以降低设备的使用成本。
作为另一种技术方案，本发明实施例还提供一种半导体加工设备，其包括反应腔室，该反应腔室采用了本发明实施例提供的上述反应腔室。
本发明实施例提供的半导体加工设备，其通过采用本发明实施例提供的上述反应腔室，不仅可以提高产品质量及良率，而且还可以降低设备的使用成本。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (13)

  1. 一种承载装置，其包括托盘、基座和压环，其中，所述托盘用于承载被加工工件；所述基座用于承载托盘；所述压环包括压片部，用于在工艺位置时压住所述托盘上表面的边缘区域，以将所述托盘固定在所述基座上，其特征在于：
    所述压环的压片部的下表面具有均呈环形的第一贴合区和第一悬空区，所述第一悬空区环绕在所述压环的环孔的外围，所述第一贴合区环绕在所述第一悬空区的外围；
    所述托盘上表面的边缘区域具有均呈环形的第二贴合区和第二悬空区，所述第二贴合区处于所述托盘上表面的边缘区域中的外围，所述第二悬空区环绕在所述第二贴合区的内侧；并且
    在工艺位置时，所述第一贴合区与所述第二贴合区彼此贴合，所述第一悬空区和所述第二悬空区在竖直方向上存在竖直间距；并且所述第一贴合区的内侧边沿与所述托盘的中心轴线之间的距离同所述第二贴合区的内侧边沿与所述托盘的中心轴线之间的距离相等，所述第一悬空区的内侧边沿与所述托盘的中心轴线之间的距离不大于所述第二悬空区的内侧边沿与所述托盘的中心轴线之间的距离。
  2. 根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述第二悬空区被设置为自所述第二贴合区所在平面朝向所述托盘的下表面凹进的凹部。
  3. 根据权利要求2所述的承载装置，其特征在于，所述第一悬空区和所述第一贴合区处于同一水平面，并且在工艺位置时，所述第一悬空区的内侧边沿与所述托盘的中心轴线之间的距离小于所述第二悬空区的内侧边沿与所述托盘的中线轴线之间的距离。
  4. 根据权利要求1或2所述的承载装置，其特征在于，所述第一悬空区被设置成自所述第一贴合区所在平面朝向所述压片部的上表面凹进的凹部，且所述第一悬空区和所述第一贴合区之间光滑过渡。
  5. 根据权利要求4所述的承载装置，其特征在于，所述凹部表现为凹槽或者斜面的形式。
  6. 根据权利要求4所述的承载装置，其特征在于，所述第一悬空区的宽度大于第一竖直间距，其中
    所述第一悬空区的宽度为在工艺位置时所述第一悬空区在所述第二贴合区所在平面的正投影的宽度；
    所述第一竖直间距为所述第一悬空区的内侧边沿到所述第一贴合区所在平面之间的垂直距离和与工艺位置时所述第二悬空区中的与所述第一悬空区的内侧边沿相对应的位置到所述第二贴合区所在平面之间的垂直距离二者之和。
  7. 根据权利要求6所述的承载装置，其特征在于，所述第一竖直间距的取值范围在0.5～1mm。
  8. 根据权利要求6所述的承载装置，其特征在于，所述第一悬空区的宽度与所述第一竖直间距之间的比值为5～6。
  9. 根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述压环采用不锈钢材料制作。
  10. 根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述托盘采用铝或铝合金材料制作。
  11. 一种反应腔室，包括承载装置，其特征在于，所述承载装置采用权利要求1-10中任意一项所述的承载装置。
  12. 根据权利要求11所述的反应腔室，其特征在于，还包括基座升降机构，所述基座升降机构用于驱动所述基座作升降运动，以使置于其上的所述托盘上的被加工工件上升至工艺位置或下降至装卸位置，并且
    在所述反应腔室的腔室侧壁内侧设置有环形内衬，所述环形内衬的下端向内弯曲，并延伸至所述压环的底部；当所述基座升降机构驱动所述基座下降，以使被加工工件离开所述工艺位置时，所述压环由所述环形内衬的下端支撑；当所述基座升降机构驱动所述基座上升，以使被加工工件位于所述工艺位置时，所述压环脱离所述环形内衬的下端，并借助自身重力压住所述托盘上表面的边缘区域。
  13. 一种半导体加工设备，包括反应腔室，其特征在于，所述反应腔室采用权利要求11-12中任意一项所述的反应腔室。
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