WO2015166526A1 - ターゲット供給装置およびｅｕｖ光生成装置 - Google Patents

ターゲット供給装置およびｅｕｖ光生成装置 Download PDF

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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/002—Supply of the plasma generating material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/009—Auxiliary arrangements not involved in the plasma generation
    • H05G2/0094—Reduction, prevention or protection from contamination; Cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography

Definitions

  • the present disclosure relates to a target supply device and an EUV light generation device.
  • an LPP Laser Produced Plasma
  • DPP discharge Produced Plasma
  • a target supply device is a target supply device that supplies a target material, a tank that stores the target material, a nozzle that is connected to the tank and outputs the target material, and the tank.
  • a gas supply unit configured to supply gas, the gas supply unit being connected to a gas line, increasing the pressure of the gas supplied from the gas line, and supplying the pressure to the tank; and the pressure in the tank You may provide the pressure sensor to measure and the pressure controller which adjusts the pressure of the gas supplied to the said tank based on the measurement result in the said pressure sensor.
  • An EUV light generation apparatus includes a target supply device that supplies a target material, and generates the EUV light by irradiating the target material with laser light, the target supply device
  • the apparatus includes a tank that stores the target material, a nozzle that is connected to the tank and outputs the target material, and a gas supply unit that supplies gas to the tank.
  • the gas supply unit is connected to a gas line.
  • a pressure booster that boosts the gas supplied from the gas line and supplies the pressure to the tank; a pressure sensor that measures the pressure in the tank; and a measurement result of the pressure sensor, And a pressure controller for adjusting the pressure of the supplied gas.
  • FIG. 1 schematically shows a configuration of an LPP EUV light generation apparatus.
  • FIG. 2 schematically shows a configuration of an EUV light generation apparatus including a target supply apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 3 schematically shows the configuration of the booster.
  • FIG. 4 schematically shows a configuration of a target supply device that supplies gas to a tank using a gas cylinder.
  • FIG. 5 schematically shows a configuration of a target supply device according to the second embodiment.
  • FIG. 6 schematically shows a configuration of a target supply device according to the third embodiment.
  • FIG. 7 schematically shows a configuration of a target supply device according to the fourth embodiment.
  • FIG. 8 schematically shows a configuration of an EUV light generation system according to the fifth embodiment.
  • FIG. 9 schematically shows a configuration of an EUV light generation system according to the sixth embodiment.
  • a target supply device is a target supply device that supplies a target material, a tank that stores the target material, a nozzle that is connected to the tank and outputs the target material, A gas supply unit configured to supply a gas to the tank, the gas supply unit being connected to a gas line, boosting a gas supplied from the gas line, and supplying the gas to the tank; A pressure sensor that measures the pressure of the gas, and a pressure controller that adjusts the pressure of the gas supplied to the tank based on the measurement result of the pressure sensor.
  • an EUV light generation apparatus includes a target supply device that supplies a target material, and generates EUV light by irradiating the target material with laser light
  • the target supply device includes a tank that stores the target material, a nozzle that is connected to the tank and outputs the target material, and a gas supply unit that supplies gas to the tank.
  • a pressure booster that boosts the gas supplied from the gas line and supplies the boosted gas to the tank, a pressure sensor that measures a pressure in the tank, and a measurement result of the pressure sensor, You may provide the pressure controller which adjusts the pressure of the gas supplied to a tank.
  • FIG. 1 schematically shows a configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • the EUV light generation apparatus 1 may be used together with at least one laser apparatus 3.
  • a system including the EUV light generation apparatus 1 and the laser apparatus 3 is referred to as an EUV light generation system 11.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include a chamber 2 and a target supply apparatus 7.
  • the chamber 2 may be sealable.
  • the target supply device 7 may be attached so as to penetrate the wall of the chamber 2, for example.
  • the material of the target substance supplied from the target supply device 7 may include, but is not limited to, tin, terbium, gadolinium, lithium, xenon, or a combination of any two or more thereof.
  • the wall of the chamber 2 may be provided with at least one through hole.
  • a window 21 may be provided in the through hole, and the pulse laser beam 32 output from the laser device 3 may pass through the window 21.
  • an EUV collector mirror 23 having a spheroidal reflecting surface may be disposed.
  • the EUV collector mirror 23 may have first and second focal points.
  • On the surface of the EUV collector mirror 23, for example, a multilayer reflective film in which molybdenum and silicon are alternately laminated may be formed.
  • the EUV collector mirror 23 is preferably arranged such that, for example, the first focal point thereof is located in the plasma generation region 25 and the second focal point thereof is located at the intermediate focal point (IF) 292.
  • a through hole 24 may be provided at the center of the EUV collector mirror 23, and the pulse laser beam 33 may pass through the through hole 24.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include an EUV light generation control unit 5, a target sensor 4, and the like.
  • the target sensor 4 may have an imaging function and may be configured to detect the presence, locus, position, speed, and the like of the droplet 27 as a target.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include a connection unit 29 that allows the inside of the chamber 2 and the inside of the exposure apparatus 6 to communicate with each other.
  • a wall 291 in which an aperture 293 is formed may be provided inside the connection portion 29.
  • the wall 291 may be arranged such that its aperture 293 is located at the second focal position of the EUV collector mirror 23.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include a laser beam traveling direction control unit 34, a laser beam focusing mirror 22, a target recovery unit 28 for recovering the droplet 27, and the like.
  • the laser beam traveling direction control unit 34 may include an optical element for defining the traveling direction of the laser beam and an actuator for adjusting the position, posture, and the like of the optical element.
  • the pulsed laser beam 31 output from the laser device 3 passes through the window 21 as the pulsed laser beam 32 through the laser beam traveling direction control unit 34 and enters the chamber 2. May be.
  • the pulsed laser beam 32 may travel through the chamber 2 along at least one laser beam path, be reflected by the laser beam collecting mirror 22, and irradiate at least one droplet 27 as the pulsed laser beam 33.
  • the target supply device 7 may be configured to output the droplet 27 toward the plasma generation region 25 inside the chamber 2.
  • the droplet 27 may be irradiated with at least one pulse included in the pulsed laser light 33.
  • the droplet 27 irradiated with the pulsed laser light is turned into plasma, and radiation light 251 can be emitted from the plasma.
  • the EUV light 252 included in the radiation light 251 may be selectively reflected by the EUV collector mirror 23.
  • the EUV light 252 reflected by the EUV collector mirror 23 may be condensed at the intermediate condensing point 292 and output to the exposure apparatus 6.
  • a single droplet 27 may be irradiated with a plurality of pulses included in the pulse laser beam 33.
  • the EUV light generation controller 5 may be configured to control the entire EUV light generation system 11.
  • the EUV light generation controller 5 may be configured to process the image data of the droplet 27 captured by the target sensor 4.
  • the EUV light generation controller 5 may be configured to control, for example, the timing at which the droplet 27 is output, the output direction of the droplet 27, and the like.
  • the EUV light generation control unit 5 may be configured to control, for example, the oscillation timing of the laser device 3, the traveling direction of the pulse laser light 32, the condensing position of the pulse laser light 33, and the like.
  • the various controls described above are merely examples, and other controls may be added as necessary.
  • the gas supply unit removes impurities from the gas boosted by the booster. May be further provided.
  • the gas supply unit may further include a particle filter that removes particles from the gas boosted by the booster.
  • the gas supply unit may further include a pressure stabilizer that stabilizes the pressure of the gas boosted by the booster.
  • FIG. 2 schematically shows a configuration of an EUV light generation apparatus including a target supply apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 3 schematically shows the configuration of the booster.
  • the EUV light generation apparatus 1A may include a chamber 2 and a target supply apparatus 7A as shown in FIG.
  • the target supply device 7A may include a target generation unit 70A and a target control device 80A.
  • the laser device 3, the target sensor 4, and the EUV light generation control system 5A may be electrically connected to the target control device 80A.
  • the target generation unit 70A may include a target generator 71A, a gas supply unit 73A, a temperature control unit 78A, and a piezo unit 79A.
  • the target generator 71A may be made of a material having low reactivity with the target material 270 such as molybdenum.
  • the target generator 71A may include a tank 711A for storing the target material 270 therein.
  • the tank 711A may include a main body portion 712A, a bottom surface portion 713A, and a lid portion 714A.
  • the main body 712A may be cylindrical.
  • the bottom surface portion 713A may be configured to close the end portion on the + Z direction side as one end of the main body portion 712A in the axial direction.
  • the bottom surface portion 713A may be formed integrally with the main body portion 712A.
  • the lid portion 714A may be configured to close the end portion on the ⁇ Z direction side as the other end in the axial direction of the main body portion 712A.
  • the lid 714A may be configured separately from the main body 712A.
  • the lid 714A may be fixed to the main body 712A with a bolt (not shown). At this time, the gap between the main body 712A and the lid 714A may be sealed by fitting an O-ring (not shown) into a groove provided on the surface of the lid 714A on the + Z direction side.
  • the tank 711 ⁇ / b> A may be provided with a nozzle 718 ⁇ / b> A for outputting the target material 270 in the tank 711 ⁇ / b> A as the droplet 27 into the chamber 2.
  • the target generator 71 ⁇ / b> A may be provided such that the tank 711 ⁇ / b> A is located outside the chamber 2 and the nozzle 718 ⁇ / b> A is located inside the chamber 2.
  • a nozzle hole 719A may be provided in the nozzle 718A.
  • the nozzle hole 719A may open at a substantially central portion of the end on the + Z direction side of the nozzle 718A.
  • the diameter of the nozzle hole 719A may be 3 ⁇ m to 15 ⁇ m.
  • the nozzle 718A may be made of a material with low wettability with the target material 270.
  • the material having low wettability with the target substance 270 may be a material having a contact angle with the target substance 270 exceeding 90 °.
  • the material having a contact angle of 90 ° or more may be SiC, SiO 2 , Al 2 O 3 , molybdenum, tungsten, or tantalum.
  • the preset output direction of the droplet 27 does not necessarily coincide with the gravity direction 10B.
  • the output direction of the droplet 27 set in advance may be the central axis direction of the nozzle hole 719A, and is hereinafter referred to as a set output direction 10A.
  • the droplet 27 may be configured to be output obliquely or horizontally with respect to the gravity direction 10B.
  • the chamber 2 may be installed so that the set output direction 10A matches the gravity direction 10B.
  • the lid 714A may be provided with a pipe 721A.
  • the pipe 721A may be provided so as to pass through the lid portion 714A and the first end is located inside the tank 711A.
  • the gas supply unit 73A may supply gas to the tank 711A via the pipe 721A.
  • the purity of the gas supplied from the gas supply unit 73A to the tank 711A may be 99.999% or more.
  • the gas supply unit 73A may include a booster 731A, a gas purifier 732A, a particle filter 733A, a buffer tank 734A as a pressure stabilizer, a pressure sensor 735A, and a pressure controller 736A.
  • the booster 731A is, for example, an air driven gas such as model number AGT-7 / 30 (intake gas pressure: 1.0 MPa, discharge gas pressure: 20.7 MPa, flow rate: 0.07 L / min (Normal)) manufactured by HASKEL. It may be a booster.
  • the booster 731A may be connected to the second end of the pipe 721A.
  • the booster 731A may be connected to the gas line 730A via the pipe 722A.
  • the gas line 730A may be a low-pressure gas line that can be installed in a factory at a low cost.
  • the gas line 730A may supply a gas having a pressure of about 1 MPa.
  • the gas supplied by the gas line 730A may be an inert gas such as argon, helium, nitrogen, or hydrogen.
  • the booster 731A may boost the gas supplied from the gas line 730A and output the boosted gas to the pipe 721A.
  • the booster 731A may include an air barrel 741A as shown in FIG.
  • the air barrel 741A may be formed in a box shape.
  • the air barrel 741A may include a cylindrical portion 742A, a first closing portion 743A, and a second closing portion 744A.
  • the cylindrical portion 742A may be cylindrical.
  • the first closing part 743A may close the upper end of the cylindrical part 742A.
  • the first end of the pipe 745A and the first end of the pipe 746A may be connected to different positions in the first closing portion 743A.
  • the pipes 745A and 746A may be connected so that the insides of the pipes 745A and 746A communicate with the inside of the air barrel 741A.
  • a drive air supply unit 747A may be connected to the second end of the pipe 745A.
  • a spool 748A may be connected to the second end of the pipe 746A.
  • An exhaust pipe 749A may be connected to the spool 748A.
  • the first pilot valve 750A may be provided at a position where the pipes 745A and 746A are not connected in the first closing portion 743A.
  • the first pilot valve 750A may be provided such that a part of the first pilot valve 750A is located inside the air barrel 741A.
  • the second closing part 744A may close the lower end of the cylindrical part 742A.
  • a through hole 751A may be provided in the approximate center of the second closing portion 744A.
  • the first end of the pipe 752A and the first end of the pipe 753A may be connected to different positions in the second closing portion 744A.
  • the pipes 752A and 753A may be connected so that the insides of the pipes 752A and 753A communicate with the inside of the air barrel 741A.
  • a drive air supply unit 747A may be connected to the second end of the pipe 752A.
  • a spool 748A may be connected to the second end of the pipe 753A.
  • a second pilot valve 754A may be provided at a position where the pipes 752A and 753A are not connected in the second closing portion 744A.
  • the second pilot valve 754A may be provided such that a part of the second pilot valve 754A is located inside the air barrel 741A.
  • the drive air supply unit 747A may supply drive air into the air barrel 741A via the pipe 745A or the pipe 752A.
  • the spool 748A may exhaust the air inside the air barrel 741A via the exhaust pipe 749A via the pipe 746A or the pipe 753A.
  • a gas barrel 755A may be provided in the second closing portion 744A of the air barrel 741A so as to extend downward.
  • the gas barrel 755A may be formed integrally with the air barrel 741A.
  • the gas barrel 755A may be formed in a cylindrical shape whose lower end is closed.
  • the inner diameter of the gas barrel 755A may be smaller than the inner diameter of the cylindrical portion 742A.
  • the gas barrel 755A may be provided so that the pipes 752A and 753A and the second pilot valve 754A are located outside the gas barrel 755A.
  • the gas barrel 755A may be provided such that the center of the through hole 751A is located at the radial center of the gas barrel 755A.
  • a first check valve 756A and a second check valve 764A may be provided at different positions on the side surface on the lower end side of the gas barrel 755A.
  • the first check valve 756A may include a cylindrical main body 757A.
  • the main body 757A may be provided to extend to the outside of the gas barrel 755A.
  • the distal end side of the main body 757A may be connected to the gas line 730A via the pipe 722A.
  • the inside of the main body 757A may communicate with the inside of the gas barrel 755A via a through hole 758A provided in the side surface of the gas barrel 755A.
  • the inner diameter of the through hole 758A may be smaller than the inner diameter of the main body 757A.
  • an annular spring contact portion 759A can be provided outside the through hole 758A.
  • An inclined surface portion 760A may be provided on the distal end side of the main body portion 757A inside the main body portion 757A.
  • the inclined surface portion 760A may have a shape in which the diameter dimension decreases as the distance from the gas barrel 755A increases.
  • the through-hole 761A whose inner diameter is smaller than the inner diameter of the main body 757A can be provided at the tip of the main body 757A.
  • a ball 762A may be disposed inside the main body 757A. The diameter of the ball 762A may be smaller than the inner diameter of the main body 757A and larger than the inner diameter of the through hole 761A.
  • a spring 763A may be disposed inside the main body 757A.
  • the spring 763A may be a coil spring.
  • the spring 763A may be arranged such that one end side in the spiral axial direction is in contact with the spring contact portion 759A and the other end side is in contact with the ball 762A.
  • the second check valve 764A may have the same configuration as the first check valve 756A.
  • the second check valve 764A may include a main body portion 765A, a through hole 766A, an inclined surface portion 767A, a spring contact portion 768A, a through hole 769A, and a ball 770A.
  • the main body 765A may be cylindrical.
  • the distal end side of the main body portion 765A may be connected to the gas purifier 732A via the pipe 721A.
  • the inside of the main body 765A may communicate with the inside of the gas barrel 755A via a through hole 766A provided on the side surface of the gas barrel 755A.
  • An inclined surface portion 767A may be provided on the gas barrel 755A side inside the main body portion 765A.
  • the inclined surface portion 767A may have a shape in which the diameter is reduced as it approaches the gas barrel 755A. Thereby, the inner diameter of the through hole 766A can be smaller than the inner diameter of the main body portion 765A.
  • An annular spring contact portion 768A may be provided at the tip of the main body portion 765A.
  • the opening of the spring contact portion 768A may be a through hole 769A having an inner diameter smaller than the inner diameter of the main body portion 765A.
  • a ball 770A having a diameter smaller than the inner diameter of the main body 765A and larger than the inner diameter of the through hole 766A may be disposed inside the main body 765A.
  • a spring 771A which is a coil spring, may be disposed inside the main body 765A. The spring 771A may be arranged such that one end side in the spiral axial direction is in contact with the spring contact portion 768A and the other end side is in contact with the ball 770A.
  • the booster 731A may include an air piston 772A, a gas piston 773A, and a rod 774A.
  • the air piston 772A may have a disk shape whose outer diameter is substantially the same as the inner diameter of the cylindrical portion 742A.
  • the air piston 772A may be disposed in the cylindrical portion 742A so that the thickness direction of the air piston 772A is parallel to the axial direction of the cylindrical portion 742A.
  • the drive air supplied to the first space 775A above the air piston 772A is inserted into a groove provided on the outer peripheral surface of the air piston 772A so that the drive air supplied to the first space 775A above the air piston 772A You may suppress leaking into 2 space 776A.
  • the gas piston 773A may have a disk shape whose outer diameter is substantially the same as the inner diameter of the gas barrel 755A.
  • the gas piston 773A may be disposed in the gas barrel 755A so that the thickness direction of the gas piston 773A is parallel to the axial direction of the gas barrel 755A.
  • an O-ring (not shown) into a groove provided on the outer peripheral surface of the gas piston 773A, the gas in the third space 777A below the gas piston 773A is transferred to the fourth space 778A above the gas piston 773A. Leakage may be suppressed.
  • the rod 774A may have a round bar shape whose outer diameter is substantially the same as the inner diameter of the through hole 751A.
  • the rod 774A may be inserted through the through hole 751A.
  • An air piston 772A may be connected to the upper end of the rod 774A.
  • a gas piston 773A may be connected to the lower end of the rod 774A.
  • the drive air in the second space 776A may be prevented from leaking into the fourth space 778A by fitting an O-ring (not shown) into the groove provided on the inner peripheral surface of the through hole 751A.
  • the spool 748A is connected to the first space 775A and the outside of the booster 731A via the pipe 746A and the exhaust pipe 749A.
  • the second space 776A may be sealed.
  • the drive air supply unit 747A may supply drive air only to the second space 776A. As a result, the air in the first space 775A is exhausted, and the air piston 772A and the gas piston 773A are raised, and the pressure in the third space 777A can be lowered.
  • the air piston 772A can contact the first pilot valve 750A as shown by a solid line in FIG.
  • the spool 748A communicates the second space 776A and the outside of the booster 731A via the pipe 753A and the exhaust pipe 749A, and the first space 775A is sealed. It may be in a state.
  • the drive air supply unit 747A may stop supplying drive air to the second space 776A and supply drive air only to the first space 775A.
  • the gas purifier 732A may be provided on the tank 711A side from the booster 731A in the pipe 721A.
  • the gas purifier 732A may remove impurities in the pressurized gas supplied from the booster 731A.
  • the impurities in the pressurizing gas may be organic components such as lubricating oil mixed in the booster 731A, oxygen, or the like. Thereby, it can suppress that the target material 270 and the impurity in tank 711A react, and a reaction product generate
  • the gas purifier 732A may be an adsorption or getter type gas purifier.
  • the particle filter 733A may be provided on the tank 711A side from the gas purifier 732A in the pipe 721A.
  • the particle filter 733A may remove particles in the pressurized gas output from the booster 731A.
  • the particles in the pressurizing gas may be generated from a sliding component of the booster 731A.
  • the sliding component that generates particles may be an O-ring provided on the gas piston 773A or a gas barrel 755A that contacts the O-ring. As a result, it is possible to prevent particles from entering the tank 711A and clogging the nozzle 718A.
  • the particle filter 733A may be a clean gas filter having a filtration degree of about 0.02 ⁇ m.
  • the filter medium of the particle filter 733A may be a PTFE membrane or the like.
  • a pipe 723A may be connected to the tank 711A side of the particle filter 733A in the pipe 721A.
  • a first end of the pipe 723A may be connected to a side surface of the pipe 721A.
  • a buffer tank 734A may be provided at the second end of the pipe 723A.
  • the volume of the buffer tank 734A may be larger than the capacity of all the gas flow paths from the booster 731A to the tank 711A.
  • the buffer tank 734A may reduce the pressure fluctuation of the pressurizing gas generated in the pipe 721A. Since the pressure booster 731A pressurizes the gas by moving the gas piston 773A up and down, the pressure booster 731A can generate a pressure fluctuation of the pressure boosted gas that matches the reciprocating cycle of the gas piston 773A.
  • the buffer tank 734A may reduce the pressure fluctuation of the boosted gas generated by the booster 731A.
  • the pressure fluctuation range after reduction by the buffer tank 734A may be less than 10% of the pressure after adjustment by the
  • a pipe 724A may be connected to the tank 711A side of the pipe 721A from the buffer tank 734A.
  • a first end of the pipe 724A may be connected to a side surface of the pipe 721A.
  • a pressure sensor 735A may be provided at the second end of the pipe 724A.
  • the pressure sensor 735A may be electrically connected to a later-described valve control unit 737A of the pressure controller 736A.
  • the pressure sensor 735A may measure the pressure in the pipe 724A and transmit a signal corresponding to the measured pressure to the valve control unit 737A.
  • the pressure in the pipe 724A can be substantially the same as the pressure in the pipe 721A and the tank 711A. That is, the pressure sensor 735A can measure the pressure in the tank 711A.
  • the pressure controller 736A may adjust the pressure of the pressurized gas supplied to the tank 711A based on the measurement result of the pressure sensor 735A.
  • the pressure controller 736A may include a first valve V1, a second valve V2, and a valve control unit 737A.
  • the 1st valve V1 may be provided between the connection part with piping 723A in piping 721A, and the connection part with piping 724A.
  • a pipe 725A may be connected between a connection portion of the pipe 721A with the pipe 724A and the first valve V1.
  • a first end of the pipe 725A may be connected to a side surface of the pipe 721A.
  • a second end of the pipe 725A may be opened.
  • the second valve V2 may be provided in the middle of the pipe 725A.
  • the pipes 721A, 722A, 723A, 724A, and 725A may be formed of stainless steel, for example.
  • the first valve V1 and the second valve V2 may be any one of a gate valve, a ball valve, a butterfly valve, and the like.
  • the first valve V1 and the second valve V2 may be the same type of valve or different types of valves.
  • a valve control unit 737A may be electrically connected to the first valve V1 and the second valve V2.
  • the target control device 80A may transmit signals related to the first valve V1 and the second valve V2 to the valve control unit 737A.
  • the opening and closing of the first valve V1 and the second valve V2 may be switched independently based on a signal transmitted from the valve control unit 737A.
  • the pressurized gas supplied from the gas line 730A can be supplied into the tank 711A of the target generator 71A via the pipe 721A.
  • the second valve V2 is closed, the pressurization gas existing in the pipe 721A and the tank 711A can be prevented from being discharged from the second end of the pipe 725A to the outside of the pipe 725A.
  • the pressure in the tank 711A can be increased to the pressure after boosting in the booster 731A. Thereafter, the pressure in the tank 711A can be maintained at the pressure after the boosting by the booster 731A.
  • the pressurized gas can be prevented from being supplied into the tank 711A via the pipe 721A.
  • the second valve V2 is opened, a pressure difference between the inside of the pipe 721A and the tank 711A and the outside of the pipe 721A and the tank 711A causes the pressurized gas existing in the pipe 721A and the tank 711A to be 2 can be discharged to the outside of the pipe 725A. Accordingly, when the first valve V1 is closed and the second valve V2 is opened, the pressure in the tank 711A can be lowered.
  • the temperature control unit 78A may be configured to control the temperature of the target material 270 in the tank 711A.
  • the temperature control unit 78A may include a heater 781A, a heater power supply 782A, a temperature sensor 783A, and a temperature controller 784A.
  • the heater 781A may be provided on the outer peripheral surface of the tank 711A.
  • the heater power supply 782A may supply power to the heater 781A based on a signal from the temperature controller 784A to cause the heater 781A to generate heat. Thereby, the target material 270 in the tank 711A can be heated via the tank 711A.
  • the temperature sensor 783A may be provided on the nozzle 718A side on the outer peripheral surface of the tank 711A, or may be provided in the tank 711A.
  • the temperature sensor 783A may be configured to detect mainly the temperature of the installation position of the temperature sensor 783A in the tank 711A and a position in the vicinity thereof, and transmit a signal corresponding to the detected temperature to the temperature controller 784A.
  • the temperature of the installation position of the temperature sensor 783A and the position in the vicinity thereof can be substantially the same as the temperature of the target material 270 in the tank 711A.
  • the temperature controller 784A may be configured to output a signal for controlling the temperature of the target material 270 to a predetermined temperature based on a signal from the temperature sensor 783A to the heater power supply 782A.
  • the piezo unit 79A may include a piezo element 791A and a power source 792A.
  • the piezo element 791A may be provided on the outer peripheral surface of the nozzle 718A in the chamber 2. Instead of the piezo element 791A, a mechanism capable of applying vibration to the nozzle 718A at high speed may be provided.
  • the power source 792A may be electrically connected to the piezo element 791A via the feedthrough 793A.
  • the power source 792A may be electrically connected to the target control device 80A.
  • the target generation unit 70A may be configured to generate the droplet 27 by generating the jet 27A by a continuous jet method and vibrating the jet 27A output from the nozzle 718A.
  • FIG. 4 schematically shows a configuration of a target supply device that supplies gas to a tank using a gas cylinder.
  • the operation of the target supply device 7A will be described by exemplifying the case where the target material 270 is tin.
  • the target supply device shown in FIG. 4 is the same as the target supply device 7A of the first embodiment except that an inert gas cylinder 721 is used instead of the booster 731A, the gas purifier 732A, the particle filter 733A, and the buffer tank 734A.
  • the target control device 80A transmits a signal to the temperature control unit 78A to heat the target material 270 in the target generator 71A to a predetermined temperature equal to or higher than the melting point of the target material 270. Also good.
  • the target control device 80A may transmit a signal having a predetermined frequency to the piezo element 791A. Thereby, the piezo element 791A can vibrate so as to periodically generate the droplet 27 from the jet 27A.
  • the target control apparatus 80A may transmit a signal to the valve control unit 737A and set the pressure in the tank 711A of the target generator 71A to the target pressure Pt.
  • the valve control unit 737A may control the opening and closing of the first valve V1 and the second valve V2 so that the value of the difference ⁇ P between the pressure P measured by the pressure sensor 735A and the target pressure Pt becomes small.
  • the inert gas in the inert gas cylinder 721 is supplied into the tank 711A, and the pressure in the tank 711A can be stabilized at the target pressure Pt.
  • the jet 27A is output from the nozzle 718A, and the droplet 27 can be generated according to the vibration of the nozzle 718A.
  • the distance between the droplets 27 In order to improve the stability of the EUV light output, it may be required to increase the distance between the droplets 27. If the distance between the droplets 27 is narrow, the influence of plasma for generating EUV light may disturb the trajectory of the droplet 27 that is next irradiated with the laser light. When the trajectory of the droplet 27 is disturbed, the laser beam is not irradiated to an appropriate position of the droplet 27, and the EUV light output may fluctuate. In order to suppress such a phenomenon, it can be considered that the distance between the droplets 27 is widened to reduce the influence of the plasma on the droplets 27 irradiated with the laser beam next time. For this reason, it is conceivable to reduce the repetition frequency of EUV light generation.
  • the pressure to be supplied to the tank 711A may be about 12 MPa.
  • the initial filling pressure of the inert gas cylinder 721 may be about 27 MPa.
  • the inert gas cylinder 721 cannot supply the pressure necessary for the output of the droplet 27 to the tank 711A, and the inert gas cylinder 721 is replaced. May be necessary.
  • the target supply device 7A may be configured as shown in FIG.
  • the valve controller 737A of the pressure controller 736A performs opening / closing control of the first valve V1 and the second valve V2 in order to reach the target pressure Pt in the tank 711A
  • the booster 731A may boost the gas supplied from the gas line 730A and supply it to the pressure controller 736A.
  • the gas in the gas line 730A is filled in the third space 777A, the gas piston 773A of the booster 731A is raised to the position shown by the solid line in FIG. 3, and the air piston 772A is the first pilot valve.
  • the booster 731A may lower the air piston 772A and the gas piston 773A. Accordingly, the first check valve 756A is closed and the second check valve 764A is opened, and the gas in the third space 777A can be pressurized and supplied to the pressure controller 736A.
  • the booster 731A controls the air piston 772A and the gas piston 773A so that the flow rate of the boosted gas supplied to the pressure controller 736A via the second check valve 764A is about 2.33 L / min (Normal). It may be lowered. This can be assumed to be completed in 12 hours when the pressure of about 1 MPa is increased to about 14 MPa and the volume to be increased is set to 12 L.
  • the volume to be boosted may be assumed that the capacity of a typical buffer tank 734A is 10L and the capacity of the tank 711A and the pipes 721A, 723A, and 724A is 2L.
  • the output of the droplet 27 may be stopped, and the pressure in the tank 711A may be about 1 atmosphere (0.1 MPa).
  • the volume to be boosted with respect to the initial pressure increase can be 2L.
  • the flow rate of the pressure increase gas supplied to the pressure controller 736A may be 0.39 L / min (Normal). That is, during the preparation of the output of the droplet 27, the booster 731A supplies a pressure-increasing gas of about 12 MPa to the pressure controller 736A at a flow rate of 0.35 L / min (Normal) or more and 2.4 L / min (Normal) or less. May be.
  • the pressurization gas supplied from the booster 731A can be supplied to the gas purifier 732A.
  • the pressurized gas supplied to the gas purifier 732A can be supplied to the particle filter 733A after removing impurities in the gas purifier 732A.
  • the pressurized gas supplied to the particle filter 733A can be supplied to the buffer tank 734A and the pressure controller 736A after the particles are removed in the particle filter 733A.
  • the pressure fluctuation of the pressurized gas supplied to the pressure controller 736A can be reduced in the buffer tank 734A.
  • the pressure controller 736A may adjust the pressure of the pressurization gas with reduced pressure fluctuation and supply it to the tank 711A. When the pressure in the tank 711A reaches the target pressure Pt, the jet 27A is output from the nozzle 718A, and the droplet 27 can be generated.
  • the consumption of the pressurized gas in the pressure controller 736A can be 9.44 cc / min (Normal).
  • the amount of boosted gas consumed in this case may be the amount of boosted gas discharged from the pipe 725A when the second valve V2 of the pressure controller 736A is opened.
  • the consumption of the pressurized gas in the pressure controller 736A can be 12.44 cc / min (Normal).
  • the consumption of this pressurizing gas may be assumed to be a case where a tin droplet 27 having a diameter of 20 ⁇ m is output at 100 kHz with a pressure of 12 MPa.
  • the booster 731A supplies a pressurized gas of about 12 MPa to a flow rate of 9.4 cc / min (Normal) to 12.5 cc / min (Normal). May be supplied to the pressure controller 736A.
  • the air piston 772A and the gas piston 773A of the booster 731A can be lowered. Thereby, even if the droplet 27 continues to be output and the pressurized gas is consumed, the pressure in the tank 711A can be maintained at the target pressure Pt.
  • the booster 731A may raise the air piston 772A and the gas piston 773A.
  • the second check valve 764A is closed to stop the supply of the pressurized gas, and the first check valve 756A is opened, so that the gas in the gas line 730A can be supplied into the third space 777A.
  • the booster 731A lowers the air piston 772A and the gas piston 773A as described above, and the pressure controller
  • the supply of the pressurized gas to 736A may be resumed.
  • the time from when the booster 731A stops supplying the boosted gas to when it restarts is the time when the droplet 27 is output during this time and the pressure gas continues to be consumed.
  • the length maintained at the target pressure Pt may be used.
  • the booster 731A boosts the gas in the gas line 730A and supplies it to the pressure controller 736A, so that the high-pressure boosted gas is stored in the tank. It may be possible to continue to supply to 711A. As a result, it is possible to increase the speed of the droplet 27 without exchanging the inert gas cylinder.
  • the gas in the gas line 730A that can be installed at a low cost in the factory is supplied after being pressurized, the cost can be suppressed and safety management of the high-pressure gas facility can be unnecessary.
  • the pressure controller 736A can perform highly accurate pressure control. As a result, output stability such as the speed, interval, and output angle of the droplet 27 can be improved.
  • FIG. 5 schematically shows a configuration of a target supply device according to the second embodiment.
  • the target supply device 7B of the second embodiment may apply the same configuration as the target supply device 7A of the first embodiment except for the gas supply unit 73B.
  • the gas supply unit 73B may be the same as the gas supply unit 73A of the first embodiment, except that the gas supply unit 73B further includes a booster 731B similar to the booster 731A.
  • the booster 731B may be provided between the booster 731A and the gas purifier 732A in the pipe 721A.
  • the booster 731A boosts the gas supplied from the gas line 730A to increase the pressure. You may supply to the container 731B.
  • the booster 731B may further boost the boosted gas from the booster 731A.
  • the boosted gas boosted by the booster 731B can be supplied to the pressure controller 736A via the gas purifier 732A, the particle filter 733A, and the buffer tank 734A.
  • the pressure controller 736A can be supplied with a pressure-increasing gas having a pressure higher than that in the first embodiment.
  • FIG. 6 schematically illustrates the configuration of a target supply device according to a third embodiment.
  • the target supply device 7C of the third embodiment may apply the same configuration as the target supply device 7A of the first embodiment except for the gas supply unit 73C.
  • the gas supply unit 73C may be the same as the gas supply unit 73A of the first embodiment except that a pressure regulator 738C as a pressure stabilizer is provided instead of the buffer tank 734A.
  • the pressure regulator 738C may be provided between the particle filter 733A and the first valve V1 in the pipe 721A.
  • the pipe 723A may not be connected to the pipe 721A.
  • the material of the diaphragm of the pressure regulator 738C may be PTFE (polytetrafluoroethylene), EPM (ethylene propylene rubber), EPDM (ethylene propylene diene rubber), fluorine rubber, or the like.
  • the pressure regulator 738C may reduce pressure fluctuation that occurs in the pipe 721A.
  • the pressure fluctuation range after reduction by the pressure regulator 738C may be less than 10% of the pressure after adjustment by the pressure controller 736A.
  • the pressure regulator 738C instead of the buffer tank 734A, the volume of the configuration used for reducing the pressure fluctuation can be reduced.
  • the booster 731A may boost the gas supplied from the gas line 730A.
  • the boosted gas boosted by the booster 731A can be supplied to the pressure regulator 738C via the gas purifier 732A and the particle filter 733A.
  • the pressure regulator 738C may reduce the pressure fluctuation of the pressurizing gas.
  • the pressure controller 736A can be supplied with the boosted gas with reduced pressure fluctuations, as in the first embodiment.
  • FIG. 7 schematically illustrates the configuration of a target supply device according to a fourth embodiment.
  • the target supply device 7D of the fourth embodiment may apply the same configuration as the target supply device 7A of the first embodiment except for the gas supply unit 73D.
  • the gas supply unit 73D may be the same as the gas supply unit 73A of the first embodiment except that a purifier 739D is provided instead of the gas purifier 732A and the particle filter 733A.
  • the purifier 739D may be provided between the connection portion of the pipe 723A in the pipe 721A and the booster 731A.
  • the purifier 739D may be, for example, model number SP70-203 (pressure resistance: 206.8 atm (about 21.0 MPa), filtration degree of particle filter: 0.003 ⁇ m) manufactured by SAES Pure Gas.
  • the booster 731A may boost the gas supplied from the gas line 730A. .
  • the boosted gas boosted by the booster 731A can be supplied to the purifier 739D.
  • the purifier 739D may remove impurities and particles in the pressurized gas.
  • the pressurized gas from which impurities and particles have been removed can be supplied to the tank 711A via the buffer tank 734A and the pressure controller 736A.
  • FIG. 8 schematically illustrates a configuration of an EUV light generation system according to a fifth embodiment.
  • the EUV light generation system 11E of the fifth embodiment may include a plurality of EUV light generation apparatuses 1E and fewer gas supply units 73A than the number of EUV light generation apparatuses 1E.
  • Each EUV light generation apparatus 1 ⁇ / b> E may be used together with the laser apparatus 3 and the exposure apparatus 6.
  • the EUV light generation apparatus 1E may apply the same configuration as the EUV light generation apparatus 1A of the first embodiment except for the target supply apparatus 7E.
  • the target supply device 7E may apply the same configuration as the target supply device 7A of the first embodiment except that the gas supply unit 73A is not individually provided.
  • a pipe 901E may be provided on the lid 714A of the target generator 71A.
  • the pipe 901E may pass through the lid 714A, and the first end may be located inside the tank 711A.
  • a valve V3 may be provided in the middle of the pipe 901E.
  • only one gas supply unit 73A may be provided.
  • the pipe 902E may be connected to the first end of the pipe 721A so as to branch into the same number as the EUV light generation apparatus 1E.
  • a valve V4 may be provided in the middle of the branching of the pipe 902E.
  • the 2nd end of piping 902E and the 2nd end of piping 901E may be connected via joint 911E.
  • the pressurization gas in the pipe 721A can be supplied into the tanks 711A of the plurality of EUV light generation apparatuses 1E.
  • closing the valve V3 and the valve V4 and operating the joint 911E to release the connection between the pipe 901E and the pipe 902E it may be possible to individually remove and maintain the target supply device 7E.
  • the worker opens the valve V3 and the valve V4 connected to the EUV light generation apparatus 1E that generates EUV light among the plurality of EUV light generation apparatuses 1E configuring the EUV light generation system 11E, and opens the tank 711A. It is good also as a state which can supply pressurization gas.
  • the pressure controller 736A controls the pressure so that the pressure in the tank 711A reaches the target pressure Pt
  • the booster 731A boosts the gas supplied from the gas line 730A. May be.
  • the pressurized gas boosted by the booster 731A can be supplied to the pressure controller 736A via the gas purifier 732A, the particle filter 733A, and the buffer tank 734A.
  • the pressurized gas whose pressure is adjusted by the pressure controller 736A can be supplied to the tank 711A of the EUV light generation apparatus 1E in which the valve V3 and the valve V4 are open.
  • the pressure in the tank 711A reaches the target pressure Pt, the jet 27A is output from the nozzle 718A, and the droplet 27 can be generated.
  • one gas supply The unit 73A can supply the pressurized gas capable of outputting the droplet 27 to the plurality of tanks 711A.
  • the number of gas supply units 73A may be less than the number of tanks 711A, and the cost may be reduced.
  • the target supply device 7E is individually removed for maintenance, it may be unnecessary to stop the operation of the other target supply devices 7E.
  • FIG. 9 schematically illustrates a configuration of an EUV light generation system according to a sixth embodiment.
  • the EUV light generation system 11F of the sixth embodiment may include a plurality of EUV light generation apparatuses 1F and gas supply units 73F that are fewer than the number of EUV light generation apparatuses 1F.
  • Each EUV light generation apparatus 1 ⁇ / b> F may be used together with the laser apparatus 3 and the exposure apparatus 6.
  • the EUV light generation apparatus 1F may be the same as the EUV light generation apparatus 1A of the first embodiment except for the target supply apparatus 7F.
  • the target supply device 7F may be the same as the target supply device 7A of the first embodiment, except that the gas supply unit 73F is not individually provided.
  • a pipe 901E may be provided on the lid 714A of the target generator 71A so that the first end is located inside the tank 711A.
  • a valve V3 may be provided in the middle of the pipe 901E.
  • the gas supply unit 73F may include a booster 731A, a gas purifier 732A, a particle filter 733A, a buffer tank 734A, a pressure sensor 735A, and a pressure controller 736A.
  • the number of boosters 731A, gas purifiers 732A, particle filters 733A, and buffer tanks 734A may be one each.
  • the number of pressure sensors 735A and pressure controllers 736A may be the same as the number of EUV light generation apparatuses 1F, respectively.
  • the booster 731A may be connected to the second end of the pipe 721A.
  • the booster 731A may be connected to the gas line 730A via the pipe 722A.
  • a gas purifier 732A, a particle filter 733A, and a buffer tank 734A may be provided in the pipe 721A.
  • the pipe 902E may be connected to the first end of the pipe 721A so as to branch into the same number as the EUV light generation apparatus 1F.
  • a valve V4 may be provided in the middle of the branching of the pipe 902E.
  • the 2nd end of piping 902E and the 2nd end of piping 901E may be connected via joint 911E.
  • a first end of the pipe 903F may be connected between the valve V3 and the lid 714A in the pipe 901E.
  • a pressure sensor 735A may be provided at the second end of the pipe 903F.
  • the first valve V1 of the pressure controller 736A may be provided between the pipe 721A side and the valve V4 after the branching of the pipe 902E.
  • a first end of the pipe 904F may be connected between the first valve V1 and the valve V4 in the pipe 902E.
  • the second valve V2 of the pressure controller 736A may be provided in the middle of the pipe 904F.
  • the second end of the pipe 904F may be opened.
  • the first valve V1 and the second valve V2 may be electrically connected to the valve controller 737A of the pressure controller 736A.
  • the pressure sensor 735A may be electrically connected to the valve control unit 737A by the electric wire 911F and the electric wire 912F that are electrically connected via the connector 913F.
  • the pressurized gas in the pipe 721A can be supplied into the tanks 711A of the plurality of EUV light generation apparatuses 1F. Further, by closing the valve V3 and the valve V4, the joint 911E is operated to release the connection between the pipe 902E and the pipe 901E, and the connector 913F is operated to release the connection between the electric wire 911F and the electric wire 912F.
  • the target supply device 7F may be individually removed for maintenance.
  • the worker opens the valve V3 and the valve V4 connected to the EUV light generation apparatus 1F that generates EUV light among the plurality of EUV light generation apparatuses 1F constituting the EUV light generation system 11F, and enters the tank 711A. It is good also as a state which can supply pressurization gas.
  • the target control device 80A of the EUV light generation apparatus 1F that generates EUV light may transmit a signal to the valve control unit 737A to set the pressure in the tank 711A to the target pressure Pt.
  • the target pressure Pt of each tank 711A may be the same or different.
  • a plurality of target generators 71A having different diameters of the nozzle holes 719A may be used to output the droplets 27 at the same speed, or a plurality of nozzle holes 719A having the same diameter may be used.
  • the target generator 71A may be used to output the droplets 27 at different speeds.
  • the booster 731A may boost the gas supplied from the gas line 730A in order to make the pressure in the tank 711A reach the target pressure Pt.
  • the pressurized gas can be supplied to the tank 711A of the EUV light generation apparatus 1F in which the valve V3 and the valve V4 are open.
  • the jet 27A is output from the nozzle 718A, and the droplet 27 can be generated.
  • the booster 731A may use a configuration in which the pressure in the third space 777A is detected by a pressure sensor and the air piston 772A and the gas piston 773A are moved up and down by driving a motor.
  • a booster that raises and lowers the air piston 772A and the gas piston 773A with drive air is referred to as a “boost of the embodiment”
  • a booster that raises and lowers the air piston 772A and the gas piston 773A with the drive of the motor It may be referred to as an “example booster”.
  • three or more boosters may be provided.
  • two or more boosters may be provided.
  • a plurality of boosters are provided, only the booster of the embodiment may be provided, or only the booster of the modified example may be provided, or both the booster of the embodiment and the booster of the modified example may be provided. Good.
  • the buffer tank 734A and the pressure regulator 738C are installed. It does not have to be provided.
  • a pressure regulator 738C may be provided instead of the buffer tank 734A.
  • at least one of the gas purifier 732A and the particle filter 733A may not be provided, and the arrangement positions of the gas purifier 732A and the particle filter 733A are switched. Also good.
  • a purifier 739D may be provided instead of the gas purifier 732A and the particle filter 733A. In the fourth embodiment, the purifier 739D may not be provided.

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Abstract

　ターゲット供給装置（７Ａ）は、ターゲット物質（２７０）を貯蔵するタンク（７１１Ａ）と、タンク（７１１Ａ）に接続され、ターゲット物質（２７０）を出力するノズル（７１８Ａ）と、タンク（７１１Ａ）にガスを供給するガス供給部（７３Ａ）とを備え、ガス供給部（７３Ａ）は、ガスライン（７３０Ａ）に接続され、ガスライン（７３０Ａ）から供給されるガスを昇圧してタンク（７１１Ａ）に出力する昇圧器（７３１Ａ）と、タンク（７１１Ａ）内の圧力を計測する圧力センサ（７３５Ａ）と、圧力センサ（７３５Ａ）での計測結果に基づいて、タンク（７１１Ａ）に供給されるガスの圧力を調整する圧力コントローラ（７３６Ａ）とを備えてもよい。

Description

ターゲット供給装置およびＥＵＶ光生成装置
　本開示は、ターゲット供給装置およびＥＵＶ光生成装置に関する。
　近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、４５ｎｍ～７０ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
　ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ　Ｐｒｏｄｕｃｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ　Ｐｒｏｄｕｃｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ　Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）式の装置との３種類の装置が提案されている。
特開２０１０－１６６０４１号公報 特開２００８－１９３０１４号公報 米国特許出願公開第２０１０／０２５８７４７号明細書
概要
　本開示の一態様によるターゲット供給装置は、ターゲット物質を供給するターゲット供給装置であって、前記ターゲット物質を貯蔵するタンクと、前記タンクに接続され、前記ターゲット物質を出力するノズルと、前記タンクにガスを供給するガス供給部とを備え、前記ガス供給部は、ガスラインに接続され、前記ガスラインから供給されるガスを昇圧して前記タンクに供給する昇圧器と、前記タンク内の圧力を計測する圧力センサと、前記圧力センサでの計測結果に基づいて、前記タンクに供給されるガスの圧力を調整する圧力コントローラとを備えてもよい。
　本開示の一態様によるＥＵＶ光生成装置は、ターゲット物質を供給するターゲット供給装置を備え、前記ターゲット物質にレーザ光を照射することによってＥＵＶ光を生成するＥＵＶ光生成装置であって、前記ターゲット供給装置は、前記ターゲット物質を貯蔵するタンクと、前記タンクに接続され、前記ターゲット物質を出力するノズルと、前記タンクにガスを供給するガス供給部とを備え、前記ガス供給部は、ガスラインに接続され、前記ガスラインから供給されるガスを昇圧して前記タンクに供給する昇圧器と、前記タンク内の圧力を計測する圧力センサと、前記圧力センサでの計測結果に基づいて、前記タンクに供給されるガスの圧力を調整する圧力コントローラとを備えてもよい。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。 図２は、第１実施形態に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。 図３は、昇圧器の構成を概略的に示す。 図４は、ガスボンベを用いてタンクにガスを供給するターゲット供給装置の構成を概略的に示す。 図５は、第２実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。 図６は、第３実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。 図７は、第４実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。 図８は、第５実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図９は、第６実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
実施形態
内容
１．概要
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１　構成
２．２　動作
３．ターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置
３．１　用語の説明
３．２　第１実施形態
３．２．１　概略
３．２．２　構成
３．２．３　動作
３．３　第２実施形態
３．３．１　構成
３．３．２　動作
３．４　第３実施形態
３．４．１　構成
３．４．２　動作
３．５　第４実施形態
３．５．１　構成
３．５．２　動作
３．６　第５実施形態
３．６．１　構成
３．６．２　動作
３．７　第６実施形態
３．７．１　構成
３．７．２　動作
３．８　変形例
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成および動作の全てが本開示の構成および動作として必須であるとは限らない。また、図１以外の図面を用いて説明する実施形態において、図１に示す構成要素のうち、本開示の説明に必須でない構成については、図示を省略する場合がある。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
１．概要
　本開示の実施形態においては、ターゲット供給装置は、ターゲット物質を供給するターゲット供給装置であって、前記ターゲット物質を貯蔵するタンクと、前記タンクに接続され、前記ターゲット物質を出力するノズルと、前記タンクにガスを供給するガス供給部とを備え、前記ガス供給部は、ガスラインに接続され、前記ガスラインから供給されるガスを昇圧して前記タンクに供給する昇圧器と、前記タンク内の圧力を計測する圧力センサと、前記圧力センサでの計測結果に基づいて、前記タンクに供給されるガスの圧力を調整する圧力コントローラとを備えてもよい。
　本開示の実施形態においては、ＥＵＶ光生成装置は、ターゲット物質を供給するターゲット供給装置を備え、前記ターゲット物質にレーザ光を照射することによってＥＵＶ光を生成するＥＵＶ光生成装置であって、前記ターゲット供給装置は、前記ターゲット物質を貯蔵するタンクと、前記タンクに接続され、前記ターゲット物質を出力するノズルと、前記タンクにガスを供給するガス供給部とを備え、前記ガス供給部は、ガスラインに接続され、前記ガスラインから供給されるガスを昇圧して前記タンクに供給する昇圧器と、前記タンク内の圧力を計測する圧力センサと、前記圧力センサでの計測結果に基づいて、前記タンクに供給されるガスの圧力を調整する圧力コントローラとを備えてもよい。
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１　構成
　図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１およびレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給装置７を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給装置７は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給装置７から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
　チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１および第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。
　ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲットとしてのドロップレット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。
　また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
　さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ドロップレット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
　２．２　動作
　図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのドロップレット２７に照射されてもよい。
　ターゲット供給装置７は、ドロップレット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ドロップレット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたドロップレット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射され得る。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光２５２は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのドロップレット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたドロップレット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ドロップレット２７が出力されるタイミング、ドロップレット２７の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
３．ターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置
３．１　用語の説明
　以下、図１以外の図面を用いた説明において、方向に関する用語は各図に示したＸＹＺ軸を基準として説明する場合がある。昇圧器の構成および動作の説明において、方向に関する用語を図３を基準として説明する場合がある。なお、これらの表現は、重力方向１０Ｂとの関係を表すものではない。
　昇圧器で昇圧されたガスを、「昇圧ガス」と表現する場合があり得る。
３．２　第１実施形態
３．２．１　概略
　本開示の第１実施形態のターゲット供給装置またはＥＵＶ光生成装置において、ガス供給部は、昇圧器で昇圧したガスから不純物を除去するガス精製器をさらに備えてもよい。
　本開示の第１実施形態のターゲット供給装置またはＥＵＶ光生成装置において、ガス供給部は、昇圧器で昇圧したガスからパーティクルを除去するパーティクルフィルタをさらに備えてもよい。
　本開示の第１実施形態のターゲット供給装置またはＥＵＶ光生成装置において、ガス供給部は、昇圧器で昇圧したガスの圧力を安定化させる圧力安定器をさらに備えてもよい。
３．２．２　構成
　図２は、第１実施形態に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図３は、昇圧器の構成を概略的に示す。
　ＥＵＶ光生成装置１Ａは、図２に示すように、チャンバ２と、ターゲット供給装置７Ａとを備えてもよい。ターゲット供給装置７Ａは、ターゲット生成部７０Ａと、ターゲット制御装置８０Ａとを備えてもよい。ターゲット制御装置８０Ａには、レーザ装置３と、ターゲットセンサ４と、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａとが電気的に接続されてもよい。
　ターゲット生成部７０Ａは、図２に示すように、ターゲット生成器７１Ａと、ガス供給部７３Ａと、温度制御部７８Ａと、ピエゾ部７９Ａとを備えてもよい。
　ターゲット生成器７１Ａは、例えばモリブデンなどのターゲット物質２７０との反応性が低い材料で構成されてもよい。ターゲット生成器７１Ａは、内部にターゲット物質２７０を貯蔵するためのタンク７１１Ａを備えてもよい。タンク７１１Ａは、本体部７１２Ａと、底面部７１３Ａと、蓋部７１４Ａとを備えてもよい。
　本体部７１２Ａは、筒状であってもよい。
　底面部７１３Ａは、本体部７１２Ａの軸方向の一端としての＋Ｚ方向側の端部を塞ぐように構成されてもよい。底面部７１３Ａは、本体部７１２Ａと一体的に形成されてもよい。
　蓋部７１４Ａは、本体部７１２Ａの軸方向の他端としての－Ｚ方向側の端部を塞ぐように構成されてもよい。蓋部７１４Ａは、本体部７１２Ａと別体で構成されてもよい。蓋部７１４Ａは、図示しないボルトによって本体部７１２Ａに固定されてもよい。このとき、蓋部７１４Ａの＋Ｚ方向側の面に設けられた溝に図示しないＯリングを嵌め込むことで、本体部７１２Ａと蓋部７１４Ａとの間をシールしてもよい。
　タンク７１１Ａには、当該タンク７１１Ａ内のターゲット物質２７０を、ドロップレット２７としてチャンバ２内に出力するためのノズル７１８Ａが設けられていてもよい。ターゲット生成器７１Ａは、タンク７１１Ａがチャンバ２外部に位置し、ノズル７１８Ａがチャンバ２内部に位置するように設けられてもよい。
　ノズル７１８Ａには、ノズル孔７１９Ａが設けられてもよい。ノズル孔７１９Ａは、ノズル７１８Ａにおける＋Ｚ方向側の端部の略中央部に開口してもよい。ノズル孔７１９Ａの直径は、３μｍ～１５μｍであってもよい。ノズル７１８Ａは、ターゲット物質２７０との濡れ性が低い材料で構成されてもよい。具体的には、ターゲット物質２７０との濡れ性が低い材料とは、ターゲット物質２７０との接触角が９０°を超える材料であってもよい。接触角が９０°以上の材料は、ＳｉＣ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、モリブデン、タングステン、タンタルのいずれかであってもよい。
　チャンバ２の設置形態によっては、予め設定されるドロップレット２７の出力方向は、必ずしも重力方向１０Ｂと一致するとは限らない。予め設定されるドロップレット２７の出力方向は、ノズル孔７１９Ａの中心軸方向であってもよく、以降、設定出力方向１０Ａと称する。重力方向１０Ｂに対して、斜め方向や水平方向に、ドロップレット２７が出力されるよう構成されてもよい。なお、第１実施形態では、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂと一致するようにチャンバ２が設置されてもよい。
　蓋部７１４Ａには、配管７２１Ａが設けられてもよい。配管７２１Ａは、蓋部７１４Ａを貫通し、第１の端がタンク７１１Ａの内部に位置するように設けられてもよい。
　ガス供給部７３Ａは、配管７２１Ａを介して、タンク７１１Ａにガスを供給してもよい。ガス供給部７３Ａがタンク７１１Ａに供給するガスの純度は、９９．９９９％以上であってもよい。
　ガス供給部７３Ａは、昇圧器７３１Ａと、ガス精製器７３２Ａと、パーティクルフィルタ７３３Ａと、圧力安定器としてのバッファタンク７３４Ａと、圧力センサ７３５Ａと、圧力コントローラ７３６Ａとを備えてもよい。
　昇圧器７３１Ａは、例えば、ＨＡＳＫＥＬ社の型式番号ＡＧＴ－７／３０（吸入ガス圧力：１．０ＭＰａ、吐出ガス圧力：２０．７ＭＰａ、流量：０．０７Ｌ／ｍｉｎ（Ｎｏｒｍａｌ））などのエア駆動ガスブースターであってもよい。
　昇圧器７３１Ａは、配管７２１Ａの第２の端に接続されてもよい。昇圧器７３１Ａは、配管７２２Ａを介して、ガスライン７３０Ａに接続されてもよい。ガスライン７３０Ａは、工場に安価に敷設可能な低圧のガスラインであってもよい。ガスライン７３０Ａは、圧力が１ＭＰａ程度のガスを供給してもよい。ガスライン７３０Ａが供給するガスは、アルゴン、ヘリウム、窒素などの不活性ガスであってもよいし、水素であってもよい。
　昇圧器７３１Ａは、ガスライン７３０Ａから供給されるガスを昇圧して、配管７２１Ａに出力してもよい。昇圧器７３１Ａは、図３に示すように、エアバレル７４１Ａを備えてもよい。エアバレル７４１Ａは、箱状に形成されてもよい。エアバレル７４１Ａは、筒状部７４２Ａと、第１閉塞部７４３Ａと、第２閉塞部７４４Ａとを備えてもよい。
　筒状部７４２Ａは、円筒状であってもよい。
　第１閉塞部７４３Ａは、筒状部７４２Ａの上端を閉塞してもよい。第１閉塞部７４３Ａにおける互いに異なる位置には、配管７４５Ａの第１の端と、配管７４６Ａの第１の端とがそれぞれ接続されてもよい。配管７４５Ａ，７４６Ａは、当該配管７４５Ａ，７４６Ａの内部とエアバレル７４１Ａの内部とが、連通するように接続されてもよい。配管７４５Ａの第２の端には、駆動エア供給部７４７Ａが接続されてもよい。配管７４６Ａの第２の端には、スプール７４８Ａが接続されてもよい。スプール７４８Ａには、排気管７４９Ａが接続されてもよい。
　第１閉塞部７４３Ａにおける配管７４５Ａ，７４６Ａが接続されていない位置には、第１パイロットバルブ７５０Ａが設けられてもよい。第１パイロットバルブ７５０Ａは、当該第１パイロットバルブ７５０Ａの一部がエアバレル７４１Ａの内部に位置するように設けられてもよい。
　第２閉塞部７４４Ａは、筒状部７４２Ａの下端を閉塞してもよい。第２閉塞部７４４Ａの略中央には、貫通孔７５１Ａが設けられてもよい。
　第２閉塞部７４４Ａにおける互いに異なる位置には、配管７５２Ａの第１の端と、配管７５３Ａの第１の端とがそれぞれ接続されてもよい。配管７５２Ａ，７５３Ａは、当該配管７５２Ａ，７５３Ａの内部とエアバレル７４１Ａの内部とが、連通するように接続されてもよい。配管７５２Ａの第２の端には、駆動エア供給部７４７Ａが接続されてもよい。配管７５３Ａの第２の端には、スプール７４８Ａが接続されてもよい。
　第２閉塞部７４４Ａにおける配管７５２Ａ，７５３Ａが接続されていない位置には、第２パイロットバルブ７５４Ａが設けられてもよい。第２パイロットバルブ７５４Ａは、当該第２パイロットバルブ７５４Ａの一部がエアバレル７４１Ａの内部に位置するように設けられてもよい。
　駆動エア供給部７４７Ａは、配管７４５Ａまたは配管７５２Ａを介して、エアバレル７４１Ａの内部に駆動エアを供給してもよい。
　スプール７４８Ａは、配管７４６Ａまたは配管７５３Ａを介して、エアバレル７４１Ａの内部のエアを排気管７４９Ａを介して排気してもよい。
　エアバレル７４１Ａの第２閉塞部７４４Ａには、下方に延びるように、ガスバレル７５５Ａが設けられてもよい。ガスバレル７５５Ａは、エアバレル７４１Ａと一体的に形成されてもよい。
　ガスバレル７５５Ａは、下端が閉塞された円筒状に形成されてもよい。ガスバレル７５５Ａの内径は、筒状部７４２Ａの内径より小さくてもよい。ガスバレル７５５Ａは、当該ガスバレル７５５Ａの外側に配管７５２Ａ，７５３Ａ、第２パイロットバルブ７５４Ａが位置するように設けられてもよい。ガスバレル７５５Ａは、当該ガスバレル７５５Ａの径方向中心に貫通孔７５１Ａの中心が位置するように設けられてもよい。
　ガスバレル７５５Ａの下端側の側面における互いに異なる位置には、第１チェックバルブ７５６Ａと、第２チェックバルブ７６４Ａとがそれぞれ設けられてもよい。
　第１チェックバルブ７５６Ａは、円筒状の本体部７５７Ａを備えてもよい。本体部７５７Ａは、ガスバレル７５５Ａの外側に延びるように設けられてもよい。本体部７５７Ａの先端側は、配管７２２Ａを介してガスライン７３０Ａに接続されてもよい。本体部７５７Ａの内部は、ガスバレル７５５Ａの側面に設けられた貫通孔７５８Ａを介してガスバレル７５５Ａの内部と連通してもよい。貫通孔７５８Ａの内径は、本体部７５７Ａの内径より小さくてもよい。これにより、貫通孔７５８Ａの外側に、円環状のばね当接部７５９Ａが設けられ得る。
　本体部７５７Ａの内部における当該本体部７５７Ａの先端側には、傾斜面部７６０Ａが設けられてもよい。傾斜面部７６０Ａは、ガスバレル７５５Ａから離れるにしたがって径寸法が小さくなる形状であってもよい。これにより、本体部７５７Ａの先端に、当該本体部７５７Ａの内径より内径が小さい貫通孔７６１Ａが設けられ得る。
　本体部７５７Ａの内部には、ボール７６２Ａが配置されてもよい。ボール７６２Ａの直径は、本体部７５７Ａの内径より小さく、かつ、貫通孔７６１Ａの内径より大きくてもよい。
　本体部７５７Ａの内部には、ばね７６３Ａが配置されてもよい。ばね７６３Ａは、コイルスプリングであってもよい。ばね７６３Ａは、螺旋状の軸方向の一端側がばね当接部７５９Ａに当接し、他端側がボール７６２Ａに当接するように配置されてもよい。
　第２チェックバルブ７６４Ａは、第１チェックバルブ７５６Ａと同様の構成であってもよい。第２チェックバルブ７６４Ａは、本体部７６５Ａと、貫通孔７６６Ａと、傾斜面部７６７Ａと、ばね当接部７６８Ａと、貫通孔７６９Ａと、ボール７７０Ａとを備えてもよい。
　本体部７６５Ａは、円筒状であってもよい。本体部７６５Ａの先端側は、配管７２１Ａを介してガス精製器７３２Ａに接続されてもよい。本体部７６５Ａの内部は、ガスバレル７５５Ａの側面に設けられた貫通孔７６６Ａを介してガスバレル７５５Ａの内部と連通してもよい。本体部７６５Ａの内部におけるガスバレル７５５Ａ側には、傾斜面部７６７Ａが設けられてもよい。傾斜面部７６７Ａは、ガスバレル７５５Ａに近づくにしたがって径寸法が小さくなる形状であってもよい。これにより、貫通孔７６６Ａの内径は、本体部７６５Ａの内径より小さくなり得る。
　本体部７６５Ａの先端には、円環状のばね当接部７６８Ａが設けられてもよい。ばね当接部７６８Ａの開口は、内径が本体部７６５Ａの内径より小さい貫通孔７６９Ａであってもよい。
　本体部７６５Ａの内部には、直径が本体部７６５Ａの内径より小さく、かつ、貫通孔７６６Ａの内径より大きいボール７７０Ａが配置されてもよい。
　本体部７６５Ａの内部には、コイルスプリングであるばね７７１Ａが配置されてもよい。ばね７７１Ａは、螺旋状の軸方向の一端側がばね当接部７６８Ａに当接し、他端側がボール７７０Ａに当接するように配置されてもよい。
　昇圧器７３１Ａは、エアピストン７７２Ａと、ガスピストン７７３Ａと、ロッド７７４Ａとを備えてもよい。
　エアピストン７７２Ａは、外径が筒状部７４２Ａの内径とほぼ同じ円板状であってもよい。エアピストン７７２Ａは、当該エアピストン７７２Ａの厚さ方向が筒状部７４２Ａの軸方向と平行となるように、筒状部７４２Ａ内に配置されてもよい。エアピストン７７２Ａの外周面に設けられた溝に、図示しないＯリングを嵌め込むことで、エアピストン７７２Ａより上側の第１空間７７５Ａに供給された駆動エアが、当該エアピストン７７２Ａより下側の第２空間７７６Ａに漏れることを抑制してもよい。
　ガスピストン７７３Ａは、外径がガスバレル７５５Ａの内径とほぼ同じ円板状であってもよい。ガスピストン７７３Ａは、当該ガスピストン７７３Ａの厚さ方向がガスバレル７５５Ａの軸方向と平行となるように、ガスバレル７５５Ａ内に配置されてもよい。ガスピストン７７３Ａの外周面に設けられた溝に、図示しないＯリングを嵌め込むことで、ガスピストン７７３Ａより下側の第３空間７７７Ａのガスが、当該ガスピストン７７３Ａより上側の第４空間７７８Ａに漏れることを抑制してもよい。
　ロッド７７４Ａは、外径が貫通孔７５１Ａの内径とほぼ同じ丸棒状であってもよい。ロッド７７４Ａは、貫通孔７５１Ａに挿通されてもよい。ロッド７７４Ａの上端には、エアピストン７７２Ａが接続されてもよい。ロッド７７４Ａの下端には、ガスピストン７７３Ａが接続されてもよい。貫通孔７５１Ａの内周面に設けられた溝に、図示しないＯリングを嵌め込むことで、第２空間７７６Ａ内の駆動エアが第４空間７７８Ａに漏れることを抑制してもよい。
　例えば、図３において二点鎖線で示すように、エアピストン７７２Ａが第２パイロットバルブ７５４Ａに接触すると、スプール７４８Ａは、配管７４６Ａおよび排気管７４９Ａを介して第１空間７７５Ａと昇圧器７３１Ａの外部とを連通させるとともに、第２空間７７６Ａが密閉される状態にしてもよい。駆動エア供給部７４７Ａは、第２空間７７６Ａのみに駆動エアを供給してもよい。これにより、第１空間７７５Ａ内のエアが排気されるとともに、エアピストン７７２Ａおよびガスピストン７７３Ａが上昇し、第３空間７７７Ａの圧力が下がり得る。第３空間７７７Ａの圧力が下がると、ボール７７０Ａが傾斜面部７６７Ａに密着して第２チェックバルブ７６４Ａが閉じるとともに、ボール７６２Ａが傾斜面部７６０Ａから離れて第１チェックバルブ７５６Ａが開き、ガスライン７３０Ａのガスが第３空間７７７Ａ内に充填され得る。
　第３空間７７７Ａ内のガスの充填量が増えると、図３において実線で示すように、エアピストン７７２Ａが第１パイロットバルブ７５０Ａに接触し得る。エアピストン７７２Ａが第１パイロットバルブ７５０Ａに接触すると、スプール７４８Ａは、配管７５３Ａおよび排気管７４９Ａを介して第２空間７７６Ａと昇圧器７３１Ａの外部とを連通させるとともに、第１空間７７５Ａが密閉される状態にしてもよい。駆動エア供給部７４７Ａは、第２空間７７６Ａへの駆動エアの供給を停止して、第１空間７７５Ａのみに駆動エアを供給してもよい。これにより、第２空間７７６Ａ内のエアが排気されるとともに、エアピストン７７２Ａおよびガスピストン７７３Ａが下降し、第３空間７７７Ａの圧力が上がり得る。第３空間７７７Ａの圧力が上がると、ボール７６２Ａが傾斜面部７６０Ａに密着して第１チェックバルブ７５６Ａが閉じるとともに、ボール７７０Ａが傾斜面部７６７Ａから離れて第２チェックバルブ７６４Ａが開き、ガスバレル７５５Ａで昇圧されたガスがガス精製器７３２Ａに供給され得る。
　ガス精製器７３２Ａは、配管７２１Ａにおける昇圧器７３１Ａよりタンク７１１Ａ側に設けられてもよい。ガス精製器７３２Ａは、昇圧器７３１Ａから供給される昇圧ガス中の不純物を除去してもよい。昇圧ガス中の不純物は、昇圧器７３１Ａに混入する潤滑油などの有機成分や、酸素などであってもよい。これにより、タンク７１１Ａ内のターゲット物質２７０と不純物とが反応して、反応生成物が発生することを抑制し得る。その結果、反応生成物がノズル７１８Ａを詰まらせることを抑制し得る。ガス精製器７３２Ａは、吸着式あるいはゲッター式のガス精製器であってもよい。
　パーティクルフィルタ７３３Ａは、配管７２１Ａにおけるガス精製器７３２Ａよりタンク７１１Ａ側に設けられてもよい。パーティクルフィルタ７３３Ａは、昇圧器７３１Ａから出力される昇圧ガス中のパーティクルを除去してもよい。昇圧ガス中のパーティクルは、昇圧器７３１Ａの摺動部品から発生してもよい。パーティクルを発生させる摺動部品は、ガスピストン７７３Ａに設けられたＯリングや、当該Ｏリングと接触するガスバレル７５５Ａであってもよい。これにより、パーティクルがタンク７１１Ａ内に侵入して、ノズル７１８Ａを詰まらせることを抑制し得る。パーティクルフィルタ７３３Ａは、濾過度が０．０２μｍ程度のクリーンガスフィルタであってもよい。パーティクルフィルタ７３３Ａの濾材は、ＰＴＦＥメンブランなどであってもよい。
　配管７２１Ａにおけるパーティクルフィルタ７３３Ａよりタンク７１１Ａ側には、配管７２３Ａが接続されてもよい。配管７２３Ａは、第１の端が配管７２１Ａの側面に接続されてもよい。配管７２３Ａの第２の端には、バッファタンク７３４Ａが設けられてもよい。
　バッファタンク７３４Ａの容積は、昇圧器７３１Ａからタンク７１１Ａまでの全ガス流路の容量より大きくてもよい。バッファタンク７３４Ａは、配管７２１Ａ内に生じる昇圧ガスの圧力変動を低減してもよい。昇圧器７３１Ａは、ガスピストン７７３Ａの昇降によりガスを昇圧するため、ガスピストン７７３Ａの往復の周期に一致する昇圧ガスの圧力変動を発生させ得る。バッファタンク７３４Ａは、昇圧器７３１Ａが発生させる昇圧ガスの圧力変動を低減してもよい。バッファタンク７３４Ａによる低減後の圧力変動幅は、圧力コントローラ７３６Ａでの調整後の圧力の１０％未満であってもよい。
　配管７２１Ａにおけるバッファタンク７３４Ａよりタンク７１１Ａ側には、配管７２４Ａが接続されてもよい。配管７２４Ａは、第１の端が配管７２１Ａの側面に接続されてもよい。配管７２４Ａの第２の端には、圧力センサ７３５Ａが設けられてもよい。
　圧力センサ７３５Ａは、圧力コントローラ７３６Ａの後述するバルブ制御部７３７Ａに電気的に接続されてもよい。圧力センサ７３５Ａは、配管７２４Ａ内の圧力を計測して、この計測した圧力に対応する信号をバルブ制御部７３７Ａに送信してもよい。配管７２４Ａ内の圧力は、配管７２１Ａ内およびタンク７１１Ａ内の圧力とほぼ同一の圧力となり得る。すなわち、圧力センサ７３５Ａは、タンク７１１Ａ内の圧力を計測し得る。
　圧力コントローラ７３６Ａは、圧力センサ７３５Ａでの計測結果に基づいて、タンク７１１Ａに供給される昇圧ガスの圧力を調整してもよい。圧力コントローラ７３６Ａは、第１バルブＶ１と、第２バルブＶ２と、バルブ制御部７３７Ａとを備えてもよい。
　第１バルブＶ１は、配管７２１Ａにおける配管７２３Ａとの接続部分と配管７２４Ａとの接続部分との間に設けられてもよい。
　配管７２１Ａにおける配管７２４Ａとの接続部分と第１バルブＶ１との間には、配管７２５Ａが接続されてもよい。配管７２５Ａは、第１の端が配管７２１Ａの側面に接続されてもよい。配管７２５Ａは、第２の端が開放されてもよい。第２バルブＶ２は、配管７２５Ａの途中に設けられてもよい。
　配管７２１Ａ，７２２Ａ，７２３Ａ，７２４Ａ，７２５Ａは、例えばステンレス鋼で形成されてもよい。
　第１バルブＶ１および第２バルブＶ２は、ゲートバルブ、ボールバルブ、バタフライバルブなどのいずれかであってもよい。第１バルブＶ１と第２バルブＶ２とは、同じ種類のバルブであってもよいし、異なる種類のバルブであってもよい。
　第１バルブＶ１および第２バルブＶ２には、バルブ制御部７３７Ａが電気的に接続されてもよい。ターゲット制御装置８０Ａは、バルブ制御部７３７Ａに第１バルブＶ１および第２バルブＶ２に関する信号を送信してもよい。第１バルブＶ１および第２バルブＶ２は、バルブ制御部７３７Ａから送信される信号に基づいて、それぞれ独立して開閉を切り替えられてもよい。
　第１バルブＶ１が開くと、ガスライン７３０Ａから供給される昇圧ガスが、配管７２１Ａを介してターゲット生成器７１Ａのタンク７１１Ａ内に供給され得る。第２バルブＶ２が閉じている場合、配管７２１Ａおよびタンク７１１Ａ内に存在する昇圧ガスが、配管７２５Ａの第２の端から当該配管７２５Ａの外部に排出されることを防止し得る。このことにより、第１バルブＶ１が開くとともに第２バルブＶ２が閉じると、タンク７１１Ａ内の圧力が、昇圧器７３１Ａでの昇圧後の圧力まで上がり得る。その後、タンク７１１Ａ内の圧力は、昇圧器７３１Ａでの昇圧後の圧力で維持され得る。
　第１バルブＶ１が閉じると、昇圧ガスが、配管７２１Ａを介してタンク７１１Ａ内に供給されることを防止し得る。第２バルブＶ２が開くと、配管７２１Ａおよびタンク７１１Ａの内部と、当該配管７２１Ａおよびタンク７１１Ａの外部との間の圧力差によって、配管７２１Ａおよびタンク７１１Ａ内に存在する昇圧ガスが、配管７２４Ａの第２の端から当該配管７２５Ａの外部に排出され得る。これにより、第１バルブＶ１が閉じるとともに第２バルブＶ２が開くと、タンク７１１Ａ内の圧力が下がり得る。
　温度制御部７８Ａは、タンク７１１Ａ内のターゲット物質２７０の温度を制御するよう構成されてもよい。温度制御部７８Ａは、ヒータ７８１Ａと、ヒータ電源７８２Ａと、温度センサ７８３Ａと、温度コントローラ７８４Ａとを備えてもよい。ヒータ７８１Ａは、タンク７１１Ａの外周面に設けられてもよい。ヒータ電源７８２Ａは、温度コントローラ７８４Ａからの信号に基づいて、ヒータ７８１Ａに電力を供給してヒータ７８１Ａを発熱させてもよい。それにより、タンク７１１Ａ内のターゲット物質２７０が、タンク７１１Ａを介して加熱され得る。
　温度センサ７８３Ａは、タンク７１１Ａの外周面におけるノズル７１８Ａ側に設けられてもよいし、タンク７１１Ａ内に設けられてもよい。温度センサ７８３Ａは、タンク７１１Ａにおける主に温度センサ７８３Ａの設置位置およびその近傍の位置の温度を検出して、当該検出した温度に対応する信号を温度コントローラ７８４Ａに送信するよう構成されてもよい。温度センサ７８３Ａの設置位置およびその近傍の位置の温度は、タンク７１１Ａ内のターゲット物質２７０の温度とほぼ同一の温度となり得る。
　温度コントローラ７８４Ａは、温度センサ７８３Ａからの信号に基づいて、ターゲット物質２７０の温度を所定温度に制御するための信号をヒータ電源７８２Ａに出力するよう構成されてもよい。
　ピエゾ部７９Ａは、ピエゾ素子７９１Ａと、電源７９２Ａとを備えてもよい。ピエゾ素子７９１Ａは、チャンバ２内において、ノズル７１８Ａの外周面に設けられてもよい。ピエゾ素子７９１Ａの代わりに、高速でノズル７１８Ａに振動を加えることが可能な機構が設けられてもよい。電源７９２Ａは、フィードスルー７９３Ａを介してピエゾ素子７９１Ａに電気的に接続されてもよい。電源７９２Ａは、ターゲット制御装置８０Ａに電気的に接続されてもよい。
　ターゲット生成部７０Ａは、コンティニュアスジェット方式でジェット２７Ａを生成し、ノズル７１８Ａから出力したジェット２７Ａを振動させることで、ドロップレット２７を生成するよう構成されてもよい。
３．２．３　動作
　図４は、ガスボンベを用いてタンクにガスを供給するターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
　なお、以下において、ターゲット物質２７０がスズの場合を例示して、ターゲット供給装置７Ａの動作を説明する。
　図４に示すターゲット供給装置は、昇圧器７３１Ａ、ガス精製器７３２Ａ、パーティクルフィルタ７３３Ａおよびバッファタンク７３４Ａの代わりに、不活性ガスボンベ７２１を適用したこと以外は、第１実施形態のターゲット供給装置７Ａと同様の構成であってもよい。
　このようなターゲット供給装置において、ターゲット制御装置８０Ａは、温度制御部７８Ａに信号を送信して、ターゲット生成器７１Ａ内のターゲット物質２７０を当該ターゲット物質２７０の融点以上の所定の温度まで加熱してもよい。
　ターゲット制御装置８０Ａは、ピエゾ素子７９１Ａに所定の周波数の信号を送信してもよい。これにより、ピエゾ素子７９１Ａが、ジェット２７Ａからドロップレット２７を周期的に生成するように振動し得る。
　ターゲット制御装置８０Ａは、バルブ制御部７３７Ａに信号を送信して、ターゲット生成器７１Ａのタンク７１１Ａ内の圧力を目標圧力Ｐｔに設定してもよい。バルブ制御部７３７Ａは、圧力センサ７３５Ａで計測した圧力Ｐと目標圧力Ｐｔの差ΔＰの値が小さくなるように、第１バルブＶ１および第２バルブＶ２を開閉制御してもよい。これにより、不活性ガスボンベ７２１内の不活性ガスがタンク７１１Ａ内に供給され、当該タンク７１１Ａ内の圧力が目標圧力Ｐｔに安定し得る。タンク７１１Ａ内の圧力が目標圧力Ｐｔに到達すると、ノズル７１８Ａからジェット２７Ａが出力し、ノズル７１８Ａの振動に応じてドロップレット２７が生成され得る。
　ＥＵＶ光出力の安定性を向上させるために、ドロップレット２７の間隔を広げることが要求され得る。ドロップレット２７の間隔が狭いと、ＥＵＶ光発生のためのプラズマの影響が、次にレーザ光に照射されるドロップレット２７の軌道を乱す場合があり得る。ドロップレット２７の軌道が乱れると、ドロップレット２７の適正な位置にレーザ光が照射されず、ＥＵＶ光出力が変動し得る。
　このような現象を抑制するために、ドロップレット２７の間隔を広げて、次にレーザ光に照射されるドロップレット２７へのプラズマの影響を低減することが考えられ得る。このために、ＥＵＶ光生成の繰り返し周波数を下げることも考えられるが、出力を保とうとすると、ＥＵＶ光のエネルギーを上げる必要があり得る。ＥＵＶ光のエネルギーを上げる場合、レーザ出力を向上させなければならず、高コストになり得る。
　そこで、ＥＵＶ光出力の繰り返し周波数を保持しつつ、ドロップレット２７の間隔を広げるために、ドロップレット２７の速度を上げる必要性が高まり得る。
　例えば、５０ｍ／ｓ程度の速度をもつドロップレット２７を出力する場合、タンク７１１Ａに供給するべき圧力は、１２ＭＰａ程度必要となり得る。一方、不活性ガスボンベ７２１の初期充填圧は、２７ＭＰａ程度であり得る。
　ドロップレット２７を出力していくと、ガスが消費されるため、不活性ガスボンベ７２１中の圧力は初期充填圧から低下し得る。不活性ガスボンベ７２１の圧力がタンク７１１Ａに供給すべき圧力を下回ると、不活性ガスボンベ７２１がドロップレット２７の出力に必要な圧力をタンク７１１Ａに供給することができなくなり、不活性ガスボンベ７２１の交換が必要となり得る。
　ドロップレット２７の速度を上げる場合、タンク７１１Ａに供給すべき圧力も上げる必要があり得る。不活性ガスボンベ７２１の初期充填圧は、ボンベ容器の規格によって制限されるため容易に上げることが困難となり得る。このため、ドロップレット２７を高速化すると、より頻繁な不活性ガスボンベ７２１の交換が必要となり得る。
　一方、ターゲット生成装置で使用する高圧のガスを、半導体工場のガス設備から供給する方法も考えられ得る。しかし、数十ＭＰａのガスを供給するガス設備を敷設するためには、高耐圧の特殊な配管、バルブなどが必要となり、高コストになるとともに高圧ガス設備の安全管理に多大な工数を要し得る。
　このような状況を改善するために、ターゲット供給装置７Ａを図２に示すように構成してもよい。
　図２に示すターゲット供給装置７Ａにおいて、タンク７１１Ａ内の圧力を目標圧力Ｐｔに到達させるために、圧力コントローラ７３６Ａのバルブ制御部７３７Ａが第１バルブＶ１および第２バルブＶ２の開閉制御を行う際、昇圧器７３１Ａは、ガスライン７３０Ａから供給されるガスを昇圧して、圧力コントローラ７３６Ａに供給してもよい。
　ドロップレット２７の出力準備において、ガスライン７３０Ａのガスが第３空間７７７Ａに充填され、昇圧器７３１Ａのガスピストン７７３Ａが図３に実線で示す位置に上昇して、エアピストン７７２Ａが第１パイロットバルブ７５０Ａに接触すると、昇圧器７３１Ａは、エアピストン７７２Ａおよびガスピストン７７３Ａを下降させてもよい。これにより、第１チェックバルブ７５６Ａが閉じるとともに第２チェックバルブ７６４Ａが開き、第３空間７７７Ａ内のガスが昇圧されて、圧力コントローラ７３６Ａに供給され得る。このとき、昇圧器７３１Ａは、第２チェックバルブ７６４Ａを介して圧力コントローラ７３６Ａに供給する昇圧ガスの流量が、２．３３Ｌ／ｍｉｎ（Ｎｏｒｍａｌ）程度となるように、エアピストン７７２Ａおよびガスピストン７７３Ａを下降させてもよい。
　これは、１ＭＰａ程度のガスを１４ＭＰａ程度まで昇圧し、昇圧対象体積を１２Ｌとした場合、１２時間で昇圧が完了する想定であり得る。昇圧対象体積は、典型的なバッファタンク７３４Ａの容量を１０Ｌとし、タンク７１１Ａおよび配管７２１Ａ，７２３Ａ，７２４Ａの容量を２Ｌとして想定してもよい。
　また、ドロップレット２７の出力を停止して、タンク７１１Ａ内の圧力を約１気圧（０．１ＭＰａ）にする場合があり得る。この場合、容量が１０Ｌのバッファタンク７３４Ａ内の圧力を１２ＭＰａに維持しておくと仮定すると、初期の昇圧に対する昇圧対象体積は２Ｌとなり得る。このとき、次回のドロップレット２７の出力までに、１２時間の昇圧時間を確保すると仮定すると、圧力コントローラ７３６Ａに供給する昇圧ガスの流量は、０．３９Ｌ／ｍｉｎ（Ｎｏｒｍａｌ）であってもよい。
　つまり、ドロップレット２７の出力準備中において、昇圧器７３１Ａは、１２ＭＰａ程度の昇圧ガスを、０．３５Ｌ／ｍｉｎ（Ｎｏｒｍａｌ）以上２．４Ｌ／ｍｉｎ（Ｎｏｒｍａｌ）以下の流量で圧力コントローラ７３６Ａに供給してもよい。
　昇圧器７３１Ａから供給された昇圧ガスは、ガス精製器７３２Ａに供給され得る。ガス精製器７３２Ａに供給された昇圧ガスは、当該ガス精製器７３２Ａにおいて不純物が除去され、パーティクルフィルタ７３３Ａに供給され得る。パーティクルフィルタ７３３Ａに供給された昇圧ガスは、当該パーティクルフィルタ７３３Ａにおいてパーティクルが除去され、バッファタンク７３４Ａおよび圧力コントローラ７３６Ａに供給され得る。圧力コントローラ７３６Ａに供給される昇圧ガスの圧力変動は、バッファタンク７３４Ａにおいて低減され得る。圧力コントローラ７３６Ａは、圧力変動が低減された昇圧ガスの圧力を調整して、タンク７１１Ａ内に供給してもよい。タンク７１１Ａ内の圧力が目標圧力Ｐｔに到達すると、ノズル７１８Ａからジェット２７Ａが出力し、ドロップレット２７が生成され得る。
　ドロップレット２７をいつでも出力できるように、タンク７１１Ａ内の圧力を１２ＭＰａに維持して待機している場合、圧力コントローラ７３６Ａにおける昇圧ガスの消費量は、９．４４ｃｃ／ｍｉｎ（Ｎｏｒｍａｌ）となり得る。この場合の昇圧ガスの消費量は、圧力コントローラ７３６Ａの第２バルブＶ２が開くことによって、配管７２５Ａから排出される昇圧ガスの量であってもよい。
　また、ドロップレット２７の出力中の場合、圧力コントローラ７３６Ａにおける昇圧ガスの消費量は、１２．４４ｃｃ／ｍｉｎ（Ｎｏｒｍａｌ）となり得る。これは、第２バルブＶ２が開くことによる昇圧ガスの消費量（９．４４ｃｃ／ｍｉｎ（Ｎｏｒｍａｌ））と、ドロップレット２７をノズル７１８Ａから押し出す時の昇圧ガスの消費量（３ｃｃ／ｍｉｎ（Ｎｏｒｍａｌ））との和であってもよい。この昇圧ガスの消費量は、１２ＭＰａの加圧で、直径２０μｍのスズのドロップレット２７を、１００ｋＨｚで出力した場合を想定してもよい。
　つまり、ドロップレット２７の出力待機中あるいはドロップレット２７の出力中において、昇圧器７３１Ａは、１２ＭＰａ程度の昇圧ガスを、９．４ｃｃ／ｍｉｎ（Ｎｏｒｍａｌ）以上１２．５ｃｃ／ｍｉｎ（Ｎｏｒｍａｌ）以下の流量で圧力コントローラ７３６Ａに供給してもよい。
　このような昇圧ガスの消費に伴い、昇圧器７３１Ａのエアピストン７７２Ａおよびガスピストン７７３Ａが下降し得る。これにより、ドロップレット２７が出力され続けて昇圧ガスが消費されても、タンク７１１Ａ内の圧力が目標圧力Ｐｔで維持され得る。
　エアピストン７７２Ａが図３に二点鎖線で示す位置まで下降し、エアピストン７７２Ａが第２パイロットバルブ７５４Ａに接触すると、昇圧器７３１Ａは、エアピストン７７２Ａおよびガスピストン７７３Ａを上昇させてもよい。これにより、第２チェックバルブ７６４Ａが閉じて昇圧ガスの供給を停止するとともに、第１チェックバルブ７５６Ａが開き、ガスライン７３０Ａのガスが第３空間７７７Ａ内に供給され得る。そして、エアピストン７７２Ａが図３に実線で示す位置まで上昇して、第１パイロットバルブ７５０Ａに接触すると、上述したように、昇圧器７３１Ａは、エアピストン７７２Ａおよびガスピストン７７３Ａを下降させ、圧力コントローラ７３６Ａへの昇圧ガスの供給を再開してもよい。
　昇圧器７３１Ａが昇圧ガスの供給を停止してから再開するまでの時間は、この時間中にドロップレット２７が出力され、圧力ガスが消費され続けた場合であっても、タンク７１１Ａ内の圧力が目標圧力Ｐｔで維持される長さであってもよい。
　これにより、ドロップレット２７の出力に伴い昇圧ガスが消費された場合であっても、昇圧器７３１Ａがガスライン７３０Ａのガスを昇圧して圧力コントローラ７３６Ａに供給することで、高圧の昇圧ガスをタンク７１１Ａに供給し続けることが可能となり得る。その結果、不活性ガスボンベを交換することなく、ドロップレット２７の高速化が可能となり得る。また、工場に安価に敷設可能なガスライン７３０Ａのガスを昇圧して供給するため、高コストになることを抑制し得るとともに、高圧ガス設備の安全管理が不要となり得る。
　バッファタンク７３４Ａが昇圧ガスの圧力変動を低減するため、圧力コントローラ７３６Ａによる高精度な圧力制御が可能となり得る。その結果、ドロップレット２７の速度、間隔、出力角度などの出力安定性が向上し得る。
３．３　第２実施形態
３．３．１　構成
　図５は、第２実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
　第２実施形態のターゲット供給装置７Ｂは、ガス供給部７３Ｂ以外の構成は、第１実施形態のターゲット供給装置７Ａと同様のものを適用してもよい。
　ガス供給部７３Ｂは、昇圧器７３１Ａと同様の昇圧器７３１Ｂをさらに備えること以外の構成は、第１実施形態のガス供給部７３Ａと同様のものを適用してもよい。
　昇圧器７３１Ｂは、配管７２１Ａにおける昇圧器７３１Ａとガス精製器７３２Ａとの間に設けられてもよい。
３．３．２　動作
　ターゲット供給装置７Ｂの動作について説明する。
　以下において、第１実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
　ターゲット供給装置７Ｂにおいて、タンク７１１Ａ内の圧力を目標圧力Ｐｔに到達させるために、圧力コントローラ７３６Ａが圧力を制御する際、昇圧器７３１Ａは、ガスライン７３０Ａから供給されるガスを昇圧して、昇圧器７３１Ｂに供給してもよい。昇圧器７３１Ｂは、昇圧器７３１Ａからの昇圧ガスをさらに昇圧してもよい。この昇圧器７３１Ｂで昇圧された昇圧ガスは、ガス精製器７３２Ａ、パーティクルフィルタ７３３Ａおよびバッファタンク７３４Ａを介して圧力コントローラ７３６Ａに供給され得る。
　これにより、圧力コントローラ７３６Ａには、第１実施形態よりも高圧の昇圧ガスが供給され得る。
　タンク７１１Ａ内の圧力が目標圧力Ｐｔに到達すると、ノズル７１８Ａからジェット２７Ａが出力し、ドロップレット２７が生成され得る。
３．４　第３実施形態
３．４．１　構成
　図６は、第３実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
　第３実施形態のターゲット供給装置７Ｃは、ガス供給部７３Ｃ以外の構成は、第１実施形態のターゲット供給装置７Ａと同様のものを適用してもよい。
　ガス供給部７３Ｃは、バッファタンク７３４Ａの代わりに圧力安定器としての圧力レギュレータ７３８Ｃを設けたこと以外の構成は、第１実施形態のガス供給部７３Ａと同様のものを適用してもよい。
　圧力レギュレータ７３８Ｃは、配管７２１Ａにおけるパーティクルフィルタ７３３Ａと第１バルブＶ１との間に設けられてもよい。配管７２１Ａには、配管７２３Ａが接続されなくてもよい。圧力レギュレータ７３８Ｃのダイアフラムの材質は、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＥＰＭ（エチレンプロピレンゴム）、ＥＰＤＭ（エチレンプロピレンジエンゴム）、フッ素ゴムなどであってもよい。圧力レギュレータ７３８Ｃは、配管７２１Ａ内に生じる圧力変動を低減してもよい。圧力レギュレータ７３８Ｃによる低減後の圧力変動幅は、圧力コントローラ７３６Ａでの調整後の圧力の１０％未満であってもよい。
　このようにバッファタンク７３４Ａの代わりに圧力レギュレータ７３８Ｃを用いることで、圧力変動の低減に用いる構成の体積が小さくなり得る。
３．４．２　動作
　ターゲット供給装置７Ｃの動作について説明する。
　以下において、第１実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
　ターゲット供給装置７Ｃにおいて、タンク７１１Ａ内の圧力を目標圧力Ｐｔに到達させるために、圧力コントローラ７３６Ａが圧力を制御する際、昇圧器７３１Ａは、ガスライン７３０Ａから供給されるガスを昇圧してもよい。昇圧器７３１Ａで昇圧された昇圧ガスは、ガス精製器７３２Ａおよびパーティクルフィルタ７３３Ａを介して圧力レギュレータ７３８Ｃに供給され得る。圧力レギュレータ７３８Ｃは、昇圧ガスの圧力変動を低減してもよい。
　これにより、圧力コントローラ７３６Ａには、第１実施形態と同様に圧力変動が低減された昇圧ガスが供給され得る。
　タンク７１１Ａ内の圧力が目標圧力Ｐｔに到達すると、ノズル７１８Ａからジェット２７Ａが出力し、ドロップレット２７が生成され得る。
３．５　第４実施形態
３．５．１　構成
　図７は、第４実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
　第４実施形態のターゲット供給装置７Ｄは、ガス供給部７３Ｄ以外の構成は、第１実施形態のターゲット供給装置７Ａと同様のものを適用してもよい。
　ガス供給部７３Ｄは、ガス精製器７３２Ａおよびパーティクルフィルタ７３３Ａの代わりにピューリファイヤ７３９Ｄを設けたこと以外の構成は、第１実施形態のガス供給部７３Ａと同様のものを適用してもよい。
　ピューリファイヤ７３９Ｄは、配管７２１Ａにおける配管７２３Ａの接続部分と昇圧器７３１Ａとの間に設けられてもよい。ピューリファイヤ７３９Ｄは、例えば、ＳＡＥＳ　Ｐｕｒｅ　Ｇａｓ社の型式番号ＳＰ７０－２０３（耐圧：２０６．８気圧（約２１．０ＭＰａ）、パーティクルフィルタの濾過度：０．００３μｍ）などであってもよい。
３．５．２　動作
　ターゲット供給装置７Ｄの動作について説明する。
　以下において、第１実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
　ターゲット供給装置７Ｄにおいて、タンク７１１Ａ内の圧力を目標圧力Ｐｔに到達させるために、圧力コントローラ７３６Ａが圧力を制御する際、昇圧器７３１Ａは、ガスライン７３０Ａから供給されるガスを昇圧してもよい。昇圧器７３１Ａで昇圧された昇圧ガスは、ピューリファイヤ７３９Ｄに供給され得る。ピューリファイヤ７３９Ｄは、昇圧ガス中の不純物とパーティクルとを除去してもよい。不純物とパーティクルとが除去された昇圧ガスは、バッファタンク７３４Ａおよび圧力コントローラ７３６Ａを介してタンク７１１Ａに供給され得る。
　タンク７１１Ａ内の圧力が目標圧力Ｐｔに到達すると、ノズル７１８Ａからジェット２７Ａが出力し、ドロップレット２７が生成され得る。
３．６　第５実施形態
３．６．１　構成
　図８は、第５実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
　第５実施形態のＥＵＶ光生成システム１１Ｅは、複数のＥＵＶ光生成装置１Ｅと、ＥＵＶ光生成装置１Ｅの数より少ないガス供給部７３Ａとを備えてもよい。それぞれのＥＵＶ光生成装置１Ｅは、レーザ装置３および露光装置６と共に用いられてもよい。ＥＵＶ光生成装置１Ｅは、ターゲット供給装置７Ｅ以外の構成は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ａと同様のものを適用してもよい。ターゲット供給装置７Ｅは、ガス供給部７３Ａを個別には備えないこと以外の構成は、第１実施形態のターゲット供給装置７Ａと同様のものを適用してもよい。
　ターゲット生成器７１Ａの蓋部７１４Ａには、配管９０１Ｅが設けられてもよい。配管９０１Ｅは、蓋部７１４Ａを貫通し、第１の端がタンク７１１Ａの内部に位置してもよい。配管９０１Ｅの途中には、バルブＶ３が設けられてもよい。
　ガス供給部７３Ａは、例えば１個だけ設けられてもよい。
　配管７２１Ａの第１の端には、配管９０２ＥがＥＵＶ光生成装置１Ｅと同じ数に分岐するように接続されてもよい。配管９０２Ｅの分岐後の途中には、バルブＶ４がそれぞれ設けられてもよい。配管９０２Ｅの第２の端と、配管９０１Ｅの第２の端とは、ジョイント９１１Ｅを介して接続されてもよい。
　これにより、配管７２１Ａ内の昇圧ガスが、複数のＥＵＶ光生成装置１Ｅのタンク７１１Ａ内に供給され得る。また、バルブＶ３とバルブＶ４とを閉じてからジョイント９１１Ｅを操作し、配管９０１Ｅと配管９０２Ｅとの接続を解除することによって、ターゲット供給装置７Ｅを個別に取り外してメンテナンスすることが可能となり得る。
３．６．２　動作
　ＥＵＶ光生成システム１１Ｅの動作について説明する。
　以下において、第１実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
　作業者は、ＥＵＶ光生成システム１１Ｅを構成する複数のＥＵＶ光生成装置１Ｅのうち、ＥＵＶ光の生成を行うＥＵＶ光生成装置１Ｅに接続されているバルブＶ３およびバルブＶ４を開いて、タンク７１１Ａに昇圧ガスを供給可能な状態としてもよい。その後、ＥＵＶ光生成システム１１Ｅにおいて、タンク７１１Ａ内の圧力を目標圧力Ｐｔに到達させるために、圧力コントローラ７３６Ａが圧力を制御する際、昇圧器７３１Ａは、ガスライン７３０Ａから供給されるガスを昇圧してもよい。昇圧器７３１Ａで昇圧された昇圧ガスは、ガス精製器７３２Ａ、パーティクルフィルタ７３３Ａおよびバッファタンク７３４Ａを介して圧力コントローラ７３６Ａに供給され得る。圧力コントローラ７３６Ａで圧力が調整された昇圧ガスは、バルブＶ３およびバルブＶ４が開いているＥＵＶ光生成装置１Ｅのタンク７１１Ａに供給され得る。
　タンク７１１Ａ内の圧力が目標圧力Ｐｔに到達すると、ノズル７１８Ａからジェット２７Ａが出力し、ドロップレット２７が生成され得る。
　これにより、ターゲット供給装置７Ｅがドロップレット２７を出力したときのタンク７１１Ａの圧力低下が所定量より小さく、ガス供給部７３Ａが供給すべき昇圧ガスの流量が少なくてもよい場合、１つのガス供給部７３Ａで、複数のタンク７１１Ａに対して、ドロップレット２７を出力可能な昇圧ガスを供給し得る。ガス供給部７３Ａの数がタンク７１１Ａの数より少なくなり、低コストになり得る。また、ターゲット供給装置７Ｅを個別に取り外してメンテナンスする際に、他のターゲット供給装置７Ｅの動作の停止が不要となり得る。
３．７　第６実施形態
３．７．１　構成
　図９は、第６実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
　第６実施形態のＥＵＶ光生成システム１１Ｆは、複数のＥＵＶ光生成装置１Ｆと、ＥＵＶ光生成装置１Ｆの数より少ないガス供給部７３Ｆとを備えてもよい。それぞれのＥＵＶ光生成装置１Ｆは、レーザ装置３および露光装置６と共に用いられてもよい。ＥＵＶ光生成装置１Ｆは、ターゲット供給装置７Ｆ以外の構成は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ａと同様のものを適用してもよい。ターゲット供給装置７Ｆは、ガス供給部７３Ｆを個別には備えないこと以外の構成は、第１実施形態のターゲット供給装置７Ａと同様のものを適用してもよい。
　ターゲット生成器７１Ａの蓋部７１４Ａには、第１の端がタンク７１１Ａの内部に位置するように、配管９０１Ｅが設けられてもよい。配管９０１Ｅの途中には、バルブＶ３が設けられてもよい。
　ガス供給部７３Ｆは、例えば１個だけ設けられてもよい。ガス供給部７３Ｆは、昇圧器７３１Ａと、ガス精製器７３２Ａと、パーティクルフィルタ７３３Ａと、バッファタンク７３４Ａと、圧力センサ７３５Ａと、圧力コントローラ７３６Ａとを備えてもよい。
　昇圧器７３１Ａ、ガス精製器７３２Ａ、パーティクルフィルタ７３３Ａおよびバッファタンク７３４Ａの数は、それぞれ１個ずつであってもよい。圧力センサ７３５Ａおよび圧力コントローラ７３６Ａの数は、それぞれＥＵＶ光生成装置１Ｆの数と同じであってもよい。
　昇圧器７３１Ａは、配管７２１Ａの第２の端に接続されてもよい。昇圧器７３１Ａは、配管７２２Ａを介してガスライン７３０Ａに接続されてもよい。配管７２１Ａには、第１実施形態と同じように、ガス精製器７３２Ａと、パーティクルフィルタ７３３Ａと、バッファタンク７３４Ａとが設けられてもよい。
　配管７２１Ａの第１の端には、配管９０２ＥがＥＵＶ光生成装置１Ｆと同じ数に分岐するように接続されてもよい。配管９０２Ｅの分岐後の途中には、バルブＶ４がそれぞれ設けられてもよい。配管９０２Ｅの第２の端と、配管９０１Ｅの第２の端とは、ジョイント９１１Ｅを介して接続されてもよい。
　配管９０１ＥにおけるバルブＶ３と蓋部７１４Ａとの間には、配管９０３Ｆの第１の端が接続されてもよい。配管９０３Ｆの第２の端には、圧力センサ７３５Ａが設けられてもよい。
　配管９０２Ｅの分岐後における配管７２１Ａ側とバルブＶ４との間には、圧力コントローラ７３６Ａの第１バルブＶ１が設けられてもよい。配管９０２Ｅにおける第１バルブＶ１とバルブＶ４との間には、配管９０４Ｆの第１の端が接続されてもよい。配管９０４Ｆの途中には、圧力コントローラ７３６Ａの第２バルブＶ２が設けられてもよい。配管９０４Ｆの第２の端は、開放されてもよい。
　圧力コントローラ７３６Ａのバルブ制御部７３７Ａには、第１バルブＶ１および第２バルブＶ２が電気的に接続されてもよい。コネクタ９１３Ｆを介して電気的に接続されている電線９１１Ｆと電線９１２Ｆにより、バルブ制御部７３７Ａには圧力センサ７３５Ａが電気的に接続されてもよい。
　これにより、配管７２１Ａ内の昇圧ガスが、複数のＥＵＶ光生成装置１Ｆのタンク７１１Ａ内に供給され得る。また、バルブＶ３とバルブＶ４とを閉じてからジョイント９１１Ｅを操作し、配管９０２Ｅと配管９０１Ｅとの接続を解除するとともに、コネクタ９１３Ｆを操作し、電線９１１Ｆと電線９１２Ｆとの接続を解除することで、ターゲット供給装置７Ｆを個別に取り外して、メンテナンスすることが可能となり得る。
３．７．２　動作
　ＥＵＶ光生成システム１１Ｆの動作について説明する。
　以下において、第１，第５実施形態と同様の動作については、説明を省略する。
　作業者は、ＥＵＶ光生成システム１１Ｆを構成する複数のＥＵＶ光生成装置１Ｆのうち、ＥＵＶ光の生成を行うＥＵＶ光生成装置１Ｆに接続されているバルブＶ３およびバルブＶ４を開いて、タンク７１１Ａに昇圧ガスを供給可能な状態としてもよい。その後、ＥＵＶ光の生成を行うＥＵＶ光生成装置１Ｆのターゲット制御装置８０Ａは、バルブ制御部７３７Ａに信号を送信して、タンク７１１Ａ内の圧力を目標圧力Ｐｔに設定してもよい。それぞれのタンク７１１Ａの目標圧力Ｐｔは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。目標圧力Ｐｔが異なる場合は、ノズル孔７１９Ａの直径が異なる複数のターゲット生成器７１Ａを用いて、同じ速度でドロップレット２７を出力する場合であってもよいし、ノズル孔７１９Ａの直径が同じ複数のターゲット生成器７１Ａを用いて、異なる速度でドロップレット２７を出力する場合であってもよい。
　ＥＵＶ光生成システム１１Ｆにおいて、タンク７１１Ａ内の圧力を目標圧力Ｐｔに到達させるために、昇圧器７３１Ａは、ガスライン７３０Ａから供給されるガスを昇圧してもよい。昇圧ガスは、圧力コントローラ７３６Ａで圧力が調整された後、バルブＶ３およびバルブＶ４が開いているＥＵＶ光生成装置１Ｆのタンク７１１Ａに供給され得る。
　タンク７１１Ａ内の圧力が目標圧力Ｐｔに到達すると、ノズル７１８Ａからジェット２７Ａが出力し、ドロップレット２７が生成され得る。
　これにより、それぞれのタンク７１１Ａの目標圧力Ｐｔが異なる場合でも、適切な圧力の昇圧ガスをそれぞれのタンク７１１Ａに供給することが可能となり得る。
３．８　変形例
　なお、ターゲット供給装置、ＥＵＶ光生成システムとしては、以下に示すような構成としてもよい。
　第１～第６実施形態において、昇圧器７３１Ａとしては、第３空間７７７Ａの圧力を圧力センサで検出し、エアピストン７７２Ａおよびガスピストン７７３Ａをモータの駆動で昇降させる構成を用いてもよい。以下において、駆動エアでエアピストン７７２Ａおよびガスピストン７７３Ａを昇降させる昇圧器を、「実施形態の昇圧器」と称し、モータの駆動でエアピストン７７２Ａおよびガスピストン７７３Ａを昇降させる昇圧器を、「変形例の昇圧器」と称して説明する場合がある。
　第２実施形態において、昇圧器を３個以上設けてもよい。第１，第３～第６実施形態において、昇圧器を２個以上設けてもよい。昇圧器を複数設ける場合、実施形態の昇圧器のみを設けてもよいし、変形例の昇圧器のみを設けてもよいし、実施形態の昇圧器および変形例の昇圧器の両方を設けてもよい。
　第１～第６実施形態において、昇圧器７３１Ａから供給される昇圧ガスの圧力変動幅が、圧力コントローラ７３６Ａでの調整後の圧力の１０％未満の場合には、バッファタンク７３４Ａや圧力レギュレータ７３８Ｃを設けなくてもよい。第１～第２，第４～第６実施形態において、バッファタンク７３４Ａの代わりに、圧力レギュレータ７３８Ｃを設けてもよい。
　第１～第３，第５～第６実施形態において、ガス精製器７３２Ａおよびパーティクルフィルタ７３３Ａのうち少なくとも一方を設けなくてもよいし、ガス精製器７３２Ａとパーティクルフィルタ７３３Ａとの配置位置を入れ替えてもよい。第１～第３，第５～第６実施形態において、ガス精製器７３２Ａおよびパーティクルフィルタ７３３Ａの代わりに、ピューリファイヤ７３９Ｄを設けてもよい。
　第４実施形態において、ピューリファイヤ７３９Ｄを設けなくてもよい。
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
　本明細書および添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」または「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書および添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」または「１またはそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
　１Ａ，１Ｅ，１Ｆ…ＥＵＶ光生成装置、７Ａ，７Ｂ，７Ｃ，７Ｄ，７Ｅ，７Ｆ…ターゲット供給装置、７３Ａ，７３Ｂ，７３Ｃ，７３Ｄ，７３Ｆ…ガス供給部、２７０…ターゲット物質、７１１Ａ…タンク、７１８Ａ…ノズル、７３０Ａ…ガスライン、７３１Ａ…昇圧器、７３２Ａ…ガス精製器、７３３Ａ…パーティクルフィルタ、７３４Ａ…バッファタンク（圧力安定器）、７３５Ａ…圧力センサ、７３６Ａ…圧力コントローラ、７３８Ｃ…圧力レギュレータ（圧力安定器）

Claims (8)

  1. 　ターゲット物質を供給するターゲット供給装置であって、
    　前記ターゲット物質を貯蔵するタンクと、
    　前記タンクに接続され、前記ターゲット物質を出力するノズルと、
    　前記タンクにガスを供給するガス供給部とを備え、
    　前記ガス供給部は、
    　ガスラインに接続され、前記ガスラインから供給されるガスを昇圧して前記タンクに供給する昇圧器と、
    　前記タンク内の圧力を計測する圧力センサと、
    　前記圧力センサでの計測結果に基づいて、前記タンクに供給されるガスの圧力を調整する圧力コントローラとを備えるターゲット供給装置。
  2. 　請求項１に記載のターゲット供給装置において、
    　前記ガス供給部は、前記昇圧器で昇圧したガスから不純物を除去するガス精製器をさらに備えるターゲット供給装置。
  3. 　請求項１に記載のターゲット供給装置において、
    　前記ガス供給部は、前記昇圧器で昇圧したガスからパーティクルを除去するパーティクルフィルタをさらに備えるターゲット供給装置。
  4. 　請求項１に記載のターゲット供給装置において、
    　前記ガス供給部は、前記昇圧器で昇圧したガスの圧力を安定化させる圧力安定器をさらに備えるターゲット供給装置。
  5. 　ターゲット物質を供給するターゲット供給装置を備え、前記ターゲット物質にレーザ光を照射することによってＥＵＶ光を生成するＥＵＶ光生成装置であって、
    　前記ターゲット供給装置は、
    　前記ターゲット物質を貯蔵するタンクと、
    　前記タンクに接続され、前記ターゲット物質を出力するノズルと、
    　前記タンクにガスを供給するガス供給部とを備え、
    　前記ガス供給部は、
    　ガスラインに接続され、前記ガスラインから供給されるガスを昇圧して前記タンクに供給する昇圧器と、
    　前記タンク内の圧力を計測する圧力センサと、
    　前記圧力センサでの計測結果に基づいて、前記タンクに供給されるガスの圧力を調整する圧力コントローラとを備えるＥＵＶ光生成装置。
  6. 　請求項５に記載のＥＵＶ光生成装置において、
    　前記ガス供給部は、前記昇圧器で昇圧したガスから不純物を除去するガス精製器をさらに備えるＥＵＶ光生成装置。
  7. 　請求項５に記載のＥＵＶ光生成装置において、
    　前記ガス供給部は、前記昇圧器で昇圧したガスからパーティクルを除去するパーティクルフィルタをさらに備えるＥＵＶ光生成装置。
  8. 　請求項５に記載のＥＵＶ光生成装置において、
    　前記ガス供給部は、前記昇圧器で昇圧したガスの圧力を安定化させる圧力安定器をさらに備えるＥＵＶ光生成装置。
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