TW202218486A - 用於保護在euv源中之流體管線之設備 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種源材料閥，其置放於諸如一源材料再填充儲集器之一源材料腔室的一流體進料管線中，以防止在一壓力故障之情況下該腔室中之熔融源材料到達該源材料閥上游之該等流體進料管線，且因此污染及阻塞該源材料閥上游之該等流體進料管線。

Description

用於保護在EUV源中之流體管線之設備

本發明係關於用於在產生極紫外線輻射之系統中對源材料腔室加壓的流體管線之保護。

在微影中使用極紫外線(「EUV」)輻射，例如具有約50 nm或更小之波長的電磁輻射(有時亦稱為軟x射線)且包括波長為約13.5 nm之光，以在諸如矽晶圓之基板上產生極小特徵。儘管應理解，使用術語「光」描述之輻射可能不在光譜的可見部分中，但在本文中之此處及別處亦使用彼術語。

用於產生EUV光之方法包括將源材料自液體狀態轉換為電漿狀態。源材料較佳地包括具有在EUV範圍內之一或多個發射譜線的至少一種元素，例如氙、鋰或錫。在一種此類方法(通常稱為雷射產生電漿(「LPP」))中，可藉由使用雷射光束來輻照具有所需譜線發射元素之源材料而產生所需電漿。

源材料可採用許多形式中之一種。其可為固體或熔融物。若為熔融物，則可以若干不同方式(諸如以連續流或以液滴流形式)來分配該源材料。作為一實例，以下之大量論述中的源材料為以液滴流形式分配之熔融錫。然而，一般熟習此項技術者將理解，可使用源材料之其他形式、源材料之形式及遞送模式。

因此，一種LPP技術涉及產生源材料液滴流及在真空腔室中用雷射光脈衝輻照液滴中之至少一些。更理論而言，LPP光源藉由將雷射能量沈積至具有至少一個EUV發射元件之源材料中而產生EUV輻射，從而產生高度離子化的電漿。

在此等離子之去激發及再結合期間產生之高能輻射自電漿在所有方向上發射。在一個共同配置中，近正入射鏡面(通常稱為「收集器鏡面」或簡稱為「收集器」)經定位成收集、引導光，且在一些配置中將光聚焦至中間位置。所收集之光隨後自中間位置中繼至一組掃描器光學件，且最終中繼至基板。

液滴流係藉由諸如液滴產生器之源材料分配器而產生。釋放液滴之液滴產生器的部分(有時稱為噴嘴或噴嘴總成)位於真空腔室內。液滴產生器噴嘴總成需要源材料之穩定供應。此源材料通常由維持於源材料腔室或一系列源材料腔室中之源材料供應器提供。源材料必須自源材料腔室轉移至噴嘴總成。此可藉由對熔融源材料加壓，且使得其流動通過維持在源材料之熔點以上的導管來實現。

在個別腔室中，熔融源材料在壓力下經受流體以驅動源材料通過加熱導管。經由流體進料管線將流體引入至儲集器中。由於熔融源材料亦經受系統之其他部分中的壓力，故熔融源材料有可能將填充腔室且開始流入流體進料管線中。此可能產生諸如源材料固化於流體管線中且阻塞流體管線之問題。

另外，在多腔室系統中，存在服務於不同目的之不同源材料腔室。可能需要在此等腔室之間的單向流動，例如以防止受污染源材料流入經純化源材料中及與經純化源材料混合。

在此等情形下，本文中所揭示及主張之主題可為有利的。

下文呈現一或多個實施例之簡化概述以便提供對實施例的基本理解。此概述並非所有所涵蓋之實施例的廣泛綜述，且既不意欲識別所有實施例之關鍵或決定性要素，亦不意欲劃定任何或所有實施例之範疇。其目的為以簡化形式呈現一或多個實施例之一些概念作為稍後呈現之更詳細描述的序言。

根據一實施例之一個態樣，揭示一種源材料閥，其置放於源材料腔室(諸如源材料再填充儲集器)之流體進料管線中，以防止在壓力故障的情況下腔室中之熔融源材料到達源材料閥上游之流體進料管線，且因此污染及阻塞源材料閥上游之流體進料管線。

根據一實施例之另一態樣，揭示一種用於控制來自一EUV源中之一源材料保持腔室之熔融源材料的一流動之設備，該設備包含：一閥主體，其界定一腔，該閥主體具有經調適以連接至一流體進料管線之一第一閥主體端部及經調適以置放為與該源材料保持腔室流體連通之一第二閥主體端部，該腔具有一支座壁，該支座壁位於該腔更接近於該第一閥主體端部之一端部處；及一內部組件，其配置於該腔中，且經調適以自一第一位置移動至一第二位置，在該第一位置中，該內部組件准許流體流動通過該腔，在該第二位置中，該內部組件之一上部部分抵靠該支座壁安放以防止熔融源材料流動通過該腔。

根據一實施例之另一態樣，揭示一種用於控制來自一EUV源中之一腔室之熔融源材料的一流動之設備，該設備包含：一閥主體，其在豎直配置時界定一豎直腔，該閥主體具有經調適以連接至一流體進料管線之一上部閥主體端部及經調適以置放為與該腔室流體連通之一下部閥主體端部，該腔具有位於該腔之一上部端部處的一支座壁；及一內部組件，其配置於該腔中，且經調適以藉由經由該下部閥主體端部進入該腔之熔融源材料而自一第一位置豎直移動至一第二位置，在該第一位置中，該內部組件准許流體流動通過該腔，在該第二位置中，該內部組件之一上部部分朝向該支座壁移動且與該支座壁密封接觸，以防止熔融源材料流動通過該腔。

根據一實施例之另一態樣，揭示一種用於控制來自一EUV源中之一腔室之熔融源材料的一流動之設備，該設備包含：一閥主體，其界定一腔，該閥主體具有經調適以連接至一流體進料管線之一第一閥主體端部及經調適以置放為與該腔室流體連通之一第二閥主體端部，該腔具有一支座壁，該支座壁位於該腔更接近於該閥主體端部之一端部處；及一內部組件，其配置於該腔中，該設備經調適以具有一第一狀態及一第二狀態，在該第一狀態中，該內部組件准許流體流動通過該腔，在該第二狀態中，該腔部分地填充有熔融源材料，且在該第二狀態中，該內部組件由於該腔中之該熔融源材料而防止熔融源材料流動通過該腔。

根據一實施例之另一態樣，揭示一種用於控制一EUV源中之一第一源材料保持腔室與一第二源材料保持腔室之間的熔融源材料之一流動的設備，該設備包含：一閥主體，其界定一腔，該閥主體具有經調適以置放為與所連接之該第一源材料保持腔室流體連通的一第一閥主體端部及經調適以置放為與該第二源材料保持腔室流體連通之一第二閥主體端部，該腔具有一支座壁，該支座壁位於該腔更接近於該第一閥主體端部之一端部處；及一內部組件，其配置於該腔中，且經調適以自一第一位置移動至一第二位置，在該第一位置中，該內部組件准許源材料自該第一源材料保持腔室流動通過該腔達至該第二源材料保持腔室，在該第二位置中，該內部組件之一上部部分抵靠該支座壁安放，以防止熔融源材料自該第二源材料保持腔室流動通過該腔達至該第一源材料保持腔室。

根據實施例之額外態樣，該內部組件可包含一大體圓柱形主體及複數個翼部件，該複數個翼部件圍繞該大體圓柱形主體之一下部周邊配置。該複數個翼部件可包含至少三個翼部件，該等至少三個翼部件以一旋轉對稱圖案圍繞該大體圓柱形主體之一下部周邊配置，例如該複數個翼部件可包含六個翼部件，該等六個翼部件以60度間距圍繞該大體圓柱形主體之一下部周邊配置。該等翼部件之外面可為圓形。

根據實施例之額外態樣，該內部組件可為固體且包含一材料，該材料具有小於該熔融源材料之一密度的一密度。若熔融源材料為熔融錫，則內部組件可包含例如鈦或鈦合金。該內部組件可具有帶有一半徑R之一球形上部表面，且該支座壁可具有帶有一半徑R之一互補球形表面。該內部組件可具有一錐形下部部分。該設備可進一步包含一加熱器，該加熱器與該閥主體熱接觸，且經調適以使該閥主體及該內部組件之一溫度維持在該源材料之一熔點以上。該閥主體可包含鉬。

下文參考隨附圖式詳細描述本發明之其他實施例、特徵及優點以及各種實施例的結構及操作。

現參考圖式來描述各種實施例，其中相似附圖標號始終用以指代相似元件。在以下描述中，出於解釋之目的，闡述眾多特定細節以便增進對一或多個實施例之透徹理解。然而，顯然在一些或所有情況下，可在不採用下文所描述之特定設計細節之情況下實踐下文所描述之任何實施例。

首先參考圖1，此處展示根據本發明之一實施例的一個態樣之例示性EUV光源(例如，雷射產生電漿EUV光源20)的示意圖。如所展示，EUV光源20可包括脈衝或連續雷射源22，該雷射源22可例如為產生10.6 µm或其他合適波長之輻射的脈衝流體放電CO ₂雷射源。脈衝流體放電CO ₂雷射源可具有在高功率及高脈衝重複速率下操作之DC或RF激發。

EUV光源20亦包括用於遞送呈液滴或連續液體流形式之源材料的源遞送系統24。源材料可由錫或錫化合物構成，但可使用其他材料。源遞送系統24將源材料引入至腔室26之內部中，達至其中源材料可經輻照以產生電漿之輻照區28。在一些情況下，電荷置放於源材料上以准許源材料朝向或遠離輻照區28。應注意，如本文中所使用，輻照區為其中可出現源材料輻照之區，且即使在實際上不出現輻照時亦為輻照區。

繼續圖1，光源20亦可包括一或多個光學元件，諸如收集器30。收集器30可為正入射反射器，例如實施為多層鏡面或「MLM」，亦即塗佈有Mo/Si多層之SiC基板，其中額外薄障壁層沈積於每一界面處，以有效阻擋熱致層間擴散。亦可使用諸如Al或Si之其他基板材料。收集器30可呈長橢球之形式，其具有孔徑以允許雷射光傳遞通過且到達輻照區28。收集器30可例如呈橢球之形狀，其具有在輻照區28處之第一焦點及在所謂中間點40 (亦稱為中間焦點)處之第二焦點，其中EUV光可自EUV光源20輸出，且輸入至例如使用光之積體電路微影工具50，例如以按已知方式處理矽晶圓工件52。隨後以已知方式另外處理矽晶圓工件52以獲得積體電路裝置。

EUV光源20亦可包括EUV光源控制器系統60，該EUV光源控制器系統60亦可包括雷射點火控制系統65以及例如雷射光束定位系統(未展示)。EUV光源20亦可包括源位置偵測系統，該源位置偵測系統可包括一或多個液滴影像器70，該一或多個液滴影像器70產生指示源液滴例如相對於輻照區28之絕對或相對位置的輸出，且將此輸出提供至源位置偵測回饋系統62。源位置偵測回饋系統62可使用此輸出來計算源位置及軌跡，可根據該源位置及軌跡來計算源誤差。源誤差隨後可作為輸入而提供至光源控制器60。作為回應，光源控制器60可產生諸如雷射位置、方向或時序校正信號之控制信號，且將此控制信號提供至雷射光束定位控制器(未展示)。雷射光束定位系統可使用控制信號來控制雷射時序電路及/或控制雷射光束位置及塑形系統(未展示)，例如以改變腔室26內之雷射光束焦點的位置及/或焦度。

如圖1中所展示，光源20可包括源遞送控制系統90。源遞送控制系統90可回應於信號(例如上文所描述之源誤差，或自由系統控制器60提供之源誤差導出的一些量)而操作，以校正輻照區28內之源液滴之位置的誤差。此可例如藉由對源遞送機構92釋放源液滴之點進行重定位來實現。源遞送機構92延伸至腔室26中，且亦外部供應有源材料及流體源，以在壓力下將源材料置放於源遞送機構92中。

圖2更詳細地展示用於將源材料遞送至腔室26中之源遞送機構92。對於圖2中所展示之一般化實施例，源遞送機構92可包括固持諸如錫之熔融源材料的儲集器94。加熱元件(未展示)可控地將源遞送機構92或其所選區段維持在高於源材料之熔融溫度的溫度處。可藉由使用經由進料管線96引入之惰性流體(諸如氬)而將熔融源材料95置於壓力下。壓力迫使源材料95傳遞通過供應導管98，該供應導管98將熔融源材料輸送至閥100及噴嘴102。供應導管98經加熱，且可包括一或多個過濾器。習知地，如上文所提及，此供應導管98可由鉭鎢合金製成，且藉由可由鉬製成之壓縮配件連接以維持與系統中之其他組件的液密密封。供應導管管線98較佳地為可撓的，以准許儲集器94及噴嘴102之相對運動。

閥100可為熱閥。諸如帕耳帖(Peltier)裝置之熱電裝置可用以建立閥100，從而凍結儲集器94與噴嘴102之間的源材料以關閉閥100，以及加熱經固化源材料以打開閥100。圖2亦展示源遞送機構92耦接至可移動部件104，以使得可移動部件104之運動改變液滴自噴嘴102釋放之點的位置。可移動部件104之運動由液滴釋放點定位系統控制。

對於源遞送機構92，可使用一或多個調節或非調節源材料分配器。舉例而言，可使用具有形成有孔之毛細管的調節分配器。噴嘴102可包括一或多個電可致動元件，例如由壓電材料製成之致動器，其可選擇性地擴展或收縮以使毛細管變形，且調節源材料自噴嘴102之釋放。

對於一些應用，提供不需要使系統斷電以便再填充儲集器，且隨後使系統重新聯機之嵌入式液滴產生器再填充系統及工序可能為有利的。因此，此嵌入式再填充系統使得能夠在不終止液滴產生之情況下進行錫再填充，從而極大地增加整個系統可用性。此系統可使用多個源材料腔室，例如初級儲集器、再填充儲集器、再填充貯槽及主貯槽。包括儲集器及容器之兩個腔室系統的一實例揭示於標題為「Filter for Material Supply Apparatus」且於2014年8月26日發佈之美國專利第8,816,305號中，該美國專利之全部揭示內容特此以引用之方式併入。在此等儲集器之間的錫轉移係藉由向腔室施加不同壓力來驅動。熔融錫強烈地對壓力差分作出回應。1 psi壓力差可產生100 mm錫高度差。通常，液滴產生器在約4000 psi之壓力下操作。此處及別處，術語「流體」在其習知意義上用作指氣體及液體兩者。

在於液滴產生器正在操作時執行錫再填充時，若干故障中之任一者可准許熔融錫進入流體入口管線。舉例而言，壓力控制器之壓力控制故障、資料通信誤差或校準誤差或漂移均可使得流體管線充滿液體錫。由於在流體管線中不存在加熱機構，故液體錫可能固化且嚴重阻塞流體管線。對此進行補救可能需要延長停工時間且甚至需要模組調換。

嘗試減小錫阻塞流體進料管線之可能性的一種方式涉及使用互鎖以保護流體管線。然而，此等互鎖可能為系統增添顯著的複雜度。該等互鎖亦可引起內嵌式再填充系統之非預期卸壓。舉例而言，歸因於壓力感測器漂移或軟體錯誤或簡單的通信誤差或延遲，該等互鎖亦並不完全防止流體管線污染。

根據一實施例之一個態樣，用於防止源材料進入流體進料管線之更可靠且穩固的系統係藉由在源材料路徑與流體管線之間插入源材料閥來提供。針對由諸如軟體/硬體故障、網路通信誤差、電力中斷、感測器漂移等誤差所引起之所有故障，此措施原則上基本上為防錯且穩固的。此系統亦簡化機器及材料損害控制設計，此轉而改良整個系統可用性及穩固性。

圖3為此系統之概念圖。圖3展示用於保持熔融源材料之兩個腔室：主儲集器300及再填充儲集器310。主儲集器300含有液體源材料305，且再填充儲集器310含有液體源材料315。使用來自流體進料管線307之流體對主儲集器300加壓。使用來自流體進料管線317之流體對再填充儲集器310加壓。流體可為任何合適的惰性流體，諸如氬氣。通常，主儲集器300及再填充儲集器310經加壓為約4000 psi之壓力。

在典型習知系統中，不存在防止腔室中之源材料上升、填充腔室且到達流體進料管線之物，從而產生上文所提及之所有問題。根據一實施例之一態樣，液體源材料閥用以防止源材料進入流體填充管線。具體而言，源材料閥320置放於腔室300與流體進料管線307之間。源材料閥320與腔室300流體連通。在此情形下，流體連通意謂存在流體可在源材料閥320與腔室300之間流動的路徑。在概念上，此可等效地被視為將源材料閥320置放於流體管線307中。另外，源材料閥330置放於腔室310與流體進料管線317之間。每一源材料閥亦允許流體在兩個方向上自由流動，即使存在壓力差，只要不存在進入的源材料流。然而，若源材料305升高且進入源材料閥320，則源材料閥320將關閉。類似地，若源材料315升高且進入源材料閥330，則源材料閥330將關閉。

根據一實施例之一態樣，源材料閥包含界定內部腔之閥主體及內部組件，該內部組件佔據腔內之流體流動通過閥之正常操作位置(第一狀態)，但該內部組件可藉由進入腔之源材料而移動至進入腔之流體管線經密封的第二位置(第二狀態)。具體而言，參考圖4A，展示經設計以在如下文所描述之腔內移動的內部組件400。內部組件400具有帶有間隙417之主體405，該等間隙417准許流體穿過內部組件。主體405可為大體上圓柱形的，其中翼410圍繞主體405之下部周邊配置以建立間隙，且有助於穩定腔內之內部組件400的位置。翼410可替代地稱為鰭或間隔元件，後者係因為其有助於維持主體405與定位有內部組件400之源材料閥中的腔壁之間的間隔。一般而言，較佳地至少存在三個翼部件410，其以旋轉對稱圖案(亦即繞大體圓柱形主體405之旋轉軸對稱)圍繞大體圓柱形主體405之下部周邊配置。在所展示之配置中，存在六個翼410，其配置為圍繞大體圓柱形主體405之下部周邊以60度間隔開，但一般熟習此項技術者將易於瞭解，可使用不同數目個翼，且該等翼可以不同圖案來配置。翼410之外面415可在所有方向上具備圓形邊緣以防止卡住。圖4B為圖4A之內部組件400的自底部展示翼410之定向的視圖。圖5展示具有另一可能組態之內部組件450，其中組件主體455之底部部分為錐形以便有助於流體傳遞通過內部組件。翼410經塑形且經間隔以在其間具有空間或空隙，以允許流體自由流動通過圓柱形主體405，且穿過翼410之間的空隙，只要亦不存在進入的源材料流。

圖6為根據一實施例之一個態樣的源材料閥320之橫截面圖。源材料閥320包括界定於其腔510內之閥主體500。內部組件400定位於腔510內。在圖6中所展示之位置中，內部組件400擱置於腔510之底座上。當不存在源材料浪湧時，此將為正常操作位置或第一狀態，其中流體在形成流體進料管線307中流動通過腔510，且隨後經由腔510之底部流出。圖6中亦展示加熱器530，該加熱器530與閥主體500熱接觸，且將源材料閥320加熱至高於源材料之熔點的溫度。

對於一些實施例，腔510具有實質上均勻的寬度，且內部組件主體405具有小於腔寬度之寬度，以在腔壁與內部組件之間建立間隙，流體可流動通過該間隙。間隙由充當間隔元件之翼410維持，該等間隔元件經調適以使主體405維持與腔510之壁橫向間隔開。如上文所描述，間隔元件可包含在相反方向上自主體405橫向延伸之至少一對突起，該等突起具有橫向寬度以使得突起之寬度以及主體寬度恰好略微小於腔寬度。在一些實施例中，腔510為具有第一直徑之圓柱形，且主體405為具有小於第一直徑之第二直徑的圓柱形。間隔元件(亦即翼410)可為自主體徑向延伸之翼狀部件。

圖7為圖6之源材料閥320在第二狀態中之橫截面圖，在第二狀態中，當由於壓力變化而存在錫流浪湧時，內部組件400已藉由熔融源材料540推送至腔510之頂部。在此位置中，阻止錫540進一步移動至腔510中且向外移動至附接至源材料閥320之頂部的流體進料管線307中。內部組件400之頂部與腔510之頂部接觸以密封表面，因此無源材料可穿過達至流體管線307。

再次參考圖6，內部組件400包括主體，該主體經組態以自身抵靠腔510之頂部安放以密封腔510之頂部。內部組件400亦具有翼或鰭410，該等翼或鰭410使內部組件400維持於恰當定向中，且准許流體流動通過內部組件400。

根據一實施例之一態樣，在使用中，源材料閥320豎直定向，且內部組件400較佳地經建構以便相對於熔融源材料漂浮。此可藉由使內部組件400具有內部空間或藉由使內部組件呈固體及由輕於熔融源材料之材料來實現。內部組件400亦較佳地由在液體源材料之存在下化學穩定且熱穩定，且在主要壓力(例如4000 psi)下機械穩固之材料製成。在源材料為錫之實例中，內部組件400之主體405可例如由鈦或鈦合金(諸如Ti-Mn或Ti-V)製成，但在其他實施例中可使用其他合適的材料。用於翼410之材料應相對於液體錫環境具有與主體405相同的化學及機械穩定性，且在一些實施例中可由與主體405相同的材料形成。由於翼410構成翼410與主體405之組合體積的較小部分，故翼410可由具有充足穩固性之較重材料(諸如鈦、鉬、鎢及其合金)製成，但在其他實施例中可使用其他合適的材料。閥主體500之腔510的內表面較佳地由在液體源材料之存在下化學穩定且熱穩定之材料(諸如鉬，在源材料為錫之情況下)製成，但在其他實施例中可使用其他合適的材料。

根據一實施例之另一態樣，內部組件400之頂部表面為具有半徑R的球體之表面的一部分。此在本文中稱為「球形」表面。腔510之上部壁具有帶有半徑R之互補球形表面。以此方式匹配此等兩個配對表面之曲率允許即使在內部組件400不完全豎直時亦形成良好密封。

根據一實施例之另一態樣，使內部組件400之主要部分的直徑(圖6中稱為D2)大於在腔510之頂部處之孔徑的直徑D4。此再次使得即使在內部組件400不完全豎直之情況下亦能夠形成良好密封。

根據一實施例之另一態樣，相對翼410之外部邊緣之間的寬度(圖6中稱為D1之「翼展」)設定為略微小於腔510之直徑，圖6中稱為D3。翼410之豎直範圍經選擇以防止內部組件400翻轉且在腔510中卡住。D1可視為內部組件400之最大外徑，該內部組件400包括在由翼410形成之最外部部分之間的間隙417。

作為尺寸之一些非限制性實例，可使D4等於.25吋之典型流體管線內徑。可使D3為D4之約兩倍，亦即.5吋。D2可為(√3)/4吋以使流體通道橫截面沿腔510之長度為一致的。D1較佳地恰好略微小於D3，例如比D3短.04吋。R可在10吋至40吋之範圍內。內部組件400之高度(稱為H2)一般可在1至2吋之範圍內。H1與H2之間的高度差較佳地小於.5吋，且更佳地小於.25吋。此等高度差僅為尺寸之實例，且一般熟習此項技術者將顯而易見，可使用其他尺寸。

如所提及，在多腔室系統中，可能需要熔融源材料自第一腔室單向流動至第二腔室，而不准許自第二腔室流回至第一腔室。舉例而言，此可為當第一腔室含有經純化熔融源材料而第二腔室含有受污染或較不純的熔融源材料時之情況。源材料閥可經部署以同樣有利於此配置。舉例而言，在圖8中，第一儲集器800含有基本上純的源材料805。第二儲集器810含有較不純的源材料815。可存在需要准許自第一腔室800流動至第二腔室810但不以反向方向流動之情形。為適應此等情形，源材料閥820可插入於兩個腔室之間。源材料805將實質上具有與源材料815相同的密度，因此源材料閥820中之內部組件825將傾向於中性漂浮。然而，在使得腔室810中之壓力高於腔室800中的壓力之故障的情況下，塑形為諸如圖6及圖7中之內部組件400的內部組件825將在自腔室810至腔室800之方向上呈現更大的流體阻力，且將傾向於移動以抵靠腔830之頂部安放，且因此阻止流動。

雖然以上描述係針對新穎源材料閥在用於在EUV源中供應源材料之配置中的使用，但一般熟習此項技術者將易於瞭解，本文中所揭示之原理亦可有利地用於需要防止熔融材料流動的其他應用中。

以上描述包括多個實施例之實例。當然，不可能出於描述前述實施例之目的而描述組件或方法的每一可設想組合，但一般熟習此項技術者可認識到，各種實施例之許多其他組合及排列為可能的。因此，所描述之實施例意欲涵蓋屬於隨附申請專利範圍之精神及範疇內的所有此類改變、修改及變化。此外，就術語「包括」用於詳細描述或申請專利範圍中而言，此類術語意欲以與術語「包含」類似之方式而為包括性的，由於「包含」在申請專利範圍中用作過渡字語時所解譯的。此外，儘管所描述之態樣及/或實施例的元件可以單數形式來描述或主張，但除非明確陳述對單數之限制，否則亦涵蓋複數。另外，除非另外陳述，否則任何態樣及/或實施例之全部或一部分均可與任何其他態樣及/或實施例的全部或一部分一起使用。

在以下編號條項中闡明本發明之其他態樣。 1. 一種用於控制來自EUV源中之源材料保持腔室之熔融源材料的流動之設備，該設備包含： 閥主體，其界定腔，該閥主體具有經調適以連接至流體進料管線之第一閥主體端部及經調適以置放為與源材料保持腔室流體連通之第二閥主體端部，該腔具有支座壁，該支座壁位於腔更接近於第一閥主體端部之端部處；及 內部組件，其配置於腔中，且經調適以自第一位置移動至第二位置，在該第一位置中，內部組件准許流體流動通過腔，在該第二位置中，內部組件之上部部分抵靠支座壁安放以防止熔融源材料流動通過腔。 2. 如條項1之設備，其中腔具有實質上均勻的腔寬度，且其中內部組件包含具有小於腔寬度之主體寬度的主體及經調適以使主體維持與腔之側壁橫向間隔開的複數個間隔元件。 3. 如條項2之設備，其中該等間隔元件包含至少一對突起，該至少一對突起在相反方向上自主體橫向延伸，該等突起具有橫向寬度以使得突起之寬度以及主體寬度小於腔寬度。 4. 如條項2之設備，其中腔為具有第一直徑之圓柱形，且主體為具有小於第一直徑之第二直徑的圓柱形。 5. 如條項4之設備，其中間隔元件為自主體徑向延伸之翼狀部件。 6. 如條項1之設備，其中內部組件包含大體圓柱形主體及複數個翼部件，該複數個翼部件自主體徑向向外延伸，且圍繞大體圓柱形主體之下部周邊配置。 7. 如條項6之設備，其中複數個翼部件包含至少三個翼部件，該等至少三個翼部件以旋轉對稱圖案圍繞大體圓柱形主體之下部周邊配置。 8. 如條項7之設備，其中複數個翼部件包含六個翼部件，該等六個翼部件以60度間距圍繞大體圓柱形主體之下部周邊配置。 9. 如條項6之設備，其中翼部件中之每一者的外面為圓形。 10.   如條項1之設備，其中內部組件為固體且包含材料，該材料具有小於熔融源材料之密度的密度。 11.    如條項2之設備，其中主體為固體且包含材料，該材料具有小於熔融源材料之密度的密度。 12.   如條項2之設備，其中內部組件包含鈦或鈦合金。 13.   如條項2之設備，其中間隔元件中之每一者包含鈦、鉬、鎢或其合金。 14.   如條項1之設備，其中內部組件具有帶有半徑R之球形上部表面，且其中支座壁具有帶有半徑R之互補球形表面。 15.   如條項1之設備，其中內部組件具有錐形下部部分。 16.   如條項1之設備，其進一步包含加熱器，該加熱器與閥主體熱接觸，且經調適以使閥主體及內部組件之溫度維持在源材料之熔點以上。 17.   如條項1之設備，其中腔之內部表面包含鉬。 18.   一種用於控制來自EUV源中之腔室之熔融源材料的流動之設備，該設備包含： 閥主體，其在豎直配置時界定豎直腔，該閥主體具有經調適以連接至流體進料管線之上部閥主體端部及經調適以置放為與腔室流體連通之下部閥主體端部，該腔具有位於腔之上部端部處的支座壁；及 內部組件，其配置於腔中，且經調適以藉由經由下部閥主體端部進入腔之熔融源材料而自第一位置豎直移動至第二位置，在該第一位置中，內部組件准許流體流動通過腔，在該第二位置中，內部組件之上部部分朝向支座壁移動且與該支座壁密封接觸，以防止熔融源材料流動通過腔。 19.   如條項18之設備，其中內部組件包含大體圓柱形主體及複數個翼部件，該複數個翼部件自大體圓柱形主體徑向向外延伸，且圍繞大體圓柱形主體之下部周邊配置。 20.   如條項19之設備，其中複數個翼部件包含至少三個翼部件，該等至少三個翼部件以旋轉對稱圖案圍繞大體圓柱形主體之下部周邊配置。 21.   如條項20之設備，其中複數個翼部件包含六個翼部件，該等六個翼部件以60度間距圍繞大體圓柱形主體之下部周邊配置。 22.   如條項20之設備，其中翼部件中之每一者的外面為圓形。 23.   如條項18之設備，其中內部組件為固體且包含材料，該材料具有小於熔融源材料之密度的密度。 24.   如條項18之設備，其中內部組件包含鈦或鈦合金。 25.   如條項18之設備，其中內部組件具有帶有半徑R之球形上部表面，且其中支座壁具有帶有半徑R之互補球形表面。 26.   如條項18之設備，其進一步包含加熱器，該加熱器與閥主體熱接觸，且經調適以使閥主體及內部組件之溫度維持在源材料之熔點以上。 27.   一種用於控制來自EUV源中之腔室之熔融源材料的流動之設備，該設備包含： 閥主體，其界定腔，該閥主體具有經調適以連接至流體進料管線之第一閥主體端部及經調適以置放為與腔室流體連通之第二閥主體端部，該腔具有支座壁，該支座壁位於腔更接近於閥主體端部之端部處；及 內部組件，其配置於腔中， 設備經調適以具有第一狀態及第二狀態，在該第一狀態中，內部組件准許流體流動通過腔，在該第二狀態中，腔至少部分地填充有熔融源材料，且在該第二狀態中，內部組件由於腔中之熔融源材料而防止熔融源材料流動通過腔。 28.   一種用於控制EUV源中之第一源材料保持腔室與第二源材料保持腔室之間的熔融源材料之流動的設備，該設備包含： 閥主體，其界定腔，該閥主體具有經調適以置放為與所連接之第一源材料保持腔室流體連通的第一閥主體端部及經調適以置放為與第二源材料保持腔室流體連通之第二閥主體端部，該腔具有支座壁，該支座壁位於腔更接近於第一閥主體端部之端部處；及 內部組件，其配置於腔中，且經調適以在以下兩者之間移動： 第一位置，其中內部組件准許源材料自第一源材料保持腔室流動通過腔達至第二源材料保持腔室； 及第二位置，其中內部組件之上部部分抵靠支座壁安放，以防止熔融源材料自第二源材料保持腔室流動通過腔達至第一源材料保持腔室。 29.   如條項28之設備，其中內部組件包含大體圓柱形主體及複數個翼部件，該複數個翼部件圍繞大體圓柱形主體之下部周邊配置。 30.   如條項29之設備，其中複數個翼部件包含至少三個翼部件，該等至少三個翼部件以旋轉對稱圖案圍繞大體圓柱形主體之下部周邊配置。 31.   如條項30之設備，其中複數個翼部件包含六個翼部件，該等六個翼部件以60度間距圍繞大體圓柱形主體之下部周邊配置。 32.   如條項29之設備，其中翼部件中之每一者的外面為圓形。 33.   如條項28之設備，其中內部組件包含鈦或鈦合金。 34.   如條項28之設備，其中內部組件具有帶有半徑R之球形上部表面，且其中支座壁具有帶有半徑R之互補球形表面。 35.   如條項28之設備，其進一步包含加熱器，該加熱器與閥主體熱接觸，且經調適以使閥主體及內部組件之溫度維持在源材料之熔點以上。 36.   如條項28之設備，其中腔之內部表面包含鉬。

上述實施及其他實施在以下申請專利範圍之範疇內。

20:EUV光源 22:雷射源 24:源遞送系統 26:腔室 28:輻照區 30:收集器 40:中間點 50:積體電路微影工具 52:矽晶圓工件 60:EUV光源控制器系統 62:源位置偵測回饋系統 65:雷射發射控制系統 70:液滴影像器 90:源遞送控制系統 92:源遞送機構 94:儲集器 95:熔融源材料 96:進料管線 98:供應導管 100:閥 102:噴嘴 104:可移動部件 300:主儲集器/腔室 305:液體源材料 307:流體進料管線 310:再填充儲集器 315:液體源材料 317:流體進料管線 320:源材料閥 330:源材料閥 400:內部組件 405:主體 410:翼 415:外面 417:間隙 450:內部組件 455:組件主體 500:閥主體 510:腔 530:加熱器 540:熔融源材料 800:第一儲集器 805:源材料 810:第二腔室 815:源材料 820:源材料閥 825:內部組件 830:腔 D1:翼展 D2:直徑 D3:直徑 D4:直徑 R:半徑

圖1展示根據一實施例之一態樣的雷射產生電漿EUV光源系統之總體廣泛概念的示意性、未按比例視圖。

圖2為諸如可用於EUV光源(諸如圖1中所展示之EUV光源)中之液滴分配器的平面圖。

圖3為具有多個源材料腔室之源材料供應系統的概念圖。

圖4A為根據一實施例之一態樣的源材料閥之內部組件的平圖。

圖4B為圖4A之內部組件的仰視圖。

圖5為根據一實施例之一態樣的源材料閥之內部組件之一替代組態的平面圖。

圖6為根據一實施例之一個態樣的源材料閥處於第一狀態中之橫截面圖。

圖7為圖6之源材料閥處於第二狀態中之橫截面圖。

圖8為根據一實施例之一態樣的源材料閥建立單向流動之多腔室系統的圖式。

下文參考隨附圖式來詳細描述本發明之其他特徵及優點以及本發明之各種實施例的結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此類實施例。基於本文中所含有之教示，額外實施例對熟習相關技術者將顯而易見。

307:流體進料管線

320:源材料閥

405:主體

410:翼

500:閥主體

510:腔

530:加熱器

540:熔融源材料

Claims (36)

1. 一種用於控制來自一EUV源中之一源材料保持腔室之熔融源材料的一流動之設備，該設備包含： 一閥主體，其界定一腔，該閥主體具有經調適以連接至一流體進料管線之一第一閥主體端部及經調適以置放為與該源材料保持腔室流體連通之一第二閥主體端部，該腔具有一支座壁，該支座壁位於該腔更接近於該第一閥主體端部之一端部處；及 一內部組件，其配置於該腔中，且經調適以自一第一位置移動至一第二位置，在該第一位置中，該內部組件准許流體流動通過該腔，在該第二位置中，該內部組件之一上部部分抵靠該支座壁安放以防止熔融源材料流動通過該腔。
2. 如請求項1之設備，其中該腔具有一實質上均勻的腔寬度，且其中該內部組件包含具有小於該腔寬度之一主體寬度的一主體及經調適以使該主體維持與該腔之一側壁橫向間隔開的複數個間隔元件。
3. 如請求項2之設備，其中該等間隔元件包含至少一對突起，該至少一對突起在相反方向上自該主體橫向延伸，該等突起具有一橫向寬度以使得該等突起之該寬度以及該主體寬度小於該腔寬度。
4. 如請求項2之設備，其中該腔為具有一第一直徑之圓柱形，且該主體為具有小於該第一直徑之一第二直徑的圓柱形。
5. 如請求項4之設備，其中該等間隔元件為自該主體徑向延伸之翼狀部件。
6. 如請求項1之設備，其中該內部組件包含一大體圓柱形主體及複數個翼部件，該複數個翼部件自該主體徑向向外延伸，且圍繞該大體圓柱形主體之一下部周邊配置。
7. 如請求項6之設備，其中該複數個翼部件包含至少三個翼部件，該等至少三個翼部件以一旋轉對稱圖案圍繞該大體圓柱形主體之一下部周邊配置。
8. 如請求項7之設備，其中該複數個翼部件包含六個翼部件，該等六個翼部件以60度間距圍繞該大體圓柱形主體之一下部周邊配置。
9. 如請求項6之設備，其中該等翼部件中之每一者的一外面為圓形。
10. 如請求項1之設備，其中該內部組件為固體且包含一材料，該材料具有小於該熔融源材料之一密度的一密度。
11. 如請求項2之設備，其中該主體為固體且包含一材料，該材料具有小於該熔融源材料之一密度的一密度。
12. 如請求項2之設備，其中該內部組件包含鈦或一鈦合金。
13. 如請求項2之設備，其中該等間隔元件中之每一者包含鈦、鉬、鎢或其合金。
14. 如請求項1之設備，其中該內部組件具有帶有一半徑R之一球形上部表面，且其中該支座壁具有帶有一半徑R之一互補球形表面。
15. 如請求項1之設備，其中該內部組件具有一錐形下部部分。
16. 如請求項1之設備，其進一步包含一加熱器，該加熱器與該閥主體熱接觸，且經調適以使該閥主體及該內部組件之一溫度維持在該源材料之一熔點以上。
17. 如請求項1之設備，其中該腔之一內部表面包含鉬。
18. 一種用於控制來自一EUV源中之一腔室之熔融源材料的一流動之設備，該設備包含： 一閥主體，其在豎直配置時界定一豎直腔，該閥主體具有經調適以連接至一流體進料管線之一上部閥主體端部及經調適以置放為與該腔室流體連通之一下部閥主體端部，該腔具有位於該腔之一上部端部處的一支座壁；及 一內部組件，其配置於該腔中，且經調適以藉由經由該下部閥主體端部進入該腔之熔融源材料而自一第一位置豎直移動至一第二位置，在該第一位置中，該內部組件准許流體流動通過該腔，在該第二位置中，該內部組件之一上部部分朝向該支座壁移動且與該支座壁密封接觸，以防止熔融源材料流動通過該腔。
19. 如請求項18之設備，其中該內部組件包含一大體圓柱形主體及複數個翼部件，該複數個翼部件自該大體圓柱形主體徑向向外延伸，且圍繞該大體圓柱形主體之一下部周邊配置。
20. 如請求項19之設備，其中該複數個翼部件包含至少三個翼部件，該等至少三個翼部件以一旋轉對稱圖案圍繞該大體圓柱形主體之一下部周邊配置。
21. 如請求項20之設備，其中該複數個翼部件包含六個翼部件，該等六個翼部件以60度間距圍繞該大體圓柱形主體之一下部周邊配置。
22. 如請求項20之設備，其中該等翼部件中之每一者的一外面為圓形。
23. 如請求項18之設備，其中該內部組件為固體且包含一材料，該材料具有小於該熔融源材料之一密度的一密度。
24. 如請求項18之設備，其中該內部組件包含鈦或一鈦合金。
25. 如請求項18之設備，其中該內部組件具有帶有一半徑R之一球形上部表面，且其中該支座壁具有帶有一半徑R之一互補球形表面。
26. 如請求項18之設備，其進一步包含一加熱器，該加熱器與該閥主體熱接觸，且經調適以使該閥主體及該內部組件之一溫度維持在該源材料之一熔點以上。
27. 一種用於控制來自一EUV源中之一腔室之熔融源材料的一流動之設備，該設備包含： 一閥主體，其界定一腔，該閥主體具有經調適以連接至一流體進料管線之一第一閥主體端部及經調適以置放為與該腔室流體連通之一第二閥主體端部，該腔具有一支座壁，該支座壁位於該腔更接近於該閥主體端部之一端部處；及 一內部組件，其配置於該腔中， 該設備經調適以具有一第一狀態及一第二狀態，在該第一狀態中，該內部組件准許流體流動通過該腔，在該第二狀態中，該腔至少部分地填充有熔融源材料，且在該第二狀態中，該內部組件由於該腔中之該熔融源材料而防止熔融源材料流動通過該腔。
28. 一種用於控制一EUV源中之一第一源材料保持腔室與一第二源材料保持腔室之間的熔融源材料之一流動的設備，該設備包含： 一閥主體，其界定一腔，該閥主體具有經調適以置放為與所連接之該第一源材料保持腔室流體連通的一第一閥主體端部及經調適以置放為與該第二源材料保持腔室流體連通之一第二閥主體端部，該腔具有一支座壁，該支座壁位於該腔更接近於該第一閥主體端部之一端部處；及 一內部組件，其配置於該腔中，且經調適以在以下兩者之間移動： 一第一位置，其中該內部組件准許源材料自該第一源材料保持腔室流動通過該腔達至該第二源材料保持腔室； 及一第二位置，其中該內部組件之一上部部分抵靠該支座壁安放，以防止熔融源材料自該第二源材料保持腔室流動通過該腔達至該第一源材料保持腔室。
29. 如請求項28之設備，其中該內部組件包含一大體圓柱形主體及複數個翼部件，該複數個翼部件圍繞該大體圓柱形主體之一下部周邊配置。
30. 如請求項29之設備，其中該複數個翼部件包含至少三個翼部件，該等至少三個翼部件以一旋轉對稱圖案圍繞該大體圓柱形主體之一下部周邊配置。
31. 如請求項30之設備，其中該複數個翼部件包含六個翼部件，該等六個翼部件以60度間距圍繞該大體圓柱形主體之一下部周邊配置。
32. 如請求項29之設備，其中該等翼部件中之每一者的一外面為圓形。
33. 如請求項28之設備，其中該內部組件包含鈦或一鈦合金。
34. 如請求項28之設備，其中該內部組件具有帶有一半徑R之一球形上部表面，且其中該支座壁具有帶有一半徑R之一互補球形表面。
35. 如請求項28之設備，其進一步包含一加熱器，該加熱器與該閥主體熱接觸，且經調適以使該閥主體及該內部組件之一溫度維持在該源材料之一熔點以上。
36. 如請求項28之設備，其中該腔之一內部表面包含鉬。

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