WO2015163057A1 - 半導体光デバイス及び表示装置 - Google Patents

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WO2015163057A1
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compound semiconductor
semiconductor optical
ridge stripe
layer
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義昭 渡部
河角　孝行
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ソニー株式会社
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    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser

Definitions

  • the present disclosure relates to a semiconductor optical device and a display device.
  • a super luminescent diode having a structure similar to that of a semiconductor laser element emits light with a narrow emission angle and high light intensity comparable to a semiconductor laser element, while having a broad emission spectrum close to that of a light emitting diode (LED). can do.
  • superluminescent diodes have been applied to the field of interferometers such as fiber gyros, but in recent years, due to their low coherence, they are used as light sources for image formation with low interference noise (speckle noise).
  • Interferometers such as fiber gyros
  • a waveguide is bent in the middle and is formed from the end face.
  • the laser mode oscillation is suppressed. That is, light is reciprocated between two end mirrors as in a semiconductor laser element, and is not resonated, but light is passed only in one direction of the waveguide to obtain an amplified state.
  • the light generation source is spontaneous emission light generated in a part of the active layer, and the spontaneous emission light having a wide emission spectrum width is amplified as it is and emitted to the outside.
  • the size of the semiconductor optical device is increased, which is not suitable for downsizing of the package, the overall waveguide loss is increased, and the overall efficiency is lowered.
  • an object of the present disclosure is to provide a semiconductor optical device having a configuration and structure capable of obtaining a high optical output while maintaining low coherence, and a display device including the semiconductor optical device. .
  • a semiconductor optical device comprising a first compound semiconductor layer, an active layer made of a compound semiconductor, and a second compound semiconductor layer, and having a first end face that emits light and a second end face facing the first end face.
  • a current regulation region provided adjacent to at least one of the ridge stripe adjacent portions located on both sides of the ridge stripe structure portion on the second end face side and spaced apart from the ridge stripe structure portion; It has.
  • the distance from the bottom surface of the first compound semiconductor layer to the bottom surface of the current regulating region is H 1
  • the current regulating region is from the bottom surface of the first compound semiconductor layer.
  • the distance to the top surface of the adjacent ridge stripe except for H is H 2
  • the thickness of the first compound semiconductor layer is T 1
  • the thickness of the active layer is T 3
  • the thickness of the second compound semiconductor layer is T 2 .
  • H 1 when the value of H 1 in the direction toward the top surface of the adjacent ridge stripe is positive, H 1 can be either positive or negative including 0.
  • the current regulation region prevents a leakage current from flowing from the ridge stripe structure.
  • the display device of the present disclosure for achieving the above object includes the semiconductor optical device according to the first aspect or the second aspect of the present disclosure.
  • the current regulation region satisfies the above formula (1), and the ridge stripe adjacent portion excluding the current regulation region satisfies the above formula (2).
  • the current regulation region prevents a leakage current from flowing from the ridge stripe structure.
  • FIG. 1 is a schematic layout diagram of components of the semiconductor optical device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic layout diagram of components of the semiconductor optical device according to the third or fifth embodiment.
  • 3A and 3B are schematic end views of the semiconductor optical device according to the first embodiment along arrows AA and BB in FIG. 1, respectively.
  • 4A is a schematic end view of the semiconductor optical device according to the second embodiment similar to that taken along the arrow AA in FIG. 1.
  • FIG. 4B shows a third embodiment taken along the arrow AA in FIG. It is a typical end view of the semiconductor optical device.
  • 5A and 5B are schematic end views of the semiconductor optical device of Example 4, similar to that taken along the arrow AA in FIG. FIG.
  • FIG. 6 is a schematic end view of the semiconductor optical device of Example 5, similar to that taken along the arrow AA in FIG. 7A, 7B, and 7C are schematic partial end views showing the manufacturing process of the semiconductor optical device of Example 6, similar to that taken along the arrow AA in FIG.
  • FIG. 8 is a conceptual diagram of a display device according to the seventh embodiment.
  • FIG. 9 is a conceptual diagram of another display device according to the seventh embodiment.
  • FIG. 10A and FIG. 10B are schematic arrangement diagrams of components of the semiconductor optical device for showing the planar shape of the current regulation region, respectively.
  • FIG. 11A and FIG. 11B are schematic layout diagrams of components of the semiconductor optical device for showing the planar shape of the current regulation region, respectively.
  • FIG. 12 is a schematic arrangement view of components of the semiconductor optical device for illustrating the planar shape of the current regulation region.
  • 13A and 13B are schematic layout diagrams of components of the semiconductor optical device for showing the planar shape of the ridge stripe structure.
  • FIG. 14A, FIG. 14B, FIG. 14C, and FIG. 14D are diagrams showing outlines of a ridge stripe structure portion or the like having a flare structure.
  • 15A and 15B are schematic partial cross-sectional views and partial end views of a substrate and the like similar to those taken along the arrow BB in FIG. 1 for explaining the method of manufacturing the semiconductor optical device according to the first embodiment. It is.
  • Example 1 semiconductor optical device according to the first and second aspects of the present disclosure, and the display apparatus of the present disclosure in general.
  • Example 1 semiconductor optical device according to the first and second aspects of the present disclosure
  • Example 2 Mode of Example 1 4
  • Example 3 another modification of Example 1 5.
  • Example 4 another modification of Example 1) 6
  • Example 5 another modification of Example 1) 7.
  • Example 6 another modification of Example 1) 8).
  • Example 7 display device of the present disclosure
  • semiconductor optical device according to the first or second aspect of the present disclosure and the semiconductor optical device constituting the display device of the present disclosure (hereinafter collectively referred to as “semiconductor optical device of the present disclosure”).
  • semiconductor optical device of the present disclosure In the case where the length of the ridge stripe structure portion is L 0 and the length of the current regulation region is L 1 , 0.1 ⁇ L 1 / L 0 ⁇ 1.0 Preferably, 0.1 ⁇ L 1 / L 0 ⁇ 0.3 Can be obtained.
  • DS 1 / L 0 when the distance from the end portion on the first end face side of the current regulation region to the second end face is DS 1 and the length of the ridge stripe structure portion is L 0 , DS 1 / L 0 ⁇ 1.0 Preferably, DS 1 / L 0 ⁇ 0.3 Can be obtained. Further, when the distance from the end portion of the second end face side of the current regulating region to the second end surface was DS 2, DS 1 / L 0 > DS 2 / L 0 ⁇ 0 Can be obtained.
  • the width of the current regulation region is not particularly limited and depends on the processing margin, but is essentially arbitrary.
  • the current regulation region includes the ridge stripe structure portion. It is possible to prevent the leakage current from flowing through.
  • the current regulation region can be configured by a recess formed in the first compound semiconductor layer.
  • an insulating material including a semi-insulating material
  • the element capacity is reduced, and electrical matching with the driver is improved during pulse driving, etc., and semiconductor optical device driving Can be improved.
  • the current regulation region can be configured by a compound semiconductor layer subjected to ion implantation.
  • a layer made of a compound semiconductor subjected to ion implantation (1) A part of the first compound semiconductor layer in the thickness direction / active layer / a part of the stacked structure in the thickness direction of the second compound semiconductor layer (2) A part of the first compound semiconductor layer in the thickness direction / A laminated structure of active layers, or (3) A part of the first compound semiconductor layer in the thickness direction can be given.
  • ion species to be ion-implanted include boron (B) and proton (H) when the compound semiconductor layer is made of a GaAs compound semiconductor, and iron (Fe) when the compound semiconductor layer is made of an InP compound semiconductor.
  • iron (Fe) or boron (B) can be used.
  • Whether or not the ion implantation process has been performed can be determined by the analysis of SIMS or the like, the presence of ions can be identified, SSRM (Scanning Spreading Resistance Microscopy), SNDM (nonlinear dielectric constant). It can also be detected by measuring the electrical conductivity, polarity, dielectric constant, etc. of the cross section of the semiconductor optical device with a microscope, a scanning non-linear dielectric microscope, or the like.
  • the current regulation region may be configured by an insulating layer (including a semi-insulating layer).
  • an insulating layer including a semi-insulating layer.
  • the current regulation region prevents a current flow from the second compound semiconductor layer to the first compound semiconductor layer via the current regulation region. It can be set as the structure comprised from the laminated structure (reverse pn laminated structure) of the compound semiconductor layer to perform. By adopting such a configuration, it is possible to obtain better heat dissipation (heat dissipation characteristics) than in the case of embedding with an insulating material.
  • the semiconductor optical device forms a super luminescent diode (SLD), a semiconductor laser element, or a semiconductor optical amplifier.
  • SLD super luminescent diode
  • a resonator is configured by optimizing the light reflectance at the first end face and the light reflectance at the second end face, and light is emitted from the first end face.
  • an external resonator may be arranged.
  • the superluminescent diode the light reflectivity at the first end face is set to a very low value
  • the light reflectivity at the second end face is set to a very high value
  • the active layer is formed without forming a resonator.
  • the light generated in step 1 is emitted from the first end face.
  • a non-reflective coating layer (AR) or a low reflection coating layer is formed on the first end surface, and a high reflection coating layer (HR) is formed on the second end surface.
  • the light reflectance at the first end face and the second end face is set to a very low value, and the light incident from the second end face is amplified without constituting the resonator, thereby the first end face.
  • An antireflective coating layer (AR) or a low reflective coating layer is formed on the first end surface and the second end surface.
  • Non-reflective coating layer low reflection coating layer or high reflection coating layer, from the group consisting of titanium oxide layer, tantalum oxide layer, zirconium oxide layer, silicon oxide layer, aluminum oxide layer, aluminum nitride layer, and silicon nitride layer
  • a laminated structure of at least two kinds of selected layers can be given, and can be formed based on a PVD method such as a sputtering method or a vacuum evaporation method.
  • a high-order transverse mode may occur if the width of the ridge stripe structure is too wide. Such a value is preferable.
  • examples of the width of the ridge stripe structure portion include 1.0 ⁇ m to 3.0 ⁇ m.
  • semiconductor optical device of the present disclosure including the various preferable modes and configurations described above (hereinafter, these may be collectively referred to as “semiconductor optical device of the present disclosure” in some cases), As long as it is provided on at least one side of the ridge stripe adjacent part, it is more preferable that it is provided on both sides.
  • planar shape of the current regulation region include a single strip shape (including a constant width, a flare shape, and a tapered shape) extending in a straight line or a curved line.
  • a plurality of dot-like (dot-like) shapes or a plurality of belt-like shapes arranged in the shape can be given, and a heat radiating fin shape can also be used.
  • the distance (d) between the current regulation region and the ridge stripe structure is preferably as short as possible.
  • the distance (d) may be determined in consideration of the occurrence of damage during injection, overlap with the region through which light passes, and the like, but the distance (d) may be 1 ⁇ m to 3 ⁇ m, although not limited thereto.
  • the shortest straight line connecting the active layer region at the first end face and the active layer region at the second end face of the ridge stripe structure portion is used.
  • the direction is the X direction
  • the width direction of the active layer, the direction included in the first end face is the Y direction
  • the thickness direction of the active layer is the Z direction.
  • the shape of the region where the light exists in the laminated structure is a single transverse mode (single mode), for example, It is elliptical.
  • the current regulation region is preferably provided in a region that does not overlap with such an elliptical region as much as possible.
  • multiple transverse modes higher order transverse mode, multimode
  • it is provided in a region overlapping with the light intensity peak of the multiple transverse mode on the assumption that an optical loss is intentionally introduced into the current regulation region.
  • this makes it possible to suppress the occurrence of kinks due to the waveguide higher order modes.
  • a metal organic chemical vapor deposition method MOCVD method, MOVPE method
  • MOMBE method metal organic molecular beam epitaxy method
  • a hydride gas in which halogen contributes to transport or reaction examples thereof include a phase growth method (HVPE method) and a plasma assisted physical vapor deposition method (PPD method).
  • HVPE method phase growth method
  • PPD method plasma assisted physical vapor deposition method
  • etching a laminated structure to form a ridge stripe structure portion from a laminated structure comprising a first compound semiconductor layer, an active layer, and a second compound semiconductor layer a combination of lithography technology and wet etching technology, lithography technology
  • a combination of dry etching techniques can be mentioned.
  • the configuration of the laminated structure itself can be a known configuration.
  • the laminated structure is formed on a substrate and has a structure in which a first compound semiconductor layer, an active layer, and a second compound semiconductor layer are laminated from the substrate side.
  • the active layer may be composed of a single compound semiconductor layer, or may have a single quantum well structure [QW structure] or a multiple quantum well structure [MQW structure].
  • a laminated structure composed of a first compound semiconductor layer, an active layer, and a second compound semiconductor layer can be formed of an AlGaInP-based compound semiconductor.
  • the active layer is a well composed of a GaInP layer or an AlGaInP layer.
  • a layer having a quantum well structure in which a barrier layer made of an AlGaInP layer having a different composition is stacked may be employed.
  • the laminated structure can be formed of an AlInGaN-based compound semiconductor containing GaN and AlGaN.
  • the active layer is composed of a well layer made of an AlInGaN layer and an AlInGaN layer having a different In composition. It can be set as the form which has the quantum well structure laminated
  • the first compound semiconductor layer has a first conductivity type
  • the second compound semiconductor layer has a second conductivity type different from the first conductivity type.
  • impurities are introduced into each of the first compound semiconductor layer and the second compound semiconductor layer. That's fine.
  • n-type impurities added to the compound semiconductor layer include silicon (Si), sulfur (S), selenium (Se), germanium (Ge), tellurium (Te), tin (Sn), carbon (C), and titanium.
  • Ti titanium
  • O oxygen
  • Pd palladium
  • Zn zinc
  • Mg magnesium
  • carbon carbon
  • Be beryllium
  • Cd cadmium
  • Ca Calcium
  • Ba barium
  • the main surface of these substrates depending on the crystal structure (for example, cubic or hexagonal type), the so-called A-plane, B-plane, C-plane, R-plane, M-plane, N-plane, and S-plane It is also possible to use a crystal orientation plane called by a name such as, or a plane in which these are turned off in a specific direction.
  • the crystal orientation plane called by a name such as, or a plane in which these are turned off in a specific direction.
  • Examples of the insulating material or the material constituting the insulating layer include SiO x -based materials such as SiO 2 , SiN y -based materials, SiO x Ny- based materials, Ta 2 O 5 , ZrO 2 , AlN, and Al 2 O 3. it can.
  • Examples of the method for filling the concave portion with the insulating material or the method for forming the insulating layer include a PVD method such as a vacuum evaporation method and a sputtering method, or a CVD method.
  • the thermal conductivity of the insulating material or the material constituting the insulating layer is preferably higher than the thermal conductivity of the compound semiconductor constituting the first compound semiconductor layer from the viewpoint of obtaining good heat dissipation (heat dissipation characteristics).
  • an insulating material or the insulating layer it is preferably made of a material having a high heat conducting such AlN or SiN Y-based material.
  • examples of the semi-insulating material or the material constituting the semi-insulating layer include a low-doped semiconductor material and a semi-insulating semiconductor (semi-insulating by doping).
  • the ridge stripe structure portion can be in a form extending linearly, can be in a form extending in a state where a plurality of line segments are combined, It can be set as the form extended in curvilinear form.
  • the ridge stripe structure portion may extend with a constant width, or may have a so-called flare structure (including a structure extending in a tapered shape).
  • the axis of the ridge stripe structure portion may be orthogonal to the first end surface and the second end surface, or may intersect at an angle with the first end surface. It may intersect at an angle with the second end face.
  • the half-value width of the emission spectrum of the light emitted from the first end face is about several nm or more.
  • the first electrode is electrically connected to the first compound semiconductor layer, and the second electrode is formed on the second compound semiconductor layer.
  • a second electrode is formed on a second compound semiconductor layer having a p-type conductivity type, Au / AuZn, Au / Pt / Ti (/ Au) / AuZn is used as the second electrode (p-side electrode).
  • the first electrode when the first electrode is formed on the first compound semiconductor layer or the substrate having the n-type conductivity type, Au / Ni / AuGe, Au / Pt / Ti is used as the first electrode (n-side electrode). (/ Au) / Ni / AuGe, Au / Pt / TiW (/ Ti) / Ni / AuGe. It should be noted that the layer before “/” is located at a position electrically separated from the active layer.
  • the first electrode is electrically connected to the first compound semiconductor layer.
  • the first electrode is formed on the first compound semiconductor layer, and the first electrode is interposed through a conductive material layer or a conductive substrate. A form connected to the first compound semiconductor layer is included.
  • the first electrode and the second electrode can be formed by various PVD methods such as a vacuum deposition method and a sputtering method, for example.
  • a pad electrode may be provided on the first electrode or the second electrode for electrical connection with an external electrode or circuit.
  • the pad electrode has a single-layer configuration or a multi-layer configuration including at least one metal selected from the group consisting of Ti (titanium), aluminum (Al), Pt (platinum), Au (gold), and Ni (nickel). It is desirable to have.
  • the pad electrode may have a multilayer configuration exemplified by a multilayer configuration of Ti / Pt / Au and a multilayer configuration of Ti / Au.
  • a transparent conductive material layer may be formed between the second electrode and the second compound semiconductor layer.
  • the transparent conductive material constituting the transparent conductive material layer indium-tin oxide (including ITO, Indium Tin Oxide, Sn-doped In 2 O 3 , crystalline ITO and amorphous ITO), indium-zinc oxide (IZO (Indium Zinc Oxide), IFO (F-doped In 2 O 3 ), tin oxide (SnO 2 ), ATO (Sb-doped SnO 2 ), FTO (F-doped SnO 2 ), zinc oxide (ZnO, Al-doped) ZnO and B-doped ZnO).
  • a projector apparatus As a display apparatus of the present disclosure, a projector apparatus, an image display apparatus, a monitor apparatus, and the first or second aspect of the present disclosure that include the semiconductor optical device according to the first aspect or the second aspect of the present disclosure as a light source.
  • Examples thereof include a reflective liquid crystal display device including a semiconductor optical device according to an aspect as a light source, a head mounted display (HMD), a head-up display (HUD), and various types of illumination.
  • the semiconductor optical device according to the first aspect or the second aspect of the present disclosure can be used as a light source of a microscope.
  • Example 1 relates to a semiconductor optical device according to the first and second aspects of the present disclosure.
  • FIG. 1 shows a schematic layout of components of the semiconductor optical device of Example 1
  • FIG. 3A shows a schematic end view of the semiconductor optical device of Example 1 along arrow AA in FIG.
  • FIG. 3B shows a schematic end view of the semiconductor optical device of Example 1 along arrow BB in FIG.
  • the current regulation region is hatched to clarify the current regulation region.
  • FIG. 10A, FIG. 10B, FIG. 11A, FIG. 11B, FIG. 12, FIG. 13A, and FIG. 13B described later the current regulation region is hatched to clarify the current regulation region.
  • a first end face 21 that emits light and a second end face that faces the first end face 21 are formed by laminating a first compound semiconductor layer 31, an active layer 33 made of a compound semiconductor, and a second compound semiconductor layer 32.
  • Current regulation region 41 It has.
  • An antireflective coating layer (AR) or a low reflection coating layer is formed on the first end surface 21, and a high reflection coating layer (HR) is formed on the second end surface 22, but these coating layers are illustrated. Is omitted.
  • the distance from the bottom surface of the first compound semiconductor layer 31 to the bottom surface of the current regulation region 41 is H 1
  • the bottom surface of the first compound semiconductor layer 31 is H 2
  • the thickness of the first compound semiconductor layer 31 to T 1 is H 1
  • the thickness of the active layer 33 to T 3 is H 2
  • the second compound semiconductor layer to the top surface of the ridge stripe adjacent portion 40 excluding the current regulation region 41 when 32 of the thickness was T 2
  • H 1 ⁇ T 1 (1)
  • the bottom surface of the current regulation region 41 is located below the active layer 33, and the top surface of the ridge stripe adjacent portion 40 excluding the current regulation region 41 is located above the active layer 33.
  • the bottom surface of the current regulation region 41 may be located at the same position as the bottom surface of the first compound semiconductor layer 31 or at a lower position. That is, (H 1 ⁇ T 1 ) ⁇ 0 You may be satisfied. In other words, when the value of H 1 toward the active layer is positive with respect to the bottom surface of the first compound semiconductor layer 31, H 1 can take positive and negative values including zero.
  • the current regulation region 41 is formed from the ridge stripe structure portion 20. Prevent leakage current flow.
  • the current regulation region 41 includes a recess 42 formed in the first compound semiconductor layer 31.
  • the stacked structure 30 including the first compound semiconductor layer 31 having the n-type conductivity, the active layer 33, and the second compound semiconductor layer 32 having the p-type conductivity is formed of AlGaInP. It consists of a compound semiconductor.
  • An n-GaAs substrate was used as the substrate 10.
  • the semiconductor optical device of Example 1 emits red light.
  • the active layer 33 has a quantum well structure in which a well layer made of a GaInP layer or an AlGaInP layer and a barrier layer made of an AlGaInP layer having a different composition are stacked.
  • the structure of the laminated structure 30 made of a GaInP-based compound semiconductor in the semiconductor optical device of Example 1 is shown in Table 1 below, and the compound semiconductor layer described at the bottom is formed on the substrate 10.
  • the active layer 33 has a multiple quantum well structure. Specifically, the barrier layer has four layers and the well layer has three layers. The same applies to Examples 2 to 6 described later.
  • Second compound semiconductor layer 32 Contact layer p-GaAs: Zn doped second cladding layer p-AlInP: Zn doped second guide layer AlGaInP Active layer 33 Well layer / barrier layer GaInP / AlGaInP First compound semiconductor layer 31 First guide layer AlGaInP First cladding layer n-AlInP: Si-doped buffer layer 11 n-GaInP
  • FIGS. 15A and 15B are schematic partial cross-sectional views and partial end views of a substrate or the like similar to that along arrow AA in FIG. A method will be described.
  • the laminated structure 30 including the active layer 33 is formed on the substrate 10.
  • various compound semiconductor layers are grown by MOCVD.
  • phosphine (PH 3 ) is used as a phosphorus raw material
  • trimethylgallium (TMG) gas or triethylgallium (TEG) is used as a gallium raw material.
  • TMG trimethylgallium
  • TMG triethylgallium
  • SiH 4 gas monosilane gas
  • cyclopentadienylmagnesium gas as the Mg source May be used.
  • the buffer layer 11 and the first compound semiconductor are formed on the main surface of the substrate 10 made of an n-GaAs substrate based on a normal MOCVD method, that is, an MOCVD method using an organic metal or a hydrogen compound as a source gas.
  • the layer 31, the active layer 33, and the second compound semiconductor layer 32 are epitaxially grown. In this manner, a structure shown in a schematic partial cross-sectional view in FIG. 15A can be obtained.
  • Step-110 Thereafter, based on the well-known photolithography technique and etching technique, a part of the laminated structure 30 is etched to form the ridge stripe structure part 20 having a certain width, and further, the concave part 42 is formed. Specifically, a predetermined portion of the second compound semiconductor layer 32 is etched in the thickness direction to remove a part of the thickness direction, and the second compound semiconductor layer 32 is further formed in a region where the recess 42 is to be formed. The active layer 33 and the first compound semiconductor layer 31 are partially etched in the thickness direction. In this way, the ridge stripe structure 20 and the recess 42 can be formed as shown in the schematic partial end view of FIG. 15B.
  • an insulating film 36 made of SiO 2 , SiN, or Al 2 O 3 is formed (deposited) on the entire surface based on the CVD method. Then, the insulating film 36 on the top surface of the second compound semiconductor layer 32 is removed by photolithography technique and etching technique, and further, the insulating film is formed from the exposed top surface of the second compound semiconductor layer 32 based on the lift-off method. The second electrode 35 is formed over the surface 36. Moreover, the 1st electrode 34 is formed in the back surface of the board
  • An SLD having the same configuration and structure as in Example 1 was made as a comparative example 1 except that the current regulation region 41 was not provided.
  • the full width at half maximum of the emission spectrum of the light emitted from the first end face 21 increased three times.
  • the intensity of the emitted light was 1.2 in the SLD of Example 1 when the light intensity of the SLD of Comparative Example 1 was “1”. In this case, since the spectrum width can be considerably increased, the output can be further increased by the resonator length or the like.
  • the current regulation region satisfies the above formula (1), and the ridge stripe adjacent portion excluding the current regulation region satisfies the above formula (2).
  • the current regulation region prevents a leakage current from flowing from the ridge stripe structure. That is, current leakage (leakage current) from the spontaneous emission light generation region (the portion of the ridge stripe structure near the second end face) that is a light generation source to the adjacent ridge stripe is suppressed. Therefore, as a result of carriers remaining in the ridge stripe structure portion and acting effectively, it is possible to achieve an increase in carrier density, an accompanying increase in the intensity of spontaneous emission light, and an increase in the emission spectrum width of the spontaneous emission light.
  • the current regulation region is formed away from the strong light portion in the laminated structure, the current regulation region does not cause a decrease in the reliability of the semiconductor optical device.
  • the rise of the optical output with respect to the current can be improved and the operation can be performed even at a low current, the application range is expanded. Furthermore, it is possible to improve the light emission efficiency at the time of high light output by optimizing the structure of the active layer and allocating useless current to increase the light output.
  • the emission spectrum width can be widened, the ridge stripe structure can be lengthened, and an ultra-high light output can be achieved.
  • low coherence can be achieved with low current drive, so that the power consumption and efficiency of the semiconductor optical device can be reduced.
  • Example 2 is a modification of Example 1.
  • FIG. 4A shows a schematic end view of the semiconductor optical device according to the second embodiment similar to that taken along the arrow AA in FIG. 1.
  • the recess 42 has an insulating layer made of AlN. Material 43 is embedded. Except for this point, the configuration and structure of the semiconductor optical device of the second embodiment have the same configuration and structure as those of the semiconductor optical device of the first embodiment, and thus detailed description thereof is omitted.
  • the formation of the recess 42 is omitted in [Step-110] of Example 1, and the second compound semiconductor layer in which the recess 42 is to be formed after [Step-120].
  • the recess 42 is filled with an insulating material 43 made of AlN according to a known method. Good.
  • Example 3 is also a modification of Example 1.
  • FIG. 2 shows a schematic layout of the components of the semiconductor optical device of Example 3
  • FIG. 4B shows a schematic end view of the semiconductor optical device of Example 3 along the arrow AA in FIG.
  • the current regulation region 41 is composed of an insulating layer 44 made of AlN.
  • the configuration and structure of the semiconductor optical device according to the third embodiment have the same configuration and structure as those of the semiconductor optical device according to the first embodiment.
  • the formation of the recess 42 is omitted in [Step-110] of Example 1, and the second compound semiconductor layer in which the recess 42 is to be formed after [Step-120].
  • the active layer 33 and a part of the first compound semiconductor layer 31 in the thickness direction are removed by etching, and then the insulating layer 44 made of AlN is formed on the first current regulation region 41 in accordance with a well-known method. What is necessary is just to form on the area
  • Example 4 is also a modification of Example 1.
  • 5A and 5B show schematic end views of the semiconductor optical device of Example 4 similar to that taken along the arrow AA in FIG.
  • the current regulation region 41 is composed of a compound semiconductor layer 45 subjected to ion implantation.
  • the layer 45 made of a compound semiconductor subjected to ion implantation is a part of the first compound semiconductor layer 31 in the thickness direction / active layer 33 / second compound semiconductor layer 32. 5B, or a part of the first compound semiconductor layer 31 in the thickness direction / a layered structure of the active layer 33, as shown in FIG. 5B.
  • the first compound semiconductor layer 31 may be composed of a part in the thickness direction.
  • Example 4 since the laminated structure 30 is composed of an InP-based compound semiconductor, the ion species is iron (Fe). Except for the above points, the configuration and structure of the semiconductor optical device of Example 4 have the same configuration and structure as those of the semiconductor optical device of Example 1, and thus detailed description thereof is omitted.
  • the formation of the recess 42 is omitted, and after [Step-120], the second compound in which the current regulation region 41 is to be formed Ions are implanted into a part of the semiconductor layer 32, the active layer 33, and the first compound semiconductor layer 31 in the thickness direction, or the active layer 33 and the first compound semiconductor layer 31 in which the current regulation region 41 is to be formed.
  • the ion implantation is performed on a part in the thickness direction of the first compound semiconductor layer 31 or the ion implantation is performed on a part in the thickness direction of the first compound semiconductor layer 31 where the current regulation region 41 is to be formed
  • the restriction area 41 can be obtained.
  • Example 5 is also a modification of Example 1.
  • FIG. 6 shows a schematic end view of the semiconductor optical device of Example 5 similar to that taken along the arrow AA in FIG.
  • the current regulation region 41 is a compound semiconductor layer that blocks a current flow from the second compound semiconductor layer 32 to the first compound semiconductor layer 31 via the current regulation region 41. It is comprised from the laminated structure (reverse pn laminated structure).
  • the stacked structure includes a compound semiconductor layer 46A having a p-type conductivity and a compound semiconductor layer 46B having an n-type conductivity from the bottom.
  • the compound semiconductor layers 46 ⁇ / b> A and 46 ⁇ / b> B are composed of a compound semiconductor of the same system as the compound semiconductor constituting the stacked structure 30.
  • the interface between the compound semiconductor layer 46 ⁇ / b> A and the compound semiconductor layer 46 ⁇ / b> B is located on the side surface of the active layer 33. By setting it as such a structure, it can suppress that an electric current flows into the 1st compound semiconductor layer 31 from the 2nd compound semiconductor layer 32 through a laminated structure.
  • the configuration and structure of the semiconductor optical device according to the fifth embodiment have the same configuration and structure as those of the semiconductor optical device according to the first embodiment.
  • Example 6 is also a modification of Example 1.
  • 7A, 7B, and 7C are schematic partial end views showing the manufacturing process of the semiconductor optical device according to the sixth embodiment, similar to those taken along the arrow AA in FIG. In this case, the recess 12 is formed in advance in the region of the substrate 10 where the current regulation region 41 is to be formed.
  • the substrate 10 having the recess 12 formed in advance in the region where the current regulation region 41 is to be formed is prepared (see FIG. 7A).
  • the laminated structure 30 including the active layer 33 is formed on the substrate 10 in the same manner as in [Step-100] of the first embodiment. In this way, a structure shown in a schematic partial cross-sectional view in FIG. 7B can be obtained. 7A, 7B, and 7C, the buffer layer 11 is not shown.
  • a part of the laminated structure 30 is etched based on the well-known photolithography technique and etching technique to form the ridge stripe structure portion 20 having a certain width.
  • Example 7C a structure having a schematic partial cross-sectional view shown in FIG. 7C can be obtained. Thereafter, the same process as [Step-120] in Example 1 is performed, so that the semiconductor optical device in Example 6 can be obtained.
  • Example 7 relates to a display device of the present disclosure.
  • the display device is a raster scan type projector device provided with a semiconductor optical device as a light source.
  • This projector apparatus performs raster scan of light using a semiconductor optical device made of SLD as a light source, and displays the image by controlling the luminance of the light in accordance with the image to be displayed.
  • each of the light from the red light emitting semiconductor optical device 101R, the green light emitting semiconductor optical device 101G, and the blue light emitting semiconductor optical device 101B is combined into one light beam by the dichroic prisms 102R, 102G, and 102B.
  • the light beam is scanned by the horizontal scanner 103 and the vertical scanner 104 and projected onto the irradiation surface 105 that displays an image or video such as a screen or a wall surface, whereby an image can be obtained.
  • the horizontal scanner 103 and the vertical scanner 104 can be, for example, a combination of a polygon mirror and a galvano scanner.
  • the horizontal scanner and the vertical scanner can include, for example, a combination of a plurality of DMD (Digital Micro-mirror Device) manufactured using MEMS technology and a polygon mirror or a galvano scanner.
  • DMD Digital Micro-mirror Device
  • a structure in which a vertical scanner is integrated that is, a two-dimensional spatial modulation element in which DMDs are arranged in a two-dimensional matrix, or a two-dimensional MEMS scanner that performs two-dimensional scanning with one DMD. It can also be configured. Furthermore, a refractive index modulation type scanner such as an acousto-optic effect scanner or an electro-optic effect scanner may be used.
  • the display device includes an image generation device 201R including a GLV element 203R and a light source (semiconductor optical device for red light emission, SLD) 202R, a GLV element 203G and a light source (semiconductor for green light emission).
  • an image generation device 201R including a GLV element 203R and a light source (semiconductor optical device for red light emission, SLD) 202R, a GLV element 203G and a light source (semiconductor for green light emission).
  • the image generation apparatus 201G includes an optical device (SLD) 202G, and the image generation apparatus 201B includes a GLV element 203B and a light source (blue-emitting semiconductor optical device, SLD) 202B.
  • the red light emitted from the light source (red light emitting semiconductor optical device) 202R is indicated by a dotted line
  • the green light emitted from the light source (green light emitting semiconductor optical device) 202G is indicated by a solid line
  • the blue light emitted from the semiconductor optical device 202B is indicated by a one-dot chain line.
  • the display device further condenses the light emitted from these light sources 202R, 202G, 202B and makes it incident on the GLV elements 203R, 203G, 203B, GLV elements 203R, 203G, The light emitted from 203B is incident, and the L-shaped prism 204 that collects the light of the three primary colors, the lens 205 and the spatial filter 206 through which the combined light of the three primary colors passes, and the single light that passes through the spatial filter 206 are combined.
  • An imaging lens (not shown) to be imaged, a scan mirror (galvano scanner) 207 that scans one light beam that has passed through the imaging lens, and a screen (irradiation surface) that projects light scanned by the scan mirror 207 It is comprised from 208.
  • the present disclosure has been described based on the preferred embodiments, the present disclosure is not limited to these embodiments.
  • the configuration and structure of the semiconductor optical device and the display device described in the embodiments and the method for manufacturing the semiconductor optical device are examples, and can be appropriately changed. Similar results could be obtained even when the active layer was composed of a GaInN compound semiconductor shown in Table 2 below instead of the GaInP compound semiconductor. That is, the laminated structure is made of an AlInGaN-based compound semiconductor, and the active layer has a quantum well structure in which a well layer made of an AlInGaN layer and a barrier layer made of an AlInGaN layer having a different In composition are laminated.
  • the compound semiconductor layer described at the bottom is formed on a substrate 10 made of an n-GaN substrate.
  • the semiconductor optical device having the composition shown in Table 2 emits blue or green light.
  • the current regulation regions are provided on both sides of the ridge stripe adjacent portion, but may be provided only on one side of the ridge stripe adjacent portion.
  • the semiconductor optical device is composed of a super luminescent diode (SLD).
  • SLD super luminescent diode
  • a semiconductor laser element or a semiconductor optical amplifier is formed from the laminated structure 30 (see Table 1) described in the first example. It can also be configured.
  • the semiconductor laser element and the semiconductor optical amplifier have the same configuration and structure as the SLD described in the first embodiment except that the light reflectance of the first end face 21 and the second end face 22 is different from that of the first embodiment.
  • Second compound semiconductor layer 32 Contact layer p-GaN: Mg doped second cladding layer p-AlGaN: Mg doped second guide layer InGaN Active layer 33 Well layer / barrier layer InGaN / GaN First compound semiconductor layer 31 First guide layer InGaN First cladding layer n-AlGaN: Si-doped buffer layer 11 n-GaN
  • the planar shape of the current regulating region 41 is a single strip shape (a shape having a constant width) extending linearly, but the planar shape of the current regulating region 41 is limited to this. It is not a thing.
  • the ridge stripe structure 20 has a shape extending linearly, but is not limited to this, and may have a so-called flare structure as well as a constant width.
  • 10A, FIG. 10B, FIG. 11A, FIG. 11B, and FIG. 12 show schematic arrangement diagrams of the components of the semiconductor optical device for showing the planar shape of the current regulation region, and show the planar shape of the ridge stripe structure portion.
  • 13A and 13B show schematic arrangement diagrams of components of the semiconductor optical device for the purpose.
  • 14A, FIG. 14B, FIG. 14C, and FIG. 14D show outlines of a ridge stripe structure portion having a flare structure.
  • the planar shape of the current regulation region 41 may be a tapered shape (see FIG. 10A) or a flared shape (see FIG. 10B).
  • a plurality of dot-like (dot-like) shapes see FIG. 11A
  • a plurality of belt-like shapes see FIG. 11B
  • the ridge stripe structure portion 20 can be configured to extend in a state in which a plurality of line segments are combined as shown in FIG. 13A, or extend in a curved shape as shown in FIG. 13B. It can also be in the form. Further, as shown in FIG.
  • the width of the ridge stripe structure 20 may be the widest at the first end face 21 and gradually narrow toward the second end face 22.
  • the width of the ridge stripe structure portion 20 is the widest at the first end face 21, is constant toward the second end face 22, and then gradually narrows toward the second end face 22. It may be.
  • the width of the ridge stripe structure portion 20 is widest at the first end face 21, is constant toward the second end face 22, and then gradually narrows toward the second end face 22. Then, it may be constant toward the second end face 22.
  • FIG. 14A the width of the ridge stripe structure 20 may be the widest at the first end face 21 and gradually narrow toward the second end face 22.
  • the width of the ridge stripe structure portion 20 is the widest at the first end face 21, is constant toward the second end face 22, and then gradually narrows toward the second end face 22. Then, it may be constant toward the second end face 22.
  • FIG. 14A the width of the ridge stripe structure 20 may be the wides
  • the width of the ridge stripe structure portion 20 is the widest at the first end face 21, is constant toward the second end face 22, and then gradually narrows toward the second end face 22. Then, it may be constant toward the second end surface 22, then gradually widen toward the second end surface 22, and then constant toward the second end surface 22. Furthermore, as shown in the embodiment, the axis of the ridge stripe structure portion 20 may be orthogonal to the first end face 21 and the second end face 22, and as shown in FIGS. 13A and 13B, It may intersect with one end face 21 at an angle. The second end face 22 may intersect at an angle.
  • the ridge stripe structure 20 and the planar shape of the current regulation region 41 described above can be arbitrarily combined.
  • a ridge stripe structure comprising a first compound semiconductor layer, an active layer made of a compound semiconductor, and a second compound semiconductor layer, and having a first end face that emits light and a second end face facing the first end face.
  • a current regulation region provided adjacent to at least one of the ridge stripe adjacent portions located on both sides of the ridge stripe structure portion on the second end face side and spaced apart from the ridge stripe structure portion;
  • the distance from the bottom surface of the first compound semiconductor layer to the bottom surface of the current regulation region is H 1
  • the distance from the bottom surface of the first compound semiconductor layer to the top surface of the ridge stripe adjacent portion excluding the current regulation region is H 2
  • the first compound When the thickness of the semiconductor layer is T 1 , the thickness of the active layer is T 3
  • the thickness of the second compound semiconductor layer is T 2 , H 1 ⁇ T 1 T 1 + T 3 ⁇ H 2 ⁇ T 1 + T 3 + T 2 Satisfying semiconductor optical device.
  • a ridge stripe structure comprising a first compound semiconductor layer, an active layer made of a compound semiconductor, and a second compound semiconductor layer, and having a first end face that emits light and a second end face facing the first end face.
  • a current regulation region provided adjacent to at least one of the ridge stripe adjacent portions located on both sides of the ridge stripe structure portion on the second end face side and spaced apart from the ridge stripe structure portion;
  • a ridge stripe structure comprising a first compound semiconductor layer, an active layer made of a compound semiconductor, and a second compound semiconductor layer, and having a first end face that emits light and a second end face facing the first end face.
  • a current regulation region provided adjacent to at least one of the ridge stripe adjacent portions located on both sides of the ridge stripe structure portion on the second end face side and spaced apart from the ridge stripe structure portion;
  • the current regulation region is a semiconductor optical device that blocks the flow of leakage current from the ridge stripe structure.
  • the current regulation region includes a stacked structure of compound semiconductor layers that prevents a current flow from the second compound semiconductor layer to the first compound semiconductor layer via the current regulation region [A01] to [A08]. ]
  • [A14] The semiconductor optical device according to any one of [A01] to [A13], which constitutes a superluminescent diode, a semiconductor laser element, or a semiconductor optical amplifier.
  • Laminated structure of compound semiconductor layers 101R, 101G, 101B ...
  • Semiconductor optical device 102R, 102G, 102B ... die Loic prism, 103 ... Horizontal scanner, 104 ... Vertical scanner, 105 ... Irradiation surface, 201R, 201G, 201B ... Image generation device, 202R, 202G, 202B ...
  • Semiconductor optical device (light source) , 203R, 203G, 203B ... GLV element, 204 ... L-shaped prism, 205 ... lens, 206 ... spatial filter, 207 ... scan mirror (galvano scanner), 208 ... screen

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Abstract

半導体光デバイスは、第１化合物半導体層３１、活性層３２及び第２化合物半導体層３２が積層されて成り、光を出射する第１端面２１、及び、第１端面２１と対向する第２端面２２を有するリッジストライプ構造部２０、並びに、リッジストライプ構造部２０の両側に位置するリッジストライプ隣接部４０の少なくとも一方に、第２端面側において隣接し、且つ、リッジストライプ構造部２０と離間して設けられた電流規制領域４１を備えており、電流規制領域４１の底面は活性層３３よりも下方に位置し、電流規制領域４１を除くリッジストライプ隣接部４０の頂面は活性層３３よりも上方に位置する。

Description

半導体光デバイス及び表示装置
　本開示は、半導体光デバイス及び表示装置に関する。
　半導体レーザ素子と類似した構造を有するスーパールミネッセントダイオード（ＳＬＤ）は、発光ダイオード（ＬＥＤ）に近い幅広の発光スペクトルを持ちながら、半導体レーザ素子並の狭い放射角及び高い光強度で光を放射することができる。そして、従来、スーパールミネッセントダイオードは、ファイバジャイロ等の干渉計分野に応用されてきたが、近年、その干渉性の低さから、干渉ノイズ（スペックルノイズ）の少ない画像形成用の光源として表示装置への応用が注目されている。
　例えば、特開平２－３１０９７５に開示されたスーパールミネッセントダイオードにおいては、超小型の短共振器での低コヒーレント光源の実現のために、例えば、導波路を途中で曲げて形成し、端面からの反射を大幅に抑制して、レーザモードの発振を抑えている。即ち、半導体レーザ素子のように２枚の端面ミラーの間で光を往復させ、共振させるのではなく、導波路の一方向のみに光を通過させて増幅状態を得る。光の生成源は、活性層の一部で発生した自然放出光であり、発光スペクトル幅が広いこの自然放出光をそのまま増幅して光を外部に出射する。
特開平２－３１０９７５
　ところで、半導体光デバイスにおいて大きな光出力を得るためには、電流を多く注入する、あるいは、導波路長をできるだけ長くすることが考えられる。しかしながら、電流を多く注入する場合、注入電流の上限は、半導体光デバイスの熱飽和によって規定される。それ故、高光出力化のためには実装・パッケージの放熱負担が大きくなり、コスト高の原因になるだけでなく、実際には、僅かな端面反射でもレーザ発振し易い状態となってしまうため、熱飽和に基づく上限よりもかなり低い電流を注入せざるを得ない。また、導波路を長くすると、光が外部に出射されるまでにより長い経路において多くの増幅作用を受けるので、光強度はその分高くなる。しかしながら、導波路内で誘導放出による光の増幅をより多く受ける結果、利得スペクトルの影響を受ける。それ故、光増幅領域が長い程、発光スペクトル幅が狭くなってしまい、低コヒーレンス性が損なわれる。また、半導体光デバイスの大きさが大きくなり、パッケージの小型化に不向きであるし、全体の導波ロスが増加し、全体の効率が低下してしまう。
　従って、本開示の目的は、低コヒーレンス性を保持しつつ、高光出力を得ることが可能な構成、構造を有する半導体光デバイス、及び、係る半導体光デバイスを備えた表示装置を提供することにある。
　上記の目的を達成するための本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る半導体光デバイスは、
　第１化合物半導体層、化合物半導体から成る活性層、及び、第２化合物半導体層が積層されて成り、光を出射する第１端面、及び、第１端面と対向する第２端面を有するリッジストライプ構造部、並びに、
　リッジストライプ構造部の両側に位置するリッジストライプ隣接部の少なくとも一方に、第２端面側において隣接し、且つ、リッジストライプ構造部と離間して設けられた電流規制領域、
を備えている。
　そして、本開示の第１の態様に係る半導体光デバイスにあっては、第１化合物半導体層の底面から電流規制領域の底面までの距離をＨ1、第１化合物半導体層の底面から電流規制領域を除くリッジストライプ隣接部の頂面までの距離をＨ2、第１化合物半導体層の厚さをＴ1、活性層の厚さをＴ3、第２化合物半導体層の厚さをＴ2としたとき、
Ｈ1≦Ｔ1　　　　　　　　　　　　（１）
Ｔ1＋Ｔ3≦Ｈ2≦Ｔ1＋Ｔ3＋Ｔ2　　（２）
を満足する。云い換えれば、電流規制領域の底面は活性層よりも下方に位置し、電流規制領域を除くリッジストライプ隣接部の頂面は活性層よりも上方に位置する。ここで、リッジストライプ隣接部の頂面側に向かう方向のＨ1の値を正としたとき、Ｈ1は、０を含む正負、どちらの値も取り得る。
　また、本開示の第２の態様に係る半導体光デバイスにあっては、電流規制領域は、リッジストライプ構造部からの漏れ電流の流れを阻止する。
　上記の目的を達成するための本開示の表示装置は、本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る半導体光デバイスを備えている。
　リッジストライプ構造部における光の生成源である自然放出光発生領域では、発光に寄与する光強度が非常に低いために、活性層におけるキャリアの消費が基本的に少ない。そのため、活性層に注入されたキャリアがリッジストライプ隣接部に向かって逃げてしまう。本開示の第１の態様に係る半導体光デバイスにおいて、電流規制領域は上記の式（１）を満足し、電流規制領域を除くリッジストライプ隣接部は上記の式（２）を満足する。また、本開示の第２の態様に係る半導体光デバイスにおいて、電流規制領域はリッジストライプ構造部からの漏れ電流の流れを阻止する。即ち、リッジストライプ構造部における光の生成源である自然放出光発生領域からリッジストライプ隣接部への電流リークが抑制される。それ故、キャリアがリッジストライプ構造部内に止まり、有効に作用する結果、キャリア密度の上昇、及び、それに伴う自然放出光の強度上昇、自然放出光の発光スペクトル幅の拡大を達成することができる。そして、以上の結果として、半導体光デバイスにおける発光スペクトル幅の拡大、スペックルノイズの低減、発光効率の改善を達成することができる。尚、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また、付加的な効果があってもよい。
図１は、実施例１の半導体光デバイスの構成要素の模式的な配置図である。 図２は、実施例３あるいは実施例５の半導体光デバイスの構成要素の模式的な配置図である。 図３Ａ及び図３Ｂは、それぞれ、図１の矢印Ａ－Ａ、及び、矢印Ｂ－Ｂに沿った実施例１の半導体光デバイスの模式的な端面図である。 図４Ａは、図１の矢印Ａ－Ａに沿ったと同様の、実施例２の半導体光デバイスの模式的な端面図であり、図４Ｂは、図２の矢印Ａ－Ａに沿った実施例３の半導体光デバイスの模式的な端面図である。 図５Ａ及び図５Ｂは、図１の矢印Ａ－Ａに沿ったと同様の、実施例４の半導体光デバイスの模式的な端面図である。 図６は、図２の矢印Ａ－Ａに沿ったと同様の、実施例５の半導体光デバイスの模式的な端面図である。 図７Ａ、図７Ｂ及び図７Ｃは、図１の矢印Ａ－Ａに沿ったと同様の、実施例６の半導体光デバイスの製造工程を示す模式的な一部端面図である。 図８は、実施例７の表示装置の概念図である。 図９は、実施例７における別の表示装置の概念図である。 図１０Ａ及び図１０Ｂは、それぞれ、電流規制領域の平面形状を示すための半導体光デバイスの構成要素の模式的な配置図である。 図１１Ａ及び図１１Ｂは、それぞれ、電流規制領域の平面形状を示すための半導体光デバイスの構成要素の模式的な配置図である。 図１２は、電流規制領域の平面形状を示すための半導体光デバイスの構成要素の模式的な配置図である。 図１３Ａ及び図１３Ｂは、それぞれ、リッジストライプ構造部の平面形状を示すための半導体光デバイスの構成要素の模式的な配置図である。 図１４Ａ、図１４Ｂ、図１４Ｃ及び図１４Ｄは、フレア構造を有するリッジストライプ構造部等の外形線を示す図である。 図１５Ａ及び図１５Ｂは、実施例１の半導体光デバイスの製造方法を説明するための、図１の矢印Ｂ－Ｂに沿ったと同様の基板等の模式的な一部断面図及び一部端面図である。
　以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の第１の態様及び第２の態様に係る半導体光デバイス、並びに、本開示の表示装置、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の第１の態様及び第２の態様に係る半導体光デバイス）
３．実施例２（実施例１の変形）
４．実施例３（実施例１の別の変形）
５．実施例４（実施例１の更に別の変形）
６．実施例５（実施例１の更に別の変形）
７．実施例６（実施例１の更に別の変形）
８．実施例７（本開示の表示装置）、その他
［本開示の第１の態様及び第２の態様に係る半導体光デバイス、並びに、本開示の表示装置、全般に関する説明］
　本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る半導体光デバイス、本開示の表示装置を構成する半導体光デバイス（以下、これらを総称して、単に、『本開示の半導体光デバイス』と呼ぶ場合がある）において、リッジストライプ構造部の長さをＬ0、電流規制領域の長さをＬ1としたとき、
０．１≦Ｌ1／Ｌ0＜１．０
好ましくは、
０．１≦Ｌ1／Ｌ0≦０．３
を満足する形態とすることができる。
　上記の好ましい形態を含む本開示の半導体光デバイスにおいて、電流規制領域の第１端面側の端部から第２端面までの距離をＤＳ1、リッジストライプ構造部の長さをＬ0としたとき、
ＤＳ1／Ｌ0＜１．０
好ましくは、
ＤＳ1／Ｌ0≦０．３
を満足する形態とすることができる。また、電流規制領域の第２端面側の端部から第２端面までの距離をＤＳ2としたとき、
ＤＳ1／Ｌ0＞ＤＳ2／Ｌ0≧０
を満足する形態とすることができる。
　尚、第１化合物半導体層の底面から電流規制領域の底面までの距離Ｈ1、電流規制領域の長さＬ1、電流規制領域の第１端面側の端部から第２端面までの距離ＤＳ1、電流規制領域の第２端面側の端部から第２端面までの距離ＤＳ2等は、例えば、デバイスシミュレーションにより求めたリッジストライプ構造部内（導波路内）での光強度分布に基づき決定すればよい。あるいは又、電流規制領域の長さＬ1や位置は、リッジストライプ構造部（導波路）における光の生成源である自然放出光発生領域の位置に基づき決定すればよい。電流規制領域の幅は、特段の制約は無く、加工の裕度に依存するが、本質的には任意である。
　また、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る半導体光デバイス（本開示の表示装置を構成する半導体光デバイスを含む）において、電流規制領域は、リッジストライプ構造部からの漏れ電流の流れを阻止する形態とすることができる。
　更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の半導体光デバイスにおいて、電流規制領域は、第１化合物半導体層に形成された凹部から成る構成とすることができる。そして、この場合、凹部には絶縁材料（半絶縁材料を含む）が埋め込まれている構成とすることができる。導波路の近傍に位置する凹部に絶縁材料（半絶縁材料を含む）を埋め込むことで、素子容量が低下し、パルス駆動時等において、ドライバーとの電気的なマッチングが改善され、半導体光デバイス駆動の向上を図ることができる。
　あるいは又、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の半導体光デバイスにおいて、電流規制領域は、イオン注入が施された化合物半導体の層から成る構成とすることができる。このような構成を採用することで、良好な熱放散（放熱特性）を得ることができる。ここで、「イオン注入が施された化合物半導体から成る層」として、
（１）第１化合物半導体層の厚さ方向の一部／活性層／第２化合物半導体層の厚さ方向の一部の積層構造
（２）第１化合物半導体層の厚さ方向の一部／活性層の積層構造、又は、
（３）第１化合物半導体層の厚さ方向の一部
を挙げることができる。イオン注入するイオン種として、化合物半導体層が、ＧａＡｓ系化合物半導体から成る場合、ホウ素（Ｂ）やプロトン（Ｈ）を挙げることができるし、ＩｎＰ系化合物半導体から成る場合、鉄（Ｆｅ）を挙げることができるし、ＧａＮ系化合物半導体から成る場合、鉄（Ｆｅ）やホウ素（Ｂ）を挙げることができる。尚、イオン注入処理が施されているか否かは、ＳＩＭＳ等の解析によってイオンの存在を特定することができるし、ＳＳＲＭ（走査型広がり抵抗顕微鏡法、Scanning Spreading Resistance Microscopy）、ＳＮＤＭ（非線形誘電率顕微鏡、Scanning Non-linear Dielectric Microscope）等で半導体光デバイスの断面の電気伝導性、極性、誘電率等を測定することによって検出することもできる。
　あるいは又、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の半導体光デバイスにおいて、電流規制領域は、絶縁層（半絶縁層を含む）から構成されている構成とすることができる。導波路の近傍に絶縁層を設けることで、素子容量が低下し、パルス駆動時等において、ドライバーとの電気的なマッチングが改善され、半導体光デバイス駆動の向上を図ることができる。
　あるいは又、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の半導体光デバイスにおいて、電流規制領域は、電流規制領域を経由した第２化合物半導体層から第１化合物半導体層への電流の流れを阻止する化合物半導体層の積層構造（逆ｐｎ積層構造）から構成されている構成とすることができる。このような構成を採用することで、絶縁材料で埋め込みむ場合よりも良好な熱放散（放熱特性）を得ることができる。
　更には、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の半導体光デバイスにおいて、半導体光デバイスは、スーパールミネッセントダイオード（ＳＬＤ）、半導体レーザ素子、又は、半導体光増幅器を構成する形態とすることができる。ここで、半導体レーザ素子にあっては、第１端面における光反射率と第２端面における光反射率との最適化を図ることで、共振器が構成され、光は第１端面から出射される。あるいは、外部共振器を配置してもよい。一方、スーパールミネッセントダイオードにあっては、第１端面における光反射率を非常に低い値とし、第２端面における光反射率を非常に高い値とし、共振器を構成することなく、活性層で生成した光が第１端面から出射される。第１端面には、無反射コート層（ＡＲ）あるいは低反射コート層が形成されているし、第２端面には、高反射コート層（ＨＲ）が形成されている。また、半導体光増幅器にあっては、第１端面及び第２端面における光反射率を非常に低い値とし、共振器を構成することなく、第２端面から入射した光を増幅して第１端面から出射する。第１端面及び第２端面には、無反射コート層（ＡＲ）あるいは低反射コート層が形成されている。無反射コート層（低反射コート層）や高反射コート層として、酸化チタン層、酸化タンタル層、酸化ジルコニウム層、酸化シリコン層、酸化アルミニウム層、窒化アルミニウム層、及び、窒化ケイ素層から成る群から選択された少なくとも２種類の層の積層構造を挙げることができ、スパッタリング法や真空蒸着法等のＰＶＤ法に基づき形成することができる。
　半導体光デバイスから半導体レーザ素子を構成する場合、リッジストライプ構造部の幅が広くなり過ぎると高次横モードが発生する虞があるので、リッジストライプ構造部の幅は、高次横モードが発生しないような値とすることが好ましい。具体的には、リッジストライプ構造部の幅として、例えば、１．０μｍ乃至３．０μｍを例示することができる。
　以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の半導体光デバイス（以下、これらを総称して、単に、『本開示の半導体光デバイス等』と呼ぶ場合がある）において、電流規制領域は、リッジストライプ隣接部の少なくとも一方に設けられていればよく、両側に設けられていることがより好ましい。電流規制領域の平面形状として、直線状あるいは曲線状に延びる１本の帯状の形状（幅が一定の形状、フレア状やテーパー状の形状を含む）を挙げることができるし、直線上あるいは曲線上に配置された複数の点状（ドット状）の形状あるいは複数の帯状の形状を挙げることができるし、放熱フィン形状とすることもできる。電流規制領域とリッジストライプ構造部との間の距離（ｄ）は、出来るだけ短い方が望ましいが、電流規制領域及びリッジストライプ構造部の加工精度や、電流規制領域の形成時の損傷発生、イオン注入時のダメージ発生、光が通過する領域との重複等を考慮して決定すればよく、距離（ｄ）として、限定するものではないが、１μｍ乃至３μｍを挙げることができる。
　第１化合物半導体層、活性層及び第２化合物半導体層から成る積層構造体において、便宜上、リッジストライプ構造部の第１端面における活性層の領域と第２端面における活性層の領域を結ぶ最短直線の方向をＸ方向、活性層の幅方向であって、第１端面に含まれる方向をＹ方向、活性層の厚さ方向をＺ方向とする。そして、ＸＹ仮想平面で積層構造体を切断したと想定したとき、積層構造体において光が存在する領域（光が通過する領域）の形状は、単一横モード（シングルモード）の場合、例えば、楕円形状である。電流規制領域は、このような楕円形状の領域と出来るだけ重ならない領域に設けることが好ましい。一方、多重横モード（高次横モード、マルチモード）の場合、電流規制領域に光学的なロスを意図的に導入することを前提に、多重横モードの光強度ピークと重なる領域に設けることが好ましく、これによって、導波路高次モードに起因したキンク発生の抑制が可能となる。
　第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層を構成する化合物半導体として、ＡｌＡｓ、ＡｌＡｓＰ、ＡｌＡｓＳｂ、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＡｓＳｂ、ＡｌＧａＩｎＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＡｓ、ＡｌＩｎＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＮ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＧａＡｓＳｂ、ＧａＩｎＡｓ、ＧａＩｎＡｓＰ、ＧａＩｎＰ、ＧａＮ、ＧａＮＡｓ、ＧａＰ、ＧａＳｂ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＰを挙げることができる。これらの層の形成方法（成膜方法）として、有機金属化学的気相成長法（ＭＯＣＶＤ法、ＭＯＶＰＥ法）や有機金属分子線エピタキシー法（ＭＯＭＢＥ法）、ハロゲンが輸送あるいは反応に寄与するハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ法）、プラズマアシステッド物理的気相成長法（ＰＰＤ法）を挙げることができる。第１化合物半導体層、活性層及び第２化合物半導体層から成る積層構造体からリッジストライプ構造部を形成するために積層構造体をエッチングする方法として、リソグラフィ技術とウェットエッチング技術の組合せ、リソグラフィ技術とドライエッチング技術の組合せを挙げることができる。積層構造体の構成、それ自体は、周知の構成とすることができる。積層構造体は基板上に形成されており、基板側から、第１化合物半導体層、活性層及び第２化合物半導体層が積層された構造を有する。
　活性層は、単一の化合物半導体層から構成されていてもよいし、単一量子井戸構造［ＱＷ構造］あるいは多重量子井戸構造［ＭＱＷ構造］を有していてもよい。
　例えば、第１化合物半導体層、活性層及び第２化合物半導体層から成る積層構造体はＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体から成る形態とすることができ、この場合、活性層は、ＧａＩｎＰ層若しくはＡｌＧａＩｎＰ層から成る井戸層と、組成の異なるＡｌＧａＩｎＰ層から成る障壁層とが積層された量子井戸構造を有する形態とすることができる。あるいは又、例えば、積層構造体は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮを含むＡｌＩｎＧａＮ系化合物半導体から成る形態とすることができ、この場合、活性層は、ＡｌＩｎＧａＮ層から成る井戸層と、Ｉｎ組成の異なるＡｌＩｎＧａＮ層から成る障壁層とが積層された量子井戸構造を有する形態とすることができる。但し、これらの構成、構造に限定するものではない。
　第１化合物半導体層は第１導電型を有し、第２化合物半導体層は、第１導電型と異なる第２導電型を有する。第１化合物半導体層に第１導電型を付与し、第２化合物半導体層に第２導電型を付与するためには、第１化合物半導体層、第２化合物半導体層のそれぞれに、不純物を導入すればよい。化合物半導体層に添加されるｎ型不純物として、例えば、ケイ素（Ｓｉ）、硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、テルル（Ｔｅ）、錫（Ｓｎ）、炭素（Ｃ）、チタン（Ｔｉ）、酸素（Ｏ）、パラジウム（Ｐｄ）を挙げることができるし、ｐ型不純物として、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、炭素（Ｃ）、ベリリウム（Ｂｅ）、カドミウム（Ｃｄ）、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）を挙げることができる。
　基板として、ＡｌＧａＩｎＮ基板、ＡｌＧａＩｎＰ基板、ＡｌＧａＮ基板、ＡｌＧａＰ基板、ＡｌＩｎＮ基板、ＡｌＩｎＰ基板、ＡｌＮ基板、ＡｌＰ基板、ＧａＡｓ基板、ＧａＩｎＮ基板、ＧａＩｎＰ基板、ＧａＮ基板、ＧａＰ基板、Ｇｅ基板、ＩｎＮ基板、ＩｎＰ基板、ＬｉＭｇＯ基板、ＬｉＧａＯ2基板、ＭｇＡｌ2Ｏ4基板、Ｓｉ基板、ＳｉＣ基板、ＺｎＳ基板、ＺｎＯ基板、アルミナ基板、サファイア基板を挙げることができる。更には、これらの基板の表面（主面）に、下地層やバッファ層、中間層が形成されたものを基板として用いることもできる。また、これらの基板の主面に関して、結晶構造（例えば、立方晶型や六方晶型等）に依っては、所謂Ａ面、Ｂ面、Ｃ面、Ｒ面、Ｍ面、Ｎ面、Ｓ面等の名称で呼ばれる結晶方位面、あるいは、これらを特定方向にオフさせた面等を用いることもできる。
　絶縁材料あるいは絶縁層を構成する材料として、ＳｉＯ2といったＳｉＯX系材料、ＳｉＮY系材料、ＳｉＯXＮY系材料、Ｔａ2Ｏ5、ＺｒＯ2、ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3を例示することができる。絶縁材料による凹部の埋め込み方法あるいは絶縁層の形成方法として、例えば真空蒸着法やスパッタリング法といったＰＶＤ法、あるいは、ＣＶＤ法を挙げることができる。絶縁材料あるいは絶縁層を構成する材料の熱伝導率は、第１化合物半導体層を構成する化合物半導体の熱伝導率よりも高いことが、良好な熱放散（放熱特性）を得るといった観点から好ましい。具体的には、例えば、絶縁材料あるいは絶縁層を、ＡｌＮやＳｉＮY系材料等の高伝熱性を有する材料から構成することが好ましい。また、半絶縁材料あるいは半絶縁層を構成する材料として、低ドープ半導体材料や半絶縁性半導体（ドーピングで半絶縁化）を挙げることができる。
　本開示の半導体光デバイス等において、リッジストライプ構造部は、直線状に延びている形態とすることができるし、複数の線分が組み合わされた状態で延びている形態とすることができるし、曲線状に延びている形態とすることができる。また、リッジストライプ構造部は、一定幅で延びていてもよいし、所謂フレア構造（テーパー状に延びる構造を含む）を有していてもよい。リッジストライプ構造部の軸線は、第１端面及び第２端面と直交していてもよいし、第１端面と或る角度を成して交わっていてもよい。第２端面と或る角度を成して交わっていてもよい。
　更には、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の半導体光デバイス等において、第１端面から出射される光の発光スペクトルの半値幅は、数ｎｍ程度以上であることが望ましい。
　第１化合物半導体層には第１電極が電気的に接続されており、第２化合物半導体層上には第２電極が形成されている。例えば、ｐ型の導電型を有する第２化合物半導体層上に第２電極を形成する場合、係る第２電極（ｐ側電極）として、Ａｕ／ＡｕＺｎ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ（／Ａｕ）／ＡｕＺｎ、Ａｕ／ＡｕＰｄ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ（／Ａｕ）／ＡｕＰｄ、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）（／Ａｕ）／ＡｕＰｄ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ、Ａｕ／Ｔｉを挙げることができる。また、例えば、ｎ型の導電型を有する第１化合物半導体層あるいは基板上に第１電極を形成する場合、係る第１電極（ｎ側電極）として、Ａｕ／Ｎｉ／ＡｕＧｅ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ（／Ａｕ）／Ｎｉ／ＡｕＧｅ、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）／Ｎｉ／ＡｕＧｅを挙げることができる。尚、「／」の前の層ほど、活性層から電気的に離れたところに位置する。第１電極は第１化合物半導体層に電気的に接続されているが、第１電極が第１化合物半導体層上に形成された形態、第１電極が導電材料層や導電性の基板を介して第１化合物半導体層に接続された形態が包含される。第１電極や第２電極は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法等の各種ＰＶＤ法にて成膜することができる。第１電極や第２電極上に、外部の電極あるいは回路と電気的に接続するために、パッド電極を設けてもよい。パッド電極は、Ｔｉ（チタン）、アルミニウム（Ａｌ）、Ｐｔ（白金）、Ａｕ（金）、Ｎｉ（ニッケル）から成る群から選択された少なくとも１種類の金属を含む、単層構成又は多層構成を有することが望ましい。あるいは又、パッド電極を、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの多層構成、Ｔｉ／Ａｕの多層構成に例示される多層構成とすることもできる。
　また、第２電極をｐ型の導電型を有する第２化合物半導体層上に形成する場合、第２電極と第２化合物半導体層との間に透明導電性材料層を形成してもよい。透明導電性材料層を構成する透明導電性材料として、インジウム－錫酸化物（ＩＴＯ，Indium Tin Oxide，ＳｎドープのＩｎ2Ｏ3、結晶性ＩＴＯ及びアモルファスＩＴＯを含む）、インジウム－亜鉛酸化物（ＩＺＯ，Indium Zinc Oxide）、ＩＦＯ（ＦドープのＩｎ2Ｏ3）、酸化錫（ＳｎＯ2）、ＡＴＯ（ＳｂドープのＳｎＯ2）、ＦＴＯ（ＦドープのＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ、ＡｌドープのＺｎＯやＢドープのＺｎＯを含む）を例示することができる。
　本開示の表示装置として、本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る半導体光デバイスを光源として備えたプロジェクター装置や画像表示装置、モニター装置、本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る半導体光デバイスを光源として備えた反射型液晶表示装置、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）、各種照明を挙げることができる。また、本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る半導体光デバイスを顕微鏡の光源として用いることができる。
　実施例１は、本開示の第１の態様及び第２の態様に係る半導体光デバイスに関する。実施例１の半導体光デバイスの構成要素の模式的な配置図を図１に示し、図１の矢印Ａ－Ａに沿った実施例１の半導体光デバイスの模式的な端面図を図３Ａに示し、図１の矢印Ｂ－Ｂに沿った実施例１の半導体光デバイスの模式的な端面図を図３Ｂに示す。尚、図１においては、電流規制領域を明確化するため、電流規制領域に斜線を付した。同様に、後述する図２、図１０Ａ、図１０Ｂ、図１１Ａ、図１１Ｂ、図１２、図１３Ａ、図１３Ｂにおいても、電流規制領域を明確化するため、電流規制領域に斜線を付した。
　実施例１あるいは後述する実施例２～実施例６の半導体光デバイス（具体的には、スーパールミネッセントダイオード、ＳＬＤ）は、
　第１化合物半導体層３１、化合物半導体から成る活性層３３、及び、第２化合物半導体層３２が積層されて成り、光を出射する第１端面２１、及び、第１端面２１と対向する第２端面２２を有するリッジストライプ構造部２０、並びに、
　リッジストライプ構造部２０の両側に位置するリッジストライプ隣接部４０の少なくとも一方に（各実施例においては両側に）、第２端面側において隣接し、且つ、リッジストライプ構造部２０と離間して設けられた電流規制領域４１、
を備えている。第１端面２１には無反射コート層（ＡＲ）あるいは低反射コート層が形成されており、第２端面２２には高反射コート層（ＨＲ）が形成されているが、これらのコート層の図示は省略している。
　そして、本開示の第１の態様に係る半導体光デバイスに則って説明すると、第１化合物半導体層３１の底面から電流規制領域４１の底面までの距離をＨ1、第１化合物半導体層３１の底面から電流規制領域４１を除くリッジストライプ隣接部４０の頂面までの距離をＨ2、第１化合物半導体層３１の厚さをＴ1、活性層３３の厚さをＴ3、第２化合物半導体層３２の厚さをＴ2としたとき、
Ｈ1≦Ｔ1　　　　　　　　　　　　（１）
Ｔ1＋Ｔ3≦Ｈ2≦Ｔ1＋Ｔ3＋Ｔ2　　（２）
を満足する。あるいは又、云い換えれば、電流規制領域４１の底面は活性層３３よりも下方に位置し、電流規制領域４１を除くリッジストライプ隣接部４０の頂面は活性層３３よりも上方に位置する。電流規制領域４１の底面は、第１化合物半導体層３１の底面と同じ位置、あるいは、低い位置に位置してもよい。即ち、
（Ｈ1－Ｔ1）≦０
を満足していてもよい。云い換えれば、第１化合物半導体層３１の底面を基準とし、活性層側に向かうＨ1の値を正としたとき、Ｈ1は０を含む正負の値を取り得る。また、本開示の第２の態様に係る半導体光デバイス、あるいは、本開示の第１の態様に係る半導体光デバイスの好ましい態様に則って説明すると、電流規制領域４１はリッジストライプ構造部２０からの漏れ電流の流れを阻止する。
　そして、実施例１あるいは後述する実施例２～実施例６の半導体光デバイスにおいて、リッジストライプ構造部２０の長さをＬ0、電流規制領域４１の長さをＬ1としたとき、
０．１≦Ｌ1／Ｌ0＜１．０
を満足する。更には、電流規制領域４１の第１端面２１側の端部から第２端面２２までの距離をＤＳ1としたとき、
ＤＳ1／Ｌ0＜１．０
を満足し、電流規制領域４１の第２端面２２側の端部から第２端面２２までの距離をＤＳ2としたとき、
ＤＳ2／Ｌ0≧０
を満足する。具体的には、
Ｌ1／Ｌ0　＝０．５
ＤＳ1／Ｌ0＝０．５
ＤＳ2／Ｌ0＝０．０
とした。
　ここで、実施例１の半導体光デバイスにおいて、電流規制領域４１は、第１化合物半導体層３１に形成された凹部４２から成る。
　実施例１にあっては、ｎ型の導電型を有する第１化合物半導体層３１、活性層３３、及び、ｐ型の導電型を有する第２化合物半導体層３２から成る積層構造体３０は、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体から成る。基板１０としてｎ－ＧａＡｓ基板を用いた。また、実施例１の半導体光デバイスは赤色を出射する。ここで、活性層３３は、ＧａＩｎＰ層若しくはＡｌＧａＩｎＰ層から成る井戸層と、組成の異なるＡｌＧａＩｎＰ層から成る障壁層とが積層された量子井戸構造を有する。実施例１の半導体光デバイスにおけるＧａＩｎＰ系化合物半導体から成る積層構造体３０の構成を以下の表１に示すが、最下段に記載された化合物半導体層が基板１０上に形成されている。活性層３３は多重量子井戸構造を有しており、具体的には、障壁層を４層、井戸層を３層とした。後述する実施例２～実施例６においても同様である。
［表１］
第２化合物半導体層３２
　　コンタクト層　　　　　　ｐ－ＧａＡｓ：Ｚｎドープ
　　第２クラッド層　　　　　ｐ－ＡｌＩｎＰ：Ｚｎドープ
　　第２ガイド層　　　　　　ＡｌＧａＩｎＰ
活性層３３
　　井戸層／障壁層　　　　　ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ
第１化合物半導体層３１
　　第１ガイド層　　　　　　ＡｌＧａＩｎＰ
　　第１クラッド層　　　　　ｎ－ＡｌＩｎＰ：Ｓｉドープ
バッファ層１１　　　　　　　ｎ－ＧａＩｎＰ
　以下、図１の矢印Ａ－Ａに沿ったと同様の基板等の模式的な一部断面図及び一部端面図である図１５Ａ及び図１５Ｂを参照して、実施例１の半導体光デバイスの製造方法を説明する。
　　［工程－１００］
　先ず、基板１０上に、活性層３３を含む積層構造体３０を形成する。具体的には、ＭＯＣＶＤ法にて各種の化合物半導体層を結晶成長させるが、このとき、例えば、リン原料としてホスフィン（ＰＨ3）を用い、ガリウム原料としてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）ガスあるいはトリエチルガリウム（ＴＥＧ）ガスを用い、アルミニウム原料としてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）ガスを用い、Ｉｎ原料としてトリメチルインジウム（ＴＭＩ）ガスを用い、シリコン原料としてモノシランガス（ＳｉＨ4ガス）を用い、Ｍｇ源としてシクロペンタジエニルマグネシウムガスを用いればよい。より具体的には、ｎ－ＧａＡｓ基板から成る基板１０の主面上に、通常のＭＯＣＶＤ法、即ち、有機金属や水素化合物を原料ガスとするＭＯＣＶＤ法に基づき、バッファ層１１、第１化合物半導体層３１、活性層３３、第２化合物半導体層３２をエピタキシャル成長させる。こうして、図１５Ａに模式的な一部断面図を示す構造を得ることができる。
　　［工程－１１０］
　その後、周知のフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、積層構造体３０の一部分をエッチングして、一定の幅を有するリッジストライプ構造部２０を形成し、更に、凹部４２を形成する。具体的には、第２化合物半導体層３２の所定の部分を厚さ方向にエッチングして厚さ方向の一部を除去し、更に、凹部４２を形成すべき領域において、第２化合物半導体層３２、活性層３３及び第１化合物半導体層３１の厚さ方向の一部をエッチングする。こうして、図１５Ｂに模式的な一部端面図を示すように、リッジストライプ構造部２０及び凹部４２を形成することができる。
　　［工程－１２０］
　次に、全面に、ＣＶＤ法に基づきＳｉＯ2やＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3から成る絶縁膜３６を形成（成膜）する。そして、第２化合物半導体層３２の頂面上の絶縁膜３６をフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術によって除去し、更に、リフト・オフ法に基づき、露出した第２化合物半導体層３２の頂面から絶縁膜３６の上に亙り、第２電極３５を形成する。また、基板１０の裏面に、周知の方法に基づき第１電極３４を形成する。こうして、実施例１の半導体光デバイスを得ることができる（図１、図３Ａ、図３Ｂ参照）。
　電流規制領域４１を設けない点を除き、実施例１と同様の構成、構造を有するＳＬＤを比較例１として試作した。この比較例１のＳＬＤと比べて、実施例１のＳＬＤにおいては、第１端面２１から出射される光の発光スペクトルの半値幅が３倍に増加した。また、出射される光の強度は、比較例１のＳＬＤの光強度を「１」としたとき、実施例１のＳＬＤにおいては１．２となった。尚、この場合、スペクトラム幅にかなり余裕ができるので、共振器長等で更に出力を高めることが可能である。
　実施例１の半導体光デバイスにあっては、電流規制領域は上記の式（１）を満足し、電流規制領域を除くリッジストライプ隣接部は上記の式（２）を満足するし、あるいは又、電流規制領域はリッジストライプ構造部からの漏れ電流の流れを阻止する。即ち、光の生成源である自然放出光発生領域（第２端面寄りのリッジストライプ構造部の部分）からリッジストライプ隣接部への電流リーク（漏れ電流）が抑制される。それ故、キャリアがリッジストライプ構造部内に止まり、有効に作用する結果、キャリア密度の上昇、及び、それに伴う自然放出光の強度上昇、自然放出光の発光スペクトル幅の拡大を達成することができる。そして、以上の結果として、半導体光デバイスにおける発光スペクトル幅の拡大、スペックルノイズの低減、立上り電流の低減、閾値電流の低下、低電流での駆動、発光効率の改善を達成することができる。しかも、電流規制領域は、積層構造体における強い光の部分とは離れて形成されているので、電流規制領域が半導体光デバイスの信頼性低下の要因となることは無い。また、電流に対する光出力の立ち上がりを改善でき、低電流でも動作させることができるので、応用範囲が広がる。更には、活性層の構造を最適化し、無駄な電流を高光出力化にも割り当てることで、高光出力時での発光効率を改善することも可能である。即ち、キャリア密度の増大した領域から拡散に基づき増幅領域にキャリアを供給することが可能となり、発光効率を改善することが可能となる。また、発光スペクトル幅を広げることができるので、リッジストライプ構造部を長くすることが可能となり、超高光出力化を達成することが可能である。逆に、低い光出力でも問題無い応用であれば、低コヒーレンス性を低電流駆動で達成することができるので、半導体光デバイスの低消費電力化や効率向上を図ることができる。
　実施例２は、実施例１の変形である。図１の矢印Ａ－Ａに沿ったと同様の、実施例２の半導体光デバイスの模式的な端面図を図４Ａに示すが、実施例２にあっては、凹部４２には、ＡｌＮから成る絶縁材料４３が埋め込まれている。この点を除き、実施例２の半導体光デバイスの構成、構造は、実施例１の半導体光デバイスと同じ構成、構造を有するので詳細な説明は省略する。
　実施例２の半導体光デバイスにあっては、実施例１の［工程－１１０］において、凹部４２の形成を省略し、［工程－１２０］の後、凹部４２を形成すべき第２化合物半導体層３２、活性層３３及び第１化合物半導体層３１の厚さ方向の一部をエッチングによって除去して凹部４２を形成した後、周知の方法に基づき、ＡｌＮから成る絶縁材料４３で凹部４２を埋め込めばよい。
　実施例３も、実施例１の変形である。実施例３の半導体光デバイスの構成要素の模式的な配置図を図２に示し、図２の矢印Ａ－Ａに沿った実施例３の半導体光デバイスの模式的な端面図を図４Ｂに示すが、実施例３の半導体光デバイスにおいて、電流規制領域４１は、ＡｌＮから成る絶縁層４４から構成されている。この点を除き、実施例３の半導体光デバイスの構成、構造は、実施例１の半導体光デバイスと同じ構成、構造を有するので詳細な説明は省略する。
　実施例３の半導体光デバイスにあっても、実施例１の［工程－１１０］において、凹部４２の形成を省略し、［工程－１２０］の後、凹部４２を形成すべき第２化合物半導体層３２、活性層３３及び第１化合物半導体層３１の厚さ方向の一部をエッチングによって除去した後、周知の方法に基づき、ＡｌＮから成る絶縁層４４を、電流規制領域４１を形成すべき第１化合物半導体層の領域３１Ａの上に形成すればよい。
　実施例４も、実施例１の変形である。図１の矢印Ａ－Ａに沿ったと同様の、実施例４の半導体光デバイスの模式的な端面図を図５Ａ及び図５Ｂに示す。ここで、実施例４の半導体光デバイスにおいて、電流規制領域４１は、イオン注入が施された化合物半導体の層４５から成る。具体的には、イオン注入が施された化合物半導体から成る層４５は、図５Ａに示すように、第１化合物半導体層３１の厚さ方向の一部／活性層３３／第２化合物半導体層３２の厚さ方向の一部の積層構造から構成されており、あるいは又、図５Ｂに示すように、第１化合物半導体層３１の厚さ方向の一部／活性層３３の積層構造から構成されている。尚、第１化合物半導体層３１の厚さ方向の一部から構成されていてもよい。実施例４にあっては、積層構造体３０がＩｎＰ系化合物半導体から構成されているので、イオン種を鉄（Ｆｅ）とした。以上の点を除き、実施例４の半導体光デバイスの構成、構造は、実施例１の半導体光デバイスと同じ構成、構造を有するので詳細な説明は省略する。
　実施例４の半導体光デバイスにあっては、実施例１の［工程－１１０］において、凹部４２の形成を省略し、［工程－１２０］の後、電流規制領域４１を形成すべき第２化合物半導体層３２、活性層３３及び第１化合物半導体層３１の厚さ方向の一部に対してイオン注入を行い、あるいは又、電流規制領域４１を形成すべき活性層３３及び第１化合物半導体層３１の厚さ方向の一部に対してイオン注入を行い、あるいは又、電流規制領域４１を形成すべき第１化合物半導体層３１の厚さ方向の一部に対してイオン注入を行うことで、電流規制領域４１を得ることができる。
　実施例５も、実施例１の変形である。図２の矢印Ａ－Ａに沿ったと同様の、実施例５の半導体光デバイスの模式的な端面図を図６に示す。ここで、実施例５の半導体光デバイスにおいて、電流規制領域４１は、電流規制領域４１を経由した第２化合物半導体層３２から第１化合物半導体層３１への電流の流れを阻止する化合物半導体層の積層構造（逆ｐｎ積層構造）から構成されている。具体的には、積層構造は、下から、ｐ型の導電型を有する化合物半導体層４６Ａ、及び、ｎ型の導電型を有する化合物半導体層４６Ｂから構成されている。化合物半導体層４６Ａ，４６Ｂは、積層構造体３０を構成する化合物半導体と同じ系の化合物半導体から構成されている。化合物半導体層４６Ａと化合物半導体層４６Ｂの界面は、活性層３３の側面に位置する。このような構成とすることで、第２化合物半導体層３２から積層構造を介して第１化合物半導体層３１へと電流が流れることを抑制することができる。以上の点を除き、実施例５の半導体光デバイスの構成、構造は、実施例１の半導体光デバイスと同じ構成、構造を有するので詳細な説明は省略する。
　実施例６も、実施例１の変形である。図１の矢印Ａ－Ａに沿ったと同様の、実施例６の半導体光デバイスの製造工程を示す模式的な一部端面図を、図７Ａ、図７Ｂ及び図７Ｃに示すが、実施例６にあっては、電流規制領域４１を形成すべき基板１０の領域に、予め、凹部１２が形成されている。
　実施例６の半導体光デバイスの製造にあっては、電流規制領域４１を形成すべき領域に、予め、凹部１２が形成されている基板１０を準備する（図７Ａ参照）。そして、この基板１０上に、実施例１の［工程－１００］と同様にして、活性層３３を含む積層構造体３０を形成する。こうして、図７Ｂに模式的な一部断面図を示す構造を得ることができる。尚、図７Ａ、図７Ｂ、図７Ｃにおいて、バッファ層１１の図示は省略した。次いで、実施例１の［工程－１１０］と同様にして、周知のフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、積層構造体３０の一部分をエッチングして、一定の幅を有するリッジストライプ構造部２０を形成し、併せて、電流規制領域４１を形成する。こうして、図７Ｃに模式的な一部断面図を示す構造を得ることができる。その後、実施例１の［工程－１２０］と同様の工程を実行することで、実施例６の半導体光デバイスを得ることができる。
　実施例７は、本開示の表示装置に関する。実施例７にあっては、概念図を図８に示すように、表示装置を、半導体光デバイスを光源として備えたラスタースキャン方式のプロジェクター装置とした。このプロジェクター装置は、ＳＬＤから成る半導体光デバイスを光源として光をラスタースキャンし、表示すべき画像に合わせて光の輝度を制御することで画像を表示する。具体的には、赤色発光の半導体光デバイス１０１Ｒ、緑色発光の半導体光デバイス１０１Ｇ及び青色発光の半導体光デバイス１０１Ｂからの光のそれぞれは、ダイクロイックプリズム１０２Ｒ，１０２Ｇ，１０２Ｂによって１本の光ビームに纏められ、この光ビームが、水平スキャナ１０３及び垂直スキャナ１０４によってスキャンされ、スクリーンや壁面等の画像や映像を表示する照射面１０５に投影されることで、画像を得ることができる。水平スキャナ１０３及び垂直スキャナ１０４は、例えば、ポリゴンミラーとガルバノスキャナとの組合せとすることができる。あるいは又、水平スキャナ及び垂直スキャナは、例えば、ＭＥＭＳ技術を用いて作製された複数のＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）と、ポリゴンミラーやガルバノスキャナとの組合せを挙げることができるし、水平スキャナと垂直スキャナとが一体となった構造、即ち、ＤＭＤが２次元マトリクス状に配列されて成る２次元空間変調素子から構成することもできるし、１つのＤＭＤで２次元スキャンを行う２次元ＭＥＭＳスキャナから構成することもできる。更には、音響光学効果スキャナや電気光学効果スキャナといった屈折率変調型スキャナを用いることもできる。
　あるいは又、１次元空間変調素子であるＧＬＶ（Grating Light Valve ）素子の複数と、ポリゴンミラーやガルバノスキャナとの組合せを挙げることもできる。即ち、図９に概念図を示すように、表示装置は、ＧＬＶ素子２０３Ｒ及び光源（赤色発光の半導体光デバイス，ＳＬＤ）２０２Ｒから成る画像生成装置２０１Ｒと、ＧＬＶ素子２０３Ｇ及び光源（緑色発光の半導体光デバイス，ＳＬＤ）２０２Ｇから成る画像生成装置２０１Ｇと、ＧＬＶ素子２０３Ｂ及び光源（青色発光の半導体光デバイス，ＳＬＤ）２０２Ｂから成る画像生成装置２０１Ｂを備えている。尚、光源（赤色発光の半導体光デバイス）２０２Ｒから射出された赤色の光を点線で示し、光源（緑色発光の半導体光デバイス）２０２Ｇから射出された緑色の光を実線で示し、光源（青色発光の半導体光デバイス）２０２Ｂから射出された青色の光を一点鎖線で示す。表示装置は、更に、これらの光源２０２Ｒ，２０２Ｇ，２０２Ｂから射出された光を集光し、ＧＬＶ素子２０３Ｒ，２０３Ｇ，２０３Ｂへと入射させる集光レンズ（図示せず）、ＧＬＶ素子２０３Ｒ，２０３Ｇ，２０３Ｂから射出された光が入射され、１本の光束に纏めるＬ型プリズム２０４、纏められた３原色の光が通過するレンズ２０５及び空間フィルター２０６、空間フィルター２０６を通過した１本の光束を結像させる結像レンズ（図示せず）、結像レンズを通過した１本の光束を走査するスキャンミラー（ガルバノスキャナ）２０７、及び、スキャンミラー２０７で走査された光を投影するスクリーン（照射面）２０８から構成されている。
　以上、本開示を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例において説明した半導体光デバイスや表示装置の構成、構造、半導体光デバイスの製造方法は例示であり、適宜、変更することができる。活性層を、ＧａＩｎＰ系化合物半導体から構成する代わりに、以下の表２に示すＧａＩｎＮ系化合物半導体から構成しても、同様の結果を得ることができた。即ち、積層構造体はＡｌＩｎＧａＮ系化合物半導体から成り、活性層は、ＡｌＩｎＧａＮ層から成る井戸層と、Ｉｎ組成の異なるＡｌＩｎＧａＮ層から成る障壁層とが積層された量子井戸構造を有する。尚、最下段に記載された化合物半導体層がｎ－ＧａＮ基板から成る基板１０上に形成されている。表２に示す組成の半導体光デバイスは青色あるいは緑色を出射する。実施例においては、電流規制領域をリッジストライプ隣接部の両側に設けたが、リッジストライプ隣接部の片側だけに設けてもよい。また、実施例にあっては、半導体光デバイスをスーパールミネッセントダイオード（ＳＬＤ）から構成したが、実施例１において説明した積層構造体３０（表１参照）から半導体レーザ素子や半導体光増幅器を構成することもできる。半導体レーザ素子や半導体光増幅器は、第１端面２１及び第２端面２２の光反射率が実施例１と異なる点を除き、実施例１において説明したＳＬＤと同様の構成、構造を有する。
［表２］
第２化合物半導体層３２
　　コンタクト層　　　　　　ｐ－ＧａＮ：Ｍｇドープ
　　第２クラッド層　　　　　ｐ－ＡｌＧａＮ：Ｍｇドープ
　　第２ガイド層　　　　　　ＩｎＧａＮ
活性層３３
　　井戸層／障壁層　　　　　ＩｎＧａＮ／ＧａＮ
第１化合物半導体層３１
　　第１ガイド層　　　　　　ＩｎＧａＮ
　　第１クラッド層　　　　　ｎ－ＡｌＧａＮ：Ｓｉドープ
バッファ層１１　　　　　　　ｎ－ＧａＮ
　実施例にあっては、電流規制領域４１の平面形状を、直線状に延びる１本の帯状の形状（幅が一定の形状）としたが、電流規制領域４１の平面形状は、これに限定するものではない。また、リッジストライプ構造部２０は、直線状に延びている形状としたが、これに限定するものでもないし、一定幅で延びているだけでなく、所謂フレア構造を有していてもよい。電流規制領域の平面形状を示すための半導体光デバイスの構成要素の模式的な配置図を、図１０Ａ、図１０Ｂ、図１１Ａ、図１１Ｂ、図１２に示し、リッジストライプ構造部の平面形状を示すための半導体光デバイスの構成要素の模式的な配置図を、図１３Ａ及び図１３Ｂに示す。また、フレア構造を有するリッジストライプ構造部等の外形線を、図１４Ａ、図１４Ｂ、図１４Ｃ及び図１４Ｄに示す。
　即ち、電流規制領域４１の平面形状を、テーパー状の形状（図１０Ａを参照）や、フレア状の形状（図１０Ｂを参照）とすることもできる。あるいは又、直線上（あるいは曲線上）に配置された複数の点状（ドット状）の形状（図１１Ａを参照）あるいは複数の帯状の形状（図１１Ｂを参照）とすることもできるし、図１２に示すように、放熱フィン形状とすることもできる。また、リッジストライプ構造部２０は、図１３Ａに示すように、複数の線分が組み合わされた状態で延びている形態とすることができるし、図１３Ｂに示すように、曲線状に延びている形態とすることもできる。また、図１４Ａに示すように、リッジストライプ構造部２０の幅は、第１端面２１において最も広く、第２端面２２に向かって徐々に狭くなっていてもよい。あるいは又、図１４Ｂに示すように、リッジストライプ構造部２０の幅は、第１端面２１において最も広く、第２端面２２に向かって一定であり、次いで、第２端面２２に向かって徐々に狭くなっていてもよい。あるいは又、図１４Ｃに示すように、リッジストライプ構造部２０の幅は、第１端面２１において最も広く、第２端面２２に向かって一定であり、次いで、第２端面２２に向かって徐々に狭くなっており、次いで、第２端面２２に向かって一定であってもよい。あるいは又、図１４Ｄに示すように、リッジストライプ構造部２０の幅は、第１端面２１において最も広く、第２端面２２に向かって一定であり、次いで、第２端面２２に向かって徐々に狭くなっており、次いで、第２端面２２に向かって一定であり、次いで、第２端面２２に向かって徐々に広くなり、その後、第２端面２２に向かって一定であってもよい。更には、実施例で示したように、リッジストライプ構造部２０の軸線は、第１端面２１及び第２端面２２と直交していてもよいし、図１３Ａ、図１３Ｂに示したように、第１端面２１と或る角度を成して交わっていてもよい。第２端面２２と或る角度を成して交わっていてもよい。尚、以上に説明したリッジストライプ構造部２０と電流規制領域４１の平面形状とを、任意に組み合わせることができる。
　尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［Ａ０１］《半導体光デバイス・・・第１の態様》
　第１化合物半導体層、化合物半導体から成る活性層、及び、第２化合物半導体層が積層されて成り、光を出射する第１端面、及び、第１端面と対向する第２端面を有するリッジストライプ構造部、並びに、
　リッジストライプ構造部の両側に位置するリッジストライプ隣接部の少なくとも一方に、第２端面側において隣接し、且つ、リッジストライプ構造部と離間して設けられた電流規制領域、
を備えており、
　第１化合物半導体層の底面から電流規制領域の底面までの距離をＨ1、第１化合物半導体層の底面から電流規制領域を除くリッジストライプ隣接部の頂面までの距離をＨ2、第１化合物半導体層の厚さをＴ1、活性層の厚さをＴ3、第２化合物半導体層の厚さをＴ2としたとき、
Ｈ1≦Ｔ1
Ｔ1＋Ｔ3≦Ｈ2≦Ｔ1＋Ｔ3＋Ｔ2
を満足する半導体光デバイス。
［Ａ０２］
　第１化合物半導体層、化合物半導体から成る活性層、及び、第２化合物半導体層が積層されて成り、光を出射する第１端面、及び、第１端面と対向する第２端面を有するリッジストライプ構造部、並びに、
　リッジストライプ構造部の両側に位置するリッジストライプ隣接部の少なくとも一方に、第２端面側において隣接し、且つ、リッジストライプ構造部と離間して設けられた電流規制領域、
を備えており、
　電流規制領域の底面は活性層よりも下方に位置し、電流規制領域を除くリッジストライプ隣接部の頂面は活性層よりも上方に位置する半導体光デバイス。
［Ａ０３］リッジストライプ構造部の長さをＬ0、電流規制領域の長さをＬ1としたとき、
０．１≦Ｌ1／Ｌ0＜１．０
を満足する［Ａ０１］又は［Ａ０２］に記載の半導体光デバイス。
［Ａ０４］電流規制領域の第１端面側の端部から第２端面までの距離をＤＳ1、リッジストライプ構造部の長さをＬ0としたとき、
ＤＳ1／Ｌ0＜１．０
を満足する［Ａ０１］乃至［Ａ０３］のいずれか１項に記載の半導体光デバイス。
［Ａ０５］電流規制領域は、リッジストライプ構造部からの漏れ電流の流れを阻止する［Ａ０１］乃至［Ａ０４］のいずれか１項に記載の半導体光デバイス。
［Ａ０６］《半導体光デバイス・・・第２の態様》
　第１化合物半導体層、化合物半導体から成る活性層、及び、第２化合物半導体層が積層されて成り、光を出射する第１端面、及び、第１端面と対向する第２端面を有するリッジストライプ構造部、並びに、
　リッジストライプ構造部の両側に位置するリッジストライプ隣接部の少なくとも一方に、第２端面側において隣接し、且つ、リッジストライプ構造部と離間して設けられた電流規制領域、
を備えており、
　電流規制領域は、リッジストライプ構造部からの漏れ電流の流れを阻止する半導体光デバイス。
［Ａ０７］リッジストライプ構造部の長さをＬ0、電流規制領域の長さをＬ1としたとき、
０．１≦Ｌ1／Ｌ0＜１．０
を満足する［Ａ０６］に記載の半導体光デバイス。
［Ａ０８］電流規制領域の第１端面側の端部から第２端面までの距離をＤＳ1、リッジストライプ構造部の長さをＬ0としたとき、
ＤＳ1／Ｌ0＜１．０
を満足する［Ａ０６］又は［Ａ０７］に記載の半導体光デバイス。
［Ａ０９］電流規制領域は、第１化合物半導体層に形成された凹部から成る［Ａ０１］乃至［Ａ０８］のいずれか１項に記載の半導体光デバイス。
［Ａ１０］凹部には絶縁材料が埋め込まれている［Ａ０９］に記載の半導体光デバイス。
［Ａ１１］電流規制領域は、イオン注入が施された化合物半導体の層から成る［Ａ０１］乃至［Ａ０８］のいずれか１項に記載の半導体光デバイス。
［Ａ１２］電流規制領域は、絶縁層から構成されている［Ａ０１］乃至［Ａ０８］のいずれか１項に記載の半導体光デバイス。
［Ａ１３］電流規制領域は、電流規制領域を経由した第２化合物半導体層から第１化合物半導体層への電流の流れを阻止する化合物半導体層の積層構造から構成されている［Ａ０１］乃至［Ａ０８］のいずれか１項に記載の半導体光デバイス。
［Ａ１４］スーパールミネッセントダイオード、半導体レーザ素子、又は、半導体光増幅器を構成する［Ａ０１］乃至［Ａ１３］のいずれか１項に記載の半導体光デバイス。
［Ｂ０１］《表示装置》
　［Ａ０１］乃至［Ａ１４］のいずれか１項に記載の発光素子を備えている表示装置。
１０・・・基板、１１・・・バッファ層、１２・・・基板に設けられた凹部、２０・・・リッジストライプ構造部、２１・・・第１端面、２２・・・第２端面、３０・・・積層構造体、３１・・・第１化合物半導体層、３１Ａ・・・電流規制領域を形成すべき第１化合物半導体層の領域、３２・・・第２化合物半導体層、３３・・・活性層、３４・・・第１電極、３５・・・第２電極、３６・・・絶縁膜、４０・・・リッジストライプ隣接部、４１・・・電流規制領域、４２・・・凹部、４３・・・絶縁材料、４４・・・絶縁層、４５・・・イオン注入が施された化合物半導体から成る層、４６Ａ，４６Ｂ・・・化合物半導体層の積層構造、１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂ・・・半導体光デバイス、１０２Ｒ，１０２Ｇ，１０２Ｂ・・・ダイクロイックプリズム、１０３・・・水平スキャナ、１０４・・・垂直スキャナ、１０５・・・照射面、２０１Ｒ，２０１Ｇ，２０１Ｂ・・・画像生成装置、２０２Ｒ，２０２Ｇ，２０２Ｂ・・・半導体光デバイス（光源）、２０３Ｒ，２０３Ｇ，２０３Ｂ・・・ＧＬＶ素子、２０４・・・Ｌ型プリズム、２０５・・・レンズ、２０６・・・空間フィルター、２０７・・・スキャンミラー（ガルバノスキャナ）、２０８・・・スクリーン

Claims (14)

  1. 　第１化合物半導体層、化合物半導体から成る活性層、及び、第２化合物半導体層が積層されて成り、光を出射する第１端面、及び、第１端面と対向する第２端面を有するリッジストライプ構造部、並びに、
    　リッジストライプ構造部の両側に位置するリッジストライプ隣接部の少なくとも一方に、第２端面側において隣接し、且つ、リッジストライプ構造部と離間して設けられた電流規制領域、
    を備えており、
    　第１化合物半導体層の底面から電流規制領域の底面までの距離をＨ1、第１化合物半導体層の底面から電流規制領域を除くリッジストライプ隣接部の頂面までの距離をＨ2、第１化合物半導体層の厚さをＴ1、活性層の厚さをＴ3、第２化合物半導体層の厚さをＴ2としたとき、
    Ｈ1≦Ｔ1
    Ｔ1＋Ｔ3≦Ｈ2≦Ｔ1＋Ｔ3＋Ｔ2
    を満足する半導体光デバイス。
  2. 　リッジストライプ構造部の長さをＬ0、電流規制領域の長さをＬ1としたとき、
    ０．１≦Ｌ1／Ｌ0＜１．０
    を満足する請求項１に記載の半導体光デバイス。
  3. 　電流規制領域の第１端面側の端部から第２端面までの距離をＤＳ1、リッジストライプ構造部の長さをＬ0としたとき、
    ＤＳ1／Ｌ0＜１．０
    を満足する請求項１に記載の半導体光デバイス。
  4. 　電流規制領域は、リッジストライプ構造部からの漏れ電流の流れを阻止する請求項１に記載の半導体光デバイス。
  5. 　第１化合物半導体層、化合物半導体から成る活性層、及び、第２化合物半導体層が積層されて成り、光を出射する第１端面、及び、第１端面と対向する第２端面を有するリッジストライプ構造部、並びに、
    　リッジストライプ構造部の両側に位置するリッジストライプ隣接部の少なくとも一方に、第２端面側において隣接し、且つ、リッジストライプ構造部と離間して設けられた電流規制領域、
    を備えており、
    　電流規制領域は、リッジストライプ構造部からの漏れ電流の流れを阻止する半導体光デバイス。
  6. 　リッジストライプ構造部の長さをＬ0、電流規制領域の長さをＬ1としたとき、
    ０．１≦Ｌ1／Ｌ0＜１．０
    を満足する請求項５に記載の半導体光デバイス。
  7. 　電流規制領域の第１端面側の端部から第２端面までの距離をＤＳ1、リッジストライプ構造部の長さをＬ0としたとき、
    ＤＳ1／Ｌ0＜１．０
    を満足する請求項５に記載の半導体光デバイス。
  8. 　電流規制領域は、第１化合物半導体層に形成された凹部から成る請求項１又は請求項５に記載の半導体光デバイス。
  9. 　凹部には絶縁材料が埋め込まれている請求項８に記載の半導体光デバイス。
  10. 　電流規制領域は、イオン注入が施された化合物半導体の層から成る請求項１又は請求項５に記載の半導体光デバイス。
  11. 　電流規制領域は、絶縁層から構成されている請求項１又は請求項５に記載の半導体光デバイス。
  12. 　電流規制領域は、電流規制領域を経由した第２化合物半導体層から第１化合物半導体層への電流の流れを阻止する化合物半導体層の積層構造から構成されている請求項１又は請求項５に記載の半導体光デバイス。
  13. 　スーパールミネッセントダイオード、半導体レーザ素子、又は、半導体光増幅器を構成する請求項１又は請求項５に記載の半導体光デバイス。
  14. 　請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の発光素子を備えている表示装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017110017A1 (ja) * 2015-12-25 2017-06-29 ソニー株式会社 発光素子および表示装置
WO2017217101A1 (ja) * 2016-06-13 2017-12-21 ソニー株式会社 光学素子及び表示装置
WO2019111805A1 (ja) * 2017-12-05 2019-06-13 浜松ホトニクス株式会社 スーパールミネッセントダイオード
WO2019111804A1 (ja) * 2017-12-05 2019-06-13 浜松ホトニクス株式会社 光半導体素子の駆動方法、及び光半導体素子
JP2020127003A (ja) * 2019-02-05 2020-08-20 シャープ株式会社 半導体レーザ素子

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015076110A1 (ja) * 2013-11-19 2015-05-28 ソニー株式会社 半導体レーザ素子
US10840406B2 (en) * 2017-04-17 2020-11-17 Hamamatsu Photonics K.K. Optical semiconductor element and method of driving optical semiconductor element
JP6858804B2 (ja) * 2018-06-08 2021-04-14 シャープ株式会社 半導体レーザ素子
CN112838152B (zh) * 2019-11-25 2022-06-14 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种具有特定图形的发光二极管外延结构及其制备方法
DE102021211000A1 (de) 2021-09-30 2023-03-30 Trumpf Photonics, Inc. Halbleiterlaserchip mit mindestens einem überstehenden Stegbereich

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08250763A (ja) * 1995-03-08 1996-09-27 Nippondenso Co Ltd スーパールミネッセントダイオード
JPH09237914A (ja) * 1996-02-28 1997-09-09 Hamamatsu Photonics Kk 光検出装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01274480A (ja) * 1988-04-26 1989-11-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体発光装置
JP2778985B2 (ja) 1989-05-26 1998-07-23 日本電信電話株式会社 スーパールミネツセントダイオード
JPH04259262A (ja) * 1991-02-13 1992-09-14 Shimadzu Corp 端面発光ダイオード
JPH0786676A (ja) * 1993-09-10 1995-03-31 Sony Corp 半導体レーザ
JP2007311682A (ja) * 2006-05-22 2007-11-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JP2010003882A (ja) * 2008-06-20 2010-01-07 Sony Corp 端面発光型半導体レーザ素子
JP2013012680A (ja) * 2011-06-30 2013-01-17 Renesas Electronics Corp 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08250763A (ja) * 1995-03-08 1996-09-27 Nippondenso Co Ltd スーパールミネッセントダイオード
JPH09237914A (ja) * 1996-02-28 1997-09-09 Hamamatsu Photonics Kk 光検出装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017110017A1 (ja) * 2015-12-25 2017-06-29 ソニー株式会社 発光素子および表示装置
JPWO2017110017A1 (ja) * 2015-12-25 2018-10-18 ソニー株式会社 発光素子および表示装置
US11217721B2 (en) 2015-12-25 2022-01-04 Sony Corporation Light-emitting device and display apparatus
WO2017217101A1 (ja) * 2016-06-13 2017-12-21 ソニー株式会社 光学素子及び表示装置
US11164990B2 (en) 2016-06-13 2021-11-02 Sony Corporation Optical device and display apparatus
WO2019111805A1 (ja) * 2017-12-05 2019-06-13 浜松ホトニクス株式会社 スーパールミネッセントダイオード
WO2019111804A1 (ja) * 2017-12-05 2019-06-13 浜松ホトニクス株式会社 光半導体素子の駆動方法、及び光半導体素子
JPWO2019111804A1 (ja) * 2017-12-05 2020-11-26 浜松ホトニクス株式会社 光半導体素子の駆動方法、及び光半導体素子
JP2020127003A (ja) * 2019-02-05 2020-08-20 シャープ株式会社 半導体レーザ素子

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