WO2015146568A1 - 蛍光光源装置 - Google Patents
蛍光光源装置 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2015146568A1 WO2015146568A1 PCT/JP2015/056947 JP2015056947W WO2015146568A1 WO 2015146568 A1 WO2015146568 A1 WO 2015146568A1 JP 2015056947 W JP2015056947 W JP 2015056947W WO 2015146568 A1 WO2015146568 A1 WO 2015146568A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- wavelength conversion
- excitation light
- light source
- source device
- conversion member
- Prior art date
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 142
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 76
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 28
- 238000009877 rendering Methods 0.000 abstract description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 20
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 4
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 2
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 2
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007569 slipcasting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V13/00—Producing particular characteristics or distribution of the light emitted by means of a combination of elements specified in two or more of main groups F21V1/00 - F21V11/00
- F21V13/02—Combinations of only two kinds of elements
- F21V13/08—Combinations of only two kinds of elements the elements being filters or photoluminescent elements and reflectors
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V9/00—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
- F21V9/30—Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2103/00—Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes
- F21Y2103/30—Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes curved
- F21Y2103/33—Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes curved annular
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/30—Semiconductor lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
Definitions
- the present invention relates to a fluorescent light source device including a wavelength conversion member that emits fluorescence when excited by excitation light.
- a fluorescent light source that emits mixed light of excitation light from an excitation light source and fluorescence emitted from a wavelength conversion member made of a phosphor that receives and excites this excitation light.
- An apparatus is known (see Patent Document 1).
- the phosphor constituting the wavelength conversion member receives the excitation light and generates heat, so that temperature quenching occurs in the phosphor, and the radiation intensity ratio between the excitation light and the fluorescence changes. Color unevenness easily occurs. For this reason, in the conventional fluorescent light source device, various means for suppressing color unevenness are applied (see Patent Document 2 and Patent Document 3).
- the wavelength conversion member when the wavelength conversion member is irradiated with excitation light having a high output in order to increase the luminance, the heat generated in the wavelength conversion member is not sufficiently exhausted, and the phosphor Temperature quenching occurs. For this reason, high luminous efficiency cannot be obtained, and the emission intensity ratio between the excitation light and the fluorescence emitted from the phosphor changes, so that the color emitted from the fluorescent light source device has uneven color and the color rendering property. There is a problem that decreases.
- an object of the present invention is to provide a fluorescent light that can suppress a decrease in light emission efficiency and emit light with excellent color rendering even when high-power excitation light is incident on the wavelength conversion member.
- the object is to provide a light source device.
- the fluorescent light source device of the present invention is a fluorescent light source device that includes a wavelength conversion member that is arranged in an excitation light incident region and that is excited by excitation light to emit fluorescence,
- the wavelength conversion member is formed between a plurality of wavelength conversion elements arranged in each of a plurality of divided regions separated from each other and divided in the excitation light incident region, and the wavelength conversion elements adjacent to each other.
- a diffusive reflector that diffusely reflects the excitation light.
- the diffuse reflector is formed so as to cover a region other than the divided region in the excitation light incident region.
- the wavelength conversion member is formed by arranging a plurality of types of wavelength conversion elements that radiate fluorescence having different wavelengths from each other.
- the excitation light may be blue light, and the wavelength conversion member may include a wavelength conversion element that emits yellow fluorescence.
- the excitation light may be blue light, and the wavelength conversion member may include a wavelength conversion element that emits green fluorescence and a wavelength conversion element that emits red fluorescence.
- the wavelength conversion element is arranged in each of a plurality of divided areas that are divided in the excitation light incident area and separated from each other, thereby comparing with the case of having a single wavelength conversion element.
- each of the wavelength conversion elements can be dispersed and arranged over a wide range in the excitation light incident region. Therefore, heat generated in the wavelength conversion element can be exhausted with high efficiency. Therefore, even when high-power excitation light is incident on the wavelength conversion member, temperature quenching due to heat generation of the wavelength conversion member is reduced, so that a decrease in light emission efficiency can be suppressed.
- a diffuse reflector that diffusely reflects the excitation light is formed between the wavelength conversion elements adjacent to each other, light having excellent color rendering properties can be emitted.
- FIG. 1A and 1B are explanatory views showing a configuration of an example of the fluorescent light source device of the present invention, in which FIG. 1A is a side view and FIG. 1B is a front view.
- the fluorescent light source device includes a plurality of (eight in the illustrated example) excitation light sources 10 that emit excitation light L, and a wavelength conversion member 20 that is excited by the excitation light L from the excitation light source 10 to emit fluorescence.
- the concave mirror 30 that reflects the fluorescence from the wavelength conversion member 20 and the lens 40 that converts the fluorescence and excitation light L from the wavelength conversion member 20 and the concave mirror 30 into parallel light and mixes them.
- each of the excitation light sources 10 is arranged along the periphery of the opening 31 of the concave mirror 30 in a state of being spaced apart at equal intervals.
- each of the excitation light sources 10 is arranged in a posture facing the bottom of the concave mirror 30, whereby the bottom of the concave mirror 30 is set as an excitation light incident region N.
- a rectangular through hole 32 is formed in the bottom of the concave mirror 30, that is, the excitation light incident region N, and the plate-like wavelength conversion member 20 is disposed in the through hole 32.
- the lens 40 is disposed in front of the concave mirror 30 so as to face the wavelength conversion member 20.
- FIG. 2A and 2B are explanatory views showing the configuration of an example of the wavelength conversion member, where FIG. 2A is a plan view and FIG. 2B is an AA cross section of the wavelength conversion member shown in FIG.
- the wavelength conversion member 20 has a heat dissipation substrate 21. On the surface of the heat dissipating substrate 21, for example, a plurality of rectangular divided regions D that are divided in a rectangular excitation light incident region N and separated from each other are formed. In each of the divided regions D on the surface of the heat dissipation substrate 21, a rectangular plate-shaped wavelength conversion element 22 is disposed via an adhesive film 23 made of, for example, solder. Between the wavelength conversion elements 22 adjacent to each other, a diffuse reflector 25 that diffusely reflects the excitation light L is formed.
- the diffuse reflector 25 is formed so as to cover a region other than the divided region D in the excitation light incident region N.
- the divided region D that is, the region in which the wavelength conversion element 22 is disposed, is formed in a dispersed state in the excitation light incident region N.
- the excitation light L emitted from the excitation light source 10 can be appropriately selected from ultraviolet rays and visible rays according to the use of the fluorescent light source device and the like.
- the excitation light L when the use of the fluorescent light source device is a lighting device, blue light is selected as the excitation light L.
- a laser diode can be used as the excitation light source 10.
- a metal material having high thermal conductivity can be used as the material constituting the heat dissipation substrate 21 in the wavelength conversion member 20.
- a metal material having high thermal conductivity can be used as specific examples of such a metal material.
- copper, copper alloy, aluminum, aluminum alloy, nickel, and the like can be used as specific examples of such a metal material.
- the wavelength conversion element 22 in the wavelength conversion member 20 may be made of a phosphor crystal, or may be formed by binding phosphor crystal powder with a binder.
- phosphor crystals green phosphors such as Ce: LuAG (Lu 3 Al 5 O 12 ), Pr: YAG, Eu: CASN (CaAlSiN), Eu: S-CASN (SrCaAlSiN), YAG: Sm, YAG: Pr
- a red phosphor such as Ce: YAG (Y 3 Al 5 O 12 ) can be used.
- These phosphor crystals can be used alone or in combination.
- the rare earth element doping amount is, for example, about 0.5 mol%.
- the phosphor single crystal can be obtained, for example, by the Czochralski method. Specifically, first, the seed crystal is brought into contact with the melted raw material in the crucible. Next, in this state, the seed crystal is pulled up in the vertical direction while rotating the seed crystal to grow a single crystal on the seed crystal. In this way, a phosphor single crystal is obtained.
- the phosphor polycrystal can be obtained, for example, as follows. First, raw materials such as a base material, an activation material, and a firing aid are pulverized by a ball mill or the like to prepare raw material fine particles of submicron or less. Next, the raw material fine particles are sintered by, for example, a slip casting method. Then, a phosphor polycrystal is obtained by subjecting the obtained sintered body to hot isostatic pressing.
- the average particle diameter of the phosphor crystal powder is, for example, 1 to 60 ⁇ m.
- the ratio of the phosphor crystal powder in the wavelength conversion element 22 is, for example, 30 to 70% by volume.
- the binder an inorganic binder such as glass or an organic binder such as silicone resin can be used.
- the wavelength conversion member 20 may be the same type in which all the wavelength conversion elements 22 each emit fluorescence of the same wavelength, that is, the same composition of the phosphor crystal, but the fluorescence of different wavelengths may be used. You may have the multiple types of wavelength conversion element 22 to radiate
- the wavelength conversion member 20 may have a plurality of wavelength conversion elements 22 each having the same shape and size as shown in FIG. 2, but as shown in FIG. 3 and FIG. A plurality of wavelength conversion elements 22a, 22b, 22c, and 22d having different dimensions may be included.
- the shape and dimensions are set in consideration of the light emission efficiency of each wavelength conversion element 22 and the like. The light of the required spectrum can be emitted.
- the area of each surface of the wavelength conversion element 22 is preferably 0.5 to 400 mm 2 .
- the area of the surface of the wavelength conversion element 22 is too small, the handleability of the wavelength conversion element 22 is low, and it may be difficult to manufacture the wavelength conversion member 20.
- the area of the surface of the wavelength conversion element 22 is excessive, the size of the wavelength conversion member 20 increases, and thus the size of the entire fluorescent light source device increases.
- the total area of each surface of the wavelength conversion element 22 (the total area of the divided regions D) is preferably 50 to 98% of the area of the excitation light incident region N.
- white light may not be obtained because the area of the excitation light incident region N is relatively large and the ratio of fluorescence to the excitation light is small.
- white light may not be obtained because the ratio of fluorescence to the excitation light is large.
- each wavelength conversion element 22 is, for example, 100 to 1000 ⁇ m.
- the number of wavelength conversion elements 22 in the wavelength conversion member 20 can be appropriately set in consideration of the surface area of each wavelength conversion element 22, the area of the excitation light incident region N, and the like. It is.
- the separation distance d between adjacent wavelength conversion elements 22 is preferably 0.1 to 2 mm. If the separation distance d is too small, it may be difficult to form the diffuse reflector 25 between the wavelength conversion elements 22 adjacent to each other. On the other hand, when the separation distance d is excessive, the size of the wavelength conversion member 20 increases, so that the size of the entire fluorescent light source device increases.
- the diffuse reflection material 25 in the wavelength conversion member 20 a material in which light diffusion particles are dispersed in a binder can be used.
- the light diffusing particles inorganic particles made of TiO 2 , SiO 2 , Al 2 O 3 or the like can be used.
- the average particle diameter of the light diffusing particles is, for example, 0.01 to 50 ⁇ m.
- the content ratio of the light diffusing particles in the diffuse reflector 25 is, for example, 30% by volume.
- the binder an inorganic binder such as glass or an organic binder such as silicone resin can be used.
- Said wavelength conversion member 20 can be manufactured as follows, for example. First, a plate-shaped wavelength conversion element material made of a phosphor crystal or phosphor powder powder bound by a binder is prepared. The wavelength conversion element 22 having a required form is formed by cutting the wavelength conversion element material with, for example, a dicing apparatus. Next, a solder paste is applied to the surface of the heat dissipation substrate 21 according to the pattern of the divided regions D by screen printing or the like. Then, the wavelength conversion element 22 is arrange
- a diffuse reflecting material forming paste containing light diffusing particles and a binder material is applied to a region other than the region where the wavelength conversion element 22 is disposed on the surface of the heat radiating substrate 21 by, for example, a dispenser.
- the diffuse reflection material 25 is formed by heating the coating film by the paste for diffuse reflection material formation. In this way, the wavelength conversion member 20 shown in FIGS. 2 and 3 is obtained.
- the heating conditions of the coating film with the solder paste are, for example, a heating temperature of 250 ° C. and a heating time of 2 minutes.
- the heating conditions of the coating film by the diffuse reflecting material forming paste vary depending on the type of binder material used, when a silicone resin material is used as the binder material, for example, the heating temperature is 150 ° C. and the heating time is 1 hour. It is.
- the fluorescent light source device of the present invention When the fluorescent light source device of the present invention is applied to, for example, a lighting device, it is preferable to use a combination of the following (1) or (2) as the excitation light source 10 and the wavelength conversion member 20.
- (1) A combination of an excitation light source 10 that emits blue light as the excitation light L and a wavelength conversion member 20 having a wavelength conversion element 22 that emits yellow fluorescence.
- (2) A combination of an excitation light source 10 that emits blue light as the excitation light L, and a wavelength conversion member 20 having a wavelength conversion element 22 that emits green fluorescence and a wavelength conversion element 22 that emits red fluorescence.
- the single wavelength conversion element 22 when the wavelength conversion element 22 is arranged in each of the plurality of divided areas D which are divided in the excitation light incident area N and separated from each other, the single wavelength conversion element is provided.
- each of the wavelength conversion elements 22 can be dispersed and arranged over a wide range in the excitation light incident region N. Therefore, the heat generated in the wavelength conversion element 22 can be exhausted with high efficiency. Therefore, even when the high-power excitation light L is incident on the wavelength conversion member 20, temperature quenching due to heat generation of the wavelength conversion element 22 is reduced, so that a decrease in light emission efficiency can be suppressed.
- the diffuse reflector 25 that diffusely reflects the excitation light L is formed between the wavelength conversion elements 22 adjacent to each other, light having excellent color rendering properties can be emitted.
- a light reflection film 24 that reflects excitation light and fluorescence emitted from the wavelength conversion element 22 may be formed on the back surface of the wavelength conversion element 22.
- a dielectric multilayer film can be used. According to the fluorescent light source device having such a configuration, required light can be emitted with higher efficiency.
- the excitation light incident area N is not limited to a rectangular one, but may be a circular one as shown in FIG. 6, for example.
- a fluorescent light source device shown in FIG. 1 was produced using the following 125 laser diodes as the wavelength conversion member and the excitation light source.
- the excitation light incident area in this fluorescent light source device is a rectangle of 7.8 mm ⁇ 7.8 mm.
- Example 1 A fluorescent light source device having the same configuration as in Example 1 was produced except that the number of wavelength conversion elements was one and the dimensions of the wavelength conversion elements were changed to 5 mm ⁇ 5 mm ⁇ 0.1 mm.
- the excitation light is irradiated to the wavelength conversion member from the excitation light source with a total output of 200 W, the average temperature of the wavelength conversion element, and the radiation intensity of the light emitted from the fluorescence light source device was measured.
- Table 1 below shows the relative intensity when the average temperature of the wavelength conversion element and the emission intensity of light emitted from the fluorescent light source device according to Comparative Example 1 are set to 1.
- a fluorescent light source device shown in FIG. 1 was produced using the following 125 laser diodes as the wavelength conversion member and the excitation light source.
- the excitation light incident area in this fluorescent light source device is a rectangle of 7.8 mm ⁇ 7.8 mm.
- the wavelength conversion member was irradiated with excitation light from the excitation light source with a total output of 200 W, and the spectrum of the emitted light was measured.
- the results are shown in FIG. In FIG. 7, the vertical axis represents relative spectral radiant intensity, and the horizontal axis represents wavelength.
- Curve a is a spectral spectrum of light emitted from the fluorescent light source device
- curve b is a fluorescent spectrum emitted from a wavelength conversion element made of Ce: LuAG
- curve c is a wavelength conversion element made of Eu: SCASN. It is an emitted fluorescence spectrum.
- the average color rendering index Ra and the color temperature of the light emitted from the fluorescent light source device were measured, the average color rendering index Ra was 90 and the color temperature was 3500K. From the above results, according to the fluorescent light source device according to Example 2, it was confirmed that light excellent in color rendering was emitted.
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
Abstract
本発明は、波長変換部材に高い出力の励起光を入射した場合であっても、発光効率の低下を抑制することができ、演色性に優れた光を放射することができる蛍光光源装置を提供することを目的とする。 本発明の蛍光光源装置は、励起光入射領域に配置された、励起光により励起されて蛍光を放射する波長変換部材を備えた蛍光光源装置であって、前記波長変換部材は、前記励起光入射領域内において分割されて互いに離間した複数の分割領域の各々に配置された複数の波長変換要素と、互いに隣接する前記波長変換要素の間に形成された、前記励起光を拡散反射する拡散反射材とを有してなることを特徴とする。
Description
本発明は、励起光により励起されて蛍光を放射する波長変換部材を備えた蛍光光源装置に関する。
例えば照明装置などに利用される光源装置としては、励起光源からの励起光と、この励起光を受けて励起する蛍光体よりなる波長変換部材から放射される蛍光との混光を放射する蛍光光源装置が知られている(特許文献1参照。)。このような蛍光光源装置においては、波長変換部材を構成する蛍光体が励起光を受けて発熱することにより、当該蛍光体に温度消光が生じるため、励起光と蛍光との放射強度比が変化することによって色むらが生じやすい。このため、従来の蛍光光源装置においては、色むらを抑制する種々の手段が施されている(特許文献2および特許文献3参照。)。
しかしながら、上記の蛍光光源装置においては、高輝度化を図るために出力の高い励起光を波長変換部材に照射した場合には、波長変換部材に生じた熱が十分に排熱されず、蛍光体には温度消光が生じる。このため、高い発光効率が得られず、しかも、励起光と蛍光体から放射される蛍光との放射強度比が変化するため、蛍光光源装置から放射される光には色むらが生じ、演色性が低下する、という問題がある。
そこで、本発明の目的は、波長変換部材に高い出力の励起光を入射した場合であっても、発光効率の低下を抑制することができ、演色性に優れた光を放射することができる蛍光光源装置を提供することにある。
本発明の蛍光光源装置は、励起光入射領域に配置された、励起光により励起されて蛍光を放射する波長変換部材を備えた蛍光光源装置であって、
前記波長変換部材は、前記励起光入射領域内において分割されて互いに離間した複数の分割領域の各々に配置された複数の波長変換要素と、互いに隣接する前記波長変換要素の間に形成された、前記励起光を拡散反射する拡散反射材とを有してなることを特徴とする。
前記波長変換部材は、前記励起光入射領域内において分割されて互いに離間した複数の分割領域の各々に配置された複数の波長変換要素と、互いに隣接する前記波長変換要素の間に形成された、前記励起光を拡散反射する拡散反射材とを有してなることを特徴とする。
本発明の蛍光光源装置においては、前記拡散反射材は、前記励起光入射領域における前記分割領域以外の領域をカバーするよう形成されていることが好ましい。
また、前記波長変換部材は、互いに異なる波長の蛍光を放射する複数種類の波長変換要素が、互いに隣接する状態で配置されてなることが好ましい。
また、前記励起光が青色光であり、前記波長変換部材が、黄色の蛍光を放射する波長変換要素を有してなるものであってもよい。
また、前記励起光が青色光であり、前記波長変換部材が、緑色の蛍光を放射する波長変換要素および赤色の蛍光を放射する波長変換要素を有してなるものであってもよい。
また、前記波長変換部材は、互いに異なる波長の蛍光を放射する複数種類の波長変換要素が、互いに隣接する状態で配置されてなることが好ましい。
また、前記励起光が青色光であり、前記波長変換部材が、黄色の蛍光を放射する波長変換要素を有してなるものであってもよい。
また、前記励起光が青色光であり、前記波長変換部材が、緑色の蛍光を放射する波長変換要素および赤色の蛍光を放射する波長変換要素を有してなるものであってもよい。
本発明の蛍光光源装置によれば、励起光入射領域内において分割されて互いに離間した複数の分割領域の各々に波長変換要素を配置することにより、単一の波長変換要素を有する場合に比較して、波長変換要素の各々を励起光入射領域内の広範囲にわたって分散して配置することができる。そのため、波長変換要素に生じた熱を高い効率で排熱することができる。従って、波長変換部材に高い出力の励起光を入射した場合であっても、波長変換部材の発熱による温度消光が低減されるので、発光効率の低下を抑制することができる。しかも、互いに隣接する波長変換要素の間には、励起光を拡散反射する拡散反射材が形成されているため、優れた演色性を有する光を放射することができる。
以下、本発明の蛍光光源装置の実施の形態について説明する。
図1は、本発明の蛍光光源装置の一例における構成を示す説明図であり、(a)は側面図、(b)は正面図である。この蛍光光源装置は、それぞれ励起光Lを出射する複数(図示の例では8個)の励起光源10と、この励起光源10からの励起光Lにより励起されて蛍光を放射する波長変換部材20と、波長変換部材20からの蛍光を反射する凹面ミラー30と、波長変換部材20および凹面ミラー30からの蛍光および励起光Lを平行光に変換して混光するレンズ40とにより構成されている。
図1は、本発明の蛍光光源装置の一例における構成を示す説明図であり、(a)は側面図、(b)は正面図である。この蛍光光源装置は、それぞれ励起光Lを出射する複数(図示の例では8個)の励起光源10と、この励起光源10からの励起光Lにより励起されて蛍光を放射する波長変換部材20と、波長変換部材20からの蛍光を反射する凹面ミラー30と、波長変換部材20および凹面ミラー30からの蛍光および励起光Lを平行光に変換して混光するレンズ40とにより構成されている。
具体的に説明すると、励起光源10の各々は、凹面ミラー30の開口31の周縁に沿って互いに等間隔で離間した状態で配置されている。また、励起光源10の各々は、凹面ミラー30の底部を臨む姿勢で配置されており、これにより、凹面ミラー30の底部が励起光入射領域Nとされている。凹面ミラー30の底部すなわち励起光入射領域Nには、矩形の貫通孔32が形成され、この貫通孔32に、板状の波長変換部材20が配置されている。また、凹面ミラー30の前方には、レンズ40が波長変換部材20に対向するよう配置されている。
図2は、波長変換部材の一例における構成を示す説明図であり、(a)は平面図、(b)は、(a)に示す波長変換部材のA-A断面である。この波長変換部材20は、放熱性基板21を有する。この放熱性基板21の表面上には、例えば矩形の励起光入射領域N内において分割されて互いに離間した複数の矩形の分割領域Dが形成されている。放熱性基板21の表面上における分割領域Dの各々には、例えば半田よりなる接着膜23を介して、矩形の板状の波長変換要素22が配置されている。互いに隣接する波長変換要素22の間には、励起光Lを拡散反射する拡散反射材25が形成されている。図示の例では、拡散反射材25は、励起光入射領域Nにおける分割領域D以外の領域をカバーするよう形成されている。
以上において、分割領域Dすなわち波長変換要素22が配置される領域は、励起光入射領域N内において分散した状態で形成されていることが好ましい。
以上において、分割領域Dすなわち波長変換要素22が配置される領域は、励起光入射領域N内において分散した状態で形成されていることが好ましい。
励起光源10から出射される励起光Lは、蛍光光源装置の用途等に応じて、紫外線および可視光線から適宜選択することができる。例えば蛍光光源装置の用途が照明装置である場合には、励起光Lとして青色光が選択される。また、励起光源10としては、レーザダイオードを用いることができる。
波長変換部材20における放熱性基板21を構成する材料としては、熱伝導率の高い金属材料を用いることができる。このような金属材料の具体例としては、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケルなどを用いることができる。
波長変換部材20における波長変換要素22は、蛍光体結晶よりなるものであっても、蛍光体結晶粉末がバインダーによって結着されてなるものであってもよい。
蛍光体結晶としては、Ce:LuAG(Lu3 Al5 O12)、Pr:YAGなどの緑色蛍光体、Eu:CASN(CaAlSiN)、Eu:S-CASN(SrCaAlSiN)、YAG:Sm、YAG:Prなどの赤色蛍光体、Ce:YAG(Y3 Al5 O12)などの黄色蛍光体を用いることができる。これらの蛍光体結晶は、単独でまたは組み合わせて用いることができる。
これらの蛍光体結晶において、希土類元素のドープ量は、例えば0.5mol%程度である。
蛍光体結晶としては、Ce:LuAG(Lu3 Al5 O12)、Pr:YAGなどの緑色蛍光体、Eu:CASN(CaAlSiN)、Eu:S-CASN(SrCaAlSiN)、YAG:Sm、YAG:Prなどの赤色蛍光体、Ce:YAG(Y3 Al5 O12)などの黄色蛍光体を用いることができる。これらの蛍光体結晶は、単独でまたは組み合わせて用いることができる。
これらの蛍光体結晶において、希土類元素のドープ量は、例えば0.5mol%程度である。
蛍光体結晶として単結晶を用いる場合には、当該蛍光体単結晶は、例えばチョクラルスキー法によって得ることができる。具体的に説明すると、先ず、坩堝内において種子結晶を溶融された原料に接触させる。次いで、この状態で、種子結晶を回転させながら鉛直方向に引き上げて当該種子結晶に単結晶を成長させる。このようにして、蛍光体単結晶が得られる。
蛍光体結晶として多結晶を用いる場合には、当該蛍光体多結晶は、例えば以下のようにして得ることができる。先ず、母材、賦活材および焼成助剤などの原材料をボールミルなどによって粉砕処理することによって、サブミクロン以下の原材料微粒子を調製する。次いで、この原材料微粒子を例えばスリップキャスト法によって焼結する。その後、得られた焼結体に対して熱間等方圧加圧加工を施すことによって、蛍光体多結晶が得られる。
蛍光体結晶粉末がバインダーによって結着されてなる波長変換要素22を形成する場合において、蛍光体結晶粉末の平均粒径は、例えば1~60μmである。
波長変換要素22における蛍光体結晶粉末の割合は、例えば30~70体積%である。
バインダーとしては、ガラスなどの無機バインダー、シリコーン樹脂などの有機バインダーを用いることができる。
波長変換要素22における蛍光体結晶粉末の割合は、例えば30~70体積%である。
バインダーとしては、ガラスなどの無機バインダー、シリコーン樹脂などの有機バインダーを用いることができる。
波長変換部材20は、全ての波長変換要素22がそれぞれ同一の波長の蛍光を放射する同種類のもの、すなわち蛍光体結晶の組成が同一のものであってもよいが、互いに異なる波長の蛍光を放射する複数種類の波長変換要素22を有するものであってもよい。波長変換部材20が複数種類の波長変換要素22を有する場合には、異なる種類の波長変換部材22が互いに隣接する状態で配置されていることが好ましい。
また、波長変換部材20は、図2に示すように、それぞれ形状および寸法が同一の複数の波長変換要素22を有するものであってもよいが、図3および図4に示すように、形状および寸法が互いに異なる複数形態の波長変換要素22a,22b,22c,22dを有するものであってもよい。特に、波長変換部材20が互いに異なる波長の蛍光を放射する複数種類の波長変換要素22を有する場合には、それぞれの波長変換要素22の発光効率などを考慮して形状および寸法を設定することにより、所要のスペクトルの光を放射することができる。
波長変換要素22の各々の表面の面積は、0.5~400mm2 であることが好ましい。波長変換要素22の表面の面積が過小である場合には、波長変換要素22の取扱い性が低く、波長変換部材20を製造することが困難となることがある。一方、波長変換要素22の表面の面積が過大である場合には、波長変換部材20のサイズが大きくなるため、蛍光光源装置全体のサイズが大きくなってしまう。
波長変換要素22の各々の表面の合計の面積(分割領域Dの合計の面積)は、励起光入射領域Nの面積の50~98%であることが好ましい。波長変換要素22の表面の合計の面積が過小である場合には、励起光入射領域Nの面積が相対的に大きく、励起光に対する蛍光の割合が少ないため、白色光が得られないことがある。一方、波長変換要素22の表面の合計の面積が過大である場合には、励起光に対して蛍光の割合が多いため、白色光が得られないことがある。
波長変換要素22の各々の厚みは、例えば100~1000μmである。
波長変換部材20における波長変換要素22の数は、波長変換要素22の各々の表面の面積や、励起光入射領域Nの面積などを考慮して適宜設定することができるが、例えば2~20個である。
波長変換部材20における波長変換要素22の数は、波長変換要素22の各々の表面の面積や、励起光入射領域Nの面積などを考慮して適宜設定することができるが、例えば2~20個である。
隣接する波長変換要素22の間の離間距離dは、0.1~2mmであることが好ましい。この離間距離dが過小である場合には、互いに隣接する波長変換要素22の間に、拡散反射材25を形成することが困難となることがある。一方、この離間距離dが過大である場合には、波長変換部材20のサイズが大きくなるため、蛍光光源装置全体のサイズが大きくなってしまう。
波長変換部材20における拡散反射材25としては、バインダー中に光拡散用粒子が分散されてなるものを用いることができる。
光拡散用粒子としては、TiO2 ,SiO2 ,Al2 O3 などよりなる無機粒子を用いることができる。光拡散用粒子の平均粒径は、例えば0.01~50μmである。拡散反射材25中における光拡散用粒子の含有割合は、例えば30体積%である。
バインダーとしては、ガラスなどの無機バインダー、シリコーン樹脂などの有機バインダーを用いることができる。
光拡散用粒子としては、TiO2 ,SiO2 ,Al2 O3 などよりなる無機粒子を用いることができる。光拡散用粒子の平均粒径は、例えば0.01~50μmである。拡散反射材25中における光拡散用粒子の含有割合は、例えば30体積%である。
バインダーとしては、ガラスなどの無機バインダー、シリコーン樹脂などの有機バインダーを用いることができる。
上記の波長変換部材20は、例えば以下のようにして製造することができる。
先ず、蛍光体結晶よりなる、或いは蛍光体結晶粉末がバインダーによって結着されてなる板状の波長変換要素用材料を用意する。この波長変換要素用材料を、例えばダイシング装置によって切断することにより、所要の形態の波長変換要素22を形成する。次いで、放熱性基板21の表面に、スクリーン印刷等によって、半田ペーストを分割領域Dのパターンに従って塗布する。その後、半田ペーストによる塗布膜の各々の表面上に、例えばダイボンダー装置によって、波長変換要素22を配置する。そして、半田ペーストによる塗布膜を加熱することにより、放熱性基板21の表面に、半田よりなる接着膜23を介して波長変換要素22を接着する。
先ず、蛍光体結晶よりなる、或いは蛍光体結晶粉末がバインダーによって結着されてなる板状の波長変換要素用材料を用意する。この波長変換要素用材料を、例えばダイシング装置によって切断することにより、所要の形態の波長変換要素22を形成する。次いで、放熱性基板21の表面に、スクリーン印刷等によって、半田ペーストを分割領域Dのパターンに従って塗布する。その後、半田ペーストによる塗布膜の各々の表面上に、例えばダイボンダー装置によって、波長変換要素22を配置する。そして、半田ペーストによる塗布膜を加熱することにより、放熱性基板21の表面に、半田よりなる接着膜23を介して波長変換要素22を接着する。
次いで、放熱性基板21の表面における波長変換要素22が配置された領域以外の領域に、例えばディスペンサによって、光拡散用粒子およびバインダー材料を含有する拡散反射材形成用ペーストを塗布する。そして、拡散反射材形成用ペーストによる塗布膜を加熱することにより、拡散反射材25を形成する。このようにして、図2および図3に示す波長変換部材20が得られる。
以上において、半田ペーストによる塗布膜の加熱条件は、例えば加熱温度が250℃、加熱時間が2分間である。
また、拡散反射材形成用ペーストによる塗布膜の加熱条件は、用いられるバインダー材料の種類によって異なるが、バインダー材料としてシリコーン樹脂材料を用いる場合には、例えば加熱温度が150℃、加熱時間が1時間である。
また、拡散反射材形成用ペーストによる塗布膜の加熱条件は、用いられるバインダー材料の種類によって異なるが、バインダー材料としてシリコーン樹脂材料を用いる場合には、例えば加熱温度が150℃、加熱時間が1時間である。
本発明の蛍光光源装置を例えば照明装置に適用する場合には、励起光源10および波長変換部材20として、下記の(1)または(2)の組み合わせのものを用いることが好ましい。
(1)励起光Lとして青色光を放射する励起光源10と、黄色の蛍光を放射する波長変換要素22を有する波長変換部材20との組み合わせ。
(2)励起光Lとして青色光を放射する励起光源10と、緑色の蛍光を放射する波長変換要素22および赤色の蛍光を放射する波長変換要素22を有する波長変換部材20との組み合わせ。
(1)励起光Lとして青色光を放射する励起光源10と、黄色の蛍光を放射する波長変換要素22を有する波長変換部材20との組み合わせ。
(2)励起光Lとして青色光を放射する励起光源10と、緑色の蛍光を放射する波長変換要素22および赤色の蛍光を放射する波長変換要素22を有する波長変換部材20との組み合わせ。
上記の蛍光光源装置によれば、励起光入射領域N内において分割されて互いに離間した複数の分割領域Dの各々に波長変換要素22を配置することにより、単一の波長変換要素を有する場合に比較して、波長変換要素22の各々を励起光入射領域N内の広範囲にわたって分散して配置することができる。そのため、波長変換要素22に生じた熱を高い効率で排熱することができる。従って、波長変換部材20に高い出力の励起光Lを入射した場合であっても、波長変換要素22の発熱による温度消光が低減されるので、発光効率の低下を抑制することができる。しかも、互いに隣接する波長変換要素22の間には、励起光Lを拡散反射する拡散反射材25が形成されているため、優れた演色性を有する光を放射することができる。
本発明においては、上記の実施の形態に限定されず、以下のような種々の変更を加えることが可能である。
(1)図5に示すように、波長変換要素22の裏面には、励起光および波長変換要素22から放射される蛍光を反射する光反射膜24が形成されていてもよい。光反射膜24としては、誘電体多層膜を用いることができる。このような構成の蛍光光源装置によれば、より高い効率で所要の光を放射することができる。
(2)励起光入射領域Nは、矩形のものに限られず、例えば図6に示すように、円形のものであってもよい。
(1)図5に示すように、波長変換要素22の裏面には、励起光および波長変換要素22から放射される蛍光を反射する光反射膜24が形成されていてもよい。光反射膜24としては、誘電体多層膜を用いることができる。このような構成の蛍光光源装置によれば、より高い効率で所要の光を放射することができる。
(2)励起光入射領域Nは、矩形のものに限られず、例えば図6に示すように、円形のものであってもよい。
〈実施例1〉
図2に示す構成に従い、下記の仕様の波長変換部材(20)を作製した。
[放熱性基板(21)]
材質:ニッケル(熱伝導率=90Wm-1K-1)
寸法:10mm×10mm×1mm
[波長変換要素(22)]
材質:Y3 Al5 O12:Ce(YAG:Ce)(熱伝導率=11.7Wm-1K-1)
寸法:1.67(5/3)mm×1.67(5/3)mm×0.1mm
波長変換要素の数:9個
[拡散反射材(25)]
バインダーの材質:シリコーン樹脂
拡散用粒子の材質:TiO2
光拡散用粒子の平均粒径:0.1μm
光拡散用粒子の含有割合:30体積%
拡散反射材の外形寸法:9mm×9mm×0.1mm
隣接する波長変換要素の間の幅:1mm
図2に示す構成に従い、下記の仕様の波長変換部材(20)を作製した。
[放熱性基板(21)]
材質:ニッケル(熱伝導率=90Wm-1K-1)
寸法:10mm×10mm×1mm
[波長変換要素(22)]
材質:Y3 Al5 O12:Ce(YAG:Ce)(熱伝導率=11.7Wm-1K-1)
寸法:1.67(5/3)mm×1.67(5/3)mm×0.1mm
波長変換要素の数:9個
[拡散反射材(25)]
バインダーの材質:シリコーン樹脂
拡散用粒子の材質:TiO2
光拡散用粒子の平均粒径:0.1μm
光拡散用粒子の含有割合:30体積%
拡散反射材の外形寸法:9mm×9mm×0.1mm
隣接する波長変換要素の間の幅:1mm
上記の波長変換部材および励起光源として下記のレーザダイオード125個を用い、図1に示す蛍光光源装置を作製した。この蛍光光源装置における励起光入射領域は、7.8mm×7.8mmの矩形のものである。
[レーザダイオード]
発光ピーク波長:445nm(青色光)
出力:1.6W
[レーザダイオード]
発光ピーク波長:445nm(青色光)
出力:1.6W
〈比較例1〉
波長変換要素の数を1個、波長変換要素の寸法を5mm×5mm×0.1mmに変更したこと以外は、実施例1と同様の構成の蛍光光源装置を作製した。
波長変換要素の数を1個、波長変換要素の寸法を5mm×5mm×0.1mmに変更したこと以外は、実施例1と同様の構成の蛍光光源装置を作製した。
実施例1および比較例1に係る蛍光光源装置について、合計200Wの出力で励起光源から波長変換部材に励起光を照射し、波長変換要素の平均温度および蛍光光源装置から放射される光の放射強度を測定した。波長変換要素の平均温度および比較例1に係る蛍光光源装置から放射される光の放射強度を1としたときの相対強度を下記表1に示す。
表1の結果から明らかなように、実施例1に係る蛍光光源装置によれば、波長変換要素に生じた熱が高い効率で排熱され、これにより、発光効率の低下が抑制されることが確認された。
〈実施例2〉
図3に示す構成に従い、下記の仕様の波長変換部材(20)を作製した。
[放熱性基板(21)]
材質:ニッケル(熱伝導率=90Wm-1K-1)
寸法:10mm×10mm×1mm
[波長変換要素(22a)]
材質:Lu3 Al5 O12:Ce(LuAG:Ce)(熱伝導率=6.44Wm-1K-1)
寸法:2.6mm×1.46mm×0.1mm
波長変換要素の数:1個
[波長変換要素(22b)]
材質:Lu3 Al5 O12:Ce(LuAG:Ce)(熱伝導率=6.44Wm-1K-1)
寸法:1.56mm×1.3mm×0.1mm
波長変換要素の数:4個
[波長変換要素(22c)]
材質:(Ca,Sr)AlSiN3 :Eu(SCASN:Eu)(熱伝導率=20Wm-1K-1)
寸法:2.17mm×1.56mm×0.1mm
波長変換要素の数:2個
[波長変換要素(22d)]
材質:(Ca,Sr)AlSiN3 :Eu(SCASN:Eu)(熱伝導率=20Wm-1K-1)
寸法:1.09mm×1.43mm×0.1mm
波長変換要素の数:2個
[拡散反射材(25)]
バインダーの材質:シリコーン樹脂
拡散用粒子の材質:TiO2
光拡散用粒子の平均粒径:0.1μm
光拡散用粒子の含有割合:30体積%
拡散反射材の外形寸法:9mm×9mm×0.1mm
隣接する波長変換要素の間の幅:1mm
図3に示す構成に従い、下記の仕様の波長変換部材(20)を作製した。
[放熱性基板(21)]
材質:ニッケル(熱伝導率=90Wm-1K-1)
寸法:10mm×10mm×1mm
[波長変換要素(22a)]
材質:Lu3 Al5 O12:Ce(LuAG:Ce)(熱伝導率=6.44Wm-1K-1)
寸法:2.6mm×1.46mm×0.1mm
波長変換要素の数:1個
[波長変換要素(22b)]
材質:Lu3 Al5 O12:Ce(LuAG:Ce)(熱伝導率=6.44Wm-1K-1)
寸法:1.56mm×1.3mm×0.1mm
波長変換要素の数:4個
[波長変換要素(22c)]
材質:(Ca,Sr)AlSiN3 :Eu(SCASN:Eu)(熱伝導率=20Wm-1K-1)
寸法:2.17mm×1.56mm×0.1mm
波長変換要素の数:2個
[波長変換要素(22d)]
材質:(Ca,Sr)AlSiN3 :Eu(SCASN:Eu)(熱伝導率=20Wm-1K-1)
寸法:1.09mm×1.43mm×0.1mm
波長変換要素の数:2個
[拡散反射材(25)]
バインダーの材質:シリコーン樹脂
拡散用粒子の材質:TiO2
光拡散用粒子の平均粒径:0.1μm
光拡散用粒子の含有割合:30体積%
拡散反射材の外形寸法:9mm×9mm×0.1mm
隣接する波長変換要素の間の幅:1mm
上記の波長変換部材および励起光源として下記のレーザダイオード125個を用い、図1に示す蛍光光源装置を作製した。この蛍光光源装置における励起光入射領域は、7.8mm×7.8mmの矩形のものである。
[レーザダイオード]
発光ピーク波長:445nm(青色光)
定格出力:1.6W
[レーザダイオード]
発光ピーク波長:445nm(青色光)
定格出力:1.6W
実施例2に係る蛍光光源装置について、合計200Wの出力で励起光源から波長変換部材に励起光を照射し、放射される光の分光スペクトルを測定した。結果を図7に示す。図7において、縦軸は相対分光放射強度、横軸は波長を示す。また、曲線aは、蛍光光源装置から放射される光の分光スペクトル、曲線bは、Ce:LuAGよりなる波長変換要素から放射される蛍光スペクトル、曲線cは、Eu:SCASNよりなる波長変換要素から放射される蛍光スペクトルである。
また、この蛍光光源装置から放射される光について、平均演色評価数Raおよび色温度を測定したところ、平均演色評価数Raが90、色温度が3500Kであった。
以上の結果から、実施例2に係る蛍光光源装置によれば、演色性に優れた光が放射されることが確認された。
また、この蛍光光源装置から放射される光について、平均演色評価数Raおよび色温度を測定したところ、平均演色評価数Raが90、色温度が3500Kであった。
以上の結果から、実施例2に係る蛍光光源装置によれば、演色性に優れた光が放射されることが確認された。
10 励起光源
20 波長変換部材
21 放熱性基板
22,22a,22b,22c,22d 波長変換要素
23 接着膜
24 光反射膜
25 拡散反射材
30 凹面ミラー
31 開口
32 貫通孔
40 レンズ
D 分割領域
N 励起光入射領域
20 波長変換部材
21 放熱性基板
22,22a,22b,22c,22d 波長変換要素
23 接着膜
24 光反射膜
25 拡散反射材
30 凹面ミラー
31 開口
32 貫通孔
40 レンズ
D 分割領域
N 励起光入射領域
Claims (5)
- 励起光入射領域に配置された、励起光により励起されて蛍光を放射する波長変換部材を備えた蛍光光源装置であって、
前記波長変換部材は、前記励起光入射領域内において分割されて互いに離間した複数の分割領域の各々に配置された複数の波長変換要素と、互いに隣接する前記波長変換要素の間に形成された、前記励起光を拡散反射する拡散反射材とを有してなることを特徴とする蛍光光源装置。 - 前記拡散反射材は、前記励起光入射領域における前記分割領域以外の領域をカバーするよう形成されていることを特徴とする請求項1に記載の蛍光光源装置。
- 前記波長変換部材は、互いに異なる波長の蛍光を放射する複数種類の波長変換要素が、互いに隣接する状態で配置されてなることを特徴とする請求項1に記載の蛍光光源装置。
- 前記励起光が青色光であり、前記波長変換部材が、黄色の蛍光を放射する波長変換要素を有してなることを特徴とする請求項1に記載の蛍光光源装置。
- 前記励起光が青色光であり、前記波長変換部材が、緑色の蛍光を放射する波長変換要素および赤色の蛍光を放射する波長変換要素を有してなることを特徴とする請求項3に記載の蛍光光源装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014065692A JP6248743B2 (ja) | 2014-03-27 | 2014-03-27 | 蛍光光源装置 |
JP2014-065692 | 2014-03-27 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2015146568A1 true WO2015146568A1 (ja) | 2015-10-01 |
Family
ID=54195093
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2015/056947 WO2015146568A1 (ja) | 2014-03-27 | 2015-03-10 | 蛍光光源装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6248743B2 (ja) |
WO (1) | WO2015146568A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017076861A3 (de) * | 2015-11-04 | 2017-06-29 | Zumtobel Lighting Gmbh | Leuchtvorrichtung |
CN107013825A (zh) * | 2017-06-09 | 2017-08-04 | 超视界激光科技(苏州)有限公司 | 波长转换装置、发光装置及激光照明灯 |
CN107062024A (zh) * | 2017-06-09 | 2017-08-18 | 超视界激光科技(苏州)有限公司 | 一种自适应激光照明灯 |
JP2019015962A (ja) * | 2017-07-04 | 2019-01-31 | 中強光電股▲ふん▼有限公司 | 光波長変換モジュール及び照明モジュール |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019082674A (ja) * | 2017-10-31 | 2019-05-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 照明装置、及び投写型映像表示装置 |
JP2019109330A (ja) * | 2017-12-18 | 2019-07-04 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 波長変換デバイス、光源装置、照明装置、及び、投写型映像表示装置 |
EP3543596B1 (de) * | 2018-03-20 | 2020-08-26 | ZKW Group GmbH | Lichtmodul für einen kraftfahrzeugscheinwerfer |
JP2024025381A (ja) * | 2022-08-12 | 2024-02-26 | 市光工業株式会社 | 車両用光変換パネル、車両用灯具ユニット、車両用灯具 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012165007A1 (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-06 | シャープ株式会社 | 発光装置、照明装置および発光装置の製造方法 |
JP2014042074A (ja) * | 2013-11-20 | 2014-03-06 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュール |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10321943A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-12-04 | Tokyo Inst Of Technol | 単一色発光スペクトルを有する垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型カラー表示装置 |
JP2013102078A (ja) * | 2011-11-09 | 2013-05-23 | Stanley Electric Co Ltd | 光源装置および照明装置 |
JP2014052606A (ja) * | 2012-09-10 | 2014-03-20 | Sharp Corp | 蛍光体基板、発光デバイス、表示装置、及び照明装置 |
JP6246622B2 (ja) * | 2014-03-05 | 2017-12-13 | シャープ株式会社 | 光源装置および照明装置 |
-
2014
- 2014-03-27 JP JP2014065692A patent/JP6248743B2/ja active Active
-
2015
- 2015-03-10 WO PCT/JP2015/056947 patent/WO2015146568A1/ja active Application Filing
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012165007A1 (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-06 | シャープ株式会社 | 発光装置、照明装置および発光装置の製造方法 |
JP2014042074A (ja) * | 2013-11-20 | 2014-03-06 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュール |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017076861A3 (de) * | 2015-11-04 | 2017-06-29 | Zumtobel Lighting Gmbh | Leuchtvorrichtung |
CN107013825A (zh) * | 2017-06-09 | 2017-08-04 | 超视界激光科技(苏州)有限公司 | 波长转换装置、发光装置及激光照明灯 |
CN107062024A (zh) * | 2017-06-09 | 2017-08-18 | 超视界激光科技(苏州)有限公司 | 一种自适应激光照明灯 |
JP2019015962A (ja) * | 2017-07-04 | 2019-01-31 | 中強光電股▲ふん▼有限公司 | 光波長変換モジュール及び照明モジュール |
JP7034017B2 (ja) | 2017-07-04 | 2022-03-11 | 中強光電股▲ふん▼有限公司 | 光波長変換モジュール及び照明モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6248743B2 (ja) | 2017-12-20 |
JP2015191903A (ja) | 2015-11-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6248743B2 (ja) | 蛍光光源装置 | |
CN108885286B (zh) | 波长转换构件、其制造方法及发光装置 | |
CN105423238B (zh) | 波长变换部件、发光装置、投影机、以及波长变换部件的制造方法 | |
EP2766936B1 (en) | Light emitting device with photoluminescence wavelength conversion component | |
JP6045079B2 (ja) | 照明装置 | |
US20140218940A1 (en) | Wavelength conversion component with a diffusing layer | |
US20120140436A1 (en) | Solid-state lamps with light guide and photoluminescence material | |
US20120087105A1 (en) | Wavelength conversion component | |
JP5491867B2 (ja) | 照明デバイス、とりわけ発光セラミックを有する照明デバイス | |
JP5721921B2 (ja) | 白色発光装置及び照明装置 | |
JP2012243624A (ja) | 光源装置および照明装置 | |
JP2014197707A (ja) | 白色ledランプ、バックライトおよび照明装置 | |
JP2017107071A (ja) | 波長変換部材及び波長変換素子、並びにそれらを用いた発光装置 | |
JP2006019409A (ja) | 発光装置並びにそれを用いた照明、ディスプレイ用バックライト及びディスプレイ | |
JP2011159832A (ja) | 半導体発光装置 | |
CN108474881B (zh) | 波长转换构件及发光装置 | |
CN108474543B (zh) | 波长转换构件以及发光装置 | |
CN109798457A (zh) | 一种透射式蓝光激光照明组件 | |
US20150241758A1 (en) | Compact solid-state camera flash | |
JP2012079989A (ja) | 光源装置および照明装置 | |
US12104785B2 (en) | Laser-phosphor light source with improved brightness and thermal management | |
RU2525166C2 (ru) | Способ управления цветностью светового потока белого светодиода и устройство для осуществления способа | |
US20230235222A1 (en) | Ceramic phosphor array | |
JP2013105647A (ja) | 光源装置、発光色度調整方法、光源装置の製造方法 | |
US20240084999A1 (en) | Pixelated laser phosphor comprising ceramic phosphor tiles surrounded by phosphor particles in a medium |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 15768455 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 15768455 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |