JP2015191903A - 蛍光光源装置 - Google Patents
蛍光光源装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015191903A JP2015191903A JP2014065692A JP2014065692A JP2015191903A JP 2015191903 A JP2015191903 A JP 2015191903A JP 2014065692 A JP2014065692 A JP 2014065692A JP 2014065692 A JP2014065692 A JP 2014065692A JP 2015191903 A JP2015191903 A JP 2015191903A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wavelength conversion
- excitation light
- light source
- source device
- conversion member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 142
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 76
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 28
- 238000009877 rendering Methods 0.000 abstract description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 20
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 4
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 2
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007569 slipcasting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V13/00—Producing particular characteristics or distribution of the light emitted by means of a combination of elements specified in two or more of main groups F21V1/00 - F21V11/00
- F21V13/02—Combinations of only two kinds of elements
- F21V13/08—Combinations of only two kinds of elements the elements being filters or photoluminescent elements and reflectors
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V9/00—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
- F21V9/30—Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2103/00—Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes
- F21Y2103/30—Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes curved
- F21Y2103/33—Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes curved annular
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/30—Semiconductor lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【課題】波長変換部材に高い出力の励起光を入射した場合であっても、発光効率の低下を抑制することができ、演色性に優れた光を放射することができる蛍光光源装置を提供する。【解決手段】励起光入射領域に配置された、励起光により励起されて蛍光を放射する波長変換部材を備えた蛍光光源装置であって、前記波長変換部材は、前記励起光入射領域内において分割されて互いに離間した複数の分割領域の各々に配置された複数の波長変換要素と、互いに隣接する前記波長変換要素の間に形成された、前記励起光を拡散反射する拡散反射材とを有してなることを特徴とする。【選択図】図２
Description
本発明は、励起光により励起されて蛍光を放射する波長変換部材を備えた蛍光光源装置に関する。
例えば照明装置などに利用される光源装置としては、励起光源からの励起光と、この励起光を受けて励起する蛍光体よりなる波長変換部材から放射される蛍光との混光を放射する蛍光光源装置が知られている（特許文献１参照。）。このような蛍光光源装置においては、波長変換部材を構成する蛍光体が励起光を受けて発熱することにより、当該蛍光体に温度消光が生じるため、励起光と蛍光との放射強度比が変化することによって色むらが生じやすい。このため、従来の蛍光光源装置においては、色むらを抑制する種々の手段が施されている（特許文献２および特許文献３参照。）。
しかしながら、上記の蛍光光源装置においては、高輝度化を図るために出力の高い励起光を波長変換部材に照射した場合には、波長変換部材に生じた熱が十分に排熱されず、蛍光体には温度消光が生じる。このため、高い発光効率が得られず、しかも、励起光と蛍光体から放射される蛍光との放射強度比が変化するため、蛍光光源装置から放射される光には色むらが生じ、演色性が低下する、という問題がある。
そこで、本発明の目的は、波長変換部材に高い出力の励起光を入射した場合であっても、発光効率の低下を抑制することができ、演色性に優れた光を放射することができる蛍光光源装置を提供することにある。
本発明の蛍光光源装置は、励起光入射領域に配置された、励起光により励起されて蛍光を放射する波長変換部材を備えた蛍光光源装置であって、
前記波長変換部材は、前記励起光入射領域内において分割されて互いに離間した複数の分割領域の各々に配置された複数の波長変換要素と、互いに隣接する前記波長変換要素の間に形成された、前記励起光を拡散反射する拡散反射材とを有してなることを特徴とする。
前記波長変換部材は、前記励起光入射領域内において分割されて互いに離間した複数の分割領域の各々に配置された複数の波長変換要素と、互いに隣接する前記波長変換要素の間に形成された、前記励起光を拡散反射する拡散反射材とを有してなることを特徴とする。
本発明の蛍光光源装置においては、前記拡散反射材は、前記励起光入射領域における前記分割領域以外の領域をカバーするよう形成されていることが好ましい。
また、前記波長変換部材は、互いに異なる波長の蛍光を放射する複数種類の波長変換要素が、互いに隣接する状態で配置されてなることが好ましい。
また、前記励起光が青色光であり、前記波長変換部材が、黄色の蛍光を放射する波長変換要素を有してなるものであってもよい。
また、前記励起光が青色光であり、前記波長変換部材が、緑色の蛍光を放射する波長変換要素および赤色の蛍光を放射する波長変換要素を有してなるものであってもよい。
また、前記波長変換部材は、互いに異なる波長の蛍光を放射する複数種類の波長変換要素が、互いに隣接する状態で配置されてなることが好ましい。
また、前記励起光が青色光であり、前記波長変換部材が、黄色の蛍光を放射する波長変換要素を有してなるものであってもよい。
また、前記励起光が青色光であり、前記波長変換部材が、緑色の蛍光を放射する波長変換要素および赤色の蛍光を放射する波長変換要素を有してなるものであってもよい。
本発明の蛍光光源装置によれば、励起光入射領域内において分割されて互いに離間した複数の分割領域の各々に波長変換要素を配置することにより、単一の波長変換要素を有する場合に比較して、波長変換要素の各々を励起光入射領域内の広範囲にわたって分散して配置することができる。そのため、波長変換要素に生じた熱を高い効率で排熱することができる。従って、波長変換部材に高い出力の励起光を入射した場合であっても、波長変換部材の発熱による温度消光が低減されるので、発光効率の低下を抑制することができる。しかも、互いに隣接する波長変換要素の間には、励起光を拡散反射する拡散反射材が形成されているため、優れた演色性を有する光を放射することができる。
以下、本発明の蛍光光源装置の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の蛍光光源装置の一例における構成を示す説明図であり、（ａ）は側面図、（ｂ）は正面図である。この蛍光光源装置は、それぞれ励起光Ｌを出射する複数（図示の例では８個）の励起光源１０と、この励起光源１０からの励起光Ｌにより励起されて蛍光を放射する波長変換部材２０と、波長変換部材２０からの蛍光を反射する凹面ミラー３０と、波長変換部材２０および凹面ミラー３０からの蛍光および励起光Ｌを平行光に変換して混光するレンズ４０とにより構成されている。
図１は、本発明の蛍光光源装置の一例における構成を示す説明図であり、（ａ）は側面図、（ｂ）は正面図である。この蛍光光源装置は、それぞれ励起光Ｌを出射する複数（図示の例では８個）の励起光源１０と、この励起光源１０からの励起光Ｌにより励起されて蛍光を放射する波長変換部材２０と、波長変換部材２０からの蛍光を反射する凹面ミラー３０と、波長変換部材２０および凹面ミラー３０からの蛍光および励起光Ｌを平行光に変換して混光するレンズ４０とにより構成されている。
具体的に説明すると、励起光源１０の各々は、凹面ミラー３０の開口３１の周縁に沿って互いに等間隔で離間した状態で配置されている。また、励起光源１０の各々は、凹面ミラー３０の底部を臨む姿勢で配置されており、これにより、凹面ミラー３０の底部が励起光入射領域Ｎとされている。凹面ミラー３０の底部すなわち励起光入射領域Ｎには、矩形の貫通孔３２が形成され、この貫通孔３２に、板状の波長変換部材２０が配置されている。また、凹面ミラー３０の前方には、レンズ４０が波長変換部材２０に対向するよう配置されている。
図２は、波長変換部材の一例における構成を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す波長変換部材のＡ−Ａ断面である。この波長変換部材２０は、放熱性基板２１を有する。この放熱性基板２１の表面上には、例えば矩形の励起光入射領域Ｎ内において分割されて互いに離間した複数の矩形の分割領域Ｄが形成されている。放熱性基板２１の表面上における分割領域Ｄの各々には、例えば半田よりなる接着膜２３を介して、矩形の板状の波長変換要素２２が配置されている。互いに隣接する波長変換要素２２の間には、励起光Ｌを拡散反射する拡散反射材２５が形成されている。図示の例では、拡散反射材２５は、励起光入射領域Ｎにおける分割領域Ｄ以外の領域をカバーするよう形成されている。
以上において、分割領域Ｄすなわち波長変換要素２２が配置される領域は、励起光入射領域Ｎ内において分散した状態で形成されていることが好ましい。
以上において、分割領域Ｄすなわち波長変換要素２２が配置される領域は、励起光入射領域Ｎ内において分散した状態で形成されていることが好ましい。
励起光源１０から出射される励起光Ｌは、蛍光光源装置の用途等に応じて、紫外線および可視光線から適宜選択することができる。例えば蛍光光源装置の用途が照明装置である場合には、励起光Ｌとして青色光が選択される。また、励起光源１０としては、レーザダイオードを用いることができる。
波長変換部材２０における放熱性基板２１を構成する材料としては、熱伝導率の高い金属材料を用いることができる。このような金属材料の具体例としては、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケルなどを用いることができる。
波長変換部材２０における波長変換要素２２は、蛍光体結晶よりなるものであっても、蛍光体結晶粉末がバインダーによって結着されてなるものであってもよい。
蛍光体結晶としては、Ｃｅ：ＬｕＡＧ（Ｌｕ3 Ａｌ5 Ｏ12）、Ｐｒ：ＹＡＧなどの緑色蛍光体、Ｅｕ：ＣＡＳＮ（ＣａＡｌＳｉＮ）、Ｅｕ：Ｓ−ＣＡＳＮ（ＳｒＣａＡｌＳｉＮ）、ＹＡＧ：Ｓｍ、ＹＡＧ：Ｐｒなどの赤色蛍光体、Ｃｅ：ＹＡＧ（Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12）などの黄色蛍光体を用いることができる。これらの蛍光体結晶は、単独でまたは組み合わせて用いることができる。
これらの蛍光体結晶において、希土類元素のドープ量は、例えば０．５ｍｏｌ％程度である。
蛍光体結晶としては、Ｃｅ：ＬｕＡＧ（Ｌｕ3 Ａｌ5 Ｏ12）、Ｐｒ：ＹＡＧなどの緑色蛍光体、Ｅｕ：ＣＡＳＮ（ＣａＡｌＳｉＮ）、Ｅｕ：Ｓ−ＣＡＳＮ（ＳｒＣａＡｌＳｉＮ）、ＹＡＧ：Ｓｍ、ＹＡＧ：Ｐｒなどの赤色蛍光体、Ｃｅ：ＹＡＧ（Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12）などの黄色蛍光体を用いることができる。これらの蛍光体結晶は、単独でまたは組み合わせて用いることができる。
これらの蛍光体結晶において、希土類元素のドープ量は、例えば０．５ｍｏｌ％程度である。
蛍光体結晶として単結晶を用いる場合には、当該蛍光体単結晶は、例えばチョクラルスキー法によって得ることができる。具体的に説明すると、先ず、坩堝内において種子結晶を溶融された原料に接触させる。次いで、この状態で、種子結晶を回転させながら鉛直方向に引き上げて当該種子結晶に単結晶を成長させる。このようにして、蛍光体単結晶が得られる。
蛍光体結晶として多結晶を用いる場合には、当該蛍光体多結晶は、例えば以下のようにして得ることができる。先ず、母材、賦活材および焼成助剤などの原材料をボールミルなどによって粉砕処理することによって、サブミクロン以下の原材料微粒子を調製する。次いで、この原材料微粒子を例えばスリップキャスト法によって焼結する。その後、得られた焼結体に対して熱間等方圧加圧加工を施すことによって、蛍光体多結晶が得られる。
蛍光体結晶粉末がバインダーによって結着されてなる波長変換要素２２を形成する場合において、蛍光体結晶粉末の平均粒径は、例えば１〜６０μｍである。
波長変換要素２２における蛍光体結晶粉末の割合は、例えば３０〜７０体積％である。 バインダーとしては、ガラスなどの無機バインダー、シリコーン樹脂などの有機バインダーを用いることができる。
波長変換要素２２における蛍光体結晶粉末の割合は、例えば３０〜７０体積％である。 バインダーとしては、ガラスなどの無機バインダー、シリコーン樹脂などの有機バインダーを用いることができる。
波長変換部材２０は、全ての波長変換要素２２がそれぞれ同一の波長の蛍光を放射する同種類である、すなわち蛍光体結晶の組成が同一のものであってもよいが、互いに異なる波長の蛍光を放射する複数種類の波長変換要素２２を有するものであってもよい。波長変換部材２０が複数種類の波長変換要素２２を有する場合には、異なる種類の波長変換部材２２が互いに隣接する状態で配置されていることが好ましい。
また、波長変換部材２０は、図２に示すように、それぞれ同一の形状および寸法の波長変換要素２２を有するものであってもよいが、図３および図４に示すように、互いに異なる形状および寸法の複数形態の波長変換要素２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄを有するものであってもよい。特に、波長変換部材２０が互いに異なる波長の蛍光を放射する複数種類の波長変換要素２２を有する場合には、それぞれの波長変換要素２２の発光効率などを考慮して形状および寸法を設定することにより、所要のスペクトルの光を放射することができる。
波長変換要素２２の各々の表面の面積は、０．５〜４００ｍｍ2 であることが好ましい。波長変換要素２２の表面の面積が過小である場合には、波長変換要素２２の取扱い性が低く、波長変換部材２０を製造することが困難となることがある。一方、波長変換要素２２の表面の面積が過大である場合には、波長変換部材２０のサイズが大きくなるため、蛍光光源装置全体のサイズが大きくなってしまう。
波長変換要素２２の各々の表面の合計の面積（分割領域Ｄの合計の面積）は、励起光入射領域Ｎの面積の５０〜９８％であることが好ましい。波長変換要素２２の表面の合計の面積が過小である場合には、励起光入射領域Ｎの面積が相対的に大きく、励起光に対する蛍光の割合が少ないため、白色光が得られないことがある。一方、波長変換要素２２の表面の合計の面積が過大である場合には、励起光に対して蛍光の割合が多いため、白色光が得られないことがある。
波長変換要素２２の各々の厚みは、例えば１００〜１０００μｍである。
波長変換部材２０における波長変換要素２２の数は、波長変換要素２２の各々の表面の面積や、励起光入射領域Ｎの面積などを考慮して適宜設定することができるが、例えば２〜２０個である。
波長変換部材２０における波長変換要素２２の数は、波長変換要素２２の各々の表面の面積や、励起光入射領域Ｎの面積などを考慮して適宜設定することができるが、例えば２〜２０個である。
隣接する波長変換要素２２の間の離間距離ｄは、０．１〜２ｍｍであることが好ましい。この離間距離ｄが過小である場合には、互いに隣接する波長変換要素２２の間に、拡散反射材２５を形成することが困難となることがある。一方、この離間距離ｄが過大である場合には、波長変換部材２０のサイズが大きくなるため、蛍光光源装置全体のサイズが大きくなってしまう。
波長変換部材２０における拡散反射材２５としては、バインダー中に光拡散用粒子が分散されてなるものを用いることができる。
光拡散用粒子としては、ＴｉＯ2 ，ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 などよりなる無機粒子を用いることができる。光拡散用粒子の平均粒径は、例えば０．０１〜５０μｍである。拡散反射材２５中における光拡散用粒子の含有割合は、例えば３０体積％である。
バインダーとしては、ガラスなどの無機バインダー、シリコーン樹脂などの有機バインダーを用いることができる。
光拡散用粒子としては、ＴｉＯ2 ，ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 などよりなる無機粒子を用いることができる。光拡散用粒子の平均粒径は、例えば０．０１〜５０μｍである。拡散反射材２５中における光拡散用粒子の含有割合は、例えば３０体積％である。
バインダーとしては、ガラスなどの無機バインダー、シリコーン樹脂などの有機バインダーを用いることができる。
上記の波長変換部材２０は、例えば以下のようにして製造することができる。
先ず、蛍光体結晶よりなる、或いは蛍光体結晶粉末がバインダーによって結着されてなる板状の波長変換要素用材料を用意する。この波長変換要素用材料を、例えばダイシング装置によって切断することにより、所要の形態の波長変換要素２２を形成する。次いで、放熱性基板２１の表面に、スクリーン印刷等によって、半田ペーストを分割領域Ｄのパターンに従って塗布する。その後、半田ペーストによる塗布膜の各々の表面上に、例えばダイボンダー装置によって、波長変換要素２２を配置する。そして、半田ペーストによる塗布膜を加熱することにより、放熱性基板２１の表面に、半田よりなる接着膜２３を介して波長変換要素２２を接着する。
先ず、蛍光体結晶よりなる、或いは蛍光体結晶粉末がバインダーによって結着されてなる板状の波長変換要素用材料を用意する。この波長変換要素用材料を、例えばダイシング装置によって切断することにより、所要の形態の波長変換要素２２を形成する。次いで、放熱性基板２１の表面に、スクリーン印刷等によって、半田ペーストを分割領域Ｄのパターンに従って塗布する。その後、半田ペーストによる塗布膜の各々の表面上に、例えばダイボンダー装置によって、波長変換要素２２を配置する。そして、半田ペーストによる塗布膜を加熱することにより、放熱性基板２１の表面に、半田よりなる接着膜２３を介して波長変換要素２２を接着する。
次いで、放熱性基板２１の表面における波長変換要素２２が配置された領域以外の領域に、例えばディスペンサによって、光拡散用粒子およびバインダー材料を含有する拡散反射材形成用ペーストを塗布する。そして、拡散反射材形成用ペーストによる塗布膜を加熱することにより、拡散反射材２５を形成する。このようにして、図２および図３に示す波長変換部材２０が得られる。
以上において、半田ペーストによる塗布膜の加熱条件は、例えば加熱温度が２５０℃、加熱時間が２分間である。
また、拡散反射材形成用ペーストによる塗布膜の加熱条件は、用いられるバインダー材料の種類によって異なるが、バインダー材料としてシリコーン樹脂材料を用いる場合には、例えば加熱温度が１５０℃、加熱時間が１時間である。
また、拡散反射材形成用ペーストによる塗布膜の加熱条件は、用いられるバインダー材料の種類によって異なるが、バインダー材料としてシリコーン樹脂材料を用いる場合には、例えば加熱温度が１５０℃、加熱時間が１時間である。
本発明の蛍光光源装置を例えば照明装置に適用する場合には、励起光源１０および波長変換部材２０として、下記の（１）または（２）の組み合わせのものを用いることが好ましい。
（１）励起光Ｌとして青色光を放射する励起光源１０と、黄色の蛍光を放射する波長変換要素２２を有する波長変換部材２０との組み合わせ。
（２）励起光Ｌとして青色光を放射する励起光源１０と、緑色の蛍光を放射する波長変換要素２２および赤色の蛍光を放射する波長変換要素２２を有する波長変換部材２０との組み合わせ。
（１）励起光Ｌとして青色光を放射する励起光源１０と、黄色の蛍光を放射する波長変換要素２２を有する波長変換部材２０との組み合わせ。
（２）励起光Ｌとして青色光を放射する励起光源１０と、緑色の蛍光を放射する波長変換要素２２および赤色の蛍光を放射する波長変換要素２２を有する波長変換部材２０との組み合わせ。
上記の蛍光光源装置によれば、励起光入射領域Ｎ内において分割されて互いに離間した複数の分割領域Ｄの各々に波長変換要素２２を配置することにより、単一の波長変換要素を有する場合に比較して、波長変換要素２２の各々を励起光入射領域Ｎ内の広範囲にわたって分散して配置することができる。そのため、波長変換要素２２に生じた熱を高い効率で排熱することができる。従って、波長変換部材２０に高い出力の励起光Ｌを入射した場合であっても、波長変換要素２２の発熱による温度消光が低減されるので、発光効率の低下を抑制することができる。しかも、互いに隣接する波長変換要素２２の間には、励起光Ｌを拡散反射する拡散反射材２５が形成されているため、優れた演色性を有する光を放射することができる。
本発明においては、上記の実施の形態に限定されず、以下のような種々の変更を加えることが可能である。
（１）図５に示すように、波長変換要素２２の裏面には、励起光および波長変換要素２２から放射される蛍光を反射する光反射膜２４が形成されていてもよい。光反射膜２４としては、誘電体多層膜を用いることができる。このような構成の蛍光光源装置によれば、より高い効率で所要の光を放射することができる。
（２）励起光入射領域Ｎは、矩形のものに限られず、例えば図６に示すように、円形のものであってもよい。
（１）図５に示すように、波長変換要素２２の裏面には、励起光および波長変換要素２２から放射される蛍光を反射する光反射膜２４が形成されていてもよい。光反射膜２４としては、誘電体多層膜を用いることができる。このような構成の蛍光光源装置によれば、より高い効率で所要の光を放射することができる。
（２）励起光入射領域Ｎは、矩形のものに限られず、例えば図６に示すように、円形のものであってもよい。
〈実施例１〉
図２に示す構成に従い、下記の仕様の波長変換部材（２０）を作製した。
［放熱性基板（２１）］
材質：ニッケル（熱伝導率＝９０Ｗｍ-1Ｋ-1）
寸法：１０ｍｍ×１０ｍｍ×１ｍｍ
［波長変換要素（２２）］
材質：Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12：Ｃｅ（ＹＡＧ：Ｃｅ）（熱伝導率＝１１．７Ｗｍ-1Ｋ-1）
寸法：１．６７（５／３）ｍｍ×１．６７（５／３）ｍｍ×０．１ｍｍ
波長変換要素の数：９個
［拡散反射材（２５）］ バインダーの材質：シリコーン樹脂
拡散用粒子の材質：ＴｉＯ2
光拡散用粒子の平均粒径：０．１μｍ
光拡散用粒子の含有割合：３０体積％
拡散反射材の外形寸法：９ｍｍ×９ｍｍ×０．１ｍｍ
隣接する波長変換要素の間の幅：１ｍｍ
図２に示す構成に従い、下記の仕様の波長変換部材（２０）を作製した。
［放熱性基板（２１）］
材質：ニッケル（熱伝導率＝９０Ｗｍ-1Ｋ-1）
寸法：１０ｍｍ×１０ｍｍ×１ｍｍ
［波長変換要素（２２）］
材質：Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12：Ｃｅ（ＹＡＧ：Ｃｅ）（熱伝導率＝１１．７Ｗｍ-1Ｋ-1）
寸法：１．６７（５／３）ｍｍ×１．６７（５／３）ｍｍ×０．１ｍｍ
波長変換要素の数：９個
［拡散反射材（２５）］ バインダーの材質：シリコーン樹脂
拡散用粒子の材質：ＴｉＯ2
光拡散用粒子の平均粒径：０．１μｍ
光拡散用粒子の含有割合：３０体積％
拡散反射材の外形寸法：９ｍｍ×９ｍｍ×０．１ｍｍ
隣接する波長変換要素の間の幅：１ｍｍ
上記の波長変換部材および励起光源として下記のレーザダイオード１２５個を用い、図１に示す蛍光光源装置を作製した。この蛍光光源装置における励起光入射領域は、７．８ｍｍ×７．８ｍｍの矩形のものである。
［レーザダイオード］
発光ピーク波長：４４５ｎｍ（青色光）
出力：１．６Ｗ
［レーザダイオード］
発光ピーク波長：４４５ｎｍ（青色光）
出力：１．６Ｗ
〈比較例１〉
波長変換要素の数を１個、波長変換要素の寸法を５ｍｍ×５ｍｍ×０．１ｍｍに変更したこと以外は、実施例１と同様の構成の蛍光光源装置を作製した。
波長変換要素の数を１個、波長変換要素の寸法を５ｍｍ×５ｍｍ×０．１ｍｍに変更したこと以外は、実施例１と同様の構成の蛍光光源装置を作製した。
実施例１および比較例１に係る蛍光光源装置について、合計２００Ｗの出力で励起光源から波長変換部材に励起光を照射し、波長変換要素の平均温度および蛍光光源装置から放射される光の放射強度を測定した。波長変換要素の平均温度および比較例１に係る蛍光光源装置から放射される光の放射強度を１としたときの相対強度を下記表１に示す。
表１の結果から明らかなように、実施例１に係る蛍光光源装置によれば、波長変換要素に生じた熱が高い効率で排熱され、これにより、発光効率の低下が抑制されることが確認された。
〈実施例２〉
図３に示す構成に従い、下記の仕様の波長変換部材（２０）を作製した。
［放熱性基板（２１）］
材質：ニッケル（熱伝導率＝９０Ｗｍ-1Ｋ-1）
寸法：１０ｍｍ×１０ｍｍ×１ｍｍ
［波長変換要素（２２ａ）］ 材質：Ｌｕ3 Ａｌ5 Ｏ12：Ｃｅ（ＬｕＡＧ：Ｃｅ）（熱伝導率＝６．４４Ｗｍ-1Ｋ-1） 寸法：２．６ｍｍ×１．４６ｍｍ×０．１ｍｍ
波長変換要素の数：１個
［波長変換要素（２２ｂ）］
材質：Ｌｕ3 Ａｌ5 Ｏ12：Ｃｅ（ＬｕＡＧ：Ｃｅ）（熱伝導率＝６．４４Ｗｍ-1Ｋ-1） 寸法：１．５６ｍｍ×１．３ｍｍ×０．１ｍｍ
波長変換要素の数：４個
［波長変換要素（２２ｃ）］ 材質：（Ｃａ，Ｓｒ）ＡｌＳｉＮ3 ：Ｅｕ（ＳＣＡＳＮ：Ｅｕ）（熱伝導率＝２０Ｗｍ-1Ｋ-1）
寸法：２．１７ｍｍ×１．５６ｍｍ×０．１ｍｍ
波長変換要素の数：２個
［波長変換要素（２２ｄ）］
材質：（Ｃａ，Ｓｒ）ＡｌＳｉＮ3 ：Ｅｕ（ＳＣＡＳＮ：Ｅｕ）（熱伝導率＝２０Ｗｍ-1Ｋ-1）
寸法：１．０９ｍｍ×１．４３ｍｍ×０．１ｍｍ
波長変換要素の数：２個
［拡散反射材（２５）］
バインダーの材質：シリコーン樹脂
拡散用粒子の材質：ＴｉＯ2
光拡散用粒子の平均粒径：０．１μｍ
光拡散用粒子の含有割合：３０体積％
拡散反射材の外形寸法：９ｍｍ×９ｍｍ×０．１ｍｍ
隣接する波長変換要素の間の幅：１ｍｍ
図３に示す構成に従い、下記の仕様の波長変換部材（２０）を作製した。
［放熱性基板（２１）］
材質：ニッケル（熱伝導率＝９０Ｗｍ-1Ｋ-1）
寸法：１０ｍｍ×１０ｍｍ×１ｍｍ
［波長変換要素（２２ａ）］ 材質：Ｌｕ3 Ａｌ5 Ｏ12：Ｃｅ（ＬｕＡＧ：Ｃｅ）（熱伝導率＝６．４４Ｗｍ-1Ｋ-1） 寸法：２．６ｍｍ×１．４６ｍｍ×０．１ｍｍ
波長変換要素の数：１個
［波長変換要素（２２ｂ）］
材質：Ｌｕ3 Ａｌ5 Ｏ12：Ｃｅ（ＬｕＡＧ：Ｃｅ）（熱伝導率＝６．４４Ｗｍ-1Ｋ-1） 寸法：１．５６ｍｍ×１．３ｍｍ×０．１ｍｍ
波長変換要素の数：４個
［波長変換要素（２２ｃ）］ 材質：（Ｃａ，Ｓｒ）ＡｌＳｉＮ3 ：Ｅｕ（ＳＣＡＳＮ：Ｅｕ）（熱伝導率＝２０Ｗｍ-1Ｋ-1）
寸法：２．１７ｍｍ×１．５６ｍｍ×０．１ｍｍ
波長変換要素の数：２個
［波長変換要素（２２ｄ）］
材質：（Ｃａ，Ｓｒ）ＡｌＳｉＮ3 ：Ｅｕ（ＳＣＡＳＮ：Ｅｕ）（熱伝導率＝２０Ｗｍ-1Ｋ-1）
寸法：１．０９ｍｍ×１．４３ｍｍ×０．１ｍｍ
波長変換要素の数：２個
［拡散反射材（２５）］
バインダーの材質：シリコーン樹脂
拡散用粒子の材質：ＴｉＯ2
光拡散用粒子の平均粒径：０．１μｍ
光拡散用粒子の含有割合：３０体積％
拡散反射材の外形寸法：９ｍｍ×９ｍｍ×０．１ｍｍ
隣接する波長変換要素の間の幅：１ｍｍ
上記の波長変換部材および励起光源として下記のレーザダイオード１２５個を用い、図１に示す蛍光光源装置を作製した。この蛍光光源装置における励起光入射領域は、７．８ｍｍ×７．８ｍｍの矩形のものである。
［レーザダイオード］
発光ピーク波長：４４５ｎｍ（青色光）
定格出力：１．６Ｗ
［レーザダイオード］
発光ピーク波長：４４５ｎｍ（青色光）
定格出力：１．６Ｗ
実施例２に係る蛍光光源装置について、合計２００Ｗの出力で励起光源から波長変換部材に励起光を照射し、放射される光の分光スペクトルを測定した。結果を図７に示す。図７において、縦軸は相対分光放射強度、横軸は波長を示す。また、曲線ａは、蛍光光源装置から放射される光の分光スペクトル、曲線ｂは、Ｃｅ：ＬｕＡＧよりなる波長変換要素から放射される蛍光スペクトル、曲線ｃは、Ｅｕ：ＳＣＡＳＮよりなる波長変換要素から放射される蛍光スペクトルである。
また、この蛍光光源装置から放射される光について、平均演色評価数Ｒａおよび色温度を測定したところ、平均演色評価数Ｒａが９０、色温度が３５００Ｋであった。
以上の結果から、実施例２に係る蛍光光源装置によれば、演色性に優れた光が放射されることが確認された。
また、この蛍光光源装置から放射される光について、平均演色評価数Ｒａおよび色温度を測定したところ、平均演色評価数Ｒａが９０、色温度が３５００Ｋであった。
以上の結果から、実施例２に係る蛍光光源装置によれば、演色性に優れた光が放射されることが確認された。
１０ 励起光源
２０ 波長変換部材
２１ 放熱性基板
２２，２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ 波長変換要素
２３ 接着膜
２４ 光反射膜
２５ 拡散反射材
３０ 凹面ミラー
３１ 開口
３２ 貫通孔
４０ レンズ
Ｄ 分割領域
Ｎ 励起光入射領域
２０ 波長変換部材
２１ 放熱性基板
２２，２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ 波長変換要素
２３ 接着膜
２４ 光反射膜
２５ 拡散反射材
３０ 凹面ミラー
３１ 開口
３２ 貫通孔
４０ レンズ
Ｄ 分割領域
Ｎ 励起光入射領域
Claims (5)
- 励起光入射領域に配置された、励起光により励起されて蛍光を放射する波長変換部材を備えた蛍光光源装置であって、
前記波長変換部材は、前記励起光入射領域内において分割されて互いに離間した複数の分割領域の各々に配置された複数の波長変換要素と、互いに隣接する前記波長変換要素の間に形成された、前記励起光を拡散反射する拡散反射材とを有してなることを特徴とする蛍光光源装置。 - 前記拡散反射材は、前記励起光入射領域における前記分割領域以外の領域をカバーするよう形成されていることを特徴とする請求項１に記載の蛍光光源装置。
- 前記波長変換部材は、互いに異なる波長の蛍光を放射する複数種類の波長変換要素が、互いに隣接する状態で配置されてなることを特徴とする請求項１に記載の蛍光光源装置。
- 前記励起光が青色光であり、前記波長変換部材が、黄色の蛍光を放射する波長変換要素を有してなることを特徴とする請求項１に記載の蛍光光源装置。
- 前記励起光が青色光であり、前記波長変換部材が、緑色の蛍光を放射する波長変換要素および赤色の蛍光を放射する波長変換要素を有してなることを特徴とする請求項３に記載の蛍光光源装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014065692A JP6248743B2 (ja) | 2014-03-27 | 2014-03-27 | 蛍光光源装置 |
| PCT/JP2015/056947 WO2015146568A1 (ja) | 2014-03-27 | 2015-03-10 | 蛍光光源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014065692A JP6248743B2 (ja) | 2014-03-27 | 2014-03-27 | 蛍光光源装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015191903A true JP2015191903A (ja) | 2015-11-02 |
| JP6248743B2 JP6248743B2 (ja) | 2017-12-20 |
Family
ID=54195093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014065692A Active JP6248743B2 (ja) | 2014-03-27 | 2014-03-27 | 蛍光光源装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6248743B2 (ja) |
| WO (1) | WO2015146568A1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019082674A (ja) * | 2017-10-31 | 2019-05-30 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 照明装置、及び投写型映像表示装置 |
| JP2019109330A (ja) * | 2017-12-18 | 2019-07-04 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 波長変換デバイス、光源装置、照明装置、及び、投写型映像表示装置 |
| KR20190110451A (ko) * | 2018-03-20 | 2019-09-30 | 제트카베 그룹 게엠베하 | 자동차 헤드램프용 광 모듈 |
| WO2024034554A1 (ja) * | 2022-08-12 | 2024-02-15 | 市光工業株式会社 | 車両用光変換パネル、車両用灯具ユニット、車両用灯具 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE202015105853U1 (de) * | 2015-11-04 | 2017-02-08 | Zumtobel Lighting Gmbh | Leuchtvorrichtung |
| CN107062024A (zh) * | 2017-06-09 | 2017-08-18 | 超视界激光科技（苏州）有限公司 | 一种自适应激光照明灯 |
| CN107013825A (zh) * | 2017-06-09 | 2017-08-04 | 超视界激光科技（苏州）有限公司 | 波长转换装置、发光装置及激光照明灯 |
| CN109424940B (zh) * | 2017-07-04 | 2021-05-04 | 中强光电股份有限公司 | 光波长转换模块以及照明模块 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10321943A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-12-04 | Tokyo Inst Of Technol | 単一色発光スペクトルを有する垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型カラー表示装置 |
| WO2012165007A1 (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-06 | シャープ株式会社 | 発光装置、照明装置および発光装置の製造方法 |
| JP2013102078A (ja) * | 2011-11-09 | 2013-05-23 | Stanley Electric Co Ltd | 光源装置および照明装置 |
| JP2014042074A (ja) * | 2013-11-20 | 2014-03-06 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュール |
| JP2014052606A (ja) * | 2012-09-10 | 2014-03-20 | Sharp Corp | 蛍光体基板、発光デバイス、表示装置、及び照明装置 |
| JP2015170419A (ja) * | 2014-03-05 | 2015-09-28 | シャープ株式会社 | 光源装置および照明装置 |
-
2014
- 2014-03-27 JP JP2014065692A patent/JP6248743B2/ja active Active
-
2015
- 2015-03-10 WO PCT/JP2015/056947 patent/WO2015146568A1/ja active Application Filing
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10321943A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-12-04 | Tokyo Inst Of Technol | 単一色発光スペクトルを有する垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型カラー表示装置 |
| WO2012165007A1 (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-06 | シャープ株式会社 | 発光装置、照明装置および発光装置の製造方法 |
| JP2013102078A (ja) * | 2011-11-09 | 2013-05-23 | Stanley Electric Co Ltd | 光源装置および照明装置 |
| JP2014052606A (ja) * | 2012-09-10 | 2014-03-20 | Sharp Corp | 蛍光体基板、発光デバイス、表示装置、及び照明装置 |
| JP2014042074A (ja) * | 2013-11-20 | 2014-03-06 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュール |
| JP2015170419A (ja) * | 2014-03-05 | 2015-09-28 | シャープ株式会社 | 光源装置および照明装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019082674A (ja) * | 2017-10-31 | 2019-05-30 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 照明装置、及び投写型映像表示装置 |
| JP2019109330A (ja) * | 2017-12-18 | 2019-07-04 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 波長変換デバイス、光源装置、照明装置、及び、投写型映像表示装置 |
| KR20190110451A (ko) * | 2018-03-20 | 2019-09-30 | 제트카베 그룹 게엠베하 | 자동차 헤드램프용 광 모듈 |
| KR102155540B1 (ko) * | 2018-03-20 | 2020-09-15 | 제트카베 그룹 게엠베하 | 자동차 헤드램프용 광 모듈 |
| WO2024034554A1 (ja) * | 2022-08-12 | 2024-02-15 | 市光工業株式会社 | 車両用光変換パネル、車両用灯具ユニット、車両用灯具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6248743B2 (ja) | 2017-12-20 |
| WO2015146568A1 (ja) | 2015-10-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6248743B2 (ja) | 蛍光光源装置 | |
| CN105423238B (zh) | 波长变换部件、发光装置、投影机、以及波长变换部件的制造方法 | |
| CN108885286B (zh) | 波长转换构件、其制造方法及发光装置 | |
| EP2766936B1 (en) | Light emitting device with photoluminescence wavelength conversion component | |
| JP6045079B2 (ja) | 照明装置 | |
| JP6111960B2 (ja) | 蛍光光源装置 | |
| US20120140436A1 (en) | Solid-state lamps with light guide and photoluminescence material | |
| JP5491867B2 (ja) | 照明デバイス、とりわけ発光セラミックを有する照明デバイス | |
| JP2012243624A (ja) | 光源装置および照明装置 | |
| JP2014197707A (ja) | 白色ｌｅｄランプ、バックライトおよび照明装置 | |
| TW200804720A (en) | Fluorescent lighting creating white light | |
| JP2012089316A (ja) | 光源装置および照明装置 | |
| JP2017107071A (ja) | 波長変換部材及び波長変換素子、並びにそれらを用いた発光装置 | |
| JP2006019409A (ja) | 発光装置並びにそれを用いた照明、ディスプレイ用バックライト及びディスプレイ | |
| JP6524474B2 (ja) | 波長変換部材および発光装置 | |
| JP2011159832A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2006310817A (ja) | 白色発光装置及び照明装置 | |
| JP2011511445A (ja) | ディスプレイを背面照明するための照明装置および同照明装置を備えたディスプレイ | |
| TWI669375B (zh) | 波長轉換構件及發光裝置 | |
| CN109798457A (zh) | 一种透射式蓝光激光照明组件 | |
| US10533729B2 (en) | Light source with LED chip and luminophore layer | |
| JP2012079989A (ja) | 光源装置および照明装置 | |
| TW201621031A (zh) | 發光裝置 | |
| JP5781367B2 (ja) | 光源装置および照明装置 | |
| RU2525166C2 (ru) | Способ управления цветностью светового потока белого светодиода и устройство для осуществления способа |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160920 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170523 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170719 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170829 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171019 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171024 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171106 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6248743 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |