WO2015129546A1

WO2015129546A1 - 電磁波シールドフィルム、フレキシブルプリント基板、電子部品搭載基板、及び電子部品の被覆方法

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Publication number: WO2015129546A1
Application number: PCT/JP2015/054654
Authority: WO
Inventors: 明徳橋本; 雅彦渡邊; 白石　史広
Original assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date: 2014-02-25
Filing date: 2015-02-19
Publication date: 2015-09-03
Anticipated expiration: 2016-08-25
Also published as: TW201540171A

Abstract

本発明により、フレキシブルプリント基板等の電子部品の軽量化・薄型化に対応でき、耐ハゼ折り性に優れ、且つ凹凸を有する電子部品の表面に貼付しても優れた形状追従性と密着性を有する電磁波シールドフィルム、及びフレキシブルプリント基板などが提供される。また本発明により、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで効果的に遮断することができる電磁波シールド用フィルム、および、かかる電磁波シールド用フィルムを用いて、基板上に搭載された電子部品が電磁波遮断層で被覆された電子部品搭載基板などが提供される。

Description

電磁波シールドフィルム、フレキシブルプリント基板、電子部品搭載基板、及び電子部品の被覆方法

　本発明は、電磁波シールドフィルム（以下、電磁波シールド用フィルムともいう）、フレキシブルプリント基板、電子部品搭載基板、及び電子部品の被覆方法に関する。より詳細に、本発明は、Ｚ折りを行ってもクラックが発生しない電磁波シールドフィルム、及びこの電磁波シールドフィルムを用いたフレキシブルプリント基板にも関する。
　本願は、２０１４年２月２５日に日本に出願された特願２０１４－３３７３２号、２０１４年５月２６日に日本に出願された特願２０１４－１０８０８２号、２０１４年９月１０日に日本に出願された特願２０１４－１８４０１９号、及び２０１４年９月１６日に日本に出願された特願２０１４－１８７１９３号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

　従来から、携帯電話、医療機器のように電磁波の影響を受けやすい電子部品や、半導体素子等の発熱性電子部品、さらにはコンデンサー、コイル等の各種電子部品、またはこれらの電子部品を回路基板に実装された電子機器は、電磁波によるノイズの影響を軽減するためその表面に電磁波シールドフィルムが貼付されている。このような電磁波シールドフィルムとしては、特許文献１～４に記載されている様な、絶縁性材料からなる基材層と基材層の一方または双方の面に積層した金属層とを有するものが使用されてきた。

　しかしながら、こうした金属層を有する電磁波シールドフィルムを、上記の電子部品の表面に貼付した場合、近年要望が高まりつつある軽量化・薄型化に対応できないという問題があった。
すなわち、特許文献１に記載のように、電磁波シールド用フィルムを、金属層を有する構成とした場合、近年要望が高まりつつある軽量化・薄型化に対応できないという問題があった。
また、特に柔軟性が要求されるフレキシブルプリント基板の表面に従来の金属層を有する電磁波シールドフィルムを貼付すると、充分な柔軟性や屈曲性が得られないことがあり、小型携帯機器等の限られたスペース部分での配線に適用すると、耐ハゼ折り性が劣るために電磁波シールドフィルムの一部にクラックが発生する事があるという問題があった。さらに、凹凸を有する電子部品の表面に電磁波シールドフィルムを貼付すると、電磁波シールドフィルムが表面の凹凸に対して充分な形状追従性や密着性が得られないという問題があった。
また、上述の通り、電磁波シールド用フィルムを貼付する電子機器が多様化し、これに応じて、遮断すべきノイズである電磁波の周波数も多様化しており、電磁波シールド用フィルムは、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域のものまで効果的に遮断し得ることが求められている。

特開２００６－１５６９４６号公報特開平０７－２９７５９２号公報特開平０６－２２４５８９号公報特開平０６－１５２１８２号公報

　本発明は、フレキシブルプリント基板等の電子部品の軽量化・薄型化に対応でき、耐ハゼ折り性に優れ、且つ凹凸を有する電子部品の表面に貼付しても優れた形状追従性と密着性を有する電磁波シールドフィルム、及びフレキシブルプリント基板を提供することを課題とする。
また本発明の目的は、軽量化・薄型化を図るとともに、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで効果的に遮断することができる電磁波シールド用フィルム、および、かかる電磁波シールド用フィルムを用いて、基板上に搭載された電子部品が電磁波遮断層で被覆された電子部品搭載基板を提供することにある。

さらに、従来技術では上記問題に加え、凹凸を備える基板を有する電子部品に対して、電磁波シールド用フィルムで被覆しようとすると、この電磁波シールド用フィルムの凹凸に対する形状追従性が優れないという問題から、凹凸を備える基板を有する電子部品に対しては、アルミやＳＵＳのような金属カンシールドと呼ばれるシールド方法が取られてきた。しかし、この金属カンシールドは基板上の各部品個別に対しては実施できず、種類別に配置された部品集合体に対して施され、その影響で基板上の各部品の配置には制約があり、基板の設計自由度は、機能面からは必ずしも最良というわけではない。

したがって、本発明の目的は、基板の設計自由度を高め、かつ軽量化・薄型化を図るとともに、凹凸を備える基板を有する電子部品に対して、良好な形状追従性を有する電磁波シールド用フィルム、および、かかる電磁波シールド用フィルムを用いた電子部品の被覆方法を提供することにある。

また本発明の目的は、基板の設計自由度を高め、かつ薄型化を図るとともに、凹凸を備える基板を有する電子部品に対して、表面に導電性を有する電子部品と電磁波遮蔽層との間で電流を導通させることなく被覆する方法を提供することにある。

　本発明者等は、上記課題を解決すべく鋭意検討を行った。その結果、少なくとも基材層と、電磁波遮断層とを順に積層し、電磁波遮断層は、Ｚ折りを行ったときにその両端間で導電性を有する組成物から形成される電磁波シールドフィルムが、上記の問題を解決することができることを見出した。本発明は、これらの知見に基づき、さらに検討を重ねた結果、完成するに至ったものである。

　すなわち、本発明は以下の態様を包含するものである。
［１］　電磁波シールドフィルムであって、少なくとも基材層と、電磁波遮断層とを順に積層し、電磁波遮断層は、Ｚ折りを行ったときにその両端間で導電性を有する組成物から形成されることを特徴とする電磁波シールドフィルム。
［２］　電磁波遮断層は、導電性組成物及びバインダーを含有し、バインダーが非晶質熱可塑性樹脂を主成分とすることを特徴とする［１］に記載の電磁波シールドフィルム。
［３］　バインダーが１５質量％以上５５質量％以下の配合量であることを特徴とする［１］または［２］に記載の電磁波シールドフィルム。
［４］　非晶質熱可塑性樹脂が非晶質ポリエステル系樹脂であることを特徴とする［１］ないし［３］のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルム。
［５］　基材層は、少なくとも２つの層が積層された積層体を備えることを特徴とする［１］ないし［４］のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルム。
［６］　基材層は、第１の層と、第２の層と、第３の層とが順に積層された積層体であることを特徴とする［１］ないし［５］のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルム。
［７］　第１の層の厚さＴ（Ａ）と第２の層の厚さＴ（Ｃ）と第３の層の厚さＴ（Ｂ）が下記式（１）を満たすことを特徴とする［１］ないし［６］のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルム．
　０．０５＜Ｔ（Ｃ）／（Ｔ（Ａ）＋Ｔ（Ｂ））＜１０　　（１）
［８］　さらに、絶縁層を基材層の表面あるいは電磁波遮断層の表面に積層することを特徴とする［１］ないし［７］のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルム。
［９］　電子部品を搭載する基板であって、［１］ないし［８］のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルムを基板上の凹凸の被覆部材として備え、凹凸は、１ｍｍ以上の段差を有することを特徴とする基板。
［１０］　［１］ないし［８］のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルムを電磁波遮蔽部材として備えることを特徴とするフレキシブルプリント基板。
［１１］基材層と、該基材層に積層された、電磁波遮断層とを含んで構成され、
前記電磁波遮断層は、導電性高分子と、金属粉を含有することを特徴する電磁波シールド用フィルム。
［１２］前記導電性高分子は、ポリアニリンである［１１］に記載の電磁波シールド用フィルム。
［１３］前記金属粉は、銀粉もしくは銀コート銅粉である、［１１］または［１２］に記載の電磁波シールド用フィルム。
［１４］前記電磁波遮断層は、周波数０．２～１０ＧＨｚの電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の電磁波シールド効果が５ｄＢ以上である［１１］ないし［１３］のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
［１５］前記電磁波遮断層は、周波数０．２～１ＧＨｚの電磁波における、ＫＥＣ法を用いて測定した際の電磁波シールド効果が２５ｄＢ以上である［１１］ないし［１４］のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
［１６］前記電磁波遮断層の厚さは、１μｍ以上、１００μｍ以下である［１１］ないし［１５］のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
［１７］前記電磁波遮断層の前記基材層側の面、または前記基材層と反対側の面に積層された絶縁層を備える［１１］ないし［１６］のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
［１８］当該電磁波シールド用フィルムは、基板上の凹凸を被覆するために用いられる［１１］ないし［１７］のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
［１９］基板と、該基板上に搭載された電子部品と、前記基板の前記電子部品が搭載されている面側から前記基板および電子部品を被覆する、導電性高分子を主材料として含有する電磁波遮断層とを有する電子部品搭載基板であって、
前記電磁波遮断層は、導電性高分子と、金属粉を含有することを特徴する電子部品搭載基板。
［２０］基板上の凹凸を被覆するために用いられる電磁波シールド用フィルムであって、
絶縁層と該絶縁層の一方の面側に積層された電磁波遮断層を含んで構成され、
前記フィルムの厚みが８μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする電磁波シールド用フィルム。
［２１］前記絶縁層とは反対側に電磁波遮断層を介して保護層が積層されている［２０］記載の電磁波シールド用フィルム。
［２２］前記絶縁層の厚みは、５μｍ以上２５μｍ以下であることを特徴とする［２０］または［２１］に記載の電磁波シールド用フィルム。
［２３］前記絶縁層は、熱可塑性を有する絶縁樹脂で構成されていることを特徴とする［２０］ないし［２２］のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
［２４］前記絶縁層は、アクリル樹脂もしくはスチレン系エラストマーを含むことを特徴とする［２０］ないし［２３］のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
［２５］前記電磁波遮断層は導電性高分子を含有することを特徴とする［２０］ないし［２４］のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
［２６］前記導電性高分子が、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホネート［PEDOT／PSS］およびポリアニリンのうちの少なくとも１種であることを特徴とする［２５］に記載の電磁波シールド用フィルム。
［２７］前記電磁波遮断層が、金属粉を含有することを特徴とする［２０］ないし［２６］のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
［２８］前記金属粉は、銀粉もしくは銀コート銅粉であることを特徴とする［２０］ないし［２７］のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
［２９］前記電磁波遮断層の厚さは３μｍ以上、２５μｍ以下であることを特徴とする［２０］ないし［２８］のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
［３０］基板上の凹凸を被覆するために用いられる電磁波シールド用フィルムであって、
絶縁層と該絶縁層の一方の面側に積層された電磁波遮断層を含んで構成され、
前記絶縁層のＪＩＳ　Ｚ　１７０７で測定した突き刺し強度が、０．９０Ｎ以上１０．０Ｎ以下であることを特徴とする電磁波シールド用フィルム。
［３１］前記絶縁層とは反対側に電磁波遮断層を介して保護層が積層されていることを特徴とする［３０］に記載の電磁波シールド用フィルム。
［３２］前記絶縁層は、熱可塑性を有する絶縁樹脂で構成されていることを特徴とする［３０］または［３１］に記載の電磁波シールド用フィルム。
［３３］前記絶縁層の厚みは、３μｍ以上、５０μｍ以下であることを特徴とする［３０］ないし［３２］のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
［３４］前記電磁波遮断層は導電性高分子を含有することを特徴とする［３０］ないし［３３］のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
［３５］前記導電性高分子が、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホネート［ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ］およびポリアニリンのうちの少なくとも１種であることを特徴とする［３４］に記載の電磁波シールド用フィルム。
［３６］前記電磁波遮断層が、金属粉を含有することを特徴とする［３０］ないし［３５］のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
［３７］前記金属粉は、銀粉もしくは銀コート銅粉であることを特徴とする［３６］に記載の電磁波シールド用フィルム。
［３８］前記電磁波遮断層の厚さは１μｍ以上、１００μｍ以下であることを特徴とする［３０］ないし［３７］のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
［３９］ポリイミドフィルムとの密着力が、１Ｎ／２５ｍｍ以上、１００Ｎ／２５ｍｍ以下であることを特徴とする［３０］ないし［３８］のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。

　本発明の電磁波シールドフィルムは、電子部品の軽量化・薄型化に対応でき、耐ハゼ折り性に優れ、且つ凹凸を有する電子部品の表面に貼付しても優れた形状追従性と密着性を有する。また、本発明のフレキシブルプリント基板は、表面に本発明の電磁波シールドフィルムが電磁波遮蔽層として用いられているので、電子部品の軽量化・薄型化に対応でき、耐ハゼ折り性に優れ、且つ凹凸を有するフレキシブルプリント基板の表面と電磁波遮蔽層の密着性に優れる。
さらに本発明によれば、電磁波シールド用フィルムが、基材層と、導電性高分子と金属粉を主材料として含有する電磁波遮断層とを含んで構成されることにより、電磁波遮断層の軽量化・薄型化を図ることができるとともに、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで効果的に遮断することができる。
また本発明によれば、電磁波シールド用フィルムの厚みを８μｍ以上５０μｍ以下とすることで、電磁波シールド用フィルムで覆われる基板の設計自由度を高め、かつ軽量化、薄型化を図ることが可能であるとともに、凹凸を備える基板を有する電子部品に対して、良好な形状追従性を有しているものとすることができる。
さらに本発明によれば、電磁波シールド用フィルムが備える絶縁層のＪＩＳ　Ｚ　１７０７で測定した突き刺し強度を０．９Ｎ以上１０．０Ｎ以下とすることにより、電磁波シールド用フィルムで覆われる基板の設計自由度を高め、かつ軽量化、薄型化を図ることが可能であるとともに、表面に導電性を有する電子部品と電磁波遮蔽層との間で電流を導通させることなく被覆することができる。

本発明の電磁波シールドフィルムの第１実施形態を示す縦断面図である。本発明の電磁波シールドフィルムの第２実施形態を示す縦断面図である。本発明の電磁波シールドフィルムの第３実施形態を示す縦断面図である。本発明の電磁波シールドフィルムの第４実施形態を示す縦断面図である。本発明の電磁波シールドフィルムの第５実施形態を示す縦断面図である。本発明の電磁波シールドフィルムの第６実施形態を示す縦断面図である図１～６に示す電磁波シールドフィルムを用いて電子部品の被覆方法を説明するための縦断面図である。本発明の電磁波シールド用フィルムの第７実施形態を示す縦断面図である。図８に示す電磁波シールド用フィルムを用いて電子部品の被覆方法を説明するための縦断面図である。本発明の電磁波シールド用フィルムの第８実施形態を示す縦断面図である。本発明の電磁波シールド用フィルムの第９実施形態を示す縦断面図である。本発明の電磁波シールド用フィルムの第１０実施形態を示す縦断面図である。本発明の電磁波シールド用フィルムの第１１実施形態を示す縦断面図である。本発明の電磁波シールド用フィルムの第１１実施形態を示す縦断面図である。本発明の電磁波シールド用フィルムの第１１実施形態を示す縦断面図である。本発明の電磁波シールド用フィルムの１実施形態を示す縦断面図である。図１６に示す電磁波シールド用フィルムを用いて電子部品の被覆方法を説明するための縦断面図である。

　本実施形態の電磁波シールドフィルムは、少なくとも基材層と、電磁波遮断層とを順に積層し、電磁波遮断層は、Ｚ折りを行ったときにその両端間で導電性を有する組成物から形成されることを特徴とする。本実施形態において、基材層は、電磁波遮断層の保護フィルムとしての機能を有するとともに、図７に示される様に、凹凸を有する電子部品の表面に電磁波遮断層３が貼付する際に、電磁波遮断層３が良好な形状追従性と密着性を保持せしめる機能とを有する。基材層は、凹凸を有する電子部品の表面に電磁波遮断層が貼付された後、電磁波遮断層から剥離される。本実施形態において、電磁波遮断層は、凹凸を有する電子部品の表面に隙間なく密着されるので、電子部品の優れた電磁波シールド層として機能する。

　本発明の電磁波シールドフィルムは、１．第１実施形態、２．第２実施形態、３．第３実施形態、４．第４実施形態、５．第５実施形態、６．第６実施形態、及び７．その他の実施形態、を包含する。
　以下に、第１実施形態～第６実施形態、及びその他の実施形態について詳細に説明する。また、７．その他の実施形態、及び８．電子部品の被覆方法についても説明する。

１．第１実施形態
　図１は、本発明の電磁波シールドフィルムの第１実施形態を示す縦断面図である。
　なお、以下において、図１中の上側を「上」と呼び、下側を「下」と呼ぶことがある（以下、図２～図１７においても同様である）。

　第１実施形態は、図１に示す様に、基材層１が第１の層１１、第２の層１３、及び第３の層１２の３層より成り、この３層がこの順に積層しており、第３の層１２の下面に電磁波遮断層３が接触して積層している形態である。さらに電磁波遮断層３の下面には、必要に応じて絶縁層２が積層していても良い。

＜基材層＞
　まず、基材層１について説明する。
　基材層１は、図７の電磁波シールドフィルムを電子部品に貼付する工程において、電磁波シールドフィルム１００を、基板５上の凹凸６に電磁波遮断層３を押し込み被覆する際に、電磁波遮断層３に良好な形状追従性と密着性を保持せしめる機能とを有する。基材層１は、基板５上の凹凸６の表面に電磁波遮断層が貼付された後、電磁波遮断層から剥離される。

　本発明において、基材層１の１５０℃における貯蔵弾性率は２．０Ｅ＋０５Ｐａ以上５．０Ｅ＋０８Ｐａ以下が好ましく、１．０Ｅ＋０６Ｐａ以上３．０Ｅ＋０８Ｐａ以下であるのがより好ましく、３．０Ｅ＋０６Ｐａ以上９．０Ｅ＋０７Ｐａ以下であるのがさらに好ましい。第１実施形態の場合、基材層１を構成する、第１の層１１、第２の層１３、及び第３の層１２の各層の平均線膨張係数を、適宜設定することで基材層１の１５０℃における貯蔵弾性率を上記の範囲に容易に設定することができる。
　基材層１の１５０℃における貯蔵弾性率を上記の範囲にすることによって電磁波シールドフィルム１００を、基板５上の凹凸６に電磁波遮断層３を押し込み被覆する際に、電磁波遮断層３に良好な形状追従性と密着性を保持せしめることができる。これによって、電磁波シールド（遮断）性が向上する。

　また、基材層１の１５０℃における貯蔵弾性率を上記範囲とすることにより、基板５に設けられた凹凸６の段差が０．５ｍｍ以上、さらに１．０ｍｍないし３．０ｍｍ程度に大きい場合であっても、また凸部６１の離間距離が２００μｍ以下、さらに１００μｍないし１５０μｍ程度に短くても、電磁波遮断層３を凹凸６の形状に対応して良好な形状追従性と密着性を保持して、確実に押し込むことができる。

　本発明において、基材層１の２５℃における貯蔵弾性率は１．０Ｅ＋０７Ｐａ以上１．０Ｅ＋１０以下Ｐａが好ましく、５．０Ｅ＋０８Ｐａ以上５．０Ｅ＋０９Ｐａ以下であるのがより好ましい。上記範囲であれば基材層１は、電磁波シールドフィルム１００の加熱前には固形状であり、加熱時には半固形状とすることができる。これによって、電磁波シールドフィルム１００にシワ等を生じさせることなく貼付することができ、規定のサイズにカットする際の作業性も向上する事ができ、さらに電磁波遮断層３を凹凸６が有する凹部６２内に確実に押し込むことができる。第１実施形態において、上記の貯蔵弾性率の範囲を有する基材層１は、少なくとも第１の層１１及び第３の層１２が熱可塑性樹脂で構成され、貼付工程で電磁波シールドフィルム１００が加熱された後においても、２５℃における貯蔵弾性率が上記範囲を維持していることが好ましい。こうする事によって、剥離工程において、電磁波遮断層３から基材層１を容易に剥離させることができる。

　基材層１の１２０℃における貯蔵弾性率をＡＰａ、基材層１の１５０℃における貯蔵弾性率をＢＰａとしたとき、０．０２≦Ａ／Ｂ≦１．００なる関係を満足するのが好ましく、０．０２≦Ａ／Ｂ≦０．５０なる関係を満足するのがより好ましい。この範囲において基材層１は、加熱時において、加熱時の温度変化に起因する基材層１の貯蔵弾性率の変化の幅を小さくでき、加熱時の温度条件を変化させても、温度変化に起因する基材層１の貯蔵弾性率の変化の幅を必要最小限に小さくとどめることができるため、電磁波遮断層３を凹部６２内に確実に押し込むことができる。

　基材層１の２５℃、１２０℃及び１５０℃における貯蔵弾性率は、例えば、動的粘弾性測定装置（セイコーインスツルメント社製、「ＤＭＳ６１００」）を用いて、２５～２００℃までの貯蔵弾性率を、４９ｍＮの定荷重の引張モードで昇温速度５℃／分、周波数１Ｈｚで測定し、２５℃、１２０℃及び１５０℃での貯蔵弾性率を、読み取ることにより求めることができる。

　第１実施形態において、第１の層１１の厚さＴ（Ａ）と第２の層１３の厚さＴ（Ｃ）と第３の層１２の厚さＴ（Ｂ）は、次の関係式を満たすことが好ましく、
０．０５＜Ｔ（Ｃ）／（Ｔ（Ａ）＋Ｔ（Ｂ））＜１０　・・・（１）　
次の関係式を満たすことがより好ましく、
０．１４＜Ｔ（Ｃ）／（Ｔ（Ａ）＋Ｔ（Ｂ））＜４　・・・（２）
さらに好ましくは次の関係式を満たすことである。
０．３＜Ｔ（Ｃ）／（Ｔ（Ａ）＋Ｔ（Ｂ））＜１．５　・・・（３）
　第１の層１１の厚みＴ（Ａ）と、第３の層１２の厚みＴ（Ｂ）と、第２の層１３の厚みＴ（Ｃ）とが、上記関係式を満たすことにより、形状追従性が特に向上する。

　基材層１の全体の厚みＴ（Ｆ）は、特に限定されないが、２０μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましく、４０μｍ以上２２０μｍ以下であることがより好ましく、７０μｍ以上１６０μｍ以下であることがさらに好ましい。基材層１の全体の厚みＴ（Ｆ）が２０μｍよりも薄い場合には、第１の層１１が破断して基材層１の離型性が低下するという恐れがあり、３００μｍよりも厚い場合には、基材層１の形状追従性が低下して電磁波遮断層３の形状追従性が低下するという恐れがある。

＜第１の層＞
　基材層１を構成する第１の層１１は、図７の電磁波シールドフィルムを電子部品に貼付る工程において、電子部品の基板５上の凹凸６に電磁波遮断層３を、基材層１の上部から真空加圧式ラミネーター等を用いて押し込んだ後に、真空加圧式ラミネーター等の押圧部と基材層１が離型しやすくする層である。また、第２の層１３側に押圧部からの押圧力を伝播するためのものである。

　第１の層１１の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シンジオタクチックポリスチレン、ボリメチルペンテン、ボリブチレンテレブタレート、ポリプロピレン、環状オレフィンポリマー、シリコーン等の樹脂が挙げられる。これらの中でも、シンジオタクチックポリスチレンが好ましい。シンジオタクチックポリスチレンは、結晶性を有しているので、第１の層１１と真空加圧式ラミネーター等の押圧部との離型性に優れており、耐熱性や形状追従性にも優れている。

　第１の層１１にシンジオタクチックポリスチレンを用いる場合、その含有量は、特に制限されないが、６０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上１００質量％以下であることがより好ましく、８０質量％以上１００質量％以下であることがさらに好ましい。シンジオタクチックポリスチレンの含有量が６０質量％より少ないと第１の層１１の離型性が低下する恐れがある。

　第１の層１１には、スチレン系エラストマ一、ポリエチレン、またはポリプロピレン等が含有されていてもよい。

　第１の層１１の厚みＴ（Ａ）は、特に限定されないが、５μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、１０μｍ以上７０μｍ以下がより好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下がさらに好ましい。第１の層１１の厚みが５μｍより薄くなると第１の層１１が破断して離型性が低下する恐れがあり、１００μｍより厚くなると基材層１の形状追従性が低下して電磁波遮断層３の形状追従性が低下する恐れがある。Ｔ（Ａ）は、上記の関係式（１）を満足できる範囲であることが好ましい。

　第１の層１１の２５～１５０℃における平均線膨張係数は、４０ｐｐｍ／℃以上１０００ｐｐｍ／℃以下であること好ましく、８０ｐｐｍ／℃以上７００ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましい。第１の層１１の２５～１５０℃における平均線膨張係数を、かかる範囲に設定することにより、電磁波シールドフィルム１００の加熱時において、第１の層１１は優れた伸縮性を有するものとなり、電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。

　第１の層１１の表面張力は、２０ｍＮ／ｍ以上４０ｍＮ／ｍ以下であるのが好ましく、２５ｍＮ／ｍ以上３５ｍＮ／ｍ以下であるのがより好ましい。第１の層１１の表面張力をかかる範囲に設定することにより、第１の層１１は離型性に優れた性能を有することとなるので、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、押圧部から第１の層１１を容易に剥離する事ができる。

＜第３の層＞
　基材層１を構成する第３の層１２は、図７に示す様に、電磁波シールドフィルムを電子部品に貼付けた後に、電磁波遮断層３から基材層１を剥離する際に、基材層１と電磁波遮断層３の剥離性の機能を付与するためのものである。また、基板５上の凹凸形状に応じて、第３の層１２が追従する追従性を有する機能と、電磁波遮断層３側に押圧部からの押圧力を伝播する機能を併せ持つ。

　第３の層１２の構成材料としては、特に限定されないが上記の第１の層１１の構成材料と同様の材料を用いることができる。第１の層１１と同様にシンジオタクチックポリスチレンが好ましい。シンジオタクチックポリスチレンは、結晶性を有しているので、第３の層１２と電磁波遮断層３との離型性に優れており、耐熱性や形状追従性にも優れている。第３の層１２は、第１の層１１を構成する樹脂と同じであっても良いし、異なっていても良い。

　第３の層１２の厚みＴ（Ｂ）は、特に限定されないが、５μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、１０μｍ以上７０μｍ以下がより好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下がさらに好ましい。第３の層１２の厚みが５μｍより薄くなると耐熱性が不足して、電磁波遮断層が変形するおそれがあり、１００μｍより厚くなると電磁波シールドフィルム全体の厚みが厚くなり、カット等の作業性が低下する恐れがあり、コスト面でも経済的ではない。
　第３の層１２の厚みは、第１の層１１の厚みと同じであっても異なっていても良いが、上記の関係式（１）を満足できる範囲であることが好ましい。

　第３の層１２の２５～１５０℃における平均線膨張係数は、４０ｐｐｍ／℃以上１０００ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、８０ｐｐｍ／℃以上７００ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましい。第３の層１２の２５～１５０℃における平均線膨張係数をかかる範囲に設定することにより、電磁波シールドフィルム１００の加熱時において、第３の層１２は優れた伸縮性を有するものとなり、第３の層１２の形状追従性や電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。

　第３の層１２の表面張力は、２０ｍＮ／ｍ以上４０ｍＮ／ｍ以下であるのが好ましく、２５ｍＮ／ｍ以上３５ｍＮ／ｍ以下であるのがより好ましい。第３の層１２の表面張力をかかる範囲に設定することにより、第３の層１２は離型性に優れた性能となるので、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、基材層１と電磁波遮断層３を確実に剥離させることができる。

＜第２の層＞
　基材層１を構成する第２の層１３は、基材層１の上部から第３の層１２を介して電磁波遮断層３を凹凸６に押し込むためのクッションとしての機能と、電磁波遮断層３を凹凸６に均一に押し込む機能とを有するものである。第２の層１３によって、電磁波遮断層３と凹凸６との聞にボイドを発生させることなく、電磁波遮断層３を凹凸６に優れた密閉性をもって押し込むことができる。

　第２の層１３の構成材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のαオレフィン系重合体、エチレン、ブロピレン、ブテン、ぺンテン、ヘキセン、メチルペンテン等を含有するαオレフィン系共重合体、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルファイド等のエンジニアリングプラスチックス系樹脂等が挙げられ、これらを単独で使用しても良く、あるいは複数併用しでもよい。これらの樹脂のうち、αオレフィン系共重合体を用いることが好ましく、エチレン等のαオレフィンと、（メタ）アクリル酸エステルとの共重合体、エチレンと酢酸ビニルとの共重合体、エチレンと（メタ）アクリル酸との共重合体（ＥＭＭＡ）、及びそれらの部分イオン架橋物等がより好ましい。αオレフィン系共重合体は、形状追従性に優れ、さらに、第３の層１２の構成材料と比較して柔軟性に優れるので、凹凸６に対して押し込むためのクッション機能を確実に付与することができる。

　第２の層１３の厚みＴ（Ｃ）は、上記の関係式を満足できる範囲であることが好ましい。Ｔ（Ｃ）は、１０μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上８０μｍ以下がより好ましく、３０μｍ以上６０μｍ以下がさらに好ましい。第２の層１３の厚みが１０μｍより薄くなると第２の層１３の形状追従性が不足し、熱圧着工程で凹凸６への追従性が不足するという恐れがあり、１００μｍより厚くなると熱圧着工程において、第２の層１３を通して樹脂のシミ出しが多くなり、圧着装置の熱盤に付着し、作業性が低下するという恐れがあり、また、電磁波シールドフィルム全体の総厚みが厚くなり、カット等の作業性が低下する恐れがあり、さらにコスト面でも経済的ではない。

　第２の層１３の２５～１５０℃における平均線膨張係数は、４００ｐｐｍ／℃以上が好ましく、８００ｐｐｍ／℃以上がより好ましい。第２の層１３の平均線膨張係数をかかる範囲に設定することにより、電磁波シールドフィルム１００の加熱時において、第３の層１２よりも優れた伸縮性を有するものにすることができる。これによって、第２の層１３、さらには電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。

＜電磁波遮断層＞
　電磁波遮断層３は、Ｚ折りを行ったときにその両端間で導電性を有する組成物から形成される。これによって凹凸を有する電子部品４の表面に隙間なく密着され、Ｚ折りしてもクラックの発生がなく、電子部品４の電磁波シールド層として優れた機能を発揮する。

　本発明の電磁波シールドフィルムに用いられる電磁波遮断層３は導電性組成物及びバインダーを含有する。これによって、Ｚ折りを行ったときにその両端間で導電性を有する組成物とすることができる。本発明において、電磁波遮断層３は、導電性組成物及びバインダーを含有すること以外は特に限定されず、如何なる形態で電磁波を遮断するものであってもよい。例えば、電磁波遮断層３は電磁波遮断層３に入射した電磁波を反射させることにより電磁波を遮断・遮蔽する反射層であっても良く、あるいは電磁波遮断層３に入射した電磁波を吸収することにより電磁波を遮断・遮蔽する吸収層であっても良い。また、反射層と吸収層が積層された層であってもよく、反射層を構成する物質と吸収層を構成する物質の混合物から成る層でも良い。

　電磁波遮断層３が反射層である場合には、導電性接着剤層を用いることが好ましい。導電性接着剤層は、その膜厚（厚み）を比較的薄く設定したとしても、優れた電磁波シールド性を発揮するため、反射層として好ましく用いられる。

　導電性接着剤層は、導電性組成物である金属粉とバインダーを含有する。金属粉は、例えば、金、銀、銅または銀コート銅、ニッケル等が挙げられる。これらの中でも、電磁波シールド性に優れているという理由から、銀を用いることが好ましい。

　バインダーは、非晶質熱可塑性樹脂を主成分とすることが好ましい。非晶質熱可塑性樹脂としては、非晶質ポリエステル系樹脂；塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル等のビニル系樹脂；ポリメタクリル酸メチル等のアクリル系樹脂；ＧＰＰＳ等のポリスチレン系樹脂；ビスフェノールＡ型ポリカーボネート等のポリカーボネート系樹脂；等が例示できる。これらの非晶質熱可塑性樹脂のうち、層間の密着力の点から、非晶質ポリエステル系樹脂及びビニル系樹脂が好ましく、基材層及び電子部品との密着力、耐熱性、形状追従性、などのバランスに優れる点から、非晶質ポリエステル系樹脂が特に好ましい。非晶質ポリエステル系樹脂としては、実質的に非晶質であれば特に限定されず、ジカルボン酸成分とジオール成分とで構成される種々のポリエステルが挙げられる。

　ジカルボン酸成分としては、例えば、テレフタル酸、イソフタル酸、フタル酸、５－ｔ－ブチルイソフタル酸、４，４’－ビフェニルジカルボン酸、トランス－３，３’－スチルベンジカルボン酸、トランス－４，４’－スチルベンジカルボン酸、４，４’－ジベンジルジカルボン酸、１，４－ナフタレンジカルボン酸、１，５－ナフタレンジカルボン酸、２，３－ナフタレンジカルボン酸、２，６－ナフタレンジカルボン酸、２，７－ナフタレンジカルボン酸、２，２，６，６－テトラメチルビフェニル－４，４’－ジカルボン酸、１，１，３－トリメチル－３－フェニルインデン－４，５－ジカルボン酸、１，２－ジフェノキシエタン－４，４’－ジカルボン酸、ジフェニルエーテルジカルボン酸、及びこれらの置換体等の芳香族ジカルボン酸；シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ウンデカン二酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、テトラデカン二酸、ペンタデカン二酸、ヘプタデカン二酸、オクタデカン二酸、ノナデカン二酸、イコサン二酸、ドコサン二酸、１，１２－ドデカンジオン酸、及びこれらの置換体等の脂肪族ジカルボン酸；１，４－デカヒドロナフタレンジカルボン酸、１，５－デカヒドロナフタレンジカルボン酸、２，６－デカヒドロナフタレンジカルボン酸、シス－１，４－シクロヘキサンジカルボン酸、トランス－１，４－シクロヘキサンジカルボン酸、１，３－シクロヘキサンジカルボン酸、及びこれらの置換体等の脂環式ジカルボン酸などが挙げられる。これらのジカルボン酸成分は、単独でまたは２種以上組み合わせて使用できる。

　ジオール成分としては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、１，２－プロパンジオール、１，３－プロパンジオール、１，３－ブタンジオール、１，４－ブタンジオール、１，５－ペンタンジオール、２，２－ジメチル－１，３－プロパンジオール、１，６－ヘキサンジオール、２－エチル－２－メチル－１，３－プロパンジオール、２，２－ジエチル－１，３－プロパンジオール、１，８－オクタンジオール、２－エチル－２－ブチル－１，３－プロパンジオール、２－エチル－２，４－ジメチル－１，３－ヘキサンジオール、１，１０－デカンジオール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等の脂肪族ジオール；１，２－シクロヘキサンジメタノール、１，３－シクロヘキサンジメタノール、１，４－シクロヘキサンジメタノール、２，２，４，４－テトラメチル－１，３－シクロブタンジオール等の脂環式ジオール；２，２－ビス（４’－β－ヒドロキシエトキシジフェニル）プロパン、ビス（４’－β－ヒドロキシエトキシフェニル）スルホン等のビスフェノール系化合物のエチレンオキシド付加物、キシリレングリコール等の芳香族ジオールなどが挙げられる。これらのジオール成分は単独でまたは２種以上を組み合わせて使用できる。

　非晶質ポリエステル系樹脂は、これ以外にも、ｐ－オキシ安息香酸、ｐ－オキシエトキシ安息香酸等のオキシカルボン酸；安息香酸、ベンゾイル安息香酸等のモノカルボン酸；トリメリット酸等の多価カルボン酸；ポリアルキレングリコールモノメチルエーテル等の１価アルコール；グリセリン、ペンタエリスリトール、トリメチロールプロパン等の多価アルコールなどの構成単位を含んでいてもよい。

　本発明において、バインダーは、１５質量％以上５５質量％以下の配合量であることが好ましく、２０質量％以上５０質量％以下の配合量であることがより好ましい。バインダーの配合量が１５質量％よりも少ない場合には可撓性や電子機器部品との密着性が低下する恐れがあり、５５質量％よりも多い場合には電磁波シールド性が悪くなることがある。

　導電性接着剤層は、金属粉とバインダー樹脂との他に、さらに難燃剤、レベリング剤、粘度調整剤等を含有しでも良い。

　電磁波遮断層３が反射層である場合には、反射層の厚みＴ（Ｅ１）は、特に限定されないが、５μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、８μｍ以上５０μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以上３０μｍ以下がさらに好ましい。反射層の厚みが５μｍよりも薄い場合には、反射層の構成材料等によっては耐ハゼ折り性が不足し、搭載部品端部で破断する恐れがあり、１００μｍよりも厚い場合には反射層の構成材料等によっては形状追従性が不足する恐れがある。また、かかる範囲の厚みＴ（Ｅ１）としても、優れた電磁波シールド性を発揮させることができるため、反射層の厚みＴ（Ｅ１）の薄膜化を実現すること、ひいては、電磁波遮断層３で被覆された電子部品４が搭載された基板５の軽量化を実現することができる。

　電磁波遮断層３が吸収層である場合、吸収層は吸収層に入射した電磁波を吸収し、熱エネルギーに変換することにより遮断するものである。電磁波遮断層３を構成する吸収層は、例えば、導電性組成物として金属粉または導電性高分子材料とバインダーを含有する導電吸収材料を主材料として構成される導電吸収層、導電性組成物として炭素系材料または導電性高分子材料とバインダーを含有する誘電吸収材料を主材料として構成される誘電吸収層、及び導電性組成物として軟磁性金属とバインダーを含有する磁性吸収材料を主材料として構成される磁性吸収層等が挙げられ、これらを単独で使用してもよいし、あるいは併用してもよい。

　導電吸収層は、電界を印加した際に材料内部に流れる電流により、電磁エネルギーを熱エネルギーに変換することで電磁波を吸収し、誘電吸収層は、電磁波を誘電損失により熱エネルギーに変換することで電磁波を吸収し、磁性吸収層は、過電流損、ヒステレス損、磁気共鳴等の磁性損失により、電波のエネルギーを熱に変換して消費することで電磁波を吸収する。

　電磁波遮断層３を構成する吸収層は、導電吸収層、誘電吸収層、及び磁性吸収層のいずれでも用いることができる。導電吸収層、誘電吸収層、及び磁性吸収層は、その膜厚（厚み）を比較的薄く設定したとしても、特に優れた電磁波シールド性を発揮するため、吸収層として好ましく用いられる。また、その層中に含まれる材料の粒子径が小さいことやその添加量も少なくできることから、その膜厚を比較的容易に薄く設定することができ、また軽量化も可能である。

　導電吸収材料に用いられる導電性組成物としては、例えば、導電性高分子、ＡＴＯ等の金属酸化物、導電性セラミックス等が挙げられる。導電性高分子としては、例えば、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ－ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ－フェニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

　誘電吸収材料に用いられる導電性組成物としては、例えば、炭素系材料、導電性高分子等が挙げられる。炭素系材料としては、例えば、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブのようなカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、ＣＮナノチューブ、ＣＮナノファイバー、ＢｃＮナノチューブ、ＢｃＮナノファイバー、グラフェン、カーボンマイクロコイル、カーボンナノコイル、カーボンナノホーン、カーボンナノボール等の炭素等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。導電性高分子等としては、上記の導電性高分子を挙げることができる。

　磁性吸収材料に用いられる導電性組成物としては、例えば、鉄、ケイ素鋼、磁性ステンレス（ＦｅＣｒＡ１Ｓｉ合金）、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ合金）、パーマロイ（ＦｅＮｉ合金）、ケイ素銅（ＦｅＣｕＳｉ合金）、ＦｅＳｉ合金、ＦｅＳｉＢ（ＣｕＮｂ）合金のような軟磁性金属、等を挙げることが出来る。

　導電吸収材料、誘電吸収材料、及び磁性吸収材料に用いられるバインダーとしては、上記の非晶質熱可塑性樹脂を主成分とすることが好ましく、非晶質熱可塑性樹脂が非晶質ポリエステル系樹脂であることがより好ましい。バインダーの配合量は、反射層で用いられるバインダーの配合量と同様である。

　吸収層の厚みＴ（Ｅ２）は、特に限定されないが、１μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、２μｍ以上８０μｍ以下がより好ましく、３μｍ以上５０μｍ以下がさらに好ましい。吸収層の厚みＴ（Ｅ２）が１μｍよりも薄い場合には、吸収層の構成材料等によっては基板搭載部品の端部で破断する恐れがあり、１００μｍよりも厚い場合には、吸収層の構成材料等によっては形状追従性が不足する恐れがある。かかる範囲の厚みＴ（Ｅ２）とすることによって、優れた電磁波シールド性を発揮させることができるため、吸収層の厚みＴ（Ｅ２）の薄膜化を実現すること、ひいては、電磁波遮断層３で被覆された電子部品４が搭載された基板５の軽量化を実現することができる。

　電磁波遮断層３の１５０℃における貯蔵弾性率は、１．０Ｅ＋０５Ｐａ以上１．０Ｅ＋０９Ｐａ以下が好ましく、５．０Ｅ＋０５Ｐａ以上５．０Ｅ＋０８Ｐａ以下がより好ましい。１５０℃における貯蔵弾性率がかかる範囲に設定されることによって、貼付の工程において、電磁波シールドフィルム１００を加熱して、基材層１を押圧し基板５上の凹凸６に電磁波遮断層３を押し込んで凹凸６を被覆する際に、電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性を向上させることができる。

　なお、上記のとおり、電磁波遮断層３は、反射層と吸収層とのいずれであってもよいが、ほぼ同じ電磁波シールド性を有する場合には、吸収層であるのが好ましい。吸収層では、吸収層に入射した電磁波を吸収し、熱エネルギーに変換することで遮断するため、この吸収により電磁波が消滅することから、反射層のように反射した電磁波が、電磁波遮断層３で被覆されていない他の部材等に対して誤作動等の悪影響をおよぼしてしまう、といった欠点を確実に防止することができる。

＜絶縁層＞
　本発明の電磁波シールドフィルムは、必要に応じて絶縁層を基材層１の上面や下面、あるいは電磁波遮断層３の下面に積層することが出来る。図１は、絶縁層２が電磁波遮断層３の下面に積層され、基板５の凹凸６に接する場合の例である。電磁波シールドフィルムを構成する層に絶縁層２を積層することによって、基板５と反対側に位置する他の電子部品等の部材から絶縁する。絶縁層２は電子部品の角部で破れないこと、Ｚ折りを行ってもクラックが発生しないことが重要である。

　絶縁層２は、熱硬化性絶縁樹脂でも熱可塑性絶縁樹脂でもどちらでもよいが、熱可塑性絶縁樹脂が好ましい。熱可塑性絶縁樹脂は、屈曲性に優れたフィルムとなることから、図１の例の場合の貼付工程において、絶縁層２を、凹凸６の形状に対応して確実に追従させることができる。また、熱可塑性絶縁樹脂は、その軟化点温度に加熱すると、接着対象の基板から再剥離することができるので、基板の修理の際には、特に有用である。

　熱可塑性絶縁樹脂としては、例えば、熱可塑性ポリエステル系樹脂、αオレフィン系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリビニルアセタール系樹脂、エチレン酢酸ビニル系樹脂、塩化ビニル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリアミド系樹脂、セルロース系樹脂、等が挙げられる。これらの中でも基板との密着性、屈曲性、耐薬品性に優れるという理由から熱可塑性ポリエステル系樹脂やαオレフィン系樹脂を用いることが好ましい。

　さらに、絶縁層２には、耐熱性や耐屈曲性等の性能を損なわない範囲で、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、ユリア系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂等を含有させることができる。また、熱可塑性絶縁樹脂には、接着性、耐ハンダリフロー性を劣化させない範囲で、シランカップリング剤、酸化防止剤、顔料、染料、粘着付与樹脂、可塑剤、紫外線吸収剤、消泡剤、レベリング調整剤、充填剤、難燃剤等を添加しでもよい。

　絶縁層２の厚みＴ（Ｄ）は、特に限定されないが、３μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、４μｍ以上３０μｍ以下がより好ましく、５μｍ以上２０μｍ以下がさらに好ましい。絶縁層２の厚みが３μｍより薄い場合には耐ハゼ折り性が不足し、凹凸６への熱圧着後に折り曲げ部にてクラックが発生したり、フィルム強度が低下し、電磁波遮断層３の絶縁性支持体としての役割を担うことが難しく、５０μｍよりも厚い場合には形状追従性が不足する恐れがある。すなわち、絶縁層２の厚みＴ（Ｄ）を上記範囲に設定することにより、絶縁層２の屈曲性を優れたものとすることができ、貼付工程において、絶縁層２を、凹凸６の形状に対応してより確実に追従させることができる。

　また、絶縁層２の２５～１５０℃における平均線膨張係数は、５０ｐｐｍ／℃以上１０００ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましく、１００ｐｐｍ／℃以上７００ｐｐｍ／℃以下であるのがより好ましい。絶縁層２の平均線膨張係数をかかる範囲に設定することにより、電磁波シールドフィルム１００の加熱時において、絶縁層２は、優れた伸縮性を有するものとなるため、絶縁層２及び電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。

　なお、この絶縁層２は、図１の様に１層で構成される場合に限らない。上述した絶縁フィルムのうち異なるものを積層させた２層以上の積層体であってもよい。

　以上、絶縁層について説明したが、本発明の電磁波シールドフィルム１００は、絶縁層は必要に応じて設ければよく、なくても良い。以下の第２実施形態～第６実施形態では、絶縁層は設けていない。

　以上の如き構成の電磁波シールドフィルム１００は、凹凸６に温度１５０℃、圧力２ＭＰａ、時間５分の条件で熱圧着した際の形状追従性は、凹凸６の段差が０．５ｍｍ以上であることが好ましく、０．８ｍｍ以上であることがより好ましく、１．０ｍｍ以上であることがさらに好ましい。本発明の電磁波シールドフィルム１００は、このように凹凸６の段差が大きくても凹凸６に対して優れた形状追従性と密着性を有する。

　なお、形状追従性は、次のようにして評価することができる。まず、縦１００ｍｍ×横１００ｍｍ×高さ２ｍｍのプリント配線板（マザーボード）に、幅０．２ｍｍ、間隔０．２ｍｍで必要高さの段差を有する溝を、碁盤目状に形成したプリント配線基板を作成する。このプリント配線基板に電磁波シールドフィルムを真空加圧式ラミネーターを用いて、１５０℃、２ＭＰａ、５分間の条件で圧着せしめ、プリント配線板に貼り付ける。貼付後、電磁波シールドフィルムから基材層を剥離し、プリント配線板に貼り付けた電磁波遮断層とプリント配線板上の溝との間に空隙があるかどうかを判断する。空隙があるかどうかは、マイクロスコープや顕微鏡で観察する。

　２．第２実施形態
　以下に、本発明の電磁波シールドフィルムの第２実施形態について説明する。
　図２に示す第２実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、基材層１が第２の層１３及び第３の層１２の２層から構成される。第１の層１１を含まないことを除いて、図１に示した第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様であるので、第１実施形態との相違点を中心に説明する。

　第２実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、凹凸６に電磁波遮断層３を押し込む際に用いられる真空加圧式ラミネーター等の押圧部が、第２の層１３との離型性を備えることにより第１の層１１の形成を省略できる。第２の層１３と真空加圧式ラミネーター等の押圧部が接触する接触面の離型性の程度は、接触面の表面張力で表すことができる。接触面の表面張力は、２０ｍＮ／ｍ以上４０ｍＮ／ｍ以下であることが好ましく、２５ｍＮ／ｍ以上３５ｍＮ／ｍ以下であることがより好ましい。これにより真空加圧式ラミネーター等の押圧部によって電磁波シールドフィルム１００を押し込みの後に、第２の層１３から押圧部を確実に剥離させることができる。

　第２実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様にして使用することができ、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様の効果が得られる。

３．第３実施形態
　以下に、本発明の電磁波シールドフィルムの第３実施形態について説明する。
　図３に示す第３実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、基材層１が第１の層１１及び第２の層１３の２層から構成される。第３の層１２を含まないことを除いて、図１に示した第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様であるので、第１実施形態との相違点を中心に説明する。

　第３実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、基材層１を電磁波遮断層３から剥離する際に、第２の層１３と電磁波遮断層３との界面で基材層１が電磁波遮断層３から剥離される。このような剥離では、電磁波遮断層３が第２の層１３との離型性を備えることにより第３の層１２の形成が省略できる。電磁波遮断層３と第２の層１３が接触する接触面の離型性の程度は、接触面の表面張力で表すことができる。接触面の表面張力は、２０ｍＮ／ｍ以上４０ｍＮ／ｍ以下であるのが好ましく、２５ｍＮ／ｍ以上３５ｍＮ／ｍ以下であるのがより好ましい。かかる範囲の表面張力を接触面が有することにより、真空加圧式ラミネーター等の押圧部によって電磁波シールドフィルム１００を押し込みの後に、電磁波遮断層３から第２の層１３を確実に剥離することができる。

　第３実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様にして使用することができ、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様の効果が得られる。

　４．第４実施形態
　以下に、本発明の電磁波シールドフィルムの第４実施形態について説明する。
　図４に示す第４実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、基材層１が第１の層１１、第２の層１３、または第３の層１２から選ばれるいずれか１層で構成されている。この他は、第１実施形態、第２実施形態及び第３実施形態の電磁波シールドフィルム１００のいずれかと同様であるので、第１実施形態、第２実施形態、及び第３実施形態との相違点を中心に説明する。

　第４実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、基材層１を構成する第１の層１１、第２の層１３、または第３の層１２のいずれか１層が、電磁波遮断層３から剥離される際に、電磁波遮断層３が基材層１との離型性を備えることにより他の２層を省略できる。また、第４実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、基材層１を構成する第１の層１１、第２の層１３、または第３の層１２のいずれか１層に対して、凹凸６に電磁波遮断層３を押し込む際に用いられる真空加圧式ラミネーター等の押圧部が離型性を備えることにより他の２層を省略できる。この場合電磁波遮断層３と、基材層１を構成する第１の層１１、第２の層１３、または第３の層１２のいずれか１層と接触する接触面の離型性の程度は、接触面の表面張力で表すことができる。接触面の表面張力は、２０ｍＮ／ｍ以上４０ｍＮ／ｍ以下であるのが好ましく、２５ｍＮ／ｍ以上３５ｍＮ／ｍ以下であるのがより好ましい。かかる範囲の表面張力を接触面が有することにより、基材層１から押圧部を確実に剥離させることができると共に、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、電磁波遮断層３から基材層１を確実に剥離することができる。

　第４実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様にして使用することができ、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様の効果が得られる。

５．第５実施形態
　以下に、本発明の電磁波シールドフィルムの第５実施形態について説明する。
　図５に示す第５実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、図１に示した第１実施形態の電磁波遮断層３が単層の構成であるのに対して、吸収層３１及び反射層３２の２層からなる積層体で構成されている。この他は、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様であるので、図１に示す第１実施形態との相違点を中心に説明する。第５実施形態の電磁波遮断層３は、基材層１の第３の層１２の下面に、吸収層３１及び反射層３２がこの順に積層され、反射層３２が凹凸６に密着する。
　第５実施形態では、電磁波遮断層３が吸収層３１と、反射層３２とからなる積層体で構成されることによって、電磁波遮断層３による電磁波シールド性をより向上させることができる。

　吸収層３１及び反射層３２の１５０℃における貯蔵弾性率は、いずれも１．０Ｅ＋０５Ｐａ以上１．０Ｅ＋０９Ｐａ以下であるのが好ましく、５．０Ｅ＋０５Ｐａ以上５．０Ｅ＋０８Ｐａ以下であるのがより好ましい。吸収層３１及び反射層３２における貯蔵弾性率を、上記範囲に設定することにより、基材層１からの押圧力に応じて、電磁波遮断層３の反射層３２を凹凸６の形状に対応してより確実に密着させることができる。

　第５実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様にして使用することができ、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様の効果が得られる。

　６．第６実施形態
　以下に、本発明の電磁波シールドフィルムの第６実施形態について説明する。
　図６に示す第６実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、第５実施形態の電磁波遮断層３を構成する吸収層３１及び反射層３２を逆に積層した他は、第５実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様であるので、第５実施形態との相違点を中心に説明する。第６実施形態の電磁波遮断層３は、基材層１の第３の層１２の下面に、反射層３２及び吸収層３１が、この順に積層され、吸収層３１が凹凸６に密着する。第６実施形態では、電磁波遮断層３が吸収層３１と、反射層３２とからなる積層体で構成されることによって、電磁波遮断層３による電磁波シールド性をより向上させることができる。

　電磁波遮断層３の吸収層３１及び反射層３２の１５０℃における貯蔵弾性率は、第５実施形態の場合と同様である。吸収層３１及び反射層３２における貯蔵弾性率を、上記範囲に設定することにより、基材層１からの押圧力に応じて、電磁波遮断層３の吸収層３１を凹凸６の形状に対応してより確実に密着させることができる。

　第６実施形態の電磁波シールドフィルム１００は、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様にして使用することができ、第１実施形態の電磁波シールドフィルム１００と同様の効果が得られる。

　第５実施形態と第６実施形態は類似するが、両者を比較した場合、反射層３２が電子部品の凹凸６に直接密着している第５実施形態の方が、電磁波遮断性は好ましい。

　第５実施形態及び第６実施形態は、電磁波遮断層３が反射層３２と吸収層３１の２層よりなるが、さらに各種の反射層と各種の吸収層を有する多層構造とすることもできる。

７．その他の実施形態
　以上、本発明の電磁波シールドフィルムの第１実施形態～第６実施形態について説明したが、本発明は、これ等に限定されるものではない。
　例えば、本発明の電磁波シールドフィルムとしては、第１実施形態～第６実施形態の他、基材層１を構成する第１の層、第２の層、または第３の層の各々がさらに２層以上の積層体である実施形態、電磁波遮断層が３層以上の積層体である実施形態、絶縁層が２層以上の積層体である実施形態、あるいはさらに他の任意の機能層が積層された実施形態、等多種多様な層の積層体を包含する。

８．電子部品の被覆方法
　図７は、図１～図６に示す本発明の電磁波シールドフィルム１００を用いた電子部品の被覆方法を説明するための縦断面図である。本発明の第１実施形態～第６実施形態の電磁波シールドフィルム１００を用いた、本発明のフレキシブルプリント基板を含む電子部品の被覆方法について説明する。

　電子部品の被覆方法は、少なくとも貼付工程、及び剥離工程の２つの工程を含む。貼付工程は、図７（ａ）に示すように、電子部品の基板５上に設けられた凹凸６に電磁波シールドフィルム１００を貼付する工程である。貼付する方法としては、特に限定されないが、例えば、真空圧空成形が挙げられる。剥離工程は、図７（ｂ）に示すように、貼付工程の後、基材層１を電磁波遮断層３から剥離する工程である。

　貼付工程における真空圧空成形は、例えば、真空加圧式ラミネーター等によって、電磁波シールドフィルム１００を基板５上の凹凸６に被覆する方法である。まず、真空雰囲気下で基板５の凹凸６が形成されている面と電磁波遮断層３の面とを対向してセットし、電磁波シールドフィルム１００及び電子部品の全体を加熱して接近せしめ、真空雰囲気下のまま基材層１の上部から真空加圧式ラミネーターを用いて均一に加圧することにより実施される。加圧によって、基材層１及び電磁波遮断層３が凹凸６の形状に対応して形状追従して変形し、電磁波遮断層３が凹凸６の空間に押し込まれる状態で被覆される。
　本発明では、基材層１の１５０℃における貯蔵弾性率が２．０Ｅ＋０５Ｐａ以上５．０Ｅ＋０８Ｐａ以下の範囲にあるため、基材層１は凹凸６に対して優れた形状追従性を発揮する事が出来る。

　加熱温度は、電磁波遮断層３が凹凸６に押し込まれ貼り付く温度であれば良く、１００℃以上２００℃以下であることが好ましく、１２０℃以上１８０℃以下であることがより好ましい。基材層１の上部から真空加圧式ラミネーターを用いて均一に加圧する圧力は、電磁波遮断層３が凹凸６に押し込まれ貼り付く圧力であれば良く、０．５ＭＰａ以上５．０ＭＰａ以下であることが好ましく、１．０ＭＰａ以上、３０ＭＰａ以下であることがより好ましい。貼付する時間は、１分以上３０分以下であることが好ましく、５分以上１５分以下であることがより好ましい。

　貼付工程を、上記条件下で実施することにより、凹凸６に電磁波遮断層３を押し込んだ状態で確実に被覆することができる。また、凹凸６の形状に対応して電磁波シールドフィルム１００の形状を適宜設定することにより、凹凸６を選択的に電磁波遮断層３で被覆することができる。

　剥離工程は、図７（ｂ）に示すように、貼付工程の後、電磁波遮断層３から基材層１を剥離する工程である。基材層１を剥離する方法は、電磁波シールドフィルム１００が高温の状態では手作業による剥離が好ましい。手作業による剥離では、まず基材層１の方の端部を把持し、この把持した端部から基材層１を電磁波遮断層３から引き剥がし、次いで、この端部から中央部へさらには他方の端部へと順次基材層１を引き剥がすことにより、電磁波遮断層３から基材層１を剥離することができる。剥離する時の温度は、１８０℃以下であることが好ましく、１５０℃以下であることがより好ましく、１００℃以下であることがさらに好ましい。

　貼付工程とその後の剥離工程によって、本発明の電磁波シールドフィルム１００を電子部品の凹凸６に貼り付けたのち、基材層１を電磁波遮断層３から剥離する事によって、電磁波遮断層３が隙間なく被覆した凹凸６を得ることが出来る。また、電子部品の被覆方法は、貼付工程及び剥離工程の他にさらに任意の工程を追加しても良い。

　以上の様な工程を経ることにより、電子部品を搭載する基板、特に、１ｍｍ以上の段差を有する電子部品を搭載する基板に対して、電磁波シールドフィルムを被覆部材として備えることができる。また、フレキシブルプリント基板に対して、電磁波シールドフィルムを電磁波遮蔽部材として備えることができる。

次に、本実施形態の電磁波シールド用フィルム、および電子部品搭載基板を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて、詳細に説明する。

本実施形態の電磁波シールド用フィルムは、基材層と、該基材層に積層された、導電性高分子と金属粉を主材料として含有する電磁波遮断層とを含んで構成されることを特徴する。

このような電磁波シールド用フィルムによれば、電磁波遮断層の軽量化・薄型化を図ることができるとともに、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで効果的に遮断することができる。

＜電磁波シールド用フィルム＞
＜第７実施形態＞
図８は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第１実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

なお、本実施形態では、本発明の電磁波シールド用フィルムを、基板５上の凹凸６を被覆するために用いる場合を、一例に説明する。

図８に示すように、本実施形態において、電磁波シールド用フィルム１００は、基材層１と、絶縁層２と、電磁波遮断層３とを含んで構成され、絶縁層２および電磁波遮断層３は、基材層１の下面（一方の面）側から、絶縁層２が基材層１に接触して、この順で積層されている。

また、基材層１は、第１の層１１と、第２の層１３と、第３の層１２とで構成され、これらが基材層１の上面（他方の面）側から、この順で積層されている。

なお、以下では、基板５上に電子部品４が搭載（載置）され、この電子部品４の搭載により基板５上に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成されており、この凹凸６を電磁波シールド用フィルム１００で被覆する場合について説明する。なお、基板５上に搭載する電子部品４としては、例えば、フレキシブル回路基板(ＦＰＣ)上に搭載されているＬＣＤドライバーＩＣ、タッチパネル周辺のＩＣ＋コンデンサーまたは電子回路基板（マザーボード）が挙げられる。

＜基材層１＞
まず、基材層１について説明する。

基材層１は、貼付工程において、電磁波シールド用フィルム１００を用いて、基板５上の凹凸６に絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込むことで、この凹凸６を被覆する際に、絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込み（埋め込み）、これら絶縁層２および電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性を向上させるための基材として機能するものである。また、剥離工程において、凹凸６に絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込んだ状態で、これらから剥離するものである。

また、この基材層１の１５０℃における貯蔵弾性率は、２．０Ｅ＋０５～２．０Ｅ＋０８Ｐａであるのが好ましく、１．０Ｅ＋０６～１．０Ｅ＋０８Ｐａであるのがより好ましく、３．０Ｅ＋０６～６．０Ｅ＋０７Ｐａであるのがさらに好ましい。前記貯蔵弾性率を前記範囲内とすることにより、基板５に設けられた凹凸６における段差が５００μｍ～３．０ｍｍ、好ましくは１．０～３．０ｍｍのもののように段差が大きいものであったり、前記凹凸６における凸部６１同士の離間距離（ピッチ）が１００μｍ～２００μｍ、好ましくは１００μｍ～１５０μｍのもののように離間距離が小さいものであったとしても、絶縁層２および電磁波遮断層３を凹凸６の形状に対応した状態で確実に押し込むことができる。

また、基材層１は、２５℃における貯蔵弾性率が１．０Ｅ＋０７～１．０Ｅ＋１０Ｐａであるのが好ましく、５．０Ｅ＋０８～５．０Ｅ＋０９Ｐａであるのがより好ましい。このように、常温（室温）時、すなわち２５℃における貯蔵弾性率を前記範囲内に設定することにより、基材層１を、電磁波シールド用フィルム１００の加熱前には液状ではなく固形状をなし、電磁波シールド用フィルム１００の加熱時には半固形状（ゲル状）をなすものとすることができる。そのため、基材層１（電磁波シールド用フィルム１００）の基板５への貼付時には、基材層１を基板５に対してシワ等を生じさせることなく貼付することができ、また規定のサイズにカットする際の作業性も向上するとともに、基板５に設けられた凹凸６への押し込み時には、絶縁層２および電磁波遮断層３を凹凸６が有する凹部６２内に、この基材層１をもって確実に押し込むことができる。なお、かかる貯蔵弾性率の特性を有する基材層１は、少なくとも第１の層１１および第３の層１２が熱可塑性樹脂で構成され、貼付工程における電磁波シールド用フィルム１００の加熱後においても、その２５℃における貯蔵弾性率が前記範囲内を維持しているのが好ましい。これにより、剥離工程において、絶縁層２から基材層１を容易に剥離させることができる。

さらに、基材層１の１２０℃における貯蔵弾性率をＡ［Ｐａ］とし、基材層１の１５０℃における貯蔵弾性率をＢ［Ｐａ］としたとき、０．０２≦Ａ／Ｂ≦１．００なる関係を満足するのが好ましく、０．０２≦Ａ／Ｂ≦０．５０なる関係を満足するのがより好ましい。かかる関係を満足する基材層１は、その加熱時において、加熱時の温度変化に起因する基材層１の貯蔵弾性率の変化の幅が小さいものと言うことができる。したがって、加熱時の温度条件をたとえ変化させたとしても、この温度変化に起因する基材層１の貯蔵弾性率の変化の幅を必要最小限にとどめることができるため、絶縁層２および電磁波遮断層３を凹凸６が有する凹部６２内に、この基材層１をもってより確実に押し込むことができる。

このように、絶縁層２および電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性を向上させるための基材として機能する基材層１の加熱時における貯蔵弾性率を、前記範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１００を用いて、基板５上の凹凸６を被覆する際に、絶縁層２および電磁波遮断層３を凹凸６の形状に対応した状態で確実に押し込むことができる。その結果、この凹凸６が設けられた基板５を、電磁波遮断層３をもって確実に被覆することができるため、この電磁波遮断層３による凹凸６が設けられた基板５に対する電磁波シールド（遮断）性が向上することとなる。

なお、各層の２５℃、１２０℃および１５０℃における貯蔵弾性率は、前述した方法と同様の方法により求めることができる。

本実施形態では、基材層１は、第１の層１１と、第２の層１３と、第３の層１２とで構成され、これらが基材層１の上面（他方の面）側から、この順で積層されたものであり、上述したように、絶縁層２および電磁波遮断層３を凹凸６の形状に対応して押し込むことができるように、これら各層１１～１３の種類、および厚さ等が適宜組み合わされる。

以下、これら各層１１～１３について、それぞれ、説明する。
第１の層１１は、貼付工程において、基板５上の凹凸６に絶縁層２および電磁波遮断層３を、例えば、真空加圧式ラミネーター等を用いて押し込む際に、真空加圧式ラミネーター等が有する押圧部との離型性の機能を付与するためのものである。また、第２の層１３側に押圧部からの押圧力を伝播するためのものである。

この第１の層（第１離型層）１１の構成材料としては、特に限定されず、例えば、第１実施形態で挙げられたものと同様のものが挙げられる。これらの中でも、シンジオタクチックポリスチレンを用いることが好ましい。このように、ポリスチレンとしてシンジオタクチック構造を有するものを用いることにより、ポリスチレンを、結晶性を備えるものとすることができるため、これに起因して、第１の層１１の装置との離型性、さらには耐熱性および形状追従性を優れたものとすることができる。

第１の層１１に前記シンジオタクチックポリスチレンを用いる場合、その含有量は、特に制限されないが、６０重量％以上であることが好ましく、７０重量％以上、９５重量％以下であることがより好ましく、さらには８０重量％以上、９０重量％以下であることが好ましい。シンジオタクチックポリスチレンの含有量が前記下限値未満である場合、第１の層１１の離型性が低下するおそれがある。また、シンジオタクチックポリスチレンの含有量が前記上限値を超える場合、第１の層１１の形状追従性が不足するおそれがある。

なお、第１の層１１は、シンジオタクチックポリスチレンのみで構成されていても構わない。また、第１の層１１は、前記シンジオタクチックポリスチレンの他に、さらにスチレン系エラストマー、ポリエチレンまたはポリプロピレン等を含有していてもよい。

第１の層１１の厚みＴ（Ａ）は、特に限定されないが、５μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上、７０μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは２０μｍ以上、５０μｍ以下である。第１の層１１の厚みが前記下限値未満である場合、第１の層１１が破断し、その離型性が低下するおそれがある。また、第１の層１１の厚みが前記上限値を超える場合、基材層１の形状追従性が低下し、電磁波遮断層３および絶縁層２の形状追従性が低下するおそれがある。

また、第１の層１１の２５～１５０℃における平均線膨張係数は、５０～１０００［ｐｐｍ／℃］であるのが好ましく、１００～７００［ｐｐｍ／℃］であるのがより好ましい。第１の層１１の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１００の加熱時において、第１の層１１は、優れた伸縮性を有するものとなるため、電磁波遮断層３および絶縁層２の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。

なお、各層の平均線膨張係数は、例えば、熱機械分析装置（セイコーインスツルメント社製、「ＴＭＡＳＳ６１００」）を用いて、測定すべき各層の貯蔵弾性率を、２５～２００℃まで、４９ｍＮの一定荷重の引張モードで昇温速度５℃／分で測定し、２５℃～１５０℃での平均線膨張係数を、それぞれ読み取ることにより求めることができる。

さらに、第１の層１１の表面張力は、２０～４０［ｍＮ／ｍ］であるのが好ましく、２５～３５［ｍＮ／ｍ］であるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を有する第１の層１１を優れた離型性を備えるものと言うことができ、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、押圧部から第１の層１１を剥離させることができる。

第３の層１２は、貼付工程において、基板５上の凹凸６に対する絶縁層２および電磁波遮断層３の押し込みを、真空加圧式ラミネーター等を用いて実施した後に、剥離工程において、基材層１を絶縁層２から剥離する際に、基材層１に剥離性の機能を付与するためのものである。また、基板５上の凹凸形状に応じて、第３の層１２が追従する追従性の機能を有し、かつ、絶縁層２側に、押圧部からの押圧力を伝播する機能を併せ持つものである。

この第３の層（第２離型層）１２の構成材料としては、特に限定されず、例えば、第１実施形態で挙げられたものと同様のものが挙げられる。これらの中でも、シンジオタクチックポリスチレンを用いることが好ましい。このように、ポリスチレンとしてシンジオタクチック構造を有するものを用いることにより、ポリスチレンを、結晶性を備えるものとすることができるため、これに起因して、第３の層１２の絶縁層２との離型性、さらには耐熱性および形状追従性を優れたものとすることができる。

第３の層１２における前記シンジオタクチックポリスチレンの含有量は、特に制限されず、シンジオタクチックポリスチレンのみで構成されていても構わないが、６０重量％以上であることが好ましく、７０重量％以上、９５重量％以下であることがより好ましく、さらには８０重量％以上、９０重量％以下であることが好ましい。シンジオタクチックポリスチレンの含有量が前記下限値未満である場合、第３の層１２の離型性が低下するおそれがある。また、シンジオタクチックポリスチレンの含有量が前記上限値を超える場合、第３の層１２の形状追従性が不足するおそれがある。

なお、第３の層１２は、前記シンジオタクチックポリスチレンの他に、さらにスチレン系エラストマー、ポリエチレンまたはポリプロピレン等を含有していてもよい。また、第３の層１２と、前記第１の層１１とを構成する樹脂は、同じであっても異なっていても構わない。

第３の層１２の厚みＴ（Ｂ）は、特に限定されないが、５μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上、７０μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは２０μｍ以上、５０μｍ以下である。第３の層１２の厚みが前記下限値未満である場合、耐熱性が不足し、熱圧着工程で基材層の耐熱性が不足し、変形が発生し、電磁波遮断層および絶縁層が変形するおそれがある。また、第３の層１２の厚みが前記上限値を超える場合、電磁波シールド用フィルム全体の総厚みが厚くなり、カット等の作業性が低下するおそれがあり、また、コスト面でも経済的ではない。

なお、第３の層１２と、第１の層１１の厚みは、同じであっても異なっていても構わない。

また、第３の層１２の２５～１５０℃における平均線膨張係数は、５０～１０００［ｐｐｍ／℃］であるのが好ましく、１００～７００［ｐｐｍ／℃］であるのがより好ましい。第３の層１２の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１００の加熱時において、第３の層１２は、優れた伸縮性を有するものとなるため、第３の層１２、さらには電磁波遮断層３および絶縁層２の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。

さらに、第３の層１２の表面張力は、２０～４０［ｍＮ／ｍ］であるのが好ましく、２５～３５［ｍＮ／ｍ］であるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を有する第３の層１２を優れた離型性を備えるものと言うことができ、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、基材層１を絶縁層２から剥離する際に、第３の層１２と絶縁層２との界面において、基材層１を確実に剥離させることができる。

第２の層１３は、貼付工程において、基材層１を押し込み用の基材として用いて基板５上の凹凸６に対して絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込む際に、第３の層１２を、凹凸６に対して押し込む（埋め込む）ためのクッション機能を有するものである。また、第２の層１３は、この押し込む力を、第３の層１２、さらには、この第３の層１２を介して絶縁層２および電磁波遮断層３に、均一に作用させる機能を有しており、これにより、電磁波遮断層３と凹凸６との間にボイドを発生させることなく、絶縁層２および電磁波遮断層３を凹凸６に対して優れた密閉性をもって押し込むことができる。

この第２の層（クッション層）１３の構成材料としては、例えば、第１実施形態で挙げられたものと同様のものが挙げられ、これらを単独あるいは複数併用してもよい。これらの中でも、αオレフィン系共重合体を用いることが好ましい。具体的には、エチレン等のαオレフィンと、（メタ）アクリル酸エステルとの共重合体、エチレンと酢酸ビニルとの共重合体、エチレンと（メタ）アクリル酸との共重合体（ＥＭＭＡ）、およびそれらの部分イオン架橋物等が挙げられる。αオレフィン系共重合体は、形状追従性に優れ、さらに、第３の層１２の構成材料と比較して柔軟性に優れることから、かかる構成材料で構成される第２の層１３に、第３の層１２を凹凸６に対して押し込む（埋め込む）ためのクッション機能を確実に付与することができる。

第２の層１３の厚みＴ（Ｃ）は、特に限定されないが、１０μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上、８０μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは３０μｍ以上、６０μｍ以下である。第２の層１３の厚みが前記下限値未満である場合、第２の層１３の形状追従性が不足し、熱圧着工程で凹凸６への追従性が不足するというおそれがある。また、第２の層１３の厚みが前記上限値を超える場合、熱圧着工程において、第２の層１３からの樹脂のシミ出しが多くなり、圧着装置の熱盤に付着し、作業性が低下するというおそれがある。

また、第２の層１３の２５～１５０℃における平均線膨張係数は、５００以上［ｐｐｍ／℃］であるのが好ましく、１０００以上［ｐｐｍ／℃］であるのがより好ましい。第２の層１３の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１００の加熱時において、第２の層１３を、第３の層１２と比較してより優れた伸縮性を有するものと容易にすることができる。そのため、第２の層１３、さらには電磁波遮断層３および絶縁層２の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。

なお、各層１１～１３の平均線膨張係数を、それぞれ、前述した範囲内において適宜設定することで、基材層１の１５０℃における貯蔵弾性率を２．０Ｅ＋０５～２．０Ｅ＋０８Ｐａの範囲内に容易に設定することができる。

また、第１の層１１の厚みＴ（Ａ）と、第３の層１２の厚みＴ（Ｂ）と、第２の層１３の厚みＴ（Ｃ）とは、例えば、次の関係式を満たすことが好ましく、
０．０５＜Ｔ（Ｃ）／（Ｔ（Ａ）＋Ｔ（Ｂ））＜１０、
次の関係式を満たすことがより好ましく、
０．１４＜Ｔ（Ｃ）／（Ｔ（Ａ）＋Ｔ（Ｂ））＜４、
さらに好ましくは次の関係式を満たすことである、
０．３＜Ｔ（Ｃ）／（Ｔ（Ａ）＋Ｔ（Ｂ））＜１．５。

第１の層１１の厚みＴ（Ａ）と、第３の層１２の厚みＴ（Ｂ）と、第２の層１３の厚みＴ（Ｃ）とが、前記関係式を満たすことにより、形状追従性がより向上する。

基材層１の全体の厚みＴ（Ｆ）は、特に限定されないが、２０μｍ以上、３００μｍ以下であることが好ましく、４０μｍ以上、２２０μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは７０μｍ以上、１６０μｍ以下である。基材層１の全体の厚みが前記下限値未満である場合、第１の層１１が破断し、基材層１の離型性が低下するというおそれがある。また、基材層１の全体の厚みが前記上限値を超える場合、基材層１の形状追従性が低下し、電磁波遮断層３および絶縁層２の形状追従性が低下するというおそれがある。

＜絶縁層２＞
次に、絶縁層２について説明する。

絶縁層２は、本実施形態では、基材層１（第３の層１２）に接触して設けられ、基材層１側から絶縁層２、電磁波遮断層３の順で積層されている。このように積層された絶縁層２および電磁波遮断層３を備える電磁波シールド用フィルム１００を用いて基板５上の凹凸６を被覆することで、基板５および電子部品４に電磁波遮断層３が接触し、基板５側から電磁波遮断層３、絶縁層２の順で被覆することとなる。

このように、本実施形態では、絶縁層２は、基板５および電子部品４を、電磁波遮断層３を介して被覆し、これにより、基板５、電子部品４および電磁波遮断層３を、絶縁層２を介して基板５と反対側に位置する他の部材（電子部品等）から絶縁する。

この絶縁層２としては、例えば、熱硬化性を有する絶縁樹脂または熱可塑性を有する絶縁樹脂（絶縁フィルム）が挙げられる。これらの中でも、熱可塑性を有する絶縁樹脂を用いることが好ましい。熱可塑性を有する絶縁樹脂は、屈曲性に優れたフィルムであることから、貼付工程において、基材層１を押し込み用の基材として用いて基板５上の凹凸６に対して絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込む際に、絶縁層２を、凹凸６の形状に対応して確実に追従させることができる。また、熱可塑性を有する絶縁樹脂は、その軟化点温度に加熱すると、接着対象の基板から再剥離することができるので、基板の修理の際には、特に有用である。

　熱可塑性を有する絶縁樹脂としては、例えば、熱可塑性ポリエステル、α－オレフィン、酢酸ビニル、ポリビニルアセタール、エチレン酢酸ビニル、塩化ビニル、アクリル、ポリアミド、セルロースが挙げられる。これらの中でも基板との密着性、屈曲性、耐薬品性に優れるという理由から熱可塑性ポリエステル、α－オレフィンを用いることが好ましい。

さらに、熱可塑性を有する絶縁樹脂には、耐熱性や耐屈曲性等の性能を損なわない範囲で、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、ユリア系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂等を含有させることができる。また、熱可塑性を有する絶縁樹脂には、後述する導電性接着剤層の場合と同様に、接着性、耐ハンダリフロー性を劣化させない範囲で、シランカップリング剤、酸化防止剤、顔料、染料、粘着付与樹脂、可塑剤、紫外線吸収剤、消泡剤、レベリング調整剤、充填剤、難燃剤等を添加してもよい。

絶縁層２の厚みＴ（Ｄ）は、特に限定されないが、３μｍ以上、５０μｍ以下であることが好ましく、４μｍ以上、３０μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは５μｍ以上、２０μｍ以下である。絶縁層２の厚みが前記下限値未満である場合、耐ハゼ折り性が不足し、凹凸６への熱圧着後に折り曲げ部にてクラックが発生したり、フィルム強度が低下し、導電性接着剤層の絶縁性支持体としての役割を担うことが難しい。前記上限値を超える場合、形状追従性が不足するおそれがある。すなわち、絶縁層２の厚みＴ（Ｄ）を前記範囲内に設定することにより、絶縁層２を屈曲性により優れたものとすることができ、貼付工程において、基材層１を押し込み用の基材として用いて基板５上の凹凸６に対して絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込む際に、絶縁層２を、凹凸６の形状に対応してより確実に追従させることができる。

また、絶縁層２の２５～１５０℃における平均線膨張係数は、５０～１０００［ｐｐｍ／℃］であるのが好ましく、１００～７００［ｐｐｍ／℃］であるのがより好ましい。絶縁層２の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１００の加熱時において、絶縁層２は、優れた伸縮性を有するものとなるため、絶縁層２、さらには電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。

なお、この絶縁層２は、図８、９で示したように、１層で構成されるものの他、上述した絶縁フィルムのうち異なるものを積層させた２層以上の積層体であってもよい。

＜電磁波遮断層３＞
次に、電磁波遮断層（遮断層）３について説明する。

電磁波遮断層３は、基板５上に設けられた電子部品４と、この電磁波遮断層３を介して、基板５（電子部品４）と反対側に位置する他の電子部品等とを、これら少なくとも一方から生じる電磁波を遮断（シールド）する機能を有する。

ここで、一般的に、電磁波を遮断する機能を発揮するには、電磁波遮断層に入射した電磁波を反射することにより遮断（遮蔽）する反射層と、電磁波遮断層に入射した電磁波を吸収することにより遮断（遮蔽）する吸収層とが知られている。

このような反射層と吸収層とでは、これらが、ほぼ同一の電磁波シールド性を有していると仮定した場合、吸収層では、吸収層に入射した電磁波を吸収し、熱エネルギーに変換することで遮断して、この吸収により電磁波を消滅させる。そのため、反射層のように反射した電磁波が電磁波遮断層で被覆されていない他の部材等に対して誤作動等の悪影響をおよぼしてしまうのを確実に防止することができるという観点から、電磁波遮断層を吸収層で構成するのが好ましい。

　そこで、本発明者は、電磁波を遮断する電磁波遮断層として知られる導電性高分子を主材料として含有する電磁波遮断層に着目し、かかる電磁波遮断層について、鋭意検討した結果、導電性高分子と金属粉を併用することで、反射層としての機能を電磁波遮蔽層が優位に発揮することなく、吸収層としての機能を電磁波遮蔽層が優位に発揮することがわかってきた。
　すなわち、電磁波遮断層が、導電性高分子と金属粉を含むことで、吸収層としての機能を的確に発揮させることができ、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで、電磁波の吸収により電磁波を効果的に遮断し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。

　次に導電性高分子について説明する。
本発明の導電性高分子は、特に限定されず、例えば、第１実施形態で挙げられたものと同様のものが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、ポリアニリンであるのが好ましい。これらによれば、電磁波遮断層３の軽量化・薄型化を図ったとしても、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波までより確実に遮断することができるようになる。

また、導電性高分子として、ポリアニリンを用いる場合、その粒子径の平均値（平均粒径）は、０．５μｍ以上、１０μｍ以下であるのが好ましく、１．０μｍ以上、５．０μｍ以下であるのがより好ましい。
　ポリアニリンの粒子径を、それぞれ、前記範囲内に設定することにより、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで確実に遮断することができるとともに、形成される電磁波遮断層３をより均一な膜厚を有するものとすることができる。

また、電磁波遮断層３における導電性高分子の含有量は、５ｗｔ％以上、５０ｗｔ％以下であるのが好ましく、８ｗｔ％以上、４０ｗｔ％以下であるのがより好ましい。前記範囲内であると電磁波シールド性とフィルム性が保たれるため好ましい。

　次に金属粉について説明する。
　本発明の金属粉は、特に限定されず、例えば、金、銀、銀コート銅、銅、ニッケル等であり、中でも銀、銀コート銅が導電性の点から好ましい。

　金属粉の形状は、特に限定されず、例えば、球状、針状、樹枝状、鱗片状、フレーク状などが挙げられる。中でも、鱗片状を用いると、粒子同士が接触しやすくなり、導電性が向上するため好ましい。
　鱗片状の形状とは、平板な形状であればよく、特に平面形状は限定されない。種々の形状の粒子を押しつぶしたり、叩き潰したりして形成した鱗片状金属粉が、コストや生産性の面で好適に用いられる。

　鱗片状金属粉の大きさは、平均厚さが０．０１μｍ以上１μｍ以下であり、かつ、平均粒径が１μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。前記範囲内であると分散性と配向性が良好であり電磁波シールド性が保たれるため好ましい。
　なお、金属粉の平均粒径や平均厚さは、レーザー回折散乱法により測定することができる。

電磁波遮断層３における金属粉の含有量は、４０ｗｔ％以上、８０ｗｔ％以下であるのが好ましく、４５ｗｔ％以上、７５ｗｔ％以下であるのがより好ましい。前記範囲内であると電磁波シールド性が保たれるため好ましい。

上記のような、導電性高分子と、金属粉を併用することで、これらのいずれか一方を単独使用した場合と比較して、高周波帯域の電磁波を遮蔽する効果が格段に向上することが認められる。これは、金属粉粒子間の隙間を導電性高分子が埋めることによって、抵抗値が下がり、電磁波を遮蔽する効果が向上すると考えられる。

電磁波遮断層３は、前述した導電性高分子と金属粉以外の樹脂を用いてもよい。すなわち、導電性高分子を製膜することで、金属粉以外の成分を含有することなく、フィルム化してもよいが、バインダー樹脂を使用して、製膜化してもよい。

バインダー樹脂としては特に限定されないが、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等を使用することができる。電磁波遮断層３の耐熱性と柔軟性を両立できるポリエステル樹脂を使用することが好ましい。

上記ポリエステル樹脂としては、市販のポリエステル樹脂が利用できる。好ましくは、熱可塑性飽和型共重合ポリエステル樹脂を用いるとよい。その中でも、平均分子量が２０００～４００００の範囲に有るものが好ましく使用できる。

電磁波遮断層３の厚みＴは、特に限定されないが、１μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましく、２μｍ以上、８０μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは、３μｍ以上、５０μｍ以下である。電磁波遮断層３の厚みが前記下限値未満である場合、電磁波遮断層３の構成材料等によっては、基板搭載部品の端部で破断するおそれがある。また、電磁波遮断層３の厚みが前記上限値を超える場合、電磁波遮断層３の構成材料等によっては形状追従性が不足するおそれがある。また、かかる範囲内の厚みＴとしても、優れた電磁波シールド性を発揮させることができるため、電磁波遮断層３の厚みＴの薄膜化を実現すること、ひいては、基板５上において絶縁層２および電磁波遮断層３で被覆された電子部品４が搭載された電子部品搭載基板の軽量化を実現することができる。

以上のような電磁波遮断層３は、マイクロストリップライン法（ＭＳＬ法）を用いて測定した、周波数０．２～１０ＧＨｚにおける、電磁波を遮断（シールド）する電磁波シールド性（吸収性）が５ｄＢ以上であるのが好ましく、６ｄＢ以上であるのがより好ましく、７ｄＢ以上であるのがさらに好ましい。ここで、ＭＳＬ法では、電磁波を遮断する電磁波シールド性は、以下で説明する測定方法の特性から、主として電磁波を吸収することにより遮断する吸収性（吸収能）を表す値として測定される。したがって、前記範囲内の電磁波シールド性（吸収性）を有する電磁波遮断層３であれば、電磁波遮断層３に入射した電磁波を吸収することにより遮断（遮蔽）することで優れた電磁波シールド性を発揮する電磁波遮断層（吸収層）３と言うことができ、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで確実に遮断することができる。

なお、ＭＳＬ法を用いた測定は、例えば、ＩＥＣ規格６２３３３－２に準拠して、５０Ωのインピーダンスを有するマイクロストリップラインと、ネットワークアナライザーとを用いて、反射成分Ｓ１１と透過成分Ｓ２１を測定することにより行われ、電磁波シールド性（吸収性）は、下記式（１）および下記式（２）を用いることにより求めることができる。

ロス率（Ｐ（ｌｏｓｓ）／Ｐ（ｉｎ））＝１－（Ｓ１１２＋Ｓ２１２）／１（１）
電磁波シールド性（伝送減衰率）＝－１０・ｌｏｇ［１０＾（Ｓ２１／１０）／｛１－１０＾（Ｓ１１／１０）｝］（２）

さらに、電磁波遮断層３は、関西電子工業振興センターで開発されたＫＥＣ法を用いて測定した周波数０．２～１ＧＨｚにおける、電磁波を遮断（シールド）する電磁波シールド性（吸収性＋反射性）が２５ｄＢ以上であるのが好ましく、３５ｄＢ以上であるのがより好ましく、４０ｄＢ以上であるのがさらに好ましい。ここで、ＫＥＣ法では、電磁波を遮断する電磁波シールド性は、以下で説明する測定方法の特性から、電磁波を吸収することにより遮断する吸収性（吸収能）と電磁波を反射することにより遮断する反射性（反射能）とが加算された値として測定される。したがって、ＭＳＬ法を用いて測定された電磁波シールド性（吸収性）が前記範囲内であり、かつ、ＫＥＣ法を用いて測定された電磁波シールド性（吸収性＋反射性）が前記範囲内であれば、電磁波遮断層３に入射した電磁波を吸収および反射することにより遮断（遮蔽）することで優れた電磁波シールド性を発揮する電磁波遮断層３と言うことができ、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで確実に遮断することができる。

なお、ＫＥＣ法は、近傍界で発生する電磁波のシールド効果を電界と磁界に分けて評価する方法であり、この方法を用いた測定は、送信アンテナ（送信用の治具）から送信された電磁波を、シート状をなす電磁波遮断層３（測定試料）を介して、受信アンテナ（受信用の治具）で受信することで実施することができ、かかるＫＥＣ法では、受信アンテナにおいて、電磁波遮断層３を通過（透過）した電磁波が測定される。すなわち、送信された電磁波（信号）が電磁波遮断層３により受信アンテナ側でどれだけ減衰したかが測定されることから、電磁波を遮断（シールド）する電磁波シールド性は、電磁波を反射する反射性と電磁波を吸収する吸収性との双方を合算した状態で求められる。

また、電磁波遮断層３は、その１５０℃における貯蔵弾性率が１．０Ｅ＋０５～１．０Ｅ＋０９Ｐａであるのが好ましく、５．０Ｅ＋０５～５．０Ｅ＋０８Ｐａであるのがより好ましい。前記貯蔵弾性率をかかる範囲内に設定することにより、貼付工程において、電磁波シールド用フィルム１００の加熱の後、基材層１からの押圧力により、基板５上の凹凸６に絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込むことで、この凹凸６を被覆する際に、前記基材層１からの押圧力に応じて、電磁波遮断層３を凹凸６の形状に対応して変形させることができる。すなわち、電磁波遮断層３の凹凸６に対する形状追従性を向上させることができる。

さらに、電磁波シールド用フィルム１００は、基板５上に電子部品４を搭載することで形成された凹凸６に温度１５０℃、圧力２ＭＰａ、時間５分の条件で熱圧着した際の形状追従性が、５００μｍ以上であることが好ましく、８００μｍ以上であることがより好ましく、さらに好ましくは１０００μｍ以上である。すなわち、凸部６１の上面と凹部６２の上面との高さの差である凹凸６の高さが５００μｍ以上のものを電磁波シールド用フィルム１００で被覆できるのが好ましく、８００μｍ以上のものを被覆できるのがより好ましく、１０００μｍ以上のものを被覆できるのがさらに好ましい。このように高さが高い（段差が大きい）凹凸６であっても被覆できる電磁波シールド用フィルム１００を、優れた形状追従性を有するものと言うことができ、絶縁層２および電磁波遮断層３により、凹凸６に対して優れた埋め込み率をもって被覆することができる。

なお、前記形状追従性は、第１実施形態に記載された方法と同様にして求めることができる。

＜電子部品の被覆方法＞
次に、電子部品の被覆方法について説明する。

本実施形態の電子部品の被覆方法は、前記基板上の凹凸に、前記電磁波シールド用フィルムを前記電磁波遮断層または前記絶縁層と電子部品が接着するように貼付する貼付工程と、前記貼付工程の後、前記基材層を剥離する剥離工程とを有する。

図９は、図８に示す電磁波シールド用フィルムを用いて電子部品の被覆方法を説明するための縦断面図である。

以下、電子部品の被覆方法の各工程について、順次説明する。
（貼付工程）
前記貼付工程とは、例えば、図２（ａ）に示すように、基板５上に設けられた凹凸６に、電磁波シールド用フィルム１００を貼付する工程である。
貼付する方法としては、特に限定されないが、例えば、真空圧空成形が挙げられる。

真空圧空成形とは、例えば、真空加圧式ラミネーターを用いて、電磁波シールド用フィルム１００で基板５上の凹凸６を被覆する方法であり、まず、真空雰囲気下とし得る閉空間内に、基板５の凹凸６が形成されている側の面と、電磁波シールド用フィルム１００の絶縁層２側の面とが対向するように、基板５と電磁波シールド用フィルム１００とを重ね合わせた状態でセットし、その後、これらを加熱下において、電磁波シールド用フィルム１００側から均一に電磁波シールド用フィルム１００と基板５とが互いに接近するように、前記閉空間を真空雰囲気下にし、その後加圧することにより実施される。

この際、基材層１が上述したような構成のものであることから、基材層１は、真空圧空成形の加熱時に、凹凸６に対して優れた形状追従性を発揮する。

したがって、この状態で、電磁波シールド用フィルム１００側から均一に加圧しつつ、前記閉空間を真空雰囲気下とすることで、基材層１が凹凸６の形状に対応して変形し、さらに、この変形に併せて、基材層１よりも基板５側に位置する、絶縁層２および電磁波遮断層３が凹凸６の形状に対応して変形する。これにより、凹凸６の形状に対応して絶縁層２および電磁波遮断層３が押し込まれた状態で、絶縁層２および電磁波遮断層３により凹凸６が被覆される。

このような貼付工程において、貼付する温度は、特に限定されないが、１００℃以上、２００℃以下であることが好ましく、より好ましくは１２０℃以上、１８０℃以下である。

また、貼付する圧力は、特に限定されないが、０．５ＭＰａ以上、５．０ＭＰａ以下であることが好ましく、より好ましくは１．０ＭＰａ以上、３．０ＭＰａ以下である。

さらに、貼付する時間は、特に限定されないが、１分以上、３０分以下であることが好ましく、より好ましくは５分以上、１５分以下である。

貼付工程における条件を上記範囲内に設定することにより、基板５上の凹凸６に対して絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込んだ状態で、これら絶縁層２および電磁波遮断層３により凹凸６を確実に被覆することができる。

（剥離工程）
前記剥離工程とは、例えば、図９（ｂ）に示すように、前記貼付工程の後、基材層１を電磁波シールド用フィルム１００から剥離する工程である。

この剥離工程により、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１００における基材層１と絶縁層２との界面において、剥離が生じ、その結果、絶縁層２から基材層１が剥離される。これにより、絶縁層２から基材層１を剥離した状態で、絶縁層２および電磁波遮断層３により凹凸６が被覆される。

なお、このような電磁波シールド用フィルム１００を用いた絶縁層２および電磁波遮断層３による凹凸６の被覆では、図９に示したように、貼付する電磁波シールド用フィルム１００の形状が対応して、凹凸６を絶縁層２および電磁波遮断層３で被覆することができる。そのため、被覆すべき凹凸６の形状に対応して電磁波シールド用フィルム１００の形状を適宜設定することにより、被覆すべき凹凸６を選択的に絶縁層２および電磁波遮断層３で被覆することができる。すなわち、絶縁層２および電磁波遮断層３による凹凸６の選択的な電磁波シールドが可能となる。

また、基材層１を剥離する方法としては、特に限定されないが、真空圧空成形（上記の貼付工程）後の電磁波シールド用フィルム１００が高温の状態では、基材層１が伸びてしまい、樹脂残り等が発生し、剥離作業性が低下する可能性があるので、手作業による剥離が挙げられる。

この手作業による剥離では、例えば、まず、基材層１の一方の端部を把持し、この把持した端部から基材層１を絶縁層２から引き剥がし、次いで、この端部から中央部へさらには他方の端部へと順次基材層１を引き剥がすことにより、絶縁層２から基材層１が剥離される。

剥離する温度は、１８０℃以下であることが好ましく、より好ましくは１５０℃以下、さらに好ましくは１００℃以下である。

以上のような工程を経ることにより、絶縁層２から基材層１を剥離した状態で、絶縁層２および電磁波遮断層３により凹凸６を被覆することができる。

なお、本実施形態では、図８に示したように、電磁波シールド用フィルム１００として、その上面側から、基材層１（第１の層１１、第２の層１３、第３の層１２）、絶縁層２、電磁波遮断層３がこの順で積層されたものを用いて、絶縁層２および電磁波遮断層３で、基板５上の凹凸６を被覆する場合について説明したが、電磁波シールド用フィルム１００の層構成は、かかる場合に限定されず、例えば、以下に示すような第８～第１１実施形態のような層構成をなしている電磁波シールド用フィルム１００であってもよい。

＜第８実施形態＞
以下、本発明の電磁波シールド用フィルムの第８実施形態について説明する。

図１０は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第８実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１０中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、図１０に示す電磁波シールド用フィルム１００について説明するが、図８に示す電磁波シールド用フィルム１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

図１０に示す電磁波シールド用フィルム１００では、基材層１が備える第１の層１１の形成が省略されていること以外は、図８に示した電磁波シールド用フィルム１００と同様である。

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１００は、第２の層１３、第３の層１２からなる基材層１と、絶縁層２と、電磁波遮断層３とが、この順で積層された積層体をなしている。

かかる構成の電磁波シールド用フィルム１００では、貼付工程において、基板５上の凹凸６に絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込む際に用いられる真空加圧式ラミネーター等が有する押圧部が、第２の層１３との離型性を備えており、これにより、第１の層１１の形成が省略される。

この場合、前記押圧部の第２の層１３と接触する接触面の離型性の程度は、前記接触面の表面張力で表すことができ、前記接触面の表面張力は、２０～４０ｍＮ／ｍであるのが好ましく、２５～３５ｍＮ／ｍであるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を前記接触面が有することにより、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、第２の層１３から押圧部を確実に剥離させることができる。

このような構成の本実施形態の電磁波シールド用フィルム１００も、前記第７実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様にして使用することができ、前記第７実施形態の電磁波シールド用フィルム１００と同様の効果が得られる。

＜第９実施形態＞
次に、本発明の電磁波シールド用フィルムの第９実施形態について説明する。

図１１は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第３実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、図１１に示す電磁波シールド用フィルム１００について説明するが、図８に示す電磁波シールド用フィルム１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

図１１に示す電磁波シールド用フィルム１００では、基材層１が備える第３の層１２の形成が省略されていること以外は、図８に示した電磁波シールド用フィルム１００と同様である。

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１００は、第１の層１１、第２の層１３からなる基材層１と、絶縁層２と、電磁波遮断層３とが、この順で積層された積層体をなしている。

かかる構成の電磁波シールド用フィルム１００では、剥離工程において、基材層１を絶縁層２から剥離する際に、第２の層１３と絶縁層２との界面において基材層１が絶縁層２から剥離される。このような剥離では、絶縁層２が第２の層１３との離型性を備えており、これにより、第３の層１２の形成が省略される。

この場合、絶縁層２の第２の層１３と接触する接触面の離型性の程度は、前記接触面の表面張力で表すことができ、前記接触面の表面張力は、２０～４０ｍＮ／ｍであるのが好ましく、２５～３５ｍＮ／ｍであるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を前記接触面が有することにより、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、絶縁層２から第２の層１３を確実に剥離させることができる。

このような、表面張力を有する絶縁層２としては、例えば、熱可塑性ポリエステルやαオレフィン等が挙げられる。

＜第１０実施形態＞
次に、本発明の電磁波シールド用フィルムの第１０実施形態について説明する。

図１２は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第１０実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、図１２に示す電磁波シールド用フィルム１００について説明するが、図８に示す電磁波シールド用フィルム１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

図１２に示す電磁波シールド用フィルム１００では、基材層１が備える第１の層１１と第３の層１２の形成が省略されていること以外は、図８に示した電磁波シールド用フィルム１００と同様である。

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１００は、第２の層１３からなる基材層１と、絶縁層２と、電磁波遮断層３とが、この順で積層された積層体をなしている。

かかる構成の電磁波シールド用フィルム１００では、貼付工程において、基板５上の凹凸６に絶縁層２および電磁波遮断層３を押し込む際に用いられる真空加圧式ラミネーター等が有する押圧部が、第２の層１３との離型性を備えており、これにより、第１の層１１の形成が省略される。剥離工程において、基材層１を絶縁層２から剥離する際に、第２の層１３と絶縁層２との界面において基材層１が絶縁層２から剥離される。このような剥離では、絶縁層２が第２の層１３との離型性を備えており、これにより、第３の層１２の形成が省略される。

かかる構成の電磁波シールド用フィルム１００では、基材層１の第２の層１３を構成する樹脂として第１実施形態で挙げられたものと同様のものが挙げられる。

＜第１１実施形態＞
次に、本発明の電磁波シールド用フィルムの第１１実施形態について説明する。

図１３は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第１１実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、図１３に示す電磁波シールド用フィルム１００について説明するが、図８に示す電磁波シールド用フィルム１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

図１３に示す電磁波シールド用フィルム１００では、基材層１が備える第３の層１２の形成が省略され、さらに、絶縁層２および電磁波遮断層３の積層順が逆転していること以外は、図１に示した電磁波シールド用フィルム１００と同様である。

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１００は、第１の層１１、第２の層１３からなる基材層１と、電磁波遮断層３と、絶縁層２とが、この順で積層された積層体をなしている。

かかる構成の電磁波シールド用フィルム１００では、剥離工程において、基材層１を電磁波遮断層３から剥離する際に、第２の層１３と電磁波遮断層３との界面において基材層１が電磁波遮断層３から剥離される。このような剥離では、電磁波遮断層３が第２の層１３との離型性を備えており、これにより、第３の層１２の形成が省略される。

この場合、電磁波遮断層３の第２の層１３と接触する接触面の離型性の程度は、前記接触面の表面張力で表すことができ、前記接触面の表面張力は、２０～４０ｍＮ／ｍであるのが好ましく、２５～３５ｍＮ／ｍであるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を前記接触面が有することにより、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、電磁波遮断層３から第２の層１３を確実に剥離させることができる。

このような、表面張力を有する電磁波遮断層３としては、例えば、炭素同素体や導電性高分子をポリウレタン等の熱硬化性樹脂中に分散させたもの等が挙げられる。

＜第１２実施形態＞
次に、本発明の電磁波シールド用フィルムの第１２実施形態について説明する。

図１４は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第１２実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、図１４に示す電磁波シールド用フィルム１００について説明するが、図８に示す電磁波シールド用フィルム１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

図１４に示す電磁波シールド用フィルム１００では、絶縁層２および電磁波遮断層３の積層順が逆転していること以外は、図８に示した電磁波シールド用フィルム１００と同様である。

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１００は、第１の層１１、第２の層１３、第３の層１２からなる基材層１と、電磁波遮断層３と、絶縁層２とが、この順で積層された積層体をなしている。このように積層された電磁波遮断層３および絶縁層２を備える電磁波シールド用フィルム１００を用いて基板５上の凹凸６を被覆することで、基板５および電子部品４に絶縁層２が接触し、基板５側から絶縁層２、電磁波遮断層３の順で被覆することとなる。

このように、本実施形態では、絶縁層２は、基板５および電子部品４を、これらに接触した状態で被覆し、これにより、基板５および電子部品４を、絶縁層２を介して基板５と反対側に位置する電磁波遮断層３および他の部材（電子部品等）から絶縁する。

そのため、かかる構成の電磁波シールド用フィルム１００では、例えば、電磁波遮断層３が導電性材料を含む構成のものであったとしても、隣接する電子部品４同士を絶縁層２により確実に絶縁することができる。

また、前記実施形態では、絶縁層２は、電磁波遮断層３の上面または下面の何れか一方に１つの層が積層される場合について説明したが、かかる場合に限定されず、例えば、電磁波遮断層３の上面および下面の双方に１層ずつ別層として積層されていてもよいし、その形成を省略するようにしてもよい。

さらに、前記実施形態では、基板への電子部品の搭載により、基板上に凹凸が形成されており、この凹凸を電磁波シールド用フィルムで被覆する場合について説明したが、電磁波シールド用フィルムによる被覆は、このような凹凸に対する被覆に限定されず、例えば筐体等が備える平坦（フラット）な領域に対して施すようにしてもよい。

＜第１３実施形態＞
次に、本発明の電磁波シールド用フィルムの第１３実施形態について説明する。

図１５は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第１３実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、図１５に示す電磁波シールド用フィルム１００について説明するが、図１３に示す電磁波シールド用フィルム１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

図１５に示す電磁波シールド用フィルム１００では、基材層１が備える第１の層１１と第３の層１２の形成が省略されていること以外は、図１３に示した電磁波シールド用フィルム１００と同様である。

すなわち、本実施形態では、電磁波シールド用フィルム１００は、第２の層１３からなる基材層１と、電磁波遮断層３と、絶縁層２とが、この順で積層された積層体をなしている。

かかる構成の電磁波シールド用フィルム１００では、貼付工程において、基板５上の凹凸６に電磁波遮断層３および絶縁層２を押し込む際に用いられる真空加圧式ラミネーター等が有する押圧部が、第２の層１３との離型性を備えており、これにより、第１の層１１の形成が省略される。剥離工程において、基材層１を電磁波遮断層３から剥離する際に、第２の層１３と電磁波遮断層３との界面において基材層１が電磁波遮断層３から剥離される。このような剥離では、絶縁層２が第２の層１３との離型性を備えており、これにより、第３の層１２の形成が省略される。

　前記、第７実施形態～第１３実施形態では、貼付工程の後、基材層１を電磁波シールド用フィルム１００から剥離する工程を有していたが、剥離することなく、基材層１を部品の保護層として使用し、剥離せず用いてもよい。

以上、本発明の電磁波シールド用フィルム、および電子部品搭載基板について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。

例えば、本発明の電磁波シールド用フィルムでは、前記第７～第１３実施形態の任意の構成を組み合わせることもできる。
また、本発明の電磁波シールド用フィルムおよび本発明の電子部品搭載基板には、同様の機能を発揮し得る、任意の層が追加されていてもよい。

以下、本実施形態の電磁波シールド用フィルム、および電子部品の被覆方法を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて、詳細に説明する。

本実施形態の電磁波シールド用フィルムは、基板上の凹凸を被覆するために用いられる電磁波シールド用フィルムであって、電磁波シールド用フィルムの厚みが８μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする。

このような電磁波シールド用フィルムを用いて、基板上の凹凸の被覆に適用すると、被覆する工程において、室温において電磁波シールド用フィルムと基板とが互いに接近するように押圧することで、電磁波シールドフィルムを凹凸の形状に追従した状態で押し込むことができる。その結果、この凹凸が設けられた基板を、電磁波遮断層をもって確実に被覆することができるため、この電磁波遮断層による凹凸が設けられた基板の電磁波シールド性が向上することとなる。

＜電磁波シールド用フィルム＞
まずは、本発明の電磁波シールド用フィルムについて説明する。

＜第１４実施形態＞
図１６は、本発明の電磁波シールド用フィルムの第１４実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

図１６に示すように、本実施形態において、電磁波シールド用フィルム１００は、保護層２０１と電磁波遮断層２０２と絶縁層２０３とを含んで構成され、電磁波遮断層２０２および絶縁層２０３は、保護層２０１の下面側から、電磁波遮断層２０２が保護層２０１に接触してこの順で積層されている。

電磁波シールド用フィルム１００の厚みは８μｍ以上５０μｍ以下である。８μｍ以上であることで、良好なフィルム機械強度効果を奏する。５０μｍ以下であることで、良好な成型追従性効果を奏する。すなわちフィルム厚みが８μｍ以上５０μｍ以下であることで上記効果を両立することが可能である。
電磁波シールド用フィルム１００の厚みを、前記範囲にするためには、後述する保護層２０１、電磁波遮断層２０２、絶縁層２０３の厚みを適宜設定すればよい。

＜保護層２０１＞
まず、保護層２０１について説明する。

保護層２０１は、電磁波シールド用フィルムの使用時において、電磁波遮蔽層２０２を保護するものであり、電磁波遮蔽層２０２の空気中酸素による劣化及び物理的接触による電磁波遮蔽層２０２の破損を保護するものである。

また、保護層２０１は、２５℃における貯蔵弾性率が２．０Ｅ＋０２Ｐａ～５．０Ｅ＋０９Ｐａであるのが好ましく、２．０Ｅ＋０３Ｐａ～３．０Ｅ＋０９Ｐａであるのがより好ましい。このように、常温（室温）時、すなわち２５℃における貯蔵弾性率を前記範囲内に設定することにより、保護層２０１（電磁波シールド用フィルム１００）の基板５への貼付時には、保護層２０１を基板５に対してシワ等を生じさせることなく貼付することができ、また規定のサイズにカットする際の作業性も向上するとともに、基板５に設けられた凹凸６への押し込み時十分押し込むことができる。

このように、絶縁層２０３および電磁波遮断層２０２の凹凸６に対する形状追従性を向上させるための基材として機能する保護層２０１の加熱時における貯蔵弾性率を、前記範囲内に設定することにより、この凹凸６が設けられた基板５を、電磁波遮断層２０２をもって確実に被覆することができるため、この電磁波遮断層２０２による凹凸６が設けられた基板５に対する電磁波シールド（遮断）性が向上することとなる。

なお、各層の２５℃における貯蔵弾性率は、例えば、第１実施形態に記載された方法と同様の方法により求めることができる。

保護層２０１の構成材料としては、特に限定されず、例えば、ポリエチレンテレフタレート、シンジオタクチックポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン、アクリルポリマー、環状オレフィンポリマー、シリコーンのような樹脂材料及びスチレン系エラストマーのような熱可塑性エラストマー及びスチレンブタジエンゴムのようなゴムが挙げられる。これらの中でも、ポリエチレンテレフタレート、スチレンブタジエンゴムを用いることが好ましい。ポリエチレンテレフタレート、スチレンブタジエンゴムを用いることで、十分な劣化耐性及び物理的接触耐性を得ることができる。

なお、保護層２０１は、ポリエチレンテレフタレートもしくはスチレンブタジエンゴムのみで構成されていても構わない。また、保護層２０１は、前記ポリエチレンテレフタレートもしくはスチレンブタジエンゴムの他に、さらに熱可塑性エラストマー、熱可塑性樹脂等を含有していてもよい。

保護層２０１の全体の厚みＴ（Ｆ）は、特に限定されないが、１μｍ以上、３０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上、２０μｍ以下であることがより好ましい。保護層２０１の全体の厚みが前記下限値未満である場合、劣化耐性及び物理的接触耐性が得られないというおそれがある。また、保護層２０１の全体の厚みが前記上限値を超える場合、保護層２０１の形状追従性が低下し、電磁波遮断層２０２および絶縁層２０３の形状追従性が低下するというおそれがある。

　保護層２０１は単層でも多層構成でもよい。

　電磁波シールド用フィルム１００において、保護層２０１の位置は特に限定されないが、絶縁層２０３とは反対側に電磁波遮蔽層２０２を介して保護層２０１が積層されていることが好ましい。

＜電磁波遮断層２０２＞
次に、電磁波遮断層（遮断層）２０２について説明する。

電磁波遮断層２０２は、基板５上に設けられた電子部品４と、この電磁波遮断層２０２を介して、基板５（電子部品４）と反対側に位置する他の電子部品等とを、これら少なくとも一方から生じる電磁波を遮断（シールド）する機能を有する。

電磁波遮断層２０２は、導電性高分子を含有することが好ましい。これによって、可とう性と電磁波遮蔽効果を同時に得ることができる。

　次に導電性高分子について説明する。
本発明の導電性高分子は、特に限定されず、例えば、第１実施形態で挙げられたものと同様のものが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、ポリアニリンであるのが好ましい。これらによれば、電磁波遮断層２０２の軽量化・薄型化を図ったとしても、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波までより確実に遮断することができるようになる。

また、導電性高分子として、ポリアニリンを用いる場合、その粒子径の平均値（平均粒径）は、０．５μｍ以上、１０μｍ以下であるのが好ましく、１．０μｍ以上、５．０μｍ以下であるのがより好ましい。
　ポリアニリンの粒子径を、それぞれ、前記範囲内に設定することにより、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで確実に遮断することができるとともに、形成される電磁波遮断層２０２をより均一な膜厚を有するものとすることができる。

また、電磁波遮断層２０２における導電性高分子の含有量は、５ｗｔ％以上、５０ｗｔ％以下であるのが好ましく、８ｗｔ％以上、４０ｗｔ％以下であるのがより好ましい。前記範囲内であると電磁波シールド性とフィルム性が保たれるため好ましい。

電磁波遮断層２０２は、金属粉を含有することが好ましい。これによって、高い電磁波遮蔽効果を得ることができる。

電磁波遮断層２０２における金属粉の含有量は、４０ｗｔ％以上、８０ｗｔ％以下であるのが好ましく、４５ｗｔ％以上、７５ｗｔ％以下であるのがより好ましい。前記範囲内であると電磁波シールド性が保たれるため好ましい。

電磁波遮断層２０２は、前述した導電性高分子と金属粉以外の樹脂を用いてもよい。すなわち、導電性高分子を製膜することで、金属粉以外の成分を含有することなく、フィルム化してもよいが、バインダー樹脂を使用して、製膜化してもよい。

バインダー樹脂としては特に限定されないが、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等を使用することができる。電磁波遮断層２０２の耐熱性と柔軟性を両立できるポリエステル樹脂を使用することが好ましい。

電磁波遮断層２０２の厚みＴは、特に限定されないが、２μｍ以上、４０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上、２５μｍ以下であることがより好ましい。電磁波遮断層２０２の厚みが前記下限値未満である場合、電磁波遮断層２０２の構成材料等によっては、基板搭載部品の端部で破断するおそれがある。また、電磁波遮断層２０２の厚みが前記上限値を超える場合、電磁波遮断層２０２の構成材料等によっては形状追従性が不足するおそれがある。また、かかる範囲内の厚みＴとしても、優れた電磁波シールド性を発揮させることができるため、電磁波遮断層２０２の厚みＴの薄膜化を実現すること、ひいては、基板５上において絶縁層２０３および電磁波遮断層２０２で被覆された電子部品４が搭載された電子部品搭載基板の軽量化を実現することができる。

以上のような電磁波遮断層２０２は、マイクロストリップライン法（ＭＳＬ法）を用いて測定した、周波数０．２～１０ＧＨｚにおける、電磁波を遮断（シールド）する電磁波シールド性（吸収性）が５ｄＢ以上であるのが好ましく、６ｄＢ以上であるのがより好ましく、７ｄＢ以上であるのがさらに好ましい。ここで、ＭＳＬ法は第７実施形態において前述した方法である。したがって、前記範囲内の電磁波シールド性（吸収性）を有する電磁波遮断層２０２であれば、電磁波遮断層２０２に入射した電磁波を吸収することにより遮断（遮蔽）することで優れた電磁波シールド性を発揮する電磁波遮断層（吸収層）２０３と言うことができ、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで確実に遮断することができる。

さらに、電磁波遮断層２０２は、関西電子工業振興センターで開発されたＫＥＣ法を用いて測定した周波数０．２～１ＧＨｚにおける、電磁波を遮断（シールド）する電磁波シールド性（吸収性＋反射性）が２５ｄＢ以上であるのが好ましく、３５ｄＢ以上であるのがより好ましく、４０ｄＢ以上であるのがさらに好ましい。ここで、ＫＥＣ法は第７実施形態において前述した方法である。したがって、ＭＳＬ法を用いて測定された電磁波シールド性（吸収性）が前記範囲内であり、かつ、ＫＥＣ法を用いて測定された電磁波シールド性（吸収性＋反射性）が前記範囲内であれば、電磁波遮断層２０２に入射した電磁波を吸収および反射することにより遮断（遮蔽）することで優れた電磁波シールド性を発揮する電磁波遮断層２０２と言うことができ、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで確実に遮断することができる。

また、電磁波遮断層２０２は、その２５℃における貯蔵弾性率が１．０Ｅ＋０５～１．０Ｅ＋０９Ｐａであるのが好ましく、５．０Ｅ＋０５～５．０Ｅ＋０８Ｐａであるのがより好ましい。前記貯蔵弾性率をかかる範囲内に設定することにより、貼付工程において、電磁波シールド用フィルム１００の加熱の後、保護層２０１からの押圧力により、基板５上の凹凸６に絶縁層２０３および電磁波遮断層２０２を押し込むことで、この凹凸６を被覆する際に、前記保護層２０１からの押圧力に応じて、電磁波遮断層２０２を凹凸６の形状に対応して変形させることができる。すなわち、電磁波遮断層２０２の凹凸６に対する形状追従性を向上させることができる。

＜絶縁層２０３＞
次に、絶縁層２０３について説明する。

　絶縁層２０３は、本実施形態では、電磁波遮断層２０２に接触して設けられ、保護層２０１側から電磁波遮断層２０２、絶縁層２０３の順に積層されている。
　このように積層された電磁波シールド用フィルム１００を用いて、基板５上の凹凸６を被覆することで、基板５および電子部品４に絶縁層２０３が接触し、基板５側から、絶縁層２０３、電磁波遮断層２０２の順で被覆することになる。

この絶縁層２０３としては、例えば、熱硬化性を有する絶縁樹脂または熱可塑性を有する絶縁樹脂（絶縁フィルム）が挙げられる。これらの中でも、熱可塑性を有する絶縁樹脂を用いることが好ましい。熱可塑性を有する絶縁樹脂は、屈曲性に優れたフィルムであることから、貼付工程において、基板５上の凹凸６に対して絶縁層２０３および電磁波遮断層２０２を押し込む際に、絶縁層２０３を、凹凸６の形状に対応して確実に追従させることができる。

熱可塑性を有する絶縁樹脂としては、例えば、熱可塑性ポリエステル、α－オレフィン、酢酸ビニル、ポリビニルアセタール、エチレン酢酸ビニル、塩化ビニル、アクリル、ポリアミド、セルロースが挙げられる。

これらの中でも、アクリル樹脂もしくはスチレン系エラストマーが特に好ましい。すなわち、電磁波シールド用フィルム１００を薄化することを考慮し、絶縁層２０３を薄化する場合、電磁波シールド層２０２や、基板との密着性が問題となる。しかし、絶縁層２０３として、アクリル樹脂もしくはスチレン系エラストマーを用いた場合、十分な密着性を有するため、絶縁層２０３を薄くすることが可能となり、電磁波シールド用フィルム１００を薄くすることが可能となる。

絶縁層２０３の厚みＴ（Ｄ）は、特に限定されないが、３μｍ以上、３０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上、２５μｍ以下であることがより好ましい。絶縁層２０３の厚みが前記下限値未満である場合、耐ハゼ折り性が不足し、凹凸６への熱圧着後に折り曲げ部にてクラックが発生したり、フィルム強度が低下し、導電性接着剤層の絶縁性支持体としての役割を担うことが難しい。前記上限値を超える場合、形状追従性が不足するおそれがある。すなわち、絶縁層２０３の厚みＴ（Ｄ）を前記範囲内に設定することにより、絶縁層２０３を屈曲性により優れたものとすることができ、貼付工程において、絶縁層２０３を、凹凸６の形状に対応してより確実に追従させることができる。

また、絶縁層２０３の２５～１５０℃における平均線膨張係数は、５０～１０００［ｐｐｍ／℃］であるのが好ましく、１００～７００［ｐｐｍ／℃］であるのがより好ましい。絶縁層２０３の平均線膨張係数をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム１００の加熱時において、絶縁層２０３は、優れた伸縮性を有するものとなるため、絶縁層２０３、さらには電磁波遮断層２０２の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。

なお、この絶縁層２０３は、図１６、１７で示したように、１層で構成されるものの他、上述した絶縁フィルムのうち異なるものを積層させた２層以上の積層体であってもよい。

本実施形態の電子部品の被覆方法は、前記基板上の凹凸に、前記電磁波シールド用フィルムを前記電磁波遮断層または前記絶縁層と電子部品が接着するように貼付する貼付工程である。

図１７は、図１６に示す電磁波シールド用フィルムを用いて電子部品の被覆方法を説明するための縦断面図である。

以下、電子部品の被覆方法の各工程について、順次説明する。

（貼付工程）
前記貼付工程とは、例えば、図１７に示すように、基板５上に設けられた凹凸６に、電磁波シールド用フィルム１００を貼付する工程である。
貼付する方法としては、特に限定されないが、例えば、プレスが挙げられる。

例えば、プレス機を用いて、電磁波シールド用フィルム１００で基板５上の凹凸６を被覆する方法であり、まず、基板５の凹凸６が形成されている側の面と、電磁波シールド用フィルム１００の絶縁層２０３側の面とが対向するように、基板５と電磁波シールド用フィルム１００とを重ね合わせた状態でセットし、その後、これらを室温下において、電磁波シールド用フィルム１００側から均一に電磁波シールド用フィルム１００と基板５とが互いに接近するようにし、その後加圧することにより実施される。

このような貼付工程において、貼付する温度は、特に限定されないが、０℃以上、１５０℃以下であることが好ましく、より好ましくは１０℃以上、５０℃以下である。

また、貼付する圧力は、特に限定されないが、０．０１ＭＰａ以上、１ＭＰａ以下であることが好ましく、より好ましくは０．０５ＭＰａ以上、０．１５ＭＰａ以下である。

さらに、貼付する時間は、特に限定されないが、５秒以上、６０秒以下であることが好ましく、より好ましくは１０秒以上、３０秒以下である。

貼付工程における条件を上記範囲内に設定することにより、基板５上の凹凸６に対して絶縁層２０３および電磁波遮断層２０２を押し込んだ状態で、これら絶縁層２０３および電磁波遮断層２０２により凹凸６を確実に被覆することができる。

なお、このような電磁波シールド用フィルム１００を用いた絶縁層２０３および電磁波遮断層２０２による凹凸６の被覆では、図１７に示したように、貼付する電磁波シールド用フィルム１００の形状が対応して、凹凸６を絶縁層２０３および電磁波遮断層２０２で被覆することができる。そのため、被覆すべき凹凸６の形状に対応して電磁波シールド用フィルム１００の形状を適宜設定することにより、被覆すべき凹凸６を選択的に絶縁層２０３および電磁波遮断層２０２で被覆することができる。すなわち、絶縁層２０３および電磁波遮断層２０２による凹凸６の選択的な電磁波シールドが可能となる。

なお、本実施形態では、図１６に示したように、電磁波シールド用フィルム１００として、その上面側から、保護層２０１、電磁波遮断層２０２、絶縁層２０３がこの順で積層されたものを用いて、絶縁層２０３および電磁波遮断層２０２で、基板５上の凹凸６を被覆する場合について説明したが、電磁波シールド用フィルム１００の層構成は、かかる場合に限定されない。

以上、本発明の電磁波シールド用フィルムについて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。

また、本発明の電磁波シールド用フィルムおよび本発明の電子部品搭載基板には、同様の機能を発揮し得る、任意の層が追加されていてもよい。

以下、本実施形態の電磁波シールド用フィルムを、添付図面に示す好適実施形態に基づいて、詳細に説明する。

　本実施形態の電磁波シールド用フィルムは、絶縁層と電磁波遮断層とを含んで構成され、絶縁層のＪＩＳ　Ｚ　１７０７で測定した突き刺し強度が０．９Ｎ以上１０．０Ｎ以下であることを特徴とする。

このような電磁波シールド用フィルムを用いて、基板上の凹凸の被覆に適用すると、電磁波シールド用フィルムの絶縁層が破断することなく、電磁波シールド用フィルムを貼付することができる。その結果、電子部品と導電性を有する電磁波遮蔽層との間での電流の導通を防ぎつつ、基板を、電磁波シールドすることが可能となる。

＜電磁波シールド用フィルム＞
＜第１５実施形態＞
図１６は、本実施形態の電磁波シールド用フィルムの第１５実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

図１６に示すように、本実施形態において、電磁波シールド用フィルム１００は、保護層２０１と電磁波遮断層２０２と絶縁層２０３とを含んで構成され、電磁波遮断層２０２および絶縁層２０３は、基材層２０１の下面側から、電磁波遮断層２０２が基材層２０１に接触してこの順で積層されている。

＜保護層２０１＞
まず、保護層２０１について説明する。

なお、各層の２５℃、１２０℃および１５０℃における貯蔵弾性率は、例えば、動的粘弾性測定装置（セイコーインスツルメント社製、「ＤＭＳ６１００」）を用いて、測定すべき各層の貯蔵弾性率を、２５～２００℃まで、４９ｍＮの一定荷重の引張モードで昇温速度５℃／分、周波数１Ｈｚで測定し、２５℃、１２０℃および１５０℃での貯蔵弾性率を、それぞれ読み取ることにより求めることができる。

保護層２０１の構成材料としては、特に限定されず、例えば、ポリエチレンテレフタレート、スチレン系エラストマー、ポリエチレン、シンジオタクチックポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、ポリプロピレン、環状オレフィンポリマー、シリコーンのような樹脂材料が挙げられる。これらの中でも、ポリエチレンテレフタレートを用いることが好ましい。ポリエチレンテレフタレートを樹脂として選定することで、保護層２０１を、薄膜で耐久性を優れたものとすることができる。

なお、保護層２０１は、ポリエチレンテレフタレートのみで構成されていても構わない。また、保護層２０１は、前記ポリエチレンテレフタレートの他に、さらにポリカーボネート等を含有していてもよい。

保護層２０１の全体の厚みＴ（Ｆ）は、特に限定されないが、１μｍ以上、２０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上、１５μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは５μｍ以上、１０μｍ以下である。保護層２０１の全体の厚みが前記下限値未満である場合、保護層２０１の耐久性が低下する可能性がある。また、保護層２０１の全体の厚みが前記上限値を超える場合、保護層２０１の形状追従性が低下し、基板を覆うことができなくなる可能性がある。

　保護層２０１は単層でも多層構成でもよい。

電磁波遮断層２０２の厚みＴは、特に限定されないが、１μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましく、２μｍ以上、９０μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは、３μｍ以上、８０μｍ以下である。電磁波遮断層２０２の厚みが前記下限値未満である場合、電磁波遮断層２０２の構成材料等によっては、基板搭載部品の端部で破断するおそれがある。また、電磁波遮断層２０２の厚みが前記上限値を超える場合、電磁波遮断層２０２の構成材料等によっては形状追従性が不足するおそれがある。また、かかる範囲内の厚みＴとしても、優れた電磁波シールド性を発揮させることができるため、電磁波遮断層２０２の厚みＴの薄膜化を実現すること、ひいては、基板５上において絶縁層２０３および電磁波遮断層２０２で被覆された電子部品４が搭載された電子部品搭載基板の軽量化を実現することができる。

以上のような電磁波遮断層２０２は、マイクロストリップライン法（ＭＳＬ法）を用いて測定した、周波数０．２～１０ＧＨｚにおける、電磁波を遮断（シールド）する電磁波シールド性（吸収性）が５ｄＢ以上であるのが好ましく、６ｄＢ以上であるのがより好ましく、７ｄＢ以上であるのがさらに好ましい。ここで、ＭＳＬ法は第７実施形態において前述した方法である。したがって、前記範囲内の電磁波シールド性（吸収性）を有する電磁波遮断層２０２であれば、電磁波遮断層２０２に入射した電磁波を吸収することにより遮断（遮蔽）することで優れた電磁波シールド性を発揮する電磁波遮断層（吸収層）２０２と言うことができ、ＧＨｚオーダーのように高周波帯域の電磁波まで確実に遮断することができる。

また、電磁波遮断層２０２は、その１５０℃における貯蔵弾性率が１．０Ｅ＋０５～１．０Ｅ＋０９Ｐａであるのが好ましく、５．０Ｅ＋０５～５．０Ｅ＋０８Ｐａであるのがより好ましい。前記貯蔵弾性率をかかる範囲内に設定することにより、貼付工程において、電磁波シールド用フィルム１００の加熱の後、基材層２０１からの押圧力により、基板５上の凹凸６に絶縁層２０３および電磁波遮断層２０２を押し込むことで、この凹凸６を被覆する際に、前記基材層２０１からの押圧力に応じて、電磁波遮断層２を凹凸６の形状に対応して変形させることができる。すなわち、電磁波遮断層２０２の凹凸６に対する形状追従性を向上させることができる。

＜絶縁層２０３＞
次に、絶縁層２０３について説明する。

この絶縁層２０３としては、例えば、熱硬化性を有する絶縁樹脂または熱可塑性を有する絶縁樹脂（絶縁フィルム）が挙げられる。これらの中でも、熱可塑性を有する絶縁樹脂を用いることが好ましい。熱可塑性を有する絶縁樹脂は、屈曲性に優れたフィルムであることから、貼付工程において、保護層２０１を押し込み用の基材として用いて基板５上の凹凸６に対して絶縁層２０３および電磁波遮断層２０２を押し込む際に、絶縁層２０３を、凹凸６の形状に対応して確実に追従させることができる。また、熱可塑性を有する絶縁樹脂は、その軟化点温度に加熱すると、接着対象の基板から再剥離することができるので、基板の修理の際には、特に有用である。

絶縁層２０３は、ＪＩＳ　Ｚ　１７０７で測定した突き刺し強度が０．９Ｎ以上１０．０Ｎ以下である。これにより、後述する貼付工程において、基板５上の凹凸６に対して絶縁層２０３および電磁波遮断層２０２を押し込んだ状態で、これら絶縁層２０３および電磁波遮断層２０２により凹凸６を破断することなく被覆することができる。すなわち、後述する貼付工程において、絶縁層が破断することがないため、電子部品と、導電性を有する電磁波遮断層との間での短絡を防止することができ、好ましい。

絶縁層２０３のＪＩＳ　Ｚ　１７０７で測定した突き刺し強度を０．９Ｎ以上１０．０Ｎ以下にするためには、絶縁層の樹脂や添加剤等を適切に選定すればよい。たとえば、樹脂として硬いものを用いれば、よく、絶縁層２０３としてポリエチレンテレフタレートとアクリル樹脂との積層体を選定すれば、絶縁層２０３の突き刺し強度を、前記範囲にすることができ、後述のフレキシブル回路基板との接着力を得ることができる。

絶縁層２０３の厚みＴ（Ｄ）は、特に限定されないが、３μｍ以上、５０μｍ以下であることが好ましく、４μｍ以上、４０μｍ以下であることがより好ましく、さらに好ましくは５μｍ以上、３０μｍ以下である。絶縁層２０３の厚みが前記下限値未満である場合、耐ハゼ折り性が不足し、凹凸６への熱圧着後に折り曲げ部にてクラックが発生したり、フィルム強度が低下し、導電性接着剤層の絶縁性支持体としての役割を担うことが難しい。前記上限値を超える場合、形状追従性が不足するおそれがある。すなわち、絶縁層２０３の厚みＴ（Ｄ）を前記範囲内に設定することにより、絶縁層２０３を屈曲性により優れたものとすることができ、貼付工程において、絶縁層２０３を、凹凸６の形状に対応してより確実に被覆させることができる。

　さらに、電磁波シールド用フィルム１００は、ポリイミドフィルムとの密着力が１Ｎ／２５ｍｍ以上、１００Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。
　これにより、フレキシブル回路基板との十分な接着力を得ることができる。
　ポリイミドフィルムとの密着力を前記範囲内にするには、例えば、本実施形態においては、最外層に位置する絶縁層２０３の、樹脂や添加剤の種類、量を適宜設定すればよい。

本実施形態の電子部品の被覆方法は、前記基板上の凹凸に、前記電磁波シールド用フィルムを前記電磁波遮断層または前記絶縁層と電子部品が接着するように貼付する貼付工程とである。

（貼付工程）
前記貼付工程とは、例えば、図１７（ａ）に示すように、基板５上に設けられた凹凸６に、電磁波シールド用フィルム１００を貼付する工程である。
貼付する方法としては、特に限定されないが、例えば、プレスが挙げられる。

貼付工程における条件を上記範囲内に設定することにより、基板５上の凹凸６に対して絶縁層２０３および電磁波遮断層２０２を押し込んだ状態で、これら絶縁層２０３および電磁波遮断層２０２により凹凸６を被覆することができる。

なお、本実施形態では、図１６に示したように、電磁波シールド用フィルム１００として、その上面側から、保護層２０１、電磁波遮断層２０２、絶縁層２０３がこの順で積層されたものを用いて、絶縁層２０３および電磁波遮断層２０２で、基板５上の凹凸６を被覆する場合について説明したが、電磁波シールド用フィルム１００の層構成は、かかる場合に限定されない。たとえば、保護層２０１がない構成でも差支えない。

　以下に実施例により本発明をさらに詳細に説明する。但し、本発明は以下の実施例により何ら制限されるものではない。

　本発明に関わる第１の層、第２の層、及び第３の層の線膨張係数、本発明に関わる基材層１の１５０℃における弾性率、及び本発明の電磁波シールドフィルムのＺ折り後の導電性、マイクロストリップライン法による電磁波シールド性、及びＫＥＣ法による電磁波シールド性は、下記の試験方法によって評価した。

＜平均線膨張係数＞
　平均線膨張係数の測定は、熱応力歪測定装置（ＥＸＳＴＡＲ　ＴＭＡ／ＳＳ６０００、エスアイアイナノテクノロジー社製）を用いて行なった。該複合体をカットし、金属チャックを用いて装置内にセットし、荷重は５ｇにし、引張モードで測定を行った。窒素雰囲気下で、１分間に５℃の割合で温度を２５℃から２５０℃まで上昇させて１０分間保持し、その後、１分間に５℃の割合で２５０℃から０℃まで下降させた。測定によって得られた伸長から、降温時の２０～３０℃、１９５～２０５℃における平均線膨張係数を求め、それぞれその範囲の中間値における平均線膨張係数として表１に記載した。

＜１５０℃における弾性率＞
　１５０℃における弾性率は、動的粘弾性測定装置（セイコーインスツルメント社製、「ＤＭＳ６１００」）を用いて、測定すべき層の弾性率を、２５～２００℃まで、４９ｍＮの定荷重の引張モードで昇温速度５℃／分、周波数１Ｈｚで測定し、１５０℃での貯蔵弾性率を読み取る。

＜Ｚ折り後の導電性＞
　電磁波シールドフィルムを、屈曲性のある基板に貼り合せたものをＺ折りした後、端間で電流が流れるかを確認した。
　　○　：電流が流れる。
　　×　：電流が流れない。

＜マイクロストリップライン法による電磁波シールド性＞
　ＩＥＣ規格６２３３３２に準拠して、周波数ｌＧＨｚ及び周波数３ＧＨｚにおける電磁波を遮断する電磁波シールド性を測定した。マイクロストリップライン法による電磁波シールド性は、吸収性により電磁波を遮断する程度を表す値として測定される。周波数ｌＧＨｚにおける、電磁波シールド性は、３ｄＢ以上であるのが好ましく、５ｄＢ以上であるのがより好ましく、７ｄＢ以上であるのがさらに好ましい。周波数３ＧＨｚにおける、電磁波シールド性は、５ｄＢ以上であるのが好ましく、１０ｄＢ以上であるのがより好ましく、２０ｄＢ以上であるのがさらに好ましい。

＜ＫＥＣ法による電磁波シールド性＞
　関西電子工業振興センターで開発されたＫＥＣ法を用いて周波数ｌＧＨｚにおける電磁波を遮断する電磁波シールド性を測定した。ＫＥＣ法による電磁波シールド性は、吸収性と反射性により電磁波を遮断する程度を表す値として測定される。ＫＥＣ法は、周波数１ＧＨｚにおける、電磁波シールド性（吸収性＋反射性）が１０ｄＢ以上であるのが好ましく、１５ｄＢ以上であるのがより好ましい。
　　○　：１５ｄＢ以上
　　×　：１５ｄＢ未満

（実施例１）
　第１の層としてシンジオタクチックポリスチレン（出光興産社製、商品名：ザレックＳ１０７）、第３の層として、シンジオタクチックポリスチレン（出光興産社製、商品名：ザレックＳ１０７）、及び第２の層としてエチレン－メチルアクリレート共重合体（住友化学社製、商品名：アクリフトＷＤ１０６）、をそれぞれ用いて、フィードブロック及びマルチマニホールドダイを用いて共押出し、表１に示す厚さを有する３層が順次積層して成る基材層を製造した。電磁波遮断層は、導電性組成物としてポリアニリン（レグルス社製）を用い、バインダーＡとして非晶質ポリエステル樹脂（東洋紡社製、商品名：バイロン６３ＳＳ）を用い、バインダーＡの含有量が２０質量％となる様に混合した。基材層に電磁波遮断層をコーティングして本発明の電磁波シールドフィルムを製造した。この電磁波シールドフィルムのＺ折り後の導電性、マイクロストリップライン法による電磁波シールド性、及びＫＥＣ法による電磁波シールド性を評価した。評価結果を表１に示す。

（実施例２～４）
　電磁波遮断層３のバインダーＡの含有量がそれぞれ３０質量％、４０質量％及び５０質量％となる様に混合した他は、実施例１と同様の方法で電磁波シールドフィルムを製造し、評価した。評価結果を表１に示す。

（比較例１、２）
　電磁波遮断層３のバインダーＡの含有量がそれぞれ１０質量％及び６０質量％となる様に混合した他は、実施例１と同様の方法で電磁波シールドフィルムを製造し、評価した。評価結果を表１に示す。

（比較例３～５）
　実施例１で用いたバインダーＡの代わりにバインダーＢとしてポリウレタン樹脂（ＤＩＣ社製、商品名：バーノック１６－４１１）を用い、バインダーＢの含有量がそれぞれ３０、４０、５０、及び６０質量％となる様に混合した他は、実施例１と同様の方法で電磁波シールドフィルムを製造し、評価した。評価結果を表１に示す。

（比較例６）
　実施例１で用いたバインダーＡの含有量を０とした他は、実施例１と同様の方法で電磁波シールドフィルムを製造し、評価した。評価結果を表１に示す。

[規則26に基づく補充 06.03.2015]　

※導電性はＺ折り後に端間で電流が流れるかを確認した。（○流れる、×流れない）
※ＫＥＣ法で１５ｄＢ以上を○とした。

（実施例５）
＜ワニスの調製＞
飽和共重合ポリエステル樹脂（東洋紡（株）社製）２０質量部、ポリアニリン（（株）レグルス社製　PANT）１０質量部、鱗片状銀粉（福田金属箔粉工業社製、Ag-XF　平均粒子径５．５μｍ）７０質量部をトルエン２０部に分散させ、超音波をあてることで均一化し、ワニスを調製した。

＜電磁波シールド性評価用フィルムの製造＞
ポリエチレンテレフタレートフィルム（パナック（株）社製、厚み１２５μｍ）に前記ワニスをコンマコーターで塗工し、６０℃で乾燥させ、電磁波シールド性評価用フィルムを得た。
このとき、電磁波シールド層は２０μｍとなった。

＜電磁波シールド性＞
実施例１で作製した電磁波シールド性評価用フィルムについて、前述したマイクロストリップライン法を用いて、周波数１ＧＨｚにおける電磁波を遮断する電磁波シールド性を測定した。さらに、前述したＫＥＣ法を用いて、周波数１ＧＨｚにおける電磁波を遮断する電磁波シールド性を測定した。

＜電磁波シールド用フィルムの製造＞
電磁波シールド用フィルムを得るために、第１の層（第１離型層）を構成する樹脂としてシンジオタクチックポリスチレン（出光興産（株）社製、商品名：ザレックＳ１０７）を準備した。第３の層（第２離型層）を構成する樹脂として、シンジオタクチックポリスチレン（出光興産（株）社製、商品名：ザレックＳ１０７）を準備した。第２の層（クッション層）を構成する樹脂として、エチレン－メチルアクリレート共重合体（住友化学（株）社製、商品名：アクリフトＷＤ１０６）を準備した。絶縁層を構成する樹脂として、ポリオレフィン系エマルジョン（ユニチカ（株）社製、商品名：アローベースＴＣ－４０１０）を準備した。電磁波遮断層を構成する樹脂として、前記で調製したワニスを準備した。

第１の層として前記シンジオタクチックポリスチレンと、第３の層として前記シンジオタクチックポリスチレンと、第２の層として前記エチレン－メチルアクリレート共重合体とを、フィードブロックおよびマルチマニホールドダイを用いて共押出により、フィルム化した。電磁波遮断層として前記導電性ワニスを、また、絶縁層として前記ポリオレフィン系エマルジョンを、この順で基材層にコーティングして電磁波シールド用フィルムを作製した。

実施例５の電磁波シールド用フィルムの全体の厚みは、１６０μｍであり、第１の層の厚みは３０μｍ、第３の層の厚みは３０μｍ、第２の層の厚みは６０μｍ、絶縁層の厚みは２０μｍ、電磁波遮断層の厚みは２０μｍであった。

（実施例６）
飽和共重合ポリエステル樹脂（東洋紡（株）社製）５０質量部、ポリアニリン（（株）レグルス社製　PANT）１０質量部、鱗片状銀粉（福田金属箔粉工業社製、Ag-XF　平均粒子径５．５μｍ）４０質量部とし、ワニスを調製した以外は、実施例５と同様にして、電磁波シールド性評価用フィルムを製造し、電磁波シールド用フィルムを製造し、電磁波シールド性を測定した。

（実施例７）
飽和共重合ポリエステル樹脂（東洋紡（株）社製）２５質量部、ポリアニリン（（株）レグルス社製　PANT）５質量部、鱗片状銀粉（福田金属箔粉工業社製、Ag-XF　平均粒子径５．５μｍ）７０質量部とし、ワニスを調製した以外は、実施例５と同様にして、電磁波シールド性評価用フィルムを製造し、電磁波シールド用フィルムを製造し、電磁波シールド性を測定した。

（実施例８）
飽和共重合ポリエステル樹脂（東洋紡（株）社製）４０質量部、ポリアニリン（（株）レグルス社製　PANT）１０質量部、鱗片状銀粉（福田金属箔粉工業社製、Ag-XF　平均粒子径５．５μｍ）５０質量部とし、ワニスを調製した以外は、実施例５と同様にして、電磁波シールド性評価用フィルムを製造し、電磁波シールド用フィルムを製造し、電磁波シールド性を測定した。

（実施例９）
飽和共重合ポリエステル樹脂（東洋紡（株）社製）１０質量部、ポリアニリン（（株）レグルス社製　PANT）１０質量部、鱗片状銀粉（福田金属箔粉工業社製、Ag-XF　平均粒子径５．５μｍ）８０質量部とし、ワニスを調製した以外は、実施例５と同様にして、電磁波シールド性評価用フィルムを製造し、電磁波シールド用フィルムを製造し、電磁波シールド性を測定した。

（実施例１０）
飽和共重合ポリエステル樹脂（東洋紡（株）社製）１０質量部、ポリアニリン（（株）レグルス社製　PANT）１０質量部、鱗片状銀粉（福田金属箔粉工業社製、Ag-XF　平均粒子径５．５μｍ）８０質量部とし、ワニスを調製した以外は、実施例５と同様にして、電磁波シールド性評価用フィルムを製造し、電磁波シールド用フィルムを製造し、電磁波シールド性を測定した。

（実施例１１）
飽和共重合ポリエステル樹脂（東洋紡（株）社製）２０質量部、ポリアニリン（（株）レグルス社製　PANT）５質量部、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（中京油脂社製　S-941）５質量部、鱗片状銀粉（福田金属箔粉工業社製、Ag-XF　平均粒子径５．５μｍ）７０質量部とし、ワニスを調製した以外は、実施例５と同様にして、電磁波シールド性評価用フィルムを製造し、電磁波シールド用フィルムを製造し、電磁波シールド性を測定した。

（実施例１２）
飽和共重合ポリエステル樹脂（東洋紡（株）社製）２０質量部、ポリアニリン（（株）レグルス社製　PANT）１０質量部、凝集状銀粉（三井金属社製、ST-M 平均粒子径１．１μｍ）７０質量部とし、ワニスを調製した以外は、実施例５と同様にして、電磁波シールド性評価用フィルムを製造し、電磁波シールド用フィルムを製造し、電磁波シールド性を測定した。

（実施例１３）
飽和共重合ポリエステル樹脂（東洋紡（株）社製）２０質量部、ポリアニリン（（株）レグルス社製　PANT）１０質量部、銀コート銅粉（福田金属箔粉工業社製、FCC-2000　１０％コート　平均粒子径１０μｍ）７０質量部とし、ワニスを調製した以外は、実施例５と同様にして、電磁波シールド性評価用フィルムを製造し、電磁波シールド用フィルムを製造し、電磁波シールド性を測定した。

（比較例８）
ポリアニリンを用いず、飽和共重合ポリエステル樹脂（東洋紡（株）社製）３０質量部、鱗片状銀粉（福田金属箔粉工業社製、Ag-XF　平均粒子径５．５μｍ）７０質量部をトルエン６０部に分散させ、超音波をあてることで均一化し、ワニスを調製した以外は、実施例５と同様にして、電磁波シールド性評価用フィルムを製造し、電磁波シールド用フィルムを製造し、電磁波シールド性を測定した。

（比較例９）
銀粉を用いず、飽和共重合ポリエステル樹脂（東洋紡（株）社製）２０質量部、ポリアニリン（（株）レグルス社製　PANT）８０質量部、をトルエン３０部に分散させ、超音波をあてることで均一化し、ワニスを調製した以外は、実施例５と同様にして、電磁波シールド性評価用フィルムを製造し、電磁波シールド用フィルムを製造し、電磁波シールド性を測定した。

結果を表２に示す。

表２から明らかなように、実施例５～１３では、１ＧＨｚのように高周波帯域の電磁波であっても、電磁波を吸収することで効果的に遮断されている結果が得られた。

これに対して、比較例では、実施例５～１３と比較すると、高周波帯域の電磁波が効果的に遮断されているとはいえない結果であった。

以下の実施例１４～３４及び比較例１０～１３において使用した原材料は以下のとおりである。
PPET1501SG30　東亞合成社製　　スチレン系エラストマー
MHM-GAW25 　　日栄化工社製　　アクリル系樹脂
NeoFix20　　　日栄化工社製　　表面アクリル樹脂ＰＥＴフィルム
NeoFix10　　　日栄化工社製　　表面アクリル樹脂ＰＥＴフィルム
NeoFix5S2　　日栄化工社製　　表面アクリル樹脂ＰＥＴフィルム
630RF　　　　富士化学社製　　スチレンブタジエンゴム系樹脂
T4100 東洋紡社製　　　延伸ＰＥＴ
GL-10 日栄化工社製　　表面アクリル樹脂ＰＥＴフィルム
GL-5B 日栄化工社製　　表面アクリル樹脂ＰＥＴフィルム
FIK フタムラ化学社製　　無延伸ポリプロピレン
FOA フタムラ化学社製　　延伸ポリプロピレン

＜ワニスの調製＞
飽和共重合ポリエステル樹脂（東洋紡（株）社製）２０質量部、ポリアニリン（（株）レグルス社製　PANT）１０質量部、鱗片状銀粉（福田金属箔粉工業社製、Ag-XF301　平均粒子径５．５μｍ）７０質量部をトルエン２０部に分散させ、超音波をあてることで均一化し、ワニスを調製した。

（実施例１４）
＜電磁波シールド用フィルムの製造＞
電磁波シールド用フィルムを得るために、絶縁層を構成する樹脂として、スチレン系エラストマー（東亞合成社製、品番ＰＰＥＴ１５０１ＳＧ３０）を準備した。電磁波遮断層を構成する樹脂として、前記で調製したワニスを準備した。

前記ワニスをポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポン製、Ａ－３１４、厚み３８μｍ）にコンマコーター塗工し、前記絶縁層とラミネートした。ポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポン製、Ａ－３１４、厚み３８μｍ）を剥離して電磁波シールド用フィルムを作製した。

実施例１４の電磁波シールド用フィルムの全体の厚みは、４９μｍであり、電磁波遮断層の厚みは２４μｍ、絶縁層の厚みは２５μｍであった。

（実施例１５～１９、２４～２７、３４、比較例１０，１１，１３）
表３～５の原材料を用いて、実施例１４と同様にして電磁波シールド用フィルムを作製した。

（実施例２０）
＜電磁波シールド用フィルムの製造＞
電磁波シールド用フィルムを得るために、保護層を構成する樹脂としてスチレンブタジエンゴム系樹脂（富士化学社製630RF）を準備した。絶縁層を構成する樹脂として、スチレン系エラストマー（東亜化学製、品番ＰＰＥＴ１５０１ＳＧ３０）を準備した。電磁波遮断層を構成する樹脂として、前記で調製したワニスを準備した。

前記ワニスをポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポン製、Ａ－３１４、厚み３８μｍ）にコンマコーター塗工し、前記絶縁層とラミネートした。ポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポン製、Ａ－３１４、厚み３８μｍ）を剥離し、剥離面側に前記保護層をラミネートして電磁波シールド用フィルムを作製した。

実施例２０の電磁波シールド用フィルムの全体の厚みは、２６μｍであり、保護層の厚みは１５μｍ、電磁波遮断層の厚みは６μｍ、絶縁層の厚みは５μｍであった。

（実施例２１～２３、２８～３３、比較例１２）
表３～５の原材料を用いて、実施例２０と同様にして電磁波シールド用フィルムを作製した。

＜成形追従性＞
実施例および比較例で作製した電磁波シールド用フィルムについて、コンデンサーが一定間隔で搭載された基板上にプレス機にて２５℃、０．１ＭＰａで２０秒貼り付けし、コンデンサー段差におけるフィルム成形追従性を目視で測定した。
判定基準は以下の通りである。
○：コンデンサー周辺でフィルムが十分追従している
×：コンデンサー周辺でフィルムが追従しておらずフィルムの浮きが多い

＜接着強度＞
電磁波シールド用フィルムをポリイミドフィルム（カネカ社製、品番アピカル）に、２５℃、０．１ＭＰａで２０秒貼り合わせたサンプルを、ＪＩＳ　Ｚ０２３７に準拠し、２５ｍｍ幅、引きはがし角度１８０°で引きはがして、ポリイミドフィルムとの密着性を測定した。

＜電磁波シールド性＞
実施例および比較例で作製した電磁波シールド用フィルムについて、マイクロストリップライン法を用いて、周波数１ＧＨｚにおける電磁波を遮断する電磁波シールド性を測定した。さらに、ＫＥＣ法を用いて、周波数１ＧＨｚにおける電磁波を遮断する電磁波シールド性を測定した。

結果を表３～５に示す。

フィルム厚みが８μｍ以上５０μｍ以下の電磁波シールド用フィルムを用いた実施例１４～３４では、成形追従性が良好であった。しかし、上記範囲を満たさないフィルムを用いた比較例では、成形追従性が満足できるものではなかった。

（実施例３５）
＜ワニスの調製＞
飽和共重合ポリエステル樹脂（東洋紡（株）社製）２０質量部、ポリアニリン（（株）レグルス社製　PANT）１０質量部、鱗片状銀粉（福田金属箔粉工業社製、Ag-XF301　平均粒子径５．５μｍ）７０質量部をトルエン２０部に分散させ、超音波をあてることで均一化し、ワニスを調製した。

＜電磁波シールド用フィルムの製造＞
電磁波シールド用フィルムを得るために、保護層を構成する樹脂としてポリエチレンテレフタラート（東洋紡(株)社製品番Ｔ－４１００）を準備した。絶縁層を構成する樹脂として、ＰＥＴ両面テープ（日栄化工社製、品番ＮｅｏＦｉｘ２０　表面アクリル樹脂）を準備した。電磁波遮断層を構成する樹脂として、前記で調整したワニスを準備した。

前記ワニスをポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポン製、Ａ－３１４、厚み３８μｍ）にコンマコーター塗工し、前記絶縁層とラミネートした。ポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポン製、Ａ－３１４、厚み３８μｍ）を剥離し、剥離面側に前記基材層をラミネートして電磁波シールド用フィルムを作製した。

実施例３５の電磁波シールド用フィルムの全体の厚みは、４９μｍであり、基材層の厚みは９μｍ、電磁波遮断層の厚みは２０μｍ、絶縁層の厚みは２０μｍであった。

（実施例３６）
　絶縁層を構成する樹脂としてＰＥＴ両面テープ（日栄化工(株)社製、品番ＮｅｏＦｉｘ１０　表面アクリル樹脂）を用いた以外は実施例３５と同様にして、電磁波シールド用フィルムを作製した。

（実施例３７）
　絶縁層を構成する樹脂としてＰＥＴ両面テープ（日栄化工(株)社製、品番ＮｅｏＦｉｘ５Ｓ２　表面アクリル樹脂）を用いた以外は実施例３５と同様にして、電磁波シールド用フィルムを作製した。

（実施例３８）
　絶縁層を構成する樹脂としてスチレン系エラストマー（東亞合成(株)社製、品番ＰＰＥＴ－１５０１ＳＧ３０）を２５μｍ厚で塗工して用いた以外は実施例３５と同様にして、電磁波シールド用フィルムを作製した。

（比較例１４）
　絶縁層を構成する樹脂としてアクリル樹脂（日栄化工(株)社製、品番ＭＨＭ－ＧＡＷ）を用いた以外は実施例３５と同様にして、電磁波シールド用フィルムを作製した。

＜評価試験＞
実施例３５～３８、および比較例１４で作製した電磁波シールド用フィルム、または電子部品について、ポリイミドとの密着性、破断性、突き刺し強度の評価を行った。以下に、これらの評価方法について説明する。

＜＜ポリイミドフィルムとの密着性＞＞
電磁波シールド用フィルムをポリイミドフィルム（カネカ社製、品番アピカル）に、２５℃、０．１ＭＰａで２０秒貼り合わせたサンプルを、ＪＩＳ　Ｚ０２３７に準拠し、２５ｍｍ幅、引きはがし角度１８０°で引きはがして、ポリイミドフィルムとの密着性を測定した。

　＜＜破断性＞＞
　テスターを用いて、前記プリント配線板の金属部分と電磁波遮蔽層との間での電流の有無を確認することで、破断の有無を判断した。すなわち、電流が流れたものを破断有りとし、電流が流れなかったものを、破断無しと判断した。

　＜＜突き刺し強度＞＞
　（突き刺し強度測定用フィルムの作製）
　絶縁層を構成する樹脂フィルムをそのまま用いて、突き刺し強度測定用フィルムとした。

　前記、絶縁層に用いたフィルム単体について、ＪＩＳ　Ｚ　１７０７に準拠して、先端部直径１ｍｍの針を、突き刺し速度５０ｍｍ／分でフィルムに突き刺し、針がフィルムを貫通する際の強度を測定し、突き刺し強度とした。

結果を表６に示す。

絶縁層の、ＪＩＳＺ１７０７で測定した突き刺し強度が０．９０Ｎ以上１０．０Ｎ以下である電磁波シールド用フィルムを用いた実施例１～４では、破断性が良好であった。しかし、上記範囲を満たさないフィルムを用いた比較例では、破断性が満足できるものではなかった。

　本発明の電磁波シールドフィルムは、電子部品の軽量化・薄型化に対応できるため、産業上極めて有用である。

１００　電磁波シールドフィルム
１　　　基材層
１１　　第１の層
１２　　第３の層
１３　　第２の層
２　　　絶縁層
３　　　電磁波遮断層
３１　　吸収層
３２　　反射層
４　　　電子部品
５　　　基板
６　　　凹凸
６１　　凸部
６２　　凹部
２０１　保護層
２０２　電磁波遮断層
２０３絶縁層

Claims

　電磁波シールドフィルムであって、
　少なくとも基材層と、電磁波遮断層とを順に積層し、
　前記電磁波遮断層は、Ｚ折りを行ったときにその両端間で導電性を有する組成物から形成されることを特徴とする電磁波シールドフィルム。
　前記電磁波遮断層は、導電性組成物及びバインダーを含有し、
　前記バインダーが非晶質熱可塑性樹脂を主成分とすることを特徴とする請求項１に記載の電磁波シールドフィルム。
　前記バインダーが１５質量％以上５５質量％以下の配合量であることを特徴とする請求項１または２に記載の電磁波シールドフィルム。
　前記非晶質熱可塑性樹脂が非晶質ポリエステル系樹脂であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルム。
　前記基材層は、少なくとも２つの層が積層された積層体を備えることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルム。
　前記基材層は、第１の層と、第２の層と、第３の層とが順に積層された積層体であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルム。
　前記第１の層の厚さＴ（Ａ）と前記第２の層の厚さＴ（Ｃ）と前記第３の層の厚さＴ（Ｂ）が下記式（１）を満たすことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルム。
　０．０５＜Ｔ（Ｃ）／（Ｔ（Ａ）＋Ｔ（Ｂ））＜１０・・・（１）
　さらに、絶縁層を前記基材層の表面あるいは前記電磁波遮断層の表面に積層することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルム。
　電子部品を搭載する基板であって、
　請求項１ないし８のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルムを基板上の凹凸の被覆部材として備え、
　前記凹凸は、１ｍｍ以上の段差を有することを特徴とする基板。
　請求項１ないし８のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルムを電磁波遮蔽部材として備えることを特徴とするフレキシブルプリント基板。
基材層と、該基材層に積層された、電磁波遮断層とを含んで構成され、
前記電磁波遮断層は、導電性高分子と、金属粉を含有することを特徴する電磁波シールド用フィルム。
前記導電性高分子は、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）およびポリアニリンのうちの少なくとも１種である請求項１１に記載の電磁波シールド用フィルム。
　前記金属粉は、銀粉もしくは銀コート銅粉である、請求項１１または１２に記載の電磁波シールド用フィルム。
前記電磁波遮断層は、周波数０．２～１０ＧＨｚの電磁波における、マイクロストリップライン法を用いて測定した際の電磁波シールド効果が５ｄＢ以上である請求項１１ないし１３のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
前記電磁波遮断層は、周波数０．２～１ＧＨｚの電磁波における、ＫＥＣ法を用いて測定した際の電磁波シールド効果が２５ｄＢ以上である請求項１１ないし１４のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
前記電磁波遮断層の厚さは、１μｍ以上、１００μｍ以下である請求項１１ないし１５のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
前記電磁波遮断層の前記基材層側の面、または前記基材層と反対側の面に積層された絶縁層を備える請求項１１ないし１６のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
当該電磁波シールド用フィルムは、基板上の凹凸を被覆するために用いられる請求項１１ないし１７のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
基板と、該基板上に搭載された電子部品と、前記基板の前記電子部品が搭載されている面側から前記基板および電子部品を被覆する、導電性高分子を主材料として含有する電磁波遮断層とを有する電子部品搭載基板であって、
前記電磁波遮断層は、導電性高分子と、金属粉を含有することを特徴する電子部品搭載基板。
基板上の凹凸を被覆するために用いられる電磁波シールド用フィルムであって、
絶縁層と該絶縁層の一方の面側に積層された電磁波遮断層を含んで構成され、
厚みが８μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする電磁波シールド用フィルム。
前記絶縁層とは反対側に電磁波遮断層を介して保護層が積層されている請求項２０記載の電磁波シールド用フィルム。
前記絶縁層の厚みは、５μｍ以上２５μｍ以下であることを特徴とする請求項２０または２１に記載の電磁波シールド用フィルム。
前記絶縁層は、熱可塑性を有する絶縁樹脂で構成されていることを特徴とする請求項２０ないし２２のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
前記絶縁層は、アクリル樹脂もしくはスチレン系エラストマーを含むことを特徴とする請求項２０ないし２３のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
前記電磁波遮断層は導電性高分子を含有することを特徴とする請求項２０ないし２４のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
前記導電性高分子が、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホネート（PEDOT／PSS）およびポリアニリンのうちの少なくとも１種であることを特徴とする請求項２５に記載の電磁波シールド用フィルム。
前記電磁波遮断層が、金属粉を含有することを特徴とする請求項２０ないし２６のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
前記金属粉は、銀粉もしくは銀コート銅粉であることを特徴とする請求項２０ないし２７のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
前記電磁波遮断層の厚さは３μｍ以上、２５μｍ以下であることを特徴とする請求項２０ないし２７のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
基板上の凹凸を被覆するために用いられる電磁波シールド用フィルムであって、
絶縁層と該絶縁層の一方の面側に積層された電磁波遮断層を含んで構成され、
前記絶縁層のＪＩＳ　Ｚ　１７０７で測定した突き刺し強度が、０．９０Ｎ以上１０．０Ｎ以下であることを特徴とする電磁波シールド用フィルム。
前記絶縁層とは反対側に電磁波遮断層を介して保護層が積層されている請求項３０記載の電磁波シールド用フィルム。
前記絶縁層は、熱可塑性を有する絶縁樹脂で構成されていることを特徴とする請求項３０または３１に記載の電磁波シールド用フィルム。
前記絶縁層の厚みは、３μｍ以上、５０μｍ以下であることを特徴とする請求項３０ないし３２のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
前記電磁波遮断層は導電性高分子を含有することを特徴とする請求項３０ないし３３のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
前記導電性高分子が、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホネート（PEDOT／PSS）およびポリアニリンのうちの少なくとも１種であることを特徴とする請求項３４に記載の電磁波シールド用フィルム。
前記電磁波遮断層が、金属粉を含有することを特徴とする請求項３０ないし３５のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
前記金属粉は、銀粉もしくは銀コート銅粉であることを特徴とする請求項３６に記載の電磁波シールド用フィルム。
前記電磁波遮断層の厚さは１μｍ以上、１００μｍ以下であることを特徴とする請求項３０ないし３７のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。
ポリイミドフィルムとの密着力が、１Ｎ／２５ｍｍ以上、１００Ｎ／２５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項３０ないし３８のいずれか１項に記載の電磁波シールド用フィルム。