WO2015087682A1 - 人工光合成モジュール - Google Patents

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hydrogen gas
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尚俊 佐藤
一成 堂免
塚原　次郎
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University of Tokyo NUC
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Fujifilm Corp
University of Tokyo NUC
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Definitions

  • the present invention relates to an artificial photosynthesis module that uses a photoelectric conversion element, electrolyzes water by receiving light, and decomposes it into hydrogen and oxygen, and in particular, an artificial photosynthesis module that can adjust the voltage required for electrolysis of water.
  • an artificial photosynthesis module that uses a photoelectric conversion element, electrolyzes water by receiving light, and decomposes it into hydrogen and oxygen, and in particular, an artificial photosynthesis module that can adjust the voltage required for electrolysis of water.
  • the hydrogen production apparatus disclosed in Patent Document 1 includes a photoelectric conversion unit or a solar cell in which two or more pn junctions that generate an electromotive force when sunlight is incident are provided in series, and receives light on the upper side thereof.
  • An electrolyte chamber is provided on the lower side of the photoelectric conversion unit or solar cell opposite to the surface, the electrolytic chamber is divided by an ion conductive partition or a diaphragm, and by the electric power generated in the photoelectric conversion unit or solar cell by receiving sunlight, Water is electrolyzed to produce hydrogen.
  • Patent Document 1 a GaAs solar cell with an electromotive force of 0.9 V and a GaAs solar cell with an electromotive force of 1.7 V are used, and the generated current values are equivalent, and the sum of the electromotive forces is a practical electrolysis of water.
  • the starting voltage is set to be equal to or higher than the voltage required for electrolysis of water.
  • water is electrolyzed using the electrode plates connected to the p-type and n-type semiconductors of the solar cell as the anode and the cathode, respectively, so that the conversion efficiency from solar energy to hydrogen can be increased. It is said.
  • Patent Document 1 hydrogen is generated by electrolyzing water with electric power generated in a photoelectric conversion unit or a solar cell by receiving sunlight.
  • the voltage required for the electrolysis of water is 2.0 V
  • the voltage of the power supply unit 102 in which the photoelectric conversion elements are connected in series has been adjusted. This voltage adjustment is performed by changing the series number of photoelectric conversion elements constituting the power supply unit 102.
  • the power supply unit 102 is connected to a cathode electrode 104 for generating hydrogen and an anode electrode 106 for generating oxygen.
  • the cathode electrode 104 and the anode electrode 106 are installed in a container 110 filled with an aqueous electrolyte solution 108. In this case, assuming that the electromotive force per one element of the photoelectric conversion element is 0.8 V, it is 1.6 V in two series, and water cannot be electrolyzed.
  • An object of the present invention is to provide an artificial photosynthesis module that can solve the problems based on the above-described conventional technology, adjust the voltage required for electrolysis of water, and reduce surplus power.
  • the present invention provides an artificial photosynthesis module that decomposes an aqueous electrolyte solution into hydrogen and oxygen by light, receiving a light to generate electric power, and electric power of the photoelectric conversion unit
  • a hydrogen gas generation unit that decomposes an aqueous electrolyte solution using hydrogen to generate hydrogen gas
  • an oxygen gas generation unit that decomposes the aqueous electrolyte solution using electric power of the photoelectric conversion unit to generate oxygen gas
  • the unit, the hydrogen gas generation unit, and the oxygen gas generation unit are electrically connected in series, and the hydrogen gas generation unit and the oxygen gas generation unit are disposed in the electrolytic chamber to which the aqueous electrolyte solution is supplied,
  • the part provides an artificial photosynthesis module characterized by having an inorganic semiconductor film having a pn junction.
  • the hydrogen gas generator and the oxygen gas generator are preferably provided on the same plane. Moreover, the hydrogen gas generation unit and the oxygen gas generation unit may be provided on different surfaces.
  • the photoelectric conversion unit is preferably a unit in which a plurality of photoelectric conversion elements are connected in series.
  • the photoelectric conversion element preferably includes an inorganic semiconductor film having a pn junction.
  • the inorganic semiconductor film preferably has an absorption wavelength end of 800 nm or more.
  • the inorganic semiconductor film includes a CIGS compound semiconductor or a CZTS compound semiconductor.
  • the inorganic semiconductor film of the hydrogen gas generation unit is covered with a functional layer, the functional layer is insoluble in a weakly acidic solution and a weakly alkaline solution, and has both light transmittance, water shielding, and conductivity.
  • the functional layer is preferably provided with a promoter on the surface thereof, and is preferably a metal or a conductive oxide (overvoltage is 0.5 V or less) or a composite thereof, and the promoter contains Pt, Pt, or It is preferably composed of Rh.
  • the photoelectric conversion unit is covered with a protective layer, and the protective layer is insoluble in the weakly acidic solution and the weakly alkaline solution, and has light transmittance, water shielding properties, and insulating properties.
  • a promoter is provided in the oxygen gas generating section, and the promoter for generating oxygen is preferably composed of CoO x or IrO 2 .
  • the voltage concerning an electrolysis chamber cell can be adjusted and the loss for the overvoltage of the voltage required for electrolysis can be decreased. Moreover, since the electric power generated in the photoelectric conversion unit can be used for water electrolysis without remaining, hydrogen can be produced at low cost. Further, by providing the electrolytic chamber, it is not necessary to immerse in the aqueous electrolyte solution, and performance degradation due to immersion can be avoided. Furthermore, since the electrolysis of water is performed in the electrolysis chamber cell to obtain hydrogen gas and oxygen gas, the area of the electrolysis chamber can be reduced.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing an artificial photosynthesis module according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a main part of the artificial photosynthesis module shown in FIG. 1.
  • A is an equivalent circuit diagram of the artificial photosynthesis module of the first embodiment of the present invention
  • (b) is an equivalent circuit diagram of another example of the artificial photosynthesis module of the first embodiment of the present invention. is there. It is typical sectional drawing which shows the artificial photosynthesis module of the 2nd Embodiment of this invention. It is a schematic diagram which shows the conventional electrolysis apparatus of water.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing an artificial photosynthesis module according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a main part of the artificial photosynthesis module shown in FIG.
  • the artificial photosynthesis module 10 includes, for example, a plurality of photoelectric conversion units 12 and a plurality of electrolysis chambers 14.
  • the electrolysis chamber 14 is disposed between the photoelectric conversion units 12 in the direction M, and the photoelectric conversion unit 12 and the electrolysis chamber 14 are electrically connected in series.
  • the photoelectric conversion units 12 positioned at each end in the direction M are connected by, for example, a wiring 13.
  • the photoelectric conversion units 12 positioned at each end are not limited to being connected to each other via the wiring 13.
  • the photoelectric conversion units 12 at each end may be grounded.
  • the photoelectric conversion unit 12 receives light and generates electric power, electric power for generating hydrogen gas in a hydrogen gas generating unit 32 described later, and electric power for generating oxygen gas in an oxygen gas generating unit 34 described later. It is for supplying.
  • the electric power generated in the photoelectric conversion unit 12 includes a generated voltage and a generated current.
  • the photoelectric conversion unit 12 has at least one photoelectric conversion element 30. As will be described later, in the example shown in FIGS. 1 and 2, the photoelectric conversion unit 12 is a cascade type integrated element in which two or more photoelectric conversion elements 30 are electrically connected in series.
  • an electrolytic aqueous solution AQ is supplied to the electrolytic chamber 14 as will be described later.
  • the electrolyte aqueous solution AQ is decomposed using the electromotive force generated in the photoelectric conversion unit 12, and hydrogen gas and oxygen gas are generated in the electrolysis chamber 14.
  • the aqueous electrolyte solution AQ is, for example, a liquid containing H 2 O as a main component, and may be distilled water, or an aqueous solution containing water as a solvent and containing a solute.
  • water for example, it may be an electrolytic solution that is an aqueous solution containing an electrolyte, or may be cooling water used in a cooling tower or the like.
  • an aqueous solution containing an electrolyte such as a strong alkali (KOH), a polymer electrolyte (Nafion (registered trademark)), an electrolytic solution containing 0.1 M H 2 SO 4 , 0.1 M sodium sulfate.
  • electrolytic solution 0.1M disodium hydrogenphosphate electrolytic solution, 0.1M potassium phosphate buffer solution and the like.
  • the artificial photosynthesis module 10 includes a supply unit 16 for supplying the aqueous electrolyte solution AQ to the electrolysis chamber 14 and a recovery unit 18 for recovering the aqueous electrolyte solution AQ discharged from the electrolysis chamber 14.
  • a known water supply device such as a pump can be used, and a known water recovery device such as a tank can be used.
  • the supply unit 16 is connected to the electrolysis chamber 14 via a supply pipe 17, and the recovery unit 18 is connected to the electrolysis chamber 14 via a recovery pipe 19.
  • the electrolyte aqueous solution AQ recovered by the recovery unit 18 may be circulated to the supply unit 16 so that the electrolyte aqueous solution AQ can be reused.
  • the artificial photosynthesis module 10 includes a hydrogen gas recovery unit 20 that recovers the hydrogen gas generated in the electrolysis chamber 14 and an oxygen gas recovery unit 22 that recovers the oxygen gas generated in the electrolysis chamber 14.
  • the hydrogen gas recovery unit 20 is connected to the electrolysis chamber 14 via a hydrogen pipe 21, and the oxygen gas recovery unit 22 is connected to the electrolysis chamber 14 via an oxygen pipe 23.
  • the configuration of the hydrogen gas recovery unit 20 is not particularly limited as long as the hydrogen gas can be recovered.
  • an apparatus using an adsorption method, a diaphragm method, or the like can be used.
  • the configuration of the oxygen gas recovery unit 22 is not particularly limited as long as the oxygen gas can be recovered.
  • an apparatus using an adsorption method can be used.
  • the artificial photosynthesis module 10 may be inclined at a predetermined angle with respect to the width direction W.
  • the artificial photosynthesis module 10 includes an integrated structure having a photoelectric conversion unit 12, a hydrogen gas generation unit 32, and an oxygen gas generation unit 34 on a planar insulating substrate 40, that is, on the same plane. It is.
  • a hydrogen gas generation unit 32 and an oxygen gas generation unit 34 are arranged with the photoelectric conversion unit 12 interposed therebetween, and the photoelectric conversion unit 12, the hydrogen gas generation unit 32, and the oxygen gas generation unit 34 are electrically connected in series.
  • the photoelectric conversion unit 12, the hydrogen gas generation unit 32, and the oxygen gas generation unit 34 are collectively referred to as a water splitting element G.
  • the adjacent water decomposition elements G are arranged so that the hydrogen gas generation unit 32 and the oxygen gas generation unit 34 are adjacent to each other, and the hydrogen gas generation unit 32 and the oxygen gas of different water decomposition elements G are arranged.
  • the generator 34 is accommodated in the same electrolysis chamber 14.
  • a groove H penetrating the back electrode 42 and the insulating substrate 40 is formed between the hydrogen gas generating part 32 and the oxygen gas generating part 34 of the adjacent water decomposition element G, and the elements are separated by the groove H. .
  • the water splitting element G is not formed in the entire width direction W of the insulating substrate 40, and the groove H for element isolation is not formed in the entire width direction W of the insulating substrate 40.
  • the element isolation method is not particularly limited as long as the hydrogen gas generation unit 32 and the oxygen gas generation unit 34 can be electrically insulated in the electrolysis chamber 14.
  • a groove to the surface of the insulating substrate 40 can be formed in the back electrode 42, and the groove can be filled with an insulating material to separate the elements.
  • the electrolysis chamber 14 is formed of a container 60 provided on the insulating substrate 40.
  • the photoelectric conversion element 30 is configured by laminating a back electrode 42, a photoelectric conversion layer 44, a buffer layer 46, a transparent electrode 48, and a protective film 50 in order from the insulating substrate 40 side.
  • a pn junction is formed at the interface between the photoelectric conversion layer 44 and the buffer layer 46.
  • the photoelectric conversion layer 44 and the buffer layer 46 constitute an inorganic semiconductor film 47 having a pn junction.
  • the protective film 50 is insoluble in a weakly acidic solution and a weakly alkaline solution, and also has light transmission properties, water shielding properties, and insulating properties.
  • the protective film 50 has translucency, and is for protecting the photoelectric conversion element 30 and the hydrogen gas generation unit 32.
  • the entire surface of the transparent electrode 48, the side surface 49 of the photoelectric conversion element 30, and the hydrogen gas generation unit 32 ( The side surface 33 of the pn junction cell 31) is covered.
  • Protective film 50 for example, a SiO 2, SnO 2, Nb 2 O 5, Ta 2 O 5, Al 2 O 3 and Ga 2 O 3 or the like.
  • the thickness of the protective film 50 is not particularly limited and is preferably 100 to 1000 nm.
  • the formation method of the protective film 50 is not specifically limited, It can form by RF sputtering method, DC reactive sputtering method, MOCVD method, etc.
  • the protective film 50 can be made of, for example, an insulating epoxy resin, an insulating silicone resin, an insulating fluororesin, or the like.
  • the thickness of the protective film 50 is not particularly limited and is preferably 2 to 1000 ⁇ m.
  • two photoelectric conversion elements 30 are connected in series in the direction M.
  • the number is limited as long as an electromotive force capable of generating hydrogen gas and oxygen gas can be obtained. Instead, it may be one or three or more. Since it is possible to obtain a higher voltage and to adjust the voltage generated in the entire artificial light synthesis module 10 by connecting the plurality of photoelectric conversion elements 30 in series, the plurality of photoelectric conversion elements 30 are connected in series. It is preferable.
  • the hydrogen gas generation unit 32 is configured by laminating a back electrode 42, a photoelectric conversion layer 44, a buffer layer 46, and a functional layer 72 in order from the insulating substrate 40 side.
  • a pn junction is formed at the interface between the photoelectric conversion layer 44 and the buffer layer 46, and the photoelectric conversion layer 44 and the buffer layer 46 constitute an inorganic semiconductor film 47.
  • promoters 74 for promoting hydrogen generation are formed in islands so as to be scattered. Note that the stacked structure of the back electrode 42, the photoelectric conversion layer 44, and the buffer layer 46 is also referred to as a pn junction cell 31.
  • the functional layer 72 constitutes the hydrogen gas generation unit 32, and a transparent conductive protective film is used. Further, the functional layer 72 is insoluble in the weakly acidic solution and the weakly alkaline solution, and also has light transmittance, water shielding properties, and conductivity.
  • the functional layer 72 supplies electrons to hydrogen ions (protons) H + ionized from water molecules to generate hydrogen molecules, that is, hydrogen gas (2H + + 2e ⁇ ⁇ > H 2 ), and has a surface 72a. Functions as a hydrogen gas generating surface. Therefore, the functional layer 72 constitutes a hydrogen gas generation region.
  • the functional layer 72 is preferably, for example, a metal, a conductive oxide (overvoltage is 0.5 V or less), or a composite thereof. More specifically, the functional layer 72 is transparent like the transparent electrode 48 such as ZnO doped with ITO, Al, B, Ga, In, or the like, or IMO (In 2 O 3 with Mo added). A conductive film can be used. Similarly to the transparent electrode 48, the functional layer 72 may have a single-layer structure or a laminated structure such as a two-layer structure. Further, the thickness of the functional layer 72 is not particularly limited, and is preferably 10 to 1000 nm, and more preferably 50 to 500 nm.
  • the method for forming the functional layer 72 is not particularly limited, as with the transparent electrode 48, and may be formed by a vapor deposition method such as an electron beam evaporation method, a sputtering method, or a CVD method, or a coating method. it can.
  • the co-catalyst 74 is composed of, for example, a simple substance composed of Pt, Pd, Ni, Au, Ag, Ru, Cu, Co, Rh, Ir, Mn, and the like, and an oxide thereof, for example, NiOx. And RuO 2 .
  • the size of the co-catalyst 74 is not particularly limited and is preferably 0.5 nm to 1 ⁇ m.
  • the method for forming the co-catalyst 74 is not particularly limited, and can be formed by a coating and baking method, a photo-deposition method, a sputtering method, an impregnation method or the like.
  • the co-catalyst 74 is preferably provided on the surface 72a of the functional layer 72, but it may not be provided when sufficient hydrogen gas can be generated.
  • the oxygen gas generation unit 34 includes a region 76 that is an extension of the back electrode 42 of the photoelectric conversion element 30, and this region 76 becomes a region for generating oxygen gas.
  • the region 76 of the extended portion of the back electrode 42 of the photoelectric conversion element 30 takes out electrons from the hydroxide ions OH ⁇ ionized from the water molecules and generates oxygen molecules, that is, oxygen gas (2OH ⁇ ⁇ ). > H 2 O + O 2/ 2 + 2e -) are those, which functions as an oxygen gas generating surface.
  • oxygen generating promoters 78 are formed in an island shape so as to be scattered.
  • the oxygen generating co-catalyst 78 is made of, for example, IrO 2 , CoO x or the like.
  • the size of the oxygen generating co-catalyst 78 is not particularly limited, and is preferably 0.5 nm to 1 ⁇ m.
  • the method for forming the oxygen generating co-catalyst 78 is not particularly limited, and can be formed by a coating and baking method, a dipping method, an impregnation method, a sputtering method, a vapor deposition method, or the like.
  • the insulating substrate 40 is not particularly limited as long as it has an insulating property and has a strength capable of supporting the photoelectric conversion unit 12 and the electrolytic chamber 14.
  • a soda lime glass (SLG) substrate or a ceramic substrate can be used as the insulating substrate 40.
  • the insulating substrate 40 may be a metal substrate having an insulating layer formed thereon.
  • a metal substrate such as an Al substrate or a SUS substrate, or a composite metal substrate such as a composite Al substrate made of a composite material of Al and another metal such as SUS can be used.
  • the composite metal substrate is also a kind of metal substrate, and the metal substrate and the composite metal substrate are collectively referred to simply as a metal substrate.
  • a metal substrate with an insulating film having an insulating layer formed by anodizing the surface of an Al substrate or the like can also be used.
  • the insulating substrate 40 may or may not be flexible.
  • a glass plate such as high strain point glass and non-alkali glass, or a polyimide material can be used as the insulating substrate 40.
  • the thickness of the insulating substrate 40 is not particularly limited as long as it can support the photoelectric conversion unit 12 and the electrolysis chamber 14, and may be any thickness. For example, it may be about 20 to 20000 ⁇ m. Is preferably ⁇ 10,000 ⁇ m, more preferably 1000 to 5,000 ⁇ m.
  • an alkali ion (for example, , Sodium (Na) ion: Na + ) improves the photoelectric conversion efficiency of the photoelectric conversion element 30, so an alkali supply layer for supplying alkali ions is provided on the upper surface of the insulating substrate 40.
  • the back electrode 42 is made of, for example, a metal such as Mo, Cr, or W, or a combination thereof.
  • the back electrode 42 may have a single layer structure or a laminated structure such as a two-layer structure. Among these, the back electrode 42 is preferably composed of Mo.
  • the thickness of the back electrode 42 is generally about 800 nm, but the thickness of the back electrode 42 is preferably 400 nm to 1 ⁇ m.
  • the photoelectric conversion layer 44 forms a pn junction in which the photoelectric conversion layer 44 side is p-type and the buffer layer 46 side is n-type at the interface with the buffer layer 46. It is a layer that absorbs light that has passed through the protective film 50, the transparent electrode 48, and the buffer layer 46 and generates holes on the p side and electrons on the n side, and has a photoelectric conversion function.
  • holes generated in the pn junction are moved from the photoelectric conversion layer 44 to the back electrode 42 side, and electrons generated in the pn junction are moved from the buffer layer 46 to the transparent electrode 48 side.
  • the film thickness of the photoelectric conversion layer 44 is preferably 1.0 to 3.0 ⁇ m, and particularly preferably 1.5 to 2.0 ⁇ m.
  • the photoelectric conversion layer 44 is preferably composed of, for example, a CIGS compound semiconductor or a CZTS compound semiconductor having a chalcopyrite crystal structure. That is, the photoelectric conversion layer 44 is preferably composed of a CIGS compound semiconductor layer.
  • the CIGS compound semiconductor layer may be formed of not only Cu (In, Ga) Se 2 (CIGS) but also known materials used for CIGS systems such as CuInSe 2 (CIS) and CuGaSe 2 (CGS). Good.
  • CIGS layer forming methods 1) multi-source vapor deposition, 2) selenization, 3) sputtering, 4) hybrid sputtering, and 5) mechanochemical process are known.
  • CIGS layer forming methods include screen printing, proximity sublimation, MOCVD, and spray (wet film formation).
  • a fine particle film containing an Ib group element, a IIIb group element, and a VIb group element is formed on a substrate by a screen printing method (wet film forming method) or a spray method (wet film forming method), and then pyrolyzed ( At this time, a crystal having a desired composition can be obtained by performing a thermal decomposition treatment in a VIb group element atmosphere (JP-A-9-74065, JP-A-9-74213, etc.).
  • the photoelectric conversion layer 44 is preferably composed of, for example, a CIGS compound semiconductor or a CZTS compound semiconductor having a chalcopyrite crystal structure, but is not limited thereto, and is not limited thereto. Any photoelectric conversion element may be used as long as it can form a pn junction consisting of the above, generate a photodecomposition reaction of water, and generate hydrogen gas and oxygen gas.
  • the photoelectric conversion element used for the photovoltaic cell which comprises a solar cell is used preferably.
  • Such photoelectric conversion elements include CIGS thin film photoelectric conversion elements, CIS thin film photoelectric conversion elements, and CZTS thin film photoelectric conversion elements, as well as thin film silicon thin film photoelectric conversion elements and CdTe thin film photoelectric conversion elements. Examples thereof include a conversion element, a dye-sensitized thin film photoelectric conversion element, and an organic thin film photoelectric conversion element.
  • the absorption wavelength of the inorganic semiconductor that forms the photoelectric conversion layer 44 is not particularly limited as long as it is a wavelength region in which photoelectric conversion is possible.
  • the absorption wavelength end As an absorption wavelength, it is only necessary to include a wavelength region such as sunlight, in particular, a visible wavelength region to an infrared wavelength region, but the absorption wavelength end includes 800 nm or more, that is, the infrared wavelength region. Is preferred. The reason is that as much solar energy as possible can be used.
  • the longer absorption wavelength end corresponds to the reduction of the band gap, which can be expected to reduce the electromotive force for assisting water decomposition. Therefore, it can be expected that the number of connections connected in series will increase. Therefore, the longer the absorption edge, the better.
  • the buffer layer 46 constitutes the inorganic semiconductor film 47 having a pn junction together with the photoelectric conversion layer 44 as described above.
  • the buffer layer 46 is formed to protect the photoelectric conversion layer 44 when the transparent electrode 48 is formed and to transmit light incident on the transparent electrode 48 to the photoelectric conversion layer 44.
  • the buffer layer 46 may be, for example, CdS, ZnS, Zn (S, O), and / or Zn (S, O, OH), SnS, Sn (S, O), and / or Sn (S, O, OH).
  • the thickness of the buffer layer 46 is preferably 10 nm to 2 ⁇ m, and more preferably 15 to 200 nm.
  • the buffer layer 46 is formed by, for example, a chemical bath deposition method (hereinafter referred to as CBD method).
  • a window layer may be provided between the buffer layer 46 and the transparent electrode 48. This window layer is composed of, for example, a ZnO layer having a thickness of about 10 nm.
  • the transparent electrode 48 has translucency, takes light into the photoelectric conversion layer 44, and moves the holes and electrons generated in the photoelectric conversion layer 44 in pairs with the back electrode 42 (current flows). ) Functions as an electrode and functions as a transparent conductive film for connecting two photoelectric conversion elements 30 in series.
  • the transparent electrode 48 is made of, for example, ZnO doped with Al, B, Ga, In, or the like, or ITO.
  • the transparent electrode 48 may have a single layer structure or a laminated structure such as a two-layer structure. Further, the thickness of the transparent electrode is not particularly limited and is preferably 0.3 to 1 ⁇ m.
  • the formation method of a transparent electrode is not specifically limited, It can form by vapor phase film-forming methods, such as an electron beam vapor deposition method, a sputtering method, and CVD method, or the apply
  • the transparent conductive film for connecting adjacent photoelectric conversion elements 30 in series is not limited to the transparent electrode 48, but is formed simultaneously with the same transparent conductive film as the transparent electrode 48 for ease of manufacturing. It is good. That is, after the buffer layer 46 is laminated on the photoelectric conversion layer 44, the opening groove P2 reaching the surface of the back electrode 42 is formed by laser scribe or mechanical scribe, and the opening groove P2 is filled on the buffer layer 46. Then, the transparent conductive film constituting the transparent electrode 48 is formed, and thereafter, the transparent conductive film in each opening groove P2 is removed by scribing, and the opening groove P2 having a slightly narrow width reaching the surface of the back electrode 42 is formed again. By leaving the back electrode 42 of the adjacent photoelectric conversion element 30 and the transparent electrode 48 as a conductive film that directly connects, a conductive film for connecting the adjacent photoelectric conversion elements 30 in series can be formed.
  • the photoelectric conversion unit 12 when light L enters the photoelectric conversion element 30 from the protective film 50 side, the light L passes through the protective film 50, each transparent electrode 48, and each buffer layer 46, and each photoelectric conversion layer An electromotive force is generated at 44, and for example, a current (movement of holes) from the transparent electrode 48 toward the back electrode 42 is generated. For this reason, in the photoelectric conversion unit 12, the hydrogen gas generation part 32 becomes a negative electrode (electrolysis cathode), and the oxygen gas generation part 34 becomes a positive electrode (electrolysis anode). Note that the type (polarity) of the generated gas in the photoelectric conversion unit 12 is appropriately changed according to the configuration of the photoelectric conversion element 30, the configuration of the photoelectric conversion unit 12, and the like.
  • the manufacturing method of the artificial photosynthesis module 10 is not limited to the manufacturing method shown below.
  • a soda lime glass substrate to be the insulating substrate 40 is prepared.
  • a Mo film or the like to be the back electrode 42 is formed on the surface of the insulating substrate 40 by a sputtering method using a film forming apparatus.
  • a predetermined position of the Mo film is scribed to form a separation groove P1 extending in the width direction W (see FIG. 1) of the insulating substrate 40.
  • the back surface electrodes 42 separated from each other by the separation groove P1 are formed.
  • a CIGS film (p-type semiconductor layer) is formed as the photoelectric conversion layer 44 so as to cover the back electrode 42 and fill the separation groove P1.
  • This CIGS film is formed by any of the film forming methods described above.
  • a CdS layer (n-type semiconductor layer) to be the buffer layer 46 is formed on the photoelectric conversion layer 44 by the CBD method.
  • the direction M it extends in the width direction W (see FIG. 1) of the insulating substrate 40 at a position different from the position where the separation groove P1 is formed, and the back electrode 42 extends from the buffer layer 46 through the photoelectric conversion layer 44.
  • Two opening grooves P2 reaching the surface are formed by, for example, a scribe method. In this case, a laser scribe method or a mechanical scribe method can be used as the scribe method.
  • the transparent electrode 48 is formed so as to extend in the width direction W (see FIG. 1) of the insulating substrate 40 and fill the opening groove P2 on the buffer layer 46.
  • the opening groove P2 For example, Al, B, Ga, Sb, etc.
  • a ZnO: Al layer to which is added is formed by sputtering or coating.
  • the ZnO: Al layer in the opening groove P2 is removed so as to leave a part, and two slightly narrow opening grooves P2 reaching the surface of the back electrode 42 are formed again by, for example, a scribe method. Also in this case, a laser scribe method or a mechanical scribe method can be used as the scribe method.
  • the outer surface of the photoelectric conversion element 30 constituting the photoelectric conversion unit 12, the surface of the back electrode 42 on the bottom surface of the two opening grooves P2, the side surface 49 of the photoelectric conversion element 30, and the side surface 49 of the photoelectric conversion element 30 A SiO 2 film, for example, serving as the protective film 50 is formed on the side surface 33 of the pn junction cell 31 by RF sputtering. Thereby, the two photoelectric conversion elements 30 can be formed.
  • the ZnO: Al layer formed in the pn junction cell 31 to be the hydrogen gas generation unit 32 is peeled off using a laser scribe method or a mechanical scribe method, and a functional layer 72 is formed on the exposed surface of the buffer layer 46.
  • a ZnO: Al layer to which Al, B, Ga, Sb, or the like is added is formed by a sputtering method using a patterning mask or a coating method.
  • a Pt cocatalyst that becomes a co-catalyst 74 for hydrogen generation is supported by, for example, a photo-deposition method.
  • the deposit on the region 76 of the extended portion of the back electrode 42 of the photoelectric conversion element 30 on the side not adjacent to the hydrogen gas generation unit 32 is removed using a laser scribe method or a mechanical scribe method, and the region 76 is removed. Expose. Then, for example, a CoO x promoter, which becomes a promoter 78 for oxygen generation, is supported on the surface 76a of the region 76 by, for example, an immersion method.
  • a groove H penetrating the back electrode 42 and the insulating substrate 40 is formed by a known method.
  • the container 60 which comprises the electrolytic chamber 14 prepared beforehand is arrange
  • FIG. Thereby, the electrolysis chamber 14 is formed.
  • a supply pipe 17, a recovery pipe 19, a hydrogen pipe 21, and an oxygen pipe 23 are connected to the electrolysis chamber 14, and these are connected to the supply section 16, the recovery section 18, the hydrogen gas recovery section 20, and the oxygen gas recovery, respectively.
  • the artificial photosynthesis module 10 can be manufactured.
  • the photoelectric conversion unit 12 is irradiated with light L, and the aqueous electrolyte solution AQ is supplied from the supply unit 16 to each electrolytic chamber 14.
  • the aqueous electrolyte solution AQ is decomposed in the hydrogen gas generation section 32 in each electrolysis chamber 14 to generate hydrogen gas
  • the aqueous electrolyte solution AQ is decomposed in the oxygen gas generation section 34 to generate oxygen gas.
  • the hydrogen gas is recovered by the hydrogen gas recovery unit 20 through the hydrogen pipe 21.
  • the oxygen gas is recovered by the oxygen gas recovery unit 22 through the oxygen pipe 23.
  • the artificial photosynthesis module 10 by providing the electrolysis chamber 14, it is not necessary to immerse the whole in the electrolyte aqueous solution AQ, and performance degradation due to immersion can be avoided. Furthermore, since the electrolytic aqueous solution AQ is electrolyzed in the electrolytic chamber 14 to obtain hydrogen gas and oxygen gas, the area of the electrolytic chamber 14 can be reduced.
  • the artificial photosynthesis module 10 can be represented as an equivalent circuit 80 as shown in FIG.
  • the power supply unit 82 corresponds to the photoelectric conversion unit 12 shown in FIG. 1
  • the electrolysis chamber unit 84 corresponds to the electrolysis chamber 14 shown in FIG.
  • the electromotive force part 86 connected to the electrolysis chamber part 84 of both ends is equivalent to what the photoelectric conversion unit 12 of both ends shown in FIG.
  • One battery of the power supply unit 82 and the electromotive force unit 86 corresponds to one photoelectric conversion element 30.
  • the equivalent circuit 80 shown in FIG. 3A ten photoelectric conversion elements 30 are connected in series. If the electromotive force of one photoelectric conversion element 30 is 0.8V, the artificial light synthesis module 10 as a whole is 8V.
  • the voltage applied to each of the four electrolysis chambers 84 is 8V / 4, which is 2V / piece.
  • the voltage required for electrolyzing water is 2.0 V as described above, in each electrolysis chamber 14, generation of surplus power corresponding to a voltage higher than the practical electrolysis start voltage of water is generated. It is possible to suppress energy loss. In contrast, in the conventional example shown in FIG. 5 described above, the energy loss was 0.4 V.
  • energy loss can be reduced as compared with the conventional art.
  • the plurality of photoelectric conversion units 12 preferably have the same amount of generated current and generated voltage in each photoelectric conversion unit 12 when irradiated with light. However, since the voltage obtained by dividing the total voltage of the artificial photosynthesis module 10 by the number of the electrolysis chambers 14 is applied to the electrolysis chamber 14, among the plurality of photoelectric conversion units 12, there are some whose voltages are equal to or lower than a predetermined voltage. However, the other photoelectric conversion unit 12 can compensate for the voltage drop.
  • the photoelectric conversion units 12 at each end may be grounded.
  • the electrode on the oxygen generation side is grounded, and the electrode on the hydrogen generation side of the electrolysis chamber 84 at the other end is grounded. Even in this configuration, it is possible to obtain the same effect as that of the artificial light synthesis module 10 by adjusting the sum of the voltages of the power supply units 82.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing an artificial photosynthesis module according to the second embodiment of the present invention.
  • the artificial photosynthesis module 10a of this embodiment the same components as those of the artificial photosynthesis module 10 shown in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
  • the artificial photosynthesis module 10a shown in FIG. 4 differs from the artificial photosynthesis module 10 shown in FIGS. 1 and 2 in that the configuration of the electrolysis chamber 14 and the arrangement positions of the hydrogen gas generator 32 and the oxygen gas generator 34 are different from each other. Since it is the same as the artificial light synthesis module 10 shown in FIG. 1 and FIG. 2 except that it is provided on the opposite surface, detailed description thereof is omitted.
  • the oxygen gas generation unit 34 is not provided in the region 76 of the extended portion of the back electrode 42, but the conductive film 64 is provided on the back surface 44 b of the photoelectric conversion layer 44 of the photoelectric conversion element 30.
  • the conductive film 64 is formed in an island shape so that the oxygen generating promoter 78 is scattered on the surface 64a.
  • the hydrogen gas generation unit 32 and the oxygen gas generation unit 34 are provided not on the same plane but on opposite surfaces with respect to the insulating substrate 40.
  • the conductive film 64 is not particularly limited as long as it has conductivity, and the same material as the back electrode 42 can be used.
  • the hydrogen gas generation part 32 of the water splitting element G and the adjacent oxygen gas generation part 34 are separated by the groove H, and the hydrogen gas generation part 32 adjacent to the oxygen gas generation part 34 of the water splitting element G is also connected by the groove H.
  • the elements are separated from each other.
  • the water splitting element G is not formed in the entire width direction W of the insulating substrate 40
  • the groove H is not formed in the entire width direction W of the insulating substrate 40.
  • the electrolysis chamber 14 of the present embodiment is provided with a container 62 disposed so as to surround the hydrogen gas generation unit 32 on the front surface side and the oxygen gas generation unit 34 on the rear surface side.
  • the container 62 is in contact with the side surface 33 of the hydrogen gas generator 32 (pn junction cell 31), the side surface 40b of the insulating substrate 40, and the side surface 64b of the conductive film 64, respectively.
  • the aqueous electrolyte solution AQ is supplied into the container 62, and the aqueous electrolyte solution AQ is supplied to the hydrogen gas generator 32 and the oxygen gas generator 34.
  • the manufacturing method of the artificial photosynthesis module 10a is not limited to the manufacturing method shown below.
  • the method for manufacturing the artificial photosynthesis module 10a detailed description of the same steps as those for the method for manufacturing the artificial photosynthesis module 10 of the first embodiment is omitted.
  • the method for manufacturing the artificial photosynthesis module 10a first, for example, a soda lime glass substrate to be the insulating substrate 40 is prepared, and thereafter, until the photoelectric conversion element 30 and the hydrogen gas generation unit 32 are formed, the artificial photosynthesis module 10 Since it is the same process as the manufacturing method of, detailed description thereof is omitted.
  • the insulating substrate 40 and the back electrode 42 in the region where the oxygen gas generation unit 34 is to be formed are removed by, for example, a scribe method, and the back surface 44b of the photoelectric conversion layer 44 is formed.
  • the conductive film 64 is formed on the back surface 44b of the photoelectric conversion layer 44 by, for example, sputtering using a patterning mask.
  • a CoO x promoter which becomes a promoter 78 for oxygen generation, is supported on the surface 64a of the conductive film 64 by, for example, an immersion method.
  • a groove H penetrating the back electrode 42 and the insulating substrate 40 is formed by a known method.
  • the container 62 which comprises the electrolysis chamber 14 is attached. In this way, the artificial photosynthesis module 10a can be manufactured.
  • each photoelectric conversion element 30 is irradiated with light L, and the aqueous electrolyte solution AQ is supplied to the hydrogen gas generation unit 32 and the oxygen gas generation unit 34, respectively.
  • the aqueous electrolyte solution AQ is supplied to the hydrogen gas generation unit 32 and the oxygen gas generation unit 34, respectively.
  • an electromotive force is generated in the photoelectric conversion element 30, and the electric power of the photoelectric conversion element 30 decomposes the aqueous electrolyte solution AQ in each hydrogen gas generation unit 32 to generate hydrogen gas.
  • the hydrogen gas is recovered by the hydrogen gas recovery unit 20 via 21.
  • the electrolyte aqueous solution AQ is decomposed to generate oxygen gas, and the oxygen gas is recovered by the oxygen gas recovery unit 22 via the oxygen pipe 23.
  • the artificial photosynthesis module 10a of the present embodiment is the same in basic configuration as the artificial photosynthesis module 10 of the first embodiment, although the configuration of the oxygen gas generation unit 34 is different from that of the first embodiment.
  • the same effect as the artificial photosynthesis module 10 can be obtained. For this reason, hydrogen gas and oxygen gas can be obtained efficiently. As a result, hydrogen gas can be produced at low cost.
  • the present invention is basically configured as described above.
  • the artificial photosynthesis module of the present invention has been described in detail above.
  • the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications or changes may be made without departing from the spirit of the present invention. is there.

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Abstract

　光により電解質水溶液を水素と酸素に分解する人工光合成モジュールは、光を受光して電力を発生する光電変換ユニットと、光電変換ユニットの電力を用いて電解質水溶液を分解し、水素ガスを生成する水素ガス生成部と、光電変換ユニットの電力を用いて電解質水溶液を分解し、酸素ガスを生成する酸素ガス生成部とを有する。光電変換ユニットと水素ガス生成部と酸素ガス生成部とが電気的に直列に接続され、水素ガス生成部と酸素ガス生成部とが、電解質水溶液が供給される電解室内に配置されている。水素ガス生成部はｐｎ接合を有する無機半導体膜を有する。

Description

人工光合成モジュール
　本発明は、光電変換素子を用い、光を受光して水を電気分解し、水素と酸素に分解する人工光合成モジュールに関し、特に、水の電気分解に要する電圧を調整することができる人工光合成モジュールに関する。
　従来、再生可能なエネルギーである太陽光エネルギーを利用する形態の１つとして、太陽電池に使用される光電変換材料を用いて、光電変換で得られる電子と正孔とを水の分解反応に利用して、燃料電池等に用いられる水素を製造する水素製造装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
　特許文献１に開示の水素製造装置は、太陽光が入射されると起電力を発生するｐｎ接合を２つ以上直列にした光電変換部または太陽電池を設け、その上側の太陽光を受光する受光面とは逆の光電変換部または太陽電池の下側に電解液室を設け、電解室内をイオン伝導性隔壁または隔膜によって分け、太陽光の受光により光電変換部または太陽電池で発生する電力により、水を電解して水素を生成している。
　特許文献１では、起電力０．９ＶのＧａＡｓ太陽電池と起電力１．７ＶのＧａＡｓ太陽電池を用いており、発生する電流値が等価であって、起電力の和が水の実用的な電解開始電圧以上、すなわち、水の電気分解に要する電圧以上とされている。
　また、特許文献１では、太陽電池のｐ型およびｎ型半導体に接続された電極板をそれぞれ陽極および陰極として水を電解しているので、太陽エネルギーから水素への変換効率を高くすることができるとしている。
特開２００４－１９７１６７号公報
　特許文献１のように太陽光の受光により光電変換部または太陽電池で発生する電力により、水を電解して水素を生成することがなされている。
　例えば、水の電気分解に要する電圧が２．０Ｖの場合、特許文献１のように、起電力０．９ＶのＧｓＡｓ太陽電池と起電力１．７ＶのＧａＡｓ太陽電池を用いる場合、（０．９Ｖ＋１．７Ｖ）－２．０Ｖ＝０．６Ｖが余剰であり、０．６Ｖ分のエネルギーロスになる。
　これ以外にも従来では、図５に示す従来の水の電気分解装置１００のように、光電変換素子が直列されてなる電源部１０２の電圧を調整していた。この電圧の調整は、電源部１０２を構成する光電変換素子の直列数を変えることによりなされる。電源部１０２は、水素発生用のカソード電極１０４と酸素発生用のアノード電極１０６に接続されている。カソード電極１０４とアノード電極１０６は、電解質水溶液１０８が満たされた容器１１０に設置される。
　この場合、光電変換素子の１素子当りの起電力を０．８Ｖとすると、２直列では１．６Ｖであり、水を電気分解することができない。一方、３直列では２．４Ｖとなり、０．４Ｖが余剰であり、０．４Ｖ分のエネルギーロスになる。
　このように、水の実用的な電解開始電圧（水の電気分解に要する電圧）に対して最適な起電力を確保することは難しく、水の実用的な電解開始電圧以上の電圧分に相当する余剰電力は無駄になってしまうという問題点がある。
　本発明の目的は、前記従来技術に基づく問題点を解消し、水の電気分解に要する電圧を調整することができ、余剰電力を少なくできる人工光合成モジュールを提供することにある。
　上記目的を達成するために、本発明は、光により電解質水溶液を、水素と酸素に分解する人工光合成モジュールであって、光を受光して電力を発生する光電変換ユニットと、光電変換ユニットの電力を用いて電解質水溶液を分解し、水素ガスを生成する水素ガス生成部と、光電変換ユニットの電力を用いて電解質水溶液を分解し、酸素ガスを生成する酸素ガス生成部とを有し、光電変換ユニットと水素ガス生成部と酸素ガス生成部とが電気的に直列に接続され、水素ガス生成部と酸素ガス生成部とが、電解質水溶液が供給される電解室内に配置されており、水素ガス生成部は、ｐｎ接合を有する無機半導体膜を有することを特徴とする人工光合成モジュールを提供するものである。
　水素ガス生成部と酸素ガス生成部は、同一平面上に設けられていることが好ましい。また、水素ガス生成部と酸素ガス生成部とは、互いに異なる面に設けられていてもよい。
　光電変換ユニットは、光電変換素子が複数直列に接続されたものであることが好ましい。
　光電変換素子は、ｐｎ接合を有する無機半導体膜を備えることが好ましい。
　無機半導体膜は、吸収波長端が８００ｎｍ以上であることが好ましく、例えば、無機半導体膜はＣＩＧＳ化合物半導体またはＣＺＴＳ化合物半導体を含むものである。
　水素ガス生成部の無機半導体膜は機能層で覆われており、機能層は弱酸性溶液および弱アルカリ性溶液に不溶であり、かつ光透過性、遮水性および導電性を兼ね備えることが好ましい。
　また、機能層は、その表面に助触媒が設けられ、金属または導電性酸化物（過電圧が０．５Ｖ以下）もしくはその複合物であることが好ましく、助触媒はＰｔ、Ｐｔを含むもの、またはＲｈで構成されることが好ましい。
　光電変換ユニットは保護層で覆われており、保護層は弱酸性溶液および弱アルカリ性溶液に不溶であり、かつ光透過性、遮水性および絶縁性を兼ね備えることが好ましい。
　酸素ガス生成部に助触媒が設けられ、酸素生成用の助触媒は、ＣｏＯｘまたはＩｒＯ２で構成されることが好ましい。
　光電変換ユニットは、光を照射された際、各光電変換素子で生じる発生電流量が各光電変換素子で等しいことが好ましい。
　本発明によれば、電解室セルにかかる電圧の調整が可能となり、電気分解に要する電圧の過電圧分の損失を少なくすることができる。また、光電変換ユニットで発生した電力を余すことなく水電解に使用できるため、安価に水素を製造することができる。
　また、電解室を設けることにより、電解質水溶液に浸漬させる必要がなくなり、浸漬による性能低下を回避することができる。
　さらには、電解室セルで、水の電気分解を行い、水素ガスと酸素ガスを得るため、電解室の領域を小さくすることができる。
本発明の第１の実施形態の人工光合成モジュールを示す模式的平面図である。 図１に示す人工光合成モジュールの要部の模式的断面図である。 （ａ）は、本発明の第１の実施形態の人工光合成モジュールの等価回路図であり、（ｂ）は、本発明の第１の実施形態の人工光合成モジュールの他の例の等価回路図である。 本発明の第２の実施形態の人工光合成モジュールを示す模式的断面図である。 従来の水の電気分解装置を示す模式図である。
　以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の人工光合成モジュールを詳細に説明する。
　図１は、本発明の第１の実施形態の人工光合成モジュールを示す模式的平面図であり、図２は、図１に示す人工光合成モジュールの要部の模式的断面図である。
　図１に示すように、人工光合成モジュール１０は、例えば、複数の光電変換ユニット１２と、複数の電解室１４とを有する。
　人工光合成モジュール１０においては、光電変換ユニット１２間に電解室１４が方向Ｍに配置されており、光電変換ユニット１２と電解室１４とは電気的に直列に接続されている。配置状態で、方向Ｍの各端に位置する光電変換ユニット１２同士が、例えば、配線１３で接続されている。なお、各端に位置する光電変換ユニット１２同士は配線１３を介して接続されることに限定されるものではなく、例えば、各端の光電変換ユニット１２は、それぞれ接地していてもよい。
　光電変換ユニット１２は、光を受光して電力を発生させ、後述する水素ガス生成部３２で水素ガスを発生させるための電力、および後述する酸素ガス生成部３４で酸素ガスを発生させるための電力を供給するためのものである。光電変換ユニット１２で発生する電力には、発生電圧および発生電流が含まれる。
　光電変換ユニット１２は、少なくとも１つの光電変換素子３０を有するものである。後述するように図１、図２に示す例では、光電変換ユニット１２は２以上の複数の光電変換素子３０が電気的に直列に接続されたカスケード型集積化素子である。
　電解室１４には、後述するように電解質水溶液ＡＱが供給される。電解室１４では、光電変換ユニット１２で発生した起電力を利用して、電解質水溶液ＡＱを分解し、電解室１４内で水素ガスと酸素ガスが生成される。
　ここで、電解質水溶液ＡＱとは、例えば、Ｈ２Ｏを主成分とする液体であり、蒸留水であってもよく、水を溶媒とし溶質を含む水溶液であってもよい。水の場合、例えば、電解質を含む水溶液である電解液であってもよく、冷却塔等で用いられる冷却水であってもよい。電解液の場合、例えば、電解質を含む水溶液であり、例えば、強アルカリ（ＫＯＨ）、ポリマー電解質（ナフィオン（登録商標））、０．１ＭのＨ２ＳＯ４を含む電解液、０．１Ｍ硫酸ナトリウム電解液、０．１Ｍリン酸水素二ナトリウム電解液、０．１Ｍリン酸カリウム緩衝液等である。
　人工光合成モジュール１０は、電解室１４に電解質水溶液ＡＱを供給するための供給部１６と、電解室１４から排出される電解質水溶液ＡＱを回収する回収部１８とを有する。
　供給部１６および回収部１８は、ポンプ等の公知の水の供給装置が利用可能であり、タンク等の公知の水の回収装置が利用可能である。
　供給部１６は供給管１７を介して電解室１４に接続されており、回収部１８は回収管１９を介して電解室１４に接続されている。回収部１８で回収された電解質水溶液ＡＱを供給部１６に循環させて、電解質水溶液ＡＱを再利用してもよい。
　さらに、人工光合成モジュール１０は、電解室１４で生成された水素ガスを回収する水素ガス回収部２０と、電解室１４で生成された酸素ガスを回収する酸素ガス回収部２２とを有する。
　水素ガス回収部２０は水素用管２１を介して電解室１４に接続され、酸素ガス回収部２２は酸素用管２３を介して電解室１４に接続されている。
　水素ガス回収部２０は、水素ガスを回収することができれば、その構成は、特に限定されるものではなく、例えば、吸着法および隔膜法等を用いた装置を利用することができる。
　酸素ガス回収部２２は、酸素ガスを回収することができれば、その構成は、特に限定されるものではなく、例えば、吸着法を用いた装置を利用することができる。
　なお、人工光合成モジュール１０は、幅方向Ｗに対して、所定の角度傾けてもよい。これにより、電解質水溶液ＡＱが回収管１９側に移動しやすくなり、水素ガスおよび酸素ガスの生成の効率を高くすることができる。水素ガスおよび酸素ガスも、供給管１７側に移動しやすくなり、水素ガスおよび酸素ガスを効率良く回収することができる。
　次に、人工光合成モジュール１０について具体的に説明する。
　図２に示すように、人工光合成モジュール１０は、平面状の絶縁性基板４０上、すなわち、同一平面上に光電変換ユニット１２と水素ガス生成部３２と酸素ガス生成部３４とを有する集積構造体である。光電変換ユニット１２を挟んで水素ガス生成部３２と酸素ガス生成部３４とが配置され、光電変換ユニット１２と水素ガス生成部３２と酸素ガス生成部３４とは電気的に直列に接続されている。
　なお、光電変換ユニット１２と水素ガス生成部３２と酸素ガス生成部３４をまとめて水分解素子Ｇという。
　人工光合成モジュール１０では、隣接する水分解素子Ｇを、水素ガス生成部３２と酸素ガス生成部３４とが隣り合うように配置しており、異なる水分解素子Ｇの水素ガス生成部３２と酸素ガス生成部３４とが同じ電解室１４内に収容されている。隣接する水分解素子Ｇの水素ガス生成部３２と酸素ガス生成部３４の間には裏面電極４２および絶縁性基板４０を貫通する溝Ｈが形成されており、この溝Ｈにより素子分離されている。水分解素子Ｇは絶縁性基板４０の幅方向Ｗ全域に形成されておらず、素子分離のための溝Ｈは絶縁性基板４０の幅方向Ｗ全域に形成されていない。
　なお、電解室１４内で、水素ガス生成部３２と酸素ガス生成部３４とを電気的に絶縁することができれば、素子分離方法は特に限定されるものではない。例えば、裏面電極４２に絶縁性基板４０の表面迄の溝を形成し、その溝に絶縁材料を充填して素子分離することができる。
　電解室１４は、絶縁性基板４０上に設けられた容器６０で形成されている。
　光電変換素子３０は、絶縁性基板４０側から順に、裏面電極４２、光電変換層４４、バッファ層４６、透明電極４８および保護膜５０が積層されて構成されている。
　光電変換素子３０では、光電変換層４４とバッファ層４６の界面でｐｎ接合が形成されている。なお、光電変換層４４とバッファ層４６でｐｎ接合を有する無機半導体膜４７を構成する。
　保護膜５０は、弱酸性溶液および弱アルカリ性溶液に不溶であり、かつ光透過性、遮水性および絶縁性を兼ね備えるものである。
　保護膜５０は、透光性を有し、光電変換素子３０および水素ガス生成部３２を保護するためものであり、透明電極４８の全面および光電変換素子３０の側面４９、水素ガス生成部３２（ｐｎ接合セル３１）の側面３３を覆うものである。
　保護膜５０は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｎＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３およびＧａ２Ｏ３等により構成される。また、保護膜５０の厚さは、特に限定されるものではなく、１００～１０００ｎｍであることが好ましい。
　なお、保護膜５０の形成方法は、特に限定されるものではなく、ＲＦスパッタ法、ＤＣリアクティブスパッタ法およびＭＯＣＶＤ法等により形成することができる。
　また、保護膜５０は、例えば、絶縁性エポキシ樹脂、絶縁性シリコーン樹脂、絶縁性フッ素樹脂等により構成できる。この場合、保護膜５０の厚さは、特に限定されるものではなく、２～１０００μｍが好ましい。
　光電変換ユニット１２は、２つの光電変換素子３０が方向Ｍに直列に接続されているが、水素ガスおよび酸素ガスを発生させることができる起電力を得ることができれば、その数は限定されるものではなく、１つでも、３以上であってもよい。複数の光電変換素子３０を直列に接続する方が、高い電圧を得ることができ、かつ人工光合成モジュール１０全体で発生する電圧を調整することができるため、複数の光電変換素子３０を直列接続することが好ましい。
　水素ガス生成部３２は、絶縁性基板４０側から順に、裏面電極４２、光電変換層４４、バッファ層４６、および機能層７２が積層されて構成されている。水素ガス生成部３２では、光電変換層４４とバッファ層４６の界面においてｐｎ接合が形成されており、光電変換層４４とバッファ層４６で無機半導体膜４７を構成する。
　機能層７２の表面７２ａには、水素生成を促進するための助触媒７４が、点在するように、島状に形成されている。なお、裏面電極４２、光電変換層４４およびバッファ層４６の積層構造体のことをｐｎ接合セル３１ともいう。
　機能層７２は、水素ガス生成部３２を構成するものであり、透明導電性保護膜が用いられる。また、機能層７２は、弱酸性溶液および弱アルカリ性溶液に不溶であり、かつ光透過性、遮水性および導電性を兼ね備えるものである。
　機能層７２は、水分子からイオン化した水素イオン（プロトン）Ｈ＋に電子を供給して水素分子、すなわち、水素ガスを発生させる（２Ｈ＋＋２ｅ－　―＞Ｈ２）ものであり、その表面７２ａは、水素ガス生成面として機能する。したがって、機能層７２は、水素ガスの発生領域を構成する。
　機能層７２は、例えば、金属または導電性酸化物（過電圧が０．５Ｖ以下）もしくはその複合物であることが好ましい。より具体的には、機能層７２は、ＩＴＯ、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、およびＩｎ等がドープされたＺｎＯ、またはＩＭＯ（Ｍｏが添加されたＩｎ２Ｏ３）等の透明電極４８と同様な透明導電膜を用いることができる。機能層７２も、透明電極４８と同様に、単層構造でもよいし、２層構造等の積層構造でもよい。また、機能層７２の厚さは、特に限定されるものではなく、好ましくは、１０～１０００ｎｍであり、５０～５００ｎｍがより好ましい。
　なお、機能層７２の形成方法は、透明電極４８と同様に、特に限定されるものではなく、電子ビーム蒸着法、スパッタ法およびＣＶＤ法等の気相成膜法または塗布法により形成することができる。
　助触媒７４は、例えば、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｍｎ等により構成される単体、およびそれらを組み合わせた合金、ならびにその酸化物、例えば、ＮｉＯｘおよびＲｕＯ２が挙げられる。また、助触媒７４のサイズは、特に限定されるものではなく、０．５ｎｍ～１μｍであることが好ましい。
　なお、助触媒７４の形成方法は、特に限定されるものではなく、塗布焼成法、光電着法、スパッタ法、含浸法等により形成することができる。
　機能層７２の表面７２ａに助触媒７４を設けることが好ましいが、十分な水素ガスの生成が可能である場合には、設けなくてもよい。
　酸素ガス生成部３４は、光電変換素子３０の裏面電極４２の延長部分の領域７６で構成され、この領域７６が、酸素ガスの発生領域となる。
　具体的には、光電変換素子３０の裏面電極４２の延長部分の領域７６は、水分子からイオン化した水酸イオンＯＨ－から電子を取り出して酸素分子、すなわち、酸素ガスを発生させる（２ＯＨ－　―＞Ｈ２Ｏ＋Ｏ２／２＋２ｅ－）ものであり、酸素ガス生成面として機能する。
　裏面電極４２の領域７６の表面７６ａには、酸素生成用の助触媒７８が、点在するように、島状に形成されている。
　酸素生成用の助触媒７８は、例えば、ＩｒＯ２、ＣｏＯｘ等により構成される。また、酸素生成用の助触媒７８のサイズは、特に限定されるものではなく、０．５ｎｍ～１μｍであることが好ましい。
　なお、酸素生成用の助触媒７８の形成方法は、特に限定されるものではなく、塗布焼成法、浸漬法、含浸法、スパッタ法および蒸着法等により形成することができる。
　以下、人工光合成モジュール１０を構成する各部について説明する。
　絶縁性基板４０は、絶縁性を有し、かつ光電変換ユニット１２と電解室１４とを支持することができる強度を有していれば、特に限定されるものではない。絶縁性基板４０としては、例えば、ソーダライムガラス（ＳＬＧ）基板またはセラミックス基板を用いることができる。また、絶縁性基板４０には、金属基板上に絶縁層が形成されたものを用いることができる。ここで、金属基板としては、Ａｌ基板またはＳＵＳ基板等の金属基板、またはＡｌと、例えば、ＳＵＳ等の他の金属との複合材料からなる複合Ａｌ基板等の複合金属基板が利用可能である。なお、複合金属基板も金属基板の一種であり、金属基板および複合金属基板をまとめて、単に金属基板ともいう。更には、絶縁性基板４０としては、Ａｌ基板等の表面を陽極酸化して形成された絶縁層を有する絶縁膜付金属基板を用いることもできる。絶縁性基板４０は、フレキシブルなものであっても、そうでなくてもよい。なお、上述のもの以外に、絶縁性基板４０として、例えば、高歪点ガラスおよび無アルカリガラス等のガラス板、またはポリイミド材を用いることもできる。
　絶縁性基板４０の厚さは、光電変換ユニット１２と電解室１４を支持することができれば、特に制限的ではなく、どのような厚さでもよいが、例えば、２０～２００００μｍ程度あればよく、１００～１００００μｍが好ましく、１０００～５０００μｍがより好ましい。
　なお、光電変換素子３０、および水素ガス生成部３２のｐｎ接合セル３１の光電変換層４４に、ＣＩＧＳ系化合物半導体を含むものを用いる場合には、絶縁性基板４０側に、アルカリイオン（（例えば、ナトリウム（Ｎａ）イオン：Ｎａ＋）を供給するものがあると、光電変換素子３０の光電変換効率が向上するので、絶縁性基板４０の上面にアルカリイオンを供給するアルカリ供給層を設けておくのが好ましい。なお、例えば、ＳＬＧ基板の場合には、アルカリ供給層は不要である。
　裏面電極４２は、例えば、Ｍｏ、ＣｒおよびＷ等の金属、またはこれらを組み合わせたものにより構成される。この裏面電極４２は、単層構造でもよいし、２層構造等の積層構造でもよい。この中で、裏面電極４２は、Ｍｏで構成することが好ましい。裏面電極４２の膜厚は、一般的に、その厚さが８００ｎｍ程度であるが、裏面電極４２は厚さが４００ｎｍ～１μｍであることが好ましい。
　上述のように、光電変換素子３０においては、光電変換層４４は、バッファ層４６との界面で、光電変換層４４側をｐ型、バッファ層４６側をｎ型とするｐｎ接合を形成し、保護膜５０、透明電極４８およびバッファ層４６を透過して到達した光を吸収して、ｐ側に正孔を、ｎ側に電子を生じさせる層であり、光電変換機能を有する。光電変換層４４では、ｐｎ接合で生じた正孔を光電変換層４４から裏面電極４２側に移動させ、ｐｎ接合で生じた電子をバッファ層４６から透明電極４８側に移動させる。光電変換層４４の膜厚は、好ましくは、１．０～３．０μｍであり、１．５～２．０μｍが特に好ましい。
　光電変換層４４は、例えば、カルコパイライト結晶構造を有するＣＩＧＳ系化合物半導体またはＣＺＴＳ系化合物半導体で構成されるのが好ましい。すなわち、光電変換層４４はＣＩＧＳ系化合物半導体層で構成することが好ましい。ＣＩＧＳ系化合物半導体層は、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２（ＣＩＧＳ）のみならず、ＣｕＩｎＳｅ２（ＣＩＳ）、ＣｕＧａＳｅ２（ＣＧＳ）等のＣＩＧＳ系に利用される公知のもので構成されていてもよい。
　なお、ＣＩＧＳ層の形成方法としては、１）多源蒸着法、２）セレン化法、３）スパッタ法、４）ハイブリッドスパッタ法、および５）メカノケミカルプロセス法等が知られている。
　その他のＣＩＧＳ層の形成方法としては、スクリーン印刷法、近接昇華法、ＭＯＣＶＤ法、およびスプレー法（ウェット成膜法）等が挙げられる。例えば、スクリーン印刷法（ウェット成膜法）またはスプレー法（ウェット成膜法）等で、Iｂ族元素、IIIｂ族元素、およびVIｂ族元素を含む微粒子膜を基板上に形成し、熱分解処理（この際、VIｂ族元素雰囲気での熱分解処理でもよい）を実施する等により、所望の組成の結晶を得ることができる（特開平９－７４０６５号公報、特開平９－７４２１３号公報等）。
　本発明においては、上述したように、光電変換層４４は、例えば、カルコパイライト結晶構造を有するＣＩＧＳ系化合物半導体またはＣＺＴＳ系化合物半導体で構成されるのが好ましいが、これに限定されず、無機半導体からなるｐｎ接合を形成でき、水の光分解反応を生じさせ、水素ガスおよび酸素ガスを発生できれば、如何なる光電変換素子でもよい。例えば、太陽電池を構成する太陽電池セルに用いられる光電変換素子が好ましく用いられる。このような光電変換素子としては、ＣＩＧＳ系薄膜型光電変換素子、ＣＩＳ系薄膜型光電変換素子、およびＣＺＴＳ系薄膜型光電変換素子に加え、薄膜シリコン系薄膜型光電変換素子、ＣｄＴｅ系薄膜型光電変換素子、色素増感系薄膜型光電変換素子、または有機系薄膜型光電変換素子を挙げることができる。
　なお、光電変換層４４を形成する無機半導体の吸収波長は、光電変換可能な波長域であれば、特に限定されるものではない。吸収波長としては、太陽光等の波長域、特に、可視波長域から赤外波長域を含んでいればよいが、その吸収波長端は８００ｎｍ以上、すなわち、赤外波長域までを含んでいることが好ましい。その理由は、できるだけ多くの太陽光エネルギーを利用できるからである。一方、吸収波長端が長波長化することは、すなわち、バンドギャップが小さくなることに相当し、これは水分解をアシストするための起電力が低下することが予想でき、その結果、水分解のために直列接続する接続数が増すことが予想できるので、吸収端が長ければ長い方がよいというわけでもない。
　バッファ層４６は、上述のように光電変換層４４とともにｐｎ接合を有する無機半導体膜４７を構成する。バッファ層４６は、透明電極４８の形成時の光電変換層４４を保護し、透明電極４８に入射した光を光電変換層４４まで透過させるために形成されたものである。
　バッファ層４６は、例えば、ＣｄＳ、ＺｎＳ，Ｚｎ（Ｓ，Ｏ）、および／またはＺｎ（Ｓ，Ｏ，ＯＨ）、ＳｎＳ，Ｓｎ（Ｓ，Ｏ）、および／またはＳｎ（Ｓ，Ｏ，ＯＨ）、ＩｎＳ，Ｉｎ（Ｓ，Ｏ）、および／またはＩｎ（Ｓ，Ｏ，ＯＨ）等の、Ｃｄ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｉｎからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素を含む金属硫化物を含むことが好ましい。バッファ層４６の膜厚は、１０ｎｍ～２μｍが好ましく、１５～２００ｎｍがより好ましい。バッファ層４６の形成には、例えば、化学浴析出法（以下、ＣＢＤ法という）により形成される。
　なお、バッファ層４６と透明電極４８との間には、例えば、窓層を設けてもよい。この窓層は、例えば、厚さ１０ｎｍ程度のＺｎＯ層で構成される。
　透明電極４８は、透光性を有し、光を光電変換層４４に取り込むとともに、裏面電極４２と対になって、光電変換層４４で生成された正孔および電子を移動させる（電流が流れる）電極として機能するとともに、２つの光電変換素子３０を直列接続するための透明導電膜として機能するものである。
　透明電極４８は、例えばＡｌ、Ｂ、Ｇａ、Ｉｎ等がドープされたＺｎＯ、またはＩＴＯにより構成される。透明電極４８は、単層構造でもよいし、２層構造等の積層構造でもよい。また、透明電極の厚さは、特に限定されるものではなく、０．３～１μｍが好ましい。
　なお、透明電極の形成方法は、特に限定されるものではなく、電子ビーム蒸着法、スパッタ法およびＣＶＤ法等の気相成膜法または塗布法により形成することができる。
　なお、隣接する光電変換素子３０を直列接続するための透明導電膜としては、透明電極４８に限定されるわけではないが、製造上の容易さから透明電極４８と同じ透明導電膜で同時に形成することがよい。
　すなわち、光電変換層４４上に、バッファ層４６を積層した後、裏面電極４２の表面に達する開口溝Ｐ２をレーザースクライブまたはメカニカルスクライブにより形成し、バッファ層４６上に、かつ開口溝Ｐ２を埋めるように透明電極４８を構成する透明導電膜を形成し、その後、各開口溝Ｐ２内の透明導電膜をスクライブにより除去して裏面電極４２の表面に達する、少し幅の狭い開口溝Ｐ２を再度形成し、隣接する光電変換素子３０の裏面電極４２と透明電極４８とを直接接続する導電膜として残すことにより、隣接する光電変換素子３０を直列接続するための導電膜を形成することができる。
　光電変換ユニット１２では、光電変換素子３０に保護膜５０側から光Ｌが入射されると、この光Ｌが、保護膜５０、各透明電極４８および各バッファ層４６を通過し、各光電変換層４４で起電力が発生し、例えば、透明電極４８から裏面電極４２に向かう電流（正孔の移動）が発生する。このため、光電変換ユニット１２では、水素ガス生成部３２が負極（電気分解のカソード）となり、酸素ガス生成部３４が正極（電気分解のアノード）になる。なお、光電変換ユニット１２における生成ガスの種類（極性）は、光電変換素子３０の構成および光電変換ユニット１２構成等に応じて適宜変わるものである。
　次に、人工光合成モジュール１０の製造方法について説明する。
　なお、人工光合成モジュール１０の製造方法は、以下に示す製造方法に限定されるものではない。
　まず、例えば、絶縁性基板４０となるソーダライムガラス基板を用意する。
　次に、絶縁性基板４０の表面に裏面電極４２となる、例えば、Ｍｏ膜等を成膜装置を用いて、スパッタ法により形成する。
　次に、例えば、レーザースクライブ法を用いて、Ｍｏ膜の所定位置をスクライブして、絶縁性基板４０の幅方向Ｗ（図１参照）に伸びた分離溝Ｐ１を形成する。これにより、分離溝Ｐ１により互いに分離された裏面電極４２が形成される。
　次に、裏面電極４２を覆い、かつ分離溝Ｐ１を埋めるように、光電変換層４４として、例えば、ＣＩＧＳ膜（ｐ型半導体層）を形成する。このＣＩＧＳ膜は、前述のいずれか成膜方法により、形成される。
　次に、光電変換層４４上にバッファ層４６となる、例えば、ＣｄＳ層（ｎ型半導体層）をＣＢＤ法により形成する。
　次に、方向Ｍにおいて、分離溝Ｐ１の形成位置とは異なる位置に、絶縁性基板４０の幅方向Ｗ（図１参照）に伸び、かつバッファ層４６から光電変換層４４を経て裏面電極４２の表面に達する２つの開口溝Ｐ２を、例えば、スクライブ法により形成する。この場合、スクライブ方法としては、レーザースクライブ法またはメカスクライブ法を用いることができる。
　次に、絶縁性基板４０の幅方向Ｗ（図１参照）に伸び、かつバッファ層４６上に、開口溝Ｐ２を埋めるように、透明電極４８となる、例えば、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、Ｓｂ等が添加されたＺｎＯ：Ａｌ層を、スパッタ法または塗布法により形成する。
　次に、開口溝Ｐ２内のＺｎＯ：Ａｌ層の一部を残すようにして除去し、裏面電極４２の表面に達する２つの少し幅の狭い開口溝Ｐ２を、例えば、スクライブ法により再び形成する。この場合も、スクライブ方法としては、レーザースクライブ法またはメカスクライブ法を用いることができる。
　次に、光電変換ユニット１２を構成する光電変換素子３０の外面と、２つの開口溝Ｐ２の底面の裏面電極４２の表面と、光電変換素子３０の側面４９と、光電変換素子３０の側面４９と、ｐｎ接合セル３１の側面３３に保護膜５０となる、例えば、ＳｉＯ２膜をＲＦスパッタ法で形成する。これにより、２つの光電変換素子３０を形成することができる。
　次に、水素ガス生成部３２となるｐｎ接合セル３１に形成されたＺｎＯ：Ａｌ層を、レーザースクライブ法またはメカスクライブ法を用いて剥離し、露出したバッファ層４６の表面に、機能層７２として、例えば、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、Ｓｂ等が添加されたＺｎＯ：Ａｌ層を、パターニングマスクを用いたスパッタ法、または塗布法により形成する。
　次に、機能層７２上に、例えば、光電着法にて水素生成用の助触媒７４となる、例えば、Ｐｔ助触媒を担持させる。
　次に、水素ガス生成部３２と隣接していない側の光電変換素子３０の裏面電極４２の延長部分の領域７６上の堆積物を、レーザースクライブ法またはメカスクライブ法を用いて取り除き、領域７６を露出させる。
　そして、領域７６の表面７６ａに、例えば、浸漬法にて酸素生成用の助触媒７８となる、例えば、ＣｏＯｘ助触媒を担持させる。
　次に、裏面電極４２および絶縁性基板４０を貫通する溝Ｈを公知の方法で形成する。
　そして、予め用意しておいた、電解室１４を構成する容器６０を水素ガス生成部３２および酸素ガス生成部３４を囲んで配置する。これにより、電解室１４が形成される。
　次に、電解室１４に供給管１７、回収管１９、水素用管２１および酸素用管２３を接続し、これらを、それぞれ供給部１６、回収部１８、水素ガス回収部２０、および酸素ガス回収部２２とすることにより、人工光合成モジュール１０を製造することができる。
　人工光合成モジュール１０では、光電変換ユニット１２に光Ｌを照射し、供給部１６から電解質水溶液ＡＱを各電解室１４に供給する。これにより、各電解室１４内の水素ガス生成部３２にて電解質水溶液ＡＱが分解されて水素ガスが生成され、酸素ガス生成部３４にて電解質水溶液ＡＱが分解されて酸素ガスが生成される。水素ガスは水素用管２１を介して水素ガス回収部２０に回収される。酸素ガスは酸素用管２３を介して酸素ガス回収部２２に回収される。
　また、人工光合成モジュール１０では、電解室１４を設けることにより、電解質水溶液ＡＱに全体を浸漬させる必要がなくなり、浸漬による性能低下を回避することができる。
　さらには、電解室１４内で、電解質水溶液ＡＱの電気分解を行い、水素ガスと酸素ガスを得るため、電解室１４の領域を小さくすることができる。
　人工光合成モジュール１０は、電気回路的に示せば、図３（ａ）に示すような等価回路８０として表わすことができる。等価回路８０において、電源部８２が図１に示す光電変換ユニット１２に相当し、電解室部８４が図１に示す電解室１４に相当する。また、両端の電解室部８４に接続された起電力部８６は、図１に示す両端の光電変換ユニット１２が配線１３で接続されたものに相当する。電源部８２および起電力部８６の１つの電池は、１つの光電変換素子３０に相当する。
　図３（ａ）に示す等価回路８０では、１０個の光電変換素子３０が直列に接続されている。１つの光電変換素子３０の起電力が０．８Ｖであれば、人工光合成モジュール１０全体で８Ｖである。４つある電解室部８４に、それぞれにかかる電圧は、８Ｖ／４個で、２Ｖ／個になる。ここで、水を電気分解するに要する電圧は、上述のように２．０Ｖであるから、各電解室１４では、水の実用的な電解開始電圧以上の電圧分に相当する余剰電力の発生を抑制することができ、エネルギーロスも抑制できる。
　これに比して、上述の図５に示す従来の例では、エネルギーロスは０．４Ｖのロスであった。本実施形態の人工光合成モジュール１０では、従来に比してエネルギーロスを小さくすることができる。このように、効率よく水素ガスおよび酸素ガスを得ることができる。結果として、水素ガスを安価に製造することができる。
　また、複数の光電変換ユニット１２は、光を照射された際、各光電変換ユニット１２で生じる発生電流量、発生電圧が等しいことが好ましい。しかし、人工光合成モジュール１０全体の電圧の電解室１４の数で割った値の電圧が電解室１４にかかるため、複数の複数の光電変換ユニット１２のうち、電圧が所定の電圧以下のものがあっても、他の光電変換ユニット１２で電圧低下分を補うことができる。
　また、上述のように、各端の光電変換ユニット１２は、それぞれ接地していてもよいが、この場合、図３（ｂ）に示す等価回路８０ａのように、一方の端の電解室部８４の酸素発生側の電極が接地され、他方の端の電解室部８４の水素発生側の電極が接地される。この構成でも、各電源部８２の電圧の和を調整することにより、人工光合成モジュール１０と同様の効果を得ることができる。
　次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
　図４は、本発明の第２の実施形態の人工光合成モジュールを示す模式的断面図である。
　本実施形態の人工光合成モジュール１０ａは、図１および図２に示す人工光合成モジュール１０と同一構成物には、同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
　図４に示す人工光合成モジュール１０ａは、図１および図２に示す人工光合成モジュール１０と比して、電解室１４の構成、ならびに水素ガス生成部３２および酸素ガス生成部３４の配置位置が異なり互いに逆の面に設けられている点以外は、図１および図２に示す人工光合成モジュール１０と同様であるため、その詳細な説明は省略する。
　人工光合成モジュール１０ａでは、酸素ガス生成部３４が、裏面電極４２の延長部分の領域７６に設けられるではなく、光電変換素子３０の光電変換層４４の裏面４４ｂに導電膜６４が設けられている。この導電膜６４の表面６４ａに酸素生成用の助触媒７８が点在するように、島状に形成されている。水素ガス生成部３２と酸素ガス生成部３４とは同一平面上ではなく絶縁性基板４０に対して逆の面に設けられている。
　導電膜６４は、導電性を有するものであれば、特に限定されるものではなく、裏面電極４２と同じ材料を用いることができる。
　また、水分解素子Ｇの水素ガス生成部３２と隣接する酸素ガス生成部３４とは溝Ｈにより離間し、水分解素子Ｇの酸素ガス生成部３４と隣接する水素ガス生成部３２とも溝Ｈにより離間しており、素子分離されている。本実施形態においては、水分解素子Ｇは絶縁性基板４０の幅方向Ｗ全域に形成されておらず、溝Ｈは絶縁性基板４０の幅方向Ｗ全域に形成されていない。
　本実施形態の電解室１４は、表面側の水素ガス生成部３２と裏面側の酸素ガス生成部３４とを囲むように配置された容器６２が設けられている。容器６２は、水素ガス生成部３２（ｐｎ接合セル３１）の側面３３と絶縁性基板４０の側面４０ｂと導電膜６４の側面６４ｂとにそれぞれ接している。容器６２内に電解質水溶液ＡＱが供給されて、水素ガス生成部３２と酸素ガス生成部３４とに電解質水溶液ＡＱが供給される。
　次に、人工光合成モジュール１０ａの製造方法について説明する。なお、人工光合成モジュール１０ａの製造方法は、以下に示す製造方法に限定されるものではない。
　また、人工光合成モジュール１０ａの製造方法においては、第１の実施形態の人工光合成モジュール１０の製造方法と同様の工程については、その詳細な説明は省略する。
　人工光合成モジュール１０ａの製造方法では、まず、例えば、絶縁性基板４０となるソーダライムガラス基板を用意し、その後、光電変換素子３０、水素ガス生成部３２を形成する工程までは、人工光合成モジュール１０の製造方法と同様の工程であるため、その詳細な説明は省略する。
　光電変換素子３０、水素ガス生成部３２を形成した後、酸素ガス生成部３４の形成予定領域にある絶縁性基板４０および裏面電極４２を、例えば、スクライブ法で取り除き、光電変換層４４の裏面４４ｂを露出させる。
　そして、例えば、パターニングマスクを用いたスパッタ法により、導電膜６４を光電変換層４４の裏面４４ｂ上に形成する。
　そして、導電膜６４の表面６４ａに、例えば、浸漬法にて酸素生成用の助触媒７８となる、例えば、ＣｏＯｘ助触媒を担持させる。
　次に、裏面電極４２および絶縁性基板４０を貫通する溝Ｈを公知の方法で形成する。
　そして、電解室１４を構成する容器６２を取り付ける。このようにして、人工光合成モジュール１０ａを製造することができる。
　本実施形態の人工光合成モジュール１０ａにおいても、各光電変換素子３０に、光Ｌを照射し、水素ガス生成部３２および酸素ガス生成部３４に、それぞれ電解質水溶液ＡＱを供給する。光Ｌの照射により、光電変換素子３０で起電力が生じ、光電変換素子３０の電力により、各水素ガス生成部３２で電解質水溶液ＡＱが分解されて水素ガスが発生し、水素ガスは水素用管２１を介して水素ガス回収部２０に回収される。各酸素ガス生成部３４では電解質水溶液ＡＱが分解されて酸素ガスが発生し、酸素ガスは酸素用管２３を介して酸素ガス回収部２２に回収される。
　本実施形態の人工光合成モジュール１０ａは、第１の実施形態の人工光合成モジュール１０に比して、酸素ガス生成部３４の構成が異なるものの基本的な構成は同じであり、第１の実施形態の人工光合成モジュール１０と同様の効果を得ることができる。このため、効率よく水素ガスおよび酸素ガスを得ることができる。結果として、水素ガスを安価に製造することができる。
　本発明は、基本的に以上のように構成されるものである。以上、本発明の人工光合成モジュールについて詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良または変更をしてもよいのはもちろんである。
　１０　人工光合成モジュール
　１２　光電変換ユニット
　１４　電解室
　１６　供給部
　１８　回収部
　２０　水素ガス回収部
　２２　酸素ガス回収部
　３０　光電変換素子
　３２　水素ガス生成部
　３４　酸素ガス生成部
　４０　絶縁性基板
　４２　裏面電極
　４４　光電変換層
　４６　バッファ層
　４８　透明電極
　５０　保護膜
　６２　容器
　６４　導電膜
　７２　機能層
　８０　等価回路
　８２　電源部
　８４　電解室部
　８６　起電力部
　１００　従来の水の電気分解装置

Claims (12)

  1. 　光により電解質水溶液を、水素と酸素に分解する人工光合成モジュールであって、
    　光を受光して電力を発生する光電変換ユニットと、
    　前記光電変換ユニットの電力を用いて前記電解質水溶液を分解し、水素ガスを生成する水素ガス生成部と、
    　前記光電変換ユニットの電力を用いて前記電解質水溶液を分解し、酸素ガスを生成する酸素ガス生成部とを有し、
    　前記光電変換ユニットと前記水素ガス生成部と前記酸素ガス生成部とが電気的に直列に接続され、
    　前記水素ガス生成部と前記酸素ガス生成部とが、前記電解質水溶液が供給される電解室内に配置されており、
    　前記水素ガス生成部は、ｐｎ接合を有する無機半導体膜を有することを特徴とする人工光合成モジュール。
  2. 　前記水素ガス生成部と前記酸素ガス生成部は、同一平面上に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の人工光合成モジュール。
  3. 　前記水素ガス生成部と前記酸素ガス生成部とは、互いに異なる面に設けられている請求項１に記載の人工光合成モジュール。
  4. 　前記光電変換ユニットは、光電変換素子が複数直列に接続されたものである請求項１～３のいずれか１項に記載の人工光合成モジュール。
  5. 　前記光電変換素子は、ｐｎ接合を有する無機半導体膜を備える請求項４に記載の人工光合成モジュール。
  6. 　前記無機半導体膜は、ＣＩＧＳ化合物半導体を含む請求項５に記載の人工光合成モジュール。
  7. 　前記無機半導体膜は、ＣＺＴＳ化合物半導体を含む請求項６に記載の人工光合成モジュール。
  8. 　前記水素ガス生成部の前記無機半導体膜は機能層で覆われており、前記機能層は弱酸性溶液および弱アルカリ性溶液に不溶であり、かつ光透過性、遮水性および導電性を兼ね備える請求項１～７のいずれか１項に記載の人工光合成モジュール。
  9. 　前記機能層は、その表面に助触媒が設けられており、前記助触媒は、Ｐｔ、Ｐｔを含むもの、またはＲｈで構成される請求項８に記載の人工光合成モジュール。
  10. 　前記光電変換ユニットは保護層で覆われており、前記保護層は弱酸性溶液および弱アルカリ性溶液に不溶であり、かつ光透過性、遮水性および絶縁性を兼ね備える請求項１～９のいずれか１項に記載の人工光合成モジュール。
  11. 　前記酸素ガス生成部に助触媒が設けられ、前記酸素生成用の助触媒は、ＣｏＯｘまたはＩｒＯ２で構成される請求項１～１０のいずれか１項に記載の人工光合成モジュール。
  12. 　前記光電変換ユニットは、光を照射された際、前記各光電変換素子で生じる発生電流量が各光電変換素子で等しい請求項４～１１のいずれか１項に記載の人工光合成モジュール。
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