WO2015079792A1 - 非可逆回路素子 - Google Patents

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variable capacitance
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大輔 大久保
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株式会社村田製作所
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
    • H01P1/38—Circulators
    • H01P1/383—Junction circulators, e.g. Y-circulators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
    • H01P1/36—Isolators

Definitions

  • the present invention relates to non-reciprocal circuit elements, and more particularly to non-reciprocal circuit elements such as isolators and circulators used in the microwave band.
  • nonreciprocal circuit elements such as isolators and circulators have a characteristic of transmitting a signal only in a predetermined specific direction and not transmitting in a reverse direction. Utilizing this characteristic, for example, an isolator is used in a transmission circuit unit of a mobile communication device such as a mobile phone.
  • the isolation characteristic shifts to the high frequency side when the temperature is higher than 25 ° C., which is normal temperature, and shifts to the low frequency side when the temperature is lower. Further, in the example shown in FIG. 10, when the temperature becomes higher or lower than 25 ° C., which is normal temperature, the insertion loss characteristic also varies according to the temperature change.
  • An object of the present invention is to provide a non-reciprocal circuit device capable of suppressing characteristic fluctuations with respect to temperature with a simple configuration without changing the material of a microwave magnetic body or magnet.
  • the nonreciprocal circuit device is A magnetic material to which a DC magnetic field is applied; A plurality of central electrodes arranged to intersect with each other in a magnetically insulated state; A termination resistor connected in parallel with one of the central electrodes between the input and output ports; A capacitive element having a variable capacitance connected between the input / output ports and in parallel with the termination resistor; A thermistor element connected in series with the variable capacitance element to the control power supply circuit of the variable capacitance element; It is provided with.
  • the non-reciprocal circuit device is a two-port type isolator, and the non-reciprocal circuit devices according to the second and third embodiments are three-port type circulators.
  • any nonreciprocal circuit element by selecting a thermistor element with appropriate temperature characteristics, it is necessary to develop a capacitance value to cope with the temperature change of the variable capacitance element with a constant control voltage. Can be applied to the variable capacitance element. As a result, fluctuations in characteristics with respect to temperature changes can be suppressed, and there is no need to change the material of the magnetic material for the microwave or the magnet or to perform complicated control.
  • the nonreciprocal circuit device 1A is a lumped constant type two-port isolator, and a ferrite 32 to which a DC magnetic field G is applied by a permanent magnet (not shown) Are provided with a first center electrode 35 (inductor L1) and a second center electrode 36 (inductor L2) disposed so as to cross each other in an insulated state.
  • the first center electrode 35 has one end connected to the input port P1 and the other end connected to the output port P2.
  • the second center electrode 36 has one end connected to the output port P2 and the other end connected to the ground port P3.
  • a termination resistor R is connected in parallel with the first center electrode 35 between the input port P1 and the output port P2, and a variable capacitance capacitor C11 is connected between the input port P1 and the output port P2.
  • a matching capacitor C2 is connected in parallel with the second center electrode 36 between the ground port P3.
  • a capacitor CS1 for matching input impedance and a capacitor CA dropped to ground are connected to the input port P1, and a capacitor CS2 for matching output impedance is connected to the output port P2.
  • the thermistor element S is connected in series with the capacitor C11 to the control power supply circuit (DC power supply E) of the variable capacitance capacitor C11.
  • the capacitance value of the capacitance variable capacitor C11 varies according to a change in voltage applied by the control power supply circuit.
  • a variable capacitance element using a ferroelectric material for example, a BST (barium / strontium / titanate) element can be suitably used.
  • Permanent magnets 41 are attached to the front and back surfaces of the ferrite 32 via adhesives 42, respectively.
  • the first center electrode 35 is wound around the front and back surfaces of the ferrite 32 by one turn, and one end electrode 35a is the input port P1 and the other end electrode 35b is the output port P2.
  • the second center electrode 36 is wound four turns on the front and back surfaces of the ferrite 32 so as to intersect with the first center electrode 35 while maintaining an insulating state at a predetermined angle.
  • One end of the second center electrode 36 is common to the electrode 35b (output port P2), and the other end electrode 36a is a ground port P3.
  • the illustration of the electrode on the back side of the ferrite 32 is omitted to avoid complication.
  • the nonreciprocal circuit element 1A has an isolation characteristic in which curves A, B, and C at 25 ° C., 85 ° C., and ⁇ 35 ° C. are almost overlapped. There has been little change.
  • FIG. 3B shows the isolation characteristics of a 2-port isolator in which the thermistor element S and the power source E are omitted for comparison.
  • the characteristic in the comparative example is the same as the characteristic of FIG. 9 shown as the conventional example.
  • the crossing angle of the center electrodes 35 and 36 is set as necessary, and the input impedance and insertion loss are adjusted. Further, by winding the second center electrode 36 around the ferrite 32 a plurality of times, the inductance of the second center electrode 36 is increased, the insertion loss is reduced, and the operating frequency band is expanded.
  • the nonreciprocal circuit device 1B (two-port isolator) of the second embodiment has a variable capacitance capacitor C12 connected in parallel with the capacitor CA, and a thermistor device S1 and its DC power supply E1. It is connected. Further, a variable capacitance capacitor C13 is connected in parallel with the capacitor C2, and the thermistor element S2 and its DC power source E2 are connected. Other configurations are the same as those of the non-reciprocal circuit device 1A according to the first embodiment.
  • variable capacitance capacitors C12 and C13 and the thermistor elements S1 and S2 in the second embodiment are basically the same as those in the first embodiment.
  • the capacitors C12 and C13 may be omitted, and the capacitors CA and C2 may be variable capacitance capacitors.
  • thermistor elements S1 and S2 are connected in series to the variable capacitance capacitors C12 and C13 connected in parallel with the capacitors CA and C2, so that the variation or insertion of the isolation characteristic due to the temperature change is inserted. Variations in loss characteristics can be suppressed.
  • the isolation characteristics of the nonreciprocal circuit device 1B hardly change as shown by curves A (25 ° C.), B (85 ° C.), and C ( ⁇ 35 ° C.) in FIG.
  • the insertion loss characteristic is as shown by curves A ′ (25 ° C.), B ′ (85 ° C.), and C ′ ( ⁇ 35 ° C.) in FIG. Fluctuation hardly occurs compared to the conventional example.
  • FIG. 5B shows the isolation characteristics of a two-port isolator in which the capacitors C12 and C13, the thermistor elements S, S1 and S2, and the power supplies E, E1 and E2 are omitted.
  • the characteristic in the comparative example is the same as the characteristic of FIG. 9 shown as the conventional example.
  • the nonreciprocal circuit device 1C according to the third embodiment is a lumped constant type three-port circulator having the equivalent circuit shown in FIG. That is, the first center electrode 121 (inductor L11), the second center electrode 122 (inductor L12), and the third center electrode 123 (inductor L13) are insulated from the ferrite 132 to which a DC magnetic field is applied in the direction of arrow G by a permanent magnet.
  • One end of the first center electrode 121 is disposed at the first port P11
  • one end of the second center electrode 122 is disposed at the second port P12
  • one end of the third center electrode 123 is disposed at the third port P13. It is said.
  • the other ends of the center electrodes 121, 122, and 123 are connected to each other and to the ground through an inductor Lg and a capacitor Cg connected in series.
  • Capacitors C21, C22, and C23 are connected in parallel to the center electrodes 121, 122, and 123, respectively.
  • a capacitor Cs1 is connected between the first port P11 and the first terminal 141
  • a capacitor Cs2 is connected between the second port P12 and the second terminal 142
  • the third port P13 and the third terminal 143 are connected.
  • a capacitor Cs3 is connected between the two.
  • variable capacitance capacitor C14 is connected in parallel with the capacitor Cg, and the thermistor element S3 and its DC power supply E3 are connected.
  • the high frequency signal input from the second terminal 142 (second port P12) is output from the first terminal 141 (first port P11), and the first terminal 141 (first port).
  • the high frequency signal input from the first port P11) is output from the third terminal 143 (third port P13), and the high frequency signal input from the third terminal 143 (third port P13) is the second terminal 142 (second port). P12).
  • variation of the insertion loss characteristic resulting from a temperature change can be suppressed by connecting the thermistor element S3 in series with the capacity
  • the insertion loss characteristic of the nonreciprocal circuit device 1C hardly fluctuates as shown by curves A ′ (25 ° C.), B ′ (85 ° C.), and C ′ ( ⁇ 35 ° C.) in FIG. .
  • FIG. 7B shows the insertion loss characteristics of a 3-port circulator in which the thermistor element S3 and the power source E3 are omitted for comparison.
  • the capacitor C14 may be omitted and the capacitor Cg may be a variable capacitance capacitor.
  • the nonreciprocal circuit device 1D according to the fourth embodiment is a lumped constant type three-port circulator having the equivalent circuit shown in FIG. 8, and the nonreciprocal circuit device 1C according to the third embodiment has the following points. Only different.
  • variable capacitance capacitor C14, the thermistor element S3, and the DC power supply E3 with respect to the capacitor Cg are omitted, and these elements C14, S3, and E3 are connected to the capacitors C21, C22, and C23, respectively.
  • the characteristic variation of the non-reciprocal circuit element 1D due to the temperature change can be suppressed as in the first, second, and third embodiments.
  • the non-reciprocal circuit device according to the present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be variously modified within the scope of the gist thereof.
  • Non-reciprocal circuit element 32 ... Ferrite 35, 36, 121-123 ... Center electrode 41 ... Permanent magnet P1-P3, P11-P13 ... Port C11-C14 ... Capacitance variable capacitor S, S1, S2, S3 ... Thermistor Element E, E1, E2, E3 ... Power supply R ... Termination resistor

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  • Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)

Abstract

　非可逆回路素子において、磁性体や磁石の材料変更を行うことなく、温度に対する特性変動を簡単な構成で抑えること。　直流磁界（Ｇ）が印加される磁性体（３２）と、磁性体（３２）に互いに絶縁状態で交差して配置された複数の中心電極（３５，３６）と、入出力ポート（Ｐ１，Ｐ２）間に中心電極（３５，３６）の一つと並列に接続された終端抵抗（Ｒ）と、入出力ポート（Ｐ１，Ｐ２）間であって終端抵抗（Ｒ）と並列に接続された容量が可変な容量素子（Ｃ１１）と、可変容量素子（Ｃ１１）の制御電源回路（Ｅ）に可変容量素子（Ｃ１１）と直列に接続されたサーミスタ素子（Ｓ）と、を備えた非可逆回路素子。

Description

非可逆回路素子
　本発明は、非可逆回路素子、特に、マイクロ波帯で使用されるアイソレータやサーキュレータなどの非可逆回路素子に関する。
　従来、アイソレータやサーキュレータなどの非可逆回路素子は、予め定められた特定方向にのみ信号を伝送し、逆方向には伝送しない特性を有している。この特性を利用して、例えば、アイソレータは、携帯電話などの移動体通信機器の送信回路部に使用されている。
　この種の非可逆回路素子としては、図９に記載のように、永久磁石により直流磁界Ｇが印加されるマイクロ波用磁性体３２（以下、フェライトと称する）に、第１中心電極３５（インダクタＬ１）と第２中心電極３６（インダクタＬ２）とを互いに絶縁状態で交差して配置し、第１中心電極３５の一端を入力ポートＰ１とし、第１中心電極３５の他端と第２中心電極３６の一端を出力ポートＰ２とし、入出力ポートＰ１，Ｐ２間に第１中心電極３５と並列に終端抵抗Ｒを接続するとともに、入出力ポートＰ１，Ｐ２間であって終端抵抗Ｒと並列に容量素子Ｃ１１を接続したアイソレータが知られている。また、出力ポートＰ２とグランドポートＰ３との間であって第２中心電極３６と並列に容量素子Ｃ２が接続されている。
　前記アイソレータは、挿入損失が小さく、広帯域で動作が可能である。このような回路構成を基礎として、特許文献１には、前記容量素子Ｃ１１を可変容量素子としたり、スイッチ素子などを用いて共振容量を可変とすることで、挿入損失を劣化させることなく、アイソレーション特性を調整するようにした非可逆回路素子が記載されている。
　ところで、フェライトの透磁率及び永久磁石の磁力は固有の温度特性を有している。フェライト及び永久磁石の特性を常温においてアイソレーションを調整することは可能であるが、温度変化による特性変動に完全に追従することはできず、アイソレーション特性と挿入損失特性が設計値から変動してしまう。図１０にフェライト及び永久磁石の温度特性に起因する特性変動例を示す。図１０の曲線Ａ，Ａ’で２５℃のアイソレーション特性及び挿入損失特性を示し、曲線Ｂ，Ｂ’で８５℃のアイソレーション特性及び挿入損失特性を示し、曲線Ｃ，Ｃ’で－３５℃のアイソレーション特性及び挿入損失特性を示す。即ち、図１０に示す例では、アイソレーション特性は、温度が常温である２５℃よりも高くなると高周波側にずれ、低くなると低周波側にずれる。また、図１０に示す例では、温度が常温である２５℃よりも高くなったり、低くなったりすると、挿入損失特性も温度の変化に従って変動する。
　前記アイソレーション特性が劣化する理由は、フェライト及び永久磁石の温度特性により、実効的なインダクタＬ１，Ｌ２の値が変化することで、Ｌ１とＣ１１で構成されるＬＣ共振回路及びＬ２とＣ２で構成されるＬＣ共振回路の共振周波数が変動してしまうことによる。これを防ぐためには、広帯域に温度特性を調整した磁石とフェライトを用意するか、共振容量素子Ｃ１１の容量値を共振周波数の変動を打ち消すように調整する必要がある。しかし、広帯域に温度特性を調整した材料を用意することは極めて困難である。また、容量素子Ｃ１１の調整は、高精度な温度検知とその温度に対する容量制御が必要となり、実際的ではない。
国際公開第２０１２／０２０６１３号
　本発明の目的は、マイクロ波用磁性体や磁石の材料変更を行うことなく、温度に対する特性変動を簡単な構成で抑えることのできる非可逆回路素子を提供することにある。
　本発明の第１の形態である非可逆回路素子は、
　直流磁界が印加される磁性体と、
　前記磁性体に互いに絶縁状態で交差して配置された複数の中心電極と、
　入出力ポート間に前記中心電極の一つと並列に接続された終端抵抗と、
　入出力ポート間であって前記終端抵抗と並列に接続された容量が可変な容量素子と、
　前記可変容量素子の制御電源回路に該可変容量素子と直列に接続されたサーミスタ素子と、
　を備えたことを特徴とする。
　本発明の第２の形態である非可逆回路素子は、
　直流磁界が印加される磁性体と、
　前記磁性体に互いに絶縁状態で交差して配置された第１中心電極、第２中心電極及び第３中心電極と、
　を備え、
　第１中心電極の一端を第１ポート、第２中心電極の一端を第２ポート、第３中心電極の一端を第３ポートとし、
　第１中心電極、第２中心電極及び第３中心電極のそれぞれの他端は互いに接続されてグランド端子に接続され、
　第１中心電極、第２中心電極及び第３中心電極に対して並列に容量素子がそれぞれ接続され、
　前記グランド端子とグランドとの間に直列にインダクタ素子及び容量が可変な容量素子が接続され、
　前記可変容量素子の制御電源回路に該可変容量素子と直列にサーミスタ素子が接続されていること、
　を特徴とする。
　本発明の第３の形態である非可逆回路素子は、
　直流磁界が印加される磁性体と、
　前記磁性体に互いに絶縁状態で交差して配置された第１中心電極、第２中心電極及び第３中心電極と、
　を備え、
　第１中心電極の一端を第１ポート、第２中心電極の一端を第２ポート、第３中心電極の一端を第３ポートとし、
　第１中心電極、第２中心電極及び第３中心電極のそれぞれの他端は互いに接続されてグランド端子に接続され、
　第１中心電極、第２中心電極及び第３中心電極に対して並列に容量が可変な容量素子がそれぞれ接続され、
　前記可変容量素子の制御電源回路に該可変容量素子と直列にサーミスタ素子が接続されていること、
　を特徴とする。
　前記第１の形態である非可逆回路素子は２ポート型のアイソレータであり、前記第２及び第３の形態である非可逆回路素子は３ポート型のサーキュレータである。いずれの非可逆回路素子においても、適切な温度特性を持つサーミスタ素子を選定することで、制御電圧は一定の状態で、可変容量素子の温度変化に対応するための容量値を発現するのに必要な電圧を可変容量素子に与えられる。これにて、温度変化に対する特性の変動が抑えられることになり、マイクロ波用磁性体や磁石の材料変更や複雑な制御は不要となる。
　本発明によれば、マイクロ波用磁性体や磁石の材料変更を行うことなく、温度に対する特性変動を簡単な構成で抑えることができる。
第１実施例である非可逆回路素子（２ポート型アイソレータ）を示す等価回路図である。 前記非可逆回路素子の要部を示す分解斜視図である。 （Ａ）は第１実施例である非可逆回路素子のアイソレーション特性を示すグラフであり、（Ｂ）は比較例のアイソレーション特性を示すグラフである。 第２実施例である非可逆回路素子（２ポート型アイソレータ）を示す等価回路図である。 （Ａ）は第２実施例である非可逆回路素子のアイソレーション特性及び挿入損失特性を示すグラフであり、（Ｂ）は比較例のアイソレータ特性及び挿入損失特性を示すグラフである。 第３実施例である非可逆回路素子（３ポート型サーキュレータ）を示す等価回路図である。 （Ａ）は第３実施例である非可逆回路素子の挿入損失特性を示すグラフであり、（Ｂ）は比較例の挿入損失特性を示すグラフである。 第４実施例である非可逆回路素子（３ポート型サーキュレータ）を示す等価回路図である。 従来例である非可逆回路素子（２ポート型アイソレータ）を示す等価回路図である。 図９に示した従来例である非可逆回路素子のアイソレーション特性及び挿入損失特性を示すグラフである。
　以下、本発明に係る非可逆回路素子の実施例について添付図面を参照して説明する。なお、各図において、同じ部材、部分については共通する符号を付し、重複する説明は省略する。
　（第１実施例、図１～図３参照）
　第１実施例である非可逆回路素子１Ａは、図１に示すように、集中定数タイプの２ポート型アイソレータであり、図示しない永久磁石により直流磁界Ｇが印加されるフェライト３２と、該フェライト３２に互いに絶縁状態で交差して配置された第１中心電極３５（インダクタＬ１）及び第２中心電極３６（インダクタＬ２）とを備えている。第１中心電極３５は、一端が入力ポートＰ１に接続され、他端が出力ポートＰ２に接続されている。第２中心電極３６は、一端が出力ポートＰ２に接続され、他端がグランドポートＰ３に接続されている。入力ポートＰ１と出力ポートＰ２との間に終端抵抗Ｒが第１中心電極３５と並列に接続され、入力ポートＰ１と出力ポートＰ２との間に、容量可変コンデンサＣ１１が接続され、出力ポートＰ２とグランドポートＰ３との間に第２中心電極３６と並列に整合コンデンサＣ２が接続されている。
　また、入力ポートＰ１には入力インピーダンスを整合させるためのコンデンサＣＳ１及びグランドに落とされたコンデンサＣＡが接続され、出力ポートＰ２には出力インピーダンスを整合させるためのコンデンサＣＳ２が接続されている。
　さらに、容量可変コンデンサＣ１１の制御電源回路（直流電源Ｅ）に該コンデンサＣ１１と直列にサーミスタ素子Ｓが接続されている。容量可変コンデンサＣ１１は、制御電源回路により印加される電圧の変化に応じて、容量値が変動する。容量可変コンデンサＣ１１としては、強誘電体を用いた可変容量素子、例えば、ＢＳＴ（バリウム・ストロンチウム・チタン酸塩）素子を好適に用いることができる。
　ここで、非可逆回路素子１Ａの要部の構成について図２を参照して説明する。フェライト３２の表裏面にそれぞれ永久磁石４１が接着剤４２を介して貼着されている。第１中心電極３５はフェライト３２の表裏面に１ターン巻回されており、一端電極３５ａが入力ポートＰ１であり、他端電極３５ｂが出力ポートＰ２である。第２中心電極３６はフェライト３２の表裏面に第１中心電極３５と所定の角度で絶縁状態を保って交差して４ターン巻回されている。第２中心電極３６の一端は前記電極３５ｂと共通（出力ポートＰ２）であり、他端電極３６ａがグランドポートＰ３である。なお、図２では、煩雑さを避けるためにフェライト３２の裏面側の電極は図示を省略している。
　非可逆回路素子１Ａにおいては、出力ポートＰ２から高周波信号が入力されると、第１中心電極３５と容量可変コンデンサＣ１１とで形成される並列共振回路によって減衰（アイソレーション）される。直流電源Ｅによる電圧が一定であってもサーミスタ素子Ｓの抵抗値が温度に応じて変化することにより可変コンデンサＣ１１に印加される電圧が変化する。これにて、温度によって変化するフェライト３２や永久磁石の特性変化を補償してアイソレーション特性の変動（共振周波数の変動）が打ち消される。また、終端抵抗Ｒのインピーダンスを選択することにより、減衰量が調整される。
　一方、入力ポートＰ１から出力ポートＰ２へ高周波電流が流れる動作時には、第２中心電極３６に大きな高周波電流が流れ、終端抵抗Ｒや容量可変コンデンサＣ１１にはほとんど高周波電流が流れないため、容量可変コンデンサＣ１１が追加されていてもそれによる損失は無視でき、挿入損失が増大することはない。
　非可逆回路素子１Ａのアイソレーション特性は、図３（Ａ）に示すように、２５℃、８５℃及び－３５℃での曲線Ａ，Ｂ，Ｃがほとんど重なっており、温度によるアイソレーション特性の変動はほとんど生じていない。なお、図３（Ｂ）に、比較のために、サーミスタ素子Ｓ及び電源Ｅを省略した２ポート型アイソレータのアイソレーション特性を示す。比較例での特性は従来例として示した図９の特性と同様である。
　なお、中心電極３５，３６の交差角は必要に応じて設定され、入力インピーダンスや挿入損失が調整されることになる。また、第２中心電極３６をフェライト３２に複数回巻回することにより、第２中心電極３６のインダクタンスが大きくなり、挿入損失が低下し、動作周波数帯域も拡大する。
　（第２実施例、図４及び図５参照）
　第２実施例である非可逆回路素子１Ｂ（２ポート型アイソレータ）は、図４に示すように、コンデンサＣＡと並列に容量可変コンデンサＣ１２が接続されるとともに、サーミスタ素子Ｓ１とその直流電源Ｅ１が接続されている。さらに、コンデンサＣ２と並列に容量可変コンデンサＣ１３が接続されるとともに、サーミスタ素子Ｓ２とその直流電源Ｅ２が接続されている。他の構成は前記第１実施例である非可逆回路素子１Ａと同様である。本第２実施例におけるアイソレータとしての動作及び容量可変コンデンサＣ１２，Ｃ１３やサーミスタ素子Ｓ１，Ｓ２の動作は前記第１実施例と基本的には同様である。なお、コンデンサＣ１２，Ｃ１３を省略するとともに、コンデンサＣＡ，Ｃ２を容量可変コンデンサとしてもよい。
　本第２実施例のごとく、コンデンサＣＡ，Ｃ２と並列に接続された容量可変コンデンサＣ１２，Ｃ１３にサーミスタ素子Ｓ１、Ｓ２を直列に接続することで、温度変化に起因するアイソレーション特性の変動や挿入損失特性の変動を抑制することができる。非可逆回路素子１Ｂのアイソレーション特性は、図５（Ａ）に曲線Ａ（２５℃），Ｂ（８５℃），Ｃ（－３５℃）で示すように、変動をほとんど生じていない。また、挿入損失特性は、図５（Ａ）に曲線Ａ’（２５℃）、Ｂ'（８５℃），Ｃ‘（－３５℃）で示すように、動作周波数帯となる７８０ＭＨｚ付近においては、従来例と比較して変動をほとんど生じていない。なお、図５（Ｂ）に、比較のために、コンデンサＣ１２，Ｃ１３、サーミスタ素子Ｓ，Ｓ１，Ｓ２及び電源Ｅ、Ｅ１，Ｅ２を省略した２ポート型アイソレータのアイソレーション特性を示す。比較例での特性は従来例として示した図９の特性と同様である。
　（第３実施例、図６及び図７参照）
　第３実施例である非可逆回路素子１Ｃは、図６に示す等価回路を有する集中定数タイプの３ポート型サーキュレータである。即ち、永久磁石により矢印Ｇ方向に直流磁界が印加されるフェライト１３２に第１中心電極１２１（インダクタＬ１１）、第２中心電極１２２（インダクタＬ１２）及び第３中心電極１２３（インダクタＬ１３）をそれぞれ絶縁状態で所定の角度で交差させて配置し、第１中心電極１２１の一端を第１ポートＰ１１、第２中心電極１２２の一端を第２ポートＰ１２、第３中心電極１２３の一端を第３ポートＰ１３としている。
　各中心電極１２１，１２２，１２３のそれぞれの他端は互いに接続されるとともに直列に接続されたインダクタＬｇとコンデンサＣｇとを介してグランドに接続されている。各中心電極１２１，１２２，１２３に対して並列にコンデンサＣ２１，Ｃ２２，Ｃ２３がそれぞれ接続されている。第１ポートＰ１１と第１端子１４１との間にはコンデンサＣｓ１が接続され、第２ポートＰ１２と第２端子１４２との間にはコンデンサＣｓ２が接続され、第３ポートＰ１３と第３端子１４３との間にはコンデンサＣｓ３が接続されている。
　さらに、コンデンサＣｇと並列に容量可変コンデンサＣ１４が接続されるとともに、サーミスタ素子Ｓ３とその直流電源Ｅ３が接続されている。
　第３実施例である３ポート型サーキュレータにおいて、第２端子１４２（第２ポートＰ１２）から入力された高周波信号は、第１端子１４１（第１ポートＰ１１）から出力され、第１端子１４１（第１ポートＰ１１）から入力された高周波信号は第３端子１４３（第３ポートＰ１３）から出力され、第３端子１４３（第３ポートＰ１３）から入力された高周波信号は第２端子１４２（第２ポートＰ１２）から出力される。
　そして、本第３実施例のごとく、コンデンサＣｇと並列に接続された容量可変コンデンサＣ１４にサーミスタ素子Ｓ３を直列に接続することで、温度変化に起因する挿入損失特性の変動を抑制することができる。非可逆回路素子１Ｃの挿入損失特性は、図７（Ａ）に曲線Ａ’（２５℃），Ｂ’（８５℃），Ｃ’（－３５℃）で示すように、変動をほとんど生じていない。なお、図７（Ｂ）に、比較のために、サーミスタ素子Ｓ３及び電源Ｅ３を省略した３ポート型サーキュレータの挿入損失特性を示す。
　なお、コンデンサＣ１４を省略するとともに、コンデンサＣｇを容量可変コンデンサとしてもよい。
　（第４実施例、図８参照）
　第４実施例である非可逆回路素子１Ｄは、図８に示す等価回路を有する集中定数タイプの３ポート型サーキュレータであって、前記第３実施例である非可逆回路素子１Ｃとは以下の点のみで異なっている。
　即ち、コンデンサＣｇに対する容量可変コンデンサＣ１４、サーミスタ素子Ｓ３及び直流電源Ｅ３を省略するとともに、これらの素子Ｃ１４，Ｓ３，Ｅ３を、コンデンサＣ２１，Ｃ２２，Ｃ２３に対してそれぞれ接続したものである。本第４実施例においても、温度変化に起因する非可逆回路素子１Ｄの特性変動を抑制できることは、前記第１、第２及び第３実施例と同様である。
　（他の実施例）
　なお、本発明に係る非可逆回路素子は前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
　例えば、永久磁石のＮ極とＳ極を反転させれば、入力ポートと出力ポートが入れ替わる。また、フェライトや永久磁石の細部構成、各中心電極の形状は種々に変更することができる。
　以上のように、本発明は、非可逆回路素子に有用であり、特に、温度に対する特性変動を簡単な構成で抑えることができる点で優れている。
　　１Ａ～１Ｄ…非可逆回路素子
　　３２…フェライト
　　３５，３６，１２１～１２３…中心電極
　　４１…永久磁石
　　Ｐ１～Ｐ３，Ｐ１１～Ｐ１３…ポート
　　Ｃ１１～Ｃ１４…容量可変コンデンサ
　　Ｓ，Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３…サーミスタ素子
　　Ｅ，Ｅ１，Ｅ２、Ｅ３…電源
　　Ｒ…終端抵抗

Claims (7)

  1. 　直流磁界が印加される磁性体と、
    　前記磁性体に互いに絶縁状態で交差して配置された複数の中心電極と、
    　入出力ポート間に前記中心電極の一つと並列に接続された終端抵抗と、
    　入出力ポート間であって前記終端抵抗と並列に接続された容量が可変な容量素子と、
    　前記可変容量素子の制御電源回路に該可変容量素子と直列に接続されたサーミスタ素子と、
    　を備えたことを特徴とする非可逆回路素子。
  2. 　前記中心電極は前記磁性体に互いに絶縁状態で交差して配置された第１中心電極及び第２中心電極からなり、
    　第１中心電極は、一端が入力ポートに電気的に接続され、他端が出力ポートに電気的に接続され、
    　第２中心電極は、一端が出力ポートに電気的に接続され、他端がグランドポートに電気的に接続され、
    　前記終端抵抗は前記入力ポートと前記出力ポートとの間に接続され、
    　前記可変容量素子は前記入力ポートと前記出力ポートとの間に、前記終端抵抗と並列に接続されていること、
    　を特徴とする請求項１に記載の非可逆回路素子。
  3. 　前記入力ポートは、容量が可変な容量素子を介してグランドに接続され、
    　前記可変容量素子の制御電源回路に該可変容量素子と直列にサーミスタ素子が接続されていること、
    　を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の非可逆回路素子。
  4. 　前記出力ポートは、容量が可変な容量素子を介してグランドに接続され、
    　前記可変容量素子の制御電源回路に該可変容量素子と直列にサーミスタ素子が接続されていること、
    　を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の非可逆回路素子。
  5. 　直流磁界が印加される磁性体と、
    　前記磁性体に互いに絶縁状態で交差して配置された第１中心電極、第２中心電極及び第３中心電極と、
    　を備え、
    　第１中心電極の一端を第１ポート、第２中心電極の一端を第２ポート、第３中心電極の一端を第３ポートとし、
    　第１中心電極、第２中心電極及び第３中心電極のそれぞれの他端は互いに接続されてグランド端子に接続され、
    　第１中心電極、第２中心電極及び第３中心電極に対して並列に容量素子がそれぞれ接続され、
    　前記グランド端子とグランドとの間に直列にインダクタ素子及び容量が可変な容量素子が接続され、
    　前記可変容量素子の制御電源回路に該可変容量素子と直列にサーミスタ素子が接続されていること、
    　を特徴とする非可逆回路素子。
  6. 　第１中心電極、第２中心電極及び第３中心電極に対して並列に容量が可変な容量素子がそれぞれ接続され、
    　前記可変容量素子の制御電源回路に該可変容量素子と直列にサーミスタ素子が接続されていること、
    　を特徴とする請求項５に記載の非可逆回路素子。
  7. 　直流磁界が印加される磁性体と、
    　前記磁性体に互いに絶縁状態で交差して配置された第１中心電極、第２中心電極及び第３中心電極と、
    　を備え、
    　第１中心電極の一端を第１ポート、第２中心電極の一端を第２ポート、第３中心電極の一端を第３ポートとし、
    　第１中心電極、第２中心電極及び第３中心電極のそれぞれの他端は互いに接続されてグランド端子に接続され、
    　第１中心電極、第２中心電極及び第３中心電極に対して並列に容量が可変な容量素子がそれぞれ接続され、
    　前記可変容量素子の制御電源回路に該可変容量素子と直列にサーミスタ素子が接続されていること、
    　を特徴とする非可逆回路素子。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008085981A (ja) * 2006-08-31 2008-04-10 Ntt Docomo Inc 非可逆回路素子
JP2008109391A (ja) * 2006-10-25 2008-05-08 Kyocera Mita Corp 温度補償型圧電発振器及び画像形成装置
JP2011055222A (ja) * 2009-09-01 2011-03-17 Murata Mfg Co Ltd 非可逆回路素子
JP2013145945A (ja) * 2012-01-13 2013-07-25 Murata Mfg Co Ltd 無線通信装置
WO2013118355A1 (ja) * 2012-02-06 2013-08-15 株式会社村田製作所 非可逆回路素子

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3807071B2 (ja) * 1997-12-08 2006-08-09 Ｔｄｋ株式会社 非可逆回路素子
US8130054B1 (en) * 2008-10-14 2012-03-06 Rf Micro Devices, Inc. Frequency-adjustable radio frequency isolator circuitry
CN103081219B (zh) 2010-08-09 2016-01-13 株式会社村田制作所 非可逆电路元件

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008085981A (ja) * 2006-08-31 2008-04-10 Ntt Docomo Inc 非可逆回路素子
JP2008109391A (ja) * 2006-10-25 2008-05-08 Kyocera Mita Corp 温度補償型圧電発振器及び画像形成装置
JP2011055222A (ja) * 2009-09-01 2011-03-17 Murata Mfg Co Ltd 非可逆回路素子
JP2013145945A (ja) * 2012-01-13 2013-07-25 Murata Mfg Co Ltd 無線通信装置
WO2013118355A1 (ja) * 2012-02-06 2013-08-15 株式会社村田製作所 非可逆回路素子

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