WO2015058571A1 - Oled显示装置及其制作方法 - Google Patents

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  • the second base substrate may be a transparent glass substrate.
  • the black matrix film layer may be formed on the second base substrate by one patterning process.
  • the package substrate further comprises: a spacer layer between the protective layer and the graphene layer, the spacer The layer includes a plurality of spacers.
  • forming the package substrate further comprises: forming a protective layer on the second base substrate .

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Abstract

一种OLED显示装置及其制作方法。该OLED显示装置，包括：对盒的阵列基板（20）和封装基板（10），其中，该阵列基板（20）包括第一基底基板（4）、阳极层（5）、阴极层（7）以及设置于阳极层（5）和阴极层（7）之间的电致发光层（6），该阳极层（5）或该阴极层（7）设置在该阵列基板（20）的最上层；该封装基板（10）包括第二基底基板（1）以及石墨烯层（11），该石墨烯层（11）设置在该封装基板（10）的最上层；该阵列基板（20）和封装基板（10）之间设置有填充导电填充物（8），该石墨烯层（11）通过导电填充物（8）与设置于阵列基板（20）最上层的该阴极层（7）或阳极层（5）电连接。

Description

OLED显示装置及其制作方法 技术领域
本公开的实施例涉及 OLED显示装置及其制作方法。 背景技术
有机发光二极管 （Organic Light-Emitting Diode, 简称： OLED )器件由 于自发光、 全固态、 宽视角、 响应快等优点， 在平板显示产品中有巨大应用 前景， 甚至被认为是继液晶 （ Liquid Crystal Display, 简称： LCD ) 、 等离 子（plasma display panel, 简称： PDP )之后的新一代的平板显示产品。
以彩色 OLED显示装置为例描述 OLED 显示装置的基本结构。 彩色 OLED显示装置包括对盒成型的封装基板 910和阵列基板 920，如图 1所示， 封装基板 910包括第二基底基板 91以及设置在所述第二基底基板 91上的黑 矩阵膜层 92以及彩色膜层 93。 彩色膜层 93包括 R (红）、 G (绿）、 B (蓝） 三种不同颜色的图案单元。阵列基板 920包括第一基底基板 94以及设置在所 述第一基底基板 94上的阳极层 95、 电致发光层 96以及阴极层 97等。 封装 基板 910和阵列基板 920之间填充填充物 98对盒形成显示装置。现有的阳极 层 95以及阴极层 97均由 ITO形成， 其传输电阻大， 影响显示效果。 发明内容
本公开实施例提供了一种 OLED显示装置， 包括： 对盒的阵列基板和封 装基板， 其中， 所述阵列基板包括第一基底基板、 阳极层、 阴极层以及设置 于阳极层和阴极层之间的电致发光层， 所述阳极层或所述阴极层设置在所述 阵列基板的最上层； 所述封装基板包括第二基底基板以及石墨烯层， 所述石 墨烯层设置在所述封装基板的最上层； 所述阵列基板和封装基板之间设置有 填充导电填充物， 所述石墨烯层通过导电填充物与设置于阵列基板最上层的 所述阴极层或阳极层电连接。
本公开实施例提供了一种 OLED显示装置的制作方法， 包括： 形成阵列 基板； 形成封装基板； 以及将阵列基板和封装基板对盒； 其中， 所述形成阵 列基板包括： 在第一基底基板上形成阳极层或阴极层， 所述阳极层或阴极层 位于所述阵列基板的最上层； 所述形成封装基板包括： 在第二基底基板上形 成石墨烯层， 所述石墨烯层位于所述封装基板的最上层； 所述将阵列基板和 封装基板对盒包括： 利用填充在阵列基板和封装基板之间的导电填充物将阵 列基板和封装基板对盒， 使得所述石墨烯层通过导电填充物与设置于阵列基 板最上层的所述阴极层或阳极层电连接。 附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案， 下面将对实施例或相关技 术描述中所需要使用的附图作简单地介绍， 显而易见地， 下面描述中的附图 仅仅涉及本公开的一些实施例， 并非对本公开的限制。
图 1为相关技术的 OLED显示装置示意图；
图 2为本公开实施例提供的 OLED显示装置示意图；
图 3为图 2的 OLED显示装置中的封装基板示意图；
图 4为本公开实施例提供的 OLED显示装置的封装基板示意图， 示出了 封装基板上的图案化保护层；
图 5为本公开实施例提供的 OLED显示装置的封装基板示意图； 图 6为本公开实施例提供的 OLED显示装置的封装基板示意图； 图 7为包括图 5所示封装基板的 OLED显示装置示意图；
图 8为包括图 6所示封装基板的 OLED显示装置示意图；
图 9为本公开实施例提供的 OLED显示装置的封装基板示意图。 具体实施方式
下面将结合附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述， 显然， 所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例， 而不是全部的实施例。 基于本公开中的实施例， 本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下 所获得的所有其他实施例， 都属于本公开保护的范围。
本公开的实施例提供一种 OLED显示装置及其制作方法。所述 OLED显 示装置的封装基板的最顶层设置有石墨烯层， 且通过导电填充物与阵列基板 最顶层的阳极层或阴极层电连接， 进而可以减小阵列基板上阳极层或阴极层 的电阻， 提升显示效果。
本公开的实施例提供了一种 OLED显示装置， 包括： 对盒成型的阵列基 板和封装基板， 所述阵列基板包括第一基底基板以及形成在第一基底基板上 的阳极层、 阴极层以及设置于阳极层和阴极层之间的有机电致发光层，其中， 所述阳极层或所述阴极层设置在所述阵列基板的最上层；所述封装基板包括： 第二基底基板以及石墨烯层， 其中， 所述石墨烯层设置在所述封装基板的最 上层； 所述阵列基板和封装基板之间通过填充导电填充物对盒， 以使得所述 石墨烯层通过导电填充物与设置于阵列基板最上层的所述阴极层或阳极层电 连接。
在本申请实施例提供的 OLED显示装置中， 第一基底基板上设置有阴极 层和阳极层， 且在阴极层和阳极层之间设置有有机发光材料层。 当阴极和阳 极同时通电， 则由于电荷的迁移， 激发使得有机发光材料发光， 进而实现显 示。 在一些示例中， 例如还可以在有机发光层和阳极之间再加一层空穴传输 层， 以调节空穴的注入速度和注入量。 还可以在有机发光层和阴极之间再加 一层电子传输层， 用来调节电子的注入速度和注入量。 由于空穴传输层和电 子传输层的具体结构与本公开的发明点无关， 故这里不对其具体结构做详细 介绍。 本公开实施例中， 以阵列基板上阳极位于有机发光材料层的下面， 阴 极位于有机发光材料层的上面为例进行说明。 这里， 所述 "上" 、 "下" ， 以在同一基底基板上制作薄膜的顺序为依据， 在先形成的膜层在下， 在后形 成的膜层在上。
需要说明的是， 所述阵列基板上设置有阳极层、 阴极层以及设置在所述 阳极层和阴极层之间的电致发光层， 则所述阳极层和所述阴极层是相对的两 层， 其可以是阳极层形成在靠近第一基底基板的一侧， 则所述阴极层形成在 远离第一基底基板的一侧； 或者也可以是阴极层形成在靠近第一基底基板的 一侧， 则所述阳极层形成在远离第一基底基板的一侧。 本公开实施例中以所 述阳极层靠近所述第一基底基板的一侧， 而阴极层远离所述第一基底基板的 一侧为例进行详细说明。 本公开实施例的 OLED显示装置根据发光的颜色， 其可以是单色显示， 也可以设置有彩色膜层而实现彩色显示。 本公开实施例 中以所述 OLED显示装置的封装基板上设置有彩色膜层为例进行详细说明。 另外， 阵列基板和封装基板包括的基底基板可以均是透明基底基板， 也可以 仅是出光侧为透明基板， 本公开实施例中以所述封装基板为透明基板为例。 如图 2所示， 本公开实施例提供了一种 OLED显示装置， 所述显示装置 包括对盒的阵列基板 20和封装基板 10，其中所述阵列基板 20包括第一基底 基板 4以及设置在第一基底基板 4上的阳极层 5、阴极层 7以及位于阳极层 5 和阴极层 7之间的有机电致发光层 6。封装基板 10包括第二基底基板 1以及 设置在所述第二基底基板 1上的黑矩阵膜层 2以及彩色膜层 3。 彩色膜层 3 包括 R (红） 、 G (绿） 、 B (蓝）三种不同颜色的图案单元。 所述封装基板 10， 例如如图 3所示， 还包括设置在所述第二基底基板 1上的石墨烯层 11。 且阵列基板 20和封装基板 10通过在其之间填充导电填充物 8而对盒设置， 则设置于阵列基板最上层的所述阴极层或阳极层通过导电填充物 8与石墨烯 层 11电连接。
可选的， 所述封装基板还包括： 位于所述第二基底基板 1和所述石墨烯 层 11之间的保护层 9。
在一个示例中， 通过在封装基板的保护层 9上形成一层金属层， 例如形 成银金属层等，然后在金属层上沉积 ITO ( Indium tin oxide,氧化铟锡）， ITO 与阵列基板最上层的的阴极层或阳极层通过导电填充物 8而接触。 这种结构 对于阵列基板最上层的阴极层或阳极层的电阻率的有一定的改善作用。
石墨烯（Graphene )是一种由碳原子构成的单层片结构的材料， 相对于 其他的导电金属材料， 其具有透明度高、 电阻率低、 电子迁移率极快的优点。 但是由于石墨烯独有的特性， 无法直接釆用与在封装基板上形成金属层的做 法相似的工艺来将石墨烯直接制备在封装基板上。 而在本公开实施例中， 通 过先将所述石墨烯层形成在第三基底基板上， 然后再将石墨烯层转移到所述 封装基板的表面， 从而实现了将石墨烯设置在封装基板上的方案。 在本公开 的实施例中，与石墨烯层电连接的阴极或阳极的传输电阻小， 电压均一性好， 可进一步提升显示效果。 需要说明的是， 所述石墨烯可以单层石墨烯也可以 是多层石墨烯， 本公开实施例中以所述石墨烯为多层石墨烯为例进行详细说 明。
本公开实施例提供的一种 OLED显示装置， 所述显示装置的阵列基板最 上层设置有阳极层或阴极层， 封装基板的最上层设置有石墨烯层， 且阵列基 板和封装基板通过导电的填充物对盒， 则所述封装基板的石墨烯层通过导电 的填充物与设置在所述阵列基板最上层的阴极层或阳极层电连接， 进而可以 减小所述阴极层或阳极层的电阻。
需要说明的是， 所述保护层 9主要用于使第二基底基板上的薄膜或图案 平坦化。 如图 3所示， 当第二基底基板 1上形成有黑矩阵膜层 2和彩色膜层 3时， 其上表面凹凸不平， 设置所述保护层 9可以使得封装基板的表面平坦 化， 有助于提升显示效果。 例如， 如图 3所示， 封装基板 10在第二基底基板 1和石墨烯层 11之间还设置有保护层 9。 当然， 所述第二基底基板上不设置 彩色膜层和黑矩阵膜层也可以设置所述保护层。
进一步的， 所述保护层形成有保护图案。 例如， 如图 4所示， 所述保护 层 9的上表面设置多个凸出部， 形成保护图案。 当然， 所述保护层的保护图 案还可以是其他薄膜图案， 本公开实施例仅以图 4所示的为例进行说明。 且 将保护层设置成图案化还可以调节 OLED光的透过率， 和折射率等， 减少散 射和提高对比度。
可选的，所述封装基板 10还包括：位于所述保护层和所述石墨烯层之间 的隔垫物层， 所述隔垫物包括隔垫物图案。
例如， 如图 5所示， 所述封装基板 10在保护层 9和石墨烯层 11之间还 设置有隔垫物层， 所述隔垫物层包括多个隔垫物 12。 当然， 如图 6所示， 还 可以是在设置有保护层 9的凸出部和石墨烯层 11之间设置隔垫物 12。 需要 说明的是， 所述隔垫物可以是任何其他形状的图案， 例如还可以是矩形等， 本公开实施例中， 仅以图 5、 图 6所示的为例进行详细说明。 所述隔垫物可 用于緩解显示屏幕的压力。
可选的， 所述隔垫物层与所述保护层材料相同。 且进一步的， 所述隔垫 物层与所述保护层一次成型。 例如， 如图 9所示， 所述隔垫物层与所述保护 层材料相同， 则其可以是通过一次构图工艺一次成型， 这样形成的隔垫物层 与保护层是一个整体， 不会存在接触不良的问题， 且制作方便。 当然， 所述 本公开实施例提供一种 OLED显示装置的制作方法， 包括： 形成阵列基 板； 形成封装基板； 将阵列基板和封装基板对盒； 其中， 所述形成阵列基板 例如包括： 在第一基底基板上形成阳极层或阴极层； 所述形成封装基板例如 包括： 在第二基底基板上形成石墨烯层； 所述将阵列基板和封装基板对盒例 如包括： 将阵列基板和封装基板隔着导电填充物对盒， 使得所述石墨烯层通 过导电填充物与设置于阵列基板上层的所述阴极层或阳极层电连接。
需要说明的是， 阵列基板包括阴极层和阳极层， 且在阴极层和阳极层之 间设置有电致发光层， 则所述阴极层和所述阳极层的位置可以是相对的。 本 公开实施例中， 在阵列基板的最上面形成阳极层或阴极层， 即所述阳极层或 阴极层位于所述基板的最上层。 所述形成封装基板例如包括： 在第二基底基 板上形成石墨烯层， 且所述石墨烯层位于所述封装基板的最上层。
需要说明的是， 电致发光层与阴极层之间还可以设置有电子注入层、 电 子传输层，电致发光层与阳极层之间还可以设置有空穴注入层和空穴传输层。
需要说明的是， 石墨烯是一种由碳原子构成的单层片结构的材料， 其具 有透明度高、 电阻率低、 电子迁移率极快的优点。
可选的， 所述在第二基底基板上形成石墨烯层例如包括：
步骤 101 : 在第三基底基板上形成一层厚度为 200-500nm的镍。
所述第三基底基板可以是不同于第一基底基板和第二基底基板且用于形 成其他薄膜或层结构的基底基板。 例如， 在所述第三基底基板上形成厚度为 200-300 nm的镍。
步骤 102: 在 900-1200 °C的曱烷、 氢气和氩气的混合气流中加热上述步 骤 101得到的具有镍层的第三基底基板， 再将其迅速冷却至室温。
例如， 在 1000°C的曱烷、 氢气和氩气的混合气流中加热上述步骤 101得 到的具有镍层的第三基底基板， 再将其迅速冷却至室温。
步骤 103: 用溶剂将镍腐蚀掉， 以使得石墨烯薄膜漂浮在溶液表面， 形 成石墨烯层。
需要说明的是， 形成石墨烯层的方法有多种， 例如可以通过物理法形成 石墨烯， 也可以通过化学法形成石墨烯， 本公开实施例中仅以通过化学气相 沉积法形成石墨烯薄膜为例进行详细说明。
步骤 104: 将所述石墨烯层转移至所述第二基底基板的上表面。
需要说明的是， 将形成的石墨烯层形成在所述第二基底基板的表面可以 是通过例如透明胶水将所述石墨烯薄膜粘附在所述第二基底基板的上表面。
可选的， 在第二基底基板上形成石墨烯层之前， 形成封装基板还包括： 在第二基底基板上形成保护层。 所述保护层可用于使得基板表面平坦化， 提 高显示效果。 当然若所述显示装置为实现彩色显示， 在封装基板上还可以设 置彩色膜层等。 彩色膜层可以根据具体的显示装置进行相应的制作步骤。
可选的， 在第二基底基板上形成石墨烯之前， 且在第二基底基板上形成 保护层之后， 所述形成封装基板还包括： 在第二基底基板上形成隔垫物层。 形成的隔垫物位于所述石墨烯层和所述保护层之间。 另外， 所述隔垫物层还 可以与所述保护层同时制作。
下面， 在本公开的实施例中， 形成封装基板的步骤例如包括：
步骤 201 : 在第二基底基板上形成黑矩阵膜层。
需要说明的是， 所述第二基底基板可以是透明的玻璃基板。 例如可以是 通过一次构图工艺在第二基底基板上形成所述黑矩阵膜层。
步骤 202: 在第二基底基板上形成彩色膜层。
例如， 在形成有黑矩阵膜层的第二基底基板上形成所述彩色膜层。 所述 彩色膜层可以是通过一次构图工艺形成。
步骤 203： 在第二基底基板上形成保护层。
在一个示例中， 在形成有黑矩阵膜层和彩色膜层的第二基底基板上再形 成所述保护层， 所述保护层可以使得所述基板的表面平坦化。 当然， 所述保 护层上还可以形成隔垫物层。 在一个示例中， 所述隔垫物层与所述保护层材 料相同且一次成型。 所述隔垫物可用于緩解屏幕的压力。
步骤 204: 在第二基底基板上形成石墨烯层。
最后， 在所述第二基底基板上形成石墨烯层， 使得所述石墨烯层设置在 所述第二基底基板的最上层。 形成的封装基板如图 7所示。 图 8所示的封装 基板为具有图案化的保护层。
根据上述描述， 根据本公开的实施例至少可以提供以下结构：
( 1 )一种 OLED显示装置， 包括： 对盒的阵列基板和封装基板， 其中， 所述阵列基板包括第一基底基板、 阳极层、 阴极层以及设置于阳极层和阴极 层之间的电致发光层， 所述阳极层或所述阴极层设置在所述阵列基板的最上 层； 所述封装基板包括第二基底基板以及石墨烯层， 所述石墨烯层设置在所 述封装基板的最上层；所述阵列基板和封装基板之间设置有填充导电填充物， 所述石墨烯层通过导电填充物与设置于阵列基板最上层的所述阴极层或阳极 层电连接。 (2)根据（1)所述的显示装置， 其中， 所述封装基板还包括： 位于所 述第二基底基板和所述石墨烯层之间的保护层。
(3)根据（2)所述的显示装置， 其中， 所述保护层形成有保护图案。
(4)根据（2)或（3)所述的显示装置， 其中， 所述封装基板还包括： 位于所述保护层和所述石墨烯层之间的隔垫物层， 所述隔垫物层包括多个隔 垫物。
(5)根据（4)所述的显示装置， 其中， 所述隔垫物与所述保护层材料 相同。
(6)才艮据（5)所述的显示装置， 其中， 所述隔垫物层与所述保护层一 次成型。
(7)—种 OLED显示装置的制作方法， 包括： 形成阵列基板； 形成封 装基板； 将阵列基板和封装基板对盒； 其中， 所述形成阵列基板包括： 在第 一基底基板上形成阳极层或阴极层， 所述阳极层或阴极层位于所述阵列基板 的最上层； 所述形成封装基板包括： 在第二基底基板上形成石墨烯层， 所述 石墨烯层位于所述封装基板的最上层；所述将阵列基板和封装基板对盒包括： 利用填充在阵列基板和封装基板之间的导电填充物将阵列基板和封装基板对 盒， 使得所述石墨烯层通过导电填充物与设置于阵列基板最上层的所述阴极 层或阳极层电连接。
(8)根据（7)所述的制作方法， 其中， 所述在第二基底基板上形成石 墨烯层包括：
在第三基底基板上形成一层厚度为 200-500nm的镍层；
在 900-1200 °C的曱烷、 氢气和氩气的混合气流中加热其上形成有所述镍 层的第三基底基板， 再将其迅速冷却至室温， 以在所述镍层上形成一石墨烯 薄膜；
用溶剂将所述镍层腐蚀掉， 以使得石墨烯薄膜漂浮在溶液表面， 形成石 墨烯层；
将所述石墨烯层转移至所述第二基底基板上。
(9)根据（8)所述的制作方法， 其中， 所述将所述石墨烯层转移至所 述第二基底基板上包括：
将封装基板置于表面漂浮有石墨烯层的溶液中， 以将石墨烯层转移至第 二基底基板上。
(10)根据（8)或（9)所述的制作方法， 其中， 在第三基底基板上形 成厚度为 200-300nm的镍，且在 1000 °C的曱烷、 氢气和氩气的混合气流中加 热其上形成有镍层的第三基底基板。
(11)根据（7)至（10)中任一项所述的制作方法， 其中， 在第二基底 基板上形成石墨烯层之前， 形成封装基板还包括： 在第二基底基板上形成保 护层。
(12)根据 (11 )所述的制作方法， 其中， 在第二基底基板上形成石墨 烯层之前，且在第二基底基板上形成保护层之后，所述形成封装基板还包括： 在所述第二基底基板上形成隔垫物层。
虽然上文中已经用一般性说明及具体实施方式， 对本公开作了详尽的描 述， 但在本公开基础上， 可以对之作一些修改或改进， 这对本领域技术人员 而言是显而易见的。 因此， 在不偏离本公开精神的基础上所做的这些修改或 改进， 均属于本公开要求保护的范围。
本申请要求于 2013年 10月 25日递交的中国专利申请第 201310513040.1 号的优先权， 在此全文引用上述中国专利申请公开的内容以作为本申请的一 部分。

Claims

权利要求书
1、 一种 OLED显示装置， 包括： 对盒的阵列基板和封装基板， 其中， 所述阵列基板包括第一基底基板、 阳极层、 阴极层以及设置于阳极层和阴极 层之间的电致发光层， 所述阳极层或所述阴极层设置在所述阵列基板的最上 层； 所述封装基板包括第二基底基板以及石墨烯层， 所述石墨烯层设置在所 述封装基板的最上层；所述阵列基板和封装基板之间设置有填充导电填充物， 所述石墨烯层通过导电填充物与设置于阵列基板最上层的所述阴极层或阳极 层电连接。
2、根据权利要求 1所述的显示装置， 其中， 所述封装基板还包括： 位于 所述第二基底基板和所述石墨烯层之间的保护层。
3、根据权利要求 2所述的显示装置，其中，所述保护层形成有保护图案。
4、 根据权利要求 2或 3所述的显示装置， 其中， 所述封装基板还包括： 位于所述保护层和所述石墨烯层之间的隔垫物层， 所述隔垫物层包括多个隔 垫物。
5、根据权利要求 4所述的显示装置， 其中， 所述隔垫物与所述保护层材 料相同。
6、根据权利要求 5所述的显示装置， 其中， 所述隔垫物层与所述保护层 一次成型。
7、 一种 OLED显示装置的制作方法， 包括： 形成阵列基板； 形成封装 基板； 将阵列基板和封装基板对盒； 其中， 所述形成阵列基板包括： 在第一 基底基板上形成阳极层或阴极层， 所述阳极层或阴极层位于所述阵列基板的 最上层； 所述形成封装基板包括： 在第二基底基板上形成石墨烯层， 所述石 墨烯层位于所述封装基板的最上层； 所述将阵列基板和封装基板对盒包括： 利用填充在阵列基板和封装基板之间的导电填充物将阵列基板和封装基板对 盒， 使得所述石墨烯层通过导电填充物与设置于阵列基板最上层的所述阴极 层或阳极层电连接。
8、根据权利要求 7所述的制作方法， 其中， 所述在第二基底基板上形成 石墨蟑层包括：
在第三基底基板上形成一层厚度为 200-500nm的镍层； 在 900-1200 °C的曱烷、 氢气和氩气的混合气流中加热其上形成有所述镍 层的第三基底基板， 再将其迅速冷却至室温， 以在所述镍层上形成一石墨烯 薄膜；
用溶剂将所述镍层腐蚀掉， 以使得石墨烯薄膜漂浮在溶液表面， 形成石 墨烯层；
将所述石墨烯层转移至所述第二基底基板上。
9、根据权利要求 8所述的制作方法， 其中， 所述将所述石墨烯层转移至 所述第二基底基板上包括：
将封装基板置于表面漂浮有石墨烯层的溶液中， 以将石墨烯层转移至第 二基底基板上。
10、 根据权利要求 8或 9所述的制作方法， 其中， 在第三基底基板上形 成厚度为 200-300nm的镍，且在 1000°C的曱烷、 氢气和氩气的混合气流中加 热其上形成有镍层的第三基底基板。
11、根据权利要求 7至 10中任一项所述的制作方法， 其中，在第二基底 基板上形成石墨烯层之前， 形成封装基板还包括： 在第二基底基板上形成保 护层。
12、根据权利要求 11所述的制作方法， 其中，在第二基底基板上形成石 墨烯层之前， 且在第二基底基板上形成保护层之后， 所述形成封装基板还包 括： 在所述第二基底基板上形成隔垫物层。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10950675B2 (en) * 2018-04-17 2021-03-16 Db Hitek Co., Ltd. Signal control unit for an organic light emitting diode display device, method of manufacturing the same, and organic light emitting diode display device including the same

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104022139B (zh) 2014-05-30 2016-03-30 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示面板及显示装置
KR102293981B1 (ko) * 2014-10-13 2021-08-26 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시패널 및 그 제조방법
CN106098955B (zh) 2016-07-01 2019-12-03 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光器件及其制作方法
CN106129102A (zh) 2016-09-13 2016-11-16 京东方科技集团股份有限公司 一种oled封装基板及其制备方法、oled显示面板
KR102396253B1 (ko) * 2017-06-09 2022-05-09 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치
KR102382487B1 (ko) * 2017-09-15 2022-04-01 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치
KR102433353B1 (ko) * 2017-11-07 2022-08-16 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010043046A1 (en) * 2000-05-08 2001-11-22 Takeshi Fukunaga Luminescent apparatus and method of manufacturing the same
JP2003092192A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
CN102056361A (zh) * 2010-09-16 2011-05-11 电子科技大学 石墨烯电致发光显示器件及其制造方法
CN103531717A (zh) * 2013-10-25 2014-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示装置及其制作方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100433352C (zh) 2003-09-25 2008-11-12 友达光电股份有限公司 顶部发光型有机电致发光显示器及其制造方法
CN1324374C (zh) 2004-03-11 2007-07-04 友达光电股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板
CN100502085C (zh) 2005-04-14 2009-06-17 财团法人工业技术研究院 一种具多重保护层的有机半导体元件及其制作方法
CN1928645A (zh) 2005-09-09 2007-03-14 联华电子股份有限公司 背板制造过程以及像素单元的制造方法
CN100552925C (zh) 2007-09-26 2009-10-21 友达光电股份有限公司 像素结构及其制造方法
CN101442105B (zh) 2007-11-21 2010-06-09 中国科学院化学研究所 一种有机场效应晶体管及其专用源漏电极与制备方法
CN101404322B (zh) 2008-11-12 2010-10-13 北京大学 一种以石墨烯为电极的场效应晶体管器件及其制备方法
WO2011087301A2 (ko) * 2010-01-15 2011-07-21 성균관대학교산학협력단 기체 및 수분 차단용 그래핀 보호막, 이의 형성 방법 및 그의 용도
US8604332B2 (en) * 2010-03-04 2013-12-10 Guardian Industries Corp. Electronic devices including transparent conductive coatings including carbon nanotubes and nanowire composites, and methods of making the same
CN102005540A (zh) 2010-10-12 2011-04-06 西安文景光电科技有限公司 金属与p型盘状化合物作为复合阳极的有机电致发光器件
EP2637862B1 (en) * 2010-11-10 2017-07-26 National University of Singapore Transparent graphene conductor with permanent dipole layer
CN102169963A (zh) 2010-12-22 2011-08-31 涂洪明 一种碳薄层电极
CN102157687A (zh) 2011-03-21 2011-08-17 福州大学 基于石墨烯的可编程非易失性电阻型存储器及其制备方法
ITMI20120191A1 (it) * 2012-02-10 2013-08-11 St Microelectronics Srl Metodo per trasferire uno strato di grafene
DE102012203672B4 (de) * 2012-03-08 2018-03-15 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches Bauelement
CN102709310B (zh) 2012-06-11 2016-04-20 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 一种柔性有机发光晶体管显示器件
KR101919423B1 (ko) * 2012-08-01 2018-11-19 삼성전자주식회사 그래핀 반도체 및 이를 포함하는 전기소자
KR101444777B1 (ko) * 2012-08-10 2014-09-26 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시소자 및 그 제조방법
KR20140023142A (ko) * 2012-08-17 2014-02-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치를 제조하기 위한 캐리어 기판
CN102983290B (zh) 2012-11-21 2015-12-02 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件封装方法及oled显示装置
KR102059129B1 (ko) * 2012-11-21 2019-12-24 삼성전자주식회사 그래핀의 제조 방법 및 이를 포함하는 그래핀 적용 소자
TWI483153B (zh) * 2012-11-23 2015-05-01 Innocom Tech Shenzhen Co Ltd 觸控有機發光二極體顯示面板及包含其之顯示裝置
CN103022378B (zh) 2012-12-17 2015-09-09 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件及其封装方法、显示装置
KR101993331B1 (ko) * 2013-01-03 2019-06-27 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
CN103151369B (zh) * 2013-02-06 2016-01-06 京东方科技集团股份有限公司 一种像素结构及其制作方法
KR102049487B1 (ko) * 2013-03-08 2019-11-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 방법
CN103365004B (zh) * 2013-07-26 2016-04-13 深圳市华星光电技术有限公司 透明导电层、具有该透明导电层的cf基板及其制备方法
CN104157791A (zh) * 2014-08-05 2014-11-19 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示器件及其制作方法、显示装置
CN104157675A (zh) * 2014-08-05 2014-11-19 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示器件及其制作方法、显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010043046A1 (en) * 2000-05-08 2001-11-22 Takeshi Fukunaga Luminescent apparatus and method of manufacturing the same
JP2003092192A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
CN102056361A (zh) * 2010-09-16 2011-05-11 电子科技大学 石墨烯电致发光显示器件及其制造方法
CN103531717A (zh) * 2013-10-25 2014-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示装置及其制作方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10950675B2 (en) * 2018-04-17 2021-03-16 Db Hitek Co., Ltd. Signal control unit for an organic light emitting diode display device, method of manufacturing the same, and organic light emitting diode display device including the same

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