WO2015045098A1 - レーザ装置、及び極端紫外光生成システム - Google Patents

レーザ装置、及び極端紫外光生成システム Download PDF

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light
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polarization
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崇 菅沼
計 溝口
若林　理
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ギガフォトン株式会社
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    • G02—OPTICS
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    • H—ELECTRICITY
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    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma

Definitions

  • the present disclosure relates to a laser device and an extreme ultraviolet light generation system for generating extreme ultraviolet (EUV) light based on pulsed laser light output from the laser device.
  • EUV extreme ultraviolet
  • an LPP Laser Produced Plasma
  • DPP laser-excited plasma
  • SR Synchrotron Radiation
  • a laser apparatus includes a first polarization device having a polarization axis in a direction substantially coincident with a polarization direction of incident linearly polarized laser light, and a polarization axis of the first polarization device.
  • a second polarization device having a polarization axis in a direction substantially coincident with the direction, and a pair of discharge electrodes disposed so as to face each other so that the opposite direction substantially coincides with the direction of the polarization axis of the first polarization device, And a laser amplifier disposed between the second polarizing device and the second polarizing device.
  • a laser apparatus includes a master oscillator that outputs laser light and a pair of discharge electrodes that are arranged to face each other in the laser chamber, and is on an optical path of laser light output from the master oscillator.
  • a plurality of laser amplifiers arranged, and the opposing direction of the pair of discharge electrodes in one of the plurality of laser amplifiers is different from the opposing direction of the pair of discharge electrodes in the other laser amplifier. It may be.
  • a laser apparatus includes a master oscillator that outputs laser light, and a pair of discharge electrodes that are arranged to face each other, and a plurality of laser devices that are arranged on an optical path of laser light output from the master oscillator And a plurality of laser amplifiers, and at least one image rotator disposed between two adjacent laser amplifiers.
  • a laser apparatus is a laser apparatus that supplies pulsed laser light to an extreme ultraviolet light generating apparatus that generates EUV light by irradiating a target with pulsed laser light inside a plasma chamber.
  • a master oscillator that outputs laser light that serves as a seed for pulsed laser light, and a laser amplifier that is disposed on the optical path of the laser light output from the master oscillator, including a pair of opposed discharge electrodes.
  • the opposite direction of the pair of discharge electrodes is the light of the pulse laser beam so that the reflected light from the target that has traveled backward from the off-axis direction of the pulse laser beam does not enter the opposite surface of the pair of discharge electrodes of the laser amplifier. You may adjust to the rotation direction centering
  • An extreme ultraviolet light generation system includes a plasma chamber in which EUV light is generated, and a laser device that supplies pulsed laser light to the inside of the plasma chamber.
  • a master oscillator that outputs linearly polarized laser light, a first polarizing device having a polarization axis substantially coincident with the polarization direction of the linearly polarized laser light, and the polarization axis of the first polarizing device
  • a second polarization device having a polarization axis in a direction substantially coincident with the direction, and a pair of discharge electrodes disposed so as to face each other so that the opposite direction substantially coincides with the direction of the polarization axis of the first polarization device,
  • a laser amplifier disposed between the second polarizing device and the second polarizing device.
  • An extreme ultraviolet light generation system includes a plasma chamber in which EUV light is generated, and a laser device that supplies pulsed laser light to the inside of the plasma chamber. And a plurality of laser amplifiers disposed on the optical path of the laser light output from the master oscillator, each of which includes a master oscillator that outputs a laser beam serving as a seed for the laser beam, and a pair of discharge electrodes that are opposed to each other in the laser chamber.
  • the facing direction of the pair of discharge electrodes in one laser amplifier of the plurality of laser amplifiers may be different from the facing direction of the pair of discharge electrodes in the other laser amplifier.
  • An extreme ultraviolet light generation system includes a plasma chamber in which EUV light is generated, and a laser device that supplies pulsed laser light to the inside of the plasma chamber.
  • a plurality of laser amplifiers each including a master oscillator that outputs a laser beam serving as a seed, a pair of opposed discharge electrodes, and disposed on an optical path of the laser light output from the master oscillator, and a plurality of laser amplifiers And at least one image rotator arranged between two adjacent laser amplifiers.
  • An extreme ultraviolet light generation system includes a plasma chamber in which EUV light is generated by irradiating a target with pulsed laser light, and a target supply for supplying the target into the plasma chamber. And a laser device that supplies a pulsed laser beam to the inside of the plasma chamber, the laser device including a master oscillator that outputs a laser beam that serves as a seed for the pulsed laser beam, and a pair of discharge electrodes that are arranged to face each other.
  • a laser amplifier disposed on the optical path of the laser beam output from the master oscillator, and the reflected light from the target that has traveled backward from the off-axis direction of the pulsed laser beam is a pair of discharge electrodes of the laser amplifier. The opposite direction of the pair of discharge electrodes is centered on the optical axis of the pulsed laser beam so that it does not enter the opposite surface In the rotational direction may be adjusted.
  • FIG. 1 schematically illustrates an exemplary configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • FIG. 2 schematically shows a configuration example of a laser apparatus including a master oscillator and a laser amplifier.
  • FIG. 3 schematically shows an example of the configuration of the main part of the laser apparatus according to the first embodiment viewed from the Y direction.
  • FIG. 4 schematically shows a configuration example of the main part of the laser apparatus according to the first embodiment viewed from the X direction.
  • FIG. 5 schematically shows an example of a discharge direction by a pair of electrodes in the laser apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 6 schematically shows a configuration example of a laser apparatus according to the second embodiment.
  • FIG. 7 schematically shows a configuration example of a laser apparatus according to the third embodiment.
  • FIG. 8 schematically shows a modification of the laser device according to the third embodiment.
  • FIG. 9 schematically shows a configuration example of the laser device according to the comparative example viewed from the Y direction.
  • FIG. 10 schematically shows a configuration example of the laser device according to the fourth embodiment viewed from the X direction.
  • FIG. 11 schematically shows a configuration example of a three-axis orthogonal amplifier.
  • FIG. 12 schematically shows an example of the configuration of the three-axis orthogonal amplifier shown in FIG. 11 viewed from the Z1-Z1 ′ line direction.
  • FIG. 13 schematically shows a configuration example of a slab amplifier.
  • FIG. 14 schematically shows a configuration example of the slab type amplifier shown in FIG.
  • FIG. 15 schematically shows a configuration example of a transmissive polarizer.
  • FIG. 16 schematically shows a configuration example of a reflective polarizer.
  • FIG. 17 schematically shows a configuration example of a polarizing device in which a plurality of reflective polarizers are combined.
  • FIG. 18 schematically shows a configuration example of an image rotator using a dope prism.
  • FIG. 19 schematically shows a configuration example of an image rotator using a dope prism.
  • FIG. 20 schematically shows a first configuration example of an image rotator using three reflecting mirrors.
  • FIG. 21 schematically shows a second configuration example of an image rotator using three reflecting mirrors.
  • Variation of polarizing device 9.1 Transmission type polarizer 9.2 Reflection type polarizer 9.3 Example of combining a plurality of reflection type polarizers [10. Variation of image rotator] 10.1 Image Rotator Using Doped Prism 10.2 First Configuration Example of Image Rotator Using Three Reflection Mirrors 10.3 Second Configuration Example of Image Rotator Using Three Reflection Mirrors [11 . Others]
  • the present disclosure relates to a high-power laser apparatus for an LPP type EUV light generation apparatus.
  • FIG. 1 schematically shows a configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • the EUV light generation apparatus 1 may be used together with at least one laser apparatus 3.
  • a system including the EUV light generation apparatus 1 and the laser apparatus 3 is referred to as an EUV light generation system 11.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include a chamber 2 and, for example, a target supply unit 26 as a target supply apparatus.
  • the chamber 2 may be sealable.
  • the target supply unit 26 may be attached so as to penetrate the wall of the chamber 2, for example.
  • the material of the target substance supplied from the target supply unit 26 may include, but is not limited to, tin, terbium, gadolinium, lithium, xenon, or a combination of any two or more thereof.
  • the wall of the chamber 2 may be provided with at least one through hole.
  • a window 21 may be provided in the through hole.
  • the pulse laser beam 32 output from the laser device 3 may pass through the window 21.
  • an EUV collector mirror 23 having a spheroidal reflecting surface may be disposed.
  • the EUV collector mirror 23 may have first and second focal points.
  • On the surface of the EUV collector mirror 23, for example, a multilayer reflective film in which molybdenum and silicon are alternately laminated may be formed.
  • the EUV collector mirror 23 is, for example, an intermediate collector whose first focus is located at or near the plasma generation region 25 and whose second focus is a desired focus position defined by the specifications of the exposure apparatus 6. It is preferably arranged so as to be located at the light spot (IF) 292.
  • a through hole 24 may be provided at the center of the EUV collector mirror 23, and the pulse laser beam 33 may pass through the through hole 24.
  • the EUV light generation apparatus 1 can include an EUV light generation control unit 5. Further, the EUV light generation control unit 5 can include a target sensor 4 and the like. The target sensor 4 may detect at least one of the presence, trajectory, position, and speed of the target 27. The target sensor 4 may have an imaging function.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include a connection portion 29 that communicates the inside of the chamber 2 and the inside of the exposure apparatus 6.
  • a wall 291 in which an aperture 293 is formed may be provided inside the connection portion 29.
  • the wall 291 may be arranged such that its aperture 293 is located at the second focal position of the EUV collector mirror 23.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include a laser beam traveling direction control unit 34, a laser beam focusing mirror 22, a target recovery unit 28 for recovering the target 27, and the like.
  • the laser beam traveling direction control unit 34 includes an optical element for defining the traveling direction of the laser beam and an actuator for adjusting the position, posture, and the like of the optical element in order to control the traveling direction of the laser beam. You may prepare.
  • the pulsed laser beam 31 output from the laser device 3 passes through the window 21 as the pulsed laser beam 32 through the laser beam traveling direction control unit 34 and enters the chamber 2. May be.
  • the pulse laser beam 32 may travel along the path of at least one laser beam into the chamber 2, be reflected by the laser beam collector mirror 22, and irradiate at least one target 27 as the pulse laser beam 33.
  • the target supply unit 26 may be configured to output the target 27 toward the plasma generation region 25 inside the chamber 2.
  • the target 27 may be irradiated with at least one pulse included in the pulse laser beam 33.
  • the target 27 irradiated with the pulsed laser light is turned into plasma, and EUV light 251 can be emitted from the plasma together with the emitted light.
  • the EUV light 251 may be reflected and collected by the EUV collector mirror 23.
  • the EUV light 252 reflected by the EUV collector mirror 23 may be output to the exposure apparatus 6 through the intermediate condensing point 292.
  • a single target 27 may be irradiated with a plurality of pulses included in the pulse laser beam 33.
  • the EUV light generation controller 5 may be configured to control the entire EUV light generation system 11.
  • the EUV light generation controller 5 may be configured to process image data of the target 27 imaged by the target sensor 4. Further, the EUV light generation controller 5 may be configured to control at least one of, for example, control of the timing at which the target 27 is output and control of the output direction of the target 27.
  • the EUV light generation control unit 5 controls at least one of, for example, control of the oscillation timing of the laser device 3, control of the traveling direction of the pulse laser light 32, and control of the focusing position of the pulse laser light 33. It may be configured to do.
  • the various controls described above are merely examples, and other controls may be added as necessary.
  • a laser apparatus 3 including a CO 2 laser apparatus may be used.
  • the CO 2 laser device used as the laser device 3 may be required to output a pulse laser beam having a high pulse energy at a high repetition frequency.
  • the laser device 3 may include a master oscillator (MO) 110 that outputs the pulsed laser light 31m at a high repetition frequency.
  • the laser device 3 may include at least one laser amplifier that is disposed on the optical path of the pulse laser beam 31m and amplifies the pulse laser beam 31m.
  • the laser amplifier may include a plurality of amplifiers PA1, PA2,... PAk,.
  • the master oscillator 110 may be a laser oscillator including a Q switch, a CO 2 laser gas as a laser medium, and an optical resonator.
  • the master oscillator 110 may be a quantum cascade laser (QCL) that oscillates in the amplification wavelength region of the CO 2 laser.
  • QCL quantum cascade laser
  • a plurality of amplifiers PA1, PA2, ... PAk, ... PAn respectively, the CO 2 laser gas may be a laser amplifier of the laser medium.
  • the plurality of amplifiers PA1, PA2,... PAk,... PAn may each include a pair of electrodes 62a and 62b disposed in a laser chamber 60 containing a CO 2 laser gas.
  • the plurality of amplifiers PA1, PA2,... PAk,... PAn may each include an RF (high frequency) power source (not shown) that applies a voltage between the pair of electrodes 62a and 62b.
  • the pair of electrodes 62a and 62b may be discharge electrodes that excite the laser medium in the discharge region 64 by discharge.
  • PAn may be provided with an input window 61a for allowing pulsed laser light from the outside to enter the laser chamber 60.
  • An output window 61b that outputs the amplified pulsed laser light to the outside of the laser chamber 60 may be disposed.
  • the plurality of amplifiers PA1, PA2,... PAk,... PAn may be arranged in series on the optical path of the pulse laser beam 31m output from the master oscillator 110, respectively.
  • the plurality of amplifiers PA1, PA2,... PAk,... PAn may be discharged by applying a voltage between the pair of electrodes 62a and 62b by respective RF power sources (not shown).
  • the Q switch of the master oscillator 110 may be operated at a predetermined repetition frequency. As a result, the pulse laser beam 31m can be output from the master oscillator 110 at a predetermined repetition frequency.
  • the pulse laser beam 31m output from the master oscillator 110 can be amplified and output by entering the first amplifier PA1 as seed light and passing through the first amplifier PA1.
  • the pulsed laser light amplified and output from the first amplifier PA1 can be further amplified and output by entering the second amplifier PA2 as seed light and passing through the second amplifier PA2.
  • the pulse laser beam output from the (k ⁇ 1) th amplifier PAk ⁇ 1 is incident on the kth amplifier PAk as seed light, and further amplified and output by passing through the kth amplifier PAk. obtain.
  • the pulse laser beam output from the (n-1) th amplifier PAn-1 is incident on the nth amplifier PAn as seed light and can be further amplified and output by passing through the nth amplifier PAn. .
  • the pulse laser beam 31 output from the n-th amplifier PAn enters the chamber 2 as the plasma chamber in the EUV light generation apparatus 1 shown in FIG. 1, and enters the plasma generation region 25 by the laser beam focusing optical system 22a. It can be condensed.
  • the pulse laser beam 33 focused on the plasma generation region 25 can be applied to the target in the plasma generation region 25.
  • the target on which the pulse laser beam 33 is condensed is turned into plasma, and EUV light can be emitted from the plasma.
  • the laser beam condensing optical system 22a may be composed of one or a plurality of reflective optical elements corresponding to the laser beam condensing mirror 22 shown in FIG. 1, or a refractive optical system including a lens. It may be.
  • the CO 2 laser device in which the master oscillator 110 and at least one laser amplifier are combined has a spontaneous emission output from at least one laser amplifier regardless of the pulsed laser light 31m output from the master oscillator 110.
  • ASE Amplified Spontaneous Emission
  • the light 36 may oscillate by itself.
  • the laser amplifier on which the ASE light 36 is incident may amplify the ASE light 36 other than the seed light.
  • the seed light may be laser light to be amplified by the laser amplifier.
  • the pulse laser beam 31m output from the master oscillator 110 can be a seed beam.
  • the pulse laser beam amplified and output by the first amplifier PA1 can be seed light.
  • the ASE light 36 generated in the nth amplifier PAn is amplified by the amplifier PAn, travels in the direction in which the master oscillator 110 is provided, and is incident obliquely on the surfaces of the pair of electrodes 62a and 62b of the other laser amplifiers. Can do.
  • the ASE light 36 can be highly reflected on the surfaces of the pair of electrodes 62a and 62b, as indicated by a broken line region 37b shown in FIG. This reflected light is further amplified by a plurality of amplifiers PA1, PA2,... PAk,.
  • the ASE light 36 generated in the first amplifier PA1 is amplified by the amplifier PA1, travels in the direction in which the chamber 2 is provided, and is incident on the surfaces of the pair of electrodes 62a and 62b of the other laser amplifiers at an oblique incidence. Can do.
  • the ASE light 36 can be highly reflected on the surfaces of the pair of electrodes 62a and 62b, as indicated by a broken line region 37a shown in FIG. This reflected light can be further amplified by a plurality of amplifiers PA2,... PAk,.
  • the ASE light 36 generated in a certain laser amplifier is reflected by the surfaces of the pair of electrodes 62a and 62b, and can be amplified by other laser amplifiers to become self-oscillation light.
  • the ASE light 36 may adversely affect the decrease in the output of the pulse laser light 31 output from the laser device 3 and the pulse waveform. As a result, the output of EUV light can be reduced. Further, when the self-excited oscillation light enters the master oscillator 110, the optical components of the master oscillator 110 may be damaged by the self-excited oscillation light.
  • FIG. 3 schematically shows an example of the configuration of the main part of the laser apparatus according to the first embodiment viewed from the Y direction.
  • FIG. 4 schematically shows a configuration example of the main part of the laser apparatus according to the first embodiment viewed from the X direction.
  • FIG. 5 schematically shows an example of the discharge direction Dr1 by the pair of electrodes 62a and 62b in the amplifier PAk of the laser apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 5 shows a cross section of the amplifier PAk shown in FIG. 4 as viewed from the Zk-Zk ′ line direction.
  • the k-th amplifier PAk includes a first polarizing device 70k-1 as a first polarizing device and a second polarizing device 70k as a second polarizing device. It may be arranged between the two.
  • the master oscillator 110 may output linearly polarized laser light having a predetermined polarization component as the pulse laser light 31m.
  • the (k ⁇ 1) th amplifier PAk-1 may output linearly polarized laser light having a predetermined polarization component as the seed light 35a toward the first polarizing device 70k-1.
  • the predetermined polarization component may be the component 66 in the X-axis direction in FIGS.
  • the polarization component orthogonal to the predetermined polarization component may be the component 67 in the Y-axis direction in FIGS. 3 to 5.
  • the first polarizing device 70k-1 and the second polarizing device 70k may each include at least one polarizer. Each of the first polarizing device 70k-1 and the second polarizing device 70k may have a polarization axis in a direction substantially coinciding with the polarization direction of the seed light 35a. Each of the first polarizing device 70k-1 and the second polarizing device 70k may be configured by a transmission-type polarizer and transmit a predetermined polarization component in a predetermined direction. Further, each of the first polarizing device 70k-1 and the second polarizing device 70k may be formed of a reflective polarizer and reflect a predetermined polarization component in a predetermined direction.
  • the amplifier PAk may include a pair of electrodes 62a and 62b as a pair of discharge electrodes and a CO 2 laser gas as a laser medium in the laser chamber 60.
  • the laser chamber 60 may be provided with an input window 61a and an output window 61b.
  • the pair of electrodes 62a and 62b may be a plate made of Al (aluminum) or Cu (copper).
  • the pair of electrodes 62a and 62b may be connected to an RF power source (not shown).
  • the pair of electrodes 62a and 62b may be arranged to face each other so that the discharge direction Dr1 and the polarization direction of the seed light 35a as the input laser light substantially coincide.
  • the discharge direction Dr1 of the pair of electrodes 62a and 62b may be the X-axis direction as shown in FIG.
  • the discharge direction Dr1 of the pair of electrodes 62a and 62b may be the same as the facing direction of the pair of electrodes 62a and 62b.
  • the pair of electrodes 62a and 62b may be arranged to face each other so that the facing direction thereof substantially coincides with the directions of the polarization axes of the first polarizing device 70k-1 and the second polarizing device 70k.
  • the polarization direction of the amplified laser beam 35b output from the amplifier PAk may substantially coincide with the directions of the polarization axes of the first polarization device 70k-1 and the second polarization device 70k.
  • the input window 61a may be fixed to the laser chamber 60 at a position where the seed light 35a enters the discharge region 64 between the pair of electrodes 62a and 62b.
  • the output window 61b may be fixed to the laser chamber 60 at a position where the laser light amplified by passing through the discharge region 64 is emitted to the outside.
  • the linearly polarized laser light output from the amplifier PAk-1 can be input to the amplifier PAk as the seed light 35a while maintaining the polarization state via the first polarizing device 70k-1.
  • the seed light 35a passes through the discharge region 64 between the pair of electrodes 62a and 62b through the input window 61a, is amplified in a state where the polarization state is maintained, and is amplified through the output window 61b. It can be output as light 35b.
  • the amplified laser beam 35b output from the amplifier PAk can be input to the next amplifier PAk + 1 while maintaining the polarization state via the second polarizing device k.
  • the ASE light 36 generated in the discharge region 64 can be incident on the surfaces of the pair of electrodes 62a and 62b at an oblique incidence like the broken-line regions 37a and 37b shown in FIG.
  • the ASE light 36 in the Y-axis direction is highly reflected with respect to this surface, and the reflectance of the ASE light 36 in the X-axis direction can be reduced.
  • the polarization component of the self-excited oscillation light generated by amplifying the ASE light 36 can increase the polarization component in the Y direction more than the polarization component in the X direction.
  • the polarization component in the Y direction of the self-excited oscillation light can be removed from the optical path of the laser light by the first polarizing device 70k-1 and the second polarizing device 70k.
  • the components of the polarization direction perpendicular to the discharge direction Dr1 of the ASE light 36 can be highly reflected on the surfaces of the pair of electrodes 62a and 62b.
  • the ASE light 36 can facilitate self-excited oscillation.
  • propagation of laser light on the optical path of the self-oscillation light having a polarization direction perpendicular to the discharge direction Dr1 can be suppressed by the first polarization device 70k-1 and the second polarization device 70k.
  • FIG. 6 a configuration of a laser device according to the second embodiment of the present disclosure will be described.
  • the upper part of FIG. 6 schematically shows a configuration example of the laser device according to the second embodiment viewed from the Y direction.
  • the middle stage and the lower stage of FIG. 6 schematically show the relationship between the discharge directions of the pair of electrodes 62a and 62b of the plurality of amplifiers PA1, PA2, PA3, and PA4 in the laser apparatus according to the second embodiment.
  • the opposing direction of the pair of electrodes 62a and 62b in one amplifier among the plurality of amplifiers PA1, PA2,... PAk,. , 62b may be different from the facing direction.
  • the facing direction of the pair of electrodes 62a, 62b may be the same as the discharge direction by the pair of electrodes 62a, 62b.
  • FIG. 6 shows a configuration example of a laser device including four amplifiers PA1, PA2, PA3, PA4 as a plurality of amplifiers PA1, PA2,... PAk,.
  • FIG. 6 shows a configuration example in which each amplifier is arranged so that the discharge directions thereof are different from each other in the laser device including these four amplifiers PA1, PA2, PA3, and PA4.
  • the components of the four amplifiers PA1, PA2, PA3, and PA4 may be the same as the components of each amplifier in the laser apparatus 3 shown in FIG.
  • the amplifier PA1 shown in the upper part is viewed from the Z1-Z1 ′ line direction
  • the amplifier PA2 is viewed from the Z2-Z2 ′ line direction
  • the amplifier PA3 is viewed from the Z3-Z3 ′ line direction.
  • 2 schematically shows a cross section viewed from the direction of the amplifier PA4 as viewed from the direction of the Z4-Z4 ′ line.
  • the angle ⁇ 2 45 ° in the discharge direction Dr2 of the X-axis
  • the pulse laser beam 31m output from the master oscillator 110 can be amplified by passing through each of the four amplifiers PA1, PA2, PA3, and PA4.
  • the pair of electrodes 62 a and 62 b of each amplifier may be arranged to face each other in the same direction so that the discharge directions of the amplifiers are the same.
  • the ASE light 36 reflected from the surfaces of the pair of electrodes 62a and 62b in one amplifier is incident on the surfaces of the pair of electrodes 62a and 62b in the other amplifier. obtain.
  • the pair of electrodes 62a and 62b of each amplifier may be arranged to face each other in different directions so that the discharge directions of the amplifiers are different. For this reason, in the laser device shown in FIG. 6, the ASE light 36 reflected from the surfaces of the pair of electrodes 62a and 62b in one amplifier is obliquely incident on the surfaces of the pair of electrodes 62a and 62b in the other amplifier. However, the reflectance can be lowered. As a result, self-excited oscillation can be suppressed.
  • the plurality of amplifiers are arranged such that the discharge direction of at least one amplifier among the plurality of amplifiers is different from that of the other amplifiers, whereby the pair of electrodes 62a , 62b, the self-oscillation light reflected on the surface can be suppressed.
  • FIG. 6 shows a configuration example with four amplifiers.
  • the amplifiers may be arranged so as to satisfy the following relationship. Good. That is, in the k-th amplifier PAk, the pair of electrodes 62a and 62b may be arranged to face each other in the direction of the angle ⁇ k formed with the X axis so that the discharge direction Drk is formed with the angle ⁇ k formed with the X axis.
  • FIG. 7 schematically shows a configuration example of the laser device according to the third embodiment viewed from the Y direction.
  • the amplifier PA1 shown in the upper part is viewed from the Z1-Z1 ′ line direction
  • the amplifier PA2 is viewed from the Z2-Z2 ′ line direction
  • the amplifier PAk is from the Zk-Zk ′ line direction.
  • 3 schematically shows a cross section viewed from the direction of the amplifier and a cross section of the amplifier PAn viewed from the direction of the Zn—Zn ′ line.
  • At least one image rotator may be disposed between two adjacent amplifiers among the plurality of amplifiers PA1, PA2,... PAk,.
  • an image rotator R1 may be disposed between the amplifier PA1 and the amplifier PA2.
  • An image rotator R2 may be disposed between the amplifier PA2 and the amplifier PA3.
  • an image rotator Rk may be arranged between the amplifier PAk and the amplifier PAk + 1.
  • an image rotator Rn may be disposed between the amplifier PAn-1 and the amplifier PAn. .. PAk,... PAn shown in FIG. 7 may be the same as the components of each amplifier in the laser apparatus 3 shown in FIG.
  • Each image rotator may rotate light about the optical path axis of the pulse laser beam 31m output from the master oscillator 110 as a rotation center. 7 shows a state where a light component Ig is rotated by a rotation angle ⁇ by each of a plurality of image rotators R1, R2,... Rk,.
  • a certain light component Ig is shown as being in the X-axis direction in the amplifier PA1.
  • the pulse laser beam 31m output from the master oscillator 110 can be amplified by passing through each of the plurality of amplifiers PA1, PA2,... PAk,.
  • the pair of electrodes 62 a and 62 b of each amplifier may be arranged to face each other in the same direction so that the discharge directions of the amplifiers are the same.
  • the ASE light 36 reflected from the surfaces of the pair of electrodes 62a and 62b in one amplifier is incident on the surfaces of the pair of electrodes 62a and 62b in the other amplifier. obtain.
  • the laser apparatus shown in FIG. 7 also in the laser apparatus shown in FIG.
  • each amplifier may be the same as that of the laser apparatus 3 shown in FIG.
  • the image rotator is disposed between two adjacent amplifiers, so that the ASE light 36 reflected from the surfaces of the pair of electrodes 62a and 62b in one amplifier is changed to the other one. Even if the light is obliquely incident on the surfaces of the pair of electrodes 62a and 62b in the amplifier, the reflectance can be lowered.
  • the image rotator can rotate the laser beam between two adjacent amplifiers. As a result, the self-oscillation light reflected from the surfaces of the pair of electrodes 62a and 62b can be suppressed.
  • the laser apparatus according to this modification may be a laser apparatus having a configuration in which the first embodiment shown in FIGS. 3 to 5 is combined with the third embodiment shown in FIG.
  • the laser device according to this modification may include a plurality of image rotators R1, R2,... Rk,... Rn ⁇ 1, similarly to the laser device shown in FIG. Further, the laser device according to this modification may include a plurality of polarization devices 700, 701, 702,... 70k,... 70n and a plurality of retarders Rt1, Rt2,.
  • the master oscillator 110 may output linearly polarized laser light having a predetermined polarization component as the pulse laser light 31m.
  • the predetermined polarization component may be a component 66 in the X-axis direction in FIG.
  • Each of the plurality of polarization devices 700, 701, 702, ... 70k, ... 70n may have a polarization axis in a direction substantially coincident with the polarization direction of the pulse laser beam 31m.
  • Each of the plurality of polarizing devices 700, 701, 702,... 70k,... 70n may be configured by a transmission-type polarizer and transmit a predetermined polarization component in a predetermined direction.
  • the plurality of polarizing devices 700, 701, 702,... 70k,... 70n may each be composed of a reflective polarizer and reflect a predetermined polarization component in a predetermined direction.
  • the discharge direction Dr1 of the pair of electrodes 62a and 62b and the polarization direction of the pulsed laser beam 31m substantially coincide with each other as in the configuration examples of FIGS.
  • the pair of electrodes 62a and 62b may be arranged to face each other.
  • the discharge direction Dr1 of the pair of electrodes 62a and 62b may be the X-axis direction as shown in FIG.
  • the discharge direction Dr1 of the pair of electrodes 62a and 62b may be the same as the facing direction of the pair of electrodes 62a and 62b.
  • the pair of electrodes 62a and 62b may be arranged to face each other so that the facing direction thereof substantially coincides with the directions of the polarization axes of the plurality of polarizing devices 700, 701, 702, ... 70k, ... 70n.
  • the polarization direction of the amplified pulse laser beam 31m output from the plurality of amplifiers PA1, PA2,... PAk,... PAn is in the direction of the polarization axis of the plurality of polarization devices 700, 701, 702,. It may be substantially the same.
  • the polarization device 700 may be disposed between the master oscillator 110 and the amplifier PA1, and may be disposed so as to output light having a polarization direction substantially the same as the polarization direction of the pulse laser beam 31m from the master oscillator 110.
  • the polarization device 701 may be disposed between the amplifier PA1 and the image rotator R1, and may be disposed so as to output light having a polarization direction substantially the same as the discharge direction of the amplifier PA1.
  • the image rotator R1 may be disposed between the polarization device 701 and the retarder Rt1, and may be disposed so that the beam of the pulsed laser light 31m amplified by the amplifier PA1 rotates by a predetermined angle ⁇ .
  • the retarder Rt1 may be a wave plate that shifts the phase of incident light by ⁇ / 2.
  • the retarder Rt1 may be arranged so as to rotate the polarization direction of the incident light by ⁇ . In other words, the angle between the optical axis of the wave plate and the polarization direction may be ⁇ / 2.
  • the polarizing device 70k may be disposed between the amplifier PAk and the image rotator Rk so as to output light having a polarization direction substantially the same as the discharge direction of the amplifier PAk.
  • the image rotator Rk may be disposed between the polarization device 70k and the retarder Rtk so that the beam of the pulsed laser light 31m amplified by the amplifier PAk rotates by a predetermined angle ⁇ .
  • the polarization device 70n may be disposed between the amplifier PAn and the laser beam condensing optical system 22a, and may be disposed so as to output light having a polarization direction substantially the same as the discharge direction of the amplifier PAn.
  • the linearly polarized pulsed laser light 31m output from the master oscillator 110 can be input to the amplifier PA1 and amplified through the polarization device 700 while maintaining the polarization state.
  • the amplified pulsed laser beam 31m output from the amplifier PA1 can be input to the image rotator R1 through the polarizing device 701 while maintaining the polarization state.
  • the amplified pulsed laser beam 31m can pass through the image rotator R1 and rotate at an angle ⁇ around the optical path axis of the pulsed laser beam 31m.
  • the polarization direction of the amplified pulsed laser beam 31m can also be rotated by an angle ⁇ .
  • the pulsed laser light 31m that has passed through the image rotator R1 can be rotated by ⁇ in the polarization direction by the retarder Rt1.
  • the pulsed laser light 31m whose discharge direction and polarization direction substantially match can be input to the amplifier PA2 as seed light.
  • the same operation is repeated, and the seed light beam can be appropriately rotated so that the discharge direction of the amplifier PAk and the polarization direction of the seed light input to the amplifier PAk substantially coincide.
  • the discharge direction of the amplifier and the polarization direction of the seed light input to the amplifier can be substantially matched and the beam of the seed light can be rotated, so that the pair of electrodes 62a , 62b can further suppress self-oscillation light reflected on the surface.
  • FIG. 9 schematically shows a configuration example of the laser device 3 according to the comparative example viewed from the Y direction.
  • FIG. 10 schematically shows a configuration example of the laser device 3A according to the fourth embodiment viewed from the X direction.
  • the pulse laser beam 31 output from the laser device 3 according to the comparative example shown in FIG. 9 enters the chamber 2 as the plasma chamber in the EUV light generation device 1 shown in FIG.
  • the light can be collected by 22 a and collected inside the chamber 2.
  • the condensed pulsed laser beam 33 can be applied to the target 27 supplied from the target supply unit 26. Thereby, the target 27 is turned into plasma inside the chamber 2, and EUV light can be emitted from the plasma.
  • the pair of electrodes 62a and 62b are orbited so that the discharge directions of the plurality of amplifiers PA1, PA2, ... PAk, ... PAn substantially coincide with the orbital axis Ya of the target 27. You may be opposingly arranged in the direction substantially corresponded to the axis
  • the discharge direction and the facing direction of the pair of electrodes 62a and 62b and the orbital axis Ya may substantially coincide with the X-axis direction.
  • the reflected light 38 from the target 27 that has traveled backward from the off-axis direction of the pulsed laser light 31 is incident on, for example, the opposing surfaces of the pair of electrodes 62a and 62b in the amplifier PAn, and further enters another amplifier. Can be reflected and incident on other amplifiers. As a result, the reflected light 38 is amplified by the amplifier PAn and another amplifier, and can be self-oscillated light.
  • the reflected light 38 from the target 27 that has moved backward from the off-axis direction of the pulsed laser light 31 is opposed to the pair of electrodes 62a and 62b in the amplifier PAn.
  • the opposing direction of the pair of electrodes 62a and 62b rotates about the laser beam path axis as the rotation center so that the discharge direction and the opposing direction of the pair of electrodes 62a and 62b in the amplifier PAn are inclined with respect to the orbital axis Ya of the target 27. It may be adjusted in the direction.
  • the facing direction of the pair of electrodes 62 a and 62 b may be adjusted so as to be substantially orthogonal to the orbital axis Ya of the target 27.
  • the orbital axis Ya of the target 27 is in the Y-axis direction
  • adjustment may be made so that the opposing direction of the pair of electrodes 62a and 62b is in the X-axis direction.
  • the above explanation is an example in which the laser light path from the master oscillator 110 to the condensing position inside the chamber 2 is in a straight line, but it is in the case where the laser light path is not in a straight line.
  • the propagation of the reflected light 38 can be suppressed in the same way as described above. Even if the laser light path is not in a straight line, the opposing direction of the pair of electrodes 62a and 62b is adjusted so that the reflected light 38 does not enter the electrode surface according to the state of the laser light path. Good.
  • FIG. 11 shows a configuration example of a three-axis orthogonal amplifier as another example of the amplifier PAk shown in FIGS. 3 and 4, for example.
  • FIG. 12 shows a cross-sectional configuration example of the three-axis orthogonal amplifier shown in FIG. 11 viewed from the Z1-Z1 ′ line direction.
  • the three-axis orthogonal amplifier includes a laser chamber 180, an input window 181a, an output window 181b, a pair of electrodes 182a and 182b, a first mirror 183a, a second mirror 183b, a crossflow fan 186, An RF power source 65 may be included.
  • the three-axis orthogonal amplifier may further include a heat exchanger 189.
  • a motor 187 and a bearing 188 may be connected to both ends of the cross flow fan 186.
  • the laser chamber 180 may contain CO 2 laser gas as a laser medium inside.
  • the pair of electrodes 182a and 182b and the RF power source 65 may be an excitation device that amplifies the seed light 35a incident inside the laser chamber 180 by exciting the laser medium.
  • the pair of electrodes 182a and 182b may be provided inside the laser chamber 180 and excite the laser medium in the discharge region 184 by discharge.
  • An electrode interval between the pair of electrodes 182a and 182b may be, for example, 10 mm to 60 mm.
  • the RF power source 65 may supply an RF voltage to the pair of electrodes 182a and 182b.
  • the laser gas G1 can be circulated and supplied between the pair of electrodes 182a and 182b by the crossflow fan 186.
  • a laser beam serving as the seed light 35a may be incident on the inside of the laser chamber 180 from the input window 181a.
  • the incident seed light 35a may be reflected so as to multipath within the discharge region 184 between the first mirror 183a and the second mirror 183b.
  • the incident seed light 35a can be amplified by passing through the laser medium excited between the pair of electrodes 182a and 182b in a multipath manner.
  • the amplified seed light 35a can be output from the output window 181b as amplified laser light 35b.
  • the seed light 35a having a polarization direction that substantially matches the discharge direction Dr1 may be incident as in the configuration examples of FIGS. .
  • the first polarizing device 70k-1 and the second polarizing device 70k that allow the light having the same polarization direction as the seed light 35a to pass may be disposed on the optical path before and after the amplifier. That is, the pair of electrodes 182a and 182b may be disposed to face each other so that the discharge direction Dr1 and the polarization direction of the seed light 35a substantially coincide with each other as in the configuration examples of FIGS.
  • the discharge direction Dr1 of the pair of electrodes 182a and 182b may be in the X-axis direction as in the configuration example of FIG.
  • the discharge direction Dr1 of the pair of electrodes 182a and 182b may be the same as the facing direction of the pair of electrodes 182a and 182b.
  • the pair of electrodes 182a and 182b may be arranged to face each other so that the facing direction thereof substantially coincides with the directions of the polarization axes of the first polarizing device 70k-1 and the second polarizing device 70k. Thereby, the self-oscillation light reflected on the surfaces of the pair of electrodes 182a and 182b can be suppressed.
  • FIGS. 11 and 12 may be used as the laser amplifier in the laser apparatus according to the second to fourth embodiments.
  • FIG. 13 shows a configuration example of a slab amplifier as still another example of the amplifier PAk shown in FIGS. 3 and 4, for example.
  • FIG. 14 shows an example of a cross-sectional configuration of the slab amplifier shown in FIG. 13 viewed from the X1-X1 ′ line direction.
  • the amplifier PAk is a slab type amplifier in which CO 2 laser gas as a laser medium is sealed in a laser chamber 60 and a pair of flat electrodes 62a and 62b through which cooling water (not shown) flows are arranged to face each other. Also good.
  • the slab type amplifier includes a laser chamber 60, an input window 61a, an output window 61b, a pair of electrodes 62a and 62b, a first concave mirror 63a, a second concave mirror 63b, and an RF power source 65. You may go out.
  • the electrode interval between the pair of electrodes 62a and 62b may be, for example, 1.5 mm to 6 mm.
  • a laser beam serving as the seed light 35a may be incident on the inside of the laser chamber 60 from the input window 61a while the RF voltage is supplied from the RF power source 65 to the pair of electrodes 62a and 62b.
  • the incident seed light 35a may be reflected so as to multipath in the discharge region 64 between the first concave mirror 63a and the second concave mirror 63b.
  • the incident seed light 35a can be amplified by passing through the laser medium excited between the pair of electrodes 62a and 62b in a multipath manner.
  • the amplified seed light 35a can be output from the output window 61b as amplified laser light 35b.
  • the polarization component of the self-excited oscillation light increases as the number of passes N increases.
  • the ratio of the polarization component in the direction orthogonal to the direction can be increased.
  • the first polarization device that allows the light having the same polarization direction as the seed light 35a to pass on the optical path before and after the slab amplifier. 70k-1 and the second polarizing device 70k may be arranged. Thereby, the self-oscillation light reflected on the surfaces of the pair of electrodes 62a and 62b can be suppressed.
  • slab amplifier shown in FIGS. 13 and 14 may be used as the laser amplifier in the laser apparatus according to the second to fourth embodiments.
  • FIG. 15 shows a configuration example of a transmission type polarizer as an example of the first polarization device 70k-1 and the second polarization device 70k shown in FIGS. 3 and 4, for example. ing.
  • the transmission type polarizer may be one in which a multilayer film 81 is coated on a substrate 80 that transmits laser light.
  • the multilayer film 81 may be one that highly transmits the P-polarized component and highly reflects the S-polarized component with respect to the laser light incident surface.
  • the material of the substrate 80 may be, for example, ZnSe, GaAs, diamond, or the like that transmits CO 2 laser light.
  • FIG. 16 shows a configuration example of a reflective polarizer as another example of the first polarizing device 70k-1 and the second polarizing device 70k shown in FIGS. 3 and 4, for example. Is shown.
  • the reflective polarizer may be one in which a film 83 is coated on a substrate 82. Further, the substrate 82 may be cooled by the cooling device 84.
  • the film 83 may highly reflect the S-polarized component and absorb the P-polarized component with respect to the incident surface of the laser beam. Since a high-power CO 2 laser device has a large thermal load, the use of a reflective polarizer cooled by the cooling device 84 can suppress the wavefront distortion of the reflected light.
  • FIG. 17 shows a plurality of examples of the first polarizing device 70k-1 and the second polarizing device 70k shown in FIGS. 3 and 4, for example.
  • the example of a structure of the polarizing device 90 which combined these reflective polarizers is shown.
  • the polarizing device 90 may include four reflective polarizers 91, 92, 93, 94.
  • Each of the reflective polarizers 91, 92, 93, 94 may be formed by coating a film 83 on a substrate 82, as in the reflective polarizer shown in FIG. 16. Further, although not shown in FIG. 17, the substrate 82 may be cooled by a cooling device.
  • each of the reflective polarizers 91, 92, 93, and 94 may be arranged so that the incident angle of the laser beam is 45 degrees in the plane including the paper surface.
  • the incident light can be reflected by the four reflective polarizers 91, 92, 93 and 94 with high reflection of the S-polarized component and absorbed by the P-polarized component.
  • FIG. 17 shows an example in which four reflective polarizers 91, 92, 93, 94 are combined, the number of reflective polarizers to be combined is not limited to this. As the number of reflective polarizers to be combined increases, the extinction ratio of the entire polarizing device can increase.
  • FIGS. 18 and 19 are configuration examples of an image rotator using a dope prism 360 as an example of the image rotators R1, R2,... Rk shown in FIGS. Show. 18 shows a state in which the dope prism 360 is viewed from the side, and FIG. 19 shows a state in which the dope prism 360 is viewed from the front.
  • FIG. 18 and FIG. 19 show a configuration example of an image rotator including means for rotating the dope prism 360.
  • the dope prism 360 may be supported and fixed inside the hole 362 ′ by the rotary stage 362.
  • the rotary stage 362 may be disposed on the fixed stage 361.
  • a member 363 may be integrally provided on the rotary stage 362.
  • the arrangement may be such that the member 363 of the rotary stage 362 is sandwiched between the micrometer 364 and the support member 366 containing the spring 365. Thereby, the rotation stage 362 may be rotationally driven by the micrometer 364 via the member 363.
  • the material of the dope prism 360 may be any material that transmits CO 2 laser light such as ZnSe.
  • FIG. 20 shows three reflections as another example of the image rotators R1, R2,... Rk shown in FIGS.
  • the structural example of the image rotator using the mirrors 371,372,373 is shown.
  • a transmission type element such as the doped prism 360 shown in FIGS. 18 and 19
  • a temperature distribution can be generated in the doped prism 360 due to absorption of the laser light.
  • a refractive index distribution is generated and the transmitted wavefront can be distorted. Therefore, the three reflection mirrors 371, 372, and 373 may be arranged so that the incident light is reflected by the same optical path as that of the dope prism 360. Cooling water (not shown) may flow through the substrates of the three reflecting mirrors 371, 372 and 373. Thereby, the wavefront of reflected light can be suppressed.
  • FIG. 21 shows another example of the image rotators R1, R2,... Rk shown in FIGS.
  • the structural example of the image rotator 380 using the reflective mirror 381,382,383 is shown.
  • FIG. 21 shows a state where a light component Ig is rotated by the rotation angle ⁇ by the image rotator 380.
  • the reflection mirror 381 may be arranged to reflect the incident light toward the reflection mirror 382 at an angle of 90 °.
  • the reflection mirror 382 may be arranged to reflect incident light toward the reflection mirror 383 at an angle ⁇ .
  • the reflection mirror 383 may be arranged to reflect incident light at an angle of 90 °.

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Abstract

【課題】高出力のレーザ光を得る。 【解決手段】入射される直線偏光のレーザ光の偏光方向と略一致する方向の偏光軸を有する第１の偏光デバイスと、第１の偏光デバイスの偏光軸の方向に略一致する方向の偏光軸を有する第２の偏光デバイスと、対向方向が第１の偏光デバイスの偏光軸の方向に略一致するように対向配置された一対の放電電極を含み、第１の偏光デバイスと第２の偏光デバイスとの間に配置されたレーザ増幅器とを備えてもよい。

Description

レーザ装置、及び極端紫外光生成システム
　本開示は、レーザ装置、及びレーザ装置から出力されたパルスレーザ光に基づいて極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための極端紫外光生成システムに関する。
　近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ～４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系（reduced projection reflective optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
　ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ励起プラズマ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）方式の装置との３種類の装置が提案されている。
特許５０８６６７７号公報 特開２００８－２８３１０７号公報 米国特許出願公開第２０１１／００５８５８８号明細書 特開平１０－１１２５７０号公報
概要
　本開示の第１の観点に係るレーザ装置は、入射される直線偏光のレーザ光の偏光方向と略一致する方向の偏光軸を有する第１の偏光デバイスと、第１の偏光デバイスの偏光軸の方向に略一致する方向の偏光軸を有する第２の偏光デバイスと、対向方向が第１の偏光デバイスの偏光軸の方向に略一致するように対向配置された一対の放電電極を含み、第１の偏光デバイスと第２の偏光デバイスとの間に配置されたレーザ増幅器とを備えてもよい。
　本開示の第２の観点に係るレーザ装置は、レーザ光を出力するマスタオシレータと、レーザチャンバ内において対向配置された一対の放電電極をそれぞれ含み、マスタオシレータから出力されたレーザ光の光路上に配置された複数のレーザ増幅器とを備え、複数のレーザ増幅器のうちの一のレーザ増幅器における一対の放電電極の対向方向を、他の一のレーザ増幅器における一対の放電電極の対向方向と異ならせるようにしてもよい。
　本開示の第３の観点に係るレーザ装置は、レーザ光を出力するマスタオシレータと、対向配置された一対の放電電極をそれぞれ含み、マスタオシレータから出力されたレーザ光の光路上に配置された複数のレーザ増幅器と、複数のレーザ増幅器のうち、隣り合う２つのレーザ増幅器の間に配置された少なくとも１つのイメージローテータとを備えてもよい。
　本開示の第４の観点に係るレーザ装置は、プラズマチャンバの内部でターゲットにパルスレーザ光を照射することによってＥＵＶ光を生成する極端紫外光生成装置に、パルスレーザ光を供給するレーザ装置であって、パルスレーザ光のシードとなるレーザ光を出力するマスタオシレータと、対向配置された一対の放電電極を含み、マスタオシレータから出力されたレーザ光の光路上に配置されたレーザ増幅器とを備え、パルスレーザ光の軸外方向から逆進して来たターゲットからの反射光が、レーザ増幅器の一対の放電電極の対向表面に入射しないように、一対の放電電極の対向方向がパルスレーザ光の光軸を回転中心として回転方向に調整されていてもよい。
　本開示の第１の観点に係る極端紫外光生成システムは、ＥＵＶ光が生成されるプラズマチャンバと、パルスレーザ光をプラズマチャンバの内部に供給するレーザ装置とを含み、レーザ装置は、パルスレーザ光のシードとなり、直線偏光のレーザ光を出力するマスタオシレータと、直線偏光のレーザ光の偏光方向と略一致する方向の偏光軸を有する第１の偏光デバイスと、第１の偏光デバイスの偏光軸の方向に略一致する方向の偏光軸を有する第２の偏光デバイスと、対向方向が第１の偏光デバイスの偏光軸の方向に略一致するように対向配置された一対の放電電極を含み、第１の偏光デバイスと第２の偏光デバイスとの間に配置されたレーザ増幅器とを備えてもよい。
　本開示の第２の観点に係る極端紫外光生成システムは、ＥＵＶ光が生成されるプラズマチャンバと、パルスレーザ光をプラズマチャンバの内部に供給するレーザ装置とを含み、レーザ装置は、パルスレーザ光のシードとなるレーザ光を出力するマスタオシレータと、レーザチャンバ内において対向配置された一対の放電電極をそれぞれ含み、マスタオシレータから出力されたレーザ光の光路上に配置された複数のレーザ増幅器とを備え、複数のレーザ増幅器のうちの一のレーザ増幅器における一対の放電電極の対向方向を、他の一のレーザ増幅器における一対の放電電極の対向方向と異ならせるようにしてもよい。
　本開示の第３の観点に係る極端紫外光生成システムは、ＥＵＶ光が生成されるプラズマチャンバと、パルスレーザ光をプラズマチャンバの内部に供給するレーザ装置とを含み、レーザ装置は、パルスレーザ光のシードとなるレーザ光を出力するマスタオシレータと、対向配置された一対の放電電極をそれぞれ含み、マスタオシレータから出力されたレーザ光の光路上に配置された複数のレーザ増幅器と、複数のレーザ増幅器のうち、隣り合う２つのレーザ増幅器の間に配置された少なくとも１つのイメージローテータとを備えてもよい。
　本開示の第４の観点に係る極端紫外光生成システムは、内部においてターゲットにパルスレーザ光が照射されることによってＥＵＶ光が生成されるプラズマチャンバと、ターゲットをプラズマチャンバの内部に供給するターゲット供給部と、パルスレーザ光をプラズマチャンバの内部に供給するレーザ装置とを含み、レーザ装置は、パルスレーザ光のシードとなるレーザ光を出力するマスタオシレータと、対向配置された一対の放電電極を含み、マスタオシレータから出力されたレーザ光の光路上に配置されたレーザ増幅器とを備え、パルスレーザ光の軸外方向から逆進して来たターゲットからの反射光が、レーザ増幅器の一対の放電電極の対向表面に入射しないように、一対の放電電極の対向方向がパルスレーザ光の光軸を回転中心として回転方向に調整されていてもよい。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの一構成例を概略的に示す。 図２は、マスタオシレータとレーザ増幅器とを含むレーザ装置の一構成例を概略的に示す。 図３は、第１の実施形態に係るレーザ装置の要部をＹ方向から見た一構成例を概略的に示す。 図４は、第１の実施形態に係るレーザ装置の要部をＸ方向から見た一構成例を概略的に示す。 図５は、第１の実施形態に係るレーザ装置における一対の電極による放電方向の一例を概略的に示す。 図６は、第２の実施形態に係るレーザ装置の一構成例を概略的に示す。 図７は、第３の実施形態に係るレーザ装置の一構成例を概略的に示す。 図８は、第３の実施形態に係るレーザ装置の一変形例を概略的に示す。 図９は、比較例に係るレーザ装置をＹ方向から見た一構成例を概略的に示す。 図１０は、第４の実施形態に係るレーザ装置をＸ方向から見た一構成例を概略的に示す。 図１１は、３軸直交型増幅器の一構成例を概略的に示す。 図１２は、図１１に示した３軸直交型増幅器をＺ１－Ｚ１’線方向から見た一構成例を概略的に示す。 図１３は、スラブ型増幅器の一構成例を概略的に示す。 図１４は、図１３に示したスラブ型増幅器をＸ１－Ｘ１’線方向から見た一構成例を概略的に示す。 図１５は、透過型の偏光子の一構成例を概略的に示す。 図１６は、反射型の偏光子の一構成例を概略的に示す。 図１７は、複数の反射型の偏光子を組み合わせた偏光装置の一構成例を概略的に示す。 図１８は、ドーププリズムを用いたイメージローテータの一構成例を概略的に示す。 図１９は、ドーププリズムを用いたイメージローテータの一構成例を概略的に示す。 図２０は、３枚の反射ミラーを用いたイメージローテータの第１の構成例を概略的に示す。 図２１は、３枚の反射ミラーを用いたイメージローテータの第２の構成例を概略的に示す。
実施形態
＜内容＞
［１．概要］
［２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明］
　２．１　構成
　２．２　動作
［３．マスタオシレータとレーザ増幅器とを含むレーザ装置］
　３．１　構成
　３．２　動作
　３．３　課題
［４．第１の実施形態］
　４．１　構成
　４．２　動作
　４．３　作用
［５．第２の実施形態］
　５．１　構成
　５．２　動作
　５．３　作用
　５．４　その他
［６．第３の実施形態］
　６．１　構成
　６．２　動作
　６．３　作用
　６．４　変形例
　　６．４．１　構成
　　６．４．２　動作
　　６．４．３　作用
［７．第４の実施形態］
［８．レーザ増幅器のバリエーション］
　８．１　３軸直交型増幅器
　８．２　スラブ型増幅器
［９．偏光装置のバリエーション］
　９．１　透過型の偏光子
　９．２　反射型の偏光子
　９．３　複数の反射型の偏光子を組み合わせた例
［１０．イメージローテータのバリエーション］
　１０．１　ドーププリズムを用いたイメージローテータ
　１０．２　３枚の反射ミラーを用いたイメージローテータの第１の構成例
　１０．３　３枚の反射ミラーを用いたイメージローテータの第２の構成例
［１１．その他］
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
［１．概要］
　本開示は、ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置用の高出力レーザ装置に関する。
［２．ＥＵＶ光生成システムの全体説明］
　２．１　構成
　図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、及びターゲット供給装置として例えばターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組み合わせを含んでもよいが、これらに限定されない。
　チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよい。ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５又はその近傍に位置し、その第２の焦点が露光装置６の仕様によって規定される所望の集光位置である中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。
　ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５を含むことができる。またＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４等を含むことができる。ターゲットセンサ４は、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、及び速度の内の少なくとも１つを検出しても良い。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有していても良い。
　さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通する接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
　さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を制御するために、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
　２．２　動作
　図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光の経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。
　ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光と共にＥＵＶ光２５１が放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されると共に集光されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２を通って、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミングの制御、及びターゲット２７の出力方向の制御の内の少なくとも１つを制御するよう構成されてもよい。
　さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、及びパルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
［３．マスタオシレータとレーザ増幅器とを含むレーザ装置］
　３．１　構成
　図２を参照して、ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置に用いられるレーザ装置３の一構成例について説明する。ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置では、レーザ装置３として、ＣＯ2レーザ装置を含むものが用いられてもよい。レーザ装置３として用いられるＣＯ2レーザ装置は、高いパルスエネルギのパルスレーザ光を高い繰り返し周波数で出力することが求められてもよい。このため、レーザ装置３は、高い繰り返し周波数でパルスレーザ光３１ｍを出力するマスタオシレータ（ＭＯ：master oscillator）１１０を備えてもよい。また、レーザ装置３は、パルスレーザ光３１ｍの光路上に配置され、パルスレーザ光３１ｍを増幅する少なくとも１つのレーザ増幅器を備えてもよい。例えば図２に示したように、レーザ増幅器として、複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，…ＰＡｋ，…ＰＡｎを含んでもよい。
　マスタオシレータ１１０は、Ｑスイッチと、レーザ媒質としてのＣＯ2レーザガスと、光共振器とを含むレーザ発振器であってもよい。また、マスタオシレータ１１０は、ＣＯ2レーザの増幅波長域で発振する量子カスケードレーザ（ＱＣＬ）であってもよい。
　複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，…ＰＡｋ，…ＰＡｎはそれぞれ、ＣＯ2レーザガスをレーザ媒質とするレーザ増幅器であってもよい。複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，…ＰＡｋ，…ＰＡｎはそれぞれ、ＣＯ2レーザガスを含むレーザチャンバ６０内に配置された一対の電極６２ａ，６２ｂを含んでもよい。複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，…ＰＡｋ，…ＰＡｎはそれぞれ、一対の電極６２ａ，６２ｂ間に電圧を印加する図示しないＲＦ（高周波）電源を含んでもよい。一対の電極６２ａ，６２ｂは、放電によって放電領域６４においてレーザ媒質を励起する放電電極であってもよい。複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，…ＰＡｋ，…ＰＡｎにはそれぞれ、外部からのパルスレーザ光をレーザチャンバ６０の内部に入射させる入力ウインドウ６１ａが配置されていてもよい。また、増幅されたパルスレーザ光をレーザチャンバ６０の外部に出力させる出力ウインドウ６１ｂが配置されていてもよい。複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，…ＰＡｋ，…ＰＡｎはそれぞれ、マスタオシレータ１１０から出力されるパルスレーザ光３１ｍの光路上に、直列に配置されてもよい。
　３．２　動作
　複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，…ＰＡｋ，…ＰＡｎはそれぞれ、図示しない各々のＲＦ電源によって一対の電極６２ａ，６２ｂ間に電圧を印加し、放電させてもよい。マスタオシレータ１１０のＱスイッチを所定の繰り返し周波数で動作させてもよい。その結果、マスタオシレータ１１０から所定の繰り返し周波数で、パルスレーザ光３１ｍが出力され得る。
　複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，…ＰＡｋ，…ＰＡｎではそれぞれ、マスタオシレータ１１０から出力されたパルスレーザ光３１ｍが入射されていない場合においても、図示しないＲＦ電源によって、放電を発生させて、レーザ媒質を励起し得る。マスタオシレータ１１０から出力されたパルスレーザ光３１ｍは、シード光として１番目の増幅器ＰＡ１に入射し、１番目の増幅器ＰＡ１内を通過することによって増幅され、出力され得る。１番目の増幅器ＰＡ１から増幅され、出力されたパルスレーザ光は、シード光として２番目の増幅器ＰＡ２に入射し、２番目の増幅器ＰＡ２内を通過することによってさらに増幅され、出力され得る。同様に、ｋ－１番目の増幅器ＰＡｋ－１から出力されたパルスレーザ光は、シード光としてｋ番目の増幅器ＰＡｋに入射し、ｋ番目の増幅器ＰＡｋ内を通過することによってさらに増幅され、出力され得る。そして、ｎ－１番目の増幅器ＰＡｎ－１から出力されたパルスレーザ光は、シード光としてｎ番目の増幅器ＰＡｎに入射し、ｎ番目の増幅器ＰＡｎ内を通過することによってさらに増幅され、出力され得る。
　ｎ番目の増幅器ＰＡｎより出力されたパルスレーザ光３１は、図１に示したＥＵＶ光生成装置１におけるプラズマチャンバとしてのチャンバ２内に入射し、レーザ光集光光学系２２ａによりプラズマ生成領域２５に集光され得る。プラズマ生成領域２５に集光されたパルスレーザ光３３は、プラズマ生成領域２５におけるターゲットに照射され得る。パルスレーザ光３３が集光されたターゲットはプラズマ化し、プラズマからＥＵＶ光が放射され得る。なお、レーザ光集光光学系２２ａは、図１に示されるレーザ光集光ミラー２２に対応する１または複数の反射型の光学素子で構成してもよいし、レンズを含む屈折系の光学系であってもよい。
　３．３　課題
　マスタオシレータ１１０と、少なくとも１つのレーザ増幅器とを組み合わせたＣＯ2レーザ装置は、マスタオシレータ１１０から出力されたパルスレーザ光３１ｍと関係なく、少なくとも１つのレーザ増幅器から出力される自然放出（ＡＳＥ：Amplified Spontaneous Emission）光３６によって自励発振する可能性がある。シード光以外のＡＳＥ光３６が他のレーザ増幅器に入射すると、ＡＳＥ光３６が入射したレーザ増幅器はシード光以外のＡＳＥ光３６を増幅してしまうことがある。この結果、シード光を増幅する際の増幅率が低下し得る。よって、ＡＳＥ光３６による自励発振を抑制することが求められる。なお、シード光とは、レーザ増幅器による増幅対象のレーザ光のことであってもよい。例えば図２において、１番目の増幅器ＰＡ１では、マスタオシレータ１１０から出力されたパルスレーザ光３１ｍがシード光になり得る。２番目の増幅器ＰＡ２では、１番目の増幅器ＰＡ１によって増幅され、出力されたパルスレーザ光がシード光になり得る。
　例えばｎ番目の増幅器ＰＡｎにおいて発生したＡＳＥ光３６が増幅器ＰＡｎで増幅され、マスタオシレータ１１０の設けられている方向に進行し、他のレーザ増幅器の一対の電極６２ａ，６２ｂの表面に斜入射で入射し得る。このＡＳＥ光３６は、図２に示した破線の領域３７ｂのように、一対の電極６２ａ，６２ｂの表面で高反射し得る。この反射光が複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，…ＰＡｋ，…ＰＡｎ－１によってさらに増幅され、自励発振光となり得る。
　また、１番目の増幅器ＰＡ１において発生したＡＳＥ光３６が増幅器ＰＡ１で増幅され、チャンバ２の設けられている方向に進行し、他のレーザ増幅器の一対の電極６２ａ，６２ｂの表面に斜入射で入射し得る。このＡＳＥ光３６は、図２に示した破線の領域３７ａのように、一対の電極６２ａ，６２ｂの表面で高反射し得る。この反射光が複数の増幅器ＰＡ２，…ＰＡｋ，…ＰＡｎによってさらに増幅され、自励発振光となり得る。
　このように、あるレーザ増幅器において発生したＡＳＥ光３６は、一対の電極６２ａ，６２ｂの表面で反射し、他のレーザ増幅器によって増幅され自励発振光となり得る。ＡＳＥ光３６は、レーザ装置３より出力されるパルスレーザ光３１の出力の低下やパルス波形に悪影響を及ぼし得る。その結果、ＥＵＶ光の出力が低下し得る。また、自励発振光がマスタオシレータ１１０に入射した場合、自励発振光によってマスタオシレータ１１０の光学部品が損傷を受ける場合があり得る。
［４．第１の実施形態］
　４．１　構成
　図３乃至図５を参照して、本開示の第１の実施形態に係るレーザ装置の構成を説明する。図３は、第１の実施形態に係るレーザ装置の要部をＹ方向から見た一構成例を概略的に示す。図４は、第１の実施形態に係るレーザ装置の要部をＸ方向から見た一構成例を概略的に示す。図５は、第１の実施形態に係るレーザ装置の増幅器ＰＡｋにおける一対の電極６２ａ，６２ｂによる放電方向Ｄｒ１の一例を概略的に示す。図５では、図４に示した増幅器ＰＡｋをＺｋ－Ｚｋ’線方向から見た断面を示す。
　図２に示したレーザ装置３において、複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，…ＰＡｋ，…ＰＡｎのうちの少なくとも１つが、２つの偏光デバイスの間に配置された構成となっていてもよい。例えば図３及び図４に示したように、ｋ番目の増幅器ＰＡｋが、第１の偏光デバイスとしての第１の偏光装置７０ｋ－１と、第２の偏光デバイスとしての第２の偏光装置７０ｋとの間に配置された構成となっていてもよい。
　図２に示したレーザ装置３において、マスタオシレータ１１０は、パルスレーザ光３１ｍとして所定の偏光成分の直線偏光のレーザ光を出力するようにしてもよい。ｋ－１番目の増幅器ＰＡｋ－１は、所定の偏光成分の直線偏光のレーザ光をシード光３５ａとして、第１の偏光装置７０ｋ－１に向けて出力するようにしてもよい。所定の偏光成分は、図３乃至図５におけるＸ軸方向の成分６６であってもよい。また、所定の偏光成分に対して直交する偏光成分は、図３乃至図５におけるＹ軸方向の成分６７であってもよい。
　第１の偏光装置７０ｋ－１及び第２の偏光装置７０ｋはそれぞれ、少なくとも１つの偏光子を含んでいてもよい。第１の偏光装置７０ｋ－１及び第２の偏光装置７０ｋはそれぞれ、シード光３５ａの偏光方向と略一致する方向の偏光軸を有していてもよい。第１の偏光装置７０ｋ－１及び第２の偏光装置７０ｋはそれぞれ、透過型の偏光子で構成され、所定の偏光成分を所定の方向に透過させるものであってもよい。また、第１の偏光装置７０ｋ－１及び第２の偏光装置７０ｋはそれぞれ、反射型の偏光子で構成され、所定の偏光成分を所定の方向に反射させるものであってもよい。
　増幅器ＰＡｋは、レーザチャンバ６０内に、一対の放電電極としての一対の電極６２ａ，６２ｂと、レーザ媒質としてのＣＯ2レーザガスとを含んでいてもよい。レーザチャンバ６０には、入力ウインドウ６１ａと出力ウインドウ６１ｂとが設けられていてもよい。一対の電極６２ａ，６２ｂは、材質がＡｌ（アルミニウム）やＣｕ（銅）等の板であってもよい。一対の電極６２ａ，６２ｂは、図示しないＲＦ電源に接続されていてもよい。増幅器ＰＡｋにおいて、一対の電極６２ａ，６２ｂは、放電方向Ｄｒ１と、入力レーザ光としてのシード光３５ａの偏光方向とが略一致するように対向配置されていてもよい。一対の電極６２ａ，６２ｂの放電方向Ｄｒ１は、図５に示したようにＸ軸方向であってもよい。一対の電極６２ａ，６２ｂの放電方向Ｄｒ１は、一対の電極６２ａ，６２ｂの対向方向と同じであってもよい。一対の電極６２ａ，６２ｂは、その対向方向が、第１の偏光装置７０ｋ－１及び第２の偏光装置７０ｋの偏光軸の方向に略一致するように対向配置されていてもよい。増幅器ＰＡｋから出力される増幅レーザ光３５ｂの偏光方向は、第１の偏光装置７０ｋ－１及び第２の偏光装置７０ｋの偏光軸の方向に略一致していてもよい。
　入力ウインドウ６１ａは、シード光３５ａが一対の電極６２ａ，６２ｂ間の放電領域６４内に入射することとなるような位置において、レーザチャンバ６０に固定されていてもよい。出力ウインドウ６１ｂは、放電領域６４を通過することにより増幅されたレーザ光が外部に出射することとなるような位置において、レーザチャンバ６０に固定されていてもよい。
　４．２　動作
　増幅器ＰＡｋ－１から出力された直線偏光のレーザ光は、第１の偏光装置７０ｋ－１を介して偏光状態を維持した状態で、シード光３５ａとして増幅器ＰＡｋに入力され得る。増幅器ＰＡｋにおいてシード光３５ａは、入力ウインドウ６１ａを介して一対の電極６２ａ，６２ｂ間の放電領域６４内を通過して、偏光状態を維持した状態で増幅され、出力ウインドウ６１ｂを介して、増幅レーザ光３５ｂとして出力され得る。増幅器ＰＡｋから出力された増幅レーザ光３５ｂは、第２の偏光装置ｋを介して偏光状態を維持した状態で、次の増幅器ＰＡｋ＋１に入力され得る。
　一方、増幅器ＰＡｋにおいて、放電領域６４で生成されたＡＳＥ光３６は、図３に示した破線の領域３７ａ，３７ｂのように、一対の電極６２ａ，６２ｂの表面に斜入射で入射し得る。この場合、この表面に対して、Ｙ軸方向のＡＳＥ光３６は高反射し、Ｘ軸方向のＡＳＥ光３６は反射率が低下し得る。その結果、ＡＳＥ光３６が増幅されて生成する自励発振光の偏光成分は、Ｘ方向の偏光成分よりもＹ方向の偏光成分が増加し得る。例えば、Ｘ方向の偏光成分：Ｙ方向の偏光成分＝１：４０となり得る。ここで、自励発振光のＹ方向の偏光成分は、第１の偏光装置７０ｋ－１及び第２の偏光装置７０ｋによって、レーザ光の光路上から除去され得る。
　４．３　作用
　この第１の実施形態によれば、一対の電極６２ａ，６２ｂの表面においてＡＳＥ光３６は、放電方向Ｄｒ１に対して垂直な偏光方向の成分が高反射され得る。その結果、このＡＳＥ光３６によって、自励発振し易くなり得る。しかしながら、放電方向Ｄｒ１に対して垂直な偏光方向の自励発振光は、第１の偏光装置７０ｋ－１及び第２の偏光装置７０ｋによって、レーザ光の光路上での伝搬が抑制され得る。
［５．第２の実施形態］
　５．１　構成
　図６を参照して、本開示の第２の実施形態に係るレーザ装置の構成を説明する。図６の上段には、第２の実施形態に係るレーザ装置をＹ方向から見た一構成例を概略的に示す。図６の中段及び下段には、第２の実施形態に係るレーザ装置における複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，ＰＡ４のそれぞれの一対の電極６２ａ，６２ｂによる放電方向の関係を概略的に示す。
　図２に示したレーザ装置３を、複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，…ＰＡｋ，…ＰＡｎのうちの一の増幅器における一対の電極６２ａ，６２ｂの対向方向が、他の一の増幅器における一対の電極６２ａ，６２ｂの対向方向と異なるような構成にしてもよい。複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，…ＰＡｋ，…ＰＡｎのそれぞれにおいて、一対の電極６２ａ，６２ｂの対向方向は、一対の電極６２ａ，６２ｂによる放電方向と同じであってもよい。
　図６では、複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，…ＰＡｋ，…ＰＡｎとして、４つの増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，ＰＡ４を備えたレーザ装置の構成例を示している。図６では、それら４つの増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，ＰＡ４を備えたレーザ装置において、それぞれの放電方向が互いに異なるように、各々の増幅器を配置した構成例を示している。４つの増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，ＰＡ４の構成要素は、配置関係以外は、図２に示したレーザ装置３における各々の増幅器の構成要素と同じであってもよい。
　図６の中段には、上段に示した増幅器ＰＡ１をＺ１－Ｚ１’線方向から見た断面と、増幅器ＰＡ２をＺ２－Ｚ２’線方向から見た断面と、増幅器ＰＡ３をＺ３－Ｚ３’線方向から見た断面と、増幅器ＰＡ４をＺ４－Ｚ４’線方向から見た断面とを概略的に示す。
　図６に示したように、増幅器ＰＡ１において、Ｘ軸とのなす角度θ1＝０°の放電方向Ｄｒ１となるように、一対の電極６２ａ，６２ｂがＸ軸とのなす角度θ1＝０°の方向に対向配置されていてもよい。また、増幅器ＰＡ２において、Ｘ軸とのなす角度θ2＝４５°の放電方向Ｄｒ２となるように、一対の電極６２ａ，６２ｂがＸ軸とのなす角度θ2＝４５°の方向に対向配置されていてもよい。また、増幅器ＰＡ３において、Ｘ軸とのなす角度θ3＝９０°の放電方向Ｄｒ３となるように、一対の電極６２ａ，６２ｂがＸ軸とのなす角度θ3＝９０°の方向に対向配置されていてもよい。また、増幅器ＰＡ４において、Ｘ軸とのなす角度θ4＝１３５°の放電方向Ｄｒ３となるように、一対の電極６２ａ，６２ｂがＸ軸とのなす角度θ4＝１３５°の方向に対向配置されていてもよい。
　５．２　動作
　図６に示したレーザ装置において、マスタオシレータ１１０から出力されたパルスレーザ光３１ｍは、４つの増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，ＰＡ４のそれぞれを通過して増幅され得る。ここで、図２に示したレーザ装置３の構成では、各々の増幅器の放電方向が同じとなるように、各々の増幅器の一対の電極６２ａ，６２ｂが同方向に対向配置されていてもよい。このため、図２に示したレーザ装置３では、一の増幅器における一対の電極６２ａ，６２ｂの表面で反射したＡＳＥ光３６が、他の一の増幅器における一対の電極６２ａ，６２ｂの表面に入射し得る。これに対して、図６に示したレーザ装置では、各々の増幅器の放電方向が異なるように、各々の増幅器の一対の電極６２ａ，６２ｂが異なる方向に対向配置されていてもよい。このため、図６に示したレーザ装置では、一の増幅器における一対の電極６２ａ，６２ｂの表面で反射したＡＳＥ光３６が、他の一の増幅器における一対の電極６２ａ，６２ｂの表面に斜入射したとしても反射率が低下し得る。その結果、自励発振が抑制され得る。
　５．３　作用
　この第２の実施形態によれば、複数の増幅器のうち少なくとも１つの増幅器の放電方向が他の増幅器に対して異なるように、複数の増幅器を配置することによって、一対の電極６２ａ，６２ｂの表面で反射する自励発振光が抑制され得る。
　５．４　その他
　図６では増幅器が４台の構成例を示したが、これに限定されることなく、例えば、増幅器がｎ台の場合は、以下の関係を満たすように増幅器を配置してもよい。すなわち、ｋ番目の増幅器ＰＡｋにおいて、Ｘ軸とのなす角度θｋの放電方向Ｄｒｋとなるように、一対の電極６２ａ，６２ｂがＸ軸とのなす角度θｋの方向に対向配置されていてもよい。
　θｋ＝（ｋ－１）・θ0、θ0＝１８０°／ｎ
［６．第３の実施形態］
　６．１　構成
　図７を参照して、本開示の第３の実施形態に係るレーザ装置の構成を説明する。図７の上段には、第３の実施形態に係るレーザ装置をＹ方向から見た一構成例を概略的に示す。図７の下段には、上段に示した増幅器ＰＡ１をＺ１－Ｚ１’線方向から見た断面と、増幅器ＰＡ２をＺ２－Ｚ２’線方向から見た断面と、増幅器ＰＡｋをＺｋ－Ｚｋ’線方向から見た断面と、増幅器ＰＡｎをＺｎ－Ｚｎ’線方向から見た断面とを概略的に示す。
　図２に示したレーザ装置３において、複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，…ＰＡｋ，…ＰＡｎのうち、隣り合う２つの増幅器の間に、少なくとも１つのイメージローテータが配置されていてもよい。例えば図７に示したように、増幅器ＰＡ１と増幅器ＰＡ２との間にイメージローテータＲ１が配置されていてもよい。また、増幅器ＰＡ２と増幅器ＰＡ３との間にイメージローテータＲ２が配置されていてもよい。また、増幅器ＰＡｋと増幅器ＰＡｋ＋１との間にイメージローテータＲｋが配置されていてもよい。また、図示していないが、増幅器ＰＡｎ－１と増幅器ＰＡｎとの間にイメージローテータＲｎが配置されていてもよい。図７に示した複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，…ＰＡｋ，…ＰＡｎの構成要素は、図２に示したレーザ装置３における各々の増幅器の構成要素と同じであってもよい。
　図７の下段に示したように、複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，…ＰＡｋ，…ＰＡｎのそれぞれにおいて、Ｘ軸とのなす角度＝０°の放電方向Ｄｒ１となるように、一対の電極６２ａ，６２ｂがＸ軸とのなす角度＝０°の方向に対向配置されていてもよい。各々のイメージローテータは、マスタオシレータ１１０から出力されたパルスレーザ光３１ｍの光路軸を回転中心として光を回転させるものであってもよい。ここで、図７の下段には、ある光の成分Ｉｇが、複数のイメージローテータＲ１，Ｒ２，…Ｒｋ，…Ｒｎのそれぞれによって回転角度βずつ回転する様子を示している。図７では、ある光の成分Ｉｇが、増幅器ＰＡ１においてＸ軸方向に一致しているものとして示している。増幅器がｎ台の場合、例えば１つのイメージローテータによるパルスレーザ光３１ｍの回転角度βが、以下の式の角度となるように設定してもよい。
　β＝１８０°／ｎ
　６．２　動作
　図７に示したレーザ装置において、マスタオシレータ１１０から出力されたパルスレーザ光３１ｍは、複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，…ＰＡｋ，…ＰＡｎのそれぞれを通過して増幅され得る。ここで、図２に示したレーザ装置３の構成では、各々の増幅器の放電方向が同じとなるように、各々の増幅器の一対の電極６２ａ，６２ｂが同方向に対向配置されていてもよい。このため、図２に示したレーザ装置３では、一の増幅器における一対の電極６２ａ，６２ｂの表面で反射したＡＳＥ光３６が、他の一の増幅器における一対の電極６２ａ，６２ｂの表面に入射し得る。これに対して、図７に示したレーザ装置においても、各々の増幅器の配置は図２に示したレーザ装置３と同様であってもよい。図７に示したように、隣り合う２つの増幅器の間にイメージローテータが配置されていることで、一の増幅器における一対の電極６２ａ，６２ｂの表面で反射したＡＳＥ光３６が、他の一の増幅器における一対の電極６２ａ，６２ｂの表面に斜入射したとしても、反射率が低下し得る。
　６．３　作用
　この第３の実施形態によれば、イメージローテータによって、隣り合う２つの増幅器間でレーザ光のビームを回転させ得る。その結果、一対の電極６２ａ，６２ｂの表面で反射する自励発振光が抑制され得る。
　６．４　変形例
　　６．４．１　構成
　図８を参照して、本開示の第３の実施形態に係るレーザ装置の変形例の構成を説明する。この変形例に係るレーザ装置は、図３乃至図５に示した上記第１の実施形態と、図７に示した上記第３の実施形態とを組み合わせた構成のレーザ装置であってもよい。
　この変形例に係るレーザ装置は、図７に示したレーザ装置と同様に、複数のイメージローテータＲ１，Ｒ２，…Ｒｋ，…Ｒｎ－１を備えていてもよい。また、この変形例に係るレーザ装置は、複数の偏光装置７００，７０１，７０２，…７０ｋ，…７０ｎと、複数のリターダＲｔ１，Ｒｔ２，…Ｒｔｋ，…Ｒｔｎ－１とを備えていてもよい。
　マスタオシレータ１１０は、パルスレーザ光３１ｍとして所定の偏光成分の直線偏光のレーザ光を出力するようにしてもよい。所定の偏光成分は、図７におけるＸ軸方向の成分６６であってもよい。複数の偏光装置７００，７０１，７０２，…７０ｋ，…７０ｎはそれぞれ、パルスレーザ光３１ｍの偏光方向と略一致する方向の偏光軸を有していてもよい。複数の偏光装置７００，７０１，７０２，…７０ｋ，…７０ｎはそれぞれ、透過型の偏光子で構成され、所定の偏光成分を所定の方向に透過させるものであってもよい。また、複数の偏光装置７００，７０１，７０２，…７０ｋ，…７０ｎはそれぞれ、反射型の偏光子で構成され、所定の偏光成分を所定の方向に反射させるものであってもよい。
　複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，…ＰＡｋ，…ＰＡｎはそれぞれ、図３乃至図５の構成例と同様に、一対の電極６２ａ，６２ｂの放電方向Ｄｒ１と、パルスレーザ光３１ｍの偏光方向とが略一致するように一対の電極６２ａ，６２ｂが対向配置されていてもよい。一対の電極６２ａ，６２ｂの放電方向Ｄｒ１は、図５に示したようにＸ軸方向であってもよい。一対の電極６２ａ，６２ｂの放電方向Ｄｒ１は、一対の電極６２ａ，６２ｂの対向方向と同じであってもよい。一対の電極６２ａ，６２ｂは、その対向方向が、複数の偏光装置７００，７０１，７０２，…７０ｋ，…７０ｎの偏光軸の方向に略一致するように対向配置されていてもよい。複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，…ＰＡｋ，…ＰＡｎから出力される、増幅されたパルスレーザ光３１ｍの偏光方向は、複数の偏光装置７００，７０１，７０２，…７０ｋ，…７０ｎの偏光軸の方向に略一致していてもよい。
　偏光装置７００は、マスタオシレータ１１０と増幅器ＰＡ１との間に配置され、マスタオシレータ１１０からのパルスレーザ光３１ｍの偏光方向と略同じ偏光方向の光を出力するように配置されていてもよい。偏光装置７０１は、増幅器ＰＡ１とイメージローテータＲ１との間に配置され、増幅器ＰＡ１の放電方向と略同じ偏光方向の光を出力するように配置されていてもよい。イメージローテータＲ１は、偏光装置７０１とリターダＲｔ１との間に配置され、増幅器ＰＡ１によって増幅されたパルスレーザ光３１ｍのビームが所定の角度βだけ回転するように配置されていてもよい。リターダＲｔ１は、入射した光の位相をλ／２ずらす波長板であってもよい。このリターダＲｔ１は、入射した光の偏光方向を－βだけ回転するように配置されていてもよい。すなわち、波長板の光学軸と偏光方向の角度が－β／２となるように配置されていてもよい。
　偏光装置７０ｋは、増幅器ＰＡｋとイメージローテータＲｋとの間に配置され、増幅器ＰＡｋの放電方向と略同じ偏光方向の光を出力するように配置されていてもよい。イメージローテータＲｋは、偏光装置７０ｋとリターダＲｔｋとの間に配置され、増幅器ＰＡｋによって増幅されたパルスレーザ光３１ｍのビームが所定の角度βだけ回転するように配置されていてもよい。偏光装置７０ｎは、増幅器ＰＡｎとレーザ光集光光学系２２ａとの間に配置され、増幅器ＰＡｎの放電方向と略同じ偏光方向の光を出力するように配置されていてもよい。
　　６．４．２　動作
　マスタオシレータ１１０から出力された直線偏光のパルスレーザ光３１ｍは、偏光装置７００を介して偏光状態を維持した状態で、増幅器ＰＡ１に入力され増幅され得る。増幅器ＰＡ１から出力された増幅されたパルスレーザ光３１ｍは、偏光装置７０１を介して偏光状態を維持した状態で、イメージローテータＲ１に入力され得る。増幅されたパルスレーザ光３１ｍのビームは、イメージローテータＲ１を通過することによって、パルスレーザ光３１ｍの光路軸を中心に角度βで回転し得る。その結果、増幅されたパルスレーザ光３１ｍの偏光方向も角度βだけ回転し得る。イメージローテータＲ１を通過したパルスレーザ光３１ｍは、リターダＲｔ１によって偏光方向が－βだけ回転し得る。その結果、増幅器ＰＡ２には、放電方向と偏光方向とが略一致するパルスレーザ光３１ｍがシード光として入力され得る。以下同様の動作を繰り返して、増幅器ＰＡｋの放電方向と増幅器ＰＡｋに入力されるシード光の偏光方向とが略一致するように、適宜、シード光のビームが回転され得る。
　　６．４．３　作用
　この変形例によれば、増幅器の放電方向と増幅器に入力されるシード光の偏光方向とを略一致させ、かつ、シード光のビームを回転させ得るので、一対の電極６２ａ，６２ｂの表面で反射する自励発振光がさらに抑制され得る。
［７．第４の実施形態］
　図９は、比較例に係るレーザ装置３をＹ方向から見た一構成例を概略的に示す。図１０は、第４の実施形態に係るレーザ装置３ＡをＸ方向から見た一構成例を概略的に示す。
　図９に示した比較例に係るレーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、図１に示したＥＵＶ光生成装置１におけるプラズマチャンバとしてのチャンバ２内に入射し、レーザ光集光光学系２２ａによって集光されて、チャンバ２の内部で集光され得る。集光されたパルスレーザ光３３は、ターゲット供給部２６から供給されたターゲット２７に照射され得る。これにより、チャンバ２の内部でターゲット２７がプラズマ化し、プラズマからＥＵＶ光が放射され得る。
　この比較例に係るレーザ装置３では、複数の増幅器ＰＡ１，ＰＡ２，…ＰＡｋ，…ＰＡｎのそれぞれの放電方向が、ターゲット２７の軌道軸Ｙａと略一致するように、一対の電極６２ａ，６２ｂが軌道軸Ｙａと略一致する方向に対向配置されていてもよい。この比較例に係るレーザ装置３では、一対の電極６２ａ，６２ｂの放電方向及び対向方向と、軌道軸Ｙａとが、Ｘ軸方向に略一致していてもよい。この場合、パルスレーザ光３１の軸外方向から逆進して来たターゲット２７からの反射光３８が、例えば増幅器ＰＡｎにおける一対の電極６２ａ，６２ｂの対向する表面に入射し、さらに他の増幅器に向けて反射され、他の増幅器に入射し得る。その結果、反射光３８は増幅器ＰＡｎと他の増幅器とで増幅され、自励発振光となり得る。
　そこで、図１０に示したレーザ装置３Ａのように、パルスレーザ光３１の軸外方向から逆進して来たターゲット２７からの反射光３８が、増幅器ＰＡｎにおける一対の電極６２ａ，６２ｂの対向する表面に入射しないような構成にしてもよい。例えば、ターゲット２７の軌道軸Ｙａに対して、増幅器ＰＡｎにおける一対の電極６２ａ，６２ｂの放電方向及び対向方向が傾くように、一対の電極６２ａ，６２ｂの対向方向がレーザ光路軸を回転中心として回転方向に調整されていてもよい。好ましくは、一対の電極６２ａ，６２ｂの対向方向が、ターゲット２７の軌道軸Ｙａと略直交するように調整されていてもよい。例えば図１０に示したように、ターゲット２７の軌道軸ＹａがＹ軸方向である場合、一対の電極６２ａ，６２ｂの対向方向がＸ軸方向となるように調整されていてもよい。これにより、ターゲット２７からの反射光３８が増幅器ＰＡｎの一対の電極６２ａ，６２ｂの表面に到達して反射するのを抑制し得る。
　なお、以上の説明は、マスタオシレータ１１０からチャンバ２の内部の集光位置までのレーザ光路が一直線上となっている場合を例にしているが、レーザ光路が一直線上になっていない場合であっても、上記と同様の考え方で反射光３８の伝搬を抑制し得る。レーザ光路が一直線上になっていない場合であっても、レーザ光路の状態に応じて、反射光３８が電極表面に入射しないように、一対の電極６２ａ，６２ｂの対向方向が調整されていればよい。
［８．レーザ増幅器のバリエーション］
　８．１　３軸直交型増幅器
　図１１は、例えば図３及び図４に示した増幅器ＰＡｋの他の例として、３軸直交型増幅器の構成例を示している。図１２は、図１１に示した３軸直交型増幅器をＺ１－Ｚ１’線方向から見た断面構成例を示している。
　３軸直交型増幅器は、レーザチャンバ１８０と、入力ウインドウ１８１ａと、出力ウインドウ１８１ｂと、一対の電極１８２ａ，１８２ｂと、第１のミラー１８３ａと、第２のミラー１８３ｂと、クロスフローファン１８６と、ＲＦ電源６５とを含んでいてもよい。３軸直交型増幅器はさらに、熱交換器１８９を含んでいてもよい。クロスフローファン１８６の両端にはモータ１８７と軸受け１８８とが接続されていてもよい。
　レーザチャンバ１８０は、内部にレーザ媒質としてＣＯ2レーザガスを収容してもよい。一対の電極１８２ａ，１８２ｂとＲＦ電源６５は、レーザチャンバ１８０の内部に入射されたシード光３５ａを、レーザ媒質を励起することによって増幅する励起装置であってもよい。一対の電極１８２ａ，１８２ｂはレーザチャンバ１８０の内部に設けられ、放電によって放電領域１８４においてレーザ媒質を励起するものであってもよい。一対の電極１８２ａ，１８２ｂの電極間隔は、例えば１０ｍｍ～６０ｍｍであってもよい。ＲＦ電源６５は、一対の電極１８２ａ，１８２ｂにＲＦ電圧を供給するものであってもよい。
　３軸直交型増幅器では、クロスフローファン１８６によって、一対の電極１８２ａ，１８２ｂ間にレーザガスＧ１が循環供給され得る。ＲＦ電源６５から一対の電極１８２ａ，１８２ｂにＲＦ電圧を供給している状態で、入力ウインドウ１８１ａからシード光３５ａとなるレーザ光をレーザチャンバ１８０の内部に入射させてもよい。入射されたシード光３５ａは、第１のミラー１８３ａと第２のミラー１８３ｂとの間で放電領域１８４内をマルチパスするように反射されてもよい。入射されたシード光３５ａが、一対の電極１８２ａ，１８２ｂ間で励起されたレーザ媒質中をマルチパスするように通過することで増幅され得る。増幅されたシード光３５ａは、出力ウインドウ１８１ｂから増幅レーザ光３５ｂとして出力され得る。
　この構成例のように、シード光３５ａの放電領域１８４内でのパス回数Ｎが増加すればするほど、自励発振光の偏光成分は、放電方向に対して直交する方向の偏光成分の割合が増加し得る。例えば、Ｎ＝５の場合は、自励発振光の偏光成分は、「放電方向に対して直交する方向の偏光成分：放電方向と一致する方向の成分」＝「４０：１」となり得る。
　このように、シード光３５ａをマルチパスさせる増幅器において、図３乃至図５の構成例のように、放電方向Ｄｒ１に対して、略一致するような偏光方向のシード光３５ａを入射させてもよい。また、増幅器の前後の光路上に、シード光３５ａと同じ偏光方向の光を通過させる第１の偏光装置７０ｋ－１及び第２の偏光装置７０ｋを配置してもよい。すなわち、一対の電極１８２ａ，１８２ｂは、図３乃至図５の構成例と同様に、放電方向Ｄｒ１と、シード光３５ａの偏光方向とが略一致するように対向配置されていてもよい。一対の電極１８２ａ，１８２ｂの放電方向Ｄｒ１は、図５の構成例と同様に、Ｘ軸方向であってもよい。一対の電極１８２ａ，１８２ｂの放電方向Ｄｒ１は、一対の電極１８２ａ，１８２ｂの対向方向と同じであってもよい。一対の電極１８２ａ，１８２ｂは、その対向方向が、第１の偏光装置７０ｋ－１及び第２の偏光装置７０ｋの偏光軸の方向に略一致するように対向配置されていてもよい。これにより、一対の電極１８２ａ，１８２ｂの表面で反射する自励発振光が抑制され得る。
　なお、上記第２乃至第４の実施形態に係るレーザ装置におけるレーザ増幅器として、図１１及び図１２に示した３軸直交型増幅器を用いてもよい。
　８．２　スラブ型増幅器
　図１３は、例えば図３及び図４に示した増幅器ＰＡｋのさらに他の例として、スラブ型増幅器の構成例を示している。図１４は、図１３に示したスラブ型増幅器をＸ１－Ｘ１’線方向から見た断面構成例を示している。
　増幅器ＰＡｋは、レーザチャンバ６０内に、レーザ媒質としてのＣＯ2レーザガスが封入され、図示しない冷却水が流れる平板状の一対の電極６２ａ，６２ｂが対向するように配置されたスラブ型増幅器であってもよい。スラブ型増幅器は、レーザチャンバ６０と、入力ウインドウ６１ａと、出力ウインドウ６１ｂと、一対の電極６２ａ，６２ｂと、第１の凹面ミラー６３ａと、第２の凹面ミラー６３ｂと、ＲＦ電源６５とを含んでいてもよい。一対の電極６２ａ，６２ｂの電極間隔は、例えば１．５ｍｍ～６ｍｍであってもよい。
　スラブ型増幅器では、ＲＦ電源６５から一対の電極６２ａ，６２ｂにＲＦ電圧を供給している状態で、入力ウインドウ６１ａからシード光３５ａとなるレーザ光をレーザチャンバ６０の内部に入射させてもよい。入射されたシード光３５ａは、第１の凹面ミラー６３ａと第２の凹面ミラー６３ｂとの間で放電領域６４内をマルチパスするように反射されてもよい。入射されたシード光３５ａが、一対の電極６２ａ，６２ｂ間で励起されたレーザ媒質中をマルチパスするように通過することで増幅され得る。増幅されたシード光３５ａは、出力ウインドウ６１ｂから増幅レーザ光３５ｂとして出力され得る。
　上記した３軸直交型増幅器の場合と同様に、シード光３５ａが放電領域６４内をマルチパスするスラブ型増幅器では、パス回数Ｎが増加すればするほど、自励発振光の偏光成分は、放電方向に対して直交する方向の偏光成分の割合が増加し得る。この偏光成分の割合を抑制するために、図３乃至図５の構成例と同様に、スラブ型増幅器の前後の光路上に、シード光３５ａと同じ偏光方向の光を通過させる第１の偏光装置７０ｋ－１及び第２の偏光装置７０ｋを配置してもよい。これにより、一対の電極６２ａ，６２ｂの表面で反射する自励発振光が抑制され得る。
　なお、上記第２乃至第４の実施形態に係るレーザ装置におけるレーザ増幅器として、図１３及び図１４に示したスラブ型増幅器を用いてもよい。
［９．偏光装置のバリエーション］
　９．１　透過型の偏光子
　図１５は、例えば図３及び図４に示した第１の偏光装置７０ｋ－１及び第２の偏光装置７０ｋの一例として、透過型の偏光子の構成例を示している。透過型の偏光子は、レーザ光を透過する基板８０上に多層膜８１をコーティングしたものであってもよい。多層膜８１は、レーザ光の入射面に対して、Ｐ偏光成分を高透過すると共に、Ｓ偏光成分を高反射するものであってもよい。基板８０の材料は、例えばＣＯ2レーザ光を透過するＺｎＳｅ、ＧａＡｓ、ダイヤモンド等であってもよい。
　９．２　反射型の偏光子
　図１６は、例えば図３及び図４に示した第１の偏光装置７０ｋ－１及び第２の偏光装置７０ｋの他の例として、反射型の偏光子の構成例を示している。反射型の偏光子は、基板８２上に膜８３をコーティングしたものであってもよい。さらに基板８２を冷却装置８４によって冷却するようにしてもよい。膜８３は、レーザ光の入射面に対して、Ｓ偏光成分を高反射すると共に、Ｐ偏光成分を吸収するものであってもよい。高出力ＣＯ2レーザ装置では、熱負荷が大きいので、冷却装置８４によって冷却する反射型の偏光子を使用することによって、反射光の波面の歪みを抑制し得る。
　９．３　複数の反射型の偏光子を組み合わせた例
　図１７は、例えば図３及び図４に示した第１の偏光装置７０ｋ－１及び第２の偏光装置７０ｋのさらに他の例として、複数の反射型の偏光子を組み合わせた偏光装置９０の構成例を示している。偏光装置９０は、４つの反射型の偏光子９１，９２，９３，９４を備えていてもよい。反射型の偏光子９１，９２，９３，９４はそれぞれ、図１６に示した反射型の偏光子と同様に、基板８２上に膜８３をコーティングしたものであってもよい。さらに図１７では図示していないが、基板８２を冷却装置によって冷却するようにしてもよい。反射型の偏光子９１，９２，９３，９４はそれぞれ、図１７に示したように、紙面を含む面内において、レーザ光の入射角度が４５度となるように配置されていてもよい。
　偏光装置９０では、入射された光が、４つの反射型の偏光子９１，９２，９３，９４のそれぞれにおいて、Ｓ偏光成分が高反射されると共に、Ｐ偏光成分を吸収され得る。図１７では、４つの反射型の偏光子９１，９２，９３，９４を組み合わせた例を示したが、組み合わせる反射型の偏光子の数はこれに限定されない。組み合わせる反射型の偏光子の数が多くなればなるほど、偏光装置全体としての消光比が大きくなり得る。
［１０．イメージローテータのバリエーション］
　１０．１　ドーププリズムを用いたイメージローテータ
　図１８及び図１９は、例えば図７及び図８に示したイメージローテータＲ１，Ｒ２，…Ｒｋの一例として、ドーププリズム３６０を用いたイメージローテータの構成例を示している。図１８はドーププリズム３６０を側面方向から見た状態、図１９はドーププリズム３６０を正面方向から見た状態を示している。
　図１８及び図１９では、ドーププリズム３６０を回転する手段を備えたイメージローテータの構成例を示している。ドーププリズム３６０は、回転ステージ３６２によって孔３６２’の内部に支持固定されていてもよい。回転ステージ３６２は、固定ステージ３６１上に配置されていてもよい。回転ステージ３６２には部材３６３が一体的に設けられていてもよい。マイクロメータ３６４と、ばね３６５を内包する支持部材３６６とによって、回転ステージ３６２の部材３６３が挟み込まれるような配置になっていてもよい。これにより、マイクロメータ３６４によって部材３６３を介して回転ステージ３６２が回転駆動されるようになっていてもよい。ドーププリズム３６０を回転ステージ３６２と一体的に回転させることによって、入射する光の回転方向を調整し得る。ドーププリズム３６０の材質は、ＺｎＳｅ等のＣＯ2レーザ光を透過する材料であればよい。
　１０．２　３枚の反射ミラーを用いたイメージローテータの第１の構成例
　図２０は、例えば図７及び図８に示したイメージローテータＲ１，Ｒ２，…Ｒｋの他の例として、３枚の反射ミラー３７１，３７２，３７３を用いたイメージローテータの構成例を示している。ＣＯ2レーザの出力が大きい場合は、図１８及び図１９に示したドーププリズム３６０のような透過型の素子を使用すると、レーザ光の吸収によって、ドーププリズム３６０に温度分布が発生し得る。その結果、屈折率分布が生じ、透過波面が歪み得る。そこで、入射した光がドーププリズム３６０と同様な光路で反射されるように３枚の反射ミラー３７１，３７２，３７３を配置してもよい。３枚の反射ミラー３７１，３７２，３７３の基板には図示しない冷却水を流してもよい。これによって、反射光の波面を抑制し得る。
　１０．３　３枚の反射ミラーを用いたイメージローテータの第２の構成例
　図２１は、例えば図７及び図８に示したイメージローテータＲ１，Ｒ２，…Ｒｋのさらに他の例として、３枚の反射ミラー３８１，３８２，３８３を用いたイメージローテータ３８０の構成例を示している。図２１では、ある光の成分Ｉｇが、イメージローテータ３８０によって回転角度θだけ回転する様子を示している。反射ミラー３８１は、入射した光を９０°の角度で反射ミラー３８２に向けて反射するように配置されていてもよい。反射ミラー３８２は、入射した光をθの角度で反射ミラー３８３に向けて反射するように配置されていてもよい。反射ミラー３８３は、入射した光を９０°の角度で反射するように配置されていてもよい。反射ミラー３８２への光の入射角度をθ／２とすることで、イメージローテータ３８０による回転角度はθとなり得る。
［１１．その他］
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
　本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

Claims (8)

  1. 　入射される直線偏光のレーザ光の偏光方向と略一致する方向の偏光軸を有する第１の偏光デバイスと、
    　前記第１の偏光デバイスの前記偏光軸の方向に略一致する方向の偏光軸を有する第２の偏光デバイスと、
    　対向方向が前記第１の偏光デバイスの前記偏光軸の方向に略一致するように対向配置された一対の放電電極を含み、前記第１の偏光デバイスと前記第２の偏光デバイスとの間に配置されたレーザ増幅器と
    　を備えたレーザ装置。
  2. 　レーザ光を出力するマスタオシレータと、
    　レーザチャンバ内において対向配置された一対の放電電極をそれぞれ含み、前記マスタオシレータから出力されたレーザ光の光路上に配置された複数のレーザ増幅器と
    　を備え、
    　前記複数のレーザ増幅器のうちの一のレーザ増幅器における一対の放電電極の対向方向は、他の一のレーザ増幅器における一対の放電電極の対向方向と異なる
    　レーザ装置。
  3. 　レーザ光を出力するマスタオシレータと、
    　対向配置された一対の放電電極をそれぞれ含み、前記マスタオシレータから出力されたレーザ光の光路上に配置された複数のレーザ増幅器と、
    　前記複数のレーザ増幅器のうち、隣り合う２つのレーザ増幅器の間に配置された少なくとも１つのイメージローテータと
    　を備えたレーザ装置。
  4. 　プラズマチャンバの内部でターゲットにパルスレーザ光を照射することによってＥＵＶ光を生成する極端紫外光生成装置に、前記パルスレーザ光を供給するレーザ装置であって、
    　前記パルスレーザ光のシードとなるレーザ光を出力するマスタオシレータと、
    　対向配置された一対の放電電極を含み、前記マスタオシレータから出力されたレーザ光の光路上に配置されたレーザ増幅器と
    　を備え、
    　前記パルスレーザ光の軸外方向から逆進して来た前記ターゲットからの反射光が、前記レーザ増幅器の前記一対の放電電極の対向表面に入射しないように、前記一対の放電電極の対向方向が前記パルスレーザ光の光軸を回転中心として回転方向に調整されている
    　レーザ装置。
  5. 　ＥＵＶ光が生成されるプラズマチャンバと、パルスレーザ光を前記プラズマチャンバの内部に供給するレーザ装置とを含み、
    　前記レーザ装置は、
    　前記パルスレーザ光のシードとなり、直線偏光のレーザ光を出力するマスタオシレータと、
    　前記直線偏光のレーザ光の偏光方向と略一致する方向の偏光軸を有する第１の偏光デバイスと、
    　前記第１の偏光デバイスの前記偏光軸の方向に略一致する方向の偏光軸を有する第２の偏光デバイスと、
    　対向方向が前記第１の偏光デバイスの前記偏光軸の方向に略一致するように対向配置された一対の放電電極を含み、前記第１の偏光デバイスと前記第２の偏光デバイスとの間に配置されたレーザ増幅器と
    　を備えた極端紫外光生成システム。
  6. 　ＥＵＶ光が生成されるプラズマチャンバと、パルスレーザ光を前記プラズマチャンバの内部に供給するレーザ装置とを含み、
    　前記レーザ装置は、
    　前記パルスレーザ光のシードとなるレーザ光を出力するマスタオシレータと、
    　レーザチャンバ内において対向配置された一対の放電電極をそれぞれ含み、前記マスタオシレータから出力されたレーザ光の光路上に配置された複数のレーザ増幅器と
    　を備え、
    　前記複数のレーザ増幅器のうちの一のレーザ増幅器における一対の放電電極の対向方向は、他の一のレーザ増幅器における一対の放電電極の対向方向と異なる
    　極端紫外光生成システム。
  7. 　ＥＵＶ光が生成されるプラズマチャンバと、パルスレーザ光を前記プラズマチャンバの内部に供給するレーザ装置とを含み、
    　前記レーザ装置は、
    　前記パルスレーザ光のシードとなるレーザ光を出力するマスタオシレータと、
    　対向配置された一対の放電電極をそれぞれ含み、前記マスタオシレータから出力されたレーザ光の光路上に配置された複数のレーザ増幅器と、
    　前記複数のレーザ増幅器のうち、隣り合う２つのレーザ増幅器の間に配置された少なくとも１つのイメージローテータと
    　を備えた極端紫外光生成システム。
  8. 　内部においてターゲットにパルスレーザ光が照射されることによってＥＵＶ光が生成されるプラズマチャンバと、
    　前記ターゲットを前記プラズマチャンバの内部に供給するターゲット供給部と、
    　前記パルスレーザ光を前記プラズマチャンバの内部に供給するレーザ装置と
    　を含み、
    　前記レーザ装置は、
    　前記パルスレーザ光のシードとなるレーザ光を出力するマスタオシレータと、
    　対向配置された一対の放電電極を含み、前記マスタオシレータから出力されたレーザ光の光路上に配置されたレーザ増幅器と
    　を備え、
    　前記パルスレーザ光の軸外方向から逆進して来た前記ターゲットからの反射光が、前記レーザ増幅器の前記一対の放電電極の対向表面に入射しないように、前記一対の放電電極の対向方向が前記パルスレーザ光の光軸を回転中心として回転方向に調整されている
    　極端紫外光生成システム。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104914680A (zh) * 2015-05-25 2015-09-16 中国科学院上海光学精密机械研究所 基于溶胶射流靶的lpp-euv光源系统

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102022205360A1 (de) * 2022-05-30 2023-11-30 Trumpf Lasersystems For Semiconductor Manufacturing Gmbh EUV-Strahlungserzeugung nach einer Laserstrahlrotation

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02237087A (ja) * 1989-03-09 1990-09-19 Toshiba Corp ガスレーザ発振装置
JPH04200886A (ja) * 1990-11-29 1992-07-21 Hitachi Ltd レーザマーキング装置
JPH04369881A (ja) * 1991-06-19 1992-12-22 Toshiba Corp パルスレーザ装置
JPH10112570A (ja) * 1996-10-04 1998-04-28 Komatsu Ltd 狭帯域発振エキシマレーザ
JP2006165484A (ja) * 2004-11-09 2006-06-22 Komatsu Ltd 多段増幅型レーザシステム
JP2008085292A (ja) * 2006-08-29 2008-04-10 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置用ドライバーレーザ
JP2010118518A (ja) * 2008-11-13 2010-05-27 Gigaphoton Inc ２ステージレーザ装置および２ステージレーザ装置に適用される調整方法
JP2012109417A (ja) * 2010-11-17 2012-06-07 Komatsu Ltd スラブ型増幅装置、レーザ装置および極端紫外光源装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0315031A1 (de) * 1987-11-05 1989-05-10 Siemens Aktiengesellschaft Laserröhre für polarisierte Strahlung
US7916388B2 (en) 2007-12-20 2011-03-29 Cymer, Inc. Drive laser for EUV light source
US7518787B2 (en) * 2006-06-14 2009-04-14 Cymer, Inc. Drive laser for EUV light source
US20040202220A1 (en) * 2002-11-05 2004-10-14 Gongxue Hua Master oscillator-power amplifier excimer laser system
JP4213184B2 (ja) * 2004-08-12 2009-01-21 三菱電機株式会社 基本波光源及び波長変換器
JP4932592B2 (ja) 2007-05-14 2012-05-16 株式会社小松製作所 極端紫外光源装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02237087A (ja) * 1989-03-09 1990-09-19 Toshiba Corp ガスレーザ発振装置
JPH04200886A (ja) * 1990-11-29 1992-07-21 Hitachi Ltd レーザマーキング装置
JPH04369881A (ja) * 1991-06-19 1992-12-22 Toshiba Corp パルスレーザ装置
JPH10112570A (ja) * 1996-10-04 1998-04-28 Komatsu Ltd 狭帯域発振エキシマレーザ
JP2006165484A (ja) * 2004-11-09 2006-06-22 Komatsu Ltd 多段増幅型レーザシステム
JP2008085292A (ja) * 2006-08-29 2008-04-10 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置用ドライバーレーザ
JP2010118518A (ja) * 2008-11-13 2010-05-27 Gigaphoton Inc ２ステージレーザ装置および２ステージレーザ装置に適用される調整方法
JP2012109417A (ja) * 2010-11-17 2012-06-07 Komatsu Ltd スラブ型増幅装置、レーザ装置および極端紫外光源装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104914680A (zh) * 2015-05-25 2015-09-16 中国科学院上海光学精密机械研究所 基于溶胶射流靶的lpp-euv光源系统

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