WO2015039501A1 - 电致发光显示装置及其制备方法 - Google Patents

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张玉欣
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Abstract

一种电致发光显示装置及其制备方法,该装置包括彩膜基板(10),所述彩膜基板(10)包括:第一基板(11),依次设置于第一基板(11)上的第一电极(14)、有机发光层(15)和第二电极(16)。所述彩膜基板(10)还包括:第一保护层(17),设置在所述第二电极(16)上,且包覆所述第二电极(16)及第二电极下方的有机发光层(15);第一连接电极(18),设置于所述第一保护层(17)上,且与所述第二电极(16)相连接。能够提升电致发光显示装置的可靠性,延长其使用寿命。

Description

电致发光显示装置及其制备方法 技术领域
本发明的实施例涉及一种电致发光显示装置及其制备方法。 背景技术
有机发光二极管 (Organic Light Emitting Diode, OLED )显示装置, 又 叫有机电致发光显示装置, 由于同时具备自发光、 不需背光源、 对比度高、 厚度薄、 视角广、 反应速度快、 使用温度范围广、 构造及制程简单等优异特 性, 近来已被普遍应用于移动通信终端、 个人数字助理(PDA ) 、 掌上电脑 等。 OLED显示装置分为无源矩阵型和有源矩阵型。 有源矩阵型 OLED显示 装置是指每个 OLED都由薄膜晶体管 ( Thin Film Transistor, TFT ) 电路来 控制, 具有发光效率高和图像显示效果好的特点。
现有的有源矩阵型 OLED显示装置如图 1所示, 包括彩膜基板 10和阵 列基板 20。 彩膜基板的制作工艺包括: 在第一基板 11上依次形成彩色滤光 层、 平坦层 13、 第一电极 14、 有机发光层 ( Organic Electro-Luminescence, 有机 EL ) 15和第二电极 16。 彩色滤光层由黑矩阵 121及被黑矩阵 121分隔 开的色阻块 122构成。阵列基板的制作工艺包括:在第二基板 21形成薄膜晶 体管 22,在薄膜晶体管 22上覆盖保护层 23,再在保护层 23上形成连接电极 24。连接电极 24通过保护层 23中的过孔与薄膜晶体管 22的漏极电连接。最 后, 在彩膜基板 10和 /或阵列基板 20的边缘涂敷封框胶 30, 将彩膜基板 10、 阵列基板 20进行对盒, 第二电极 16与阵列基板 20上的连接电极 24——对 应接触以实现电连接。
在上述如图 1所示的 OLED显示装置中, 有机发光层 15直接处于彩膜 基板 10、 阵列基板 20和封框胶 30围成的空间中, 因封框胶 30的密封效果 不够, 空气中的氧和水汽极容易破坏有机发光层 15,导致 OLED显示装置的 使用寿命及可靠性受到影响。 发明内容 根据本发明的实施例, 提供一种电致发光显示装置。 该装置包括: 彩膜 基板; 所述彩膜基板包括: 第一基板, 依次设置于所述第一基板上的第一电 极、 有机发光层和第二电极。 所述彩膜基板还包括: 第一保护层, 设置在所 述第二电极上, 且包覆所述第二电极及第二电极下方的有机发光层; 第一连 接电极, 设置于所述第一保护层之上, 且与所述第二电极相连接。
例如, 在所述第一连接电极的设置位置处, 所述第一保护层沿远离所述 第二电极的方向凸起, 形成凸台; 在所述凸台处, 所述第一保护层设置有第 一保护层过孔; 所述第一连接电极通过所述第一保护层过孔连接至所述第二 电极。
例如, 所述彩膜基板还包括: 设置在所述第一基板和所述第一电极之间 的彩色滤光层; 所述彩色滤光层包括: 黑矩阵以及由所述黑矩阵分隔开的色 阻块; 所述第二电极位于所述色阻块的对应位置, 所述第一连接电极设置在 所述黑矩阵的对应位置; 在对应所述第一连接电极的区域, 所述第一保护层 沿远离所述第二电极的方向凸起, 形成凸台; 所述第一保护层在所述第二电 极所在位置处设置有窗口, 所述第二电极的部分或全部自所述窗口露出; 所 述第一连接电极设置在所述凸台上, 且所述第一连接电极延伸至所述窗口, 部分覆盖或全部覆盖所述第二电极的棵露部分。
例如, 所述凸台的高度为 1.5~2.5微米。
例如, 所述第一连接电极的厚度为 0.3~1微米。
例如, 所述第一保护层由氮化硅、 氧化硅、 感光树脂或者它们的组合制 成。
例如, 所述感光树脂为: 聚丙烯酸类树脂, 或者聚酰亚胺类树脂, 或者 聚酰胺类树脂。
例如, 所述装置还包括: 阵列基板; 所述阵列基板包括: 第二基板; 依 次设置在第二基板上的薄膜晶体管, 覆盖于所述薄膜晶体管之上的保护层, 以及设置在所述保护层之上的第二连接电极;所述保护层设置有保护层过孔, 所述第二连接电极通过所述保护层过孔连接至所述薄膜晶体管的漏极。
例如, 所述第二连接电极与所述第一连接电极接触且电连接。
例如, 在所述第二连接电极的设置位置处, 所述保护层沿远离所述薄膜 晶体管的方向凸起, 形成凸台。 根据本发明的实施例, 提供一种电致发光显示装置的制备方法。 该方法 包括彩膜基板制程。 所述彩膜基板制程包括: 在第一基板上形成第一电极、 有机发光层和第二电极; 在形成有第一电极、 有机发光层和第二电极的第一 基板上, 形成第一保护层, 所述第一保护层包覆所述第二电极及第二电极下 方的有机发光层; 在形成有第一电极、 有机发光层、 第二电极和第一保护层 的第一基板上, 形成第一连接电极, 所述第一连接电极与所述第二电极相连 接。
例如, 所述形成第一保护层的步骤包括: 形成第一保护层, 并通过构图 工艺, 在所述第一保护层的要形成第一连接电极的位置处形成凸台, 同时在 所述凸台上形成第一保护层过孔。
例如, 在于第一基板上形成第一电极、 有机发光层和第二电极之前, 所 述方法还包括: 形成彩色滤光层, 所述彩色滤光层包括: 黑矩阵以及由所述 黑矩阵分隔开的色阻块; 所述形成第一保护层的步骤包括:形成第一保护层, 并通过构图工艺,在所述第一保护层的要形成第一连接电极的位置形成凸台, 同时在所述第二电极所在位置处形成窗口, 所述第二电极的部分或全部自所 述窗口露出, 所述第二电极位于所述色阻块的对应位置, 所述第一连接电极 位于所述黑矩阵的对应位置; 形成第一连接电极的步骤包括: 形成电极层, 并通过构图工艺, 在所述凸台上及所述第二电极的棵露部分上形成第一连接 电极, 所述第一连接电极部分覆盖或全部覆盖所述第二电极的棵露部分。
例如, 所述方法还包括阵列基板制程, 阵列基板制程包括: 在第二基板 上形成薄膜晶体管; 在所述薄膜晶体管上形成保护层, 并通过构图工艺在所 述薄膜晶体管漏极的上方形成保护层过孔; 在所述保护层上形成第二连接电 极, 所述第二连接电极通过所述保护层过孔连接至所述薄膜晶体管的漏极。
例如, 所述阵列基板制程还包括: 在所述第二连接电极的设置位置处, 使所述保护层沿远离所述薄膜晶体管的方向凸起, 形成凸台。 附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案, 下面将对实施例的附图作 简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例, 而非对本发明的限制。 图 1为现有的有源矩阵型 OLED显示装置的结构示意图; 图 2为本发明实施例提供的电致发光显示装置的结构示意图一; 图 3为本发明实施例提供的电致发光显示装置的结构示意图二; 图 4为本发明实施例提供的电致发光显示装置的结构示意图三; 图 5为本发明实施例提供的电致发光显示装置的结构示意图四; 图 6 ( a )为本发明实施例中彩膜基板在形成保护层之前的结构示意图; 图 6 ( b )为本发明实施例中彩膜基板在形成保护层之后的结构示意图一; 图 6 ( c )为本发明实施例中彩膜基板在形成保护层之后的结构示意图二。 具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图, 对本发明实施例的技术方案进行清楚、 完整地描述。 显然, 所描述的实施例 是本发明的一部分实施例, 而不是全部的实施例。 基于所描述的本发明的实 施例, 本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实 施例, 都属于本发明保护的范围。
本发明专利申请说明书以及权利要求书中使用的 "第一" 、 "第二" 以 及类似的词语并不表示任何顺序、 数量或者重要性, 而只是用来区分不同的 组成部分。
本发明实施例提供一种电致发光显示装置, 如图 2所示, 该装置包括: 彩膜基板 10和阵列基板 20。彩膜基板 10包括: 第一基板 11 ,依次设置于第 一基板 11上的彩色滤光层、平坦层 13、 第一电极 14、有机发光层 15和第二 电极 16。 彩膜基板 10还包括: 第一保护层 17, 设置在第二电极 16上, 且包 覆第二电极 16及第二电极 16下方的有机发光层 15; 第一连接电极 18,设置 于第一保护层 17之上, 且第一连接电极 18与第二电极 16相连接。
本发明实施例中在形成有第一电极 14、有机发光层 15和第二电极 16的 彩膜基板上, 整个覆盖一层第一保护层 17, 意即用第一保护层 17将第二电 极 16及第二电极 16下方的有机发光层 15整个包覆, 保证有机发光层 15没 有任何部分暴露在外。 第一保护层 17之上设置有第一连接电极 18, 第一连 接电极 18通过第一保护层 17内的第一保护层过孔 172与第二电极 16连接。
本发明实施例中用第一保护层 17将第二电极 16及第二电极 16下方的有 机发光层 15整个包覆,可防止水和氧破坏有机发光层 15,从而可提升 OLED 显示装置的可靠性, 延长其使用寿命。
如图 3所示, 在第一连接电极 18的设置位置处, 第一保护层 17沿远离 第二电极 16的方向凸起, 形成凸台 171 ; 第一保护层过孔 172位于凸台 171 上, 第一连接电极 18通过第一保护层过孔 172连接至第二电极 16。
第一保护层 17形成为具有凸台,在凸台 171上开设第一保护层过孔 172, 每一凸台 171上设置一第一连接电极 18, 第一连接电极 18通过第一保护层 过孔 172与第二电极 16相连。 凸台 171及第一连接电极 18的位置与阵列基 板上用以驱动的薄膜晶体管相对应。
另夕卜,如图 2和图 3所示,本发明实施例中的电致发光显示装置还包括: 阵列基板 20; 阵列基板 20包括: 第二基板 21, 第二基板 21上依次设置有薄 膜晶体管 22, 覆盖于薄膜晶体管 22之上的保护层 23, 以及设置在保护层 23 之上的第二连接电极 25。 保护层 23设置有保护层过孔 231, 第二连接电极 25通过保护层过孔 231连接至薄膜晶体管 22的漏极。 在彩膜基板 10和 /或 阵列基板 20的边缘涂敷封框胶 30,将彩膜基板 10、阵列基板 20进行对盒形 成电致发光显示装置, 对盒后第二连接电极 25与第一连接电极 18接触且电 连接, 从而将用以驱动的薄膜晶体管 22和第二电极 16连接。
需要说明的是, 阵列基板 20上设置有 TFT电路(驱动电路) , 用以对 OLED实现驱动和补偿作用。 本发明实施例中通过对盒时第一、 第二连接电 极的对接, 从而实现驱动电路和发光器件的电连接。 所述 TFT电路至少包括 用以驱动的薄膜晶体管 22, 但 TFT电路的具体实现方式与本发明实施例并 无直接关系,也不影响本发明实施例的实施效果。因此,本发明实施例对 TFT 电路的实现方式不做限定, 可以是本领域技术人员所熟知的任意实现方式。
图 3所示的凸台设计可垫高第一连接电极 18,阵列基板和彩膜基板对盒 后承力点在第一连接电极 18和第二连接电极 25的接触面上, 因此可提升第 一连接电极 18和第二连接电极 25电连接的可靠性。 另一方面, 通过凸台将 第一连接电极 18垫高, 同时第一保护层 17包覆有机发光层 15, 可避免对盒 过程中及对盒后彩膜基板与阵列基板相互挤压或摩擦对有机发光层 15造成 损伤。
如图 4所示, 彩色滤光层包括: 黑矩阵 121以及由黑矩阵 121分隔开的 色阻块 122。 第二电极 16位于色阻块 122的对应位置, 第一连接电极 18设 置在黑矩阵 121 的对应位置。 在对应第一连接电极 18的区域, 第一保护层
17沿远离第二电极 16的方向凸起, 形成凸台 171。 第一保护层 17在第二电 极 16处设置有窗口 173, 第二电极 16的部分或全部自窗口 173露出。 第一 连接电极 18设置在凸台 171上, 且第一连接电极 18延伸至窗口 173, 部分 覆盖或全部覆盖第二电极 16的棵露部分。
例如,本发明实施例所述色阻块 122包括但不限于红 /绿 /蓝色块( R/G/B )。 本发明实施例中的窗口 173位于彩色滤光层中色阻块 122的对应区域, 凸台
171位于黑矩阵 121的对应区域,对盒时第二连接电极 25与凸台 171上的第 一连接电极 18接触且电连接。对盒后承力点在凸台 171上, 因此本发明实施 例的凸台设计可进一步降低色阻块 122对应区域(像素区域) 的有机发光层
15的受力, 从而更好地保护有机发光层 15。
如图 5所示, 阵列基板 20上, 在第二连接电极 25对应区域, 保护层 23 沿远离薄膜晶体管 22的的方向凸起, 形成第二凸台 232; 保护层过孔 231设 置在第二凸台 232上。第二连接电极 25通过第二凸台 232垫高,可避免因对 盒过程中及对盒后, 因彩膜基板 10与阵列基板 20相互挤压或摩擦对薄膜晶 体管阵列造成损伤, 提高良品率。
例如, 第一保护层 17由氮化硅、 氧化硅、 感光树脂或它们的组合制成。 所述感光树脂可为: 聚丙烯酸类树脂, 或者聚酰亚胺类树脂, 或者聚酰胺类 树脂。 例如, 先形成氮化硅膜层, 再在氮化硅膜层上形成氧化硅膜层, 氮化 硅膜层和氧化硅膜层共同构成第一保护层 17。
例如, 所述凸台 172的高度为 1.5 2.5微米。 第一连接电极 18的厚度为
0.3~1微米。 由于凸台的垫高作用, 第一连接电极 18及第二连接电极 25可 制备的薄一些, 缩短成膜时间和刻蚀时间, 从而简化工艺, 提升生产效率。
本发明实施例所述电致发光显示装置, 一方面可防止水和氧破坏有机发 光层, 从而提升电致发光显示装置的可靠性, 延长其使用寿命; 另一方面, 可避免彩膜基板与阵列基板相互挤压或摩擦导致的不良,提高产品的良品率。
本发明实施例还提供一种电致发光显示装置的制备方法, 该方法包括: 彩膜基板制程, 阵列基板制程, 彩膜基板和阵列基板对盒制程。 彩膜基板制 程包括以下步骤。 101、在第一基板 11上形成第一电极 14、有机发光层 15和第二电极 16。 如图 6 ( a )所示, 在彩膜基板的基底基板 (即第一基板 11 )上依次形成 彩色滤光层、 平坦层 13、 第一电极 14、 有机发光层 15和第二电极 16。 彩色 滤光层、平坦层 13、 第一电极 14、有机发光层 15和第二电极 16可釆用任何 已知的材料和方法形成, 在此不再赘述。
102、 在形成有第一电极 14、 有机发光层 15和第二电极 16的第一基板 上, 形成第一保护层 17, 第一保护层 17包覆第二电极 16及第二电极 16下 方的有机发光层 15, 如图 6 ( b )所示。
例如, 第一保护层 17由氮化硅、 氧化硅、 感光树脂或它们的组合形成。 例如, 第一保护层 17选用感光树脂, 选用感光树脂一方面成膜简单, 另一方 面在形成第一保护层过孔 172时, 只需经过曝光、 显影即可而不需要蝕刻。
103、在形成有第一电极 14、有机发光层 15、 第二电极 16和第一保护层 17的第一基板上,形成第一连接电极 18,第一连接电极 18与第二电极 16(例 如, 通过第一保护层过孔 172 )相连接, 参照图 2、 图 3所示。
本发明实施例提供一种电致发光显示装置的制备方法, 使用第一保护层
17将第二电极 16及第二电极 16下方的有机发光层 15整个包覆, 保证有机 发光层 15没有任何部分暴露在外, 可防止水和氧破坏有机发光层 15, 从而 可提升电致发光显示装置的可靠性, 延长其使用寿命。
例如, 可将第一保护层 17设置成具有凸台, 如图 6 ( c )所示。 这时, 形成第一保护层 17的步骤 102包括:
步骤一、 形成第一保护层 17;
步骤二、 通过构图工艺, 在第一保护层 17的要形成第一连接电极 18的 位置形成凸台 171, 同时在凸台 171上形成第一保护层过孔 172。
参照图 4所示, 步骤 101在第一基板上形成第一电极、 有机发光层和第 二电极之前, 还包括: 形成彩色滤光层, 所述彩色滤光层包括: 黑矩阵 121 以及由所述黑矩阵 121分隔开的色阻块 122。 在此情形下, 步骤 102包括: 形成第一保护层 17, 并通过构图工艺, 在第一保护层 17上要形成第一连接 电极 18的位置形成凸台 171, 同时在第二电极 16所在处形成窗口 173,第二 电极 16的部分或全部自窗口 173露出, 第二电极 16位于色阻块 122的对应 位置,要形成的第一连接电极 18位于黑矩阵 121的对应位置。步骤 103包括: 形成电极层,并通过构图工艺,在凸台 171上及第二电极 16的棵露部分上形 成第一连接电极 18,第一连接电极 18部分覆盖或全部覆盖第二电极 16的棵 露部分。
以第一保护层釆用光刻胶(感光树脂中的一种) 为例, 电致发光显示装 置的制备方法包括如下步骤。
步骤一、 在彩膜基板上制备第一电极 14、 有机发光层 15、 第二电极 16, 并在第二电极 16上涂覆感光树脂,通过曝光、显影的工艺在要形成第一连接 电极的位置制备出凸台 171,同时在第二电极 16所在的位置处形成窗口 173; 步骤二、 制备电极层, 然后釆用涂覆光刻胶, 曝光、 显影、 刻蚀、 去除 光刻胶等图案化工艺,在凸台 171上及第二电极 16的棵露部分上形成第一连 接电极 18; 第一连接电极 18部分覆盖或全部覆盖凸台 171及第二电极 16自 窗口 173处棵露出的部分,从而第一连接电极 18与第二电极 16实现电连接, 其中所述的电极层一般为金属膜, 包括但不限于铜、 钼、 锡、 铝、 银等。
本发明实施例将第一保护层 17设置成凸台形状,可避免彩膜基板与阵列 基板相互挤压或摩擦导致的不良, 提高产品的良品率。
参照图 2所示, 本发明实施例所述阵列基板制程包括: 步骤一、 形成薄 膜晶体管 22; 步骤二、 在薄膜晶体管 22上形成保护层 23, 并通过构图工艺 在薄膜晶体管 22漏极的上方形成保护层过孔 232; 步骤三、 在保护层上形成 第二连接电极 25,第二连接电极 25通过保护层 23过孔连接至薄膜晶体管 22 的漏极。
进一步地,本发明实施例还可将保护层 23设置成凸台形状,第二连接电 极 25通过第二凸台 232垫高, 以避免对盒过程中及对盒后, 因彩膜基板 10 与阵列基板 20相互挤压或摩擦对薄膜晶体管阵列造成损伤,提高良品率。参 照图 5所示, 在薄膜晶体管 22上形成保护层 23可包括: 形成保护层 17; 通 过构图工艺, 在保护层 23 的要形成第二连接电极 25 的位置形成第二凸台 232, 同时在第二凸台 232上薄膜晶体管 22漏极的对应位置, 形成保护层过 孔 231。
完成彩膜基板制程和阵列基板制程后, 将带有凸台的彩膜基板和阵列基 板进行对盒,使阵列基板上的第二连接电极 25与位于彩膜基板凸台 171上的 第一连接电极 18相接触, 从而实现驱动电路和发光器件的电连接。 综上, 本发明实施例提供的电致发光显示装置的制备方法, 一方面可防 止水和氧破坏有机发光层, 进而提升电致发光显示装置的可靠性, 延长其使 用寿命; 另一方面,可避免彩膜基板与阵列基板相互挤压或摩擦导致的不良, 提高产品的良品率。
以上所述仅是本发明的示范性实施方式, 而非用于限制本发明的保护范 围, 本发明的保护范围由所附的权利要求确定。
本申请要求于 2013年 9月 23日递交的第 201310436149.X号中国专利申 请的优先权, 在此全文引用上述中国专利申请公开的内容以作为本申请的一 部分。

Claims

权利要求书
1、 一种电致发光显示装置, 包括: 彩膜基板; 所述彩膜基板包括: 第一 基板, 依次设置于所述第一基板上的第一电极、 有机发光层和第二电极; 其中所述彩膜基板还包括:
第一保护层, 设置在所述第二电极上, 且包覆所述第二电极及第二电极 下方的有机发光层;
第一连接电极,设置于所述第一保护层之上,且与所述第二电极相连接。
2、 根据权利要求 1所述的装置, 其中
在所述第一连接电极的设置位置处, 所述第一保护层沿远离所述第二电 极的方向凸起, 形成凸台;
在所述凸台处, 所述第一保护层设置有第一保护层过孔; 所述第一连接 电极通过所述第一保护层过孔连接至所述第二电极。
3、 根据权利要求 1所述的装置, 其中
所述彩膜基板还包括: 设置在所述第一基板和所述第一电极之间的彩色 滤光层; 所述彩色滤光层包括: 黑矩阵以及由所述黑矩阵分隔开的色阻块; 所述第二电极位于所述色阻块的对应位置, 所述第一连接电极设置在所 述黑矩阵的对应位置;
在对应所述第一连接电极的区域, 所述第一保护层沿远离所述第二电极 的方向凸起, 形成凸台;
所述第一保护层在所述第二电极所在位置处设置有窗口, 所述第二电极 的部分或全部自所述窗口露出;
所述第一连接电极设置在所述凸台上, 且所述第一连接电极延伸至所述 窗口, 部分覆盖或全部覆盖所述第二电极的棵露部分。
4、 根据权利要求 2或 3所述的装置, 其中所述凸台的高度为 1.5~2.5微 米。
5、 根据权利要求 2或 3所述的装置, 其中所述第一连接电极的厚度为 0.3-1微米。
6、 根据权利要求 1-3所述的装置, 其中所述第一保护层由氮化硅、 氧化 硅、 感光树脂或者它们的组合制成。
7、根据权利要求 6所述的装置,其中所述感光树脂为:聚丙烯酸类树脂, 或者聚酰亚胺类树脂, 或者聚酰胺类树脂。
8、根据权利要求 1所述的装置,还包括: 阵列基板; 所述阵列基板包括: 第二基板; 依次设置在第二基板上的薄膜晶体管, 覆盖于所述薄膜晶体管之 上的保护层, 以及设置在所述保护层之上的第二连接电极;
所述保护层设置有保护层过孔, 所述第二连接电极通过所述保护层过孔 连接至所述薄膜晶体管的漏极。
9、根据权利要求 8所述的装置,其中所述第二连接电极与所述第一连接 电极接触且电连接。
10、 根据权利要求 8所述的装置, 其中在所述第二连接电极的设置位置 处, 所述保护层沿远离所述薄膜晶体管的方向凸起, 形成凸台。
11、 一种电致发光显示装置的制备方法, 包括: 彩膜基板制程, 其中所 述彩膜基板制程, 包括:
在第一基板上形成第一电极、 有机发光层和第二电极;
在形成有第一电极、 有机发光层和第二电极的第一基板上, 形成第一保 护层, 所述第一保护层包覆所述第二电极及第二电极下方的有机发光层; 在形成有第一电极、有机发光层、第二电极和第一保护层的第一基板上, 形成第一连接电极, 所述第一连接电极与所述第二电极相连接。
12、根据权利要求 11所述的制备方法,其中所述形成第一保护层的步骤 包括:
形成第一保护层, 并通过构图工艺, 在所述第一保护层的要形成第一连 接电极的位置处形成凸台, 同时在所述凸台上形成第一保护层过孔。
13、 根据权利要求 11所述的制备方法, 其中
在于第一基板上形成第一电极、 有机发光层和第二电极之前, 所述方法 还包括: 形成彩色滤光层, 所述彩色滤光层包括: 黑矩阵以及由所述黑矩阵 分隔开的色阻块;
所述形成第一保护层的步骤包括: 形成第一保护层, 并通过构图工艺, 在所述第一保护层的要形成第一连接电极的位置形成凸台, 同时在所述第二 电极所在位置处形成窗口, 所述第二电极的部分或全部自所述窗口露出, 所 述第二电极位于所述色阻块的对应位置, 所述第一连接电极位于所述黑矩阵 的对应位置;
形成第一连接电极的步骤包括: 形成电极层, 并通过构图工艺, 在所述 凸台上及所述第二电极的棵露部分上形成第一连接电极, 所述第一连接电极 部分覆盖或全部覆盖所述第二电极的棵露部分。
14、根据权利要求 11所述的制备方法,其中所述方法还包括阵列基板制 程, 阵列基板制程包括:
在第二基板上形成薄膜晶体管;
在所述薄膜晶体管上形成保护层, 并通过构图工艺在所述薄膜晶体管漏 极的上方形成保护层过孔;
在所述保护层上形成第二连接电极, 所述第二连接电极通过所述保护层 过孔连接至所述薄膜晶体管的漏极。
15、根据权利要求 14所述的制备方法, 所述阵列基板制程还包括: 在所 述第二连接电极的设置位置处, 使所述保护层沿远离所述薄膜晶体管的方向 凸起, 形成凸台。
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