CN109285873B - 显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

显示基板及其制作方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109285873B
CN109285873B CN201811245065.7A CN201811245065A CN109285873B CN 109285873 B CN109285873 B CN 109285873B CN 201811245065 A CN201811245065 A CN 201811245065A CN 109285873 B CN109285873 B CN 109285873B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
display
electrode
conductive part
sub
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811245065.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109285873A (zh
Inventor
李晓虎
黄清雨
焦志强
刘暾
闫华杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201811245065.7A priority Critical patent/CN109285873B/zh
Publication of CN109285873A publication Critical patent/CN109285873A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109285873B publication Critical patent/CN109285873B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/127Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two substrates, e.g. display comprising OLED array and TFT driving circuitry on different substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/127Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two substrates, e.g. display comprising OLED array and TFT driving circuitry on different substrates
    • H10K59/1275Electrical connections of the two substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供一种显示基板,包括:第一基底;包括多个显示区,显示区包括:至少一个第一子像素区,第一子像素区内设有驱动晶体管;第一基底上还设有公共信号线;第二基底,与显示区一一对应;第二基底包括与相应显示区中第一子像素区一一对应的第二子像素区;第二子像素区内设有发光器件,发光器件包括第一电极、第二电极和发光功能层;显示基板还包括:贯穿第二基底的第一连接件和第二连接件,第一电极通过第一连接件与对应的第一子像素区内的漏极相连;第二电极通过第二连接件与公共信号线相连。相应地,本发明还提供一种显示基板的制作方法和显示装置。本发明能够利用小尺寸的掩膜板来制作大尺寸的显示基板,从而降低生产成本,提高产品质量。

Description

显示基板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
近年来,有机电致发光(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示装置因具有自发光、广视角、响应快、功耗低以及可柔性显示等优点而广泛应用在显示领域中。现有的有机电致发光显示装置通常包括背板和设于背板上有机发光材料层,而有机发光材料层一般是通过蒸镀工艺制成的,具体地,使用精细金属掩膜板(Fine Metal Mask,FMM)作掩膜,利用蒸镀工艺将有机材料蒸镀到各像素单元中。
当制作大尺寸的显示基板时,精细金属掩膜板的尺寸相应增大,而当精细金属掩膜板的尺寸较大时,其成本较高,且较大的重力会导致掩膜板中部下沉。因此,如果利用精细金属掩膜板来制作大尺寸有机电致发光显示装置,将会增加制作成本,且容易造成显示装置中不同像素之间发生混色。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种显示基板及其制作方法、显示装置。
为了实现上述目的,本发明提供一种显示基板,包括:
第一基底;所述第一基底包括多个显示区,每个显示区包括:至少一个第一子像素区,所述第一基底上且位于所述第一子像素区内设置有驱动晶体管;所述第一基底上还设置有公共信号线;
第二基底,所述第二基底与所述显示区一一对应;所述第二基底包括:与相应显示区中的第一子像素区一一对应的第二子像素区;所述第二基底上且位于所述第二子像素区内设置有发光器件,发光器件包括:第一电极、第二电极和发光功能层;
所述显示基板还包括:贯穿第二基底的第一连接件和第二连接件,所述第一连接件与所述第一电极一一对应;所述第一电极通过对应的第一连接件与对应的第一子像素区内的驱动晶体管的漏极相连;所述第二电极通过所述第二连接件与所述公共信号线相连。
可选地,所述第二基底上设置有第一通孔和第二通孔,所述第一通孔与所述第一连接件一一对应,所述第二通孔与所述第二连接件一一对应;
所述第一连接件包括第一导电部和第二导电部,所述第一导电部设置在所述第一通孔内且与所述第一电极相连,所述第二导电部将所述第一导电部与所述驱动晶体管的漏极相连;
所述第二连接件包括第三导电部和第四导电部,所述第三导电部设置在所述第二通孔内且与所述第二电极相连,所述第四导电部将所述第三导电部与所述公共信号线相连。
可选地,所述第一导电部和所述第三导电部均采用金属制成,所述第二导电部和第四导电部均采用银胶制成。
可选地,每个显示区中均设置有所述公共信号线,不同显示区中的公共信号线彼此独立。
相应地,本发明还提供一种显示基板的制作方法,包括:
提供第一基底,所述第一基底包括多个显示区,每个显示区包括至少一个第一子像素区;
在所述第一基底上的每个第一子像素区内形成驱动晶体管;
在所述第一基底上形成公共信号线;
提供多个第二基底;所述第二基底与所述显示区一一对应;所述第二基底包括:与相应显示区中的第一子像素区一一对应的第二子像素区;
形成贯穿所述第二基底的第一连接件和第二连接件;
在多个第二基底上分别形成发光器件,第二基底上的每个第二子像素区中均形成有所述发光器件,所述发光器件包括:第一电极、第二电极和发光功能层;所述第一连接件与所述第一电极一一对应;
将每个形成有所述发光器件的第二基底固定在相应的显示区中,并使得所述第一电极通过对应的第一连接件与对应的第一子像素区中的驱动晶体管的漏极相连;所述第二电极通过所述第二连接件与所述公共信号线相连。
可选地,形成贯穿所述第二基底的第一连接件和第二连接件的步骤包括:
在所述第二基底上形成第一通孔和第二通孔,所述第一通孔与所述第一连接件一一对应,所述第二通孔与所述第二连接件一一对应;
在所述第一通孔内形成第一导电部,并在所述第二通孔形成第三导电部;所述第一导电部与所述第一电极相连;所述第三导电部与所述第二电极相连;
在所述第一导电部背离所述发光器件的一端或在形成有驱动晶体管的第一基底上形成第二导电部,在所述第三导电部背离所述发光器件的一端或在形成有驱动晶体管的第一基底上形成第四导电部;所述第一导电部与所述第二导电部一一对应,所述第三导电部与所述第四导电部一一对应;
所述将每个形成有所述发光器件的第二基底固定在相应的显示区中,并使得所述第一电极通过对应的第一连接件与对应的第一子像素区中的驱动晶体管的漏极相连的步骤包括:
将每个第二基底固定在相应的显示区中,并使所述第一导电部通过对应的第二导电部与对应的薄膜晶体管的漏极相连,所述第三导电部通过对应的第四导电部与公共电极线相连。
可选地,所述在所述第一通孔内形成第一导电部,并在所述第二通孔形成第三导电部的步骤包括:
在所述第一通孔的内壁上形成第一金属层,并在所述第二通孔的内壁上形成第二金属层;
通过电镀工艺在所述第一通孔内形成覆盖第一金属层的第三金属层,并在所述第二通孔内形成覆盖第二金属层的第四金属层;所述第一金属层和所述第三金属层构成所述第一导电部,所述第二金属层和所述第四金属层构成所述第三导电部。
可选地,所述第二导电部和所述第四导电部均采用银胶制成。
可选地,所述公共信号线的数量为多条,每个显示区中均设置有所述公共信号线,不同显示区的公共信号线彼此独立。
相应地,本发明还提供一种显示装置,包括上述显示基板。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本发明,但并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1为本发明实施例一提供的显示基板的结构示意图;
图2为显示基板中第一基底上的驱动晶体管和公共信号线的整体结构示意图;
图3为第一基底及驱动器件层的部分区域的具体结构示意图;
图4为第二基底及设置在第二基底上的结构的示意图;
图5为本发明实施例二提供的一种显示基板的制作方法流程图;
图6为本发明实施例三提供的一种显示基板的制作方法流程图;
图7a为在第一基底上形成驱动晶体管和公共信号线后的整体结构示意图;
图7b为第二基底上形成第一通孔和第二通孔后的结构示意图;
图7c为形成第一导电部和第三导电部后的结构示意图;
图7d为形成第一电极后的结构示意图;
图7e为形成像素界定层后的结构示意图;
图7f为形成发光功能层后的结构示意图;
图7g为形成第二电极后的结构示意图;
图7h为形成封装层后的结构示意图;
图7i为本发明所制成的显示基板的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明,并不用于限制本发明。
图1为本发明实施例一提供的显示基板的结构示意图,图2为显示基板中第一基底上的驱动晶体管和公共信号线的整体结构示意图,图3为第一基底及驱动器件层的部分区域的具体结构示意图;图4为第二基底及设置在第二基底上的结构的示意图。结合图1至图4所示,显示基板包括:第一基底10、多个第二基底30、贯穿第二基底30的第一连接件41和第二连接件42。
第一基底10可以为聚酰亚胺(PI)等材料制作的柔性基底,也可以为玻璃基板。第一基底10包括多个显示区AA,每个显示区AA包括至少一个第一子像素区P1,第一基底10上且位于第一子像素区内设置有驱动晶体管21,第一基底10上还设置有公共信号线22。可选地,第一子像素区P1的数量为多个。公共信号线22为连接低电平的信号线。
如图3所示,驱动晶体管21可以为顶栅结构,驱动晶体管21的有源层211与第一基底10之间设置有缓冲层24,有源层211与驱动晶体管的栅极212之间设置有栅绝缘层25,栅极212上方设置有层间介质层26,驱动晶体管的源极213和漏极214设置在层间介质层26上,并均通过贯穿层间介质层26和栅绝缘层25的过孔与有源层211相连。驱动晶体管21上方设置有平坦化层27,平坦化层27上设置有公共信号线22和连接电极23,连接电极23和公共信号线22可以同步形成。连接电极23通过贯穿平坦化层的过孔与驱动晶体管21的漏极214相连。本发明中的“相连”是指电连接。
第二基底30与显示区AA一一对应。第二基底30的材料可以与第一基底10相同。每个第二基底30包括与相应显示区AA中的第一子像素区P1一一对应的第二子像素区P2。第二基底30上且位于第二子像素区P2中设置有发光器件50,发光器件50包括:第一电极51、第二电极52和位于第一电极51与第二电极52之间的发光功能层53。第一电极51位于第二电极52与第二基底30之间。应当理解的是,多个第二基底30之间是彼此独立的,即,多个第二基底30并不是一体式结构。
可选地,第一电极51为阳极,同一个第二基底30上的不同发光器件50的第二电极52形成为一整体。发光器件50可以为顶发光器件,此时,第一电极51采用不透光的金属材料制成,第二电极52采用氧化铟锡等透明导电材料制成。
如图4所示,发光功能层53具体包括沿逐渐远离第一电极51的方向依次设置的:空穴注入层531、空穴传输层532、电子阻挡层533、发光层534、空穴阻挡层535、电子传输层536和电子注入层537,各膜层均可以通过蒸镀工艺形成。其中,同一个第二基底30上,不同发光功能层53的电子注入层537形成为一体,不同发光功能层53的电子传输层536形成为一体;电子注入层537和电子传输层536之外的各膜层可以以精细金属掩膜板为掩膜,通过蒸镀工艺形成。
第一连接件41与第一电极51一一对应,第一电极通过对应的第一连接件与对应的第一子像素区P1中的驱动晶体管21的漏极214相连。第一连接件41具体可以通过连接电极23与驱动晶体管21的漏极214相连。第二电极52通过第二连接件42与公共信号线22相连。
如上所述,同一个第二基底30上的不同发光器件50的第二电极52形成为一整体。此时,同一个第二基底30上的第二电极52可以连接相同的第二连接件42。
本发明实施例一提供的显示基板尤其适用于大尺寸或超大尺寸的显示产品,例如,大尺寸电视机。
现有技术在制作显示基板时,采用与显示基板尺寸相近的掩膜板作掩膜,通过蒸镀工艺形成包括多个发光器件。而本实施例一提供的显示基板中,第一基底10包括多个显示区AA,每个显示区AA对应一个第二基底30,发光器件并不直接形成在第一基底上,而是形成在第二基底上。因此,在制作显示基板时,可以先在多个第二基底30上分别形成发光器件50,之后再将多个第二基底30设置在第一基底10上。这样,在每个第二基底30上形成发光器件50时,使用与第二基底30尺寸相近的掩膜板即可,而不需要采用与显示基板尺寸相近的大尺寸掩膜板,从而降低了生产成本,并且,由于掩膜板尺寸较小,因此不会出现掩膜板中部下沉的情况,从而提高了蒸镀精度,防止显示装置中的不同像素之间发生混色。
优选地,公共信号线22的数量为多条,每个显示区AA中均设置有公共信号线22,不同显示区的公共信号线22彼此独立。另外,每个显示区AA还可以设置电源线,不同显示区中的电源线彼此独立,驱动晶体管21的源极213与相应显示区中的电源线相连。这样,每个显示区AA中公共信号线22和电源线均可以实现单独供电,从而不会因走线过长而造成压降(IR drop)现象。
可选地,第二基底30上设置有第一通孔和第二通孔,第一通孔与第一连接件41一一对应;第二通孔与第二连接件42一一对应。如图1和图4所示,第一连接件41包括相连的第一导电部411和第二导电部412。第一导电部411设置在第一通孔内且与第一电极51相连,第二导电部412将第一导电部411与对应的驱动晶体管21的漏极214相连。第二连接件42包括第三导电部421和第四导电部422,第三导电部421设置在第二通孔内且与第二电极52相连,第四导电部422将第三导电部421与公共信号线22相连。
其中,第一导电部411采用金属制成,其具体可以采用电镀工艺制成。第二导电部412采用银胶制成。这样,在制作显示基板时,可以先在第二基底30上制作完发光器件50和第一导电部411、第三导电部421后,再制作第二导电部412和第四导电部422,之后,再将第一导电部411与相应的第二导电部412固定相连、将第三导电部421与相应的第四导电部422固定相连,从而便于显示基板的制作。
另外,每个第二基底30上还设置有光学调整层60和封装层70,光学调整层60具有较高的折射率,以减少发光器件的光线照射至封装层时发生全反射。封装层70包括两层无机层71和位于该两层无机层71之间的有机层72。
图5为本发明实施例二提供的一种显示基板的制作方法流程图,如图5所示,所述制作方法包括:
S11、提供第一基底。第一基底包括多个显示区,每个显示区包括至少一个第一子像素区。第一基底可以为聚酰亚胺(PI)等材料制作的柔性基底,也可以为玻璃基底。
S12、在第一基底上的每个第一子像素区内形成驱动晶体管。
S13、在第一基底上形成公共信号线。
S14、提供多个第二基底。第二基底与显示区一一对应;第二基底包括:与相应显示区中的第一子像素区一一对应的第二子像素区。第二基底可以采用与上述第一基底相同的材料制成。
S15、形成贯穿第二基底的第一连接件和第二连接件。具体可以先在第二基底上形成通孔,之后再形成穿过通孔的第一连接件和第二连接件。
S16、在多个第二基底上分别形成发光器件。第二基底上的每个第二子像素区中均形成有发光器件,发光器件包括:第一电极、第二电极和发光功能层;第一连接件与第一电极一一对应。
需要说明的是,“在多个第二基底上分别形成发光器件”是指,不同第二基底上形成发光器件的过程是相互独立、互不影响的。其中,发光功能层的至少一部分膜层通过蒸镀工艺形成。
S17、将每个形成有发光器件的第二基底固定在相应的显示区中,并使得第一电极通过对应的第一连接件与对应的第一子像素区中的驱动晶体管的漏极相连;第二电极通过第二连接件与公共信号线相连。
本实施例二提供的制作方法尤其适用于大尺寸显示基板的制作,例如,用于制作大尺寸电视机中的显示基板。可以理解的是,第一基底的尺寸与所需形成的显示基板的尺寸相同,第二基底的尺寸小于显示基板的尺寸。
本实施例二在制作显示基板时,发光器件并不直接形成在第一基底上,而是先在多个第二基底上分别形成发光器件,之后再将多个第二基底设置在驱动器件层上。这样,在每个第二基底上形成发光器件时,使用与第二基底尺寸相近的掩膜板即可,而不需要采用与显示基板尺寸相近的大尺寸掩膜板,从而降低了生产成本,并且,由于掩膜板尺寸较小,因此不会出现掩膜板中部下沉的情况,从而提高了蒸镀精度,防止显示装置中的不同像素之间发生混色。
图6为本发明实施例三提供的一种显示基板的制作方法流程图,实施例三的制作方法为实施例二的制作方法的具体化。如图6所示,所述制作方法包括步骤S21至步骤S29:
S21、提供第一基底10,如图7a所示,第一基底10包括多个显示区AA,每个显示区AA包括至少一个第一子像素区P1。
S22、在第一基底10上的每个第一子像素区P1内形成驱动晶体管21,如图7a中所示。驱动晶体管21的具体结构已在上文描述,这里不再赘述。
S23、在第一基底10上形成公共信号线22,如图7a中所示。每个显示区AA中均形成有公共信号线22,不同显示区的公共信号线22彼此独立。
S24、提供多个第二基底30,第二基底30与显示区AA一一对应;如图7b所示,第二基底30包括:与相应显示区AA中的第一子像素区P1一一对应的第二子像素区P2。
S25、在第二基底30上形成第一通孔V1和第二通孔V2,如图7b所示。第一通孔V1与后续形成的第一连接件41一一对应,第二通孔V2与后续形成的第二连接件42一一对应。其中,第二通孔V2可以设置在:第二基底30上所有的第二子像素区P2所在区域的外围。
S26、在第一通孔V1内形成第一导电部411,并在第二通孔V2形成第三导电部421,如图7c所示。
具体地,该步骤S26包括:
首先,在第一通孔V1的内壁上形成第一金属层,并在第二通孔V2的内壁上形成第二金属层;第一金属层和第二金属层均作为电镀种子层。第一金属层和第二金属层均可以通过蒸镀工艺或溅射(sputter)工艺形成。
之后,通过电镀工艺在第一通孔V1内形成覆盖第一金属层的第三金属层,并在第二通孔V2形成覆盖第二金属层的第四金属层;第一金属层和第三金属层构成第一导电部411,第二金属层和第四金属层构成第三导电部421。在实际生产中,可以通过调整电镀工艺的工艺参数,使得第一导电部411和第三导电部421充满通孔,以保证后续连接的稳定性。
S27、在多个第二基底30上分别形成发光器件50。第二基底30上的每个第二子像素区P2中均形成有发光器件50。发光器件50包括:第一电极51、第二电极52和发光功能层53;第一连接件41与第一电极51一一对应。该步骤S27包括在每个第二基底30上进行以下步骤S271至S274:
S271、在每个第二子像素区P2中形成第一电极51,如图7d所示,第一电极51与第一导电部411相连。
S272、形成像素界定层80,如图7e所示。像素界定层80包括多个像素开口,像素开口与第二子像素区P2一一对应。
S273、在每个第二子像素区P2中形成发光功能层53,即,在每个像素开口内形成发光功能层53,如图7f所示。
发光功能层53具体包括沿逐渐远离第一电极51的方向依次设置的:空穴注入层531、空穴传输层532、电子阻挡层533、发光层534、空穴阻挡层535、电子传输层536和电子注入层537,各膜层均可以通过蒸镀工艺形成。其中,同一个第二基底30上,不同发光功能层53的电子注入层537形成为一体,不同发光功能层53的电子传输层536形成为一体;电子注入层537和电子传输层536之外的各膜层可以以精细金属掩膜板为掩膜,通过蒸镀工艺形成。
同一个第二基底30上,不同发光功能层53的空穴注入层531同步形成,不同发光功能层53的空穴传输层532同步形成,不同发光功能层53的电子阻挡层533同步形成,不同发光功能层53的空穴阻挡层535同步形成。每三个依次设置的第二子像素区P2构成像素单元,每个像素单元中的三个发光层534分别发射红色、绿色和蓝色的光线,从而使得显示基板在不设置彩膜层的情况下实现彩色显示。同一个第二基底30上,发射相同颜色的发光层534同步形成。
S274、在每个第二子像素区P2中形成第二电极52。如图7g所示,同一个第二基底30上的多个发光器件50的第二电极52形成为一体,从而连接相同的第三导电部421。
另外,显示基板的制作方法还可以包括:在每个第二基底30上的第二电极52上方依次形成光学调整层60和封装层70,如图7h所示。封装层70包括两层无机层71位于该两层无机层71之间的有机层72。可选地,无机层71采用化学气相沉积(CVD)的方式形成,有机层72采用喷墨打印的方式形成。
S28、在第一导电部411背离发光器件50的一端或在形成有驱动晶体管21的第一基底10上形成第二导电部412(如图7i中所示),并在第三导电部421背离发光器件50的一端或在形成有驱动晶体管21的第一基底10上形成第四导电部422。第一导电部411与第二导电部412一一对应,第三导电部421与第四导电部422一一对应。可选地,第二导电部412和第四导电部422均采用银胶制成。
其中,第一导电部411与其对应的第二导电部412连接后构成第一连接件41,第三导电部421与其对应的第四导电部422连接后构成第二连接件42,步骤S26和步骤S28即为对上述步骤S14的具体化。
S29、如图7i所示,将每个形成有发光器件50的第二基底30固定在相应的显示区AA中,并使第一电极51通过对应的第一连接件41与对应的第一子像素区P1中的驱动晶体管21的漏极214相连,第二电极52通过对应的第二连接件42与公共信号线22相连。步骤S29具体包括:
将每个第二基底30固定在相应的显示区AA中,并使第一导电部411通过对应的第二导电部412与对应的驱动晶体管的漏极214相连,第三导电部421通过对应的第四导电部422与公共电极线22相连,如图7i所示。如上所述,驱动晶体管21的漏极214与连接电极23相连,此时,第一导电部411通过第二导电部412和连接电极23与驱动晶体管的漏极214相连。
利用本实施例三提供的制作方法制作显示基板时,每个第二基底30上形成发光器件50时,使用与第二基底30尺寸相近的掩膜板即可,而不需要采用与显示基板尺寸相近的大尺寸掩膜板,从而降低了生产成本,且提高了蒸镀精度。另外,不同第二基底30上的第二电极52连接不同的公共信号线22,因此,可以向每个第二基底30的公共信号线22单独供电,从而不会因走线过长而造成压降(IR drop)现象。
本发明实施例四提供一种显示装置,包括实施例三中提供的显示基板。所述显示装置尤其适用于大尺寸或超大尺寸的具有显示功能的产品或部件,如,大尺寸的OLED面板、平板电脑、电视机、显示器等。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示基板,其特征在于,包括:
第一基底;所述第一基底包括多个显示区,每个显示区包括:至少一个第一子像素区,所述第一基底上且位于所述第一子像素区内设置有驱动晶体管;所述第一基底上还设置有公共信号线;
第二基底,所述第二基底与所述显示区一一对应;所述第二基底包括:与相应显示区中的第一子像素区一一对应的第二子像素区;所述第二基底上且位于所述第二子像素区内设置有发光器件,发光器件包括:第一电极、第二电极和发光功能层;
所述显示基板还包括:贯穿第二基底的第一连接件和第二连接件,所述第一连接件与所述第一电极一一对应;所述第一电极通过对应的第一连接件与对应的第一子像素区内的驱动晶体管的漏极相连;所述第二电极通过所述第二连接件与所述公共信号线相连。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第二基底上设置有第一通孔和第二通孔,所述第一通孔与所述第一连接件一一对应,所述第二通孔与所述第二连接件一一对应;
所述第一连接件包括第一导电部和第二导电部,所述第一导电部设置在所述第一通孔内且与所述第一电极相连,所述第二导电部将所述第一导电部与所述驱动晶体管的漏极相连;
所述第二连接件包括第三导电部和第四导电部,所述第三导电部设置在所述第二通孔内且与所述第二电极相连,所述第四导电部将所述第三导电部与所述公共信号线相连。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述第一导电部和所述第三导电部均采用金属制成,所述第二导电部和第四导电部均采用银胶制成。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,每个显示区中均设置有所述公共信号线,不同显示区中的公共信号线彼此独立。
5.一种显示基板的制作方法,其特征在于,包括:
提供第一基底,所述第一基底包括多个显示区,每个显示区包括至少一个第一子像素区;
在所述第一基底上的每个第一子像素区内形成驱动晶体管;
在所述第一基底上形成公共信号线;
提供多个第二基底;所述第二基底与所述显示区一一对应;所述第二基底包括:与相应显示区中的第一子像素区一一对应的第二子像素区;
形成贯穿所述第二基底的第一连接件和第二连接件;
在多个第二基底上分别形成发光器件,第二基底上的每个第二子像素区中均形成有所述发光器件,所述发光器件包括:第一电极、第二电极和发光功能层;所述第一连接件与所述第一电极一一对应;
将每个形成有所述发光器件的第二基底固定在相应的显示区中,并使得所述第一电极通过对应的第一连接件与对应的第一子像素区中的驱动晶体管的漏极相连;所述第二电极通过所述第二连接件与所述公共信号线相连。
6.根据权利要求5所述的制作方法,其特征在于,形成贯穿所述第二基底的第一连接件和第二连接件的步骤包括:
在所述第二基底上形成第一通孔和第二通孔,所述第一通孔与所述第一连接件一一对应,所述第二通孔与所述第二连接件一一对应;
在所述第一通孔内形成第一导电部,并在所述第二通孔形成第三导电部;所述第一导电部与所述第一电极相连;所述第三导电部与所述第二电极相连;
在所述第一导电部背离所述发光器件的一端或在形成有驱动晶体管的第一基底上形成第二导电部,在所述第三导电部背离所述发光器件的一端或在形成有驱动晶体管的第一基底上形成第四导电部;所述第一导电部与所述第二导电部一一对应,所述第三导电部与所述第四导电部一一对应;
所述将每个形成有所述发光器件的第二基底固定在相应的显示区中,并使得所述第一电极通过对应的第一连接件与对应的第一子像素区中的驱动晶体管的漏极相连的步骤包括:
将每个第二基底固定在相应的显示区中,并使所述第一导电部通过对应的第二导电部与对应的薄膜晶体管的漏极相连,所述第三导电部通过对应的第四导电部与公共电极线相连。
7.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,所述在所述第一通孔内形成第一导电部,并在所述第二通孔形成第三导电部的步骤包括:
在所述第一通孔的内壁上形成第一金属层,并在所述第二通孔的内壁上形成第二金属层;
通过电镀工艺在所述第一通孔内形成覆盖第一金属层的第三金属层,并在所述第二通孔内形成覆盖第二金属层的第四金属层;所述第一金属层和所述第三金属层构成所述第一导电部,所述第二金属层和所述第四金属层构成所述第三导电部。
8.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,所述第二导电部和所述第四导电部均采用银胶制成。
9.根据权利要求5所述的制作方法,其特征在于,所述公共信号线的数量为多条,每个显示区中均设置有所述公共信号线,不同显示区的公共信号线彼此独立。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至4中任意一项所述的显示基板。
CN201811245065.7A 2018-10-24 2018-10-24 显示基板及其制作方法、显示装置 Active CN109285873B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811245065.7A CN109285873B (zh) 2018-10-24 2018-10-24 显示基板及其制作方法、显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811245065.7A CN109285873B (zh) 2018-10-24 2018-10-24 显示基板及其制作方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109285873A CN109285873A (zh) 2019-01-29
CN109285873B true CN109285873B (zh) 2020-11-24

Family

ID=65177867

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811245065.7A Active CN109285873B (zh) 2018-10-24 2018-10-24 显示基板及其制作方法、显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109285873B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110379336B (zh) * 2019-07-19 2021-12-10 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置及其显示方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020088984A1 (en) * 2000-11-30 2002-07-11 Takatoma Toda Semiconductor chip mounting substrate, electrooptical device, liquid-crystal device, electroluminescent device, and electronic equipment
CN101075612A (zh) * 2006-05-17 2007-11-21 Lg.菲利浦Lcd株式会社 发光器件及其制造方法
CN101728379B (zh) * 2008-10-22 2011-08-24 胜华科技股份有限公司 有机发光二极管显示装置及其制造方法
CN104867961A (zh) * 2015-04-24 2015-08-26 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、其制造方法及显示装置
CN103474581B (zh) * 2013-09-23 2016-05-11 京东方科技集团股份有限公司 电致发光装置及其制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020088984A1 (en) * 2000-11-30 2002-07-11 Takatoma Toda Semiconductor chip mounting substrate, electrooptical device, liquid-crystal device, electroluminescent device, and electronic equipment
CN101075612A (zh) * 2006-05-17 2007-11-21 Lg.菲利浦Lcd株式会社 发光器件及其制造方法
CN101728379B (zh) * 2008-10-22 2011-08-24 胜华科技股份有限公司 有机发光二极管显示装置及其制造方法
CN103474581B (zh) * 2013-09-23 2016-05-11 京东方科技集团股份有限公司 电致发光装置及其制备方法
CN104867961A (zh) * 2015-04-24 2015-08-26 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、其制造方法及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN109285873A (zh) 2019-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11005064B2 (en) Transparent display substrate and driving method thereof and transparent display device
US20210399075A1 (en) Organic light emitting display device
US9245936B2 (en) Multi-display apparatus
US20160013251A1 (en) El display device
KR20140077120A (ko) 화소 구조, 화소 유닛 구조, 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치
US11355568B2 (en) Organic light emitting diode display device
US8426861B2 (en) Organic light emitting display device
KR20180014381A (ko) 표시장치
KR20050107840A (ko) 유기전계발광 소자 및 그 제조방법
US20130207085A1 (en) Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
US10243033B2 (en) Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof
US9293516B2 (en) Display device
US20160181328A1 (en) Oled display device and manufacturing method thereof
JP2005045242A (ja) 電界発光装置の薄膜トランジスタ、これを利用した電界発光装置及びこれの製造方法
US20090045724A1 (en) Light-emitting circuit board and light-emitting display device
KR101820166B1 (ko) 화이트 유기발광다이오드 표시소자 및 그 제조방법
US9704925B2 (en) EL display device
CN109285873B (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
US10930727B2 (en) Organic light-emitting diode display screen and electronic device
US20150111323A1 (en) Method of manufacturing el display device
US9293740B2 (en) Method of manufacturing EL display device
US20060197440A1 (en) Organic EL display and method of manufacturing the same
US12069892B2 (en) Display apparatus with bridge electrode that varies in thickness
WO2015087461A1 (ja) 表示装置
KR20150047035A (ko) 유기발광표시장치 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant