WO2015011047A1 - Verfahren zum herstellen einer elektronischen bauelementevorrichtung und elektronische bauelementevorrichtung - Google Patents

Verfahren zum herstellen einer elektronischen bauelementevorrichtung und elektronische bauelementevorrichtung Download PDF

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layer
optoelectronic component
optoelectronic
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Thilo Reusch
Thomas Wehlus
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Osram Oled GmbH
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
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    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations

Definitions

  • a method for manufacturing an electronic component device and an electronic component device are provided.
  • OLEDs organic light-emitting diodes
  • a conventional method for measuring the temperature of an OLED has the attachment of temperature sensors on the
  • Measuring method only the temperature at the surface of the OLED can be determined.
  • an electronic component device and a method for the production thereof are provided with which it is possible to precisely determine the temperature distribution of an OLED.
  • a method of manufacturing an electronic component device comprising: forming an optoelectronic device on or over a carrier; Forming a thermoelectric device on or over the same carrier; wherein forming the optoelectronic device and / or the thermoelectric device comprises applying layers to the carrier; the
  • thermoelectric device a thermoelectric
  • thermoelectrically sensitive portion is formed in thermal contact with the optoelectronic device; the thermoelectrically sensitive section is not self-supporting; and
  • Section of the thermoelectric device is involved in forming the optoelectronic component.
  • the formation of the optoelectronic component device may comprise a process from the group of processes: structuring of layers by means of shadow masks during the formation of the
  • thermoelectrically sensitive portion of the thermoelectric component can be formed before and / or after the formation of the optoelectronic component.
  • thermoelectrically sensitive portion prior to forming the optoelectronic device
  • thermoelectrically sensitive section which after forming the optoelectronic
  • Component can be formed, for example, on the optoelectronic device, for example on the Encapsulation of the optoelectronic component to be formed.
  • thermoelectric sensitive section of the thermoelectric device simultaneously with layers of the
  • thermoelectric component can be formed.
  • optoelectronic component can be formed.
  • a simultaneous formation of layers of the thermoelectric component and the optoelectronic component can be realized, for example, by applying a layer to the surface of the support, wherein the
  • thermoelectric device and the optoelectronic
  • Component be formed on different areas of the surface of the carrier. That making the
  • Thermoelectric component is integrated into the production of the optoelectronic component.
  • thermoelectrically sensitive portion by means of a non-structuring of a portion of the layers of the optoelectronic
  • non-patterning may include not removing or forming layers or regions of layers.
  • thermoelectric sensitive portion as a layer or layer structure of the optoelectronic component
  • thermoelectrically sensitive portion in the region of the optoelectronic component for example, as electrical transport layers in
  • Transport layer may be increased to contact the thermoelectrically sensitive region geometrically beyond the dimension of the optoelectronic device addition.
  • thermoelectrically sensitive portion with a same or similar material composition; or an identical or similar material composition and a same or similar layer thickness; be formed as at least one layer of the optoelectronic
  • thermoelectrically sensitive section should have at most one common electrode of the
  • thermoelectric voltage of the thermoelectric component for example, grounding, i. the crowd. Otherwise, a simultaneous energizing of the optoelectronic component and a readout of the thermoelectric voltage of the
  • Thermoelectric device may not be possible.
  • Component device may be formed such that in addition to the thermoelectric device and the optoelectronic device further thermoelectric
  • thermoelectrically sensitive sections and / or optoelectronic components are formed on or above the carrier.
  • Sections are also referred to below as second components or second sections.
  • thermoelectric components In yet another embodiment of the method, the two or more thermoelectric components and / or
  • thermoelectric sensitive sections regularly or sparsely distributed on or over the carrier are formed.
  • a regular arrangement of the thermoelectric components and / or thermoelectrically sensitive portions may be formed, for example, on the surface of the carrier at a uniform distance from each other.
  • An isolated arrangement of the thermoelectric components and / or thermoelectrically sensitive sections can be used.
  • geometric edge may be formed on the surface of the carrier.
  • thermoelectric device in addition to the thermoelectric device or to the thermoelectric device
  • thermoelectric sensitive section at least one further thermoelectric device and / or another
  • Thermoelectrically sensitive portion to be formed thermally coupled to the optoelectronic device.
  • thermoelectric components a plurality of thermoelectric components and / or
  • Thermoelectrically sensitive portions are formed at different areas of the optoelectronic component. As a result, for example, the temperature of an optoelectronic component at different
  • Areas are measured.
  • the different regions can be arranged in one plane or offset from each other. In a staggered arrangement, a
  • thermoelectric device for example, measure the temperature at the surface of the carrier or the optoelectronic device, i. in the plane parallel to
  • thermoelectric component could additionally measure the temperature cross section of the optoelectronic component.
  • thermoelectric components are formed adjacent to or on the thermoelectric device.
  • Thermoelectrically sensitive portion are formed such that the optoelectronic component is partially or completely surrounded by the thermoelectric sensitive portion.
  • thermoelectrically sensitive portion are formed on the support such that the thermoelectrically sensitive
  • Section is partially or completely a part of the support for the optoelectronic device.
  • thermoelectrically sensitive portion are formed on the support such that the thermoelectric device partially or completely next to the optoelectronic
  • Component is formed.
  • Thermoelectric device are formed such that at least two optoelectronic devices a
  • thermoelectric sensitive section for example, if two or more optoelectronic
  • thermoelectric device Components are formed on or over a thermoelectric device.
  • thermoelectric device are formed such that individual layers of the thermoelectric device are formed in homogeneous, with a homogeneous
  • thermoelectric device as a temperature-measuring
  • thermoelectric device having a voltage measuring device, wherein the voltage measuring device has a
  • thermoelectrically sensitive portion wherein the thermoelectrically sensitive portion is formed on or above the support similar or equal to the thermoelectric sensitive portion of the voltage measuring device.
  • thermoelectrically sensitive section of the thermoelectrically sensitive section of the thermoelectrically sensitive section
  • thermoelectric measuring device be designed such that the thermoelectric properties of the electrical connection of the thermoelectric sensitive section on or above the carrier thermoelectric in the course or electrical path to the thermoelectric sensitive portion of
  • thermoelectrically sensitive section As a result, the influence of the electrical connections of the thermoelectrically sensitive section can be taken into account when measuring the thermoelectric voltage of the thermoelectrically sensitive section on or above the carrier, for example the electrical connections or contacts of the thermoelectrically sensitive section with a voltmeter. As a result, for example, only the thermoelectric voltage of the thermal sensitive area can be measured on or above the carrier.
  • thermoelectrically sensitive portion on or above the support as a layer structure with layers having different thermoelectric properties are formed such that forms a thermoelectric voltage at the common interface of two layers having different thermoelectric properties, wherein the layers are arranged with different thermoelectric properties such that the thermoelectrically sensitive Section a resulting thermoelectric voltage is applied.
  • the size of the common boundary surface of the layers having different thermoelectric properties can be formed such that the thermoelectric voltage of the thermoelectrically sensitive section has a value which is at least approximately 50 times higher than the thermoelectric voltage of further layers in the electrical path of the
  • thermoelectric component The higher thermoelectric voltage value of the thermoelectrically sensitive portion than the other layers can be understood as a high signal-to-noise ratio.
  • a high signal-to-noise ratio for example, in a range of about 1000: 1 to about 50: 1, the deviation of the measured values of successive temperature measurements at a constant temperature may be in a range of about 0.1% to about 2%, for example be.
  • a high signal-to-noise ratio may allow for a low temperature variance in the measurements, i. a
  • Interface of the thermoelectric sensitive section may be dependent on the substances between which a
  • thermoelectric voltage is formed, the measuring device for measuring voltage, for example, the input resistance, i. the impedance. Furthermore, the type of contacting the thermoelectric sensitive sections with the
  • a contact can be formed, for example, as a cohesive contact or a positive contact. Furthermore, the thermal and
  • the temperature is averaged over the amount of the interface, ie at a temperature distribution in or on the OLED should the amount of the interface and / or the shape of the Boundary surface and / or the position of the interface with respect to further layers are chosen such that the
  • Temperature difference of the temperature distribution is formed below the measurement accuracy and / or matching accuracy of the electronic component device.
  • the shape of the common interface of the layers having different thermoelectric properties may have a geometric shape from the group of geometric shapes: circle, ring, rectangle, square, polygon or the like.
  • Thermoelectrically sensitive section are formed as a thermocouple, from the group of thermocouples: type K, J, N, R, S, T, E, Chromel / AuFe, and the tolerance classes 1 or 2.
  • thermocouples or the layers with different thermoelectric properties for example
  • Boundary surfaces can form a thermoelectric voltage, a substance or mixture, such as an alloy, have or be formed from the group of substances: chromium, aluminum, nickel, manganese, silicon,
  • thermoelectric sensitive section with different thermoelectric properties and common interface are formed side by side or one above the other.
  • thermoelectric device can be formed such that the thermoelectric voltage of the thermoelectric sensitive section to the geometric edge of the thermoelectric sensitive section
  • thermoelectric device are formed such that a thermoelectric voltage is converted into a temperature value.
  • Component device may be formed such that the temperature value by means of the thermoelectric voltage of the thermoelectric device for controlling the
  • Optoelectronic device changed to an optoelectronic target property out.
  • the target property may be a fixed color mixture or a defined intensity of emitted electromagnetic radiation.
  • Individual optoelectronic components can by means of
  • organic functional layer structure have different temperatures, for example on the surface or in the layer cross-section. This can lead to deviations of the optoelectronic properties of individual
  • Optoelectronic devices come from an optoelectronic target property.
  • Components can be designed such that
  • the individual response voltage can be adjusted based on the measured temperature of the individual optoelectronic component.
  • Optoelectronic device with optically active region as an electromagnetic radiation emitting device, such as an organic light emitting diode or laser diode, or as an electromagnetic radiation absorbing device, such as an organic solar cell or a photodetector, are formed.
  • an electromagnetic radiation emitting device such as an organic light emitting diode or laser diode
  • an electromagnetic radiation absorbing device such as an organic solar cell or a photodetector
  • thermoelectric component device as a temperature-controlled optoelectronic device, such as temperature-controlled organic light-emitting diode, are formed.
  • an electronic component device comprising: a carrier; one
  • thermoelectric component on or above a carrier
  • thermoelectric component comprising: a first electrode; a second electrode; an optically active region in the current path between the first electrode and the second electrode; an encapsulation; wherein the thermoelectric component has a thermoelectrically sensitive section, wherein the thermoelectrically sensitive section has at least two thermoelectric layers, wherein the at least two thermoelectric layers are in at least one thermoelectric properties
  • thermoelectric
  • thermoelectric device in physical contact with at least a portion of the thermoelectric device
  • thermoelectric sensitive section of the thermoelectric sensitive section of the thermoelectric sensitive section
  • thermoelectrically sensitive section of the thermoelectric component may be formed next to the optoelectronic component.
  • thermoelectrically sensitive section may be formed as a non-structured region of optoelectronic component.
  • thermoelectric sensitive section of an identical or similar material composition or an identical or similar material composition and an identical or similar layer thickness; such as at least one layer of the optoelectronic component.
  • thermoelectric device be configured such that the thermoelectric device and the optoelectronic component have a common electrode.
  • the component device can have, in addition to the thermoelectric component and the optoelectronic component, further thermoelectric components and / or thermoelectrically sensitive portions and / or optoelectronic components on or above the carrier.
  • thermoelectric components and / or thermoelectrically sensitive portions may be regularly or individually distributed on or over the carrier.
  • thermoelectric device or thermoelectric
  • thermoelectric device or another Thermoelectrically sensitive portion of the thermoelectric device may be thermally coupled to the optoelectronic component.
  • thermoelectric components and / or thermoelectrically sensitive portions may be formed on different areas of the optoelectronic component.
  • thermoelectric devices thermoelectric devices or thermoelectric
  • thermoelectric device may be formed adjacent to or on the thermoelectric device.
  • thermoelectrically sensitive section can be designed such that the optoelectronic component is partially or completely surrounded by at least the thermoelectrically sensitive section.
  • thermoelectrically sensitive portion may be formed on the support such that the thermoelectrically sensitive portion is partially or completely formed as a part of the support for the
  • thermoelectrically sensitive section can be partially or completely formed next to the optoelectronic component.
  • thermoelectrically sensitive portion may be formed as a layer of the optoelectronic component.
  • thermoelectric thermoelectric
  • Component be designed such that at least two Optoelectronic devices a common
  • thermoelectrically sensitive section have thermoelectrically sensitive section.
  • thermoelectric thermoelectric
  • Component be designed such that individual layers of the thermoelectric device in itself homogeneous
  • thermoelectric interfaces are formed, wherein a homogeneously formed layer has no inner thermoelectric interfaces.
  • thermoelectric thermoelectric
  • Component be set up as a temperature-measuring device.
  • thermoelectric thermoelectric
  • thermoelectrically sensitive section of the voltage measuring device can be designed such that the thermoelectric properties in the course or electrical path of the electrical connection of the thermoelectrically sensitive section on or above the carrier with the voltage measuring device thermoelectrically at the second thermoelectric sensitive section is measured. In other words, thermoelectric voltages do not compensate each other in the course or electrical path, but are measurable.
  • thermoelectric thermoelectric
  • thermoelectric properties as a layer structure with layers with different thermoelectric properties
  • thermoelectric sensitive section whereby the layers with different thermoelectric properties are arranged such that above the thermoelectric sensitive section a
  • thermoelectric voltage is applied.
  • the size of the common interface of the layers may be different
  • thermoelectric properties such that the thermoelectric voltage of the thermoelectric sensitive portion has a value which is at least about 50 times higher than the thermoelectric voltage of other layers in the electrical path of the
  • thermoelectric component thermoelectric component
  • the shape of the common interface of the layers may be different
  • thermoelectric properties have a geometric shape from the group of geometric shapes: circle, ring, rectangle, square, polygon or the like.
  • thermoelectrically sensitive section may be formed as a thermocouple from the group of thermocouples: Type K, J, N, R, S,
  • thermoelectric section with different
  • thermoelectric properties and common interface may be formed side by side or one above the other.
  • thermoelectric thermoelectric
  • Component be designed such that the
  • thermoelectric voltage of the thermoelectric sensitive portion is moved to the geometric edge of the electronic component device.
  • thermoelectric voltage of the thermoelectric sensitive section is converted into a temperature value
  • a display component for example by means of a display component.
  • thermoelectric Device be configured such that the temperature value by means of the thermoelectric voltage of the thermoelectric device for controlling the
  • Optoelectronic device changed to an optoelectronic target property out.
  • Component as electromagnetic radiation emitting device such as an organic light emitting diode, be set up.
  • optoelectronic component for example a
  • Figure 1 is a schematic cross-sectional view of a
  • Figure 2 is a schematic cross-sectional view of a concrete
  • FIG. 1 Embodiment of an optoelectronic component
  • Figure 3 is a schematic cross-sectional view of a specific embodiment of a temperature measuring device, according to various embodiments.
  • an inorganic substance may be one in a chemically uniform form, regardless of the particular state of matter
  • an organic-inorganic substance can be a
  • the term "substance” encompasses all of the abovementioned substances, for example an organic substance, an inorganic substance, and / or a hybrid substance
  • a mixture of substances can be understood to mean components of two or more different substances whose
  • components are very finely divided.
  • a class of substance is a substance or mixture of one or more organic substance (s), one or more inorganic substance (s) or one or more hybrid
  • an electrical component can be understood as meaning a component which can form a current of charged elementary particles by means of an electrical potential difference.
  • Thermoelectric device to be understood as a component which by means of a temperature difference, an electrical potential difference or by means of a
  • electrical potential difference can form a temperature difference, the potential difference to a
  • an electronic component can be understood as a component which controls, controls or amplifies an electrical component
  • Optoelectronic component to be understood as a device that by means of a semiconductor device
  • Fig.l shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component, according to various
  • the light emitting device 100 in the form of a
  • Organic light emitting diode 100 may include a carrier 102.
  • the carrier 102 may be used, for example, as a support for electronic elements or layers, for example
  • the carrier 102 may include or be formed from glass, quartz, and / or a semiconductor material or any other suitable material.
  • the carrier 102 may be a Plastic film or a laminate with one or more plastic films or be formed from it.
  • the plastic may be one or more polyolefins (eg, high or low density polyethylene (PE) or
  • the plastic may be polyvinyl chloride (PVC), polystyrene (PS), polyester and / or polycarbonate (PC),
  • PVC polyvinyl chloride
  • PS polystyrene
  • PC polycarbonate
  • the carrier 102 may be one or more of the above
  • the carrier 102 may be translucent or even transparent.
  • translucent or “translucent layer” can be understood in various embodiments that a layer is permeable to light
  • the light generated by the light emitting device for example one or more
  • Wavelength ranges for example, for light in one
  • Wavelength range of the visible light for example, at least in a partial region of the wavelength range of 380 nm to 780 nm.
  • the term "translucent layer” in various embodiments is to be understood to mean that substantially all of them are in one
  • Quantity of light is also coupled out of the structure (for example, layer), wherein part of the light can be scattered here.
  • the term "transparent” or “transparent layer” can be understood to mean that a layer is permeable to light
  • a structure for example a layer
  • the structure for example layer
  • the optically translucent layer structure at least in a partial region of the wavelength range of the desired monochrome light or for the limited
  • the organic light emitting diode 100 (or else the light emitting devices according to the above or hereinafter described
  • Embodiments may be configured as a so-called top and bottom emitter.
  • a top and / or bottom emitter can also be used as an optically transparent component,
  • a transparent organic light emitting diode are formed.
  • the carrier 102 may be in different
  • Embodiments optionally be arranged a barrier layer 104.
  • the barrier layer 104 may include or consist of one or more of the following: alumina, zinc oxide, zirconia, titania,
  • Indium zinc oxide aluminum-doped zinc oxide, as well
  • the barrier layer 104 in various embodiments have a layer thickness in a range of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 5000 nm, for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 200 nm, for example, a layer thickness of about 40 nm.
  • an electrically active region 106 of the light-emitting component 100 may be arranged.
  • the electrically active region 106 may be understood as the region of the light emitting device 100 in which an electric current is used to operate the
  • the electrically active region 106 may have a first electrode 110, a second electrode 114 and an organic functional layer structure 112, as will be explained in more detail below.
  • the first electrode 110 (eg, in the form of a first
  • Electrode layer 110 may be applied.
  • the first electrode 110 (hereinafter also referred to as lower electrode 110) may be formed of or be made of an electrically conductive substance, such as a metal or a conductive conductive oxide (TCO) or a layer stack of multiple layers of the same metal or different metals and / or the same TCO or different TCOs.
  • Transparent conductive oxides are transparent, conductive substances, for example
  • Metal oxides such as zinc oxide, tin oxide,
  • binary metal oxygen compounds such as, for example, ZnO, SnO 2, or ⁇ 2 O 3
  • ternary metal oxygen compounds, such as AlZnO include
  • TCOs do not necessarily correspond to one
  • the first stoichiometric composition may also be p-doped or n-doped.
  • the first stoichiometric composition may also be p-doped or n-doped.
  • the first stoichiometric composition may also be p-doped or n-doped.
  • Electrode 110 comprises a metal; For example, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm or Li, as well as compounds, combinations or alloys of these substances.
  • Electrode 110 may be formed by a stack of layers of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa.
  • An example is one
  • ITO indium tin oxide
  • Electrode 110 one or more of the following substances
  • networks of metallic nanowires and particles for example of Ag
  • Networks of carbon nanotubes for example of Ag
  • Graphene particles and layers for example of Graphene particles and layers
  • Networks of semiconducting nanowires for example of Ag
  • the first electrode 110 may comprise electrically conductive polymers or transition metal oxides or electrically conductive transparent oxides.
  • the first electrode 110 may comprise electrically conductive polymers or transition metal oxides or electrically conductive transparent oxides.
  • the first electrode 110 may comprise electrically conductive polymers or transition metal oxides or electrically conductive transparent oxides.
  • Electrode 110 and the carrier 102 may be translucent or transparent.
  • the first electrode 110 comprises or is formed from a metal
  • the first electrode 110 may have, for example, a layer thickness of less than or equal to approximately 25 nm, for example one
  • the first electrode 110 may have, for example, a layer thickness of greater than or equal to approximately 10 nm, for example a layer thickness of greater than or equal to approximately 15 nm
  • the first electrode 110 a Layer thickness in a range of about 10 nm to about 25 nm, for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 18 nm, for example, a layer thickness in a range of about 15 nm to about 18 nm.
  • the first electrode 110 may have, for example, a layer thickness in a range of about 50 nm to about 500 nm, for example, a layer thickness in a range from about 75 nm to about 250 nm, for example, a layer thickness in a range of
  • the first electrode 110 is made of, for example, a network of metallic nanowires, for example of Ag, which may be combined with conductive polymers, a network of carbon nanotubes, which may be combined with conductive polymers, or of graphene. Layers and composites are formed, the first electrode 110, for example, a
  • Layer thickness in a range of about 1 nm to about 500 nm for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 400 nm,
  • the first electrode 110 can be used as the anode, ie as
  • hole-injecting electrode may be formed or as
  • Cathode that is as an electron-injecting electrode.
  • the first electrode 110 may be a first electrical
  • the first electrical potential may be applied to the carrier 102, and then indirectly applied to the first electrode 110.
  • the first electrical potential may be, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.
  • the organic functional layer structure 112 may comprise one or more emitter layers 118, for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters, and one or more hole line layers 116 (also referred to as hole transport layer (s) 120).
  • emitter layers 118 for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters
  • hole line layers 116 also referred to as hole transport layer (s) 120.
  • one or more electron conduction layers 116 may be provided.
  • organometallic compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (eg 2- or 2,5-substituted poly-p-phenylenevinylene) and metal complexes, for example iridium complexes such as blue-phosphorescent FIrPic (bis (3,5-difluoro-2- (bis 2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) -iridium III), green phosphorescent
  • non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example. Furthermore, can
  • Polymer emitters are used, which in particular by means of a wet chemical process, such as a spin-on process (also referred to as spin coating), are deposited.
  • a wet chemical process such as a spin-on process (also referred to as spin coating)
  • spin coating also referred to as spin coating
  • the emitter materials may be suitably embedded in a matrix material.
  • Emitter materials are also provided in other embodiments.
  • light emitting device 100 may be selected so that light emitting device 100 emits white light.
  • the emitter layer (s) 118 may include a plurality of emitter materials of different colors (for example blue and yellow or blue, green and red)
  • the emitter layer (s) 118 may be constructed of multiple sublayers, such as a blue fluorescent emitter layer 118 or blue
  • phosphorescent emitter layer 118 By mixing the different colors, the emission of light can result in a white color impression.
  • a converter material in the beam path of the primary emission generated by these layers, which at least partially absorbs the primary radiation and emits secondary radiation of a different wavelength, so that from a (not yet white) primary radiation through the Combination of primary radiation and secondary radiation gives a white color impression.
  • the organic functional layer structure 112 may generally include one or more electroluminescent layers.
  • the one or more electroluminescent layers may generally include one or more electroluminescent
  • Layers may or may include organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small, non-polymeric molecules ("small molecules") or a combination of these materials.
  • the organic functional layer structure 112 may be one or more
  • Hole transport layer 120 is or are, so that, for example, in the case of an OLED an effective
  • the organic functional layer structure 112 may include one or more functional layers, which may be referred to as a
  • Electron transport layer 116 is executed or are, so that, for example, in an OLED an effective
  • Electron injection into an electroluminescent layer or an electroluminescent region is made possible.
  • As a substance for the hole transport layer 120 can be any substance for the hole transport layer 120 .
  • the one or more electroluminescent layers may or may not be referred to as
  • Hole transport layer 120 may be deposited on or over the first electrode 110, for example, deposited, and the emitter layer 118 may be on or above the
  • Hole transport layer 120 may be applied, for example, be deposited.
  • electron transport layer 116 may be on or above the Emitter layer 118 applied, for example, deposited, be.
  • the organic functional layer structure 112 (that is, for example, the sum of the thicknesses of hole transport layer (s) 120 and
  • Emitter layer (s) 118 and electron transport layer (s) 116) have a maximum thickness of approximately 1.5 ⁇ m, for example a maximum thickness of approximately 1.2 ⁇ m, for example a maximum layer thickness of approximately 1 ⁇ m, for example a maximum layer thickness of approximately 800 ⁇ m nm, for example a layer thickness of at most approximately 500 nm, for example a layer thickness of at most approximately 400 nm, for example a layer thickness of approximately approximately 300 nm.
  • the organic functional layer structure 112 may include a
  • each OLED may for example have a layer thickness of at most about 1.5 ym, for example, a layer thickness of at most about 1.2 ym, for example, a layer thickness of at most about 1 ym, for example, a layer thickness of about 800 or more nm, for example a layer thickness of at most approximately 500 nm, for example a layer thickness of at most approximately 400 nm, for example a layer thickness of approximately approximately 300 nm.
  • the organic functional layer structure 112 may for example have a layer thickness of at most about 1.5 ym, for example, a layer thickness of at most about 1.2 ym, for example, a layer thickness of at most about 1 ym, for example, a layer thickness of about 800 or more nm, for example a layer thickness of at most approximately 500 nm, for example a layer thickness of at most approximately 400 nm, for example a layer thickness of approximately approximately 300 nm.
  • the organic functional layer structure 112 may for example have a layer thickness of at most about 1.5
  • organic functional layer structure 112 may have a layer thickness of at most about 3 ym.
  • the light emitting device 100 may generally include other organic functional layers, for example
  • Electron transport layer (s) 116 have, in addition serve to further improve the functionality and thus the efficiency of the light emitting device 100.
  • organic functional layer structure 112 On or above the organic functional layer structure 112 or optionally on or above the one or more further organic functional layers
  • Layer structures may be the second electrode 114
  • a second electrode layer 112 (for example in the form of a second electrode layer 114) may be applied.
  • Electrode 114 have the same substances or be formed from it as the first electrode 110, wherein in
  • metals are particularly suitable.
  • Electrode 114 (for example, in the case of a metallic second electrode 114), for example, have a layer thickness of less than or equal to about 50 nm,
  • a layer thickness of less than or equal to approximately 45 nm for example a layer thickness of less than or equal to approximately 40 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 35 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 30 nm,
  • a layer thickness of less than or equal to about 25 nm for example, a layer thickness of less than or equal to about 20 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 15 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 10 nm.
  • the second electrode 114 may generally be formed similarly to, or different from, the first electrode 110.
  • the second electrode 114 may be made of one or more embodiments in various embodiments
  • the first electrode 110 and the second electrode 114 are both formed translucent or transparent. Thus, the shown in Fig.l
  • light emitting device 100 may be formed as a top and bottom emitter (in other words, as a transparent light emitting device 100).
  • the second electrode 114 can be used as the anode, ie as
  • hole-injecting electrode may be formed or as
  • Cathode that is as an electron-injecting electrode.
  • the second electrode 114 may have a second electrical connection to which a second electrical connection
  • the second electrical potential may have a value such that the difference from the first electrical potential has a value in a range of about 1.5V to about 20V, for example, a value in a range of about 2.5V to about 15 V, for example a value in a range of about 3 V to about 12 V.
  • the second electrode 114 and thus on or above the electrically active region 106 may optionally be an encapsulation 108, for example in the form of a
  • Barrier thin film / thin film encapsulation 108 are formed or be.
  • a “barrier thin film” 108 or a “barrier thin film” 108 can be understood to mean, for example, a layer or a layer structure which is suitable for providing a barrier to chemical contaminants or atmospheric substances, in particular to water (moisture). and oxygen, to form.
  • the barrier thin film 108 is so trained that they like OLED-damaging substances
  • the barrier thin-film layer 108 may be formed as a single layer (in other words, as
  • the barrier thin-film layer 108 may comprise a plurality of sub-layers formed on one another.
  • the barrier thin-film layer 108 may comprise a plurality of sub-layers formed on one another.
  • Barrier thin film 108 as a stack of layers (stack)
  • the barrier film 108 or one or more sublayers of the barrier film 108 may be formed by, for example, a suitable deposition process, e.g. by means of a
  • Atomic Layer Deposition e.g. plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) or plasmaless
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • plasmaless vapor deposition plasmaless vapor deposition
  • PLCVD Chemical Vapor Deposition
  • ALD atomic layer deposition process
  • Barrier thin film 108 having multiple sublayers, all sublayers by an atomic layer deposition process be formed.
  • a layer sequence comprising only ALD layers may also be referred to as "nanolaminate".
  • Barrier thin film 108 having a plurality of sublayers, one or more sublayers of the barrier thin film 108 by a deposition method other than one
  • Atomic layer deposition processes are deposited
  • the barrier film 108 may, in one embodiment, have a layer thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm, for example, a layer thickness of about 10 nm to about 100 nm according to a
  • Embodiment for example, about 40 nm according to an embodiment.
  • all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier thin-film layer 108 has a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier thin-film layer 108 has a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier thin-film layer 108 has a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another
  • Barrier thin layer 108 have different layer thicknesses. In other words, at least one of
  • Partial layers have a different layer thickness than one or more other of the sub-layers.
  • the barrier thin-film layer 108 or the individual partial layers of the barrier thin-film layer 108 may, according to one embodiment, be formed as a translucent or transparent layer.
  • the barrier film 108 (or the individual sub-layers of the barrier film 108) may be made of a translucent or transparent substance (or mixture that is translucent or transparent).
  • the barrier thin-film layer 108 or (in the case of a layer stack having a plurality of partial layers) one or more of the partial layers of the Barrier thin-film 108 comprising or being formed from any of the following: aluminum oxide, zinc oxide, zirconium oxide, titanium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide,
  • Silicon oxynitride indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum ⁇ doped zinc oxide, and mixtures and alloys
  • Layer stack with a plurality of sub-layers one or more of the sub-layers of the barrier layer 108 have one or more high-index materials, in other words, one or more high-level materials
  • Refractive index for example with a refractive index of at least 2.
  • Protective varnish 124 may be provided, by means of which, for example, a cover 126 (for example, a glass cover 126) attached to the barrier thin layer 108, for example, is glued.
  • a cover 126 for example, a glass cover 1266 attached to the barrier thin layer 108, for example, is glued.
  • Protective varnish 124 has a layer thickness of greater than 1 ym
  • the adhesive may include or be a lamination adhesive.
  • Adhesive layer can be embedded in various embodiments still light scattering particles, which contribute to a further improvement of the color angle distortion and the
  • Embodiments may be provided as light-scattering particles, for example, dielectric scattering particles such as metal oxides such as silicon oxide (S1O2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrC> 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide (GA20 x) Alumina, or titania.
  • dielectric scattering particles such as metal oxides such as silicon oxide (S1O2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrC> 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide (GA20 x) Alumina, or titania.
  • Other particles may also be suitable, provided that they have a refractive index which is different from the effective refractive index of the matrix of the translucent layer structure, for example air bubbles, acrylate or glass hollow spheres.
  • metallic nanoparticles, metals such as gold, silver, iron nanoparticles, or the like can be provided as
  • an electrically insulating layer is disposed between the second electrode 114 and the layer of adhesive and / or protective lacquer 124.
  • SiN for example, with a layer thickness in a range of about 300 nm to about 1.5 ym, for example, with a layer thickness in a range of about 500 nm to about 1 ym to protect electrically unstable materials, for example during a
  • the adhesive may be configured such that it itself has a refractive index that is less than the refractive index of the refractive index
  • Such an adhesive may be, for example, a low-refractive adhesive such as a
  • Embodiments can be completely dispensed with an adhesive 124, for example in embodiments in which the cover 126, for example made of glass, are applied to the barrier thin layer 108 by means of, for example, plasma spraying.
  • the / may
  • Cover 126 and / or the adhesive 124 have a refractive index (for example, at a wavelength of 633 nm) of 1.55.
  • FIG. 2 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component device according to FIG.
  • the organic functional layer structure 112 may be formed on the first electrode 110, wherein the organic functional layer structure 112 may be formed as described in FIG.
  • Layer structure 112 may be formed by means of a first electrical connection layer 210, which may also be understood as part of second electrode 114.
  • an electrically insulating layer 208 for example a resist 208, an electrically insulating layer 208, for example a resist 208, an electrically insulating layer 208, for example a resist 208, an electrically insulating layer 208, for example a resist 208, an electrically insulating layer 208, for example a resist 208, an electrically insulating layer 208, for example a resist 208, an electrically insulating layer 208, for example a resist 208, an electrically insulating layer 208, for example a resist 208, an electrically insulating layer 208, for example a resist 208, an electrically insulating layer 208, for example a resist 208, an electrically insulating layer 208, for example a resist 208, an electrically insulating layer 208, for example a resist 208, an electrically insulating layer 208, for example a resist 208, an electrically insulating layer 208, for example a resist 208, an electrically
  • Layer structure 112 with the electrodes 110, 114 in a plane, ie parallel to each other, are formed by means of the electrical connection layer 210.
  • the electrical connection layer 210 can be considered as electrical Extension of the second electrode 114 by means of a
  • electrically insulating resists 208 are electrically isolated from the first electrode 110.
  • the resist 208 may also be optional in an arrangement of the electrodes 110, 114 without physical contact,
  • the first electrode 110 and the second electrode 114 may be formed according to the description of Fig.l and
  • the first electrical connection layer 210 may comprise the same or a similar material as the first electrode 110 and / or the second electrode 114 according to the description of FIG.
  • functional layer structure 112 i. their energization or power supply, can by means of electrical connections 202, 204 at the edge regions of the optoelectronic
  • Component 200 for example, the geometric edges of the surface of the carrier 102, be realized.
  • a first contact layer 206 can be applied between the electrical connections 202, 204 and the electrodes 110, 114.
  • the first contact layer 206 may comprise a homogeneous layer or a layer sequence, wherein a part of the first contact layer 206 as a substance or
  • FIG. 3 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component device according to FIG.
  • thermoelectric component 300 on the carrier 102 of the optoelectronic component 200.
  • FIG. 3 may be, for example, another sectional plane of the carrier 102 of the optoelectronic component 200.
  • the layer structure illustrated in FIG. 3 differs from the layer structure of FIG. 2 in such a way that in the region of the carrier 102 of a thermoelectrically sensitive section 310 on the first electrode 110 no organic
  • thermoelectrically sensitive portion 310 the first contact layer 206 in the region of the thermoelectrically sensitive portion 310 not
  • the first electrical connection layer 210 may be on the
  • the electrical connection layer 210 may be in a range of
  • thermoelectric sensitive portion 310 in physical contact with the non-structured region of the
  • the first non-structured region contact layer 206 will be hereinafter referred to as the second one
  • the second contact layer 314 denotes.
  • the second contact layer 314 may have the same material composition in the thermoelectrically sensitive section 310 as the first contact layer 206 in a region 316 of the terminal 308 of the second electrode 114.
  • Contact layer 314 may have different Seebeck coefficients. As a result, at the common interface 312 of these layers 314, 302 a
  • thermoelectrically sensitive section 310 The thermoelectric voltage of the thermoelectric sensitive portion 310 can be determined by means of the second
  • thermoelectric sensitive portion 310 may be used as a thermoelectrically active part of the thermoelectric
  • Component 300 can be understood.
  • thermoelectric voltage measured on the carrier 102 can be measured by means of a voltage measuring device 304.
  • the voltage measuring device 304 may include
  • thermocouple (not shown), which can convert the measured thermoelectric voltage into a temperature value with respect to the reference thermocouple.
  • the reference thermocouple can be used as the second thermoelectrically active part of the thermoelectric component 300
  • thermocouple may be formed similarly to the thermoelectrically sensitive portion 310.
  • the value of the measured thermoelectric voltage can be proportional to the temperature difference with respect to
  • Proportionality between temperature and thermoelectric voltage may be formed by means of the different Seebeck coefficients of the layers at the common interface 312.
  • the temperature value may be formed as a reference for adjusting a voltage, wherein the voltage across the terminals 202, 204 to the
  • Optoelectronic component 200 can be applied.
  • the electrical connection layer 302 should therefore not be in physical contact with the first contact layer 206 of the second electrode 114, since otherwise in the region of the physical contact of electrical
  • Connecting layer 302 with the contact layer 206 can form a second thermoelectric voltage.
  • the second thermoelectric voltage can compensate for the first thermoelectric voltage, so that effectively no or a reduced thermoelectric
  • Connecting layer 302 and the first electrode 114 may be configured such that forms no thermoelectric voltage at the common interface, for example, by the second electrical connection layer 302 and the second electrode 114 are formed of a same or similar substance.
  • thermoelectric voltage between electrical connection 302 and second electrode 114 may be used in the calculation of the temperature within the
  • Tension measuring device 304 are taken into account
  • thermoelectrically sensitive material composition Having boundary surface with the same material composition as the interface of the electrical connection 302 with the second electrode 114.
  • Section 310 should be chosen such that the
  • Temperature measurement is so high, for example in a range of about 1000: 1 to about 20: 1, that the
  • thermoelectric voltage for example, the input resistance (impedance).
  • the shape of the interface 312 of the thermoelectric sensitive portion 310 may be arbitrarily formed.
  • thermoelectrically sensitive section 310 a prerequisite for any shape of the interface 312 is a homogeneous temperature distribution in the thermoelectrically sensitive section 310.
  • a temperature distribution can, for example, be regarded as homogeneous up to a temperature difference up to which the temperature-dependent optoelectronic properties of the optoelectronic component 200 can still be regarded as homogeneous.
  • thermoelectrically sensitive sections 310 may be formed on a carrier, for example if a plurality of optoelectronic components 200 have a common carrier 102. Each of the plurality of optoelectronic devices 200 or more
  • Optoelectronic components 200 may have a
  • thermoelectric sensitive section 310 have.
  • the common carrier 102 may
  • a carrier 102 according to the description of Fig.l be, for example, a chip wafer 102.
  • the individual optoelectronic components 200 can be produced by means of production-related fluctuations of the layers of the organic functional layer structure 112
  • Optoelectronic devices 200 a are common
  • thermoelectrically sensitive section 310 has thermoelectrically sensitive section 310
  • thermoelectrically sensitive portion 310 is formed as part of the carrier 102 and two or more optoelectronic devices 200 are formed on or above the thermoelectric sensitive portion 310.
  • thermoelectrically sensitive portions 310 on the carrier 102 or on or next to the optoelectronic component 200 regularly or occasionally be formed as thermoelectrically sensitive portions 310.
  • thermoelectric sensitive portions 310 have a series electrical connection or parallel connection.
  • thermoelectrically sensitive portions 310 vertically
  • thermoelectrically sensitive portion ie, the layers 302, 314, at least a common interface 312 with thermoelectric
  • thermocouple Divide voltage, as a thermocouple be set up from the group of thermocouples: type K, J, N, R, S, T, E, Chromel / AuFe, and the tolerance classes 1 or 2.
  • Thermocouples i. the layers with different Seebeck coefficients at their interfaces 312 can form a thermoelectric voltage, may include or be formed from the group of substances: chromium, aluminum, nickel, manganese, silicon, Konstantan a substance or mixture of substances, for example , Iron, platinum, rhodium, copper, tungsten, gold, rhenium.
  • thermoelectric sensitive section 310 may
  • Component 200 are formed.
  • thermoelectrically sensitive portion 310 Mixtures of the layers of the thermoelectrically sensitive portion 310 are applied before applying the optoelectronic component 200 to the carrier 102, for example as an intermediate layer and / or after
  • thermoelectrically sensitive portion 310 may, for example, by means of successive coating by means of shadow masks or by means of coating and
  • Thermoelectrically sensitive portion 310 may be in the existing process flow of the production of the
  • Section 310 should be homogeneous in nature such that internal thermoelectric interfaces exist in the individual
  • thermoelectric sensitive portion 310 Layers of the thermoelectric sensitive portion 310 are not formed.
  • thermoelectrically sensitive portion 310 or a plurality of thermoelectrically sensitive portions 310 and / or an optoelectronic component or a plurality of optoelectronic components may have a common electrode 110, 114.
  • thermoelectric sensitive section and the thermoelectric sensitive section
  • Optoelectronic component allows easy integration of a temperature measuring device in one
  • Temperature measuring device in the optoelectronic component it is possible, for example, the power output of
  • the device device allows the Measuring the temperature of an OLED without affecting the heat transfer coefficient.
  • Thermoelectrically sensitive section to the sectional plane of the optoelectronic component already illustrate the simple feasibility for producing the electronic component device.

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Bauelementevorrichtung (400) bereitgestellt, das Verfahren aufweisend: Bilden eines optoelektronischen Bauelementes (200) auf oder über einem Träger (102); Bilden eines thermoelektrischen Bauelementes (300) auf oder über dem gleichen Träger (102); wobei das Bilden des optoelektronischen Bauelementes (200) und/oder des thermoelektrischen Bauelementes (300) das Aufbringen von Schichten auf den Träger (102) aufweist; das thermoelektrische Bauelement (300) einen thermoelektrisch sensitiven Abschnitt (310) aufweist; der thermoelektrisch sensitive Abschnitt (310) im thermischen Kontakt mit dem optoelektronischen Bauelement (200) ausgebildet wird; der thermoelektrisch sensitive Abschnitt (310) nicht selbsttragend ausgebildet wird; und wenigstens das Bilden des ersten thermoelektrisch sensitiven Abschnittes (310) des thermoelektrischen Bauelementes (300) beim Bilden des optoelektronischen Bauelementes (200) eingebunden ist.

Description

Beschreibung
Verfahren zum Herstellen einer elektronischen
Bauelementevorrichtung und elektronische
Baue1ementevorrichtung
In verschiedenen Ausgestaltungen werden ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Bauelementevorrichtung und eine elektronische Bauelementevorrichtung bereitgestellt.
Wichtige Kenngrößen organischer Leuchtdioden (organic light emitting diode OLED) sind temperaturabhängig, beispielsweise die Leuchtdichte, die Lumenerhaltung (Lebensdauer) und die Effizienz. Eine präzise Kenntnis der Temperatur ist hilfreich zum aussagekräftigen Testen und Charakterisieren einer OLED im Betrieb und in der Verwendung.
Ein herkömmliches Verfahren zur Messung der Temperatur einer OLED weist das Befestigen von Temperaturfühlern auf der
Außenseite einer OLED auf, beispielsweise mittels
Wärmeleitpaste aufgeklebte Thermoelemente auf der OLED- Oberfläche . Dieses Verfahren kann jedoch lokal den Wärmefluss an der OLED Oberfläche beeinflussen. Gleichzeitig kann mit diesem
Messverfahren nur die Temperatur an der Oberfläche der OLED bestimmt werden. Darüber hinaus kann das aufgeklebte
Temperaturelement störend auf den ästhetischen Gesamteindruck der OLED wirken.
In verschiedenen Ausführungsformen werden eine elektronische Bauelementevorrichtung und ein Verfahren zu deren Herstellung bereitgestellt, mit denen es möglich die Temperaturverteilung einer OLED präzise zu bestimmten. In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Bauelementevorrichtung bereitgestellt, das Verfahren aufweisend: Bilden eines optoelektronischen Bauelementes auf oder über einem Träger; Bilden eines thermoelektrischen Bauelementes auf oder über dem gleichen Träger; wobei das Bilden des optoelektronischen Bauelementes und/oder des thermoelektrischen Bauelementes das Aufbringen von Schichten auf den Träger aufweist; das
thermoelektrische Bauelement einen thermoelektrisch
sensitiven Abschnitt aufweist; der thermoelektrisch sensitive Abschnitt im thermischen Kontakt mit dem optoelektronischen Bauelement ausgebildet wird; der thermoelektrisch sensitive Abschnitt nicht selbsttragend ausgebildet wird; und
wenigstens das Bilden des thermoelektrisch sensitiven
Abschnittes des thermoelektrischen Bauelementes beim Bilden des optoelektronischen Bauelementes eingebunden ist.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der optoelektronischen Bauelementevorrichtung einen Prozess aufweisen aus der Gruppe der Prozesse: Strukturieren von Schichten mittels Lochmasken während des Ausbildens der
Schichten und/oder Strukturieren der Schichten nach dem
Ausbilden der Schichten.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann wenigstens ein Teil des thermoelektrisch sensitiven Abschnittes des thermoelektrischen Bauelementes vor und/oder nach dem Bilden des optoelektronischen Bauelementes ausgebildet werden.
Die Teile des thermoelektrisch sensitiven Abschnittes, die vor dem Bilden des optoelektronischen Bauelementes
ausgebildet werden, können beispielsweise auf dem Träger, d.h. zwischen Träger und optoelektronischen Bauelement, aus gebildet werden. Die Teile des thermoelektrisch sensitiven Abschnittes, die nach dem Bilden des optoelektronischen
Bauelementes ausgebildet werden, können beispielsweise auf dem optoelektronischen Bauelement, beispielsweise auf der Verkapselung des optoelektronischen Bauelementes, ausgebildet werden .
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der
thermoelektrisch sensitive Abschnitt des thermoelektrischen Bauelementes gleichzeitig mit Schichten des
optoelektronischen Bauelementes ausgebildet werden. Ein gleichzeitiges Ausbilden von Schichten des thermoelektrischen Bauelementes und des optoelektronischen Bauelementes kann beispielsweise mittels Aufbringens einer Schicht auf die Oberfläche des Träger realisiert sein, wobei das
thermoelektrische Bauelement und das optoelektronische
Bauelement auf unterschiedlichen Bereichen der Oberfläche des Trägers ausgebildet werden. D.h. das Bilden des
thermoelektrischen Bauelementes ist in die Fertigung des optoelektronischen Bauelementes eingebunden.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann beim
gleichzeitigen Bilden des thermoelektrisch sensitiven
Abschnittes mit Schichten des optoelektronischen
Bauelementes, wenigstens ein Teil des thermoelektrisch sensitiven Abschnittes mittels eines Nicht-Strukturierens eines Teiles der Schichten des optoelektronischen
Bauelementes ausgebildet werden. Ein Nicht-Strukturieren kann beispielsweise das nicht Entfernen oder nicht Ausbilden von Schichten oder Bereichen von Schichten aufweisen.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der
thermoelektrisch sensitive Abschnitt als eine Schicht oder Schichtenstruktur des optoelektronischen Bauelementes
ausgebildet werden. Dabei kann der thermoelektrisch sensitive Abschnitt im Bereich des optoelektronischen Bauelementes beispielsweise als elektrische Transportschichten im
Schichtquerschnitt ausgebildet sein. Die elektrische
Transportschicht kann zur Kontaktierung des thermoelektrisch sensitiven Bereiches geometrisch über die Abmessung des optoelektronischen Bauelementes hinaus vergrößert sein. Mittels dieser Ausgestaltung kann auf einfache Weise eine thermische Kopplung des optoelektronischen Bauelementes mit dem thermoelektrischen Bauelement ausgebildet werden.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann ein Teil des thermoelektrisch sensitiven Abschnittes mit einer gleichen oder ähnlichen stofflichen Zusammensetzung; oder einer gleichen oder ähnlichen stofflichen Zusammensetzung und einer gleichen oder ähnlichen Schichtendicke; ausgebildet werden wie wenigstens eine Schicht des optoelektronischen
Bauelementes .
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann
die elektronische Bauelementevorrichtung derart ausgebildet werden, dass das thermoelektrische Bauelement und das optoelektronische Bauelement eine gemeinsame Elektrode aufweisen. Der thermoelektrisch sensitive Abschnitt sollte maximal mit einer gemeinsamen Elektrode des
optoelektronischen Bauelementes ausgebildet werden,
beispielsweise der Erdung, d.h. der Masse. Sonst können ein gleichzeitiges Bestromen des optoelektronischen Bauelementes und ein Auslesen der thermoelektrischen Spannung des
thermoelektrischen Bauelementes nicht möglich sein.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Bauelementevorrichtung derart ausgebildet werden, dass zusätzlich zu dem thermoelektrischen Bauelement und dem optoelektronischen Bauelement weitere thermoelektrische
Bauelemente und/oder thermoelektrisch sensitive Abschnitte und/oder optoelektronische Bauelemente auf oder über dem Träger ausgebildet werden. Die weiteren Bauelemente bzw.
Abschnitte werden im Weiteren auch als zweite Bauelemente bzw. zweite Abschnitte bezeichnet.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens können die zwei oder mehr thermoelektrischen Bauelemente und/oder
thermoelektrisch sensitiven Abschnitte regelmäßig oder vereinzelt verteilt auf oder über dem Träger ausgebildet werden. Eine regelmäßige Anordnung der thermoelektrischen Bauelemente und/oder thermoelektrisch sensitiven Abschnitte kann beispielsweise auf der Oberfläche des Trägers in einem gleichmäßigen Abstand voneinander ausgebildet sein. Eine vereinzelte Anordnung der thermoelektrischen Bauelemente und/oder thermoelektrisch sensitiven Abschnitte kann
beispielsweise in der geometrischen Mitte und/oder am
geometrischen Rand auf der Oberfläche des Trägers ausgebildet sein .
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann zusätzlich zu dem thermoelektrischen Bauelement oder zu dem
thermoelektrisch sensitiven Abschnitt wenigstens ein weiteres thermoelektrisches Bauelement und/oder ein weiterer
thermoelektrisch sensitiver Abschnitt thermisch mit dem optoelektronischen Bauelement gekoppelt ausgebildet werden.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens können die
mehreren thermoelektrischen Bauelemente und/oder
thermoelektrisch sensitiven Abschnitte an unterschiedlichen Bereichen des optoelektronischen Bauelementes ausgebildet werden. Dadurch kann beispielsweise die Temperatur eines optoelektronischen Bauelementes an unterschiedlichen
Bereichen gemessen werden. Die unterschiedlichen Bereiche können in einer Ebene oder zueinander versetzt angeordnet sein. In einer versetzten Anordnung kann ein
thermoelektrisches Bauelement beispielsweise die Temperatur an der Oberfläche des Trägers oder des optoelektronischen Bauelementes messen, d.h. in der Ebene parallel zur
Oberfläche. Ein anderes thermoelektrisches Bauelement könnte zusätzlich die Temperatur Querschnitt des optoelektronischen Bauelementes messen.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens können die
weiteren thermoelektrischen Bauelemente neben oder auf dem thermoelektrischen Bauelement ausgebildet werden. In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der
thermoelektrisch sensitive Abschnitt derart ausgebildet werden, dass das optoelektronische Bauelement teilweise oder vollständig von dem thermoelektrisch sensitiven Abschnitt umgeben wird.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der
thermoelektrisch sensitive Abschnitt derart auf dem Träger ausgebildet werden, dass der thermoelektrisch sensitive
Abschnitt teilweise oder vollständig ein Teil des Trägers für das optoelektronischen Bauelementes ist.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der
thermoelektrisch sensitive Abschnitt derart auf dem Träger ausgebildet werden, dass das thermoelektrische Bauelement teilweise oder vollständig neben dem optoelektronischen
Bauelement ausgebildet ist.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das
thermoelektrische Bauelement derart ausgebildet werden, dass wenigstens zwei optoelektronische Bauelemente einen
gemeinsamen thermoelektrisch sensitiven Abschnitt aufweisen, beispielsweise wenn zwei oder mehr optoelektronische
Bauelemente auf oder über einem thermoelektrischen Bauelement ausgebildet werden.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das
thermoelektrische Bauelement derart ausgebildet werden, dass einzelne Schichten des thermoelektrischen Bauelementes in sich homogen ausgebildet sind, wobei eine homogen
ausgebildete Schicht keine inneren thermoelektrischen
Grenzflächen aufweist.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das
thermoelektrische Bauelement als Temperatur-messendes
Bauelement ausgebildet werden. In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das
thermoelektrische Bauelement eine Spannungsmesseinrichtung aufweisen, wobei die Spannungsmesseinrichtung einen
thermoelektrisch sensitiven Abschnitt aufweist, wobei der thermoelektrisch sensitive Abschnitt auf oder über dem Träger ähnlich oder gleich bezüglich des thermoelektrisch sensitiven Abschnittes der Spannungsmesseinrichtung ausgebildet wird.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der
thermoelektrisch sensitive Abschnitt der
Spannungsmesseinrichtung derart ausgebildet sein, dass die thermoelektrischen Eigenschaften der elektrischen Verbindung des thermoelektrisch sensitiven Abschnittes auf oder über dem Träger thermoelektrisch im Verlauf bzw. elektrischen Pfad zum thermoelektrisch sensitiven Abschnitt der
Spannungsmesseinrichtung ausgebildet sind. Dadurch können der Einfluss der elektrischen Verbindungen des thermoelektrisch sensitiven Abschnittes beim Messen der thermoelektrischen Spannung des thermoelektrisch sensitiven Abschnittes auf oder über dem Träger berücksichtigt werden, beispielsweise der elektrischen Verbindungen bzw. Kontakte des thermoelektrisch sensitiven Abschnittes mit einem Spannungsmesser. Dadurch kann beispielsweise nur die thermoelektrische Spannung des thermischen sensitiven Bereiches auf oder über dem Träger gemessen werden.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der
thermoelektrisch sensitive Abschnitt auf oder über dem Träger als Schichtenstruktur mit Schichten mit unterschiedlichen thermoelektrischen Eigenschaften ausgebildet werden derart, dass sich an der gemeinsamen Grenzfläche zweier Schichten mit unterschiedlichen thermoelektrischen Eigenschaften eine thermoelektrische Spannung ausbildet, wobei die Schichten mit unterschiedlichen thermoelektrischen Eigenschaften derart angeordnet werden, dass über dem thermoelektrisch sensitiven Abschnitt eine resultierende thermoelektrische Spannung anliegt .
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Größe der gemeinsamen Grenzfläche der Schichten mit unterschiedlichen thermoelektrischen Eigenschaften derart ausgebildet werden, dass die thermoelektrische Spannung des thermoelektrisch sensitiven Abschnittes einen Wert aufweist der mindestens ungefähr 50fach höher ist als die thermoelektrische Spannung weiterer Schichten im elektrischen Pfad des
thermoelektrischen Bauelementes. Der höhere thermoelektrische Spannungswert des thermoelektrisch sensitiven Abschnittes als die weiteren Schichten kann als ein hohes Signal-zu-Rauschen Verhältnis verstanden werden. Bei einem hohen Signal-zu- Rauschen Verhältnis, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1000:1 bis ungefähr 50:1, kann die Abweichung der Messwerte aufeinanderfolgender Temperaturmessungen bei konstanter Temperatur beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 0,1 % bis ungefähr 2% ausgebildet sein. Ein hohes Signal-zu-Rauschen Verhältnis kann dabei in den Messungen eine geringe Temperaturvarianz ermöglichen, d.h. eine
präzisere Temperaturbestimmung. Der konkrete Betrag der
Grenzfläche des thermoelektrisch sensitiven Abschnittes kann abhängig sein von den Stoffen, zwischen denen eine
thermoelektrische Spannung ausgebildet ist, dem Messgerät zur Spannungsmessung, beispielsweise dem Eingangswiderstand, d.h. der Impedanz. Weiterhin kann die Art der Kontaktierung der thermoelektrisch sensitiven Abschnitte mit der
Spannungsmesseinrichtung das Signal-zu-Rauschen Verhältnis beeinflussen. Eine Kontaktierung kann beispielsweise als ein Stoffschlüssiger Kontakt oder ein formschlüssiger Kontakt ausgebildet sein. Weiterhin kann die thermische und
elektrische Isolierung der Kontaktierung und weitere ähnliche Parameter das Signal-zu-Rauschen Verhältnis beeinflussen. Die Temperatur wird über den Betrag der Grenzfläche gemittelt, d.h. bei einer Temperaturverteilung in oder auf der OLED sollte der Betrag der Grenzfläche und/oder die Form der Grenzfläche und/oder die Lage der Grenzfläche bezüglich weiterer Schichten derart gewählt werden, dass der
Temperaturunterschied der Temperaturverteilung unterhalb der Messgenauigkeit und/oder Anpassgenauigkeit der elektronischen Bauelementevorrichtung ausgebildet ist.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Form der gemeinsamen Grenzfläche der Schichten mit unterschiedlichen thermoelektrischen Eigenschaften eine geometrische Form aufweisen aus der Gruppe der geometrischen Formen: Kreis, Ring, Rechteck, Quadrat, Vieleck oder ähnliches.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der
thermoelektrisch sensitive Abschnitt als ein Thermoelement ausgebildet werden, aus der Gruppe der Thermoelemente: Typ K, J, N, R, S, T, E, Chromel/AuFe, und den Toleranzklassen 1 oder 2.
Die Thermoelemente bzw. die Schichten mit unterschiedlichen thermoelektrischen Eigenschaften, beispielsweise
unterschiedlichen Seebeck-Koeffizienten, an deren
Grenzflächen sich eine thermoelektrische Spannung ausbilden kann, können ein Stoff oder Stoffgemisch, beispielsweise eine Legierung, aufweisen oder daraus gebildet sein aus der Gruppe der Stoffe: Chrom, Aluminium, Nickel, Mangan, Silizium,
Konstantan, Eisen, Platin, Rhodium, Kupfer, Wolfram, Gold, Rhenium.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens können die
Schichten des thermoelektrisch sensitiven Abschnittes mit unterschiedlichen thermoelektrischen Eigenschaften und gemeinsamer Grenzfläche nebeneinander oder übereinander ausgebildet werden.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das
thermoelektrische Bauelement derart ausgebildet werden, dass die thermoelektrische Spannung des thermoelektrisch sensitiven Abschnittes an den geometrischen Rand der
elektronischen Bauelementevorrichtung verschoben wird.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das
thermoelektrische Bauelement derart ausgebildet werden, dass eine thermoelektrische Spannung in einen Temperaturwert umgewandelt wird.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Bauelementevorrichtung derart ausgebildet werden, dass der Temperaturwert mittels der thermoelektrischen Spannung des thermoelektrischen Bauelementes zum Regeln der
Ansprechspannung des optoelektronischen Bauelementes
ausgebildet ist, wobei das Regeln der Ansprechspannung wenigstens eine optoelektronische Eigenschaft des
optoelektronischen Bauelementes zu einer optoelektronische Zieleigenschaft hin verändert. Eine optoelektronische
Zieleigenschaft kann bei einem optoelektronischen Bauelement eine festgelegt Farbmischung oder eine festgelegte Intensität emittierter elektromagnetischer Strahlung sein. Einzelne optoelektronische Bauelemente können mittels
fertigungsbedingter Schwankungen der Schichten der
organischen funktionellen Schichtenstruktur unterschiedliche Temperaturen aufweisen, beispielsweise auf der Oberfläche oder im Schichtquerschnitt. Dadurch kann es zu Abweichungen der optoelektronischen Eigenschaften einzelner
optoelektronischer Bauelemente von einer optoelektronischen Zieleigenschaft kommen. Die optoelektronische
Bauelementevorrichtung mit mehreren optoelektronischen
Bauelementen kann derart ausgebildet werden, dass
unterschiedliche Ansprechspannungen an die Elektroden der einzelnen optoelektronischen Bauelemente mit
unterschiedlicher Temperatur angelegt werden können. Dabei kann die einzelne Ansprechspannung anhand der gemessenen Temperatur des einzelnen optoelektronischen Bauelementes eingestellt werden. In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das
optoelektronische Bauelement mit optisch aktivem Bereich als elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement, beispielsweise eine organische Leuchtdiode oder Laserdiode, oder als eine elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement, beispielsweise eine organische Solarzelle oder ein Fotodetektor, ausgebildet werden.
In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
elektronische Bauelementevorrichtung als ein Temperaturgeregeltes optoelektronisches Bauelement, beispielsweise Temperatur-geregelte organische Leuchtdiode, ausgebildet werden .
In verschiedenen Ausführungsformen wird eine elektronische Bauelementevorrichtung bereitgestellt, die elektronische Bauelementevorrichtung aufweisend: einen Träger; ein
optoelektronisches Bauelement und ein thermoelektrisches Bauelement auf oder über einem Träger; wobei das
optoelektronische Bauelement aufweist: eine erste Elektrode; eine zweite Elektrode; einen optisch aktiven Bereich im Strompfad zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode; eine Verkapselung; wobei das thermoelektrische Bauelement einen thermoelektrisch sensitiven Abschnitt aufweist, wobei der thermoelektrisch sensitive Abschnitt mindestens zwei thermoelektrische Schichten aufweist, wobei die mindestens zwei thermoelektrischen Schichten sich in mindestens einer thermoelektrischen Eigenschaften
unterscheiden, wobei wenigstens der thermoelektrisch
sensitive Abschnitt des thermoelektrischen Bauelementes in körperlichem Kontakt mit mindestens einem Teil des
optoelektronischen Bauelementes steht.
In einer Ausgestaltung kann wenigstens ein Teil des
thermoelektrisch sensitiven Abschnittes des
thermoelektrischen Bauelementes unter und/oder auf dem optoelektronischen Bauelement ausgebildet sein. In noch einer Ausgestaltung kann der thermoelektrisch sensitive Abschnitt des thermoelektrischen Bauelementes neb dem optoelektronischen Bauelementes ausgebildet sein.
In noch einer Ausgestaltung kann der thermoelektrisch sensitive Abschnitt als ein nicht strukturierter Bereich optoelektronischen Bauelementes ausgebildet sein.
In noch einer Ausgestaltung kann ein Teil des
thermoelektrisch sensitiven Abschnittes eine gleiche oder ähnliche stoffliche Zusammensetzung; oder eine gleiche oder ähnliche stoffliche Zusammensetzung und eine gleiche oder ähnliche Schichtendicke; aufweisen wie wenigstens eine Schicht des optoelektronischen Bauelementes.
In noch einer Ausgestaltung kann die elektronische
Bauelementevorrichtung derart eingerichtet sein, dass das thermoelektrische Bauelement und das optoelektronische Bauelement eine gemeinsame Elektrode aufweisen.
In noch einer Ausgestaltung kann die Bauelementevorrichtung zusätzlich zu dem thermoelektrischen Bauelement und dem optoelektronischen Bauelement weitere thermoelektrische Bauelemente und/oder thermoelektrisch sensitive Abschnitte und/oder optoelektronische Bauelemente auf oder über dem Träger aufweisen.
In noch einer Ausgestaltung können die zwei oder mehr thermoelektrischen Bauelemente und/oder thermoelektrisch sensitiven Abschnitte regelmäßig oder vereinzelt auf oder über dem Träger verteilt ausgebildet sein.
In noch einer Ausgestaltung kann zusätzlich zu dem
thermoelektrischen Bauelement oder thermoelektrisch
sensitiven Abschnitt wenigstens ein weiteres
thermoelektrisches Bauelement oder ein weiterer thermoelektrisch sensitiver Abschnitt des thermoelektrischen Bauelementes thermisch mit dem optoelektronischen Bauelement gekoppelt ausgebildet sein.
In noch einer Ausgestaltung können die mehreren
thermoelektrischen Bauelemente und/oder thermoelektrisch sensitive Abschnitte an unterschiedlichen Bereichen des optoelektronischen Bauelementes ausgebildet sein.
In noch einer Ausgestaltung können die weiteren
thermoelektrischen Bauelemente oder thermoelektrisch
sensitiven Abschnitte neben oder auf dem thermoelektrischen Bauelement ausgebildet sein.
In noch einer Ausgestaltung kann der thermoelektrisch sensitive Abschnitt derart ausgebildet sein, dass das optoelektronische Bauelement teilweise oder vollständig wenigstens von dem thermoelektrisch sensitiven Abschnitt umgeben ist.
In noch einer Ausgestaltung kann der thermoelektrisch sensitive Abschnitt derart auf dem Träger ausgebildet sein, dass der thermoelektrisch sensitive Abschnitt teilweise oder vollständig als ein Teil des Trägers für das
optoelektronischen Bauelementes ausgebildet ist.
In noch einer Ausgestaltung kann der thermoelektrisch sensitive Abschnitt teilweise oder vollständig neben dem optoelektronischen Bauelement ausgebildet sein.
In noch einer Ausgestaltung kann der thermoelektrisch sensitive Abschnitt als eine Schicht des optoelektronischen Bauelementes ausgebildet sein.
In noch einer Ausgestaltung kann das thermoelektrische
Bauelement derart ausgebildet sein, dass wenigstens zwei optoelektronische Bauelemente einen gemeinsamen
thermoelektrisch sensitiven Abschnitt aufweisen.
In noch einer Ausgestaltung kann das thermoelektrische
Bauelement derart ausgebildet sein, dass einzelne Schichten des thermoelektrischen Bauelementes in sich homogen
ausgebildet sind, wobei eine homogen ausgebildete Schicht keine inneren thermoelektrischen Grenzflächen aufweist.
In noch einer Ausgestaltung kann das thermoelektrische
Bauelement als Temperatur-messendes Bauelement eingerichtet sein .
In noch einer Ausgestaltung kann das thermoelektrische
Bauelement eine Spannungsmesseinrichtung aufweisen, wobei die Spannungsmesseinrichtung einen thermoelektrisch sensitiven Abschnitt aufweist, wobei der thermoelektrisch sensitive Abschnitt der Spannungsmesseinrichtung ähnlich oder gleich bezüglich des thermoelektrisch sensitiven Abschnittes auf oder über dem Träger ausgebildet ist. Der thermoelektrisch sensitive Abschnitt der Spannungsmesseinrichtung kann derart ausgebildet sein, dass die thermoelektrischen Eigenschaften im Verlauf bzw. elektrischen Pfad der elektrischen Verbindung des thermoelektrisch sensitiven Abschnittes auf oder über dem Träger mit der Spannungsmesseinrichtung thermoelektrisch beim zweiten thermoelektrisch sensitiven Abschnitt messbar wird. Mit anderen Worten: thermoelektrische Spannungen kompensieren sich nicht gegenseitig im Verlauf bzw. elektrischen Pfad, sondern sind messbar.
In noch einer Ausgestaltung kann der thermoelektrisch
sensitive Abschnitt als Schichtenstruktur mit Schichten mit unterschiedlichen thermoelektrischen Eigenschaften
ausgebildet sein derart, dass sich an der gemeinsamen
Grenzfläche zweier Schichten mit unterschiedlichen
thermoelektrischen Eigenschaften eine thermoelektrische
Spannung ausbildet, wobei die Schichten mit unterschiedlichen thermoelektrischen Eigenschaften derart angeordnet sind, das über dem thermoelektrisch sensitiven Abschnitt eine
resultierende thermoelektrische Spannung anliegt.
In noch einer Ausgestaltung kann die Größe der gemeinsamen Grenzfläche der Schichten mit unterschiedlichen
thermoelektrischen Eigenschaften derart ausgebildet sein, dass die thermoelektrische Spannung des thermoelektrisch sensitiven Abschnittes einen Wert aufweist der mindestens ungefähr 50fach höher ist als die thermoelektrische Spannung weiterer Schichten im elektrischen Verlauf des
thermoelektrischen Bauelementes.
In noch einer Ausgestaltung kann die Form der gemeinsamen Grenzfläche der Schichten mit unterschiedlichen
thermoelektrischen Eigenschaften eine geometrische Form aufweisen aus der Gruppe der geometrischen Formen: Kreis, Ring, Rechteck, Quadrat, Vieleck oder ähnliches.
In noch einer Ausgestaltung kann der thermoelektrisch sensitive Abschnitt als ein Thermoelement ausgebildet aus der Gruppe der Thermoelemente: Typ K, J, N, R, S,
Chromel/AuFe, und den Toleranzklassen 1 oder 2.
In noch einer Ausgestaltung können die Schichten des
thermoelektrischen Abschnittes mit unterschiedlichen
thermoelektrischen Eigenschaften und gemeinsamer Grenzfläche nebeneinander oder übereinander ausgebildet sein.
In noch einer Ausgestaltung kann das thermoelektrische
Bauelement derart ausgebildet sein, dass die
thermoelektrische Spannung des thermoelektrisch sensitiven Abschnittes an den geometrischen Rand der elektronischen Bauelementevorrichtung verschoben wird.
In noch einer Ausgestaltung kann die elektronische
Bauelementevorrichtung derart eingerichtet sein, dass die thermoelektrische Spannung des thermoelektrisch sensitiven Abschnitts in einen Temperaturwert umgewandelt wird,
beispielsweise mittels eines Anzeigebauelementes.
In noch einer Ausgestaltung kann die elektronische
Bauelementevorrichtung derart eingerichtet sein, dass der Temperaturwert mittels der thermoelektrischen Spannung des thermoelektrischen Bauelementes zum Regeln der
Ansprechspannung des optoelektronischen Bauelementes
ausgebildet ist, wobei das Regeln der Ansprechspannung wenigstens eine optoelektronische Eigenschaft des
optoelektronischen Bauelementes zu einer optoelektronische Zieleigenschaft hin verändert.
In noch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische
Bauelement als elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement, beispielsweise eine organische Leuchtdiode, eingerichtet sein.
In noch einer Ausgestaltung kann die elektronische
Bauelementevorrichtung als ein Temperatur-geregeltes
optoelektronisches Bauelement, beispielsweise eine
Temperatur-geregelte organische Leuchtdiode, eingerichtet sein .
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
Es zeigen
Figur 1 eine schematische Querschnittsansicht eines
optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
Figur 2 eine schematische Querschnittsansicht einer konkreten
Ausgestaltung eines optoelektronischen Bauelementes; und Figur 3 eine schematische Querschnittsansicht einer konkreten Ausgestaltung einer Temperaturmesseinrichtung, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen .
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische
Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird
Richtungsterminologie wie etwa „oben", „unten", „vorne", „hinten", „vorderes", „hinteres", usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da
Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl
verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der
Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organischen Stoff eine, ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form vorliegende, durch
charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung des Kohlenstoffs verstanden werden. Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem anorganischen Stoff eine, ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form
vorliegende, durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung ohne
Kohlenstoff oder einfacher KohlenstoffVerbindung verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organisch-anorganischen Stoff (hybrider Stoff) eine,
ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form vorliegende, durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung mit Verbindungsteilen die Kohlenstoff enthalten und frei von Kohlenstoff sind, verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung umfasst der Begriff „Stoff" alle oben genannten Stoffe, beispielsweise einen organischen Stoff, einen anorganischen Stoff, und/oder einen hybriden Stoff. Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem Stoffgemisch etwas verstanden werden, was Bestandteile aus zwei oder mehr verschiedenen Stoffen besteht, deren
Bestandteile beispielsweise sehr fein verteilt sind. Als eine Stoffklasse ist ein Stoff oder ein Stoffgemisch aus einem oder mehreren organischen Stoff (en) , einem oder mehreren anorganischen Stoff (en) oder einem oder mehreren hybrid
Stoff (en) zu verstehen. Der Begriff „Material" kann synonym zum Begriff „Stoff" verwendet werden.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem elektrischen Bauelement ein Bauelement verstanden werden, welches mittels einer elektrischen Potentialdifferenz ein Strom geladener Elementarteilchen ausbilden kann. Eine elektrische
Potentialdifferenz kann dabei anschaulich als Ungleichgewicht der Anzahl unterschiedlich geladener Elementarteilchen verstanden werden.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem
thermoelektrischen Bauelement ein Bauelement verstanden werden, welches mittels eines Temperaturunterschiedes eine elektrische Potentialdifferenz oder mittels einer
elektrischen Potentialdifferenz einen Temperaturunterschied ausbilden kann, wobei die Potentialdifferenz zu einem
Ausbilden eines elektrischen Stromes führen kann. Der
Zusammenhang zwischen Temperatur und Elektrizität kann physikalisch mittels des Seebeck-Effekts, Peltier-Effekts oder Thomson-Effekts beschrieben werden. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem elektronischen Bauelement ein Bauelement verstanden werden, welches die Steuerung, Regelung oder Verstärkung eines elektrischen
Stromes betrifft, beispielsweise mittels Verwendens von
Halbleiterbauelementen .
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem
optoelektronischen Bauelement ein Bauelement verstanden werden, das mittels eines Halbleiterbauelementes
elektromagnetische Strahlung emittiert oder absorbiert.
Fig.l zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen . Das lichtemittierende Bauelement 100 in Form einer
organischen Leuchtdiode 100 kann ein Träger 102 aufweisen. Der Träger 102 kann beispielsweise als ein Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise
lichtemittierende Elemente, dienen. Beispielsweise kann der Träger 102 Glas, Quarz, und/oder ein Halbleitermaterial oder irgendein anderen geeigneten Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Träger 102 eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder
Polypropylen (PP) ) aufweisen oder daraus gebildet sein.
Ferner kann der Kunststoff Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) ,
Polyethylenterephthalat (PET), Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Träger 102 kann eines oder mehrere der oben
genannten Stoffe aufweisen. Der Träger 102 kann transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein.
Unter dem Begriff „transluzent" bzw. „transluzente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist,
beispielsweise für das von dem Lichtemittierenden Bauelement erzeugte Licht, beispielsweise einer oder mehrerer
Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem
Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) . Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht" in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine
Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte
Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Licht hierbei gestreut werden kann Unter dem Begriff „transparent" oder „transparente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist
(beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des
Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) , wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird. Somit ist „transparent" in verschiedenen
Ausführungsbeispielen als ein Spezialfall von „transluzent" anzusehen . Für den Fall, dass beispielsweise ein lichtemittierendes monochromes oder im Emissionsspektrum begrenztes
elektronisches Bauelement bereitgestellt werden soll, ist es ausreichend, dass die optisch transluzente Schichtenstruktur zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs des gewünschten monochromen Lichts oder für das begrenzte
Emissionsspektrum transluzent ist.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische Leuchtdiode 100 (oder auch die lichtemittierenden Bauelemente gemäß den oben oder noch im Folgenden beschriebenen
Ausführungsbeispielen) als ein so genannter Top- und Bottom- Emitter eingerichtet sein. Ein Top- und/oder Bottom-Emitter kann auch als optisch transparentes Bauelement,
beispielsweise eine transparente organische Leuchtdiode, ausgebildet werden.
Auf oder über dem Träger 102 kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen optional eine Barriereschicht 104 angeordnet sein. Die Barriereschicht 104 kann eines oder mehrere der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus bestehen: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid,
Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid,
Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid,
Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, sowie
Mischungen und Legierungen derselben. Ferner kann die
Barriereschicht 104 in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 5000 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 40 nm. Auf oder über der Barriereschicht 104 kann ein elektrisch aktiver Bereich 106 des lichtemittierenden Bauelements 100 angeordnet sein. Der elektrisch aktive Bereich 106 kann als der Bereich des lichtemittierenden Bauelements 100 verstanden werden, in dem ein elektrischer Strom zum Betrieb des
lichtemittierenden Bauelements 100 fließt. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der elektrisch aktive Bereich 106 eine erste Elektrode 110, eine zweite Elektrode 114 und eine organische funktionelle Schichtenstruktur 112 aufweisen, wie sie im Folgenden noch näher erläutert werden.
So kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen auf oder über der Barriereschicht 104 (oder, wenn die Barriereschicht 104 nicht vorhanden ist, auf oder über dem Träger 102) die erste Elektrode 110 (beispielsweise in Form einer ersten
Elektrodenschicht 110) aufgebracht sein. Die erste Elektrode 110 (im Folgenden auch als untere Elektrode 110 bezeichnet) kann aus einem elektrisch leitfähigen Stoff gebildet werden oder sein, wie beispielsweise aus einem Metall oder einem leitfähigen transparenten Oxid (transparent conductive oxide, TCO) oder einem Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Metalls oder unterschiedlicher Metalle und/oder desselben TCO oder unterschiedlicher TCOs . Transparente leitfähige Oxide sind transparente, leitfähige Stoffe, beispielsweise
Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid,
Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO). Neben binären MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn02, oder Ιη2θ3 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise AlZnO,
Zn2Sn04, CdSn03, ZnSn03, Mgln204, Galn03, Ζη2ΐη2θ5 oder
In4Sn30]_2 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen Ausführungsbeispielen eingesetzt werden.
Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer
stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 110 ein Metall aufweisen; beispielsweise Ag, Pt, Au, Mg, AI, Ba, In, Ca, Sm oder Li, sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Stoffe.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 110 gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine
Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 110 eines oder mehrere der folgenden Stoffe
alternativ oder zusätzlich zu den oben genannten Stoffen aufweisen: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und - teilchen, beispielsweise aus Ag; Netzwerke aus Kohlenstoff- Nanoröhren; Graphen-Teilchen und -Schichten; Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten.
Ferner kann die erste Elektrode 110 elektrisch leitfähige Polymere oder Übergangsmetalloxide oder elektrisch leitfähige transparente Oxide aufweisen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die erste
Elektrode 110 und der Träger 102 transluzent oder transparent ausgebildet sein. In dem Fall, dass die erste Elektrode 110 ein Metall aufweist oder daraus gebildet ist, kann die erste Elektrode 110 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine
Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 18 nm. Weiterhin kann die erste Elektrode 110 beispielsweise Schichtdicke aufweisen von größer oder gleich ungefähr 10 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 15 nm. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode 110 eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 18 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 15 nm bis ungefähr 18 nm.
Weiterhin kann für den Fall, dass die erste Elektrode 110 ein leitfähiges transparentes Oxid (TCO) aufweist oder daraus gebildet ist, die erste Elektrode 110 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 75 nm bis ungefähr 250 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von
ungefähr 100 nm bis ungefähr 150 nm.
Ferner kann für den Fall, dass die erste Elektrode 110 aus beispielsweise einem Netzwerk aus metallischen Nanodrähten, beispielsweise aus Ag, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, einem Netzwerk aus Kohlenstoff- Nanoröhren, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, oder aus Graphen-Schichten und Kompositen gebildet werden, die erste Elektrode 110 beispielsweise eine
Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 400 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von
ungefähr 40 nm bis ungefähr 250 nm.
Die erste Elektrode 110 kann als Anode, also als
löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als
Kathode, also als eine elektroneninjizierende Elektrode.
Die erste Elektrode 110 kann einen ersten elektrischen
Kontaktpad aufweisen, an den ein erstes elektrisches
Potential (bereitgestellt von einer Energiequelle (nicht dargestellt) , beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle) anlegbar ist. Alternativ kann das erste elektrische Potential an den Träger 102 angelegt werden oder sein und darüber dann mittelbar an die erste Elektrode 110 angelegt werden oder sein. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein.
Weiterhin kann der elektrisch aktive Bereich 106 des
lichtemittierenden Bauelements 100 eine organische
funktionelle Schichtenstruktur 112 aufweisen, die auf oder über der ersten Elektrode 110 aufgebracht ist oder
ausgebildet wird.
Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann eine oder mehrere Emitterschichten 118 aufweisen, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern, sowie eine oder mehrere Lochleitungsschichten 116 (auch bezeichnet als Lochtransportschicht (en) 120). In
verschiedenen Ausführungsbeispielen können alternativ oder zusätzlich eine oder mehrere Elektronenleitungsschichten 116 (auch bezeichnet als Elektronentransportschicht (en) 116) vorgesehen sein.
Beispiele für Emittermaterialien, die in dem
lichtemittierenden Bauelement 100 gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen für die Emitterschicht (en) 118
eingesetzt werden können, schließen organische oder
organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2- oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3, 5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2- carboxypyridyl ) -iridium III), grün phosphoreszierendes
Ir (ppy) 3 (Tris (2-phenylpyridin) iridium III), rot
phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFg) (Tris [4, 4' -di-tert- butyl- (2, 2 ' ) -bipyridin] ruthenium (III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4, 4-Bis [4- (di-p- tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA ( 9, 10-Bis [N, -di- (p-tolyl) -amino] anthracen) und rot
fluoreszierendes DCM2 (4-Dicyanomethylen) -2-methyl-6- j ulolidyl- 9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können
Polymeremitter eingesetzt werden, welche insbesondere mittels eines nasschemischen Verfahrens, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) , abscheidbar sind.
Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein.
Es ist darauf hinzuweisen, dass andere geeignete
Emittermaterialien in anderen Ausführungsbeispielen ebenfalls vorgesehen sind.
Die Emittermaterialien der Emitterschicht (en) 118 des
lichtemittierenden Bauelements 100 können beispielsweise so ausgewählt sein, dass das lichtemittierende Bauelement 100 Weißlicht emittiert. Die Emitterschicht (en) 118 kann/können mehrere verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien
aufweisen, alternativ kann/können die Emitterschicht (en) 118 auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht 118 oder blau
phosphoreszierenden Emitterschicht 118 , einer grün
phosphoreszierenden Emitterschicht 118 und einer rot
phosphoreszierenden Emitterschicht 118. Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt.
Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann allgemein eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen. Die eine oder mehreren elektrolumineszenten
Schichten kann oder können organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht- polymere Moleküle („small molecules") oder eine Kombination dieser Stoffe aufweisen. Beispielsweise kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 eine oder mehrere
elektrolumineszente Schichten aufweisen, die als
Lochtransportschicht 120 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in dem Fall einer OLED eine effektive
Löcherinjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird.
Alternativ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 eine oder mehrere funktionelle Schichten aufweisen, die als
Elektronentransportschicht 116 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in einer OLED eine effektive
Elektroneninjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird. Als Stoff für die Lochtransportschicht 120 können
beispielsweise tertiäre Amine, Carbazolderivate, leitendes
Polyanilin oder Polyethylendioxythiophen verwendet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann oder können die eine oder die mehreren elektrolumineszenten Schichten als
elektrolumineszierende Schicht ausgeführt sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Lochtransportschicht 120 auf oder über der ersten Elektrode 110 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein, und die Emitterschicht 118 kann auf oder über der
Lochtransportschicht 120 aufgebracht sein, beispielsweise abgeschieden sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann dir Elektronentransportschicht 116 auf oder über der Emitterschicht 118 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 (also beispielsweise die Summe der Dicken von Lochtransportschicht (en) 120 und
Emitterschicht (en) 118 und Elektronentransportschicht (en) 116) eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 1,5 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 beispielsweise einen
Stapel von mehreren direkt übereinander angeordneten
organischen Leuchtdioden (OLEDs) aufweisen, wobei jede OLED beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 1,5 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112
beispielsweise einen Stapel von zwei, drei oder vier direkt übereinander angeordneten OLEDs aufweisen, in welchem Fall beispielsweise organische funktionelle Schichtenstruktur 112 eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 3 ym.
Das lichtemittierende Bauelement 100 kann optional allgemein weitere organische Funktionsschichten, beispielsweise
angeordnet auf oder über der einen oder mehreren
Emitterschichten 118 oder auf oder über der oder den
Elektronentransportschicht (en) 116 aufweisen, die dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz des lichtemittierenden Bauelements 100 weiter zu verbessern.
Auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren organischen funktionellen
Schichtenstrukturen kann die zweite Elektrode 114
(beispielsweise in Form einer zweiten Elektrodenschicht 114) aufgebracht sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektrode 114 die gleichen Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein wie die erste Elektrode 110, wobei in
verschiedenen Ausführungsbeispielen Metalle besonders geeignet sind.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektrode 114 (beispielsweise für den Fall einer metallischen zweiten Elektrode 114) beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 50 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 45 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 40 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 35 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 30 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 15 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 10 nm.
Die zweite Elektrode 114 kann allgemein in ähnlicher Weise ausgebildet werden oder sein wie die erste Elektrode 110, oder unterschiedlich zu dieser. Die zweite Elektrode 114 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen aus einem oder
mehreren der Stoffe und mit der jeweiligen Schichtdicke ausgebildet sein oder werden, wie oben im Zusammenhang mit der ersten Elektrode 110 beschrieben. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen sind die erste Elektrode 110 und die zweite Elektrode 114 beide transluzent oder transparent ausgebildet. Somit kann das in Fig.l dargestellte
lichtemittierende Bauelement 100 als Top- und Bottom-Emitter (anders ausgedrückt als transparentes lichtemittierendes Bauelement 100) ausgebildet sein.
Die zweite Elektrode 114 kann als Anode, also als
löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als
Kathode, also als eine elektroneninjizierende Elektrode.
Die zweite Elektrode 114 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches
Potential (welches unterschiedlich ist zu dem ersten
elektrischen Potential) , bereitgestellt von der
Energiequelle, anlegbar ist. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V. Auf oder über der zweiten Elektrode 114 und damit auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 106 kann optional noch eine Verkapselung 108, beispielsweise in Form einer
Barrierendünnschicht/Dünnschichtverkapselung 108 gebildet werden oder sein.
Unter einer „Barrierendünnschicht" 108 bzw. einem „Barriere- Dünnfilm" 108 kann im Rahmen dieser Anmeldung beispielsweise eine Schicht oder eine Schichtenstruktur verstanden werden, die dazu geeignet ist, eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff, zu bilden. Mit anderen Worten ist die Barrierendünnschicht 108 derart ausgebildet, dass sie von OLED-schädigenden Stoffen wie
Wasser, Sauerstoff oder Lösemittel nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann. Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 108 als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt, als
Einzelschicht) ausgebildet sein. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 108 eine Mehrzahl von aufeinander ausgebildeten Teilschichten aufweisen. Mit anderen Worten kann gemäß einer Ausgestaltung die
Barrierendünnschicht 108 als Schichtstapel (Stack)
ausgebildet sein. Die Barrierendünnschicht 108 oder eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 können beispielsweise mittels eines geeigneten Abscheideverfahrens gebildet werden, z.B. mittels eines
Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) gemäß einer Ausgestaltung, z.B. eines plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder eines plasmalosen
Atomlageabscheideverfahrens (Plasma-less Atomic Layer
Deposition (PLALD) ) , oder mittels eines chemischen
Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition
(CVD) ) gemäß einer anderen Ausgestaltung, z.B. eines
plasmaunterstützten Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder eines plasmalosen Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma-less
Chemical Vapor Deposition (PLCVD) ) , oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahren. Durch Verwendung eines Atomlagenabscheideverfahrens (ALD) können sehr dünne Schichten abgeschieden werden. Insbesondere können Schichten abgeschieden werden, deren Schichtdicken im Atomlagenbereich liegen. Gemäß einer Ausgestaltung können bei einer
Barrierendünnschicht 108, die mehrere Teilschichten aufweist, alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge, die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat" bezeichnet werden.
Gemäß einer alternativen Ausgestaltung können bei einer
Barrierendünnschicht 108, die mehrere Teilschichten aufweist, eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem
Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden,
beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens .
Die Barrierendünnschicht 108 kann gemäß einer Ausgestaltung eine Schichtdicke von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer
Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung .
Gemäß einer Ausgestaltung, bei der die Barrierendünnschicht 108 mehrere Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen. Gemäß einer anderen
Ausgestaltung können die einzelnen Teilschichten der
Barrierendünnschicht 108 unterschiedliche Schichtdicken aufweisen. Mit anderen Worten kann mindestens eine der
Teilschichten eine andere Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der Teilschichten.
Die Barrierendünnschicht 108 oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 können gemäß einer Ausgestaltung als transluzente oder transparente Schicht ausgebildet sein. Mit anderen Worten kann die Barrierendünnschicht 108 (oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 108) aus einem transluzenten oder transparenten Stoff (oder einem Stoffgemisch, die transluzent oder transparent ist) bestehen. Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 108 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 einen der nachfolgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid,
Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid,
Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium¬ dotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen
derselben. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Barrierendünnschicht 108 oder (im Falle eines
Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 ein oder mehrere hochbrechende Stoffe aufweisen, anders ausgedrückt ein oder mehrere Stoffe mit einem hohen
Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der Barrierendünnschicht 108 ein Klebstoff und/oder ein
Schutzlack 124 vorgesehen sein, mittels dessen beispielsweise eine Abdeckung 126 (beispielsweise eine Glasabdeckung 126) auf der Barrierendünnschicht 108 befestigt, beispielsweise aufgeklebt ist. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch transluzente Schicht aus Klebstoff und/oder
Schutzlack 124 eine Schichtdicke von größer als 1 ym
aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren ym. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff einen Laminations-Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein.
In die Schicht des Klebstoffs (auch bezeichnet als
Kleberschicht) können in verschiedenen Ausführungsbeispielen noch lichtstreuende Partikel eingebettet sein, die zu einer weiteren Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der
Auskoppeleffizienz führen können. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen können als lichtstreuende Partikel beispielsweise dielektrische Streupartikel vorgesehen sein wie beispielsweise Metalloxide wie z.B. Siliziumoxid (S1O2), Zinkoxid (ZnO) , Zirkoniumoxid (ZrC>2), Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO), Galliumoxid (Ga20x) Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der transluzenten Schichtenstruktur verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat, oder Glashohlkugeln. Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber, Eisen- Nanopartikel , oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrode 114 und der Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack 124 noch eine elektrisch isolierende Schicht
(nicht dargestellt) aufgebracht werden oder sein,
beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1,5 ym, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 ym, um elektrisch instabile Stoffe zu schützen, beispielsweise während eines
nasschemischen Prozesses.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff derart eingerichtet sein, dass er selbst einen Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der Brechungsindex der
Abdeckung 126. Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein
Acrylat, der einen Brechungsindex von ungefähr 1,3 aufweist. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Kleber vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden. Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf einen Klebstoff 124 verzichtet werden kann, beispielsweise in Ausgestaltungen, in denen die Abdeckung 126, beispielsweise aus Glas, mittels beispielsweise Plasmaspritzens auf die Barrierendünnschicht 108 aufgebracht werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können/kann die
Abdeckung 126 und/oder der Klebstoff 124 einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen .
Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen
zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten
(beispielsweise kombiniert mit der Verkapselung 108,
beispielsweise der Barrierendünnschicht 108) in dem
lichtemittierenden Bauelement 100 vorgesehen sein.
Fig.2 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß
verschiedenen Ausgestaltungen.
Dargestellt ist ein Teil einer Ausgestaltung eines
optoelektronischen Bauelementes 100 mit dem Träger 102, auf dem eine Metallisierung aufgebracht ist, die als die erste Elektrode 110 bzw. als die zweite Elektrode 114 ausgebildet ist.
Auf der ersten Elektrode 110 kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 ausgebildet sein, wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 gemäß der Beschreibung aus Fig.l ausgebildet sein kann. Die elektrische Verbindung der zweiten Elektrode 114 mit der organischen funktionellen
Schichtenstruktur 112 kann mittels einer ersten elektrischen Verbindungsschicht 210 ausgebildet sein, die auch als Teil der zweiten Elektrode 114 verstanden werden kann.
Zusammen mit einer elektrisch isolierenden Schicht 208, beispielsweise einem Resist 208, kann eine elektrische
Verbindung der organischen funktionellen
Schichtenstruktur 112 mit den Elektroden 110, 114 in einer Ebene, d.h. parallel nebeneinander, mittels der elektrischen Verbindungsschicht 210 ausgebildet werden. Anders formuliert: die elektrische Verbindungsschicht 210 kann als elektrisch Verlängerung der zweiten Elektrode 114 mittels eines
elektrisch isolierenden Resists 208 von der ersten Elektrode 110 elektrisch isoliert werden. Der Resist 208 kann bei einer Anordnung der Elektroden 110, 114 ohne körperlichen Kontakt auch optional sein,
beispielsweise bei einer Anordnung der Elektroden 110, 114 ähnlich einem Kreuz mit der organischen funktionellen
Schichtenstruktur 112 zwischen den Elektroden 110, 114 als elektrische Isolierung.
Die erste Elektrode 110 und die zweite Elektrode 114 können gemäß der Beschreibung der Fig.l ausgebildet sein und
beispielsweise ITO aufweisen oder daraus gebildet sein. Die erste elektrische Verbindungsschicht 210 kann das gleiche oder ein ähnliches Material aufweisen wie die erste Elektrode 110 und/oder die zweite Elektrode 114 gemäß der Beschreibung der Fig.l. Die externe elektrische Verbindung der organischen
funktionellen Schichtenstruktur 112, d.h. deren Bestromung bzw. Stromversorgung, kann mittels elektrischer Anschlüsse 202, 204 an den Randbereichen des optoelektronischen
Bauelementes 200, beispielsweise den geometrischen Rändern der flächigen Oberfläche des Trägers 102, realisiert sein.
Als Verkapselung der ersten Elektrode 110 und der zweiten Elektrode 114 kann eine erste Kontaktschicht 206 zwischen den elektrischen Anschlüssen 202, 204 und den Elektroden 110, 114 aufgebracht werden. Die erste Kontaktschicht 206 kann eine homogene Schicht oder eine Schichtenabfolge aufweisen, wobei ein Teil der ersten Kontaktschicht 206 als Stoff oder
Stoffgemisch beispielsweise Chrom und/oder Aluminium
aufweisen kann oder daraus gebildet ist, beispielsweise einen Schichtstapel aus Chrom-Aluminium-Chrom. Fig.3 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung, gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen . Dargestellt ist ein schematischer Querschnitt einer
Ausgestaltung eines thermoelektrischen Bauelementes 300 auf dem Träger 102 des optoelektronischen Bauelementes 200. Fig.3 kann beispielsweise eine andere Schnittebene des Trägers 102 des optoelektronischen Bauelementes 200 sein.
Der in Fig.3 dargestellte Schichtenaufbau unterscheidet sich von dem Schichtenaufbau von Fig.2 derart, dass in dem Bereich des Trägers 102 eines thermoelektrisch sensitiven Abschnittes 310 auf der ersten Elektrode 110 keine organische
funktionelle Schichtenstruktur 112 ausgebildet wird.
Weiterhin kann die erste Kontaktschicht 206 im Bereich des thermoelektrisch sensitiven Abschnittes 310 nicht
strukturiert sein, beispielsweise nicht entfernt sein. Die erste elektrische Verbindungsschicht 210 kann auf der
Kontaktschicht 206 ausgebildet werden, d.h. die elektrische Verbindungsschicht 210 kann in einem Bereich des
thermoelektrisch sensitiven Abschnittes 310 im körperlichen Kontakt mit dem nicht-strukturierten Bereich der
Kontaktschicht 206 sein. Die erste Kontaktschicht 206 mit nicht-strukturiertem Bereich wird im Folgenden als zweite
Kontaktschicht 314 bezeichnet. Die zweite Kontaktschicht 314 kann in dem thermoelektrisch sensitiven Abschnitt 310 die gleiche stoffliche Zusammensetzung aufweisen, wie die erste Kontaktschicht 206 in einem Bereich 316 des Anschlusses 308 der zweiten Elektrode 114.
Das Material der ersten elektrischen Verbindung 302, das Material der ersten Kontaktschicht 206 bzw. der zweiten
Kontaktschicht 314 können unterschiedliche Seebeck- Koeffizienten aufweisen. Dadurch kann sich an der gemeinsamen Grenzfläche 312 dieser Schichten 314, 302 eine
thermoelektrische Spannung aufbauen. Der Bereich der zweiten elektrischen Verbindungsschicht 302 und zweiten
Kontaktschicht 314 mit gemeinsamer Grenzfläche 312 kann dabei als thermoelektrisch sensitiver Abschnitt 310 verstanden werden. Die thermoelektrische Spannung des thermoelektrisch sensitiven Abschnittes 310 kann mittels der zweiten
elektrischen Verbindungsschicht 302, den Elektroden 110, 114 und der ersten Kontaktschicht 206 und der zweiten
Kontaktschicht 314 an die Anschlüsse 306, 308 verschoben werden .
Der thermoelektrisch sensitive Abschnitt 310 kann als ein thermoelektrisch aktiver Teil des thermoelektrischen
Bauelementes 300 verstanden werden.
Die auf dem Träger 102 gemessene thermoelektrische Spannung kann mittels einer Spannungsmesseinrichtung 304 gemessen werden. Die Spannungsmesseinrichtung 304 kann ein
Referenzthermoelement aufweisen (nicht dargestellt) , das die gemessene thermoelektrische Spannung in einen Temperaturwert bezüglich des Referenzthermoelementes umwandeln kann.
Das Referenzthermoelement kann als zweiter thermoelektrisch aktiver Teil des thermoelektrischen Bauelementes 300
verstanden werden. Das Referenzthermoelement kann dabei ähnlich dem thermoelektrisch sensitiven Abschnitt 310 ausgebildet sein.
Der Wert der gemessenen thermoelektrischen Spannung kann proportional zum Temperaturunterschied bezüglich der
Temperatur des Referenzthermoelementes sein. Die
Proportionalität zwischen Temperatur und thermoelektrischer Spannung kann mittels der unterschiedlichen Seebeck- Koeffizienten der Schichten an der gemeinsamen Grenzfläche 312 ausgebildet sein. Der Temperaturwert kann als Bezugsgröße für ein Anpassen einer Spannung ausgebildet sein, wobei die Spannung über die Anschlüsse 202, 204 an das
optoelektronische Bauelement 200 angelegt werden kann. Die elektrische Verbindungsschicht 302 sollte daher nicht im körperlichen Kontakt mit der ersten Kontaktschicht 206 der zweiten Elektrode 114 ausgebildet sein, da sich sonst im Bereich des körperlichen Kontaktes aus elektrischer
Verbindungsschicht 302 mit der Kontaktschicht 206 (nicht dargestellt) eine zweite thermoelektrische Spannung ausbilden kann. Die zweite thermoelektrische Spannung kann dabei die erste thermoelektrische Spannung kompensieren, so dass effektiv keine oder eine reduzierte thermoelektrische
Spannung gemessen werden kann.
Weiterhin sollten die Stoffe der elektrischen
Verbindungsschicht 302 und der ersten Elektrode 114 derart eingerichtet sein, dass sich keine thermoelektrische Spannung an der gemeinsamen Grenzfläche ausbildet, beispielsweise indem die zweite elektrische Verbindungschicht 302 und die zweite Elektrode 114 aus einem gleichen oder ähnlichem Stoff ausgebildet sind.
In einer Ausgestaltung kann die thermoelektrische Spannung zwischen elektrischer Verbindung 302 und zweiter Elektrode 114 in der Berechnung der Temperatur innerhalb des
Spannungsmessgerätes 304 berücksichtigt werden,
beispielsweise indem das Referenzthermoelement eine
Grenzfläche mit gleicher stofflicher Zusammensetzung aufweist wie die Grenzfläche der elektrischen Verbindung 302 mit der zweiten Elektrode 114. Der Betrag der Fläche des thermoelektrisch sensitiven
Abschnittes 310 sollte derart gewählt werden, dass das
Signal-zu-Rauschen Verhältnis für eine stabile
Temperaturmessung derart hoch ist, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1000:1 bis ungefähr 20:1, dass die
Abweichung der Messwerte aufeinanderfolgender
Temperaturmessungen bei konstanter Temperatur beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 0,1 % bis ungefähr 5 %
ausgebildet ist.
Der konkrete Betrag der Fläche des thermoelektrisch
sensitiven Abschnittes 310 kann abhängig sein von den
Stoffen, zwischen denen eine thermoelektrische Spannung ausgebildet ist, dem Messgerät 304 zur Spannungsmessung, beispielsweise dem Eingangswiderstand (Impedanz). Weiterhin können die Art der Kontaktierung der Anschlüsse 306, 308 mit den Kontaktschichten 206, 314, beispielsweise
Stoffschlüssiger Kontakt oder formschlüssiger Kontakt, die thermische und elektrische Isolierung der Anschlüsse 306, 308 und weitere ähnliche Parameter, das Signal-zu-Rauschen- Verhältnis beeinflussen.
Die Form der Grenzfläche 312 des thermoelektrisch sensitiven Abschnittes 310 kann beliebig ausgebildet werden.
Voraussetzung für eine beliebige Form der Grenzfläche 312 ist jedoch eine homogene Temperaturverteilung im thermoelektrisch sensitiven Abschnitt 310.
Eine Temperaturverteilung kann beispielsweise bis zu einem Temperaturunterschied als homogen angesehen werden, bis zu dem die temperaturabhängigen optoelektronischen Eigenschaften des optoelektronischen Bauelementes 200 noch als homogen angesehen werden können.
In einer Ausgestaltung können mehrere thermoelektrisch sensitive Abschnitte 310 auf einem Träger ausgebildet sein, beispielsweise wenn mehrere optoelektronische Bauelemente 200 einen gemeinsamen Träger 102 aufweisen. Jedes der mehreren optoelektronischen Bauelemente 200 oder mehrere
optoelektronische Bauelemente 200 können dabei einen
thermoelektrisch sensitiven Abschnitt 310 aufweisen. Eine mögliche Ausgestaltung können beispielsweise
optoelektronische Bauelemente 200 auf einem gemeinsamen
Träger 102 vor dem Vereinzeln der optoelektronischen Bauelemente 200 sein. Der gemeinsame Träger 102 kann
beispielsweise ein Träger 102 gemäß der Beschreibung aus Fig.l sein, beispielsweise ein Chip-Wafer 102 sein. Die einzelnen optoelektronischen Bauelemente 200 können mittels fertigungsbedingter Schwankungen der Schichten der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112
unterschiedliche elektrische Widerstände und unterschiedliche elektrische Verluste aufweisen. Dadurch können auf der
Oberfläche oder im Schichtquerschnitt der einzelnen
optoelektronischen Bauelemente 200 unterschiedliche
Temperaturen ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung können zwei oder mehr
optoelektronische Bauelemente 200 einen gemeinsamen
thermoelektrisch sensitiven Abschnitt 310 aufweisen,
beispielsweise wenn der thermoelektrisch sensitive Abschnitt 310 als Teil des Trägers 102 ausgebildet ist und zwei oder mehr optoelektronische Bauelemente 200 auf oder über dem thermoelektrisch sensitiven Abschnitt 310 ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung können die zwei oder mehr
thermoelektrisch sensitiven Abschnitte 310 auf dem Träger 102 oder auf oder neben dem optoelektronischen Bauelement 200 regelmäßig oder vereinzelt als thermoelektrisch sensitive Abschnitte 310 ausgebildet sein.
In noch einer Ausgestaltung können zwei oder mehr
thermoelektrisch sensitive Abschnitte 310 eine elektrische Reihenschaltung oder Parallelschaltung aufweisen.
In noch einer Ausgestaltung können zwei oder mehr
thermoelektrisch sensitive Abschnitte 310 vertikal
übereinander oder horizontal nebeneinander ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung kann der thermoelektrisch sensitive Abschnitt, d.h. die Schichten 302, 314, die sich wenigstens eine gemeinsame Grenzfläche 312 mit thermoelektrischer
Spannung teilen, als ein Thermoelement eingerichtet sein aus der Gruppe der Thermoelemente: Typ K, J, N, R, S, T, E, Chromel/AuFe, und den Toleranzklassen 1 oder 2. Die
Thermoelemente, d.h. die Schichten mit unterschiedlichen Seebeck-Koeffizienten an deren Grenzflächen 312 sich eine thermoelektrische Spannung ausbilden kann, können ein Stoff oder Stoffgemisch, beispielsweise eine Legierung, aufweisen oder daraus gebildet sein aus der Gruppe der Stoffe: Chrom, Aluminium, Nickel, Mangan, Silizium, Konstantan, Eisen, Platin, Rhodium, Kupfer, Wolfram, Gold, Rhenium.
Die Stoffe oder die Stoffgemische der Schichten des
thermoelektrisch sensitiven Abschnittes 310 können
beispielsweise gleichzeitig mit Schichten des
optoelektronischen Bauelementes auf den Träger 102
aufgebracht werden, beispielsweise wenn stofflich gleiche oder ähnliche Schichten auch beim optoelektronischen
Bauelement 200 ausgebildet werden.
In noch einer Ausgestaltung können die Stoffe oder die
Stoffgemische der Schichten des thermoelektrisch sensitiven Abschnittes 310 vor dem Aufbringen des optoelektronischen Bauelementes 200 auf den Träger 102 aufgebracht werden, beispielsweise als Zwischenschicht und/oder nach dem
Ausbilden des optoelektronischen Bauelementes 200,
beispielsweise auf die Verkapselung 118.
Das Ausbilden des thermoelektrisch sensitiven Abschnittes 310 kann beispielsweise mittels aufeinanderfolgenden Beschichtens mittels Lochmasken oder mittels Beschichtens und
nachträglichen Strukturierens der Stoffe oder der
Stoffgemische ausgebildet sein. Das Herstellen des
thermoelektrisch sensitiven Abschnittes 310 kann dabei in den bestehenden Prozessfluss der Herstellung des
optoelektronischen Bauelementes integriert sein. Die einzelnen Schichten des thermoelektrisch sensitiven
Abschnittes 310 sollten in sich homogen sein derart, dass innere thermoelektrisch Grenzflächen in den einzelnen
Schichten des thermoelektrisch sensitiven Abschnittes 310 nicht ausgebildet sind.
In noch einer Ausgestaltung können ein thermoelektrisch sensitiver Abschnitt 310 oder mehrere thermoelektrisch sensitive Abschnitte 310 und/oder ein optoelektronisches Bauelement oder mehrere optoelektronische Bauelemente eine gemeinsame Elektrode 110, 114 aufweisen .
In verschiedenen Ausgestaltungen werden ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Bauelementevorrichtung und eine elektronische Bauelementevorrichtung bereitgestellt, mit denen es möglich ist die Temperatur direkt im Inneren eines optoelektronischen Bauelementes zu messen. Dadurch kann die Genauigkeit der Messung deutlich erhöht werden. Dabei wird das äußere Erscheinungsbild nicht verändert. Die Anordnung des thermoelektrisch sensitiven Abschnittes und des
optoelektronischen Bauelementes ermöglicht eine einfache Integration einer Temperaturmesseinrichtung in einem
bestehenden Produktionsprozess eines optoelektronischen
Bauelementes. Mittels der Integration der
Temperaturmesseinrichtung in das optoelektronische Bauelement ist es beispielsweise möglich die Leistungsabgabe der
Modultreiber an die Temperatur des optoelektronischen
Bauelementes anzupassen und so Leuchtdichte-Schwankungen aufgrund von Temperaturschwankungen auszugleichen. Die
Möglichkeit der Temperaturmessung auf der Innenseite des optoelektronischen Bauelementes, d.h. an der Oberfläche des Trägers, ermöglicht in Kombination mit weiteren
Temperaturmessungen auf der Außenseite, d.h. der Oberfläche des optoelektronischen Bauelementes, die Bestimmung des
Wärmeübergangs des optoelektronischen Bauelementes an die Umgebung. Weiterhin ermöglicht die Bauelementevorrichtung das Messen der Temperatur einer OLED ohne Beeinflussung des Wärmeübergangskoeffizienten .
Die wenigen Unterschiede der Schnittebene des
thermoelektrisch sensitiven Abschnittes zur Schnittebene des optoelektronischen Bauelementes veranschaulichen bereits die einfache Ausführbarkeit zum Herstellen der elektronischen BauelementeVorrichtung .

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zum Herstellen einer elektronischen
Bauelementevorrichtung, das Verfahren aufweisend: Bilden eines optoelektronischen Bauelementes (200) auf oder über einem Träger (102); Bilden eines thermoelektrischen Bauelementes (300) auf oder über dem gleichen Träger (102) ;
• wobei das Bilden des optoelektronischen Bauelementes (200) und/oder des thermoelektrischen Bauelementes
(300) das Aufbringen von Schichten auf den Träger (102) aufweist;
• wobei das Bilden des thermoelektrischen Bauelements (300) ein Bilden eines thermoelektrisch sensitiven Abschnitts (310) aufweist, wobei der thermoelektrisch sensitive Abschnitt (310) im thermischen Kontakt mit dem optoelektronischen Bauelement (200) ausgebildet wird, und der thermoelektrisch sensitive Abschnitt (310) nicht-selbsttragend ausgebildet wird; und
· wenigstens das Bilden des thermoelektrisch sensitiven
Abschnittes (310) beim Bilden des optoelektronischen Bauelementes (200) eingebunden ist derart, dass wenigstens der thermoelektrisch sensitive Abschnitt (310) mit mindestens einem Teil des
optoelektronischen Bauelementes (200) in körperlichem
Kontakt ausgebildet wird.
2. Verfahren gemäß Anspruch 1,
wobei wenigstens ein Teil des thermoelektrisch
sensitiven Abschnittes (310) des thermoelektrischen
Bauelementes (300) vor dem Bilden des optoelektronischen Bauelementes (200) ausgebildet wird; und/oder wenigstens ein Teil des thermoelektrisch sensitiven Abschnittes (310) des thermoelektrischen Bauelementes (300) nach dem Bilden des optoelektronischen Bauelementes (200) ausgebildet wird. Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2,
wobei der thermoelektrisch sensitive Abschnitt (310) des thermoelektrischen Bauelementes (300) gleichzeitig mit Schichten des optoelektronischen Bauelementes (200) ausgebildet wird.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3,
wobei der thermoelektrisch sensitive Abschnitt (310) als eine Schicht oder Schichtenstruktur des
optoelektronischen Bauelementes (200) ausgebildet wird.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4,
wobei die elektronische Bauelementevorrichtung derart ausgebildet wird, dass das thermoelektrische Bauelement (300) und das optoelektronische Bauelement (200) eine gemeinsame Elektrode aufweisen.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5,
wobei der thermoelektrisch sensitive Abschnitt (310) derart ausgebildet wird, dass das optoelektronische Bauelement (200) teilweise oder vollständig von dem thermoelektrisch sensitiven Abschnitt (310) umgeben wird .
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6,
wobei das thermoelektrische Bauelement (300) als
Temperatur-messendes Bauelement (300) ausgebildet wird.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7,
wobei das thermoelektrische Bauelement (300) eine
Spannungsmesseinrichtung (304) aufweist, wobei die
Spannungsmesseinrichtung (304) einen thermoelektrisch sensitiven Abschnitt aufweist, wobei der
thermoelektrisch sensitive Abschnitt (310) auf oder über dem Träger ähnlich oder gleich bezüglich des
thermoelektrisch sensitiven Abschnittes der
Spannungsmesseinrichtung (304) ausgebildet wird.
9. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei der thermoelektrisch sensitive Abschnitt (310) auf oder über dem Träger als Schichtenstruktur mit Schichten mit unterschiedlichen thermoelektrischen Eigenschaften (206, 302) ausgebildet wird derart, dass an der
gemeinsamen Grenzfläche zweier Schichten mit
unterschiedlichen thermoelektrischen Eigenschaften (206, 302) eine thermoelektrische Spannung ausbildbar ist, wobei die Schichten mit unterschiedlichen
thermoelektrischen Eigenschaften (206, 302) derart angeordnet werden, dass über dem thermoelektrisch sensitiven Abschnitt (310) eine resultierende
thermoelektrische Spannung anliegt.
10. Elektronische Bauelementevorrichtung, aufweisend:
• einen Träger;
• ein optoelektronisches Bauelement (200) und ein
thermoelektrisches Bauelement (300) auf oder über einem Träger (102);
• wobei das optoelektronische Bauelement (200)
aufweist :
o eine erste Elektrode (110);
o eine zweite Elektrode (114);
o einen optisch aktiven Bereich (112) im Strompfad zwischen der ersten Elektrode (110) und der zweiten Elektrode (114);
o eine Verkapselung;
• wobei das thermoelektrische Bauelement (300) einen thermoelektrisch sensitiven Abschnitt (310) aufweist, wobei der thermoelektrisch sensitive Abschnitt (310) mindestens zwei thermoelektrische Schichten (302, 314) aufweist, wobei die mindestens zwei
thermoelektrischen Schichten (302, 314) sich in mindestens einer thermoelektrischen Eigenschaften unterscheiden, wobei wenigstens der thermoelektrisch sensitive Abschnitt (310) des thermoelektrischen Bauelementes (300) in körperlichem Kontakt mit mindestens einem Teil des optoelektronischen
Bauelementes (200) steht.
Elektronische Bauelementevorrichtung gemäß Anspruch 10, wobei die elektronische Bauelementevorrichtung derart eingerichtet ist, dass das thermoelektrische Bauelement (300) und das optoelektronische Bauelement (200) eine gemeinsame Elektrode aufweisen.
Elektronische Bauelementevorrichtung gemäß Anspruch 10 oder 11,
wobei der thermoelektrisch sensitive Abschnitt (310) als eine Schicht des optoelektronischen Bauelementes (200) ausgebildet ist.
Elektronische Bauelementevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 10 bis 12,
wobei das thermoelektrische Bauelement (300) als
Temperatur-messendes Bauelement (300) eingerichtet ist.
Elektronische Bauelementevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 10 bis 13,
wobei das optoelektronische Bauelement (200) mit optisch aktivem Bereich (112) als elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement (200), insbesondere eine organische Leuchtdiode (200), eingerichtet ist.
Elektronische Bauelementevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 10 bis 14,
wobei die elektronische Bauelementevorrichtung als ein Temperatur-geregeltes optoelektronisches Bauelement (200), insbesondere eine Temperatur-geregelte organische Leuchtdiode (200), eingerichtet ist. 0
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