WO2015002221A1 - パターンを有する基板の製造方法及びフッ酸エッチング用樹脂組成物 - Google Patents

パターンを有する基板の製造方法及びフッ酸エッチング用樹脂組成物 Download PDF

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WO2015002221A1
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resin composition
epoxy compound
etching
hydrofluoric acid
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佐藤 哲夫
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日産化学工業株式会社
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    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • G03F7/405Treatment with inorganic or organometallic reagents after imagewise removal

Definitions

  • the present invention has a hydrofluoric acid etching resin composition suitable for forming a resist film when etching a glass substrate or a substrate covered with an insulating film, and an etching pattern formed using the resin composition.
  • the present invention relates to a method for manufacturing various substrates.
  • wet etching is widely used as a substrate processing method, and is also used in various processes in large substrate processing for flat panel displays.
  • organic ELD organic electroluminescence display
  • use of glass for the back cap has been studied in order to reduce the thickness of the panel.
  • the back glass cap is formed by etching a glass substrate. When etching, a resist film is formed on the glass substrate and only a desired region is etched.
  • wet etching has also been employed for cutting glass touch panel substrates and polishing cut surfaces.
  • etching is performed by dipping in an etching solution containing hydrofluoric acid (HF) (hereinafter also referred to as “etchant”).
  • HF hydrofluoric acid
  • hydrofluoric acid has high penetrating power, so it is difficult to form a resist film having a hydrofluoric acid barrier property.
  • the adhesion between the substrate and the resist film is poor, peeling between the substrate and the resist film may occur, or the amount of side etching may increase, which may hinder the accuracy of the etching process. was there.
  • long-time etching is required, there is a problem that pinholes are generated in the resist film or the coating film swells and peels off from the substrate.
  • hydrofluoric acid resists for glass etching include imparting gas barrier properties by adding fillers (for example, Patent Documents 1 and 2), compositions containing an alkali-soluble resin and an acrylic monomer (for example, Patent Documents 3 to 7), An aromatic polyarylate resin (for example, Patent Document 8) has been filed.
  • a resist film having a hydrofluoric acid barrier property is usually highly resistant to other chemicals, and a strong chemical is required in the resist development process and the peeling process.
  • an aqueous solution of potassium hydroxide having a concentration of 15 to 20% heated to 60 ° C. has been proposed as a stripping solution for a hydrofluoric acid resist.
  • Such a strong alkaline solution corrodes the ITO pattern, the metal wiring, the decorating resin, etc. on the glass substrate, so that there is a limit to the applicable glass substrate.
  • a silane coupling agent is included in the resist film in order to improve adhesion, the silane coupling agent remains on the substrate as a residue even after the resist film is peeled off. Therefore, although it causes the substrate contamination and is not preferable, there has been no report of a hydrofluoric acid resist that avoids the use of a silane coupling agent.
  • JP 2005-164877 A Japanese Patent Laid-Open No. 2007-128052 JP 2010-72518 A JP 2008-233346 A JP 2008-76768 A JP 2009-163080 A JP 2006-337670 A JP 2010-256788 A
  • a general organic film cannot prevent permeation of hydrofluoric acid (HF), and the base substrate is corroded during etching and the resist film is peeled off. Even if permeation of hydrofluoric acid can be prevented, it may be difficult to remove the resist film from the substrate after etching, and a highly corrosive chemical is required to remove the resist film from the substrate. .
  • HF hydrofluoric acid
  • the present invention is a resin composition suitable for forming a resist film when etching a glass substrate or a substrate having an insulating film such as SiO 2 or SiN, and for removing the resist film after etching. It is another object of the present invention to provide a method for producing various substrates using the resin composition.
  • a method for producing a substrate having a pattern which is an embodiment of the present invention for solving the above-described problems is characterized by having at least the following steps (a) to (d).
  • n represents the number of repeating units and represents an integer of 0 to 10.
  • the content of the bisphenol A type epoxy compound and the alicyclic epoxy compound in the hydrofluoric acid etching resin composition is preferably 70 to 95% by mass.
  • the alicyclic epoxy compound preferably has a group represented by any of the following formulas (2) to (6).
  • the hydrofluoric acid etching resin composition further contains a thixotropic agent.
  • the resin composition for hydrofluoric acid etching which is the other aspect of this invention which solves the said subject is mass ratio 65:35 with the bisphenol A type epoxy compound and alicyclic epoxy compound which are represented by following formula (1). ⁇ 99.9: 0.1, and further contains a polymerization initiator.
  • n represents the number of repeating units and represents an integer of 0 to 10.
  • the coating property to the glass substrate and the like is excellent, and the curability by the heat / light curing agent is also good. It becomes a certain resin composition.
  • the cured resin composition exhibits excellent hydrofluoric acid barrier properties and exhibits good adhesion, so that side etching can also be suppressed.
  • the substrate adhesion of the resist film is controlled by the mixing ratio of the bisphenol A type epoxy compound and the alicyclic epoxy compound, the resist film can be easily peeled off from the substrate under desired peeling conditions after etching.
  • the resin composition of the present invention has sufficient resistance to an etchant containing hydrofluoric acid, and also has sufficient adhesion to a glass substrate or a substrate having an insulating film such as SiO 2 or SiN. It is possible to form a resist film that suppresses side etching during wet etching, can be processed with high accuracy without peeling even after long etching, and can perform wet etching with high accuracy. it can. Then, after the pattern is formed by etching, the resist film can be easily peeled and removed to manufacture a substrate.
  • resin composition for hydrofluoric acid etching of the present invention
  • the resin composition of the present invention contains a bisphenol A type epoxy compound as the component (A), an alicyclic epoxy compound as the component (B), and a polymerization initiator as the component (C), and the components (A) and (B). Ingredients are included at a mass ratio of 65:35 to 99.9: 0.1.
  • the resin composition of the present invention can contain a polymerization inhibitor as the component (D), a thixotropic agent as the component (E), and a surfactant as the component (F) as necessary.
  • the component (A) has a lower hardness when cured than the component (B).
  • the hardness of such a cured resin has a great influence on the hydrofluoric acid barrier property when the substrate is etched, the substrate adhesion of the resist film, and the ease of peeling of the resist film after etching.
  • the hardness at the time of curing is high like the component (B), it becomes difficult to ensure good substrate adhesion due to residual strain due to curing shrinkage, and it becomes difficult to obtain sufficient hydrofluoric acid barrier properties. . Even if residual strain is eliminated and good substrate adhesion is ensured, if the hardness of the cured product is too high, the resist film adheres firmly to the substrate even after etching, making it difficult to peel from the substrate. . On the other hand, as in the case of the component (A), when the hardness of the cured product is low, the residual strain is easily eliminated, so that the resist film firmly adheres to the substrate even after etching, and it takes time and effort to peel off from the substrate. It becomes like this. That is, it becomes difficult to remove the resist film from the substrate.
  • the resin composition of the present invention contains the component (A) and the component (B) at a mass ratio of 65:35 to 99.9: 0.1.
  • a component (A) having a low hardness when cured and a component (B) having a high hardness when cured in a specific ratio good substrate adhesion and hydrofluoric acid barrier properties And a resin composition capable of satisfying both ease of peeling of the resist film after etching.
  • the mass ratio of the components (A) and (B) is preferably 70:30 to 95: 5, and more preferably 80:20 to 90:10.
  • the content of the component (A) is less than the above range, the adhesive strength is deteriorated.
  • it exceeds the above range the coating property is deteriorated, causing a problem in practical use.
  • the (A) component bisphenol A type epoxy compound used in the present invention is represented by the following formula (1).
  • n represents the number of repeating units and is an integer of 0 to 10.
  • n is preferably 8 or less, from the viewpoint of realizing a resin composition that can form a resist film that has good resistance to hydrofluoric acid, adhesion to the substrate, and that can be easily removed after etching. More preferably, it is 6 or less, and still more preferably 4 or less.
  • 1 type may be used independently and 2 or more types may be used together.
  • a compound produced by a known method that is, a method of subjecting bisphenol A and epichlorohydrin to a condensation reaction in the presence of an alkaline compound may be used, or a commercially available product may be used.
  • a commercially available product include jER825, jER827, jER828 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), EPICLON 840, 850 (manufactured by DIC Corporation), EP-4100, EP-4400 ( As mentioned above, although ADEKA Corporation etc. are mentioned, it is not necessarily limited to these.
  • the alicyclic epoxy compound of the component (B) used in the present invention is not particularly limited as long as it is an alicyclic epoxy compound having an epoxy group existing inside the alicyclic group, but the following formula (2) An alicyclic epoxy compound having a group represented by any one of (6) to (6) is preferred, and an alicyclic epoxy compound having a group represented by formula (2) is more preferred.
  • the alicyclic epoxy compound as component (B) is preferably liquid at a temperature of 20 ° C. from the viewpoint of coating properties, and two or more alicyclic groups in one molecule from the viewpoint of curability. It is preferable to have an epoxy group present inside.
  • the alicyclic epoxy compound of (B) component may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
  • JP-A No. 04-036263, JP-A No. 10-338697, JP-A No. 2002-275169, JP-A No. 2004-099467, JP-A No. 2004-182648 are disclosed.
  • Examples of the alicyclic epoxy compounds described are not limited thereto.
  • the component (B) contains at least one alicyclic epoxy compound represented by any one of the following formulas (7) and (8) from the viewpoint of producing a resist film having good reproducibility and good various properties. It is preferable that the alicyclic epoxy compound represented by Formula (7) is included.
  • R 1 and R 2 are each independently selected from the group consisting of a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a s-butyl group, and a t-butyl group. At least one kind is represented, m is an integer of 1 to 7, and l is an integer of 1 to 20.
  • R 1 is a plurality
  • the plurality of R 1 may being the same or different.
  • R 2 are a plurality
  • the plurality of R 2 may being the same or different.
  • alicyclic epoxy compound used in the present invention one produced by the method described in the above-mentioned literature may be used, or a commercially available product may be used.
  • commercially available products include Celoxide 200, Celoxide 2021P, Celoxide 2080, Celoxide 3000, Epolide GT300, Epolide GT400, Epolido D-100ET, Epolide D-100OT, Epolide D-100DT, Epolide D-100ST, Epolide D-200HD.
  • Epolide D-200E, Epolide D-204P, Epolide D-210P, Epolide PB3600, Epolide PB4700 manufactured by Daicel Corporation, and the like.
  • the resin composition of the present invention may contain a polymerization initiator as the component (C), thereby generating a cationic species by a decomposition reaction of the polymerization initiator that is the component (C) by heating or light,
  • the resin composition can be cured.
  • polymerization initiators examples include thermal cationic polymerization initiators and photocationic polymerization initiators (radiation-sensitive cationic polymerization initiators).
  • thermal cationic polymerization initiator examples include benzylsulfonium salt, thiophenium salt, thiolanium salt, benzylammonium salt, pyridinium salt, hydrazinium salt, carboxylic acid ester, sulfonic acid ester, and amine imide. These initiators can be easily obtained as commercial products.
  • Adeka Opton CP77 Adeka Opton CP66 (above, manufactured by ADEKA Corporation), CI-2639, CI-2624 (manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.) ), Sun-Aid SI-60L, Sun-Aid SI-80L, Sun-Aid SI-100L (above, manufactured by Sanshin Chemical Industry Co., Ltd.), and the like.
  • a thermal cationic polymerization initiator may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
  • the content ratio of the thermal cationic polymerization initiator is usually in the range of 0.5 to 10% by mass based on the whole composition.
  • the amount of the thermal cationic polymerization initiator used is less than the above range, the curability is insufficient, and when it is more than the above range, the compatibility tends to deteriorate or the storage stability tends to decrease.
  • radiation-sensitive cationic polymerization initiators compounds that generate cation species and Lewis acids upon irradiation with radiation
  • aromatic diazonium salts aromatic iodonium salts
  • onium salts such as aromatic sulfonium salts
  • iron- Examples include allene complexes.
  • aromatic sulfonium salts are particularly preferably used because they have ultraviolet absorption characteristics even in a wavelength region of 300 nm or more, and therefore can provide a cured product having excellent curability and good mechanical strength and adhesive strength. It is done.
  • Adeka optomer SP-150 Adeka optomer SP-160 (manufactured by ADEKA), CI-5102, CIT-1370, CIT-1682, CIP-1866S, CIP-2048S, CIP- 2064S (above, Nippon Soda Co., Ltd.), DPI-101, DPI-102, DPI-103, DPI-105, MPI-103, MPI-105, BBI-101, BBI-102, BBI-103, BBI- 105, TPS-101, TPS-102, TPS-103, TPS-105, MDS-103, M S-105, DTS-102, DTS-103 (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.), PI-2074 (manufactured by Rhodia), Irgacure 250, Irgacure PAG103, Irgacure PAG108, Irgacure PAG121, Irgacure PAG203 (above, Nippon Sod
  • the content ratio of the radiation-sensitive cationic polymerization initiator is usually in the range of 0.5 to 10% by mass based on the whole composition.
  • the amount of the radiation-sensitive cationic polymerization initiator used is less than the above range, the curability is insufficient, and when it is more than the above range, the compatibility tends to deteriorate or the storage stability tends to decrease.
  • a radiosensitizer such as benzophenone, methyl o-benzoylbenzoate, 2-isopropylthioxanthone, 9,10-dibutoxyanthracene can be used in combination with the component (C) as necessary.
  • a radiosensitizer may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
  • the polymerization initiator as the component (C), that is, the thermal cationic polymerization initiator and the radiation-sensitive cationic polymerization initiator may be used alone, but both are used in combination in order to further improve curability. It may be used.
  • the content ratio of the component (C) can usually be in the range of 1.0 to 20% by mass based on the whole composition.
  • the resin composition of the present invention may contain various additives such as a polymerization inhibitor as the component (D), a thixotropic agent as the component (E), a surfactant as the component (F), and a solvent. Other components may be contained.
  • the cationic polymerization inhibitor can be added mainly from the viewpoint of improving the storage stability.
  • the cationic polymerization inhibitor is a basic nitrogen-containing compound, preferably a compound having a tertiary amine structure.
  • the polymerization inhibitor is preferably added in an amount of 200 to 20,000 ppm based on the whole composition.
  • an inorganic filler such as fumed silica, a modified urea resin, or the like can be blended for the purpose of imparting thixotropy and improving coatability.
  • Examples of the (E) thixotropic agent include hydrophilic / hydrophobic fumed silica commercially available under trade names such as Aerosil 200, Aerosil RX200, Aerosil RY200 (above, Nippon Aerosil Co., Ltd.). Alternatively, it is possible to use modified urea resins commercially available under trade names such as BYK-405, BYK-410, BYK-411 (above, manufactured by Big Chemie Japan Co., Ltd.). These (E) thixotropic agents may be used singly or in combination of two or more.
  • the content of the thixotropic agent is preferably 0.1 to 10 parts by mass, and more preferably 1 to 6 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin composition.
  • the content of the thixotropic property-imparting agent is a value within the above range, coating properties can be improved while maintaining excellent hydrofluoric acid barrier properties and substrate adhesion properties.
  • the resin composition of the present invention contains a predetermined amount of a thixotropic property-imparting agent, as shown in the examples to be described later, so that a coating film can be formed by screen printing, etc. Can be achieved.
  • a surfactant in the resin composition of the present invention, can also be blended for the purpose of improving coating properties, antifoaming properties, leveling properties and the like.
  • Examples of such (F) surfactant include BM-1000, BM-1100 (above, manufactured by BM Chemie), MegaFuck F142D, F172, F173, F173 (above, Dainippon Ink and Chemicals, Inc.). ), Fluorad FC-135, FC-170C, FC-430, FC-431 (above, manufactured by Sumitomo 3M), Surflon S-112, S-113, S-131 S-141, S-145 (above, Asahi Glass Co., Ltd.), SH-28PA, -190, -193, SZ-6032, SF-8428 (above, Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.) ) And other commercially available fluorine-based surfactants can be used. From the viewpoint of preventing precipitation from the cured film, the blending amount of the surfactant is preferably 5% by mass or less based on the entire composition. In addition, surfactant may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
  • solvent those that can uniformly dissolve the components (A) to (C) and the components (D) to (F) that are added as necessary and that do not react with each component are used as appropriate. be able to.
  • the amount of the solvent used can be appropriately selected depending on the application, coating method, and the like.
  • a polymerization initiator thermal cationic polymerization initiator or radiation-sensitive cationic polymerization initiator
  • thixotropic property-imparting agent a polymerization initiator (thermal cationic polymerization initiator or radiation-sensitive cationic polymerization initiator) and (E) thixotropic property-imparting agent. It can. That is, first, component (A) or component (B), or a mixture of both, or a material having a low viscosity and easily imparting thixotropy, such as a solvent, and (E) a thixotropic agent are mixed with a high shear mixer such as a disper. Then, a resin having thixotropic properties is produced.
  • a thixotropic agent are mixed with a high shear mixer such as a dis
  • (C) a polymerization initiator is added, and the mixture is kneaded with a low speed mixer such as a three-roll mill until uniform.
  • a low speed mixer such as a three-roll mill
  • Such a resin composition of the present invention can be prepared by blending 70 to 95% by mass of resin (A) (bisphenol A type epoxy compound) and resin (B) (alicyclic epoxy compound). According to this, the effect by containing resin (A) (bisphenol A type epoxy compound) and resin (B) (alicyclic epoxy compound) in a specific ratio, that is, good substrate adhesion and hydrofluoric acid barrier It is possible to suitably obtain the effect of satisfying both the characteristics and the ease of peeling of the resist film after etching.
  • the method for producing various substrates having an etching pattern according to the present invention includes at least steps (a) to (d).
  • n represents the number of repeating units and represents an integer of 0 to 10.
  • the resin composition of the present invention is applied to a glass substrate or a substrate coated with an insulating film such as a SiO 2 film or a SiN film, and the solvent is removed by heating, followed by curing by radiation irradiation, or A desired resist film can be formed by thermosetting by heating.
  • a spin coating method, a slit coating method, a roll coating method, a screen printing method, an applicator method and the like can be applied. These coating methods can be appropriately selected according to the type of the substrate, the viscosity of the resin composition, the amount of the (E) thixotropic agent added as required, and the like.
  • the thickness of the coating film of the resin composition of the present invention can be 5 to 100 ⁇ m, for example.
  • the thickness of the coating film is preferably 5 to 60 ⁇ m, and more preferably 5 to 30 ⁇ m. According to this, it becomes possible to achieve both the ease of peeling by making the thickness of the coating film relatively thin and the desired characteristics including the hydrofluoric acid barrier property to be obtained.
  • the thickness of the coating film can be 60 to 100 ⁇ m, or 70 to 80 ⁇ m. According to this, as the resist film is thick, the hydrofluoric acid barrier property is easily secured. In addition, when the resist film is peeled off after etching, it is difficult to tear off, so that the resist film is easily peeled off from the substrate.
  • the coating film of the resin composition of the present invention can be cured by either photocuring / thermosetting or a combination of both depending on the purpose.
  • the exposed portion can be cured by irradiating the obtained coating film with radiation such as ultraviolet rays or visible rays having a wavelength of 300 to 500 nm through a photomask having a desired pattern. it can.
  • radiation such as ultraviolet rays or visible rays having a wavelength of 300 to 500 nm through a photomask having a desired pattern. it can.
  • radiation means ultraviolet rays, visible rays, far ultraviolet rays, X-rays, electron beams, and the like
  • a low pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, a metal halide lamp, an argon gas laser, or the like can be used as a light source.
  • the amount of radiation irradiation varies depending on the type of each component in the composition, the blending amount, the thickness of the coating film, and the like, but is, for example, in the range of 100 to 1500 mJ / cm 2 when using a high-pressure mercury lamp.
  • a developer is used to dissolve and remove unnecessary non-exposed portions, leaving only the exposed portions to obtain a cured coating film having a desired pattern.
  • the developing solution is not particularly limited as long as it dissolves the resin composition satisfactorily, and the developing method may be any of dipping method, paddle method, spray method, shower developing method and the like.
  • the whole coating film can be uniformly cured by heating.
  • the heat curing conditions of the coating film of the resin composition of the present invention vary depending on the type of each component in the composition, the blending ratio, the thickness of the coating film, etc., but are usually 40 to 160 ° C., preferably 60 to 130 ° C. And about 3 to 15 minutes. When the curing time is too short, the hydrofluoric acid barrier property is deteriorated, and when it is too long, the adhesion of the substrate may be lowered.
  • Examples of the etchant used for wet etching include hydrofluoric acid alone, hydrofluoric acid and ammonium fluoride, mixed acid of hydrofluoric acid and other acids (for example, hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, and the like).
  • CF gas, chlorine-based gas, or the like can be used.
  • the stripping solution used here includes inorganic alkali components such as sodium hydroxide and potassium hydroxide, tertiary amines such as trimethanolamine, triethanolamine and dimethylaniline, tetramethylammonium hydroxide, and tetraethylammonium hydroxide. And those obtained by dissolving an organic alkali component of quaternary ammonium such as water, dimethyl sulfoxide, N-methylpyrrolidone alone or a mixture thereof.
  • inorganic alkali components such as sodium hydroxide and potassium hydroxide
  • tertiary amines such as trimethanolamine, triethanolamine and dimethylaniline
  • tetramethylammonium hydroxide tetraethylammonium hydroxide
  • an organic alkali component of quaternary ammonium such as water, dimethyl sulfoxide, N-methylpyrrolidone alone or a mixture thereof.
  • stripping solutions can be used for stripping by methods such as spraying, showering and paddles. Specifically, a stripping solution in which 20% by mass of monoethanolamine and 30% by mass of butyl diglycol are dissolved in N-methylpyrrolidone is heated to 30 to 50 ° C., and the substrate is immersed for 1 to 10 minutes. The resist film can be peeled off by stirring.
  • Example 2 to [Example 3] Except having changed the compounding ratio of each composition into the value of Table 1, like Example 1, the composition using each epoxy compound was apply
  • (A) bisphenol A type epoxy compound and (B) alicyclic epoxy compound, (A): (B) is within the range of 65:35 to 99.9: 0.1 (mass ratio).
  • the mixed resin compositions (Examples 1 to 3) are not only good in both coating property and etching solution resistance (hydrofluoric acid barrier property), but can be peeled off even when a stripping solution having low corrosiveness is used. It is understood that it is possible (in Table 1, it is described as an evaluation comprehensive “ ⁇ ”). On the other hand, a mixed composition (Comparative Example 1) outside the above range has a problem in coating properties.
  • Example 4 ⁇ Production of Resin Composition for Screen Printing and Substrate with Protective Film> [Example 4]
  • a polypropylene cup take 100.0 parts by mass of jER828 (Mitsubishi Chemical Corporation) as component (A), and 25.2 parts by mass of CEL2021P (produced by Daicel Corporation) as component (B).
  • As a thixotropic agent 2.6 parts by mass of Aerosil 200 (manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) and 0.8 parts by mass of BYK-405 (manufactured by Big Chemie Japan Co., Ltd.) are added.
  • Etching solution (hydrofluoric acid solution) resistance / peelability A glass substrate with a protective film prepared by screen printing was heated in a 150 ° C. oven for 10 minutes to be thermally cured. Subsequently, the substrate was immersed in a 10% aqueous solution of hydrofluoric acid (etchant) at 25 ° C. and etched for 10 minutes while manually moving the substrate. After washing the substrate with water, a stripping solution in which 20% by mass of monoethanolamine and 30% by mass of butyldiglycol are dissolved in N-methylpyrrolidone is heated to 40 ° C., and the substrate is swung for 3 minutes while being immersed in the substrate. Then, the protective film was peeled off.
  • hydrofluoric acid etchant
  • the etching pattern of the glass substrate after etching thus obtained was observed using a scanning electron microscope. A microscopic image is shown in FIG. The boundary between the region protected by the film obtained from the resin composition of Example 4 and the region where the glass substrate was exposed and etched with a hydrofluoric acid aqueous solution was clearly observed, and there was almost no side etching. I can confirm. Further, no corrosion such as pinholes was observed in the protected area, and it can be confirmed that the film obtained from the resin composition of Example 4 prevented permeation of hydrofluoric acid.

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Abstract

 少なくとも下記(a)~(d)工程を有する。 (a)下記式(1)で表されるビスフェノールA型エポキシ化合物及び脂環式エポキシ化合物を質量比65:35~99.9:0.1で含み、さらに、重合開始剤を含むフッ酸エッチング用樹脂組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程。 (b)基板上のレジスト膜を硬化させる工程。 (c)基板をエッチングする工程。 (d)硬化させたレジスト膜を、エッチングした基板から剥離する工程。 (式中、nは、繰り返し単位数を表し、0~10の整数を表す。)

Description

パターンを有する基板の製造方法及びフッ酸エッチング用樹脂組成物
 本発明は、ガラス基板や絶縁膜で被覆された基板をエッチング加工する際のレジスト膜の形成に好適なフッ酸エッチング用樹脂組成物、及び該樹脂組成物を用いて形成されたエッチングパターンを有する各種基板の製造方法に関する。
 ウエットエッチングは基板の加工方法として広く用いられており、フラットパネルディスプレイ用の大型基板加工においても種々の工程で採用されている。例えば、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ(有機ELD)の背面キャップにおいては、パネルを薄型化するため、背面キャップにガラスを用いることが検討されている。この背面ガラスキャップは、ガラス基板をエッチングすることにより形成されている。エッチングする際には、ガラス基板の上にレジスト膜を形成し、所望の領域のみをエッチング加工している。また最近ではガラス製タッチパネル基板の切断や、切断面の研磨にもウエットエッチングが採用されている。
 従来よりウエットエッチング用のマスク材として種々のレジスト樹脂組成物が用いられており、レジスト樹脂組成物をガラス基板やSiO2又はSiN等の絶縁膜を有する基板に塗布しレジスト膜を形成した後に、例えばフッ酸(HF)を含むエッチング液(以下「エッチャント」ともいう。)に浸漬し、エッチングしている。
 ところが、酸のなかでもフッ酸は浸透力が高いため、フッ酸バリア性のあるレジスト膜を作るのは難しい。またエッチング加工において、基板とレジスト膜との密着性が悪いと、基板とレジスト膜との間で剥がれが生じたり、サイドエッチング量が増加したりするため、エッチング加工の精度に支障をきたすという問題があった。さらに、長時間のエッチングが必要な場合、レジスト膜にピンホールが発生したり塗膜が膨潤したりして基板から剥離してしまうという問題があった。
 ガラスエッチング用の耐フッ酸レジストとしては、フィラー添加によるガスバリア性付与(例えば、特許文献1及び2)、アルカリ可溶樹脂とアクリルモノマーとを含有する組成物(例えば、特許文献3~7)、芳香族ポリアリレート樹脂(例えば、特許文献8)などが出願されている。
 しかしながら、フッ酸バリア性のあるレジスト膜は通常、他の薬品への耐久性も高く、レジストの現像工程や剥離工程において強力な薬品が必要となる。例えば耐フッ酸レジストの剥離液として、60℃に加温した濃度15~20%の水酸化カリウム水溶液が提案されている。このような強アルカリ液ではガラス基板上のITOパターンや金属配線、加飾用の樹脂などが腐蝕されるため、適応できるガラス基板には制限がある。さらに、密着性を高めるためにレジスト膜にシランカップリング剤を含有させた場合は、レジスト膜剥離後もシランカップリング剤が残渣として基板上に残る。そのため基板汚染の原因となり好ましくないが、シランカップリング剤の使用を回避した耐フッ酸レジストの報告例は確認されていない。
特開2005-164877号公報 特開2007-128052号公報 特開2010-72518号公報 特開2008-233346号公報 特開2008-76768号公報 特開2009-163080号公報 特開2006-337670号公報 特開2010-256788号公報
 一般的な有機膜はフッ酸(HF)の浸透を防ぐことができず、エッチング中に下地基板が腐食してレジスト膜が剥離する。またフッ酸の浸透を防ぐことができたとしても、エッチング後にレジスト膜を基板から剥離するのが困難となる場合があり、レジスト膜を基板から剥離するのに高腐食性の薬品が必要となる。
 本発明は、このような事情に鑑み、ガラス基板やSiO2又はSiN等の絶縁膜を有する基板をエッチング加工する際のレジスト膜の形成、及びエッチング後のレジスト膜の剥離に好適な樹脂組成物、及び該樹脂組成物を用いた各種基板の製造方法を提供することを目的とする。
 上記課題を解決する本発明の態様であるパターンを有する基板の製造方法は、少なくとも下記(a)~(d)工程を有することを特徴とする。
(a)下記式(1)で表されるビスフェノールA型エポキシ化合物及び脂環式エポキシ化合物を質量比65:35~99.9:0.1で含み、さらに、重合開始剤を含むフッ酸エッチング用樹脂組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程。
(b)前記基板上の前記レジスト膜を硬化させる工程。
(c)前記基板をエッチングする工程。
(d)硬化させた前記レジスト膜を、エッチングした前記基板から剥離する工程。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
(式中、nは、繰り返し単位数を表し、0~10の整数を表す。)
 ここで、前記フッ酸エッチング用樹脂組成物中の前記ビスフェノールA型エポキシ化合物及び前記脂環式エポキシ化合物の含有量が、70~95質量%であることが好ましい。
 また、前記脂環式エポキシ化合物が、下記式(2)~(6)のいずれかで表される基を有することが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 また、前記フッ酸エッチング用樹脂組成物が、さらにチキソトロピー性付与剤を含むことが好ましい。 
 また、上記課題を解決する本発明の他の態様であるフッ酸エッチング用樹脂組成物は、下記式(1)で表されるビスフェノールA型エポキシ化合物及び脂環式エポキシ化合物を質量比65:35~99.9:0.1で含み、さらに、重合開始剤を含むことを特徴とする。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
(式中、nは、繰り返し単位数を表し、0~10の整数を表す。)
 本発明によれば、ビスフェノールA型エポキシ化合物と脂環式エポキシ化合物とを特定の比率で混合することにより、ガラス基板等への塗工性に優れ、熱/光硬化剤による硬化性も良好である樹脂組成物となる。
 また硬化した樹脂組成物は優れたフッ酸バリア性を示し、良好な密着性を発揮するため、サイドエッチングも抑制することができる。
 さらに、ビスフェノールA型エポキシ化合物と脂環式エポキシ化合物の混合比率によってレジスト膜の基板密着性が制御されるため、エッチング後、所望の剥離条件でレジスト膜を基板から容易に剥離することができる。
 また、本発明の樹脂組成物を用いれば、例えばフッ酸を含むエッチャントに対して十分な耐性を有し、さらにガラス基板やSiO2又はSiN等の絶縁膜を有する基板に対して十分な密着性を有し、ウエットエッチング時のサイドエッチングを抑制し、さらに長時間のエッチングでも剥がれることなく、精度よく所望のパターン加工ができるレジスト膜を形成することができ、ウエットエッチング加工を精度良く行うことができる。そして、エッチングによりパターンが形成された後、レジスト膜を容易に剥離し除去して、基板を製造することができる。
本発明の製造方法を利用して製造された基板のパターンの顕微鏡画像である。
 以下、本発明のフッ酸エッチング用樹脂組成物(以下、単に「樹脂組成物」と称することがある。)を用いて形成されたエッチングパターンを有する各種基板の製造方法について詳細に説明する。
 <樹脂組成物>
 本発明の樹脂組成物は、(A)成分としてビスフェノールA型エポキシ化合物、(B)成分として脂環式エポキシ化合物、(C)成分として重合開始剤を含有し、(A)成分及び(B)成分を質量比65:35~99.9:0.1で含むものである。また、本発明の樹脂組成物は、必要に応じて(D)成分として重合禁止剤、(E)成分としてチキソトロピー性付与剤、(F)成分として界面活性剤等を含むことができる。
 一般的に、(A)成分は(B)成分に比べ、硬化した際の硬度が低いものである。このような樹脂の硬化物の硬度は、基板をエッチングする際のフッ酸バリア性、レジスト膜の基板密着性、及びエッチング後のレジスト膜の剥離容易性に対して大きな影響を与える。
 例えば、(B)成分のように、硬化した際の硬度が高い場合には、硬化収縮による残留歪により良好な基板密着性を確保しにくくなって、十分なフッ酸バリア性が得られにくくなる。また残留歪を解消して良好な基板密着性を確保したとしても、硬化物の硬度が高すぎる場合には、エッチング後もレジスト膜が強固に基板に密着し、基板からの剥離が困難となる。一方、(A)成分のように、硬化物の硬度が低い場合も同様に、残留歪が解消されやすいことによりエッチング後もレジスト膜が強固に基板に密着し、基板から剥離するのに手間がかかるようになる。すなわち、基板からレジスト膜を剥離するのが困難となる。
 本発明の樹脂組成物は、上述したように(A)成分及び(B)成分を、質量比65:35~99.9:0.1で含有するものである。このように、硬化した際の硬度も低い(A)成分と、硬化した際の硬度も高い(B)成分とを、特定の比率で含有することにより、良好な基板密着性やフッ酸バリア性と、エッチング後のレジスト膜の剥離容易性とを両立できる樹脂組成物となる。
 このような(A)成分及び(B)成分の質量比は、70:30~95:5であることが好ましく、80:20~90:10であることがより好ましい。(A)成分の含有量が上記範囲未満では接着力が悪くなる。一方、上記範囲を越えると塗工性が悪くなり、実用上問題が起こり好ましくない。
 <(A)ビスフェノールA型エポキシ化合物>
 本発明で用いられる(A)成分のビスフェノールA型エポキシ化合物は、下記式(1)で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
(式中、nは、繰り返し単位数を表し、0~10の整数である。)
 本発明においては、フッ酸耐性、基板に対する密着性、さらにはエッチング後のレジスト膜の剥離容易性が良好なレジスト膜を形成できる樹脂組成物を実現する観点から、nは、好ましくは8以下、より好ましくは6以下、より一層好ましくは4以下、である。なお、本発明におけるビスフェノールA型エポキシ化合物としては、それが式(1)に包含される限り、1種を単独で用いてもよく2種以上を併用してもよい。
 上記式(1)で表される化合物は、公知の方法、すなわち、アルカリ性化合物の存在下、ビスフェノールAとエピクロルヒドリンとの縮合反応させる方法で製造したものを用いてもよく市販品を用いてもよい。このような市販品としては、具体的には、jER825、jER827、jER828(以上、三菱化学(株)製)、EPICLON840、850(以上、DIC(株)製)、EP-4100、EP-4400(以上、(株)ADEKA製)等が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
 <(B)脂環式エポキシ化合物>
 本発明で用いられる(B)成分の脂環式エポキシ化合物は、脂環基内部に存在するエポキシ基を有する脂環式エポキシ化合物であれば特に限定されるわけではないが、下記式(2)~(6)のいずれかで表される基を有する脂環式エポキシ化合物が好ましく、式(2)で表される基を有する脂環式エポキシ化合物がより好ましい。また、(B)成分の脂環式エポキシ化合物は、塗工性の観点から、温度20℃で液状であることが好ましく、また硬化性の観点から、1分子中に2個以上の脂環基内部に存在するエポキシ基を有することが好ましい。
 なお、(B)成分の脂環式エポキシ化合物は、1種を単独で用いてもよく2種以上を併用してもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 本発明における脂環式エポキシ化合物としては、特開平04-036263号公報、特開平10-338697号公報、特開2002-275169号公報、特開2004-099467号公報、特開2004-182648号公報、特開2006-052187号公報、特開2006-188476号公報、特開2007-161652号公報、国際公開05/090325号パンフレット、特開2013-040144号公報、特開2013-053097号公報等に記載の脂環式エポキシ化合物が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
 また、(B)成分は、再現性よく各種特性が良好なレジスト膜を製造する観点から、下記式(7)及び(8)のいずれかで表される脂環式エポキシ化合物を少なくとも1種類含むことが好ましく、式(7)で表される脂環式エポキシ化合物を含むことがより好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
 式中、R及びRは、それぞれ独立して、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、s-ブチル基、およびt-ブチル基からなる群から選択される少なくとも1種を表し、mは、1~7の整数であり、lは、1~20の整数である。
 Rが複数ある場合、複数のRは、互いに同一であっても異なっていてもよい。また、Rが複数ある場合、複数のRは、互いに同一であっても異なっていてもよい。
 本発明で用いる脂環式エポキシ化合物は、上述した文献記載の方法で製造したものを用いてもよく市販品を用いてもよい。このような市販品としては、セロキサイド200、セロキサイド2021P、セロキサイド2080、セロキサイド3000、エポリードGT300、エポリードGT400、エポリードD-100ET、エポリードD-100OT、エポリードD-100DT、エポリードD-100ST、エポリードD-200HD、エポリードD-200E、エポリードD-204P、エポリードD-210P、エポリードPB3600、エポリードPB4700(以上、(株)ダイセル製)等が挙げられる。
 <(C)重合開始剤>
 本発明の樹脂組成物は、(C)成分として重合開始剤を含有していてもよく、これにより、加熱や光による(C)成分である重合開始剤の分解反応によってカチオン種を発生させ、樹脂組成物を硬化させることができる。
 このような重合開始剤としては、熱カチオン重合開始剤や光カチオン重合開始剤(感放射線カチオン重合開始剤)が挙げられる。
 熱カチオン重合開始剤の具体例としては、ベンジルスルホニウム塩、チオフェニウム塩、チオラニウム塩、ベンジルアンモニウム塩、ピリジニウム塩、ヒドラジニウム塩、カルボン酸エステル、スルホン酸エステル、アミンイミドなどを挙げることができる。これらの開始剤は、市販品を容易に入手することが可能であり、例えば、アデカオプトンCP77、アデカオプトンCP66(以上、(株)ADEKA製)、CI-2639、CI-2624(日本曹達(株)製)、サンエイドSI-60L、サンエイドSI-80L、サンエイドSI-100L(以上、三新化学工業(株)製)等の商品名で市販されているものを挙げることができる。なお、熱カチオン重合開始剤は、1種を単独で用いてもよく2種以上を併用してもよい。
 熱カチオン重合開始剤の含有割合は通常、組成物全体を基準として、0.5~10質量%の範囲である。熱カチオン重合開始剤の使用量が前記範囲より少ないと、硬化性が不足し、前記範囲よりも多いと、相溶性が悪くなったり、保存安定性が低下したりする傾向がある。
 また、感放射線カチオン重合開始剤(放射線の照射によりカチオン種やルイス酸を生じる化合物)の具体例としては、芳香族ジアゾニウム塩、芳香族ヨードニウム塩や芳香族スルホニウム塩のようなオニウム塩、鉄-アレン錯体などを挙げることができる。
 これらのなかでも特に芳香族スルホニウム塩は、300nm以上の波長領域でも紫外線吸収特性を有することから、硬化性に優れ、良好な機械強度や接着強度を有する硬化物を与えることができるため、好ましく用いられる。
 感放射線カチオン重合開始剤は、市販品を容易に入手することが可能であり、例えば、カヤラッドPCI-220、カヤラッドPCI-620(以上、日本化薬(株)製)、UVI-6992(ダウ・ケミカル社製)、アデカオプトマーSP-150、アデカオプトマーSP-160(以上、(株)ADEKA製)、CI-5102、CIT-1370、CIT-1682、CIP-1866S、CIP-2048S、CIP-2064S(以上、日本曹達(株)製)、DPI-101、DPI-102、DPI-103、DPI-105、MPI-103、MPI-105、BBI-101、BBI-102、BBI-103、BBI-105、TPS-101、TPS-102、TPS-103、TPS-105、MDS-103、MDS-105、DTS-102、DTS-103(以上、みどり化学(株)製)、PI-2074(ローディア社製)、イルガキュア250、イルガキュアPAG103、イルガキュアPAG108、イルガキュアPAG121、イルガキュアPAG203(以上、BASF社製)、CPI-100P、CPI-101A、CPI-210S、CPI-110P(以上、サンアプロ(株)製)等の商品名で市販されているものを挙げることができる。なお、感放射線カチオン重合開始剤は、1種を単独で用いてもよく2種以上を併用してもよい。
 感放射線カチオン重合開始剤の含有割合は通常、組成物全体を基準として、0.5~10質量%の範囲である。感放射線カチオン重合開始剤の使用量が前記範囲より少ないと、硬化性が不足し、前記範囲よりも多いと、相溶性が悪くなったり、保存安定性が低下したりする傾向がある。
 本発明の組成物では、必要に応じてベンゾフェノン、o-ベンゾイル安息香酸メチル、2-イソプロピルチオキサントン、9,10-ジブトキシアントラセンなどの放射線増感剤を上記(C)成分と併用することもできる。なお、放射線増感剤は、1種を単独で用いてもよく2種以上を併用してもよい。
 また、(C)成分としての重合開始剤、すなわち上記熱カチオン重合開始剤と感放射線カチオン重合開始剤とを、それぞれ単独で用いてもよいが、より硬化性を高めるために両者を併用して用いても良い。この場合、(C)成分の含有割合は通常、組成物全体を基準として、1.0~20質量%の範囲とすることができる。また、熱カチオン重合開始剤と感放射線カチオン重合開始剤との比率は、製造プロセスに応じて異なるため一概に規定することは、通常、質量比で、熱カチオン重合開始剤/感放射線カチオン重合開始剤=0.1~10程度となる。
 <他の成分>
 本発明の樹脂組成物は、必要に応じて、(D)成分として重合禁止剤、(E)成分としてチキソトロピー性付与剤、(F)成分として界面活性剤、等の各種添加剤や溶剤などの他の成分を含有してもよい。
 <(D)重合禁止剤>
 カチオン重合禁止剤は、主に保存性を高める観点から添加され得る。カチオン重合禁止剤としては、塩基性含窒素化合物であり、好ましくは3級アミン構造を有する化合物である。(D)重合禁止剤は、組成物全体を基準として、200~20,000ppm添加することが好ましい。
 <(E)チキソトロピー性付与剤>
 本発明の樹脂組成物には、チキソトロピー性を付与して塗布性を向上させる目的で、フュームドシリカ等の無機フィラーや、変性ウレア樹脂等を配合することもできる。
 このような(E)チキソトロピー性付与剤としては、例えば、アエロジル200、アエロジルRX200、アエロジルRY200(以上、日本アエロジル(株)製)等の商品名で市販されている親水性/疎水性フュームドシリカや、BYK-405、BYK-410、BYK-411(以上、ビックケミー・ジャパン(株)製)等の商品名で市販されている変性ウレア樹脂を使用することができる。これらの(E)チキソトロピー性付与剤は、1種単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
 チキソトロピー性付与剤の含有量は、樹脂組成物100質量部に対して、0.1~10質量部であることが好ましく、1~6質量部であることがより好ましい。チキソトロピー性付与剤の含有量が上記範囲内の値であることにより、優れたフッ酸バリア性や基板密着性を維持しつつ、塗布性を向上させることができる。本発明の樹脂組成物は、後述する実施例で示すように、チキソトロピー性付与剤を所定量含有することで、スクリーン印刷等により塗膜形成可能な塗布性と、フッ酸バリア性や基板密着性との両立を図ることができる。
 <(F)界面活性剤>
 本発明の樹脂組成物には、塗布性、消泡性、レベリング性などを向上させる目的で界面活性剤を配合することもできる。
 このような(F)界面活性剤としては、例えば、BM-1000、BM-1100(以上、BMケミー社製)、メガファックF142D、同F172、同F173、同F183(以上、大日本インキ化学工業(株)製)、フロラードFC-135、同FC-170C、同FC-430、同FC-431(以上、住友スリーエム(株)製)、サーフロンS-112、同S-113、同S-131、同S-141、同S-145(以上、旭硝子(株)製)、SH-28PA、同-190、同-193、SZ-6032、SF-8428(以上、東レダウコーニングシリコーン(株)製)などの商品名で市販されているフッ素系界面活性剤を使用することができる。上記界面活性剤の配合量は、硬化膜からの析出を防ぐ観点から、組成物全体を基準として、5質量%以下が好ましい。なお、界面活性剤は、1種を単独で用いてもよく2種以上を併用してもよい。
 <溶剤>
 溶剤としては、上記(A)~(C)成分や、必要に応じて添加する上記(D)~(F)成分を均一に溶解させることができ、また各成分と反応しないものを、適宜用いることができる。溶剤の使用量は、用途や塗布方法等に応じて、適宜選択が可能である。
 <樹脂組成物の調製>
 本発明の樹脂組成物を調製するには、上記樹脂(A)(ビスフェノールA型エポキシ化合物)、樹脂(B)(脂環式エポキシ化合物)及び(C)(重合開始剤)を加え、必要に応じてその他の成分である(D)~(F)(重合禁止剤、チキソトロピー性付与剤、界面活性剤)や溶剤等を、添加して公知の方法で混合して攪拌する。例えば、攪拌羽根を有するSUS製調製タンクに各原料を必要量投入し、室温下において均一になるまで攪拌する。また必要に応じて、さらにメッシュ、メンブレンフィルターなどを用いて得られた組成物をろ過してもよい。
 尚、(C)重合開始剤(熱カチオン重合開始剤や感放射線カチオン重合開始剤)、(E)チキソトロピー性付与剤を含有する樹脂組成物を調製するにあたり、以下のような方法を採ることができる。すなわち、まず(A)成分又は(B)成分、もしくは両者の混合物や、溶媒などの低粘度でチキソトロピー性を付与しやすい材料と(E)チキソトロピー性付与剤とをディスパー等の高せん断ミキサーで混合し、チキソトロピー性を有する樹脂を作製する。次に(C)重合開始剤を加え、三本ロールミル等の低速ミキサーで均一になるまで混練する。このような順序で混合することで均一性の高い組成物を作製することができ、かつ高せん断ミキサーで攪拌する際の発熱による重合開始剤の分解を避けることができる。
 このような本発明の樹脂組成物は、樹脂(A)(ビスフェノールA型エポキシ化合物)及び樹脂(B)(脂環式エポキシ化合物)を70~95質量%配合し、調製することができる。これによれば、樹脂(A)(ビスフェノールA型エポキシ化合物)及び樹脂(B)(脂環式エポキシ化合物)を特定の比率で含有することによる効果、すなわち、良好な基板密着性やフッ酸バリア性と、エッチング後のレジスト膜の剥離容易性とを両立できる効果を、好適に得ることができるようになる。
 <エッチングパターンを有する各種基板の製造方法>
 本発明のエッチングパターンを有する各種基板の製造方法は、少なくとも、(a)~(d)工程を有するものである。
(a)下記式(1)で表されるビスフェノールA型エポキシ化合物及び脂環式エポキシ化合物を質量比65:35~99.9:0.1で含み、さらに、重合開始剤を含むフッ酸エッチング用樹脂組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程。
(b)基板上のレジスト膜を硬化させる工程。
(c)基板をエッチングする工程。
(d)硬化させたレジスト膜を、エッチングした基板から剥離する工程。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
(式中、nは、繰り返し単位数を表し、0~10の整数を表す。)
 以下、本発明のエッチングパターンを有する各種基板の製造方法について、工程ごとに詳しく説明する。
 (1)レジスト膜の形成
 本発明の樹脂組成物をガラス基板又はSiO2膜もしくはSiN膜等の絶縁膜で被覆された基板に塗布し、加熱により溶媒を除去したのち放射線照射により硬化させる、もしくは加熱により熱硬化させることにより所望のレジスト膜を形成することができる。
 基板への塗布方法としては、スピンコート法、スリットコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法、アプリケーター法などが適用できる。これらの塗布方法は、基板の種類、樹脂組成物の粘度、必要に応じて添加する(E)チキソトロピー性付与剤の添加量等に応じて、適宜選択することができる。
 本発明の樹脂組成物の塗膜の厚さは、例えば5~100μmとすることができる。塗膜の厚さは、5~60μmであることが好ましく、5~30μmであることがより好ましい。これによれば、塗膜の厚さを比較的薄くすることによる剥離容易性と、フッ酸バリア性をはじめとする所望の特性が得られるようにすることとの両立が可能になる。
 尚、塗膜の厚さは、60~100μmとすることもでき、70~80μmとすることもできる。これによれば、レジスト膜が厚い分、フッ酸バリア性を確保しやすくなる。また、エッチング後にレジスト膜を剥離する際、ちぎれにくくなるため、基板からレジスト膜を容易に剥離しやすくなる。
 本発明の樹脂組成物の塗膜は目的に応じて、光硬化/熱硬化のいずれか、もしくは両者の併用により硬化させることができる。
 (2)光硬化および現像
 得られた塗膜に所望のパターンを有するフォトマスクを介し、例えば波長が300~500nmの紫外線又は可視光線などの放射線を照射することにより、露光部を硬化させることができる。 
 ここで放射線とは、紫外線、可視光線、遠紫外線、X線、電子線などを意味し、光源として、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライドランプ、アルゴンガスレーザーなどを用いることができる。
 放射線照射量は、組成物中の各成分の種類、配合量、塗膜の厚さなどによって異なるが、例えば高圧水銀灯使用の場合、100~1500mJ/cm2の範囲である。
 放射線照射後の現像方法としては、現像液を用いて、不要な非露光部を溶解、除去し、露光部のみを残存させ、所望のパターンの硬化塗膜を得る。現像液は樹脂組成物を良好に溶解するものなら特に制限は受けず、また現像の方法はディッピング法、パドル法、スプレー法、シャワー現像法などのいずれでもよい。
 (3)熱硬化
 得られた塗膜を加熱することで、全体を均一に硬化させることができる。本発明の樹脂組成物の塗膜の熱硬化条件は、組成物中の各成分の種類、配合割合、塗膜の厚さなどによって異なるが、通常は40~160℃、好ましくは60~130℃で、3~15分程度である。硬化時間が短すぎると、フッ酸バリア性が悪くなり、また、長すぎると基板密着性の低下を招くことがある。
 (4)エッチング加工
 上記のようにして硬化塗膜のパターンが形成された各種基板をエッチングする方法としては、公知の方法が採用される。すなわち、エッチング液に浸漬するウエットエッチング法、減圧下で化学的にエッチングするドライエッチング法、あるいはこれらを組み合わせる方法が挙げられる。
 ウエットエッチングに用いられるエッチャントとしては、例えば、フッ酸単独、フッ酸とフッ化アンモニウム、フッ酸と他の酸(例えば塩酸、硫酸、リン酸など)の混酸等が挙げられる。ドライエッチングにはCFガス、塩素系ガス等を用いることができる。
 (5)剥離処理
 エッチング後、レジスト膜を基板から剥離する。ここで使用される剥離液は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機アルカリ成分や、トリメタノールアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアニリン等の第3級アミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第4級アンモニウムの有機アルカリ成分を、水、ジメチルスルホキシド、N-メチルピロリドン単独又はこれらの混合物に溶解したものが挙げられる。
 これらの剥離液を使用し、スプレー法、シャワー法及びパドル法等の方法で剥離することも可能である。具体的には、N-メチルピロリドンに20質量%のモノエタノールアミンおよび30質量%のブチルジグリコールを溶解した剥離液を30~50℃に加温し、上記基板を1~10分間浸漬し、攪拌することでレジスト膜を剥離することができる。
 以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
 <樹脂組成物、及び保護膜付き基板の作製>
[実施例1]
 (A)成分としてjER828、(B)成分としてCEL2021Pを用い、表1に記載の比率(単位は質量部)にて混合した後、(C)成分((A)成分および(B)成分の合計100質量部に対して6質量部)としてSI-100Lを加えて均一になるまでさらに混合し、樹脂組成物を得た。この樹脂組成物をスピンコーターを用いて、熱酸化膜(SiO膜厚:300nm)を有するシリコン基板上およびソーダガラス基板上にそれぞれ塗布した後、ホットプレートにて150℃で5分間ベークして膜厚25~35μmの硬化塗膜(保護膜)を形成した。
[実施例2]~[実施例3]
 各組成の配合比を表1に記載の値に変更した以外は、実施例1と同様に、それぞれのエポキシ化合物を用いた組成物を塗布・硬化させて、保護膜付き基板を作製した。
[比較例1]~[比較例10]
 原料の種類や各組成の配合比を表1に記載のものに変更した以外は、実施例1と同様に、それぞれのエポキシ化合物を用いた組成物を塗布・硬化させて、保護膜付き基板を作製した。なお比較例9および比較例10では塗工性を向上させる目的で、溶媒としてシクロヘキサノンを添加した。
 <実用特性の評価1>
 (1)樹脂組成物の塗工性
 保護膜付き基板を作製する熱硬化工程において、樹脂組成物の塗工性を次のように評価した。すなわち、ベーク中にガラス基板からのはじきにより樹脂組成物が凝集し、樹脂パターン(塗工したパターン状の樹脂膜)が変形したものを「×」、ややはじきが見られたものの、界面活性剤等の添加により改善可能な程度のものを「△」、はじきは見られず樹脂パターンどおりに樹脂が硬化したものを「○」とし、表1に記載した。
 (2)エッチング液(フッ酸溶液)耐性
 上述の方法により作製した保護膜付きのシリコン基板およびガラス基板を25℃のフッ化水素酸10%水溶液に10分間浸漬しながら遥動した。続いて基板を水洗し、空気中にて乾燥させた。エッチング中に保護膜が剥離してしまったものを「×」、保護膜は密着しているが、塗膜の周辺領域など部分的に基板の腐蝕が見られたものを「△」、保護膜は密着しており、保護膜を物理的に剥離しても基板の腐蝕が見られなかったものを「○」として表1に記載した。
 (3)剥離性
 剥離液として、N-メチルピロリドンに20質量%のモノエタノールアミンおよび30質量%のブチルジグリコールを溶解して40℃に加温し、上記基板を浸漬しながら遥動して、保護膜を剥離させた。保護膜が5分以内に剥離できたときを「○」、超音波などの物理的な力を併用することで5分以内で剥離できたときを「△」、超音波などの物理的な力を併用しても10分以上でも剥離できないときを「×」、エッチング工程にて既に剥離している、もしくは塗工不良により膜厚が変化して評価不能なものを「-」として表1に記載した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000011
 表1から、(A)ビスフェノールA型エポキシ化合物と(B)脂環式エポキシ化合物を、(A):(B)が65:35~99.9:0.1(質量比)の範囲内で混合した樹脂組成物(実施例1~3)は、塗工性、エッチング液耐性(フッ酸バリア性)のいずれも概ね良好であるだけでなく、腐食性の低い剥離液を用いた場合でも剥離可能なことが分かる(表1中、評価総合「○」と記載。)。一方で上記範囲から外れた混合組成(比較例1)では塗工性に問題がある。これは(A)ビスフェノールA型エポキシ化合物が凝集性が高いためであり、比較例2のように単独で用いると塗工性がより顕著に悪化することが確認される。また(B)脂環式エポキシ化合物は塗工性は良好だが、比較例3に示すように、ガラスエッチング中に硬化塗膜が剥離してしまいフッ酸バリア性に問題がある。そして比較例3~10に示すように、(A)成分および(B)成分以外のエポキシ化合物では、エッチング液耐性と剥離性の両立はできなかった。尚、上記範囲外においては、良好な塗布性を示す(B)脂環式エポキシ化合物の含有量が増加した場合であっても組成物全体としての塗工性が悪化する。今のところ、この原因は明らかではない。
 <スクリーン印刷用樹脂組成物、及び保護膜付き基板の作製>
[実施例4]
 ポリプロピレン製のカップに、(A)成分としてjER828(三菱化学(株)製)100.0質量部、(B)成分としてCEL2021P((株)ダイセル製)25.2質量部を取り、(F)チキソトロピー性付与剤としてアエロジル200(日本アエロジル社製)2.6質量部、BYK-405(ビックケミー・ジャパン社製)0.8質量部を加え、ディスパー(プライミクス社製、ロボミックスにホモディスパーアタッチメントを装着)を用いて混合した後、(C)成分としてSI-100L(三新化学工業(株)製)7.3質量部を加えて、均一になるまでさらに混合してスクリーン印刷用の樹脂組成物(実施例4)を得た。
 <実用特性の評価2>
 (1)チキソトロピー性
 上記の樹脂組成物(実施例4)を、レオメーター(アントンパール社製、MCR-302、治具:コーンプレート CP25-2(コーン角度2°))を用いて、プレート回転速度5rpmと50rpmにおける粘度をそれぞれ測定した。結果として、5rpmと比較して50rpmの方が、大幅に低粘度化していることが確認され、良好なチキソトロピー性が得られていることが確認された。
 (2)スクリーン印刷性
 上記の樹脂組成物(実施例4)を、スクリーン印刷装置(マイクロ・テック社製、MT-320TVC,3Dメッシュ#250)を用いて、10cm角のベタパターンとしてソーダガラス基板上に印刷した。樹脂組成物は糸引きやパターンの滲みなどの印刷不良は見られず、良好に印刷可能なことが確認された。
 (3)エッチング液(フッ酸溶液)耐性・剥離性
 スクリーン印刷により作製した保護膜付きガラス基板を、150℃オーブンで10分間加熱し、熱硬化させた。続いて、25℃のフッ酸10%水溶液(エッチャント)に浸漬させ、手動で基板を遥動させながら、10分間エッチング処理した。基板を水洗後、N-メチルピロリドンに20質量%のモノエタノールアミンおよび30質量%のブチルジグリコールを溶解した剥離液を40℃に加温して、上記基板を浸漬しながら3分間遥動して、保護膜を剥離させた。
 このようにして得られたエッチング後のガラス基板について、そのエッチングパターンを走査型電子顕微鏡を用いて観察した。顕微鏡画像を図1に示す。実施例4の樹脂組成物から得られる膜により保護されていた領域と、ガラス基板がむき出しでフッ酸水溶液によりエッチングされた領域との境界が明瞭に観察されており、サイドエッチングが殆どないことが確認できる。また保護されていた領域にはピンホール等の腐蝕は見られず、実施例4の樹脂組成物から得られる膜がフッ酸の浸透を防いでいたことが確認できる。

Claims (5)

  1.  少なくとも下記(a)~(d)工程を有することを特徴とする、パターンを有する基板の製造方法。
    (a)下記式(1)で表されるビスフェノールA型エポキシ化合物及び脂環式エポキシ化合物を質量比65:35~99.9:0.1で含み、さらに、重合開始剤を含むフッ酸エッチング用樹脂組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程。
    (b)前記基板上の前記レジスト膜を硬化させる工程。
    (c)前記基板をエッチングする工程。
    (d)硬化させた前記レジスト膜を、エッチングした前記基板から剥離する工程。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
    (式中、nは、繰り返し単位数を表し、0~10の整数を表す。)
  2.  前記フッ酸エッチング用樹脂組成物中の前記ビスフェノールA型エポキシ化合物及び前記脂環式エポキシ化合物の含有量が、70~95質量%であること特徴とする請求項1に記載のパターンを有する基板の製造方法。
  3.  前記脂環式エポキシ化合物が、下記式(2)~(6)のいずれかで表される基を有することを特徴とする請求項1又は2に記載のパターンを有する基板の製造方法。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
  4.  前記フッ酸エッチング用樹脂組成物が、さらにチキソトロピー性付与剤を含むことを特徴とする請求項1~3の何れか一項に記載のパターンを有する基板の製造方法。
  5.  下記式(1)で表されるビスフェノールA型エポキシ化合物及び脂環式エポキシ化合物を質量比65:35~99.9:0.1で含み、さらに、重合開始剤を含むことを特徴とするフッ酸エッチング用樹脂組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
    (式中、nは、繰り返し単位数を表し、0~10の整数を表す。)
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