WO2014206965A1 - Organische lichtemittierende diode und verfahren zum herstellen einer organischen lichtemittierenden diode - Google Patents

Organische lichtemittierende diode und verfahren zum herstellen einer organischen lichtemittierenden diode Download PDF

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WO2014206965A1
WO2014206965A1 PCT/EP2014/063241 EP2014063241W WO2014206965A1 WO 2014206965 A1 WO2014206965 A1 WO 2014206965A1 EP 2014063241 W EP2014063241 W EP 2014063241W WO 2014206965 A1 WO2014206965 A1 WO 2014206965A1
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contact
layer
organic light
optoelectronic
cover body
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Simon SCHICKTANZ
Jörg FARRNBACHER
Egbert HÖFLING
Stefan GSCHLÖSSL
Andrew Ingle
Kilian REGAU
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Osram Oled GmbH
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Osram Oled GmbH
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/70—Testing, e.g. accelerated lifetime tests
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
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    • H10K50/88—Terminals, e.g. bond pads
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    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
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    • H01R12/50—Fixed connections
    • H01R12/51—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures
    • H01R12/55—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures characterised by the terminals
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    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/851—Division of substrate

Definitions

  • the invention relates to an organic light-emitting diode and a method for producing an organic light-emitting diode.
  • Conventional optoelectronic components for example organic light-emitting diodes (OLEDs), are
  • a cover body such as a cover plate constructed.
  • a heat sink and / or a heat spreader for example a metal plate or a metal foil or a graphite layer, for example a graphite foil or a graphite laminate, is laminated onto the cover glass.
  • the cover plate serves as mechanical protection as well as a further moisture barrier and, like the substrate, usually consists of solid glass.
  • the cover glass is usually laminated over the entire surface of the substrate during the manufacturing process.
  • the encapsulation layer is formed between the cover plate and the substrate and typically extends over the entire substrate.
  • the substrate and the cover plate each extend in one piece over several
  • the coverslip is removed over the contacts. Thereafter, if appropriate, the encapsulation layer on the contacts, for example by means of laser ablation are entfe nt. Only after these process steps can the fully processed and, in particular, isolated optoelectronic component be electrically contacted and electro-optically
  • electro-optical measurements can be relatively late in the production process and with increased effort in handling a few optoelectronic
  • a metal plate as a heat sink or heat spreader can not be applied directly to the encapsulation layer since the metal plate can not be separated within the component package to expose the contacts.
  • the exposed contacts of the optoelectronic devices can be bonded by means of spring pins, conductive adhesive, conductive paste, crimps, etc. or via ACF (Anisotropic Conductive Film)
  • Circuit boards which provide a solderable metallic surface for soldering other contact elements (e.g., pins, eyelets, cables, etc.) are contacted at almost any location.
  • the contact elements are not formed so that they inherently have an electrically isolated distance to lateral outer edges of the optoelectronic device. Therefore, due to various contact elements (e.g., pins, eyelets, cables, etc.) are contacted at almost any location.
  • the contact elements are not formed so that they inherently have an electrically isolated distance to lateral outer edges of the optoelectronic device. Therefore, due to various
  • Optoelectronic component predetermined air
  • an organic light emitting diode is provided that is simple
  • the organic light-emitting diode is electrically contacted and / or characterizable.
  • Optoelectronic device in particular an organic Iichtemittierende diode provided.
  • Optoelectronic component has a carrier body. Above the carrier body is an optoelectronic
  • Layer structure has at least one contact area for electrically contacting the optoelectronic layer structure.
  • the optoelectronic component has at least one
  • Contact recess which extends through the support body and / or the cover body and in which at least a portion of the contact area is exposed.
  • the exposure of the contact area (s) allows electrical contact and electro-optic contact
  • An adhesive such as a laminating adhesive, for securing the
  • Cover body can be applied flat on the corresponding substrate, which contributes to a simple manufacture of the optoelectronic device.
  • An electrical contacting of the optoelectronic component through the contact recesses can be carried out with virtually no structure on the optoelectronic component, wherein a mechanical holding function of the corresponding contact can be integrated by means of the contact recesses.
  • the cover body which forms the walls of the contact recesses, allows easy compliance with predetermined
  • Optoelectronic layer structure on an encapsulation layer and / or an adhesive layer on an encapsulation layer and / or an adhesive layer.
  • the contact recess extends through the encapsulation layer and / or through the adhesive layer.
  • the encapsulation layer serves to protect the optically functional, for example organic, layers, for example from moisture.
  • the Adhesive layer serves, for example, for fastening the cover body.
  • the adhesive layer may, for example, be applied flat to the encapsulation layer.
  • the cover body comprises or is formed from metal or glass. If the cover body comprises or is formed of metal, the cover body may function as a heat sink or as a heat spreader. If the covering body has glass, then the covering body can be separated by scribing and breaking. If the cover body has metal, then the
  • Covering body for example by means of cutting
  • the cover body may comprise metal and glass.
  • the covering body can be a glass body with a metal layer, for example a metal foil, thereon.
  • Layers of the optoelectronic layer structure a distance to an outer side edge of the optoelectronic device. The distance is greater than or equal to one
  • an electrically insulating material may be formed.
  • material can be a part of
  • Be encapsulation layer This helps to ensure that the prescribed safety standards, such as creepage distances and clearances, can be met.
  • the carrier body and the cover body on exposed side edges and are formed flush with each other at the side edges. This contributes to a particularly robust construction of the optoelectronic component, since the cover body and the cover body protect the carrier body up to the edges of the carrier body. Furthermore, this can lead to a simple manufacture of the Optoelectronic device contribute because the optoelectronic device then simply along
  • the optoelectronic component at least one plug element.
  • the plug element is arranged in the contact recess and designed so that by means of
  • Plug element of the contact area is electrically ko aktierbar.
  • the or the connector elements may, for example, correspondingly sized spring pins, pins, springs, brackets, straps, etc. have.
  • electrically conductive cables which are guided through the contact recesses, are contacted with the contact areas electrically.
  • the plug elements can be ionized in the contact recesses with suitable dimensioning, for example by means of barbs or spring clips, e.g. known by (mini) banana plugs, mechanical.
  • optoelectronic device has a sleeve on in the
  • Contact recess is arranged and is formed so that by means of the sleeve, the contact region electrically
  • the sleeves can be connected, for example by means of conductive adhesive or conductive paste and / or by soldering to the corresponding contact areas.
  • the sleeves can, for example, to increase the
  • the plug elements can then be plugged or clamped into the sleeves.
  • the plug elements have an electrically isolated distance from the outer edge by the predetermined distance from the outer edge of the optoelectronic component, which can be helpful in the case of a standard-compliant design of luminaires.
  • the plug element is disposed in the sleeve.
  • the plug element is mechanically fixed in the contact recess by means of the sleeve and is electrically coupled to the contact region.
  • Plug body are the plug element and at least one further plug element attached, wherein the plug elements are arranged in the corresponding contact recesses.
  • one, two or more other plug-in elements can be attached to or in the
  • Plug body attached, for example by means of MID technology. Because of two or more over the
  • Plug body firmly coupled to each other plug elements, the mechanical cold forces of the plug body in the corresponding contact recesses are multiplied. Furthermore, via the plug body and / or the arrangement of
  • Plug element is mechanically fixed in the contact recess.
  • the latching element in the undercut constitutes a positive connection between the plug element and the remaining optoelectronic component. This can easily contribute to a safe and effective mechanical coupling of the plug element with the contact recess.
  • the undercut can be formed for example by a portion of the contact recess in the cover body.
  • the plug element has the latching element, which in the contact recess
  • the latching element can be formed, for example, by a widened region of the plug element.
  • Opto-electronic device in particular the organic light-emitting diode provided.
  • the carrier body is provided.
  • the optoelectronic layer structure which comprises at least the contact region for electrically contacting the optoelectronic
  • Layer structure is formed over the carrier body.
  • the cover body is over the
  • the at least one is in the carrier body and / or the cover body
  • Contact recess formed so that it extends through the support body and / or the cover body and that at least a part of the contact area is exposed in it.
  • the optoelectronic layer structure is formed on a first side of the carrier body and the contact recess is from a second side of the
  • Carrier body which faces away from the first side, formed out to the contact area.
  • the first side formed out to the contact area.
  • Cover body over the first side of the carrier body over the Optoelectronic layer structure and optionally formed over the encapsulation layer and the
  • Contact recess is from one of the carrier body
  • Cover body can be formed so deep that the
  • the sleeve for example, by means of the plug element, the sleeve
  • the contact recess can also extend through the contact region, so that only a part of the contact region forming a section of the wall of the contact recess is exposed and can be contacted electrically.
  • Cover body formed.
  • the cover body can then be aligned so arranged over the optoelectronic layer structure that the contact area with the
  • the contact recess can be formed by means of a nano-, pico-, or femto-second laser.
  • the laser drilling can be performed before or after arranging the cover body.
  • the cover body can be formed by means of a nano-, pico-, or femto-second laser.
  • Adhesive layer and / or the encapsulation layer Adhesive layer and / or the encapsulation layer
  • the contact recess by means of laser drilling can be carried out particularly quickly.
  • the contact recess may be formed by mechanical drilling, by water or sand blasting, or by chemical etching.
  • the contact recess may be formed by mechanical drilling, by water or sand blasting, or by chemical etching.
  • Optoelectronic layer structure on an encapsulation layer and / or an adhesive layer, which cover at least a portion of the contact area.
  • Contact recess serve in a removal process as a mask for the encapsulation layer and / or the adhesive layer. In the ablation process, areas of the
  • the contact recess in the cover body is formed such that initially only a part of the adhesive layer is exposed therein. Below this part of the adhesive layer is a part of the encapsulation layer, which is formed over the part of the contact area to be covered.
  • the optoelectronic component can then a
  • Ablation process for example, an etching process
  • the covering body serving as a mask.
  • the etching process the part of the adhesive layer and the part of the encapsulation layer formed over the exposed part of the contact area are then removed, so that the contact area in the
  • Optoelectronic component in a composite of a plurality of optoelectronic components for example i a
  • the carrier body and / or the cover body initially extend in one piece via a plurality of optoelectronic components in the component network.
  • the optoelectronic components in the component network each have at least one contact recess.
  • Optoelectronic components in Baue1ementverbund be contacted via the contact recesses electrically and tested.
  • the testing of the optoelectronic components in the component network can, for example, be used to optically characterize the optoelectronic components. For example, during testing, a
  • Wavelengths, a brightness at a given power and / or a power requirement at a given brightness can be determined.
  • the optoelectronic components can be singulated, for example by means of scribing, breaking, sawing, cutting, for example by means of a laser.
  • the electrical contact via the contact recesses can, for example, by means of one, two or more of the
  • the contact area is
  • a plug member having a latching element is arranged in the contact recess, that the latching element is arranged in the undercut and the plug element is in direct physical contact with the encapsulation layer and / or the adhesive layer.
  • the male member is rotated about an axis perpendicular to the contact area. Due to the friction between the plug element and the encapsulation layer and / or the Ha tstoff Anlagen Anlagen the encapsulation layer and / or the adhesive layer are removed and the contact area is exposed. This can help to expose the contact region in a particularly efficient manner, in particular if, while the contact recess has already been formed, it is still separated from the encapsulation layer or layer. the adhesive layer is covered.
  • optoelectronic component a sectional view of an embodiment of an optoelectronic device; a plan view of an embodiment of a composite component; a Schni tdarStellung an embodiment of an optoelectronic device during a process for producing the optoelectronic device; a plan view of an embodiment of a composite component during a process for producing an optoelectronic device; a sectional view of the optoelectronic component according to FIG. 4 during the process for producing the optoelectronic component; a sectional view of the optoelectronic component according to FIG. 6 during the method for producing the optoelectronic component, - a sectional view of the optoelectronic component according to FIG.
  • Component with sleeves an embodiment of an optoelectronic component with a plug body
  • Connector elements an embodiment of an optoelectronic component with a plug body
  • Connector elements an embodiment of a plug element; a bottom view of the plug element according to FIG.
  • connection of a first body with a second body may be positive, non-positive and / or cohesive.
  • the connections may be detachable, i. reversible.
  • a reversible, interlocking connection can be realized, for example, as a screw connection, a hook-and-loop fastener, a clamp, a latching connection and / or by means of a use of clamps.
  • the connections may also be non-detachable, i. irreversible. A non-detachable connection can be separated only by destroying the connecting means.
  • Embodiments can be realized an irreversible, conclusive connection, for example, as a riveted joint, an adhesive bond or a solder joint.
  • a positive connection a relative movement of the two Body prevented due to their mutually corresponding shapes in at least one direction.
  • a hook in an eyelet may be restricted in movement in at least one spatial direction.
  • a positive connection can be realized, for example, as a screw connection, a hook-and-loop fastener, a clamp, a latching connection and / or by means of clamps.
  • non-positive connection for example, a
  • Bottle cork in a bottleneck or a dowel with an oversize fit in a corresponding dowel hole can also be used as a press fit
  • the first body may be connected to the second body by means of atomic and / or molecular forces.
  • Cohesive compounds can often be non-releasable compounds.
  • a cohesive connection In various embodiments, a cohesive connection
  • a solder joint such as a glass solder or a Metalotes, or as a welded joint.
  • An optoelectronic component may be in different
  • an electromagnetic radiation emitting device or an electromagnetic
  • Electromagnetic radiation absorbing device may for example be a solar cell.
  • a component emitting electromagnetic radiation may be a semiconductor device emitting electromagnetic radiation and / or as a diode emitting electromagnetic radiation, as a diode emitting organic electromagnetic radiation, as an electromagnetic radiation emitting transistor or as an organic electromagnetic radiation
  • the radiation may, for example, be light in the visible range, UV light and / or infrared light.
  • the radiation may, for example, be light in the visible range, UV light and / or infrared light.
  • the radiation may, for example, be light in the visible range, UV light and / or infrared light.
  • light-emitting diode for example, as a light-emitting diode (light emitting diode, LED) as an organic light-emitting diode (organic light emitting diode, OLED), as light-emitting
  • LED light emitting diode
  • OLED organic light emitting diode
  • Component may be part of an integrated circuit in various embodiments. Furthermore, a
  • Fig. 1 shows a conventional optoelectronic device 1, in particular a conventional organic
  • the conventional optoelectronic component 1 has a carrier body 12, for example a substrate. On the carrier body 12 is a
  • the optoelectronic layer structure formed.
  • the optoelectronic layer structure has a first one
  • Electrode layer 14 having a first contact electrode 16, a second contact electrode 18 and a first
  • Electrode section 20 has.
  • the second contact electrode 18 is connected to the first electrode section 20 of FIG.
  • the first electrode portion 20 is from the first electrode
  • Isolation barrier 21 electrically isolated.
  • Above the first electrode section 20 is a functional one
  • Layer structure 22 for example an organic compound
  • Layer structure 22 may be, for example, one, two or more Partial layers have, as explained in more detail below with reference to Figure 19.
  • Partial layers as explained in more detail below with reference to Figure 19.
  • a second electrode portion 23 of the optoelectronic layer structure is formed, which is electrically coupled to the first contact electrode 16.
  • the first electrode section 20 serves, for example, as the anode or cathode of the optoelectronic layer structure.
  • the second electrode section 23 serves to correspond to the first electrode section as the cathode or anode of the optoelectronic layer structure.
  • An encapsulation layer 24 of the optoelectronic layer structure which encapsulates the optoelectronic layer structure, is formed over the second electrode section 23 and partially over the first contact electrode 16 and partially over the second contact electrode 18.
  • Encapsulation layer 24 a first recess of the encapsulation layer 24 are formed above the first contact electrode 16 and a second recess of the encapsulation layer 24 is formed over the second contact electrode 18. In the first recess of the encapsulation layer 24, a first contact region 32 is exposed and in the second recess of the
  • Encapsulation layer 24 a second contact region 34 is exposed.
  • the first contact region 32 serves for
  • the adhesive layer 36 comprises, for example, an adhesive, for example an adhesive,
  • a laminating adhesive and / or a resin for example, a laminating adhesive and / or a resin.
  • a cover body 38 Above the adhesive layer 36 is a cover body 38
  • the adhesive layer 36 serves to fasten the cover body 38 to the encapsulation layer 24.
  • the cover body 38 has, for example, glass and / or metal.
  • the cover body 38 may be formed substantially of glass and a thin metal layer, for example, have a metal foil on the glass body.
  • the metal layer 38 can be arranged after scribing and breaking the cover body on this.
  • the metal layer may also be a
  • the graphite layer and / or a protective layer for protecting the graphite layer on the cover 38 may be arranged.
  • the graphite layer can be formed, for example, from a graphite foil or a Graphi laminate.
  • the cover body 38 serves to protect the conventional optoelectronic
  • Component 1 for example, before mechanical
  • the cover body 38 may serve for distributing and / or dissipating heat generated in the conventional optoelectronic component 1.
  • the glass of the covering body 38 can serve as protection against external influences
  • the metal layer of the covering body 38 can serve for distributing and / or dissipating the heat arising during operation of the conventional optoelectronic component 1.
  • the adhesive layer 36 may, for example, be applied to the encapsulation layer 24 in a structured manner. That the adhesive layer 36 is structured on the
  • Encapsulation layer 24 is applied, may mean, for example, that the adhesive layer 36 already has a predetermined structure when applied directly.
  • the adhesive layer 36 may be applied in a structured manner by means of a dispensing or printing process.
  • the conventional optoelectronic component 1 is sensitive to external influences in the first contact region 32 and the second contact region 34, since no covering body 38 is provided in these contact regions 32, 34.
  • the conventional optoelectronic component 1 can be any conventional optoelectronic component 1.
  • Process step are exposed, for example by means of an ablation process, for example by means of
  • the carrier body 12 can comprise, for example, glass, for example window glass, quartz, a semiconductor material and / or another suitable material, for example boron silicate, aluminum silicate and / or a standard material from the display industry, or be formed therefrom.
  • the carrier body 12 may have a plastic film or a laminate with one or more plastic films
  • the plastic may include or be formed from one or more polyolefins (eg, high or low density polyethylene or PE) or polypropylene (PP). Furthermore, the plastic
  • Polyvinyl chloride PVC
  • polystyrene ⁇ PS polystyrene ⁇ PS
  • polyester and / or polycarbonate PC
  • PET polyethylene terephthalate
  • the carrier body 12 may comprise or be formed from a metal or a metal compound, for example copper, silver, gold, platinum or the like.
  • the metal or a metal compound may also be formed as a metal foil or a metal-coated foil.
  • the carrier body 12 may iron on one or more of the above materials.
  • the carrier body 12 may be translucent or even transparent. Under the term "translucent" or
  • Translucent layer can be in different
  • Embodiments are understood that a layer is permeable to electromagnetic radiation
  • wavelength ranges for example, for light in a wavelength range of visible light (for example, at least in a portion of the
  • Translucent layer in various exemplary embodiments is to be understood as meaning that substantially all of the radiation quantity coupled into a structure ⁇ for example a layer) also originates from the structure
  • transparent or “transparent layer” can be understood in various embodiments that a layer is transparent to light
  • Wavelength range from 380 nm to 780 nm), where in a structure (for example, a layer) coupled
  • layer is decoupled. If, for example, a monochrome or emission-limited optoelectronic component is to be provided, it may be sufficient for the optics to be provided
  • FIG. 2 shows a sectional view of a
  • Embodiment of an optoelectronic component 10 for example, largely the above
  • the optoelectronic component 10 can correspond to conventional optoelectronic component 1, in particular an embodiment of an organic Iichtemittierenden diode.
  • j edoch the in Fig. 2 shown embodiment of the optoelectronic component 10
  • an adhesive layer 36 and a cover 38 which extends to the in Fig. 2 shown lateral outer edges of the support body 12 extend.
  • the optoelectronic component 10 has a first contact recess 42 and a second
  • the contact recesses 42, 44 can be
  • the first and second contact electrodes 16, 18 may be referred to as current-carrying layers of the optoelectronic component 10.
  • the first and second contact electrodes 16, 18 have a distance to an outer edge of the
  • Optoelectronic component 10 The distance is greater than or equal to a predetermined minimum distance.
  • Minimum distance is greater than zero.
  • Parts of the encapsulation layer 24 may be formed. If the encapsulation layer 24 is designed to be electrically insulating, then the first and second contact electrodes 16, 18 and thus the current-carrying layers of the optoelectronic component 10 are of the outer edge of the optoelectronic
  • Component 10 electrically isolated. This can help to comply with simply prescribed safety standards, such as specified clearances and creepage distances,
  • the cover body 38 may be substantially or completely formed of metal. Alternatively, it can the cover body 38 but also as above
  • Outer edges of the cover body 38 and the support body 12 are not formed flush with each other and cut independently and / or sawed.
  • Optoelectronic component 10 is designed to be particularly robust, in particular to external mechanical effects, since both the cover body 38 and the adhesive layer 36 up to the outer edge of the
  • Carrier body 12 extend and thus also the
  • optoelectronic component 10 is formed in the contact regions 32, 34 very stable.
  • FIG. 3 shows a plan view of an embodiment of a device package during a method of the invention.
  • Component group has several, in particular four,
  • Optoelectronic device 10 may correspond.
  • FIGS. 3 shows only four optoelectronic components 10 in the component network. In fact, however, far more optoelectronic components 10 can also be used in one
  • Construction can be made ementverbünd. For example, several hundred optoelectronic components 10 in one Component composite, for example, in a wafer composite produced.
  • the cover body 38 and the carrier body 12 are each formed in one piece and each extend over a plurality of optoelectronic components d r
  • the component composite has several first
  • each optoelectronic component to be singulated is at least one, for example two first contact recesses and at least one, for example two second ones
  • Fig. 4 shows a sectional illustration of the exemplary embodiment of the optoelectronic component 10 according to FIG. 2 during the process for producing the optoelectronic
  • Component 10 On the carrier body 12 is the first
  • Electrode section 20 and the first contact electrode 16, an electrical insulation barrier 21 is arranged.
  • the first electrode layer 14 may have, for example, two or more layered sublayers, for example a first electrically conductive layer and a second electrically conductive layer formed above it
  • the first electrically conductive layer may be formed from a first electrically conductive material, such as a metal or a conductive conductive oxide (TCO) or a layer stack of multiple layers of the same metal or different metals and / or TCO or TCOs
  • a first electrically conductive material such as a metal or a conductive conductive oxide (TCO) or a layer stack of multiple layers of the same metal or different metals and / or TCO or TCOs
  • TCO conductive conductive oxide
  • Transparent conductive oxides can be, for example, transparent, conductive substances, For example, metal oxides such as zinc oxide,
  • Tin oxide Tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide or indium tin oxide (ITO), for example ZnO, IN / ZnO, SnZnO or AlZnO.
  • binary metal oxygen compounds such as ZnO, Sn02, or In203 can also be ternary
  • Metal oxygen compounds such as AlZnO,
  • Zn2SnO4 CdSnO3, ZnSnO3, Mgln204, GalnO3, Zn2In205 or
  • In4Sn3012 or mixtures of different transparent conductive oxides to the group of TCOs are and may be used in various embodiments. Furthermore, the TCOs do not necessarily correspond to one
  • the first electrically conductive layer may comprise a metal; For example, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm or Li, and compounds, combinations or alloys of these substances.
  • a metal For example, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm or Li, and compounds, combinations or alloys of these substances.
  • the first electrically conductive layer may be formed by a layer stack of a
  • ITO indium tin oxide
  • electrically conductive layer one or more of
  • the first electrically conductive layer may comprise electrically conductive polymers or transition metal oxides or electrically conductive transparent oxides.
  • the first electrically conductive layer may be electrically conductive layer translucent or transparent.
  • the first electric conductive layer comprises or is formed of a metal
  • the first electrically conductive layer comprises or is formed of a metal
  • Layer has a conductive transparent oxide (TCO) or is formed therefrom, the first electrically conductive layer, for example, have a layer thickness in a range of about 50 nm to about 500 nm,
  • Polymers can be combined to form a network
  • the first electrically conductive layer for example, have a layer thickness in a range of about 1 nm to about 500 nm, for example from about 10 nm to about 280 nm, for example from about 28 nm to about 250 nm hr.
  • the first electrically conductive layer can be designed to form anodes, ie, holes injecting electrodes, or can be injected from cathodes, that is to say electrons
  • the first electrically conductive layer can be applied to the carrier body 12, for example, by means of sputtering, for example DC sputtering, physical vapor deposition (PVD) or the like.
  • sputtering for example DC sputtering, physical vapor deposition (PVD) or the like.
  • FIG. 5 shows a plan view of a composite component which comprises a plurality of optoelectronic components 10 during the
  • Manufacturing process shows, in particular in the state shown in FIG. 4 is shown in sectional view.
  • the contact recesses 42, 44 not yet formed
  • FIG. 6 shows the optoelectronic component 10 according to FIG. 4 in a further step during the method for
  • the functional layer structure 22 may comprise, for example, organically functional layers and, for example, the optically active region of the optoelectronic layer
  • Component 10 for example, an OLED represent.
  • the organically functional layers can be formed, for example, in one, two or more process steps.
  • the organic functional layers can be vapor-deposited in vacuo.
  • the organic functional layers can be, for example, semiconducting,
  • an optoelectronic component 10 for example, an OLED
  • FIG. 7 shows the optoelectronic component 10 in a further step of the method for producing the
  • Encapsulation layer 24 is arranged.
  • the adhesive layer 36 may, for example, over the entire surface
  • the covering body 38 can also be formed over the entire adhesive layer 36 and / or over the entire encapsulation layer 24 and / or over the entire component composite.
  • the Kontak recesses 42, 44 are formed in the Abdeckkorper 38 and the adhesive layer 36, so that the optoelectronic device 10, as shown in Fig. 2, is formed.
  • the contact recesses 42, 44 can be formed for example by means of laser drilling.
  • FIG. 8 shows the optoelectronic component 10 in an alternative step to a method for producing the optoelectronic component 10 shown in FIG. 7, in which the cover body 38 has a first recess 421 of the cover body 38 prior to application to the adhesive layer 36 a second recess 441 of the
  • Cover body 38 by means of which recess 421, 441 below the first contact recess 42 and the second contact recess 44 are formed.
  • the covering body 38 is placed on the adhesive layer 36 with the recesses 421, 441 of the covering body 38. Subsequently, the adhesive layer 36 and / or the encapsulation layer 24, which are exposed in the recesses 421, 441 of the cover body 38, can be removed, for example by means of
  • Cover body 38, the cover body 38 serve as a protective mask, for example as an etching stop mask.
  • Adhesive layer is removed in the region of the recesses 421, 441 of the cover body 38 is thereby the
  • Opto-electronic device 10 as shown in Fig. 2
  • FIG. 9 shows the optoelectronic component 10 in a further step of the method for producing the
  • Optoelectronic device 10 which can be performed alternatively to the steps shown in Fig. 7 and Fig. 8.
  • the adhesive layer 36 and the cover body 38 without the recesses 421, 441 formed and disposed over the encapsulation layer 24.
  • the first contact recess 42 and the second contact recess 44 are formed in the carrier body 12.
  • Carrier body 12 may be formed, for example, by laser drilling, mechanical drilling or wet chemical etching.
  • the contact recesses 42, 44 of the carrier body 12 extend as far as the contact electrodes 16, 18.
  • Fig. 10 shows an embodiment of a male member 50.
  • the male member 50 may in one of
  • Contact recesses 32, 34 are arranged and serves for electrically contacting the first and second electrodes 16, 18, in particular the first and second contact region 32, 34.
  • the male member 50 has four retaining arms 52, of which in Fig. 10, three and one are covered. Alternatively, the plug element 50 may also have only two, three or more than four retaining arms 52.
  • the holding arms 25 are connected to each other at their axial ends and have in the middle convexly outward
  • a radius around the holding arms 52 in the region of the maximum curvature can be slightly larger than the radius of the contact recesses 32, 34.
  • the plug element 50 can be provided with a
  • FIG. 11 shows an exemplary embodiment of a plug element 50 which has a central body 54 and three retaining rings 56.
  • the male member 50 may also have only one, two or more than three retaining rings 56
  • the plug element 50 is used according to the plug element 50 shown in FIG.
  • An outer diameter of the retaining rings 56 may for example be slightly larger than that of the corresponding contact recesses 32, 34.
  • the retaining rings 56 may be formed of a simple deformable material, such as rubber or silicone. In other words, the retaining rings 56 with a
  • Fig. 12 shows an embodiment of a plug member 50 which has been explained in the foregoing
  • Plug elements 50 in a de contact recesses 42, 44 can be arranged and which can serve to the
  • the plug element 50 has a serrated ring 58 at its axial end, which is in contact with the corresponding contact region 32, 34 when used as intended.
  • the serrated ring 58 may, for example serve to deform the material of the corresponding contact area 32, 34 and thereby to provide a larger contact area between the corresponding contact area 32, 34 and the plug element 50. This can contribute to a particularly good electrical coupling of the plug element 50 with the corresponding contact region 32, 34.
  • the in Fig. 12 have the retaining elements 56 or the retaining arms 52,
  • FIG. 13 shows an embodiment of a male member 50 that includes the central body 54 and a plurality of
  • the plug element 50 can
  • Plug elements 50 are arranged in one of the contact recesses 42, 44 and can serve to electrically contact the corresponding contact region 32, 34.
  • Barbs 60 serve that the male member 50 while easy in the corresponding contact recess 42, 44th
  • the male member 50 may include more or fewer barbs 60.
  • Plug element 50 may, for example, with the im
  • Previously discussed connector elements 50 are combined. For example, the in Fig. 13 shown
  • Plug element 50, the toothed ring 58, the retaining rings 56 and / or the retaining arms 52 have. Furthermore, all of the above can be explained
  • Plug elements 50 spring elements having a
  • Fig. 14 shows a perspective view of a
  • the sleeves 64 may in the
  • the sleeves 64 can along a direction 65 in the corresponding
  • the sleeves 64 may, for example, comprise an electrically conductive material. Furthermore, the sleeves 64 may comprise elements which have been explained in connection with the connector elements 50. For example, the sleeves 64 at their
  • the sleeves 64 can be arranged in the contact recesses 42, 44, that they the corresponding
  • the sleeves 64 can thus provide a simple and reliable electrical
  • the sleeves are preferably formed from electrically insulating material. The electrical contacting can then take place in that the connector elements 50 through the
  • FIG. 15 shows an exemplary embodiment of a
  • Optoelectronic component 10 in particular an organic Iichtemittierenden diode having a plurality of first contact recesses 42 and a plurality of second contact recesses 44.
  • Fig. 15 shows an embodiment of a plug body 66 on or in the more
  • Plug elements 50 are attached.
  • the plug elements 50 can be electrically contacted via the plug body 66 and a connection line 68.
  • the arrangement of the connector elements 50 on the plug body 66 corresponds to the arrangement of the contact recesses 42, 44 such that the
  • Plug members 50 by moving the plug body 66 along the direction 65 at the same time in the corresponding contact recesses 42, 44 can be inserted.
  • Contact recesses 42, 44 may be arranged so that the plug body 66 only in one way on the
  • optoelectronic component 10 can be plugged. As a result, a polarity reversal protection can be formed.
  • Previously explained plug element 50 may be designed accordingly.
  • Fig. 16 shows an exemplary embodiment of a
  • Embodiment of an organic light-emitting diode with the plug body 66, which in turn along the
  • Direction 65 can be placed on the cover body 38, so that the plug elements 50 attached to it in the
  • Contact recesses 42, 44 are insertable and the corresponding contact areas 32, 34 are electrically contacted.
  • the contact recesses 42, 44 are in this exemplary embodiment from polygonal, in particular rectangular. Accordingly, the connector elements 50 are formed so that they can be inserted into the contact recesses 42, 44.
  • the connector elements 50 are formed of thin sheets, which at their ends to the
  • Plug body 66 are attached and which are curved in their central portions round or angular convex outwardly toward the contact areas 32, 34.
  • Fig. 17 shows an embodiment of a plug element 50 in a sectional view.
  • the plug element 50 has four retaining arms 52, of which in FIG. 17 the two outer retaining arms 52 are shown in side view and the middle retaining arm 52 is shown in front view.
  • the two outer retaining arms 52 are shown in side view and the middle retaining arm 52 is shown in front view.
  • the middle retaining arm 52 is shown in front view.
  • Connector element 50 have only two, three or more than four retaining arms 52.
  • the holding arms 52 are over a
  • the base member 70 connected together.
  • the holding arms 52 extend in the direction away from the base element 70 and have latching elements 52 at their ends facing away from the base element 70.
  • the latching elements 52 are formed for example by portions of the support arms 52 which are bent outwards.
  • the base member 70 may be electrically coupled to an electrical conductor (not shown), for example by means of a solder joint.
  • the electrical conductor may for example be a cable
  • the plug element 50 in particular the base element 70 and the holding arms 52, can be made of an electrically conductive
  • FIG. 18 shows a bottom view of the plug element 50 according to FIG. 17, FIG. 17
  • Plug element 50 according to Figure 18 shows.
  • the base member 70 is formed in a cross shape. Alternatively, the
  • Base element 70 also roundish, for example circular, or polygonal, for example rectangular, for example square, be formed »
  • FIG. 19 shows an embodiment of a plug element 50 in a sectional view, which can be plug element 50
  • the plug element 50 has an eyelet 74 on its base element 70.
  • the eyelet 74 may help to easily and securely connect the electrical conductor to the male member 50.
  • FIG. 20 shows an embodiment of a plug element 50 in a sectional view.
  • the plug element 50 can
  • Plug element 50 has at its base element 70 a
  • the contact pin 76 can help to easily and safely connect the electrical conductor with the
  • Plug element 50 to connect.
  • FIG. 21 shows a sectional view of a detail of an exemplary embodiment of an optoelectronic component 10, which for example can largely correspond to one of the optoelectronic components 10 explained above.
  • Contact recess 44 of the optoelectronic component 10 has an undercut 78.
  • first contact recess 42 may have a corresponding undercut 78.
  • Contact recess 44 is widened in the region of the undercut 78 compared with its other axial extent.
  • the undercut 78 closes in the axial course of the
  • the Hi terschneidung 78 may be formed, for example, characterized in that in the cover 38, the second
  • Contact recess 44 has a first portion with a first radius and a second portion with a second radius and that the radius of the second portion, which is located closer to the substrate 12 than the first
  • Section is formed a step.
  • the undercut 78 is in the second section.
  • a plug element 50 is arranged, for example, the reference to FIG. 17
  • the plug-in element 50 is arranged in the second contact recess 44 such that its latching elements 72 are arranged in the undercut 78 and that it is in direct physical contact with the second contact region 34.
  • the second contact region 34 is electrically contactable via the plug element 50 and in particular via the base element 70 and the holding arms 52 of the plug element 50.
  • FIG. 22 shows an exemplary embodiment of a plug body 66 with a plug element 50.
  • the plug element 50 can be largely one of the above
  • the plug element 50 has a contact body 80.
  • Contact body 80 extends further away from connector body 66 than support arms 52.
  • Contact body 80 includes, for example, an electrically conductive material, such as metal.
  • the holding arms 52 comprise an electrically conductive and / or an electrically insulating material, wherein the electrical coupling via the
  • Contact body 80 can be made. In the plug body 66 contact portions 82 are arranged, which are electrically connected to the
  • Contact bodies 80 are coupled.
  • the contact portions 82 may be formed so that another does not illustrated plug or electrical conductor in it
  • FIG. 23 shows a side view of the plug body 66 with the plug element 50 according to FIG. 22.
  • the contact body 80 is designed as a spring element.
  • the contact portions 82 are sleeve-shaped.
  • FIG. 24 shows a bottom view of the plug body 66 with the plug element 50 according to FIG. 22.
  • the contact body 80 is electrically coupled to the contact sections 82 via a web 84 which is arranged in the plug body 66.
  • Fig. 25 shows a sectional view of a detail of a
  • an optoelectronic component 10 which may for example largely correspond to one of the optoelectronic components 10 explained above.
  • the plug body 66 shown in Figure 22 is arranged on the cover body 38, that the holding arms 52 are arranged in the second contact usEnglishung 44, the
  • Locking elements 72 are arranged in the undercut 28 and the contact body 80 is in direct physical contact with the second contact region 34. Preferably, in this state, a force acts on the contact body 80 from the second contact region 44, so that it deforms,
  • Fig. 26 shows a first step of a method for.
  • Plug element 50 is to be inserted into the second contact recess 44 also shown in Figure 21.
  • Fig. 27 shows a second step of the method of Figure 26, in which the male member 50 is partially inserted into the second Kontak recess 44 such that the
  • Retaining arms 52 are bent inwards. The state when the plug member 50 is fully inserted is shown in FIG.
  • Fig. 28 shows a first step of an alternative
  • FIG. 29 shows a second step of the method of Figure 28, in which the male member 50 in the second
  • the second contact region 34 may, for example, be of annular design and / or surround a central region 86 in that the encapsulation layer 24 and / or the adhesive layer 36 are not removed.
  • FIG. 30 shows a flow chart of an exemplary embodiment of a method for producing an optoelectronic component, for example one of the optoelectronic components 10 explained above, in particular the organic light emitting diode.
  • the carrier body 12 is provided.
  • Encapsulation layer 2 in a step S6, the cover body 38 is arranged, for example by means of the adhesive layer 36th
  • the contact recesses 42, 44 are formed in the cover body 38 and optionally the adhesive layer 36 or in the carrier body 12, respectively
  • the contact areas 32, 34 can be exposed.
  • the contact areas 32, 34 can be exposed.
  • Contact areas 32, 34 are freed from the encapsulation layer 24 and / or the adhesive layer 36. This can be done, for example, in an etching process in which the cover body 38 can serve as an etch stop.
  • 31 shows a flow chart of an exemplary embodiment of a method for producing an optoelectronic component 10, for example one of the optoelectronic components 10 explained above, in particular the organic light emitting diode.
  • a step S12 the carrier body 12 is provided.
  • Electrode layer 14 the functional layer structure 22, the second electrode portion 23 and the
  • the contact recesses 42, 44 are formed in the cover body 38, for example by means of
  • Encapsulation layer 24 for example by means of
  • Adhesive layer 36 arranged, in such a way that the
  • the contact areas 32, 34 can be exposed.
  • the contact areas 32, 34 can be exposed.
  • Encapsulation layer 24 and / or adhesive layer 36 over the respective contact areas 32, 34 are removed. This can be done, for example, in an etching process in which the cover body 38 can serve as an etch stop.
  • FIG. 32 shows a schematic cross-sectional view of a layer structure of an exemplary embodiment of FIG.
  • Optoelectronic component 10 in particular an organic light-emitting diode, according to various embodiments, wherein the focus or the focus is placed on the explanation of the individual layers, their training and their materials.
  • the optoelectronic components 10 explained above can be any optoelectronic component 10 explained above.
  • the optoelectronic component 10 can, for example, be an electromagnetic radiation emitting component 100, for example a light-emitting component,
  • the electromagnetic radiation emitting device 100 may include a carrier 102.
  • the carrier 102 may be any suitable carrier 102.
  • the support body 12 can be used as a support member for
  • the electromagnetic radiation emitting device 100 may be configured as a so-called top and bottom emitter.
  • a top and / or bottom emitter can also be referred to as an optically transparent component, for example a transparent organic light-emitting diode.
  • the carrier 102 may be in different
  • the barrier layer 104 may, for example, also be regarded as a partial layer of the carrier 102.
  • the barrier layer 104 may include or consist of one or more of the following: alumina,
  • Silicon oxynitride indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, and mixtures and alloys
  • barrier layer 104 may be in
  • Atomiage to about 5000 nm, for example one
  • an electrically active region 106 of the light-emitting device 100 may be arranged on or above the barrier layer 104.
  • the electrically active region 106 can be understood as the region of the electromagnetic radiation emitting device 100, in which an electric current for the operation of the electromagnetic radiation
  • the electrically active region 106, a lower electrode 110, an upper electrode 114 and an organic functional layer structure 112 have, as will be explained in more detail below.
  • the lower electrode 110 may be, for example, the first
  • Electrode portion 20 and / or the upper electrode 114 may for example, the second electrode section 23
  • the bottom electrode 110 (eg, as part of the first
  • Electrode layer 14 may be applied. Furthermore, the electrically active region 106 of the
  • electromagnetic radiation emitting device 100 have an organic functional layer structure 112 which is applied or formed on or above the lower electrode 110.
  • the organic functional layer structure 112 may be the functional one
  • Layer structure 22 represent.
  • the organic functional layer structure 112 may comprise one or more emitter layers 118, for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters, and one or more hole line layers 116 (also referred to as hole transport layer (s) 120).
  • emitter layers 118 for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters
  • hole line layers 116 also referred to as hole transport layer (s) 120.
  • one or more electron conduction layers 116 may be provided.
  • electromagnetic radiation emitting device 100 according to various Ausus operationsbeiar for the
  • Emitter layer (s) 118 may include organic or organometallic compounds, such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (e.g., 2- or 2-, 5-substituted poly-p-phenylenevinylene) as well as
  • Metal complexes for example iridium complexes such as blue phosphorescent FIrPic (bis (3,5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) iridium III), green phosphorescent Ir (ppy) 3 (tris ⁇ 2-phenylpyridine) iridium III), red phosphorescent Ru (dtb-bpy) 3 * 2 (PFg)
  • blue phosphorescent FIrPic bis (3,5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) iridium III
  • green phosphorescent Ir ppy
  • tris ⁇ 2-phenylpyridine tris ⁇ 2-phenylpyridine
  • Ru red phosphorescent Ru
  • Non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example. Furthermore, it is possible to use polymer emitters which can be deposited in particular by means of a wet-chemical method, for example a spin-coating method (also referred to as spin coating).
  • the emitter materials may be suitably embedded in a matrix material.
  • Emitter materials are also provided in other embodiments.
  • the emitter materials of the emitter layer (s) 118 of the electromagnetic radiation emitting device 100 may be selected such that the
  • the electromagnetic radiation emitting device 100 emits white light.
  • the emitter layer (s) 118 may include a plurality of emitter materials of different colors (for example blue and yellow or blue, green and red)
  • the emitter layer (s) 118 may be constructed of multiple sublayers, such as a blue fluorescent emitter layer 118 or blue
  • phosphorescent emitter layer 118 By mixing the different colors, the emission of light can result in a white color impression.
  • a converter material in the beam path of the primary emission generated by these layers, which at least partially absorbs the primary radiation and emits a secondary radiation of different wavelength, so that from a (not yet white) primary radiation by the combination of primary radiation and secondary radiation, a white Color impression results.
  • the organic functional layer structure 112 may generally comprise one or more electroluminescent layers.
  • the one or more electroluminescent layers may generally comprise one or more electroluminescent layers.
  • Layers may or may not include organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small, non-polymeric molecules, or a combination of these substances.
  • the organic functional layer structure 112 may include one or more
  • Hole transport layer 120 is or are, so that, for example, in the case of an OLED an effective
  • the organic functional layer structure 112 may include one or more functional layers, which may be referred to as a
  • Electron transport layer 116 is executed or are, so that, for example, in an OLED an effective
  • Electron injection into an electroluminescent layer or an electroluminescent region is made possible.
  • As a substance for the hole transport layer 120 can be any substance for the hole transport layer 120 .
  • the one or more electroluminescent layers may or may not be referred to as
  • Hole transport layer 120 may be applied to or over the lower electrode 110, for example, deposited, and the Emitter layer 118 may be on or above the
  • Hole transport layer 120 may be applied, for example, be deposited.
  • the electrolyte transport layer 116 may be deposited on or over the emitter layer 118, for example, deposited.
  • the organic functional layer structure 112 (that is, for example, the sum of the thicknesses of hole transport layer (s) 120 and
  • the organic functional layer structure 112 may be a stack of several directly stacked
  • each OLED may have a layer thickness between 25 nm and 1.5 pm, for example, a layer thickness between 50 nm and 800 nm, for example, a layer thickness between 150 nm and 300 nm.
  • the organic functional layer structure 112 may have organic light-emitting diodes (OLEDs), each OLED, for example, may have a layer thickness between 25 nm and 1.5 pm, for example, a layer thickness between 50 nm and 800 nm, for example, a layer thickness between 150 nm and 300 nm.
  • the organic functional layer structure 112 may have a layer thickness between 25 nm and 1.5 pm, for example, a layer thickness between 50 nm and 800 nm, for example, a layer thickness between 150 nm and 300 nm.
  • organic functional layer structure 112 may have a layer thickness of at most about 3 pm.
  • the electromagnetic radiation emitting device 100 may optionally further generally organic
  • Functional layers for example disposed on or over the one or more emitter layers 118 or on or above the electron transport layer (s) 116
  • organic functional layer structure 112 which serve to further improve the functionality and thus the efficiency of the electromagnetic radiation emitting device 100.
  • Layer structures 112 may be the upper electrode 114
  • the top electrode 114 may include or be formed from the same materials as the bottom electrode 110, with metals being particularly preferred in various embodiments
  • the lower electrode 110 and the upper electrode 114 are both translucent or transparent.
  • the light-emitting device 100 shown in Fig. 1 may be formed as a top and bottom emitter (in other words, a transparent light-emitting device 100 ⁇ .)
  • the top electrode 114 may be an anode, that is, holes
  • injecting electrode or as a cathode, that is, as an electron-injecting electrode.
  • On or above the second electrode 114 and thus on or above the electrically active region 106 may optionally be an encapsulation 108, for example in the form of a
  • Barrier thin film / thin film encapsulation 108 are formed or be.
  • the encapsulation 108 may, for example, correspond to the encapsulation splitter 24. Under one
  • carrier thin film” 108 or an "insulator region thin film” 108 may, for example, be understood to mean a layer or a layer structure which is suitable for facing an insulator region
  • the barrier thin film 108 is formed to be damaging to OLED
  • Substances such as water, oxygen or solvents can not or at most be penetrated to very small proportions.
  • the barrier thin-film layer 108 may be formed as a single layer (in other words, as Single layer) may be formed. According to an alternative embodiment, the barrier thin-film layer 108 may comprise a plurality of sub-layers formed on one another. In other words, according to one embodiment, the
  • Barrier thin film 108 as a stack of layers (stack)
  • the barrier film 108 or one or more sublayers of the barrier film 108 may be formed by, for example, a suitable deposition process, e.g. by means of a
  • Atomic Layer Deposition e.g. plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) or plasmaless
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • plasmaless vapor deposition plasmaless vapor deposition
  • PLCVD Chemical Vapor Deposition
  • ALD atomic layer deposition process
  • Atomic layer deposition process are formed.
  • a layer sequence comprising only ALD layers may also be referred to as "nanolaminate.”
  • one or more barrier layers may have one or more sublayers
  • Atomic layer deposition processes are deposited
  • the barrier film 108 may, in one embodiment, have a film thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm, for example, a film thickness of about 10 nm to about 100 nm according to a
  • Embodiment for example, about 40 nm according to an embodiment.
  • all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier thin-film layer 108 has a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier thin-film layer 108 has a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier thin-film layer 108 has a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another
  • Barrier thin layer 108 have different layer thicknesses. In other words, at least one of
  • Partial layers have a different layer thickness than one or more other of the sub-layers
  • Barrier thin layer 108 or the individual sublayers of barrier thin film 108 may be formed as a translucent or transparent layer according to one embodiment.
  • the barrier film 108 (or the individual sub-layers of the barrier film 108) may be made of a translucent or transparent substance (or mixture that is translucent or transparent).
  • the barrier thin-film layer 108 or (in the case of a layer stack having a plurality of partial layers) one or more of the partial layers of the
  • Barrier thin layer 108 include or may be formed from any of the following: alumina, zinc oxide, zirconia, titania, hafnia, tantalum oxide
  • Silicon oxynitride indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, and mixtures and alloys
  • Layered stack having a plurality of sublayers one or more of the sublayers of the barrier film 108 comprise one or more high refractive indexes, in other words one or more high content materials Refractive index, for example with a refractive index of at least 2.
  • the cover 126 for example made of glass, for example by means of a frit connection
  • the cover 126 may, for example, extend over all optoelectronic components 10 of the component network.
  • the cover 126 may, for example, the
  • Protective varnish 124 may be provided, by means of which, for example, the cover 126 (for example, a glass cover) attached to the barrier thin layer 108, for example, is glued.
  • the optically translucent layer of adhesive and / or protective varnish 124 may have a layer thickness of greater than 1 ⁇ ,
  • a layer thickness of several pm for example, a layer thickness of several pm.
  • the adhesive may include or be a lamination adhesive.
  • the adhesive and / or the resist 124 may correspond to the adhesive layer 36.
  • Adhesive layer can be embedded in various embodiments, still scattering particles that contribute to a further improvement of the color angle distortion and the
  • Exemplary embodiments may be provided as light-scattering particles, for example, dielectric scattering particles, such as, for example, metal oxides such as silicon oxide (SiO 2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2), indium-innium oxide (ITO) or indium-zinc oxide (IZO), gallium oxide ( Ga20a) Alumina, or titania.
  • dielectric scattering particles such as, for example, metal oxides such as silicon oxide (SiO 2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2), indium-innium oxide (ITO) or indium-zinc oxide (IZO), gallium oxide ( Ga20a) Alumina, or titania.
  • Other particles may also be suitable provided that they have a refractive index which is different from the effective refractive index of the matrix of the translucent layer structure, for example air bubbles, acrylate or glass hollow spheres.
  • metallic nanoparticles, metals such as gold, silver, iron nanop
  • SiN for example, with a layer thickness in a range of about 300 nm to about 1.5 pm,
  • a layer thickness in a range of about 500 nm to about 1 ⁇ to protect electrically unstable materials, for example during a
  • the adhesive may be arranged to have a refractive index of its own which is less than the refractive index of the refractive index
  • Such an adhesive may be, for example, a low-refractive adhesive such as a
  • cover 126 for example made of glass
  • cover 126 by means of, for example
  • Plasma spraying are applied to the barrier film 108.
  • the cover 126 and / or the adhesive 124 may include a
  • Refractive index (for example, at a wavelength of 633 nm) of 1.55. Further, in various embodiments, examples may be given
  • the optoelectronic component 10 more or less
  • steps S4 and S14 may comprise a plurality of sub-steps in which, for example, respective sub-layers, such as, for example, electron-transport layers, electron-injection layers and / or organically functional layers, are formed.

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Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine organische lichtemittierende Diode (10) bereitgestellt. Die organische lichtemittierende Diode (10) weist einen Trägerkörper (12), eine optoelektronische Schichtenstruktur, einen Abdeckkörper (38) und mindestens eine Kontaktausnehmung (42, 44) auf. Die optoelektronische Schichtenstruktur ist über dem Trägerkörper (12) ausgebildet und weist mindestens einen Kontaktbereich (32, 34) zum elektrischen Kontaktieren der optoelektronischen Schichtenstruktur auf. Der Abdeckkörper (38) ist über der optoelektronischen Schichtenstruktur angeordnet. Mindestens eine Kontaktausnehmung (42, 44) erstreckt sich durch den Trägerkörper (12) und/oder den Abdeckkörper (38) hindurch. In der Kontaktausnehmung (42, 44) ist zumindest ein Teil des Kontaktbereichs (32, 34) freigelegt.

Description

Beschreibung
Organische lichtemittierende Diode und Verfahren zum
Herstellen einer organischen lichtemittierenden Diode
Die Erfindung betrifft eine organische lichtemittierende Diode und ein Verfahren zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Diode . Herkömmliche optoelektronische Bauelemente , beispielsweise organische lichtemittierende Dioden (OLEDs ) , sind
üblicherweise aus einem Substrat , optisch funk ionellen
Schichten, beispielsweise organischen funktionellen
Schichten, Elektrodenschichten, einer Verkapselungsschicht , beispielsweise einer Dünnfilmverkapselungsschicht , gegen
Feuchteeinwirkung und einem Abdeckkörper, beispielsweise einer Deckplatte, aufgebaut . In vielen Fällen wird noch eine Wärmesenke und/oder ein Wärmeverteiler, beispielsweise eine Metallplatte oder eine Metallfolie oder eine Graphitschicht , beispielsweise eine Graphitfolie oder ein Graphitlaminat , auf das Deckglas laminiert . Die Deckplatte dient als mechanischer Schutz sowie als weitere Feuchtebarriere und besteht wie das Substrat in der Regel aus massivem Glas . Das Deckglas wird im Rahmen des Herstellprozesses üb1icherweise ganzflächig auf das Substrat laminiert . Die Verkapselungsschicht ist zwischen der Deckplatte und dem Substrat ausgebildet und erstreckt sich in der Regel über das gesamte Substrat .
Während des Herstellungsprozesses werden mehrere
optoelektronische Bauelemente im Bauelementverbund
hergestellt und anschließend vereinzelt , beispielsweise mittels Ritzens und Brechens des Substrats und der
Deckplatte . Im Bauelementverbund erstrecken sich das Substrat und die Deckplatte jeweils einstückig über mehrere
optoelektronische Bauelemente, Im Bauelementverbund sind daher elektrische Kontakte der Elektrodenschichten nicht zugänglich, was eine elektrische Kontaktierung und damit die Möglichkeit zur elektrooptisehen Charakterisierung früh im Prozessablauf verhindert. Beim Ritzen und Brechen in
Einzelbauteile wird das Deckglas über den Kontakten entfernt . Danach kann gegebenenfalls die Verkapselungsschicht auf den Kontakten beispielsweise mittels Laserabiation entfe nt werden . Erst nach diesen Prozesssch itten kann das fertig prozessierte und insbesondere vereinzelte optoelektronische Bauelement elektrisch kontaktiert und elektrooptisch
charakterisiert werden. Bei diesem Verfahren können elektrooptische Messungen erst relativ spät im Fertigungsablauf und mit erhöhtem Aufwand bei der Handhabung an vereinzelten optoelektronischen
Bauelementen erfolgen. Alternativ dazu ist es bekannt , die Leiterbahnen aller optoelektronischen Bauelemente zum Rand des
Bauelementverbunds zu führen. Dafür muss jedoch eine
ansonsten für die einzelnen optoelektronischen Bauelemente nutzbare Nutzfläche geopfert werden, wodurch die Ausnutzung des Substrats und insbesondere der Substratoberfläche
schlechter wird . Ferner ist bei diesem Ansatz ein
zusätzlicher Prozessschritt zum Freilegen der Verkapselung im Randbereich des Bauelementverbunds vor dem weiteren
Prozessieren nötig . Ferner kann dies das Ausbilden
unterschiedlich langer elektrischer Leiter erfordern, wodurch unterschiedliche elektrische Spannungen auftreten können . Dies kann eine homogene Lichterzeugung beeinträchtigen .
Außerdem besteht das herkömmliche optoelektronische
Bauelement an den Kontakten im Wesentlichen aus dem
Glassubstrat ohne schützende Deckplatte und ist dort
besonders anfällig für Beschädigungen durch Eck- oder
Kantenausbrüche . Ferner wird bei dem herkömmlichen
optoelektronischen Bauelement der Laminierkleber strukturiert aufgebracht , was relativ aufwendig ist , damit die Kontakte nachfolgend einfach freigelegt werden können . Ferner kann eine Metallplatte als Wärmesenke oder Wärmeverteiler nicht direkt auf die Verkapselungsschicht aufgebrachten werden, da die Metallplatte nicht innerhalb des BauelementVerbunds separiert werden kann, um die Kontakte freizulegen.
Die freiliegenden Kontakte der optoelektronischen Bauelemente können mittels Federpins, Leitkleber, Leitpaste, Crimps, usw. oder über ACF (Anisotropie Conductive Film) -gebondete
Leiterplatten, welche eine lötfähige metallische Fläche zum Anlöten weiterer Kontaktelemente (z.B. Pins, Ösen, Kabel etc.) zur Verfügung stellen, an nahezu beliebiger Stelle kontaktiert werden. Meist sind die Kontaktelemente nicht so ausgebildet, dass sie inhärent einen elektrisch isolierten Abstand zu seitlichen Außenkanten des optoelektronischen Bauelements habe . Daher müssen aufgrund diverser
Sicherheitsnormen beim Entwerfen und Kontaktieren des
optoelektronischen Bauelements vorgegebene Luft- und
Kriechstrecken berücksichtigt werden .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine organische lichtemittierende Diode bereitgestellt , die einfach
herstellbar und/oder einfach kontaktierbar ist , die früh im Herstellungsprozess elektrisch kontaktierbar und/oder
charakterisierbar ist und/oder die robust und/oder sicher ausgebildet ist . In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Diode
bereitgestellt , das einfach durchführbar ist und/oder bei dem früh während des Verfahrens die organische lichtemittierende Diode elektrisch kontaktierbar und/oder charakterisierbar ist.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein
optoelektronisches Bauelement , insbesondere eine organische Iichtemittierende Diode, bereitgestellt . Das
optoelektronische Bauelement weist einen Trägerkörper auf . Über dem Trägerkörper ist eine optoelektronische
Schichtenstruktur ausgebildet . Die optoelektronische
Schichtenstruktur weist mindestens einen Kontaktbereich zum elektrischen Kontaktieren der optoelektronischen Schichtenstruktur auf . Über der optoelektronischen
Schichtenstruktur ist ein Abdeckkörper angeordnet. Das optoelektronische Bauelement weist mindestens eine
Kontaktausnehmung auf, die sich durch den Trägerkörper und/oder den Abdeckkörper hindurch erstreckt und in der zumindest ein Teil des Kontaktbereichs freigelegt ist .
Das Freilegen des bzw. der Kontaktbereiche ermöglicht eine elektrische Kontaktierung und eine elektrooptische
Charakterisierung des optoelektronischen Bauelements noch im
Bauelementverbünd und damit früh während des
Herstellungsverfahrens . Ferner sind die Kontaktbereiche , die beispielsweise von Kontaktleisten gebildet sind, außerhalb der Kontaktausnehmungen durch den Abdeckkörper vor
mechanischer Beschädigung geschützt , wodurch das
optoelektronische Bauelement sehr robust ist . Ein Haftmittel , beispielsweise ein Laminierkleber, zum Befestigen des
Abdeckkörpers kann auf den entsprechenden Untergrund flächig aufgebracht werden, was zu einem einfachen Herstellen des optoelektronischen Bauelements beiträgt . Eine elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements durch die Kontaktausnehmungen hindurch kann nahezu ohne Aufbau auf das optoelektronische Bauelement erfolgen, wobei ein mechanische Haltefunktion der entsprechenden Kontaktierung mittels der Kontaktausnehmungen integriert sein kann . Ferner ermöglicht der Abdeckkörper, der die Wandungen der Kontaktausnehmungen bildet , ein einfaches Einhalten von vorgegebenen
Sicherheitsnormen, beispielsweise von Luft- und
Kriechstrecken .
Bei verschiedenen Ausführungsformen weist die
optoelektronische Schichtenstruktur eine Verkapselungsschicht und/oder eine Haftmittelschicht auf . Die Kontaktausnehmung erstreckt sich durch die Verkapselungsschicht und/oder durch die Haftmittelschicht hindurch . Die Verkapselungsschicht dient zum Schützen der optisch funktionellen, beispielsweise organischen, Schichten, beispielsweise vor Feuchtigkeit . Die Haftmittelschicht dient beispielsweise zum Befestigen des Abdeckkörpers . Die Haftmittelschicht kann beispielsweise flächig auf die Verkapselungsschicht aufgebracht sein. Bei verschiedenen Ausführungsformen weist der Abdeckkörper Metall oder Glas auf oder ist daraus gebildet . Falls der Abdeckkörper Metall aufweist oder daraus gebildet ist , kann der Abdeckkörper als Wärmesenke oder als Wärmeverteiler fungieren. Falls der Abdeckkörper Glas aufweist , so kann der Abdeckkörper mittels Ritzens und Brechens separiert werden . Falls der Abdeckkörper Metall aufweist , so kann der
Abdeckkörper beispielsweise mittels Schneidens ,
beispielsweise Laserschneidens , oder Sägens separiert werden . Ferner kann, der Abdeckkörper Metall und Glas aufweisen.
Beispielsweise kann der Abdeckkörper ein Glaskörper mit einer Metallschicht , beispielsweise einer Metailfolie, darauf sein .
Bei verschiedenen Ausführungs ormen haben stromführende
Schichten der optoelektronischen Schichtenstruktur einen Abstand zu einer äußeren Seitenkante des optoelektronischen Bauelements . Der Abstand ist größer oder gleich einem
vorgebebenen Mindestabstand, der größer null ist . Zwischen der äußeren Seitenkante des optoelektronischen Bauelements und einer äußeren Seitenkante einer der stromführenden
Schichten kann beispielsweise ein elektrisch isolierendes Material ausgebildet sei . Das elektrisch isolierende
Material kann beispielsweise ein Teil der
Verkapselungsschicht sein . Dies trägt dazu bei , dass einfach die vorgegebenen Sicherheitsnormen, beispielsweise die Luft- und Kriechstrecken, eingehalten werden können .
Bei verschiedenen Ausführungsformen weisen der Trägerkörper und der Abdeckkörper freiliegende Seitenkanten auf und sind an den Seitenkanten zueinander bündig ausgebildet . Dies trägt zu einem besonders robusten Aufbau des optoelektronischen Bauelements bei , da bis zu den Kanten der Trägerkörper den Abdeckkörper und der Abdeckkörper den Trägerkörper schützt . Ferner kann dies zu einem einfachen Herstellen des optoelektronischen Bauelements beitragen, da das optoelektronische Bauelement dann einfach entlang
einheitlicher, bündiger Kanten aus dem Bauelementverbünd separiert werden kann.
Bei verschiedenen Ausführungsformen weist das
optoelektronische Bauelement mindestens ein Steckerelement auf. Das Steckerelement ist in der Kontaktausnehmung so angeordnet und so ausgebildet , dass mittels des
Steckerelements der Kontaktbereich elektrisch ko aktierbar ist . Das bzw. die Steckerelemente können beispielsweise entsprechend dimensionierte Federstifte , Pins , Federn, Bügel , Laschen etc. aufweisen . Alternativ oder zusätzlich können mittels leitfähigen Klebstoffs oder Leitpaste und/oder mittels Löten, Bonden oder Ultraschall -Schweißen elektrisch leitfähige Kabel , die durch die Kontaktausnehmungen geführt sind, mit den Kontaktbereichen elektrisch kontaktiert werden . Die Steckerelemente können in den Kontaktausnehmungen bei geeigneter Dimens ionierung beispielsweise mitteis Widerhaken oder Federklemmen, wie z.B. von (Mini- ) Bananen-Steckern bekannt , mechanischen gehalten werden .
Bei verschiedenen Ausführungs formen weist das
optoelektronische Bauelement eine Hülse auf , die in der
Kontaktausnehmung so angeordnet ist und so ausgebildet ist, dass mittels der Hülse der Kontaktbereich elektrisch
kontaktierbar ist. Die Hülsen können beispielsweise mittels leitfähigen Klebstoffs oder Leitpaste und/oder mittels Löten mit den entsprechenden Kontaktbereichen verbunden sein . Die Hülsen können beispielsweise zur Vergrößerung der
elektrischen Kontaktfläche verwendet werden . In die Hülsen können dann die Steckerelemente eingesteckt oder verklemmt werden , Die Steckerelemente haben durch den vorgegebenen Abstand von der Außenkante des optoelektronischen Bauelements einen elektrisch isolierten Abstand zur Außenkante , was bei einem normgerechten Design von Leuchten hilfreich sein kann. Bei verschiedenen Ausführungsformen ist das Steckerelement in der Hülse angeordnet. Das Steckerelement ist mittels der Hülse mechanisch in der Kontaktausnehmung festgelegt und elektrisch mit dem Kontaktbereich gekoppelt.
Bei verschiedenen Ausführungsformen weist das
optoelektronische Bauelement mindestens zwei
Kontaktausnehmungen und einen Steckerkörper auf . In dem
Steckerkörper sind das Steckerelement und mindestens ein weiteres Steckerelement befestigt, wobei die Steckerelemente in den entsprechenden Kontaktausnehmungen angeordnet sind. Zusätzlich zu den beiden Steckerelementen können ein, zwei oder mehr weitere Steckereiemente an oder in dem
Steckerkörper befestigt sein, beispielsweise mittels MID- Technologie . Aufgrund der zwei oder mehr über den
Steckerkörper fest miteinander gekoppelten Steckerelementen sind die mechanischen Kaltekräfte der Steckerkörper in den entsprechenden Kontaktausnehmungen vervielfacht . Ferner kann über den Steckerkörper und/oder die Anordnung der
Steckerelemente ein Verpolschutz ausgebildet sei .
Bei verschiedenen Ausführungsformen weist die
Kontaktausnehmung ansch ießend an den Kontaktbereich eine Hinterschneidung auf . In anderen Worten ist die
Kontaktausnehmung nahe dem Kontaktbereich geweitet
ausgebildet und verjüngt sich in Richtung weg von dem
Kontaktbereich . Dies ermöglicht , ein Steckerelement mit einem Rastelement so in der Kontaktausnehmung anzuordnen, dass das Rastelement in der Hinterschneidung einrastet und das
Steckerelement in der Kontaktausnehmung mechanisch befestigt ist . Das Rastelement in der Hinterschneidung stellt eine formschlüssige Verbindung zwischen dem Steckerelement und dem restlichen optoelektronischen Bauelement dar . Dies kann auf einfache Weise zu einem sicheren und effektiven mechanischen Koppeln des Steckerelements mit der Kontaktausnehmung beitragen . Die Hinterschneidung kann beispielsweise von einem Abschnitt der Kontaktausnehmung in dem Abdeckkörper gebildet sein. Bei verschiedenen Ausführungsformen weist das Steckerelement das Rastelement auf, das bei in der Kontaktausnehmung
angeordnetem Steckerelement in der Hinterschneidung
angeordnet ist . Das Rastelement kann beispielsweise von einem geweiteten Bereich des Steckerelements gebildet sein.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements ,
beispielsweise des im Vorhergehenden erläuterten
optoelektronischen Bauelements , insbesondere der organischen lichtemittierenden Diode , bereitgestellt . Bei dem Verfahren wird der Trägerkörper bereitgestell . Die optoelektronische Schichtenstruktur, die mindestens den Kontaktbereich zum elektrischen Kontaktieren der optoelektronischen
Schichtenstruktur aufweist , wird über dem Trägerkörper ausgebildet . Der Abdeckkörper wird über der
optoelektronischen Schichtenstruktur angeordnet . Vor oder nach dem Anordnen des Abdeckkörpers wird in dem Trägerkörper und/oder dem Abdeckkörper die mindestens eine
Kontaktausnehmung so ausgebildet , dass sie sich durch den Trägerkörper und/oder den Abdeckkörper hindurch erstreckt und dass in ihr zumindest ein Teil des Kontaktbereichs freigelegt ist.
Bei verschiedenen Ausführungsformen wird die
Kontaktausnehmung nach dem Ausbilden der optoelektronischen Schichtenstruktur in dem Trägerkörper ausgebildet .
Beispielsweise wird die optoelektronische Schichtenstruktur auf einer ersten Seite des Trägerkörpers ausgebildet und die Kontaktausnehmung wird von einer zweiten Seite des
Trägerkörpers , die von der ersten Seite abgewandt ist , aus bis hin zu dem Kontaktbereich ausgebildet . Bei verschiedenen Ausführungsformen wird die
Kontaktausnehmung in dem Abdeckkörper nach dem Anordnen des Abdeckkörpers ausgebildet . Beispielsweise wird der
Abdeckkörper über der ersten Seite des Trägerkörpers über der optoelektronischen Schichtenstruktur und gegebenenfalls über der Verkapselungsschicht ausgebildet und die
Kontaktausnehmung wird von einer von dem Trägerkörper
abgewandten Seite des Abdeckkörpers aus bis hin zu dem
Kontaktbereich ausgebildet.
Die Kontaktausnehmung in dem Trägerkörper und/oder dem
Abdeckkörper kann so tief ausgebildet werden, dass der
Kontaktbereich im Bereich der Kontaktausnehmung gar nicht oder nur unwesentlich abgetragen wird . In diesem Fall ist eine flächige Kontaktierung des Kontaktbereichs ,
beispielsweise mittels des Steckerelements , der Hülse
und/oder eines Kabels möglich . Alternativ dazu kann sich die Kontaktausnehmung auch durch den Kontaktbereich hindurch erstrecken, so dass lediglich ein einen Abschnitt der Wandung der Kontaktausnehmung bildender Teil des Kontaktbereichs freiliegt und elektrisch kontaktierbar ist .
Bei verschiedenen Ausführungsformen wird die
Kontaktausnehmung in dem Abdeckkörper vor dem Anordnen des
Abdeckkörpers ausgebildet . Der Abdeckkörper kann dann passend ausgerichtet so über der optoelektronischen Schichtenstruktur angeordnet werden, dass der Kontaktbereich mit der
Kontaktausnehmung überlappt .
Bei verschiedenen Ausführungsformen wird die
Kontaktausnehmung mittels Laserbohrens ausgebildet .
Beispielsweise kann die Kontaktausnehmung mittels eines Nano- , Piko- , oder Femto-Sekunden-Lasers ausgebildet werden . Das Laserbohren kann vor oder nach dem Anordnen des Abdeckkörpers durchgeführt werden. Optional können beim Ausbilden der
Kontaktausnehmung mittels des Laserbohrens auch die
Haftmittelschicht und/oder die Verkapselungsschicht
durchdrungen werden. Das Ausbilden der Kontaktausnehmung mittels des Laserbohrens kann besonders schnell durchgeführt werden . Alternativ dazu kann die Kontaktausnehmung mittels mechanischen Bohrens , mittels Wasser- oder Sandstrahl oder mittels chemischen Ätzens ausgebildet werden . Bei verschiedenen Ausführungsformen weist die
optoelektronische Schichtenstruktur eine Verkapselungsschicht und/oder eine Haftmittelschicht auf , die zumindest einen Teil des Kontaktbereichs bedecken . Der Trägerkörper mit der
Kontaktausnehmung und/oder der Abdeckkörper mit der
Kontaktausnehmung dienen in einem Abtragungsprozess als Maske für die Verkapselungsschicht und/oder die Haftmittelschicht . In dem Abtragungsprozess werden Bereiche der
Verkapselungsschicht bzw. der Haftmittelschicht abgetragen, die in der Kontaktausnehmung freigelegt sind, so dass mittels des Abtragungsprozesses der Kontaktbereich in der
Kontaktausnehmung freigelegt wird . Beispielsweise wird die Kontaktausnehmung in dem Abdeckkörper derart ausgebildet , dass zunächst nur ein Teil der Haftmittelschicht darin freigelegt ist . Unter diesem Teil der Haftmi telschicht befindet sich ein Teil der Verkapselungsschicht, der über dem f eizulegenden Teil des Kontaktbereichs ausgebildet ist. Das optoelektronische Bauelement kann dann einem
Ablationsprozess , beispielsweise einem Ätzprozess ,
beispieiswiese einem nass-chemischen Ätzprozess oder einem Trockenätzprozess , unterzogen werden, wobei der Abdeckkörper als Maske dient . Bei dem Ätzprozess werden dann der Teil der Haftmittelschicht und der Teil der Verkapselungsschicht, die über dem freizulegenden Teil des Kontaktbereichs ausgebildet sind, entfernt , so dass der Kontaktbereich in der
Kontaktausnehmung freigelegt wird.
Bei verschiedenen Ausführungsformen wird das
optoelektronische Bauelement in einem Verbund mehrerer optoelektronischer Bauelemente , beispielsweise i einem
Bauelementverbund, hergestellt . Der Trägerkörper und/oder der Abdeckkörper erstrecken sich im Bauelementverbund zunächst einstückig über mehrere optoelektronische Bauelemente . Die optoelektronischen Bauelemente im Bauelementverbünd weisen jeweils mindestens eine Kontaktausnehmung auf . Die
optoelektronischen Bauelemente im Baue1ementverbund werden über die Kontaktausnehmungen elektrisch kontaktiert und getestet. Nachfolgend werden die optoelektronischen
Bauelemente vereinzelt . Das Testen der optoelektronischen Bauelemente im Bauelementverbund kann beispielsweise zum optischen Charakterisieren der optoelektronischen Bauelemente erfo gen. Beispielsweise können beim Testen eine
Vorwärts Spannung, eine Rückwärts Spannung, emittierte
Wellenlängen, eine Helligkeit bei vorgegebener Leistung und/oder ein Leistungsbedarf bei vorgegebener Helligkeit ermittelt werden. Die optoelektronischen Bauelemente können beispielsweise mittels Ritzens , Brechens , Sägens , Schneidens , beispielsweise mittels eines Lasers , vereinzelt werden . Das elektrische Kontaktieren über die Kontaktausnehmungen kann beispielsweise mittels eines , zwei oder mehr der
Steckerelemente erfolgen.
Bei verschiedenen Ausführungsformen wird die
Kontaktausnehmung so ausgebildet , dass sie die
Hinterschneidung aufweist . Der Kontaktbereich wird
freigelegt , indem ein Steckerelement , das ein Rastelement aufweist , so in der Kontaktausnehmung angeordnet wird, dass das Rastelement in der Hinterschneidung angeordnet ist und das Steckerelement in direktem körperlichen Kontakt mit der Verkapselungsschicht und/oder der Haftmittelschicht ist .
Nachfolgend wird das Steckerelement um eine Achse senkrecht zu dem Kontaktbereich gedreht . Aufgrund der Reibung zwischen dem Steckerelement und der Verkapselungsschicht und/oder der Ha tmittelschicht werden die Verkapselungs chicht und/oder die Haftmittelschicht abgetragen und der Kontaktbereich wird freigelegt . Dies kann dazu beitragen, den Kontaktbereich auf besonders effiziente Art und Weise freizulegen, insbesondere , wenn dieser bei bereits ausgebildeter Kontaktausnehmung noch von der Verkapselungsschicht bzw . der Haftmittelschicht bedeckt ist . Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert .
Es zeigen : eine Schnittdarstellung eines herkömmlichen
optoelektronischen Bauelements ; eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements ; eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel eines Bauelementverbunds ; eine Schni tdarStellung eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements während eines Verfahrens zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements ; eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel eines Bauelementverbunds während eines Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements ; eine Schnittdarstellung des optoelektronischen Bauelements gemäß Fig . 4 während des Verfahrens zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements ; eine Schnittdarstellung des optoelektronischen Bauelements gemäß Fig . 6 während des Verfahrens zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements ,- eine Schnittdarstellung des optoelektronischen Bauelements gemäß Fig . 7 während des Verfahrens zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements ; eine Schnittdarstellung des optoelektronischen Bauelements gemäß Fig . 7 während des Verfahrens zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements ; ein Ausführungsbeispiel eines Steckerelements ; ein Ausführungsbeispiel eines Steckerelements ; ein Ausführungsbeispiel eines Steckerelements ; ein Ausführungsbeispiel eines Steckerelements ; ein Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen
Bauelements mit Hülsen; ein Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements mit einem Steckerkörper und
Steckerelementen; ein Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements mit einem Steckerkörper und
Steckerelementen; ein Ausführungsbeispiel eines Steckerelements ; eine Unteransicht des Steckerelements gemäß Figur
17; ein Ausführungsbeispiel eines Steckerelements ; ein Ausführungsbeispiel eines Steckerelements ; eine Detailansicht eines Ausführungsbeispiels eine Steckerelements in einem Ausführungsbeispiel einer Kontaktausnehmung ; ein Ausführungsbeispiel eines Steckerkörpers mit einem Steckerelement ; eine Seitenansicht des Steckerkörpers mit dem Steckerelement gemäß Figur 22; eine Unteransicht des Steckerkörpers mit dem
Steckerelement gemäß Figur 22; den Steckerkörper und das Steckerelements gemäß Figur 22 in einer Kontaktausnehmung; ein erster Schritt eines Verfahrens zum Anordnen eines Steckerelements in einer Kontaktausnehmung ; ein zweiter Schritt des Verfahrens zum Anordnen des Steckerelements in der Kontaktausnehmung; ein erster Schritt eines Verfahrens zum Anordnen des Steckerelements in der Kontaktausnehmung; ein zweiter Schritt des Verfahrens zum Anordnen des Steckerelements in der Kontaktausnehmung gemäß Figur 28; ein Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements ; ein Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements ; ein Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelementes .
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser
Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird
Richtungsterminologie wie etwa „oben" , „unten" , „vorne", „hinten" , „vorderes" , „hinteres " , usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet . Da
Komponenten von Ausführungsbei pielen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschauiichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend . Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in
einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert . Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden" , "angeschlossen" sowie "gekoppel " verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist .
Die Verbindung eines ersten Körpers mit einem zweiten Körper kann formschlüssig, kraftschlüssig und/oder Stoffschlüssig sein . Die Verbindungen können lösbar ausgebildet sein, d.h. reversibel . In verschiedenen Ausgestaltungen kann eine reversible , schlüssige Verbindung beispielsweise als eine Schraubverbindung , ein Klettverschluss , eine Klemmung, eine Rastverbindung und/oder mittels einer Nutzung von Klammern realisiert sein . Die Verbindungen können jedoch auch nicht lösbar ausgebildet sein, d.h. irreversibel . Eine nicht lösbare Verbindung kann dabei nur mittels Zerstörens der Verbindungsmittel getrennt werden. In verschiedenen
Ausgestaltungen kann eine irreversible , schlüssige Verbindung beispielsweise als eine Nietverbindung , eine Klebeverbindung oder eine LötVerbindung realisiert sein.
Bei einer formschlüssigen Verbindung kann die Bewegung des ersten Körpers von einer Fläche des zweiten Körpers
beschränkt werden, wobei sich der erste Körper senkrecht , d.h. normal , in Richtung der beschränkenden Fläche des zweiten Körpers bewegt . In anderen Worten wird bei einer formschlüssigen Verbindung eine Relativbewegung der beiden Körper aufgrund ihrer zueinander korrespondierenden Formen in zumindest einer Richtung unterbunden . Ein Haken in einer Öse kann beispielsweise in mindestens einer Raumrichtung in der Bewegung beschränkt sein . In verschiedenen Ausgestaltungen kann eine formschlüssige Verbindung beispielsweise als eine Schraubverbindung, ein Klettverschluss , eine Klemmung, eine Rastverbindung und/oder mittels Klammern realisiert sein .
Bei einer kraftschlüssigen Verbindung kann aufgrund eines körperlichen Kontakts der beiden Körper unter Druck, eine
Haftreibung eine Bewegung des ersten Körpers parallel zu dem zweiten Körper beschränken . Ein Beispiel für eine
kraftschlüssige Verbindung kann beispielsweise ein
Flaschenkorken in einem Flaschenhals oder ein Dübel mit einer Übermaßpassung in einem entsprechenden Dübelloch sein . Die kraftschlüssige Verbindung kann auch als Presspassung
bezeichnet werden .
Bei einer Stoffschlüssigen Verbindung kann der erste Körper mit dem zweiten Körper mittels atomarer und/oder molekularer Kräfte verbunden sein. Stoffschlüssige Verbindungen können häufig nicht lösbare Verbindungen sein . In verschiedenen Ausgestaltungen kann eine stoffschlüssige Verbindung
beispielsweise als eine Klebeverbindung, eine Lotverbindung, beispielsweise eines Glaslotes oder eines Metalotes, oder als eine Schweißverbindung realisiert sein .
Ein optoelektronisches Bauelement kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement oder ein elektromagnetische
Strahlung absorbierendes Bauelement sein. Ein
elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement kann beispielsweise eine Solarzelle sein . Ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiter-Bauelement sein und/oder als eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode , als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische Strahlung
emittierender Transistor ausgebildet sein . Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein. In diesem Zusammenhang kann das
elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement
beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode , LED} als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode , OLED) , als Licht emittierender
Transistor oder als organischer Licht emittierender
Transistor ausgebildet sein . Das Licht emittierende
Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein . Weiterhin kann eine
Mehrzahl von Licht emittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht i einem gemeinsamen
Gehäuse .
Fig .1 zeigt ein herkömmliches optoelektronisches Bauelement 1 , insbesondere eine herkömmliche organische
lichtemittierende Diode . Das herkömmliche optoelektronische Bauelement 1 weist einen Trägerkörper 12 , beispielsweise ein Substrat , auf . Auf dem Trägerkörper 12 ist eine
optoelektronische Schichtenstruktur ausgebildet . Die optoelektronische Schichtenstruktur weist eine erste
Elektrodenschicht 14 auf, die eine erste Kontaktelektrode 16, eine zweite Kontaktelektrode 18 und einen ersten
Elektrodenabschnitt 20 aufweist . Die zweite Kontaktelektrode 18 ist mit dem ersten Elektrodenabschnitt 20 der
optoelektronischen Schichtenstruktur elektrisch gekoppelt . Der erste Elektrodenabschnitt 20 ist von der ersten
Kontaktelektrode 16 mittels einer elektrischen
Isolierungsbarriere 21 elektrisch isoliert . Über dem ersten Elektrodenabschnitt 20 ist eine f nktionelle
Schichtenstruktur 22, beispielsweis eine organische
funktionelle Schichtenstruktur, der optoelektronischen
Schichtenstruktur ausgebildet . Die funktionelle
Schichtenstruktur 22 kann beispielsweise eine, zwei oder mehr Teilschichten aufweisen, wie weiter unten mit Bezug zu Figur 19 näher erläutert . Über der organisch funktionellen
Schichtenstruktur 22 ist ein zweiter Elektrodenabschnitt 23 der optoelektronischen Schichtenstruktur ausgebildet , der elektrisch mit der ersten Kontaktelektrode 16 gekoppelt ist. Der erste Elektrodenabschnitt 20 dient beispielsweise als Anode oder Kathode der optoelektronischen Schichtenstruktur . Der zweite Elektrodenabschnitt 23 dient korrespondierend zu dem ersten Elektrodenabschnitt als Kathode bzw. Anode der optoelektronischen Schichtenstruktur .
Über dem zweiten Elektrodenabschnitt 23 und teilweise über der ersten Kontaktelektrode 16 und teilweise über der zweiten Kontaktelektrode 18 ist eine Verkapselungsschicht 24 der optoelektronische Schichtenstruktur ausgebildet , die die optoelektronische Schichtenstruktur verkapselt . In der
Verkapselungsschicht 24 sind über der ersten Kontaktelektrode 16 eine erste Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 und über der zweiten Kontaktelektrode 18 eine zweite Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 ausgebildet . In der ersten Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 ist ein erster Kontaktbereich 32 freigelegt und in der zweiten Ausnehmung der
Verkapselungsschicht 24 ist ein zweiter Kontaktbereich 34 freigelegt . Der erste Kontaktbereich 32 dient zum
elektrischen Kontaktieren der ersten Kontaktelektrode 16 und der zweite Kontaktbereich 34 dient zum elektrischen
Kontaktieren der zweiten Kontaktelektrode 18.
Über der Verkapselungsschicht 24 ist eine Haf mittelschicht 36 ausgebildet . Die Haftmittelschicht 36 weist beispielsweise ein Haftmittel , beispielsweise einen Klebstoff ,
beispielsweise einen Laminierklebstoff und/oder ein Harz auf . Über der Haftmittelschicht 36 ist ein Abdeckkörper 38
ausgebildet . Die Haftmittelschicht 36 dient zum Befestigen des Abdeckkörpers 38 an der Verkapselungsschicht 24. Der Abdeckkörper 38 weist beispielsweise Glas und/oder Metall auf . Beispielsweise kann der Abdeckkörper 38 im Wesentlichen aus Glas gebildet sein und eine dünne Metallschicht , beispielsweise eine Metallfolie auf dem Glaskörper aufweisen. Gegebenenfalls kann die Metallschicht nach dem Ritzen und Brechen des Abdeckkörpers 38 auf diesem angeordnet werden. Alternativ zu der Metallschicht können auch eine
Graphitschicht und/oder eine Schutzschicht zum Schützen der GraphitSchicht auf dem Abdeckkörper 38 angeordnet sein. Die Graphitschicht kann beispielsweise von einer Graphitfolie oder einem Graphi laminat gebildet sein . Der Abdeckkörper 38 dient zum Schützen des herkömmlichen optoelektronischen
Bauelements 1 , beispielsweise vor mechanischen
Krafteinwirkungen von außen. Ferner kann der Abdeckkörper 38 zum Verteilen und/oder Abführen von Hitze dienen, die in dem herkömmlichen optoelektronischen Bauelement 1 erzeugt wird . Beispielsweise kann das Glas des Abdeckkörpers 38 als Schutz vor äußeren Einwirkungen dienen und die Metallschicht des Abdeckkörpers 38 kann zum Verteilen und/oder Abführen der beim Betrieb des herkömmlichen optoelektronischen Bauelements 1 entstehenden Wärme dienen. Die Haftmittelschicht 36 kann beispielsweise strukturiert auf die Verkapselungsschicht 24 aufgebracht werden. Dass die Haftmittelschicht 36 strukturiert auf die
Verkapselungsschicht 24 aufgebracht wird, kann beispielsweise bedeuten, dass die Haftmittelschicht 36 schon direkt beim Aufbringen eine vorgegebene Struktur aufweist . Beispielsweise kann die Haftmittelschicht 36 mittels eines Dispens- oder Druckverfahrens strukturiert aufgebracht werden.
Das herkömmliche optoelektronische Bauelement 1 ist in dem ersten Kontaktbereich 32 und dem zweiten Kontaktbereich 34 em findlich gegenüber äußeren Einwirkungen, da in diesen Kontaktbereichen 32 , 34 kein Abdeckkörper 38 vorgesehen ist .
Das herkömmliche optoelektronische Bauelement 1 kann
beispielsweise aus einem Bauelementverbünd vereinzelt werden, indem der Trägerkörper 12 entlang seiner in Fig . 1 seitlich dargestellten Außenkanten geritzt und dann gebrochen, wird und indem der Abdeckkörper 38 gleichermaßen entlang seiner in Fig. 1 dargestellten seitlichen Außenkanten geritzt und dann gebrochen wird. Bei diesem Ritzen und Brechen wird die
Verkapselungsschicht 24 über den Kontaktbereichen 32 , 34 freigelegt . Nachfolgend können der erste Kontaktbereich 32 und der zweite Kontaktbereich 34 in einem weiteren
Verfahrensschritt freigelegt werden, beispielsweise mittels eines Ablationsprozesses , beispielsweise mittels
Laserabiation, mechanischen Kratzens oder eines
Ätzverfahrens .
Der Trägerkörper 12 kann beispielsweise Glas , beispielsweise Fensterglas , Quarz , ein Halbleitermaterial und/oder ein anderes geeignetes Material , beispielsweise Bor-Silikat, Aluminium-Silikat und/oder ein Standard-Material aus der Display- Industrie , aufweisen oder daraus gebildet sein .
Ferner kann der Trägerkörper 12 eine Kunststofffclie oder ei Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien
aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen ( PP) ) aufweisen oder daraus gebildet sein . Ferner kann der Kunststoff
Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol { PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) , Polyethylenterephthalat (PET) ,
Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Trägerkörper 12 kann ein Metall oder eine Metallverbindung aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin oder ähnliches . Das Metall oder eine Metallverbindung kann auch als eine Metallfolie oder eine Metallbeschichtete Folie ausgebildet sein . Der Trägerkörper 12 kann eines oder mehrere der oben genannten Materialien auf eisen .
Der Trägerkörper 12 kann transluzent oder sogar transparent ausgebildet sein. Unter dem Begriff „ transluzent" bzw.
„ transluzente Schicht" kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für elektromagnetische Strahlung durchlässig ist ,
beispielsweise für die von einem elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelement emittierte Strahlung, beispielsweise einer oder mehrerer Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des
Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) . Beispielsweise ist unter dem Begriff „ transluzente Schicht " in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine Struktur {beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte Strahlungsmenge auch aus der Struktur
(beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Lichts hierbei gestreut werden kann .
Unter dem Begriff „transparent" oder „transparente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist
(beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des
Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) , wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte
elektromagnetische Strahlung im Wesentlichen ohne Streuung oder Wellenlängenkonversion auch aus der S ruktur
(beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird . Für den Fall , dass beispielsweise ein monochromes oder im Emissionsspektrum begrenztes optoelektronisches Bauelement bereitgestellt werden soll , kann es ausreichen, dass die optisch
transluzente Schichtenstruktur zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs der gewünschten monochromen
elektromagnetischen Strahlung oder für das begrenzte
Emissionsspektrum transluzent ist. Fig. 2 zeigt eine Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements 10 , das beispielsweise weitgehend dem im Vorhergehenden
erläuterten herkömmlichen optoelektronischen Bauelement 1 entsprechen kann, insbesondere ein Ausführungsbeispiel einer organischen Iichtemittierenden Diode . Im Unterschied dazu weist j edoch das in Fig . 2 gezeigte Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Bauelements 10 eine Haftmittelschicht 36 und einen Abdeckkörper 38 auf , die sich bis hin zu den in Fig. 2 gezeigten seitlichen Außenkanten des Trägerkörpers 12 erstrecken. Außerdem weist das optoelektronische Bauelement 10 eine erste Kontaktausnehmung 42 und eine zweite
Kontaktausnehmung 44 auf, die sich durch den Abdeckkörper 38 und die Haftmittelschicht 36 hindurch bis zu der ersten
Kontaktelektrode 16 und der zweiten Kontaktelektrode 18 erstrecken , so dass der erste Kontaktbereich 32 in der ersten Kontaktausnehmung 42 freigelegt ist und der zweite
Kontaktbereich 34 in der zweiten Kontaktausnehmung 44
freigelegt ist . Die Kontaktausnehmungen 42, 44 können
bezüglich ihres Querschnitts senkrecht zu einer länglichen Achse der Kontaktausnehmungen 42 , 44 beispielsweise
rechteckig, beispielsweise quadratisch und/oder beliebig polygon und/oder rundlich, beispielsweise oval oder
kreisförmig ausgebildet sein .
Die erste und zweite Kontaktelektrode 16 , 18 können als stromführende Schichten des optoelektronischen Bauelements 10 bezeichnet werden. Die erste und zweite Kontaktelektrode 16 , 18 haben einen Abstand zu einer Außenkante des
optoelektronischen Bauelements 10. Der Abstand ist größer als oder gleich einem vorgegebenen Mindestabstand . Der
Mindes abstand ist größer als null . Zwischen einer seitlichen Außenkante der ersten und zweiten Kontaktelektrode 16 , 18 und der Außenkante des optoelektronischen Bauelements 10 können
Teile der Verkapselungsschicht 24 ausgebildet sein. Falls die Verkapselungsschicht 24 elektrisch isolierend ausgebildet ist , so sind die erste und zweite Kontaktelektrode 16, 18 und damit die stromführenden Schichten des optoelektronischen Bauelements 10 von der Außenkante des optoelektronischen
Bauelements 10 elektrisch isoliert . Dies kann dazu beitragen, einfach vorgegebene Sicherheitsnormen, wie beispielsweise vorgegebene Luft- und Kriechstrecken, einzuhalten,
beispielsweise indem als Mindestabstand eine derartige
Mindeststrecke vorgegeben wird .
Optional kann der Abdeckkörper 38 im Wesentlichen oder vollständig aus Metall gebildet sein. Alternativ dazu kann der Abdeckkörper 38 jedoch auch wie im Vorhergehenden
erläutert ausgebildet sein .
Beim Vereinzeln aus dem Bauelementverbünd kann das
optoelektronische Bauelement 10 einfach entlang der
gemeinsamen, bündigen seitlichen Außenkanten des
Abdeckkörpers 38 und des Trägerkörpers 12 geschnitten
und/oder gesägt werden. Alternativ dazu können die
Außenkanten des Abdeckkörpers 38 und des Trägerkörpers 12 nicht bündig zueinander ausgebildet sein und unabhängig voneinander geschnitten und/oder gesägt werden.
Das in Fig . 2 gezeigte Aus führungsbeispiel des
optoelektronischen Bauelements 10 ist besonders robust ausgebildet , insbesondere gegenüber äußeren mechanischen Einwirkungen , da sowohl der Abdeckkörper 38 als auch die Haftmittelschicht 36 sich bis zu der Außenkante des
Trägerkörpers 12 erstrecken und somit auch das
optoelektronische Bauelement 10 in den Kontaktbereichen 32 , 34 sehr stabil ausgebildet ist .
Fig . 3 zeigt eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel eines BauelementVerbunds während eines Verfahrens zum
Herstellen optoelektronischer Bauelemente 10 , insbesondere organischer lichtemittierender Dioden, insbesondere vor dem Vereinzeln der optoelektronischen Bauelemente 10. Der
Bauelementverbund weist mehrere , insbesondere vier,
optoelektronische Bauelemente 10 auf , die nach Fertigstellung j eweils beispielsweise dem in Figur 2 gezeigten
optoelektronischen Bauelement 10 entsprechen können .
Zur besseren Darstellbarkeit sind in Fig . 3 lediglich vier optoelektronische Bauelemente 10 in dem Bauelementverbund dargestellt . Tatsächlich können j edoch auch weit mehr optoelektronische Bauelemente 10 in dem einen
Baue1 ementverbünd hergestellt werden. Beispielsweise können mehrere hundert optoelektronische Bauelemente 10 in einem Bauelementverbund, beispielsweise in einem Wafer-Verbund, hergestellt werden.
In dem Bauelementverbund sind der Abdeckkörper 38 und der Trägerkörper 12 jeweils einstückig ausgebildet und erstrecken sich jeweils über mehrere d r optoelektronischen Bauelemente
10, Der Bauelementverbund weist mehrere erste
Kontaktausnehmungen 42 und mehrere zweite Kontaktausnehmungen 44 auf . Insbesondere v/eist der Bauelementverbünd zu j edem zu Vereinzelnden optoelektronischen Bauelement 10 mindestens eine , beispielsweise je zwei erste Kontaktausnehmungen 42 und mindestens eine , beispielsweise je zwei zweite
Kontaktausnehmungen 44 auf .
Fig . 4 zeigt eine Schnittdarstellung des Ausführungsbeispiels des optoelektronischen Bauelements 10 gemäß Fig . 2 während des Verfahrens zum Herstellen des optoelektronischen
Bauelements 10. Auf dem Trägerkörper 12 ist die erste
Elektrodenschicht 14 ausgebildet , die die erste
Kontaktelektrode 16, die zweite Kontaktelektrode 18 und den ersten Elektrodenabschnitt 20 aufweist . Die zweite
Kontaktelekt ode 18 und der erste Elektrodenabschnitt 20 können einstückig ausgebildet sein . Zwischen dem ersten
Elektrodenabschnitt 20 und der ersten Kontaktelektrode 16 ist eine elektrische Isolierungsbarriere 21 angeordnet .
Die erste Eiektrodenschicht 14 kann beispielsweise zwei oder mehr übereinander geschichteten Teilschichten aufweisen, beispielsweise eine erste elektrisch leitf hige Schicht und eine darüber ausgebildete zweite elektrisch leitfähige
Schicht . Die erste elektrisch leitfähige Schicht kann aus einem ersten elektrisch leitfähigen Material gebildet sein, wie beispielsweise aus einem Metall oder einem leitfähigen transparenten Oxid ( transparent conductive oxide , TCO} oder einem Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Metalls oder unterschiedlicher Metalle und/oder desselben TCO oder unterschiedlicher TCOs . Transparente leitf hige Oxide können beispielsweise transparente, leitfähige Stoffe , beispielsweise Metalloxide , wie beispielsweise Zinkoxid,
Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium- Zinn-Oxid (ITO) , beispielsweise ZnO, IN/ZnO, SnZnO oder Al- ZnO, sein. Neben binären MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn02 , oder In203 können auch ternäre
MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise AlZnO,
Zn2Sn04 , CdSn03 , ZnSn03 , Mgln204 , Galn03 , Zn2In205 oder
In4Sn3012 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs gehören und können in verschiedenen Ausführungsbeispielen eingesetzt werden . Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer
stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste elektrisch leitfähige Schicht ein Metall aufweisen; beispielsweise Ag, Pt , Au, Mg, AI , Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca , Sm oder Li , sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Stoffe . In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die erste elektrisch leitfähige Schicht gebildet werden von einem Schichtenstapel einer
Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs , oder umgekehrt . Ein Beispiel ist eine
Silberschicht , die auf einer Indium- Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichte . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
elektrisch leitf hige Schicht eines oder mehrere der
folgenden Stoffe alternativ oder zusätzlich zu den oben genannten Stoffen aufweisen: Netzwerke aus metallischen
Nanodrähten und - teilchen, beispielsweise aus Ag; Netzwerke aus Kohlenstof f -Nanoröhren; Graphen-Tei1chen und -Schichten; Netzwerke aus halbleitfähigen Nanodrähten. Ferner kann die erste elektrisch leitfähige Schicht elektrisch leitfähige Polymere oder Übergangsmetalloxide oder elektrisch leitfähige transparente Oxide aufweisen .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
elektrisch leitfahige Schicht transluzent oder transparent ausgebildet sein . In dem Fall , dass die erste elektrisch leitfähige Schicht ein Metall aufweist oder daraus gebildet ist , kann die erste elektrisch leitfähige Schicht
beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von ungefähr 10 nm bis ungefähr 25 nm, beispielsweise von ungefähr 15 nm bis ungefähr 20 nm, beispielsweise von ungefähr 18 nm. Weiterhin kann für den Fall , dass die erste elektrisch leitfähige
Schicht ein leitfähiges transparentes Oxid (TCO) aufweist oder daraus gebildet ist, die erste elektrisch leitfähige Schicht beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungef hr 500 nm,
beispielsweise von ungefähr 75 nm bis ungefähr 250 nm, beispielsweise ungefähr 100 nm bis ungefähr 150 nm.
Ferner kann für den Fall, dass die erste elektrisch
leitfähige Schicht 12 aus einem Netzwerk aus metallischen Nanodrähten, beispielsweise aus Ag, die mit leitfähigen
Polymeren kombiniert sein können, einem Netzwerk aus
Kohlenstoff -Nanoröhren, die mit leitfähigen Polymeren
kombiniert sein können, oder aus Graphe -Schichten und
Kompositen gebildet werden, die erste elektrisch leitfähige Schicht beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungef hr 500 nm, beispielsweise von ungefähr 10 nm bis ungefähr 280 nm, beispielsweise von ungefähr 28 nm bis ungef hr 250 nm .
Die erste elektrisch leitfähige Schicht kann zum Ausbilden von Anoden, also Löcher inj izierenden Elektroden, ausgebildet sein oder von Kathoden, also Elektronen inj izierenden
Elektroden. Die erste elektrisch leitfähige Schicht kann beispielsweise mittels Sputterns , beispielsweise DC- Sputterns, physikalischer Gasphasenabscheidung (PVD) oder dergleichen auf den Trägerkörper 12 aufgebracht werden .
Fig. 5 zeigt eine Draufsicht auf einen Bauelementverbund, der mehrere optoelektronische Bauelemente 10 während des
Herstellungsverfahrens zeigt , insbesondere in dem Zustand, der in Fig . 4 in Schnittdarstellung gezeigt ist . Insbesondere sind verglichen mit dem in Figur 3 gezeigten Bauelementverbund die Kontaktausnehmungen 42, 44 noch nicht ausgebildet ,
Fig. 6 zeigt das optoelektronische Bauelement 10 gemäß Fig. 4 in einem weiteren Schritt während des Verfahrens zum
Herstellen des optoelektronischen Bauelements 10, in dem bereits die funktionelle Schichtenstruktur 22, der zweite Elektrodenabschnitt 23 und die Verkapselungsschicht 24 sowie die Isolierungsbarriere 21 ausgebildet sind.
Die funktionelle Schichtenstruktur 22 kann beispielsweise organisch funktioneile Schichten aufweisen und beispielsweise den optisch aktiven Bereich des optoelektronischen
Bauelements 10, beispielsweise einer OLED, darstellen. Die organisch funktionellen Schichten können beispielsweise in einem, zwei oder mehreren Prozessschritten ausgebildet werden. Beispielsweise können die organisch funktionellen Schichten im Vakuum aufgedampft werden. Im Falle einer OLED als optoelektronisches Bauelement können die organisch f nktioneilen Schichten beispielsweise halbleitende,
lichtemittierende organische Schichten aufweisen. Ein
Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 10, beispielsweise einer OLED, und die detaillierte Ausgestaltung der Schichtenstruktur, insbesondere der funktionellen
Schichtenstruktur 22, desselben sind weiter unten mit Bezug zu Figur 19 näher erläutert.
Fig. 7 zeigt das optoelektronische Bauelement 10 in einem weiteren Schritt des Verfahrens zum Herstellen des
optoelektronischen Bauelements 10, in dem der Abdeckkörper 38 mittels der Haftmittelschicht 36 über der
Verkapselungsschicht 24 angeordnet ist. Die Haftmittelschicht 36 kann beispielsweise flächig über die gesamte
Verkapselungsschicht 24 und/oder über den gesamten
Bauelementverbund aufgetragen sein. Dementsprechend kann auch der Abdeckkörper 38 über der gesamten Haftmittelschicht 36 und/oder über der gesamten Verkapselungsschicht 24 und/oder über dem gesamten Bauelementverbund ausgebildet sein. Nachfolgend können die Kontak ausnehmungen 42, 44 in dem Abdeckkorper 38 und der Haftmittelschicht 36 ausgebildet werden, so dass das optoelektronische Bauelement 10, wie in Fig. 2 gezeigt, gebildet wird. Die Kontaktausnehmungen 42, 44 können beispielsweise mittels Laserbohrens ausgebildet werden.
Fig. 8 zeigt das optoelektronische Bauelement 10 in einem zu dem in Fig. 7 gezeigten Schritt alternativen Schritt eines Verfahrens zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements 10, bei dem der Abdeckkörper 38 bereits vor dem Aufbringen auf die Haftmittelschicht 36 eine erste Ausnehmung 421 des Abdeckkorpers 38 und eine zweite Ausnehmung 441 des
Abdeckkörpers 38 aufweist, mittels welcher Ausnehmung 421, 441 nachfolgend die erste Kontaktausnehmung 42 bzw. die zweite Kontaktausnehmung 44 gebildet werden. Der Abdeckkörper 38 wird mit den Ausnehmungen 421, 441 des Abdeckkörpers 38 auf die Haftmittelschicht 36 aufgesetzt. Nachfolgend können die Haftmittelschicht 36 und/oder die VerkapselungsSchicht 24, die in den Ausnehmungen 421, 441 des Abdeckkörpers 38 freiliegen, entfernt werden, beispielsweise mittels
Laserablation oder mittels eines Ätzverfahrens,
beispielsweise mittels eines nass -chemischen Ätzverfahrens oder eines Trocken-Ätzverfahrens . Beim Entfernen der
Haftmittelschicht 36 in den Ausnehmungen 421, 441 des
Abdeckkörpers 38 kann der Abdeckkörper 38 als Schutzmaske, beispielsweise als Ätzstoppmaske dienen. Nachdem die
Haftmittelschicht im Bereich der Ausnehmungen 421, 441 des Abdeckkörpers 38 entfernt ist, ist dadurch das
optoelektronische Bauelement 10 wie in Fig. 2 gezeigt
gebildet .
Fig. 9 zeigt das optoelektronische Bauelement 10 in einem weiteren Schritt des Verfahrens zum Herstellen des
optoelektronischen Bauelements 10, der alternativ zu den in Fig. 7 und Fig. 8 gezeigten Schritten durchgeführt werden kann. Dabei wird entsprechend Fig. 7 die Haftmittelschicht 36 und der Abdeckkörper 38 ohne die Ausnehmungen 421, 441 ausgebildet und über der Verkapselungsschicht 24 angeordnet. Davor oder danach werden in dem Trägerkörper 12 die erste Kontaktausnehmung 42 und die zweite Kontaktausnehmung 44 ausgebildet. Die Kontaktausnehmungen 42, 44 in dem
Trägerkörper 12 können beispielsweise mittels Laserbohrens, mechanischen Bohrens oder nasschemischen Ätzens ausgebildet werden. Die Kontaktausnehmungen 42, 44 des Trägerkörpers 12 erstrecken sich bis hin zu den Kontaktelektroden 16, 18.
Fig. 10 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines Steckerelements 50. Das Steckerelement 50 kann in einer der
Kontaktausnehmungen 32, 34 angeordnet werden und dient zum elektrischen Kontaktieren der ersten bzw. zweiten Elektrode 16, 18, insbesondere des ersten bzw. zweiten Kontaktbereichs 32, 34. Das Steckerelement 50 weist vier Haltearme 52 auf, von denen in Fig. 10 drei gezeigt und einer verdeckt sind. Alternativ dazu kann das Steckerelement 50 auch lediglich zwei, drei oder mehr als vier Haltearme 52 aufweisen.
Die Haltearme 25 sind an ihren axialen Enden miteinander verbunden und weisen in ihrer Mitte konvex nach außen
gewölbte Bereiche auf. Ein Umkreis um die Haltearme 52 im Bereich der maximalen Wölbung kann etwas größer ausgebildet sein als der Radius der Kontaktausnehmungen 32, 34. In anderen Worten kann das Steckerelement 50 mit einer
Übermaßpassung zu den. Kontaktausnehmungen 32, 34 ausgebildet sein. Dies führt dazu, dass sich beim Einstecken des
Steckerelements 50 in die entsprechende Kontaktausnehmung 32, 34 die Haltearme 52 leicht verformen und nach innen gedrückt werden. Dies führt zu einem Gegendruck der verformten
Haltearme 52 gegen die Wandung der entsprechenden
Kontaktausnehmung 32, 34. Durch diesen Gegendruck ist eine schlüssige, insbesondere kraftschlüssige, Verbindung zwischen dem S eckerelement 50 und der entsprechenden
Kontaktausnehmung 32, 34 gebildet und das Steckerelement 50 wird in der entsprechenden Kontaktausnehmung 32, 34 gehalten. Fig. 11 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines Steckerelements 50, das einen zentralen Körper 54 und drei Halteringe 56 aufweist. Alternativ dazu kann das Steckerelement 50 auch lediglich ein, zwei oder mehr als drei Halteringe 56
aufweisen. Das Steckerelement 50 dient entsprechend dem in Fig. 10 gezeigten Steckerelement 50 dazu, die erste bzw.
zweite Elektrode 16, 18, insbesondere den ersten bzw. zweiten Kontaktbereich 32 , 34 elektrisch zu kontaktieren und kann dementsprechend in einer der Kontaktausnehmungen 32, 34 angeordnet werden. Ein Außendurchmesser der Halteringe 56 kann beispielsweise etwas größer ausgebildet sein als der der entsprechenden Kontaktausnehmungen 32 , 34. Außerdem können die Halteringe 56 aus einem einfach verformbaren Material , wie beispielsweise Gummi oder Silikon gebildet sein . In anderen Worten können die Halteringe 56 mit einer
Übermaßpassung zu der entsprechenden Kontaktausnehmung 32 , 34 und/oder elastisch verformbar ausgebildet sein .
Dies führt dazu, dass die Halteringe 56 beim Anordnen des Steckerelements 50 in der entsprechenden Kontaktausnehmung 32 , 34 leicht eingedrückt und verformt werden und
dementsprechend einen Gegendruck auf die Wandung der
entsprechenden Kontaktausnehmung 32 , 34 ausüben. Aufgrund dieses Gegendrucks ist eine schlüssige , insbesondere
kraftschlüssige, Verbindung zwischen dem Steckerelement 50 und der entsprechenden Kontaktausnehmung 32 , 34 gebildet , die das Steckereiement 50 in der entsprechenden Kontaktausnehmung 32, 34 hält. Fig. 12 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines Steckerelements 50 , das entsprechend den im Vorhergeneden erläuterten
Steckerelementen 50 in einer de Kontaktausnehmungen 42 , 44 angeordnet werden kann und das dazu dienen kann, den
entsprechenden elektrischen Kontaktbereich 32 , 34 elektrisch zu kontaktieren. Das Steckerelement 50 weist an seinem axialen Ende , das bei bestimmungsgemäßem Einsatz in Kontakt mit dem entsprechenden Kontaktbereich 32 , 34 ist, einen Zackenkranz 58 auf . Der Zackenkranz 58 kann beispielsweise dazu dienen, das Material des entsprechenden Kontaktbereichs 32, 34 zu verformen und dadurch eine größere Kontaktfläche zwischen dem entsprechenden Kontaktbereich 32 , 34 und dem Steckerelement 50 zu schaffen. Dies kann zu einer besonders guten elektrischen Kopplung des Steckerelements 50 mit dem entsprechenden Kontaktbereich 32 , 34 beitragen .
Die in Fig . 12 gezeigte Ausführungsform des Steckerelements 50 kann mit der in Fig . 10 oder der in Fig . 11 gezeigten Ausführungsform des Steckerelements 50 kombiniert werden .
Beispielsweise kann das in Fig . 12 gezeigte Steckerelement 50 die Halteringe 56 oder die Haltearme 52 aufweisen,
Fig . 13 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines Steckerelements 50 , das den zentralen Körper 54 und eine Mehrzahl von
Widerhaken 60 aufweist . Das Steckerelement 50 kann
entsprechend den im Vorhergeneden erläuterten
Steckerelementen 50 in einer der Kontaktausnehmungen 42 , 44 angeordnet werden und kann dazu dienen, den entsprechenden Kontaktbereich 32, 34 elektrisch zu kontaktieren. Die
Widerhaken 60 dienen dazu, dass das Steckerelement 50 zwar einfach in die entsprechende Kontaktausnehmung 42 , 44
einsteckbar ist, j edoch nur schwer oder nicht zerstörungsfrei wieder aus der entsprechenden Kontaktausnehmung 42 , 44 entfernt werden kann. Das Steckerelement 50 kann weitere oder weniger Widerhaken 60 aufweisen .
Das in Fig . 13 gezeigte Ausführungsbeispiel des
Steckerelements 50 kann beispielsweise mit den im
Vorhergehenden erläuterten Steckerelementen 50 kombiniert werden. Beispielsweise kann das in Fig . 13 gezeigte
Steckerelement 50 den Zackenkranz 58 , die Halteringe 56 und/oder die Haltearme 52 aufweisen . Ferner können alle im Vorhergehenden erläuterten
Steckerelemente 50 Federelemente aufweisen, die eine
Veränderung einer axialen Länge, die in den Figuren parallel zu einer Senkrechten angeordnet ist, ermöglichen. Derartige Federkontakte sind aus dem Stand der Technik bekannt.
Fig. 14 zeigt eine perspektivische Darstellung eines
Ausführungsbeispiels des optoelektronischen Bauelements 10 und zwei Hülsen 64. Die Hülsen 64 können in den
Kontaktausnehmungen 42, 44 angeordnet werden. Die Hülsen 64 können entlang einer Richtung 65 in die entsprechende
Kontaktausnehmung 42 , 44 eingeführt werden. Die Hülsen 64 können beispielsweise ein elektrisch leitfähiges Material aufweisen . Ferner können die Hülsen 64 Elemente aufweisen, die in Zusammenhang mit den Steckerelementen 50 erläutert wurden . Beispielsweise können die Hülsen 64 an ihrem
Außenumfang die Widerhaken 60 , die Halteringe 56 oder die Haltearme 52 und/oder an ihren axialen Enden den Zackenkranz 58 aufweisen .
Die Hülsen 64 können derart in den Kontaktausnehmungen 42 , 44 angeordnet werden, dass sie die entsprechenden
Kontaktbereiche 32, 34 elektrisch kontaktieren und dadurch die elektrisch kontaktierbare Fläche von den Kontaktbereichen 32 , 34 auf ihre eigenen Innenwandungen ausdehnen . Nachfolgend können dann einfache , beispielsweise aus dem Stand der
Technik bekannte, oder die im Vorhergehenden erläuterten Steckerelemente 50 in den Hülsen 64 angeordnet werden, wobei auf einfache Weise eine zuverlässige Strom- und/oder
Signalübertragung sichergestellt ist . Die Hülsen 64 können somit zu einer einfachen und zuverlässigen elektrischen
Kontaktierbarkeit der Kontaktbereiche 32 , 34 und damit des optoelektronischen Bauelements 10 beitragen .
Falls auf dem Abdeckkörper 38 eine elektrisch leitfähige Schicht, beispielsweise eine Metallschicht , angeordnet ist, so si d die Hülsen vorzugsweise aus elektrisch isolierendem Material gebildet . Die elektrische Kontaktierung kann dann dadurch erfolgen, dass die Steckerelemente 50 durch die
Hülsen hindurch bis hin zu den Kontaktbereichen 32 , 34 rage . Alternativ oder zusätzlich kann zur elektrischen Kontaktierung der Steckerelemente 50 mit den Kontaktbereichen 32, 34 ein elektrisch leitfähiges Material eingebracht werden, beispielsweise Leitkleber oder eine Legierung . Fig. 15 zeigt ein Aus führungsbeispiel eines
optoelektronischen Bauelements 10 , insbesondere einer organischen Iichtemittierenden Diode , das mehrere erste Kontaktausnehmungen 42 und mehrere zweite Kontaktausnehmungen 44 aufweist . Außerdem zeigt Fig. 15 ein Ausführungsbeispiel eines Steckerkörpers 66 an oder in dem mehrere
Steckerelemente 50 befestigt sind . Die Steckerelemente 50 sind über den Steckerkörper 66 und eine Anschlussleitung 68 elektrisch kontaktierbar . Die Anordnung der Steckerelemente 50 an dem Steckerkörper 66 korrespondiert derart zu der Anordnung der Kontaktausnehmungen 42 , 44 , dass die
Steckerelemente 50 durch Bewegen des Steckerkörpers 66 entlang der Richtung 65 gleichzeitig in die entsprechenden Kontaktausnehmungen 42 , 44 eingeführt werden können . Optional können die Steckerelemente 50 und die
Kontaktausnehmungen 42 , 44 so angeordnet sein, dass der Steckerkörper 66 nur auf eine Art und Weise auf das
optoelektronische Bauelement 10 aufsteckbar ist . Dadurch kann ein Verpolschutz gebildet sein.
Die in Fig . 15 gezeigten Steckerelemente 15 sind entsprechend dem in Fig . 12 gezeigten Steckerelement 50 ausgebildet . Sie können j edoch alternativ auch einem beliebigen im
Vorhergehenden erläuterten Steckerelement 50 entsprechend ausgebildet sein.
Fig . 16 zeigt ein Aus führungsbeispiel eines
optoelektronischen Bauelements 10 , insbesondere ein
Ausführungsbeispiel einer organischen lichtemittierenden Diode , mit dem Steckerkörper 66 , der wiederum entlang der
Richtung 65 auf den Abdeckkörper 38 aufsetzbar ist , so dass die an ihm befestigten Steckerelemente 50 in die
Kontaktausnehmungen 42, 44 einführbar sind und die entsprechenden Kontaktbereiche 32, 34 elektrisch kontaktierbar sind. Die Kontaktausnehmungen 42, 44 sind bei diesem Aus führungsbeispiel polygonal , insbesondere rechteckig ausgebildet. Dementsprechend sind die Steckerelemente 50 so ausgebildet, dass sie in die Kontaktausnehmungen 42, 44 einführbar sind . Beispielsweise sind die Steckerelemente 50 aus dünnen Blechen gebildet, die an ihren Enden an dem
Steckerkörper 66 befestigt sind und die in ihren mittleren Abschnitten rundlich oder eckig konvex nach außen in Richtung hin zu den Kontaktbereichen 32 , 34 gewölbt sind.
Fig . 17 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines Steckerelements 50 in Schnittdarstellung . Das Steckerelement 50 weist vier Haltearme 52 auf , von denen in Figur 17 die beiden äußeren Haltearme 52 in Seitenansicht und der mittlere Haltearm 52 in Frontansicht gezeigt sind. Alternativ dazu kann das
Steckerelement 50 lediglich zwei , drei oder mehr als vier Haltearme 52 aufweisen . Die Haltearme 52 sind über ein
Basiselement 70 miteinander verbunden . Die Haltearme 52 erstrecken sich in Richtung weg von dem Basiselement 70 und weisen an ihren von dem Basiselement 70 abgewandten Enden Rastelemente 52 auf . Die Rastelemente 52 sind beispielsweise von Abschnitten der Haltearme 52 gebildet , die nach außen gebogen sind. Das Basiselement 70 kann mit einem nicht dargestellten elektrischen Leiter elektrisch gekoppelt werden, beispielsweise mittels einer Lötverbindung . Der elektrische Leiter kann beispielsweise ein Kabel , ein
Bonddraht oder ein anderes elektrisches Kontaktelement sein. Das Steckerelement 50 , insbesondere das Basiseiement 70 und die Haltearme 52 , kann aus einem elektrisch leitfähigen
Material , das beispielsweise Metall aufweist , gebildet sein .
Fig . 18 zeigt eine Unteransicht des Steckerelements 50 gemäß Figur 17 , wobei Figur 17 einen Schni t durch das
Steckerelement 50 gemäß Figur 18 zeigt . Das Basiselement 70 ist kreuzförmig ausgebildet . Alternativ dazu kann das
Basiselement 70 auch rundlich, beispielsweise kreisförmig, oder polygonal, beispielsweise rechteckig, beispielsweise quadratisch, ausgebildet sein»
Fig. 19 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines Steckerelements 50 in Schnittdarstellung, Das Steckerelement 50 kann
beispielsweise weitgehend dem im Vorhergehenden erläuterten Steckerelement 50 entsprechen. Das Steckerelement 50 weist an seinem Basiselement 70 eine Öse 74 auf. Die Öse 74 kann dazu beitragen, den elektrischen Leiter einfach und sicher mit dem Steckerelement 50 zu verbinden.
Fig. 20 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines Steckerelements 50 in Schnittdarstellung. Das Steckerelement 50 kann
beispielsweise weitgehend einem der im Vorhergehenden
erläuterten S eckerelemente 50 entsprechen. Das
Steckerelement 50 weist an seinem Basiselement 70 einen
Kontaktstift 76 auf. Der Kontaktstift 76 kann dazu beitragen, den elektrischen Leiter einfach und sicher mit dem
Steckerelement 50 zu verbinden.
Fig. 21 zeigt eine Schnittdarstellung eines Details eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements 10, das beispielsweise weitgehend einem der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Bauelemente 10 entsprechen kann. Die Kontakta s ehmung, insbesondere die zweite
Kontaktausnehmung 44, des optoelektronischen Bauelements 10 weist eine Hinterschneidung 78 auf . Alternativ oder
zusätzlich kann auch die erste Kontaktausnehmung 42 eine entsprechend Hinterschneidung 78 aufweisen . Die
Kontaktausnehmung 44 ist im Bereich der Hinterschneidung 78 verglichen mit ihrer sonstigen axialen Erstreckung geweitet . Die Hinterschneidung 78 schließt im axialen Verlauf der
Kontaktausnehmung 44 an den zweiten Kontaktbereich 34 an. Somit ist aufgrund der Hinterschneidung 78 der zweite
Kontaktbereich 34 größer oder weist zumindest einen größeren Außenumfang auf als ohne Hinterschneidung 78. Die Hi terschneidung 78 kann beispielsweise dadurch gebildet sein, dass in dem Abdeckkörper 38 die zweite
Kontaktausnehmung 44 einen ersten Abschnitt mit einem ersten Radius und einen zweiten Abschnitt mit einem zweiten Radius aufweist und dass der Radius des zweiten Abschnitts, der näher an dem Substrat 12 angeordnet ist als der erste
Abschnitt, größer ist als der Radius des ersten Abschnitts. Beim Übergang von dem ersten Abschnitt zu dem zweiten
Abschnitt ist eine Stufe gebildet. Die Hinterschneidung 78 befindet sich in dem zweiten Abschnitt.
In der zweiten Kontaktausnehmung 44 ist ein Steckerelement 50 angeordnet, beispielsweise das mit Bezug zu Figur 17
erläuterte Steckerelement 50. Das Steckereiement 50 ist derart in der zweiten Kontaktausnehmung 44 angeordnet, dass seine Rastelemente 72 in der Hinterschneidung 78 angeordnet sind und dass es in direktem körperlichen Kontakt mit dem zweiten Kontaktbereich 34 ist. Der zweite Kontaktbereich 34 ist über das Steckerelement 50 und insbesondere über das Basiselement 70 und die Haltearme 52 des Steckerelements 50 elektrisch kontaktierbar .
Fig. 22 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines Steckerkörpers 66 mit einem Steckerelement 50. Das Steckerelement 50 kann beispielsweise weitgehend einem der im Vorhergehenden
erläuterten Steckerelemente 50, beispielsweise dem mit Bezug zu Figur 17 erläuterten Steckerelement 50 entsprechen. Das Steckerelement 50 weist einen Kontaktkörper 80 auf. Der
Kontaktkörper 80 erstreckt sich weiter in Richtung weg von dem Steckerkörper 66 als die Haltearme 52. Der Kontaktkörper 80 weist beispielsweise ein elektrisch leitfähiges Material, beispielsweise Metall auf. Die Haltearme 52 weisen ein elektrisch leitfähiges und/oder ein elektrisch isolierendes Material auf, wobei die elektrische Kopplung über den
Kontaktkörper 80 erfolgen kann. In dem Steckerkörper 66 sind Kontaktabschnitte 82 angeordnet, die elektrisch mit dem
Kontaktkörper 80 gekoppelt sind. Die Kontaktabschnitte 82 können so ausgebildet sein, dass ein weiterer nicht dargestellter Stecker oder elektrischer Leiter in sie
einführbar ist. Alternativ dazu können auch nur ein oder mehr als zwei Kontaktabschnitte 82 angeordnet sein. Fig. 23 zeigt eine Seitenansicht des Steckerkörpers 66 mit dem Steckerelement 50 gemäß Figur 22, Der Kontaktkörper 80 ist als Federelement ausgebildet. Die Kontaktabschnitte 82 sind hülsenförmig ausgebildet. Fig. 24 zeigt eine Unteransicht des Steckerkörpers 66 mit dem Steckerelement 50 gemäß Figur 22. Der Kontaktkörper 80 ist über einen Steg 84, der in dem Steckerkörper 66 angeordnet ist, mit den Kontaktabschnitten 82 elektrisch gekoppelt.
Fig. 25 zeigt eine Schnittdarstellung eines Details eines
Aus fuhrungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements 10, das beispielsweise weitgehend einem der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Bauelemente 10 entsprechen kann. Der in Figur 22 gezeigte Steckerkörper 66 ist so auf dem Abdeckkörper 38 angeordnet, dass die Haltearme 52 in der zweiten Kontakt usnehmung 44 angeordnet sind, die
Rastelemente 72 in der Hinterschneidung 28 angeordnet sind und der Kontaktkörper 80 in direktem körperlichen Kontakt mit dem zweiten Kontaktbereich 34 ist. Vorzugsweise wirkt in diesem Zustand eine Kraft von dem zweiten Kontaktbereich 44 auf den Kontaktkörper 80, so dass dieser verformt,
beispielsweise elastisch verformt ist. Eine Gegenkraft, die der verformte Kontaktkörper 80 auf den zweiten Kontaktbereich 44 ausübt, kann bewirkten, dass die Rastelemente 72 gegen die Stufe in der Kontaktausnehmung 44 an der Hinterschneidung 78 gedrückt werden.
Fig. 26 zeigt einen ersten Schritt eines Verfahrens zum.
Anordnen eines Steckerelements 50 in einer Kontaktausnehmung, bei dem beispielsweise das in Figur 21 gezeigte
Steckerelement 50 in die ebenfalls in Figur 21 gezeigte zweite Kontaktausnehmung 44 eingeführt werden soll. Fig. 27 zeigt einen zweiten Schritt des Verfahrens aus Figur 26, bei dem das Steckerelement 50 teilweise in die zweite Kontak ausnehmung 44 derart eingeführt ist, dass die
Haltearme 52 nach innen gebogen sind. Der Zustand bei vollständig eingeführtem Steckerelement 50 ist in Figur 21 gezeigt .
Fig. 28 zeigt einen ersten Schritt eines alternativen
Verfahrens zum Anordnen eines Steckerelements 50 in der zweiten Kontaktausnehmung 44, bei dem der zweite
Kontaktbereich 34 noch nicht freigelegt ist, sondern von der Verkapselungsschicht 24 und der Haftmittelschicht 36 bedeckt ist . Fig. 29 zeigt einen zweiten Schritt des Verfahrens aus Figur 28, bei dem das Steckerelement 50 in die zweite
Kontaktausnehmung 44 vollständig eingeführt ist, und mit einer Kraft in Richtung 65 beaufschlagt in eine Drehrichtung 88 gedreht wird. Dies bewirkt, dass die Rastelemente 72 die Verkapselungsschicht 24 und die Haftmittelschicht 36 nach und nach abtragen, bis sie über dem zweiten Kontaktbereich 34 entfernt sind und das Steckerelement 50 in direktem
körperlichen Kontakt mit dem zweiten Kontaktbereich 34 ist. Der zweite Kontaktbereich 34 kann in diesem Zusammenhang beispielsweise ringförmig ausgebildet sein und/oder einen zentralen Bereich 86 umgeben, indem die Verkapselungsschicht 24 und/oder die Haftmittelschicht 36 nicht entfernt sind.
Fig. 30 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements, beispielsweise eines der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Bauelemente 10, insbesondere der organischen lichtemittierenden Diode. In einem Schritt S2 wird der Trägerkörper 12 bereitgestellt.
In einem Schritt S4 wird die optoelektronische
Schichtenstruktur ausgebildet, insbesondere die erste Elektrodenschicht 14, die funktionelle Schichtenstruktur 22, der zweite Elektrodenabschnitt 23 und die
Verkapselungsschicht 2 , In einem Schritt S6 wird der Abdeckkörper 38 angeordnet, beispielsweise mit Hilfe der Haftmittelschicht 36.
In einem Schritt S8 werden die Kontaktausnehmungen 42, 44 in dem Abdeckkörper 38 und gegebenenfalls der Haftmittelschicht 36 oder in dem Trägerkörper 12 ausgebildet, jeweils
beispielsweise mittels Laserbohrens,
Falls nötig können in einem Schritt S10 die Kontaktbereich 32, 34 freigelegt werden. Beispielsweise können die
Kontaktbereiche 32, 34 von der Verkapselungsschicht 24 und/oder der Haftmittelschicht 36 befreit werden. Dies kann beispielsweise in einem Ätzverfahren erfolgen, in dem der Abdeckkörper 38 als Ätzstopp dienen kann. Fig. 31 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements 10, beispielsweise eines der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Bauelemente 10, insbesondere der organischen lichtemittierenden Diode.
In einem Schritt S12 wird der Trägerkörper 12 bereitgestellt.
In einem Schritt S14 wird die optoelektronische
Schichtenstruktur ausgebildet, insbesondere die erste
Elektrodenschicht 14, die funktionelle Schichtenstruktur 22, der zweite Elektrodenabschnitt 23 und die
Verkapselungsschicht 2 .
In einem Schritt S16 werden die Kontaktausnehmungen 42, 44 in dem Abdeckkörper 38 ausgebildet, beispielsweise mittels
Laserbohrens . In einem Schritt S18 wird der Abdeckkörper 38 über der
Schichtenstruktur, beispielsweise über der
Verkapselungsschicht 24, beispielsweise mittels
Haftmittelschicht 36 angeordnet, und zwar so, dass die
Kontaktausnehmungen 42 , 44 die Kontaktbereiche 32 , 44 überlappen.
Falls nötig können in einem Schritt S20 die Kontaktbereiche 32 , 34 freigelegt werden. Beispielsweise können die
Verkapselungsschicht 24 und/oder die Haftmittelschicht 36 über den entsprechenden Kontaktbereichen 32, 34 entfernt werden. Dies kann beispielsweise in einem Ätzverfahren erfolgen, in dem der Abdeckkörper 38 als Ätzstopp dienen kann.
Fig. 32 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer Schichtenstruktur eines Ausführungsbeispiels eines
optoelektronischen Bauelementes 10 , insbesondere einer organischen lichtemittierenden Diode , gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen, wobei der Schwerpunkt bzw. der Focus auf die Erläuterung der einzelnen Schichten, deren Ausbildung und deren Materialien gelegt ist . Die im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Bauelemente 10 können
beispielsweis gemäß der im Folgenden erläuterten
Schichtenstruktur ausgebildet sein .
Das optoelektronische Bauelement 10, kann beispielsweise ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement 100 , beispielswei e ein Iichtemittierendes Bauelement ,
beispielsweise in Form einer organischen Leuchtdiode , sein. Das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement 100 kann einen Träger 102 aufweisen . Der Träger 102 kann
beispielsweise einen Teilabschnitt des Trägerkörpers 12 repräsentieren und kann als ei Trägerelement für
elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise
Iichtemittierende Elemente , dienen . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement 100 als ein so genannter Top- und Bottom- Emitter eingerichtet sein. Ein Top- und/oder Bottom-Emitter kann auch als optisch transparentes Bauelement, beispielsweise eine transparente organische Leuchtdiode, bezeichnet werden.
Auf oder über dem Träger 102 kann in verschiedenen
Aus führungsbeispielen optional eine Barriereschicht 104 angeordnet sein. Die Barrierenschicht 104 kann beispielsweise auch als Teilschicht des Trägers 102 angesehen werden. Die Barriereschicht 104 kann eines oder mehrere der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus bestehen: Aluminiumoxid,
Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid,
Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminiumdotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen
derselben. Ferner kann die Barriereschicht 104 in
verschiedenen Ausführungsbeispielen eine Schichtdicke
aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0,1 ni (eine
Atomiage) bis ungefähr 5000 nm, beispielsweise eine
Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 40 nm. Auf oder über der Barriereschicht 104 kann ein elektrisch aktiver Bereich 106 des lichtemittierenden Bauelements 100 angeordnet sein. Der elektrisch aktive Bereich 106 kann als der Bereich des elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelements 100 verstanden werden, in dem ein elektrischer Strom zum Betrieb des elektromagnetische Strahlung
emittierenden Bauelements 100 fließt. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann der elektrisch aktive Bereich 106 eine untere Elektrode 110, eine obere Elektrode 114 und eine organische funktionelle Schichtenstruktur 112 aufweisen, wie sie im Folgenden noch näher erläutert werden. Die untere Elektrode 110 kann beispielsweise dem ersten
Elektrodenabschnitt 20 und/oder die obere Elektrode 114 kann beispielsweise dem zweiten Elektrodenabschnitt 23
entsprechen.
So kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen auf oder über der Barriereschicht 104 (oder, wenn die Barriereschicht 104 nicht vorhanden ist, auf oder über dem Träger 102) die untere Elektrode 110 (beispielsweise als Teil der ersten
Elektrodenschicht 14) aufgebracht sein. Weiterhin kann der elektrisch aktive Bereich 106 des
elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelements 100 eine organische funktionelle Schichtenstruktur 112 aufweisen, die auf oder über der unteren Elektrode 110 aufgebracht ist oder ausgebildet wird. Beispielsweise kann die organisch funktionelle Schichtenstruktur 112 die funktionelle
Schichtenstruktur 22 repräsentieren.
Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann eine oder mehrere Emitterschichten 118 aufweisen, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern, sowie eine oder mehrere Lochleitungsschichten 116 (auch bezeichnet als Lochtransportschicht (en) 120) . In
verschiedenen Äusführungsbeispielen können alternativ oder zusätzlich eine oder mehrere Elektronenleitungsschichten 116 (auch bezeichnet als Elektronentransportschicht (en) 116) vorgesehen sein.
Beispiele für Emittermaterialien, die in dem
elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelement 100 gemäß verschiedenen Äusführungsbeispielen für die
Emitterschicht (en) 118 eingesetzt werden können, schließen organische oder organometal1isehe Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2- oder 2 , 5 -substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie
Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3 , 5-difluoro- 2 - ( 2 - pyridyl) phenyl- ( 2-carboxypyridyl) -iridium III) , grün phosphoreszierendes Ir (ppy) 3 (Tris { 2 -phenylpyridin) iridium III) , rot phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFg)
(Tris [4,4' -di-tert-butyl- (2,2')- bipyridin] ruthenium (III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4,4-Bis [4- (di-p-tolylamino) styryl] biphenyl ) , grün fluoreszierendes TTPA ( 9 , 10-Bis [N, N-di- (p-tolyl) - amino] anthracen) und rot fluoreszierendes DCM2 (4- Dicyanomethylen) - 2 -methyl- 6 - j ulolidyl - 9 -enyl- 4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein . Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar . Ferner können Polymeremitter eingesetzt werden, welche insbesondere mittels eines nasschemischen Verfahrens , wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) , abscheidbar sind.
Die Emittermaterialien kennen in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein .
Es ist darauf hinzuweisen, dass andere geeignete
Emittermaterialien in anderen Ausführungsbeispielen ebenfalls vorgesehen sind .
Die Emittermaterialien der Emitterschicht (en) 118 des elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelements 100 können beispielsweise so ausgewählt sein, dass das
elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement 100 Weißlicht emittiert . Die Emitterschicht (en) 118 kann/können mehrere verschiedenfarbig ( zum Beispiel blau und gelb oder blau , grün und rot) emittierende Emittermaterialien
aufweisen, alternativ kann/können die Emitterschicht (en) 118 auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht 118 oder blau
phosphoreszierenden EmitterSchicht 118 , einer grün
phosphoreszierenden EmitterSchicht 118 und einer rot
phosphoreszierenden Emitterschicht 118. Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) PrimärStrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt.
Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann allgemein eine oder mehrere eiektrolumin.eszente Schichten aufweisen. Die eine oder mehreren elektrolumineszenten
Schichten kann oder können organische Polymere, organische Oligomere , organische Monomere, organische kleine, nicht - polymere Moleküle („ small moiecules") oder eine Kombination dieser Stoffe auf eise . Beispielsweise kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 eine oder mehrere
elektrolumineszente Schichten aufweisen, die als
Lochtransportschicht 120 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in dem Fall einer OLED eine effektive
Löcherinjektion i eine elektrolumines zierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird.
Alternativ kann in verschiedenen Ausführungsb ispielerl die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 eine oder mehrere funktionelle Schichten aufweisen, die als
Elektronentransportschicht 116 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in einer OLED eine effektive
Elektroneninjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird . Als Stoff für die Lochtransportschicht 120 können
beispielsweise tertiäre Amine , Carbazoderivate , leitfähiges Polyanilin oder Polythylendioxythiophen verwendet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann oder können die eine oder die mehreren elektrolumineszenten Schichten als
elektrolumineszierende Schicht ausgeführt sein .
In verschiedenen Ausführungsb ispielen kann die
Lochtransportschicht 120 auf oder über der unteren Elektrode 110 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein, und die Emitterschicht 118 kann auf oder über der
Lochtransportschicht 120 aufgebracht sein, beispielsweise abgeschieden sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Slektronentransportschicht 116 auf oder über der Emitterschicht 118 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 (also beispielsweise die Summe der Dicken von Lochtransportschicht (en) 120 und
Emitterschicht (en) 118 und Elektronentransportschicht (en)
116) eine Schichtdicke aufweisen zwischen 25 nm und 1,5 pm, beispielsweise eine Schichtdicke zwischen 50 nm und 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke zwischen 150 nm und 300 nm.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 beispielsweise einen Stapel von mehreren direkt übereinander angeordneten
organischen Leuchtdioden (OLEDs) aufweisen, wobei jede OLED beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen kann zwischen 25 nm und 1,5 pm, beispielsweise eine Schichtdicke zwischen 50 nm und 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke zwischen 150 nm und 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112
beispielsweise einen Stapel von zwei, drei oder vier direkt übereinander angeordneten OLEDs auf eisen, in welchem Fall beispielsweise organische funktionelle Schichtenstruktur 112 eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 3 pm . Das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement 100 kann optional allgemein weitere organische
Funktionsschichten, beispielsweise angeordnet auf oder über der einen oder mehreren Emitterschichten 118 oder auf oder über der oder den Elektronentransportschicht (en) 116
aufweisen, die dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz des elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelements 100 weiter zu verbessern . Auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren organischen funktionellen
Schichtenstrukturen 112 kann die obere Elektrode 114
(beispielsweise als zweiter Elektrodenabschnitt 23)
aufgebracht sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die obere Elektrode 114 die gleichen Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein wie die untere Elektrode 110, wobei in verschiedenen Ausführungsbeispielen Metalle besonders
geeignet sind. In verschiedenen Ausführungsbeispielen sind die untere Elektrode 110 und die obere Elektrode 114 beide transluzent oder transparent ausgebildet . Somit kann das in Fig .1 dargestellte lichtemittierende Bauelement 100 als Top- und Bottom-Emitter (anders ausgedrückt als transparentes lichtemittierendes Bauelement 100} ausgebildet sein. Die obere Elektrode 114 kann als Anode , also als Löcher
inj izierende Elektrode ausgebildet sein oder als Kathode, also als eine Elektronen injizierende Elektrode . Auf oder über der zweiten Elektrode 114 und damit auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 106 kann optional noch eine Verkapselung 108 , beispielsweise in Form einer
Barrierendünnschicht/Dünnschichtverkapselung 108 gebildet werden oder sein. Die Verkapselung 108 kann beispielsweise der Verkapselungsschient 24 entsprechen. Unter einer
„Barrierendünnschicht" 108 bzw. einem „Isolatorbereich- Dünnfilm" 108 kann im Rahmen dieser Anmeldung beispielsweise eine Schicht oder eine Schichtenstruktur verstanden werden, die dazu geeignet ist , eine Isolatorbereich gegenüber
chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärisehen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff , zu bilden. Mit anderen Worten ist die Barrierendünnschicht 108 derart ausgebildet , dass sie von OLED- schädigenden
Stoffen wie Wasser, Sauerstoff oder Lösemittel nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann .
Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 108 als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt , als Einzelschicht) ausgebildet sein. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 108 eine Mehrzahl von aufeinander ausgebildeten Teilschichten aufweisen. Mit anderen Worten kann gemäß einer Ausgestaltung die
Barrierendünnschicht 108 als Schichtstapel (Stack)
ausgebildet sein. Die Barrierendünnschicht 108 oder eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 können beispielsweise mittels eines geeigneten Abscheideverfahrens gebildet werden, z.B. mittels eines
Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) gemäß einer Ausgestaltung, z.B. eines plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder eines plasmalosen
Atomlageabscheideverfahrens (Plasma- less Atomic Layer
Deposition ( PLALD) ) , oder mittels eines chemischen
Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition
(CVD) ) gemäß einer anderen Ausgestaltung, z.B. eines
plasmaunterstützten Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ( PECVD) ) oder eines plasmalosen Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma-less
Chemical Vapor Deposition (PLCVD) ) , oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahren.
Durch Verwendung eines Atomlagenabscheideverfahrens (ALD) können sehr dünne Schichten abgeschieden werden. Insbesondere können Schichten abgeschieden werden, deren Schichtdicken im Atomlagenbereich liegen. Gemäß einer Ausgestaltung können bei einer Barrierendünnschicht 108, die mehrere Teilschichten aufweist, alle Teilschichten mittels eines
Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine
Schichtenfolge, die nur ALD- Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat " bezeichnet werden. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung können bei einer Barrierendünnschicht 108, die mehrere Teilschichten aufweist, eine oder mehrere
Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem
Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden,
beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens . Die Barrierendünnschicht 108 kann gemäß einer Ausgestaltung eine Schichtdicke von ungefähr 0.1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer
Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung .
Gemäß einer Ausgestaltung, bei der die Barrierendünnschicht 108 mehrere Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen. Gemäß einer anderen
Ausgestaltung können die einzelnen Teilschichten der
Barrierendünnschicht 108 unterschiedliche Schichtdicken aufweisen. Mit anderen Worten kann mindestens eine der
Teilschichten eine andere Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der Teilschichten, Die
Barrierendünnschicht 108 oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 können gemäß einer Ausgestaltung als transluzente oder transparente Schicht ausgebildet sein. Mit anderen Worten kann die Barrierendünnschicht 108 (oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 108) aus einem transluzenten oder transparenten Stoff (oder einem Stoffgemisch, die transluzent oder transparent ist) bestehen.
Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 108 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der
Barrierendünnschicht 108 einen der nachfolgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid
Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid,
Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminiumdotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen
derselben. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Barrierendünnschicht 108 oder (im Falle eines
Schichtenstapeis mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 ein oder mehrere hochbrechende Stoffe aufweisen, anders ausgedrückt ein oder mehrere Stoffe mit einem hohen Brechungsinde , beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.
In einer Ausgestaltung kann die Abdeckung 126, beispielsweise aus Glas , beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung
(engl . glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen des elektromagne ische Strahlung emit ierenden Bauelements 100 mit der Barrieredünnschicht 108 aufgebracht werden. Die Abdeckung 126 kann sich beispielsweise über alle optoelektronischen Bauelemente 10 des Bauelementverbunds erstrecken . Die Abdeckung 126 kann beispielsweise dem
Abdeckkörper 38 entsprechen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der Barrierendünnschicht 108 ein Klebstoff und/oder ein
Schutzlack 124 vorgesehen sein, mittels dessen beispielsweise die Abdeckung 126 (beispielsweise eine Glasabdeckung) auf der Barrierendünnschicht 108 befestigt , beispielsweise aufgeklebt ist . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch transluzente Schicht aus Klebsto f und/oder Schutzlack 124 eine Schichtdicke von größer als 1 μπα aufweisen,
beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren pm. In
verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff einen Laminations - Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein . Der Klebstoff und/oder der Schutzlack 124 können beispielsweise der Haftmittelschicht 36 entsprechen.
In die Schicht des Klebstoffs (auch bezeichnet als
Kleberschicht) können in verschiedenen Ausführungsbeispielen noch Iichtstreuende Partikel eingebettet sein, die zu einer weiteren Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der
Auskoppeleffizienz führen können. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen können als Iichtstreuende Partikel beispielsweise dielektrische Streupartikel vorgesehen sein wie beispielsweise Metalloxide wie z.B. Siliziumoxid (Si02) , Zinkoxid (ZnO) , Zirkoniumoxid (Zr02) , Indium- inn-Oxid (ITO) oder Indium- Zink-Oxid (IZO) , Galliumoxid (Ga20a) Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechung index der Matrix der transluzenten Schichtenstruktur verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat , oder Glashohlkugeln. Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel, Metalle wie Gold, Silber, Eisen- Nanopartikel , oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der oberen Elektrode 114 und der Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack 124 noch eine elektrisch isolierende Schicht
(nicht dargestellt) aufgebracht werden oder sein,
beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1,5 pm,
beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 μτη, um elektrisch instabile Stoffe zu schützen, beispielsweise während eines
nasschemischen Prozesses.
In verschiedenen Au führungsbeispielen kann der Klebstoff derart eingerichtet sein, dass er selbst einen Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der Brechungsindex der
Abdeckung 126. Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein
Acrylat, der einen Brechungsindex von ungefähr 1,3 aufweist. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Kleber vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden. Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen Ausführungsbeispielen auch ganz auf den Klebstoff 124 verzichtet werden kann,
beispielsweise in Ausgestaltungen, in denen die Abdeckung 126, beispielsweise aus Glas, mittels beispielsweise
Plasmaspritzens auf die Barrierendünnschicht 108 aufgebracht werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können/kann die Abdeckung 126 und/oder der Klebstoff 124 einen
Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen. Ferner können in verschiedenen Ausführ ngsbeispielen
zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten
(beispielsweise kombiniert mit der Verkapselung 108,
beispielsweise der Barrierendünnschicht 108) in dem
lichtemittierenden Bauelement 100 vorgesehen sein.
Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen
Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise kann das optoelektronische Bauelement 10 mehr oder weniger
Kon aktausnehmungen 42, 44 aufweisen. Ferner können alle gezeigten optoelektronischen Bauelemente 10 mehr oder weniger Schichten aufweisen. Beispielsweise können diverse optische funktionelle Schichten ausgebildet sein, die beispielsweise die Effizienz des optoelektronischen Bauelements 10
verbessern oder das Abstrahlverhalten des optoelektronischen Bauelements 10 beeinflussen. Beispielsweise können
Auskoppelschichten, Spiegelschichten, Antireflexschichten und/oder Streuschichten ausgebildet sein. Ferner können die Steckerelemente 50 oder die Steckerkörper 66 bezüglich ihrer Form und Anzahl unterschiedlich sein. Ferner können die gezeigten Verfahren zusätzliche Schritte, beispielsweise Teilschritte aufweisen. Beispielsweise können die Schritte S4 und S14 eine Vielzahl von Teilschritten aufweisen, in denen beispielsweise jeweils Teilschichten, wie beispielsweise Elektronentransportschichten, Elektroneninjektionsschichten und/oder organisch funktionelle Schichten ausgebildet werden.

Claims

Patentansprüche
1. Organische lichtemittierende Diode (10), mit
- einem Trägerkörper (12),
- einer optoelektronischen Schichtenstruktur, die über dem Trägerkörper (12) ausgebildet ist und die mindestens einen Kontaktbereich (32, 34) zum elektrischen Kontaktieren der optoelektronischen Schichtenstruktur aufweist,
- einem Abdeckkörper (38) , der über der
optoelektronischen Schichtenstruktur angeordnet ist ,
- mindes ens einer Kontaktausnehmung (42 , 44), die sich durch den Trägerkörper (12) und/oder den Abdeckkörper (38) hindurch erstreckt und in der zumindest ein Teil des
Kontaktbereichs {32, 34) freigelegt ist .
2. Organische lichtemittierende Diode (10) nach Anspruch 1, bei dem die optoelektronische Schichtenstruktur eine
VerkapselungsSchicht (28 ) und/oder eine Haftmittelschicht (36) aufweist , und bei dem sich die Koritaktausnehmung (42 , 44 ) durch die VerkapselungsSchicht (28) und/oder durch die Kaftmittelschicht (36 ) hindurch erstreckt .
3. Organische Iichtemittierende Diode (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche , bei dem der Abdeckkörper (38 ) Metall oder Glas aufweist.
4. Organische lichtemittierende Diode (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche , bei dem stromführende Schichten der optoelektronischen Schichtenstruktur einen Abstand zu einer äußeren Seitenkante des optoelektronischen Bauelements (10) haben, wobe i der Abstand größer oder gleich einem
vorgebebenen Mindestabstand, der größer null ist, ist .
5. Organische lichtemittierende Diode (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche , bei dem der Trägerkörper (12) und der
Abdeckkörper (38) freiliegende Seitenkanten aufweisen und an den Seitenkanten zueinander bündig ausgebildet sind .
6. Organische lichtemittierende Diode (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche, das mindestens ein Steckerelement (50) aufweist, das in der Kontaktausnehraung (42, 44) so angeordnet ist und so ausgebildet ist, dass mittels des
Steckerelements (50) der Kontaktbereich (32 , 34) elektrisch kontaktierbar is .
7. Organische lichtemi tierende Diode (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche , das eine Hülse (62) aufweist, die i der Kontaktausnehmung (42 , 44 ) so angeordnet ist und so ausgebildet ist , dass mittels der Hülse (62) der
Kontaktbereich (32 , 34 ) elektrisch kontaktierbar ist .
8. Organische lichtemittierende Diode (10) nach den
Ansprüchen 6 und 7 , bei dem das Steckerelement (50) in der Hülse (62) angeordnet ist und mittels der Hülse (62)
mechanisch in der Kontaktausnehmung (42 , 44 ) festgelegt ist und elektrisch mit dem Kontaktbereich (32 , 34) gekoppelt ist . 9. Organische Iichtemittierende Diode (10 ) nach einem der Ansprüche 6 bis 8, das mindestens zwei Kontaktausnehmungen (42 , 44 ) aufweist und das einen Steckerkörper (66) aufweist , in dem das Steckerelement (50) und mindestens ein weiteres Steckerelement (50) befestigt sind, wobei die Steckerelemente (50) in den entsprechenden Kontaktausnehmungen (42 , 44 ) angeordnet sind.
10. Organische Iichtemittierende Diode (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem die Kontaktausnehmung (42 , 44) anschließend an den Kontaktbereich (32 , 34 ) eine
Hinterschneidung ( 78 ) aufweist .
11. Organische lichtemittierende Diode (10) nach Anspruch 10 , bei dem das Steckerelement (50) ein Rastelement (72 ) aufweist , das bei in der Kontaktausnehmung (42 , 44)
angeordnetem Steckerelement (50) in der Hinterschneidung (78) angeordnet ist .
12. Verfahren zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Diode (10) , bei dem
- ein Trägerkörper (12) bereitgestellt wird,
- eine optoelektronische Schichtenstruktur, die
mindestens einen Kontaktbereich (32, 34) zum elektrischen Kontaktieren der optoelektronischen Schichtenstruktur
aufweist, über dem Trägerkörper (12) ausgebildet wird,
- ein Abdeckkörper (38) über der optoelektronischen Schichtenstruktur angeordnet wird,
vor oder nach dem Anordnen des Abdeckkörpers (38) in dem
Trägerkörper (12) und/oder dem Abdeckkörper (38) mindestens eine Kontaktausnehmung (42, 44) so ausgebildet wird, dass sie sich durch den Trägerkörper (12) und/oder den Abdeckkörper (38) hindurch erstreckt und dass in ihr zumindest ein Teil des Kontaktbereichs (32, 34) freigelegt ist.
13. Verfahren nach Anspruch 12 , bei dem die
Kontaktausnehmung (42 , 44 ) nach dem Ausbilden der
optoelektronischen Schichtenstruktur in dem Trägerkörper (12) ausgebildet wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 oder 13 , bei dem die Kontaktausnehmung (42 , 44 ) in dem Abdeckkörper (38) nach dem Anordnen des Abdeckkörpers (38) ausgebildet wird.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 oder 13 , bei dem die Kontaktausnehmung (42 , 44 ) in dem Abdeckkörper (38) vor dem Anordnen des Abdeckkörpers (38) ausgebildet wird . 16, Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 15 , bei dem die Kontaktausnehmung (42 , 44 ) mittels Laserbohrens
ausgebildet wird.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 16, bei dem - die optoelektronische Schichtenstruktur eine
VerkapselungsSchicht (28 ) und/oder eine Haftmittelschicht
(36) aufweist , die zumindest einen Teil des Kontaktbereichs
(32 , 34 ) bedecken, - der Trägerkörper (12) mit der Kontaktausnehmung (42 , 44) und/oder der Abdeckkörper (38) mit der Kontaktausnehmung (42, 44) in einem Abtragungsprozess als Maske für die
Verkapselungsschicht (28) bzw. die Haftmittelschicht (36) dienen, und
- in dem Abtragungsprozess die Bereiche der
Verkapselungsschicht (28) bzw. der Haf mittelschicht (36) abgetragen werden, die in der Kontaktausnehmung (42 , 44 ) freigelegt sind, so dass mittels des Abtragungsprozesses der Kontaktbereich (32 ( 34) in der Kontaktausnehmung (42 , 44) freigelegt wird .
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 17 , bei dem
- die organische lichtemit ierende Diode (10) in einem Verbund mehrerer organischer Iichtemittierender Dioden (10) hergestellt wird,
- sich der Trägerkörper (12) und/oder der Abdeckkörper (38) einstückig über mehrere organische lichtemittierende Dioden (10) erstrecken, die jeweils mindestens eine
Kontaktausnehmung (42 , 44) aufweisen,
- die organischen lichtemittierenden Dioden (10) im Verbund über die Kontaktausnehmungen (42 , 44 ) elektrisch kontaktiert und getestet werden, und
- nachfolgend die organischen lichtemittierenden Dioden (10) vereinzelt werden .
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 oder 18 , bei dem die Kontaktausnehmung (42 , 44 ) so ausgebildet wird, dass sie eine Hinterschneidung ( 78 ) aufweist , und bei dem der
Kontaktbereich (32 , 34 ) freigelegt wird, indem ein
Steckerelement (50) , das ein Rastelement (72) auf eist , so in der Kontaktausnehmung (42 , 44 ) angeordnet wird, dass das Rastelement ( 72 ) in der Hinterschneidung (78 ) angeordnet ist und das Steckerelement (50) in direktem körperlichen Kontakt mit der Verkapselungsschicht (28 ) und/oder der
Haftmittelschicht (36) ist , und indem das Steckerelement (50) um eine Achse senkrecht zu dem Kontaktbereich (32 , 34 ) gedreht wird, so dass aufgrund der Reibung zwische dem Steckerelement (50) und der Verkapselungsschicht (28) und/oder der Haftmittelschicht (36) die Verkapselungsschicht (28) und/oder die Haftmittelschicht (36) abgetragen wird und der Kontaktbereich (32, 34} freigelegt wird.
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