WO2014196685A1 - 유기광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치 - Google Patents

유기광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치 Download PDF

Info

Publication number
WO2014196685A1
WO2014196685A1 PCT/KR2013/006588 KR2013006588W WO2014196685A1 WO 2014196685 A1 WO2014196685 A1 WO 2014196685A1 KR 2013006588 W KR2013006588 W KR 2013006588W WO 2014196685 A1 WO2014196685 A1 WO 2014196685A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
formula
group
substituted
unsubstituted
compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/KR2013/006588
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
김현정
채미영
김욱
이남헌
허달호
김윤환
김준석
이상일
이현규
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cheil Industries Inc
Original Assignee
Cheil Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cheil Industries Inc filed Critical Cheil Industries Inc
Publication of WO2014196685A1 publication Critical patent/WO2014196685A1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
    • C09K11/06—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
    • C07F15/0006—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table compounds of the platinum group
    • C07F15/0033—Iridium compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/18—Metal complexes
    • C09K2211/185—Metal complexes of the platinum group, i.e. Os, Ir, Pt, Ru, Rh or Pd
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission

Definitions

  • an anode, a cathode and at least one organic thin film layer interposed between the anode and the cathode, at least any one of the organic thin film layer is an organic according to an embodiment of the present invention It provides an organic light emitting device comprising a compound for optoelectronic devices.
  • hetero includes one to three heteroatoms selected from the group consisting of ⁇ , ⁇ , S, and ⁇ , and the remainder being carbon.
  • Aryl group means a substituent in which all elements of a cyclic substituent have a p-orbital, and these P-orbitals form a conjugate, and are monocyclic or fused ring polycyclic (i.e., And ring) functional groups that divide adjacent pairs of carbon atoms.
  • an electronic characteristic means the characteristic which has electroconductive characteristic along LUMO level, and facilitates the injection of the electron formed in the cathode into the light emitting layer, and the movement in the light emitting layer. More specifically, it may be similar to the property of attracting electrons.
  • X 1 to X 3 and X 8 to X 10 are independently from each other, N, CR 'or NR', wherein R 'is hydrogen, deuterium, halogen, cyano, substituted or An unsubstituted CI to CIO alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group, or -SiR 17 R 18 R 19 , wherein R 17 to R 19 are independently of each other a C1 to C6 alkyl group : X 4 to X 7 And X 1 1 to X 14 are each independently ⁇ , or CR ′′, wherein R ′′ is hydrogen, deuterium, a halogen group, a cyano group, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, or a substituted or unsubstituted C6 To C20 aryl group, ⁇ is Ir, Os, Pt, Pb, Re, Ru, or Pd, L
  • the compound for an organic optoelectronic device represented by Chemical Formula 1 may have excellent heat resistance stability and lifespan characteristics and high luminous efficiency even at a low driving voltage. More specifically, the organic light emitting compound according to an embodiment of the present invention can reduce the triplet-triple extinction phenomenon that is most problematic in OLEDs by introducing a large substituent (TMS or t-butyl) to the ligand.
  • TMS triplet-triple extinction phenomenon
  • luminous efficiency and luminance characteristics can be improved as compared with the case of using a conventional phenylpyridine-based iridium compound. Can be.
  • R 19 is independently of each other a C1 to C6 alkyl group, at least one of the R 1 and R 2 may be -SiR 17 R 18 R 19 . However, it is not limited thereto.
  • the organic optoelectronic device may be an organic light emitting device, an organic photoelectric device, an organic solar cell, an organic transistor, an organic photosensitive drum, or an organic memory device.
  • a material having a large work function is preferable to facilitate hole injection into the organic thin film layer.
  • Specific examples of the positive electrodelization include nickel, platinum, vanadium, chromium, copper, zinc, metals such as gold or alloys thereof, zinc oxide, indium oxide,
  • Fk6 iridium (ni) bis (4,6-difluorophenylpyridinato) tetrakis (l-pyrazolyl) borate
  • Fir6 represented by the formula Z-3 phosphorescent dopant for blue (blue), as Preparation Example 1 using the compound D-1 prepared by excluding a point 10 weight 0/0 doped and Comparative Example 1 An organic light emitting device was manufactured in the same manner.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using the dopant according to Preparation Example 2 instead of the dopant according to Preparation Example 1.
  • Example 3
  • Example 5 An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using the dopant according to Preparation Example 5.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

유기광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치에 관한 것으로, 하기 화학식 1로 표시되는 유기광전자소자용 화합물을 제공한다.

Description

【명세서】
【발명의 명 칭】
유기광전자소자용 화합물， 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기
유기발광소자를 포함하는 표시장치
【기술분야】
유기 광전자소자용 화합물， 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기
유기 발광소자를 포함하는 표시장치 에 관한 것 이 다.
【배경 기술】
유기 광전자소자 (organic optoelectric device)라 함은 정공 또는 전자를 이용한 전극과 유기물 사이에서의 전하 교류를 필요로 하는 소자를 의미 한다.
유기 광전자소자는 동작 원리에 따라 하기와 같이 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 첫째는 외부의 광원으로부터 소자로 유입된 광자에 의하여
유기물층에서 엑시톤 (exciton)이 형성 되고 이 엑시톤이 전자와 정공으로 분리 되고, 이 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되어 전류원 (전압원)으로 사용되는 형 태와 전자소자이다.
둘째는 2 개 이상의 전극에 전압 또는 전류를 가하여 전극과 계면을 이루는 유기물 반도체에 정공 또는 전자를 주입하고, 주입된 전자와 정공에 의하여 동작하는 형 태의 전자소자이다.
유기 광전자소자의 예로는 유기 광전 소자, 유기발광소자， 유기 태양전지 , 유기 감광체 드럼 (organic photo conductor drum), 유기트랜지스터 등이 있으며， 이들은 모두 소자의 구동을 위하여 정공의 주입 또는 수송 물질, 전자의 주입 또는 수송 물질, 또는 발광 물질을 필요로 한다.
특히， 유기 발광소자 (organic light emitting diode, OLED)는 최근 평판
디스플레이 (flat panel display)의 수요가 증가함에 따라 주목받고 있다.
일반적으로 유기 발광 현상이 란 유기 물질을 이용하여 전기에 너지를 빛에너지로 전환시 켜주는 현상을 말한다.
이 러 한 유기 발광소자는 유기발광재료에 전류를 가하여 전기 에너지를 빛으로 전환시 키는 소자로서 통상 양극 (anode)과 음극 (cathode) 사이에 기능성 유기물 층이 삽입 된 구조로 이루어 져 있다. 여 기서 유기물층은 유기발광소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층， 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다.
이러한 유기발광소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공 (hole)이, 음극에서는 전자 (electron)가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만나 재결합 (recombination)에 의해 에너지가 높은 여기자를 형성하게 된다. 이때 형성된 여기자가 다시 바닥상태 (ground state)로 이동하면서 특정한 파장을 갖는 빛이 발생하게 된다ᅳ
최근에는, 형광 발광물질뿐 아니라 인광 발광물질도 유기발광소자의
발광물질로 사용될 수 있음이 알려졌으며, 이러한 인광 발광은 바닥상태에서 여기상태 (excited state)로 전자가 전이한 후， 계간 전이 (intersystem crossing)를 통해 단일항 여기자가삼중항 여기자로 비발광 전이된 다음, 삼중항 여기자가 바닥상태로 전이하면서 발광하는 메카니즘으로 이루어진다.
상기한 바와 같이 유기발광소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하수송 재료， 예컨대 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입 재료 둥으로 분류될 수 있다.
또한， 발광 재료는 발광색에 따라 청색， 녹색， 적색 발광재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료로 구분될 수 있다. 한편， 발광 재료로서 하나의 물질만사용하는 경우 분자간상호 작용에 의하여 최대 발광 파장이 장파장으로 이동하고 색순도가 떨어지거나 발광 감쇄 효과로 소자의 효율이 감소되는 문제가 발생하므로, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율과 안정성을 증가시키기 위하여 발광 재료로서
호스트 /도판트 계를사용할 수 있다.
유기발광소자가 전술한 우수한 특징들을 층분히 발휘하기 위해서는 소자 내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공주입 물질, 정공수송 물질， 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질, 발광 재료 중 호스트 및 /또는 도판트 둥이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하며, 아직까지 안정하고 효율적인 유기발광소자용 유기물층 재료의 개발이 충분히 이루어지지 않은 상태이며, 따라서 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다. 이와 같은 재료 개발의 필요성은 전술한 다른 유기광전자소자에서도 마찬가지이다. 또한， 저분자 유기발광소자는 진공 증착법에 의해 박막의 형태로 소자를 제조하므로 효을 및 수명성능이 좋으며, 고분자 유기발광소자는 잉크젯 (inkjet) 또는 스핀코팅 (spin coating)법을 사용하여 초기 투자비가 적고 대면적화가 유리한 장점이 있다.
저분자 유기발광소자 및 고분자 유기발광소자는 모두 자체발광， 고속응답, 광시야각, 초박형, 고화질, 내구성， 넓은 구동온도범위 등의 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이로 주목을 받고 있다. 특히 기존의 LCD(liquid crystal display)와 비교하여 자체발광형으로서 어두운 곳이나 외부의 빛이 들어와도 시안성이 좋으며， 백라이트가 필요 없어 LCD의 1/3수준으로 두께 및 무게를 줄일 수 있다.
또한， 응답속도가 LCD에 비해 1000배 이상 빠른 마이크로 초 단위여서 잔상이 없는 완벽한 동영상을 구현할 수 있다. 따라서， 최근 본격적인 멀티미디어 시대에 맞춰 최적의 디스플레이로 각광받올 것으로 기대되며， 이러한 장점을 바탕으로 1980년대 후반 최초 개발 이후 효율 80배, 수명 100배 이상에 이르는 급격한 기술발전을 이루어 왔고, 최근에는 40인치 기발광소자 패널이 발표되는 등 대형화가 급속히 진행되고 있다.
대형화를 위해서는 발광 효율의 증대 및 소자의 수명 향상이 수반되어야 한다. 이를 위해 안정하고 효율적인 유기발광소자용 유기물층 재료의 개발이 필요하다.
【발명의 상세한 설명】
【기술적 과제】
고효율， 장수명， 열적 안정성 등의 특성을 가지는 유기광전자소자를 제공할 수 있는 유기광전자소자용 화합물을 제공하는 것이다.
상기 유기광전자소자용 화합물을 포함하는 유기발광소자 및 상기
유기발광소자를 포함하는 표시장치를 제공하는 것이다.
【기술적 해결방법】
본 발명의 일 구현예에서는, 하기 화학식 1로 표시되는 유기광전자소자용 화합물을 제공한다.
Figure imgf000005_0001
상기 화학식 1에서， X1 내지 X3 및 Xs 내지 X10은 서로 독립적으로 ,N,CR 또는 NR'이며, 상기 R'는 수소， 중수소， 할로겐기， 시아노기, 치환또는
비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 또는 -SiR17R18R19이며, 상기 R17 내지 R19는 서로 독립적으로 C1 내지 C6 알킬기이고 : X4 내지 X7 및 X11 내지 X14는 서로 독립적으로， N, 또는 CR"이며, 상기 R"는 수소, 증수소， 할로겐기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고 ,Μ은 Ir, Os, Pt, Pb, Re, Ru, 또는 Pd이고, L은 1가음이온의 두자리 (bidentate) 리간드로, 탄소 또는
헤테로원자의 비공유 전자쌍을 통하여 이리듐에 배위결합하는 리간드이고， n및 m은 서로 독립적으로 0 내지 3의 정수 증 어느 하나이고, n + m은 1 내지 3의 정수 중 어느 하나이고， X' 내지 X3, 또는 X8 내지 X10 중 적어도 어느 하나는 CR'이며, 상기 R、는 -SiR17R18R19 또는 tert-부틸기이다.
본 발명의 다른 일 구현예에서는, 양극， 음극 및 상기 양극과 음극사이에 개재되는 한 층 이상의 유기박막층을 포함하고， 상기 유기박막층 중 적어도 어느 한 층은 전술한 본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전자소자용 화합물을 포함하는 것인 유기발광소자를 제공한다.
상기 유기박막층은 발광층일 수 있다.
상기 유기광전자소자용 화합물은 발광층 내 도펀트로 이용될 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 구현예에서는， 전술한본 발명의 일 구현예인
유기발광소자를 포함하는 표시장치를 제공한다.
【유리한 효과】
상기 유기광전자소자용 화합물을 포함하는 유기광전자소자는 우수한
전기화학적 및 열적 안정성을 가지고 수명 특성이 우수하며, 낮은 구동전압에서도 높은 발광효율을 가질 수 있다. 또한상기 유기광전자소자용 화합물은 용액 공정에 적합할 수 있다.
【도면의 간단한 설명】
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전자소자용 화합물을 이용하여 제조될 수 있는 유기발광소자에 대한 다양한 구현예들을 나타내는 단면도이다.
【발명의 실시를 위한 최선의 형태】
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 "치환 "이란 별도의 정의가 없는 한, 치환기 또는 화합물 증의 적어도 하나의 수소가중수소, 할로겐기, 히드록시기， 아미노기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아민기, 니트로기, 치환또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기， C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기, C3 내지 C30
시클로알킬기， C6 내지 C30 아릴기， C1 내지 C20 알콕시기, 플루오로기, 트리플루오로메틸기 등의 C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다.
또한상기 치환된 할로겐기， 히드록시기， 아미노기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40실릴기， C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C1 내지 C20 알콕시기, 풀루오로기， 트리풀루오로메틸기 등의 C1 내지 C10트리플루오로알킬기 또는 시아노기 중 인접한 두 개의 치환기가 융합되어 고리를 형성할 수도 있다.
본 명세서에서 "헤테로"란 별도의 정의가 없는 한, 하나의 작용기 내에 Ν,Ο, S 및 Ρ로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유하고, 나머지는 탄소인 것을 와미한다.
본 명세서에서 "알킬 (alkyl)기"이란 별도의 정의가 없는 한, 지방족.
탄화수소기를 의미한다. 알킬기는 어떠한 이중결합이나 삼중결합을 포함하고 있지 않은 "포화 알킬 (saturated alkyl)기 "일 수 있다. 알킬기는 CI 내지 C20인 알킬기일 수 있다. 보다 구체적으로 알킬기는 C1 내지 C10 알킬기 또는 C1 내지 C6 알킬기일 수도 있다. 예를 들어, C1 내지 C4 알킬기는 알킬쇄에 1 내지 4 개의 탄소원자가 포함되는 것을 의미하며， 메틸， 에틸, 프로필， 이소-프로필 ,η-부틸， 이소-부틸, sec-부틸 및 t-부틸로 이루어진 군에서 선택됨을 나타낸다.
상기 알킬기는 구체적인 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기， 부틸기， 이소부틸기, t-부틸기， 펜틸기， 핵실기, 시클로프로필기， 시클로부틸기, 시클로펜틸기， 시클로핵실기 등을 의미한다.
"아릴 (aryl)기"는 환형인 치환기의 모든 원소가 p-오비탈을 가지고 있으며, 이들 P-오비탈이 공액 (conjugation)을 형성하고 있는 치환기를 의미하고, 모노시클릭 또는 융합 고리 폴리시클릭 (즉, 탄소원자들의 인접한 쌍들을 나눠 가지는 고리) 작용기를 포함한다.
"헤테로아릴 (heteroaryl)기"는 아릴기 내에 N, 0， S 및 P로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유하고, 나머지는 탄소인 것을 의미한다. 상기 헤테로아릴기가 융합고리인 경우， 각각의 고리마다 상기 헤테로 원자를 1 내지 3개 포함할 수 있다.
보다 구체적으로， 치환또는 비치환된 아릴기 및 /또는 치환또는 비치환된 헤테로아릴기는, 치환또는 비치환된 페닐기, 치환또는 비치환된 나프틸기， 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환또는 비치환된 페난트릴기, 치환 또는 비치환된 나프타세닐기, 치환또는 비치환된 피레닐기, 치환또는 비치환된 바이페닐일기, 치환 또는 비치환된 P-터페닐기, 치환 또는 비치환된 m-터페닐기 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기, 치환 또는 비치환된 인데닐기， 치환 또는 비치환된 퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 피를릴기, 치환 또는 비치환된 피라졸릴기， 치환 또는 비치환된 이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 트리아졸일기, 치환또는 비치환된 옥사졸일기， 치환 또는 비치환된 티아졸일기， 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일기, 치환또는 비치환된
티아디아졸일기, 치환또는 비치환된 피리딜기, 치환 또는 비치환된
피리미디닐기, 치환또는 비치환된 피라지닐기, 치환또는 비치환된 트리아지닐기, 치환또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 인돌일기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기， 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기， 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈옥사진일기， 치환 또는 비치환된 벤즈티아진일기， 치환 또는 비치환된 아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페나진일기, 치환 또는 비치환된 페노티아진일기， 치환 또는 비치환된 페녹사진일기 , 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기, 치환또는 비치환된 플투오렌일기 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
본 명세서에서， 정공 특성이란, HOMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 양극에서 형성된 정공의 발광층으로의 주입 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다. 보다 구체적으로, 전자를 밀어내는 특성과도 유사할수 있다.
또한 전자 특성이란, LUMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 음극에서 형성된 전자의 발광층으로의 주입 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다. 보다구체적으로 전자를 당기는 특성과도 유사할수 있다.
본 발명의 일 구현예에서는 하기 화학식 1로 표시되는 유기광전자소자용 화합물을 제공한다.
하기 화학식 1로 표시되는 유기광전자소자용 화합물:
Figure imgf000008_0001
상기 화학식 1에서, X1 내지 X3 및 X8 내지 X10은 서로 독립적으로 ,N,CR' 또는 NR'이며, 상기 R'는 수소, 중수소, 할로겐기， 시아노기, 치환 또는 비치환된 CI 내지 CIO 알킬기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기， 또는 -SiR17R18R19이며 , 상기 R17 내지 R19는 서로 독립적으로 C1 내지 C6 알킬기 이고: X4 내지 X7 및 X1 1 내지 X14는 서로 독립적으로 , Ν, 또는 CR"이며 , 상기 R"는 수소， 중수소, 할로겐기, 시아노기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 이고， Μ은 Ir, Os, Pt, Pb, Re, Ru, 또는 Pd이고, L은 1가 음이온의 두자리 (bidentate) 리간드로， 탄소 또는
헤테로원자의 비공유 전자쌍을 통하여 이 리듬에 배위 결합하는 리간드이고， n 및 m은 서로 독립적으로 0 내지 3의 정수 중 어느 하나이고, n + m은 1 내지 3의 정수 중 어느 하나이고, X1 내지 X3 중 적어도 어느 하나는 CR'이며 , 상기 R'는 -SiR17R18R19 또는 tert-부틸기 이고, X8 내지 X10 중 적어도 어느 하나는 CR、이고, 상기 R、는 -SiR17R18R19 또는 tert-부틸기 이다.
상기 화학식 1로 표시되는 유기 광전자소자용 화합물은 메인 라간드에 상기 - SiRl 7R18R19 또는 tert-부틸기를 반드시 가진다. 상기 메 인 리간드는 상기 M에 배위 결합되 어 있는 리간드 중 결합수 n 또는 m으로 표시되어 있는 리간드를 말한다.
이 경우 상기 화학식 1로 표시되는 유기광전자소자용 화합물은 내열 안정성 및 수명 특성 이 우수하고 낮은 구동전압에서도 높은 발광효율을 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광화합물은 리간드에 대형 치환체 (TMS 또는 t-butyl)를 도입하여 OLED 에서 가장 문제가 되는 삼중항-삼중항 소멸현상을 감소시 킬 수 있음은 물론이고, 호스트와의 친화력을 높여 어그리 게 이션에 의 한 삼중항-삼증항 소멸현상을 억 제시킴으로써 통상적 인 페닐 피 리 딘계 이 리듐화합물을 사용한 경우와 비교하여 발광효율과 휘도 특성 이 개선될 수 있다.
보다 구체적 인 예로， 상기 -SiR17RlsR19에서 R17 내지 R19는 각각 메 틸기 일 수 있다. 즉， 상기 -SiRnR18R19는 트리 메틸실릴기 일 수 있다. 이 경우 상기 유기광전자소자용 화합물은 우수한 내열 안정성 , 수명 특성 및 발광효을을 구현할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 유기광전자소자용 화합물은 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.
Figure imgf000010_0001
상기 화학식 2에서， X3 및 X8 내지 X10은 서로 독립적으로 ,N,CR', 또는 NR'이며， 상기 Rᅳ는 수소， 중수소， 할로겐기, 시아노기, 치환또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 또는 -
SiR17R18R19이며, 상기 R17 내지 R19는 서로 독립적으로 C1 내지 C6 알킬기이고, R1 및 R2는 서로 독립적으로, 수소, 증수소, 할로겐기, 시아노기, 치환또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 또는 -SiR17R18R19이며, 상기 R17 내지 R19는 서로 독립적으로 C1 내지 C6 알킬기이고, X4 내지 X7 및 X11 내지 X14는 서로 독립적으로 ,Ν, 또는 CR"이며, 상기 R"는 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고 ,Μ은 Ir, Os, Pt, Pb, Re, Ru, 또는 Pd이고, L은 1가 음이온의 두자리 (bidentate) 리간드로, 탄소 또는 헤테로원자의 비공유 전자쌍을 통하여 이리듐에 배위결합하는 리간드이고 ,η및 m은 서로 독립적으로 0 내지 3의 정수 중 어느 하나이고, n + m은 1 내지 3의 정수 중 어느 하나이고, X3, R1 및 R2 증 적어도 어느 하나는 CR'이며， 상기 R'는 -SiR17R18R19 또는 tert-부틸기이고, X8 내지 X10 중 적어도 어느 하나는 CR'이고, 상기 R、는 -SiR17R18R19 또는 tert- 부틸기이다.
구체적인 예를 들어, 상기 X3는 N이고, 및 R2중 적어도 어느 하나는 - SiR17R18Rl9¾ 수 있다. 이러한 경우, OLED 에서 가장 문제가되는 삼중항- 삼증항 소멸현상을 감소시킬 수 있다.
구체적인 예를 들어, 상기 X3는 N이고, R1 및 R2 증 적어도 어느 하나는 tert- 부틸기일 수 있다. 이러한 경우, OLED 에서 가장 문제가 되는 삼중항-삼중항 소멸현상을 감소시킬 수 있다. 구체적인 예를 들어, 상기 X4 및 X7은 CR"이고, 상기 X5 및 X6 중 적어도 어느 하나는 N일 수 있다. 피리딜 트리아졸 리간드를 가진 Ir 착물의 경우에, 피리딘 고리에 치환기가 없는 페닐피라딘 리간드를 가진 다른 Ir 착물보다, 구체적으로는 소자의 효을 개선용 발광물질의 광발광양자수을 (PQY)이 현저하게 개선될 수 있다.
구체적인 예를 들어, 상기 X4 내지 X7는 모두 CR"일 수 있다. 이러한 경우, 통상적인 페닐 피리딘계 이리듐화합물을사용한 경우와 비교하여 페닐-헤테로 5각고리의 경우 헤테로 5각고리가 더 높은 LUMO 를 제공함으로써 보다 단파장인 블투에 적합한 리간드를 제공할 수 있다
보다구체적으로, 상기 화학식 1에서, n + m은 3일 수 있다. 또는 상기 화학식 1에서 n또는„!은 3일 수 있다. 이는 화학식 1에서 L로 표시되는 리간드가 포함되지 않는 경우를 의미한다. 이 경우 합성이 용이하고 화합물이 안정할 수 있다. 따라서 이를 적용하여 수명 특성이 우수한 발광소자를 제조할 수 있다.
또한 상기 화학식 1에서, n + m은 1 또는 2일 수 있다. 이는 화학식 1에서 L로 표시되는 리간드가 적어도 하나 이상 포함되는 경우를 의미한다. 이 경우 화합물의 색상을 조정 (color tuning)할 수 있다.
보다 구체적인 예를 들어, 상기 화학식 1에서, 상기 X3는 NR'이고， 상기 X1은 -CR1-이고, 상기 X2는 -CR2-이고, 상기 R1 및 R2는 서로 독립적으로, 수소, 중수소， 할로겐기, 시아노기, 치환또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기， 또는 -SiR17R18R19이며, 상기 R17 내지
R19는 서로 독립적으로 C1 내지 C6 알킬기이고, 상기 R1 및 R2 중 적어도 어느 하나는， -SiR17R18R19일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
보다 구체적인 예를 들어, 상기 화학식 1에서, 상기 X3는 NR、이고, 상기 X1은 -CR1-이고, 상기 X2는 -CR2-이고, 상기 R1 및 R2는 서로 독립적으로, 수소， 중수소, 할로겐기, 시아노기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 또는 -SiR17R18Ri9이며, 상기 R17 내지
R19는 서로 독립적으로 C1 내지 C6 알킬기이고, 상기 R1 및 R2 중 적어도 어느 하나는 tert-부틸기일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 구체적인 예에서, 상기 n은 3일 수 있다.
또한, 또 다른 예를 들어， 상기 화학식 1에서， 상기 X3는 NR、이고, 상기 X1은 N이고, 상기 X2는 -CR2-이고, 상기 R2는 -SiR17RlsR19일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
또 다른 예를 들어, 상기 화학식 1에서, 상기 X3는 NR、이고, 상기 X1은 N이고, 상기 X2는 -CR2-이고, 상기 R2는 tert-부틸기일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 구체적인 예시에서, 보다 구체적으로, 상기 R'는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 또는 치환또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기있다.
상기 구체적인 예시에서, 보다 구체적으로, 상기 X4,X5,X6 및 X7은 모두 - CR'-이거나, 상기 X4,X5 및 X7은 -CR'-이며， X6은 N이거나, 상기 X4,X6 및 X7은 -CR'-이며, X5은 N인 것인 화합물일 수 있다. 다만， 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 화학식 1에서 L은 보조 리간드로, 하기 화학식 L-1 내지 화학식 L- 14에서 선택되는 것일 수 있다. 다만 이는 L로 표시되는 리간드의 예시일 뿐이며, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않는다.
[화학식 L-1] [화학식 L-2] [화학식 L-3] [화학식 L-4] [화학식 L-5]
Figure imgf000012_0001
[화학식 L-11] [화학식 L-12] [화학식 L-13] [화학식 L-14]
Figure imgf000013_0001
상기 화학식 L-l 내지 L-14에서, 별표 (*)는 이리듐 (Ir)과 결합하는 자리를 의미하고， R101 내지 R103은 서로 독립적으로, 수소， 중수소, 할로겐이 치환되거나 치환되지 않은 C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C30의 알킬이 치환되거나 치환되지 않은 C6 내지 C30 의 아릴기 또는 할로겐이고, R104 내지 R115는 서로 독립적으로, 수소， 중수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 시클로알킬기， 치환또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아미노기, 치환또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴아미노기， SF5, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기를 가지는 트리알킬실릴기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기와 C6 내지 C30의 아릴기를 가지는 디알킬아릴실릴기, 또는 치환또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기를 가지는 트리아릴실릴기이고， R116 내지 Rm은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐이 치환되거나 치환되지 않은 C1 내지 C30 알킬기, 또는 C1 내지 C30 알킬이 치환되거나 치환되지 않은 C6 내지 C30 아릴기이다.
보다 구체적인 예를 들어, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 3으로 표시될 수 있다.
[화학식 3]
Figure imgf000013_0002
상기 화학식 3에서 ,Μ은 Ir, Os, Pt, Pb, Re, Ru, 또는 Pd이고， L은 1가 음이온의 두자리 (bidentate) 리간드로, 탄소 또는 헤테로원자의 비공유 전자쌍을 통하여 이 리듐에 배위 결합하는 리 간드이고 , η 및 m은 서로 독립적으로 0 내지 3의 정수 중 어느 하나이고， n + m은 1 내지 3의 정수 증 어느 하나이고 , A 및 B는 서로 독립적으로， 하기 화학식 A-1 내지 A-128 중 어느 하나이 다.
[화학식 A-1] [화학식 A-2] [화학식 A-3] [화학식 A-4]
Figure imgf000014_0001
[화학식 A-5] [화학식 A-6] [화학식 A [화학식 A-8]
Figure imgf000014_0002
[화학식 A-9] [화학식 A-K)] [화학식 A-l l] [화학식 A- 12]
Figure imgf000014_0003
[화학식 A-13] [화학식 A-14] [화학식 A-15] [화학식 A-16]
Figure imgf000014_0004
[화학식 A- 17] [화학식 A- 18] [화학식 A- 19] [화학식 A-20]
Figure imgf000014_0005
[화학식 A-21] [화학식 A-22] [화학식 A-23] [화학식 A^24]
Figure imgf000014_0006
[화학식 A-25] [화학식 A-26] [화학식 Α-2η [화학식 Α-28]
Figure imgf000015_0001
[화학식 A-29] [화학식 A-30] [화학식 A-31] [화학식 A-32]
Figure imgf000015_0002
[화학식 A-33] [화학식 A-34] [화학식 A-35] [화학식 A-36]
Figure imgf000015_0003
[화학식 A-37] [화학식 A-38] [화학식 A-39] [화학식 A-40]
Figure imgf000015_0004
[화학식 A-41] [화학식 A-42] [화학식 A-43] [화학식 A-44]
Figure imgf000015_0005
[화학식 A_45] [화학식 A-46] [화학식 A-47] [화학식 A-48]
Figure imgf000015_0006
[화학식 A-49] [화학식 A-50] [화학식 A-51] [화학식 A-52]
Figure imgf000016_0001
[화학식 A-53] [화학식 A-54] [화학식 A-55] [화학식 A-56]
Figure imgf000016_0002
[화학식 A-61] [화학식 A-62] [화학식 A-63] [화학식 A-64]
Figure imgf000016_0003
[화학식 A-65] [화학식 A-66] [화학식 A-67] [화학식 A-68]
Figure imgf000016_0004
[화학식 A-69] [화학식 A-70] [화학식 A-71] [화학식 A-72]
Figure imgf000016_0005
[화학식 A-73] [화학식 A-74] [화학식 A-75] [화학식 A-76]
Figure imgf000017_0001
[화학식 A-77] [화학식 A-78] [화학식 A-79] [화학식 A-80]
Figure imgf000017_0002
[화학식 A-81] [화학식 A-82] [화학식 A-83] [화학식 A-84]
Figure imgf000017_0003
[화학식 A-85] [화학식 A-86] [화학식 A-87] [화학식 A-88]
Figure imgf000017_0004
[화학식 A-89] [화학식 A-90] [화학식 A-91] [화학식 A-92]
Figure imgf000017_0005
[화학식 A-97] [화학식 A-98] [화학식 A-99] [화학식 A-100]
Figure imgf000017_0006
[화학식 A-101] [화학식 A-102] [화학식 A-103] [화학식 A-104]
Figure imgf000018_0001
[화학식 A-105]
Figure imgf000018_0002
[화학식 A-108]
Figure imgf000018_0003
[화학식 A-109] [화학식 A-110] [화학식 A-lll] [화학식 A-112]
Figure imgf000018_0004
[화학식 A-113] [화학식 A-114] [화학식 A-115] [화학식 A-116]
Figure imgf000018_0005
[화학식 Α-1Π] [화학식 A-118] [화학식 A-119] [화학식 A-120]
Figure imgf000018_0006
[화학식 A-121] [화학식 A-122] [화학식 A-123] [화학식 A-124]
Figure imgf000018_0007
[화학식 A-125] [화학식 A-126] [화학식 A-127] [화학식 A-128]
Figure imgf000019_0001
본 발명의 다른 일 구현예에서는, 양극， 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 개재되 는 한 층 이상의 유기박막층을 포함하고， 상기 유기박막층 중 적어도 어느 한 층은 상기 유기 광전자소자용 화합물을 포함하는 것 인
유기 광전자소자를 제공한다.
상기 유기광전자소자용 화합물은 유기박막층에 사용되 어 유기광전자소자의 수명 특성, 효율 특성， 전기화학적 안정성 및 열적 안정성을 향상시키 며， 구동전압을 낮출 수 있다.
상기 유기박막층은 구체적으로, 발광층일 수 있다.
상기 유기광전자소자는 유기발광소자, 유기 광전 소자， 유기 태양전지， 유기트랜지스터 , 유기 감광체 드럼 또는 유기메모리소자일 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 유기광전자소자는 유기발광소자일 수 있다. 도 1 및 도 5는 본 발명 의 일 구현예에 따른 유기 광전자소자용 화합물을 포함하는 유기발광소자의 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 구현예에 따른 유기발광소자 (100 및 200)는 양극 (120), 음극 (110) 및 이 양극과 음극 사이에 개재된 적어도 1층의 유기박막층 (105)을 포함하는 구조를 갖는다.
상기 양극 (120)은 양극 물질을 포함하며 , 이 양극 물질로는 통상
유기박막층으로 정공주입 이 원활할 수 있도록 일 함수가 큰 물질이 바람직하다. 상기 양극 을질의 구체적 인 예로는 니 켈, 백금， 바나듐， 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금을 들 수 있고， 아연산화물， 인듐산화물，
인듬주석산화물 (ΠΌ), 인듬아연산화물 (IZO)과 같은 금속 산화물을 들 수 있고, ZnO와 A1 또는 Sn02와 Sb와 같은 금속과 산화물의 조합을 들 수 있고， 폴리 (3- 메틸티 오펜), 폴리 (3,4- (에틸렌 -1,2-디옥시)티오펜 Xpolyehtylenedioxythiophene:
PEDT), 폴리 피를 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등을 들 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다. 바람직하게는 상기 양극으로 ITO(indium tin oxide)를 포함하는 투명 전극을 사용할 수 있다. 상기 음극 (110)은 음극 물질을 포함하여 , 이 음극 물질로는 통상
유기박막층으로 전자주입 이 용이하도록 일 함수가 작은 물질인 것 이
바람직하다. 음극 물질의 구체적 인 예로는 마그네습, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듬, 이트륨, 리튬， 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 , 납， 세슘, 바륨 등과 같은 금속 또는 이들의 합금을 들 수 있고, LiF/Al, Li02/Al, LiF/Ca, LiF/Al 및 Ba!VCa과 같은 다층 구조 물질 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 바람직하게는 상기 음극으로 알루미늄 등과 같은 금속전극을 사용할 수 있다.
먼저 도 1을 참조하면, 도 1은 유기박막층 (105)으로서 발광층 (130)만이 존재하는 유기발광소자 (100)를 나타낸 것으로, 상기 유기박막층 (105)은 발광층 (130)만으로 존재할 수 있다.
도 2를 참조하면, 도 2는 유기박막층 (105)으로서 전자수송층을 포함하는 발광층 (230)과 정공수송층 (140)이 존재하는 2층형 유기 발광소자 (200)를 나타낸 것으로, 도 2에 나타난 바와 같이， 유기박막층 (105)은 발광층 (230) 및 정공 수송층 (140)을 포함하는 2층형 일 수 있다. 이 경우 발광층 (130)은 전자 수송층의 기능올 하며， 정공 수송층 (140)은 ΠΌ와 같은 투명 전극과의 접합성 및 정공수송성을 향상시 키는 기능을 한다. 도 1 및 도 2에서 유기박막층 (105)는， 도시하지는 않았지만 전자주입층, 보조전자수송층, 전자수송층, 전공수송층， 보조전공수송층, 전공주입층둥을 추가로 더 포함할 수 있다.
상기 도 1 및 도 2에서 상기 유기박막층 (105)을 이루는 발광층 (130, 230)， 정공 수송층 (140)， 또한 도시하지는 않았지 만 추가될 수 있는 전자주입층, 보조전자수송층， 전자수송층, 전공수송층, 보조전공수송층, 정공 주입층 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나는 상기
유기광전자소자용 화합물을 포함한다.
특히 상기 유기 광전자소자용 화합물은 상기 발광층 (130， 230)에 사용될 수 있고, 이 때 발광층 내에서 블루 (blue)의 인광 도편트 재료로 사용될 수 있다. 상기에서 설명 한 유기발광소자는, 기판에 양극을 형성한 후,
진공증착법 (evaporation), 스퍼 터 링 (sputtering), 플라즈마 도금 및 이온도금과 같은 건식성 막법 ; 또는 스핀코팅 (spin coating), 침 지 법 (dipping), 유동코팅 법 (flow coating)과 같은 습식성막법 등으로 유기박막층을 형성한 후, 그 위에 음극을 형성하여 제조할 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 구현예에서는, 상기 유기광전자소자를 포함하는 표시장치를 제공한다.
【발명의 실시를 위한 형태】
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
(유기광전자소자용 화합물의 제조)
제조예 1: D-1 의 제조
[반응식 1]
Figure imgf000021_0002
Figure imgf000021_0001
화합물 -1 의 제조
등근 바닥 들라스크에 1-메틸이미다졸 10 g (121.8 mmol),.4-아이오도피리딘 ■ 34.24 ml (304.5 mmol), 1,10-페난트롤린 2.195 g (12.18 mmol),
리튬트리에틸카복사이드 25.2 g (20그 06 mmol) 및 구리아이오다이드 2.32g(12.18 mmol)을 DMPU 100 mL용매에 녹인 후, 125 °C에서 12시간 동안 반웅시켰다. 반웅종료를 TLC로 확인한 후 상온으로 냉각 시 킨 후 추출한다.
마그네슘설페 이트 (MgS04)를 이용하여 유기층의 수분을 제거 후,
컬럼크로마토그래피를 통해 정 제한다. (Hexanes:EA=l :l v/v) 얻어진 화합물을 노르말 핵산으로 재결정하여 화합물 -1을 15.5 g (수율 : 80%) 얻었다.
화합물 -2 의 제조
등근 바닥 플라스크에 화합물 -1 15 g (94 mmol), N-브로모석신이 미드 16.77 g (94 mmol) 을 흔합한 후, 질소기류하에서 4 시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후 유기층을 분리 한 다음 용매를 모두 제거 한다. 칼럼크로마토그래피를 이용하여 화합물 -2를 18 g (수율 : 80%) 얻었다.
화합물 -3 의 제조
질소 기류하 등근 바닥 플라스크에 -78 °C 의 THF 용액에 화합물 -2 18 g (75.9 mmol)올 녹인 후 , η-부틸리튬 5.35 g (83.5 mmol)을 적가한다. 한시간 후, 트리 메틸클로로실란 16.5 g (151.9 mmol)을 -78 °C를 유지 한 상태에서 적가한다. 자연 승온 후 물올 넣고 뭔칭시 킨다. 반응 종결 후 유기층을 분리한 다음 용매를 모두 제거 한다음 농축하여 화합물 -3을 15 g (수율 : 85.3%) 얻었다.
화합물 -4 의 제조
등근 바닥 플라스크에 화합물 -3 9.7 g (41.8 mmol)과 이 리듬클로라이드 5 g (16.7 mmol), 2-에특시 에 탄올 60 mL, 증류수 20 mL를 넣고 24시간 동안 가열
환류하였다. 반웅이 완결되면 상은으로 넁각하고 반응중 생긴 고형물을 거르고， 물과 메탄을로 씻어주었다. 진공오븐에서 고형물을 건조하여 화합물 -4 15 g (수율: 65%)을 얻었다.
화합물 -5 의 제조
등근 바닥 플라스크에 화합물 -4 20 g (14.5 mmol)과 2,4-펜탄디온 3.04 g (30 mmol), 소듬카보네 이트 20 g (144.8 mmol)를 넣고, 2-에톡시에탄올 140 mL에 녹인 다음 5시간 동안 가열 환류하였다. 반응이 종결되면 상온으로 냉각하고 생성된 고형물을 거른다. 칼럼크로마토그래피를 통해 화합물 -5를 8 g (수율 :73%) 얻었다. 화합물 D-1 의 제조
등근 바닥 플라스크에 화합물 -5 8 g (10.6 mmol)과 화합물 -3 6.1 g (26.5 mmol)을 lOO mL의 글리세를에 녹인 다음 220 °C에서 12시간 동안 가열 환류하였다. 반응물을 물에 부어 반응을 종결하고 이 때 생긴 고형물을 거른다. 고형물을 물과 메탄올로 씻어준 다음 디클로로메탄에 녹여 칼럼크로마토그래피로 분리 한 다음 재결정하여 화합물 D-1을 5 g (수을 :67%) 얻었다.
calcd. C36H4SIrN9Si3: C, 48.95; H, 5.48; Ir, 21.76; N, 14.27; Si, 9.54; found: C, 48.82; H, 5.53; N, 14.21;
제조예 2: D-2 의 제조
[반응식 2]
Figure imgf000023_0001
D-2 화합물 D-2 의 제조
등근 바닥 플라스크에 화합물 -5 10 g (13.2 mmol)과 화합물 -1 5.2 g (33.1 mmol)을 100 mL의 글리세를에 녹인 다음 220 °C에서 12시 간 동안 가열 환류하였다. 반웅물을 물에 부어 반응을 종결하고 이 때 생긴 고형물을 거른다. 고형물을 물과 메탄올로 씻어준 다음 디클로로메탄에 녹여 칼럼크로마토그래피로 분리 한 다음 재결정하여 화합물 D-2를 6 g (수율 :60%) 얻었다.
calcd. C33H40IrN9Si2: C, 48.86; H, 4.97; Ir, 23.70; N, 15.54; Si, 6.93; found: C, 48.88; H, 5.04; N, 15.44;
제조예 3: D-3 의 제조
[반응식 3]
Figure imgf000023_0002
화합물 -6 의 제조
등근 바닥 풀라스크에 화합물 -1 13.3 g (83.7 mmol)과 이 리듐클로라이드 10 g (33.5 mmol), 2-에톡시에 탄올 210 mL, 증류수 70 mL를 넣고 24시간 동안 가열 환류하였다. 반응이 완결되면 상은으로 냉각하고 반응중 생긴 고형물을 거르고 : 물과 메 탄올로 씻어주었다. 진공오븐에서 고형물을 건조하여 화합물 -6 25 g (수율 : 68%)을 얻었다.
화합물 -7 싀 제조
등근 바닥 플라스크에 화합물 -6 25 g (22.8 mmol)과 2,4-펜탄디은 4.81 g (48 mmol), 소듐카보네 이트 31.6 g (228 mmol)를 넣고, 2-에톡시에탄을 400 mL에 녹인 다음 5시간 동안 가열 환류하였다. 반웅이 종결되면 상온으로 냉각하고 생성된 고형물을 거른다. 칼럼크로마토그래피를 사용하여 화합물 -7을 12 g (수율 :86 %) 얻었다.
화합물 D-3 의 제조
등근 바닥 폴라스크에 화합물 -7 12 g (19.7 mmol)과 화합물 -3 11.4 g (49,2 mmol)을 300 mL의 글리세를에 녹인 다음 220 °C에서 12시간 동안 가열 환류하였다. 반웅물을 물에 부어 반응을 종결하고 이 때 생긴 고형물을 거른다. 고형물을 물과 메탄을로 씻어준 다음 디클로로메 탄에 녹여
칼럼크로마토그래피로 분리 한 다음 재결정하여 화합물 D-3을 9 g (수율 :61%) 얻었다.
calcd. C30H32IrN9Si: C, 48.76; H, 4.36; Ir, 26.01; N, 17.06; Si, 3.80; found: C, 48.80; H, 4.40; N, 17.02;
제조예 4: D-4 의 제조
[반응식 4]
Figure imgf000025_0001
화합물 -8 의 제조
등근 바닥 플라스크에 N-메 틸 -t-뷰틸 아세트아마이드 20 g (173.65 mmol), 2,6- 루티 딘 40.2 ml (347.31 mmol)을 .600 ml 디클로로메탄에 녹인 후, ( C 에서 옥살릭 클로라이드 14.9 ml (173.65 mmol)을 적가한다. 15분 뒤, 아이소니코티 닉 액시드 하이드라자이드 23.8 g (173.65 mmol)을 적가하고 실은에서 한시간 동안 교반한다ᅳ 용액을 소듐바이카보네 이트로 중화하고 마그네슘설페 이트 (MgS04)를 이용하여 유기충의 수분을 제거 한다. 농축시 킨 용액을 600 ml의 아세틱 ' 에시드에 녹여 120°C 에서 12시간 환류한다. 용액을 실온으로 식힌 수， 용액을 제거하고 컬럼 정 제한다 . (DCM:MeOH=10: l v/v) 얻어진 화합물을 노르말 핵산으로 재 결정하여 화합물 -8을 15 g (수율 : 40%) 얻었다.
화합물 -9 의 제조
등근 바닥 플라스크에 화합물 -8 9.05 g (41.8 mmol)과 이 리듐클로라이드 5 g (16.7 mmol), 2-에톡시에 탄올 60 mL, 증류수 20 mL를 넣고 24시 간 동안 가열 환류하였다. 반응이 완결되면 상온으로 냉각하고 반응증 생긴 고형물을 거르고， 물과 메탄올로 씻어주었다. 진공오본에서 고형물을 건조하여 화합물 -9를 16 g (수율 :72%) 얻었다.
화합물 -10 의 제조
등근 바닥 플라스크에 화합물 -9 16 g (12.1 mmol)과 2,4-펜탄디온 2.54 g (25 mmol), 소둠카보네이트 10.2 g (121.1 mmol)를 넣고, 2-에톡시에탄올 lOOmL에 녹인 다음 5시간 동안 가열 환류하였다. 반응이 종결되면 상온으로 냉각하고 생성된 고형물을 거른다. 칼럼크로마토그래피를사용하여 화합물 -10을 5 g (수율 :56%) 얻었다.
화합물 D-4 의 제조
등근 바닥 플라스크에 화합물 -105 g (6.82 mmol)과 화합물 -83.7 g (17 mmol)을 50mL의 글리세롤에 녹인 다음 220 °C에서 12시간 동안 가열 환류하였다. 반웅물을 물에 부어 반응을 종결하고 이때 생긴 고형물을 거론다. 고형물을 물과 메탄올로 씻어준 다음 디클로로메탄에 녹여 칼럼크로마토그래피로 분리한 다음 재결정하여 화합물 D-4를 3 g (수율 :52%) 얻었다.
calcd. C36H45IrN12: C, 51.59; H, 5.41; Ir, 22.94; N, 20.06; found: C, 51.51; H, 5.43; N, 20.11;
제조예 5:D-5 의 제조
[반응식 5]
Figure imgf000026_0001
화합물 D-5 의 제조
등근 바닥 풀라스크에 제조예 4의 화합물 -108 g (10.9 mmol)과 화합물 -14.3 g (27.3 mmol)을 100 mL의 글리세롤에 녹인 다음 220 °C에서 12시간 동안 가열 환류하였다. 반웅물을 물에 부어 반응을 종결하고 이때 생긴 고형물을 거른다. 고형물을 물과 메탄올로 씻어준 다음 디클로로메탄에 녹여
칼럼크로마토그래피로 분리한 다음 재결정하여 화합물 D-5를 5 g (수율 :42%) 얻었다.
calcd. C35H40IrN9: C, 53.97; H, 5.18; Ir, 24.68; N, 16.18; found: C, 53.88; H, 5.14; N, 16.14;
제조예 6:D-6 의 제조
[반웅식 6]
Figure imgf000027_0001
D-6
화합물 D-6 의 제조
등근 바닥 플라스크에 화합물 -7 10 g (16.4 mmol)과 화합물 -8 8.88 g (41 mmol)을 200 mL의 글리세롤에 녹인 다음 220 °C에서 12시간 동안 가열 환류하였다. 반응물을 물에 부어 반응을 종결하고 이 때 생긴 고형물을 거른다. 고형물을 물과 메탄을로 씻어준 다음 디클로로메탄에 녹여 칼럼크로마토그래피로 분리 한 다음 재결정하여 화합물 D-6를 6 g (수을 :50%) 얻었다.
calcd. C31H32IrN9: C, 51.51; H, 4.46; Ir, 26.59; N, 17.44; found: C, 51.58; H, 4.40; N, 17.42;
제조예 7: D-7 의 제조
[반웅식 7]
Figure imgf000027_0002
화합물 1 의 제조 등근 바닥 플라스크에 4-t-뷰틸 -1-메틸 -1H-이미다졸 20 g (145 mmol)를 400 ml 의 THF 에 녹인 후 -78 °C 에서 교반한다. n-뷰틸리튬 106 ml (159 mmol)을 적가한다. 한시 간 교반 후, 테트라브로모메탄 48 g (145 mmol)을 20 ml 의 THF어 1 녹여서 적가하고 실온에서 한시간 동안 교반한다. 용액올 암모늄클로라이드로 중화하고 마그네슘설페이트 (MgS04)를 이용하여 유기층의 수분을 제거 한 후, 컬럼정 제한다 . (petroleum ether:ether=l : l v/v) 얻어 진 화합물을 노르말 핵산으로 재결정하여 화합물 -1 1을 21 g (수율 : 66%) 얻었다.
화합물 -12 의 제조
등근 바닥 플라스크에 화합물 -1 1 12.5 g (46 mmol)과 6-시아노 -3-피리 딜 보로닉 액시드 8.17 g (55.2 mmol), 테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듬 [Pd(PPh3)4] 1.59 g (1.38 mmol), 포타슘카보네이트 12.73 g (92.1 mmol)을 THF 200 mL, 증류수 100 ！^에 넣고 24시간 동안 가열 환류하였다. 반응이 완결되면 상온으로 냉각하고 반응증 생긴 고형물을 거르고, 물과 메 탄올로 씻어주었다. 진공오븐에서 고형물을 건조하여 화합물 -12를 10 g (수율 :86%)올 얻었다.
화합물 -13 의 제조
등근 바닥 풀라스크에 화합물 -12 12.5 g (52 mmol)과 이 리듬클로라이드 5 g (20.8 mmol), 2-에톡시에 탄을 70 mL, 증류수 23 mL를 넣고 24시간 동안 가열 환류하였다. 반응이 완결되면 상온으로 냉각하고 반응중 생긴 고형물올 거르고, 물과 메탄올로 씻어주었다. 진공오본에서 고형물을 건조하여 화합물 -12를 13 g (수율 :54%)올 얻었다.
화합물 -14 의 제조
등근 바닥 플라스크에 화합물 -13 13 g (9.18 mmol)과 2,4-펜탄디온 1.93 g (19.2 mmol), 소듬카보네이트 9.7 g (91.8 mmol)를 넣고， 2-에록시에 탄올 lOO mL에 녹인 다음 5시 간 동안 가열 환류하였다. 반응이 종결되면 상온으로 넁각하고 생성된 고형물을 거른다. 칼럼크로마토그래피를 사용하여 화합물 -14를 4 g (수율 :56%) 얻었다.
화합물 D-7 의 제조
등근 바닥 플라스크에 화합물 -14 4 g (5.1 mmol)과 화합물 -12 3.1 g (12.9 mmol)을 50 mL의 글리세롤에 녹인 다음 220 °C에서 12시간 동안 가열 환류하였다. 반웅물을 물에 부어 반웅을 종결하고 이 때 생긴 고형물을 거른다. 고형물을 물과 메탄올로 씻어준 다음 디클로로메 탄에 녹여 칼럼크로마토그래피로 분리 한 다음 재결정하여 화합물 D-7을 2.3 g (수율 :48%) 얻었다.
calcd. C42H45IrN12: C, 55.43; H, 4.98; Ir, 21.12; N, 18.47; found: C, 55.51; H, 5.02; N, 21.1 1 ;
제조예 8: D-8 의 제조
[반응식 8]
Figure imgf000029_0001
14 D-8
화합물 D-8 의 제조
등근 바닥 플라스크에 화합물 -14 5 g (6.48 mmol)과 화합물 -1 2.58 g (16.2 mmol)을 100 mL의 글리세를에 녹인 다음 220 °C에서 12시간 동안 가열 환류하였다. 반응물을 물에 부어 반응을 종결하고 이 때 생긴 고형물을 거른다. 고형물을 물과 메탄올로 씻어준 다음 디클로로메탄에 녹여
칼럼크로마토그래피로 분리 한 다음 재결정하여 화합물 D-8을 3 g (수율 :55%) 얻었다.
calcd. C37H38IrNu : C, 53.61; H, 4.62; Ir, 23.19; N, 18.59; found: C, 53.68; H, 4.54; N, 18.54;
제조예 9: D-9 의 제조
[반응식 9]
Figure imgf000029_0002
화합물 D-9 의 제조
등근 바닥 플라스크에 화합물 -7 10 g (16.4 mmol)과 화합물 -12 9.8 g (41 mmol)을 200 mL의 글리세를에 녹인 다음 220 °C에서 12시간 동안 가열 환류하였다. 반응물을 물에 부어 반웅을 종결하고 이 때 생긴 고형물을 거른다. 고형물을 물과 메탄을로 씻어준 다음 디클로로메탄에 녹여 칼럼크로마토그래피로 분리한 다음 재결정하여 화합물 D-9를 6 g (수율 :49%) 얻었다.
calcd. C31H32IrN10: C, 51.39; H, 4.18; Ir, 25.70; N, 18.73; found: C, 51.38; H, 4.20; N, 18.62;
제조예 10: D-10 의 제조
Figure imgf000030_0001
화합물 -15 의 제조
등근 바닥 플라스크에 μ메 틸이미다졸 15 g (182.7 mmol), 아이오도벤젠 50.89 ml (456.76 mmol), 1, 10-페난트를린 3.29 g (45.67 mmol), 리륨트리 에 틸카복사이드 37.93 g (310.5 mmol) 및 구리아이오다이드 3.48 g (45.6"76 mmol)을 DMPU 150 mL 용매에 녹인 후, 125 °C에서 12시간 동안 반응시 켰다. 반웅종료를 TLC로 확인한 후 상온으로 냉각 시 킨 후 추출한다. 마그네슘설페 이트 (MgS04)를 이용하여 유기층의 수분을 제거 후, 컬럼크로마토그래피를 통해 정 제한다. (Hexanes:EA=l : l v/v) 얻어진 화합물을 노르말 핵산으로 재 결정하여 화합물- 10을 15 g (수율 : 52%) 얻었다.
화합물 -16 의 제조
등근 바닥 플라스크에 화합물 -15 15 g (94.8 mmol), N-브로모석신이미드 16.87 g(94.8 mmol) 을 흔합한 후, 질소기류하에서 4 시간 동안 교반하였다. 반옹 종결 후 유기층을 분리 한 다음 용매를 모두 제거 한다. 칼럼크로마토그래피를 이용하여 화합물 -16을 20g (수율 : 89%) 얻었다.
화합물 -17 의 제조
질소 기류하 등근 바닥 플라스크에 -78 °C 의 THF 용액에 화합물 -16을 20 g (84.3 mmol)을 녹인 후 , η-부틸리튬 6.48 g (101.12 mmol)을 적 가한다. 한시간 후, 트리 메틸클로로실란 21.41 ml (168.7 mmol)을 -78 °C를 유지한 상태에서 적가한다. 자연 승온 후 물을 넣고 퀀칭시 킨다. 반응 종결 후 유기층을 분리 한 다음 용매를 모두 제거 한다음 농축하여 화합물 -17을 15g (수율 : 77%) 얻었다.
화합물 -18 의 제조
등근 바닥 폴라스크에 화합물 -17 13.5 g (58.6 mmol)과 이 리듬클로라이드 7 g (23.4 mmol), 2-에톡시에 탄을 90 mL, 증류수 30 mL를 넣고 24시간 동안 가열 환류하였다. 반응이 완결되면 상온으로 냉각하고 반응증 생긴 고형물을 거르고, 물과 메탄을로 씻어주었다. 진공오븐에서 고형물을 건조하여 화합물 -18을 17 g (수율: 52%) 얻었다.
화합물 -19 의 제조
등근 바닥 플라스크에 화합물 -18 17 g (12.3 mmol)과 2,4-펜탄디온 2.5 ml (24.6 mmol), 소듬카보네이트 13 g (123 mmol)를 넣고, 2-에특시 에 탄올 150 mL에 녹인 다음 5시간 동안 가열 환류하였다. 반응이 종결되면 상온으로 냉각하고 생성된 고형물을 거른다. 칼럼크로마토그래피를 사용하여 화합물 -19를 5.5 g (수율:
59%) 얻었다.
화합물 D-10 의 제조
등근 바닥 플라스크에 화합물 -19 5.5 g (7.32 mmol)과 화합물 -17 4.21 g (18.3 mmol)을 50 mL의 글리세를에 녹인 다음 220 °C에서 12시간 동안 가열
환류하였다. 반응물을 물 부어 반웅을 종결하고 이 때 생긴 고형물을 거른다ᅳ 고형물을 물과 메탄올로 씻어준 다음 디클로로메탄에 녹여 칼럼크로마토그래피로 분리한 다음 재결정하여 화합물 D-10을 3.4 g (수율 :52%) 얻었다. ·
calcd. C39H5iIrN6Si3: C, 53.21 ; H, 5.48; Ir, 21.83; N, 9.55; Si, 9.57; found: C, 53.12; H, 5.53; N, 9.51 ;
제조예 11: D-11 의 제조
[반응식 1 1]
Figure imgf000032_0001
19 D-11 화합물 -20 의 제조
등근 바닥 플라스크에 2-클로로 -4-메틸이미다졸 15 g (128.7 mmol)과 페 닐 보로닉 액시드 18.8 g (154.4 mmol), 테트라키스 (트리 페닐포스핀)팔라듐
[Pd(PPh3)4] 4.46 g (3.8 mmol), 포타슘카보네 이트 40.9 g (386 mmol)을 THF 300 mL, 증류수 150 mL에 넣고 24시간 동안 가열 환류하였다. 반응이 완결되면 상온으로 냉각하고 반응중 생긴 고형물을 거르고, 물과 메탄올로 씻어주었다. 진공오본에서 고형물을 건조하여 화합물 -20을 15 g (수율 :75%) 얻었다.
화합물 -21 의 제조
등근 바닥 플라스크에 화합물 -20 10 g (63.2 mmol)과 포타슘부톡사이드 7.2 g (64 mmol), 18-크라운 -6 1.54 g (5.8 mmol)을 100 ml의 THF에 녹인 후, THF에 녹인 아이오도메탄 9 g (63.4 mmol)을 적가하고 24시 간 동안 교반하였다. 반응이 완결되면 상온으로 넁각하고 반웅중 생긴 고형물을 거르고, 물과 메탄올로 씻어주었다. 진공오븐에서 고형물을 건조하여 화합물 -21을 6.2 g (수율 :57%) 얻었다.
화합물 D-1 1 의 제조
등근 바닥 플라스크에 화합물 -19 5.5 g (7.32 mmol)과 화합물 -21 3.15 g (18.3 mmol)을 50 mL의 글리세롤에 녹인 다음 220 °C에서 12시간 동안 가열 환류하였다. 반웅물을 물에 부어 반응을 종결하고 이 때 생긴 고형물을 거른다. 고형물을 물과 메탄올로 씻어준 다음 디클로로메탄에 녹여
칼럼크로마토그래피로 분리한 다음 재결정하여 화합물 D-11을 4 g (수율 :66%) 얻었다.
calcd. C39H51IrN6Si3: C, 54.05; H, 5.52; Ir, 23.38; N, 10.22; Si, 6.83; found: C, 54.12; H 5.53; N, 10.21 ;
제조예 12: D-12 의 제조
[반응식 12]
Figure imgf000033_0001
화합물 -22 의 제조
등근 바닥 플라스크에 화합물 -21 10.1 g (58.6 mmol)과 이 리듐클로라이드 7 g (23.4 mmol), 2-에록시에 탄올 90 mL, 증류수 30 mL를 넣고 24시 간 동안 가열 환류하였다. 반응이 완결되면 상온으로 냉각하고 반응중 생긴 고형물을 거르고 물과 메 탄을로 씻어주었다. 진공오븐에서 고형물을 건조하여 화합물 -22를 22 g (수율 :82%) 얻었다.
화합물 -23 의 제조 등근 바닥 플라스크에 화합물 -22 22 g (19.5 mmol)과 2,4-펜탄디온 3.94 ml (38.4 mmol), 소듐카보네 이트 20.3 g (192 mmol)를 넣고， 2-에록시 에 탄올 150 mL에 녹인 다음 5시간 동안 가열 환류하였다. 반응이 종결되면 상온으로 냉각하고 생성된 고형물을 거른다. 칼럼크로마토그래피를 사용하여 화합물 -23를 7.2 g (수율 :59%) 얻었다.
화합물 D-12 의 제조
등근 바닥 플라스크에 화합물 -23 7.2 g (11.3 mmol)과 화합물 -17 6.53 g (28.3 mmol)을 50 mL의 글리세를에 녹인 다음 220 °C에서 12시간 동안 가열 환류하였다. 반응물을 물에 부어 반응을 종결하고 이 때 생긴 고형물을 거른다. 고형물을 물과 메탄올로 씻어준 다음 디클로로메탄에 녹여
칼럼크로마토그래피로 분리한 다음 재결정하여 화합물 D-12를 4.3 g (수율 :49%) 얻었다.
calcd. C35H39IrN6Si: C, 55.02; H, 5.15; Ir, 25.16; N, 11.00; Si, 3.68; found: C, 55.12; H, 5.23; N, 10.91 ;
제조예 13: D-13 의 제조
[반응식 13]
Figure imgf000034_0001
26 D-13 화합물 -25 의 제조
등근 바닥 플라스크에 화합물 -2413.8g(58.6mmol)과 이리듐클로라이드 7g (23.4mmol), 2-에록시에탄올 90 mL, 증류수 30 mL를 넣고 24시간 동안 가열 환류하였다. 반응이 완결되면 상온으로 냉각하고 반응중 생긴 고형물을 거르고 물과 메탄올로 씻어주었다. 진공오븐에서 고형물을 건조하여 화합물 -25를 17 g (수율 :52%) 얻었다.
화합물 -26 의 제조
등근 바닥 풀라스크에 화합물 -2517g(12.2mmol)과 2,4-펜탄디온 2.5ml(24.3 mmol), 소듐카보네이트 12.9 g (121.9 mmol)를 넣고, 2-에톡시에탄올 150mL에 녹인 다음 5시간동안 가열 환류하였다. 반응이 종결되면 상온으로 넁각하고 생성된 고형물을 거른다. 칼럼크로마토그래피를사용하여 화합물 -26을 5.4g (수율 :58%) 얻었다.
화합물 D-13 의 제조
등근 바닥 플라스크에 화합물 -265.4 g (7.1 mmol)과 화합물 -174.1 g (17.7 mmol)을 50 mL의 글리세를에 녹인 다음 220 'C에서 12시간 동안 가열 환류하였다. 반응물을 물에 부어 반응을 종결하고 이때 생긴 고형물을 거른다. 고형물을 물과 메탄올로 씻어준 다음 디클로로메탄에 녹여
칼럼크로마토그래피로 분리한 다음 재결정하여 화합물 D-13를 4 g (수율 :63%) 얻었다.
calcd. C45H43IrN6Si: C, 60.85; H, 4.88; Ir, 21.64; N, 9.46; Si, 3.19; found: C, 60.82; H, 4.83; N, 9.51;
제조예 14:D-14 의 제조
[반웅식 14]
Figure imgf000036_0001
화합물 -28 의 제조
등근 바닥 플라스크에 화합물 -27 20 g (90.8 mmol), N-브로모석신이미드 16.2 g (90.8 mmol) 을 흔합한 후， 질소기류하에서 4 시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후 유기층을 분리 한 다음 용매를 모두 제거 한다. 칼럼크로마토그래피를 이용하여 화합물 -28 을 25 g (수율 :92%) 얻었다.
화합물 -29 의 제조
질소 기류하 등근 바닥 플라스크에 -78 °C 의 THF 용액에 화합물 -28 25 g (83.5 mmol)을 녹인 후 , η-부틸리튬 9.44 ml (10Q.2 mmol)을 적가한다. 한시간 후, 트리 메틸클로로실란 10.6 ml (167 mmol)을 -78 °C를 유지 한 상태에서 적가한다. 자연 숭온 후 물을 넣고 퀀칭시 킨다. 반응 종결 후 유기층을 분리 한 다음 용매를 모두 제거 한다음 농축하여 화합물 -29를 19 g (수율 :78%) 얻었다.
화합물 -30 의 제조
등근 바닥 플라스크에 화합물 -29 17.2 g (58.6 mmol)과 이 리듐클로라이드 7 g (23.4 mmol), 2-에록시에 탄을 60 mL, 증류수 20 mL를 넣고 24시간 동안 가열 환류하였다. 반웅이 완결되면 상온으로 냉각하고 반응증 생긴 고형물을 거르고, 물과 메탄올로 씻어주었다. 진공오븐에서 고형물을 건조하여 화합물 -30 22 g (수을: 58%)을 얻었다.
화합물 -31 의 제조
등근 바닥 플라스크에 화합물 -30 20 g (12.3 mmol)과 2,4-펜탄디온 2.53 ml g (24.6 mmol), 소듐카보네 이트 13 g (123 mmol)를 넣고, 2-에록시에 탄올 140 mL에 녹인 다음 5시 간 동안 가열 환류하였다. 반응이 종결되면 상은으로 냉각하고 생성된 고형물을 거른다. 칼럼크로마토그래피를 사용하여 화합불 -31 6 g (수율: 56%)를 얻었다.
화합물 D-14 의 제조
등근 바닥 플라스크에 화합물 -31 6 g (6.54 mmol)과 화합물 -29 5 g (17.1 mmol)을 lOO mL의 글리세롤에 녹인 다음 220 °C에서 12시간 동안 가열 환류하였다. 반웅물을 물에 부어 반응을 종결하고 이 때 생긴 고형물을 거른다. 고형물을 물과 메탄올로 씻어준 다음 디클로로메탄에 녹여 칼럼크로마토그래피로 분리 한 다음 재결정하여 화합물 D-14를 4.5 g (수율 :62%) 얻었다.
calcd. C54H57IrN6Si3: C, 60.81; H, 5.39; Ir, 18.02; N, 7.88; Si, 7.90; found: C, 60.82; H, 5.43; N, 8.91 ;
제조예 15'. D-15 의 제조
[반응식 15]
Figure imgf000037_0001
23 D-15
화합물 D-15 의 제조
등근 바닥 플라스크에 화합물 -23 7 g (1 1 mmol)과 화합물 -29 2.5 g (27.6 mmol)을 50 mL의 글리세를에 녹인 다음 220 °C에서 12시간 동안 가열 환류하였다. 반웅물을 물에 부어 반웅을 종결하고 이 때 생긴 고형물을 거른다. 고형물을 물과 메탄을로 씻어준 다음 디클로로메탄에 녹여 칼럼크로마토그래피로 분리 한 다음 재결정하여 화합물 D-15를 8.5 g (수율 :67%) 얻었다.
calcd. C41H66IrN6Si: C, 58.54; H, 5.27; Ir, 22.85; N, 9.99; Si, 3.34; found: C, 58.62; H, 5.33; N, 10.01 ;
(유기발광소자의 제조)
비교예 1
ITO(Indium tin oxide) 1500 A 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척 이 끝나면 이소프로필 알코올， 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시 킨 후 플라즈마 세정 기로 이송시 킨 다음 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 층착기로 기판을 이송하였다. 이 렇게 준비된 ΠΌ 투명 전극을 양극으로 사용하여 ΠΌ 기판 상부에 하기 화학식 Z-1으로 표시 되는 HTM(a-NPD(4,4'- bis[N-( 1 -napthyl)-N-phenyl-amino] biphenyl) 을 진공 증착하여 정공 수송층을 형성하였다.
[화학식 Z-1] [화학식 Z-2]
Figure imgf000038_0001
상기 정공 수송층 상부에 화학식 Z-2로 표시 되는 CDBP를 호스트로 사용하고 파란색 (blue)의 인광 도판트로 하기 화학식 Z-3로 표시되는
Fk6(iridium(ni)bis(4,6-difluorophenylpyridinato)tetrakis(l-pyrazolyl)borate)- - 10 중량%로 도핑하여 진공 증착하여 300 A 두께의 발광층을 형성하였다.
[화학식 Z-3]
Figure imgf000038_0002
그 후 상기 발광층 상부에 하기 화학식 Z-4으로 표시되는 BAk bisP-methyl- S-quinolinolato-Nl'OSHl'l'-BiphenyM-olato^lum 50 A 및 하기 화학식 Z- 5로 표시되는 Alq3 (tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium) 250 A를 순차적으로 적층하여 전자수송층을 형성하였다. 상기 전자수송층 상부에 LiF 5 A과 A1 1000 A을 순차적으로 진공 증착하여 음극을 형성함으로써 유기발광소자를 제조하였다.
[화학식 z_4] [화학식 Z-5]
Figure imgf000039_0001
비교예 2 (선행 특허 번호: JP2012-164731)
파란색 (blue)의 인광 도판트로 상기 화학식 Z-3으로 표시되는 Fir6 대신에 , 하기 화학식 T-1을 사용하여 10 중량% 도핑한 점올 제외하고는 비교예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다.
[T-1]
Figure imgf000039_0002
실시 예 1
파란색 (blue)의 인광 도판트로 상기 화학식 Z-3으로 표시되는 Fir6 대신에， 상기 제조예 1에서 제조한 화합물 D-1을 사용하여 10 중량0 /0 도핑 한 점을 제외하고는 비교예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다.
실시예 2
제조예 1에 따른 도편트 대신에 제조예 2에 따른 도편트를 이용한 점을 제외하고는 상기 실시 예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. 실시예 3
제조예 3에 따른 도펀트를 이용한 점을 제외하고는 상기 실시 예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시 예 4
제조예 4에 따른 도펀트를 이용한 점을 제외하고는 상기 실시 예 1과 동일한 방법으로 유기 발광소자를 제조하였다.
실시예 5 제조예 5에 따른 도펀트를 이용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 6
제조예 6에 따른 도편트를 이용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 7
제조예 7에 따른 도편트를 이용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 8
제조예 8에 따른 도편트를 이용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예 9
제조예 9에 따른 도편트를 이용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다
실시예 10
제조예 10에 따른 도편트를 이용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다
실시예 11
제조예 11에 따른 도펀트를 이용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다
실시예 12
제조예 12에 따른 도편트를 이용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다
실시예 13
제조예 13에 따른 도펀트를 이용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다
실시예 14
제조예 14에 따른 도편트를 이용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다 실시예 15
제조예 15에 따른 도편트를 이용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
(유기발광소자의 성능 측정)
상기 실시예 1 내지 15과 비교예 1 및 2에서 제조된 각각의 유기발광소자에 대하여 전압에 따른 전류밀도 변화, 휘도변화를 측정하여 이를 통해
발광효율을 평가하였고, 또한 수명 특성을 평가하였다. 구체적인 측정방법은 다음과 같고, 그 결과는 하기 표 1에 나타내었다.
(1) 전압변화에 따른 전류밀도의 변화측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V부터 10V까지 상승시키면서 전류- 전압계 (Keithley2400)를 이용하여 단위소자에 흐르는 전류값올 측정하고， 측정된 전류값을 면적으로 나누어 결과를 얻었다.
(2) 전압변화에 따른 휘도변화측정
제조된 유기발광소자에 대해， 전압을 0V부터 10V까지 상승시키면서 휘도계 (Minolta Cs-IOOOA)를 이용하여 그 때의 휘도를 측정하여 결과를 얻었다.
(3) 발광효율 측정
상기 (1) 및 (2)로부터 측정된 휘도와 전류밀도 및 전압을 이용하여 동일 밝기 (9000cd/m2)의 전류 효율 (cd/A)을 계산하였다.
(4) 수명 평가
수명은 3% 발광효율이 감소할 때까지의 시간올 측정한 것으로 비교 예를 100%로 하여 본 발명에서 제공된 재료들의 수명을 상대적으로 나타내었다.
[표 1]
Figure imgf000041_0001
Figure imgf000042_0001
상기 표 1에 나타난 바와 같이, 본 발명에서 제공된 재료를 사용하여 제작한 소자의 경우 발광 효율 및 수명이 훨씬 더 우수하다는 것을 알 수 있다. 이는 본 발명에서 제조된 화합물이 양호한 유기발광소자용 재료로 사용될 수 있는 가능성을 보여준다.
본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며， 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징올 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims

【청구의 범위】
【청구항 1】
하기 화학식 1로 표시되는 유기광전자소자용 화합물:
Figure imgf000043_0001
상기 화학식 1에서,
X1 내지 X3 및 X8 내지 X10은 서로 독립적으로 ,N,CR', 또는 NR'이며， 상기 R;는 수소, 중수소, 할로겐기， 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 또는 -SiR17R18R19이며 상기 R17 내지 R19는 서로 독립적으로 C1 내지 C6 알킬기이고,
X4 내지 X7 및 X11 내지 X14는 서로 독립적으로， N, 또는 CR"이며， 상기 R"는 수소， 증수소， 할로겐기， 시아노기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기， 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고，
M은 Ir, Os, Pt, Pb, Re, Ru, 또는 Pd이고,
L은 1가 음이온의 두자리 (bidentate) 리간드로, 탄소 또는 헤테로원자의 비공유 전자쌍을 통하여 이리듬에 배위결합하는 리간드이고,
n및 m은 서로 독립적으로 0 내지 3의 정수 중 어느 하나이고, n + m은 1 내지 3의 정수 증 어느 하나이고,
X1 내지 X3 중 적어도 어느 하나는 CR'이며, 상기 R、는 -SiRl7R18R19 또는 tert-부틸기이고，
X8 내지 X10 중 적어도 어느 하나는 CR、이고， 상기 R'는 -SiR17RlsR19 또는 tert-부틸기이다.
【청구항 2】
게 1항에 있어서， 상기 유기광전자소자용 화합물은 하기 화학식 2로 표시되는 것인 유기광전자소자용 화합물:
[화학식 2]
Figure imgf000044_0001
상기 화학식 2에서,
X3 및 X8 내지 X10은 서로 독립적으로 ,N, CR 또는 NR'이며, 상기 R'는 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 또는 -SiR17R18R19이며, 상기 R17 내지 R19는 서로 독립적으로 C1 내지 C6 알킬기이고,
R1 및 R2는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기， 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 또는 -SiR17R18R19이며, 상기 R17 내지 R19는 서로 독립적으로 C1 내지 C6 알킬기이고,
X4 내지 X7 및 X11 내지 X14는 서로 독립적으로 ,Ν, 또는 CR"이며, 상기 R"는 수소， 중수소, 할로겐기, 시아노기 , 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 또는 치환또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
Μ은 Ir, Os, Pt, Pb, Re, Ru, 또는 Pd이고，
L은 1가 음이온의 두자리 (bidentate) 리간드로, 탄소 또는 헤테로원자의 비공유 전자쌍을 통하여 이리듐에 배위결합하는 리간드이고,
n및 m은 서로 독립적으로 0 내지 3의 정수 중 어느 하나이고, n + m응 1 내지 3의 정수 중 어느 하나이고,
X3,R' 및 R2 중 적어도 어느 하나는 CR'이며, 상기 R、는 -SiR17R18R19 또는 tert-부틸기이고,
X8 내지 X10 증 적어도 어느 하나는 CR'이고, 상기 R'는 -SiR17RlsR19 또는 tert-부틸기이다. 【청구항 3]
제 1항에 있어서，
상기 X3는 NR'이고,
상기 X1은 -CR1-이고,
상기 X2는 -CR2-이고,
상기 R1 및 R2는 서로 독립적으로, 수소, 증수소, 할로겐기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 또는 -SiR17R18R19이며, 상기 R17 내지 R19는 서로 독립적으로 C1 내지 C6 알킬기이고，
상기 R1 및 R2 중 적어도 어느 하나는， -SiR17R18R19인 것인
유기광전자소자용 화합물.
【청구항 4】
저 U항에 있어서,
상기 X3는 NR'이고，
상기 X1은 -CR1-이고,
상기 X2는 -CR2-이고,
상기 R1 및 R2는 서로 독립적으로, 수소, 증수소, 할로겐기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기 , 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 또는 -SiR17RlsR19이며， 상기 R17 내지 R19는 서로 독립적으로 C1 내지 C6 알킬기이고,
상기 R1 및 R2 중 적어도 어느 하나는 tert-부틸기인 것인
유기광전자소자용 화합물.
【청구항 5】
제 3항 또는 제 4항에 있어서,
상기 n은 3인 것인 유기광전자소자용 화합물.
【청구항 6】
제 1항에 있어서,
상기 X3는 NR、이고,
상기 X1은 N이고, 상기 X2는 -CR2-이고,
상기 R2는 -SiR17RI8R19인 것 인 유기 광전자소자용 화합물.
【청구항 7]
제 1항에 있어서 ,
상기 X3는 NR、이고,
상기 X1은 N이고,
상기 X2는 -CR2-이고,
상기 R2는 tert-부틸기 인 것 인 유기 광전자소자용 화합물. '
【청구항 8]
제 3항, 제 4항, 제 6항 또는 제 7항 중 어느 한 항에 있어서 ,
IT는 치환 또는 비 치환된 C1 내지 C10 알킬기 , 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 인 것 인 유기 광전자소자용 화합물.
【청구항 9】
거 13항, 제 4항， 게 6항 또는 제 7항 중 어느 한 항에 있어서 ,
상기 X4, X5, X6 및 X7은 모두 -CR'-이거나 ,
상기 X4, X5 및 X7은 -CR'-이며 , X6은 N이거나,
상기 X4, X6 및 X7은 -CR'-이며 , X5은 N인 것인 유기 광전자소자용 화합물. 【청구항 10】
제 1항에서，
상기 L은 하기 화학식 L-1 내지 화학식 L-14 중 어느 하나인
유기 광전자소자용 화합물:
[화학식 L-1] [화학식 L-2] [화학식 L-3] [화학식 L-4] [화학식 L-5]
Figure imgf000046_0001
[화학식 L-6] [화학식 L-7] [화학식 L-8] [화학식 L-9] [화학식 L-10]
Figure imgf000047_0001
[화학식 L-ll] [화학식 L-12] [화학식 L-13] [화학식 L-14]
Figure imgf000047_0002
상기 화학식 L-1 내지 L-14에서
별표 (*)는 이리듐 (Ir)과 결합하는 자리를 의미하고,
Run 내지 RU 은 서로 독립적으로, 수소, 증수소, 할로겐이 치환되거나 치환되지 않은 C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C30의 알킬이 치환되거나 치환되지 않은 C6 내지 C30 의 아릴기 또는 할로겐이고,
R,o4 내지 Rn5는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로아릴기, 치환또는 비치환된 C1 내지 C30 아미노기, 치환또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴아미노기, SF5, 치환또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기를 가지는 트리알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기와 C6 내지 C30의 아릴기를 가지는 디알킬아릴실릴기， 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기를 가지는 트리아릴실릴기이고,
R,,6 내지 R 은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐이 치환되거나 치환되지 않은 C1 내지 C30 알킬기 , 또는 C1 내지 C30 알킬이 치환되거나 치환되지 않은 C6 내지 C30 아릴기 이다.
【청구항 1 1】
제 1항에 있어서，
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물인 것 인 유기광전자소자용 화합물:
[화학식 3]
Figure imgf000048_0001
상기 화학식 3에서，
M은 Ir, Os, Pt, Pb, Re, Ru, 또는 Pd이고，
L은 1가 음이온의 두자리 (bidentate) 리간드로， 탄소 또는 헤테로원자의 비공유 전자쌍을 통하여 이 리듬에 배위결합하는 리간드이고，
n 및 m은 서로 독립적으로 0 내지 3의 정수 중 어느 하나이고, n + m은 1 내지 3의 정수 중 어느 하나이고,
A 및 B는 서로 독립적으로, 하기 화학식 A-1 내지 A-128 중 어느 하나이다.
[화학식 A-1] [화학식 A-2] [화학식 A-3] [화학식 A-4]
Figure imgf000048_0002
[화학식 A-5] [화학식 A-6] [화학식 A-7] [화학식 A-8]
Figure imgf000048_0003
[화학식 A-9] [화학식 A-10] [화학식 A-l l] [화학식 A- 12]
Figure imgf000049_0001
[화학식 A-13] [화학식 A- 14] [화학식 A- 15] [화학식 A- 16]
Figure imgf000049_0002
[화학식 A-17] [화학식 A-18] [화학식 A-19] [화학식 A-20]
Figure imgf000049_0003
[화학식 A-21] [화학식 A-22] [화학식 A-23] [화학식
Figure imgf000049_0004
[화학식 A-25] [화학식 A-26] [화학식 A-27] [화학식 A-28]
Figure imgf000049_0005
[화학식 A-29] [화학식 A-30] [화학식 A-31] [화학식 A-32]
Figure imgf000049_0006
Figure imgf000049_0007
[화학식 A-34] [화학식 A-35] [화학식 A-36]
Figure imgf000050_0001
Figure imgf000050_0002
[화학식 A-38] [화학식 A-39] [화학식 A-40]
Figure imgf000050_0003
[화학식 A-57] [화학식 A-58] [화학식 A-59] [화학식 A-60]
Figure imgf000051_0001
[화학식 A-61] [화학식 A-62] [화학식 A-63] [화학식 A-64]
Figure imgf000051_0002
[화학식 A-65] [화학식 A-66] [화학식 A-67] [화학식 A-68]
Figure imgf000051_0003
[화학식 A-69] [화학식 A-70] [화학식 A-71] [화학식 A-72]
Figure imgf000051_0004
[화학식 A-73] [화학식 A-74] [화학식 A-75] [화학식 A-76]
Figure imgf000051_0005
[화학식 A-77] [화학식 A-78] [화학식 A-79] [화학식 A-80]
Figure imgf000051_0006
[화학식 A— 81] [화학식 A-82] [화학식 A-83] [화학식 A-84]
Figure imgf000052_0001
[화학식 A— 85] [화학식 A-86] [화학식 A-87] [화학식 A-88]
Figure imgf000052_0002
[화학식 Aᅳ 89] [화학식 A-90] [화학식 A-91] [화학식 A-92]
Figure imgf000052_0003
Figure imgf000052_0005
[화학식 A-93] [화학식 A-94] [화학식 A-95] [화학식 A-96]
Figure imgf000052_0004
[화학식 A-105] [화학식 A-106] [화학식 A-107] [화학식 A-108]
Figure imgf000053_0001
[화학식 A-109] [화학식 A— 11이 [화학식 A-111] [화학식 A-112]
Figure imgf000053_0002
[화학식 A-113] [화학식 A-114] [화학식 A-115] [화학식 A-116]
Figure imgf000053_0003
[화학식 A-117] [화학식 A-118] [화학식 A-119] [화학식 A-12이
Figure imgf000053_0004
[화학식 A-121] [화학식 A-122] [화학식 A-123] [화학식 A-124]
Figure imgf000053_0005
[화학식 A-125] [화학식 A-126] [화학식 A-127] [화학식 A-128]
Figure imgf000053_0006
【청구항 12】
양극, 음극 및 상기 양극과 음극사이에 개재되는 한층 이상의 유기박막층을 포함하고, 상기 유기박막층 중 적어도 어느 한 층은 제 1항에 따른 유기광전자소자용 화합물을 포함하는 것인 유기발광소자.
【청구항 13]
제 12항에서,
상기 유기박막층은 발광층인 것인 유기발광소자.
-【청구항 14】
제 13항에서,
상기 유기광전자소자용 화합물은 발광층 내 도펀트로 이용되는 것인 유기발광소자.
【청구항 15】
제 12항의 유기발광소자를 포함하는 표시장치.
PCT/KR2013/006588 2013-06-03 2013-07-23 유기광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치 Ceased WO2014196685A1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2013-0063499 2013-06-03
KR1020130063499A KR20140142000A (ko) 2013-06-03 2013-06-03 유기광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014196685A1 true WO2014196685A1 (ko) 2014-12-11

Family

ID=52008306

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2013/006588 Ceased WO2014196685A1 (ko) 2013-06-03 2013-07-23 유기광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR20140142000A (ko)
WO (1) WO2014196685A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017170916A1 (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 住友化学株式会社 金属錯体、組成物及び発光素子
US10854827B2 (en) * 2014-12-17 2020-12-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Organometallic compound and organic light-emitting device including the same

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102613048B1 (ko) * 2015-08-18 2023-12-15 삼성전자주식회사 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
EP3133078B1 (en) 2015-08-18 2019-01-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Organometallic compound and organic light-emitting device including the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009076826A (ja) * 2007-09-25 2009-04-09 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2012164731A (ja) * 2011-02-04 2012-08-30 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置
US20120292601A1 (en) * 2011-05-19 2012-11-22 Universal Display Corporation Phosphorescent heteroleptic phenylbenzimidazole dopants and new synthetic methodology
WO2012170571A1 (en) * 2011-06-08 2012-12-13 Universal Display Corporation Heteroleptic iridium carbene complexes and light emitting device using them

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009076826A (ja) * 2007-09-25 2009-04-09 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2012164731A (ja) * 2011-02-04 2012-08-30 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置
US20120292601A1 (en) * 2011-05-19 2012-11-22 Universal Display Corporation Phosphorescent heteroleptic phenylbenzimidazole dopants and new synthetic methodology
WO2012170571A1 (en) * 2011-06-08 2012-12-13 Universal Display Corporation Heteroleptic iridium carbene complexes and light emitting device using them

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10854827B2 (en) * 2014-12-17 2020-12-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Organometallic compound and organic light-emitting device including the same
US11991921B2 (en) 2014-12-17 2024-05-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Organometallic compound and organic light-emitting device including the same
WO2017170916A1 (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 住友化学株式会社 金属錯体、組成物及び発光素子
JPWO2017170916A1 (ja) * 2016-03-31 2018-05-31 住友化学株式会社 金属錯体、組成物及び発光素子
CN108884118A (zh) * 2016-03-31 2018-11-23 住友化学株式会社 金属络合物、组合物及发光元件

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140142000A (ko) 2014-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6402192B2 (ja) 有機光電子素子用組成物、有機光電子素子および表示装置
EP2871222B1 (en) Compound for organic optoelectric device, organic optoelectric device comprising same, and display apparatus comprising organic optoelectric device
JP6046701B2 (ja) 新規な有機電界発光化合物および同化合物を使用した有機電界発光素子
JP6696753B2 (ja) 有機光電子素子用化合物、有機光電子素子用組成物、有機光電子素子および表示装置
CN102625819B (zh) 新有机电致发光化合物和使用该化合物的有机电致发光设备
WO2016024675A1 (ko) 유기 광전자 소자 및 표시 장치
JP2019057711A (ja) ホスト化合物およびドーパント化合物の新規組み合わせおよびそれを含む有機エレクトロルミネセンスデバイス
CN110785863A (zh) 有机光电二极管和显示设备
CN105579550A (zh) 用于有机光电装置的有机合金、有机光电装置及显示装置
CN105531349A (zh) 主体化合物和掺杂剂化合物的组合
CN104066739A (zh) 新有机电致发光化合物和使用该化合物的有机电致发光器件
US20140336392A1 (en) Novel organic electroluminescent compounds and organic electroluminescent device using the same
CN104039921A (zh) 新有机电致发光化合物和使用该化合物的有机电致发光器件
KR20120116282A (ko) 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 채용하고 있는 유기 전계 발광 소자
WO2015111848A1 (ko) 유기 화합물, 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
WO2016072593A1 (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 이를 포함하는 유기 광전자 소자 및 표시장치
WO2018070641A2 (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
CN104066728A (zh) 新有机电致发光化合物和含有该化合物的有机电致发光器件
CN104364345A (zh) 新有机电致发光化合物和包含该化合物的有机电致发光器件
WO2014193033A1 (ko) 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치
CN110872511A (zh) 用于有机光电器件的组合物、有机光电器件及显示器件
JP6082739B2 (ja) 新規有機エレクトロルミネセンス化合物およびこれを使用した有機エレクトロルミネセンス素子
JP2015534724A (ja) ホスト化合物およびドーパント化合物の新規組み合わせおよびそれを含む有機エレクトロルミネセンスデバイス
JP6478672B2 (ja) 有機化合物、組成物、有機光電子素子および表示装置
WO2015186882A1 (ko) 유기 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13886214

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13886214

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1