WO2014196367A1 - 圧力検出装置および入力装置 - Google Patents

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裕次 渡津
栄二 角谷
啓佑 尾▲崎▼
柴田 淳一
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    • G06F2203/04105Pressure sensors for measuring the pressure or force exerted on the touch surface without providing the touch position

Definitions

  • the present invention relates to a piezoelectric sensor that generates a piezoelectric signal corresponding to a load, and more particularly to a piezoelectric sensor that can detect a position where a load is applied.
  • Patent Document 1 discloses a transparent piezoelectric sensor including a transparent pressure-sensitive layer and a pair of transparent conductive layers.
  • the present invention is configured as follows.
  • the pressure detection device of the present invention is A piezoelectric layer that generates an electric charge when pressed by the input means; A first electrode disposed on a first main surface of the piezoelectric layer; A second electrode disposed on a second main surface opposite to the first main surface of the piezoelectric layer; A first capacitor connected to the first electrode; The first electrode and the first capacitor are provided.
  • the pressure detection device of the present invention is A piezoelectric layer that generates an electric charge when pressed by the input means; A first electrode disposed on a first main surface of the piezoelectric layer; A second electrode disposed on a second main surface opposite to the first main surface of the piezoelectric layer; A first capacitor connected to the first electrode; A first multiplexer connected to the first electrode and the first capacitor; A first detector connected to the first multiplexer, The first electrode includes a plurality of first electrode portions connected to the first capacitor, The first multiplexer is configured to switch and connect the plurality of first electrode units to the first detection unit.
  • the pressure detection device of the present invention is A piezoelectric layer that generates an electric charge when pressed by the input means; A first electrode disposed on a first main surface of the piezoelectric layer; A first capacitor connected to the first electrode; A first multiplexer connected to the first electrode and the first capacitor; A first detector connected to the first multiplexer; A second electrode disposed on a second main surface opposite to the first main surface of the piezoelectric layer; A second capacitor connected to the second electrode; A second multiplexer connected to the second electrode and the second capacitor; A second detection unit connected to the second multiplexer,
  • the first electrode has a plurality of first electrode portions connected to the first capacitor, The first multiplexer switches and connects the plurality of first electrode units to the first detection unit,
  • the second electrode has a plurality of second electrode portions connected to the second capacitor,
  • the second multiplexer is configured to switch and connect the plurality of second electrode units to the second detection unit.
  • the first electrode part is disposed in a direction parallel to one direction
  • the second electrode unit may be arranged in a direction perpendicular to one direction.
  • the first detection unit includes: An amplifier connected to the first multiplexer; A first voltage detector connected to the first amplifier unit may be provided.
  • the first detection unit may be connected between the first amplifier unit and the first voltage detector, and may include a first bandpass filter having a frequency f1 represented by the following formula (1). Good.
  • Formula (1): f1 1 / (T1 ⁇ 2)
  • T1 Time required to connect the first detection unit to one first electrode unit to another first electrode unit
  • the second detector is A second amplifier connected to the second multiplexer; You may comprise so that the 2nd voltage detector connected with the said 2nd amplifier part may be provided.
  • the second detector is You may comprise so that it may be comprised between the said 2nd amplifier part and the said 2nd voltage detector, and a 2nd band pass filter provided with the frequency f1 shown by following formula (2) may be provided.
  • Formula (2): f2 1 / (T2 ⁇ 2)
  • T2 Time required to connect the second detection unit to one second electrode unit to another second electrode unit
  • the pressure detection device of the present invention is A piezoelectric layer that generates an electric charge when pressed by the input means; A first electrode disposed on a first main surface of the piezoelectric layer; A second electrode disposed on a second main surface opposite to the first main surface of the piezoelectric layer; A first resonant circuit connected to the first electrode; It comprised so that the said 1st electrode and the 1st detection part connected to the said 1st resonance circuit may be provided.
  • the pressure detection device of the present invention is A piezoelectric layer that generates an electric charge when pressed by the input means; A first electrode disposed on a first main surface of the piezoelectric layer; A second electrode disposed on a second main surface opposite to the first main surface of the piezoelectric layer; A first resonant circuit connected to the first electrode; A first multiplexer connected to the first electrode and the first resonant circuit; A first detector connected to the first multiplexer, The first electrode includes a plurality of first electrode portions connected to the first resonance circuit, The first multiplexer is configured to switch and connect the plurality of first electrode units to the first detection unit.
  • the pressure detection device of the present invention is A piezoelectric layer that generates an electric charge when pressed by the input means; A first electrode disposed on a first main surface of the piezoelectric layer; A first resonant circuit connected to the first electrode; A first multiplexer connected to the first electrode and the first resonant circuit; A first detector connected to the first multiplexer; A second electrode disposed on a second main surface opposite to the first main surface of the piezoelectric layer; A second resonant circuit connected to the second electrode; A second multiplexer connected to the second electrode and the second resonant circuit; A second detection unit connected to the second multiplexer, The first electrode has a plurality of first electrode portions connected to the first resonance circuit, The first multiplexer switches and connects the plurality of first electrode units to the first detection unit, The second electrode has a plurality of second electrode portions connected to the second resonance circuit, The second multiplexer is configured to switch and connect the plurality of second electrode units to the second detection unit.
  • the first electrode part is disposed in a direction parallel to one direction
  • the second electrode unit may be arranged in a direction perpendicular to one direction.
  • the resonant circuit may include a varactor.
  • the pressure detection device and the touch panel may be provided.
  • the piezoelectric sensor according to the present invention can detect the charge generated from the piezoelectric sheet even if the charge generated from the piezoelectric sheet is very small.
  • FIG. 1 is a schematic view of a pressure detection device.
  • the pressure detection device has a function of detecting the amount and position of a given load.
  • the pressure detection device 1 includes a piezoelectric sensor 10, a first detection unit 20, and a first capacitor C1.
  • the piezoelectric sensor 10 includes a piezoelectric layer 11, a first electrode 12, and a second electrode 13.
  • the first electrode 12 is disposed on the first main surface of the piezoelectric layer 11 and is electrically connected to the first capacitor C1.
  • the second electrode 13 is disposed on the second main surface opposite to the first main surface of the piezoelectric sheet 11 and is connected to the ground E. Note that the first electrode 12 and the second electrode 13 are each disposed over one surface of the piezoelectric layer 11. Below, each structure of the pressure detection apparatus 1 is demonstrated in detail.
  • the piezoelectric sensor 10 is a device that generates electric charge according to a given load. As shown in FIG. 1, the piezoelectric sensor 10 includes a piezoelectric layer 11, a first electrode 12, and a second electrode 13.
  • Piezoelectric layer Examples of the material constituting the piezoelectric layer 11 include inorganic piezoelectric materials and organic piezoelectric materials.
  • inorganic piezoelectric materials include barium titanate, lead titanate, lead zirconate titanate, potassium niobate, lithium niobate, and lithium tantalate.
  • Examples of the organic piezoelectric material include a fluoride polymer or a copolymer thereof, and a polymer material having chirality.
  • Examples of the fluoride polymer or a copolymer thereof include polyvinylidene fluoride, vinylidene fluoride-tetrafluoroethylene copolymer, and vinylidene fluoride-trifluoroethylene copolymer.
  • Examples of the polymer material having chirality include L-type polylactic acid and R-type polylactic acid.
  • the piezoelectric sheet is made of a transparent material or thin enough to transmit light sufficiently.
  • the first electrode 12 and the second electrode 13 can be made of a conductive material.
  • the conductive material include transparent conductive oxides such as indium-tin oxide (ITO), tin-zinc oxide (Tin), polyethylene dioxythiophene
  • ITO indium-tin oxide
  • Tin tin-zinc oxide
  • PEDOT polyethylene dioxythiophene
  • the electrode can be formed by using vapor deposition or screen printing.
  • a conductive metal such as copper or silver may be used as the conductive material.
  • the electrode may be formed by vapor deposition, or may be formed using a metal paste such as a copper paste or a silver paste.
  • a conductive material a material in which conductive materials such as carbon nanotubes, metal particles, and metal nanofibers are dispersed in a binder may be used.
  • the first capacitor C1 has a structure in which the capacitor is grounded.
  • the first capacitor C1 is an element that stores and discharges electric charges by electrostatic capacitance. Examples of such members include ceramic capacitors, tantalum capacitors, and film capacitors.
  • the charge charged in the first capacitor C1 is preferably removed from the first capacitor C1 when the piezoelectric sensor 10 is not loaded.
  • a discharge switch may be disposed between the piezoelectric sensor 10 and the first detection unit 20.
  • the first detection unit 20 is a device that detects charges generated by the piezoelectric sensor 10.
  • the first detection unit 20 includes a first amplifier unit 21 and a first potential detection unit 22.
  • the first amplifier unit 21 is a device that amplifies the voltage of the first capacitor C1 generated by charge charging, and is connected to the first electrode 12 and the first capacitor C1.
  • the first potential detection unit 22 is a device that measures the potential of the electric charge amplified by the first amplifier unit 21, and is connected to the first amplifier unit 21.
  • the first electrode 12 is connected to the first capacitor C1. Therefore, the charge generated in the piezoelectric layer 11 is charged into the first capacitor C1 via the first electrode 12. Then, even if the electric charge generated when the piezoelectric layer 11 is pressed is weak, by measuring the voltage of the first capacitor C1 with the first detection unit 20, the electric charge generated above is detected with the first detection unit 20. It can be detected.
  • the first detection unit 20 includes a first amplifier unit 21 and a first potential detection unit 22. Therefore, even when the voltage of the first capacitor C1 is small, the first potential detector 22 can detect the voltage after the first amplifier 21 amplifies the voltage.
  • FIG. 2 is a schematic diagram of the pressure detection device.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG.
  • FIG. 4 is a modification of the second embodiment.
  • the pressure detection device 1 according to the second embodiment includes a piezoelectric sensor 10, a first detection unit 20, a first capacitor C1, and a first multiplexer M1.
  • the piezoelectric sensor 10 includes a piezoelectric layer 11, a first electrode 12, and a second electrode 13.
  • the first electrode 12 is disposed on the first main surface of the piezoelectric layer 11 and includes a plurality of first electrode portions 120.
  • the first electrode parts 120 are arranged parallel to the Y-axis direction of the piezoelectric layer 11 and are connected to the first capacitor C1.
  • the first electrode unit 120 and the first capacitor C1 are connected to the first detection unit 20 via the first multiplexer M1.
  • the second electrode 13 is disposed on the second main surface opposite to the first main surface of the piezoelectric layer 11.
  • the second electrode 13 is disposed on one surface of the second main surface and is connected to the ground E.
  • the first multiplexer M1 is a device that selects one first electrode unit 120 from the plurality of first electrode units 120 and connects the selected first electrode unit 120 and the first detection unit 20 to each other. is there.
  • the switching of the first electrode unit 120 may be realized by causing a CPU or the like to execute a program stored in a storage unit such as a microcomputer or a custom IC.
  • the first detection unit 20 includes a first amplifier unit 21 and a first potential detection unit 22.
  • the configurations of the first amplifier unit 21 and the first potential detection unit 22 are the same as described above, and will be omitted.
  • the first electrode 12 is connected to the first capacitor C1. Therefore, the charge generated in the piezoelectric layer 11 is charged into the first capacitor C1 via the first electrode 12. Then, even if the electric charge generated when the piezoelectric layer 11 is pressed is weak, the electric charge generated in the piezoelectric layer 11 is measured by measuring the voltage of the first capacitor C1 with the first detection unit 20. 20 can be detected.
  • the first detection unit 20 includes a first amplifier unit 21 and a first potential detection unit 22. Therefore, even when the voltage of the first capacitor C1 is small, the first potential detection unit 22 can detect the voltage after the first amplifier unit 21 amplifies the voltage.
  • the first electrode 12 has a plurality of first electrode portions 120 arranged in parallel to the Y-axis direction.
  • the first electrode unit 120 is connected to the first detection unit 20 via the first multiplexer M1.
  • the first multiplexer M1 can detect which of the plurality of first electrode sections 120 through which the charges detected by the first detection section 20 have passed.
  • the load position in the Y-axis direction can be specified for the load applied to the piezoelectric sensor 10.
  • the pressure detection device 1 may include a first band pass filter 23 in the first detection unit 20.
  • the first band pass filter 23 is disposed between the first amplifier unit 21 and the first potential detection unit 22.
  • the first band pass filter 23 may be formed of an RLC circuit that allows only a necessary range of frequencies to pass.
  • the frequency f1 of the first bandpass filter 23 is set to be 1 / (T1 ⁇ 2).
  • T1 is the time from when the first detection unit 20 is connected to one first electrode unit 120 to the other first electrode unit 120 in the first multiplexer M1.
  • the first multiplexer M1 is operated to switch the first electrode unit 120 connected to the first detection unit 20 one after another.
  • the voltage detected by the potential detector 22 changes one after another.
  • the noise signal is noise received from an electromagnetic wave existing around the piezoelectric sensor 10. Therefore, noise can be effectively removed by detecting only the frequency f1 by the first bandpass filter 23.
  • FIG. 5 is a schematic diagram of the pressure detection device.
  • FIG. 6 is a modification of the third embodiment.
  • the pressure detection device 1 according to the third embodiment includes a piezoelectric sensor 10, a first detection unit 20, a first capacitor C ⁇ b> 1, a second capacitor C ⁇ b> 2, a first multiplexer M ⁇ b> 1, 2 multiplexer M2.
  • the piezoelectric sensor 10 includes a piezoelectric layer 11, a first electrode 12, and a second electrode 13.
  • the first electrode 12 is disposed on the first main surface of the piezoelectric layer 11 and includes a plurality of first electrode portions 120.
  • the first electrode unit 120 is arranged in parallel to the Y-axis direction of the piezoelectric layer 11 and is connected to the first capacitor C1.
  • the first electrode unit 120 and the first capacitor C1 are connected to the first detection unit 20 via the first multiplexer M1.
  • the second electrode 13 is disposed on the second main surface opposite to the first main surface of the piezoelectric layer 11.
  • the second electrode 13 includes a plurality of second electrode portions 130.
  • the second electrode unit 130 is arranged in parallel with the X-axis direction of the piezoelectric layer 11 and is connected to the second capacitor C2.
  • the second electrode unit 130 and the second capacitor C2 are connected to the second detection unit 25 via the second multiplexer M2.
  • the first multiplexer M1 is a device that selects one first electrode unit 120 from the plurality of first electrode units 120 and connects the selected first electrode unit 120 and the first detection unit 20 to each other. is there.
  • the second multiplexer M2 is a device that selects one second electrode unit 130 from among the plurality of second electrode units 130 and connects the selected second electrode unit 130 and the second detection unit 25 to each other.
  • the switching function may be realized by causing a CPU or the like to execute a program stored in a storage unit such as the microcomputer or custom IC.
  • the first detection unit 20 includes a first amplifier unit 21 and a first potential detection unit 22.
  • the second detection unit 25 includes a second amplifier unit 26 and a second potential detection unit 28. Since these members are the same as described above, they are omitted.
  • the first electrode unit 120 is connected to the first capacitor C1
  • the second electrode unit 130 is connected to the second capacitor C2. Therefore, the charge generated in the piezoelectric layer 11 is charged by the first capacitor C1 and the second capacitor C2 via the first electrode unit 120 and the second electrode unit 130. Then, even if the electric charge generated when the piezoelectric layer 11 is pressed is weak, the voltage of the first capacitor C1 and the second capacitor C2 can be measured by the first detection unit 20 and the second detection unit 25. As a result, the charge generated in the piezoelectric layer 11 can be detected by the first detection unit 20 and the second detection unit 25.
  • the first detection unit 20 includes a first amplifier unit 21 and a first potential detection unit 22.
  • the second detection unit 25 includes a second amplifier unit 26 and a second potential detection unit 28. Therefore, even when the voltage of the first capacitor C1 or the voltage of the second capacitor C2 is small, the first amplifier unit 21 and the second amplifier unit 26 can amplify the voltage. As a result, the charge generated in the piezoelectric layer 11 can be detected by the first potential detection unit 22 and the second potential detection unit 28.
  • the first electrode 12 has a plurality of first electrode portions 120 arranged in parallel to the Y-axis direction, and the first electrode portion 120 is connected to the first multiplexer M1.
  • the first multiplexer M1 can detect which of the plurality of first electrode portions 120 through which the charges detected by the first detection portion 20 have passed.
  • the load position in the Y-axis direction can be specified for the load applied to the piezoelectric sensor 10.
  • the second electrode 13 includes a plurality of second electrode portions 130 arranged in parallel to the X-axis direction perpendicular to the Y-axis direction, and the second electrode portion 130 is connected to the second multiplexer M2. .
  • the second multiplexer M2 can detect which of the plurality of second electrode portions 120 through which the charges detected by the second detection portion 25 have passed.
  • the load position in the X-axis direction can be specified for the load applied to the piezoelectric sensor 10.
  • the load position applied to the piezoelectric sensor 10 can be detected by combining the detection results obtained by the first multiplexer M1 and the second multiplexer M2. The same applies to a case where a plurality of places are loaded. That is, according to the pressure detection device 1, multi-force is possible.
  • the pressure detection device 1 may include a first bandpass filter 23 in the first detection unit 20.
  • the first band pass filter 23 is disposed between the first amplifier unit 21 and the first potential detection unit 22.
  • the second detection unit 25 may have a second band pass filter 27.
  • the second band pass filter 27 is disposed between the second amplifier unit 26 and the second potential detection unit 28.
  • the first band-pass filter 23 and the second band-pass filter 27 may be configured by an RLC circuit that passes only a necessary range of frequencies.
  • the frequency f1 of the first band pass filter 23 is set to be 1 / (T1 ⁇ 2).
  • T1 is the time from when the first detection unit 20 is connected to one first electrode unit 120 to the other first electrode unit 120 in the first multiplexer M1.
  • the frequency f2 of the second bandpass filter 27 is set to be 1 / (T2 ⁇ 2).
  • T2 is the time from when the second detection unit 25 is connected to one second electrode unit 130 to the other second electrode unit 130 in the second multiplexer M2.
  • the first detection unit 20 when the first electrode unit 120 connected to the first detection unit 20 is sequentially switched by operating the first multiplexer M1, the first potential is changed.
  • the voltage detected by the detection unit 22 changes one after another.
  • the noise signal is noise received from an electromagnetic wave existing around the piezoelectric sensor 10. Therefore, noise can be effectively removed by detecting only the frequency f1 by the first bandpass filter 23.
  • the second multiplexer M2 is operated to switch the second electrode unit 130 connected to the second detection unit 25 one after another.
  • the voltage detected by the potential detector 28 changes one after another.
  • the noise signal is noise received from an electromagnetic wave existing around the piezoelectric sensor 10. Therefore, noise can be effectively removed by detecting only the frequency f2 by the second bandpass filter 27.
  • FIG. 7 is a schematic diagram of the pressure detection device.
  • the pressure detection device has a function of detecting the amount and position of a given load.
  • the pressure detection device 1 includes a piezoelectric sensor 10, a first detection unit 20, and a first resonance circuit RC1.
  • the piezoelectric sensor 10 includes a piezoelectric layer 11, a first electrode 12, and a second electrode 13.
  • the first electrode 12 is disposed on the first main surface of the piezoelectric layer 11 and is electrically connected to the first detection unit 20 via the first resonance circuit RC1.
  • the second electrode 13 is disposed on the second main surface opposite to the first main surface of the piezoelectric sheet 11 and is connected to the ground E. Note that the first electrode 12 and the second electrode 13 are each disposed over one surface of the piezoelectric layer 11. Below, although the structure of the pressure detection apparatus 1 is demonstrated in detail.
  • the piezoelectric sensor 10 is a device that generates electric charge according to a given load. As shown in FIG. 7, the piezoelectric sensor 10 includes a piezoelectric layer 11, a first electrode 12, and a second electrode 13.
  • Piezoelectric layer Examples of the material constituting the piezoelectric layer 11 include inorganic piezoelectric materials and organic piezoelectric materials.
  • inorganic piezoelectric materials include barium titanate, lead titanate, lead zirconate titanate, potassium niobate, lithium niobate, and lithium tantalate.
  • Examples of the organic piezoelectric material include a fluoride polymer or a copolymer thereof, and a polymer material having chirality.
  • Examples of the fluoride polymer or a copolymer thereof include polyvinylidene fluoride, vinylidene fluoride-tetrafluoroethylene copolymer, and vinylidene fluoride-trifluoroethylene copolymer.
  • Examples of the polymer material having chirality include L-type polylactic acid and RC-type polylactic acid.
  • the piezoelectric sheet is made of a transparent material or thin enough to allow light to pass therethrough.
  • the first electrode 12 and the second electrode 13 can be made of a conductive material.
  • the conductive material include transparent conductive oxides such as indium-tin oxide (ITO), tin-zinc oxide (Tin), polyethylene dioxythiophene
  • ITO indium-tin oxide
  • Tin tin-zinc oxide
  • PEDOT polyethylene dioxythiophene
  • the electrode can be formed by using vapor deposition or screen printing.
  • a conductive metal such as copper or silver may be used as the conductive material.
  • the electrode may be formed by vapor deposition, or may be formed using a metal paste such as a copper paste or a silver paste.
  • a conductive material a material in which conductive materials such as carbon nanotubes, metal particles, and metal nanofibers are dispersed in a binder may be used.
  • the first resonant circuit RC1 is an electric circuit that generates a phenomenon such as vibration or resonance in response to energy applied from the outside, and includes an RLC circuit and an LC circuit.
  • the first resonant circuit RC1 includes a varactor.
  • the first detection unit 20 is a device that detects a change in frequency in the first resonance circuit RC1. That is, the first detection unit 20 detects a change in the resonance frequency of the first resonance circuit RC1.
  • the first electrode 12 is connected to the first resonance circuit RC1, so that the charge generated in the piezoelectric layer 11 passes through the first electrode 12.
  • a bias voltage is applied to the varactor due to the flowed-in electric charge, and the frequency of the first resonance circuit RC1 changes.
  • the electric charge generated when the piezoelectric layer 11 is pressed is weak, if the change of the first resonance circuit RC1 is detected by the first detection unit 20, the electric charge can be easily detected. Yes.
  • FIG. 8 is a schematic view of the pressure detection device 1. 8 is the same as FIG. 3 shown in “2. Second Embodiment”.
  • the pressure detection device 1 includes a piezoelectric sensor 10, a first detection unit 20, a first resonance circuit RC1, and a first multiplexer M1.
  • the piezoelectric sensor 10 includes a piezoelectric layer 11, a first electrode 12, and a second electrode 13.
  • the first electrode 12 is disposed on the first main surface of the piezoelectric layer 11 and includes a plurality of first electrode portions 120.
  • the first electrode portions 120 are arranged in parallel to the Y-axis direction of the piezoelectric layer 11 and are connected to the first resonance circuit RC1.
  • the first electrode 12 and the first resonance circuit RC1 are connected to the first detection unit 20 via the first multiplexer M1.
  • the second electrode 13 is disposed on the second main surface opposite to the first main surface of the piezoelectric layer 11. Although not shown, the second electrode 13 is disposed on one surface of the second main surface and connected to the ground E.
  • the first multiplexer M1 is a device that outputs a plurality of inputs as one signal. Specifically, the first electrode unit 120 is selected from the plurality of first electrode units 120 and is connected to the selected first electrode unit 120 and the first detection unit 20.
  • the switching of the first electrode unit 120 may be realized by causing a CPU or the like to execute a program stored in a storage unit such as a microcomputer or a custom IC.
  • the first electrode unit 120 is connected to the first resonance circuit RC1 when the pressure detection device 1 is configured, the charge generated in the piezoelectric layer 11 passes through the first electrode unit 120. And flows into the first resonance circuit RC1. Then, a bias voltage is applied to the varactor by the flowed electric charge, and the frequency of the first resonance circuit RC1 changes. As a result, even if the electric charge generated when the piezoelectric layer 11 is pressed is weak, if the change of the first resonance circuit RC1 is detected by the first detection unit 20, the electric charge can be easily detected. Yes.
  • first electrode portions 120 are arranged in parallel to the Y-axis direction.
  • the first electrode unit 120 is connected to the first detection unit 20 via the first multiplexer M1.
  • the first multiplexer M1 can detect which of the plurality of first electrode sections 120 through which the charges detected by the first detection section 20 have passed.
  • the load position in the X-axis direction can be specified for the load applied to the piezoelectric sensor 10.
  • FIG. 9 is a schematic view of a pressure detection device.
  • the pressure detection device 1 includes a piezoelectric sensor 10, a first detection unit 20, a second detection unit 21, a first resonance circuit RC1, and a second resonance circuit RC2. And a first multiplexer M1 and a second multiplexer M2.
  • the piezoelectric sensor 10 includes a piezoelectric layer 11, a first electrode 12, and a second electrode 13.
  • the first electrode 12 is disposed on the first main surface of the piezoelectric layer 11 and has a plurality of first electrode portions 120.
  • the plurality of first electrode portions 120 are arranged in parallel to the Y-axis direction of the piezoelectric layer 11 and are connected to the first resonance circuit RC1.
  • the first electrode unit 120 and the first resonance circuit RC1 are connected to the first detection unit 20 via the first multiplexer M1.
  • the second electrode 13 is disposed on the second main surface opposite to the first main surface of the piezoelectric layer 11 and includes a plurality of second electrode portions 130.
  • the plurality of second electrode portions 130 are arranged in parallel to the X-axis direction of the piezoelectric layer 11 and are connected to the second resonance circuit RC2, respectively.
  • the second electrode unit 130 and the second resonance circuit RC2 are connected to the second detection unit 31 via the second multiplexer M2.
  • the first multiplexer M1 and the second multiplexer M2 are devices that output a plurality of inputs as one signal.
  • the first multiplexer M1 is a device that selects one first electrode unit 120 from the plurality of first electrode units 120 and connects the selected first electrode unit 120 and the first detection unit 20 to each other.
  • the second multiplexer M2 is a device that selects one second electrode unit 130 from among the plurality of second electrode units 130 and connects the selected second electrode unit 130 and the second detection unit 25 to each other.
  • the first detection unit 20 and the second detection unit 21 are devices that detect frequency changes in the first resonance circuit RC1 and the second resonance circuit RC2, respectively. That is, the first detection unit 20 and the second detection unit 21 detect a change in the resonance frequency of the first resonance circuit RC1 or the second resonance circuit RC2 when flowing into the first resonance circuit RC1 or the second resonance circuit RC2. Is.
  • the first resonant circuit RC1 and the second resonant circuit RC2 are electrical circuits that generate phenomena such as vibration and resonance in response to energy applied from the outside, and are composed of an RLC circuit and an LC circuit. Note that the first resonance circuit RC1 and the second resonance circuit RC2 preferably include varactors.
  • the first electrode unit 120 is connected to the first resonance circuit RC1
  • the second electrode unit 130 is connected to the second resonance circuit RC2. Therefore, the charges generated in the piezoelectric layer 11 flow into the first resonance circuit RC1 and the second resonance circuit RC2 via the first electrode unit 120 and the second electrode unit 130. Then, a bias voltage is applied to the varactor due to the flowed-in electric charge, and the frequencies of the first resonance circuit RC1 and the second resonance circuit RC2 change. As a result, even if the charge generated when the piezoelectric layer 11 is pressed is weak, the charge can be easily detected.
  • the first electrode 12 has a plurality of first electrode portions 120 arranged in parallel to the Y-axis direction, and the first electrode portion 120 is connected to the first multiplexer M1.
  • the first multiplexer M1 can detect which of the plurality of first electrode portions 120 through which the charges detected by the first detection portion 20 have passed.
  • the load position in the X-axis direction can be specified for the load applied to the piezoelectric sensor 10.
  • the second electrode 13 has a plurality of second electrode portions 130 arranged in parallel to the X-axis direction perpendicular to the Y-axis direction, and the second electrode portion 130 is connected to the second multiplexer M2. .
  • the second multiplexer M2 can detect which of the plurality of second electrode units 120 through which the charges detected by the second detection unit 21 have passed.
  • the load position in the Y-axis direction can be specified for the load applied to the piezoelectric sensor 10.
  • the load position applied to the piezoelectric sensor 10 can be detected by combining the detection results obtained by the first multiplexer M1 and the second multiplexer M2. The same applies to a case where a plurality of places are loaded. That is, according to the pressure detection device 1, multi-force is possible.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of the piezoelectric sensor according to the seventh embodiment.
  • a reference electrode 114 is provided between the first electrode 12 and the second electrode 13.
  • a first piezoelectric layer 110 is provided between the first electrode 12 and the reference electrode 114.
  • a second piezoelectric layer 111 is provided between the second electrode 13 and the reference electrode 114.
  • the material of the first piezoelectric sheet 110 and the second piezoelectric sheet 111 is the same as that of the piezoelectric layer 11.
  • the material of the reference electrode 114 is also the same as that of the first electrode 12 and the second electrode 13.
  • the position and amount of the applied load may be detected by laminating the touch panel 50 on the piezoelectric sensor 10.
  • the position of the applied load can be detected using the touch panel 50 even when the applied load is so small that it cannot be detected by the piezoelectric sensor 10 (in the case of feather touch).
  • Pressure detection device 10 Piezoelectric sensor 11: Piezoelectric layer 12: First electrode 13: Second electrode 20: First detection unit C1: First capacitor RC1: First resonance circuit

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Abstract

【課題】 圧電センサ内で位置検出と荷重検出ができる圧電センサを提供する。 【解決手段】 本発明の圧電センサ10は、入力手段によって押圧されると電荷を発生する圧電層11と、 前記圧電層の第1主面に配置される第1電極12と、 前記圧電層11の前記第1主面とは反対側の第2主面に配置される第2電極13と、 前記第1電極12に接続される第1キャパシタC1または第1共振回路RC1と、 前記第1電極12に接続される第1検出部20と、 を備えるように構成した。

Description

圧力検出装置および入力装置
 本発明は、荷重に応じた圧電信号を発生する圧電センサに関し、特に荷重が与えられた位置を検出できる圧電センサに関する。
 与えられた荷重を検出するため、圧電シートを用いた圧電センサが知られている。例えば、特許文献1には、透明感圧層と、一対の透明導電層からなる透明圧電センサが開示されている。
特開2004-125571号公報
 しかし、特許文献1の透明圧電センサでは、圧電シートから発生する電荷は非常に小さいため、圧電シートから発生した電荷を検出することは困難である。
 上記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。
 本発明の圧力検出装置は、
 入力手段によって押圧されると電荷を発生する圧電層と、
 前記圧電層の第1主面に配置される第1電極と、
 前記圧電層の前記第1主面とは反対側の第2主面に配置される第2電極と、
 前記第1電極に接続される第1キャパシタと、
 前記第1電極と前記第1キャパシタとを備えるように構成した。
 本発明の圧力検出装置は、
 入力手段によって押圧されると電荷を発生する圧電層と、
 前記圧電層の第1主面に配置される第1電極と、
 前記圧電層の前記第1主面とは反対側の第2主面に配置される第2電極と、
 前記第1電極に接続される第1キャパシタと、
 前記第1電極と前記第1キャパシタに接続される第1マルチプレクサと、
 前記第1マルチプレクサに接続される第1検出部と、を備え、
 前記第1電極は、前記第1キャパシタに接続される第1電極部を複数備え、
 前記第1マルチプレクサは、前記第1検出部に対して複数の前記第1電極部を切替えて接続するように構成した。
 本発明の圧力検出装置は、
 入力手段によって押圧されると電荷を発生する圧電層と、
 前記圧電層の第1主面に配置される第1電極と、
 前記第1電極に接続される第1キャパシタと、
 前記第1電極と前記第1キャパシタに接続される第1マルチプレクサと、
 前記第1マルチプレクサに接続される第1検出部と、
 前記圧電層の前記第1主面とは反対側の第2主面に配置される第2電極と、
 前記第2電極に接続される第2キャパシタと、
 前記第2電極と前記第2キャパシタに接続される第2マルチプレクサと、
 前記第2マルチプレクサに接続される第2検出部と、を備え、
 前記第1電極は、前記第1キャパシタに接続される第1電極部を複数有し、
 前記第1マルチプレクサは、前記第1検出部に対して複数の前記第1電極部を切替えて接続し、
 前記第2電極は、前記第2キャパシタに接続される第2電極部を複数有し、
 前記第2マルチプレクサは、前記第2検出部に対して複数の前記第2電極部を切替えて接続するように構成した。
 本発明の一態様によれば、
 前記第1電極部は、一の方向に平行な方向に配置され、
 前記第2電極部は、一の方向に対して垂直な方向に配置されるように構成してもよい。
 本発明の一態様によれば、
 前記第1検出部は、
 前記第1マルチプレクサと接続されるアンプ部と、
 前記第1アンプ部と接続される第1電圧検出器とを備えるように構成してもよい。
 本発明の一態様によれば、
 前記第1検出部は
 前記第1アンプ部と前記第1電圧検出器との間に接続され、下記式(1)で示される周波数f1を有する第1バンドパスフィルタを備えるように構成してもよい。
 式(1):f1=1/(T1×2)
 T1=第1検出部を一の第1電極部に接続してから他の第1電極部に接続するまでに要する時間
 本発明の一態様によれば、
 前記第2検出部は、
 前記第2マルチプレクサと接続される第2アンプ部と、
 前記第2アンプ部と接続される第2電圧検出器とを備えるように構成してもよい。
 本発明の一態様によれば、
 前記第2検出部は、
 前記第2アンプ部と前記第2電圧検出器との間に接続され、下記式(2)で示される周波数f1を有する備える第2バンドパスフィルタを備えるように構成してもよい。
 式(2):f2=1/(T2×2)
 T2=第2検出部を一の第2電極部に接続してから他の第2電極部に接続するまでに要する時間
 本発明の圧力検出装置は、
 入力手段によって押圧されると電荷を発生する圧電層と、
 前記圧電層の第1主面に配置される第1電極と、
 前記圧電層の前記第1主面とは反対側の第2主面に配置される第2電極と、
 前記第1電極に接続される第1共振回路と、
 前記第1電極と前記第1共振回路に接続される第1検出部とを備えるように構成した。
 本発明の圧力検出装置は、
 入力手段によって押圧されると電荷を発生する圧電層と、
 前記圧電層の第1主面に配置される第1電極と、
 前記圧電層の前記第1主面とは反対側の第2主面に配置される第2電極と、
 前記第1電極に接続される第1共振回路と、
 前記第1電極と前記第1共振回路に接続される第1マルチプレクサと、
 前記第1マルチプレクサに接続される第1検出部と、を備え、
 前記第1電極は、前記第1共振回路に接続される第1電極部を複数備え、
 前記第1マルチプレクサは、前記第1検出部に対して複数の前記第1電極部を切替えて接続するように構成した。
 本発明の圧力検出装置は、
 入力手段によって押圧されると電荷を発生する圧電層と、
 前記圧電層の第1主面に配置される第1電極と、
 前記第1電極に接続される第1共振回路と、
 前記第1電極と前記第1共振回路に接続される第1マルチプレクサと、
 前記第1マルチプレクサに接続される第1検出部と、
 前記圧電層の前記第1主面とは反対側の第2主面に配置される第2電極と、
 前記第2電極に接続される第2共振回路と、
 前記第2電極と前記第2共振回路に接続される第2マルチプレクサと、
 前記第2マルチプレクサに接続される第2検出部と、を備え、
 前記第1電極は、前記第1共振回路に接続される第1電極部を複数有し、
 前記第1マルチプレクサは、前記第1検出部に対して複数の前記第1電極部を切替えて接続し、
 前記第2電極は、前記第2共振回路に接続される第2電極部を複数有し、
 前記第2マルチプレクサは、前記第2検出部に対して複数の前記第2電極部を切替えて接続するように構成した。
 本発明の前記共振回路を備える一態様によれば、
 前記第1電極部は、一の方向に平行な方向に配置され、
 前記第2電極部は、一の方向に対して垂直な方向に配置されるように構成してもよい。
 本発明の前記共振回路を備える一態様によれば、
 前記共振回路は、バラクタを備えていてもよい。
 本発明の一態様によれば、上記圧力検出装置とタッチパネルを備えていてもよい。
 本発明に係る圧電センサでは、圧電シートから発生する電荷が非常に小さくても、圧電シートから発生した電荷を検出することができる。
圧力検出装置の概念図である。 圧力検出装置の概念図である。 図2(図8)のA-A’断面図である。 圧力検出装置の概念図である。 圧力検出装置の概念図である。 圧力検出装置の概念図である。 圧力検出装置の概念図である。 圧力検出装置の概念図である。 圧力検出装置の概念図である。 圧電センサの変形例における断面図である。
 下記で、本発明に係る実施形態を図面に基づいてさらに詳細に説明する。なお、本発明の実施例に記載した部位や部分の寸法、材質、形状、その相対位置などは、とくに特定的な記載がない限り、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではなく、単なる説明例にすぎない。
1. 第1実施形態
(1)圧力検出装置の全体構造
 図1を用いて、本発明の第1実施形態に係る圧力検出装置の全体構造を説明する。図1は圧力検出装置の概略図である。
 圧力検出装置は、与えられた荷重の量と位置を検出する機能を有している。
 図1に示すように、第1実施形態に係る圧力検出装置1は、圧電センサ10と、第1検出部20と、第1キャパシタC1を有している。圧電センサ10は、圧電層11と、第1電極12と、第2電極13を有している。第1電極12は、圧電層11の第1主面に配置され、第1キャパシタC1と電気的に接続されている。第2電極13は、圧電シート11の第1主面とは反対側の第2主面に配置され、アースEと接続されている。なお、第1電極12と第2電極13は、それぞれ圧電層11の一面にわたって配置されている。
 以下で、圧力検出装置1の各構成について詳細に説明する。
(2)圧電センサ
 圧電センサ10は、与えられた荷重に応じて電荷を発生させる装置である。図1に示すように、圧電センサ10は、圧電層11と、第1電極12と、第2電極13を有している。
(3)圧電層
 圧電層11を構成する材料としては、無機圧電材料や有機圧電材料が挙げられる。
 無機圧電材料としては、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ジルコン酸鉛、ニオブ酸カリウム、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムなどが挙げられる。
 有機圧電材料としては、フッ化物重合体又はその共重合体、キラリティーを有する高分子材料などが挙げられる。フッ化物重合体又はその共重合体としては、ポリフッ化ビニリデン、フッ化ビニリデン-テトラフルオロエチレン共重合体、フッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン共重合体などが挙げられる。キラリティーを有する高分子材料としては、L型ポリ乳酸や、R型ポリ乳酸などが挙げられる。
 また、圧力検出装置1を、液晶ディスプレイなどの表示装置の上に配置する場合には、圧電シートを透明な材料により構成するか、又は、光が十分に透過できる程度に薄く構成することが好ましい。
(4)電極
 このような第1電極12、第2電極13は、導電性を有する材料により構成できる。導電性を有する材料としては、インジウム-スズ酸化物(Indium-Tin-Oxide、ITO)、スズ-亜鉛酸化物(Tin-Zinc-Oxide、TZO)などのような透明導電酸化物、ポリエチレンジオキシチオフェン(PolyeThylenedioxyThiophene、PEDOT)などの導電性高分子、などを用いることができる。この場合、上記の電極は、蒸着やスクリーン印刷などを用いて形成できる。
 また、導電性を有する材料として、銅、銀などの導電性の金属を用いてもよい。この場合、上記の電極は、蒸着により形成してもよく、銅ペースト、銀ペーストなどの金属ペーストを用いて形成してもよい。
 さらに、導電性を有する材料として、バインダー中に、カーボンナノチューブ、金属粒子、 金属ナノファイバーなどの導電材料が分散したものを用いてもよい。
(5)第1キャパシタ
 第1キャパシタC1は、キャパシタがアースされた構造からなる。第1キャパシタC1は、静電容量により電荷を蓄えたり、放出したりする素子である。そのような部材としては、セラミックキャパシタ、タンタルキャパシタ、フィルムキャパシタを挙げることができる。
 なお、第1キャパシタC1に充電された電荷は、圧電センサ10に荷重がかかっていないときに、第1キャパシタC1から取り除くことが好ましい。第1キャパシタC1から電荷を取り除くには放電スイッチを圧電センサ10と第1検出部20の間に配置しておけばよい。
(6)検出部
 第1検出部20は、圧電センサ10で発生した電荷を検出する装置である。第1検出部20は、第1アンプ部21と、第1電位検出部22を有している。第1アンプ部21は、電荷の充電により発生した第1キャパシタC1の電圧を増幅させる機器であり、第1電極12と第1キャパシタC1に接続されている。第1電位検出部22は、第1アンプ部21で増幅された電荷の電位を測定する機器であり、第1アンプ部21と接続されている。
(7)効果
 本発明の構成によれば、圧力検出装置1において、第1電極12は、第1キャパシタC1と接続されている。そのため、圧電層11で発生した電荷は、第1電極12を経由して第1キャパシタC1に充電される。そうすると、圧電層11が押圧されたとき発生する電荷が微弱であっても、第1キャパシタC1の電圧を第1検出部20で測定することによって、上記で発生した電荷を第1検出部20で検出できるものとなっている。
 さらに、第1検出部20は、第1アンプ部21と第1電位検出部22を備えている。そのため、第1キャパシタC1の電圧が小さい場合でも、第1アンプ部21で上記電圧を増幅したのち、第1電位検出部22で検出できるようになっている。
2.第2実施形態
 次に、本発明の第2実施形態について説明する。基本的な構造は、第1実施形態と同じであるので、相違点について説明する。
(1)圧力検出装置の全体構造
 図2を用いて、本発明の第2実施形態に係る圧力検出装置の全体構造を説明する。図2は圧力検出装置の概略図である。図3は、図2のA‐A’断面図である。図4は、第2実施形態の変形例である。
 図2に示すように、第2実施形態に係る圧力検出装置1は、圧電センサ10と、第1検出部20と、第1キャパシタC1と、第1マルチプレクサM1を有している。
 図3に示すように、圧電センサ10は、圧電層11と、第1電極12と、第2電極13を備えている。第1電極12は圧電層11の第1主面に配置され、第1電極部120を複数備えている。上記第1電極部120は、圧電層11のY軸方向に平行に配列され、それぞれ第1キャパシタC1と接続されている。
 なお、第1電極部120と第1キャパシタC1は、第1マルチプレクサM1を介して第1検出部20と接続されている。
 第2電極13は、圧電層11の第1主面とは反対側の第2主面に配置されている。第2電極13は、第2主面の一面に配置され、アースEと接続されている。
(2)マルチプレクサ
 第1マルチプレクサM1は、複数の第1電極部120の中から1つの第1電極部120を選択し、選択された第1電極部120と第1検出部20と接続する装置である。
 また、上記第1電極部120の切替は、マイコンやカスタムICなどの記憶部に記憶されたプログラムを、CPUなどに実行させることにより実現してもよい。
(3)検出部
 第1検出部20は、第1アンプ部21と、第1電位検出部22を有している。第1アンプ部21と、第1電位検出部22の構成は、前記と同じであるので省略する。
(4)効果
 本発明の構成によれば、圧力検出装置1において、第1電極12は、第1キャパシタC1に接続されている。そのため、圧電層11で発生した電荷は、第1電極12を経由して第1キャパシタC1に充電される。そうすると、圧電層11が押圧されたとき発生する電荷が微弱であっても、第1キャパシタC1の電圧を第1検出部20で測定することで、圧電層11で発生した電荷を第1検出部20で検出できるものとなっている。
 さらに、第1検出部20は、第1アンプ部21と第1電位検出部22を備えている。そのため、第1キャパシタC1の電圧が小さい場合でも、第1アンプ部21で上記電圧を増幅したのち、第1電位検出部22で検出できるものとなっている。
 さらに、第1電極12は、Y軸方向に平行に配置された第1電極部120を複数有している。また、上記第1電極部120は、第1マルチプレクサM1を介して第1検出部20と接続されている。
 そのため、第1検出部20で検出された電荷が、複数存在する第1電極部120のうち、いずれの第1電極部120を経由したかを第1マルチプレクサM1で検出することができる。その結果、圧電センサ10にかけられた荷重について、Y軸方向の荷重位置を特定することができるものとなっている。
(5)変形例
 図4に示すように、圧力検出装置1は、第1検出部20において第1バンドパスフィルタ23を有していてもよい。第1バンドパスフィルタ23は、第1アンプ部21と第1電位検出部22との間に配置される。第1バンドパスフィルタ23は、必要な範囲の周波数のみを通すRLC回路で構成されていてもよい。
 なお、第1バンドパスフィルタ23の周波数f1は、1/(T1×2)となるように設定されている。上記T1は、第1マルチプレクサM1において、第1検出部20を一の第1電極部120に接続してから他の第1電極部120に接続するまでの時間である。
 上記のように、第1検出部20が構成されていると、第1マルチプレクサM1を操作して、第1検出部20と接続される第1電極部120を次々と切替えていくと、第1電位検出部22で検出される電圧は、次々と変化していく。この電圧変化のうち、周波数f1(f1=1/(T1×2))の成分は、各第1キャパシタC1の電圧情報を多く含み、それ以外の成分は、ノイズ信号を多く含む。ノイズ信号とは、圧電センサ10の周囲に存在する電磁波から受けるノイズなどである。従って、第1バンドパスフィルタ23によって、周波数f1のみを検出することで、ノイズを効果的に除去することができる。
3.第3実施形態
 次に、本発明の第3実施形態について説明する。基本的な構造は、第1~第2実施形態と同じであるので、相違点について説明する。
(1)圧力検出装置の全体構造
 図5を用いて、本発明の第3実施形態に係る圧力検出装置の全体構造を説明する。図5は圧力検出装置の概略図である。図6は、第3実施形態の変形例である。
 図5に示すように、第3実施形態に係る圧力検出装置1は、圧電センサ10と、第1検出部20と、第1キャパシタC1と、第2キャパシタC2と、第1マルチプレクサM1と、第2マルチプレクサM2を有している。
 圧電センサ10は、圧電層11と、第1電極12と、第2電極13を備えている。第1電極12は圧電層11の第1主面に配置され、第1電極部120を複数備えている。上記第1電極部120は、圧電層11のY軸方向に平行に配列され、第1キャパシタC1とそれぞれ接続されている。なお、第1電極部120と第1キャパシタC1は、第1マルチプレクサM1を介して第1検出部20と接続されている。
 第2電極13は、圧電層11の第1主面とは反対側の第2主面に配置されている。第2電極13は、第2電極部130を複数備えている。上記第2電極部130は、圧電層11のX軸方向に平行に配列され、第2キャパシタC2とそれぞれ接続されている。なお、第2電極部130と第2キャパシタC2は、第2マルチプレクサM2を介して第2検出部25と接続されている。
(2)マルチプレクサ
 第1マルチプレクサM1は、複数の第1電極部120の中から1つの第1電極部120を選択し、選択された第1電極部120と第1検出部20と接続する装置である。第2マルチプレクサM2は、複数の第2電極部130の中から1つの第2電極部130を選択し、選択された第2電極部130と第2検出部25と接続する装置である。
 また、上記切替機能は、上記マイコンやカスタムICなどの記憶部に記憶されたプログラムを、CPUなどに実行させることにより実現してもよい。
(3)検出部
 第1検出部20は、第1アンプ部21と、第1電位検出部22を有している。第2検出部25は、第2アンプ部26と、第2電位検出部28を有している。これら部材は、上記と同じであるので省略する。
(4)効果
 本発明の構成によれば、圧力検出装置1において、第1電極部120は、第1キャパシタC1と接続され、第2電極部130は第2キャパシタC2と接続されている。そのため、圧電層11で発生した電荷は、第1電極部120や第2電極部130を経由して、第1キャパシタC1、第2キャパシタC2で充電される。
 そうすると、圧電層11が押圧されたとき発生する電荷が微弱であっても、第1キャパシタC1や第2キャパシタC2の電圧を第1検出部20や第2検出部25で測定することができる。これによって、圧電層11で発生した電荷を第1検出部20や第2検出部25で検出できるものとなっている。
 さらに、第1検出部20は、第1アンプ部21と第1電位検出部22を備えている。第2検出部25は、第2アンプ部26と第2電位検出部28を備えている。そのため、第1キャパシタC1の電圧や第2キャパシタC2の電圧が小さい場合でも、第1アンプ部21や第2アンプ部26で上記電圧を増幅できる。その結果、圧電層11で発生した電荷を第1電位検出部22や第2電位検出部28で検出できるものとなっている。
  さらに、第1電極12が、Y軸方向に平行に配置された第1電極部120を複数有し、第1電極部120は、第1マルチプレクサM1と接続されている。
 そのため、第1検出部20で検出された電荷が、複数存在する第1電極部120のうち、いずれの第1電極部120を経由したかを第1マルチプレクサM1で検出できる。その結果、圧電センサ10にかけられた荷重について、Y軸方向の荷重位置を特定することができる。
 さらに、第2電極13は、Y軸方向とは垂直なX軸方向に平行に配置された第2電極部130を複数有し、第2電極部130は、第2マルチプレクサM2と接続されている。
 そのため、第2検出部25で検出された電荷が、複数存在する第2電極部120のうち、いずれの第2電極部120を経由したかを第2マルチプレクサM2で検出できる。その結果、圧電センサ10にかけられた荷重について、X軸方向の荷重位置を特定することができる。
 従って、上記第1マルチプレクサM1、第2マルチプレクサM2で得られた検出結果を組合わせることにより、圧電センサ10にかけられた荷重位置を検出できるようになっている。なお、荷重のかかった箇所が複数に及んだ場合も同様である。すなわち、上記圧力検出装置1によれば、マルチフォースが可能となっている。
(5)変形例
 図6に示すように、圧力検出装置1は、第1検出部20において第1バンドパスフィルタ23を有していてもよい。第1バンドパスフィルタ23は、第1アンプ部21と第1電位検出部22との間に配置される。
 また、第2検出部25において第2バンドパスフィルタ27を有していてもよい。第2バンドパスフィルタ27は、第2アンプ部26と第2電位検出部28との間に配置される。第1バンドパスフィルタ23と第2バンドパスフィルタ27は、必要な範囲の周波数のみを通すRLC回路で構成されていてもよい。
 なお、第1バンドパスフィルタ23の周波数f1は、1/(T1×2)となるように設定されている。上記T1は、第1マルチプレクサM1において、第1検出部20を一の第1電極部120に接続してから他の第1電極部120に接続するまでの時間である。
 また、第2バンドパスフィルタ27の周波数f2は、1/(T2×2)となるように設定されている。上記T2は、第2マルチプレクサM2において、第2検出部25を一の第2電極部130に接続してから他の第2電極部130に接続するまでの時間である。
 上記のように、第1検出部20が構成されていると、第1マルチプレクサM1を操作して第1検出部20と接続される第1電極部120を次々と切替えていくと、第1電位検出部22で検出される電圧は、次々と変化していく。この電圧変化のうち、周波数f1(f1=1/(T1×2))の成分は、各第1キャパシタC1の電圧情報を多く含み、それ以外の成分は、ノイズ信号を多く含む。ノイズ信号とは、圧電センサ10の周囲に存在する電磁波から受けるノイズなどである。従って、第1バンドパスフィルタ23によって、周波数f1のみを検出することで、ノイズを効果的に除去することができる。
 上記のように、第2検出部25が構成されていると、第2マルチプレクサM2を操作して、第2検出部25と接続される第2電極部130を次々と切替えていくと、第2電位検出部28で検出される電圧は、次々と変化していく。この電圧変化のうち、周波数f2(f2=1/(T2×2))の成分は、各第2キャパシタC2の電圧情報を多く含み、それ以外の成分は、ノイズ信号を多く含む。ノイズ信号とは、圧電センサ10の周囲に存在する電磁波から受けるノイズなどである。従って、第2バンドパスフィルタ27によって、周波数f2のみを検出することで、ノイズを効果的に除去することができる。
4. 第4実施形態
 上記第1~第3実施形態では、キャパシタを有している構成について説明してきたが、キャパシタに代えて共振回路が設けられていてもよい。
(1)圧力検出装置の全体構造
 図7を用いて、本発明の第4実施形態に係る圧力検出装置の全体構造を説明する。図7は圧力検出装置の概略図である。
 圧力検出装置は、与えられた荷重の量と位置を検出する機能を有している。
 図7に示すように、第4実施形態に係る圧力検出装置1は、圧電センサ10と、第1検出部20と、第1共振回路RC1を有している。圧電センサ10は、圧電層11と、第1電極12と、第2電極13からなる。第1電極12は、圧電層11の第1主面に配置され、第1共振回路RC1を介して第1検出部20と電気的に接続されている。第2電極13は、圧電シート11の第1主面とは反対側の第2主面に配置され、アースEと接続されている。なお、第1電極12と第2電極13は、それぞれ圧電層11の一面にわたって配置されている。以下で、圧力検出装置1の構成を詳細に説明するが。
(2)圧電センサ
 圧電センサ10は、与えられた荷重に応じて電荷を発生させる装置である。図7に示すように、圧電センサ10は、圧電層11と、第1電極12と、第2電極13からなる。
(3)圧電層
 圧電層11を構成する材料としては、無機圧電材料や有機圧電材料が挙げられる。
 無機圧電材料としては、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ジルコン酸鉛、ニオブ酸カリウム、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムなどが挙げられる。
 有機圧電材料としては、フッ化物重合体又はその共重合体、キラリティーを有する高分子材料などが挙げられる。フッ化物重合体又はその共重合体としては、ポリフッ化ビニリデン、フッ化ビニリデン-テトラフルオロエチレン共重合体、フッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン共重合体などが挙げられる。キラリティーを有する高分子材料としては、L型ポリ乳酸や、RC型ポリ乳酸などが挙げられる。
 また、圧力検出装置1を、タッチパネルを備えた表示装置に適用する場合には、圧電シートを透明な材料により構成するか、又は、光が十分に透過できる程度に薄く構成することが好ましい。
(4)電極
 このような第1電極12、第2電極13は、導電性を有する材料により構成できる。導電性を有する材料としては、インジウム-スズ酸化物(Indium-Tin-Oxide、ITO)、スズ-亜鉛酸化物(Tin-Zinc-Oxide、TZO)などのような透明導電酸化物、ポリエチレンジオキシチオフェン(PolyeThylenedioxyThiophene、PEDOT)などの導電性高分子、などを用いることができる。この場合、上記の電極は、蒸着やスクリーン印刷などを用いて形成できる。
 また、導電性を有する材料として、銅、銀などの導電性の金属を用いてもよい。この場合、上記の電極は、蒸着により形成してもよく、銅ペースト、銀ペーストなどの金属ペーストを用いて形成してもよい。
 さらに、導電性を有する材料として、バインダー中に、カーボンナノチューブ、金属粒子、 金属ナノファイバーなどの導電材料が分散したものを用いてもよい。
(5)共振回路
 第1共振回路RC1は、外部から加わったエネルギーに反応して振動や共鳴などの現象を生じる電気回路であり、RLC回路、LC回路からなる。なお、第1共振回路RC1は、バラクタを備えている。
(6)検出部
 第1検出部20は、第1共振回路RC1における周波数の変化を検出する機器である。すなわち、第1検出部20は、第1共振回路RC1の共振周波数の変化を検出するものである。
 上記のように、圧力検出装置1が構成されていると、第1電極12は、第1共振回路RC1に接続されているため、圧電層11で発生した電荷は、第1電極12を経由して第1共振回路RC1に流れ込む。すると、流れ込んだ電荷によって、バラクタにバイアス電圧が加わり第1共振回路RC1の周波数は変化する。その結果、圧電層11が押圧されたとき発生する電荷が微弱であっても、第1共振回路RC1の変化を第1検出部20で検出すれば、上記電荷を容易に検出できるものとなっている。
5. 第5実施形態
 次に、本発明の第5実施形態について説明する。基本的な構造は、第4実施形態と同じであるので、相違点について説明する。
(1)圧力検出装置の全体構造
 図8を用いて、本発明の第5実施形態に係る圧力検出装置の全体構造を説明する。図8は圧力検出装置1の概略図である。図8のA‐A’断面図は「2.第2実施形態」で示した図3と同じである。
 図8に示すように、圧力検出装置1は、圧電センサ10と、第1検出部20と、第1共振回路RC1と、第1マルチプレクサM1を有している。
 図3に示すように、圧電センサ10は、圧電層11と、第1電極12と、第2電極13を備えている。第1電極12は圧電層11の第1主面に配置され、第1電極部120を複数備えている。上記第1電極部120は、圧電層11のY軸方向に平行に配列され、それぞれ第1共振回路RC1と接続されている。なお、第1電極12と第1共振回路RC1は、第1マルチプレクサM1を介して第1検出部20と接続されている。
 第2電極13は、圧電層11の第1主面とは反対側の第2主面に配置されている。図示しないが、第2電極13は、第2主面の一面に配置され、アースEと接続されている。
(2)マルチプレクサ
 第1マルチプレクサM1は、複数の入力をひとつの信号として出力する装置である。具体的には、複数の第1電極部120の中から1つの第1電極部120を選択し、選択された第1電極部120と第1検出部20と接続する装置である。
 また、第1電極部120の切替は、マイコンやカスタムICなどの記憶部に記憶されたプログラムを、CPUなどに実行させることにより実現してもよい。
 上記のように、圧力検出装置1が構成されると、第1電極部120は、第1共振回路RC1に接続されているため、圧電層11で発生した電荷は、第1電極部120を経由して第1共振回路RC1に流れ込む。すると、流れ込んだ電荷によってバラクタにバイアス電圧が加わり、第1共振回路RC1の周波数は変化する。その結果、圧電層11が押圧されたとき発生する電荷が微弱であっても、第1共振回路RC1の変化を第1検出部20で検出すれば、上記電荷を容易に検出できるものとなっている。
 さらに、第1電極部120は、Y軸方向に平行に複数配置されている。また、上記第1電極部120は、第1マルチプレクサM1を介して第1検出部20と接続されている。
 そのため、第1検出部20で検出された電荷が、複数存在する第1電極部120のうち、いずれの第1電極部120を経由したかを第1マルチプレクサM1で検出することができる。その結果、圧電センサ10にかけられた荷重について、X軸方向の荷重位置を特定することができるものとなっている。
6. 第6実施形態
 次に、本発明の第6実施形態について説明する。基本的な構造は、第4~第5実施形態と同じであるので、相違点について説明する。
(1)圧力検出装置の全体構造
 図9を用いて、本発明の第6実施形態に係る圧力検出装置の全体構造を説明する。図9は圧力検出装置の概略図である。
 図9に示すように、第6実施形態に係る圧力検出装置1は、圧電センサ10と、第1検出部20と、第2検出部21と、第1共振回路RC1と、第2共振回路RC2と、第1マルチプレクサM1と、第2マルチプレクサM2を有している。
 圧電センサ10は、圧電層11と、第1電極12と、第2電極13を有している。第1電極12は、圧電層11の第1主面に配置され、第1電極部120を複数有している。複数の第1電極部120は、圧電層11のY軸方向に平行に配列され、第1共振回路RC1にそれぞれ接続されている。なお、第1電極部120と第1共振回路RC1は、第1マルチプレクサM1を介して第1検出部20と接続されている。
 第2電極13は、圧電層11の第1主面とは反対側の第2主面に配置され、第2電極部130を複数備えている。複数の第2電極部130は、圧電層11のX軸方向に平行に配列され、第2共振回路RC2にそれぞれ接続されている。なお、第2電極部130と第2共振回路RC2は、第2マルチプレクサM2を介して第2検出部31と接続されている。
(2)マルチプレクサ
 第1マルチプレクサM1、第2マルチプレクサM2は、複数の入力をひとつの信号として出力する装置である。第1マルチプレクサM1は、複数の第1電極部120の中から1つの第1電極部120を選択し、選択された第1電極部120と第1検出部20と接続する装置である。第2マルチプレクサM2は、複数の第2電極部130の中から1つの第2電極部130を選択し、選択された第2電極部130と第2検出部25と接続する装置である。
(3)検出部
 第1検出部20と第2検出部21は、第1共振回路RC1と第2共振回路RC2における周波数の変化をそれぞれ検出する機器である。すなわち、第1検出部20と第2検出部21は、第1共振回路RC1や第2共振回路RC2に流れ込んだとき、第1共振回路RC1や第2共振回路RC2の共振周波数の変化を検出するものである。
(4)共振回路
 第1共振回路RC1と第2共振回路RC2は、外部から加わったエネルギーに反応して振動や共鳴などの現象を生じる電気回路であり、RLC回路、LC回路からなる。なお、第1共振回路RC1と第2共振回路RC2は、バラクタを備えていることが好ましい。
 上記のように、圧力検出装置1が構成されていると、第1電極部120は第1共振回路RC1と接続され、第2電極部130は第2共振回路RC2と接続される。そのため、圧電層11で発生した電荷は、第1電極部120や第2電極部130を経由して、第1共振回路RC1、第2共振回路RC2に流れ込む。すると、流れ込んだ電荷によって、バラクタにバイアス電圧が加わり第1共振回路RC1や第2共振回路RC2の周波数は変化する。
 その結果、圧電層11が押圧されたとき発生する電荷が微弱であっても、上記電荷を容易に検出できるものとなっている。
 さらに、第1電極12は、Y軸方向に平行に配置された第1電極部120を複数有し、第1電極部120は、第1マルチプレクサM1と接続されている。
 そのため、第1検出部20で検出された電荷が、複数存在する第1電極部120のうち、いずれの第1電極部120を経由したかを第1マルチプレクサM1で検出できる。その結果、圧電センサ10にかけられた荷重について、X軸方向の荷重位置を特定することができる。
 また、第2電極13は、Y軸方向とは垂直なX軸方向に平行に配置された第2電極部130を複数有し、第2電極部130は、第2マルチプレクサM2と接続されている。
 そのため、第2検出部21で検出された電荷が、複数存在する第2電極部120のうち、いずれの第2電極部120を経由したかを第2マルチプレクサM2で検出できる。その結果、圧電センサ10にかけられた荷重について、Y軸方向の荷重位置を特定することができる。
 従って、上記第1マルチプレクサM1、第2マルチプレクサM2で得られた検出結果を組合せることにより、圧電センサ10にかけられた荷重位置を検出できるようになっている。なお、荷重のかかった箇所が複数に及んだ場合も同様である。すなわち、上記圧力検出装置1によれば、マルチフォースが可能となっている。
7. 第7実施形態
 上記第1~第6実施形態では、第1電極12と第2電極13に圧電層11が挟まれた構成について説明してきたが、第1電極12と第2電極13の間に基準電極114が設けられていてもよい。
 図10は、第7実施形態に係る圧電センサの断面図である。
 図10に示すように、第7実施形態に係る圧電センサ10は、第1電極12と第2電極13の間に基準電極114が設けられている。第1電極12と基準電極114の間には第1圧電層110が設けられている。第2電極13と基準電極114の間には第2圧電層111が設けられている。第1圧電シート110と第2圧電シート111の材質は、圧電層11と同じである。基準電極114の材質も、第1電極12や第2電極13と同じである。
 このように、第1電極12と第2電極13との間に基準電極40が設けられると、第1圧電シート110や第2圧電シート111で発生した電荷を第1電極12と第2電極13とで独立して検出できる。その結果、検出回路の設計が簡易になる。
8.その他の実施形態
 上記では、与えられた荷重の位置と量を圧電センサ10で検出する例を示した。しかし、圧電センサ10の上にタッチパネル50を積層することで、与えられた荷重の位置と量を検出してもよい。
 圧電センサ10の上にタッチパネル50を積層することにより、与えられた荷重が圧電センサ10で検出できないほど小さい場合(フェザータッチの場合)でも、タッチパネル50を用いて与えられた荷重の位置を検出できる。
 1: 圧力検出装置
 10: 圧電センサ
 11: 圧電層
 12: 第1電極
 13: 第2電極
 20: 第1検出部
 C1: 第1キャパシタ
 RC1: 第1共振回路

Claims (14)

  1.  入力手段によって押圧されると電荷を発生する圧電層と、
     前記圧電層の第1主面に配置される第1電極と、
     前記圧電層の前記第1主面とは反対側の第2主面に配置される第2電極と、
     前記第1電極に接続される第1キャパシタと、
     前記第1電極と前記第1キャパシタに接続される第1検出部と、
     を備える圧力検出装置。
  2.  入力手段によって押圧されると電荷を発生する圧電層と、
     前記圧電層の第1主面に配置される第1電極と、
     前記圧電層の前記第1主面とは反対側の第2主面に配置される第2電極と、
     前記第1電極に接続される第1キャパシタと、
     前記第1電極と前記第1キャパシタに接続される第1マルチプレクサと、
     前記第1マルチプレクサに接続される第1検出部と、を備え、
     前記第1電極は、前記第1キャパシタに接続される第1電極部を複数備え、
     前記第1マルチプレクサは、前記第1検出部に対して複数の前記第1電極部を切替えて接続する圧力検出装置。
  3.  入力手段によって押圧されると電荷を発生する圧電層と、
     前記圧電層の第1主面に配置される第1電極と、
     前記第1電極に接続される第1キャパシタと、
     前記第1電極と前記第1キャパシタに接続される第1マルチプレクサと、
     前記第1マルチプレクサに接続される第1検出部と、
     前記圧電層の前記第1主面とは反対側の第2主面に配置される第2電極と、
     前記第2電極に接続される第2キャパシタと、
     前記第2電極と前記第2キャパシタに接続される第2マルチプレクサと、
     前記第2マルチプレクサに接続される第2検出部と、を備え、
     前記第1電極は、前記第1キャパシタに接続される第1電極部を複数有し、
     前記第1マルチプレクサは、前記第1検出部に対して複数の前記第1電極部を切替えて接続し、
     前記第2電極は、前記第2キャパシタに接続される第2電極部を複数有し、
     前記第2マルチプレクサは、前記第2検出部に対して複数の前記第2電極部を切替えて接続する圧力検出装置。
  4.  前記第1電極部は、一の方向に平行な方向に配置され、
     前記第2電極部は、一の方向と交差する方向に配置される請求項3の圧力検出装置。
  5.  前記第1検出部は、
     前記第1マルチプレクサと接続されるアンプ部と、
     前記第1アンプ部と接続される第1電圧検出器とを備える請求項1~4の圧力検出装置。
  6.  前記第1検出部は、
     前記第1アンプ部と前記第1電圧検出器との間に接続され、下記式(1)で示される周波数f1を有する第1バンドパスフィルタを備える請求項5の圧力検出装置。
     式(1):f1=1/(T1×2)
     T1=第1検出部を一の第1電極部に接続してから他の第1電極部に接続するまでに要する時間
  7.  前記第2検出部は、
     前記第2マルチプレクサと接続される第2アンプ部と、
     前記第2アンプ部と接続される第2電圧検出器とを備える請求項3~4の圧力検出装置。
  8.  前記第2検出部は、
     前記第2アンプ部と前記第2電圧検出器との間に接続され、下記式(2)で示される周波数f2を有する備える第2バンドパスフィルタを備える請求項7の圧力検出装置。
     式(2):f2=1/(T2×2)
     T2=第2検出部を一の第2電極部に接続してから他の第2電極部に接続するまでに要する時間
  9.  入力手段によって押圧されると電荷を発生する圧電層と、
     前記圧電層の第1主面に配置される第1電極と、
     前記圧電層の前記第1主面とは反対側の第2主面に配置される第2電極と、
     前記第1電極に接続される第1共振回路と、
     前記第1電極と前記第1共振回路に接続される第1検出部と、
     を備える圧力検出装置。
  10.  入力手段によって押圧されると電荷を発生する圧電層と、
     前記圧電層の第1主面に配置される第1電極と、
     前記圧電層の前記第1主面とは反対側の第2主面に配置される第2電極と、
     前記第1電極に接続される第1共振回路と、
     前記第1電極と前記第1共振回路に接続される第1マルチプレクサと、
     前記第1マルチプレクサに接続される第1検出部と、を備え、
     前記第1電極は、前記第1共振回路に接続される第1電極部を複数備え、
      前記第1マルチプレクサは、前記第1検出部に対して複数の前記第1電極部を切替えて接続する圧力検出装置。
  11.  入力手段によって押圧されると電荷を発生する圧電層と、
     前記圧電層の第1主面に配置される第1電極と、
     前記第1電極に接続される第1共振回路と、
     前記第1電極と前記第1共振回路に接続される第1マルチプレクサと、
     前記第1マルチプレクサに接続される第1検出部と、
     前記圧電層の前記第1主面とは反対側の第2主面に配置される第2電極と、
     前記第2電極に接続される第2共振回路と、
     前記第2電極と前記第2共振回路に接続される第2マルチプレクサと、
     前記第2マルチプレクサに接続される第2検出部と、を備え、
     前記第1電極は、前記第1共振回路に接続される第1電極部を複数有し、
      前記第1マルチプレクサは、前記第1検出部に対して複数の前記第1電極部を切替えて接続し、
     前記第2電極は、前記第2共振回路に接続される第2電極部を複数有し、
      前記第2マルチプレクサは、前記第2検出部に対して複数の前記第2電極部を切替えて接続する圧力検出装置。
  12.  前記第1電極部は、一の方向に平行な方向に配置され、
     前記第2電極部は、一の方向と交差する方向に配置される請求項11の圧力検出装置。
  13.  前記共振回路がバラクタを備える請求項9~12の圧力検出装置。
  14.  請求項1~13の圧力検出装置とタッチパネルを備えた入力装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2017047603A1 (ja) * 2015-09-15 2018-06-14 株式会社村田製作所 操作検出装置
US10817116B2 (en) 2017-08-08 2020-10-27 Cambridge Touch Technologies Ltd. Device for processing signals from a pressure-sensing touch panel
US11237667B2 (en) 2014-12-23 2022-02-01 Cambridge Touch Technologies Ltd. Pressure-sensitive touch panel
WO2022104791A1 (zh) * 2020-11-23 2022-05-27 原见精机股份有限公司 具备失效侦测机制的接触感应器
US11429240B2 (en) 2019-01-25 2022-08-30 Cambridge Touch Technologies Ltd. Touch panel

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013165601A1 (en) 2012-05-03 2013-11-07 Yknots Industries Llc Moment compensated bending beam sensor for load measurement on platform supported by bending beams
US9983715B2 (en) 2012-12-17 2018-05-29 Apple Inc. Force detection in touch devices using piezoelectric sensors
US9952703B2 (en) 2013-03-15 2018-04-24 Apple Inc. Force sensing of inputs through strain analysis
CN105684177B (zh) * 2013-10-28 2019-05-21 苹果公司 基于压电的力感测
CN103558946A (zh) * 2013-11-15 2014-02-05 京东方科技集团股份有限公司 触控结构、液晶面板以及显示装置
AU2015100011B4 (en) 2014-01-13 2015-07-16 Apple Inc. Temperature compensating transparent force sensor
GB2533667B (en) 2014-12-23 2017-07-19 Cambridge Touch Tech Ltd Pressure-sensitive touch panel
US9612170B2 (en) 2015-07-21 2017-04-04 Apple Inc. Transparent strain sensors in an electronic device
US10055048B2 (en) 2015-07-31 2018-08-21 Apple Inc. Noise adaptive force touch
US9874965B2 (en) 2015-09-11 2018-01-23 Apple Inc. Transparent strain sensors in an electronic device
US10282046B2 (en) 2015-12-23 2019-05-07 Cambridge Touch Technologies Ltd. Pressure-sensitive touch panel
GB2544353B (en) 2015-12-23 2018-02-21 Cambridge Touch Tech Ltd Pressure-sensitive touch panel
US10006820B2 (en) 2016-03-08 2018-06-26 Apple Inc. Magnetic interference avoidance in resistive sensors
CN105808029B (zh) 2016-03-17 2019-01-15 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、触摸屏及显示装置
US10209830B2 (en) 2016-03-31 2019-02-19 Apple Inc. Electronic device having direction-dependent strain elements
US10133418B2 (en) 2016-09-07 2018-11-20 Apple Inc. Force sensing in an electronic device using a single layer of strain-sensitive structures
CN107466390B (zh) 2016-09-17 2019-05-14 深圳市汇顶科技股份有限公司 压力检测装置及智能终端
CN109690270B (zh) * 2016-09-27 2020-12-25 三井化学株式会社 压电基材的安装结构、传感器组件、移动体及保护体
JP2018173343A (ja) * 2017-03-31 2018-11-08 セイコーエプソン株式会社 力検出装置およびロボット
US10444091B2 (en) 2017-04-11 2019-10-15 Apple Inc. Row column architecture for strain sensing
JP6874513B2 (ja) * 2017-04-28 2021-05-19 セイコーエプソン株式会社 力検出装置およびロボット
US10309846B2 (en) 2017-07-24 2019-06-04 Apple Inc. Magnetic field cancellation for strain sensors
US11093088B2 (en) 2017-08-08 2021-08-17 Cambridge Touch Technologies Ltd. Device for processing signals from a pressure-sensing touch panel
JP6852795B2 (ja) 2017-09-11 2021-03-31 富士通株式会社 制御装置、電子機器、及び、電子機器の制御方法
KR102486453B1 (ko) * 2017-12-08 2023-01-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10782818B2 (en) 2018-08-29 2020-09-22 Apple Inc. Load cell array for detection of force input to an electronic device enclosure
TWI724709B (zh) * 2019-12-25 2021-04-11 財團法人工業技術研究院 壓電感測電路及壓電感測系統
CN115901135A (zh) * 2021-08-19 2023-04-04 成都极米科技股份有限公司 一种干涉量测量机构及测量方法
TWI847421B (zh) 2022-12-12 2024-07-01 財團法人工業技術研究院 電訊號還原系統及電訊號還原方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5269677A (en) * 1975-12-08 1977-06-09 Toray Industries Method of measuring power
JPH08181614A (ja) * 1994-12-22 1996-07-12 Meidensha Corp アナログ・ディジタル変換回路及びその補間データを求める方法
JPH09210817A (ja) * 1996-02-07 1997-08-15 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 面圧分布検出装置
JP2005121460A (ja) * 2003-10-16 2005-05-12 Sumitomo Electric Ind Ltd ブッシュ内応力測定装置
JP2012208689A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Smk Corp 静電容量式タッチパネル

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3186946B2 (ja) * 1994-05-31 2001-07-11 シャープ株式会社 座標検出装置
JP2004125571A (ja) 2002-10-01 2004-04-22 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 透明圧電センサおよびそれを備えた入力装置
CN1280636C (zh) * 2003-09-10 2006-10-18 义隆电子股份有限公司 以电流模式检测电阻式压力传感元件的指示装置
EP1801964A1 (de) * 2005-12-20 2007-06-27 Mettler-Toledo AG Verfahren zur Korrektur eines analogen Verstärker-Ausgangssignals, Verstärkermodul und Messvorrichtung
US7986193B2 (en) * 2007-01-03 2011-07-26 Apple Inc. Noise reduction within an electronic device using automatic frequency modulation
US8124892B2 (en) * 2008-11-03 2012-02-28 Waltop International Corp. Electromagnetic manuscript input apparatus and method thereof
CN101807135B (zh) * 2009-02-16 2011-12-07 太瀚科技股份有限公司 无边缘区域的数字板及其坐标计算电路
CN201382838Y (zh) * 2009-04-02 2010-01-13 张硕 大面积压力分布信号采集系统
KR20120105445A (ko) * 2009-10-20 2012-09-25 사이프레스 세미컨덕터 코포레이션 터치 스크린 제어기에서의 결합 노이즈 영향을 감소시키기 위한 방법 및 장치
GB2499242A (en) * 2012-02-10 2013-08-14 Alterix Ltd methods of operating excitation circuitry and/or measurement circuitry in a digitiser and a method of manufacturing a transducer for a digitiser
KR20140108363A (ko) * 2013-02-25 2014-09-11 삼성전자주식회사 연산 증폭기 및 연산 증폭기를 포함하는 터치 감지 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5269677A (en) * 1975-12-08 1977-06-09 Toray Industries Method of measuring power
JPH08181614A (ja) * 1994-12-22 1996-07-12 Meidensha Corp アナログ・ディジタル変換回路及びその補間データを求める方法
JPH09210817A (ja) * 1996-02-07 1997-08-15 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 面圧分布検出装置
JP2005121460A (ja) * 2003-10-16 2005-05-12 Sumitomo Electric Ind Ltd ブッシュ内応力測定装置
JP2012208689A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Smk Corp 静電容量式タッチパネル

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11237667B2 (en) 2014-12-23 2022-02-01 Cambridge Touch Technologies Ltd. Pressure-sensitive touch panel
JPWO2017047603A1 (ja) * 2015-09-15 2018-06-14 株式会社村田製作所 操作検出装置
US10817116B2 (en) 2017-08-08 2020-10-27 Cambridge Touch Technologies Ltd. Device for processing signals from a pressure-sensing touch panel
US11429240B2 (en) 2019-01-25 2022-08-30 Cambridge Touch Technologies Ltd. Touch panel
WO2022104791A1 (zh) * 2020-11-23 2022-05-27 原见精机股份有限公司 具备失效侦测机制的接触感应器

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KR20160006194A (ko) 2016-01-18
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GB2563601A (en) Device for processing signals from a pressure-sensing touch panel

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