WO2014193015A1 - 전압 보상형 화소회로 및 그 구동방법 - Google Patents

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switching tft
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이호진
김용찬
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숭실대학교산학협력단
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Definitions

  • a voltage compensating pixel circuit used in an active matrix organic light emitting diode display and a driving method thereof.
  • the Active Matrix Organic Light Emitting Diode (AMD) display device is a self-luminous device that emits an organic light emitting layer by recombination of electrons and holes. It is expected.
  • Each of the plurality of pixels constituting the AMOLED display device includes a light emitting device including an organic light emitting layer between an anode and a cathode, and a pixel circuit driving the light emitting device independently.
  • the pixel circuit may be classified into a voltage driving compensation circuit and a current driving compensation circuit.
  • the voltage driving compensation circuit applies a data voltage to the pixel circuit
  • the current driving compensation circuit applies a data current to the pixel circuit.
  • the voltage driving compensation circuit and the current driving compensation circuit have a common point in that the data voltage is finally stored in the storage capacitor connected to the gate of the driving device during the operation process.
  • the voltage driving method is easier to charge / discharge than the current driving method, and thus has an advantage of fast pixel operation speed and easy signal linkage with the display driving circuit.
  • All voltage-driven pixel compensation circuits have a period for self-compensating the threshold voltage of the driving device.
  • the threshold voltage compensation method detects the threshold voltage of the driving device, charges the storage capacitor, and removes the influence as the threshold voltage cancels when the OLED current flows.
  • the voltage driving compensation circuit has a disadvantage in that the aperture ratio is greatly reduced while occupying a substantial portion of the total pixel area of the additional signal wiring and TFT elements to compensate for the change in the threshold voltage.
  • the current driving compensation circuit receives current from the data driving IC, stores the current in the scan section, and then flows the OLED emission section.
  • the current driving compensation circuit has the advantage that the mobility compensation can be performed as well as the difference of the threshold voltage.
  • it since it is not affected by the voltage drop of the supply voltage, it is possible to supply an ideal stable OLED current.
  • the storage capacitor in the circuit must be charged by the data current, the charging time is long due to the parasitic capacitor component of the data wiring at the low data current level, and it takes a long time to drive each pixel.
  • such a feature has a problem in that the pixel charging time is increased in high resolution and large panels.
  • a pixel circuit using a current mirror structure has been developed to minimize pixel charging time, but there is a disadvantage in that an error occurs when electrical characteristics between the mirror element and the driving element do not match.
  • current commercially available driving ICs use a voltage driving method, and thus, there is a disadvantage in that additional driving ICs are required.
  • the amorphous silicon TFT has priority in developing a large area active matrix OLED display technology by having an established manufacturing technique and characteristics of electron mobility maintained uniformly on a large substrate. Has been considered.
  • the amorphous silicon TFT has poor characteristics in terms of electrical stability due to the unique properties of the amorphous silicon layer.
  • the main problem with the instability of amorphous silicon TFTs is the change in the threshold voltage which causes stress due to continuous gate bias.
  • a voltage compensation pixel circuit capable of compensating for a change in a threshold voltage due to a continuous gate bias in a driving TFT by controlling voltage flow in an OLED pixel circuit employing an active matrix and a driving method thereof To provide.
  • a voltage compensating pixel circuit is connected to a light emitting device provided between a high potential power line and a low potential power line in a voltage compensation pixel circuit of an organic light emitting diode display driving a light emitting device.
  • a switching TFT comprising a fourth switching TFT switched by the second switching element, a second switching TFT and a third switching TFT switching by the on or off voltage of the third gate signal, and one end of the first switching TFT connected to the driving TFT.
  • the first switching TFT, the second switching TFT, and the third switching TFT are turned on according to an on voltage of the first gate signal and the third gate signal, and a predetermined voltage is charged in the storage capacitor. Can be.
  • a voltage is applied to a gate of a driving TFT connected to one end so that a current flows from the high potential power line to the low potential power line, and the light emitting device is operated by the current.
  • a driving TFT connected to one end so that a current flows from the high potential power line to the low potential power line, and the light emitting device is operated by the current.
  • the first switching TFT may be turned off according to the off voltage of the first gate signal, and the charged voltage of the storage capacitor may be discharged through the second switching TFT, the third switching TFT, and the setup TFT. .
  • the compensation voltage formed by discharging the charged voltage of the storage capacitor in the first node is formed by adding the threshold voltage of the driving TFT, the threshold voltage of the setup TFT, and the electron mobility compensation voltage of the driving TFT. Can be.
  • the first switching TFT, the second switching TFT, and the third switching TFT may be turned off, and the fourth switching TFT may be turned on to transmit a data signal to the driving TFT.
  • the fourth switching TFT is turned on, and a data signal is transmitted to the driving TFT, the voltage across the first node is determined by the data.
  • the voltage applied by the signal and the compensation voltage applied to the first node may be added together.
  • the voltage applied to the first node is formed by summing a voltage applied by the data signal and a compensation voltage applied to the first node, and when the fourth switching TFT is turned off, the voltage stored in the storage capacitor
  • the current flowing through the light emitting element may be determined according to the voltage between the gate and the source of the driving TFT and the threshold voltage of the driving TFT.
  • a method of driving a voltage compensation pixel circuit includes a light emitting device, a driving TFT for driving the light emitting device, a plurality of switching TFTs switched according to an on or off signal of a gate signal, A voltage compensation pixel including a storage capacitor connected to the driving TFT to transfer a voltage charged to the driving TFT, and a setup TFT installed at a contact point of the light emitting element and the driving TFT to operate according to switching of the driving TFT.
  • the plurality of switching TFTs are individually operated according to the on or off voltage of the gate signal to charge a compensation voltage to the storage capacitor, and all of the plurality of switching TFTs are turned off to generate a data signal.
  • the current is proportional to the sum of the voltage and the electron mobility compensation voltage of the driving TFT. It can be controlled to flow to a light emitting element.
  • Charging a compensation voltage to the storage capacitor by individually operating the plurality of switching TFTs according to the on or off voltage of the gate signal includes: a first switching TFT, a second switching TFT, and a first switching TFT included in the plurality of switching TFTs. And turning on the switching TFT to charge a predetermined voltage in the storage capacitor.
  • the compensation capacitor in the storage capacitor by operating the plurality of switching TFTs individually according to the on or off voltage of the gate signal, the predetermined voltage is charged in the storage capacitor, the first switching TFT is turned- When turned off, the charged voltage of the storage capacitor may be discharged through the second switching TFT, the third switching TFT, and the setup TFT.
  • the compensation voltage formed by discharging the charged voltage of the storage capacitor through the second switching TFT, the third switching TFT, and the setup TFT includes a threshold voltage of the driving TFT, a threshold voltage of the setup TFT, and the driving TFT. It may be a voltage obtained by adding the electron mobility compensation voltage of.
  • the method may further include turning off the first switching TFT, the second switching TFT, and the third switching TFT, and turning on the fourth switching TFT to add a data signal to the compensation voltage and transfer the data signal to the driving TFT.
  • the data signal may be added to the compensation voltage and transferred to the driving TFT, the fourth switching TFT may be turned off, and the driving TFT may be operated with a voltage stored in the storage capacitor.
  • the operation of the driving TFT with the voltage stored in the storage capacitor may be performed by operating the driving TFT with a voltage obtained by adding the voltage caused by the data signal and the driving TFT electron mobility compensation voltage.
  • the electron mobility compensation voltage of the driving TFT can compensate for the variation in electron mobility that may affect the current flowing through the light emitting device.
  • FIG. 1 is a schematic block diagram of an organic light emitting diode display including a voltage compensation pixel circuit according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a circuit diagram of a voltage compensation pixel circuit according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is an operation timing diagram of a gate signal and a data signal of a voltage compensation pixel circuit according to an embodiment of the present invention
  • 4A to 4B conceptually show operating states of the voltage compensation pixel circuit according to the operation timing diagram of FIG.
  • FIG. 1 is a schematic block diagram of an organic light emitting diode display including a voltage compensation pixel circuit according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • the organic light emitting diode display may include a display panel 100, a gate driver 200 connected thereto, a data driver 300, and a signal controller 400 controlling the display panel 100.
  • the display panel 100 is connected to the plurality of signal lines GL1n-GL3n and DL1-DLm, and may include a plurality of pixels arranged in a substantially matrix form.
  • the signal lines GL1n-GL3n and DL1-DLm may include a plurality of scan signal lines GL1n-GL3n for transmitting a scan signal and a plurality of data lines DL1-DLm for transmitting a data signal.
  • FIG. 2 is a circuit diagram of a voltage compensation pixel circuit according to an embodiment of the present invention.
  • the voltage compensating pixel circuit independently drives the light emitting device OLED to generate luminance corresponding to the data voltage V DATA .
  • the TFTs include six TFTs T S1 , T S2 , T S3 , T S4 , T SU , T DR ) and one storage capacitor C1.
  • the light emitting device OLED may be connected in series with the driving TFT T DR between the high potential power line 10 and the low potential power line 11.
  • the light emitting device OLED may include a cathode connected to the driving TFT T DR , an anode connected to the high potential power line 10, and a light emitting layer between the cathode and the anode.
  • the emission layer may include an electron injection layer, an electron transport layer, an organic emission layer, a hole transport layer, and a hole injection layer sequentially stacked between the cathode and the anode.
  • the light emitting device OLED when a positive bias is applied between the anode and the cathode, electrons from the cathode are supplied to the organic light emitting layer via the electron injection layer and the electron transport layer, and holes from the anode pass through the hole injection layer and the hole transport layer. It is supplied to an organic light emitting layer. Accordingly, in the organic light emitting layer, the fluorescence or the phosphor may emit light by recombination of supplied electrons and holes, thereby generating luminance proportional to the current density. Meanwhile, the light emitting device OLED may function as a capacitor that accumulates charge when a negative bias is applied.
  • the voltage compensating pixel circuit includes one driving TFT (T DR ), one setup TFT (T SU ), four switching TFTs (T S1 , T S2 , T S3 , T S4 ), and a driving TFT (T DR). ) And one storage capacitor C1 connected between the switch TFT T S4 .
  • the voltage compensating pixel circuit has three gate lines 20, 21 and 22 for supplying a gate signal, a high potential power line 10 for supplying a high potential voltage VDD, and a voltage lower than the high potential voltage VDD.
  • the low potential power line 11 may supply a low potential voltage VSS, and the data line 30 may supply a data voltage.
  • a gate electrode may be connected to the first node N1
  • a source electrode may be connected to the cathode of the light emitting device OLED
  • a drain electrode may be connected to the low potential power line 11.
  • the driving TFT T DR is supplied from the high potential voltage line 10 according to the voltage supplied to the first node N1 to control the current passing through the third node N3 to control the light emitting device OLED. Can be.
  • a gate electrode is connected to the third node N3, a first electrode is connected to the ground, and a second electrode is connected to the first electrode of the third switching TFT T S3 .
  • the setup TFT T SU is operated by a voltage generated at the third node N3 according to the operation of the driving TFT T DR .
  • the four switching TFTs T S4 may include a first switching TFT T S1 , a second switching TFT T S2 , a third switching TFT T S3 , and a fourth switching TFT T S4 . have.
  • a gate electrode and a first electrode are connected to the first gate line 20, and a first node N1 is connected to the storage capacitor C1 and the gate electrode of the driving TFT T DR . Is connected to the second electrode.
  • the first electrode and the second electrode become a source electrode and a drain electrode along the current direction.
  • a gate electrode is connected to the third gate line 22
  • a first electrode is connected to the storage capacitor C1 and the fourth switching TFT T S4
  • a second electrode is grounded. Is connected. The first electrode and the second electrode become a source electrode and a drain electrode along the current direction.
  • a gate electrode is connected to the third gate line 22 connected to the gate electrode of the second switching TFT T S2 , and the first electrode is connected to the second electrode of the setup TFT T SU .
  • the second electrode is connected to the first node positioned between the storage capacitor C1 and the driving TFT T DR .
  • a gate electrode is connected to the second gate line 21, a first electrode is connected to the data line 30, and a first electrode and a storage of the second switching TFT T S2 .
  • the capacitor C1 and the second electrode are connected.
  • FIG. 3 is an operation timing diagram of a gate signal and a data signal of a voltage compensation pixel circuit according to an exemplary embodiment of the present invention
  • FIGS. 4A to 4B are operating states of the voltage compensation pixel circuit according to the operation timing diagram of FIG. Is a diagram conceptually illustrating.
  • the first switching TFT T S1 , the second switching TFT T S2 , and the third switching TFT T S3 are turned on to the first node N1.
  • the light emitting device OLED may be operated by applying a voltage and operating the driving TFT T DR .
  • the first gate line 20 a gate-on voltage (V ON) of the first gate signal is supplied to the third gate line 22, a gate-on voltage (V ON) in the third gate signal is supplied .
  • the first switching TFT T S1 , the second switching TFT T S2 , and the third may be driven by the gate-on voltage V ON of the first gate signal and the third gate signal.
  • the switching TFT T S3 is turned on.
  • the storage connected to the first node N1 by the first gate-on voltage V ON of the first gate line 20.
  • the voltage is charged to the capacitor C1.
  • the storage capacitor C1 is charged with a voltage that is lowered by the threshold voltage of the first switching TFT T S1 from the first gate-on voltage V ON .
  • a voltage is applied to the gate electrode of the driving TFT T DR connected to the first node N1.
  • the driving T FT When a voltage is applied to the gate electrode of the driving TFT T DR , the driving T FT (TDR) operates to flow a current I OLED from the high potential power line 10 to the low potential power line 11. When a current flows from the high potential power line 10 to the low potential power line 11, a current flows in the light emitting device OLED to emit light, and a voltage is applied to the gate electrode of the setup TFT T SU . It will work.
  • the voltage charged in the storage capacitor C1 is turned off by turning off the first switching TFT T S1 and the second switching TFT T S2 and the third switching TFT T. Discharge through S3 ).
  • the gate-on voltage V ON of the first gate signal supplied through the first gate line 20 is converted to the gate-off voltage V OFF .
  • the first switching TFT T S1 is turned off and the voltage charged through the storage capacitor C1 is transferred to the second switching TFT T S2 and the third switching TFT T S3.
  • the setup TFT (T SU ) are thereby excluded as much as the threshold voltage, which set up TFT (T SU) has in the base voltage is discharged and the discharge.
  • a compensation voltage applied to the first node N1 during the second section may be calculated.
  • V comp V TH (DR) + V TH (SU) + ⁇ Vu (DR)
  • V comp compensation voltage across the first node
  • V TH (DR) threshold voltage of driving TFT
  • V TH (SU) threshold voltage of setup TFT
  • Vu (DR) electron mobility compensation voltage of driving TFT
  • the compensation voltage applied to the first node for a second interval is the driving TFT (T DR) threshold voltage (V TH (DR)) and a driving TFT (T DR) electron mobility compensation voltage (Vu (DR of )) And the voltage V GS (DR) applied between the gate and the source of the driving TFT T DR .
  • the first switching TFT T S1 , the second switching TFT T S2 , and the third switching TFT T S3 are turned off, and the fourth switching TFT T S4 ) is turned on to flow the data signal to the driving TFT T DR .
  • the gate-on voltage V ON of the third gate signal supplied through the third gate line 22 is converted to the gate-off voltage V OFF , and the second gate signal is provided to the second gate line 21.
  • the gate-on voltage of V ON is supplied. Accordingly, referring to FIG. 3C, the second switching TFT T S2 and the third switching TFT T S3 are turned off and the fourth switching TFT T S4 is turned on.
  • the voltage of the first node N1 is determined by the data signal. The sum of the compensation voltages applied to the first node during the second and second periods.
  • NV N1 V DATA + V COMP
  • V N1 voltage across the first node
  • V DATA voltage by data signal
  • V comp compensation voltage across the first node
  • the voltage of the first node (N1) has a bootstrap effect under the influence of the storage capacitor (C1).
  • the supply of all the gate signals and the data signals is stopped to stop the operation of the switching TFTs T S1 , T S2 , T S3 , and T S4 , and are stored in the storage capacitor C1.
  • the current I OLED flowing in the light emitting device OLED by operating the driving TFT T DR with a voltage becomes as shown in Equation 3 below.
  • I OLED current flowing through the light emitting device (OLED)
  • V GS (DR) voltage between gate and source of driving TFT
  • V TH (DR) threshold voltage of driving TFT
  • V GS (DR) voltage across the gate and source of the driving TFT
  • V GS (DR) is equal to Equation 4. Since the supply of all the gate signals and the data signal is stopped, the operation of the switching TFTs T S1 , T S2 , T S3 , and T S4 is stopped, so that the voltage applied to the first node N1 in the previous section is V TH (DR). Obviouslys the same as
  • V GS (DR) V DATA + V COMP
  • Equation 5 the same result as Equation 5 can be extracted.
  • Equation 5 it can be seen that V TH (DR) is erased. According to Equation 5, V TH (DR) is erased so that the current I OLED flowing through the light emitting device OLED is not affected by the threshold voltage of the driving TFT T DR .
  • the electron mobility compensation voltage of the light emitting element and at a current I OLED flowing to the (OLED) is affected by the threshold voltage of the driving TFT (T DR) can be seen that the erased, the driving TFT (T DR) ( Vu (DR)) may be generated to compensate for variations in electron mobility in the current I OLED flowing in the light emitting device OLED.

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Abstract

구동 TFT에 지속적인 게이트 바이어스(gate bias)로 인한 임계전압의 변화를 보상할 수 있는 전압보상형 화소회로 및 그 구동방법을 개시한다. 전압보상형 화소회로는 발광 소자를 구동하는 유기 발광 표시 장치의 전압 보상형 화소 회로에 있어서, 고전위 전원 라인과 저전위 전원 라인 사이에 마련되는 발광 소자에 접속되며, 게이트에 인가되는 소정의 전압에 따라 발광소자를 구동시키는 구동 TFT와, 제1게이트 신호의 온 또는 오프 전압에 의해 스위칭되는 제1스위칭 TFT와, 제2게이트 신호의 온 또는 오프 전압에 의해 스위칭되는 제4스위칭 TFT와, 제3게이트 신호의 온 또는 오프 전압에 의해 스위칭되는 제2스위칭 TFT 및 제3스위칭 TFT를 포함하는 스위칭 TFT와, 구동 TFT에 일단이 연결되어 제1노드를 형성하고, 제2스위칭 TFT와 제4스위칭 TFT의 접점에 타단이 연결되어 제2노드를 형성하며, 충전되는 전압을 구동 TFT에 전달하는 스토리지 커패시터 및 발광소자와 구동 TFT의 접점에 설치되어 구동 TFT의 스위칭에 따라 작동하는 셋업 TFT를 포함하므로, 구동 TFT의 지속적인 게이트 바이어스로 인한 임계전압의 변화와 전자 이동도의 편차를 보상해줄 수 있다.

Description

전압 보상형 화소회로 및 그 구동방법
액티브 매트릭스 유기 발광 다이오드 표시 장치에서 사용되는 전압 보상형 화소 회로 및 그 구동방법에 관한 것이다.
액티브 매트릭스 유기 발광 다이오드(Active Matrix Organic Light Emitting Diode; 이하 AMOLED) 표시 장치는 전자와 정공의 재결합으로 유기 발광층을 발광시키는 자발광 소자로 휘도가 높고 구동 전압이 낮으며 초막화가 가능하여 차세대 표시 장치로 기대되고 있다.
AMOLED 표시 장치를 구성하는 다수의 화소들 각각은 애노드 및 캐소드 사이의 유기발광층으로 구성된 발광 소자와, 발광 소자를 독립적으로 구동하는 화소 회로를 구비한다. 화소 회로는 전압구동 보상회로와 전류구동 보상회로로 분류할 수 있다. 전압구동 보상회로는 화소 회로에 데이터 전압을 인가하는 방식이고, 전류구동 보상회로는 화소 회로에 데이터 전류를 인가하는 방식이다. 전압구동 보상회로와 전류구동 보상회로는 동작 과정에서 최종적으로, 구동소자의 게이트에 연결된 저장 커패시터에 데이터 전압이 저장된다는 측면에서 공통점을 갖는다.
한편, 전압구동 보상회로에서 각각의 화소에 데이터 전압을 인가하기 위해서는 먼저 배선의 기생 커패시터를 충, 방전하는 과정이 필요하다. 전압구동 방식은 전류 구동 방식에 비해 충/방전이 용이하여 화소 동작 속도가 빠르고 디스플레이 구동 회로와의 신호 연계가 용이한 장점이 있다. 모든 전압구동 화소 보상회로는 구동소자의 임계전압을 자체적으로 보상하는 구간이 존재한다. 일반적인 임계전압 보상 방법은 구동소자의 임계전압을 검출하여 저장 커패시터에 충전하고, OLED 전류가 흐를 때 임계전압이 상쇄되면서 그 영향을 제거하는 방법이 있다. 하지만, TFT스위칭 박막 트랜지스터(Thin Transistor ; 이하 TFT) 소자의 공정상 발생하는 전자 이동도의 편차는 회로적으로 저장 또는 보상할 수 없기 때문에, 전압구동 보상 회로에서 TFT 소자의 공정상 발생하는 전자 이동도의 편차를 이론적으로 보상할 수 없게 된다. 또한, 전압구동 보상회로에서는 임계전압의 변화를 보상하기 위한 추가적인 신호 배선 및 TFT소자들의 전체 화소 면적의 상당 부분을 차지하면서 개구율이 많이 감소하는 단점이 있다.
전류구동 보상회로는 데이터 구동 IC에서 전류를 공급받아 스캔 구간에 저장한 후, OLED 발광 구간에 흐르게 한다. 전류구동 보상회로는 임계전압의 차이뿐만 아니라 이동도 보상이 가능하다는 장점이 있다. 또한, 공급전압의 전압강하 현상에도 영향을 받지 않기 때문에 이상적으로 안정적인 OLED 전류 공급이 가능한 구조이다. 그러나, 회로 내 저장 커패시터는 데이터 전류에 의해서 충전이 되어야 하기 때문에, 낮은 데이터 전류 레벨에서는 데이터 배선의 기생 커패시터 성분에 의해 그만큼 충전 시간이 오래 걸리게 되고, 각 화소를 구동시키는데 오랜 시간이 걸리게 된다. 특히 이와 같은 성징은 고해상도 및 대형화의 패널에서 화소 충전 시간이 증가하는 문제를 가진다. 이를 해결하고자 전류 미러 구조를 이용한 화소회로가 개발되어 화소 충전시간을 최소화하도록 하였지만, 미러 소자와 구동 소자간의 전기적 특성이 일치하지 않을 경우 오차가 발생하는 단점이 있다. 또한, 현재 상용되어 있는 구동 IC들은 전압구동 방식을 사용하고 있기 때문에 별도의 구동 IC의 제작으로 인한 추가적인 비용이 드는 단점이 있다.
한편, 디스플레이를 구성하는 화소 회로의 요소 소자 기술 중에서, 비정질 실리콘 TFT는 확립되어 있는 제조 기술과 대형기판에서 균일하게 유지되는 전자 이동도의 특성을 가짐으로써 대면적 액티브 매트릭스 OLED 디스플레이 기술의 개발에 우선적으로 고려되어 왔다. 하지만, 비정질 실리콘 TFT는 비정질 실리콘 층이 갖는 특유의 성질로 인하여 전기적 안정성 면에서는 좋지 못한 특성을 가지고 있다. 비정질 실리콘 TFT의 불안정성으로 가장 문제되는 것은 지속적인 gate bias로 인한 스트레스가 초래되는 임계전압의 변화이다.
본 발명의 일측면은 액티브 매트릭스를 적용한 OLED 화소 회로 내의 전압의 흐름을 제어하여 구동 TFT에 지속적인 게이트 바이어스(gate bias)로 인한 임계전압의 변화를 보상할 수 있는 전압보상형 화소회로 및 그 구동방법을 제공한다.
이를 위한 본 발명의 일측면에 의한 전압보상형 화소회로는 발광 소자를 구동하는 유기 발광 표시 장치의 전압 보상형 화소 회로에 있어서, 고전위 전원 라인과 저전위 전원 라인 사이에 마련되는 발광 소자에 접속되며, 게이트에 인가되는 소정의 전압에 따라 상기 발광소자를 구동시키는 구동 TFT;와, 제1게이트 신호의 온 또는 오프 전압에 의해 스위칭되는 제1스위칭 TFT와, 제2게이트 신호의 온 또는 오프 전압에 의해 스위칭되는 제4스위칭 TFT와, 제3게이트 신호의 온 또는 오프 전압에 의해 스위칭되는 제2스위칭 TFT 및 제3스위칭 TFT를 포함하는 스위칭 TFT;와, 상기 구동 TFT에 일단이 연결되어 제1노드를 형성하고, 상기 제2스위칭 TFT와 상기 제4스위칭 TFT의 접점에 타단이 연결되어 제2노드를 형성하며, 충전되는 전압을 상기 구동 TFT에 전달하는 스토리지 커패시터; 및 상기 발광소자와 상기 구동 TFT의 접점에 설치되어 상기 구동 TFT의 스위칭에 따라 작동하는 셋업 TFT를 포함할 수 있다.
상기 제1게이트 신호와 상기 제3게이트 신호의 온전압에 따라 상기 제1스위칭 TFT와, 상기 제2스위칭 TFT와, 상기 제3스위칭 TFT가 턴-온되고, 상기 스토리지 커패시터에 소정의 전압이 충전될 수 있다.
상기 스토리지 커패시터에 소정의 전압이 충전되면, 일단에 연결된 구동 TFT의 게이트에 전압이 인가되어 상기 고전위 전원라인에서 상기 저전위 전원라인으로 전류가 흐르게 되며, 상기 전류에 의해 상기 발광 장치가 동작할 수 있다.
상기 제1게이트 신호의 오프 전압에 따라 상기 제1스위칭 TFT가 턴-오프되고, 상기 스토리지 커패시터의 충전된 전압이 상기 제2스위칭 TFT, 상기 제3스위칭 TFT 및 상기 셋업 TFT를 통해 방전될 수 있다.
상기 스토리지 커패시터의 충전된 전압이 방전되어 상기 제1노드에 형성되는 보상 전압은 상기 구동 TFT의 임계전압과, 상기 셋업 TFT의 임계 전압과, 상기 구동 TFT의 전자 이동도 보상 전압이 합산되어 형성될 수 있다.
상기 제1스위칭 TFT, 제2스위칭 TFT 및 상기 제3스위칭 TFT를 턴-오프시키고, 제4스위칭 TFT를 턴-온시켜 데이터 신호를 구동 TFT로 전송할 수 있다.
상기 제1스위칭 TFT, 제2스위칭 TFT 및 상기 제3스위칭 TFT를 턴-오프시키고, 제4스위칭 TFT를 턴-온시켜 데이터 신호를 구동 TFT로 전송하면, 상기 제1노드에 걸리는 전압은 상기 데이터 신호에 의해 인가되는 전압과, 상기 제1노드에 걸리는 보상 전압을 합산하여 형성될 수 있다.
상기 제1노드에 걸리는 전압이 상기 데이터 신호에 의해 인가되는 전압과, 상기 제1노드에 걸리는 보상 전압을 합산하여 형성되고, 상기 제4스위칭 TFT가 턴-오프되면 상기 스토리지 커패시터에 저장된 전압에 의해 상기 발광 소자에 흐르는 전류는 상기 구동 TFT의 게이트와 소스 사이의 전압과, 상기 구동 TFT의 임계 전압에 따라 결정될 수 있다.
그리고, 본 발명의 일실시예에 의한 전압보상형 화소회로의 구동 방법은 발광 소자와, 상기 발광 소자를 구동시키는 구동 TFT와, 게이트 신호의 온 또는 오프 신호에 따라 스위칭되는 복수 개의 스위칭 TFT와, 상기 구동 TFT에 연결되어 충전되는 전압을 상기 구동 TFT에 전달하는 스토리지 커패시터와, 상기 발광소자와 상기 구동 TFT의 접점에 설치되어 상기 구동 TFT의 스위칭에 따라 작동하는 셋업 TFT를 포함하는 전압보상형 화소회로의 구동 방법에 있어서, 상기 게이트 신호의 온 또는 오프 전압에 따라 상기 복수 개의 스위칭 TFT를 개별적으로 동작시켜 상기 스토리지 커패시터에 보상 전압을 충전시키고, 상기 복수 개의 스위칭 TFT를 모두 오프시켜 데이터 신호에 의한 전압과 상기 구동 TFT의 전자 이동도 보상 전압을 합산한 전압에 비례하는 전류가 상기 발광 소자에 흐르도록 제어할 수 있다.
상기 게이트 신호의 온 또는 오프 전압에 따라 상기 복수 개의 스위칭 TFT를 개별적으로 동작시켜 상기 스토리지 커패시터에 보상 전압을 충전시키는 것은, 상기 복수 개의 스위칭 TFT에 포함되는 제1스위칭 TFT, 제2스위칭 TFT 및 제3스위칭 TFT를 턴-온시켜 상기 스토리지 커패시터에 소정의 전압을 충전시키는 과정을 포함할 수 있다.
상기 게이트 신호의 온 또는 오프 전압에 따라 상기 복수 개의 스위칭 TFT를 개별적으로 동작시켜 상기 스토리지 커패시터에 보상 전압을 충전시키는 것은, 상기 스토리지 커패시터에 소정의 전압이 충전되고, 상기 제1스위칭 TFT가 턴-오프되면, 상기 스토리지 커패시터의 충전된 전압이 상기 제2스위칭 TFT, 상기 제3스위칭 TFT 및 상기 셋업 TFT를 통해 방전되는 과정을 포함할 수 있다.
상기 스토리지 커패시터의 충전된 전압이 상기 제2스위칭 TFT, 상기 제3스위칭 TFT 및 상기 셋업 TFT를 통해 방전되어 형성되는 보상전압은, 상기 구동 TFT의 임계전압, 상기 셋업 TFT의 임계 전압 및 상기 구동 TFT의 전자 이동도 보상 전압을 합산한 전압일 수 있다.
상기 제1스위칭 TFT, 제2스위칭 TFT, 제3스위칭 TFT를 턴-오프시키고, 제4스위칭 TFT를 턴-온시켜 데이터 신호를 상기 보상전압에 합산하여 상기 구동 TFT에 전달하는 것을 더 포함할 수 있다.
상기 데이터 신호를 상기 보상전압에 합산하여 상기 구동 TFT에 전달하고, 상기 제4스위칭 TFT를 턴-오프시키며, 상기 스토리지 커패시터에 저장된 전압으로 상기 구동 TFT를 동작시킬 수 있다.
상기 스토리지 커패시터에 저장된 전압으로 상기 구동 TFT를 동작시키는 것은, 상기 데이터 신호에 의한 전압과, 상기 구동 TFT 전자 이동도 보상 전압을 합산한 전압으로 상기 구동 TFT를 동작시키는 것일 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 일측면에 의하면 구동 TFT의 전자 이동도 보상전압으로 발광소자에 흐르는 전류에 영향을 줄 수 있는 전자 이동도의 편차를 보상할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 전압 보상형 화소회로를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 개략적인 블록도
도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 전압 보상형 화소회로의 회로도
도 3은 본 발명의 일실시예에 의한 전압보상형 화소회로의 게이트신호 및 데이터신호의 동작 타이밍도
도 4a 내지 도 4b는 도 3의 동작 타이밍도에 따라 전압보상형 화소회로의 동작 상태를 개념적으로 도시한 도면
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 사용하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 전압 보상형 화소회로를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 개략적인 블록도이다.
유기 발광 표시 장치는 표시판(100) 및 이에 연결된 게이트 구동부(200), 데이터 구동부(300) 및 이들을 제어하는 신호 제어부(400)를 포함할 수 있다.
표시판(100)은 등가 회로를 볼 때 복수의 신호선(GL1n-GL3n, DL1-DLm)에 연결되어 있으며, 대략 행렬의 형태로 배열된 복수의 화소(pixel)를 포함할 수 있다.
신호선(GL1n-GL3n, DL1-DLm)은 주사 신호를 전달하는 복수의 주사 신호선(GL1n-GL3n), 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선(DL1-DLm)을 포함할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 전압 보상형 화소회로의 회로도이다.
전압 보상형 화소회로는 발광 소자(OLED)를 독립적으로 구동하여 데이터 전압(VDATA)에 상응하는 휘도를 발생하게 하며, 6개의 TFT(TS1,TS2,TS3,TS4,TSU,TDR)와 1개의 스토리지 커패시터(C1)를 포함할 수 있다.
발광 소자(OLED)는 고전위 전원 라인(10)과 저전위 전원 라인(11) 사이에 구동 TFT(TDR)와 직렬로 접속될 수 있다. 발광 소자(OLED)는 구동 TFT(TDR)와 접속된 캐소드와, 고전위 전원 라인(10)과 연결된 애노드와, 캐소드와 애노드 사이의 발광층을 구비할 수 있다. 발광층은 캐소드와 애노드 사이에 순차 적층된 전자 주입층, 전자 수송층, 유기 발광층, 정공 수송층, 정공 주입층을 구비할 수 있다. 발광 소자(OLED)는 애노드와 캐소드 사이에 포지티브 바이어스가 인가되면 캐소드로부터의 전자가 전자 주입층 및 전자 수송층을 경유하여 유기 발광층으로 공급되고, 애노드로부터의 정공이 정공 주입층 및 정공 수송층을 경유하여 유기 발광층으로 공급된다. 이에 따라, 유기 발광층에서는 공급된 전자 및 정공의 재결합으로 형광 또는 인광 물질을 발광시킴으로써 전류 밀도에 비례하는 휘도를 발생할 수 있다. 한편, 발광 소자(OLED)는 네거티브 바이어스가 인가되면 전하를 축적하는 커패시터(Coled) 역할을 할 수 있다.
전압 보상형 화소회로는 1개의 구동 TFT(TDR)와, 1개의 셋업 TFT(TSU)와, 4개의 스위칭 TFT(TS1,TS2,TS3,TS4)와, 구동 TFT(TDR)와 스위치 TFT(TS4) 사이에 접속된 1개의 스토리지 커패시터(C1)를 포함할 수 있다.
전압 보상형 화소회로는 게이트 신호를 공급하는 3개의 게이트 라인(20,21,22)과, 고전위 전압(VDD)을 공급하는 고전위 전원 라인(10)과, 고전위 전압(VDD)보다 낮은 저전위 전압(VSS)을 공급하는 저전위 전원 라인(11)과, 데이터 전압을 공급하는 데이터 라인(30)을 포함할 수 있다.
구동 TFT(TDR)는 제1노드(N1)에 게이트 전극이 접속되고, 발광 소자(OLED)의 캐소드에 소스 전극이 접속되며, 저전위 전원 라인(11)에 드레인 전극이 접속될 수 있다. 구동 TFT(TDR)는 제1노드(N1)에 공급된 전압에 따라 고전위 전압 라인(10)으로부터 공급되어 제3노드(N3)를 경유하는 전류를 제어하여 발광 소자(OLED)를 제어할 수 있다.
셋업 TFT(TSU)는 제3노드(N3)에 게이트 전극이 접속되고, 그라운드에 제1전극이 접속되며, 제3스위칭 TFT(TS3)의 제1전극에 제2전극이 접속된다. 셋업 TFT(TSU)는 구동 TFT(TDR)의 동작에 따라 제3노드(N3)에 발생하는 전압에 의해 동작한다.
4개의 스위칭 TFT(TS4)는 제1스위칭 TFT(TS1)와, 제2스위칭 TFT(TS2)와, 제3스위칭 TFT(TS3) 및 제4스위칭 TFT(TS4)를 포함할 수 있다.
제1스위칭 TFT(TS1)는 제1게이트 라인(20)에 게이트 전극과 제1전극이 접속되고, 스토리지 커패시터(C1)와 구동 TFT(TDR)의 게이트 전극과 연결된 제1노드(N1)에 제2전극이 접속된다. 제1전극과 제2전극은 전류 방향에 따라서 소스 전극과 드레인 전극이 된다.
제2스위칭 TFT(TS2)는 제3게이트 라인(22)에 게이트 전극이 연결되고, 스토리지 커패시터(C1)와 제4스위칭 TFT(TS4)에 제1전극이 연결되고, 그라운드에 제2전극이 연결된다. 제1전극과 제2전극은 전류 방향에 따라서 소스 전극과 드레인 전극이 된다.
제3스위칭 TFT(TS3)는 제2스위칭 TFT(TS2)의 게이트 전극에 연결된 제3게이트 라인(22)에 게이트 전극이 접속되고, 셋업 TFT(TSU)의 제2전극에 제1전극이 접속되고, 스토리지 커패시터(C1)와 구동 TFT(TDR) 사이에 위치하는 제1노드에 제2전극이 접속된다.
제4스위칭 TFT(TS4)는 제2게이트 라인(21)에 게이트 전극이 접속되고, 데이터 라인(30)에 제1전극이 접속되며, 제2스위칭 TFT(TS2)의 제1전극 및 스토리지 커패시터(C1)와 제2전극이 접속된다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 의한 전압보상형 화소회로의 게이트신호 및 데이터신호의 동작 타이밍도이며, 도 4a 내지 도 4b는 도 3의 동작 타이밍도에 따라 전압보상형 화소회로의 동작 상태를 개념적으로 도시한 도면이다.
도 3 및 도 4a에 나타낸 제1구간에서, 제1스위칭 TFT(TS1), 제2스위칭 TFT(TS2), 제3스위칭 TFT(TS3)를 턴-온시켜 제1노드(N1)에 전압을 인가하고, 구동 TFT(TDR)를 작동시켜 발광 소자(OLED)를 동작시킬 수 있다. 이를 위하여, 제1게이트 라인(20)에는 제1게이트 신호의 게이트 온 전압(VON)이 공급되고, 제3게이트 라인(22)에는 제3게이트 신호의 게이트 온 전압(VON)이 공급된다. 이에 따라, 도 3a를 참조하면, 제1게이트 신호 및 제3게이트 신호의 게이트 온 전압(VON)에 의해 제1스위칭 TFT(TS1)와, 제2스위칭 TFT(TS2)와, 제3스위칭 TFT(TS3)가 턴-온 된다. 제1스위칭 TFT(TS1) 및 제2스위칭 TFT(TS2)가 턴-온되면 제1게이트 라인(20)의 제1게이트 온 전압(VON)에 의해 제1노드(N1)에 연결된 스토리지 커패시터(C1)에 전압이 충전된다. 이 때, 스토리지 커패시터(C1)는 제1게이트 온 전압(VON)에서 제1스위칭 TFT(TS1)의 문턱전압만큼 빠진 전압이 충전된다. 스토리지 커패시터(C1)에 전압이 충전되면 제1노드(N1)에 연결된 구동 TFT(TDR)의 게이트 전극에 전압이 인가된다. 구동 TFT(TDR)는 게이트 전극에 전압이 인가되면 구동 TFT(TDR)가 작동하여 고전위 전원라인(10)에서 저전위 전원라인(11)으로 전류(IOLED)가 흐르게 된다. 고전위 전원라인(10)에서 저전위 전원라인(11)으로 전류가 흐르게 되면 발광 소자(OLED)에 전류가 흐르게 되어 빛을 방출하게 되고, 셋업 TFT(TSU)의 게이트 전극에 전압이 인가되어 동작하게 된다.
도 3 및 도 4b에 나타낸 제2구간에서, 제1스위칭 TFT(TS1)를 턴-오프시켜 스토리지 커패시터(C1)에 충전된 전압을 제2스위칭 TFT(TS2) 및 제3스위칭 TFT(TS3)를 통해 방전시킨다. 이를 위하여, 제1게이트 라인(20)를 통해 공급되는 제1게이트 신호의 게이트 온 전압(VON)을 게이트 오프 전압(VOFF)으로 전환한다. 이에 따라, 도 3b를 참조하면, 제1스위칭 TFT(TS1)가 턴-오프되고, 스토리지 커패시터(C1)를 통해 충전된 전압이 제2스위칭 TFT(TS2)와 제3스위칭 TFT(TS3) 및 셋업 TFT(TSU)를 통해 그라운드를 통해 방전된다. 이 때, 셋업 TFT(TSU)는 방전되는 기저전압에서 셋업 TFT(TSU)가 가지고 있는 임계전압 만큼을 제외시키고 방전시키게 된다.
다음 수식 1을 참조하면, 제2구간 동안 제1노드(N1)에 걸리는 보상 전압을 계산할 수 있다.
수식 1
Vcomp = VTH(DR) + VTH(SU) + △Vu(DR)
Vcomp = 제1노드에 걸리는 보상 전압
VTH(DR) = 구동 TFT의 임계 전압
VTH(SU) = 셋업 TFT의 임계전압
Vu(DR) = 구동 TFT의 전자 이동도 보상 전압
제2구간 동안 제1노드에 걸리는 보상전압(Vcomp)은 구동 TFT(TDR)의 임계전압(VTH(DR))과, 구동 TFT(TDR)의 전자 이동도 보상 전압(Vu(DR))과, 구동 TFT(TDR)의 게이트와 소스 사이에 걸리는 전압(VGS(DR))을 합산한 전압이다.
도 3 및 도 4c에 나타낸 제3구간에서, 제1스위칭 TFT(TS1), 제2스위칭 TFT(TS2), 제3스위칭 TFT(TS3)를 턴-오프시키고, 제4스위칭 TFT(TS4)를 턴-온시켜 데이터 신호를 구동 TFT(TDR)로 흐르게 한다. 이를 위하여, 제3게이트 라인(22)을 통해 공급되는 제3게이트 신호의 게이트 온 전압(VON)을 게이트 오프 전압(VOFF)으로 전환 하고, 제2게이트 라인(21)에는 제2게이트 신호의 게이트 온 전압(VON)이 공급된다. 이에 따라, 도 3c를 참조하면, 제2스위칭 TFT(TS2)와 제3스위칭 TFT(TS3)가 턴-오프되고, 제4스위칭 TFT(TS4)가 턴-온된다.
제2스위칭 TFT(TS2)와 제3스위칭 TFT(TS3)가 턴-오프되고, 제4스위칭 TFT(TS4)가 턴-온되면 제1노드(N1)의 전압은 데이터신호에 의한 전압과 제2구간 동안 제1노드에 걸리는 보상전압을 합산한 전압이다.
수식 2
VN1 = VDATA + VCOMP
VN1 = 제1노드에 걸리는 전압
VDATA = 데이터 신호에 의한 전압
Vcomp = 제1노드에 걸리는 보상전압
한편, 제1노드(N1)의 전압은 스토리지 커패시터(C1)의 영향으로 부트스트랩 효과가 나타난다.
도 3 및 도 4d에 나타낸 제4구간에서 모든 게이트 신호와 데이터 신호의 공급이 중단되어 스위칭 TFT(TS1,TS2,TS3,TS4)의 동작이 중단되고, 스토리지 커패시터(C1)에 저장된 전압으로 구동 TFT(TDR)를 동작시켜 발광소자(OLED)에 흐르는 전류(IOLED)는 다음 수식 3과 같아진다.
수식 3
Figure PCTKR2013004847-appb-I000001
IOLED = 발광 소자(OLED)에 흐르는 전류
VGS(DR) = 구동 TFT의 게이트와 소스 사이의 전압
VTH(DR) = 구동 TFT의 임계 전압
VGS(DR) = 구동 TFT의 게이트와 소스 사이에 걸리는 전압
k = 상수
u = 구동 TFT의 전자 이동도
W = 구동 TFT의 Width
L = 구동 TFT의 Length
제4구간에서 VGS(DR)은 수식 4와 같다. 모든 게이트 신호와 데이터 신호의 공급이 중단되어 스위칭 TFT(TS1, TS2, TS3, TS4)의 동작이 중단되므로, 이전 구간에서 제1노드(N1)에 걸리는 전압은 VTH(DR)과 동일하게 된다.
수식 4
VGS(DR) = VDATA + VCOMP
여기서, 수식 1 내지 수식 4를 조합하면, 수식 5와 같은 결과를 추출할 수 있다.
수식 5
Figure PCTKR2013004847-appb-I000002
수식 5에서는 VTH(DR)가 소거되는 것을 알 수 있다. 수식 5에 의하면, VTH(DR)가 소거되어 발광 소자(OLED)에 흐르는 전류 IOLED는 구동 TFT(TDR)의 임계전압의 영향을 받지 않게 된다.
수식 6
수식 6을 참조하면, 발광 소자(OLED)에 흐르는 전류 IOLED에서 구동 TFT(TDR)의 임계전압에 의한 영향이 소거된 것을 알 수 있으며, 구동 TFT(TDR)의전자 이동도 보상 전압(Vu(DR))이 발생하여 발광 소자(OLED)에 흐르는 전류 IOLED에 전자 이동도의 편차를 보상해 줄 수 있다.
비록 본 발명이 상기에서 언급한 바람직한 실시예와 관련하여 설명되어졌지만, 본 발명의 요지와 범위로부터 벗어남이 없이 다른 다양한 수정 및 변형이 가능한 것은 당업자라면 용이하게 인식할 수 있을 것이며, 이러한 변경 및 수정은 모두 첨부된 특허청구범위의 범위에 속함은 자명하다.

Claims (15)

  1. 발광 소자를 구동하는 유기 발광 표시 장치의 전압 보상형 화소 회로에 있어서,
    고전위 전원 라인과 저전위 전원 라인 사이에 마련되는 발광 소자에 접속되며, 게이트에 인가되는 소정의 전압에 따라 상기 발광소자를 구동시키는 구동 TFT;
    제1게이트 신호의 온 또는 오프 전압에 의해 스위칭되는 제1스위칭 TFT와, 제2게이트 신호의 온 또는 오프 전압에 의해 스위칭되는 제4스위칭 TFT와, 제3게이트 신호의 온 또는 오프 전압에 의해 스위칭되는 제2스위칭 TFT 및 제3스위칭 TFT를 포함하는 스위칭 TFT;
    상기 구동 TFT에 일단이 연결되어 제1노드를 형성하고, 상기 제2스위칭 TFT와 상기 제4스위칭 TFT의 접점에 타단이 연결되어 제2노드를 형성하며, 충전되는 전압을 상기 구동 TFT에 전달하는 스토리지 커패시터; 및
    상기 발광소자와 상기 구동 TFT의 접점에 설치되어 상기 구동 TFT의 스위칭에 따라 작동하는 셋업 TFT를 포함하는 전압보상형 화소회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1게이트 신호와 상기 제3게이트 신호의 온전압에 따라 상기 제1스위칭 TFT와, 상기 제2스위칭 TFT와, 상기 제3스위칭 TFT가 턴-온되고, 상기 스토리지 커패시터에 소정의 전압이 충전되는 전압보상형 화소회로.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 스토리지 커패시터에 소정의 전압이 충전되면, 일단에 연결된 구동 TFT의 게이트에 전압이 인가되어 상기 고전위 전원라인에서 상기 저전위 전원라인으로 전류가 흐르게 되며, 상기 전류에 의해 상기 발광 장치가 동작하는 전압보상형 화소회로.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1게이트 신호의 오프 전압에 따라 상기 제1스위칭 TFT가 턴-오프되고, 상기 스토리지 커패시터의 충전된 전압이 상기 제2스위칭 TFT, 상기 제3스위칭 TFT 및 상기 셋업 TFT를 통해 방전되는 전압보상형 화소회로.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 스토리지 커패시터의 충전된 전압이 방전되어 상기 제1노드에 형성되는 보상 전압은 상기 구동 TFT의 임계전압과, 상기 셋업 TFT의 임계 전압과, 상기 구동 TFT의 전자 이동도 보상 전압이 합산되어 형성되는 전압보상형 화소회로.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제1스위칭 TFT, 제2스위칭 TFT 및 상기 제3스위칭 TFT를 턴-오프시키고, 제4스위칭 TFT를 턴-온시켜 데이터 신호를 구동 TFT로 전송하는 전압보상형 화소회로.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제1스위칭 TFT, 제2스위칭 TFT 및 상기 제3스위칭 TFT를 턴-오프시키고, 제4스위칭 TFT를 턴-온시켜 데이터 신호를 구동 TFT로 전송하면,
    상기 제1노드에 걸리는 전압은 상기 데이터 신호에 의해 인가되는 전압과, 상기 제1노드에 걸리는 보상 전압을 합산하여 형성되는 전압보상형 화소회로.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1노드에 걸리는 전압이 상기 데이터 신호에 의해 인가되는 전압과, 상기 제1노드에 걸리는 보상 전압을 합산하여 형성되고,
    상기 제4스위칭 TFT가 턴-오프되면 상기 스토리지 커패시터에 저장된 전압에 의해 상기 발광 소자에 흐르는 전류는 상기 구동 TFT의 게이트와 소스 사이의 전압과, 상기 구동 TFT의 임계 전압에 따라 결정되는 전압보상형 화소회로.
  9. 발광 소자와, 상기 발광 소자를 구동시키는 구동 TFT와, 게이트 신호의 온 또는 오프 신호에 따라 스위칭되는 복수 개의 스위칭 TFT와, 상기 구동 TFT에 연결되어 충전되는 전압을 상기 구동 TFT에 전달하는 스토리지 커패시터와, 상기 발광소자와 상기 구동 TFT의 접점에 설치되어 상기 구동 TFT의 스위칭에 따라 작동하는 셋업 TFT를 포함하는 전압보상형 화소회로의 구동 방법에 있어서,
    상기 게이트 신호의 온 또는 오프 전압에 따라 상기 복수 개의 스위칭 TFT를 개별적으로 동작시켜 상기 스토리지 커패시터에 보상 전압을 충전시키고,
    구동 TFT의 임계전압의 변화를 보상할 수 있도록 상기 복수 개의 스위칭 TFT를 모두 오프시켜 데이터 신호에 의한 전압과 상기 구동 TFT의 전자 이동도 보상 전압을 합산한 전압에 비례하는 전류가 상기 발광 소자에 흐르도록 제어하는 전압보상형 화소회로의 구동방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 게이트 신호의 온 또는 오프 전압에 따라 상기 복수 개의 스위칭 TFT를 개별적으로 동작시켜 상기 스토리지 커패시터에 보상 전압을 충전시키는 것은,
    상기 복수 개의 스위칭 TFT에 포함되는 제1스위칭 TFT, 제2스위칭 TFT 및 제3스위칭 TFT를 턴-온시켜 상기 스토리지 커패시터에 소정의 전압을 충전시키는 과정을 포함하는 전압보상형 화소회로의 구동방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 게이트 신호의 온 또는 오프 전압에 따라 상기 복수 개의 스위칭 TFT를 개별적으로 동작시켜 상기 스토리지 커패시터에 보상 전압을 충전시키는 것은,
    상기 스토리지 커패시터에 소정의 전압이 충전되고, 상기 제1스위칭 TFT가 턴-오프되면, 상기 스토리지 커패시터의 충전된 전압이 상기 제2스위칭 TFT, 상기 제3스위칭 TFT 및 상기 셋업 TFT를 통해 방전되는 과정을 포함하는 전압보상형 화소회로의 구동방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 스토리지 커패시터의 충전된 전압이 상기 제2스위칭 TFT, 상기 제3스위칭 TFT 및 상기 셋업 TFT를 통해 방전되어 형성되는 보상전압은,
    상기 구동 TFT의 임계전압, 상기 셋업 TFT의 임계 전압 및 상기 구동 TFT의 전자 이동도 보상 전압을 합산한 전압인 전압보상형 화소회로의 구동방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제1스위칭 TFT, 제2스위칭 TFT, 제3스위칭 TFT를 턴-오프시키고, 제4스위칭 TFT를 턴-온시켜 데이터 신호를 상기 보상전압에 합산하여 상기 구동 TFT에 전달하는 것을 더 포함하는 전압보상형 화소회로의 구동방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 데이터 신호를 상기 보상전압에 합산하여 상기 구동 TFT에 전달하고, 상기 제4스위칭 TFT를 턴-오프시키며, 상기 스토리지 커패시터에 저장된 전압으로 상기 구동 TFT를 동작시키는 전압보상형 화소회로의 구동방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 스토리지 커패시터에 저장된 전압으로 상기 구동 TFT를 동작시키는 것은,
    상기 데이터 신호에 의한 전압과, 상기 구동 TFT 전자 이동도 보상 전압을 합산한 전압으로 상기 구동 TFT를 동작시키는 것인 전압보상형 화소회로의 구동방법.
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