WO2013187558A1 - 발광 다이오드 구동 장치, 발광 장치 및 디스플레이 장치 - Google Patents

발광 다이오드 구동 장치, 발광 장치 및 디스플레이 장치 Download PDF

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Abstract

발광 다이오드 구동 장치, 발광 장치 및 디스플레이 장치가 개시된다. 개시된 발광 다이오드 구동 장치는 제1 도통전극이 전원 전압단과 연결되고, 제2 도통전극이 상기 발광 다이오드의 입력단과 연결되는 제1 트랜지스터; 제어전극이 상기 제1 트랜지스터의 제2 도통전극과 연결되는 제2 트랜지스터; 및 일단이 데이터 전압단과 연결되고, 타단이 상기 제1 트랜지스터의 제어전극과 상기 제2 트랜지스터의 제1 도통전극이 연결된 제1 노드와 연결되는 캐패시터를 포함한다.

Description

발광 다이오드 구동 장치, 발광 장치 및 디스플레이 장치
본 발명의 실시예들은 구동 트랜지스터에서 발생하는 임계 전압의 변화를 보상함과 함께 공정상 발생하는 구동 트랜지스터에서의 전자 이동도의 편차를 보상할 수 있는 발광 다이오드 구동 장치와 이를 포함하는 발광 장치 및 디스플레이 장치에 관한 것이다.
최근의 평판 디스플레이 장치는 크게 LCD(Liquid Crystal Display) 디스플레이 장치, PDP(Plasma Display Panel) 디스플레이 장치 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 디스플레이 장치로 분류될 수 있다.
PDP 디스플레이 장치는 구조와 제조공정이 단순하기 때문에 대화면화에 유리한 장점이 있지만, 낮은 소자 성능으로 인해 고성능이 요구되는 3D 디스플레이 기술에는 적합하지 않다는 단점이 있다. 그리고, 액티브 매트릭스 LCD 디스플레이 장치는 해상도가 높고 대화면화가 가능한 장점이 있지만, 3D 디스플레이에는 적합하지 않다는 단점이 있다. 이에 비하여, 박막 트랜지스터(TFT)를 적용한 액티브 매트릭스 OLED 디스플레이 장치는 생생한 색재현율, 높은 명암비, 얇고 가벼운 모듈, 낮은 소비 전력, 빠른 응답 속도, 넓은 시야각 등과 같은 많은 장점으로 인해 차세대 디스플레이 장치로 각광받고 있다.
이와 관련하여, OLED 디스플레이 장치에서는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터, 다결정 실리콘 기반 박막 트랜지스터 및 산화물 박막 트랜지스터 등을 이용한다.
비정질 실리콘 박막 트랜지스터는 확립되어 있는 제조기술과 대형기판에서 균일하게 유지되는 전자 이동도의 특성으로 인해 대면적 액티브 매트릭스 OLED 디스플레이 장치로의 적용에 우선적으로 고려되어 왔다.
그러나, 비정질 실리콘 박막 트랜지스터는 비정질 실리콘 층이 가지는 특유의 성질로 인하여 전기적 안정성 면에서는 좋지 못한 특성을 가지고 있으며, 지속적인 게이트 바이어스(Gate Bias)의 인가로 인해 임계 전압에 변화가 발생하여 액티브 매트릭스 내의 OLED 화소 회로의 구동에 문제를 초래하는 단점이 있다.
즉, 인가되는 데이터 전압(신호)에 따라 OLED의 발광 휘도가 조절되기 위해서는 OLED를 구동시키기 위한 구동 박막 트랜지스터(Driving TFT)인 비정질 실리콘 박막 트랜지스터가 포화 영역에서 동작되어야 하는데, 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 임계 전압의 변화는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 포화 영역의 변화를 초래한다. 이에 따라, 비정질 실리콘 박막 트랜지스터를 통해 OLED로 공급되는 전류는 감소하게 되고, 이는 OLED의 발광 휘도를 감소시키는 문제를 초래한다.
상기와 같은 문제를 해결하기 위해, 최근 생산되는 액티브 매트릭스 OLED 디스플레이 장치에서는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 사용하고 있다. 다결정 실리콘 박막 트랜지스터는 시스템 레벨에서의 집적화가 가능하며, SOP(System On Panel)로의 구현이 가능한 장점이 있다. 그러나, 다결정 실리콘 박막 트랜지스터는 공정가격이 높고 대형기판 디스플레이 공정에서 생기는 소자의 비균일성으로 인해 전자 이동도에 큰 편차가 발생하는 문제점이 있다.
한편, 액티브 매트릭스 OLED 구동 회로는 입력되는 데이터의 유형에 따라 전압 구동 방식과 전류 구동 방식으로 분류될 수 있다.
전류 구동 방식은 임계 전압의 변화와 공정상 발생하는 전자 이동도의 편차를 동시에 보상할 수 있지만, 데이터가 인가되는 배선에 존재하는 기생 캐패시턴스 성분으로 인해 낮은 데이터 전류 레벨에서 충전시간이 오래 걸려서 구동 주파수에 제약이 발생하는 단점이 있다.
전압 구동 방식은 전류 구동 방식에 비해 충/방전이 용이하여 동작 속도가 빠르고 디스플레이 구동 회로와의 신호 연계가 용이하며, 최근 상용화되는 구동 IC들의 대부분이 전압 구동 방식을 채택하고 있기 때문에 구동 IC의 제작으로 인한 별도의 추가 비용이 요구되지 않는다는 장점이 있다.
그러나, 전압 구동 방식의 경우, 구동 박막 트랜지스터의 임계 전압의 보상에 대해서는 다양한 연구가 수행되고 있지만, 구동 박막 트랜지스터에서의 전자 이동도 편차의 보상에 대해서는 연구가 수행되고 있지 않다.
상기한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해, 본 발명에서는 구동 트랜지스터에서 발생하는 임계 전압의 변화를 보상함과 함께 공정상 발생하는 구동 트랜지스터에서의 전자 이동도의 편차를 보상할 수 있는 발광 다이오드 구동 장치와 이를 포함하는 발광 장치 및 디스플레이 장치를 제안하고자 한다.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 발광 다이오드의 구동 장치에 있어서, 제1 도통전극이 전원 전압단과 연결되고, 제2 도통전극이 상기 발광 다이오드의 입력단과 연결되는 제1 트랜지스터; 제어전극이 상기 제1 트랜지스터의 제2 도통전극과 연결되는 제2 트랜지스터; 및 일단이 데이터 전압단과 연결되고, 타단이 상기 제1 트랜지스터의 제어전극과 상기 제2 트랜지스터의 제1 도통전극이 연결된 제1 노드와 연결되는 캐패시터를 포함하는 발광 다이오드 구동 장치가 제공된다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 발광 다이오드; 제1 도통전극이 전원 전압단과 연결되고, 제2 도통전극이 상기 발광 다이오드의 입력단과 연결되는 제1 트랜지스터; 제어전극이 상기 제1 트랜지스터의 제2 도통전극과 연결되는 제2 트랜지스터; 및 일단이 데이터 전압단과 연결되고, 타단이 상기 제1 트랜지스터의 제어전극과 상기 제2 트랜지스터의 제1 도통전극이 연결된 제1 노드와 연결되는 캐패시터를 포함하는 발광 장치가 제공된다.
또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 발광 다이오드를 포함하는 다수의 발광 장치; 및 상기 다수의 발광 장치로 데이터 전압을 인가하는 데이터 구동부를 포함하되, 상기 다수의 발광 장치 각각은 제1 트랜지스터, 제2 트랜지스터 및 캐패시터를 포함하고, 상기 제1 트랜지스터의 제1 도통전극은 전원 전압단과 연결되고, 상기 제1 트랜지스터의 제2 도통전극은 상기 발광 다이오드의 입력단과 연결되고, 상기 제1 트랜지스터의 제어전극은 상기 캐패시터의 타단과 연결되고, 상기 제2 트랜지스터의 제1 도통전극은 상기 캐패시터의 타단과 연결되고, 상기 제2 트랜지스터의 제2 도통전극은 접지와 연결되고, 상기 제2 트랜지스터의 제어전극은 상기 제1 트랜지스터의 제2 도통전극과 연결되고, 상기 캐패시터의 일단은 상기 데이터 구동부와 연결되어 상기 데이터 전압을 인가받고, 상기 캐패시터의 타단은 상기 전원 전압단과 더 연결되는 디스플레이 장치가 제공된다.
본 발명에 따르면, 구동 트랜지스터에서의 지속적인 게이트 바이어스(Gate Bias)로 인해 발생하는 임계 전압의 변화와 공정상 발생하는 구동 트랜지스터에서의 전자 이동도의 편차를 함께 보상할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면 발광 다이오드의 수명을 연장시킬 수 있는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 구동 장치의 구체적인 회로 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 구동 장치에 포함된 4개의 스위칭 소자(S1, S2, S3, S4) 각각이 온/오프되는 시간 및 데이터 전압(VDATA)이 인가되는 시간을 도시한 도면이다.
도 3 내지 도 6은 각 시간구간에서의 발광 다이오드 구동 장치의 등가회로를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 액티브 매트릭스 형태의 디스플레이 장치의 개략적인 구성을 도시한 도면이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
그리고, "제1", "제2" 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안되며, 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 또한, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
이하에서, 본 발명에 따른 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 구동 장치의 구체적인 회로 구성을 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 구동 장치는 전압 구동 방식에 따라 발광 다이오드(LED)의 구동을 제어하는 장치로서, 제1 트랜지스터(DR), 캐패시터(CST) 및 제2 트랜지스터(SU)를 포함하며, 전원 전압단(VDD), 데이터 전압단(VDATA), 제1 트랜지스터(DR), 캐패시터(CST) 및 제2 트랜지스터(SU) 사이의 연결 관계를 제어하기 위한 4개의 스위칭 소자(S1, S2, S3, S4)를 포함한다.
제1 트랜지스터(DR)는 발광 다이오드(LED)를 구동시키기 위한 소자로서, 발광 다이오드(LED)로 전원 전압(VDD)을 인가하기 위한 구동 트랜지스터이다. 캐패시터(CST)는 제1 트랜지스터(DR)의 제어전극으로 입력되는 전압을 저장하기 위한 저장 캐패시터이다. 제2 트랜지스터(SU)는 제1 트랜지스터(DR)에서 발생하는 임계 전압의 변화 및 전자 이동도의 편차를 보상하기 위한 셋업(setup) 트랜지스터이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 트랜지스터(DR) 및 제2 트랜지스터(SU) 중 적어도 하나는 박막 트랜지스터일 수 있다. 일례로, 박막 트랜지스터는 앞서 설명한 비정질 실리콘 박막 트랜지스터, 다결정 실리콘 박막 트랜지스터일 수도 있고, 산화물 박막 트랜지스터일 수도 있다. 제1 트랜지스터(DR) 및 제2 트랜지스터(SU)가 박막 트랜지스터인 경우, 각 트랜지스터(DR, SU)의 제1 도통전극, 제2 도통전극 및 제어전극은 각각 드레인전극, 소스전극 및 게이트전극과 각각 대응될 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 발광 다이오드(LED)는 유기 발광 다이오드(OLED)일 수 있다.
이들의 연결관계를 보다 상세히 살펴보면, 제1 트랜지스터(DR)의 제1 도통전극은 전원 전압단(VDD)과 연결되고, 제1 트랜지스터(DR)의 제2 도통전극은 발광 다이오드(LED)의 입력단과 연결되며, 제1 트랜지스터(DR)의 제어전극은 제1 노드(n1)에서 캐패시터(CST)의 타단과 연결된다.
그리고, 제2 트랜지스터(SU)의 제1 도통전극은 제3 스위칭 소자(S3)를 통해 제1 노드(n1)에서 캐패시터(CST)의 타단 및 제1 트랜지스터(DR)의 제어전극과 연결(즉, 제3 스위칭 소자(S3)의 일단은 제1 노드(n1)와 연결되고, 타단은 제2 트랜지스터(SU)의 제1 도통전극과 연결)되고, 제2 트랜지스터(SU)의 제2 도통전극은 접지와 연결되며, 제2 트랜지스터(SU)의 제어전극은 제1 트랜지스터(DR)의 제2 도통전극 및 발광 다이오드(LED)의 입력단과 연결된다.
또한, 캐패시터(CST)의 일단은 제2 스위칭 소자(S2)를 통해 접지와 연결(즉, 제2 스위칭 소자(S2)의 일단은 캐패시터(CST)의 일단과 연결되고, 타단은 접지와 연결)됨과 동시에 제4 스위칭 소자(S4)를 통해 데이터 전압단(VDATA)과 연결(즉, 제4 스위칭 소자(S4)의 일단은 데이터 전압단(VDATA)과 연결되고, 타단은 캐패시터(CST)의 일단과 연결)되고, 캐패시터(CST)의 타단은 앞서 설명한 바와 같이 제1 노드(n1)에서 제1 트랜지스터(DR)의 제어전극 및 제2 트랜지스터(SU)의 제1 도통전극과 연결된다.
이외에도, 전원 전압단(VDD)은 제1 스위칭 소자(S1)를 통해 제1 노드(n1)에서 캐패시터(CST)의 타단, 제1 트랜지스터(DR)의 제어전극 및 제2 트랜지스터(SU)의 제1 도통전극과 연결(즉, 제1 스위칭 소자(S1)의 일단은 전원 전압단(VDD)과 연결되고, 타단은 제1 노드(n1)와 연결)되고, 발광 다이오드(LED)의 출력단은 VSS 또는 접지와 연결된다.
그리고, 4개의 스위칭 소자(S1, S2, S3, S4)는 도 1에 도시된 바와 같이 트랜지스터를 포함하여 구성될 수 있다. 이 경우, 스위칭 소자(S1, S2, S3, S4)의 온/오프는 트랜지스터의 제어전극으로 입력되는 전압들(VGATE1, VGATE2, VSCAN)에 의해 각각 제어될 수 있다.
한편, 상기에서 설명한 바와 같은 구성을 가지는 발광 다이오드 구동 장치는 4개의 시간구간(제1 시간구간, 제2 시간구간, 제3 시간구간 및 제4 시간구간)으로 구분되어 기 설정된 주기 마다 반복적으로 제어된다. 이하, 도 2 내지 도 6을 참조하여 발광 다이오드 구동 장치의 동작을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 2는 4개의 스위칭 소자(S1, S2, S3, S4) 각각이 온/오프되는 시간 및 데이터 전압(VDATA)이 인가되는 시간을 도시한 도면이고, 도 3 내지 도 6은 각 시간구간에서의 발광 다이오드 구동 장치의 등가회로를 도시한 도면이다.
먼저, 도 2를 참조하면, 제1 스위칭 소자(S1)는 제1 시간구간(a)에서만 온되고, 나머지 시간구간에서는 오프된다(VGATE1의 그래프 참조). 그리고, 제2 스위칭 소자(S2) 및 제3 스위칭 소자(S3)는 제1 시간구간(a) 및 제2 시간구간(b)에서 온되고, 제3 시간구간(c) 및 제4 시간구간(d)에서는 오프된다(VSCAN의 그래프 참조). 또한, 제4 스위칭 소자(S4)는 제3 시간구간(c)에서만 온되고 나머지 시간구간에서는 오프된다(VGATE2의 그래프 참조). 마지막으로, 데이터 전압(VDATA)은 제3 시간구간(c)에서만 인가된다(VDATA의 그래프 참조).
즉, 전원 전압단(VDD)은 제1 시간구간(a)에서 제1 노드(n1)로 전원 전압을 공급하고, 캐패시터(CST)의 일단은 제1 시간구간(a) 및 제2 시간구간(b)에서 접지와 연결되고, 제1 노드(n1)는 제1 시간구간(a) 및 제2 시간구간(b)에서 제2 트랜지스터(SU)의 제1 도통전극과 연결되고, 데이터 전압단(VDATA)은 제3 시간구간(c)에서 캐패시터(CST)의 일단으로 데이터 전압(VDATA)을 공급한다.
각 시간구간 별로 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 구동 장치의 동작을 상세히 살펴보면 아래와 같다.
먼저, 제1 시간구간(a)에서는 제1 스위칭 소자(S1), 제2 스위칭 소자(S2) 및 제3 스위칭 소자(S3)가 온되고, 제4 스위칭 소자(S4)는 오프된다. 따라서, 발광 다이오드 구동 장치는 도 3에 도시된 등가회로와 같이 동작한다.
이 때, 제1 노드(n1)는 전원 전압단(VDD)과 연결되므로, 구동 소자인 제1 트랜지스터(DR)의 제어전극(즉, 제1 노드(n1))에는 전원 전압만큼의 전압(VDD)이 저장(충전)된다. 즉, 이전 프레임 동안의 전압을 저장하고 있던 캐패시터(CST)는 제1 시간구간(a) 동안 초기화된다. 이에 따라, 제1 시간구간(a)동안에는 구동 소자인 제1 트랜지스터(DR)가 동작하고, 발광 다이오드(LED)에서는 빛이 방출되며, 셋업 소자인 제2 트랜지스터(SU)가 구동된다.
다음으로, 제2 시간구간(b)에서는 제2 스위칭 소자(S2) 및 제3 스위칭 소자(S3)가 온되고, 제1 스위칭 소자(S1) 및 제4 스위칭 소자(S4)가 오프된다. 따라서, 발광 다이오드 구동 장치는 도 4에 도시된 등가회로와 같이 동작한다.
이 때, 캐패시터(CST)의 양단은 모두 접지와 연결되므로, 캐패시터(CST)는 저장된 전압을 방전한다. 그런데, 캐패시터(CST)의 타단인 제1 노드(n1)는 셋업 소자인 제2 트랜지스터(SU)를 통해 접지와 연결되므로, 제1 노드(n1)가 직접 접지와 연결되는 경우와 비교할 때 캐패시터(CST)의 방전시간은 지연되며, 이에 따라 제2 시간구간(b)이 종료된 후 캐패시터(CST)에는 제2 트랜지스터(SU)의 임계 전압만큼의 전압이 잔존한다.
이와 같이 캐패시터(CST)에 잔존하는 전압은 구동 소자인 제1 트랜지스터(DR)의 제어전극으로 인가되며, 이는 제1 트랜지스터(DR)의 임계 전압의 변화를 보상해주는 보상전압이 된다. 따라서, 제1 트랜지스터(DR)의 임계 전압의 변화는 제2 트랜지스터(SU)로 인해 보상된다.
그리고, 캐패시터(CST)에 잔존하는 보상전압은 구동 소자인 제1 트랜지스터(DR)의 제2 도통전극의 전압에 의해 온되는 셋업 소자인 제2 트랜지스터(SU)에 의해 공급되므로, 발광 다이오드(LED)를 통해 흐르는 전류는 전자 이동도와 무관한 값이 되며, 이에 따라 제1 트랜지스터(DR)에서의 전자 이동도의 편차가 보상된다. 이는 아래의 수학식 1을 통해 증명 가능하다.
수학식 1
Figure PCTKR2012008963-appb-M000001
상기한 수학식 1은 제1 트랜지스터(DR)가 박막 트랜지스터이며, 포화영역에서 박막 트랜지스터의 게이트에 인가되는 전압이 고정된 경우 적용 가능한 수학식으로서, ILED는 발광 다이오드(LED)로 흐르는 전류, VDS는 제1 트랜지스터(DR)의 제1 도통전극(드레인전극)과 제2 도통전극(소스전극) 사이의 전압, ID는 제1 트랜지스터의 제1 도통전극(드레인전극)에 흐르는 전류, RON은 제1 트랜지스터(DR)가 온된 경우의 등가저항을 의미한다. 그리고, 는 제1 트랜지스터(DR)의 전자 이동도, COX는 게이트-산화막-반도체가 이루는 캐패시터의 단위 면적당 용량값, W/L은 제1 트랜지스터(DR)의 종횡비를 각각 의미한다.
수학식 1을 참조하면, ILED는 VDS과 비례하고, VDS는 ID와 RON의 곱으로 표현된다. 그런데, ID의 분자부분과 RON의 분모부분에는 각각 (전자 이동도)가 존재하므로, ID와 RON의 곱을 통해 가 상쇄되어 VDS 및 ILED는 제1 트랜지스터(DR)의 전자 이동도와 무관한 값이 된다.
이와 같이, 제2 시간구간(b)에서는 셋업 소자인 제2 트랜지스터(SU)에 의해 임계 전압의 보상 및 전자 이동도의 편차의 보상이 가능해지며, 이에 따라 발광 다이오드(LED)로 일정한 양의 전압이 공급되게 되므로, 발광 다이오드(LED)의 수명이 연장된다.
계속하여, 제3 시간구간(c)에서는 제4 스위칭 소자(S4)만이 온되고, 제1 스위칭 소자(S1), 제2 스위칭 소자(S2) 및 제3 스위칭 소자(S3)는 오프되며, 데이터 전압(VDATA)이 캐패시터(CST)로 인가된다. 따라서, 발광 다이오드 구동 장치는 도 5에 도시된 등가회로와 같이 동작하여, 데이터 전압(VDATA)은 캐패시터(CST)를 통해 제1 트랜지스터(DR)의 제어전극으로 인가된다.
이 때, 캐패시터(CST)의 영향으로 제4 스위칭 소자(S4)를 구성하는 트랜지스터를 통해 제1 트랜지스터(DR)의 제어전극(게이트 전극)과 연결되는 제1 노드(n1)에 인가되는 데이터 전압(VDATA)을 안정적으로 전달하는 부트스트랩(bootstrap) 효과가 발생하며, 제1 노드(n1)에는 제2 시간구간(b)에서 남겨진 보상전압과 데이터 전압(VDATA)이 더해진 만큼의 전압이 충전된다.
마지막으로, 제4 시간구간(d)에서는 모든 스위칭 소자(S1, S2, S3, S4)가 오프된다. 따라서, 발광 다이오드 구동 장치는 도 6에 도시된 등가회로와 같이 동작한다.
이 경우, 캐패시터(CST)에 저장(충전)되어 있던 전압에 의해 구동 소자인 제1 트랜지스터(DR)가 온되며 이에 따라 발광 다이오드(LED)로 전류가 인가된다. 이 때, 발광 다이오드(LED)로 인가되는 전류는 아래의 수학식 2와 같이 표현될 수 있다.
수학식 2
Figure PCTKR2012008963-appb-M000002
상기한 수학식 2는 제1 트랜지스터(DR)가 박막 트랜지스터인 경우 적용 가능한 수학식으로서, VGS는 제1 트랜지스터(DR)의 제어전극(게이트전극)과 제2 도통전극(소스전극) 사이의 전압, VTH는 제1 트랜지스터(DR)의 임계 전압, VG는 제1 트랜지스터(DR)의 제어전극(게이트전극)의 전압, VS는 제1 트랜지스터(DR)의 제2 도통전극(소스전극)의 전압, VCOMP는 보상전압을 각각 의미한다.
이와 같이, 본 발명에 따르면, 구동 트랜지스터에서 발생하는 임계 전압의 변화와 공정상 발생하는 구동 트랜지스터에서의 전자 이동도의 편차를 함께 보상할 수 있으며, 최종적으로, 발광 다이오드의 수명을 연장시킬 수 있는 장점이 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드의 구동 장치는 발광 다이오드와 함께 제작되어 발광 장치를 구성할 수 있다.
또한, 상기와 같은 발광 장치는 도 7에 도시된 액티브 매트릭스 회로에 적용되어 디스플레이 장치를 구성할 수 있다. 한편, 도 7에서, 데이터 구동부는 발광 장치로 데이터 전압을 인가하는 역할을 수행하며, 게이트 구동부는 발광 장치 내의 스위칭 소자(S1, S2, S3, S4)의 스위칭을 제어하기 위한 게이트 신호를 인가하는 역할을 수행한다.
이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.

Claims (10)

  1. 발광 다이오드의 구동 장치에 있어서,
    제1 도통전극이 전원 전압단과 연결되고, 제2 도통전극이 상기 발광 다이오드의 입력단과 연결되는 제1 트랜지스터;
    제어전극이 상기 제1 트랜지스터의 제2 도통전극과 연결되는 제2 트랜지스터; 및
    일단이 데이터 전압단과 연결되고, 타단이 상기 제1 트랜지스터의 제어전극과 상기 제2 트랜지스터의 제1 도통전극이 연결된 제1 노드와 연결되는 캐패시터
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 구동 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터 중에서 적어도 하나는 박막 트랜지스터(TFT)이고,
    상기 발광 다이오드는 유기 발광 다이오드(OLED)인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 구동 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 전원 전압단은 상기 제1 노드와 더 연결되고, 상기 제2 트랜지스터의 제2 도통전극은 접지와 연결되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 구동 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 구동 장치는 제1 시간구간, 제2 시간구간, 제3 시간구간 및 제4 시간구간으로 구분되어 제어되되,
    상기 전원 전압단은 상기 제1 시간구간에서 상기 제1 노드로 전원 전압을 공급하고,
    상기 캐패시터의 일단은 상기 제1 시간구간 및 상기 제2 시간구간에서 접지와 연결되고,
    상기 제1 노드는 상기 제1 시간구간 및 상기 제2 시간구간에서 상기 제2 트랜지스터의 제1 도통전극과 연결되고,
    상기 데이터 전압단은 상기 제3 시간구간에서 상기 캐패시터의 일단으로 데이터 전압을 공급하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 구동 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 구동 장치는
    일단이 상기 전원 전압단과 연결되고, 타단이 상기 제1 노드와 연결되는 제1 스위칭 소자;
    일단이 상기 캐패시터의 일단과 연결되고, 타단이 접지와 연결되는 제2 스위칭 소자;
    일단이 상기 제1 노드와 연결되고, 타단이 상기 제2 트랜지스터의 제1 도통전극과 연결되는 제3 스위칭 소자; 및
    일단이 상기 데이터 전압단과 연결되고, 타단이 상기 캐패시터의 일단과 연결되는 제4 스위칭 소자
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 구동 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 구동 장치는 제1 시간구간, 제2 시간구간, 제3 시간구간 및 제4 시간구간으로 구분되어 제어되되,
    상기 제1 스위칭 소자는 상기 제1 시간구간에서 온되고, 상기 제2 시간구간, 상기 제3 시간구간 및 상기 제4 시간구간에서 오프되고,
    상기 제2 스위칭 소자 및 상기 제3 스위칭 소자는 상기 제1 시간구간 및 상기 제2 시간구간에서는 온되고, 상기 제3 시간구간 및 상기 제4 시간구간에서 오프되고,
    상기 제4 스위칭 소자는 상기 제3 시간구간에서 온되고, 상기 제1 시간구간, 상기 제2 시간구간 및 상기 제4 시간구간에서 오프되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 구동 장치.
  7. 발광 다이오드;
    제1 도통전극이 전원 전압단과 연결되고, 제2 도통전극이 상기 발광 다이오드의 입력단과 연결되는 제1 트랜지스터;
    제어전극이 상기 제1 트랜지스터의 제2 도통전극과 연결되는 제2 트랜지스터; 및
    일단이 데이터 전압단과 연결되고, 타단이 상기 제1 트랜지스터의 제어전극과 상기 제2 트랜지스터의 제1 도통전극이 연결된 제1 노드와 연결되는 캐패시터
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  8. 발광 다이오드를 포함하는 다수의 발광 장치; 및
    상기 다수의 발광 장치로 데이터 전압을 인가하는 데이터 구동부를 포함하되,
    상기 다수의 발광 장치 각각은 제1 트랜지스터, 제2 트랜지스터 및 캐패시터를 포함하고,
    상기 제1 트랜지스터의 제1 도통전극은 전원 전압단과 연결되고, 상기 제1 트랜지스터의 제2 도통전극은 상기 발광 다이오드의 입력단과 연결되고, 상기 제1 트랜지스터의 제어전극은 상기 캐패시터의 타단과 연결되고,
    상기 제2 트랜지스터의 제1 도통전극은 상기 캐패시터의 타단과 연결되고, 상기 제2 트랜지스터의 제2 도통전극은 접지와 연결되고, 상기 제2 트랜지스터의 제어전극은 상기 제1 트랜지스터의 제2 도통전극과 연결되고,
    상기 캐패시터의 일단은 상기 데이터 구동부와 연결되어 상기 데이터 전압을 인가받고, 상기 캐패시터의 타단은 상기 전원 전압단과 더 연결되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 다수의 발광 장치 각각은
    일단이 상기 전원 전압단과 연결되고, 타단이 상기 제1 노드와 연결되는 제1 스위칭 소자, 일단이 상기 캐패시터의 일단과 연결되고, 타단이 접지와 연결되는 제2 스위칭 소자, 일단이 상기 제1 노드와 연결되고, 타단이 상기 제2 트랜지스터의 제1 도통전극과 연결되는 제3 스위칭 소자, 및 일단이 상기 데이터 전압단과 연결되고, 타단이 상기 캐패시터의 일단과 연결되는 제4 스위칭 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 다수의 발광 장치 각각은 제1 시간구간, 제2 시간구간, 제3 시간구간 및 제4 시간구간으로 구분되어 제어되되,
    상기 제1 스위칭 소자는 상기 제1 시간구간에서 온되고, 상기 제2 시간구간, 상기 제3 시간구간 및 상기 제4 시간구간에서 오프되고,
    상기 제2 스위칭 소자 및 상기 제3 스위칭 소자는 상기 제1 시간구간 및 상기 제2 시간구간에서는 온되고, 상기 제3 시간구간 및 상기 제4 시간구간에서 오프되고,
    상기 제4 스위칭 소자는 상기 제3 시간구간에서 온되고, 상기 제1 시간구간, 상기 제2 시간구간 및 상기 제4 시간구간에서 오프되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
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