WO2014146264A1 - 电容式开关、信号收发装置及制造方法 - Google Patents

电容式开关、信号收发装置及制造方法 Download PDF

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WO2014146264A1
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conductive
conductive cantilever
conductor
cantilever
suspended
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PCT/CN2013/072938
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杨雄
曹伯承
王磊
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华为终端有限公司
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0064—Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
    • B81B3/0067—Mechanical properties
    • B81B3/0072—For controlling internal stress or strain in moving or flexible elements, e.g. stress compensating layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0002—Arrangements for avoiding sticking of the flexible or moving parts
    • B81B3/001—Structures having a reduced contact area, e.g. with bumps or with a textured surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
    • H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
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    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
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    • B81B2201/012—Switches characterised by the shape
    • B81B2201/014—Switches characterised by the shape having a cantilever fixed on one side connected to one or more dimples
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
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    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
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    • B81B2201/012—Switches characterised by the shape
    • B81B2201/018—Switches not provided for in B81B2201/014 - B81B2201/016
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G5/00—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture
    • H01G5/16—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture using variation of distance between electrodes

Definitions

  • the present invention relates to communication technologies, and in particular, to a capacitive switch, a signal transceiving device, and a manufacturing method. Background technique
  • communication terminals support more and more frequency bands.
  • the communication terminals here can be mobile phones, data cards and other communication terminals.
  • the communication terminal works in different networks or different frequency bands, and needs to perform band selection switching.
  • the existing communication terminal works, it is mainly controlled by some chips, such as transceiver chips. Some pins on these chips can indicate the working frequency band of the communication terminal, that is, each pin represents a different working frequency band of the communication terminal, that is, through the chip.
  • the integrated circuit provides a capacitive switch for the pin corresponding to each frequency band of the terminal operation, and controls the on/off state of the capacitive switch by controlling the DC signal input by the integrated circuit as a logic level, thereby realizing the communication terminal Band selection switching.
  • the traditional capacitive switch is made of MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) technology.
  • the DC signal input by the integrated circuit is used to control the on/off of the capacitive switch to control the flow and cutoff of the signal.
  • the switch When the switch is energized, there are input signals on the pins that control multiple frequency bands, and the corresponding pins of each frequency band are connected with capacitive switches.
  • the control integrated circuit When the terminal works in a certain frequency band, the control integrated circuit inputs the DC that is driven by the high voltage. The signal is given to the control end of the capacitive switch connected to the pin indicating the other frequency band.
  • the DC signal controls the capacitive switch to be turned off, the input signal of the input terminal is cut off, thereby performing frequency band selection switching through this process. .
  • Embodiments of the present invention provide a capacitive switch, a signal transceiver device, and a manufacturing method thereof, which are solved
  • the traditional capacitive switch has a problem that the signal transmission quality of the communication terminal is not high due to the unloading of the metal film bridge stress.
  • a first aspect of the embodiments of the present invention provides a capacitive switch, including: a first conductive cantilever, a second conductive cantilever, a substrate, and a coplanar waveguide disposed on the substrate, the coplanar waveguide including a first conductor of the electrical signal and a second conductor and a third conductor disposed as ground lines on both sides of the first conductor, wherein the first conductor is provided with an insulating dielectric layer, and the insulating dielectric layer is provided with a conductive
  • the first conductive cantilever is connected to the second conductor through a first fixed end of the first conductive cantilever, and the second conductive cantilever passes through a second fixed end of the second conductive cantilever a three-conductor connection, when the capacitive switch does not pass a DC signal, the first suspended end of the first conductive cantilever and the second suspended end of the second conductive cantilever are suspended above the conductive layer When the capacitive switch is connected to the DC signal, the
  • the first fixed end is perpendicularly connected to the first floating end, forming a first conductive cantilever of a right angle bent structure
  • the second The fixed end is perpendicularly connected to the second suspended end to form a second conductive cantilever of the right angle bent structure.
  • the first fixed end is connected to the first suspended end by a first supporting portion, and forms a first conductive cantilever of the Z-shaped bending structure
  • the first fixed end is parallel to the first suspended end
  • the second fixed end is connected to the second suspended end by a second supporting portion to form a second conductive cantilever of the Z-shaped bending structure.
  • the second fixed end is parallel to the second suspended end.
  • the first floating end of the first conductive cantilever faces the conductive
  • the surface of the layer is provided with at least one contact;
  • the second floating end of the second conductive cantilever is provided with at least one contact point facing the surface of the conductive layer.
  • a second aspect of the embodiments of the present invention provides a signal transceiving device, including: a signal source processing circuit, a microwave processing circuit, a control integrated circuit, and a capacitive switch;
  • the capacitive switch includes: a first conductive cantilever, a second conductive cantilever, a substrate, and a coplanar waveguide disposed on the substrate, the coplanar waveguide including a first conductor and a set for transmitting an electrical signal a second conductor and a third conductor as ground lines on both sides of the first conductor, the first conductor An insulating dielectric layer is disposed on the insulating dielectric layer, and the first conductive cantilever is connected to the second conductor through a first fixed end of the first conductive cantilever, the second conductive cantilever Connecting to the third conductor through a second fixed end of the second conductive cantilever, wherein the signal source processing circuit is connected to an input end of the first conductor disposed on the capacitive switch, the microwave processing circuit Connected to an output of a first conductor disposed on the capacitive switch, the control integrated circuit being coupled to a control terminal disposed on a first conductor of the capacitive switch, when the first conductor of
  • the first fixed end is perpendicularly connected to the first floating end, forming a first conductive cantilever of a right angle bent structure
  • the second The fixed end is perpendicularly connected to the second suspended end to form a second conductive cantilever of the right angle bent structure.
  • the first fixed end is connected to the first floating end by a first supporting portion, and forms a first conductive cantilever of the Z-shaped bending structure
  • the first fixed end is parallel to the first suspended end
  • the second fixed end is connected to the second suspended end by a second supporting portion to form a second conductive cantilever of the Z-shaped bending structure.
  • the second fixed end is parallel to the second suspended end.
  • the first floating end of the first conductive cantilever faces the The surface of the conductive layer is provided with at least one contact;
  • the second floating end of the second conductive cantilever is provided with at least one contact point facing the surface of the conductive layer.
  • a third aspect of the embodiments of the present invention provides a method for manufacturing a capacitive switch, including: coating a surface of a substrate with a metal layer and etching to form a coplanar waveguide, where the coplanar waveguide includes a signal for transmitting an electrical signal a conductor and a second conductor and a third conductor disposed as ground lines on both sides of the first conductor;
  • the sacrificial structure is removed.
  • the etch-formed structure is coated with a metal layer and etched to form the first conductive cantilever and the second conductive cantilever, including: The etched structure is coated with a metal layer and etched to form a first conductive cantilever and a second conductive cantilever, wherein the first fixed end is perpendicularly connected to the first suspended end to form a first conductive portion of the right angle bent structure The cantilever is vertically connected to the second floating end to form a second conductive cantilever of the right angle bent structure.
  • the etch-formed structure is coated with a metal layer and etched to form the first conductive cantilever and the second conductive cantilever, including: The etched structure is coated with a metal layer and etched to form a first conductive cantilever and a second conductive cantilever, wherein the first fixed end is connected to the first floating end through the first supporting portion to form a Z-shaped bend The first conductive cantilever of the structure, wherein the first fixed end is parallel to the first suspended end; the second fixed end is connected to the second suspended end by a second support portion to form a Z-shaped bent structure The second conductive cantilever, wherein the second fixed end is parallel to the second suspended end.
  • the surface of the sacrificial layer structure is further formed with the first conductive cantilever At least one contact receiving area and/or at least one contact receiving area of the second conductive cantilever; correspondingly, after removing the sacrificial structure, the first floating end of the first conductive cantilever faces the surface of the conductive layer Forming at least one contact; and/or, the surface of the second floating end of the second conductive cantilever facing the conductive layer is further formed with at least one contact.
  • the capacitive switch provided in this embodiment can solve the stress generated by the metal film bridge in the capacitive switch by using the separated structure of the first conductive cantilever and the second conductive cantilever, thereby improving the reliability of the capacitive switch. Guarantee the transmission quality of the signal.
  • FIG. 1 is a schematic top plan view of a first embodiment of a capacitive switch according to the present invention
  • FIG. 2 is a cross-sectional structural view of a first embodiment of a capacitive switch according to the present invention
  • Embodiment 3 is a schematic structural diagram of Embodiment 1 of a signal transmitting and receiving apparatus according to the present invention.
  • Embodiment 4 is a schematic structural diagram of Embodiment 2 of a signal transceiving device provided by the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic flow chart of an embodiment of a method for manufacturing a capacitive switch according to the present invention.
  • first conductive cantilever 12: second conductive cantilever; 13: substrate;
  • first support portion 24: first floating end; 25: second support portion;
  • 301 antenna; 302: filter; 303: circulator;
  • the capacitive switch includes: a first conductive cantilever 1 1 , a second conductive cantilever 12 , a substrate 13 , and a coplanar waveguide disposed on the substrate 13 , the coplanar waveguide A first conductor 14 for transmitting an electrical signal and a second conductor 15 and a third conductor 16 as ground conductors disposed on both sides of the first conductor 14 are provided, and the first conductor 14 is provided with an insulating dielectric layer 17 a conductive layer 18 is disposed on the insulating dielectric layer 17; the first conductive cantilever 11 is connected to the second conductor 15 through a first fixed end 19 of the first conductive cantilever 1 1 , the second The conductive cantilever 12 is connected to the third conductor 16 through
  • the second floating end 26 of the second conductive cantilever 12 is suspended above the conductive layer 18, and when the capacitive switch is connected to a DC signal, the first floating end of the first conductive cantilever 1 1 24 is in contact with the conductive layer 18, the second floating end 26 of the second conductive cantilever 12 and the guide The contact layer 18.
  • the electrical signal is an electromagnetic wave signal or a radio frequency signal.
  • first fixed end 19 and the first suspended end 24 of the first conductive cantilever 1 1 may be an integrated structure, or may be separately provided. One end of the first fixed end 19 is connected to the first suspended end 24, and the present invention The embodiment is not limited thereto.
  • the second fixed end 20 and the second suspended end 26 of the second conductive cantilever 12 may be integrated or separately. One end of the second fixed end 20 is connected to the second suspended end 26, which is an embodiment of the present invention. There is no limit to this.
  • the capacitive switch in the initial state, is in an open state, that is, a state in which the signal can flow.
  • the capacitive switch generally includes a first pin, a second pin and a control pin.
  • the first pin can be an input pin or an output pin, corresponding to the first pin
  • the second pin can be an output lead A pin or an input pin, wherein the first pin, the second pin, and the control pin are all disposed on the first conductor 14 by a package integration process.
  • the first conductor 14, the insulating dielectric layer 17 and the conductive layer 18 of the capacitive switch form a capacitor structure, and have a function of alternating current and DC blocking (here, the first pin is an input pin, and the second pin is an output.
  • the capacitive switch when the capacitive switch is in an open state, the electrical signal flowing from the first pin of the capacitive switch is an alternating current signal, and the electrical signal can flow in through the first pin of the first conductor 14, and The two pins flow out and are then processed by the subsequent amplifier circuit.
  • control pin of the capacitive switch is generally connected to a control integrated circuit.
  • the capacitive switch is mainly applied in the receiving path.
  • the filter is filtered, and the circulator determines that the electrical signal is the signal received by the antenna.
  • the electrical signal then enters an input pin located on the first conductor 14 of the capacitive switch.
  • the control integrated circuit connected to the control pin of the capacitive switch inputs the constant current signal, and the DC signal It can be used as a logic level signal to control the on and off states of the capacitive switch; in general, the voltage of the DC signal is low, which may not be enough to drive the capacitive switch to be in the off state, so inside the control integrated circuit or in the control integrated circuit
  • a high-voltage driving chip or a high-voltage driving circuit may be disposed on the path connected to the capacitive switch, so that the generated DC signal voltage is sufficient to drive the capacitive switch to be in an off state; when the DC signal input by the control integrated circuit is driven by the high voltage
  • the control pin of the capacitive switch flows in, at this time, the first conductor 14 has a positive charge, the upper surface of the conductive layer 18 also has a positive charge, and the second conductor 15 and the third
  • the terminals 26 also all carry a negative charge. Due to the electrostatic force generated by the anisotropic attraction, the first floating end 24 and the second floating end 26 are respectively in contact with the conductive layer 18 to form two closed loops.
  • the electrical signal passes through the first conductor 14, the dielectric layer 17, the conductive layer 18, and the first conductive cantilever 11, and, via the first conductor 14, the dielectric layer 17
  • the conductive layer 18 and the second conductive cantilever 12 flow into the second conductor 15 and the third conductor 16 at the left and right ends, that is, the electrical signal is introduced to the ground line, so that the electrical signals of certain frequency bands cannot flow to the first position of the capacitive switch.
  • An output pin on conductor 14, thereby causing the communication terminal to operate on the operating frequency band desired by the user.
  • the first conductive cantilever 11 and the second conductive cantilever 12 are made of a metal material.
  • the design of the first conductive cantilever 11 and the second conductive cantilever 12 is suspended.
  • the stress generated by the metal film bridge can be interpreted, that is, the first conductive cantilever 11
  • the right end of the first suspended end 24 and the left end of the second suspended end 26 of the second conductive cantilever 12 have a certain space to interpret the stress generated by the metal film bridge, and the prior art double-ended fixed beam structure is solid
  • the integrity of the beam itself ie, the metal film bridge above the conductive layer is a complete beam
  • the stress generated by the metal film bridge causes the fixed beam to be convex or concave, so that when the capacitive switch is in the off state,
  • the deformed double-ended fixed beam is in poor contact with the conductive layer 18, causing leakage of signals during signal transmission, thereby affecting the transmission quality of the signal of the entire communication terminal;
  • the capacitive switch provided in this embodiment can solve the stress generated by the metal film bridge in the capacitive switch by using the separated structure of the first conductive cantilever 11 and the second conductive cantilever 12, thereby improving the reliability of the capacitive switch.
  • the parasitic capacitance of the capacitive switch in the on state can be reduced, thereby further reducing the insertion loss in the on state, and ensuring the signal transmission quality.
  • the first fixed end 19 is perpendicularly connected to the first suspended end 24 to form a first conductive cantilever 11 of a right-angled bent structure
  • the second fixed end 20 is The second suspended ends 26 are vertically connected to form a second conductive cantilever 12 of a right angle bent structure.
  • the structure of the first conductive cantilever 11 may be an "I" shape
  • the structure of the second conductive cantilever 12 may be an "I" shape.
  • first fixed end 19 and the first suspended end of the first conductive cantilever 11 are
  • the embodiment of the present invention is not limited thereto.
  • the second fixed end 20 and the second suspended end 26 of the second conductive cantilever 12 may be integrated or separately.
  • One end of the second fixed end 20 is connected to the second suspended end 26, which is an embodiment of the present invention. There is no limit to this.
  • the first fixed end 19 is connected to the first suspended end 24 through the first supporting portion 23 to form a Z-shaped bending structure.
  • a first conductive cantilever 11 wherein the first fixed end 19 is parallel to the first suspended end 24 ;
  • the second fixed end 20 is connected to the second suspended end 26 via a second support portion 25 to form a second conductive cantilever 12 of the Z-shaped bent structure, wherein the second fixed end 20 and the second suspended end
  • the structure of the first conductive cantilever 11 may be a "J ⁇ " shape
  • the structure of the second conductive cantilever 12 may be a " ⁇ L" shape, as shown in FIG. 2 .
  • first supporting portion 23, the first fixing end 19 and the first floating end 24 of the first conductive cantilever 11 may be an integral structure, and the first supporting portion 23 is respectively connected to the first fixed end 19 and the first floating end
  • the first end portion 23 is connected to the first fixed end 19 and the first dangling end 24, which is not limited in this embodiment of the present invention.
  • the second fixed end 20, the second support portion 25 and the second suspended end 26 of the second conductive cantilever 12 may be The second support portion 25 is connected to the second fixed end 20 and the second suspended end 26 respectively.
  • the second support portion 25 is connected to the second fixed end 20 and the second suspended end 26, respectively. This example is not limited.
  • the first floating end 24 of the first conductive cantilever 11 is provided with at least one contact 21 facing the surface of the conductive layer 18.
  • the second floating end 26 of the second conductive cantilever 12 is provided with at least one contact 22 facing the surface of the conductive layer 18.
  • At least one contact 21 is disposed on a surface of the first conductive cantilever 11 facing the conductive layer 18, and/or a second floating end 26 of the second conductive cantilever 12 faces the surface of the conductive layer 18.
  • the at least one contact 22 is disposed.
  • the electrical signal passes through the first conductor 14, the dielectric layer 17, the conductive layer 18, and the first conductive cantilever 11, and, via the first conductor 14, the dielectric layer 17
  • the conductive layer 18 and the second conductive cantilever 12 flow into the second conductor 15 and the third conductor 16 at the left and right ends, that is, the electrical signal is introduced to the ground line (the ground line is the second conductor 15 and the third conductor 16).
  • the electrical signals of certain frequency bands cannot flow to the output pins of the capacitive switch, so that the communication terminal works on the working frequency band that the user wants.
  • the capacitive switch provided in this embodiment is provided with at least one contact 21 facing the surface of the conductive layer 18 at the first floating end 24 of the first conductive cantilever 11, and/or a second dangling of the second conductive cantilever 12
  • the terminal 26 is disposed on the surface of the conductive layer 18 to provide at least one contact 22, which can reduce the contact area of the first conductive cantilever 11 and the second conductive cantilever 12 with the conductive layer 18, thereby reducing the first conductive cantilever 11,
  • the adhesion force generated when the two conductive cantilevers 12 are respectively in contact with the conductive layer 18, thereby avoiding the adhesion between the first conductive cantilever 11, the second conductive cantilever 12 and the conductive layer 18 when the adhesion is greater than when the capacitive switch is off.
  • the generated electrostatic force is generated, the open state and the off state of the capacitive switch cannot be smoothly switched.
  • the capacitive switch can be packaged as a chip.
  • the chip includes an input pin, an output pin, and a control pin.
  • the DC signal input by the control pin can make the capacitive switch be in an off state due to the electrostatic force, so that the first conductive cantilever 11 and the second conductive suspension can be made
  • the arm 12 is in contact with the conductive layer 18 to form two closed loops, that is, electrical signals (electromagnetic wave signals) of certain frequency bands may pass through the capacitors formed by the first conductor 14, the insulating dielectric layer 17 and the conductive layer 18, and then flow through the first
  • the conductive cantilever 11 and the second conductor 15 are introduced to the ground; the electrical signals of the certain frequency bands are also passed through the first conductor 14, the insulating dielectric layer 17 and the conductive layer 18, and then flow through the second conductive cantilever 12 and
  • the three conductors 16 are introduced to the ground so that electrical signals in certain frequency bands cannot flow to the output pins, thereby allowing the communication terminal to
  • FIG. 3 is a schematic structural diagram of Embodiment 1 of a signal transceiving apparatus provided by the present invention
  • FIG. 4 is a schematic structural diagram of Embodiment 2 of a signal transceiving apparatus provided by the present invention.
  • the device includes a signal source processing circuit 30, a microwave processing circuit 31, a control integrated circuit 32, and a capacitive switch 33.
  • the signal source processing circuit 30 and the first of the capacitive switches 33 are provided.
  • An input end of a conductor 14 is connected, the microwave processing circuit 31 is connected to an output end of the first conductor 14 disposed on the capacitive switch 33, and the control integrated circuit 32 and the first portion disposed in the capacitive switch 33 a control end of a conductor 14 is connected; when the control end of the first conductor 14 of the capacitive switch 33 does not pass a DC signal, the first floating end 24 of the first conductive cantilever 11 and the second conductive cantilever The second floating end 26 of the suspension 14 is suspended above the conductive layer 18.
  • the signal source processing circuit 30 may include an antenna 301, a filter 302, and a circulator 303, wherein an output end of the antenna 301 is connected to an input end of the filter 302, and an output of the filter 302. The end is connected to the input end of the circulator 303, and the output end of the circulator 303 is connected to the input end of the first conductor 14 disposed on the capacitive switch 33;
  • the microwave processing circuit 31 includes a low noise power amplifier 310, wherein An output of the first conductor 14 disposed at the capacitive switch 33 is coupled to an input of the low noise power amplifier 310.
  • the output of the low-noise power amplifier 310 can be connected to other corresponding devices in the receiving path according to the prior art.
  • the control integrated circuit 32 is not in the receiving path, and the control integrated circuit 32 can be a separate module. Used to connect with the control end of the first conductor 14 disposed on the capacitive switch 33, thereby controlling the switching of the on state and the off state of the capacitive switch 33; when the control end of the first conductor 14 of the capacitive switch 33 is When the DC signal is not passed, the first floating end 24 of the first conductive cantilever 11 and the second suspended end 26 of the second conductive cantilever 12 are suspended above Above the conductive layer 18, when the control terminal disposed on the first conductor 14 of the capacitive switch 33 passes a DC signal, the first floating end 24 of the first conductive cantilever 11 is in contact with the conductive layer 18, and the second conductive cantilever The second floating end 26 of the second suspension terminal 26 is in contact with the conductive layer 18, thereby forming two closed loops, and introducing electrical signals into the second conductor 15 and the third conductor 16 on the left and right sides, thereby making the electrical signals of certain frequency bands impossible.
  • the structure of the capacitive switch 33 can be referred to FIG. 1 and FIG. 2 and the description of the embodiment of the capacitive switch 33, and details are not described herein again.
  • the signal transmitting and receiving device can be a communication terminal such as a data card, a wireless router, a mobile phone, or a media device.
  • the method includes:
  • S301 coating a surface of the substrate with a metal layer and etching to form a coplanar waveguide, the coplanar waveguide including a first conductor for transmitting an electrical signal and a second ground disposed at a side of the first conductor Conductor and third conductor.
  • the surface of the substrate refers to the upper surface of the substrate.
  • a metal layer is coated on the surface of the substrate, and the substrate may be a low loss substrate with a low dielectric constant, a metal is sputtered on the low loss substrate, and an unnecessary etching process is used.
  • the metal layer is etched away to form a coplanar waveguide comprising a first conductor for transmitting an electrical signal and a second conductor and a third conductor being grounded on both sides of the first conductor.
  • S302 coating an insulating dielectric film on the structure formed by etching, and etching to form an insulating dielectric layer, wherein the insulating dielectric layer is formed on the first conductor.
  • the surface of the first conductor formed by etching, the surface of the second conductor, the surface of the third conductor, and the surface of the space between the first conductor, the second conductor, and the third conductor are plasma-enhanced chemical vapor phase
  • a layer of insulating dielectric film is grown by a deposition enhanced method (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, hereinafter referred to as PEC VD), and is etched by an etching process to form an insulating dielectric layer formed on the first conductor.
  • PEC VD deposition enhanced method
  • the surfaces of the two conductors and the third conductor have no insulating dielectric film due to the etching process.
  • S303 coating a conductive film on the structure formed by etching, and etching to form a conductive layer, wherein the conductive layer is formed on the insulating dielectric layer. Specifically, between the surface of the second conductor formed by etching, the surface of the third conductor, the surface of the insulating dielectric layer of the first conductor surface, and the dielectric layer of the second conductor, the third conductor and the first conductor surface The spaced surface is coated with a whole layer of conductive film, which is etched by an etching process to form a conductive layer. The conductive layer is formed on the insulating dielectric layer, and the conductive film on the second conductor and the third conductor has been etched away. It is.
  • S304 coating a sacrificial layer on the structure formed by etching, and etching to form a sacrificial structure, the edge of the sacrificial structure covering a portion of the second conductor and a portion of the third conductor.
  • the structure formed by etching in step 303 is coated with a full layer of sacrificial layer and etched to form a sacrificial structure, the edge of the sacrificial structure covering a portion of the second conductor and a portion of the third conductor, That is, after the sacrificial layer is coated, the fixed region of the first fixed end and the fixed region of the second fixed end are etched by an etching process, and the fixed region of the first fixed end is in the middle portion of the second conductor, that is, the first The sacrificial layer of the fixed end region has been etched away, and the edge of the fixed region of the first fixed end has a sacrificial layer (ie, the edge of the sacrificial structure covers a portion of the second conductor); similarly, the second fixed end is fixed The edge of the region has a sacrificial layer (ie, the edge of the sacrificial structure covers a portion of the third conductor).
  • a sacrificial layer
  • S305 coating a metal layer on the etched structure, and etching to form a first conductive cantilever and a second conductive cantilever, wherein the first conductive cantilever passes through the first fixed end of the first conductive cantilever The second conductive connection is connected to the third conductor through the second fixed end of the second conductive cantilever.
  • the sacrificial structure is removed to form a first suspended end of the first conductive cantilever and a second suspended end of the second conductive cantilever.
  • the entire structure formed by etching in step 304 is coated with a full layer of metal layer (here, a full layer of metal layer is coated by sputtering), and etched to form a first conductive cantilever.
  • a second conductive cantilever after etching to form the first conductive cantilever and the second conductive cantilever, and sputtering the metal layer by layer, that is, electroplating thickening; wherein, the first conductive cantilever passes through the first fixed end of the first conductive cantilever a second conductor connection, the second conductive cantilever is connected to the third conductor through a second fixed end of the second conductive cantilever; thereafter, the sacrificial structure is removed by wet etching to form a first conductive cantilever a suspended end, a second suspended end of the second conductive cantilever, a first fixed end and a second fixed end, The connection of the first fixed end to the second conductor and the connection of the second fixed end to the third conduct
  • the separation structure of the first conductive cantilever and the second conductive cantilever is formed by an etching process, so that the stress generated by the metal film bridge in the capacitive switch can be translated, thereby improving the reliability of the capacitive switch.
  • the parasitic capacitance of the capacitive switch in the on state can be reduced, thereby further reducing the insertion loss in the on state and ensuring the signal transmission quality.
  • the step 305 may be: coating a metal layer on the structure formed by etching, and etching to form a first conductive cantilever and a second conductive cantilever, wherein The first fixed end is perpendicularly connected to the first suspended end to form a first conductive cantilever of the right angle bent structure, and the second fixed end is perpendicularly connected with the second suspended end to form a second conductive cantilever of the right angle bent structure.
  • the structure formed by etching in step 304 includes a fixed area of the first fixed end and a fixed area of the second fixed end, and the sacrificial layer of the fixed area of the first fixed end and the fixed area of the second fixed end has been engraved Etching off; coating a metal layer on the basis of the structure (where a full layer of metal layer can be sputtered), forming an first conductive cantilever and a second conductive cantilever by an etching process,
  • the first fixed end is perpendicularly connected to the first suspended end to form a first conductive cantilever of the right angle bent structure
  • the second fixed end is perpendicularly connected with the second suspended end to form a second right angle bending structure
  • Conductive cantilever may be noted that the formed first conductive cantilever structure may have an "I" shape, and the formed second conductive cantilever may have an "I" shape.
  • the step 305 may be: coating a metal layer on the structure formed by etching, and etching to form a first conductive cantilever and a second conductive cantilever, wherein The first fixed end is connected to the first floating end through the first supporting portion to form a first conductive cantilever of the Z-shaped bending structure, wherein the first fixed end is parallel to the first suspended end; the second fixed end passes The second support portion is coupled to the second suspended end to form a second conductive cantilever of the Z-shaped bent structure, wherein the second fixed end is parallel to the second suspended end.
  • the structure formed by etching in step 304 includes a fixed area of the first fixed end and a fixed area of the second fixed end, and the sacrificial layer of the fixed area of the first fixed end and the fixed area of the second fixed end has been etched.
  • a metal layer is coated (here, a full layer of the metal layer can be sputtered), and the first conductive cantilever is formed by an etching process.
  • the second conductive cantilever wherein the first fixed end is connected to the first suspended end through the first supporting portion to form a first conductive cantilever of the Z-shaped bending structure, the first fixed end and the first floating end
  • the second fixed end is connected to the second floating end through the second supporting portion to form a second conductive cantilever of the Z-shaped bending structure, and the second fixed end is parallel to the second floating end.
  • the structure of the first conductive cantilever formed may be a "J ⁇ " shape, and the structure of the formed second conductive cantilever may be an "L"shape;
  • the surface of the sacrificial layer structure is further formed with at least one contact receiving area of the first conductive cantilever and/or at least one of the second conductive cantilever a contact receiving area; correspondingly, after removing the sacrificial structure, a surface of the first floating cantilever facing the conductive layer is further formed with at least one contact; and/or The second floating end of the second conductive cantilever is further formed with at least one contact facing the surface of the conductive layer.
  • the surface of the sacrificial layer as described in step 304 is etched to form a fixed region of the first fixed end and a fixed region of the second fixed end, and at least one contact receiving region of the first conductive cantilever is further formed on the surface of the sacrificial layer and At least one contact receiving area of the second conductive cantilever; preferably, the contact surface of the sacrificial layer facing the first conductive cantilever is etched to form two contact receiving regions, and/or, in the sacrificial layer facing The surface of the suspended ends of the two conductive cantilevers is etched to form two contact receiving regions.
  • At least one contact is formed on a surface of the first conductive cantilever facing the conductive layer at the first floating end; and/or a second floating end of the second conductive cantilever
  • the surface facing the conductive layer is further formed with at least one contact.
  • the number of contacts of the floating end of each conductive cantilever facing the surface of the conductive layer may be two.
  • the separation structure of the first conductive cantilever and the second conductive cantilever is formed by an etching process, so that the stress generated by the metal film bridge in the capacitive switch can be translated, thereby improving the reliability of the capacitive switch.
  • the parasitic capacitance of the capacitive switch in the on state can be reduced, thereby further reducing the insertion loss in the on state and ensuring the transmission quality of the signal; and simultaneously the first conductive cantilever and the second conductive cantilever facing the conductive layer Forming contacts on the surface, reducing the contact area of the first conductive cantilever and the second conductive cantilever respectively contacting the conductive layer, thereby reducing the adhesion generated when the first conductive cantilever and the second conductive cantilever are respectively in contact with the conductive layer, thereby avoiding When the adhesion is greater than the electrostatic force generated between the first conductive cantilever, the second conductive cantilever and the conductive layer when the capacitive switch is off

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Abstract

一种电容式开关（33）、信号收发装置及制造方法。该电容式开关包括：第一导电悬臂（11）、第二导电悬臂（12）、衬底（13）以及设置在衬底上的共面波导，该共面波导包括用于传输电信号的第一导体（14）和设置在第一导体两侧作为地线的第二导体（15）和第三导体（16），第一导体上设有绝缘介质层（17），绝缘介质层上设有导电层（18）；第一导电悬臂通过第一固定端（19）与第二导体连接，第二导电悬臂通过第二固定端（20）与第三导体连接。当电容式开关通直流信号时，第一导电悬臂的第一悬空端（24）与导电层连接，第二导电悬臂的第二悬空端（26）与导电层接触。该电容式开关，通过采用悬臂梁分离的结构释放电容式开关中的金属膜桥产生的应力，确保信号的传输质量。

Description

电容式开关、 信号收发装置及制造方法 技术领域 本发明涉及通信技术， 尤其涉及一种电容式开关、 信号收发装置及制造 方法。 背景技术
随着通信技术的不断发展， 通信终端支持的频段越来越多， 这里的通信 终端可以是手机， 数据卡以及其他通信终端。 通信终端工作在不同的网络或 不同的频段下， 需要进行频段选择切换。
现有通信终端工作时主要由一些芯片控制， 例如收发芯片等， 这些芯片 上的一些管脚可以指示该通信终端的工作频段， 即每个管脚代表通信终端不 同的工作频段， 即通过在芯片的集成电路中为终端工作的每个频段对应的管 脚设置一个电容式开关，并通过控制集成电路输入的直流信号作为逻辑电平， 从而控制电容式开关的通断状态， 从而实现通信终端的频段选择切换。 传统 的电容式开关釆用啟机电系统 MEMS ( Micro-Electro-Mechanical Systems )技 术制成， 通过控制集成电路输入的直流信号作为控制电容式开关的通断来控 制信号的流通与截止， 即电容式开关通电时， 控制多个频段的管脚上都有输 入信号， 且每个频段对应的管脚都连接有电容式开关， 当终端工作在某一个 频段时， 控制集成电路输入经过高压驱动的直流信号给与指示其他频段的管 脚相连的电容式开关的控制端， 该直流信号控制该些电容式开关断开， 则输 入端输入的信号就被截止， 从而通过这一过程进行频段的选择切换。
但是， 传统的电容式开关在进行频段选择时， 往往由于双端固支梁的横 梁整体性造成金属膜桥产生的应力无法译放， 使得横梁凸起或者凹陷， 进而 导致横梁与导电层接触不良， 在信号流通的过程中， 时常出现因接触不良导 致的信号泄露， 从而使得通信终端信号传输质量不高的问题。 发明内容
本发明实施例提供一种电容式开关、 信号收发装置及制造方法， 解决了 传统式电容开关因金属膜桥应力无法译放所导致的通信终端信号传输质量不 高的问题。
本发明实施例第一方面提供一种电容式开关， 包括： 第一导电悬臂、 第 二导电悬臂、 衬底以及设置在所述衬底上的共面波导， 所述共面波导包括用 于传输电信号的第一导体和设置在所述第一导体两侧的作为地线的第二导体 和第三导体， 所述第一导体上设有绝缘介质层， 所述绝缘介质层上设有导电 层； 所述第一导电悬臂通过所述第一导电悬臂的第一固定端与所述第二导 体连接， 所述第二导电悬臂通过所述第二导电悬臂的第二固定端与所述第三 导体连接， 当所述电容式开关未通直流信号时， 所述第一导电悬臂的第一悬 空端与所述第二导电悬臂的第二悬空端悬空在所述导电层的上方， 当所述电 容式开关通直流信号时，所述第一导电悬臂的第一悬空端与所述导电层接触， 所述第二导电悬臂的第二悬空端与所述导电层接触。
结合第一方面， 在第一方面的第一种可能的实施方式中， 所述第一固定 端与所述第一悬空端垂直连接， 形成直角弯折结构的第一导电悬臂， 所述第 二固定端与所述第二悬空端垂直连接， 形成直角弯折结构的第二导电悬臂。
结合第一方面， 在第一方面的第二种可能的实施方式中， 所述第一固定 端通过第一支撑部与所述第一悬空端连接， 形成 Z型弯折结构的第一导电悬 臂， 其中， 所述第一固定端与所述第一悬空端平行； 所述第二固定端通过第 二支撑部与所述第二悬空端连接， 形成 Z型弯折结构的第二导电悬臂， 其中， 所述第二固定端与所述第二悬空端平行。
结合第一方面至第一方面的第二种可能的实施方式中任一项， 在第一方 面的第三种可能的实施方式中， 所述第一导电悬臂的第一悬空端面向所述导 电层的表面设有至少一个触点； 和 /或，
所述第二导电悬臂的第二悬空端面向所述导电层的表面设有至少一个触 点。
本发明实施例第二方面提供一种信号收发装置， 包括： 信号源处理电路、 微波处理电路、 控制集成电路和电容式开关；
所述电容式开关， 包括： 第一导电悬臂、 第二导电悬臂、 衬底以及设置 在所述衬底上的共面波导， 所述共面波导包括用于传输电信号的第一导体和 设置在所述第一导体两侧的作为地线的第二导体和第三导体， 所述第一导体 上设有绝缘介质层， 所述绝缘介质层上设有导电层； 所述第一导电悬臂通过 所述第一导电悬臂的第一固定端与所述第二导体连接 ,所述第二导电悬臂通 过所述第二导电悬臂的第二固定端与所述第三导体连接， 其中， 所述信号源 处理电路与设置在所述电容式开关的第一导体的输入端连接， 所述微波处理 电路与设置在所述电容式开关的第一导体的输出端连接， 所述控制集成电路 与设置在所述电容式开关的第一导体的控制端相连接， 当所述电容式开关的 第一导体的控制端未通直流信号时， 所述第一导电悬臂的第一悬空端与所述 第二导电悬臂的第二悬空端悬空在所述导电层的上方， 当所述电容式开关的 第一导体的控制端通直流信号时， 所述第一导电悬臂的第一悬空端与所述导 电层接触， 所述第二导电悬臂的第二悬空端与所述导电层接触。
结合第二方面， 在第二方面的第一种可能的实施方式中， 所述第一固定 端与所述第一悬空端垂直连接， 形成直角弯折结构的第一导电悬臂， 所述第 二固定端与所述第二悬空端垂直连接， 形成直角弯折结构的第二导电悬臂。
结合第二方面， 在第二方面的第二种可能的实施方式中， 所述第一固定 端通过第一支撑部与所述第一悬空端连接， 形成 Z型弯折结构的第一导电悬 臂， 其中， 所述第一固定端与所述第一悬空端平行； 所述第二固定端通过第 二支撑部与所述第二悬空端连接， 形成 Z型弯折结构的第二导电悬臂， 其中， 所述第二固定端与所述第二悬空端平行。
结合第二方面至第二方面的第二种可能的实施方式中的任一项， 在第二 方面的第三种可能的实施方式中， 所述第一导电悬臂的第一悬空端面向所述 导电层的表面设有至少一个触点； 和 /或，
所述第二导电悬臂的第二悬空端面向所述导电层的表面设有至少一个触 点。
本发明实施例第三方面提供一种电容式开关的制造方法， 包括： 在衬底的表面涂覆金属层， 并刻蚀形成共面波导， 所述共面波导包括用 于传输电信号的第一导体和设置在所述第一导体两侧的作为地线的第二导体 和第三导体；
在刻蚀形成的结构上涂覆绝缘介质薄膜， 并刻蚀形成绝缘介质层， 所述 绝缘介质层形成在所述第一导体上；
在刻蚀形成的结构上涂覆导电薄膜， 并刻蚀形成导电层， 所述导电层形 成在所述绝缘介质层上；
在刻蚀形成的结构上涂覆牺牲层， 并刻蚀形成牺牲结构， 所述牺牲结构 的边缘覆盖在所述第二导体的一部分上和第三导体的一部分上；
在刻蚀形成的结构上涂覆金属层， 并刻蚀形成第一导电悬臂和第二导电 悬臂， 其中， 所述第一导电悬臂通过所述第一导电悬臂的第一固定端与所 述第二导体连接， 所述第二导电悬臂通过所述第二导电悬臂的第二固定端与 所述第三导体连接；
去除所述牺牲结构。
结合第三方面， 在第三方面的第一种可能的实施方式中， 所述在刻蚀形 成的结构上涂覆金属层， 并刻蚀形成第一导电悬臂和第二导电悬臂， 包括： 在刻蚀形成的结构上涂覆金属层， 并刻蚀形成第一导电悬臂和第二导电 悬臂， 其中， 所述第一固定端与第一悬空端垂直连接， 形成直角弯折结构的 第一导电悬臂， 所述第二固定端与第二悬空端垂直连接， 形成直角弯折结构 的第二导电悬臂。
结合第三方面， 在第三方面的第二种可能的实施方式中， 所述在刻蚀形 成的结构上涂覆金属层， 并刻蚀形成第一导电悬臂和第二导电悬臂， 包括： 在刻蚀形成的结构上涂覆金属层， 并刻蚀形成第一导电悬臂和第二导电 悬臂， 其中， 所述第一固定端通过第一支撑部与第一悬空端连接， 形成 Z型 弯折结构的所述第一导电悬臂， 其中， 所述第一固定端与所述第一悬空端平 行； 所述第二固定端通过第二支撑部与第二悬空端连接， 形成 Z型弯折结构 的所述第二导电悬臂， 其中， 所述第二固定端与所述第二悬空端平行。
结合第三方面至第三方面的第二种可能的实施方式中任一项， 在第三方 面的第三种可能的实施方式中， 所述牺牲层结构的表面还形成有第一导电悬 臂的至少一个触点容纳区域和 /或第二导电悬臂的至少一个触点容纳区域； 相应地， 在去除所述牺牲结构之后， 所述第一导电悬臂的第一悬空端面 向所述导电层的表面还形成有至少一个触点； 和 /或， 所述第二导电悬臂的第 二悬空端面向所述导电层的表面还形成有至少一个触点。
本实施例提供的电容式开关， 通过釆用第一导电悬臂和第二导电悬臂的 分离结构， 从而可以译放电容式开关中金属膜桥产生的应力， 从而可以提高 电容式开关的可靠性， 保证信号的传输质量。 附图说明 实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍， 显而易见 地， 下面描述中的附图是本发明的一些实施例， 对于本领域普通技术人员 来讲， 在不付出创造性劳动的前提下， 还可以根据这些附图获得其他的附 图。
图 1为本发明提供的一种电容式开关实施例一的俯视结构示意图； 图 2为本发明提供的电容式开关实施例一的剖面结构示意图；
图 3为本发明提供的信号收发装置实施例一的结构示意图；
图 4为本发明提供的信号收发装置实施例二的结构示意图；
图 5为本发明提供的电容式开关的制造方法实施例的流程示意图。
附图标记说明：
11 第一导电悬臂； 12: 第二导电悬臂； 13: 衬底；
14 第一导体； 15: 第二导体； 16: 第三导体；
17 绝缘介质层； 18: 导电层； 19: 第一固定端;
20 第二固定端； 21 : 触点； 22: 触点；
23 第一支撑部； 24: 第一悬空端； 25: 第二支撑部;
26 第二悬空端； 30: 信号源处理电路；
31 啟波处理电路； 32: 控制集成电路； 33 : 电容式开关;
301 : 天线； 302: 滤波器； 303: 环形器；
310: 低噪声功率放大哭 具体实施方式 为使本发明实施例的目的、 技术方案和优点更加清楚， 下面将结合本 发明实施例中的附图， 对本发明实施例中的技术方案进行清楚、 完整地描 述，显然， 所描述的实施例是本发明一部分实施例， 而不是全部的实施例。 基于本发明中的实施例， 本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提 下所获得的所有其他实施例， 都属于本发明保护的范围。
图 1为本发明提供的一种电容式开关实施例一的俯视结构示意图， 图 2为本发明提供的电容式开关实施例一的剖面结构示意图。 结合图 1 和图 2 所示， 该电容式开关包括： 第一导电悬臂 1 1、 第二导电悬臂 12、 衬底 13以 及设置在所述衬底 13上的共面波导，所述共面波导包括用于传输电信号的第 一导体 14和设置在所述第一导体 14两侧的作为地线的第二导体 15和第三导 体 16, 所述第一导体 14上设有绝缘介质层 17 , 所述绝缘介质层 17上设有导 电层 18;所述第一导电悬臂 1 1通过所述第一导电悬臂 1 1的第一固定端 19 与所述第二导体 15连接，所述第二导电悬臂 12通过所述第二导电悬臂 12的 第二固定端 20与所述第三导体 16连接， 当所述电容式开关未通直流信号时， 所述第一导电悬臂 1 1的第一悬空端 24与所述第二导电悬臂 12的第二悬空端 26悬空在所述导电层 18的上方， 当所述电容式开关通直流信号时， 所述第 一导电悬臂 1 1 的第一悬空端 24与所述导电层 18接触， 所述第二导电悬臂 12的第二悬空端 26与所述导电层 18接触。
其中， 该电信号为电磁波信号或射频信号。
需要说明的是， 上述第一导电悬臂 1 1的第一固定端 19和第一悬空端 24可以为一体结构， 也可以分开设置， 第一固定端 19的一端连接第一悬 空端 24 , 本发明实施例对此并不限制。 同理， 上述第二导电悬臂 12的第 二固定端 20和第二悬空端 26可以为一体结构， 也可以分开设置， 上述第 二固定端 20的一端连接第二悬空端 26 , 本发明实施例对此并不限制。
具体的， 初始状态时， 电容式开关处于开态， 即信号可以流通的状态。 电容式开关一般包括第一引脚、 第二引脚和控制引脚， 一般的， 第一引脚可 以为输入引脚或输出引脚， 对应第一引脚， 第二引脚可以为输出引脚或输入 引脚， 其中， 第一引脚、 第二引脚以及控制引脚都可以利用封装集成工艺设 置在第一导体 14。 该电容式开关中的第一导体 14、 绝缘介质层 17以及导电 层 18构成了电容结构， 具有通交流隔直流的作用（此处 殳第一引脚为输入 引脚， 第二引脚为输出引脚） ， 在电容式开关处于开态时， 从电容式开关第 一引脚流入的电信号是一交流信号，则该电信号可以经由第一导体 14的第一 引脚流入， 并经由第二引脚流出， 继而由后续的放大电路对信号进行处理。
进一步的， 电容式开关的控制引脚一般与一控制集成电路相连接。 一般 的， 电容式开关主要应用在接收通路中， 当电信号从天线进入到通信终端的 接收通路中， 经过滤波器滤波、 环形器判断得知该电信号为天线接收的信号， 则该电信号进入位于电容式开关第一导体 14上的输入引脚。 当通信终端需要 进行频段选择切换时， 即通信终端需要截止某些频段的信号流入后面的放大 电路，则此时与电容式开关的控制引脚相连的控制集成电路输入一直流信号， 该直流信号可以作为控制电容式开关开态与关态的逻辑电平信号； 一般的， 该直流信号的电压较低， 可能不足以驱动电容式开关处于关态， 所以在控制 集成电路内部或者在控制集成电路与电容式开关相连接的通路上可以设有高 压驱动芯片或者高压驱动电路， 以使得产生的直流信号的电压足以驱动电容 式开关处于关态； 当控制集成电路输入的直流信号经过高压驱动后从电容式 开关的控制引脚流入， 此时第一导体 14上带有正电荷， 导电层 18上表面也 带有正电荷， 而第二导体 15和第三导体 16上均带有负电荷（其中， 第二导 体 15和第三导体 16作为地线） ， 又由于第二导体 15与第一导电悬臂 11的 第一固定端 19连接、第三导体 16与第二导电悬臂 12的第二固定端 20连接， 故第一导电悬臂 11的第一悬空端 24与第二导电悬臂 12的第二悬空端 26 也均携带负电荷， 由于异性相吸产生的静电力的作用， 使得第一悬空端 24、 第二悬空端 26分别与导电层 18接触， 形成两个闭合回路。 当电信号从电容 式开关的输入引脚流入时， 该电信号经由第一导体 14、 绝缘介质层 17、 导电 层 18以及第一导电悬臂 11 , 以及， 经由第一导体 14、 绝缘介质层 17、 导电 层 18以及第二导电悬臂 12流入左右两端的第二导体 15和第三导体 16, 即 将该电信号导入到地线上， 进而使得某些频段的电信号无法流向位于电容式 开关第一导体 14上的输出引脚，从而使得通信终端在用户想要的工作频段上 工作。
其中， 所述第一导电悬臂 11和所述第二导电悬臂 12为金属材料制成。 其中， 第一导电悬臂 11与第二导电悬臂 12悬空的设计， 较现有技术中 双端固支梁结构的电容式开关， 能够译放金属膜桥产生的应力， 即第一导电 悬臂 11的第一悬空端 24的右端与第二导电悬臂 12的第二悬空端 26的左端 均有一定的空间来译放金属膜桥产生的应力， 而现有技术中的双端固支梁结 构由于固支梁自身的整体性（即导电层上方的金属膜桥是一完整的横梁） , 金属膜桥产生的应力会使得固支梁凸起或者凹陷， 从而使得在电容式开关处 于关态的情况下， 产生形变的双端固支梁与导电层 18接触不良， 造成在信号 传输过程中信号的泄露， 从而影响整个通信终端信号的传输质量； 另， 现有 技术中的双端固支梁的电容式开关在开态时的寄生电容较大， 因而产生的插 入损耗也比较大， 在电容式开关开态时， 某些高频信号由于插入损耗的影响 无法流向后续的微波处理电路。
本实施例提供的电容式开关，通过釆用第一导电悬臂 11和第二导电悬臂 12的分离结构， 从而可以译放电容式开关中金属膜桥产生的应力， 从而可以 提高电容式开关的可靠性， 另， 还可以减小电容式开关在开态时的寄生电容, 从而进一步减小开态时的插入损耗， 可以确保信号的传输质量。
在本发明的实施例二中， 优选的， 所述第一固定端 19与所述第一悬空端 24垂直连接， 形成直角弯折结构的第一导电悬臂 11 , 所述第二固定端 20与 所述第二悬空端 26垂直连接， 形成直角弯折结构的第二导电悬臂 12。
具体的， 上述第一导电悬臂 11的结构可以为 "I " 形状， 上述第 二导电悬臂 12的结构可以为 " I" 形状。
需要说明的是， 上述第一导电悬臂 11的第一固定端 19和第一悬空端
24可以为一体结构， 也可以分开设置， 第一固定端 19的一端连接第一悬 空端 24 , 本发明实施例对此并不限制。 同理， 上述第二导电悬臂 12的第 二固定端 20和第二悬空端 26可以为一体结构， 也可以分开设置， 上述第 二固定端 20的一端连接第二悬空端 26 , 本发明实施例对此并不限制。
进一步地， 在本发明的实施例三中， 参照图 2所示， 优选的， 所述第 一固定端 19通过第一支撑部 23与所述第一悬空端 24连接，形成 Z型弯折结 构的第一导电悬臂 11 ,其中，所述第一固定端 19与所述第一悬空端 24平行; 所述第二固定端 20通过第二支撑部 25与所述第二悬空端 26连接，形成 Z型 弯折结构的第二导电悬臂 12, 其中， 所述第二固定端 20与所述第二悬空端
26平行。
具体的， 上述第一导电悬臂 11的结构可以为 " J ^ " 形状， 上述第 二导电悬臂 12的结构可以为 " ^ L" 形状， 请参阅图 2。
需要说明的是， 上述第一导电悬臂 11的第一支撑部 23、 第一固定端 19和第一悬空端 24可以为一体结构，第一支撑部 23分别连接第一固定端 19和第一悬空端 24; 也可以分开设置， 上述第一支撑部 23分别连接第一 固定端 19和第一悬空端 24 , 本发明实施例对此并不限制。 同理， 上述第 二导电悬臂 12的第二固定端 20、 第二支撑部 25和第二悬空端 26可以为 一体结构， 第二支撑部 25分别连接第二固定端 20和第二悬空端 26; 也可 以分开设置，上述第二支撑部 25分别连接第二固定端 20和第二悬空端 26, 本发明实施例对此并不限制。
更进一步地， 在本发明的实施例四中， 参照图 2所示， 优选的， 所述第 一导电悬臂 11的第一悬空端 24面向所述导电层 18的表面设有至少一个触点 21 ; 和 /或， 所述第二导电悬臂 12的第二悬空端 26面向所述导电层 18的表 面设有至少一个触点 22。
具体的，在第一导电悬臂 11的第一悬空端 24面向导电层 18的表面设置 至少一个触点 21 , 和 /或， 在第二导电悬臂 12的第二悬空端 26面向导电层 18的表面设置至少一个触点 22, 第一导电悬臂 11、 第二导电悬臂 12在电容 式开关关态时， 由控制引脚流入的直流信号可以使得第一导电悬臂 11、 第二 导电悬臂 12与导电层 18之间产生静电力， 从而使得第一导电悬臂 11、 第二 导电悬臂 12通过触点 21、 触点 22分别与导电层 18接触， 形成两个闭合回 路。 当电信号从电容式开关的输入引脚流入时， 该电信号经由第一导体 14、 绝缘介质层 17、 导电层 18以及第一导电悬臂 11 , 和， 经由第一导体 14、 绝 缘介质层 17、 导电层 18以及第二导电悬臂 12流入左右两端的第二导体 15 和第三导体 16, 即将该电信号导入到地线上（该地线即上述第二导体 15和 第三导体 16 ) ,进而使得某些频段的电信号无法流向电容式开关的输出引脚， 从而使得通信终端在用户想要的工作频段上工作。
本实施例提供的电容式开关， 通过在第一导电悬臂 11的第一悬空端 24, 面向导电层 18的表面设置至少一个触点 21 , 和 /或， 在第二导电悬臂 12的第 二悬空端 26, 面向导电层 18的表面设置至少一个触点 22, 这样可以减少第 一导电悬臂 11、 第二导电悬臂 12分别与导电层 18接触的接触面积， 从而可 以减少第一导电悬臂 11、 第二导电悬臂 12分别与导电层 18接触时所产生的 粘附力， 进而避免当粘附力大于在电容式开关关态时第一导电悬臂 11、 第二 导电悬臂 12与导电层 18之间所产生的静电力时， 使得电容式开关的开态与 关态无法顺利切换的问题。
需要说明的是， 所述电容式开关可以被封装为芯片。 所述芯片包括输入 引脚、 输出引脚和控制引脚。 所述控制引脚输入的直流信号由于静电力的作 用可以使电容式开关处于关态，这样可以使得第一导电悬臂 11和第二导电悬 臂 12与导电层 18接触， 从而形成两个闭合回路， 即某些频段的电信号 （电 磁波信号）可以经由第一导体 14、 绝缘介质层 17和导电层 18构成的电容， 然后流经第一导电悬臂 11 和第二导体 15 , 导入到地； 所述某些频段的电信 号也经由第一导体 14、 绝缘介质层 17和导电层 18构成的电容， 然后流经第 二导电悬臂 12和第三导体 16, 导入到地， 这样可以使某些频段的电信号无 法流向输出引脚， 从而使得通信终端在用户想要的工作频段上工作。
图 3为本发明提供的信号收发装置实施例一的结构示意图， 图 4为本发 明提供的信号收发装置实施例二的结构示意图。 如图 3所示， 该装置包括信 号源处理电路 30、 微波处理电路 31、 控制集成电路 32和电容式开关 33; 其 中，所述信号源处理电路 30与设置在所述电容式开关 33的第一导体 14的输 入端连接， 所述微波处理电路 31与设置在所述电容式开关 33的第一导体 14 的输出端连接， 所述控制集成电路 32与设置在所述电容式开关 33的第一导 体 14的控制端相连接； 当所述电容式开关 33的第一导体 14的控制端未通直 流信号时，所述第一导电悬臂 11的第一悬空端 24与所述第二导电悬臂 12的 第二悬空端 26悬空在所述导电层 18的上方， 当所述电容式开关 33的第一导 体 14的控制端通直流信号时，所述第一导电悬臂 11的第一悬空端 24与所述 导电层 18接触， 所述第二导电悬臂 12的第二悬空端 26与所述导电层 18接 触。
具体的， 如图 4所示， 上述信号源处理电路 30可以包括天线 301、 滤 波器 302和环形器 303 , 其中， 天线 301的输出端与滤波器 302的输入端 相连接， 滤波器 302的输出端与环形器 303的输入端相连接， 环形器 303 的输出端与设置在所述电容式开关 33的第一导体 14的输入端连接； 上述 微波处理电路 31包括低噪声功率放大器 310, 其中，设置在所述电容式开 关 33的第一导体 14的输出端与低噪声功率放大器 310的输入端相连接。 其中， 低噪声功率放大器 310的输出端可以按照现有技术与接收通路中的 其他对应的器件相连接， 控制集成电路 32并不在上述的接收通路中， 该 控制集成电路 32可以是单独的模块， 用来与设置在所述电容式开关 33的 第一导体 14的控制端连接，进而控制电容式开关 33的开态与关态的切换； 当上述电容式开关 33的第一导体 14的控制端未通直流信号时， 上述第一导 电悬臂 11的第一悬空端 24与第二导电悬臂 12的第二悬空端 26悬空在上述 导电层 18的上方， 当上述设置在电容式开关 33的第一导体 14上的控制端通 直流信号时， 上述第一导电悬臂 11的第一悬空端 24与导电层 18接触， 第二 导电悬臂 12的第二悬空端 26与上述导电层 18接触，进而形成两个闭合回路， 将电信号导入到左右两侧的第二导体 15和第三导体 16上， 进而使得某些频 段的电信号无法流向位于电容式开关第一导体 14上的输出端，从而使得通信 终端在用户想要的工作频段上工作。 其中， 该电信号为电磁波信号或射频信 号。
其中， 该电容式开关 33的结构可以参考图 1和图 2以及对电容式开 关 33 实施例的描述， 此处不再赘述。 该信号收发装置可以为数据卡、 无 线路由器、 手机、 媒体装置等通信终端。
5所示， 该方法包括：
S301 : 在衬底的表面涂覆金属层， 并刻蚀形成共面波导， 该共面波导包 括用于传输电信号的第一导体和设置在该第一导体两侧的作为地线的第二导 体和第三导体。
其中， 该衬底的表面是指衬底的上表面。
具体的， 在衬底的表面涂覆金属层， 该衬底可以为介质常数偏低的低损 耗衬底， 在该低损耗衬底上溅射一层金属， 并利用刻蚀工艺将不需要的金属 层刻蚀掉， 形成共面波导， 该共面波导包括用于传输电信号的第一导体和设 置在该第一导体两侧的作为地线的第二导体和第三导体。
S302: 在刻蚀形成的结构上涂覆绝缘介质薄膜， 并刻蚀形成绝缘介质层， 所述绝缘介质层形成在所述第一导体上。
具体的， 在刻蚀形成的第一导体的表面、 第二导体的表面、 第三导体的 表面以及第一导体、 第二导体和第三导体之间的间隔的表面釆用等离子体增 强化学气相沉积法 (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, 以下简称 PEC VD)生长一整层的绝缘介质薄膜，并利用刻蚀工艺将其刻蚀形成绝缘介质 层， 该绝缘介质层形成在上述第一导体上， 第二导体和第三导体的表面由于 刻蚀工艺的缘故没有绝缘介质薄膜。
S303: 在刻蚀形成的结构上涂覆导电薄膜， 并刻蚀形成导电层， 所述导 电层形成在所述绝缘介质层上。 具体的， 在刻蚀形成的第二导体的表面、 第三导体的表面、 第一导体表 面的绝缘介质层的表面以及第二导体、 第三导体和第一导体表面的绝缘介质 层之间的间隔的表面涂覆一整层的导电薄膜， 利用刻蚀工艺将其刻蚀形成导 电层， 该导电层形成在上述绝缘介质层上， 第二导体和第三导体上导电薄膜 已经被刻蚀掉了。
S304: 在刻蚀形成的结构上涂覆牺牲层， 并刻蚀形成牺牲结构， 所述牺 牲结构的边缘覆盖在所述第二导体的一部分上和第三导体的一部分上。
具体的， 在步骤 303刻蚀形成的结构上涂覆一整层的牺牲层， 并刻蚀形 成牺牲结构， 该牺牲结构的边缘覆盖在上述第二导体的一部分上和第三导体 的一部分上， 即在涂覆了牺牲层之后， 利用刻蚀工艺刻蚀出第一固定端的固 定区域和第二固定端的固定区域， 并且第一固定端的固定区域在第二导体的 中间部分， 也就是说第一固定端区域的牺牲层已经被刻蚀掉了， 并且第一固 定端的固定区域的边缘均有牺牲层 （即牺牲结构的边缘覆盖在第二导体的一 部分上） ； 同理， 第二固定端的固定区域的边缘均有牺牲层 （即牺牲结构的 边缘覆盖在第三导体的一部分上） 。 其中， 第二导体与第三导体之间涂覆有 牺牲层。
S305: 在刻蚀形成的结构上涂覆金属层， 并刻蚀形成第一导电悬臂和第 二导电悬臂， 其中， 所述第一导电悬臂通过所述第一导电悬臂的第一固定 端与所述第二导体连接， 所述第二导电悬臂通过所述第二导电悬臂的第二固 定端与所述第三导体连接。
S306: 去除所述牺牲结构。
其中， 去除所述牺牲结构， 形成第一导电悬臂的第一悬空端和第二导电 悬臂的第二悬空端。
具体的， 在步骤 304刻蚀所形成的结构上涂覆一整层的金属层（这里的 涂覆一整层的金属层釆用的是溅射的方式） ， 并刻蚀形成第一导电悬臂和第 二导电悬臂， 在刻蚀形成第一导电悬臂和第二导电悬臂之后， 并逐层溅射金 属， 即电镀加厚； 其中， 第一导电悬臂通过第一导电悬臂的第一固定端与 第二导体连接， 第二导电悬臂通过第二导电悬臂的第二固定端与所述第三导 体连接； 之后， 利用湿法腐蚀的方法， 去除所述牺牲结构， 形成第一导电悬 臂的第一悬空端、 第二导电悬臂的第二悬空端、 第一固定端和第二固定端， 第一固定端与第二导体的连接以及第二固定端与第三导体的连接可以通过溅 射工艺实现。
本实施例提供的方法中， 通过刻蚀工艺形成第一导电悬臂和第二导电悬 臂的分离结构， 从而可以译放电容式开关中金属膜桥产生的应力， 从而可以 提高电容式开关的可靠性， 另外， 还可以减小电容式开关在开态时的寄生电 容， 从而进一步减小开态时的插入损耗， 确保信号的传输质量。
在上述图 5所示实施例的基础上， 优选的， 上述步骤 305具体可以为： 在刻蚀形成的结构上涂覆金属层，并刻蚀形成第一导电悬臂和第二导电悬臂， 其中， 所述第一固定端与第一悬空端垂直连接， 形成直角弯折结构的第一导 电悬臂， 所述第二固定端与第二悬空端垂直连接， 形成直角弯折结构的第二 导电悬臂。
具体来说， 步骤 304刻蚀形成的结构中， 包括了第一固定端的固定区域 和第二固定端的固定区域， 并且第一固定端的固定区域与第二固定端的固定 区域表面的牺牲层已经被刻蚀掉了； 在此结构的基础上涂覆金属层 （这里的 涂覆一整层的金属层可以釆用溅射的方式） ， 利用刻蚀工艺形成第一导电悬 臂和第二导电悬臂， 该形成的结构中， 第一固定端与第一悬空端垂直连接， 形成直角弯折结构的第一导电悬臂，第二固定端与所述第二悬空端垂直连接， 形成直角弯折结构的第二导电悬臂。 需要说明的是， 所形成的第一导电悬臂 结构可以为 "I " 形状， 所形成的第二导电悬臂的结构可以为 " I" 形状。
在上述图 5所示实施例的基础上， 优选的， 上述步骤 305具体可以为： 在刻蚀形成的结构上涂覆金属层，并刻蚀形成第一导电悬臂和第二导电悬臂， 其中， 第一固定端通过第一支撑部与第一悬空端连接， 形成 Z型弯折结构的 第一导电悬臂， 其中， 所述第一固定端与所述第一悬空端平行； 第二固定端 通过第二支撑部与第二悬空端连接， 形成 Z型弯折结构的第二导电悬臂， 其 中， 所述第二固定端与所述第二悬空端平行。
具体的， 步骤 304刻蚀形成的结构中， 包括了第一固定端的固定区域和 第二固定端的固定区域， 并且第一固定端的固定区域与第二固定端的固定区 域表面的牺牲层已经被刻蚀掉了； 在此结构的基础上涂覆金属层 （这里的涂 覆一整层的金属层可以釆用溅射的方式） ， 利用刻蚀工艺形成第一导电悬臂 和第二导电悬臂， 该形成的结构中， 第一固定端通过第一支撑部与所述第一 悬空端连接， 形成 Z型弯折结构的第一导电悬臂， 第一固定端与第一悬空端 平行； 第二固定端通过第二支撑部与第二悬空端连接， 形成 Z型弯折结构的 第二导电悬臂， 第二固定端与第二悬空端平行。 需要说明的是， 所形成的第 一导电悬臂的结构可以为 " J ^ "形状， 所形成的第二导电悬臂的结构可 以为 " L" 形;]夫。
在上述图 5所示实施例的基础上， 优选的， 在步骤 304中， 所述牺牲层 结构的表面还形成有第一导电悬臂的至少一个触点容纳区域和 /或第二导电 悬臂的至少一个触点容纳区域； 相应地， 在去除所述牺牲结构之后， 所述第 一导电悬臂的第一悬空端面向所述导电层的表面还形成有至少一个触点； 和 / 或， 所述第二导电悬臂的第二悬空端面向所述导电层的表面还形成有至少一 个触点。
具体的， 在如步骤 304描述的牺牲层表面刻蚀形成了第一固定端的固定 区域以及第二固定端的固定区域， 在牺牲层的表面还形成有第一导电悬臂的 至少一个触点容纳区域以及第二导电悬臂的至少一个触点容纳区域；优选的， 可以选择在上述牺牲层面向第一导电悬臂的悬空端表面刻蚀形成两个触点容 纳区域， 和 /或， 在上述牺牲层面向第二导电悬臂的悬空端的表面刻蚀形成两 个触点容纳区域。
利用湿法腐蚀的方法， 去除牺牲结构之后， 在第一导电悬臂的第一悬空 端面向所述导电层的表面还形成有至少一个触点； 和 /或， 第二导电悬臂的第 二悬空端面向所述导电层的表面还形成有至少一个触点， 优选的， 每个导电 悬臂的悬空端面向导电层的表面的触点可以为两个。
本实施例提供的方法中， 通过刻蚀工艺形成第一导电悬臂和第二导电悬 臂的分离结构， 从而可以译放电容式开关中金属膜桥产生的应力， 从而可以 提高电容式开关的可靠性， 另外， 还可以减小电容式开关在开态时的寄生电 容， 从而进一步减小开态时的插入损耗， 确保信号的传输质量； 同时在第一 导电悬臂和第二导电悬臂面向导电层的表面形成触点， 减少第一导电悬臂、 第二导电悬臂分别与导电层接触的接触面积， 从而减少第一导电悬臂、 第二 导电悬臂分别与导电层接触时所产生的粘附力， 进而避免当粘附力大于在电 容式开关关态时第一导电悬臂、 第二导电悬臂与导电层之间所产生的静电力 最后应说明的是： 以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案， 而非对 其限制； 尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明， 本领域的普通 技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改， 或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换； 而这些修改或者替换， 并 不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims

权 利 要 求 书
1、 一种电容式开关， 其特征在于， 包括： 第一导电悬臂、 第二导电悬臂、 衬底以及设置在所述衬底上的共面波导， 所述共面波导包括用于传输电信号 的第一导体和设置在所述第一导体两侧的作为地线的第二导体和第三导体， 所述第一导体上设有绝缘介质层， 所述绝缘介质层上设有导电层； 所述第一 导电悬臂通过所述第一导电悬臂的第一固定端与所述第二导体连接， 所述 第二导电悬臂通过所述第二导电悬臂的第二固定端与所述第三导体连接， 当 所述电容式开关未通直流信号时， 所述第一导电悬臂的第一悬空端与所述第 二导电悬臂的第二悬空端悬空在所述导电层的上方， 当所述电容式开关通直 流信号时， 所述第一导电悬臂的第一悬空端与所述导电层接触， 所述第二导 电悬臂的第二悬空端与所述导电层接触。
2、 根据权利要求 1所述的电容式开关， 其特征在于， 所述第一固定端与 所述第一悬空端垂直连接， 形成直角弯折结构的第一导电悬臂， 所述第二固 定端与所述第二悬空端垂直连接， 形成直角弯折结构的第二导电悬臂。
3、 根据权利要求 1所述的电容式开关， 其特征在于， 所述第一固定端通 过第一支撑部与所述第一悬空端连接， 形成 Z型弯折结构的第一导电悬臂， 其中， 所述第一固定端与所述第一悬空端平行； 所述第二固定端通过第二支 撑部与所述第二悬空端连接， 形成 Z型弯折结构的第二导电悬臂， 其中， 所 述第二固定端与所述第二悬空端平行。
4、 根据权利要求 1〜3中任一项所述的电容式开关， 其特征在于， 所述第 一导电悬臂的第一悬空端面向所述导电层的表面设有至少一个触点； 和 /或， 所述第二导电悬臂的第二悬空端面向所述导电层的表面设有至少一个触 点。
5、 一种信号收发装置， 其特征在于， 包括： 信号源处理电路、 微波处理 电路、 控制集成电路和电容式开关；
所述电容式开关， 包括： 第一导电悬臂、 第二导电悬臂、 衬底以及设置 在所述衬底上的共面波导， 所述共面波导包括用于传输电信号的第一导体和 设置在所述第一导体两侧的作为地线的第二导体和第三导体， 所述第一导体 上设有绝缘介质层， 所述绝缘介质层上设有导电层； 所述第一导电悬臂通过 所述第一导电悬臂的第一固定端与所述第二导体连接 ,所述第二导电悬臂通 过所述第二导电悬臂的第二固定端与所述第三导体连接， 其中， 所述信号源 处理电路与设置在所述电容式开关的第一导体的输入端连接， 所述微波处理 电路与设置在所述电容式开关的第一导体的输出端连接， 所述控制集成电路 与设置在所述电容式开关的第一导体的控制端相连接， 当所述电容式开关的 第一导体的控制端未通直流信号时， 所述第一导电悬臂的第一悬空端与所述 第二导电悬臂的第二悬空端悬空在所述导电层的上方， 当所述电容式开关的 第一导体的控制端通直流信号时， 所述第一导电悬臂的第一悬空端与所述导 电层接触， 所述第二导电悬臂的第二悬空端与所述导电层接触。
6、 根据权利要求 5所述的装置， 其特征在于， 所述第一固定端与所述第 一悬空端垂直连接， 形成直角弯折结构的第一导电悬臂， 所述第二固定端与 所述第二悬空端垂直连接， 形成直角弯折结构的第二导电悬臂。
7、 根据权利要求 5所述的装置， 其特征在于， 所述第一固定端通过第一 支撑部与所述第一悬空端连接， 形成 Z型弯折结构的第一导电悬臂， 其中， 所述第一固定端与所述第 ―悬空端平行； 所述第二固定端通过第二支撑部与 所述第二悬空端连接， 形成 Z型弯折结构的第二导电悬臂， 其中， 所述第二 固定端与所述第二悬空端平行。
8、 根据权利要求 5〜7中任一项所述的装置， 其特征在于， 所述第一导电 悬臂的第一悬空端面向所述导电层的表面设有至少一个触点； 和 /或，
所述第二导电悬臂的第二悬空端面向所述导电层的表面设有至少一个触 点。
9、 一种电容式开关的制造方法， 其特征在于， 包括：
在衬底的表面涂覆金属层， 并刻蚀形成共面波导， 所述共面波导包括用 于传输电信号的第一导体和设置在所述第一导体两侧的作为地线的第二导体 和第三导体；
在刻蚀形成的结构上涂覆绝缘介质薄膜， 并刻蚀形成绝缘介质层， 所述 绝缘介质层形成在所述第一导体上；
在刻蚀形成的结构上涂覆导电薄膜， 并刻蚀形成导电层， 所述导电层形 成在所述绝缘介质层上；
在刻蚀形成的结构上涂覆牺牲层， 并刻蚀形成牺牲结构， 所述牺牲结构 的边缘覆盖在所述第二导体的一部分上和第三导体的一部分上； 在刻蚀形成的结构上涂覆金属层， 并刻蚀形成第一导电悬臂和第二导电 悬臂， 其中， 所述第一导电悬臂通过所述第一导电悬臂的第一固定端与所 述第二导体连接， 所述第二导电悬臂通过所述第二导电悬臂的第二固定端与 所述第三导体连接；
去除所述牺牲结构。
10、 根据权利要求 9所述的方法， 其特征在于， 所述在刻蚀形成的结构 上涂覆金属层， 并刻蚀形成第一导电悬臂和第二导电悬臂， 包括：
在刻蚀形成的结构上涂覆金属层， 并刻蚀形成第一导电悬臂和第二导电 悬臂， 其中， 所述第一固定端与第一悬空端垂直连接， 形成直角弯折结构的 第一导电悬臂， 所述第二固定端与第二悬空端垂直连接， 形成直角弯折结构 的第二导电悬臂。
11、 根据权利要求 9所述的方法， 其特征在于， 所述在刻蚀形成的结构 上涂覆金属层， 并刻蚀形成第一导电悬臂和第二导电悬臂， 包括：
在刻蚀形成的结构上涂覆金属层， 并刻蚀形成第一导电悬臂和第二导电 悬臂， 其中， 所述第一固定端通过第一支撑部与第一悬空端连接， 形成 Z型 弯折结构的所述第一导电悬臂， 其中， 所述第一固定端与所述第一悬空端平 行； 所述第二固定端通过第二支撑部与第二悬空端连接， 形成 Z型弯折结构 的所述第二导电悬臂， 其中， 所述第二固定端与所述第二悬空端平行。
12、 根据权利要求 9〜11中任一项所述的方法， 其特征在于， 所述牺牲层 结构的表面还形成有第一导电悬臂的至少一个触点容纳区域和 /或第二导电 悬臂的至少一个触点容纳区域；
相应地， 在去除所述牺牲结构之后， 所述第一导电悬臂的第一悬空端面 向所述导电层的表面还形成有至少一个触点； 和 /或， 所述第二导电悬臂的第 二悬空端面向所述导电层的表面还形成有至少一个触点。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107681269A (zh) * 2017-09-25 2018-02-09 武汉雷毫科技有限公司 射频电流抑制结构及射频收发系统
CN110047662A (zh) * 2019-04-16 2019-07-23 苏州希美微纳系统有限公司 一种高开关电容比rf mems电容式开关
CN117916190A (zh) * 2022-06-29 2024-04-19 京东方科技集团股份有限公司 Mems开关器件及电子设备
CN115377631B (zh) * 2022-09-16 2023-11-03 北京邮电大学 一种射频mems开关

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101924542A (zh) * 2009-06-11 2010-12-22 江苏丽恒电子有限公司 电容式微机电系统开关及其制造方法
CN201752111U (zh) * 2010-05-12 2011-02-23 熊全宾 电容式触控开关
EP2421153A1 (de) * 2010-08-17 2012-02-22 RAFI GmbH & Co. KG Reflektor

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2001268742A1 (en) * 2000-06-28 2002-01-08 The Regents Of The University Of California Capacitive microelectromechanical switches
US6472962B1 (en) * 2001-05-17 2002-10-29 Institute Of Microelectronics Inductor-capacitor resonant RF switch
CN101777461A (zh) * 2010-01-13 2010-07-14 东南大学 一种低应力高可靠的射频微机械系统电容式开关
JP5639509B2 (ja) * 2011-03-10 2014-12-10 アルプス電気株式会社 静電容量式入力装置
TWI456706B (zh) * 2012-10-24 2014-10-11 Univ Nat Changhua Education 矽穿孔自我繞線電路及其繞線方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101924542A (zh) * 2009-06-11 2010-12-22 江苏丽恒电子有限公司 电容式微机电系统开关及其制造方法
CN201752111U (zh) * 2010-05-12 2011-02-23 熊全宾 电容式触控开关
EP2421153A1 (de) * 2010-08-17 2012-02-22 RAFI GmbH & Co. KG Reflektor

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