JP4617147B2 - 高周波信号のスイッチング方法及び高周波信号用スイッチ - Google Patents

Description

本発明は電気回路の開閉を行うことによる電気信号のスイッチング方法及び該方法に使用するスイッチに関し、より詳細には、高周波信号や高速デジタル信号等に適したスイッチング方法、及び高周波回路に用いるに適したスイッチに関する。

各種の電気回路においてスイッチング素子として一般に使用されているリードスイッチ１は、図１７に示すように磁性金属から成る一対のリード１１，１２それぞれの一端１１ａ，１２ａを、所定の長さでオーバーラップさせた状態で数ｍｍから十数ｍｍ長のガラス管２５内に封入した構造を有している。

そして、ガラス管２５の外部で発生させた磁界の作用によって、ガラス管２５内の磁性リード１１を動かすことにより、前述のオーバーラップ部分においてリード１１，１２の一端部１１ａ，１２ａ間を接離させ、これによりスイッチングを行うことができるように構成されている。

このようなリードスイッチ１のガラス管２５には、不活性ガスを封入したり、又はガラス管２５内を真空とすることにより、この種のリードスイッチ１は長寿命で安定した動作を行うことができるものとなっている。

また、このようなリードスイッチ１は動作時間が１ｍｓ以下と高速であり、ＯＮ抵抗も小さく比較的高い周波数帯域においても優れた特性を示すこと、また、高感度であり、動作に必要な磁気エネルギーが少ないために逆起電力が少ないこと等から、現在、半導体検査装置のスイッチング素子等として広く用いられている。

ところで、近年におけるコンピュータ等の高速化のニーズから半導体集積回路装置の高速化が要求されており、これに伴い製造現場における検査装置にも高速化が求められている。

このような検査装置等の高速化の要求から、検査装置等において扱う信号のより一層の高周波化が進んでおり、検査装置等にスイッチング素子として使用されるスイッチ類についても、優れた高周波特性が要求されつつある。

しかし、前述した構造の既知のリードスイッチ１にあっては、制御する電気信号の周波数が高くなると、リード１１，１２の端部１１ａ，１２ａが接触していないＯＦＦ時においてもオーバラップ部分の主として容量等によってリード１１，１２間が電気的に接続された状態となってアイソレーションが低下する。これはマクスウェルの方程式で記述されている変位電流で説明することができる。

そのために、オーバーラップ部分におけるリード１１，１２の端部１１ａ−１２ａ間のギャップが数十μmであるこの種のリードスイッチ１では、制御する信号が一例として数ＧＨｚ以上の高周波数になると、アイソレーションが１０ｄＢ以下にまで低下してしまい、要求される性能を満たすものとはなっていない。

このような問題を解消するために、オーバーラップ部分におけるリード１１，１２間のギャップを広げて容量を低下させる改善方法も考えられるが、このようにギャップを広く取る場合には、リードを動作させる距離が長くなるために外部磁界を強めることが必要で、ガラス管２５の外周に配置されたコイルに流す電流が増えるために逆起電力が増加する。

その一方で、オーバラップ部分のギャップを広げて容量を低下させても、高周波信号を扱う場合にはアイソレーションのめざましい改善は得られない。

そのため、従来の一般的なリードスイッチ１において、通常求められる２０ｄＢ以上のアイソレーションを確保し得る条件下で使用しようとすれば、扱える信号の周波数はせいぜい１〜２ＧＨｚ程度が上限であり、数ＧＨｚ以上、好ましくは１０ＧＨｚ以上、一例として２０ＧＨｚ程度の高周波信号の制御が必要とされつつある半導体検査装置等に使用されるリードスイッチに要求される性能を十分に満足させることができなくなっている。

なお、このようなアイソレーションの向上を図るために、トランスファー型（双投型）のリードスイッチにおいて、共通端子４１に選択的に接続される第１と第２の切換端子４２，４３間に高周波コイル５０を接続し、この高周波コイル５０と第１，第２切換端子４２，４３間の浮遊容量を並列共振させることによって、高周波信号の周波数帯域において第１，第２切換端子４２，４３間のアイソレーションを高めることができるように構成したリードスイッチ４０が提案されている（特許文献１；図１８参照）。

この発明の先行技術文献情報としては、次のものがある。
特開平９−１２０７６４号公報

前述した特許文献１には、実施例において制御信号が０．８〜１ＧＨｚの周波数であるとき、３０ｄＢ以上（約３５ｄＢ前後）のアイソレーションが得られるとする結果が開示されており（特許文献１の図２）、前述のような高周波コイル５０が設けられていないトランスファー型のリードスイッチのアイソレーションが２０ｄＢ以下であることを考慮すれば（同特許文献１の図２）、大幅なアイソレーションの向上が得られていると言える。

しかし、特許文献１に記載の発明にあっては、前述のように第１と第２の切換端子４２，４３間に高周波コイル５０を接続することによってアイソレーションの向上を得るものであることから、適用対象がトランスファー型のリードスイッチ４０に限定され、メーク型又はブレイク型のリードスイッチに対して適用することができない。

また、現在起こりつつある高速化の要求に従えば、検査装置等で使用されるリードスイッチは、１０ＧＨｚ以上の周波数、一例として２０ＧＨｚ程度の電気信号の制御に使用することも想定されており、この周波数帯域においても一定のアイソレーション、例えば１０ｄＢ以上、好ましくは２０ｄＢ以上のアイソレーションを確保できるものであることが要求されている。

しかし、従来の一般的なリードスイッチにあっては、前述のように数ＧＨｚ以上の周波数になると、アイソレーションは１０ｄＢ以下であり、１０ｄＢ以上、好ましくは２０ｄＢ以上のアイソレーションを実現できる周波数は、せいぜい１〜２ＧＨｚ程度迄である。

また、前述の特許文献１に記載のリードスイッチ４０にあっても、使用に適した周波数帯域は４７０ＭＨｚ〜３ＧＨｚであるとされており（特許文献１「０００１」欄）、前述のような高速化の要求を十分に満たすものとはなっていない。

なお、以上の説明においてはリードスイッチを例として説明したが、このような高速化、高周波帯域での特性向上の要求は、他の機械式のスイッチング素子に対しても要求されており、また、ＯＦＦ時に比較的大きな容量が生じやすい半導体スイッチについても同様にアイソレーション特性の向上が要求される。

そこで本発明は、上記従来技術における欠点を解消するためになされたものであり、トランスファー型、メーク型、ブレイク型等の型式に限定されず、各種型式の機械式スイッチ、その他、半導体スイッチ素子を使用したスイッチに対して適用可能であると共に、比較的簡単な構成によりアイソレーションを向上させることのできる高周波信号の制御方法及び高周波信号用スイッチを提供することを目的とし、好ましくは、数ＧＨｚ以上、例えば１０ＧＨｚ以上、より具体的には２０ＧＨｚ程度の高周波数帯域における使用においても、１０ｄＢ以上、好ましくは１５ｄＢ以上、より好ましくは２０ｄＢ以上のアイソレーションを確保することのできるスイッチを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の高周波信号のスイッチング方法は、電気回路の開閉端（実施例では、リード１１，１２の端部１１ａ−１２ａ）間に、所定長さの端部１３ａ−１３ｂ間距離を有する中間伝送路１３を配置し、制御する電気信号の上限周波数ｆmax以上の共振周波数を持つ共振系を前記中間伝送路１３によって形成すると共に、
前記開閉端１１ａ，１２ａの一方１１ａと前記中間伝送路１３の一端部１３ａ間、及び前記開閉端の他方１２ａと前記中間伝送路の他端部１３ｂ間に接点１４，１５をそれぞれ設け、前記電気回路の開放時、前記接点１４，１５を共に開くことを特徴とする（請求項１）。

また、本発明の高周波信号用スイッチは、電気回路の開閉端にそれぞれ接続される少なくとも２つのリード１１，１２と、前記リード１１，１２の端部間１１ａ，１２ａに配置された中間伝送路１３を有し、前記リードの一方１１と前記中間伝送路１３の一端部１３ａ間、及び前記リードの他方１２と前記中間伝送路１３の他端部１３ｂ間に、前記リード１１，１２間を開放する時に共に電気的に開く接点１４，１５をそれぞれ形成すると共に、
前記中間伝送路１３によって形成される振動系の共振周波数が制御する電気信号の上限周波数ｆmax以上となるように、前記中間伝送路１３の端部１３ａ−１３ｂ間の距離が設定されていることを特徴とする（請求項２）。

前記構成の高周波信号用スイッチ１において、前記接点１４，１５を、前記中間伝送路の両端部１３ａ，１３ｂと、前記リード１１，１２の各端部１１ａ，１２ａとの機械的な接触部分として形成することもできる（請求項３）。

このように、前記接点１４，１５を機械式の接点とする場合には、これらの接点をそれぞれ独立したガラス管２１，２２内に（請求項４）、又は単一のガラス管２０内に例えば不活性ガス等と共に封入し（請求項５）、一例としてリードスイッチとして構成しても良い。

さらに、前述のリードとしては、前記１組のリード１１，１２に代えて、例えば共通リード１１０と、該共通リード１１０に対して選択的に接続される複数の選択リード１２１，１２２を設け、前記共通リード１１０の端部１１０ａと前記選択リード１２１，１２２の端部１２１ａ，１２２ａ間、又は前記中間伝送路と前記選択リードの端部間のいずれか、又は双方にトランスファー型の接点１４０を設けた構成としても良い（請求項６）。

また、前述の接点１４，１５は、これを半導体スイッチ素子１４’，１５’によって構成するものであっても良い（請求項７）。

この場合において、前記中間伝送路１３は、これを前記半導体スイッチ素子１４’，１５’間に形成された遅延回路網によって形成することができる（請求項８）。

さらに、前述のように接点１３，１４を半導体スイッチ素子１４’，１５’とする場合には、これをマイクロストリップ回路網によって形成しても良く（請求項９）、又は、集中常数回路網により形成しても良い（請求項１０）。

さらに、前述の半導体スイッチ素子１４’，１５’としては、ＭＯＳＦＥＴを使用することができる（請求項１１）。

なお、高周波信号用スイッチにおいて、前記中間伝送路１３は前記接点（機械式接点１４，１５；半導体スイッチ素子１４’，１５’）を介して複数個を直列に接続することもできる（請求項１２）。

以上に説明した本発明の構成により、中間伝送路１３によって形成される共振系の共振周波数を、制御する電気信号の上限周波数ｆmax以上としたことにより、共振系のＱ値による遮断の効果により、比較的簡単な構成でありながら、トランスファー型、メーク型、ブレイク型等の形式に拘わりなく、また、機械式、半導体型のものに拘わらず、各種型式のスイッチにおいて使用周波数帯域でのアイソレーションの向上を得ることができる高周波信号用スイッチを提供することができた。

接点１４，１５を機械式の接点とした機械式のスイッチ（一例としてリードスイッチ）にあっては、数ＧＨｚ以上、一例として１０ＧＨｚ以上の周波数で使用した場合においても１０ｄＢ以上のアイソレーションを確保することができた。

特に、接点１４，１５をこのような機械式の接点とした高周波信号用スイッチにあっては、複数のガラス管２１，２２内に接点１４，１５をそれぞれ別個に封入することができ、例えば図１７を参照して説明した既知のリードスイッチ２個を従属に接続することによって本発明の高周波信号用スイッチを比較的簡単に得ることが可能である。

また、接点１４，１５を単一のガラス管２０内に封入することにより、中間伝送路１３の端部１３ａ−１３ｂ間距離を短くすることができ、スイッチ全体の小型化が可能であると共に中間伝送路１３の共振周波数を高めることが可能である。

このように共振周波数が高まることにより、アイソレーションの向上が得られる周波数帯域を更に高周周波側に拡張することができた。

さらに、共通リード１１０と各選択リード１２１，１２２の端部１２１ａ，１２２ａ間に中間伝送路１３１，１３２を設け、共通リード１１０の端部１１０ａと各中間伝送路１３１，１３２のいずれかの一端１３１ａ，１３２ａを選択的に接続するトランスファー接点１４０を設けることにより、共通リード１１０と選択リードの１つ１２１、共通リード１１０と他の選択リード１２２間のそれぞれについて、アイソレーションの向上を得ることのできるトランスファー型のスイッチを提供することができた。

次に、本発明の実施形態につき添付図面を参照しながら以下説明する。なお、以下の実施形態において、本発明の高周波信号用スイッチの思想をリードスイッチとして実現した例について説明するが、本発明の原理はこのようなリードスイッチにのみ限定されるものではなく、既知の各種のスイッチにおいて実現可能である。

〔リードスイッチの全体構成〕
本発明の一実施形態を示す図１のリードスイッチ１が、電気回路の開閉端にそれぞれ接続される少なくとも１組のリード１１，１２を備える点においては図１７を参照して説明した従来のリードスイッチ１と同様の構成であるが、前記図１７を参照して説明した従来のリードスイッチ１にあっては、１組のリード１１，１２の端部１１ａ，１２ａ間を所定長さでオーバーラップさせて、このオーバーラップ部分において両リードを直接接触させるものとしていたのに対し、本実施形態のリードスイッチ１にあっては、図１及び図２に示すように、１組のリード１１，１２の端部１１ａ，１２ａ間を離した状態で配置すると共に、これら１組のリード１１，１２間に中間伝送路１３を配置して、この中間伝送路１３を介して前記１組のリードを電気的に接続することができるように構成している。

すなわち、本実施形態のリードスイッチ１にあっては、一方のリード１１の端部１１ａと中間伝送路１３の一方の端部１３ａを所定のギャップを介してオーバラップさせた状態に配置すると共に、他方のリード１２の端部１２ａと中間伝送路１３の他方の端部１３ｂを所定のギャップを介してオーバラップさせた状態に配置し、それぞれのオーバーラップ部分に接点１４，１５を形成している。

そして、図１に示す実施形態にあっては、前述の各オーバラップ部分をそれぞれ独立したガラス管２１，２２内に不活性ガスと共に封入し、各ガラス管２１，２２内に二つの接点１４，１５のそれぞれが独立して配置された構造を有しており、従って、図１に示すリードスイッチ１は、従来技術として説明した図１０に示すリードスイッチを２個従属に接続したと略同様の構造となっている。

なお、このリードスイッチ１は、図１に示すように各接点１４，１５部分をそれぞれ独立したガラス管２１，２２にて封入する場合に限定されず、例えば図２に示すように共通のガラス管２０内に２つの接点１４，１５のいずれをも封入するものとしても良い。

この場合、ガラス管２０の長さ方向中央部には、例えば、ガラス管２０の幅を狭めて括れを形成して前記中間伝送路１３をガラス管２０内の中心部に挟持・固定することにより（図示せず）、又は、図２に示すようにガラス管２０の長さ方向の中央に位置してガラス管２０内を分割する隔壁２３を形成すると共に、前述の中間伝送路１３をこの隔壁２３に貫通・固定させた構造としても良く、このように形成することにより、図１を参照して説明したリードスイッチ１に比較して、中間伝送路１３の長さを短かくすることができ、これにより、本発明のリードスイッチ１の小型化が可能であると共に、中間伝送路１３の端部１３ａ−１３ｂ間距離を図１を参照して説明したリードスイッチ１に比較してさらに短くすることができる。

このように、中間伝送路１３の端部１３ａ−１３ｂ間距離を狭めることが可能な結果、後述するように従来のリードスイッチに比較してより高い周波数域において使用する場合であっても、１０ｄＢ以上、好ましくは２０ｄＢ以上というアイソレーションを確保することが可能となる。

また、前記図１及び図２を参照して説明した前述の実施形態にあっては、一例として外部磁界の発生していない状態では接点が開いた状態にあるメイク型のリードスイッチを図示しているが、本発明のリードスイッチ１は、これとは逆に例えば外部磁界の発生によって接点が開くブレイク型のものとして構成しても良く、さらには一方の接点をメーク型、他方の接点をブレイク型として構成しても良い。

さらには、前述のリード１１，１２は、１組のリード１１，１２に限定されず、例えば共通リード１１０とこの共通リード１１０に対して選択的に接続される複数の選択リード１２１，１２２を備えたものとしても良い。

この場合には、図３（Ａ），（Ｂ）に示すように、選択リード１２１，１２２の数に対応した数（図示の例では２つ）の中間伝送路１３１，１３２を設け、前記共通リード１１０と各中間伝送路１３１，１３２間の接点１４０をトランスファー型の接点と成すと共に、各中間伝送路１３１，１３２と、これに対応する選択リード１２１，１２２間の接点をメーク型又はブレイク型の接点１５１，１５２（図では、接点１５１がブレイク型、接点１５２がメーク型である）として構成しても良く、また、図３（Ｃ）に示すように、単一の中間伝送路１３の他端１３ｂと、複数の選択リード１２１，１２２とを選択的に接触可能に構成する等、各種の変形が可能である。

さらに、図３（Ａ）〜（Ｃ）に示した例にあっては、複数の接点を共通のガラス管内に封入するものとして説明したが、これらの各接点は、図４に示すように各接点毎に独立したガラス管内に封入するものとしても良い。

以上のように構成された本実施形態のリードスイッチ１において、リード１１，１２間に設けられた中間伝送路１３の端部１３ａ−１３ｂ間の距離Ｌは、前記中間伝送路１３によって形成される振動系の共振周波数が、リードスイッチ１により制御される電気信号の上限周波数ｆmax以上となるように調整されている。

この、中間伝送路１３の共振周波数は、中間伝送路１３の端部間距離によって決まり、理論的には中間伝送路１３の端部１３ａ−１３ｂ間の距離を、上限周波数ｆmaxの実効波長の略１／２以下の長さに形成することで、中間伝送路１３の共振周波数を前記電気信号の上限周波数ｆmax以上とすることができる。

但し、実際には中間伝送路１３の端効果により電界がもれて、中間伝送路の電気長が物理長より長くなったり、また、中間伝送路１３の両端１３ａ，１３ｂと各リード１１，１２の重なり部分の面積により、電界がこの部分に集中して前記端効果がキャンセルされる効果もある等、各種の要因が複雑に関係するため、中間伝送路１３の両端１３ａ−１３ｂの長さは、このような端効果等を考慮した、中間伝送路の端部１３ａ−１３ｂ間の電気的な距離を、上限周波数ｆmaxの１／２以下の長さとする必要があり、好ましくは、計算等により求められた実効波長の１／２に対して十分に短い距離とする。

なお、ここでいう「実効波長」とは、中間伝送路１３が接している不活性ガスや空気、ガラスなどの誘電率を考慮した波長のことであり、ガラスの持つ誘電率の影響で、同じ周波数であっても真空中の波長より短くなり、必ずしも真空中の波長とは一致しない。

このように、リードスイッチに設けられた中間伝送路１３の端部１３ａ−１３ｂ間の距離を、制御する電気信号の最大周波数ｆmaxにおける実効波長の１／２以下とすることにより、中間伝送路１３が最大周波数ｆmaxを共振周波数とした共振器となる。

従って中間伝送路１３の端部１３ａ−１３ｂ間距離Ｌが、本発明のリードスイッチ１で制御する電気信号の最大周波数ｆmaxにおける実効波長の１／２以下とすること、すなわち、中間伝送路１３の共振周波数を、このリードスイッチを使用する周波数帯域の最大値以上の周波数に設定することにより、このリードスイッチ１の使用周波数帯域におけるアイソレーションの向上が得られる。

〔リードリレー〕
以上のように構成されたリードスイッチ１は、一例として接地させた金属管から成るガードパイプ３０内に挿入し、又は接地された金属板で包囲する等してグラウンドすることにより高周波伝送路における特性インピーダンスを与えると共に、前記ガードパイプ３０等と共にこのリードスイッチ１を、外周にコイルが巻かれたボビン（図示せず）内に挿入して、リードリレーとして使用する。

図１を参照して説明したメーク型のリードスイッチ１を使用したリードリレーにあっては、ボビンに巻かれたコイルに通電することにより、リードスイッチに設けられた接点１４，１５のいずれもが閉じたＯＮの状態になると共に、コイルに対する通電を停止すると、リードスイッチ１に設けられた接点１４，１５のいずれもが開きＯＦＦの状態となるように構成されている。

なお、前述の実施形態にあっては、本発明の高周波信号用スイッチがメーク型のリードスイッチ１において実現されているものとして説明したが、ブレイク型のリードスイッチとして実現されている場合には、リードスイッチ１に設けられた２つの接点１４，１５は、いずれも常時閉じた状態であり、コイルに対する通電により、いずれの接点をも開くように構成する。

また、２つの接点の一方をメーク型、他方をブレイク型とした場合には、それぞれの接点の外周に位置して対応したコイルを配置しても良い。

さらに、リードスイッチ１を図３（Ａ）〜（Ｃ）及び図４に示すようにトランスファー型のものとして形成する場合には、コイルに対する通電により、共通リード１１０が、選択リード１２１，１２２のいずれかに対して中間伝送路１３１，１３２を介して選択的に接続されるように構成しても良い。

さらに、図１及び図２を参照して説明した実施形態にあっては、２つの接点１４，１５間に単一の中間リード１３を設けるものとして説明したが、リード１１，１２間に複数の中間伝送路を直列に配置し、各中間伝送路間に前記同様の接点を形成するものとしても良い（図示せず）。

〔半導体スイッチによる構成例〕
以上で説明した実施形態にあっては、本発明の高周波信号用スイッチをリードスイッチとして実現した例を示したが、本発明の高周波信号用スイッチは、機械式スイッチのみならず半導体スイッチとしても実現することが可能であり、以下、図５〜図９を参照して、半導体スイッチ素子に本発明の技術的思想を適用した構成例について説明する。

図５に示す実施形態は、２つの半導体スイッチ素子６０，６２を、中間伝送路１３の両端に設けられた前述の接点１４，１５とした例であり、図５に示すように２つの半導体スイッチ素子６０，６２を、中間伝送路１３で直列に接続することにより、本発明の高周波信号用スイッチが形成されている。

この高周波信号用スイッチの等価回路を示せば、図６（Ａ）の通りであり、この等価回路において、制御信号の伝送方向に直列な容量Ｃ1，Ｃ2は結合容量で、例えばＯＦＦ操作時の半導体スイッチ素子（例えばＦＥＴ等）が相当し、この結合容量Ｃ1，Ｃ2は、スイッチのＯＮ操作時に導通状態となる。

また、内側の並列な容量Ｃ３，Ｃ４は、共振する中間伝送路１３の開放端の容量であり、さらに、外側の並列な容量Ｃ５，Ｃ６は入出力端子につながる伝送路の開放終端容量である。

この図６（Ａ）に示す等価回路において、中間伝送路１３は容量Ｃ３，Ｃ４間の伝送路に形成されており、前記中間伝送路１３の端部間距離を最大周波数ｆmaxの実効波長のおよそ１／２以上にとることにより、この中間伝送路１３によって形成される共振系の共振周波数を、制御する電気信号の最大周波数ｆmax以上とすることができ、使用する周波数帯域においてアイソレーションの向上されたスイッチを得ることができる。

このような中間伝送路１３は、図７に示すように２つの半導体スイッチ素子６０，６２間に設けられた遅延回路網によって形成しても良く、その他、マイクロストリップ回路網によって形成しても良く、集中定数回路網によって形成しても良い。

図８はさらに、半導体スイッチ素子として、ソース端子間を接続した１組のＭＯＳＦＥＴ６３，６４から成る半導体スイッチ素子６７と、同様にソース端子間を接続した別の組のＭＯＳＦＥＴ６５，６６から成る半導体スイッチ素子６８とを、それぞれ接点１４，１５とし、この２つの接点１４，１５間を、基板裏面にグランドプレーン７０を有するマイクロストリップ伝送路６９（図９参照）で直列接続した構成である。

なお、上記の実施形態にあっては、２つの半導体スイッチ素子１４’，１５’間に単一の中間伝送路１３を設けた構成について説明したが、３個以上の半導体スイッチ素子を中間伝送路で直列に接続して、図６（Ｂ）の等価回路に示す構成としても良い。

〔実施例１のリードスイッチ（図１参照）の特性〕
（１）ＯＦＦ特性
図１を参照して説明した本発明のリードスイッチ（参照）の伝送特性（接点開放時）についてのシミュレーション結果〔Ａｎｓｏｆｔ社製；ＨＦＳＳ(High Frequency Structure Simulator)ｖｅｒ８．５によるシミュレーション〕を図１０に示す。

なお、使用したリードスイッチ１は、リード１１，１２と中間伝送路１３とのオーバーラップ部分におけるギャップが２０μｍであり、中間伝送路１３の端部１３ａ−１３ｂ間距離は４．５２ｍｍである。

このリードスイッチは、約９．３ＧＨｚの周波数の信号を入力したときに共振を起こす。ここで、ガラス管に使用したガラスの誘電率は約６程度であり、共振器として働く中間伝送路１３は、誘電率を持つガラスや空気、不活性ガス等に接している。

このような条件下において、リードスイッチに共振を発生させた９．３ＧＨｚの電気信号の実効波長は、中間伝送路１３間の距離である４．５２ｍｍの約二倍（９．０４ｍｍ）であると考えられる。

なお図１０に示すグラフ中において、実線は伝送量、破線は反射量であり、ｄＢ単位の伝送量の絶対値がアイソレーション量に相当する。

この、図１０に示すグラフより、いずれの接点１４，１５ともに開いた状態（ＯＦＦの状態）にある図１のリードスイッチ１にあっては、共振周波数である９．３ＧＨｚ以下の周波数帯域において２０ｄＢ以上のアイソレーションが得られており、特にこれよりも低い８ＧＨｚ以下においては、３０ｄＢ以上のアイソレーションが得られていることが確認できた。

（２）ＯＮ特性
また、本発明のリードスイッチは、いずれの接点共に閉じた状態にあるときには、図１１に示すように、数ＧＨｚから十数ＧＨｚの帯域において伝送量（図中実線）が略０ｄＢであり、挿入損失はほとんど無いことが確認された。

一方、反射量についても数ＧＨｚから十数ＧＨｚの帯域において−１０ｄＢ以下を実現しており、十分な性能を満たしていることが確認できた。

〔従来のリードスイッチ（図１７参照）の特性〕
これに対し図１２は、図１７に示す従来のリードスイッチを単体で使用した場合の伝送特性（接点開放時）のシミュレーション結果である。

図１２から明らかなように、従来のリードスイッチを使用する場合には１０ｄＢ程度のアイソレーションを得ようとすれば、入力する電気信号は１０ＧＨｚ以下（５ＧＨｚ以下）である必要があり、１５ｄＢ以上のアイソレーションを得ようとすれば、入力する電気信号は３ＧＨｚ以下とする必要がある。

〔比較結果〕
このように、本発明のリードスイッチ（図１参照）は、従来のリードスイッチ（図１７参照）に比較して、数ＧＨｚ以上の高周波域におけるアイソレーションが飛躍的に向上されていることが確認できた。

因みに、本発明のリードスイッチが１ＧＨｚ程度の周波数において５０ｄＢ以上のアイソレーションが得られていることを考えると、数ＧＨｚ未満の周波数域においても、特許文献１を参照して説明した従来のリードスイッチと比較して有利な値を示していることが確認できる。

〔実施例２のリードスイッチ〕
以上説明したように、図１に示すリードスイッチによっても、従来のリードスイッチ（図１７参照）に比較してアイソレーションを向上させることができるものであるが、さらに中間伝送路１３の端部１３ａ−１３ｂ間の間隔を狭めることにより、中間伝送路１３の共振周波数をより高い周波数に設定することができ、必要なアイソレーションを確保し得る周波数帯域を更に高周波側に拡張することが可能である。

このように、中間伝送路１３の端部１３ａ−１３ｂ間の間隔を狭めるために、本実施例（図２参照）にあっては単一のガラス管２０内に２つの接点をいずれも封入し、中間伝送路１３の端部１３ａ−１３ｂ間の間隔Ｌを１．９２ｍｍに迄減少させている。

なお、シミュレーションに使用したリードスイッチの各部のサイズは、図１３に示す通りである。

以上のように構成されたリードスイッチの、接点を開いた状態（ＯＦＦ状態）における伝送特性を図１４に、接点を閉じた状態（ＯＮ状態）における伝送特性を図１５にそれぞれ示す。

図１４より明らかなように、接点が開いた状態（ＯＦＦ状態）にあっては、２０ＧＨｚ以下の周波数帯域においてはいずれの周波数においても１５ｄＢ以上のアイソレーションが確保されており、２０ｄＢ程度の高周波信号の制御用として使用する場合であっても十分な働きをするリードスイッチであることが確認された。

また、図１５に示すように、接点が閉じた状態（ＯＮの状態）において、２０ＧＨｚ以下の周波数における伝送量（挿入損；図中実線）は略０ｄＢであり、反射量（図中破線）も−１５ｄＢ以下を維持する理想的な特性を示すことが確認された。

〔実施例３のリードスイッチ（図８）の特性〕
図１６に、図８を参照して説明した、実施例３の高周波信号用スイッチ（接点として半導体スイッチ素子を使用）のアイソレーション改善効果を示す。

図１６において、四角いプロットで示す線は遅延回路網（中間伝送路）を持たない半導体スイッチの伝送量であり、丸いプロットで示す線は、図８の高周波信号用スイッチの伝送量である。

両スイッチの特性を比較してみると、図１６より、一例として１００ＭＨｚの信号を制御する際のアイソレーションが、遅延回路（中間伝送路）を持たない半導体スイッチが約−１５ｄＢであるのに対し、図８に示す本発明の高周波信号用スイッチにあっては、中間伝送路（遅延回路網）の端部間距離を、１００ＭＨｚの信号の実効波長の１／２である５ｎｓに対して十分に短い距離（一例として１ｎｓ）とした結果、−４０ｄＢという高いアイソレーションを得ることができた。この結果から、本発明の高周波信号用スイッチにあっては、中間伝送路を備えていない半導体スイッチを単体で使用する場合に比較して、アイソレーションが２５ｄＢ改善されていることが確認できた。

本発明の高周波信号用スイッチング方法及びスイッチは、極めて簡単な構成によりアイソレーションを飛躍的に向上させることができ、特に、これをリードスイッチとして構成する場合には、１０ＧＨｚ以上の周波数においても１０ｄＢ以上という十分なアイソレーションが確保できると共に、リードスイッチが元来持つ低いＯＮ抵抗のメリットを生かして、半導体検査装置、無線回路の送受信切換等、１０ＧＨｚを超える周波数を扱ういずれの分野においても使用するに適したものである。

本発明の高周波信号用スイッチ（リードスイッチ）の概略断面図。 本発明の高周波信号用スイッチ（リードスイッチ）の概略断面図。 本発明の高周波信号用スイッチ（リードスイッチ）の概略断面図であり、（Ａ）、（Ｂ）は複数の中間伝送路を備えたもの、（Ｃ）は単一の中間伝送路を備えたものを示す。 本発明の高周波信号用スイッチ（リードスイッチ）の概略断面図。 半導体スイッチ素子を使用した本発明の高周波信号用スイッチの概略図。 （Ａ）は図５の高周波信号用スイッチの等価回路図、（Ｂ）は、直列に接続された複数の中間伝送路を有する高周波信号用スイッチの等価回路図。 半導体スイッチ素子を遅延回路網で接続した本発明の高周波信号用スイッチの概略図。 半導体スイッチ素子をマイクロストリップ伝送路で接続した本発明の高周波信号用スイッチの概略図。 マイクロストリップ伝送路の概略図。 実施例１（図１）のリードスイッチのＯＦＦ特性示すグラフ。 実施例１（図１）のリードスイッチのＯＮ特性を示すグラフ。 従来のリードスイッチ（図１７）のＯＦＦ特性を示すグラフ。 実施例２（図２）のリードスイッチの各部サイズの説明図。 実施例２（図２）のリードスイッチのＯＦＦ特性示すグラフ。 実施例２（図２）のリードスイッチのＯＮ特性を示すグラフ。 実施例３（図８）のスイッチ及び従来の半導体スイッチの特性を示すグラフ。 従来のリードスイッチの概略断面図。 従来のリードスイッチ（トランスファー型）の説明図。

符号の説明

１ リードスイッチ
１１ リード（一方）
１１ａ 一端（リード１１の）
１１０ 共通リード
１１０ａ 一端（共通リード１１０の）
１２ リード（他方）
１２ａ 一端（リード１２の）
１２１，１２２ 選択リード
１２１ａ，１２２ａ 一端（選択リード１２１，１２２の）
１３，１３１，１３２ 中間伝送路
１３ａ 一端（中間伝送路１３の）
１３ｂ 他端（中間伝送路１３の）
１４，１５，１４０，１５１，１５２ 接点
１４’，１５’ 半導体スイッチ素子
２０，２１，２２，２５ ガラス管
２３ 隔壁
３０ ガードパイプ
４０ リードスイッチ
４１ 共通端子
４２ 第１切換端子
４３ 第２切換端子
５０ 高周波コイル
６０，６２，６３，６４，６５，６６ 半導体スイッチ
６７，６８ 半導体スイッチ素子
６１ 遅延回路
６９ マイクロストリップ
７０ グランドプレーン

Claims (12)

1. 電気回路の開閉端間に、所定長さの端部間距離を有する中間伝送路を配置し、制御する電気信号の上限周波数以上の共振周波数を持つ共振系を前記中間伝送路によって形成すると共に、
   前記開閉端の一方と前記中間伝送路の一端部間、及び前記開閉端の他方と前記中間伝送路の他端部間に接点をそれぞれ設け、
   前記電気回路の開放時、前記接点を共に電気的に開くことを特徴とする高周波信号のスイッチング方法。
2. 電気回路の開閉端にそれぞれ接続される少なくとも２つのリードと、前記リードの端部間に配置された中間伝送路を有し、前記リードの一方と前記中間伝送路の一端部間、及び前記リードの他方と前記中間伝送路の他端部間に、前記リード間を開放する時に共に電気的に開く接点をそれぞれ設けると共に、
   前記中間伝送路によって形成される共振系の共振周波数が制御する電気信号の上限周波数以上となるように、前記中間伝送路の端部間距離が設定されていることを特徴とする高周波信号用スイッチ。
3. 前記接点が、前記中間伝送路の両端部と、前記各リードとの機械的な接触部分として構成されていることを特徴とする請求項２記載の高周波信号用スイッチ。
4. 前記各接点が、それぞれ独立したガラス管内に封入されていることを特徴とする請求項３記載の高周波信号用スイッチ。
5. 前記各接点が、いずれも単一のガラス管内に封入されていることを特徴とする請求項３記載の高周波信号用スイッチ。
6. 前記リードとして、共通リードと、該共通リードに対して選択的に接続される複数の選択リードを設け、前記共通リードの端部と前記選択リードの端部間に前記中間伝送路を配置すると共に、
   前記共通リードの端部と前記中間伝送路間、又は前記中間伝送路と前記選択リードの端部間のいずれか又は双方をトランスファー型の接点としたことを特徴とする請求項２記載の高周波信号用スイッチ。
7. 前記接点が、半導体スイッチ素子により構成されていることを特徴とする請求項記載２の高周波信号用スイッチ。
8. 前記中間伝送路が、前記半導体スイッチ素子間に設けられた遅延回路網であることを特徴とする請求項７記載の高周波信号用スイッチ。
9. 前記中間伝送路が、前記半導体スイッチ素子間に設けられたマイクロストリップ回路網であることを特徴とする請求項７又は８記載の高周波信号用スイッチ。
10. 前記中間伝送路が、前記半導体スイッチ素子間に設けられた集中常数回路網であることを特徴とする請求項７又は８記載の高周波信号用スイッチ。
11. 前記半導体スイッチ素子が、ＭＯＳＦＥＴにより構成されていることを特徴とする請求項７〜１０いずれか１項記載の高周波信号用スイッチ。
12. 前記中間伝送路が、前記接点を介して複数直列に接続されていることを特徴とする請求項２〜１１いずれか１項記載の高周波信号用スイッチ。

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